JP7645697B2 - 光硬化性組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
光硬化性組成物及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7645697B2 JP7645697B2 JP2021071289A JP2021071289A JP7645697B2 JP 7645697 B2 JP7645697 B2 JP 7645697B2 JP 2021071289 A JP2021071289 A JP 2021071289A JP 2021071289 A JP2021071289 A JP 2021071289A JP 7645697 B2 JP7645697 B2 JP 7645697B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- photocurable composition
- photocurable
- acrylate
- meth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
- G03F7/0044—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists involving an interaction between the metallic and non-metallic component, e.g. photodope systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
ナノインプリントリソグラフィでは、光(紫外線、電子線)で硬化する光硬化性化合物を含有する光硬化性組成物が用いられている。かかる場合、所定のパターンを有するモールドを、光硬化性化合物を含む硬化性膜に押圧し、次いで、光を照射して光硬化性化合物を硬化させ、その後、硬化膜からモールドを剥離することにより転写パターン(構造体)が得られる。
ナノインプリント材料の高屈折率化の一つの手段として、金属酸化物ナノ粒子を添加することが知られている。例えば、特許文献1には、酸化チタン又は酸化ジルコニウム等の金属酸化物ナノ粒子を配合することにより高屈折率化を図った光硬化性樹脂組成物が記載されている。
しかしながら、金属酸化物ナノ粒子の含有量を増加させることで高屈折率化を図ると、ナノインプリントパターンの充填性が劣化する傾向にあり、微細パターン転写性が低下するという問題がある。また、金属酸化物ナノ粒子の粒径を大きくすることで高屈折率化を図ると、可視光域でのヘイズが劣化するという問題がある。
すなわち、本発明の第1の態様は、(X)成分:金属酸化物ナノ粒子と、(R)成分:不飽和酸金属塩と、(B)成分:光重合性化合物(但し、前記(R)成分に該当するものを除く)と、(C)成分:光ラジカル重合開始剤と、を含有する、光硬化性組成物である。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「(メタ)アクリレート」は、アクリレート及びメタクリレートの少なくとも一方を意味する。「(メタ)アクリル酸」は、アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも一方を意味する。
「置換基を有してもよい」と記載する場合、水素原子(-H)を1価の基で置換する場合と、メチレン基(-CH2-)を2価の基で置換する場合との両方を含む。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。
本発明の第1の態様の光硬化性組成物は、(X)成分:金属酸化物ナノ粒子と、(R)成分:不飽和酸金属塩と、(B)成分:光重合性化合物(但し、前記(R)成分に該当するものを除く)と、(C)成分:光ラジカル重合開始剤と、を含有する。
(X)成分は、金属酸化物ナノ粒子である。
「ナノ粒子」とは、ナノメートルオーダー(1000nm未満)の体積平均一次粒子径を有する粒子を意味する。金属酸化物ナノ粒子とは、ナノメートルオーダーの体積平均一次粒子径を有する金属酸化物粒子である。
前記体積平均一次粒子径は、動的光散乱法により測定した値である。
(X)成分の体積平均一次粒子径が上記好ましい範囲内であることにより、光硬化性組成物中において金属酸化物ナノ粒子が良好に分散する。また、屈折率が良好となる。
市販のチタニアナノ粒子としては、例えば、石原産業(株)製TTOシリーズ(TTO-51(A)、TTO-51(C)など)、TTO-S、Vシリーズ(TTO-S-1、TTO-S-2、TTO-V-3など);石原産業(株)製チタニアゾルLDB-014-35、テイカ(株)製MTシリーズ(MT-01、MT-05、MT-100SA、MT-500SAなど)、NS405;日揮触媒化成(株)製ELECOM V-9108、堺化学工業(株)製STR-100A-LPなどが挙げられる。
市販のジルコニアナノ粒子としては、例えば、UEP(第一稀元素化学工業(株)製)、UEP-100(第一稀元素化学工業(株)製);PCS(日本電工(株)製);JS-01、JS-03、JS-04(日本電工(株)製)などが挙げられる。
(X)成分の含有量が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、光硬化性組成物を用いて形成した硬化膜の光学特性がより良好となる。一方、(X)成分の含有量が、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、光硬化性組成物の、モールドへの充填性が良好になる。
(R)成分は、不飽和酸金属塩である。
不飽和酸金属塩とは、不飽和酸における酸由来のアニオンと、金属カチオンとがイオン結合した化合物をいう。
市販の不飽和酸金属塩としては、例えば、アクリル酸亜鉛(株式会社日本触媒製)、アクリル酸カリウム(株式会社日本触媒製)、メタクリル酸カリウム(株式会社日本触媒製);アクリル酸マグネシウム(浅田化学工業株式会社製)、アクリル酸カルシウム(浅田化学工業株式会社製)、メタクリル酸亜鉛(浅田化学工業株式会社製)、メタクリル酸マグネシウム(浅田化学工業株式会社製)、アクリル酸アルミニウム(浅田化学工業株式会社製)、メタクリル酸ネオジウム(浅田化学工業株式会社製)、メタクリル酸ナトリウム(浅田化学工業株式会社製)、アクリル酸カリウム(浅田化学工業株式会社製)等が挙げられる。
(R)成分の中でも、本発明の効果を高められやすいことから、(メタ)アクリル酸亜鉛が好ましく、アクリル酸亜鉛が特に好ましい。
(R)成分の含有量が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、光硬化性組成物を用いて形成した硬化膜の、可視光域でのヘイズがより低減されやすくなる。また、硬化膜の強度がより向上する。一方、(R)成分の含有量が、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、光硬化性組成物を用いて形成した硬化膜の、高屈折率化が図られやすくなる。
(B)成分は、光重合性化合物(但し、前記(R)成分に該当するものを除く)である。光重合性化合物とは、重合性官能基を有する化合物をいう。
「重合性官能基」とは、化合物同士がラジカル重合等により重合することを可能とする基であり、例えばエチレン性二重結合などの炭素原子間の多重結合を含む基をいう。
当該光重合性シロキサン化合物の市販品としては、例えば、信越化学工業株式会社製の製品名「KR-513」、「X-40-9296」、「KR-511」、「X-12-1048」、「X-12-1050」等が挙げられる。
Rは、1価の有機基を示し、1価の有機基としては、置換基を有してもよい1価の炭化水素基が挙げられる。この炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の炭素数1~20のアルキル基が挙げられ、炭素数1~12のアルキル基が好ましい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、トリル基、スチリル基等の炭素数6~20の芳香族炭化水素基が挙げられる。
1価の炭化水素基が有してもよい置換基としては、(メタ)アクリロイル基、ヒドロキシ基、スルファニル基、カルボキシ基、イソシアナト基、アミノ基、ウレイド基等が挙げられる。また、1価の炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-S-、カルボニル基等に置き換わっていてもよい。
但し、光重合性シルセスキオキサン化合物は、3つ以上の重合性官能基を有する。ここでの重合性官能基としては、ビニル基、アリル基、メタクリロイル基、アクリロイル基等が挙げられる。
また、(B)成分には、上記以外の市販品として、例えば、新中村化学工業株式会社製の製品名「NKオリゴEA-1010NT2」、「NKエステルA-BPML」等も用いることができる。
前記アルキル基は、炭素数1~10が好ましく、炭素数1~6がより好ましく、炭素数1~4がさらに好ましく、炭素数1~3が特に好ましい。
前記アルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよく、環状であってもよい。前記アルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状が好ましい。
直鎖状アルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基等が挙げられる。分岐鎖状アルキル基としては、イソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等が挙げられる。中でも、前記アルキル基は、メチル基又はエチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
重合性官能基としては、前記で挙げたものと同様のものが挙げられる。中でも、重合性官能基としては、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基が好ましく、アクリロイル基、メタクリロイル基がより好ましい。
R5は、アクリロイル基、又はメタクリロイル基が好ましく、アクリロイル基、又はメタクリロイル基がより好ましい。
(B)成分としては、3つ以上の重合性官能基を有する多官能モノマーを含むことが好ましい。当該多官能モノマーを含むことにより、光硬化性組成物を用いて形成した硬化膜の屈折率がより向上する。
(B)成分の含有量が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、光硬化性組成物を用いて形成した樹脂硬化膜の硬化性や流動性がより良好になる。一方、(B)成分の含有量が、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、(X)成分及び(R)成分それぞれの光硬化性組成物中の分散性がより良好となる。
(C)成分は、光ラジカル重合開始剤である。
(C)成分には、露光により前記(R)成分及び前記(B)成分の重合を開始させ、又は重合を促進させる化合物が用いられる。
(C)成分の市販品としては、BASF社製の製品名「IRGACURE 907」、BASF社製の製品名「IRGACURE 369」、BASF社製の製品名「IRGACURE 819」;IGM Resins B.V.社製の製品名「Omnirad 184」、「Omnirad 651」、「Omnirad 819」、「Omnirad 184」等が挙げられる。
(C)成分の含有量が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、高屈折率を維持しつつ、ヘイズを低減することが可能となりやすい。一方、(C)成分の含有量が、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、高屈折率を良好に維持することができる。
実施形態の光硬化性組成物には、(X)成分、(R)成分、(B)成分及び(C)成分に加えて、これら以外の成分(任意成分)を含有してもよい。
かかる任意成分としては、例えば、溶剤((S)成分)、界面活性剤((E)成分)、混和性のある添加剤(例えば、劣化防止剤、離型剤、希釈剤、酸化防止剤、熱安定化剤、難燃剤、可塑剤及びその他硬化膜の特性を改良するための添加剤等)等が挙げられる。
本実施形態の光硬化性組成物は、溶剤((S)成分)を含有していてもよい。(S)成分は、上記の(X)成分、(R)成分、(B)成分、(C)成分及び所望の任意成分を溶解又は分散させ、混合するために用いられる。
上記のなかでも、(S)成分としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)及びプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)からなる群より選択される少なくとも1種が好ましい。
本実施形態の光硬化性組成物は、塗布性等を調整するため、界面活性剤((E)成分)を含有してもよい。
(E)成分としては、例えば、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤が挙げられる。
シリコーン系界面活性剤には、例えばBYK-077、BYK-085、BYK-300、BYK-301、BYK-302、BYK-306、BYK-307、BYK-310、BYK-320、BYK-322、BYK-323、BYK-325、BYK-330、BYK-331、BYK-333、BYK-335、BYK-341、BYK-344、BYK-345、BYK-346、BYK-348、BYK-354、BYK-355、BYK-356、BYK-358、BYK-361、BYK-370、BYK-371、BYK-375、BYK-380、BYK-390(以上、BYK Chemie社製)等を用いることができる。
フッ素系界面活性剤としては、例えばF-114、F-177、F-410、F-411、F-450、F-493、F-494、F-443、F-444、F-445、F-446、F-470、F-471、F-472SF、F-474、F-475、F-477、F-478、F-479、F-480SF、F-482、F-483、F-484、F-486、F-487、F-172D、MCF-350SF、TF-1025SF、TF-1117SF、TF-1026SF、TF-1128、TF-1127、TF-1129、TF-1126、TF-1130、TF-1116SF、TF-1131、TF-1132、TF-1027SF、TF-1441、TF-1442(以上、DIC株式社製);ポリフォックスシリーズのPF-636、PF-6320、PF-656、PF-6520(以上、オムノバ社製)等を用いることができる。
本実施形態の光硬化性組成物が(E)成分を含有する場合、(E)成分の含有量は、前記(X)成分と前記(R)成分と前記(B)成分との合計含有量100質量部に対して、0.01~3質量部であることが好ましく、0.02~1質量部がより好ましく、0.03~0.5質量部がさらに好ましい。
(E)成分の含有量が、前記の好ましい範囲内であると、光硬化性組成物の塗布性が良好となる。
本実施形態の光硬化性組成物は、このような高い屈折率の硬化膜を形成できるため、3DセンサーやAR(拡張現実)グラスのAR導波路等の高屈折率化が要求される用途にも好適に用いることができる。
硬化膜の屈折率は、分光エリプソメーターにより測定することができる。
本実施形態の光硬化性組成物は、このような低いヘイズ値の硬化膜を形成できるため、3DセンサーやAR(拡張現実)グラスのAR導波路等の高い透明度が要求される用途にも好適に用いることができる。
硬化膜のヘイズ値は、ASTM D1003に準拠したヘイズメーターにより測定することができる。
また、本実施形態の光硬化性組成物においては、(R)成分と(B)成分とを組み合わせることで、光硬化性膜中での金属イオン結合により、(B)成分単体で形成される光硬化性膜に比べて膜密度がより高められる。このため、硬化物の高屈折率化が図られる。
また、(X)成分と(R)成分と(B)成分とを組み合わせることで、金属酸化物ナノ粒子とバインダー樹脂との界面での屈折率差がより小さくなる。このため、前記界面での光散乱現象が抑制されて、硬化物における可視光域でのヘイズが低減する。
このように、本実施形態の光硬化性組成物によれば、従来では困難であった課題、すなわち、硬化物の高屈折率化に伴う、微細パターン転写性の劣化、及び硬化物のヘイズ悪化というトレードオフの問題を解決することができる。
かかる本実施形態の光硬化性組成物を適用することにより、パターン形成の際の微細パターン転写性が良好であり、波長530nmにおける硬化膜の屈折率が1.70以上、かつ膜厚600nmの硬化膜のヘイズ値が0.1%以下である、微細パターンを容易に形成することができる。
また、本実施形態の光硬化性組成物は、例えば反射防止膜の材料としても有用である。
本発明の第2の態様のパターン形成方法は、基板上に、上述した第1の態様の光硬化性組成物を用いて光硬化性膜を形成する工程(以下「工程(i)」という)と、凹凸パターンを有するモールドを、前記光硬化性膜に押圧して、前記光硬化性膜に前記凹凸パターンを転写する工程(以下「工程(ii)」という)と、前記モールドを前記光硬化性膜に押圧しつつ、前記凹凸パターンが転写された光硬化性膜を露光して、硬化膜を形成する工程(以下「工程(iii)」という)と、前記硬化膜から前記モールドを剥離する工程(以下「工程(iv)」という)と、を有する。
工程(i)では、基板上に、上述した第1の態様の光硬化性組成物を用いて光硬化性膜を形成する。
図1(A)に示すように、基板1に、上述した第1の態様の光硬化性組成物を塗布し、光硬化性膜2を形成する。尚、図1(A)においては、光硬化性膜2の上空にモールド3が配置されている。
また、基板1の形状は、特に限定されるものではなく、板状でもよいし、ロール状でもよい。また、基板1としては、モールドとの組み合わせ等に応じて、光透過性、又は非光透過性のものを選択することができる。
光硬化性膜2は、その後に行われてもよい基板1のエッチング工程でマスクとして機能するため、基板1に塗布されたときの膜厚が均一であることが好ましい。この点から、基板1に光硬化性組成物を塗布する際には、スピンコート法が好適である。
光硬化性膜2の膜厚は、用途によって適宜選択すればよく、例えば、0.05~30μm程度とすればよい。
工程(ii)では、凹凸パターンを有するモールドを、前記光硬化性膜に押圧して、前記光硬化性膜に前記凹凸パターンを転写する。
図1(B)に示すように、光硬化性膜2が形成された基板1に、表面に微細な凹凸パターンを有するモールド3を、光硬化性膜2に対向して押し当てる。これにより、光硬化性膜2を、モールド3の凹凸構造に合わせて変形させる。
モールド3を光硬化性膜2に押圧することにより、モールド3の凸部に位置する光硬化性組成物がモールド3の凹部の側に容易に押しのけられ、モールド3の凹凸構造が光硬化性膜2に転写される。
モールド3は、光透過性モールドが好ましい。光透過性モールドの材料は、特に限定されないが、所定の強度、耐久性を有するものであればよい。具体的には、ガラス、石英、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート樹脂などの光透明性樹脂膜、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサンなどの柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が例示される。
工程(iii)では、前記モールドを前記光硬化性膜に押圧しつつ、前記凹凸パターンが転写された光硬化性膜を露光して、樹脂硬化膜を形成する。
図1(C)に示すように、モールド3を光硬化性膜2に押圧した状態で、凹凸パターンが転写された光硬化性膜2に露光を行う。具体的には、紫外線(UV)などの電磁波が光硬化性膜2に照射される。露光により、モールド3が押圧された状態で光硬化性膜2が硬化し、モールド3の凹凸パターンが転写された硬化膜(硬化パターン)が形成される。
なお、図1(C)におけるモールド3は、電磁波に対して透過性を有する。
工程(iv)では、前記硬化膜から前記モールドを剥離する。
図1(D)に示すように、硬化膜からモールド3を剥離する。これにより、凹凸パターンが転写された硬化膜からなるパターン2’(硬化パターン)が基板1上にパターニングされる。
ここでの離型剤としては、例えば、シリコン系離型剤、フッ素系離型剤、ポリエチレン系離型剤、ポリプロピレン系離型剤、パラフィン系離型剤、モンタン系離型剤、カルナバ系離型剤等が挙げられる。これらの中でも、フッ素系離型剤が好ましい。例えば、ダイキン工業株式会社製のオプツールDSX等の市販の塗布型離型剤を好適に用いることができる。離型剤は、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用してもよい。
有機物層の膜厚は、基板1が加工(エッチング)される深さに応じて適宜調整すればよく、例えば0.02~2.0μmが好ましい。有機物層の材料は、光硬化性組成物に比べて酸素系ガスに対するエッチング耐性が低く、かつ、基板1よりもハロゲン系ガスに対するエッチング耐性が高いものが好ましい。有機物層を形成する方法は、特に限定されないが、例えばスパッタ法やスピンコート法が挙げられる。
任意工程としては、エッチング工程(工程(v))、エッチング処理後の硬化膜(硬化パターン)除去工程(工程(vi))等が挙げられる。
工程(v)では、例えば、上述の工程(i)~(iv)で得られたパターン2’をマスクとして基板1をエッチングする。
図2(E)に示すように、パターン2’が形成された基板1に対して、プラズマおよび反応性イオンの少なくとも一方を照射すること(矢印で図示)により、パターン2’側に露出した基板1部分を、所定深さまでエッチングにより除去する。
工程(v)で使用されるプラズマまたは反応性イオンのガスは、ドライエッチング分野で通常用いられているガスであれば、特に限定されるものではない。
工程(vi)では、工程(v)におけるエッチング処理後に残存する硬化膜を除去する。
図2(F)に示すように、基板1のエッチング処理後、基板1上に残存する硬化膜(パターン2’)を除去する工程である。
基板1上に残存する硬化膜(パターン2’)を除去する方法は、特に限定されるものではないが、例えば、硬化膜が溶解する溶液を用いて基板1を洗浄する処理等が挙げられる。
(実施例1~12、比較例1~16)
表1~2に示す各成分を配合して、各例の光硬化性組成物をそれぞれ調製した。
(X)-1:チタニア粒子、テイカ株式会社製、製品名「NS405」。体積平均一次粒子径15nm。
(X)-2:チタニア粒子、日揮触媒化成株式会社製、製品名「ELECOM V-9108」。体積平均一次粒子径15nm。
(X)-3:ジルコニア粒子、第一稀元素化学工業株式会社製、製品名「UEP-100」。体積平均一次粒子径15nm。
(R)-1:アクリル酸亜鉛、株式会社日本触媒製、製品名「ZN-DA100」。
(B)-1:多官能アクリレート、日本化薬株式会社製、製品名「KAYARAD DPHA」。
(B)-2:トリメチロルプロパントリアクリレート、共栄社化学株式会社製、製品名「ライトアクリレートTMP-A」。
(B)-4:新中村化学工業株式会社製、製品名「NKエステルA-BPML」。
(C)-1:2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン、IGM Resins B.V.社製、製品名「Omnirad 651」。分子量256.3。
(E)-1:フッ素系界面活性剤、OMNOVA社製、製品名「PolyFox PF656」。
(S)-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
(S)-2:プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)
各例の光硬化性組成物について、以下に示す各方法により、インプリント転写性、硬化膜の屈折率及びヘイズを評価した。これらの結果を表3~4に示す。
光硬化性組成物をシリコン基板上に膜厚600nmになるように調整してスピンコート塗布した。次いで、プレベークを100℃で1分間行い、東芝機械社製インプリント装置ST-200を用いて、転写圧力0.5MPa、転写時間30秒、露光量1J/cm2(真空200Pa雰囲気下)で転写試験を行い、微細パターンの転写性、及び、充填性を下記基準に従って評価した。
良好:転写パターンの充填率が95%以上
不良:転写パターンの充填率が95%未満
転写パターンの充填率は、70nm Line&Spaceのパターンを形成した後、その断面SEM像の観察により、モールドの形状から欠けることなく転写できているパターンの比率より求めた。
モールドは、綜研化学社製標準フィルムモールドLSP70-140(70nm Line&Space)を使用した。
光硬化性組成物を、シリコン基板上に、膜厚600nmになるように調整してスピンコート塗布した。次いで、プレベークを100℃で1分間行い、東芝機械社製インプリント装置ST-200を用いて、露光量1J/cm2(真空200Pa雰囲気下)で光硬化処理を行い、硬化膜を得た。
得られた硬化膜について、J.A.Woollam社製分光エリプソメーターM2000を用いて、波長530nmにおける屈折率を測定した。
光硬化性組成物を、Eagle XGガラス基板上に、膜厚600nmの硬化膜になるように調整してスピンコート塗布した。次いで、プレベークを100℃で1分間行い、東芝機械社製インプリント装置ST-200を用いて、露光量1J/cm2(真空200Pa雰囲気下)で光硬化処理を行い、硬化膜を得た。
得られた膜厚600nmの硬化膜について、ASTM D1003に準拠し、日本電色工業株式会社製へイズメーターCOH7700を用いて、光源illumination C(380~780nm)でヘイズを測定した。
一方、比較例1~16の光硬化性組成物は、インプリント転写性、屈折率及びヘイズの少なくとも一つが劣るものであった。
これらの結果から、実施例の光硬化性組成物は、パターン形成の際の微細パターン転写性が良好であり、並びに、硬化物における、可視光域でのヘイズ低減及び高屈折率化をより図ることができることが確認された。
Claims (6)
- (X)成分:金属酸化物ナノ粒子と、
(R)成分:不飽和酸金属塩と、
(B)成分:光重合性化合物(但し、前記(R)成分に該当するものを除く)と、
(C)成分:光ラジカル重合開始剤と、
を含有する光硬化性組成物であって、
前記(X)成分は、体積平均一次粒子径が1~60nmのチタニアナノ粒子、及び体積平均一次粒子径が1~60nmのジルコニアナノ粒子からなる群より選択される少なくとも一種の金属酸化物ナノ粒子であり、
前記(X)成分と前記(R)成分と前記(B)成分との合計含有量100質量部に対し、前記(X)成分の含有量が50~80質量部である、光硬化性組成物。 - (X)成分:金属酸化物ナノ粒子と、
(R)成分:不飽和酸金属塩と、
(B)成分:光重合性化合物(但し、前記(R)成分に該当するものを除く)と、
(C)成分:光ラジカル重合開始剤と、
を含有する光硬化性組成物であって、
前記(X)成分は、体積平均一次粒子径が1~60nmのチタニアナノ粒子、及び体積平均一次粒子径が1~60nmのジルコニアナノ粒子からなる群より選択される少なくとも一種の金属酸化物ナノ粒子であり、
前記(X)成分と前記(R)成分と前記(B)成分との合計含有量100質量部に対し、
前記(R)成分の含有量が1~30質量部であり、
前記(B)成分の含有量が1~30質量部である、光硬化性組成物。 - (X)成分:金属酸化物ナノ粒子と、
(R)成分:不飽和酸金属塩と、
(B)成分:光重合性化合物(但し、前記(R)成分に該当するものを除く)と、
(C)成分:光ラジカル重合開始剤と、
を含有する光硬化性組成物であって、
前記(X)成分は、体積平均一次粒子径が1~60nmのチタニアナノ粒子、及び体積平均一次粒子径が1~60nmのジルコニアナノ粒子からなる群より選択される少なくとも一種の金属酸化物ナノ粒子であり、
前記光硬化性組成物を用いて形成した膜厚600nmの硬化膜の、ASTM D1003に準拠して測定されるヘイズ値が0.1%以下である、光硬化性組成物。 - (X)成分:金属酸化物ナノ粒子と、
(R)成分:不飽和酸金属塩と、
(B)成分:光重合性化合物(但し、前記(R)成分に該当するものを除く)と、
(C)成分:光ラジカル重合開始剤と、
を含有する光硬化性組成物であって、
前記(X)成分は、体積平均一次粒子径が1~60nmのチタニアナノ粒子、及び体積平均一次粒子径が1~60nmのジルコニアナノ粒子からなる群より選択される少なくとも一種の金属酸化物ナノ粒子であり、
前記光硬化性組成物は光インプリントリソグラフィ用である、光硬化性組成物。 - 基板上に、光硬化性組成物を用いて光硬化性膜を形成する工程と、
凹凸パターンを有するモールドを、前記光硬化性膜に押圧して、前記光硬化性膜に前記凹凸パターンを転写する工程と、
前記モールドを前記光硬化性膜に押圧しつつ、前記凹凸パターンが転写された光硬化性膜を露光して、硬化膜を形成する工程と、
前記硬化膜から前記モールドを剥離する工程と、
を有する、パターン形成方法であって、
前記光硬化性組成物は、
(X)成分:金属酸化物ナノ粒子と、
(R)成分:不飽和酸金属塩と、
(B)成分:光重合性化合物(但し、前記(R)成分に該当するものを除く)と、
(C)成分:光ラジカル重合開始剤と、
を含有し、
前記(X)成分は、体積平均一次粒子径が1~60nmのチタニアナノ粒子、及び体積平均一次粒子径が1~60nmのジルコニアナノ粒子からなる群より選択される少なくとも一種の金属酸化物ナノ粒子である、パターン形成方法。 - 前記光硬化性組成物として、請求項1~4のいずれか一項に記載の光硬化性組成物を用いる、請求項5に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021071289A JP7645697B2 (ja) | 2021-04-20 | 2021-04-20 | 光硬化性組成物及びパターン形成方法 |
| US17/659,091 US20220334475A1 (en) | 2021-04-20 | 2022-04-13 | Photocurable composition and pattern forming method |
| CN202210399970.8A CN115220302A (zh) | 2021-04-20 | 2022-04-15 | 光固化性组合物及图案形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021071289A JP7645697B2 (ja) | 2021-04-20 | 2021-04-20 | 光硬化性組成物及びパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022165787A JP2022165787A (ja) | 2022-11-01 |
| JP7645697B2 true JP7645697B2 (ja) | 2025-03-14 |
Family
ID=83602296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021071289A Active JP7645697B2 (ja) | 2021-04-20 | 2021-04-20 | 光硬化性組成物及びパターン形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220334475A1 (ja) |
| JP (1) | JP7645697B2 (ja) |
