JP7699451B2

JP7699451B2 - Processing method

Info

Publication number: JP7699451B2
Application number: JP2021054382A
Authority: JP
Inventors: 和裕小池; 洋介村田
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2021-03-26
Filing date: 2021-03-26
Publication date: 2025-06-27
Anticipated expiration: 2041-03-26
Also published as: JP2022151350A

Description

本発明は、加工方法に関する。 The present invention relates to a processing method.

半導体デバイスの製造工程においてウェーハの裏面研削に際し、被加工物表面には感圧テープやＵＶ硬化型テープ等のシートが貼着され、被加工物はシートを介して研削装置の保持テーブルで保持され裏面が研削される。 When grinding the backside of a wafer in the semiconductor device manufacturing process, a sheet such as pressure-sensitive tape or UV-curable tape is attached to the surface of the workpiece, and the workpiece is held on the holding table of the grinding device via the sheet while the backside is ground.

表面にバンプと呼ばれる突起状の電極が形成されたウェーハにテープを貼着した場合、テープの表面はバンプにならって凸凹となることがある。この状態でテープを介してウェーハの表面を保持テーブルで保持するとウェーハ裏面の高さがばらつき、均一な厚みに薄化できないという問題がある。そこで、上記公報に開示されるようにテープをウェーハに貼着した後、テープの上面をバイトで切削して平坦化する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 When tape is applied to a wafer with protruding electrodes called bumps formed on its surface, the surface of the tape may become uneven to resemble the bumps. If the surface of the wafer is held in this state by a holding table via the tape, the height of the back surface of the wafer will vary, making it impossible to thin the wafer to a uniform thickness. As a result, a method has been proposed in which, as disclosed in the above publication, the top surface of the tape is cut with a cutting tool to flatten it after the tape is applied to the wafer (see, for example, Patent Document 1).

特開２０１３－０２１０１７号公報JP 2013-021017 A

しかし、特許文献１等に示された方法では、ウェーハに対する固定力が低いテープを平坦化のためバイトで切削すると、切削中に剥がれてしまうという問題が生じていた。 However, in the method shown in Patent Document 1 and other documents, when a tape that has a low fixing strength to the wafer is cut with a cutting tool to flatten it, a problem occurs in that the tape peels off during cutting.

一方で、ウェーハに対する固定力が低いテープは、ウェーハから剥離させやすいという利点があるため利用が望まれている。 On the other hand, tapes that have a low fixing strength to the wafer are desirable because they have the advantage of being easy to peel off from the wafer.

本発明の目的は、シートの平坦化中においてシートがウェーハから剥離してしまうおそれを低減する加工方法を提供することである。 The object of the present invention is to provide a processing method that reduces the risk of the sheet peeling off from the wafer during planarization.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の加工方法は、加工方法であって、ウェーハの表面の外周に沿ってウェーハの一部を環状に除去し、ウェーハの外周に段差部を形成する段差部形成ステップと、該段差部形成ステップを実施した後、ウェーハの該表面に、該段差部とウェーハの該表面を覆うシートを配設することで該シートの外周縁より内側が高くなるよう形成するシート配設ステップと、該シート配設ステップを実施した後、該シートの該外周縁を除く該シートの上面を研削またはバイト切削して平坦化するシート平坦化ステップと、を備え、段差部形成ステップでは、表面からシートの厚みを超える所定の深さ分、ウェーハの一部を環状に除去することを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the processing method of the present invention is a processing method comprising: a step forming step of removing a portion of the wafer in an annular shape along the outer periphery of the surface of the wafer to form a step portion on the outer periphery of the wafer; a sheet disposing step, after the step forming step, disposing a sheet on the surface of the wafer to cover the step portion and the surface of the wafer, so that the inside of the sheet is higher than the outer periphery of the sheet; and a sheet flattening step, after the sheet disposing step, grinding or bit cutting the top surface of the sheet excluding the outer periphery of the sheet to flatten it , wherein the step forming step is characterized in that a portion of the wafer is removed in an annular shape from the surface to a predetermined depth that exceeds the thickness of the sheet .

前記加工方法において、該シート平坦化ステップを実施した後、該シートを介してウェーハを保持テーブルで保持する保持ステップと、該保持テーブルで保持されたウェーハに加工を施す加工ステップと、を備えても良い。 The processing method may further include a holding step of holding the wafer on a holding table via the sheet after the sheet flattening step is performed, and a processing step of processing the wafer held on the holding table.

前記加工方法において、該段差部は、該表面に沿う平坦面と、該平坦面から該表面に至る側面とを含んでも良い。 In the above processing method, the step portion may include a flat surface along the surface and a side surface extending from the flat surface to the surface.

前記加工方法において、該段差部は、ウェーハの該表面から該外周縁に向かって傾斜する傾斜面を含んでも良い。 In the above processing method, the step portion may include an inclined surface that slopes from the surface of the wafer toward the outer periphery.

前記加工方法において、該段差部は、ウェーハの該表面の該外周に形成された環状溝からなり、該シート配設ステップでは、該シートは、該段差部である環状溝の内面及び底面に密着し、該シート配設ステップを実施した後、該シート平坦化ステップを実施する前に、少なくとも該環状溝の該底面の幅方向の中央よりも外周側のシートを取り除くとともに、外周側を取り除いた後も該環状溝の該底面に該シートの該外周縁が貼着している外周シート除去ステップを更に備えても良い。 In the above processing method, the step portion consists of an annular groove formed on the outer periphery of the surface of the wafer, and in the sheet placement step, the sheet adheres to the inner surface and bottom surface of the annular groove which is the step portion, and after performing the sheet placement step and before performing the sheet flattening step, at least the sheet on the outer periphery side of the width center of the bottom surface of the annular groove is removed , and the processing method may further include an outer periphery sheet removal step in which the outer periphery of the sheet remains adhered to the bottom surface of the annular groove even after the outer periphery side has been removed .

本発明は、シートの平坦化中においてシートがウェーハから剥離してしまうおそれを低減することができるという効果を奏する。 The present invention has the effect of reducing the risk of the sheet peeling off from the wafer while the sheet is being flattened.

