JP7689431B2

JP7689431B2 - 太陽電池および太陽電池の製造方法

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Publication number: JP7689431B2
Application number: JP2021029456A
Authority: JP
Inventors: 貴久藤本; 大輔足立
Original assignee: Kaneka Corp
Current assignee: Kaneka Corp
Priority date: 2021-02-26
Filing date: 2021-02-26
Publication date: 2025-06-06
Anticipated expiration: 2041-02-26
Also published as: JP2022130823A

Description

本発明は、裏面接合型（バックコンタクト型）の太陽電池およびその太陽電池の製造方法に関する。

結晶質シリコン基板を用いたヘテロ接合型の太陽電池として、受光面側と反対側の裏面側にｐ型シリコン薄膜およびｎ型シリコン薄膜が形成された裏面接合型の太陽電池が知られている。この裏面接合型の太陽電池では、受光面側に金属電極が存在しないため、受光面側が一様に黒色であり、意匠性が高い。特許文献１には、裏面接合型の太陽電池が開示されている。

特許文献１に記載の太陽電池は、結晶質シリコン基板と、基板の裏面側の一部に順に製膜された第１真性非晶質シリコン薄膜および第１導電型非晶質シリコン薄膜（以下、第１シリコン薄膜ともいう。）、および第１電極と、基板の裏面側の他の一部に順に製膜された第２真性非晶質シリコン薄膜および第２導電型非晶質シリコン薄膜（以下、第２シリコン薄膜ともいう。）、および第２電極とを備える。また、この太陽電池は、基板の受光面側に順に製膜された第３真性非晶質シリコン薄膜（以下、第３シリコン薄膜またはパッシベーション薄膜ともいう。）および光学調整用シリコン化合物薄膜を備える。

特開２０１４－７５５２６号公報

一般に、第１シリコン薄膜のパターニング（１回目のパターニング）および第２シリコン薄膜のパターニング（２回目のパターニング）において、真空チャンバを用いた例えばＣＶＤ法（化学気相堆積法）またはＰＶＤ法（物理気相堆積法）を用いてシリコン薄膜を製膜した後、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング法が用いられる。しかし、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング法では、例えばスピンコート法によるフォトレジスト塗布、フォトレジスト乾燥、フォトレジスト露光、フォトレジスト現像、フォトレジストをマスクとして用いた非晶質シリコン薄膜のエッチング、およびフォトレジスト剥離のプロセスが必要であり、プロセスが複雑である。

この点に関し、特許文献１には、２回目のパターニングにおいて、リフトオフ薄膜（犠牲薄膜）を用いたリフトオフ法により、パターニングのプロセスの簡略化を図る技術が記載されている。

ここで、真空チャンバを用いた例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法では、裏面側のシリコン薄膜の製膜時、受光面側の周縁部にも裏面側のシリコン薄膜が回り込んで製膜されてしまうことがある。これにより、受光面側の周縁部に、白いスジ状にみえる白スジが生じてしまうことがある。

このような受光面側の周縁部の白スジは、特に特許文献１に記載のようにリフトオフ法を用いる場合に顕著に生じる。詳説すれば、屈折率が異なる非晶質シリコン薄膜とリフトオフ薄膜のようなシリコン化合物薄膜とが交互に重なる場合に、白スジが顕著に生じる。

本発明は、受光面側の周縁部に生じる白スジを低減する太陽電池および太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る太陽電池は、結晶質シリコン基板と、前記基板の受光面側と反対側の裏面側の一部に順に製膜された第１導電型非晶質シリコン薄膜と、前記基板の前記裏面側の他の一部に順に製膜された第２導電型非晶質シリコン薄膜とを備える裏面接合型の太陽電池である。前記基板の前記受光面側の中央部には、パッシベーション薄膜および光学調整用シリコン化合物薄膜が順に製膜されている。前記基板の前記受光面側の周縁部には、前記光学調整用シリコン化合物薄膜が製膜されている。前記基板の前記受光面側の前記周縁部において、前記基板と前記光学調整用シリコン化合物薄膜との間には、前記パッシベーション薄膜、前記第１導電型非晶質シリコン薄膜、および、前記光学調整用シリコン化合物薄膜以外のシリコン化合物薄膜が積層されていない。

本発明に係る別の太陽電池は、結晶質シリコン基板と、前記基板の受光面側と反対側の裏面側の一部に順に製膜された第１真性非晶質シリコン薄膜および第１導電型非晶質シリコン薄膜と、前記基板の前記裏面側の他の一部に順に製膜された第２真性非晶質シリコン薄膜および第２導電型非晶質シリコン薄膜とを備える裏面接合型の太陽電池である。前記基板の前記受光面側の中央部には、第３真性非晶質シリコン薄膜および光学調整用シリコン化合物薄膜が順に製膜されている。前記基板の前記受光面側の周縁部には、前記光学調整用シリコン化合物薄膜が製膜されている。前記基板の前記受光面側の前記周縁部において、前記基板と前記光学調整用シリコン化合物薄膜との間には、前記第３真性非晶質シリコン薄膜、前記第１真性非晶質シリコン薄膜、前記第１導電型非晶質シリコン薄膜、および、前記光学調整用シリコン化合物薄膜以外のシリコン化合物薄膜が積層されていない。

