JP7675522B2 - Thermosetting sheets and dicing die bond films - Google Patents
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Description
本発明は、熱硬化性シート及びダイシングダイボンドフィルムに関する。 The present invention relates to a thermosetting sheet and a dicing die bond film.
従来、半導体装置の製造において半導体素子を金属リードフレーム等の被着体に接着する方法(ダイボンディング法)として、熱硬化性シートを用いることが知られている(例えば、特許文献1)。
特許文献1には、熱硬化性シートとして、導電性粒子と熱硬化性樹脂とを含むものが開示されている。
2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, it has been known to use a thermosetting sheet as a method for bonding a semiconductor element to an adherend such as a metal lead frame (die bonding method) (see, for example, Patent Document 1).
Patent Document 1 discloses a thermosetting sheet that contains conductive particles and a thermosetting resin.
このような方法においては、例えば、半導体ウェハの一方面(回路形成面とは反対側の面)に熱硬化性シートが貼付された状態で、前記半導体ウェハ及び前記熱硬化性シートがダイシングされることにより、半導体素子が一方面に貼付された熱硬化性シートが複数得られる。
そして、半導体素子が一方面に貼付された熱硬化性シートは、他方面が金属リードフレーム等の被着体に所定温度(例えば、70℃)で仮着された後に、これよりも高い温度(例えば、200℃)で熱硬化されることにより前記被着体に接着される。すなわち、前記半導体素子は、前記熱硬化性シートを介在させた状態で前記被着体に接着される。
In such a method, for example, a thermosetting sheet is attached to one side of a semiconductor wafer (the side opposite to the circuit-forming surface), and the semiconductor wafer and the thermosetting sheet are diced to obtain a plurality of thermosetting sheets each having a semiconductor element attached to one side.
The thermosetting sheet having the semiconductor element attached to one side thereof is temporarily attached to an adherend such as a metal lead frame on the other side at a predetermined temperature (e.g., 70° C.), and then is thermally cured at a higher temperature (e.g., 200° C.) to be bonded to the adherend. In other words, the semiconductor element is bonded to the adherend with the thermosetting sheet interposed therebetween.
ところで、半導体素子が一方面に貼付された熱硬化性シートを前記被着体に接着した状態において、前記半導体素子が前記熱硬化性シートから剥離することがある。上記のような剥離が生じると、前記導電性粒子を介した電気伝導及び熱伝導が不十分になるため好ましくない。
そして、上記のような剥離は、前記半導体ウェハ及び前記熱硬化性シートをダイシングしているときに、より顕著に生じるようになる(前記熱硬化シートからの前記半導体素子の飛びがより顕著に生じるようになる)。
しかしながら、前記熱硬化性シートからの前記半導体素子の剥離を抑制することについては、未だ十分な検討がなされているとは言い難い。
However, when a thermosetting sheet having a semiconductor element attached to one side thereof is adhered to the adherend, the semiconductor element may peel off from the thermosetting sheet. If such peeling occurs, electrical conduction and thermal conduction via the conductive particles become insufficient, which is undesirable.
The above-described peeling occurs more significantly when the semiconductor wafer and the thermosetting sheet are diced (the semiconductor element is more likely to fly off the thermosetting sheet).
However, it cannot be said that sufficient research has been conducted yet on preventing the peeling of the semiconductor element from the thermosetting sheet.
また、半導体装置においてパワー半導体素子を用いる場合、パワー半導体素子は数MVA以上もの大電力で使用されるため、大きな発熱量が生じる。
そのため、上記のような熱硬化性シートをパワー半導体素子に用いる場合には、被着体に接着後の熱硬化性シート、すなわち、硬化後の熱硬化性シートは高い放熱性を有することが好ましい。
Furthermore, when a power semiconductor element is used in a semiconductor device, the power semiconductor element is used at a large power of several MVA or more, and generates a large amount of heat.
Therefore, when the above-mentioned thermosetting sheet is used for a power semiconductor element, it is preferable that the thermosetting sheet after being adhered to an adherend, that is, the thermosetting sheet after being cured, has high heat dissipation properties.
上記のような発熱の問題は、パワー半導体素子以外の半導体素子を用いた場合でも同様に生じるものの、硬化後の熱硬化性シートの放熱性を向上させることについても、未だ十分な検討がなされているとは言い難い。 The above-mentioned heat generation problem also occurs when using semiconductor elements other than power semiconductor elements, but it cannot be said that sufficient research has been done yet on improving the heat dissipation properties of the thermosetting sheet after curing.
そこで、本発明は、半導体素子の剥離を比較的抑制することができ、かつ、硬化後の放熱性が比較的高い熱硬化性シート、及び、該熱硬化性シートを備えるダイシングダイボンドフィルムを提供することを課題とする。 The present invention aims to provide a thermosetting sheet that can relatively suppress peeling of semiconductor elements and has relatively high heat dissipation properties after curing, and a dicing die bond film that includes the thermosetting sheet.
本発明者らが鋭意検討したところ、熱硬化性シートを、熱硬化性樹脂と、熱可塑性樹脂と、導電性粒子とを含むものとした上で、前記導電性粒子を、平均粒子径D50が0.01μm以上10μm以下、かつ、断面における円形度が0.7以上である銀粒子を含むものとし、さらに、熱硬化性シートを、100℃における粘度が20kPa・s以上3000kPa・s以下とすることにより、半導体素子の剥離が比較的抑制され、かつ、硬化後の放熱性が比較的高くなることを見出して、本発明を想到するに至った。 As a result of intensive research, the inventors have found that by making the thermosetting sheet contain a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and conductive particles, the conductive particles contain silver particles having an average particle diameter D50 of 0.01 μm or more and 10 μm or less and a circularity in cross section of 0.7 or more, and further making the thermosetting sheet have a viscosity at 100° C. of 20 kPa·s or more and 3000 kPa·s or less, peeling of the semiconductor element is relatively suppressed and heat dissipation after curing is relatively high, and have arrived at the present invention.
即ち、本発明に係る熱硬化性シートは、
熱硬化性樹脂と、熱可塑性樹脂と、導電性粒子とを含む熱硬化性シートであって、
前記導電性粒子は、平均粒子径D50が0.01μm以上10μm以下、かつ、断面における円形度が0.7以上である銀粒子を含み、
100℃における粘度が20kPa・s以上3000kPa・s以下である。
That is, the thermosetting sheet according to the present invention is
A thermosetting sheet comprising a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and conductive particles,
The conductive particles include silver particles having an average particle diameter D50 of 0.01 μm or more and 10 μm or less and a circularity in cross section of 0.7 or more,
The viscosity at 100°C is 20 kPa·s or more and 3000 kPa·s or less.
斯かる構成によれば、前記導電性粒子が、平均粒子径D50が10μm以下の銀粒子を含んでいるので、前記熱硬化性樹脂を硬化させる程度の温度(例えば、200℃)で、前記銀粒子の外表面を焼結可能な程度まで溶融させることができる。
また、前記銀粒子の平均粒子径D50が0.01μm以上であるので、前記熱硬化性シート中に前記銀粒子が比較的分散され易くなることに加え、前記銀粒子の比表面積が過度に大きくなることにより前記銀粒子の表面が酸化され易くなることを抑制して、前記銀粒子に十分な導電性を確保することができる。
これにより、十分な導電性を有し、かつ、十分に分散させた状態で銀粒子の外表面を焼結可能な程度まで溶融させることができるので、前記銀粒子によって前記導電性粒子どうしを焼結させることができる。
また、断面における前記銀粒子の円形度が0.7以上であるので、前記銀粒子を熱硬化性シート中により十分に分散させることができる。そのため、前記熱硬化性シート中に十分に分散させた前記銀粒子によって、前記導電性粒子どうしを焼結させることができる。
上記により、硬化後において、本発明に係る熱硬化性シートは、十分な導電性を有した状態で放熱性が高いものとなる。
さらに、100℃における粘度が20kPa・s以上3000kPa・s以下であるので、被着体(例えば、半導体ウェハ)に対する濡れ性を向上させることができ、これにより、前記被着体に対する接着性を比較的十分に確保することができる。
また、熱可塑性樹脂を含んでいるので、100℃における粘度が上記数値範囲となるように比較的容易に調整することができることに加えて、硬化後においては比較的低弾性を有するものとすることができる。
そのため、半導体素子の剥離を比較的抑制することができる。
以上により、本発明に係る熱硬化性シートは、半導体素子の剥離を比較的抑制することができ、かつ、硬化後の放熱性が比較的高いものとなる。
According to this configuration, since the conductive particles contain silver particles having an average particle diameter D50 of 10 μm or less, the outer surfaces of the silver particles can be melted to a degree that allows sintering at a temperature (e.g., 200° C.) sufficient to cure the thermosetting resin.
Furthermore, since the average particle diameter D50 of the silver particles is 0.01 μm or more, the silver particles are relatively easily dispersed in the thermosetting sheet. In addition, the specific surface area of the silver particles is prevented from becoming excessively large, which would otherwise make the surfaces of the silver particles more susceptible to oxidation, thereby ensuring sufficient electrical conductivity for the silver particles.
This allows the outer surfaces of the silver particles to be melted to a degree that allows them to be sintered while still having sufficient conductivity and being sufficiently dispersed, so that the conductive particles can be sintered together by the silver particles.
In addition, since the circularity of the silver particles in the cross section is 0.7 or more, the silver particles can be more thoroughly dispersed in the thermosetting sheet, and therefore the conductive particles can be sintered together by the silver particles thoroughly dispersed in the thermosetting sheet.
As a result, after curing, the thermosetting sheet according to the present invention has high heat dissipation properties while maintaining sufficient electrical conductivity.
Furthermore, since the viscosity at 100°C is 20 kPa·s or more and 3000 kPa·s or less, the wettability to an adherend (e.g., a semiconductor wafer) can be improved, thereby ensuring relatively sufficient adhesion to the adherend.
Furthermore, since it contains a thermoplastic resin, the viscosity at 100°C can be relatively easily adjusted to be within the above numerical range, and it can also have relatively low elasticity after curing.
Therefore, peeling of the semiconductor element can be relatively suppressed.
As described above, the thermosetting sheet according to the present invention can relatively prevent peeling of the semiconductor element, and has relatively high heat dissipation properties after curing.
前記熱硬化性シートにおいては、
硬化後の前記熱硬化性シート中における前記導電性粒子の粒子充填率Pが30体積%以上であることが好ましい。
In the thermosetting sheet,
It is preferable that the particle filling rate P of the conductive particles in the thermosetting sheet after curing is 30 volume % or more.
斯かる構成によれば、硬化後の前記熱硬化性シートの放熱性をより一層高くすることができる。 This configuration can further improve the heat dissipation properties of the thermosetting sheet after curing.
前記熱硬化性シートにおいては、
硬化後における熱伝導率が3W/m・K以上であることが好ましい。
In the thermosetting sheet,
It is preferable that the thermal conductivity after curing is 3 W/m·K or more.
斯かる構成によれば、硬化後の前記熱硬化性シートの導電性をより一層高くすることができる。 This configuration can further increase the electrical conductivity of the thermosetting sheet after curing.
前記熱硬化性シートにおいては、
シリコンウェハに対する室温での引き剥がし力が1N/10mm以上であることが好ましい。
In the thermosetting sheet,
It is preferable that the peeling force against a silicon wafer at room temperature is 1 N/10 mm or more.
斯かる構成によれば、半導体素子の剥離をより一層抑制することができる。 This configuration can further prevent the semiconductor element from peeling off.
前記熱硬化性シートにおいては、
揮発成分を含み、
前記揮発成分は、水酸基を1個以上含み、かつ、沸点が250℃以上であることが好ましい。
In the thermosetting sheet,
Contains volatile components,
The volatile component preferably contains one or more hydroxyl groups and has a boiling point of 250° C. or higher.
斯かる構成によれば、硬化後の前記熱硬化性シートの放熱性をより一層高くすることができる。 This configuration can further improve the heat dissipation properties of the thermosetting sheet after curing.
前記熱硬化性シートにおいては、
前記揮発成分は、テルペン化合物であることが好ましい。
In the thermosetting sheet,
The volatile component is preferably a terpene compound.
斯かる構成によれば、硬化後の前記熱硬化性シートの放熱性をより一層高くすることができる。 This configuration can further improve the heat dissipation properties of the thermosetting sheet after curing.
本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、
基材層と、
該基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層された熱硬化性シートと、を備え、
前記熱硬化性シートが、上記いずれかの熱硬化性シートである。
The dicing die bond film according to the present invention is
A base layer;
a dicing tape having a pressure-sensitive adhesive layer laminated on the base layer;
a thermosetting sheet laminated on the adhesive layer of the dicing tape;
The thermosetting sheet is any one of the thermosetting sheets described above.
斯かる構成によれば、前記ダイシングダイボンドフィルムは、半導体素子の剥離を比較的抑制することができ、かつ、硬化後の放熱性が比較的高い熱硬化性シートを備えるものとなる。 With this configuration, the dicing die bond film is provided with a thermosetting sheet that can relatively suppress peeling of the semiconductor element and has relatively high heat dissipation properties after curing.
本発明によれば、半導体素子の剥離を比較的抑制することができ、かつ、硬化後の放熱性が比較的高い熱硬化性シート、及び、該熱硬化性シートを備えるダイシングダイボンドフィルムを提供することができる。 The present invention provides a thermosetting sheet that can relatively suppress peeling of semiconductor elements and has relatively high heat dissipation properties after curing, and a dicing die bond film that includes the thermosetting sheet.
以下、本発明の一実施形態について説明する。 One embodiment of the present invention is described below.
[熱硬化性シート]
本実施形態に係る熱硬化性シートは、熱硬化性樹脂と、熱可塑性樹脂と、導電性粒子とを含む。
本明細書において、導電性粒子とは、JIS K 0130(2008)に従って測定した電気伝導率が100μS/cm以下の粒子を意味する。
[Thermosetting sheet]
The thermosetting sheet according to this embodiment contains a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and conductive particles.
In this specification, the conductive particles refer to particles having an electrical conductivity of 100 μS/cm or less as measured in accordance with JIS K 0130 (2008).
前記熱硬化性シートの100質量%(質量部)に占める前記熱硬化性樹脂の質量%は、1質量%以上30質量%以下であることが好ましく、3質量%以上15質量%以下であることがより好ましい。
前記熱硬化性シートの100質量%に占める前記熱可塑性樹脂の質量%は、0.5質量%以上10質量%以下であることが好ましく、1質量%以上7質量%以下であることがより好ましい。
前記熱硬化性シートの100質量%に占める前記導電性粒子の質量%は、60質量%以上95質量%以下であることが好ましく、80質量%以上93質量%以下であることがより好ましい。
また、樹脂(熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂)100質量%に占める前記熱硬化性樹脂の質量割合は、30質量%以上90質量%以下であることが好ましく、50質量%以上80質量%以下であることがより好ましい。
The mass % of the thermosetting resin per 100 mass % (parts by mass) of the thermosetting sheet is preferably 1 mass % or more and 30 mass % or less, and more preferably 3 mass % or more and 15 mass % or less.
The mass % of the thermoplastic resin in 100 mass % of the thermosetting sheet is preferably 0.5 mass % or more and 10 mass % or less, and more preferably 1 mass % or more and 7 mass % or less.
The mass % of the conductive particles relative to 100 mass % of the thermosetting sheet is preferably 60 mass % or more and 95 mass % or less, and more preferably 80 mass % or more and 93 mass % or less.
The mass proportion of the thermosetting resin in 100 mass% of resins (thermosetting resin and thermoplastic resin) is preferably 30 mass% or more and 90 mass% or less, and more preferably 50 mass% or more and 80 mass% or less.
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、及び、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの中でもエポキシ樹脂を用いることが好ましい。 Examples of thermosetting resins include epoxy resins, phenolic resins, amino resins, unsaturated polyester resins, polyurethane resins, silicone resins, and thermosetting polyimide resins. Of these, it is preferable to use epoxy resins.
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、臭素化ビスフェノールA型、水添ビスフェノールA型、ビスフェノールAF型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、及び、グリシジルアミン型のエポキシ樹脂が挙げられる。これらの中でも、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、及び、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂の少なくとも一方を用いることが好ましく、ビスフェノールA型エポキシ樹脂及びクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を組み合わせて用いることがより好ましい。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂としては、脂肪族変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂が挙げられる。
Examples of epoxy resins include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type, cresol novolac type, orthocresol novolac type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type, and glycidylamine type epoxy resins. Among these, it is preferable to use at least one of bisphenol A type epoxy resin and cresol novolac type epoxy resin, and it is more preferable to use a combination of bisphenol A type epoxy resin and cresol novolac type epoxy resin.
The bisphenol A type epoxy resin includes an aliphatic modified bisphenol A type epoxy resin.
エポキシ樹脂の硬化剤としてのフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、及び、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレンが挙げられる。上記フェノール樹脂の中でも、ビフェニル型フェノール樹脂を用いることが好ましい。 Examples of phenolic resins that can be used as curing agents for epoxy resins include novolac-type phenolic resins, resol-type phenolic resins, biphenyl-type phenolic resins, and polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene. Of the above phenolic resins, it is preferable to use biphenyl-type phenolic resins.
また、熱硬化性樹脂としては、熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂も用いることができる。熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂が挙げられる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂におけるアクリル樹脂としては、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。
熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂においては、熱硬化性官能基の種類に応じて、硬化剤が選ばれる。
In addition, as the thermosetting resin, a thermoplastic resin having a thermosetting functional group can also be used. As the thermoplastic resin having a thermosetting functional group, for example, a thermosetting functional group-containing acrylic resin can be mentioned. As the acrylic resin in the thermosetting functional group-containing acrylic resin, a monomer unit derived from a (meth)acrylic acid ester can be mentioned.
In the case of a thermoplastic resin having a thermosetting functional group, a curing agent is selected depending on the type of the thermosetting functional group.
熱可塑性樹脂はバインダとして機能する。
本実施形態に係る熱硬化性シートは、バインダとして熱可塑性樹脂を含んでいるので、100℃における熱硬化性シートの粘度を、後述する20kPa・s以上3000kPa・s以下となるように、比較的容易に調整することができる。
熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、エチレン-アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド6やポリアミド6,6等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETやPBT等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく、かつ、耐熱性が高いために、熱硬化性シートによる接続信頼性が確保し易くなるという観点から、アクリル樹脂が好ましい。
The thermoplastic resin functions as a binder.
Since the thermosetting sheet according to this embodiment contains a thermoplastic resin as a binder, the viscosity of the thermosetting sheet at 100°C can be relatively easily adjusted to be 20 kPa·s or more and 3000 kPa·s or less, as described below.
Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, polyamide resin such as polyamide 6 and polyamide 6,6, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET and PBT, polyamideimide resin, fluororesin, etc. Only one type of the thermoplastic resin may be used, or two or more types may be used in combination. As the thermoplastic resin, acrylic resin is preferable from the viewpoint that it has a small amount of ionic impurities and has high heat resistance, making it easier to ensure connection reliability by a thermosetting sheet.
上記アクリル樹脂は、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を質量割合で最も多いモノマー単位として含むポリマーであることが好ましい。(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、(メタ)アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。上記アクリル樹脂は、(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な他の成分に由来するモノマー単位を含んでいてもよい。上記他の成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリルニトリル等の官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマー等が挙げられる。
上記アクリル樹脂は、カルボキシル含有アクリルゴムであることが好ましい。
The acrylic resin is preferably a polymer containing a monomer unit derived from a (meth)acrylic acid ester as the most abundant monomer unit in terms of mass ratio. Examples of the (meth)acrylic acid ester include an alkyl (meth)acrylic acid ester, a cycloalkyl (meth)acrylic acid ester, and an aryl (meth)acrylic acid ester. The acrylic resin may contain a monomer unit derived from another component that is copolymerizable with the (meth)acrylic acid ester. Examples of the other components include functional group-containing monomers such as carboxyl group-containing monomers, acid anhydride monomers, hydroxyl group-containing monomers, glycidyl group-containing monomers, sulfonic acid group-containing monomers, phosphoric acid group-containing monomers, acrylamides, and acrylonitriles, and various polyfunctional monomers.
The acrylic resin is preferably a carboxyl-containing acrylic rubber.
前記導電性粒子は、平均粒子径D50が0.01μm以上10μm以下、かつ、厚さ方向の切断面における円形度が0.7以上である銀粒子を含む。
前記導電性粒子が、平均粒子径D50が10μm以下の銀粒子を含んでいることにより、前記熱硬化性樹脂を硬化させる程度の温度(例えば、200℃)で、前記銀粒子の外表面を焼結可能な程度まで溶融させることができる。
また、前記銀粒子の平均粒子径D50が0.01μm以上であることにより、前記熱硬化性シート中に前記銀粒子が比較的分散され易くなることに加えて、前記銀粒子の比表面積が過度に大きくなることにより前記銀粒子の表面が酸化され易くなることを抑制して、前記銀粒子に十分な導電性を確保することができる。
これにより、十分な導電性を有し、かつ、比較的分散させた状態で前記銀粒子の外表面を焼結可能な程度まで溶融させることができるので、前記銀粒子によって前記導電性粒子どうし(前記導電性粒子が銀粒子のみである場合には、銀粒子どうし)を焼結させることができる。
また、断面における前記銀粒子の円形度が0.7以上であるので、前記銀粒子を熱硬化性シート中により十分に分散させることができる。そのため、前記熱硬化性シート中に十分に分散させた前記銀粒子によって、前記導電性粒子どうし(前記導電性粒子が銀粒子のみである場合には、銀粒子どうし)を焼結させることができる。
上記により、硬化後において、本発明に係る熱硬化性シートは、十分な導電性を有した状態で放熱性が高いものとなる。
The conductive particles include silver particles having an average particle diameter D50 of 0.01 μm or more and 10 μm or less and a circularity of 0.7 or more in a cross section cut in the thickness direction.
Since the conductive particles contain silver particles having an average particle diameter D50 of 10 μm or less, the outer surfaces of the silver particles can be melted to a degree that allows sintering at a temperature (e.g., 200° C.) sufficient to cure the thermosetting resin.
Furthermore, when the average particle diameter D50 of the silver particles is 0.01 μm or more, the silver particles are relatively easily dispersed in the thermosetting sheet. In addition, the specific surface area of the silver particles is prevented from becoming excessively large, which would otherwise make the surfaces of the silver particles more susceptible to oxidation, thereby ensuring sufficient electrical conductivity of the silver particles.
This allows the outer surfaces of the silver particles to be melted to a degree that allows them to be sintered while still having sufficient conductivity and remaining relatively dispersed, thereby allowing the silver particles to sinter the conductive particles together (or to sinter the silver particles together if the conductive particles are only silver particles).
In addition, since the circularity of the silver particles in cross section is 0.7 or more, the silver particles can be more thoroughly dispersed in the thermosetting sheet, and therefore the silver particles thoroughly dispersed in the thermosetting sheet can sinter the conductive particles together (or between the silver particles when the conductive particles are only silver particles).
As a result, after curing, the thermosetting sheet according to the present invention has high heat dissipation properties while maintaining sufficient electrical conductivity.
前記銀粒子の平均粒子径D50は、0.1μm以上5μm以下であることが好ましく、0.5μm以上2μm以下であることがより好ましい。
また、厚さ方向の切断面における前記銀粒子の円形度は、0.8以上であることが好ましい。
なお、円形度の上限値は1である。
The average particle size D50 of the silver particles is preferably 0.1 μm or more and 5 μm or less, and more preferably 0.5 μm or more and 2 μm or less.
The circularity of the silver particles in a cross section taken along the thickness direction is preferably 0.8 or more.
The upper limit of the circularity is 1.
銀粒子の平均粒子径D50は、例えば、レーザ回折・散乱式粒度分布測定装置(マイクロトラック・ベル社製、マイクロトラックMT3000IIシリーズ)を用いて、体積基準にて測定することができる。 The average particle diameter D50 of the silver particles can be measured on a volume basis using, for example, a laser diffraction/scattering type particle size distribution measuring device (Microtrac MT3000II series, manufactured by Microtrac-Bell).
円形度とは、面積の値及び周囲長の値を基に形状の複雑さを求める指標である。円形度は、面積をS、周囲長をLとすると、4πS/L2で表される。円形度の値が1の場合には真円形状となり、円形度の値が1より小さいほど、円から遠ざかる形状となる。
円形度は、前記熱硬化性シートを厚さ方向に切断して、その切断面のSEM画像を撮像し、粉体画像解析装置(セイシン企業社製、PITA-3)を用いて、撮像した前記SEM画像を解析することにより(具体的には、「Image J」等のような画像解析ソフトで解析することにより)得ることができる。
粉体画像解析装置による解析は、SEM画像中において、ランダムに選んだ10個の銀粒子について行い、円形度は、10個の銀粒子について得られた円形度の値を算術平均することにより求めることができる。
なお、前記熱硬化性シートに銀粒子以外の導電性粒子が含まれる場合には、反射電子像を用い、組成の違いで明暗がつくように観察することにより、銀粒子と銀粒子以外の導電性粒子とを区別することができる。
Circularity is an index for determining the complexity of a shape based on the area and perimeter values. Circularity is expressed as 4πS/ L2 , where S is the area and L is the perimeter. A circularity value of 1 indicates a perfect circle, and the smaller the circularity value is below 1, the more distant the shape is from a circle.
The circularity can be obtained by cutting the thermosetting sheet in the thickness direction, taking an SEM image of the cut surface, and analyzing the SEM image using a powder image analyzer (PITA-3, manufactured by Seishin Enterprise Co., Ltd.) (specifically, by analyzing the image using image analysis software such as "Image J").
Analysis using the powder image analyzer is performed on 10 silver particles randomly selected in the SEM image, and the circularity can be determined by arithmetically averaging the circularity values obtained for the 10 silver particles.
In addition, when the thermosetting sheet contains conductive particles other than silver particles, the silver particles can be distinguished from the conductive particles other than silver particles by observing the reflected electron images so that light and dark appear due to differences in composition.
銀粒子は、銀元素及び不可避的不純物元素として含まれる他の元素(金属元素など)で構成された銀粒子であってもよいし、表面処理(例えば、シランカップリング処理)が施された銀粒子であってもよい。銀粒子の表面処理剤としては、脂肪酸系やアミン系、エポキシ系などの被覆剤が挙げられる。脂肪酸系被覆剤で表面処理された銀粒子としては、三井金属鉱業社製の、HP02、HP02A等が挙げられ、エポキシ系被覆剤で処理された銀粒子としては、三井金属鉱業社製のHP02Aの被覆剤変更品(エポキシ被覆品)等が挙げられる。
本実施形態に係る熱硬化性シートでは、エポキシ系被覆剤で表面処理された銀粒子を用いることが好ましい。上記したように、本実施形態に係る熱硬化性シートは、熱硬化性樹脂を含んでいる。そのため、銀粒子として、エポキシ系被覆剤で表面処理された銀粒子を用いた場合には、該銀粒子は熱硬化性シート中において熱硬化性樹脂と比較的高い親和性を示すようになり、熱硬化性シート中により分散され易くなる。そして、熱硬化性シート中により分散され易くなる分だけ、前記銀粒子を熱硬化性シート中により多く含有させることができるようになるため、熱硬化性シートの熱伝導性(放熱性)を向上させることができる。なお、銀粒子の表面処理剤がエポキシ系被覆剤である場合、熱硬化性シートに含まれる熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂であることが好ましい。このようにすれば、前記銀粒子と前記熱硬化性樹脂との親和性をより高めることができるので、前記銀粒子を、より一層、熱硬化性シート中に分散させることができる。その結果、熱硬化性シートの熱伝導性(放熱性)をより一層向上させることができる。
The silver particles may be silver particles composed of silver element and other elements (metal elements, etc.) contained as unavoidable impurity elements, or may be silver particles that have been subjected to a surface treatment (for example, silane coupling treatment). Examples of the surface treatment agent for silver particles include fatty acid-based, amine-based, and epoxy-based coating agents. Examples of silver particles surface-treated with a fatty acid-based coating agent include HP02 and HP02A manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., and examples of silver particles treated with an epoxy-based coating agent include a modified coating agent (epoxy-coated product) of HP02A manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.
In the thermosetting sheet according to the present embodiment, it is preferable to use silver particles surface-treated with an epoxy-based coating agent. As described above, the thermosetting sheet according to the present embodiment contains a thermosetting resin. Therefore, when silver particles surface-treated with an epoxy-based coating agent are used as silver particles, the silver particles will exhibit a relatively high affinity with the thermosetting resin in the thermosetting sheet, and will be more easily dispersed in the thermosetting sheet. And, since the silver particles are more easily dispersed in the thermosetting sheet, the heat conductivity (heat dissipation) of the thermosetting sheet can be improved because the silver particles can be contained in the thermosetting sheet in a larger amount. In addition, when the surface treatment agent of the silver particles is an epoxy-based coating agent, the thermosetting resin contained in the thermosetting sheet is preferably an epoxy resin. In this way, the affinity between the silver particles and the thermosetting resin can be further increased, so that the silver particles can be further dispersed in the thermosetting sheet. As a result, the heat conductivity (heat dissipation) of the thermosetting sheet can be further improved.
前記導電性粒子は、銀粒子以外に、ニッケル粒子、銅粒子、アルミニウム粒子、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、コア(核)となる金属粒子の表面を金または銀等の金属でメッキした粒子(以下、メッキ金属粒子ともいう)、及び、コア(核)となる樹脂粒子の表面を金属で被覆した粒子(以下、金属被覆樹脂粒子ともいう)等を含んでいてもよい。これらの導電性粒子は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わせて用いられてもよい。 In addition to silver particles, the conductive particles may include nickel particles, copper particles, aluminum particles, carbon black, carbon nanotubes, particles in which the surface of a metal particle serving as a core is plated with a metal such as gold or silver (hereinafter also referred to as plated metal particles), and particles in which the surface of a resin particle serving as a core is coated with a metal (hereinafter also referred to as metal-coated resin particles). Only one of these conductive particles may be used, or two or more types may be used in combination.
メッキ金属粒子としては、例えば、ニッケル粒子又は銅粒子を核とし、その核の表面を金や銀等の貴金属でメッキした粒子を用いることができる。
金属被覆樹脂粒子としては、例えば、樹脂粒子を核とし、その核の表面を、ニッケルや金等の金属で被覆した粒子を用いることができる。
本実施形態に係る熱硬化性シートが銀粒子以外の導電性粒子を含む場合、その導電性粒子としては、メッキ金属粒子を用いることが好ましく、メッキ金属粒子としては、銅粒子を核とし、その核の表面を銀でメッキした粒子(銀被覆銅粒子)を用いることが好ましい。銀被覆銅粒子の市販品としては、三井金属産業社製の商品名1200YPやDOWAエレクトロニクス社製の商品名AOP-TCY-2(EN)等が挙げられる。
本実施形態に係る熱硬化性シートが銀粒子以外の導電性粒子を含む場合、導電性粒子の100質量%に占める銀粒子の質量%は、10質量%以上95質量%以下であることが好ましく、20質量%以上90質量%以下であることがより好ましい。
As the plated metal particles, for example, particles having a nickel particle or copper particle as a core, the surface of which is plated with a noble metal such as gold or silver, can be used.
As the metal-coated resin particles, for example, particles having a resin particle as a core, the surface of which is coated with a metal such as nickel or gold, can be used.
When the thermosetting sheet according to the present embodiment contains conductive particles other than silver particles, it is preferable to use plated metal particles as the conductive particles, and it is preferable to use particles (silver-coated copper particles) in which a copper particle is used as a core and the surface of the core is plated with silver as the plated metal particles. Commercially available silver-coated copper particles include 1200YP (trade name) manufactured by Mitsui Smelting & Co., Ltd. and AOP-TCY-2 (EN) (trade name) manufactured by Dowa Electronics Co., Ltd.
When the thermosetting sheet according to this embodiment contains conductive particles other than silver particles, the mass percentage of silver particles in 100 mass% of the conductive particles is preferably 10 mass% or more and 95 mass% or less, and more preferably 20 mass% or more and 90 mass% or less.
銀以外の導電性粒子の形状としては、例えば、フレーク状、針状、フィラメント状、球状、扁平状(鱗片状を含む)のものを用いることができるが、これらの中でも、比表面積が大きいことにより、前記銀粒子との接触面積を大きくできる観点から、扁平状のものを用いることが好ましい。なお、上述した、三井金属産業社製の商品名1200YPは、扁平状の導電性粒子である。 The conductive particles other than silver may be, for example, flake-shaped, needle-shaped, filament-shaped, spherical, or flat (including scale-shaped) in shape. Among these, flat particles are preferred because they have a large specific surface area and therefore a large contact area with the silver particles. The product name 1200YP, manufactured by Mitsui Smelting & Co., Ltd., mentioned above, is a flat conductive particle.
銀粒子以外の導電性粒子は、平均粒子径D50が0.01μm以上20μm以下であることが好ましく、0.05μm以上10μm以下であることがより好ましい。
銀粒子以外の導電性粒子の平均粒子径D50も、上述した銀粒子の平均粒子径D50と同様にして測定することができる。
The conductive particles other than silver particles preferably have an average particle diameter D50 of 0.01 μm or more and 20 μm or less, and more preferably 0.05 μm or more and 10 μm or less.
The average particle diameter D50 of conductive particles other than silver particles can also be measured in the same manner as the average particle diameter D50 of silver particles described above.
本実施形態に係る熱硬化性シートは、樹脂成分の硬化反応を充分に進行させたり、硬化反応速度を高めたりする観点から、熱硬化触媒を含有していてもよい。熱硬化触媒としては、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、およびトリハロゲンボラン系化合物が挙げられる。 The thermosetting sheet according to this embodiment may contain a thermosetting catalyst in order to sufficiently advance the curing reaction of the resin component and to increase the curing reaction rate. Examples of the thermosetting catalyst include imidazole-based compounds, triphenylphosphine-based compounds, amine-based compounds, and trihalogen borane-based compounds.
本実施形態に係る熱硬化性シートは、100℃における粘度が20kPa・s以上3000kPa・s以下である。
100℃における粘度が20kPa・s以上3000kPa・s以下であることにより、被着体(例えば、半導体ウェハ)に対する濡れ性を向上させることができ、これにより、前記被着体に対する接着性を比較的十分に確保することができる。
そのため、半導体素子の剥離を比較的抑制することができる。
特に、前記熱硬化性シートを半導体ウェハの一方面に貼付した状態でダイシングして、半導体素子が一方面に貼付された熱硬化性シートを複数得たときに、前記熱硬化性シートからの前記半導体素子の剥離を比較的抑制することができる。
The thermosetting sheet according to this embodiment has a viscosity at 100° C. of 20 kPa·s or more and 3000 kPa·s or less.
By having a viscosity at 100°C of 20 kPa·s or more and 3000 kPa·s or less, the wettability to an adherend (e.g., a semiconductor wafer) can be improved, thereby ensuring relatively sufficient adhesion to the adherend.
Therefore, peeling of the semiconductor element can be relatively suppressed.
In particular, when the thermosetting sheet is attached to one side of a semiconductor wafer and diced to obtain multiple thermosetting sheets with semiconductor elements attached to one side, peeling of the semiconductor elements from the thermosetting sheet can be relatively suppressed.
100℃における粘度は、レオメータ(サーモフィッシャーサイエンティフィック社製、回転式レオメータ HAAKE MARS)を用いて評価することができる。具体的には、昇温速度10℃/minにて、30℃から180℃まで昇温させたときに、100℃の指示値を読み取ることにより得ることができる。 The viscosity at 100°C can be evaluated using a rheometer (Thermo Fisher Scientific, rotational rheometer HAAKE MARS). Specifically, it can be obtained by reading the indication at 100°C when the temperature is increased from 30°C to 180°C at a heating rate of 10°C/min.
本実施形態に係る熱硬化性シートは、揮発成分を含んでいてもよい。
本実施形態に係る熱硬化性シートは、前記熱硬化性シートに含まれる有機成分(熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、揮発成分)の総質量に対して、前記揮発成分を5質量%以上50質%以下含んでいることが好ましく、10質量%以上40質量%以下含んでいることがより好ましい。
揮発成分としては、水酸基を1個以上含み、かつ、沸点が250℃以上である有機化合物を挙げることができる。該有機化合物の沸点は、350℃以下であることが好ましい。このような有機化合物としては、テルペン化合物が挙げられる。揮発成分としては、テルペン化合物の中でも、下記式(1)で表されるイソボルニルシクロヘキサノールが好ましい。なお、イソボルニルシクロヘキサノールは、沸点が308~318℃の有機化合物であり、200mL/minの窒素ガス気流下で、10℃/minの昇温条件にて、室温(23±2℃)から600℃まで昇温したときに、100℃以上から大きく重量減少し、245℃で揮発消失する(それ以上の重量減少が認められなくなる)という性質を有するとともに、25℃において1000000mPa・sもの極めて高い粘度を示すものの、60℃において1000mPa・s以下という比較的低い粘度を示すという性質を有する。なお、重量減少は、測定開始温度(室温)における重量減少率を0%とした場合の値である。
このように、イソボルニルシクロヘキサノールは、25℃において上記のごとく極めて高い粘度を示すため、室温においてシート形状を維持することができるものの、60℃では上記のごとく比較的低い粘度を示すようになるので、タック性を有するようになる。すなわち、イソボルニルシクロヘキサノールを含む熱硬化性シートは、室温においてはシート形状の維持性に優れ、60℃以上の温度においてはタック性を有するものとなる。
ここで、熱硬化性シートの一方面に貼付された半導体素子を金属リードフレーム等にマウントする際には、通常、60~80℃の温度で、熱硬化性シートを介して半導体素子を金属リードフレーム等の被着体に仮着(仮固定)させるが、イソボルニルシクロヘキサノールは上記のごとく60℃以上においてタック性を有するようになるので、本実施形態に係る熱硬化性シートが揮発成分としてイソボルニルシクロヘキサノールを含む場合、熱硬化性シートは、金属リードフレーム等の被着体への仮着性がより向上されたものとなる。すなわち、仮着した状態において、半導体素子の取り付け位置がずれたり、被着体からの熱硬化性シートの浮き上がりが抑制されるようになる。
そのため、熱硬化性シートを熱硬化させて半導体素子を被着体に接着させるときに、信頼性高く接着させることができる。
The thermosetting sheet according to this embodiment may contain a volatile component.
The thermosetting sheet according to this embodiment preferably contains 5% by mass or more and 50% by mass or less of the volatile components relative to the total mass of the organic components (thermosetting resin, thermoplastic resin, volatile components) contained in the thermosetting sheet, and more preferably contains 10% by mass or more and 40% by mass or less of the volatile components.
Examples of the volatile component include an organic compound containing one or more hydroxyl groups and having a boiling point of 250°C or higher. The boiling point of the organic compound is preferably 350°C or lower. Examples of such organic compounds include terpene compounds. Among terpene compounds, isobornylcyclohexanol represented by the following formula (1) is preferable as the volatile component. Isobornylcyclohexanol is an organic compound having a boiling point of 308 to 318°C. When heated from room temperature (23±2°C) to 600°C under a nitrogen gas flow of 200mL/min and at a temperature increase rate of 10°C/min, it has the property of undergoing a large weight loss from 100°C or higher and volatilizing and disappearing at 245°C (no further weight loss is observed). It also has the property of exhibiting an extremely high viscosity of 1,000,000 mPa·s at 25°C, but a relatively low viscosity of 1,000 mPa·s or lower at 60°C. The weight loss is a value when the weight loss rate at the measurement start temperature (room temperature) is set to 0%.
Thus, isobornylcyclohexanol exhibits extremely high viscosity at 25° C. as described above, and is therefore capable of maintaining a sheet shape at room temperature, but exhibits relatively low viscosity at 60° C. as described above, and thus becomes tacky. In other words, a thermosetting sheet containing isobornylcyclohexanol exhibits excellent sheet shape retention at room temperature, and becomes tacky at temperatures of 60° C. or higher.
Here, when mounting a semiconductor element attached to one side of a thermosetting sheet on a metal lead frame or the like, the semiconductor element is usually temporarily attached (temporarily fixed) to an adherend such as a metal lead frame via the thermosetting sheet at a temperature of 60 to 80° C., but since isobornylcyclohexanol becomes tacky at 60° C. or higher as described above, when the thermosetting sheet according to this embodiment contains isobornylcyclohexanol as a volatile component, the thermosetting sheet has improved temporary adhesion to an adherend such as a metal lead frame. In other words, in the temporarily attached state, the attachment position of the semiconductor element is not shifted and the thermosetting sheet is prevented from lifting off the adherend.
Therefore, when the thermosetting sheet is thermally cured to bond the semiconductor element to the adherend, the semiconductor element can be bonded to the adherend with high reliability.
本実施形態に係る熱硬化性シートは、硬化前の前記熱硬化性シート中における前記導電性粒子の粒子充填率Pが30体積%以上であることが好ましく、40体積%以上であることがより好ましく、50体積%以上であることがさらに好ましい。
前記粒子充填率Pは、70体積%以下であることが好ましく、60体積%以下であることがより好ましい。
前記粒子充填率Pが上記数値範囲を満たすことにより、硬化後の熱硬化性シートの放熱性をより一層高くすることができる。
In the thermosetting sheet according to this embodiment, the particle filling rate P of the conductive particles in the thermosetting sheet before curing is preferably 30% by volume or more, more preferably 40% by volume or more, and even more preferably 50% by volume or more.
The particle packing ratio P is preferably 70% by volume or less, and more preferably 60% by volume or less.
When the particle filling rate P satisfies the above numerical range, the heat dissipation property of the thermosetting sheet after curing can be further improved.
前記粒子充填率Pは、以下の手順に従って求めることができる。
(1)硬化後の熱硬化性シートを機械研磨して断面を露出させ、この露出した断面について、イオンポリッシング装置(例えば、日本電子株式会社製、商品名:クロスセクションポリッシャSM-09010)を用いてイオンポリッシングを行う。
(2)イオンポリッシングした露出断面における任意の断面領域内のSEM画像(走査型電子顕微鏡による像)を、電界放出形走査電子顕微鏡(例えば、日立ハイテクノロジー社製、商品名SU8020)を用いて撮像し、反射電子像を画像データとして得る。撮像条件は、加速電圧を5kVとし、倍率を5000倍とすることができる。
(3)得られた画像データに対し、画像解析ソフト(例えば、ImageJ)を使用して、金属部分と樹脂部分とに2値化する自動2値化処理を行う。
(4)2値化後の画像から導電性粒子部分の合計面積と全体(導電性粒子部分+樹脂部分)の面積とを求め、導電性粒子部分の合計面積を全体の面積で除することにより、硬化後の熱硬化性シートについて、導電性粒子の粒子充填率Pを求める。
なお、導電性粒子の粒子充填率Pは、イオンポリッシングした露出断面における5箇所の断面領域について求めた充填率を算術平均することにより求めることが好ましい。
The particle packing ratio P can be determined according to the following procedure.
(1) The cured thermosetting sheet is mechanically polished to expose a cross section, and the exposed cross section is then subjected to ion polishing using an ion polishing device (for example, product name: Cross Section Polisher SM-09010, manufactured by JEOL Ltd.).
(2) An SEM image (scanning electron microscope image) of an arbitrary cross-sectional region of the exposed cross-section that has been ion-polished is taken using a field emission scanning electron microscope (e.g., Hitachi High-Technologies Corporation, product name SU8020), and a reflected electron image is obtained as image data. The imaging conditions can be an acceleration voltage of 5 kV and a magnification of 5000 times.
(3) The obtained image data is subjected to an automatic binarization process using image analysis software (e.g., ImageJ) to binarize the metal parts and the resin parts.
(4) The total area of the conductive particle parts and the total area (conductive particle parts + resin part) are calculated from the binarized image, and the total area of the conductive particle parts is divided by the total area to calculate the particle filling rate P of the conductive particles for the cured thermosetting sheet.
The particle packing ratio P of the conductive particles is preferably determined by arithmetically averaging the packing ratios determined for five cross-sectional regions on the exposed cross-section subjected to ion polishing.
本実施形態に係る熱硬化性シートの厚さは、5μm以上であることが好ましく、10μm以上であることがより好ましく、20μm以上であることがさらに好ましい。また、熱硬化性シートの厚さは、150μm以下であることが好ましく、100μm以下であることがより好ましく、80μm以下であることがさらに好ましい。
熱硬化性シートの厚さが150μm以下であることにより、熱伝導性(放熱性)をより向上させることができる。
熱硬化性シートの厚さは、例えば、ダイアルゲージ(PEACOCK社製、型式R-205)を用いて、ランダムに選んだ任意の5点の厚さを測定し、これらの厚さを算術平均することにより求めることができる。
The thickness of the thermosetting sheet according to the present embodiment is preferably 5 μm or more, more preferably 10 μm or more, and even more preferably 20 μm or more. The thickness of the thermosetting sheet is preferably 150 μm or less, more preferably 100 μm or less, and even more preferably 80 μm or less.
When the thickness of the thermosetting sheet is 150 μm or less, the thermal conductivity (heat dissipation property) can be further improved.
The thickness of the thermosetting sheet can be determined, for example, by measuring the thickness at five randomly selected points using a dial gauge (Model R-205, manufactured by PEACOCK) and calculating the arithmetic average of these thicknesses.
本実施形態に係る熱硬化性シートは、硬化後における熱伝導率が3W/m・K以上であることが好ましく、10W/m・K以上であることがより好ましい。
硬化後における熱伝導率が上記数値範囲を満たすことにより、硬化後の前記熱硬化性シートの導電性をより一層高くすることができる。
なお、本実施形態に係る熱硬化性シートでは、硬化後における熱伝導率の上限値は、通常、100W/m・Kである。
硬化後における熱伝導率は、本実施形態に係る熱硬化性シートを、プレッシャークッカー装置にて、0.5MPaの圧力をかけながら、200℃で1時間処理して熱硬化させ、熱硬化させた熱硬化性シートについて、下記式により算出することができる。
The thermosetting sheet according to this embodiment preferably has a thermal conductivity of 3 W/m·K or more, and more preferably 10 W/m·K or more, after curing.
When the thermal conductivity after curing is within the above range, the electrical conductivity of the thermosetting sheet after curing can be further increased.
In the thermosetting sheet according to this embodiment, the upper limit of the thermal conductivity after curing is usually 100 W/m·K.
The thermal conductivity after curing can be calculated by subjecting the thermosetting sheet according to this embodiment to heat curing at 200°C for 1 hour in a pressure cooker while applying a pressure of 0.5 MPa, and using the following formula for the heat-cured thermosetting sheet.
上記式における、熱拡散率(m2/s)は、TWA法(温度波熱分析法、測定装置:アイフェイズモバイル、アイフェーズ社製)により測定することができる。
また、上記式における、比熱(J/g・℃)は、DSC法により測定することができる。比熱測定は、エスアイアイナノテクノロジー社製のDSC6220を用い、昇温速度10℃/min、温度範囲20~300℃の条件で行い、得られたデータを基に、JISハンドブック(比熱容量測定方法K-7123)に記載された方法で、比熱を算出することができる。
さらに、上記式における、比重は、アルキメデス法により測定することができる。
The thermal diffusivity (m 2 /s) in the above formula can be measured by a TWA method (temperature wave thermal analysis method, measuring device: iPhase Mobile, manufactured by iPhase Corporation).
The specific heat (J/g ° C.) in the above formula can be measured by a DSC method. The specific heat measurement is performed using a DSC6220 manufactured by SII Nanotechnology Inc. under conditions of a heating rate of 10° C./min and a temperature range of 20 to 300° C., and the specific heat can be calculated based on the obtained data by the method described in the JIS Handbook (specific heat capacity measurement method K-7123).
Furthermore, the specific gravity in the above formula can be measured by Archimedes' method.
本実施形態に係る熱硬化性シートは、シリコンウェハに対する室温(23±2℃)での引き剥がし力が1N/10mm以上であることが好ましく、5N/10mm以上であることがより好ましく、10N/10mm以上であることがさらに好ましい。
また、本実施形態に係る熱硬化性シートは、シリコンウェハに対する室温(23±2℃)での引き剥がし力が20N/10mm以下であることが好ましく、15N/10mm以下であることがより好ましい。
シリコンウェハに対する引き剥がし力が上記数値範囲を満たすことにより、ダイシング中における半導体素子の剥離をより一層抑制することができる。
シリコンウェハに対する室温での引き剥がし力は、引張試験機(商品名:オートグラフAG-X、島津製作所製)を用い、室温(23±2℃)、剥離角度180°、および引張速度300mm/minの条件での剥離試験により測定することができる。
具体的には、以下のようにして測定することができる。
(1)シリコンウェハ(ベアウェハ)の一表面に熱硬化性シートを重ね合せて積層体を得る。
(2)該積層体を70℃に加温したホットプレート上に配する。なお、前記積層体は、シリコンウェハの表面がホットプレートの表面と当接するように配する。
(3)圧着ローラ(ローラ質量は2kg)を用いて、前記積層体をプレスすることにより、シリコンウェハと熱硬化性シートとを貼り合せた状態とし、ホットプレート上に2分間放置する。
(4)放置した前記積層体をホットプレートから取り出し、室温(23±2℃)にて20分間放置することにより試験体を得る。
(5)前記試験体について、上記の引張試験機を用いて、上記の条件にて剥離試験を行うことにより、シリコンウェハに対する室温でも引き剥がし力を測定する。
The thermosetting sheet according to this embodiment preferably has a peel strength against a silicon wafer at room temperature (23±2° C.) of 1 N/10 mm or more, more preferably 5 N/10 mm or more, and even more preferably 10 N/10 mm or more.
Furthermore, the thermosetting sheet according to this embodiment preferably has a peel strength against a silicon wafer at room temperature (23±2° C.) of 20 N/10 mm or less, and more preferably 15 N/10 mm or less.
By ensuring that the peeling force against the silicon wafer satisfies the above numerical range, peeling of the semiconductor element during dicing can be further suppressed.
The peel strength against a silicon wafer at room temperature can be measured by a peel test using a tensile tester (product name: Autograph AG-X, manufactured by Shimadzu Corporation) under conditions of room temperature (23±2° C.), a peel angle of 180°, and a tensile speed of 300 mm/min.
Specifically, it can be measured as follows.
(1) A thermosetting sheet is laminated on one surface of a silicon wafer (bare wafer) to obtain a laminate.
(2) The laminate is placed on a hot plate heated to 70° C. The laminate is placed so that the surface of the silicon wafer is in contact with the surface of the hot plate.
(3) The laminate is pressed with a pressure roller (roller mass: 2 kg) to bond the silicon wafer and the thermosetting sheet together, and then the laminate is left on a hot plate for 2 minutes.
(4) The laminate that has been left standing is removed from the hot plate and left at room temperature (23±2° C.) for 20 minutes to obtain a test specimen.
(5) A peel test is carried out on the test specimen under the above conditions using the above tensile tester to measure the peel force against a silicon wafer even at room temperature.
本実施形態に係る熱硬化性シートは、必要に応じて、1種又は2種以上の他の成分を含有してもよい。他の成分としては、例えば、フィラー分散剤、難燃剤、シランカップリング剤、およびイオントラップ剤が挙げられる。 The thermosetting sheet according to this embodiment may contain one or more other components as necessary. Examples of the other components include a filler dispersant, a flame retardant, a silane coupling agent, and an ion trapping agent.
[ダイシングダイボンドフィルム]
次に、図1を参照しながら、ダイシングダイボンドフィルム20について説明する。なお、以下の説明において、熱硬化性シートと重複する部分については、その説明は繰り返さない。
[Dicing die bond film]
Next, the dicing die bond film 20 will be described with reference to Fig. 1. In the following description, the description of the parts that overlap with the thermosetting sheet will not be repeated.
図1に示したように、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム20は、基材層1と、基材層1上に粘着剤層2が積層されたダイシングテープ10と、ダイシングテープ10の粘着剤層2上に積層された熱硬化性シート3と、を備える。
ダイシングダイボンドフィルム20では、熱硬化性シート3上に半導体素子が貼付される。半導体素子は、ベアウェハであってもよい。
本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム20に貼付されたベアウェハは、ブレードダイシング、DBG(Dicing Before Grinding)、または、SDBG(Stealth Dicing Before Grinding)等により複数のベアチップへと割断される。そして、前記のごとき割断時に、ベアウェハと共に、熱硬化性シート3も割断される。熱硬化性シート3は、個片化された複数のベアチップのサイズに相当する大きさに割断される。これにより、複数の熱硬化性シート3付ベアチップを得ることができる。
As shown in FIG. 1, the dicing die bond film 20 according to this embodiment comprises a base layer 1, a dicing tape 10 having an adhesive layer 2 laminated on the base layer 1, and a thermosetting sheet 3 laminated on the adhesive layer 2 of the dicing tape 10.
In the dicing die bond film 20, a semiconductor element is attached onto the thermosetting sheet 3. The semiconductor element may be a bare wafer.
The bare wafer attached to the dicing die bond film 20 according to this embodiment is cleaved into a plurality of bare chips by blade dicing, DBG (dicing before grinding), SDBG (stealth dicing before grinding), or the like. During the cleavage, the thermosetting sheet 3 is also cleaved together with the bare wafer. The thermosetting sheet 3 is cleaved into pieces of a size corresponding to the size of the individual bare chips. This allows a plurality of bare chips with the thermosetting sheet 3 to be obtained.
ダイシングダイボンドフィルム20の熱硬化性シート3は、前記したように、熱硬化性樹脂と、熱可塑性樹脂と、導電性粒子とを含む熱硬化性シートであって、前記導電性粒子は、平均粒子径D50が0.01μm以上10μm以下、かつ、断面における円形度が0.7以上である銀粒子を含み、粘度が20kPa・s以上3000kPa・s以下である熱硬化性シートである。 As described above, the thermosetting sheet 3 of the dicing die bond film 20 is a thermosetting sheet containing a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and conductive particles, the conductive particles including silver particles having an average particle diameter D50 of 0.01 μm or more and 10 μm or less and a circularity in a cross section of 0.7 or more, and a viscosity of 20 kPa·s or more and 3000 kPa·s or less.
基材層1は、粘着剤層2と、粘着剤層2上に積層された熱硬化性シート3とを支持する。基材層1は樹脂を含む。樹脂としては、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、エチレン-プロピレン共重合体等のオレフィン系樹脂;エチレン-酢酸ビニル共重合体(EVA)、アイオノマー樹脂、エチレン-(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体等のエチレンをモノマー成分とする共重合体;ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)等のポリエステル;アクリル系樹脂;ポリ塩化ビニル(PVC);ポリウレタン;ポリカーボネート;ポリフェニレンスルフィド(PPS);ポリアミド、全芳香族ポリアミド(アラミド)等のアミド系樹脂;ポリエーテルエーテルケトン(PEEK);ポリイミド;ポリエーテルイミド;ポリ塩化ビニリデン;ABS(アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン共重合体);セルロース系樹脂;シリコーン樹脂;フッ素樹脂等が挙げられる。
これらの中でも、ポリエチレンテレフタレートを含むことが好ましい。
The base layer 1 supports the adhesive layer 2 and the thermosetting sheet 3 laminated on the adhesive layer 2. The base layer 1 contains a resin. Examples of the resin include olefin-based resins such as polyethylene (PE), polypropylene (PP), and ethylene-propylene copolymers; copolymers containing ethylene as a monomer component, such as ethylene-vinyl acetate copolymers (EVA), ionomer resins, ethylene-(meth)acrylic acid copolymers, and ethylene-(meth)acrylic acid ester (random, alternating) copolymers; polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and polybutylene terephthalate (PBT); acrylic resins; polyvinyl chloride (PVC); polyurethane; polycarbonate; polyphenylene sulfide (PPS); amide-based resins such as polyamide and fully aromatic polyamide (aramid); polyether ether ketone (PEEK); polyimide; polyetherimide; polyvinylidene chloride; ABS (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer); cellulose-based resins; silicone resins; and fluororesins.
Among these, it is preferable to use polyethylene terephthalate.
基材層1は、前記した樹脂を1種含むものであってもよいし、前記した樹脂を2種以上含むものであってもよい。 The substrate layer 1 may contain one of the above resins, or may contain two or more of the above resins.
基材層1の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマー(例えば、プラスチックフィルム)が挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後に、その基材層1を熱収縮させることにより、粘着剤層2と熱硬化性シート3との接着面積を低下させて、半導体チップ(半導体素子)の回収の容易化を図ることができる。 Materials for the base layer 1 include polymers such as crosslinked products of the resins (e.g., plastic films). The plastic films may be used without stretching, or may be stretched uniaxially or biaxially as necessary. When a resin sheet is provided with heat shrinkability by stretching or the like, the base layer 1 can be heat-shrunk after dicing to reduce the adhesive area between the adhesive layer 2 and the thermosetting sheet 3, facilitating the recovery of the semiconductor chips (semiconductor elements).
基材層1の表面には、隣接する層との密着性、保持性等を高めるために、一般的な表面処理を施してもよい。このような表面処理としては、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的または物理的処理、下塗剤によるコーティング処理等が挙げられる。 The surface of the base layer 1 may be subjected to a general surface treatment to improve adhesion and retention with adjacent layers. Examples of such surface treatments include chemical or physical treatments such as chromate treatment, ozone exposure, flame exposure, high-voltage shock exposure, and ionizing radiation treatment, as well as coating with a primer.
基材層1の厚さは、1μm以上1000μm以下であることが好ましく、10μm以上500μm以下であることがより好ましく、20μm以上300μm以下であることがさらに好ましく、30μm以上200μm以下であること特に好ましい。
基材層1の厚さは、上記した熱硬化性シート3の厚さと同様にダイアルゲージ(PEACOCK社製、型式R-205)を用いて求めることができる。
The thickness of the base layer 1 is preferably from 1 μm to 1000 μm, more preferably from 10 μm to 500 μm, further preferably from 20 μm to 300 μm, and particularly preferably from 30 μm to 200 μm.
The thickness of the base layer 1 can be determined using a dial gauge (Model R-205, manufactured by PEACOCK) in the same manner as the thickness of the thermosetting sheet 3 described above.
基材層1は、各種添加剤を含んでいてもよい。各種添加剤としては、例えば、着色剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤等が挙げられる。 The substrate layer 1 may contain various additives. Examples of the various additives include colorants, fillers, plasticizers, antioxidants, antioxidants, surfactants, and flame retardants.
粘着剤層2の形成に用いる粘着剤としては特に限定されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶媒による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。 The adhesive used to form the adhesive layer 2 is not particularly limited, and may be, for example, a general pressure-sensitive adhesive such as an acrylic adhesive or a rubber adhesive. As the pressure-sensitive adhesive, an acrylic adhesive having an acrylic polymer as a base polymer is preferred from the viewpoint of cleaning and washing properties with ultrapure water or organic solvents such as alcohol for electronic components such as semiconductor wafers and glass that are sensitive to contamination.
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル及び(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステルの1種又は2種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、s-ブチルエステル、t-ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2-エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数1~30、特に、炭素数4~18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等を用いることができる。(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等を用いることができる。
なお、(メタ)アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの少なくとも一方を意味し、本発明の(メタ)は全て前記した内容と同様の内容を意味する。
Examples of the acrylic polymer include acrylic polymers using one or more of (meth)acrylic acid alkyl esters and (meth)acrylic acid cycloalkyl esters as monomer components. Examples of the (meth)acrylic acid alkyl esters include methyl esters, ethyl esters, propyl esters, isopropyl esters, butyl esters, isobutyl esters, s-butyl esters, t-butyl esters, pentyl esters, isopentyl esters, hexyl esters, heptyl esters, octyl esters, 2-ethylhexyl esters, isooctyl esters, nonyl esters, decyl esters, isodecyl esters, undecyl esters, dodecyl esters, tridecyl esters, tetradecyl esters, hexadecyl esters, octadecyl esters, and eicosyl esters, and the like, which are linear or branched alkyl esters having 1 to 30 carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms. Examples of the (meth)acrylic acid cycloalkyl esters include cyclopentyl esters and cyclohexyl esters.
The (meth)acrylic acid ester means at least one of an acrylic acid ester and a methacrylic acid ester, and all (meth) in the present invention have the same meaning as defined above.
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記(メタ)アクリル酸アルキルエステル又は(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル含有モノマー;無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー;(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10-ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12-ヒドロキシラウリル、(4-ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレート等のヒドロキシ基含有モノマー;スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-(メタ)アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸含有モノマー;2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー;アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、1種又は2種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の40質量%以下が好ましい。 The acrylic polymer may contain units corresponding to other monomer components that are copolymerizable with the (meth)acrylic acid alkyl ester or (meth)acrylic acid cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying the cohesive strength, heat resistance, etc. Examples of such monomer components include carboxyl-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth)acrylate, carboxypentyl (meth)acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; acid anhydride monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth)acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth)acrylate, and 10-hydroxydecyl (meth)acrylate. Examples of the copolymerizable monomers include hydroxyl group-containing monomers such as 12-hydroxylauryl (meth)acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl)methyl (meth)acrylate, etc.; sulfonic acid-containing monomers such as styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2-(meth)acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, (meth)acryloyloxynaphthalenesulfonic acid, sulfopropyl (meth)acrylate, (meth)acryloyloxynaphthalenesulfonic acid, etc.; phosphoric acid-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloylphosphate, etc.; acrylamide, acrylonitrile, etc. These copolymerizable monomer components can be used alone or in combination. The amount of these copolymerizable monomers used is preferably 40% by mass or less of the total monomer components.
更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、必要に応じて、多官能性モノマー等も共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも1種又は2種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の30質量%以下が好ましい。 Furthermore, the acrylic polymer may contain a polyfunctional monomer or the like as a copolymerization monomer component for crosslinking, if necessary. Examples of such polyfunctional monomers include hexanediol di(meth)acrylate, (poly)ethylene glycol di(meth)acrylate, (poly)propylene glycol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, pentaerythritol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, epoxy (meth)acrylate, polyester (meth)acrylate, and urethane (meth)acrylate. These polyfunctional monomers may also be used alone or in combination. The amount of polyfunctional monomer used is preferably 30% by mass or less of the total monomer components in terms of adhesive properties, etc.
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は2種以上のモノマー混合物を重合することにより得ることができる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等のいずれの方法で行ってもよい。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さい方が好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、30万以上であることが好ましく、40万~300万程度であることがより好ましい。 The acrylic polymer can be obtained by polymerizing a single monomer or a mixture of two or more monomers. The polymerization may be carried out by any method, such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, or suspension polymerization. From the viewpoint of preventing contamination of clean adherends, it is preferable that the content of low molecular weight substances is small. From this viewpoint, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, and more preferably about 400,000 to 3,000,000.
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるために、外部架橋剤を適宜添加することができる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等の架橋剤を添加して反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランス及び粘着剤としての使用用途を考慮して、適宜決定される。一般的には、外部架橋剤は、前記ベースポリマー100質量部に対して、5質量部程度以下配合することが好ましく、0.1~5質量部配合することがより好ましい。 In addition, an external crosslinking agent can be appropriately added to the adhesive to increase the number average molecular weight of the base polymer, such as an acrylic polymer. Specific examples of the external crosslinking method include a method of adding a crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, or a melamine crosslinking agent and reacting it. When an external crosslinking agent is used, the amount used is appropriately determined taking into consideration the balance with the base polymer to be crosslinked and the intended use as an adhesive. In general, it is preferable to mix about 5 parts by mass or less of the external crosslinking agent per 100 parts by mass of the base polymer, and more preferably 0.1 to 5 parts by mass.
粘着剤は、前記成分の他に、必要に応じて、各種公知の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を含んでいてもよい。 In addition to the above components, the adhesive may contain various known additives such as tackifiers and antioxidants, if necessary.
粘着剤層2は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させて、その粘着力を容易に低下させることができる。すなわち、粘着剤層2を放射線硬化型粘着剤により形成することにより、ダイシング前においては、粘着剤層2放射線を照射せずに熱硬化性シート3を粘着剤層2に十分に接着させておき、ダイシング後においては、粘着剤層2に放射線を照射して粘着剤層2の粘着力を低下させることにより、半導体チップ(半導体素子)を容易にピックアップ(回収)することができる。 The adhesive layer 2 can be formed from a radiation-curable adhesive. The degree of crosslinking of a radiation-curable adhesive can be increased by irradiation with radiation such as ultraviolet light, and the adhesive strength can be easily reduced. In other words, by forming the adhesive layer 2 from a radiation-curable adhesive, the adhesive layer 2 can be sufficiently adhered to the thermosetting sheet 3 without being irradiated with radiation before dicing, and after dicing, the adhesive layer 2 can be irradiated with radiation to reduce the adhesive strength of the adhesive layer 2, allowing the semiconductor chip (semiconductor element) to be easily picked up (recovered).
放射線硬化型粘着剤は、炭素-炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ、粘着性を示すものであれば、特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。 The radiation-curable adhesive can be any adhesive that has a radiation-curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibits adhesive properties. Examples of radiation-curable adhesives include additive-type radiation-curable adhesives that combine a radiation-curable monomer component or oligomer component with a general pressure-sensitive adhesive such as an acrylic adhesive or a rubber adhesive.
前記放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタン(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリストールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4-ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等が挙げられる。また、前記放射線硬化性のオリゴマー成分としては、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等の種々のオリゴマーが挙げられ、その分子量が100~30000程度の範囲のものが好適である。前記放射線硬化性のモノマー成分や前記放射線硬化性のオリゴマー成分の配合量は、放射線照射後に、粘着剤層2の粘着力を好適に低下できる量とすることが好ましい。一般的には、前記放射線硬化性のモノマー成分や前記放射線硬化性のオリゴマー成分の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー100質量部に対して、例えば、5~500質量部であることが好ましく、40~150質量部であることがより好ましい。 Examples of the radiation-curable monomer component include urethane (meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, and 1,4-butanediol di(meth)acrylate. Examples of the radiation-curable oligomer component include various oligomers such as urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based, and polybutadiene-based oligomers, and those having a molecular weight in the range of about 100 to 30,000 are preferred. The amount of the radiation-curable monomer component or the radiation-curable oligomer component to be blended is preferably an amount that can suitably reduce the adhesive strength of the adhesive layer 2 after radiation exposure. In general, the amount of the radiation-curable monomer component or the radiation-curable oligomer component is, for example, preferably 5 to 500 parts by mass, and more preferably 40 to 150 parts by mass, per 100 parts by mass of the base polymer, such as an acrylic polymer, that constitutes the adhesive.
また、放射線硬化型粘着剤としては、上記した添加型の放射線硬化型粘着剤の他に、ベースポリマーとして、炭素-炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、または、前記オリゴマー成分等の含有量が比較的少ない。そのため、前記内在型の放射線硬化側粘着剤を用いた場合には、経時的に前記オリゴマー成分等が粘着剤層2中を移動することが抑制される。その結果、粘着剤層2を比較的安定した層構造を有するものとすることができる。 In addition to the additive-type radiation-curable adhesives described above, examples of the radiation-curable adhesive include internal-type radiation-curable adhesives that use a base polymer having a carbon-carbon double bond in the polymer side chain, in the main chain, or at the end of the main chain. The internal-type radiation-curable adhesive does not need to contain low molecular weight oligomer components or the like, or the content of the oligomer components or the like is relatively small. Therefore, when the internal-type radiation-curable adhesive is used, the oligomer components or the like are prevented from moving over time in the adhesive layer 2. As a result, the adhesive layer 2 can have a relatively stable layer structure.
前記炭素-炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素-炭素二重結合を有し、かつ、粘着性を有するものであれば、特に制限なく使用することができる。このようなベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、上記したアクリル系ポリマーが挙げられる。 The base polymer having a carbon-carbon double bond can be any polymer that has a carbon-carbon double bond and is adhesive, without any particular limitations. As such a base polymer, one having an acrylic polymer as the basic skeleton is preferable. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers described above.
前記アクリル系ポリマーへの炭素-炭素二重結合の導入法は特に制限されず、種々の方法を採用することができるものの、炭素-炭素二重結合をポリマー側鎖に導入する方法を採用すると、分子設計が容易となる。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合させた後、この官能基と反応し得る官能基及び炭素-炭素二重結合を有する化合物を、炭素-炭素二重結合の放射線硬化性を維持した状態で、縮合反応または付加反応させる方法が挙げられる。 The method of introducing a carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be used, but adopting a method of introducing a carbon-carbon double bond into a polymer side chain makes molecular design easier. For example, there is a method in which a monomer having a functional group is copolymerized into the acrylic polymer in advance, and then a compound having a functional group and a carbon-carbon double bond that can react with the functional group is subjected to a condensation reaction or addition reaction while maintaining the radiation curability of the carbon-carbon double bond.
これら官能基の組み合わせの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組み合わせの中でも、反応追跡の容易さの点から、ヒドロキシ基とイソシアネート基との組み合わせが好適である。また、これら官能基の組み合わせは、前記炭素-炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組み合わせであれば、いずれの官能基がアクリル系ポリマー側または前記炭素-炭素二重結合を有する化合物側にあってもよいが、上記の好ましい組み合わせの場合、アクリル系ポリマーがヒドロキシ基を有し、前記炭素-炭素二重結合を有する化合物がイソシアネート基を有することが好適である。この場合、炭素-炭素結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、m-イソプロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、上記したヒドロキシ基含有モノマーや2-ヒドロキシエチルビニルエーテル、4-ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。 Examples of combinations of these functional groups include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group. Among these combinations of functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferred from the viewpoint of ease of reaction tracking. In addition, as long as the combination of these functional groups produces an acrylic polymer having a carbon-carbon double bond, either of the functional groups may be on the acrylic polymer side or on the compound side having the carbon-carbon double bond. In the case of the above preferred combination, it is preferred that the acrylic polymer has a hydroxyl group and the compound having the carbon-carbon double bond has an isocyanate group. In this case, examples of isocyanate compounds having a carbon-carbon bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate, and the like. In addition, acrylic polymers that are used are copolymers of the above-mentioned hydroxyl group-containing monomers and ether compounds such as 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, and diethylene glycol monovinyl ether.
前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素-炭素二重結合を有するベースポリマー(特に、アクリル系ポリマー)を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分や前記放射線硬化性のオリゴマー成分を配合することもできる。前記放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常、ベースポリマー100質量部に対して30質量部以下の範囲で含まれており、1~10質量部以下の範囲で含まれていることが好ましい。 The inherent radiation-curable adhesive can use the base polymer having a carbon-carbon double bond (particularly an acrylic polymer) alone, but can also contain the radiation-curable monomer component or the radiation-curable oligomer component to the extent that the properties are not deteriorated. The radiation-curable oligomer component is usually contained in an amount of 30 parts by mass or less per 100 parts by mass of the base polymer, and preferably in an amount of 1 to 10 parts by mass or less.
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、4-(2-ヒドロキシエトキシ)フェニル(2-ヒドロキシ-2-プロピル)ケトン、α-ヒドロキシ-α,α’-ジメチルアセトフェノン、2-メチル-ヒドロキシプロピオフェノン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα-ケトール系化合物;メトキシアセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、2-メチル-1-[4-(メチルチオ)-フェニル]-2-モルホリノプロパン-1等のアセトフェノン系化合物;ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテ系化合物;ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物;2-ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物;1-フェノン-1,1-プロパンジオン-2-(o-エトキシカルボニル)オキシム等の光活性オキシム系化合物;ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、3,3’-ジメチル-4-メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物;チオキサンソン、2-クロロチオキサンソン、2-メチルチオキサンソン、2,4-ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、2,4-ジクロロチオキサンソン、2,4-ジエチルチオキサンソン、2,4-ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物;カンファーキノン;ハロゲン化ケトン;アシルホスフィノキシド;アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー100質量部に対して、例えば、0.05~20質量部である。 The radiation-curable adhesive contains a photopolymerization initiator when curing with ultraviolet light or the like. Examples of photopolymerization initiators include α-ketol-based compounds such as 4-(2-hydroxyethoxy)phenyl(2-hydroxy-2-propyl)ketone, α-hydroxy-α,α'-dimethylacetophenone, 2-methyl-hydroxypropiophenone, and 1-hydroxycyclohexylphenylketone; acetophenone-based compounds such as methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, and 2-methyl-1-[4-(methylthio)-phenyl]-2-morpholinopropane-1; benzoin ether-based compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether; and ketal-based compounds such as benzyl dimethyl ketal. Examples of the photopolymerization initiator include aromatic sulfonyl chloride compounds such as 2-naphthalenesulfonyl chloride; photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime; benzophenone compounds such as benzophenone, benzoylbenzoic acid, and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone; thioxanthone compounds such as thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketones; acylphosphinoxides; and acylphosphonates. The amount of the photopolymerization initiator is, for example, 0.05 to 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the base polymer, such as an acrylic polymer, that constitutes the adhesive.
また、放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭60-196956号公報に開示されている、不飽和結合を2個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。 Examples of radiation-curable adhesives include rubber-based adhesives and acrylic-based adhesives that contain photopolymerizable compounds such as addition-polymerizable compounds with two or more unsaturated bonds and alkoxysilanes with epoxy groups, and photopolymerization initiators such as carbonyl compounds, organic sulfur compounds, peroxides, amines, and onium salt compounds, as disclosed in JP-A-60-196956.
放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が生じる場合には、放射線硬化型の粘着剤層2の表面について何らかの方法で酸素(空気)を遮断することが望ましい。例えば、前記粘着剤層2の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。 If oxygen inhibits curing during radiation exposure, it is desirable to block oxygen (air) from the surface of the radiation-curable adhesive layer 2 in some way. For example, the surface of the adhesive layer 2 may be covered with a separator, or radiation such as ultraviolet light may be irradiated in a nitrogen gas atmosphere.
粘着剤層2の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止と、熱硬化性シート3の固定保持性とを両立させる点から、1~50μmであることが好ましく、2~30μmであることがより好ましく、5~25μmであることがさらに好ましい。 The thickness of the adhesive layer 2 is not particularly limited, but in order to prevent chipping of the cut surface of the chip and to maintain the thermosetting sheet 3 in a fixed state, it is preferably 1 to 50 μm, more preferably 2 to 30 μm, and even more preferably 5 to 25 μm.
なお、本発明に係る熱硬化性シート及びダイシングダイボンドフィルムは、前記実施形態に限定されるものではない。また、本発明に係る熱硬化性シート及びダイシングダイボンドフィルムは、前記した作用効果によって限定されるものでもない。本発明に係る熱硬化性シート及びダイシングダイボンドフィルムは、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。 The thermosetting sheet and dicing die bond film according to the present invention are not limited to the above-mentioned embodiment. The thermosetting sheet and dicing die bond film according to the present invention are not limited by the above-mentioned action and effect. The thermosetting sheet and dicing die bond film according to the present invention can be modified in various ways without departing from the gist of the present invention.
次に、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。以下の実施例は本発明をさらに詳しく説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。 Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples. The following examples are intended to explain the present invention in more detail and are not intended to limit the scope of the present invention.
[実施例1]
ハイブリッドミキサー(株式会社キーエンス製、商品名:HM-500)を用いて、以下の表1の実施例1の項に示した質量割合で各材料を含む混合物を3分間撹拌して、ワニスを調製した。このワニスを離型処理フィルム(三菱ケミカル株式会社製、商品名:MRA38、厚さ38μm)の一方面に塗布した後に、温度100℃で2分間乾燥させて、厚さ30μmの熱硬化性シートを得た。
なお、以下の表1に示した各材料としては、以下のものを用いた。
・フェノール樹脂
明和化成社製のMEHC-7851S(ビフェニル型フェノール樹脂、フェノール当量209g/eq)
・固体エポキシ樹脂
新日鉄住金化学社製のKI-3000-4(クレゾールノボラック型多官能エポキシ樹脂、エポキシ当量200g/eq)
・液状エポキシ樹脂
DIC社製のEXA-4816(脂肪族変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂(2官能型)、エポキシ当量403g/eq)
・銀(Ag)被覆銅(Cu)粒子
三井金属鉱業製の1200YP(扁平銅粒子に銀粒子を10質量%コートしたもの、平均粒子径3.5μm、不定形)
・銀(Ag)粒子
三井金属鉱業社製のHP02A(脂肪酸系被覆剤で表面処理された銀粒子)
・揮発材(イソボルニルシクロヘキサノール(MTPH))
日本テルペン化学製のMTPH
・アクリル樹脂溶液
ナガセケミテック社製のテイサンレジンSG-70L(溶剤としてMEK及びトルエンを含有、固形分12.5%、ガラス転移温度-13℃、質量平均分子量90万、酸価5mg/KOH、カルボキシル基含有アクリル共重合体)
・カップリング剤
信越化学工業社製のKBE-846(ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド)
・触媒
北興化学工業社製のTPP-K(テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート)
・溶剤
メチルエチルケトン(MEK)
また、導電性粒子(銀被覆銅粒子及び銀粒子)の100質量部に占める銀被覆銅粒子及び銀粒子の質量割合、熱硬化性シートの100質量部に占めるエポキシ樹脂(固体及び液状)の質量割合、熱硬化性シートの100質量部に占めるフェノール樹脂の質量割合、熱硬化性シートの100質量部に占めるアクリル樹脂の質量割合、及び、有機成分(フェノール樹脂、エポキシ樹脂(固体及び液状)、アクリル樹脂溶液、イソボルニルシクロヘキサノール)の100質量部に占めるイソボルニルシクロヘキサノールの質量割合について、以下の表2に示した。
[Example 1]
A varnish was prepared by stirring a mixture containing each material in the mass ratio shown in the section of Example 1 in Table 1 for 3 minutes using a hybrid mixer (manufactured by Keyence Corporation, product name: HM-500). This varnish was applied to one side of a release-treated film (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name: MRA38, thickness 38 μm) and then dried at a temperature of 100° C. for 2 minutes to obtain a thermosetting sheet having a thickness of 30 μm.
The materials used in the following Table 1 are as follows:
Phenolic resin: MEHC-7851S (biphenyl type phenolic resin, phenol equivalent 209 g/eq) manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.
Solid epoxy resin: KI-3000-4 (cresol novolac type multifunctional epoxy resin, epoxy equivalent 200 g/eq) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.
Liquid epoxy resin: EXA-4816 manufactured by DIC Corporation (aliphatic modified bisphenol A type epoxy resin (bifunctional type), epoxy equivalent 403 g/eq)
Silver (Ag)-coated copper (Cu) particles: 1200YP manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. (flat copper particles coated with 10% by mass of silver particles, average particle size 3.5 μm, irregular shape)
Silver (Ag) particles: HP02A manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. (silver particles surface-treated with a fatty acid-based coating agent)
- Volatile material (isobornylcyclohexanol (MTPH))
MTPH manufactured by Nippon Terpene Chemical
Acrylic resin solution: Teisan Resin SG-70L manufactured by Nagase Chemitec Co., Ltd. (containing MEK and toluene as solvents, solid content 12.5%, glass transition temperature -13°C, mass average molecular weight 900,000, acid value 5 mg/KOH, carboxyl group-containing acrylic copolymer)
Coupling agent: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.'s KBE-846 (bis(triethoxysilylpropyl)tetrasulfide)
Catalyst: TPP-K (tetraphenylphosphonium tetraphenylborate) manufactured by Hokko Chemical Industry Co., Ltd.
・Solvent: Methyl ethyl ketone (MEK)
In addition, the mass proportions of the silver-coated copper particles and silver particles in 100 parts by mass of the conductive particles (silver-coated copper particles and silver particles), the mass proportions of the epoxy resin (solid and liquid) in 100 parts by mass of the thermosetting sheet, the mass proportions of the phenol resin in 100 parts by mass of the thermosetting sheet, the mass proportions of the acrylic resin in 100 parts by mass of the thermosetting sheet, and the mass proportions of isobornylcyclohexanol in 100 parts by mass of the organic components (phenol resin, epoxy resin (solid and liquid), acrylic resin solution, isobornylcyclohexanol) are shown in Table 2 below.
[実施例2]
銀粒子を三井金属鉱業社製のHP02Aの被覆剤変更品(エポキシ被覆品)とし、触媒としてのTPP-Kを含ませず、以下の表1の実施例2の項に示した質量割合で各材料を含む混合物を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例2に係る熱硬化性シートを得た。
[Example 2]
A thermosetting sheet according to Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the silver particles were a modified coating agent (epoxy-coated product) of HP02A manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., did not contain TPP-K as a catalyst, and used a mixture containing each material in the mass ratio shown in the Example 2 section of Table 1 below.
[実施例3]
触媒としてのTPP-Kを含ませず、以下の表1の実施例3の項に示した質量割合で各材料を含む混合物を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例3に係る熱硬化性シートを得た。
[Example 3]
A thermosetting sheet according to Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1, except that TPP-K was not used as a catalyst and a mixture containing each material in the mass ratio shown in the section of Example 3 in Table 1 below was used.
[実施例4]
銀粒子を三井金属鉱業社製のHP02とし、触媒としてのTPP-Kを含ませず、以下の表1の実施例4の項に示した質量割合で各材料を含む混合物を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例4に係る熱硬化性シートを得た。
[Example 4]
A thermosetting sheet according to Example 4 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the silver particles were HP02 manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., TPP-K was not used as a catalyst, and a mixture containing each material in the mass ratio shown in the section on Example 4 in Table 1 below was used.
[実施例5]
銀粒子をDOWAエレクトロニクス社製のAG-2-8F(脂肪酸系被覆剤で表面処理された銀粒子)とし、銀(Ag)被覆銅(Cu)粒子をDOWAエレクトロニクス社製のAOP-TCY-2(EN)とし、以下の表1の実施例5の項に示した質量割合で各材料を含む混合物を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例5に係る熱硬化性シートを得た。
[Example 5]
A thermosetting sheet according to Example 5 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the silver particles were AG-2-8F (silver particles surface-treated with a fatty acid-based coating agent) manufactured by Dowa Electronics Co., Ltd., the silver (Ag)-coated copper (Cu) particles were AOP-TCY-2 (EN) manufactured by Dowa Electronics Co., Ltd., and a mixture containing each material in the mass ratio shown in the section of Example 5 in Table 1 below was used.
[比較例1]
銀粒子を三井金属鉱業社製のSPH02J(凝集ナノAg粒子、不定形、凝集体の平均粒子径1.8μm)とし、触媒としてのTPP-Kを含ませず、以下の表1の比較例1の項に示した質量割合で各材料を含む混合物を用いた以外は、実施例1と同様にして、比較例1に係る熱硬化性シートを得た。
[Comparative Example 1]
A thermosetting sheet according to Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the silver particles were SPH02J (aggregated nano Ag particles, irregular shape, average particle size of the aggregates: 1.8 μm) manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., no TPP-K was added as a catalyst, and a mixture containing each material in the mass ratio shown in the Comparative Example 1 section of Table 1 below was used.
[比較例2]
銀粒子を三井金属鉱業社製のSPH02Jとし、以下の表1の比較例2の項に示した質量割合で各材料を含む混合物を用いた以外は、実施例1と同様にして、比較例1に係る熱硬化性シートを得た。
[Comparative Example 2]
A thermosetting sheet according to Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the silver particles were SPH02J manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., and a mixture containing each material in the mass ratio shown in the Comparative Example 2 section of Table 1 below was used.
[比較例3]
銀粒子を三井金属鉱業社製のSPH02Jとし、揮発材(イソボルニルシクロヘキサノール)を含ませずに、以下の表1の比較例3の項に示した質量割合で各材料を含む混合物を用いた以外は、実施例1と同様にして、比較例3に係る熱硬化性シートを得た。
[Comparative Example 3]
A thermosetting sheet according to Comparative Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the silver particles were SPH02J manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., and a mixture containing each material in the mass ratio shown in the Comparative Example 3 section of Table 1 below was used without containing a volatile material (isobornylcyclohexanol).
<銀(Ag)粒子の平均粒子径D50>
配合前に、レーザ回折・散乱式粒度分布測定装置(マイクロトラック・ベル社製、マイクロトラックMT3000IIシリーズ)を用いて測定した。
各例に係る熱硬化シートに含ませた銀粒子の平均粒子径D50を測定した結果を、以下の表2に示した。
<Average particle diameter D50 of silver (Ag) particles>
Before blending, the particle size distribution was measured using a laser diffraction/scattering type particle size distribution measuring device (Microtrac MT3000II series, manufactured by Microtrac Bell).
The average particle diameter D50 of the silver particles contained in the heat-cured sheet of each example was measured, and the results are shown in Table 2 below.
<銀(Ag)粒子の円形度>
各例に係る熱硬化性シートを厚さ方向に切断して、その切断面のSEM画像を撮像し、粉体画像解析装置(セイシン企業社製、PITA-3)を用いて、撮像した前記SEM画像を解析することにより得た。
粉体画像解析装置による解析は、前記SEM画像中において、ランダムに選んだ10個の銀粒子について、行い、円形度は、10個の銀粒子について得られた円形度の値を算術平均することにより求めた。
なお、各例に係る熱硬化性シートにおいて、銀粒子と銀(Ag)被覆銅(Cu)粒子とは、反射電子像を用い、組成の違いで明暗がつくように観察することにより区別した。
各例に係る熱硬化性シートについて、銀粒子の円形度を求めた結果を、以下の表2に示した。
<Circularity of Silver (Ag) Particles>
The thermosetting sheet according to each example was cut in the thickness direction, and an SEM image of the cut surface was taken. The SEM image was then analyzed using a powder image analyzer (PITA-3, manufactured by Seishin Enterprise Co., Ltd.).
The analysis using the powder image analyzer was performed on 10 silver particles randomly selected in the SEM image, and the circularity was determined by arithmetically averaging the circularity values obtained for the 10 silver particles.
In the thermosetting sheets according to each example, the silver particles and the silver (Ag)-coated copper (Cu) particles were distinguished by observing backscattered electron images so that light and dark areas were observed due to the difference in composition.
The circularity of the silver particles of the thermosetting sheets according to each example was measured, and the results are shown in Table 2 below.
<導電性粒子の充填率>
以下の手順にしたがって、各例に係る熱硬化性シートについて粒子充填率Pを求めた。
(1)硬化後の熱硬化性シートを機械研磨して断面を露出させ、この露出した断面について、イオンポリッシング装置(日本電子株式会社製、商品名:クロスセクションポリッシャSM-09010)を用いてイオンポリッシングを行う。
(2)イオンポリッシングした露出断面における任意の断面領域内のSEM画像(走査型電子顕微鏡による像)を、電界放出形走査電子顕微鏡SU8020(日立ハイテクノロジー社製)を用いて撮像し、反射電子像を画像データとして得る。撮像条件は、加速電圧を5kVとし、倍率を5000倍とする。
(3)得られた画像データに対し、画像解析ソフトImageJを使用して、金属部分と樹脂部分とに2値化する自動2値化処理を行う。
(4)2値化後の画像から金属部分の合計面積と全体(金属部分+樹脂部分)の面積とを求め、金属部分の合計面積を全体の面積で除することにより、硬化後の熱硬化性シートについて、導電性粒子の粒子充填率Pを求める。
なお、導電性粒子の粒子充填率Pは、イオンポリッシングした露出断面における5箇所の断面領域について求めた粒子充填率を算術平均することにより求めた。
各例に係る熱硬化性シートについて、導電性粒子の粒子充填率Pを求めた結果を、以下の表2に示した。
<Filling rate of conductive particles>
The particle packing ratio P was determined for the thermosetting sheet according to each example according to the following procedure.
(1) The cured thermosetting sheet is mechanically polished to expose a cross section, and the exposed cross section is then subjected to ion polishing using an ion polishing device (manufactured by JEOL Ltd., product name: Cross Section Polisher SM-09010).
(2) An SEM image (image by a scanning electron microscope) of an arbitrary cross-sectional region of the exposed cross-section that has been ion-polished is taken using a field emission scanning electron microscope SU8020 (manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), and a backscattered electron image is obtained as image data. The imaging conditions are an acceleration voltage of 5 kV and a magnification of 5000 times.
(3) The obtained image data is subjected to an automatic binarization process using image analysis software ImageJ to binarize the metal parts and the resin parts.
(4) The total area of the metal parts and the area of the whole (metal parts + resin parts) are calculated from the binarized image, and the total area of the metal parts is divided by the total area to calculate the particle filling rate P of the conductive particles for the cured thermosetting sheet.
The particle packing ratio P of the conductive particles was determined by arithmetically averaging the particle packing ratios determined for five cross-sectional regions on the exposed cross-section that had been ion-polished.
The particle filling rate P of the conductive particles was determined for each of the thermosetting sheets according to the examples, and the results are shown in Table 2 below.
<熱硬化性シートの100℃における粘度>
各例に係る熱硬化性シートの100℃における粘度は、レオメータ(サーモフィッシャーサイエンティフィック社製、回転式レオメータ HAAKE MARS)を用いて評価した。具体的には、昇温速度10℃/minにて、30℃から180℃まで昇温させたときに、100℃の指示値を読み取ることにより行った。
各例に係る熱硬化性シートについて、100℃における粘度を求めた結果を、以下の表2に示した。
<Viscosity of thermosetting sheet at 100° C.>
The viscosity of the thermosetting sheet according to each example at 100° C. was evaluated using a rheometer (HAAKE MARS rotational rheometer manufactured by Thermo Fisher Scientific Co., Ltd.) by reading the indicated value at 100° C. when the temperature was increased from 30° C. to 180° C. at a rate of 10° C./min.
The viscosity at 100° C. of the thermosetting sheets of each example was measured, and the results are shown in Table 2 below.
<熱硬化性シートの熱伝導率>
各例に係る熱硬化性シートを、プレッシャークッカー装置にて、0.5MPaの圧力をかけながら、200℃で1時間処理して熱硬化させた。熱硬化させた各例に係る熱硬化性シートについて、下記式により熱伝導率を算出した。
<Thermal conductivity of thermosetting sheet>
The thermosetting sheet according to each example was heat-cured in a pressure cooker at 200° C. for 1 hour while applying a pressure of 0.5 MPa. The thermal conductivity of the heat-cured thermosetting sheet according to each example was calculated according to the following formula.
熱拡散率α(m2/s)は、TWA法(温度波熱分析法、測定装置:アイフェイズモバイル、アイフェーズ社製)により測定した。
比熱Cp(J/g・℃)は、DSC法により測定した。比熱測定は、エスアイアイナノテクノロジー社製のDSC6220を用い、昇温速度10℃/min、温度範囲20~300℃の条件下で行い、得られたデータを基に、JISハンドブック(比熱容量測定方法K-7123)に記載された方法で比熱を算出した。
比重は、アルキメデス法により測定した。
各例に係る硬化後の熱硬化性シートについて、熱伝導率を算出した結果を以下の表2に示した。
The thermal diffusivity α (m 2 /s) was measured by a TWA method (temperature wave thermal analysis method, measuring device: iPhase Mobile, manufactured by iPhase Corporation).
The specific heat C p (J/g·° C.) was measured by the DSC method. The specific heat measurement was performed using a DSC6220 manufactured by SII Nanotechnology Inc. under conditions of a heating rate of 10° C./min and a temperature range of 20 to 300° C., and the specific heat was calculated based on the obtained data by the method described in the JIS Handbook (specific heat capacity measurement method K-7123).
The specific gravity was measured by the Archimedes method.
The thermal conductivity of the cured thermosetting sheets of each example was calculated, and the results are shown in Table 2 below.
<シリコンウェハに対する引き剥がし力>
各例に係る熱硬化性シートについて、シリコンウェハに対する粘着力を測定した。シリコンウェハに対する引き剥がし力は、室温(23±2℃)にて測定した。シリコンウェハに対する引き剥がし力は、引張試験機(商品名:オートグラフAG-X、島津製作所製)を用い、室温(23±2℃)、剥離角度180°、および引張速度300mm/minの条件での剥離試験により測定した。
具体的には、以下のようにして測定した。
(1)シリコンウェハ(ベアウェハ)の一表面に熱硬化性シートを重ね合せて積層体を得る。
(2)該積層体を70℃に加温したホットプレート上に配する。なお、前記積層体は、シリコンウェハの表面がホットプレートの表面と当接するように配する。
(3)圧着ローラ(ローラ質量は2kg)を用いて、前記積層体をプレスすることにより、シリコンウェハと熱硬化性シートとを貼り合せた状態とし、ホットプレート上に2分間放置する。
(4)放置した前記積層体をホットプレートから取り出し、室温(23±2℃)にて20分間放置することにより試験体を得る。
(5)前記試験体について、上記の引張試験機を用いて、上記の条件にて剥離試験を行うことにより、シリコンウェハに対する室温でも引き剥がし力を測定する。
各例に係る熱硬化性シートについて、シリコンウェハに対する引き剥がし力を測定した結果を、以下の表2に示した。
<Peeling force against silicon wafer>
The adhesive strength of the thermosetting sheet according to each example to a silicon wafer was measured. The peeling strength against the silicon wafer was measured at room temperature (23±2°C). The peeling strength against the silicon wafer was measured by a peeling test using a tensile tester (product name: Autograph AG-X, manufactured by Shimadzu Corporation) under the conditions of room temperature (23±2°C), a peeling angle of 180°, and a pulling speed of 300 mm/min.
Specifically, the measurements were carried out as follows.
(1) A thermosetting sheet is laminated on one surface of a silicon wafer (bare wafer) to obtain a laminate.
(2) The laminate is placed on a hot plate heated to 70° C. The laminate is placed so that the surface of the silicon wafer is in contact with the surface of the hot plate.
(3) The laminate is pressed with a pressure roller (roller mass: 2 kg) to bond the silicon wafer and the thermosetting sheet together, and then the laminate is left on a hot plate for 2 minutes.
(4) The laminate that has been left standing is removed from the hot plate and left at room temperature (23±2° C.) for 20 minutes to obtain a test specimen.
(5) A peel test is carried out on the test specimen under the above conditions using the above tensile tester to measure the peel force against a silicon wafer even at room temperature.
The peel strength of the thermosetting sheet according to each example against a silicon wafer was measured, and the results are shown in Table 2 below.
<ダイシング中の剥離性>
ダイシング中の剥離性の評価は、ダイシングテープの粘着剤層上に熱硬化性シートが積層されたダイシングダイボンドフィルムと、ベアウェハとを用いて行った。
詳しくは、以下の手順にしたがって行った。
(1)押圧手段(圧着ロール)を用いて、前記熱硬化性シート上に、厚さ100μm、直径8インチ(200mm)のSiベアウェハを押圧しながら貼着させる。
(2)フルオートダイシングソー(DISCO社製、FULLY AUTOMATIC DICING SAW、DFD6361)を用い、スピンドル回転数:45000rpm(min-1)、送り速度:30mm/s、ピッチ:5mmという条件で、前記熱硬化性シート及び前記Siベアウェハについてブレードダイシングを行って、ベアチップが積層された複数の熱硬化性シートを得る。このとき、ベアチップが実用上問題となるレベルで熱硬化性シートから剥離しているものが認められない場合には、ダイシング中の剥離性を〇とし、ベアチップが実用上問題となるレベルで剥離しているもの(チップ飛びが生じているもの)が一つでも認められれば、ダイシング中の剥離性を×とする。
<Peeling during dicing>
The evaluation of the peelability during dicing was performed using a dicing die bond film in which a thermosetting sheet was laminated on the adhesive layer of a dicing tape, and a bare wafer.
In detail, the following steps were followed:
(1) A Si bare wafer having a thickness of 100 μm and a diameter of 8 inches (200 mm) is attached onto the thermosetting sheet while being pressed by a pressing means (pressure roller).
(2) Using a fully automatic dicing saw (DISCO Corporation, FULLY AUTOMATIC DISCING SAW, DFD6361), blade dicing is performed on the thermosetting sheet and the Si bare wafer under conditions of spindle rotation speed: 45,000 rpm (min -1 ), feed speed: 30 mm/s, and pitch: 5 mm to obtain a plurality of thermosetting sheets on which bare chips are stacked. At this time, if no bare chips are found to have peeled off from the thermosetting sheet to a level that is problematic for practical use, the peelability during dicing is evaluated as ◯, and if even one bare chip is found to have peeled off to a level that is problematic for practical use (chip skipping), the peelability during dicing is evaluated as ×.
なお、前記粘着剤層、ダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムは、以下のようにして作製した。 The adhesive layer, dicing tape, and dicing die bond film were prepared as follows.
(粘着剤層の作製)
アクリルポリマーの合成
冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器内に、モノマー濃度が約55質量%となるように、下記原料を入れ、窒素気流下で60℃にて10時間重合反応を行った。これにより、アクリルポリマー中間体を合成した。
・2-エチルヘキシルアクリレート(2HEA):100質量部
・2-ヒドロキシエチルアクリレート(HEA):20質量部
・重合開始剤:適量
・重合溶媒:トルエン
合成したアクリルポリマー中間体100質量部と、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)1.4質量部とを、ジブチル錫ジラウリレート(0.1質量部)の存在下において、空気気流中で50℃にて60時間付加反応を行って、アクリルポリマーを合成した。
粘着剤層の作製
(1)下記の原料を含む溶液を得て、該溶液に適宜トルエンを加えることによって、粘度が500mPa・sの粘着剤溶液を調製する。
・合成したアクリルポリマー:100質量部
・ポリイソシアネート化合物
(日本ポリウレタン社製、商品名「コロネートL」):1.1質量部
・光重合開始剤
(チバ・スペシャリティー・ケミカルズ社製、商品名「イルガキュア184」):3質量部
(2)剥離シートとして、PET系フィルムを用意する。その剥離シートの片面に、アプリケータを使用して上記のごとく調製した粘着剤溶液を塗布する。なお、剥離シート(PET系フィルム)の上記片面には、離型処理としてシリコーン処理が施されている。塗布後、120℃で2分間加熱することにより乾燥処理を施し、厚さ30μmの粘着剤層を前記剥離シート上に作製する。
(Preparation of Adhesive Layer)
Synthesis of acrylic polymer
The following raw materials were placed in a reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen inlet tube, a thermometer, and a stirrer so that the monomer concentration was about 55% by mass, and a polymerization reaction was carried out at 60° C. for 10 hours under a nitrogen stream, thereby synthesizing an acrylic polymer intermediate.
2-Ethylhexyl acrylate (2HEA): 100 parts by mass 2-Hydroxyethyl acrylate (HEA): 20 parts by mass Polymerization initiator: appropriate amount Polymerization solvent: toluene An acrylic polymer was synthesized by performing an addition reaction between 100 parts by mass of the synthesized acrylic polymer intermediate and 1.4 parts by mass of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) in the presence of dibutyltin dilaurate (0.1 part by mass) in an air stream at 50° C. for 60 hours.
Preparation of adhesive layer
(1) A solution containing the following raw materials is obtained, and an appropriate amount of toluene is added to the solution to prepare a pressure-sensitive adhesive solution having a viscosity of 500 mPa·s.
- Synthesized acrylic polymer: 100 parts by weight - Polyisocyanate compound (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd., product name "Coronate L"): 1.1 parts by weight - Photopolymerization initiator (manufactured by Ciba Specialty Chemicals, product name "Irgacure 184"): 3 parts by weight (2) A PET film is prepared as a release sheet. The adhesive solution prepared as described above is applied to one side of the release sheet using an applicator. Note that the above-mentioned one side of the release sheet (PET film) is silicone-treated as a release treatment. After application, a drying treatment is performed by heating at 120°C for 2 minutes, and an adhesive layer with a thickness of 30 μm is formed on the release sheet.
(ダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムの作製)
ダイシングテープの作製
ラミネータを使用して、剥離シート上に作製した粘着剤層の露出面に、厚さ80μmのポリエチレンフィルムからなる支持基材を室温にて貼り合せて、ダイシングテープを作製した。
なお、ダイシングテープの粘着剤層のうち、直径8インチのSiベアウェハの貼り付け予定部分に紫外線を強度300mJ/cm2で照射して、前記貼り付け予定部分を紫外線硬化させた。
ダイシングダイボンドフィルムの作製
紫外線硬化させた後の前記ダイシングテープの粘着剤層上に、剥離シートの積層側と反対側の面が当接するように、熱硬化性シートを配し、速度0.8mm/minでラミネータに通し、前記ダイシングテープに前記熱硬化性シートを貼り合せた後、前記剥離シートを取り除くことによって、前記ダイシングテープに前記熱硬化性シートが積層されたダイシングダイボンドフィルムを作製した。
(Preparation of dicing tape and dicing die bond film)
Preparation of dicing tape
A supporting substrate made of a polyethylene film having a thickness of 80 μm was attached to the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer prepared on the release sheet at room temperature using a laminator to prepare a dicing tape.
In addition, the portion of the adhesive layer of the dicing tape to be attached to the Si bare wafer having a diameter of 8 inches was irradiated with ultraviolet light at an intensity of 300 mJ/cm 2 to cure the portion to be attached.
Preparation of dicing die bond film
A thermosetting sheet was placed on the adhesive layer of the dicing tape after UV curing, so that the side opposite the laminated side of the release sheet was in contact with the adhesive layer, and the dicing tape was passed through a laminator at a speed of 0.8 mm/min to bond the thermosetting sheet to the dicing tape. The release sheet was then removed to produce a dicing die bond film in which the thermosetting sheet was laminated to the dicing tape.
各例に係る熱硬化性シートについて、ダイシング中の剥離性を評価した結果を以下の表2に示した。 The results of evaluating the peelability during dicing for the thermosetting sheets of each example are shown in Table 2 below.
表2より、各実施例に係る熱硬化性シートは、いずれも、導電性粒子として、平均粒子径D50が0.01μm以上10μm以下、かつ、断面における円形度が0.7以上である銀粒子を含んでおり、さらに、100℃における粘度が20kPa・s以上3000kPa・s以下の範囲であることが分かった。
そして、各実施例に係る熱硬化性シートは、いずれも、硬化後における熱硬化性シートの熱伝導率が3W/m・K以上であり、実用上、十分な放熱性を示しているとともに、シリコンウェハに対する引き剥がし力が1.0N/10mm以上と比較的高い値となっており、ダイシング中の剥離性の評価は〇であった。
From Table 2, it can be seen that the thermosetting sheets according to each Example all contain, as conductive particles, silver particles having an average particle size D50 of 0.01 μm or more and 10 μm or less and a circularity in cross section of 0.7 or more, and further have a viscosity at 100° C. in the range of 20 kPa·s or more and 3000 kPa·s or less.
In addition, the thermosetting sheets of each of the examples had a thermal conductivity of 3 W/m·K or more after curing, which means that they have sufficient heat dissipation properties for practical use. In addition, the peel force against the silicon wafer was a relatively high value of 1.0 N/10 mm or more, and the peelability during dicing was rated as good.
これに対し、比較例1及び2に係る熱硬化性シートは、銀粒子として、断面における円形度が0.7未満である銀粒子を含んでおり、100℃における粘度が3000kPa・sを上回っていることが分かった。
そして、比較例1及び2に係る熱硬化性シートは、硬化後における熱伝導率が3W/m・K以上であり、実用上、十分な放熱性を示していたものの、シリコンウェハに対する引き剥がし力の値が1.0N/10mmを下回っており、ダイシング中の剥離性の評価は×であった。
また、比較例3に係る熱硬化性シートは、銀粒子として、断面における円形度が0.7未満である銀粒子を含んでおり、100℃における粘度が20kPa・s以上3000kPa・s以下の範囲であることが分かった。
そして、比較例3に係る熱硬化性シートは、シリコンウェハに対する引き剥がし力が7.63N/10mmと比較的高い値となっており、ダイシング中の剥離性の評価が〇であったものの、熱伝導率の値は1.5W/m・Kであり、実用上、十分な放熱性を示すものではなかった。
In contrast, the thermosetting sheets of Comparative Examples 1 and 2 contained silver particles having a cross-sectional circularity of less than 0.7, and were found to have a viscosity at 100°C of more than 3000 kPa·s.
The thermosetting sheets of Comparative Examples 1 and 2 had a thermal conductivity of 3 W/m·K or more after curing, and thus exhibited sufficient heat dissipation for practical use; however, the peel force against the silicon wafer was below 1.0 N/10 mm, and the peelability during dicing was evaluated as ×.
In addition, it was found that the thermosetting sheet of Comparative Example 3 contains silver particles having a circularity in cross section of less than 0.7, and has a viscosity at 100°C in the range of 20 kPa·s or more and 3000 kPa·s or less.
The thermosetting sheet of Comparative Example 3 had a relatively high peel force against the silicon wafer of 7.63 N/10 mm, and the peelability during dicing was evaluated as good; however, the thermal conductivity was 1.5 W/m·K, which did not provide sufficient heat dissipation for practical use.
この結果から、熱硬化性シートを、導電性粒子として、平均粒子径D50が0.01μm以上10μm以下、かつ、断面における円形度が0.7以上である銀粒子を含み、かつ、100℃における粘度が20kPa・s以上3000kPa・s以下の範囲となるものとすることにより、ダイシング中における半導体素子の剥離を比較的抑制でき、かつ、硬化後の放熱性が比較的高いものとすることができることが分かった。 From these results, it was found that by making the thermosetting sheet contain, as conductive particles, silver particles having an average particle diameter D50 of 0.01 μm or more and 10 μm or less and a circularity in cross section of 0.7 or more, and having a viscosity at 100° C. in the range of 20 kPa·s or more and 3000 kPa·s or less, peeling of the semiconductor element during dicing can be relatively suppressed, and the heat dissipation properties after curing can be relatively high.
1 基材層
2 粘着剤層
3 熱硬化性シート
10 ダイシングテープ
20 ダイシングダイボンドフィルム
REFERENCE SIGNS LIST 1 Base material layer 2 Pressure sensitive adhesive layer 3 Thermosetting sheet 10 Dicing tape 20 Dicing die bond film
Claims (8)
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂を含み、
前記導電性粒子は、平均粒子径D50が0.01μm以上10μm以下、かつ、断面における円形度が0.7以上である銀粒子を含み、
前記熱硬化性シートの100質量%に占める前記導電性粒子の質量%は、83質量%以上95質量%以下であり、
100℃における粘度が20kPa・s以上3000kPa・s以下である
熱硬化性シート。 A thermosetting sheet comprising a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and conductive particles,
the thermosetting resin includes an epoxy resin,
The conductive particles include silver particles having an average particle diameter D50 of 0.01 μm or more and 10 μm or less and a circularity in cross section of 0.7 or more,
the mass % of the conductive particles is 83 mass % or more and 95 mass % or less based on 100 mass % of the thermosetting sheet;
A thermosetting sheet having a viscosity at 100°C of 20 kPa·s or more and 3000 kPa·s or less.
請求項1に記載の熱硬化性シート。The thermosetting sheet according to claim 1 .
請求項1又は2に記載の熱硬化性シート。 The thermosetting sheet according to claim 1 or 2 , wherein the conductive particles have a particle filling rate P of 30 volume % or more in the thermosetting sheet after curing.
請求項1乃至3のいずれか1項に記載の熱硬化性シート。 The thermosetting sheet according to claim 1 , which has a thermal conductivity after curing of 3 W/m·K or more and 100 W/m·K or less.
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の熱硬化性シート。 The thermosetting sheet according to claim 1 , which has a peel strength from a silicon wafer of 1 N/10 mm or more and 20 N/10 mm or less at room temperature.
前記揮発成分は、水酸基を1個以上含み、かつ、沸点が250℃以上350℃以下である
請求項1乃至5のいずれか1項に記載の熱硬化性シート。 Contains volatile components,
The thermosetting sheet according to claim 1 , wherein the volatile component contains one or more hydroxyl groups and has a boiling point of 250° C. or more and 350° C. or less.
請求項6に記載の熱硬化性シート。 The thermosetting sheet according to claim 6 , wherein the volatile component is a terpene compound.
該基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層された熱硬化性シートと、を備え、
前記熱硬化性シートが、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の熱硬化性シートである
ダイシングダイボンドフィルム。
A base layer;
a dicing tape having a pressure-sensitive adhesive layer laminated on the base layer;
a thermosetting sheet laminated on the adhesive layer of the dicing tape;
A dicing die bond film, wherein the thermosetting sheet is the thermosetting sheet according to claim 1 .
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110586920.6A CN113831865B (en) | 2020-06-24 | 2021-05-27 | Thermosetting sheets and die-cutting chip bonding films |
| TW110121875A TW202208585A (en) | 2020-06-24 | 2021-06-16 | Thermosetting sheet and dicing die-bonding film |
| US17/350,235 US20210403784A1 (en) | 2020-06-24 | 2021-06-17 | Thermosetting sheet and dicing die bonding film |
| EP21180458.8A EP3929258A1 (en) | 2020-06-24 | 2021-06-18 | Thermosetting sheet and dicing die bonding film |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020109065 | 2020-06-24 | ||
| JP2020109065 | 2020-06-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022007948A JP2022007948A (en) | 2022-01-13 |
| JP7675522B2 true JP7675522B2 (en) | 2025-05-13 |
Family
ID=80110047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021007112A Active JP7675522B2 (en) | 2020-06-24 | 2021-01-20 | Thermosetting sheets and dicing die bond films |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7675522B2 (en) |
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| WO2016031554A1 (en) | 2014-08-29 | 2016-03-03 | 古河電気工業株式会社 | Adhesive film |
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| JP2018037548A (en) | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 日東電工株式会社 | Heat bonding sheet, and dicing tape-attached heat bonding sheet |
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2021
- 2021-01-20 JP JP2021007112A patent/JP7675522B2/en active Active
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| JP2018037548A (en) | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 日東電工株式会社 | Heat bonding sheet, and dicing tape-attached heat bonding sheet |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2022007948A (en) | 2022-01-13 |
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