Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP7663365B2 - 露光装置、物品製造方法、およびステージ装置 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP7663365B2 - 露光装置、物品製造方法、およびステージ装置 - Google Patents

露光装置、物品製造方法、およびステージ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7663365B2
JP7663365B2 JP2021016038A JP2021016038A JP7663365B2 JP 7663365 B2 JP7663365 B2 JP 7663365B2 JP 2021016038 A JP2021016038 A JP 2021016038A JP 2021016038 A JP2021016038 A JP 2021016038A JP 7663365 B2 JP7663365 B2 JP 7663365B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
profile
exposure
substrate
acceleration
drive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021016038A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022119065A5 (ja
JP2022119065A (ja
Inventor
守 金石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2021016038A priority Critical patent/JP7663365B2/ja
Publication of JP2022119065A publication Critical patent/JP2022119065A/ja
Publication of JP2022119065A5 publication Critical patent/JP2022119065A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7663365B2 publication Critical patent/JP7663365B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明は、露光装置、物品製造方法、およびステージ装置に関する。
現在、半導体デバイスの製造装置である露光装置では、光学系に対して、マスクとウエハとを走査しながら露光する走査露光装置が主流となっている。露光装置では、露光精度や重ね合わせ精度と同時に生産性の向上が求められている。これまでは、ステージ駆動時の加速度と速度を向上させることにより露光時間を短縮し、生産性を向上させてきた。しかし、加速度、速度を向上させることで、ステージ制御の精度が低下してしまうため、従来の等速露光では生産性の向上には限界がある。このような課題に対し、特許文献1には、加減速区間においても露光を行う技術が開示されている。加減速中に露光を行う場合、ウエハに照射される単位面積あたりの露光量(以下「DOSE量」ともいう。)を一定に維持するために、特許文献2のようにステージ速度に比例して照明のエネルギー量を変化させることも提案されている。
特開2012-142463号公報 特開2002-373839号公報
露光領域内でステージ速度を変化させる場合、DOSE量を一定にするためには、照明のエネルギー量を速度に応じて変化させる必要があるが、変化できる量には限度がある。速度変化に対応可能な範囲で正弦波プロファイルを決定すると、プロファイルの振幅及び角速度の値が小さくなるので、隣接する露光領域間をつなぐステージ駆動区間(以下「非露光区間」という。)が長くなってしまい、生産性が低下しうる。生産性を向上させるためには、プロファイルの振幅及び角速度の値を大きくして、非露光区間を短縮したいが、その時の露光領域内の照明のエネルギー量の変化が大きくなってしまうため、DOSE量を一定にできず露光精度が低下しうる。
本発明は、例えば、露光精度と生産性の両立に有利な露光装置を提供する。
本発明の一側面によれば、原版と基板とを走査しながら前記基板を露光する露光装置であって、前記基板を保持して移動する基板ステージと、動プロファイルに従って前記基板ステージの移動を制御する制御部と、を有し、前記駆動プロファイルは、非露光区間における駆動プロファイルである第1プロファイルと、前記非露光区間の次の露光区間における駆動プロファイルである第2プロファイルとを含み、前記第2プロファイルに含まれる加速度のプロファイルは、正弦波を含むプロファイルであり、前記第1プロファイルに含まれる加速度のプロファイルは、前記正弦波の最大振幅の加速度である第1加速度より大きい第2加速度を含む、ことを特徴とする露光装置が提供される。
本発明によれば、例えば、露光精度と生産性の両立に有利な露光装置を提供することができる。
露光装置の構成を示す概略図である。 非露光駆動プロファイルと露光駆動プロファイルの関係を示す図。 非露光駆動プロファイルと露光駆動プロファイルとの接続について説明する図。 非露光駆動プロファイルと露光駆動プロファイルとの接続についての変形例を説明する図。 非露光駆動プロファイルと露光駆動プロファイルとの接続点においてジャークが一致せず位置決め誤差が大きくなる例を示す図。 非露光駆動プロファイルと露光駆動プロファイルとの接続点においてジャークを一致させる例を説明する図。 非露光駆動プロファイルと露光駆動プロファイルの関係を示す図。 露光開始直前の加速度プロファイルが緩やかになるようにプロファイルを調整することを説明する図。 基板のショットレイアウトと基板ステージの移動の軌跡の例を示す図。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
<第1実施形態>
図1は、実施形態における露光装置100の概略図である。本明細書および図面においては、水平面をXY平面とするXYZ座標系において方向が示される。一般には、被露光基板である基板104はその表面が水平面(XY平面)と平行になるように基板ステージ105の上に置かれる。よって以下では、基板104の表面に沿う平面内で互いに直交する方向にX軸およびY軸をとり、X軸およびY軸に垂直な方向にZ軸をとる。また、以下では、XYZ座標系におけるX軸、Y軸、Z軸にそれぞれ平行な方向をX方向、Y方向、Z方向といい、X軸周りの回転方向、Y軸周りの回転方向、Z軸周りの回転方向をそれぞれθx方向、θy方向、θz方向という。
露光装置100は、原版であるマスク102と基板104を走査しながらマスク102のパターンを基板104に転写する。一例において、露光装置100は、露光領域を矩形又は円弧スリット形状とし、マスク102と基板104とを相対的に走査して大画角を高精度に露光するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置(スキャナー)である。露光装置100は、図1に示すように、投影光学系101と、位置決め装置としてのマスクステージ103及び基板ステージ105と、照明光学系106と、主制御部111を有しうる。
図1において、投影光学系101の光軸AXはZ方向に伸びており、投影光学系101の像面はZ方向と垂直な面(すなわち、XY平面)に存する。マスク102は、マスクステージ103に保持される。マスク102のパターンは、投影光学系101の倍率(例えば、1/4、1/2、1/5)で投影され、投影光学系101の像面に像が形成される。
基板104は、例えば、その表面にレジスト(感光剤)が塗布されたウエハである。基板104には、先の露光処理で形成された同一のパターン構造を有する複数のショット領域が配列されている。基板ステージ105は、基板104を保持して移動するステージであって、基板104を吸着することにより固定するチャックを有しうる。また、基板ステージ105は、X方向及びY方向のそれぞれに移動可能なXYステージや投影光学系101の光軸AXと平行なZ方向(基板104の高さ方向)に移動可能なZステージを含みうる。更に、基板ステージ105は、θx方向およびθy方向に回転(傾斜)可能なレベリングステージや、θz方向に回転可能な回転ステージも含みうる。このように、基板ステージ105は、マスク102のパターンの像を基板104のショット領域に一致させるための6軸駆動系を構成しうる。基板ステージ105のX方向、Y方向、及びZ方向の位置は、基板ステージ105に配置されたバーミラー108と、干渉計110とによって常に計測されている。
マスク102は、マスクステージ103によって保持される。マスクステージ103は、投影光学系101の光軸AXに垂直な面内で、Y方向(矢印103aの方向)に走査される。この際、マスクステージ103は、マスクステージ103のY方向の位置が常に目標位置を維持するように走査(補正駆動)される。マスクステージ103のX方向及びY方向の位置は、マスクステージ103に配置されたバーミラー107と、干渉計109とによって常に計測されている。
照明光学系106は、基板104を露光するための光を射出する光源を含みうる。光源は、エキシマレーザなどのパルス光を発生する光源でありうる。照明光学系106は、光源からの光を用いて、マスク102を照明する。照明光学系106は、ビーム整形光学系、オプティカルインテグレータ、コリメータレンズ、ミラー、及びマスキングブレードなどを含み、遠紫外領域のパルス光を効率的に透過又は反射する。ビーム整形光学系は、入射光の断面形状(寸法)を予め定められた形状に整形する。オプティカルインテグレータは、光の配光特性を均一にしてマスク102を均一な照度で照明する。マスキングブレードは、チップサイズに対応する矩形の照明領域を規定する。かかる照明領域で部分照明されたマスク102のパターンは、投影光学系101を介して、基板104に投影される。
主制御部111は、CPUやメモリなどを含み、露光装置100の各部を統括的に制御する。主制御部111は、マスク102のパターンからの光を基板104の所定領域に結像させるために、マスク102を保持するマスクステージ103や基板104を保持する基板ステージ105を制御する。例えば、主制御部111は、マスクステージ103や基板ステージ105を介して、マスク102や基板104のXY面内の位置(X方向及びY方向の位置、及び、θz方向の回転)やZ方向の位置(θx方向及びθy方向それぞれの回転)を調整する。また、主制御部111は、マスクステージ103と基板ステージ105とを、投影光学系101に対して同期させて走査する。このように、主制御部111は、基板ステージ105により基板104を走査しながら基板104のショット領域のそれぞれを露光領域において露光する露光処理を制御する。
マスクステージ103を矢印103aの方向に走査する場合、基板ステージ105は、矢印105aの方向に、投影光学系101の倍率(縮小倍率)に応じて補正された速度で走査する。
図9は、基板ステージ105の移動の軌跡の例を、基板104に対する投影光学系101の相対的な移動として示した図である。図9には、基板104の複数のショット領域の配列(ショットレイアウト)が示されている。基板104は64個のショット領域を含む。各ショット領域内の数字は、ショット領域の番号を示し、各ショット領域内の矢印は、露光時の基板ステージ105の走査移動方向を示している。また、破線は、ショット領域間の基板ステージ105の移動方向を概略的に示しており、ショット領域毎の露光順序が示されている。例えば、ショット領域1とショット領域2の露光に関しては、ショット領域1では-Y方向への走査露光が行われ、その後、ショット領域2の露光が開始されるまでの間に図の左側にステップ動作が行われる。ステップ動作の完了後、ショット領域2で、+Y方向への走査露光が行われる。
ステージの加減速中に露光を行う場合、特開2002-373839号公報(特許文献2)に示されるように、ショット領域の全域が均一のDOSE量になるように、速度に応じて照明のエネルギー量を制御する必要がある。照明のエネルギー制御にはくさび型のプリズムやガルバノミラー等の振動ミラーが用いられ、均一のDOSE量になるようにモータの回転数とステージ速度の関係式が求められる。しかし、このような光学部材の駆動を用いた照明のエネルギー制御方法は、光学部材の配置や駆動アクチュエータの制約によって、照明のエネルギー可変量に限度がある。そのため、加減速露光を行うには照明のエネルギー可変量を考慮に入れてステージの駆動プロファイルを設定する必要がある。
以下では、図9に示されたショットレイアウトにおいて、ショット領域2とショット領域3に対する駆動方法を説明する。
図2には、本実施形態における、基板ステージ105の位置、速度、及び加速度のプロファイル(駆動プロファイル)が示されている。本実施形態において、駆動プロファイルは、非露光区間における駆動プロファイルである第1プロファイルと、非露光区間の次の露光区間における駆動プロファイルである第2プロファイルとを含みうる。本実施形態ではまず、非露光駆動201が行われ、ショット領域2の露光開始速度まで加速駆動が行われる。この非露光駆動201においては、第1プロファイルが使用される。露光駆動202には、第2プロファイルが使用される。露光終了後は、ショット領域3の露光開始速度まで非露光駆動203が行われ、その後、ショット領域3の露光駆動204が行われる。なお、図2では、ショット領域の中心を0として位置プロファイルを表示している。
前述したように、非露光区間と露光区間とを含む全体区間で1つの正弦波の形状をなす駆動プロファイルが使用される従来技術がある。このような駆動プロファイルを「基準駆動プロファイル」とする。本実施形態では、基準駆動プロファイルにしたがって制御される基板ステージ105の最高加速度以上の最高加速度が非露光区間で出るように第1プロファイルが規定される。また、第2プロファイルは、露光区間において基板ステージ105が最高速度で駆動されるように規定されうる。
非露光区間に係る第1プロファイルと露光区間に係る第2プロファイルは、両者の接続状態が改善されるように調整される。第2プロファイルは、正弦波のプロファイルを持つことができる。この場合、第1プロファイルおよび第2プロファイルは、両者の接続点において、基板ステージ105の位置、速度、および加速度が連続するように接続される。
以下、上記のような特徴を実現する手法について詳しく説明する。図3は、非露光駆動203及び露光駆動204の速度プロファイルと加速度プロファイルを拡大した図である。露光駆動204の位置、速度、加速度はそれぞれ、式1、式2、式3により示される。
位置:A00 2×(1-cos(ω0×(t-t0)))+Vmin×(t-t0)・・・(1)
速度:A00×sin(ω0×(t-t0))+Vmin ・・・(2)
加速度:A0×cos(ω0×(t-t0))・・・(3)
ただし、A0は加速度の振幅、ω0は角速度、tは時間、t0は露光駆動204の位相が0となる時刻、Vminは露光駆動204のt=t0における速度を示している。
計算する条件として、最高速度Vmax、露光領域内の最高速度と最低速度の割合(以下「速度変化率」という。)Vrate、露光領域(画角)Yd、露光開始時刻tsにおける位相(初期位相)ω0×(ts-t0)=aに基づいて、プロファイルの振幅A0及び角速度ω0が決定される。
速度変化率Vrateに関して、DOSE量を一定にできる範囲で速度が設定され、位相aは、0≦a<π/2を満たすことができる任意の位相に設定される。
露光駆動204の平均速度をVaveとすると、距離と時間の関係から式4が成り立つ。
Vave=Yd/(te-ts)・・・(4)
また、式2の速度プロファイルからも平均速度を求めることができる。それは式5のように示される。
式4と式5は等しいため、式4および式5は、式6のように整理することができる。
A00 2×(-cos(ω0×(te-t0))+cos(ω0×(ts-t0)))+Vmin×(te-ts)=Yd ・・・(6)
式6を角速度ω0のみを変数とした式にする。まず、露光開始速度をVmin_expとすると、Vmin_expとVmaxとVrateの関係は、式7のように示される。
Vmin_exp = Vmax/Vrate ・・・(7)
最高速度Vmaxは、式2に関して位相ω0×(t-t0)=π/2のときの速度であるため、最高速度Vmaxは式8のように示される。
Vmax = Vmin + A00・・・(8)
また、露光開始速度Vmin_expは、式2に関して位相aのときの速度であるため、露光開始速度Vmin_expは式9のように示される。
Vmin_exp = Vmin+A00×sin(a)・・・(9)
式7~9を組み合わせることで、A0及びVminは、式10及び式11のように示される。
A0 = ω0×Vmax×(1-1/Vrate)/(1-sin(a))・・・(10)
Vmin = Vmax×(1/Vrate-sin(a))/(1-sin(a))・・・(11)
次に、時間ts-t0は、位相ω0×(ts-t0)=aであるため、式12のように示される。
ts-t0 = a/ω0・・・(12)
更に、時間te-t0について露光終了時刻teにおける位相ω0×(te-t0)=bとすると、図3に示されているように、露光終了時の速度と露光開始時の速度は等しい。そのため、位相bは、位相aを用いて、式13のように示される。
b = π-a・・・(13)
時間ts-t0を求めたときと同様に、時間te-t0は式14のように示すことができる。
te-t0 = b/ω0・・・(14)
式13と式14から、時間te-t0は、式15のように示される。
te-t0 = (π-a)/ω0・・・(15)
式12と式15から、露光時間te-tsは、式16のように示される。
te-ts = (π-2a)/ω0・・・(16)
以上の式10、11、12、15、16を、式6に代入すると、式17のように、ω0のみの方程式が得られる。
1/ω0×(Vmax×(1-1/Vrate)/(1-sin(a)))×(-cos(π-a)+cos(a))+(Vmax×(1/Vrate-sin(a))/(1-sin(a)))×((π-2a)/ω0)=Yd・・・(17)
式17をω0について解くと、ω0は、式18のように示される。
ω0 = Vmax/(Yd×(1-sin(a)))×((1/Vrate-sin(a))×(π-2a)+2cos(a)×(1-1/Vrate))・・・(18)
また、式18で求めたω0を式10に代入することで、A0を求めることができる。
露光駆動では、駆動中の位置決め誤差を発生させないようにするために、基板ステージ105の固有振動数より低い周波数で基板ステージ105を駆動させることが有効である。角速度と周波数は比例関係にあるため、角速度ω0から計算される周波数が基板ステージ105の固有振動数より高い周波数の場合、速度変化率または最高速度を低くして再計算を行い、角速度ω0の値を低くすることができる。
非露光駆動203の速度プロファイル及び加速度プロファイルは、図2及び図3に示すように、プロファイル開始時刻t1)において、速度及び加速度を、露光駆動202の終了時と一致(連続)させる必要がある。また、三角関数のプロファイルを使用するため、速度及び加速度はそれぞれ、式19及び式20のように示すことができる。
速度:A11×(sin(ω1×(t-t1)+c)-sin(c)) + Vmin_exp ・・・(19)
加速度:A1×(cos(ω1×(t-t1)+c)・・・(20)
ただし、A1は加速度の振幅、ω1は角速度、cは初期位相、tは時間、t1は非露光駆動203の開始時刻である。非露光駆動203と露光駆動204は、t=tsの接続点210において接続される。
時刻t1から時刻tsの間は、ショット領域2からショット領域3へのステップ動作が行われているため、時刻tsは、その駆動時間よりも後に設定する必要がある。
非露光駆動の変数A1, ω1, cを求める方法について説明する。接続点210において、非露光駆動203と露光駆動204の位置、速度、加速度を一致(連続)させる必要がある。まず、速度の一致については、式2と式19が時刻tsにおいて一致するため、式21のように示される。
A11×(sin(ω1×(ts-t1)+c)-sin(c))-Vmin_exp = Vmin_exp ・・・(21)
加速度の一致については、式3と式20が時刻tsにおいて一致するため、式22のように示される。
A1×(cos(ω1×(ts-t1)+c) = A0×(cos(ω0×(ts-t0)+c) ・・・(22)
また、時刻t1のときの非露光駆動203の加速度は、露光駆動202の露光終了時の加速度と一致し、露光駆動202と露光駆動204は同じ駆動であるため、式23が示される。
A1×cos(c) = A0×cos(a)・・・(23)
式22は、三角関数の加減法から式24のように変形できる。
A1×(cos(ω1×(ts-t1))×cos(c)-sin(ω1×(ts-t1))×sin(c)) = A0×cos(ω0×(ts-t0))・・・(24)
式23を式24に代入することで、式25が得られる。
A0×cos(a)×cos(ω1×(ts-t1))-A1×sin(ω1×(ts-t1))×sin(c) = A0×cos(ω0×(ts-t0))・・・(25)
式25をA1×sin(c)について解くと、式26が得られる。
A1×sin(c) = A0×(cos(a)×cos(ω1×(ts-t1))-cos(ω0×(ts-t0))/sin(ω1×(ts-t1))・・・(26)
式26に式23を代入すると、式27が得られる。
(A0×sin(c)×cos(a))/cos(c) = cos(a)×(cos(ω1×(ts-t1))-cos(ω0×(ts-t0)))/(cos(a)×sin(ω1×(ts-t1)))・・・(27)
式27をcについて解くと、式28が得られる。
tan(c) = (cos(a)×cos(ω1×(ts-t1))-cos(ω0×(ts-t0)))/(cos(a)×sin(ω1×(ts-t1)))・・・(28)
ω1の値が求まると、式28は逆三角関数を用いて解くことが可能になる。
式24と同様に、三角関数の加減法を用いて式21を変形すると、式29が得られる。
A11×(sin(ω1×(ts-t1))×cos(c)-cos(ω1×(ts-t1))×sin(c)-sin(c))-Vmin_exp = Vmin_exp・・・(29)
式29に式23と式26を代入すると、ω1のみを変数とした方程式30が得られる。
1/ω1×(sin(ω1×(ts-t1))×A0×cos(a)-(1+cos(ω1×(ts-t1)))×A0×(cos(a)×(cos(ω1×(ts-t1)))-(cos(ω0×(ts-t0)))/sin(ω1×(ts-t1)))-2×Vmin_exp = 0・・・(30)
式30は非線形方程式であるため、2分探索法などを用いてω1の最適値を求める必要がある。また、ω1の値が求まると、式28からcの値を求めることができ、cの値を求めることで式23からA1の値を求めることができる。振幅A1の値が最高加速度となるように時刻tsを決めることにより、非露光駆動が高い加速度で駆動するため、非露光時間を短縮することができる。
上記のように決定されたプロファイルによれば、露光駆動中に基板ステージ105は最高速度で駆動しうる。また、非露光駆動中に基板ステージ105は最高加速度で駆動しうる。主制御部111は、ショット領域を露光する間、基板ステージ105の速度に応じた光量で基板104に光を照射するように、第2プロファイルの正弦波に対応する正弦波をもつ露光量プロファイルに基づいて光源または照明光学系を制御しうる。ただし、露光駆動中における基板ステージ105の最高速度、速度変化率、および第2プロファイル開始時の位相は、基板の単位面積当たりの露光量(DOSE量)を一定(許容範囲内)に維持する制約の下で決定される。したがって、露光駆動は照明エネルギー量が変化可能な速度変化率で駆動するため、DOSE量を一定にできる。また、非露光区間は、基板ステージ105の最高加速度に近い値で駆動するため、非露光時間を短縮でき、生産性の向上が可能になる。
また、変形例として、図4に示すように、時刻tsにおいて露光を開始せずに、時刻ts2から露光を開始することで非露光駆動203から露光駆動204への切り替え時に発生する位置決め誤差が低減してから露光を開始することができる。このように露光制御を行うことで、図3に従う露光制御よりも露光精度を高めることができる。
ここまでは、露光区間と非露光区間の接続点において、速度と加速度のプロファイルが連続となることを条件として設定した。しかしながら、図5に示すように、加速度の傾きが急激に変化すると、接続点510で位置決め誤差が大きくなり、露光精度に影響を及ぼす可能性がある。そのため、図6に示すように、露光駆動と非露光駆動の加速度の微分値つまりジャークを、接続点510において、さらに一致(連続)させるような調整を入れてもよい。ジャークが一致するとき、式31が成り立つ。
A1×ω1×(sin(ω1×(ts-t1))+c) = A0×ω0×(sin(ω0×(ts-t0)) ・・・(31)
式31にも、三角関数の加減法と式23および式26とを適用すると、式32が成り立つ。
ω1×(sin(ω1×(ts-t1))×cos(a)+cos(ω1×(ts-t1))×(cos(a)×cos(ω1×(ts-t1))-cos(ω0×(ts-t0)))/sin(ω1×(ts-t1))) = ω0×sin(ω1×(ts-t0))・・・(32)
式30と32をω1及びtsについて解く必要があるが、上記2つの式は非線形連立方程式であるため、先ほどのような2分探索法ではなく、ニュートン法などを用いて、変数ω1及び時刻tsの値を逐次変更し最適解を見つけることで方程式を解く。角速度ω1及び時刻tsの値を計算後、初期位相cを計算し、その後加速度A1を計算する。
上記のようにジャークが一致することで、接続点510における位置決め誤差を小さくすることができ、露光精度を高めることができる。
本実施形態では、露光プロファイルに単一の三角関数を使用し、非露光プロファイルには露光プロファイルと異なる振幅、角速度を持つ単一の三角関数を使用することで、非露光時間を短縮してスループットを向上させた。スループット向上のための非露光プロファイルとして、等加速度プロファイルや2次関数等の多項式、あるいは三角関数を合成したプロファイルなどの使用も考えられる。
<第2実施形態>
第1実施形態では、非露光駆動を1つのプロファイルで示していたが、図7のように、複数のプロファイルを組み合わせることも可能である。図7の例において、ショット領域2の露光駆動703からショット領域3の露光駆動707へつながる非露光駆動は、非露光駆動704、非露光駆動705、及び非露光駆動706を含む。非露光駆動704、非露光駆動705、及び非露光駆動706には、それぞれ別個の非露光プロファイルが適用される。ショット領域2の露光駆動703が終了後、非露光駆動704で基板ステージ105が出力可能な最高加速度A1まで短時間で上昇させる。その後、非露光駆動705で最高加速度A1のまま、等加速駆動を行い、非露光駆動706で露光駆動707の露光開始の加速度まで加速度を落とす。
上記のようなプロファイルを決定することで、第1実施形態に比べて更に非露光時間を短縮することでき、生産性向上につながる。
露光開始前に非露光駆動706のような急峻な加速度変化があると、位置決め誤差が発生し、露光精度に影響を及ぼす可能性がある。そのため、図8に示すように、露光開始直前の加速度プロファイルが緩やかになるようにプロファイルを調整してもよい。例えば、等加速駆動804から基板ステージ105の固有振動より低い周波数の正弦波の駆動805で基板ステージ105を駆動させることで、非露光駆動から露光駆動への加速度変化が緩やかになり、位置決め誤差が低減しうる。
上記のようにプロファイルを決定することで、図7の例よりも露光精度を高めることができる。
<物品製造方法の実施形態>
本発明の実施形態に係る物品製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
100:露光装置、101:投影光学系、102:マスク(原版)、103:マスクステージ、104:基板、105:基板ステージ、106:照明光学系、111:主制御部

Claims (9)

  1. 原版と基板とを走査しながら前記基板を露光する露光装置であって、
    前記基板を保持して移動する基板ステージと、
    動プロファイルに従って前記基板ステージの移動を制御する制御部と、
    を有し、
    前記駆動プロファイルは、非露光区間における駆動プロファイルである第1プロファイルと、前記非露光区間の次の露光区間における駆動プロファイルである第2プロファイルとを含み、
    前記第2プロファイルに含まれる加速度のプロファイルは、正弦波を含むプロファイルであり、
    前記第1プロファイルに含まれる加速度のプロファイルは、前記正弦波の最大振幅の加速度である第1加速度より大きい第2加速度を含む、
    ことを特徴とする露光装置。
  2. 前記第1プロファイル前記第2プロファイルとを接続する接続点において、前記基板ステージの位置、速度、および加速度が連続するように接続される、ことを特徴とする請求項に記載の露光装置。
  3. 前記基板を露光するための光を射出する光源を更に有し、
    前記制御部は、ショット領域を露光する間、前記基板ステージの速度に応じた光量で前記基板に光を照射するように、前記第2プロファイルの正弦波に対応する正弦波をもつ露光量プロファイルに基づいて前記光源または照明光学系を制御する、
    ことを特徴とする請求項に記載の露光装置。
  4. 前記基板の単位面積当たりの露光量を許容範囲内に維持する制約の下で、前記露光区間における前記基板ステージの最高速度および速度変化率および前記第2プロファイル開始時の位相が決定されている、ことを特徴とする請求項に記載の露光装置。
  5. 前記第2プロファイルの前記正弦波は、前記基板ステージの固有振動数より低い周波数を有する、ことを特徴とする請求項に記載の露光装置。
  6. 前記第2プロファイルは、前記露光区間において前記基板ステージが最高速度で駆動されるように規定されている、ことを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の露光装置。
  7. 前記第1プロファイル前記第2プロファイルとを接続する接続点において、更に前記基板ステージのジャークが連続するように決定されている、ことを特徴とする請求項に記載の露光装置。
  8. 請求項1からのいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    前記露光された基板を現像する工程と、
    を含み、前記現像された基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
  9. 原版と基板とを走査しながら前記基板を露光する露光装置において用いられるステージ装置であって、
    前記基板を保持して移動する移動部と、
    駆動プロファイルに従って前記移動部の移動を制御する制御部と、
    を有し、
    前記駆動プロファイルは、非露光区間における駆動プロファイルである第1プロファイルと、前記非露光区間の次の露光区間における駆動プロファイルである第2プロファイルとを含み、
    前記第2プロファイルに含まれる加速度のプロファイルは、正弦波を含むプロファイルであり、
    前記第1プロファイルに含まれる加速度のプロファイルは、前記正弦波の最大振幅の加速度である第1加速度より大きい第2加速度を含む、
    ことを特徴とするステージ装置。
JP2021016038A 2021-02-03 2021-02-03 露光装置、物品製造方法、およびステージ装置 Active JP7663365B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021016038A JP7663365B2 (ja) 2021-02-03 2021-02-03 露光装置、物品製造方法、およびステージ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021016038A JP7663365B2 (ja) 2021-02-03 2021-02-03 露光装置、物品製造方法、およびステージ装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2022119065A JP2022119065A (ja) 2022-08-16
JP2022119065A5 JP2022119065A5 (ja) 2024-02-08
JP7663365B2 true JP7663365B2 (ja) 2025-04-16

Family

ID=82845099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021016038A Active JP7663365B2 (ja) 2021-02-03 2021-02-03 露光装置、物品製造方法、およびステージ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7663365B2 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010272673A (ja) 2009-05-21 2010-12-02 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2011109014A (ja) 2009-11-20 2011-06-02 Canon Inc 走査型露光装置
JP2012142463A (ja) 2011-01-01 2012-07-26 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US20130169946A1 (en) 2011-12-31 2013-07-04 Semiconductor Manufacturing International Corp. Lithography machine and scanning and exposing method thereof
JP2015201526A (ja) 2014-04-07 2015-11-12 キヤノン株式会社 プロファイル生成方法、露光装置およびデバイス製造方法
JP2018189748A (ja) 2017-04-28 2018-11-29 キヤノン株式会社 ステージ装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6320345B1 (en) * 1998-03-05 2001-11-20 Nikon Corporation Command trajectory for driving a stage with minimal vibration

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010272673A (ja) 2009-05-21 2010-12-02 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2011109014A (ja) 2009-11-20 2011-06-02 Canon Inc 走査型露光装置
JP2012142463A (ja) 2011-01-01 2012-07-26 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US20130169946A1 (en) 2011-12-31 2013-07-04 Semiconductor Manufacturing International Corp. Lithography machine and scanning and exposing method thereof
JP2015201526A (ja) 2014-04-07 2015-11-12 キヤノン株式会社 プロファイル生成方法、露光装置およびデバイス製造方法
JP2018189748A (ja) 2017-04-28 2018-11-29 キヤノン株式会社 ステージ装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022119065A (ja) 2022-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US12216410B2 (en) Exposure apparatus and method of manufacturing article
JP5406510B2 (ja) 走査露光装置およびデバイス製造方法
US6809798B1 (en) Stage control method, exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method
JP3907275B2 (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP7663365B2 (ja) 露光装置、物品製造方法、およびステージ装置
CN102414623A (zh) 光刻设备和方法
JP2011086892A (ja) 位置制御装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2022172904A (ja) 露光装置、および物品の製造方法
JP7178932B2 (ja) 露光装置、および物品製造方法
JP7532131B2 (ja) 露光装置、及び物品の製造方法
JP7312053B2 (ja) 露光装置、および物品の製造方法
JP2023000286A (ja) 露光装置、および物品の製造方法
KR100588114B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP2000164506A (ja) 露光方法および装置
JP7805148B2 (ja) 露光装置、その制御方法、および物品の製造方法
JP7504168B2 (ja) 露光装置、露光方法及び物品の製造方法
JP2010114344A (ja) 露光装置、およびデバイス製造方法
JP5158464B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JP7033997B2 (ja) 露光装置、および物品の製造方法
KR20250096350A (ko) 웨이퍼노광시간 점검장치 및 이를 포함하는 노광장비
CN119126509A (zh) 曝光装置、曝光方法以及物品制造方法
WO2012036198A1 (ja) パターン形成方法及びデバイス製造方法
JP2009111175A (ja) 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240131

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240131

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20241004

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20241015

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20241210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20250307

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20250404

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7663365

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150