JP7650280B2 - 位置決め装置およびリソグラフィ装置 - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０２０年１月２８日に出願された欧州／米国出願２０１５４１０３．４号の優先権を主張し、その全体が本明細書に参照により援用される。

本発明は、位置決め装置、および位置決め装置を使用する方法に関する。

リソグラフィ装置は、基板上に所望のパターンを適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。リソグラフィ装置は、例えば、パターニングデバイス（例えば、マスク）のパターン（しばしば「設計レイアウト」または「設計」とも呼ばれる）を、基板（例えばウェーハ）上に提供される放射感応性材料（レジスト）の層に投影することができる。

一般に「ムーアの法則」と呼ばれる傾向に従って、半導体製造プロセスが進歩し続けるにつれて、回路要素の寸法は継続的に縮小され、装置あたりのトランジスタなどの機能要素の量は、数十年にわたって着実に増加している。ムーアの法則に追いつくために、半導体業界はますます小さなフィーチャを作成できるテクノロジーを追いかけている。基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用することができる。この放射の波長は、基板上にパターニングされるフィーチャの最小サイズを決定する。現在使用されている典型的な波長は、３６５ｎｍ（ｉ線）、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、及び１３．５ｎｍである。４ｎｍから２０ｎｍの範囲内の波長、例えば、６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍを有する極紫外線（ＥＵＶ）放射を使用するリソグラフィ装置は、例えば１９３ｎｍの波長の放射を使用するリソグラフィ装置よりも基板上に小さいフィーチャを形成するのに使用できる。

リソグラフィ装置の公知の実施形態では、リソグラフィ装置は、第１基板を支持し位置決めする第１位置決めモジュールと、第２基板を支持し位置決めする第２位置決めモジュールとを備える。この種のリソグラフィ装置は、しばしばデュアルステージリソグラフィ装置と呼ばれる。

このようなデュアルステージリソグラフィ装置の利点は、同時に、第１位置決めモジュールが１つ又は複数の第１処理装置と協働するために第１位置決めフィールドに配置され、第２位置決めモジュールが１つ又は複数の第２処理装置と協働するために第２位置決めフィールドに配置されてもよいということである。例えば、第１位置決めフィールドは、第１基板がパターニングされた放射ビームに露光される露光フィールドであり、第２位置決めフィールドは、第２基板の上面がレベルセンサによって測定される測定フィールドである。

このリソグラフィ装置では、処理される各基板は、まず測定フィールドに配置され、その後露光フィールドに配置されることになる。測定フィールド及び露光フィールドにおいて、基板は、同一の位置決めモジュールによって支持されることになる。第１位置決めモジュール及び第２位置決めモジュールに支持された基板の処理が終了すると、第１位置決めモジュールと第２位置決めモジュールは、例えば、第２位置決めモジュールが第１位置決めフィールドに移動し、第１位置決めモジュールが第２位置決めフィールドに移動するなど、位置を交換されてもよい。

第１位置決めフィールドと第２位置決めフィールドに交互に配置された２つの位置決めモジュール上での２つの基板の同時処理は、リソグラフィ装置の投影システムを時間的に効率よく使用することに関して実質的な改善を提供する。

それにもかかわらず、リソグラフィ装置を可能な限り効率的に使用する一般的な必要性が存在する。

本発明の一つの目的は、位置決め装置の２つの位置決めモジュールの使用効率が改善された位置決め装置、例えばリソグラフィ装置の位置決め装置を提供することである。

本発明のある態様によると、第１基板を支持し位置決めするように構成される第１位置決めモジュールと、第２基板を支持し位置決めするように構成される第２位置決めモジュールと、前記２つの位置決めモジュールが第１処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第１位置決めフィールドと、前記２つの位置決めモジュールが第２処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第２位置決めフィールドと、を備え、前記２つの位置決めモジュールのうちの一方が前記第１処理シーケンスを実行しているとき又は終了しようとしているとき、他方の位置決めモジュールが前記第２処理シーケンスを終了して前記２つの位置決めモジュールのうち前記一方へと近づいて位置決めされる（あるいは、位置決めしている）、位置決め装置が提供される。これに代えて、またはこれに加えて、前記２つの位置決めモジュールのうちの一方が前記第１処理シーケンスの最終ステップを実行しているとき又は終了しようとしているとき、他方の位置決めモジュールが前記第２処理シーケンスを終了して前記２つの位置決めモジュールのうち前記一方へと近づいて位置決めされる（あるいは、位置決めしている）。

本発明のある態様によると、位置決め装置を使用する方法であって、前記位置決め装置は、第１基板を支持し位置決めするように構成される第１位置決めモジュールと、第２基板を支持し位置決めするように構成される第２位置決めモジュールと、前記２つの位置決めモジュールが第１処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第１位置決めフィールドと、前記２つの位置決めモジュールが第２処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第２位置決めフィールドと、を備え、前記２つの位置決めモジュールのうちの一方が前記第１処理シーケンスを実行しているとき又は終了しようとしているとき、他方の位置決めモジュールが前記第２処理シーケンスを終了して前記２つの位置決めモジュールのうち前記一方へと近づいて位置決めされる（あるいは、位置決めしている）、方法が提供される。これに代えて、またはこれに加えて、前記２つの位置決めモジュールのうちの一方が前記第１処理シーケンスの最終ステップを実行しているとき又は終了しようとしているとき、他方の位置決めモジュールが前記第２処理シーケンスを終了して前記２つの位置決めモジュールのうち前記一方へと近づいて位置決めされる（あるいは、位置決めしている）。

リソグラフィ装置の概略図を示す。 図１のリソグラフィ装置の一部の詳細図を示す。 位置制御システムを概略的に示す。 リソグラフィ装置の位置決め装置の位置決めモジュールについて、第１位置決めモジュールと第２位置決めモジュールがさまざまな位置にある上面図を示す。 リソグラフィ装置の位置決め装置の位置決めモジュールについて、第１位置決めモジュールと第２位置決めモジュールがさまざまな位置にある上面図を示す。 リソグラフィ装置の位置決め装置の位置決めモジュールについて、第１位置決めモジュールと第２位置決めモジュールがさまざまな位置にある上面図を示す。 リソグラフィ装置の位置決め装置の位置決めモジュールについて、第１位置決めモジュールと第２位置決めモジュールがさまざまな位置にある上面図を示す。 リソグラフィ装置の位置決め装置の位置決めモジュールについて、第１位置決めモジュールと第２位置決めモジュールがさまざまな位置にある上面図を示す。

本書では、「放射」および「ビーム」という用語は、紫外放射（例えば、３６５、２４８、１９３、又は１２６ｎｍの波長をもつ）及びＥＵＶ（例えば約５～１００ｎｍの範囲の波長を有する極紫外放射）を含むあらゆるタイプの電磁放射を包含するように使用される。
このテキストで使用される「レチクル」、「マスク」又は「パターニングデバイス」という用語は、入射放射ビームに、基板のターゲット部分に作成されるパターンに対応するパターニングされた断面を与えるために使用できる一般的なパターニングデバイスを指すと広く解釈されうる。「ライトバルブ」という用語は、この文脈でも使用できる。従来のマスク（透過型または反射型、バイナリ、位相シフト、ハイブリッドなど）に加えて、他のそのようなパターニングデバイスの例には、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルＬＣＤアレイが含まれる。

図１は、リソグラフィ装置ＬＡを概略的に示している。リソグラフィ装置ＬＡは、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射、ＤＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータとも呼ばれる）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータにしたがってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１位置決め部ＰＭに接続されたマスク支持体（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストで覆われたウェーハ）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータにしたがって基板支持体を正確に位置決めするように構成された第２位置決め部ＰＷに接続された基板支持体（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板のターゲット部分（例えば、１つ又は複数のダイを含む）Ｃに投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

動作中、照明システムＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを、例えばビーム搬送システムＢＤ経由で、受け取る。照明システムＩＬは、放射を方向付け、成形し、及び／又は制御するために、屈折、反射、磁気、電磁、静電、及び／又は他のタイプの光学コンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせなど、様々なタイプの光学コンポーネントを含みうる。イルミネータＩＬは、パターニングデバイスＭＡの平面での放射ビームＢの断面に所望の空間的および角度的強度分布を持たせるように放射ビームＢを調整するために使用されうる。

