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JP7656458B2 - Cleaning Equipment - Google Patents
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Description

本発明は、洗浄装置に関する。 The present invention relates to a cleaning device.

特許文献1に開示のように、切削ブレードによって切削したウェーハの切削溝を洗浄するために、超音波洗浄ユニットを用いている。 As disclosed in Patent Document 1, an ultrasonic cleaning unit is used to clean the cutting grooves in the wafer cut by the cutting blade.

特開2010-245247号公報JP 2010-245247 A

上記の超音波洗浄ユニットでは、水槽に貯められた洗浄水内に、ウェーハを保持したテーブルを水没させて、水没したウェーハに超音波を伝播させて洗浄している。そのため、洗浄のための貯水に時間がかかる。 In the ultrasonic cleaning unit described above, the table holding the wafers is submerged in cleaning water stored in a water tank, and ultrasonic waves are transmitted to the submerged wafers to clean them. For this reason, it takes time to fill the tank with water for cleaning.

また、水槽に貯水した水に超音波振動を伝播させることで、ウェーハに超音波振動を伝えているので、大きな出力で超音波発振部を超音波振動させる必要がある。このため、電力消費量が大きくなる。 In addition, since ultrasonic vibrations are transmitted to the wafers by propagating them through the water stored in the water tank, it is necessary to ultrasonically vibrate the ultrasonic oscillator with a large output. This results in a large amount of power consumption.

したがって、本発明の目的は、洗浄における貯水時間を短縮すること、および、電力消費量を少なくすることにある。 Therefore, the object of the present invention is to shorten the water storage time during washing and to reduce power consumption.

本発明の洗浄装置(本洗浄装置)は、保持テーブルの保持面に保持された被加工物を洗浄する洗浄装置であって、該保持面は、被加工物の下面よりも外にはみ出る面積を有し、該保持面に保持された被加工物を、該被加工物の上面よりも上端が高くなるように囲むことの可能な環状壁と、該環状壁の内外を貫通する貫通孔と、該環状壁を該保持面に垂直な方向に昇降させる昇降機構と、該保持面に保持された被加工物を囲むように配置された該環状壁の内側に洗浄水を供給して、被加工物を水没させる洗浄水供給部と、被加工物を水没させた該洗浄水に超音波振動を伝播させる振動発振部と、を備え、被加工物を水没させている該洗浄水を該貫通孔から排出させながら、水没した被加工物に超音波振動を伝播させて被加工物を洗浄する。 The cleaning device of the present invention (this cleaning device) is a cleaning device for cleaning a workpiece held on the holding surface of a holding table, the holding surface having an area that extends outward beyond the lower surface of the workpiece and capable of surrounding the workpiece held on the holding surface so that its upper end is higher than the upper surface of the workpiece, a through hole penetrating the inside and outside of the annular wall, a lifting mechanism for raising and lowering the annular wall in a direction perpendicular to the holding surface, a cleaning water supply unit that supplies cleaning water to the inside of the annular wall arranged to surround the workpiece held on the holding surface, thereby submerging the workpiece, and a vibration oscillator that propagates ultrasonic vibrations to the cleaning water in which the workpiece is submerged, and the ultrasonic vibrations are propagated to the submerged workpiece to clean the workpiece while the cleaning water in which the workpiece is submerged is discharged through the through hole .

該保持テーブルの該保持面は、被加工物を収容可能な開口を有するリングフレームと、該開口に位置づけられた被加工物とをテープで一体化させたワークセットの該テープを保持するように構成されていてもよく、該環状壁が、該テープの上に配置されてもよい。The holding surface of the holding table may be configured to hold a tape of a work set in which a ring frame having an opening capable of accommodating a workpiece and a workpiece positioned in the opening are integrated with tape, and the annular wall may be positioned on top of the tape.

本発明の他の洗浄装置は、保持テーブルの保持面に保持された被加工物を洗浄する洗浄装置であって、該保持面は、被加工物の下面よりも外にはみ出る面積を有し、該保持面に保持された被加工物を、該被加工物の上面よりも上端が高くなるように囲むことの可能な環状壁と、該環状壁を該保持面に垂直な方向に昇降させる昇降機構と、該保持面に保持された被加工物を囲むように配置された該環状壁の内側に洗浄水を供給して、被加工物を水没させる洗浄水供給部と、被加工物を水没させた該洗浄水に超音波振動を伝播させる振動発振部と、を備え、該昇降機構は、該保持面と該環状壁の下端との間に隙間を形成するように構成されており、該被加工物を水没させている該洗浄水を該隙間から排出させながら、水没した被加工物に超音波振動を伝播させて被加工物を洗浄する。Another cleaning device of the present invention is a cleaning device for cleaning a workpiece held on a holding surface of a holding table, the holding surface having an area that extends outward beyond the lower surface of the workpiece and comprising an annular wall capable of surrounding the workpiece held on the holding surface so that its upper end is higher than the upper surface of the workpiece, a lifting mechanism for raising and lowering the annular wall in a direction perpendicular to the holding surface, a cleaning water supply unit for supplying cleaning water to the inside of the annular wall arranged to surround the workpiece held on the holding surface, thereby submerging the workpiece, and a vibration oscillator for propagating ultrasonic vibrations to the cleaning water in which the workpiece is submerged, the lifting mechanism being configured to form a gap between the holding surface and the lower end of the annular wall, and the cleaning water in which the workpiece is submerged is discharged from the gap while ultrasonic vibrations are propagated to the submerged workpiece to clean the workpiece.

本発明の他の洗浄装置は、保持テーブルの保持面に保持された被加工物を洗浄する洗浄装置であって、該保持面は、被加工物の下面よりも外にはみ出る面積を有し、該保持面に保持された被加工物を、該被加工物の上面よりも上端が高くなるように囲むことの可能な環状壁と、該環状壁を該保持面に垂直な方向に昇降させる昇降機構と、該保持面に保持された被加工物を囲むように配置された該環状壁の内側に洗浄水を供給して、被加工物を水没させる洗浄水供給部と、被加工物を水没させた該洗浄水に超音波振動を伝播させる振動発振部と、を備え、該保持テーブルの該保持面は、被加工物を収容可能な開口を有するリングフレームと、該開口に位置づけられた被加工物とをテープで一体化させたワークセットの該テープを保持するように構成されており、該環状壁が、該テープの上に配置され、該昇降機構は、該保持面に保持された該ワークセットの該テープの上面と該環状壁の下端との間に隙間を形成するように構成されており、該被加工物を水没させている該洗浄水を該隙間から排出させながら、水没した被加工物に超音波振動を伝播させて被加工物を洗浄する。Another cleaning device of the present invention is a cleaning device for cleaning a workpiece held on a holding surface of a holding table, the holding surface having an area extending outward beyond the bottom surface of the workpiece, the cleaning device including an annular wall capable of surrounding the workpiece held on the holding surface so that its upper end is higher than the top surface of the workpiece, a lifting mechanism for raising and lowering the annular wall in a direction perpendicular to the holding surface, a cleaning water supply unit for supplying cleaning water to the inside of the annular wall arranged to surround the workpiece held on the holding surface, thereby submerging the workpiece, and a vibration oscillator for propagating ultrasonic vibrations to the cleaning water in which the workpiece is submerged. a holding section, the holding surface of the holding table being configured to hold a tape of a work set in which a ring frame having an opening capable of accommodating a workpiece and a workpiece positioned in the opening are integrated with the tape, the annular wall being disposed on the tape, and the lifting mechanism being configured to form a gap between an upper surface of the tape of the work set held on the holding surface and a lower end of the annular wall, and the cleaning water in which the workpiece is submerged is discharged from the gap while ultrasonic vibrations are propagated to the submerged workpiece to clean the workpiece.

本発明の洗浄装置では、該振動発振部が、該環状壁に配置されていてもよい。In the cleaning device of the present invention, the vibration oscillator may be disposed on the annular wall.

本洗浄装置では、保持面に保持された被加工物を囲むように環状壁を配置し、環状壁の内側に洗浄水を供給して被加工物を水没させて、この水没に用いている洗浄水に超音波振動を伝播させることにより、被加工物を超音波洗浄している。これにより、被加工物を水没させるために水槽を用いる構成に比して、少ない洗浄水で被加工物を超音波洗浄することができる。したがって、洗浄水の貯水時間を短縮することができる。さらに、超音波振動を伝播させる洗浄水が少ないため、超音波振動の出力を小さくすることもできる。このため、洗浄にかかる電力消費量を少なくすることもできる。 In this cleaning device, an annular wall is placed to surround the workpiece held on the holding surface, cleaning water is supplied to the inside of the annular wall to submerge the workpiece, and ultrasonic vibrations are propagated to the cleaning water used for submersion, thereby ultrasonically cleaning the workpiece. This allows the workpiece to be ultrasonically cleaned with less cleaning water compared to a configuration that uses a water tank to submerge the workpiece. This therefore shortens the storage time of the cleaning water. Furthermore, because there is less cleaning water to propagate the ultrasonic vibrations, the output of the ultrasonic vibrations can also be reduced. This also reduces the amount of power consumed for cleaning.

また、本洗浄装置では、環状壁の内側に供給されて被加工物の洗浄に用いられた汚れた洗浄水が、環状壁の上端、環状壁の貫通穴あるいは環状壁の下の隙間を介して、環状壁の外部に排出される。したがって、被加工物に汚れが再付着することを抑制することができる。 In addition, in this cleaning device, dirty cleaning water that is supplied to the inside of the annular wall and used to clean the workpiece is discharged to the outside of the annular wall through the upper end of the annular wall, the through-hole in the annular wall, or the gap under the annular wall. This makes it possible to prevent dirt from re-adhering to the workpiece.

加工装置の構成を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a configuration of a processing device. 洗浄装置の構成を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a configuration of a cleaning device. ウェーハを囲む環状壁を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing an annular wall surrounding a wafer. 貫通孔を有する環状壁を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing an annular wall having a through hole. 他の形態の超音波洗浄ユニットを示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram showing another embodiment of the ultrasonic cleaning unit.

図1に示すように、本実施形態にかかる加工装置1は、被加工物であるウェーハ100を切削加工するものである。 As shown in FIG. 1, the processing device 1 of this embodiment cuts a wafer 100, which is a workpiece.

ウェーハ100は、概略四角形状を有し、表面に格子状の分割予定ライン(図示せず)が形成されている。分割予定ラインによって区画された各領域には、各種デバイス(図示せず)が形成されている。 The wafer 100 has a roughly rectangular shape, with a grid of planned division lines (not shown) formed on its surface. Various devices (not shown) are formed in each area defined by the planned division lines.

本実施形態では、ウェーハ100は、ワークセット107の状態で、図示しないカセットに収容されて加工装置1に搬入され、加工装置1において加工および洗浄される。ワークセット107は、ウェーハ100を収容可能な開口を有するリングフレーム105と、リングフレーム105の開口に位置づけられたウェーハ100とを、ダイシングテープ103によって一体化させることによって形成されている。 In this embodiment, the wafer 100 is contained in a cassette (not shown) in the form of a work set 107 and is carried into the processing device 1, where it is processed and cleaned. The work set 107 is formed by integrating a ring frame 105 having an opening capable of containing the wafer 100 with the wafer 100 positioned in the opening of the ring frame 105 using a dicing tape 103.

以下に、加工装置1の構成について説明する。 The configuration of the processing device 1 is described below.

加工装置1は、支持台10、支持台10に立設された直方体状の筐体12、および、筐体12に内蔵され、加工装置1の各部材を制御する制御部7を備えている。 The processing device 1 includes a support table 10, a rectangular parallelepiped housing 12 standing on the support table 10, and a control unit 7 built into the housing 12 and controlling each component of the processing device 1.

支持台10の-Y方向側には、複数のワークセット107を保持するカセット(図示せず)が載置されるカセットステージ16が設けられている。カセットステージ16の下方における支持台10の内部には、カセットステージ16を上下方向に移動させるためのステージ移動部材13が設けられている。 A cassette stage 16 is provided on the -Y direction side of the support table 10, on which a cassette (not shown) that holds multiple work sets 107 is placed. A stage moving member 13 is provided inside the support table 10 below the cassette stage 16 to move the cassette stage 16 in the vertical direction.

カセットステージ16と支持台10の中央のチャックテーブル20との間には、ワークセット107を搬送するプッシュプル機構17が設けられている。プッシュプル機構17は、カセットに対してワークセット107を出し入れするプッシュプルアーム171と、プッシュプルアーム171をY軸方向に往復移動させるプッシュプルアーム移動機構172とを備えている。 A push-pull mechanism 17 for transporting the work set 107 is provided between the cassette stage 16 and the chuck table 20 at the center of the support base 10. The push-pull mechanism 17 includes a push-pull arm 171 for inserting and removing the work set 107 into and from the cassette, and a push-pull arm movement mechanism 172 for moving the push-pull arm 171 back and forth in the Y-axis direction.

また、チャックテーブル20の筐体12側には、ワークセット107を仮置きするための仮置き部材18が設けられている。プッシュプル機構17は、カセットステージ16上のカセットから仮置き部材18に、切削加工前のウェーハ100を含むワークセット107を搬送および載置する。仮置き部材18は、ワークセット107のX軸方向の位置決めを実施する。 A temporary placement member 18 for temporarily placing the work set 107 is provided on the housing 12 side of the chuck table 20. The push-pull mechanism 17 transports and places the work set 107, including the wafer 100 before cutting, from the cassette on the cassette stage 16 onto the temporary placement member 18. The temporary placement member 18 positions the work set 107 in the X-axis direction.

チャックテーブル20の上部における筐体12の前面には、第1搬送機構30が設けられている。第1搬送機構30は、ワークセット107のリングフレーム105を保持する第1フレーム保持部31、第1フレーム保持部31をY軸方向に移動させる第1移動機構33、および、第1フレーム保持部31をZ軸方向に昇降させる第1昇降機構35を備えている。 A first transport mechanism 30 is provided on the front surface of the housing 12 above the chuck table 20. The first transport mechanism 30 includes a first frame holding unit 31 that holds the ring frame 105 of the work set 107, a first moving mechanism 33 that moves the first frame holding unit 31 in the Y-axis direction, and a first lifting mechanism 35 that raises and lowers the first frame holding unit 31 in the Z-axis direction.

第1搬送機構30は、仮置き部材18上のワークセット107を、チャックテーブル20に搬送および載置する。また、第1搬送機構30は、チャックテーブル20上のワークセット107を、支持台10の+Y方向側に設けられた洗浄装置50に搬送および載置する。 The first transport mechanism 30 transports and places the work set 107 on the temporary placement member 18 onto the chuck table 20. The first transport mechanism 30 also transports and places the work set 107 on the chuck table 20 onto the cleaning device 50 provided on the +Y direction side of the support table 10.

チャックテーブル20は、移動板21上に固定されている。移動板21は、蛇腹状の防水カバー23とともに、支持台10の上面中央の開口を覆っている。移動板21および防水カバー23の下方には、移動板21およびチャックテーブル20をX軸方向に移動させる、たとえばボールねじ式の切削送り機構(図示せず)が設けられている。 The chuck table 20 is fixed onto the movable plate 21. The movable plate 21, together with a bellows-shaped waterproof cover 23, covers an opening in the center of the upper surface of the support base 10. Below the movable plate 21 and the waterproof cover 23, a cutting feed mechanism (not shown), for example of a ball screw type, is provided to move the movable plate 21 and the chuck table 20 in the X-axis direction.

チャックテーブル20は、ポーラス材からなる加工保持面210を有している。この加工保持面210は、図示しない吸引源に連通されることにより、ワークセット107のウェーハ100を、ダイシングテープ103を介して吸引保持する。また、チャックテーブル20の周囲には、4つのクランプ22が設けられている。各クランプ22によって、ワークセット107のリングフレーム105が、四方から挟持固定される。このようにして、チャックテーブル20は、ワークセット107を保持する。 The chuck table 20 has a processing holding surface 210 made of a porous material. This processing holding surface 210 is connected to a suction source (not shown) to suction-hold the wafer 100 of the work set 107 via the dicing tape 103. Four clamps 22 are provided around the periphery of the chuck table 20. The ring frame 105 of the work set 107 is clamped and fixed from all four sides by each clamp 22. In this way, the chuck table 20 holds the work set 107.

チャックテーブル20は、ワークセット107を保持した状態で、移動板21とともに、切削送り機構によって、支持台10上から筐体12の内部に運ばれる。筐体12の内部には、加工ユニット14が設けられている。加工ユニット14は、ワークセット107のウェーハ100を、分割予定ラインに沿って切削加工する。これにより、ウェーハ100に切削溝が形成される。 The chuck table 20, holding the work set 107, is carried together with the moving plate 21 from above the support base 10 into the housing 12 by the cutting feed mechanism. Inside the housing 12, a processing unit 14 is provided. The processing unit 14 cuts the wafer 100 of the work set 107 along the planned division line. As a result, a cutting groove is formed in the wafer 100.

切削加工後、チャックテーブル20および移動板21は、切削送り機構によって支持台10上に戻される。そして、ワークセット107は、第1搬送機構30によって、チャックテーブル20から、チャックテーブル20の奥側の洗浄装置50に送られる。 After cutting, the chuck table 20 and the movable plate 21 are returned to the support table 10 by the cutting feed mechanism. Then, the work set 107 is sent by the first transport mechanism 30 from the chuck table 20 to the cleaning device 50 at the rear side of the chuck table 20.

洗浄装置50は、ワークセット107を保持する保持テーブル51、および、超音波洗浄ユニット55を有している。洗浄装置50では、保持テーブル51によって保持されたワークセット107のウェーハ100が、超音波洗浄ユニット55によって洗浄される。
なお、洗浄装置50の詳細な構成については後述する。
The cleaning apparatus 50 has a holding table 51 that holds a work set 107, and an ultrasonic cleaning unit 55. In the cleaning apparatus 50, the wafer 100 of the work set 107 held by the holding table 51 is cleaned by the ultrasonic cleaning unit 55.
The detailed configuration of the cleaning device 50 will be described later.

洗浄装置50の上部における筐体12の前面には、第2搬送機構60が設けられている。第2搬送機構60は、ワークセット107のリングフレーム105を保持する第2フレーム保持部61、第2フレーム保持部61をY軸方向に移動させる第2移動機構63、および、第2フレーム保持部61をZ軸方向に昇降させる第2昇降機構65を備えている。 A second transport mechanism 60 is provided on the front surface of the housing 12 at the top of the cleaning device 50. The second transport mechanism 60 includes a second frame holding unit 61 that holds the ring frame 105 of the work set 107, a second moving mechanism 63 that moves the second frame holding unit 61 in the Y-axis direction, and a second lifting mechanism 65 that raises and lowers the second frame holding unit 61 in the Z-axis direction.

第2搬送機構60は、洗浄されたウェーハ100を含むワークセット107を、洗浄装置50から搬出して、カセットステージ16上の図示しないカセットに収納する。
なお、第2搬送機構60は、ウェーハ100の切削加工後に、第1搬送機構30に代わって、ウェーハ100を含むワークセット107をチャックテーブル20から洗浄装置50に搬送してもよい。
The second transport mechanism 60 carries the work set 107 including the cleaned wafers 100 out of the cleaning device 50 and stores it in a cassette (not shown) on the cassette stage 16 .
After the wafer 100 has been cut, the second transport mechanism 60 may replace the first transport mechanism 30 in transporting the work set 107 including the wafer 100 from the chuck table 20 to the cleaning device 50 .

また、筐体12の側面には、タッチパネル40が設置されている。タッチパネル40は、ウェーハ100を切削加工するための加工条件を、表示および入力することが可能である。すなわち、タッチパネル40は、ウェーハ100の切削加工に関する加工条件等の各種情報が表示される。また、タッチパネル40は、加工条件等の各種情報を設定するためにも用いられる。このように、タッチパネル40は、情報を入力するための入力部材として機能するとともに、情報を表示するための表示部材としても機能する。 A touch panel 40 is also provided on the side of the housing 12. The touch panel 40 is capable of displaying and inputting processing conditions for cutting the wafer 100. That is, the touch panel 40 displays various information such as processing conditions related to the cutting of the wafer 100. The touch panel 40 is also used to set various information such as processing conditions. In this way, the touch panel 40 functions as an input member for inputting information, and also functions as a display member for displaying information.

制御部7は、各種の処理を実行し、加工装置1の各構成要素を統括制御する。たとえば、制御部7には、各種検出器(図示せず)からの検出結果が入力される。また、制御部7は、加工ユニット14を制御して、ウェーハ100に対する切削加工を実施する。さらに、制御部7は、洗浄装置50を制御して、ウェーハ100を洗浄する。 The control unit 7 executes various processes and controls each component of the processing device 1. For example, detection results from various detectors (not shown) are input to the control unit 7. The control unit 7 also controls the processing unit 14 to perform cutting processing on the wafer 100. Furthermore, the control unit 7 controls the cleaning device 50 to clean the wafer 100.

ここで、洗浄装置50の構成について詳細に説明する。
図2に示すように、洗浄装置50は、ワークセット107を保持する保持テーブル51、および、ワークセット107のウェーハ100を洗浄する超音波洗浄ユニット55を有しており、保持テーブル51の洗浄保持面52に保持されたウェーハ100を洗浄する。
Here, the configuration of the cleaning device 50 will be described in detail.
As shown in FIG. 2, the cleaning device 50 has a holding table 51 that holds a work set 107, and an ultrasonic cleaning unit 55 that cleans the wafer 100 of the work set 107, and cleans the wafer 100 held on the cleaning holding surface 52 of the holding table 51.

保持テーブル51の洗浄保持面52は、ウェーハ100よりも大きく形成されており、ウェーハ100の下面よりも外にはみ出るような面積を有している。洗浄保持面52は、ポーラス材からなり、図示しない吸引源に連通されることにより、ワークセット107のウェーハ100を、ダイシングテープ103を介して吸引保持する。 The cleaning holding surface 52 of the holding table 51 is formed larger than the wafer 100, and has an area that extends beyond the bottom surface of the wafer 100. The cleaning holding surface 52 is made of a porous material and is connected to a suction source (not shown) to suction-hold the wafer 100 of the work set 107 via the dicing tape 103.

保持テーブル51の周囲には、4つのクランプ53が設けられている。各クランプ53によって、ワークセット107のリングフレーム105が、四方から挟持固定される。このようにして、保持テーブル51は、ワークセット107を保持する。
なお、保持テーブル51は、ワークセット107を保持した状態で、洗浄保持面52に垂直に延びる回転軸を中心として回転することが可能である。
Four clamps 53 are provided around the holding table 51. The ring frame 105 of the work set 107 is clamped and fixed from all four sides by each clamp 53. In this manner, the holding table 51 holds the work set 107.
The holding table 51 is capable of rotating about a rotation axis extending perpendicular to the cleaning holding surface 52 while holding the work set 107 .

超音波洗浄ユニット(環状壁ユニット)55は、四角形の枠形状の環状壁56、洗浄水を供給する洗浄水供給部としての洗浄水供給ノズル57、および、超音波振動を発振する第1振動発振部58を有している。 The ultrasonic cleaning unit (annular wall unit) 55 has a rectangular frame-shaped annular wall 56, a cleaning water supply nozzle 57 as a cleaning water supply unit that supplies cleaning water, and a first vibration oscillator 58 that oscillates ultrasonic vibrations.

環状壁56は、洗浄保持面52に保持されたウェーハ100を、ウェーハ100の上面よりも上端が高くなるように囲むことが可能である。たとえば、本実施形態では、環状壁56は、ウェーハ100の厚さよりも大きい厚さ(高さ)を有している。さらに、環状壁56における枠形状の内部(開口部)が、ウェーハ100を収容することができるような大きさに形成されている。 The annular wall 56 can surround the wafer 100 held on the cleaning holding surface 52 so that its upper end is higher than the upper surface of the wafer 100. For example, in this embodiment, the annular wall 56 has a thickness (height) greater than the thickness of the wafer 100. Furthermore, the frame-shaped interior (opening) of the annular wall 56 is formed to be large enough to accommodate the wafer 100.

洗浄水供給ノズル57は、環状壁56の上方に配置されている。洗浄水供給ノズル57は、図示しない洗浄水供給源に連通されることにより、洗浄保持面52によって保持されたウェーハ100を囲むように配置された環状壁56の内側に洗浄水を供給して、ウェーハ100を水没させる。 The cleaning water supply nozzle 57 is disposed above the annular wall 56. The cleaning water supply nozzle 57 is connected to a cleaning water supply source (not shown) to supply cleaning water to the inside of the annular wall 56 arranged to surround the wafer 100 held by the cleaning holding surface 52, thereby submerging the wafer 100.

第1振動発振部58は、環状壁56に配置されており、環状壁56によって囲まれた部分に対して超音波振動を発振する。したがって、第1振動発振部58は、上記のように環状壁56の内側に供給されてウェーハ100を水没させている洗浄水に、超音波振動を伝播させることができる。 The first vibration oscillator 58 is disposed on the annular wall 56 and generates ultrasonic vibrations in the area surrounded by the annular wall 56. Therefore, the first vibration oscillator 58 can propagate ultrasonic vibrations to the cleaning water that is supplied to the inside of the annular wall 56 as described above and in which the wafer 100 is submerged.

また、超音波洗浄ユニット55は、環状壁56および洗浄水供給ノズル57の位置を調整する位置調整部59を有している。 The ultrasonic cleaning unit 55 also has a position adjustment section 59 that adjusts the position of the annular wall 56 and the cleaning water supply nozzle 57.

位置調整部59は、支持台10の内部に配されている昇降機構70、昇降機構70に取り付けられている昇降ブロック72、昇降ブロック72に回転可能に取り付けられている昇降ロッド73、昇降ロッド73を回転させる旋回モータ74、および、昇降ロッド73の上端に配されている旋回アーム75を有している。 The position adjustment unit 59 has a lifting mechanism 70 arranged inside the support base 10, a lifting block 72 attached to the lifting mechanism 70, a lifting rod 73 rotatably attached to the lifting block 72, a swivel motor 74 that rotates the lifting rod 73, and a swivel arm 75 arranged at the upper end of the lifting rod 73.

昇降機構70は、自身に形成されたZ軸方向に延びる溝71に沿って、昇降ブロック72を昇降移動させるように構成されている。
昇降ロッド73は、昇降ブロック72を貫通するように、昇降ブロック72に取り付けられている。昇降ロッド73は、昇降ブロック72とともに、矢印301によって示すように、Z軸方向、すなわち、洗浄保持面52に垂直な方向に昇降移動することが可能である。
The lifting mechanism 70 is configured to move a lifting block 72 up and down along a groove 71 formed in the lifting mechanism 70 and extending in the Z-axis direction.
The lifting rod 73 is attached to the lifting block 72 so as to penetrate the lifting block 72. The lifting rod 73 can move up and down together with the lifting block 72 in the Z-axis direction, i.e., in a direction perpendicular to the cleaning support surface 52, as indicated by an arrow 301.

旋回アーム75は、昇降ロッド73の上端に、ほぼ水平方向に延びるように取り付けられている。また、旋回アーム75の先端には、環状壁56および洗浄水供給ノズル57が取り付けられている。 The swivel arm 75 is attached to the upper end of the lift rod 73 so as to extend in a substantially horizontal direction. The annular wall 56 and the cleaning water supply nozzle 57 are attached to the tip of the swivel arm 75.

したがって、本実施形態では、昇降機構70は、昇降ブロック72、昇降ロッド73および旋回アーム75を介して、環状壁56および洗浄水供給ノズル57を、洗浄保持面52に垂直なZ軸方向に昇降させることが可能である。 Therefore, in this embodiment, the lifting mechanism 70 can raise and lower the annular wall 56 and the cleaning water supply nozzle 57 in the Z-axis direction perpendicular to the cleaning holding surface 52 via the lifting block 72, the lifting rod 73, and the pivot arm 75.

また、昇降ロッド73は、その下端に取り付けられている旋回モータ74によって、矢印302によって示すように回転駆動されることが可能である。昇降ロッド73が回転駆動されることにより、昇降ロッド73の上端に取り付けられている旋回アーム75、ならびに、旋回アーム75に取り付けられている環状壁56および洗浄水供給ノズル57が、水平方向において旋回する。 The lift rod 73 can be rotated as shown by arrow 302 by a swivel motor 74 attached to the lower end of the lift rod 73. When the lift rod 73 is rotated, the swivel arm 75 attached to the upper end of the lift rod 73, and the annular wall 56 and the cleaning water supply nozzle 57 attached to the swivel arm 75 rotate in the horizontal direction.

このように、位置調整部59は、昇降機構70および旋回モータ74の駆動力を用いて、環状壁56を昇降および旋回させることにより、環状壁56を、洗浄保持面52の任意の位置に配置することが可能である。
なお、加工保持面210に環状壁56を配置して、ウェーハ100を洗浄してもよい。
In this way, the position adjustment unit 59 can position the annular wall 56 at any position on the cleaning support surface 52 by raising and lowering and rotating the annular wall 56 using the driving force of the lifting mechanism 70 and the rotating motor 74.
In addition, an annular wall 56 may be disposed on the processing holding surface 210 to clean the wafer 100 .

ここで、制御部7の制御による、洗浄装置50におけるウェーハ100の洗浄動作について説明する。 Here, we will explain the cleaning operation of the wafer 100 in the cleaning device 50 under the control of the control unit 7.

制御部7は、切削加工後のウェーハ100を含むワークセット107を、第1搬送機構30(図1参照)によって洗浄装置50に送り、保持テーブル51の洗浄保持面52によって、ダイシングテープ103を介して、ウェーハ100を吸引保持する。さらに、制御部7は、4つのクランプ53によって、ワークセット107のリングフレーム105を、四方から挟持固定する。 The control unit 7 sends the work set 107 including the wafer 100 after cutting to the cleaning device 50 by the first transport mechanism 30 (see FIG. 1), and the cleaning holding surface 52 of the holding table 51 suction-holds the wafer 100 via the dicing tape 103. Furthermore, the control unit 7 clamps and fixes the ring frame 105 of the work set 107 from all four sides by the four clamps 53.

次に、制御部7は、洗浄装置50の位置調整部59を用いて、図3に示すように、超音波洗浄ユニット55の環状壁56を、ウェーハ100を囲むような位置に配置する。本実施形態では、ウェーハ100はワークセット107に組み込まれているため、環状壁56は、洗浄保持面52上に配されたワークセット107のダイシングテープ103上に、ウェーハ100を囲むように配される。なお、図3ならびに後述する図4および図5では、保持テーブル51および位置調整部59の図示が省略されている。 Next, the control unit 7 uses the position adjustment unit 59 of the cleaning device 50 to position the annular wall 56 of the ultrasonic cleaning unit 55 in a position surrounding the wafer 100, as shown in FIG. 3. In this embodiment, since the wafer 100 is incorporated in the work set 107, the annular wall 56 is positioned on the dicing tape 103 of the work set 107 arranged on the cleaning holding surface 52 so as to surround the wafer 100. Note that the holding table 51 and the position adjustment unit 59 are omitted from FIG. 3 and FIGS. 4 and 5 described below.

そして、制御部7は、洗浄水供給ノズル57を洗浄水供給源に連通させることにより、ウェーハ100を囲んでいる環状壁56の内側に洗浄水を供給して、洗浄保持面52によって保持されているウェーハ100を水没させる。 Then, the control unit 7 connects the cleaning water supply nozzle 57 to a cleaning water supply source to supply cleaning water to the inside of the annular wall 56 surrounding the wafer 100, thereby submerging the wafer 100 held by the cleaning holding surface 52.

さらに、制御部7は、第1振動発振部58を用いて、環状壁56の内側に供給されてウェーハ100を水没させている洗浄水に、超音波振動を伝播させる。これにより、環状壁56の内側で水没しているウェーハ100に超音波振動が伝播されて、ウェーハ100、特に、切削加工によってウェーハ100に形成された切削溝が、良好に超音波洗浄される。
また、環状壁56の内側に供給された洗浄水によって環状壁56の内側が満たされた後、洗浄水は、環状壁56の上端を越えて、環状壁56の外部に排出される。
なお、第1搬送機構30によって保持されているワークセット107のダイシングテープ103の上面に環状壁56を配置させ、洗浄水を供給させ、環状壁56内でウェーハ100を水没させ、ウェーハ100を洗浄してもよい。
Furthermore, the control unit 7 uses the first vibration oscillator 58 to propagate ultrasonic vibrations to the cleaning water that is supplied to the inside of the annular wall 56 and submerges the wafer 100. As a result, the ultrasonic vibrations are propagated to the wafer 100 submerged inside the annular wall 56, and the wafer 100, particularly the cutting grooves formed in the wafer 100 by the cutting process, are ultrasonically cleaned satisfactorily.
After the inside of the annular wall 56 is filled with the cleaning water supplied to the inside of the annular wall 56 , the cleaning water passes over the upper end of the annular wall 56 and is discharged to the outside of the annular wall 56 .
In addition, an annular wall 56 may be placed on the upper surface of the dicing tape 103 of the work set 107 held by the first conveying mechanism 30, cleaning water may be supplied, and the wafer 100 may be submerged within the annular wall 56 to clean the wafer 100.

ウェーハ100の洗浄が終了した後、制御部7は、洗浄水供給ノズル57に対する洗浄水供給源の連通および第1振動発振部58による超音波発振を停止するとともに、位置調整部59を用いて、環状壁56を洗浄保持面52から離間させる。その後、制御部7は、保持テーブル51を回転させることにより、洗浄されたウェーハ100を乾燥させる。 After the cleaning of the wafer 100 is completed, the control unit 7 stops the connection of the cleaning water supply source to the cleaning water supply nozzle 57 and the ultrasonic oscillation by the first vibration oscillator 58, and uses the position adjustment unit 59 to move the annular wall 56 away from the cleaning holding surface 52. The control unit 7 then rotates the holding table 51 to dry the cleaned wafer 100.

そして、制御部7は、洗浄および乾燥されたウェーハ100を含むワークセット107を、第2搬送機構60を用いて、洗浄装置50から搬出して、カセットステージ16上の図示しないカセットに収納する。 Then, the control unit 7 uses the second transport mechanism 60 to transport the work set 107 including the cleaned and dried wafers 100 out of the cleaning device 50 and store it in a cassette (not shown) on the cassette stage 16.

以上のように、本実施形態の洗浄装置50では、ウェーハ100を囲むように環状壁56を配置し、環状壁56の内側に洗浄水を供給してウェーハ100を水没させて、この水没に用いている洗浄水に超音波振動を伝播させることにより、ウェーハ100を超音波洗浄している。これにより、ウェーハ100を水没させるために水槽を用いる構成に比して、少ない洗浄水でウェーハ100を超音波洗浄することができる。したがって、洗浄水の貯水時間を短縮することができる。さらに、超音波振動を伝播させる洗浄水が少ないため、超音波振動の出力を小さくすることもできる。このため、洗浄にかかる電力消費量を少なくすることもできる。 As described above, in the cleaning apparatus 50 of this embodiment, the annular wall 56 is arranged to surround the wafer 100, cleaning water is supplied to the inside of the annular wall 56 to submerge the wafer 100, and ultrasonic vibrations are propagated to the cleaning water used for the submersion, thereby ultrasonically cleaning the wafer 100. This allows the wafer 100 to be ultrasonically cleaned with less cleaning water compared to a configuration that uses a water tank to submerge the wafer 100. This therefore shortens the storage time of the cleaning water. Furthermore, because there is less cleaning water to propagate the ultrasonic vibrations, the output of the ultrasonic vibrations can also be reduced. This also reduces the amount of power consumed for cleaning.

また、本実施形態では、環状壁56の内側に供給されてウェーハ100の洗浄に用いられた汚れた洗浄水が、環状壁56の上端を越えて、環状壁56の外部に排出される。したがって、ウェーハ100に汚れが再付着することを抑制することができる。 In addition, in this embodiment, the dirty cleaning water that is supplied to the inside of the annular wall 56 and used to clean the wafer 100 is discharged to the outside of the annular wall 56 over the upper end of the annular wall 56. Therefore, it is possible to prevent dirt from re-adhering to the wafer 100.

なお、制御部7は、環状壁56を、ウェーハ100を囲むようにダイシングテープ103上に配置する際に、昇降機構70を用いて、ダイシングテープ103に対して環状壁56を密着させてもよいし、ダイシングテープ103と環状壁56との間に隙間を形成してもよい。 When placing the annular wall 56 on the dicing tape 103 so as to surround the wafer 100, the control unit 7 may use the lifting mechanism 70 to bring the annular wall 56 into close contact with the dicing tape 103, or may form a gap between the dicing tape 103 and the annular wall 56.

すなわち、昇降機構70は、洗浄保持面52に保持されたワークセット107のダイシングテープ103の上面と環状壁56の下端との間に隙間を形成するように構成されていてもよい。 That is, the lifting mechanism 70 may be configured to form a gap between the upper surface of the dicing tape 103 of the work set 107 held on the cleaning holding surface 52 and the lower end of the annular wall 56.

この場合、第1振動発振部58によって洗浄水に超音波振動を伝播させることによって、ウェーハ100を水没させている洗浄水を環状壁56の下の隙間から排出させながら、ウェーハ100を超音波洗浄することができる。したがって、この構成では、汚れた洗浄水を隙間から排出しながらウェーハ100を洗浄することができるので、ウェーハ100に汚れが再付着することを抑制することができる。 In this case, by propagating ultrasonic vibrations to the cleaning water by the first vibration oscillator 58, the wafer 100 can be ultrasonically cleaned while the cleaning water in which the wafer 100 is submerged is discharged from the gap under the annular wall 56. Therefore, in this configuration, the wafer 100 can be cleaned while the dirty cleaning water is discharged from the gap, thereby preventing dirt from re-adhering to the wafer 100.

なお、ウェーハ100を囲む環状壁56の下に隙間を形成する場合には、環状壁56の上端がウェーハ100の上面よりも高くなる範囲内において、環状壁56の厚さ(高さ)は、ウェーハ100の厚さ以下であってもよい。
また、隙間の幅(ダイシングテープ103の上面と環状壁56の下面との間隔)は、供給する水量より隙間から排出される水量を小さくするように設定される。これにより、環状壁56の内側に水を溜め、環状壁56に囲まれたウェーハ100を水没させることができる。
In addition, when a gap is formed under the annular wall 56 surrounding the wafer 100, the thickness (height) of the annular wall 56 may be less than or equal to the thickness of the wafer 100, as long as the upper end of the annular wall 56 is higher than the upper surface of the wafer 100.
In addition, the width of the gap (the distance between the upper surface of the dicing tape 103 and the lower surface of the annular wall 56) is set so that the amount of water discharged from the gap is smaller than the amount of water supplied. This allows water to pool inside the annular wall 56, and the wafer 100 surrounded by the annular wall 56 to be submerged in water.

なお、環状壁56は、図4に示すように、環状壁56の内外を貫通する貫通孔561を備えていてもよい。この場合、ワークセット107のダイシングテープ103上に、ウェーハ100を囲むように環状壁56が密着している場合でも、貫通孔561を介して、環状壁56内の洗浄水が環状壁56の外に流れ出ることができる。 As shown in FIG. 4, the annular wall 56 may have a through hole 561 penetrating the inside and outside of the annular wall 56. In this case, even if the annular wall 56 is in close contact with the dicing tape 103 of the work set 107 so as to surround the wafer 100, the cleaning water in the annular wall 56 can flow out of the annular wall 56 via the through hole 561.

したがって、この場合でも、第1振動発振部58によって洗浄水に超音波振動を伝播させることによって、ウェーハ100を水没させている洗浄水を貫通孔561から排出させながら、ウェーハ100を超音波洗浄することができる。したがって、汚れた洗浄水を貫通孔561から排出しながらウェーハ100を洗浄することができるので、ウェーハ100に汚れが再付着することを抑制することができる。
なお、貫通孔561の径および数は、供給する水量より貫通孔561から排出される水量を小さくするように設定される。これにより、環状壁56の内側に水を溜め、環状壁56に囲まれたウェーハ100を水没させることができる。
Therefore, even in this case, by propagating ultrasonic vibrations to the cleaning water by the first vibration oscillator 58, the wafer 100 can be ultrasonically cleaned while the cleaning water in which the wafer 100 is submerged is discharged from the through-hole 561. Therefore, the wafer 100 can be cleaned while the dirty cleaning water is discharged from the through-hole 561, so that redeposition of dirt on the wafer 100 can be suppressed.
The diameter and number of the through holes 561 are set so that the amount of water discharged from the through holes 561 is smaller than the amount of water supplied. This allows water to be stored inside the annular wall 56, and the wafers 100 surrounded by the annular wall 56 to be submerged in water.

また、本実施形態では、ウェーハ100は、ワークセット107の状態で、加工装置1の洗浄装置50において洗浄されている。しかしながら、これに限らず、ウェーハ100は、直接に、洗浄装置50において洗浄されてもよい。 In addition, in this embodiment, the wafer 100 is cleaned in the cleaning device 50 of the processing device 1 while in the work set 107 state. However, this is not limited to this, and the wafer 100 may be cleaned directly in the cleaning device 50.

この場合、制御部7は、切削加工後のウェーハ100を第1搬送機構30によって洗浄装置50に送り、保持テーブル51の洗浄保持面52によって、直接に、ウェーハ100を吸引保持する。 In this case, the control unit 7 sends the wafer 100 after cutting to the cleaning device 50 using the first transport mechanism 30, and directly sucks and holds the wafer 100 using the cleaning holding surface 52 of the holding table 51.

そして、制御部7は、洗浄装置50の位置調整部59を用いて、超音波洗浄ユニット55の環状壁56を、洗浄保持面52上に、ウェーハ100を囲むように配置する。そして、制御部7は、洗浄水供給ノズル57を用いて環状壁56の内側に洗浄水を供給してウェーハ100を水没させ、第1振動発振部58を用いて、ウェーハ100を水没させている洗浄水に超音波振動を伝播させる。これにより、ウェーハ100が超音波洗浄される。 Then, the control unit 7 uses the position adjustment unit 59 of the cleaning device 50 to position the annular wall 56 of the ultrasonic cleaning unit 55 on the cleaning holding surface 52 so as to surround the wafer 100. The control unit 7 then uses the cleaning water supply nozzle 57 to supply cleaning water to the inside of the annular wall 56 to submerge the wafer 100, and uses the first vibration oscillator 58 to propagate ultrasonic vibrations to the cleaning water in which the wafer 100 is submerged. This causes the wafer 100 to be ultrasonically cleaned.

なお、この場合でも、環状壁56が貫通孔561(図4参照)を有していてもよいし、昇降機構70が、洗浄保持面52と環状壁56の下端との間に隙間を形成するように構成されていてもよい。これにより、ウェーハ100を水没させている洗浄水を貫通孔561あるいは環状壁56の下の隙間から排出させながら、ウェーハ100を洗浄することができる。 Even in this case, the annular wall 56 may have a through hole 561 (see FIG. 4), and the lifting mechanism 70 may be configured to form a gap between the cleaning holding surface 52 and the lower end of the annular wall 56. This allows the wafer 100 to be cleaned while the cleaning water submerging the wafer 100 is discharged from the through hole 561 or the gap below the annular wall 56.

また、本実施形態では、洗浄装置50の第1振動発振部58から発振される超音波振動は、横波の超音波振動であることが好ましい。横波の超音波振動を用いる場合、洗浄水における超音波の広がる範囲が、比較的に広くなる。このため、横波の超音波振動を用いることにより、ウェーハ100の全体を良好に洗浄することが可能である。 In addition, in this embodiment, the ultrasonic vibrations oscillated from the first vibration oscillating unit 58 of the cleaning device 50 are preferably transverse ultrasonic vibrations. When using transverse ultrasonic vibrations, the range over which the ultrasonic waves spread in the cleaning water becomes relatively wide. Therefore, by using transverse ultrasonic vibrations, it is possible to clean the entire wafer 100 well.

また、洗浄装置50は、図2~図4に示した超音波洗浄ユニット55に代えて、図5に示すような超音波洗浄ユニット80を有していてもよい。この超音波洗浄ユニット80は、超音波洗浄ユニット55と同様に環状壁56、洗浄水供給ノズル57および位置調整部59(図2参照)を有する一方、第1振動発振部58に代えて、第2振動発振部81を有するものである。なお、図5では、保持テーブル51、洗浄水供給ノズル57および位置調整部59の図示が省略されている。 In addition, the cleaning device 50 may have an ultrasonic cleaning unit 80 as shown in FIG. 5, instead of the ultrasonic cleaning unit 55 shown in FIGS. 2 to 4. This ultrasonic cleaning unit 80 has an annular wall 56, a cleaning water supply nozzle 57, and a position adjustment unit 59 (see FIG. 2) like the ultrasonic cleaning unit 55, but has a second vibration oscillation unit 81 instead of the first vibration oscillation unit 58. Note that the holding table 51, the cleaning water supply nozzle 57, and the position adjustment unit 59 are omitted from FIG. 5.

第2振動発振部81は、超音波振動を発振する超音波発振器82、および、超音波発振器82を、矢印303によって示すように水平方向(Y軸方向)に移動させるための水平移動機構83を有している。第2振動発振部81は、たとえば筐体12(図1参照)の前面に設置されている。 The second vibration oscillator 81 has an ultrasonic oscillator 82 that generates ultrasonic vibrations, and a horizontal movement mechanism 83 for moving the ultrasonic oscillator 82 in the horizontal direction (Y-axis direction) as indicated by arrow 303. The second vibration oscillator 81 is installed, for example, on the front surface of the housing 12 (see FIG. 1).

この構成では、制御部7は、環状壁56の内側に供給されてウェーハ100を水没させている洗浄水に、超音波発振器82によって発振される超音波振動を伝播させながら、水平移動機構83を用いて、超音波発振器82を、ウェーハ100に形成されている切削溝に沿って、Y軸方向に移動させる。これにより、ウェーハ100の切削溝が、良好に超音波洗浄される。 In this configuration, the control unit 7 uses the horizontal movement mechanism 83 to move the ultrasonic oscillator 82 in the Y-axis direction along the cut groove formed in the wafer 100 while propagating ultrasonic vibrations generated by the ultrasonic oscillator 82 to the cleaning water that is supplied to the inside of the annular wall 56 and submerges the wafer 100. This allows the cut groove in the wafer 100 to be ultrasonically cleaned effectively.

なお、図5に示す構成では、第2振動発振部81は、縦波の超音波振動を発振するように構成されていてもよい。縦波の超音波振動では、洗浄水中の超音波の広がる範囲が、比較的に狭くなる。しかし、図5に示す構成では、第2振動発振部81が、水平移動機構83によって、切削溝に沿ってY軸方向に移動される。したがって、ウェーハ100の切削溝を良好に洗浄することができる。
なお、加工装置は研削装置であってもよい。つまり研削装置で研削した被研削面に超音波振動を伝播させ、洗浄してもよい。つまり、被洗浄面を水没させ超音波振動を伝播させて被洗浄面を洗浄させてもよい。
なお、図5に示す構成では、水平移動機構83は、第2振動発振部81を、切削溝に沿って、Y軸方向およびX軸方向に移動させるように構成されていてもよい。
また、超音波発振器82を複数配置してもよい。つまり、複数の板状の超音波振動子を平板に配置した超音波振動ユニットを水面に着水させ、被洗浄面を洗浄してもよい。
また、平板は複数の穴を設けたパンチングプレートでもよい。
また、複数の超音波発振器82の間隔を調整可能に構成されていてもよい。
In the configuration shown in Fig. 5, the second vibration oscillator 81 may be configured to oscillate ultrasonic vibration of a longitudinal wave. In the case of ultrasonic vibration of a longitudinal wave, the range in which ultrasonic waves spread in the cleaning water is relatively narrow. However, in the configuration shown in Fig. 5, the second vibration oscillator 81 is moved in the Y-axis direction along the cut groove by the horizontal movement mechanism 83. Therefore, the cut groove of the wafer 100 can be cleaned well.
The processing device may be a grinding device. In other words, ultrasonic vibrations may be propagated to the surface to be ground that has been ground by the grinding device, and the surface may be cleaned by submerging the surface to be cleaned in water and propagating ultrasonic vibrations thereto.
In the configuration shown in FIG. 5, the horizontal movement mechanism 83 may be configured to move the second vibration oscillator 81 in the Y-axis direction and the X-axis direction along the cut groove.
It is also possible to provide a plurality of ultrasonic oscillators 82. In other words, an ultrasonic vibration unit having a plurality of plate-shaped ultrasonic vibrators arranged on a flat plate may be landed on the water surface to clean the surface to be cleaned.
The flat plate may also be a punched plate having a plurality of holes.
Furthermore, the intervals between the multiple ultrasonic oscillators 82 may be adjustable.

また、本実施形態では、環状壁56は、四角形の枠形状を有している。これに関し、環状壁56の形状は、被加工物の形状に応じて設定されていてもよい。たとえば、円形のウェーハを洗浄する際には、環状壁56は、円形の枠形状を有していてもよい。 In addition, in this embodiment, the annular wall 56 has a rectangular frame shape. In this regard, the shape of the annular wall 56 may be set according to the shape of the workpiece. For example, when cleaning a circular wafer, the annular wall 56 may have a circular frame shape.

1:加工装置、7:制御部、10:支持台、12:筐体、14:加工ユニット、
13:ステージ移動部材、16:カセットステージ、
17:プッシュプル機構、
171:プッシュプルアーム、172:プッシュプルアーム移動機構、
18:仮置き部材、
20:チャックテーブル、210:加工保持面、21:移動板、22:クランプ、
23:防水カバー、
30:第1搬送機構、31:第1フレーム保持部、
33:第1移動機構、35:第1昇降機構、
60:第2搬送機構、61:第2フレーム保持部、
63:第2移動機構、65:第2昇降機構、
40:タッチパネル、
50:洗浄装置、51:保持テーブル、
52:洗浄保持面、53:クランプ、55:超音波洗浄ユニット、
56:環状壁、561:貫通孔、
57:洗浄水供給ノズル、58:第1振動発振部、
59:位置調整部、
70:昇降機構、71:溝、72:昇降ブロック、73:昇降ロッド、
74:旋回モータ、75:旋回アーム、
80:超音波洗浄ユニット、81:第2振動発振部、
82:超音波発振器、83:水平移動機構、
100:ウェーハ、103:ダイシングテープ、
105:リングフレーム、107:ワークセット
1: Processing device, 7: Control unit, 10: Support stand, 12: Housing, 14: Processing unit,
13: stage moving member, 16: cassette stage,
17: push-pull mechanism,
171: push-pull arm, 172: push-pull arm moving mechanism,
18: Temporary placement member,
20: chuck table, 210: processing holding surface, 21: moving plate, 22: clamp,
23: waterproof cover,
30: first transport mechanism, 31: first frame holding unit,
33: first moving mechanism, 35: first lifting mechanism,
60: second transport mechanism, 61: second frame holding unit,
63: second moving mechanism, 65: second lifting mechanism,
40: Touch panel,
50: cleaning device, 51: holding table,
52: cleaning support surface, 53: clamp, 55: ultrasonic cleaning unit,
56: annular wall, 561: through hole,
57: cleaning water supply nozzle, 58: first vibration oscillator,
59: position adjustment unit,
70: lifting mechanism, 71: groove, 72: lifting block, 73: lifting rod,
74: Swivel motor, 75: Swivel arm,
80: ultrasonic cleaning unit, 81: second vibration oscillator,
82: ultrasonic oscillator, 83: horizontal movement mechanism,
100: wafer, 103: dicing tape,
105: Ring frame, 107: Work set

Claims (5)

保持テーブルの保持面に保持された被加工物を洗浄する洗浄装置であって、
該保持面は、被加工物の下面よりも外にはみ出る面積を有し、
該保持面に保持された被加工物を、該被加工物の上面よりも上端が高くなるように囲むことの可能な環状壁と、
該環状壁の内外を貫通する貫通孔と、
該環状壁を該保持面に垂直な方向に昇降させる昇降機構と、
該保持面に保持された被加工物を囲むように配置された該環状壁の内側に洗浄水を供給して、被加工物を水没させる洗浄水供給部と、
被加工物を水没させた該洗浄水に超音波振動を伝播させる振動発振部と、を備え、
被加工物を水没させている該洗浄水を該貫通孔から排出させながら、水没した被加工物に超音波振動を伝播させて被加工物を洗浄する、洗浄装置。
A cleaning device for cleaning a workpiece held on a holding surface of a holding table, comprising:
The holding surface has an area that protrudes outward from the lower surface of the workpiece,
an annular wall capable of surrounding the workpiece held on the holding surface such that an upper end of the annular wall is higher than an upper surface of the workpiece;
a through hole passing through the annular wall from inside to outside;
a lifting mechanism for lifting the annular wall in a direction perpendicular to the holding surface;
a cleaning water supply unit that supplies cleaning water to the inside of the annular wall that is disposed so as to surround the workpiece held on the holding surface, thereby submerging the workpiece;
a vibration generator that propagates ultrasonic vibrations to the cleaning water in which the workpiece is submerged;
The cleaning device cleans the workpiece by transmitting ultrasonic vibrations to the submerged workpiece while discharging the cleaning water in which the workpiece is submerged through the through hole .
該保持テーブルの該保持面は、被加工物を収容可能な開口を有するリングフレームと、該開口に位置づけられた被加工物とをテープで一体化させたワークセットの該テープを保持するように構成されており、
該環状壁が、該テープの上に配置される、
請求項1記載の洗浄装置。
The holding surface of the holding table is configured to hold a tape of a work set in which a ring frame having an opening capable of accommodating a workpiece and the workpiece positioned in the opening are integrated with the tape,
The annular wall is disposed over the tape.
2. The cleaning device according to claim 1.
保持テーブルの保持面に保持された被加工物を洗浄する洗浄装置であって、A cleaning device for cleaning a workpiece held on a holding surface of a holding table, comprising:
該保持面は、被加工物の下面よりも外にはみ出る面積を有し、The holding surface has an area that protrudes outward from the lower surface of the workpiece,
該保持面に保持された被加工物を、該被加工物の上面よりも上端が高くなるように囲むことの可能な環状壁と、an annular wall capable of surrounding the workpiece held on the holding surface such that an upper end of the annular wall is higher than an upper surface of the workpiece;
該環状壁を該保持面に垂直な方向に昇降させる昇降機構と、a lifting mechanism for lifting the annular wall in a direction perpendicular to the holding surface;
該保持面に保持された被加工物を囲むように配置された該環状壁の内側に洗浄水を供給して、被加工物を水没させる洗浄水供給部と、a cleaning water supply unit that supplies cleaning water to the inside of the annular wall that is disposed so as to surround the workpiece held on the holding surface, thereby submerging the workpiece;
被加工物を水没させた該洗浄水に超音波振動を伝播させる振動発振部と、を備え、a vibration generator that propagates ultrasonic vibrations to the cleaning water in which the workpiece is submerged;
該昇降機構は、該保持面と該環状壁の下端との間に隙間を形成するように構成されており、The lifting mechanism is configured to form a gap between the holding surface and a lower end of the annular wall;
該被加工物を水没させている該洗浄水を該隙間から排出させながら、水没した被加工物に超音波振動を伝播させて被加工物を洗浄する、洗浄装置。The cleaning device cleans the workpiece by transmitting ultrasonic vibrations to the submerged workpiece while discharging the cleaning water in which the workpiece is submerged from the gap.
保持テーブルの保持面に保持された被加工物を洗浄する洗浄装置であって、A cleaning device for cleaning a workpiece held on a holding surface of a holding table, comprising:
該保持面は、被加工物の下面よりも外にはみ出る面積を有し、The holding surface has an area that protrudes outward from the lower surface of the workpiece,
該保持面に保持された被加工物を、該被加工物の上面よりも上端が高くなるように囲むことの可能な環状壁と、an annular wall capable of surrounding the workpiece held on the holding surface such that an upper end of the annular wall is higher than an upper surface of the workpiece;
該環状壁を該保持面に垂直な方向に昇降させる昇降機構と、a lifting mechanism for lifting the annular wall in a direction perpendicular to the holding surface;
該保持面に保持された被加工物を囲むように配置された該環状壁の内側に洗浄水を供給して、被加工物を水没させる洗浄水供給部と、a cleaning water supply unit that supplies cleaning water to the inside of the annular wall that is disposed so as to surround the workpiece held on the holding surface, thereby submerging the workpiece;
被加工物を水没させた該洗浄水に超音波振動を伝播させる振動発振部と、を備え、a vibration generator that propagates ultrasonic vibrations to the cleaning water in which the workpiece is submerged;
該保持テーブルの該保持面は、被加工物を収容可能な開口を有するリングフレームと、該開口に位置づけられた被加工物とをテープで一体化させたワークセットの該テープを保持するように構成されており、The holding surface of the holding table is configured to hold a tape of a work set in which a ring frame having an opening capable of accommodating a workpiece and the workpiece positioned in the opening are integrated with the tape,
該環状壁が、該テープの上に配置され、the annular wall is disposed over the tape;
該昇降機構は、該保持面に保持された該ワークセットの該テープの上面と該環状壁の下端との間に隙間を形成するように構成されており、the lifting mechanism is configured to form a gap between an upper surface of the tape of the work set held on the holding surface and a lower end of the annular wall;
該被加工物を水没させている該洗浄水を該隙間から排出させながら、水没した被加工物に超音波振動を伝播させて被加工物を洗浄する、洗浄装置。The cleaning device cleans the workpiece by transmitting ultrasonic vibrations to the submerged workpiece while discharging the cleaning water in which the workpiece is submerged from the gap.
該振動発振部が、該環状壁に配置されている、The vibration oscillator is disposed on the annular wall.
請求項1~4のいずれかに記載の洗浄装置。The cleaning device according to any one of claims 1 to 4.
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