JP7675892B2 - 発光装置、表示装置、撮像装置、電子機器、照明装置及び移動体 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置、表示装置、撮像装置、電子機器、照明装置及び移動体に関する。

赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の３原色を発光可能なフルカラーの表示装置が実用化されている。特許文献１は、有機発光材料を用いた発光素子を有するフルカラーの表示装置において、色純度を向上させるために、微小共振器構造を利用することを提案する。微小共振器構造とは、発光層からの直接光と、反射層による反射光とを干渉させることによって、特定の波長の光を強め合う構造のことである。特許文献１の表示装置では、各色用の発光素子ごとに、発光層と反射層との間の透明絶縁層の膜厚を異ならせることによって、さらに色純度を向上させる。

特開２０１７－１０７８８７号公報

赤色、緑色又は青色のような特定の波長に共振させる干渉構造において、発光輝度が視野角に大きく依存することが知られている。この現象は、発光色ごとに干渉の距離を異ならせる場合に顕著である。このため、干渉構造を有する発光装置において、正面方向では白色に見えるが、斜め方向では白色からの色ずれが大きくなる場合がある。本発明の一つの側面は、干渉構造を有する発光装置において視野角特性を向上するための技術を提供することを目的とする。

上記課題に鑑みて、第１色のための第１発光素子と、前記第１色よりも波長が短い第３色のための第３発光素子と、前記第１色よりも波長が短く、前記第３色よりも波長が長い第２色のための第２発光素子と、を有し、前記第１発光素子は、第１反射層と、無機物層である第１透明絶縁層と、第１透明電極層と、第１発光層と、第１上部電極層と、をこの順に含み、前記第２発光素子は、第２反射層と、第２透明電極層と、第２発光層と、第２上部電極層と、をこの順に含み、前記第３発光素子は、第３反射層と、第３発光層と、第３上部電極層と、をこの順に含み、前記第３発光素子は、前記第３反射層と前記第３発光層との間に透明電極層を含まない、発光装置であって、前記第１発光素子において、前記第１反射層と前記第１上部電極層とで微小共振器構造を構成し、前記第２発光素子において、前記第２反射層と前記第２上部電極層とで微小共振器構造を構成し、前記第３発光素子において、前記第３反射層と前記第３上部電極層とで微小共振器構造を構成し、前記第１透明絶縁層の層厚が５５ｎｍ以下であることで、前記発光装置は、ＣＩＥ１９７６（ｕ′ｖ′）において正面方向の基準白色に対して視野角５０°で観察される色のずれ量が、０．０２２８以下になるように構成されていることを特徴とする発光装置が提供される。

上記手段により、干渉構造を有する発光装置において視野角特性が向上する。

第１実施形態の発光装置の断面構造例を説明する図。 第１実施形態の発光装置の詳細な層構造を説明する図。 干渉構造について説明する図。 第１実施形態の発光装置の製造方法例を説明する図。 第１実施例の発光層のドーパントの特性を説明する図。 第１実施例の発光素子が発する光のスペクトルを説明する図。 第１実施例のカラーフィルタの透過特性を説明する図。 一部の実施形態に係る表示装置の構成例を説明する図。 一部の実施形態に係る撮影装置及び電子機器の構成例を説明する図。 一部の実施形態に係る表示装置の構成例を説明する図。 一部の実施形態に係る照明装置及び移動体の構成例を説明する図。 一部の実施形態に係る眼鏡の構成例を説明する図。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものでない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

以下の説明において、図面の各要素の寸法・比率は実際のものと異なりうる。また、本明細書で特に図示又は記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知又は公知技術を適用してもよい。

＜第１実施形態＞
図１及び図２を参照して、本発明の第１実施形態にかかる発光装置１００について説明する。発光装置１００は、複数の画素がアレイ状に配列された画素アレイを有する。図１は、発光装置１００に含まれる一つの画素１０１の断面図である。図２は、一つの画素１０１を構成する三つの副画素１０１Ｂ、１０１Ｇ及び１０１Ｒの層構造を説明する図である。図１では、三つの副画素１０１Ｂ、１０１Ｇ及び１０１Ｒが１列に並んでいるが、副画素の配置はこれに限られない。副画素１０１Ｂ、１０１Ｇ及び１０１Ｒは、それぞれ、青色光、緑色光及び赤色光を発するための副画素である。そこで、副画素１０１Ｂ、１０１Ｇ及び１０１Ｒを、それぞれ、青色副画素１０１Ｂ、緑色副画素１０１Ｇ及び赤色副画素１０１Ｒと呼ぶ。

基板１０２の上に、反射電極層１０３Ｂ、１０３Ｇ及び１０３Ｒが配置されている。反射電極層１０３Ｂ、１０３Ｇ及び１０３Ｒを反射電極層１０３と総称する。反射電極層１０３についての以下の説明は、反射電極層１０３Ｂ、１０３Ｇ及び１０３Ｒのいずれにも当てはまる。反射電極層１０３Ｂ、１０３Ｇ及び１０３Ｒは、それぞれ、青色副画素１０１Ｂ、緑色副画素１０１Ｇ及び赤色副画素１０１Ｒに含まれる。反射電極層１０３Ｂ、１０３Ｇ及び１０３Ｒは、画素分離膜１１１によって互いに電気的に分離されている。このように、画素分離膜１１１は、発光領域を規定する機能を有する。画素分離膜１１１は、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、樹脂などの絶縁材料で形成される。

図２に示すように、反射電極層１０３Ｂは、基板の上に配置された金属層２０１Ｂと、金属層２０１Ｂの上に配置されたバリア層２０２Ｂとを含んでもよい。これに代えて、反射電極層１０３Ｂは、バリア層２０２Ｂを含まずに、金属層２０１Ｂのみを含んでもよい。

金属層２０１Ｂは、例えば、ネオジム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）、シリコン（Ｓｉ）、パラジウム（Ｐｄ）などを微量ドーピングすることによって膜物性を安定にしたアルミ合金や銀合金などから形成される。金属層２０１Ｂの膜厚は、例えば２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であってもよい。

バリア層２０２Ｂは、例えば、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）などから形成される。バリア層２０２Ｂの材料は、比較的仕事関数が高く、化学的安定性が高く、融点が高い金属から選択される。バリア層２０２Ｂの膜厚は、可視光領域において５０％程度以上の高反射性を維持するように選択され、例えば５０ｎｍ以下である。

反射電極層１０３Ｇは、基板の上に配置された金属層２０１Ｇと、金属層２０１Ｇの上に配置されたバリア層２０２Ｇとを含んでもよい。反射電極層１０３Ｒは、基板の上に配置された金属層２０１Ｒと、金属層２０１Ｒの上に配置されたバリア層２０２Ｒとを含んでもよい。金属層２０１Ｇ及び２０１Ｒの材料は、金属層２０１Ｂと同様の材料であってもよい。バリア層２０２Ｇ及び２０２Ｒの材料は、バリア層２０２Ｂと同様の材料であってもよい。