本明細書で使用される「投影システム」ＰＳという用語は、屈折、反射、反射屈折、アナモルフィック、磁気的、電磁気的、及び／又は静電光学システム、またはそれらの任意の組み合わせを含み、使用される露光放射について、及び／又は液浸液の使用や真空の使用など他の要因について適切な様々なタイプの投影システムを包含すると広く解釈されるべきである。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用は、より一般的な用語「投影システム」ＰＳと同義であると見なせる。

リソグラフィ装置ＬＡは、基板の少なくとも一部が、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、例えば、水によって覆われうるタイプのものであってもよく、これは液浸リソグラフィとも呼ばれる。液浸技術の詳細は、ＵＳ６９５２２５３に記載されており、参照により本明細書に組み込まれる。

リソグラフィ装置ＬＡはまた、２つ以上の基板支持体ＷＴを有するタイプのものであってもよい（「デュアルステージ」とも呼ばれる）。そのような「多段」機械では、基板支持体ＷＴを並行して使用することができ、及び／又は、基板支持体ＷＴの一方に配置された基板Ｗ上でその後の露光のための準備工程を実行すると同時に、他方の基板支持体ＷＴ上の基板Ｗにパターンを露光するように使用することができる。

基板支持体ＷＴに加えて、リソグラフィ装置ＬＡは、測定ステージを含んでもよい。測定ステージは、センサ及び／又は洗浄装置を保持するように構成される。センサは、投影システムＰＳの特性または放射ビームＢの特性を測定するように構成される。測定ステージは、複数のセンサを保持できる。洗浄装置は、リソグラフィ装置の一部、例えば、投影システムＰＳの一部または液浸液を提供するシステムの一部を洗浄するように構成される。測定ステージは、基板支持体ＷＴが投影システムＰＳから離れているときに、投影システムＰＳの下に移動できる。

動作中、放射ビームＢは、マスク支持体ＭＴ上に保持されたパターニングデバイスＭＡ、例えばマスクに入射し、パターニングデバイスＭＡ上に存在するパターン（デザインレイアウト）によってパターニングされる。放射ビームＢは、パターニングデバイスＭＡを通過した後、ビームを基板Ｗの標的部分Ｃに集束させる投影システムＰＳを通過する。第２位置決め部ＰＷおよび位置測定システムＰＭＳの助けを借りて、基板支持体ＷＴは、例えば、集束され整列された位置で放射ビームＢの経路内にさまざまなターゲット部分Ｃを配置するように、正確に移動することができる。同様に、第１位置決め部ＰＭ及び場合によっては別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に配置することができる。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされうる。図示のように基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は専用のターゲット部分を占めるが、それらはターゲット部分の間の空間に配置されてもよい。基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は、これらがターゲット部分Ｃの間に配置されている場合、スクライブレーンアライメントマークとして知られている。

本発明を明確にするために、デカルト座標系が使用される。デカルト座標系には、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の３つの軸がある。３つの軸のそれぞれは、他の２つの軸に直交する。Ｘ軸を中心とした回転は、Ｒｘ回転と呼ばれる。Ｙ軸を中心とした回転は、Ｒｙ回転と呼ばれる。Ｚ軸を中心とした回転は、Ｒｚ回転と呼ばれる。Ｘ軸とＹ軸は水平面を定義し、Ｚ軸は垂直方向を定義する。デカルト座標系は本発明を限定するものではなく、説明のためにのみ使用される。代わりに、円筒座標系などの別の座標系を使用して、本発明を明確にすることができる。デカルト座標系の方向は、例えば、Ｚ軸が水平面に沿った成分を持つように、異なっていてもよい。

図２は、図１のリソグラフィ装置ＬＡの一部のより詳細な図を示す。リソグラフィ装置ＬＡは、ベースフレームＢＦ、バランスマスＢＭ、計測フレームＭＦ、及び防振システムＩＳを備えていてもよい。計測フレームＭＦは投影システムＰＳを支持する。さらに、計測フレームＭＦは、位置測定システムＰＭＳの一部を支持してもよい。計測フレームＭＦは、防振システムＩＳを介してベースフレームＢＦによって支持される。防振システムＩＳは、振動がベースフレームＢＦから計測フレームＭＦに伝播するのを防止または低減するように構成されている。

第２位置決め部ＰＷは、基板支持体ＷＴとバランスマスＢＭとの間に駆動力を提供することにより、基板支持体ＷＴを加速するように構成されている。駆動力は、基板支持体ＷＴを所望の方向に加速させる。運動量が保存されるため、駆動力はバランスマスＢＭにも同じ大きさで適用されるが、上記所望の方向とは反対の方向になる。典型的には、バランスマスＢＭの質量は、第２位置決め部ＰＷの可動部分および基板支持体ＷＴの質量よりも著しく大きい。

一実施形態では、第２位置決め部ＰＷは、バランスマスＢＭによって支持されている。例えば、第２位置決め部ＰＷは、バランスマスＢＭの上方に基板支持体ＷＴを浮上させるための平面モーターを含む。別の実施形態では、第２位置決め部ＰＷは、ベースフレームＢＦによって支持されている。この場合、例えば、第２位置決め部ＰＷは、リニアモーターを含み、かつ、第２位置決め部ＰＷは、ベースフレームＢＦ上に基板支持体ＷＴを浮上させるガスベアリングなどのベアリングを含む。

位置測定システムＰＭＳは、基板支持体ＷＴの位置を決定するのに適した任意のタイプのセンサを含みうる。位置測定システムＰＭＳは、マスク支持体ＭＴの位置を決定するのに適した任意のタイプのセンサを含みうる。センサは、干渉計またはエンコーダなどの光学センサであってもよい。位置測定システムＰＭＳは、干渉計とエンコーダの組み合わせシステムを備えてもよい。センサは、磁気センサ、静電容量センサ又は誘導センサなどの別のタイプのセンサであってもよい。位置測定システムＰＭＳは、基準、例えば、計測フレームＭＦ又は投影システムＰＳに対する位置を決定することができる。位置測定システムＰＭＳは、位置を測定することによって、又は速度若しくは加速度などの位置の時間微分を測定することによって、基板テーブルＷＴ及び／又はマスク支持体ＭＴの位置を決定することができる。

位置測定システムＰＭＳは、エンコーダシステムを含んでもよい。エンコーダシステムとしては、例えば、２００６年９月７日に出願された米国特許出願ＵＳ２００７／００５８１７３Ａ１が知られており、参照により本明細書に組み込まれる。エンコーダシステムは、エンコーダヘッド、回折格子、及びセンサを備える。エンコーダシステムは、一次放射ビーム及び二次放射ビームを受けることができる。一次放射ビームと二次放射ビームの両方は同じ放射ビーム、すなわち元の放射ビームから発生する。一次放射ビームと二次放射ビームの少なくとも一方は、元の放射ビームを回折格子で回折することによって作成される。一次放射ビームと二次放射ビームの両方が元の放射ビームを回折格子で回折することによって作成される場合、一次放射ビームは二次放射ビームとは異なる回折次数を有する必要がある。異なる回折次数は、例えば、＋１次、－１次、＋２次、及び－２次である。エンコーダシステムは、一次放射ビームと二次放射ビームを光学的に結合して、結合された放射ビームにする。エンコーダヘッドのセンサは、結合された放射ビームの位相又は位相差を決定する。センサは、位相又は位相差に基づく信号を生成する。信号は、回折格子に対するエンコーダヘッドの位置を表す。エンコーダヘッド及び回折格子のうちの１つは、基板構造体ＷＴ上に配置される。エンコーダヘッドと回折格子のうちもう一方は、計測フレームＭＦ又はベースフレームＢＦに配置される。例えば、複数のエンコーダヘッドが計測フレームＭＦ上に配置され、回折格子は、基板支持ＷＴの上面に配置される。別の例では、回折格子が基板支持体ＷＴの底面に配置され、エンコーダヘッドが基板支持体ＷＴの下方に配置される。

