JP7691882B2 - 磁気共鳴イメージング装置および撮像時間短縮方法 - Google Patents

Description

本明細書及び図面に開示の実施形態は、磁気共鳴イメージング装置および撮像時間短縮方法に関する。

従来の技術として、化学交換飽和移動（以下、ＣＥＳＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）と呼ぶ）を用いたＭＲＩによるイメージング手法が提唱されている。水に溶けている溶質のプロトンは、水のプロトンと化学的に交換される。このような化学交換の速度は、温度やｐＨに依存している。一方で、プロトンの共鳴周波数は、プロトンの状態によって変化する。このようなプロトンの共鳴周波数の変化は、ケミカルシフトと呼ばれている。これらのことから、溶質のプロトンに特異的な周波数に設定して飽和ＲＦパルスを送信することで、本来は飽和していないはずの水のプロトンが飽和状態になってしまう現象が発生する。このような現象を化学交換飽和移動（ＣＥＳＴ）と呼ぶ。ＣＥＳＴを利用したイメージング手法は、ＣＥＳＴイメージングと呼ばれる。

ＣＥＳＴイメージングは、ＣＥＳＴに関する１枚の画像（以下、ＣＥＳＴ画像と呼ぶ）を取得する際に、飽和パルスの印加と当該飽和パルスの印加に伴う磁気共鳴信号（以下、ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）信号と呼ぶ）の収集とを繰り返して撮像を行う。具体的には、正確なケミカルシフトにおけるＣＥＳＴ効果の影響（例えば、Ｚスペクトル）を取得するには、例えば、自由水の共鳴周波数を０ｐｐｍとして－８ｐｐｍから８ｐｐｍまで０．１ｐｐｍ刻みの複数の飽和パルスの印加に伴ってＭＲ画像を取得する必要がある。すなわち、１つのＺスペクトルを取得するためには、１６１枚のＭＲ画像を取得する必要があり、撮像時間が長くなる。また、１回のＭＲ信号の収集でｋ空間データを全て取得することができなければ、再度励起してＭＲ信号を収集する必要があるため、撮像時間がさらに長くなる。

特開２０２０－１５１１０６号公報 特開２０１４－０４６２０９号公報

本明細書及び図面に開示の実施形態が解決しようとする課題の一つは、ＣＥＳＴイメージングによる撮像時間を短縮することである。ただし、本明細書及び図面に開示の実施形態により解決しようとする課題は上記課題に限られない。後述する実施形態に示す各構成による各効果に対応する課題を他の課題として位置づけることもできる。

本実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置は、シーケンス制御部と、割り当て部とを備える。シーケンス制御部は、複数の飽和パルスの印加と前記複数の飽和パルスに応じた複数の磁気共鳴信号の収集とを実行するＣＥＳＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）撮像において、ｋ空間の低周波領域に対応する第１磁気共鳴信号と前記ｋ空間の高周波領域に対応する第２磁気共鳴信号とを収集する第１シーケンスと、少なくとも前記低周波領域に対応する第３磁気共鳴信号を収集する第２シーケンスとを、前記複数の飽和パルスの条件を変えて実行する。割り当て部は、前記第２シーケンスに対応するように生成される１つのｋ空間に、前記第３磁気共鳴信号と前記第２磁気共鳴信号とを割り当てる。

図１は、実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置を示すブロック図。 図２は、比較例としてのＣＥＳＴイメージングの一例を示す図。 図３は、実施形態に係り、ｋ空間データとＭＲ画像とに関して、コントラスト成分と輪郭成分との一例を示す図。 図４は、実施形態に係るＣＥＳＴ撮像短縮処理の手順の一例を示すフローチャート。 図５は、実施形態に係り、ＣＥＳＴ撮像短縮処理における概要を示す概要図。 図６は、実施形態の第１変形例に係るＣＥＳＴ撮像短縮処理における概要を示す概要図。 図７は、実施形態の第２変形例に係り、極小周波数設定処理の手順の一例を示すフローチャート。 図８は、実施形態の第２変形例に係り、極小周波数設定処理およびＣＥＳＴ撮像短縮処理における概要を示す概要図。 図９は、実施形態の第３変形例に係り、関心領域に存在するプロトンの化学交換を引き起こす物質がアミド基である場合のＣＥＳＴ撮像短縮処理における概要を示す概要図。 図１０は、実施形態の第３変形例に係り、物質的特性をＣＥＳＴに反映する物質が２つのピーク周波数を有する場合のＣＥＳＴ撮像短縮処理における概要を示す概要図。 図１１は、実施形態の第４変形例に係り、関心領域に関する長さが設定された位置決め画像と、第１シーケンスおよび第２シーケンスに関するｋ空間の低周波幅との関係の一例を示す図。 図１２は、実施形態の第５変形例に係り、飽和パルスが中心周波数（０ｐｐｍ）における第１シーケンスの一例を示す図。 図１３は、実施形態の第６変形例に係り、関心領域に存在するプロトンの化学交換を引き起こす物質がアミド基である場合のＣＥＳＴ撮像短縮処理における概要を示す概要図。 図１４は、実施形態の第７変形例に係り、関心領域に存在するプロトンの化学交換を引き起こす物質がアミド基である場合のＣＥＳＴ撮像短縮処理における概要を示す概要図。 図１５は、実施形態の第８変形例に係るＣＥＳＴ撮像短縮処理における概要を示す概要図。

以下、図面を参照しながら、磁気共鳴イメージング装置（以下、ＭＲＩ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｉｍａｇｉｎｇ）装置と呼ぶ）および撮像時間短縮方法の実施形態について説明する。なお、実施形態は、以下の実施形態に限られるものではない。また、各実施形態において説明する内容は、原則として、他の実施形態においても同様に適用することができる。以下の実施形態では、同一の参照符号を付した部分は同様の動作をおこなうものとして、重複する説明は適宜省略する。

（実施形態）
図１は、実施形態に係るＭＲＩ装置１００を示すブロック図である。図１に示すように、ＭＲＩ装置１００は、静磁場磁石１０１と、静磁場電源１０２と、傾斜磁場コイル１０３と、傾斜磁場電源１０４と、寝台１０５と、寝台制御回路１０６と、送信コイル１０７と、送信回路１０８と、受信コイル１０９と、受信回路１１０と、シーケンス制御回路１２０と、コンピューター１３０（画像処理装置とも称される）とを備える。なお、ＭＲＩ装置１００に、被検体Ｐ（例えば、人体）は含まれない。また、図１に示す構成は一例に過ぎない。例えば、シーケンス制御回路１２０及びコンピューター１３０内の各部は、適宜統合若しくは分離して構成されてもよい。

静磁場磁石１０１は、中空の略円筒形状に形成された磁石であり、内部の空間に静磁場を発生する。静磁場磁石１０１は、例えば、超伝導磁石等であり、静磁場電源１０２から電流の供給を受けて励磁する。静磁場電源１０２は、静磁場磁石１０１に電流を供給する。なお、静磁場磁石１０１は、永久磁石でもよく、この場合、ＭＲＩ装置１００は、静磁場電源１０２を備えなくてもよい。また、静磁場電源１０２は、ＭＲＩ装置１００とは別に備えられてもよい。

傾斜磁場コイル１０３は、中空の略円筒形状に形成されたコイルであり、静磁場磁石１０１の内側に配置される。傾斜磁場コイル１０３は、互いに直交するＸ、Ｙ、及びＺの各軸に対応する３つのコイルが組み合わされて形成されており、これら３つのコイルは、傾斜磁場電源１０４から個別に電流の供給を受けて、Ｘ、Ｙ、及びＺの各軸に沿って磁場強度が変化する傾斜磁場を発生する。傾斜磁場コイル１０３によって発生するＸ、Ｙ、及びＺの各軸の傾斜磁場は、例えば、スライス用傾斜磁場Ｇｓ、位相エンコード用傾斜磁場Ｇｅ、及びリードアウト用傾斜磁場Ｇｒである。傾斜磁場電源１０４は、傾斜磁場コイル１０３に電流を供給する。

寝台１０５は、被検体Ｐが載置される天板１０５ａを備え、寝台制御回路１０６による制御の下、天板１０５ａを、被検体Ｐが載置された状態で、傾斜磁場コイル１０３の空洞（撮像口）内へ挿入する。通常、寝台１０５は、長手方向が静磁場磁石１０１の中心軸と平行になるように設置される。寝台制御回路１０６は、コンピューター１３０による制御の下、寝台１０５を駆動して天板１０５ａを長手方向及び上下方向へ移動する。

送信コイル１０７は、傾斜磁場コイル１０３の内側に配置され、送信回路１０８からＲＦパルスの供給を受けて、高周波磁場を発生する。送信回路１０８は、対象とする原子の種類及び磁場強度で定まるラーモア（Ｌａｒｍｏｒ）周波数に対応するＲＦパルスを送信コイル１０７に供給する。

受信コイル１０９は、傾斜磁場コイル１０３の内側に配置され、高周波磁場の影響によって被検体Ｐから発せられる磁気共鳴信号（以下、ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）信号と呼ぶ）を受信する。受信コイル１０９は、ＭＲ信号を受信すると、受信したＭＲ信号を受信回路１１０へ出力する。

なお、上述した送信コイル１０７及び受信コイル１０９は一例に過ぎない。送信コイル１０７及び受信コイル１０９は、送信機能のみを備えたコイル、受信機能のみを備えたコイル、若しくは送受信機能を備えたコイルのうち、１つ若しくは複数を組み合わせることによって構成されてもよい。

受信回路１１０は、受信コイル１０９から出力されるＭＲ信号を検出し、検出したＭＲ信号に基づいてＭＲデータを生成する。具体的には、受信回路１１０は、受信コイル１０９から出力されるＭＲ信号をデジタル変換することによってＭＲデータを生成する。また、受信回路１１０は、生成したＭＲデータをシーケンス制御回路１２０へ送信する。なお、受信回路１１０は、静磁場磁石１０１や傾斜磁場コイル１０３等を備える架台装置側に備えられてもよい。

シーケンス制御回路１２０は、コンピューター１３０から送信されるシーケンス情報に基づいて、傾斜磁場電源１０４、送信回路１０８及び受信回路１１０を駆動することによって、被検体Ｐの撮像を行う。ここで、シーケンス情報は、撮像を行うための手順を定義した情報であって、シーケンス条件とも称される。シーケンス情報には、傾斜磁場電源１０４が傾斜磁場コイル１０３に供給する電流の強さや電流を供給するタイミング、送信回路１０８が送信コイル１０７に供給するＲＦパルスの強さやＲＦパルスを印加するタイミング、受信回路１１０がＭＲ信号を検出するタイミング等が定義される。

例えば、シーケンス制御回路１２０は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ：Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ：Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）等の集積回路、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等の電子回路である。シーケンス制御回路１２０は、シーケンス制御部に相当する。

なお、シーケンス制御回路１２０は、傾斜磁場電源１０４、送信回路１０８及び受信回路１１０を駆動して被検体Ｐを撮像した結果、受信回路１１０からＭＲデータを受信すると、受信したＭＲデータをコンピューター１３０へ転送する。

コンピューター１３０は、ＭＲＩ装置１００の全体制御や、画像の生成等を行う。コンピューター１３０は、記憶回路１３２、入力装置１４１、ディスプレイ１４３、処理回路１５０を備える。処理回路１５０は、インタフェース機能１３１、制御機能１３３、設定機能１３４、割り当て機能１３６、及び画像生成機能１３８を備える。

インタフェース機能１３１、制御機能１３３、設定機能１３４、割り当て機能１３６、画像生成機能１３８にて行われる各処理機能は、コンピューターによって実行可能なプログラムの形態で記憶回路１３２へ記憶されている。処理回路１５０はプログラムを記憶回路１３２から読み出し、実行することで各プログラムに対応する機能を実現するプロセッサである。換言すると、各プログラムを読み出した状態の処理回路１５０は、図１の処理回路１５０内に示された各機能を有することになる。

なお、図１においては単一の処理回路１５０にて、インタフェース機能１３１、制御機能１３３、設定機能１３４、割り当て機能１３６、画像生成機能１３８にて行われる処理機能が実現されるものとして説明したが、複数の独立したプロセッサを組み合わせて処理回路１５０を構成し、各プロセッサがプログラムを実行することにより機能を実現するものとしても構わない。換言すると、上述のそれぞれの機能がプログラムとして構成され、１つの処理回路１５０が各プログラムを実行する場合であってもよいし、特定の機能が専用の独立したプログラム実行回路に実装される場合であってもよい。

上記説明において用いた「プロセッサ」という文言は、例えば、ＣＰＵ、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）或いは、特定用途向け集積回路、プログラマブル論理デバイス（例えば、単純プログラマブル論理デバイス（Ｓｉｍｐｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ：ＳＰＬＤ）、複合プログラマブル論理デバイス（Ｃｏｍｐｌｅｘ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ：ＣＰＬＤ）、及びフィールドプログラマブルゲートアレイＦＰＧＡ））等の回路を意味する。プロセッサは記憶回路１３２に保存されたプログラムを読み出し実行することで機能を実現する。

なお、記憶回路１３２にプログラムを保存する代わりに、プロセッサの回路内にプログラムを直接組み込むよう構成しても構わない。この場合、プロセッサは回路内に組み込まれたプログラムを読み出し実行することで機能を実現する。なお、寝台制御回路１０６、送信回路１０８、受信回路１１０等も同様に、上記のプロセッサ等の電子回路により構成される。

処理回路１５０は、インタフェース機能１３１により、シーケンス情報をシーケンス制御回路１２０へ送信し、シーケンス制御回路１２０からＭＲデータを受信する。また、インタフェース機能１３１を有する処理回路１５０は、ＭＲデータを受信すると、受信したＭＲデータを記憶回路１３２に格納する。インタフェース機能１３１を実現する処理回路１５０は、インタフェース部に相当する。記憶回路１３２に格納されたＭＲデータは、制御機能１３３によってｋ空間に配置される。記憶回路１３２は、ｋ空間データを記憶する。

記憶回路１３２は、インタフェース機能１３１を有する処理回路１５０によって受信されたＭＲデータや、設定機能１３４を有する処理回路１５０によって設定された飽和パルスの条件、割り当て機能１３６を有する処理回路１５０によってｋ空間に配置されたｋ空間データ、画像生成機能１３８を有する処理回路１５０によって生成された画像データ等を記憶する。例えば、記憶回路１３２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ等の半導体メモリ素子、ハードディスク、光ディスク等で実現される。

入力装置１４１は、ユーザからの各種指示や情報入力を受け付ける。入力装置１４１は、例えば、マウスやトラックボール等のポインティングデバイス、モード切替スイッチ等の選択デバイス、あるいはキーボード等の入力デバイスである。ディスプレイ１４３は、制御機能１３３を有する処理回路１５０による制御の下、撮像条件の入力を受け付けるためのＧＵＩ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ Ｕｓｅｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）や、画像生成機能１３８を有する処理回路１５０によって生成された画像等を表示する。ディスプレイ１４３は、例えば、液晶表示器等の表示デバイスである。

処理回路１５０は、制御機能１３３により、ＭＲＩ装置１００の全体制御を行い、撮像や画像の生成、画像の表示等を制御する。例えば、制御機能１３３を有する処理回路１５０は、撮像条件（撮像パラメータ等）の入力をＧＵＩ上で受け付け、受け付けた撮像条件と設定機能１３４により設定された飽和パルスの条件とに従ってシーケンス情報を生成する。また、制御機能１３３を有する処理回路１５０は、生成したシーケンス情報をシーケンス制御回路１２０へ送信する。制御機能１３３を実現する処理回路１５０は、制御部に相当する。

処理回路１５０は、画像生成機能１３８により、ｋ空間データを記憶回路１３２から読み出し、読み出したｋ空間データにフーリエ変換等の再構成処理を施すことで、画像を生成する。画像生成機能１３８を実現する処理回路１５０は、画像生成部に相当する。処理回路１５０における設定機能１３４と、割り当て機能１３６とについては後ほど説明する。設定機能１３４を実現する処理回路１５０は、設定部に相当する。また、割り当て機能１３６を実現する処理回路１５０は、割り当て部に相当する。

本実施形態に関する化学交換飽和移動（ＣＥＳＴ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｔｒａｓｆｅｒ）効果について簡単に説明する。自由水（バルク水）におけるプロトンと化合物のプロトンとは、交換される。例えば、アミド基（－ＮＨ）、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、及びアミノ基（－ＮＨ２）等の、化合物のプロトンは、交換性プロトンである。ＣＥＳＴ効果は、「Ｚスペクトル」や、「ＭＴＲａｓｙｍスペクトル」と呼ばれる量を用いて記述される。ＣＥＳＴ効果に関する撮像は、アミド基（－ＮＨ）、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、及びアミノ基（－ＮＨ２）等のプロトンと自由水におけるプロトンとが交換されることを利用したＭＲイメージング手法（以下、ＣＥＳＴイメージングと呼ぶ）である。

ＣＥＳＴ効果に関する磁気共鳴イメージング手法（以下、ＣＥＳＴ撮像と呼ぶ）において、シーケンス制御回路１２０は、自由水の共鳴周波数から離れた周波数（ｏｆｆ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅな周波数）であって、交換性プロトン（例えば化合物のプロトン）の共鳴周波数で、周波数選択ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）パルスである飽和パルスを、ＭＲ信号の収集前において被検体Ｐに対して印加する。飽和パルスは、プリサチュレーションパルス（Ｐｒｅｓａｔｕｒａｔｉｏｎ ｐｕｌｓｅ）とも称される。具体的には、ＣＥＳＴ撮像は、複数の飽和パルスの印加と複数の飽和パルスに応じた複数の磁気共鳴信号の収集とを実行する磁気共鳴イメージング手法である。

比較例としてのＣＥＳＴイメージングについて、図２を用いて説明する。図２は、比較例としてのＣＥＳＴイメージングの一例を示す図である。以下、説明を具体的にするために、ＣＥＳＴイメージングに用いられる複数の飽和パルスの周波数は、－８ｐｐｍから８ｐｐｍの範囲において、０．１ｐｐｍ刻みであるものとする。例えは、静磁場強度が３Ｔである場合、０ｐｐｍに対応する飽和パルスの周波数は、静磁場強度に基づく自由水の共鳴周波数（以下、中心周波数と呼ぶ）であって、１２８ＭＨｚである。このとき、＋８ｐｐｍに対応する飽和パルスの周波数は、（１２８ＭＨｚ＋１２８×８Ｈｚ）となる。一方、－８ｐｐｍに対応する飽和パルスの周波数は、（１２８ＭＨｚ－１２８×８Ｈｚ）となる。

図２に示すように、比較例としてのＣＥＳＴイメージングによれば、中心周波数を０ｐｐｍとして－８ｐｐｍから８ｐｐｍまで０．１ｐｐｍ刻みの複数の飽和パルスの印加に伴ってＭＲ画像を取得する。１６１枚のＭＲ画像に基づいて、Ｂ_０（静磁場）不均一の補正および当該補正後の正確なケミカルシフトにおける化学交換飽和移動（ＣＥＳＴ）の効果の影響を示すＺスペクトルが生成される。このため、比較例では、Ｚスペクトルの生成に関して、被検体Ｐに対する撮像時間が長くなるという問題がある。

このような問題を鑑みて、本実施形態においては、Ｚスペクトルの生成に関する複数のＭＲ画像の生成において、撮像時間の短縮を目的とする。Ｚスペクトルの生成に関する複数のＭＲ画像各々において、コントラスト成分が重要となる。ＭＲ画像におけるコントラスト成分は、当該ＭＲ画像の生成の元となるｋ空間のデータにおいて、低周波領域におけるＭＲ信号が重要となる。

