JP7666881B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents

Description

本発明は、グリーンレーザービームに対して吸収性を有するウェーハをパルス状のグリーンレーザービームで加工するウェーハの加工方法に関する。

複数の分割予定ラインが表面に格子状に設定され、複数の分割予定ラインで区画された各領域にＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタ等のデバイスが形成された酸化物単結晶ウェーハにレーザービームを照射してアブレーション加工を行い、各分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

上記文献には、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３、以下、ＬＮと略記する）の単結晶ウェーハに対して、当該単結晶ウェーハに吸収される波長（２６６ｎｍ）を有するパルス状のレーザービームを照射してアブレーション加工を行う方法が記載されている。

また、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３、以下、ＬＴと略記する）の単結晶ウェーハに対して、当該単結晶ウェーハに吸収される波長（１９３ｎｍ）を有するパルス状のレーザービームを照射してアブレーション加工を行う方法も記載されている。

この様に、ＬＮ、ＬＴ等の単結晶ウェーハに対しては、通常、紫外線（ＵＶ）帯域の波長を有するパルス状のレーザービームを使用してアブレーション加工が行われる。また、紫外線帯域の波長を有するパルス状のレーザービームとしては、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第３高調波（波長３５５ｎｍ）が使用されることもある。

ところで、ウェーハに対してアブレーション加工を行う場合には、樹脂製の保護テープを介して金属製の環状フレームにウェーハが支持されたウェーハユニットを作成し、保護テープを介してウェーハをチャックテーブルで吸引保持した状態で、ウェーハに対してアブレーション加工を行うこともある。

しかし、上述の様なパルス状の紫外線レーザービームを使用して、アブレーション加工によりウェーハを分割しようとすると、レーザービームが保護テープにまで達し、保護テープが焼き切れるという問題がある。

そこで、保護テープへのダメージを抑制するために、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第２高調波（波長が５３２ｎｍであり、可視光帯域の波長である）に対応するグリーンレーザービームを用いることが考えられる。

しかし、ＬＮ及びＬＴ等の単結晶ウェーハは、グリーンレーザービームの吸収率がＵＶレーザービームに比べて低いので、アブレーション加工によりレーザー加工溝を形成し難い。グリーンレーザービームの出力を上げれば、レーザー加工溝を形成できるものの、レーザー加工溝からクラックが延伸しデバイスにまで達するという問題がある。

特開平１０－３０５４２０号公報

本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、グリーンレーザービームを用いてウェーハにアブレーション加工を行ってレーザー加工溝を形成する場合に、クラックがデバイスに達することを抑制することを目的とする。

本発明の一態様によれば、表面に設定された複数の分割予定ラインによって区画されたそれぞれの領域にデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲む外周余剰領域と、を該表面側に有し、グリーンレーザービームに対して吸収性を有するウェーハを、パルス状の該グリーンレーザービームで加工するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの外周に沿って該ウェーハに該グリーンレーザービームを照射して、該外周余剰領域に環状の第１レーザー加工溝又は第１レーザー加工穴を形成する第１レーザー加工ステップと、該第１レーザー加工ステップの後、各分割予定ラインに沿って該第１レーザー加工溝又は第１レーザー加工穴を通る様に、該第１レーザー加工ステップにおける該グリーンレーザービームの出力よりも低い出力で該ウェーハに該グリーンレーザービームを照射して、複数の第２レーザー加工溝を形成する第２レーザー加工ステップと、を備えるウェーハの加工方法が提供される。

好ましくは、ウェーハの加工方法は、該第２レーザー加工ステップの後、各第２レーザー加工溝の幅よりも小さい刃厚を有する切削ブレードで、該複数の第２レーザー加工溝に沿って該ウェーハを分割する分割ステップを更に備える。

また、好ましくは、該ウェーハは、タンタル酸リチウムの単結晶基板を有し、該第１レーザー加工ステップでは、該単結晶基板に該第１レーザー加工溝又は該第１レーザー加工穴が形成され、該第２レーザー加工ステップでは、該単結晶基板に該複数の第２レーザー加工溝が形成される。

本発明の一態様に係る第１レーザー加工ステップでは、所定の出力のグリーンレーザービームを外周余剰領域に照射することにより、第１レーザー加工溝又は第１レーザー加工穴を形成する。このとき、第１レーザー加工溝又は第１レーザー加工穴の近傍には、加工前に比べてグリーンレーザービームの吸収率が向上した変質領域が形成される。

第１レーザー加工ステップ後の第２レーザー加工ステップでは、第１レーザー加工溝又は第１レーザー加工穴近傍の変質領域を起点にアブレーション加工が進行する。それゆえ、第１レーザー加工溝を通る様にグリーンレーザービームを照射すれば、デバイス領域では、第１レーザー加工ステップに比べてグリーンレーザービームの出力を下げてもアブレーション加工を行うことができる。

従って、分割予定ラインに沿ってアブレーション加工を行う第２レーザー加工ステップでは、クラックがデバイスに達することを抑制できる。例えば、第１レーザー加工ステップと同じ出力で第２レーザー加工ステップを行う場合に比べて、デバイスが損傷しておらず、クラックの数が少なく、且つ、クラックの長さが短い（即ち、加工品質の良い）第２レーザー加工溝をデバイス領域に形成できる。

ウェーハの斜視図である。 ウェーハの加工方法のフロー図である。 第１レーザー加工ステップを示す図である。 第１レーザー加工溝の断面図である。 第２レーザー加工ステップを示す図である。 図６（Ａ）は１つの分割予定ラインにつき２本のレーザー加工溝が形成されたウェーハの断面図であり、図６（Ｂ）は２本のレーザー加工溝の間の残留領域が除去されたウェーハの断面図であり、図６（Ｃ）は第２レーザー加工ステップ後のウェーハの断面図である。 分割ステップを示す斜視図である。 分割ステップを示す断面図である。 第２の実施形態に係る第１レーザー加工ステップを示す図である。

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、加工対象となるウェーハ１１について説明する。図１は、ウェーハ１１の斜視図である。本実施形態のウェーハ１１は、ＴＬ（タンタル酸リチウム）製の円板状の単結晶基板１３を有する。

単結晶基板１３の径は、例えば、約１５０ｍｍ（６インチ）であり、単結晶基板１３の表面１３ａから裏面１３ｂまでの厚さは、例えば、約２００μｍである。しかし、単結晶基板１３の径及び厚さは、この例に限定されるものではない。

なお、単結晶基板１３の表面１３ａはウェーハ１１の表面１１ａに対応し、単結晶基板１３の裏面１３ｂはウェーハ１１の裏面１１ｂに対応する。表面１１ａには、複数の分割予定ライン（ストリート）１５が格子状に設定されている。

複数の分割予定ライン１５で区画された矩形領域の各々には、それぞれＳＡＷフィルタとして機能する複数のデバイス１７が形成されている。デバイス領域１７ａを囲む様に、デバイス領域１７ａの周囲には、デバイス１７が形成されておらず略平坦な外周余剰領域１７ｂが存在する。

この様に、ウェーハ１１の表面１１ａ側には、複数のデバイス１７を有するデバイス領域１７ａと、外周余剰領域１７ｂとが、存在する。なお、図１では、便宜的に、デバイス領域１７ａと外周余剰領域１７ｂとの境界を破線で示す。

ウェーハ１１の加工前には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に、樹脂製で円形のダイシングテープ１９（図６（Ａ）等参照）の中央部を貼り付ける。また、ダイシングテープ１９の外周部には、ウェーハ１１よりも大径の開口を有する金属製の環状フレーム（不図示）の一面を貼り付ける。

この様にして、ウェーハ１１がダイシングテープ１９を介して環状フレームで支持されたウェーハユニットを形成する。そして、表面１１ａ側にグリーンレーザービームＬ（図３参照）を照射することで、ウェーハ１１にアブレーション加工を行う。

図２は、ウェーハ１１の加工方法のフロー図である。第１レーザー加工ステップＳ１０では、レーザー加工装置２（図３参照）が用いられる。図３に示す様に、レーザー加工装置２は、円板状のチャックテーブル４を有する。

チャックテーブル４は、金属製の円板状の枠体を有する。枠体には円板状の凹部が形成されており、この凹部には多孔質セラミックス製の円板状の多孔質板（不図示）が固定されている。

多孔質板には、枠体中に形成されている流路（不図示）を介してエジェクタ等の吸引源（不図示）からの負圧が作用する。多孔質板の上面と、枠体の上面とは、略面一であり、ウェーハ１１を吸引保持する保持面４ａ（図６（Ａ）参照）を構成する。

チャックテーブル４の下部には、回転駆動源（不図示）が設けられており、この回転駆動源によりチャックテーブル４は、高さ方向Ａ_３（例えば、鉛直方向）に略平行な所定の回転軸の周りに回転可能である。

回転駆動源の下方には、ボールねじ式の第１移動機構（例えば、Ｘ軸方向移動機構）が設けられている。また、第１移動機構と、回転駆動源との間には、ボールねじ式の第２移動機構（例えば、Ｙ軸方向移動機構）が設けられている。

第２移動機構は、チャックテーブル４、回転駆動源等を一体的に割り出し送り方向Ａ_２へ移動させ、第１移動機構は、チャックテーブル４、回転駆動源、第２移動機構等を一体的に加工送り方向Ａ_１へ移動させる。なお、加工送り方向Ａ_１、割り出し送り方向Ａ_２、高さ方向Ａ_３は、互いに直交する。

チャックテーブル４の上方には、レーザービーム照射ユニット６が設けられている。レーザービーム照射ユニット６は、レーザー発振器（不図示）を有する。レーザー発振器は、レーザー媒質としてのＮｄ：ＹＡＧを含む。

レーザー発振器から出射されたパルス状のレーザービームは、ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ_４）結晶、ＬＢＯ（ＬｉＢ_３Ｏ_５）等の非線形結晶により第２高調波に変換され、５３２ｎｍの中心波長を有するパルス状のグリーンレーザービームＬとなる。

なお、本実施形態では、中心波長が５３２ｎｍのグリーンレーザービームＬを用いるが、これに限定されず、５０１ｎｍ以上５６１ｎｍ以下の所定の中心波長を有するグリーンレーザービームＬを利用してもよい。

レーザービーム照射ユニット６は、ミラー、集光レンズ等（不図示）を収容しているヘッド部８を有する。グリーンレーザービームＬは、ヘッド部８を経て保持面４ａに向かって照射される。なお、ヘッド部８の近傍には、集光レンズ、撮像素子等を含む顕微鏡カメラユニット１０が設けられている。

ウェーハ１１は、グリーンレーザービームＬに対する吸収性を一応有するが、グリーンレーザービームＬの吸収率は、ＵＶレーザービームの吸収率に比べて低い。それゆえ、一般的に、グリーンレーザービームＬを用いて、アブレーション加工を行うのは難しい。

そこで、アブレーション加工によりレーザー加工溝を形成するために、グリーンレーザービームＬの出力を上げることが考えられる。しかし、レーザー加工溝を形成できる程度にグリーンレーザービームＬの出力を上げると、形成されたレーザー加工溝からクラックが延伸するという問題がある。

仮に、クラックがデバイス１７に達すると、デバイス１７が損傷する。この様な問題に直面した出願人は、デバイス領域１７ａにレーザー加工溝を形成しつつも、デバイス領域１７ａに形成されるクラックの数、長さを低減する加工方法を探索した。

出願人は、比較的高い出力でアブレーション加工を行い、レーザー加工溝を形成すると、レーザー加工溝からクラックが延伸するが、このレーザー加工溝の近傍では、アブレーション加工前に比べてグリーンレーザービームＬの吸収率が向上した変質領域が形成されることに注目した。

外周余剰領域１７ｂに比較的高い出力で変質領域を形成し、次いで、変質領域を起点として、分割予定ライン１５に比較的低い出力のグリーンレーザービームＬを照射すれば、デバイス領域１７ａでは、クラックの数及び長さが低減しつつレーザー加工溝を形成できると考えるに至った。

当該思想を具体化した本実施形態の加工方法を説明する。まず、保護膜形成ユニット（不図示）を用いて、水溶性樹脂を有する保護膜（不図示）をウェーハ１１の表面１１ａ側に一様に形成した後、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を保持面４ａで保持する。

次いで、外周余剰領域１７ｂにおいてウェーハ１１の外周縁から所定の距離Ｂ（図３参照）に位置する箇所に、グリーンレーザービームＬの集光点を高さ方向Ａ_３で略位置付けた状態で、チャックテーブル４を所定方向に回転させる（第１レーザー加工ステップＳ１０）。

例えば、チャックテーブル４を１回転させることで、環状の第１レーザー加工溝２１を形成する。図３は、第１レーザー加工ステップＳ１０を示す図である。なお、図３では、ダイシングテープ１９、環状フレーム等を省略している。第１レーザー加工ステップＳ１０での加工条件は、例えば、次の様に設定する。

中心波長 ：５３２ｎｍ
繰り返し周波数：５０ｋＨｚ
パルス幅 ：１１０ｎｓ
平均出力 ：２．５Ｗ
集光点での周速：１００ｍｍ／ｓ
デフォーカス量：０．１ｍｍ（集光点の表面１１ａの上側へのずれ量）

図４は、ウェーハ１１の外周に沿って形成された第１レーザー加工溝２１の一例を示す断面図である。第１レーザー加工溝２１は、例えば、９μｍ程度の深さ２１ａと、２０μｍ程度の幅２１ｂと、を有する。

第１レーザー加工溝２１の底部及び側部には、アブレーション加工時の熱に伴い変質した変質領域２１ｃ（図４においてドット付す）が形成される。第１レーザー加工溝２１の近傍には、その底面及び側面を起点として、最大で、６０μｍ程度延伸するクラック２１ｄが形成される。

しかし、第１レーザー加工溝２１の内周側面から、最も外周縁に近いデバイス１７の端部までの所定の距離Ｂ（図３）は、例えば、１ｍｍ以上であり、クラック２１ｄがデバイス１７に達することは無い。

第１レーザー加工ステップＳ１０の後、まず、顕微鏡カメラユニット１０を利用してアライメントを行い、一の方向の分割予定ライン１５を加工送り方向Ａ_１と略平行に位置付ける。

その後、グリーンレーザービームＬの集光点を高さ方向Ａ_３において所定の高さに位置付けた状態で、集光点が第１レーザー加工溝２１を通り各分割予定ライン１５に沿って移動する様に、チャックテーブル４を加工送り方向Ａ_１に移動させる。

これにより、一の方向の各分割予定ライン１５に沿って第２レーザー加工溝２３（図５参照）を形成する。一の方向に平行な各分割予定ライン１５に沿ってグリーンレーザービームＬを照射した後、チャックテーブル４を９０度回転させる。

これにより、一の方向に直交する他の方向の各分割予定ライン１５を加工送り方向Ａ_１と略平行にする。そして、他の方向に沿う各分割予定ライン１５にグリーンレーザービームＬを照射する。

この様にして、各分割予定ライン１５に沿って第２レーザー加工溝２３を形成する（第２レーザー加工ステップＳ２０）。図５は、第２レーザー加工ステップＳ２０を示す図である。第２レーザー加工ステップＳ２０での加工条件は、例えば、次の様に設定する。

中心波長 ：５３２ｎｍ
繰り返し周波数：５０ｋＨｚ
パルス幅 ：１１０ｎｓ
平均出力 ：１．２５Ｗ
集光点の周速 ：１００ｍｍ／ｓ
デフォーカス量：なし（所謂、ジャストフォーカス状態）

この様に、第２レーザー加工ステップＳ２０におけるグリーンレーザービームＬの出力は、第１レーザー加工ステップＳ１０におけるグリーンレーザービームＬの出力よりも低くする。第２レーザー加工ステップＳ２０での平均出力は、第１レーザー加工ステップＳ１０での平均出力の２５％以上５０％以下の所定値とする。

２５％未満の場合、アブレーション加工をほとんど行うことができない。また、５０％超の場合、アブレーション加工を行うことはできるが、形成される第２レーザー加工溝２３からクラックが延伸してデバイス１７に達する恐れがある。それゆえ、第１レーザー加工ステップＳ１０での平均出力の２５％以上５０％以下の所定値とすることが好ましい。

第２レーザー加工ステップＳ２０では、表面１１ａにおけるクラックの形成を抑制するために、ウェーハ１１の厚さ方向でウェーハ１１を完全には切断しない。ウェーハ１１の切断は、第２レーザー加工ステップＳ２０の後に、切削ブレード２２（図７参照）を用いて行う。

第２レーザー加工ステップＳ２０では、１つの分割予定ライン１５に沿ってグリーンレーザービームＬの集光点を複数回移動させることにより、切削ブレード２２の刃厚２２ａ（図８参照）よりも広い幅の第２レーザー加工溝２３を形成する。

より詳細に、第２レーザー加工ステップＳ２０について説明する。本実施形態の第２レーザー加工ステップＳ２０では、所謂πカットと呼ばれる手法で各分割予定ライン１５に第２レーザー加工溝２３を形成する。図６（Ａ）から図６（Ｃ）を用いて、第２レーザー加工ステップＳ２０におけるπカットについて説明する。

πカットでは、まず、１つの分割予定ライン１５につき２本のレーザー加工溝２５を形成する。図６（Ａ）は１つの分割予定ライン１５につき２本のレーザー加工溝２５が形成されたウェーハ１１の断面図である。

１本のレーザー加工溝２５は、例えば、５μｍ程度の深さ２５ａと、数μｍから５μｍ程度の幅２５ｂと、を有する。２本のレーザー加工溝２５の間の残留領域２５ｃも、アブレーション加工により同様に除去される。

なお、残留領域２５ｃを除去する際には、クラックがデバイス１７に達することがないので、１本のレーザー加工溝２５の形成時に比べて、グリーンレーザービームＬの出力を上げてもよい。

図６（Ｂ）は、２本のレーザー加工溝２５間の残留領域２５ｃが除去されたウェーハ１１の断面図であり、図６（Ｃ）は、第２レーザー加工ステップＳ２０後の第２レーザー加工溝２３を含むウェーハ１１の断面図である。第２レーザー加工溝２３は、例えば、５μｍ程度の深さ２３ａと、２０μｍ程度の幅２３ｂと、を有する。

本実施形態の第２レーザー加工ステップＳ２０では、第１レーザー加工溝２１の変質領域２１ｃを起点にアブレーション加工が進行する。それゆえ、第１レーザー加工溝２１を通る様にグリーンレーザービームＬを照射すれば、デバイス領域１７ａでは、第１レーザー加工ステップＳ１０に比べて出力を下げてもアブレーション加工を行うことができる。

従って、第２レーザー加工ステップＳ２０では、クラックがデバイス１７に達することを抑制できる。例えば、第１レーザー加工ステップＳ１０と同じ出力で第２レーザー加工ステップＳ２０を行う場合に比べて、デバイス１７が損傷しておらず、クラックの数が少なく、且つ、クラックの長さが短い（即ち、加工品質の良い）第２レーザー加工溝２３をデバイス領域１７ａに形成できる。

第２レーザー加工ステップＳ２０の後、切削装置１２（図７参照）を用いて第２レーザー加工溝２３に切削ブレード２２を切り込み、ウェーハ１１を分割する（分割ステップＳ３０）。まず、分割ステップＳ３０で使用する切削装置１２について説明する。

切削装置１２は、円板状のチャックテーブル１４を有する。チャックテーブル１４は、上述のチャックテーブル４と略同じであるので、詳細な説明を省略する。チャックテーブル１４の下方には、モータ等の回転駆動源（不図示）が設けられている。

回転駆動源の下部には、ボールねじ式の第３移動機構（例えば、不図示のＸ軸方向移動機構）が設けられている。チャックテーブル１４及び回転駆動源は、第３移動機構により加工送り方向Ａ_１に沿って一体的に移動可能に構成されている。

チャックテーブル１４の保持面１４ａ（図８参照）の上方には、切削ユニット１６が配置されている。図８に示す様に、切削ユニット１６は、長手部が割り出し送り方向Ａ_２に沿って配置された筒状のスピンドルハウジング１８を有する。

スピンドルハウジング１８には、円柱状のスピンドル２０の一部が回転可能に収容されている。スピンドル２０の基端部には、モータ等の回転駆動源が設けられている。スピンドル２０の先端部は、スピンドルハウジング１８から突出しており、スピンドル２０の先端部には、環状の切り刃を有する切削ブレード２２が装着されている。

切削ブレード２２の切り刃は、各第２レーザー加工溝２３の幅２３ｂ（例えば、２０μｍ）よりも小さい刃厚２２ａ（例えば、１５μｍ）を有する。切削ブレード２２は、例えば、切り刃のみから構成されるハブレス型（ワッシャー型）である。

スピンドルハウジング１８には、切削ブレード２２の上方を覆う様にブレードカバー２４が連結されている。ブレードカバー２４には、切削時に切削ブレード２２に純水等の切削水を供給するための複数のノズル２６が設けられている。

スピンドルハウジング１８には、ボールねじ式の第４移動機構（例えば、Ｚ軸方向移動機構、不図示）が設けられている。第４移動機構により、スピンドルハウジング１８は、高さ方向Ａ_３に沿って移動可能である。

また、第４移動機構には、ボールねじ式の第５移動機構（例えば、Ｙ軸方向移動機構、不図示）が設けられている。第５移動機構により、スピンドルハウジング１８は、割り出し送り方向Ａ_２に沿って移動可能である。

分割ステップＳ３０では、まず、スピンドルハウジング１８に固定されている不図示の顕微鏡カメラユニットを利用して一の方向の第２レーザー加工溝２３を加工送り方向Ａ_１と略平行に位置付ける。

その後、回転する切削ブレード２２の下端をダイシングテープ１９と保持面１４ａとの間の高さに位置付け、更に、切削ブレード２２の切り刃を、割り出し送り方向Ａ_２における第２レーザー加工溝２３の幅の略中央に位置付ける。

次いで、チャックテーブル１４を加工送り方向Ａ_１に沿って移動させることにより、一の方向の各第２レーザー加工溝２３に沿って切削溝２７を形成し、ウェーハ１１を切断する。

図７は、分割ステップＳ３０を示す斜視図であり、図８は、分割ステップＳ３０を示す断面図である。分割ステップＳ３０での加工条件は、例えば、次の様に設定する。

スピンドル回転数：３２，０００ｒｐｍ
加工送り速度 ：２０ｍｍ／ｓ
切削水の流量 ：１Ｌ／ｍｉｎ

一の方向に平行な各第２レーザー加工溝２３に沿ってウェーハ１１を切断した後、チャックテーブル１４を９０度回転させて、一の方向に直交する他の方向の各第２レーザー加工溝２３に沿ってウェーハ１１を切断する。この様にして、ウェーハ１１は、各々デバイス１７を有するデバイスチップ（不図示）に分割される。

表面１１ａ側には、既に第２レーザー加工溝２３が形成されているので、分割ステップＳ３０において形成されるクラックはデバイス１７に達しない。分割ステップＳ３０の後、スピンナ洗浄装置（不図示）を用いて保護膜を洗浄して除去すると共に、各デバイスチップを洗浄する。

本実施形態では、第１レーザー加工ステップＳ１０と同じ出力で第２レーザー加工ステップＳ２０を行う場合に比べて、デバイス１７が損傷しておらず、クラックの数が少なく、且つ、クラックの長さが短い第２レーザー加工溝２３をデバイス領域１７ａに形成できるので、デバイスチップの良品率を向上できる。

次に、図９を用いて第２の実施形態について説明する。第２の実施形態の第１レーザー加工ステップＳ１０では、複数のドット状の第１レーザー加工穴３１を外周余剰領域１７ｂに環状に形成する。より具体的には、１つの分割予定ライン１５（図９において破線で示す）の両端部のそれぞれに第１レーザー加工穴３１を形成する。

図９は、第２の実施形態に係る第１レーザー加工ステップＳ１０を示す図である。各第１レーザー加工穴３１は、９μｍ程度の深さと、２０μｍ程度の径と、を有する円柱状の穴であり、各第１レーザー加工穴３１の底部及び側部には、アブレーション加工時の熱に伴い変質した変質領域（不図示）が形成されている。

続く第２レーザー加工ステップＳ２０では、一の分割予定ライン１５の一端部に形成された第１レーザー加工穴３１から、当該一の分割予定ライン１５の他端部に形成された第１レーザー加工穴３１まで、第１レーザー加工穴３１を通る様に当該一の分割予定ライン１５に沿って第２レーザー加工溝２３（図５参照）を形成する。

なお、第２レーザー加工ステップＳ２０の開始時には、１つの分割予定ライン１５の一端部に形成された第１レーザー加工穴３１よりもウェーハ１１の外側に、グリーンレーザービームＬの集光点を位置付けてもよい。

また、第２レーザー加工ステップＳ２０の終了時には、１つの分割予定ライン１５の他端部に形成された第１レーザー加工穴３１よりもウェーハ１１の外側に、グリーンレーザービームＬの集光点を位置付けてもよい。

いずれにしても、第２レーザー加工ステップＳ２０では、１つの分割予定ライン１５の両端部の形成された２つの第１レーザー加工穴３１間を集光点で走査すれば、第２レーザー加工溝２３を形成できる。第２の実施形態においても、加工品質の良い第２レーザー加工溝２３をデバイス領域１７ａに形成できる。

その他、上述の実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。例えば、第２レーザー加工ステップＳ２０では、上述のπカット以外の手法で第２レーザー加工溝２３を形成することもできる。

また、ＬＴの単結晶基板１３に限定されず、炭化珪素（ＳｉＣ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）又はインジウムリン（ＩｎＰ）の単結晶基板を有するウェーハ１１を、上述の加工方法に従い加工することもできる。

２：レーザー加工装置、４：チャックテーブル、４ａ：保持面
６：レーザービーム照射ユニット、８：ヘッド部、１０：顕微鏡カメラユニット
１１：ウェーハ、１１ａ：表面、１１ｂ：裏面、
１３：単結晶基板、１３ａ：表面、１３ｂ：裏面、１５：分割予定ライン
１２：切削装置、１４：チャックテーブル、１４ａ：保持面
１６：切削ユニット、１８：スピンドルハウジング、２０：スピンドル
１７：デバイス、１７ａ：デバイス領域、１７ｂ：外周余剰領域
１９：ダイシングテープ
２１：第１レーザー加工溝
２１ａ：深さ、２１ｂ：幅、２１ｃ：変質領域、２１ｄ：クラック
２２：切削ブレード、２２ａ：刃厚、２４：ブレードカバー、２６：ノズル
２３：第２レーザー加工溝、２３ａ：深さ、２３ｂ：幅
２５：レーザー加工溝、２５ａ：深さ、２５ｂ：幅、２５ｃ：残留領域
２７：切削溝、３１：第１レーザー加工穴
Ａ_１：加工送り方向、Ａ_２：割り出し送り方向、Ａ_３：高さ方向、Ｂ：所定の距離
Ｌ：グリーンレーザービーム

Claims (3)

1. 表面に設定された複数の分割予定ラインによって区画されたそれぞれの領域にデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲む外周余剰領域と、を該表面側に有し、グリーンレーザービームに対して吸収性を有するウェーハを、パルス状の該グリーンレーザービームで加工するウェーハの加工方法であって、
   該ウェーハの外周に沿って該ウェーハに該グリーンレーザービームを照射して、該外周余剰領域に環状の第１レーザー加工溝又は第１レーザー加工穴を形成する第１レーザー加工ステップと、
   該第１レーザー加工ステップの後、各分割予定ラインに沿って該第１レーザー加工溝又は第１レーザー加工穴を通る様に、該第１レーザー加工ステップにおける該グリーンレーザービームの出力よりも低い出力で該ウェーハに該グリーンレーザービームを照射して、複数の第２レーザー加工溝を形成する第２レーザー加工ステップと、
   を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。
2. 該第２レーザー加工ステップの後、各第２レーザー加工溝の幅よりも小さい刃厚を有する切削ブレードで、該複数の第２レーザー加工溝に沿って該ウェーハを分割する分割ステップを、更に備えることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
3. 該ウェーハは、タンタル酸リチウムの単結晶基板を有し、
   該第１レーザー加工ステップでは、該単結晶基板に該第１レーザー加工溝又は該第１レーザー加工穴が形成され、
   該第２レーザー加工ステップでは、該単結晶基板に該複数の第２レーザー加工溝が形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載のウェーハの加工方法。

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