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JP7651328B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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JP7651328B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus and substrate processing method Download PDF

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Description

この発明は、基板を処理する基板処理装置、および、基板を処理する基板処理方法に関する。
処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウェハ、液晶表示装置および有機EL(Electroluminescence)表示装置等のFPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。
The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate.
Substrates to be processed include, for example, semiconductor wafers, substrates for FPDs (Flat Panel Displays) such as liquid crystal displays and organic EL (Electroluminescence) displays, substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, substrates for magneto-optical disks, substrates for photomasks, ceramic substrates, substrates for solar cells, and the like.

下記特許文献1には、ウェハを処理液に浸漬させて処理を行うウェハ処理装置が開示されている。このウェハ処理装置では、複数枚のウェハを起立姿勢で保持する保持機構が、処理槽内の処理位置と処理槽よりも上方の待機位置との間で昇降する。保持機構は、一対の保持フレームと、一対の保持フレームに取り付けられた二本の係止部材と、一対の保持フレームに着脱自在に取り付けられた係止部材とを備えている。各係止部材は、その両端部が前側の保持フレームおよび後側の保持フレームに取り付けられて、複数枚のウェハの外周三箇所を係止することにより複数枚のウェハを安定保持する。 Patent Document 1 below discloses a wafer processing apparatus in which wafers are immersed in a processing solution for processing. In this wafer processing apparatus, a holding mechanism that holds multiple wafers in an upright position moves up and down between a processing position in a processing tank and a standby position above the processing tank. The holding mechanism includes a pair of holding frames, two locking members attached to the pair of holding frames, and a locking member detachably attached to the pair of holding frames. Both ends of each locking member are attached to the front and rear holding frames, and each locking member stably holds multiple wafers by locking three points around the periphery of the multiple wafers.

特開2006-332425号公報JP 2006-332425 A

特許文献1の基板処理装置によれば、保持機構は、昇降機構によって昇降され、昇降機構の昇降片に設けられたモータによって回転される。これにより、処理槽内の処理液の流れの均一性を向上させて、ウェハの処理の均一性が向上される。
しかしながら、特許文献1の基板処理装置には、保持機構を回転させて基板を回転させるための機構として、モータに連結された第1回転軸と、第1回転軸と平行に延びる第2回転軸と、これらの回転軸間で動力を伝達するためのギヤと、第2回転軸の回転を保持機構に伝達するタイミングベルトとが設けられている。そのため、処理槽内で基板を回転させるための構成が大型化するおそれがある。
In the substrate processing apparatus of Patent Document 1, the holding mechanism is raised and lowered by the lifting mechanism and rotated by a motor provided on the lifting piece of the lifting mechanism, thereby improving the uniformity of the flow of the processing liquid in the processing tank and improving the uniformity of the wafer processing.
However, the substrate processing apparatus of Patent Document 1 includes a first rotating shaft connected to a motor, a second rotating shaft extending parallel to the first rotating shaft, gears for transmitting power between these rotating shafts, and a timing belt for transmitting the rotation of the second rotating shaft to the holding mechanism, as a mechanism for rotating the substrate by rotating the holding mechanism, which may result in an increase in size of the configuration for rotating the substrate in the processing tank.

そこで、この発明の1つの目的は、処理槽内で基板を回転させる構成の簡素化を図りつつ、基板処理の面内均一性の向上を図ることができる基板処理装置、および、基板処理方法を提供することである。 Therefore, one object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can improve the in-plane uniformity of substrate processing while simplifying the configuration for rotating substrates in a processing tank.

この発明の一実施形態は、基板を処理する処理液を貯留する処理槽と、鉛直方向に対して交差して互いに平行に延びる複数のバー状部材であって、前記処理槽内において、前記バー状部材の延長方向に基板の主面が向く処理姿勢で前記基板を保持する複数のバー状部材と、姿勢が前記処理姿勢である基板を支持し複数の前記バー状部材に対して昇降する昇降部材であって、下降する際に複数の前記バー状部材に前記基板を渡し、上昇する際に複数の前記バー状部材から前記基板を受け取る昇降部材とを含む、基板処理装置を提供する。 One embodiment of the present invention provides a substrate processing apparatus including a processing tank that stores a processing liquid for processing a substrate, a plurality of bar-shaped members extending parallel to each other and crossing the vertical direction, the plurality of bar-shaped members holding the substrate in a processing position in which the main surface of the substrate faces the extension direction of the bar-shaped members within the processing tank, and a lifting member supporting the substrate in the processing position and lifting and lowering relative to the plurality of bar-shaped members, the lifting member transferring the substrate to the plurality of bar-shaped members when lowering and receiving the substrate from the plurality of bar-shaped members when ascending.

この基板処理装置では、複数の前記バー状部材が、前記延長方向に沿って延びる複数の回転軸線をそれぞれ有する。各前記バー状部材が、対応する前記回転軸線のまわりに回転することによって複数の前記バー状部材に保持されている前記基板の回転を駆動する。
この基板処理装置によれば、昇降部材は、複数のバー状部材に対して昇降する際に、複数のバー状部材に基板を渡したり、複数のバー状部材から基板を受け取ったりすることができる。そのため、複数のバー状部材を昇降させることなく、基板を複数のバー状部材に保持させて、基板を処理槽内の処理液に浸漬させることができる。
In the substrate processing apparatus, the bar-shaped members each have a rotation axis extending along the extension direction, and each bar-shaped member rotates about a corresponding rotation axis to drive the rotation of the substrate held by the bar-shaped members.
According to this substrate processing apparatus, the lifting member can transfer the substrate to and receive the substrate from the bar-shaped members when lifting and lowering the bar-shaped members, so that the substrate can be held by the bar-shaped members and immersed in the processing solution in the processing tank without lifting and lowering the bar-shaped members.

複数のバー状部材の昇降が不要であるため、複数のバー状部材を回転させるために必要な機構を昇降部材とともに昇降させる必要がない。そのため、処理槽内で基板を回転させる構成の簡素化を図れる。
また、複数のバー状部材を複数の回転軸線のまわりに回転することで処理姿勢の基板の回転が駆動される。処理姿勢の基板を処理槽内で回転させることによって、処理槽中の処理液に形成される流れの均一性の向上が図れる。その結果、基板処理の面内均一性の向上を図ることができる。
Since there is no need to raise and lower the bar-shaped members, there is no need to raise and lower the mechanism required to rotate the bar-shaped members together with the lifting members, which simplifies the configuration for rotating the substrates in the processing tank.
Furthermore, the rotation of the substrate in the processing position is driven by rotating the multiple bar-shaped members about multiple rotation axes. By rotating the substrate in the processing position in the processing tank, the uniformity of the flow formed in the processing liquid in the processing tank can be improved. As a result, the in-plane uniformity of the substrate processing can be improved.

この発明の一実施形態では。複数の前記バー状部材が、前記回転軸線と平行に延びる所定の中心軸線まわりの周方向に間隔を空けて配置される。各前記バー状部材が、前記処理姿勢の前記基板の周縁部を収容する収容溝を有する。
この構成によれば、各バー状部材に基板の周縁部を収容する収容溝が設けられている。そのため、所定の中心軸線まわりの周方向の複数箇所において基板の周縁部を収容溝に収容させることができる。これにより、基板の姿勢の安定性の向上を図れるため、基板処理の面内均一性を一層向上させることができる。
In one embodiment of the present invention, the bar-shaped members are arranged at intervals in a circumferential direction about a predetermined central axis extending parallel to the rotation axis, and each of the bar-shaped members has an accommodation groove that accommodates a peripheral portion of the substrate in the processing attitude.
According to this configuration, each bar-shaped member is provided with an accommodation groove for accommodating the peripheral portion of the substrate. Therefore, the peripheral portion of the substrate can be accommodated in the accommodation groove at multiple locations in the circumferential direction around the predetermined central axis. This improves the stability of the substrate's posture, thereby further improving the in-plane uniformity of substrate processing.

この発明の一実施形態では、各前記バー状部材は、前記収容溝を複数有し、複数の前記収容溝は、前記延長方向に等間隔で設けられている。そのため、複数の基板を、延長方向に等間隔に配列させた状態で、複数のバー状部材に保持させることができる。そのため、複数のバー状部材によって、複数の基板を安定性高く保持することができる。ひいては、基板間での処理むらを低減できる。 In one embodiment of the invention, each of the bar-shaped members has a plurality of the storage grooves, and the plurality of storage grooves are provided at equal intervals in the extension direction. Therefore, a plurality of substrates can be held by the plurality of bar-shaped members while being arranged at equal intervals in the extension direction. Therefore, the plurality of substrates can be held stably by the plurality of bar-shaped members. This in turn reduces processing unevenness between substrates.

この発明の一実施形態では、複数の前記バー状部材が、互いに間隔を空けて配置された第1バー状部材および第2バー状部材を含む。前記昇降部材が、前記第1バー状部材および前記第2バー状部材の間を通って昇降する。そのため、処理槽内における第1バー状部材と第2バー状部材との間の空間を、昇降部材の昇降のための経路として活用できる。したがって、処理槽の大型化を抑制できる。 In one embodiment of the invention, the plurality of bar-shaped members include a first bar-shaped member and a second bar-shaped member that are spaced apart from each other. The lifting member moves up and down between the first bar-shaped member and the second bar-shaped member. Therefore, the space between the first bar-shaped member and the second bar-shaped member in the treatment tank can be used as a path for the lifting member to move up and down. This makes it possible to prevent the treatment tank from becoming too large.

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記バー状部材と一体回転するように前記処理槽内に設けられた羽根部材と、前記処理槽内に処理液を吐出する吐出部材とをさらに含む。そのため、吐出部材から吐出される処理液によって処理槽内に液流を形成することができる。羽根部材がこの液流を受けることによって、羽根部材が回転する。羽根部材およびバー状部材は一体回転するため、液流の形成によってバー状部材が回転し、バー状部材の回転によって基板が回転される。そのため、バー状部材を回転させるための電動モータ等を設けることなく、バー状部材を回転させることができる。したがって、基板を回転させる構成の簡素化を図れる。 In one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a blade member provided in the processing tank so as to rotate integrally with the bar-shaped member, and a discharge member that discharges the processing liquid into the processing tank. Therefore, a liquid flow can be formed in the processing tank by the processing liquid discharged from the discharge member. The blade member receives this liquid flow, causing the blade member to rotate. Since the blade member and the bar-shaped member rotate integrally, the formation of the liquid flow causes the bar-shaped member to rotate, and the rotation of the bar-shaped member causes the substrate to rotate. Therefore, the bar-shaped member can be rotated without providing an electric motor or the like for rotating the bar-shaped member. This simplifies the configuration for rotating the substrate.

昇降部材は、基板を処理姿勢で支持する。そのため、昇降部材を下降させて基板を処理槽内の処理液に浸漬する際には、基板の下端部が最も早いタイミングで処理槽内の処理液に浸漬され始め、基板の上端部が最も遅いタイミングで処理槽内の処理液に浸漬され始める。処理槽内での基板の処理を終えた後、昇降部材を上昇させて基板を処理槽から取り出す際には、処理液への基板の上端部の浸漬が最も早いタイミングで終了し、処理液への基板の下端部の浸漬が最も遅いタイミングで終了する。したがって、処理液に浸漬されている時間は、基板の下端部が最も長く、基板の上端部が最も短い。そのため、処理液に浸漬する際の基板の回転位相と処理液への浸漬を終了する際の基板の回転位相とを変化させなければ、基板の主面に処理むらが発生するおそれがある。 The lifting member supports the substrate in a processing position. Therefore, when the lifting member is lowered to immerse the substrate in the processing liquid in the processing tank, the lower end of the substrate begins to be immersed in the processing liquid in the processing tank at the earliest timing, and the upper end of the substrate begins to be immersed in the processing liquid in the processing tank at the latest timing. After the processing of the substrate in the processing tank is completed, when the lifting member is raised to remove the substrate from the processing tank, the immersion of the upper end of the substrate in the processing liquid ends at the earliest timing, and the immersion of the lower end of the substrate in the processing liquid ends at the latest timing. Therefore, the time that the lower end of the substrate is immersed in the processing liquid is the longest, and the upper end of the substrate is the shortest. Therefore, unless the rotation phase of the substrate when immersed in the processing liquid and the rotation phase of the substrate when immersion in the processing liquid is completed are changed, there is a risk of processing unevenness occurring on the main surface of the substrate.

そこで、吐出部材から吐出される処理液の流量を調整して、複数のバー状部材に保持されている基板を基板中心軸線まわりに所定角度回転させれば、基板の主面において、昇降部材が下降する際に最も遅いタイミングで処理液に浸漬された部分が、昇降部材が上昇する際に最も早いタイミングで処理液から取り出されることを防止できる。たとえば、所定角度は、90°よりも大きく270°よりも小さい角度であれば、基板の処理むらを効果的に抑制できる。ただし、基板の回転変位は、180°に近いほど処理むらの低減効果は高く、基板の回転変位は、150°以上210°以下であることが好ましく、180°であることが一層好ましい。 Therefore, by adjusting the flow rate of the processing liquid discharged from the discharge member and rotating the substrate held by the multiple bar-shaped members by a predetermined angle around the substrate's central axis, it is possible to prevent the portion of the substrate's main surface that is immersed in the processing liquid at the latest timing when the lifting member descends from being removed from the processing liquid at the earliest timing when the lifting member ascends. For example, if the predetermined angle is greater than 90° and less than 270°, processing unevenness of the substrate can be effectively suppressed. However, the closer the rotational displacement of the substrate is to 180°, the greater the effect of reducing processing unevenness, and the rotational displacement of the substrate is preferably 150° or more and 210° or less, and more preferably 180°.

基板を基板中心軸線まわりに180°回転させれば、基板の主面において、昇降部材が下降する際に最も早いタイミングで処理液に浸漬された部分が、昇降部材が上昇する際に最も早いタイミングで処理液から取り出される。したがって、基板の主面の各位置における処理液に浸漬される時間の差を低減できる。その結果、基板処理の面内均一性を向上させることができる。
前記吐出部材が、前記延長方向に間隔を空けて形成された複数の吐出口を有していてもよい。前記吐出部材が、前記延長方向に延びるバー状ノズルからなる部材であってもよい。前記複数の吐出口が、前記羽根部材に対向する少なくとも一つの対向吐出口を含んでいてもよい。前記複数の吐出口からの処理液の吐出により前記処理槽内に貯留されている処理液に形成される液流によって前記羽根部材が回転され、前記羽根部材と一体回転する前記バー状部材が、対応する前記回転軸線のまわりに回転してもよい。
By rotating the substrate 180° around the substrate central axis, the portion of the substrate's main surface that is immersed in the processing liquid at the earliest timing when the lifting member descends is removed from the processing liquid at the earliest timing when the lifting member ascends. This reduces the difference in the time that each position on the substrate's main surface is immersed in the processing liquid. As a result, the in-plane uniformity of the substrate processing can be improved.
The discharge member may have a plurality of discharge ports formed at intervals in the extension direction. The discharge member may be a member consisting of a bar-shaped nozzle extending in the extension direction. The plurality of discharge ports may include at least one opposing discharge port opposing the blade member. The blade member may be rotated by a liquid flow formed in the processing liquid stored in the processing tank by discharging the processing liquid from the plurality of discharge ports, and the bar-shaped member rotating integrally with the blade member may rotate around the corresponding rotation axis.

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記吐出部材から吐出される処理液の流量を制御することによって、前記処理姿勢の基板を、当該基板の中心部を通る基板中心軸線まわりに所定角度回転させるコントローラをさらに含む。
処理姿勢の基板を基板中心軸線まわりに所定角度回転するように、コントローラによって吐出部材から吐出される処理液の流量を制御すれば、基板処理の面内均一性をより精度良く向上させることができる。
In one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a controller that rotates the substrate in the processing attitude by a predetermined angle around a substrate central axis passing through the center of the substrate by controlling the flow rate of the processing liquid discharged from the discharge member.
By controlling the flow rate of the processing liquid discharged from the discharge member by the controller so that the substrate in the processing attitude is rotated a predetermined angle about the central axis of the substrate, the in-plane uniformity of the substrate processing can be improved with greater precision.

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記バー状部材を対応する前記回転軸線まわりに回転させる回転アクチュエータをさらに含む。そのため、バー状部材を精度良く回転させることができる。また、この構成では、バー状部材が昇降部材とともに昇降しない。そのため、回転アクチュエータの回転の伝達に必要な構成、すなわち、基板を回転させるための構成を簡素化することができる。 In one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a rotation actuator that rotates the bar-shaped member around the corresponding rotation axis. Therefore, the bar-shaped member can be rotated with high precision. Also, in this configuration, the bar-shaped member does not rise and fall together with the lifting member. Therefore, the configuration required to transmit the rotation of the rotation actuator, i.e., the configuration for rotating the substrate, can be simplified.

回転アクチュエータによってバー状部材の回転変位を調整して、複数のバー状部材に保持されている基板を基板中心軸線まわりに所定角度回転させれば、基板の主面において、昇降部材が下降する際に最も遅いタイミングで処理液に浸漬された部分が、昇降部材が上昇する際に最も早いタイミングで処理液から取り出されることを防止できる。
上述したように、基板を基板中心軸線まわりに180°回転させれば、基板の主面において、昇降部材が下降する際に最も早いタイミングで処理液に浸漬された部分が、昇降部材が上昇する際に最も早いタイミングで処理液から取り出される。したがって、基板の主面の各位置における処理液に浸漬される時間の差を低減できる。その結果、基板処理の面内均一性を向上させることができる。
By adjusting the rotational displacement of the bar-shaped members using a rotary actuator and rotating the substrate held by the multiple bar-shaped members a predetermined angle around the central axis of the substrate, it is possible to prevent the portion of the main surface of the substrate that is immersed in the processing liquid at the latest timing when the lifting member descends from being removed from the processing liquid at the earliest timing when the lifting member ascends.
As described above, by rotating the substrate 180° around the substrate center axis, the portion of the substrate's main surface that is immersed in the processing liquid at the earliest timing when the lifting member descends is removed from the processing liquid at the earliest timing when the lifting member ascends. This reduces the difference in the time that each position on the substrate's main surface is immersed in the processing liquid. As a result, the in-plane uniformity of the substrate processing can be improved.

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記回転アクチュエータを制御して複数の前記バー状部材を回転させることによって、前記処理姿勢の基板を、当該基板の中心部を通る基板中心軸線まわりに所定角度回転させるコントローラをさらに含む。
処理姿勢の基板を基板中心軸線まわりに所定角度回転するように、コントローラによって回転アクチュエータを制御すれば、基板処理の面内均一性をより精度良く向上させることができる。
In one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a controller that controls the rotational actuator to rotate the plurality of bar-shaped members, thereby rotating the substrate in the processing attitude by a predetermined angle around a substrate central axis passing through a center of the substrate.
If the rotation actuator is controlled by the controller so as to rotate the substrate in the processing attitude by a predetermined angle about the central axis of the substrate, the in-plane uniformity of the substrate processing can be improved with higher precision.

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、基板の周縁部に設けられた被検出部を検出する周縁検出センサをさらに含む。
そのため、基板の周方向における所定位置に設けられた被検出部が検出されたタイミングでバー状部材の回転を停止させれば、基板が適切な回転位相に位置するように基板の回転を停止させることができる。これにより、基板処理の面内均一性を向上させることができる。
In one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes an edge detection sensor that detects a detection target portion provided on a peripheral portion of the substrate.
Therefore, by stopping the rotation of the bar-shaped members when the detection portion provided at a predetermined position in the circumferential direction of the substrate is detected, the rotation of the substrate can be stopped so that the substrate is positioned at an appropriate rotation phase, thereby improving the in-plane uniformity of the substrate processing.

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記バー状部材の回転変位を検出する回転変位センサをさらに含む。このように、バー状部材の回転変位を検出することで、基板が適切な回転位相に位置するように基板の回転を停止させることができる。
この発明の他の実施形態は、処理液を貯留する処理槽内で鉛直方向に対して交差して互いに平行に延びる複数のバー状部材の延長方向に主面を向ける処理姿勢の基板を支持する昇降部材を下降させることによって、前記処理槽内の処理液への基板の浸漬を開始する浸漬開始工程と、前記浸漬開始工程後に前記昇降部材をさらに下降させることによって、前記処理槽内において、前記昇降部材から複数の前記バー状部材に前記処理姿勢の前記基板が受け渡され、前記処理姿勢の前記基板が複数の前記バー状部材に保持される第1受渡工程と、複数の前記バー状部材の内部をそれぞれ通り前記延長方向に延びる複数の回転軸線のまわりに複数の前記バー状部材をそれぞれ回転させることによって、前記処理姿勢の前記基板を当該基板の中心部を通る基板中心軸線まわりに所定角度回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程の後に前記昇降部材を上昇させることによって、複数の前記バー状部材から前記昇降部材が前記処理姿勢の前記基板が受け渡される第2受渡工程と、前記第2受渡工程の後に前記昇降部材をさらに上昇させることによって、前記処理槽に貯留されている処理液への前記基板の浸漬を終了する浸漬終了工程とを含む、基板処理方法を提供する。
In one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a rotational displacement sensor that detects the rotational displacement of the bar-shaped members. By detecting the rotational displacement of the bar-shaped members in this manner, the rotation of the substrate can be stopped so that the substrate is positioned at an appropriate rotation phase.
Another embodiment of the present invention includes an immersion start step of starting immersion of a substrate in a processing liquid in a processing tank by lowering a lifting member supporting the substrate in a processing attitude with a main surface facing an extension direction of a plurality of bar-shaped members extending parallel to each other and crossing a vertical direction in the processing tank; a first transfer step of transferring the substrate in the processing attitude from the lifting member to the plurality of bar-shaped members in the processing tank by further lowering the lifting member after the immersion start step, and the substrate in the processing attitude is held by the plurality of bar-shaped members; and a substrate processing method including: a substrate rotation step of rotating the substrate in the processing attitude by a predetermined angle about a substrate central axis passing through a center of the substrate by rotating each of the bar-shaped members about a plurality of rotation axes extending in the extension direction; a second transfer step of transferring the substrate in the processing attitude from the bar-shaped members to the lifting member by raising the lifting member after the substrate rotation step; and an immersion completion step of terminating immersion of the substrate in the processing liquid stored in the processing tank by further raising the lifting member after the second transfer step.

この基板処理方法によれば、昇降部材は、複数のバー状部材に対して昇降する際に、複数のバー状部材に基板を渡したり、複数のバー状部材から基板を受け取ったりすることができる。そのため、複数のバー状部材を昇降させることなく、基板を複数のバー状部材に保持させて、基板を処理槽内の処理液に浸漬させることができる。
複数のバー状部材の昇降が不要であるため、複数のバー状部材を回転させるために必要な機構を昇降部材とともに昇降させる必要がない。そのため、処理槽内で基板を回転させる構成の簡素化を図れる。
According to this substrate processing method, the lifting member can transfer the substrate to and receive the substrate from the bar-shaped members when lifting and lowering the bar-shaped members, so that the substrate can be held by the bar-shaped members and immersed in the processing solution in the processing tank without lifting and lowering the bar-shaped members.
Since there is no need to raise and lower the bar-shaped members, there is no need to raise and lower the mechanism required to rotate the bar-shaped members together with the lifting members, which simplifies the configuration for rotating the substrates in the processing tank.

また、複数のバー状部材がそれぞれの内部を通る複数の回転軸線のまわりに回転することで処理姿勢の基板の回転を駆動する。処理姿勢の基板を処理槽内で回転させることによって、処理槽中の処理液に形成される流れの均一性の向上が図れる。その結果、基板処理の面内均一性の向上を図ることができる。
さらに、昇降部材から複数のバー状部材に基板が受け渡された後、複数のバー状部材に保持されている基板が基板中心軸線まわりに所定角度回転する。そのため、基板の主面において、昇降部材が下降する際に最も遅いタイミングで処理液に浸漬された部分が、昇降部材が上昇する際に最も早いタイミングで処理液から取り出されることを防止できる。
In addition, the rotation of the substrate in the processing position is driven by the rotation of the multiple bar-shaped members about multiple rotation axes passing through their respective interiors. By rotating the substrate in the processing position in the processing tank, the uniformity of the flow formed in the processing liquid in the processing tank can be improved. As a result, the in-plane uniformity of the substrate processing can be improved.
Furthermore, after the substrate is transferred from the lifting member to the bar-shaped members, the substrate held by the bar-shaped members rotates by a predetermined angle about the substrate central axis, thereby preventing a portion of the main surface of the substrate that is immersed in the treatment liquid at the latest timing when the lifting member descends from being taken out of the treatment liquid at the earliest timing when the lifting member ascends.

上述したように、基板を基板中心軸線まわりに180°回転させれば、その後に昇降部材が上昇する際には、基板の主面において、昇降部材が下降する際に最も早いタイミングで処理液に浸漬された部分が、最も早いタイミングで処理液から取り出される。したがって、基板の主面の各位置における処理液に浸漬される時間の差を低減できる。その結果、基板処理の面内均一性を向上させることができる。 As described above, if the substrate is rotated 180° around the substrate's central axis, when the lifting member is subsequently raised, the portion of the substrate's main surface that was immersed in the processing liquid at the earliest timing when the lifting member was lowered is also removed from the processing liquid at the earliest timing. This reduces the difference in the time that each position on the substrate's main surface is immersed in the processing liquid. As a result, the in-plane uniformity of the substrate processing can be improved.

この発明の他の実施形態では、前記基板回転工程が、前記処理槽内に吐出部材から処理液を吐出することによって、前記バー状部材と一体回転するように前記処理槽内に設けられた羽根部材を回転させる工程を含む。そのため、吐出部材から吐出される処理液によって処理槽内に液流を形成することができる。羽根部材がこの液流を受けることによって、羽根部材が回転する。羽根部材およびバー状部材は一体回転するため、液流の形成によってバー状部材が回転し、バー状部材の回転によって基板が回転される。そのため、バー状部材を回転させるための電動モータ等を設けることなく、バー状部材を回転させることができる。したがって、基板を回転させる構成の簡素化を図れる。
前記複数の吐出口が、前記羽根部材に対向する少なくとも一つの対向吐出口を含んでいてもよい。前記基板回転工程が、前記延長方向に延びるバー状ノズルからなる吐出部材において前記延長方向に間隔を空けて形成された複数の吐出口から、前記処理液槽内に処理液を吐出して、少なくとも一つの前記バー状部材と一体回転するように前記処理槽内に設けられた羽根部材を回転させるような液流を、前記処理槽内に貯留されている処理液に形成して、前記羽根部材と一体回転する前記バー状部材を、対応する前記回転軸線のまわりに回転させる工程を含んでいてもよい。
In another embodiment of the present invention, the substrate rotating step includes a step of rotating a blade member provided in the processing tank so as to rotate integrally with the bar-shaped member by discharging the processing liquid from a discharge member into the processing tank. Therefore, a liquid flow can be formed in the processing tank by the processing liquid discharged from the discharge member. The blade member receives this liquid flow, and thereby rotates the blade member. Since the blade member and the bar-shaped member rotate integrally, the formation of the liquid flow rotates the bar-shaped member, and the rotation of the bar-shaped member rotates the substrate. Therefore, the bar-shaped member can be rotated without providing an electric motor or the like for rotating the bar-shaped member. This simplifies the configuration for rotating the substrate.
The plurality of outlets may include at least one opposing outlet that faces the blade member. The substrate rotating step may include a step of discharging a processing liquid into the processing liquid tank from a plurality of outlets that are spaced apart in the extension direction in a discharge member made of a bar-shaped nozzle extending in the extension direction, forming a liquid flow in the processing liquid stored in the processing tank that rotates a blade member provided in the processing tank so as to rotate integrally with at least one of the bar-shaped members, and rotating the bar-shaped member that rotates integrally with the blade member about the corresponding rotation axis.

この発明の他の実施形態では、前記基板回転工程が、回転アクチュエータが前記バー状部材を前記回転軸線まわりに回転させる工程を含む。そのため、バー状部材を精度良く回転させることができる。また、この方法では、バー状部材が昇降部材とともに昇降しないため、回転アクチュエータの回転の伝達に必要な構成、すなわち、基板を回転させるための構成を簡素化することができる。 In another embodiment of the invention, the substrate rotation step includes a step in which a rotary actuator rotates the bar-shaped member about the rotation axis. This allows the bar-shaped member to be rotated with high precision. In addition, with this method, the bar-shaped member does not rise and fall together with the lifting member, so the configuration required to transmit the rotation of the rotary actuator, i.e., the configuration for rotating the substrate, can be simplified.

この発明の他の実施形態では、前記基板処理方法が、前記基板の周方向に設けられた被検出部が所定位置に位置することを周縁検出センサが検出したタイミングで、前記バー状部材の回転を停止させる回転停止工程をさらに含む。そのため、基板が適切な回転位相に位置するように基板の回転を停止させることができる。これにより、基板処理の面内均一性を向上させることができる。したがって、基板の主面の各位置における処理液に浸漬される時間の差を一層低減できる。その結果、基板処理の面内均一性を一層向上させることができる。 In another embodiment of the present invention, the substrate processing method further includes a rotation stopping step of stopping the rotation of the bar-shaped members when the peripheral detection sensor detects that a detection target portion provided in the circumferential direction of the substrate is located at a predetermined position. Therefore, the rotation of the substrate can be stopped so that the substrate is located at an appropriate rotation phase. This can improve the in-plane uniformity of the substrate processing. Therefore, the difference in the time that each position on the main surface of the substrate is immersed in the processing liquid can be further reduced. As a result, the in-plane uniformity of the substrate processing can be further improved.

この発明の他の実施形態では、前記基板処理方法が、前記バー状部材の回転変位が所定の回転変位となるタイミングで、前記バー状部材の回転を停止させる回転停止工程をさらに含む。このように、バー状部材の回転変位を検出することで、基板が適切な回転位相に位置するように基板の回転を停止させることができる。したがって、基板の主面の各位置における処理液に浸漬される時間の差を低減できる。その結果、基板処理の面内均一性を一層向上させることができる。 In another embodiment of the present invention, the substrate processing method further includes a rotation stopping step of stopping the rotation of the bar-shaped members at a timing when the rotational displacement of the bar-shaped members reaches a predetermined rotational displacement. In this way, by detecting the rotational displacement of the bar-shaped members, the rotation of the substrate can be stopped so that the substrate is positioned at an appropriate rotational phase. Therefore, the difference in the time that each position on the main surface of the substrate is immersed in the processing liquid can be reduced. As a result, the in-plane uniformity of the substrate processing can be further improved.

図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing a layout of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図2は、前記基板処理装に備えられる第2薬液処理槽およびその周辺の部材の縦断面図である。FIG. 2 is a vertical cross-sectional view of a second chemical liquid processing tank and its surrounding members provided in the substrate processing apparatus. 図3は、図2のIII-III線に沿う断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 図4は、前記基板処理装置に備えられる一対のバー状部材の構成を説明するための斜視図である。FIG. 4 is a perspective view for explaining the configuration of a pair of bar-shaped members provided in the substrate processing apparatus. 図5は、前記基板処理装置の制御に関する構成例を説明するためのブロック図である。FIG. 5 is a block diagram for explaining an example of a configuration relating to control of the substrate processing apparatus. 図6は、前記基板処理装置によって実行される基板処理の一例について説明するための流れ図である。FIG. 6 is a flow chart for explaining an example of the substrate processing performed by the substrate processing apparatus. 図7は、前記基板処理の一部であるエッチング処理の一例について説明するため流れ図である。FIG. 7 is a flow chart for explaining an example of an etching process which is a part of the substrate processing. 図8Aは、前記エッチング処理の詳細を説明するための模式図である。FIG. 8A is a schematic diagram for explaining the details of the etching process. 図8Bは、前記エッチング処理の詳細を説明するための模式図である。FIG. 8B is a schematic diagram for explaining the details of the etching process. 図8Cは、前記エッチング処理の詳細を説明するための模式図である。FIG. 8C is a schematic diagram for explaining the details of the etching process. 図8Dは、前記エッチング処理の詳細を説明するための模式図である。FIG. 8D is a schematic diagram for explaining the details of the etching process. 図8Eは、前記エッチング処理の詳細を説明するための模式図である。FIG. 8E is a schematic diagram for explaining the details of the etching process. 図9は、前記基板処理装置の変形例を説明するための模式的な断面図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining a modified example of the substrate processing apparatus.

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して説明する。
<基板処理装置1の全体構成>
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1のレイアウトを示す図解的な平面図である。
基板処理装置1は、複数枚の基板Wを一括して処理するバッチ式の装置である。基板処理装置1は、半導体ウェハなどの円板状の基板Wを収容するキャリアCが搬送されるロードポートLPと、ロードポートLPから搬送された基板Wを薬液やリンス液等の処理液で処理する処理ユニット2と、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する複数の搬送ロボットと、基板処理装置1を制御するコントローラ3とを含む。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
<Overall configuration of substrate processing apparatus 1>
FIG. 1 is a schematic plan view showing a layout of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.
The substrate processing apparatus 1 is a batch-type apparatus for collectively processing a plurality of substrates W. The substrate processing apparatus 1 includes a load port LP to which a carrier C for accommodating a disk-shaped substrate W such as a semiconductor wafer is transported, a processing unit 2 for processing the substrate W transported from the load port LP with a processing liquid such as a chemical liquid or a rinse liquid, a plurality of transport robots for transporting the substrate W between the load port LP and the processing unit 2, and a controller 3 for controlling the substrate processing apparatus 1.

処理ユニット2は、複数枚の基板Wが浸漬される第1薬液を貯留する第1薬液処理槽4と、複数枚の基板Wが浸漬される第1リンス液を貯留する第1リンス処理槽5と、複数枚の基板Wが浸漬される第2薬液を貯留する第2薬液処理槽6と、複数枚の基板Wが浸漬される第2リンス液を貯留する第2リンス処理槽7とを含む。処理ユニット2は、複数枚の基板Wを乾燥させる乾燥処理槽8をさらに含む。 The processing unit 2 includes a first chemical processing tank 4 that stores a first chemical liquid in which the multiple substrates W are immersed, a first rinse processing tank 5 that stores a first rinse liquid in which the multiple substrates W are immersed, a second chemical processing tank 6 that stores a second chemical liquid in which the multiple substrates W are immersed, and a second rinse processing tank 7 that stores a second rinse liquid in which the multiple substrates W are immersed. The processing unit 2 further includes a drying processing tank 8 that dries the multiple substrates W.

第1薬液は、たとえば、アンモニア過酸化水素混合液(APM液:Ammonium Hydrogen-peroxide mixture)またはフッ酸である。第2薬液は、たとえば、エッチング液である。エッチング液は、たとえば、リン酸、酢酸、硝酸、および水の混合液である混酸(PAN液:Phosphoric Acetic and Nitric acid)である。第1リンス液および第2リンス液は、たとえば、脱イオン水(DIW:Deionized water)である。 The first chemical liquid is, for example, an ammonia hydrogen-peroxide mixture (APM liquid) or hydrofluoric acid. The second chemical liquid is, for example, an etching liquid. The etching liquid is, for example, a phosphoric acetic and nitric acid (PAN liquid), which is a mixture of phosphoric acid, acetic acid, nitric acid, and water. The first rinse liquid and the second rinse liquid are, for example, deionized water (DIW).

第1薬液は、APM液およびフッ酸以外の薬液であってもよい。同様に、第1リンス液および第2リンス液は、純水以外のリンス液であってもよい。第1リンス液および第2リンス液は、互いに異なる種類のリンス液であってもよい。
基板処理装置1の処理対象となる基板Wは、たとえば、主面からタングステン等の金属層が露出する基板である。
The first chemical liquid may be a chemical liquid other than the APM liquid and hydrofluoric acid. Similarly, the first rinse liquid and the second rinse liquid may be rinse liquids other than pure water. The first rinse liquid and the second rinse liquid may be different types of rinse liquids.
The substrate W to be processed by the substrate processing apparatus 1 is, for example, a substrate having a metal layer, such as tungsten, exposed from its main surface.

複数の搬送ロボットは、ロードポートLPと処理ユニット2との間でキャリアCを搬送し、複数のキャリアCを収容するキャリア搬送装置9と、キャリア搬送装置9に保持されているキャリアCに対して複数枚の基板Wの搬入および搬出を行い、水平姿勢および鉛直姿勢のいずれかに基板Wの姿勢を変更する姿勢変換ロボット10とを含む。
水平姿勢とは、基板Wの主面が水平面となる姿勢である。鉛直姿勢とは、基板Wの主面が鉛直面となる姿勢である。鉛直姿勢は、起立姿勢ともいう。
The multiple transport robots include a carrier transport device 9 that transports carriers C between the load port LP and the processing unit 2 and accommodates multiple carriers C, and a posture conversion robot 10 that loads and unloads multiple substrates W into and from the carrier C held by the carrier transport device 9 and changes the posture of the substrates W to either a horizontal posture or a vertical posture.
The horizontal posture is a posture in which the main surface of the substrate W is a horizontal plane. The vertical posture is a posture in which the main surface of the substrate W is a vertical plane. The vertical posture is also called an upright posture.

姿勢変換ロボット10は、複数のキャリアCから取り出した複数枚(たとえば50枚)の基板Wで1つのバッチを形成するバッチ組み動作と、1つのバッチに含まれる複数枚の基板Wを複数のキャリアCに収容するバッチ解除動作とを行う。
複数の搬送ロボットは、さらに、姿勢変換ロボット10と処理ユニット2との間で1バッチの基板Wを搬送する主搬送ロボット11と、主搬送ロボット11と処理ユニット2との間で1バッチの基板Wを搬送する複数の副搬送ロボット12とを含む。複数の副搬送ロボット12は、第1薬液処理槽4と第1リンス処理槽5との間で1バッチの基板Wを搬送する第1副搬送ロボット12Aと、第2薬液処理槽6と第2リンス処理槽7との間で複数枚の基板Wを搬送する第2副搬送ロボット12Bとを含む。
The posture conversion robot 10 performs a batch assembly operation to form one batch with multiple (e.g., 50) substrates W taken out from multiple carriers C, and a batch release operation to place the multiple substrates W included in one batch into multiple carriers C.
The multiple transport robots further include a main transport robot 11 which transports one batch of substrates W between the posture changing robot 10 and the processing unit 2, and multiple sub-transport robots 12 which transport one batch of substrates W between the main transport robot 11 and the processing unit 2. The multiple sub-transport robots 12 include a first sub-transport robot 12A which transports one batch of substrates W between the first chemical liquid treatment tank 4 and the first rinse treatment tank 5, and a second sub-transport robot 12B which transports a plurality of substrates W between the second chemical liquid treatment tank 6 and the second rinse treatment tank 7.

主搬送ロボット11は、1バッチの基板Wを姿勢変換ロボット10から受け取る。主搬送ロボット11は、姿勢変換ロボット10から受け取った1バッチの基板Wを第1副搬送ロボット12Aおよび第2副搬送ロボット12Bに渡し、第1副搬送ロボット12Aおよび第2副搬送ロボット12Bに保持されている1バッチの基板Wを受け取る。主搬送ロボット11は、さらに、1バッチの基板Wを乾燥処理槽8に搬送する。 The main transport robot 11 receives a batch of substrates W from the posture changing robot 10. The main transport robot 11 passes the batch of substrates W received from the posture changing robot 10 to the first sub-transport robot 12A and the second sub-transport robot 12B, and receives the batch of substrates W held by the first sub-transport robot 12A and the second sub-transport robot 12B. The main transport robot 11 further transports the batch of substrates W to the drying processing tank 8.

第1副搬送ロボット12Aは、主搬送ロボット11から受け取った1バッチの基板Wを第1薬液処理槽4と第1リンス処理槽5との間で搬送し、第1薬液処理槽4内の第1薬液または第1リンス処理槽5内の第1リンス液に浸漬させる。同様に、第2副搬送ロボット12Bは、主搬送ロボット11から受け取った1バッチの基板Wを第2薬液処理槽6と第2リンス処理槽7との間で搬送し、第2薬液処理槽6内の第2薬液または第2リンス処理槽7内の第2リンス液に浸漬させる。 The first sub-transport robot 12A transports a batch of substrates W received from the main transport robot 11 between the first chemical liquid treatment tank 4 and the first rinse treatment tank 5, and immerses the substrates W in the first chemical liquid in the first chemical liquid treatment tank 4 or the first rinse liquid in the first rinse treatment tank 5. Similarly, the second sub-transport robot 12B transports a batch of substrates W received from the main transport robot 11 between the second chemical liquid treatment tank 6 and the second rinse treatment tank 7, and immerses the substrates W in the second chemical liquid in the second chemical liquid treatment tank 6 or the second rinse liquid in the second rinse treatment tank 7.

<処理ユニット2の構成>
図2は、第2薬液処理槽6およびその周辺に備えられる部材の縦断面図である。図3は、図2のIII-III線に沿う断面図である。図示はしないが、第1薬液処理槽4、第1リンス処理槽5、および第2リンス処理槽7についても、第2薬液処理槽6と同様の構成を備えている。
<Configuration of Processing Unit 2>
Fig. 2 is a vertical cross-sectional view of the second chemical treatment tank 6 and members provided around it. Fig. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in Fig. 2. Although not shown, the first chemical treatment tank 4, the first rinse treatment tank 5, and the second rinse treatment tank 7 each have a similar configuration to that of the second chemical treatment tank 6.

第2薬液処理槽6は、この実施形態では、二重槽構造を有している。具体的には、第2薬液処理槽6は、エッチング液を貯留し、1バッチの基板Wを浸漬させる内槽20と、内槽20の少なくとも上端部を取り囲み、内槽20とエッチング液を交換可能な外槽21とを含む。
内槽20は、薬液に対する耐食性に優れた石英またはフッ素樹脂材料によって形成された平面視矩形状の容器である。内槽20は、上端部に開口を有しており、V字状の底壁20aと、底壁20aに連結された複数(この実施形態では4つ)の側壁20bとを有する。外槽21は、内槽20と同様の材料によって形成されている。
In this embodiment, the second chemical liquid treatment tank 6 has a double tank structure. Specifically, the second chemical liquid treatment tank 6 includes an inner tank 20 that stores an etching liquid and immerses one batch of substrates W in it, and an outer tank 21 that surrounds at least the upper end of the inner tank 20 and allows the etching liquid to be exchanged with the inner tank 20.
The inner tank 20 is a container that is rectangular in plan view and made of quartz or fluororesin material that has excellent corrosion resistance against chemical solutions. The inner tank 20 has an opening at the top end, a V-shaped bottom wall 20a, and multiple (four in this embodiment) side walls 20b connected to the bottom wall 20a. The outer tank 21 is made of the same material as the inner tank 20.

処理ユニット2は、第2薬液処理槽6内で1バッチの基板Wを保持する一対のバー状部材30さらに含む。一対のバー状部材30は、互いに平行して水平に延びている。各バー状部材30は、円筒状または円柱状である。一対のバー状部材30は、バー状部材30が延びる方向(延長方向ED)に対して直交する水平方向(直交方向OD)に互いに間隔を空けて第2薬液処理槽6内に設けられた第1バー状部材30Aおよび第2バー状部材30Bを含む。一対のバー状部材30は、内槽20の複数の側壁20bによって、内槽20に対して回転可能に支持されている。 The processing unit 2 further includes a pair of bar-shaped members 30 that hold one batch of substrates W in the second chemical processing tank 6. The pair of bar-shaped members 30 extend horizontally in parallel to each other. Each bar-shaped member 30 is cylindrical or columnar. The pair of bar-shaped members 30 includes a first bar-shaped member 30A and a second bar-shaped member 30B that are provided in the second chemical processing tank 6 at a distance from each other in a horizontal direction (orthogonal direction OD) perpendicular to the direction in which the bar-shaped members 30 extend (extension direction ED). The pair of bar-shaped members 30 are supported rotatably relative to the inner tank 20 by a plurality of side walls 20b of the inner tank 20.

一対のバー状部材30は、延長方向EDに沿って延びる一対の回転軸線A1をそれぞれ有する。各回転軸線A1は、対応するバー状部材30の内部を通っており、対応するバー状部材30の中心軸線でもある。そのため、各バー状部材30は、延長方向EDに沿って延びる回転軸線A1のまわりを自転可能である。
一対のバー状部材30が、回転軸線A1と平行に延びる所定の中心軸線A2まわりの周方向CDに間隔を空けて配置されている。基板Wは、基板Wの中心部を通る中心軸線(基板中心軸線A3)が、中心軸線A2と一致するように、一対のバー状部材30に保持される。
The pair of bar-shaped members 30 each have a pair of rotation axes A1 extending along the extension direction ED. Each rotation axis A1 passes through the interior of the corresponding bar-shaped member 30 and is also the central axis of the corresponding bar-shaped member 30. Therefore, each bar-shaped member 30 can rotate about the rotation axis A1 extending along the extension direction ED.
A pair of bar-shaped members 30 are disposed at a distance from each other in a circumferential direction CD about a predetermined central axis A2 extending parallel to the rotation axis A1. The substrate W is held by the pair of bar-shaped members 30 such that a central axis (substrate central axis A3) passing through the center of the substrate W coincides with the central axis A2.

図4は、一対のバー状部材30の構成を説明するための斜視図である。各バー状部材30は、1バッチの基板Wの周縁部の一部をそれぞれ収容する複数の収容溝31を有する。各バー状部材30において、複数の収容溝31は、延長方向EDに等間隔で設けられている。各基板Wの周縁部は、延長方向EDにおいて同じ位置に位置する複数(この実施形態では2つ)の収容溝31に収容されている。これにより、基板Wが鉛直姿勢(処理姿勢)で一対のバー状部材30に保持される。 Figure 4 is a perspective view illustrating the configuration of a pair of bar-shaped members 30. Each bar-shaped member 30 has a number of storage grooves 31 that each accommodate a portion of the peripheral portion of a batch of substrates W. In each bar-shaped member 30, the multiple storage grooves 31 are provided at equal intervals in the extension direction ED. The peripheral portion of each substrate W is accommodated in multiple storage grooves 31 (two in this embodiment) located at the same position in the extension direction ED. This allows the substrate W to be held in a vertical position (processing position) by the pair of bar-shaped members 30.

収容溝31は、たとえば、バー状部材30の中心側に向かって幅狭となる断面視V字状の溝である。収容溝31は、断面視U字状の溝であってもよい。収容溝31内において、基板Wの周縁部は、バー状部材30に接触している。たとえば、バー状部材30は、延長方向EDの両側から基板Wの周縁部に接している。そのため、バー状部材30の回転が基板Wに伝達される。また、収容溝31の底部が延長方向EDから見て円形状であれば、バー状部材30の外周面は必ずしも円筒状でなくてもよい。 The storage groove 31 is, for example, a V-shaped groove in cross section that narrows toward the center of the bar-shaped member 30. The storage groove 31 may be a U-shaped groove in cross section. In the storage groove 31, the peripheral portion of the substrate W is in contact with the bar-shaped member 30. For example, the bar-shaped member 30 is in contact with the peripheral portion of the substrate W from both sides in the extension direction ED. Therefore, the rotation of the bar-shaped member 30 is transmitted to the substrate W. Also, as long as the bottom of the storage groove 31 is circular when viewed from the extension direction ED, the outer circumferential surface of the bar-shaped member 30 does not necessarily have to be cylindrical.

処理ユニット2は、一対のバー状部材30のうちの一方のバー状部材30(たとえば、第1バー状部材30A)と一体回転するように第2薬液処理槽6内に設けられた羽根部材40をさらに含む。この実施形態では、羽根部材40は、第1バー状部材30Aにおいて複数の収容溝31が設けられている溝形成領域32の外側において、第1バー状部材30Aに接合されている。 The processing unit 2 further includes a blade member 40 provided in the second chemical processing tank 6 so as to rotate integrally with one of the pair of bar-shaped members 30 (e.g., the first bar-shaped member 30A). In this embodiment, the blade member 40 is joined to the first bar-shaped member 30A outside the groove forming area 32 in which the multiple storage grooves 31 are provided in the first bar-shaped member 30A.

羽根部材40は、たとえば、図4に示すように、第1バー状部材30Aと一体に形成されていてもよく、第1バー状部材30Aの外周面に取り付けられた複数の羽根部41を含んでいてもよい。
羽根部材40は、図4とは異なり、第1バー状部材30Aとは別体で形成されており、延長方向EDから第1バー状部材30Aに連結されていてもよい。あるいは、羽根部材40は、複数の羽根部41と、複数の羽根部41を支持する環状部とを含んでおり、当該環状部に第1バー状部材30Aが挿入されていてもよい。
The blade member 40 may be formed integrally with the first bar-shaped member 30A, for example, as shown in FIG. 4, or may include a plurality of blade portions 41 attached to the outer peripheral surface of the first bar-shaped member 30A.
4, the blade member 40 may be formed separately from the first bar-shaped member 30A and connected to the first bar-shaped member 30A from the extension direction ED. Alternatively, the blade member 40 may include a plurality of blade portions 41 and an annular portion supporting the plurality of blade portions 41, and the first bar-shaped member 30A may be inserted into the annular portion.

図2および図3を再び参照して、処理ユニット2は、第2薬液処理槽6内にエッチング液吐出する一対の吐出部材50をさらに含む。吐出部材50は、たとえば、延長方向EDに延びるバー状ノズルである。一対の吐出部材50は、直交方向ODに互いに間隔を空けて設けられている。一対の吐出部材50は、たとえば、内槽20の底壁20aと側壁20bとの境界付近に設けられている。吐出部材50は、内槽20内へ向けてエッチング液を吐出する複数の吐出口51を有している。複数の吐出口51は、延長方向EDに所定の間隔で配置されている。少なくとも一つの吐出口(対向吐出口)51が、羽根部材40に対向していることが好ましい(図2を参照)。 2 and 3 again, the processing unit 2 further includes a pair of discharge members 50 that discharge the etching solution into the second chemical processing tank 6. The discharge members 50 are, for example, bar-shaped nozzles extending in the extension direction ED. The pair of discharge members 50 are provided at a distance from each other in the perpendicular direction OD. The pair of discharge members 50 are, for example, provided near the boundary between the bottom wall 20a and the side wall 20b of the inner tank 20. The discharge members 50 have a plurality of discharge ports 51 that discharge the etching solution toward the inner tank 20. The plurality of discharge ports 51 are arranged at a predetermined interval in the extension direction ED. It is preferable that at least one discharge port (opposing discharge port) 51 faces the blade member 40 (see FIG. 2).

処理ユニット2は、各吐出部材50に接続される処理液配管52と、処理液供給源(図示せず)からのエッチング液等の第2薬液を一対の処理液配管52に第2薬液を供給する主配管53と、主配管53に介装された処理液バルブ54および流量調整バルブ55とを含む。処理液バルブ54は、主配管53内の流路を開閉する。流量調整バルブ55は、主配管53を流れる第2薬液の流量を調整する。処理液バルブ54が開かれると、処理液供給源から一対の吐出部材50に第2薬液が供給され、2つの吐出部材50から第2薬液が吐出される。詳しくは、両方の吐出部材50の複数の吐出口51から第2薬液が吐出される。 The processing unit 2 includes processing liquid pipes 52 connected to each discharge member 50, a main pipe 53 that supplies a second chemical liquid, such as an etching liquid, from a processing liquid supply source (not shown) to the pair of processing liquid pipes 52, and a processing liquid valve 54 and a flow rate control valve 55 interposed in the main pipe 53. The processing liquid valve 54 opens and closes the flow path in the main pipe 53. The flow rate control valve 55 adjusts the flow rate of the second chemical liquid flowing through the main pipe 53. When the processing liquid valve 54 is opened, the second chemical liquid is supplied from the processing liquid supply source to the pair of discharge members 50, and the second chemical liquid is discharged from the two discharge members 50. In more detail, the second chemical liquid is discharged from the multiple discharge ports 51 of both discharge members 50.

第2副搬送ロボット12Bは、第2薬液処理槽6に対して昇降するリフタ60と、リフタ60を昇降させる昇降機構70と、リフタ60を水平方向に移動(スライド)させるスライド機構80とを含む。昇降機構70は、リフタ60に連結された昇降軸71と、昇降軸71を昇降させる駆動力を発生させる昇降アクチュエータ72とを含む。昇降機構70は、昇降アクチュエータ72の駆動力を昇降軸71に伝達する動力伝達機構(図示せず)を含んでいてもよい。動力変換機構は、たとえば、ボールねじ機構、または、ラックアンドピニオン機構である。 The second sub-transport robot 12B includes a lifter 60 that moves up and down relative to the second chemical liquid treatment tank 6, a lifting mechanism 70 that raises and lowers the lifter 60, and a slide mechanism 80 that moves (slides) the lifter 60 horizontally. The lifting mechanism 70 includes a lifting shaft 71 connected to the lifter 60, and a lifting actuator 72 that generates a driving force to raise and lower the lifting shaft 71. The lifting mechanism 70 may include a power transmission mechanism (not shown) that transmits the driving force of the lifting actuator 72 to the lifting shaft 71. The power conversion mechanism is, for example, a ball screw mechanism or a rack and pinion mechanism.

スライド機構80は、昇降軸71を水平方向に移動させる駆動力を発生させるスライドアクチュエータ81を含む。スライド機構80は、スライドアクチュエータ81の駆動力を昇降軸71に伝達する動力伝達機構(図示せず)を含んでいてもよい。
リフタ60は、1バッチの基板Wを下方から支持する複数の支持部61と、延長方向EDにおける複数の支持部61の一端に連結され複数の支持部61を昇降させる昇降部62とを有する。リフタ60は、延長方向EDにおける複数の支持部61の他端を連結するフレーム部63を含んでいてもよい。
The slide mechanism 80 includes a slide actuator 81 that generates a driving force for horizontally moving the lift shaft 71. The slide mechanism 80 may include a power transmission mechanism (not shown) that transmits the driving force of the slide actuator 81 to the lift shaft 71.
The lifter 60 has a plurality of support parts 61 that support one batch of substrates W from below, and a lifting part 62 that is connected to one ends of the plurality of support parts 61 in the extension direction ED and lifts and lowers the plurality of support parts 61. The lifter 60 may include a frame part 63 that connects the other ends of the plurality of support parts 61 in the extension direction ED.

各支持部61は、延長方向EDに沿って等間隔で設けられた複数の収容溝64を有している。各基板Wの周縁部は、延長方向EDにおいて同じ位置に位置する複数の収容溝64に収容される。そのため、リフタ60は、1バッチの基板Wの姿勢を鉛直姿勢に維持しながら1バッチの基板Wを昇降させることができる。
リフタ60は、スライド機構80によって、第2薬液処理槽6上に位置する第2薬液処理位置と、第2リンス処理槽7上に位置する第2リンス処理位置とに水平移動することができる。
Each support portion 61 has a plurality of storage grooves 64 provided at equal intervals along the extension direction ED. The peripheral portion of each substrate W is stored in the plurality of storage grooves 64 located at the same position in the extension direction ED. Therefore, the lifter 60 can raise and lower the batch of substrates W while maintaining the orientation of the substrates W in a vertical orientation.
The lifter 60 can be moved horizontally by a slide mechanism 80 between a second chemical processing position located above the second chemical processing tank 6 and a second rinse processing position located above the second rinse processing tank 7 .

リフタ60は、第2薬液処理位置に位置する状態で、昇降機構70によって、支持部61が第2薬液処理槽6内の第2薬液の液面よりも上側に位置する上位置(後述する図8Aを参照)と、支持部61が複数のバー状部材30よりも下側に位置する下位置(後述する図8Dを参照)との間で昇降可能である。リフタ60は、上位置と下位置との間の受渡位置(後述する図8Cを参照)を下降して通過する際に、1バッチの基板Wを一対のバー状部材30に渡す。リフタ60は、上昇して受渡位置(後述する図8Eを参照)を通過する際に、1バッチの基板Wを一対のバー状部材30から受け取る。リフタ60は、第1バー状部材30Aと第2バー状部材30Bとの間を通って昇降する。リフタ60は、複数のバー状部材30に対して昇降する昇降部材の一例である。 When the lifter 60 is located at the second chemical processing position, the lifting mechanism 70 can raise and lower the support 61 between an upper position (see FIG. 8A described later) where the support 61 is located above the liquid level of the second chemical in the second chemical processing tank 6, and a lower position (see FIG. 8D described later) where the support 61 is located below the bar-shaped members 30. When the lifter 60 passes through a transfer position (see FIG. 8C described later) between the upper and lower positions, the lifter 60 passes a batch of substrates W to the pair of bar-shaped members 30. When the lifter 60 passes through a transfer position (see FIG. 8E described later), the lifter 60 receives a batch of substrates W from the pair of bar-shaped members 30. The lifter 60 passes between the first bar-shaped member 30A and the second bar-shaped member 30B and raises and lowers. The lifter 60 is an example of a lifting member that raises and lowers relative to the bar-shaped members 30.

図示しないが、第1副搬送ロボット12Aについても、第2副搬送ロボット12Bと同様の構成を有していてもよい。
基板処理装置1は、基板Wの周縁部に設けられた切り欠きW1,W2(被検出部)を検出する周縁検出センサ90をさらに含む。切り欠きW1,W2は、全ての基板Wに設けられていてもよいが、周縁検出センサ90は、1バッチの基板Wのうちの1枚の基板Wの切り欠きW1,W2を検出する。
Although not shown, the first sub-transport robot 12A may have a similar configuration to the second sub-transport robot 12B.
The substrate processing apparatus 1 further includes an edge detection sensor 90 that detects notches W1, W2 (detection portions) provided on the peripheral portion of the substrate W. The notches W1, W2 may be provided on all substrates W, but the edge detection sensor 90 detects the notches W1, W2 of one substrate W among one batch of substrates W.

周縁検出センサ90は、たとえば、基板Wの上端部(基板Wの周縁部の一部)に向けてレーザを発振するレーザ発振器(図示せず)と、基板Wの上端部から反射するレーザを検出する反射光検出器(図示せず)とを含む。周縁検出センサ90は、基板Wの周縁部において切り欠きW1,W2が設けられていない部分から反射する光の強度と、基板Wの周縁部において切り欠きW1,W2が設けられている部分から反射する光の強度との差に基づいて、基板Wが所定の回転位相に位置することを検出する。 The edge detection sensor 90 includes, for example, a laser oscillator (not shown) that emits a laser toward the upper end of the substrate W (a part of the edge of the substrate W), and a reflected light detector (not shown) that detects the laser reflected from the upper end of the substrate W. The edge detection sensor 90 detects that the substrate W is located at a predetermined rotational phase based on the difference between the intensity of light reflected from a portion of the edge of the substrate W where the notches W1, W2 are not provided, and the intensity of light reflected from a portion of the edge of the substrate W where the notches W1, W2 are provided.

基板Wの切り欠きW1,W2は、基板Wの周縁部において等間隔に設けられていることが好ましい。基板Wの切り欠きW1,W2は、周縁部に2箇所設けられていることが特に好ましい。すなわち、2つの切り欠きW1,W2の位相差は180°(所定角度)であることが好ましい。
周縁検出センサ90は、一対のバー状部材30および第2薬液処理槽6よりも上方に配置されており、一対のバー状部材30に保持されている基板Wの切り欠きW1,W2を上方から検出する。周縁検出センサ90は、切り欠きW1,W2が基板Wの上端部に位置するときに切り欠きW1,W2を検出する。図2は、切り欠きW1が基板Wの上端部に位置する状態を示している。
The notches W1, W2 of the substrate W are preferably provided at equal intervals on the peripheral portion of the substrate W. It is particularly preferable that the notches W1, W2 of the substrate W are provided at two locations on the peripheral portion. In other words, it is preferable that the phase difference between the two notches W1, W2 is 180° (a predetermined angle).
The edge detection sensor 90 is disposed above the pair of bar-shaped members 30 and the second chemical liquid treatment tank 6, and detects from above the notches W1, W2 of the substrate W held by the pair of bar-shaped members 30. The edge detection sensor 90 detects the notches W1, W2 when the notches W1, W2 are located at the upper end of the substrate W. Fig. 2 shows a state in which the notch W1 is located at the upper end of the substrate W.

図3に二点鎖線で示すように、周縁検出センサ90は、第2薬液処理槽6の側方に設けられていて、かつ、一対のバー状部材30に保持されている基板Wの切り欠きW1,W2を延長方向EDから検出するように構成されていてもよい。この場合、レーザを透過する透過部材(図示せず)を側壁20bに受けることで、周縁検出センサ90を、第2薬液処理槽6の側壁20bに外側から取り付けることができる。 3, the edge detection sensor 90 may be provided on the side of the second chemical liquid treatment tank 6 and configured to detect the notches W1, W2 of the substrate W held by the pair of bar-shaped members 30 from the extension direction ED. In this case, the edge detection sensor 90 can be attached to the side wall 20b of the second chemical liquid treatment tank 6 from the outside by receiving a transparent member (not shown) that transmits the laser on the side wall 20b.

この実施形態とは異なり、周縁検出センサ90は、延長方向EDに沿って等間隔に複数配置されていてもよい。複数の周縁検出センサ90は、1バッチの基板Wと同数設けられていてもよいし、1バッチの基板Wよりも少ない個数設けられていてもよい。
<電気的構成>
図5は、基板処理装置1の制御に関する構成例を説明するためのブロック図である。
Unlike this embodiment, a plurality of edge detection sensors 90 may be disposed at equal intervals along the extension direction ED. The number of edge detection sensors 90 may be the same as the number of substrates W in one batch, or may be less than the number of substrates W in one batch.
<Electrical configuration>
FIG. 5 is a block diagram for explaining a configuration example regarding control of the substrate processing apparatus 1. As shown in FIG.

コントローラ3は、マイクロコンピュータを備えており、所定のプログラムに従って、基板処理装置1に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、コントローラ3は、プロセッサ(CPU)3aと、プログラムが格納されたメモリ3bとを含み、プロセッサ3aがプログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御処理を実行するように構成されている。 The controller 3 includes a microcomputer and controls the control objects included in the substrate processing apparatus 1 according to a predetermined program. More specifically, the controller 3 includes a processor (CPU) 3a and a memory 3b in which a program is stored, and is configured to execute various control processes for substrate processing by the processor 3a executing the program.

特に、コントローラ3は、複数の搬送ロボット(キャリア搬送装置9、姿勢変換ロボット10、主搬送ロボット11、および、複数の副搬送ロボット12)、処理液バルブ54、流量調整バルブ55等の動作を制御する。コントローラ3には、周縁検出センサ90が接続されており、周縁検出センサ90の検出結果が入力される。
また、第2薬液処理槽6以外の処理槽(第1薬液処理槽4、第1リンス処理槽5、第2リンス処理槽7、および、乾燥処理槽8)に関連する部材(バルブ等)についてもコントローラ3によって制御される。
In particular, the controller 3 controls the operations of a plurality of transport robots (the carrier transport device 9, the posture changing robot 10, the main transport robot 11, and the plurality of sub-transport robots 12), the processing liquid valve 54, the flow rate adjustment valve 55, etc. An edge detection sensor 90 is connected to the controller 3, and the detection result of the edge detection sensor 90 is input.
In addition, components (valves, etc.) associated with the treatment tanks other than the second chemical treatment tank 6 (the first chemical treatment tank 4, the first rinse treatment tank 5, the second rinse treatment tank 7, and the drying treatment tank 8) are also controlled by the controller 3.

<基板処理の一例>
図6は、基板処理装置1によって実行される基板処理の一例について説明するための流れ図である。以下では、図1および図6を参照する。
主搬送ロボット11は、複数枚の基板Wからなる1バッチの基板Wを姿勢変換ロボット10から受け取る。主搬送ロボット11は、姿勢変換ロボット10から受け取った1バッチの基板Wを第1副搬送ロボット12Aに搬送し、第1副搬送ロボット12Aに渡す。主搬送ロボット11から受け取った1バッチの基板Wを第1副搬送ロボット12Aが第1薬液処理槽4内の第1薬液に浸漬させる(第1薬液処理:図6のステップS1)。その後、第1副搬送ロボット12Aが、第1リンス処理槽5内の第1リンス液に1バッチの基板Wを浸漬させる(第1リンス処理:図6のステップS2)。その後、第1副搬送ロボット12Aは、1バッチの基板Wを主搬送ロボット11に渡す。
<Example of substrate processing>
6 is a flow chart for explaining an example of substrate processing performed by the substrate processing apparatus 1. In the following, reference will be made to FIGS.
The main transport robot 11 receives one batch of substrates W consisting of a plurality of substrates W from the posture changing robot 10. The main transport robot 11 transports the one batch of substrates W received from the posture changing robot 10 to the first sub-transport robot 12A and delivers the one batch of substrates W to the first sub-transport robot 12A. The first sub-transport robot 12A immerses the one batch of substrates W received from the main transport robot 11 in the first chemical liquid in the first chemical liquid treatment bath 4 (first chemical liquid treatment: step S1 in FIG. 6). Then, the first sub-transport robot 12A immerses the one batch of substrates W in the first rinse liquid in the first rinse treatment bath 5 (first rinse treatment: step S2 in FIG. 6). Then, the first sub-transport robot 12A delivers the one batch of substrates W to the main transport robot 11.

主搬送ロボット11は、第1副搬送ロボット12Aから受け取った1バッチの基板Wを第2副搬送ロボット12Bに渡す。その後、第2副搬送ロボット12Bが、主搬送ロボット11から受け取った1バッチの基板Wを第2薬液処理槽6内のエッチング液等の第2薬液に浸漬させる(第2薬液処理(エッチング処理):図6のステップS3)。さらにその後、第2副搬送ロボット12Bが、第2リンス処理槽7内の第2リンス液に1バッチの基板Wを浸漬させる(第2リンス処理:図6のステップS4)。その後、第2副搬送ロボット12Bは、1バッチの基板Wを主搬送ロボット11に渡す。主搬送ロボット11は、第2副搬送ロボット12Bから受け取った1バッチの基板Wを乾燥処理槽8に搬送する。 The main transport robot 11 transfers the batch of substrates W received from the first sub-transport robot 12A to the second sub-transport robot 12B. The second sub-transport robot 12B then immerses the batch of substrates W received from the main transport robot 11 in a second chemical liquid such as an etching liquid in the second chemical liquid treatment tank 6 (second chemical liquid treatment (etching process): step S3 in FIG. 6). The second sub-transport robot 12B then immerses the batch of substrates W in a second rinse liquid in the second rinse treatment tank 7 (second rinse process: step S4 in FIG. 6). The second sub-transport robot 12B then transfers the batch of substrates W to the main transport robot 11. The main transport robot 11 transfers the batch of substrates W received from the second sub-transport robot 12B to the drying treatment tank 8.

乾燥処理槽8内では、1バッチの基板Wを減圧乾燥等の手法によって乾燥される(乾燥処理:図6のステップS5)。その後、主搬送ロボット11は、1バッチの基板Wを姿勢変換ロボット10に渡す。姿勢変換ロボット10は、主搬送ロボット11から受け取った1バッチの基板Wの姿勢を鉛直姿勢から水平姿勢に変更し、その後、1バッチの基板Wをキャリア搬送装置9に保持されている複数のキャリアCに収容する。この一連の動作が繰り返されることにより、基板処理装置1に搬送された複数枚の基板Wが処理される。 In the drying processing tank 8, the batch of substrates W is dried by a method such as reduced pressure drying (drying processing: step S5 in Figure 6). The main transport robot 11 then passes the batch of substrates W to the posture changing robot 10. The posture changing robot 10 changes the posture of the batch of substrates W received from the main transport robot 11 from a vertical posture to a horizontal posture, and then stores the batch of substrates W in multiple carriers C held by the carrier transport device 9. This series of operations is repeated to process the multiple substrates W transported to the substrate processing device 1.

次に、基板処理において実行されるエッチング処理(図6のステップS3)について詳しく説明する。
図7は、エッチング処理の一例について説明するための流れ図である。図8A~図8Eは、基板処理装置1のエッチング処理を説明するための模式図である。図8Aに示すように、第2副搬送ロボット12Bが主搬送ロボット11から受け取った1バッチの基板Wは、リフタ60の複数の支持部61に下方から支持されている。このとき、基板Wは、一対の切り欠きW1,W2のうちのいずれか一方が上端に位置するようにリフタ60に支持されている。図8Aでは、切り欠きW1が上端に位置している。
Next, the etching process (step S3 in FIG. 6) performed in the substrate processing will be described in detail.
Fig. 7 is a flow chart for explaining an example of the etching process. Figs. 8A to 8E are schematic diagrams for explaining the etching process of the substrate processing apparatus 1. As shown in Fig. 8A, one batch of substrates W received by the second sub-transport robot 12B from the main transport robot 11 is supported from below by a plurality of supports 61 of a lifter 60. At this time, the substrates W are supported by the lifter 60 such that one of a pair of cutouts W1, W2 is located at the upper end. In Fig. 8A, the cutout W1 is located at the upper end.

昇降機構70は、1バッチの基板Wを支持するリフタ60を下降させる。これにより、図8Bに示すように、基板Wの下端部が、第2薬液処理槽6内のエッチング液の液面に接触し、基板Wの浸漬が開始される(浸漬開始工程:図7のステップS11)。昇降機構70は、リフタ60をさらに下降させる。リフタ60が下降して受渡位置を通過する際に、図8Cに示すように、リフタ60から一対のバー状部材30に1バッチの基板Wが受け渡われる(第1受渡工程:図7のステップS12)。これにより、各基板Wの主面の全体がエッチング液に浸漬される。リフタ60は、受渡位置を通過した後、下位置に達するまで下降する。 The lifting mechanism 70 lowers the lifter 60 supporting the batch of substrates W. As a result, as shown in FIG. 8B, the lower ends of the substrates W come into contact with the surface of the etching liquid in the second chemical processing tank 6, and immersion of the substrates W begins (immersion start step: step S11 in FIG. 7). The lifting mechanism 70 further lowers the lifter 60. As the lifter 60 lowers and passes the transfer position, as shown in FIG. 8C, the batch of substrates W is transferred from the lifter 60 to a pair of bar-shaped members 30 (first transfer step: step S12 in FIG. 7). As a result, the entire main surface of each substrate W is immersed in the etching liquid. After passing the transfer position, the lifter 60 lowers until it reaches the lower position.

1バッチの基板Wが一対のバー状部材30に渡された後、処理液バルブ54が開かれる。これにより、吐出部材50からエッチング液が吐出される(処理液吐出工程、エッチング液吐出工程)。エッチング液の吐出によって、第2薬液処理槽6内のエッチング液に液流が形成され、液流によって羽根部材40の回転が開始される。羽根部材40が回転することによって、第1バー状部材30Aが回転(自転)し、第1バー状部材30Aの回転によって、1バッチの基板Wの回転が駆動される。すなわち、図8Dに示すように、中心軸線A2まわりの基板Wの回転が開始される(基板回転工程:図7のステップS13)。1バッチの基板Wの回転によって、第2バー状部材30Bの回転軸線A1まわりの回転が駆動される。 After one batch of substrates W is transferred to the pair of bar-shaped members 30, the processing liquid valve 54 is opened. This causes the etching liquid to be discharged from the discharge member 50 (processing liquid discharge step, etching liquid discharge step). The discharge of the etching liquid forms a liquid flow in the etching liquid in the second chemical liquid treatment tank 6, and the liquid flow starts the rotation of the blade member 40. The rotation of the blade member 40 causes the first bar-shaped member 30A to rotate (spin), and the rotation of the first bar-shaped member 30A drives the rotation of one batch of substrates W. That is, as shown in FIG. 8D, the rotation of the substrates W around the central axis A2 starts (substrate rotation step: step S13 in FIG. 7). The rotation of one batch of substrates W drives the rotation of the second bar-shaped member 30B around the rotation axis A1.

周縁検出センサ90が基板Wの切り欠きW2を検出すると、処理液バルブ54が閉じられる。これにより、基板Wが中心軸線A2まわりに180°(所定角度)回転したときに液流が形成されなくなる。液流の形成が停止されることによって、基板Wの回転が停止される(回転停止工程)。
基板Wの回転が停止された後、昇降機構70が、下位置に位置するリフタ60の上昇を開始する。リフタ60が上昇して受渡位置を通過する際に、図8Eに示すように、一対のバー状部材30からリフタ60に1バッチの基板Wが受け渡される(第2受渡工程:図7のステップS14)。昇降機構70は、リフタ60をさらに上昇させる。リフタ60が上位置にまで移動することによって、第2薬液処理槽6内のエッチング液への1バッチの基板Wの浸漬が終了する(浸漬終了工程:図7のステップS15)。以上により、エッチング処理が終了する。
When the edge detection sensor 90 detects the notch W2 of the substrate W, the processing liquid valve 54 is closed. As a result, no liquid flow is formed when the substrate W is rotated 180° (a predetermined angle) about the central axis A2. As the formation of the liquid flow is stopped, the rotation of the substrate W is stopped (rotation stopping step).
After the rotation of the substrates W is stopped, the lifting mechanism 70 starts to raise the lifter 60, which is located at the lower position. When the lifter 60 rises and passes the transfer position, one batch of substrates W is transferred from the pair of bar-shaped members 30 to the lifter 60, as shown in Fig. 8E (second transfer step: step S14 in Fig. 7). The lifting mechanism 70 further raises the lifter 60. When the lifter 60 moves to the upper position, immersion of one batch of substrates W in the etching solution in the second chemical liquid processing tank 6 is completed (immersion completion step: step S15 in Fig. 7). This completes the etching process.

このエッチング処理では、リフタ60は、一対のバー状部材30に対して昇降する際に、一対のバー状部材30に1バッチの基板Wを渡したり、一対のバー状部材30から1バッチの基板Wを受け取ったりすることができる。そのため、一対のバー状部材30を昇降させることなく、一対のバー状部材30に基板Wを保持させて、1バッチの基板Wを第2薬液処理槽6内のエッチング液に浸漬させることができる。 In this etching process, when the lifter 60 is raised and lowered relative to the pair of bar-shaped members 30, it can pass a batch of substrates W to the pair of bar-shaped members 30 and receive a batch of substrates W from the pair of bar-shaped members 30. Therefore, the pair of bar-shaped members 30 can hold the substrates W and immerse the batch of substrates W in the etching solution in the second chemical liquid processing tank 6 without raising and lowering the pair of bar-shaped members 30.

一対のバー状部材30の昇降が不要であるため、一対のバー状部材30を回転させるために必要な機構(電動モータ等)をリフタ60とともに昇降させる必要がない。そのため、第2薬液処理槽6内で基板Wを回転させる構成の簡素化を図れる。
また、一対のバー状部材30がそれぞれの内部を通る複数の回転軸線A1のまわりに回転することで1バッチの基板Wの回転を駆動する。1バッチの基板Wを第2薬液処理槽6内で回転させることによって、第2薬液処理槽6中のエッチング液に形成される流れの均一性の向上が図れる。その結果、エッチング処理の面内均一性の向上を図ることができる。
Since there is no need to raise and lower the pair of bar-shaped members 30, there is no need to raise and lower a mechanism (such as an electric motor) required to rotate the pair of bar-shaped members 30 together with the lifter 60. This simplifies the configuration for rotating the substrate W in the second chemical liquid processing tank 6.
Moreover, the pair of bar-shaped members 30 rotate about a plurality of rotation axes A1 passing through their interiors, thereby driving the rotation of one batch of substrates W. By rotating one batch of substrates W in the second chemical liquid processing tank 6, the uniformity of the flow formed in the etching liquid in the second chemical liquid processing tank 6 can be improved. As a result, the in-plane uniformity of the etching process can be improved.

また、この実施形態によれば、一対のバー状部材30が、中心軸線A2まわりの周方向CDに間隔を空けて配置される。各バー状部材30が、鉛直姿勢の基板Wの周縁部を収容する収容溝31を有する。そのため、周方向CDの複数箇所において基板Wの周縁部を収容溝31に収容させることができる。これにより、基板Wの姿勢の安定性の向上を図れるため、基板処理の面内均一性を一層向上させることができる。 Furthermore, according to this embodiment, a pair of bar-shaped members 30 are arranged at an interval in the circumferential direction CD about the central axis A2. Each bar-shaped member 30 has a storage groove 31 that stores the peripheral portion of the substrate W in a vertical position. Therefore, the peripheral portion of the substrate W can be stored in the storage groove 31 at multiple points in the circumferential direction CD. This improves the stability of the position of the substrate W, thereby further improving the in-plane uniformity of substrate processing.

また、この実施形態によれば、各バー状部材30は、収容溝31を複数有し、複数の収容溝31は、延長方向EDに等間隔で設けられている。そのため、1バッチの基板Wを、延長方向EDに等間隔に配列させた状態で、一対のバー状部材30に保持させることができる。そのため、一対のバー状部材30によって、1バッチの基板Wを安定性高く保持することができる。ひいては、基板W間での処理むらを低減できる。 Furthermore, according to this embodiment, each bar-shaped member 30 has a plurality of storage grooves 31, and the plurality of storage grooves 31 are arranged at equal intervals in the extension direction ED. Therefore, one batch of substrates W can be held by a pair of bar-shaped members 30 in a state where the substrates W are arranged at equal intervals in the extension direction ED. Therefore, one batch of substrates W can be held with high stability by the pair of bar-shaped members 30. As a result, processing unevenness between the substrates W can be reduced.

また、この実施形態によれば、リフタ60の複数の支持部61が、第1バー状部材30Aおよび第2バー状部材30Bの間を通って昇降する。そのため、第2薬液処理槽6内における第1バー状部材30Aと第2バー状部材30Bとの間の空間を、リフタ60の昇降のための経路として活用できる。したがって、第2薬液処理槽6の大型化を抑制できる。
また、この実施形態によれば、羽根部材40が第1バー状部材30Aと一体回転するように第2薬液処理槽6内に設けられている。また、吐出部材50から吐出されるエッチング液によって第2薬液処理槽6内に液流を形成することができる。羽根部材40がこの液流を受けることによって、羽根部材40が回転する。羽根部材40および第1バー状部材30Aは一体回転するため、液流の形成によって第1バー状部材30Aが回転し、第1バー状部材30Aの回転によって基板Wが回転される。そのため、第1バー状部材30Aを回転させるための電動モータ等を設けることなく、第1バー状部材30Aを回転させることができる。
Furthermore, according to this embodiment, the multiple support portions 61 of the lifter 60 move up and down between the first bar-shaped member 30A and the second bar-shaped member 30B. Therefore, the space between the first bar-shaped member 30A and the second bar-shaped member 30B in the second chemical liquid treatment tank 6 can be used as a path for the lifter 60 to move up and down. This makes it possible to prevent the second chemical liquid treatment tank 6 from becoming too large.
According to this embodiment, the blade member 40 is provided in the second chemical liquid treatment tank 6 so as to rotate integrally with the first bar-shaped member 30A. A liquid flow can be formed in the second chemical liquid treatment tank 6 by the etching liquid discharged from the discharge member 50. The blade member 40 receives this liquid flow, and thereby rotates. Since the blade member 40 and the first bar-shaped member 30A rotate integrally, the formation of the liquid flow causes the first bar-shaped member 30A to rotate, and the rotation of the first bar-shaped member 30A causes the substrate W to rotate. Therefore, the first bar-shaped member 30A can be rotated without providing an electric motor or the like for rotating the first bar-shaped member 30A.

リフタ60と一対のバー状部材30との間で受け渡される基板Wの姿勢は、鉛直姿勢である。そのため、リフタ60を下降させて基板Wを第2薬液処理槽6内のエッチング液に浸漬する際には、基板Wの下端部が最も早いタイミングで第2薬液処理槽6内のエッチング液に浸漬され始め、基板Wの上端部が最も遅いタイミングで第2薬液処理槽6内のエッチング液に浸漬され始める。第2薬液処理槽6内での基板Wのエッチング処理を終えた後、リフタ60を上昇させて基板Wを第2薬液処理槽6から取り出す際には、エッチング液への基板Wの上端部の浸漬が最も早いタイミングで終了し、エッチング液への基板Wの下端部の浸漬が最も遅いタイミングで終了する。したがって、エッチング液に浸漬されている時間は、基板Wの下端部が最も長く、基板Wの上端部が最も短い。そのため、エッチング液に浸漬する際の基板Wの回転位相とエッチング液への浸漬を終了する際の基板Wの回転位相とを変化させなければ、基板Wの主面に処理むらが発生するおそれがある。 The substrate W transferred between the lifter 60 and the pair of bar-shaped members 30 is in a vertical position. Therefore, when the lifter 60 is lowered to immerse the substrate W in the etching liquid in the second chemical liquid processing tank 6, the lower end of the substrate W begins to be immersed in the etching liquid in the second chemical liquid processing tank 6 at the earliest timing, and the upper end of the substrate W begins to be immersed in the etching liquid in the second chemical liquid processing tank 6 at the latest timing. After the etching process of the substrate W in the second chemical liquid processing tank 6 is completed, when the lifter 60 is raised to remove the substrate W from the second chemical liquid processing tank 6, the immersion of the upper end of the substrate W in the etching liquid ends at the earliest timing, and the immersion of the lower end of the substrate W in the etching liquid ends at the latest timing. Therefore, the time that the lower end of the substrate W is immersed in the etching liquid is the longest, and the upper end of the substrate W is the shortest. Therefore, if the rotation phase of the substrate W when immersed in the etching liquid and the rotation phase of the substrate W when immersion in the etching liquid is completed are not changed, there is a risk of uneven processing occurring on the main surface of the substrate W.

そこで、吐出部材50から吐出されるエッチング液の流量を調整して、一対のバー状部材30に保持されている基板Wを基板中心軸線A3まわりに180°回転させれば、基板Wの主面において、リフタ60が下降する際に最も早いタイミングでエッチング液に浸漬された部分が、リフタ60が上昇する際に最も早いタイミングでエッチング液から取り出される。したがって、基板Wの主面の各位置におけるエッチング液に浸漬される時間の差を低減できる。その結果、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。 Therefore, by adjusting the flow rate of the etching liquid discharged from the discharge member 50 and rotating the substrate W held by the pair of bar-shaped members 30 180° around the substrate central axis A3, the portion of the main surface of the substrate W that is immersed in the etching liquid at the earliest timing when the lifter 60 descends is removed from the etching liquid at the earliest timing when the lifter 60 ascends. This reduces the difference in the time that each position on the main surface of the substrate W is immersed in the etching liquid. As a result, the in-surface uniformity of the etching process can be improved.

鉛直姿勢の基板Wを基板中心軸線A3まわりに180°回転するように、コントローラ3によって吐出部材50から吐出されるエッチング液の流量を制御すれば、エッチング処理の面内均一性をより精度良く向上させることができる。
周縁検出センサ90は、基板Wの周縁部に設けられた切り欠きW1,W2を検出する。そのため、切り欠きW1,W2が検出されたタイミングでバー状部材30の回転を停止させれば、基板Wが適切な回転位相に位置するように基板Wの回転を停止させることができる。これにより、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。
By controlling the flow rate of the etching liquid discharged from the discharge member 50 by the controller 3 so as to rotate the vertically oriented substrate W 180 degrees around the substrate central axis A3, the in-plane uniformity of the etching process can be improved with greater precision.
The edge detection sensor 90 detects the notches W1, W2 provided on the edge of the substrate W. Therefore, by stopping the rotation of the bar-shaped members 30 at the timing when the notches W1, W2 are detected, the rotation of the substrate W can be stopped so that the substrate W is positioned at an appropriate rotation phase. This can improve the in-plane uniformity of the etching process.

この実施形態に係るエッチング処理であれば、エッチングの面内均一性の向上が要求されている三次元NANDデバイスの製造工程におけるタングステンのエッチング処理において、面内均一性を充分に向上させることができる。とくに、基板Wの主面に、ライン状のトレンチが互いに直交して延びており、そのトレンチにタングステンが埋設された基板Wを用いた場合において、羽根部材40の回転によって形成される液流によって、互いに直交するトレンチ内のタングステンのエッチングの均一性を良好に向上させることができる。 The etching process according to this embodiment can sufficiently improve the in-plane uniformity of the tungsten etching process in the manufacturing process of three-dimensional NAND devices, where improved in-plane uniformity of the etching is required. In particular, when using a substrate W having linear trenches extending perpendicular to each other on the main surface of the substrate W and tungsten embedded in the trenches, the liquid flow formed by the rotation of the blade member 40 can effectively improve the uniformity of the etching of the tungsten in the mutually perpendicular trenches.

<その他の実施形態>
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
たとえば、図9に示すように、処理ユニット2は、第1バー状部材30Aを回転軸線A1まわりに回転させる回転アクチュエータ100と、回転アクチュエータ100の第1バー状部材30Aの回転変位(回転量ともいう。)を検出する回転変位センサ101とを含んでいてもよい。回転アクチュエータ100は、たとえば、電動モータであり、回転変位センサ101は、たとえば、エンコーダである。回転変位センサ101は、回転アクチュエータ100の回転変位を検出することで第1バー状部材30Aの回転変位を算出してもよいし、第1バー状部材30Aの回転変位を直接検出してもよい。
<Other embodiments>
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be embodied in other forms.
9, processing unit 2 may include a rotational actuator 100 that rotates first bar-shaped member 30A about rotation axis A1, and a rotational displacement sensor 101 that detects the rotational displacement (also referred to as the amount of rotation) of first bar-shaped member 30A of rotational actuator 100. Rotary actuator 100 is, for example, an electric motor, and rotational displacement sensor 101 is, for example, an encoder. Rotational displacement sensor 101 may calculate the rotational displacement of first bar-shaped member 30A by detecting the rotational displacement of rotational actuator 100, or may directly detect the rotational displacement of first bar-shaped member 30A.

コントローラ3は、回転変位センサ101の検出結果に基づいて回転アクチュエータ100を制御する(図5を参照)。回転アクチュエータ100が設けられている場合であっても、同様のエッチング処理が可能である。
エッチング処理において、1バッチの基板Wが一対のバー状部材30に渡された後、回転アクチュエータ100が第1バー状部材30Aを回転させる。これにより、中心軸線A2まわりの基板Wの回転が開始される(基板回転工程:図7のステップS13)。回転アクチュエータ100は、基板Wを180°回転させるために必要な回転変位(必要回転変位)だけ、第1バー状部材30Aを回転させる。第1バー状部材30Aが1回転よりも多く回転する場合、必要回転変位が360°を超える。そして、第1バー状部材30Aの回転変位が必要回転変位となるタイミングで、第1バー状部材30Aの回転が停止される。これにより、基板Wの回転が停止される(回転停止工程)。
The controller 3 controls the rotary actuator 100 based on the detection result of the rotary displacement sensor 101 (see FIG. 5). Even when the rotary actuator 100 is provided, a similar etching process is possible.
In the etching process, after one batch of substrates W is transferred to the pair of bar-shaped members 30, the rotary actuator 100 rotates the first bar-shaped member 30A. This starts the rotation of the substrate W around the central axis A2 (substrate rotation process: step S13 in FIG. 7). The rotary actuator 100 rotates the first bar-shaped member 30A by the rotational displacement (required rotational displacement) required to rotate the substrate W by 180°. When the first bar-shaped member 30A rotates more than one rotation, the required rotational displacement exceeds 360°. Then, the rotation of the first bar-shaped member 30A is stopped at the timing when the rotational displacement of the first bar-shaped member 30A becomes the required rotational displacement. This stops the rotation of the substrate W (rotation stop process).

回転アクチュエータ100によって第1バー状部材30Aの回転変位を調整して、一対のバー状部材30に保持されている基板Wを基板中心軸線A3まわりに180°回転させれば、基板Wの主面において、リフタ60が下降する際に最も早いタイミングでエッチング液に浸漬された部分が、リフタ60が上昇する際に最も早いタイミングでエッチング液から取り出される。したがって、基板Wの主面の各位置におけるエッチング液に浸漬される時間の差を低減できる。その結果、エッチング処理の面内均一性を向上させることができる。 By adjusting the rotational displacement of the first bar-shaped member 30A by the rotary actuator 100 and rotating the substrate W held by the pair of bar-shaped members 30 180° around the substrate central axis A3, the portion of the main surface of the substrate W that is immersed in the etching solution at the earliest timing when the lifter 60 descends is removed from the etching solution at the earliest timing when the lifter 60 ascends. This reduces the difference in the time that each position on the main surface of the substrate W is immersed in the etching solution. As a result, the in-surface uniformity of the etching process can be improved.

回転アクチュエータ100によって第1バー状部材30Aの回転を駆動することで、第1バー状部材30Aを精度良く回転させることができる。また、この構成では、一対のバー状部材30がリフタ60とともに昇降しない。そのため、回転アクチュエータ100の回転の伝達に必要な構成、すなわち、基板Wを回転させるための構成を簡素化することができる。 By driving the rotation of the first bar-shaped member 30A with the rotary actuator 100, the first bar-shaped member 30A can be rotated with high precision. Furthermore, with this configuration, the pair of bar-shaped members 30 do not rise and fall together with the lifter 60. This simplifies the configuration required to transmit the rotation of the rotary actuator 100, i.e., the configuration for rotating the substrate W.

回転アクチュエータ100が設けられている場合、羽根部材40を省略することが可能である。回転変位センサ101が設けられている場合、周縁検出センサ90および基板Wの切り欠きW1,W2を省略することが可能である。
回転アクチュエータ100を用いて基板Wを回転させる場合であっても、周縁検出センサ90を用いて基板Wの回転を停止させることが可能である。この場合、周縁検出センサ90が切り欠きW2を検出した時点で回転アクチュエータ100が停止されれば、基板Wが180°回転した時点で、基板Wの回転を停止させることができる。
When the rotary actuator 100 is provided, it is possible to omit the blade member 40. When the rotary displacement sensor 101 is provided, it is possible to omit the edge detection sensor 90 and the notches W1, W2 of the substrate W.
Even when the substrate W is rotated using the rotation actuator 100, it is possible to stop the rotation of the substrate W using the edge detection sensor 90. In this case, if the rotation actuator 100 is stopped at the point in time when the edge detection sensor 90 detects the notch W2, the rotation of the substrate W can be stopped at the point in time when the substrate W has rotated 180°.

同様に、羽根部材40を用いて基板Wを回転させる場合であっても、回転変位センサ101を用いて基板Wの回転を停止させることが可能である。この場合、第1バー状部材30Aが必要回転量だけ回転した時点で吐出部材50からのエッチング液の吐出が停止されれば、基板Wが180°回転した時点で、基板Wの回転を停止させることができる。
また、羽根部材40は、各バー状部材30に設けられていてもよい。この場合、第1バー状部材30Aに設けられた羽根部材40と第2バー状部材30Bに設けられた羽根部材40が同じ方向に回転するように、第2薬液処理槽6内のエッチング液に液流を発生させる必要がある。同様に、回転アクチュエータ100を各バー状部材30に設けることも可能である。また、羽根部材40を一定の方向に回転させる液流を形成できるのであれば、吐出口51が羽根部材40に対向している必要はなく、全ての吐出口51が羽根部材40に対向していない構成であってもよい。たとえば、第2薬液処理槽6内において吐出口51は、内槽20の底壁20aに対向していてもよいし、内槽20の側壁20bに対向していてもよい。
Similarly, even when the blade members 40 are used to rotate the substrate W, it is possible to stop the rotation of the substrate W using the rotational displacement sensor 101. In this case, if the discharge of the etching liquid from the discharge member 50 is stopped at the time when the first bar-shaped member 30A has rotated a required rotational amount, the rotation of the substrate W can be stopped at the time when the substrate W has rotated 180°.
Also, the blade member 40 may be provided on each bar-shaped member 30. In this case, it is necessary to generate a liquid flow in the etching solution in the second chemical liquid processing tank 6 so that the blade member 40 provided on the first bar-shaped member 30A and the blade member 40 provided on the second bar-shaped member 30B rotate in the same direction. Similarly, it is also possible to provide the rotary actuator 100 on each bar-shaped member 30. Also, as long as a liquid flow that rotates the blade member 40 in a certain direction can be formed, it is not necessary for the discharge port 51 to face the blade member 40, and a configuration in which all the discharge ports 51 do not face the blade member 40 may be used. For example, in the second chemical liquid processing tank 6, the discharge port 51 may face the bottom wall 20a of the inner tank 20 or may face the side wall 20b of the inner tank 20.

図2に示す例とは異なり、一対の処理液配管52に一対のバルブがそれぞれ介装されており、エッチング液の吐出が吐出部材50毎に制御されてもよい。
切り欠きW2が基板Wの下端部に位置するように基板Wをリフタ60の複数の支持部61に載置することができれば、切り欠きW1は不要である。すなわち、基板Wの周縁部には、必ずしも切り欠きを2つ設ける必要はない。
Unlike the example shown in FIG. 2, a pair of valves may be provided in each of the pair of processing liquid pipes 52, and the discharge of the etching liquid may be controlled for each discharge member 50.
The notch W1 is unnecessary if the substrate W can be placed on the multiple supports 61 of the lifter 60 so that the notch W2 is located at the lower end of the substrate W. In other words, it is not necessarily necessary to provide two notches at the peripheral portion of the substrate W.

また、基板Wが第2薬液処理槽6内で180°回転できれば、基板Wの回転前後において切り欠きW1,W2が上端部および下端部に位置している必要はなく、切り欠きW1,W2は、センサによって検出可能な位置に位置していればよい。
また、基板Wは、エッチング処理(図6のステップS3)において、第2薬液処理槽6内において必ずしも180°回転する必要はない。たとえば、基板Wの回転変位が90°よりも大きく270°よりも小さい所定角度(所定変位)であれば、基板Wの処理むらを効果的に抑制できる。ただし、基板Wの回転変位は、180°に近いほど処理むらの低減効果は高く、基板Wの回転変位は、150°以上210°以下であることが好ましく、180°であることが一層好ましい。
Furthermore, as long as the substrate W can be rotated 180 degrees within the second chemical liquid treatment tank 6, it is not necessary for the notches W1, W2 to be located at the upper and lower ends before and after the rotation of the substrate W; it is sufficient for the notches W1, W2 to be located in a position that can be detected by a sensor.
Furthermore, the substrate W does not necessarily need to be rotated 180° in the second chemical liquid processing tank 6 during the etching process (step S3 in FIG. 6). For example, if the rotational displacement of the substrate W is a predetermined angle (predetermined displacement) that is greater than 90° and smaller than 270°, processing unevenness of the substrate W can be effectively suppressed. However, the closer the rotational displacement of the substrate W is to 180°, the greater the effect of reducing processing unevenness, and the rotational displacement of the substrate W is preferably 150° or more and 210° or less, and more preferably 180°.

また、周縁検出センサ90によって検出される被検出部は、切り欠きW1,W2に限られない。被検出部は、光の反射強度が基板Wの周縁部のその他の部分と異なっていれば、基板Wの周縁部に形成された構造物であってもよい。
一対のバー状部材30は、必ずしも鉛直姿勢で基板Wを保持する必要はなく、基板Wの主面が鉛直方向に対して僅かに傾斜していてもよい。すなわち、処理姿勢は、鉛直姿勢に限られない。
Furthermore, the detection target portion detected by the edge detection sensor 90 is not limited to the notches W1 and W2. The detection target portion may be a structure formed on the edge of the substrate W as long as the light reflection intensity of the structure is different from that of other parts of the edge of the substrate W.
The pair of bar-shaped members 30 do not necessarily need to hold the substrate W in a vertical position, and the main surface of the substrate W may be slightly inclined relative to the vertical direction. In other words, the processing position is not limited to the vertical position.

また、上述の実施形態では、バー状部材30が2つ設けられている。しかしながら、バー状部材30の数は2つに限られず、3つ以上設けられていてもよい。ただし、複数のバー状部材30は、中心軸線A2まわりの周方向CDに間隔を空けて配置されていることが好ましく、リフタ60が、複数のバー状部材30と干渉することなく昇降できることが好ましい。 In the above embodiment, two bar-shaped members 30 are provided. However, the number of bar-shaped members 30 is not limited to two, and three or more may be provided. However, it is preferable that the multiple bar-shaped members 30 are arranged at intervals in the circumferential direction CD around the central axis A2, and it is preferable that the lifter 60 can be raised and lowered without interfering with the multiple bar-shaped members 30.

また、上述の実施形態では、第2副搬送ロボット12Bによって、リフタ60をスライド移動させる。しかしながら、単一の処理槽に対して複数枚の基板Wを搬送するロボットが基板処理装置1に備えられている場合には、当該ロボットに備えられるリフタ60はスライド移動不能であってもよい。
また、上述の実施形態に係る基板処理とは異なり、第1薬液処理(図6のステップS1)および第1リンス処理(図6のステップS2)を省略することも可能である。
In the above embodiment, the lifter 60 is slidably moved by the second sub-transport robot 12B. However, when the substrate processing apparatus 1 is provided with a robot that transports a plurality of substrates W to a single processing tank, the lifter 60 provided to the robot may not be slidably moved.
Moreover, unlike the substrate processing according to the above-described embodiment, it is possible to omit the first chemical liquid processing (step S1 in FIG. 6) and the first rinsing processing (step S2 in FIG. 6).

また、上述の実施形態では、エッチング処理中において、基板Wを回転させる際にのみ処理液バルブ54が開かれる。しかしながら、処理液バルブ54が常時開かれていて、流量調整バルブ55によってエッチング液の流量を調整することによって、基板Wの回転の開始および停止が制御されてもよい。
また、上述の実施形態では、基板処理装置1が、ロードポートLPと、複数の搬送ロボットと、処理ユニット2と、コントローラ3とを含んでいる。しかしながら、基板処理装置1は、単一の処理ユニット2とコントローラ3とによって構成されており、複数の搬送ロボットやロードポートLPを含んでいなくてもよい。あるいは、基板処理装置1は、単一の処理ユニット2のみによって構成されていてもよい。言い換えると、処理ユニット2が基板処理装置の一例であってもよい。
In the above embodiment, during the etching process, the processing liquid valve 54 is opened only when rotating the substrate W. However, the processing liquid valve 54 may be constantly open, and the flow rate of the etching liquid may be adjusted by the flow rate adjustment valve 55, thereby controlling the start and stop of rotation of the substrate W.
In the above-described embodiment, the substrate processing apparatus 1 includes a load port LP, a plurality of transport robots, a processing unit 2, and a controller 3. However, the substrate processing apparatus 1 may be configured with a single processing unit 2 and a controller 3, and may not include a plurality of transport robots or load ports LP. Alternatively, the substrate processing apparatus 1 may be configured with only a single processing unit 2. In other words, the processing unit 2 may be an example of a substrate processing apparatus.

なお、上述の実施形態では、「水平」、「鉛直」といった表現を用いているが、厳密に「水平」、「鉛直」であることを要しない。すなわち、これらの各表現は、製造精度、設置精度等のずれを許容するものである。
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。
In the above embodiment, the terms "horizontal" and "vertical" are used, but they do not necessarily have to be "horizontal" and "vertical" in the strict sense. In other words, these terms allow for deviations in manufacturing precision, installation precision, and the like.
In addition, various modifications can be made within the scope of the claims.

1 :基板処理装置
2 :処理ユニット(基板処理装置)
3 :コントローラ
4 :第1薬液処理槽
5 :第1リンス処理槽
6 :第2薬液処理槽
7 :第2リンス処理槽
30 :バー状部材
30A :第1バー状部材
30B :第2バー状部材
31 :収容溝
40 :羽根部材
50 :吐出部材
60 :リフタ(昇降部材)
90 :周縁検出センサ
100 :回転アクチュエータ
101 :回転変位センサ
A1 :回転軸線
A2 :中心軸線
A3 :基板中心軸線(基板の中心軸線)
CD :周方向
ED :延長方向
W :基板
W1 :切り欠き(被検出部)
W2 :切り欠き(被検出部)
1: Substrate processing apparatus 2: Processing unit (substrate processing apparatus)
3: Controller 4: First chemical liquid treatment tank 5: First rinsing treatment tank 6: Second chemical liquid treatment tank 7: Second rinsing treatment tank 30: Bar-shaped member 30A: First bar-shaped member 30B: Second bar-shaped member 31: Storage groove 40: Blade member 50: Discharge member 60: Lifter (lifting member)
90: Edge detection sensor 100: Rotation actuator 101: Rotation displacement sensor A1: Rotation axis A2: Central axis A3: Substrate central axis (substrate central axis)
CD: Circumferential direction ED: Extension direction W: Substrate W1: Notch (detection target)
W2: Notch (detection part)

Claims (10)

基板を処理する処理液を貯留する処理槽と、
鉛直方向に対して交差して互いに平行に延びる複数のバー状部材であって、前記処理槽内において、前記バー状部材の延長方向に基板の主面が向く処理姿勢で前記基板を保持する複数のバー状部材と、
姿勢が前記処理姿勢である基板を支持し複数の前記バー状部材に対して昇降する昇降部材であって、下降する際に複数の前記バー状部材に前記基板を渡し、上昇する際に複数の前記バー状部材から前記基板を受け取る昇降部材と
少なくとも一つの前記バー状部材と一体回転するように前記処理槽内に設けられた羽根部材と、
前記延長方向に間隔を空けて形成された複数の吐出口を有し、前記延長方向に延びるバー状ノズルからなる吐出部材であって、前記処理液槽内に処理液を吐出する吐出部材とを含み、
前記複数の吐出口が、前記羽根部材に対向する少なくとも一つの対向吐出口を含み、
複数の前記バー状部材は、前記延長方向に沿って延びる複数の回転軸線をそれぞれ有し、
前記複数の吐出口からの処理液の吐出により前記処理槽内に貯留されている処理液に形成される液流によって前記羽根部材が回転され、前記羽根部材と一体回転する前記バー状部材が、対応する前記回転軸線のまわりに回転することによって複数の前記バー状部材に保持されている前記基板の回転を駆動する、基板処理装置。
a processing tank for storing a processing liquid for processing the substrate;
a plurality of bar-shaped members extending parallel to one another and intersecting a vertical direction, the bar-shaped members holding the substrate in a processing posture in which a main surface of the substrate faces an extension direction of the bar-shaped members in the processing tank;
a lifting member that supports a substrate having a posture of the processing posture and lifts and lowers relative to the plurality of bar-shaped members, the lifting member delivering the substrate to the plurality of bar-shaped members when lowering and receiving the substrate from the plurality of bar-shaped members when rising ;
a blade member provided in the treatment tank so as to rotate integrally with at least one of the bar-shaped members;
a discharge member including a bar-shaped nozzle extending in the extension direction and having a plurality of discharge ports formed at intervals in the extension direction, the discharge member discharging the treatment liquid into the treatment liquid tank ,
The plurality of outlets includes at least one opposed outlet facing the blade member,
The bar-shaped members each have a plurality of rotation axes extending along the extension direction,
A substrate processing apparatus in which the blade members are rotated by a liquid flow formed in the processing liquid stored in the processing tank by the ejection of the processing liquid from the multiple ejection ports, and the bar-shaped members which rotate integrally with the blade members rotate around the corresponding rotation axes, thereby driving the rotation of the substrates held by the multiple bar-shaped members.
複数の前記バー状部材が、前記回転軸線と平行に延びる所定の中心軸線まわりの周方向に間隔を空けて配置され、
各前記バー状部材が、前記処理姿勢の前記基板の周縁部を収容する収容溝を有する、請求項1に記載の基板処理装置。
The bar-shaped members are arranged at intervals in a circumferential direction about a predetermined central axis extending parallel to the rotation axis,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein each of the bar-shaped members has an accommodation groove for accommodating a peripheral portion of the substrate in the processing position.
各前記バー状部材は、前記収容溝を複数有し、
複数の前記収容溝は、前記延長方向に等間隔で設けられている、請求項2に記載の基板処理装置。
Each of the bar-shaped members has a plurality of the accommodation grooves,
The substrate processing apparatus according to claim 2 , wherein the plurality of accommodation grooves are provided at equal intervals in the extension direction.
複数の前記バー状部材が、互いに間隔を空けて配置された第1バー状部材および第2バー状部材を含み、
前記昇降部材が、前記第1バー状部材および前記第2バー状部材の間を通って昇降する、請求項1~3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
the plurality of bar-shaped members include a first bar-shaped member and a second bar-shaped member spaced apart from each other;
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the lifting member moves up and down between the first bar-shaped member and the second bar-shaped member.
前記吐出部材から吐出される処理液の流量を制御することによって、前記処理姿勢の基板を、当該基板の中心部を通る基板中心軸線まわりに所定角度回転させるコントローラをさらに含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4 , further comprising a controller that rotates the substrate in the processing posture by a predetermined angle about a substrate central axis passing through a center of the substrate by controlling a flow rate of the processing liquid discharged from the discharge member. 基板の周縁部に設けられた被検出部を検出する周縁検出センサをさらに含む、請求項のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 , further comprising an edge detection sensor that detects a detection target portion provided on a peripheral portion of the substrate. 前記バー状部材の回転変位を検出する回転変位センサをさらに含む、請求項のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 , further comprising a rotational displacement sensor that detects a rotational displacement of the bar-shaped member. 処理液を貯留する処理槽内で鉛直方向に対して交差して互いに平行に延びる複数のバー状部材の延長方向に主面を向ける処理姿勢の基板を支持する昇降部材を下降させることによって、前記処理槽内の処理液への基板の浸漬を開始する浸漬開始工程と、
前記浸漬開始工程後に前記昇降部材をさらに下降させることによって、前記処理槽内において、前記昇降部材から複数の前記バー状部材に前記処理姿勢の前記基板が受け渡され、前記処理姿勢の前記基板が複数の前記バー状部材に保持される第1受渡工程と、
複数の前記バー状部材の内部をそれぞれ通り前記延長方向に延びる複数の回転軸線のまわりに複数の前記バー状部材をそれぞれ回転させることによって、前記処理姿勢の前記基板を当該基板の中心部を通る基板中心軸線まわりに所定角度回転させる基板回転工程と、
前記基板回転工程の後に前記昇降部材を上昇させることによって、複数の前記バー状部材から前記昇降部材に前記処理姿勢の前記基板が受け渡される第2受渡工程と、
前記第2受渡工程の後に前記昇降部材をさらに上昇させることによって、前記処理槽内の処理液への前記基板の浸漬を終了する浸漬終了工程とを含み、
前記基板回転工程が、前記延長方向に延びるバー状ノズルからなる吐出部材において前記延長方向に間隔を空けて形成された複数の吐出口から、前記処理液槽内に処理液を吐出して、少なくとも一つの前記バー状部材と一体回転するように前記処理槽内に設けられた羽根部材を回転させるような液流を、前記処理槽内に貯留されている処理液に形成して、前記羽根部材と一体回転する前記バー状部材を、対応する前記回転軸線のまわりに回転させる工程を含み、
前記複数の吐出口が、前記羽根部材に対向する少なくとも一つの対向吐出口を含む、基板処理方法。
an immersion starting step of starting immersion of the substrate in the processing liquid in the processing tank by lowering a lifting member supporting the substrate in a processing posture in which the substrate is in a processing position with its main surface facing in an extension direction of a plurality of bar-shaped members extending parallel to one another and intersecting a vertical direction in a processing tank;
a first transfer step in which the lifting member is further lowered after the immersion start step, so that the substrate in the processing position is transferred from the lifting member to the plurality of bar-shaped members in the processing tank, and the substrate in the processing position is held by the plurality of bar-shaped members;
a substrate rotation step of rotating the substrate in the processing attitude by a predetermined angle about a substrate central axis passing through a center of the substrate by rotating each of the bar-shaped members about a plurality of rotation axes passing through the interiors of the bar-shaped members and extending in the extension direction;
a second transfer step in which the substrate in the processing attitude is transferred from the plurality of bar-shaped members to the lifting member by lifting the lifting member after the substrate rotation step;
and an immersion completion step of completing the immersion of the substrate in the treatment liquid in the treatment tank by further raising the lifting member after the second delivery step ,
the substrate rotation step includes a step of discharging a processing liquid into the processing liquid tank from a plurality of discharge ports formed at intervals in the extension direction in a discharge member consisting of a bar-shaped nozzle extending in the extension direction, forming a liquid flow in the processing liquid stored in the processing tank that rotates a blade member provided in the processing tank so as to rotate integrally with at least one of the bar-shaped members, and rotating the bar-shaped member that rotates integrally with the blade member around the corresponding rotation axis,
The substrate processing method , wherein the plurality of outlets includes at least one opposed outlet facing the blade member .
前記基板の周方向に設けられた被検出部が所定位置に位置することを周縁検出センサが検出したタイミングで、前記バー状部材の回転を停止させる回転停止工程をさらに含む、請求項に記載の基板処理方法。 9. The substrate processing method of claim 8 , further comprising a rotation stopping step of stopping the rotation of the bar-shaped member at a timing when an edge detection sensor detects that a detection portion provided in a circumferential direction of the substrate is located at a predetermined position. 前記バー状部材の回転変位が所定の回転変位となるタイミングで、前記バー状部材の回転を停止させる回転停止工程をさらに含む、請求項に記載の基板処理方法。 9. The substrate processing method according to claim 8 , further comprising a rotation stopping step of stopping the rotation of said bar-shaped members at a timing when the rotational displacement of said bar-shaped members reaches a predetermined rotational displacement.
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