JP7645092B2 - 反射型マスクブランク、反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、反射型マスクブランク、反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法に関し、特に極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ；以下「ＥＵＶ」と表記する。）を光源とするＥＵＶリソグラフィを用いた半導体製造装置などに利用されるフォトマスクブランク及びフォトマスク及びフォトマスクの製造方法に関する。

近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを光源に用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。ＥＵＶリソグラフィは光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行われる必要がある。また、ＥＵＶの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は１よりもわずかに小さい値であるため、ＥＵＶリソグラフィにおいては、従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、原版となるフォトマスク（以下、マスクとも呼ぶ。）も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。

波長が極端に短いＥＵＶリソグラフィでは、低熱膨張基板に多層反射層を形成する際のパーティクルの発生を極力抑えることが求められる。それは、露光光の波長が短いため、多層反射層の微小な凹凸欠陥がウェハ上に転写するパターンの品質に大きな影響を及ぼしてしまうためである。この微小な凹凸欠陥は位相欠陥と呼ばれており、高さが数ｎｍであっても、微細なＬＳＩパターンの寸法誤差に許容できない影響が出る。

このような微小な凹凸欠陥が形成される原因は、低熱膨張基板表面の凹凸や異物、あるいは、多層反射層の堆積中に落下した異物である。これらの異物の上に堆積した多層反射層は、その周辺の多層反射層と比べて局所的に位相差を生じるため、位相欠陥とも呼ばれ、転写パターンへ悪影響を及ぼす。

このような微小凹凸欠陥（位相欠陥）に対しては、いくつかの修正方法が提案されているが、修正可能な欠陥のタイプは限定されており、全ての微小凹凸欠陥を修正するのは困難である（例えば、特許文献１参照）。したがって、ＥＵＶマスクでは、このような位相欠陥の発生防止が最も重要であるが、一般的な透過型マスクと比べて複雑な層構成であるために、現状では無欠陥には程遠いブランク品質となっている。

このような問題を解決するために、ＥＵＶマスク上にパターンを形成する前に、位相欠陥の位置を検査により把握し、その位相欠陥を避けるようにパターン形成（描画）することが、提案されている。具体的にはその位相欠陥を吸収層でカバーしてしまうことで、位相欠陥が転写されることなく、吸収層の無い多層反射層からは欠陥の無い所望のパターンの反射光を得ることができる。したがって、困難な修正をすることなく、高品質の反射型マスクの作製を可能にする製造方法が検討されている。

位相欠陥の正確な位置の把握と、それらの位相欠陥を正確に避けてパターン形成するためには、ＥＵＶマスクブランク上にフィデューシャルマークと呼ばれる目印（基準マーク）を形成する必要がある。このフィデューシャルマークがブランク欠陥検査機（ＤＵＶ（Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光やＥＵＶ光を使用する。）およびマスク描画機（ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）を使用する。）の基準パターンとなる。

図６を参照して、ＥＵＶマスクにおける従来のフィデューシャルマーク形成方法を説明する。
図６（ａ）は、多層反射層１５上に第２レジスト膜１８を塗布した反射型マスクブランクの模式断面図である。次に、フォトリソグラフィもしくは電子線リソグラフィによってフィデューシャルマークを形成するためのレジストパターンを形成し（図６（ｂ））、次いで、エッチングによって多層反射層１５を掘り込み、多層反射層除去部４を形成し（図６（ｃ））、次いで、第２レジスト膜１８を剥膜洗浄したのち（（図７（ｄ））、さらに、保護層１４、吸収層１３、低反射層１２及びレジスト膜１１を順次積層することで、多層反射層除去部４にフィデューシャルマーク２０が形成され、フィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク１００´が完成する（図７（ｅ））。

図６、図７に示したように、従来のフィデューシャルマークの作製方法は、フォトリソグラフィもしくは電子線リソグラフィを使用し、多層反射膜をエッチングする必要があり、さらに、保護層１４、吸収層１３、低反射層１２などを成膜することになるため、欠陥の発生を極力回避することが必要であるにも関わらず、さらに欠陥を増やしてしまうという問題がある。