赤色副画素１０１Ｒは、反射電極層１０３Ｒの上に、透明絶縁層１０５Ｒを有する。透明絶縁層１０５Ｒは、透明な絶縁性材料、例えばＳｉＯ_２で形成される。以下の説明において、透明絶縁層１０５Ｒを単に透明絶縁層１０５と表すこともある。

赤色副画素１０１Ｒは、透明絶縁層１０５Ｒの上に、透明電極層１０４Ｒを有する。透明電極層１０４Ｒは、酸化物導電性材料のインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミ亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）などの高い透過率を有する導電性酸化物材料で形成される。

透明絶縁層１０５Ｒの屈折率は、透明電極層１０４Ｒの屈折率よりも低くてもよい。例えば、透明絶縁層１０５Ｒの屈折率は１．７以下であり、透明電極層１０４Ｒの屈折率は１．７以上であってもよい。また、透明絶縁層１０５の屈折率は、機能層１０６を構成する層のうち反射層１０３に最近接する層の屈折率よりも低くてもよい。透明絶縁層１０５Ｒや透明電極層１０４Ｒなどの光学特性（例えば、屈折率）は、エリプロメトリ法を用いた分光エリプソメータ、分光反射率法を用いた分光膜厚計などによって計測されてもよい。

透明電極層１０４Ｒの一部は、透明絶縁層１０５Ｒを貫通し、反射電極層１０３Ｒに接続されている。そのため、透明電極層１０４Ｒと反射電極層１０３Ｒとは、回路において同じノードを構成する。透明電極層１０４Ｒの端部は画素分離膜１１１によって覆われている。そのため、透明電極層１０４Ｒは、他の副画素から電気的に分離されている。

緑色副画素１０１Ｇは、反射電極層１０３Ｇの上に、透明電極層１０４Ｇを有する。透明電極層１０４Ｇの材料は、透明電極層１０４Ｒと同じであってもよい。透明電極層１０４Ｇの下面は、全体的に反射電極層１０３Ｇの上面に接している。透明電極層１０４Ｇ及び１０４Ｒを透明電極層１０４と総称する。透明電極層１０４Ｇの端部は、画素分離膜１１１によって覆われている。そのため、透明電極層１０４Ｇは、他の副画素から電気的に分離されている。

反射電極層１０３Ｂ、透明電極層１０４Ｇ、透明電極層１０４Ｒ及び画素分離膜１１１の上に、機能層１０６が配置されている。機能層１０６は、青色副画素１０１Ｂ、緑色副画素１０１Ｇ及び赤色副画素１０１Ｒに対して共通に設けられている。機能層１０６は、白色に発光する発光層を含む。機能層１０６は、無機材料で形成されてもよいし、有機材料で形成されてもよい。以下では、機能層１０６が有機材料で形成される場合について説明する。

図２に示すように、反射電極層１０３が陽極（アノード）となる場合に、機能層１０６は、基板１０２から近い順に、正孔輸送層２０３、発光層２０４及び電子輸送層２０５を含んでもよい。また、機能層１０６は、正孔輸送層２０３の下に正孔注入層を含んでもよく、正孔輸送層２０３と発光層２０４との間に電子ブロック層を含んでもよい。さらに、機能層１０６は、発光層２０４と電子輸送層２０５との間に正孔ブロック層を含んでもよく、電子輸送層２０５の上に電子注入層を含んでもよい。発光層２０４は、単層であってもよいし、発光色ごとの多数の層が積層されていてもよい。

電子輸送層２０５は、既存の電子輸送性材料、例えばフェナントロリン誘導体、キノリノール錯体などで形成されてもよい。発光層２０４と電子輸送層２０５との間に正孔ブロック層が含まれる場合に、正孔ブロック層は、多環式芳香族炭化水素や複素環芳香族などのワイドギャップ材料で形成されてもよい。

正孔輸送層２０３は、既存の正孔輸送性材料、例えばトリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体などで形成されてもよい。正孔輸送層２０３と発光層２０４との間に電子ブロック層が含まれる場合に、電子ブロック層は、ＬＵＭＯが発光層２０４よりも浅い（絶対値が小さい）材料、例えば特にカルバゾール誘導体やトリアリールアミン誘導体で形成されてもよい。正孔輸送層２０３の下に正孔注入層が含まれる場合に、正孔注入層は、酸化モリブデンやＦ_４－ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）などの電子吸引性の強い材料で形成されてもよい。

発光層２０４は、赤色発光ドーパント、緑色発光ドーパント及び青色発光ドーパントの３種のドーパントを濃度調整することによって白色発光するように構成された単層であってもよい。これに代えて、発光層２０４は、赤緑色発光層と青色発光層との積層であってもよい。赤緑色発光層は、少なくとも緑色発光分子及び赤色発光分子を含む。それぞれの発光層は、ホスト材料に各色の発光分子を所定のドーパント濃度で共蒸着することによって形成されうる。例えば、青色発光層において、ホスト材料に対して青色ドーパント濃度が０．１ｗｔ％～１０ｗｔ％含まれている。赤緑色発光層において、ホスト材料に対して緑発光分子が０．５ｗｔ％～１０ｗｔ％含まれ、赤発光分子が０．５ｗｔ％～５ｗｔ％含まれる。

青色発光分子の発光ピークは、４４０ｎｍ～４８０ｎｍであってもよい。緑色発光分子の発光ピークは、５１５ｎｍ～５５０ｎｍであってもよい。赤色発光分子の発光ピークは、６００ｎｍ～６４０ｎｍであってもよい。各発光分子は蛍光発光材料であってもよいし、りん光発光材料や、遅延蛍光材料であってもよい。発光層２０４のホスト材料は、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、カルバゾール誘導体、アミン系誘導体などの多環式化合物や複素環化合物であってもよい。また、ホスト材料は、発光分子に適した発光材料であってもよい。例えば、青色発光分子を発光させるのに適したホスト材料であれば、赤緑色発光層のホスト材料としても使用できる。赤緑色発光層と青色発光層との間に、発光層の発光バランスを調整するスペーサが含まれていてもよい。

機能層１０６の上に上部電極層１０７が配置されている。上部電極層１０７は、青色副画素１０１Ｂ、緑色副画素１０１Ｇ及び赤色副画素１０１Ｒに対して共通に設けられている。上部電極層１０７は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明酸化物導電材料で形成されてもよいし、金属薄膜で形成されてもよい。微小共振器効果を用いて色純度を向上させるために、反射率が高い金属薄膜を用いてもよい。金属薄膜を用いる場合に、マグネシウム（Ｍｇ）やカルシウム（Ｃａ）などのアルカリ土類金属を含有するＡｇ合金薄膜を用いてもよく、Ａｇ単体であってもよい。

上部電極層１０７の上に透明封止層１０８が配置されている。透明封止層１０８は、青色副画素１０１Ｂ、緑色副画素１０１Ｇ及び赤色副画素１０１Ｒに対して共通に設けられている。透明封止層１０８は、有機発光素子を外部の水分及び酸素から保護する。透明封止層１０８は、酸素や水分の透過性が極めて低い材料で形成される。透明封止層１０８は、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウムの単層膜で形成されていてもよいし、これらの多層膜で形成されてもよい。さらに、多層膜構成として、透明封止層／樹脂層／透明封止層のように樹脂層をサンドイッチすることによって、封止性能を向上させてもよい。

透明封止層１０８は、平坦化層１０９及びカラーフィルタ１１０Ｒ、１１０Ｇ，１１０Ｂを形成する工程において発光素子を保護する機能を有してもよい。透明封止層１０８の膜厚は、光学特性や膜応力の観点から、１０ｎｍ以上１０μｍ以下であってもよい。

透明封止層１０８の上に平坦化層１０９が配置されている。平坦化層１０９は、青色副画素１０１Ｂ、緑色副画素１０１Ｇ及び赤色副画素１０１Ｒに対して共通に設けられている。平坦化層１０９の上面は、平坦化層１０９の下面よりも平坦である。透明封止層１０８の上面が十分に平坦である場合に、平坦化層１０９は省略されてもよい。

青色副画素１０１Ｂにおいて、平坦化層１０９の上にカラーフィルタ１１０Ｂが配置されている。カラーフィルタ１１０Ｂは、青色光を選択的に透過する。緑色副画素１０１Ｇにおいて、平坦化層１０９の上にカラーフィルタ１１０Ｇが配置されている。カラーフィルタ１１０Ｇは、緑色光を選択的に透過する。赤色副画素１０１Ｒにおいて、平坦化層１０９の上にカラーフィルタ１１０Ｒが配置されている。カラーフィルタ１１０Ｒは、赤色光を選択的に透過する。カラーフィルタ１１０Ｂ、１１０Ｇ及び１１０Ｒをカラーフィルタ１１０と総称する。

カラーフィルタ１１０の上に、発光装置１００の最表面を保護するための樹脂層と、ガラスやプラスチックなどの透明保護基板とが配置されてもよい。発光装置１００は、上述の画素１０１に加えて、画素１０１を駆動するための回路（不図示）や反射電極層１０３及び上部電極層１０７に給電するための配線などを有しうる。

青色副画素１０１Ｂのうち、反射電極層１０３Ｂから上部電極層１０７までの部分によって、青色用の発光素子１１２Ｂが構成される。緑色副画素１０１Ｇのうち、反射電極層１０３Ｇから上部電極層１０７までの部分によって、緑色用の発光素子１１２Ｇが構成される。赤色副画素１０１Ｒのうち、反射電極層１０３Ｒから上部電極層１０７までの部分によって、赤色用の発光素子１１２Ｒが構成される。

発光素子１１２Ｒは、反射電極層１０３Ｒと、透明絶縁層１０５Ｒと、透明電極層１０４Ｒと、機能層１０６と、上部電極層１０７と、をこの順に含む。この層構造において、上下の層は互いに接している。機能層１０６は、発光層２０４を含む。発光層２０４のうち、発光素子１１２Ｒに含まれる部分は、発光素子１１２Ｒにおける発光層とみなしうる。上部電極層１０７のうち、発光素子１１２Ｒに含まれる部分は、発光素子１１２Ｒにおける上部電極層とみなしうる。

発光素子１１２Ｇは、反射電極層１０３Ｇと、透明電極層１０４Ｇと、機能層１０６と、上部電極層１０７と、をこの順に含む。この層構造において、上下の層は互いに接している。例えば、反射電極層１０３Ｇと透明電極層１０４Ｇとは互いに接している。機能層１０６は、発光層２０４を含む。発光層２０４のうち、発光素子１１２Ｇに含まれる部分は、発光素子１１２Ｇにおける発光層とみなしうる。上部電極層１０７のうち、発光素子１１２Ｇに含まれる部分は、発光素子１１２Ｇにおける上部電極層とみなしうる。

発光素子１１２Ｂは、反射電極層１０３Ｂと、機能層１０６と、上部電極層１０７と、をこの順に含む。この層構造において、上下の層は互いに接している。機能層１０６は、発光層２０４を含む。発光層２０４のうち、発光素子１１２Ｂに含まれる部分は、発光素子１１２Ｂにおける発光層とみなしうる。上部電極層１０７のうち、発光素子１１２Ｂに含まれる部分は、発光素子１１２Ｂにおける上部電極層とみなしうる。発光素子１１２Ｂは、反射電極層１０３Ｂと発光層２０４との間に透明電極層を含まない。

反射電極層１０３Ｂと発光層２０４との間の距離は、反射電極層１０３Ｇと発光層２０４との間の距離よりも短い。反射電極層１０３Ｇと発光層２０４との間の距離は、反射電極層１０３Ｒと発光層２０４との間の距離よりも短い。また、反射電極層１０３Ｂと上部電極層１０７との間の距離は、反射電極層１０３Ｇと上部電極層１０７との間の距離よりも短い。反射電極層１０３Ｇと上部電極層１０７との間の距離は、反射電極層１０３Ｒと上部電極層１０７との間の距離よりも短い。

続いて、画素１０１における干渉設計について説明する。青色副画素１０１Ｂ、緑色副画素１０１Ｇ及び赤色副画素１０１Ｒが、それぞれ、青色、緑色及び赤色に共振ピークを有するように、透明電極層１０４、透明絶縁層１０５Ｒ、機能層１０６の膜厚が設定されている。第１実施形態では、発光層２０４は白色光を発する。青色副画素１０１Ｂにおいて、発光層２０４から反射電極層１０３Ｂまでの層構造が、青色に適した干渉膜厚となるように形成されている。具体的に、青色副画素１０１Ｂの各層は、光路長をｚとし、干渉次数をｍとすると、以下の式（１）を満たす膜厚を有する。
ｚ＝（２ｍπ－φ_ａ）×（λ／４π） …（１）
ただし、λは、発光素子１１２Ｂから発する光の発光スペクトルの主波長である。ｍは整数である。φ_ａは、主波長λに対する反射電極層１０３Ｂにおける反射位相である。式（１）を満たす波長λが最も強められるが、±λ／８ずれた値の範囲の波長λも強められる。すなわち、青色副画素１０１Ｂの各層は、以下の式（１′）を満たせばよい。
ｚ＝（２ｍπ－φ_ａ）×（λ／４π）±λ／８ …式（１′）

上部電極層１０７が高反射性の金属薄膜である場合に、青色副画素１０１Ｂの各層が、以下の式（２）を満たす膜厚を有する場合に、発光素子１１２Ｂが発する光の主波長を強めることができる。この場合、反射電極と上部電極間の光路長をＬ、干渉次数ｍとして、
Ｌ＝（２ｍπ－Φ）×（λ／４π） …式（２）
ただし、Ｌは、反射電極層１０３Ｂと上部電極層１０７との間の光路長である。λは、発光素子１１２Ｂから発する光の発光スペクトルの主波長である。ｍは、干渉次数であり、整数である。具体的に、ｍは、０又は１であってもよい。Φは、主波長λに対する反射電極層１０３Ｂの界面及び上部電極層１０７の界面における反射位相の和である。式２を満たす波長λが最も強められるが、±λ／８ずれた値の範囲の波長λも強められる。すなわち、青色副画素１０１Ｂの各層は、以下の式（２′）を満たせばよい。
Ｌ＝（２ｍπ－Φ）×（λ／４π）±λ／８ …式（２′）

上記では、青色副画素１０１Ｂについて説明したが、緑色副画素１０１Ｇ及び赤色副画素１０１Ｒについても、式（１′）又は式（２′）を満たすことによって緑色又は赤色の光を強められる。主波長λは、副画素ごとの発光素子から出射される波長であり、青領域であれば４２０～５００ｎｍ、緑領域であれば５００ｎｍ～５６０ｎｍ、赤領域であれば５９０～６８０ｎｍの波長域である。特に、ｍ＝０の場合に、青色副画素１０１Ｂ及び緑色副画素１０１Ｇについて、波長領域が近いため、これらについての主波長λは、青領域と緑領域との中間の値付近、又は同じ値としてもよい。この場合に、カラーフィルタなどの分光部材を用いて色分離することによって、青色、緑色の異なる発光色の副画素を形成できる。

なお、式（１）と式（２）とを同時に満たす場合に微小共振器効果が最大化される。また、式（２）を満足する干渉条件については、分光反射率法による分光反射率計を用いた反射率スペクトルから共振波長を計測することによって確認されてもよい。例えば、共振波長において、反射率が極小値をとるようなスペクトル形状となることから、特定の波長領域で共振するような設計になっているかを確認してもよい。

上述の発光装置１００では、発光素子１１２Ｇと発光素子１１２Ｒとの層構造が異なるため、視野角に対する干渉効果が赤色副画素１０１Ｒと緑色副画素１０１Ｇとで互いに異なる。等方的に発光層２０４から放射される光には、反射電極層１０３に対して斜めに入射する光が存在する。副画素から大気中に放出される光の角度αは、スネルの法則に従って、発光層２０４からの放射角θと、各層の屈折率とから導くことができる。具体的に、図３に示すように、発光装置１００のユーザによって観察される角度をαとし、発光層からの光の放射角（出射角）をθとし、反射電極層に入射する光の入射角をθ′とする。また、発光層の屈折率をＮ_ｅｍとし、透明電極層の屈折率をＮ_ｍｅｄとし、観察媒体（例えば、大気）の屈折率をＮ_ａｉｒとする。このとき、以下の式（３）が成り立つ。
Ｎ_ａｉｒ×ｓｉｎα＝Ｎ_ｅｍ×ｓｉｎθ＝Ｎ_ｍｅｄ×ｓｉｎθ′ …式（３）
式（３）を変形すると、ｓｉｎθ′＝（Ｎ_ａｉｒ／Ｎ_ｍｅｄ）×ｓｉｎαとなる。すなわち、反射電極層上に存在する媒質の屈折率（Ｎ_ｍｅｄ）により、反射電極層の界面への光の入射角（θ′）が変化する。

反射電極層上の媒質の屈折率が低いほど反射電極層の界面への光の入射角θ′は大きくなる。また、反射電極層上の媒質の屈折率が高いほど反射電極層の界面への光の入射角θ′は小さくなる。各副画素について、正面方向で出射される発光波長に合わせて、出射される色に最適となる共振波長を強めるように干渉が設計される。正面方向に対して干渉の光路差がｎ×ｄ（ｎは屈折率、ｄは物理膜厚）となるように設計されている場合に、ある角度βに対して、干渉の光路差がｎｄ×ｃｏｓβとなるため、正面方向に対して光路差が短くなる。すなわち、正面方向の共振波長よりも、斜め方向における共振波長の方が短波長化することになる。

したがって、反射電極層１０３Ｒの上に低屈折率層の透明絶縁層１０５Ｒを有する赤色副画素１０１Ｒの視野角による反射干渉効果の度合は、緑色副画素１０１Ｇのそれにくらべて大きく短波側にシフトするということになる。このため、斜め方向から観察した場合に、各副画素において正面方向に取り出そうとしている光よりも、斜め方向での発光素子における干渉強度が低下することになる。さらに、斜めから見た場合に、短波長の色（青、緑）よりも長波長（赤）の色の強度は、短波長の色の強度よりも大きく減少することになる。その結果、視感度及び色づきの視認度が強い長波長側の強度をより低下させることができるため、斜め方向での白色バランスが崩れにくくなり白色の色ずれが抑制できる。

続いて、図４を参照して、発光装置１００の製造方法について説明する。図４に説明しない部分については、既存の方法が用いられてもよい。図４（ａ）に示すように、基板１０２の上に、反射電極層１０３の材料で金属膜４０１を形成する。例えば、基板１０２の上にスパッタ法によって全体的に金属層２０１を成膜した後、真空状態を維持したまま又は不活性ガス中など大気曝露を避けた状態で、スパッタ法又は真空蒸着法でバリア層２０２を成膜する。バリア層２０２の形成は省略されてもよい。

次に、金属膜４０１にレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィー法を用いて、レジスト膜をパターニングする。次に、ドライエッチング又はウェットエッチングを用いて金属膜４０１のエッチングを行うことによって、金属膜４０１から反射電極層１０３Ｂ、１０３Ｇ及び１０３Ｒを形成する。その後、レジスト膜を除去し、透明絶縁層１０５Ｒの材料（例えば、ＳｉＯ_２）を用いて、絶縁膜４０２を２２ｎｍ、成膜する。この工程終了後、図４（ｂ）の構造が得られる。

続いて、レジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィー法を用いて、レジスト膜をパターニングし、絶縁膜４０２をドライエッチングによってパターニングする。このパターニングによって、反射電極層１０３Ｇの上面の大部分（例えば、上面の中央を含む９０％の部分）と、反射電極層１０３Ｒの上面の一部分（例えば、上面の端部の近くにある５％の部分）とが露出するようにするように、絶縁膜４０２に開口を形成する。絶縁膜４０２のうち、反射電極層１０３Ｒの上にある部分が透明絶縁層１０５Ｒとなる。その後、レジスト膜を除去し、絶縁膜４０２の上に、透明電極層１０４の材料（例えば、ＩＴＯ）を用いてスパッタ法を行うことによって１６ｎｍの透明導電膜４０３を形成する。この工程終了後、図４（ｃ）の構造が得られる。この例では、反射電極層１０３Ｇの端部が絶縁膜４０２に覆われたままであるが、反射電極層１０３Ｇの上面全体から絶縁膜４０２が除去されてもよい。

その後、レジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィー法を用いて、レジスト膜をパターニングし、残りのレジスト膜を用いて透明導電膜４０３をパターニングし、その後レジスト膜を除去する。このパターニングによって、透明導電膜４０３は、反射電極層１０３Ｒの上にある部分と、反射電極層１０３Ｇの上にある部分とを残して除去される。透明導電膜４０３のうち反射電極層１０３Ｒの上にある部分が透明電極層１０４Ｒとなる。透明導電膜４０３のうち反射電極層１０３Ｇの上にある部分が透明電極層１０４Ｇとなる。

次に、レジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィー法を用いて、レジスト膜をパターニングし、ドライエッチング法により絶縁膜４０２をパターニングし、レジスト膜を除去する。このパターニングによって、反射電極層１０３Ｂの上面の大部分（例えば、上面の中央を含む９０％の部分）が露出するようにするように、絶縁膜４０２に開口を形成する。この工程終了後、図４（ｄ）の構造が得られる。この例では、反射電極層１０３Ｂの端部が絶縁膜４０２に覆われたままであるが、反射電極層１０３Ｂの上面全体から絶縁膜４０２が除去されてもよい。

その後、画素分離膜１１１の材料（例えば、ＳｉＯ_２）を全面的に成膜することによって、５０ｎｍの絶縁膜４０４を形成する。絶縁膜４０４は、成膜プロセスを考慮して、絶縁膜４０２と同じ材料で形成されてもよい。これにかえて、絶縁膜４０４は、絶縁膜４０２とは異なる材料、例えばＳｉＮで形成されてもよい。この工程終了後、図４（ｅ）の構造が得られる。

その後、レジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィー法を用いて、レジスト膜をパターニングし、トライエッチングにより、絶縁膜４０４のうち、反射電極層１０３Ｂ、１０３Ｇ及び１０４Ｒの上にある部分を除去する。絶縁膜４０４のうち残った部分が画素分離膜１１１となる。この工程終了後、図４（ｆ）の構造が得られる。

その後、機能層１０６、上部電極層１０７、透明封止層１０８、平坦化層１０９及びカラーフィルタ１１０を順に形成することによって発光装置１００が製造される。機能層１０６は、真空蒸着法やインクジェット法などによって形成されてもよい。上部電極層１０７は、スパッタ法や真空蒸着法によって形成されてもよい。

上述の方法によれば、光学干渉を調整するための層、すなわち透明絶縁層１０５及び透明電極層１０４をスパッタ法による成膜のみで形成できる。その結果、これらの層の厚さをエッチングプロセスにより制御する方法に比べて、膜厚制御性が向上する。また、上述の方法によれば、光学干渉を調整するための層の厚さを副画素ごとに変える場合と比較して工程数を削減でき、また、パターニングに必要なマスク枚数を少なくすることができる。その結果、歩留まりの低下やコストを抑制できる。

＜第２実施形態＞
第１実施形態では、発光層２０４が白色光を発した。これにかえて、第２実施形態では、各副画素は異なる色を発光する。具体的に、発光層２０４のうち、赤色副画素１０１Ｒに含まれる部分は、赤色光を発する。発光層２０４のうち、緑色副画素１０１Ｇに含まれる部分は、緑色光を発する。発光層２０４のうち、青色副画素１０１Ｂに含まれる部分は、青色光を発する。このような発光層２０４は、蒸着マスクによる蒸着塗分け法や、インクジェット法による塗分け、フォトリソグラフィーによる塗分けなどによって形成されてもよい。第２実施形態では、発光層２０４自体が各色の光を発するため、カラーフィルタ１１０が省略されてもよい。

＜その他の実施形態＞
以下に、上述の第１実施形態及び第２実施形態の各層の材料の変形例について説明する。基板１０２は、石英、ガラス、シリコンウエハ、樹脂などで形成されてもよい。また、発光装置１００は、基板１０２の上に、トランジスタなどのスイッチング素子や配線を備え、その上に絶縁層を備えてもよい。絶縁層の材料は、ポリイミドなどの樹脂、酸化シリコン、窒化シリコンなどであってもよい。

反射電極層１０３が発光素子１１２の陽極として機能し、上部電極層１０７が発光素子１１２の陰極として機能してもよい。電位が高い電極が陽極であり、他方が陰極である。また、発光層２０４にホールを供給する電極が陽極であり、電子を供給する電極が陰極であるということもできる。反射電極層１０３は、例えばクロム、アルミニウム、銀、チタン、タングステン、モリブデン、又はこれらの合金、積層したものなどで形成されてもよい。

一方、上部電極層１０７の材料は、リチウムなどのアルカリ金属、カルシウムなどのアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀、鉛、クロムなどの金属単体又はこれらを含む混合物であってもよい。これら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えばマグネシウム－銀、アルミニウム－リチウム、アルミニウム－マグネシウム、銀－銅、亜鉛－銀などが使用できる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）などの金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また上部電極層１０７は一層構成でもよく、多層構成でもよい。上部電極層１０７の材料として銀を用いてもよく、銀の凝集を抑制するため、銀合金を用いてもよい。銀の凝集が抑制できれば、合金の比率は問わない。例えば、合金の比率は１：１であってよい。

透明封止層１０８は、窒化ケイ素などのパッシベーション膜であってもよい。透明封止層１０８は、上部電極層１０７を形成後に真空を破らずに別のチャンバーに搬送し、ＣＶＤ法で厚さ２μｍの窒化ケイ素膜を形成することによって形成されてもよい。ＣＶＤ法の成膜の後で原子堆積法（ＡＬＤ法）を用いて保護層を形成してもよい。

カラーフィルタ１１０は、高分子で形成されてよい。平坦化層１０９は、有機化合物で構成されてよく、低分子であっても、高分子であってもよい。平坦化層１０９は、カラーフィルタ１１０の上下に設けられてもよく、その構成材料は同じであっても異なっていてもよい。具体的に、平坦化層１０９の材料は、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂などであってもよい。

発光装置１００は、平坦化層１０９の上に、対向基板を有してよい。対向基板は、基板１０２と対応する位置に設けられるため、対向基板と呼ばれる。対向基板の構成材料は、基板１０２と同じであってよい。

機能層１０６は、有機化合物層である。機能層１０６は真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマなどのドライプロセスを用いて形成されてもよい。またドライプロセスにかえて、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法（例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法など）により層を形成するウェットプロセスを用いることもできる。塗布法で成膜する場合に、適当なバインダ樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。バインダ樹脂としては、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらバインダ樹脂は、ホモポリマー又は共重合体として１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの添加剤を併用してもよい。

＜実施例及び比較例＞
以下、第１実施形態の発光装置１００の様々な実施例について説明する。また、これらの実施例に対する比較例についても説明する。

＜第１実施例＞
第１実施例では、以下の表１に示す材料及び膜厚となるように発光素子１１２Ｂ、１１２Ｇ及び１１２Ｒを形成した。発光層２０４は、図５に示す蛍光スペクトルを有する青色ドーパント、緑色ドーパント及び赤色ドーパントをホスト材料に共蒸着により混合することによって、白色発光層とした。その後、透明封止層１０８を２μｍ形成した。次に、透明封止層１０８の上に、カラーフィルタ１１０を形成し、樹脂を用いて保護ガラス基板を貼り合わせた。

表１に示すように、各副画素について、上述の式１を満たし、式２のｍが０となる。図６（ａ）は、副画素ごとの発光素子のＥＬスペクトルを示す。各副画素の出射させたい色に適した波長領域が強められていることがわかる。図６（ｂ）は、カラーフィルタ１１０を透過した後の副画素ごとのＥＬスペクトルを示す。図７に、カラーフィルタ１１０の透過特性を示す。カラーフィルタ１１０を通過することにより、最適な波長を透過する強度を増強でき、色純度及び副画素ごとの発光効率が向上していることがわかる。

次に、視野角の色ずれについて評価した。まず、正面方向において基準白色になるように、各色の副画素の発光強度を調整した。次に正面（０°）に対して視野角５０°から観測した場合の色ずれについて、Δｕ′ｖ′を用いて評価した。Δｕ′ｖ′は、ＣＩＥ１９７６（ｕ′ｖ′）において正面方向（０°）の基準白色に対して、視野角５０°において観察される色のずれ量を表す。正面方向における基準白色のｕ′、ｖ′の値をそれぞれ（ｕ′０，ｖ′０）とし、視野角５０°において観察される色のｕ′、ｖ′の値をそれぞれ（ｕ′５０，ｖ′５０）とする。このとき、ｕ′０－ｕ′５０＝Δｕ′、ｖ′０－ｖ′５０＝Δｖ′となるため、Δｕ′ｖ′は以下の式（４）で表せる。
Δｕ′ｖ′＝√（（Δｕ′）^２＋（Δｖ′）^２） …式（４）
視野角５０°におけるΔｕ′ｖ′の評価結果を後述の表８に示す。

＜第２実施例＞
第２実施例では、以下の表２に示す材料及び膜厚となるように発光素子１１２Ｂ、１１２Ｇ及び１１２Ｒを形成した。また、第２実施形態では、式（２）のｍが１となるようにした。それ以外については第１実施例と同様である。視野角５０°におけるΔｕ′ｖ′の評価結果を後述の表８に示す。

＜第３実施例＞
第３実施例では、以下の表３に示す材料及び膜厚となるように発光素子１１２Ｂ、１１２Ｇ及び１１２Ｒを形成した。第１実施例とは異なり、緑色副画素１０１Ｇが透明電極層１０４Ｇを含まない。それ以外については第１実施例と同様である。視野角５０°におけるΔｕ′ｖ′の評価結果を後述の表８に示す。緑色副画素１０１Ｇが透明電極層１０４Ｇを含まないため、緑色副画素１０１Ｇは、青色副画素１０１Ｂと同様の層構造を有する。

＜第１比較例＞
第１比較例は、以下の表４に示す膜厚である点で第１実施例と異なり、他の点は同じである。第１比較例の視野角の色ずれの評価結果を後述の表８に示す。

＜第２比較例＞
第２比較例は、以下の表５に示す膜厚である点で第１実施例と異なり、他の点は同じである。第２比較例の視野角の色ずれの評価結果を後述の表８に示す。

＜第３比較例＞
第３比較例は、以下の表６に示す膜厚である点で第１実施例と異なり、他の点は同じである。第３比較例の視野角の色ずれの評価結果を後述の表８に示す。

＜第４比較例＞
第４比較例は、以下の表７に示す膜厚である点で第１実施例と異なり、他の点は同じである。第４比較例の視野角の色ずれの評価結果を後述の表８に示す。

＜評価結果＞
上述の第１実施例～第３実施例及び第１比較例～第４比較例の視野角の色ずれの評価結果を表８に示す。第１実施例～第３実施例は、第１比較例～第４比較例よりも視野角による色ずれが少ないことがわかる。

＜本発明の一部の実施形態に係る発光装置の用途＞
本発明の上述の実施形態に係る発光装置は、表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる。それ以外にも、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルタを有する発光装置等の用途がある。電子写真方式のプリンタは、例えば感光体と、この感光体に光を与える発光装置とを有する。プリンタの発光装置は、上述の実施形態の発光装置であってもよい。

表示装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカード等からの画像情報を入力する画像入力部を有し、入力された情報を処理する情報処理部を有し、入力された画像を表示部に表示する画像情報処理装置であってもよい。

また、撮像装置やインクジェットプリンタが有する表示部は、タッチパネル機能を有していてもよい。このタッチパネル機能の駆動方式は、赤外線方式であっても、静電容量方式であっても、抵抗膜方式であっても、電磁誘導方式であってもよい。また、表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。

図８は、一部の実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。表示装置８００は、上部カバー８０１と、下部カバー８０９と、の間に、タッチパネル８０３、表示パネル８０５、フレーム８０６、回路基板８０７、及びバッテリー８０８を有してもよい。タッチパネル８０３及び表示パネル８０５に、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ８０２、８０４が接続されている。回路基板８０７に、トランジスタがプリントされている。バッテリー８０８は、表示装置が携帯機器でなければ、設けなくてもよいし、携帯機器であっても、別の位置に設けてもよい。表示装置８００は、複数の画素を有し、この複数の画素の少なくとも一つが上述の実施形態の発光装置の発光素子と、この発光素子に接続されたトランジスタとを有する。

本実施形態に係る表示装置は、携帯端末の表示部に用いられてもよい。その際には、表示装置は表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォン等の携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイ等が挙げられる。

本実施形態に係る表示装置は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光する撮像素子とを有する撮像装置（光電変換装置）の表示部に用いられてもよい。撮像装置の表示部は、撮像素子が撮像した画像を表示してもよい。また、表示部は、撮像装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。撮像装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってよい。

図９（ａ）は、本実施形態に係る撮像装置の一例を表す模式図である。撮像装置９００は、ビューファインダ９０１、背面ディスプレイ９０２、操作部９０３、筐体９０４を有してもよい。ビューファインダ９０１は、本実施形態に係る表示装置を有してもよい。その場合、表示装置は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示等を表示してもよい。環境情報には、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性等であってよい。

上述の発光装置は有機発光素子を有するため、応答速度が速い。そのため、撮像に適したわずかな時間で情報を表示できる。有機発光素子を用いた表示装置は、表示速度が求められる装置に使用可能である。

撮像装置９００は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、筐体９０４内に収容されている撮像素子に結像する。複数のレンズは、その相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。

図９（ｂ）は、本実施形態に係る電子機器の一例を表す模式図である。電子機器９１０は、表示部９１１と、操作部９１２と、表示部９１１が設けられた筐体９１３とを有する。筐体９１３には、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、及び通信部を有してもよい。通信部は、外部との通信に用いられる。操作部９１２は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部９１２は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する電子機器は通信機器ということもできる。電子機器は、レンズと、撮像素子とを備えることでカメラ機能をさらに有してもよい。カメラ機能により撮像された画像が表示部９１１に映される。電子機器としては、スマートフォン、ノートパソコン等があげられる。

図１０は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。図１０（ａ）は、テレビモニタやＰＣモニタ等の表示装置である。表示装置１０００は、額縁１００１を有し表示部１００２を有する。表示部１００２には、本実施形態に係る発光装置が用いられてよい。

額縁１００１と、表示部１００２を支える土台１００３を有している。土台１００３は、図１０（ａ）の形態に限られない。額縁１００１の下辺が土台を兼ねてもよい。また、額縁１００１及び表示部１００２は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、５０００ｍｍ以上６０００ｍｍ以下であってよい。

図１０（ｂ）は本実施形態に係る表示装置の他の例を表す模式図である。図１０（ｂ）の表示装置１０１０は、折り曲げ可能に構成されており、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置１０１０は、表示部１０１１、表示部１０１２、筐体１０１３、屈曲点１０１４を有する。表示部１０１１と表示部１０１２とは、本実施形態に係る発光装置を有してもよい。表示部１０１１と表示部１０１２とは、つなぎ目のない１枚の表示装置であってよい。表示部１０１１と表示部１０１２とは、屈曲点で分けることができる。表示部１０１１、表示部１０１２は、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第１及び表示部とで一つの画像を表示してもよい。

図１１（ａ）は、本実施形態に係る照明装置の一例を表す模式図である。照明装置１１００は、筐体１１０１と、光源１１０２と、回路基板１１０３と、光学フィルム１１０４と、光拡散部１１０５と、を有してもよい。光源は、本実施形態に係る発光装置を有してもよい。光学フィルム１１０４は、光源１１０２が発する光を透過する。光学フィルム１１０４は光源の演色性を向上させるフィルタであってよい。光拡散部１１０５は、光源１１０２が発する光を透過する。光拡散部１１０５は、ライトアップ等、光源の光を効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。光学フィルム１１０４及び光拡散部１１０５は、照明の光出射側に設けられてよい。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。

照明装置１１００は例えば室内を照明する装置である。照明装置１１００は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってもよい。照明装置１１００は、それらを調光する調光回路を有してもよい。照明装置１１００は本発明の発光装置とそれに接続される電源回路とを有してもよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、白とは色温度が４２００Ｋで昼白色とは色温度が５０００Ｋである。照明装置１１００はカラーフィルタを有してもよい。

また、本実施形態に係る照明装置は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコン等が挙げられる。

図１１（ｂ）は、本実施形態に係る移動体の一例である自動車の模式図である。当該自動車は灯具の一例であるテールランプを有する。自動車１１１０は、テールランプ１１１１を有し、ブレーキ操作等を行った際に、テールランプを点灯する形態であってよい。

テールランプ１１１１は、本実施形態に係る発光装置を有してもよい。テールランプは、有機ＥＬ素子を保護する保護部材を有してもよい。保護部材はある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わず、例えばポリカーボネート等で構成されてもよい。ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体等を混ぜてよい。

自動車１１１０は、車体１１１３、それに取り付けられている窓１１１２を有してもよい。窓１１１２は、自動車１１１０の前後を確認するための窓でなければ、透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイは、本実施形態に係る発光装置を有してもよい。この場合、発光装置が有する電極等の構成材料は透明な部材で構成される。

本実施形態に係る移動体は、船舶、航空機、ドローン等であってよい。移動体は、機体と当該機体に設けられた灯具を有してもよい。灯具は、機体の位置を知らせるための発光をしてもよい。灯具は本実施形態に係る発光装置を有する。

図１２を参照して、上述の各実施形態の表示装置の適用例について説明する。表示装置は、例えばスマートグラス、ＨＭＤ、スマートコンタクトのようなウェアラブルデバイスとして装着可能なシステムに適用できる。このような適用例に使用される撮像表示装置は、可視光を光電変換可能な撮像装置と、可視光を発光可能な表示装置とを有する。

図１２（ａ）は、一つの適用例に係る眼鏡１２００（スマートグラス）を説明する。眼鏡１２００のレンズ１２０１の表面側に、ＣＭＯＳセンサやＳＰＡＤのような撮像装置１２０２が設けられている。また、レンズ１２０１の裏面側には、上述した各実施形態の表示装置が設けられている。

眼鏡１２００は、制御装置１２０３をさらに備える。制御装置１２０３は、撮像装置１２０２と各実施形態に係る表示装置に電力を供給する電源として機能する。また、制御装置１２０３は、撮像装置１２０２と表示装置の動作を制御する制御部として機能する。。レンズ１２０１には、撮像装置１２０２に光を集光するための光学系が形成されている。

図１２（ｂ）は、一つの適用例に係る眼鏡１２１０（スマートグラス）を説明する。眼鏡１２１０は、制御装置１２１２を有しており、制御装置１２１２に、撮像装置１２０２に相当する撮像装置と、表示装置が搭載される。レンズ１２１１には、制御装置１２１２内の撮像装置と、表示装置からの発光を投影するための光学系が形成されており、レンズ１２１１には画像が投影される。制御装置１２１２は、撮像装置及び表示装置に電力を供給する電源として機能するとともに、撮像装置及び表示装置の動作を制御する。制御装置は、装着者の視線を検知する視線検知部を有してもよい。視線の検知は赤外線を用いてよい。赤外発光部は、表示画像を注視しているユーザの眼球に対して、赤外光を発する。発せられた赤外光の眼球からの反射光を、受光素子を有する撮像部が検出することで眼球の撮像画像が得られる。平面視における赤外発光部から表示部への光を低減する低減部を有することで、画像品位の低下を低減する。

赤外光の撮像により得られた眼球の撮像画像から表示画像に対するユーザの視線を検出する。眼球の撮像画像を用いた視線検出には任意の公知の手法が適用できる。一例として、角膜での照射光の反射によるプルキニエ像に基づく視線検出方法を用いることができる。

より具体的には、瞳孔角膜反射法に基づく視線検出処理が行われる。瞳孔角膜反射法を用いて、眼球の撮像画像に含まれる瞳孔の像とプルキニエ像とに基づいて、眼球の向き（回転角度）を表す視線ベクトルが算出されることにより、ユーザの視線が検出される。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、受光素子を有する撮像装置を有し、撮像装置からのユーザの視線情報に基づいて表示装置の表示画像を制御してよい。

具体的には、表示装置は、視線情報に基づいて、ユーザが注視する第一の視界領域と、第一の視界領域以外の第二の視界領域とを決定される。第一の視界領域、第二の視界領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。表示装置の表示領域において、第一の視界領域の表示解像度を第二の視界領域の表示解像度よりも高く制御してよい。つまり、第二の視界領域の解像度を第一の視界領域よりも低くしてよい。

また、表示領域は、第一の表示領域、第一の表示領域とは異なる第二の表示領域とを有し、視線情報に基づいて、第一の表示領域及び第二の表示領域から優先度が高い領域を決定される。第一の視界領域、第二の視界領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。優先度の高い領域の解像度を、優先度が高い領域以外の領域の解像度よりも高く制御してよい。つまり優先度が相対的に低い領域の解像度を低くしてよい。

なお、第一の視界領域や優先度が高い領域の決定には、ＡＩを用いてもよい。ＡＩは、眼球の画像と当該画像の眼球が実際に視ていた方向とを教師データとして、眼球の画像から視線の角度、視線の先の目的物までの距離を推定するよう構成されたモデルであってよい。ＡＩプログラムは、表示装置が有しても、撮像装置が有しても、外部装置が有してもよい。外部装置が有する場合は、通信を介して、表示装置に伝えられる。

視認検知に基づいて表示制御する場合、外部を撮像する撮像装置を更に有するスマートグラスに好ましく適用できる。スマートグラスは、撮像した外部情報をリアルタイムで表示することができる。以上説明した通り、本実施形態に係る有機発光素子を用いた装置を用いることにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１００ 発光装置、１０１ 画素、１０１ 副画素、１０３ 反射電極層、１０４ 透明電極層、１０５ 透明絶縁層、１０６ 機能層、１０７ 上部電極層

Claims (19)

1. 第１色のための第１発光素子と、前記第１色よりも波長が短い第３色のための第３発光素子と、前記第１色よりも波長が短く、前記第３色よりも波長が長い第２色のための第２発光素子と、を有し、
   前記第１発光素子は、第１反射層と、無機物層である第１透明絶縁層と、第１透明電極層と、第１発光層と、第１上部電極層と、をこの順に含み、
   前記第２発光素子は、第２反射層と、第２透明電極層と、第２発光層と、第２上部電極層と、をこの順に含み、
   前記第３発光素子は、第３反射層と、第３発光層と、第３上部電極層と、をこの順に含み、
   前記第３発光素子は、前記第３反射層と前記第３発光層との間に透明電極層を含まない、発光装置であって、
   前記第１発光素子において、前記第１反射層と前記第１上部電極層とで微小共振器構造を構成し、
   前記第２発光素子において、前記第２反射層と前記第２上部電極層とで微小共振器構造を構成し、
   前記第３発光素子において、前記第３反射層と前記第３上部電極層とで微小共振器構造を構成し、
   前記第１透明絶縁層の層厚が５５ｎｍ以下であることで、前記発光装置は、ＣＩＥ１９７６（ｕ′ｖ′）において正面方向の基準白色に対して視野角５０°で観察される色のずれ量が、０．０２２８以下になるように構成されていることを特徴とする発光装置。
2. 前記第１透明絶縁層の屈折率は、前記第３反射層の上に接する層の屈折率よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第１透明絶縁層の屈折率は、前記第２透明電極層の屈折率よりも低いことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記第２透明電極層が前記第２反射層に接することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の発光装置。
5. 前記第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子における前記微小共振器構造の次数が、同じ次数であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の発光装置。
6. 前記第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子における前記微小共振器構造の次数が、１であることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
7. 前記第３反射層と前記第３発光層との間の距離は、前記第１反射層と前記第１発光層との間の距離よりも短い、請求項１乃至６の何れか１項に記載の発光装置。
8. 前記第１反射層と前記第１上部電極層との間の光路長をＬとすると、
   Ｌ＝（２ｍπ－Φ）×（λ／４π）±λ／８、
   ただし、λは前記第１発光素子から発する光の主波長、ｍは０又は１、Φはλに対する前記第１反射層の界面及び前記第１上部電極層の界面における反射位相の和、
   を満たす、請求項１乃至７の何れか１項に記載の発光装置。
9. 前記第２反射層と前記第２上部電極層との間の光路長をＬ２とすると、
   Ｌ２＝（２ｍπ－Φ）×（λ_２／４π）±λ_２／８
   ただし、λ_２は前記第２発光素子から発する光の主波長、ｍは０又は１、Φはλに対する前記第２反射層の界面及び前記第２上部電極層の界面における反射位相の和、
   を満たす、請求項８に記載の発光装置。
10. 前記第３反射層と前記第３上部電極層との間の光路長をＬ３とすると、
    Ｌ３＝（２ｍπ－Φ）×（λ_３／４π）±λ_３／８
    ただし、λ_３は前記第３発光素子から発する光の主波長、ｍは０又は１、Φはλに対する前記第３反射層の界面及び前記第３上部電極層の界面における反射位相の和、
    を満たす、請求項９に記載の発光装置。
11. 前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層が、白色発光することを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の発光装置。
12. 前記発光装置は、ＣＩＥ１９７６（ｕ′ｖ′）において正面方向の基準白色に対して視野角５０°で観察される色のずれ量が、０．０２０５以上０．０２２８以下になるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の発光装置。
13. 前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層が、一体に形成されていることを特徴とする請求項１乃至１２の何れか１項に記載の発光装置。
14. 前記第１上部電極層、前記第２上部電極層及び前記第３上部電極層が、一体に形成されていることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか１項に記載の発光装置。
15. 複数の画素を有し、前記複数の画素の少なくとも一つが、請求項１乃至１４の何れか１項に記載の発光装置と、前記発光装置の発光を制御する制御部とを有することを特徴とする表示装置。
16. 複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部と、を有し、
    前記表示部は、請求項１乃至１４の何れか１項に記載の発光装置を有することを特徴とする撮像装置。
17. 請求項１乃至１４の何れか１項に記載の発光装置を有する表示部と、前記表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有することを特徴とする電子機器。
18. 請求項１乃至１４の何れか１項に記載の発光装置を有する光源と、前記光源が発する光を透過する光拡散部又は光学フィルムと、を有することを特徴とする照明装置。
19. 請求項１乃至１４の何れか１項に記載の発光装置を有する灯具と、前記灯具が設けられた機体と、を有することを特徴とする移動体。