図３は、ｋ空間データｋＤとＭＲ画像ＭＩとに関して、コントラスト成分と輪郭成分との一例を示す図である。図３に示すように、ＭＲ画像におけるコントラスト成分ＣＣＩは、ｋ空間データの低周波領域ｋＬＲに対応する。また、ＭＲ画像における輪郭成分ＯＣＩは、ｋ空間データの高周波領域ｋＨＲに対応する。本実施形態は、飽和パルスの条件に応じて、Ｚスペクトルの生成に支配的となるｋ空間の低周波領域ｋＬＲに関して撮像を実行し、ｋ空間の高周波領域ｋＨＲについては、他の撮像で取得されたＭＲ信号を流用することにある。これにより、本実施形態では、Ｚスペクトルの生成に関して、撮像時間を短縮可能なＣＥＳＴイメージングのパルスシーケンスを提供する。

以上、実施形態に係るＭＲＩ装置１００の全体構成について説明した。かかる構成のもと、実施形態に係るＭＲＩ装置１００は、比較例に比べて撮像時間を短縮してＣＥＳＴイメージング（ＣＥＳＴ撮像）を実行し、Ｚスペクトラムを生成する処理（以下、ＣＥＳＴ撮像短縮処理と呼ぶ）実行する。以下、ＣＥＳＴ撮像短縮処理に関する手順について、図４を参照して説明する。図４は、ＣＥＳＴ撮像短縮処理の手順の一例を示すフローチャートである。

以下、説明を具体的にするために、静磁場強度は３Ｔであって、ＣＥＳＴイメージングにおいて複数の飽和パルスが印加される周波数の範囲は、－８ｐｐｍから８ｐｐｍの範囲であるものとする。このとき、０ｐｐｍに対応する飽和パルスの周波数、すなわち中心周波数は、１２８ＭＨｚである。なお、ＣＥＳＴイメージングにおいて複数の飽和パルスが印加される周波数の範囲は、設定機能１３４により適宜設定可能である。

（ＣＥＳＴ撮像短縮処理）
（ステップＳ４０１）
処理回路１５０は、設定機能１３４により、中心周波数と、中心周波数から所定の周波数の間隔（以下、周波数間隔と呼ぶ）で設定された複数の周波数とを、第１シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定する。第１シーケンスは、ｋ空間の低周波領域に対応する第１ＭＲ信号と当該ｋ空間の高周波領域に対応する第２ＭＲ信号とを収集するパルスシーケンスである。

例えば、設定機能１３４は、ｋ空間において、ＭＲ信号に基づいて生成されるＭＲ画像のコントラストに寄与する領域、すなわちＭＲ画像におけるコントラスト成分を反映する領域を、低周波領域として設定する。周波数間隔は、入力装置１４１を介したユーザの指示により設定、もしくは予め設定される。

以下、説明を具体的にするために、周波数間隔は、１ｐｐｍであるものとする。このとき、周波数間隔は、１２８Ｈｚとなる。このとき、第１シーケンスが実行される飽和パルスの周波数は、１２８ＭＨｚと、（１２８ＭＨｚ±１２８×（１～８）Ｈｚ）の１６の周波数との合計１７種類の周波数となる。なお、周波数間隔は、１ｐｐｍに限定されず、設定機能１３４に任意に設定可能である。

（ステップＳ４０２）
設定機能１３４は、周波数間隔に含まれる複数の周波数を、第２シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定する。第２シーケンスは、少なくともｋ空間の低周波領域に対応する第３ＭＲ信号を収集するパルスシーケンスである。複数の周波数は、例えば、０．１ｐｐｍごとに対応する周波数である。例えば、０ｐｐｍと１ｐｐｍとの間における複数の周波数は、（１２８ＭＨｚ＋１２８×（１～９）×０．１Ｈｚ）の９種類となる。第２シーケンスが実行される飽和パルスの周波数の間隔は、０．１ｐｐｍに限定されず、設定機能１３４に任意に設定可能である。

また、第２シーケンスにおける飽和パルスの条件は、中心周波数を起点に隣接する１０点の周波数を除く周波数であってもよい。また、第２シーケンスにおける飽和パルスの条件は、中心周波数を起点に±１．０ｐｐｍを除く周波数であってもよい。また、第２シーケンスにおける飽和パルスの条件は、中心周波数を起点に、Ｚスペクトルの総点数の１０％を除く周波数であってもよい。

（ステップＳ４０３）
シーケンス制御回路１２０は、ＣＥＳＴ撮像において、第１シーケンスと第２シーケンスとを、複数の飽和パルスの条件を変えて実行する。すなわち、シーケンス制御回路１２０は、設定された条件を用いて、第１シーケンスと第２シーケンスとを実行する。具体的には、シーケンス制御回路１２０は、設定された飽和パルスの条件に応じた飽和パルスの印加と当該飽和パルスの印加に応じたＭＲ信号の収集とが完了するまで、第１シーケンスと第２シーケンスとを実行する。シーケンス制御回路１２０は、飽和パルスの周波数に応じて、第１ＭＲ信号および第２ＭＲ信号、または第３ＭＲ信号を収集する。

（ステップＳ４０４）
処理回路１５０は、画像生成機能１３８により、第１シーケンスにより収集された第１ＭＲ信号と第２ＭＲ信号とに基づいて、第１シーケンスに関する複数の飽和パルスの周波数に対応する複数の第１ＭＲ画像を生成する。具体的には、割り当て機能１３６は、第１シーケンスに対応するように生成される１つのｋ空間に第１ＭＲ信号と第２ＭＲ信号とを割り当てる。次いで、画像生成機能１３８は、当該第１ＭＲ信号と第２ＭＲ信号とが割り当てられたｋ空間のデータに対してフーリエ変換を実行し、第１ＭＲ画像を生成する。より詳細には、画像生成機能１３８は、１２８ＭＨｚと、（１２８ＭＨｚ±１２８×（１～８）Ｈｚ）の１６の周波数との合計１７種類の周波数に対応する第１ＭＲ信号と第２ＭＲ信号とをそれぞれｋ空間に配置し、ｋ空間に配置されたｋ空間データに対してフーリエ変換を実行する。これにより、画像生成機能１３８は、上記１７種類の周波数に対応する複数の第１ＭＲ画像を生成する。

（ステップＳ４０５）
処理回路１５０は、割り当て機能１３６により、第２シーケンスに対応するように生成される１つのｋ空間に、第３ＭＲ信号と第２ＭＲ信号とを割り当てる。具体的には、割り当て機能１３６は、飽和パルスの条件に基づいて、第２シーケンスに関するｋ空間の高周波領域に、第１シーケンスにより収集された第２ＭＲ信号を割り当てる。より詳細には、割り当て機能１３６は、第２シーケンスにおける飽和パルスに周波数に最も近い第１シーケンスの飽和パルスの周波数を特定する。次いで、割り当て機能１３６は、特定された周波数に関する第２ＭＲ信号を、当該第２シーケンスの高周波領域に割り当て、第３ＭＲ信号を当該第２シーケンスの低周波領域に割り当てる。

これにより、第２シーケンスに関するｋ空間の低周波領域には、第３ＭＲ信号が充填され、第２シーケンスに関するｋ空間の高周波領域には、第２ＭＲ信号が充填される。換言すれば、第２シーケンスに関するｋ空間の高周波領域に割り当てられたＭＲ信号は、第２ＭＲ信号として、第１シーケンスに関するｋ空間の高周波領域に充填されたＭＲ信号と共有されることとなる。このようなｋ空間データの共有は、ビューシェアリングとも称される。

（ステップＳ４０６）
処理回路１５０は、画像生成機能１３８により、第２シーケンスに関するｋ空間に割り当てられた第２ＭＲ信号と第３ＭＲ信号とに基づいて、第２シーケンスに関する複数の飽和パルスの周波数に対応する複数の第２ＭＲ画像を生成する。具体的には、画像生成機能１３８は、ｉ（ｉは０から７の任意の自然数）ｐｐｍと±（ｉ＋１）ｐｐｍとの間における９種類の周波数（１２８ＭＨｚ±１２８（ｉ＋×０．１×ｊ（ｊは、１から９の自然数））Ｈｚ）に関する全ての周波数に亘る複数の第２ＭＲ画像（本実施形態では、２×８×９＝１４４種類の第２ＭＲ画像）を生成する。

（ステップＳ４０７）
処理回路１５０は、画像生成機能１３８により、複数の第１ＭＲ画像と複数の第２ＭＲ画像とに基づいて、Ｚスペクトラムを生成する。Ｚスペクトラムの生成については、既存の方法が利用可能であるため、説明は省略する。以上により、ＣＥＳＴ撮像短縮処理は終了する。ステップＳ４０４の実行順序は、図４に限定されず、ステップＳ４０３とステップＳ４０７との間であれば、いずれの処理の段階で実行されてもよい。

図５は、ＣＥＳＴ撮像短縮処理における概要を示す概要図である。図５に示すＺスペクトルのグラフＺＳの縦軸は、飽和パルスの非印加時のＭＲ信号の信号値Ｍ_０に対する飽和パルスの印加時のＭＲ信号の信号値Ｍの比（以下、信号比と呼ぶ）（Ｍ／Ｍ_０）を示している。また、図５に示すＺスペクトルのグラフＺＳの横軸は、飽和パルスの周波数をｐｐｍで示している。図５に示すＺスペクトルのグラフＺＳにおける三角印は、第１シーケンスに関して、飽和パルスの周波数に対する信号比を示している。図５に示すＺスペクトルのグラフＺＳにおける丸印は、第２シーケンスに関して、飽和パルスの周波数に対する信号比を示している。

図５に示すように、第１シーケンスでは、ｋ空間全域（低周波領域ｋＬＲと高周波領域ｋＨＲ）に対してＭＲ信号（第１ＭＲ信号と第２ＭＲ信号）が収集される。これにより、図５に示すように、第１シーケンスに関するｋ空間ｋＳ１の低周波領域ｋＬＲには、第１ＭＲ信号が充填され、ｋ空間ｋＳ２の高周波領域ｋＨＲには、第２ＭＲ信号が充填される。

一方、図５に示すように、第２シーケンスでは、ｋ空間の低周波領域ｋＬＲに対応するＭＲ信号（第３ＭＲ信号）が収集される。これにより、ＣＥＳＴイメージングにおける撮像時間が短縮される。図５に示すように、第２シーケンスに関するｋ空間ｋＳ２の低周波領域ｋＬＲには、第３ＭＲ信号が充填され、ｋ空間ｋＳ２の高周波領域ｋＨＲには、第２ＭＲ信号が流用されて充填される。

Ｚスペクトルに用いられるＭＲ画像の生成においては、割り当て機能１３６は、図５示す複数丸印（第２シーケンス）各々について、当該丸印の飽和パルスの条件（飽和パルスの周波数）を用いて最も近い（もしくは近傍の)三角印（第１シーケンス）を特定し、上記説明のように、第２シーケンスに関するｋ空間の高周波領域ｋＨＲに、第２ＭＲ信号が流用される（ビューシェアリング）。

以上に述べた実施形態に係るＭＲＩ装置１００は、ＣＥＳＴ撮像において、飽和パルスの条件に応じて、ｋ空間の低周波領域ｋＬＲに対応する第１ＭＲ信号と当該ｋ空間の高周波領域ｋＨＲに対応する第２ＭＲ信号とを収集する第１シーケンスと、少なくとも当該低周波領域ｋＬＲに対応する第３ＭＲ信号を収集する第２シーケンスとを実行し、飽和パルスの条件に基づいて、第２シーケンスに関するｋ空間の高周波領域ｋＨＲに第２ＭＲ信号を割り当てる。具体的には、本ＭＲＩ装置１００は、中心周波数と、中心周波数から周波数間隔で設定された複数の周波数（図５に示す三角印）とを、第１シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定し、周波数間隔に含まれる複数の周波数を、第２シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定し、設定された飽和パルスの条件に応じて、第１シーケンスと第２シーケンスとを実行する。

これにより、本ＭＲＩ装置１００によれば、図５に示すように、周波数間隔において、低周波領域ｋＬＲの第３ＭＲ信号のみを収集する第２シーケンスを実行することができ、ＣＥＳＴイメージングにおける撮像時間を大幅に削減することができる。また、第２シーケンスでは、ＭＲ画像におけるコントラストに寄与する低周波領域ｋＬＲに対応するＭＲ信号を収集しているため、Ｚスペクトルに関する複数の第２ＭＲ画像のコントラストを維持することができる。加えて、中心周波数では、第１シーケンスの実行により正確なデータを取得しつつ、重要度の低いデータである高周波領域ｋＨＲのk空間データを、第２シーケンスに関するｋ空間に流用する。以上のことから、本ＭＲＩ装置１００によれば、Ｚスペクトルの生成に関する影響を押さえつつ、非常に時間のかかるＣＥＳＴイメージングを大幅に短縮することができる。

（第１変形例）
第１変形例と実施形態との相違は、中心周波数の近傍において、第１シーケンスを実行することにある。処理回路１５０は、設定機能１３４により、中心周波数を中心とする所定の範囲に含まれる複数の周波数を、第１シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定する。具体的には、設定機能１３４は、中心周波数を中心とした所定の範囲、例えは±１ｐｐｍに含まれる複数の周波数を、第１シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定する。複数の周波数は、例えば、－１ｐｐｍから０．１ｐｐｍ刻みで＋１ｐｐｍまでの周波数である。なお、所定の範囲は、上記－１ｐｐｍ～＋１ｐｐｍまでの範囲に限定されず、入力装置１４１を介して任意に設定可能である。

図６は、本変形例に係るＣＥＳＴ撮像短縮処理における概要を示す概要図である。図６に示すＺスペクトルのグラフＺＳにおける三角印は、第１シーケンスに関して、飽和パルスの周波数に対する信号比を示している。図６に示すＺスペクトルのグラフＺＳにおける丸印は、第２シーケンスに関して、飽和パルスの周波数に対する信号比を示している。図６に示すように、０ｐｐｍの中心周波数近傍における２１個の飽和パルスの周波数に対して、第１シーケンスが実行される。飽和パルスの他の周波数に関しては、実施形態と同様である。

以上に述べた実施形態の第1変形例に係るＭＲＩ装置１００は、中心周波数を中心とする所定の範囲に含まれる複数の周波数を、第１シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定する。これにより、本変形例によれば、中心周波数を含む周波数の範囲において、ｋ空間全体に対するＭＲ信号が収集されるため、より正確な第１ＭＲ画像を生成することができる。このため、実施形態における効果に加えて、中心周波数近傍のＺスペクトルの正確性を向上させることができる。

（第２変形例）
第２変形例は、Ｚスペクトラムにおける信号比の極小値を決定し、決定された極小値に対応する周波数（以下、極小周波数と呼ぶ）を飽和パルスの条件として設定して、ＣＥＳＴイメージングを実行することにある。

シーケンス制御回路１２０は、中心周波数から飽和パルスの周波数を変化させながら、第１ＭＲ信号と第２ＭＲ信号とに基づいて生成された第１ＭＲ画像における信号強度（信号比）が極小値となるまで、第１シーケンスを実行する。これにより、中心周波数近傍において、信号比の極小値が決定される。

処理回路１５０は、設定機能１３４により、極小周波数を中心とした所定の範囲、例えは±１ｐｐｍに含まれる複数の周波数と、極小周波数から所定の周波数間隔で設定された複数の周波数とを、第１シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定する。本変形例における極小周波数は、第１変形例における中心周波数に対応する。すなわち、本変形例では、第１変形例における中心周波数を、極小周波数として決定することにある。

設定機能１３４は、上記周波数間隔に含まれる複数の周波数を、第２シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定する。なお、設定機能１３４は、極小周波数を起点に隣接する１０点の周波数を除く周波数、極小周波数を起点に±１．０ｐｐｍを除く周波数、または、極小周波数を起点にＺスペクトルの総点数の１０％を除く周波数を、第２シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定してもよい。

図７は、極小周波数を設定する処理（以下、極小周波数設定処理と呼ぶ）の手順の一例を示すフローチャートである。極小周波数設定処理は、図４におけるステップＳ４０１以前の処理に対応する。すなわち、本変形例におけるＣＥＳＴ撮像短縮処理のステップＳ４０１において、極小周波数設定処理におけるステップＳ７０７の処理が実行されることとなる。

（極小周波数設定処理）
（ステップＳ７０１）
処理回路１５０は、設定機能１３４により、中心周波数に隣接する２つの周波数を、飽和パルスの周波数として設定する。例えば、２つの周波数は、１２８ＭＨｚ±１２．８Ｈｚ（±０．１ｐｐｍ）である。シーケンス制御回路１２０は、中心周波数と、中心周波数に隣接する２つの周波数とに関して、第１シーケンスを実行する。

（ステップＳ７０２）
処理回路１５０は、画像生成機能１３８により、第１シーケンスにより収集されたＭＲ信号に基づいて、中心周波数と２つの周波数とに対応する３つのＭＲ画像を生成する。画像生成機能１３８は、３つのＭＲ画像各々において、信号比を算出する。

（ステップＳ７０３）
設定機能１３４は、中心画像の信号比より低い信号比に対応する低信号周波数に隣接する隣接周波数を特定する。低信号周波数は、２つの周波数に対応する２つの信号比のうち、中心画像の信号比より低い信号比に対応する周波数である。例えば、中心周波数１２８ＭＨｚに対応する信号比より低い信号比が、＋０．１ｐｐｍの周波数に対応するＭＲ画像に関する信号比である場合、設定機能１３４は、低信号周波数として＋０．１ｐｐｍの周波数を特定する。次いで、設定機能１３４は、中心周波数から低信号周波数へ向かう方向において、隣接周波数を特定する。このとき、隣接周波数は、＋０．２ｐｐｍの周波数となる。

なお、中心画像の信号比より低い信号比が、２つの周波数に対応する２ＭＲ画像に関する信号比に存在しない場合、極小周波数設定処理は終了する。このとき、極小周波数は、中心周波数そのものとなる。

（ステップＳ７０４）
シーケンス制御回路１２０は、隣接周波数を飽和パルスの周波数として用いて、第１シーケンスを実行する。画像生成機能１３８は、第１シーケンスにより取得されたＭＲ信号に基づいて、隣接周波数に対応するＭＲ画像を生成する。画像生成機能１３８は、ＭＲ画像において、信号比を算出する。

（ステップＳ７０５）
設定機能１３４は、低信号周波数に関する信号比と、隣接周波数に関する信号比とを比較する。低信号周波数に関する信号比が隣接周波数に関する信号比より大きければ（ステップＳ７０５のＹｅｓ）ステップＳ７０６の処理が実行される。低信号周波数に関する信号比が隣接周波数に関する信号比以下であれば（ステップＳ７０５のＮｏ）、ステップＳ７０７の処理が実行される。

（ステップＳ７０６）
設定機能１３４は、中心周波数から低信号周波数に向かう方向において、隣接周波数を低信号周波数として設定し、低信号周波数に隣接する隣接周波数を特定する。すなわち、設定機能１３４は、隣接周波数を低信号周波数に変更し、変更された低信号周波数に隣接する隣接周波数を特定する。これにより、中心周波数から低信号周波数に向かう方向において、新たな隣接周波数が設定される。本ステップの後、ステップＳ７０４の処理が実行される。

（ステップＳ７０７）
設定機能１３４は、低信号周波数を極小周波数として設定する。設定機能１３４は、極小周波数を中心とする所定の範囲に含まれる複数の周波数と、極小周波数から所定の周波数の間隔で設定された複数の周波数とを、第１シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定する。本ステップの後、ＣＥＳＴ撮像短縮処理のステップＳ４０２以降の処理が実行される。

