JP7689852B2 - Substrate holding member and method of manufacturing same - Google Patents
Substrate holding member and method of manufacturing same Download PDFInfo
- Publication number
- JP7689852B2 JP7689852B2 JP2021056164A JP2021056164A JP7689852B2 JP 7689852 B2 JP7689852 B2 JP 7689852B2 JP 2021056164 A JP2021056164 A JP 2021056164A JP 2021056164 A JP2021056164 A JP 2021056164A JP 7689852 B2 JP7689852 B2 JP 7689852B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- substrate
- surface roughness
- convex portion
- holding member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
本発明は、基板保持部材およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a substrate holding member and a method for manufacturing the same.
従来から、半導体製造装置等において、シリコンウエハやガラスウエハ等の基板を支持する基板保持部材が用いられている。このような基板保持部材は基板の裏面を支持するため、例えば、真空チャックの場合、基体の表面に形成された通気孔を通じて、基体の表面と基板の裏面により画定される空間を真空排気することで基板が吸着支持される。 Conventionally, substrate holding members that support substrates such as silicon wafers and glass wafers have been used in semiconductor manufacturing equipment and the like. Such substrate holding members support the back side of the substrate, and in the case of a vacuum chuck, for example, the substrate is supported by suction by evacuating the space defined by the front side of the base and the back side of the substrate through an air hole formed on the front side of the base.
近年、半導体製品の超微細化および超高精度化が進んでおり、基板保持部材としては、基体と基板との間にパーティクルが噛みこむことにより、基板の平面精度が損なわれるリスクを低減する目的として、基板と基体との接触面積を低減するため、基板を支持する領域が複数のピン状凸部からなる基板保持部材が使用されている。 In recent years, semiconductor products have become increasingly finer and more precise, and in order to reduce the risk of particles getting caught between the substrate and the base, which could cause the flatness of the substrate to be compromised, substrate holding members are being used that have a substrate supporting area made up of multiple pin-shaped protrusions to reduce the contact area between the substrate and the base.
また、半導体製品の超微細化および超高精度化により、基板に形成される配線パターンも微細化および多層配線化されている。露光処理の工程では基板上に複数層の回路パターンを重ね合わせる必要があり、各層間での位置決め精度(重ね合わせ精度)の要求も厳しいものとなっている。 In addition, as semiconductor products become increasingly fine and highly accurate, the wiring patterns formed on substrates are also becoming finer and more multi-layered. In the exposure process, it is necessary to overlay multiple layers of circuit patterns on the substrate, and the requirements for positioning accuracy (overlay accuracy) between each layer are becoming increasingly strict.
特許文献1は、物品保持装置であって、基板保持面の表面に非晶質硬質炭素膜(例えば、DLC膜など)を形成することで、保持面の摩耗によるパーティクルの発生を抑制することで、保持面と基板との間にパーティクルが噛みこむリスクを低減することが開示されている。 Patent Document 1 discloses an article holding device that forms an amorphous hard carbon film (e.g., DLC film, etc.) on the surface of the substrate holding surface to suppress the generation of particles due to wear of the holding surface, thereby reducing the risk of particles getting caught between the holding surface and the substrate.
特許文献2は、ウエハを支持するチャックの表面において、径方向に向かうスクラッチが形成されている。これにより、径方向におけるウエハとの摩擦力が小さくなることで、ウエハがチャックに吸着されるときの横方向への動きに対する摩擦を低減することで、ウエハをフラットな状態で吸着できることが開示されている。 Patent Document 2 discloses that scratches are formed in the radial direction on the surface of the chuck that supports the wafer. This reduces the frictional force with the wafer in the radial direction, thereby reducing friction against lateral movement when the wafer is attracted to the chuck, allowing the wafer to be attracted in a flat state.
基板に形成される配線パターンの微細化、多層配線化から、露光処理時に基板保持部材(チャック)に吸着される基板の位置決め精度は非常に重要である。しかし、吸着対象である基板は必ずしも平面度に優れているというわけではなく、凹状、凸状の反りを有している場合がある。このときの基板の反り形状は一定ではないため、真空チャックの吸引による負圧発現時や、静電チャックによる静電吸着力発現時に基板裏面において均等に圧力がかかるとは限らないことから、基板の滑り、伸縮、変位等が発生することがある。 Due to the miniaturization and multi-layer wiring of wiring patterns formed on substrates, the positioning accuracy of the substrate that is attracted to the substrate holding member (chuck) during exposure processing is extremely important. However, the substrate to be attracted is not necessarily excellent in flatness, and may have concave or convex warping. In this case, the shape of the substrate warping is not constant, so when negative pressure is generated by the suction of the vacuum chuck, or when electrostatic attraction force is generated by the electrostatic chuck, pressure is not necessarily applied evenly to the back surface of the substrate, which may cause the substrate to slip, expand or contract, or become displaced.
特許文献1に記載されている保持面の表面に形成された非晶質硬質炭素膜(DLC膜)は、高硬度、高耐摩耗性という特徴に加えて、低摩擦係数であるという特徴を持ち、吸着時に基板の滑りが発生し、位置決めしにくくなるといった課題がある。 The amorphous hard carbon film (DLC film) formed on the surface of the holding surface described in Patent Document 1 has the characteristics of high hardness and high wear resistance, as well as a low coefficient of friction, which causes the substrate to slip during adhesion, making it difficult to position it.
特許文献2に記載されているスクラッチが形成されることにより、径方向におけるウエハとの摩擦力が小さくなるため、ウエハ吸着時にウエハの径方向への伸縮や変位が発生し、位置決めしにくくなるといった課題がある。 The formation of the scratches described in Patent Document 2 reduces the frictional force with the wafer in the radial direction, which causes the wafer to expand and contract in the radial direction when it is attracted to the wafer, making it difficult to position it.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、基板との低接触状態を維持しながら、基板の位置決め精度の向上を図ることができる基板保持部材を提供することを目的とする。 The present invention was made in consideration of these circumstances, and aims to provide a substrate holding member that can improve the positioning accuracy of the substrate while maintaining a low contact state with the substrate.
(1)上記の目的を達成するため、本発明の基板保持部材は、基板保持部材であって、平板上の基体と、前記基体の上面から上方に突出して形成される複数のピン状の凸部と、を備え、前記凸部の上端面は、前記基体の周方向に形成された細溝を有し、前記細溝は1~10μmの幅を有することを特徴としている。 (1) In order to achieve the above object, the substrate holding member of the present invention is a substrate holding member comprising a flat base and a plurality of pin-shaped protrusions formed and protruding upward from an upper surface of the base, the upper end surface of the protrusions having fine grooves formed in the circumferential direction of the base, the fine grooves having a width of 1 to 10 μm .
このように、凸部の上端面に周方向に形成された細溝を有することで、基板吸着時に、基板の径方向への伸縮や変位が抑制されるため、基板の位置決め精度(オーバーレイの精度)が向上する。 In this way, by having fine grooves formed in the circumferential direction on the upper end surface of the convex portion, radial expansion and contraction and displacement of the substrate are suppressed when the substrate is adsorbed, improving the positioning accuracy of the substrate (overlay accuracy).
(2)また、本発明の基板保持部材において、前記凸部の上端面は、前記基体の径方向に沿った表面粗さRaが前記基体の周方向に沿った表面粗さRaと比較して大きいことを特徴としている。 (2) In addition, in the substrate holding member of the present invention, the upper end surface of the convex portion is characterized in that the surface roughness Ra along the radial direction of the base is greater than the surface roughness Ra along the circumferential direction of the base.
このように、凸部の上端面の径方向の表面粗さRaが周方向の表面粗さRaと比較して大きいことで、基板の位置決め精度がより向上する。 In this way, the radial surface roughness Ra of the upper end surface of the convex portion is greater than the circumferential surface roughness Ra, which further improves the positioning accuracy of the substrate.
(3)また、本発明の基板保持部材において、前記基体の中心を通り直交する2つの直線で前記上面を4つの領域に分割したとき、いずれの領域にも前記凸部の上端面の前記基体の径方向に沿った表面粗さRaが前記基体の周方向に沿った表面粗さRaと比較して大きい凸部が含まれることを特徴としている。 (3) Furthermore, in the substrate holding member of the present invention, when the upper surface is divided into four regions by two straight lines that pass through the center of the base and intersect at right angles, each region includes a convex portion in which the surface roughness Ra of the upper end surface of the convex portion along the radial direction of the base is larger than the surface roughness Ra along the circumferential direction of the base.
これにより、基板の様々な径方向への伸縮や変位が抑制されるため、基板の位置決め精度がより向上する。 This reduces the expansion and contraction and displacement of the board in various radial directions, further improving the positioning accuracy of the board.
(4)また、本発明の基板保持部材において、前記凸部の上端面の前記基体の径方向に沿った表面粗さRaが前記基体の周方向に沿った表面粗さRaと比較して大きい前記凸部の前記基体の径方向に沿った表面粗さRaは、0.04μm以上0.15μm未満であることを特徴としている。 (4) Furthermore, in the substrate holding member of the present invention, the surface roughness Ra of the upper end surface of the convex portion along the radial direction of the base is greater than the surface roughness Ra along the circumferential direction of the base, and the surface roughness Ra of the convex portion along the radial direction of the base is 0.04 μm or more and less than 0.15 μm.
これにより、基板の位置決め精度向上の効果を十分に発揮できると共に、パーティクル発生の虞を低減できる。 This allows the effect of improving the positioning accuracy of the substrate to be fully realized while reducing the risk of particle generation.
(5)また、本発明の基板保持部材において、前記凸部の前記上端面の少なくとも一部は、耐摩耗層で形成されることを特徴としている。 (5) In addition, in the substrate holding member of the present invention, at least a portion of the upper end surface of the protrusion is formed of an abrasion-resistant layer.
このように、凸部の上端面の少なくとも一部が耐摩耗層で形成されていることにより、繰り返しの使用におけるパーティクルの発生を抑制することができる。 In this way, at least a portion of the upper end surface of the convex portion is formed from an abrasion-resistant layer, which can suppress the generation of particles during repeated use.
(6)また、本発明の基板保持部材の製造方法は、基板保持部材の製造方法であって、セラミックス焼結体からなる平板上の基体を準備する基体準備工程と、前記基体の上面から突出する複数の凸部を形成する凸部形成工程と、前記複数の凸部の上端面をラップ加工するラップ加工工程と、前記複数の凸部の上端面を、径方向の表面粗さRaが周方向の表面粗さRaと比較して大きくなるようにテクスチャリング加工するテクスチャリング加工工程と、を含むことを特徴としている。 (6) The method for manufacturing a substrate holding member of the present invention is characterized in that it includes a base preparation step of preparing a flat base made of a ceramic sintered body, a convex portion forming step of forming a plurality of convex portions protruding from the upper surface of the base, a lapping step of lapping the upper end surfaces of the plurality of convex portions, and a texturing step of texturing the upper end surfaces of the plurality of convex portions so that the radial surface roughness Ra is greater than the circumferential surface roughness Ra.
これにより、基板の位置決め精度(オーバーレイの精度)が向上した基板保持部材を製造できる。 This allows the production of substrate holding members with improved substrate positioning accuracy (overlay accuracy).
本発明によれば、基板との低接触状態を維持しながら、基板の位置決め精度の向上を図ることができる。 The present invention makes it possible to improve the positioning accuracy of the substrate while maintaining a low contact state with the substrate.
次に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。なお、構成図において、各構成要素の大きさは概念的に表したものであり、必ずしも実際の寸法比率を表すものではない。 Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. To facilitate understanding of the description, the same reference numbers are used for the same components in each drawing, and duplicate descriptions will be omitted. Note that in the configuration diagrams, the size of each component is shown conceptually and does not necessarily represent the actual dimensional ratio.
[実施形態]
本発明の実施形態に係る基板保持部材について、図1および図2を参照して説明する。図1は、本発明の実施形態に係る基板保持部材の上面の一例を示す模式図である。また、図2は、本発明の実施形態に係る基板保持部材の一例を示す模式的な断面図である。本実施形態に係る基板保持部材100は、基板(ウエハ)Wを吸着保持するための平板状の基体10を備えている。
[Embodiment]
A substrate holding member according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Fig. 1 and Fig. 2. Fig. 1 is a schematic diagram showing an example of the upper surface of a substrate holding member according to an embodiment of the present invention. Fig. 2 is a schematic cross-sectional diagram showing an example of a substrate holding member according to an embodiment of the present invention. The substrate holding member 100 according to this embodiment includes a flat base 10 for suction-holding a substrate (wafer) W.
基体10は、セラミックス焼結体により平板状に形成されている。基体10は円板状のほか、多角形板状、楕円板形状など、吸着対象である基板の形態に応じて様々な形状であってもよい。基体10を形成するセラミックス焼結体は、用途に応じて様々な材質のものを使用することができる。例えば、SiC、Al2O3、Si3N4、AlN、コージエライト、リチウムアルミノシリケート等を使用することができる。 The base 10 is made of a ceramic sintered body and is formed into a flat plate shape. The base 10 may be in various shapes, such as a circular plate, a polygonal plate, an elliptical plate, or the like, depending on the shape of the substrate to be attracted. The ceramic sintered body forming the base 10 may be made of various materials depending on the application. For example, SiC, Al2O3 , Si3N4 , AlN, cordierite, lithium aluminosilicate , etc. may be used.
基体10は、上面12から上方に突出して形成される複数の凸部20を備える。複数の凸部20の形状は、円柱形、角柱形等の柱状、円錐形、角錐形等の錐状、円錐台状、角錐台状等の錐状の上部を切断した形状等から適宜選択される。複数の凸部20の形状は、下部よりも上部の断面積が小さくなるような段差付き形状となっていてもよい。すなわち、複数の凸部20は、複数のピン状の凸部である。 The base 10 has a plurality of protrusions 20 formed to protrude upward from the upper surface 12. The shape of the plurality of protrusions 20 is appropriately selected from cylindrical shapes such as a cylinder or a prismatic shape, a cone shape such as a pyramid shape, a truncated cone shape, a truncated pyramid shape with the top portion cut off, and the like. The shape of the plurality of protrusions 20 may be a stepped shape in which the cross-sectional area of the upper portion is smaller than that of the lower portion. In other words, the plurality of protrusions 20 are a plurality of pin-shaped protrusions.
複数の凸部20の配置は特に限定されない。既知の形態またはそれに類似する形態であればよく、例えば、同心円状、正方格子状、または図1に示されるような三角格子状など規則的な配置のほか、局部的に疎密が生じているような不規則的な配置であってもよい。複数の凸部20は、隣り合う凸部20間における中心間距離が8mm以下となることが好ましい。 The arrangement of the multiple protrusions 20 is not particularly limited. It may be in a known form or a similar form, and may be, for example, a regular arrangement such as concentric circles, a square lattice, or a triangular lattice as shown in FIG. 1, or an irregular arrangement with localized sparseness and denseness. It is preferable that the center-to-center distance between adjacent protrusions 20 is 8 mm or less.
複数の凸部20は、基板Wを支持する。複数の凸部の上端22は、略面一に形成される。すなわち、複数の凸部の上端22により形成される平面(基準面)30が決定される。これにより、複数の凸部の上端22と基板Wとが当接し、基板Wが支持される。なお、複数の凸部20のうち、上端が基板Wと当接しないものがあってもよい。これは、そのような凸部があっても、周りの凸部20の配置によっては、基板Wを支持することが可能だからである。 The multiple protrusions 20 support the substrate W. The upper ends 22 of the multiple protrusions are formed to be approximately flush. That is, a plane (reference plane) 30 is determined by the upper ends 22 of the multiple protrusions. This causes the upper ends 22 of the multiple protrusions to abut against the substrate W, thereby supporting the substrate W. Note that, among the multiple protrusions 20, some may have upper ends that do not abut against the substrate W. This is because, even if such protrusions exist, it is possible to support the substrate W depending on the arrangement of the surrounding protrusions 20.
凸部20の高さは、50μm以上300μm以下であることが好ましい。なお、凸部20の高さとは、基体10の上面12から凸部の上端22までの距離をいう。 The height of the protrusions 20 is preferably 50 μm or more and 300 μm or less. The height of the protrusions 20 refers to the distance from the upper surface 12 of the base 10 to the upper end 22 of the protrusions.
複数の凸部20の少なくとも一部は、凸部の上端22が面(上端面)として形成される。また、凸部の上端22が面として形成される凸部20の少なくとも一部は、凸部の上端面24に、基体10の周方向に形成された細溝26を有する。このように、凸部の上端面24に基体10の周方向に形成された細溝26を有することで、基板W吸着時に、基板Wの径方向への伸縮や変位が抑制されるため、基板Wの位置決め精度(オーバーレイの精度)が向上する。凸部の上端22が面として形成される凸部20は、凸部の上端面24の最大径が500μm以下であることが好ましい。 At least some of the multiple protrusions 20 have the upper ends 22 of the protrusions formed as a surface (upper end surface). At least some of the protrusions 20 having the upper ends 22 of the protrusions formed as a surface have fine grooves 26 formed in the upper end surface 24 of the protrusions in the circumferential direction of the base 10. In this way, by having the fine grooves 26 formed in the upper end surface 24 of the protrusions in the circumferential direction of the base 10, radial expansion and contraction and displacement of the substrate W during suction are suppressed, improving the positioning accuracy (overlay accuracy) of the substrate W. It is preferable that the maximum diameter of the upper end surface 24 of the protrusions of the protrusions 20 having the upper ends 22 of the protrusions formed as a surface is 500 μm or less.
図3(a)、(b)は、それぞれ凸部の上端面24に細溝26が形成されていない凸部20、および周方向に細溝26が形成された凸部20を示す模式的な斜視図である。細溝26は、凸部の上端面24の端から端まで連続していてもよいし、連続していなくてもよい。細溝26の幅は、1μm以上10μm以下であることが好ましい。細溝26の深さは、0.2μm以上2μm以下であることが好ましい。 Figures 3(a) and (b) are schematic perspective views showing a convex portion 20 in which no fine grooves 26 are formed on the upper end surface 24 of the convex portion, and a convex portion 20 in which fine grooves 26 are formed in the circumferential direction, respectively. The fine grooves 26 may or may not be continuous from one end of the upper end surface 24 of the convex portion to the other. The width of the fine grooves 26 is preferably 1 μm or more and 10 μm or less. The depth of the fine grooves 26 is preferably 0.2 μm or more and 2 μm or less.
本発明の基板保持部材100は、周方向に細溝26が形成された凸部20によって、全体として図4のような細溝26を有していることが好ましい。図4は、周方向に細溝26が形成された凸部20が全面的に配置されている基板保持部材100の上面の概念を示す模式図である。また、図5は、一方向に細溝が形成された凸部が全面的に配置されている基板保持部材の上面の概念を示す模式図である。なお、図4および図5は、凸部20が省略されている。 The substrate holding member 100 of the present invention preferably has a narrow groove 26 as shown in FIG. 4 as a whole, due to the convex portion 20 on which the narrow groove 26 is formed in the circumferential direction. FIG. 4 is a schematic diagram showing the concept of the upper surface of the substrate holding member 100 on which the convex portion 20 on which the narrow groove 26 is formed in the circumferential direction is disposed over the entire surface. FIG. 5 is a schematic diagram showing the concept of the upper surface of the substrate holding member on which the convex portion on which the narrow groove is formed in one direction is disposed over the entire surface. Note that the convex portion 20 is omitted in FIGS. 4 and 5.
図4のように、周方向に細溝26が形成された凸部20が全面的に配置されている基板保持部材100は、基板Wの中心からあらゆる径方向への滑り、伸縮、変位を抑制することができる。一方、図5のように、一方向に細溝が形成された凸部が全面的に配置されている基板保持部材は、基板Wの中心からある径方向への滑り、伸縮、変位を抑制することができても、それとは異なる径方向への滑り、伸縮、変位を抑制することはできない。そのため、本発明の基板保持部材は、周方向に細溝26が形成された凸部20は、複数あることが好ましく、全面的に配置されていることがより好ましい。 As shown in FIG. 4, a substrate holding member 100 having a protrusion 20 with narrow grooves 26 formed in the circumferential direction arranged over the entire surface can suppress slippage, expansion/contraction, and displacement in all radial directions from the center of the substrate W. On the other hand, as shown in FIG. 5, a substrate holding member having a protrusion with narrow grooves formed in one direction arranged over the entire surface can suppress slippage, expansion/contraction, and displacement in a certain radial direction from the center of the substrate W, but cannot suppress slippage, expansion/contraction, and displacement in a different radial direction. For this reason, it is preferable that the substrate holding member of the present invention has multiple protrusions 20 with narrow grooves 26 formed in the circumferential direction, and it is even more preferable that they are arranged over the entire surface.
しかし、周方向に細溝26が形成された凸部20は、それが配置された箇所において基板Wの径方向への滑り、伸縮、変位を抑制することができるため、一部の凸部20が周方向に細溝26が形成された凸部20であり、それを除く凸部20が細溝26が形成されない凸部20であっても、本発明の範囲に含むものとする。 However, since the convex portion 20 having the narrow groove 26 formed in the circumferential direction can suppress radial slippage, expansion/contraction, and displacement of the substrate W at the location where it is arranged, even if some of the convex portions 20 have narrow grooves 26 formed in the circumferential direction and the remaining convex portions 20 do not have narrow grooves 26 formed therein, this is still within the scope of the present invention.
凸部の上端面24は、基体10の径方向に沿った表面粗さRaが基体10の周方向に沿った表面粗さRaと比較して大きいことが好ましい。このように、凸部の上端面24の径方向の表面粗さRaが周方向の表面粗さRaと比較して大きいことで、基板Wの位置決め精度がより向上する。なお、基体10の径方向および周方向とは、基体10の上面12に基体の中心16を設定したときの基体の中心16を円の中心とする円の半径方向および円周方向のことである。基体の中心16は、基板保持部材100に載置できる最大径の基板Wを載置したときの基板Wの中心近傍に設定することが好ましい。中心近傍とは、最大径の基板Wの中心から0.2mm以内の範囲である。 It is preferable that the surface roughness Ra of the upper end surface 24 of the convex portion along the radial direction of the base 10 is larger than the surface roughness Ra of the upper end surface 24 of the convex portion along the circumferential direction of the base 10. In this way, the positioning accuracy of the substrate W is further improved by the surface roughness Ra of the upper end surface 24 of the convex portion being larger than the surface roughness Ra of the circumferential direction. Note that the radial direction and circumferential direction of the substrate 10 refer to the radial direction and circumferential direction of a circle whose center is the center 16 of the substrate when the center 16 of the substrate is set on the upper surface 12 of the substrate 10. It is preferable that the center 16 of the substrate is set near the center of the substrate W when the substrate W of the maximum diameter that can be placed on the substrate holding member 100 is placed. Near the center refers to a range within 0.2 mm from the center of the substrate W of the maximum diameter.
凸部の上端面24の基体10の径方向に沿った表面粗さRaが基体10の周方向に沿った表面粗さRaと比較して大きい凸部20の基体10の径方向に沿った表面粗さRaは、0.04μm以上であることが好ましい。径方向に沿った表面粗さRaが小さすぎる場合、基板W吸着時の基板Wの径方向への伸縮や変位の抑制効果が小さくなる。また、凸部の上端面24の基体10の径方向に沿った表面粗さRaが基体10の周方向に沿った表面粗さRaと比較して大きい凸部20の基体10の径方向に沿った表面粗さRaは、0.15μm未満であることが好ましく、0.1μm以下であることがより好ましい。径方向に沿った表面粗さRaが大きすぎる場合、パーティクル発生の虞が高まる。 The surface roughness Ra of the upper end surface 24 of the convex portion along the radial direction of the base 10 is preferably 0.04 μm or more. If the surface roughness Ra along the radial direction is too small, the effect of suppressing the expansion and contraction and displacement of the substrate W in the radial direction when the substrate W is adsorbed is reduced. In addition, the surface roughness Ra of the upper end surface 24 of the convex portion along the radial direction of the base 10 is preferably less than 0.15 μm, and more preferably 0.1 μm or less. If the surface roughness Ra along the radial direction is too large, the risk of particle generation increases.
凸部の上端面24の基体10の径方向に沿った表面粗さRaが基体10の周方向に沿った表面粗さRaと比較して大きい凸部20の基体10の周方向に沿った表面粗さRaは、0.001μm以上0.08μm以下であることが好ましい。 The surface roughness Ra of the upper end surface 24 of the convex portion along the radial direction of the base 10 is larger than the surface roughness Ra of the upper end surface 24 of the convex portion along the circumferential direction of the base 10. The surface roughness Ra of the convex portion 20 along the circumferential direction of the base 10 is preferably 0.001 μm or more and 0.08 μm or less.
なお、凸部の上端面24の基体10の径方向に沿った表面粗さRa、および基体10の周方向に沿った表面粗さRaは、凸部の上端面24の凹凸量を白色干渉計により非接触で3次元的にスキャンして、スキャンした3Dハイトマップ上で半径方向の直線上、または円周方向の曲線上で2Dチャートを作成し、作成した2Dチャートにより求めることができる。表面粗さRaは、複数の凸部の上端面24の平均値とすることが好ましい。 The surface roughness Ra of the upper end faces 24 of the convex portions along the radial direction of the substrate 10 and the surface roughness Ra of the substrate 10 along the circumferential direction can be determined by scanning the amount of unevenness of the upper end faces 24 of the convex portions three-dimensionally without contact using a white light interferometer, creating a 2D chart on a radial straight line or a circumferential curve on the scanned 3D height map, and using the created 2D chart. It is preferable to determine the surface roughness Ra as the average value of the upper end faces 24 of multiple convex portions.
例えば、凸部の上端面24の基体10の径方向に沿った表面粗さRaが基体10の周方向に沿った表面粗さRaと比較して大きい凸部20が基体10の上面12の全面にある場合、基体の中心16を中心とする任意の半径の円を4つ設定し、回転方向に120°等配にて3方向の計12点の凸部を観察位置として選択し、選択した全ての凸部20の基体10の径方向に沿った表面粗さRa、および基体10の周方向に沿った表面粗さRaを求め、その平均値をそれぞれ基体10の径方向に沿った表面粗さRaおよび基体の周方向に沿った表面粗さRaとすることができる。 For example, if there are convex portions 20 on the entire upper surface 12 of the base 10, in which the surface roughness Ra of the upper end surface 24 of the convex portion along the radial direction of the base 10 is larger than the surface roughness Ra along the circumferential direction of the base 10, four circles of arbitrary radius centered on the center 16 of the base are set, and a total of 12 convex points in three directions at equal intervals of 120° in the rotational direction are selected as observation positions, and the surface roughness Ra along the radial direction of the base 10 and the surface roughness Ra along the circumferential direction of the base 10 of all selected convex portions 20 are calculated, and the average values thereof can be used as the surface roughness Ra along the radial direction of the base 10 and the surface roughness Ra along the circumferential direction of the base 10, respectively.