本発明に係る太陽電池の製造方法は、結晶質シリコン基板と、前記基板の受光面側と反対側の裏面側の一部である第１領域に順に製膜された第１真性非晶質シリコン薄膜および第１導電型非晶質シリコン薄膜と、前記基板の前記裏面側の他の一部である第２領域に順に製膜された第２真性非晶質シリコン薄膜および第２導電型非晶質シリコン薄膜とを備える裏面接合型の太陽電池の製造方法であって、前記基板の前記受光面側の全面に、第３真性非晶質シリコン薄膜を製膜する第３シリコン薄膜製膜工程と、前記基板の前記裏面側の前記第１領域に、パターン化された前記第１真性非晶質シリコン薄膜および前記第１導電型非晶質シリコン薄膜を形成する第１シリコン薄膜形成工程と、前記基板の前記裏面側の前記第２領域に、パターン化された前記第２真性非晶質シリコン薄膜および前記第２導電型非晶質シリコン薄膜を形成する第２シリコン薄膜形成工程と、前記基板の前記受光面側の全面に、光学調整用シリコン化合物薄膜を製膜するシリコン化合物薄膜製膜工程と、を含む。前記第１シリコン薄膜形成工程は、真空チャンバを用いて、前記基板の前記裏面側の全面に、前記第１真性非晶質シリコン薄膜の材料膜および前記第１導電型非晶質シリコン薄膜の材料膜を製膜する工程であって、前記基板の前記受光面側の周縁部に、前記第１真性非晶質シリコン薄膜の材料膜および第１導電型非晶質シリコン薄膜の材料膜が回り込んで製膜される、第１製膜工程と、前記基板の前記裏面側の前記第１領域、および、前記基板の前記受光面側の前記周縁部以外の領域に、第１レジストを形成する第１レジスト形成工程と、前記第１レジストを用いて、前記基板の前記裏面側の前記第２領域における前記第１真性非晶質シリコン薄膜の材料膜および前記第１導電型非晶質シリコン薄膜の材料膜を除去することによって、パターン化された前記第１真性非晶質シリコン薄膜および前記第１導電型非晶質シリコン薄膜を形成する工程であって、前記基板の前記受光面側の前記周縁部における前記第３真性非晶質シリコン薄膜、前記第１真性非晶質シリコン薄膜、前記第１導電型非晶質シリコン薄膜、および、前記光学調整用シリコン化合物薄膜以外のシリコン化合物薄膜も除去される、第１パターニング工程と、前記第１レジストを除去する第１レジスト除去工程と、を含む。

本発明によれば、裏面接合型の太陽電池の受光面側の周縁部に生じる白スジを低減できる。

本実施形態に係る太陽電池を裏面側からみた図である。図１に示す太陽電池におけるII-II線断面図の一例である。図１に示す太陽電池におけるII-II線断面図の他の一例である。図１に示す太陽電池におけるII-II線断面図の他の一例である。図１に示す太陽電池におけるII-II線断面図の他の一例である。第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における第３シリコン薄膜製膜工程、第１シリコン薄膜材料膜形成工程（第１製膜工程）およびリフトオフ薄膜形成工程を示す図である。第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１シリコン薄膜形成工程（第１レジスト形成工程）を示す図である。第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１シリコン薄膜形成工程（第１パターニング工程）を示す図である。第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１シリコン薄膜形成工程（第１レジスト除去工程）を示す図である。第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２シリコン薄膜材料膜形成工程を示す図である。第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２シリコン薄膜形成工程を示す図である。第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における光学調整用シリコン化合物薄膜製膜工程を示す図である。第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における第３シリコン薄膜製膜工程および第１シリコン薄膜材料膜形成工程を示す図である。第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１シリコン薄膜形成工程（第１レジスト形成工程）を示す図である。第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１シリコン薄膜形成工程（第１パターニング工程）を示す図である。第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１シリコン薄膜形成工程を示す図である。第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２シリコン薄膜材料膜形成工程（第２製膜工程）を示す図である。第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２シリコン薄膜形成工程を示す図である。第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における光学調整用シリコン化合物薄膜製膜工程を示す図である。

以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態の一例について説明する。なお、各図面において同一または相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。また、便宜上、ハッチングや部材符号等を省略する場合もあるが、かかる場合、他の図面を参照するものとする。

（太陽電池）
図１は、本実施形態に係る太陽電池を裏面側からみた図であり、図２Ａ～図２Ｄは、図１に示す太陽電池におけるII－II線断面図の例であって、それぞれ異なる例である。図１および図２Ａ～図２Ｄに示す太陽電池１は、裏面接合型（バックコンタクト型、裏面電極型ともいう。）であってヘテロ接合型の太陽電池である。太陽電池１は、２つの主面を備える結晶質シリコン基板１１を備え、基板１１の主面において第１領域７と第２領域８とを有する。

第１領域７は、いわゆる櫛型の形状をなし、櫛歯に相当する複数のフィンガー部７ｆと、櫛歯の支持部に相当するバスバー部７ｂとを有する。バスバー部７ｂは、基板１１の一方の辺部に沿って第１方向（Ｘ方向）に延在し、フィンガー部７ｆは、バスバー部７ｂから、第１方向（Ｘ方向）に交差する第２方向（Ｙ方向）に延在する。

同様に、第２領域８は、いわゆる櫛型の形状であり、櫛歯に相当する複数のフィンガー部８ｆと、櫛歯の支持部に相当するバスバー部８ｂとを有する。バスバー部８ｂは、基板１１の一方の辺部に対向する他方の辺部に沿って第１方向（Ｘ方向）に延在し、フィンガー部８ｆは、バスバー部８ｂから、第２方向（Ｙ方向）に延在する。

フィンガー部７ｆとフィンガー部８ｆとは、第１方向（Ｘ方向）に交互に設けられている。なお、第１領域７および第２領域８は、ストライプ状に形成されてもよい。

図２Ａ～図２Ｄに示すように、太陽電池１は、結晶質シリコン基板１１と、基板１１の主面のうちの受光する側の受光面側（一方主面側）に順に製膜された第３真性非晶質シリコン薄膜（パッシベーション薄膜）１３および光学調整用シリコン化合物薄膜１５を備える。また、太陽電池１は、基板１１の主面のうちの受光面の反対側の裏面側（他方主面側）の一部（第１領域７）に順に製膜された第１真性非晶質シリコン薄膜２３、第１導電型非晶質シリコン薄膜２５および第１電極２７を備える。また、太陽電池１は、基板１１の裏面側の他の一部（第２領域８）に順に製膜された第２真性非晶質シリコン薄膜３３、第２導電型非晶質シリコン薄膜３５、および第２電極３７を備える。なお、以下では、第１真性非晶質シリコン薄膜２３および第１導電型非晶質シリコン薄膜２５を第１シリコン薄膜ともいい、第２真性非晶質シリコン薄膜３３および第２導電型非晶質シリコン薄膜３５を第２シリコン薄膜ともいう。また、第３真性非晶質シリコン薄膜（パッシベーション薄膜）１３を第３シリコン薄膜ともいう。

基板１１は、単結晶シリコンまたは多結晶シリコン等の結晶質シリコン材料で形成される。基板１１は、例えば結晶質シリコン材料にｎ型ドーパントがドープされたｎ型の基板である。なお、基板１１は、例えば結晶質シリコン材料にｐ型ドーパントがドープされたｐ型の基板であってもよい。ｎ型ドーパントとしては、例えばリン（Ｐ）が挙げられる。ｐ型ドーパントとしては、例えばホウ素（Ｂ）が挙げられる。基板１１は、受光面側からの入射光を吸収して光キャリア（電子および正孔）を生成する光電変換基板として機能する。

基板１１の材料として結晶質シリコンが用いられることにより、暗電流が比較的に小さく、入射光の強度が低い場合であっても比較的高出力（照度によらず安定した出力）が得られる。

基板１１は、裏面側に、テクスチャ構造と呼ばれるピラミッド型の微細な凹凸構造を有していてもよい。これにより、基板１１に吸収されず通過してしまった光の回収効率が高まる。

また、基板１１は、受光面側に、テクスチャ構造と呼ばれるピラミッド型の微細な凹凸構造を有していてもよい。これにより、受光面において入射光の反射が低減し、基板１１における光閉じ込め効果が向上する。

第３真性非晶質シリコン薄膜（パッシベーション薄膜）１３は、基板１１の受光面側に形成されている（詳細は後述する。）。第１真性非晶質シリコン薄膜２３は、基板１１の裏面側の第１領域７に形成されている。第２真性非晶質シリコン薄膜３３は、基板１１の裏面側の第２領域８に形成されている。第１真性非晶質シリコン薄膜２３、第２真性非晶質シリコン薄膜３３および第３真性非晶質シリコン薄膜１３は、真性（ｉ型）アモルファスシリコンを主成分とする材料で形成される。第１真性非晶質シリコン薄膜２３、第２真性非晶質シリコン薄膜３３および第３真性非晶質シリコン薄膜１３は、いわゆるパッシベーション膜として機能し、基板１１で生成されたキャリアの再結合を抑制し、キャリアの回収効率を高める。

光学調整用シリコン化合物薄膜１５は、主に、基板１１の受光面側の第３真性非晶質シリコン薄膜（パッシベーション薄膜）１３上に形成されている（詳細は後述する。）。光学調整用シリコン化合物薄膜１５は、入射光の反射を防止する反射防止膜として機能するとともに、基板１１の受光面側および第３真性非晶質シリコン薄膜１３を保護する保護膜として機能する。光学調整用シリコン化合物薄膜１５は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）、またはそれらの複合物等のシリコン化合物材料で形成される。

第１導電型非晶質シリコン薄膜２５は、第１真性非晶質シリコン薄膜２３上に、すなわち基板１１の裏面側の第１領域７に形成されている。第１導電型非晶質シリコン薄膜２５は、アモルファスシリコン材料で形成される。第１導電型非晶質シリコン薄膜２５は、例えばアモルファスシリコン材料にｐ型ドーパント（例えば、上述したホウ素（Ｂ））がドープされたｐ型の薄膜である。

第２導電型非晶質シリコン薄膜３５は、第２真性非晶質シリコン薄膜３３上に、すなわち基板１１の裏面側の第２領域８に形成されている。第２導電型非晶質シリコン薄膜３５は、アモルファスシリコン材料で形成される。第２導電型非晶質シリコン薄膜３５は、例えばアモルファスシリコン材料にｎ型ドーパント（例えば、上述したリン（Ｐ））がドープされたｎ型の薄膜である。なお、第１導電型非晶質シリコン薄膜２５がｎ型の薄膜であり、第２導電型非晶質シリコン薄膜３５がｐ型の薄膜であってもよい。

第２導電型非晶質シリコン薄膜３５および第２真性非晶質シリコン薄膜３３の一部は、隣接する第１導電型非晶質シリコン薄膜２５および第１真性非晶質シリコン薄膜２３の一部の上に重なっていてもよいし、重なっていなくてもよい。

第１電極２７は、第１導電型非晶質シリコン薄膜２５上に形成されており、第２電極３７は、第２導電型非晶質シリコン薄膜３５上に形成されている。第１電極２７は、第１導電型非晶質シリコン薄膜２５上に順に形成された透明電極２８と金属電極２９とを有する。第２電極３７は、第２導電型非晶質シリコン薄膜３５上に順に形成された透明電極３８と金属電極３９とを有する。

透明電極２８，３８は、透明な導電性材料で形成される。透明導電性材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムおよび酸化スズの複合酸化物）等が挙げられる。金属電極２９，３９は、銀等の金属粉末を含有する導電性ペースト材料で形成される。

次に、基板１１の受光面側の周縁部Ｒ１および側面について説明する。上述したように、基板１１の受光面側の周縁部Ｒ１以外の領域（以下、中央部ともいう。）には、第３真性非晶質シリコン薄膜（パッシベーション薄膜）１３および光学調整用シリコン化合物薄膜１５が順に製膜されている。一方、基板１１の受光面側の周縁部Ｒ１および側面には、光学調整用シリコン化合物薄膜１５が積層されているが、真性非晶質シリコン薄膜（パッシベーション薄膜）１３は積層されていない。

また、図２Ａに示すように、基板１１の受光面側の周縁部Ｒ１および側面において、基板１１と光学調整用シリコン化合物薄膜１５との間には、第２真性非晶質シリコン薄膜３３および第２導電型非晶質シリコン薄膜３５が回り込んで製膜されている。

一方、基板１１の受光面側の周縁部Ｒ１において、基板１１と光学調整用シリコン化合物薄膜１５との間には、第１真性非晶質シリコン薄膜２３および第１導電型非晶質シリコン薄膜２５は製膜されていない。更に、基板１１の受光面側の周縁部Ｒ１において、基板１１と光学調整用シリコン化合物薄膜１５との間には、第２真性非晶質シリコン薄膜３３および第２導電型非晶質シリコン薄膜３５以外の非晶質シリコン薄膜、および光学調整用シリコン化合物薄膜１５以外のシリコン化合物薄膜も積層されていない。

或いは、図２Ｂおよび図２Ｃに示すように、基板１１の受光面側の周縁部Ｒ１においては、周縁部Ｒ１の一部のみに、第２真性非晶質シリコン薄膜３３および第２導電型非晶質シリコン薄膜３５が製膜されていてもよい。この場合、基板１１の受光面側の周縁部Ｒ１の一部以外の領域には、図２Ｂに示すように、第２真性非晶質シリコン薄膜３３も第２導電型非晶質シリコン薄膜３５も積層されていなくてもよいし、図２Ｃに示すように、第２導電型非晶質シリコン薄膜３５のみが製膜されていてもよい。

或いは、図２Ｄに示すように、基板１１の受光面側の周縁部Ｒ１においては、周縁部Ｒ１の少なくとも一部に、第２真性非晶質シリコン薄膜３３のみが製膜されていており、第２導電型非晶質シリコン薄膜３５が積層されていなくてもよい。

基板１１の受光面側の周縁部Ｒ１における第２真性非晶質シリコン薄膜３３の膜厚は、基板１１の受光面側の中央部における第３真性非晶質シリコン薄膜（パッシベーション薄膜）１３の膜厚よりも薄い。基板１１の受光面側の周縁部Ｒ１における第２真性非晶質シリコン薄膜３３の膜厚および第２導電型非晶質シリコン薄膜３５の膜厚は、周縁部から中央部へ向けて次第に減少する。

（第１実施形態に係る太陽電池の製造方法）
以下、図３Ａ～図３Ｇを参照して、図１および図２Ａ～図２Ｄに示す本実施形態に係る太陽電池１の製造方法について説明する。図３Ａは、第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における第３シリコン薄膜製膜工程、第１シリコン薄膜材料膜形成工程（第１製膜工程）およびリフトオフ薄膜形成工程を示す図であり、図３Ｂ～図３Ｄは、第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１シリコン薄膜形成工程（第１レジスト形成工程、第１パターニング工程および第１レジスト除去工程）を示す図である。また、図３Ｅは、第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２シリコン薄膜材料膜形成工程（第２製膜工程）を示す図であり、図３Ｆは、第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２シリコン薄膜形成工程を示す図である。また、図３Ｇは、第１実施形態に係る太陽電池の製造方法における光学調整用シリコン化合物薄膜製膜工程を示す図である。

まず、図３Ａに示すように、真空チャンバを用いた例えばＣＶＤ法（化学気相堆積法）またはＰＶＤ法（物理気相堆積法）を用いて、結晶質シリコン基板１１の受光面側の全面に、第３真性非晶質シリコン薄膜１３を製膜する（第３シリコン薄膜製膜工程）。このとき、製膜ガスが基板１１の裏面側に回り込むことにより、基板１１の側面、および裏面における周縁部にも、第３真性非晶質シリコン薄膜１３が製膜される。

次に、真空チャンバを用いた例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、基板１１の裏面側の全面に、第１真性非晶質シリコン薄膜材料膜２３Ｚおよび第１導電型非晶質シリコン薄膜材料膜２５Ｚを順に製膜する（第１シリコン薄膜材料膜形成工程：第１製膜工程）。このとき、製膜ガスが基板１１の受光面側に回り込むことにより、基板１１の側面、および受光面における周縁部にも、第１真性非晶質シリコン薄膜材料膜２３Ｚおよび第１導電型非晶質シリコン薄膜材料膜２５Ｚが製膜される。

なお、第３真性非晶質シリコン薄膜１３と、第１真性非晶質シリコン薄膜材料膜２３Ｚおよび第１導電型非晶質シリコン薄膜材料膜２５Ｚとの製膜の順序は限定されない。

次に、真空チャンバを用いた例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、基板１１の裏面側の全面に、具体的には第１導電型非晶質シリコン薄膜材料膜２５Ｚ上の全面に、リフトオフ薄膜（犠牲薄膜）４１を製膜する（リフトオフ薄膜形成工程）。このとき、製膜ガスが基板１１の受光面側に回り込むことにより、基板１１の側面、および受光面における周縁部にもリフトオフ薄膜４１が製膜される。リフトオフ薄膜４１は、酸化珪素（ＳｉＯ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）、またはそれらの複合物等のシリコン化合物材料で形成される。

なお、このとき、真空チャンバを用いた例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、基板１１の受光面側の全面に、リフトオフ薄膜と同一材料を含むシリコン化合物薄膜を製膜してもよい。

次に、図３Ｂ～図３Ｄに示すように、レジストを用いて、基板１１の裏面側において、第２領域８における第１真性非晶質シリコン薄膜材料膜２３Ｚ、第１導電型非晶質シリコン薄膜材料膜２５Ｚおよびリフトオフ薄膜４１を除去することにより、第１領域７に、パターン化された第１真性非晶質シリコン薄膜２３、第１導電型非晶質シリコン薄膜２５およびリフトオフ薄膜４１を形成する（第１シリコン薄膜形成工程）。

具体的には、図３Ｂに示すように、基板１１の裏面側の第１領域７、および基板１１の受光面側の周縁部Ｒ１以外の領域（中央部）に、第１レジスト９０を形成する。すなわち、受光面側の周縁部Ｒ１にはレジストを形成しない（第１レジスト形成工程）。第１レジスト９０としては、フォトリソグラフィ技術または印刷技術を用いて生成するレジストが用いられる。

その後、図３Ｃに示すように、第１レジスト９０をマスクとして、第２領域８におけるリフトオフ薄膜４１、第１導電型非晶質シリコン薄膜材料膜２５Ｚおよび第１真性非晶質シリコン薄膜材料膜２３Ｚをエッチングすることにより、第１領域７に、パターン化された第１真性非晶質シリコン薄膜２３、第１導電型非晶質シリコン薄膜２５およびリフトオフ薄膜４１を形成する（第１パターニング工程）。このとき、基板１１の側面、および受光面における周縁部Ｒ１の、第３真性非晶質シリコン薄膜１３、第１真性非晶質シリコン薄膜材料膜２３Ｚ、第１導電型非晶質シリコン薄膜材料膜２５Ｚ、およびリフトオフ薄膜４１（光学調整用シリコン化合物薄膜１５以外のシリコン化合物薄膜）もエッチングされて除去される。

リフトオフ薄膜４１に対するエッチング溶液としては、例えばオゾンをフッ酸に溶解させた混合液、またはフッ酸と硝酸との混合液等の酸性溶液が挙げられる。また、ｐ型の非晶質シリコン薄膜に対するエッチング溶液としては、例えばオゾンをフッ酸に溶解させた混合液、またはフッ酸と硝酸との混合液等の酸性溶液が挙げられ、ｎ型の非晶質シリコン薄膜に対するエッチング溶液としては、例えば水酸化カリウム水溶液のようなアルカリ性溶液が挙げられる。

その後、図３Ｄに示すように、第１レジスト９０を除去する（第１レジスト除去工程）。第１レジスト９０に対する剥離溶液としては、例えばアセトンのような有機溶剤または、水酸化カリウム水溶液のようなアルカリ性溶液が挙げられる。

次に、基板１１の両面側をクリーニングする（第１洗浄工程）。第１洗浄工程では、例えばオゾン処理を行った後、フッ酸処理が行われる。フッ酸処理とは、フッ酸のみならず、フッ酸に他の種類の酸（第１洗浄工程では、例えば塩酸）を含めた混合物での処理も含むものとする。

次に、図３Ｅに示すように、真空チャンバを用いた例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、基板１１の裏面側の全面に、第２真性非晶質シリコン薄膜材料膜３３Ｚおよび第２導電型非晶質シリコン薄膜材料膜３５Ｚを順に製膜する（第２シリコン薄膜材料膜形成工程：第２製膜工程）。このとき、製膜ガスが基板１１の受光面側に回り込むことにより、基板１１の側面、および受光面における周縁部Ｒ１にも第２真性非晶質シリコン薄膜材料膜３３Ｚおよび第２導電型非晶質シリコン薄膜材料膜３５Ｚが製膜される。

なお、図３Ｅ～図３Ｇでは、第２真性非晶質シリコン薄膜材料膜３３Ｚおよび第２導電型非晶質シリコン薄膜材料膜３５Ｚの回り込み製膜として、上述の図２Ａに対応する形態を挙げる。しかし、第２真性非晶質シリコン薄膜材料膜３３Ｚおよび第２導電型非晶質シリコン薄膜材料膜３５Ｚの回り込み製膜の形態としては、例えば上述の図２Ａ～図２Ｄのように様々な形態が挙げられる。

次に、図３Ｆに示すように、リフトオフ薄膜（犠牲薄膜）を用いたリフトオフ法を利用して、基板１１の裏面側において、第１領域７における第２真性非晶質シリコン薄膜材料膜３３Ｚおよび第２導電型非晶質シリコン薄膜材料膜３５Ｚを除去することにより、第２領域８に、パターン化された第２真性非晶質シリコン薄膜３３および第２導電型非晶質シリコン薄膜３５を形成する（第２シリコン薄膜形成工程）。

なお、図３Ｆ、および後述の図３Ｇ（および上述の図２Ａ～図２Ｄ）では、図面の簡略化のため、図３Ｅに示される第１導電型非晶質シリコン薄膜２５と第２導電型非晶質シリコン薄膜３５との間に存在する第２真性非晶質シリコン薄膜３３が省略されている。

具体的には、リフトオフ薄膜４１を除去することにより、リフトオフ薄膜４１上の第２真性非晶質シリコン薄膜材料膜３３Ｚおよび第２導電型非晶質シリコン薄膜材料膜３５Ｚを除去し、第２領域８に、パターン化された第２真性非晶質シリコン薄膜３３および第２導電型非晶質シリコン薄膜３５を形成する（第２パターニング工程）。リフトオフ薄膜４１の除去溶液としては、例えばフッ酸等の酸性溶液が用いられる。

このように、第２シリコン薄膜のパターニング（２回目のパターニング）において、リフトオフ薄膜（犠牲薄膜）を用いたリフトオフ法を採用することにより、太陽電池の製造プロセスの簡略化が可能となる。

次に、図３Ｇに示すように、真空チャンバを用いた例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、基板１１の受光面側の全面に、光学調整用シリコン化合物薄膜１５を製膜する（光学調整用シリコン化合物薄膜製膜工程）。このとき、製膜ガスが基板１１の裏面側に回り込むことにより、基板１１の側面、および裏面における周縁部にも光学調整用シリコン化合物薄膜１５が製膜される。

次に、基板１１の裏面側に、第１電極２７および第２電極３７を形成する（電極形成工程、図示省略）。

具体的には、例えばスパッタリング法等のＰＶＤ法（物理気相成長法）を用いて、基板１１の裏面側の全面に、透明電極材料膜を製膜する。その後、例えばエッチングペーストを用いたエッチング法を用いて、透明電極材料膜の一部を除去することにより、パターン化された透明電極２８，３８を形成する。透明電極材料膜に対するエッチング溶液としては、例えば塩酸または塩化第二鉄水溶液が用いられる。

その後、例えばパターン印刷法または塗布法を用いて、透明電極２８上に金属電極２９を形成し、透明電極３８の上に金属電極３９を形成することにより、第１電極２７および第２電極３７を形成する。
以上の工程により、図１および図２Ａ～図２Ｄに示す本実施形態に係る裏面電極型の太陽電池１が完成する。

以上説明したように、第１実施形態の太陽電池の製造方法および本実施形態の太陽電池によれば、第１シリコン薄膜２５，２３のパターニング（１回目のパターニング）において、基板１１の受光面の周縁部Ｒ１に回り込んで製膜された非晶質シリコン薄膜およびシリコン化合物薄膜が除去される。これにより、基板１１の受光面の周縁部Ｒ１において、屈折率が異なる非晶質シリコン薄膜とリフトオフ薄膜のようなシリコン化合物薄膜とが交互に重なることを抑制することができる。そのため、基板１１の受光面の周縁部Ｒ１に生じる白スジを低減することができる。

（第２実施形態に係る太陽電池の製造方法）
第１実施形態では、第２シリコン薄膜のパターニング（２回目のパターニング）において、リフトオフ法を用いた。第２実施形態では、第２シリコン薄膜のパターニング（２回目のパターニング）において、第１シリコン薄膜のパターニング（１回目のパターニング）と同様に、レジストを用いたエッチング法を用いる。

以下、図４Ａ～図４Ｇを参照して、図１および図２Ａ～図２Ｄに示す本実施形態に係る太陽電池１の製造方法について説明する。図４Ａは、第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における第３シリコン薄膜製膜工程および第１シリコン薄膜材料膜形成工程（第１製膜工程）を示す図であり、図４Ｂ～図４Ｄは、第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１シリコン薄膜形成工程（第１レジスト形成工程、第１パターニング工程および第１レジスト除去工程）を示す図である。また、図４Ｅは、第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２シリコン薄膜材料膜形成工程（第２製膜工程）を示す図であり、図４Ｆは、第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２シリコン薄膜形成工程を示す図である。また、図４Ｇは、第２実施形態に係る太陽電池の製造方法における光学調整用シリコン化合物薄膜製膜工程を示す図である。

まず、図４Ａに示すように、第１実施形態と同様に、真空チャンバを用いた例えばＣＶＤ法（化学気相堆積法）またはＰＶＤ法（物理気相堆積法）を用いて、結晶質シリコン基板１１の受光面側の全面に、第３真性非晶質シリコン薄膜１３を製膜する（第３シリコン薄膜製膜工程）。このとき、製膜ガスが基板１１の裏面側に回り込むことにより、基板１１の側面、および裏面における周縁部にも、第３真性非晶質シリコン薄膜１３が製膜される。

次に、第１実施形態と同様に、真空チャンバを用いた例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、基板１１の裏面側の全面に、第１真性非晶質シリコン薄膜材料膜２３Ｚおよび第１導電型非晶質シリコン薄膜材料膜２５Ｚを順に製膜する（第１シリコン薄膜材料膜形成工程：第１製膜工程）。このとき、製膜ガスが基板１１の受光面側に回り込むことにより、基板１１の側面、および受光面における周縁部にも、第１真性非晶質シリコン薄膜材料膜２３Ｚおよび第１導電型非晶質シリコン薄膜材料膜２５Ｚが製膜される。

次に、図４Ｂ～図４Ｄに示すように、第１実施形態と同様に、レジストを用いて、基板１１の裏面側において、第２領域８における第１真性非晶質シリコン薄膜材料膜２３Ｚおよび第１導電型非晶質シリコン薄膜材料膜２５Ｚを除去することにより、第１領域７に、パターン化された第１真性非晶質シリコン薄膜２３および第１導電型非晶質シリコン薄膜２５を形成する（第１シリコン薄膜形成工程）。

具体的には、図４Ｂに示すように、基板１１の裏面側の第１領域７、および基板１１の受光面側の周縁部Ｒ１以外の領域（中央部）に、第１レジスト９０を形成する。すなわち、受光面側の周縁部Ｒ１にはレジストを形成しない（第１レジスト形成工程）。

その後、図４Ｃに示すように、第１レジスト９０をマスクとして、第２領域８における第１導電型非晶質シリコン薄膜材料膜２５Ｚおよび第１真性非晶質シリコン薄膜材料膜２３Ｚをエッチングすることにより、第１領域７に、パターン化された第１真性非晶質シリコン薄膜２３および第１導電型非晶質シリコン薄膜２５を形成する（第１パターニング工程）。このとき、基板１１の側面、および受光面における周縁部Ｒ１の、第３真性非晶質シリコン薄膜１３、第１真性非晶質シリコン薄膜材料膜２３Ｚおよび第１導電型非晶質シリコン薄膜材料膜２５Ｚもエッチングされて除去される。

その後、図４Ｄに示すように、第１レジスト９０を除去する（第１レジスト除去工程）。
次に、第１実施形態と同様に、基板１１の両面側をクリーニングする（第１洗浄工程）。

次に、図４Ｅに示すように、第１実施形態と同様に、真空チャンバを用いた例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、基板１１の裏面側の全面に、第２真性非晶質シリコン薄膜材料膜３３Ｚおよび第２導電型非晶質シリコン薄膜材料膜３５Ｚを順に製膜する（第２シリコン薄膜材料膜形成工程：第２製膜工程）。このとき、製膜ガスが基板１１の受光面側に回り込むことにより、基板１１の側面、および受光面における周縁部Ｒ１にも第２真性非晶質シリコン薄膜材料膜３３Ｚおよび第２導電型非晶質シリコン薄膜材料膜３５Ｚが製膜される。

なお、図４Ｅ～図４Ｇでも、第２真性非晶質シリコン薄膜材料膜３３Ｚおよび第２導電型非晶質シリコン薄膜材料膜３５Ｚの回り込み製膜として、上述の図２Ａに対応する形態を挙げる。しかし、上述したように、第２真性非晶質シリコン薄膜材料膜３３Ｚおよび第２導電型非晶質シリコン薄膜材料膜３５Ｚの回り込み製膜の形態としては、例えば上述の図２Ａ～図２Ｄのように様々な形態が挙げられる。

次に、図４Ｆに示すように、レジストを用いて、基板１１の裏面側において、第１領域７における第２真性非晶質シリコン薄膜材料膜３３Ｚおよび第２導電型非晶質シリコン薄膜材料膜３５Ｚを除去することにより、第２領域８に、パターン化された第２真性非晶質シリコン薄膜３３および第２導電型非晶質シリコン薄膜３５を形成する（第２シリコン薄膜形成工程）。

具体的には、上述した第１シリコン薄膜形成工程と同様に、基板１１の裏面側の第２領域８、および基板１１の受光面側の全面に、第２レジストを形成する（第２レジスト形成工程）。その後、第２レジストをマスクとして、第１領域７における第２導電型非晶質シリコン薄膜材料膜３５Ｚおよび第２真性非晶質シリコン薄膜材料膜３３Ｚをエッチングすることにより、第２領域８に、パターン化された第２真性非晶質シリコン薄膜３３および第２導電型非晶質シリコン薄膜３５を形成する（第２パターニング工程）。その後、第２レジストを除去する（第２レジスト除去工程）。

次に、図４Ｇに示すように、第１実施形態と同様に、真空チャンバを用いた例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、基板１１の受光面側の全面に、光学調整用シリコン化合物薄膜１５を製膜する。このとき、製膜ガスが基板１１の裏面側に回り込むことにより、基板１１の側面、および裏面における周縁部にも光学調整用シリコン化合物薄膜１５が製膜される。

次に、第１実施形態と同様に、基板１１の裏面側に、第１電極２７および第２電極３７を形成する（電極形成工程、図示省略）。
以上の工程により、図１および図２Ａ～図２Ｄに示す本実施形態に係る裏面電極型の太陽電池１が完成する。

この第２実施形態の太陽電池の製造方法および本実施形態の太陽電池でも、第１シリコン薄膜２５，２３のパターニング（１回目のパターニング）において、基板１１の受光面の周縁部Ｒ１に回り込んで製膜された非晶質シリコン薄膜が除去される。これにより、基板１１の受光面の周縁部Ｒ１に生じる白スジを低減することができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、種々の変更および変形が可能である。例えば、上述した第１実施形態では、第１シリコン薄膜２５，２３のパターニング（１回目のパターニング）の前に、基板１１の受光面側にリフトオフ薄膜と同一の材料を含むシリコン化合物薄膜を製膜してもよいことを説明した。更には、第１シリコン薄膜２５，２３のパターニング（１回目のパターニング）の前に、真空チャンバを用いた例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、基板１１の裏面側のリフトオフ薄膜上に非晶質シリコン薄膜および／またはシリコン化合物薄膜を製膜してもよいし、基板１１の受光面側のシリコン化合物薄膜上にも非晶質シリコン薄膜および／またはシリコン化合物薄膜を製膜してもよい。このような形態では、基板１１の受光面の周縁部Ｒ１において、更に、屈折率が異なる非晶質シリコン薄膜とシリコン化合物薄膜とが交互に重なることとなり、白スジが顕著に生じる。

本実施形態の太陽電池の製造方法および太陽電池は、このような形態にも適用可能である。すなわち、このような形態でも、本実施形態の太陽電池の製造方法および本実施形態の太陽電池によれば、第１シリコン薄膜２５，２３のパターニング（１回目のパターニング）において、基板１１の受光面の周縁部Ｒ１に回り込んで製膜された非晶質シリコン薄膜およびシリコン化合物薄膜が除去される。これにより、基板１１の受光面の周縁部Ｒ１において、屈折率が異なる非晶質シリコン薄膜とシリコン化合物薄膜とが交互に重なることを抑制することができる。そのため、基板１１の受光面の周縁部Ｒ１に生じる白スジを低減することができる。

１太陽電池
７第１領域
７ｂ，８ｂバスバー部
７ｆ，８ｆフィンガー部
８第２領域
１１結晶質シリコン基板
１３第３真性非晶質シリコン薄膜（第３シリコン薄膜、パッシベーション薄膜）
１５光学調整用シリコン化合物薄膜
２３第１真性非晶質シリコン薄膜（第１シリコン薄膜）
２３Ｚ第１真性非晶質シリコン薄膜材料膜
２５第１導電型非晶質シリコン薄膜（第１シリコン薄膜）
２５Ｚ第１導電型非晶質シリコン薄膜材料膜
２７第１電極
２８，３８透明電極
２９，３９金属電極
３３第２真性非晶質シリコン薄膜（第２シリコン薄膜）
３３Ｚ第２真性非晶質シリコン薄膜材料膜
３５第２導電型非晶質シリコン薄膜（第２シリコン薄膜）
３５Ｚ第２導電型非晶質シリコン薄膜材料膜
３７第２電極
４１リフトオフ薄膜
９０レジスト
Ｒ１周縁部

Claims

結晶質シリコン基板と、前記基板の受光面側と反対側の裏面側の一部に製膜された第１導電型非晶質シリコン薄膜と、前記基板の前記裏面側の他の一部に製膜された第２導電型非晶質シリコン薄膜とを備える裏面接合型の太陽電池であって、
前記基板の前記受光面側の中央部には、パッシベーション薄膜および光学調整用シリコン化合物薄膜が順に製膜されており、
前記基板の前記受光面側の周縁部には、前記光学調整用シリコン化合物薄膜が製膜されており、
前記基板の前記受光面側の前記周縁部の少なくとも一部において、前記基板と前記光学調整用シリコン化合物薄膜との間には、第２導電型非晶質シリコン薄膜が製膜されており、
前記基板の前記受光面側の前記周縁部において、前記基板と前記光学調整用シリコン化合物薄膜との間には、前記第１導電型非晶質シリコン薄膜と、前記光学調整用シリコン化合物薄膜以外のシリコン化合物薄膜とのいずれも積層されていない、
太陽電池。
結晶質シリコン基板と、前記基板の受光面側と反対側の裏面側の一部に順に製膜された第１真性非晶質シリコン薄膜および第１導電型非晶質シリコン薄膜と、前記基板の前記裏面側の他の一部に順に製膜された第２真性非晶質シリコン薄膜および第２導電型非晶質シリコン薄膜とを備える裏面接合型の太陽電池であって、
前記基板の前記受光面側の中央部には、第３真性非晶質シリコン薄膜および光学調整用シリコン化合物薄膜が順に製膜されており、
前記基板の前記受光面側の周縁部には、前記光学調整用シリコン化合物薄膜が製膜されており、
前記基板の前記受光面側の前記周縁部の少なくとも一部において、前記基板と前記光学調整用シリコン化合物薄膜との間には、第２導電型非晶質シリコン薄膜が製膜されており、
前記基板の前記受光面側の前記周縁部において、前記基板と前記光学調整用シリコン化合物薄膜との間には、前記第３真性非晶質シリコン薄膜と、前記第１真性非晶質シリコン薄膜と、前記第１導電型非晶質シリコン薄膜と、前記光学調整用シリコン化合物薄膜以外のシリコン化合物薄膜とのいずれも積層されていない、
太陽電池。
前記基板の前記受光面側の前記周縁部の少なくとも一部において、前記基板と前記光学調整用シリコン化合物薄膜との間には、第２真性非晶質シリコン薄膜が製膜されており、
前記基板の前記受光面側の前記周縁部の第２真性非晶質シリコン薄膜の膜厚は、前記基板の前記受光面側の前記中央部の前記第３真性非晶質シリコン薄膜の膜厚よりも薄い、
請求項２に記載の太陽電池。
前記基板の前記受光面側の前記周縁部の第２真性非晶質シリコン薄膜の膜厚は、前記周縁部から前記中央部へ向けて次第に減少する、請求項３に記載の太陽電池。
前記基板の前記受光面側の前記周縁部の第２導電型非晶質シリコン薄膜の膜厚は、前記周縁部から前記中央部へ向けて次第に減少する、請求項１～４のいずれか１項に記載の太陽電池。
結晶質シリコン基板と、前記基板の受光面側と反対側の裏面側の一部である第１領域に順に製膜された第１真性非晶質シリコン薄膜および第１導電型非晶質シリコン薄膜と、前記基板の前記裏面側の他の一部である第２領域に順に製膜された第２真性非晶質シリコン薄膜および第２導電型非晶質シリコン薄膜とを備える裏面接合型の太陽電池の製造方法であって、
前記基板の前記受光面側の全面に、第３真性非晶質シリコン薄膜を製膜する第３シリコン薄膜製膜工程と、
前記基板の前記裏面側の前記第１領域に、パターン化された前記第１真性非晶質シリコン薄膜および前記第１導電型非晶質シリコン薄膜を形成する第１シリコン薄膜形成工程と、
前記基板の前記裏面側の前記第２領域に、パターン化された前記第２真性非晶質シリコン薄膜および前記第２導電型非晶質シリコン薄膜を形成する第２シリコン薄膜形成工程と、
前記基板の前記受光面側の全面に、光学調整用シリコン化合物薄膜を製膜するシリコン化合物薄膜製膜工程と、
を含み、
前記第１シリコン薄膜形成工程は、
真空チャンバを用いて、前記基板の前記裏面側の全面に、前記第１真性非晶質シリコン薄膜の材料膜および前記第１導電型非晶質シリコン薄膜の材料膜を製膜する工程であって、前記基板の前記受光面側の周縁部に、前記第１真性非晶質シリコン薄膜の材料膜および前記第１導電型非晶質シリコン薄膜の材料膜が回り込んで製膜される、第１製膜工程と、
真空チャンバを用いて、前記基板の前記裏面側の全面に、リフトオフ薄膜を製膜する工程であって、前記基板の前記受光面側の前記周縁部に、前記リフトオフ薄膜が回り込んで製膜される、リフトオフ薄膜製膜工程と、
前記基板の前記裏面側の前記第１領域、および、前記基板の前記受光面側の前記周縁部以外の領域に、第１レジストを形成する第１レジスト形成工程と、
前記第１レジストを用いて、前記基板の前記裏面側の前記第２領域における前記第１真性非晶質シリコン薄膜の材料膜、前記第１導電型非晶質シリコン薄膜の材料膜および前記リフトオフ薄膜を除去することによって、パターン化された前記第１真性非晶質シリコン薄膜、前記第１導電型非晶質シリコン薄膜および前記リフトオフ薄膜を形成する工程であって、前記基板の前記受光面側の前記周縁部における前記第３真性非晶質シリコン薄膜と、前記第１真性非晶質シリコン薄膜の材料膜と、前記第１導電型非晶質シリコン薄膜の材料膜と、前記光学調整用シリコン化合物薄膜以外のシリコン化合物薄膜である前記リフトオフ薄膜とのいずれも除去される、第１パターニング工程と、
前記第１レジストを除去する第１レジスト除去工程と、
を含み、
前記第２シリコン薄膜形成工程は、
真空チャンバを用いて、前記基板の前記裏面側の全面に、前記第２真性非晶質シリコン薄膜の材料膜および前記第２導電型非晶質シリコン薄膜の材料膜を製膜する工程であって、前記基板の前記受光面側の前記周縁部に、前記第２真性非晶質シリコン薄膜の材料膜および前記第２導電型非晶質シリコン薄膜の材料膜が回り込んで製膜される、第２製膜工程と、
リフトオフ法を用いて、前記リフトオフ薄膜を除去することにより、前記リフトオフ薄膜の上の、前記基板の前記裏面側の前記第１領域における前記第２真性非晶質シリコン薄膜の材料膜および前記第２導電型非晶質シリコン薄膜の材料膜を除去し、パターン化された前記第２真性非晶質シリコン薄膜および前記第２導電型非晶質シリコン薄膜を形成する第２パターニング工程と、
を含む、
太陽電池の製造方法。
結晶質シリコン基板と、前記基板の受光面側と反対側の裏面側の一部である第１領域に順に製膜された第１真性非晶質シリコン薄膜および第１導電型非晶質シリコン薄膜と、前記基板の前記裏面側の他の一部である第２領域に順に製膜された第２真性非晶質シリコン薄膜および第２導電型非晶質シリコン薄膜とを備える裏面接合型の太陽電池の製造方法であって、
前記基板の前記受光面側の全面に、第３真性非晶質シリコン薄膜を製膜する第３シリコン薄膜製膜工程と、
前記基板の前記裏面側の前記第１領域に、パターン化された前記第１真性非晶質シリコン薄膜および前記第１導電型非晶質シリコン薄膜を形成する第１シリコン薄膜形成工程と、
前記基板の前記裏面側の前記第２領域に、パターン化された前記第２真性非晶質シリコン薄膜および前記第２導電型非晶質シリコン薄膜を形成する第２シリコン薄膜形成工程と、
前記基板の前記受光面側の全面に、光学調整用シリコン化合物薄膜を製膜するシリコン化合物薄膜製膜工程と、
を含み、
前記第１シリコン薄膜形成工程は、
真空チャンバを用いて、前記基板の前記裏面側の全面に、前記第１真性非晶質シリコン薄膜の材料膜および前記第１導電型非晶質シリコン薄膜の材料膜を製膜する工程であって、前記基板の前記受光面側の周縁部に、前記第１真性非晶質シリコン薄膜の材料膜および前記第１導電型非晶質シリコン薄膜の材料膜が回り込んで製膜される、第１製膜工程と、
前記基板の前記裏面側の前記第１領域、および、前記基板の前記受光面側の前記周縁部以外の領域に、第１レジストを形成する第１レジスト形成工程と、
前記第１レジストを用いて、前記基板の前記裏面側の前記第２領域における前記第１真性非晶質シリコン薄膜の材料膜および前記第１導電型非晶質シリコン薄膜の材料膜を除去することによって、パターン化された前記第１真性非晶質シリコン薄膜および前記第１導電型非晶質シリコン薄膜を形成する工程であって、前記基板の前記受光面側の前記周縁部における前記第３真性非晶質シリコン薄膜と、前記第１真性非晶質シリコン薄膜の材料膜と、前記第１導電型非晶質シリコン薄膜の材料膜と、前記光学調整用シリコン化合物薄膜以外のシリコン化合物薄膜とのいずれも除去される、第１パターニング工程と、
前記第１レジストを除去する第１レジスト除去工程と、
を含み、
前記第２シリコン薄膜形成工程は、
真空チャンバを用いて、前記基板の前記裏面側の全面に、前記第２真性非晶質シリコン薄膜の材料膜および前記第２導電型非晶質シリコン薄膜の材料膜を製膜する工程であって、前記基板の前記受光面側の前記周縁部に、前記第２真性非晶質シリコン薄膜の材料膜および前記第２導電型非晶質シリコン薄膜の材料膜が回り込んで製膜される、第２製膜工程と、
前記基板の前記裏面側の前記第２領域、および、前記基板の前記受光面側の全領域に、第２レジストを形成する第２レジスト形成工程と、
前記第２レジストを用いて、前記基板の前記裏面側の前記第１領域における前記第２真性非晶質シリコン薄膜の材料膜および前記第２導電型非晶質シリコン薄膜の材料膜を除去することによって、パターン化された前記第２真性非晶質シリコン薄膜および前記第２導電型非晶質シリコン薄膜を形成する第２パターニング工程と、
前記第２レジストを除去する第２レジスト除去工程と、
を含む、
太陽電池の製造方法。