JP7698041B2 - 表示パネルと表示装置 - Google Patents

Description

本開示は、表示技術の分野に関し、特に、表示パネル及びその表示パネルを含む表示装置に関する。

アクティブマトリクス有機発光ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ，Ａｃｔｉｖｅ－ｍａｔｒｉｘ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）の急速な発展に伴い、高分解能及び狭額縁は工業発展の方向となっている。表示パネルの解像度やＰＰＩ（Ｐｉｘｅｌ Ｐｅｒ Ｉｎｃｈ，１インチ当たりの画素、即ち画素密度）の増加に伴い、バインディング領域におけるバインディング電極の数も増加し、バインド後に暗い点を表示する不良が現れやすくなる。

なお、上記背景技術部分に開示されている情報は、本開示の背景の理解を高めることのみを目的としているので、当業者に知られている先行技術を構成していない情報を含むことができる。

本開示の目的は、従来技術の上記欠点を克服し、表示パネル及びその表示パネルを含む表示装置を提供することである。

本開示の一態様によれば、表示パネルを提供し、
表示領域と、前記表示領域の少なくとも一側に位置するバインディング領域とを有するベース基板と、
前記ベース基板１の一側に設けられ、前記バインディング領域に位置する第１の凹部を有する絶縁層群と、
前記バインディング領域に設けられている複数のバインディングピンとを備え、
前記バインディングピンは、第１のバインディング電極と充填部とを備え、
前記第１のバインディング電極は、前記絶縁層群の前記ベース基板から遠い側に設けられ、前記第１のバインディング電極は第２の凹部を有し、前記第２の凹部の前記ベース基板上への正投影は、前記第１の凹部の前記ベース基板上への正投影内に位置し、前記第１のバインディング電極は少なくとも積層配置された第１の導体層と第２の導体層とを含み、前記第１の導体層は前記第２の導体層の前記ベース基板から遠い側に設けられ、前記第１の導体層の金属活性は前記第２の導体層より低く、
前記充填部は、前記第２の凹部の前記ベース基板から遠い側に設けられ、前記充填部は少なくとも部分的に前記第２の凹部内に位置する。

本開示の例示的な実施例において、前記バインディングピンは、
前記ベース基板と前記第１のバインディング電極の間に設けられている第２のバインディング電極をさらに備え、前記第１の凹部は第１のビアであり、前記第１のバインディング電極は前記第１のビアを介して前記第２のバインディング電極に接続される。

本開示の例示的な実施例において、前記バインディングピンは、
前記第１のバインディング電極と前記第２のバインディング電極の間に設けられている第３のバインディング電極をさらに備え、前記第３のバインディング電極は第３の凹部を有し、前記第２の凹部の前記ベース基板上への正投影は、前記第３の凹部の前記ベース基板上への正投影内に位置し、前記第３の凹部の前記ベース基板上への正投影は、前記第１の凹部の前記ベース基板上への正投影内に位置する。

本開示の例示的な実施例において、前記表示パネルは、
前記第１のバインディング電極と前記第３のバインディング電極の間に設けられている保護層をさらに備え、前記保護層は第２のビアを有し、前記第３のバインディング電極は前記第２のビアを介して前記第１のバインディング電極に接続される。

本開示の例示的な実施例において、前記第３の凹部の前記ベース基板上への正投影は、前記第２のビアの前記ベース基板上への正投影内に位置する。

本開示の例示的な実施例において、前記表示パネルは、
隣接する前記バインディングピンの間に設けられている絶縁部をさらに備え、前記絶縁部の前記ベース基板から遠い側の表面から前記ベース基板までの垂直距離は、前記充填部の前記ベース基板から遠い側の表面から前記ベース基板までの垂直距離以上である。

本開示の例示的な実施例において、前記表示領域において、前記表示パネルは複数のサブ画素をさらに備え、前記サブ画素は薄膜トランジスタ、第２の平坦化層及び表示素子を含み、
前記第２の平坦化層は、前記薄膜トランジスタを覆うように、前記薄膜トランジスタの前記ベース基板から遠い側に位置し、
前記表示素子は、前記第２の平坦化層の前記ベース基板から遠い側に位置し、
前記第２の平坦化層は第３のビアを有し、
前記薄膜トランジスタは、活性層、ゲート、ソース、ドレイン及び接続電極を含み、前記ソース及び前記ドレインは前記活性層に電気的に接続され、前記接続電極は前記ソース又は前記ドレインに電気的に接続され、前記接続電極は前記第３のビアを介して前記表示素子に電気的に接続される。

本開示の例示的な実施例において、前記活性層は前記ベース基板の一側に設けられ、前記ゲートは前記活性層の前記ベース基板から遠い側に設けられ、前記ソース及び前記ドレインは前記ゲートの前記ベース基板から遠い側に設けられ、前記接続電極は前記ソース及び前記ドレインの前記ベース基板から遠い側に設けられる。

本開示の例示的な実施例において、前記第２のバインディング電極は前記ゲートと同じ層に設けられ、同じ材料で作られ、前記第３のバインディング電極は前記ソース及び前記ドレインと同じ層に設けられ、同じ材料で作られ、前記第１のバインディング電極は前記接続電極と同じ層に設けられ、同じ材料で作られている。

本開示の例示的な実施例において、前記接続電極の前記ベース基板から遠い側に第２の平坦化層が設けられ、前記充填部と前記絶縁部は、前記第２の平坦化層と同じ層に設けられ、同じ材料で作られている。

本開示の例示的な実施例において、前記ベース基板と前記活性層の間にバッファ層が設けられ、前記活性層と前記ゲートの間に第１のゲート絶縁層が設けられ、前記ゲートと前記ソース及び前記ドレインの間に第２のゲート絶縁層が設けられ、前記第２のゲート絶縁層の前記ベース基板から遠い側に層間誘電体層が設けられ、
前記絶縁層群は、前記第２のゲート絶縁層及び前記層間誘電体層と同じ層に設けられ、同じ材料で作られるか、又は、前記絶縁層群は、前記バッファ層及び前記第１のゲート絶縁層と同じ層に設けられ、同じ材料で作られる。

本開示の例示的な実施例において、前記第１のバインディング電極の前記ベース基板から遠い側の表面の少なくとも一部から前記ベース基板までの垂直距離は、前記充填部の前記ベース基板から遠い側の表面から前記ベース基板までの垂直距離以上である。

本開示の例示的な実施例において、前記第１の導体層は切断部を有し、前記切断部は前記第２の凹部内に位置する。

本開示の例示的な実施例において、前記第２の導体層は、前記切断部に対向する第４の凹部を有する。

本開示の例示的な実施例において、前記切断部の数は２つであり、対応する前記第４の凹部の数も２つであり、前記第１の導体層の一部は２つの前記第４の凹部の間にある。

本開示の例示的な実施例において、前記第１のバインディング電極は、第３の導体層をさらに含み、前記第２の導体層は、前記第３の導体層と前記第１の導体層との間に設けられる。

本開示の例示的な実施例において、前記第３の導体層及び前記第１の導体層はチタンからなり、前記第２の導体層はアルミニウムからなる。

本開示の別の一態様によれば、表示装置を提供し、前述したいずれか１項に記載の表示パネルを備える。

本開示の表示パネルによれば、バインディング領域で、絶縁層群の上に第１の凹部が設けられ、さらに複数のバインディングピンが設けられている。バインディングピンは、第１のバインディング電極を含み、第１の凹部に第１のバインディング電極を形成する際に第２の凹部を形成する。第１のバインディング電極は、少なくとも積層配置されている第１の導体層と第２の導体層と含み、第１の導体層は第２の導体のベース基板から離れた側に配置され、第１の導体層の金属活性が第２の導体層の金属活性よりも低い。第２の凹部での成膜品質が悪いため、第１の導体層は第２の導体層をうまく包むことができず、その後のアノードエッチングの過程で、エッチング溶液中のＡｇ＋（銀イオン）は暴露された第２の導体層と置換反応してＡｇ元素粒子を生成し、そして、この過程でＡｇ元素粒子が表示パネルの表示領域に進行して、暗い点を表示する不良になる。充填部は、第２の凹部のベース基板から離れた側に設けられ、少なくとも部分的に第２の凹部内に位置している。充填部は、露出した第２導体層を保護することができ、それにより、その後のアノードエッチング中にエッチング溶液中のＡｇ＋（銀イオン）が露出した第２の導体層と置換反応してＡｇ元素粒子を生成することを回避し、この過程でＡｇ元素粒子が表示パネルの表示領域に進行することによる暗い点の表示不良を回避する。また、追加された充填部は、バインディングピンの構造強度を増加させることができ、バインディングピンがバインドプロセス中に破断することをさらに防止することができる。

上述の一般的な説明及び以下の詳細な説明は例示的及び説明的なものにすぎず、本開示を限定するものではないことを理解すべきである。

明細書に組み込んで明細書の一部を構成する図面は、本開示と一致する実施例を示し、明細書とともに本開示の原理を説明する。以下の説明における図面は、本開示のいくつかの実施例のみを示しており、当業者は、創造的な労働なしにこれらの図面から他の図面を得ることができることは明らかである。

図１は、表示パネルの概略構成図である。 図２は、表示パネル全体の概略平面図である。 図３は、本開示の例示的な実施形態に係る表示パネルの概略構成図である。 図４は、本開示の他の例示的な実施形態に係る表示パネルの概略構成図である。 図５は、本開示のさらに他の例示的な実施形態による表示パネルの概略構成図である。 図６は、本開示のさらに他の例示的な実施形態による表示パネルの概略構成図である。 図７は、本開示の例示的な実施形態に係る表示パネルのバインディング領域におけるバインディングピンの一部の概略平面図である。 図８は、図７のＨ－Ｈ断面に沿った概略断面図である。 図９は、図７のＭ－Ｍ断面に沿った概略断面図である。 図１０は、本開示の例示的な実施形態による表示パネルの製造方法の概略フローチャートである。 図１１は、本開示の例示的な実施形態による表示パネルの製造方法の各ステップの概略構成図である。 図１２は、本開示の例示的な実施形態による表示パネルの製造方法の各ステップの概略構成図である。 図１３は、本開示の例示的な実施形態による表示パネルの製造方法の各ステップの概略構成図である。 図１４は、本開示の例示的な実施形態による表示パネルの製造方法の各ステップの概略構成図である。 図１５は、本開示の例示的な実施形態による表示パネルの製造方法の各ステップの概略構成図である。 図１６は、本開示の他の例示的な実施形態による表示パネルの製造方法の１つのステップの概略構成図である。

次に、図面を参照して、例示的な実施形態をより包括的に説明する。しかしながら、例示的な実施形態は様々な形態で具現化することができ、本明細書で説明する実施形態に限定されると解釈されるべきではない。対照的に、これらの実施形態を提供することにより、本開示は包括的かつ完全であり、例示的な実施形態の概念を当業者に十分に伝えることができる。図面中の同一の符号は同一又は類似の構造を表すので、詳細な説明は省略する。また、図面は本開示の概略図にすぎず、比例して描かなくてもよい。

本明細書では、アイコンの１つのコンポーネントの他のコンポーネントに対する相対関係を記述するために、「上」「下」などの相対用語が使用されているが、本明細書では、これらの用語は、便宜的にのみ使用され、例えば図面に示された例の方向に従って説明するために使用される。アイコンのデバイスが逆にされると、「上」と記述されたコンポーネントは、「下」と記述されたコンポーネントになることが理解される。ある構造が別の構造の「上」にある場合、ある構造が全体的に別の構造に形成されていることを意味したり、ある構造が別の構造に「直接」的に配置されていることを意味したり、ある構造が別の構造を介して他の構造に「間接」的に配置されていることを意味したりすることがある。

「１つ」、「一」、「当該」、「前記」、及び「少なくとも１つ」という用語は、１つ又は複数の要素／コンポーネントなどの存在を表すために使用される。「含む」及び「有する」という用語は、リストされている要素／コンポーネントなどを除き、追加の要素／コンポーネントなどが存在する可能性があることを意味するオープン包含を表すために使用される。「第１」、「第２」、「第３」などの用語はマークとしてのみ使用され、オブジェクトの数を制限するものではない。

図１を参照すると、ＡＭＯＬＥＤ表示パネルは狭額縁を追求し、表示パネルの下額縁の幅に制限され、解像度や画素密度の増加に伴いバインディング電極の数が増加するため、バインディング電極の幅をますます狭くする必要があり、現在、バインディング電極幅の減少による抵抗の増加を解消するために、並列接続された多層バインディング電極が多く用いられている。多層バインディング電極（例えば、第１のバインディング電極９３、第２のバインディング電極３２及び第３のバインディング電極７３）が並列に接続する場合、絶縁層上に第１のビア６１を形成することにより絶縁層の両側に位置するバインディング電極を接続する必要があり、したがって、第１のビア６１の上方に形成された第１のバインディング電極９３は、第１のビア６１に第２の凹部９４を形成する。第１のビア６１の側壁上の第１のバインディング電極９３の成膜品質が悪く、第１のバインディング電極９３の上層の金属チタンが切断部９３４を形成するので、第１のバインディング電極９３の上層の金属チタンが金属アルミニウムをうまく包むことができず、その後のアノードエッチング中、エッチング溶液中のＡｇ＋（銀イオン）は暴露されたＡｌと置換反応してＡｇ元素粒子を生成する。しかし、この過程で、Ａｇ元素粒子は表示パネルの表示領域Ａに進み、暗い点を表示する不良になる。

図２を参照すると、表示パネルの表示領域Ａには複数のゲート線１５２と複数のデータ線１５１が配置され、バインディング領域Ｂには複数のバインディングピン１２が配置されている。ゲート線１５２は第１の方向に延び、データ線１５１は第２の方向に延び、第１の方向は第２の方向と交差し、複数のゲート線１５２を複数のデータ線１５１と交差させてメッシュ形状を形成する。データ線１５１とゲート線１５２はバインディングピン１２に接続されている。第１の方向には複数のバインディングピン１２が１行に配列され、第２の方向には、２行のバインディングピン１２が配列され、勿論、第２の方向には１行のバインディングピン１２が配列されることもでき、より多くの行のバインディングピン１２が配列されることもできる。

本開示の実施形態は、図３、図４、図５、図６及び図７に示すように、本開示の表示パネルの構造概略図を提供する。表示パネルは、ベース基板１と、絶縁層群１４と、複数のバインディングピン１２とを含むことができる。ベース基板１は、表示領域Ａと、表示領域Ａの少なくとも一側に設けられたバインディング領域Ｂとを有し、絶縁層群１４は、ベース基板１の一側に設けられ、絶縁層群１４には第１の凹部６１が設けられている。第１の凹部６１はバインディング領域Ｂ内に位置する。バインディング領域Ｂには複数のバインディングピン１２が設けられている。バインディングピン１２は第１のバインディング電極９３と充填部１０１とを備える。第１のバインディング電極９３は絶縁層群１４のベース基板１から遠い側に設けられ、第１のバインディング電極９３には第２の凹部９４が設けられ、第２の凹部９４のベース基板１上への正投影は、第１の凹部６１のベース基板１上への正投影内に位置し、第１のバインディング電極９３は少なくとも積層配置された第１の導体層９３１と第２の導体層９３２とを含み、第１の導体層９３１は第２の導体層９３２のベース基板１から遠い側に設けられ、第１の導体層９３１の金属活性は第２の導体層９３２よりも低い。充填部１０１は第２の凹部９４のベース基板１から遠い側に設けられ、充填部１０１は少なくとも部分的に第２の凹部９４内に位置する。

本開示の表示パネル及び表示パネルの製造方法では、充填部１０１は、第２の凹部９４のベース基板１から遠い側に設けられ、少なくとも部分的に第２の凹部９４内に位置する。充填部１０１は、露出する第２の導体層９３２を保護することができ、したがって、その後のアノードエッチング中にエッチング溶液中のＡｇ＋（銀イオン）は暴露された第２の導体層９３２と置換反応してＡｇ元素粒子を生成することを回避し、この過程でＡｇ元素粒子が表示パネルの表示領域Ａまで遊走して暗い点を表示する不良になることを回避する。また、追加された充填部１０１は、バインディングピン１２の構造強度を増加させることができ、バインディングピン１２がバインドプロセス中に破断することをさらに防止することができる。

本実施形態において、ベース基板１は、ガラス板、石英板、金属板、樹脂板などであることができる。例えば、ベース基板１の材料は、有機材料を含むことができ、有機材料は、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンナフタレートなどの樹脂材料であり得る。例えば、ベース基板１は複数の材料層から形成することができ、例えば、ベース基板１は基材を含むことができ、基材の材料は上記の材料から構成することができる。

バッファ層２は、ベース基板１の一側の表面に遷移層として形成することができ、これにより、ベース基板１中の有害物質が表示パネルの内部に侵入するのを防止するだけでなく、表示パネル中の膜層のベース基板１上への接着力を高めることができる。例えば、バッファ層２の材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ケイ素などであってもよい。

ベース基板１は、表示領域Ａと、表示領域Ａの少なくとも一部を囲む周辺領域とを有する。また、周辺領域は、表示領域Ａの少なくとも一側に位置する少なくとも１つのバインディング領域Ｂを含む。勿論、周辺領域は、表示領域Ａの一側に複数のバインディング領域Ｂが設けられてもよく、表示領域Ａの複数の側に複数のバインディング領域Ｂが設けられてもよい。

図７を参照すると、バインディング領域Ｂには複数のバインディングピン１２が設けられており、図７及び図９を参照すると、１つのバインディングピンには複数の第１のビア６１及び複数の充填部１０１が設けられている。

バインディングピン１２は、順次積層して配置された第２のバインディング電極３２、第３のバインディング電極７３、及び第１のバインディング電極９３を含むことができる。第２のバインディング電極３２は、第１のバインディング電極９３よりもベース基板１に近い。第３のバインディング電極７３は、第１のビア６１を介して第２のバインディング電極３２に接続されている。

具体的には、第２のバインディング電極３２は、図１１に示すように、バッファ層２のベース基板１から遠い側に設けられている。図１２を参照して、第２のゲート絶縁層４２は第２のバインディング電極３２のベース基板１から遠い側に設けられ、層間誘電体層６は第２のゲート絶縁層４２のベース基板１から遠い側に設けられ、第２のゲート絶縁層４２と層間誘電体膜６は絶縁層群１４を構成し、即ち、絶縁層群１４は、第２のゲート絶縁層４２及び層間誘電体層６と同じ層に設けられ、同じ材料からなる。第２のゲート絶縁層４２及び層間誘電体層６上には、複数の第１のビア６１が設けられている。第１のビア６１は第１の凹部６１を形成し、第１のビア６１は第２のバインディング電極３２に接続され、即ち、第１のビア６１が第２のゲート絶縁層４２と層間誘電体層６を貫通する。本開示の他の例示的な実施形態では、絶縁層群１４は、バッファ層及び第１のゲート絶縁層とを含むことができ、即ち、絶縁層群１４はバッファ層及び第１のゲート絶縁層と同じ層及び同じ材料に設けられる。絶縁層群１４はまた、パッシベーション層、平坦化層などの様々な絶縁層を含むことができ、即ち、絶縁層群１４は、１つ又は複数の絶縁層を含むことができ、例えば、パッシベーション層、平坦化層、ゲート絶縁層、層間誘電体層などのうちの１つ又は複数を含むことができる。絶縁層群１４は、有機絶縁層、無機絶縁層、又は有機絶縁層と無機絶縁層との混合層群であってもよい。

再び図１２を参照すると、第３のバインディング電極７３は層間誘電体層６のベース基板１から遠い側に設けられている。第３のバインディング電極７３は、複数の第１のビア６１を介して第２のバインディング電極３２に電気的に接続されている。第３のバインディング電極７３は、第２のビア８１に第３の凹部７４を形成する。第３のバインディング電極７３は、第１のビア６１の側壁を充填するので、第３の凹部７４のベース基板１上への正投影は、第１のビア６１のベース基板１上への正投影内に位置する。また、第３の凹部７４の周辺には平面部７５が形成されている。

第３のバインディング電極７３は、第１の導体層、第２の導体層、及び第３の導体層を含むことができる。第１の導体層及び第３の導体層の材料は金属チタンであってもよく、第２の導体層の材料は金属アルミニウムであってもよい。勿論、第３のバインディング電極７３は、１つの導体層又は２つの導体層のみ又はそれ以上の導体層を含んでもよい。

図１３を参照すると、保護層８は、第３のバインディング電極７３のベース基板１から遠い側に設けられている。保護層８上には、複数の第２のビア８１が配置されている。保護層８は、第３のバインディング電極７３の平面部７５のベース基板１から遠い側まで延びている。第１のビア６１のベース基板１上の正投影は、第２のビア８１のベース基板１上の正投影内に位置し、即ち、第２のビア８１の開口面積は、第１のビア６１の開口面積よりも大きい。また、その後に形成される第１のバインディング電極９３と第３のバインディング電極７３との接触面積が相対的に大きくなるように、第３の凹部７４のベース基板１上の正投影は、第２のビア８１のベース基板１の正投影内に位置している。

図１を参照すると、第１のバインディング電極９３は、保護層８のベース基板１から遠い側に設けられ、複数の第２のビア８１を介して第３のバインディング電極７３と電気的に接続されている。第１のバインディング電極９３は、第１の導体層９３１、第２の導体層９３２、及び第３の導体層９３３を含むことができ、第２の導体層９３２は第３の導体層９３３と第１の導体層９３１との間に設けられている。第１の導体層９３１及び第３の導体層９３３の材料は金属チタンであってもよく、第２の導体層９３２の材料は金属アルミニウムであってもよい。勿論、第１のバインディング電極９３は、第１の導体層９３１と第２の導体層９３２を含んでもよく、第１の導体層９３１は第２の導体層９３２を覆い、即ち、第１の導体層９３１は、第２の導体層９３２のベース基板１から遠い側に設けられ、第１の導体層９３１の金属活性は、第２の導体層９３２の金属活性よりも低く、第２の導体層９３２は、エッチング溶液中のＡｇ＋（銀イオン）と容易に置換反応し、金属活性とは、金属単体が同じ溶液（例えば水）中で電子を失って金属カチオンを形成する傾向（例えば難易度）を意味する。上記第１の導体層９３１、第２の導体層９３２及び第３の導体層９３３の材料は例に過ぎず、本願の制限を構成しない。

第２のゲート絶縁層４２と層間誘電体層６の厚さが大きいため、第２のゲート絶縁層４２と層間誘電体層６上に形成された第１のビア６１の深さは相対的に深く、その後に形成された第１のバインディング電極９３は第１のビア６１に第２の凹部９４を形成し、第２の凹部９４のベース基板１上の正投影は、第１のビア６１のベース基板１上の正投影内に位置している。第１のビア６１に形成する第１のバインディング電極９３の成膜品質、特に第１のビア６１の側壁と底部のコーナーに形成される第１の導体層９３１の成膜品質は劣り、また、第１の導体層９３２の厚みはそもそも薄いので、最終的に形成される第１の導体層９３１は、第２の導体層９３２を覆うことができない切断部９３４を有する。図１に示すように、第１の導体層９３１は、第２の凹部９４の底部のコーナーに、第２の導体層９３２を覆うことができず、第２の導体層９３２のアルミニウム露出を招く２つの切断部９３４が形成されている。その後のアノードエッチングの過程で、エッチング溶液中のＡｇ＋（銀イオン）は暴露されたＡｌと置換反応してＡｇ元素粒子を形成し、前記タイプのＡｇ元素粒子はその過程で表示パネルの表示領域Ａに進み、暗い点を表示する不良になる。また、エッチング溶液の作用により、切断部９３４に対向する第２の導体層９３２上に第４の凹部９３５がさらに形成され、即ち、第１の導体層９３１に覆われていない第２の導体層９３２上に第４の凹部９３５が形成され、１つ、２つ又はそれ以上の第４の凹部９３５を形成することができる。２つ以上の第４の凹部９３５を形成する場合、隣接する２つの第４の凹部９３５の間に第１の導体層９３１が部分的に残っている。

図３、図４、図５、図６を参照すると、充填部１０１は、第２の凹部９４のベース基板１から遠い側に設けられ、充填部１０１は、第２の凹部９４内に少なくとも部分的に位置している。例えば、図３に示すように、ベース基板１上の第２の凹部９４の正投影は、ベース基板１上の充填部１０１の正投影内に位置することができ、即ち充填部１０１は、第２の凹部９４だけでなく、また、第２の凹部９４の縁部を覆うように、第２の凹部９４の縁部の外まで延びている。この場合、充填部１０１は、露出された第２の導体層９３２を保護するために第２の凹部９４の側壁を確実に覆い、その後のアノードエッチング中にエッチング溶液中のＡｇ＋（銀イオン）と露出されたＡｌとの置換反応によりＡｇ元素粒子を生成することを回避し、これにより、この過程でＡｇ元素粒子が表示パネルの表示領域Ａに進行することによる暗い点の表示不良が回避される。また、追加された充填部１０１は、バインディングピン１２の構造強度を増加させることができ、バインディングピン１２がバインドプロセス中に破断することをさらに防止することができる。

図３、図５及び図６を参照すると、充填部１０１は第２の導体層９３２を保護するので、その後のアノードエッチング中にエッチング溶液は第２の導体層９３２をエッチングせず、第４の凹部９３５を形成しない。図４、図８及び図９を参照すると、第２の凹部９４に形成された第２の導体層９３２の成膜品質が悪いため、第４の凹部９３５が依然として形成されている可能性がある。

また、ベース基板１上の第２の凹部９４の正投影は、ベース基板１上の充填部１０１の正投影と重なる。即ち、充填部１０１は、第２の凹部９４のみを覆う。この場合も、充填部１０１は、露出された第２の導体層９３２を保護するために第２の凹部９４の側壁を確実に覆い、その後のアノードエッチング中にエッチング溶液中のＡｇ＋（銀イオン）と露出されたＡｌとの置換反応によりＡｇ元素粒子を生成することを回避し、これにより、この過程でＡｇ元素粒子が表示パネルの表示領域Ａに進行することによる暗い点の表示不良が回避される。また、追加された充填部１０１は、バインディングピン１２の構造強度を増加させることができ、バインディングピン１２がバインドプロセス中に破断することをさらに防止することができる。

勿論、図４を参照すると、ベース基板１上の充填部１０１の正投影は、ベース基板１上の第２の凹部９４の正投影よりもやや小さくてもよく、その場合も第１のバインディング電極９３を保護する効果が得られる。

また、保護層８は、第３のバインディング電極７３の平面部７５のベース基板１から遠い側まで延びており、それにより、第１のバインディング電極９３によって形成されたベースは平面ではなく、第３の凹部７４に近い位置に低く、第３の凹部７４から遠い位置に高い。従って、その後に形成される第１のバインディング電極９３は第２の凹部９４に近い部分の高さは低く、第２の凹部から遠い部分の高さは高い。これにより、次に形成される充填部１０１のベース基板１から遠い側の表面からベース基板１までの垂直距離は、第１のバインディング電極９３のベース基板１から遠い側の表面の少なくとも一部からベース基板１までの垂直距離以下となる。即ち、充填部１０１のベース基板１から離れた表面と、第１のバインディング電極９３のベース基板１から離れた表面の少なくとも一部とは、実質的に同一平面内にあるか、又は充填部１０１の高さが、第１のバインディング電極９３の少なくとも一部の高さよりも低く、これにより、その後のバインディングが容易になる。

なお、バインディングピン１２の構造は上記に限定されない。例えば、図５に示すように、バインディングピン１２は、第１のバインディング電極９３と第２のバインディング電極３２とを含むことができ、即ち第３のバインディング電極７３を含まない。第２のバインディング電極３２は、ベース基板１の一側に設けられ、第２のバインディング電極３２のベース基板１から遠い側に第２のゲート絶縁層４２が設けられている。層間誘電体層６は、第２のゲート絶縁層４２のベース基板１から遠い側に設けられ、第２のゲート絶縁層４２及び層間誘電体層６上には複数の第１のビア６１が設けられ、第１のビア６１は第２のバインディング電極３２に接続され、即ち、第１のビア６１は第２のゲート絶縁層４２及び層間誘電体層６を貫通する。

第１のバインディング電極９３は、層間誘電体層６のベース基板１から遠い側に設けられ、複数の第１のビア６１を介して第２のバインディング電極３２に電気的に接続されている。

第２のゲート絶縁層４２と層間誘電体層６の厚さが大きいため、第２のゲート絶縁層４２と層間誘電体層６上に形成された第１のビア６１の深さは相対的に深く、次に形成される第１のバインディング電極９３は、第１のビア６１に第２の凹部９４を形成し、ベース基板１上の第２の凹部９４の正投影は、ベース基板１上の第１のビア６１の正投影内に位置している。第１のビア６１に形成する第１のバインディング電極９３の成膜品質、特に第１のビア６１の側壁と底部のコーナーに形成される第１の導体層９３１の成膜品質は劣り、また、第１の導体層９３２の厚みはそもそも薄いので、最終的に形成される第１の導体層９３１は、第２の導体層９３２を覆うことができない切断部９３４を有する。例えば、第１の導体層９３１は、第２の凹部９４４の底部のコーナーに切断部９３が形成されているので第２の導体層９３２を覆うことができなく、即ち第２の凹部９４の底部のコーナーにおいて第１の導体層９３３は第２の導体層９３２を覆うことができず、第２の導体層９３２のアルミニウムを露出させる。その後のアノードエッチングの過程で、エッチング溶液中のＡｇ＋（銀イオン）は暴露されたＡｌと置換反応してＡｇ元素粒子を形成し、その過程でこのタイプのＡｇ元素粒子は表示パネルの表示領域Ａに進み、暗い点を表示する不良になる。

充填部１０１は、第２の凹部９４のベース基板１から遠い側に設けられ、少なくとも部分的に第２の凹部９４内に位置している。例えば、ベース基板１上の第２の凹部９４の正投影は、ベース基板１上の充填部１０１の正投影内に位置することができ、即ち充填部１０１は、第２の凹部９４だけでなく、また、第２の凹部９４の縁部を覆うように、第２の凹部９４の縁部の外まで延びている。この場合、充填部１０１は、露光された第２の導体層９３２を保護するために第２の凹部９４の側壁を確実に覆い、その後のアノードエッチング中にエッチング溶液中のＡｇ＋（銀イオン）と露出されたＡｌとの置換反応してＡｇ元素粒子を形成することを回避し、この過程でＡｇ元素粒子が表示パネルの表示領域Ａに進行することによる暗い点の表示不良を回避する。また、追加された充填部１０１は、バインディングピン１２の構造強度を増加させることができ、バインディングピン１２がバインドプロセス中に破断することをさらに防止することができる。

ベース基板１上の第２の凹部９４の正投影は、ベース基板１の充填部１０１の正投影と重なることができる。即ち、充填部１０１は、第２の凹部９４のみを覆う。この場合も、充填部１０１は、露出した第２の導体層９３２を保護するために、第２の凹部９４の側壁を確実に覆う。

勿論、ベース基板１上の充填部１０１の正投影は、ベース基板上の第２の凹部９４の正投影よりもわずかに小さくすることができ、その場合も第１のバインディング電極９３を保護する効果を得ることができる。

さらに、バインディングピン１２は、第１のバインディング電極９３のみを含むことができる。例えば、絶縁層群１４上にビアでなくてもよい第１の凹部６１を設け、第１のバインディング電極９３を第１の凹部６１のベース基板１から遠い側に形成する必要がある場合には、第１のバインディング電極９３にも第２の凹部９４が形成され、不良な成膜品質のため、第２の凹部９４において第２の導体層９３２が第１の導体層９３１に覆われていない場合がある。従って、充填部１０１は、第１のバインディング電極９３上に設けられて第１のバインディング電極９３上の第２の凹部９４を充填及び保護し、これにより、その後のアノードエッチング中にエッチング溶液中のＡｇ＋（銀イオン）と曝露Ａｌとが置換反応してＡｇ元素粒子を形成することを回避し、この過程でＡｇ元素粒子が表示パネルの表示領域Ａに進行することによる暗い点の表示不良を回避する。

図７及び図８を参照すると、前記表示パネルは、２つの隣接するバインディングピン１２の間に配置された絶縁部１０２をさらに含むことができる。絶縁部１０２のベース基板１から遠い側の表面からベース基板１までの垂直距離は、充填部１０１のベース基板１から遠い側の表面からベース基板１までの垂直距離以上である。絶縁部１０２は、２つの隣接するバインディングピン１２を絶縁する役割を果たす。絶縁部１０２とバインディングピン１２のベース基板１から離れた表面は、実質的に同一平面内にあり、即ち、絶縁部１０２の高さとバインディングピン１２はベース基板１に対する高さが基本的に等しい。或いは、絶縁部１０２のベース基板１から遠い側の表面は、充填部１０１のベース基板１から遠い側の表面よりも高く、即ち、絶縁部の高さは充填部１０１の高さよりも高い。

なお、「高さ」は、構造（例えば絶縁部１０２）のベース基板１から遠い側の表面からベース基板１までの垂直距離である。

絶縁部１０２の厚みが増すにつれて、異なる行に位置する表示パネルのバインディングピン１２間の隙間部分の構造強度を高めることができ、異なる行に位置する表示パネルバインディングピン１２の隙間部分がバインディング中に破断することをさらに防止することができる。

表示パネルのバインディング領域Ｂは上述した通りであり、表示パネルの表示領域Ａは以下の通りである。

表示領域Ａにおいて、表示パネルは、アレイとして配列された複数の画素ユニットを含むことができ、各画素ユニットは少なくとも３つのサブ画素を含み、各サブ画素は薄膜トランジスタ及び表示素子を含む。

具体的には、薄膜トランジスタの構造は、活性層５がバッファ層２のベース基板１から遠い側に設けられている。第１のゲート絶縁層４１は、活性層５のベース基板１から遠い側に設けられ、第１のゲート絶縁層４１の材料は酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの１種又は２種であってよく、第１のゲート絶縁層には活性層に接続された第４のビアが設けられている。ゲート３１は、第１のゲート絶縁層４１のベース基板１から遠い側に設けられ、ゲート３１の材料は、モリブデン、ニッケル、ニッケルマンガン合金、ニッケルクロム合金、ニッケルモリブデン鉄合金などであってもよい。第２のゲート絶縁層４２は、ゲート３１のベース基板１から遠い側に設けられ、第２のゲート絶縁層４２の材料は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの１種又は２種であってよく、第２のゲート絶縁層４２上には第５のビアが設けられ、第５のビアは第４のビアに接続されている。層間誘電体層６は、第２のゲート絶縁層４２のベース基板１から遠い側に設けられ、層間誘電体層６の材料は酸化ケイ素であってもよく、層間誘電体層６に第６のビアが設けられ、第６のビアは第４のビアに接続され、且つ活性層５に接続されている。ソース７１及びドレイン７２は、層間誘電体層６のベース基板１から遠い側に設けられ、ソース７１及びドレイン７２は、第６のビア、第５のビア、及び第４のビアを介して活性層５に接続され、ソース７１及びドレイン７２の材料は、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉ（即ち、チタン、アルミニウム及びチタンの３層）からなることができる。保護層８は、ソース７１とドレイン７２のベース基板１から遠い側に設けられ、保護層８上に第７のビア８２が設けられ、第７のビア８２はソース７１又はドレイン７２に接続可能である。第１の平坦化層１３は保護層８のベース基板１から遠い側に設けられ、第１の平坦化層１３上に第８のビアが設けられ、第８のビアは第７のビアに接続されている。接続電極９１は、第１の平坦化層１３のベース基板１から遠い側に設けられ、第７のビアと第８のビアを介してソース７１又はドレイン７２に接続されている。

第２の平坦化層１０３は、接続電極９１のベース基板１から遠い側に設けられ、第３のビア１０４は第２の平坦化層１０３上に設けられている。表示素子（図示せず）は、第２の平坦化層１０３のベース基板１から遠い側に設けられ、表示素子は第３のビア１０４を介して接続電極９１に接続されている。

上述の薄膜トランジスタはトップゲート型であり、勿論、本開示の他の例示的な実施形態では、薄膜トランジスタはボトムゲート型（図６参照）又はダブルゲート型であってもよい。

第２のバインディング電極３２はゲート３１と同じ層に設けられ、同じ材料で作られ、第３のバインディング電極７３はソース７１とドレイン７２と同じ層に設けられ、同じ材料で作られ、第１のバインディング電極９３は接続電極９１と同じ層に設けられ、同じ材料で作られている。充填部１０１及び絶縁部１０２は、第２の平坦化層１０３と同じ層に設けられ、同じ材料からなる。

勿論、第３のバインディング電極７３が設けられていない場合、第１のバインディング電極９３は、ソース７１及びドレイン７２と同じ層に設けられ、同じ材料で形成されていてもよい。

なお、同一の層に設けられ、同一の材料で作られるとは、同一の組成プロセスにより形成されることを意味し、以下の表示パネルの製造方法に詳細に説明する。

さらに、本開示の実施形態は、表示パネルの製造方法を提供し、図１０に示す表示パネルの製造方法のフローチャートを参照して、表示パネルの製造方法が以下のステップを含むことができる。

ステップＳ１０において、ベース基板１を提供し、前記ベース基板１は表示領域Ａと表示領域Ａの少なくとも一側に設けられるバインディング領域Ｂとを有する。

ステップＳ２０において、ベース基板１の一側に絶縁層群１４を形成し、前記絶縁層群１４上に前記バインディング領域Ｂ内に位置する第１の凹部６１を形成する。

ステップＳ３０において、バインディング領域Ｂにおいて、絶縁層群１４の前記ベース基板１から遠い側に複数のバインディングピン１２を形成し、前記バインディングピン１２を形成することは第２の凹部９４を有する第１のバインディング電極９３を形成することを含む。

ステップＳ４０において、前記第２の凹部９４のベース基板１から遠い側に、少なくとも部分的に前記第２の凹部９４内に位置する充填部１０１を形成する。

前記ベース基板１上の前記第２の凹部９４の正投影は、前記ベース基板１上の前記第１の凹部６１の正投影内に位置する。前記第１のバインディング電極９３は、少なくとも積層されて設けられた第１の導体層９３１と第２の導体層９３２とを含む。前記第１の導体層９３１は、前記第２の導体層９３２の前記ベース基板１から遠い側に設けられている。前記第１の導体層９３１の金属活性は、前記第２の導体層９３２の金属活性よりも低い。

図１１～図１５を参照して、表示パネルの製造方法の各ステップについて詳細に説明する。

図１１を参照すると、ベース基板１が提供され、バッファ層２がベース基板１の片側に堆積される。

バッファ層２のベース基板１から遠い側に活性材料層が形成され、活性材料層の材料はＳｉＮ、ＳｉＯ、又はａ－Ｓｉ（アモルファスシリコン）であってもよい。ＳｉＮの厚さは０．３μｍ以上０．７μｍ以下である。ＳｉＯの厚さは１．０μｍ以上１．２μｍ以下である。ａ－Ｓｉの厚さは約０．０５μｍである。次に、エキシマレーザ結晶化（ＥＬＡ）プロセス中の水素爆発現象が発生しないように、活物質層を脱水素し、脱水素条件は３００℃～３５０℃の間であり得る。脱水素後、エキシマレーザー結晶化プロセスを行い、アモルファスシリコンを多結晶シリコンに変換する。最後に、デジタル露光機又はマスクを用いてシリコン島マスクを形成し、後に活性材料層をドライエッチングし、ＣＦ４＋Ｏ２をドライエッチングに使用することができる。その後、シリコン島マスクを湿式エッチングしてシリコン島パターン（活性層５）を形成する。チャネル領域にマスクを形成し、非チャネル領域にイオン注入を行い、多結晶シリコンをドープして導体化することにより、最終的に活性層５を形成し、ここではリン化水素又はボランを用いてドープすることができる。

第１のゲート絶縁層４１は、活性層５のベース基板１から遠い側に堆積し、第１ゲート絶縁膜４１はエッチングされて活性層５に接続された第４のビアを形成する。第１のゲート絶縁層４１のベース基板１から遠い側にゲート材料層が堆積され、ゲート材料層の材料は、モリブデン、ニッケル、ニッケルマンガン合金、ニッケルクロム合金、ニッケルモリブデン鉄合金などであり得る。ゲート材料層の厚さは、０．２５μｍ以上０．３μｍ以下である。デジタル露光機又はマスクを用いてゲートマスクを形成し、その後ＣＦ４＋Ｏ２を用いてドライエッチングを行い、表示領域Ａにゲート３１を形成し、バインディング領域Ｂに第２のバインディング電極３２を形成し、ここでは高ＣＦ４＋低Ｏ２ドライエッチング混合ガスを用いることができる。具体的には、ＣＦ４の流速は２０００ｓｃｃｍ～２５００ｓｃｃｍ（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｕｂｉｃ ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）であってもよく、Ｏ２の流速は１０００ｓｃｃｍ～１５００ｓｃｃｍであってもよい。その後、ゲートマスクを湿式スプリットする。

図１２を参照すると、ゲート３１のベース基板１から離れた側に第２のゲート絶縁層４２が堆積されている。

第２のゲート絶縁層４２のベース基板１から遠い側に層間誘電体層６を堆積し、表示領域Ａの層間誘電体層６をエッチングして第６のビアを形成するとともに、第２のゲート絶縁層４２をエッチングして第５のビアを形成し、第６のビアは第５のビアと第４のビアとに接続されている。同時に、バインディング領域Ｂの層間誘電体層６と第２のゲート絶縁層４２（バインディング領域Ｂにおける層間誘電体層６と第２のゲート絶縁層４２により絶縁層群１４を形成）をエッチングして、第２のバインディング電極３２に接続された第１のビア６１を形成する。第１のビア６１は正方形であってもよく、即ち、第１のビア６１のベース基板１に平行な断面は正方形形状であってもよく、第１のビア６１の辺の長さは２μｍ以上３μｍ以下であってもよい。第１のビア６１は円形であってもよく、即ち、第１のビア６１のベース基板１に平行な断面は円形であってもよく、第１のビア６１の直径は２μｍ以上３μｍ以下であってもよい。勿論、第１のビア６１は、他の形状であってもよく、ここでは詳細には説明しない。

第１の導体層９３１、第２の導体層９３２及び第３の導体層９３３は、層間誘電体層６のベース基板１から遠い側に順次堆積され、ソースドレイン金属層を形成し、ソースドレイン金属層の材料はＴｉ－Ａｌ－Ｔｉ、即ち第１の導体層９３１の材料はＴｉ、第２の導体層９３２の材料はＡｌ、第３の導体層９３３の材料はＴｉである。そして、ソースドレイン金属層をエッチングして表示領域Ａにソース７１とドレイン７２を形成し、バインディング領域Ｂに第３のバインディング電極７３を形成する。勿論、ソース７１、ドレイン７２及び第３のバインディング電極７３は、１つ又は２つの導体層の構造であってもよい。

図１３を参照すると、ソース７１、ドレイン７２及び第３のバインディング電極７３のベース基板１から遠い側に保護層８が形成されている。保護層８をエッチングして表示領域Ａに第７のビア８２を形成し、バインディング領域Ｂに第２のビア８１を形成する。

図１を参照すると、表示領域において、保護層８のベース基板１から離れた側に第１の平坦化層１３が堆積され、第１平坦層１３がエッチングされて第８のビアが形成される。次に、第１の平坦化層１３および保護層８のベース基板１から遠い側に第１の導体層９３１、第２の導体層９３２、及び第３の導体層９３３を順次堆積させ、第１の導体層９３１、第２の導体層９３２、及び第３の導体層９３３が接続電極層を形成し、接続電極層をエッチングして表示領域Ａに接続電極９１を形成し、この接続電極９１は第７のビアと第８のビアを介してソース７１又はドレイン７２に接続されるとともに、バインディング領域Ｂに第１のバインディング電極９３を形成し、第１のバインディング電極９３は第２のビア８１を介して第３のバインディング電極７３に接続される。

図１４を参照して、接続電極９１と第１のバインディング電極９３のベース基板１から遠い側に平坦材料層１０を形成する。平坦材料層１０をエッチングして表示領域Ａに第３のビア１０４を形成し、バインディング領域Ｂに充填部１０１と絶縁部１０２を形成し、充填部１０１と絶縁部１０２との間にギャップを形成する。

平坦材料層１０の材料は、ポジ型フォトレジストであってもよい。

平坦材料層１０の具体的なエッチングプロセスは以下の通りである。図１５に示すように、平坦材料層１０のベース基板１から遠い側にマスク１１を被覆し、マスク１１は、全透光領域１１４、半透光領域１１３、不透明領域１１５を有する。全透光領域１１４の透光率は約１００％であり、半透光領域１１３の透光率は２０％以上７０％以下であり、不透明領域１１５の透光率は約０％である。ベース基板１上の全透光領域１１４の正投影は、ベース基板１上の第３のビア１０４とギャップの正投影と基本的に重なる。ベース基板１上の第２の凹部９４の正投影は、ベース基板上１の半透光領域１１３の正投影内に位置する。残りの部分は不透明領域１１５である。

マスク１１で覆われた平坦材料層１０を露光現像し、全透光領域１１４に対向する平坦材料１０を完全に除去して第３のビア１０４とギャップを形成し、半透光領域１１３に対向する平坦材料層１０を部分的に除去して充填部１０１を形成する。ベース基板１上の第２の凹部９４の正投影はベース基板１上の半透光領域１１３の正投影内に位置するため、第２の凹部９４のベース基板１上の正投影は、形成された充填部１０１のベース基板１上の正投影内に位置する。具体的には、ベース基板１上の第２の凹部９４の正投影のエッジと、ベース基板１上の第２の凹部９４の正投影のエッジとの距離は、１μｍ以上２．５μｍ以下である。

さらに、本開示の他の例示的な実施形態では、図１６に示すように、マスク１１は、第１の不透明領域１１１、第２の不透明領域１１２及び全透光領域１１４を有し、全透光領域１１４は第１の不透明領域１１１と第２の不透明領域１１２との間に位置する。第１の不透明領域１１１は、第２の凹部９４に対向設けられ、第１の不透明領域１１１のベース基板１上への正投影は、第２の凹部９４のベース基板１上への正投影内に位置する。具体的には、ベース基板１上の第１の不透明領域１１１の正投影のエッジと、ベース基板１上の第２の凹部９４の正投影のエッジとの間の距離は、０μｍ以上０．５μｍ以下である。第１のビア６１の辺の長いは２μｍ以上３μｍ以下であるため、第１のビア６１は第１のバインディング電極９３に充填されて形成する第２の凹部９４の辺の長さがより小さくなり、第１の不透明領域１１１は第２の凹部９４の辺の長さより小さくなるので、平坦材料層１０が露光現像されると、回折により第１の不透明領域１１１に対向する平坦材料層１０に光が入射し、光照射後に第１の不透明領域１１１に対向する平坦材料層１０が部分的に除去されて、第２の凹部９４を充填する充填部１０１が形成される。

勿論、ベース基板１上の第２の凹部９４の正投影は、ベース基板１上の半透光領域１１３の正投影と重畳可能であり、ベース基板１上の第１の不透明領域１１１の正投影は、ベース基板１上の第２の凹部９４の正投影と重畳可能であり、それにより、形成された充填部１０１のベース基板１上への正投影と、第２の凹部９４のベース基板１上への正投影とを重畳させる。

なお、本開示における表示パネルの製造方法の各ステップは、図面において特定の順序で説明されているが、これらのステップが特定の順序で実行されなければならない、又は所望の結果を得るために図示されたすべてのステップを実行しなければならないことを要求したり暗示したりするものではない。追加的に又は代替的には、いくつかのステップを省略することができ、複数のステップを１つのステップに組み合わせて実行することができ、及び／又は１つのステップを複数のステップに分解して実行することができる。

さらに、本開示の実施形態は、上記のいずれかに記載の表示パネルを含むことができる表示装置をさらに提供する。以上、表示パネルの具体的な構成について詳細に説明したので、ここでは説明しない。

表示装置の具体的なタイプは特に限定されないが、特に携帯電話などのモバイル装置、腕時計などのウェアラブルデバイス、ＶＲ装置などであり得る。当業者は表示装置の特定の用途に応じて対応する選択を行うことができ、ここではこれ以上説明しない。

ディスプレイパネルの他に、ディスプレイを例に、具体的には筐体、回路基板、電源線などの必要なコンポーネントと構成を含むことに注意する必要があり、当業者は、表示装置の具体的な使用要件に応じて対応する補足を行うことができ、ここではこれ以上述べない。

従来技術と比較して、本発明の例示的な実施形態が提供する表示装置の有益な効果は、上述の例示的な実施形態が提供する表示パネルの有益な効果と同様であり、ここではこれ以上説明しない。

当業者は、本明細書に開示された説明を考慮して本発明を実施した後、本開示の他の実施形態を容易に想到することができる。本出願は、本開示の一般的な原理に従い、本開示に開示されていない本技術分野の公知の常識又は一般的な技術手段を含む、本開示の修正、使用、又は適応性の変更をカバーすることを目的とする。明細書及び実施例は例示的としか考えられず、本開示の真の範囲及び精神は添付の請求項によって示される。

Claims (17)

1. 表示領域と、前記表示領域の少なくとも一側に位置するバインディング領域とを有するベース基板と、
   前記ベース基板の一側に設けられ、前記バインディング領域に位置する第１の凹部を有する絶縁層群と、
   前記バインディング領域に設けられている複数のバインディングピンとを備え、
   前記バインディングピンは、第１のバインディング電極と充填部とを備え、
   前記第１のバインディング電極は、前記絶縁層群の前記ベース基板から遠い側に設けられ、前記第１のバインディング電極は第２の凹部を有し、前記第２の凹部の前記ベース基板上への正投影は、前記第１の凹部の前記ベース基板上への正投影内に位置し、前記第１のバインディング電極は積層配置された第１の導体層と第２の導体層とを少なくとも含み、前記第１の導体層は前記第２の導体層の前記ベース基板から遠い側に設けられ、前記第１の導体層の金属活性は前記第２の導体層より低く、
   前記充填部は、前記第２の凹部の前記ベース基板から遠い側に設けられ、前記充填部は少なくとも部分的に前記第２の凹部内に位置し、
   前記第１の導体層は切断部を有し、前記切断部は前記第２の凹部内に位置する
   ことを特徴とする表示パネル。
2. 前記バインディングピンは、
   前記ベース基板と前記第１のバインディング電極の間に設けられている第２のバインディング電極をさらに備え、
   前記第１の凹部は第１のビアであり、前記第１のバインディング電極は前記第１のビアを介して前記第２のバインディング電極に接続される
   ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
3. 前記バインディングピンは、
   前記第１のバインディング電極と前記第２のバインディング電極の間に設けられている第３のバインディング電極をさらに備え、
   前記第３のバインディング電極は第３の凹部を有し、前記第２の凹部の前記ベース基板上への正投影は、前記第３の凹部の前記ベース基板上への正投影内に位置し、前記第３の凹部の前記ベース基板上への正投影は、前記第１の凹部の前記ベース基板上への正投影内に位置する
   ことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
4. 前記第１のバインディング電極と前記第３のバインディング電極の間に設けられている保護層をさらに備え、
   前記保護層は第２のビアを有し、前記第３のバインディング電極は前記第２のビアを介して前記第１のバインディング電極に接続される
   ことを特徴とする請求項３に記載の表示パネル。
5. 前記第３の凹部の前記ベース基板上への正投影は、前記第２のビアの前記ベース基板上への正投影内に位置する
   ことを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
6. 隣接する前記バインディングピンの間に設けられている絶縁部をさらに備え、
   前記絶縁部の前記ベース基板から遠い側の表面から前記ベース基板までの垂直距離は、前記充填部の前記ベース基板から遠い側の表面から前記ベース基板までの垂直距離以上である
   ことを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
7. 前記表示領域において、前記表示パネルは複数のサブ画素をさらに備え、前記サブ画素は薄膜トランジスタ、第２の平坦化層及び表示素子を含み、
   前記第２の平坦化層は、前記薄膜トランジスタを覆うように、前記薄膜トランジスタの前記ベース基板から遠い側に位置し、
   前記表示素子は、前記第２の平坦化層の前記ベース基板から遠い側に位置し、
   前記第２の平坦化層は第３のビアを有し、
   前記薄膜トランジスタは、活性層、ゲート、ソース、ドレイン及び接続電極を含み、前記ソース及び前記ドレインは前記活性層に電気的に接続され、前記接続電極は前記ソース又は前記ドレインに電気的に接続され、前記接続電極は前記第３のビアを介して前記表示素子に電気的に接続される
   ことを特徴とする請求項６に記載の表示パネル。
8. 前記活性層は前記ベース基板の一側に設けられ、前記ゲートは前記活性層の前記ベース基板から遠い側に設けられ、前記ソース及び前記ドレインは前記ゲートの前記ベース基板から遠い側に設けられ、前記接続電極は前記ソース及び前記ドレインの前記ベース基板から遠い側に設けられる
   ことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
9. 前記第２のバインディング電極は前記ゲートと同じ層に設けられ、同じ材料で作られ、前記第３のバインディング電極は前記ソース及び前記ドレインと同じ層に設けられ、同じ材料で作られ、前記第１のバインディング電極は前記接続電極と同じ層に設けられ、同じ材料で作られている
   ことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
10. 前記接続電極の前記ベース基板から遠い側に前記第２の平坦化層が設けられ、前記充填部と前記絶縁部は、前記第２の平坦化層と同じ層に設けられ、同じ材料で作られている
    ことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
11. 前記ベース基板と前記活性層の間にバッファ層が設けられ、前記活性層と前記ゲートの間に第１のゲート絶縁層が設けられ、前記ゲートと前記ソース及び前記ドレインの間に第２のゲート絶縁層が設けられ、前記第２のゲート絶縁層の前記ベース基板から遠い側に層間誘電体層が設けられ、
    前記絶縁層群は、前記第２のゲート絶縁層及び前記層間誘電体層と同じ層に設けられ、同じ材料で作られる
    ことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
12. 前記第１のバインディング電極の前記ベース基板から遠い側の表面の少なくとも一部から前記ベース基板までの垂直距離は、前記充填部の前記ベース基板から遠い側の表面から前記ベース基板までの垂直距離以上である
    ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
13. 前記第２の導体層は、前記切断部に対向する第４の凹部を有する
    ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
14. 前記切断部の数は２つであり、対応する前記第４の凹部の数も２つであり、前記第１の導体層の一部は２つの前記第４の凹部の間にある
    ことを特徴とする請求項１３に記載の表示パネル。
15. 前記第１のバインディング電極は、第３の導体層をさらに含み、前記第２の導体層は、前記第３の導体層と前記第１の導体層との間に設けられる
    ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
16. 前記第３の導体層及び前記第１の導体層はチタンからなり、前記第２の導体層はアルミニウムからなる
    ことを特徴とする請求項１５に記載の表示パネル。
17. 請求項１～１６のいずれか１項に記載の表示パネルを備える表示装置。

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