JP7670310B2 - 洗浄剤組成物及び洗浄剤組成物用原液 - Google Patents

Description

本発明は、洗浄剤組成物及び洗浄剤組成物用原液に関する。

従来から、カメラモジュール部品、集積回路（ＩＣ）及びコンデンサ等の電子部品をプリント基板等にはんだ付けする際に、ソルダペーストからフラックスが飛散し、電極の周囲に残渣として付着することが知られている（以下、上述のフラックスの残渣を「フラックス残渣」という場合がある。）。

フラックス残渣は、はんだ接合部における腐食等の原因となるほか、ワイヤボンディングを行う工程での接合不良及び、樹脂封止をする工程におけるモールド樹脂との密着不良等の原因となりうる。そのため、フラックス残渣は洗浄剤で除去する必要があり、従来から種々の洗浄剤が提案されている。

特開２０１９－０５２２７７号公報 国際公開第２０２０／１１６５２４号

近年、比較的多量の水を含むことにより環境安全性に優れる一方、洗浄性を発揮できる洗浄剤組成物が提案されている。例えば、特開２０１９－０５２２７７号公報（特許文献１）には、沸点が２００℃以上であって、２０℃における水への溶解度が１０重量％以下の疎水性グリコールエーテル化合物（Ａ）、沸点が２００℃以上のアミノアルコール化合物（Ｂ）、沸点が２００℃以上であって、オクタノール／水分配係数（ｌｏｇＰ）が０未満の所定の構造式で表される化合物（Ｃ）、及び水（Ｄ）の４成分を含み、重量比率は、成分（Ａ）が５０～９０重量部、成分（Ｂ）が３～３０重量部、成分（Ｃ）が５～４０重量部、成分（Ｄ）が１～１０重量部である洗浄剤組成物原液であり、該洗浄剤組成物原液１００重量部に対して１００～１５００重量部の水を混合させた洗浄剤組成物が、１～９０℃において白濁状態となることを特徴とする洗浄剤組成物原液が開示されている。

国際公開第２０２０／１１６５２４号（特許文献２）には、溶剤（成分Ａ）と、ハンセン溶解度パラメータの極性項（δｐ）が７．８以下であるアミン（成分Ｂ）と、所定の化学式で表されるジホスホン酸（成分Ｃ）と、を含有する、フラックス残渣除去用洗浄剤組成物が開示されている。

しかし、特許文献１に記載の洗浄剤組成物原液から調整される洗浄剤組成物は、銅などの金属に対する腐食性を有しており、洗浄対象物が金属からなる場合、当該洗浄対象物が腐食される。また、上記洗浄剤組成物が浸透しにくい狭い隙間（例えば、基板と上記基板に接続される部品との間に形成される隙間であって、両者の距離が３０～１００μｍである隙間）に存在するフラックス残渣に対してはシャワーによる洗浄を行っており、洗浄対象物に対する負荷が大きいことが知られている。特許文献２に記載の洗浄剤組成物は、金属に対する腐食性はないものの、洗浄性に改善の余地が残されている。
このような事情から、洗浄対象物の材料によって適切な洗浄剤組成物及び適切な洗浄方法を選ぶ必要があるため、洗浄剤組成物の更なる改善が求められている。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、狭い隙間での洗浄性に優れ、かつ金属及び樹脂に対する反応性が抑制された洗浄剤組成物及び洗浄剤組成物用原液を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を進めた結果、親水性のグリコールエーテル化合物と、所定の化学構造を有する疎水性の第三級アミン化合物と、ホスホン酸化合物と、水とを含む洗浄剤組成物が、狭い隙間での洗浄性に優れ、かつ金属及び樹脂に対する反応性が抑制されていることを見いだし、本発明を完成させた。すなわち、本発明は以下の通りである。

［１］親水性のグリコールエーテル化合物と、疎水性の第三級アミン化合物と、ホスホン酸化合物と、水とを含む洗浄剤組成物であって、
上記疎水性の第三級アミン化合物は、式（１）で表される化合物であり、
上記洗浄剤組成物は、１０～７０℃の温度範囲において外観上均一である、洗浄剤組成物。

（式（１）中、Ｒ^１は、炭素数８～２２の鎖状の炭化水素基を示し、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立にメチル基、エチル基又はプロピル基を示す。）

［２］上記親水性のグリコールエーテル化合物は、その含有割合が上記洗浄剤組成物の全体に対して、４～７４質量％であり、
上記疎水性の第三級アミン化合物は、その含有割合が上記洗浄剤組成物の全体に対して、０．８～１６質量％であり、
上記ホスホン酸化合物は、その含有割合が上記洗浄剤組成物の全体に対して、０．２～４質量％であり、
上記水は、その含有割合が上記洗浄剤組成物の全体に対して、２５～９５質量％である、［１］に記載の洗浄剤組成物。

［３］上記疎水性の第三級アミン化合物は、Ｎ，Ｎ’－ジメチルステアリルアミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルパルミチルアミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルミリスチルアミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルラウリルアミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルデシルアミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルオクチルアミン、及びＮ，Ｎ’－ジメチルドコシルアミンからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含む、［１］又は［２］に記載の洗浄剤組成物。

［４］上記ホスホン酸化合物は、アレンドロン酸、３－ホスホノプロピオン酸、Ｌ－Ｏ－ホスホセリン、２－ホスホノブタン－１，２，４－トリカルボン酸、１－ヒドロキシエタン－１，１－ジホスホン酸、グリシン－Ｎ，Ｎ－ビス（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）及びピロリン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含む、［１］から［３］のいずれかに記載の洗浄剤組成物。

［５］上記親水性のグリコールエーテル化合物は、式（２）で表される化合物又は式（３）で表される化合物である、［１］から［４］のいずれか一項に記載の洗浄剤組成物。

（式（２）中、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に水素原子、メチル基、又はエチル基を示し、Ｒ^８は、炭素数１～１１の鎖状又は環状の炭化水素基を示し、上記炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－に置き換わっていてもよく、式（３）中、Ｒ^９及びＲ^１０は、それぞれ独立に水素原子又はメトキシ基を示し、Ｒ^１１は水素原子又はメチル基を示す。）

［６］上記親水性のグリコールエーテル化合物は、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノアリルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノ－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、２－メトキシブタノール、３－メトキシブタノール及び３－メトキシ－３－メチルブタノールからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含む、［５］に記載の洗浄剤組成物。

［７］親水性のアミン化合物の含有割合が上記洗浄剤組成物の全量に対して０質量％を超えて０．１質量％未満である、［１］から［６］のいずれかに記載の洗浄剤組成物。

［８］フラックス洗浄用である、［１］から［７］のいずれかに記載の洗浄剤組成物。

［９］親水性のグリコールエーテル化合物と、疎水性の第三級アミン化合物と、ホスホン酸化合物とを含む洗浄剤組成物用原液であって、
上記疎水性の第三級アミン化合物は、式（１）で表される化合物であり、
上記親水性のグリコールエーテル化合物は、その含有割合が上記洗浄剤組成物用原液の全体に対して、６８～９０質量％であり、
上記疎水性の第三級アミン化合物は、その含有割合が上記洗浄剤組成物用原液の全体に対して、８～２４質量％であり、
上記ホスホン酸化合物は、その含有割合が上記洗浄剤組成物用原液の全体に対して、２～８質量％であり、
洗浄対象物を洗浄する際に、水で１．２５～２０倍に希釈して用いられる、洗浄剤組成物用原液。

（式（１）中、Ｒ^１は、炭素数８～２２の鎖状の炭化水素基を示し、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立にメチル基、エチル基又はプロピル基を示す。）

本発明によれば、狭い隙間での洗浄性に優れ、かつ金属及び樹脂に対する反応性が抑制された洗浄剤組成物及び洗浄剤組成物用原液を提供することが可能になる。

図１は、従来の洗浄剤組成物を用いた場合における、狭い隙間での洗浄のメカニズムを説明する模式図である。 図２は、本実施形態に係る洗浄剤組成物を用いた場合における、狭い隙間での洗浄のメカニズムを説明する模式図である。

以下、本発明の一実施形態（以下「本実施形態」と記す。）について説明する。ただし、本実施形態はこれに限定されるものではない。本明細書において「Ｘ～Ｙ」という形式の表記は、範囲の上限下限（すなわちＸ以上Ｙ以下）を意味する。Ｘにおいて単位の記載がなく、Ｙにおいてのみ単位が記載されている場合、Ｘの単位とＹの単位とは同じである。

≪洗浄剤組成物≫
本実施形態に係る洗浄剤組成物は、親水性のグリコールエーテル化合物と、疎水性の第三級アミン化合物と、ホスホン酸化合物と、水とを含む洗浄剤組成物であって、
上記疎水性の第三級アミン化合物は、式（１）で表される化合物であり、
上記洗浄剤組成物は、１０～７０℃の温度範囲において外観上均一である。

（式（１）中、Ｒ^１は、炭素数８～２２の鎖状の炭化水素基を示し、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立にメチル基、エチル基又はプロピル基を示す。）

上記洗浄剤組成物は、上述の構成を備えることで、狭い隙間での洗浄性に優れ、かつ金属及び樹脂に対する反応性が抑制されたものとなる。ここで、「金属及び樹脂に対する反応性」とは、金属に対する腐食性（金属腐食性）及び樹脂に対する溶解性（樹脂溶解性）を意味する。

本実施形態において「狭い隙間」とは、当該隙間を形成する物質間の距離が１００μｍ以下である空間を意味する。例えば、狭い隙間としては、基板と上記基板に接続される部品との間に形成される隙間であって、両者の距離が１０～１００μｍである隙間が挙げられる。「狭い隙間での洗浄性」とは、狭い隙間における上記洗浄剤組成物の洗浄性を意味する。

上記洗浄剤組成物は、洗浄対象物の表面又は隙間に付着した汚れ（例えば、フラックス残渣（ロジン系フラックス、水溶性フラックス等）を除去するために用いられる。上記洗浄対象物の材料としては、通常用いられる材料であればどのようなものであってもよい。上記材料としては、例えば、鉄、ＳＵＳ、銅及びアルミニウム等の金属、シリカ及びアルミナ等の無機物、並びに、ポリアミド（ナイロン）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリイミド、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合樹脂（ＡＢＳ樹脂）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、アセタール樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）及びエポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。

＜親水性のグリコールエーテル化合物＞
上記洗浄物組成物は、親水性のグリコールエーテル化合物を含む。本実施形態において「グリコールエーテル化合物」とは、二価アルコールのエーテル化合物を意味する。本実施形態において、「親水性」とは、対象の化合物に対する水の溶解度が５０質量％を超える性質を意味する。ちなみに「疎水性」とは、対象の化合物に対する水の溶解度が５０質量％以下である性質を意味する。上記親水性のグリコールエーテル化合物は、公知の出発物質から公知の方法によって合成してもよい。上記親水性のグリコールエーテル化合物は、市販品をそのまま用いてもよい。

本実施形態において、上記親水性のグリコールエーテル化合物は、式（２）で表される化合物又は式（３）で表される化合物であることが好ましい。

上記式（２）中、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は、それぞれ独立に水素原子、メチル基、又はエチル基を示す。Ｒ^８は、炭素数１～１１の鎖状又は環状の炭化水素基を示す。上記炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－に置き換わっていてもよい。上記炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－が－Ｏ－に置き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を当該炭化水素基の炭素数とする。

本実施形態の一側面において、Ｒ^５は水素原子であることが好ましい。すなわち、上記親水性のグリコールエーテル化合物は、式（４）で表される化合物であることが好ましい。

Ｒ^８における鎖状の炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよいし、不飽和炭化水素基であってもよい。当該炭化水素基は、直鎖状の炭化水素基であってもよいし、分岐鎖状の炭化水素基であってもよい。Ｒ^８における鎖状の炭化水素基は、炭素数が４～６であることが好ましい。Ｒ^８における鎖状の炭化水素基は、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ヘキシル基、２－エチルヘキシル基、メトキシエチル基等が挙げられる。

Ｒ^８における環状の炭化水素基は、飽和の脂環式炭化水素基であってもよいし、不飽和の脂環式炭化水素基であってもよいし、芳香族炭化水素基であってもよい。Ｒ^８における環状の炭化水素基は、炭素数が６～９であることが好ましい。Ｒ^８における環状の炭化水素基は、例えば、フェニル基、ベンジル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。

式（３）中、Ｒ^９及びＲ^１０は、それぞれ独立に水素原子又はメトキシ基を示す。Ｒ^１１は水素原子又はメチル基を示す。本実施形態の一側面において、Ｒ^９及びＲ^１０のいずれか一方は、メトキシ基であることが好ましい。本実施形態の一側面において、Ｒ^９は水素原子であり、Ｒ^１０はメチル基であり、Ｒ^１１はメトキシ基であることが好ましい。本実施形態の他の一側面において、Ｒ^９はメトキシ基であり、Ｒ^１０及びＲ^１１は水素原子であることが好ましい。本実施形態の別の他の側面において、Ｒ^９は水素原子であり、Ｒ^１０はメトキシ基であり、Ｒ^１１は水素原子であることが好ましい。

上記親水性のグリコールエーテル化合物は、エチレングリコールモノメチルエーテル（ＭＧ）、エチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＣ）、エチレングリコールモノアリルエーテル（ＡＧ）、プロピレングリコールモノプロピルエーテル（ＰＦＧ）、エチレングリコールモノイソブチルエーテル（ｉＢＧ）、エチレングリコールモノプロピルエーテル（ＰＣ）、エチレングリコールモノ－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル（ＥＴＢ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＭＦＧ）、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＭＦＤＧ）、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＭＦＴＧ）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル（ＭＤＧ）、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＤＧ）、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル（ｉＢＤＧ）、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル（ｉＰＤＧ）、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル（ＢｚＤＧ）、エチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＧ）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル（ＭＥＤＧ）、ジエチレングリコールジエチルエーテル（ＤＥＤＧ）、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル（ＩＰＤＭ）、トリエチレングリコールモノメチルエーテル（ＭＴＧ）、トリエチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＴＧ）、トリエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（ＨｅＤＧ）、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル（ｉＰＧ）、２－メトキシブタノール（２ＭＢ）、３－メトキシブタノール（３ＭＢ）及び３－メトキシ－３－メチルブタノール（ＭＭＢ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含むことが好ましい。上記親水性のグリコールエーテル化合物は、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノアリルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノ－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、２－メトキシブタノール、３－メトキシブタノール又は３－メトキシ－３－メチルブタノールを含むことがより好ましい。上述した親水性のグリコールエーテル化合物の構造式を以下に示す。

上記親水性のグリコールエーテル化合物は、その含有割合が上記洗浄剤組成物の全体に対して、４～７４質量％であることが好ましく、５～７０質量％であることがより好ましく、１０～６５質量％であることが更に好ましい。このようにすることで、フラックス残渣に対する洗浄性が更に優れる洗浄剤組成物となる。上記親水性のグリコールエーテル化合物は、ガスクロマトグラフィーによる分析で求めることができる。ガスクロマトグラフィーによる分析の条件は以下の通りである。
装置：ガスクトマログラフ ＧＣ－１４Ｂ（株式会社島津製作所製）
検出器：熱伝導度型検出器（ＴＣＤ）
カラム：Ｔｈｅｒｍｏｎ－３０００（信和化工株式会社製）
気化室温度：１６０℃
検出器温度：１６０℃

＜疎水性の第三級アミン化合物＞
上記洗浄物組成物は、疎水性の第三級アミン化合物を含む。ここで「第三級アミン化合物」とは、アンモニアの３つの水素原子が炭化水素基で置換された化合物を意味する。本実施形態において「疎水性の第三級アミン化合物」は、後述するホスホン酸化合物との塩の形態も含むものである。すなわち、上記疎水性の第三級アミン化合物の一部又は全部と、後述するホスホン酸化合物の一部又は全部とは、塩を形成していてもよい。上記疎水性の第三級アミン化合物は、後述するホスホン酸化合物と塩を形成し、一種の水溶性カチオン界面活性剤の役割を果たし、微細なミセルを形成していると本発明者らは考えている。本実施形態において、「疎水性」とは、対象の化合物に対する水の溶解度が５０質量％以下である性質を意味する。上記疎水性の第三級アミン化合物は、公知の出発物質から公知の方法によって合成してもよい。上記疎水性の第三級アミン化合物は、市販品をそのまま用いてもよい。

本実施形態において、上記疎水性の第三級アミン化合物は、式（１）で表される化合物である。

上記式（１）中、Ｒ^１は、炭素数８～２２の鎖状の炭化水素基を示し、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立にメチル基、エチル基又はプロピル基を示す。

Ｒ^１における鎖状の炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよいし、不飽和炭化水素基であってもよい。当該炭化水素基は、直鎖状の炭化水素基であってもよいし、分岐鎖状の炭化水素基であってもよい。Ｒ^１における鎖状の炭化水素基は、炭素数が８～２０である直鎖状の炭化水素基であることが好ましく、炭素数が１０～１８である直鎖状の炭化水素基であることがより好ましい。

Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立にメチル基又はエチル基であることが好ましく、共にメチル基であることがより好ましい。また、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３の炭素数の和は、１０～３０であることが好ましく、１２～２８であることがより好ましく、１２～２４であることが更に好ましい。

上記疎水性の第三級アミン化合物は、Ｎ，Ｎ’－ジメチルステアリルアミン（ＤＭＳＡ）、Ｎ，Ｎ’－ジメチルパルミチルアミン（ＤＭＰＡ）、Ｎ，Ｎ’－ジメチルミリスチルアミン（ＤＭＭＡ）、Ｎ，Ｎ’－ジメチルラウリルアミン（ＤＭＬＡ）、Ｎ，Ｎ’－ジメチルデシルアミン（ＤＭＤＡ）、Ｎ，Ｎ’－ジメチルオクチルアミン（ＤＭＯＡ）、及びＮ，Ｎ’－ジメチルドコシルアミン（ＤＭＤｏＡ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含むことが好ましい。上記疎水性の第三級アミン化合物は、Ｎ，Ｎ’－ジメチルステアリルアミン、又はＮ，Ｎ’－ジメチルパルミチルアミンを含むことが好ましい。上述した疎水性の第三級アミン化合物の構造式を以下に示す。

上記疎水性の第三級アミン化合物は、その含有割合が上記洗浄剤組成物の全体に対して、０．８～１６質量％であることが好ましく、１～１５質量％であることがより好ましく、２～１３質量％であることが更に好ましい。このようにすることで、フラックス残渣に対する洗浄性に優れる洗浄剤組成物となる。上記疎水性の第三級アミン化合物は、ガスクロマトグラフィーによる分析で求めることができる。ガスクロマトグラフィーによる分析の条件は上述の条件が用いられる。本実施形態の一側面において、上記疎水性の第三級アミン化合物が上述のガスクロマトグラフィーによる分析で検出されない場合は、電位差滴定法による分析で求めることができる。電位差滴定法による分析の条件は以下の通りである。
装置：電位差自動滴定装置 Ｍｏｄｅｌ ＡＴ－７１０Ｍ（京都電子工業株式会社）
測定温度：２０℃

＜ホスホン酸化合物＞
上記洗浄物組成物は、ホスホン酸化合物を含む。上記ホスホン酸化合物は、親水性のホスホン酸化合物であってもよいし、疎水性のホスホン酸化合物であってもよい。本実施形態において「親水性」とは、対象の化合物に対する水の溶解度が５０質量％を超える性質を意味する。「疎水性」とは、対象の化合物に対する水の溶解度が５０質量％以下である性質を意味する。また「ホスホン酸化合物」とは、－Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２で示される官能基を有する有機化合物又は無機化合物を意味する。上記ホスホン酸化合物のうち、有機化合物であるものを「有機ホスホン酸」と表記する場合がある。また、上記ホスホン酸化合物のうち、無機化合物であるものを「無機ホスホン酸」と表記する場合がある。本実施形態において「ホスホン酸化合物」は、上記疎水性の第三級アミン化合物との塩の形態も含むものである。すなわち、上記疎水性の第三級アミン化合物の一部又は全部と、上記ホスホン酸化合物の一部又は全部とは、塩を形成していてもよい。上記ホスホン酸化合物は、公知の出発物質から公知の方法によって合成してもよい。上記ホスホン酸化合物は、市販品をそのまま用いてもよい。

本実施形態において、上記ホスホン酸化合物は、－Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２で示される官能基を１～４個有することが好ましく、２～４個有することがより好ましい。また、上記ホスホン酸化合物は、本発明の効果が奏される限り、他の官能基を有していてもよい。上記「他の官能基」としては、例えば、アミノ基、カルボキシル基等が挙げられる。

上記ホスホン酸化合物は、アレンドロン酸（ＡＡ）、３－ホスホノプロピオン酸（ＰＰＡ）、Ｌ－Ｏ－ホスホセリン（ＬＯＰ）、２－ホスホノブタン－１，２，４－トリカルボン酸（ＰＢＴＣ）、１－ヒドロキシエタン－１，１－ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、グリシン－Ｎ，Ｎ－ビス（メチレンホスホン酸）（ＧＢＭＰ）、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）（ＮＴＭＰ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）（ＥＤＴＭＰ）及びピロリン酸（ＰＡ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含むことが好ましい。本実施形態の一側面において、上記ホスホン酸化合物は有機ホスホン酸であり、上記有機ホスホン酸は、２－ホスホノブタン－１，２，４－トリカルボン酸、１－ヒドロキシエタン－１，１－ジホスホン酸及びニトリロトリス（メチレンホスホン酸）からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含むことが好ましい。これらの有機ホスホン酸は常温・常圧において液体状態である。そのため、洗浄後の洗浄対象物、上記洗浄剤組成物が加えられた洗浄槽及びその蓋、並びに上記洗浄剤組成物で洗浄を行った場所の周辺等に、当該有機ホスホン酸が残っていたとしても固体として析出することなく、拭き取り除去作業が容易に行える。上述したホスホン酸化合物の構造式を以下に示す。

本実施形態の一側面において、上記有機ホスホン酸は、１－ヒドロキシエチリデン１，１－ジホスホン酸、メチレンジホスホン酸、１，２－エチレンジホスホン酸、１，３－プロピレンジホスホン酸、１，４－ブチレンジホスホン酸、１，５－ペンチレンジホスホン酸、又は１，６－ヘキシレンジホスホン酸であってもよい。

上記ホスホン酸化合物は、その含有割合が上記洗浄剤組成物の全体に対して、０．２～４質量％であることが好ましく、０．３～３．５質量％であることがより好ましく、０．５～２質量％であることが更に好ましい。このようにすることで、フラックス残渣に対する洗浄性に優れる洗浄剤組成物となる。上記ホスホン酸化合物は、電位差滴定法による分析で求めることができる。電位差滴定法による分析の条件は以下の通りである。
装置：電位差自動滴定装置 Ｍｏｄｅｌ ＡＴ－７１０Ｍ（京都電子工業株式会社）
測定温度：２０℃

本実施形態において、上記疎水性の第三級アミン化合物に対する上記ホスホン酸化合物のモル比は、１：０．１～１：１．２であることが好ましく、１：０．１～１：１であることがより好ましい。

＜水＞
上記洗浄剤組成物は、水を含む。上記水は、各種工業製品の原料として用いられる水、水道水等であれば特に制限はない。上記水は、蒸留水であってもよいし、イオン交換水であってもよい。本実施形態の一側面において、上記水は、その電気伝導率が１～３００μＳ／ｃｍであってもよいし、１～１００μＳ／ｃｍであってもよい。

上記水は、その含有割合が上記洗浄剤組成物の全量に対して２５～９５質量％であることが好ましく、３０～９０質量％であることがより好ましく、４０～８５質量％であることが更に好ましい。このようにすることで、作業安全性及び環境安全性に優れる洗浄剤組成物となる。上記水の含有割合は、カールフィッシャー水分計による分析で求めることができる。カールフィッシャー水分計による分析の条件は以下の通りである。
カールフィッシャー水分計の分析条件
装置：カールフィッシャー水分計 ＭＫＳ－５００（京都電子工業株式会社製）
測定方法：容量滴定法
測定温度：２０℃

＜疎水性溶剤＞
本実施形態に係る洗浄剤組成物は、本発明の効果が奏される限り、疎水性溶剤を更に含んでいてもよい。本実施形態の一側面において、上記疎水性溶剤は、疎水性のグリコールエーテル化合物を含んでいてもよい。上記疎水性溶剤は、公知の出発物質から公知の方法によって合成してもよい。上記疎水性溶剤は、市販品をそのまま用いてもよい。

上記疎水性溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノブチルエーテル（ＢＦＧ）、ベンジルアルコール（ＢｚＡｌ）、ジメチルプロピレンジグリコール（ＤＭＦＤＧ）、エチレングリコールモノベンジルエーテル（ＢｚＧ）、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル（ＢＦＤＧ）、ジエチレングリコールジブチルエーテル（ＤＢＤＧ）、フェニルグリコール（ＰｈＧ）、フェニルジグリコール（ＰｈＤＧ）、フェニルプロピレングリコール（ＰｈＦＧ）、ヘキシルグリコール（ＨｅＧ）、２－エチルヘキシルグリコール（ＥＨＧ）、２－エチルヘキシルジグリコール（ＥＨＤＧ）、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル（ＰＦＤＧ）、ジエチレングリコールメチルイソプロピルエーテル（ｉＰＤＧＭｅ）、ジエチレングリコールエチルイソプロピルエーテル（ｉＰＤＧＥｔ）、ジエチレングリコールエチルブチルエーテル（ＢＤＧＥｔ）、トリエチレングリコールエチルブチルエーテル（ＢＴＧＥｔ）等が挙げられる。

＜親水性のアミン化合物＞
本実施形態の一側面において、上記洗浄剤組成物は、親水性のアミン化合物の含有割合が上記洗浄剤組成物の全量に対して０質量％を超えて０．１質量％未満であることが好ましい。親水性のアミン化合物の含有割合を上述の範囲にすることによって、洗浄対象物における金属への変色及び腐食等の影響を低減することが可能になる。本実施形態の一側面において、上記洗浄剤組成物は、上記親水性のアミン化合物を含まないことがより好ましい。

本実施形態において上記親水性のアミン化合物としては、２－（エチルアミノ）エタノール（ＭＥＭ）、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－Ｎ－シクロヘキシルアミン（ＣＨＥ－２０）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－１，６－ジアミノヘキサン（ＴＭＨＤＡ）、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）等が挙げられる。すなわち、上記洗浄剤組成物は、ＭＥＭ、ＣＨＥ－２０、ＴＭＨＤＡ、ＭＥＡ、ＤＥＡ及びＴＥＡを含まないことが好ましい。
本実施形態の一側面において、上記洗浄剤組成物は、ＭＥＭ、ＣＨＥ－２０、ＴＭＨＤＡ、ＭＥＡ、ＤＥＡ及びＴＥＡからなる群より選ばれる少なくとも一種の親水性のアミン化合物を含まないことが好ましい。

＜親水性のカルボン酸＞
上記洗浄物組成物は、本発明の効果が奏される限り、親水性のカルボン酸を更に含んでいてもよい。本実施形態において「親水性」とは、対象の化合物に対する水の溶解度が５０質量％を超える性質を意味する。また「カルボン酸」とは、カルボキシル基を有する有機化合物を意味する。本実施形態において「親水性のカルボン酸」は、上記疎水性の第三級アミン化合物との塩の形態も含むものである。すなわち、上記疎水性の第三級アミン化合物の一部又は全部と、上記親水性のカルボン酸の一部又は全部とは、塩を形成していてもよい。上記親水性のカルボン酸は、公知の出発物質から公知の方法によって合成してもよい。上記親水性のカルボン酸は、市販品をそのまま用いてもよい。

本実施形態において、上記親水性のカルボン酸は、式（５）で表される化合物であることが好ましい。式（５）中、Ｒ^４は、水素原子又は－ＣＨ_２ＣＯＯＨを示し、Ｒ^１２は、水素原子、－ＯＨ又は－ＣＨ_２ＣＯＯＨを示す。

上記親水性のカルボン酸は、ヒドロキシカルボン酸であることが好ましく、クエン酸、リンゴ酸、イソクエン酸及び酒石酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含むことがより好ましい。上記親水性のカルボン酸は、クエン酸、又はリンゴ酸を含むことが更に好ましい。上述した親水性のカルボン酸の構造式を以下に示す。

上記親水性のカルボン酸は、その含有割合が上記洗浄剤組成物の全体に対して、０．２～４質量％であることが好ましく、０．３～３．５質量％であることがより好ましく、０．５～３質量％であることが更に好ましい。このようにすることで、フラックス残渣に対する洗浄性に優れる洗浄剤組成物となる。上記親水性のカルボン酸は、電位差滴定法による分析で求めることができる。電位差滴定法による分析の条件は以下の通りである。
装置：電位差自動滴定装置 Ｍｏｄｅｌ ＡＴ－７１０Ｍ（京都電子工業株式会社）
測定温度：２０℃

本実施形態において、上記疎水性の第三級アミン化合物に対する上記親水性のカルボン酸のモル比は、１：０．１～１：１．２であることが好ましく、１：０．１～１：１であることがより好ましい。

＜その他の成分＞
本実施形態に係る洗浄剤組成物は、本発明の効果が奏される限り、その他の成分が更に含まれていてもよい。上記その他の成分としては、例えば、界面活性剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、キレート剤、増粘剤、湿潤剤、蒸発遅延剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、顔料、香料及び防腐剤等が挙げられる。

＜洗浄剤組成物の特性＞
本実施形態の一側面において、上記洗浄剤組成物は、１０～７０℃の温度範囲において外観上均一である。ここで「外観上均一である」とは、静置時に上記洗浄剤組成物が外観上２層以上に分離しないことを意味する。「静置時」とは、上記洗浄剤組成物が、重力以外の外力を受けていない状態を４時間維持した時を意味する。より具体的には、上記「静置時」は上記洗浄剤組成物が、振動、回転及び撹拌されていない状態を４時間維持した時と把握することもできる。本実施形態の一側面において、上記洗浄剤組成物は、１０℃未満の温度において、外観上均一であってもよいし、外観上２層以上に分離していてもよい。上記洗浄剤組成物は、７０℃を超える温度において、外観上均一であってもよいし、外観上２層以上に分離していてもよい。

従来の洗浄剤組成物は、疎水性成分（疎水性の第三級アミン化合物等）と親水性成分（親水性のカルボン酸等）とを含む場合、疎水性成分を含む油相と親水性成分を含む水相とに分かれ、洗浄対象物を洗浄する温度で静置すると２層に分離する場合があった。このような従来の洗浄剤組成物で狭い隙間にあるフラックス残渣を除去しようとすると、まず上記洗浄剤組成物が撹拌されることで上記油相（油滴）と上記水相が上記狭い隙間に侵入する。しかし、当該隙間の深部では撹拌による力が低下し油相同士が集合して比較的大きな油滴（１μｍ以上）を形成する（図１）。このような比較的大きな油滴は、バルクに存在する油滴に比べて表面積が小さくなるため、フラックス残渣との接触面積が小さくなり結果として洗浄性が低下する傾向がある。

一方、本実施形態に係る洗浄剤組成物では、上記疎水性の第三級アミン化合物及び上記ホスホン酸化合物を含むことで、ミセル構造を形成すると本発明者らは考えている。また、上記ミセル構造における中心部分に油相が集合することでサイズが１０ｎｍ以下の油滴（ナノエマルション）を形成していると本発明者らは考えている。このナノエマルションは、上述の狭い隙間に侵入しても互いに集合することがなく、バルクに存在する場合と同程度の洗浄性を発揮することができる（図２）。このように本実施形態に係る洗浄剤組成物では、油相はナノエマルションとして存在しているため、外観上均一に見えていると本発明者らは考えている。本実施形態の一側面において、上記洗浄剤組成物は、「油相と水相とが渾然一体となっている均一な相」を形成していないと考えられる。

≪洗浄剤組成物用原液≫
本実施形態に係る洗浄剤組成物用原液は、親水性のグリコールエーテル化合物と、疎水性の第三級アミン化合物と、ホスホン酸化合物とを含む洗浄剤組成物用原液であって、
上記疎水性の第三級アミン化合物は、上記式（１）で表される化合物であり、
上記親水性のグリコールエーテル化合物は、その含有割合が上記洗浄剤組成物用原液の全体に対して、６８～９０質量％であり、
上記疎水性の第三級アミン化合物は、その含有割合が上記洗浄剤組成物用原液の全体に対して、８～２４質量％であり、
上記ホスホン酸化合物は、その含有割合が上記洗浄剤組成物用原液の全体に対して、２～８質量％であり、
洗浄対象物を洗浄する際に、水で１．２５～２０倍に希釈して用いられる。上記洗浄剤組成物用原液を上述の倍率（体積比率）で希釈することで、上記洗浄剤組成物を得ることができる。

≪洗浄剤組成物の製造方法≫
本実施形態に係る洗浄剤組成物の製造方法は、上記親水性のグリコールエーテル化合物と、上記疎水性の第三級アミン化合物と、上記ホスホン酸化合物と、上記水とを準備する工程と、上記親水性のグリコールエーテル化合物と、上記疎水性の第三級アミン化合物と、上記ホスホン酸化合物とを上記水に添加する工程を含む。当該添加する工程は、どのような手法を用いてもよい。添加する工程としては、例えば、フラスコに上記親水性のグリコールエーテル化合物、上記疎水性の第三級アミン化合物、上記ホスホン酸化合物及び上記水を加えること、及び化学プラント等において、工業的規模で上記親水性のグリコールエーテル化合物、上記疎水性の第三級アミン化合物、上記ホスホン酸化合物及び上記水を加えること等が挙げられる。

≪洗浄対象物の洗浄方法≫
本実施形態に係る洗浄対象物の洗浄方法は、
洗浄対象物の洗浄方法であって、上記洗浄剤組成物を上記洗浄対象物の表面又は隙間に接触させることを含む。

上記洗浄剤組成物を上記洗浄対象物の表面又は隙間に接触させる方法は特に制限されない。当該方法は、例えば、浸漬、塗布、及びスプレー又はシャワーによる噴霧などの方法によって、大気中、減圧下、または加圧下で常温下又は加熱下で接触させることが挙げられる。浸漬によって上記洗浄剤組成物を上記洗浄対象物の表面又は隙間に接触させる場合、必要に応じて、撹拌処理、超音波処理、バブリング処理、揺動等の操作を行ってもよい。当該方法は、加温した上記洗浄剤組成物が投入された洗浄剤槽に、上記洗浄対象物を浸漬して、洗浄することが好ましい。浸漬する時間は、１分間～６０分間であることが好ましい。

本実施形態の一側面において、上記洗浄対象物の隙間を洗浄する場合、撹拌されている上記洗浄剤組成物に上記洗浄対象物を浸漬することが好ましい。この場合、シャワー洗浄及び超音波洗浄のときと比較して、洗浄対象物への負荷が低減される傾向がある。

本実施形態の洗浄対象物の洗浄方法は、上記洗浄剤組成物の温度を２０～７０℃とすることが好ましく、３０～６０℃とすることがより好ましく、４０～５０℃とすることが更に好ましい。

その後、水、含水アルコール、又は含水グリコールエーテルによるリンスを行って、乾燥で洗浄剤組成物を、上記洗浄対象物から除去すればよい。

本実施形態に係る洗浄剤組成物は、フラックス残渣を除去するために好適に用いることができる。すなわち、上記洗浄剤組成物は、フラックス洗浄用であることが好ましい。

以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

≪原料≫
本実施例において使用した原料となる化合物の名称等を以下に示す。
（親水性溶剤：親水性のグリコールエーテル化合物等）
テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ） ：富士フイルム和光純薬株式会社製
ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＤＧ） ：日本乳化剤株式会社製
エチレングリコールモノプロピルエーテル（ＰＣ） ：ダウ・ケミカル日本株式会社製
（疎水性溶剤）
プロピレングリコールモノブチルエーテル（ＢＦＧ） ：日本乳化剤株式会社製
（疎水性のアミン化合物）
Ｎ，Ｎ’－ジメチルステアリルアミン（ＤＭＳＡ） ：富士フイルム和光純薬株式会社製
Ｎ，Ｎ’－ジメチルパルミチルアミン（ＤＭＰＡ） ：富士フイルム和光純薬株式会社製
（親水性のアミン化合物）
ジイソプロパノールアミン（ＤＩＰＡ） ：富士フイルム和光純薬株式会社製
（疎水性の有機ホスホン酸）
アレンドロン酸（ＡＡ） ：東京化成工業株式会社製
（無機ホスホン酸）
ピロリン酸（ＰＡ）：富士フイルム和光純薬株式会社製
（親水性の有機ホスホン酸）
２－ホスホノブタン－１，２，４－トリカルボン酸（ＰＢＴＣ） ：キレスト株式会社製 商品名：ＰＨ－４３０
１－ヒドロキシエタン－１，１－ジホスホン酸（ＨＥＤＰ） ：キレスト株式会社製 商品名：ＰＨ－２１０
グリシン－Ｎ，Ｎ－ビス（メチレンホスホン酸）（ＧＢＭＰ） ：東京化成工業株式会社製
ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）（ＮＴＭＰ） ：キレスト株式会社製 商品名：ＰＨ－３２０
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）（ＥＤＴＭＰ） ：キレスト株式会社製 商品名：ＰＨ－５４０
（親水性のスルホン酸）
１，２－エタンジスルホン酸二水和物（ＥＤＳ） ：東京化成工業株式会社製

≪実験１：疎水性の第三級アミン化合物及びホスホン酸化合物の検討≫
＜洗浄剤組成物の作製＞
まず、表１－１、１－２及び表２に示される配合組成に基づいて試料番号１～試料番号１４及び試料番号１０１～試料番号１０４の洗浄剤組成物を作製した。表１－１、１－２及び表２の「配合組成」において「－」で示されている成分は、当該試料において加えなかったことを意味する。

＜洗浄剤組成物の性能評価＞
（金属に対する反応性評価）
（テストピースの準備）
金属に対する反応性（金属腐食性）の評価に用いるためのテストピースとして、アルミニウム板（Ａ１０５０ｐ、２０×５０×ｔ３ｍｍ）、及び銅板（２０×５０×ｔ０．５ｍｍ）を準備した。

（金属腐食性の評価試験）
以下の手順で、試料番号１～試料番号１４及び試料番号１０１～試料番号１０４における洗浄剤組成物の金属腐食性を評価した。まず、ビーカー（５００ｍｌ）に上記洗浄剤組成物を４００ｍｌ加えて、６０℃になるまで加温した。次に加温された洗浄剤組成物を７５０ｒｐｍで撹拌した。撹拌した状態を維持しながら上記洗浄剤組成物にテストピースを浸漬した。テストピースを上記洗浄剤組成物に浸漬してから１０分毎に上記テストピースを取り出し、水洗、送風乾燥後、目視によって上記テストピースの表面における色調の変化を観察した。当該表面の色調が変化（例えば、黒変、白化等）していた場合、テストピースが腐食したと判定した。テストピースの腐食が認められるまでの浸漬時間に応じて以下の基準で評価を行った。評価結果を表１－１、１－２及び表２に示す。
評価ランクの基準
Ｓランク ：６０分間浸漬後にテストピースの表面における色調変化が認められない。
Ａランク ：４０分間浸漬後にテストピースの表面における色調変化が見られないが、６０分浸漬後に当該色調変化が認められる。
Ｂランク ：２０分間浸漬後にテストピースの表面における色調変化が見られないが、４０分浸漬後に当該色調変化が認められる。
Ｃランク ：１０分間浸漬後にテストピースの表面における色調変化が見られないが、２０分浸漬後に当該色調変化が認められる。
Ｄランク ：１０分後にテストピースの表面における色調変化が認められた。

（樹脂に対する反応性評価）
（テストピースの準備）
樹脂に対する反応性（樹脂溶解性）の評価に用いるためのテストピースとして、ポリプロピレン製（ＰＰ製）の樹脂板（２０×５０×ｔ２ｍｍ）及びポリエチレン製（ＰＥ製）の樹脂板（２０×５０×ｔ２ｍｍ）を準備した。

（樹脂溶解性の評価試験）
以下の手順で、試料番号１～試料番号１４及び試料番号１０１～試料番号１０４の洗浄剤組成物の樹脂溶解性を評価した。まず、ビーカー（５００ｍｌ）に上記洗浄剤組成物を４００ｍｌ加えて、６０℃になるまで加温した。次に加温された洗浄剤組成物を７５０ｒｐｍで撹拌した。撹拌した状態を維持しながら上記洗浄剤組成物にテストピースを浸漬した。テストピースを上記洗浄剤組成物に浸漬してから６０分後に上記テストピースを取り出し、水洗、送風乾燥後、当該テストピースの質量変化率及び体積変化率を以下の式で求めた。テストピースの体積は、ノギスでテストピースの縦、横及び厚みの寸法を計測して算出した。また、当該テストピースの外観を目視で観察した。求めた質量変化率及び体積変化率並びにテストピースの外観に応じて以下の基準で評価を行った。結果を表１－１、１－２及び表２に示す。
テストピースの質量変化率（％）＝１００×｛（洗浄剤組成物に浸漬してから６０分後のテストピースの質量）－（洗浄剤組成物に浸漬する前のテストピースの質量）｝／（洗浄剤組成物に浸漬する前のテストピースの質量）
テストピースの体積変化率（％）＝１００×｛（洗浄剤組成物に浸漬してから６０分後のテストピースの体積）－（洗浄剤組成物に浸漬する前のテストピースの体積）｝／（洗浄剤組成物に浸漬する前のテストピースの体積）
評価ランクの基準
Ｓランク ：質量変化率及び体積変化率が±１％以内
Ａランク ：質量変化率及び体積変化率が±１％を超えて±３％以内
Ｂランク ：質量変化率及び体積変化率が±３％を超えて±５％以内
Ｃランク ：質量変化率及び体積変化率が±５％を超えて±１０％以内
Ｄランク ：質量変化率及び体積変化率が±１０％を超える、又はクラック、溶解等の外観変化が生じた。

（ロジン系フラックス残渣の洗浄性の評価）
（テストピースの準備）
以下の手順で洗浄性を評価するためのテストピースを準備した。まず、ＪＩＳ２型くし形電極基板（株式会社サトーセン製）を用意した。上記くし形基板にメタルマスクをかぶせ、その上からソルダペースト（千住金属工業株式会社製、商品名Ｍ７０５－ＧＲＮ３６０－Ｋ２－Ｖ、千住金属工業株式会社製、商品名Ｍ７０５－ＧＬＶ又は千住金属工業株式会社製、商品名Ｍ７０５－ＵＬＴ３６９）を印刷した。その後、当該くし形電極基板を２５０℃で３分間ホットプレート上で静置することでリフローを行った。以上の手順で、ソルダペーストがそれぞれ異なる３種類のテストピースを作製した。

（洗浄性の評価試験）
以下の手順で、試料番号１～試料番号１４及び試料番号１０１～試料番号１０４の洗浄剤組成物の洗浄性を評価した。まず、ビーカー（５００ｍｌ）に上記洗浄剤組成物を４００ｍｌ加えて、５０℃になるまで加温した。次に加温された洗浄剤組成物を７５０ｒｐｍで撹拌した。撹拌した状態を維持しながら上記洗浄剤組成物にテストピースを浸漬した。テストピースを上記洗浄剤組成物に浸漬してから所定時間経過後に上記テストピースを取り出し、水洗及び乾燥を行った後、実体顕微鏡（倍率４０倍）を用いて表面観察し、フラックス残渣が完全に除去することが可能な時間を測定するとともに、以下の基準に照らして、洗浄性評価を行った。評価結果を表１－１、１－２及び表２に示す。
評価ランクの基準
Ｓランク ：洗浄時間が１０分未満である。
Ａランク ：洗浄時間が１０分以上２０分未満である。
Ｂランク ：洗浄時間が２０分以上３０分未満である。
Ｃランク ：洗浄時間が３０分以上６０分未満である。
Ｄランク ：洗浄時間が６０分以上である。

（洗浄剤組成物の外観評価）
試料番号１～試料番号１４及び試料番号１０１～試料番号１０４の洗浄剤組成物を２５℃又は５０℃で静置した。その後、各洗浄剤組成物の外観を観察した。評価結果を表１－１、１－２及び表２に示す。表中「均一」と表記されているものは、水相と有機相との界面が肉眼では確認できなかったこと、すなわち、外観上均一であったことを意味する。

（ｐＨの測定）
上記洗浄剤組成物２００ｇを３００ｍｌのビーカーに収容した後、上記洗浄剤組成物のｐＨを、ｐＨ計（Ｄｏｃｕ－ＰＨ ザルトリウス株式会社製）を用いて、測定温度２５℃の条件で測定した。結果を表１－１、１－２及び表２に示す。

表１の結果から、疎水性の第三級アミン化合物及びホスホン酸化合物を用いた洗浄剤組成物（試料番号１～１４）では、樹脂溶解性、金属腐食性、洗浄性に優れることが分かった。一方、ホスホン酸化合物の代わりに親水性のスルホン酸を用いた洗浄剤組成物（試料番号１０１）では、金属腐食性、洗浄性が共に不十分であった。また、疎水性の第三級アミン化合物の代わりに親水性のアミン化合物を用いた洗浄剤組成物（試料番号１０２～１０４）は、洗浄性が不十分であった。

≪実験２：狭ギャップの部品下の洗浄性評価≫
基板における部品下等の狭い隙間に存在するフラックス残渣に対する洗浄性について、以下の手順で評価を行った。

＜洗浄剤組成物の性能評価＞
「実験１」と同様の方法によって、洗浄性（表面及び部品下）、及び洗浄剤組成物の外観を評価した。結果を表１－１、１－２及び表２に示す。なお、部品下の洗浄性及びすすぎ性を評価するにあたっては、以下のテストピースを準備して用いた。

（部品下における洗浄性等を評価するためのテストピースの準備）
まず、ガラスエポキシ基板（１００×１００×ｔ２ｍｍ）を用意した。上記ガラスエポキシ基板にメタルマスクをかぶせ、その上からソルダペースト（千住金属工業株式会社社製、商品名Ｍ７０５－ＮＸＣ４００ＺＨ）を印刷した。部品としてＬＧＡ（８ｍｍ角）を上記ガラスエポキシ基板にはんだを介して搭載した。その後、当該ガラスエポキシ基板を２５０℃で３分間ホットプレート上で静置することでリフローを行った。以上の手順で、テストピースを作製した。テストピースにおける上記ガラスエポキシ基板と、ＬＧＡとの隙間は約３０μｍであった。

（洗浄性の評価試験）
上述のテストピースを用いたこと以外は「実験１」と同様の方法で、洗浄性の評価を行った。実験２では、テストピースの表面の他に、テストピースの部品下も実体顕微鏡で観察した。結果を表１－１、１－２及び表２に示す。

（すすぎ性の評価試験）
以下の手順で、試料番号１～試料番号１４及び試料番号１０１～試料番号１０４の洗浄剤組成物のすすぎ性を評価した。まず、各洗浄剤組成物で上記テストピースを５０℃で１０分間洗浄した。その後、イオン交換水を用い撹拌下で、上記テストピースを室温で１０分間×２回すすぎを行い、次いで１００℃で１０分間テストピースを乾燥させた。乾燥後のテストピースの部品下における洗浄剤組成物に由来する残留成分の有無を目視で確認した。当該テストピースの部品下に残留成分がない場合は、Ｓランクとした。また、当該テストピースの部品下に残留成分がある場合は、Ｄランクとした。結果を表１－１、１－２及び表２に示す。

表１－１、及び表１－２の結果から、試料番号１～１４の洗浄剤組成物は、部品下の洗浄性及びすすぎ性に優れていることが確認された（表１－１、表１－２）。一方で、試料番号１０１～１０４の洗浄剤組成物は、部品下の洗浄性は不十分であった（表２）。以上より、親水性のグリコールエーテル化合物と、所定の化学構造を有する疎水性の第三級アミン化合物と、ホスホン酸化合物と、水とを含む洗浄剤組成物は、狭い隙間での洗浄性に優れることが確認された。上記洗浄剤組成物は、上記疎水性の第三級アミン化合物及び上記ホスホン酸化合物を含むことで、サイズが１０ｎｍ以下の油滴（ナノエマルション）を形成していると考えられる。この油滴が、上記部品下の狭い隙間に侵入しても互いに集合することがなく、バルクに存在する場合と同程度の洗浄性を発揮することができる（図２）と考えられる。

以上のように本発明の実施形態及び実施例について説明を行なったが、上述の各実施形態及び各実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。

今回開示された実施の形態及び実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態及び実施例ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

Claims (3)

1. 親水性のグリコールエーテル化合物と、疎水性の第三級アミン化合物と、ホスホン酸化合物と、水とを含む洗浄剤組成物であって、
   前記親水性のグリコールエーテル化合物は、その含有割合が前記洗浄剤組成物の全体に対して、４～７４質量％であり、
   前記疎水性の第三級アミン化合物は、その含有割合が前記洗浄剤組成物の全体に対して、０．８～１６質量％であり、
   前記ホスホン酸化合物は、その含有割合が前記洗浄剤組成物の全体に対して、０．２～４質量％であり、
   前記水は、その含有割合が前記洗浄剤組成物の全体に対して、２５～９５質量％であり、
   前記疎水性の第三級アミン化合物は、Ｎ，Ｎ’－ジメチルステアリルアミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルパルミチルアミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルミリスチルアミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルラウリルアミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルデシルアミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルオクチルアミン、及びＮ，Ｎ’－ジメチルドコシルアミンからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含み、
   前記ホスホン酸化合物は、アレンドロン酸、２－ホスホノブタン－１，２，４－トリカルボン酸、１－ヒドロキシエタン－１，１－ジホスホン酸、グリシン－Ｎ，Ｎ－ビス（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）及びピロリン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含み、
   前記親水性のグリコールエーテル化合物は、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノアリルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノ－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、２－メトキシブタノール、３－メトキシブタノール及び３－メトキシ－３－メチルブタノールからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含み、
   前記洗浄剤組成物は、液体であり、
   前記洗浄剤組成物は、フラックス洗浄用であり、
   前記洗浄剤組成物は、１０～７０℃の温度範囲において外観上均一であり、
   前記親水性は、対象の化合物に対する水の溶解度が５０質量％を超える性質を意味し、
   前記疎水性は、対象の化合物に対する水の溶解度が５０質量％以下である性質を意味し、
   前記外観上均一は、静置時に前記洗浄剤組成物が外観上２層以上に分離しないことを意味する、洗浄剤組成物。
2. 親水性のアミン化合物の含有割合が前記洗浄剤組成物の全量に対して０質量％を超えて０．１質量％未満である、請求項１に記載の洗浄剤組成物。
3. 親水性のグリコールエーテル化合物と、疎水性の第三級アミン化合物と、ホスホン酸化合物とを含む、フラックス洗浄用洗浄剤組成物用原液であって、
   前記疎水性の第三級アミン化合物は、Ｎ，Ｎ’－ジメチルステアリルアミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルパルミチルアミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルミリスチルアミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルラウリルアミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルデシルアミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルオクチルアミン、及びＮ，Ｎ’－ジメチルドコシルアミンからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含み、
   前記ホスホン酸化合物は、アレンドロン酸、２－ホスホノブタン－１，２，４－トリカルボン酸、１－ヒドロキシエタン－１，１－ジホスホン酸、グリシン－Ｎ，Ｎ－ビス（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）及びピロリン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含み、
   前記親水性のグリコールエーテル化合物は、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノアリルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノ－ｔｅｒｔ－ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、２－メトキシブタノール、３－メトキシブタノール及び３－メトキシ－３－メチルブタノールからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含み、
   前記親水性は、対象の化合物に対する水の溶解度が５０質量％を超える性質を意味し、
   前記疎水性は、対象の化合物に対する水の溶解度が５０質量％以下である性質を意味し、
   前記親水性のグリコールエーテル化合物は、その含有割合が前記フラックス洗浄用洗浄剤組成物用原液の全体に対して、６８～９０質量％であり、
   前記疎水性の第三級アミン化合物は、その含有割合が前記フラックス洗浄用洗浄剤組成物用原液の全体に対して、８～２４質量％であり、
   前記ホスホン酸化合物は、その含有割合が前記フラックス洗浄用洗浄剤組成物用原液の全体に対して、２～８質量％であり、
   洗浄対象物を洗浄する際に、水で１．２５～２０倍に希釈して用いられる、洗浄剤組成物用原液。

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