すなわち、シーケンス制御回路１２０は、飽和パルスの条件における複数の周波数に関する飽和パルスの印加が完了するまで、第１シーケンスと第２シーケンスとを実行する。なお、設定された複数の飽和パルスの周波数のうち、既に信号比が計算されている飽和パルスの周波数（少なくとも、ステップＳ７０１における中心周波数と２つの周波数）に関しては、第１パルスシーケンスの実行は不要となる。

以上に述べた実施形態の第２変形例に係るＭＲＩ装置１００は、中心周波数から飽和パルスの周波数を変化させながら、第１ＭＲ信号と第２ＭＲ信号とに基づいて生成されたＭＲ画像における信号強度が極小値となるまで、第１シーケンスを実行し、極小値に対応する極小周波数から所定の周波数間隔で設定された複数の周波数と、極小周波数を中心とする所定の範囲に含まれる複数の周波数とを、第１シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定し、周波数間隔に含まれる複数の周波数を、第２シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定する。

図８は、極小周波数設定処理およびＣＥＳＴ撮像短縮処理における概要を示す概要図である。図８に示すＺスペクトルのグラフＺＳにおける三角印は、第１シーケンスに関して、飽和パルスの周波数に対する信号比を示している。図８に示すＺスペクトルのグラフＺＳにおける丸印は、第２シーケンスに関して、飽和パルスの周波数に対する信号比を示している。図８に示すように、極小値近傍における２１個の飽和パルスの周波数に対して、第１シーケンスが実行される。飽和パルスの他の周波数に関しては、実施形態と同様である。本変形例においては、信号比の極小値を決定することで、Ｂ_０（静磁場）不均一を考慮して、中心周波数に対応する極小周波数を決定することができる。

加えて、実施形態の第２変形例に係るＭＲＩ装置１００によれば、極小周波数により第１シーケンスおよび第２シーケンスに関する飽和パルスの条件（周波数）を決定できるため、Ｚスペクトルにおいて、中心周波数近傍の正確性を向上させることができる。これらのことから、本変形例によれば、実施形態における効果に加えて、Ｂ_０（静磁場）不均一を加味しているため、中心周波数近傍のＺスペクトルの正確性を向上させることができる。

（第３変形例）
第３変形例と実施形態との相違は、ＣＥＳＴ効果に関する周波数近傍を、第１シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定することにある。例えば、設定機能１３４は、ＣＥＳＴ効果による信号強度のピークに対応する周波数（以下、ピーク周波数と呼ぶ）を中心とする所定の範囲に含まれる複数の周波数を、第１シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定する。具体的には、設定機能１３４は、物質的特性をＣＥＳＴ効果に反映させる物質（以下、ＣＥＳＴ物質と呼ぶ）に応じて、ピーク周波数を設定する。

ＣＥＳＴ物質とは、例えば、関心領域（Ｒｅｇｉｏｎ Ｏｆ Ｉｎｔｅｒｅｓｔ：ＲＯＩ）に存在するプロトンの化学交換を引き起こす物質であり、例えば、アミド基、Ｒａｔｉｏｍｅｔｒｉｃ法で用いられる物質（例えば、イオパミドール）などである。物質的特性とは、例えば、温度、ｐＨ（水素イオン指数）などである。

図９は、関心領域に存在するプロトンの化学交換を引き起こす物質がアミド基である場合のＣＥＳＴ撮像短縮処理における概要を示す概要図である。図９に示すＺスペクトルのグラフＺＳにおける三角印は、第１シーケンスに関して、飽和パルスの周波数に対する信号比を示している。図９に示すＺスペクトルのグラフＺＳにおける丸印は、第２シーケンスに関して、飽和パルスの周波数に対する信号比を示している。図９に示すように、アミド基のピーク周波数は、ＺスペクトルのグラフＺＳにおける下に凸のピークに対応し、文献値では３．５ｐｐｍである。

このため、図９に示すように、処理回路１５０は、設定機能１３４により、ピーク周波数を起点とする所定の範囲（例えば±１ｐｐｍ）に含まれる複数の周波数を、第１シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定する。複数の周波数は、例えば、２．５ｐｐｍから０．１ｐｐｍ刻みで４．５ｐｐｍまでの周波数である。なお、所定の範囲は、上記２．５ｐｐｍ～４．５ｐｐｍまでの範囲に限定されず、入力装置１４１を介して任意に設定可能である。飽和パルスの他の周波数に関しては、実施形態と同様である。

図１０は、物質的特性をＣＥＳＴに反映する物質が２つのピーク周波数を有する場合のＣＥＳＴ撮像短縮処理における概要を示す概要図である。図１０に示す２つのピーク周波数を有する物質として、イオパミドールを例にとり説明する。図１０に示すＺスペクトルのグラフＺＳにおける三角印は、第１シーケンスに関して、飽和パルスの周波数に対する信号比を示している。図９に示すＺスペクトルのグラフＺＳにおける丸印は、第２シーケンスに関して、飽和パルスの周波数に対する信号比を示している。図１０に示すように、２つのピーク周波数は、ＺスペクトルのグラフＺＳにおける下に凸のピークに対応し、文献値では４．２ｐｐｍと５．６ｐｐｍである。

このため、図１０に示すように、処理回路１５０は、設定機能１３４により、ピーク周波数を起点とする所定の範囲（例えば±０．５ｐｐｍ）に含まれる複数の周波数を、第１シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定する。複数の周波数は、例えば、３．７ｐｐｍから０．１ｐｐｍ刻みで４．８ｐｐｍまでの周波数と、５．１ｐｐｍから０．１ｐｐｍ刻みで５．１ｐｐｍまでの周波数とである。なお、所定の範囲は、上記範囲に限定されず、入力装置１４１を介して任意に設定可能である。飽和パルスの他の周波数に関しては、実施形態と同様である。

以上に述べた実施形態の第３変形例に係るＭＲＩ装置１００は、ＣＥＳＴ効果による信号強度のピーク周波数を中心とする所定の範囲に含まれる複数の周波数を、第１シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定する。また、本ＭＲＩ装置１００は、物質的特性をＣＥＳＴ効果に反映させる物質に応じて、ＣＥＳＴ効果による信号強度のピーク周波数を設定する。これにより、本変形例によれば、ピーク周波数を含む周波数の範囲において、ｋ空間全体に対するＭＲ信号が収集されるため、ピーク周波数近傍における第１ＭＲ画像のＳ／Ｎを向上させることができる。このため、実施形態における効果に加えて、ピーク周波近傍のＺスペクトルの正確性を向上させることができる。

（第４変形例）
第４変形例と実施形態との相違は、ＣＥＳＴイメージングの位置決めに用いられる位置決め画像において設定された関心領域に関する長さに基づいて、低周波領域を設定することにある。すなわち、本変形例における処理は、ＣＥＳＴ撮像短縮処理の実行前に実施される。

シーケンス制御回路１２０は、第１シーケンスおよび第２シーケンスの実行前、すなわちＣＥＳＴ撮像短縮処理の実行前において、関心領域の位置決めに関する位置決めシーケンスを実行する。関心領域は、撮像範囲であってもよい。シーケンス制御回路１２０は、位置決めシーケンスの実行により、位置決めシーケンスに対応するＭＲ信号（以下、位置決めＭＲ信号と呼ぶ）を収集する。

処理回路１５０は、画像生成機能１３８により、位置決めＭＲ信号に基づいてＭＲ画像（以下、位置決め画像と呼ぶ）を生成する。処理回路１５０は、制御機能１３３により、位置決め画像をディスプレイ１４３に表示させる。

入力装置１４１は、ユーザの指示により、ディスプレイ１４３に表示された位置決め画像に対して関心領域を入力する。入力装置１４１は、ディスプレイ１４３に表示された位置決め画像に対して関心領域に関する長さを入力する。関心領域に関する長さは、例えば、撮像対象の長さ、関心領域の長さ（幅）、または撮像対象の構造の長さに相当する。

処理回路１５０は、設定機能１３４により、位置決め画像において、関心領域と、関心領域に関する長さとを設定する。設定機能１３４は、設定された関心領域に関する長さに基づいて低周波領域を設定する。具体的には、設定機能１３４は、ｋ空間の原点を基準として、関心領域に関する長さの逆数を、ｋ空間における位相エンコード方向の低周波領域の幅（以下、低周波幅と呼ぶ）として設定する。

図１１は、関心領域に関する長さが設定された位置決め画像ＬＩと、第１シーケンスおよび第２シーケンスに関するｋ空間ＣＥＳＴｋの低周波幅との関係の一例を示す図である。図１１に示すように、撮像対象の長さＴＬが位置決め画像ＬＩに対して入力された場合、設定機能１３４は、ｋ空間ＣＥＳＴｋの原点を基準として、撮像対象の長さＴＬの逆数を、低周波幅ＴＬＷとして設定する。このとき、第２シーケンスに関するｋ空間において、第２ＭＲ信号が流用される高周波領域ＴＨＷは、図１１で示すような幅となる。

また、図１１に示すように、関心領域ＲＯＩの長さＲＬが位置決め画像ＬＩに対して入力された場合、設定機能１３４は、ｋ空間ＣＥＳＴｋの原点を基準として、撮像対象の長さＲＬの逆数を、低周波幅ＲＬＷとして設定する。このとき、第２シーケンスに関するｋ空間において、第２ＭＲ信号が流用される高周波領域ＲＨＷは、図１１で示すような幅となる。

また、図１１に示すように、撮像対象の構造の長さＳＬが位置決め画像ＬＩに対して入力された場合、設定機能１３４は、ｋ空間ＣＥＳＴｋの原点を基準として、撮像対象の長さＳＬの逆数を、低周波幅ＳＬＷとして設定する。このとき、第２シーケンスに関するｋ空間において、第２ＭＲ信号が流用される高周波領域ＳＨＷは、図１１で示すような幅となる。

以上に述べた実施形態の第４変形例に係るＭＲＩ装置１００は、第１シーケンスおよび第２シーケンスの実行前において、関心領域ＲＯＩの位置決めに関する位置決めシーケンスを実行し、位置決めシーケンスにより収集されたＭＲ信号に基づいて生成された位置決め画像において、関心領域ＲＯＩに関する長さを設定し、関心領域ＲＯＩに関する長さに基づいて低周波領域を設定する。これにより、本変形例によれば、位置決め画像ＬＩ内の撮像対象、ＲＯＩ、構造の長さに応じて、周波数空間でコントラスト成分が支配的な低周波領域（ＭＲ信号を流用しない非流用部分）と、周波数空間でコントラスト成分が非支配的な高周波領域（ＭＲ信号を流用する流用部分）とを、ユーザの所望に応じた入力により設定することができる。これにより、ユーザが着目する領域に応じて低周波領域を設定でき、スペクトルの正確性を向上させることができる。

（第５変形例）
第５変形例と実施形態との相違は、ＣＥＳＴイメージングにおいて隣接する２つの飽和パルスの間の期間（繰り返し期間（ＴＲ：Ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ Ｔｉｍｅ、ｔｉｍｅ ｔｏ ｒｅｐｅａｔ）に応じて、第１シーケンスおよび第２シーケンスに関する低周波領域を設定することにある。具体的には、設定機能１３４は、複数の飽和パルスにおいて隣接する２つの飽和パルスの印加タイミングの間の時間間隔（ＴＲ）に基づいて、低周波領域を設定する。すなわち、設定機能１３４は、２つの飽和パルスの印加タイミングの間の時間間隔におけるデータ収集期間の時間の長さに基づいて、低周波領域を設定する。

図１２は、飽和パルスが中心周波数（０ｐｐｍ）における第１シーケンスの一例を示す図である。図１２に示すように、第１シーケンスは、３回のＲＦパルスの印加（３ショット）により、ｋ空間全域に関してＭＲ信号が充填されるものとする。このとき、第１ＭＲ信号は、ｋ空間の低周波領域ｋＬＲに充填される。また、第２ＭＲ信号は、ｋ空間の高周波領域ｋＨＲに充填される。ｋ空間の高周波領域ｋＨＲに充填された第２ＭＲ信号は、第２シーケンスに関するｋ空間の高周波領域に流用される。

図１２に示すように、０ｐｐｍの周波数を印加する飽和パルスは、データ収集の前に印加される。図１２に示すように、飽和パルスの間隔すなわちＴＲは、撮像対象の縦緩和時間Ｔ_１に関する所望の強調画像に応じて予め設定される。このため、第１ＭＲ画像を収集可能な低周波領域ｋＬＲの大きさは、第１シーケンスにおけるデータ収集の撮像方法（高速スピンエコー法、グラジエント法など）により決定されることとなる。すなわち、設定機能１３４は、隣接する２つの飽和パルスの印加タイミングの間の時間間隔において、撮像可能なｋ空間の低周波の領域を、低周波領域として設定する。本変形例における効果は、実施形態と同様なため、説明は省略する。

（第６変形例）
本変形例と実施形態との相違は、中心周波数とピーク周波数とのうち少なくとも一つに飽和パルスの周波数が近づくにつれて、第２シーケンスにおける低周波領域を拡大させて設定することにある。図１３は、関心領域に存在するプロトンの化学交換を引き起こす物質がアミド基である場合のＣＥＳＴ撮像短縮処理における概要を示す概要図である。図１３に示すＺスペクトルのグラフＺＳにおける三角印は、第１シーケンスに関して、飽和パルスの周波数に対する信号比を示している。図１３に示すＺスペクトルのグラフＺＳにおける大小の丸印は、第２シーケンスに関して、飽和パルスの周波数に対する信号比を示している。

図１３に示すように、第１シーケンスに関する飽和パルスの条件は、第３変形例および第５変形例と同様に設定される。例えば、図１３に示すように、設定機能１３４は、ピーク周波数（３．５ｐｐｍ）を起点とする所定の範囲（例えば±０．５ｐｐｍ）に含まれる複数の周波数を、第１シーケンスにおける飽和パルスの条件として設定する。複数の周波数は、例えば、３．０ｐｐｍから０．１ｐｐｍ刻みで４．０ｐｐｍまでの周波数である。なお、所定の範囲は、上記範囲に限定されず、入力装置１４１を介して任意に設定可能である。図１３に示すように、第１シーケンスに関するｋ空間ｋＳ１には、３ショットのＲＦパルスにより収集された第１ＭＲ信号と第２ＭＲ信号とが充填される。

一方、図１３に示すように、第１シーケンスに関する飽和パルスの周波数の両端部（例えば、３．０ｐｐｍと４．０ｐｐｍ）からそれぞれ所定の周波数以上離れた周波数の小さい丸印の飽和パルスの周波数に関して、第２シーケンスにおける低周波領域ｋＬＲ１は、例えば第５変形例のように、１ショットのＲＦパルスの印加で収集可能な領域として設定される。ここで、所定の周波数とは、例えば、１ｐｐｍである。このとき、第２シーケンスに関するｋ空間ｋＳ２の低周波領域には第３ＭＲ信号が充填され、ｋ空間ｋＳ２１の高周波領域（ｋ空間流用部）には第２ＭＲ信号が流用されて充填される。

設定機能１３４は、中心周波数とピーク周波数とのうち少なくとも一つに飽和パルスの周波数が近づくにつれて、第２シーケンスにおける低周波領域を拡大させて設定する。具体的には、所定の周波数に対応する飽和パルスの周波数の範囲（図１３では、例えば、２．０ｐｐｍから３．０ｐｐｍと、４．０ｐｐｍから５．０ｐｐｍ）において、設定機能１３４は、図１３に示すように、ｋ空間ｋＳ２２における低周波領域ｋＬＲ２を２ショットのＲＦパルスで収集可能な領域として設定する。換言すれば、第２シーケンスにおける飽和パルスの周波数が中心周波数とピーク周波数とのうち少なくとも一つに近づくにつれて、設定機能１３４は、高周波領域すなわちｋ空間の流用部を低減するように、低周波領域を設定する。これらにより、ＣＥＳＴイメージングにおける撮像時間が短縮される。本変形例における効果は、実施形態、第１変形例、第３変形例などと同様なため、説明は省略する。

（第７変形例）
本変形例は、第６変形例の応用例に相当する。本変形例は、第１シーケンスによる飽和パルスの周波数が適用された周波数の範囲の両端から離れるにつれて、第２シーケンスにおいて撮像される高周波領域の充填率を増大させることにある。

図１４は、関心領域に存在するプロトンの化学交換を引き起こす物質がアミド基である場合のＣＥＳＴ撮像短縮処理における概要を示す概要図である。図１４に示すＺスペクトルのグラフＺＳにおける三角印は、第１シーケンスに関して、飽和パルスの周波数に対する信号比を示している。図１４に示すＺスペクトルのグラフＺＳにおける大小の丸印は、第２シーケンスに関して、飽和パルスの周波数に対する信号比を示している。第１シーケンスにおける飽和パルスの条件の設定は、第６変形例と同様なため説明は省略する。

図１４に示すように、第２シーケンスにおいて、第１シーケンスに関する飽和パルスの周波数の両端部（例えば、３．０ｐｐｍと４．０ｐｐｍ）から離れるにしたがって、既存の高速撮像手法（例えば、圧縮センシング（Ｃｏｍｐｒｅｓｓｅｄ Ｓｅｎｓｉｎｇ）の充填率（＝１－間引き収集率））を、第２シーケンスのｋ空間の高周波領域ｋＨＲにおいて、ｋ空間ｋＳ２Ａからｋ空間ｋＳ２Ｆにかけて低減させる。なお、既存の高速撮像手法は、圧縮センシングに限定されず、パラレルイメージングなどであってもよい。換言すれば、図１３の下端の矢印で示すように、関心のある飽和パルスの周波数（例えばピーク周波数のｐｐｍ）に近づくにつれて、すなわちｋ空間ｋＳ２Ｆ、ｋＳ２Ａ、ｋＳ１の順にｋ空間の新規充填率を１００％に近づける。これにより、第２シーケンスに関する高周波領域においてＭＲ信号が収集されていない領域に対する、第１シーケンスから流用されるｋ空間データ（第２ＭＲ信号）の比率が下がる。

設定機能１３４は、中心周波数とピーク周波数とのうち少なくとも一つに飽和パルスの周波数が近づくにつれて、第２シーケンスにおけるｋ空間ｋＳ２ＦからｋＳ２Ａにかけて、高周波領域ｋＨＲに対する当該高周波領域の一部領域の割合（充填率）を増大させるように、当該一部領域を設定する。すなわち、設定機能１３４は、第２シーケンスにおいてｋ空間の充填率を、関心とする飽和パルスの周波数から離れた程度（周波数で示す距離）に応じて変更し、第２シーケンスに関するｋ空間において第１シーケンスから流用される第２ＭＲ信号の割合を当該程度に応じて低減する。これらにより、ＣＥＳＴイメージングにおける撮像時間が短縮される。

シーケンス制御回路１２０は、第２シーケンスにおいて、設定された一部領域に対応する第４ＭＲ信号をさらに収集する。

割り当て機能１３６は、高周波領域の一部領域に第４ＭＲ信号を割り当てる。割り当て機能１３６は、第４ＭＲ信号が割り当てられた一部領域とは異なる他の領域に、当該他の領域に対応する第２ＭＲ信号を割り当てる。本変形例における効果は、実施形態及び第６変形例などと同様なため、説明は省略する。

（第８変形例）
本変形例は、飽和パルスの周波数が異なる複数の第２シーケンスに関して、ｋ空間の高周波領域の一部領域を相補的に設定し、複数の第２シーケンスにおける一部領域に対応する第４ＭＲ信号を、当該一部領域とは異なる他の領域に、相補的に割り当てることにある。高周波領域の一部領域は、例えば、任意のスパース性（ｓｐａｒｓｉｔｙ）を有する。当該一部領域は、圧縮センシングにおけるスパース性に対応する。

設定機能１３４は、飽和パルスの周波数が異なる複数の第２シーケンスに関して、ｋ空間の高周波領域の一部領域を相補的に設定する。一部領域は、第２シーケンスにより第４ＭＲ信号が収集される領域に相当する。設定機能１３４は、複数の第２シーケンス各々において、異なる第２シーケンスに関するｋ空間の間でＭＲ信号が収集されていない領域を互いに補完するように、スパース性を有する一部領域を設定する。

シーケンス制御回路１２０は、第２シーケンスにおいて、一部領域に対応する第４ＭＲ信号をさらに収集する。すなわち、シーケンス制御回路１２０は、第２シーケンスにおいて、第３ＭＲ信号と第４ＭＲ信号とを収集する。

割り当て機能１３６は、複数の第２シーケンスにおける一部領域に対応する第４ＭＲ信号を、第２シーケンスに関する高周波領域の一部領域とは異なる他の領域に、相補的に割り当てる。具体的には、割り当て機能１３６は、複数の第２シーケンス各々におけるｋ空間の高周波領域の他の領域に、飽和パルスの条件（周波数）が近い第２シーケンスにより当該他の領域を一部領域として収集された第４ＭＲ信号を割り当てる。これにより、割り当て機能１３６は、複数の第２シーケンス各々におけるｋ空間の他の領域に、飽和パルスの周波数が異なる第２シーケンスにより収集された第４ＭＲ信号を割り当てる。

図１５は、ＣＥＳＴ撮像短縮処理における概要を示す概要図である。以下、図１５を用いて具体的に説明する。図１５に示すＺスペクトルのグラフＺＳにおける三角印は、第１シーケンスに関して、飽和パルスの周波数に対する信号比を示している。図１５に示すＺスペクトルのグラフＺＳにおける丸印は、第２シーケンスに関して、飽和パルスの周波数に対する信号比を示している。図１５に示す第１シーケンスは、実施形態における図５と同様なため、説明は省略する。

図１５に示すように、複数の第２シーケンスでは、ｋ空間の低周波領域ｋＬＲに対応するＭＲ信号（第３ＭＲ信号）が収集される。また、図１５に示すように、複数の第２シーケンス各々における高周波領域ｋＨＲにおいて、予め設定されたスパース性を有する一部領域に対して、ＭＲ信号（第４ＭＲ信号）が収集される。すなわち、第２シーケンスにおける輪郭成分（高周波領域）の一部領域について、飽和パルスの周波数が異なる他の第２シーケンスにおけるｋ空間へ第４ＭＲ信号が共有（流用）されるように、第４ＭＲ信号が取得される。

具体的には、図１５に示すように、飽和パルスの周波数が異なる３つの第２シーケンスに関するｋ空間（ｋＳ２Ａ、ｋＳ２Ｂ、ｋＳ２Ｃ）の高周波領域ｋＨＲにおいて、異なるスパース性を有するように第４ＭＲ信号が取得される。３つのｋ空間のうち一つのｋ空間ｋＳ２Ａに着目すると、当該ｋ空間ｋＳ２Ａの高周波領域ｋＨＲにおいてＭＲ信号が取得されていない他の領域には、ｋ空間ｋＳ２Ａに対応する第２シーケンスの飽和パルスの条件（周波数、ｐｐｍ）に近い条件で収集された第４ＭＲ信号が割り当てられる。

より詳細には、図１５に示すように、ｋ空間ｋＳ２Ａの高周波領域ｋＨＲにおける他の領域には、ｋ空間ｋＳ２Ｂにおける高周波領域ｋＨＲの第４ＭＲ信号と、ｋ空間ｋＳ２Ｃにおける高周波領域ｋＨＲの第４ＭＲ信号とが補間される。これにより、ｋ空間ｋＳ２Ａの高周波領域ｋＨＲにおいて他の第２シーケンスにおける第４ＭＲ信号が補間されたｋ空間ｋＳＣが、割り当て機能１３６により生成される。本変形例における効果は、実施形態などと同様なため、説明は省略する。

実施形態における技術的思想を撮像時間短縮方法で実現する場合、当該撮像時間短縮方法は、複数の飽和パルスの印加と当該複数の飽和パルスに応じた複数の磁気共鳴信号の収集とを実行するＣＥＳＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）撮像において、ｋ空間の低周波領域に対応する第１磁気共鳴信号と当該ｋ空間の高周波領域に対応する第２磁気共鳴信号とを収集する第１シーケンスと、少なくとも低周波領域に対応する第３磁気共鳴信号を収集する第２シーケンスとを、複数の飽和パルスの条件を変えて実行し、第２シーケンスに対応するように生成される１つのｋ空間に、第３磁気共鳴信号と第２磁気共鳴信号とを割り当てる。撮像時間短縮方法により実行されるＣＥＳＴ撮像短縮処理の手順および効果は、実施形態と同様なため、説明は省略する。

以上説明した少なくとも実施形態、変形例等によれば、ＣＥＳＴイメージングによる撮像時間を短縮することができる。

いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更、実施形態同士の組み合わせを行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１００ 磁気共鳴イメージング装置
１０１ 静磁場磁石
１０２ 静磁場電源
１０３ 傾斜磁場コイル
１０４ 傾斜磁場電源
１０５ 寝台
１０５ａ 天板
１０６ 寝台制御回路
１０７ 送信コイル
１０８ 送信回路
１０９ 受信コイル
１２０ シーケンス制御回路
１３０ コンピューター
１３１ インタフェース機能
１３２ 記憶回路
１３３ 制御機能
１３４ 設定機能
１３６ 割り当て機能
１３８ 画像生成機能
１４１ 入力装置
１４３ ディスプレイ
１５０ 処理回路

Claims (15)

1. 複数の飽和パルスの印加と前記複数の飽和パルスに応じた複数の磁気共鳴信号の収集とを実行するＣＥＳＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）撮像において、ｋ空間の低周波領域に対応する第１磁気共鳴信号と前記ｋ空間の高周波領域に対応する第２磁気共鳴信号とを収集する第１シーケンスと、少なくとも前記低周波領域に対応する第３磁気共鳴信号を収集する第２シーケンスとを、前記複数の飽和パルスの条件を変えて実行するシーケンス制御部と、
   前記第２シーケンスに対応するように生成される１つのｋ空間に、前記第３磁気共鳴信号と前記第２磁気共鳴信号とを割り当てる割り当て部と、
   を備え、
   前記シーケンス制御部は、静磁場強度に基づく自由水の共鳴周波数から前記飽和パルスの周波数を変化させながら、前記第１磁気共鳴信号と前記第２磁気共鳴信号とに基づいて生成された磁気共鳴画像における信号強度が極小値となるまで、前記第１シーケンスを実行し、
   前記極小値に対応する周波数から所定の周波数の間隔で設定された複数の周波数と、前記極小値に対応する周波数を中心とする所定の範囲に含まれる複数の周波数とを、前記第１シーケンスにおける前記複数の飽和パルスの条件として設定し、前記間隔に含まれる複数の周波数を、前記第２シーケンスにおける前記複数の飽和パルスの条件として設定する設定部をさらに備え、
   前記シーケンス制御部は、前記条件における前記複数の周波数に関する前記飽和パルスの印加が完了するまで、前記第１シーケンスと前記第２シーケンスとを実行する、
   磁気共鳴イメージング装置。
2. 複数の飽和パルスの印加と前記複数の飽和パルスに応じた複数の磁気共鳴信号の収集とを実行するＣＥＳＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）撮像において、ｋ空間の低周波領域に対応する第１磁気共鳴信号と前記ｋ空間の高周波領域に対応する第２磁気共鳴信号とを収集する第１シーケンスと、少なくとも前記低周波領域に対応する第３磁気共鳴信号を収集する第２シーケンスとを、前記複数の飽和パルスの条件を変えて実行するシーケンス制御部と、
   前記第２シーケンスに対応するように生成される１つのｋ空間に、前記第３磁気共鳴信号と前記第２磁気共鳴信号とを割り当てる割り当て部と、
   前記ｋ空間において、磁気共鳴信号に基づいて生成される磁気共鳴画像のコントラストに寄与する領域を、前記低周波領域として設定する設定部と、
   を備え、
   前記シーケンス制御部は、前記第１シーケンスおよび前記第２シーケンスの実行前において、関心領域の位置決めに関する位置決めシーケンスを実行し、
   前記設定部は、
   前記位置決めシーケンスにより収集された磁気共鳴信号に基づいて生成された位置決め画像において、前記関心領域に関する長さを設定し、
   前記関心領域に関する長さに基づいて前記低周波領域を設定する、
   磁気共鳴イメージング装置。
3. 複数の飽和パルスの印加と前記複数の飽和パルスに応じた複数の磁気共鳴信号の収集とを実行するＣＥＳＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）撮像において、ｋ空間の低周波領域に対応する第１磁気共鳴信号と前記ｋ空間の高周波領域に対応する第２磁気共鳴信号とを収集する第１シーケンスと、少なくとも前記低周波領域に対応する第３磁気共鳴信号を収集する第２シーケンスとを、前記複数の飽和パルスの条件を変えて実行するシーケンス制御部と、
   前記第２シーケンスに対応するように生成される１つのｋ空間に、前記第３磁気共鳴信号と前記第２磁気共鳴信号とを割り当てる割り当て部と、
   前記複数の飽和パルスにおいて隣接する２つの飽和パルスの印加タイミングの間の時間間隔に基づいて、前記低周波領域を設定する設定部と、
   を備える磁気共鳴イメージング装置。
4. 複数の飽和パルスの印加と前記複数の飽和パルスに応じた複数の磁気共鳴信号の収集とを実行するＣＥＳＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）撮像において、ｋ空間の低周波領域に対応する第１磁気共鳴信号と前記ｋ空間の高周波領域に対応する第２磁気共鳴信号とを収集する第１シーケンスと、少なくとも前記低周波領域に対応する第３磁気共鳴信号を収集する第２シーケンスとを、前記複数の飽和パルスの条件を変えて実行するシーケンス制御部と、
   前記第２シーケンスに対応するように生成される１つのｋ空間に、前記第３磁気共鳴信号と前記第２磁気共鳴信号とを割り当てる割り当て部と、
   磁場強度に基づく自由水の共鳴周波数とＣＥＳＴ効果による信号強度のピークに対応する周波数とのうち少なくとも一つに前記飽和パルスの周波数が近づくにつれて、前記第２シーケンスにおける前記低周波領域を拡大させて設定する設定部と、
   を備える磁気共鳴イメージング装置。
5. 複数の飽和パルスの印加と前記複数の飽和パルスに応じた複数の磁気共鳴信号の収集とを実行するＣＥＳＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）撮像において、ｋ空間の低周波領域に対応する第１磁気共鳴信号と前記ｋ空間の高周波領域に対応する第２磁気共鳴信号とを収集する第１シーケンスと、少なくとも前記低周波領域に対応する第３磁気共鳴信号を収集する第２シーケンスとを、前記複数の飽和パルスの条件を変えて実行するシーケンス制御部と、
   前記第２シーケンスに対応するように生成される１つのｋ空間に、前記第３磁気共鳴信号と前記第２磁気共鳴信号とを割り当てる割り当て部と、
   磁場強度に基づく自由水の共鳴周波数とＣＥＳＴ効果による信号強度のピークに対応する周波数とのうち少なくとも一つに前記飽和パルスの周波数が近づくにつれて、前記第２シーケンスにおける前記ｋ空間における高周波領域に対する前記高周波領域の一部領域の割合を増大させるように前記一部領域を設定する設定部と、
   を備え、
   前記シーケンス制御部は、前記第２シーケンスにおいて、前記一部領域に対応する第４磁気共鳴信号をさらに収集し、
   前記割り当て部は、前記高周波領域において、前記第４磁気共鳴信号が割り当てられた前記一部領域とは異なる他の領域に、前記他の領域に対応する前記第２磁気共鳴信号を割り当てる、
   磁気共鳴イメージング装置。
6. 前記設定部は、静磁場強度に基づく自由水の共鳴周波数と、前記共鳴周波数から所定の周波数の間隔で設定された複数の周波数とを、前記第１シーケンスにおける前記複数の飽和パルスの条件として設定し、前記間隔に含まれる複数の周波数を、前記第２シーケンスにおける前記複数の飽和パルスの条件として設定し、
   前記シーケンス制御部は、前記設定された条件を用いて、前記第１シーケンスと前記第２シーケンスとを実行する、
   請求項１乃至５のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
7. 前記設定部は、前記共鳴周波数を中心とする所定の範囲に含まれる複数の周波数を、前記第１シーケンスにおける前記条件として設定する、
   請求項６に記載の磁気共鳴イメージング装置。
8. 前記設定部は、ＣＥＳＴ効果による信号強度のピークに対応する周波数を中心とする所定の範囲に含まれる複数の周波数を、前記第１シーケンスにおける前記複数の飽和パルスの条件として設定する、
   請求項１乃至７のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
9. 前記設定部は、物質的特性を前記ＣＥＳＴ効果に反映させる物質に応じて、前記ＣＥＳＴ効果による信号強度のピークに対応する周波数を設定する、
   請求項８に記載の磁気共鳴イメージング装置。
10. 前記設定部は、前記飽和パルスの周波数が異なる複数の前記第２シーケンスに関して、前記ｋ空間の高周波領域の一部領域を相補的に設定し、
    前記シーケンス制御部は、前記第２シーケンスにおいて、前記一部領域に対応する第４磁気共鳴信号をさらに収集し、
    前記割り当て部は、前記複数の第２シーケンスにおける前記一部領域に対応する第４磁気共鳴信号を、前記第２シーケンスに関する前記高周波領域の前記一部領域とは異なる他の領域に、相補的に割り当てる、
    請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
11. 複数の飽和パルスの印加と前記複数の飽和パルスに応じた複数の磁気共鳴信号の収集とを実行するＣＥＳＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）撮像において、ｋ空間の低周波領域に対応する第１磁気共鳴信号と前記ｋ空間の高周波領域に対応する第２磁気共鳴信号とを収集する第１シーケンスと、少なくとも前記低周波領域に対応する第３磁気共鳴信号を収集する第２シーケンスとを、前記複数の飽和パルスの条件を変えて実行し、
    前記第２シーケンスに対応するように生成される１つのｋ空間に、前記第３磁気共鳴信号と前記第２磁気共鳴信号とを割り当て、
    静磁場強度に基づく自由水の共鳴周波数から前記飽和パルスの周波数を変化させながら、前記第１磁気共鳴信号と前記第２磁気共鳴信号とに基づいて生成された磁気共鳴画像における信号強度が極小値となるまで、前記第１シーケンスを実行し、
    前記極小値に対応する周波数から所定の周波数の間隔で設定された複数の周波数と、前記極小値に対応する周波数を中心とする所定の範囲に含まれる複数の周波数とを、前記第１シーケンスにおける前記複数の飽和パルスの条件として設定し、
    前記間隔に含まれる複数の周波数を、前記第２シーケンスにおける前記複数の飽和パルスの条件として設定し、
    前記条件における前記複数の周波数に関する前記飽和パルスの印加が完了するまで、前記第１シーケンスと前記第２シーケンスとを実行する、
    ことを備える撮像時間短縮方法。
12. 複数の飽和パルスの印加と前記複数の飽和パルスに応じた複数の磁気共鳴信号の収集とを実行するＣＥＳＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）撮像において、ｋ空間の低周波領域に対応する第１磁気共鳴信号と前記ｋ空間の高周波領域に対応する第２磁気共鳴信号とを収集する第１シーケンスと、少なくとも前記低周波領域に対応する第３磁気共鳴信号を収集する第２シーケンスとを、前記複数の飽和パルスの条件を変えて実行し、
    前記第２シーケンスに対応するように生成される１つのｋ空間に、前記第３磁気共鳴信号と前記第２磁気共鳴信号とを割り当て、
    前記ｋ空間において、磁気共鳴信号に基づいて生成される磁気共鳴画像のコントラストに寄与する領域を、前記低周波領域として設定し、
    前記第１シーケンスおよび前記第２シーケンスの実行前において、関心領域の位置決めに関する位置決めシーケンスを実行し、
    前記位置決めシーケンスにより収集された磁気共鳴信号に基づいて生成された位置決め画像において、前記関心領域に関する長さを設定し、
    前記関心領域に関する長さに基づいて前記低周波領域を設定する、
    ことを備える撮像時間短縮方法。
13. 複数の飽和パルスの印加と前記複数の飽和パルスに応じた複数の磁気共鳴信号の収集とを実行するＣＥＳＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）撮像において、ｋ空間の低周波領域に対応する第１磁気共鳴信号と前記ｋ空間の高周波領域に対応する第２磁気共鳴信号とを収集する第１シーケンスと、少なくとも前記低周波領域に対応する第３磁気共鳴信号を収集する第２シーケンスとを、前記複数の飽和パルスの条件を変えて実行し、
    前記第２シーケンスに対応するように生成される１つのｋ空間に、前記第３磁気共鳴信号と前記第２磁気共鳴信号とを割り当て、
    前記複数の飽和パルスにおいて隣接する２つの飽和パルスの印加タイミングの間の時間間隔に基づいて、前記低周波領域を設定する、
    ことを備える撮像時間短縮方法。
14. 複数の飽和パルスの印加と前記複数の飽和パルスに応じた複数の磁気共鳴信号の収集とを実行するＣＥＳＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）撮像において、ｋ空間の低周波領域に対応する第１磁気共鳴信号と前記ｋ空間の高周波領域に対応する第２磁気共鳴信号とを収集する第１シーケンスと、少なくとも前記低周波領域に対応する第３磁気共鳴信号を収集する第２シーケンスとを、前記複数の飽和パルスの条件を変えて実行し、
    前記第２シーケンスに対応するように生成される１つのｋ空間に、前記第３磁気共鳴信号と前記第２磁気共鳴信号とを割り当て、
    磁場強度に基づく自由水の共鳴周波数とＣＥＳＴ効果による信号強度のピークに対応する周波数とのうち少なくとも一つに前記飽和パルスの周波数が近づくにつれて、前記第２シーケンスにおける前記低周波領域を拡大させて設定する、
    ことを備える撮像時間短縮方法。
15. 複数の飽和パルスの印加と前記複数の飽和パルスに応じた複数の磁気共鳴信号の収集とを実行するＣＥＳＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）撮像において、ｋ空間の低周波領域に対応する第１磁気共鳴信号と前記ｋ空間の高周波領域に対応する第２磁気共鳴信号とを収集する第１シーケンスと、少なくとも前記低周波領域に対応する第３磁気共鳴信号を収集する第２シーケンスとを、前記複数の飽和パルスの条件を変えて実行し、
    前記第２シーケンスに対応するように生成される１つのｋ空間に、前記第３磁気共鳴信号と前記第２磁気共鳴信号とを割り当て、
    磁場強度に基づく自由水の共鳴周波数とＣＥＳＴ効果による信号強度のピークに対応する周波数とのうち少なくとも一つに前記飽和パルスの周波数が近づくにつれて、前記第２シーケンスにおける前記ｋ空間における高周波領域に対する前記高周波領域の一部領域の割合を増大させるように前記一部領域を設定し、
    前記第２シーケンスにおいて、前記一部領域に対応する第４磁気共鳴信号をさらに収集し、
    前記高周波領域において、前記第４磁気共鳴信号が割り当てられた前記一部領域とは異なる他の領域に、前記他の領域に対応する前記第２磁気共鳴信号を割り当てる、
    ことを備える撮像時間短縮方法。

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