また、基体の中心16を通り直交する2つの直線で上面12を4つの領域に分割したとき、いずれの領域にも凸部の上端面24の基体10の径方向に沿った表面粗さRaが基体10の周方向に沿った表面粗さRaと比較して大きい凸部20が含まれることが好ましい。これにより、基板の様々な径方向への伸縮や変位が抑制されるため、基板の位置決め精度がより向上する。 In addition, when the upper surface 12 is divided into four regions by two straight lines that pass through the center 16 of the base and intersect at right angles, it is preferable that each region includes a convex portion 20 in which the surface roughness Ra of the upper end surface 24 of the convex portion along the radial direction of the base 10 is greater than the surface roughness Ra along the circumferential direction of the base 10. This suppresses expansion/contraction and displacement of the substrate in various radial directions, thereby further improving the positioning accuracy of the substrate.
例えば、基体の中心16を中心とする所定の半径の円の内側の領域にある凸部20が全て、凸部の上端面24の基体10の径方向に沿った表面粗さRaが基体10の周方向に沿った表面粗さRaと比較して大きい凸部20であればよい。また、例えば、基体の中心16を中心とする異なる所定の半径の2つの円に囲まれたドーナツ状の領域にある凸部20が全て、凸部の上端面24の基体10の径方向に沿った表面粗さRaが基体10の周方向に沿った表面粗さRaと比較して大きい凸部20であればよい。 For example, it is sufficient that all of the protrusions 20 in the region inside a circle of a predetermined radius centered on the center 16 of the base are protrusions 20 whose surface roughness Ra of the upper end surface 24 of the protrusions in the radial direction of the base 10 is larger than the surface roughness Ra of the upper end surface 24 of the protrusions in the circumferential direction of the base 10. Also, for example, it is sufficient that all of the protrusions 20 in a doughnut-shaped region surrounded by two circles of different predetermined radii centered on the center 16 of the base are protrusions 20 whose surface roughness Ra of the upper end surface 24 of the protrusions in the radial direction of the base 10 is larger than the surface roughness Ra of the upper end surface 24 of the protrusions in the circumferential direction of the base 10.
なお、上記のとおり、基体10に形成された凸部20が全て、周方向に形成された細溝26を有することが好ましい。また、基体10に形成された凸部20が全て、凸部の上端面24の基体10の径方向に沿った表面粗さRaが基体10の周方向に沿った表面粗さRaと比較して大きい凸部20であることが好ましい。 As described above, it is preferable that all of the convex portions 20 formed on the substrate 10 have fine grooves 26 formed in the circumferential direction. It is also preferable that all of the convex portions 20 formed on the substrate 10 are convex portions 20 in which the surface roughness Ra of the upper end surface 24 of the convex portion along the radial direction of the substrate 10 is larger than the surface roughness Ra along the circumferential direction of the substrate 10.
凸部の上端22の少なくとも一部、または凸部の上端面24の少なくとも一部は、耐摩耗層28で形成されることが好ましい。凸部の上端面24の少なくとも一部が耐摩耗層28で形成されていることにより、繰り返しの使用におけるパーティクルの発生を抑制することができる。図6(a)、(b)は、それぞれ耐摩耗層28が形成された凸部20を示す模式的な断面図である。耐摩耗層28は、図6(a)に示されるように、凸部の上端22もしくは凸部の上端面24の全部または少なくとも一部に形成されていてもよい。また、図6(b)に示されるように、凸部の上端22もしくは凸部の上端面24、その側面、および基体10の上面12に形成されていてもよい。 At least a part of the upper end 22 of the convex portion or at least a part of the upper end surface 24 of the convex portion is preferably formed of an abrasion-resistant layer 28. By forming at least a part of the upper end surface 24 of the convex portion with the abrasion-resistant layer 28, the generation of particles during repeated use can be suppressed. FIGS. 6(a) and 6(b) are schematic cross-sectional views showing the convex portion 20 on which the abrasion-resistant layer 28 is formed. As shown in FIG. 6(a), the abrasion-resistant layer 28 may be formed on all or at least a part of the upper end 22 of the convex portion or the upper end surface 24 of the convex portion. Also, as shown in FIG. 6(b), it may be formed on the upper end 22 of the convex portion or the upper end surface 24 of the convex portion, its side surface, and the upper surface 12 of the base body 10.
耐摩耗層28は、物理蒸着(PVD法)や化学蒸着(CVD法)、イオン化蒸着法などにより形成されたDLC膜(ダイヤモンドライクカーボン)やSiC膜などで形成することができる。 The wear-resistant layer 28 can be formed from a DLC (diamond-like carbon) film or a SiC film formed by physical vapor deposition (PVD method), chemical vapor deposition (CVD method), ionization deposition method, etc.
凸部の上端面24の少なくとも一部が耐摩耗層28で形成される凸部20は、周方向に形成された細溝26を有することが好ましい。また、凸部の上端面24の少なくとも一部が耐摩耗層28で形成される凸部20は、凸部の上端面24の基体10の径方向に沿った表面粗さRaが基体10の周方向に沿った表面粗さRaと比較して大きいことが好ましい。凸部の上端面24の少なくとも一部が耐摩耗層28で形成されている場合、基板の滑り、伸縮、変位等が発生しやすいからである。 The convex portion 20, at least a part of whose upper end surface 24 is formed of the wear-resistant layer 28, preferably has fine grooves 26 formed in the circumferential direction. In addition, the convex portion 20, at least a part of whose upper end surface 24 is formed of the wear-resistant layer 28, preferably has a surface roughness Ra of the upper end surface 24 of the convex portion along the radial direction of the substrate 10 that is greater than the surface roughness Ra of the upper end surface 24 along the circumferential direction of the substrate 10. This is because, when at least a part of the upper end surface 24 of the convex portion is formed of the wear-resistant layer 28, slippage, expansion/contraction, displacement, etc. of the substrate are likely to occur.
基板保持部材100は、図示しない電極、端子、端子穴、およびリフトピン孔等を備えていてもよい。また、真空チャックとして使用する場合、そのための通気孔、環状凸部等を備えていてもよい。また、静電チャックとして使用する場合、静電吸着用の電極等を備えていてもよい。 The substrate holding member 100 may be provided with electrodes, terminals, terminal holes, lift pin holes, etc. (not shown). When used as a vacuum chuck, it may be provided with ventilation holes, annular protrusions, etc. When used as an electrostatic chuck, it may be provided with electrodes for electrostatic adsorption, etc.
図7は、本発明の実施形態に係る基板保持部材の上面の変形例を示す模式図である。また、図8は、本発明の実施形態に係る基板保持部材の変形例を示す模式的な断面図である。図7および図8は、基板保持部材100を真空チャックとして使用する場合を想定している。 Figure 7 is a schematic diagram showing a modified top surface of a substrate holding member according to an embodiment of the present invention. Also, Figure 8 is a schematic cross-sectional view showing a modified substrate holding member according to an embodiment of the present invention. Figures 7 and 8 assume that the substrate holding member 100 is used as a vacuum chuck.
環状凸部40は、基体10の上面12の外周に沿って環状に形成される。例えば、基体10が円板状に形成される場合、環状凸部40は、基体10の上面の外周に沿った位置または外周から所定の幅を空けて中心側に寄った位置に、上方から見たとき円環状に連続して形成されることが好ましい。環状凸部40が円環状に形成される場合、その中心は、基体の中心16と一致することが好ましい。 The annular protrusion 40 is formed in a ring shape along the outer periphery of the upper surface 12 of the base 10. For example, when the base 10 is formed in a disk shape, the annular protrusion 40 is preferably formed in a continuous ring shape when viewed from above, at a position along the outer periphery of the upper surface of the base 10 or at a position a predetermined width away from the outer periphery and toward the center. When the annular protrusion 40 is formed in a ring shape, it is preferable that its center coincides with the center 16 of the base.
環状凸部の上端42は、複数の凸部の上端22より基体10の上面12に近い位置にあることが好ましい。すなわち、環状凸部40の高さは、複数の凸部20の高さより低いことが好ましい。これにより、基板Wの吸着動作中において、常に基体10の外側から大気が流入することとなり、環状凸部40の近傍でベルヌーイ効果を発揮させ基板Wの縁の沈み込みを抑制できる。また、基板Wとの接触面積を小さくすることができ、パーティクル発生のリスクが低減される。なお、環状凸部40が複数の凸部20の上端より一定量低く形成されることで、基板W吸着時に外周から外気が常に導入される状態にあるが、圧力勾配の発生により基板Wの吸着に十分な真空度が得られる程度の間隔であれば問題ない。 The upper end 42 of the annular convex portion is preferably closer to the upper surface 12 of the base 10 than the upper ends 22 of the multiple convex portions. In other words, the height of the annular convex portion 40 is preferably lower than the height of the multiple convex portions 20. This allows air to always flow in from the outside of the base 10 during the suction operation of the substrate W, and the Bernoulli effect can be exerted near the annular convex portion 40 to suppress sinking of the edge of the substrate W. In addition, the contact area with the substrate W can be reduced, reducing the risk of particle generation. Note that by forming the annular convex portion 40 a certain amount lower than the upper ends of the multiple convex portions 20, outside air is always introduced from the outer periphery when the substrate W is suctioned, but this does not matter as long as the interval is large enough to obtain a sufficient vacuum for suction of the substrate W due to the generation of a pressure gradient.
環状凸部40の高さとは、基体10の上面12から環状凸部の上端42までの距離をいう。環状凸部40の高さは、複数の凸部20の高さに対して、1μm以上10μm以下低いことが好ましい。例えば、複数の凸部20の高さが100μmであるとき、環状凸部40の高さは90μm以上99μm以下であることが好ましい。 The height of the annular protrusion 40 refers to the distance from the upper surface 12 of the base 10 to the upper end 42 of the annular protrusion. The height of the annular protrusion 40 is preferably 1 μm or more and 10 μm or less lower than the height of the multiple protrusions 20. For example, when the height of the multiple protrusions 20 is 100 μm, the height of the annular protrusion 40 is preferably 90 μm or more and 99 μm or less.
環状凸部40の幅は、0.1μm以上8mm以下であることが好ましい。また、環状凸部40の幅は、隣接する複数の凸部20の中心間の距離以下であることが好ましい。環状凸部40は、その断面形状が矩形状のほか、台形状、半球状など様々な形状であってよいが、環状凸部の上端42は、平面で形成されていることが好ましい。その場合、環状凸部の上端42の平面(環状凸部の上端面44)の表面粗さは、Ra0.20μm以下であることが好ましい。 The width of the annular convex portion 40 is preferably 0.1 μm or more and 8 mm or less. In addition, the width of the annular convex portion 40 is preferably equal to or less than the distance between the centers of the adjacent convex portions 20. The cross-sectional shape of the annular convex portion 40 may be rectangular, trapezoidal, hemispherical, or other various shapes, but it is preferable that the upper end 42 of the annular convex portion is formed as a flat surface. In this case, it is preferable that the surface roughness of the flat surface of the upper end 42 of the annular convex portion (the upper end surface 44 of the annular convex portion) is Ra 0.20 μm or less.
環状凸部の上端42が複数の凸部の上端22より基体10の上面12に近い位置にある、いわゆるベルヌーイ型の真空チャックの場合、環状凸部の上端面44は基板Wと接触しないため、環状凸部の上端面44に細溝が形成される必要はない。一方、環状凸部の上端42が複数の凸部の上端22と略面一に形成された真空チャックの場合、環状凸部の上端面44は基板Wと接触するため、環状凸部の上端面44に細溝26が形成されていてもよい。 In the case of a so-called Bernoulli-type vacuum chuck in which the upper end 42 of the annular convex portion is located closer to the upper surface 12 of the substrate 10 than the upper ends 22 of the multiple convex portions, the upper end surface 44 of the annular convex portion does not come into contact with the substrate W, so there is no need to form a fine groove on the upper end surface 44 of the annular convex portion. On the other hand, in the case of a vacuum chuck in which the upper end 42 of the annular convex portion is formed substantially flush with the upper ends 22 of the multiple convex portions, the upper end surface 44 of the annular convex portion comes into contact with the substrate W, so the fine groove 26 may be formed on the upper end surface 44 of the annular convex portion.
基体10には、上面12に開口している1または複数の通気孔50が形成される。複数の通気孔50が形成される場合、複数の通気孔50は基体10の内部を通る通気路を介して連通してもよい。通気孔50は、真空吸引装置(図示略)に接続される。通気孔50の位置、形状、および大きさは、吸着面の領域の形状、基板Wの形状や種類、真空吸引した際の吸着力等、基板保持装置の設計に応じて異なる。 The base 10 is formed with one or more ventilation holes 50 opening on the upper surface 12. When multiple ventilation holes 50 are formed, the multiple ventilation holes 50 may be connected via an air passage passing through the inside of the base 10. The ventilation hole 50 is connected to a vacuum suction device (not shown). The position, shape, and size of the ventilation hole 50 vary depending on the design of the substrate holding device, such as the shape of the suction surface area, the shape and type of the substrate W, and the suction force when vacuum suctioned.
[基板保持部材の製造方法]
次に、本発明の実施形態に係る基板保持部材の製造方法を説明する。本発明の実施形態に係る基板保持部材の製造方法は、基体準備工程と、凸部形成工程と、ラップ加工工程と、テクスチャリング加工工程と、を含む。各工程について、以下に説明をする。
[Method of manufacturing the substrate holding member]
Next, a method for manufacturing a substrate holding member according to an embodiment of the present invention will be described. The method for manufacturing a substrate holding member according to an embodiment of the present invention includes a base preparation step, a convex portion formation step, a lapping step, and a texturing step. Each step will be described below.
基体準備工程は、セラミックス焼結体からなる平板上の基体を準備する。周知の方法により、原料粉末から平板状の成形体が作製され、この成形体を焼成することにより平板状のセラミック焼結体が得られる。セラミック焼結体は、SiC、Al2O3、Si3N4、AlN、コージエライト、リチウムアルミノシリケートなどである。原料粉末には焼結助剤が含まれていてもよい。図1などでは円板形状の基板保持部材が図示されているが、多角形形状、楕円形状など、どんな形状でもよい。 In the base preparation step, a flat-plate base made of a ceramic sintered body is prepared. A flat-plate-shaped compact is produced from raw material powder by a known method, and a flat -plate-shaped ceramic sintered body is obtained by firing the compact. The ceramic sintered body is SiC, Al2O3 , Si3N4 , AlN, cordierite, lithium aluminosilicate , etc. The raw material powder may contain a sintering aid. Although a disk-shaped substrate holder is illustrated in FIG. 1, etc., any shape may be used, such as a polygonal shape or an elliptical shape.
凸部形成工程は、基体の上面から突出する複数の凸部を形成する。すなわち、セラミック焼結体の上面となる面に複数の凸部を形成する。また、必要に応じて、通気孔、環状凸部等を形成する。形成方法としては、ブラスト加工、ミリング加工、レーザ加工等によって形成することが可能である。 In the convex portion forming process, multiple convex portions are formed that protrude from the upper surface of the base. In other words, multiple convex portions are formed on the surface that will become the upper surface of the ceramic sintered body. In addition, ventilation holes, annular convex portions, etc. are formed as necessary. Forming methods that can be used include blasting, milling, laser processing, etc.
複数の凸部の配置は特に限定されない。既知の形態またはそれに類似する形態であればよく、例えば、配置は、三角格子状、正方格子状、同心円状など規則的な配置のほか、局部的に疎密が生じているような不規則的な配置であってもよい。 The arrangement of the multiple protrusions is not particularly limited. It may be in a known form or a form similar thereto. For example, the arrangement may be a regular arrangement such as a triangular lattice, a square lattice, or a concentric circle arrangement, or may be an irregular arrangement with localized sparseness and density.
複数の凸部の形状は、円柱形、角柱形等の柱状、円錐形、角錐形等の錐状、円錐台状、角錐台状等の錐状の上部を切断した形状等から適宜選択される。複数の凸部20の形状は、下部よりも上部の断面積が小さくなるような段差付き形状となっていてもよい。少なくとも一部の凸部は、凸部の上端を面として形成する。すなわち、少なくとも一部の凸部の形状は、円柱形、角柱形等の柱状、または円錐台状、角錐台状等の錐状の上部を切断した形状であることが好ましい。 The shape of the multiple protrusions is appropriately selected from cylindrical, prismatic, and other columnar shapes, conical, and other pyramidal shapes, and shapes with the top of a pyramid, such as a truncated cone shape or a truncated pyramid shape, etc. The shape of the multiple protrusions 20 may be a stepped shape in which the cross-sectional area of the upper part is smaller than that of the lower part. At least some of the protrusions are formed with the upper end of the protrusion as a surface. In other words, it is preferable that the shape of at least some of the protrusions is a columnar, prismatic, and other columnar shape, or a truncated cone shape or a truncated pyramid shape, such as a truncated cone shape or a truncated pyramid shape, with the top part cut off.
複数の凸部の上端は、略面一に形成される。複数の凸部は、例えば、突出量は50μm以上500μm以下、複数の凸部の間隔は1.5mm以上8mm以下の範囲で、吸着する基板等の条件に応じて設計することが好ましい。また、凸部の上端が面として形成される凸部の上端面の径は100μm以上500μm以下であることが好ましい。 The upper ends of the multiple protrusions are formed to be approximately flush. The multiple protrusions are preferably designed according to the conditions of the substrate to be adsorbed, for example, with a protrusion amount of 50 μm to 500 μm and a spacing between the multiple protrusions in the range of 1.5 mm to 8 mm. In addition, the diameter of the upper end surface of the protrusions formed as a surface is preferably 100 μm to 500 μm.
ラップ加工工程は、複数の凸部の上端面をラップ加工する。凸部の表面を遊離砥粒によるラップ研磨を行い、表面粗さRaを好ましくは0.05μm以下、より好ましくは0.04μm以下とする。 In the lapping process, the upper end faces of the multiple protrusions are lapped. The surfaces of the protrusions are lapped using free abrasive grains to a surface roughness Ra of preferably 0.05 μm or less, more preferably 0.04 μm or less.
テクスチャリング加工工程は、複数の凸部の上端面を、径方向の表面粗さRaが周方向の表面粗さRaと比較して大きくなるようにテクスチャリング加工する。具体的には、凸部の表面を表面テクスチャリング加工により、周方向に沿った細溝を形成する。このとき、基体の径方向に沿った表面粗さRaを0.04μm以上0.15μm未満とすることが好ましい。テクスチャリング加工工程は、例えば以下のように行われる。図9(a)、(b)は、それぞれテクスチャリング加工工程の過程を示す模式的な斜視図および平面図である。 In the texturing process, the upper end surfaces of the multiple protrusions are textured so that the surface roughness Ra in the radial direction is greater than the surface roughness Ra in the circumferential direction. Specifically, the surfaces of the protrusions are textured to form fine grooves along the circumferential direction. At this time, it is preferable that the surface roughness Ra along the radial direction of the base is 0.04 μm or more and less than 0.15 μm. The texturing process is carried out, for example, as follows. Figures 9(a) and (b) are schematic perspective and plan views, respectively, showing the process of the texturing process.
テクスチャリング加工工程は、例えば、緻密質なセラミックス焼結体のピースを複数の凸部の表面上で走査させることで行われる。セラミックスピースは、例えばAl2O3やZrO2の酸化物セラミックスからなり、円板状または角形状で構成され、基板保持部材(複数の凸部)と接する面の表面粗さRaが0.1μm以上0.5μm以下であることが好ましい。Raが0.5μmを超えると、複数の凸部の摩耗によるパーティクルの発生や、基板保持部材の平面度が悪化の恐れがある。また、0.1μm未満であると、複数の凸部との吸い付きがが起こり、セラミックスピースの走査が困難となり、必要以上の力がかかってしまい凸部を破損してしまう虞がある。 The texturing process is carried out, for example, by scanning a dense ceramic sintered body piece on the surface of the multiple protrusions. The ceramic piece is made of oxide ceramics such as Al2O3 or ZrO2 , and is formed in a disk or square shape, and the surface roughness Ra of the surface that contacts the substrate holding member (multiple protrusions) is preferably 0.1 μm or more and 0.5 μm or less. If Ra exceeds 0.5 μm, there is a risk of particles being generated due to wear of the multiple protrusions, and the flatness of the substrate holding member being deteriorated. Also, if it is less than 0.1 μm, adhesion with the multiple protrusions occurs, making it difficult to scan the ceramic piece, and there is a risk of applying more force than necessary and damaging the protrusions.
セラミックスピース自身からの発塵を抑制するため、セラミックスピースの純度は高純度あることが好ましい。例えば、95%以上であることが好ましく、99%以上であることがより好ましい。 To prevent dust generation from the ceramic pieces themselves, it is preferable that the purity of the ceramic pieces is high. For example, it is preferable that the purity is 95% or more, and more preferably 99% or more.
セラミックスピースの表面にダイヤモンドペーストを薄く均一に塗布し、複数の凸部の表面に配置し、1KPa以下の圧力(ピースの自重レベル)で基板保持部材の周方向に走査する。このとき周方向に沿った細溝を形成する目的から、セラミックスピースは一定の方向にのみ走査する。例えば、基板保持部材の外周部を1~3周程度走査した後、セラミックスピースを内側へオフセットし、同様に1~3周程度走査する。その後、表面粗さを測定し、値を満足していなければ同様の走査を繰り返すことで表面テクスチャリング処理を行う。 Diamond paste is applied thinly and evenly to the surface of the ceramic piece, which is then placed on the surfaces of multiple convex parts and scanned in the circumferential direction of the substrate holding member with a pressure of 1 KPa or less (the weight of the piece itself). In order to form fine grooves along the circumferential direction, the ceramic piece is scanned only in a fixed direction. For example, after scanning the outer periphery of the substrate holding member for 1 to 3 revolutions, the ceramic piece is offset inward and scanned in the same way for 1 to 3 revolutions. The surface roughness is then measured, and if the value is not satisfactory, the same scan is repeated to perform surface texturing.
凸部の上端面の基体の径方向に沿った表面粗さRa、および基体の周方向に沿った表面粗さRaは、凸部の上端面の凹凸量を白色干渉計により非接触で3次元的にスキャンして、スキャンした3Dハイトマップ上で半径方向の直線上、または円周方向の曲線上で2Dチャートを作成し、作成した2Dチャートにより求めることができる。表面粗さRaは、複数の凸部の上端面の平均値とすることが好ましい。 The surface roughness Ra of the upper end surface of the convex portion along the radial direction of the base and the surface roughness Ra of the base along the circumferential direction can be determined by scanning the unevenness of the upper end surface of the convex portion three-dimensionally without contact using a white light interferometer, creating a 2D chart on a straight line in the radial direction or a curve in the circumferential direction on the scanned 3D height map, and using the created 2D chart. It is preferable to determine the surface roughness Ra as the average value of the upper end surfaces of multiple convex portions.
なお、テクスチャリング加工工程の前または後に、複数の凸部の上端面の少なくとも一部に耐摩耗層を形成する、耐摩耗層形成工程を設けてもよい。耐摩耗層形成工程は、複数の凸部が形成されラップ加工がおこなわれた基板保持部材に対し、物理蒸着(PVD法)や化学蒸着(CVD法)、イオン化蒸着法などにより、DLC膜(ダイヤモンドライクカーボン)やSiC膜などを形成することで、耐摩耗層を形成することができる。 In addition, an abrasion-resistant layer forming process may be performed before or after the texturing process, in which an abrasion-resistant layer is formed on at least a portion of the upper end surface of the multiple protrusions. In the abrasion-resistant layer forming process, a DLC film (diamond-like carbon) or SiC film is formed by physical vapor deposition (PVD method), chemical vapor deposition (CVD method), ionization vapor deposition method, or the like on the substrate holding member on which multiple protrusions have been formed and lapped, to form an abrasion-resistant layer.
耐摩耗層形成工程は、形成する耐摩耗層の厚みがテクスチャリング加工工程で形成する細溝の深さと比較して薄い場合は、テクスチャリング加工工程の前または後のどちらで行なってもよい。形成する耐摩耗層の厚みがテクスチャリング加工工程で形成する細溝の深さと比較して同等以上である場合は、テクスチャリング加工工程の後に行なうことが好ましい。 The abrasion-resistant layer forming process may be performed either before or after the texturing process if the thickness of the abrasion-resistant layer to be formed is thinner than the depth of the fine grooves formed in the texturing process. If the thickness of the abrasion-resistant layer to be formed is equal to or greater than the depth of the fine grooves formed in the texturing process, it is preferable to perform the abrasion-resistant layer forming process after the texturing process.
上記のような工程により、本発明の基板保持部材を製造することができる。 The substrate holding member of the present invention can be manufactured by the above process.
[実施例および比較例]
(実施例1)
炭化ケイ素の焼結体からなる、径φ310mm、厚さt1.5mmの略円板状の基体を準備し、ブラスト加工により、通気孔、複数の凸部、環状凸部が形成した。複数の凸部は、高さ150μm、径φ300μmで、各凸部の中心間間隔が4mmの三角格子状となるように形成された。また、環状凸部は、幅が200μmで形成され、追加工により複数の凸部より3μm低くなるように形成された。
[Examples and Comparative Examples]
Example 1
A substantially disk-shaped base body made of sintered silicon carbide with a diameter of φ310 mm and a thickness of t1.5 mm was prepared, and blast processing was used to form vent holes, multiple convex portions, and annular convex portions. The multiple convex portions were formed to have a height of 150 μm, a diameter of φ300 μm, and a triangular lattice shape with a center-to-center distance of 4 mm between each convex portion. The annular convex portion was formed to have a width of 200 μm, and was formed by additional processing so that it was 3 μm lower than the multiple convex portions.
続いて、遊離砥粒によるラップ研磨を行い、複数の凸部の表面粗さRaが0.03μm程度となるように仕上げ加工を行った。 Next, lapping was performed using free abrasive grains, and finishing was performed so that the surface roughness Ra of the multiple protrusions was approximately 0.03 μm.
続いて、表面テクスチャリング加工として、相対密度99%、表面粗さRa0.3μmの酸化アルミニウムからなるセラミックスピース(φ130mm×t15mm)に粒径0.5μmのダイヤモンドペーストを塗布し、周方向に走査することで、実施例1の基板保持部材を製造した。テクスチャリング加工後、測定した12個の凸部における基体の径方向に沿った表面粗さRaは、0.04μmであった。また、同じ12個の凸部における基体の周方向に沿った表面粗さRaは、0.03μmであった。 Next, as a surface texturing process, a diamond paste with a particle size of 0.5 μm was applied to a ceramic piece (φ130 mm × t15 mm) made of aluminum oxide with a relative density of 99% and a surface roughness Ra of 0.3 μm, and the piece was scanned in the circumferential direction to produce the substrate holding member of Example 1. After the texturing process, the surface roughness Ra along the radial direction of the base for the 12 convex portions was measured to be 0.04 μm. Furthermore, the surface roughness Ra along the circumferential direction of the base for the same 12 convex portions was 0.03 μm.
なお、実施例および比較例のテクスチャリング加工前の凸部の表面粗さRaは、以下のように測定した。基体の中心を中心とする任意の半径の円を4つ設定し(本実施例では、φ20mm、φ110mm、φ200mm、φ298mm)、回転方向に120°等配にて3方向の計12点の凸部を観察位置として選択した。次に、選択した凸部の上端面の凹凸量を白色干渉計(AMETEK Talor Hobson社製:CCI-HD)により非接触で3次元的にスキャンした。次に、スキャンした3Dハイトマップ上で任意の直線上で2Dチャートを作成し、作成した2Dチャートによりそれぞれの凸部の表面粗さRaを求めた。そして、12個の凸部の表面粗さRaの平均値を求めることで、基体保持部材の表面粗さRaを求めた。 The surface roughness Ra of the convex parts before texturing in the examples and comparative examples was measured as follows. Four circles of arbitrary radius centered on the center of the substrate were set (in this example, φ20 mm, φ110 mm, φ200 mm, and φ298 mm), and a total of 12 convex parts in three directions were selected as observation positions at equal intervals of 120° in the rotation direction. Next, the unevenness of the upper end surface of the selected convex parts was scanned three-dimensionally without contact using a white light interferometer (AMETEK Talor Hobson: CCI-HD). Next, a 2D chart was created on an arbitrary straight line on the scanned 3D height map, and the surface roughness Ra of each convex part was determined using the created 2D chart. Then, the surface roughness Ra of the substrate holding member was determined by calculating the average value of the surface roughness Ra of the 12 convex parts.
また、実施例のテクスチャリング加工後の凸部の基体の径方向に沿った表面粗さRaおよび基体の周方向に沿った表面粗さRaは、以下のように測定した。基体の中心を中心とする任意の半径の円を4つ設定し(本実施例では、φ20mm、φ110mm、φ200mm、φ298mm)、回転方向に120°等配にて3方向の計12点の凸部を観察位置として選択した。次に、選択した凸部の上端面の凹凸量を白色干渉計(AMETEK Talor Hobson社製:CCI-HD)により非接触で3次元的にスキャンした。次に、スキャンした3Dハイトマップ上で半径方向の直線上、または円周方向の曲線上で2Dチャートを作成し、作成した2Dチャートによりそれぞれの凸部の基体の径方向に沿った表面粗さRa、および基体の周方向に沿った表面粗さRaを求めた。そして、12個の凸部の基体の径方向に沿った表面粗さRaの平均値、および基体の周方向に沿った表面粗さRaの平均値を求めることで、それぞれの基体保持部材の基体の径方向に沿った表面粗さRa、および基体の周方向に沿った表面粗さRaを求めた。比較例2は、X方向に沿った表面粗さのみ求めた。 In addition, the surface roughness Ra of the convex portion along the radial direction of the substrate and along the circumferential direction of the substrate after the texturing process in the embodiment were measured as follows. Four circles of arbitrary radius centered on the center of the substrate were set (in this embodiment, φ20 mm, φ110 mm, φ200 mm, and φ298 mm), and a total of 12 convex portions in three directions were selected as observation positions at 120° equal intervals in the rotation direction. Next, the unevenness of the upper end surface of the selected convex portions was scanned three-dimensionally without contact using a white light interferometer (AMETEK Talor Hobson: CCI-HD). Next, a 2D chart was created on the scanned 3D height map on a straight line in the radial direction or a curved line in the circumferential direction, and the surface roughness Ra of each convex portion along the radial direction of the substrate and the surface roughness Ra of each convex portion along the circumferential direction of the substrate were obtained using the created 2D chart. Then, the average surface roughness Ra of the 12 protrusions along the radial direction of the base and the average surface roughness Ra of the 12 protrusions along the circumferential direction of the base were calculated to determine the surface roughness Ra of each base holding member along the radial direction of the base and the surface roughness Ra of the base along the circumferential direction of the base. In Comparative Example 2, only the surface roughness along the X direction was calculated.
(実施例2)
実施例2は、テクスチャリング加工の周方向の走査回数を実施例1より増加させたことを除き、実施例1と同様の条件で基板保持部材を製造した。テクスチャリング加工後、測定した12個の凸部における基体の径方向に沿った表面粗さRaは、0.10μmであった。また、同じ12個の凸部における基体の周方向に沿った表面粗さRaは、0.03μmであった。
Example 2
In Example 2, a substrate holding member was manufactured under the same conditions as in Example 1, except that the number of circumferential scans in the texturing process was increased compared to Example 1. After the texturing process, the surface roughness Ra of the 12 protrusions measured along the radial direction of the base was 0.10 μm. The surface roughness Ra of the same 12 protrusions measured along the circumferential direction of the base was 0.03 μm.
(実施例3)
実施例3は、テクスチャリング加工の周方向の走査回数を実施例2よりさらに増加させたことを除き、実施例1と同様の条件で基板保持部材を製造した。テクスチャリング加工後、測定した12個の凸部における基体の径方向に沿った表面粗さRaは、0.15μmであった。また、同じ12個の凸部における基体の周方向に沿った表面粗さRaは、0.03μmであった。
Example 3
In Example 3, a substrate holding member was manufactured under the same conditions as in Example 1, except that the number of circumferential scans in the texturing process was increased further than in Example 2. After the texturing process, the surface roughness Ra measured in the radial direction of the base for the 12 protrusions was 0.15 μm. The surface roughness Ra measured in the circumferential direction of the base for the same 12 protrusions was 0.03 μm.
(実施例4)
実施例4は、ラップ研磨後の複数の凸部の表面にPVD法により厚み0.5μmのDLC膜からなる耐摩耗層を形成し、その後、テクスチャリング加工を行なったことを除き、実施例1と同様の条件で基板保持部材を製造した。テクスチャリング加工後、測定した12個の凸部における基体の径方向に沿った表面粗さRaは、0.06μmであった。また、同じ12個の凸部における基体の周方向に沿った表面粗さRaは、0.03μmであった。
Example 4
In Example 4, a substrate holder was manufactured under the same conditions as in Example 1, except that a wear-resistant layer made of a DLC film having a thickness of 0.5 μm was formed by PVD on the surface of the multiple protrusions after lapping, and then texturing was performed. After texturing, the surface roughness Ra of the 12 protrusions measured along the radial direction of the base was 0.06 μm. The surface roughness Ra of the same 12 protrusions along the circumferential direction of the base was 0.03 μm.
(比較例1)
比較例1は、遊離砥粒によるラップ研磨を行い、複数の凸部の表面粗さRaが0.03μm程度となるように仕上げ加工を行い、表面テクスチャリング加工は行わないことで、基板保持部材を製造した。
(Comparative Example 1)
In Comparative Example 1, a substrate holding member was manufactured by performing lapping using free abrasive grains, finishing so that the surface roughness Ra of the multiple convex portions was approximately 0.03 μm, and no surface texturing was performed.
(比較例2)
比較例2は、遊離砥粒によるラップ研磨を行い、複数の凸部の表面粗さRaが0.03μm程度となるように仕上げ加工を行い、テクスチャリング加工として、セラミックスピースの走査方向をY方向にのみ走査することで、基板保持部材を製造した。テクスチャリング加工後、測定した12個の凸部におけるX方向に沿った表面粗さRaは、0.10μmであった。
(Comparative Example 2)
In Comparative Example 2, a substrate holder was manufactured by performing lapping using free abrasive grains, finishing such that the surface roughness Ra of the multiple protrusions was about 0.03 μm, and texturing such that the scanning direction of the ceramic piece was only in the Y direction. After texturing, the surface roughness Ra of the 12 protrusions along the X direction was measured and was 0.10 μm.
(比較例3)
比較例3は、遊離砥粒によるラップ研磨を行い、複数の凸部の表面粗さRaが0.03μm程度となるように仕上げ加工を行い、ラップ研磨後の複数の凸部の表面にPVD法により厚み0.5μmのDLC膜からなる耐摩耗層を形成することで、基板保持部材を製造した。
(Comparative Example 3)
In Comparative Example 3, a substrate holding member was manufactured by performing lapping using free abrasive grains, finishing processing so that the surface roughness Ra of the multiple convex portions was approximately 0.03 μm, and forming a wear-resistant layer made of a DLC film having a thickness of 0.5 μm by a PVD method on the surface of the multiple convex portions after lapping.
実施例1の凸部の上端面および比較例1の凸部の上端面を光学顕微鏡で観察した。図10(a)、(b)は、それぞれ実施例1および比較例1の凸部の上端面の光学顕微鏡写真である。図10に示されるように、実施例1の凸部の上端面には、径方向に沿った細溝が多数形成されていた。 The upper end surfaces of the convex portions of Example 1 and Comparative Example 1 were observed with an optical microscope. Figures 10(a) and 10(b) are optical microscope photographs of the upper end surfaces of the convex portions of Example 1 and Comparative Example 1, respectively. As shown in Figure 10, a large number of fine grooves were formed along the radial direction on the upper end surface of the convex portion of Example 1.
(評価方法)
実施例および比較例により得られた基板保持部材を露光装置に据え付け、φ300mm、厚さ0.7mmのシリコンウエハ(基板)を複数回吸着することで評価を行なった。シリコンウエハの全体の形状をフィゾー型レーザー干渉計(Apre Instruments Inc.社製:S300HR(SCI))を用いて吸着前と吸着後で比較し、X方向およびY方向の伸縮や変位の有無を確認した。
(Evaluation Method)
The substrate holding members obtained in the examples and comparative examples were installed in an exposure device, and a silicon wafer (substrate) with a diameter of 300 mm and a thickness of 0.7 mm was picked up and evaluated several times. The overall shape of the silicon wafer was compared before and after suction using a Fizeau type laser interferometer (Apre Instruments Inc.: S300HR (SCI)) to confirm the presence or absence of expansion and contraction or displacement in the X and Y directions.
(評価結果)
実施例1から実施例4の基板保持部材は、X方向およびY方向に対する面内全体で基板の滑り、伸縮、変位が抑えられており、高い位置決め精度を有していることが確認された。
(Evaluation Results)
It was confirmed that the substrate holding members of Examples 1 to 4 suppressed slippage, expansion/contraction, and displacement of the substrate over the entire surface in the X and Y directions, and had high positioning accuracy.
これに対し、表面テクスチャリング加工を行わなかった比較例1では、基板の滑り、伸縮、変位の抑制にバラツキがあり、位置決め精度の安定性に欠けていた。さらに、吸着動作解除後の基板離れ性が実施例に比較して悪く、スループット低下の影響もあった。 In contrast, in Comparative Example 1, in which surface texturing was not performed, there was variation in the suppression of slippage, expansion/contraction, and displacement of the substrate, and the positioning accuracy was lacking in stability. Furthermore, the substrate release properties after the suction operation was released were poorer than in the Example, which also had the effect of reducing throughput.
また、表面テクスチャリング加工として、セラミックスピースの走査方向をY方向にのみ走査した比較例2では、Y方向のみに基板の滑り、伸縮、変位が認められ、高い位置決め精度を得ることはできなかった。 In addition, in Comparative Example 2, in which the ceramic piece was scanned only in the Y direction for surface texturing, slippage, expansion and contraction, and displacement of the substrate were observed only in the Y direction, and high positioning accuracy could not be achieved.
また、耐摩耗層を形成し、表面テクスチャリング加工を行わなかった比較例3では、基板の滑り、伸縮、変位の抑制にバラツキがあり、位置決め精度の安定性に欠けていた。また、滑り方向に指向性が確認されず、実施例と比較して大きく位置ズレする傾向がみられた。 In addition, in Comparative Example 3, in which an abrasion-resistant layer was formed but surface texturing was not performed, there was variation in the suppression of slippage, expansion/contraction, and displacement of the substrate, and the positioning accuracy lacked stability. In addition, no directionality was confirmed in the slip direction, and there was a tendency for the position to shift significantly compared to the examples.
なお、表面テクスチャリング加工により、複数の凸部の径方向の表面粗さRaを0.15μmとした実施例3では、基板の滑り、伸縮、変位の抑制の効果は得られたが、経時的にパーティクルの発生が認められ、基板の平面精度が悪化することが確認された。すなわち、実施例1から2と比較して、基板保持部材としての寿命が短くなると推定される。 In Example 3, in which the surface roughness Ra of the radial direction of the multiple protrusions was set to 0.15 μm by surface texturing, the effect of suppressing slippage, expansion/contraction, and displacement of the substrate was obtained, but the generation of particles was observed over time, and it was confirmed that the flatness precision of the substrate deteriorated. In other words, it is estimated that the lifespan of the substrate holder will be shorter than in Examples 1 and 2.
以上により、本発明の基板保持部材は、基板との低接触状態を維持しながら、基板の位置決め精度の向上を図ることができることが確かめられた。また、本発明の基板保持部材の製造方法は、そのような基板保持部材を製造できることが確かめられた。 From the above, it has been confirmed that the substrate holding member of the present invention can improve the positioning accuracy of the substrate while maintaining a low contact state with the substrate. It has also been confirmed that the method for manufacturing the substrate holding member of the present invention can manufacture such a substrate holding member.
本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の思想と範囲に含まれる様々な変形および均等物に及ぶことはいうまでもない。また、各図面に示された構成要素の構造、形状、数、位置、大きさ等は説明の便宜上のものであり、適宜変更しうる。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and it goes without saying that it covers various modifications and equivalents that fall within the spirit and scope of the present invention. Furthermore, the structure, shape, number, position, size, etc. of the components shown in each drawing are for convenience of explanation and may be changed as appropriate.
10 基体
12 上面
16 基体の中心
20 凸部
22 凸部の上端
24 凸部の上端面
30 基準面
40 環状凸部
42 環状凸部の上端
44 環状凸部の上端面
50 通気孔
100 基板保持部材
W 基板
10 Base body 12 Upper surface 16 Center of base body 20 Convex portion 22 Upper end of convex portion 24 Upper end surface of convex portion 30 Reference surface 40 Annular convex portion 42 Upper end of annular convex portion 44 Upper end surface of annular convex portion 50 Ventilating hole 100 Substrate holding member W Substrate
Claims (6)
平板上の基体と、
前記基体の上面から上方に突出して形成される複数のピン状の凸部と、を備え、
前記凸部の上端面は、前記基体の周方向に形成された細溝を有し、
前記細溝は1~10μmの幅を有することを特徴とする基板保持部材。 A substrate holding member,
A flat substrate;
a plurality of pin-shaped protrusions formed to protrude upward from the upper surface of the base,
an upper end surface of the protrusion has a fine groove formed in a circumferential direction of the base body;
The substrate holding member is characterized in that the narrow groove has a width of 1 to 10 μm .
セラミックス焼結体からなる平板上の基体を準備する基体準備工程と、
前記基体の上面から突出する複数の凸部を形成する凸部形成工程と、
前記複数の凸部の上端面をラップ加工するラップ加工工程と、
前記複数の凸部の上端面を、径方向の表面粗さRaが周方向の表面粗さRaと比較して大きくなるようにテクスチャリング加工するテクスチャリング加工工程と、を含むことを特徴とする基板保持部材の製造方法。 A method for manufacturing a substrate holding member, comprising the steps of:
a substrate preparation step of preparing a flat substrate made of a ceramic sintered body;
a convexity forming step of forming a plurality of convexities protruding from an upper surface of the base;
a lapping process for lapping upper end surfaces of the plurality of protrusions;
a texturing process for texturing the upper end surfaces of the plurality of convex portions so that the radial surface roughness Ra is greater than the circumferential surface roughness Ra.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021056164A JP7689852B2 (en) | 2021-03-29 | 2021-03-29 | Substrate holding member and method of manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021056164A JP7689852B2 (en) | 2021-03-29 | 2021-03-29 | Substrate holding member and method of manufacturing same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022153105A JP2022153105A (en) | 2022-10-12 |
| JP7689852B2 true JP7689852B2 (en) | 2025-06-09 |
Family
ID=83555957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021056164A Active JP7689852B2 (en) | 2021-03-29 | 2021-03-29 | Substrate holding member and method of manufacturing same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7689852B2 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073909A (en) | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Tokyo Electron Ltd | Substrate treatment device |
| JP2012009720A (en) | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Nikon Corp | Wafer holder and exposure equipment |
| JP2017120891A (en) | 2015-12-25 | 2017-07-06 | 日本特殊陶業株式会社 | Substrate holding member |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6264467B1 (en) * | 1999-04-14 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Micro grooved support surface for reducing substrate wear and slip formation |
-
2021
- 2021-03-29 JP JP2021056164A patent/JP7689852B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073909A (en) | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Tokyo Electron Ltd | Substrate treatment device |
| JP2012009720A (en) | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Nikon Corp | Wafer holder and exposure equipment |
| JP2017120891A (en) | 2015-12-25 | 2017-07-06 | 日本特殊陶業株式会社 | Substrate holding member |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2022153105A (en) | 2022-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10937684B2 (en) | Placement member and method of manufacturing the same | |
| TWI660247B (en) | Substrate holding member | |
| JP5063797B2 (en) | Adsorption member, adsorption device, and adsorption method | |
| JPH10242255A (en) | Vacuum suction device | |
| JP4782744B2 (en) | Adsorption member, adsorption device, and adsorption method | |
| JPH09213777A (en) | Electrostatic chuck | |
| JP7836160B2 (en) | Substrate holding member | |
| KR100989752B1 (en) | Wafer transfer blade | |
| JP7096031B2 (en) | Board holding member | |
| JP7689852B2 (en) | Substrate holding member and method of manufacturing same | |
| JP2020004892A (en) | Substrate holding member and manufacturing method thereof | |
| JP7543617B2 (en) | Substrate holding device | |
| JP7614770B2 (en) | Substrate holding member | |
| JP7478323B2 (en) | Substrate holding device | |
| CN109119372B (en) | Substrate holding member | |
| JP2022111715A (en) | Substrate holding member | |
| JPH06224281A (en) | Wafer transfer jig | |
| JP2018101705A (en) | Electrostatic chuck | |
| JP7843608B2 (en) | Substrate holding member | |
| JP2024057136A (en) | Substrate holding member | |
| WO2026009814A1 (en) | Wafer mounting stand | |
| JP7011459B2 (en) | Vacuum suction member | |
| JP7481603B2 (en) | Vacuum chuck, method for modifying surface of vacuum chuck, and method for manufacturing vacuum chuck | |
| JP2024066423A (en) | Substrate holding member | |
| TW202607891A (en) | Wafer mounting stage |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240219 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240605 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20240905 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20240918 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20240919 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20240920 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20241129 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20241203 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20250130 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20250130 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20250507 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20250528 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7689852 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |