JP7677066B2 - 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、半導体装置、及び半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置は、基板に設けられた半導体素子と、半導体素子を収容するケースと、ケースと一体化され、半導体素子と接続されるリード端子と、を備える（例えば、特許文献１，２参照）。

特開２０１５－４６４１６号公報 特開２００８－１０６５６号公報

例えば、基板に設けられた半導体素子を含む導電部とケースとを組み合わせる際に、ケースに応力が発生する。導電部のリード端子からの反力（荷重）が作用することで、リード端子を支持するケースの支持部に応力が発生する。リード端子から反力が大きい場合には、ケースを大型化する必要が生じる。本開示は、外部接続端子の剛性を下げ、ケースの大型化を抑制することが可能な半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。

本開示の半導体装置は、絶縁性を有する樹脂材料から形成されたケースと、第１方向に対向する第１面及び第２面を有する外部接続端子と、外部接続端子に電気的に接続される半導体素子と、を備える。ケースは、第１方向に見て、半導体素子の周囲に配置される。ケースは、半導体素子に近い方の面であり第１方向に沿う内壁面を有する。外部接続端子は、ケースに埋め込まれた基部と、ケースの内壁面から突出する突出部と、を有する。ケースには、第２面を露出させる凹部が形成され、外部接続端子の第２面は、突出部に形成された第１部分と、基部に形成され、凹部により露出された第２部分とを含む。外部接続端子の突出部が突出する方向である第２方向に、第１部分と第２部分とが連続するように、凹部が形成されている。ケースは、張出部を含み、張出部は、外部接続端子の幅方向に沿う第３方向において、凹部の外側に配置され、外部接続端子の第２面よりも、外部接続端子の第１面とは反対側に張り出す。

本開示の製造方法は、上記の半導体装置を製造する方法である。半導体装置の製造方法は、外部接続端子に絶縁樹脂をモールド成形して、外部接続端子の基部をケースに埋め込むと共に、凹部を形成することと、第１方向において、外部接続端子と、当該外部接続端子に接合される接合相手の部品との間に隙間を設けて、外部接続端子及び接合相手の部品を配置することと、外部接続端子を接合相手の部品に押し当てながら、外部接続端子と接合相手の部品とを接合することと、を含む。

第１実施形態に係る半導体パッケージを示す平面図である。 半導体パッケージの一部を示す平面図である。 半導体パッケージの一部を示す断面図であり、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。 図３中の外部接続端子を示す断面図である。 外部接続端子の第２片の断面図であり、図４中のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。 ケースの一部を示す底面図であり、外部接続端子の第２片の第２面を露出させる凹部を示す図である。 ケースに埋め込まれた外部接続端子を示す断面図であり、図２中のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面を示す図である。 ケースの一部を示す底面図であり、外部接続端子の第２片の第２面を露出させる凹部を示す図である。 第２実施形態に係る半導体パッケージの一部を示す断面図である。 図９中の外部接続端子を示す断面図である。 図９中の外部接続端子を示す斜視図である。 外部接続端子の段差部を拡大して示す断面図である。 変形例に係る外部接続端子の段差部を拡大して示す断面図である。 第３実施形態に係る半導体パッケージの一部を示す断面図である。 第４実施形態に係る半導体パッケージの一部を示す断面図である。 図１５中の外部接続端子を示す断面図である。 第５実施形態に係る半導体パッケージの一部を示す断面図である。 第６実施形態に係る半導体パッケージの一部を示す断面図である。 第７実施形態に係る半導体パッケージの一部を示す断面図である。 第８実施形態に係る半導体パッケージの一部を示す断面図である。 半導体パッケージの製造方法における手順を示すフローチャートである。 外部接続端子と内部接続端子との間の隙間を示す図である。 第９実施形態に係る半導体パッケージの一部を示す断面図である。 変形例に係る凹部が形成されたケースの一部を示す断面図である。

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、図面において各部の寸法及び縮尺は実際のものと適宜に異なる。また、以下に記載する実施形態は、本開示の好適な具体例である。このため、本実施形態には、技術的に好ましい種々の限定が付されている。しかし、本開示の範囲は、以下の説明において特に本開示を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。

＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る半導体パッケージ１００を示す平面図である。図２は、半導体パッケージ１００の一部を示す平面図である。図３は、半導体パッケージ１００の一部を示す断面図であり、図２中のIII－III線に沿う断面図である。図３では、外部接続端子２０の一部がケース１１０に埋め込まれている状態が示されている。各図において、互いに直交する、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向が示されている。Ｘ軸方向は、互いに逆向きであるＸ１方向及びＸ２方向を含む。Ｙ軸方向は、互いに逆向きであるＹ１方向及びＹ２方向を含む。Ｚ軸方向は、互いに逆向きであるＺ１方向及びＺ２方向を含む。Ｚ軸方向は、例えば上下方向に沿う。以下の説明において、「上」、「下」との用語を使用する場合がある。なお、Ｚ軸方向は上下方向に沿うものに限定されない。Ｚ軸方向は、第１方向の一例である。Ｙ軸方向は、第２方向の一例である。Ｘ軸方向は、第３方向の一例である。また、ＸＹ面は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に平行な面である。ＸＺ面は、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に平行な面である。ＹＺ面は、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に平行な面である。

図１及び図２に示されるように、半導体パッケージ１００は、ケース１１０、外部接続端子２０，３０，４０、及び半導体ユニット３を備える。半導体パッケージ１００は、半導体装置の一例である。半導体パッケージ１００は、例えばパワー半導体パッケージである。半導体パッケージ１００は、半導体モジュールでもよい。半導体パッケージ１００は、Ｘ軸方向に並ぶ複数の半導体ユニット３を備える。外部接続端子２０，３０，４０は、半導体ユニット３に対してそれぞれ設けられている。

ケース１１０は、絶縁性を有する樹脂材料から形成されている。樹脂材料は、例えば熱可塑性の樹脂である。ケース１１０の樹脂材料としては、例えば、ＰＢＴ及びＰＰＳが挙げられる。ＰＢＴは、ポリブチレンテレフタレートの略称である。ＰＰＳは、ポリフォニレンサルファイドの略称である。

ケース１１０は、Ｚ軸方向に見て、半導体ユニット３をそれぞれ囲むように形成されている。ケース１１０は、Ｚ軸方向に見て、例えば矩形状の枠体を成す。ケース１１０は、Ｚ軸方向に所定の厚さを有する。ケース１１０は、部分１１１～１１４を含む。部分１１１，１１２は、Ｙ軸方向に離間し、Ｘ軸方向に延在する。部分１１３、１１４は、Ｘ軸方向に離間し、Ｙ軸方向に延在する。ケース１１０は、複数の部分１１５，１１６を含む。部分１１５，１１６は、部分１１３，１１４間でＸ軸方向に互いに離間し、Ｙ軸方向に延在する。半導体ユニット３は、部分１１１，１１２，１１３，１１５によって囲まれた領域内、部分１１１，１１２，１１５，１１６によって囲まれた領域内、部分１１１，１１２，１１４，１１６によって囲まれた領域内にそれぞれ配置される。ケース１１０は、半導体ユニット３を収容する。

図３に示されるように、外部接続端子２０は、ケース１１０と一体化されている。外部接続端子２０の一部は、ケース１１０に埋め込まれている。外部接続端子２０の一端は、ケース１１０に囲われた領域内に延出され半導体ユニット３と電気的に接続される。また、外部接続端子２０，３０，４０の他端は、ケース１１０から外部に延出され、２破線で示された外部配線９と接続される。従って、外部接続端子２０は、半導体ユニット３と外部配線９とを電気的に接続する。外部接続端子２０は、導電性を有する金属材料から形成されている。外部接続端子２０は、例えば銅又はアルミニウムなどの導電性の優れた金属材料から形成される。さらに、表面がニッケルや錫などで被覆されていてもよい。外部接続端子２０の形状等については、後述する。外部接続端子３０，４０は、外部接続端子２０と同様の構成である。外部接続端子３０，４０の説明については一部省略する場合がある。

外部配線９は、外部接続端子２０の他端と接続される。図３において、外部配線９は、２点鎖線で示されている。外部配線９は、例えば銅又はアルミニウムなどの導電性の優れた金属材料から形成される。さらに、表面がニッケルや錫などで被覆されていてもよい。外部配線９は、バスバーなどの金属板であってよい。

図２に示されるように、半導体ユニット３は、積層基板４００及び半導体チップ４Ａ，４Ｂを備える。積層基板４００は、半導体チップ４Ａ，４Ｂを搭載する基板である。積層基板４００の板厚方向は、Ｚ軸方向に沿う。積層基板４００は、例えばＤＣＢ（Direct Copper Bonding）基板又はＡＭＢ（Active Metal Brazing）基板等の積層セラミックス基板でもよい。図３に示されるように、積層基板４００は、絶縁層４０１及び金属層４０２，４０３を有する。絶縁層４０１は、例えばセラミックス板である。絶縁層４０１は、樹脂絶縁層でもよい。絶縁層４０１の板厚方向はＺ軸方向に沿う。金属層４０２，４０３は、絶縁層４０１の両面に設けられている。金属層４０２，４０３は、絶縁層４０１を挟んでＺ軸方向に対向する。金属層４０２，４０３は、絶縁層４０１に貼り付けられた金属板でもよい。金属層４０２，４０３は、導電性及び熱伝導率が高い金属からなる。金属層４０２，４０３は、例えば、銅又はアルミニウムから形成される。金属層４０２，４０３は、導電層を形成する。

金属層４０２は、絶縁層４０１の下側に配置され、金属層４０３は、絶縁層４０１の上側に配置される。絶縁層４０１は、後述する冷却器２に接するように配置される。図２に示されるように、金属層４０３上には複数の導体パターン４１１，４１２，４１３が形成されている。導体パターン４１１，４１２，４１３は、導電膜である。導体パターン４１１，４１２，４１３は、低抵抗な導電材料から形成される。導体パターン４１１，４１２，４１３は例えば銅又は銅合金から形成される。

半導体チップ４Ａ，４Ｂは、大電流をスイッチング可能なパワー半導体素子である。半導体チップ４Ａ，４Ｂは、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）又はＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等のトランジスタでもよい。半導体チップ４Ａ，４Ｂは、ＲＣ－ＩＧＢＴ（Reverse Conducting IGBT）またはＦＷＤ（Free Wheeling Diode）でもよい。第１実施形態においては、半導体チップ４が、ＩＧＢＴ部分とＦＷＤ部分とを含むＲＣ－ＩＧＢＴである構成を例示する。