特開２０１０－０３４１２９号公報

そこで、本発明は上記のような従来の形成方法の問題点を解決しようとするものであり、フィデューシャルマークの形成に伴う欠陥を発生させることなく、多層反射層に形成された位相欠陥を回避してパターン形成可能な反射型マスクブランク、反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法を提供することを課題とする。

上記の課題を解決する手段として、本発明の第１の態様は、基板上に、少なくとも、多層反射層と、吸収層と、を有するフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクであって、
前記フィデューシャルマークが、前記多層反射層に形成された、平面視の大きさが６００ｎｍ以下であり、多層反射層とは光の反射率が異なる部位からなることを特徴とするフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクである。

また、第２の態様は、前記部位の光の反射率は、多層反射層の光の反射率よりも低いことを特徴とする第１の態様に記載のフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクである。

また、第３の態様は、基板上に、少なくとも、多層反射層と、吸収層と、をこの順に備えたＥＵＶ用反射型マスクであって、
前記多層反射層に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下であり、フィデューシャルマークとして使用可能な、前記多層反射層とは光の反射率が異なる部位と、
前記吸収層に、前記吸収層を除去することにより前記多層反射層が露出した回路パターンと、を備えていることを特徴とするＥＵＶ用反射型マスクである。

また、第４の態様は、前記反射率が前記多層反射層の反射率より低いことを特徴とする第３の態様に記載のＥＵＶ用反射型マスクである。

また、第５の態様は、第３または第４の態様に記載のＥＵＶ用反射型マスクの構成に加えて、さらに前記吸収層にアライメントマークが備えられていることを特徴とするＥＵＶ
用反射型マスクである。

また、第６の態様は、基板上に少なくとも多層反射層を有する反射型マスクブランクの前記多層反射層中に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下で、光の反射率が前記多層反射層とは異なるフィデューシャルマークを形成する工程と、
前記多層反射層中に形成されている欠陥の前記フィデューシャルマークからの相対位置を把握する工程と、
前記多層反射層上に少なくとも吸収層を成膜する工程と、
前記フィデューシャルマークを使用して、回路パターンが前記欠陥を避けるようにパターン形成位置を調整して回路パターンを描画する工程と、
をこの順に備えていることを特徴とする反射型マスクの製造方法である。

また、第７の態様は、基板上に少なくとも多層反射層を有する反射型マスクブランクの前記多層反射層中に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下で、光の反射率が前記多層反射層とは異なるフィデューシャルマークを形成する工程と、
前記多層反射層中に形成されている欠陥の前記フィデューシャルマークからの相対位置を把握する工程と、
前記多層反射層上に少なくとも吸収層を成膜する工程と、
前記吸収膜にアライメントマークを形成する工程と、
前記フィデューシャルマークと前記アライメントマークの相対位置を把握する工程と、
前記アライメントマークと前記欠陥の相対位置を求める工程と、
前記アライメントマークを用い、回路パターンが前記欠陥を避けるようにパターン位置を調整して回路パターンを描画する工程と、
をこの順に備えていることを特徴とする反射型マスクの製造方法である。

本発明のフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクによれば、従来のフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクにおけるドライエッチング工程や薄膜形成工程などの発塵を伴う工程を必要とせずにフィデューシャルマークを形成することが可能であることから、より低欠陥のフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクを提供することが可能である。

