JP7668461B2 - Communication terminal and communication system - Google Patents
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Description
本開示は、通信端末、および通信システムに関する。 This disclosure relates to a communication terminal and a communication system.
従来から、2線式の信号線によって負荷制御を行う通信システムが普及している。この通信システムは、中央制御装置としての親機である送信端末と、スイッチ等の通信端末を2線式の信号線で相互に接続して構成されている。この通信システムは、2線式の信号線の接続や分岐、通信端末の配置が自由であるという特徴(フリー・トポロジーと呼ばれる)を有し、フレキシブルなシステム構成が可能である。当該通信システムによれば、大規模な建物において少ない配線で通信システムが実現できる。特許文献1には、通信システムの例が開示されている。
Conventionally, communication systems that perform load control using two-wire signal lines have been in widespread use. These communication systems are configured by interconnecting a transmitting terminal, which is a parent device acting as a central control device, with communication terminals such as switches via two-wire signal lines. This communication system has the characteristic that the two-wire signal lines can be freely connected and branched, and the communication terminals can be freely positioned (called free topology), allowing for a flexible system configuration. With this communication system, a communication system can be realized with a small amount of wiring in a large building.
通信システムにおいて、通信端末数の増加や高速大容量通信の要請が存在し、この対応として、送信端末から送信する信号周波数を高周波化することが考えられる。しかし、信号周波数が高周波化すると、信号線と、送信端末あるいは通信端末の間のインピーダンスの不整合によって、反射波の影響が無視できなくなる。反射波の影響により、通信端末で信号の読取誤りが発生するようになる。 In communication systems, there is a demand for an increase in the number of communication terminals and high-speed, large-capacity communication. One possible solution to this is to increase the frequency of the signal sent from the transmitting terminal. However, when the signal frequency increases, the effects of reflected waves cannot be ignored due to impedance mismatch between the signal line and the transmitting terminal or communication terminal. The effects of reflected waves can cause signal reading errors at the communication terminal.
高周波信号における反射波の抑制には、通常はインピーダンス整合が取られる。しかし、当該通信システムは、フリー・トポロジーであるため、信号線や通信端末の配置の変更により、信号線の特性インピーダンスが変わり、インピーダンス整合による対応は困難である。当該通信システムの送信信号の高周波化に伴う、反射波による信号読取誤りが課題である。 Impedance matching is usually used to suppress reflected waves in high-frequency signals. However, because this communication system is free topology, changes to the signal line or communication terminal layout change the characteristic impedance of the signal line, making it difficult to address this issue through impedance matching. As the transmission signals of this communication system become higher frequency, signal reading errors due to reflected waves become an issue.
本開示の目的は、反射波の影響を受けにくく信号読取誤りが発生しにくい通信端末、および通信システムを提供することである。 The objective of this disclosure is to provide a communication terminal and a communication system that are less susceptible to the effects of reflected waves and are less susceptible to signal reading errors.
本開示に係る通信端末は、所定の基準電圧に信号電圧が重畳された電圧信号を信号線を介して受信する通信端末であって、受信端を有し、電圧信号を受信する信号受信部と、受信端の電圧が、基準電圧から所定の範囲内の電圧である第1の所定電圧を超えたときに、受信端をクランプする電圧クランプ回路とを備える。電圧クランプ回路は、第1の所定電圧を保持する基準電圧保持部と、受信端の電圧が第1の所定電圧を超えたときに、受信端を基準電圧保持部と導通させる電圧検知部とを有することを特徴とする。 The communication terminal according to the present disclosure is a communication terminal that receives a voltage signal in which a signal voltage is superimposed on a predetermined reference voltage via a signal line, and includes a signal receiving unit having a receiving end and receiving the voltage signal, and a voltage clamp circuit that clamps the receiving end when the voltage at the receiving end exceeds a first predetermined voltage that is a voltage within a predetermined range from the reference voltage. The voltage clamp circuit is characterized by having a reference voltage holding unit that holds the first predetermined voltage, and a voltage detection unit that makes the receiving end conductive with the reference voltage holding unit when the voltage at the receiving end exceeds the first predetermined voltage.
本開示によれば、反射波の影響を受けにくく信号読取誤りが発生しにくい通信端末、および通信システムを実現できる。 This disclosure makes it possible to realize a communication terminal and a communication system that are less susceptible to the effects of reflected waves and are less susceptible to signal reading errors.
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。以下の説明において、具体的な形状、材料、方向、数値等は、本開示の理解を容易にするための例示であって、用途、目的、仕様等に合わせて適宜変更することができる。また、以下で説明する実施形態および変形例の構成要素を選択的に組み合わせることは当初から想定されている。 Embodiments of the present disclosure will be described in detail below with reference to the drawings. In the following description, specific shapes, materials, directions, values, etc. are merely examples to facilitate understanding of the present disclosure, and may be modified as appropriate according to the application, purpose, specifications, etc. In addition, it is anticipated from the beginning that the components of the embodiments and modified examples described below will be selectively combined.
初めに本開示の通信端末が使用される通信システムの全体構成と概略動作について説明する。 First, we will explain the overall configuration and general operation of a communication system in which the communication terminal disclosed herein is used.
[通信システム]
図1は、通信システム10の構成図である。通信システム10は、送信端末20、通信端末30としてのスイッチ31およびターミナルユニット32、リレー40a~40dおよび照明器具50a~50dを備える。照明器具50a~50dは、通信システム10における制御対象である。なお、通信システム10は、これらの機器の他にも、他のスイッチ、他のターミナルユニット、他の制御対象等が接続され得るが、図示を省略している。通信システム10は、送信端末20が中心となって、通信システム10における制御対象である照明器具50a~50d等の制御が可能なシステムである。照明器具の制御とは、照明器具のオンオフ制御、調光制御、シーン制御、監視制御等である。シーン制御とは、照明器具の和室、洋室、寝室、書斎等の設置場所、朝、昼、夜、食事時間、団らん時間等の照明器具が使用される状況に応じて照明器具を調光調色制御することである。監視制御とは、照明器具の制御状態を監視することである。なお、これらの制御は、スイッチ31への操作によって行うことができる。
[Communication system]
FIG. 1 is a configuration diagram of a
通信システム10は、例えば、時分割の多重伝送方式が採用されており、信号線60は、2線式の有線で構成される。信号線60において、2線間の電位差によるパルス信号によって信号(情報)が伝送される。また、通信システム10では、例えば、サイクリック伝送方式が採用されており、送信端末20から送信された信号は、信号線60に接続された全ての機器を通過していく。各機器は、当該信号の内容を確認し、内容に応じて当該信号を必要とする機器が当該信号を受信する。例えば、各機器は、当該信号に自身のアドレス情報が含まれている場合には当該信号を受信し、自身のアドレス情報が含まれていない場合には当該信号を無視する。このように、信号線60に接続された機器は、送信端末20から送信された自身を宛先としない信号であっても、その内容を確認することができる。
The
送信端末20は、通信システム10において、中心となって動作する親機コントローラである。送信端末20は、信号線60に接続されたスイッチ31からの信号をターミナルユニット32に送信する。図1におけるスイッチ31、およびターミナルユニット32は、本開示における通信端末30である。
The transmitting
スイッチ31は、ユーザが照明器具50a~50dの制御(オン、オフ、調光等)を行うために設けられた壁スイッチ等である。例えば、スイッチ31は、図1に示されるように、4つの操作部31a~31dを有している。各操作部は例えばオン状態及びオフ状態の2つの状態を有しており、ユーザが操作することで各操作部に対応する照明器具をオンオフすることができる。
The
例えば、各操作部には、アドレス情報が割り振られており、アドレス情報と照明器具が1対1に対応するように対応づけられている。 For example, address information is assigned to each operation unit, and the address information and lighting fixtures are associated in a one-to-one correspondence.
ターミナルユニット32は、送信端末20から送信された信号をリレー40a~40dへ送信する機器である。ターミナルユニット32は、複数の端子を有し、当該複数の端子にリレー40a~40dが接続されている。
The
リレー40a~40dは、それぞれに接続された照明器具50a~50dへの電力供給のオンおよびオフを切り替えるスイッチである。例えば、各リレーは、ターミナルユニット32から電力供給をオンする指示を受けた場合、自身に接続された照明器具への電力供給をオンし、電力供給をオフする指示を受けた場合、自身に接続された照明器具への電力供給をオフする。なお、ターミナルユニット32とリレー40a~40dとは一体に形成されていてもよい。
The
照明器具50a~50dは、例えば、施設におけるフロアの天井等に設けられる。各照明器具は、例えば、送信端末20からの信号によって、点灯および消灯の切り替え、並びに、調光率(明るさ)の変更が可能となっている。照明器具の光源は、LED、蛍光灯等あるが、特に限定されない。
このような通信システム10によれば、制御対象とスイッチ31とを一対一に接続する配線が不要となる。通信システム10では、2線からなる信号線60のみでよい。これにより、例えば、大規模な建物において通信システム10における配線を少なくすることができる。
With such a
以上、通信システム10において、制御対象を照明器具に適用した例を説明したが、制御対象は、照明器具に限らない。通信システム10は、空調設備等、他の機器を制御する様に構成してもよい。
The above describes an example in which the control target of the
通信システム10において、接続端末の数を増加させる、あるいは、端末間での信号の情報を増加させる場合、システムのレスポンスを維持するために、信号の周波数を高周波にする対応がとられる。信号線で送信する制御信号を高周波化すると、反射波による影響が顕在化してくる。本開示における通信端末は、反射波による影響を受けることなく、信号読取誤りを抑制する構成を有している。
When the number of connected terminals in the
本開示における通信システム10は、フリー・トポロジーであるために、インピーダンス整合を必須としていない。インピーダンス整合が取れていない場合は、反射波が発生する。次に反射波が発生する原理について説明する。
The
[反射波の発生原理]
図2~図4を参照して、反射波の発生原理を説明する。
[Principle behind reflected wave generation]
The principle of generation of a reflected wave will be described with reference to FIGS.
図2は本開示の通信システム10を送信端末20と信号線60と通信端末30で構成した最小単位のシステムの等価回路図である。
Figure 2 is an equivalent circuit diagram of the minimum unit system of the
Viは、送信端末20から送信される電圧信号である。点Aは、送信端末20の送信端である。ZAは、送信端末20の出力インピーダンスである。点Aと点Bの間に接続されているのは、信号線60であり、ZABは、信号線60の特性インピーダンスである。点Bは、通信端末30の受信端である。ZBは、通信端末30の入力インピーダンスである。
Vi is a voltage signal transmitted from the transmitting
ρAは送信端Aの反射係数を表し、ρBは受信端Bの反射係数を表し、それぞれ以下の式で定義される。
ρA=(ZA-ZAB)/(ZA+ZAB) (式1)
ρB=(ZB-ZAB)/(ZB+ZAB) (式2)
当該信号線60における信号遅延時間(点Aから点Bへ信号が伝搬するのに要する時間)をTdとする。
ρ A represents the reflection coefficient of the transmitting end A, and ρ B represents the reflection coefficient of the receiving end B, which are defined by the following equations.
ρ A = (Z A - Z AB )/(Z A + Z AB ) (Formula 1)
ρ B = (Z B - Z AB )/(Z B + Z AB ) (Formula 2)
The signal delay time in the signal line 60 (the time it takes for a signal to propagate from point A to point B) is defined as Td.
送信端末20の出力インピーダンスZAは、出力電流による電圧降下を抑える理由から、低インピーダンスに設定され、ZA<ZABとなる。よって、式1の分子の符号は負となり、送信端の反射係数ρAは、負となる。通信端末30の入力インピーダンスZBは、受信端での電圧信号振幅を保つために高インピーダンスに設定され、ZB>ZABとなる。よって、式2の分子の符号は正となり、受信端の反射係数ρBは、正となる。本開示の通信システム10において、特に断りが無い場合は、この条件下にあるものとして説明を行う。
The output impedance Z A of the transmitting
図3は、送信端Aと受信端Bの間で発生する反射波を示す概念図である。図4は、送信端末20の電圧Viと、受信端Bでの受信端電圧Voを表している。本開示の送信端末20は、電圧信号として、一定のDC電圧(基準電圧V10)にマイナス電圧が重畳された電圧信号を出力する。図4における電圧Viは、送信端末20から単発の電圧信号が送信された電圧を表している。図4における受信端電圧Voは受信端Bで観測される電圧であり、反射波の影響を受けた波形を表している。
Figure 3 is a conceptual diagram showing a reflected wave generated between the transmitting end A and the receiving end B. Figure 4 shows the voltage Vi of the transmitting
[時刻Tdにおける受信端での反射波]
送信端末20から時刻0において、発信された電圧Viが出力インピーダンスZAによる電圧降下された電圧V(t)が、信号線60を伝搬して、遅延時間Td後に受信端Bに到達する。受信端Bで受信する受信端電圧は、V(t)より時間Tdだけ遅れており、V(t-Td)と表せる。受信端Bでは、インピーダンス整合が取れていないので、到達した電圧V(t-Td)に対する反射波が発生し、信号線60を伝搬して送信端へ進む。
[Reflected wave at the receiving end at time Td]
At
受信端Bにおいて、発生する反射波は、到達した電圧V(t-Td)に反射係数ρBをかけたρBV(t-Td)となる。受信端Bにおける反射係数ρBは正であるので、反射波ρBV(t-Td)は、電圧V(t)と同相の電圧である。反射波ρBV(t-Td)が、時刻Td以降、送信端に向かって伝搬する。受信端Bでは、到達した電圧V(t-Td)と反射波ρBV(t-Td)の合成電圧が観測される。この電圧は、図4の時刻Td以降、マイナス方向に大きく振れる電圧として表れている。本開示において、受信端Bで最初にマイナス側に振れる信号を主波(第1波)と呼ぶ。 At the receiving end B, the reflected wave is ρ B V(t-Td) obtained by multiplying the arriving voltage V(t-Td) by the reflection coefficient ρ B. Since the reflection coefficient ρ B at the receiving end B is positive, the reflected wave ρ B V(t-Td) is a voltage in phase with the voltage V(t). The reflected wave ρ B V(t-Td) propagates toward the transmitting end after time Td. At the receiving end B, a composite voltage of the arriving voltage V(t-Td) and the reflected wave ρ B V(t-Td) is observed. This voltage appears as a voltage that swings significantly in the negative direction after time Td in FIG. 4. In this disclosure, the signal that first swings to the negative side at the receiving end B is called the main wave (first wave).
受信端Bで時刻Tdから生じる電圧は、以下の式で表される。
V(t-Td)+ρBV(t-Td)=(1+ρB)V(t-Td) (式3)
The voltage generated at the receiving end B from time Td is expressed by the following equation.
V(t-Td)+ρ B V(t-Td)=(1+ρ B )V(t-Td) (Formula 3)
[時刻2Tdにおける送信端での反射波]
受信端Bでの反射波ρBV(t-Td)は、時刻2Td(遅延時間の2倍の経過時刻)に、送信端に到達する。送信端でも時間Tdだけ遅れているので、到達する反射波は、ρBV(t-2Td)となる。送信端Aでも、インピーダンス整合を取っていないので、反射波が発生する。ρBV(t-2Td)に対する送信端Aでの反射波は、ρAρBV(t-2Td)となる。送信端Aにおける反射係数は、負であるので、反射波ρAρBV(t-2Td)は、到達した電圧ρBV(t-2Td)とは逆相の電圧となる。この電圧ρAρBV(t-2Td)が、信号線を伝搬して、時刻3Tdに受信端Bに到達する。
[Reflected wave at the transmitting end at time 2Td]
The reflected wave ρ B V(t-Td) at the receiving end B reaches the transmitting end at time 2Td (the time when twice the delay time has elapsed). Since the transmitting end is also delayed by time Td, the reflected wave that arrives is ρ B V(t-2Td). Since impedance matching is not performed at the transmitting end A, a reflected wave is also generated. The reflected wave at the transmitting end A for ρ B V(t-2Td) is ρ A ρ B V(t-2Td). Since the reflection coefficient at the transmitting end A is negative, the reflected wave ρ A ρ B V(t-2Td) is a voltage of opposite phase to the arriving voltage ρ B V(t-2Td). This voltage ρ A ρ B V(t-2Td) propagates through the signal line and reaches the receiving end B at time 3Td.
[時刻3Td以降における受信端での反射波]
送信端Aからの反射波ρAρBV(t-2Td)が、時刻3Tdに受信端Bに到達すると、時間Tdだけ遅れが生じているので、到達した電圧は、ρAρBV(t-3Td)となる。この到達電圧に対する反射波が発生する。到達した電圧ρAρBV(t-3Td)に対する反射波は、ρAρB
2V(t-3Td)となる。受信端Bから反射波ρAρB
2V(t-3Td)が送信側へ伝搬する。時刻3Tdに到達した電圧とその反射波の合成電圧は、以下の式で表される。
ρAρBV(t-3Td)+ρAρB
2V(t-3Td)=ρAρB(1+ρB)V(t-3Td) (式4)
[Reflected wave at the receiving end after time 3Td]
When the reflected wave ρ A ρ B V (t-2Td) from the transmitting end A reaches the receiving end B at time 3Td, there is a delay of time Td, so the voltage that arrives is ρ A ρ B V (t-3Td). A reflected wave is generated for this arriving voltage. The reflected wave for the arriving voltage ρ A ρ B V (t-3Td) is ρ A ρ B 2 V (t-3Td). The reflected wave ρ A ρ B 2 V (t-3Td) propagates from the receiving end B to the transmitting side. The combined voltage of the voltage that arrives at time 3Td and its reflected wave is expressed by the following equation.
ρ A ρ B V (t-3Td) + ρ A ρ B 2 V (t-3Td) = ρ A ρ B (1+ρ B )V (t-3Td) (Formula 4)
一方、受信端Bにおいては、時刻Tdに発生した電圧である式3の電圧も依然として存在する。よって、受信端Bで観測されるのは、式3と式4で表される電圧の合成電圧である。
On the other hand, at the receiving end B, the voltage of
式4で表される電圧成分は、式3の電圧成分とは、符号が反転している。式4で表される電圧成分は、図4において、プラス側に振れる電圧として表れている。本開示において、最初にプラス側に振れる信号を第2波と呼ぶ。
The voltage component represented by Equation 4 has the opposite sign to the voltage component represented by
以降、同様にして、時刻5Tdにおいて、受信端Bに到達する電圧とその反射波の合成電圧は、以下の式で表される。
ρA
2ρB
2V(t-5Td)+ρA
2ρB
3V(t-5Td)=ρA
2ρB
2(1+ρB)V(t-5Td) (式5)
となる。
Similarly, at time 5Td, the combined voltage of the voltage arriving at the receiving end B and the reflected wave is expressed by the following equation.
ρ A 2 ρ B 2 V (t-5Td) + ρ A 2 ρ B 3 V (t-5Td) = ρ A 2 ρ B 2 (1+ρ B )V (t-5Td) (Formula 5)
It becomes.
式5で表される電圧成分は、式3の電圧成分と符号が同じ正である。この電圧成分は、図4において、2回目にマイナス側に振れる電圧として表れている。本開示において、この信号を第3波と呼ぶ。
The voltage component represented by Equation 5 has the same positive sign as the voltage component in
以降、同様に時間Td毎に受信端Bと送信端Aで反射を繰り返す。受信端Bでは、遅延時間2Td毎に、反射波が到達して、第M波(Mは整数)を発生する。 After that, reflection is repeated at receiving end B and transmitting end A every time Td in the same manner. At receiving end B, the reflected wave arrives every delay time 2Td, generating the Mth wave (M is an integer).
[通信システムにおける反射波の影響]
図4における第3波、第5波、第N波(Nは奇数)の振幅方向が、主波と同じマイナス方向に重畳した電圧となっている。信号伝送方式として、基準電圧V10を基底状態として、マイナス電圧を重畳して、データ信号とする伝送方式を採用する場合、第3波、第5波等の第N波を、データ信号として誤って読み取るおそれがある。特には、減衰の小さい第3波が問題となる。
[Effects of reflected waves in communication systems]
The amplitude directions of the third wave, fifth wave, and Nth wave (N is an odd number) in Fig. 4 are the same negative voltage superimposed on the main wave. When a transmission method is adopted in which a reference voltage V10 is used as the base state and a negative voltage is superimposed to generate a data signal, the Nth wave such as the third wave, the fifth wave, etc. may be erroneously read as a data signal. The third wave, which has a small attenuation, is particularly problematic.
次に、本開示における通信端末による、反射波抑制の詳細について説明する。 Next, we will explain the details of how the communication terminal in this disclosure suppresses reflected waves.
[反射波抑制のメカニズム]
図5は、通信システム10に接続された通信端末30の構成を示すブロック図である。通信端末30は、受信端Bで信号線60と接続されている。受信端Bには、電圧クランプ回路320とバイパス回路330とトリガ回路340が接続されている。ZBは、信号受信部310を含めた通信端末30の入力インピーダンスである。
[Mechanism for suppressing reflected waves]
5 is a block diagram showing the configuration of a
信号受信部310は、受信端電圧Vo_から信号を読み出し、送信端末20から送信された信号に含まれる情報を解読する。通信端末30は、当該信号に基づいて種々の動作を行うが、詳細については省略する。
The signal receiving unit 310 reads the signal from the receiving end voltage Vo_ and decodes the information contained in the signal transmitted from the transmitting
電圧クランプ回路320は、受信端Bで受信する受信端電圧Vo_を入力する。電圧クランプ回路320は、受信端電圧Vo_を受けて、第1の所定電圧V1(以下、保持電圧V1とも言う)を保持する。電圧クランプ回路320は、受信端電圧Vo_が第1の所定電圧V1以上の電圧となる場合に、受信端電圧Vo_を第1の所定電圧V1にクランプする。第1の所定電圧V1は、通信システム10の送信信号の基準電圧V10から所定範囲内の電圧、例えば、0.3V~1.4Vの範囲に設定される。
The
バイパス回路330は、受信端Bに接続されており、受信端電圧Vo_が第1の所定電圧V1を超えた場合に、受信端Bを低インピーダンスでバイパスして、受信端電圧Vo_の上昇を抑制する働きを行う。バイパス回路330は、トリガ回路340によりトリガ信号を受けて動作する。
The
トリガ回路340は、バイパス回路330を動作させるためのトリガ信号を発生する。受信端電圧Vo_が第1の所定電圧V1を超えたときに、トリガ回路340、はトリガ信号を発生するように構成されている。
The
本実施形態の通信端末30においては、受信端Bに電圧クランプ回路320を設けたので、図4に示した反射波の第2波が発生する場合に、受信端電圧Vo_を第1の所定電圧V1にクランプする。具体的には、図4における第2波の電圧V1以上をカットすることになる。第2波が無くなるので、続く第3波以降の反射波も無くなる。これによって、通信端末30の信号読取誤りの原因となる反射波が抑制される。
In the
本実施形態では、送信端末20から送信された受信信号が初めに到達したときに、受信端Bに発生する反射波(図4における主波)は抑制していない。その理由は、受信端Bにおける受信信号とそれに対する反射波の極性が同じために、振幅が大きくなるだけであり、信号読取の誤りがないためである。
In this embodiment, the reflected wave (main wave in FIG. 4) that occurs at the receiving end B when the receiving signal transmitted from the transmitting
図6は、本実施形態の通信端末30の受信端電圧Vo_と、送信端送信電圧Viと、反射波を抑制しない場合の受信端電圧Voを示している。
Figure 6 shows the receiving end voltage Vo_, the transmitting end transmission voltage Vi, and the receiving end voltage Vo when reflected waves are not suppressed for the
上述したように、電圧クランプ回路320は、反射波を抑制しない場合の受信端電圧Voにおける第1の所定電圧V1を超える部分(図中斜線で示した)をカットする作用がある。実際には、電圧クランプ回路320が、受信端電圧Voの最初の正極性に振れる電圧(第2波)を第1の所定電圧V1にクランプする。これによって、受信端Bから送信端Aへの反射が実質的に抑制される。これによって、送信端Aからの反射もなくなり、高次の反射波が無くなることになる。本実施形態の通信端末30の受信端電圧Vo_は、第1の所定電圧V1以上の電圧がカットされていることが分かる。受信端電圧Vo_における第2波をカットすることで、後続する第3波以降の反射波が抑制されている。以上の動作によって、反射波が抑制され、信号読取誤りのおそれが無くなる。
As described above, the
以降、具体的な実施形態によって更に説明する。 Further explanation will be given below with specific examples.
[第1実施例]
図7(a)に通信端末30の第1実施例の回路図を示す。信号受信部310は図示を省略している。第1実施例においては、受信端Bに電圧クランプ回路320とバイパス回路330が並列に接続されている。
[First embodiment]
7A shows a circuit diagram of a first embodiment of the
電圧クランプ回路320は、ダイオードD1と抵抗R3とコンデンサC1の直列回路と、コンデンサC1に並列の抵抗R1とから構成される。バイパス回路330は、PNPトランジスタQ1のエミッタ-コレクタ間と抵抗R2の直列回路から構成される。ダイオードD1、抵抗R3、R4、トランジスタQ1のエミッタ-ベース間は、トリガ回路340を構成している。
The
電圧クランプ回路320のコンデンサC1と抵抗R1は、基準電圧保持部321を構成している。コンデンサC1は、受信端Bで受信する受信端電圧Vo_を受けて、第1の所定電圧V1を保持するように働く。コンデンサC1は受信端電圧Vo_に含まれる信号の周波数(即ち、送信信号に含まれる周波数)に対して、電圧をほぼ一定に保持するのに十分大きな容量に設定されている。抵抗R1は、コンデンサC1の放電抵抗であり、コンデンサC1の保持電圧が第1の所定電圧V1から過剰に上昇するのを防ぐ。抵抗R1は比較的高抵抗に設定される。ダイオードD1は、電圧検知部322を構成している。ダイオードD1は、受信端電圧Vo_が、コンデンサC1の保持電圧とダイオードD1の順方向電圧の和より高くなるとオンし、抵抗R3を介してコンデンサC1に電流を流す。コンデンサC1の容量は上述したように十分に大きな容量に設定されているので、抵抗R3を介する電流によって、電圧はほとんど変化しない。抵抗R3は、抵抗R1と比較して小さな抵抗値に選定されている。コンデンサC1の保持電圧V1は、基準電圧からダイオードD1の順方向電圧(約0.3~0.7V)を引いた電圧に保持される。
The capacitor C1 and resistor R1 of the
以上の電圧クランプ回路320の作用によって、受信端Bで受信する受信端電圧Vo_が、第1の所定電圧V1以上に上昇するのを抑制することができる。これによって、反射波が抑制され、信号読取誤りのおそれが無くなる。
The above-described action of the
本実施例では、バイパス回路330が電圧クランプ回路320に並列に接続されている。バイパス回路330は、トランジスタQ1を介して、受信端Bに抵抗R2を接続して、電流をバイパスし、電圧クランプ回路320の電圧保持機能を補助する働きをする。
In this embodiment, the
バイパス回路330は、PNPトランジスタQ1のエミッタが受信端Bに接続され、コレクタが抵抗R2の一端と接続されている。抵抗R2の他端は回路グランドに接続されている。抵抗R2は低抵抗に選定されることが好ましい。トランジスタQ1のベースは抵抗R4を介して、抵抗R3とコンデンサC1の接続点に接続されている。
In the
受信端電圧Vo_がコンデンサC1の保持電圧を超えて上昇すると、上述したように、ダイオードD1がオンして、ダイオードD1、抵抗R3、コンデンサC1の経路で電流が流れる。このとき、ダイオードD1の順方向電圧と抵抗R3の電圧降下によって、トランジスタQ1のエミッタ電位に対して、ベース電位が低電位となり、トランジスタQ1のエミッタからベースへ電流が流れる。これにより、トランジスタQ1のエミッタ-コレクタ間が導通し、受信端BをトランジスタQ1のエミッタ-コレクタ間と抵抗R2でバイパスする経路が形成される。抵抗R2は低抵抗であり、トランジスタQ1がオンして、受信端電圧Vo_が上昇しようとする場合でも、電流をバイパスして受信端電圧Vo_の上昇を抑制する。バイパス回路330によって、受信端電圧の急激な上昇を抑制することができる。
When the receiving end voltage Vo_ rises above the holding voltage of the capacitor C1, as described above, the diode D1 turns on and a current flows through the path of the diode D1, resistor R3, and capacitor C1. At this time, due to the forward voltage of the diode D1 and the voltage drop of the resistor R3, the base potential becomes lower than the emitter potential of the transistor Q1, and a current flows from the emitter to the base of the transistor Q1. This causes conduction between the emitter and collector of the transistor Q1, and a path is formed that bypasses the receiving end B through the emitter-collector of the transistor Q1 and resistor R2. The resistor R2 has a low resistance, and even if the transistor Q1 turns on and the receiving end voltage Vo_ tries to rise, it bypasses the current and suppresses the rise in the receiving end voltage Vo_. The
上述した通り、ダイオードD1、抵抗R3、R4とトランジスタQ1のエミッタ-ベース間は、バイパス回路330のトリガ回路340の役目をしている。また、ダイオードD1は、受信端電圧Vo_が、コンデンサC1の第1の所定電圧V1以上となったときにオンして、トリガ回路340を動作させる電圧検知部322としての役目をしている。
As described above, the diode D1, resistors R3 and R4, and the emitter-base of the transistor Q1 function as the
受信端電圧Vo_が、コンデンサC1の保持電圧V1とダイオードD1の順方向電圧の和(第2の所定電圧)以下になると、ダイオードD1はオフし、トランジスタQ1のエミッタ電位は、Q1のベース電位以下となり、トランジスタQ1はオフして、バイパス回路330が停止する。
When the receiving end voltage Vo_ becomes equal to or less than the sum of the holding voltage V1 of the capacitor C1 and the forward voltage of the diode D1 (second predetermined voltage), the diode D1 turns off, the emitter potential of the transistor Q1 becomes equal to or less than the base potential of Q1, the transistor Q1 turns off, and the
即ち、本実施例においては、受信端電圧Vo_が、第1の所定電圧を超えたときに、受信端をバイパスするバイパス回路が動作し、その後、受信端電圧Vo_が第1の所定電圧以上である第2の所定電圧を下回ったとき、バイパス回路の動作を停止させている。尚、第1の所定電圧および第2の所定電圧は、本実施例における関係に限られない。第2の所定電圧を第1の所定電圧と同じに設定してもよい。 That is, in this embodiment, when the receiving end voltage Vo_ exceeds a first predetermined voltage, a bypass circuit that bypasses the receiving end operates, and then when the receiving end voltage Vo_ falls below a second predetermined voltage that is equal to or greater than the first predetermined voltage, the operation of the bypass circuit is stopped. Note that the relationship between the first and second predetermined voltages is not limited to that in this embodiment. The second predetermined voltage may be set to the same as the first predetermined voltage.
以上、第1実施例で説明した動作によって、受信端電圧Vo_にコンデンサC1の保持電圧V1より高い電圧が発生するのを防ぎ、反射波による影響を抑制できる。よって、信号の読取り誤りを防止できる。 The operation described in the first embodiment prevents the receiving end voltage Vo_ from generating a voltage higher than the voltage V1 held by the capacitor C1, and suppresses the effects of reflected waves. This makes it possible to prevent erroneous reading of the signal.
図7(b)は、第1実施例の変形例である。電圧クランプ回路320、トリガ回路340の構成は図7(a)の第1実施例と同じであり、バイパス回路330の接続位置を受信端BからダイオードD1のカソードに変更した点で異なっている。
Figure 7(b) is a modified example of the first embodiment. The configurations of the
受信端電圧Vo_がコンデンサC1の保持電圧を超えて上昇し、ダイオードD1がオンしたとき、抵抗R3に電流が流れることによる電圧降下によって、トランジスタQ1のエミッタ電位に対して、ベース電位が低電位となり、エミッタからベースへ電流が流れる。図7(a)の実施例と比べて、ダイオードD1の順方向電圧分だけ、トランジスタQ1のエミッタ-ベース間に掛かる電圧が低くなるが、バイパス回路330の動作は同様である。コンデンサC1の保持電圧V1は、基準電圧からダイオードD1の順方向電圧とトランジスタQ1のエミッタ-ベース間電圧の和(約1.4V)を引いた電圧に保持される。
When the receiving end voltage Vo_ rises above the holding voltage of capacitor C1 and diode D1 turns on, the base potential becomes lower than the emitter potential of transistor Q1 due to a voltage drop caused by current flowing through resistor R3, and current flows from the emitter to the base. Compared to the embodiment in Figure 7(a), the voltage applied between the emitter and base of transistor Q1 is lower by the forward voltage of diode D1, but the operation of
受信端Bで信号電圧を受信している場合、即ち、図6において主波が到達している場合、受信端Bの電圧は、基準電圧V10より低い電圧となっている。電圧クランプ回路320のコンデンサC1は、保持電圧V1を維持しているので、コンデンサC1の非グランド側の端子から受信端Bの向きに電圧V3が発生する。図7(a)の構成においては、電圧V3は、ダイオードD1のカソードからアノードの向きに印加されると同時に、トランジスタQ1のベースからエミッタの向きに印加される。信号電圧の振幅が大きい場合、即ち電圧V3が大きい場合、トランジスタQ1の端子間の耐圧が大きい素子を選定する必要がある。
When a signal voltage is received at receiving end B, i.e., when the main wave arrives in FIG. 6, the voltage at receiving end B is lower than the reference voltage V10. Capacitor C1 of
図7(b)の構成においては、電圧V3は、ダイオードD1のカソードからアノードの向きに発生するだけなので、トランジスタQ1の端子間の耐圧が小さい素子が選定できるという利点がある。反射波を抑制する動作は、図7(a)と同様の効果がある。 In the configuration of FIG. 7(b), voltage V3 is generated only from the cathode to the anode of diode D1, so there is an advantage in that an element with a low breakdown voltage between the terminals of transistor Q1 can be selected. The operation of suppressing reflected waves has the same effect as in FIG. 7(a).
[第2実施例]
図8に通信端末30の第2実施例の回路図を示す。本実施例においては、電圧クランプ回路320が受信端Bに並列に接続され、バイパス回路及びトリガ回路は備えていない。
[Second embodiment]
8 shows a circuit diagram of a second embodiment of the
電圧クランプ回路320は、ダイオードD1とコンデンサC1の直列回路とコンデンサC1に並列の抵抗R1で構成されている。コンデンサC1は基準電圧保持用のコンデンサであり、抵抗R1はコンデンサC1の放電抵抗である。ダイオードD1は、受信端電圧Vo_が、コンデンサC1の保持電圧V1を超えるとオンして、コンデンサC1を充電する。コンデンサC1の容量は適切に設定され、この充電電流によっては、ほとんど電圧は変化しない。よって、受信端電圧Vo_は、コンデンサC1の保持電圧V1にクランプされる。
The
第2実施例は、バイパス回路を備えていない。コンデンサC1に並列の放電抵抗R1のみであると、反射波の電圧上昇を受けて、徐々にコンデンサC1の電圧が上昇する場合がある。具体的には、送信端末20から信号電圧が繰り返し送信されて、基準電圧V10よりプラス方向の反射波が連続して発生する場合に、抵抗R1の抵抗値によっては、コンデンサC1の放電が十分できない場合がある。コンデンサC1の保持電圧が上昇すると、クランプ電圧が上昇することになり、反射波の抑制が十分でなくなるおそれがある。第2実施例では、この対策として、PNPトランジスタQ2と抵抗R5、R6によるコンデンサC1の放電回路を設けた。
The second embodiment does not include a bypass circuit. If there is only a discharge resistor R1 in parallel with the capacitor C1, the voltage of the capacitor C1 may gradually increase due to the voltage rise of the reflected wave. Specifically, when a signal voltage is repeatedly transmitted from the transmitting
コンデンサC1の放電回路は、コンデンサC1の保持電圧V1が受信端電圧Vo_よりも高いときに、トランジスタQ2のエミッタ電位がベース電位よりも高くなるので、トランジスタQ2がオンし、コンデンサC1の電荷を抵抗R5を介して放電することができる。抵抗R5は、抵抗R1よりも小さい抵抗値とし、コンデンサC1の電荷を急速に放電するように設定されている。コンデンサC1の放電回路は、この構成に限らない。コンデンサC1の電圧をモニタして、所定電圧以上の場合に、放電抵抗を接続するような構成であれば良い。 When the holding voltage V1 of capacitor C1 is higher than the receiving end voltage Vo_, the emitter potential of transistor Q2 becomes higher than the base potential, so that transistor Q2 turns on and the charge of capacitor C1 can be discharged through resistor R5. Resistor R5 has a smaller resistance value than resistor R1 and is set to rapidly discharge the charge of capacitor C1. The discharge circuit of capacitor C1 is not limited to this configuration. It may be configured to monitor the voltage of capacitor C1 and connect a discharge resistor when the voltage is above a predetermined voltage.
電圧クランプ回路320としての動作は、上述の実施例と同様であるので、反射波が抑制され、信号の読取誤りを防止できる効果は、上述の実施例と同様である。
The operation of the
[第3実施例]
図9に通信端末30の第3実施例の回路図を示す。第1実施例と同様の作用の素子については、同じ回路記号を付している。第3実施例においても、受信端Bに電圧クランプ回路320とバイパス回路330が並列に接続されている。
[Third Example]
9 shows a circuit diagram of the third embodiment of the
第3実施例においては、電圧クランプ回路320は、ダイオードD1と抵抗R8とコンデンサC1の直列回路と、抵抗R8とコンデンサC1の直列回路の両端に接続された抵抗R7とから構成される。バイパス回路330は、NPNトランジスタQ1のコレクタ-エミッタ間と抵抗R2の直列回路から構成される。トリガ回路340は、コンパレータCPで構成される。
In the third embodiment, the
電圧クランプ回路320のコンデンサC1は、第1実施例と同様に、受信端Bで受信する受信端電圧Vo_を受けて、第1の所定電圧V1を保持する。コンデンサC1の容量は、電圧信号の周波数に対して、電圧をほぼ一定に保持するように十分大きな容量に設定されている。第3実施例においては、コンデンサC1の放電は、抵抗R8、R7を介して行う。抵抗R7は比較的高抵抗に設定される。抵抗R8は、抵抗R7に比べて小さな抵抗に設定される。ダイオードD1は、第1実施例と同様に、受信端電圧Vo_が、コンデンサC1の保持電圧とダイオードD1の順方向電圧の和より高くなるとオンし、抵抗R8を介してコンデンサC1に電流を流す。コンデンサC1の容量は上述したように十分に大きな容量に設定されているので、抵抗R8を介する電流によっては、電圧はほとんど変化しない。
As in the first embodiment, the capacitor C1 of the
バイパス回路330は、第1実施例と同様にトランジスタQ1と抵抗R2の直列回路で構成される。第1実施例と異なるのは、トランジスタQ1が、NPNトランジスタに変更された点である。トランジスタQ1のベースに電流を流すことで、トランジスタQ1をオン状態とし、受信端Bに抵抗R2を接続する。本実施例のバイパス回路330も、受信端Bに抵抗R2を接続して、電流をバイパスし、電圧クランプ回路320の電圧保持機能を補助する働きを行う。
The
第3実施例のトリガ回路340は、コンパレータCPで構成されている。コンパレータCPの+入力端子は、ダイオードD1と抵抗R8の接続点に接続されている。コンパレータCPの-入力端子は、抵抗R8とコンデンサC1の接続点に接続されている。コンパレータCPの出力端子はトランジスタQ1のベースに接続されている。コンパレータCPの出力端子は、例えば、オープンコレクタ構成とされ、制御電源にプルアップ抵抗が接続されている(図示せず)。
The
受信端電圧Vo_がコンデンサC1の保持電圧V1を超えて上昇すると、ダイオードD1がオンして、ダイオードD1、抵抗R8、コンデンサC1の経路で電流が流れる。このとき、抵抗R8の電圧降下によって、抵抗R8には、図9の上向きに電圧が発生する。これによって、コンパレータCPの+入力端子の電圧が、-入力端子電圧よりも高くなるので、コンパレータCPの出力端子がHiレベルを出力する。コンパレータCPの出力端子がHiレベルになることで、トランジスタQ1のベースに電流が流れて、トランジスタQ1がオンする。これによって、受信端BをトランジスタQ1のコレクタ-エミッタ間と抵抗R2でバイパスする経路が形成される。抵抗R2は低抵抗であり、トランジスタQ1がオンして、受信端電圧Vo_の電圧が上昇しようとする場合でも、電流をバイパスして受信端電圧Vo_の上昇を抑制する。バイパス回路330によって、受信端電圧Vo_の急激な上昇を抑制することができる。
When the receiving end voltage Vo_ rises above the holding voltage V1 of the capacitor C1, the diode D1 turns on, and a current flows through the path of the diode D1, resistor R8, and capacitor C1. At this time, the voltage drop across the resistor R8 causes an upward voltage in FIG. 9 to be generated across the resistor R8. As a result, the voltage at the + input terminal of the comparator CP becomes higher than the - input terminal voltage, and the output terminal of the comparator CP outputs a Hi level. When the output terminal of the comparator CP becomes a Hi level, a current flows through the base of the transistor Q1, and the transistor Q1 turns on. This forms a path that bypasses the receiving end B between the collector and emitter of the transistor Q1 and the resistor R2. The resistor R2 has a low resistance, and even if the transistor Q1 turns on and the voltage of the receiving end voltage Vo_ tries to rise, the current is bypassed to suppress the rise of the receiving end voltage Vo_. The
第3実施例においては、コンパレータCPがバイパス回路330のトリガ回路340の役目をしている。ダイオードD1は、受信端電圧Vo_がコンデンサC1の保持電圧V1以上となったときにオンして、トリガ回路340を動作させる電圧検知部322としての役目をしている点は、第1実施例と同様である。
In the third embodiment, the comparator CP functions as the
受信端電圧Vo_が、コンデンサC1の保持電圧V1以下になると、ダイオードD1はオフし、ダイオードD1から抵抗R8へ流れている電流は停止する。その後、コンデンサC1が抵抗R8、R7を介して徐々に放電する。この放電電流によって、抵抗R8は先とは、逆向きにバイアスされて、コンパレータCPの-入力端子の電圧が、+入力端子の電圧より高くなり、コンパレータCPの出力端子はLowレベルとなる。これによって、トランジスタQ1のベース電流は流れなくなり、トランジスタQ1はオフして、バイパス回路が動作を停止する。 When the receiving end voltage Vo_ falls below the holding voltage V1 of capacitor C1, diode D1 turns off and the current flowing from diode D1 to resistor R8 stops. Capacitor C1 then gradually discharges through resistors R8 and R7. This discharge current biases resistor R8 in the opposite direction to before, and the voltage at the - input terminal of comparator CP becomes higher than the voltage at the + input terminal, causing the output terminal of comparator CP to go to low level. This stops the base current of transistor Q1, transistor Q1 turns off, and the bypass circuit stops operating.
以上の動作によって、受信端電圧Vo_がコンデンサC1の保持電圧V1より高い電圧となるのを防止し、反射波による影響を抑制できる。よって、信号の読取り誤りを防止できる。 The above operation prevents the receiving end voltage Vo_ from becoming higher than the voltage V1 held by the capacitor C1, and suppresses the effects of reflected waves. This prevents erroneous signal reading.
[第4実施例]
第4実施例では、第3実施例のトリガ回路340のコンパレータCPを、図10のようにオペアンプOPに変えて構成した。受信端Bには、ダイオードD2とコンデンサC2の直列回路による電源回路が接続されている。コンデンサC2の電圧をオペアンプOPの動作電源としている。
[Fourth embodiment]
In the fourth embodiment, the comparator CP of the
電圧クランプ回路320及びバイパス回路330の構成は、第3実施例と同様であり、トリガ回路340の動作も第3実施例と同様であるので、詳細な説明は省略する。
The configurations of the
第4実施例によっても、受信端電圧Vo_のコンデンサC1の保持電圧V1より高い電圧発生を防止し、反射波による影響を抑制できる。よって、信号の読取誤りを防止できる。 The fourth embodiment also prevents the receiving end voltage Vo_ from being higher than the voltage V1 held by the capacitor C1, and suppresses the effects of reflected waves. This makes it possible to prevent errors in reading the signal.
[その他の変形例]
通信端末30の反射波の抑制のための回路構成は、上述の実施例に限らない。例えば、アナログ入力端子を有するマイコンを用いても、トリガ回路340が実現可能である。電圧クランプ回路320は、例えば、図8と同様の構成とする。受信端Bに並列にトランジスタと抵抗の直列回路を接続してバイパス回路を構成する。受信端電圧Vo_をマイコンのアナログ入力端子に入力して、受信端電圧Vo_を監視し、アナログ入力端子の電圧が所定値(コンデンサC1の保持電圧V1)を超えた場合に、トランジスタをオンして、受信端Bを抵抗でバイパスするように構成する。上記動作を行うプログラムが組み込まれたマイコンと、上述のトリガ回路によって、基準電圧よりプラス方向の反射波の発生をカットし、反射波による信号の読取誤りを防止することができる。
[Other Modifications]
The circuit configuration for suppressing the reflected wave of the
本開示の通信システム10は、送信端末20が信号を送信して、通信端末30で受信する場合だけでなく、通信端末30が信号を送信して、送信端末20で受信することも可能である。従って、通信システム10の送信端末20も上述した反射波の抑制のための構成を備えていることが好ましい。更に、複数の通信端末30間で通信をするように構成してもよい。
The
尚、上記の実施例においては、送信端、受信端ともにインピーダンス整合が取れていない前提で説明してきたが、送信端末あるいは通信端末の何れかにインピーダンス整合のためのインピーダンス整合部を設けてもよい。具体的には、送信端末20の出力インピーダンスを信号線60の特性インピーダンスと等しくするか、通信端末30の入力インピーダンスを信号線60の特性インピーダンスと等しくする。通信システムにおいて、インピーダンス整合が取れていれば、反射波の影響は基本的になくなるが、本開示の通信端末の構成を備えることによって、予期しない反射やノイズの影響を抑制することができる。
In the above embodiment, it has been explained on the assumption that impedance matching is not achieved at both the transmitting end and the receiving end, but an impedance matching unit for impedance matching may be provided in either the transmitting terminal or the communication terminal. Specifically, the output impedance of the transmitting
なお、本発明は上述した実施形態およびその変形例に限定されるものではなく、本願の特許請求の範囲に記載された事項の範囲内において種々の変更や改良が可能であることは勿論である。 The present invention is not limited to the above-described embodiment and its variations, and various modifications and improvements are possible within the scope of the claims of this application.
10 通信システム、20 送信端末、30 通信端末、31 スイッチ、32 ターミナルユニット、40 リレー、50 負荷(照明器具)、60 信号線、310 信号受信部、320 電圧クランプ回路、321 基準電圧保持部、322 電圧検知部、330 バイパス回路、340 トリガ回路
REFERENCE SIGNS
Claims (7)
受信端を有し、前記電圧信号を受信する信号受信部と、
前記受信端の電圧が、前記基準電圧から所定の範囲内の電圧である第1の所定電圧を超えたときに、前記受信端をクランプする電圧クランプ回路と、を備え、
前記電圧クランプ回路は、
前記第1の所定電圧を保持する基準電圧保持部と、
前記受信端の電圧が前記第1の所定電圧を超えたときに、前記受信端を前記基準電圧保持部と導通させる電圧検知部と、を有し、
前記受信端をバイパスするバイパス回路と、
前記受信端の電圧が前記第1の所定電圧を超えたことを、前記電圧検知部が検知したとき、前記バイパス回路をトリガするトリガ回路を更に備える、
通信端末。 A communication terminal that receives a voltage signal in which a signal voltage is superimposed on a predetermined reference voltage via a signal line,
a signal receiving unit having a receiving end and receiving the voltage signal;
a voltage clamp circuit that clamps the receiving end when the voltage at the receiving end exceeds a first predetermined voltage that is within a predetermined range from the reference voltage;
The voltage clamp circuit includes:
a reference voltage holding unit that holds the first predetermined voltage;
a voltage detection unit that, when a voltage at the receiving end exceeds the first predetermined voltage, causes the receiving end to be electrically connected to the reference voltage holding unit;
a bypass circuit for bypassing the receiving end;
a trigger circuit that triggers the bypass circuit when the voltage detection unit detects that the voltage at the receiving end exceeds the first predetermined voltage.
Communications terminal.
前記送信端末の送信端における反射係数の符号と、前記通信端末の受信端における反射係数の符号が異なる通信システムに接続して使用される、
請求項1に記載の通信端末。 A communication system including a transmitting terminal that transmits the voltage signal and a signal line that transmits the voltage signal,
The signal is used in connection with a communication system in which the sign of the reflection coefficient at the transmitting end of the transmitting terminal is different from the sign of the reflection coefficient at the receiving end of the communication terminal.
The communication terminal according to claim 1 .
請求項2に記載の通信端末。 a reflection coefficient at the transmitting end is negative and a reflection coefficient at the receiving end is positive;
The communication terminal according to claim 2 .
請求項1~3の何れか一項に記載の通信端末。 When the voltage at the receiving end exceeds the first predetermined voltage and then falls below a second predetermined voltage, the operation of the bypass circuit is stopped.
A communication terminal according to any one of claims 1 to 3 .
請求項4に記載の通信端末。 The second predetermined voltage is equal to or greater than the first predetermined voltage.
The communication terminal according to claim 4 .
前記電圧検知部は、前記ダイオードのオンオフに基づいて、前記受信端の電圧が前記第1の所定電圧を超えたことを検知し、
前記バイパス回路は、前記電圧検知部によってトリガされるスイッチと抵抗の直列回路を有する、
請求項1~5の何れか一項に記載の通信端末。 the reference voltage holding unit includes a series circuit of a diode and a capacitor,
the voltage detection unit detects, based on the on/off of the diode, that the voltage at the receiving end has exceeded the first predetermined voltage;
The bypass circuit includes a series circuit of a switch and a resistor that is triggered by the voltage detection unit.
A communication terminal according to any one of claims 1 to 5 .
前記電圧信号を送信する送信端末と、
前記電圧信号を伝送する信号線と、
を備える通信システム。 A communication terminal according to any one of claims 1 to 6 ;
A transmitting terminal for transmitting the voltage signal;
A signal line for transmitting the voltage signal;
A communication system comprising:
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