JP7682765B2 - 半導体製造テープ用基材フィルム - Google Patents

Description

本発明は、半導体製造テープ用基材フィルム（以下、単に「基材フィルム」という場合がある。）に関する。

ＩＣチップ等の半導体デバイスの製造方法としては、例えば、略円板形状の半導体ウエハ上に回路が形成されたウエハ回路を、ウエハ用の半導体製造テープ（ダイシングテープ）上でダイシングにより分割し、個々の半導体デバイスを得る方法が広く用いられている。そして、ダイシング後は、例えば、ダイシングテープを引き延ばして半導体デバイス間に隙間を形成した（すなわち、エキスパンド）後、各半導体デバイスがロボット等でピックアップされる。

また、ウエハ用の半導体製造テープとして、上述のダイシングテープの粘着層上に接着層が積層されたダイシング・ダイアタッチフィルム（ＤＤＡＦ）が使用されており、ダイシング・ダイアタッチフィルム上でウエハ回路をダイシングにより分割後、ダイシング・ダイアタッチフィルムを引き延ばして半導体デバイス間に隙間を形成し、その後、粘着層を光硬化させて、接着層が接着された状態で半導体デバイスが粘着層から剥離されてピックアップされる。

ダイシングテープやダイシング・ダイアタッチフィルムは、一般に、ウエハを固定する粘着層とポリオレフィン等を含有する基材フィルムにより構成されており、例えば、基材フィルムが、プロピレン及び／又は１－ブテン成分の含有率が５０重量％以上の非晶質ポリオレフィンを３０～１００重量％と、結晶性ポリプロピレン系樹脂を０～７０重量％と、ポリエチレン系樹脂を０～７０重量％含有するポリオレフィン層（中間層）と、当該ポリオレフィン層の両面に積層され、低密度ポリエチレンなどのポリエチレン系樹脂により形成されたポリエチレン系樹脂層（表面層）との積層体により構成された基材フィルムを備えたダイシングテープが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

また、エチレン、プロピレン、１－ブテンからなる群から選ばれる少なくとも１成分を４０質量％以上含有する非晶質ポリオレフィンを含む中間層と、当該中間層の両面に積層され、結晶性ポリエチレンを主成分とする表面層との積層体により構成された基材フィルムが提案されている（例えば、特許文献２参照）。

また、プロピレンとエチレン及び／又は炭素数４～８のα－オレフィンとのランダム共重合体であって、エチレン及び／又は炭素数４～８のα－オレフィンの含有量が６重量％以上、ＡＳＴＭ Ｄ１５０５に準拠して測定される密度が８８５ｋｇ／ｍ^３以下のプロピレン系ランダム共重合体（β）を主成分とする中間層と、当該中間層の両面に積層され、プロピレン系ランダム共重合体（β）より、エチレン及び／又は炭素数４～８のα－オレフィンの含有量が少なく、密度が高いプロピレン系ランダム共重合体（α）を主成分とする表面層との積層体により構成された基材フィルムが提案されている（例えば、特許文献３参照）。

特開平１１－３２３２７３号公報 特開２００１－２３２６８３号公報 特開２０１８－６５３２７号公報

しかし、上記特許文献１に記載の基材フィルムにおいては、非晶性のブテンコポリマーに対して、結晶性のランダムポリプロピレンを同量以上添加しているため、基材フィルムを伸長する際にネッキングが発生し、基材フィルムの均一伸長性（均一なエキスパンド性）が不十分であるという問題があった。また、低粘度のブテンコポリマーを使用しているため、基材フィルムを成形する際のドローレゾナンスなどの吐出変動による厚みの変動が大きくなり、基材フィルムの加工安定性が不十分であるという問題があった。

また、上記特許文献２に記載の基材フィルムにおいては、基材フィルムの剛性が不十分であるため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが不安定となるという問題があった。

また、上記特許文献３に記載の基材フィルムにおいては、非晶性ではなく半晶性の樹脂を用いているため、基材フィルムを成形する際にネッキングが発生し、基材フィルムの均一伸長性が不十分であるという問題があった。また、基材フィルムの剛性が不十分であるため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが不安定となるという問題があった。また、基材フィルムの表面が高粘着性であるため、基材フィルムを搬送する際に基材フィルムが搬送ロールへ粘着して、基材フィルムの搬送と巻き取りが困難になるとともに、基材フィルムの巻き取りを行う際のブロッキングが発生し、加工安定性が不十分であるという問題があった。

そこで、本発明は、上記問題を鑑みてなされたものであり、均一伸長性と剛性と加工安定性に優れた半導体製造テープ用基材フィルムを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の半導体製造テープ用基材フィルムは、１－ブテンのホモポリマーと、密度が０．９３ｇ／ｃｍ^３以下である低密度ポリエチレンを含み、１－ブテンのホモポリマーと低密度ポリエチレンとの質量比が、１－ブテンのホモポリマー：低密度ポリエチレン＝１０：９０～７０：３０であることを特徴とする。

本発明によれば、均一伸長性と剛性と加工安定性に優れた半導体製造テープ用基材フィルムを提供することが可能になる。

実施例１の基材フィルムにおけるＭＤのＳ－Ｓカーブ（応力－歪曲線）である。 実施例１の基材フィルムにおけるＴＤのＳ－Ｓカーブ（応力－歪曲線）である。

以下、本発明の半導体製造テープ用基材フィルムについて具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において、適宜変更して適用することができる。

本発明の基材フィルムは、ポリオレフィン系樹脂により形成されたフィルムであり、１－ブテンのホモポリマーと、密度が０．９３ｇ／ｃｍ^３以下である低密度ポリエチレンを含んでいる。

＜１－ブテンのホモポリマー＞
本発明においては、ポリブテンとして、１－ブテンを単独で重合したホモポリマーが使用される。この１－ブテンのホモポリマーは、高分子量であって嵩高い側鎖を有しており、この嵩高い側鎖による強い分子間力により、結晶性高分子であるにも関わらず、非晶性の場合と同様に、基材フィルムの均一伸長性を向上させることができる。

また、本実施形態で使用する１－ブテンのホモポリマーは、重量平均分子量（Ｍｗ）が約５０万～１５０万のものを使用することができる。

なお、上記「重量平均分子量」とは、ＪＩＳ Ｋ ７２５２－１：２０１６に準拠して算出されるものを言う。

そして、本発明で使用する１－ブテンのホモポリマーは高分子量であるため、表面粘着性が低く、表面層として使用することができ、また、非晶性ポリオレフィンに比し、剛性が高いため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが可能な高い剛性を有する基材フィルムを提供することができる。

また、本発明で使用する１－ブテンのホモポリマーは、高分子量であるにも関わらず、汎用の押出機で成形が可能であり、高分子量成分によりフィルムの表面粘着性が低いため、基材フィルムを搬送する際の搬送ロールへの粘着を抑制することができるとともに、基材フィルムの巻き取りを行う際のブロッキング、及び基材フィルムを成形する際のドローレゾナンスを抑制することができ、基材フィルムの加工安定性を向上させることができる。

以上より、基材フィルムを形成する樹脂として、１－ブテンのホモポリマーを使用することにより、基材フィルムの均一伸長性と剛性と加工安定性を向上させることができる。

＜低密度ポリエチレン＞
本発明においては、低密度ポリエチレンの密度は、０．９３０ｇ／ｃｍ^３以下である。密度が０．９３０ｇ／ｃｍ^３以下の場合は、結晶化度の過度な上昇を抑制して柔軟性が向上するため、基材フィルムの等方性を向上させることができる。なお、密度が０．９３０ｇ／ｃｍ^３よりも大きい場合は、結晶化度が過度に上昇するため、等方性が低下する場合があり、また、剛性が大きくなり過ぎるため、半導体デバイスのピックアップ性が低下し、半導体デバイスが破損する場合がある。

また、加工安定性を向上させるとの観点から、低密度ポリエチレンの密度は、０．８６０ｇ／ｃｍ^３以上であることが好ましく、０．８８０ｇ／ｃｍ^３以上であることがより好ましい。

また、直鎖状低密度ポリエチレンは、高密度ポリエチレンの直鎖構造に側鎖分岐を有しているため、高密度ポリエチレンと比較して、結晶化度が高くなり過ぎず、柔軟性に優れている。

なお、強度の点から、メタロセン系触媒またはチグラー触媒を用いて製造された直鎖状低密度ポリエチレンを使用してもよい。

また、直鎖状低密度ポリエチレンのメルトマスフローレート（ＭＦＲ）は、０．５～７．５ｇ／１０分であることが好ましく、１．０～６．０ｇ／１０分がより好ましく、２．０～５．０ｇ／１０分がさらに好ましい。メルトマスフローレート（ＭＦＲ）が０．５ｇ／１０分以上の場合は、分子量が大き過ぎず、柔軟性と加工性を向上させることができるためであり、７．５ｇ／１０分以下の場合は、分子量が小さ過ぎず、加工安定性を向上させることができるためである。

なお、上記のメルトマスフローレートは、ＪＩＳ Ｋ７２１０：１９９９の規定に準拠して測定することで得られる。

以上より、基材フィルムを形成する樹脂として、密度が０．９３ｇ／ｃｍ^３以下である低密度ポリエチレンを使用することにより、基材フィルムの柔軟性と等方性を向上させることができる。

＜基材フィルム＞
本発明の基材フィルムにおける１－ブテンのホモポリマーと低密度ポリエチレンとの質量比は、１－ブテンのホモポリマー：低密度ポリエチレン＝１０：９０～７０：３０の範囲である。そして、１－ブテンのホモポリマーと低密度ポリエチレンとの質量比を、この範囲に設定することにより、基材フィルムを成形する際のネッキングの発生を防止して、均一なエキスパンドが可能になるとともに、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが可能になる。さらに、基材フィルムの巻き取りを行う際のブロッキングの発生と、基材フィルムを成形する際のドローレゾナンスによる厚みの変動を防止することが可能になる。従って、均一伸長性と剛性と加工安定性に優れた基材フィルムを提供することが可能になる。

また、本発明の基材フィルムにおいては、基材フィルムの均一伸長性をより一層向上させるとの観点から、基材フィルムの機械軸（長手）方向（以下、「ＭＤ」という。）及び、これと直交する方向（以下、「ＴＤ」という。）において、応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比（すなわち、基材フィルムの伸び率）が、１以上２以下であることが好ましく、１．０５以上１．８以下がより好ましく、１．１以上１．７以下がさらに好ましい。基材フィルムの伸び率が２よりも大きい場合は、過剰な応力増大に伴い、エキスパンドリングの保持が困難になる場合があり、基材フィルムの伸び率が１未満の場合は、ネッキングが発生して、均一なエキスパンドが困難になる場合がある。

また、ＭＤ、及びＴＤにおける応力（２５％伸長時）が５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であることが好ましく、６ＭＰａ以上１５ＭＰａ以下がより好ましく、７ＭＰａ以上１３ＭＰａ以下がさらに好ましい。応力が２０ＭＰａよりも大きい場合は、剛性が大きくなり過ぎるため、半導体デバイスのピックアップ性が低下し、半導体デバイスが破損する場合があり、応力が５ＭＰａ未満の場合は、剛性が低くなるため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが困難になるとともに、粘着剤の塗工性が低下する場合がある。

また、エキスパンド時における基材フィルムの等方性により、弛みの発生を抑制するとの観点から、ＴＤにおける応力（２５％伸長時）に対するＭＤにおける応力（２５％伸長時）の比（すなわち、２５％伸長時における基材フィルムの応力比）が、０．８以上１．３以下であることが好ましく、０．８５以上１．１５以下がより好ましく、０．９以上１．１以下がさらに好ましい。

なお、上記「応力」とは、ＪＩＳ Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して測定される応力のことを言う。

基材フィルムの厚みは、５０～３００μｍが好ましく、８０～１５０μｍがより好ましい。基材フィルムの厚みが５０μｍ以上であれば、ハンドリング性が向上し、厚みが３００μｍ以下であれば、柔軟性（エキスパンド性）を向上させることができる。なお、ウエハ用の基材フィルムの場合は、基材フィルムの厚みが５０～１５０μｍが好ましく、７０～１００μｍがより好ましい。

＜製造方法＞
本発明の基材フィルムは、上述の１－ブテンのホモポリマーと、密度が０．９３ｇ／ｃｍ^３以下である低密度ポリエチレンとを含有する樹脂材料を用いて、例えば、Ｔダイを備える押出機により、所定の温度で上記樹脂材料を押し出して成形することにより製造される。なお、公知のカレンダー法やインフレーション法により、本発明の基材フィルムを製造してもよい。

＜他の形態＞
本発明の基材フィルムには、各種添加剤が含有されていてもよい。添加剤としては、半導体製造テープに通常用いられる公知の添加剤を用いることができ、例えば、架橋助剤、帯電防止剤、熱安定剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、滑剤、アンチブロッキング剤、着色剤等が挙げられる。なお、これらの添加剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

また、架橋助剤としては、例えば、トリアリルイソシアヌレート等が挙げられ、基材フィルムが架橋助剤を含有する場合、基材フィルム中の架橋助剤の含有量は、基材フィルムを形成する樹脂１００質量部に対して、０．０５～５質量部が好ましく、１～３質量部がより好ましい。

以下に、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではなく、これらの実施例を本発明の趣旨に基づいて変形、変更することが可能であり、それらを本発明の範囲から除外するものではない。

基材フィルムの作製に使用した材料を以下に示す。
（１）ＬＬＤＰＥ－１：直鎖状低密度ポリエチレン、融点：１２０℃、密度：０．９１３ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ：２．０ｇ／１０分
（２）ＬＬＤＰＥ－２：直鎖状低密度ポリエチレン、融点：１０８℃、密度：０．９２１ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ：２．５ｇ／１０分
（３）ＬＬＤＰＥ－３：直鎖状低密度ポリエチレン、融点：９３℃、密度：０．９０３ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ：２．０ｇ／１０分
（４）ＬＬＤＰＥ－４：直鎖状低密度ポリエチレン、融点：１２４℃、密度：０．９３６ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ：２．０ｇ／１０分
（５）ＬＬＤＰＥ－５：直鎖状低密度ポリエチレン、密度：０．９２３ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ：０．５ｇ／１０分（プリムポリマー社製、商品名：ウルトゼックス（登録商標） ２００５ＨＣ）
（６）ＬＤＰＥ－１：低密度ポリエチレン、融点：１０８℃、密度：０．９１８ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ：７．５ｇ／１０分（宇部丸善ＰＥ社製、商品名：ＵＢＥポリエチレン Ｌ７１９）
（７）ＬＤＰＥ－２：低密度ポリエチレン、融点：１１０℃、密度：０．９２２ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ：５．０ｇ／１０分（宇部丸善ＰＥ社製、商品名：ＵＢＥポリエチレン Ｆ５２２Ｎ）
（８）ＰＰエラストマー１：プロピレン系エラストマー、密度：０．８８９ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ：８．０ｇ／１０分（２３０℃）、ポリエチレン含有率４％（エクソン社製、商品名：ビスタマックス（登録商標） ３５８８ＦＬ）
（９）ＰＰエラストマー２：プロピレン系エラストマー、密度：０．８６２ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ：３．０ｇ／１０分（２３０℃）、ポリエチレン含有率：１６％（エクソン社製、商品名：ビスタマックス（登録商標） ６１０２ＦＬ）
（１０）非晶質ポリオレフィン＋結晶性ポリプロピレン（１－ブテン・プロピレン共重合体：結晶性ポリプロピレン＝５０：５０）：密度：０．８８０ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ：１１．７ｇ／１０分（大日精化社製、商品名：ペリコン ＣＡＰ３５０Ｓ）
（１１）１－Ｂｕ：１－ブテンのホモポリマー、融点：１２８℃、密度：０．９２０ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ：０．５ｇ／１０分

（実施例１）
＜基材フィルムの作製＞
まず、表１に示す各材料をブレンドして、表１に示す組成（質量部）を有する実施例１の樹脂材料を用意した。次に、この樹脂材料を、三種三層の共押出機を用いて、Ｔダイスにより、ダイス温度が１８０～２００℃、チルロール温度が４０℃の条件で押出すことにより、表１の厚みを有する基材フィルムを得た。

＜降伏点の有無の評価＞
作製した基材フィルムを用いて、ＪＩＳ Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して、測定用のサンプルを得た。次に、得られた測定用サンプルを、つかみ具間が４０ｍｍとなるように引張試験機（島津製作所社製，商品名：ＡＧ－５０００Ａ）にセットし、ＪＩＳ Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して、温度が２３℃、相対湿度が４０％の環境下において、３００ｍｍ／分の引張速度で引張試験を行った。

そして、ＭＤ，及びＴＤのＳ－Ｓカーブ（応力－歪曲線）において、伸長割合が０％から１００％まで伸長する間に降伏点が確認されなかったもの（ネッキングが発生せず、均一なエキスパンドが可能なもの）を〇とし、降伏点が確認されたもの（ネッキングが発生し、均一なエキスパンドが不可能なもの）を×とした。以上の結果を表１に示す。

なお、本実施例の基材フィルムにおけるＭＤ及びＴＤのＳ－Ｓカーブ（応力－歪曲線）を図１～図２に示す。図１～図２に示すように、ＭＤ、及びＴＤのＳ－Ｓカーブ（応力－歪曲線）において、伸長割合が０％から１００％まで伸長する間に降伏点を有していないことが分かる。

＜ＭＤ、及びＴＤにおける応力の測定＞
作製した基材フィルムを用いて、ＪＩＳ Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して、測定用のサンプルを得た。次に、得られた測定用サンプルを、つかみ具間が４０ｍｍとなるように引張試験機（島津製作所社製，商品名：ＡＧ－５０００Ａ）にセットし、ＪＩＳ Ｋ７１６１－２：２０１４に準拠して、温度が２３℃、相対湿度が４０％の環境下において、引張速度３００ｍｍ／分にて引張試験を行った。

そして、基材フィルムのＭＤ、及びＴＤにおける、２５％伸長時の応力（２５％応力）を測定するとともに、ＴＤにおける応力（２５％伸長時）に対するＭＤにおける応力（２５％伸長時）の比（すなわち、２５％伸長時における基材フィルムの応力比）を算出した。以上の結果を表１に示す。

また、同様に、基材フィルムのＭＤ、及びＴＤにおける、２０％伸長時の応力（２０％応力）と４０％伸長時の応力（４０％応力）を測定するとともに、ＭＤにおける、応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比（すなわち、ＭＤにおける基材フィルムの伸び率）と、ＴＤにおける、応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比（すなわち、ＴＤにおける基材フィルムの伸び率）を算出した。以上の結果を表１に示す。

＜剛性評価＞
作製した基材フィルムを用いて、剛性を評価した。より具体的には、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが可能な場合を〇（基材フィルムの剛性が優れている）とし、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが不安定な場合を×（基材フィルムの剛性が乏しい）とした。以上の結果を表１に示す。

＜加工安定性評価＞
作製した基材フィルムを用いて、加工安定性を評価した。より具体的には、基材フィルムを搬送する際の搬送ロールへの粘着を抑制することができるとともに、基材フィルムの巻き取りを行う際のブロッキング、及び基材フィルムを成形する際のドローレゾナンスによる厚みの変動を防止することが可能な場合を〇（基材フィルムの加工安定性が優れている）とし、基材フィルムを搬送する際に基材フィルムが搬送ロールへ粘着し、基材フィルムの搬送と巻き取りが困難な場合、または基材フィルムを成形する際のドローレゾナンスによる厚みの変動が大きい場合を×（基材フィルムの加工安定性が乏しい）とした。以上の結果を表１に示す。

（実施例２～９、比較例１～３）
樹脂成分の組成を表１～２に示す組成（質量部）に変更したこと以外は、上述の実施例１と同様にして、表１～２に示す厚みを有する基材フィルムを作製した。

そして、上述の実施例１と同様にして、降伏点の有無の評価、ＭＤ、及びＴＤにおける応力の測定、剛性評価、及び加工安定性評価を行った。以上の結果を表１～２に示す。

（比較例４～６）
まず、各比較例において、表３に示す各材料をブレンドして、表３に示す組成（質量部）を有する表面層形成用の樹脂材料と中間層形成用の樹脂材料とを用意した。

次に、Ｔダイを備える三種三層用の共押出機を用い、表面層形成用の樹脂材料および中間層形成用の樹脂材料を１８０～２００℃、チルロール温度が４０℃の条件で同時に押し出して成形することにより、表３の厚みを有する（すなわち、基材フィルム全体に対する中間層の比率が８０％である）とともに、表面層／中間層／表面層の順に積層された３層構造を有する基材フィルムを得た。

そして、上述の実施例１と同様にして、降伏点の有無の評価、ＭＤ、及びＴＤにおける応力の測定、剛性評価、及び加工安定性評価を行った。以上の結果を表３に示す。

表１に示すように、１－ブテンのホモポリマーと、密度が０．９３ｇ／ｃｍ^３以下である低密度ポリエチレンを含み、１－ブテンのホモポリマーと低密度ポリエチレンとの質量比が、１－ブテンのホモポリマー：低密度ポリエチレン＝１０：９０～７０：３０である実施例１～９の基材フィルムにおいては、降伏点が確認されておらず、均一伸長性に優れるとともに、剛性と加工安定性に優れていることが分かる。

一方、表２に示すように、比較例１の基材フィルムにおいては、１－ブテンのホモポリマーと低密度ポリエチレンとの質量比が、１－ブテンのホモポリマー：低密度ポリエチレン＝８０：２０であり、１－ブテンホモポリマーの含有量が多いため、降伏点が確認されるとともに、ＴＤにおいて、応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比が１未満であり、均一伸長性に乏しいことが分かる。

また、表２に示すように、比較例２の基材フィルムにおいては、１－ブテンのホモポリマーが含まれていないため、降伏点が確認され、均一伸長性に乏しく、また、加工安定性も乏しいことが分かる。

また、表２に示すように、比較例３の基材フィルムにおいては、低密度ポリエチレンの密度が０．９３ｇ／ｃｍ^３よりも大きい（０．９３６ｇ／ｃｍ^３である）ため、降伏点が確認されるとともに、ＴＤにおいて、応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比が１未満であり、均一伸長性に乏しいことが分かる。

また、表３に示すように、比較例４の基材フィルムにおいては、１－ブテンのホモポリマーが含まれていないため、降伏点が確認され、均一伸長性に乏しいことが分かる。また、ＴＤにおける応力（２５％伸長時）に対するＭＤにおける応力（２５％伸長時）の比が１．３よりも大きいため、等方性に乏しいことが分かる。また、低粘度のブテンコポリマーを使用しているため、基材フィルムを成形する際にドローレゾナンスによる厚みの変動が大きくなり、加工安定性に乏しいことが分かる。

また、表３に示すように、比較例５の基材フィルムにおいては、１－ブテンのホモポリマーが含まれておらず、また、ＴＤにおける応力（２５％伸長時）が５ＭＰａ未満であるため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが不安定となり、剛性に乏しいことが分かる。

また、表３に示すように、比較例６の基材フィルムにおいては、１－ブテンのホモポリマーが含まれておらず、ＭＤ、及びＴＤにおいて、応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比が１未満であるため、降伏点が確認され、均一伸長性に乏しいことが分かる。また、ＭＤ、及びＴＤにおける応力（２５％伸長時）が５ＭＰａ未満であるため、基材フィルムの製造工程において、基材の巻き出しが不安定となり、剛性に乏しいことが分かる。また、フィルムの表面が高粘着性であるため、基材フィルムを搬送する際に基材フィルムが搬送ロールへ粘着し、基材フィルムの搬送と巻き取りが困難になり、加工安定性に乏しいことが分かる。

以上説明したように、本発明は、半導体製造テープ用基材フィルムに適している。

Claims (3)

1. １－ブテンのホモポリマーと、
   密度が０．９３ｇ／ｃｍ^３以下である低密度ポリエチレンを含み、
   前記１－ブテンのホモポリマーと前記低密度ポリエチレンとの質量比が、１－ブテンのホモポリマー：低密度ポリエチレン＝１０：９０～７０：３０であり、
   前記低密度ポリエチレンが直鎖状低密度ポリエチレンであり、
   前記直鎖状低密度ポリエチレンのメルトマスフローレート（ＭＦＲ）が１．０～６．０ｇ／１０分であり、
   応力（２５％伸長時）が５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であることを特徴とする半導体製造テープ用基材フィルム。
2. 応力（２０％伸長時）に対する応力（４０％伸長時）の比が、１以上２以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造テープ用基材フィルム。
3. ＴＤにおける応力（２５％伸長時）に対するＭＤにおける応力（２５％伸長時）の比が、０．８以上１．３以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体製造テープ用基材フィルム。