本発明のＥＵＶ用反射型マスクによれば、多層反射層中に形成されている位相欠陥を確実に回避して回路パターンを形成したＥＵＶ用反射型マスクを提供することができる。

本発明のＥＵＶ用反射型マスクの製造方法によれば、本発明のＥＵＶ用反射型マスクを提供可能とすることができる。

本発明のフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクを例示する断面説明図。 本発明の第１の実施形態にかかるＥＵＶ用反射型マスクの製造方法を例示する断面説明図。 本発明の第１の実施形態にかかるＥＵＶ用反射型マスクの製造方法を例示する断面説明図。 本発明の第２の実施形態にかかるＥＵＶ用反射型マスクの製造方法を例示する断面説明図。 本発明の第２の実施形態にかかるＥＵＶ用反射型マスクの製造方法を例示する断面説明図。 従来のフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランクの製造方法を説明する断面説明図。 従来のフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランクの製造方法を説明する断面説明図。

反射型マスクブランクについて図１を参照して説明する。図１は、フィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク１００の一例の模式断面図である。このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張基板１６上に、多層反射層１５、保護層１４、吸収層１３、低反射層１２、レジスト膜１１が順次積層された反射型マスクブランクである。また、低熱膨張基板１６の裏面には、露光機のマスクステージに静電チャックするために必要な裏面導電膜１７が成膜されている。反射型マスクブランクから反射型マスクへ加工する際には、ＥＢリソグラフィとエッチング技術とにより吸収層を部分的に除去することにより、吸収部と反射部とからなる回路パターンを形成する。このように作製された反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。

また、ＥＵＶマスクに用いられる多層反射層は、Ｓｉ（シリコン）とＭｏ（モリブデン）をそれぞれ所定の膜厚で交互に成膜されており、トータルで４０～５０ぺア（Ｓｉ層とＭｏ層で１ペアであるため、８０層から１００層程度に相当する。）から成る。ＳｉやＭｏは、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つＳｉとＭｏのＥＵＶ光における屈折率差が大きい。従って、ＳｉとＭｏは互いの界面での反射率を高く出来るという利点から多用される。この多層構造により、ＥＵＶ光は例えば４０ペアからなる多層反射そうであれば４０回反射が可能である。各界面で反射したＥＵＶ光は、それぞれ位相が揃っており、その合算が多層反射層からのＥＵＶ反射率となり、ＥＵＶブランクメーカー各社から販売されているＥＵＶマスクブランクでは、概ね６２～６５％程度、あるいはそれ以上であり、理論値の約７０％に迫るレベルに達している。

ＥＵＶマスクの反射率は、半導体チップ製造のスループット（生産能力）に直接効いてくるため、出来るだけ高いことが望まれるが、現在知られている材料とその組み合わせは、上述したＳｉとＭｏの多層反射層が最良とされている。反射率を生み出す本質的な能力は、ＳｉとＭｏの界面であり、界面がきっちりと形成されていることが重要である。そのため、ＳｉとＭｏを同一真空チャンバー内で、真空を破らずに交互に成膜する方法が使用されている。成膜法としては主としてスパッタリング法が使用されている。

＜フィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク＞
次に、本発明の実施形態のフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランクについて図１を用いて説明する。

本発明の実施形態のフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク１００は、基板１６上に、少なくとも、多層反射層１５と、吸収層１３と、を有するフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクである。

フィデューシャルマークとは、位相欠陥の正確な位置の把握と、それらの位相欠陥を正確に避けてパターン形成するために、ＥＵＶマスクなどの反射型マスクブランク上に形成される目印（基準マーク）である。このフィデューシャルマークがブランク欠陥検査機およびマスク描画機の基準パターンとなる。

このフィデューシャルマークは、図１における周囲と異なる反射率の箇所１９であり、フィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク１００を平面視で観察した場合に観察することができる基準マークである。本発明のフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射
型マスクブランクにおいては、このフィデューシャルマーク１９は、多層反射層１５の内部に形成されており、反射型マスクブランク１００を平面視した場合の大きさが６００ｎｍ以下であり、多層反射層１５とは光の反射率が異なることにより、観察可能な部位となっている。

フィデューシャルマーク１９の平面視した場合の大きさが６００ｎｍを超えると、マークとしては大型化しすぎて描画パターンを圧迫しかねないため好ましくない。

周囲と異なる反射率の箇所１９における光の反射率は、多層反射層１５の反射率より低い値であっても良い。

本発明のフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク１００においては、基板１６の一方の面に、多層反射層１５と、保護層１４と、吸収層１３と、低反射層１２と、をこの順に備えた層構成としても良い。さらに低反射層１２の上にレジスト膜１１が備えらえた構成であっても良い。

また、基板１６のもう一方の面に、裏面導電膜１７が形成された構成としても良い。裏面導電膜１７は、露光機のマスクステージに静電チャックするために必要な構成要素である。

（基板）
基板１６の材料には、＜±５ｐｐｂ／Ｋレベルの低い熱膨張係数が求められるほか、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を、反射型マスクに対して６°の入射角で入射するように露光装置の光学系が設計されている。そのため、マスク表面の凹凸に関しては、マスク全面における最高低差（Ｐ－Ｖ：Ｐｅａｋ ｔｏ Ｖａｌｌｅｙ）で＜３６ｎｍの平坦度が要求されている。このような厳しい仕様を満たすことができる材料として、酸化チタンをドープした石英ガラスを使用した基板が入手可能となっている。

（多層反射層）
多層反射層１５は、ＥＵＶ光を反射する層である。Ｓｉ（シリコン）とＭｏ（モリブデン）をそれぞれ約４．２ｎｍと約２．８ｎｍの膜厚で交互に成膜された多層膜となっており、トータルで４０～５０ペア（Ｓｉ層とＭｏ層で１ペアであるため、８０層から１００層程度に相当する。）から成る多層反射層が使用されている。ＥＵＶ反射率（ＥＵＶ光の波長における光反射率）は、概ね６２～６５％程度のものが入手可能となっている。

（保護層）
保護層１４は、ＥＵＶ光の照射による多層反射層１５の劣化を抑制するために設けられる層である。保護層１４の材料としては、特に限定する必要は無いが、例えば、Ｒｕ（ルテニウム）やＲｕの化合物が使用可能である。膜厚を２～４ｎｍ程度とすることが好ましい。

（吸収層）
吸収層１３は、ＥＵＶ光を吸収することで、反射させない層である。多層反射層１５の高い反射率の領域と、吸収層１３の低い反射率の領域と、のコントラストにより、ＥＵＶ光をパターン反射させることにより、パターン形成を可能とするものである。
吸収層１３の材料としては、ＥＵＶ光の吸収率が高く、ＥＵＶ反射率が低い材料であり、またＥＵＶ光によって劣化し難い材料であれば特に限定する必要は無い。例えば、Ｔａ（タンタル）およびＴａの化合物が使用される。例えば、ＴａＮ、ＴａＢＮ、ＴａＳｉ、ＴａＧｅＮなどをあげることができる。また、吸収層１３のＥＵＶ反射率としては、＜０．５％程度であることが求められている。

（低反射層）
低反射層１２は、吸収層１３の上に設けられ、パターン検査に使用するＤＵＶ（深紫外）光に対する低反射層である。低反射層１２の材料としては、ＥＵＶ反射率が吸収層１３より低く、ＥＵＶ光の照射により劣化し難い材料であれば特に限定する必要は無い。例えば、厚さ５ｎｍ～１２ｎｍ程度の吸収層１３のＴａ系材料の酸化窒化層が形成される。

（レジスト膜）
レジスト膜１１は、フォトマスクのエッチングマスクとして使用する感光性レジストや電子ビームレジストであれば使用可能であり、特に限定する必要は無い。

＜反射型マスクの製造方法＞
次に、本発明の実施形態の反射型マスクの製造方法について図２～図５を用いて説明する。

＜反射型マスクの製造方法にかかる第１の実施形態＞
本発明の実施形態の反射型マスクの製造方法にかかる第１の実施形態について、図２～図３を用いて説明する。

本発明の実施形態の反射型マスクの製造方法は、基板１６上に少なくとも多層反射層１５を有する反射型マスクブランク１０－１の前記多層反射層１５中に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下で、光の反射率が前記多層反射層１５とは異なるフィデューシャルマーク１９を形成する工程と、前記多層反射層１５中に形成されている欠陥１の前記フィデューシャルマーク１９からの相対位置を把握する工程と、前記多層反射層１５上に少なくとも吸収層１３を成膜する工程と、前記フィデューシャルマーク１９を使用して、回路パターン３が前記欠陥１を避けるようにパターン形成位置を調整して回路パターン３を描画する工程と、をこの順に備えている。なお、図２～図３では基板１６の多層反射層１５が形成されている面とは反対側の面に、裏面導電膜１７が形成されている例を示している。裏面導電膜１７は静電チャックを行う場合に必要となるため、通常は形成されている。

（ステップ１：反射型マスクブランク１０－１（図２（ａ）参照）の多層反射層１５中に光の反射率が周囲の多層反射層１５の反射率とは異なる部位（フィデューシャルマーク）１９（図２（ｂ）参照）を形成する工程）
反射型マスクブランク１０－１の裏面からフェムト秒レーザーを、所定の位置に照射することによって、照射された部分のみの多層反射層１５でミキシング（原子が混ざり合う状況）を起こし、多層反射層１５の多層構造が乱されることで、周囲とは異なる反射率の箇所１９（図２（ｂ）参照）であるフィデューシャルマーク１９を形成する。フェムト秒レーザーを照射する装置としては、例えば、Ｃａｒｌ Ｚｅｉｓｓ社製のＲｅｇＣ（Ｒｅｇｉｓｔｒａｔｉｏｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ）（Ｃａｒｌ Ｚｅｉｓｓ社の登録商標）を使用することができる。

（ステップ２：多層反射層１５中の欠陥１のフィデューシャルマーク１９からの相対的な位置（座標）を計測し、把握する工程）
次に、ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製のフォトマスク検査装置などの、微小な測定対象物の座標を計測可能な装置を使用し、前記のフィデューシャルマーク(光の反射率が周囲の多層反射層とは異なる部位)１９をアライメントマークとして欠陥検査を実施し、多層反射層１５中の欠陥１を検出し、その座標を計測し、記録することにより、反射型マスクブランク１０－１における欠陥１の座標をすべて把握する（図２（ｃ）参照）。

（ステップ３：多層反射層１５上に吸収層１３を成膜する工程）
次に、スパッタリング法により、最初に多層反射層１５上に、多層反射層１５を保護する保護層（キャッピング層とも言う。）を形成する。保護層の材料としては、例えばＲｕ（ルテニウム）を使用することができる。次に、スパッタリング法により、ＥＵＶ光の吸収層１３を形成する。吸収層１３の材料としては、例えばＴａ（タンタル）を使用することができる。図３（ｄ）においては、保護層を省略して示している。また、吸収層１３の上に、低反射層が形成されるが、図３（ｄ）においては低反射層も省略して示している。

（ステップ４：フィデューシャルマーク１９を使用して、回路パターン３が欠陥１を避けるようにパターン形成位置を調整して回路パターン３を描画する工程）
次に、まず吸収層１３の上に第２レジスト膜１８を形成する。第２レジスト膜１８の形成は、フォトマスクの製造工程で使用されているスピンコータなどの膜厚の均一性が良好な塗布装置を用いて感光性レジスト塗液を塗布し、乾燥することによって得ることができる。電子ビーム描画装置を使用して回路パターンを描画する場合には電子ビームレジスト塗液を使用すればよい。

このようにして形成した第２レジスト膜１８に対して、例えば、ニューフレアテクノロジー社製の電子ビームマスク描画装置のような描画装置を用いて回路パターン３を描画し、現像することにより、第２レジスト膜１８をパターン化する。この際、フィデューシャルマーク１９に対する多層反射層１５中の欠陥１の座標がすべてわかっているため、多層反射層１５中の欠陥１が、平面視で吸収層１３に隠れるように、パターン形成位置をずらして回路パターン３を描画することができる。

次に、パターン化された第２レジスト膜１８をエッチングマスクとして吸収層１３の不
要部をエッチング除去する（図３（ｅ）参照）。
エッチング除去には、例えば、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社製ＣＥＮＴＵＲＡ
（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社登録商標） ＴＥＴＲＡ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社商標）などのフォトマスク用のドライエッチング装置を使用することができる。またはＦＥＩ社製 ＮＢ(収束イオンビーム)装置などを使用しても良い。

次に、パターン化された第２レジスト膜１８を、レジスト膜の剥離液や酸素系プラズマを用いたアッシング処理を行うことにより除去することにより、回路パターン３が形成される（図３（ｆ）参照）。

以上により、本発明のＥＵＶ用反射型マスク２００－１を作製することができる。

＜反射型マスクの製造方法にかかる第２の実施形態＞
本発明の実施形態の反射型マスクの製造方法にかかる第２の実施形態について、図４～図５を用いて説明する。
本発明の実施形態の反射型マスクの製造方法にかかる第２の実施形態は、ステップ１：基板１６上に少なくとも多層反射層１５を有する反射型マスクブランク１０－１の多層反射層１５中に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下で、光の反射率が多層反射層１５とは異なるフィデューシャルマーク１９を形成する工程から、ステップ３：多層反射層１５上に少なくとも吸収層１３を成膜する工程までは第１の実施形態における工程、までは第１の実施形態と同様であるが、ステップ４以降の工程が、次のような工程となっている。すなわち、吸収層１３にアライメントマーク２を形成する工程と、フィデューシャルマーク１９とアライメントマーク２の相対位置を把握する工程と、アライメントマーク２と欠陥１の相対位置を求める工程と、アライメントマーク２を用い、回路パターン３が欠陥１を避けるようにパターン位置を調整して回路パターン３を描画する工程と、をこの順に備えている。なお、図４～図５では基板１６の多層反射層１５が形成されている面とは反対側の面に、裏面導電膜１７が形成されている例を示している。裏面導電膜１７は静電チャックを行う場合に必要となるため、通常は形成されている。

以下に、ステップ４以降について説明する。
（ステップ４：吸収層にアライメントマークを形成する工程）
フォトリソグラフィ法を用いて、吸収層１３（または、低反射層と吸収層１３）の一部をエッチング除去することによりアライメントマーク２を形成する（図４（ａ）参照）。具体的には、まず感光性レジスト層を吸収層１３の上に塗布・乾燥した後、アライメントマークを露光し、現像することにより感光性レジスト層のパターンを形成する。

次に、その感光性レジスト層のパターンをエッチングマスクとして吸収層１３（または、低反射層と吸収層１３）をドライエッチングした後、感光性レジスト層のパターンを除去することにより、アライメントマーク２を形成する。ドライエッチング工程には、例えば、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社製ＣＥＮＴＵＲＡ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社登録商標） ＴＥＴＲＡ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社登録商標になる予定）などのフォトマスク用のドライエッチング装置を使用することができる。またはＦＥＩ社製 ＮＢ(収束イオンビーム)装置などを使用して、アライメントマーク２を形成することができる。

（ステップ５：フィデューシャルマーク１９とアライメントマーク２の相対位置を把握する検査工程）
次に、ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製のフォトマスク検査装置を使用し、ＳＴＥＰ１で作製した多層反射層１５中の周囲と異なる反射率の箇所（フィデューシャルマーク）１９と、ステップ４で作製した吸収層１３のアライメントマーク２を両方検出し、２つの相対座標を把握する（図４（ｂ）参照）。

（ステップ６：アライメントマーク２と欠陥１の相対位置を把握する工程）
次に、ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製のフォトマスク検査装置を使用し、ステップ４で作製した吸収層１３のアライメントマーク２と多層反射層１５中の欠陥１の両方を検出し、２つの相対座標を把握する（図４（ｃ）参照）。その上で、ステップ５とステップ６より、ステップ１で作製した多層反射層１５中の周囲と異なる反射率の箇所（フィデューシャルマーク）１９と多層反射層１５中の欠陥１の相対座標を把握する。

（ステップ７：回路パターン３が欠陥１を避けるようにパターン位置を調整して回路パターン３を形成する工程）
次に、まずアライメントマーク２が形成された吸収層１３の上に第２レジスト膜１８を形成する。第２レジスト膜１８の形成は、フォトマスクの製造工程で使用されているスピンコータなどの膜厚の均一性が良好な塗布装置を用いて感光性レジスト塗液を塗布し、乾燥することによって得ることができる。電子ビーム描画装置を使用して回路パターンを描画する場合には電子ビームレジスト塗液を使用すればよい。

このようにして形成した第２レジスト膜１８に対して、例えば、ニューフレアテクノロジー社製の電子ビームマスク描画装置のような描画装置を用いて回路パターン３を描画し、現像することにより、第２レジスト膜１８をパターン化する。

次に、パターン化された第２レジスト膜１８をエッチングマスクとして吸収層１３の不要部をエッチング除去する（図５（ｄ）参照）。

次に、パターン化された第２レジスト膜１８を、レジスト膜の剥離液や酸素系プラズマを用いたアッシング処理を行うことにより除去することにより、回路パターン３が形成される（図５（ｅ）参照）。

多層反射層１５中の欠陥１の座標が正確にわかっているため、多層反射層１５中の欠陥１が、平面視で吸収層１３に隠れるように、パターン形成位置をずらして回路パターン３を描画する。

以上により、本発明の実施形態のＥＵＶ用反射型マスク２００－２を作製することができる。

＜反射型マスク＞
次に、本発明の実施形態のＥＵＶ用反射型マスクについて、図３（ｆ）および図５（ｅ）を用いて説明する。

＜本発明のＥＵＶ用反射型マスクにかかる第１の実施形態＞
図３（ｆ）に例示したように、本発明のＥＵＶ用反射型マスクにかかる第１の実施形態におけるＥＵＶ用反射型マスク２００－１は、基板１６上に、少なくとも、多層反射層１５と、吸収層１３と、をこの順に備えたＥＵＶ用反射型マスクである。基板１６上の一方の面に、多層反射層１５と、保護層１４と、吸収層１３と、低反射層１２と、をこの順に備えた層構成であっても良い。さらに、基板１６上のもう一方の面に、静電チャックを可能とする裏面導電膜１７が備えられていても良い。

多層反射層１５には、平面視の大きさが６００ｎｍ以下であり、フィデューシャルマークとして使用可能な、多層反射層１５とは光の反射率が異なる部位１９を備えていることが特徴である。

＜本発明のＥＵＶ用反射型マスクにかかる第２の実施形態＞
図５（ｅ）に例示したように、本発明のＥＵＶ用反射型マスクにかかる第２の実施形態におけるＥＵＶ用反射型マスク２００－２は、第１の実施形態におけるＥＵＶ用反射型マスク２００－１の吸収層１３に、回路パターン３に加えて、アライメントマーク２を備えている。

１・・・（多層反射層の）欠陥
２・・・アライメントマーク
３・・・回路パターン
４・・・多層反射層除去部
１０、１０－１・・・ＥＵＶ用反射型マスクブランク
１１・・・レジスト膜
１２・・・低反射層
１３・・・吸収層
１４・・・保護層（またはキャッピング層）
１５・・・多層反射層
１６・・・低熱膨張基板
１７・・・裏面導電膜
１８・・・第２レジスト膜
１９・・・多層反射層と異なる反射率の箇所（またはフィデューシャルマーク）
２０・・・フィデューシャルマーク
１００、１００´・・・フィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型フォトマスクブラン
ク
２００－１、２００－２・・・ＥＵＶ用反射型フォトマスク

Claims (14)

1. 基板上に、少なくとも、多層反射層と、吸収層と、を有するフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランクであって、
   前記フィデューシャルマークが、前記多層反射層の内部に形成された、平面視の大きさが６００ｎｍ以下であり、多層反射層とは光の反射率が異なる部位からなることを特徴とするフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク。
2. 前記部位の光の反射率は、多層反射層の光の反射率よりも低いことを特徴とする請求項1に記載のフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク。
3. 前記部位では、前記部位が形成されていない前記多層反射層の領域と比べて、前記多層反射層を構成する原子が混ざり合って、前記多層反射層の積層構造が乱れていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク。
4. 前記部位が形成された領域における前記多層反射層の厚さは、前記部位が形成されていない領域における前記多層反射層の厚さと同じであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク。
5. 基板上に、少なくとも、多層反射層と、吸収層と、をこの順に備えたＥＵＶ用反射型マスクであって、
   前記多層反射層の内部に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下であり、フィデューシャルマークとして使用可能な、前記多層反射層とは光の反射率が異なる部位と、
   前記吸収層に、前記吸収層を除去することにより前記多層反射層が露出した回路パターンと、を備えていることを特徴とする反射型マスク。
6. 前記反射率が前記多層反射層の反射率より低いことを特徴とする請求項５に記載の反射型マスク。
7. 請求項５または請求項６に記載の反射型マスクの構成に加えて、さらに前記吸収層にアライメントマークが備えられていることを特徴とする反射型マスク。
8. 前記部位では、前記部位が形成されていない前記多層反射層の領域と比べて、前記多層反射層を構成する原子が混ざり合って、前記多層反射層の積層構造が乱れていることを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の反射型マスク。
9. 前記部位が形成された領域における前記多層反射層の厚さは、前記部位が形成されていない領域における前記多層反射層の厚さと同じであることを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか１項に記載の反射型マスク。
10. 基板上に少なくとも多層反射層を有する反射型マスクブランクの前記多層反射層の内部に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下で、光の反射率が前記多層反射層とは異なるフィデューシャルマークを形成する工程と、
    前記多層反射層中に形成されている欠陥の前記フィデューシャルマークからの相対位置を把握する工程と、
    前記多層反射層上に少なくとも吸収層を成膜する工程と、
    前記フィデューシャルマークを使用して、回路パターンが前記欠陥を避けるようにパターン形成位置を調整して回路パターンを描画する工程と、
    をこの順に備えていることを特徴とする反射型マスクの製造方法。
11. 前記光の反射率が前記多層反射層とは異なる部位では、前記部位が形成されていない前記多層反射層の領域と比べて、前記多層反射層を構成する原子が混ざり合って、前記多層反射層の積層構造が乱れていることを特徴とする請求項１０に記載の反射型マスクの製造方法。
12. 前記光の反射率が前記多層反射層とは異なる部位が形成された領域における前記多層反射層の厚さは、前記部位が形成されていない領域における前記多層反射層の厚さと同じであることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の反射型マスクの製造方法。
13. 前記基板側から前記多層反射層側に向かってレーザーを照射して、前記フィデューシャルマークを形成することを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の反射型マスクの製造方法。
14. 基板上に少なくとも多層反射層を有する反射型マスクブランクの前記多層反射層中に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下で、光の反射率が前記多層反射層とは異なるフィデューシャルマークを形成する工程と、
    前記多層反射層中に形成されている欠陥の前記フィデューシャルマークからの相対位置を把握する工程と、
    前記多層反射層上に少なくとも吸収層を成膜する工程と、
    前記吸収層にアライメントマークを形成する工程と、
    前記フィデューシャルマークと前記アライメントマークの相対位置を把握する工程と、
    前記アライメントマークと前記欠陥の相対位置を求める工程と、
    前記アライメントマークを用い、回路パターンが前記欠陥を避けるようにパターン位置を調整して回路パターンを描画する工程と、
    をこの順に備えていることを特徴とする反射型マスクの製造方法。