JP7659508B2

JP7659508B2 - 撮像装置、電子機器及び撮像方法

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Publication number: JP7659508B2
Application number: JP2021573982A
Authority: JP
Inventors: 篤親丹羽
Original assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Current assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date: 2020-01-29
Filing date: 2021-01-21
Publication date: 2025-04-09
Anticipated expiration: 2041-01-21
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Description

本開示は、撮像装置、電子機器及び撮像方法に関する。

従来の撮像装置では、垂直同期信号などの同期信号に同期して画像データ（フレーム）を撮像する同期型の撮像素子を用いるのが一般的である。この種の同期型の撮像素子は、同期信号の周期（例えば、１／６０秒）ごとにしか画像データを取得することができないため、画像データをより高速に取得する用途には適さない。そこで、画素アドレスごとに、その画素の光量が閾値を超えた旨をイベントとしてリアルタイムに検出するイベント検出回路を画素毎に設けた非同期型の撮像素子が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この撮像素子では、フォトダイオードと、イベントを検出するための複数のトランジスタとが画素毎に配置される。

特表２０１６－５３３１４０号公報

上述の非同期型の撮像素子では、同期型の撮像素子よりも遥かに高速にデータを生成して出力することができる。このため、例えば、交通分野において、人や障害物を画像認識する処理を高速に実行して、安全性を向上させることができる。しかしながら、電源電圧の低下や接地電圧の上昇などの電圧変動によりフォトダイオードの逆バイアスが低くなると、そのフォトダイオードの感度が低下し、暗電流が増大するおそれがある。このため、これらの感度の不足や暗電流に起因して、信号品質が低下するという問題がある。フォトダイオードの面積を大きくすれば、感度を向上させ、暗電流を低減することができるが、単位面積当たりの画素数が減少するため望ましくない。また、電源電圧を充分に高くすることによっても感度を向上させ、暗電流を低減することができるが、消費電力が増大するため好ましくない。

本開示は、感度向上と暗電流の減少を図るとともに、消費電力を低減可能な撮像装置、電子機器及び撮像方法を提供するものである。

上記の課題を解決するために、本開示によれば、それぞれが入射光を光電変換して電気信号を生成する複数の光電変換素子を有する光電変換部と、
前記複数の光電変換素子のそれぞれの前記電気信号の変化量が所定の閾値を超えたか否かを示す検出信号を出力する検出部と、
前記電気信号に基づいて画素信号を生成する画素信号生成部と、
前記電気信号を前記画素信号生成部に転送する制御を行う転送制御部と、
前記画素信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換器と、を備え、
前記光電変換部の低電位側基準電位と、前記検出部の低電位側基準電位と、前記画素信号生成部の低電位側基準電位と、前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位と、前記転送制御部のオフ電位とは、電位レベルがそれぞれ異なる３つ以上の電位を含んでいる、撮像装置。

前記光電変換部の低電位側基準電位は、前記検出部の低電位側基準電位よりも電位レベルが低くてもよい。

前記光電変換部の低電位側基準電位は、前記転送制御部のオフ電位よりも電位レベルが高くてもよい。

前記光電変換部の低電位側基準電位は、前記画素信号生成部及び前記アナログデジタル変換器の少なくとも一方の低電位側基準電位よりも電位レベルが低くてもよい。

前記光電変換部の低電位側基準電位、前記検出部の低電位側基準電位、前記画素信号生成部の低電位側基準電位、前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位、及び前記転送制御部のオフ電位の少なくとも一つは接地電位であり、かつその他の少なくとも一つは前記接地電位よりも電位レベルが低い第１基準電位であり、かつその他の少なくとも一つは前記第１基準電位よりも電位レベルが低い第２基準電位であってもよい。

前記光電変換部の低電位側基準電位は前記第２基準電位であり、
前記検出部、前記画素信号生成部及び前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位は前記接地電位であり、
前記転送制御部のオフ電位は前記第２基準電位であってもよい。

前記接地電位は０Ｖであり、
前記第１基準電位は負電位であり、
前記第２基準電位は、前記第１基準電位よりも電位レベルが低い負電位であってもよい。

前記光電変換部、前記画素信号生成部及び前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位は略等しくてもよい。

前記光電変換部の低電位側基準電位、前記検出部の低電位側基準電位、前記画素信号生成部の低電位側基準電位、前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位、及び前記転送制御部のオフ電位の少なくとも一つは接地電位であり、かつその他の少なくとも一つは前記接地電位よりも電位レベルが高い第１基準電位であり、かつその他の少なくとも一つは前記接地電位よりも電位レベルが低い第２基準電位であってもよい。

前記光電変換部、前記画素信号生成部及び前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位は前記接地電位であり、
前記検出部の低電位側基準電位は前記第１基準電位であり、
前記転送制御部のオフ電位は前記第２基準電位であってもよい。

前記接地電位は０Ｖであり、
前記第１基準電位は正電位であり、
前記第２基準電位は負電位であってもよい。

本開示によれば、それぞれが入射光を光電変換して電気信号を生成する複数の光電変換素子を有する光電変換部と、
前記複数の光電変換素子のそれぞれの前記電気信号の変化量が所定の閾値を超えたか否かを示す検出信号を出力する検出部と、
前記電気信号に基づいて画素信号を生成する画素信号生成部と、
前記電気信号を前記画素信号生成部に転送する制御を行う転送制御部と、
前記画素信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換器と、
前記光電変換部の低電位側基準電位を切り替える電位選択部と、を備える、撮像装置が提供される。

前記アナログデジタル変換器は、前記変化量が前記所定の閾値を超えたことが前記検出部で検出されると、前記画素信号を前記デジタル信号に変換し、
前記電位選択部は、前記変化量が前記所定の閾値を超えたか否かを前記検出部が検出する期間内には第１基準電位を選択し、前記アナログデジタル変換器が前記画素信号を前記デジタル信号に変換する期間内は、前記第１基準電位よりも電位レベルが高い第２基準電位を選択してもよい。

前記第１基準電位は負電位であり、
前記第２基準電位は接地電位であってもよい。

前記光電変換部の低電位側基準電位と、前記検出部の低電位側基準電位と、前記画素信号生成部の低電位側基準電位と、前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位と、前記転送制御部のオフ電位とは、電位レベルがそれぞれ異なる２つ以上の電位を含んでいてもよい。

前記検出部の低電位側基準電位と、前記画素信号生成部の低電位側基準電位と、前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位とは接地電位であり、
前記転送制御部のオフ電位は負電位であってもよい。

前記第１基準電位及び前記第２基準電位の少なくとも一方を生成する電位生成部を備えてもよい。

少なくとも前記検出部は、前記光電変換部が配置される第１基板に積層される第２基板に配置されてもよい。

前記転送制御部内のトランジスタのバックゲートは、前記光電変換部の低電位側基準電位と同じ電位レベルの電位に設定されてもよい。

本開示の他の一態様によれば、撮像された画像データを出力する撮像装置と、
前記画像データに対して所定の信号処理を行うプロセッサと、を備え、
前記撮像装置は、
それぞれが入射光を光電変換して電気信号を生成する複数の光電変換素子を有する光電変換部と、
前記複数の光電変換素子のそれぞれの前記電気信号の変化量が所定の閾値を超えたか否かを示す検出信号を出力する検出部と、
前記電気信号に基づいて画素信号を生成する画素信号生成部と、
前記電気信号を前記画素信号生成部に転送する制御を行う転送制御部と、
前記画素信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換器と、を備え、
前記光電変換部の低電位側基準電位と、前記検出部の低電位側基準電位と、前記画素信号生成部の低電位側基準電位と、前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位と、前記転送制御部のオフ電位とは、電位レベルがそれぞれ異なる３つ以上の電位を含んでいる、電子機器が提供される。

本開示の他の一態様によれば、複数の光電変換素子にて、入射光を光電変換して電気信号を生成するステップと、
前記複数の光電変換素子のそれぞれの前記電気信号の変化量が所定の閾値を超えたか否かを示す検出信号を出力するステップと、
前記電気信号を転送するステップと、
前記転送された電気信号に基づいて画素信号を生成するステップと、
前記画素信号をデジタル信号に変換するステップと、を備え、
前記光電変換の際の低電位側基準電位と、前記検出信号を出力する際の低電位側基準電位と、前記画素信号を生成する際の低電位側基準電位と、前記画素信号をデジタル信号に変換する際の低電位側基準電位と、前記電気信号を転送する際のオフ電位とは、電位レベルがそれぞれ異なる３つ以上の電位を含んでおり、これらの電位を用いて、前記電気信号を生成するステップと、前記検出信号を出力するステップと、前記電気信号を転送するステップと、前記画素信号を生成するステップと、前記デジタル信号に変換するステップとが行われる、撮像方法が提供される。

第１の実施形態における撮像装置の一構成例を示すブロック図。第１の実施形態における固体撮像素子の積層構造の一例を示す図。第１の実施形態における固体撮像素子の一構成例を示すブロック図。第１の実施形態における画素アレイ部の一構成例を示すブロック図。第１の実施形態における画素ブロックの一構成例を示す回路図。アドレスイベント検出部の第１構成例を示すブロック図。第１の実施形態における電流電圧変換部の一構成例を示す回路図。第１の実施形態における減算器および量子化器の一構成例を示す回路図。第１の実施形態におけるカラムＡＤＣの一構成例を示すブロック図。第１の実施形態における固体撮像素子の動作の一例を示すタイミングチャート。第１の実施形態における固体撮像素子の動作の一例を示すフローチャート。第１の実施形態による撮像装置内の各部が使用する低電位側基準電位とオフ電位を示す図。第１の実施形態の転送トランジスタをオフする場合の電位レベルの一例を示す図。第１の実施形態の転送トランジスタをオンする場合の電位レベルの一例を示す図。第２の実施形態による撮像装置内の各部が使用する低電位側基準電位とオフ電位を示す図。第２の実施形態の転送トランジスタをオフする場合の電位レベルの一例を示す図。第２の実施形態の転送トランジスタをオンする場合の電位レベルの一例を示す図。第３の実施形態による撮像装置内の各部が使用する低電位側基準電位とオフ電位を示す図。アドレスイベント検出部の第２構成例を示すブロック図。スキャン方式の撮像装置の構成の一例を示すブロック図。移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図。撮像部及び車外情報検出部の設置位置の例を示す図。

以下、図面を参照して、撮像装置、電子機器及び撮像方法の実施形態について説明する。以下では、撮像装置及び電子機器の主要な構成部分を中心に説明するが、撮像装置及び電子機器には、図示又は説明されていない構成部分や機能が存在しうる。以下の説明は、図示又は説明されていない構成部分や機能を除外するものではない。

＜１．第１の実施形態＞
［撮像装置の構成例］
図１は、本開示の第１の実施形態における撮像装置１００の一構成例を示すブロック図である。この撮像装置１００は、撮像レンズ１１０、固体撮像素子２００、記録部１２０および制御部１３０を備える。撮像装置１００としては、産業用ロボットに搭載されるカメラや、車載カメラなどが想定される。

撮像レンズ１１０は、入射光を集光して固体撮像素子２００に導くものである。固体撮像素子２００は、入射光を光電変換して画像データを撮像するものである。この固体撮像素子２００は、撮像した画像データに対して、画像認識処理などの所定の信号処理を行って、その処理結果とアドレスイベントの検出信号とを示すデータを記録部１２０に信号線２０９を介して出力する。検出信号の生成方法については後述する。

記録部１２０は、固体撮像素子２００からのデータを記録するものである。制御部１３０は、固体撮像素子２００を制御して画像データを撮像させるものである。

［固体撮像素子の構成例］
図２は、本開示の第１の実施形態における固体撮像素子２００の積層構造の一例を示す図である。この固体撮像素子２００は、検出チップ２０２と、その検出チップ２０２に積層された受光チップ２０１とを備える。これらのチップは、ビアなどの接続部を介して電気的に接続される。なお、ビアの他、Ｃｕ－Ｃｕ接合やバンプにより接続することもできる。

図３は、本開示の第１の実施形態における固体撮像素子２００の一構成例を示すブロック図である。この固体撮像素子２００は、駆動回路２１１、信号処理部２１２、アービタ２１３、カラムＡＤＣ２２０および画素アレイ部３００を備える。

画素アレイ部３００には、複数の画素が二次元格子状に配列される。また、画素アレイ部３００は、それぞれが所定数の画素からなる複数の画素ブロックに分割される。以下、水平方向に配列された画素または画素ブロックの集合を「行」と称し、行に垂直な方向に配列された画素または画素ブロックの集合を「列」と称する。

画素のそれぞれは、光電流に応じた電圧のアナログ信号を画素信号として生成する。また、画素ブロックのそれぞれは、光電流の変化量が所定の閾値を超えたか否かにより、アドレスイベントの有無を検出する。そして、アドレスイベントが生じた際に画素ブロックは、リクエストをアービタ２１３に出力する。

駆動回路２１１は、画素のそれぞれを駆動して画素信号をカラムＡＤＣ２２０に出力させるものである。

アービタ２１３は、それぞれの画素ブロックからのリクエストを調停し、調停結果に基づいて応答を画素ブロックに送信するものである。応答を受け取った画素ブロックは、検出結果を示す検出信号を駆動回路２１１および信号処理部２１２に供給する。

カラムＡＤＣ２２０は、画素ブロックの列ごとに、その列からのアナログの画素信号をデジタル信号に変換するものである。このカラムＡＤＣ２２０は、デジタル信号を信号処理部２１２に供給する。

信号処理部２１２は、カラムＡＤＣ２２０からのデジタル信号に対し、ＣＤＳ（Correlated Double Sampling）処理や画像認識処理などの所定の信号処理を実行するものである。この信号処理部２１２は、処理結果を示すデータと検出信号とを信号線２０９を介して記録部１２０に供給する。

［画素アレイ部の構成例］
図４は、本開示の第１の実施形態における画素アレイ部３００の一構成例を示すブロック図である。画素アレイ部３００は、複数の画素ブロック３１０に分割される。画素ブロック３１０のそれぞれには、Ｉ行×Ｊ列（ＩおよびＪは整数）に複数の画素が配列される。

また、画素ブロック３１０は、画素信号生成部３２０と、Ｉ行×Ｊ列の複数の受光部３３０と、アドレスイベント検出部４００とを備える。画素ブロック３１０内の複数の受光部３３０は、画素信号生成部３２０およびアドレスイベント検出部４００を共有している。そして、ある座標の受光部３３０と画素信号生成部３２０およびアドレスイベント検出部４００とからなる回路が、その座標の画素として機能する。また、画素ブロック３１０の列ごとに、垂直信号線ＶＳＬが配線される。画素ブロック３１０の列数をｍ（ｍは整数）とすると、ｍ本の垂直信号線ＶＳＬが配列される。

受光部３３０は、入射光を光電変換して光電流を生成するものである。この受光部３３０は、駆動回路２１１の制御に従って、画素信号生成部３２０およびアドレスイベント検出部４００のいずれかに光電流を供給する。

画素信号生成部３２０は、光電流に応じた電圧の信号を画素信号ＳＩＧとして生成するものである。この画素信号生成部３２０は、生成した画素信号ＳＩＧを垂直信号線ＶＳＬを介してカラムＡＤＣ２２０に供給する。

アドレスイベント検出部４００は、受光部３３０のそれぞれからの光電流の変化量が所定の閾値を超えたか否かにより、アドレスイベントの有無を検出するものである。このアドレスイベントは、例えば、変化量が上限の閾値を超えた旨を示すオンイベントと、その変化量が下限の閾値を下回った旨を示すオフイベントとからなる。また、アドレスイベントの検出信号は、例えば、オンイベントの検出結果を示す１ビットと、オフイベントの検出結果を示す１ビットからなる。なお、アドレスイベント検出部４００は、オンイベントのみを検出することもできる。

アドレスイベントが発生した際に、アドレスイベント検出部４００は、検出信号の送信を要求するリクエストをアービタ２１３に供給する。そして、リクエストに対する応答をアービタ２１３から受け取ると、アドレスイベント検出部４００は、検出信号を駆動回路２１１および信号処理部２１２に供給する。なお、アドレスイベント検出部４００は、特許請求の範囲に記載の検出部の一例である。

［画素ブロックの構成例］
図５は、本開示の第１の実施形態における画素ブロック３１０の一構成例を示す回路図である。画素ブロック３１０において、画素信号生成部３２０は、リセットトランジスタ３２１、増幅トランジスタ３２２、選択トランジスタ３２３および浮遊拡散層３２４を備える。画素ブロック３１０内の複数の受光部３３０は、接続ノード３４０を介してアドレスイベント検出部４００に共通に接続されている。

また、受光部３３０のそれぞれは、転送トランジスタ３３１、ＯＦＧ（OverFlow Gate）トランジスタ３３２および光電変換素子３３３を備える。画素ブロック３１０内の画素数をＮ（Ｎは整数）とすると、転送トランジスタ３３１、ＯＦＧトランジスタ３３２および光電変換素子３３３は、それぞれＮ個ずつ配置される。画素ブロック３１０内のｎ（ｎは１乃至Ｎの整数）個目の転送トランジスタ３３１のゲートには、駆動回路２１１により転送信号ＴＲＧｎが供給される。ｎ個目のＯＦＧトランジスタ３３２のゲートには、駆動回路２１１により制御信号ＯＦＧｎが供給される。本明細書では、転送トランジスタ３３１とＯＦＧトランジスタ３３２を合わせて転送制御部３３５と呼び、光電変換素子を光電変換部３３４と呼ぶ。

また、リセットトランジスタ３２１、増幅トランジスタ３２２および選択トランジスタ３２３として、例えば、Ｎ型のＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor）トランジスタが用いられる。転送トランジスタ３３１およびＯＦＧトランジスタ３３２についても、同様にＮ型のＭＯＳトランジスタが用いられる。

また、光電変換素子３３３のそれぞれは、受光チップ２０１に配置される。光電変換素子３３３以外の素子の全ては、検出チップ２０２に配置される。なお、光電変換素子３３３以外の素子の一部を、受光チップ２０１に配置する変形例も考えられる。

光電変換素子３３３は、入射光を光電変換して電荷を生成するものである。転送トランジスタ３３１は、転送信号ＴＲＧｎに従って、対応する光電変換素子３３３から浮遊拡散層３２４へ電荷を転送するものである。ＯＦＧトランジスタ３３２は、制御信号ＯＦＧｎに従って、対応する光電変換素子３３３により生成された電気信号を接続ノード３４０に供給するものである。ここで、供給される電気信号は、電荷からなる光電流である。

浮遊拡散層３２４は、電荷を蓄積して蓄積した電荷の量に応じた電圧を生成するものである。リセットトランジスタ３２１は、駆動回路２１１からのリセット信号に従って浮遊拡散層３２４の電荷量を初期化するものである。増幅トランジスタ３２２は、浮遊拡散層３２４の電圧を増幅するものである。選択トランジスタ３２３は、駆動回路２１１からの選択信号ＳＥＬに従って、増幅された電圧の信号を画素信号ＳＩＧとして垂直信号線ＶＳＬを介してカラムＡＤＣ２２０へ出力するものである。

駆動回路２１１は、制御部１３０によりアドレスイベントの検出開始が指示されると、全ての画素のＯＦＧトランジスタ３３２を制御信号ＯＦＧｎにより駆動して接続ノード３４０に光電流を供給させる。これにより、アドレスイベント検出部４００には、画素ブロック３１０内の全ての受光部３３０の光電流の和の電流が供給される。

そして、ある画素ブロック３１０においてアドレスイベントが検出されると、駆動回路２１１は、そのブロックの全てのＯＦＧトランジスタ３３２をオフ状態にしてアドレスイベント検出部４００への光電流の供給を停止させる。次いで駆動回路２１１は、転送信号ＴＲＧｎにより、それぞれの転送トランジスタ３３１を順に駆動して、電荷を浮遊拡散層３２４に転送させる。これにより、画素ブロック３１０内の複数の画素のそれぞれの画素信号が順に出力される。

このように、固体撮像素子２００は、アドレスイベントが検出された画素ブロック３１０の画素信号のみをカラムＡＤＣ２２０に出力する。これにより、アドレスイベントの有無に関わらず、全画素の画素信号を出力する場合と比較して、固体撮像素子２００の消費電力や、画像処理の処理量を低減することができる。

また、複数の画素がアドレスイベント検出部４００を共有するため、画素毎にアドレスイベント検出部４００を配置する場合と比較して固体撮像素子２００の回路規模を削減することができる。

［アドレスイベント検出部４００の構成例］
図６は、本開示の第１の実施形態におけるアドレスイベント検出部４００の第１構成例を示すブロック図である。このアドレスイベント検出部４００は、電流電圧変換部４１０、バッファ４２０、減算器４３０、量子化器４４０および転送部４５０を備える。

電流電圧変換部４１０は、対応する受光部３３０からの光電流を、その対数の電圧信号に変換するものである。この電流電圧変換部４１０は、電圧信号をバッファ４２０に供給する。

バッファ４２０は、電流電圧変換部４１０からの電圧信号を補正するものである。このバッファ４２０は、補正後の電圧信号を減算器４３０に出力する。

減算器４３０は、駆動回路２１１からの行駆動信号に従ってバッファ４２０からの電圧信号のレベルを低下させるものである。この減算器４３０は、低下後の電圧信号を量子化器４４０に供給する。

量子化器４４０は、減算器４３０からの電圧信号をデジタル信号に量子化して検出信号として転送部４５０に出力するものである。

転送部４５０は、量子化器４４０からの検出信号を信号処理部２１２等に転送するものである。この転送部４５０は、アドレスイベントが検出された際に、検出信号の送信を要求するリクエストをアービタ２１３に供給する。そして、転送部４５０は、リクエストに対する応答をアービタ２１３から受け取ると、検出信号を駆動回路２１１および信号処理部２１２に供給する。

［電流電圧変換部の構成例］
図７は、本開示の第１の実施形態における電流電圧変換部４１０の一構成例を示す回路図である。この電流電圧変換部４１０は、Ｎ型トランジスタ４１１および４１３とＰ型トランジスタ４１２とを備える。これらのトランジスタとして、例えば、ＭＯＳトランジスタが用いられる。

Ｎ型トランジスタ４１１のソースは、受光部３３０に接続され、ドレインは電源端子に接続される。Ｐ型トランジスタ４１２およびＮ型トランジスタ４１３は、電源端子と接地端子との間において、直列に接続される。また、Ｐ型トランジスタ４１２およびＮ型トランジスタ４１３の接続ノードは、Ｎ型トランジスタ４１１のゲートとバッファ４２０の入力端子とに接続される。また、Ｐ型トランジスタ４１２のゲートには、所定のバイアス電圧Ｖｂｉａｓが印加される。

Ｎ型トランジスタ４１１および４１３のドレインは電源側に接続されており、このような回路はソースフォロワと呼ばれる。これらのループ状に接続された２つのソースフォロワにより、受光部３３０からの光電流は、その対数の電圧信号に変換される。また、Ｐ型トランジスタ４１２は、一定の電流をＮ型トランジスタ４１３に供給する。

［減算器および量子化器の構成例］
図８は、本開示の第１の実施形態における減算器４３０および量子化器４４０の一構成例を示す回路図である。減算器４３０は、コンデンサ４３１および４３３と、インバータ４３２と、スイッチ４３４とを備える。また、量子化器４４０は、コンパレータ４４１を備える。

コンデンサ４３１の一端は、バッファ４２０の出力端子に接続され、他端は、インバータ４３２の入力端子に接続される。コンデンサ４３３は、インバータ４３２に並列に接続される。スイッチ４３４は、コンデンサ４３３の両端を接続する経路を行駆動信号に従って開閉するものである。

インバータ４３２は、コンデンサ４３１を介して入力された電圧信号を反転するものである。このインバータ４３２は反転した信号をコンパレータ４４１の非反転入力端子（＋）に出力する。

スイッチ４３４をオンした際にコンデンサ４３１のバッファ４２０側に電圧信号Ｖｉｎｉｔが入力され、その逆側は仮想接地端子となる。この仮想接地端子の電位を便宜上、ゼロとする。このとき、コンデンサ４３１に蓄積されている電位Ｑｉｎｉｔは、コンデンサ４３１の容量をＣ１とすると、次の式により表される。一方、コンデンサ４３３の両端は、短絡されているため、その蓄積電荷はゼロとなる。
Ｑｉｎｉｔ＝Ｃ１×Ｖｉｎｉｔ・・・（１）

次に、スイッチ４３４がオフされて、コンデンサ４３１のバッファ４２０側の電圧が変化してＶａｆｔｅｒになった場合を考えると、コンデンサ４３１に蓄積される電荷Ｑａｆｔｅｒは、次の式により表される。
Ｑａｆｔｅｒ＝Ｃ１×Ｖａｆｔｅｒ・・・（２）

一方、コンデンサ４３３に蓄積される電荷Ｑ２は、出力電圧をＶｏｕｔとすると、次の式により表される。
Ｑ２＝－Ｃ２×Ｖｏｕｔ・・・（３）

このとき、コンデンサ４３１および４３３の総電荷量は変化しないため、次の式が成立する。
Ｑｉｎｉｔ＝Ｑａｆｔｅｒ＋Ｑ２・・・（４）

式（４）に式（１）乃至式（３）を代入して変形すると、次の式が得られる。
Ｖｏｕｔ＝－（Ｃ１／Ｃ２）×（Ｖａｆｔｅｒ－Ｖｉｎｉｔ）・・・（５）

式（５）は、電圧信号の減算動作を表し、減算結果の利得はＣ１／Ｃ２となる。通常、利得を最大化することが望まれるため、コンデンサ４３１の容量Ｃ１を大きく、コンデンサ４３３の容量Ｃ２を小さく設計することが好ましい。一方、Ｃ２が小さすぎると、ｋＴＣノイズが増大し、ノイズ特性が悪化するおそれがあるため、Ｃ２の容量削減は、ノイズを許容することができる範囲に制限される。また、画素ブロックごとに減算器４３０を含むアドレスイベント検出部４００が搭載されるため、容量Ｃ１やＣ２には、面積上の制約がある。これらを考慮して、容量Ｃ１およびＣ２の値が決定される。

コンパレータ４４１は、減算器４３０からの電圧信号と、反転入力端子（－）に印加された所定の閾値電圧Ｖｔｈとを比較するものである。コンパレータ４４１は、比較結果を示す信号を検出信号として転送部４５０に出力する。

また、上述のアドレスイベント検出部４００全体のゲインＡは、電流電圧変換部４１０の変換ゲインをＣＧlogとし、バッファ４２０のゲインを「１」とすると、次の式により表される。

上式において、ｉphoto_ｎは、ｎ番目の画素の光電流であり、単位は例えば、アンペア（Ａ）である。Ｎは、画素ブロック３１０内の画素数である。

［カラムＡＤＣ２２０の構成例］
図９は、本開示の第１の実施形態におけるカラムＡＤＣ２２０の一構成例を示すブロック図である。このカラムＡＤＣ２２０は、画素ブロック３１０の列ごとにＡＤＣ２３０を備える。また、カラムＡＤＣ２２０は、参照信号生成部２２３および出力部２２２を備える。参照信号生成部２２３は、ランプ信号などの参照信号を生成してＡＤＣ２３０のそれぞれに供給するものである。参照信号生成部２２３として、ＤＡＣ（Digital to Analog Converter）などが用いられる。出力部２２２は、ＡＤＣ２３０からのデジタル信号を信号処理部２１２に供給するものである。

ＡＤＣ２３０は、垂直信号線ＶＳＬを介して供給されたアナログの画素信号ＳＩＧをデジタル信号に変換するものである。このＡＤＣ２３０は、比較器２３６、カウンタ２３７、スイッチ２３８およびメモリ２３９を備える。比較器２３６は、参照信号と画素信号ＳＩＧとを比較し、カウンタ２３７は、比較結果が反転するまでの期間に亘って計数値を計数する。スイッチ２３８は、タイミング制御回路（不図示）などの制御に従って、計数値をメモリ２３９に供給して保持させる。メモリ２３９は、計数値を示すデジタル信号を水平駆動部（不図示）などの制御に従って出力部２２２に供給する。この構成により、画素信号ＳＩＧは、検出信号よりもビット数の多いデジタル信号に変換される。例えば、検出信号を２ビットとすると、画素信号は、３ビット以上（１６ビットなど）のデジタル信号に変換される。なお、ＡＤＣ２３０は、特許請求の範囲に記載のアナログデジタル変換器の一例である。

［固体撮像素子の動作例］
図１０は、本開示の第１の実施形態における固体撮像素子２００の動作の一例を示すタイミングチャートである。タイミングＴ０において、制御部１３０によりアドレスイベントの検出開始が指示されると、駆動回路２１１は、制御信号ＯＦＧｎを全てハイレベルにして、全画素のＯＦＧトランジスタ３３２をオン状態にする。これにより、全画素の光電流の和がアドレスイベント検出部４００に供給される。一方、転送信号ＴＲＧｎは全てローレベルであり、全画素の転送トランジスタ３３１はオフ状態である。

そして、タイミングＴ１において、アドレスイベント検出部４００がアドレスイベントを検出し、ハイレベルの検出信号を出力したものとする。ここで、検出信号は、オンイベントの検出結果を示す１ビットの信号であるものとする。

駆動回路２１１は、検出信号を受け取ると、タイミングＴ２において制御信号ＯＦＧｎを全てローレベルにしてアドレスイベント検出部４００への光電流の供給を停止させる。また、駆動回路２１１は、選択信号ＳＥＬをハイレベルにし、リセット信号ＲＳＴを一定のパルス期間に亘ってハイレベルにして浮遊拡散層３２４の初期化を行う。この初期化時の電圧を画素信号生成部３２０は、リセットレベルとして出力し、ＡＤＣ２３０は、そのリセットレベルをデジタル信号に変換する。

リセットレベルの変換後のタイミングＴ３において、駆動回路２１１は、一定のパルス期間に亘ってハイレベルの転送信号ＴＲＧ１を供給して、１つ目の画素に電圧を信号レベルとして出力させる。ＡＤＣ２３０は、その信号レベルをデジタル信号に変換する。信号処理部２１２は、リセットレベルと信号レベルとの差分を正味の画素信号として求める。この処理は、ＣＤＳ処理と呼ばれる。

信号レベルの変換後のタイミングＴ４において、駆動回路２１１は、一定のパルス期間に亘ってハイレベルの転送信号ＴＲＧ２を供給して、２つ目の画素に信号レベルを出力させる。信号処理部２１２は、リセットレベルと信号レベルとの差分を正味の画素信号として求める。以下、同様の処理が実行されて、画素ブロック３１０内のそれぞれの画素の画素信号が順に出力される。

全ての画素信号が出力されると、駆動回路２１１は、制御信号ＯＦＧｎを全てハイレベルにして、全画素のＯＦＧトランジスタ３３２をオン状態にする。

図１１は、本開示の第１の実施形態における固体撮像素子２００の動作の一例を示すフローチャートである。この動作は、例えば、アドレスイベントを検出するための所定のアプリケーションが実行されたときに開始される。

画素ブロック３１０のそれぞれは、アドレスイベントの有無の検出を行う（ステップＳ９０１）。駆動回路２１１は、いずれかの画素ブロック３１０においてアドレスイベントがあったか否かを判断する（ステップＳ９０２）。アドレスイベントがあった場合に（ステップＳ９０２：Ｙｅｓ）、駆動回路２１１は、アドレスイベントの生じた画素ブロック３１０内のそれぞれの画素の画素信号を順に出力させる（ステップＳ９０３）。

アドレスイベントが無い場合（ステップＳ９０２：Ｎｏ）、または、ステップＳ９０３の後に固体撮像素子２００は、ステップＳ９０１以降を繰り返す。
このように、本開示の第１の実施形態によれば、複数（Ｎ個）の光電変換素子３３３（画素）のそれぞれの光電流の変化量をアドレスイベント検出部４００が検出するため、アドレスイベント検出部４００の配置数を、Ｎ画素ごとに１つにすることができる。このようにＮ画素で１つのアドレスイベント検出部４００を共有することにより、アドレスイベント検出部４００を共有せずに画素毎に設ける構成と比較して回路規模を削減することができる。

なお、上述したＮの値は任意である。例えば、回路規模の削減を考慮しなくてよい場合には、Ｎ＝１として、画素ごとにアドレスイベント検出部４００を設けてもよい。

第１の実施形態では、撮像装置１００内の各部が使用する低電位側基準電位とオフ電位が、電位レベルがそれぞれ異なる３種類以上の電位を含んでいる。低電位側基準電位とオフ電位は、典型的には接地電位ＧＮＤであるが、本実施形態では、撮像装置１００内の各部によって、接地電位ＧＮＤ以外の電位レベルの電位を使用することを想定している。

より具体的には、光電変換部３３４の低電位側基準電位と、検出部の低電位側基準電位と、画素信号生成部３２０の低電位側基準電位と、カラムＡＤＣ２２０の低電位側基準電位と、転送制御部３３５のオフ電位とは、電位レベルがそれぞれ異なる３つ以上の電位を含んでいる。

例えば、光電変換部３３４の低電位側基準電位は、アドレスイベント検出部４００の低電位側基準電位よりも電位レベルが低くてもよい。また、光電変換部３３４の低電位側基準電位は、転送制御部３３５のオフ電位よりも電位レベルが高くてもよい。また、光電変換部３３４の低電位側基準電位は、画素信号生成部３２０及びカラムＡＤＣ２２０の少なくとも一方の低電位側基準電位よりも電位レベルが低くてもよい。

図１２は第１の実施形態による撮像装置１００内の各部が使用する低電位側基準電位とオフ電位を示す図である。図１２では、撮像装置１００内の各部が使用する低電位側基準電位とオフ電位が、電位レベルがそれぞれ異なる３つの電位を含む例を示している。図１２の例では、これら３つの電位を接地電位、第１基準電位、第２基準電位としている。接地電位は例えば０Ｖであり、第１基準電位は接地電位ＧＮＤよりも電位レベルが低い負電位、第２基準電位は第２基準電位よりもさらに電位レベルが低い負電位である。

第１基準電位及び第２基準電位は、負電位供給部２３５から供給される。負電位供給部２３５は、例えばチャージポンプを用いて、接地電位ＧＮＤよりも低い第１基準電位と第２基準電位を生成する。

図１２の例では、光電変換部３３４の低電位側基準電位は第１基準電位である。また、アドレスイベント検出部４００、画素信号生成部３２０及びカラムＡＤＣ２２０の低電位側基準電位は接地電位ＧＮＤである。転送制御部３３５のオフ電位は第２基準電位である。転送制御部３３５は、転送トランジスタ３３１とＯＦＧトランジスタ３３２で構成されており、転送制御部３３５のオフ電位とは、転送トランジスタ３３１とＯＦＧトランジスタ３３２のゲートをオフするための電位を指す。

図１２において、光電変換部３３４の低電位側基準電位を負電位である第２基準電位に設定することで、光電変換部３３４の低電位側基準電位を接地電位ＧＮＤにする場合と比較して、光電変換部３３４内のフォトダイオード（光電変換素子）の逆バイアスが大きくなる。これにより、フォトダイオード３１１の感度が高くなり、暗電流を低減することができる。

また、転送制御部３３５内の転送トランジスタ３３１とＯＦＧトランジスタ３３２のバックゲートを負電位Ｖｎにしてもよい。これにより、それらの電位を基準電位とする場合と比較して、基板バイアス効果により、それぞれのトランジスタの閾値電圧が高くなり、それらのトランジスタのゲート－ソース間電圧が０以下になることを防止することができる。ゲート－ソース間電圧が０以下になると、画素信号生成部３２０の回路構成上、正常な出力が得られなくなるため、バックゲートへの負電位Ｖｎの供給により、そのような事態を抑制することができる。このように、フォトダイオード３１１の感度向上、暗電流の低下や、閾値電圧の上昇により、検出信号の信号品質を向上させることができる。

図１２では、アドレスイベント検出部４００の低電位側基準電位（第１基準電位）を光電変換部３３４の低電位側基準電位（第１基準電位）よりも高い電位レベルにしている。仮に、アドレスイベント検出部４００の低電位側基準電位を光電変換部３３４の低電位側基準電位よりも低くすると、光電変換部３３４内のフォトダイオードに十分な逆バイアスがかからず、リーク電流が増加したり、ノイズが増えたりして、応答が遅くなるおそれがある。図１２のように、アドレスイベント検出部４００の低電位側基準電位を光電変換部３３４の低電位側基準電位よりも高い電位レベルにすることで、フォトダイオードに十分な逆バイアスをかけることができ、ノイズの低減や応答速度の向上が図れる。

転送制御部３３５内のＯＦＧトランジスタ３３２は、アドレスイベント検出部４００でアドレスイベント検出処理を行う場合にオンする。このとき、転送トランジスタ３３１はオフしていなければならない。また、アドレスイベント検出部４００でアドレスイベントが検出されると、ＯＦＧトランジスタ３３２がオフして、転送トランジスタ３３１がオンする。転送トランジスタ３３１がオンすると、フォトダイオードで光電変換した電気信号（光電流）が転送トランジスタ３３１を介して画素信号生成部３２０に送られて画素信号が生成され、その後カラムＡＤＣ２２０に送られてデジタル信号が生成される。

このように、ＯＦＧトランジスタ３３２と転送トランジスタ３３１は排他的にオン／オフする。ＯＦＧトランジスタ３３２と転送トランジスタ３３１に対して、排他的動作を確実に行わせるには、オンする方のトランジスタのゲートには正電位を与え、オフする方のトランジスタのゲートには負電位を与えるのが望ましい。このため、図１２では、転送制御部３３５のオフ電位を、負電位である第２基準電位に設定している。

図１３Ａ及び図１３Ｂは第１の実施形態による撮像装置１００内の各部に与える低電位側基準電位とオフ電位の具体的な電位レベルの一例である。図１３Ａは転送トランジスタをオフする場合の電位レベル、図１３Ｂは転送トランジスタをオンする場合の電位レベルである。アドレスイベント検出を行う場合は、図１３Ａの電位レベルに設定される。なお、図１３Ａ及び図１３Ｂの電位レベルは一例であり、種々の変形例が考えられる。

図１３Ａに示すように、転送トランジスタをオフする場合、フォトダイオードのアノードは負電位である－０．６Ｖに設定される。また、転送トランジスタのゲートは負電位である－１．８Ｖに設定される。これにより、転送トランジスタは確実にオフする。画素信号生成部３２０内のリセットトランジスタのゲートは２．２Ｖに設定される。これにより、リセットトランジスタがオンし、浮遊拡散層３２４の電荷量が初期化される。画素信号生成部３２０の正電位側基準電位は２．８Ｖに設定される。

図１３Ａでは省略しているが、アドレスイベント検出を行う場合、ＯＦＧトランジスタのゲートは２．２～２．８Ｖ程度に設定される。また、アドレスイベント検出部４００の低電位側基準電位は、フォトダイオードのアノード電位よりも高い接地電位ＧＮＤ（０Ｖ）に設定される。アドレスイベント検出部４００の正電位側基準電位は２．２Ｖに設定される。

図１３Ｂに示すように、転送トランジスタをオンする場合、フォトダイオードのアノードは同じく－０．６Ｖに設定される。また、転送トランジスタのゲートは２．２Ｖに設定される。画素信号生成部３２０内のリセットトランジスタのゲートは負電位である－０．６Ｖに設定される。リセットトランジスタのドレインは２．２Ｖに設定される。画素信号生成部３２０内の増幅トランジスタ３２２のドレインは２．８Ｖに設定される。

図１３Ａでは省略しているが、ＯＦＧトランジスタのゲートは－１．８Ｖに設定される。アドレスイベント検出部４００の低電位側基準電位は図１３Ａと同じく接地電位ＧＮＤ（０Ｖ）である。

このように、第１の実施形態では、撮像装置１００内の各部が使用する低電位側基準電位とオフ電位が、電位レベルがそれぞれ異なる３種類以上の電位を含んでいる。これにより、撮像装置１００内の各部の動作を最適化することができる。例えば、光電変換部３３４の低電位側基準電位を基準電位に設定するため、フォトダイオードの感度を向上できるとともに、暗電流を低減できる。また、光電変換部３３４の低電位側基準電位よりも、アドレスイベント検出部４００の低電位側基準電位を高くすることで、フォトダイオードに十分な逆バイアスがかかるようにして、ノイズ低減と応答速度の向上を図ることができる。さらに、転送制御部３３５のオフ電位を負電位にすることで、転送トランジスタとＯＦＧトランジスタを確実に排他的に動作させることができる。

（第２の実施形態）
図１４は第２の実施形態による撮像装置１００内の各部が使用する低電位側基準電位とオフ電位を示す図である。図１４の例でも、撮像装置１００内の各部が使用する低電位側基準電位とオフ電位として、それぞれ電位レベルが異なる３種類の基準電位を使用するが、これら３種類の基準電位の電位レベルが図１２とは異なっている。より具体的には、図１４の第１基準電位は接地電位ＧＮＤよりも高い電位レベルであり、第２基準電位は接地電位ＧＮＤよりも低い電位レベルである。

第２基準電位は、負電位供給部２３５から供給される。第１基準電位は、不図示の電源部から供給される。

図１４の例では、光電変換部３３４、画素信号生成部３２０、及びカラムＡＤＣ２２０の低電位側基準電位は接地電位ＧＮＤ（０Ｖ）である。また、アドレスイベント検出部４００の低電位側基準電位は、正電位である第１基準電位である。また、転送制御部３３５のオフ電位は第１基準電位より低い負電位である第２基準電位である。

図１４の場合、光電変換部３３４の低電位側基準電位を、アドレスイベント検出部４００の低電位側基準電位よりも低くするため、光電変換部３３４内のフォトダイオードの逆バイアスを十分に大きくでき、ノイズ低減と応答速度の向上が図れる。また、転送制御部３３５のオフ電位を第１基準電位より低い負電位である第２基準電位に設定するため、転送トランジスタとＯＦＧトランジスタを確実に排他的動作させることができる。

図１５Ａ及び図１５Ｂは第２の実施形態による撮像装置１００内の各部に与える低電位側基準電位とオフ電位の具体的な電位レベルの一例である。図１５Ａは転送トランジスタをオフする場合の電位レベル、図１５Ｂは転送トランジスタをオンする場合の電位レベルである。

図１５Ａに示すように、転送トランジスタをオフする場合、フォトダイオードのアノードは負電位である接地電位ＧＮＤ（０Ｖ）に設定される。また、転送トランジスタのゲートは負電位である－１．２Ｖに設定される。これにより、転送トランジスタは確実にオフする。画素信号生成部３２０内のリセットトランジスタのゲートは２．８Ｖに設定される。これにより、リセットトランジスタがオンし、浮遊拡散層３２４の電荷量が初期化される。画素信号生成部３２０の正電位側基準電位は２．８Ｖに設定される。アドレスイベント検出部４００の低電位側基準電位は、フォトダイオードのアノード電位よりも高い０．６Ｖに設定される。アドレスイベント検出部４００の正電位側基準電位は２．８Ｖに設定される。