位置測定システムＰＭＳは、干渉計システムを含んでもよい。干渉計システムとしては、例えば、１９９８年７月１３日に出願された米国特許第６，０２０，９６４号が知られており、参照により本明細書に組み込まれる。干渉計システムは、ビームスプリッタ、ミラー、基準ミラー、及びセンサを含む。放射のビームは、ビームスプリッタによって基準ビームと測定ビームに分割される。測定ビームはミラーに伝搬し、ミラーによって反射されてビームスプリッタに戻る。基準ビームは基準ミラーに伝搬し、基準ミラーによって反射されてビームスプリッタに戻る。ビームスプリッタでは、測定ビームと基準ビームが結合されて、結合された放射ビームになる。結合された放射ビームはセンサに入射する。センサは、結合された放射ビームの位相又は周波数を決定する。センサは、位相又は周波数に基づく信号を生成する。信号はミラーの変位を表す。一実施形態では、ミラーは、基板支持体ＷＴに接続されている。基準ミラーは、計測フレームＭＦに接続されてもよい。一実施形態では、測定ビームと基準ビームは、ビームスプリッタの代わりに追加の光学部品によって、結合された放射ビームに結合される。

第１位置決め部ＰＭは、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを含む。ショートストロークモジュールは、ロングストロークモジュールに対してマスク支持体ＭＴを狭い移動範囲で高精度に動かすように構成されている。ロングストロークモジュールは、投影システムＰＳに対してショートストロークモジュールを広い移動範囲で比較的低い精度で動かすように構成されている。ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールの組み合わせにより、第１位置決め部ＰＭは、広い移動範囲にわたって高精度で投影システムＰＳに対してマスク支持体ＭＴを移動させることができる。同様に、第２位置決め部ＰＷは、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを含む。ショートストロークモジュールは、ロングストロークモジュールに対して基板支持体ＷＴを狭い移動範囲で高精度に動かすように構成されている。ロングストロークモジュールは、投影システムＰＳに対してショートストロークモジュールを広い移動範囲で比較的低い精度で動かすように構成されている。ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールの組み合わせにより、第２位置決め部ＰＷは、広い移動範囲にわたって高精度で投影システムＰＳに対して基板支持体ＷＴを動かすことができる。

第１位置決め部ＰＭ及び第２位置決め部ＰＷの各々は、それぞれマスク支持体ＭＴ及び基板支持体ＷＴを移動させるためのアクチュエータを備えている。アクチュエータは、単一の軸、例えば、Ｙ軸に沿って駆動力を提供するためのリニアアクチュエータであってもよい。複数のリニアアクチュエータを適用して、複数の軸に沿って駆動力を提供してもよい。アクチュエータは、多軸に沿って駆動力を提供するための平面アクチュエータであってもよい。例えば、平面アクチュエータは、基板支持体ＷＴを６自由度で動かすように構成されてもよい。アクチュエータは、少なくとも１つのコイル及び少なくとも１つの磁石を含む電磁アクチュエータであってもよい。アクチュエータは、少なくとも１つのコイルに電流を印加することによって、少なくとも１つの磁石に対して少なくとも１つのコイルを動かすように構成されている。アクチュエータは、基板支持体ＷＴ又はマスク支持体ＭＴのそれぞれに結合された少なくとも１つの磁石を有する移動磁石タイプのアクチュエータであってもよい。アクチュエータは、基板支持体ＷＴ又はマスク支持体ＭＴにそれぞれ結合された少なくとも１つのコイルを有する移動コイルタイプのアクチュエータであってもよい。アクチュエータは、ボイスコイルアクチュエータ、リラクタンスアクチュエータ、ローレンツアクチュエータ、ピエゾアクチュエータ、又は他の任意の適切なアクチュエータであってもよい。

リソグラフィ装置ＬＡは、図３に概略的に示されているような位置制御システムＰＣＳを備える。位置制御システムＰＣＳは、セットポイントジェネレータＳＰ、フィードフォワードコントローラＦＦ及びフィードバックコントローラＦＢを備える。位置制御システムＰＣＳは、アクチュエータＡＣＴに駆動信号を提供する。アクチュエータＡＣＴは、第１位置決め部ＰＭ又は第２位置決め部ＰＷのアクチュエータであってもよい。アクチュエータＡＣＴは、基板支持体ＷＴ又はマスク支持体ＭＴを含みうるプラントＰを駆動する。プラントＰの出力は、位置、または速度、または加速度などの位置量である。位置量は、位置測定システムＰＭＳで測定される。位置測定システムＰＭＳは、プラントＰの位置量を表す位置信号である信号を生成する。セットポイントジェネレータＳＰは、プラントＰの所望の位置量を表す基準信号である信号を生成する。基準信号は、例えば基板支持体ＷＴの所望の軌道を表す。基準信号と位置信号の差がフィードバックコントローラＦＢの入力になる。入力に基づいて、フィードバックコントローラＦＢは、アクチュエータＡＣＴに駆動信号の少なくとも一部を提供する。基準信号は、フィードフォワードコントローラＦＦの入力を形成する。入力に基づいて、フィードフォワードコントローラＦＦは、アクチュエータＡＣＴに駆動信号の少なくとも一部を提供する。フィードフォワードＦＦは、質量、剛性、共振モード、固有周波数など、プラントＰの動的特性に関する情報を利用してもよい。

図４は、リソグラフィ装置の第１位置決めモジュールＰＷ１および第２位置決めモジュールＰＷ２に関する上面図である。

第１位置決めモジュールＰＷ１及び第２位置決めモジュールＰＷ２はそれぞれが、基板を支持するように構成されている。第１位置決めモジュールＰＷ１及び第２位置決めモジュールＰＷ２は、第１位置決めフィールドＦＩ１及び第２位置決めフィールドＦＩ２において移動可能である。第１位置決めフィールドＦＩ１及び第２位置決めフィールドＦＩ２は、Ｙ方向及びＸ方向に延びる位置決め平面内に延在する。第１位置決めフィールドＦＩ１において、第１位置決めモジュールＰＷ１は、第１位置決めモジュールＰＷ１によって支持される基板を処理すべく１つ又は複数の第１処理装置と協働し、第２位置決めモジュールＰＷ２は、第２位置決めモジュールＰＷ２によって支持される基板を処理すべく１つ又は複数の第１処理装置と協働しうる。この処理は、第１処理シーケンスに関連しうる。第１位置決めフィールドＦＩ１において、２つの位置決めモジュールは、第１処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされることができる。すなわち、第１位置決めモジュールＰＷ１が第１処理シーケンスを実行するために位置決めされることができ、次に第２位置決めモジュールＰＷ２が第１処理シーケンスを実行するために位置決めされることができ、次に第１位置決めモジュールＰＷ１が第１処理シーケンスを実行するために位置決めされることができる等、となる。

第２位置決めフィールドＦＩ２において、第１位置決めモジュールＰＷ１は、第１位置決めモジュールＰＷ１によって支持された基板を処理すべく１つ又は複数の第２処理装置と協働し、第２位置決めモジュールＰＷ２は、第２位置決めモジュールＰＷ２によって支持された基板を処理すべく１つ又は複数の第２処理装置と協働しうる。この処理は、第２処理シーケンスに関連しうる。第２位置決めフィールドＦＩ２において、２つの位置決めモジュールは、第１処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされることができる。すなわち、第２位置決めモジュールＰＷ２が第２処理シーケンスを実行するために位置決めされることができ、次に第１位置決めモジュールＰＷ１が第２処理シーケンスを実行するために位置決めされることができ、次に第２位置決めモジュールＰＷ２が第２処理シーケンスを実行するように位置決めされることができる等、となる。

第１位置決めフィールドＦＩ１と第２位置決めフィールドＦＩ２は、Ｙ方向に互いに隣接して配置される。第１位置決めフィールドは、例えば露光フィールドであり、そのため、１つ又は複数の処理装置は、パターニングされた放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムを備える。１つ又は複数の処理装置は、第１位置決めモジュールＰＷ１及び第２位置決めモジュールＰＷ２の各々に搭載されたゼロ点位置ＺＳ及び収差制御測定センサＡＳと協働する処理装置をさらに備えてもよい。

第２位置決めフィールドＦＩ２は、例えば、レベルセンサによって基板の上面が測定され、この基板の上面の高さマップを決定することができる測定フィールドである。この高さマップは、露光フィールドにおけるパターニングされた放射ビームの投影時に使用されて、入射するパターニングされた放射ビームに対する基板Ｗの上面の位置決めを改善することができる。さらに、第２位置決めフィールドＦＩ２において、第１位置決めモジュールＰＷ１又は第２位置決めモジュールＰＷ２への基板のロード及びアンロードが行われてもよい。

第１位置測定システムＰＭＳ１は、第１位置決めフィールドＦＩ１に位置決めされたときの第１位置決めモジュールＰＷ１又は第２位置決めモジュールＰＷ２の位置を測定するように構成されている。第２位置測定システムＰＭＳ２は、第２位置決めフィールドＦＩ２に位置決めされたときの第１位置決めモジュールＰＷ１又は第２位置決めモジュールＰＷ２の位置を測定するように構成されている。第１位置測定システムＰＭＳ１及び第２位置測定システムＰＭＳ２は、例えば、干渉計システムである。第１位置決めモジュールＰＷ１と第２位置決めモジュールＰＷ２は、第１位置決めモジュールＰＷ１と第２位置決めモジュールＰＷ２が第１位置決めフィールドＦＩ１と第２位置決めフィールドＦＩ２とで交互に使用されることができるように、Ｙ方向に位置を入れ替えることが可能である。第１位置決めモジュールＰＷ１及び第２位置決めモジュールＰＷ２は、リソグラフィ装置の固定部にケーブルで接続されているので、第１位置決めモジュールＰＷ１と第２位置決めモジュールＰＷ２は、図４において第１位置決めモジュールＰＷ１が第２位置決めモジュールＰＷ２より左に配置されるという一方法でしか互いに行き来できない（図６も参照のこと）。位置交換の間、第１位置決めモジュールＰＷ１の第１側部ＳＩ－１は、第２位置決めモジュールＰＷ２の第２側部ＳＩ－２と向かい合うことになる。第１位置決めモジュールＰＷ１と第２位置決めモジュールＰＷ２は、いつも同じ側で互いにすれ違うので、第１側部ＳＩ－１と第２側部ＳＩ－２は、Ｘ方向に互いに向かい合うことになる。

図４において、第１位置決めモジュールＰＷ１は第１位置決めフィールドＦＩ１に配置され、第２位置決めモジュールＰＷ２は第２位置決めフィールドＦＩ２に配置されている。

これらの位置は、典型的には、リソグラフィ装置における２つの基板の同時処理中に使用される。第１位置決めフィールドＦＩ１において第１位置決めモジュールＰＷ１によって支持される１つの基板は、例えば、パターニングされた放射のビームに露光され、第２位置決めモジュールＰＷ２によって支持される基板は、第２位置決めフィールドＦＩ２において処理されうる。例えば、第２位置決めフィールドＦＩ２では、露光された基板が第２位置決めモジュールＰＷ２からアンロードされ、新しい基板が第２位置決めモジュールＰＷ２にロードされ、第２位置決めモジュールＰＷ２の基板の上面が測定装置（例えばレベルセンサ）によって測定されてもよい。

それぞれの位置決めフィールドＦＩ１，ＦＩ２における２つの基板の処理が終了すると、第２位置決めモジュールＰＷ２は、第２位置決めモジュールＰＷ２によって支持された基板をパターニングされた放射ビームで露光するために第１位置決めフィールドＦＩ１へと移動される。第１位置決めモジュールＰＷ１は、第１位置決めモジュールＰＷ１によって支持された基板をアンロードし、新しい基板を第１位置決めモジュールＰＷ１にロードし、この新しい基板の上面を測定装置で測定するために、第２位置決めフィールドＦＩ２に移動されてもよい。

実際には、基板は通常、第２位置決めフィールドＦＩ２において位置決めモジュールにロードされ、ここで基板の上面も測定される。次に、位置決めモジュールは、第１位置決めフィールドＦＩ１に移動され、基板はそこで、パターニングされた放射ビームで露光される。露光後、位置決めモジュールは、基板を位置決めモジュールからアンロードするために第２位置決めフィールドに戻される。

多くの用途において、第１位置決めフィールドＦＩ１における基板の処理、すなわちパターニングされた放射ビームによる露光及び関連する作業に要する時間は、第２位置決めフィールドＦＩ２における基板の処理、すなわちアンローディング／ローディング／レベル測定及び関連する作業より多くの時間を必要とする。したがって、第１位置決めフィールドＦＩ１における第１位置決めモジュールＰＷ１上の基板の処理と第２位置決めモジュールＰＷ２上の基板の処理との間に要するアイドル時間は、リソグラフィ装置における基板のサイクルタイムにとって時間的に重要であり、できるだけ短いことが望まれる。

本特許出願では、第１位置決めフィールドＦＩ１における基板の後続処理の合間のアイドル時間を減少させることが提案される。第１の特徴として、第１位置決めフィールドにおいて第１位置決めモジュールＰＷ１に支持された基板の処理が終了する前に、第２位置決めモジュールＰＷ２を第１位置決めフィールドＰＷ１内に移動させることが提案される。

図５は、第１の待機位置にある第２位置決めモジュールＰＷ２を示す。第１位置決めモジュールＰＷ１は、第１処理シーケンスを実行している（例えば、基板は、パターニングされた放射ビームで露光される）。第１の待機位置は、第２位置決めフィールドＦＩ２において、この第２位置決めフィールドＦＩ２の第１位置決めフィールドＦＩ１に近い側にある。第２位置決めモジュールＰＷ２は、第２位置決めフィールドＦＩ２において第２位置決めモジュールＰＷ２に支持された基板の処理が終了するとすぐに、この第１の待機位置に配置されることができるが、第２位置決めモジュールＰＷ２はまだ第１位置決めフィールドＦＩ１に安全に位置決めすることはできない。例えば、第１位置決めフィールドＦＩ１における第１位置決めモジュールＰＷ１に支持された基板の処理は、第１位置決めフィールドＦＩ１における第１位置決めモジュールＰＷ１の大きな移動を依然として必要とする場合があり、第２位置決めＰＷを第１位置決めフィールドＦＩ１内へと移動可能とすることを妨げうる。

第１位置決めフィールドＦＩ１において第２位置決めモジュールＰＷ２のために利用可能なスペースがある場合、例えば第１位置決めモジュールＰＷ１上に支持された基板の第１位置決めフィールドＦＩ１における最終処理ステップ中に、第２位置決めモジュールＰＷ２は、第１位置決めフィールドＦＩ１内の第２の待機位置に配置されてもよい。

第２位置決めモジュールＰＷ２に支持された基板の第２位置決めフィールドＦＩ２での処理が終了した直後に第１位置決めフィールドＦＩ１においてスペースが利用可能である場合、第２位置決めモジュールＰＷ２は、直接第２の待機位置に配置されることも可能である。

図６は、第２位置決めモジュールＰＷ２が第１位置決めフィールドＦＩ１において第１位置決めモジュールＰＷ１に近接するが第１位置決めモジュールＰＷ１の位置測定を妨げない第２の待機位置に配置された状態を示す。第１位置測定システムＰＭＳ１による位置測定が第２位置測定モジュールＰＷ２によって妨げられないので、第１位置測定モジュールＰＷ１に支持された第１基板への１つ又は複数の第１処理装置による処理は、第２位置測定モジュールＰＷ２が既に第１位置測定フィールドＦＩ１に配置されていても継続することができる。

第１位置決めフィールドＦＩ１における基板の処理の最終ステップは、収差制御測定センサＡＳを用いた測定である。この収差制御測定センサＡＳは、第１位置決めフィールドＦＩ１における処理の最終ユニットであり、Ｙ方向に第２位置決めフィールドＦＩ２のほうに向く側部ＳＩ－Ａと位置交換時にＸ方向に第２位置決めモジュールＰＷ２のほうに向く第１側部ＳＩ－１との第１位置決めモジュールＰＷ１の角部に配置されている。すなわち、収差制御測定センサＡＳは、第１位置決めモジュールＰＷ１の第１側部ＳＩ－１に近接して位置決めされている。

第１位置決めフィールドＦＩ１における処理の最終ユニットをこの角部に配置することによって、第１位置決めフィールドＦＩ１における第１位置決めモジュールＰＷ１上の基板の処理がまだ終了していないうちに、第１位置決めフィールドＦＩ１において第２位置決めモジュールＰＷ２を配置するための追加のスペースが作り出される。これに対応して、第２位置決めモジュールＰＷ２の最終ユニット、例えば収差制御測定センサＡＳは、Ｙ方向に第２位置決めフィールドＦＩ２のほうに向く側部ＳＩ－Ｂと位置交換時にＸ方向に第１位置決めモジュールＰＷ１のほうに向く第２側部ＳＩ－２との角部に配置される。すなわち、収差制御測定センサＡＳは、第２位置決めモジュールＰＷ２の第２側部ＳＩ－２に近接して配置される。これにより、第１位置決めフィールドＦＩ１における第２位置決めモジュールＰＷ２上の基板の処理がまだ終了していないうちに、第１位置決めフィールドＦＩ１において第１位置決めモジュールＰＷ１を位置決めするためのスペースが作り出される。

第１位置決めモジュールＰＷ１が第１処理シーケンスを終了しつつあるか又は終了したとき、２つの位置決めモジュール間の距離は、２０ｃｍ未満、好ましくは１０ｃｍ未満、より好ましくは５ｃｍ未満である。この距離は、第１位置決めモジュールＰＷ１の一部と第２位置決めモジュールＰＷ２との間の最短距離として定義される。距離が短いほど、第２位置決めモジュールＰＷ２を第１処理シーケンスを実行する位置まで移動させるのに必要な時間が短くなる。一方、距離は、第１位置測定システムＰＭＳ１による位置測定が第２位置測定モジュールＰＷ２によって妨げられるほど小さくすることはできない。

第１位置決めフィールドＦＩ１において第２位置決めモジュールＰＷ２によって支持された基板の処理の第１ステップは、第２位置決めモジュールＰＷ２上のゼロ点位置ＺＳをゼロ点センサを用いて測定することである。この処理の第１ユニットとなるゼロ点位置ＺＳは、Ｙ方向に第２位置決めフィールドＦＩ２から離れるほうに向く側部ＳＩ－Ｍと位置交換時にＸ方向に第１位置決めモジュールＰＷ１のほうに向く第１側部ＳＩ－１との第２位置決めモジュールＰＷ２の角部に配置されている。

第１位置決めフィールドＦＩ１における処理の第１ユニットをこの角部に配置することによって、第２位置決めモジュールＰＷ２の第２の待機位置と、ゼロ点位置ＺＳを使用した第１位置決めフィールドＦＩ１における処理のための第２位置決めモジュールＰＷ２の第１処理位置との間の距離が比較的小さくなり、第１位置決めフィールドＦＩ１における基板の処理のアイドル時間が更に減少する。

これに対応して、第２位置決めモジュールＰＷ２の第１位置決めフィールドにおける処理の第１ユニット、すなわちゼロ点位置ＺＳは、Ｙ方向に第２位置決めフィールドＦＩ２から離れるほうに向く側部ＳＩ－Ｎと位置交換時にＸ方向に第１位置決めモジュールＰＷ１のほうに向く第２側部ＳＩ－２との角部に配置される。

第１位置決めモジュールＰＷ１及び第２位置決めモジュールＰＷ２上のセンサ構成は、第１位置決めフィールドＦＩ１における処理のアイドル時間を短くするように配置されているので、第１位置決めモジュールＰＷ１及び第２位置決めモジュールＰＷ２のセンサユニットは、第１ユニットと最終ユニットが、位置決めモジュールＰＷ１，ＰＷ２の、位置交換時にｙ方向にすれ違うとき他方の位置決めモジュールＰＷ２，ＰＷ１の側部ＳＩ－２，ＳＩ－１のほうに向く側部ＳＩ－１，ＳＩ－２に配置され、ｙ方向及びｘ－ｙ平面に垂直なｚ方向に延びるミラー平面に関して鏡写しとなっている。

第１位置決めモジュールＰＷ１及び第２位置決めモジュールＰＷ２はそれぞれが、ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールとを備え、ロングストロークモジュールはショートストロークモジュールを支持し、ショートストロークモジュールは基板を支持するように構成される。ショートストロークモジュールは、ロングストロークモジュールに対して基板を高精度で小移動範囲にわたり移動させるように構成され、ロングストロークモジュールは、ショートストロークモジュールを比較的低精度で大移動範囲にわたり移動させるように構成される。

第１位置決めモジュールＰＷ１のショートストロークモジュールを、ｘ方向に第２位置決めモジュールＰＷ２に最も近いロングストロークの大移動範囲の端またはその近傍（例えば図６では正のｘ方向にロングストロークの端またはその近傍）に配置し、第２位置決めモジュールのショートストロークモジュールを、ｘ方向に第１位置決めモジュールＰＷ１に最も近いロングストロークの大移動範囲の端またはその近傍（例えば図６では負のｘ方向にロングストロークの端またはその近傍）に配置することによっても、第１位置決めモジュールＰＷ１に近接する第２の待機位置に第２位置決めモジュールＰＷ２を配置するためのより多くのスペースが作り出される。これにより、第１位置決めフィールドＦＩ１における基板の処理におけるアイドル時間をさらに短縮しうる。第１位置決めモジュールＰＷ１のショートストロークモジュールのうちｘ方向に遠い側（すなわち、ＰＷ１のショートストロークモジュールの正のｘ方向側）が、第１位置決めモジュールＰＷ１のロングストロークモジュールのうちｘ方向に遠い側（すなわち、ＰＷ１のロングストロークモジュールの正のｘ方向側）にできるだけ向かうように位置決めされ、それにより、ＰＷ１のショートストロークモジュールとロングストロークモジュールが整列されまたはほぼ整列されてもよい。同様に、第２位置決めモジュールＰＷ２のショートストロークモジュールのうち負のｘ方向に遠い側（すなわち、ＰＷ２のショートストロークモジュールの負のｘ方向側）が、第２位置決めモジュールＰＷ２のロングストロークモジュールのうち負のｘ方向に遠い側（すなわち、ＰＷ２のロングストロークモジュールの負のｘ方向側）にできるだけ向かうように位置決めされ、それにより、ＰＷ２のショートストロークモジュールとロングストロークモジュールが整列されまたはほぼ整列されてもよい。

第１位置決めモジュールＰＷ１上での基板の処理が終了するとすぐに、第１位置決めモジュールＰＷ１は、第２位置決めフィールドＦＩ２に向かって移動され、第２位置決めモジュールＰＷ２は、ゼロ点測定を可能にするべくゼロ点配置に位置決めされてもよい。

図７は、第１位置決めモジュールＰＷ１及び第２位置決めモジュールＰＷ２の位置を示し、第１位置決めモジュールＰＷ１は第２位置決めフィールドＦＩ２に向かって移動しており、第２位置決めモジュールＰＷ２はゼロ点測定を実行するために既にゼロ点配置にある。これらの位置において、第１位置決めモジュールＰＷ１の位置は、第１位置測定システムＰＭＳ１を使用して第２位置決めモジュールＰＷ２の位置を決定可能にすることを妨げる。従来のゼロ点測定では、第１位置測定システムＰＭＳ１によって測定される第２位置測定モジュールＰＷ２の位置が必要とされるので、第１位置測定モジュールＰＷ１が第２位置測定モジュールＰＷ２の位置測定を妨げる限り、従来のゼロ点測定を開始することができない。

本発明のある実施形態によれば、第１位置測定システムＰＭＳ１の位置測定が利用可能でなくてもゼロ点測定を開始することが提案される。ゼロ点測定は、ゼロ点測定に基づいて決定される位置を用いて既に開始することができることが判明している。これは、ゼロ点センサが第２位置決めモジュールＰＷ２上のゼロ点位置ＺＳと位置合わせされるとすぐに、ゼロ点測定が開始されうることを意味する。これらの測定は、ある精度でゼロ点センサに対する第２位置決めモジュールＰＷ２の位置を決定することを可能にする。決定された位置に基づいて、第２位置決めモジュールＰＷ２の位置は、ゼロ点測定のために、改善された位置に調整されうる。

図８は、第１位置決めモジュールＰＷ１が第２位置決めフィールドＦＩ２に向かってさらに移動したことを示す。第１位置決めモジュールＰＷ１は、もはや、第２位置決めモジュールＰＷ２の位置が第１位置測定システムＰＭＳ１によって測定されうることを妨げない。第２位置決めモジュールＰＷ２の位置が測定可能となるとすぐに、測定された位置は、ゼロ点センサによってゼロ点位置ＺＳ上で実行されるゼロ点測定において考慮されうる。

第２位置決めモジュールＰＷ２は、第２位置決めモジュールＰＷ２によって支持された基板を第１位置決めフィールドＦＩ１に関連する処理装置でさらに処理するために第１位置決めフィールドＦＩ１内に留まることになる。

同時に、第１位置決めモジュールＰＷ１は、第２位置決めフィールドＦＩ２に移動され、そこで処理済みの基板がアンロードされ、処理すべき基板が第１位置決めモジュールＰＷ１上にロードされることになる。その後、第１位置決めモジュールＰＷ１によって支持されている基板の上面がレベルセンサによって測定される。また、第２位置決めフィールドＦＩ２に関連する他のタスクが、第１位置決めモジュールＰＷ１上にロードされた基板に関して実行されることもある。

図４と比較すると、第１位置決めモジュールＰＷ１と第２位置決めモジュールＰＷ２の位置が入れ替わったことになる。基板のアンロード／ロードおよびレベルセンサによる測定は通常、第１位置決めフィールドＦＩ１における基板の処理よりも短い時間を消費するので、第１位置決めモジュールＰＷ１上の基板の処理は、第２位置決めモジュールＰＷ２上の基板の処理よりも先に終了することになる。

従って、第１位置決めモジュールＰＷ１上の基板の処理後、第１位置決めモジュールＰＷ１は、第１位置決めフィールドに場所がないのであれば、第２位置決めフィールドＦＩ２内の第１の待機位置に持っていくことができる。第１位置決めフィールドＦＩに場所がある場合、例えば、第２位置決めモジュールＰＷ２に支持された基板が第１位置決めフィールドＦＩ１の最終処理ステップにある場合、第１位置決めモジュールＰＷ１は、第２位置決めモジュールＰＷ２に近いが第１位置測定システムＰＭＳによる第２位置決めモジュールＰＷ２の位置測定を妨げない第１位置決めフィールドＦＩ１の第２の待機位置に位置決めされてもよい。この第１位置決めモジュールＰＷ１の第２の待機位置は、図８に示す第１位置決めモジュールの位置とほぼ同じである。第２位置決めモジュールに支持された基板の処理が終了すると、上述した第１位置決めモジュールＰＷ１と第２位置決めモジュールＰＷ２の位置交換と実質的に同じであるが、ｙ－ｚ平面において鏡写しとされた位置交換を行うことができる。

この位置交換には、第１位置決めフィールドＦＩ１における基板Ｗの処理のアイドル時間を減少させるあらゆる特徴が適用可能である。

図４から図８に関して説明した実施形態では、第１位置決めフィールドＦＩ１における基板の処理が時間的に重要であるとみなされていた。したがって、第１位置決めモジュールＰＷ１と第２位置決めモジュールＰＷ２との位置交換が、第１位置決めフィールドＦＩ１における基板の処理におけるアイドル時間を最小にするために、第１位置決めフィールドＦＩ１において行われた。これに対応して、第２位置決めフィールドＦＩ２での処理が時間的に重要である場合には、第１位置決めモジュールＰＷ１と第２位置決めモジュールＰＷ２の位置交換は、第２位置決めフィールドＦＩ２での基板の処理におけるアイドル時間を最小にするために、第２位置決めフィールドＦＩ２において実行されてもよい。

本書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は他の用途を有しうることを理解すべきである。考えられる他の用途には、統合光学システム、磁区メモリのガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造が含まれる。

本書では、リソグラフィ装置の文脈で本発明の実施形態を具体的に説明しているが、本発明の実施形態は、他の装置で使用することができる。本発明の実施形態は、マスク検査装置、計測装置、または、ウェーハ（または他の基板）又はマスク（または他のパターニングデバイス）などの物体を測定または処理する任意の装置の一部を形成してもよい。これらの装置は、一般にリソグラフィツールと呼ばれうる。そのようなリソグラフィツールは、真空条件または周囲（非真空）条件を使用することができる。

光学リソグラフィの文脈における本発明の実施形態の使用について上記で特定の言及がなされたが、文脈が許す場合、本発明は光学リソグラフィに限定されず、たとえばインプリントリソグラフィなど他の用途で使用されうることが理解されよう。

文脈が許す場合、本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせで実装されてもよい。本発明の実施形態は、1つ以上のプロセッサによって読み取られ実行されうる、機械可読媒体に格納された命令として実装されることもできる。機械可読媒体は、機械（例えば、コンピューティングデバイス）によって読み取り可能な形態で情報を格納または送信するための任意の機構を含んでもよい。例えば、機械可読媒体は、読み取り専用メモリ（ROM）；ランダムアクセスメモリ（RAM）；磁気記憶媒体；光学記憶媒体；フラッシュメモリ装置；電気、光学、音響または他の形態の伝播信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）、その他を含んでもよい。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、特定の動作を実行するものとして本明細書に記載される場合がある。しかしながら、そのような記述は単に便宜上のものであり、そのような動作は、実際には、コンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、または他のデバイスがファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行することから生じ、それを行うことによって、アクチュエータまたは他のデバイスに物理世界との相互作用を引き起こしうることを理解されたい。

本発明の特定の実施形態を上で説明したが、本発明は、説明された以外の方法で実施されてもよいことを理解すべきである。上記の説明は、限定ではなく、例示を目的としている。したがって、以下に記載される特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されるように本発明に変更を加えることができることは当業者には明らかであろう。

