JP7650797B2 - フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂の製造方法、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 - Google Patents
フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂の製造方法、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7650797B2 JP7650797B2 JP2021529952A JP2021529952A JP7650797B2 JP 7650797 B2 JP7650797 B2 JP 7650797B2 JP 2021529952 A JP2021529952 A JP 2021529952A JP 2021529952 A JP2021529952 A JP 2021529952A JP 7650797 B2 JP7650797 B2 JP 7650797B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- ring
- protected
- resin
- polymerization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
- C08F20/10—Esters
- C08F20/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/38—Polymerisation using regulators, e.g. chain terminating agents, e.g. telomerisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
- C08F20/10—Esters
- C08F20/38—Esters containing sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
- C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
- C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
- C08F220/1809—C9-(meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
- C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
- C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
- C08F220/1811—C10or C11-(Meth)acrylate, e.g. isodecyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate or 2-naphthyl (meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
- C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
- C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
- C08F220/1818—C13or longer chain (meth)acrylate, e.g. stearyl (meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/20—Esters of polyhydric alcohols or phenols, e.g. 2-hydroxyethyl (meth)acrylate or glycerol mono-(meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
- C08F220/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
- C08F220/283—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing one or more carboxylic moiety in the chain, e.g. acetoacetoxyethyl(meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/34—Esters containing nitrogen, e.g. N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate
- C08F220/36—Esters containing nitrogen, e.g. N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate containing oxygen in addition to the carboxy oxygen, e.g. 2-N-morpholinoethyl (meth)acrylate or 2-isocyanatoethyl (meth)acrylate
- C08F220/365—Esters containing nitrogen, e.g. N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate containing oxygen in addition to the carboxy oxygen, e.g. 2-N-morpholinoethyl (meth)acrylate or 2-isocyanatoethyl (meth)acrylate containing further carboxylic moieties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/38—Esters containing sulfur
- C08F220/382—Esters containing sulfur and containing oxygen, e.g. 2-sulfoethyl (meth)acrylate
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/04—Polymerisation in solution
- C08F2/06—Organic solvent
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
[1]単量体を予備加熱して滴下する方法
[2]単量体を一定温度に保持した重合溶媒中に滴下する方法
(式中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示し、Aは単結合又は連結基を示す。R2~R4は同一又は異なって、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示す。なお、R2及びR3は互いに結合して環を形成していてもよい。R5、R6は同一又は異なって、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示す。R7は-COORc基を示し、前記Rcは置換基を有していてもよい第3級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を示す。nは1~3の整数を示す。Raは環Z1に結合している置換基であって、同一又は異なって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシ基を示す。pは0~3の整数を示す。環Z1は炭素数3~20の脂環式炭化水素環を示す。)
で表される重合単位からなる群より選択される少なくとも1種の重合単位を含むことが好ましい。
(式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示し、Aは単結合又は連結基を示す。Xは非結合、メチレン基、エチレン基、酸素原子、又は硫黄原子を示す。Yはメチレン基、又はカルボニル基を示す。Zは、2価の有機基を示す。V1~V3は、同一又は異なって、-CH2-、[-C(=O)-]、又は[-C(=O)-O-]を示す。ただし、V1~V3のうち少なくとも1つは[-C(=O)-O-]である。R8~R14は、同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、フッ素原子を有していてもよいアルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシ基、又はシアノ基を示す。)
で表される重合単位からなる群より選択される少なくとも1種の重合単位を含むことが好ましい。
(式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示す。Aは単結合又は連結基を示す。Rbは保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシ基、又はシアノ基を示す。qは1~5の整数を示す。環Z2は炭素数6~20の脂環式炭化水素環を示す。)
で表される重合単位を含むことが好ましい。
本発明の樹脂は、アクリル系樹脂であって、樹脂固形分濃度が5重量%となる様にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解した時に、平成15年度厚生労働省告示第261号日本水道協会「上水試験法」に記載された方法を用いて測定したポリスチレン換算濁度(以下、単に「濁度」と称することがある)が30以下であることを特徴とするフォトレジスト用樹脂である。
本発明の樹脂の製造方法は特に限定されないが、例えば、滴下重合法が挙げられる。滴下重合法としては、例えば、重合開始剤の存在下、単量体又は単量体を含む溶液を滴下して単量体を重合させる工程(以下、「重合工程」と称することがある)を含む方法が挙げられる。より具体的には、[1]重合開始剤及び単量体を含む溶液を滴下する工程、[2]単量体又は単量体を含む溶液を、重合開始剤を含む溶液に対して滴下する工程等を含む方法が挙げられる。また、重合開始剤に加え、連鎖移動剤の存在下で滴下重合法を実施してもよい。単量体としては、例えば、モノマー単位a、前記モノマー単位b、前記モノマー単位cに対応する単量体を挙げることができる。
本発明の樹脂組成物は、本発明の樹脂と、感放射線性酸発生剤を少なくとも含有する。
本発明の樹脂組成物を基材又は基板上に塗布し、乾燥した後、所定のマスクを介して、塗膜(レジスト膜)に露光して(又は、さらに露光後ベークを行い)潜像パターンを形成し、次いでアルカリ溶解することにより、耐膨潤性に優れ且つ微細なパターンを高い精度で形成することができる。
還流管、撹拌子、3方コックを備えた丸底フラスコに、窒素雰囲気下、34.0gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを入れて温度を80℃に保ち、撹拌しながら、10.57g(0.0476mol)のメタクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン-2-イル、2.31g(0.0098mol)のメタクリル酸3-ヒドロキシアダマンタン-1-イル、3.37g(0.0122mol)のメタクリル酸1-(アダマンタン-1-イル)-1-メチルプロピル、13.75g(0.0525mol)のメタクリル酸2-イソプロピルアダマンタン-2-イル、0.75gのジメチル-2,2'-アゾビスイソブチレート[和光純薬工業(株)製、商品名「V-601」]、136.0gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを混合した溶液を6時間かけて一定速度で滴下した。滴下終了後、反応溶液の撹拌をさらに2時間続けた。撹拌終了後、メトキノンを9mg加え、その後4時間かけて反応溶液の内温を23℃まで冷却した。その後直ちに、該反応溶液を10倍量のヘプタンと酢酸エチル9:1(重量比)の混合液(25℃)中に撹拌しながら滴下した。生じた沈殿物を濾別、減圧乾燥することにより、所望の樹脂A-1を23.2g得た。回収した樹脂をGPC分析したところ、Mw(重量平均分子量)が10100、分子量分布(Mw/Mn)が1.8であった。
還流管、撹拌子、3方コックを備えた丸底フラスコに、窒素雰囲気下、34.0gのシクロヘキサノンを入れて温度を80℃に保ち、撹拌しながら、11.06g(0.0448mol)のメタクリル酸6-シアノ-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン-2-イル、15.86g(0.0605mol)のメタクリル酸2-イソプロピルアダマンタン-2-イル、3.08g(0.0157mol)のメタクリル酸1-イソプロピルシクロペンタン-1-イル、0.57gのジメチル-2,2'-アゾビスイソブチレート[和光純薬工業(株)製、商品名「V-601」]、136.0gのシクロヘキサノンを混合した溶液を6時間かけて一定速度で滴下した。滴下終了後、反応溶液の撹拌をさらに2時間続けた。撹拌終了後、10分間かけて反応溶液の内温を23℃まで冷却した。その後直ちにハイドロキノンを21mg加え、精製操作まで23℃で1日保管した。保管後、該反応溶液を10倍量のヘプタンと酢酸エチル9:1(重量比)の混合液(25℃)中に撹拌しながら滴下した。生じた沈殿物を濾別、減圧乾燥することにより、所望の樹脂A-2を19.5g得た。回収した樹脂をGPC分析したところ、Mw(重量平均分子量)が10200、分子量分布(Mw/Mn)が1.8であった。
還流管、撹拌子、3方コックを備えた丸底フラスコに、窒素雰囲気下、34.0gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを入れて温度を80℃に保ち、撹拌しながら、8.76g(0.0395mol)のメタクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン-2-イル、4.40g(0.0259mol)のメタクリル酸2-オキソテトラヒドロフラン-3-イル、8.26g(0.0299mol)のメタクリル酸1-(アダマンタン-1-イル)-1-メチルプロピル、8.58g(0.0408mol)のメタクリル酸1-(シクロヘキサン-1-イル)-1-メチルエチル、0.90gのジメチル-2,2'-アゾビスイソブチレート[和光純薬工業(株)製、商品名「V-601」]、136.0gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを混合した溶液を6時間かけて一定速度で滴下した。滴下終了後、反応溶液の撹拌をさらに2時間続けた。撹拌終了後、4-アセトアミド-2,2,6,6-テトラメチルピペリジン1-オキシル フリーラジカルを6mg加え、4時間かけて反応溶液の内温を23℃まで冷却したのち、精製操作まで23℃で1日保管した。保管後、該反応溶液を10倍量のヘプタンと酢酸エチル9:1(重量比)の混合液(25℃)中に撹拌しながら滴下した。生じた沈殿物を濾別、減圧乾燥することにより、所望の樹脂A-3を24.7g得た。回収した樹脂をGPC分析したところ、Mw(重量平均分子量)が14800、分子量分布(Mw/Mn)が2.0であった。
撹拌終了後にメトキノンを加えなかったこと以外は実施例1と同様にして、所望の樹脂B-1を23.4g得た。回収した樹脂をGPC分析したところ、Mw(重量平均分子量)が10200、分子量分布(Mw/Mn)が1.9であった。
反応溶液の冷却後にハイドロキノンを加えなかったこと以外は実施例2と同様にして、所望の樹脂B-2を19.6g得た。回収した樹脂をGPC分析したところ、Mw(重量平均分子量)が10100、分子量分布(Mw/Mn)が1.8であった。
撹拌終了後に4-アセトアミド-2,2,6,6-テトラメチルピペリジン1-オキシル フリーラジカルを加えなかったこと以外は実施例3と同様にして、所望の樹脂B-3を24.6g得た。回収した樹脂をGPC分析したところ、Mw(重量平均分子量)が15100、分子量分布(Mw/Mn)が2.0であった。
樹脂A-1~3、樹脂B-1~3を、固形分濃度が5重量%となる様にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解し、樹脂溶液を作製した。前記樹脂溶液を、濁度計(型番:NDH-300A、日本電色工業(株)製)を用いて平成15年度厚生労働省告示第261号日本水道協会「上水試験法」に従ってポリスチレン換算濁度を測定した。具体的な手順は以下の通りである。
Y=2.731X
[1] アクリル系樹脂からなるフォトレジスト用樹脂であって、樹脂固形分濃度が5重量%となる様にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解した時に、平成15年度厚生労働省告示第261号日本水道協会「上水試験法」に記載された方法を用いて測定したポリスチレン換算濁度が30以下、20以下、10以下、5以下、又は3以下であるフォトレジスト用樹脂。
[2] 式(a1)~(a4)[式中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示し、Aは単結合又は連結基を示す。R2~R4は同一又は異なって、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示す。なお、R2及びR3は互いに結合して環を形成していてもよい。R5、R6は同一又は異なって、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示す。R7は-COORc基を示し、前記Rcは置換基を有していてもよい第3級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、又はオキセパニル基を示す。nは1~3の整数を示す。Raは環Z1に結合している置換基であって、同一又は異なって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシ基を示す。pは0~3の整数を示す。環Z1は炭素数3~20の脂環式炭化水素環を示す。]で表される重合単位からなる群より選択される少なくとも1種の重合単位を含む、[1]に記載のフォトレジスト用樹脂。
[3] 前記式(a1)~(a4)で表される重合単位からなる群より選択される少なくとも1種の重合単位の含有量が、樹脂を構成する全モノマー単位に対して、1~99モル%、又は5~95モル%である、[2]に記載のフォトレジスト用樹脂。
[4] 式(b1)~(b5)[式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示し、Aは単結合又は連結基を示す。Xは非結合、メチレン基、エチレン基、酸素原子、又は硫黄原子を示す。Yはメチレン基、又はカルボニル基を示す。Zは、2価の有機基を示す。V1~V3は、同一又は異なって、-CH2-、[-C(=O)-]、又は[-C(=O)-O-]を示す。ただし、V1~V3のうち少なくとも1つは[-C(=O)-O-]である。R8~R14は、同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、フッ素原子を有していてもよいアルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシ基、又はシアノ基を示す。]で表される重合単位からなる群より選択される少なくとも1種の重合単位を含む、[1]~[3]のいずれか1つに記載のフォトレジスト用樹脂。
[5] 前記式(b1)~(b5)で表される重合単位からなる群より選択される少なくとも1種の重合単位の含有量が、樹脂を構成する全モノマー単位に対して、1~99モル%、又は5~95モル%である、[4]に記載のフォトレジスト用樹脂。
[6] さらに、式(c1)[式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示す。Aは単結合又は連結基を示す。Rbは保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシ基、又はシアノ基を示す。qは1~5の整数を示す。環Z2は炭素数6~20の脂環式炭化水素環を示す。]で表される重合単位を含む、[2]~[5]のいずれか1つに記載のフォトレジスト用樹脂。
[7] 前記式(c1)で表される重合単位の含有量が、樹脂を構成する全モノマー単位に対して、1~99モル%、又は5~95モル%である、[6]に記載のフォトレジスト用樹脂。
[8] 重量平均分子量(Mw)が、1000~50000、又は3000~20000である[1]~[7]のいずれか1つに記載のフォトレジスト用樹脂。
[9] 分子量分布(重量平均分子量と数平均分子量との比:Mw/Mn)が、3.5以下、1.1~3.0、又は1.2~2.5である、[1]~[8]のいずれか1つに記載のフォトレジスト用樹脂。
[10] 酸価が、0.10mmol/g以下、0.05mmol/g以下、0.03mmol/g以下である[1]~[9]のいずれか1つに記載のフォトレジスト用樹脂。
[11] 重合開始剤の存在下、単量体又は単量体を含む溶液を滴下して単量体を重合させる工程と、前記重合工程後の反応液に含まれる樹脂固形分に対して10ppm以上、50~2000ppm、100~1000ppm、又は200~500ppmの重合禁止剤を添加する工程とを含む、[1]~[10]のいずれか1つに記載のフォトレジスト用樹脂の製造方法。
[12] 重合禁止剤がハイドロキノン類、フェノール類、ベンゾキノン類等、及びN-オキシル化合物類からなる群より選択される少なくとも1つである[11]に記載のフォトレジスト用樹脂の製造方法。
[13] [1]~[12]のいずれか1つに記載のフォトレジスト用樹脂と、感放射線性酸発生剤とを少なくとも含有するフォトレジスト用樹脂組成物。
[14] [13]に記載のフォトレジスト用樹脂組成物を基板に塗布して塗膜を形成し、前記塗膜を露光し、次いでアルカリ溶解する工程を少なくとも含むパターン形成方法。
Claims (7)
- アクリル系樹脂からなるフォトレジスト用樹脂であって、
樹脂固形分濃度が5重量%となる様にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解した時に、平成15年度厚生労働省告示第261号日本水道協会「上水試験法」に記載された方法を用いて測定したポリスチレン換算濁度が30以下であり、
下記式(a1)
[式中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示し、Aは単結合又は連結基を示す。R 2 はメチル基を示す。R 3 はエチル基を示す。R a は環Z 1 に結合している置換基であって、同一又は異なって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシ基を示す。pは0~3の整数を示す。環Z 1 は炭素数3~20の脂環式炭化水素環を示す。]
で表される重合単位、下記式(a1’)
[式中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示し、Aは単結合又は連結基を示す。R 2 及びR 3 は同一又は異なって、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示す。なお、R 2 及びR 3 は互いに結合して環を形成していてもよい。R a は環Z 1 に結合している置換基であって、同一又は異なって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシ基を示す。pは0~3の整数を示す。環Z 1 はシクロヘキサン環を示す。]
で表される重合単位、及び、下記式(a2)
[式中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示し、Aは単結合又は連結基を示す。R 4 はイソプロピル基を示す。R a は環Z 1 に結合している置換基であって、同一又は異なって、オキソ基、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、又は保護基で保護されていてもよいカルボキシ基を示す。pは0~3の整数を示す。環Z 1 は炭素数3~20の脂環式炭化水素環を示す。]
で表される重合単位からなる群より選択される少なくとも1種の重合単位を含む、フォトレジスト用樹脂。 - 下記式(b1)~(b5)
[式中、Rは水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示し、Aは単結合又は連結基を示す。Xは非結合、メチレン基、エチレン基、酸素原子、又は硫黄原子を示す。Yはメチレン基、又はカルボニル基を示す。Zは、2価の有機基を示す。V1~V3は、同一又は異なって、-CH2-、[-C(=O)-]、又は[-C(=O)-O-]を示す。ただし、V1~V3のうち少なくとも1つは[-C(=O)-O-]である。R8~R14は、同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、フッ素原子を有していてもよいアルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシアルキル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシ基、又はシアノ基を示す。]
で表される重合単位からなる群より選択される少なくとも1種の重合単位を含む、請求項1に記載のフォトレジスト用樹脂。 - 重合開始剤の存在下、単量体又は単量体を含む溶液を滴下して単量体を重合させる工程と、前記重合工程後の反応液に含まれる樹脂固形分に対して10ppm以上の重合禁止剤を添加する工程とを含む請求項1~3のいずれか1項に記載のフォトレジスト用樹脂の製造方法。
- 重合禁止剤がハイドロキノン類、フェノール類、ベンゾキノン類、及びN-オキシル化合物類からなる群より選択される少なくとも1つである請求項4に記載のフォトレジスト用樹脂の製造方法。
- 請求項1~3のいずれか1項に記載のフォトレジスト用樹脂と、感放射線性酸発生剤とを少なくとも含有するフォトレジスト用樹脂組成物。
- 請求項6に記載のフォトレジスト用樹脂組成物を基板に塗布して塗膜を形成し、前記塗膜を露光し、次いでアルカリ溶解する工程を少なくとも含むパターン形成方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019122971 | 2019-07-01 | ||
| JP2019122971 | 2019-07-01 | ||
| PCT/JP2020/023972 WO2021002212A1 (ja) | 2019-07-01 | 2020-06-18 | フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂の製造方法、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2021002212A1 JPWO2021002212A1 (ja) | 2021-01-07 |
| JP7650797B2 true JP7650797B2 (ja) | 2025-03-25 |
Family
ID=74100496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021529952A Active JP7650797B2 (ja) | 2019-07-01 | 2020-06-18 | フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂の製造方法、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12461443B2 (ja) |
| JP (1) | JP7650797B2 (ja) |
| KR (1) | KR102903526B1 (ja) |
| CN (1) | CN114051507A (ja) |
| TW (1) | TWI912251B (ja) |
| WO (1) | WO2021002212A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7605056B2 (ja) * | 2020-08-13 | 2024-12-24 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| US20240175814A1 (en) * | 2021-03-31 | 2024-05-30 | Maruzen Petrochemical Co., Ltd. | Method for evaluating resist polymer |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005060511A (ja) | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用樹脂の製造法及びフォトレジスト用樹脂組成物の製造法 |
| JP2005120157A (ja) | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用樹脂及びフォトレジスト用樹脂組成物 |
| JP2006036894A (ja) | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Daicel Chem Ind Ltd | 2−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−3−オン環を有する繰り返し単位を含む高分子化合物、及びフォトレジスト用樹脂組成物 |
| JP2008050483A (ja) | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 重合体湿粉の製造方法、重合体湿粉、重合体粉末およびレジスト組成物 |
| JP2011213773A (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Toray Ind Inc | ポリアクリロニトリル系重合体、および炭素繊維 |
| JP2013036034A (ja) | 2011-07-13 | 2013-02-21 | Agc Seimi Chemical Co Ltd | 硬化性樹脂組成物およびその用途 |
| JP5363844B2 (ja) | 2009-03-17 | 2013-12-11 | 株式会社Dnpファインケミカル | アルカリ可溶型感光性着色組成物およびカラーフィルタ |
| WO2016136596A1 (ja) | 2015-02-26 | 2016-09-01 | 富士フイルム株式会社 | 上層膜形成用組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
| WO2018181311A1 (ja) | 2017-03-29 | 2018-10-04 | 東レ株式会社 | ネガ型感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜を具備する素子及び有機elディスプレイ、並びにその製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3936352B2 (ja) | 1998-03-27 | 2007-06-27 | 三菱レイヨン株式会社 | 共重合体の製造方法 |
| JP3720827B2 (ja) | 2003-02-20 | 2005-11-30 | 丸善石油化学株式会社 | レジストポリマーの製造方法 |
| JP4468251B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2010-05-26 | 花王株式会社 | ポリマーの製造方法 |
| KR101795825B1 (ko) * | 2010-04-01 | 2017-12-01 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 아다만틸(메트)아크릴계 모노머 및 그것을 반복 단위로 함유하는 (메트)아크릴계 중합체 |
| JP5454458B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2014-03-26 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP5387546B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2014-01-15 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP5786426B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2015-09-30 | Jsr株式会社 | フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
| JP5919148B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-05-18 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物 |
| KR102076529B1 (ko) * | 2012-06-29 | 2020-02-13 | 주식회사 다이셀 | 고분자 화합물, 포토레지스트용 수지 조성물, 및 반도체의 제조 방법 |
| JP6706530B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2020-06-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP6631397B2 (ja) * | 2016-05-11 | 2020-01-15 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、酸拡散制御剤の製造方法及び感放射線性樹脂組成物の製造方法 |
| CN111918893A (zh) * | 2018-03-19 | 2020-11-10 | 株式会社大赛璐 | 光致抗蚀剂用树脂、光致抗蚀剂用树脂的制造方法、光致抗蚀剂用树脂组合物、以及图案形成方法 |
-
2020
- 2020-06-18 JP JP2021529952A patent/JP7650797B2/ja active Active
- 2020-06-18 KR KR1020227002898A patent/KR102903526B1/ko active Active
- 2020-06-18 CN CN202080048192.7A patent/CN114051507A/zh active Pending
- 2020-06-18 WO PCT/JP2020/023972 patent/WO2021002212A1/ja not_active Ceased
- 2020-06-18 US US17/624,205 patent/US12461443B2/en active Active
- 2020-06-29 TW TW109121889A patent/TWI912251B/zh active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005060511A (ja) | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用樹脂の製造法及びフォトレジスト用樹脂組成物の製造法 |
| JP2005120157A (ja) | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用樹脂及びフォトレジスト用樹脂組成物 |
| JP2006036894A (ja) | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Daicel Chem Ind Ltd | 2−オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン−3−オン環を有する繰り返し単位を含む高分子化合物、及びフォトレジスト用樹脂組成物 |
| JP2008050483A (ja) | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 重合体湿粉の製造方法、重合体湿粉、重合体粉末およびレジスト組成物 |
| JP5363844B2 (ja) | 2009-03-17 | 2013-12-11 | 株式会社Dnpファインケミカル | アルカリ可溶型感光性着色組成物およびカラーフィルタ |
| JP2011213773A (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Toray Ind Inc | ポリアクリロニトリル系重合体、および炭素繊維 |
| JP2013036034A (ja) | 2011-07-13 | 2013-02-21 | Agc Seimi Chemical Co Ltd | 硬化性樹脂組成物およびその用途 |
| WO2016136596A1 (ja) | 2015-02-26 | 2016-09-01 | 富士フイルム株式会社 | 上層膜形成用組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
| WO2018181311A1 (ja) | 2017-03-29 | 2018-10-04 | 東レ株式会社 | ネガ型感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜を具備する素子及び有機elディスプレイ、並びにその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI912251B (zh) | 2026-01-21 |
| US20220372188A1 (en) | 2022-11-24 |
| US12461443B2 (en) | 2025-11-04 |
| JPWO2021002212A1 (ja) | 2021-01-07 |
| CN114051507A (zh) | 2022-02-15 |
| TW202108643A (zh) | 2021-03-01 |
| WO2021002212A1 (ja) | 2021-01-07 |
| KR20220029700A (ko) | 2022-03-08 |
| KR102903526B1 (ko) | 2025-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2019171957A1 (ja) | 新規の二官能(メタ)アクリレート化合物および重合物 | |
| US7045582B2 (en) | Preparation process of copolymer for semiconductor lithography and a copolymer for semiconductor lithography available by this process | |
| TWI325867B (en) | Lactone compounds, lactone-containing monomers, their polymers, resist compositions using same, and processes for forming patterns using same | |
| JP7650797B2 (ja) | フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂の製造方法、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 | |
| JP4315756B2 (ja) | (共)重合体、レジスト組成物、およびパターン形成方法 | |
| JP5914241B2 (ja) | 高分子化合物の製造方法、高分子化合物、及びフォトレジスト用樹脂組成物 | |
| JP2008050422A (ja) | 半導体レジストの保護膜用樹脂及び半導体の製造方法 | |
| KR102742120B1 (ko) | 포토레지스트용 수지, 포토레지스트용 수지의 제조 방법, 포토레지스트용 수지 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
| KR102745678B1 (ko) | 단량체, 포토레지스트용 수지, 포토레지스트용 수지 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
| JP7110461B2 (ja) | フォトレジスト樹脂の製造方法 | |
| JP5653583B2 (ja) | 半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法 | |
| JP6838863B2 (ja) | フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト樹脂の製造方法、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 | |
| JP2018044034A (ja) | 含フッ素単量体およびその含フッ素重合体、それを用いたレジストおよびパターン形成方法 | |
| JP5469110B2 (ja) | フォトレジスト用樹脂の製造方法、フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 | |
| Yamada et al. | Design and study of resist materials for 157-nm lithography | |
| JP2026006156A (ja) | 高分子化合物、フォトレジスト用樹脂組成物および半導体の製造方法 | |
| KR20070032328A (ko) | 락톤 화합물, 락톤 함유 단량체, 그의 중합체, 그를 이용한레지스트 조성물 및 그를 이용한 패턴 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230428 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240521 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240716 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20240813 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20241113 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20241120 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20250304 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20250312 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7650797 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |