JP7657245B2 - めっき処理方法およびめっき処理装置 - Google Patents

Description

本開示は、めっき処理方法およびめっき処理装置に関する。

従来、基板である半導体ウェハに多層配線を形成する手法として、ビアの内部に形成された銅のシード層を触媒に無電解めっき処理を行い、ビアの内部を銅配線で埋める手法が知られている（特許文献１参照）。

特開２００１－１０２４４８号公報

本開示は、ビアの内部を銅配線で良好に埋めることができる技術を提供する。

本開示の一態様によるめっき処理方法は、準備工程と、第１めっき工程と、第２めっき工程とを含む。準備工程は、凹部にコバルトまたはコバルト合金のシード層が形成された基板を準備する。第１めっき工程は、前記基板に対して銅イオンを含有する第１めっき液を用いて、前記シード層の表層を銅に置換する置換めっき処理を行う。第２めっき工程は、前記第１めっき工程の後に、前記基板に対して銅イオンおよび還元剤を含有する第２めっき液を用いて、前記凹部に還元めっき処理を行う。

本開示によれば、ビアの内部を銅配線で良好に埋めることができる。

図１は、実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 図２は、実施形態に係るめっき処理部の構成を示す図である。 図３は、実施形態に係る第１めっき処理前の基板表面の状態を示す拡大断面図である。 図４は、実施形態に係る第１めっき処理を説明するための図である。 図５は、実施形態に係る第１めっき処理後の基板表面の状態を示す拡大断面図である。 図６は、実施形態に係る第２めっき処理を説明するための図である。 図７は、実施形態に係る第２めっき処理後の基板表面の状態を示す拡大断面図である。 図８は、実施形態の変形例に係る第１めっき処理を説明するための図である。 図９は、実施形態の変形例に係る第２めっき処理を説明するための図である。 図１０は、実施形態の別の変形例に係る第２めっき処理を説明するための図である。 図１１は、実施形態に係るめっき処理における処理手順を示すフローチャートである。

以下、添付図面を参照して、本願の開示するめっき処理方法およびめっき処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。

従来、基板である半導体ウェハに多層配線を形成する手法として、ビアの内部に形成された銅のシード層を触媒に無電解めっき処理を行い、ビアの内部を銅配線で埋める手法が知られている。

一方で、銅のシード層はＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法でしか成膜できないことから、近年の多層配線の微細化にともなってビアの内径が縮小した場合に、ビアの内部に均質な銅のシード層を形成できない場合がある。

そして、ビアの内部に不均質な銅のシード層が形成されることにより、ビアの内部を銅配線で良好に埋めることができない恐れがある。

そこで、上述の問題点を克服し、ビアの内部を銅配線で良好に埋めることができる技術の実現が期待されている。

＜基板処理システムの概要＞
最初に、実施形態に係る基板処理装置１の概略構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の構成を示す図である。基板処理装置１は、めっき処理装置の一例である。

なお、以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示すように、基板処理装置１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション２は、キャリア載置台１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置台１１には、複数枚の基板、実施形態では半導体ウェハ（以下、基板Ｗとも呼称する。）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

キャリア載置台１１には、複数のロードポートが搬送部１２に隣接するように並べて配置されており、複数のロードポートのそれぞれにキャリアＣが１つずつ載置される。

搬送部１２は、キャリア載置台１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、基板Ｗを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間で基板Ｗの搬送を行う。

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数のめっき処理部５とを備える。複数のめっき処理部５は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。めっき処理部５の構成については後述する。

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、基板Ｗを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４およびめっき処理部５間で基板Ｗの搬送を行う。

また、基板処理装置１は、制御装置９を備える。制御装置９は、たとえばコンピュータであり、制御部９１と記憶部９２とを備える。記憶部９２には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９１は、記憶部９２に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置９の記憶部９２にインストールされたものであってもよい。

コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された基板処理装置１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置台１１に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部１４に載置する。

受渡部１４に載置された基板Ｗは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、めっき処理部５へ搬送され、めっき処理部５によって処理される。

たとえば、基板Ｗの表面には、トレンチやビア１２０（図３参照）などの凹部が形成されており、めっき処理部５は、かかる凹部に対して無電解めっき法による金属の埋め込みを行う。

めっき処理部５によって処理された基板Ｗは、基板搬送装置１７によってめっき処理部５から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済の基板Ｗは、基板搬送装置１３によってキャリア載置台１１のキャリアＣへ戻される。

＜めっき処理部の概要＞
次に、めっき処理部５の概略構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、実施形態に係るめっき処理部５の構成を示す図である。めっき処理部５は、たとえば、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理ユニットとして構成される。

めっき処理部５は、無電解めっき処理を含む液処理を行うように構成されている。めっき処理部５は、チャンバ５１と、基板保持部５２と、第１めっき液供給部５３と、第２めっき液供給部５４とを備える。第１めっき液供給部５３および第２めっき液供給部５４は、薬液供給部の一例である。

基板保持部５２は、チャンバ５１内に配置され、基板Ｗを水平に保持する。第１めっき液供給部５３は、基板保持部５２に保持された基板Ｗの表面（上面）に第１めっき液Ｌ１を供給する。第２めっき液供給部５４は、基板保持部５２に保持された基板Ｗの表面（上面）に第２めっき液Ｌ２を供給する。

実施形態において、基板保持部５２は、基板Ｗの下面（裏面）を真空吸着するチャック部材５２１を有している。このチャック部材５２１は、いわゆるバキュームチャックタイプとなっている。

基板保持部５２には、回転シャフト５２２を介して回転モータ５２３（回転駆動部）が連結されている。この回転モータ５２３が駆動されると、基板保持部５２は、基板Ｗとともに回転する。回転モータ５２３は、チャンバ５１に固定されたベース５２４に支持されている。なお、基板保持部５２の内部にはヒータなどの加熱源は設けられていない。

第１めっき液供給部５３は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに第１めっき液Ｌ１を吐出（供給）する第１めっき液ノズル５３１と、かかる第１めっき液ノズル５３１に第１めっき液Ｌ１を供給する第１めっき液供給源５３２とを有する。

このうち、第１めっき液供給源５３２は、所定の温度に加熱ないし温調された第１めっき液Ｌ１を、第１めっき液配管５３３を介して第１めっき液ノズル５３１に供給するように構成されている。

第１めっき液ノズル５３１からの第１めっき液Ｌ１の吐出時の温度は、たとえば４０℃以上７０℃以下であり、より好ましくは６０℃以上７０℃以下である。第１めっき液ノズル５３１は、ノズルアーム５７に保持されて、移動可能に構成されている。

第１めっき液Ｌ１は、置換型の無電解めっき処理（以下、置換めっき処理とも呼称する。）用のめっき液である。第１めっき液Ｌ１は、たとえば、銅（Ｃｕ）イオンを含有する。さらに、実施形態に係る第１めっき液Ｌ１には、還元剤が所与の割合よりも小さい割合だけ含まれるか、もしくは還元剤が含まれない。

第１めっき液Ｌ１に含まれ得る還元剤としては、たとえば、次亜リン酸、ジメチルアミンボラン、グリオキシル酸などが挙げられる。

第２めっき液供給部５４は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに第２めっき液Ｌ２を吐出（供給）する第２めっき液ノズル５４１と、かかる第２めっき液ノズル５４１に第２めっき液Ｌ２を供給する第２めっき液供給源５４２とを有する。

このうち、第２めっき液供給源５４２は、所定の温度に加熱ないし温調された第２めっき液Ｌ２を、第２めっき液配管５４３を介して第２めっき液ノズル５４１に供給するように構成されている。

第２めっき液ノズル５４１からの第２めっき液Ｌ２の吐出時の温度は、たとえば４０℃以上７０℃以下であり、より好ましくは６０℃以上７０℃以下である。第２めっき液ノズル５４１は、ノズルアーム５７に保持されて、移動可能に構成されている。

第２めっき液Ｌ２は、還元型の無電解めっき処理（以下、還元めっき処理とも呼称する。）用のめっき液である。第２めっき液Ｌ２は、たとえば銅イオンと、第１めっき液Ｌ１よりも割合の大きい還元剤とを含有する。第２めっき液Ｌ２に含まれる還元剤は、たとえば、次亜リン酸、ジメチルアミンボラン、グリオキシル酸などである。

なお、実施形態に係る第２めっき液Ｌ２には、金属イオンおよび還元剤に加えて、錯化剤やｐＨ調整剤などが含まれていてもよい。第２めっき液Ｌ２に含まれ得る錯化剤は、銅イオンと錯体を形成しうるものであればよく、オキシカルボン酸またはこの塩、アミノカルボン酸またはこの塩、トリエタノールアミン、グリセリンなどが挙げられる。

かかるオキシカルボン酸としては、たとえば、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸などが挙げられる。また、かかるアミノカルボン酸としては、ニトリロ三酢酸、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、１，３－プロパンジアミン四酢酸、などが挙げられる。

また、第２めっき液Ｌ２に含まれ得るｐＨ調整剤としては、たとえば、酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、水酸化カリウム、アンモニアなどが挙げられる。

めっき処理部５は、また、基板保持部５２に保持された基板Ｗの表面に洗浄液Ｌ３を供給する洗浄液供給部５５と、当該基板Ｗの表面にリンス液Ｌ４を供給するリンス液供給部５６と、を更に備えている。

洗浄液供給部５５は、基板保持部５２に保持されて回転する基板Ｗに対して洗浄液Ｌ３を供給し、基板Ｗを前洗浄処理するものである。この洗浄液供給部５５は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して洗浄液Ｌ３を吐出する洗浄液ノズル５５１と、洗浄液ノズル５５１に洗浄液Ｌ３を供給する洗浄液供給源５５２と、を有している。

このうち、洗浄液供給源５５２は、後述するように所定の温度に加熱ないし温調された洗浄液Ｌ３を、洗浄液配管５５３を介して洗浄液ノズル５５１に供給するように構成されている。洗浄液ノズル５５１は、ノズルアーム５７に保持されて、第１めっき液ノズル５３１や第２めっき液ノズル５４１とともに移動可能になっている。

洗浄液Ｌ３としては、ジカルボン酸またはトリカルボン酸が用いられる。このうち、ジカルボン酸としては、たとえばリンゴ酸、コハク酸、マロン酸、シュウ酸、グルタル酸、アジピン酸、酒石酸等の有機酸を用いることができる。また、トリカルボン酸としては、たとえばクエン酸等の有機酸を用いることができる。

リンス液供給部５６は、基板保持部５２に保持された基板Ｗにリンス液Ｌ４を吐出するリンス液ノズル５６１と、リンス液ノズル５６１にリンス液Ｌ４を供給するリンス液供給源５６２と、を有している。

このうち、リンス液ノズル５６１は、ノズルアーム５７に保持されて、第１めっき液ノズル５３１、第２めっき液ノズル５４１および洗浄液ノズル５５１とともに移動可能になっている。

また、リンス液供給源５６２は、リンス液Ｌ４を、リンス液配管５６３を介してリンス液ノズル５６１に供給するように構成されている。リンス液Ｌ４としては、たとえば、ＤＩＷ（脱イオン水）などを用いることができる。

上述した第１めっき液ノズル５３１、第２めっき液ノズル５４１、洗浄液ノズル５５１およびリンス液ノズル５６１を保持するノズルアーム５７には、図示しないノズル移動機構が連結されている。

このノズル移動機構は、ノズルアーム５７を水平方向および上下方向に移動させる。より具体的には、ノズル移動機構によって、ノズルアーム５７は、基板Ｗに処理液（第１めっき液Ｌ１、第２めっき液Ｌ２、洗浄液Ｌ３またはリンス液Ｌ４）を吐出する吐出位置と、吐出位置から退避した退避位置との間で移動可能になっている。

このうち、吐出位置は、基板Ｗの表面のうちの任意の位置に処理液を供給可能であれば特に限られることはない。たとえば、基板Ｗの中心に処理液を供給可能な位置とすることが好適である。

基板Ｗに第１めっき液Ｌ１を供給する場合と、第２めっき液Ｌ２を供給する場合と、洗浄液Ｌ３を供給する場合と、リンス液Ｌ４を供給する場合とで、ノズルアーム５７の吐出位置は異なってもよい。

退避位置は、チャンバ５１内のうち、上方から見た場合に基板Ｗに重ならない位置であって、吐出位置から離れた位置である。ノズルアーム５７が退避位置に位置づけられている場合、移動する蓋体６がノズルアーム５７と干渉することが回避される。

基板保持部５２の周囲には、カップ５８１が設けられている。このカップ５８１は、上方から見た場合にリング状に形成されており、基板Ｗの回転時に、基板Ｗから飛散した処理液を受け止めて、ドレンダクト５８３に案内する。

カップ５８１の外周側には、雰囲気遮断カバー５８２が設けられており、基板Ｗの周囲の雰囲気がチャンバ５１内に拡散することを抑制している。この雰囲気遮断カバー５８２は、上下方向に延びるように円筒状に形成されており、上端が開口している。雰囲気遮断カバー５８２内に、後述する蓋体６が上方から挿入可能になっている。

実施形態では、基板保持部５２に保持された基板Ｗは、蓋体６によって覆われる。この蓋体６は、天井部６１と、天井部６１から下方に延びる側壁部６２と、を有している。

天井部６１は、第１天井板６１１と、第１天井板６１１上に設けられた第２天井板６１２と、を含んでいる。第１天井板６１１と第２天井板６１２との間には、ヒータ６３が介在されている。

第１天井板６１１および第２天井板６１２は、ヒータ６３を密封し、ヒータ６３が第２めっき液Ｌ２などの処理液に触れないように構成されている。より具体的には、ヒータ６３の外周側にはシールリング６１３が設けられており、このシールリング６１３によってヒータ６３が密封されている。

第１天井板６１１および第２天井板６１２は、第２めっき液Ｌ２などの処理液に対する耐腐食性を有していることが好適であり、たとえば、アルミニウム合金によって形成されていてもよい。更に耐腐食性を高めるために、第１天井板６１１、第２天井板６１２および側壁部６２は、テフロン（登録商標）でコーティングされていてもよい。

蓋体６には、蓋体アーム７１を介して蓋体移動機構７が連結されている。蓋体移動機構７は、蓋体６を水平方向および上下方向に移動させる。より具体的には、蓋体移動機構７は、蓋体６を水平方向に移動させる旋回モータ７２と、蓋体６を上下方向に移動させるシリンダ７３と、を有している。

このうち、旋回モータ７２は、シリンダ７３に対して上下方向に移動可能に設けられた支持プレート７４上に取り付けられている。シリンダ７３の代替えとして、モータとボールねじとを含むアクチュエータ（図示せず）を用いてもよい。

蓋体移動機構７の旋回モータ７２は、蓋体６を、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上方に配置された上方位置と、上方位置から退避した退避位置との間で移動させる。このうち上方位置は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して比較的大きな間隔で対向する位置であって、上方から見た場合に基板Ｗに重なる位置である。

退避位置は、チャンバ５１内のうち、上方から見た場合に基板Ｗに重ならない位置である。蓋体６が退避位置に位置づけられている場合、移動するノズルアーム５７が蓋体６と干渉することが回避される。旋回モータ７２の回転軸線は、上下方向に延びており、蓋体６は、上方位置と退避位置との間で、水平方向に旋回移動可能になっている。

蓋体移動機構７のシリンダ７３は、蓋体６を上下方向に移動させて、第２めっき液Ｌ２が供給された基板Ｗと天井部６１の第１天井板６１１との間隔を調節する。より具体的には、シリンダ７３は、蓋体６を下方位置（図２において実線で示す位置）と、上方位置（図２において二点鎖線で示す位置）とに位置づける。

実施形態では、ヒータ６３が駆動されて、上述した下方位置に蓋体６が位置づけられた場合に、基板保持部５２または基板Ｗ上の第２めっき液Ｌ２が加熱されるように構成されている。

蓋体６の天井部６１および側壁部６２は、蓋体カバー６４により覆われている。この蓋体カバー６４は、蓋体６の第２天井板６１２上に、支持部６５を介して載置されている。すなわち、第２天井板６１２上に、第２天井板６１２の上面から上方に突出する複数の支持部６５が設けられており、この支持部６５に蓋体カバー６４が載置されている。

蓋体カバー６４は、蓋体６とともに水平方向および上下方向に移動可能になっている。また、蓋体カバー６４は、蓋体６内の熱が周囲に逃げることを抑制するために、天井部６１および側壁部６２よりも高い断熱性を有していることが好ましい。

たとえば、蓋体カバー６４は、樹脂材料により形成されていることが好適であり、その樹脂材料が耐熱性を有していることがより一層好適である。

このように実施形態では、ヒータ６３を具備する蓋体６と蓋体カバー６４とが一体的に設けられ、下方位置に配置された場合に基板保持部５２または基板Ｗを覆うカバーユニット１０が、これらの蓋体６及び蓋体カバー６４によって構成される。

チャンバ５１の上部には、蓋体６の周囲に清浄な空気を供給するファンフィルターユニット５９が設けられている。ファンフィルターユニット５９は、チャンバ５１内（とりわけ、雰囲気遮断カバー５８２内）に空気を供給し、供給された空気は、排気管８１に向かって流れる。

蓋体６の周囲には、この空気が下向きに流れるダウンフローが形成され、第２めっき液Ｌ２などの処理液から気化したガスは、このダウンフローによって排気管８１に向かって流れる。このようにして、処理液から気化したガスが上昇してチャンバ５１内に拡散することを防止している。

上述したファンフィルターユニット５９から供給された気体は、排気機構８によって排出されるようになっている。

＜実施形態＞
つづいて、実施形態に係るめっき処理の詳細について、図３～図７を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係る第１めっき処理前の基板Ｗ表面の状態を示す拡大断面図である。

なお、図３に示す基板Ｗには図示しない素子がすでに形成されている。そして、かかる素子形成後の配線形成工程（いわゆるＢＥＯＬ（Back End of Line））において、配線１００上の絶縁膜１１０に形成されたビア１２０を金属配線で埋める各種処理について以下に説明する。

図３に示すように、基板Ｗには金属である配線１００が形成されるとともに、かかる配線１００上に絶縁膜１１０が設けられる。実施形態では、たとえば、絶縁膜１１０の全体が酸化膜で構成される。

実施形態に係る配線１００は、酸化膜である絶縁膜１１０の内部を拡散しない元素で構成される。配線１００は、たとえば、Ｃｏ、ＮｉまたはＲｕを含む導電性の材料で構成される。

また、基板Ｗには、絶縁膜１１０における所与の位置にビア１２０が形成される。かかるビア１２０は、凹部の一例であり、絶縁膜１１０の上面から配線１００まで貫通するように形成される。

また、実施形態に係る第１めっき処理に先立って、ビア１２０の内部を含めた基板Ｗの表面には、ＴａやＴａＮなどで構成されるバリア層１３１と、コバルト（Ｃｏ）またはコバルト合金で構成されるシード層１３２とが順に成膜される。

ここで、実施形態では、たとえば、コバルトまたはコバルト合金で構成されるシード層１３２が、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で形成される。

また、基板Ｗの絶縁膜１１０にビア１２０を形成する方法としては、従来公知の方法から適宜採用することができる。具体的には、たとえば、ドライエッチング技術として、フッ素系または塩素系ガスなどを用いた汎用的技術を適用することができる。

特に、アスペクト比（径に対する深さの比率）の大きなビア１２０を形成する手法として、高速な深掘エッチングが可能なＩＣＰ－ＲＩＥ（Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching：誘導結合プラズマ－反応性イオンエッチング）の技術を採用することができる。

たとえば、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）を用いたエッチングステップとＣ_４Ｆ_８などのガスを用いた保護ステップとを繰り返しながら行う、いわゆるボッシュプロセスを好適に採用することができる。

図３に示すように、配線１００上の絶縁膜１１０にビア１２０が形成され、バリア層１３１およびシード層１３２が成膜された基板Ｗは、上述のめっき処理部５に搬入され、所与のめっき処理が行われる。

図４は、実施形態に係る第１めっき処理を説明するための図である。図４に示すように、実施形態に係るめっき処理方法では、まず、制御部９１（図１参照）が、第１めっき液供給部５３を制御して、基板Ｗの表面に第１めっき液ノズル５３１から第１めっき液Ｌ１を吐出する。

これにより、制御部９１は、かかる第１めっき液Ｌ１を用いて、ビア１２０（図３参照）に対する置換めっき処理を行う。

この置換めっき処理により、図５に示すように、ビア１２０の内部に形成されるシード層１３２のコバルトの表層が銅の薄膜１３３に置換される。図５は、実施形態に係る第１めっき処理後の基板Ｗ表面の状態を示す拡大断面図である。

そして、実施形態に係るめっき処理方法では、図６に示すように、上述の第１めっき処理につづいて、制御部９１（図１参照）が、第２めっき液供給部５４を制御して、基板Ｗの表面に第２めっき液ノズル５４１から第２めっき液Ｌ２を吐出する。図６は、実施形態に係る第２めっき処理を説明するための図である。

これにより、制御部９１は、かかる第２めっき液Ｌ２を用いて、ビア１２０（図５参照）に対する還元めっき処理を行う。

この還元めっき処理により、図７に示すように、ビア１２０の内部に露出する銅の薄膜１３３を触媒にして銅の還元めっき膜１３４が形成され、ビア１２０の内部が還元めっき膜１３４で埋まる。図７は、実施形態に係る第２めっき処理後の基板Ｗ表面の状態を示す拡大断面図である。

このように、実施形態では、置換めっき処理で形成された薄膜１３３を触媒にして還元めっき膜１３４を形成し、ビア１２０の内部を還元めっき膜１３４で埋める。これにより、アスペクト比が大きく銅配線を形成しにくいビア１２０の内部に、ボイドやシームなどが含まれない良好な銅配線を形成することができる。

ここで、実施形態では、コバルトで構成されるシード層１３２に直接還元めっき処理を行うのではなく、かかるシード層１３２の表層を銅の薄膜１３３に置換してから還元めっき処理を行う。これにより、コバルトを触媒にして銅の還元めっき膜１３４を形成する場合と比べて、ビア１２０の内部を銅配線で良好に埋めることができる。

また、もし仮に、銅で構成されるシード層に還元めっき処理を行おうとした場合、かかる銅のシード層は通常ＰＶＤ法でしか成膜できない。そのため、特に多層配線の微細化にともなってビア１２０の内径が縮小した場合に、ビア１２０の内部に均質なシード層を形成できない恐れがある。

そして、ビア１２０の内部に不均質なシード層が形成されることにより、ビア１２０の内部を還元めっき膜１３４（すなわち、銅配線）で良好に埋めることができない恐れがある。

しかしながら、実施形態では、ＰＶＤ法以外の手法でも形成可能なコバルトのシード層１３２が用いられていることから、銅のシード層を用いる場合と比べて、ビア１２０の内部に均質なシード層１３２を形成することができる。したがって、実施形態によれば、銅のシード層を用いる場合と比べて、ビア１２０の内部を銅配線で良好に埋めることができる。

また、実施形態では、コバルトのシード層１３２がＣＶＤ法により形成されるとよい。これにより、ビア１２０の内部にさらに均質なシード層１３２を形成することができる。したがって、実施形態によれば、ビア１２０の内部を銅配線でさらに良好に埋めることができる。

また、実施形態では、コバルトのシード層１３２が、１（ｎｍ）以上の厚みであるとよい。これにより、島状ではなく膜状のシード層１３２をビア１２０の内部に形成することができることから、ビア１２０の内部にさらに均質なシード層１３２を形成することができる。したがって、実施形態によれば、ビア１２０の内部を銅配線でさらに良好に埋めることができる。

また、実施形態では、コバルトのシード層１３２が、２（ｎｍ）～５（ｎｍ）の厚みであるとさらによい。これにより、ビア１２０の内部にさらに均質なシード層１３２を形成することができるとともに、厚いコバルトのシード層１３２による電気抵抗の悪化を抑制することができる。

つづいて、ここまで説明した第１めっき処理および第２めっき処理の詳細について説明する。第１めっき処理は、たとえば、室温または室温よりも高い温度（たとえば、２３（℃）～７０（℃））の第１めっき液Ｌ１を基板Ｗに供給して行われる。

このように、室温よりも高い温度の第１めっき液Ｌ１で置換めっき処理を実施することにより、シード層１３２の表層を効率よく薄膜１３３に置換することができる。

また、第１めっき処理は、基板Ｗの回転数を１０００（ｒｐｍ）以下に制御して実施されるとよい。これにより、基板Ｗの表面で第１めっき液Ｌ１が振り切られて液切れすることを抑制することができる。したがって、実施形態によれば、基板Ｗの表面全面で均等に置換めっき処理を実施することができる。

第１めっき処理は、たとえば、基板Ｗを低回転（たとえば、２０（ｒｐｍ）程度）に制御して、基板Ｗの表面に第１めっき液Ｌ１のパドル（液盛り）を形成しながら実施されるとよい。これにより、第１めっき処理において、第１めっき液Ｌ１の使用量を削減することができる。

また、第１めっき処理は、たとえば、基板Ｗ表面における第１めっき液Ｌ１のパドル形成処理と、かかるパドルの振り切り処理とを繰り返して実施してもよい。

これにより、実施形態に係る第１めっき処理では、第１めっき液Ｌ１の使用量を削減することができるとともに、置換されたコバルトなどの不純物を第１めっき液Ｌ１から除くことができるため、良好な状態の薄膜１３３を形成することができる。

また、第１めっき処理は、たとえば、基板Ｗを比較的高回転（たとえば、２５０（ｒｐｍ）程度）に制御して、継続的に供給される第１めっき液Ｌ１を基板Ｗの端部から随時排液しながら実施してもよい。これにより、第１めっき処理において、置換されたコバルトなどの不純物を第１めっき液Ｌ１から除くことができるため、良好な状態の薄膜１３３を形成することができる。

また、第１めっき処理は、たとえば、還元剤を含まない第１めっき液Ｌ１で行われるとよい。これにより、第１めっき液供給源５３２（図２参照）において貯留される第１めっき液Ｌ１内で金属イオンと還元剤とが反応することを抑制することができることから、第１めっき処理の処理効率を向上させることができる。

実施形態に係る第２めっき処理は、基板Ｗの回転数を１００（ｒｐｍ）以下に制御して実施されるとよい。これにより、基板Ｗの表面に第２めっき液Ｌ２のパドルを形成しながら還元めっき処理を実施することができるため、第２めっき処理において、第２めっき液Ｌ２の使用量を削減することができる。

また、第２めっき処理は、たとえば、第２めっき液Ｌ２のパドルが形成された基板Ｗを蓋体６で覆い、かかる第２めっき液Ｌ２のパドルを蓋体６のヒータ６３で所与の温度（たとえば、４０（℃）～７０（℃）に昇温しながら実施されるとよい。

これにより、室温よりも高い温度の第２めっき液Ｌ２で還元めっき処理を実施することができることから、ビア１２０が微細化されている場合でも、かかるビア１２０の内部を還元めっき膜１３４でさらに良好に埋めることができる。

また、第２めっき処理における第２めっき液Ｌ２の温度は、第１めっき処理における第１めっき液Ｌ１の温度よりも高いとよい。これにより、より時間がかかる第２めっき処理を効率よく実施することができることから、基板Ｗの全体的な処理時間を低減することができる。

第２めっき処理は、まず、第２めっき液Ｌ２を基板Ｗの表面に供給して、かかる第２めっき液Ｌ２のパドルを基板Ｗの表面に形成する。

次に、第２めっき液Ｌ２のパドルが形成された基板Ｗが蓋体６によって覆われる。この場合、まず、蓋体移動機構７の旋回モータ７２が駆動されて、蓋体６が水平方向に旋回移動して、上方位置（図２における二点鎖線で示す位置）に位置づけられる。

そして、蓋体移動機構７のシリンダ７３が駆動されて、上方位置に位置づけられた蓋体６が下降して処理位置に位置づけられる。これにより、基板Ｗ上の第２めっき液Ｌ２と蓋体６の第１天井板６１１との間隔が所与の間隔になり、蓋体６の側壁部６２が、基板Ｗの外周側に配置される。

実施形態では、蓋体６の側壁部６２の下端が、基板Ｗの下面よりも低い位置に位置づけられる。このようにして、基板Ｗが蓋体６によって覆われて、基板Ｗの周囲の空間が閉塞化される。

次に、ヒータ６３がオンされて、基板Ｗ上に液盛りされた第２めっき液Ｌ２が加熱される。ヒータ６３の設定温度は、第２めっき液Ｌ２が上述した所与の温度になる目標温度に固定される。かかる目標温度は、たとえば１００（℃）～１４０（℃）である。

第２めっき液Ｌ２の温度が、成分が析出する温度まで上昇すると、薄膜１３３の表面に第２めっき液Ｌ２の成分が析出し、還元めっき膜１３４が形成される。

そして、ヒータ６３による加熱処理が開始されてから、加熱処理の処理時間として予め設定された時間が経過すると、ヒータ６３がオフされる。

次に、基板Ｗから蓋体６が退避される。たとえば、蓋体移動機構７が駆動されて蓋体６が退避位置に位置づけられ、さらに蓋体移動機構７の旋回モータ７２が駆動されて、上方位置に位置づけられた蓋体６が水平方向に旋回移動して、退避位置に位置づけられる。これにより、第２めっき処理が終了する。

なお、第１めっき処理が終了してから第２めっき処理が開始されるまでの間、基板Ｗの表面は第１めっき液Ｌ１で濡れている状態（すなわち、基板Ｗの表面に第１めっき液Ｌ１の液膜が形成された状態）であるとよい。これにより、第１めっき処理で形成された薄膜１３３が空気によって酸化することを抑制することができる。

すなわち、実施形態では、良好な状態の薄膜１３３を触媒にして第２めっき処理を実施することができることから、ビア１２０の内部を還元めっき膜１３４でさらに良好に埋めることができる。

＜各種変形例＞
つづいて、実施形態の各種変形例について、図８～図１０を参照しながら説明する。図８は、実施形態の変形例に係る第１めっき処理を説明するための図である。

図８に示すように、変形例に係るめっき処理方法では、まず、制御部９１（図１参照）が、第１めっき液供給部５３を制御して、基板Ｗの表面に第１めっき液ノズル５３１から第１めっき液Ｌ１を吐出する。

これにより、制御部９１は、かかる第１めっき液Ｌ１を用いて、ビア１２０（図３参照）に対する置換めっき処理を行う。この置換めっき処理により、図５に示したように、ビア１２０の内部に形成されるシード層１３２のコバルトの表層が、銅の薄膜１３３に置換される。なお、変形例に係る第１めっき処理は、上述の実施形態と同様であることから、詳細な説明は省略する。

図９は、実施形態の変形例に係る第２めっき処理を説明するための図である。図９に示すように、変形例に係るめっき処理方法では、上述の第１めっき処理につづいて、制御部９１（図１参照）が、第１めっき液供給部５３を制御して、基板Ｗの表面に第１めっき液ノズル５３１から第１めっき液Ｌ１を吐出する。

さらに、変形例では、制御部９１が、第２めっき液供給部５４を制御して、基板Ｗの表面に第２めっき液ノズル５４１から第３めっき液Ｌ２ａを吐出する。かかる第３めっき液Ｌ２ａには、第１めっき液Ｌ１よりも割合の大きい還元剤が含まれるとともに、銅イオンが含まれない。

変形例では、制御部９１が、第２めっき処理において、第１めっき液Ｌ１と第３めっき液Ｌ２ａとを基板Ｗの表面に吐出して、かかる基板Ｗの表面で混合し、第２めっき液Ｌ２を生成する。そして、制御部９１は、生成された第２めっき液Ｌ２を用いて、ビア１２０（図５参照）に対する還元めっき処理を行う。

これにより、かかるビア１２０内に還元めっき膜１３４（図７参照）が形成される。なお、変形例に係る第２めっき処理は、第２めっき液Ｌ２ではなく第１めっき液Ｌ１と第３めっき液Ｌ２ａを同時に吐出する点以外は上述の実施形態と同様であることから、詳細な説明は省略する。

ここまで説明した変形例では、上述の実施形態と同様に、コバルトで構成されるシード層１３２の表層を銅の薄膜１３３に置換してから還元めっき処理を行う。したがって、変形例によれば、上述の実施形態と同様に、ビア１２０の内部を銅配線で良好に埋めることができる。

また、変形例では、第１めっき液Ｌ１が還元剤を含まないとともに、第３めっき液Ｌ２ａが還元剤および不可避的不純物からなるとよい。そして、変形例では、かかる第１めっき液Ｌ１と第３めっき液Ｌ２ａとを基板Ｗの表面で混合することにより、第２めっき液Ｌ２を生成するとよい。

これにより、貯留されている第２めっき液Ｌ２内で銅イオンと還元剤との反応が待機中にも進んでしまうことを抑制することができる。すなわち、変形例では、還元めっき処理に用いられる第２めっき液Ｌ２の劣化を抑制できることから、ビア１２０の内部を銅配線でさらに良好に埋めることができる。

なお、ここまで説明した変形例では、第１めっき液Ｌ１と第３めっき液Ｌ２ａとを基板Ｗの表面で混合して第２めっき液Ｌ２を生成する例について示した。しかしながら、本開示はかかる例に限られず、たとえば、第１めっき液Ｌ１と第３めっき液Ｌ２ａとを基板Ｗの上方で（すなわち、吐出された第１めっき液Ｌ１および第３めっき液Ｌ２ａが基板Ｗに到達する前に）混合して第２めっき液Ｌ２を生成してもよい。

また、上述した変形例では、第２めっき処理において、第１めっき液Ｌ１と第３めっき液Ｌ２ａとを両方吐出する例について示したが、本開示はかかる例に限られない。図１０は、実施形態の別の変形例に係る第２めっき処理を説明するための図である。

図１０に示すように、制御部９１（図１参照）は、第２めっき処理において、第２めっき液供給部５４を制御して、第１めっき液Ｌ１の液膜が形成された基板Ｗの表面に、第２めっき液ノズル５４１から第３めっき液Ｌ２ａのみを吐出する。これにより、制御部９１は、吐出された第３めっき液Ｌ２ａと基板Ｗ表面の第１めっき液Ｌ１の液膜とを混合し、第２めっき液Ｌ２を生成する。

そして、制御部９１は、生成された第２めっき液Ｌ２を用いて、ビア１２０（図４参照）に対する還元めっき処理を行う。これにより、かかるビア１２０内に還元めっき膜１３４（図６参照）が形成される。

ここまで説明した別の変形例では、上述の実施形態と同様に、コバルトで構成されるシード層１３２の表層を置換めっき処理で銅の薄膜１３３に置換してから還元めっき処理を行う。したがって、別の変形例によれば、上述の実施形態と同様に、ビア１２０の内部を銅配線で良好に埋めることができる。

また、別の変形例では、上述の変形例と同様に、還元めっき処理に用いられる第２めっき液Ｌ２の劣化を抑制できることから、ビア１２０の内部を銅配線でさらに良好に埋めることができる。

なお、ここまで説明した実施形態および各種変形例では、ビア１２０を銅配線（還元めっき膜１３４）で埋める例について示したが、本開示はかかる例に限られず、基板Ｗの表面に形成される各種の凹部（たとえば、トレンチなど）を銅配線で埋めてもよい。

実施形態に係るめっき処理装置（基板処理装置１）は、基板Ｗを回転可能に保持する基板保持部５２と、基板Ｗに薬液を供給する薬液供給部（第１めっき液供給部５３、第２めっき液供給部５４）と、各部を制御する制御部９１と、を備える。また、制御部９１は、凹部（ビア１２０）にコバルトまたはコバルト合金のシード層１３２が形成された基板Ｗを基板保持部５２で保持する。また、制御部９１は、基板Ｗに対して銅イオンを含有する第１めっき液Ｌ１を用いて、シード層１３２の表層を銅に置換する置換めっき処理を行う。また、制御部９１は、置換めっき処理の後に、基板Ｗに対して銅イオンおよび還元剤を含有する第２めっき液Ｌ２を用いて、凹部（ビア１２０）に還元めっき処理を行う。これにより、ビア１２０の内部を銅配線で良好に埋めることができる。

また、実施形態に係るめっき処理装置（基板処理装置１）において、薬液供給部は、還元剤が所与の割合よりも小さい第１めっき液Ｌ１と、第１めっき液Ｌ１よりも割合の大きい還元剤を含む第３めっき液Ｌ２ａとを基板Ｗに供給可能に構成される。また、制御部９１は、基板Ｗ上で第１めっき液Ｌ１と第３めっき液Ｌ２ａを混合して生成される第２めっき液Ｌ２を用いて還元めっき処理を行う。これにより、ビア１２０の内部を銅配線でさらに良好に埋めることができる。

また、実施形態に係るめっき処理装置（基板処理装置１）において、制御部９１は、置換めっき処理の際に、基板Ｗの回転数を１０００（ｒｐｍ）以下に制御する。これにより、基板Ｗの表面全面で均等に置換めっき処理を実施することができる。

また、実施形態に係るめっき処理装置（基板処理装置１）において、制御部９１は、還元めっき処理の際に、基板の回転数を１００（ｒｐｍ）以下に制御する。これにより、第２めっき液Ｌ２の使用量を削減することができる。

＜めっき処理の詳細＞
つづいて、図１１を参照しながら、実施形態に係る基板処理装置１が実行するめっき処理の詳細について説明する。図１１は、実施形態に係るめっき処理の処理手順を示すフローチャートである。

最初に、制御部９１は、基板搬送装置１３、１７を制御して、キャリアＣからめっき処理部５の内部に基板Ｗを搬送し、基板保持部５２で基板Ｗを保持することにより、基板Ｗを準備する（ステップＳ１０１）。

次に、制御部９１は、基板Ｗに洗浄処理を行う（ステップＳ１０２）。この場合、まず、回転モータ５２３が駆動されて基板Ｗが所定の回転数で回転する。つづいて、退避位置（図２における実線で示す位置）に位置づけられていたノズルアーム５７が、基板Ｗの中央上方の吐出位置に移動する。

次に、回転する基板Ｗに、洗浄液ノズル５５１から洗浄液Ｌ３が供給されて、基板Ｗの表面が洗浄される。これにより、基板Ｗに付着した付着物等が、基板Ｗから除去される。基板Ｗに供給された洗浄液Ｌ３は、ドレンダクト５８３に排出される。

次に、制御部９１は、基板Ｗにリンス処理を行う（ステップＳ１０３）。この場合、回転する基板Ｗに、リンス液ノズル５６１からリンス液Ｌ４が供給されて、基板Ｗの表面がリンス処理される。これにより、基板Ｗ上に残存する洗浄液Ｌ３が洗い流される。基板Ｗに供給されたリンス液Ｌ４はドレンダクト５８３に排出される。

次に、制御部９１は、基板Ｗに第１めっき処理を行う（ステップＳ１０４）。この場合、１０００（ｒｐｍ）以下で回転する基板Ｗに、第１めっき液ノズル５３１から第１めっき液Ｌ１が供給されて、ビア１２０の内部に形成されるコバルトのシード層１３２が置換めっき処理される。

これにより、コバルトのシード層１３２の表層に銅の薄膜１３３が形成される。基板Ｗに供給された第１めっき液Ｌ１はドレンダクト５８３に排出される。

次に、制御部９１は、基板Ｗに第２めっき処理を行う（ステップＳ１０５）。この場合、１００（ｒｐｍ）以下で回転する基板Ｗに、第２めっき液ノズル５４１から第２めっき液Ｌ２が供給されて、基板Ｗの表面に第２めっき液Ｌ２のパドルが形成される。これにより、第１めっき処理で形成された銅の薄膜１３３を触媒にして、ビア１２０の内部に還元めっき膜１３４が形成される。

次に、制御部９１は、基板Ｗを蓋体６で覆い、ヒータ６３を動作させることにより、基板Ｗの表面に形成された第２めっき液Ｌ２のパドルを加熱する処理を行う（ステップＳ１０６）。これにより、還元めっき膜１３４の形成が促進される。なお、かかるステップＳ１０６の処理の詳細は上述していることから、詳細な説明は省略する。

次に、制御部９１は、基板Ｗにリンス処理を行う（ステップＳ１０７）。この場合、まず、蓋体６が基板Ｗの上方から退避する。つづいて、回転モータ５２３が駆動されて基板Ｗが所定の回転数で回転する。

そして、回転する基板Ｗに、リンス液ノズル５６１からリンス液Ｌ４が供給されて、基板Ｗの表面がリンス処理される。これにより、基板Ｗ上に残存する第２めっき液Ｌ２が洗い流される。基板Ｗに供給されたリンス液Ｌ４はドレンダクト５８３に排出される。

次に、リンス処理された基板Ｗが乾燥処理される（ステップＳ１０８）。この場合、たとえば、基板Ｗの回転数を、リンス処理（ステップＳ１０７）の回転数よりも増加させて、基板Ｗを高速で回転させる。これにより、基板Ｗ上に残存するリンス液Ｌ４が振り切られて基板Ｗが乾燥する。

かかる乾燥処理が終了すると、基板Ｗは、基板搬送装置１７によってめっき処理部５から取り出されて受渡部１４に搬送される。また、受渡部１４に搬送された基板Ｗは、基板搬送装置１３によって受渡部１４から取り出されてキャリアＣに収容される。これにより、１枚の基板Ｗに対する一連のめっき処理が終了する。

実施形態に係るめっき処理方法は、準備工程（ステップＳ１０１）と、第１めっき工程（ステップＳ１０４）と、第２めっき工程（ステップＳ１０５）とを含む。準備工程（ステップＳ１０１）は、凹部（ビア１２０）にコバルトまたはコバルト合金のシード層１３２が形成された基板Ｗを準備する。第１めっき工程（ステップＳ１０４）は、基板Ｗに対して銅イオンを含有する第１めっき液Ｌ１を用いて、シード層１３２の表層を銅に置換する置換めっき処理を行う。第２めっき工程（ステップＳ１０５）は、第１めっき工程（ステップＳ１０４）の後に、基板Ｗに対して銅イオンおよび還元剤を含有する第２めっき液Ｌ２を用いて、凹部（ビア１２０）に還元めっき処理を行う。これにより、ビア１２０の内部を銅配線で良好に埋めることができる。

また、実施形態に係るめっき処理方法において、第２めっき工程は、還元剤が所与の割合よりも小さい第１めっき液Ｌ１と、第１めっき液Ｌ１よりも割合の大きい還元剤を含む第３めっき液Ｌ２ａとを混合して生成される第２めっき液Ｌ２を用いて行われる。これにより、ビア１２０の内部を銅配線でさらに良好に埋めることができる。

また、実施形態に係るめっき処理方法において、第１めっき液Ｌ１は、還元剤を含まない。これにより、ビア１２０の内部を銅配線でさらに良好に埋めることができる。

また、実施形態に係るめっき処理方法において、第２めっき工程（ステップＳ１０５）は、第１めっき液Ｌ１で濡れた状態の基板Ｗに対して行われる。これにより、ビア１２０の内部を還元めっき膜１３４でさらに良好に埋めることができる。

また、実施形態に係るめっき処理方法において、シード層１３２は、ＣＶＤ法により形成される。これにより、ビア１２０の内部を銅配線でさらに良好に埋めることができる。

また、実施形態に係るめっき処理方法において、シード層１３２の厚みは、１（ｎｍ）以上である。これにより、ビア１２０の内部を銅配線でさらに良好に埋めることができる。

また、実施形態に係るめっき処理方法において、第２めっき液Ｌ２は、第１めっき液＋１よりも温度が高い。これにより、基板Ｗの全体的な処理時間を低減することができる。

以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１ 基板処理装置（めっき処理装置の一例）
５ めっき処理部
５２ 基板保持部
５３ 第１めっき液供給部（薬液供給部の一例）
５４ 第２めっき液供給部（薬液供給部の一例）
９１ 制御部
１２０ ビア（凹部の一例）
１３２ シード層
１３３ 薄膜
１３４ 還元めっき膜
Ｌ１ 第１めっき液
Ｌ２ 第２めっき液
Ｌ２ａ 第３めっき液
Ｗ 基板

Claims (7)

1. 凹部にコバルトまたはコバルト合金のシード層が形成された基板を準備する準備工程と、
   前記基板に対して銅イオンを含有する第１めっき液を用いて、前記シード層の表層を銅に置換する置換めっき処理を行う第１めっき工程と、
   前記第１めっき工程の後に、前記基板に対して銅イオンおよび還元剤を含有する第２めっき液を用いて、前記凹部に還元めっき処理を行う第２めっき工程と、
   を含み、
   前記第１めっき工程および前記第２めっき工程は、前記基板を回転可能に保持する基板保持部で前記基板を回転させながら、前記第１めっき液または前記第２めっき液を前記基板に供給して行われ、
   前記第１めっき工程での前記基板の回転数は１０００（ｒｐｍ）以下であり、前記第２めっき工程での前記基板の回転数は１００（ｒｐｍ）以下である
   めっき処理方法。
2. 前記第１めっき液は、還元剤を含まない
   請求項１に記載のめっき処理方法。
3. 前記第２めっき工程は、前記第１めっき液で濡れた状態の前記基板に対して行われる
   請求項１または２に記載のめっき処理方法。
4. 前記シード層は、ＣＶＤ法により形成される
   請求項１～３のいずれか一つに記載のめっき処理方法。
5. 前記シード層の厚みは、１（ｎｍ）以上である
   請求項１～４のいずれか一つに記載のめっき処理方法。
6. 前記第２めっき液は、前記第１めっき液よりも温度が高い
   請求項１～５のいずれか一つに記載のめっき処理方法。
7. 基板を回転可能に保持する基板保持部と、
   前記基板に薬液を供給する薬液供給部と、
   各部を制御する制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、
   凹部にコバルトまたはコバルト合金のシード層が形成された前記基板を前記基板保持部で保持し、
   前記基板を回転させながら前記基板に対して銅イオンを含有する第１めっき液を供給して、前記シード層の表層を銅に置換する置換めっき処理を行い、
   前記置換めっき処理の後に、前記基板を回転させながら前記基板に対して銅イオンおよび還元剤を含有する第２めっき液を供給して、前記凹部に還元めっき処理を行い、
   前記置換めっき処理での前記基板の回転数は１０００（ｒｐｍ）以下であり、前記還元めっき処理での前記基板の回転数は１００（ｒｐｍ）以下である
   めっき処理装置。

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