図１５Ｂに示すように、転送トランジスタをオンする場合、フォトダイオードのアノードは同じく接地電位ＧＮＤ（０Ｖ）に設定される。また、転送トランジスタのゲートは２．８Ｖに設定される。画素信号生成部３２０内のリセットトランジスタのゲートは接地電位ＧＮＤ（０Ｖ）に設定される。リセットトランジスタのドレインは２．８Ｖに設定される。画素信号生成部３２０内の増幅トランジスタ３２２のドレインは２．８Ｖに設定される。

図１３Ａ、図１３Ｂ、図１５Ａ、図１５Ｂでは、正電位側基準電位として、２．２Ｖと２．８Ｖが混在しているが、これは一例であり、特定の電位に揃えてもよい。

このように、第２の実施形態では、撮像装置１００内の低電位側基準電位とオフ電位として、接地電位ＧＮＤ以外に、正電位の第１基準電位と負電位の第２基準電位を設けるため、撮像装置１００内の各部に最適な電圧レベルの低電位側基準電位を設定することができ、各部の動作を最適化することができる。特に、光電変換部３３４の低電位側基準電位よりも、アドレスイベント検出部４００の低電位側基準電位を高くすることで、フォトダイオードに十分な逆バイアスがかかるようにして、ノイズ低減と応答速度の向上を図ることができる。さらに、転送制御部３３５のオフ電位を負電位にすることで、転送トランジスタとＯＦＧトランジスタを確実に排他的に動作させることができる。

また、第２の実施形態では、低電位側基準電位及びオフ電位として、１種類の負電位のみを使用するため、負電位供給部２３５の回路構成を簡略化できる。

（第３の実施形態）
図１６は第３の実施形態による撮像装置１００内の各部が使用する低電位側基準電位とオフ電位を示す図である。

図１６に示すように、第３の実施形態による撮像装置１００は、光電変換部３３４の低電位側基準電位を切り替える電位選択部３３６を備えている。電位選択部３３６は、アドレスイベント検出部４００にてフォトダイオードが光電変換した電気信号（光電流）の変化量が所定の閾値を超えたか否かをアドレスイベント検出部４００が検出する期間内には第１基準電位を選択し、アナログデジタル変換器が画素信号をデジタル信号に変換する期間内は、第１基準電位よりも電位レベルが高い第２基準電位を選択する。

第３の実施形態による撮像装置１００の各部が使用する低電位側基準電位とオフ電位は、それぞれ電位レベルが異なる第１基準電位と第２基準電位である。すなわち、第３の実施形態は、第１及び第２の実施形態と比べて、基準電位の数が一つ少ない。

第３の実施形態における第２基準電位は例えば接地電位ＧＮＤ（０Ｖ）であり、第１基準電位は接地電位ＧＮＤより電位レベルが低い負電位である。第１基準電位は、負電位供給部２３５から供給される。

図１６の撮像装置１００では、アドレスイベント検出部４００と、画素信号生成部３２０と、カラムＡＤＣ２２０の低電位側基準電位は、接地電位ＧＮＤ（第２基準電位）である。転送制御部３３５のオフ電位は負電位（第１基準電位）である。

アドレスイベント検出部４００は、光電変換部３３４内のフォトダイオードが光電変換した電気信号に基づいて、いち早くアドレスイベントを検出する必要がある。よって、アドレスイベント検出部４００がアドレスイベント検出動作を行う期間内は、光電変換部３３４の低電位側基準電位を負電位に下げて、フォトダイオードの感度向上と暗電流の低下を図る。一方、アドレスイベント検出部４００でアドレスイベントが検出されると、画素信号生成部３２０で画素信号を生成する動作が行われるが、この期間内はフォトダイオードの感度を向上させる必要がないことから、受信部の低電位側基準電位は接地電位ＧＮＤにし、消費電力の削減を図る。

このように、第３の実施形態では、光電変換部３３４の低電位側基準電位を、アドレスイベント検出を行う場合と画素信号を生成する場合とで切り替えるため、アドレスイベント検出時のフォトダイオードの感度向上や暗電流の減少を図れるとともに、画素信号生成時の消費電力を削減できる。

（第４の実施形態）
上述した第１～第３の実施形態では、図６のアドレスイベント検出部４００を備えた撮像装置１００について説明したが、アドレスイベント検出部４００の内部構成は、必ずしも図６に限定されない。図１７はアドレスイベント検出部４００の第２構成例を示すブロック図である。図１７に示すように、本構成例に係るアドレスイベント検出部４００は、電流電圧変換部４１０、バッファ４２０、減算器４３０、量子化器４４０、及び、転送部４５０の他に、記憶部４６０及び制御部４７０を有する構成となっている。

記憶部４６０は、量子化器４４０と転送部４５０との間に設けられており、制御部４７０から供給されるサンプル信号に基づいて、量子化器４４０の出力、即ち、量子化器４４０内のコンパレータ４４１の比較結果を蓄積する。記憶部４６０は、スイッチ、プラスチック、容量などのサンプリング回路であってもよいし、ラッチやフリップフロップなどのデジタルメモリ回路でもあってもよい。

制御部４７０は、コンパレータ４４１の反転（－）入力端子に対して所定の閾値電圧Ｖ_thを供給する。制御部４７０からコンパレータ４４１に供給される閾値電圧Ｖ_thは、時分割で異なる電圧値であってもよい。例えば、制御部４７０は、光電流の変化量が上限の閾値を超えた旨を示すオンイベントに対応する閾値電圧Ｖ_th1、及び、その変化量が下限の閾値を下回った旨を示すオフイベントに対応する閾値電圧Ｖ_th2を異なるタイミングで供給することで、１つのコンパレータ４４１で複数種類のアドレスイベントの検出が可能になる。

記憶部４６０は、例えば、制御部４７０からコンパレータ４４１の反転（－）入力端子に、オフイベントに対応する閾値電圧Ｖ_th2が供給されている期間に、オンイベントに対応する閾値電圧Ｖ_th1を用いたコンパレータ４４１の比較結果を蓄積するようにしてもよい。尚、記憶部４６０は、画素３０の内部にあってもよいし、画素３０の外部にあってもよい。また、記憶部４６０は、アドレスイベント検出部４００の必須の構成要素ではない。すなわち、記憶部４６０は、無くてもよい。

［第２構成例に係る撮像装置１００（スキャン方式）］
上述した図６に示すアドレスイベント検出部４００の第１構成例を備えた撮像装置１００２０は、非同期型の読出し方式にてイベントを読み出す非同期型の撮像装置１００である。但し、イベントの読出し方式としては、非同期型の読出し方式に限られるものではなく、同期型の読出し方式であってもよい。同期型の読出し方式が適用される撮像装置１００は、所定のフレームレートで撮像を行う通常の撮像装置１００と同じ、スキャン方式の撮像装置１００である。

図１８は、本開示に係る技術が適用される撮像システム１０における撮像装置１００２０として用いられる、第２構成例に係る撮像装置１００、即ち、スキャン方式の撮像装置１００の構成の一例を示すブロック図である。

図１８に示すように、本開示の撮像装置１００としての第２構成例に係る撮像装置１００２０は、画素アレイ部２１、駆動部２２、信号処理部２５、読出し領域選択部２７、及び、信号生成部２２１を備える構成となっている。

画素アレイ部２１は、複数の画素３０を含む。複数の画素３０は、読出し領域選択部２７の選択信号に応答して出力信号を出力する。複数の画素３０のそれぞれについては、例えば図７に示すように、画素内に量子化器を持つ構成とすることもできる。複数の画素３０は、光の強度の変化量に対応する出力信号を出力する。複数の画素３０は、図１８に示すように、行列状に２次元配置されていてもよい。

駆動部２２は、複数の画素３０のそれぞれを駆動して、各画素３０で生成された画素信号を信号処理部２５に出力させる。尚、駆動部２２及び信号処理部２５については、階調情報を取得するための回路部である。従って、イベント情報のみを取得する場合は、駆動部２２及び信号処理部２５は無くてもよい。

読出し領域選択部２７は、画素アレイ部２１に含まれる複数の画素３０のうちの一部を選択する。例えば、読出し領域選択部２７は、画素アレイ部２１に対応する２次元行列の構造に含まれる行のうちのいずれか１つもしくは複数の行を選択する。読出し領域選択部２７は、予め設定された周期に応じて１つもしくは複数の行を順次選択する。また、読出し領域選択部２７は、画素アレイ部２１の各画素３０からのリクエストに応じて選択領域を決定してもよい。

信号生成部２２１は、読出し領域選択部２７によって選択された画素の出力信号に基づいて、選択された画素のうちのイベントを検出した活性画素に対応するイベント信号を生成する。イベントは、光の強度が変化するイベントである。活性画素は、出力信号に対応する光の強度の変化量が予め設定された閾値を超える、又は、下回る画素である。例えば、信号生成部２２１は、画素の出力信号を基準信号と比較し、基準信号よりも大きい又は小さい場合に出力信号を出力する活性画素を検出し、当該活性画素に対応するイベント信号を生成する。

信号生成部２２１については、例えば、信号生成部２２１に入ってくる信号を調停するような列選択回路を含む構成とすることができる。また、信号生成部２２１については、イベントを検出した活性画素の情報の出力のみならず、イベントを検出しない非活性画素の情報も出力する構成とすることができる。

信号生成部２２１からは、出力線１５を通して、イベントを検出した活性画素のアドレス情報及びタイムスタンプ情報（例えば、（Ｘ，Ｙ，Ｔ））が出力される。但し、信号生成部２２１から出力されるデータについては、アドレス情報及びタイムスタンプ情報だけでなく、フレーム形式の情報（例えば、（０，０，１，０，・・・））であってもよい。

［チップ構造の構成例］
上述した第１構成例又は第２構成例に係る撮像装置１００２０のチップ（半導体集積回路）構造としては、図２に示したように、積層型のチップ構造を採ることができる。積層型のチップ構造、所謂、積層構造は、第１のチップである受光チップ２０１、及び、第２のチップである検出チップ２０２の少なくとも２つのチップが積層された構造となっている。そして、図４に示す画素３０の回路構成において、受光部３３０のそれぞれが受光チップ２０１上に配置され、受光素子３１１以外の素子の全てや、画素３０の他の回路部分の素子などが検出チップ２０２上に配置される。受光チップ２０１と検出チップ２０２とは、ビア（ＶＩＡ）、Ｃｕ－Ｃｕ接合、バンプなどの接続部を介して電気的に接続される。

尚、ここでは、受光素子３１１を受光チップ２０１に配置し、受光素子３１１以外の素子や画素３０の他の回路部分の素子などを検出チップ２０２に配置する構成例を例示したが、この構成例に限られるものではない。

例えば、図４に示す画素３０の回路構成において、受光部３３０の各素子、及び、画素信号生成部３２０３２のリセットトランジスタ３２１、浮遊拡散層３２４を受光チップ２０１に配置し、それ以外の素子を検出チップ２０２に配置する構成とすることができる。あるいは、アドレスイベント検出部４００を構成する素子の一部を、受光部３３０の各素子などと共に受光チップ２０１に配置する構成とすることができる。

［カラム処理部の構成例］
図９では、カラムＡＤＣ２２０内に、画素アレイ部２１の画素列に対して、１対１の対応関係でアナログ－デジタル変換器（ＡＤＣ）２３０を配置する構成例を例示したが、この構成例に限定されるものではない。例えば、複数の画素列を単位としてアナログ－デジタル変換器（ＡＤＣ）２３０を配置し、当該アナログ－デジタル変換器（ＡＤＣ）２３０を複数の画素列間で時分割で用いる構成とすることもできる。

アナログ－デジタル変換器（ＡＤＣ）２３０は、垂直信号線ＶＳＬを介して供給されるアナログの画素信号ＳＩＧを、先述したアドレスイベントの検出信号よりもビット数の多いデジタル信号に変換する。例えば、アドレスイベントの検出信号を２ビットとすると、画素信号は、３ビット以上（１６ビットなど）のデジタル信号に変換される。アナログ－デジタル変換器（ＡＤＣ）２３０は、アナログ－デジタル変換で生成したデジタル信号を信号処理部２５に供給する。

［ノイズイベントについて］
ところで、第１構成例に係る撮像装置１００２０は、画素アドレス毎に、その画素の光量が所定の閾値を超えた旨をアドレスイベントとしてリアルタイムに検出する検出部（即ち、アドレスイベント検出部４００）を画素３０毎に備えたＤＶＳと呼ばれる非同期型の撮像装置１００である。

この非同期型の第１構成例に係る撮像装置１００では、本来、シーンの中で何らかのイベント（即ち、真イベント）が発生したとき、当該真イベントの発生に起因するデータの取得が行われる。しかし、非同期型の撮像装置１００では、真イベントの発生の無いシーンでも、センサノイズ等のノイズイベント（偽イベント）に起因して、無駄に、データの取得が行われる場合がある。これにより、ノイズ信号が読み出されてしまうだけでなく、信号出力のスループットを低下させることになる。

＜本開示に係る技術の適用例＞
本開示に係る技術は、様々な製品に適用することができる。以下に、より具体的な適用例について説明する。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械（トラクター）などのいずれかの種類の移動体に搭載される測距装置として実現されてもよい。

［移動体］
図１９は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システム７０００の概略的な構成例を示すブロック図である。車両制御システム７０００は、通信ネットワーク７０１０を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１９に示した例では、車両制御システム７０００は、駆動系制御ユニット７１００、ボディ系制御ユニット７２００、バッテリ制御ユニット７３００、車外情報検出ユニット７４００、車内情報検出ユニット７５００、及び統合制御ユニット７６００を備える。これらの複数の制御ユニットを接続する通信ネットワーク７０１０は、例えば、ＣＡＮ（Controller Area Network）、ＬＩＮ（Local Interconnect Network）、ＬＡＮ（Local Area Network）又はＦｌｅｘＲａｙ（登録商標）等の任意の規格に準拠した車載通信ネットワークであってよい。

各制御ユニットは、各種プログラムにしたがって演算処理を行うマイクロコンピュータ（プロセッサ）と、マイクロコンピュータにより実行されるプログラム又は各種演算に用いられるパラメータ等を記憶する記憶部と、各種制御対象の装置を駆動する駆動回路とを備える。各制御ユニットは、通信ネットワーク７０１０を介して他の制御ユニットとの間で通信を行うためのネットワークＩ／Ｆを備えるとともに、車内外の装置又はセンサ等との間で、有線通信又は無線通信により通信を行うための通信Ｉ／Ｆを備える。図１９では、統合制御ユニット７６００の機能構成として、マイクロコンピュータ７６１０、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０、音声画像出力部７６７０、車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０及び記憶部７６９０が図示されている。他の制御ユニットも同様に、マイクロコンピュータ、通信Ｉ／Ｆ及び記憶部等を備える。

駆動系制御ユニット７１００は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット７１００は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。駆動系制御ユニット７１００は、ＡＢＳ（Antilock Brake System）又はＥＳＣ（Electronic Stability Control）等の制御装置としての機能を有してもよい。

駆動系制御ユニット７１００には、車両状態検出部７１１０が接続される。車両状態検出部７１１０には、例えば、車体の軸回転運動の角速度を検出するジャイロセンサ、車両の加速度を検出する加速度センサ、あるいは、アクセルペダルの操作量、ブレーキペダルの操作量、ステアリングホイールの操舵角、エンジン回転数又は車輪の回転速度等を検出するためのセンサのうちの少なくとも一つが含まれる。駆動系制御ユニット７１００は、車両状態検出部７１１０から入力される信号を用いて演算処理を行い、内燃機関、駆動用モータ、電動パワーステアリング装置又はブレーキ装置等を制御する。

ボディ系制御ユニット７２００は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット７２００は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット７２００には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット７２００は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

バッテリ制御ユニット７３００は、各種プログラムにしたがって駆動用モータの電力供給源である二次電池７３１０を制御する。例えば、バッテリ制御ユニット７３００には、二次電池７３１０を備えたバッテリ装置から、バッテリ温度、バッテリ出力電圧又はバッテリの残存容量等の情報が入力される。バッテリ制御ユニット７３００は、これらの信号を用いて演算処理を行い、二次電池７３１０の温度調節制御又はバッテリ装置に備えられた冷却装置等の制御を行う。

車外情報検出ユニット７４００は、車両制御システム７０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット７４００には、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０のうちの少なくとも一方が接続される。撮像部７４１０には、ＴｏＦ（Time Of Flight）カメラ、ステレオカメラ、単眼カメラ、赤外線カメラ及びその他のカメラのうちの少なくとも一つが含まれる。車外情報検出部７４２０には、例えば、現在の天候又は気象を検出するための環境センサ、あるいは、車両制御システム７０００を搭載した車両の周囲の他の車両、障害物又は歩行者等を検出するための周囲情報検出センサのうちの少なくとも一つが含まれる。

環境センサは、例えば、雨天を検出する雨滴センサ、霧を検出する霧センサ、日照度合いを検出する日照センサ、及び降雪を検出する雪センサのうちの少なくとも一つであってよい。周囲情報検出センサは、超音波センサ、レーダ装置及びＬＩＤＡＲ（Light Detection and Ranging、Laser Imaging Detection and Ranging）装置のうちの少なくとも一つであってよい。これらの撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０は、それぞれ独立したセンサないし装置として備えられてもよいし、複数のセンサないし装置が統合された装置として備えられてもよい。

ここで、図２０は、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０の設置位置の例を示す。撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６，７９１８は、例えば、車両７９００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部のうちの少なくとも一つの位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部７９１０及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として車両７９００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部７９１２，７９１４は、主として車両７９００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部７９１６は、主として車両７９００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。

尚、図２０には、それぞれの撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲ａは、フロントノーズに設けられた撮像部７９１０の撮像範囲を示し、撮像範囲ｂ，ｃは、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部７９１２，７９１４の撮像範囲を示し、撮像範囲ｄは、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部７９１６の撮像範囲を示す。例えば、撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両７９００を上方から見た俯瞰画像が得られる。

車両７９００のフロント、リア、サイド、コーナ及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２２，７９２４，７９２６，７９２８，７９３０は、例えば超音波センサ又はレーダ装置であってよい。車両７９００のフロントノーズ、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２６，７９３０は、例えばＬＩＤＡＲ装置であってよい。これらの車外情報検出部７９２０～７９３０は、主として先行車両、歩行者又は障害物等の検出に用いられる。

図１９に戻って説明を続ける。車外情報検出ユニット７４００は、撮像部７４１０に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像データを受信する。また、車外情報検出ユニット７４００は、接続されている車外情報検出部７４２０から検出情報を受信する。車外情報検出部７４２０が超音波センサ、レーダ装置又はＬＩＤＡＲ装置である場合には、車外情報検出ユニット７４００は、超音波又は電磁波等を発信させるとともに、受信された反射波の情報を受信する。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、降雨、霧又は路面状況等を認識する環境認識処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、車外の物体までの距離を算出してもよい。

また、車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等を認識する画像認識処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに対して歪補正又は位置合わせ等の処理を行うとともに、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを合成して、俯瞰画像又はパノラマ画像を生成してもよい。車外情報検出ユニット７４００は、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを用いて、視点変換処理を行ってもよい。

車内情報検出ユニット７５００は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部７５１０が接続される。運転者状態検出部７５１０は、運転者を撮像するカメラ、運転者の生体情報を検出する生体センサ又は車室内の音声を集音するマイク等を含んでもよい。生体センサは、例えば、座面又はステアリングホイール等に設けられ、座席に座った搭乗者又はステアリングホイールを握る運転者の生体情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００は、運転者状態検出部７５１０から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。車内情報検出ユニット７５００は、集音された音声信号に対してノイズキャンセリング処理等の処理を行ってもよい。

統合制御ユニット７６００は、各種プログラムにしたがって車両制御システム７０００内の動作全般を制御する。統合制御ユニット７６００には、入力部７８００が接続されている。入力部７８００は、例えば、タッチパネル、ボタン、マイクロフォン、スイッチ又はレバー等、搭乗者によって入力操作され得る装置によって実現される。統合制御ユニット７６００には、マイクロフォンにより入力される音声を音声認識することにより得たデータが入力されてもよい。入力部７８００は、例えば、赤外線又はその他の電波を利用したリモートコントロール装置であってもよいし、車両制御システム７０００の操作に対応した携帯電話又はＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等の外部接続機器であってもよい。入力部７８００は、例えばカメラであってもよく、その場合搭乗者はジェスチャにより情報を入力することができる。あるいは、搭乗者が装着したウェアラブル装置の動きを検出することで得られたデータが入力されてもよい。さらに、入力部７８００は、例えば、上記の入力部７８００を用いて搭乗者等により入力された情報に基づいて入力信号を生成し、統合制御ユニット７６００に出力する入力制御回路などを含んでもよい。搭乗者等は、この入力部７８００を操作することにより、車両制御システム７０００に対して各種のデータを入力したり処理動作を指示したりする。

記憶部７６９０は、マイクロコンピュータにより実行される各種プログラムを記憶するＲＯＭ（Read Only Memory）、及び各種パラメータ、演算結果又はセンサ値等を記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）を含んでいてもよい。また、記憶部７６９０は、ＨＤＤ（Hard Disc Drive）等の磁気記憶デバイス、半導体記憶デバイス、光記憶デバイス又は光磁気記憶デバイス等によって実現してもよい。

汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、外部環境７７５０に存在する様々な機器との間の通信を仲介する汎用的な通信Ｉ／Ｆである。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、ＧＳＭ（登録商標）（Global System of Mobile communications）、ＷｉＭＡＸ、ＬＴＥ（Long Term Evolution）若しくはＬＴＥ－Ａ（LTE－Advanced）などのセルラー通信プロトコル、又は無線ＬＡＮ（Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）ともいう）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などのその他の無線通信プロトコルを実装してよい。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えば、基地局又はアクセスポイントを介して、外部ネットワーク（例えば、インターネット、クラウドネットワーク又は事業者固有のネットワーク）上に存在する機器（例えば、アプリケーションサーバ又は制御サーバ）へ接続してもよい。また、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えばＰ２Ｐ（Peer To Peer）技術を用いて、車両の近傍に存在する端末（例えば、運転者、歩行者若しくは店舗の端末、又はＭＴＣ（Machine Type Communication）端末）と接続してもよい。

専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、車両における使用を目的として策定された通信プロトコルをサポートする通信Ｉ／Ｆである。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、例えば、下位レイヤのＩＥＥＥ８０２．１１ｐと上位レイヤのＩＥＥＥ１６０９との組合せであるＷＡＶＥ（Wireless Access in Vehicle Environment）、ＤＳＲＣ（Dedicated Short Range Communications）、又はセルラー通信プロトコルといった標準プロトコルを実装してよい。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、典型的には、車車間（Vehicle to Vehicle）通信、路車間（Vehicle to Infrastructure）通信、車両と家との間（Vehicle to Home）の通信及び歩車間（Vehicle to Pedestrian）通信のうちの１つ以上を含む概念であるＶ２Ｘ通信を遂行する。

測位部７６４０は、例えば、ＧＮＳＳ（Global Navigation Satellite System）衛星からのＧＮＳＳ信号（例えば、ＧＰＳ（Global Positioning System）衛星からのＧＰＳ信号）を受信して測位を実行し、車両の緯度、経度及び高度を含む位置情報を生成する。尚、測位部７６４０は、無線アクセスポイントとの信号の交換により現在位置を特定してもよく、又は測位機能を有する携帯電話、ＰＨＳ若しくはスマートフォンといった端末から位置情報を取得してもよい。

ビーコン受信部７６５０は、例えば、道路上に設置された無線局等から発信される電波あるいは電磁波を受信し、現在位置、渋滞、通行止め又は所要時間等の情報を取得する。尚、ビーコン受信部７６５０の機能は、上述した専用通信Ｉ／Ｆ７６３０に含まれてもよい。

車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、マイクロコンピュータ７６１０と車内に存在する様々な車内機器７７６０との間の接続を仲介する通信インタフェースである。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、無線ＬＡＮ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＮＦＣ（Near Field Communication）又はＷＵＳＢ（Wireless USB）といった無線通信プロトコルを用いて無線接続を確立してもよい。また、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、図示しない接続端子（及び、必要であればケーブル）を介して、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）、ＨＤＭＩ（登録商標）（High-Definition Multimedia Interface）、又はＭＨＬ（Mobile High-definition Link）等の有線接続を確立してもよい。車内機器７７６０は、例えば、搭乗者が有するモバイル機器若しくはウェアラブル機器、又は車両に搬入され若しくは取り付けられる情報機器のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。また、車内機器７７６０は、任意の目的地までの経路探索を行うナビゲーション装置を含んでいてもよい。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、これらの車内機器７７６０との間で、制御信号又はデータ信号を交換する。

車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、マイクロコンピュータ７６１０と通信ネットワーク７０１０との間の通信を仲介するインタフェースである。車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、通信ネットワーク７０１０によりサポートされる所定のプロトコルに則して、信号等を送受信する。

統合制御ユニット７６００のマイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、各種プログラムにしたがって、車両制御システム７０００を制御する。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット７１００に対して制御指令を出力してもよい。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行ってもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行ってもよい。

マイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、車両と周辺の構造物や人物等の物体との間の３次元距離情報を生成し、車両の現在位置の周辺情報を含むローカル地図情報を作成してもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される情報に基づき、車両の衝突、歩行者等の近接又は通行止めの道路への進入等の危険を予測し、警告用信号を生成してもよい。警告用信号は、例えば、警告音を発生させたり、警告ランプを点灯させたりするための信号であってよい。

音声画像出力部７６７０は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１９の例では、出力装置として、オーディオスピーカ７７１０、表示部７７２０及びインストルメントパネル７７３０が例示されている。表示部７７２０は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。表示部７７２０は、ＡＲ（Augmented Reality）表示機能を有していてもよい。出力装置は、これらの装置以外の、ヘッドホン、搭乗者が装着する眼鏡型ディスプレイ等のウェアラブルデバイス、プロジェクタ又はランプ等の他の装置であってもよい。出力装置が表示装置の場合、表示装置は、マイクロコンピュータ７６１０が行った各種処理により得られた結果又は他の制御ユニットから受信された情報を、テキスト、イメージ、表、グラフ等、様々な形式で視覚的に表示する。また、出力装置が音声出力装置の場合、音声出力装置は、再生された音声データ又は音響データ等からなるオーディオ信号をアナログ信号に変換して聴覚的に出力する。

尚、図１９に示した例において、通信ネットワーク７０１０を介して接続された少なくとも二つの制御ユニットが一つの制御ユニットとして一体化されてもよい。あるいは、個々の制御ユニットが、複数の制御ユニットにより構成されてもよい。さらに、車両制御システム７０００が、図示されていない別の制御ユニットを備えてもよい。また、上記の説明において、いずれかの制御ユニットが担う機能の一部又は全部を、他の制御ユニットに持たせてもよい。つまり、通信ネットワーク７０１０を介して情報の送受信がされるようになっていれば、所定の演算処理が、いずれかの制御ユニットで行われるようになってもよい。同様に、いずれかの制御ユニットに接続されているセンサ又は装置が、他の制御ユニットに接続されるとともに、複数の制御ユニットが、通信ネットワーク７０１０を介して相互に検出情報を送受信してもよい。

以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６，７９１８や、車外情報検出部７９２０，７９２２，７９２４，７９２６，７９２８，７９３０や、運転者状態検出部７５１０等に適用され得る。具体的には、これらの撮像部や検出部に対して、本開示の撮像装置１００を有する図１の撮像システム１０を適用することができる。そして、本開示に係る技術を適用することにより、センサノイズ等のノイズイベントの影響を緩和し、真イベントの発生を確実に、かつ、迅速に感知することができるため、安全な車両走行を実現することが可能となる。

なお、本開示は以下のような構成を取ることができる。
（１）それぞれが入射光を光電変換して電気信号を生成する複数の光電変換素子を有する光電変換部と、
前記複数の光電変換素子のそれぞれの前記電気信号の変化量が所定の閾値を超えたか否かを示す検出信号を出力する検出部と、
前記電気信号に基づいて画素信号を生成する画素信号生成部と、
前記電気信号を前記画素信号生成部に転送する制御を行う転送制御部と、
前記画素信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換器と、を備え、
前記光電変換部の低電位側基準電位と、前記検出部の低電位側基準電位と、前記画素信号生成部の低電位側基準電位と、前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位と、前記転送制御部のオフ電位とは、電位レベルがそれぞれ異なる３つ以上の電位を含んでいる、撮像装置。
（２）前記光電変換部の低電位側基準電位は、前記検出部の低電位側基準電位よりも電位レベルが低い、（１）に記載の撮像装置。
（３）前記光電変換部の低電位側基準電位は、前記転送制御部のオフ電位よりも電位レベルが高い、（１）又は（２）に記載の撮像装置。
（４）前記光電変換部の低電位側基準電位は、前記画素信号生成部及び前記アナログデジタル変換器の少なくとも一方の低電位側基準電位よりも電位レベルが低い、（１）乃至（３）のいずれか一項に記載の撮像装置。
（５）前記光電変換部の低電位側基準電位、前記検出部の低電位側基準電位、前記画素信号生成部の低電位側基準電位、前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位、及び前記転送制御部のオフ電位の少なくとも一つは接地電位であり、かつその他の少なくとも一つは前記接地電位よりも電位レベルが低い第１基準電位であり、かつその他の少なくとも一つは前記第１基準電位よりも電位レベルが低い第２基準電位である、（１）乃至（４）のいずれか一項に記載の撮像装置。
（６）前記光電変換部の低電位側基準電位は前記第２基準電位であり、
前記検出部、前記画素信号生成部及び前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位は前記接地電位であり、
前記転送制御部のオフ電位は前記第２基準電位である、（５）に記載の撮像装置。
（７）前記接地電位は０Ｖであり、
前記第１基準電位は負電位であり、
前記第２基準電位は、前記第１基準電位よりも電位レベルが低い負電位である、（５）又は（６）に記載の撮像装置。
（８）前記光電変換部、前記画素信号生成部及び前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位は略等しい、（１）乃至（３）のいずれか一項に記載の撮像装置。
（９）前記光電変換部の低電位側基準電位、前記検出部の低電位側基準電位、前記画素信号生成部の低電位側基準電位、前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位、及び前記転送制御部のオフ電位の少なくとも一つは接地電位であり、かつその他の少なくとも一つは前記接地電位よりも電位レベルが高い第１基準電位であり、かつその他の少なくとも一つは前記接地電位よりも電位レベルが低い第２基準電位である、（１）乃至（３）、及び（８）のいずれか一項に記載の撮像装置。
（１０）前記光電変換部、前記画素信号生成部及び前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位は前記接地電位であり、
前記検出部の低電位側基準電位は前記第１基準電位であり、
前記転送制御部のオフ電位は前記第２基準電位である、（９）に記載の撮像装置。
（１１）前記接地電位は０Ｖであり、
前記第１基準電位は正電位であり、
前記第２基準電位は負電位である、（９）又は（１０）に記載の撮像装置。
（１２）それぞれが入射光を光電変換して電気信号を生成する複数の光電変換素子を有する光電変換部と、
前記複数の光電変換素子のそれぞれの前記電気信号の変化量が所定の閾値を超えたか否かを示す検出信号を出力する検出部と、
前記電気信号に基づいて画素信号を生成する画素信号生成部と、
前記電気信号を前記画素信号生成部に転送する制御を行う転送制御部と、
前記画素信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換器と、
前記光電変換部の低電位側基準電位を切り替える電位選択部と、を備える、撮像装置。
（１３）前記アナログデジタル変換器は、前記変化量が前記所定の閾値を超えたことが前記検出部で検出されると、前記画素信号を前記デジタル信号に変換し、
前記電位選択部は、前記変化量が前記所定の閾値を超えたか否かを前記検出部が検出する期間内には第１基準電位を選択し、前記アナログデジタル変換器が前記画素信号を前記デジタル信号に変換する期間内は、前記第１基準電位よりも電位レベルが高い第２基準電位を選択する、（１２）に記載の撮像装置。
（１４）前記第１基準電位は負電位であり、
前記第２基準電位は接地電位である、（１３）に記載の撮像装置。
（１５）前記光電変換部の低電位側基準電位と、前記検出部の低電位側基準電位と、前記画素信号生成部の低電位側基準電位と、前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位と、前記転送制御部のオフ電位とは、電位レベルがそれぞれ異なる２つ以上の電位を含んでいる、（１２）乃至（１４）のいずれか一項に記載の撮像装置。
（１６）前記検出部の低電位側基準電位と、前記画素信号生成部の低電位側基準電位と、前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位とは接地電位であり、
前記転送制御部のオフ電位は負電位である、（１２）乃至（１５）のいずれか一項に記載の撮像装置。
（１７）前記第１基準電位及び前記第２基準電位の少なくとも一方を生成する電位生成部を備える、（５）乃至（７）、（９）乃至（１１）、及び（１３）のいずれか一項に記載の撮像装置。
（１８）少なくとも前記検出部は、前記光電変換部が配置される第１基板に積層される第２基板に配置される、（１）乃至（１７）のいずれか一項に記載の撮像装置。
（１９）前記転送制御部内のトランジスタのバックゲートは、前記光電変換部の低電位側基準電位と同じ電位レベルの電位に設定される、（１）乃至（１８）のいずれか一項に記載の撮像装置。
（２０）撮像された画像データを出力する撮像装置と、
前記画像データに対して所定の信号処理を行うプロセッサと、を備え、
前記撮像装置は、
それぞれが入射光を光電変換して電気信号を生成する複数の光電変換素子を有する光電変換部と、
前記複数の光電変換素子のそれぞれの前記電気信号の変化量が所定の閾値を超えたか否かを示す検出信号を出力する検出部と、
前記電気信号に基づいて画素信号を生成する画素信号生成部と、
前記電気信号を前記画素信号生成部に転送する制御を行う転送制御部と、
前記画素信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換器と、を備え、
前記光電変換部の低電位側基準電位と、前記検出部の低電位側基準電位と、前記画素信号生成部の低電位側基準電位と、前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位と、前記転送制御部のオフ電位とは、電位レベルがそれぞれ異なる３つ以上の電位を含んでいる、電子機器。
（２１）複数の光電変換素子にて、入射光を光電変換して電気信号を生成するステップと、
前記複数の光電変換素子のそれぞれの前記電気信号の変化量が所定の閾値を超えたか否かを示す検出信号を出力するステップと、
前記電気信号を転送するステップと、
前記転送された電気信号に基づいて画素信号を生成するステップと、
前記画素信号をデジタル信号に変換するステップと、を備え、
前記光電変換の際の低電位側基準電位と、前記検出信号を出力する際の低電位側基準電位と、前記画素信号を生成する際の低電位側基準電位と、前記画素信号をデジタル信号に変換する際の低電位側基準電位と、前記電気信号を転送する際のオフ電位とは、電位レベルがそれぞれ異なる３つ以上の電位を含んでおり、これらの電位を用いて、前記電気信号を生成するステップと、前記検出信号を出力するステップと、前記電気信号を転送するステップと、前記画素信号を生成するステップと、前記デジタル信号に変換するステップとが行われる、撮像方法。

本開示の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形も含むものであり、本開示の効果も上述した内容に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本開示の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。

１００撮像装置、１１０撮像レンズ、１２０記録部、１３０制御部、２００固体撮像素子、２０１受光チップ、２０２検出チップ、２１１駆動回路、２１２信号処理部、２１３アービタ、２２０カラムＡＤＣ、２２１信号生成部、２２３参照信号生成部、２２２出力部、２３０ＡＤＣ、２３５負電位供給部、２３６比較器、２３７カウンタ、２３８スイッチ、２３９メモリ、２４０差動増幅回路、２４１、２４２、４１２Ｐ型トランジスタ、２４３、２４４、２４５、４１１、４１３Ｎ型トランジスタ、２５０カウンタ、３００画素アレイ部、３１０画素ブロック、３１１画素、３１２通常画素、３１３アドレスイベント検出画素、３２０画素信号生成部、３２１リセットトランジスタ、３２２増幅トランジスタ、３２３選択トランジスタ、３２４浮遊拡散層、３３０受光部、３３１転送トランジスタ、３３２ＯＦＧトランジスタ、３３３光電変換素子、３３４光電変換部、３３５転送制御部、４００アドレスイベント検出部、４１０電流電圧変換部、４２０バッファ、４３０減算器、４３１、４３３コンデンサ、４３２インバータ、４３４スイッチ、４４０量子化器、４４１コンパレータ、４５０転送部、１２０３１撮像部

Claims

それぞれが入射光を光電変換して電気信号を生成する複数の光電変換素子を有する光電変換部と、
前記複数の光電変換素子のそれぞれの前記電気信号の変化量が所定の閾値を超えたか否かを示す検出信号を出力する検出部と、
前記電気信号に基づいて画素信号を生成する画素信号生成部と、
前記電気信号を前記画素信号生成部に転送する制御を行う転送制御部と、
前記画素信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換器と、を備え、
前記光電変換部の低電位側基準電位と、前記検出部の低電位側基準電位と、前記画素信号生成部の低電位側基準電位と、前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位と、前記転送制御部のオフ電位とは、電位レベルがそれぞれ異なる３つ以上の電位を含み、
前記光電変換部、前記画素信号生成部及び前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位は略等しい、
撮像装置。
前記光電変換部の低電位側基準電位は、前記検出部の低電位側基準電位よりも電位レベルが低い、
請求項１に記載の撮像装置。
前記光電変換部の低電位側基準電位は、前記転送制御部のオフ電位よりも電位レベルが高い、
請求項１又は２に記載の撮像装置。
前記光電変換部の低電位側基準電位、前記検出部の低電位側基準電位、前記画素信号生成部の低電位側基準電位、前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位、及び前記転送制御部のオフ電位の少なくとも一つは接地電位であり、かつその他の少なくとも一つは前記接地電位よりも電位レベルが高い第１基準電位であり、かつその他の少なくとも一つは前記接地電位よりも電位レベルが低い第２基準電位である、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の撮像装置。
前記光電変換部、前記画素信号生成部及び前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位は前記接地電位であり、
前記検出部の低電位側基準電位は前記第１基準電位であり、
前記転送制御部のオフ電位は前記第２基準電位である、
請求項４に記載の撮像装置。
前記接地電位は０Ｖであり、
前記第１基準電位は正電位であり、
前記第２基準電位は負電位である、
請求項４又は５に記載の撮像装置。
それぞれが入射光を光電変換して電気信号を生成する複数の光電変換素子を有する光電変換部と、
前記複数の光電変換素子のそれぞれの前記電気信号の変化量が所定の閾値を超えたか否かを示す検出信号を出力する検出部と、
前記電気信号に基づいて画素信号を生成する画素信号生成部と、
前記電気信号を前記画素信号生成部に転送する制御を行う転送制御部と、
前記画素信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換器と、
前記光電変換部の低電位側基準電位を切り替える電位選択部と、を備え、
前記アナログデジタル変換器は、前記変化量が前記所定の閾値を超えたことが前記検出部で検出されると、前記画素信号を前記デジタル信号に変換し、
前記電位選択部は、前記変化量が前記所定の閾値を超えたか否かを前記検出部が検出する期間内には第１基準電位を選択し、前記アナログデジタル変換器が前記画素信号を前記デジタル信号に変換する期間内は、前記第１基準電位よりも電位レベルが高い第２基準電位を選択する、
撮像装置。
前記第１基準電位は負電位であり、
前記第２基準電位は接地電位である、
請求項７に記載の撮像装置。
前記光電変換部の低電位側基準電位と、前記検出部の低電位側基準電位と、前記画素信号生成部の低電位側基準電位と、前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位と、前記転送制御部のオフ電位とは、電位レベルがそれぞれ異なる２つ以上の電位を含んでいる、
請求項７又は８に記載の撮像装置。
前記検出部の低電位側基準電位と、前記画素信号生成部の低電位側基準電位と、前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位とは接地電位であり、
前記転送制御部のオフ電位は負電位である、
請求項７乃至９のいずれか一項に記載の撮像装置。
前記第１基準電位及び前記第２基準電位の少なくとも一方を生成する電位生成部を備える、
請求項４乃至１０のいずれか一項に記載の撮像装置。
少なくとも前記検出部は、前記光電変換部が配置される第１基板に積層される第２基板に配置される、
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の撮像装置。
前記転送制御部内のトランジスタのバックゲートは、前記光電変換部の低電位側基準電位と同じ電位レベルの電位に設定される、
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の撮像装置。
撮像された画像データを出力する撮像装置と、
前記画像データに対して所定の信号処理を行うプロセッサと、を備え、
前記撮像装置は、
それぞれが入射光を光電変換して電気信号を生成する複数の光電変換素子を有する光電変換部と、
前記複数の光電変換素子のそれぞれの前記電気信号の変化量が所定の閾値を超えたか否かを示す検出信号を出力する検出部と、
前記電気信号に基づいて画素信号を生成する画素信号生成部と、
前記電気信号を前記画素信号生成部に転送する制御を行う転送制御部と、
前記画素信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換器と、を備え、
前記光電変換部の低電位側基準電位と、前記検出部の低電位側基準電位と、前記画素信号生成部の低電位側基準電位と、前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位と、前記転送制御部のオフ電位とは、電位レベルがそれぞれ異なる３つ以上の電位を含み、
前記光電変換部、前記画素信号生成部及び前記アナログデジタル変換器の低電位側基準電位は略等しい、
電子機器。
複数の光電変換素子にて、入射光を光電変換して電気信号を生成するステップと、
前記複数の光電変換素子のそれぞれの前記電気信号の変化量が所定の閾値を超えたか否かを示す検出信号を出力するステップと、
前記電気信号を転送するステップと、
前記転送された電気信号に基づいて画素信号を生成するステップと、
前記画素信号をデジタル信号に変換するステップと、を備え、
前記光電変換の際の低電位側基準電位と、前記検出信号を出力する際の低電位側基準電位と、前記画素信号を生成する際の低電位側基準電位と、前記画素信号をデジタル信号に変換する際の低電位側基準電位と、前記電気信号を転送する際のオフ電位とは、電位レベルがそれぞれ異なる３つ以上の電位を含んでおり、これらの電位を用いて、前記電気信号を生成するステップと、前記検出信号を出力するステップと、前記電気信号を転送するステップと、前記画素信号を生成するステップと、前記デジタル信号に変換するステップとが行われ、
前記光電変換の際の低電位側基準電位、前記画素信号を生成する際の低電位側基準電位、及び前記画素信号をデジタル信号に変換する際の低電位側基準電位は略等しい、
撮像方法。