JP7664796B2 - SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS - Google Patents
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Description
本発明は、複数の基板を接合して製造される積層基板の割れおよび欠けを抑制する基板処理方法、および基板処理装置に関し、特に積層基板を構成する複数の基板のエッジ部間に形成された隙間に充填剤を塗布する技術に関する。 The present invention relates to a substrate processing method and substrate processing apparatus that prevent cracking and chipping of a laminated substrate manufactured by joining multiple substrates, and in particular to a technique for applying a filler to gaps formed between the edges of multiple substrates that make up a laminated substrate.
近年、半導体デバイスのさらなる高密度化および高機能化を達成するために、複数の基板を積層して3次元的に集積化する3次元実装技術の開発が進んでいる。3次元実装技術では、例えば、集積回路および電気配線が形成された第1基板のデバイス面を、集積回路および電気配線が形成された第2基板のデバイス面と接合する。さらに、第1基板を第2基板に接合した後で、第2基板が研磨装置または研削装置によって薄化される。このようにして、第1基板および第2基板のデバイス面に垂直な方向に集積回路を積層することができる。 In recent years, in order to achieve even higher density and higher functionality in semiconductor devices, development of three-dimensional packaging technology has progressed, which stacks multiple substrates to integrate them three-dimensionally. In three-dimensional packaging technology, for example, the device surface of a first substrate on which integrated circuits and electrical wiring are formed is bonded to the device surface of a second substrate on which integrated circuits and electrical wiring are formed. Furthermore, after bonding the first substrate to the second substrate, the second substrate is thinned by a polishing or grinding device. In this way, integrated circuits can be stacked in a direction perpendicular to the device surfaces of the first substrate and the second substrate.
3次元実装技術では、3枚以上の基板が接合されてもよい。例えば、第1基板に接合された第2基板を簿化した後で、第3基板を第2基板に接合し、第3基板を簿化してもよい。本明細書では、互いに接合された複数の基板の形態を「積層基板」と称することがある。 In three-dimensional packaging technology, three or more substrates may be bonded together. For example, after a second substrate bonded to a first substrate is laminated, a third substrate may be bonded to the second substrate and the third substrate may be laminated together. In this specification, the form of multiple substrates bonded together may be referred to as a "laminated substrate."
通常、基板のエッジ部は、割れ(クラック)や欠け(チッピング)を防止するために、丸みを帯びた形状または面取りされた形状に予め研磨されている。このような形状を有する第2基板を研削すると、その結果として第2基板には鋭利な端部が形成される。この鋭利な端部(以下、ナイフエッジ部という)は、研削された第2基板の裏面と第2基板の外周面とにより形成される。このようなナイフエッジ部は、物理的な接触により欠けやすく、積層基板の搬送時に積層基板自体が破損することがある。また、第1基板と第2基板の接合が十分でないと、第2基板が研削中に割れることもある。 Usually, the edges of the substrate are pre-polished to a rounded or chamfered shape to prevent cracks and chipping. When a second substrate having such a shape is ground, a sharp edge is formed on the second substrate. This sharp edge (hereinafter referred to as the knife edge) is formed by the ground back surface of the second substrate and the outer peripheral surface of the second substrate. Such a knife edge is easily chipped by physical contact, and the laminated substrate itself may be damaged during transportation of the laminated substrate. Furthermore, if the bonding between the first substrate and the second substrate is insufficient, the second substrate may crack during grinding.
そこで、ナイフエッジ部の割れ(クラック)や欠け(チッピング)を防止するために、第2基板を研削する前に、積層基板のエッジ部に充填剤が塗布される。充填剤は、第1基板のエッジ部と第2基板のエッジ部との間の隙間に塗布される。充填剤は、第2基板を研削した後に形成されるナイフエッジ部を支持し、ナイフエッジ部の割れや欠けを防止することができる。 To prevent cracking or chipping of the knife edge, a filler is applied to the edge of the laminated substrate before grinding the second substrate. The filler is applied to the gap between the edge of the first substrate and the edge of the second substrate. The filler supports the knife edge formed after grinding the second substrate, and can prevent cracking or chipping of the knife edge.
しかしながら、第1基板のエッジ部と第2基板のエッジ部との隙間に充填剤を塗布する際には、充填剤の不足や、過剰塗布などの充填不良が発生することがある。充填不良が生じたまま後続の工程で積層基板を処理すると、積層基板に傷が付くなど積層基板やプロセス性能に悪影響を及ぼすおそれがある。従来、積層基板への充填剤の充填状態の確認は、充填剤の塗布が完了した後に行われ、場合によっては積層基板を破壊する必要があった。 However, when applying filler to the gap between the edge of the first substrate and the edge of the second substrate, filling defects such as a shortage of filler or excessive application can occur. If the laminated substrate is processed in a subsequent process while filling defects remain, there is a risk that the laminated substrate and process performance will be adversely affected, such as by being scratched. Conventionally, the state of the filler filling in the laminated substrate was checked after the application of the filler was completed, and in some cases, it was necessary to destroy the laminated substrate.
そこで、本発明は、第1基板のエッジ部と第2基板のエッジ部との隙間に、適切な塗布条件で充填剤を塗布することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention aims to provide a substrate processing method and substrate processing apparatus that can apply a filler under appropriate application conditions to the gap between the edge portion of a first substrate and the edge portion of a second substrate.
一態様では、第1基板と第2基板が接合された積層基板に充填剤を塗布する基板処理方法であって、前記第1基板のエッジ部および前記第2基板のエッジ部の表面形状を測定し、前記測定結果に基づいて、前記積層基板に塗布する前記充填剤の塗布条件を決定し、前記決定した塗布条件で、前記積層基板の前記第1基板のエッジ部と前記第2基板のエッジ部との隙間に前記充填剤を塗布する、基板処理方法が提供される。
一態様では、前記第1基板のエッジ部および前記第2基板のエッジ部の表面形状を測定する工程は、前記第1基板と前記第2基板を接合した後に行う。
一態様では、前記第1基板のエッジ部および前記第2基板のエッジ部の表面形状を測定する工程は、前記第1基板と前記第2基板が接合される前に行う。
In one aspect, a substrate processing method is provided for applying a filler to a laminated substrate formed by bonding a first substrate and a second substrate, the method comprising: measuring surface shapes of an edge portion of the first substrate and an edge portion of the second substrate; determining application conditions for the filler to be applied to the laminated substrate based on the measurement results; and applying the filler to a gap between the edge portion of the first substrate and the edge portion of the second substrate of the laminated substrate under the determined application conditions.
In one aspect, the step of measuring the surface shapes of the edge portion of the first substrate and the edge portion of the second substrate is performed after the first substrate and the second substrate are bonded together.
In one embodiment, the step of measuring the surface shapes of the edge portion of the first substrate and the edge portion of the second substrate is performed before the first substrate and the second substrate are bonded to each other.
一態様では、測定すべき前記第1基板のエッジ部および前記第2基板のエッジ部の表面形状は、(i)前記第1基板のエッジ部および前記第2基板のエッジ部の半径方向の寸法、(ii)前記第1基板のエッジ部と前記第2基板のエッジ部との隙間の厚み方向の寸法、および(iii)前記第1基板のエッジ部の傾斜角度および前記第2基板のエッジ部の傾斜角度、のうちの少なくとも1つによって特定される。
一態様では、前記塗布条件は、前記充填剤の組成、前記充填剤の総塗布量、前記充填剤を塗布するための塗布装置の充填剤吐出口の形状、前記積層基板と前記充填剤吐出口との距離、単位時間あたりの前記充填剤吐出口から吐出する前記充填剤の量のうちの少なくとも1つを含む。
In one aspect, the surface shapes of the edge portion of the first substrate and the edge portion of the second substrate to be measured are identified by at least one of: (i) the radial dimensions of the edge portion of the first substrate and the edge portion of the second substrate; (ii) the thickness dimension of the gap between the edge portion of the first substrate and the edge portion of the second substrate; and (iii) the inclination angle of the edge portion of the first substrate and the inclination angle of the edge portion of the second substrate.
In one embodiment, the application conditions include at least one of the composition of the filler, the total amount of the filler applied, the shape of a filler outlet of an application device for applying the filler, the distance between the laminated substrate and the filler outlet, and the amount of the filler discharged from the filler outlet per unit time.
一態様では、前記基板処理方法は、前記積層基板に前記充填剤を塗布した後に、塗布した前記充填剤を硬化する工程をさらに含み、前記塗布条件は、前記充填剤を硬化するための硬化装置から吹き付ける熱風の風圧および温度をさらに含む。
一態様では、前記充填剤を塗布する工程は、前記積層基板を回転させながら行い、前記塗布条件は、前記積層基板の回転速度をさらに含む。
In one embodiment, the substrate processing method further includes a step of hardening the applied filler after applying the filler to the laminated substrate, and the application conditions further include the wind pressure and temperature of hot air blown from a curing device for hardening the filler.
In one embodiment, the step of applying the filler is performed while rotating the laminated substrate, and the application conditions further include a rotation speed of the laminated substrate.
一態様では、第1基板と第2基板が接合された積層基板に充填剤を塗布するための基板処理装置であって、前記積層基板に前記充填剤を塗布するように構成された充填剤塗布モジュールと、前記第1基板のエッジ部および前記第2基板のエッジ部の表面形状を測定する表面形状測定装置と、前記充填剤塗布モジュールおよび前記表面形状測定装置の動作を制御する動作制御部を備え、前記充填剤塗布モジュールは、前記積層基板を保持する基板保持部と、前記第1基板のエッジ部と前記第2基板のエッジ部との隙間に、前記充填剤を塗布するための塗布装置を備え、前記動作制御部は、前記形状の測定結果に基づいて、前記積層基板に塗布する前記充填剤の塗布条件を決定し、前記充填剤塗布モジュールに指令を与えて、前記決定した塗布条件で前記充填剤を塗布させるように構成されている、基板処理装置が提供される。 In one aspect, a substrate processing apparatus for applying a filler to a laminated substrate formed by bonding a first substrate and a second substrate is provided, the substrate processing apparatus comprising: a filler application module configured to apply the filler to the laminated substrate; a surface shape measuring device that measures the surface shapes of the edge portion of the first substrate and the edge portion of the second substrate; and an operation control unit that controls the operation of the filler application module and the surface shape measuring device, the filler application module comprising a substrate holding unit that holds the laminated substrate and an application device that applies the filler to the gap between the edge portion of the first substrate and the edge portion of the second substrate, and the operation control unit is configured to determine application conditions for the filler to be applied to the laminated substrate based on the measurement results of the shapes, and to give a command to the filler application module to apply the filler under the determined application conditions.
一態様では、前記表面形状測定装置は、(i)前記第1基板のエッジ部および前記第2基板のエッジ部の半径方向の寸法、(ii)前記第1基板のエッジ部と前記第2基板のエッジ部との隙間の厚み方向の寸法、および(iii)前記第1基板のエッジ部の傾斜角度および前記第2基板のエッジ部の傾斜角度、のうちの少なくとも1つを測定するように構成されている。
一態様では、前記充填剤塗布モジュールは、前記充填剤を硬化するための硬化装置をさらに備える。
一態様では、前記充填剤塗布モジュールは、前記基板保持部を回転させる回転機構をさらに備える。
In one aspect, the surface shape measuring device is configured to measure at least one of: (i) the radial dimension of the edge portion of the first substrate and the edge portion of the second substrate; (ii) the thickness dimension of the gap between the edge portion of the first substrate and the edge portion of the second substrate; and (iii) the inclination angle of the edge portion of the first substrate and the inclination angle of the edge portion of the second substrate.
In one aspect, the filler application module further comprises a curing device for curing the filler.
In one embodiment, the filler application module further includes a rotation mechanism that rotates the substrate holder.
本発明によれば、第1基板のエッジ部と第2基板のエッジ部との隙間に充填剤を塗布する際、予め第1基板のエッジ部および第2基板のエッジ部の表面形状を測定して、充填剤の塗布条件を決定することにより、充填剤の適切な充填状態を実現することができる。 According to the present invention, when applying a filler to the gap between the edge portion of the first substrate and the edge portion of the second substrate, the surface shapes of the edge portions of the first substrate and the second substrate are measured in advance, and the application conditions of the filler are determined, thereby realizing an appropriate filling state of the filler.
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図1(a)および図1(b)は、基板Wのエッジ部Eを示す拡大断面図である。より詳しくは、図1(a)はいわゆるストレート型の基板Wの断面図であり、図1(b)はいわゆるラウンド型の基板Wの断面図である。エッジ部Eは、基板Wの平坦面(表側面および裏側面)に対して傾いた最外側面であり、丸みを帯びた形状または面取りされた形状を有している。図1(a)の基板Wにおいて、エッジ部Eは、上側傾斜部(上側ベベル部)B1、下側傾斜部(下側ベベル部)B2、および側部(アペックス)B3から構成される基板Wの最外周面である。図1(b)の基板Wにおいて、エッジ部Eは、基板Wの最外周面を構成する、湾曲した断面を有する部分である。エッジ部Eは、ベベル部と呼ばれることもある。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
1(a) and 1(b) are enlarged cross-sectional views showing an edge portion E of a substrate W. More specifically, FIG. 1(a) is a cross-sectional view of a so-called straight type substrate W, and FIG. 1(b) is a cross-sectional view of a so-called round type substrate W. The edge portion E is the outermost side surface inclined with respect to the flat surfaces (front side surface and back side surface) of the substrate W, and has a rounded or chamfered shape. In the substrate W of FIG. 1(a), the edge portion E is the outermost peripheral surface of the substrate W composed of an upper inclined portion (upper bevel portion) B1, a lower inclined portion (lower bevel portion) B2, and a side portion (apex) B3. In the substrate W of FIG. 1(b), the edge portion E is a portion having a curved cross section that constitutes the outermost peripheral surface of the substrate W. The edge portion E is sometimes called a bevel portion.
図2は、積層基板Wsを示す拡大断面図である。積層基板Wsは、第1基板W1と第2基板W2が接合面Pにおいて接合された構造を有している。本実施形態で使用される第1基板W1および第2基板W2は、円形である。本実施形態の積層基板Wsは、図1(b)に示すラウンド型の第1基板W1と第2基板W2が接合された構造を有しているが、一実施形態では、積層基板Wsは、図1(a)に示すストレート型の第1基板W1と第2基板W2が接合された構造を有してもよい。本明細書において、積層基板Wsのエッジ部は、第1基板W1のエッジ部E1と第2基板W2のエッジ部E2を含む積層基板Wsの外縁部のことを示す。エッジ部E1,E2は、ベベル部と呼ばれることもある。第1基板W1のエッジ部E1と第2基板W2のエッジ部E2との間には、隙間Gが形成されている。この隙間Gは積層基板Wsの全周に亘って形成されている。 2 is an enlarged cross-sectional view showing the laminated substrate Ws. The laminated substrate Ws has a structure in which the first substrate W1 and the second substrate W2 are joined at the joining surface P. The first substrate W1 and the second substrate W2 used in this embodiment are circular. The laminated substrate Ws of this embodiment has a structure in which the rounded first substrate W1 and the second substrate W2 shown in FIG. 1(b) are joined, but in one embodiment, the laminated substrate Ws may have a structure in which the straight first substrate W1 and the second substrate W2 shown in FIG. 1(a) are joined. In this specification, the edge portion of the laminated substrate Ws refers to the outer edge portion of the laminated substrate Ws, including the edge portion E1 of the first substrate W1 and the edge portion E2 of the second substrate W2. The edge portions E1 and E2 are sometimes called bevel portions. A gap G is formed between the edge portion E1 of the first substrate W1 and the edge portion E2 of the second substrate W2. This gap G is formed around the entire circumference of the laminated substrate Ws.
図3は、基板処理装置1の一実施形態を示す模式図である。基板処理装置1は、予め充填剤Fの塗布条件を決定し、第1基板W1と第2基板W2が接合された積層基板Wsに充填剤Fを塗布するための装置である。基板処理装置1は、積層基板Wsに充填剤Fを塗布するように構成された充填剤塗布モジュール9と、第1基板W1および第2基板W2の表面形状を測定する表面形状測定装置11と、充填剤塗布モジュール9および表面形状測定装置11の動作を制御する動作制御部10を備えている。
Figure 3 is a schematic diagram showing one embodiment of the
図3に示すように、第1基板W1と第2基板W2が接合された後、表面形状測定装置11は、積層基板Wsを構成する第1基板W1のエッジ部E1および第2基板W2のエッジ部E2の表面形状を測定する。その後、動作制御部10は、表面形状の測定結果に基づいて充填剤Fの塗布条件を決定する。充填剤塗布モジュール9は、決定した塗布条件で積層基板Wsに充填剤Fを塗布する。表面形状測定装置11は、積層基板Wsを充填剤塗布モジュール9に搬送する際の搬送装置(図示せず)に付随して設けられ、積層基板Wsの搬送中または搬送前後に第1基板W1のエッジ部E1および第2基板W2のエッジ部E2の表面形状を測定してもよい。
As shown in FIG. 3, after the first substrate W1 and the second substrate W2 are bonded, the surface
図4は、表面形状測定装置11による測定方法の一実施形態を示す図である。表面形状測定装置11はレーザースキャン装置であり、レーザー光を測定対象に照射し、測定対象から反射したレーザー光を検出することで、測定対象の表面形状(その寸法を含む)を測定する。図4に示すように、表面形状測定装置11は、レーザー光を測定対象に照射しながら、積層基板Wsの厚み方向に移動して、第1基板W1のエッジ部E1および第2基板W2のエッジ部E2をレーザー光でスキャンし、表面形状を測定する。
Figure 4 is a diagram showing one embodiment of a measurement method using the surface
図5は、表面形状測定装置11による測定方法の他の実施形態を示す図である。表面形状測定装置11は共焦点レーザー顕微鏡であり、レーザー光を測定対象に照射し、測定対象の焦点像を生成することで、測定対象の表面形状(その寸法を含む)を測定する。図5に示すように、表面形状測定装置11は、レーザー光を測定対象に照射しながら、共焦点レーザー顕微鏡の対物レンズを積層基板Wsの半径方向に移動させることで、第1基板W1のエッジ部E1および第2基板W2のエッジ部E2の焦点像を生成し、表面形状を測定する。
Figure 5 is a diagram showing another embodiment of a measurement method using the surface
表面形状測定装置11は、第1基板W1のエッジ部E1および第2基板W2のエッジ部E2の表面形状を測定可能であれば、図4および図5を参照して説明した実施形態に限定されない。
The surface
図6は、充填剤塗布モジュール9の一実施形態を示す平面図であり、図7は、充填剤塗布モジュール9の一実施形態を示す側面図である。充填剤塗布モジュール9は、積層基板Wsを保持する基板保持部2と、充填剤Fを塗布するための塗布装置3と、塗布した充填剤Fを硬化させるための硬化装置4を備えている。
Figure 6 is a plan view showing one embodiment of the
基板保持部2は、積層基板Wsの裏面を真空吸着により保持するステージである。充填剤塗布モジュール9は、基板保持部2の中央部に連結された回転軸7と、基板保持部2および回転軸7を回転させる回転機構8をさらに備えている。積層基板Wsは、積層基板Wsの中心が回転軸7の軸心と一致するように基板保持部2の上に載置される。回転機構8は、モータ(図示せず)を備えている。図6に示すように、回転機構8は、基板保持部2および積層基板Wsを積層基板Wsの中心軸Crを中心として、矢印で示す方向に一体に回転させるように構成されている。
The
塗布装置3は、基板保持部2上の積層基板Wsの半径方向外側に位置しており、積層基板Wsの第1基板W1のエッジ部E1と第2基板W2のエッジ部E2との隙間Gに充填剤Fを塗布するように構成されている。図8は、塗布装置3の一実施形態を示す模式図である。塗布装置3は、充填剤Fを吐出するためのシリンジ21と、シリンジ21内を往復動可能なピストン22と、シリンジ21を積層基板Wsに近接または離間させる水平移動機構(図示せず)を備えている。この水平移動機構により、塗布装置3は、積層基板Wsと塗布装置3の充填剤吐出口21aとの距離を調整することができる。一実施形態では、塗布装置3は、水平移動機構を省略してもよい。この場合、充填剤Fが積層基板Wsの隙間Gに適切に注入されるように、積層基板Wsと充填剤吐出口21aとの距離が予め決定されている。
The
シリンジ21は中空構造を有しており、その内部に充填剤Fを充填されるように構成されている。ピストン22は、シリンジ21内に配置されている。シリンジ21は、その先端に充填剤Fを吐出するための充填剤吐出口21aを有している。充填剤吐出口21aを含むシリンジ21の先端は、着脱可能に構成されていてもよい。充填剤吐出口21aの形状は、塗布する充填剤Fの物性(例えば、粘度など)によって適当な形状が選択される。充填剤吐出口21aは、第1基板W1のエッジ部E1と第2基板W2のエッジ部E2との隙間Gに対向するように配置されている。
The
塗布装置3は、気体供給ライン25を介して気体供給源に接続されている。気体供給源から気体(例えば、ドライエアーまたは窒素ガス)をシリンジ21に供給すると、ピストン22がシリンジ21内を前進する。ピストン22の前進によって、シリンジ21内の充填剤Fは、充填剤吐出口21aから吐出される。塗布装置3は、回転する積層基板Wsのエッジ部に連続的に充填剤Fを塗布する。充填剤Fは、その総塗布量に応じて、積層基板Wsが複数回転する間に塗布されてもよい。
The
気体供給ライン25には、圧力調整装置26と、開閉弁27が配置されている。開閉弁27は、電動弁または電磁弁などのアクチュエータ駆動型弁である。開閉弁27を開くと、気体は気体供給源から塗布装置3に供給され、塗布装置3は充填剤Fを積層基板Wsに塗布する。開閉弁27を閉じると、気体の塗布装置3への供給が停止され、これにより、充填剤Fの塗布が停止される。圧力調整装置26は、気体供給源から塗布装置3に供給される気体の圧力を調整することで、単位時間あたりの充填剤吐出口21aから吐出する充填剤Fの量を調整することができる。圧力調整装置26と開閉弁27の動作は、動作制御部10によって制御される。
A
一実施形態では、塗布装置3は、シリンジ21とピストン22の組み合わせに代えて、スクリューフィーダーを備えてもよい。
In one embodiment, the
図6および図7に示すように、硬化装置4は、基板保持部2上の積層基板Wsの半径方向外側に位置している。硬化装置4は、積層基板Wsの回転方向において塗布装置3の下流側に配置されており、塗布装置3によって積層基板Wsに塗布された充填剤Fを硬化させるように構成されている。硬化装置4による充填剤Fの硬化は、積層基板Wsを回転させながら行われる。本実施形態において、充填剤Fは熱硬化性を有する充填剤である。このような充填剤の例としては、熱硬化性の樹脂が挙げられる。
As shown in Figures 6 and 7, the
硬化装置4はエアヒーターであり、積層基板Wsに塗布された充填剤Fに向けて熱風を吹き付けるように構成されている。硬化装置4は、吹き付ける熱風の風圧および温度を調整可能に構成されている。熱風によって加熱された充填剤Fは、架橋反応により硬化する。硬化装置4は、回転する積層基板Wsのエッジ部に塗布された充填剤Fを連続的に硬化する。充填剤Fに溶剤が含まれる場合は、溶剤は加熱によって揮発される。硬化装置4は、充填剤Fを加熱して硬化させることができればエアヒーターに限らず、ランプヒーターやその他の構成であってもよい。
The
本実施形態では、充填剤Fは熱硬化性を有する充填剤であるが、一実施形態では、充填剤Fは紫外線硬化性を有する充填剤であってもよい。この場合、硬化装置4は紫外線を照射させて充填剤Fを硬化させるUV照射装置であってもよい。充填剤Fに溶剤が含まれる場合は、エアヒーターなどを併用して加熱し、溶剤を揮発させてもよい。
In this embodiment, the filler F is a thermosetting filler, but in one embodiment, the filler F may be an ultraviolet-curable filler. In this case, the
充填剤塗布モジュール9は、積層基板Wsのエッジ部の画像を生成する赤外撮像装置5をさらに備えていてもよい。赤外撮像装置5は、積層基板Wsの回転方向において硬化装置4の下流側に配置されている。赤外撮像装置5は、塗布装置3によって積層基板Wsに塗布され、硬化装置4によって硬化された充填剤Fを含む画像を生成するように構成されている。赤外撮像装置5と硬化装置4との距離は、赤外撮像装置5と塗布装置3との距離よりも短い。赤外撮像装置5は、積層基板Wsのエッジ部の上方に位置しており、積層基板Wsのエッジ部の画像を生成するように構成されている。より具体的には、赤外撮像装置5は、積層基板Wsのエッジ部に赤外線を照射し、積層基板Wsのエッジ部から反射した赤外線を受け、積層基板Wsのエッジ部の画像を生成するように構成されている。赤外撮像装置5の例としては、赤外顕微鏡が挙げられる。
The
本実施形態では、第1基板W1および第2基板W2は基本的にシリコンウェーハから構成されており、赤外撮像装置5から照射された赤外線は、第1基板W1および第2基板W2を透過する。赤外線は充填剤Fを透過しないため、赤外撮像装置5は積層基板Wsのエッジ部から反射した赤外線から、積層基板Wsに塗布された充填剤Fの画像を生成することができる。
In this embodiment, the first substrate W1 and the second substrate W2 are basically made of silicon wafers, and the infrared light irradiated from the
動作制御部10は、上述のように構成された充填剤塗布モジュール9および表面形状測定装置11を含む基板処理装置1の動作を制御するように構成されている。塗布装置3、硬化装置4、赤外撮像装置5、回転機構8、圧力調整装置26、および開閉弁27を含む充填剤塗布モジュール9、並びに表面形状測定装置11は、動作制御部10に電気的に接続されている。
The
動作制御部10は少なくとも1台のコンピュータから構成される。動作制御部10は、充填剤塗布モジュール9および表面形状測定装置11を含む基板処理装置1の動作を制御するためのプログラムが格納された記憶装置10aと、プログラムに含まれる命令に従って演算を実行する処理装置10bを備えている。記憶装置10aは、ランダムアクセスメモリ(RAM)などの主記憶装置と、ハードディスクドライブ(HDD)、ソリッドステートドライブ(SSD)などの補助記憶装置を備えている。処理装置10bの例としては、CPU(中央処理装置)、GPU(グラフィックプロセッシングユニット)が挙げられる。ただし、動作制御部10の具体的構成はこれらの例に限定されない。
The
動作制御部10は、表面形状測定装置11に指令を与えて、第1基板W1のエッジ部E1と第2基板W2のエッジ部E2の表面形状を表面形状測定装置11に測定させる。動作制御部10は、表面形状の測定結果に基づいて、積層基板Wsに塗布すべき充填剤Fの塗布条件を決定する。図9は、表面形状測定装置11によって測定すべきエッジ部の表面形状を説明する図である。測定すべき第1基板W1のエッジ部E1および第2基板W2のエッジ部E2の表面形状は、(i)第1基板W1のエッジ部E1の半径方向の寸法x1および第2基板W2のエッジ部E2の半径方向の寸法x2、(ii)第1基板W1のエッジ部E1と第2基板W2のエッジ部E2との隙間Gの厚み方向の寸法x3、および(iii)第1基板W1のエッジ部E1の傾斜角度θ1および第2基板W2のエッジ部E2の傾斜角度θ2、のうちの少なくとも1つによって特定される。
The
図9に示す基準線Lrは、第1基板W1と第2基板W2の接合面Pに垂直な線であり、かつ接合面Pの半径方向の最外端を通る線である。接合面Pの半径方向の最外端は、第1基板W1のエッジ部E1と第2基板W2のエッジ部E2との隙間Gの半径方向の最内端に一致する。第1基板W1のエッジ部E1の半径方向の寸法x1は、基準線Lrから第1基板W1の半径方向の最外端までの距離である。第2基板W2のエッジ部E2の半径方向の寸法x2は、基準線Lrから第2基板W2の半径方向の最外端までの距離である。一実施形態では、第1基板W1と第2基板W2が同じ基板の形状を有している場合、寸法x1または寸法x2のいずれか一方が測定されてもよい。 The reference line Lr shown in FIG. 9 is a line perpendicular to the joining surface P of the first substrate W1 and the second substrate W2, and passes through the radially outermost end of the joining surface P. The radially outermost end of the joining surface P coincides with the radially innermost end of the gap G between the edge portion E1 of the first substrate W1 and the edge portion E2 of the second substrate W2. The radial dimension x1 of the edge portion E1 of the first substrate W1 is the distance from the reference line Lr to the radially outermost end of the first substrate W1. The radial dimension x2 of the edge portion E2 of the second substrate W2 is the distance from the reference line Lr to the radially outermost end of the second substrate W2. In one embodiment, when the first substrate W1 and the second substrate W2 have the same substrate shape, either the dimension x1 or the dimension x2 may be measured.
第1基板W1のエッジ部E1と第2基板W2のエッジ部E2との隙間Gの厚み方向の寸法x3は、第1基板W1の半径方向の最外端から第2基板W2の半径方向の最外端までの積層基板Ws(第1基板W1および第2基板W2)の厚み方向の距離である。第1基板W1のエッジ部E1の傾斜角度θ1は、基準線Lrに対する第1基板W1のエッジ部E1の角度である。第2基板W2のエッジ部E2の傾斜角度θ2は、基準線Lrに対する第2基板W2のエッジ部E2の角度である。一実施形態では、第1基板W1と第2基板W2が同じ基板の形状を有している場合、傾斜角度θ1または傾斜角度θ2のいずれか一方が測定されてもよい。一実施形態では、傾斜角度θ1および傾斜角度θ2は、第1基板W1と第2基板W2の接合面Pに対する第1基板W1のエッジ部E1および第2基板W2のエッジ部E2の角度であってもよい。 The thickness dimension x3 of the gap G between the edge portion E1 of the first substrate W1 and the edge portion E2 of the second substrate W2 is the distance in the thickness direction of the laminated substrates Ws (the first substrate W1 and the second substrate W2) from the radially outermost end of the first substrate W1 to the radially outermost end of the second substrate W2. The inclination angle θ1 of the edge portion E1 of the first substrate W1 is the angle of the edge portion E1 of the first substrate W1 with respect to the reference line Lr. The inclination angle θ2 of the edge portion E2 of the second substrate W2 is the angle of the edge portion E2 of the second substrate W2 with respect to the reference line Lr. In one embodiment, when the first substrate W1 and the second substrate W2 have the same substrate shape, either the inclination angle θ1 or the inclination angle θ2 may be measured. In one embodiment, the inclination angle θ1 and the inclination angle θ2 may be the angles of the edge portion E1 of the first substrate W1 and the edge portion E2 of the second substrate W2 with respect to the joint surface P of the first substrate W1 and the second substrate W2.
動作制御部10は、図9を参照して説明した表面形状(寸法x1,x2,x3、および傾斜角度θ1,θ2)の測定結果に基づいて、充填剤塗布モジュール9により塗布する充填剤Fの塗布条件を決定する。塗布条件は、充填剤Fの組成、充填剤Fの総塗布量、塗布装置3の充填剤吐出口21aの形状、積層基板Wsと充填剤吐出口21aとの距離、単位時間あたりの充填剤吐出口21aから吐出する充填剤Fの量、硬化装置4から吹き付ける熱風の風圧および温度、積層基板Wsの回転速度のうちの少なくとも1つを含む。
The
充填剤Fは、主にバインダー、溶剤、および粒子から構成されており、溶剤に溶解したバインダーに粒子が分散されている。粒子は、充填剤の体積を増やすため、および充填剤の粘度を調節するために用いられる。充填剤Fの粘度が高く、粒子の径が大きいと、微細な隙間Gに充填剤Fが入り込まず充填不良が発生してしまう。そこで、動作制御部10は、図9を参照して説明した表面形状の測定結果に基づいて、適切な充填剤Fの組成を決定する。より具体的には、充填剤Fの組成は、バインダーの種類、溶剤の量、粒子の量、粒子の大きさが挙げられる。
The filler F is mainly composed of a binder, a solvent, and particles, and the particles are dispersed in the binder dissolved in the solvent. The particles are used to increase the volume of the filler and to adjust the viscosity of the filler. If the viscosity of the filler F is high and the particle diameter is large, the filler F will not penetrate into the fine gaps G, resulting in poor filling. Therefore, the
動作制御部10は、図9を参照して説明した表面形状の測定結果に基づいて、充填剤Fの総塗布量(充填剤Fの体積)を決定する。塗布装置3の充填剤吐出口21aの形状、積層基板Wsと充填剤吐出口21aとの距離、単位時間あたりの充填剤吐出口21aから吐出する充填剤Fの量、硬化装置4から吹き付ける熱風の風圧および温度、積層基板Wsの回転速度は、決定された充填剤Fの組成に基づいて決定されてもよい。動作制御部10は、充填剤塗布モジュール9に指令を与えて、決定した塗布条件で塗布装置3により充填剤Fを塗布させ、硬化装置4により塗布された充填剤Fを硬化させる。
The
本実施形態によれば、積層基板Wsの隙間Gに充填剤Fを塗布する際、予め第1基板W1のエッジ部E1および第2基板W2のエッジ部E2の表面形状を測定して、充填剤Fの塗布条件を決定することにより、充填剤Fの適切な充填状態を実現することができる。 According to this embodiment, when applying filler F to the gap G of the laminated substrates Ws, the surface shapes of the edge portion E1 of the first substrate W1 and the edge portion E2 of the second substrate W2 are measured in advance, and the application conditions of the filler F are determined, thereby achieving an appropriate filling state of the filler F.
図10は、基板処理装置1の他の実施形態を示す模式図である。本実施形態では、動作制御部10は、第1基板W1と第2基板W2が接合される前に、表面形状測定装置11に指令を与えて、第1基板W1のエッジ部E1および第2基板W2のエッジ部E2の表面形状を測定させる。その後、動作制御部10は、表面形状の測定結果に基づいて充填剤Fの塗布条件を決定する。動作制御部10は、第1基板W1と第2基板W2が接合された後、充填剤塗布モジュール9に指令を与えて、決定した塗布条件で塗布装置3により充填剤Fを塗布させ、硬化装置4により塗布された充填剤Fを硬化させる。
Figure 10 is a schematic diagram showing another embodiment of the
測定すべき第1基板W1のエッジ部E1および第2基板W2のエッジ部E2の表面形状は、(i)第1基板W1のエッジ部E1の半径方向の寸法x1および第2基板W2のエッジ部E2の半径方向の寸法x2、(ii)第1基板W1のエッジ部E1と第2基板W2のエッジ部E2との隙間Gの厚み方向の寸法x3、および(iii)第1基板W1のエッジ部E1の傾斜角度θ1および第2基板W2のエッジ部E2の傾斜角度θ2、のうちの少なくとも1つによって特定される。 The surface shapes of the edge portion E1 of the first substrate W1 and the edge portion E2 of the second substrate W2 to be measured are identified by at least one of: (i) the radial dimension x1 of the edge portion E1 of the first substrate W1 and the radial dimension x2 of the edge portion E2 of the second substrate W2; (ii) the thickness dimension x3 of the gap G between the edge portion E1 of the first substrate W1 and the edge portion E2 of the second substrate W2; and (iii) the inclination angle θ1 of the edge portion E1 of the first substrate W1 and the inclination angle θ2 of the edge portion E2 of the second substrate W2.
図11は、第1基板W1と第2基板W2が接合される前に、表面形状測定装置11によって測定すべきエッジ部の表面形状を説明する図である。第1基板W1と第2基板W2が接合される際には、第1基板W1の接合面P1と第2基板W2の接合面P2が接合される。第1基板W1接合面P1は、寸法x1,x2、および傾斜角度θ1,θ2は、図9を参照して説明した寸法x1,x2、および傾斜角度θ1,θ2と同じであるので、その重複する説明を省略する。
Figure 11 is a diagram explaining the surface shape of the edge portion to be measured by the surface
第1基板W1のエッジ部E1と第2基板W2のエッジ部E2との隙間Gの厚み方向の寸法x3は、すなわち、図11に示す寸法x3-1と寸法x3-2の合計の寸法である。寸法x3-1は、第1基板W1の半径方向の最外端から接合面P1までの厚み方向の距離である。寸法x3-2は、第2基板W2の半径方向の最外端から接合面P2までの厚み方向の距離である。一実施形態では、第1基板W1と第2基板W2が同じ基板の形状を有している場合、寸法x3-1または寸法x3-2のいずれか一方が測定され、測定された値の2倍の値を、第1基板W1のエッジ部E1と第2基板W2のエッジ部E2との隙間Gの厚み方向の寸法x3としてもよい。 The dimension x3 in the thickness direction of the gap G between the edge portion E1 of the first substrate W1 and the edge portion E2 of the second substrate W2 is, in other words, the sum of the dimensions x3-1 and x3-2 shown in FIG. 11. The dimension x3-1 is the distance in the thickness direction from the outermost end in the radial direction of the first substrate W1 to the joining surface P1. The dimension x3-2 is the distance in the thickness direction from the outermost end in the radial direction of the second substrate W2 to the joining surface P2. In one embodiment, when the first substrate W1 and the second substrate W2 have the same substrate shape, either the dimension x3-1 or the dimension x3-2 may be measured, and the measured value may be doubled to be the dimension x3 in the thickness direction of the gap G between the edge portion E1 of the first substrate W1 and the edge portion E2 of the second substrate W2.
上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。 The above-described embodiments have been described for the purpose of enabling a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains to practice the present invention. Various modifications of the above-described embodiments would naturally be possible for a person skilled in the art, and the technical ideas of the present invention may also be applied to other embodiments. Therefore, the present invention is not limited to the described embodiments, but is to be interpreted in the broadest scope in accordance with the technical ideas defined by the scope of the claims.
1 基板処理装置
2 基板保持部
3 塗布装置
4 硬化装置
5 赤外撮像装置
7 回転軸
8 回転機構
9 充填剤塗布モジュール
10 動作制御部
10a 記憶装置
10b 処理装置
11 表面形状測定装置
21 シリンジ
21a 充填剤吐出口
22 ピストン
25 気体供給ライン
26 圧力調整装置
27 開閉弁
REFERENCE SIGNS
Claims (11)
前記第1基板のエッジ部および前記第2基板のエッジ部の表面形状を測定し、
前記測定結果に基づいて、前記積層基板に塗布する前記充填剤の塗布条件を決定し、
前記決定した塗布条件で、前記積層基板の前記第1基板のエッジ部と前記第2基板のエッジ部との隙間に前記充填剤を塗布する、基板処理方法。 1. A substrate processing method for applying a filler to a laminated substrate in which a first substrate and a second substrate are bonded together, comprising the steps of:
measuring a surface shape of an edge portion of the first substrate and an edge portion of the second substrate;
determining application conditions for the filler to be applied to the laminated substrate based on the measurement results;
the filler is applied to a gap between an edge portion of the first substrate and an edge portion of the second substrate of the laminated substrate under the determined application conditions.
(i)前記第1基板のエッジ部および前記第2基板のエッジ部の半径方向の寸法、
(ii)前記第1基板のエッジ部と前記第2基板のエッジ部との隙間の厚み方向の寸法、および
(iii)前記第1基板のエッジ部の傾斜角度および前記第2基板のエッジ部の傾斜角度、
のうちの少なくとも1つによって特定される、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The surface shapes of the edge portion of the first substrate and the edge portion of the second substrate to be measured are
(i) a radial dimension of an edge portion of the first substrate and an edge portion of the second substrate;
(ii) a dimension in a thickness direction of a gap between an edge portion of the first substrate and an edge portion of the second substrate; and (iii) an inclination angle of the edge portion of the first substrate and an inclination angle of the edge portion of the second substrate.
The method of claim 1 , characterized by at least one of the following:
前記塗布条件は、前記充填剤を硬化するための硬化装置から吹き付ける熱風の風圧および温度をさらに含む、請求項5に記載の基板処理方法。 The substrate processing method further includes a step of applying the filler to the laminated substrate and then curing the applied filler,
The substrate processing method according to claim 5 , wherein the application conditions further include an air pressure and a temperature of hot air blown from a hardening device for hardening the filler.
前記塗布条件は、前記積層基板の回転速度をさらに含む、請求項5または6に記載の基板処理方法。 The step of applying the filler is performed while rotating the laminated substrate,
The substrate processing method according to claim 5 , wherein the coating conditions further include a rotation speed of the laminated substrate.
前記積層基板に前記充填剤を塗布するように構成された充填剤塗布モジュールと、
前記第1基板のエッジ部および前記第2基板のエッジ部の表面形状を測定する表面形状測定装置と、
前記充填剤塗布モジュールおよび前記表面形状測定装置の動作を制御する動作制御部を備え、
前記充填剤塗布モジュールは、
前記積層基板を保持する基板保持部と、
前記第1基板のエッジ部と前記第2基板のエッジ部との隙間に、前記充填剤を塗布するための塗布装置を備え、
前記動作制御部は、前記形状の測定結果に基づいて、前記積層基板に塗布する前記充填剤の塗布条件を決定し、前記充填剤塗布モジュールに指令を与えて、前記決定した塗布条件で前記充填剤を塗布させるように構成されている、基板処理装置。 1. A substrate processing apparatus for applying a filler to a laminated substrate in which a first substrate and a second substrate are bonded together, comprising:
a filler application module configured to apply the filler to the laminate substrate;
a surface shape measuring device for measuring a surface shape of an edge portion of the first substrate and an edge portion of the second substrate;
an operation control unit for controlling operations of the filler application module and the surface profile measuring device;
The filler application module includes:
A substrate holder that holds the laminated substrate;
a coating device for coating the filler in a gap between an edge portion of the first substrate and an edge portion of the second substrate;
The substrate processing apparatus is configured such that the operation control unit determines application conditions for the filler to be applied to the laminated substrate based on the shape measurement results, and gives a command to the filler application module to apply the filler under the determined application conditions.
(i)前記第1基板のエッジ部および前記第2基板のエッジ部の半径方向の寸法、
(ii)前記第1基板のエッジ部と前記第2基板のエッジ部との隙間の厚み方向の寸法、および
(iii)前記第1基板のエッジ部の傾斜角度および前記第2基板のエッジ部の傾斜角度、
のうちの少なくとも1つを測定するように構成されている、請求項8に記載の基板処理装置。 The surface shape measuring device is
(i) a radial dimension of an edge portion of the first substrate and an edge portion of the second substrate;
(ii) a dimension in a thickness direction of a gap between an edge portion of the first substrate and an edge portion of the second substrate; and (iii) an inclination angle of the edge portion of the first substrate and an inclination angle of the edge portion of the second substrate.
The substrate processing apparatus of claim 8 , configured to measure at least one of:
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