| CN (1) | CN115220302A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7614924B2 (ja) * | 2021-04-20 | 2025-01-16 | 東京応化工業株式会社 | ナノインプリント用組成物及びパターン形成方法 |
| JP2025505955A (ja) | 2022-01-25 | 2025-03-05 | アディソン クリアー ウェーブ コーティングス インコーポレーテッド | 高屈折率ナノインプリントリソグラフィー樹脂 |
| KR20240137736A (ko) * | 2023-03-09 | 2024-09-20 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004231917A (ja) | 2003-02-03 | 2004-08-19 | Suishou Yuka Kogyo Kk | 水性艶出し剤組成物 |
| JP2005536617A (ja) | 2002-08-30 | 2005-12-02 | サーフェース スペシャリティーズ、エス.エイ. | ハイブリッド複合材料製造用の反応性かつゲル−フリー組成物 |
| JP2007070395A (ja) | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 帯電防止性ハードコート樹脂組成物とその用途 |
| JP2011012163A (ja) | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Asahi Glass Co Ltd | 光硬化性材料の製造方法、光硬化性材料および物品 |
| JP2011187824A (ja) | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Fujifilm Corp | 微細パターン製造方法、微細パターン付き基板、微細パターン付き基板を含む光源装置および画像表示装置 |
| JP2013191800A (ja) | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 光インプリント用の膜形成組成物及び光学部材の製造方法 |
| JP2019199448A (ja) | 2018-05-17 | 2019-11-21 | クラレノリタケデンタル株式会社 | 光硬化性樹脂組成物 |
| JP2020033452A (ja) | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 株式会社リコー | 活性エネルギー線硬化型液体、活性エネルギー線硬化型液体セット、造形物の製造方法、及び造形物製造装置 |
| JP2020055140A (ja) | 2018-09-28 | 2020-04-09 | 株式会社日本触媒 | インクジェット光造形用の光硬化性樹脂組成物セット、それを用いた光造形品ならびにその製造方法 |
| CN114853352A (zh) | 2022-05-13 | 2022-08-05 | 江苏秀强玻璃工艺股份有限公司 | 耐高温和耐酸的高温uv纹理的构造工艺 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10350297B2 (en) * | 2014-10-31 | 2019-07-16 | 3M Innovative Properties Company | Dental materials and methods |
-
2021
- 2021-04-20 JP JP2021071289A patent/JP7645697B2/ja active Active
-
2022
- 2022-04-13 US US17/659,091 patent/US20220334475A1/en not_active Abandoned
- 2022-04-15 CN CN202210399970.8A patent/CN115220302A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005536617A (ja) | 2002-08-30 | 2005-12-02 | サーフェース スペシャリティーズ、エス.エイ. | ハイブリッド複合材料製造用の反応性かつゲル−フリー組成物 |
| JP2004231917A (ja) | 2003-02-03 | 2004-08-19 | Suishou Yuka Kogyo Kk | 水性艶出し剤組成物 |
| JP2007070395A (ja) | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 帯電防止性ハードコート樹脂組成物とその用途 |
| JP2011012163A (ja) | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Asahi Glass Co Ltd | 光硬化性材料の製造方法、光硬化性材料および物品 |
| JP2011187824A (ja) | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Fujifilm Corp | 微細パターン製造方法、微細パターン付き基板、微細パターン付き基板を含む光源装置および画像表示装置 |
| JP2013191800A (ja) | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 光インプリント用の膜形成組成物及び光学部材の製造方法 |
| JP2019199448A (ja) | 2018-05-17 | 2019-11-21 | クラレノリタケデンタル株式会社 | 光硬化性樹脂組成物 |
| JP2020033452A (ja) | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 株式会社リコー | 活性エネルギー線硬化型液体、活性エネルギー線硬化型液体セット、造形物の製造方法、及び造形物製造装置 |
| JP2020055140A (ja) | 2018-09-28 | 2020-04-09 | 株式会社日本触媒 | インクジェット光造形用の光硬化性樹脂組成物セット、それを用いた光造形品ならびにその製造方法 |
| CN114853352A (zh) | 2022-05-13 | 2022-08-05 | 江苏秀强玻璃工艺股份有限公司 | 耐高温和耐酸的高温uv纹理的构造工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220334475A1 (en) | 2022-10-20 |
| CN115220302A (zh) | 2022-10-21 |
| JP2022165787A (ja) | 2022-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5846974B2 (ja) | 光インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法およびパターン | |
| JP7645697B2 (ja) | 光硬化性組成物及びパターン形成方法 | |
| JP6029558B2 (ja) | 光インプリント用硬化性組成物、パターン形成方法、微細パターン、および半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2009209337A (ja) | ナノインプリント用硬化性組成物、これを用いた硬化物およびその製造方法、並びに、液晶表示装置用部材 | |
| JP7175092B2 (ja) | 光硬化性組成物及びパターン形成方法 | |
| JP7614924B2 (ja) | ナノインプリント用組成物及びパターン形成方法 | |
| JP7458909B2 (ja) | 光硬化性組成物及びパターン形成方法 | |
| JP6338061B2 (ja) | 低離型力性を有するインプリント材料 | |
| US20220347913A1 (en) | Pattern forming method and method of producing curable composition | |
| JP2012072269A (ja) | 微細構造体 | |
| WO2023145534A1 (ja) | ナノインプリント用組成物及びパターン形成方法 | |
| JP7854981B2 (ja) | 光硬化性組成物、パターン形成方法及び硬化膜 | |
| JP7854980B2 (ja) | 光硬化性組成物、パターン形成方法及び硬化膜 | |
| US20240158541A1 (en) | Photocurable composition and pattern-forming method | |
| US20240166779A1 (en) | Photocurable composition and pattern formation method | |
| WO2022230871A1 (ja) | 硬化性組成物及びパターン形成方法 | |
| US20220373889A1 (en) | Pattern forming method | |
| JP7535931B2 (ja) | 光硬化性組成物及びパターン形成方法 | |
| JP2010083970A (ja) | ナノインプリント用硬化性組成物、硬化物およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240116 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20241009 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20241105 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20241227 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20250204 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20250304 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7645697 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |