JP7664816B2 - Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Description
本開示は、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関するものである。 This disclosure relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device.
近年、電子機器の小型化および薄型化に伴い、電子機器に搭載される半導体装置についても小型化および薄型化が求められている。そこで、半導体装置が備える半導体ウエハを薄板化するために、研削加工が行われる。研削加工では、半導体ウエハの研削面を上向きにして半導体ウエハがチャックテーブルに載置され、回転する研削用砥石により半導体ウエハの研削面が研削される。 In recent years, as electronic devices have become smaller and thinner, there is a demand for semiconductor devices mounted on electronic devices to also be smaller and thinner. Therefore, grinding is performed to thin the semiconductor wafers included in the semiconductor devices. In grinding, the semiconductor wafer is placed on a chuck table with the grinding surface facing up, and the grinding surface of the semiconductor wafer is ground by a rotating grinding wheel.
研削後、半導体ウエハを取り外すためにチャックテーブルから流体を噴出させたときに、チャックテーブルと半導体ウエハとの隙間に蓄積された研削屑が流体とともに噴出されて半導体ウエハに付着するという問題があった。 After grinding, when fluid was sprayed from the chuck table to remove the semiconductor wafer, there was a problem in that grinding debris accumulated in the gap between the chuck table and the semiconductor wafer was sprayed out along with the fluid and adhered to the semiconductor wafer.
例えば、特許文献1には、流体を噴出させるエリアと噴出させないエリアとを有するチャックテーブルを使用する方法が開示されている。このチャックテーブルを使用することで、研削屑が半導体ウエハに付着することを抑制している。
For example,
研削後、搬送アームにより半導体ウエハの外周部をクランプして半導体ウエハを搬送する。このとき、従来の技術では、搬送アームと半導体ウエハとの隙間が狭いため、表面張力によりこの隙間に研削屑を含んだ流体が溜まりやすい。そのため、チャックテーブルにおいて半導体ウエハに対する吸引を解除する際に、研削屑を含んだ流体が半導体ウエハの研削面に回り込む。半導体ウエハの搬送中に流体が乾燥し、流体に含まれていた研削屑が半導体ウエハの研削面に固着することで、後工程に影響が生じるという問題があった。 After grinding, the outer periphery of the semiconductor wafer is clamped by a transport arm and the semiconductor wafer is transported. In conventional technology, the gap between the transport arm and the semiconductor wafer is narrow, and surface tension makes it easy for fluid containing grinding debris to accumulate in this gap. As a result, when the suction of the semiconductor wafer is released on the chuck table, the fluid containing the grinding debris flows around to the grinding surface of the semiconductor wafer. This causes the problem that the fluid dries out during transport of the semiconductor wafer, and the grinding debris contained in the fluid adheres to the grinding surface of the semiconductor wafer, affecting subsequent processes.
そこで、本開示は、研削後の半導体ウエハに研削屑が固着することを抑制可能な技術を提供することを目的とする。 Therefore, the present disclosure aims to provide a technology that can prevent grinding debris from adhering to semiconductor wafers after grinding.
本開示に係る半導体製造装置は、半導体ウエハの研削面を上向きにして前記半導体ウエハが載置されるチャックテーブルと、前記半導体ウエハの外周部をクランプして前記半導体ウエハを搬送する搬送アームと、前記半導体ウエハと前記搬送アームとの隙間を調整する調整機構と、前記半導体ウエハの前記研削面に向けて前記半導体ウエハの外周側から水を噴出するノズルと、を備え、前記チャックテーブルは、前記半導体ウエハの前記研削面とは反対側の面を吸引して保持する吸引エリアと、前記半導体ウエハの前記研削面とは反対側の面に向けて流体を噴出して前記半導体ウエハに対する吸引を解除するブローエリアと、前記ノズルから噴出された前記水を排出するバキュームエリアとを有するものである。
A semiconductor manufacturing apparatus according to the present disclosure includes a chuck table on which a semiconductor wafer is placed with its grinding surface facing upward, a transport arm that transports the semiconductor wafer by clamping the outer periphery of the semiconductor wafer, an adjustment mechanism that adjusts a gap between the semiconductor wafer and the transport arm , and a nozzle that sprays water from the outer periphery of the semiconductor wafer toward the grinding surface of the semiconductor wafer, wherein the chuck table has a suction area that suctions and holds the surface of the semiconductor wafer opposite to the grinding surface, a blow area that sprays fluid toward the surface of the semiconductor wafer opposite to the grinding surface of the semiconductor wafer to release the suction on the semiconductor wafer, and a vacuum area that discharges the water sprayed from the nozzle .
本開示によれば、研削屑を含んだ流体はチャックテーブルの吸引エリアで吸引されるため、半導体ウエハに対する吸引を解除する際に、研削屑を含んだ流体が半導体ウエハの研削面に回り込むことを抑制できる。さらに、研削後、搬送アームにより半導体ウエハを搬送する際に、調整機構により半導体ウエハと搬送アームとの隙間が広がるように調整することで、研削屑を含んだ流体が半導体ウエハの研削面に回り込むことをさらに抑制できる。これにより、研削後の半導体ウエハに研削屑が固着することを抑制できる。 According to the present disclosure, the fluid containing the grinding debris is sucked in the suction area of the chuck table, and therefore when the suction on the semiconductor wafer is released, the fluid containing the grinding debris can be prevented from flowing around to the grinding surface of the semiconductor wafer. Furthermore, when the semiconductor wafer is transported by the transport arm after grinding, the adjustment mechanism can be used to adjust the gap between the semiconductor wafer and the transport arm to be wider, thereby further preventing the fluid containing the grinding debris from flowing around to the grinding surface of the semiconductor wafer. This prevents the grinding debris from adhering to the semiconductor wafer after grinding.
<実施の形態1>
実施の形態1について、図面を用いて以下に説明する。図1は、実施の形態1に係る半導体製造装置が備える搬送アーム1が半導体ウエハ5をクランプしている状態を示す断面模式図である。図2は、実施の形態1に係る半導体製造装置が備えるチャックテーブル2の上面図である。図3は、実施の形態1の変形例1に係る半導体製造装置が備えるノズル7から水8を噴出している状態を示す断面模式図である。図4は、実施の形態1の変形例2に係る半導体製造装置が備えるノズル7から水8を噴出している状態を示す断面模式図である。
<First embodiment>
The first embodiment will be described below with reference to the drawings. Fig. 1 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a
図1に示すように、半導体製造装置は、チャックテーブル2と、一対の搬送アーム1と、調整機構30(図6参照)と、一対のノズル7とを備えている。
As shown in FIG. 1, the semiconductor manufacturing apparatus includes a chuck table 2, a pair of
図1と図2に示すように、チャックテーブル2には、表面と裏面とを有する半導体ウエハ5が載置される。チャックテーブル2は、無機質材料をポーラス状に焼成したものであり、半導体ウエハ5の形状に対応して上面視で円状に形成されている。
As shown in Figures 1 and 2, a
図1に示すように、一対の搬送アーム1は、互いに対向する位置に設けられている。各搬送アーム1は、調整機構30を内蔵する本体部1aと、本体部1aの下面における外周側に設けられたクランプ部1bとを有している。半導体ウエハ5の外周部5aは、クランプ部1bによってクランプされる。一対の搬送アーム1は、クランプ部1bでクランプした半導体ウエハ5と本体部1aとの隙間を調整機構30により調整することが可能なクランプ式アームである。調整機構30の詳細については後述するが、調整機構30はモータ20(図6参照)を含む場合と、エアシリンダー25(図7参照)を含む場合とがある。
As shown in FIG. 1, a pair of
半導体ウエハ5は、例えばシリコン(Si)または炭化ケイ素(SiC)を主たる材料として構成されている。半導体ウエハ5は、研削面を上向きにしてチャックテーブル2上に載置される。半導体ウエハ5の研削面が研削加工されることにより、半導体ウエハ5は、外周部5aに中心部よりも厚みの厚いリブを有するリブ付き半導体ウエハとなる。ここで、半導体ウエハ5の研削面とは、半導体ウエハ5の裏面における外周部5aを除く領域である。つまり、半導体ウエハ5の研削面とは、半導体ウエハ5の裏面における外周部5aよりも内周側の領域である。
The
図1と図2に示すように、チャックテーブル2は、凹状の枠体2aと、上面視で環状の吸引エリア3と、上面視で環状のブローエリア4とを有している。吸引エリア3とブローエリア4は、枠体2aの外周部を除く部分に形成された上面視で円状の凹部2bに設けられている。吸引エリア3は、半導体ウエハ5の研削面とは反対側の面を吸引して保持する領域である。ブローエリア4は、半導体ウエハ5の研削面とは反対側の面に向けて流体を噴出して半導体ウエハ5に対する吸引を解除する領域である。
As shown in Figures 1 and 2, the chuck table 2 has a
吸引エリア3は、パイプ3a(図11参照)を介して吸引源(図示しない)に接続されている。ブローエリア4は、パイプ4a(図11参照)を介してブロー源(図示しない)に接続されている。ここで、半導体ウエハ5の研削面とは反対側の面とは、半導体ウエハ5の表面である。また、流体とは、例えば水とエアとが混合されたものである。
The
従来は、研削時における半導体ウエハ5のバタつきを考慮していなかった。チャックテーブル2における半導体ウエハ5の外周部5aに対向する箇所にブローエリア4を設けた場合、研削時に半導体ウエハ5がバタつくことが考えられる。そのため、当該箇所には吸引エリア3を設け、さらに、当該箇所よりも内周側に、ブローエリア4と吸引エリア3とを交互に配置することで、研削時に半導体ウエハ5のバタつきを抑えることができる。ここで、チャックテーブル2における半導体ウエハ5の外周部5aに対向する箇所とは、凹部2bの外周部である。
Conventionally, flapping of the semiconductor wafer 5 during grinding was not taken into consideration. If a
例えば、図1と図2では、吸引エリア3とブローエリア4とが交互に同心円状に配置されており、凹部2bの中央部と外周部は吸引エリア3となっている。凹部2bにおいて外周部だけでなく、中央部を吸引エリア3とする理由は、半導体ウエハ5の研削では、中央部に研削砥石が積極的に当たりやすいため、研削中に半導体ウエハ5がバタつくと、半導体ウエハ5の外観異常および割れにつながる。凹部2bの中央部に吸引エリア3を設けることで半導体ウエハ5のバタつきを抑えることができる。ここで、半導体ウエハ5の外観異常とは、例えば深い研削痕およびキズである。
For example, in Figures 1 and 2,
吸引エリア3とブローエリア4は、金属またはセラミック等で形成された環状の仕切り板6で分割されている。それぞれ吸引動作のみを行う領域とブロー動作のみを行う領域とを個別に設けることにより、ブローエリア4から研削屑の噴出を抑制することができる。これにより、半導体ウエハ5に対する吸引を解除する際に半導体ウエハ5への研削屑の付着を抑制した状態で、搬送アーム1は半導体ウエハ5の外周部5aをクランプすることができる。
The
実施の形態1に係る半導体製造装置では、凹部2bの外周部を吸引エリア3とし、ブローエリア4としないことで、凹部2bの外周部にブローエリア4を設けた場合と比較して、研削屑が半導体ウエハ5の外周部5bに付着することを抑制できる。搬送アーム1は、半導体ウエハ5の外周部5bをクランプして搬送するが、研削屑は半導体ウエハ5の外周部5bに付着しにくいことから、搬送アーム1への異物と汚れの付着も抑制することができる。
In the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment, the outer periphery of the
図1に示すように、一対のノズル7は、チャックテーブル2の枠体2aにおいて互いに対向する位置に設けられており、半導体ウエハ5の外周側から水8を噴出する。チャックテーブル2から半導体ウエハ5が取り外される際に、一対のノズル7から水8が半導体ウエハ5とチャックテーブル2との間に噴出することにより、チャックテーブル2から噴出する研削屑を含んだ流体が半導体ウエハ5の研削面に回り込むことを抑制できる。
As shown in FIG. 1, a pair of
なお、ノズル7は1つであってもよい。また、ノズル7は、半導体ウエハ5の外周側から水8を噴出するのではなく、図3に示すように、半導体ウエハ5の研削面の中央部へ向けて水8を噴出してもよいし、図4に示すように、搬送アーム1に設けられ、半導体ウエハ5の研削面へ向けて水8を噴出してもよい。
The
次に、半導体ウエハ5と搬送アーム1との隙間を調整する調整機構30の動作について説明する。図5(a)は、半導体ウエハ5をクランプする際および取り外す際の搬送アーム1の動作を示す断面模式図であり、図5(b)は、半導体ウエハ5を搬送する際の搬送アーム1の動作を示す断面模式図である。
Next, the operation of the
半導体ウエハ5をクランプする際および取り外す際には、図5(a)に示すように、搬送アーム1の本体部1aが下方に移動することにより、半導体ウエハ5と搬送アーム1との隙間は狭くなりd1となる。半導体ウエハ5を搬送する際には、図5(b)に示すように、搬送アーム1の本体部1aが上方に移動することにより、半導体ウエハ5と搬送アーム1との隙間はd1よりも広くなりd2となる。半導体ウエハ5と搬送アーム1との隙間とは、半導体ウエハ5の研削面と、本体部1aにおけるクランプ部1bよりも内周側の部分との隙間である。
When clamping and removing the
次に、調整機構30の構造について説明する。図6は、調整機構30がモータ20を含む場合の搬送アーム1の動作を示す断面模式図である。図7は、調整機構30がエアシリンダー25を含む場合の搬送アーム1の動作を示す断面模式図である。
Next, the structure of the
調整機構30は、搬送アーム1毎に設けられ、モータ20を含む場合とエアシリンダー25を含む場合とがある。先ず、調整機構30がモータ20を含む場合について説明する。図6に示すように、調整機構30は、モータ20と、ボールねじ21とを含んでいる。ボールねじ21は、半導体ウエハ5の外周側に立設されている。モータ20は、搬送アーム1の本体部1aに設けられ、ボールねじ21と接続されている。本体部1aは、モータ20の駆動によりボールねじ21に沿って上下方向に移動可能である。
The
次に、調整機構30がエアシリンダー25を含む場合について説明する。図7に示すように、調整機構30は、エアシリンダー25と、ピストン26とを含んでいる。ピストン26は、半導体ウエハ5の外周側に立設されている。エアシリンダー25は、搬送アーム1の本体部1aに設けられ、ピストン26と接続されている。本体部1aは、エアシリンダー25の駆動によりピストン26に沿って上下方向に移動可能である。
Next, a case where the
次に、実施の形態1に係る半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法について説明する。図8は、半導体装置の製造方法の各工程を示すフローチャートである。図9は、研削工程の完了から保護膜洗浄工程までの実施を示す模式断面図である。図10は、最終ウエハ洗浄工程から保護膜乾燥工程までの実施を示す模式断面図である。なお、図9では、図面を見やすくするために吸引エリア3とブローエリア4の図示を省略している。
Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment will be described. FIG. 8 is a flow chart showing each step of the method for manufacturing a semiconductor device. FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing the implementation from the completion of the grinding step to the protective film cleaning step. FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing the implementation from the final wafer cleaning step to the protective film drying step. Note that in FIG. 9, the
図8に示すように、先ずウエハ準備工程では、表面に素子領域(図示しない)を形成し、さらに素子領域を保護する保護膜(図示しない)を設けた半導体ウエハ5が準備される(ステップS1)。
As shown in FIG. 8, first, in the wafer preparation process, a
次に、研削工程では、半導体ウエハ5の研削面が研削され、半導体ウエハ5は所定の厚さに薄板化される(ステップS2)。ここでは、半導体ウエハ5はチャックテーブル2に載置され、半導体ウエハ5の研削面とは反対側の面である表面を吸引エリア3により吸引された状態で研削処理が行われる。
Next, in the grinding process, the grinding surface of the
ウエハ洗浄工程では、研削工程で研削屑が付着した半導体ウエハ5を洗浄するために、ノズル7から水8が噴出される(ステップS3)。
In the wafer cleaning process,
図9に示すように、半導体製造装置には、水が溜められた水中エリア31が設けられている。搬送工程では、半導体ウエハ5は搬送アーム1により水中エリア31まで搬送される(ステップS4)。具体的には、半導体ウエハ5が水中エリア31に配置されるように、搬送アーム1が半導体ウエハ5をクランプした状態でチャックテーブル2は駆動手段(図示しない)により旋回する。
As shown in FIG. 9, the semiconductor manufacturing equipment is provided with an
保護膜洗浄工程では、半導体ウエハ5の表面に設けられた保護膜が洗浄される(ステップS5)。保護膜洗浄工程は、半導体ウエハ5の表面側に配置された保護膜洗浄ブラシ17により水中で実施される。なお、保護膜洗浄工程は省略することも可能である。
In the protective film cleaning process, the protective film provided on the surface of the
搬送工程では、半導体ウエハ5は搬送アーム1により水中エリア31から、最終ウエハ洗浄工程が行われるスピンナテーブル18(図10参照)まで搬送される(ステップS6)。具体的には、搬送アーム1は半導体ウエハ5を水中から大気中へ搬送し、半導体ウエハ5をスピンナテーブル18に載置する。
In the transport process, the
図10に示すように、最終ウエハ洗浄工程では、半導体ウエハ5の上方に配置されたノズル19a,19bから半導体ウエハ5の研削面に向けて水8aとエア8bをそれぞれ噴出することにより、半導体ウエハ5の洗浄が行われる(ステップS7)。最終ウエハ洗浄工程と、その次に実施される保護膜乾燥工程(図示しない)については大気中で実施される。保護膜乾燥工程では、最終ウエハ洗浄完了後に半導体ウエハ5を搬送する際に、半導体ウエハ5の保護膜をエア15で乾燥する。
As shown in FIG. 10, in the final wafer cleaning process,
次に、実施の形態1に係る半導体製造装置から得られる作用効果について、従来の半導体製造装置と比較しながら説明する。 Next, we will explain the effects obtained from the semiconductor manufacturing device according to the first embodiment, comparing it with a conventional semiconductor manufacturing device.
従来の半導体製造装置では、搬送アーム1により半導体ウエハ5を搬送する際に、半導体ウエハ5と搬送アーム1との隙間を調整することができなかったため、半導体ウエハ5と搬送アーム1との隙間が狭い状態で半導体ウエハ5を搬送していた。表面張力によりこの隙間に研削屑を含んだ水が溜まりやすいことから、チャックテーブル2において半導体ウエハ5に対する吸引を解除する際に、研削屑を含んだ流体が半導体ウエハ5の研削面に回り込む。半導体ウエハ5の搬送中に流体が乾燥し、流体に含まれていた研削屑が半導体ウエハ5の研削面に固着することで、後工程に影響が生じるという問題があった。
In conventional semiconductor manufacturing equipment, when the
これに対して、実施の形態1に係る半導体製造装置は、半導体ウエハ5の研削面を上向きにして半導体ウエハ5が載置されるチャックテーブル2と、半導体ウエハ5の外周部5aをクランプして半導体ウエハ5を搬送する搬送アーム1と、半導体ウエハ5と搬送アーム1との隙間を調整する調整機構30とを備え、チャックテーブル2は、半導体ウエハ5の研削面とは反対側の面を吸引して保持する吸引エリア3と、半導体ウエハ5の研削面とは反対側の面に向けて流体を噴出して半導体ウエハ5に対する吸引を解除するブローエリア4とを有している。
In contrast, the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment includes a chuck table 2 on which the
したがって、研削屑を含んだ流体はチャックテーブル2の吸引エリア3で吸引されるため、半導体ウエハ5に対する吸引を解除する際に、研削屑を含んだ流体が半導体ウエハ5の研削面に回り込むことを抑制できる。さらに、研削後、搬送アーム1により半導体ウエハ5を搬送する際に、調整機構30により半導体ウエハ5と搬送アーム1との隙間が広がるように調整することで、研削屑を含んだ流体が半導体ウエハ5の研削面に回り込むことをさらに抑制できる。これにより、研削後の半導体ウエハ5に研削屑が固着することを抑制できる。以上より、半導体製造装置で製造される半導体装置の歩留り向上を図ることが可能となる。
Therefore, since the fluid containing the grinding debris is sucked in the
また、吸引エリア3は、チャックテーブル2における半導体ウエハ5の外周部5aに対向する箇所に設けられているため、研削時に半導体ウエハ5のバタつきを抑えることができる。
In addition, the
また、半導体製造装置は、半導体ウエハ5の研削面に向けて半導体ウエハ5の外周側から水8を噴出するノズル7をさらに備えている。したがって、ブローエリア4から流体を噴出する際に、ノズル7から噴出された水8が半導体ウエハ5の研削面に渡って流れることにより、研削屑を含んだ流体が半導体ウエハ5の研削面に回り込むことを抑制できる。
The semiconductor manufacturing apparatus further includes a
また、ノズル7は、半導体ウエハ5の研削面の中央部に向けて水8を噴出している。したがって、研削後に搬送アーム1が半導体ウエハ5をクランプする際に、半導体ウエハ5に対する吸引を解除するためにブローエリア4から流体を噴出する直前から、ノズル7が半導体ウエハ5の研削面の中央部に向けて水8を噴出することにより、研削屑を含んだ流体が半導体ウエハ5の研削面に回り込むことを抑制できる。
The
また、ノズル7は、搬送アーム1に取り付けられているため、半導体ウエハ5の研削面に水8を供給しながら、搬送アーム1は半導体ウエハ5を搬送することができる。これにより、半導体ウエハ5の研削面を水8に浸す時間が長くなるため、搬送時に異物と汚れの付着を抑制することができる。
In addition, since the
また、実施の形態1に係る半導体装置の製造方法は、研削面とは反対側の面に形成された素子領域を保護する保護膜を設けた半導体ウエハ5を準備する工程(a)と、半導体ウエハ5をチャックテーブル2に載置し、研削面を研削することで半導体ウエハ5の外周部5aに中央部よりも厚みの厚いリブを形成する工程(b)と、半導体ウエハ5を水中に入れて、保護膜を水中で洗浄する工程(c)と、搬送アーム1により水中から大気中へ半導体ウエハ5を搬送し、半導体ウエハ5の搬送中に保護膜を乾燥する工程(d)とを備えている。
The method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment includes the steps of: (a) preparing a
したがって、研削後の半導体ウエハ5に研削屑が固着することを抑制できることに加えて、搬送アーム1により半導体ウエハ5をクランプする際の異物と汚れの付着、および半導体ウエハ5の研削面の乾燥を抑制することができる。
As a result, in addition to preventing grinding debris from adhering to the
<実施の形態2>
次に、実施の形態2に係る半導体製造装置について説明する。図11は、実施の形態2に係る半導体製造装置が備える搬送アーム1が半導体ウエハ5をクランプしている状態を示す断面模式図である。図11では、ノズル7の図示が省略されているがあるものとして説明する。なお、実施の形態2において、実施の形態1で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
<
Next, a semiconductor manufacturing apparatus according to a second embodiment will be described. Fig. 11 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a
図11に示すように、実施の形態2では、チャックテーブル2はさらに、ノズル7から噴出された水8を排出するバキュームエリア10を有している。バキュームエリア10は、吸引エリア3とブローエリア4との間に環状に設けられている。バキュームエリア10は、パイプ10aを介して真空源(図示しない)に接続されている。
As shown in FIG. 11, in the second embodiment, the chuck table 2 further has a
以上のように、実施の形態2に係る半導体製造装置では、チャックテーブル2はさらに、ノズル7から噴出された水8を排出するバキュームエリア10を有しているため、搬送アーム1がチャックテーブル2から半導体ウエハ5を取り外す際に、チャックテーブル2に残った研削屑を含んだ水8をバキュームエリア10により排出することができる。これにより、異物と汚れが半導体ウエハ5の研削面に回り込むことを抑制できる。
As described above, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the second embodiment, the chuck table 2 further has a
<実施の形態3>
次に、実施の形態3に係る半導体製造装置について説明する。図12は、実施の形態3に係る半導体製造装置が備える搬送アーム1に設けられた噴出部13から水8を噴出している状態を示す模式断面図である。なお、実施の形態3において、実施の形態1,2で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
<Third embodiment>
Next, a semiconductor manufacturing apparatus according to a third embodiment will be described. Fig. 12 is a schematic cross-sectional view showing a state in which
図12に示すように、実施の形態3では、搬送アーム1の本体部1aの内周面に向けて水8を噴出する噴出部13が複数設けられている。複数の噴出部13は、本体部1aの内周面に設けられ、本体部1aの内部を通るパイプ(図示しない)を介して給水源(図示しない)に接続されている。複数の噴出部13から噴出した水8は、本体部1aの内周面を伝って落下する。
As shown in FIG. 12, in the third embodiment, a plurality of spraying
なお、図示しないが、噴出部13は、本体部1aの内周面に設けられるのではなく、本体部1aの内周面に向けて水8を噴出するノズルにより構成されていてもよい。そのノズルは本体部1aに設けられてもよいし、チャックテーブル2に設けられてもよい。
Although not shown, the spraying
また、実施の形態3に係る半導体製造装置においても、実施の形態1のノズル7および実施の形態2のバキュームエリア10を採用することも可能である。
The
以上のように、実施の形態3に係る半導体製造装置では、搬送アーム1の内周面に向けて水8を噴出する噴出部13が設けられている。したがって、搬送完了後または待機時に搬送アーム1の内周面に向けて水8が噴出することで、搬送アーム1に付着した異物と汚れを除去することができる。また、異物と汚れが搬送アーム1に付着することも抑制できる。
As described above, the semiconductor manufacturing apparatus according to the third embodiment is provided with a
<実施の形態4>
次に、実施の形態4に係る半導体製造装置について説明する。図13は、実施の形態4に係る半導体製造装置が備える搬送アーム1に設けられたエア噴出部14からエア16を噴出している状態を示す模式断面図である。なお、実施の形態4において、実施の形態1~3で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
<Fourth embodiment>
Next, a semiconductor manufacturing apparatus according to a fourth embodiment will be described. Fig. 13 is a schematic cross-sectional view showing a state in which
図13に示すように、実施の形態4では、搬送アーム1には、搬送アーム1の本体部1aの外周面から本体部1aの外側へ向けてエア16を噴出するエア噴出部14が複数設けられている。複数のエア噴出部14は、本体部1aの外周面に設けられ、本体部1aの内部を通るパイプ(図示しない)を介してエア源(図示しない)に接続されている。
As shown in FIG. 13, in the fourth embodiment, the
保護膜乾燥工程において、搬送アーム1が半導体ウエハ5を搬送する際に、半導体ウエハ5の保護膜を乾燥させるためのエア15が半導体ウエハ5の表面に向けて噴出される。エア噴出部14から本体部1aの外側へ向けてエア16を噴出することにより、エア15が本体部1aの外側を通って半導体ウエハ5の研削面へ回り込むことを抑制できる。
In the protective film drying process, when the
なお、実施の形態4に係る半導体製造装置においても、実施の形態1のノズル7、実施の形態2のバキュームエリア10、および実施の形態3の噴出部13を採用することも可能である。
In addition, the
以上のように、実施の形態4に係る半導体製造装置では、搬送アーム1には、搬送アーム1の外周面からエア16を噴出するエア噴出部14が設けられている。したがって、エア噴出部14から本体部1aの外側へ向けてエア16を噴出することにより、保護膜乾燥工程において、半導体ウエハ5の保護膜を乾燥させるためのエア15が噴出しているときに、エア15が本体部1aの外側を通って半導体ウエハ5の研削面へ回り込むことを抑制できる。これにより、半導体ウエハ5の研削面に乾燥ムラが発生することを抑制できる。
As described above, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the fourth embodiment, the
なお、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。 The embodiments can be freely combined, modified, or omitted as appropriate.
1 搬送アーム、2 チャックテーブル、3 吸引エリア、4 ブローエリア、5 半導体ウエハ、7 ノズル、10 バキュームエリア、13 噴出部、14 エア噴出部、30 調整機構。 1 Transport arm, 2 Chuck table, 3 Suction area, 4 Blow area, 5 Semiconductor wafer, 7 Nozzle, 10 Vacuum area, 13 Jet part, 14 Air jet part, 30 Adjustment mechanism.
Claims (9)
前記半導体ウエハの外周部をクランプして前記半導体ウエハを搬送する搬送アームと、
前記半導体ウエハと前記搬送アームとの隙間を調整する調整機構と、
前記半導体ウエハの前記研削面に向けて前記半導体ウエハの外周側から水を噴出するノズルと、を備え、
前記チャックテーブルは、前記半導体ウエハの前記研削面とは反対側の面を吸引して保持する吸引エリアと、前記半導体ウエハの前記研削面とは反対側の面に向けて流体を噴出して前記半導体ウエハに対する吸引を解除するブローエリアと、前記ノズルから噴出された前記水を排出するバキュームエリアとを有する、半導体製造装置。 a chuck table on which the semiconductor wafer is placed with the grinding surface of the semiconductor wafer facing upward;
a transfer arm that clamps an outer periphery of the semiconductor wafer and transfers the semiconductor wafer;
an adjustment mechanism for adjusting a gap between the semiconductor wafer and the transfer arm;
a nozzle for spraying water from an outer periphery side of the semiconductor wafer toward the grinding surface of the semiconductor wafer ,
the chuck table has a suction area that sucks and holds the surface of the semiconductor wafer opposite the grinding surface, a blow area that sprays fluid toward the surface of the semiconductor wafer opposite the grinding surface to release the suction on the semiconductor wafer , and a vacuum area that discharges the water sprayed from the nozzle .
前記半導体ウエハの外周部をクランプして前記半導体ウエハを搬送する搬送アームと、
前記半導体ウエハと前記搬送アームとの隙間を調整する調整機構と、
前記半導体ウエハの前記研削面の中央部に向けて水を噴出するノズルと、を備え、
前記チャックテーブルは、前記半導体ウエハの前記研削面とは反対側の面を吸引して保持する吸引エリアと、前記半導体ウエハの前記研削面とは反対側の面に向けて流体を噴出して前記半導体ウエハに対する吸引を解除するブローエリアと、前記ノズルから噴出された前記水を排出するバキュームエリアとを有する、半導体製造装置。 a chuck table on which the semiconductor wafer is placed with the grinding surface of the semiconductor wafer facing upward;
a transfer arm that clamps an outer periphery of the semiconductor wafer and transfers the semiconductor wafer;
an adjustment mechanism for adjusting a gap between the semiconductor wafer and the transfer arm;
a nozzle for spraying water toward a center portion of the grinding surface of the semiconductor wafer ,
the chuck table has a suction area that sucks and holds the surface of the semiconductor wafer opposite the grinding surface, a blow area that sprays fluid toward the surface of the semiconductor wafer opposite the grinding surface to release the suction on the semiconductor wafer , and a vacuum area that discharges the water sprayed from the nozzle .
前記半導体ウエハの外周部をクランプして前記半導体ウエハを搬送する搬送アームと、
前記半導体ウエハと前記搬送アームとの隙間を調整する調整機構と、
前記半導体ウエハの前記研削面に向けて前記半導体ウエハの外周側から水を噴出するノズルと、を備え、
前記チャックテーブルは、前記半導体ウエハの前記研削面とは反対側の面を吸引して保持する吸引エリアと、前記半導体ウエハの前記研削面とは反対側の面に向けて流体を噴出して前記半導体ウエハに対する吸引を解除するブローエリアとを有し、
前記ノズルは、前記搬送アームに取り付けられた、半導体製造装置。 a chuck table on which the semiconductor wafer is placed with the grinding surface of the semiconductor wafer facing upward;
a transfer arm that clamps an outer periphery of the semiconductor wafer and transfers the semiconductor wafer;
an adjustment mechanism for adjusting a gap between the semiconductor wafer and the transfer arm;
a nozzle for spraying water from an outer periphery side of the semiconductor wafer toward the grinding surface of the semiconductor wafer ,
the chuck table has a suction area that suctions and holds a surface of the semiconductor wafer opposite to the grinding surface, and a blow area that releases the suction applied to the semiconductor wafer by spraying a fluid toward the surface of the semiconductor wafer opposite to the grinding surface ,
The nozzle is attached to the transfer arm of the semiconductor manufacturing device.
前記半導体ウエハの外周部をクランプして前記半導体ウエハを搬送する搬送アームと、
前記半導体ウエハと前記搬送アームとの隙間を調整する調整機構と、
前記半導体ウエハの前記研削面の中央部に向けて水を噴出するノズルと、を備え、
前記チャックテーブルは、前記半導体ウエハの前記研削面とは反対側の面を吸引して保持する吸引エリアと、前記半導体ウエハの前記研削面とは反対側の面に向けて流体を噴出して前記半導体ウエハに対する吸引を解除するブローエリアとを有し、
前記ノズルは、前記搬送アームに取り付けられた、半導体製造装置。 a chuck table on which the semiconductor wafer is placed with the grinding surface of the semiconductor wafer facing upward;
a transfer arm that clamps an outer periphery of the semiconductor wafer and transfers the semiconductor wafer;
an adjustment mechanism for adjusting a gap between the semiconductor wafer and the transfer arm;
a nozzle for spraying water toward a center portion of the grinding surface of the semiconductor wafer ,
the chuck table has a suction area that suctions and holds a surface of the semiconductor wafer opposite to the grinding surface, and a blow area that releases the suction applied to the semiconductor wafer by spraying a fluid toward the surface of the semiconductor wafer opposite to the grinding surface ,
The nozzle is attached to the transfer arm of the semiconductor manufacturing device.
前記半導体ウエハの外周部をクランプして前記半導体ウエハを搬送する搬送アームと、
前記半導体ウエハと前記搬送アームとの隙間を調整する調整機構と、を備え、
前記チャックテーブルは、前記半導体ウエハの前記研削面とは反対側の面を吸引して保持する吸引エリアと、前記半導体ウエハの前記研削面とは反対側の面に向けて流体を噴出して前記半導体ウエハに対する吸引を解除するブローエリアとを有し、
前記搬送アームの内周面に向けて水を噴出する噴出部が設けられた、半導体製造装置。 a chuck table on which the semiconductor wafer is placed with the grinding surface of the semiconductor wafer facing upward;
a transfer arm that clamps an outer periphery of the semiconductor wafer and transfers the semiconductor wafer;
an adjustment mechanism for adjusting a gap between the semiconductor wafer and the transfer arm,
the chuck table has a suction area that suctions and holds a surface of the semiconductor wafer opposite to the grinding surface, and a blow area that releases the suction applied to the semiconductor wafer by spraying a fluid toward the surface of the semiconductor wafer opposite to the grinding surface ,
The semiconductor manufacturing apparatus is provided with a spraying unit that sprays water toward an inner peripheral surface of the transfer arm .
前記半導体ウエハの外周部をクランプして前記半導体ウエハを搬送する搬送アームと、
前記半導体ウエハと前記搬送アームとの隙間を調整する調整機構と、を備え、
前記チャックテーブルは、前記半導体ウエハの前記研削面とは反対側の面を吸引して保持する吸引エリアと、前記半導体ウエハの前記研削面とは反対側の面に向けて流体を噴出して前記半導体ウエハに対する吸引を解除するブローエリアとを有し、
前記搬送アームには、前記搬送アームの外周面からエアを噴出するエア噴出部が設けられた、半導体製造装置。 a chuck table on which the semiconductor wafer is placed with the grinding surface of the semiconductor wafer facing upward;
a transfer arm that clamps an outer periphery of the semiconductor wafer and transfers the semiconductor wafer;
an adjustment mechanism for adjusting a gap between the semiconductor wafer and the transfer arm,
the chuck table has a suction area that suctions and holds a surface of the semiconductor wafer opposite to the grinding surface, and a blow area that releases the suction applied to the semiconductor wafer by spraying a fluid toward the surface of the semiconductor wafer opposite to the grinding surface ,
The semiconductor manufacturing apparatus , wherein the transport arm is provided with an air blowing unit that blows air from an outer circumferential surface of the transport arm .
(a)前記研削面とは反対側の面に形成された素子領域を保護する保護膜を設けた前記半導体ウエハを準備する工程と、
(b)前記半導体ウエハを前記チャックテーブルに載置し、前記研削面を研削することで前記半導体ウエハの外周部に中央部よりも厚みの厚いリブを形成する工程と、
(c)前記半導体ウエハを水中に入れて、前記保護膜を前記水中で洗浄する工程と、
(d)前記搬送アームにより前記水中から大気中へ前記半導体ウエハを搬送し、前記半導体ウエハの搬送中に前記保護膜を乾燥する工程と、
を備えた、半導体装置の製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor device using the semiconductor manufacturing apparatus according to any one of claims 1 to 7 , comprising the steps of:
(a) preparing the semiconductor wafer having a protective film provided on a surface opposite to the grinding surface to protect an element region;
(b) placing the semiconductor wafer on the chuck table and grinding the grinding surface to form a rib on the outer periphery of the semiconductor wafer that is thicker than a central portion of the semiconductor wafer;
(c) placing the semiconductor wafer in water and cleaning the protective film in the water;
(d) transporting the semiconductor wafer from the water to the atmosphere by the transport arm, and drying the protective film during the transport of the semiconductor wafer;
The manufacturing method of a semiconductor device comprising the steps of:
前記半導体ウエハの外周部をクランプして前記半導体ウエハを搬送する搬送アームと、
前記半導体ウエハと前記搬送アームとの隙間を調整する調整機構と、を備え、
前記チャックテーブルは、前記半導体ウエハの前記研削面とは反対側の面を吸引して保持する吸引エリアと、前記半導体ウエハの前記研削面とは反対側の面に向けて流体を噴出して前記半導体ウエハに対する吸引を解除するブローエリアとを有する、半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
(a)前記研削面とは反対側の面に形成された素子領域を保護する保護膜を設けた前記半導体ウエハを準備する工程と、
(b)前記半導体ウエハを前記チャックテーブルに載置し、前記研削面を研削することで前記半導体ウエハの外周部に中央部よりも厚みの厚いリブを形成する工程と、
(c)前記半導体ウエハを水中に入れて、前記保護膜を前記水中で洗浄する工程と、
(d)前記搬送アームにより前記水中から大気中へ前記半導体ウエハを搬送し、前記半導体ウエハの搬送中に前記保護膜を乾燥する工程と、
を備えた、半導体装置の製造方法。 a chuck table on which the semiconductor wafer is placed with the grinding surface of the semiconductor wafer facing upward;
a transfer arm that clamps an outer periphery of the semiconductor wafer and transfers the semiconductor wafer;
an adjustment mechanism for adjusting a gap between the semiconductor wafer and the transfer arm,
a manufacturing method of a semiconductor device using a semiconductor manufacturing apparatus, the method comprising: the chuck table having a suction area that suctions and holds a surface of the semiconductor wafer opposite to the grinding surface, and a blow area that releases suction on the semiconductor wafer by spraying a fluid toward the surface of the semiconductor wafer opposite to the grinding surface,
(a) preparing the semiconductor wafer having a protective film provided on a surface opposite to the grinding surface to protect an element region;
(b) placing the semiconductor wafer on the chuck table and grinding the grinding surface to form a rib on the outer periphery of the semiconductor wafer that is thicker than a central portion of the semiconductor wafer;
(c) placing the semiconductor wafer in water and cleaning the protective film in the water;
(d) transporting the semiconductor wafer from the water to the atmosphere by the transport arm, and drying the protective film during the transport of the semiconductor wafer;
The manufacturing method of a semiconductor device comprising the steps of:
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| JP2000127027A (en) | 1998-10-19 | 2000-05-09 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Wafer working device |
| JP2018056488A (en) | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社ディスコ | Processing device |
| JP2018129451A (en) | 2017-02-10 | 2018-08-16 | 株式会社ディスコ | Processing apparatus and wafer unloading method |
| JP2020093330A (en) | 2018-12-11 | 2020-06-18 | 株式会社ディスコ | Processing method of work piece |
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