JP7664800B2 - 絶縁デバイス - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、絶縁デバイスに関する。

絶縁デバイスは、電流を遮断した状態で、磁界または電界の変化を利用して信号を伝達する。この絶縁デバイスについて、寿命の向上が求められている。

国際公開第２０１４／１１２１７９号

本発明が解決しようとする課題は、寿命を向上できる絶縁デバイスを提供することである。

実施形態に係る絶縁デバイスは、絶縁膜と、前記絶縁膜の内部に設けられた第１コイルと、前記絶縁膜の内部に設けられ前記第１コイルよりも上側に位置する第２コイルと、を備える。前記絶縁膜には、前記第１コイルから前記第２コイルに向かう第１方向からみて前記第２コイルの外側に空隙が形成されている。

第１実施形態に係る絶縁デバイスを表す平面図である。 図１中の絶縁デバイスを矢示Ａ－Ａ方向からみた断面図である。 絶縁層に空隙を形成する場合の一例を示す説明図である。 図２中の空隙と第２コイルとの間の距離および空隙周囲の応力状態の一例を表す説明図である。 第２実施形態に係る絶縁デバイスを表す図２と同様の断面図である。 第３実施形態に係る絶縁デバイスを表す図２と同様の断面図である。

以下に、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

図１は、第１実施形態に係る絶縁デバイスを表す平面図である。
図２は、図１中の絶縁デバイスを矢示Ａ－Ａ方向からみた断面図である。

絶縁デバイス１００は、例えばデジタルアイソレータ、ガルバニックアイソレータ、ガルバニック絶縁素子と呼ばれるものとなっている。図１および図２に表すように、絶縁デバイス１００は、第１回路１、第２回路２、基板５、第１コイル１１、第２コイル１２、絶縁膜２０、および導電体５０を備えている。絶縁膜２０は、基板５の上に設けられている。第１コイル１１は、絶縁膜２０の内部に設けられている。第２コイル１２は、絶縁膜２０の内部に設けられ第１コイル１１よりも上側に位置している。導電体５０は、第１、第２コイル１１、１２の周囲に位置して絶縁膜２０の内部に設けられている。

絶縁膜２０は、第１コイル１１が内部に設けられた第１絶縁部２１と、第２コイル１２が内部に設けられた第２絶縁部２２と、第１絶縁部２１と第２絶縁部２２との間に位置する絶縁層２３と、を有する。また、絶縁膜２０は、第１絶縁部２１と絶縁層２３との間に位置する第３絶縁部２４、絶縁層２３と第２絶縁部２２との間に位置する第４絶縁部２５、第２絶縁部２２の上に位置する第５～第７絶縁部２６～２８を有する。図２に表すように、絶縁膜２０は、Ｚ方向において、下から第１絶縁部２１、第３絶縁部２４、絶縁層２３、第４絶縁部２５、第２絶縁部２２、第５絶縁部２６、第６絶縁部２７、および第７絶縁部２８の順に積層されている。なお、図１では、第５～第７絶縁部２６～２８が省略されている。

実施形態の説明では、ＸＹＺ直交座標系を用いる。第１コイル１１から第２コイル１２に向かう方向をＺ方向（第１方向）とする。Ｚ方向に対して垂直であり、相互に直交する２方向をＸ方向（第２方向）およびＹ方向（第３方向）とする。また、説明のために、第１コイル１１から第２コイル１２に向かう方向を「上」と言い、その反対方向を「下」と言う。これらの方向は、第１コイル１１と第２コイル１２との相対的な位置関係に基づき、重力の方向とは無関係である。

図２に表すように、第1絶縁部２１は、基板５の上に設けられている。第１コイル１１は、第1絶縁部２１の内部に設けられている。第３絶縁部２４は、第1絶縁部２１の上に設けられている。第３絶縁部２４は、第１コイル１１と絶縁層２３との間に設けられている。第３絶縁部２４は、第１コイル１１に接している。

絶縁層２３は、第３絶縁部２４を介して第１コイル１１および第１絶縁部２１の上に設けられている。絶縁層２３は、第１方向に沿って積層された複数層を有している。この例では、絶縁層２３は、第１層２３ａと、第１層２３ａの上に位置する第２層２３ｂと、を有している。第１方向において、第２層２３ｂは、第１層よりも厚さが大きくなっている。なお、絶縁層２３は、１層でもよいし、３層以上でもよい。第２コイル１２は、絶縁層２３（第２層２３ｂ）の上に設けられている。すなわち、絶縁層２３は、第１コイル１１と第２コイル１２との間に位置している。

第４絶縁部２５は、絶縁層２３の上に設けられている。第４絶縁部２５は、Ｚ方向（第１方向）において、絶縁層２３と第２絶縁部２２との間に設けられている。第４絶縁部２５は、Ｘ－Ｙ面に沿って第２コイル１２の周りに位置している。「第２コイル１２の周り」とは、第２コイル１２の外側および内側を含んだ領域を意味している。すなわち、第２コイル１２の少なくとも一部は、第４絶縁部２５の内部に設けられている。「第２コイル１２の外側」とは、巻回された第２コイル１２の最も外側に位置する導線よりも径方向外側の領域を意味している。これに対して、「第２コイル１２の内側」は、巻回された第２コイル１２の最も外側に位置する導線の外縁よりも径方向内側の領域を意味し、巻回された導線が配置された領域を意味している。第４絶縁部２５は、第２コイル１２に接している。第４絶縁部２５に用いられる材料の比誘電率は、絶縁層２３に用いられる材料の比誘電率よりも高くなっている。

第２絶縁部２２は、第４絶縁部２５の上に設けられている。第２絶縁部２２は、Ｚ方向に垂直なＸ－Ｙ面に沿って、第２コイル１２の周りに設けられている。すなわち、第２コイル１２は、第２絶縁部２２の内部に設けられている。第２コイル１２は、第４絶縁部２５および第２絶縁部２２をＺ方向に貫通している。

図１および図２に表した例では、第１コイル１１および第２コイル１２は、Ｘ－Ｙ面に沿って円形渦巻状に形成されている。なお、第１コイル１１および第２コイル１２は、円形渦巻状に限らず、例えば角形渦巻状に形成されていてもよい。第１コイル１１および第２コイル１２は、Ｚ方向において互いに対向している。第２コイル１２の少なくとも一部は、Ｚ方向において、第１コイル１１の少なくとも一部と並ぶ。

第５絶縁部２６は、第２絶縁部２２および第２コイル１２の上に設けられている。第５絶縁部２６は、例えば第２コイル１２に接している。第６絶縁部２７は、第５絶縁部２６の上に設けられている。第７絶縁部２８は、第６絶縁部２７の上に設けられている。第６絶縁部２７および第７絶縁部２８には、第２電極１２に接続されるパッド６２および後述の導電体５０に接続されるパッド６６が設けられている。パッド６２は、配線６３を介して第２回路２に接続されている。パッド６６は、配線６７を介して、不図示の導電部材と接続されている。

導電体５０は、Ｘ－Ｙ面に沿って第１コイル１１および第２コイル１２の周りに設けられている。導電体５０は、例えば第１コイルに１１に接続されている。導電体５０は、第１導電部５１、第２導電部５２、および第３導電部５３を含む。第１導電部５１は、第１絶縁部２１内に位置して第１コイル１１の周りに設けられている。上方からみて、第１導電部５１の形状は例えば円環状である。第１導電部５１は、例えば第１コイル１１に接続されている。

第２導電部５２は、第１導電部５１の一部の上に設けられている。各第２導電部５２の形状は軸方向をＺ方向とした柱状であり、例えば四角柱状である。第２導電部５２は、第１導電部５１に沿って複数設けられている。すなわち、複数の第２導電部５２は、円環状の第１導電部５１に沿って断続的に相互に離間して設けられている。第２導電部５２は、第３絶縁部２４および絶縁層２３内に位置して上下方向（第１方向）に延びている。

第３導電部５３は、複数の第２導電部５２の上に設けられている。第３導電部５３は、第４絶縁部２５内および第２絶縁部２２内に位置して第２コイル１２の周りに位置する。上方からみて、第３導電部５３の形状は、例えば第１導電部５１と同じ円環状である。第３導電部５３の上には、第５絶縁部２６が設けられている。

図１に表した例では、第１コイル１１の一端（コイルの一端）は、配線６０を介して第１回路１と電気的に接続されている。第１コイル１１の他端（コイルの他端）は、配線６１を介して第１回路１と電気的に接続されている。

第２コイル１２の一端（コイルの一端）は、パッド６２および配線６３を介して第２回路２と電気的に接続されている。第２コイル１２の他端（コイルの他端）は、パッド６４および配線６５を介して第２回路２と電気的に接続されている。例えば、パッド６２は、第２コイル１２の一端の上に設けられている。パッド６４は、第２コイル１２の他端の上に設けられている。パッド６２のＺ方向における位置およびパッド６４のＺ方向における位置は、第２コイル１２のＺ方向における位置と同じでもよい。パッド６２および６４は、第２コイル１２と一体に形成されてもよい。

図２に表したように、導電体５０の上には、パッド６６が設けられている。導電体５０は、パッド６６および配線６７を介して、不図示の導電部材と電気的に接続される。例えば、導電体５０および基板５は、基準電位に接続される。基準電位は、例えば接地電位である。導電体５０が基準電位に接続され、導電体５０が浮遊電位となることを抑制できる。これにより、第１コイル１１および第２コイル１２から生じた磁界の漏洩を抑制すると共に、外部の磁界が第１コイル１１および第２コイル１２に到達することを抑制できる。

また、第１回路１は、基板５の上に設けられてもよい。この場合、導電体５０が第１回路１の上に設けられることで、基板５および導電体５０の外部から第１回路１に向けた電磁波に対して、第１回路１が導電体５０により遮蔽される。この結果、第１回路１の作動をより安定化させることができる。

第１回路１および第２回路２のいずれか一方は、送信回路として用いられる。第１回路１および第２回路２の他方は、受送回路として用いられる。ここでは、第１回路１が送受回路であり、第２回路２が受送回路である場合について説明する。

第１回路１は、第１コイル１１へ、伝達に適した波形の信号（電流）を送る。電流が第１コイル１１を流れると、渦巻状の第１コイル１１の内側を通る磁界が発生する。第１コイル１１の少なくとも一部は、Ｚ方向において、第２コイル１２の少なくとも一部と並ぶ。発生した磁力線の一部は、第２コイル１２の内側を通る。第２コイル１２の内側における磁界の変化により、第２コイル１２に誘導起電力が生じ、第２コイル１２を電流が流れる。第２回路２は、第２コイル１２を流れる電流を検出し、検出結果に応じた信号を生成する。これにより、第１コイル１１と第２コイル１２との間で、電流を遮断（絶縁）した状態で、信号が伝達される。

次に、絶縁デバイス１００の各構成要素の材料の一例を説明する。
第１コイル１１、第２コイル１２、および導電体５０は、例えば金属を含む。第１コイル１１、第２コイル１２、および導電体５０は、例えば銅およびアルミニウムからなる群より選択された少なくとも１つの金属を含む。信号を伝達する際の第１コイル１１および第２コイル１２における発熱を抑制するために、これらのコイルの電気抵抗は、低いことが好ましい。電気抵抗の低減の観点から、第１コイル１１および第２コイル１２は、銅を含むことが好ましい。

第１絶縁部２１、絶縁層２３、第２絶縁部２２、および第６絶縁部２７は、シリコンおよび酸素を含む。例えば、第１絶縁部２１、絶縁層２３、第２絶縁部２２、および第６絶縁部２７は、酸化シリコンを含む。第１絶縁部２１、絶縁層２３、第２絶縁部２２、および第６絶縁部２７は、さらに窒素を含んでもよい。例えば、絶縁層２３の第２層２３ｂの窒素濃度は、第１層２３ａの窒素濃度よりも高い。

第７絶縁部２８は、ポリイミド、ポリアミドなどの絶縁性樹脂を含む。第３絶縁部２４および第５絶縁部２６は、シリコンおよび窒素を含む。第３絶縁部２４および第５絶縁部２６は、例えば窒化シリコンを含む。基板５は、シリコンおよび不純物を含む。不純物は、ボロン、リン、ヒ素、およびアンチモンからなる群より選択された少なくとも１つである。

第４絶縁部２５は、シリコンと窒素を含む第１材料、アルミニウムと酸素を含む第２材料、タンタルと酸素を含む第３材料、ハフニウムと酸素を含む第４材料、ジルコニウムと酸素を含む第５材料、ストロンチウムとチタンと酸素を含む第６材料、ビスマスと鉄と酸素とを含む第７材料、およびバリウムとチタンと酸素を含む第８材料からなる群より選択された少なくとも１つを含む。例えば、第４絶縁部２５は、窒化シリコンを含む。第４絶縁部２５の比誘電率は、絶縁層２３の比誘電率よりも高く、且つ第２絶縁部２２の比誘電率よりも高い。

例えば、第４絶縁部２５は、シリコンおよび窒素を含み、絶縁層２３および第２絶縁部２２は、シリコン、酸素、および窒素を含む。この場合、第４絶縁部２５における窒素濃度は、絶縁層２３における窒素濃度よりも高く、且つ第２絶縁部２２における窒素濃度よりも高い。

次に、絶縁膜２０の内部に形成された空隙７０について説明する。

図１に表すように、絶縁膜２０には、第１コイル１１から第２コイル１２に向かう第１方向からみて第２コイル１２の外側に空隙７０が形成されている。換言すると、空隙７０は、絶縁膜２０の内部に位置して、平面視で第２コイル１２の外周縁に沿って形成されている。「第２コイル１２の外側」とは、巻回された第２コイル１２の最も外側に位置する導線よりも径方向外側の領域を意味している。これに対して、「第２コイル１２の内側」は、巻回された第２コイル１２の最も外側に位置する導線の外縁よりも径方向内側の領域を意味し、巻回された導線が配置された領域を意味している。

空隙７０は、空気層となっている。空隙７０は、絶縁デバイス１００を製造するときに発生する絶縁膜２０中の残留応力を低減させる。これにより、空隙７０は、絶縁デバイス１００の寿命を向上させている。空隙７０の大きさ、長さ、および形状は、残留応力低減の効果、絶縁デバイス１００の剛性などを考慮して、実験、シミュレーションにより設定される。空隙７０による絶縁膜２０の応力低減については、後で説明する。

図２に表すように、空隙７０は、絶縁層２３に形成されている。この例では、空隙７０は、絶縁層２３の上端２３ｂ１から下方に向けて延びている。空隙７０の下端は、絶縁層２３の下端に位置している。すなわち、空隙７０は、第２層２３ｂと第１層２３ａとの複数層に亘って延びている。この場合、空隙７０は、第１コイル１１と第２コイル１２とが連通しないように形成されている。例えば、空隙７０は、上端が第２コイル１２に接触せず、下端が第１コイル１１に接触していない。また、空隙７０は、上端が第２コイル１２に接触していたら、下端が第１コイル１１に接触していない。もしくは、空隙７０は、下端が第１コイル１１に接触していたら、上端が第２コイル１２に接触していない。換言すると、空隙７０と第１コイル１１との間および空隙７０と第２コイル１２との間の少なくともいずれか一方には、絶縁部が設けられる。これにより、第１コイル１１と第２コイル１２との間の絶縁状態を安定して保つことができる。

また、図１に示すように、空隙７０は、第１方向からみて第２コイル１２を取り囲んでいる。すなわち、空隙７０は、第２コイル１２の最も外側に位置する導線に沿って円形状に延びている。これにより、第１コイル１１および第２コイル１２の外側で絶縁膜２０中の残留応力を効果的に低減させることができる。

空隙７０は、第２コイル１２と導電体５０との間に設けられている。具体的には、空隙７０は、第２コイル１２寄りに設けられている。換言すると、空隙７０は、第２コイル１２と導電体５０との間の中間位置（図２中の一点鎖線Ｂ－Ｂ）よりも第２コイル１２側に設けられている。これにより、第２コイル１２の外側の領域に残留する応力を効果的に低減させることができる。

次に、絶縁膜２０内に空隙７０を形成する方法について説明する。
図３は、絶縁層に空隙を形成する方法の一例を示す説明図である。図３（ａ）は、絶縁層２３が形成された状態を表している。図３（ｂ）は、絶縁層２３に空隙７０を形成する場合を表している。図３（ｃ）は、絶縁層２３および空隙７０の上に第４絶縁部２５が形成された場合を表している。

まず、図３（ａ）に表すように、基板５の上に、化学気相堆積（ＣＶＤ:Chemical Vapor Deposition）により第１絶縁部２１を形成する。そして、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）により、第１コイル１１や第１導電部５１が埋め込まれる凹部を形成する。凹部に第１コイル１１や第１導電部５１を埋め込み、その後、ＣＶＤにより第１絶縁部２１および第１コイル１１の上に第３絶縁部２４および絶縁層２３を形成する。

図３（ｂ）に表すように、空隙７０を形成する場合には、絶縁層２３の上にレジスト１１０を形成し、空隙７０を形成する予定の領域に開口部を形成する。この状態で、レジスト１１０をマスクとしたＲＩＥにより、絶縁層２３内に上下方向に延びる空隙７０を形成することができる。その後、レジスト１１０を除去する。そして、図３（ｃ）に表すように、ＣＶＤにより絶縁層２３および空隙７０の上に第４絶縁部２５を形成する。このとき、第４絶縁部２５の形成条件を制御することにより、第４絶縁部２５が空隙７０内を埋め込まないようにする。第５～第７絶縁部２６～２８および第２コイル１２や第２、第３導電部５２、５３についても同様に、ＣＶＤおよびＲＩＥにより形成する。これにより、絶縁デバイス１００が製造される。

このように製造された絶縁デバイス１００においては、その製造時に絶縁膜２０の内部に残留応力が発生する。例えば、第２コイル１２の電界の強い部分にこの残留応力が印加されると、絶縁デバイス１００の寿命が低下するおそれがある。第２コイル１２の電界の強い部分は、例えば第２コイル１２の最も外側に位置する導線付近となっている。そこで、絶縁膜２０の内部には、この残留応力を低減させるための空隙７０を形成している。

図４は、図２中の空隙と第２コイルとの間の距離および空隙周囲の応力状態の一例を表す説明図である。図４中の点線で表す特性線８１は、空隙７０が形成されていない場合の応力状態を示している。一方、図４中の実線で表す特性線８２は、空隙７０が形成されている場合の応力状態を示している。ここでは、絶縁層２３は、窒素を含んだ酸化シリコンで、第２層２３ｂの窒素濃度は、第１層２３ａの窒素濃度よりも高い場合の例を示す。

特性線８１に表されるように、空隙７０が形成されていない場合には、絶縁層２３の第２層２３ｂに大きな残留応力（引張応力）が発生する。そこで、絶縁層２３には、第２コイル１２から水平距離で距離Ｄ以内の位置に、上下方向に延びる空隙７０を形成している。距離Ｄは、例えば４μｍである。また、空隙７０は、絶縁層２３の上端２３ｂ１から下方に向けて延びている。空隙７０は、残留応力による絶縁層２３の変形を許容する。これにより、特性線８２に表されるように、第２層２３ｂの残留応力（引張応力）を低減させることができる。この結果、電界が集中する絶縁層２３の上部において、残留応力を低減させることができ、絶縁デバイス１００の寿命が向上する。

図５は、第２実施形態に係る絶縁デバイスを表す図２と同様の断面図である。
上述した第１実施形態では、第２コイル１２の外側に空隙７０を形成した場合を例に挙げて説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限らず、例えば図５に示す第２実施形態のように、絶縁層２３には、第１コイル１１と第２コイル１２との間に空隙７０とは異なる他の空隙７２が形成されていてもよい。これにより、他の空隙７２の周囲の残留応力を低減させることができる。

図６は、第３実施形態に係る絶縁デバイスを表す図２と同様の断面図である。図６（ａ）は、空隙が絶縁層の最上層のみに形成された場合を表している。図６（ｂ）は、空隙が絶縁層よりも上側に延びている場合を表している。
上述した第１実施形態では、空隙７０が絶縁層２３の複数層に亘って形成された場合を例に挙げて説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限らず、例えば図６に示す第３実施形態のように、空隙の第１方向の長さ寸法は、任意に設定することができる。図６（ａ）に表すように、空隙７４は、絶縁層２３の最上層（第２層２３ｂ）のみに形成してもよい。また、図６（ｂ）に表すように、空隙７６は、上端を第３絶縁部２４や第２絶縁部２２まで延ばしたり、下端を第１層２３ａの途中まで延ばしたりしてもよい。

また、上述した第１実施形態では、空隙７０は、第１方向からみて第２コイル１２を取り囲んでいる場合を例に挙げて説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限らず、例えば空隙は、第２コイル１２の外側で周方向に分割して形成されていてもよい。また、空隙は、第２コイル１２の外側の一部にのみ形成されていてもよい。

以上説明した実施形態によれば、寿命を向上できる絶縁デバイスを実現することができる。

実施形態は、以下の構成を含んでもよい。
（構成１）
絶縁膜と、
前記絶縁膜の内部に設けられた第１コイルと、
前記絶縁膜の内部に設けられ前記第１コイルよりも上側に位置する第２コイルと、
を備え、
前記絶縁膜には、前記第１コイルから前記第２コイルに向かう第１方向からみて前記第２コイルの外側に空隙が形成されている絶縁デバイス。
（構成２）
前記絶縁膜は、前記第１コイルが内部に設けられた第１絶縁部と、前記第２コイルが内部に設けられた第２絶縁部と、の間に位置する絶縁層を有し、
前記空隙は、前記絶縁層に形成されている構成１に記載の絶縁デバイス。
（構成３）
前記空隙は、前記絶縁層の上端から下方に向けて延びている構成２に記載の絶縁デバイス。
（構成４）
前記絶縁層は、前記第１方向に沿って積層された複数層を有し、
前記空隙は、前記複数層に亘って延びている構成２または３に記載の絶縁デバイス。
（構成５）
前記絶縁層は、前記第１方向に沿って積層された複数層を有し、
前記空隙は、前記絶縁層の最上層のみに形成されている構成２または３に記載の絶縁デバイス。
（構成６）
前記空隙は、前記第１方向からみて前記第２コイルを取り囲んでいる構成１～５のいずれか１つに記載の絶縁デバイス。
（構成７）
前記絶縁層における前記第１コイルと前記第２コイルとの間の部分に他の空隙が形成されている構成１～６のいずれか１つに記載の絶縁デバイス。
（構成８）
前記空隙は、前記第２コイルから４μｍ以内の位置に形成されている構成１～７のいずれか１つに記載の絶縁デバイス。
（構成９）
前記空隙は、前記第１コイルと前記第２コイルとが連通しないように形成されている構成１～８のいずれか１つに記載の絶縁デバイス。
（構成１０）
前記第１コイルと前記第２コイルとは、円形渦巻状に形成されている構成１～９のいずれか１つに記載の絶縁デバイス。
（構成１１）
前記絶縁膜の内部に設けられ前記第１コイルに接続された導電体をさらに備え、
前記空隙は、前記第２コイルと前記導電体との間に設けられている構成１～１０のいずれか１つに記載の絶縁デバイス。

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。

１ 第１回路
２ 第２回路
５ 基板
１１ 第１コイル
１２ 第２コイル
２０ 絶縁膜
２１ 第１絶縁部
２２ 第２絶縁部
２３ 絶縁層
２３ａ 第１層
２３ｂ 第２層
２３ｂ１ 上端
２４ 第３絶縁部
２５ 第４絶縁部
２６ 第５絶縁部
２７ 第６絶縁部
２８ 第７絶縁部
５０ 導電体
５１ 第１導電部
５２ 第２導電部
５３ 第３導電部
６０、６１、６３、６５、６７ 配線
６２、６４、６６ パッド
７０、７４、７６ 空隙
７２ 他の空隙
８１、８２ 特性線
１００ 絶縁デバイス
１１０ レジスト

Claims (9)

1. 絶縁膜と、
   前記絶縁膜の内部に設けられた第１コイルと、
   前記絶縁膜の内部に設けられ前記第１コイルよりも上側に位置する第２コイルと、
   を備え、
   前記絶縁膜には、前記第１コイルから前記第２コイルに向かう第１方向からみて前記第２コイルの外側に空隙が形成されており、
   前記絶縁膜は、前記第１コイルが内部に設けられた第１絶縁部と、前記第２コイルが内部に設けられた第２絶縁部と、の間に位置する絶縁層を有し、
   前記空隙は、前記絶縁層に形成されており、
   前記絶縁層は、前記第１方向に沿って積層された複数層を有し、
   前記空隙は、前記複数層に亘って延びている絶縁デバイス。
2. 前記空隙は、前記絶縁層の上端から下方に向けて延びている請求項１に記載の絶縁デバイス。
3. 前記絶縁層は、前記第１方向に沿って積層された複数層を有し、
   前記空隙は、前記絶縁層の最上層のみに形成されている請求項１または２に記載の絶縁デバイス。
4. 前記空隙は、前記第１方向からみて前記第２コイルを取り囲んでいる請求項１～３のいずれか１項に記載の絶縁デバイス。
5. 前記絶縁層における前記第１コイルと前記第２コイルとの間の部分に他の空隙が形成されている請求項１～４のいずれか１項に記載の絶縁デバイス。
6. 前記空隙は、前記第２コイルから４μｍ以内の位置に形成されている請求項１～５のいずれか１項に記載の絶縁デバイス。
7. 前記空隙は、前記第１コイルと前記第２コイルとが連通しないように形成されている請求項１～６のいずれか１項に記載の絶縁デバイス。
8. 前記第１コイルと前記第２コイルとは、円形渦巻状に形成されている請求項１～７のいずれか１項に記載の絶縁デバイス。
9. 前記絶縁膜の内部に設けられ前記第１コイルに接続された導電体をさらに備え、
   前記空隙は、前記第２コイルと前記導電体との間に設けられている請求項１～８のいずれか１項に記載の絶縁デバイス。

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