JP7664914B2 - Ｅｕｖマスク保護構造のためのエッチング組成物及び方法 - Google Patents
Ｅｕｖマスク保護構造のためのエッチング組成物及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7664914B2 JP7664914B2 JP2022522907A JP2022522907A JP7664914B2 JP 7664914 B2 JP7664914 B2 JP 7664914B2 JP 2022522907 A JP2022522907 A JP 2022522907A JP 2022522907 A JP2022522907 A JP 2022522907A JP 7664914 B2 JP7664914 B2 JP 7664914B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- acid
- composition
- approximately
- pure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/60—Wet etching
- H10P50/66—Wet etching of conductive or resistive materials
- H10P50/663—Wet etching of conductive or resistive materials by chemical means only
- H10P50/667—Wet etching of conductive or resistive materials by chemical means only by liquid etching only
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
- H10P76/40—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials
- H10P76/405—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their composition, e.g. multilayer masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
技術分野
開示され、請求項に記載される主題は、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ技術に関し、より詳細には、半導体デバイス上の、金属含有マスク保護構造を含む半導体構造を製造するための組成物及び方法に関する。
関連技術
半導体デバイスの回路の限界寸法（ＣＤ）がますます小さくなっているために、微細なパターンをウェハ上に転写する際に必要とされる必須の解像度を実現するためにＡｒＦ露光装置を用いる場合の物理的限界に到達してしまった。したがって、より微細なパターンをウェハ上に転写する目的で、ＥＵＶリソグラフィ技術が開発された。ＥＵＶリソグラフィ技術は、次世代技術と見なされており、限界寸法が３２ｎｍ以下であるよりスリムでより高速のマイクロチップを、約１３．５ｎｍの露光波長であるＥＵＶ光を用いることによって製造するために用いられる。
いくつかの実施形態では、ＥＵＶリソグラフィ技術は、非常に短波長の光を用いることから、回路パターンがウェハ上に転写されるべきマスクは、好ましくはマスクパターンが設けられ、マスクパターンは、光透過型構造ではなく、好ましくは光反射型構造を有する
。ＥＵＶリソグラフィプロセスに用いられるマスクは、石英などの熱膨張係数（ＬＴＥ）の低い基材上にＭｏ／Ｓｉ層の多層構造を有する光反射層、及び光反射層上に形成された、光反射層の面を部分的に露出させる光吸収層、を含むことが多い。
。ＥＵＶリソグラフィプロセスに用いられるマスクは、石英などの熱膨張係数（ＬＴＥ）の低い基材上にＭｏ／Ｓｉ層の多層構造を有する光反射層、及び光反射層上に形成された、光反射層の面を部分的に露出させる光吸収層、を含むことが多い。
粒子などの汚染源からＥＵＶリソグラフィプロセスで用いられるＥＵＶマスクの面を保護する目的で、ペリクル又は保護層又は保護構造が設けられる場合が多い。しかし、数ある理由の中でも、ポリマーを用いて適切なペリクル膜を製造することが困難であることから、ＥＵＶリソグラフィの要求を満たすようなペリクルの製造は難しい。特に、炭素－フッ素（Ｃ－Ｆ）系ポリマーがＥＵＶ光を吸収することは良く知られているため、Ｃ－Ｆ系ポリマーをペリクル膜として用いることは困難である。したがって、ＥＵＶ光に対して高い透過率を有する材料が、ペリクル膜の適切な候補として提案されてきた。例えば、以下のペリクル製造方法が用いられ得る。ニッケル（Ｎｉ）などの金属層又は金属ワイヤメッシュが、電気メッキによって形成され、この層又はメッシュが、ポリマーフィルム上に載せられる。続いて、シリコン（Ｓｉ）が堆積されて、シリコン膜層が形成される。続いて、ポリマーフィルムが除去され、その結果、シリコン膜層は、メッシュに付着した状態で残る。ポリマーフィルムは、犠牲層である。
加えて、ＥＵＶリソグラフィのためのペリクルの場合、高いＥＵＶ透過性を有する材料の薄膜が必要であるが、薄膜が用いられる場合、繰り返し使用することによって膜が変形し、壊れてしまうという問題が生ずる。この問題を解決するために、支持構造が薄膜に付与されたペリクル構造が提案されている。支持構造は、高い透過率及び高い機械的強度を有する必要がある。
例えば、韓国特許第１５５２９４０（Ｂ１）号明細書（韓国特許出願公開第２０１３０１５７２７５（Ａ）号明細書、出願人：Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．）には、極端紫外線リソグラフィ用のペリクルフィルムと共に、高い引張強度を有する一方で高いＥＵＶ透過性を有するグラファイト含有薄フィルムを製造するための方法が開示されている。
連結層（linking layer）、多結晶構造のグラフェン層、及び／又はいくつかの実施形態では連結層上に存在し得る放熱層などの代替層又は追加層を含むＥＵＶマスク保護構造が知られている。国際公開第２０１７１８３９４１（Ａ１）号明細書に開示される１つの実施形態では、ＥＵＶペリクルは、透過層、ＥＵＶ透過層上のグラフェン層（グラフェン層）、グラフェン層の欠陥（欠陥上に連結材料を提供して連結パターンを形成、及び連結パターン上の放熱層、並びに犠牲層、絶縁層、パッシベーション層、例えばシリコン層、酸化ケイ素（絶縁）層、又は窒化ケイ素（パッシベーション）層などの１又は複数の他の層を含む。しかし、非常に優れた機械的強度、非常に優れた熱安定性、ＥＵＶに対する非常に優れた透過性、及び／又は水素に対する非常に優れた耐化学薬品性を有するＥＵＶペリクル（マスク保護構造）及び他の構造を開発する試みが継続されている。
新規なＥＵＶマスク及びマスク保護構造の開発と共に、ＥＵＶ露光及び／又は１若しくは複数のエッチング工程の後に１又は複数の層の材料並びに関連する残渣を除去するためのウェット組成物が必要である。
開示され、請求項に記載される主題は、高い除去速度を有する金属エッチング組成物及び方法を提供するものである。このエッチング組成物はまた、半導体基板上の窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）及び酸化ケイ素（ＳｉＯ２）及び他の材料との良好な適合性ももたらす。
１つの実施形態では、開示され、請求項に記載される主題は、
（ｉ）水；
（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤；及び
（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、
を含む組成物に関し、組成物は、金属含有層の除去を、その金属含有層のみを含む又は１若しくは複数の追加の材料層をさらに含むＥＵＶマスク保護構造中で行うように設計される。したがって、いくつかの実施形態では、金属含有層を除去するための組成物は、（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、及び（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸を含んでよい、これらから本質的に成っていてよい、又は別の選択肢として、これらから成っていてもよい。
（ｉ）水；
（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤；及び
（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、
を含む組成物に関し、組成物は、金属含有層の除去を、その金属含有層のみを含む又は１若しくは複数の追加の材料層をさらに含むＥＵＶマスク保護構造中で行うように設計される。したがって、いくつかの実施形態では、金属含有層を除去するための組成物は、（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、及び（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸を含んでよい、これらから本質的に成っていてよい、又は別の選択肢として、これらから成っていてもよい。
別の実施形態では、組成物はさらに、（ｉｖ）ハロゲンイオン源を含む。したがって、いくつかの実施形態では、金属含有層を除去するための組成物は、（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、及び（ｉｖ）ハロゲンイオン源を含んでよい、これらから本質的に成っていてよい、又は別の選択肢として、これらから成っていてもよい。
別の実施形態では、組成物はさらに、（ｖ）キレート剤を含む。したがって、いくつかの実施形態では、金属含有層を除去するための組成物は、（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、及び（ｖ）キレート剤を含んでよい、これらから本質的に成っていてよい、又は別の選択肢として、これらから成っていてもよい。
別の実施形態では、組成物はさらに、（ｉｖ）ハロゲンイオン源及び（ｖ）キレート剤を含む。したがって、いくつかの実施形態では、金属含有層を除去するための組成物は、（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、（ｉｖ）ハロゲンイオン源、及び（ｖ）キレート剤を含んでよい、これらから本質的に成っていてよい、又は別の選択肢として、これらから成っていてもよい。
別の実施形態では、１種又は２種以上の酸化剤（ｉｉ）は、ペルオキソ一硫酸塩、過ホウ酸塩、過塩素酸塩、過塩素酸、過酢酸アニオン、硫酸、過ヨウ素酸塩、過硫酸塩、過マンガン酸塩、クロム酸塩、二クロム酸塩、ベンゾキノン、硝酸、及びアミン－Ｎ－オキシドのうちの１種又は２種以上を含む。この実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤（ｉｉ）は、過硫酸アンモニウム（ＡＰＳ）、２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノン、ニトロシル硫酸、及びピリジンＮ－オキシド、４－メチルモルホリンＮ－オキシドのうちの１種又は２種以上である。
別の実施形態では、１種又は２種以上の酸（ｉｉｉ）は、硫酸、塩酸、メタンスルホン酸などのアルキルスルホン酸、４－メチルベンゼンスルホン酸などのアルキルベンジルスルホン酸、臭化水素酸、クエン酸、マロン酸、フッ化水素酸、酢酸、リン酸、及びヨウ化水素酸のうちの１種又は２種以上を含む。
別の態様では、開示され、請求項に記載される主題は：
ａ．シリコン基板上に、少なくとも１層はＮｉ含有層を含む１又は複数の層を形成する工程、及び
ｂ．Ｎｉ含有層を、開示され、請求項に記載される主題の組成物のうちの少なくとも１つと接触させることによって、上記Ｎｉ含有層を除去する工程、
を含む、半導体デバイスを製造するための方法に関する。
ａ．シリコン基板上に、少なくとも１層はＮｉ含有層を含む１又は複数の層を形成する工程、及び
ｂ．Ｎｉ含有層を、開示され、請求項に記載される主題の組成物のうちの少なくとも１つと接触させることによって、上記Ｎｉ含有層を除去する工程、
を含む、半導体デバイスを製造するための方法に関する。
別の態様では、開示され、請求項に記載される主題は：
ａ．基板及びＥＵＶマスク及び金属含有ＥＵＶマスク保護構造を含む半導体デバイスを提供する工程、
ｂ．半導体デバイスをＥＵＶ放射線に露光する工程、及び
ｃ．半導体デバイスを、開示され、請求項に記載される主題の組成物のうちの少なくとも１つと接触させることによって、金属含有ＥＵＶマスク保護構造を除去する工程、
を含む、ペリクル構造の金属含有層を除去する方法に関する。本実施形態のさらなる態様では、方法は、以下の追加工程：
ｄ．上記金属含有ＥＵＶマスク保護構造を、原子層堆積（ＡＬＤ）、ｅビーム蒸着、化学蒸着、又は電気めっきを介して、上記半導体デバイス上に堆積する工程、
ｅ．除去工程ｃの前に、半導体デバイスの少なくとも一部分に対して選択的ドライエッチングプロセスを実施する工程、
のうちの１又は複数を含む。
ａ．基板及びＥＵＶマスク及び金属含有ＥＵＶマスク保護構造を含む半導体デバイスを提供する工程、
ｂ．半導体デバイスをＥＵＶ放射線に露光する工程、及び
ｃ．半導体デバイスを、開示され、請求項に記載される主題の組成物のうちの少なくとも１つと接触させることによって、金属含有ＥＵＶマスク保護構造を除去する工程、
を含む、ペリクル構造の金属含有層を除去する方法に関する。本実施形態のさらなる態様では、方法は、以下の追加工程：
ｄ．上記金属含有ＥＵＶマスク保護構造を、原子層堆積（ＡＬＤ）、ｅビーム蒸着、化学蒸着、又は電気めっきを介して、上記半導体デバイス上に堆積する工程、
ｅ．除去工程ｃの前に、半導体デバイスの少なくとも一部分に対して選択的ドライエッチングプロセスを実施する工程、
のうちの１又は複数を含む。
ペリクル構造の金属含有層を除去するための実施形態のさらなる態様では、金属含有ＥＵＶマスク保護構造は、ニッケルを含む。別の態様では、金属含有ＥＵＶマスク保護構造は、金属含有放熱層を含む。別の態様では、金属含有ＥＵＶマスク保護構造は、金属含有連結層を含む。別の態様では、半導体デバイスはさらに、基板とＥＵＶマスクとの間に、又はＥＵＶマスク保護構造の一部として、犠牲層、絶縁層、パッシベーション層、ｌｏｗ－ｋ層、金属含有層、及びバリア層から選択される少なくとも１つの層を含む。別の態様では、ＥＵＶマスク保護構造は、犠牲層、絶縁層、パッシベーション層、グラフェン層、ＥＵＶ透過層、連結層、及び放熱層から選択される少なくとも１つの層を含む。
別の態様では、開示され、請求項に記載される主題は、開示され、請求項に記載される主題の組成物のうちの少なくとも１つを、金属含有ＥＵＶマスク保護構造を含む上述の半導体デバイスと合わせて含むシステムに関する。
開示され、請求項に記載される主題の組成物、方法、及びシステムは、高い除去速度、及び半導体デバイスの材料との良好な適合性をもたらす。例えば、金属エッチング液組成物は、３００Å／分よりも高いＮｉエッチング速度、並びにＳｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２との良好な適合性を有する。加えて、開示され、請求項に記載される主題の組成物、方法、及びシステムは、金属酸化物の高い溶解度をもたらす。
国際公開第２０１７１８３９４１（Ａ１）号明細書及び米国特許第８５３５５４５号明細書などを含め、刊行物、特許出願、及び特許を含む本明細書で引用されるすべての参考文献は、各参考文献が個々に及び具体的に参照により援用されると示され、その全内容が本明細書に示されているかのごとく、参照により本明細書に援用される。
開示され、請求項に記載される主題を記載する文脈における（特に以下の請求項の文脈における）「１つの（a）」及び「１つの（an）」及び「その（the）」の用語及び類似の指示語の使用は、本明細書で特に断りのない限り、又は文脈から明らかに矛盾しない限り、単数及び複数の両方を包含するものと解釈されたい。「備える（comprising）」、「有する（having）」、「含む（including）」、及び「含有する（containing）」の用語は、特に断りのない限り、非限定的用語として解釈されたい（すなわち、「含むが限定されない」を意味する）。本明細書における値の範囲の列挙は、本明細書において特に断りのない限り、その範囲内に含まれる各別々の値を個別に言及する簡潔な方法として用いることを単に意図するものであり、各別々の値は、本明細書においてそれが個別に列挙されているかのごとく、本明細書に組み入れられる。本明細書で述べるすべての方法は、本明細書において特に断りのない限り、又は文脈から明らかに矛盾しない限り、適切ないかなる順序で行われてもよい。本明細書で提供されるあらゆる例又は例示的言語（例：「など」）の使用は、開示され、請求項に記載される主題を単により明らかとすることを意図するものであり、特に請求項に記載のない限り、開示され、請求項に記載される主題の範囲に制限を加えるものではない。本明細書中の言語は、請求されないいかなる要素についても、開示され、請求項に記載される主題の実践に必須であると示すものとして解釈されるべきではない。本明細書及び請求項における「備える」又は「含む」の用語の使用は、範囲のより狭い言語である「から本質的に成る」及び「から成る」を含む。
列挙される成分「から本質的に成る」組成物では、そのような成分は、合計で組成物の１００質量％となってよく、又は合計で１００質量％未満となってもよい。成分が合計で１００質量％未満となる場合、そのような組成物は、いくつかの少量の必須ではない汚染物又は不純物を含み得る。例えば、１つのそのような実施形態では、エッチング組成物は、２質量％以下の不純物を含有し得る。別の実施形態では、エッチング組成物は、１質量％以下の不純物を含有し得る。さらなる実施形態では、エッチング組成物は、０．０５質量％以下の不純物を含有し得る。他のそのような実施形態では、構成要素は、少なくとも９０質量％、より好ましくは少なくとも９５質量％、より好ましくは少なくとも９９質量％、より好ましくは少なくとも９９．５質量％、最も好ましくは少なくとも９９．９質量％を形成してよく、エッチング組成物の性能に実質的に影響を与えない他の構成要素を含んでもよい。これとは異なって、著しい量の必須ではない不純物成分が存在するわけではない場合は、すべての必須構成成分の組み合わせが、本質的に合計で１００質量％となるものと理解される。
開示され、請求項に記載される主題の実施形態が、開示され、請求項に記載される主題を実施するための本発明者らに公知の最良の形態を含めて本明細書で記載される。これらの実施形態の変型例は、当業者であれば、上述の記載を読むことで明らかとなるであろう。本発明者らは、当業者がそのような変型例を必要に応じて用いるものと考えており、本発明者らは、開示され、請求項に記載される主題が、本明細書で具体的に記載される内容とは異なって実践されることも意図している。したがって、開示され、請求項に記載される主題は、適用可能な法令によって許容される場合、添付の請求項に記載される主題のすべての改変及び均等物を含む。さらに、上述の要素のそのすべての考え得る変型例での何れの組み合わせも、本明細書において特に断りのない限り、又は文脈から明らかに矛盾しない限り、開示され、請求項に記載される主題に包含される。
マイクロ電子デバイス上に材料として堆積された場合の「シリコン」の用語は、ポリシリコンを含むとして理解される。
参照を容易とするために、「マイクロ電子デバイス」又は「半導体デバイス」は、集積回路、メモリ、及び他の電子構造が上に製造された半導体ウェハ、並びにフラットパネルディスプレイ、相変化メモリデバイス、ソーラーパネル及びソーラー基板を含む他の製品、光起電装置、及びマイクロ電子用途、集積回路用途、又はコンピュータチップ用途での使用のために製造されたマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）に相当する。ソーラー基板としては、限定されるものではないが、シリコン、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン、ＣｄＴｅ、セレン化銅インジウム、硫化銅インジウム、及びガリウム上のヒ化ガリウムが挙げられる。ソーラー基板は、ドープされていても、又はドープされていなくてもよい。「マイクロ電子デバイス」又は「半導体デバイス」の用語は、限定することを意図するものでは決してなく、最終的にマイクロ電子デバイス又はマイクロ電子アセンブリとなるいかなる基板も含む。
本明細書で定められる場合、「ｌｏｗ－ｋ誘電材料」は、層状マイクロ電子デバイスの誘電材料として用いられる、約３．５未満の誘電率を有する何れの材料にも相当する。好ましくは、ｌｏｗ－ｋ誘電材料としては、ケイ素含有有機ポリマー、ケイ素含有ハイブリッド有機／無機材料、有機シリケートガラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ素化シリケートガラス（ＦＳＧ）、二酸化ケイ素、及び炭素ドープ酸化物（ＣＤＯ）ガラスなどの低極性材料が挙げられる。ｌｏｗ－ｋ誘電材料が、様々な密度及び様々な多孔度を有し得ることは理解されたい。
本明細書で定められる場合、「バリア材料」の用語は、銅配線を例とする金属線をシールして、銅を例とする上記金属の誘電材料中への拡散を最小限に抑えるために本技術分野で用いられる何れの材料にも相当する。好ましいバリア層材料としては、タンタル、チタン、ルテニウム、ハフニウム、及び他の耐熱性金属、並びにこれらの窒化物及びケイ化物が挙げられる。
「実質的に含まない」は、本明細書において、０．００１質量％未満として定められる。「実質的に含まない」はまた、０．０００質量％も含む。「含まない」の用語は、０．０００質量％を意味する。
本明細書で用いられる場合、「約」又は「およそ」は、記載した値の±５％以内に相当することを意図している。
組成物の具体的な成分が、下限ゼロを含む質量パーセント（又は「質量％」）の範囲を参照して考察されるようなすべての組成物では、そのような成分は、組成物の様々な具体的実施形態において存在しても又は存在していなくてもよいこと、及びそのような成分が存在する場合においては、その成分は、そのような成分が用いられる組成物の総質量に基づいて、低くは０．００１質量パーセントの濃度で存在し得ることは理解される。成分のすべてのパーセントは、質量パーセントであり、組成物の総質量、すなわち１００％に基づいていることには留意されたい。「１又は複数の」又は「少なくとも１つ」のいかなる言及も、「２つ以上」及び「３つ以上」などを含む。
該当する場合、すべての質量パーセントは、特に断りのない限り、組成物に添加される際にその質量パーセント分が存在している水溶液を質量パーセント分に含んでいないという意味の「純粋（neat）」である。本明細書で用いられる場合、例えば、「純粋」は、未希釈の酸又は他の材料の質量％量を意味する（すなわち、８５％のリン酸１００ｇを含めることは、８５ｇの酸と１５ｇの希釈剤とに相当する）。
さらに、質量％に関して本明細書に記載の組成物に言及する場合、不純物などの必須ではない成分を含むすべての成分の質量％が合計で１００質量％を超えることがないことは理解される。列挙される成分「から本質的に成る」組成物では、そのような成分は、合計で組成物の１００質量％となってよく、又は合計で１００質量％未満となってもよい。成分が合計で１００質量％未満となる場合、そのような組成物は、いくつかの少量の必須ではない汚染物又は不純物を含み得る。例えば、１つのそのような実施形態では、配合物は、２質量％以下の不純物を含有し得る。別の実施形態では、配合物は、１質量％以下の不純物を含有し得る。さらなる実施形態では、配合物は、０．０５質量％以下の不純物を含有し得る。他のそのような実施形態では、構成成分は、少なくとも９０質量％、より好ましくは少なくとも９５質量％、より好ましくは少なくとも９９質量％、より好ましくは少なくとも９９．５質量％、最も好ましくは少なくとも９９．９質量％を形成してよく、ウェットエッチング液の性能に実質的に影響を与えない他の構成要素を含んでもよい。これとは異なって、著しい量の必須ではない不純物成分が存在するわけではない場合は、すべての必須構成成分の組成が、本質的に合計で１００質量％となるものと理解される。
本明細書で用いられる見出しは、限定することを意図するものではなく、それらは、単に構成上の目的で含まれるものである。
組成物
上述のように、開示され、請求項に記載される主題の１つの態様は、金属エッチング組成物及び高い除去速度を有する方法を提供するものである。このエッチング組成物はまた、半導体基板上の窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）及び酸化ケイ素（ＳｉＯ２）及び他の材料との良好な適合性ももたらす。
１つの実施形態では、開示され、請求項に記載される主題は、
（ｉ）水；
（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤；及び
（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、
を含む組成物に関し、組成物は、金属含有層の除去を、その金属含有層のみを含む又は１若しくは複数の追加の材料層をさらに含むＥＵＶマスク保護構造中で行うように設計される。したがって、いくつかの実施形態では、金属含有層を除去するための組成物は、以下で述べるように、水、少なくとも１つの酸化剤、及び少なくとも１つの酸を含んでよい、これらから本質的に成っていてよい、又は別の選択肢として、これらから成っていてもよい。
（ｉ）水；
（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤；及び
（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、
を含む組成物に関し、組成物は、金属含有層の除去を、その金属含有層のみを含む又は１若しくは複数の追加の材料層をさらに含むＥＵＶマスク保護構造中で行うように設計される。したがって、いくつかの実施形態では、金属含有層を除去するための組成物は、以下で述べるように、水、少なくとも１つの酸化剤、及び少なくとも１つの酸を含んでよい、これらから本質的に成っていてよい、又は別の選択肢として、これらから成っていてもよい。
他の実施形態では、組成物はさらに、（ｉｖ）ハロゲンイオン源を含む。したがって、以下でより詳細に述べるように、いくつかの実施形態では、金属含有層を除去するための組成物は、（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、及び（ｉｖ）ハロゲンイオン源を含んでよい、これらから本質的に成っていてよい、又は別の選択肢として、これらから成っていてもよい。
他の実施形態では、組成物はさらに、（ｖ）キレート剤を含む。したがって、以下でより詳細に述べるように、いくつかの実施形態では、金属含有層を除去するための組成物は、（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、及び（ｖ）キレート剤を含んでよい、これらから本質的に成っていてよい、又は別の選択肢として、これらから成っていてもよい。
他の実施形態では、組成物はさらに、（ｉｖ）ハロゲンイオン源及び（ｖ）キレート剤を含む。したがって、以下でより詳細に述べるように、いくつかの実施形態では、金属含有層を除去するための組成物は、（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、（ｉｖ）ハロゲンイオン源、及び（ｖ）キレート剤を含んでよい、これらから本質的に成っていてよい、又は別の選択肢として、これらから成っていてもよい。
１つの実施形態では、組成物は、（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、及び（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸を、様々な濃度で含む。
さらなる実施形態では、組成物は、（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、及び（ｉｖ）ハロゲンイオン源を、様々な濃度で含む。
さらなる実施形態では、組成物は、（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、及び（ｖ）キレート剤を、様々な濃度で含む。
さらなる実施形態では、組成物は、（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、（ｉｖ）ハロゲンイオン源、及び（ｖ）キレート剤を、様々な濃度で含む。
１つの実施形態では、組成物は、様々な濃度の（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、及び（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸から本質的に成る。そのような実施形態では、（ｉ）、（ｉｉ）、及び（ｉｉｉ）を合わせた量は、１００質量％ではなく、組成物の効果を実質的に変化させない他の構成要素（例：追加の溶媒、一般的な添加剤、及び／又は不純物）を含み得る。
さらなる実施形態では、組成物は、様々な濃度の（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、及び（ｉｖ）ハロゲンイオン源から本質的に成る。そのような実施形態では、（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）、及び（ｉｖ）を合わせた量は、１００質量％ではなく、組成物の効果を実質的に変化させない他の構成要素（例：追加の溶媒、一般的な添加剤、及び／又は不純物）を含み得る。
さらなる実施形態では、組成物は、様々な濃度の（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、及び（ｖ）キレート剤から本質的に成る。そのような実施形態では、（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）、及び（ｖ）を合わせた量は、１００質量％ではなく、組成物の効果を実質的に変化させない他の構成要素（例：追加の溶媒、一般的な添加剤、及び／又は不純物）を含み得る。
さらなる実施形態では、組成物は、様々な濃度の（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、（ｉｖ）ハロゲンイオン源、及び（ｖ）キレート剤から本質的に成る。そのような実施形態では、（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）、（ｉｖ）、及び（ｖ）を合わせた量は、１００質量％ではなく、組成物の効果を実質的に変化させない他の構成要素（例：追加の溶媒、一般的な添加剤、及び／又は不純物）を含み得る。
さらなる実施形態では、組成物は、様々な濃度の（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、及び（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸から成る。そのような実施形態では、（ｉ）、（ｉｉ）、及び（ｉｉｉ）を合わせた量は、およそ１００質量％に等しいが、組成物の効果を実質的に変化させないような少量で存在する他の少量及び／又は微量の不純物を含んでいてもよい。例えば、１つのそのような実施形態では、組成物は、２質量％以下の不純物を含有し得る。別の実施形態では、組成物は、１質量％以下の不純物を含有し得る。さらなる実施形態では、組成物は、０．０５質量％以下の不純物を含有し得る。
さらなる実施形態では、組成物は、様々な濃度の（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、及び（ｉｖ）ハロゲンイオン源から成る。そのような実施形態では、（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）、及び（ｉｖ）を合わせた量は、およそ１００質量％に等しいが、組成物の効果を実質的に変化させないような少量で存在する他の少量及び／又は微量の不純物を含んでいてもよい。例えば、１つのそのような実施形態では、組成物は、２質量％以下の不純物を含有し得る。別の実施形態では、組成物は、１質量％以下の不純物を含有し得る。さらなる実施形態では、組成物は、０．０５質量％以下の不純物を含有し得る。
さらなる実施形態では、組成物は、様々な濃度の（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、及び（ｖ）キレート剤から成る。そのような実施形態では、（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）、及び（ｖ）を合わせた量は、およそ１００質量％に等しいが、組成物の効果を実質的に変化させないような少量で存在する他の少量及び／又は微量の不純物を含んでいてもよい。例えば、１つのそのような実施形態では、組成物は、２質量％以下の不純物を含有し得る。別の実施形態では、組成物は、１質量％以下の不純物を含有し得る。さらなる実施形態では、組成物は、０．０５質量％以下の不純物を含有し得る。
さらなる実施形態では、組成物は、様々な濃度の（ｉ）水、（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤、（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、（ｉｖ）ハロゲンイオン源、及び（ｖ）キレート剤から成る。そのような実施形態では、（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）、（ｉｖ）、及び（ｖ）を合わせた量は、およそ１００質量％に等しいが、組成物の効果を実質的に変化させないような少量で存在する他の少量及び／又は微量の不純物を含んでいてもよい。例えば、１つのそのような実施形態では、組成物は、２質量％以下の不純物を含有し得る。別の実施形態では、組成物は、１質量％以下の不純物を含有し得る。さらなる実施形態では、組成物は、０．０５質量％以下の不純物を含有し得る。
（ｉ）水
開示され、請求項に記載される主題のエッチング組成物は、水性であり、したがって水を含む。開示され、請求項に記載される主題において、水は、例えば、残渣の１種又は２種以上の固体成分を溶解するため、成分のキャリアとして、Ｎｉを例とする金属の除去の補助剤として、組成物の粘度調整剤として、及び希釈剤としてなど、様々に機能する。好ましくは、エッチング組成物に用いられる水は、脱イオン（ＤＩ）水である。水は、組成物に直接添加されてもよく、又は水は、水溶液としてエッチング組成物に添加される成分を介して組成物に添加されてもよい。エッチング組成物に水性成分を介して添加される水の部分は、組成物中の水の質量％の一部として報告される。
水は、以下の質量パーセントのリスト、３０、３３、３５、３８、４０、４２、４５、５０、５５、６０、６３、６５、６７、６８、７０、７２、７５、７７、８０、８３、８５、８７、９０、９２、９４、及び９６から選択される始点及び終点を有する範囲内の量で含まれ、例えば、約３０質量％～約９４質量％、又は約４０質量％～約９０質量％、又は約４５質量％～約７０質量％、又は約４５質量％～約８５質量％、又は約３５質量％～約７５質量％、又は約４０質量％～約６０質量％、又は約６０質量％～約９２質量％の水である。開示され、請求項に記載される主題のさらに他の好ましい実施形態は、他の構成要素の所望される質量パーセントを実現する量の水を含む。
（ｉｉ）酸化剤
開示され、請求項に記載される主題のエッチング組成物は、少なくとも１つの酸化剤を含む。本明細書で用いられる場合、「酸化剤」の用語は、曝露された金属を酸化して、その金属の腐食又はその金属上での酸化物の形成をもたらす結果となる化合物に相当する。エッチング組成物中、酸化剤は、存在する何れの金属も金属酸化物に酸化して、それを／それらをエッチング溶液中で可溶性とするために用いられる。酸化剤としては、限定されるものではないが、過酸化水素；ペルオキソ一硫酸塩、過ホウ酸塩、過塩素酸塩、過塩素酸、過酢酸アニオン、硫酸、過ヨウ素酸塩、過硫酸塩、過マンガン酸塩を含む塩及び酸などの他の過化合物（percompounds）、並びにクロム酸塩、二クロム酸塩、ベンゾキノン、硝酸、及びアミン－Ｎ－オキシドなどの他の化合物が挙げられる。有用な酸化剤の具体例としては、硝酸、過硫酸アンモニウム（ＡＰＳ）、２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノン、ニトロシル硫酸、及びピリジンＮ－オキシド、４－メチルモルホリンＮ－オキシドが挙げられる。酸は、０よりも大きい還元電位を有する場合に酸化剤と見なされ、酸ではなく「酸化剤」と称される。
酸化剤は、以下の質量パーセントのリスト、０．００１、０．００３、０．００５、０．００８、０．０１、０．０３、０．０５、０．０７、０．０９、０．１、０．３、０．５、０．８、１、１．３、１．５、１．８、２．０、２．３、２．５、２．８、３、３．３、３．５、３．７、４、４．３、４．５、４．８、５、５．３、５．５、５．８、６．０、６．３、６．５、６．８、７、７．３、７．５、７．７、８、８．３、８．５、８．８、９、９．３、９．５、９．７、１０から選択される始点及び終点を有する範囲内の量で含まれ、例えば、約０．００１質量％～約１０質量％、又は約０．００５質量％～約５質量％、又は約０．００８質量％～約３質量％、又は約０．１質量％～約７質量％、又は約０．１質量％～約６質量％の酸化剤である。開示され、請求項に記載される主題のさらに他の好ましい実施形態は、選択される酸化剤の強度及び所望される結果に応じて様々な量で酸化剤を含む。酸化剤が水溶液として組成物に添加される場合、水は質量％から除外されることには留意されたい。したがって、１グラムの６０％硝酸水溶液が組成物に添加される場合、０．６グラムの硝酸と０．４グラムの水とが溶液に添加される（すなわち、０．４グラムの水が添加され、上記セクションにおける水の（合計）量に反映される）。
（ｉｉｉ）酸
開示され、請求項に記載される主題のＮｉエッチング組成物は、１若しくは複数の無機酸及び／又は有機酸を含む。有用な酸としては、硫酸、塩酸、メタンスルホン酸（ＭＳＡ）などのアルキルスルホン酸、４－メチルベンゼンスルホン酸などのアルキルベンジルスルホン酸、臭化水素酸、クエン酸、マロン酸、フッ化水素酸、酢酸、リン酸、及びヨウ化水素酸が挙げられる。好ましい実施形態では、２つ以上の酸が存在する。
１種又は２種以上の酸は、以下の質量パーセントのリスト、１０、１２、１５、１７、２０、２３、２５、２７、３０、３３、３５、３８、４０、４２、４５、５０、５５、６０、６３、６５、６７、６８、７０、７３、７５、７７、及び８０から選択される始点及び終点を有する範囲内の量を含み、例えば、約１０質量％～約８０質量％、又は約２０質量％～約７０質量％、又は約３５質量％～約７５質量％、又は約４０質量％～約６５質量％、又は約３０質量％～約７０質量％の１種又は２種以上の酸である。開示され、請求項に記載される主題のさらに他の好ましい実施形態は、選択される酸の強度及び所望される結果に応じて様々な量で１種又は２種以上の酸を含む。１種又は２種以上の酸が水溶液として組成物に添加される場合、水は質量％から除外されることには留意されたい（すなわち、したがって、３５％のＨＣｌ水溶液１０グラムが組成物に添加される場合、３．５グラムのＨＣｌと６．５グラムの水とが溶液に添加される）。
いくつかの組成物では、２つ以上の酸がその中に存在する。いくつかの実施形態では、第一の酸は、組成物中に存在する第二の酸よりも２×以上、又は５×以上、１０×以上、又は２０×以上、又は２５×以上の量で組成物中に存在する。
（ｉｖ）ハロゲンイオン源
開示され、請求項に記載される主題の組成物は、ハロゲンイオン源も含み得る。ハロゲンイオン源は、塩化物イオン源、臭化物イオン源、ヨウ化物イオン源、フッ化物イオン源などであり、例えば、臭化水素酸（ＨＢｒ）、ヨウ化水素酸（ＨＩ）、塩化水素、ＨＦ、ＨＣｌ、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、フッ化アンモニウム、及びヨウ化アンモニウムである。例えば、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＦ、及びＨＩは、溶液にハロゲンイオンを添加するという有益性のために、エッチング組成物中に存在する酸として、又は少なくとも１つの酸として用いられ得る。加えて、又は別の選択肢として、ＮＨ４Ｃｌ、ＮＨ４Ｉ、ＮＨ４Ｆ、及びＮＨ４Ｂｒが、エッチング組成物に添加されてもよい。１種又は２種以上のハロゲンイオン源は、以下の質量パーセントのリスト、０．０１、０．０５、０．０７、０．１、０．３、０．５、０．７、１、１．３、１．５、１．７、２、３、５、７、１０、１２、及び１５から選択される始点及び終点を有する範囲内の量を含み、例えば、約０．０１質量％～約１５質量％、又は約０．１質量％～約１０質量％、又は約０．０５質量％～約１２質量％、又は約０．０１質量％～約７質量％、又は約０．１質量％～約５質量％の１種又は２種以上のハロゲンイオン源である。
ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＦ、又はＨＩを例とする酸が存在する場合、それは、上記セクションで酸に対して報告された量に含まれる（金属キレート剤の量には含まれない）。
いくつかの実施形態では、本明細書で開示される組成物は、無機塩基及び／又はフッ化第四級アンモニウム及び／又は水酸化第四級アンモニウムを実質的に含まない又は含まないように配合され、例えば、組成物は、フッ素含有化合物、金属水酸化物、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラエチルアンモニウム、フッ化メチルトリエチルアンモニウム、及びフッ化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化メチルトリエチルアンモニウム、及び／又は水酸化テトラブチルアンモニウム、研磨剤、有機溶媒、界面活性剤、金属含有化合物のうちの１種又は２種以上を含んでいなくてもよい。組成物は、アルカノールアミン、又は一級、二級、若しくは三級アミン、又は有機溶媒、又は有機酸を含んでいなくてもよい。
（ｖ）キレート剤
開示され、請求項に記載される主題の組成物は、金属キレート剤も含み得る。キレート剤の１つの機能は、キレート剤と金属イオンとの間で複合体を形成することによって金属又は金属含有化合物の溶解速度を高めることである。また、金属キレート剤は、組成物の使用の過程で組成物中に蓄積し得る微量金属と複合体を形成することで、組成物の酸化剤を微量金属が分解することを防止することにより、組成物を安定化させるとも考えられる。例えば、銅イオンなどの遊離微量金属カチオンは、過酸化水素の酸素及び水への分解を触媒し、それは、組成物のエッチング及び洗浄の性能が経時で低下することを加速させることになる。
適切なキレート剤の例としては、限定されるものではないが、グリシン、セリン、プロリン、ロイシン、アラニン、アスパラギン、アスパラギン酸、グルタミン、グルタミン酸、バリン、リジン、シスチン、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）、イミノ二酢酸（ＩＤＡ）、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、（１，２－シクロヘキシレンジニトリロ）四酢酸（ＣＤＴＡ）、尿酸、テトラグリム、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、プロピレンジアミン－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－四酢酸、エチレンジアミン二コハク酸（ＥＤＤＳ）、スルファニルアミド、１，４，７，１０－テトラアザシクロドデカン－１，４，７，１０四酢酸；エチレングリコール四酢酸（ＥＧＴＡ）；１，２－ビス（ｏ－アミノフェノキシ）エタン－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－四酢酸；Ｎ－２－ビス（カルボキシメチル）アミノエチル－Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）グリシン（ＨＥＤＴＡ）；及びエチレンジアミン－Ｎ，Ｎ’－ビス（２－ヒドロキシフェニル酢酸）（ＥＤＤＨＡ）、１，３－ジアミノプロパン－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－四酢酸、グルコン酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）（ＥＤＴＭＰ）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（ＥＴＤＭＰ）、ニトリロトリス（メチレン）トリホスホン酸（ＡＴＭＰ）、酒石酸、３，４－ジヒドロキシ安息香酸、サリチル酸、８－ヒドロキシキノリン（８－ＨＱ）、エチドロン酸（ＨＥＤＰ）、１，３－プロパンジアミン－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－四酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸（ＴＴＨＡ）、ピコリン酸、及びこれらの組み合わせが挙げられる。
存在する場合、組成物は、０～１０質量パーセント、より好ましくは５０ｐｐｍ～５質量パーセント、最も好ましくは１００ｐｐｍ～３質量パーセントのキレート剤を含む。別の選択肢としての実施形態では、所望に応じて含まれてよいキレート剤は、以下の始点及び終点、０、０．０００００１、０．０００００５、０．００００１、０．００００５、０．０００１、０．０００５、０．００１、０．００５、０．０１、０．０５、０．１、０．５、１、２、３、４、５、６、７、８、９、及び１０、の何れかを有する質量パーセントの範囲内の量で組成物中に存在してよい。例えば、組成物は、０．０００１～８質量パーセント、又は０．００１～約５質量パーセント、又は０．０１～２質量パーセントのキレート剤を含んでよい。
例示的な配合物
開示され、請求項に記載される洗浄配合物の限定されない実施形態について記載する。実施例も以下に示す。
洗浄組成物の１つの実施形態では、１種又は２種以上の酸化剤は、硝酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、硝酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、硝酸から成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、およそ０．１質量％～およそ１．０質量％の純粋硝酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、およそ０．１質量％～およそ１．０質量％の純粋硝酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、およそ０．１質量％～およそ１．０質量％の純粋硝酸から成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、およそ０．９質量％の純粋硝酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、およそ０．９質量％の純粋硝酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、およそ０．９質量％の純粋硝酸から成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、およそ０．６質量％の純粋硝酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、およそ０．６質量％の純粋硝酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、およそ０．６質量％の純粋硝酸から成る。
洗浄組成物の別の実施形態では、１種又は２種以上の酸化剤は、２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、およそ０．０１質量％の２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、およそ０．０１質量％の２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、およそ０．０１質量％の２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る。
洗浄組成物の別の実施形態では、１種又は２種以上の酸化剤は、過硫酸アンモニウムを含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、過硫酸アンモニウムから本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、過硫酸アンモニウムから成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、およそ１．０質量％の過硫酸アンモニウムを含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、およそ１．０質量％の過硫酸アンモニウムから本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸化剤は、およそ１．０質量％の過硫酸アンモニウムから成る。
洗浄組成物の別の実施形態では、組成物中の純粋酸の合計質量％は、およそ１５質量％～およそ５０質量％である。本実施形態のさらなる態様では、組成物中の純粋酸の合計質量％は、およそ３０質量％～およそ４５質量％である。本実施形態のさらなる態様では、組成物中の純粋酸の合計質量％は、およそ３５質量％～およそ４５質量％である。本実施形態のさらなる態様では、組成物中の純粋酸の合計質量％は、およそ３０質量％～およそ４０質量％である。本実施形態のさらなる態様では、組成物中の純粋酸の合計質量％は、およそ３５質量％～およそ４０質量％である。本実施形態のさらなる態様では、組成物中の純粋酸の合計質量％は、およそ４０質量％～およそ４５質量％である。
洗浄組成物の別の実施形態では、１種又は２種以上の酸は、硫酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、硫酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、硫酸から成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、およそ３８．８質量％の純粋硫酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、およそ３８．８質量％の純粋硫酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、およそ３８．８質量％の純粋硫酸から成る。
洗浄組成物の別の実施形態では、１種又は２種以上の酸は、塩酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、塩酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、塩酸から成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、およそ４．７２５質量％の塩酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、およそ４．７２５質量％の塩酸から成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、およそ３．５質量％の純粋塩酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、およそ３．５質量％の塩酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、およそ３．５質量％の塩酸から成る。
洗浄組成物の別の実施形態では、１種又は２種以上の酸は、硫酸及び塩酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、硫酸及び塩酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、硫酸及び塩酸から成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ４．７２５質量％の純粋塩酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ４．７２５質量％の純粋塩酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ４．７２５質量％の純粋塩酸から成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ３．５質量％の純粋塩酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ３．５質量％の純粋塩酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上の酸は、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ３．５質量％の純粋塩酸から成る。
別の実施形態では、洗浄組成物は、水、硫酸、及び硝酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、洗浄組成物は、水、硫酸、及び硝酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、洗浄組成物は、水、硫酸、及び硝酸から成る。本実施形態のさらなる態様では、洗浄組成物は、水、およそ３３．５質量％～およそ５０質量％の純粋硫酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、洗浄組成物は、水、およそ３３．５質量％～およそ５０質量％の純粋硫酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、洗浄組成物は、水、およそ３３．５質量％～およそ５０質量％の純粋硫酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から成る。
別の実施形態では、洗浄組成物は、水、塩酸、及び硝酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、塩酸、及び硝酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、塩酸、及び硝酸から成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸から成る。
別の実施形態では、組成物は、水、塩酸、硝酸、及びメタンスルホン酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、塩酸、硝酸、及びメタンスルホン酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、塩酸、硝酸、及びメタンスルホン酸から成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、及びおよそ４０質量％のメタンスルホン酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、及びおよそ４０質量％のメタンスルホン酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、及びおよそ４０質量％のメタンスルホン酸から成る。
別の実施形態では、組成物は、水、塩酸、硝酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、塩酸、硝酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、塩酸、硝酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る。
別の実施形態では、組成物は、水、塩酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、塩酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、塩酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る。
別の実施形態では、組成物は、水、硫酸、塩酸、及び硝酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、硫酸、塩酸、及び硝酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、硫酸、塩酸、及び硝酸から成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、並びに合わせておよそ４０質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、並びに合わせておよそ４０質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、並びに合わせておよそ４０質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸から成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、並びに合わせておよそ４３質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、並びに合わせておよそ４３質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、並びに合わせておよそ４３質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸から成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸から成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸から成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸を含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から成る。
別の実施形態では、組成物は、水、硫酸、塩酸、硝酸、及び塩化アンモニウムを含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、硫酸、塩酸、硝酸、及び塩化アンモニウムから本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、硫酸、塩酸、硝酸、及び塩化アンモニウムから成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムを含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムから本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムから成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、およそ０．９質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムを含む。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、およそ０．９質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムから本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、およそ０．９質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムから成る。
洗浄組成物の別の実施形態では、１種又は２種以上のハロゲンイオン源は、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、塩化水素、フッ化水素酸、塩酸、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、フッ化アンモニウム、及びヨウ化アンモニウムのうちの１種又は２種以上を含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上のハロゲンイオン源は、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、塩化水素、フッ化水素酸、塩酸、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、フッ化アンモニウム、及びヨウ化アンモニウムのうちの１種又は２種以上から本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上のハロゲンイオン源は、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、塩化水素、フッ化水素酸、塩酸、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、フッ化アンモニウム、及びヨウ化アンモニウムのうちの１種又は２種以上から成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上のハロゲンイオン源は、およそ２質量％の塩化アンモニウムを含む。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上のハロゲンイオン源は、およそ２質量％の塩化アンモニウムから本質的に成る。本実施形態のさらなる態様では、１種又は２種以上のハロゲンイオン源は、およそ２質量％の塩化アンモニウムから成る。
性能
開示され、請求項に記載される洗浄組成物は、高いＮｉエッチング速度（およそ３０℃で）を有する。
１つの実施形態では、開示され、請求項に記載される洗浄組成物は、およそ２００～およそ７００のＮｉエッチング速度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ３００～およそ７００のＮｉエッチング速度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ４００～およそ７００のＮｉエッチング速度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ５００～およそ７００のＮｉエッチング速度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ６００～およそ７００のＮｉエッチング速度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ２００以上のＮｉエッチング速度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ３００以上のＮｉエッチング速度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ４００以上のＮｉエッチング速度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ５００以上のＮｉエッチング速度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ６００以上のＮｉエッチング速度を有する。
開示され、請求項に記載される洗浄組成物は、高いＦｅ２Ｏ３溶解度も有する。
１つの実施形態では、開示され、請求項に記載される洗浄組成物は、およそ２ｍｇ／１００ｍｌ以上～およそ１１ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ２Ｏ３溶解度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ５ｍｇ／１００ｍｌ以上～およそ１０ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ２Ｏ３溶解度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ２ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ２Ｏ３溶解度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ３ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ２Ｏ３溶解度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ４ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ２Ｏ３溶解度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ５ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ２Ｏ３溶解度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ６ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ２Ｏ３溶解度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ７ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ２Ｏ３溶解度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ８ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ２Ｏ３溶解度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ９ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ２Ｏ３溶解度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ１０ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ２Ｏ３溶解度を有する。本実施形態のさらなる態様では、組成物は、およそ１１ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ２Ｏ３溶解度を有する。
使用の方法
開示され、請求項に記載される主題はさらに、ＥＵＶリソグラフィのためのマスク保護構造中の１又は複数の金属含有層を除去するために、開示され、請求項に記載される洗浄組成物を使用することも含む。ＥＵＶマスク保護構造は、半導体デバイス上にいかなる数の層を含んでいてもよく、これらの層は、１又は複数の堆積工程、続いて１又は複数のリソグラフィ工程、続いて１若しくは複数のウェット又はドライエッチング工程などにより、当業者に公知である方法によって堆積若しくは形成され、除去若しくは部分的に除去される。１又は複数の層は、半導体基板とＥＵＶマスクとの間に存在し得る。ＥＵＶマスク及びＥＵＶマスク保護構造（マスク保護構造は、「ペリクル構造」と称される場合がある）が上に存在している半導体デバイスは、その上に、ＥＵＶマスク及びＥＵＶマスク保護構造に加えて、いかなる数の材料層を含んでいてもよい。
したがって、別の態様では、開示され、請求項に記載される主題は：
ａ．シリコン基板上に、少なくとも１層はＮｉ含有層を含む１又は複数の層を形成する工程、及び
ｂ．Ｎｉ含有層を、開示され、請求項に記載される主題の組成物のうちの少なくとも１つと接触させることによって、上記Ｎｉ含有層を除去する工程、
を含む、半導体デバイスを製造するための方法に関する。
ａ．シリコン基板上に、少なくとも１層はＮｉ含有層を含む１又は複数の層を形成する工程、及び
ｂ．Ｎｉ含有層を、開示され、請求項に記載される主題の組成物のうちの少なくとも１つと接触させることによって、上記Ｎｉ含有層を除去する工程、
を含む、半導体デバイスを製造するための方法に関する。
別の態様では、開示され、請求項に記載される主題は：
ａ．基板及びＥＵＶマスク及び金属含有ＥＵＶマスク保護構造を含む半導体デバイスを提供する工程、
ｂ．半導体デバイスをＥＵＶ放射線に露光する工程、及び
ｃ．半導体デバイスを、開示され、請求項に記載される主題の組成物のうちの少なくとも１つと接触させることによって、金属含有ＥＵＶマスク保護構造を除去する工程、
を含む、ペリクル構造の金属含有層を除去する方法に関する。本実施形態のさらなる態様では、方法は、以下の追加工程：
ｄ．上記金属含有ＥＵＶマスク保護構造を、原子層堆積（ＡＬＤ）、ｅビーム蒸着、化学蒸着、又は電気めっきを介して、上記半導体デバイス上に堆積する工程、
ｅ．除去工程ｃの前に、半導体デバイスの少なくとも一部分に対して選択的ドライエッチングプロセスを実施する工程、
のうちの１又は複数を含む。
ａ．基板及びＥＵＶマスク及び金属含有ＥＵＶマスク保護構造を含む半導体デバイスを提供する工程、
ｂ．半導体デバイスをＥＵＶ放射線に露光する工程、及び
ｃ．半導体デバイスを、開示され、請求項に記載される主題の組成物のうちの少なくとも１つと接触させることによって、金属含有ＥＵＶマスク保護構造を除去する工程、
を含む、ペリクル構造の金属含有層を除去する方法に関する。本実施形態のさらなる態様では、方法は、以下の追加工程：
ｄ．上記金属含有ＥＵＶマスク保護構造を、原子層堆積（ＡＬＤ）、ｅビーム蒸着、化学蒸着、又は電気めっきを介して、上記半導体デバイス上に堆積する工程、
ｅ．除去工程ｃの前に、半導体デバイスの少なくとも一部分に対して選択的ドライエッチングプロセスを実施する工程、
のうちの１又は複数を含む。
１つの実施形態では、ＥＵＶマスク保護構造は、フィルム又はメッシュ又は何れかの種類の金属含有層であってよい金属含有層を少なくとも１つの層が含む複数の層を含み得る。さらなる態様では、金属含有層は、連結層又は放熱層であってもよい。
さらなる実施形態では、１又は複数の金属含有層は、原子層堆積（ＡＬＤ）、ｅビーム蒸着、又は化学蒸着（ＣＶＤ）、又は電気めっき、又は面上に金属を堆積若しくはそうでなければ形成する技術分野の当業者に公知の何れの方法によって適用されてもよい。
さらなる実施形態では、ＥＵＶペリクル構造は、ＥＵＶ透過層、グラフェン層（ＥＵＶ透過層上に形成されてよい）、欠陥上に備えられた連結パターン、及び／又はグラフェン層上にあってよい放熱層、のうちの１又は複数を含んでよい。本実施形態のさらなる態様では、グラフェン層は、多結晶構造を含んでよい。本実施形態のさらなる態様では、連結パターンは、多結晶構造のグラフェン層の連結結晶を含んでよい。ポリマーから作製されたさらなる犠牲層も追加されてよい。
さらなる実施形態では、ＥＵＶペリクル構造は、金属層又は金属ワイヤメッシュ層を含んでもよい。
さらなる実施形態では、ＥＵＶペリクル構造は、１つの層又は層の一部分が金属含有層である限り、追加として又は別の選択肢として、絶縁層、パッシベーション層、グラフェン層、連結層、ＥＵＶ透過層、及び放熱層のうちの１又は複数の層を含んでもよい。本実施形態のさらなる態様では、半導体デバイスは、シリコン基板など、その上に層が堆積又は形成された基板を含んでもよい。
さらなる実施形態では、放熱層は、モリブデン及び／若しくはジルコニウムを含み、並びに／又は７００Ｋ以上の温度での放射率が０．１以上である材料を含む。したがって、例えば、本実施形態のいくつかの態様では、放熱層は、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ホウ素（Ｂ）、及び炭素（Ｃ）、ニッケル（Ｎｉ）、並びにこれらの酸化物及び混合物を含んでよい。本実施形態の他の態様では、放熱層は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、これらの混合物、及びカーボンナノ構造を含んでもよい。
さらなる実施形態では、放熱層は、高い熱放射率及び非常に優れた水素に対する耐化学薬品性を有する材料を含み、連結パターン上に形成され得る。放熱層は、これがなければＥＵＶ放射線によって引き起こされることになるＥＵＶペリクル構造の熱変形を最小限に抑えるものである。そうすることによって、ペリクル構造の信頼性及び寿命特性を改善することができる。加えて、連結パターン及び／又は放熱層は、低い吸光係数値、ＥＵＶ光に対する高い透過率、高い機械的強度、及び熱安定性をもたらす材料から形成され得る。１つの実施形態では、放熱層は、ニッケル（Ｎｉ）を例とする金属を含む。
さらなる実施形態では、ＥＵＶマスク保護構造は、ＥＵＶに対する吸光係数が０．０１以下である材料を含むＥＵＶ透過層を含み得る。そのような実施形態では、ＥＵＶ透過層は、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、ケイ素（Ｓｉ）、及びリン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）、カリウム（Ｋ）、カルシウム（Ｃａ）、スカンジウム（Ｓｃ）、臭素（Ｂｒ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、バリウム（Ｂａ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、及びウラン（Ｕ）を含み得る。そのような実施形態では、ＥＵＶ透過層は、上記で述べたＥＵＶに対する吸光係数が０．０１以下である材料の酸化物、窒化物、炭化物、又はホウ化物を含んでもよく、これらは、吸光係数が０．０１以下であり及び／又は７００Ｋ以上の温度での放射率が０．１以上である、材料の安定化された化合物である。
さらなる実施形態では、ＥＵＶマスク保護構造は、グラフェン層を含み得る。そのような実施形態では、グラフェン層は、ＥＵＶ透過層の上に形成され得る。本実施形態の１つの態様では、グラフェン層は、化学蒸着（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、又は同種の方法によってＥＵＶ透過層の上に形成され得る。これらのプロセスのうちの１つによって形成される場合、グラフェン層は、多結晶構造を有し得る。したがって、グラフェン層は、グラフェン層中に存在する空孔などの点欠陥、又はグラフェン層中に存在する線欠陥、又は結晶方位の変化に起因する結晶粒界などの複数の欠陥を含んでいてよい。
さらなる実施形態では、ＥＵＶマスク保護構造は、単独で又は他の層と共に放熱層を含み得る。そのような実施形態では、放熱層は、連結パターン上に形成され得る。本実施形態の１つの態様では、放熱層は、ｅビーム蒸着によって形成され得る。放熱層がプラズマプロセス又は熱蒸着プロセスによって連結パターン上に形成される場合、ＥＵＶに対する透過率の高い材料を堆積することは困難であり得る。他方、放熱層が電子ビーム堆積法によって連結パターン上に形成される場合、ＥＵＶに対する透過率の高い材料が製造され、それによって、ＥＵＶペリクル構造も高い透過率を有することになる。
さらなる実施形態では、放熱層は、熱放射率が高く、吸光係数値が低く、及びＥＵＶペリクル構造の熱変形を最小限に抑える目的で熱膨張係数が連結パターン（存在する場合）と同等である材料を含み得る。そのような実施形態では、放熱層は、水素に対する非常に優れた耐化学薬品性を有する材料から形成されてもよく、それによって、ペリクル構造の信頼性及び寿命特性が改善される。本実施形態の１つの態様では、放熱層は、熱膨張係数が連結パターンと同等である材料を含み得る。
さらなる実施形態では、放熱層及び／又は連結層は、上記で述べたように、モリブデン及び／又はジルコニウム及び／又は他の１若しくは複数の金属を含み得る。加えて、１つの実施形態によると、放熱層は、モリブデン及びジルコニウム二加えて、７００Ｋ以上の温度での放射率が０．１以上である材料を含み得る。放熱層は、ＥＵＶに対する透過率の高い材料の堆積が容易である電子ビーム蒸着法によって形成され得る。開示され、請求項に記載される主題の１つの実施形態に従うＥＵＶペリクル構造は、様々な半導体デバイスの製造におけるＥＵＶリソグラフィに用いられるマスクを保護するために用いることができる。
いくつかの実施形態では、ＥＵＶ保護構造は、単独で又は他の金属と共にニッケルを含み得る。
例
本開示のより具体的な実施形態、及びそのような実施形態を支持する実験結果について以降で述べる。これらの例は、開示される主題をより充分に説明するために以下に与えられるものであり、開示される主題を限定するものとして解釈されるべきではまったくない。
当業者であれば、開示される主題及び提供される具体的な例において、開示される主題の趣旨又は範囲から逸脱することなく、様々な改変及び変更が成され得ることは明らかであろう。したがって、以下の例によって提供される記述内容を含む開示される主題は、何れかの請求項及びそれらの均等物の範囲内に含まれる開示される主題の改変並びに変更を包含することを意図している。
材料及び方法：
本明細書で用いられるすべての化学物質は、市販されている（例：Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈより）。
酸は、秤量し、ビーカー中でＤＩＷに溶解した。第二の酸を用いた場合は、この溶液にゆっくり添加した。酸化剤、続いて残りの成分を、この溶液に添加した。この溶液を撹拌して、固体試薬を均一に溶解し、均質な混合物を調製した。この混合物を指定の温度まで加熱した。
試験温度において、以下の例で示した時間にわたってウェハを混合物中に浸漬した。続いて、ウェハを混合物から取り出し、ＤＩＷで約３分間リンスした。次に、リンスしたウェハを、窒素ガス下での乾燥に掛けた。乾燥したウェハを試験した。約２５℃～約５０℃の例に記載の温度でエッチング速度を測定し、Ｎｉのエッチングにおけるタイムフレームは、０～約１分間であり、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）及び窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）のエッチングにおけるタイムフレームは、約１０分間であった。
Ｎｉのエッチング速度は、ＲｅｓＭａｐ４探針プローブ抵抗測定器を用いて測定し、酸化ケイ素及び窒化ケイ素のエッチング速度は、Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌからのＦｉｌｍｔｅｋ ＰＡＲ ２０００ＳＥを用いて測定した。エッチング速度は、処理前後での厚さの差を浸漬時間で除して算出した。
これとは別に、金属酸化物の溶解度を、溶液が不均質となるまで溶液中に溶解されて保持される酸化鉄による秤量法を用いて測定した。
以下の表において、丸括弧内に表記された酸に対する数値（例：「（３０．８）」）は、例示した実施形態にそのような酸が存在する場合、純粋な酸に対する値である。
配合物の例
以下の配合物例は、金属エッチング組成物及び３０℃で３００Å／分よりも高い、又は４００Å／分よりも高い、及び５００Å／分よりも少し高いなどの高い除去速度を有する方法を提供する開示され、請求項に記載される主題の代表的な実施形態を実証するものである。これらのエッチング組成物は、２ｍｇ／１００ｍＬよりも高い良好なＦｅ２Ｏ３溶解度（すなわち、１００ｍＬの配合物例中に２ｍｇ超のＦｅ２Ｏ３を溶解可能）ももたらす。これらのエッチング組成物はまた、半導体基板上の窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）及び酸化ケイ素（ＳｉＯ２）及び他の材料との良好な適合性ももたらす。窒化ケイ素のエッチング速度は、３０℃で１Å／分未満である。
表１では、強酸としてのＨ２ＳＯ４、酸化剤としてのＨＮＯ３、並びに第二の酸及びハロゲン源（塩化物イオン源）としてのＨＣｌを含む酸成分三種類の配合物を試験した。これらはすべて、３０℃で３４０Å／分超の金属（Ｎｉ）エッチング速度をもたらし、８ｍｇ／１００ｍＬ超の良好な金属酸化物（Ｆｅ２Ｏ３）溶解度を有していた。ＮＨ４Ｃｌも、ハロゲン源（塩化物イオン源）として作用して、金属キレート形成及び金属酸化物（Ｆｅ２Ｏ３）溶解度を補助することができる。例２は、２％のＮＨ４Ｃｌを追加して、最良の金属酸化物（Ｆｅ２Ｏ３）溶解度を有している。これらの酸成分三種類の配合物はすべて、良好な酸化ケイ素及びＳｉＮ適合性をもたらしている。例４の浴寿命を試験したところ、その金属（Ｎｉ）エッチング能力を失うことなく、３０℃で１６８時間超の長い浴寿命を有していた。
表２の例は、Ｈ２ＳＯ４及びＨＮＯ３が高いＮｉエッチング速度を有することを示している。塩化物イオンが無い場合、金属酸化物（Ｆｅ２Ｏ３）溶解度は、２ｍｇ／１００ｍＬ未満であった。
表３は、Ｈ２ＳＯ４又はＨＣｌ系において過硫酸アンモニウム（ＡＰＳ）及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノン（酸化剤）を比較するものである。Ｈ２ＳＯ４系では、ＡＰＳは、２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンよりも高い金属（Ｎｉ）エッチング速度をもたらしている。ＡＰＳ及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンは何れも、ＨＣｌの場合に、高い金属（Ｎｉ）エッチング速度、及びより良好な金属酸化物（Ｆｅ２Ｏ３）溶解度ももたらしている。
表４では、メタンスルホン酸（ＭＳＡ）が、高い金属（Ｎｉ）エッチング速度及び良好な金属酸化物（Ｆｅ２Ｏ３）溶解度をもたらした。ＭＳＡ及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンが配合物中で一緒の場合に、最も高い金属（Ｎｉ）エッチング速度及び良好な金属酸化物（Ｆｅ２Ｏ３）溶解度をもたらしている。
開示され、請求項に記載される主題の実施形態を、説明の目的で上記で開示してきた。当業者であれば、添付の請求項に開示される、開示され、請求項に記載される主題の範囲及び趣旨から逸脱することなく、様々な改変、追加、及び置き換えが可能であることは理解される。
本発明は、以下の態様を含んでいる。
（１）
（ｉ）水；
（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤；及び
（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、
を含む組成物。
（２）
（ｉ）水；
（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤；及び
（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、
から本質的に成る組成物。
（３）
（ｉ）水；
（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤；及び
（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、
から成る組成物。
（４）
（ｉｖ）１種又は２種以上のハロゲンイオン源をさらに含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５）
（ｖ）１種又は２種以上のキレート剤をさらに含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６）
（ｉｖ）１種又は２種以上のハロゲンイオン源及び（ｖ）１種又は２種以上のキレート剤をさらに含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（７）
前記１種又は２種以上の酸が、ハロゲンイオン源を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（８）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、ペルオキソ一硫酸塩、過ホウ酸塩、過塩素酸塩、過塩素酸、過酢酸アニオン、硫酸、過ヨウ素酸塩、過硫酸塩、過マンガン酸塩、クロム酸塩、二クロム酸塩、ベンゾキノン、硝酸、及びアミン－Ｎ－オキシドのうちの１種又は２種以上を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（９）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、過硫酸アンモニウム（ＡＰＳ）、２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノン、ニトロシル硫酸、及びピリジンＮ－オキシド、４－メチルモルホリンＮ－オキシドのうちの１種又は２種以上を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１０）
前記１種又は２種以上の酸が、硫酸、塩酸、メタンスルホン酸などのアルキルスルホン酸、４－メチルベンゼンスルホン酸などのアルキルベンジルスルホン酸、臭化水素酸、クエン酸、マロン酸、フッ化水素酸、酢酸、リン酸、及びヨウ化水素酸のうちの１種又は２種以上を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１１）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、硝酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１２）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、硝酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、硝酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．１質量％～およそ１．０質量％の純粋硝酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１５）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．１質量％～およそ１．０質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１６）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．１質量％～およそ１．０質量％の純粋硝酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１７）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．９質量％の純粋硝酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１８）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．９質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１９）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．９質量％の純粋硝酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２０）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．６質量％の純粋硝酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２１）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．６質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２２）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．６質量％の純粋硝酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２３）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２４）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２５）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２６）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．０１質量％の２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２７）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．０１質量％の２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２８）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．０１質量％の２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２９）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、過硫酸アンモニウムを含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３０）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、過硫酸アンモニウムから本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３１）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、過硫酸アンモニウムから成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３２）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ１．０質量％の過硫酸アンモニウムを含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３３）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ１．０質量％の過硫酸アンモニウムから本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３４）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ１．０質量％の過硫酸アンモニウムから成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３５）
前記組成物中の純粋酸の合計質量％が、およそ１５質量％～およそ５０質量％である、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３６）
前記組成物中の純粋酸の合計質量％が、およそ３０質量％～およそ４５質量％である、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３７）
前記組成物中の純粋酸の合計質量％が、およそ３５質量％～およそ４５質量％である、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３８）
前記組成物中の純粋酸の合計質量％が、およそ３０質量％～およそ４０質量％である、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３９）
前記組成物中の純粋酸の合計質量％が、およそ３５質量％～およそ４０質量％である、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４０）
前記組成物中の純粋酸の合計質量％が、およそ４０質量％～およそ４５質量％である、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４１）
前記１種又は２種以上の酸が、硫酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４２）
前記１種又は２種以上の酸が、硫酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４３）
前記１種又は２種以上の酸が、硫酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４４）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４５）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４６）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４７）
前記１種又は２種以上の酸が、塩酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４８）
前記１種又は２種以上の酸が、塩酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４９）
前記１種又は２種以上の酸が、塩酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５０）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５１）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ４．７２５質量％の塩酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５２）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ４．７２５質量％の塩酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５３）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３．５質量％の純粋塩酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５４）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３．５質量％の塩酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５５）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３．５質量％の塩酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５６）
前記１種又は２種以上の酸が、硫酸及び塩酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５７）
前記１種又は２種以上の酸が、硫酸及び塩酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５８）
前記１種又は２種以上の酸が、硫酸及び塩酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５９）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ４．７２５質量％の純粋塩酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６０）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ４．７２５質量％の純粋塩酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６１）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ４．７２５質量％の純粋塩酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６２）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ３．５質量％の純粋塩酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６３）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ３．５質量％の純粋塩酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６４）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ３．５質量％の純粋塩酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６５）
水、硫酸、及び硝酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６６）
水、硫酸、及び硝酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６７）
水、硫酸、及び硝酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６８）
水、およそ３３．５質量％～およそ５０質量％の純粋硫酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６９）
水、およそ３３．５質量％～およそ５０質量％の純粋硫酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（７０）
水、およそ３３．５質量％～およそ５０質量％の純粋硫酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（７１）
水、塩酸、及び硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（７２）
水、塩酸、及び硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（７３）
水、塩酸、及び硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（７４）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（７５）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（７６）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（７７）
水、塩酸、硝酸、及びメタンスルホン酸を含む、（１）に記載の組成物。
（７８）
水、塩酸、硝酸、及びメタンスルホン酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（７９）
水、塩酸、硝酸、及びメタンスルホン酸から成る、（３）に記載の組成物。
（８０）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、及びおよそ４０質量％のメタンスルホン酸を含む、（１）に記載の組成物。
（８１）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、及びおよそ４０質量％のメタンスルホン酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（８２）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、及びおよそ４０質量％のメタンスルホン酸から成る、（３）に記載の組成物。
（８３）
水、塩酸、硝酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む、（１）に記載の組成物。
（８４）
水、塩酸、硝酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（８５）
水、塩酸、硝酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る、（３）に記載の組成物。
（８６）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む、（１）に記載の組成物。
（８７）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（８８）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る、（３）に記載の組成物。
（８９）
水、塩酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む、（１）に記載の組成物。
（９０）
水、塩酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（９１）
水、塩酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る、（３）に記載の組成物。
（９２）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む、（１）に記載の組成物。
（９３）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（９４）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る、（３）に記載の組成物。
（９５）
水、硫酸、塩酸、及び硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（９６）
水、硫酸、塩酸、及び硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（９７）
水、硫酸、塩酸、及び硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（９８）
水、並びに合わせておよそ４０質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（９９）
水、並びに合わせておよそ４０質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１００）
水、並びに合わせておよそ４０質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（１０１）
水、並びに合わせておよそ４３質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（１０２）
水、並びに合わせておよそ４３質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１０３）
水、並びに合わせておよそ４３質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（１０４）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（１０５）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１０６）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（１０７）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（１０８）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１０９）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（１１０）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（１１１）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１１２）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（１１３）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（１１４）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１１５）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（１１６）
水、硫酸、塩酸、硝酸、及び塩化アンモニウムを含む、（１）に記載の組成物。
（１１７）
水、硫酸、塩酸、硝酸、及び塩化アンモニウムから本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１１８）
水、硫酸、塩酸、硝酸、及び塩化アンモニウムから成る、（３）に記載の組成物。
（１１９）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムを含む、（１）に記載の組成物。
（１２０）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムから本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１２１）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムから成る、（３）に記載の組成物。
（１２２）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、およそ０．９質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムを含む、（１）に記載の組成物。
（１２３）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、およそ０．９質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムから本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１２４）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、およそ０．９質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムから成る、（３）に記載の組成物。
（１２５）
前記１種又は２種以上のハロゲンイオン源が、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、塩化水素、フッ化水素酸、塩酸、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、フッ化アンモニウム、及びヨウ化アンモニウムのうちの１種又は２種以上を含む、（４）又は（６）に記載の組成物。
（１２６）
前記１種又は２種以上のハロゲンイオン源が、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、塩化水素、フッ化水素酸、塩酸、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、フッ化アンモニウム、及びヨウ化アンモニウムのうちの１種又は２種以上から本質的に成る、（４）又は（６）に記載の組成物。
（１２７）
前記１種又は２種以上のハロゲンイオン源が、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、塩化水素、フッ化水素酸、塩酸、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、フッ化アンモニウム、及びヨウ化アンモニウムのうちの１種又は２種以上から成る、（４）又は（６）に記載の組成物。
（１２８）
前記１種又は２種以上のハロゲンイオン源が、およそ２質量％の塩化アンモニウムを含む、（４）又は（６）に記載の組成物。
（１２９）
前記１種又は２種以上のハロゲンイオン源が、およそ２質量％の塩化アンモニウムから本質的に成る、（４）又は（６）に記載の組成物。
（１３０）
前記１種又は２種以上のハロゲンイオン源が、およそ２質量％の塩化アンモニウムから成る、（４）又は（６）に記載の組成物。
（１３１）
およそ２００以上のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３２）
およそ３００以上のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３３）
およそ４００以上のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３４）
およそ５００以上のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３５）
およそ６００以上のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３６）
およそ２００～およそ７００のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３７）
およそ３００～およそ７００のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３８）
およそ４００～およそ７００のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３９）
およそ５００～およそ７００のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４０）
およそ６００～およそ７００のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４１）
およそ２ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４２）
およそ３ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４３）
およそ４ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４４）
およそ５ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４５）
およそ６ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４６）
およそ７ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４７）
およそ８ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４８）
およそ９ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４９）
およそ１０ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１５０）
およそ１１ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１５１）
およそ２ｍｇ／１００ｍｌ以上～およそ１１ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１５２）
およそ５ｍｇ／１００ｍｌ以上～およそ１０ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１５３）
ａ．シリコン基板上に、少なくとも１層はＮｉ含有層を含む１又は複数の層を形成すること、及び
ｂ．前記Ｎｉ含有層を（１）～（１５２）のいずれか１項に記載の組成物と接触させることによって、前記Ｎｉ含有層を除去すること、
を含む、半導体ウェハ上に半導体デバイスを製造するための方法。
（１５４）
ａ．基板、ＥＵＶマスク、及び金属含有ＥＵＶマスク保護構造を備えた半導体デバイスを提供する工程、
ｂ．前記半導体デバイスをＥＵＶ放射線に露光する工程、及び
ｃ．前記半導体デバイスを（１）～（１５２）のいずれか１項に記載の組成物と接触させることによって、前記金属含有ＥＵＶマスク保護構造を除去する工程、
を含む、ペリクル構造の金属含有層を除去する方法。
（１５５）
前記金属含有ＥＵＶマスク保護構造を除去する前に、前記半導体デバイスの少なくとも一部分に対して選択的ドライエッチングプロセスを実施する工程をさらに含む、（１５３）に記載の方法。
（１５６）
前記金属含有ＥＵＶマスク保護構造が、ニッケルを含む、（１５４）に記載の方法。
（１５７）
前記金属含有ＥＵＶマスク保護構造が、金属含有放熱層を備える、（４）に記載の方法。
（１５８）
前記金属含有ＥＵＶマスク保護構造が、金属含有連結層を備える、（１５４）に記載の方法。
（１５９）
前記金属含有ＥＵＶマスク保護構造が、原子層堆積（ＡＬＤ）、ｅビーム蒸着、化学蒸着（ＣＶＤ）、又は電気めっきによって堆積された１種又は２種以上の金属を含む、（１５４）に記載の方法。
（１６０）
前記半導体デバイスが、（ｉ）前記基板と前記ＥＵＶマスクとの間に又は（ｉｉ）前記ＥＵＶマスク保護構造の一部として、犠牲層、絶縁層、パッシベーション層、ｌｏｗ－ｋ層、金属含有層、又はバリア層のうちの少なくとも１つをさらに備える、（１５４）に記載の方法。
（１６１）
前記金属含有ＥＵＶマスク保護構造が、犠牲層、絶縁層、パッシベーション層、グラフェン層、ＥＵＶ透過層、連結層、及び放熱層のうちの少なくとも１つを備える、（１５４）に記載の方法。
本発明は、以下の態様を含んでいる。
（１）
（ｉ）水；
（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤；及び
（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、
を含む組成物。
（２）
（ｉ）水；
（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤；及び
（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、
から本質的に成る組成物。
（３）
（ｉ）水；
（ｉｉ）１種又は２種以上の酸化剤；及び
（ｉｉｉ）１種又は２種以上の酸、
から成る組成物。
（４）
（ｉｖ）１種又は２種以上のハロゲンイオン源をさらに含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５）
（ｖ）１種又は２種以上のキレート剤をさらに含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６）
（ｉｖ）１種又は２種以上のハロゲンイオン源及び（ｖ）１種又は２種以上のキレート剤をさらに含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（７）
前記１種又は２種以上の酸が、ハロゲンイオン源を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（８）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、ペルオキソ一硫酸塩、過ホウ酸塩、過塩素酸塩、過塩素酸、過酢酸アニオン、硫酸、過ヨウ素酸塩、過硫酸塩、過マンガン酸塩、クロム酸塩、二クロム酸塩、ベンゾキノン、硝酸、及びアミン－Ｎ－オキシドのうちの１種又は２種以上を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（９）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、過硫酸アンモニウム（ＡＰＳ）、２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノン、ニトロシル硫酸、及びピリジンＮ－オキシド、４－メチルモルホリンＮ－オキシドのうちの１種又は２種以上を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１０）
前記１種又は２種以上の酸が、硫酸、塩酸、メタンスルホン酸などのアルキルスルホン酸、４－メチルベンゼンスルホン酸などのアルキルベンジルスルホン酸、臭化水素酸、クエン酸、マロン酸、フッ化水素酸、酢酸、リン酸、及びヨウ化水素酸のうちの１種又は２種以上を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１１）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、硝酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１２）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、硝酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、硝酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．１質量％～およそ１．０質量％の純粋硝酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１５）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．１質量％～およそ１．０質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１６）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．１質量％～およそ１．０質量％の純粋硝酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１７）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．９質量％の純粋硝酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１８）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．９質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（１９）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．９質量％の純粋硝酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２０）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．６質量％の純粋硝酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２１）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．６質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２２）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．６質量％の純粋硝酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２３）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２４）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２５）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２６）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．０１質量％の２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２７）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．０１質量％の２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２８）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ０．０１質量％の２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（２９）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、過硫酸アンモニウムを含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３０）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、過硫酸アンモニウムから本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３１）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、過硫酸アンモニウムから成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３２）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ１．０質量％の過硫酸アンモニウムを含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３３）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ１．０質量％の過硫酸アンモニウムから本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３４）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ１．０質量％の過硫酸アンモニウムから成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３５）
前記組成物中の純粋酸の合計質量％が、およそ１５質量％～およそ５０質量％である、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３６）
前記組成物中の純粋酸の合計質量％が、およそ３０質量％～およそ４５質量％である、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３７）
前記組成物中の純粋酸の合計質量％が、およそ３５質量％～およそ４５質量％である、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３８）
前記組成物中の純粋酸の合計質量％が、およそ３０質量％～およそ４０質量％である、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（３９）
前記組成物中の純粋酸の合計質量％が、およそ３５質量％～およそ４０質量％である、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４０）
前記組成物中の純粋酸の合計質量％が、およそ４０質量％～およそ４５質量％である、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４１）
前記１種又は２種以上の酸が、硫酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４２）
前記１種又は２種以上の酸が、硫酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４３）
前記１種又は２種以上の酸が、硫酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４４）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４５）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４６）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４７）
前記１種又は２種以上の酸が、塩酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４８）
前記１種又は２種以上の酸が、塩酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（４９）
前記１種又は２種以上の酸が、塩酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５０）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５１）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ４．７２５質量％の塩酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５２）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ４．７２５質量％の塩酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５３）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３．５質量％の純粋塩酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５４）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３．５質量％の塩酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５５）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３．５質量％の塩酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５６）
前記１種又は２種以上の酸が、硫酸及び塩酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５７）
前記１種又は２種以上の酸が、硫酸及び塩酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５８）
前記１種又は２種以上の酸が、硫酸及び塩酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（５９）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ４．７２５質量％の純粋塩酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６０）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ４．７２５質量％の純粋塩酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６１）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ４．７２５質量％の純粋塩酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６２）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ３．５質量％の純粋塩酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６３）
前記１種又は２種以上の酸化剤が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ３．５質量％の純粋塩酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６４）
前記１種又は２種以上の酸が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ３．５質量％の純粋塩酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６５）
水、硫酸、及び硝酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６６）
水、硫酸、及び硝酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６７）
水、硫酸、及び硝酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６８）
水、およそ３３．５質量％～およそ５０質量％の純粋硫酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸を含む、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（６９）
水、およそ３３．５質量％～およそ５０質量％の純粋硫酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（７０）
水、およそ３３．５質量％～およそ５０質量％の純粋硫酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から成る、（１）～（３）のいずれか１項に記載の組成物。
（７１）
水、塩酸、及び硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（７２）
水、塩酸、及び硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（７３）
水、塩酸、及び硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（７４）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（７５）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（７６）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（７７）
水、塩酸、硝酸、及びメタンスルホン酸を含む、（１）に記載の組成物。
（７８）
水、塩酸、硝酸、及びメタンスルホン酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（７９）
水、塩酸、硝酸、及びメタンスルホン酸から成る、（３）に記載の組成物。
（８０）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、及びおよそ４０質量％のメタンスルホン酸を含む、（１）に記載の組成物。
（８１）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、及びおよそ４０質量％のメタンスルホン酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（８２）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、及びおよそ４０質量％のメタンスルホン酸から成る、（３）に記載の組成物。
（８３）
水、塩酸、硝酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む、（１）に記載の組成物。
（８４）
水、塩酸、硝酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（８５）
水、塩酸、硝酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る、（３）に記載の組成物。
（８６）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む、（１）に記載の組成物。
（８７）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（８８）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る、（３）に記載の組成物。
（８９）
水、塩酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む、（１）に記載の組成物。
（９０）
水、塩酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（９１）
水、塩酸、メタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る、（３）に記載の組成物。
（９２）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンを含む、（１）に記載の組成物。
（９３）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（９４）
水、およそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸、およそ４０質量％のメタンスルホン酸、及び２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノンから成る、（３）に記載の組成物。
（９５）
水、硫酸、塩酸、及び硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（９６）
水、硫酸、塩酸、及び硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（９７）
水、硫酸、塩酸、及び硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（９８）
水、並びに合わせておよそ４０質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（９９）
水、並びに合わせておよそ４０質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１００）
水、並びに合わせておよそ４０質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（１０１）
水、並びに合わせておよそ４３質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（１０２）
水、並びに合わせておよそ４３質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１０３）
水、並びに合わせておよそ４３質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（１０４）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（１０５）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１０６）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（１０７）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（１０８）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１０９）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（１１０）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（１１１）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１１２）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（１１３）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸を含む、（１）に記載の組成物。
（１１４）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１１５）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から成る、（３）に記載の組成物。
（１１６）
水、硫酸、塩酸、硝酸、及び塩化アンモニウムを含む、（１）に記載の組成物。
（１１７）
水、硫酸、塩酸、硝酸、及び塩化アンモニウムから本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１１８）
水、硫酸、塩酸、硝酸、及び塩化アンモニウムから成る、（３）に記載の組成物。
（１１９）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムを含む、（１）に記載の組成物。
（１２０）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．６質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムから本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１２１）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、およそ０．６質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムから成る、（３）に記載の組成物。
（１２２）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、およそ０．９質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムを含む、（１）に記載の組成物。
（１２３）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、およそ０．９質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムから本質的に成る、（２）に記載の組成物。
（１２４）
水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ４．７２５質量％の純粋塩酸、およそ０．９質量％の純粋硝酸、及び塩化アンモニウムから成る、（３）に記載の組成物。
（１２５）
前記１種又は２種以上のハロゲンイオン源が、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、塩化水素、フッ化水素酸、塩酸、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、フッ化アンモニウム、及びヨウ化アンモニウムのうちの１種又は２種以上を含む、（４）又は（６）に記載の組成物。
（１２６）
前記１種又は２種以上のハロゲンイオン源が、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、塩化水素、フッ化水素酸、塩酸、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、フッ化アンモニウム、及びヨウ化アンモニウムのうちの１種又は２種以上から本質的に成る、（４）又は（６）に記載の組成物。
（１２７）
前記１種又は２種以上のハロゲンイオン源が、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、塩化水素、フッ化水素酸、塩酸、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、フッ化アンモニウム、及びヨウ化アンモニウムのうちの１種又は２種以上から成る、（４）又は（６）に記載の組成物。
（１２８）
前記１種又は２種以上のハロゲンイオン源が、およそ２質量％の塩化アンモニウムを含む、（４）又は（６）に記載の組成物。
（１２９）
前記１種又は２種以上のハロゲンイオン源が、およそ２質量％の塩化アンモニウムから本質的に成る、（４）又は（６）に記載の組成物。
（１３０）
前記１種又は２種以上のハロゲンイオン源が、およそ２質量％の塩化アンモニウムから成る、（４）又は（６）に記載の組成物。
（１３１）
およそ２００以上のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３２）
およそ３００以上のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３３）
およそ４００以上のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３４）
およそ５００以上のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３５）
およそ６００以上のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３６）
およそ２００～およそ７００のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３７）
およそ３００～およそ７００のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３８）
およそ４００～およそ７００のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１３９）
およそ５００～およそ７００のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４０）
およそ６００～およそ７００のＮｉエッチング速度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４１）
およそ２ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４２）
およそ３ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４３）
およそ４ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４４）
およそ５ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４５）
およそ６ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４６）
およそ７ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４７）
およそ８ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４８）
およそ９ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１４９）
およそ１０ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１５０）
およそ１１ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１５１）
およそ２ｍｇ／１００ｍｌ以上～およそ１１ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１５２）
およそ５ｍｇ／１００ｍｌ以上～およそ１０ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ ２ Ｏ ３ 溶解度を有する、（１）～（１３０）のいずれか１項に記載の組成物。
（１５３）
ａ．シリコン基板上に、少なくとも１層はＮｉ含有層を含む１又は複数の層を形成すること、及び
ｂ．前記Ｎｉ含有層を（１）～（１５２）のいずれか１項に記載の組成物と接触させることによって、前記Ｎｉ含有層を除去すること、
を含む、半導体ウェハ上に半導体デバイスを製造するための方法。
（１５４）
ａ．基板、ＥＵＶマスク、及び金属含有ＥＵＶマスク保護構造を備えた半導体デバイスを提供する工程、
ｂ．前記半導体デバイスをＥＵＶ放射線に露光する工程、及び
ｃ．前記半導体デバイスを（１）～（１５２）のいずれか１項に記載の組成物と接触させることによって、前記金属含有ＥＵＶマスク保護構造を除去する工程、
を含む、ペリクル構造の金属含有層を除去する方法。
（１５５）
前記金属含有ＥＵＶマスク保護構造を除去する前に、前記半導体デバイスの少なくとも一部分に対して選択的ドライエッチングプロセスを実施する工程をさらに含む、（１５３）に記載の方法。
（１５６）
前記金属含有ＥＵＶマスク保護構造が、ニッケルを含む、（１５４）に記載の方法。
（１５７）
前記金属含有ＥＵＶマスク保護構造が、金属含有放熱層を備える、（４）に記載の方法。
（１５８）
前記金属含有ＥＵＶマスク保護構造が、金属含有連結層を備える、（１５４）に記載の方法。
（１５９）
前記金属含有ＥＵＶマスク保護構造が、原子層堆積（ＡＬＤ）、ｅビーム蒸着、化学蒸着（ＣＶＤ）、又は電気めっきによって堆積された１種又は２種以上の金属を含む、（１５４）に記載の方法。
（１６０）
前記半導体デバイスが、（ｉ）前記基板と前記ＥＵＶマスクとの間に又は（ｉｉ）前記ＥＵＶマスク保護構造の一部として、犠牲層、絶縁層、パッシベーション層、ｌｏｗ－ｋ層、金属含有層、又はバリア層のうちの少なくとも１つをさらに備える、（１５４）に記載の方法。
（１６１）
前記金属含有ＥＵＶマスク保護構造が、犠牲層、絶縁層、パッシベーション層、グラフェン層、ＥＵＶ透過層、連結層、及び放熱層のうちの少なくとも１つを備える、（１５４）に記載の方法。
Claims (21)
- （ｉ）水；
（ｉｉ）およそ０．１質量％～およそ１．０質量％の純粋硝酸を含む１種又は２種以上の酸化剤；
（ｉｉｉ）硝酸以外の１種又は２種以上の酸、前記１種又は２種以上の酸はおよそ３．０質量％～およそ５．０質量％の純粋塩酸を含む、及び、
（ｉｖ）１種又は２種以上のハロゲンイオン源、
を含む組成物。 - （ｖ）１種又は２種以上のキレート剤をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
- 前記１種又は２種以上の酸化剤が、ペルオキソ一硫酸塩、過ホウ酸塩、過塩素酸塩、過塩素酸、過酢酸アニオン、過ヨウ素酸塩、過硫酸塩、過マンガン酸塩、クロム酸塩、二クロム酸塩、ベンゾキノン、及びアミン－Ｎ－オキシドのうちの１種又は２種以上を更に含む、請求項１に記載の組成物。
- 前記１種又は２種以上の酸化剤が、過硫酸アンモニウム、２，５－ジヒドロキシ－１，４－ベンゾキノン、ニトロシル硫酸、及びピリジンＮ－オキシド、４－メチルモルホリンＮ－オキシドのうちの１種又は２種以上を更に含む、請求項１に記載の組成物。
- 前記１種又は２種以上の酸が、硫酸、塩酸、メタンスルホン酸、４－メチルベンゼンスルホン酸、臭化水素酸、クエン酸、マロン酸、フッ化水素酸、酢酸、リン酸、及びヨウ化水素酸のうちの１種又は２種以上を含む、請求項１に記載の組成物。
- 前記組成物中の純粋酸の合計質量％が、およそ３０質量％～およそ４５質量％である、請求項１に記載の組成物。
- 前記組成物中の純粋酸の合計質量％が、およそ３５質量％～およそ４５質量％である、請求項１に記載の組成物。
- 前記１種又は２種以上の酸が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸を含む、請求項１に記載の組成物。
- 前記１種又は２種以上の酸が、およそ３．５質量％の純粋塩酸を含む、請求項１に記載の組成物。
- 前記１種又は２種以上の酸が、硫酸及び塩酸を含む、請求項１に記載の組成物。
- 前記１種又は２種以上の酸が、およそ３８．８質量％の純粋硫酸及びおよそ３．５質量％の純粋塩酸を含む、請求項１に記載の組成物。
- 水、およそ３３．５質量％～およそ５０質量％の純粋硫酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸を含む、請求項１に記載の組成物。
- 水、及びおよそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸を含む、請求項１に記載の組成物。
- 水、およそ０．６質量％～およそ０．９質量％の純粋硝酸、及びおよそ３３．５質量％～およそ５０質量％の純粋硫酸を含む、請求項１に記載の組成物。
- 水、並びに合わせておよそ４０質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸を含む、請求項１に記載の組成物。
- 水、並びに合わせておよそ４３質量％～およそ４５質量％の純粋硫酸、純粋塩酸、及び純粋硝酸を含む、請求項１に記載の組成物。
- 水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸を含む、請求項１に記載の組成物。
- 水、およそ３８．８質量％の純粋硫酸、およそ３．５質量％の純粋塩酸、及びおよそ０．９質量％の純粋硝酸から成る、請求項１に記載の組成物。
- 前記１種又は２種以上のハロゲンイオン源が、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、塩化水素、フッ化水素酸、塩酸、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、フッ化アンモニウム、及びヨウ化アンモニウムのうちの１種又は２種以上を含む、請求項１に記載の組成物。
- 前記１種又は２種以上のハロゲンイオン源が、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、フッ化アンモニウム、及びヨウ化アンモニウムのうちの１種又は２種以上を含む、請求項１に記載の組成物。
- （ｉ）水；
（ｉｉ）およそ０．１質量％～およそ１．０質量％の純粋硝酸を含む１種又は２種以上の酸化剤；
（ｉｉｉ）硝酸以外の１種又は２種以上の酸、及び、
（ｉｖ）１種又は２種以上のハロゲンイオン源、
を含む組成物であって、
およそ２ｍｇ／１００ｍｌ以上～およそ１１ｍｇ／１００ｍｌ以上のＦｅ２Ｏ３溶解度を有する、組成物。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201962916280P | 2019-10-17 | 2019-10-17 | |
| US62/916,280 | 2019-10-17 | ||
| PCT/US2020/055647 WO2021076676A1 (en) | 2019-10-17 | 2020-10-15 | Etching composition and method for euv mask protective structure |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022553203A JP2022553203A (ja) | 2022-12-22 |
| JP2022553203A5 JP2022553203A5 (ja) | 2023-10-23 |
| JP7664914B2 true JP7664914B2 (ja) | 2025-04-18 |
Family
ID=75538878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022522907A Active JP7664914B2 (ja) | 2019-10-17 | 2020-10-15 | Ｅｕｖマスク保護構造のためのエッチング組成物及び方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240103377A1 (ja) |
| EP (1) | EP4045978A4 (ja) |
| JP (1) | JP7664914B2 (ja) |
| KR (1) | KR20220084146A (ja) |
| CN (1) | CN114761878A (ja) |
| TW (1) | TWI845778B (ja) |
| WO (1) | WO2021076676A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102891405B1 (ko) * | 2021-05-25 | 2025-11-27 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 식각액 조성물 |
| KR102898348B1 (ko) * | 2021-05-28 | 2025-12-11 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 식각액 조성물 |
| KR102930934B1 (ko) * | 2021-08-27 | 2026-02-25 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 실리콘 선택적 식각액 조성물 |
| JP7811855B2 (ja) * | 2022-02-02 | 2026-02-06 | 関東化学株式会社 | エッチング液組成物およびエッチング方法 |
| JP7372501B1 (ja) * | 2022-09-15 | 2023-10-31 | 日本碍子株式会社 | Ｅｕｖ透過膜 |
| KR20240052248A (ko) * | 2022-10-14 | 2024-04-23 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 실리콘 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 |
| WO2024241857A1 (ja) * | 2023-05-24 | 2024-11-28 | 富士フイルム株式会社 | エッチング液、半導体デバイスの製造方法 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004253524A (ja) | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 洗浄液およびそれを用いた洗浄法 |
| US20070087580A1 (en) | 2005-10-17 | 2007-04-19 | Dong-Min Kang | Composition for removing an insulation material, method of removing an insulation layer and method of recycling a substrate using the same |
| US20080158535A1 (en) | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Michael Goldstein | Pellicle, methods of fabrication & methods of use for extreme ultraviolet lithography |
| JP2014220300A (ja) | 2013-05-02 | 2014-11-20 | 富士フイルム株式会社 | エッチング液、これを用いたエッチング方法、エッチング液のキット、および半導体基板製品の製造方法 |
| US20150162213A1 (en) | 2012-05-11 | 2015-06-11 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations for wet etching nipt during silicide fabrication |
| US20150309404A1 (en) | 2014-04-24 | 2015-10-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Pellicle structure and method for forming the same |
| US20160139500A1 (en) | 2014-11-13 | 2016-05-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of manufacturing pellicles having graphite layers |
| JP2017171992A (ja) | 2016-03-24 | 2017-09-28 | 株式会社Adeka | 銀含有材料用エッチング液組成物及びエッチング方法 |
| JP2018151622A (ja) | 2017-03-10 | 2018-09-27 | エスアンドエス テック カンパニー リミテッド | 極紫外線リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法 |
| JP2018535558A (ja) | 2015-11-23 | 2018-11-29 | インテグリス・インコーポレーテッド | 窒化ケイ素と比べてｐ型ドープポリシリコンを選択的にエッチングするための組成物及び方法 |
| JP2019028462A (ja) | 2017-07-31 | 2019-02-21 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | フォトマスク用ペリクル、及びそれを含むレチクル、並びにフォトマスク用ペリクルの製造方法 |
| US20190119571A1 (en) | 2017-10-19 | 2019-04-25 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Etching compositions |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6627546B2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-09-30 | Ashland Inc. | Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor |
| SG129274A1 (en) * | 2003-02-19 | 2007-02-26 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Cleaaning solution and cleaning process using the solution |
| KR101070170B1 (ko) * | 2003-12-04 | 2011-10-05 | 동우 화인켐 주식회사 | 니켈 에칭 용액 |
| US20090212021A1 (en) * | 2005-06-13 | 2009-08-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions and methods for selective removal of metal or metal alloy after metal silicide formation |
| WO2009032460A1 (en) * | 2007-08-02 | 2009-03-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Non-fluoride containing composition for the removal of residue from a microelectronic device |
| WO2012154498A2 (en) * | 2011-05-06 | 2012-11-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Removal of metal impurities from silicon surfaces for solar cell and semiconductor applications |
| KR102102792B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2020-05-29 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 티타늄 나이트라이드의 선택적인 에칭을 위한 조성물 및 방법 |
| CN102912357B (zh) * | 2012-10-31 | 2014-08-06 | 厦门大学 | 一种钛种植体表面制备微纳米结构的方法 |
| US10301580B2 (en) * | 2014-12-30 | 2019-05-28 | Versum Materials Us, Llc | Stripping compositions having high WN/W etching selectivity |
| US9976111B2 (en) * | 2015-05-01 | 2018-05-22 | Versum Materials Us, Llc | TiN hard mask and etch residual removal |
| US10934485B2 (en) * | 2017-08-25 | 2021-03-02 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution for selectively removing silicon over silicon-germanium alloy from a silicon-germanium/ silicon stack during manufacture of a semiconductor device |
| CN110095952A (zh) * | 2018-01-29 | 2019-08-06 | 张家港奥擎电子化学有限责任公司 | 一种用于选择性移除氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的组合物 |
| US11499236B2 (en) * | 2018-03-16 | 2022-11-15 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution for tungsten word line recess |
-
2020
- 2020-10-15 JP JP2022522907A patent/JP7664914B2/ja active Active
- 2020-10-15 US US17/754,816 patent/US20240103377A1/en not_active Abandoned
- 2020-10-15 CN CN202080083083.9A patent/CN114761878A/zh active Pending
- 2020-10-15 TW TW109135623A patent/TWI845778B/zh active
- 2020-10-15 EP EP20877989.2A patent/EP4045978A4/en not_active Withdrawn
- 2020-10-15 KR KR1020227016615A patent/KR20220084146A/ko active Pending
- 2020-10-15 WO PCT/US2020/055647 patent/WO2021076676A1/en not_active Ceased
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004253524A (ja) | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 洗浄液およびそれを用いた洗浄法 |
| US20070087580A1 (en) | 2005-10-17 | 2007-04-19 | Dong-Min Kang | Composition for removing an insulation material, method of removing an insulation layer and method of recycling a substrate using the same |
| US20080158535A1 (en) | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Michael Goldstein | Pellicle, methods of fabrication & methods of use for extreme ultraviolet lithography |
| US20150162213A1 (en) | 2012-05-11 | 2015-06-11 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations for wet etching nipt during silicide fabrication |
| JP2014220300A (ja) | 2013-05-02 | 2014-11-20 | 富士フイルム株式会社 | エッチング液、これを用いたエッチング方法、エッチング液のキット、および半導体基板製品の製造方法 |
| US20150309404A1 (en) | 2014-04-24 | 2015-10-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Pellicle structure and method for forming the same |
| US20160139500A1 (en) | 2014-11-13 | 2016-05-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of manufacturing pellicles having graphite layers |
| JP2018535558A (ja) | 2015-11-23 | 2018-11-29 | インテグリス・インコーポレーテッド | 窒化ケイ素と比べてｐ型ドープポリシリコンを選択的にエッチングするための組成物及び方法 |
| JP2017171992A (ja) | 2016-03-24 | 2017-09-28 | 株式会社Adeka | 銀含有材料用エッチング液組成物及びエッチング方法 |
| JP2018151622A (ja) | 2017-03-10 | 2018-09-27 | エスアンドエス テック カンパニー リミテッド | 極紫外線リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法 |
| JP2019028462A (ja) | 2017-07-31 | 2019-02-21 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | フォトマスク用ペリクル、及びそれを含むレチクル、並びにフォトマスク用ペリクルの製造方法 |
| US20190119571A1 (en) | 2017-10-19 | 2019-04-25 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Etching compositions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114761878A (zh) | 2022-07-15 |
| WO2021076676A1 (en) | 2021-04-22 |
| EP4045978A1 (en) | 2022-08-24 |
| US20240103377A1 (en) | 2024-03-28 |
| EP4045978A4 (en) | 2023-11-15 |
| JP2022553203A (ja) | 2022-12-22 |
| TWI845778B (zh) | 2024-06-21 |
| TW202131103A (zh) | 2021-08-16 |
| KR20220084146A (ko) | 2022-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7664914B2 (ja) | Ｅｕｖマスク保護構造のためのエッチング組成物及び方法 | |
| CN110777381B (zh) | 用于TiN硬掩模去除和蚀刻残留物清洁的组合物 | |
| US5962385A (en) | Cleaning liquid for semiconductor devices | |
| TW201920765A (zh) | 於製造一半導體裝置時用於從矽-鍺/矽堆疊同時移除矽及矽-鍺合金的蝕刻組合物 | |
| US7816313B2 (en) | Photoresist residue remover composition and semiconductor circuit element production process employing the same | |
| JPS6066823A (ja) | 半導体エッチング方法 | |
| WO2008050785A1 (fr) | Composition liquide pour éliminer un résidu de photorésine et un résidu de polymère | |
| TWI587078B (zh) | A multilayer reflective film substrate, a reflection type mask substrate for EUV micrographs, a manufacturing method of a reflective type mask for EUV micrograph, and a method for manufacturing a semiconductor device | |
| TW201624152A (zh) | 可抑制含鎢材料之損壞的半導體元件之清洗液及利用該清洗液的半導體元件之清洗方法 | |
| JP2019075546A (ja) | 半導体デバイスの製造中に窒化チタンに対して窒化タンタルを選択的に除去するためのエッチング液 | |
| TW201938843A (zh) | 不包含氟的蝕刻液組合物 | |
| JP7294315B2 (ja) | アルミナのダメージを抑制した組成物及びこれを用いた半導体基板の製造方法 | |
| US20160116836A1 (en) | Methods of manufacturing integrated circuit devices by using photomask cleaning compositions | |
| TW201842230A (zh) | 蝕刻液組成物及蝕刻方法 | |
| JP2024164667A (ja) | エッチング液、エッチング方法及び半導体素子の製造方法 | |
| JP5206177B2 (ja) | レジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| TW202444877A (zh) | 用於去除TiN硬遮罩並與鎢相容的組合物 | |
| KR101264439B1 (ko) | 전자 재료용 세정액 조성물 및 이를 이용하는 세정 방법 | |
| WO2024004980A1 (ja) | 半導体基板洗浄用組成物、半導体基板の洗浄方法、及び半導体基板の製造方法 | |
| JP2025170873A (ja) | 処理液、半導体基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231013 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231013 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240913 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240924 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20241206 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20250107 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20250227 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20250325 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20250408 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7664914 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |