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JP7680285B2 - Powder film forming apparatus and powder film forming method - Google Patents
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JP7680285B2 - Powder film forming apparatus and powder film forming method - Google Patents

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Description

本開示は、粉体の表面に成膜処理を施す粉体成膜装置及び粉体成膜方法に関する。 This disclosure relates to a powder coating apparatus and a powder coating method for applying a coating process to the surface of powder.

粉体の表面に膜を形成する技術として、例えば特許文献1は、スパッタリングにより微粉末を被覆する方法を開示している。この方法は、金属、セラミックス又はプラスチックの微粉末を、不活性雰囲気中で減圧加熱処理することと、加熱処理した微粉末をスパッタリング源を収めた回転容器に仕込み、該容器を回転させて微粉末の流動層を形成することと、容器を回転した状態でスパッタリングすることにより流動微粉末に被膜を形成することと、を含む。 As a technique for forming a film on the surface of a powder, for example, Patent Document 1 discloses a method for coating a fine powder by sputtering. This method involves subjecting a fine powder of metal, ceramic, or plastic to reduced pressure heat treatment in an inert atmosphere, placing the heat-treated fine powder in a rotating container containing a sputtering source and rotating the container to form a fluidized layer of the fine powder, and forming a coating on the fluidized fine powder by sputtering while the container is rotating.

特開平2-153068号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2-153068

ところで、粉体の表面に膜を効率よく形成するためには、成膜処理のための容器内において粉体を十分に攪拌する必要がある。しかし、特許文献1に開示された技術では、必ずしも容器内において粉体が十分に攪拌されるとは言えない。具体的には、特許文献1の技術は、回転容器内の底部に微粉末が配置された状態でこの回転容器を回転させることにより粉体を攪拌するものであるため、微粉末(粉体)は回転容器の底面とこの底面に連続する側面付近をこれらの底面及び側面に沿って移動するだけである。このような粉体の動きだけでは、粉体の攪拌が不十分となる場合がある。 Incidentally, in order to efficiently form a film on the surface of the powder, it is necessary to thoroughly agitate the powder in the container used for the film formation process. However, with the technology disclosed in Patent Document 1, it cannot necessarily be said that the powder is thoroughly agitated in the container. Specifically, the technology in Patent Document 1 agitates the powder by rotating a rotating container with the fine powder placed at the bottom of the container, so the fine powder (powder) only moves along the bottom surface of the rotating container and the vicinity of the side surface connected to the bottom surface. Such powder movement alone may result in insufficient agitation of the powder.

本開示は、上記のような問題を踏まえてなされたものであり、粉体の表面に成膜処理を施すための容器内において粉体を効率よく攪拌することにより、粉体の表面に膜を効率よく形成することができる粉体成膜装置及び粉体成膜方法を提供することを目的とする。 This disclosure has been made in light of the above problems, and aims to provide a powder film-forming device and a powder film-forming method that can efficiently form a film on the surface of a powder by efficiently stirring the powder in a container for performing a film-forming process on the surface of the powder.

本開示の一の局面に係る粉体成膜装置は、粉体の表面に成膜処理を施す装置であって、粉体を配置することが可能な底面を有する容器であって当該容器内において前記底面から上方に連続する空間である粉体落下空間が形成された容器を含む装置本体であり、前記容器の前記底面に配置された粉体を前記容器内でかつ前記粉体落下空間以外の領域において上方に搬送する上方搬送経路が形成され、前記上方搬送経路に沿って上方に搬送された粉体を前記粉体落下空間を通じて前記底面に落下させることが可能なように構成される装置本体と、成膜材料を粉体の表面に成膜することが可能な成膜可能状態にする成膜源と、を備え、前記成膜源は、前記容器よりも上方で前記底面に対して上下方向に対向する位置及び前記容器内の少なくとも一方において前記成膜材料を前記成膜可能状態にして、当該成膜可能状態となった前記成膜材料を前記粉体落下空間を通じて前記底面に供給するように構成される。 The powder film forming apparatus according to one aspect of the present disclosure is an apparatus for performing a film forming process on the surface of a powder, and is an apparatus body including a container having a bottom surface on which powder can be placed, in which a powder drop space is formed as a space continuing upward from the bottom surface within the container, an upper transport path is formed for transporting the powder placed on the bottom surface of the container upward in an area other than the powder drop space within the container, and the apparatus body is configured to be able to drop the powder transported upward along the upper transport path through the powder drop space onto the bottom surface, and a film forming source that makes the film forming material into a film-formable state capable of forming a film on the surface of the powder, and the film forming source is configured to make the film forming material into the film-formable state at least one of a position above the container facing the bottom surface in the vertical direction and inside the container, and to supply the film forming material in the film-formable state to the bottom surface through the powder drop space.

この粉体成膜装置では、成膜源は、容器よりも上方で底面に対して上下方向に対向する位置及び容器内の少なくとも一方において成膜材料を成膜可能状態にして、当該成膜可能状態となった成膜材料を粉体落下空間を通じて底面に供給する。すなわち、底面の上方で成膜可能状態となった成膜材料は、粉体落下空間を通じて下方に移動することにより底面上の粉体に対して直接的に作用することが可能であり、底面上の粉体の表面に効率よく接触することができる。しかも、装置本体の上方搬送経路は、容器内でかつ粉体落下空間以外の領域に形成されているので、粉体落下空間を通じて底面に向かって落下する粉体の移動の邪魔にならず、粉体落下空間を通じて底面に供給される成膜可能状態となった成膜材料の移動の邪魔にならないように、容器の底面に配置された粉体を上方に搬送することができる。従って、この粉体成膜装置は、粉体を上方に搬送し、搬送された粉体を粉体落下空間を通じて底面に戻すという一連の粉体の円滑な流れを容器内において形成して粉体を確実に循環させることにより粉体を効率よく攪拌しながら、成膜可能状態となった成膜材料を底面上の粉体に効率よく接触させることにより、粉体の表面に効率よく膜を形成することができる。 In this powder film-forming device, the film-forming source makes the film-forming material film-formable at least in one of the positions above the container facing the bottom surface in the vertical direction and inside the container, and supplies the film-forming material in the film-formable state to the bottom surface through the powder drop space. In other words, the film-forming material in the film-formable state above the bottom surface can directly act on the powder on the bottom surface by moving downward through the powder drop space, and can efficiently contact the surface of the powder on the bottom surface. Moreover, since the upper transport path of the device body is formed in the container and in an area other than the powder drop space, it does not interfere with the movement of the powder falling toward the bottom surface through the powder drop space, and the powder placed on the bottom surface of the container can be transported upward so as not to interfere with the movement of the film-forming material in the film-formable state that is supplied to the bottom surface through the powder drop space. Therefore, this powder film-forming device transports the powder upward, then returns it to the bottom surface through the powder drop space, creating a smooth powder flow within the container and ensuring that the powder is circulated, efficiently stirring the powder while efficiently bringing the film-forming material in a film-forming state into contact with the powder on the bottom surface, allowing for efficient formation of a film on the powder surface.

前記成膜源は、前記上方搬送経路のうちの少なくとも一部にも、前記成膜可能状態となった前記成膜材料を供給するように構成されていることが好ましい。 It is preferable that the film forming source is configured to supply the film forming material that is in a film forming state to at least a portion of the upper transport path.

この態様では、成膜可能状態となった成膜材料は、容器の底面に供給されるだけでなく、容器内において上方搬送経路の少なくとも一部にも供給される。これにより、前記成膜処理は、底面上の粉体に対して施されるだけでなく、上方搬送経路上の少なくとも一部の粉体に対しても施される。このことは、粉体の表面にさらに効率よく膜を形成することを可能にする。なお、成膜可能状態となった成膜材料が上方搬送経路の少なくとも一部に供給されることが可能な具体的な態様としては、次のようなものを例示することができる。例えば、上方搬送経路の少なくとも一部と、成膜源が成膜材料を成膜可能状態にする位置との間に遮るものがない場合には、成膜可能状態となった成膜材料が上方搬送経路の前記少なくとも一部に供給されることが可能である。 In this embodiment, the film-forming material that has become film-formable is not only supplied to the bottom surface of the container, but also to at least a portion of the upper transport path within the container. As a result, the film-forming process is performed not only on the powder on the bottom surface, but also on at least a portion of the powder on the upper transport path. This makes it possible to form a film on the surface of the powder more efficiently. Specific examples of the film-forming material that has become film-formable can be supplied to at least a portion of the upper transport path include the following. For example, when there is no obstruction between at least a portion of the upper transport path and the position where the film-forming source puts the film-forming material into a film-formable state, the film-forming material that has become film-formable can be supplied to at least the portion of the upper transport path.

前記粉体成膜装置において、前記上方搬送経路は、前記底面から螺旋状に上方に延びる螺旋搬送路を含み、前記装置本体は、前記容器を振動させることにより前記底面に配置された粉体を前記螺旋搬送路に沿って上方に搬送するように作動する振動発生部をさらに含み、前記粉体落下空間は、前記螺旋搬送路よりも前記容器の径方向の内側の空間であることが好ましい。 In the powder deposition device, the upward transport path includes a spiral transport path that extends upward from the bottom surface, the device body further includes a vibration generating unit that operates to transport the powder placed on the bottom surface upward along the spiral transport path by vibrating the container, and the powder drop space is preferably a space radially inward of the container relative to the spiral transport path.

この態様では、粉体を上方に搬送するための螺旋搬送路を螺旋状に形成することで、前記粉体落下空間を、螺旋搬送路よりも内側の領域、すなわち、容器の中央付近の領域(例えば、容器の中心軸を含む領域)に形成することができる。従って、この態様では、粉体が粉体落下空間を通じて底面に向かって落下すること及び成膜可能状態となった成膜材料が粉体落下空間を通じて底面に向かって移動することの邪魔にならない容器内の径方向の外側の領域を、螺旋搬送路を設ける領域として利用し、底面上の粉体を、容器の振動によって螺旋搬送路に沿って上方に搬送することができる。この態様において、螺旋搬送路の少なくとも一部分と、成膜源が成膜材料を成膜可能状態にする位置との間に遮るものがない場合には、螺旋搬送路の当該一部分にも、成膜可能状態となった成膜材料が供給され、螺旋搬送路の当該一部分の上にある粉体に対して成膜処理が施されることが可能である。 In this embodiment, the spiral conveying path for conveying the powder upward is formed in a spiral shape, so that the powder drop space can be formed in an area inside the spiral conveying path, that is, in an area near the center of the container (for example, an area including the central axis of the container). Therefore, in this embodiment, the radially outer area in the container that does not interfere with the powder falling toward the bottom surface through the powder drop space and the film-forming material that has become film-formable moving toward the bottom surface through the powder drop space is used as an area for providing the spiral conveying path, and the powder on the bottom surface can be conveyed upward along the spiral conveying path by the vibration of the container. In this embodiment, if there is nothing between at least a part of the spiral conveying path and the position where the film-forming source makes the film-forming material in a film-formable state, the film-forming material that has become film-formable can be supplied to that part of the spiral conveying path, and the powder on that part of the spiral conveying path can be subjected to a film-forming process.

前記粉体成膜装置において、前記振動発生部は、前記容器の中心軸の方向の成分と前記中心軸回りの周方向の成分とを含む方向に前記容器を振動させることが可能なように構成されることが好ましい。 In the powder deposition device, it is preferable that the vibration generating unit is configured to be capable of vibrating the container in a direction including a component in the direction of the central axis of the container and a component in the circumferential direction around the central axis.

この態様では、上記のような成分を含む方向に容器を振動させることにより粉体を螺旋搬送路に沿って上方に効率よく移動させることができる。 In this embodiment, the powder can be efficiently moved upward along the spiral transport path by vibrating the container in a direction that contains the above-mentioned components.

前記粉体成膜装置において、前記上方搬送経路は、前記螺旋搬送路の上端に搬送された粉体を当該上端よりも前記径方向の内側の領域に案内することが可能なように前記上端から延びる内側案内路をさらに含むことが好ましい。 In the powder deposition device, it is preferable that the upper conveying path further includes an inner guide path extending from the upper end of the spiral conveying path so that the powder conveyed to the upper end of the spiral conveying path can be guided to a region radially inward from the upper end.

この態様では、内側案内路は、螺旋搬送路の上端に搬送された粉体を当該上端よりも径方向の内側の領域にさらに案内することができる。これにより、内側案内路の先端から落下する粉体の底面における落下点を底面の中央部に近づけることができる。従って、底面の中央部から底面の径方向の外側へ粉体が移動し、移動した粉体が前記螺旋搬送路の入り口に到達するという粉体の流れが形成される。その結果、粉体が底面において局所的に滞留するような事態が生じることが抑制される。このことは、底面の中央部、底面の径方向外側の領域、螺旋搬送路、内側案内路、及び粉体落下空間の順に連続する粉体の移動経路において、容器内の粉体を確実に循環させることを可能にする。これにより、粉体の攪拌がより促進される。 In this embodiment, the inner guide path can further guide the powder transported to the upper end of the spiral transport path to a region radially inward from the upper end. This allows the drop point on the bottom surface of the powder falling from the tip of the inner guide path to be closer to the center of the bottom surface. Therefore, a powder flow is formed in which the powder moves from the center of the bottom surface to the radially outer side of the bottom surface, and the moved powder reaches the entrance of the spiral transport path. As a result, the occurrence of a situation in which the powder is locally retained on the bottom surface is suppressed. This makes it possible to reliably circulate the powder in the container in the powder movement path that is continuous in the order of the center of the bottom surface, the radially outer region of the bottom surface, the spiral transport path, the inner guide path, and the powder drop space. This further promotes the stirring of the powder.

また、この態様では、螺旋搬送路及び内側案内路に沿って順次搬送される粉体は、当該内側案内路の先端から底面の中央部付近に順次落下し、その後、底面においてその径方向外側に向かって移動する。このような底面の中央付近への粉体の落下と底面における径方向外側への粉体の移動とが順次行われることにより、底面の広い範囲に粉体を分散させることができる。粉体が底面の広い範囲に分散すると、成膜可能状態となった成膜材料が接触することが可能な底面上の粉体の表面積が増大するので、底面上の粉体は、当該成膜材料を効率よく捕捉することができる。これにより、粉体の表面への成膜効率をさらに向上させることができる。 In addition, in this embodiment, the powder transported sequentially along the spiral transport path and the inner guide path sequentially falls from the tip of the inner guide path to near the center of the bottom surface, and then moves radially outward on the bottom surface. By sequentially dropping the powder to near the center of the bottom surface and moving the powder radially outward on the bottom surface, the powder can be dispersed over a wide area of the bottom surface. When the powder is dispersed over a wide area of the bottom surface, the surface area of the powder on the bottom surface that can come into contact with the film-forming material that has become film-formable increases, and the powder on the bottom surface can efficiently capture the film-forming material. This can further improve the efficiency of film formation on the powder surface.

前記内側案内路は、当該内側案内路の先端に向かって下方に傾斜する部分を含むことがより好ましい。 It is more preferable that the inner guideway includes a portion that slopes downward toward the tip of the inner guideway.

この態様では、内側案内路が上記のような下方に傾斜する部分を含むので、内側案内路の先端と底面の中央部との距離をより小さくすることができる。これにより、内側案内路の先端から落下する粉体が底面に到達するまでの間に粉体が周囲に拡散することが抑制されるので、底面における粉体の落下点を所望の位置(例えば底面の中央部)に近づけやすくなる。 In this embodiment, since the inner guide path includes a downwardly sloping portion as described above, the distance between the tip of the inner guide path and the center of the bottom surface can be made smaller. This prevents the powder falling from the tip of the inner guide path from diffusing to the surroundings before it reaches the bottom surface, making it easier to move the point at which the powder falls on the bottom surface closer to a desired position (e.g., the center of the bottom surface).

また、上記のような傾斜する部分の上にある粉体は、例えば水平な面上にある粉体に比べて、重力の働きによって内側案内路の先端に向かって移動しやすい。従って、振動発生部が例えば前記中心軸の方向の成分と前記中心軸回りの周方向の成分とを含む方向に容器を振動させる場合でも、内側案内路上の粉体がその先端に向かって確実に搬送される。具体的には次の通りである。内側案内路は螺旋搬送路の上端に搬送された粉体を当該上端よりも径方向の内側の領域に案内することが可能なように前記上端から延びるものであり、内側案内路の先端は螺旋搬送路よりも前記中心軸に近い位置にあるため、内側案内路における前記周方向の振動成分は内側案内路の先端に向かうにつれて小さくなる。従って、内側案内路の先端付近では中心軸の方向の振動が主なものとなるため、内側案内路ではその先端に向かうにつれて粉体が搬送されにくくなる場合がある。このような場合であっても、内側案内路が上記のような傾斜する部分を含むことにより、内側案内路上の粉体をその先端に向かって確実に搬送することができる。 Furthermore, the powder on the inclined portion as described above is more likely to move toward the tip of the inner guideway due to the action of gravity than, for example, powder on a horizontal surface. Therefore, even if the vibration generating unit vibrates the container in a direction including, for example, a component in the direction of the central axis and a component in the circumferential direction around the central axis, the powder on the inner guideway is reliably transported toward its tip. Specifically, it is as follows. The inner guideway extends from the upper end of the spiral transport path so that the powder transported to the upper end of the spiral transport path can be guided to a region radially inward from the upper end, and since the tip of the inner guideway is located closer to the central axis than the spiral transport path, the circumferential vibration component in the inner guideway becomes smaller toward the tip of the inner guideway. Therefore, since the vibration in the direction of the central axis is the main vibration near the tip of the inner guideway, it may be difficult to transport the powder on the inner guideway toward its tip. Even in such a case, the powder on the inner guideway can be reliably transported toward its tip by the inner guideway including the inclined portion as described above.

前記粉体成膜装置において、前記容器の前記底面は、前記底面の中央部から前記径方向の外側に向って下方に傾斜する傾斜面を含み、前記内側案内路は、前記内側案内路の先端から落下する粉体の少なくとも一部の落下点が前記底面の前記中央部となるように配置されていることが好ましい。 In the powder deposition device, it is preferable that the bottom surface of the container includes an inclined surface that slopes downward from the center of the bottom surface toward the outside in the radial direction, and the inner guide path is arranged so that the drop point of at least a portion of the powder falling from the tip of the inner guide path is the center of the bottom surface.

この態様では、内側案内路の先端から落下して底面の中央部に達した粉体は、容器の振動によって底面の傾斜面に沿って径方向の外側に効率よく移動する。これにより、底面の中央部から底面の径方向の外側へ粉体が移動し、移動した粉体が前記螺旋搬送路の入り口に到達するという粉体の流れがさらに効果的に形成される。その結果、粉体が底面において局所的に滞留するような事態が生じることがさらに抑制され、粉体の攪拌がさらに促進される。このことは、底面の中央部、底面の径方向外側の領域、螺旋搬送路、内側案内路、及び粉体落下空間の順に連続する粉体の移動経路において、容器内における実質的にすべての粉体を確実に循環させることを可能にする。 In this embodiment, the powder that falls from the tip of the inner guide path and reaches the center of the bottom surface is efficiently moved radially outward along the inclined surface of the bottom surface by the vibration of the container. This more effectively creates a powder flow in which the powder moves from the center of the bottom surface to the radially outer side of the bottom surface, and the moved powder reaches the entrance of the spiral conveying path. As a result, the occurrence of a situation in which the powder is locally retained on the bottom surface is further suppressed, and the mixing of the powder is further promoted. This makes it possible to reliably circulate substantially all of the powder in the container along the powder movement path that is continuous in the order of the center of the bottom surface, the radially outer area of the bottom surface, the spiral conveying path, the inner guide path, and the powder drop space.

前記螺旋搬送路は、上方に向かうにつれて平面視で前記容器の中央から次第に遠ざかるような形状を有することが好ましい。 It is preferable that the spiral conveying path has a shape that, in a plan view, gradually moves away from the center of the container as it moves upward.

この態様では、例えば容器の中央からの距離が一定となるように螺旋形状を描くような螺旋搬送路に比べて、平面視における螺旋搬送路の上部領域と螺旋搬送路の下部領域との重なりを少なくすることができる。すなわち、この態様では、平面視において、螺旋搬送路の下部領域を螺旋搬送路の上部領域に対して径方向の内側に位置させることができるので、成膜可能状態となった成膜材料が、螺旋搬送路の上部領域にある粉体だけでなく、螺旋搬送路の下部領域にある粉体にも効率よく供給される。 In this embodiment, the overlap between the upper region of the spiral conveying path and the lower region of the spiral conveying path in plan view can be reduced, compared to a spiral conveying path that describes a spiral shape so that the distance from the center of the container is constant. In other words, in this embodiment, the lower region of the spiral conveying path can be positioned radially inward relative to the upper region of the spiral conveying path in plan view, so that the film-forming material that is ready for film formation is efficiently supplied not only to the powder in the upper region of the spiral conveying path, but also to the powder in the lower region of the spiral conveying path.

前記粉体成膜装置は、スパッタリングにより粉体の表面に成膜処理を施す装置であり、前記成膜源は、前記スパッタリングのためのカソードを含み、前記カソードは、前記粉体落下空間を介して前記底面に対して上下方向に対向する位置に配置されてもよい。 The powder deposition device is a device that performs a deposition process on the surface of powder by sputtering, and the deposition source includes a cathode for the sputtering, and the cathode may be disposed in a position that faces the bottom surface in the vertical direction through the powder drop space.

この態様では、底面に配置される粉体とカソードとを粉体落下空間を介して上下方向に対向させることができる。これにより、カソードから飛び出した粒子(例えば原子又は分子)を底面に配置される粉体及び粉体落下空間を落下する粉体に効率よく接触させることができる。その結果、粉体の表面に効率よく膜を形成することができる。 In this embodiment, the powder placed on the bottom surface and the cathode can be arranged to face each other in the vertical direction with the powder falling space in between. This allows the particles (e.g., atoms or molecules) flying out from the cathode to efficiently come into contact with the powder placed on the bottom surface and the powder falling through the powder falling space. As a result, a film can be efficiently formed on the surface of the powder.

前記粉体成膜装置は、スパッタリングにより粉体の表面に成膜処理を施す装置であり、前記成膜源は、前記スパッタリングのための少なくとも一つのロータリーカソードを含んでいてもよい。 The powder deposition device is a device that performs a film deposition process on the surface of powder by sputtering, and the deposition source may include at least one rotary cathode for the sputtering.

前記粉体成膜装置は、スパッタリングにより粉体の表面に成膜処理を施す装置であり、前記成膜源は、前記スパッタリングのための少なくとも一つのロータリーカソードを含み、前記少なくとも一つのロータリーカソードは、円筒形状のターゲットを含み、前記ターゲットは、前記ターゲットの中心軸が上下方向に向くような姿勢で配置されるとともに前記ターゲットの少なくとも一部が前記螺旋搬送路に対して水平方向に対向するように配置されていることが好ましい。 The powder film forming device is a device that performs a film forming process on the surface of powder by sputtering, and the film forming source includes at least one rotary cathode for the sputtering, and the at least one rotary cathode includes a cylindrical target, and it is preferable that the target is arranged in such a manner that the central axis of the target faces the vertical direction and at least a portion of the target faces the spiral transport path in the horizontal direction.

この態様では、中心軸が上下方向に向くような姿勢で配置されることによりターゲットの少なくとも一部が螺旋搬送路に対して水平方向に対向しているので、成膜可能状態となった成膜材料が、螺旋搬送路にある粉体に効率よく供給される。 In this embodiment, the target is positioned so that its central axis faces the vertical direction, and at least a portion of the target faces the horizontal direction relative to the spiral transport path, so that the film-forming material that is ready for film formation is efficiently supplied to the powder in the spiral transport path.

前記粉体成膜装置は、アークイオンプレーティングにより粉体の表面に成膜処理を施す装置であり、前記成膜源は、前記アークイオンプレーティングのためのカソードを含み、前記カソードは、前記粉体落下空間を介して前記底面に対して上下方向に対向する位置に配置されてもよい。 The powder coating device is a device that performs a coating process on the surface of powder by arc ion plating, and the coating source includes a cathode for the arc ion plating, and the cathode may be disposed in a position that faces the bottom surface in the vertical direction through the powder drop space.

この態様では、底面に配置される粉体とカソードとを粉体落下空間を介して上下方向に対向させることができる。これにより、カソードから蒸発した粒子(例えばイオン)を底面に配置される粉体及び粉体落下空間を落下する粉体に効率よく接触させることができる。その結果、粉体の表面に効率よく膜を形成することができる。 In this embodiment, the powder placed on the bottom surface and the cathode can be arranged to face each other in the vertical direction with the powder falling space in between. This allows the particles (e.g., ions) evaporated from the cathode to efficiently come into contact with the powder placed on the bottom surface and the powder falling through the powder falling space. As a result, a film can be efficiently formed on the surface of the powder.

前記粉体成膜装置において、前記底面のうち平面視で前記粉体落下空間に重なる領域は、平面視で当該領域の範囲内に前記カソードが包含されるような大きさを有することが好ましい。 In the powder deposition device, it is preferable that the area of the bottom surface that overlaps with the powder drop space in a plan view is large enough to include the cathode within the area in a plan view.

スパッタリング又はアークイオンプレーティングによる成膜処理では、カソードから飛び出した粒子(例えば原子もしくは分子)又はカソードから蒸発した粒子(例えばイオン)は、カソードから上下方向に平行な下方に移動するだけでなく、上下方向に対してある程度の角度範囲で傾いた斜め下方に拡散するように移動する。従って、底面のうち平面視で粉体落下空間に重なる領域をカソードよりも大きくすることにより、底面におけるより広い範囲で粉体に粒子を接触させることができる。その結果、粉体の表面にさらに効率よく膜を形成することができる。 In a film formation process using sputtering or arc ion plating, particles (e.g., atoms or molecules) ejected from the cathode or particles (e.g., ions) evaporated from the cathode do not only move downward parallel to the vertical direction from the cathode, but also move diagonally downward at a certain angle relative to the vertical direction, diffusing as they move. Therefore, by making the area of the bottom surface that overlaps with the powder drop space in a plan view larger than the cathode, the particles can come into contact with the powder over a wider area of the bottom surface. As a result, a film can be formed more efficiently on the surface of the powder.

前記粉体成膜装置は、プラズマCVDにより粉体の表面に成膜処理を施す装置であり、前記成膜源は、前記成膜材料としての原料ガスを成膜可能状態にするためのプラズマソースを含み、前記プラズマソースは、前記粉体落下空間を介して前記底面に対して上下方向に対向する位置に配置されてもよい。 The powder deposition device is a device that performs a film deposition process on the surface of powder by plasma CVD, and the deposition source includes a plasma source for making the raw material gas as the deposition material into a state in which a film can be formed, and the plasma source may be disposed in a position that faces the bottom surface in the vertical direction through the powder drop space.

この態様では、底面に配置される粉体とプラズマソースとを粉体落下空間を介して上下方向に対向させることができる。これにより、プラズマソースによって成膜可能状態となった原料ガスを底面に配置される粉体及び粉体落下空間を落下する粉体に効率よく接触させることができる。その結果、粉体の表面に効率よく膜を形成することができる。なお、この態様では、成膜可能状態となった原料ガスは、例えば、原料ガスに対してプラズマソースによる作用が及ぼされて原料ガスが分解されることにより生成される生成物である。 In this embodiment, the powder placed on the bottom surface and the plasma source can be arranged to face each other in the vertical direction with the powder falling space in between. This allows the raw material gas that has been made into a film-forming state by the plasma source to efficiently come into contact with the powder placed on the bottom surface and the powder falling through the powder falling space. As a result, a film can be efficiently formed on the surface of the powder. In this embodiment, the raw material gas that has been made into a film-forming state is, for example, a product generated by the raw material gas being decomposed by the action of the plasma source on the raw material gas.

前記粉体成膜装置において、前記プラズマソースによる作用が及ぶ領域に前記原料ガスを供給する原料ガス供給部をさらに備えることが好ましい。 It is preferable that the powder deposition device further includes a raw material gas supply unit that supplies the raw material gas to an area affected by the plasma source.

この態様では、原料ガス供給部から供給される原料ガスは、プラズマソースによる作用が及ぶ領域(例えばプラズマソースの真下の領域)において成膜可能状態となり、その後、底面上の粉体に接触する。これにより、粉体の表面に効率よく膜が形成される。 In this embodiment, the raw material gas supplied from the raw material gas supply unit becomes ready for film formation in the area affected by the plasma source (e.g., the area directly below the plasma source), and then contacts the powder on the bottom surface. This allows a film to be efficiently formed on the surface of the powder.

前記粉体成膜装置において、前記プラズマソースは、前記プラズマソースの下部に形成され、前記プラズマソースの内部で生成されたプラズマを前記プラズマソースの外部に放出するために設けられた開口部を有することが好ましい。 In the powder deposition apparatus, it is preferable that the plasma source has an opening formed at the bottom of the plasma source for discharging the plasma generated inside the plasma source to the outside of the plasma source.

この態様では、原料ガスは、プラズマソースの下部に形成された開口部を通じて放出されるプラズマによって分解されて効率よく成膜可能状態になることができる。 In this embodiment, the source gas is decomposed by the plasma emitted through an opening formed at the bottom of the plasma source, and can be efficiently converted into a state suitable for film formation.

前記粉体成膜装置において、前記原料ガス供給部は、平面視で前記プラズマソースの前記開口部を囲むように環状に配置されたパイプを有し、前記パイプに形成されたガス供給穴から前記原料ガスを前記プラズマソースの下方に供給することが可能なように構成されることが好ましい。 In the powder deposition apparatus, it is preferable that the raw material gas supply unit has a pipe arranged in a ring shape so as to surround the opening of the plasma source in a plan view, and is configured so that the raw material gas can be supplied below the plasma source from a gas supply hole formed in the pipe.

この態様では、原料ガス供給部のパイプが平面視でプラズマソースの開口部を囲むように配置されているので、当該パイプは、開口部から放出されるプラズマの下方への移動の邪魔にならない。これにより、パイプの供給穴からプラズマソースの下方に供給される原料ガスと、プラズマソースの開口部から放出されるプラズマとを、効率よく接触させることができる。 In this embodiment, the pipe of the raw material gas supply unit is arranged to surround the opening of the plasma source in a plan view, so that the pipe does not interfere with the downward movement of the plasma emitted from the opening. This allows the raw material gas supplied below the plasma source from the supply hole of the pipe to come into efficient contact with the plasma emitted from the opening of the plasma source.

前記粉体成膜装置において、前記底面のうち平面視で前記粉体落下空間に重なる領域は、平面視で当該領域の範囲内に前記プラズマソースの前記開口部が包含されるような大きさを有することが好ましい。 In the powder deposition device, it is preferable that the area of the bottom surface that overlaps with the powder drop space in a plan view has a size such that the opening of the plasma source is included within the area in a plan view.

プラズマCVDによる成膜処理では、プラズマソースによって成膜可能状態となった原料ガスは、プラズマソースの開口部の直下から上下方向に平行な下方に移動するだけでなく、上下方向に対してある程度の角度範囲で傾いた斜め下方に拡散するように移動する。従って、底面のうち平面視で粉体落下空間に重なる領域をプラズマソースの開口部よりも大きくすることにより、底面におけるより広い範囲で粉体に成膜可能状態となった原料ガスを接触させることができる。その結果、粉体の表面にさらに効率よく膜を形成することができる。 In a film formation process using plasma CVD, the raw material gas that has been made into a film-forming state by the plasma source not only moves downward parallel to the vertical direction from directly below the opening of the plasma source, but also moves so as to diffuse diagonally downward at a certain angle range with respect to the vertical direction. Therefore, by making the area of the bottom surface that overlaps with the powder drop space in a plan view larger than the opening of the plasma source, the raw material gas that has been made into a film-forming state can come into contact with the powder over a wider area of the bottom surface. As a result, a film can be formed on the surface of the powder more efficiently.

前記粉体成膜装置は、前記成膜可能状態となった前記原料ガスが前記粉体落下空間において前記底面に向かって案内されるように前記容器内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部をさらに備えることが好ましい。 It is preferable that the powder film forming apparatus further includes an inert gas supply unit that supplies an inert gas into the container so that the raw material gas that has become capable of film formation is guided toward the bottom surface in the powder falling space.

この態様では、プラズマソースによって成膜可能状態となった原料ガスは、不活性ガス供給部から供給される不活性ガスによって底面に案内される。これにより、粉体の表面にさらに効率よく膜を形成することができる。 In this embodiment, the raw material gas that has been made into a film-forming state by the plasma source is guided to the bottom surface by the inert gas supplied from the inert gas supply unit. This allows a film to be formed on the surface of the powder more efficiently.

前記粉体成膜装置は、前記容器を収容する真空チャンバをさらに備え、前記容器は、上向きに開放された形状を有し、前記真空チャンバ内において前記容器の上方及び前記容器内の少なくとも一方で前記成膜材料が前記成膜可能状態にされることが好ましい。 The powder deposition apparatus further includes a vacuum chamber that houses the container, the container having an upwardly open shape, and it is preferable that the deposition material is in the deposition-enabling state at least either above the container or inside the container in the vacuum chamber.

この態様では、真空チャンバ内において、上述したような一連の粉体の流れを形成することにより粉体を効率よく攪拌しながら、真空チャンバ内において、成膜可能状態となった成膜材料を底面上の粉体に効率よく接触させることができる。従って、この態様では、真空雰囲気下において粉体の表面に効率よく膜を形成することができる。 In this embodiment, by forming a series of powder flows as described above in the vacuum chamber, the powder can be efficiently stirred while the film-forming material that is ready for film formation can be efficiently brought into contact with the powder on the bottom surface in the vacuum chamber. Therefore, in this embodiment, a film can be efficiently formed on the surface of the powder in a vacuum atmosphere.

前記粉体成膜装置において、前記真空チャンバは、前記容器を収容する内部空間を形成し、上向きに開放されたチャンバ本体と、前記チャンバ本体の上部に開閉可能に取り付けられた蓋部と、を有することが好ましい。 In the powder deposition apparatus, it is preferable that the vacuum chamber has an internal space that accommodates the container, an upwardly opening chamber body, and a lid portion that is attached to the top of the chamber body in an openable and closable manner.

この態様では、蓋部がチャンバ本体の上部を閉じた状態で前記成膜処理を行うことができ、蓋部が開けられた状態で、例えばターゲットなどの消耗部品を容易に交換することができる。 In this embodiment, the film formation process can be performed with the lid portion closing the top of the chamber body, and consumable parts such as the target can be easily replaced with the lid portion open.

前記粉体成膜装置は、前記容器を収容する真空チャンバをさらに備え、前記上方搬送経路は、前記底面から螺旋状に上方に延びる螺旋搬送路を含み、前記装置本体は、前記容器を振動させることにより前記底面に配置された粉体を前記螺旋搬送路に沿って上方に搬送するように作動する振動発生部をさらに含み、前記振動発生部は、振動を発生させる発生部本体と、前記発生部本体と前記容器とを連結するシャフトと、を含み、前記発生部本体は、前記真空チャンバの外に配置されていることが好ましい。 The powder deposition apparatus further includes a vacuum chamber that houses the container, the upward transport path includes a spiral transport path that extends upward in a spiral shape from the bottom surface, and the device body further includes a vibration generating unit that operates to transport the powder placed on the bottom surface upward along the spiral transport path by vibrating the container, the vibration generating unit includes a generator body that generates vibrations and a shaft that connects the generator body and the container, and it is preferable that the generator body is disposed outside the vacuum chamber.

この態様のように振動発生部の発生部本体が真空チャンバの外に配置されることにより、粉体に成膜される膜の膜質が低下することを抑制できる。 In this embodiment, the vibration generating unit's main body is positioned outside the vacuum chamber, which helps prevent deterioration in the quality of the film formed on the powder.

本開示に係る粉体成膜方法は、前記粉体成膜装置を使用して、粉体の表面に成膜処理を施す方法であり、前記容器内に粉体を配置することと、前記容器内の粉体を前記上方搬送経路に沿って搬送し、上方に搬送された粉体を前記粉体落下空間を通じて前記底面に落下させることと、前記成膜可能状態となった前記成膜材料を粉体の表面に成膜することと、を備える。 The powder film forming method according to the present disclosure is a method of performing a film forming process on the surface of powder using the powder film forming device, and includes the steps of placing powder in the container, transporting the powder in the container along the upward transport path, causing the powder transported upward to fall onto the bottom surface through the powder drop space, and forming a film of the film forming material that has become ready for film forming on the surface of the powder.

この方法では、粉体の表面に成膜処理を施すための容器内において粉体を効率よく攪拌することにより、粉体の表面に膜を効率よく形成することができる。 In this method, the powder can be efficiently stirred in a container for performing a film-forming process on the powder surface, thereby efficiently forming a film on the powder surface.

本開示によれば、粉体に成膜処理を施すための容器内において粉体を効率よく攪拌することにより、粉体の表面に膜を効率よく形成することができる粉体成膜装置及び粉体成膜方法が提供される。 According to the present disclosure, a powder film forming apparatus and a powder film forming method are provided that can efficiently form a film on the surface of a powder by efficiently stirring the powder in a container for performing a film forming process on the powder.

第1の実施形態に係る粉体成膜装置を示す側面図であり、一部を断面で描いたものである。1 is a side view showing a powder film forming apparatus according to a first embodiment, with a portion thereof depicted in cross section. 第1の実施形態に係る粉体成膜装置の装置本体における容器及び粉体移動機構を示す斜視図である。2 is a perspective view showing a container and a powder moving mechanism in the main body of the powder film forming apparatus according to the first embodiment; FIG. 第1の実施形態に係る粉体成膜装置の真空チャンバのチャンバ本体と蓋部を示す概略図である。2 is a schematic diagram showing a chamber body and a lid of a vacuum chamber of the powder film formation apparatus according to the first embodiment. FIG. 第1の実施形態に係る粉体成膜装置のカソードと容器の底面と上方搬送経路との位置関係を説明するための概略の平面図である。3 is a schematic plan view for explaining the positional relationship between a cathode, a bottom surface of a container, and an upper transport path of the powder film forming apparatus according to the first embodiment; FIG. 第1の実施形態に係る粉体成膜装置を示す概略の断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a powder film forming apparatus according to a first embodiment. 第2の実施形態に係る粉体成膜装置を示す概略の断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing a powder film forming apparatus according to a second embodiment. 第3の実施形態に係る粉体成膜装置を示す概略の断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing a powder film forming apparatus according to a third embodiment. 第3の実施形態に係る粉体成膜装置のプラズマソースにおける開口部と容器の底面と原料ガス供給部のパイプと上方搬送経路との位置関係を説明するための概略の平面図である。13 is a schematic plan view for explaining the positional relationship between an opening in a plasma source of a powder film forming apparatus according to a third embodiment, a bottom surface of a container, a pipe of a raw material gas supply unit, and an upper transport path. FIG. 第1の実施形態の変形例1に係る粉体成膜装置を示す側面図であり、一部を断面で描いたものである。FIG. 2 is a side view showing a powder film forming apparatus according to a first modified example of the first embodiment, with a portion thereof depicted in cross section. 図9のX-X線における断面図である。10 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. 9. 第1の実施形態の変形例2に係る粉体成膜装置を示す側面図であり、一部を断面で描いたものである。FIG. 11 is a side view showing a powder film forming apparatus according to a second modified example of the first embodiment, with a portion thereof depicted in cross section. 図11のXII-XII線における断面図である。12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII in FIG. 11 . 第1の実施形態の変形例3に係る粉体成膜装置を示す側面図であり、一部を断面で描いたものである。FIG. 11 is a side view showing a powder film forming apparatus according to a third modified example of the first embodiment, with a portion thereof depicted in cross section. 図13のXIV-XIV線における断面図である。14 is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV in FIG. 13. 第1の実施形態の変形例4に係る粉体成膜装置を示す側面図であり、一部を断面で描いたものである。FIG. 11 is a side view showing a powder film forming apparatus according to a fourth modified example of the first embodiment, with a portion thereof depicted in cross section. 第1の実施形態の変形例5に係る粉体成膜装置を示す側面図であり、一部を断面で描いたものである。FIG. 13 is a side view showing a powder film forming apparatus according to a fifth modified example of the first embodiment, with a portion thereof depicted in cross section.

以下、図面を参照して、本開示の実施形態に係る粉体成膜装置及び粉体成膜方法について説明する。本実施形態に係る粉体成膜装置は、例えば、PVD(物理蒸着)、CVD(化学蒸着)などの成膜方法により粉体の表面に膜を形成するための装置である。具体的には、PVDとしては、スパッタリング、アークイオンプレーティングなどを例示できる。CVDとしては、プラズマCVDを例示できる。 Below, a powder film forming apparatus and a powder film forming method according to an embodiment of the present disclosure will be described with reference to the drawings. The powder film forming apparatus according to this embodiment is an apparatus for forming a film on the surface of powder by a film forming method such as PVD (physical vapor deposition) or CVD (chemical vapor deposition). Specifically, examples of PVD include sputtering and arc ion plating. Examples of CVD include plasma CVD.

[第1の実施形態]
図1は、第1の実施形態に係る粉体成膜装置1を示す側面図であり、一部を断面で描いたものである。図2は、この粉体成膜装置1の容器及び粉体移動機構を示す斜視図である。図3は、粉体成膜装置1の真空チャンバのチャンバ本体と蓋部を示す概略図である。図4は、粉体成膜装置1のカソードと容器の底面と上方搬送経路との位置関係を説明するための概略の平面図である。図5は、粉体成膜装置1を示す概略の断面図である。
[First embodiment]
Fig. 1 is a side view of a powder film forming apparatus 1 according to a first embodiment, with a portion of the apparatus drawn in cross section. Fig. 2 is a perspective view showing a container and a powder moving mechanism of the powder film forming apparatus 1. Fig. 3 is a schematic diagram showing a chamber body and a lid of a vacuum chamber of the powder film forming apparatus 1. Fig. 4 is a schematic plan view for explaining the positional relationship between the cathode of the powder film forming apparatus 1, the bottom surface of the container, and the upper transport path. Fig. 5 is a schematic cross-sectional view showing the powder film forming apparatus 1.

第1の実施形態に係る粉体成膜装置1は、スパッタリングにより粉体の表面に成膜処理を施す装置である。 The powder deposition device 1 according to the first embodiment is a device that performs a deposition process on the surface of powder by sputtering.

図1~図5に示すように、粉体成膜装置1は、装置本体と、真空チャンバ40と、スパッタリングユニット50と、不活性ガス供給部70(図5参照)と、これらを支持する支持台90と、を備える。前記装置本体は、容器10と、粉体移動機構30と、を含む。 As shown in Figures 1 to 5, the powder deposition device 1 includes an apparatus main body, a vacuum chamber 40, a sputtering unit 50, an inert gas supply unit 70 (see Figure 5), and a support table 90 that supports these. The apparatus main body includes a container 10 and a powder moving mechanism 30.

容器10は、底部と側壁部とを有する円筒形状の容器である。容器10は、上向きに開放された形状を有する。容器10は、底部の上面である底面13と、側壁部の内側の面である内側面14と、を有する。 The container 10 is a cylindrical container having a bottom and a side wall. The container 10 has an upwardly open shape. The container 10 has a bottom surface 13, which is the upper surface of the bottom, and an inner surface 14, which is the inner surface of the side wall.

底面13は、成膜処理の開始時に容器10内に供給される粉体Fを配置することが可能な面である。底面13は傾斜面を含む。この傾斜面は、底面13の中央部(円筒形状の容器10の中心軸Aが通る部分)から容器10の径方向の外側に向かって下方に傾斜する。本実施形態では、傾斜面は、底面13において中央部から底面13の外周部まで連続して形成されている。容器10内には、粉体落下空間Sが形成されている。この粉体落下空間Sは、成膜処理が行われるときに、容器10内において底面13に向けて粉体Fを落下させるための空間であり、底面13から上方に連続する空間である。粉体落下空間Sの詳細については後述する。 The bottom surface 13 is a surface on which powder F to be supplied into the container 10 at the start of the film formation process can be placed. The bottom surface 13 includes an inclined surface. This inclined surface inclines downward from the center of the bottom surface 13 (the portion through which the central axis A of the cylindrical container 10 passes) toward the outside in the radial direction of the container 10. In this embodiment, the inclined surface is formed continuously from the center of the bottom surface 13 to the outer periphery of the bottom surface 13. A powder drop space S is formed within the container 10. This powder drop space S is a space for dropping powder F toward the bottom surface 13 within the container 10 when the film formation process is performed, and is a space that continues upward from the bottom surface 13. Details of the powder drop space S will be described later.

内側面14は、平面視で円形状を有し、底面13の外周部から上方に起立する面である。この内側面14には、後述する螺旋搬送路31Aが取り付けられる。 The inner surface 14 has a circular shape in a plan view and is a surface that rises upward from the outer periphery of the bottom surface 13. The spiral conveying path 31A, which will be described later, is attached to this inner surface 14.

粉体移動機構30は、底面13に配置された粉体Fを上方に搬送し、搬送された粉体Fを粉体落下空間Sを通じて底面13に落下させることが可能なように構成される。粉体移動機構30は、上方搬送経路31と、振動発生部32(振動発生装置)と、を有する。 The powder moving mechanism 30 is configured to transport the powder F arranged on the bottom surface 13 upward and to allow the transported powder F to fall onto the bottom surface 13 through the powder fall space S. The powder moving mechanism 30 has an upward transport path 31 and a vibration generating unit 32 (vibration generating device).

上方搬送経路31は、容器10内でかつ粉体落下空間S以外の領域に形成され、粉体Fが搬送される経路である。上方搬送経路31は、螺旋搬送路31Aと、内側案内路31Bと、を含む。本実施形態では、上方搬送経路31は、容器10とは別の構成要素であるが、後述する変形例3のように容器10の一部分を構成するものであってもよい。 The upper conveying path 31 is formed in an area of the container 10 other than the powder drop space S, and is a path along which the powder F is conveyed. The upper conveying path 31 includes a spiral conveying path 31A and an inner guide path 31B. In this embodiment, the upper conveying path 31 is a separate component from the container 10, but may also constitute a part of the container 10 as in variant example 3 described below.

図2、図4及び図5に示すように、螺旋搬送路31Aは、容器10の内側面14に沿って底面13から螺旋状に上方に延びる。螺旋搬送路31Aの下端は、底面13の外周部に隣接する位置に配置され、螺旋搬送路31Aの上端は、底面13よりも上方の内側面14に隣接する位置に配置されている。具体的には、螺旋搬送路31Aの上端は、容器10の上部(容器10の上端付近)において内側面14に隣接する位置に設けられている。螺旋搬送路31Aは、粉体Fが配置される上面を有する。螺旋搬送路31Aの上面の外縁(径方向外側の縁)は、容器10の内側面14に接続されている。螺旋搬送路31Aは、その下端から上端に向かうにつれて位置が高くなるような勾配を有する。 2, 4 and 5, the spiral conveying path 31A extends upward from the bottom surface 13 in a spiral shape along the inner surface 14 of the container 10. The lower end of the spiral conveying path 31A is located adjacent to the outer periphery of the bottom surface 13, and the upper end of the spiral conveying path 31A is located adjacent to the inner surface 14 above the bottom surface 13. Specifically, the upper end of the spiral conveying path 31A is provided at a position adjacent to the inner surface 14 at the upper part of the container 10 (near the upper end of the container 10). The spiral conveying path 31A has an upper surface on which the powder F is placed. The outer edge (radially outer edge) of the upper surface of the spiral conveying path 31A is connected to the inner surface 14 of the container 10. The spiral conveying path 31A has a gradient such that the position becomes higher from the lower end to the upper end.

内側案内路31Bは、螺旋搬送路31Aの上端に搬送された粉体Fを当該上端よりも容器10の径方向の内側の領域に案内することが可能なように前記上端から延びる。図2に示すように、内側案内路31Bは、粉体Fが配置される上面と、この上面の両サイドに位置する一対の縁から上方にそれぞれ起立する一対の側面と、を有する。内側案内路31Bは、内側案内路31Bの先端から落下する粉体Fの少なくとも一部の落下点が底面13の中央部となるように配置されている。具体的には、図4に示すように、内側案内路31Bの先端は、平面視で容器10の中心軸Aに近い位置にある。内側案内路31Bは、平面視で湾曲した形状(例えば円弧形状)を有するが、直線状に延びる部分を含んでいてもよい。 The inner guide path 31B extends from the upper end of the spiral conveying path 31A so as to guide the powder F conveyed to the upper end of the spiral conveying path 31A to a region radially inward of the upper end of the container 10. As shown in FIG. 2, the inner guide path 31B has an upper surface on which the powder F is placed, and a pair of side surfaces that rise upward from a pair of edges located on both sides of the upper surface. The inner guide path 31B is arranged so that the drop point of at least a part of the powder F falling from the tip of the inner guide path 31B is the center of the bottom surface 13. Specifically, as shown in FIG. 4, the tip of the inner guide path 31B is located near the central axis A of the container 10 in a plan view. The inner guide path 31B has a curved shape (e.g., an arc shape) in a plan view, but may include a part that extends linearly.

振動発生部32は、容器10を振動させることにより底面13に配置された粉体Fを螺旋搬送路31Aに沿って上方に搬送するとともに、螺旋搬送路31Aの上端に達した粉体Fを内側案内路31Bに沿って内側案内路31Bの先端に案内するように作動する。 The vibration generating unit 32 vibrates the container 10 to transport the powder F placed on the bottom surface 13 upward along the spiral transport path 31A, and also operates to guide the powder F that reaches the upper end of the spiral transport path 31A along the inner guide path 31B to the tip of the inner guide path 31B.

振動発生部32は、発生部本体321と、シャフト322と、を含む。シャフト322は、発生部本体321と容器10とを相互に連結する。シャフト322の上部は容器10の底部に接続されている。これにより、発生部本体321は、シャフト322を介して容器10に対して振動を伝えて容器10を振動させることができる。 The vibration generating unit 32 includes a generating unit main body 321 and a shaft 322. The shaft 322 interconnects the generating unit main body 321 and the container 10. The upper part of the shaft 322 is connected to the bottom of the container 10. This allows the generating unit main body 321 to transmit vibrations to the container 10 via the shaft 322, causing the container 10 to vibrate.

振動発生部32は、容器10の中心軸Aの方向(上下方向)の成分と中心軸A回りの周方向の成分とを含む方向に容器10を振動させることが可能なように構成される。具体的には、振動発生部32は、例えば、周方向の一方の方向の成分と上方の成分とを含む第1の方向と、周方向の他方の方向の成分と下方の成分とを含む第2の方向とに容器10が往復動作するように容器10を振動させてもよい。また、振動発生部32は、例えば、周方向の一方の方向の成分と上方の成分とを含む方向と、周方向の一方の方向の成分と下方の成分とを含む方向とに容器10が交互に動作するように容器10を振動させてもよい。このような成分を含む方向に容器10を振動させることにより粉体Fを図2において矢印で示すように螺旋搬送路31Aに沿って上方に効率よく搬送し、内側案内路31Bに沿って径方向内側に効率よく案内することができる。内側案内路31Bの先端に到達した粉体Fは、粉体落下空間Sにおいて底面13に向かって落下する。 The vibration generating unit 32 is configured to be able to vibrate the container 10 in a direction including a component in the direction of the central axis A of the container 10 (up and down direction) and a component in the circumferential direction around the central axis A. Specifically, the vibration generating unit 32 may vibrate the container 10 so that the container 10 reciprocates in a first direction including a component in one circumferential direction and an upward component, and a second direction including a component in the other circumferential direction and a downward component. The vibration generating unit 32 may also vibrate the container 10 so that the container 10 alternately moves in a direction including a component in one circumferential direction and an upward component, and a direction including a component in one circumferential direction and a downward component. By vibrating the container 10 in a direction including such components, the powder F can be efficiently transported upward along the spiral transport path 31A as shown by the arrow in FIG. 2, and efficiently guided radially inward along the inner guide path 31B. The powder F that reaches the end of the inner guide path 31B falls toward the bottom surface 13 in the powder fall space S.

粉体落下空間Sは、上述したように、容器10内において底面13に向けて粉体Fを落下させるための空間である。本実施形態では、粉体落下空間Sは、螺旋搬送路31Aよりも容器10の径方向の内側の空間である。具体的には、粉体落下空間Sは、螺旋搬送路31Aよりも容器10の径方向の内側の空間で、かつ、上方搬送経路31における搬送方向下流側の先端よりも下方の空間である。上方搬送経路31における搬送方向下流側の先端は、本実施形態では内側案内路31Bの先端である。この粉体落下空間Sは、底面13から上方搬送経路31の先端(内側案内路31Bの先端)まで上下方向に連続する空間である。 As described above, the powder drop space S is a space for dropping the powder F toward the bottom surface 13 in the container 10. In this embodiment, the powder drop space S is a space radially inward of the container 10 from the spiral conveying path 31A. Specifically, the powder drop space S is a space radially inward of the container 10 from the spiral conveying path 31A, and is a space below the downstream end of the upper conveying path 31 in the conveying direction. In this embodiment, the downstream end of the upper conveying path 31 in the conveying direction is the end of the inner guide path 31B. This powder drop space S is a space that is continuous in the vertical direction from the bottom surface 13 to the end of the upper conveying path 31 (the end of the inner guide path 31B).

真空チャンバ40は、容器10を収容する内部空間を形成する。真空チャンバ40は、チャンバ本体41と、蓋部42と、を有する。チャンバ本体41は、例えば、底部を有する円筒形状の容器である。チャンバ本体41は、上向きに開放された形状を有する。蓋部42は、チャンバ本体41の上部の開口を開閉可能である。図3に示すように、蓋部42は、ヒンジ43を介してチャンバ本体41の上部に開閉可能に取り付けられている。チャンバ本体41の側部には、真空引きのための配管411が接続されている。配管411の図略の端部は、真空引きのためのポンプに接続されている。 The vacuum chamber 40 forms an internal space that houses the container 10. The vacuum chamber 40 has a chamber body 41 and a lid 42. The chamber body 41 is, for example, a cylindrical container having a bottom. The chamber body 41 has a shape that opens upward. The lid 42 can open and close the opening at the top of the chamber body 41. As shown in FIG. 3, the lid 42 is attached to the top of the chamber body 41 via a hinge 43 so that it can be opened and closed. A pipe 411 for drawing a vacuum is connected to the side of the chamber body 41. The end of the pipe 411 (not shown) is connected to a pump for drawing a vacuum.

図1に示すように、蓋部42は、円盤状の蓋部本体421と、蓋部本体421の中央部に設けられた取付部422と、を有する。この取付部422は、後述するターゲット52が着脱可能に取り付けられる部分である。取付部422にターゲット52が取り付けられた状態で蓋部42がチャンバ本体41の上部の開口を塞ぐと、ターゲット52は、真空チャンバ40内において容器10の上方に配置される。具体的に、この状態では、ターゲット52は、容器10の底面13に対して上下方向に間隔をおいて上下方向に対向するように位置する。これにより、真空チャンバ40は、その内部空間に容器10及びターゲット52を収容する。 As shown in FIG. 1, the lid 42 has a disk-shaped lid body 421 and an attachment portion 422 provided in the center of the lid body 421. The attachment portion 422 is a portion to which the target 52, which will be described later, is detachably attached. When the lid 42 closes the upper opening of the chamber body 41 with the target 52 attached to the attachment portion 422, the target 52 is positioned above the vessel 10 in the vacuum chamber 40. Specifically, in this state, the target 52 is positioned so as to face the bottom surface 13 of the vessel 10 in the vertical direction with a vertical gap therebetween. As a result, the vacuum chamber 40 contains the vessel 10 and the target 52 in its internal space.

スパッタリングユニット50は、上述したターゲット52と、ケース51内に収容された冷却機構などの種々の構成要素と、を含む。スパッタリングにより粉体の表面に成膜処理を施す粉体成膜装置1では、ターゲット52は、カソード又はカソードの一部を構成する。容器10又は真空チャンバ40はアノードを構成していてもよい。粉体成膜装置1が例えばマグネトロンスパッタリングにより粉体の表面に成膜処理を施す装置である場合には、スパッタリングユニット50は、磁石を含む。この場合、磁石は、ターゲット52に隣接する位置(例えば、ターゲット52の真上)に配置される。 The sputtering unit 50 includes the target 52 described above and various components such as a cooling mechanism housed in the case 51. In the powder deposition apparatus 1 that performs a film deposition process on the surface of the powder by sputtering, the target 52 constitutes a cathode or a part of the cathode. The container 10 or the vacuum chamber 40 may constitute an anode. When the powder deposition apparatus 1 is an apparatus that performs a film deposition process on the surface of the powder by magnetron sputtering, for example, the sputtering unit 50 includes a magnet. In this case, the magnet is disposed adjacent to the target 52 (for example, directly above the target 52).

不活性ガス供給部70は、成膜処理が行われるときに真空チャンバ40内に不活性ガスを供給するためのものである(図5参照)。不活性ガス供給部70からの不活性ガスは、例えば、前記ポンプに接続された真空引き用の配管411と同じ配管を通じて真空チャンバ40内に供給されてもよく、当該真空引き用の配管411とは別に設けられた供給用配管(図示省略)を通じて真空チャンバ40内に供給されてもよい。不活性ガスとしては、例えばアルゴンガスが用いられる。 The inert gas supply unit 70 is for supplying an inert gas into the vacuum chamber 40 when the film formation process is performed (see FIG. 5). The inert gas from the inert gas supply unit 70 may be supplied into the vacuum chamber 40, for example, through the same piping as the vacuum piping 411 connected to the pump, or may be supplied into the vacuum chamber 40 through a supply piping (not shown) provided separately from the vacuum piping 411. For example, argon gas is used as the inert gas.

次に、スパッタリングにより粉体Fの表面に成膜処理を施す方法について説明する。まず、チャンバ本体41に対して蓋部42が開けられた状態で、ターゲット52が真空チャンバ40の蓋部42に取り付けられ、容器10の底面13上に所定量の粉体Fが配置される。その後、蓋部42がチャンバ本体41の上部の開口を塞ぐように閉じた状態とされる。ついで、真空チャンバ40において真空引きが行われた後、不活性ガス(例えばアルゴンガス)が真空チャンバ40内に供給される。この状態で、外部に置かれた図略の電源(例えば直流電源)が前記アノードとターゲット52(カソード)に正負の電圧をそれぞれ印加することによりグロー放電が発生し、ターゲットの近傍にはプラズマ領域Pが生成され、不活性ガスがイオン化される。イオン化された不活性ガスは、ターゲット52に衝突し、その運動エネルギーによりターゲット52を構成する粒子E(例えば原子又は分子)が叩き出される。ターゲット52から叩き出された粒子Eの一部は、粉体落下空間Sにおいて下方に移動して底面13上の粉体Fの表面に付着する。また、本実施形態では、図2及び図5に示すように、螺旋搬送路31Aの少なくとも一部と、成膜材料が成膜可能状態になる位置であるターゲット52の下面との間には、遮るものがない。従って、ターゲット52から叩き出された粒子Eの他の一部は、粉体落下空間Sにおいて螺旋搬送路31Aの前記少なくとも一部に向かって移動してその上にある粉体Fの表面に付着する。これにより、底面13上の粉体Fの表面に成膜処理を施すとともに、螺旋搬送路31Aの前記少なくとも一部の上にある粉体Fの表面に成膜処理を施すことができる。なお、不活性ガスは、プラズマ領域Pのプラズマ状態を維持するような機能(作用)も有する。 Next, a method of performing a film formation process on the surface of the powder F by sputtering will be described. First, with the lid 42 open to the chamber body 41, the target 52 is attached to the lid 42 of the vacuum chamber 40, and a predetermined amount of powder F is placed on the bottom surface 13 of the container 10. After that, the lid 42 is closed so as to block the opening at the top of the chamber body 41. Next, after evacuation is performed in the vacuum chamber 40, an inert gas (e.g., argon gas) is supplied into the vacuum chamber 40. In this state, a glow discharge occurs when an external power source (e.g., a direct current power source) applies positive and negative voltages to the anode and the target 52 (cathode), respectively, and a plasma region P is generated near the target, and the inert gas is ionized. The ionized inert gas collides with the target 52, and the particles E (e.g., atoms or molecules) that constitute the target 52 are knocked out by the kinetic energy. A part of the particles E knocked out from the target 52 moves downward in the powder drop space S and adheres to the surface of the powder F on the bottom surface 13. In this embodiment, as shown in FIG. 2 and FIG. 5, there is no obstruction between at least a part of the spiral transport path 31A and the lower surface of the target 52, which is the position where the film-forming material is in a film-forming state. Therefore, another part of the particles E knocked out from the target 52 moves toward the at least a part of the spiral transport path 31A in the powder drop space S and adheres to the surface of the powder F thereon. This allows the film-forming process to be performed on the surface of the powder F on the bottom surface 13 and on the surface of the powder F on the at least a part of the spiral transport path 31A. The inert gas also has a function (action) of maintaining the plasma state in the plasma region P.

本実施形態では、カソードを構成するターゲット52、前記アノード及び不活性ガス供給部70は、成膜材料を粉体Fの表面に成膜することが可能な成膜可能状態にする成膜源の一例である。具体的には、ターゲット52、アノード及び不活性ガス供給部70は、成膜材料をターゲット52の下面において前記成膜可能状態にして、当該成膜可能状態になった前記成膜材料Eを底面13上の粉体Fに粉体落下空間Sを通じて供給する。ターゲット52を構成する材料は、成膜材料の一例であり、ターゲット52から叩き出された粒子E(ターゲット52から飛び出した粒子E)は、成膜可能状態となった成膜材料の一例である。ターゲット52の下面の位置は、粉体落下空間Sを介して底面13に対して上下方向に対向する位置の一例である。また、ターゲット52の下面の位置は、容器10よりも上方で底面13に対して上下方向に対向する位置の一例である。なお、ターゲット52の下面は、容器10内に位置していてもよく、この場合、前記成膜源としてのターゲット52、アノード及び不活性ガス供給部70は、容器10内に位置するターゲット52の下面において前記成膜材料を前記成膜可能状態にして、当該成膜可能状態となった前記成膜材料を底面13上の粉体に供給するように構成される。 In this embodiment, the target 52 constituting the cathode, the anode, and the inert gas supply unit 70 are an example of a film-forming source that makes the film-forming material in a film-forming state capable of forming a film on the surface of the powder F. Specifically, the target 52, the anode, and the inert gas supply unit 70 make the film-forming material in the film-forming state on the lower surface of the target 52, and supply the film-forming material E in the film-forming state to the powder F on the bottom surface 13 through the powder drop space S. The material constituting the target 52 is an example of a film-forming material, and the particles E knocked out from the target 52 (particles E flying out from the target 52) are an example of a film-forming material in a film-forming state. The position of the lower surface of the target 52 is an example of a position facing the bottom surface 13 in the vertical direction through the powder drop space S. The position of the lower surface of the target 52 is also an example of a position facing the bottom surface 13 in the vertical direction above the container 10. The lower surface of the target 52 may be located inside the container 10. In this case, the target 52 as the film-forming source, the anode, and the inert gas supply unit 70 are configured to bring the film-forming material to the film-forming state on the lower surface of the target 52 located inside the container 10, and supply the film-forming material in the film-forming state to the powder on the bottom surface 13.

以上のように、第1の実施形態に係る粉体成膜装置1及び粉体成膜方法では、ターゲット52は、粉体落下空間Sを介して底面13と上下方向に対向するように配置されるので、ターゲット52を含む成膜源は、粉体落下空間Sを介して底面13に対して上下方向に対向する位置で、成膜材料を成膜可能状態にすることができる。成膜源によって成膜可能状態となった成膜材料Eは、粉体落下空間Sを通って上下方向又はこれに対して傾斜する方向に底面13に向かって移動することができる。従って、底面13の上方で成膜可能状態となった成膜材料Eは、底面13上の粉体Fに対して直接的に作用することが可能であり、底面13上の粉体Fの表面に効率よく接触することができる。また、本実施形態では、成膜可能状態となった成膜材料Eは、螺旋搬送路31Aの少なくとも一部の上にある粉体Fの表面にも接触することができ、内側案内路31B上にある粉体Fの表面にも接触することができる。しかも、粉体移動機構30の上方搬送経路31は、容器10内でかつ粉体落下空間S以外の領域に形成されているので、粉体落下空間Sを通じて底面13に向かって落下する粉体Fの移動の邪魔にならず、粉体落下空間Sを通じて底面13上の粉体Fに供給される成膜可能状態となった成膜材料Eの移動の邪魔にならない。従って、この粉体成膜装置1は、粉体Fを上方に搬送し、搬送された粉体Fを粉体落下空間Sを通じて底面13に戻すという一連の粉体Fの円滑な流れを形成して粉体Fを確実に循環させることにより粉体Fを効率よく攪拌しながら、成膜可能状態となった成膜材料Eを底面13上の粉体Fに効率よく接触させることにより、粉体Fの表面に効率よく膜を形成することができる。なお、粉体成膜装置1の成膜処理の動作が停止するまでの間、粉体Fが底面13から上方に搬送され、搬送された粉体Fが底面13に落下するという一連の粉体Fの動きは、複数回繰り返される場合もある。 As described above, in the powder film forming apparatus 1 and the powder film forming method according to the first embodiment, the target 52 is arranged to face the bottom surface 13 in the vertical direction through the powder drop space S, so that the film forming source including the target 52 can put the film forming material into a film-forming state at a position facing the bottom surface 13 in the vertical direction through the powder drop space S. The film forming material E that has been put into a film-forming state by the film forming source can move toward the bottom surface 13 in the vertical direction or in a direction inclined thereto through the powder drop space S. Therefore, the film forming material E that has been put into a film-forming state above the bottom surface 13 can directly act on the powder F on the bottom surface 13 and can efficiently contact the surface of the powder F on the bottom surface 13. In addition, in this embodiment, the film forming material E that has been put into a film-forming state can also contact the surface of the powder F on at least a part of the spiral transport path 31A, and can also contact the surface of the powder F on the inner guide path 31B. Moreover, since the upper conveying path 31 of the powder moving mechanism 30 is formed in an area other than the powder drop space S within the container 10, it does not interfere with the movement of the powder F falling toward the bottom surface 13 through the powder drop space S, and does not interfere with the movement of the film-forming material E that is ready for film formation and is supplied to the powder F on the bottom surface 13 through the powder drop space S. Therefore, this powder film-forming device 1 conveys the powder F upward, and returns the conveyed powder F to the bottom surface 13 through the powder drop space S to form a series of smooth flows of the powder F, thereby reliably circulating the powder F, and efficiently agitating the powder F while efficiently bringing the film-forming material E that is ready for film formation into contact with the powder F on the bottom surface 13, thereby efficiently forming a film on the surface of the powder F. Note that, until the film-forming operation of the powder film-forming device 1 is stopped, the series of movements of the powder F, in which the powder F is conveyed upward from the bottom surface 13 and the conveyed powder F falls to the bottom surface 13, may be repeated multiple times.

また、第1の実施形態では、底面13に配置される粉体Fとターゲット52とを粉体落下空間Sを介して上下方向に対向させることができる。これにより、ターゲット52から飛び出した粒子Eを底面13に配置される粉体F及び粉体落下空間Sを落下する粉体Fに効率よく接触させることができる。その結果、粉体Fの表面に効率よく膜を形成することができる。 In addition, in the first embodiment, the powder F placed on the bottom surface 13 and the target 52 can be arranged to face each other in the vertical direction via the powder drop space S. This allows the particles E flying out from the target 52 to efficiently come into contact with the powder F placed on the bottom surface 13 and the powder F falling through the powder drop space S. As a result, a film can be efficiently formed on the surface of the powder F.

第1の実施形態では、図4に示すように、底面13のうち平面視で粉体落下空間Sに重なる領域は、平面視で当該領域の範囲内にターゲット52が包含されるような大きさを有する。言い換えると、底面13のうち平面視で螺旋搬送路31Aよりも径方向の内側の領域は、平面視で当該領域の範囲内にターゲット52が包含されるような大きさを有する。スパッタリングによる成膜処理では、カソードを構成するターゲット52から飛び出した粒子Eは、ターゲット52から上下方向に平行な下方に移動するだけでなく、上下方向に対してある程度の角度範囲で傾いた斜め下方に拡散するように移動する。従って、底面13のうち平面視で粉体落下空間Sに重なる領域をターゲット52よりも大きくすることにより、底面13におけるより広い範囲で粉体Fに粒子Eを接触させることができる。その結果、粉体Fの表面にさらに効率よく膜を形成することができる。 In the first embodiment, as shown in FIG. 4, the area of the bottom surface 13 that overlaps with the powder drop space S in a planar view has a size such that the target 52 is included within the range of the area in a planar view. In other words, the area of the bottom surface 13 that is radially inward from the spiral transport path 31A in a planar view has a size such that the target 52 is included within the range of the area in a planar view. In a film formation process by sputtering, the particles E that fly out from the target 52 that constitutes the cathode not only move downward parallel to the vertical direction from the target 52, but also move so as to diffuse diagonally downward inclined at a certain angle range with respect to the vertical direction. Therefore, by making the area of the bottom surface 13 that overlaps with the powder drop space S in a planar view larger than the target 52, the particles E can be brought into contact with the powder F over a wider range on the bottom surface 13. As a result, a film can be formed on the surface of the powder F more efficiently.

また、粉体Fを上方に搬送するための螺旋搬送路31Aを容器10の内側面14に沿って螺旋状に形成することで、粉体落下空間Sを、螺旋搬送路31Aよりも内側の領域、すなわち、容器10の中央付近の領域(円筒形状の容器10の中心軸Aを含む領域)に形成することができる。従って、粉体Fが粉体落下空間Sを通じて底面13に向かって落下すること及び成膜可能状態となった成膜材料Eが粉体落下空間Sを通じて底面に向かって移動することの邪魔にならない容器10内の径方向の外側の領域を、螺旋搬送路31Aを設ける領域として利用し、底面13上の粉体Fを、容器10の振動によって螺旋搬送路31Aに沿って上方に搬送することができる。 In addition, by forming the spiral conveying path 31A for conveying the powder F upward in a spiral shape along the inner surface 14 of the container 10, the powder drop space S can be formed in an area inside the spiral conveying path 31A, i.e., an area near the center of the container 10 (an area including the central axis A of the cylindrical container 10). Therefore, the spiral conveying path 31A can be provided in the radially outer area of the container 10, which does not interfere with the powder F falling toward the bottom surface 13 through the powder drop space S and the film-forming material E that has become film-formable moving toward the bottom surface through the powder drop space S, and the powder F on the bottom surface 13 can be conveyed upward along the spiral conveying path 31A by the vibration of the container 10.

上方搬送経路31は、螺旋搬送路31Aの上端に搬送された粉体Fを当該上端よりも径方向の内側の領域に案内することが可能なように前記上端から延びる内側案内路31Bをさらに含むので、螺旋搬送路31Aの上端に搬送された粉体Fを内側案内路31Bによって径方向の内側の領域にさらに案内することができる。これにより、内側案内路31Bの先端から落下する粉体Fの底面13における落下点を底面13の中央部に近づけることができる。 The upper conveying path 31 further includes an inner guide path 31B extending from the upper end of the spiral conveying path 31A so that the powder F conveyed to the upper end of the spiral conveying path 31A can be guided to a region radially inward from the upper end by the inner guide path 31B. This allows the drop point on the bottom surface 13 of the powder F falling from the tip of the inner guide path 31B to be closer to the center of the bottom surface 13.

そして、内側案内路31Bの先端から落下して底面13の中央部に達した粉体Fは、容器10の振動によって底面13の傾斜面に沿って径方向の外側に効率よく移動する。これにより、底面13の中央部から径方向の外側へ粉体Fが移動し、移動した粉体Fが螺旋搬送路31Aの入り口に到達するという粉体Fの流れが効果的に形成される。その結果、粉体Fが底面13において局所的に滞留するような事態が生じることが抑制され、粉体Fの攪拌がより促進される。 The powder F that falls from the tip of the inner guide path 31B and reaches the center of the bottom surface 13 is efficiently moved radially outward along the inclined surface of the bottom surface 13 by the vibration of the container 10. This effectively creates a flow of powder F in which the powder F moves radially outward from the center of the bottom surface 13 and reaches the entrance of the spiral conveying path 31A. As a result, the powder F is prevented from being locally stagnated on the bottom surface 13, and the mixing of the powder F is further promoted.

また、内側案内路31Bは、当該内側案内路31Bの先端に向かって下方に傾斜する部分を含んでいてもよい。この場合、内側案内路31Bの先端と底面13の中央部との距離をより小さくすることができる。これにより、内側案内路31Bの先端から落下する粉体Fが底面13に到達するまでの間に粉体Fが周囲に拡散することが抑制されるので、底面13における粉体Fの落下点を底面13の中央部に近づけやすくなる。内側案内路31Bの一部分のみが下方に傾斜していてもよく、内側案内路31Bの全体が下方に傾斜していてもよい。 The inner guide path 31B may also include a portion that slopes downward toward the tip of the inner guide path 31B. In this case, the distance between the tip of the inner guide path 31B and the center of the bottom surface 13 can be made smaller. This prevents the powder F from diffusing to the surroundings before it falls from the tip of the inner guide path 31B and reaches the bottom surface 13, making it easier to move the drop point of the powder F on the bottom surface 13 closer to the center of the bottom surface 13. Only a portion of the inner guide path 31B may slope downward, or the entire inner guide path 31B may slope downward.

また、真空チャンバ40は、容器10を収容する内部空間を形成し、上向きに開放されたチャンバ本体41と、チャンバ本体41の上部に開閉可能に取り付けられた蓋部42と、を有し、ターゲット52は、蓋部42に着脱可能に取り付けられている。従って、蓋部42がチャンバ本体41の上部を閉じた状態で成膜処理を行うことができ、蓋部42が開けられた状態で、ターゲット52を容易に交換することができる。なお、本実施形態では、上述したように、振動発生部32が容器10を振動させることにより底面13に配置された粉体Fを上方搬送経路31に沿って上方に搬送し、搬送された粉体Fを粉体落下空間Sを通じて底面13に落下させる構成を採用している。このことは、例えば特許文献1の回転式バレル型スパッタリング室を回転可能に支持する回転摺動部が不要になるので、真空チャンバ40内を真空にするための機構を簡素化することができる。 The vacuum chamber 40 has an internal space that accommodates the container 10, a chamber body 41 that opens upward, and a lid portion 42 that is attached to the upper part of the chamber body 41 in an openable and closable manner, and the target 52 is attached to the lid portion 42 in a detachable manner. Therefore, the film formation process can be performed with the lid portion 42 closing the upper part of the chamber body 41, and the target 52 can be easily replaced with the lid portion 42 open. In this embodiment, as described above, the vibration generating unit 32 vibrates the container 10 to transport the powder F arranged on the bottom surface 13 upward along the upper transport path 31, and the transported powder F falls to the bottom surface 13 through the powder falling space S. This makes it possible to simplify the mechanism for creating a vacuum in the vacuum chamber 40, since the rotating sliding portion that rotatably supports the rotary barrel-type sputtering chamber of Patent Document 1 is no longer necessary.

[第2の実施形態]
図6は、第2の実施形態に係る粉体成膜装置1を示す概略の断面図である。
Second Embodiment
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a powder film forming apparatus 1 according to the second embodiment.

第2の実施形態に係る粉体成膜装置1は、アークイオンプレーティングにより粉体の表面に成膜処理を施す装置である。 The powder coating device 1 according to the second embodiment is a device that applies a coating process to the surface of powder by arc ion plating.

第2の実施形態に係る粉体成膜装置1は、装置本体と、真空チャンバ40と、イオンプレーティングユニット50Aと、これらを支持する支持台90と、を備える。前記装置本体は、容器10と、粉体移動機構30と、を含む。 The powder deposition device 1 according to the second embodiment includes a device main body, a vacuum chamber 40, an ion plating unit 50A, and a support table 90 that supports these. The device main body includes a container 10 and a powder moving mechanism 30.

第2の実施形態に係る粉体成膜装置1の容器10、粉体移動機構30、真空チャンバ40及び支持台90の構成は、図1~図5に示す第1の実施形態に係る粉体成膜装置1と同様であるので、これらの図示と説明を省略する。以下では、第2の実施形態に係る粉体成膜装置1が第1の実施形態と異なる点について主に説明する。 The configurations of the container 10, powder moving mechanism 30, vacuum chamber 40, and support table 90 of the powder deposition apparatus 1 according to the second embodiment are similar to those of the powder deposition apparatus 1 according to the first embodiment shown in Figures 1 to 5, and therefore illustrations and descriptions of these are omitted. Below, the differences between the powder deposition apparatus 1 according to the second embodiment and the first embodiment will be mainly described.

イオンプレーティングユニット50Aは、ターゲット52と、ケース51A内に収容さされた磁石、冷却機構などの種々の構成要素と、を含む。アークイオンプレーティングにより粉体Fの表面に成膜処理を施す粉体成膜装置1では、ターゲット52は、カソード又はカソードの一部を構成する。アノードは容器10により構成されていてもよい。この場合、前記冷却機構は、容器10の外周に巻きつけられる冷却水用の配管を有していてもよい。この配管に冷却水が供給されることにより容器10が冷却される。 The ion plating unit 50A includes a target 52 and various components such as a magnet and a cooling mechanism housed in a case 51A. In a powder film forming apparatus 1 that performs a film forming process on the surface of powder F by arc ion plating, the target 52 constitutes a cathode or a part of a cathode. The anode may be constituted by a container 10. In this case, the cooling mechanism may have a pipe for cooling water that is wrapped around the outer circumference of the container 10. The container 10 is cooled by supplying cooling water to this pipe.

アークイオンプレーティングによる成膜処理では、真空アーク放電を利用して固体のターゲット52を蒸発させる。具体的には、この成膜処理では、真空雰囲気において、ターゲット52をカソードとし、外部に置かれた図略の電源から電力が供給されることにより、アノードとの間で真空アーク放電を発生させる。これにより、ターゲット52の表面からターゲット52を構成する成膜材料を蒸発させ、イオン化させる。イオン化した成膜材料Eは、底面13上の粉体Fに供給され、これにより、粉体Fの表面に成膜処理が施される。 In the film formation process using arc ion plating, a vacuum arc discharge is used to evaporate a solid target 52. Specifically, in this film formation process, in a vacuum atmosphere, the target 52 is used as a cathode, and power is supplied from an external power source (not shown) to generate a vacuum arc discharge between the target 52 and the anode. This causes the film formation material that constitutes the target 52 to evaporate from the surface of the target 52 and become ionized. The ionized film formation material E is supplied to the powder F on the bottom surface 13, and thus a film is formed on the surface of the powder F.

この第2の実施形態では、カソードを構成するターゲット52及び前記アノードは、成膜材料を粉体Fの表面に成膜することが可能な成膜可能状態にする成膜源の一例である。具体的には、ターゲット52及びアノードは、成膜材料をターゲット52の下面において前記成膜可能状態にして、当該成膜可能状態になった前記成膜材料を底面13上の粉体Fに粉体落下空間Sを通じて供給する。ターゲット52を構成する材料は、成膜材料の一例であり、ターゲット52の表面から蒸発してイオン化した成膜材料Eは、成膜可能状態となった成膜材料の一例である。ターゲット52の下面の位置は、粉体落下空間Sを介して底面13に対して上下方向に対向する位置の一例である。また、ターゲット52の下面の位置は、容器10よりも上方で底面13に対して上下方向に対向する位置の一例である。なお、ターゲット52の下面は、容器10内に位置していてもよい。 In this second embodiment, the target 52 constituting the cathode and the anode are an example of a film-forming source that makes the film-forming material in a film-forming state capable of forming a film on the surface of the powder F. Specifically, the target 52 and the anode make the film-forming material in the film-forming state on the lower surface of the target 52, and supply the film-forming material in the film-forming state to the powder F on the bottom surface 13 through the powder drop space S. The material constituting the target 52 is an example of a film-forming material, and the film-forming material E evaporated and ionized from the surface of the target 52 is an example of a film-forming material in a film-forming state. The position of the lower surface of the target 52 is an example of a position that faces the bottom surface 13 in the vertical direction through the powder drop space S. The position of the lower surface of the target 52 is also an example of a position that faces the bottom surface 13 in the vertical direction above the container 10. The lower surface of the target 52 may be located inside the container 10.

第2の実施形態に係る粉体成膜装置1は、第1の実施形態と同様に、粉体Fを上方に搬送し、搬送された粉体Fを粉体落下空間Sを通じて底面13に戻すという一連の粉体Fの流れを形成することにより粉体Fを効率よく攪拌しながら、成膜可能状態となった成膜材料Eを底面13上の粉体Fに効率よく接触させることにより、粉体Fの表面に効率よく膜を形成することができる。 As with the first embodiment, the powder film-forming device 1 according to the second embodiment efficiently stirs the powder F by transporting the powder F upward and then returning the transported powder F to the bottom surface 13 through the powder drop space S, thereby efficiently bringing the film-forming material E in a film-forming state into contact with the powder F on the bottom surface 13, thereby efficiently forming a film on the surface of the powder F.

また、第2の実施形態では、底面13に配置される粉体Fとターゲット52とを粉体落下空間Sを介して上下方向に対向させることができる。従って、ターゲット52を含む成膜源は、粉体落下空間Sを介して底面13に対して上下方向に対向する位置で、成膜材料を成膜可能状態にすることができる。これにより、ターゲット52から蒸発したイオンを底面13に配置される粉体F及び粉体落下空間Sを落下する粉体Fに効率よく接触させることができる。その結果、粉体Fの表面に効率よく膜を形成することができる。また、第2の実施形態では、第1の実施形態と同様に、成膜可能状態となった成膜材料Eは、螺旋搬送路31Aの少なくとも一部の上にある粉体Fの表面にも接触することができ、内側案内路31B上にある粉体Fの表面にも接触することができる。これにより、成膜処理は、底面13上にある粉体Fに対して施されるだけでなく、螺旋搬送路31Aの少なくとも一部の上にある粉体F及び内側案内路31B上にある粉体Fに対しても施される。 In the second embodiment, the powder F and the target 52 placed on the bottom surface 13 can be opposed to each other in the vertical direction through the powder drop space S. Therefore, the film forming source including the target 52 can put the film forming material into a film forming state at a position that faces the bottom surface 13 in the vertical direction through the powder drop space S. This allows the ions evaporated from the target 52 to efficiently contact the powder F placed on the bottom surface 13 and the powder F falling through the powder drop space S. As a result, a film can be efficiently formed on the surface of the powder F. In the second embodiment, similarly to the first embodiment, the film forming material E in a film forming state can also contact the surface of the powder F on at least a part of the spiral transport path 31A, and can also contact the surface of the powder F on the inner guide path 31B. As a result, the film forming process is not only performed on the powder F on the bottom surface 13, but also on the powder F on at least a part of the spiral transport path 31A and the powder F on the inner guide path 31B.

[第3の実施形態]
図7は、第3の実施形態に係る粉体成膜装置1を示す概略の断面図である。
[Third embodiment]
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a powder film forming apparatus 1 according to the third embodiment.

第3の実施形態に係る粉体成膜装置1は、プラズマCVDにより粉体Fの表面に成膜処理を施す装置である。 The powder film forming apparatus 1 according to the third embodiment is an apparatus that performs a film forming process on the surface of powder F by plasma CVD.

第3の実施形態に係る粉体成膜装置1は、装置本体と、真空チャンバ40と、プラズマソース60と、原料ガス供給部と、不活性ガス供給部70と、これらを支持する支持台90と、を備える。前記装置本体は、容器10と、粉体移動機構30と、を含む。 The powder deposition apparatus 1 according to the third embodiment includes an apparatus main body, a vacuum chamber 40, a plasma source 60, a raw material gas supply unit, an inert gas supply unit 70, and a support table 90 that supports these. The apparatus main body includes a container 10 and a powder moving mechanism 30.

第3の実施形態に係る粉体成膜装置1の容器10、粉体移動機構30、真空チャンバ40及び支持台90の構成は、図1~5に示す第1の実施形態に係る粉体成膜装置1と同様であるので、これらの図示と説明を省略する。以下では、第3の実施形態に係る粉体成膜装置1が第1の実施形態と異なる点について主に説明する。 The configurations of the container 10, powder moving mechanism 30, vacuum chamber 40, and support table 90 of the powder deposition apparatus 1 according to the third embodiment are similar to those of the powder deposition apparatus 1 according to the first embodiment shown in Figures 1 to 5, so illustrations and explanations of these are omitted. Below, the differences between the powder deposition apparatus 1 according to the third embodiment and the first embodiment will be mainly described.

プラズマソース60は、真空チャンバ40内において、原料ガスを成膜可能状態にする機能を有する。プラズマソース60は、ケース61と、このケース61内に収容された電源と、電極又はコイルと、を含む。なお、電源は、プラズマソース60の外部に置かれていてもよい。 The plasma source 60 has the function of bringing the raw material gas into a state in which a film can be formed within the vacuum chamber 40. The plasma source 60 includes a case 61, a power supply housed within the case 61, and an electrode or coil. The power supply may be placed outside the plasma source 60.

前記原料ガス供給部は、真空チャンバ40内に成膜材料としての原料ガスを供給する。図7に示す具体例では、前記原料ガス供給部は、原料ガス供給用のパイプ62を有する。パイプ62は、プラズマソース60による作用が及ぶ領域に原料ガスを供給する。具体的に、パイプ62は、図7に示すように、パイプ62の下面に複数のガス供給穴を有し、これらのガス供給穴からプラズマソース60の下方に原料ガスを供給することができるように構成される。パイプ62が平面視で環状の形状を有する場合には、複数のガス供給穴は、例えばパイプ62の下面において周方向に沿って互いに間隔をおいて設けられる。複数のガス供給穴は、周方向に均等に設けられることが好ましい。この場合、パイプが例えば直管である場合に比べて、成膜処理のむらを低減できる。 The raw gas supply unit supplies raw gas as a film forming material into the vacuum chamber 40. In the specific example shown in FIG. 7, the raw gas supply unit has a pipe 62 for supplying raw gas. The pipe 62 supplies raw gas to an area affected by the action of the plasma source 60. Specifically, as shown in FIG. 7, the pipe 62 has multiple gas supply holes on the lower surface of the pipe 62, and is configured to be able to supply raw gas from these gas supply holes below the plasma source 60. When the pipe 62 has an annular shape in a plan view, the multiple gas supply holes are provided, for example, at intervals along the circumferential direction on the lower surface of the pipe 62. It is preferable that the multiple gas supply holes are provided evenly in the circumferential direction. In this case, unevenness in the film forming process can be reduced compared to when the pipe is, for example, a straight pipe.

原料ガス供給部のパイプ62から供給される原料ガスは、プラズマソース60による作用が及ぶ領域、例えば図7において二点鎖線Pで囲まれる領域Pのようにプラズマソース60の真下の領域において成膜可能状態となる。成膜可能状態となった原料ガスEは、底面13上の粉体Fに供給される。これにより、粉体Fの表面に膜が形成される。 The raw material gas supplied from the pipe 62 of the raw material gas supply unit is in a state in which a film can be formed in the area affected by the plasma source 60, for example, the area directly below the plasma source 60, such as the area P surrounded by the two-dot chain line P in FIG. 7. The raw material gas E in a state in which a film can be formed is supplied to the powder F on the bottom surface 13. As a result, a film is formed on the surface of the powder F.

具体的には、プラズマソース60の下部には開口部63が設けられている。この開口部63は、プラズマソース60の内部で生成されたプラズマを外部に放出するためのものである。プラズマソース60の開口部63からプラズマが放出されることによりプラズマソース60の真下にプラズマ領域Pが形成される。原料ガス供給部のパイプ62から供給される原料ガスは、プラズマ領域Pにおいて分解されることにより成膜可能状態となる。すなわち、本実施形態では、成膜可能状態となった原料ガスEとは、プラズマソース60から放出されるプラズマによって原料ガスが分解されることにより生成される生成物(分解生成物)である。 Specifically, an opening 63 is provided at the bottom of the plasma source 60. This opening 63 is for discharging plasma generated inside the plasma source 60 to the outside. When plasma is discharged from the opening 63 of the plasma source 60, a plasma region P is formed directly below the plasma source 60. The raw material gas supplied from the pipe 62 of the raw material gas supply unit is decomposed in the plasma region P and becomes in a state in which a film can be formed. That is, in this embodiment, the raw material gas E in a state in which a film can be formed is a product (decomposition product) generated by decomposing the raw material gas by the plasma discharged from the plasma source 60.

この第3の実施形態では、プラズマソース60及び原料ガス供給部は、成膜材料としての原料ガスを粉体Fの表面に成膜することが可能な成膜可能状態にする成膜源の一例である。具体的には、プラズマソース60及び原料ガス供給部は、成膜材料をプラズマソース60による作用が及ぶプラズマ領域Pにおいて前記成膜可能状態にして、当該成膜可能状態になった成膜材料Eを底面13上の粉体Fに粉体落下空間Sを通じて供給する。前記原料ガス供給部によって供給される原料ガスは、成膜材料の一例である。プラズマソース60から放出されるプラズマによって原料ガスが分解されることにより生成される生成物は、成膜可能状態となった成膜材料の一例である。プラズマソース60による作用が及ぶプラズマ領域Pは、底面13に対して上下方向に対向する位置にある。図7に示すように、このプラズマ領域Pの下部は、容器10内における粉体落下空間Sに位置していてもよい。プラズマ領域Pの上部は、容器10とプラズマソース60との間に位置し、粉体落下空間Sを介して底面13に対して上下方向に対向する位置にあってもよい。 In this third embodiment, the plasma source 60 and the raw material gas supply unit are an example of a film formation source that makes the raw material gas as a film formation material in a film-formable state in which a film can be formed on the surface of the powder F. Specifically, the plasma source 60 and the raw material gas supply unit make the film formation material in the plasma region P where the action of the plasma source 60 is applied, and supply the film formation material E in the film-formable state to the powder F on the bottom surface 13 through the powder drop space S. The raw material gas supplied by the raw material gas supply unit is an example of a film formation material. The product generated by decomposing the raw material gas by the plasma emitted from the plasma source 60 is an example of a film formation material in a film-formable state. The plasma region P where the action of the plasma source 60 is applied is located in a position facing the bottom surface 13 in the vertical direction. As shown in FIG. 7, the lower part of this plasma region P may be located in the powder drop space S in the container 10. The upper part of the plasma region P may be located between the container 10 and the plasma source 60, and may be located opposite the bottom surface 13 in the vertical direction across the powder drop space S.

また、図示は省略するが、プラズマ領域Pの上部は、容器10内に位置していてもよい。具体的には、例えば、プラズマソース60の開口部63又はその近傍が容器10の上端付近又は容器10の内部に配置されていてもよい。この場合、開口部63の直ぐ下に位置するプラズマ領域Pの上部は、容器10内に位置するので、プラズマ領域Pを全体的に底面13により近づけることができる。ここで、プラズマソース60の開口部63から放出されるプラズマは、当該開口部63から上下方向に平行な下方に移動するだけでなく、上下方向に対してある程度の角度範囲で傾いた斜め下方に拡散するように移動する。従って、プラズマ領域Pを底面13に近づけることができれば、開口部63から放出されるプラズマのうち、例えば容器10の内側面14に向かって移動するプラズマの割合を小さくし、底面13に向かって移動するプラズマの割合を大きくすることができる。これにより、底面13上の粉体をより効率的に成膜処理することができる。 Although not shown, the upper part of the plasma region P may be located inside the container 10. Specifically, for example, the opening 63 of the plasma source 60 or its vicinity may be located near the upper end of the container 10 or inside the container 10. In this case, since the upper part of the plasma region P located immediately below the opening 63 is located inside the container 10, the plasma region P can be brought closer to the bottom surface 13 as a whole. Here, the plasma emitted from the opening 63 of the plasma source 60 not only moves downward parallel to the vertical direction from the opening 63, but also moves so as to diffuse diagonally downward inclined at a certain angle range with respect to the vertical direction. Therefore, if the plasma region P can be brought closer to the bottom surface 13, the proportion of the plasma emitted from the opening 63 that moves toward, for example, the inner surface 14 of the container 10 can be reduced, and the proportion of the plasma that moves toward the bottom surface 13 can be increased. This allows the powder on the bottom surface 13 to be more efficiently film-formed.

この第3の実施形態に係る粉体成膜装置1は、第1の実施形態と同様に、粉体Fを上方に搬送し、搬送された粉体Fを粉体落下空間Sを通じて底面13に戻すという一連の粉体Fの流れを形成することにより粉体Fを効率よく攪拌しながら、成膜可能状態となった成膜材料Eを底面13上の粉体Fに効率よく接触させることにより、粉体Fの表面に効率よく膜を形成することができる。 As with the first embodiment, the powder film-forming device 1 according to the third embodiment efficiently stirs the powder F by transporting the powder F upward and then returning the transported powder F to the bottom surface 13 through the powder drop space S, thereby efficiently bringing the film-forming material E in a film-forming state into contact with the powder F on the bottom surface 13, thereby efficiently forming a film on the surface of the powder F.

第3の実施形態では、底面13に配置される粉体Fとプラズマソース60とを粉体落下空間Sを介して上下方向に対向させる。従って、プラズマソース60及び原料ガス供給部を含む成膜源は、粉体落下空間Sを介して底面13に対して上下方向に対向する位置及び粉体落下空間Sの一部において、成膜材料としての原料ガスを成膜可能状態にすることができる。これにより、プラズマソース60によって成膜可能状態となった原料ガスEを底面13に配置される粉体F及び粉体落下空間Sを落下する粉体Fに効率よく接触させることができる。その結果、粉体Fの表面に効率よく膜を形成することができる。また、第3の実施形態では、第1の実施形態と同様に、成膜可能状態となった成膜材料Eは、螺旋搬送路31Aの少なくとも一部の上にある粉体Fの表面にも接触することができ、内側案内路31B上にある粉体Fの表面にも接触することができる。これにより、成膜処理は、底面13上にある粉体Fに対して施されるだけでなく、螺旋搬送路31Aの少なくとも一部の上にある粉体F及び内側案内路31B上にある粉体Fに対しても施される。 In the third embodiment, the powder F placed on the bottom surface 13 and the plasma source 60 are opposed in the vertical direction through the powder drop space S. Therefore, the film forming source including the plasma source 60 and the raw material gas supply unit can make the raw material gas as the film forming material in a film-forming state at a position facing the bottom surface 13 in the vertical direction through the powder drop space S and in a part of the powder drop space S. This allows the raw material gas E made into a film-forming state by the plasma source 60 to efficiently come into contact with the powder F placed on the bottom surface 13 and the powder F falling through the powder drop space S. As a result, a film can be efficiently formed on the surface of the powder F. In addition, in the third embodiment, as in the first embodiment, the film forming material E made into a film-forming state can also come into contact with the surface of the powder F on at least a part of the spiral transport path 31A, and can also come into contact with the surface of the powder F on the inner guide path 31B. As a result, the film formation process is not only performed on the powder F on the bottom surface 13, but also on the powder F on at least a portion of the spiral conveying path 31A and the powder F on the inner guide path 31B.

図8は、その粉体成膜装置1のプラズマソース60における開口部63と、容器10の底面13と、原料ガス供給部のパイプ62と、上方搬送経路31との位置関係を説明するための概略の平面図である。 Figure 8 is a schematic plan view illustrating the positional relationship between the opening 63 in the plasma source 60 of the powder deposition device 1, the bottom surface 13 of the container 10, the pipe 62 of the raw material gas supply section, and the upper transport path 31.

プラズマソース60の開口部63は、例えばケース61の下面64に形成されている。この開口部63がケース61の下面64に設けられていることにより、プラズマソース60による作用を、プラズマソース60の下方に供給される原料ガスに対して、当該開口部63を通じてより効果的に及ぼすことができる。 The opening 63 of the plasma source 60 is formed, for example, on the bottom surface 64 of the case 61. By providing this opening 63 on the bottom surface 64 of the case 61, the action of the plasma source 60 can be more effectively exerted through the opening 63 on the raw material gas supplied below the plasma source 60.

粉体成膜装置1において、原料ガス供給部のパイプ62は、図8に示す平面視でプラズマソース60(より具体的には、プラズマソース60の開口部63)を囲むように環状に配置されている。原料ガスは、パイプ62に形成された複数のガス供給穴からプラズマソース60の下方に供給される。 In the powder deposition apparatus 1, the pipe 62 of the raw material gas supply section is arranged in a ring shape so as to surround the plasma source 60 (more specifically, the opening 63 of the plasma source 60) in the plan view shown in FIG. 8. The raw material gas is supplied below the plasma source 60 from multiple gas supply holes formed in the pipe 62.

このように原料ガス供給部のパイプ62が平面視でプラズマソース60の開口部63を囲むように配置されているので、当該パイプ62は、開口部63から放出されるプラズマの下方への移動の邪魔にならない。これにより、パイプ62のガス供給穴からプラズマソース60の下方に供給される原料ガスと、プラズマソース60の開口部63から放出されるプラズマとを、効率よく接触させることができる。 In this way, the pipe 62 of the raw material gas supply section is arranged to surround the opening 63 of the plasma source 60 in a plan view, so that the pipe 62 does not interfere with the downward movement of the plasma emitted from the opening 63. This allows the raw material gas supplied below the plasma source 60 from the gas supply hole of the pipe 62 to come into contact efficiently with the plasma emitted from the opening 63 of the plasma source 60.

図8に示す具体例では、環状のパイプ62の外径は、容器10の開口径(容器10の内径)よりも小さく、当該パイプ62は、平面視で容器10の範囲内に包含されるように配置されている。ただし、パイプ62は、図8に示すような態様に限られない。パイプ62の外径は、例えば、容器10の開口径よりも大きくてもよい。具体的には、パイプ62は、例えば、平面視で容器10が環状のパイプ62の内側の領域に包含されるように配置されていてもよい。 In the specific example shown in FIG. 8, the outer diameter of the annular pipe 62 is smaller than the opening diameter of the container 10 (the inner diameter of the container 10), and the pipe 62 is arranged so as to be contained within the range of the container 10 in a planar view. However, the pipe 62 is not limited to the aspect shown in FIG. 8. The outer diameter of the pipe 62 may be larger than the opening diameter of the container 10, for example. Specifically, the pipe 62 may be arranged so that the container 10 is contained within the inner region of the annular pipe 62 in a planar view, for example.

また、図8に示すように、底面13のうち平面視で粉体落下空間Sに重なる領域は、プラズマソース60の下面64に設けられた開口部63が包含されるような大きさを有する。言い換えると、底面13のうち平面視で螺旋搬送路31Aよりも径方向の内側の領域は、平面視で当該領域の範囲内にプラズマソース60の開口部63が包含されるような大きさを有する。図8では、平面視で粉体落下空間Sが占める領域(すなわち、底面13のうち平面視で粉体落下空間Sに重なる領域)が判別しやすいように、当該領域を多数のドットによって示している。なお、当該領域は、平面視でパイプ62及び内側案内路31Bに対応する位置にも存在するが、パイプ62及び内側案内路31Bに対応する位置にはドットは付されていない。 Also, as shown in FIG. 8, the area of the bottom surface 13 that overlaps with the powder drop space S in plan view is large enough to include the opening 63 provided on the lower surface 64 of the plasma source 60. In other words, the area of the bottom surface 13 that is radially inward from the spiral transport path 31A in plan view is large enough to include the opening 63 of the plasma source 60 within the range of the area in plan view. In FIG. 8, the area occupied by the powder drop space S in plan view (i.e., the area of the bottom surface 13 that overlaps with the powder drop space S in plan view) is shown by a number of dots so that it is easy to distinguish. Note that the area also exists at a position corresponding to the pipe 62 and the inner guide path 31B in plan view, but dots are not added at the positions corresponding to the pipe 62 and the inner guide path 31B.

プラズマCVDによる成膜処理では、プラズマソース60によって成膜可能状態となった原料ガスEは、プラズマソース60の開口部63の直下から上下方向に平行な下方に移動するだけでなく、上下方向に対してある程度の角度範囲で傾いた斜め下方に拡散するように移動する。従って、底面13のうち平面視で粉体落下空間Sに重なる領域をプラズマソース60の下面64に設けられた開口部63よりも大きくすることにより、底面13におけるより広い範囲で粉体Fに成膜可能状態となった原料ガスEを接触させることができる。その結果、粉体Fの表面にさらに効率よく膜を形成することができる。 In a film formation process using plasma CVD, the raw material gas E that has been made into a film-forming state by the plasma source 60 not only moves downward parallel to the vertical direction from directly below the opening 63 of the plasma source 60, but also moves so as to diffuse diagonally downward at a certain angle range with respect to the vertical direction. Therefore, by making the area of the bottom surface 13 that overlaps with the powder drop space S in a plan view larger than the opening 63 provided on the lower surface 64 of the plasma source 60, the raw material gas E that has been made into a film-forming state can come into contact with the powder F over a wider area of the bottom surface 13. As a result, a film can be formed on the surface of the powder F more efficiently.

図7に示す不活性ガス供給部70は、プラズマソース60の下方で成膜可能状態となった原料ガスEが粉体落下空間Sにおいて底面13に向かって案内されるように容器10内に不活性ガスを供給する。これにより、成膜可能状態となった原料ガスEは、不活性ガス供給部70から供給される不活性ガスによって底面13に案内されるので、粉体Fの表面にさらに効率よく膜を形成することができる。また、供給された不活性ガスは、プラズマ状態を維持するような機能(作用)も有する。 The inert gas supply unit 70 shown in FIG. 7 supplies inert gas into the container 10 so that the raw material gas E that has become ready for film formation below the plasma source 60 is guided toward the bottom surface 13 in the powder falling space S. As a result, the raw material gas E that has become ready for film formation is guided toward the bottom surface 13 by the inert gas supplied from the inert gas supply unit 70, so that a film can be formed more efficiently on the surface of the powder F. The supplied inert gas also has the function (action) of maintaining the plasma state.

[第1の実施形態の変形例1~3]
次に、第1の実施形態の変形例1~3について説明する。第1の実施形態の変形例1~3に係る粉体成膜装置1のそれぞれは、スパッタリングにより粉体の表面に成膜処理を施す装置である。
[Modifications 1 to 3 of the first embodiment]
Next, a description will be given of Modifications 1 to 3 of the first embodiment. Each of the powder film forming apparatuses 1 according to Modifications 1 to 3 of the first embodiment is an apparatus that performs a film forming process on the surface of powder by sputtering.

図9は、第1の実施形態の変形例1に係る粉体成膜装置1を示す側面図であり、一部を断面で描いたものである。図10は、図9のX-X線における断面図である。図9及び図10に示すように、変形例1に係る粉体成膜装置1は、装置本体と、真空チャンバ40と、スパッタリングユニット50と、不活性ガス供給部70と、これらを支持する支持台90と、を備える。前記装置本体は、容器10と、粉体移動機構30と、を含む。 Figure 9 is a side view of a powder deposition apparatus 1 according to Modification 1 of the first embodiment, partially in cross section. Figure 10 is a cross-sectional view taken along line X-X in Figure 9. As shown in Figures 9 and 10, the powder deposition apparatus 1 according to Modification 1 comprises an apparatus main body, a vacuum chamber 40, a sputtering unit 50, an inert gas supply section 70, and a support table 90 that supports these. The apparatus main body includes a container 10 and a powder moving mechanism 30.

変形例1に係る粉体成膜装置1の容器10、真空チャンバ40、不活性ガス供給部70及び支持台90の構成は、図1~図5に示す粉体成膜装置1と同様であるので、これらの詳細な説明を省略する。以下では、変形例1に係る粉体成膜装置1が図1~図5に示す粉体成膜装置1と異なる点について主に説明する。 The configurations of the container 10, vacuum chamber 40, inert gas supply unit 70, and support table 90 of the powder deposition apparatus 1 according to the modified example 1 are similar to those of the powder deposition apparatus 1 shown in Figures 1 to 5, so detailed descriptions of these will be omitted. Below, the differences between the powder deposition apparatus 1 according to the modified example 1 and the powder deposition apparatus 1 shown in Figures 1 to 5 will be mainly described.

変形例1では、容器10内には、第1の粉体落下空間S1と、第2の粉体落下空間S2と、が形成されている。これらの粉体落下空間S1,S2のそれぞれは、成膜処理が行われるときに、容器10内において底面13に向けて粉体Fを落下させるための空間であり、底面13から上方に連続する空間である。第1の粉体落下空間S1及び第2の粉体落下空間S2は、容器10内において互いに周方向に離れて位置するように設けられている。第1の粉体落下空間S1及び第2の粉体落下空間S2のそれぞれは、螺旋搬送路31Aよりも容器10の径方向の内側に位置する空間である。図10に示す具体例では、第1の粉体落下空間S1及び第2の粉体落下空間S2は、容器10内において互いに径方向の反対側に位置するように設けられている。 In the first modified example, a first powder drop space S1 and a second powder drop space S2 are formed in the container 10. Each of these powder drop spaces S1 and S2 is a space for dropping powder F toward the bottom surface 13 in the container 10 when a film formation process is performed, and is a space that continues upward from the bottom surface 13. The first powder drop space S1 and the second powder drop space S2 are provided so as to be located apart from each other in the circumferential direction in the container 10. Each of the first powder drop space S1 and the second powder drop space S2 is a space located radially inward of the container 10 from the spiral conveying path 31A. In the specific example shown in FIG. 10, the first powder drop space S1 and the second powder drop space S2 are provided so as to be located radially opposite each other in the container 10.

図9及び図10に示すように、変形例1におけるスパッタリングユニット50は、複数のロータリーカソード53(具体的には4つのロータリーカソード53)を備える。複数のロータリーカソード53のそれぞれは、円筒形状のターゲット54と、このターゲット54内に配置された磁石56と、を含む。 As shown in Figures 9 and 10, the sputtering unit 50 in variant 1 includes multiple rotary cathodes 53 (specifically, four rotary cathodes 53). Each of the multiple rotary cathodes 53 includes a cylindrical target 54 and a magnet 56 disposed within the target 54.

各ターゲット54は、ターゲット54を構成する円筒の中心軸が上下方向に向くような姿勢で、図略の支持部材によって前記中心軸回りに回転可能に支持されている。各ターゲット54は、その少なくとも下部が容器10内に配置されている。各ターゲット54の下端は、容器10における上下方向の中央よりも下方に位置し、各ターゲット54の上端は、容器10における上下方向の中央よりも上方に位置している。ターゲット54内には、例えば冷却水などの冷却液が供給される。 Each target 54 is supported by a support member (not shown) so that the central axis of the cylinder that constitutes the target 54 faces in the vertical direction and can rotate around the central axis. At least the lower part of each target 54 is disposed within the container 10. The lower end of each target 54 is located below the vertical center of the container 10, and the upper end of each target 54 is located above the vertical center of the container 10. A cooling liquid such as cooling water is supplied into the target 54.

各磁石56は、対応するターゲット54内において、ターゲット54の前記中心軸の方向に沿って延びるような形状を有する。磁石56は、プラズマの密度を高めるための磁場を形成する。磁石56は、ターゲット54とともに回転するものではなく、図略の固定部材によって図10に示すような所定の位置に固定されている。各磁石56は、その少なくとも下部が容器10内に配置されている。各磁石56の下端は、容器10における上下方向の中央よりも下方に位置し、各磁石56の上端は、容器10における上下方向の中央よりも上方に位置している。 Each magnet 56 has a shape that extends along the direction of the central axis of the target 54 within the corresponding target 54. The magnets 56 form a magnetic field to increase the density of the plasma. The magnets 56 do not rotate with the target 54, but are fixed in a predetermined position as shown in FIG. 10 by a fixing member (not shown). At least the lower part of each magnet 56 is disposed within the vessel 10. The lower end of each magnet 56 is located below the center of the vessel 10 in the vertical direction, and the upper end of each magnet 56 is located above the center of the vessel 10 in the vertical direction.

4つのロータリーカソード53は、容器10の中心軸Aの周りに周方向に互いに間隔をおいて配置されている。4つのロータリーカソード53のうち、周方向に隣り合う2つのロータリーカソード53(図10における上側の2つのロータリーカソード53)は、図9に示すように交流電源PSに接続されている。成膜処理が行われるときには、交流電源PSは、これら2つのロータリーカソード53のターゲット54に、スパッタリングのための正負の電圧を交互に印加する。これにより、2つのロータリーカソード53の間において放電が生じてプラズマが形成される。例えば図10に示す具体例では、前記2つのロータリーカソード53のそれぞれでは、磁石56は、ターゲット54を構成する円筒内において当該円筒の中心軸よりも第1の粉体落下空間S1に近い位置に配置されている。これにより、2つのロータリーカソード53は、第1の粉体落下空間S1に対応する位置に第1のプラズマ領域P1を局所的に形成することができる。一方のロータリーカソード53が形成するプラズマ領域の少なくとも一部と他方のロータリーカソード53が形成するプラズマ領域の少なくとも一部が重複するように、容器10及びターゲット54に対する磁石56の相対位置が設定されている。 The four rotary cathodes 53 are arranged at intervals around the central axis A of the container 10 in the circumferential direction. Of the four rotary cathodes 53, two adjacent rotary cathodes 53 in the circumferential direction (the upper two rotary cathodes 53 in FIG. 10) are connected to an AC power supply PS as shown in FIG. 9. When a film formation process is performed, the AC power supply PS alternately applies positive and negative voltages for sputtering to the targets 54 of these two rotary cathodes 53. As a result, a discharge occurs between the two rotary cathodes 53 to form a plasma. For example, in the specific example shown in FIG. 10, in each of the two rotary cathodes 53, the magnet 56 is arranged in a position closer to the first powder drop space S1 than the central axis of the cylinder constituting the target 54. As a result, the two rotary cathodes 53 can locally form a first plasma region P1 at a position corresponding to the first powder drop space S1. The relative position of the magnet 56 with respect to the vessel 10 and the target 54 is set so that at least a portion of the plasma region formed by one rotary cathode 53 overlaps with at least a portion of the plasma region formed by the other rotary cathode 53.

同様に、周方向に隣り合う残りの2つのロータリーカソード53(図10における下側の2つのロータリーカソード53)は、交流電源に接続されている。成膜処理が行われるときには、交流電源は、これら2つのロータリーカソード53のターゲット54に、スパッタリングのための正負の電圧を交互に印加する。これにより、2つのロータリーカソード53の間において放電が生じてプラズマが形成される。例えば図10に示す具体例では、前記2つのロータリーカソード53のそれぞれでは、磁石56は、ターゲット54を構成する円筒内において当該円筒の中心軸よりも第2の粉体落下空間S2に近い位置に配置されている。これにより、2つのロータリーカソード53は、第2の粉体落下空間S2に対応する位置に第2のプラズマ領域P2を局所的に形成することができる。一方のロータリーカソード53が形成するプラズマ領域の少なくとも一部と他方のロータリーカソード53が形成するプラズマ領域の少なくとも一部が重複するように、容器10及びターゲット54に対する磁石56の相対位置が設定されている。 Similarly, the remaining two rotary cathodes 53 adjacent in the circumferential direction (the two lower rotary cathodes 53 in FIG. 10) are connected to an AC power source. When a film formation process is performed, the AC power source alternately applies positive and negative voltages for sputtering to the targets 54 of these two rotary cathodes 53. This causes a discharge between the two rotary cathodes 53 to form a plasma. For example, in the specific example shown in FIG. 10, in each of the two rotary cathodes 53, the magnet 56 is disposed in a position closer to the second powder drop space S2 than the central axis of the cylinder constituting the target 54. This allows the two rotary cathodes 53 to locally form a second plasma region P2 at a position corresponding to the second powder drop space S2. The relative positions of the magnet 56 with respect to the container 10 and the target 54 are set so that at least a part of the plasma region formed by one rotary cathode 53 and at least a part of the plasma region formed by the other rotary cathode 53 overlap.

粉体移動機構30は、容器10の底面13に配置された粉体Fを上方に搬送し、搬送された粉体Fを粉体落下空間Sを通じて底面13に落下させることが可能なように構成される。粉体移動機構30は、上方搬送経路31と、振動発生部32と、を有する。 The powder moving mechanism 30 is configured to transport the powder F arranged on the bottom surface 13 of the container 10 upward and to allow the transported powder F to fall onto the bottom surface 13 through the powder falling space S. The powder moving mechanism 30 has an upward transport path 31 and a vibration generating unit 32.

上方搬送経路31は、容器10内でかつ粉体落下空間S以外の領域に形成され、粉体Fが搬送される経路である。上方搬送経路31は、螺旋搬送路31Aと、少なくとも一つの案内壁(例えば後述する2つの案内壁311,312)と、を含む。 The upper conveying path 31 is formed in an area of the container 10 other than the powder drop space S, and is a path along which the powder F is conveyed. The upper conveying path 31 includes a spiral conveying path 31A and at least one guide wall (for example, two guide walls 311 and 312 described below).

変形例1における螺旋搬送路31Aは、図2、図4及び図5に示す螺旋搬送路31Aと同様である。すなわち、図9及び図10に示すように、螺旋搬送路31Aは、容器10の内側面14に沿って底面13から螺旋状に上方に延びる。螺旋搬送路31Aは、その下端から上端に向かうにつれて位置が高くなるような勾配を有する。 The spiral conveying path 31A in the first modification is similar to the spiral conveying path 31A shown in Figures 2, 4, and 5. That is, as shown in Figures 9 and 10, the spiral conveying path 31A extends spirally upward from the bottom surface 13 along the inner surface 14 of the container 10. The spiral conveying path 31A has a gradient such that the position becomes higher from the lower end to the upper end.

前記少なくとも一つの案内壁は、螺旋搬送路31Aに沿って上方に搬送される粉体Fを螺旋搬送路31Aよりも内側(径方向内側)に案内して螺旋搬送路31Aから底面13に向けて落下させることが可能なように螺旋搬送路31Aに設けられている。図10に示す具体例では、前記少なくとも一つの案内壁は、螺旋搬送路31Aの上部に設けられた第1の案内壁311と、この第1の案内壁311よりも螺旋搬送路31Aにおける搬送方向上流側の部位に設けられた第2の案内壁312と、を含む。第1の案内壁311及び第2の案内壁312は、第1の粉体落下空間S1及び第2の粉体落下空間S2に対応する位置にそれぞれ設けられている。第1の案内壁311及び第2の案内壁312は、後述する第1のプラズマ領域P1及び第2のプラズマ領域P2に対応する位置にそれぞれ設けられている。具体的には、第1の案内壁311は、螺旋搬送路31Aの上端又はその近傍に設けられ、第2の案内壁312は、図10に示すように平面視において第1の案内壁311に対して螺旋搬送路31Aにおける径方向の反対側の部位に設けられている。 The at least one guide wall is provided on the spiral conveying path 31A so as to guide the powder F conveyed upward along the spiral conveying path 31A to the inside (diametrically inward) of the spiral conveying path 31A and to allow the powder F to fall from the spiral conveying path 31A toward the bottom surface 13. In the specific example shown in FIG. 10, the at least one guide wall includes a first guide wall 311 provided at the upper part of the spiral conveying path 31A and a second guide wall 312 provided at a portion upstream in the conveying direction in the spiral conveying path 31A from the first guide wall 311. The first guide wall 311 and the second guide wall 312 are provided at positions corresponding to the first powder drop space S1 and the second powder drop space S2, respectively. The first guide wall 311 and the second guide wall 312 are provided at positions corresponding to the first plasma region P1 and the second plasma region P2, respectively, which will be described later. Specifically, the first guide wall 311 is provided at or near the upper end of the spiral conveying path 31A, and the second guide wall 312 is provided at a location on the radially opposite side of the spiral conveying path 31A from the first guide wall 311 in a plan view as shown in FIG. 10.

第1の案内壁311及び第2の案内壁312のそれぞれは、螺旋搬送路31Aから上方に起立する側面である案内面を有する。第2の案内壁312は、第2の案内壁312と容器10の内側面14との間に隙間が形成されるように内側面14から径方向内側に離れた位置に配置されている。第2の案内壁312の案内面は、螺旋搬送路31Aに沿って上方に搬送される粉体Fの一部を、螺旋搬送路31Aよりも径方向の内側に案内し、第2の粉体落下空間S2を通じて螺旋搬送路31Aから底面13に向けて落下させることが可能な形状を有する。第1の案内壁311の案内面は、第2の案内壁312と容器10の内側面14との間の隙間を通過して螺旋搬送路31Aに沿って上方に搬送される粉体Fを、螺旋搬送路31Aよりも径方向の内側に案内し、第1の粉体落下空間S1を通じて螺旋搬送路31Aから底面13に向けて落下させることが可能な形状を有する。 Each of the first guide wall 311 and the second guide wall 312 has a guide surface which is a side surface rising upward from the spiral conveying path 31A. The second guide wall 312 is disposed at a position radially inwardly spaced from the inner surface 14 of the container 10 so that a gap is formed between the second guide wall 312 and the inner surface 14 of the container 10. The guide surface of the second guide wall 312 has a shape capable of guiding a portion of the powder F conveyed upward along the spiral conveying path 31A radially inward from the spiral conveying path 31A and allowing it to fall from the spiral conveying path 31A toward the bottom surface 13 through the second powder falling space S2. The guide surface of the first guide wall 311 has a shape that allows the powder F, which passes through the gap between the second guide wall 312 and the inner surface 14 of the container 10 and is transported upward along the spiral transport path 31A, to be guided radially inward from the spiral transport path 31A and allowed to fall from the spiral transport path 31A toward the bottom surface 13 through the first powder drop space S1.

変形例1における振動発生部32は、図1及び図2に示す振動発生部32と同様である。すなわち、振動発生部32は、容器10を振動させることにより底面13に配置された粉体Fを螺旋搬送路31Aに沿って上方に搬送するように作動する。真空チャンバ40は、容器10を収容する内部空間を形成する。チャンバ本体41の側部には、真空引きのための図略の配管が接続されている。不活性ガス供給部70は、成膜処理が行われるときに真空チャンバ40内に不活性ガスを供給するためのものである。不活性ガスとしては、例えばアルゴンガスが用いられる。 The vibration generating unit 32 in the first modified example is the same as the vibration generating unit 32 shown in Figs. 1 and 2. That is, the vibration generating unit 32 operates to vibrate the container 10 to transport the powder F arranged on the bottom surface 13 upward along the spiral transport path 31A. The vacuum chamber 40 forms an internal space that houses the container 10. A pipe (not shown) for vacuum drawing is connected to the side of the chamber body 41. The inert gas supply unit 70 is for supplying an inert gas into the vacuum chamber 40 when the film formation process is performed. For example, argon gas is used as the inert gas.

次に、変形例1において、スパッタリングにより粉体Fの表面に成膜処理を施す方法について説明する。まず、容器10の底面13上に所定量の粉体Fが配置され、真空チャンバ40において真空引きが行われた後、不活性ガス(例えばアルゴンガス)が真空チャンバ40内に供給される。この状態で、交流電源PSが2つのロータリーカソード53のターゲット54に交互に正負の電圧を印加することにより、これらのターゲット54の近傍に第1のプラズマ領域P1が生成され、不活性ガスがイオン化される。同様に、交流電源が残りの2つのロータリーカソード53のターゲット54に交互に正負の電圧を印加することにより、これらのターゲット54の近傍に第2のプラズマ領域P2が生成され、不活性ガスがイオン化される。イオン化された不活性ガスは、ターゲット54に衝突し、その運動エネルギーによりターゲット54を構成する粒子E(例えば原子又は分子)が叩き出される。 Next, in the first modified example, a method of performing a film formation process on the surface of the powder F by sputtering will be described. First, a predetermined amount of powder F is placed on the bottom surface 13 of the container 10, and after the vacuum chamber 40 is evacuated, an inert gas (e.g., argon gas) is supplied into the vacuum chamber 40. In this state, the AC power supply PS applies alternately positive and negative voltages to the targets 54 of the two rotary cathodes 53, thereby generating a first plasma region P1 near these targets 54 and ionizing the inert gas. Similarly, the AC power supply applies alternately positive and negative voltages to the targets 54 of the remaining two rotary cathodes 53, thereby generating a second plasma region P2 near these targets 54 and ionizing the inert gas. The ionized inert gas collides with the target 54, and the particles E (e.g., atoms or molecules) that constitute the target 54 are knocked out by the kinetic energy.

4つのロータリーカソード53のターゲット54からそれぞれ叩き出された多数の粒子Eは、容器10内において様々な方向にそれぞれ移動する。具体的には、ターゲット54から叩き出された粒子Eの一部は、粉体落下空間Sにおいて下方に移動して底面13上の粉体Fの表面に付着する。ターゲット54から叩き出された粒子Eの他の一部は、螺旋搬送路31Aに向かって移動して螺旋搬送路31A上にある粉体Fの表面に付着する。これにより、底面13上の粉体Fの表面に成膜処理を施すとともに、螺旋搬送路31A上にある粉体Fの表面に成膜処理を施すことができる。 The numerous particles E that are knocked out from the targets 54 of the four rotary cathodes 53 move in various directions within the container 10. Specifically, some of the particles E that are knocked out from the targets 54 move downward in the powder drop space S and adhere to the surface of the powder F on the bottom surface 13. Another part of the particles E that are knocked out from the targets 54 move toward the spiral transport path 31A and adhere to the surface of the powder F on the spiral transport path 31A. This allows a film formation process to be performed on the surface of the powder F on the bottom surface 13, and also on the surface of the powder F on the spiral transport path 31A.

変形例1では、各ターゲット54は、ターゲット54を構成する円筒の中心軸が上下方向に向く姿勢で配置されるとともに、ターゲット54の少なくとも一部が螺旋搬送路31Aに対して水平方向(容器10の径方向)に対向するように配置されている。図9に示す具体例では、各ターゲット54は、螺旋搬送路31Aにおける複数の部分(複数の搬送部分)のそれぞれに対して径方向に対向している。複数の搬送部分は、ターゲット54の長手方向である上下方向に沿って上下に間隔をおいて並んでいる。従って、螺旋搬送路31Aにおける前記複数の搬送部分のそれぞれにターゲット54から叩き出された粒子Eが効率よく供給されてその搬送部分上にある粉体Fの表面に付着する。これにより、成膜処理が効率よく行われる。 In the first modified example, each target 54 is arranged so that the central axis of the cylinder constituting the target 54 faces the vertical direction, and at least a part of the target 54 faces the spiral transport path 31A in the horizontal direction (the radial direction of the container 10). In the specific example shown in FIG. 9, each target 54 faces each of the multiple parts (multiple transport parts) of the spiral transport path 31A in the radial direction. The multiple transport parts are arranged vertically at intervals along the vertical direction, which is the longitudinal direction of the target 54. Therefore, the particles E knocked out from the target 54 are efficiently supplied to each of the multiple transport parts of the spiral transport path 31A and adhere to the surface of the powder F on the transport part. This allows the film formation process to be performed efficiently.

なお、変形例1では、複数のロータリーカソード53及び不活性ガス供給部70は、成膜材料を粉体Fの表面に成膜することが可能な成膜可能状態にする成膜源の一例である。具体的には、複数のロータリーカソード53及び不活性ガス供給部70は、容器10内に位置するターゲット54の表面において成膜材料を前記成膜可能状態にして、当該成膜可能状態になった前記成膜材料Eを、底面13上の粉体Fに粉体落下空間Sを通じて供給するとともに、螺旋搬送路31A上の粉体Fに供給するように構成される。ターゲット54を構成する材料は、成膜材料の一例であり、ターゲット54から叩き出された粒子E(ターゲット54から飛び出した粒子E)は、成膜可能状態となった成膜材料の一例である。 In addition, in the first modified example, the multiple rotary cathodes 53 and the inert gas supply unit 70 are an example of a film formation source that makes the film formation material in a film-formable state in which a film can be formed on the surface of the powder F. Specifically, the multiple rotary cathodes 53 and the inert gas supply unit 70 are configured to make the film formation material in the film-formable state on the surface of the target 54 located in the container 10, and to supply the film formation material E in the film-formable state to the powder F on the bottom surface 13 through the powder drop space S and to supply it to the powder F on the spiral transport path 31A. The material that constitutes the target 54 is an example of a film formation material, and the particles E knocked out from the target 54 (particles E flying out from the target 54) are an example of a film formation material in a film-formable state.

図11は、第1の実施形態の変形例2に係る粉体成膜装置1を示す側面図であり、一部を断面で描いたものである。図12は、図11のXII-XII線における断面図である。図11及び図12に示すように、変形例2に係る粉体成膜装置1は、装置本体と、真空チャンバ40と、スパッタリングユニット50と、不活性ガス供給部70と、これらを支持する支持台90と、を備える。前記装置本体は、容器10と、粉体移動機構30と、を含む。 Figure 11 is a side view of a powder deposition apparatus 1 according to Modification 2 of the first embodiment, partially in cross section. Figure 12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII in Figure 11. As shown in Figures 11 and 12, the powder deposition apparatus 1 according to Modification 2 includes an apparatus main body, a vacuum chamber 40, a sputtering unit 50, an inert gas supply section 70, and a support table 90 that supports these. The apparatus main body includes a container 10 and a powder moving mechanism 30.

変形例2に係る粉体成膜装置1の容器10、粉体移動機構30、真空チャンバ40、不活性ガス供給部70及び支持台90の構成は、図1~図5に示す粉体成膜装置1と同様であるので、これらの詳細な説明を省略する。以下では、変形例2に係る粉体成膜装置1が図1~図5に示す粉体成膜装置1と異なる点について主に説明する。 The configurations of the container 10, powder moving mechanism 30, vacuum chamber 40, inert gas supply unit 70, and support table 90 of the powder deposition apparatus 1 according to the modified example 2 are similar to those of the powder deposition apparatus 1 shown in Figures 1 to 5, so detailed descriptions of these will be omitted. Below, the differences between the powder deposition apparatus 1 according to the modified example 2 and the powder deposition apparatus 1 shown in Figures 1 to 5 will be mainly described.

図11及び図12に示すように、変形例2におけるスパッタリングユニット50は、複数のロータリーカソード53(具体的には2つのロータリーカソード53)を備える。複数のロータリーカソード53のそれぞれは、変形例1におけるロータリーカソード53と同様の構成を備える。すなわち、複数のロータリーカソード53のそれぞれは、円筒形状のターゲット54と、このターゲット54内に配置された磁石56と、を含む。 As shown in Figures 11 and 12, the sputtering unit 50 in variant 2 includes multiple rotary cathodes 53 (specifically, two rotary cathodes 53). Each of the multiple rotary cathodes 53 has a configuration similar to that of the rotary cathode 53 in variant 1. That is, each of the multiple rotary cathodes 53 includes a cylindrical target 54 and a magnet 56 disposed within the target 54.

変形例2では、各ターゲット54は、ターゲット54を構成する円筒の中心軸が水平方向に向くような姿勢で、図略の支持部材によって前記中心軸回りに回転可能に支持されている。磁石56は、ターゲット54内において、ターゲット54の前記中心軸の方向に沿って延びるような形状を有する。 In the second modification, each target 54 is supported by a support member (not shown) so that the central axis of the cylinder that constitutes the target 54 faces horizontally and can rotate around the central axis. The magnet 56 has a shape that extends within the target 54 along the direction of the central axis of the target 54.

2つのロータリーカソード53は、容器10の底面13よりも上方において、水平方向に互いに間隔をおいて配置されている。具体的には、2つのロータリーカソード53は、容器10の真上において互いに同じ方向を向いて同じ高さ位置に配置されるように並んでいる。 The two rotary cathodes 53 are arranged above the bottom surface 13 of the container 10 and spaced apart from each other in the horizontal direction. Specifically, the two rotary cathodes 53 are arranged directly above the container 10 so that they face the same direction and are positioned at the same height.

2つのロータリーカソード53は、図11に示すように交流電源PSに接続されている。成膜処理が行われるときには、交流電源PSは、これら2つのロータリーカソード53のターゲット54に、スパッタリングのための正負の電圧を交互に印加する。これにより、2つのロータリーカソード53の間において放電が生じてプラズマが形成される。2つのロータリーカソード53のそれぞれでは、磁石56は、これらのロータリーカソード53の真下の広い範囲においてプラズマ領域Pが形成されるように、ターゲット54を構成する円筒内の下部に配置されている。2つのロータリーカソード53のそれぞれでは、これらのロータリーカソード53と容器10の底面13との間においてプラズマ領域Pが形成されるように容器10及びターゲット54に対する磁石56の相対位置が設定されている。 The two rotary cathodes 53 are connected to an AC power supply PS as shown in FIG. 11. When a film formation process is performed, the AC power supply PS alternately applies positive and negative voltages for sputtering to the targets 54 of the two rotary cathodes 53. This causes a discharge between the two rotary cathodes 53 to form plasma. In each of the two rotary cathodes 53, the magnet 56 is disposed at the bottom of the cylinder constituting the target 54 so that a plasma region P is formed in a wide area directly below the rotary cathodes 53. In each of the two rotary cathodes 53, the relative position of the magnet 56 with respect to the container 10 and the target 54 is set so that a plasma region P is formed between the rotary cathodes 53 and the bottom surface 13 of the container 10.

図12に示すように、この変形例2における粉体移動機構30は、上方搬送経路31と、振動発生部32(振動発生装置)と、を有し、上方搬送経路31は、図2及び図4に示す上方搬送経路31と同様に、螺旋搬送路31Aと、内側案内路31Bと、を含む。 As shown in FIG. 12, the powder moving mechanism 30 in this modified example 2 has an upper conveying path 31 and a vibration generating unit 32 (vibration generating device), and the upper conveying path 31 includes a spiral conveying path 31A and an inner guide path 31B, similar to the upper conveying path 31 shown in FIG. 2 and FIG. 4.

次に、変形例2において、スパッタリングにより粉体Fの表面に成膜処理を施す方法について説明する。まず、容器10の底面13上に所定量の粉体Fが配置され、真空チャンバ40において真空引きが行われた後、不活性ガス(例えばアルゴンガス)が真空チャンバ40内に供給される。この状態で、交流電源PSが2つのロータリーカソード53のターゲット54に交互に正負の電圧を印加することにより、これらのターゲット54の近傍にプラズマ領域Pが生成され、不活性ガスがイオン化される。イオン化された不活性ガスは、ターゲット54に衝突し、その運動エネルギーによりターゲット54を構成する粒子E(例えば原子又は分子)が叩き出される。 Next, in Modification 2, a method of performing a film formation process on the surface of powder F by sputtering will be described. First, a predetermined amount of powder F is placed on the bottom surface 13 of the container 10, and after the vacuum chamber 40 is evacuated, an inert gas (e.g., argon gas) is supplied into the vacuum chamber 40. In this state, the AC power supply PS applies alternating positive and negative voltages to the targets 54 of the two rotary cathodes 53, generating a plasma region P near these targets 54 and ionizing the inert gas. The ionized inert gas collides with the target 54, and the particles E (e.g., atoms or molecules) that make up the target 54 are knocked out by the kinetic energy.

2つのロータリーカソード53のターゲット54からそれぞれ叩き出された粒子Eの一部は、粉体落下空間Sにおいて下方に移動して底面13上の粉体Fの表面に付着する。また、本実施形態では、図11に示すように、螺旋搬送路31Aの少なくとも一部と、成膜材料が成膜可能状態になる位置である各ターゲット54の下面との間には、遮るものがない。従って、各ターゲット54から叩き出された粒子Eの他の一部は、粉体落下空間Sにおいて螺旋搬送路31Aの前記少なくとも一部に向かって移動してその上にある粉体Fの表面に付着する。これにより、底面13上の粉体Fの表面に成膜処理を施すとともに、螺旋搬送路31Aの前記少なくとも一部の上にある粉体Fの表面に成膜処理を施すことができる。 A part of the particles E knocked out from each of the targets 54 of the two rotary cathodes 53 moves downward in the powder drop space S and adheres to the surface of the powder F on the bottom surface 13. In this embodiment, as shown in FIG. 11, there is no obstruction between at least a part of the spiral transport path 31A and the lower surface of each target 54, which is the position where the film-forming material is ready for film formation. Therefore, another part of the particles E knocked out from each target 54 moves toward the at least a part of the spiral transport path 31A in the powder drop space S and adheres to the surface of the powder F thereon. This allows the film formation process to be performed on the surface of the powder F on the bottom surface 13 and the surface of the powder F on the at least a part of the spiral transport path 31A.

なお、変形例2では、複数のロータリーカソード53及び不活性ガス供給部70は、成膜材料を粉体Fの表面に成膜することが可能な成膜可能状態にする成膜源の一例である。具体的には、複数のロータリーカソード53及び不活性ガス供給部70は、成膜材料をターゲット54の下面において前記成膜可能状態にして、当該成膜可能状態になった前記成膜材料Eを、底面13上の粉体Fに粉体落下空間Sを通じて供給するとともに、螺旋搬送路31A上の粉体Fに供給する。ターゲット54を構成する材料は、成膜材料の一例であり、ターゲット54から叩き出された粒子E(ターゲット54から飛び出した粒子E)は、成膜可能状態となった成膜材料の一例である。また、ターゲット54の下面の位置は、容器10よりも上方で底面13に対して上下方向に対向する位置の一例である。なお、ターゲット54の下面は、容器10内に位置していてもよく、この場合、前記成膜源としての複数のロータリーカソード53及び不活性ガス供給部70は、容器10内に位置するターゲット54の下面において前記成膜材料を前記成膜可能状態にして、当該成膜可能状態となった前記成膜材料を底面13上の粉体に供給するように構成される。 In addition, in the second modified example, the multiple rotary cathodes 53 and the inert gas supply unit 70 are an example of a film-forming source that makes the film-forming material in a film-forming state capable of forming a film on the surface of the powder F. Specifically, the multiple rotary cathodes 53 and the inert gas supply unit 70 make the film-forming material in the film-forming state on the lower surface of the target 54, and supply the film-forming material E in the film-forming state to the powder F on the bottom surface 13 through the powder drop space S and to the powder F on the spiral transport path 31A. The material constituting the target 54 is an example of a film-forming material, and the particles E knocked out from the target 54 (particles E flying out from the target 54) are an example of a film-forming material in a film-forming state. In addition, the position of the lower surface of the target 54 is an example of a position that is above the container 10 and faces the bottom surface 13 in the vertical direction. The lower surface of the target 54 may be located inside the container 10. In this case, the multiple rotary cathodes 53 and the inert gas supply unit 70 as the film-forming source are configured to bring the film-forming material to the film-forming state on the lower surface of the target 54 located inside the container 10, and to supply the film-forming material in the film-forming state to the powder on the bottom surface 13.

図13は、第1の実施形態の変形例3に係る粉体成膜装置1を示す側面図であり、一部を断面で描いたものである。図14は、図13のXIV-XIV線における断面図である。図13及び図14に示すように、変形例3に係る粉体成膜装置1は、装置本体と、真空チャンバ40と、スパッタリングユニット50と、不活性ガス供給部70と、これらを支持する支持台90と、を備える。 Figure 13 is a side view of a powder deposition apparatus 1 according to Modification 3 of the first embodiment, partially in cross section. Figure 14 is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV in Figure 13. As shown in Figures 13 and 14, the powder deposition apparatus 1 according to Modification 3 includes an apparatus main body, a vacuum chamber 40, a sputtering unit 50, an inert gas supply unit 70, and a support table 90 that supports these.

この変形例3では、前記装置本体は、容器10と、振動発生部32(振動発生装置)と、を含み、容器10は、底面13、内側面14、及び上方搬送経路31を含み、上方搬送経路31は、螺旋搬送路31A及び内側案内路31Bを含む。また、この変形例3では、粉体移動機構は、容器10の上方搬送経路31と、振動発生部32と、を含む。上方搬送経路31は、容器10内でかつ粉体落下空間S以外の領域に形成されている。この変形例3では、上方搬送経路31は、容器10の一部分を構成するものであり、具体的には、容器10の内面の一部を構成するものである。 In this modified example 3, the device main body includes a container 10 and a vibration generating unit 32 (vibration generating device), the container 10 includes a bottom surface 13, an inner surface 14, and an upper conveying path 31, and the upper conveying path 31 includes a spiral conveying path 31A and an inner guide path 31B. Also, in this modified example 3, the powder moving mechanism includes the upper conveying path 31 of the container 10 and the vibration generating unit 32. The upper conveying path 31 is formed in an area inside the container 10 other than the powder falling space S. In this modified example 3, the upper conveying path 31 constitutes a part of the container 10, specifically, constitutes a part of the inner surface of the container 10.

図13及び図14に示す変形例3では、容器10の構成が変形例2と相違し、その他の構成は変形例2と同様である。以下では、変形例3に係る粉体成膜装置1が変形例2に係る粉体成膜装置1と異なる点について主に説明し、変形例2と同様の構成についてはその説明を省略する。 In Modification 3 shown in Figures 13 and 14, the configuration of the container 10 differs from Modification 2, but the other configurations are the same as Modification 2. Below, the differences between the powder film forming apparatus 1 of Modification 3 and the powder film forming apparatus 1 of Modification 2 will be mainly described, and the description of the configurations that are the same as those of Modification 2 will be omitted.

図13に示すように、変形例3における容器10は、容器10の中心軸Aを含む鉛直面で容器10を切断したときの断面において、底面13、内側面14及び螺旋搬送路31Aが階段状に並ぶような形状を有する容器(段付きボウル)により構成されている。 As shown in FIG. 13, the container 10 in the third modified example is configured as a container (a stepped bowl) having a shape in which the bottom surface 13, the inner surface 14, and the spiral conveying path 31A are arranged in a stepped manner in a cross section when the container 10 is cut along a vertical plane including the central axis A of the container 10.

螺旋搬送路31Aは、底面13から螺旋状に上方に延びている。螺旋搬送路31Aは、上方に向かうにつれて平面視で容器10の中央(容器10の中心軸A)から次第に遠ざかるような形状を有する。すなわち、螺旋搬送路31Aは、上方に向かうにつれて径方向の外側に位置するような形状を有する。螺旋搬送路31Aの上部領域31A2は、螺旋搬送路31Aの下部領域31A1に対して径方向の外側に位置している。具体的には、螺旋搬送路31Aは、当該螺旋搬送路31Aの下部領域31A1と当該螺旋搬送路31Aの上部領域31A2とが図14に示すような平面視において重ならないような形状を有する。 The spiral conveying path 31A extends upward in a spiral shape from the bottom surface 13. The spiral conveying path 31A has a shape that, in a plan view, gradually moves away from the center of the container 10 (the central axis A of the container 10) as it extends upward. In other words, the spiral conveying path 31A has a shape that is positioned radially outward as it extends upward. The upper region 31A2 of the spiral conveying path 31A is positioned radially outward relative to the lower region 31A1 of the spiral conveying path 31A. Specifically, the spiral conveying path 31A has a shape such that the lower region 31A1 of the spiral conveying path 31A and the upper region 31A2 of the spiral conveying path 31A do not overlap in a plan view as shown in FIG. 14.

この変形例3における螺旋搬送路31Aは、例えば容器10の中央(中心軸A)からの距離が一定となるような螺旋形状を有する変形例2における螺旋搬送路31A(図11及び図12参照)に比べて、成膜可能状態となった成膜材料が、螺旋搬送路31Aの上部領域31A2にある粉体Fだけでなく、螺旋搬送路31Aの下部領域31A1にある粉体Fにも効率よく供給されることを可能にする。 Compared to the spiral conveying path 31A in variant 2 (see Figures 11 and 12), which has a spiral shape with a constant distance from the center (central axis A) of the container 10, for example, the spiral conveying path 31A in variant 3 allows the film-forming material that has reached a film-forming state to be efficiently supplied not only to the powder F in the upper region 31A2 of the spiral conveying path 31A, but also to the powder F in the lower region 31A1 of the spiral conveying path 31A.

図15は、第1の実施形態の変形例4に係る粉体成膜装置1を示す側面図であり、一部を断面で描いたものである。図15は、後述するシール機構が具体的に図示されている点で図1と相違する。以下では、図15に示す粉体成膜装置1の構成のうちシール機構に関連する構成について主に説明し、図15に示す粉体成膜装置1のその他の構成については図1と同じ符号を図15に付してその説明を省略する。 Figure 15 is a side view of the powder deposition apparatus 1 according to the fourth modified example of the first embodiment, partially in cross section. Figure 15 differs from Figure 1 in that the sealing mechanism, which will be described later, is specifically illustrated. Below, the configuration of the powder deposition apparatus 1 shown in Figure 15 that is related to the sealing mechanism will be mainly described, and the other configuration of the powder deposition apparatus 1 shown in Figure 15 will be assigned the same reference numerals as in Figure 1 and will not be described.

図15に示す粉体成膜装置1では、容器10は、真空チャンバ40内に配置され、振動発生部32(振動発生装置)の発生部本体321は、容器10の下方において真空チャンバ40の外に(例えば大気中に)配置され、振動発生部32のシャフト322は、発生部本体321と容器10とを連結している。上述したように、真空チャンバ40のチャンバ本体41は底部を有する容器であり、その底部は図15に示すような仕切り部材81を含む。この仕切り部材81は、振動発生部32の発生部本体321と容器10との間に介在し、例えば板形状を有する。仕切り部材81にはシャフト322の外径よりもわずかに大きな内径を有する貫通孔が形成されており、この貫通孔にシャフト322が挿通されている。 In the powder deposition apparatus 1 shown in FIG. 15, the container 10 is disposed in the vacuum chamber 40, the generator body 321 of the vibration generating unit 32 (vibration generating device) is disposed outside the vacuum chamber 40 (e.g., in the atmosphere) below the container 10, and the shaft 322 of the vibration generating unit 32 connects the generator body 321 and the container 10. As described above, the chamber body 41 of the vacuum chamber 40 is a container having a bottom, and the bottom includes a partition member 81 as shown in FIG. 15. This partition member 81 is interposed between the generator body 321 of the vibration generating unit 32 and the container 10, and has, for example, a plate shape. A through hole having an inner diameter slightly larger than the outer diameter of the shaft 322 is formed in the partition member 81, and the shaft 322 is inserted into this through hole.

図15に示す粉体成膜装置1は、真空チャンバ40内の真空度を維持するためのシール機構としてOリング80を備えている。Oリング80は、例えばゴム弾性を有する材料によって形成された円環形状を有する部材である。Oリング80は、シャフト322の周りを囲む円環形状を有し、シャフト322と仕切り部材81との間に配置されている。これにより、真空チャンバ40内の真空度が維持される。 The powder deposition apparatus 1 shown in FIG. 15 is equipped with an O-ring 80 as a sealing mechanism for maintaining the degree of vacuum within the vacuum chamber 40. The O-ring 80 is a member having a circular ring shape formed from a material having rubber elasticity, for example. The O-ring 80 has a circular ring shape surrounding the shaft 322, and is disposed between the shaft 322 and a partition member 81. This maintains the degree of vacuum within the vacuum chamber 40.

図16は、第1の実施形態の変形例5に係る粉体成膜装置1を示す側面図であり、一部を断面で描いたものである。図16は、シール機構が具体的に図示されている点で、図13と相違する。以下では、図16に示す粉体成膜装置1の構成のうちシール機構に関連する構成について主に説明し、図16に示す粉体成膜装置1のその他の構成については図13と同じ符号を図16に付してその説明を省略する。 Figure 16 is a side view of the powder deposition apparatus 1 according to the fifth modified example of the first embodiment, partially in cross section. Figure 16 differs from Figure 13 in that the sealing mechanism is specifically illustrated. Below, the configuration related to the sealing mechanism among the configuration of the powder deposition apparatus 1 shown in Figure 16 will be mainly described, and the other configuration of the powder deposition apparatus 1 shown in Figure 16 will be assigned the same reference numerals as in Figure 13 and will not be described.

図16に示す粉体成膜装置1では、図15に示す粉体成膜装置1と同様に、容器10は、真空チャンバ40内に配置され、振動発生部32の発生部本体321は、容器10の下方において真空チャンバ40の外に(例えば大気中に)配置され、振動発生部32のシャフト322は、発生部本体321と容器10とを連結している。真空チャンバ40のチャンバ本体41の底部は図16に示すような仕切り部材81を含む。この仕切り部材81にはシャフト322の外径よりもわずかに大きな内径を有する貫通孔が形成されており、この貫通孔にシャフト322が挿通されている。 In the powder deposition apparatus 1 shown in FIG. 16, similarly to the powder deposition apparatus 1 shown in FIG. 15, the container 10 is placed in the vacuum chamber 40, the generator body 321 of the vibration generating unit 32 is placed outside the vacuum chamber 40 (e.g., in the atmosphere) below the container 10, and the shaft 322 of the vibration generating unit 32 connects the generator body 321 and the container 10. The bottom of the chamber body 41 of the vacuum chamber 40 includes a partition member 81 as shown in FIG. 16. A through hole having an inner diameter slightly larger than the outer diameter of the shaft 322 is formed in this partition member 81, and the shaft 322 is inserted into this through hole.

図16に示す粉体成膜装置1は、真空チャンバ40内の真空度を維持するためのシール機構として図15に示すものと同様のOリング80を備えている。Oリング80は、シャフト322の周りを囲む円環形状を有し、シャフト322と仕切り部材81との間に配置されている。これにより、真空チャンバ40内の真空度が維持される。 The powder deposition apparatus 1 shown in FIG. 16 is equipped with an O-ring 80 similar to that shown in FIG. 15 as a sealing mechanism for maintaining the degree of vacuum within the vacuum chamber 40. The O-ring 80 has an annular shape surrounding the shaft 322, and is disposed between the shaft 322 and a partition member 81. This allows the degree of vacuum within the vacuum chamber 40 to be maintained.

振動発生部32の発生部本体321が、真空チャンバ40内ではなく、真空チャンバ40の外に配置されている理由について説明する。発生部本体321は、振動を発生させる加振機を含む。加振機としては、電磁石を利用したタイプ、圧電素子を利用したタイプなどを例示できる。加振機は、電子部品などの種々の部品を含む。このような発生部本体321はガスの発生源となる。従って、発生部本体321が真空チャンバ40内に配置されている場合には、粉体Fの表面に成膜される膜に、プロセスガス(例えば前記不活性ガス)以外のガス成分が混入し、導電率などの膜質が低下する可能性がある。また、発生部本体321に起因して発生するガスが水分を多く含む場合には、膜の結晶性が損なわれて膜質が低下する可能性がある。また、発生部本体321が真空チャンバ40内に配置されている場合には、電子部品の劣化が早まる可能性がある。また、真空チャンバ40内には粉体Fが存在するので、発生部本体321が真空チャンバ40内に配置されている場合には、粉体Fが発生部本体321に混入して発生部本体321の故障につながる可能性がある。従って、容器10は、真空チャンバ40内に配置され、振動発生部32の発生部本体321は、真空チャンバ40の外に配置されることが好ましい。 The reason why the generating unit body 321 of the vibration generating unit 32 is arranged outside the vacuum chamber 40, rather than inside the vacuum chamber 40, will be explained. The generating unit body 321 includes a vibrator that generates vibrations. Examples of the vibrator include a type that uses an electromagnet and a type that uses a piezoelectric element. The vibrator includes various parts such as electronic components. Such a generating unit body 321 is a source of gas generation. Therefore, when the generating unit body 321 is arranged in the vacuum chamber 40, gas components other than the process gas (e.g., the inert gas) may be mixed into the film formed on the surface of the powder F, and the film quality, such as the conductivity, may be reduced. In addition, if the gas generated due to the generating unit body 321 contains a lot of moisture, the crystallinity of the film may be damaged and the film quality may be reduced. In addition, when the generating unit body 321 is arranged in the vacuum chamber 40, the deterioration of the electronic components may be accelerated. In addition, since powder F is present in the vacuum chamber 40, if the generating unit body 321 is placed in the vacuum chamber 40, the powder F may get mixed into the generating unit body 321, leading to a breakdown of the generating unit body 321. Therefore, it is preferable that the container 10 is placed in the vacuum chamber 40 and the generating unit body 321 of the vibration generating unit 32 is placed outside the vacuum chamber 40.

前記シール機構は、例えばベローズであってもよい。ベローズは、筒状で蛇腹状の部材である。ベローズは、例えば、容器10の下面と仕切り部材81の上面との間においてシャフト322を囲むように配置される。真空チャンバ40の真空度が維持されるように、ベローズの上端の周縁部は容器10の下面に固定され、ベローズの下端の周縁部は仕切り部材81の上面に固定される。また、シール機構は、例えばオイルシールであってもよい。オイルシールは、シャフト322と接する内周部(リップ部)と、仕切り部材81と接する外周部(はめあい部)と、を有する。 The sealing mechanism may be, for example, a bellows. The bellows is a cylindrical, bellows-like member. The bellows is, for example, disposed between the bottom surface of the container 10 and the top surface of the partition member 81 so as to surround the shaft 322. The periphery of the top end of the bellows is fixed to the bottom surface of the container 10, and the periphery of the bottom end of the bellows is fixed to the top surface of the partition member 81 so as to maintain the vacuum level of the vacuum chamber 40. The sealing mechanism may also be, for example, an oil seal. The oil seal has an inner periphery (lip portion) that contacts the shaft 322, and an outer periphery (fitting portion) that contacts the partition member 81.

ただし、シール機構は、以下に説明するような耐久性の観点で、Oリング80であることが好ましい。振動発生部32は、容器10の底面13に配置された粉体Fを螺旋搬送路31Aに沿って上方に搬送するために、容器10の中心軸Aの方向の成分と中心軸A回りの周方向の成分とを含む斜め方向に容器10を振動させる。すなわち、容器10は、振動発生部32の発生部本体321の振動に伴ってねじり振動する。このような斜め方向に容器10を振動させる場合、シール機構には前記斜め方向に沿った方向の力が作用し、ねじれ負荷がかかる。Oリング80は、ベローズ及びオイルシールに比べて前記ねじれ負荷に対する耐久性に優れるので、真空チャンバ40の真空度を維持する効果をベローズ及びオイルシールに比べてより長期間確保することができる。 However, the sealing mechanism is preferably an O-ring 80 in terms of durability as described below. The vibration generating unit 32 vibrates the container 10 in an oblique direction including a component in the direction of the central axis A of the container 10 and a component in the circumferential direction around the central axis A in order to transport the powder F arranged on the bottom surface 13 of the container 10 upward along the spiral transport path 31A. That is, the container 10 is torsionally vibrated in association with the vibration of the generating unit body 321 of the vibration generating unit 32. When the container 10 is vibrated in such an oblique direction, a force in a direction along the oblique direction acts on the sealing mechanism, and a torsional load is applied. The O-ring 80 is more durable against the torsional load than a bellows and an oil seal, and therefore the effect of maintaining the vacuum degree of the vacuum chamber 40 can be ensured for a longer period of time than a bellows and an oil seal.

なお、粉体成膜装置1は、図15及び図16のそれぞれに示すように単一のOリング80のみをシール機構として備えていてもよく、シャフト322の軸方向に互いに間隔をおいて配置された複数(例えば2つ)のOリング80をシール機構として備えていてもよい。また、Oリング80は、シャフト322の外周面に周方向に沿って形成された図略の環状の溝にOリング80の一部が入り込むように配置されていてもよい。また、Oリング80は、シャフト322の周りを囲む仕切り部材81の内周面に周方向に沿って形成された図略の環状の溝にOリング80の一部が入り込むように配置されていてもよい。なお、上記の具体例では、仕切り部材81は、真空チャンバ40の一部を構成する部材であるが、支持台90の一部を構成する部材であってもよい。 The powder deposition device 1 may have only a single O-ring 80 as a sealing mechanism as shown in each of FIG. 15 and FIG. 16, or may have a plurality of (for example, two) O-rings 80 arranged at intervals in the axial direction of the shaft 322 as a sealing mechanism. The O-ring 80 may be arranged so that a part of the O-ring 80 fits into an annular groove (not shown) formed along the circumferential direction on the outer circumferential surface of the shaft 322. The O-ring 80 may be arranged so that a part of the O-ring 80 fits into an annular groove (not shown) formed along the circumferential direction on the inner circumferential surface of the partition member 81 surrounding the shaft 322. In the above specific example, the partition member 81 is a member that constitutes a part of the vacuum chamber 40, but may also be a member that constitutes a part of the support table 90.

図1、図9、図11及び図13では、シール機構の具体的な図示が省略されているが、図1、図9、図11及び図13に示す粉体成膜装置1のそれぞれは、図15又は図16に示す粉体成膜装置1と同様に、真空チャンバ40内の真空度を維持するためのシール機構を備えている。また、図1、図9、図11及び図13に示されているように、粉体成膜装置1のそれぞれでは、容器10は、真空チャンバ40内に配置され、振動発生部32の発生部本体321は、真空チャンバ40の外に(例えば大気中に)配置されている。 Specific illustrations of the sealing mechanism are omitted in Figures 1, 9, 11, and 13, but each of the powder deposition apparatuses 1 shown in Figures 1, 9, 11, and 13 has a sealing mechanism for maintaining the vacuum level in the vacuum chamber 40, similar to the powder deposition apparatus 1 shown in Figures 15 and 16. Also, as shown in Figures 1, 9, 11, and 13, in each of the powder deposition apparatuses 1, the container 10 is disposed in the vacuum chamber 40, and the vibration generating unit main body 321 of the vibration generating unit 32 is disposed outside the vacuum chamber 40 (e.g., in the atmosphere).

次に、容器10の形状についてさらに説明する。図1~図12及び図15に示す粉体成膜装置1のそれぞれの容器10は、底部を有する円筒形状の容器である。一方、図13、図14及び図16に示す粉体成膜装置1のそれぞれの容器10は、図13及び図16に示される断面において底面13、内側面14及び螺旋搬送路31Aが階段状に並ぶような段形状の容器である。前記円筒形状の容器10における螺旋搬送路31Aの全長と前記段形状の容器10における螺旋搬送路31Aの全長とが同程度である場合、前記円筒形状の容器10は、前記段形状の容器10に比べて、容器10の外径を小さくすることができ、その結果、真空チャンバ40をコンパクトにすることができる。 Next, the shape of the container 10 will be further described. Each container 10 of the powder deposition apparatus 1 shown in Figures 1 to 12 and 15 is a cylindrical container having a bottom. On the other hand, each container 10 of the powder deposition apparatus 1 shown in Figures 13, 14 and 16 is a stepped container in which the bottom surface 13, the inner surface 14 and the spiral transport path 31A are arranged in a staircase shape in the cross section shown in Figures 13 and 16. When the total length of the spiral transport path 31A in the cylindrical container 10 is approximately the same as the total length of the spiral transport path 31A in the stepped container 10, the cylindrical container 10 can have a smaller outer diameter than the stepped container 10, and as a result, the vacuum chamber 40 can be made compact.

前記円筒形状の容器は、例えば図1、図2、図5及び図15に示されるように内側面14を有し、前記段形状の容器10は、例えば図10、図13、図14及び図16に示されるように内側面14を有する。内側面14は、底面13の外周部から鉛直方向上側に起立する面である。前記段形状の容器10の場合、内側面14は、例えば図14に示される平面図からわかるように、平面視において螺旋搬送路31Aの背後にかくれていない。従って、容器10の内側面14のうちの多くの領域には、成膜源において成膜可能状態になった成膜材料Eが到達しやすいため、内側面14のうちの多くの領域に膜が形成される。一方、前記円筒形状の容器10の場合、内側面14のうちの多くの領域は、例えば図2の斜視図と図4の平面図からわかるように、平面視において螺旋搬送路31Aの背後にかくれている。従って、内側面14のうちの多くの領域には、成膜源において成膜可能状態になった成膜材料Eが到達しにくい。このため、前記円筒形状の容器10では、内側面14の全領域のうち、膜が形成される領域の割合は、前記段形状の容器10に比べてかなり小さくなる。容器10の内側面14は成膜する必要のない領域であるので、内側面14に膜が形成されることは、無駄なことであり、好ましいことではない。従って、このような観点で前記円筒形状の容器10は、前記段形状の容器10に比べて好ましい。このように前記円筒形状の容器10では、成膜する必要のない領域に成膜されることを前記段形状の容器10に比べて抑制することができ、螺旋搬送路31A上にある粉体F、内側案内路31B上にある粉体F、及び底面13上にある粉体Fに対して効率よく成膜することができる。 The cylindrical container has an inner surface 14, for example, as shown in Figures 1, 2, 5, and 15, and the stepped container 10 has an inner surface 14, for example, as shown in Figures 10, 13, 14, and 16. The inner surface 14 is a surface that rises vertically upward from the outer periphery of the bottom surface 13. In the case of the stepped container 10, the inner surface 14 is not hidden behind the spiral transport path 31A in plan view, as can be seen, for example, from the plan view shown in Figure 14. Therefore, since the film-forming material E that has become film-formable in the film-forming source can easily reach many areas of the inner surface 14 of the container 10, a film is formed on many areas of the inner surface 14. On the other hand, in the case of the cylindrical container 10, many areas of the inner surface 14 are hidden behind the spiral transport path 31A in plan view, as can be seen, for example, from the perspective view of Figure 2 and the plan view of Figure 4. Therefore, the film-forming material E that has become film-formable in the film-forming source is unlikely to reach many areas of the inner surface 14. Therefore, in the cylindrical container 10, the ratio of the area on which a film is formed to the entire area of the inner surface 14 is significantly smaller than that of the stepped container 10. Since the inner surface 14 of the container 10 is an area on which film formation is not required, forming a film on the inner surface 14 is wasteful and undesirable. Therefore, from this perspective, the cylindrical container 10 is preferable to the stepped container 10. In this way, the cylindrical container 10 can suppress film formation in areas on which film formation is not required compared to the stepped container 10, and can efficiently form a film on the powder F on the spiral conveying path 31A, the powder F on the inner guide path 31B, and the powder F on the bottom surface 13.

次に、真空チャンバ40の開閉構造についてさらに説明する。図1、図11、図13、図15及び図16に示すようにターゲット(図1及び図15のそれぞれにおけるターゲット52、図11、図13及び図16のそれぞれにおけるロータリーカソード53のターゲット54)が容器10よりも上方に配置されている場合、真空チャンバ40は、図3に示すように蓋部42がヒンジ43を介してチャンバ本体41の上部に開閉可能に取り付けられるように構成されることが可能である。一方、図9に示すようにロータリーカソード53が縦向きに配置され、ロータリーカソード53のターゲット54が容器10内に配置される場合には、真空チャンバ40は、その天板が当該天板よりも下の部分であるチャンバ本体に対して取り外し可能なように構成される。ロータリーカソード53は、天板に固定されている。天板をチャンバ本体に取り付けることで、ロータリーカソード53が所定の位置に配置される。また、図9において、天板はチャンバ本体と一体で取外しできなくてもよい。この場合、天板には、ロータリーカソード53の上部が挿通される貫通孔が形成され、天板よりも上方に位置するロータリーカソード53の上部には、アダプターフランジが取り付けられている。このアダプターフランジは、例えば電源及びその配線を含む。アダプターフランジ及びこれに支持されるロータリーカソード53は、上方に持ち上げられることにより天板から取り外されることが可能である。アダプターフランジと天板との間の領域はシール部材(例えばOリング)によってシールされていることが好ましい。 Next, the opening and closing structure of the vacuum chamber 40 will be further described. When the target (target 52 in each of FIGS. 1 and 15, and target 54 of the rotary cathode 53 in each of FIGS. 11, 13, and 16) is placed above the container 10, the vacuum chamber 40 can be configured so that the lid 42 is attached to the upper part of the chamber body 41 via the hinge 43 as shown in FIG. 3 so as to be openable and closable. On the other hand, when the rotary cathode 53 is placed vertically and the target 54 of the rotary cathode 53 is placed inside the container 10 as shown in FIG. 9, the vacuum chamber 40 is configured so that the top plate is removable from the chamber body, which is the part below the top plate. The rotary cathode 53 is fixed to the top plate. By attaching the top plate to the chamber body, the rotary cathode 53 is placed at a predetermined position. Also, in FIG. 9, the top plate does not have to be integral with the chamber body and cannot be removed. In this case, a through hole is formed in the top plate, through which the upper part of the rotary cathode 53 is inserted, and an adapter flange is attached to the upper part of the rotary cathode 53, which is located above the top plate. This adapter flange includes, for example, a power source and its wiring. The adapter flange and the rotary cathode 53 supported by it can be removed from the top plate by lifting them upward. The area between the adapter flange and the top plate is preferably sealed with a sealing member (for example, an O-ring).

次に、内側案内路31Bについてさらに説明する。図2、図4、図8、図12及び図14にそれぞれ示す内側案内路31Bは、上述したように平面視で湾曲した形状(例えば円弧形状)を有し、螺旋搬送路31Aと滑らかに連続している。従って、容器10が振動発生部32の発生部本体321の振動に伴ってねじり振動すると、螺旋搬送路31Aの上端に達した粉体Fは、内側案内路31Bにスムーズに搬入され、搬入された粉体Fは、内側案内路31Bの先端までスムーズに案内される。仮に、直線状に延びる案内路(直線状のシュート)が螺旋搬送路31Aの上部に接続され、螺旋搬送路31Aの上部における螺旋搬送路31Aの接線方向に対して案内路の延びる方向が平面視で直交するような向きに当該案内路が配置されている場合、次のような問題がある。この場合、螺旋搬送路31Aの上部に達した粉体Fは、螺旋搬送路31Aからこれに直交する前記案内路に搬入されるが、搬入された直後の粉体Fの運動方向は、螺旋搬送路31Aの接線方向に沿った方向であり、これに直交する案内路の延びる方向ではない。従って、直線状の案内路に搬入された粉体Fは、螺旋搬送路31Aと案内路との接続部分の近傍で滞留することになり、案内路上の粉体Fの一部が案内路の先端に到達せずに案内路からあふれ出して下方に落下する。その結果、容器10内の粉体Fを均一に攪拌することが難しくなる。 Next, the inner guide path 31B will be further described. The inner guide path 31B shown in each of Figures 2, 4, 8, 12, and 14 has a curved shape (for example, a circular arc shape) in a plan view as described above, and is smoothly continuous with the spiral conveying path 31A. Therefore, when the container 10 is torsionally vibrated with the vibration of the generating unit body 321 of the vibration generating unit 32, the powder F that reaches the upper end of the spiral conveying path 31A is smoothly conveyed into the inner guide path 31B, and the conveyed powder F is smoothly guided to the tip of the inner guide path 31B. If a linear guide path (linear chute) is connected to the upper part of the spiral conveying path 31A and the guide path is arranged so that the extension direction of the guide path is perpendicular to the tangential direction of the spiral conveying path 31A at the upper part of the spiral conveying path 31A in a plan view, the following problem occurs. In this case, the powder F that reaches the top of the spiral conveying path 31A is conveyed from the spiral conveying path 31A to the guide path perpendicular to it, but the direction of movement of the powder F immediately after being conveyed is along the tangent direction of the spiral conveying path 31A, not the direction of the guide path perpendicular to it. Therefore, the powder F conveyed to the linear guide path will stagnate near the connection between the spiral conveying path 31A and the guide path, and some of the powder F on the guide path will overflow the guide path and fall downward without reaching the tip of the guide path. As a result, it becomes difficult to uniformly mix the powder F in the container 10.

具体的には、容器10が上記のようにねじり振動すると、螺旋搬送路31A上の粉体Fには、螺旋搬送路31Aの周方向に沿った方向(例えば螺旋搬送路31Aの接線方向)の運動エネルギーが与えられる。内側案内路31Bは、螺旋搬送路31Aと滑らかに連続する湾曲した形状を有するので、内側案内路31Bに搬入された粉体Fは、容器10から与えられる運動エネルギーによって内側案内路31B上を内側案内路31Bの先端に向かって移動することができる。なお、図2を参照して上述したように、内側案内路31Bは、粉体Fが配置される上面と、この上面の両サイドに位置する一対の縁から上方にそれぞれ起立する一対の側面と、を有するが、一対の側面のうち内側の側面は省略可能である。 Specifically, when the container 10 is torsionally vibrated as described above, the powder F on the spiral conveying path 31A is given kinetic energy in a direction along the circumferential direction of the spiral conveying path 31A (for example, a tangential direction of the spiral conveying path 31A). Since the inner guide path 31B has a curved shape that smoothly continues to the spiral conveying path 31A, the powder F conveyed to the inner guide path 31B can move on the inner guide path 31B toward the tip of the inner guide path 31B by the kinetic energy given from the container 10. As described above with reference to FIG. 2, the inner guide path 31B has an upper surface on which the powder F is placed and a pair of side surfaces that rise upward from a pair of edges located on both sides of the upper surface, but the inner side surface of the pair of side surfaces can be omitted.

また、内側案内路31Bの先端は、容器10の底面13から上方に離れた位置にある。従って、内側案内路31Bの先端まで案内された粉体Fは、容器10の底面13に向かって自由落下するので、容器10内において粉体Fが凝集することが抑制される。真空チャンバ40内の真空中にある粉体Fは大気中にある場合に比べて凝集しやすい傾向にあるが、上記のように内側案内路31Bの先端から容器10の底面13まで自由落下することで、粉体Fの凝集が抑制される。これにより、粉体Fがより均一に攪拌され、粉体Fの成膜状態がより均一になる。 In addition, the tip of the inner guide path 31B is located above and away from the bottom surface 13 of the container 10. Therefore, the powder F guided to the tip of the inner guide path 31B falls freely toward the bottom surface 13 of the container 10, suppressing the agglomeration of the powder F within the container 10. The powder F in the vacuum of the vacuum chamber 40 tends to agglomerate more easily than when it is in the atmosphere, but by free falling from the tip of the inner guide path 31B to the bottom surface 13 of the container 10 as described above, the agglomeration of the powder F is suppressed. This allows the powder F to be stirred more uniformly, resulting in a more uniform film-forming state of the powder F.

粉体Fは、内側案内路31B上を移動する間にも成膜される。内側案内路31Bは成膜源から比較的近いため、内側案内路31B上の粉体Fは効率よく成膜される。仮に、内側案内路が螺旋搬送路31Aの上端から容器10の底面13まで連続するように形成されている場合には、水平面に対する内側案内路の傾きの度合いが大きくなる。このような内側案内路に案内されながら容器10の底面13まで移動する粉体Fのスピードは必然的に増加しやすい。この場合、内側案内路上において粉体Fはまばらに存在することになり、内側案内路の上面のうち粉体Fに覆われておらず露出している部分の割合は大きくなりやすい。このように内側案内路の上面の露出している部分には、成膜源において成膜可能状態になった成膜材料Eが到達して膜が形成される。内側案内路の上面は成膜する必要のない領域であるので、内側案内路の上面に膜が形成されることは、無駄なことであり、好ましいことではない。また、内側案内路に沿って速いスピードで底面に向かって移動する粉体Fは効率よく成膜されにくくなる。そこで、本実施形態に係る粉体成膜装置1では、内側案内路31Bに案内される粉体Fの移動スピードの増加を比較的小さく抑制することが可能なように、水平面に対する内側案内路31Bの傾きの度合いは小さくなるように設定されている。これにより、内側案内路31B上において粉体Fがまばらに存在することが抑制され、また、比較的遅いスピードで内側案内路31B上を移動する粉体Fは効率よく成膜される。また、水平面に対する内側案内路31Bの傾きの度合いを小さくすることで、内側案内路31Bの先端と容器10の底面13との鉛直方向の距離を大きくすることができる。これにより、内側案内路31Bの先端から自由落下した粉体Fが容器10の底面13に到達するまでに落下スピードを増大させやすくなる。これにより、粉体Fの自由落下による粉体Fの攪拌効果をより高めることができる。 The powder F is also formed into a film while moving on the inner guide path 31B. Since the inner guide path 31B is relatively close to the film-forming source, the powder F on the inner guide path 31B is efficiently formed into a film. If the inner guide path is formed so as to continue from the upper end of the spiral conveying path 31A to the bottom surface 13 of the container 10, the degree of inclination of the inner guide path with respect to the horizontal plane becomes large. The speed of the powder F moving to the bottom surface 13 of the container 10 while being guided by such an inner guide path is inevitably likely to increase. In this case, the powder F is sparsely present on the inner guide path, and the proportion of the exposed portion of the upper surface of the inner guide path that is not covered by the powder F tends to increase. In this way, the film-forming material E that has become film-formable in the film-forming source reaches the exposed portion of the upper surface of the inner guide path and forms a film. Since the upper surface of the inner guide path is an area that does not need to be film-formed, it is wasteful and undesirable to form a film on the upper surface of the inner guide path. Also, the powder F moving toward the bottom surface at a high speed along the inner guide path is less likely to be efficiently filmed. Therefore, in the powder film forming device 1 according to this embodiment, the degree of inclination of the inner guide path 31B with respect to the horizontal plane is set to be small so that the increase in the moving speed of the powder F guided by the inner guide path 31B can be suppressed to be relatively small. This suppresses the powder F from being sparsely present on the inner guide path 31B, and the powder F moving on the inner guide path 31B at a relatively slow speed is efficiently filmed. In addition, by reducing the degree of inclination of the inner guide path 31B with respect to the horizontal plane, the vertical distance between the tip of the inner guide path 31B and the bottom surface 13 of the container 10 can be increased. This makes it easier to increase the falling speed of the powder F that has fallen freely from the tip of the inner guide path 31B before it reaches the bottom surface 13 of the container 10. This makes it possible to further enhance the stirring effect of the powder F due to the free fall of the powder F.

内側案内路31Bの先端は、例えば、容器10の内側面14における上下方向の中央よりも上方に位置していることが好ましい。また、内側案内路31Bの先端と容器10の底面13との鉛直方向の距離は、容器10の上端と容器10の底面13との距離の半分よりも大きいことが好ましい。 The tip of the inner guide path 31B is preferably located, for example, above the center in the vertical direction on the inner surface 14 of the container 10. In addition, the vertical distance between the tip of the inner guide path 31B and the bottom surface 13 of the container 10 is preferably greater than half the distance between the upper end of the container 10 and the bottom surface 13 of the container 10.

[その他の変形例]
以上、本開示の実施形態に係る粉体成膜装置1について説明したが、本開示はこれらの形態に限定されるものではなく、例えば以下のような変形例であってもよい。
[Other Modifications]
Although the powder film forming apparatus 1 according to the embodiment of the present disclosure has been described above, the present disclosure is not limited to these embodiments and may be modified as follows, for example.

(1)前記装置本体の粉体移動機構は、振動発生部32を有するものでなくてもよい。例えば、粉体移動機構は、例えばモーターなどの駆動源によって粉体を底面から上方に搬送するような機構を備えるものであってもよい。当該機構としては、例えばベルトコンベアを例示することができる。また、上方搬送経路の内側案内路は省略可能である。また、前記実施形態では、上方搬送経路によって上方に搬送された粉体は自由落下するが、このような形態に限られない。例えば、上方搬送経路によって上方に搬送された粉体は、その位置から底面13に向かって延びて粉体の落下を案内する図略の案内路に沿って底面13に向かって落下してもよい。 (1) The powder moving mechanism of the device body does not have to have a vibration generating unit 32. For example, the powder moving mechanism may be equipped with a mechanism that transports the powder from the bottom surface upward by a driving source such as a motor. An example of such a mechanism is a belt conveyor. The inner guide path of the upper transport path can be omitted. In the above embodiment, the powder transported upward by the upper transport path falls freely, but this is not limited to this form. For example, the powder transported upward by the upper transport path may fall toward the bottom surface 13 along a guide path (not shown) that extends from that position toward the bottom surface 13 and guides the fall of the powder.

(2)容器は、円筒形状に限られず、例えば直方体形状などの他の形状であってもよい。また、容器の底面は、傾斜面を含まなくてもよい。 (2) The container is not limited to a cylindrical shape, and may be another shape, such as a rectangular parallelepiped shape. In addition, the bottom surface of the container does not have to include an inclined surface.

(3)真空雰囲気下でない雰囲気で行われるCVDなどの方法による成膜処理が行われる場合には、真空チャンバは省略可能である。 (3) If the film formation process is performed using a method such as CVD in an atmosphere other than a vacuum atmosphere, the vacuum chamber can be omitted.

(4)成膜処理の方法は、スパッタリング、アークイオンプレーティング、プラズマCVDに限られない。 (4) The method of film formation is not limited to sputtering, arc ion plating, and plasma CVD.

(5)第3の実施形態において、不活性ガス供給部70は省略可能である。 (5) In the third embodiment, the inert gas supply unit 70 can be omitted.

(6)各実施形態において、粉体落下空間Sは、必ずしも容器10の中央部に設けられていなくてもよく、容器10の中央部から水平方向にずれた位置に設けられていてもよい。 (6) In each embodiment, the powder drop space S does not necessarily have to be located in the center of the container 10, but may be located at a position horizontally offset from the center of the container 10.

(7)図13及び図14に示すような螺旋搬送路31A、すなわち、上方に向かうにつれて平面視で容器の中央から次第に遠ざかるような形状を有する螺旋搬送路は、第2の実施形態に係る粉体成膜装置のようにアークイオンプレーティングにより粉体の表面に成膜処理を施す装置において採用されることも可能であり、また、第3の実施形態に係る粉体成膜装置のようにプラズマCVDにより粉体の表面に成膜処理を施す装置において採用されることも可能である。 (7) The spiral conveying path 31A as shown in Figures 13 and 14, i.e., a spiral conveying path having a shape that gradually moves away from the center of the container in a plan view as it moves upward, can be used in an apparatus that applies a film formation process to the surface of powder by arc ion plating, such as the powder coating apparatus of the second embodiment, and can also be used in an apparatus that applies a film formation process to the surface of powder by plasma CVD, such as the powder coating apparatus of the third embodiment.

(8)第1の実施形態の変形例1~3のそれぞれでは、スパッタリングユニット50は、複数のロータリーカソード53を備えるが、このような形態に限られない。スパッタリングユニット50は、少なくとも一つのロータリーカソード53を備えていればよい。スパッタリングユニット50が一つのロータリーカソード53のみを備える場合には、当該ロータリーカソード53は、直流電源に接続される。 (8) In each of the first to third modified examples of the first embodiment, the sputtering unit 50 includes multiple rotary cathodes 53, but is not limited to this configuration. The sputtering unit 50 only needs to include at least one rotary cathode 53. When the sputtering unit 50 includes only one rotary cathode 53, the rotary cathode 53 is connected to a DC power supply.

1 粉体成膜装置
10 容器
13 容器の底面
14 容器の内側面
30 粉体移動機構
31 上方搬送経路
31A 螺旋搬送路
31B 内側案内路
32 振動発生部
40 真空チャンバ
41 チャンバ本体
42 蓋部
50 スパッタリングユニット
50A アークイオンプレーティングユニット
52 ターゲット
53 ロータリーカソード
54 ターゲット
60 プラズマソース
62 原料ガス供給部のパイプ
63 開口部
70 不活性ガス供給部
A 容器の中心軸
E 成膜可能状態となった成膜材料
F 粉体
S 粉体落下空間
1 Powder film forming apparatus 10 Container 13 Bottom surface of container 14 Inner surface of container 30 Powder moving mechanism 31 Upper conveying path 31A Spiral conveying path 31B Inner guide path 32 Vibration generating unit 40 Vacuum chamber 41 Chamber body 42 Lid 50 Sputtering unit 50A Arc ion plating unit 52 Target 53 Rotary cathode 54 Target 60 Plasma source 62 Pipe of raw material gas supply unit 63 Opening 70 Inert gas supply unit A Central axis of container E Film forming material F ready for film formation Powder S Powder falling space

Claims (22)

粉体の表面に成膜処理を施す粉体成膜装置であって、
粉体を配置することが可能な底面を有する容器であって当該容器内において前記底面から上方に連続する空間である粉体落下空間が形成された容器を含む装置本体であり、前記容器の前記底面に配置された粉体を前記容器内でかつ前記粉体落下空間以外の領域において上方に搬送する上方搬送経路が形成され、前記上方搬送経路に沿って上方に搬送された粉体を前記粉体落下空間を通じて前記底面に落下させることが可能なように構成される装置本体と、
成膜材料を粉体の表面に成膜することが可能な成膜可能状態にする成膜源と、を備え、
前記成膜源は、前記容器よりも上方で前記底面に対して上下方向に対向する位置及び前記容器内の少なくとも一方において前記成膜材料を前記成膜可能状態にして、当該成膜可能状態となった前記成膜材料を前記粉体落下空間を通じて前記底面に供給するように構成され、
前記上方搬送経路は、前記底面から螺旋状に上方に延びる螺旋搬送路と、前記螺旋搬送路の上端に搬送された粉体を当該上端よりも前記容器の径方向の内側の領域に案内することが可能なように前記上端から延びる内側案内路と、を含み、
前記内側案内路は、平面視で湾曲した形状を有し、
前記内側案内路の先端は、前記粉体落下空間を挟んで前記容器の前記底面の中央部の上方に位置し、
前記装置本体は、振動発生部をさらに含み、前記振動発生部は、前記容器をその中心軸の上下方向と前記中心軸回りの周方向に振動させることによって前記底面に配置された粉体を前記螺旋搬送路に沿って上方に搬送し、湾曲した形状の前記内側案内路に沿って案内して前記内側案内路の前記先端から落下させるように作動する、粉体成膜装置。
A powder film forming apparatus for performing a film forming process on a surface of a powder, comprising:
an apparatus main body including a container having a bottom surface on which powder can be placed, the container having a powder drop space formed therein, the powder drop space being a space continuing upward from the bottom surface, the apparatus main body being configured such that an upper transport path is formed for transporting powder placed on the bottom surface of the container upward within an area of the container other than the powder drop space, and the powder transported upward along the upper transport path can be dropped onto the bottom surface through the powder drop space;
a film-forming source for making the film-forming material into a film-forming state capable of forming a film on the surface of the powder;
the film formation source is configured to bring the film formation material into the film-formable state at least one of a position above the container and facing the bottom surface in the vertical direction and inside the container, and to supply the film formation material in the film-formable state to the bottom surface through the powder falling space ;
the upper conveying path includes a spiral conveying path extending upward from the bottom surface in a spiral shape, and an inner guide path extending from the upper end so as to guide the powder conveyed to the upper end of the spiral conveying path to a region radially inward of the container relative to the upper end,
The inner guideway has a curved shape in a plan view,
a tip end of the inner guide path is located above the center of the bottom surface of the container across the powder falling space,
The powder deposition apparatus, wherein the apparatus main body further includes a vibration generating unit, and the vibration generating unit operates to vibrate the container in the vertical direction about its central axis and in the circumferential direction around the central axis, thereby transporting the powder placed on the bottom surface upward along the spiral transport path, guiding it along the curved inner guide path, and causing it to fall from the tip of the inner guide path .
粉体の表面に成膜処理を施す粉体成膜装置であって、A powder film forming apparatus for performing a film forming process on a surface of a powder, comprising:
粉体を配置することが可能な底面を有する容器であって当該容器内において前記底面から上方に連続する空間である粉体落下空間が形成された容器を含む装置本体であり、前記容器の前記底面に配置された粉体を前記容器内でかつ前記粉体落下空間以外の領域において上方に搬送する上方搬送経路が形成され、前記上方搬送経路に沿って上方に搬送された粉体を前記粉体落下空間を通じて前記底面に落下させることが可能なように構成される装置本体と、an apparatus main body including a container having a bottom surface on which powder can be placed, the container having a powder drop space formed therein, the powder drop space being a space continuing upward from the bottom surface, the apparatus main body being configured such that an upper transport path is formed for transporting powder placed on the bottom surface of the container upward within an area of the container other than the powder drop space, and the powder transported upward along the upper transport path can be dropped onto the bottom surface through the powder drop space;
成膜材料を粉体の表面に成膜することが可能な成膜可能状態にする成膜源と、を備え、a film-forming source for making the film-forming material into a film-forming state capable of forming a film on the surface of the powder;
前記成膜源は、前記容器よりも上方で前記底面に対して上下方向に対向する位置及び前記容器内の少なくとも一方において前記成膜材料を前記成膜可能状態にして、当該成膜可能状態となった前記成膜材料を前記粉体落下空間を通じて前記底面に供給するように構成され、the film formation source is configured to bring the film formation material into the film-formable state at least one of a position above the container and facing the bottom surface in the vertical direction and inside the container, and to supply the film formation material in the film-formable state to the bottom surface through the powder falling space;
前記上方搬送経路は、前記底面から螺旋状に上方に延びる螺旋搬送路と、前記螺旋搬送路の上部に設けられた第1の案内壁と、この第1の案内壁よりも前記螺旋搬送路における搬送方向上流側の部位に設けられた第2の案内壁と、を含み、the upper conveying path includes a spiral conveying path extending spirally upward from the bottom surface, a first guide wall provided at an upper portion of the spiral conveying path, and a second guide wall provided at a portion of the spiral conveying path upstream of the first guide wall in the conveying direction,
前記第1の案内壁および前記第2の案内壁のそれぞれは、前記螺旋搬送路に沿って上方に搬送される粉体を前記螺旋搬送路よりも前記容器の径方向内側に案内して前記螺旋搬送路から前記底面に向けて落下させることが可能なように構成される、粉体成膜装置。A powder deposition apparatus, wherein each of the first guide wall and the second guide wall is configured to guide powder transported upward along the spiral transport path radially inward of the container further than the spiral transport path so as to cause the powder to fall from the spiral transport path toward the bottom surface.
前記成膜源は、前記上方搬送経路のうちの少なくとも一部にも、前記成膜可能状態となった前記成膜材料を供給するように構成されている、請求項1または2に記載の粉体成膜装置。 The powder film forming apparatus according to claim 1 , wherein the film forming source is configured to supply the film forming material in the film-forming state also to at least a portion of the upper transport path. 記粉体落下空間は、前記螺旋搬送路よりも前記容器の径方向の内側の空間である、請求項1~3の何れか1項に記載の粉体成膜装置。 The powder deposition apparatus according to claim 1 , wherein the powder falling space is a space located radially inside the container relative to the spiral transport path. 前記内側案内路は、当該内側案内路の先端に向かって下方に傾斜する部分を含む、請求項に記載の粉体成膜装置。 The powder deposition apparatus according to claim 1 , wherein the inner guide path includes a portion that slopes downward toward a tip of the inner guide path. 前記容器の前記底面は、前記底面の中央部から前記容器の径方向の外側に向かって下方に傾斜する傾斜面を含み、
前記内側案内路は、前記内側案内路の先端から落下する粉体の少なくとも一部の落下点が前記底面の前記中央部となるように配置されている、請求項1または5に記載の粉体成膜装置。
The bottom surface of the container includes an inclined surface that slopes downward from a center portion of the bottom surface toward an outer side in a radial direction of the container ,
The powder deposition apparatus according to claim 1 or 5 , wherein the inner guide path is disposed so that a drop point of at least a part of the powder dropping from a tip of the inner guide path is the central part of the bottom surface.
前記螺旋搬送路は、上方に向かうにつれて平面視で前記容器の中央から次第に遠ざかるような形状を有する、請求項の何れか1項に記載の粉体成膜装置。 The powder deposition apparatus according to claim 1 , wherein the spiral transport path has a shape that, in a plan view, gradually moves away from a center of the container as it goes upward. 前記粉体成膜装置は、スパッタリングにより粉体の表面に成膜処理を施す装置であり、
前記成膜源は、前記スパッタリングのためのカソードを含み、
前記カソードは、前記粉体落下空間を介して前記底面に対して上下方向に対向する位置に配置される、請求項1~の何れか1項に記載の粉体成膜装置。
The powder film forming apparatus is an apparatus for performing a film forming process on a surface of a powder by sputtering,
the deposition source includes a cathode for the sputtering;
The powder deposition apparatus according to claim 1 , wherein the cathode is disposed at a position vertically opposed to the bottom surface across the powder falling space.
前記粉体成膜装置は、スパッタリングにより粉体の表面に成膜処理を施す装置であり、
前記成膜源は、前記スパッタリングのための少なくとも一つのロータリーカソードを含む、請求項1~の何れか1項に記載の粉体成膜装置。
The powder film forming apparatus is an apparatus for performing a film forming process on a surface of a powder by sputtering,
The powder deposition apparatus according to claim 1 , wherein the deposition source includes at least one rotary cathode for the sputtering.
前記粉体成膜装置は、スパッタリングにより粉体の表面に成膜処理を施す装置であり、
前記成膜源は、前記スパッタリングのための少なくとも一つのロータリーカソードを含み、
前記少なくとも一つのロータリーカソードは、円筒形状のターゲットを含み、
前記ターゲットは、前記ターゲットの中心軸が上下方向に向くような姿勢で配置されるとともに前記ターゲットの少なくとも一部が前記螺旋搬送路に対して水平方向に対向するように配置されている、請求項の何れか1項に記載の粉体成膜装置。
The powder film forming apparatus is an apparatus for performing a film forming process on a surface of a powder by sputtering,
the deposition source includes at least one rotary cathode for the sputtering;
the at least one rotary cathode includes a cylindrical target;
The powder deposition apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the target is arranged in such a manner that a central axis of the target faces in a vertical direction and at least a portion of the target faces the spiral transport path in a horizontal direction.
前記粉体成膜装置は、アークイオンプレーティングにより粉体の表面に成膜処理を施す装置であり、
前記成膜源は、前記アークイオンプレーティングのためのカソードを含み、
前記カソードは、前記粉体落下空間を介して前記底面に対して上下方向に対向する位置に配置される、請求項1~の何れか1項に記載の粉体成膜装置。
The powder film forming apparatus is an apparatus for performing a film forming process on a surface of a powder by arc ion plating,
the deposition source includes a cathode for the arc ion plating;
The powder deposition apparatus according to claim 1 , wherein the cathode is disposed at a position vertically opposed to the bottom surface across the powder falling space.
前記底面のうち平面視で前記粉体落下空間に重なる領域は、平面視で当該領域の範囲内に前記カソードが包含されるような大きさを有する、請求項又は11に記載の粉体成膜装置。 12. The powder deposition apparatus according to claim 8, wherein an area of the bottom surface overlapping with the powder falling space in a plan view has a size such that the cathode is included within the area in a plan view. 前記粉体成膜装置は、プラズマCVDにより粉体の表面に成膜処理を施す装置であり、
前記成膜源は、原料ガスを前記成膜可能状態にするためのプラズマソースを含み、
前記プラズマソースは、前記粉体落下空間を介して前記底面に対して上下方向に対向する位置に配置される、請求項1~の何れか1項に記載の粉体成膜装置。
The powder film forming apparatus is an apparatus for performing a film forming process on a surface of a powder by plasma CVD,
the film formation source includes a plasma source for bringing a raw material gas into the film formation state,
The powder deposition apparatus according to claim 1 , wherein the plasma source is disposed at a position vertically opposed to the bottom surface across the powder falling space.
前記プラズマソースによる作用が及ぶ領域に前記原料ガスを供給する原料ガス供給部をさらに備える、請求項13に記載の粉体成膜装置。 The powder deposition apparatus according to claim 13 , further comprising a source gas supply unit that supplies the source gas to a region affected by the plasma source. 前記プラズマソースは、前記プラズマソースの下部に形成され、前記プラズマソースの内部で生成されたプラズマを前記プラズマソースの外部に放出するために設けられた開口部を有する、請求項14に記載の粉体成膜装置。 15. The powder deposition apparatus according to claim 14 , wherein the plasma source has an opening formed in a lower portion of the plasma source and provided for discharging the plasma generated inside the plasma source to the outside of the plasma source. 前記原料ガス供給部は、平面視で前記プラズマソースの前記開口部を囲むように環状に配置されたパイプを有し、前記パイプに形成されたガス供給穴から前記原料ガスを前記プラズマソースの下方に供給することが可能なように構成される、請求項15に記載の粉体成膜装置。 16. The powder deposition apparatus according to claim 15, wherein the raw material gas supply unit has a pipe arranged in a ring shape so as to surround the opening of the plasma source in a plan view, and is configured so as to be able to supply the raw material gas below the plasma source from a gas supply hole formed in the pipe . 前記底面のうち平面視で前記粉体落下空間に重なる領域は、平面視で当該領域の範囲内に前記プラズマソースの前記開口部が包含されるような大きさを有する、請求項15又は16に記載の粉体成膜装置。 17. The powder deposition apparatus according to claim 15 , wherein an area of the bottom surface overlapping with the powder falling space in a plan view has a size such that the opening of the plasma source is included within the area in a plan view. 前記成膜可能状態となった前記原料ガスが前記粉体落下空間において前記底面に向かって案内されるように前記容器内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部をさらに備える、請求項1317の何れか1項に記載の粉体成膜装置。 The powder deposition apparatus according to any one of claims 13 to 17 , further comprising an inert gas supply unit that supplies an inert gas into the container so that the raw material gas in the film-forming state is guided toward the bottom surface in the powder falling space. 前記容器を収容する真空チャンバをさらに備え、
前記容器は、上向きに開放された形状を有し、
前記真空チャンバ内において前記容器の上方及び前記容器内の少なくとも一方で前記成膜材料が前記成膜可能状態にされる、請求項1~18の何れか1項に記載の粉体成膜装置。
a vacuum chamber for housing the container;
The container has an upwardly opening shape,
The powder film forming apparatus according to claim 1 , wherein the film forming material is brought into the film-forming state at least one of above the container and inside the container in the vacuum chamber.
前記真空チャンバは、
前記容器を収容する内部空間を形成し、上向きに開放されたチャンバ本体と、
前記チャンバ本体の上部に開閉可能に取り付けられた蓋部と、を有する、請求項19に記載の粉体成膜装置。
The vacuum chamber comprises:
a chamber body that defines an internal space for accommodating the container and is open upward;
The powder deposition apparatus according to claim 19 , further comprising: a lid portion attached to an upper portion of the chamber body in an openable and closable manner.
前記容器を収容する真空チャンバをさらに備え、
記振動発生部は、振動を発生させる発生部本体と、前記発生部本体と前記容器とを連結するシャフトと、を含み、
前記発生部本体は、前記真空チャンバの外に配置されている、請求項1に記載の粉体成膜装置。
a vacuum chamber for housing the container;
The vibration generating unit includes a generating unit body that generates vibrations, and a shaft that connects the generating unit body and the container,
The powder deposition apparatus according to claim 1 , wherein the generation unit body is disposed outside the vacuum chamber.
請求項1~21の何れか1項に記載の粉体成膜装置を使用して、粉体の表面に成膜処理を施す粉体成膜方法であって、
前記容器内に粉体を配置することと、
前記容器内の粉体を前記上方搬送経路に沿って搬送し、上方に搬送された粉体を前記粉体落下空間を通じて前記底面に落下させることと、
前記成膜可能状態となった前記成膜材料を粉体の表面に成膜することと、を備える粉体成膜方法。
A powder film-forming method for performing a film-forming process on a surface of a powder by using the powder film-forming apparatus according to any one of claims 1 to 21 , comprising:
placing a powder in the container;
conveying the powder in the container along the upward conveying path, and allowing the powder conveyed upward to fall onto the bottom surface through the powder falling space;
and forming a film on a surface of powder using the film-forming material that has become capable of forming a film.
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