JP7643453B2 - 液晶配向剤、液晶配向膜、及び液晶表示素子 - Google Patents
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Description
液晶表示素子の駆動方式の一つであるVA型の液晶表示素子では、予め液晶組成物中に光重合性化合物を添加し、かつポリイミド系などの垂直配向膜を用い、液晶セルに電圧を印加しながら紫外線を照射することで、液晶の応答速度を速くする技術(PSA(Polymer Sustained Alignment)方式素子)(例えば、特許文献1及び非特許文献1参照。)が知られている。
また近年では、大画面で高精細の液晶テレビが広く実用化されており、このような用途における液晶表示素子では、それまでの文字や静止画を主として表示するディスプレイ用途と比較して、残像に対する要求はより厳しくなり、かつ過酷な使用環境での長期使用に耐えうる特性が要求されている。従って、そこに使用される液晶配向膜は従来よりも信頼性の高いものが必要となってきており、液晶配向膜の電気特性に関しても、初期特性が良好なだけでなく、例えば、高温高湿下に長時間曝された後であっても、良好な特性を維持することが求められている。このような課題を解決する液晶配向膜として、特許文献3にはジフェニルアミン構造を有するポリイミド系液晶配向膜が提案されている。
更には、高い光透過率を有する液晶配向膜を得ることができる液晶配向剤、該液晶配向剤から得られる液晶配向膜及びそれを用いた液晶表示素子を提供することにある。
下記式(1-a)で表される繰り返し単位及び下記式(1-i)で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる第1の繰り返し単位(a1)と、
下記式(2-a)で表される繰り返し単位及び下記式(2-i)で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる第2の繰り返し単位(a2)と、を有する重合体成分を含有する液晶配向剤。
更には、本発明の液晶配向剤によれば、高い光透過率を有する液晶配向膜を得ることができる。
本発明の上記効果が得られるメカニズムは必ずしも明らかではないが、以下に述べることが一因と考えられる。すなわち、上記重合体を含む液晶配向剤を用いることで、高温高湿下でも重合体の加水分解が起きにくいため、電圧保持率が高い液晶配向膜が得られると考えられる。また、光透過率の低下要因の一つである重合体の酸化体を、モデル化合物として可視領域における吸光度を求めたところ、上記重合体からなる酸化体の吸光度は極めて小さいことから、高い光透過率を有する液晶配向膜が得られると考えられる。
<重合体成分>
本発明の液晶配向剤は、上記式(1-a)で表される繰り返し単位及び上記式(1-i)で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる第1の繰り返し単位(a1)と、
上記式(2-a)で表される繰り返し単位及び上記式(2-i)で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる第2の繰り返し単位(a2)と、を有する重合体成分を含有する。
なお、上記重合体成分は、第1の繰り返し単位(a1)および第2の繰り返し単位(a2)のいずれも有さない、ポリイミド前駆体及びそのイミド化重合体からなる群から選ばれる少なくとも1種の重合体をさらに含有していてもよい。
また、上記繰り返し単位(a1)の含有割合は、上記共重合体を構成する繰り返し単位全体の1~90モル%が好ましく、1~85モル%がより好ましい。
また、上記繰り返し単位(a2)の含有割合は、本発明の効果を効率的に得る観点で、上記重合体(P-a2)を構成する繰り返し単位全体の、5モル%以上90モル%以下が好ましく、10モル%以上80モル%以下がより好ましい。
上記式(1-a)及び上記式(1-i)において、Y1は上記式(S1)~(S3)で表される構造を有する2価の有機基を表す。Y1は、好ましくは、上記式(S1)~(S3)で表される構造を有するジアミンに由来する2価の有機基である。
上記式(S1)~(S3)で表される構造を有する2価の有機基の具体例としては、上記式(S1)~(S3)で表される構造を側鎖に有する芳香族ジアミン(d)に由来する2価の有機基が挙げられる。上記式(S1)~(S3)で表される構造を有する2価の有機基は、好ましくは、上記芳香族ジアミン(d)から2つのアミノ基を除いた基である。
上記式(S1)で表される構造の好ましい具体例としては、下記式(S1-1)~(S1-7)で表される構造が挙げられる。上記式(S3)で表される構造の好ましい具体例としては、(S3-a)で表される構造が挙げられる。なお、式(S3-a)中、Xは、式(X1)、式(X2)、又は-CH2O-を表し、Colは、式(Col-1)、式(Col-2)又は式(Col-3)を表し、Gは、式(G1)、式(G2)、式(G3)又は式(G4)を表す。
R2は液晶配向性の観点から、炭素数3~20のアルキル基または炭素数2~20のアルコキシアルキル基が好ましい。R2を形成する任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。
芳香族ジアミン(d)の具体例として、下記式(d1)又は式(d2)で表されるジアミンが挙げられる。
上記式(1-a)において、2個のZ1は、それぞれ独立して、水素原子又は1価の有機基を表す。該1価の有機基の例として、水素原子、置換基を有してもよい炭素数1~10のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数2~10のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数2~10のアルキニル基、tert-ブトキシカルボニル基、又は9-フルオレニルメトキシカルボニル基が挙げられる。上記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、ニトリル基等が挙げられる。2個のZ1は、それぞれ独立して、好ましくは、水素原子またはメチル基を表す。
上記式(1-a)及び上記式(1-i)において、X1、Y1、R1、Z1は、それぞれ1種類であってもよく、2種類以上であってもよい。
上記式(2-a)及び上記式(2-i)において、Y2は下記式(2c)で表される2価の有機基を表す。
上記式(2-a)におけるR2は、上記式(1-a)におけるR1と同じものが挙げられる。
上記式(2-a)におけるZ2は、上記式(1-a)におけるZ1と同じものが挙げられる。
上記式(2-a)及び上記式(2-i)において、X2、Y2、R2、Z2は、それぞれ1種類であってもよく、2種類以上であってもよい。
上記重合体成分は、下記式(3-a)で表される繰り返し単位及び下記式(3-i)で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる第3の繰り返し単位(a3)をさらに有してもよい。
上記共重合体の例としては、上記第1の繰り返し単位(a1)と、上記第2の繰り返し単位(a2)と、上記第3の繰り返し単位(a3)とを同一の分子内に有するポリイミド前駆体及びそのイミド化重合体からなる群から選ばれる少なくとも1種の重合体が挙げられることができる。
上記重合体ブレンドの例としては、上記第1の繰り返し単位(a1)と上記第2の繰り返し単位(a2)とを同一の分子内に有するポリイミド前駆体及びそのイミド化重合体からなる群から選ばれる少なくとも1種の重合体(P-a1+a2)と、上記第1の繰り返し単位(a1)と上記第3の繰り返し単位(a3)とを同一の分子内に有するポリイミド前駆体及びそのイミド化重合体からなる群から選ばれる少なくとも1種の重合体(P-a1+a3)との混合物を挙げることができる。上記重合体(P-a1+a3)は、上記第2の繰り返し単位(a2)を有さなくてもよい。 上記共重合体または上記重合体ブレンドは単独で使用してもよく、組み合わせて使用してもよい。
この場合、上記第1の繰り返し単位(a1)及び上記第2の繰り返し単位(a2)の合計は、上記共重合体を構成する繰り返し単位全体の10~95モル%が好ましく、20~90モル%がより好ましい。
上記式(3-a)におけるR3は、上記式(1-a)におけるR1と同じものが挙げられる。
上記式(3-a)におけるZ3は、上記式(1-a)におけるZ1と同じものが挙げられる。
上記式(3-a)及び上記式(3-i)において、X3、Y3、R3、Z3は、それぞれ1種類であってもよく、2種類以上であってもよい。
本発明に用いられるポリイミド前駆体は、ポリアミック酸、ポリアミック酸エステル等が挙げられる。本発明に用いられるポリイミド前駆体は、例えば、国際公開公報WO2013/157586に記載されるような公知の方法で合成出来る。
具体的には、ジアミン成分と、テトラカルボン酸誘導体成分と、を溶媒中で(縮重合)反応させることにより合成される。上記テトラカルボン酸誘導体成分としては、テトラカルボン酸二無水物若しくはその誘導体(テトラカルボン酸ジハロゲン化物、テトラカルボン酸ジエステル、又はテトラカルボン酸ジエステルジハロゲン化物)が挙げられる。重合体の一部にアミック酸構造を含む場合、例えば、テトラカルボン酸二無水物成分とジアミン成分とを反応させることにより、アミック酸構造を有する重合体(ポリアミック酸)が得られる。溶媒としては、生成した重合体が溶解するものであれば特に限定されない。
例えば、R1が水素原子である上記式(1-a)で表される繰り返し単位を有する重合体を得る場合には、ジアミン成分としては、-N(Z1)-Y1-N(Z1)-の構造(Y1、Z1の定義は上記式(1-a)と同じである。)を有するジアミンが使用され、また、テトラカルボン酸誘導体成分としては、下記式の構造を有するテトラカルボン酸誘導体が使用される。
本発明の液晶配向剤に含有されるポリイミドのイミド化率は、溶解性を担保する観点から、10~95%であり、好ましくは20~95%、より好ましくは30~90%である。
また、例えば、液晶配向剤に含まれる上記共重合体(重合体(P-a1+a2))の含有量は、1.5~9質量%、好ましくは、2.5~9質量%である。
さらに、例えば、液晶配向剤に含まれる上記重合体ブレンド(重合体(P-a1)と重合体(P-a2)との混合物)の合計含有量は、1.5~9質量%、好ましくは、2.5~9質量%である。
本発明の液晶配向剤は、必要に応じて上記以外のその他の成分、例えば架橋性化合物、官能性シラン化合物、界面活性剤、光重合性基を有する化合物等を添加してもよい。
特に好ましい固形分濃度の範囲は、基板に液晶配向剤を塗布する際に用いる方法によって異なる。例えばスピンコート法による場合、固形分濃度は1.5~4.5質量%の範囲が特に好ましい。印刷法による場合には、固形分濃度を3~9質量%の範囲とし、それにより溶液粘度を12~50mPa・sの範囲とすることが特に好ましい。インクジェット法による場合には、固形分濃度を1~5質量%の範囲とし、それにより、溶液粘度を3~15mPa・sの範囲とすることが特に好ましい。
本発明の液晶配向膜は、上記液晶配向剤から得られる。本発明の液晶配向膜は、水平配向型若しくは垂直配向型の液晶配向膜に用いることができるが、中でもVA方式又はPSAモード等の垂直配向型の液晶表示素子に好適な液晶配向膜である。本発明の液晶表示素子は、上記液晶配向膜を具備するものである。本発明の液晶表示素子は、例えば以下の工程(1)~(3)又は工程(1)~(4)を含む方法により製造することができる。また、本発明の液晶配向膜は、導電膜を有する一対の基板上に塗布して塗膜を形成し、液晶分子の層を介して上記塗膜が相対するように対向配置して液晶セルを形成し、上記一対の基板の有する導電膜間に電圧を印加した状態で前記液晶セルに光照射する液晶表示素子の製造方法により得られる、液晶表示素子に好ましく用いることができる。より具体的には、後述するPSA型液晶表示素子やSC-PVAモード用液晶表示素子である。
(1)液晶配向剤を基板上に塗布する工程
パターニングされた透明導電膜が設けられている基板の一面に、本発明の液晶配向剤を、例えばロールコーター法、スピンコート法、印刷法、インクジェット法などの適宜の塗布方法により塗布する。ここで基板としては、透明性の高い基板であれば特に限定されず、ガラス基板、窒化珪素基板とともに、アクリル基板やポリカーボネート基板等のプラスチック基板等を用いることもできる。また、反射型の液晶表示素子では、片側の基板のみにならば、シリコンウエハー等の不透明な物でも使用でき、この場合の電極にはアルミニウム等の光を反射する材料も使用できる。
(2)塗膜を焼成する工程
液晶配向剤塗布後、塗布した配向剤の液垂れ防止等の目的で、好ましくは先ず予備加熱(プレベーク)が実施される。プレベーク温度は、好ましくは30~200℃であり、より好ましくは40~150℃であり、特に好ましくは40~100℃である。プレベーク時間は好ましくは0.25~10分であり、より好ましくは0.5~5分である。そして、さらに加熱(ポストベーク)工程が実施されることが好ましい。このポストベーク温度は好ましくは80~300℃であり、より好ましくは120~250℃である。ポストベーク時間は好ましくは5~200分であり、より好ましくは10~100分である。このようにして形成される膜の膜厚は、5~300nmが好ましく、10~200nmがより好ましい。
(3)液晶層を形成する工程
(3-1)VA型液晶表示素子の場合
上記のようにして液晶配向膜が形成された基板を2枚準備し、対向配置した2枚の基板間に液晶を配置する。具体的には以下の2つの方法が挙げられる。第一の方法は、従来から知られている方法である。先ず、それぞれの液晶配向膜が対向するように間隙(セルギャップ)を介して2枚の基板を対向配置する。次いで、2枚の基板の周辺部をシール剤を用いて貼り合わせ、基板表面及びシール剤により区画されたセルギャップ内に液晶組成物を注入充填して膜面に接触した後、注入孔を封止する。
重合性化合物を含有する液晶組成物を注入又は滴下する点以外は上記(3-1)と同様にする。重合性化合物としては、例えば上記式(M-1)~(M-7)で表されるような重合性化合物を挙げることができる。
(3-3)重合性基を有する化合物を含む液晶配向剤を用いて基板上に塗膜を形成した場合
上記(3-1)と同様にした後、後述する紫外線を照射する工程を経て液晶表示素子を製造する方法を採用してもよい。この方法によれば、上記PSA型液晶表示素子を製造する場合と同様に、少ない光照射量で応答速度に優れた液晶表示素子を得ることができる。重合性基を有する化合物は、上記式(M-1)~(M-7)で表されるようなアクリレート基やメタクリレート基などの重合性不飽和基を分子内に1個以上有する化合物であってもよく、その含有量は、全ての重合体成分100質量部に対して0.1~30質量部であることが好ましく、より好ましくは1~20質量部である。また、上記重合性基は液晶配向剤に用いる重合体が有していてもよく、このような重合体としては、例えば上記光重合性基を末端に有するジアミンを含むジアミン成分を反応に用いて得られる重合体が挙げられる。
上記(3-2)又は(3-3)で得られた一対の基板の有する導電膜間に電圧を印加した状態で液晶セルに光照射する。ここで印加する電圧は、例えば5~50Vの直流又は交流とすることができる。また、照射する光としては、例えば150~800nmの波長の光を含む紫外線及び可視光線を用いることができるが、300~400nmの波長の光を含む紫外線が好ましい。照射光の光源としては、例えば低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、重水素ランプ、メタルハライドランプ、アルゴン共鳴ランプ、キセノンランプ、エキシマレーザーなどを使用することができる。光の照射量としては、好ましくは1,000~200,000J/m2であり、より好ましくは1,000~100,000J/m2である。
<液晶配向剤の合成>
下記液晶配向剤の調製で用いた略号は以下のとおりである。
(酸二無水物)
BODA:ビシクロ[3,3,0]オクタン-2,4,6,8-テトラカルボン酸二無水物
CBDA:1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物
TCA:2,3,5-トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物
(ジアミン)
DA-1~DA-11:それぞれ、下記式(DA-1)~(DA-11)で表される化合物
AD-1:下記式(AD-1)で表される化合物
NMP:N-メチル-2-ピロリドン、BCS:ブチルセロソルブ
<分子量測定>
測定装置:センシュー科学社製 常温ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)(SSC-7200)、カラム:Shodex社製カラム(KD-803、KD-805の直列)、カラム温度:50℃、溶離液:N,N-ジメチルホルムアミド(添加剤として、臭化リチウム一水和物(LiBr・H2O)が30mmol/L、リン酸・無水結晶(o-リン酸)が30mmol/L、テトラヒドロフラン(THF)が10mL/L)、流速:1.0mL/分、検量線作成用標準サンプル:東ソー社製 TSK 標準ポリエチレンオキサイド(分子量約900,000、150,000、100,000、30,000)、及び、ポリマーラボラトリー社製 ポリエチレングリコール(分子量 約12,000、4,000、1,000)。
ポリイミド粉末20mgをNMRサンプル管(草野科学社製 NMRサンプリングチューブスタンダード φ5)に入れ、重水素化ジメチルスルホキシド(DMSO-d6、0.05%TMS混合品)1.0mLを添加し、超音波をかけて完全に溶解させた。この溶液を日本電子データム社製NMR測定器(JNW-ECA500)にて500MHzのプロトンNMRを測定した。
化学イミド化率は、イミド化前後で変化しない構造に由来するプロトンを基準プロトンとして決め、このプロトンのピーク積算値と、9.5~10.0ppm付近に現れるアミック酸のNH基に由来するプロトンピーク積算値とを用い以下の式によって求めた。なお、式中、xはアミック酸のNH基由来のプロトンピーク積算値であり、yは基準プロトンのピーク積算値であり、αはポリアミック酸(イミド化率が0%)の場合におけるアミック酸のNH基のプロトン1個に対する基準プロトンの個数割合である。
イミド化率(%)=(1-α・x/y)×100
BODA(2.50g,10.0mmol)、DA-1(2.76g,14.0mmol)、及びDA-8(2.28g,6.0mmol)をNMP(30.2g)中で溶解し、60℃で3時間反応させたのち、CBDA(1.92g,9.8mmol)及びNMP(7.7g)を加え、40℃で4時間反応させポリアミック酸溶液(1)を得た。このポリアミック酸の数平均分子量Mnは、10,360、重量平均分子量Mwは30,350であった。
BODA(2.50g,10.0mmol)、DA-2(2.96g,14.0mmol)、及びDA-8(2.28g,6.0mmol)をNMP(31.0g)中で溶解し、60℃で3時間反応させたのち、CBDA(1.92g,9.8mmol)及びNMP(7.7g)を加え、40℃で4時間反応させポリアミック酸溶液(2)を得た。このポリアミック酸のMnは12,140、Mwは37,600であった。
BODA(2.50g,10.0mmol)、DA-4(2.79g,14.0mmol)、及びDA-8(2.28g,6.0mmol)をNMP(30.3g)中で溶解し、60℃で3時間反応させたのち、CBDA(1.92g,9.8mmol)及びNMP(7.7g)を加え、40℃で4時間反応させポリアミック酸溶液(3)を得た。このポリアミック酸のMnは12,630、Mwは36,540であった。
BODA(2.50g,10.0mmol)、DA-3(5.90g,14.0mmol)、及びDA-8(2.28g,6.0mmol)をNMP(38.3g)中で混合し、60℃で3時間反応させた後、CBDA(1.81g,9.2mmol)及びNMP(7.8g)を加え、40℃で3時間反応させポリアミック酸溶液(4)を得た。このポリアミック酸のMnは12,340、Mwは46,260であった。
BODA(2.50g,10.0mmol)、DA-1(1.58g,8.0mmol)、DA-6(1.94g,8.0mmol)及びDA-9(1.58g,4.0mmol)をNMP(30.4g)中で混合し、60℃で3時間反応させた後、CBDA(1.94g,9.9mmol)及びNMP(7.7g)を加え、40℃で3時間反応させポリアミック酸溶液(5-a)を得た。このポリアミック酸のMnは11,450、Mwは37,590であった。得られたポリアミック酸溶液(5-a)(6.0g)にNMP(6.0g)及びBCS(8.0g)を加え室温で2時間撹拌することにより、ポリアミック酸溶液(5)を得た。
合成例5で得られたポリアミック酸溶液(5-a)(20.0g)に、NMPを加え6.5質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(4.27g)及びピリジン(1.33g)を加え、50℃で3時間反応させた。この反応溶液をメタノール(270mL)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、60℃で減圧乾燥しポリイミド粉末を得た。このポリイミド粉末のイミド化率は37%であり、Mnは10,980、Mwは34,300であった。得られたポリイミド粉末(3.0g)にNMP(22.0g)を加え、70℃で12時間撹拌して溶解させ、ポリイミド溶液(1)を得た。
BODA(2.50g,10.0mmol)、DA-2(1.69g,8.0mmol)、DA-6(1.94g,8.0mmol)及びDA-9(1.58g,4.0mmol)をNMP(30.8g)中で混合し、60℃で3時間反応させた後、CBDA(1.94g,9.9mmol)及びNMP(7.8g)を加え、40℃で3時間反応させポリアミック酸溶液(6-a)を得た。このポリアミック酸のMnは10,860、Mwは36,010であった。得られたポリアミック酸溶液(6-a)(6.0g)にNMP(6.0g)及びBCS(8.0g)を加え室温で2時間撹拌することにより、ポリアミック酸溶液(6)を得た。
合成例7で得られたポリアミック酸溶液(6-a)(20.0g)に、NMPを加え6.5質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(4.23g)及びピリジン(1.31g)を加え、50℃で3時間反応させた。この反応溶液をメタノール(270mL)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、60℃で減圧乾燥しポリイミド粉末を得た。このポリイミド粉末のイミド化率は53%であり、Mnは9,920、Mwは32,300であった。得られたポリイミド粉末(3.0g)にNMP(22.0g)を加え、70℃で12時間撹拌して溶解させ、ポリイミド溶液(2)を得た。
BODA(2.50g,10.0mmol)、DA-4(1.59g,8.0mmol)、DA-6(1.94g,8.0mmol)及びDA-9(1.58g,4.0mmol)をNMP(30.4g)中で混合し、60℃で3時間反応させた後、CBDA(1.92g,9.8mmol)及びNMP(7.7g)を加え、40℃で3時間反応させポリアミック酸溶液(7-a)を得た。このポリアミック酸のMnは11,030、Mwは33,050であった。得られたポリアミック酸溶液(7-a)(6.0g)にNMP(6.0g)及びBCS(8.0g)を加え室温で2時間撹拌することにより、ポリアミック酸溶液(7)を得た。
合成例9で得られたポリアミック酸溶液(7-a)(20.0g)に、NMPを加え6.5質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(4.27g)及びピリジン(1.32g)を加え、50℃で3時間反応させた。この反応溶液をメタノール(270mL)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、60℃で減圧乾燥しポリイミド粉末を得た。このポリイミド粉末のイミド化率は58%であり、Mnは10,490、Mwは31,280であった。得られたポリイミド粉末(3.0g)にNMP(22.0g)を加え、70℃で12時間撹拌して溶解させ、ポリイミド溶液(3)を得た。
BODA(2.50g,10.0mmol)、DA-3(3.37g,8.0mmol)、DA-7(1.42g,6.0mmol)及びDA-8(2.28g,6.0mmol)をNMP(38.3g)中で混合し、60℃で3時間反応させた後、CBDA(1.95g,9.9mmol)及びNMP(7.8g)を加え、40℃で3時間反応させ、ポリアミック酸溶液を得た。このポリアミック酸のMnは9,100、Mwは24,540であった。得られたポリアミック酸溶液(20.0g)に、NMPを加え6.5質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(3.54g)及びピリジン(1.10g)を加え、80℃で3時間反応させた。この反応溶液をメタノール(230mL)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、60℃で減圧乾燥しポリイミド粉末を得た。このポリイミド粉末のイミド化率は78%であり、Mnは9,040、Mwは21,020であった。得られたポリイミド粉末(3.0g)にNMP(22.0g)を加え、70℃で12時間撹拌して溶解させ、ポリイミド溶液(4)を得た。
TCA(4.37g,19.5mmol)、DA-1(1.58g,8.0mmol)、DA-6(1.94g,8.0mmol)及びDA-9(1.58g,4.0mmol)をNMP(37.9g)中で混合し、60℃で6時間反応させポリアミック酸溶液を得た。このポリアミック酸のMnは、11,860、Mwは45,870であった。得られたポリアミック酸溶液(20.0g)に、NMPを加え6.5質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(8.53g)及びピリジン(1.32g)を加え、80℃で4時間反応させた。この反応溶液をメタノール(285mL)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、60℃で減圧乾燥しポリイミド粉末を得た。このポリイミド粉末のイミド化率は66%であり、Mnは10,500、Mwは41,300であった。得られたポリイミド粉末(3.0g)にNMP(22.0g)を加え、70℃で12時間撹拌して溶解させ、ポリイミド溶液(5)を得た。
TCA(4.46g,19.9mmol)、DA-4(1.59g,8.0mmol)、DA-6(1.45g,6.0mmol)及びDA-8(2.28g,6.0mmol)をNMP(39.1g)中で混合し、60℃で6時間反応させポリアミック酸溶液を得た。このポリアミック酸のMnは11,900、Mwは44,800であった。得られたポリアミック酸溶液(20.0g)に、NMPを加え6.5質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(6.66g)及びピリジン(1.29g)を加え、100℃で2時間反応させた。この反応溶液をメタノール(243mL)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、60℃で減圧乾燥しポリイミド粉末を得た。このポリイミド粉末のイミド化率は73%であり、Mnは10,500、Mwは40,300であった。得られたポリイミド粉末(3.0g)にNMP(22.0g)を加え、70℃で12時間撹拌して溶解させ、ポリイミド溶液(6)を得た。
TCA(4.42g,19.7mmol)、DA-3(3.37g,8.0mmol)、DA-8(2.28g,6.0mmol)及びDA-7(1.42g,6.0mmol)をNMP(46.0g)中で混合し、60℃で6時間反応させ、ポリアミック酸溶液を得た。このポリアミック酸のMnは11,750、Mwは54,510であった。得られたポリアミック酸溶液(20.0g)に、NMPを加え6.5質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(5.65g)及びピリジン(1.09g)を加え、80℃で2時間反応させた。この反応溶液をメタノール(239mL)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、60℃で減圧乾燥しポリイミド粉末を得た。このポリイミド粉末のイミド化率は71%であり、Mnは10,700、Mwは48,300であった。得られたポリイミド粉末(3.0g)にNMP(22.0g)を加え、70℃で12時間撹拌して溶解させ、ポリイミド溶液(7)を得た。
BODA(2.50g,10.0mmol)、DA-5(0.99g,5.0mmol)、DA-10(0.66g,2.0mmol)、DA-7(1.43g,6.0mmol)及びDA-9(2.76g,7.0mmol)をNMP(33.4g)中で混合し、60℃で3時間反応させた後、CBDA(1.93g,9.8mmol)及びNMP(7.7g)を加え、40℃で3時間反応させ、ポリアミック酸溶液を得た。このポリアミック酸のMnは11,900、Mwは44,800であった。得られたポリアミック酸溶液(20.0g)に、NMPを加え6.5質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(3.96g)及びピリジン(1.23g)を加え、50℃で3時間反応させた。この反応溶液をメタノール(270mL)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、60℃で減圧乾燥しポリイミド粉末を得た。このポリイミド粉末のイミド化率は59%であり、Mnは9,260、Mwは23,400であった。得られたポリイミド粉末(3.0g)にNMP(22.0g)を加え、70℃で12時間撹拌して溶解させた後、NMP(5.0g)とBCS(20.0g)を加え室温で2時間撹拌することによりポリイミド溶液(8)を得た。
TCA(4.45g,19.8mmol)、DA-5(1.39g,7.0mmol)、DA-10(1.65g,5.0mmol)、DA-7(0.94g,4.0mmol)及びDA-11(3.03g,4.0mmol)をNMP(45.9g)中で混合し、60℃で6時間反応させポリアミック酸溶液を得た。このポリアミック酸のMnは10,360、Mwは27,730であった。得られたポリアミック酸溶液(20.0g)に、NMPを加え6.5質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(7.10g)及びピリジン(1.10g)を加え、80℃で4時間反応させた。この反応溶液をメタノール(240mL)中に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、60℃で減圧乾燥しポリイミド粉末を得た。このポリイミドのイミド化率は68%であり、Mnは10,210、Mwは23,320であった。得られたポリイミド粉末(3.0g)にNMP(22.0g)を加え、70℃で12時間撹拌して溶解させた後、NMP(5.0g)とBCS(20.0g)を加え室温で2時間撹拌することによりポリイミド溶液(9)を得た。
合成例1で得られたポリアミック酸溶液(1)(6.0g)にNMP(6.0g)及びBCS(8.0g)を加え室温で2時間撹拌することにより液晶配向剤(A-1)を得た。
ポリアミック酸溶液(1)の代わりにそれぞれポリアミック酸溶液(2)、(3)、(4)を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例2、比較例1、2の液晶配向剤(A-2)、(B-1)、(B-2)を得た。
合成例6で得られたポリイミド溶液(1)(10.0g)にNMP(2.0g)及びBCS(8.0g)を加え室温で2時間撹拌することにより液晶配向剤(A-3)を得た。
ポリイミド溶液(1)の代わりにそれぞれポリイミド溶液(2)、(5)、(3)、(4)、(6)、(7)を用いた以外は、実施例3と同様にして、実施例4、5、比較例3~6の液晶配向剤(A-4)、(A-5)、(B-3)~(B-6)を得た。
合成例5で得られたポリアミック酸溶液(5)(7.0g)、合成例15で得られたポリイミド溶液(8)(3.0g)及びAD-1(0.06g)を混合し、液晶配向剤(C-1)を得た。
ポリアミック酸溶液(5)の代わりにそれぞれポリミック酸溶液(6)、(7)を用いた以外は、実施例6と同様にして、実施例7、比較例7の液晶配向剤(C-2)、(C-3)を得た。
比較例4で得られた液晶配向剤(B-4)(7.0g)、合成例16で得られたポリイミド溶液(9)(3.0g)及びAD-1(0.06g)を混合し、液晶配向剤(C-4)を得た。
実施例及び比較例で得られた液晶配向剤(A-1)~(A-4)、(B-1)~(B-3)、(C-1)~(C-4)を石英基板にスピンコートし、70℃のホットプレート上で90秒間乾燥させた。その後、230℃のIR(赤外線)式オーブンで20分間焼成を行い、膜厚100nmの塗膜を形成させて、液晶配向膜付き基板を得た。この液晶配向膜付き基板を内側にし、もう一枚石英基板を用いて光の干渉を防ぐ目的で屈折液(島津デバイス製造社製 接触液)を挟んだ。透過率の評価には、測定装置にUV-3600(島津製作所社製)を用い、温度25℃、スキャン波長を380~800nmで測定した。その際、リファレンスには塗膜していない2枚の石英基板で屈折液を挟んだものを用いた。評価は、550nmの波長の透過率を基準とし、その値を下記の表3に示す。
実施例及び比較例で得られた液晶配向剤(A-1)~(A-5)、(B-1)~(B-6)、(C-1)~(C-4)を用いて下記に示すような手順で液晶セルの作製を行った。液晶配向剤をITO電極付きガラス基板にスピンコートし、70℃のホットプレート上で90秒間乾燥した後、230℃のIR式オーブンで20分間焼成を行い、膜厚100nmの液晶配向膜を形成した。この液晶配向膜付き基板を2枚用意し、その1枚の液晶配向膜上に直径4μmのビーズスペーサー(日揮触媒化成社製、真絲球、SW-D1)を塗布し、熱硬化性シール剤(三井化学社製 XN-1500T)を印刷した。次いで、もう一方の基板の液晶配向膜が形成された側の面を内側にして、先の基板と貼り合せた後、シール剤を硬化させて空セルを作製した。この空セルに液晶MLC-3023(メルク社製)を減圧注入法によって注入し、液晶セルを作製した。次に、この液晶セルに15VのDC電圧を印加した状態で、液晶セルの外側から325nm以下カットフィルターを通したUVを10J/cm2照射した。なお、UVの照度は、ORC社製UV-MO3Aを用いて測定した。その後、液晶セル中に残存している未反応の重合性化合物を失活させる目的で、電圧を印加していない状態で東芝ライテック社製UV-FL照射装置を用いてUV(UVランプ:FLR40SUV32/A-1)を30分間照射した。
実施例及び比較例で得られた液晶配向剤(A-1)~(A-5)、(B-1)~(B-5)、(C-1)~(C-4)を用いて下記に示すような手順で液晶セルの作製を行った。液晶配向剤を画素サイズが200μm×600μmでライン/スペースがそれぞれ3μmのITO電極パターンが形成されているITO電極基板(縦:35mm、横:30mm、厚さ:0.7mm)と、高さ3.2μmのフォトスペーサーがパターニングされているITO電極付きガラス基板(縦:35mm、横:30mm、厚さ:0.7mm)のITO面上にそれぞれスピンコートし、ホットプレート上にて70℃で90秒間乾燥した後、230℃のIR式オーブンで20分間焼成を行い、膜厚100nmの液晶配向膜を形成した。なお、このITO電極パターンが形成されているITO電極基板は、クロスチェッカー(市松)模様に4分割されており4つのエリアごとで別々に駆動ができるようになっている。
次に、シール剤(三井化学社製 XN-1500T)を印刷した。次いで、もう一方の基板の液晶配向膜が形成された側の面を内側にして、先の基板と張り合わせた後、シール剤を硬化させて空セルを作成した。この空セルに液晶MLC-3023(メルク社製)を減圧注入法によって注入し、液晶セルを作成した。この液晶セルに15VのDC電圧を印加した状態で、この液晶セルの外側から325nm以下カットフィルターを通したUVを10J/cm2照射した。なお、UVの照度は、ORC社製UV-MO3Aを用いて測定した。その後、液晶セル中に残存している未反応の重合性化合物を失活させる目的で、電圧を印加していない状態で東芝ライテック社製UV-FL照射装置を用いてUV(UVランプ:FLR40SUV32/A-1)を30分間照射した。
UV照射後の電圧保持率評価用の液晶セルを用いて電圧保持率を測定した。60℃の熱風循環オーブン中で1Vの電圧を60μs間印加し、その後16.67msec後の電圧を測定し、電圧がどのくらい保持できているかを電圧保持率として計算した。電圧保持率の測定には、東陽テクニカ社製のVHR-1を使用した。その値を下記の表3に示す。値が高いほど良好である。
PSA処理後の液晶セルを85℃、湿度85%に設定した高温高湿オーブンに3~7日間放置して、高温高湿条件下でエージングした。この際、初期、PSA処理後、およびエージング後の電圧保持率を測定した。また、エージングによる電圧保持率の低下値(Δ(PSA処理後-エージング後))を算定した。それぞれの結果を、下記の表3に示す。
上記で作製した電圧保持率評価用の液晶セルに対し、直流2Vを重畳した30Hz、7.8Vppの矩形波を25℃で100時間印加し、直流電圧を切って1時間後の液晶セル内に残留した電圧(残留DC電圧)をフリッカー消去法により求めた。この値はDC蓄積により発生する残像の指標となり、この値が50mV以下であるとき、残像特性に優れている、即ち「良好」とし、50mVよりも大きい場合は「不良」とした。結果を下記の表3に示す。
上記で作製した残像特性評価用の液晶セルを用いて、4つの画素エリアのうち対角線の2つのエリアに60Hz、20Vp-pの交流電圧を印加し、25℃の温度下で168時間駆動させた。その後、4つの画素エリアすべてを5Vp-pの交流電圧で駆動させ、画素の輝度差を目視で観察した。輝度差がほぼ確認できない状態を「良好」とし、輝度差が確認できる状態を「不良」とした。評価結果を表3に示す。
また、実施例で得られる液晶配向剤を用いると、電圧保持率及びエージングの評価においても高い電圧保持率を有する液晶配向膜が得られることが分かる。また、残留DC電圧の評価及び残像特性評価においても、良好な特性を示す液晶配向膜が得られることが分かる。
Claims (13)
- 下記式(1-a)で表される繰り返し単位及び下記式(1-i)で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる第1の繰り返し単位(a1)と、
下記式(2-a)で表される繰り返し単位及び下記式(2-i)で表される繰り返し単位からなる群から選ばれる第2の繰り返し単位(a2)と、を有する重合体成分を含有する液晶配向剤。
(X1、X2は4価の有機基を表す。Y1は下記式(S1-1)~(S1-7)で表される構造のいずれかである。Y2は下記式(2c)で表される2価の有機基を表す。2個のR1、R2は、それぞれ独立して、水素原子又は1価の有機基を表す。2個のZ1、Z2は、それぞれ独立して、水素原子又は1価の有機基を表す。)
(R1は、炭素数1~20のアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、又は炭素数2~20のアルコキシアルキル基を表す。Xpは、-(CH2)a-(aは2~15の整数である)、-CONH-、-NHCO-、-CO-N(CH3)-、-NH-、-O-、-CH2O-、-CH2-OCO-、-COO-、又は-OCO-を表す。A1は、酸素原子又は-COO-*(但し、「*」を付した結合手が(CH2)a2と結合する)、A2は、酸素原子又は*-COO-(但し、「*」を付した結合手が(CH2)a2と結合する)を表し、a1、a3は、それぞれ独立して、0又は1の整数であり、a2は1~10の整数であり、Cyは1,4-シクロへキシレン基又は1,4-フェニレン基を表す。)
(Rは水素原子又は1価の有機基を表す。*は結合手を表す。) - 前記重合体成分が、前記繰り返し単位(a1)と前記繰り返し単位(a2)とを同一の分子内に有するポリイミド前駆体及びそのイミド化重合体からなる群から選ばれる少なくとも1種の重合体を含有する、請求項1に記載の液晶配向剤。
- 前記重合体成分が、前記繰り返し単位(a1)を有するポリイミド前駆体及びそのイミド化重合体からなる群から選ばれる少なくとも1種の重合体(P-a1)と、前記繰り返し単位(a2)を有するポリイミド前駆体及びそのイミド化重合体からなる群から選ばれる少なくとも1種の重合体(P-a2)との混合物を含有する、請求項1に記載の液晶配向剤。
- 前記式(2c)において、Rが、水素原子、炭素数1~12のアルキル基、アルコキシアルキル基、またはフェニル基を表す、請求項1~3のいずれか一項に記載の液晶配向剤。
- 前記式(2-a)及び前記式(2-i)において、Y2が、3,6-ジアミノカルバゾール、9-メチル-3,6-ジアミノカルバゾール、9-エチル-3,6-ジアミノカルバゾール、及び9-フェニル-3,6-ジアミノカルバゾールからなる群から選ばれるカルバゾールから2つのアミノ基を除いた基である、請求項1~4のいずれか一項に記載の液晶配向剤。
- 前記重合体成分が、前記第1の繰り返し単位(a1)と前記第2の繰り返し単位(a2)とを同一の分子内に有するポリイミド前駆体及びそのイミド化重合体からなる群から選ばれる少なくとも1種の重合体(P-a1+a2)と、前記第1の繰り返し単位(a1)と前記第3の繰り返し単位(a3)とを同一の分子内に有するポリイミド前駆体及びそのイミド化重合体からなる群から選ばれる少なくとも1種の重合体(P-a1+a3)との混合物を含有する、請求項6に記載の液晶配向剤。
- 前記重合体成分が、下記式(3)で表されるテトラカルボン酸二無水物又はその誘導体を含有するテトラカルボン酸成分を用いて得られるポリイミド前駆体及びそのイミド化重合体からなる群から選ばれる少なくとも1種の重合体で構成される、請求項1~7のいずれか一項に記載の液晶配向剤。
(Xは、下記(x-1)~(x-13)からなる群から選ばれる構造を表す。)
(R1~R4は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数2~6のアルケニル基、炭素数2~6のアルキニル基、フッ素原子を含有する炭素数1~6の1価の有機基、又はフェニル基を表す。R5及びR6は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表す。j及びkは、0又は1の整数であり、A1及びA2は、それぞれ独立して、単結合、-O-、-CO-、-COO-、フェニレン、スルホニル基、又はアミド基を表す。*1は一方の酸無水物基に結合する結合手であり、*2は他方の酸無水物基に結合する結合手である。前記式(x-13)において、2個のA2は、互いに同一であっても異なっていてもよい。) - 前記液晶配向剤が、イソシアネート基、若しくはシクロカーボネート基を有する化合物、低級アルコキシアルキル基を有する化合物、及びブロックイソシアネート基を有する化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の架橋性化合物をさらに含有する、請求項1~8のいずれか一項に記載の液晶配向剤。
- 前記重合体(P-a1)の含有量に対する前記重合体(P-a2)の含有量の質量比率が5/95~95/5である、請求項3に記載の液晶配向剤。
- 請求項1~10のいずれか一項に記載の液晶配向剤を用いて形成される液晶配向膜。
- 請求項11に記載の液晶配向膜を具備する液晶表示素子。
- 請求項1~12のいずれか一項に記載の液晶配向剤を、導電膜を有する一対の基板上に塗布して塗膜を形成し、液晶分子の層を介して前記塗膜が相対するように対向配置して液晶セルを形成し、前記一対の基板の有する導電膜間に電圧を印加した状態で前記液晶セルに光照射する液晶表示素子の製造方法。
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