１．第１基板を支持し位置決めするように構成される第１位置決めモジュール（ＰＷ１）と、
第２基板を支持し位置決めするように構成される第２位置決めモジュール（ＰＷ２）と、
前記第１位置決めモジュール及び前記第２位置決めモジュールが１つ又は複数の第１処理装置と協働するように位置決めされうる第１位置決めフィールド（ＦＩ１）と、
前記第１位置決めモジュール及び前記第２位置決めモジュールが１つ又は複数の第２処理装置と協働するように位置決めされうる第２位置決めフィールド（ＦＩ２）と、を備え、
前記第１位置決めフィールド及び前記第２位置決めフィールドは、第１方向及び前記第１方向に垂直な第２方向に延びる位置決め平面内に延在し、
前記第１位置決めフィールド及び前記第２位置決めフィールドは、前記第１方向に互いに隣接して配置され、前記第１位置決めモジュール及び前記第２位置決めモジュールは、前記第１方向に位置を交換可能であり、位置交換の間、前記第１位置決めモジュールの第１側部が前記第２位置決めモジュールの第２側部と前記第２方向に向かい合い、
前記第１位置決めモジュール及び前記第２位置決めモジュールはそれぞれが、前記第１位置決めフィールドで第１処理ステップを実行する第１ユニットと、前記第１位置決めフィールドで最終処理ステップを実行する最終ユニットとを備え、
前記第１ユニット及び前記最終ユニットは、前記第１位置決めモジュールの前記第１側部及び前記第２位置決めモジュールの前記第２側部にそれぞれ配置される、位置決め装置。
２．前記第１位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第１側部と前記第１位置決めフィールドに位置決めされるとき前記第２位置決めフィールドのほうに向く前記第１位置決めモジュールの側部との第１角部の近傍に配置され、前記第２位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第２側部と前記第１位置決めフィールドに位置決めされるとき前記第２位置決めフィールドのほうに向く前記第２位置決めモジュールの側部との第２角部の近傍に配置される、項１に記載の位置決め装置。
３．前記第１位置決めモジュールの前記第１ユニットは、前記第１側部と前記第１位置決めフィールドに位置決めされるとき前記第２位置決めフィールドから離れるほうに向く前記第１位置決めモジュールの側部との第２角部の近傍に配置され、前記第２位置決めモジュールの前記第１ユニットは、前記第２側部と前記第１位置決めフィールドに位置決めされるとき前記第２位置決めフィールドから離れるほうに向く前記第２位置決めモジュールの側部との第２角部の近傍に配置される、項１または２に記載の位置決め装置。
４．前記第１ユニットは、ゼロ点センサと協働するように配置されるゼロ点位置である、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
５．前記ゼロ点センサは、対応する第１位置決めモジュールまたは第２位置決めモジュールの位置が位置測定システムによって決定される前に、ゼロ点測定を実行するように構成される、項４に記載の位置決め装置。
６．前記最終ユニットは、収差制御測定センサであり、または／および、前記第１位置決めフィールドが前記位置決め装置の露光フィールドであり、前記第２位置決めフィールドが前記位置決め装置の測定フィールドである、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
７．前記第１位置決めモジュール及び前記第２位置決めモジュールはそれぞれが、センサのセットを備え、前記第１位置決めモジュールの前記センサのセットの第１構成及び前記第２位置決めモジュールの前記センサのセットの第２構成は、前記第１方向及び前記位置決め平面に垂直な方向に延びるミラー面に関して鏡写しとなっている、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
８．前記第１位置決めモジュール及び前記第２位置決めモジュールはそれぞれが、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを備え、前記ロングストロークモジュールが前記ショートストロークモジュールを支持し、前記ショートストロークモジュールは、基板を支持するように構成され、前記ショートストロークモジュールは、前記ロングストロークモジュールに対して前記基板を高精度で小移動範囲にわたり移動させるように構成され、前記ロングストロークモジュールは、前記ショートストロークモジュールを相対的に低精度で大移動範囲にわたり前記第２方向に移動させるように構成され、
前記位置決め装置の制御装置は、前記第１位置決めモジュールの前記ショートストロークモジュールを、前記第２方向における前記第２位置決めモジュールに最も近い前記ロングストロークモジュールの前記大移動範囲の端又はその近傍に位置決めし、前記第２位置決めモジュールの前記ショートストロークモジュールを、前記第２方向における前記第１位置決めモジュールに最も近い前記ロングストロークモジュールの前記大移動範囲の端の近傍に位置決めするように構成される、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
９．前記位置決め装置の制御装置は、前記第１位置決めモジュールに支持された前記第１基板を前記１つ又は複数の第１処理装置で処理している最中に、前記第１位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第２位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第１位置決めフィールドに配置し、及び／又は、前記第２位置決めモジュールに支持された前記第２基板を前記１つ又は複数の第１処理装置で処理している最中に、前記第２位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第１位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第１位置決めフィールドに配置するように構成される、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
１０．前記位置決め装置は、前記第１位置決めフィールドにおける前記第１位置決めモジュール又は前記第２位置決めモジュールの位置を決定する第１位置測定システムと、前記第２位置決めフィールドにおける前記第１位置決めモジュール又は前記第２位置決めモジュールの位置を決定する第２位置測定システムと、を備える、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
１１．位置決め装置を使用する方法であって、前記位置決め装置は、
第１基板を支持し位置決めするように構成される第１位置決めモジュールと、
第２基板を支持し位置決めするように構成される第２位置決めモジュールと、
前記第１位置決めモジュール及び前記第２位置決めモジュールが１つ又は複数の第１処理装置と協働するように位置決めされうる第１位置決めフィールドと、
前記第１位置決めモジュール及び前記第２位置決めモジュールが１つ又は複数の第２処理装置と協働するように位置決めされうる第２位置決めフィールドと、を備え、
前記第１位置決めフィールド及び前記第２位置決めフィールドは、第１方向及び前記第１方向に垂直な第２方向に延びる位置決め平面内に延在し、
前記第１位置決めフィールド及び前記第２位置決めフィールドは、前記第１方向に互いに隣接して配置され、前記第１位置決めモジュール及び前記第２位置決めモジュールは、前記第１方向に位置を交換可能であり、位置交換の間、前記第１位置決めモジュールの第１側部が前記第２位置決めモジュールの第２側部と前記第２方向に向かい合い、
前記方法は、前記第１位置決めモジュールと前記第２位置決めモジュールの位置交換を行うステップを備え、前記位置交換は、前記第１位置決めモジュールが前記第１位置決めフィールドから前記第２位置決めフィールドに移動され、前記第２位置決めモジュールが前記第２位置決めフィールドから前記第１位置決めフィールドに移動されるものであり、
前記第１位置決めモジュールに支持された前記第１基板を前記１つ又は複数の第１処理装置で処理している最中に、前記第１位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第２位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第１位置決めフィールドに配置するステップと、
前記第１位置決めモジュールに支持された前記第１基板の前記１つ又は複数の第１処理装置による処理が終了するとき、前記第１位置決めモジュールを前記第２位置決めフィールドに向けて移動させるとともに、前記第２位置決めモジュールを前記１つ又は複数の第１処理装置と協働する位置に移動させ、前記第２位置決めモジュール上の前記第２基板を前記１つ又は複数の第１処理装置で処理するステップと、を備える方法。
１２．前記第２基板の処理の第１ステップは、前記第２位置決めモジュールの位置が位置測定システムによって決定される前に、ゼロ点測定を実行することを備える、項１１に記載の方法。
１３．前記第１位置決めモジュール及び前記第２位置決めモジュールはそれぞれが、前記第１位置決めフィールドで第１処理ステップを実行する第１ユニットと、前記第１位置決めフィールドで最終処理ステップを実行する最終ユニットとを備え、
前記第１ユニット及び前記最終ユニットは、前記第１位置決めモジュールの前記第１側部及び前記第２位置決めモジュールの前記第２側部に配置される、項１１または１２に記載の方法。
１４．前記方法は、前記第２位置決めモジュールと前記第１位置決めモジュールの位置交換を行うステップを備え、前記位置交換は、前記第２位置決めモジュールが前記第１位置決めフィールドから前記第２位置決めフィールドに移動され、前記第１位置決めモジュールが前記第２位置決めフィールドから前記第１位置決めフィールドに移動されるものであり、
前記第２位置決めモジュールに支持された前記第２基板を前記１つ又は複数の第１処理装置で処理している最中に、前記第２位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第１位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第１位置決めフィールドに配置するステップと、
前記第２位置決めモジュールに支持された前記第２基板の前記１つ又は複数の第１処理装置による処理が終了するとき、前記第２位置決めモジュールを前記第２位置決めフィールドに向けて移動させるとともに、前記第１位置決めモジュールを前記１つ又は複数の第１処理装置と協働する位置に移動させ、前記第１位置決めモジュール上の新たな第１基板を前記１つ又は複数の第１処理装置で処理するステップと、を備える、項１１から１３のいずれかに記載の方法。
１５．項１から１０のいずれかに記載の位置決め装置を備えるリソグラフィ装置。
１６．位置決め装置を使用する方法であって、前記位置決め装置は、
第１基板を支持し位置決めするように構成される第１位置決めモジュールと、
第２基板を支持し位置決めするように構成される第２位置決めモジュールと、
前記２つの位置決めモジュールが第１処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第１位置決めフィールド（ＦＩ１）と、
前記２つの位置決めモジュールが第２処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第２位置決めフィールド（ＦＩ２）と、を備えており、
前記２つの位置決めモジュールのうちの一方が前記第１処理シーケンスを実行しているとき又は終了しようとしているとき、他方の位置決めモジュールが前記第２処理シーケンスを終了して前記２つの位置決めモジュールのうち前記一方へと近づいて位置決めされる、方法。
１７．前記第１位置決めモジュールと前記第２位置決めモジュールの位置交換を行うステップを備え、前記位置交換は、前記第１位置決めモジュールが前記第１位置決めフィールドから前記第２位置決めフィールドに移動され、前記第２位置決めモジュールが前記第２位置決めフィールドから前記第１位置決めフィールドに移動されるものであり、
前記第１位置決めモジュールが前記第１処理シーケンスを実行し又は終了している最中に、前記第１位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第２位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第１位置決めフィールドに配置するステップと、
前記第１処理シーケンスが終了するとき、前記第１位置決めモジュールを前記第２位置決めフィールドに向けて移動させるとともに、前記第２位置決めモジュールを前記第１処理シーケンスを実行する位置に移動させるステップと、を備える、項１６に記載の方法。
１８．第２位置決めモジュールのための前記第１処理シーケンスの第１ステップは、前記第２位置決めモジュールの位置が位置測定システムによって決定される前に、ゼロ点測定を実施することを備える、項１７に記載の方法。
１９．前記第１位置決めモジュール及び前記第２位置決めモジュールはそれぞれが、前記第１位置決めフィールドで最終処理ステップを実行する最終ユニットを備え、
前記第１位置決めフィールド及び前記第２位置決めフィールドは、第１方向（ｙ軸）に互いに隣接して配置され、
前記第１位置決めモジュールは、前記第１位置決めモジュールの第１側部が前記第２位置決めフィールドの第２側部と第２方向（ｘ軸）に向かい合いながら、前記第２位置決めモジュールと前記第１方向に位置を交換するように構成され、
前記第１位置決めモジュール及び前記第２位置決めモジュールはそれぞれが、前記第１処理シーケンス及び前記第２処理シーケンスのうち一方の最終ステップを実行するように構成される最終ユニットを備え、
前記第１位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第１側部に近接して配置され、前記第２位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第２側部に近接して配置される、項１７または１８に記載の方法。
２０．前記第２位置決めモジュールと前記第１位置決めモジュールの位置交換を行うステップをさらに備え、前記位置交換は、前記第２位置決めモジュールが前記第１位置決めフィールドから前記第２位置決めフィールドに移動され、前記第１位置決めモジュールが前記第２位置決めフィールドから前記第１位置決めフィールドに移動されるものであり、
前記第２位置決めモジュールが前記第１処理シーケンスを実行し又は終了している最中に、前記第２位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第１位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第１位置決めフィールドに配置するステップと、
前記第１処理シーケンスが終了するとき、前記第２位置決めモジュールを前記第１位置決めフィールドに向けて移動させるとともに、前記第１位置決めモジュールを前記第１処理シーケンスを実行する位置に移動させるステップと、を備える、項１７から１９のいずれかに記載の方法。

Claims (15)

1. 第１基板を支持し位置決めするように構成される第１位置決めモジュール（ＰＷ１）と、
   第２基板を支持し位置決めするように構成される第２位置決めモジュール（ＰＷ２）と、
   前記２つの位置決めモジュールが第１処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第１位置決めフィールド（ＦＩ１）と、
   前記２つの位置決めモジュールが第２処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第２位置決めフィールド（ＦＩ２）と、
   前記第１位置決めフィールドにおける前記第１位置決めモジュール又は前記第２位置決めモジュールの位置を決定する第１位置測定システム（ＰＭＳ１）と、を備え、
   前記２つの位置決めモジュールのうちの一方が前記第１処理シーケンスを実行しているとき又は終了しようとしているとき、他方の位置決めモジュールが前記第２処理シーケンスを終了して前記第２処理シーケンスが行われる位置よりも前記２つの位置決めモジュールのうち前記一方へと近づいて位置決めされ、
   前記他方の位置決めモジュールは、ゼロ点測定を、前記第１位置決めフィールドにおいて利用可能な前記第１位置測定システムの位置測定無しで実行可能とするように構成される、位置決め装置。
2. 前記２つの位置決めモジュールは、前記２つの処理シーケンスを交互に実行するように構成され、又は／及び、
   前記２つの位置決めモジュールのうちの一方が前記第１処理シーケンスを実行しているとき又は終了しようとしているとき、前記２つの位置決めモジュールのうち前記一方の位置測定を妨げることなく前記他方の位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第１位置決めフィールドに配置する、請求項１に記載の位置決め装置。
3. 前記２つの位置決めモジュールのうちの一方が前記第１処理シーケンスを終了しようとしているとき又は終了しているとき、前記２つの位置決めモジュール間の距離は、２０ｃｍ未満、好ましくは１０ｃｍ未満、より好ましくは５ｃｍ未満である、請求項１または２に記載の位置決め装置。
4. 前記第１位置決めモジュール及び前記第２位置決めモジュールはそれぞれが、前記第１処理シーケンスの第１処理ステップを実行する第１ユニットを備え、前記第１ユニットは、ゼロ点センサと協働するように配置されるゼロ点位置を有する、請求項１から３のいずれかに記載の位置決め装置。
5. 前記ゼロ点センサは、対応する第１位置決めモジュールまたは第２位置決めモジュールの位置が位置測定システムによって決定される前に、ゼロ点測定を実行するように構成される、請求項４に記載の位置決め装置。
6. 前記第１位置決めフィールド及び前記第２位置決めフィールドは、第１方向（ｙ軸）に互いに隣接して配置され、
   前記第１位置決めモジュールは、前記第１位置決めモジュールの第１側部が前記第２位置決めモジュールの第２側部と第２方向（ｘ軸）に向かい合いながら、前記第２位置決めモジュールと前記第１方向に位置を交換するように構成され、
   前記第１位置決めモジュール及び前記第２位置決めモジュールはそれぞれが、前記第１処理シーケンス及び前記第２処理シーケンスのうち一方の最終ステップを実行するように構成される最終ユニットを備え、
   前記第１位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第１側部に近接して配置され、前記第２位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第２側部に近接して配置される、請求項１から５のいずれかに記載の位置決め装置。
7. 前記第２方向は、前記第１方向に垂直であり、又は／及び、前記最終ステップは、前記第１処理シーケンスのものである、請求項６に記載の位置決め装置。
8. 前記第１位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第１側部と前記第１位置決めフィールドに位置決めされるとき前記第２位置決めフィールドのほうに向く前記第１位置決めモジュールの側部との角部の近傍に配置され、
   前記第２位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第２側部と前記第１位置決めフィールドに位置決めされるとき前記第２位置決めフィールドのほうに向く前記第２位置決めモジュールの側部との角部の近傍に配置される、請求項６または７に記載の位置決め装置。
9. 前記最終ユニットは、収差制御測定センサであり、又は／及び、前記第１位置決めフィールドが前記位置決め装置の露光フィールドであり、前記第２位置決めフィールドが前記位置決め装置の測定フィールドである、請求項６から８のいずれかに記載の位置決め装置。
10. 前記第１位置決めフィールド及び前記第２位置決めフィールドは、前記第１方向及び前記第２方向に延びる位置決め平面内に延在し、
    前記第１位置決めモジュール及び前記第２位置決めモジュールはそれぞれが、センサのセットを備え、前記第１位置決めモジュールの前記センサのセットの第１構成及び前記第２位置決めモジュールの前記センサのセットの第２構成は、前記第１方向及び前記位置決め平面に垂直な方向に延びるミラー面に関して鏡写しとなっている、請求項６から９のいずれかに記載の位置決め装置。
11. 前記第１位置決めモジュール及び前記第２位置決めモジュールはそれぞれが、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを備え、前記ロングストロークモジュールが前記ショートストロークモジュールを支持し、前記ショートストロークモジュールは、基板を支持するように構成され、前記ショートストロークモジュールは、前記ロングストロークモジュールに対して前記基板を高精度で小移動範囲にわたり移動させるように構成され、前記ロングストロークモジュールは、前記ショートストロークモジュールを相対的に低精度で大移動範囲にわたり前記第２方向に移動させるように構成され、
    前記位置決め装置の制御装置は、前記第１位置決めモジュールの前記ショートストロークモジュールを、前記第２方向における前記第２位置決めモジュールに最も近い前記ロングストロークモジュールの前記大移動範囲の端又はその近傍に位置決めし、前記第２位置決めモジュールの前記ショートストロークモジュールを、前記第２方向における前記第１位置決めモジュールに最も近い前記ロングストロークモジュールの前記大移動範囲の端の近傍に位置決めするように構成される、請求項６から１０のいずれかに記載の位置決め装置。
12. 前記位置決め装置の制御装置は、前記第１位置決めモジュールに支持された前記第１基板を１つ又は複数の第１処理装置で処理している最中に、前記第１位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第２位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第１位置決めフィールドに配置し、及び／又は、前記第２位置決めモジュールに支持された前記第２基板を１つ又は複数の第１処理装置で処理している最中に、前記第２位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第１位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第１位置決めフィールドに配置するように構成される、請求項１から１１のいずれかに記載の位置決め装置。
13. 前記位置決め装置は、前記第２位置決めフィールドにおける前記第１位置決めモジュール又は前記第２位置決めモジュールの位置を決定する第２位置測定システムを備える、請求項１から１２のいずれかに記載の位置決め装置。
14. 第１基板を支持し位置決めするように構成される第１位置決めモジュール（ＰＷ１）と、
    第２基板を支持し位置決めするように構成される第２位置決めモジュール（ＰＷ２）と、を備え、
    前記第１位置決めモジュールは、前記第１位置決めモジュールの第１側部が前記第２位置決めフィールドの第２側部と第２方向に向かい合いながら、前記第２位置決めモジュールと第１方向に位置を交換するように構成され、
    前記第１位置決めモジュール及び前記第２位置決めモジュールはそれぞれが、最終処理ステップを実行する最終ユニットを備え、
    前記第１位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第１側部に近接して配置され、前記第２位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第２側部に近接して配置され、
    前記最終ユニットは、収差制御測定センサである、位置決め装置。
15. 請求項１から１４のいずれかに記載の位置決め装置を備えるリソグラフィ装置。

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