半導体チップ４Ａ，４Ｂは、主電極Ｅ、主電極Ｃ、及び制御電極Ｇを備える。主電極Ｅ及び主電極Ｃは、制御対象となる電流が入力又は出力される電極である。主電極Ｅは、半導体チップ４Ａ，４Ｂの上面に形成されたエミッタ電極である。主電極Ｃは、半導体チップ４Ａ，４Ｂの下面に形成されたコレクタ電極である。主電極ＣはＦＷＤ部分のアノード電極としても機能し、主電極ＥはＦＷＤ部分のカソード電極としても機能する。

制御電極Ｇは、半導体チップ４Ａ，４Ｂの上面に形成され、半導体チップ４Ａ，４Ｂのオン／オフを制御するための電圧が印加されるゲート電極である。なお、制御電極Ｇは、電流検出又は温度検出等の検出電極を含んでもよい。

図３に示されるように、半導体チップ４Ａは、例えば半田等の接合材４２０を利用して積層基板４００に接合される。半導体チップ４Ｂも同様に接合材４２０を用いて積層基板４００に接合される。半導体チップ４Ａの主電極Ｃは、半導体チップ４Ａの底面に形成される。半導体チップ４Ａの主電極Ｃは、Ｚ軸方向に対向する導体パターン４１１に接合される。図２に示される半導体チップ４Ｂの主電極Ｃは、半導体チップ４Ｂの底面に形成される。半導体チップ４Ｂの主電極Ｃは、Ｚ軸方向に対向する導体パターン４１３に接合される。

半導体ユニット３は、内部配線４３１，４３２を備える。内部配線４３１は、半導体チップ４Ａの主電極Ｅと、導体パターン４１２とを電気的に接続する。内部配線４３２は、半導体チップ４Ｂの主電極Ｅと、導体パターン４１１とを電気的に接続する。内部配線４３１，４３２は、例えば板状を成すリードフレームであってよい。内部配線４３１，４３２は、例えば銅又は銅合金等の低抵抗な導電材料から形成される。内部配線４３１，４３２は、リードフレームに限らず、ワイヤやリボンであってもよい。

半導体ユニット３は、内部接続端子４４１，４４２，４４３を備える。内部接続端子４４１，４４２，４４３は、例えば銅又は銅合金等の低抵抗な導電材料で形成される。内部接続端子４４１，４４２，４４３は、例えば、角柱、円柱などのブロック体を成す。内部接続端子４４１，４４２，４４３は、スペーサーであってよい。内部接続端子４４１は、導体パターン４１１に電気的に接続される。内部接続端子４４２は、導体パターン４１２に接合される。内部接続端子４４３は、導体パターン４１３に接合される。図３に示されるように、内部接続端子４４１は、導体パターン４１１から上方に張り出すように配置される。同様に、内部接続端子４４２，４４３は、導体パターン４１２，４１３から上方に張り出すように配置される。

内部接続端子４４１，４４２，４４３は、天面４４１ａ，４４２ａ，４４３ａを有する。天面４４１ａ，４４２ａ，４４３ａは、内部接続端子４４１，４４２，４４３の上側の面であり、Ｚ軸方向において導体パターン４１１，４１２，４１３から離れた位置に配置される。天面４４１ａ，４４２ａ，４４３ａは、外部接続端子２０，３０，４０と接合される面を含む。

図２に示されるように、半導体パッケージ１００は、複数の制御端子５を備える。制御端子５は、ケース１１０に設けられている。複数の制御端子５は、各半導体チップ４Ａ，４Ｂの制御電極Ｇを電気的に外部接続するためのリード端子である。複数の制御端子５は、例えばインサート成形によりケース１１０と一体に形成される。各制御端子５は、例えば複数のワイヤ６により各半導体チップ４Ａ，４Ｂの制御電極Ｇに電気的に接続される。

次に、外部接続端子２０について説明する。図４は外部接続端子２０を示す断面図である。図４では、ＹＺ面に沿う断面を示す。外部接続端子２０は、例えば板状を成す。外部接続端子２０は、金属板から形成される。外部接続端子２０は、例えばプレス加工によって成形される。外部接続端子２０は、第１片２１、第２片２２、及び第３片２３を備える。外部接続端子２０は、クランク構造を有する。クランク構造は、屈曲形成された第１片２１，第２片２２及び第３片２３を含む。第１片２１は、第２片２２と第３片２３との間に位置する。外部接続端子２０、板状のものに限定されず、その他の形状のものでもよい。

第１片２１の板厚方向は、Ｙ軸方向に沿う。第１片２１は、Ｚ軸方向に延在し、第２片２２と第３片２３とを連結する。第２片２２の板厚方向は、Ｚ軸方向に沿う。第２片２２は、第１片２１の下端２１ａから屈曲されてＹ２方向に延びる。外部接続端子２０の第１片２１と第２片２２とはＸ軸方向から見てＬ字形状をなす。第３片２３の板厚方向は、Ｚ軸方向に沿う。第３片２３は、第１片２１の上端２１ｂから屈曲されてＹ１方向に延びる。外部接続端子２０の第１片２１と第３片２３とはＸ軸方向から見てＬ字形状をなす。第２片２２及び第３片２３は、Ｚ軸方向において異なる位置に配置され、互いに逆向きに延びる。

第３片２３は、外部配線９と電気的に接続される。第３片２３は、Ｚ軸方向に対向する第１面２３ａ及び第２面２３ｂを有する。第２面２３ｂは、下側の面であり、ケース１１０に埋もれている。第１面２３ａは、上側の面であり、ケース１１０の外部に対して露出する。第１面２３ａは、外部配線９と電気的に接続される面を含む。外部配線９は、例えばバスバーである。外部配線９は、図４において、２点鎖線で示されている。第３片２３には、Ｚ軸方向に貫通する開口２３ｃが設けられている。図３に示されるように、ケース１１０には、開口２３ｃに対応する位置にナット７が埋め込まれている。開口２３ｃには、図示しないねじが挿通される。ねじはナット７に取り付けられる。外部配線９は、ねじにより固定されて、第３片２３に締結される。外部配線９は、第３片２３に対してＺ軸方向に押し当てられる。外部配線９は、ケース１１０に対して固定されると共に、外部接続端子２０と電気的に接続される。

第１片２１は、Ｙ軸方向に対向する第１面２１ｃ及び第２面２１ｄを有する。第１面２１ｃは、第２片２２に近い方の面であり、第２面２１ｄは、第３片２３に近い方の面である。第１片２１は、Ｘ軸方向に見た場合、Ｚ軸方向に対して傾斜していてもよい。第１片２１は、第２片２２に対して、９０度以上の角度で、傾斜していてもよい。第１片２１は、ケース１１０に埋め込まれている。第１片２１の第１面２１ｃ及び第２面２１ｄは、ケース１１０に埋もれている。

第２片２２は、半導体チップ４Ａと電気的に接続される接続面２２ｇを含む。第２片２２は、Ｚ軸方向に対向する第１面２２ａ及び第２面２２ｂを有する。第１面２２ａは、上側の面であり、第２面２２ｂは、下側の面である。第２片２２の第２面２２ｂは、内部接続端子４４１の天面４４１ａと接合する。外部接続端子２０の第２片２２と内部接続端子４４１との接合については後述する。第２片２２の第２面２２ｂのうち、内部接続端子４４１の天面４４１ａと接合される面が、接続面２２ｇである。

外部接続端子２０の一部は、ケース１１０に埋め込まれている。第２片２２の一部は、ケース１１０に埋め込まれ、第２片２２の一部は、ケース１１０から突出している。図５は、外部接続端子２０の第２片２２の断面図であり、図４中のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。図６は、ケース１１０の一部を示す底面図であり、外部接続端子２０の第２片２２の第２面２２ｂを露出させる凹部６０を示す図である。

図４及び図６に示されるように、外部接続端子２０の第２片２２は、ケース１１０に埋め込まれた基部２６と、ケース１１０の内壁面１１０ａからＹ軸方向に突出する突出部２７と、を有する。内壁面１１０ａは、ケース１１０のうち半導体ユニット３を収容する空間を区切る面であり、Ｙ軸方向に交差する面である。内壁面１１０ａは、Ｙ軸方向において、ケース１１０のうち半導体ユニット３に最も近い面でもよい。基部２６は、Ｙ軸方向において、突出部２７よりも第１片２１に近い方に位置する。突出部２７は、Ｙ軸方向において、突出部２７よりも第１片２１から遠い方に位置する。基部２６は、Ｙ軸方向において、内壁面１１０ａよりも内側に位置する。突出部２７は、Ｙ軸方向において、内壁面１１０ａよりも外側に位置する。Ｙ軸方向において、基部２６と突出部２７との境界の位置は、内壁面１１０ａの位置である。

第２片２２のうちケース１１０に埋め込まれている部分とは、内壁面１１０ａよりも内側の部分である。ケース１１０に埋め込まれている部分は、第１面２２ａ及び第２面２２ｂのうち少なくとも一方の面が、ケース１１０に埋もれている。

次に、ケース１１０の凹部６０及び張出部１２１，１２２について説明する。図３、図５及び図６に示されるように、ケース１１０には、凹部６０が形成されている。図５及び図６に示されるように、Ｘ軸方向において、複数の張出部１２１，１２２間に凹部６０が形成されている。換言すれば、Ｘ軸方向において、凹部６０の外側には、張出部１２１，１２２が配置されている。凹部６０は、Ｚ軸方向に見て、内壁面１１０ａからＹ１方向に窪むように形成されている。図３及び図６に示されるように、凹部６０は、第２面２２ｂの第２部分２２ｄを露出させる。第２面２２ｂは、第１部分２２ｃと第２部分２２ｄとを含む。第１部分２２ｃと第２部分２２ｄとがＹ軸方向に連続するように、凹部６０が形成されている。凹部６０は、Ｙ軸方向に見て、ケース１１０の底面１１０ｂからＺ１方向に窪むように形成されている。底面１１０ｂは、ケース１１０の下側の面である。なお、露出させるとは、ケース１１０によって覆われていないことをいう。例えば、後述するように、凹部６０内に、封止部８が形成されている場合は、露出されているものとする。

凹部６０は、ケース１１０の壁面６１～６４によって画定される。図３に示されるように、壁面６１は、Ｙ軸方向と交差する面を成す。壁面６１は、Ｙ軸方向において、内壁面１１０ａよりもＹ１方向に位置する。壁面６１は、Ｙ軸方向において、第１片２１の第２面２１ｄと内壁面１１０ａとの間に位置する。壁面６１は、Ｙ軸方向において、基部２６の中間位置に配置されている。壁面６１は、Ｙ軸方向において凹部６０を画定するケース１１０の壁面の一例である。壁面６１は、第１片２１の第２面２１ｄよりも、突出部２７に近い位置に配置されている。

図５及び図６に示されるように、壁面６２，６３は、Ｘ軸方向に離間している。Ｘ軸方向において、壁面６２は、第２片２２の側面２２ｅのＸ１方向に配置され、壁面６３は、第２片２２の側面２２ｆのＸ２方向に配置されている。側面２２ｅ，２２ｆは、第２片２２のＸ軸方向に離間する面である。側面２２ｆは、側面２２ｅのＸ２方向に位置する。壁面６２，６３は、Ｘ軸方向と交差する面である。側面２２ｅ，２２ｆは、ケース１１０を構成する樹脂によって覆われている。側面２２ｅ，２２ｆは、後述するようにケース１１０を構成する樹脂と接触していなくてもよい。

壁面６４は、Ｚ軸方向において、外部接続端子２０の第２片２２の第２面２２ｂと同じ位置に形成されている。壁面６４は、Ｚ軸方向と交差する面である。壁面６４は、Ｚ軸方向において、第２片２２の第２面２２ｂと異なる位置に形成されていてもよい。壁面６４は、第２片２２の第２面２２ｂよりもＺ１方向に配置されていてもよい。例えば、図２４に示されるように、上側の壁面６４Ｅは、第２片２２の第１面２２ａと同じ位置に形成されていてもよい。壁面６４，６４Ｅは、Ｚ軸方向において、第２片２２の第１面２２ａと第２面２２ｂとの間に配置されていてもよい。

凹部６０の幅Ｗ１は、第２片２２の幅Ｗ２より大きい。凹部６０の幅Ｗ１は、Ｘ軸方向に沿う凹部６０の長さであり、壁面６２と壁面６３との間の距離である。第２片２２の幅Ｗ２は、Ｘ軸方向に沿う第２片２２の長さであり、側面２２ｅ間の距離である。張出部１２１，１２２は、Ｘ軸において凹部６０の外側に存在する部分であり、Ｚ軸方向において外部接続端子２０の第２面２２ｂよりもＺ２方向に張り出す部分を含む。

張出部１２１，１２２の下面１２１ｂ，１２２ｂは、Ｚ軸方向においてケース１１０の底面１１０ｂと同じ位置に形成されている。張出部１２１，１２２の下面１２１ｂ，１２２ｂは、Ｚ軸方向においてケース１１０の底面１１０ｂと異なる位置に配置されていてもよい。下面１２１ｂ，１２２ｂは、外部接続端子２０の第２面２２ｂよりもＺ２方向に位置する。下面１２１ｂ，１２２ｂは、外部接続端子２０の第２面２２ｂから外部接続端子２０の第２片２２の厚さｔ２２以上離れた位置よりもＺ２方向に位置することが好ましい。下面１２１ｂ，１２２ｂは、図５に示される積層基板４００の上面よりＺ１方向に配置されてもよい。

また、張出部１２１，１２２のＸ軸方向に沿う幅Ｗ７，幅Ｗ８は、例えば、外部接続端子２０の第２片２２の幅Ｗ２の３０％以上あればよい。

図４及び図６に示されるように、Ｙ軸方向において、ケース１１０から露出する第２片２２の第２面２２ｂの長さＬ２は、ケース１１０から露出する第２片２２の第１面２２ａの長さＬ１より長い。第２片２２の第２面２２ｂは、突出部２７に形成された第１部分２２ｃと、基部２６に形成され、後述する凹部６０により露出された第２部分２２ｄとを含む。Ｙ軸方向において、第２面２２ｂの第１部分２２ｃの長さＬ３は、第２面２２ｂの第２部分２２ｄの長さＬ４よりも長い。

次に、外部接続端子３０，４０、凹部７０，８０、及び張出部１２３～１２５について説明する。図７は、ケース１１０に埋め込まれた外部接続端子３０，４０を示す断面図であり、図２中のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面を示す図である。図８はケース１１０の一部を示す底面図であり、外部接続端子３０，４０の第２片３２，４２の第２面３２ｂ，４２ｂを露出させる凹部７０，８０を示す図である。

図２、図７及び図８に示されるように、外部接続端子３０及び外部接続端子４０は、Ｘ軸方向に互いに離間する。外部接続端子３０，４０は、外部接続端子２０と同様の構成である。図８に示されるように、外部接続端子３０は、第１片３１、第２片３２、及び第３片３３を備える。第２片３２は、ケース１１０に埋め込まれた基部３６と、ケース１１０の内壁面１１０ｃからＹ軸方向に突出する突出部３７と、を有する。内壁面１１０ｃは、ケース１１０のうち半導体ユニット３を収容する空間を区切る面であり、Ｙ軸方向に交差する面である。

外部接続端子４０は、第１片４１、第２片４２、及び第３片４３を備える。第２片４２は、ケース１１０に埋め込まれた基部４６と、ケース１１０の内壁面１１０ｃからＹ軸方向に突出する突出部４７と、を有する。外部接続端子３０は、第１外部接続端子の一例であり、外部接続端子４０は、第２外部接続端子の一例である。

図７及び図８に示されるように、ケース１１０には、凹部７０，８０が形成されている。凹部７０は、外部接続端子３０の基部３６の第２面３２ｂを露出させる。具体的には、凹部７０は、基部３６に形成された第２面３２ｂの第２部分３２ｄを露出させる。第２面３２ｂは、第１部分３２ｃと第２部分３２ｄとを含む。第１部分３２ｃと第２部分３２ｄとがＹ軸方向に連続するように、凹部７０が形成されている。凹部７０は、ケース１１０の壁面７１～７４によって画定される。壁面７１は、Ｙ軸方向と交差する面を成す。壁面７１は、Ｙ軸方向において、内壁面１１０ｃよりもＹ２方向に位置する。壁面７１は、Ｙ軸方向において、第１片３１の第１面３１ｃと内壁面１１０ｃとの間に位置する。壁面７１は、Ｙ軸方向において、基部３６の中間位置に配置されている。凹部７０は、第１凹部の一例である。壁面７１は、Ｙ軸方向において凹部７０を画定するケース１１０の壁面の一例である。

壁面７２，７３は、Ｘ軸方向に対向する。第２片３２は、Ｘ軸方向に離間する側面３２ｅ，３２ｆを有する。壁面７２は、第２片３２の側面３２ｅよりもＸ１方向に位置する。壁面７３は、第２片３２の側面３２ｆよりもＸ２方向に位置する。側面３２ｅ，３２ｆは、ケース１１０を構成する樹脂によって覆われている。側面３２ｅ，３２ｆは、ケース１１０を構成する樹脂と接触していなくてもよい。側面３２ｅ，３２ｆと、ケース１１０の樹脂との間に隙間が形成されていてもよい。

壁面７４は、Ｚ軸方向において、外部接続端子３０の第２片３２の第２面３２ｂと同じ位置に形成されている。壁面７４は、Ｚ軸方向と交差する面である。壁面７４は、Ｚ軸方向において、第２片３２の第２面３２ｂと異なる位置に形成されていてもよい。壁面７４は、第２片３２の第２面３２ｂよりもＺ１方向に配置されていてもよい。例えば、壁面７４は、第２片３２の第１面３２ａと同じ位置に形成されていてもよい。壁面７４は、Ｚ軸方向において、第２片３２の第１面３２ａと第２面３２ｂとの間に配置されていてもよい。

凹部８０は、外部接続端子４０の基部４６の第２面４２ｂを露出させる。具体的には、凹部８０は、基部４６に形成された第２面４２ｂの第２部分４２ｄを露出させる。第２面４２ｂは、第１部分４２ｃと第２部分４２ｄとを含む。第１部分４２ｃと第２部分４２ｄとがＹ軸方向に連続するように、凹部８０が形成されている。凹部８０は、ケース１１０の壁面８１～８４によって画定される。壁面８１は、Ｙ軸方向と交差する面を成す。壁面８１は、Ｙ軸方向において、内壁面１１０ｃよりもＹ２方向に位置する。壁面８１は、Ｙ軸方向において、第１片４１の第１面４１ｃと内壁面１１０ｃとの間に位置する。壁面８１は、Ｙ軸方向において、基部４６の中間位置に配置されている。凹部８０は、第２凹部の一例である。壁面８１は、Ｙ軸方向において凹部８０を画定するケース１１０の壁面の一例である。

壁面８２，８３は、Ｘ軸方向に対向する。第２片４２は、Ｘ軸方向に離間する側面４２ｅ，４２ｆを有する。壁面８２は、第２片４２の側面４２ｅよりもＸ１方向に位置する。壁面８３は、第２片４２の側面４２ｆよりもＸ２方向に位置する。側面４２ｅ，４２ｆは、ケース１１０を構成する樹脂によって覆われている。側面４２ｅ，４２ｆは、ケース１１０を構成する樹脂と接触していなくてもよい。側面４２ｅ，４２ｆと、ケース１１０の樹脂との間に隙間が形成されていてもよい。

壁面８４は、Ｚ軸方向において、外部接続端子４０の第２片４２の第２面４２ｂと同じ位置に形成されている。壁面８４は、Ｚ軸方向と交差する面である。壁面８４は、Ｚ軸方向において、第２片４２の第２面４２ｂと異なる位置に形成されていてもよい。壁面８４は、第２片４２の第２面４２ｂよりもＺ１方向に配置されていてもよい。例えば、壁面８４は、第２片４２の第１面４２ａと同じ位置に形成されていてもよい。壁面８４は、Ｚ軸方向において、第２片４２の第１面４２ａと第２面４２ｂとの間に配置されていてもよい。

凹部７０の幅Ｗ３は、第２片３２の幅Ｗ４より大きい。凹部７０の幅Ｗ３は、Ｘ軸方向に沿う凹部７０の長さであり、壁面７２と壁面７３との間の距離である。第２片３２の幅Ｗ４は、Ｘ軸方向に沿う第２片３２の長さであり、側面３２ｅと側面３２ｆとの間の距離である。

凹部８０の幅Ｗ５は、第２片４２の幅Ｗ６より大きい。凹部８０の幅Ｗ５は、Ｘ軸方向に沿う凹部８０の長さであり、壁面８２と壁面８３との間の距離である。第２片４２の幅Ｗ６は、Ｘ軸方向に沿う第２片４２の長さであり、側面４２ｅと側面４２ｆとの間の距離である。張出部１２４は、Ｘ軸方向において、凹部７０と凹部８０との間に存在する部分であり、外部接続端子３０，４０の第２面３２ｂ，４２ｂよりもＺ２方向に張り出す部分を含む。張出部１２３は、Ｘ軸方向において、凹部７０のＸ１方向に存在する部分であり、外部接続端子３０の第２面３２ｂよりもＺ２方向に張り出す部分を含む。張出部１２５は、Ｘ軸方向において、凹部８０のＸ２方向に存在する部分であり、外部接続端子４０の第２面４２ｂよりもＺ２方向に張り出す部分を含む。

張出部１２４のＸ軸方向に沿う幅Ｗ１１は、例えば外部接続端子３０，４０の第２片３２，４２の間隔Ｄ１より小さくて良い。張出部１２４の幅Ｗ１１は、好ましくは、第２片３２，４２の間隔Ｄ１の８０％以上、９９％以下であってよい。間隔Ｄ１は、Ｘ軸方向において、第２片３２の側面３２ｆと第２片４２の側面４２ｅとの間の距離である。張出部１２３，１２５のＸ軸方向に沿う幅Ｗ１２，Ｗ１３は、張出部１２４の幅Ｗ１１よりも大きい。張出部１２３，１２５の幅Ｗ１２，Ｗ１３は、張出部１２４の幅Ｗ１１と同じでもよい。張出部１２４は、第１張出部の一例であり、張出部１２３は、第２張出部の一例であり、張出部１２５は、第３張出部の一例である。

図８に示されるように、Ｙ軸方向において、ケース１１０から露出する第２片３２の第２面３２ｂの長さＬ６は、ケース１１０から露出する第２片３２の第１面３２ａの長さＬ５より長い。第２片３２の第２面３２ｂは、突出部３７に形成された第１部分３２ｃと、基部３６に形成され、凹部７０により露出された第２部分３２ｄとを含む。Ｙ軸方向において、第２面３２ｂの第１部分３２ｃの長さＬ７は、第２面３２ｂの第２部分３２ｄの長さＬ８よりも長い。

Ｙ軸方向において、ケース１１０から露出する第２片４２の第２面４２ｂの長さＬ６は、ケース１１０から露出する第２片４２の第１面４２ａの長さＬ５より長い。第２片４２の第２面４２ｂは、突出部４７に形成された第１部分４２ｃと、基部４６に形成され、凹部８０により露出された第２部分４２ｄとを含む。Ｙ軸方向において、第２面４２ｂの第１部分４２ｃの長さＬ７は、第２面４２ｂの第２部分４２ｄの長さＬ８よりも長い。

図７に示されるように、ケース１１０は、張出部１２３～１２５を含む。Ｘ軸方向において、凹部７０の外側には張出部１２３，１２４が位置する。張出部１２３は、凹部７０のＸ１方向に位置する。張出部１２４は、凹部７０のＸ２方向に位置する。凹部８０の外側には張出部１２４，１２５が位置する。張出部１２４は、凹部８０のＸ１方向に位置する。換言すれば、張出部１２４は、Ｘ軸方向において、凹部７０と凹部８０との間に位置する。張出部１２５は、凹部８０のＸ２方向に位置する。張出部１２３～１２５は、外部接続端子３０，４０の第２面３２ｂ，４２ｂよりもＺ２方向に張り出す。

このような半導体パッケージ１００では、ケース１１０に凹部６０，７０，８０が形成され、外部接続端子２０，３０，４０の第２面２２ｂ，３２ｂ，４２ｂが露出されている。凹部６０，７０，８０が形成されることで、第２面２２ｂ，３２ｂ，４２ｂに接する部分にケース１１０が存在しないので、第１面２２ａ，３２ａ，４２ａから第２面２２ｂ，３２ｂ，４２ｂに向かうように、外部接続端子２０，３０，４０が変形する際の外部接続端子２０，３０，４０の剛性を低下させることができる。

例えば、半導体パッケージ１００の製造時において、外部接続端子２０，３０，４０を内部接続端子４４１，４４２，４４３に接合する際に、外部接続端子２０，３０，４０の第２片２２，３２，４２を曲げやすくすることができる。これにより、容易に外部接続端子２０，３０，４０を内部接続端子４４１，４４２，４４３に接触させることができる。また、外部接続端子２０，３０，４０の剛性を低下させることで、外部接続端子２０，３０，４０を内部接続端子４４１，４４２，４４３に押し付けることで作用する反力を弱めることができ、ケース１１０に作用する応力集中を緩和できる。外部接続端子２０，３０，４０からの反力が作用することでケース１１０に発生する応力が緩和される。また、外部接続端子２０，３０，４０の剛性を低下させることで、半導体パッケージ１００の製造後において、外部接続端子２０，３０，４０における残留応力の軽減を図ることができる。

例えば、ケース１１０、外部接続端子２０，３０，４０、及び半導体ユニット３等の各部品の寸法公差、組立公差等が大きい場合には、外部接続端子２０と、接合相手である内部接続端子４４１との密着度が不完全となるおそれがある。このように、外部接続端子２０と内部接続端子４４１との密着が不完全な状態で、外部接続端子２０と内部接続端子４４１とを接合しようとすると、内部接続端子４４１との接合において、接合強度の不足による離脱、電気特性の低下、熱的特性の低下などが生じるおそれがある。しかしながら、半導体パッケージ１００では、第２片の剛性が低下され、第２片２２を内部接続端子４４１に押し付けて、第２片２２と内部接続端子４４１とを密着させて接合できるので、外部接続端子２０と内部接続端子４４１との接合強度を向上させることができる。なお、外部接続端子２０と内部接続端子４４１との接合については後述する。

外部接続端子２０，３０，４０は、ケース１１０に埋め込まれた部分に、クランク構造が形成されている。ケース１１０に埋め込まれたクランク構造は、第１片２１，３１，４１と、第２片２２，３２，４２の基部２６，３６，４６と、第３片２３，３３，４３とを含む。このように、半導体パッケージ１００では、ケース１１０に埋め込まれたクランク構造を有するので、外部接続端子２０，３０，４０に作用する応力を緩和できる。例えば、バスバーを第３片２３，３３，４３に接合した場合には、外部接続端子２０，３０，４０において、Ｚ軸方向の応力が作用する。外部接続端子２０，３０，４０は、ケース１１０に埋め込まれた部分に、クランク構造が形成されているので、バスバーを接合した場合においてＺ軸方向に作用する応力が緩和される。このように、外部接続端子２０，３０，４０に作用する応力を緩和することにより、外部接続端子２０，３０，４０からケース１１０に作用する反力（負荷）が軽減される。

半導体パッケージ１００の外部接続端子２０は、第１片２１、第２片２２及び第３片２３を備え、簡素な構成となっているので、複雑な構造の外部接続端子を採用しなくても外部接続端子２０に作用する応力を緩和できる。そのため、外部接続端子２０におけるインダクタンスの増大が回避される。半導体パッケージ１００では、外部接続端子２０の構成が簡素であるので、外部接続端子２０及びこれを支持するケース１１０の増大が回避される。

半導体パッケージ１００では、外部接続端子２０，３０，４０の剛性を下げることで、積層基板４００及びこれに実装される内部接続端子４４１等の部品に作用する反力を緩和できる。半導体パッケージ１００では、ケース１１０に凹部６０を形成することにより、ケース１１０に発生する応力が緩和されるので、外部接続端子２０，３０，４０のインダクタンスの上昇、ケース１１０の大型化、半導体パッケージ１００の製造コストの増大が抑制される。製造コストとしては、材料コスト及び加工コストが含まれる。

図３に示されるように、ケース１１０は受け部１３１を含む。受け部１３１は、外部接続端子２０の基部２６のＺ１方向であり、第１片２１のＹ２方向に位置する。受け部１３１は、基部２６の第１面２２ａに接すると共に、第１片２１の第２面２１ｄに接する。受け部１３１は、Ｚ軸方向において、外部配線９と接する。このように、ケース１１０は、受け部１３１を有するので、外部接続端子２０に接続される外部配線９に接触する面積の増大を図り、ケース１１０に発生するする応力を軽減できる。

図２に示されるように、ケース１１０は受け部１３２，１３３を含む。受け部１３２は、外部接続端子３０に接続される外部配線を受けることができる。受け部１３３は、外部接続端子４０に接続される外部配線を受けることができる。受け部１３２，１３３は、上述した受け部１３１と同様の構成である。このように、ケース１１０は、受け部１３２，１３３を有するので、外部接続端子３０，４０に接続される外部配線に接触する面積の増大を図り、ケース１１０に発生する応力を軽減できる。

図５及び図６に示されるように、ケース１１０は張出部１２１，１２２を有する。ケース１１０の凹部６０の外側に張出部１２１，１２３が形成されているので、ケース１１０の剛性が確保される。ケース１１０では凹部６０が形成されており、ケース１１０の体積が少なくなる部分が存在するが、張出部１２１，１２２が形成されているので、必要な剛性が確保される。ケース１１０の不要な変形が抑制され、外部接続端子２０が安定して保持される。ケース１１０の変形を抑制することで、外部接続端子２０と外部配線９との電気的な接続を維持できる。ケース１１０の変形を抑制することで、外部接続端子２０と半導体ユニット３との電気的な接続を維持できる。

図７及び図８に示されるように、ケース１１０は張出部１２３～１２５を有する。ケース１１０の凹部７０，８０に隣接して張出部１２３～１２５が形成されているので、ケース１１０の剛性が確保される。ケース１１０では凹部７０，８０が形成されており、ケース１１０の体積が少なくなる部分が存在するが、張出部１２３～１２５が形成されているので、必要な剛性が確保される。ケース１１０の不要な変形が抑制され、外部接続端子３０が安定して保持される。ケース１１０の変形を抑制することで、外部接続端子３０，４０と外部配線との電気的な接続を維持できる。ケース１１０の変形を抑制することで、外部接続端子３０，４０と半導体ユニット３との電気的な接続を維持できる。また、凹部７０と凹部８０との間に、張出部１２４が位置するので、沿面距離が確保される。ケース１１０では、張出部１２４により沿面距離が確保されるので、外部接続端子３０と外部接続端子４０との間の絶縁性能の向上が図られる。

半導体パッケージ１００では、ケース１１０の剛性が確保されるので、外部接続端子２０，３０，４０と、外部配線との間の電気的な接続が好適に維持される。例えば、ケース１１０が変形し、外部配線を接合するためのねじが緩むと、半導体パッケージ１００の性能低下につながるおそれがあるが、半導体パッケージ１００では、ケース１１０の剛性が確保されるので、外部配線との接合を維持し、半導体パッケージ１００の性能低下が抑制される。

図３に示されるように、半導体パッケージ１００は、封止部８を備える。なお、図１及び図２等では、封止部８の図示が省略される。封止部８は、ケース１１０の内側の空間に充填されることで半導体ユニット３を封止する。封止部８は、例えばエポキシ樹脂またはシリコーンゲル等の各種の樹脂材料で形成される。なお、例えば酸化シリコンまたは酸化アルミニウム等の各種のフィラーが封止部８に含まれてもよい。封止部８は、ケース１１０から露出する外部接続端子２０，３０，４０の第２片２２，３２，４２を封止する。また、封止部８は、凹部６０，７０，８０内の空間に充填され、外部接続端子２０，３０，４０の基部２６，３６，４６の第２面２２ｂ，３２ｂ，４２ｂを封止する。

このように、半導体パッケージ１００では、半導体ユニット３及び外部接続端子２０，３０，４０が封止部８によって封止されるので、半導体ユニット３及び外部接続端子２０，３０，４０への異物の付着が抑制され、半導体パッケージ１００において信頼性の向上が図られる。また、凹部７０，８０内に封止部８が充填されるので、Ｘ軸方向に隣り合う外部接続端子３０，４０間の絶縁性が確保される。

また、半導体パッケージ１００は、冷却器２を備えていてもよい。冷却器２は、半導体ユニット３及びケース１１０のＺ２方向に配置される。冷却器２は、半導体ユニット３を冷却するフィンまたは水冷ジャケット等を含む。冷却器２は、ケース１１０及び半導体ユニット３の下面を覆うように配置される。積層基板４００の金属層４０２の下面は、冷却器２の上面に接触する。冷却器２は、例えば接着剤等を用いて、ケース１１０の下面に接合されていてもよい。冷却器２は、例えばシート状の接着剤を用いて、金属層４０２と接合されていてもよい。冷却器２の接合は、これに限定されず、その他の方法により、ケース１１０又は半導体ユニット３と接合されていてもよい。半導体パッケージ１００は、冷却器２に代えて、放熱板を備えていてもよく、その他の支持体を備えていてもよい。

＜第２実施形態＞
次に、図９～図１１を参照して、第２実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｂについて説明する。図９は、第２実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｂの一部を示す断面図である。図１０は、図９中の外部接続端子２０Ｂを示す断面図である。図１１は、図９中の外部接続端子２０Ｂを示す斜視図である。半導体パッケージ１００Ｂが第１実施形態に係る半導体パッケージ１００と違う点は、外部接続端子２０に代えて、段差部２８を有する外部接続端子２０Ｂを備える点である。なお、半導体パッケージ１００Ｂの説明において、半導体パッケージ１００と同様の説明は省略する。

外部接続端子２０Ｂは、第１片２１、第２片２２Ｂ、及び第３片２３を備える。第２片２２Ｂは、基部２６Ｂ及び突出部２７Ｂを有する。基部２６Ｂは、ケース１１０に埋め込まれている。突出部２７Ｂは、ケース１１０の内壁面１１０ａから突出するＹ２方向に突出する。図１０に示されるように、基部２６Ｂは、厚さｔ１及び厚さｔ１より薄い厚さｔ２を有する。厚さｔ１は、第１厚さの一例であり、厚さｔ２は、第２厚さの一例である。突出部２７は、厚さｔ２を有する。基部２６Ｂは、段差部２８を含む。厚さｔ１及び厚さｔ２は、Ｚ軸方向に沿う。厚さｔ２は、例えば厚さｔ１の５０％以上、９０％以下でもよい。厚さｔ１は、第１片２１の厚さｔ３と同じでもよく、厚さｔ３よりも薄くてもよい。段差部２８は、厚さｔ１から厚さｔ２へ基部２６Ｂの厚さが変更される部分である。厚さｔ２は、例えば、突出部２７Ｂを接合するための接合方法において必要な厚さ以上の厚さである。厚さｔ２は、例えば、レーザー溶接する際に必要な厚さ以上の厚さである。なお、厚さｔ２が薄い方が、ケース１１０に作用する反力を軽減できる。

段差部２８は、図９に示されるように、Ｙ軸方向において、第１片２１の第１面２１ｃと内壁面１１０ａとの間に位置する。凹部６０を画定する壁面６１は、Ｙ軸方向において、段差部２８に対応する位置に配置されている。段差部２８に対応する位置とは、例えば、Ｚ軸方向に段差部２８を見た場合に、段差部２８に重なる位置でもよい。壁面６１は、第１片２１の第１面２１ｃよりも突出部２７Ｂに近い位置に配置されている。

図１１及び図１２に示されるように、段差部２８は、傾斜面２８ａを含む。傾斜面２８ａは、ＸＹ面に対して傾斜する。図１２に示されるように、第１面２２ａに対する傾斜面２８ａの傾斜角θ１は、例えば鈍角である。なお、傾斜面２８ａは、ＸＺ面に平行な面でもよい。段差部２８は、第２片２２の第１面２２ａに形成されている。図９に示されるように、段差部２８は、ケース１１０に埋め込まれている。段差部２８は、Ｚ軸方向において、凹部６０とは反対側に設けられている。段差部２８は、Ｚ軸方向において、接続面２２ｇとは反対側に設けられている。突出部２７の厚さｔ２は、第１片２１の厚さｔ３よりも薄い。突出部２７Ｂの厚さｔ２は、例えば第１片２１の厚さｔ３の５０％以上、９０％以下でもよい。突出部２７Ｂの厚さｔ２は、第３片２３の厚さｔ４よりも薄い。突出部２７Ｂの厚さｔ２は、例えば第３片２３の厚さｔ４の５０％以上、９０％以下でもよい。

なお、基部２６Ｂの厚さｔ１は、第１片２１の厚さｔ３と同じでもよい。第１片２１の厚さｔ３は、第３片２３の厚さｔ４と同じでもよい。厚さｔ１，ｔ３，ｔ４は、同じでもよい。

このような第２実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｂでは、第１実施形態に係る半導体パッケージ１００と同様な作用効果を奏する。半導体パッケージ１００Ｂでは、外部接続端子２０Ｂの突出部２７の厚さｔ２が、ケース１１０に埋め込まれている基部２６Ｂの厚さｔ１よりも薄いので、突出部２７の剛性を低下させることができる。外部接続端子２０Ｂでは、第２片２２を曲げやすく、第２片２２を内部接続端子４４１に接合させ易い。第２片２２を第１片２１よりも薄くすることで、第２片２２の剛性を低下させて、ケース１１０にかかる負荷を軽減できる。半導体パッケージ１００Ｂでは、板厚が変化する部分である段差部２８がケース１１０内に埋め込まれているので、ケース１１０から突出する突出部２７Ｂの厚さｔ２を厚さｔ１より薄くできる。

外部接続端子２０Ｂでは、図１２に示されるように、Ｚ軸方向において、凹部６０とは反対側に段差部２８が形成されている。換言すると、段差部２８は、凹部６０とは反対側に張り出している。このような外部接続端子２０Ｂでは、Ｚ２方向に突出部２７を曲げやすい。第１面２２ａと傾斜面２８ａとの間において、圧縮応力ではなく引っ張り応力が生じる。そのため、第２片２２がＺ２方向に曲がりやすい。その結果、突出部２７をＺ２方向に曲げて、内部接続端子４４１に容易に接続することができる。なお、第２実施形態において、段差部２８が設けられた外部接続端子２０Ｂについて説明したが、その他の外部接続端子３０，４０の第２片３２，４２に段差部が設けられていてもよい。

例えば、外部接続端子２０Ｂについて「集中荷重を受ける片持ち梁」として考え、突出部２７Ｂの長さを、梁の長さと考えた場合、梁の長さが１．５Ｔになると、端子支持部に発生する応力は、梁の長さが１．０Ｔの場合の応力の約４４％の値となる。梁の長さは、図１０に示されるＬ１に相当する。端子支持部は、凹部６０に相当する部分にケース１１０の部分が存在する場合において、外部接続端子２０Ｂの第２部分２２ｄに接するケース１１０の部分である。

次に、図１３を参照して、変形例に係る外部接続端子２０Ｃについて説明する。図１３は、変形例に係る外部接続端子２０Ｃの段差部を拡大して示す断面図である。変形例に係る外部接続端子２０Ｃは、段差部２８Ｃが、Ｚ軸方向において、凹部６０に近い方に配置されている点で、外部接続端子２０Ｃと異なる。外部接続端子２０Ｃは、段差部２８Ｃが形成された第２片２２Ｃを備える。第２片２２Ｃは、段差部２８Ｃを含む基部２６Ｃを有する。このように、段差部２８Ｃは、凹部６０に近い位置に形成されていてもよい。

＜第３実施形態＞
次に、図１４を参照して、第３実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｄについて説明する。図１４は、第３実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｄの一部を示す断面図である。図１４では、ケース１１０の一部、及び外部接続端子２０Ｂが図示されている。図１４では、半導体ユニット３及び封止部８の図示が省略されている。第３実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｄが、上記の実施形態に係る半導体パッケージ１００，１００Ｂと違う点は、凹部６０を画定する壁面６１Ｄの位置がＹ軸方向において異なる点である。半導体パッケージ１００Ｄのケース１１０は、壁面６１に代えて、壁面６１Ｄを含む。ケース１１０において、壁面６１ＤよりＹ２方向に凹部６０が形成されている。なお、第３実施形態の半導体パッケージ１００Ｄの説明において、上記の実施形態の半導体パッケージ１００，１００Ｂと同様の説明は省略する。

壁面６１Ｄは、Ｙ軸方向において、第１片２１の第１面２１ｃに対応する位置に配置される。第１面２１ｃに対応する位置は、Ｙ軸方向において、第１面２１ｃと同じ位置でもよい。壁面６１Ｄは、Ｙ軸方向において、第１片２１の第２面２１ｄよりも突出部２７Ｂに近い方に位置する。壁面６１Ｄは、Ｙ軸方向において、段差部２８よりもＹ１方向に位置する。ケース１１０の一部は、第１片２１の下端２１ａのＺ２方向にも存在する。

Ｙ軸方向において、ケース１１０から露出する第２片２２Ｂの第２面２２ｂの長さＬ１２は、ケース１１０から露出する第２片２２の第１面２２ａの長さＬ１より長い。第２片２２Ｂの第２面２２ｂは、突出部２７Ｂに形成された第１部分２２ｃと、基部２６Ｂに形成され、凹部６０により露出された第２部分２２ｈとを含む。Ｙ軸方向において、第２面２２ｂの第１部分２２ｃの長さＬ３は、第２面２２ｂの第２部分２２ｈの長さＬ１４よりも長い。

このような第３実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｄにおいても、上記の半導体パッケージ１００，１００Ｂと同様の作用効果を奏する。半導体パッケージ１００Ｄでは、壁面６１Ｄが、第１片２１の第１面２１ｃに対応する位置に配置されているので、第２片２２の第２部分２２ｈの長さＬ１４を、上記実施形態の長さＬ４と比較して長くできる。凹部６０によって露出される第２部分２２ｈの長さＬ１４を長くすることができる。これにより、第２片２２ＢをＺ２方向に曲げやすくすることができる。長さＬ１４が長い方が第２片２２Bからケース１１０に作用する反力を抑制して、ケース１１０に発生する応力集中を軽減できる。

長さＬ１４が長い方が好ましいが、第１片２１の下端２１ａまで露出されるように凹部６０が大きい場合には、第１片２１からのＺ２方向の反力を受けることができない。しかしながら、半導体パッケージ１００Ｄでは、第１片２１の下端２１ａのＺ２方向に、ケース１１０の一部が存在するので、外部接続端子２０Ｂに外部配線を接続する際に、第１片２１に作用するＺ２方向の反力を受けることができる。

＜第４実施形態＞
次に、図１５及び図１６を参照して、第４実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｅについて説明する。図１５は、第４実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｅの一部を示す断面図である。図１６は、図１５中の外部接続端子を示す断面図である。第４実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｅが、第２実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｂと違う点は、外部接続端子２０Ｂに代えて、突出部２７Ｅにクランク構造を有する外部接続端子２０Ｅを備える点である。なお、半導体パッケージ１００Ｅの説明において、上記の半導体パッケージ１００,１００Ｂ，１００Ｄと同様の説明は省略する。

外部接続端子２０Ｅは、第１片２１、第２片２２Ｅ、第３片２３、屈曲片２４及び接続片２５を有する。第２片２２Ｅは、第１片２１から屈曲されて、Ｙ２方向に延在する。屈曲片２４は、第２片２２から屈曲されて、Ｚ２方向に延在する。屈曲片２４の板厚方向は、Ｙ軸方向に沿う。接続片２５は、屈曲片２４から屈曲されて、Ｙ２方向に延在する。接続片２５の板厚方向は、Ｚ軸方向に沿う。接続片２５は、Ｚ軸方向に離間する第１面２５ａ及び第２面２５ｂを有する。第１面２５ａは上面であり、第２面２５ｂは下面である。第２面２５ｂは、積層基板４００の金属層４０３に接合されている。外部接続端子２０Ｅの接続片２５は、金属層４０３を介して、半導体チップ４と電気的に接続されている。

外部接続端子２０Ｅは、基部２６Ｂ及び突出部２７Ｅを備える。突出部２７Ｅは、突出部本体２９、上記の屈曲片２４及び接続片２５を含む。第２片２２Ｅは、基部２６Ｂ及び突出部本体２９を含む。突出部本体２９は、第２片２２Ｅのうち、内壁面１１０ａからＹ２方向に突出する部分である。屈曲片２４は、突出部本体２９から屈曲されている。屈曲片２４は、Ｚ軸方向において、段差部２８とは反対側のＺ２方向に延びる。接続片２５は、屈曲片２４から屈曲されて基部２６Ｂとは反対側であるＹ２方向に延びる。接続片２５の第２面２５ｂは、半導体チップ４と電気的に接続される接続面を含む。接続片２５の第２面２５ｂは、接続相手の部品である積層基板４００の金属層４０３に接合されている。

Ｙ軸方向において、ケース１１０から露出する第２片２２Ｅの第２面２２ｂの長さＬ２２は、ケース１１０から露出する第２片２２Ｅの第１面２２ａの長さＬ２１より長い。第２片２２Ｂの第２面２２ｂは、突出部２７Ｂに形成された第１部分２２ｉと、基部２６Ｂに形成され、凹部６０により露出された第２部分２２ｄとを含む。Ｙ軸方向において、第２面２２ｂの第１部分２２ｉの長さＬ２３は、第２面２２ｂの第２部分２２ｄの長さＬ４よりも長い。

Ｚ軸方向において、第２片２２Ｅの第２面２２ｂと、接続片２５の第２面２５ｂとは、異なる位置に配置されている。Ｚ軸方向において、ケース１１０の底面１１０ｂから第２片２２Ｅの第２面２２ｂまでの高さＨ１は、底面１１０ｂから接続片２５までの高さＨ２よりも高い。

このような第４実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｅにおいても、上記の半導体パッケージ１００，１００Ｂと同様の作用効果を奏する。半導体パッケージ１００Ｅでは、内部接続端子４４１を介さずに、外部接続端子２０Ｅと、積層基板４００の金属層４０３とを接合できる。

＜第５実施形態＞
次に、図１７を参照して、第５実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｆについて説明する。図１７は、第５実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｆの一部を示す断面図である。第５実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｆが、第２実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｂと違う点は、外部接続端子２０Ｂに代えて外部接続端子２０Ｅを備え、内部接続端子４４１を備えていない点である。なお、半導体パッケージ１００Ｅの説明において、上記の半導体パッケージ１００,１００Ｂと同様の説明は省略する。

外部接続端子２０Ｆは、第１片２１Ｆ、第２片２２Ｂ、及び第３片２３を有する。第１片２１Ｆは、第２実施形態の外部接続端子２０Ｂの第１片２１と比較してＺ２方向に長い。第２片２２Ｂは、第１片２１Ｆから屈曲されてＹ２方向に延びる。第２片２２Ｂは、第２実施形態の外部接続端子２０Ｂの第２片２２Ｂと比較してＺ軸方向に、積層基板４００の金属層４０３により近い位置に配置されている。

半導体パッケージ１００Ｆの凹部６０は、半導体パッケージ１００Ｂの凹部６０と比較して、Ｚ軸方向に短い。

このような第５実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｆにおいても、上記の半導体パッケージ１００，１００Ｂと同様の作用効果を奏する。半導体パッケージ１００Ｆでは、内部接続端子４４１を介さずに、外部接続端子２０Ｆと、積層基板４００の金属層４０３とを接合できる。

＜第６実施形態＞
次に、図１８を参照して、第６実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｇについて説明する。図１８は、第６実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｇの一部を示す断面図である。第６実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｇが、第２実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｂと違う点は、外部接続端子２０Ｂに代えて外部接続端子２０Ｇを備える点である。なお、半導体パッケージ１００Ｇの説明において、上記の半導体パッケージ１００,１００Ｂと同様の説明は省略する。

外部接続端子２０Ｇは、第１片２１Ｇ及び第２片２２Ｂを有する。第１片２１Ｆは、第２実施形態の外部接続端子２０Ｂの第１片２１と比較してＺ１方向に長い。第１片２１Ｆは、ケース１１０の天面１１０ｄからＺ１方向に突出している。天面１１０ｄは、底面１１０ｂに対してＺ軸方向に離間する。第１片２１Ｆの上端２１ｂは、天面１１０ｄよりもＺ１方向に位置する。

外部配線９は、第１片２１に接続される。第１片２１Ｆには、Ｙ軸方向に貫通する開口２１ｅが形成されている。図示しないボルトが開口２１ｅに挿通されて、第１片２１に対して、外部配線９が接続される。

半導体パッケージ１００Ｇのケース１１０は、半導体パッケージ１００Ｂのケース１１０と比較して、Ｙ軸方向に短い。

このような第６実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｇにおいても、上記の半導体パッケージ１００，１００Ｂと同様の作用効果を奏する。半導体パッケージ１００Ｇでは、ケース１１０をＹ軸方向に短くでき、省スペース化を実現できる。

＜第７実施形態＞
次に、図１９を参照して、第７実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｈについて説明する。図１９は、第７実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｈの一部を示す断面図である。第７実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｈが、第２実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｂと違う点は、外部接続端子２０Ｂに代えて外部接続端子２０Ｈを備え、ケース１１０に代えてケース１１０Ｈを備える点である。なお、半導体パッケージ１００Ｈの説明において、上記の半導体パッケージ１００,１００Ｂと同様の説明は省略する。

ケース１１０Ｈは、本体１４１及び上段部１４２を有する。本体１４１は、半導体ユニット３を収容する矩形の枠体を形成する。上段部１４２は、本体１４１からＺ１方向に張り出すと共に、Ｙ２方向に張り出す。上段部１４２は、Ｚ軸方向から見て、外部接続端子２０Ｈに対応する部分に形成されている。

外部接続端子２０Ｈは、第１片２１Ｈ、第２片２２Ｂ、及び第３片２３Ｈを有する。第１片２１Ｈは、第２実施形態の外部接続端子２０Ｂの第１片２１と比較してＺ１方向に長い。第１片２１Ｈの上端２１ｂは、ケース１１０Ｈの上段部１４２の天面１４２ａからＺ１方向に張り出している。天面１４２ａは、上段部１４２の上面である。第１片２１Ｈの上端２１ｂは、天面１４２ａよりもＺ１方向に位置する。

第３片２３は、第１片２１から屈曲されてＹ２方向に延在する。第３片２３の板厚方向はＺ軸方向に沿う。第３片２３Ｈは、天面１４２ａに沿って配置されている。第３片２３には、板厚方向に貫通する開口２３ｃが設けられている。上段部１４２には、開口２３ｃに対応する位置にナット７が埋め込まれている。

半導体パッケージ１００Ｈのケース１１０Ｈは、半導体パッケージ１００Ｂのケース１１０と比較して、Ｙ軸方向に短い。

このような第７実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｈにおいても、上記の半導体パッケージ１００，１００Ｂと同様の作用効果を奏する。半導体パッケージ１００Ｈでは、ケース１１０をＹ軸方向に短くでき、省スペース化を実現できる。

＜第８実施形態＞
次に、図２０を参照して、第８実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｉについて説明する。図２０は、第８実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｉの一部を示す断面図である。第８実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｉが、第２実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｂと違う点は、外部接続端子２０Ｂに代えて外部接続端子２０Ｉを備え、ケース１１０に代えてケース１１０Ｉを備える点である。なお、半導体パッケージ１００Ｉの説明において、上記の半導体パッケージ１００,１００Ｂと同様の説明は省略する。

外部接続端子２０Ｉは、基部２６Ｂ、突出部２７Ｂ及び第２突出部２３Ｉを有する。外部接続端子２０Ｉは、平板状に形成されている。第２突出部２３Ｉは、基部２６Ｂと連続して形成されている。第２突出部２３Ｉは、ケース１１０Ｉの外壁面１１０ｅからＹ１方向に突出する。半導体パッケージ１００Ｉのケース１１０Ｉは、半導体パッケージ１００Ｂのケース１１０と比較して、Ｙ軸方向に短い。

このような第８実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｉにおいても、上記の半導体パッケージ１００，１００Ｂと同様の作用効果を奏する。半導体パッケージ１００Ｉでは、ケース１１０をＹ軸方向に短くでき、省スペース化を実現できる。

＜製造方法＞
次に、半導体パッケージの製造方法について説明する。ここでは、図９に示される半導体パッケージ１００Ｂを製造する方法について説明する。図２０は、半導体パッケージ１００Ｂの製造方法における手順を示すフローチャートである。図２１は、外部接続端子２０Ｂと内部接続端子４４１との間の隙間ｄ１を示す図である。

図２０に示されるように、半導体パッケージ１００Ｂの製造方法では、プレス加工して、段差部２８を有する外部接続端子２０Ｂを成形する（Ｓ１）。このプレス加工では、外部接続端子２０Ｂに加工される板材を準備し、板材を成形型に配置してプレス加工を行う。プレス加工によって、図１０～図１２に示されるような外部接続端子２０Ｂが成形される。プレス加工により、板材が屈曲されて第１片２１、第２片２２、第３片２３が成形される。プレス加工によって、第２片２２の第１面２２ａに段差部２８が成形される。外部接続端子２０Ｂと同様にその他の外部接続端子３０，４０についても、適宜、成形できる。

次に、外部接続端子２０Ｂに絶縁樹脂をモールド成形してケース１１０を成形する（Ｓ２）。例えば、成形型に外部接続端子２０Ｂを配置し、成形型に絶縁樹脂を充填してモールド成形することで、ケース１１０が成形される。成形型には、凹部６０に対向する形状が施されている。モールド成形を行うことにより、外部接続端子２０Ｂを絶縁樹脂と一体成形して、ケース１１０が製造される。ケース１１０の成形において、外部接続端子２０Ｂと同様にその他の外部接続端子３０，４０についても、適宜、一体化される。また、外部接続端子３０，４０に対応する位置に、凹部７０，８０が設けられる。

次に、ケース１１０内に半導体ユニット３を配置する（Ｓ３）。図９に示されるように、ケース１１０に対して、冷却器２が固定され、冷却器２に対して半導体ユニット３が固定されている。ここでは、図２１に示されるように、外部接続端子２０Ｂと接合相手である内部接続端子４４１との間に隙間ｄ１を設けるように、外部接続端子２０Ｂと内部接続端子４４１とを位置決めする。外部接続端子２０Ｂの接続面２２ｇと内部接続端子４４１の天面４４１ａとは、接触しておらず、Ｚ軸方向に離間している。隙間ｄ１は、Ｚ軸方向における第２片２２Ｂの接続面２２ｇと内部接続端子４４１の天面４４１ａとの間の隙間である。隙間ｄ１は、第２片２２Ｂの厚さｔ２の１％以上、１００％以下であってよい。好ましくは、５％以上、２０％以下である。その他の値に応じて、隙間ｄ１の大きさを設定してもよい。

次に、外部接続端子２０Ｂの突出部２７Ｂを内部接続端子４４１に押し当てて、外部接続端子２０Ｂと内部接続端子４４１とを接合する（Ｓ４）。例えば、第２片２２Ｂの第１面２２ａを押して、第２片２２Ｂを曲げて、第２片２２Ｂの接続面２２ｇを内部接続端子４４１の天面４４１ａに接近させることができる。第２片２２Ｂの接続面２２ｇと内部接続端子４４１の天面４４１ａとが接触した状態において、外部接続端子２０Ｂと内部接続端子４４１とを接合する。接合方法としては、例えば、レーザー溶接、はんだ付け、超音波接合等がある。接合方法は、その他の方法でもよい。耐熱性及び高い接合強度を実現可能な接合方法を選択することができる。なお、外部接続端子２０Ｂの接合と同様に、その他の外部接続端子３０，４０の接合を実行できる。

次に、ケース１１０内に封止部８を形成して、半導体ユニット３を封止する（Ｓ５）。これにより、ケース１１０から露出するする外部接続端子２０Ｂは、半導体ユニット３と共に、封止部８によって封止される。外部接続端子２０Ｂと同様に、その他の外部接続端子３０，４０も封止部８によって封止される。

本実施形態の製造方法では、外部接続端子２０Ｂの第２片２２Ｂを内部接続端子４４１に押し当てて、外部接続端子２０Ｂを内部接続端子４４１に接合できる。ケース１１０には、凹部６０が形成されているので、第２片２２Ｂを曲げやすい。また、ケース１１０に凹部６０が形成されているので、第２片２２Ｂを曲げる際に、第２片２２Bからの反力が作用することでケース１１０に発生する圧縮応力が軽減される。外部接続端子２０Ｂでは、突出部２７Ｂの剛性を低く抑えることで、突出部２７Ｂを内部接続端子４４１に押し当てることで作用する反力を弱めることができ、ケース１１０に発生する応力集中も緩和される。さらに、半導体パッケージ１００Ｂの製造後において、外部接続端子２０における残留応力の軽減を図ることができる。

例えば、ケース１１０、外部接続端子２０及び半導体ユニット３等の各部品の寸法公差、組立公差等が大きい場合には、外部接続端子２０と、接合相手である内部接続端子４４１との密着度が不完全となるおそれがある。しかしながら、本実施形態の製造方法では、外部接続端子２０Ｂを接合する際に、内部接続端子４４１との間に隙間ｄ１を設けた後に、突出部２７Ｂを内部接続端子４４１に押し当てた状態で接合できる。これにより、寸法公差、組立公差を吸収するように、突出部２７Ｂと内部接続端子４４１とを密着させた状態で、突出部２７Ｂと内部接続端子４４１とを接合できる。その結果、外部接続端子２０Ｂと内部接続端子４４１との接合強度を向上させることができる。

外部接続端子２０Ｂでは、図１２に示されるように、第２片２２Ｂの第１面２２ａに段差部２８が設けられているので、段差部２８とは反対側のＺ２方向に第２片２２Ｂを曲げやすい。そのため、第２片２２Ｂを曲げて、接続面２２ｇと内部接続端子４４１の天面４４１ａとを密着させた状態で接合できる。これにより、接合強度の向上を図ることができる。

本実施形態の製造方法では、半導体パッケージ１００Ｂを製造する場合について例示しているが、本実施形態の製造方法によって、その他の半導体パッケージ１００等を製造できる。

＜第９実施形態＞
次に、図２３を参照して、第９実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｊについて説明する。図２３は、第９実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｊの一部を示す断面図である。第９実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｊが、図９に示される第２実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｂと違う点は、内部接続端子４４１に代えて内部接続端子４４１Ｂを備える点、外部接続端子２０Ｂの突出部２７Ｂが撓んでいる点である。なお、半導体パッケージ１００Ｊの説明において、上記の半導体パッケージ１００,１００Ｂと同様の説明は省略する。

内部接続端子４４１Ｂは、Ｚ軸方向において、内部接続端子４４１よりも短い。内部接続端子４４１Ｂの天面４４１ａは、内部接続端子４４１の天面４４１ａよりもＺ２方向に位置する。内部接続端子４４１Ｂの天面４４１ａは、基部２６Ｂの第２面２２ｊよりもＺ２方向に位置する。

外部接続端子２０Ｂの突出部２７Ｂの接続面２２ｇは、内部接続端子４４１Ｂの天面４４１ａに接合されている。突出部２７Ｂは、Ｚ２方向に撓んでいる。Ｚ２方向は、突出部の第１面から第２面へ向かう方向の一例である。接続面２２ｇは、Ｚ軸方向において、基部２６Ｂの第２面２２ｊよりもＺ２方向に位置する。

Ｚ軸方向においてケース１１０の底面１１０ｂから基部２６Ｂの第２面２２ｊまでの高さＨ１は、Ｚ軸方向において底面１１０ｂから接続面２２ｇまでの高さＨ２よりも高い。高さＨ１は、第１高さの一例であり、高さＨ２は、第２高さの一例である。

このような第９実施形態に係る半導体パッケージ１００Ｊにおいても、上記の半導体パッケージ１００，１００Ｂと同様の作用効果を奏する。半導体パッケージ１００Ｊでは、ケース１１０に凹部６０が形成されているので、外部接続端子２０Ｂと突出部２７Ｂを曲げやすい。半導体パッケージ１００Ｊでは、突出部２７Ｂを撓ませて、接続面２２ｇを内部接続端子４４１Ｂの天面４４１ａに容易に接合できる。半導体パッケージ１００Ｊでは、突出部２７Ｂの接続面２２ｇを、Ｚ軸方向において、ケース１１０の底面１１０ｂに近い位置に配置できる。

半導体パッケージ１００Ｊでは、ケース１１０に凹部６０が形成されているので、突出部２７Ｂが撓んでいる状態において、外部接続端子２０Ｂからの反力が作用することでケース１１０に発生する応力を軽減できる。

次に図２４を参照して変形例に係る凹部６０Ｅについて説明する。図２４は、変形例に係る凹部６０Ｅが形成されたケース１１０の一部を示す断面図である。図２４に示される凹部６０Ｅが、図５に示される凹部６０と違う点は、凹部６０Ｅの上側の位置を規定する壁面６４ＥがＺ軸方向において外部接続端子２０の第２片２２の第１面２２ａと同じ位置に配置されている点と、第２片２２の側面２２ｅ，２２ｆと壁面６２，６３との間に隙間が形成されている点である。このような凹部６０Ｅがケース１１０に形成されていてもよい。

壁面６４Ｅは、Ｚ軸方向において、第２片２２の第１面２２ａと第２面２２ｂとの間に配置されていてもよい。壁面６２は、第２片２２の側面２２ｅと接するように形成されていてもよく、側面２２ｅから離間するように形成されていてもよい。同様に、壁面６３は、第２片２２の側面２２ｆと接するように形成されていてもよく、側面２２ｆから離間するように形成されていてもよい。

なお、前述した実施例は、本開示の代表的な形態を示したに過ぎず、本開示は、前述した実施例に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更、付加が可能である。

上記の半導体パッケージ１００では、外部接続端子２０の突出部２７のＺ２方向に接合相手の部品である内部接続端子４４１が配置され、基部２６のＺ２方向に凹部６０が配置されているが、接続相手の部品及び凹部６０の配置はこれに限定されない。例えば、突出部２７のＺ１方向に接続相手の部品である内部接続端子４４１が配置され、基部２６のＺ１方向に凹部６０が配置されていてもよい。また、上記の実施形態では、外部接続端子２０の接続相手の部品として、内部接続端子４４１及び積層基板４００が例示されているが、外部接続端子２０の接続相手の部品は、これらに限定されない。外部接続端子２０に接続される部品は、その他の導電体でもよい。また、外部接続端子２０は、半導体チップ４Ａの主電極に対して他の部材を介して、間接的に接続されていてもよく、半導体チップ４Ａの主電極に直接接続されていてもよい。

上記の実施形態では、主に、外部接続端子２０及び凹部６０に対する変形例について例示しているが、その他の外部接続端子３０，４０及び凹部６０，７０についても同様である。また、上記の半導体パッケージ１００では、外部接続端子２０，３０，４０に対して、凹部６０，７０、８０が設けられている構成が例示されているが、半導体パッケージ１００は、少なくとも１つの凹部が形成されたものでもよい。

上記の形態においては、半導体チップ４Ａ，４ＢがＲＣ－ＩＧＢＴを含む構成を例示したが、半導体チップ４Ａ，４Ｂの構成は以上の例示に限定されない。例えば、半導体チップ４Ａ，４ＢがＩＧＢＴまたはＭＯＳＦＥＴを含む形態も想定される。半導体チップ４Ａ，４ＢがＭＯＳＦＥＴを含む形態において、主電極Ｃはソース電極およびドレイン電極の一方であり、主電極Ｅはソース電極およびドレイン電極の他方である。また、半導体ユニット３に含まれる半導体チップ４Ａ，４Ｂの個数は２個に限定されない。例えば、半導体ユニット３が１個又は３個以上の半導体チップ４Ａ，４Ｂを含む形態も想定される。

上記の形態において、半導体パッケージ１００が３個の半導体ユニット３を備える構成について例示したが、半導体ユニット３の個数は３個に限定されない。例えば、半導体パッケージ１００が１個、２個、又は４個以上の半導体ユニット３を備える形態も想定される。

１００，１００Ｂ，１００Ｄ，１００Ｅ，１００Ｆ，１００Ｇ，１００Ｈ，１００Ｉ，１００Ｊ…半導体パッケージ、４Ａ，４Ｂ…半導体素子、９…外部配線、２０，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇ，２０Ｈ，２０Ｉ…外部接続端子、２１，２１Ｆ，２１Ｈ…第１片、２１ｃ…第１片の第１面、２１ｄ…第１片の第２面、２２，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｅ…第２片、２２ａ…第２片の第１面、２２ｂ…第２片の第２面、２２ｃ…第１部分、２２ｄ…第２部分、２２ｇ…接続面、２２ｊ…第２面（基部の第２面）、２３…第３片、２４…屈曲片、２５…接続片、２５ｂ…接続面、２６，２６Ｂ…基部、２７，２７Ｂ，２７Ｅ…突出部、２８，２８Ｃ…段差部、２８ａ…傾斜面、２９…突出部本体、３０…外部接続端子（第１外部接続端子）、４０…外部接続端子（第２外部接続端子）、６０，６０Ｅ…凹部、６１，６１Ｄ…壁面（第２方向において凹部を画定する壁面）、７０…凹部（第１凹部）、８０…凹部（第２凹部）、１１０，１１０Ｈ，１１０Ｉ…ケース、１１０ａ…内壁面、１２１，１２２…張出部、１２３…張出部（第２張出部）、１２４…張出部（第１張出部）、１２５…張出部（第３張出部）、１３１…受け部、Ｈ１…高さ（第１高さ）、Ｈ２…高さ（第２高さ）、Ｌ１…長さ（ケースから露出する第２片の第１面の長さ）、Ｌ２，Ｌ１２…長さ（ケースから露出する第２片の第２面の長さ）、ｄ１…隙間、ｔ１…厚さ（第１厚さ）、ｔ２…厚さ（第２厚さ）、Ｘ…Ｘ軸方向（第３方向）、Ｙ…Ｙ軸方向（第２方向）、Ｚ…Ｚ軸方向（第１方向）、Ｚ２…Ｚ２方向（第１面から第２面へ向かう方向）。

Claims (17)

1. 絶縁性を有する樹脂材料から形成されたケースと、
   第１方向に対向する第１面及び第２面を有する外部接続端子と、
   前記外部接続端子に電気的に接続される半導体素子と、を備え、
   前記ケースは、前記第１方向に見て、前記半導体素子の周囲に配置され、
   前記ケースは、前記半導体素子に近い方の面であり前記第１方向に沿う内壁面を有し、
   前記外部接続端子は、
   前記ケースに埋め込まれた基部と、
   前記ケースの前記内壁面から突出する突出部と、を有し、
   前記ケースには、前記第２面を露出させる凹部が形成され、
   前記外部接続端子の前記第２面は、前記突出部に形成された第１部分と、前記基部に形成され、前記凹部により露出された第２部分とを含み、
   前記外部接続端子の突出部が突出する方向である第２方向に、前記第１部分と前記第２部分とが連続するように、前記凹部が形成され、
   前記ケースは、張出部を含み、
   前記張出部は、前記外部接続端子の幅方向に沿う第３方向において、前記凹部の外側に配置され、前記外部接続端子の前記第２面よりも、前記外部接続端子の前記第１面とは反対側に張り出す、半導体装置。
2. 前記基部は、第１厚さ及び前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有し、
   前記突出部は、前記第２厚さを有し、
   前記基部は、前記第１厚さから前記第２厚さへ前記基部の厚さが変更される部分である段差部を含む、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第２面の前記第１部分は、前記半導体素子と電気的に接続される接続面を含み、
   前記段差部は、前記第１面に形成されている、請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記突出部は、
   前記基部に連続し前記第２方向に延びる突出部本体と、
   前記突出部本体から屈曲され前記第１方向において前記半導体素子に近づくように延びる屈曲片と、
   前記屈曲片から屈曲され前記第２方向に前記基部とは反対側に延びる接続片と、を有し、
   前記接続片は、前記半導体素子と電気的に接続される接続面を含む、請求項１～３の何れか一項に記載の半導体装置。
5. 前記突出部の前記第２面は、前記半導体素子と電気的に接続される接続面を含み、
   前記突出部は、当該突出部の前記第１面から第２面に向かう方向に撓み、
   前記ケースは、前記第１方向において前記基部の前記第２面に対して前記基部の前記第１面とは反対側に離間する底面を有し、
   前記第１方向において前記ケースの前記底面から前記基部の前記第２面までの第１高さは、前記第１方向において前記ケースの前記底面から前記突出部の前記接続面までの第２高さよりも高い、請求項１～４の何れか一項に記載の半導体装置。
6. 前記段差部は、前記突出部の前記第１面に対して傾斜する傾斜面を含み、
   前記段差部の傾斜面と、前記突出部の前記第１面との成す角は、鈍角である、請求項３～５の何れか一項に記載の半導体装置。
7. 前記外部接続端子は、
   前記ケースに埋め込まれ、前記第１方向に延びる第１片と、
   前記第１片から屈曲され、前記第２方向に延びる第２片と、を有し、
   前記第２片は、前記基部及び前記突出部を含む、請求項１～６の何れか一項に記載の半導体装置。
8. 前記外部接続端子は、前記第１片から屈曲され、前記第２片とは反対側に延びる第３片を有し、
   前記第３片に、外部端子が接続される、請求項７に記載の半導体装置。
9. 前記外部接続端子の前記第１片は、前記第２方向に対向する第１面及び第２面を有し、
   前記第１片の前記第２面は、前記第２方向において、前記第１片の前記第１面に対して、前記突出部とは反対側に配置され、
   前記第２方向において前記凹部を画定する前記ケースの壁面は、前記第１片の前記第２面よりも、前記突出部に近い方に位置する、請求項６～８の何れか一項に記載の半導体装置。
10. 前記第２方向において前記凹部を画定する前記ケースの壁面は、前記第１片の前記第１面よりも、前記突出部に近い方に位置する、請求項９に記載の半導体装置。
11. 前記基部は、第１厚さ及び前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有し、
    前記突出部は、前記第２厚さを有し、
    前記基部は、前記第１厚さから前記第２厚さへ変更される部分である段差部を含み、
    前記第２方向において前記凹部を画定する前記ケースの壁面は、前記段差部に対応する位置に配置される、請求項１０に記載の半導体装置。
12. 前記第２方向において、前記ケースから露出する前記第２片の前記第２面の長さは、前記ケースから露出する前記第２片の前記第１面の長さより長い、請求項１～１１の何れか一項に記載の半導体装置。
13. 前記第２方向において、前記第２面の前記第１部分の長さは、前記第２面の前記第２部分の長さよりも長い、請求項１～１２の何れか一項に記載の半導体装置。
14. 前記外部接続端子として、前記第３方向に離間する第１外部接続端子及び第２外部接続端子を備え、
    前記凹部は、
    前記第１外部接続端子の前記基部の前記第２面を露出させる第１凹部と、
    前記第２外部接続端子の前記基部の前記第２面を露出される第２凹部とを含み、
    前記張出部は、
    前記第３方向において、前記第１凹部と前記第２凹部との間に形成された第１張出部と、
    前記第３方向において、前記第１凹部に対して前記第１張出部とは反対側に位置する第２張出部と、
    前記第３方向において、前記第２凹部に対して前記第１張出部とは反対側に位置する第３張出部とを含む、請求項１～１３の何れか一項に記載の半導体装置。
15. 前記外部接続端子に接続される外部端子は、前記第１方向において、前記基部の前記第１面と離間して配置され、
    前記ケースは、前記基部の前記第１面に接すると共に、前記外部端子に接する受け部を有する、請求項１～１４の何れか一項に記載の半導体装置。
16. 請求項１～１４の何れか一項に記載の半導体装置を製造する方法であって、
    前記外部接続端子に前記絶縁樹脂をモールド成形して、前記外部接続端子の前記基部を前記ケースに埋め込むと共に、前記凹部を形成することと、
    前記第１方向において、前記外部接続端子と、前記外部接続端子に接合される接合相手の部品との間に隙間を設けて、前記外部接続端子及び前記接合相手の部品を配置することと、
    前記外部接続端子を前記接合相手の部品に押し当てながら、前記外部接続端子と前記接合相手の部品とを接合することと、
    を含む、半導体装置の製造方法。
17. 前記外部接続端子に前記絶縁樹脂をモールド成形する前に、プレス加工を行って前記外部接続端子に段差部を成形すること、を含む、請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。

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