図１は、実施形態１に係る加工方法の加工対象の被加工物を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a workpiece to be processed by the processing method according to the first embodiment. 図２は、図１中のＩＩ部に示された被加工物のデバイスを拡大して示す平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view showing a device of the workpiece shown in part II of FIG. 図３は、実施形態１に係る加工方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart showing the flow of the processing method according to the first embodiment. 図４は、図３に示された加工方法の段差部形成ステップを模式的に示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view that typically shows a step of forming a stepped portion in the processing method shown in FIG. 図５は、図３に示された加工方法の段差部形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a main part of a wafer after the step forming step of the processing method shown in FIG. 図６は、図３に示された加工方法のシート配設ステップ後のウェーハの断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the wafer after the sheet placement step of the process shown in FIG. 図７は、図３に示された加工方法のシート平坦化ステップを模式的に示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a schematic diagram of a sheet flattening step of the processing method shown in FIG. 図８は、図３に示された加工方法のシート平坦化ステップのバイト工具の下端に吹き付けられる切削水等を模式的に示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view that typically shows cutting water and the like sprayed onto the lower end of the cutting tool in the sheet flattening step of the processing method shown in FIG. 図９は、図３に示された加工方法の保持ステップを模式的に示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view that illustrates a holding step of the processing method illustrated in FIG. 図１０は、図３に示された加工方法の加工ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。FIG. 10 is a side view, partly in section, showing a schematic diagram of the processing step of the processing method shown in FIG. 図１１は、実施形態１の変形例１に係る加工方法の段差部形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a main part of a wafer after a step forming step in a processing method according to a first modification of the first embodiment. 図１２は、実施形態１の変形例２に係る加工方法の段差部形成ステップを模式的に示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view that illustrates a step of forming a stepped portion in the processing method according to the second modification of the first embodiment. 図１３は、実施形態１の変形例２に係る加工方法の段差部形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view of a main part of a wafer after a step forming step in a processing method according to the second modification of the first embodiment. 図１４は、実施形態２に係る加工方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 14 is a flowchart showing the flow of the processing method according to the second embodiment. 図１５は、図１４に示された加工方法の段差部形成ステップを模式的に示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view that typically shows a step of forming a stepped portion in the processing method shown in FIG. 図１６は、図１４に示された加工方法の段差部形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view of a main part of a wafer after the step forming step of the processing method shown in FIG. 図１７は、図１４に示された加工方法のシート配設ステップ後のウェーハの断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view of the wafer after the sheet placement step of the processing method shown in FIG. 図１８は、図１４に示された加工方法の外周シート除去ステップを模式的に示すウェーハの一部の断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view of a portion of a wafer, which is a schematic diagram showing the outer peripheral sheet removing step of the processing method shown in FIG. 図１９は、図１４に示された加工方法の外周シート除去ステップ後のウェーハの一部の断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view of a portion of a wafer after the peripheral sheet removal step of the process shown in FIG. 図２０は、図１４に示された加工方法のシート平坦化ステップを模式的に示す断面図である。FIG. 20 is a cross-sectional view that illustrates a sheet flattening step of the processing method illustrated in FIG. 図２１は、図１４に示された加工方法のシート平坦化ステップのバイト工具の下端に吹き付けられる切削水等を模式的に示す断面図である。FIG. 21 is a cross-sectional view that typically shows cutting water or the like sprayed onto the lower end of the cutting tool in the sheet flattening step of the processing method shown in FIG. 14. 図２２は、図１４に示された加工方法の加工ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。FIG. 22 is a side view, partly in section, showing a schematic diagram of the processing step of the processing method shown in FIG. 図２３は、実施形態１及び実施形態２の変形例に係る加工方法のシート平坦化ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。FIG. 23 is a side view, partially in cross section, illustrating a sheet flattening step of the processing method according to the modified example of the first and second embodiments. 図２４は、実施形態１及び実施形態２に係る加工方法のシートの変形例の一部の断面図である。FIG. 24 is a cross-sectional view of a portion of a modified example of the sheet for the processing method according to the first and second embodiments. 図２５は、比較例１のシートが貼着されたウェーハの一部を示す断面図である。FIG. 25 is a cross-sectional view showing a part of a wafer to which the sheet of Comparative Example 1 is attached. 図２６は、比較例２のシートが貼着されたウェーハの一部を示す断面図である。FIG. 26 is a cross-sectional view showing a part of a wafer to which the sheet of Comparative Example 2 was attached. 図２７は、比較例３のシートが貼着されたウェーハの一部を示す断面図である。FIG. 27 is a cross-sectional view showing a part of a wafer to which the sheet of Comparative Example 3 was attached.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。 The following describes in detail the form (embodiment) for carrying out the present invention with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiment. The components described below include those that a person skilled in the art can easily imagine and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. Various omissions, substitutions, or modifications of the configuration can be made without departing from the spirit of the present invention.

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る加工方法の加工対象の被加工物を示す斜視図である。図２は、図１中のＩＩ部に示された被加工物のデバイスを拡大して示す平面図である。図３は、実施形態１に係る加工方法の流れを示すフローチャートである。 [Embodiment 1]
A processing method according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 1 is a perspective view showing a workpiece to be processed by the processing method according to the first embodiment. Fig. 2 is a plan view showing an enlarged view of a device of the workpiece shown in part II in Fig. 1. Fig. 3 is a flow chart showing the flow of the processing method according to the first embodiment.

実施形態１に係る加工方法は、図１に示すウェーハ１の加工方法である。実施形態１に係る加工方法の加工対象のウェーハ１は、シリコン（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）等を基板２とする円板状の半導体ウェーハ、光デバイスウェーハ等である。 The processing method according to the first embodiment is a method for processing a wafer 1 shown in Fig. 1. The wafer 1 to be processed by the processing method according to the first embodiment is a disk-shaped semiconductor wafer, an optical device wafer, or the like, having a substrate 2 made of silicon ( _Si ), sapphire ( _Al2O3 ), gallium arsenide (GaAs), silicon carbide (SiC), or the like.

ウェーハ１は、図１に示すように、表面５にデバイス領域３と、外周余剰領域４とを備える。デバイス領域３は、表面５の互いに交差する複数の分割予定ライン６によって区画された各領域にデバイス７が形成されている。各デバイス７は、図２に示すように、各デバイス７の電極に接続して、表面５よりも突出した複数のバンプ８を有している。ウェーハ１は、デバイス７が表面５よりも突出したバンプ８を有しているために、表面５に凹凸が形成されている。バンプ８は、導電性の金属により構成されている。 As shown in FIG. 1, the wafer 1 has a device region 3 and a peripheral excess region 4 on the surface 5. The device region 3 is partitioned by a plurality of intended division lines 6 that intersect with each other on the surface 5, and devices 7 are formed in each region. As shown in FIG. 2, each device 7 has a plurality of bumps 8 that are connected to the electrodes of the device 7 and protrude beyond the surface 5. The wafer 1 has unevenness on the surface 5 because the devices 7 have bumps 8 that protrude beyond the surface 5. The bumps 8 are made of a conductive metal.

デバイス７は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、あるいはＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、あるいはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサ等である。外周余剰領域４は、デバイス領域３を全周に亘って囲繞し、デバイス７等が形成されていない領域である。 The device 7 is, for example, an integrated circuit such as an IC (Integrated Circuit) or an LSI (Large Scale Integration), an image sensor such as a CCD (Charge Coupled Device) or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). The peripheral excess region 4 is a region that surrounds the entire device region 3 and in which the device 7 and the like are not formed.

また、ウェーハ１の表面５及び表面５の裏側の裏面９は、それぞれが平坦であるとともに、互いに平行である。ウェーハ１は、外周縁１０に面取り部１１を有している。面取り部１１は、表面５から裏面９に亘って形成され、厚み方向の中央が最も外周側に位置するように断面円弧状に形成されている。 In addition, the front surface 5 of the wafer 1 and the back surface 9 behind the front surface 5 are both flat and parallel to each other. The wafer 1 has a chamfered portion 11 at the outer periphery 10. The chamfered portion 11 is formed from the front surface 5 to the back surface 9, and is formed in an arc-shaped cross section so that the center in the thickness direction is located at the outermost side.

実施形態１において、ウェーハ１は、裏面９側が研削されて仕上げ厚みまで薄化され、分割予定ライン６に沿って個々のデバイス７に分割される。 In embodiment 1, the wafer 1 is thinned to a finishing thickness by grinding the back surface 9 side, and then divided into individual devices 7 along the intended division lines 6.

実施形態１に係る加工方法は、１枚のウェーハ１を加工する加工方法であって、図３に示すように、段差部形成ステップ１００１と、シート配設ステップ１００２と、シート平坦化ステップ１００３と、保持ステップ１００４と、加工ステップ１００５とを備える。 The processing method according to the first embodiment is a processing method for processing one wafer 1, and includes a step forming step 1001, a sheet disposing step 1002, a sheet flattening step 1003, a holding step 1004, and a processing step 1005, as shown in FIG. 3.

（段差部形成ステップ）
図４は、図３に示された加工方法の段差部形成ステップを模式的に示す断面図である。図５は、図３に示された加工方法の段差部形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。段差部形成ステップ１００１は、ウェーハ１の表面５の外周である外周縁１０に沿って、ウェーハ１の一部を環状に除去し、ウェーハ１の外周余剰領域４に段差部２０を形成するステップである。 (Step forming step)
Fig. 4 is a cross-sectional view that typically shows a step of forming a stepped portion in the processing method shown in Fig. 3. Fig. 5 is a cross-sectional view of a main portion of the wafer after the step of forming a stepped portion in the processing method shown in Fig. 3. The step forming step 1001 is a step of removing a part of the wafer 1 in an annular shape along the outer periphery 10 that is the outer periphery of the front surface 5 of the wafer 1, thereby forming a step 20 in the outer periphery excess region 4 of the wafer 1.

段差部形成ステップ１００１では、切削装置３０が、開閉弁３３を開いて、吸引源３４から吸引されることにより、チャックテーブル３１の保持面３２にウェーハ１の裏面９側を吸引保持する。段差部形成ステップ１００１では、切削装置３０は、スピンドル３５により軸心回りに切削ブレード３６を回転し、切削ブレード３６の切り刃３６１の下端を、ウェーハ１の外周縁１０とチャックテーブル３１の加工送り方向に沿って並ぶとともに、ウェーハ１の表面５よりも下方の位置に配置する。 In the step forming step 1001, the cutting device 30 opens the on-off valve 33 and sucks the back surface 9 of the wafer 1 onto the holding surface 32 of the chuck table 31 by sucking from the suction source 34. In the step forming step 1001, the cutting device 30 rotates the cutting blade 36 around its axis using the spindle 35, and positions the lower end of the cutting edge 361 of the cutting blade 36 in line with the outer periphery 10 of the wafer 1 and along the processing feed direction of the chuck table 31, and below the front surface 5 of the wafer 1.

段差部形成ステップ１００１では、切削装置３０が、チャックテーブル３１を切削ブレード３６に近付く方向に加工送りして、図４に示すように、切削ブレード３６の切り刃３６１をウェーハ１の表面５側から外周余剰領域４の外周縁１０を含む位置に切り込ませ、チャックテーブル３１を軸心回りに回転して、ウェーハ１の基板２の一部である面取り部１１を表面５側から環状に除去する。段差部形成ステップ１００１では、切削装置３０が、切削ブレード３６をウェーハ１の表面５側から外周余剰領域４の外周縁１０を含む位置に切り込ませて、表面５側から所定の深さ２０２分、面取り部１１を除去して、外周余剰領域４の外周縁１０を含む位置に図５に示す段差部２０を形成する。 In the step forming step 1001, the cutting device 30 feeds the chuck table 31 in a direction approaching the cutting blade 36, and as shown in FIG. 4, the cutting edge 361 of the cutting blade 36 cuts from the surface 5 side of the wafer 1 to a position including the outer edge 10 of the outer periphery excess area 4, and rotates the chuck table 31 around its axis to remove the chamfered portion 11, which is part of the substrate 2 of the wafer 1, in a ring shape from the surface 5 side. In the step forming step 1001, the cutting device 30 cuts the cutting blade 36 from the surface 5 side of the wafer 1 to a position including the outer edge 10 of the outer periphery excess area 4, and removes the chamfered portion 11 from the surface 5 side by a predetermined depth 202, forming the step 20 shown in FIG. 5 at a position including the outer edge 10 of the outer periphery excess area 4.

実施形態１では、段差部２０は、図５に示すように、ウェーハ１の外周縁１０に連なりかつ基板２の表面５に沿う平坦面２１と、ウェーハ１の外周縁１０よりも内周側でかつ平坦面２１の内縁から表面５に向かって表面５に対して交差（実施形態１では、直交）する方向に形成されて、平坦面２１から表面５に至る側面２２とを含む。こうして、段差部２０は、基板２の表面５に沿う平坦面２１と、平坦面２１から表面５に至る側面２２とにより形成されている。なお、実施形態１では、平坦面２１は、基板２の表面５に沿って平坦であれば、表面５と平行でなくても良いが、本発明では、基板２の表面５と平行であっても良い。即ち、本明細書で記載の沿うとは、平行であることと、交差することで互いの成す角度が極力零度に近いことをいう。なお、平坦面２１と側面２２とが、外周縁１０に沿ってウェーハ１の全周に形成されて、段差部２０は、ウェーハ１の外周縁１０の全周に形成されて、環状に形成されている。 5, in the first embodiment, the step portion 20 includes a flat surface 21 that is connected to the outer peripheral edge 10 of the wafer 1 and that runs along the surface 5 of the substrate 2, and a side surface 22 that is formed on the inner side of the outer peripheral edge 10 of the wafer 1 and in a direction that intersects with the surface 5 (orthogonal in the first embodiment) from the inner edge of the flat surface 21 toward the surface 5, and that extends from the flat surface 21 to the surface 5. Thus, the step portion 20 is formed by the flat surface 21 that runs along the surface 5 of the substrate 2, and the side surface 22 that runs from the flat surface 21 to the surface 5. In the first embodiment, the flat surface 21 does not have to be parallel to the surface 5 as long as it is flat along the surface 5 of the substrate 2, but in the present invention, it may be parallel to the surface 5 of the substrate 2. That is, along as described in this specification means that it is parallel and that the angle between them is as close to zero as possible when they intersect. The flat surface 21 and the side surface 22 are formed around the entire circumference of the wafer 1 along the outer periphery 10, and the step portion 20 is formed around the entire circumference of the outer periphery 10 of the wafer 1, forming a ring shape.

このように、実施形態１において、段差部形成ステップ１００１では、切削装置３０が切り刃３６１の下端が表面５よりも下方に位置付けられた切削ブレード３６をウェーハ１に対して相対的に水平方向に移動させてウェーハ１に切り込ませ、ウェーハ１をチャックテーブル３１で軸心回りに回転させることで表面５側に段差部２０を形成して、ウェーハ１の外周縁１０を除去するエッジトリミングを実施している。しかしながら、本発明では、段差部形成ステップ１００１では、切削装置３０が、ウェーハ１の面取り部１１の上方に位置付けられた切削ブレード３６を下降することで、切り刃３６１をウェーハ１の外周余剰領域４の外周縁１０を含む位置に切り込ませ、ウェーハ１をチャックテーブル３１で軸心回りに回転させる所謂チョッパーカットで、表面５側に段差部２０を形成するエッジトリミングを実施しても良い。 Thus, in the first embodiment, in the step forming step 1001, the cutting device 30 moves the cutting blade 36, the lower end of which is positioned below the surface 5, in a horizontal direction relative to the wafer 1 to cut into the wafer 1, and rotates the wafer 1 around its axis on the chuck table 31 to form a step 20 on the surface 5 side, thereby performing edge trimming to remove the outer peripheral edge 10 of the wafer 1. However, in the present invention, in the step forming step 1001, the cutting device 30 may perform edge trimming to form a step 20 on the surface 5 side by lowering the cutting blade 36, which is positioned above the chamfered portion 11 of the wafer 1, to cut into a position including the outer peripheral edge 10 of the outer peripheral excess region 4 of the wafer 1, by rotating the wafer 1 around its axis on the chuck table 31, a so-called chopper cut.

（シート配設ステップ）
図６は、図３に示された加工方法のシート配設ステップ後のウェーハの断面図である。シート配設ステップ１００２は、段差部形成ステップ１００１を実施した後、ウェーハ１の表面５に、段差部２０とウェーハ１の表面５を覆うシート２３を配設することでシート２３の外周縁２３１より内周側が高くなるよう形成するステップである。 (Sheet placement step)
Fig. 6 is a cross-sectional view of the wafer after the sheet disposing step of the processing method shown in Fig. 3. The sheet disposing step 1002 is a step of disposing a sheet 23 covering the step 20 and the surface 5 of the wafer 1 on the surface 5 of the wafer 1 after the step forming step 1001 is performed, so that the inner periphery side of the sheet 23 is higher than the outer periphery 231 of the sheet 23.

なお、実施形態１において、ウェーハ１の表面５に密着されるシート２３は、熱圧着性を有し、非粘着性でかつ非通気性の合成樹脂により構成された基材２４のみで構成されている。なお、実施形態１では、シート２３を構成する基材２４は、例えば、ポリオレフィン系の合成樹脂により構成されている。実施形態１に係る加工方法で用いられるシート２３は、基材２４のみで構成されるので、紫外線が照射されると硬化するＵＶ硬化型のシートの糊層よりも粘着力が低い。 In the first embodiment, the sheet 23 that is in close contact with the surface 5 of the wafer 1 is made of only a base material 24 that is made of a thermocompression-bondable, non-adhesive, and non-breathable synthetic resin. In the first embodiment, the base material 24 that constitutes the sheet 23 is made of, for example, a polyolefin-based synthetic resin. The sheet 23 used in the processing method according to the first embodiment is made of only the base material 24, and therefore has a lower adhesive strength than the adhesive layer of a UV-curable sheet that hardens when irradiated with ultraviolet light.

シート２３は、平面形状がウェーハ１の平面形状よりも若干大きな円形に形成されている。実施形態１の加工方法で用いられるシート２３は、熱圧着性を有し、非粘着性でかつ非通気性の合成樹脂により構成された基材２４のみで構成されていることで、ウェーハ１のデバイス領域３に対応した領域に粘着性の糊層が形成されていないものである。なお、ウェーハ１のデバイス領域３に対応した領域とは、シート２３の表面のうちウェーハ１のデバイス領域３に重ねられる領域である。 The sheet 23 is formed into a circular shape with a planar shape that is slightly larger than the planar shape of the wafer 1. The sheet 23 used in the processing method of embodiment 1 is made of only a base material 24 made of a synthetic resin that has thermocompression bonding properties and is non-adhesive and non-breathable, so that no adhesive glue layer is formed in the area corresponding to the device area 3 of the wafer 1. The area corresponding to the device area 3 of the wafer 1 is the area of the surface of the sheet 23 that is overlaid on the device area 3 of the wafer 1.

実施形態１において、シート配設ステップ１００２では、シート２３をウェーハ１の表面５に重ね、ウェーハ１及びシート２３を加熱しながらウェーハ１とシート２３との間を減圧し、シート２３をウェーハ１の表面５に向かって加圧する。シート配設ステップ１００２では、ウェーハ１及びシート２３が加熱されかつシート２３がウェーハ１の表面５に向けて加圧されるので、シート２３が、互いに隣り合うバンプ８間に侵入して、図６に示すように、ウェーハ１のデバイス領域３の表面５及びバンプ８の表面に隙間なく密着するとともに、外周余剰領域４の段差部２０の平坦面２１及び側面２２に隙間なく密着する。 In the first embodiment, in the sheet placement step 1002, the sheet 23 is placed on the surface 5 of the wafer 1, and the wafer 1 and the sheet 23 are heated while the pressure between the wafer 1 and the sheet 23 is reduced, and the sheet 23 is pressed toward the surface 5 of the wafer 1. In the sheet placement step 1002, the wafer 1 and the sheet 23 are heated and the sheet 23 is pressed toward the surface 5 of the wafer 1, so that the sheet 23 penetrates between the adjacent bumps 8 and adheres closely to the surface 5 of the device region 3 of the wafer 1 and the surfaces of the bumps 8 without any gaps, as shown in FIG. 6, and also adheres closely to the flat surface 21 and the side surface 22 of the step portion 20 of the peripheral excess region 4 without any gaps.

なお、シート配設ステップ１００２後では、シート２３が、ウェーハ１のデバイス領域３の基板２の表面５及びバンプ８の表面に隙間なく密着し、ウェーハ１の外周余剰領域４の段差部２０の平坦面２１及び側面２２に隙間なく密着しているので、シート２３の外周縁２３１よりもシート２３の内周側が高くなった状態でシート２３がウェーハ１に貼着されることとなる。即ち、シート配設ステップ１００２後では、裏面９が下側、表面５が上側に位置するように、ウェーハ１が配置されると、シート２３が、段差部２０の側面２２の外周側よりも段差部２０の側面２２の内周側、即ち、段差部２０よりも内周側が高くなった状態でウェーハ１に貼着されることとなる。また、シート配設ステップ１００２後では、シート２３の外周縁２３１は、段差部２０の平坦面２１の外縁即ちウェーハ１の外周縁１０上に位置する。 After the sheet placement step 1002, the sheet 23 adheres closely to the surface 5 of the substrate 2 and the surface of the bump 8 in the device region 3 of the wafer 1 without any gaps, and adheres closely to the flat surface 21 and the side surface 22 of the step portion 20 in the peripheral excess region 4 of the wafer 1 without any gaps, so that the sheet 23 is attached to the wafer 1 with the inner periphery of the sheet 23 higher than the outer periphery 231 of the sheet 23. That is, after the sheet placement step 1002, when the wafer 1 is placed so that the back surface 9 is located on the lower side and the surface 5 is located on the upper side, the sheet 23 is attached to the wafer 1 with the inner periphery of the side surface 22 of the step portion 20 higher than the outer periphery of the side surface 22 of the step portion 20, that is, the inner periphery is higher than the step portion 20. Also, after the sheet placement step 1002, the outer periphery 231 of the sheet 23 is located on the outer edge of the flat surface 21 of the step portion 20, that is, on the outer periphery 10 of the wafer 1.

シート配設ステップ１００２では、ウェーハ１の表面５及びバンプ８の表面に隙間なく密着しているので、図６では省略しているが、シート２３の上面２３２にバンプ８に倣った凹凸が形成されている。 In the sheet placement step 1002, the sheet 23 is in close contact with the surface 5 of the wafer 1 and the surfaces of the bumps 8 without any gaps, so that the upper surface 232 of the sheet 23 has projections and recesses imitating the bumps 8, which are omitted in FIG. 6.

（シート平坦化ステップ）
図７は、図３に示された加工方法のシート平坦化ステップを模式的に示す断面図である。図８は、図３に示された加工方法のシート平坦化ステップのバイト工具の下端に吹き付けられる切削水等を模式的に示す断面図である。シート平坦化ステップ１００３は、シート配設ステップ１００２を実施した後、シート２３の外周縁２３１を除くシート２３の上面２３２をバイト切削して、平坦化するステップである。 (Sheet Flattening Step)
Fig. 7 is a cross-sectional view showing a sheet flattening step of the processing method shown in Fig. 3. Fig. 8 is a cross-sectional view showing cutting water and the like sprayed onto the lower end of a cutting tool in the sheet flattening step of the processing method shown in Fig. 3. The sheet flattening step 1003 is a step of cutting the upper surface 232 of the sheet 23, except for the outer peripheral edge 231 of the sheet 23, with a cutting tool to flatten it after the sheet disposing step 1002 is performed.

シート平坦化ステップ１００３では、バイト切削装置４０が、開閉弁４３を開いて、吸引源４４から吸引されることにより、チャックテーブル４１の保持面４２にウェーハ１の裏面９側を吸引保持する。シート平坦化ステップ１００３では、バイト切削装置４０が、バイト工具４７の下端をウェーハ１の表面５に密着したシート２３の上面２３２のうち最も低い位置よりも下側でかつウェーハ１の全てのバンプ８よりも上側に位置付ける。 In the sheet flattening step 1003, the cutting tool 40 opens the on-off valve 43 and sucks the back surface 9 of the wafer 1 onto the holding surface 42 of the chuck table 41 by sucking from the suction source 44. In the sheet flattening step 1003, the cutting tool 40 positions the lower end of the cutting tool 47 below the lowest position of the upper surface 232 of the sheet 23 that is in close contact with the front surface 5 of the wafer 1 and above all of the bumps 8 on the wafer 1.

シート平坦化ステップ１００３では、バイト切削装置４０が、図７に示すように、図示しないモータを駆動してスピンドル４５及びバイトホイール４６を鉛直方向と平行な軸心回りに回転させ、チャックテーブル４１を鉛直方向と平行な軸心回りに回転させながら水平方向に沿って移動させて、チャックテーブル４１をバイトホイール４６の下方を通過させる。この際、バイト切削装置４０は、図８に示すように、バイトホイール４６のバイト工具４７の下端に図示しない切削水供給ノズルから切削水４８を吹き付ける。なお、バイト工具４７の下端に吹き付けられる切削水４８は、チャックテーブル４１に保持されたウェーハ１の外周側から内周側に向かってバイト工具４７の下端に吹き付けられる。 In the sheet flattening step 1003, the cutting tool 40 drives a motor (not shown) to rotate the spindle 45 and the cutting tool wheel 46 around an axis parallel to the vertical direction, as shown in FIG. 7, and moves the chuck table 41 along the horizontal direction while rotating it around an axis parallel to the vertical direction, so that the chuck table 41 passes under the cutting tool wheel 46. At this time, the cutting tool 40 sprays cutting water 48 from a cutting water supply nozzle (not shown) onto the lower end of the cutting tool 47 of the cutting tool wheel 46, as shown in FIG. 8. The cutting water 48 sprayed onto the lower end of the cutting tool 47 is sprayed onto the lower end of the cutting tool 47 from the outer periphery side toward the inner periphery side of the wafer 1 held on the chuck table 41.

シート平坦化ステップ１００３では、バイト切削装置４０が、段差部２０に密着した外周縁２３１を除くウェーハ１の表面５に密着したシート２３の上面２３２にバイト工具４７を切り込ませて、段差部２０に密着した外周縁２３１を除くシート２３の上面２３２に旋回切削加工を施す。シート平坦化ステップ１００３では、バイト切削装置４０が、段差部２０に密着した外周縁２３１を除くウェーハ１の表面５に密着したシート２３の上面２３２を平坦化する。 In the sheet flattening step 1003, the cutting tool 40 cuts the upper surface 232 of the sheet 23 that is in contact with the surface 5 of the wafer 1, excluding the outer periphery 231 that is in contact with the step 20, with the cutting tool 47, and performs a rotary cutting process on the upper surface 232 of the sheet 23, excluding the outer periphery 231 that is in contact with the step 20. In the sheet flattening step 1003, the cutting tool 40 flattens the upper surface 232 of the sheet 23 that is in contact with the surface 5 of the wafer 1, excluding the outer periphery 231 that is in contact with the step 20.

即ち、シート平坦化ステップ１００３では、バイト切削装置４０がシート２３の上面２３２のうちの段差部２０よりも内周側をバイト切削して平坦化するとともに、シート２３の外周縁２３１を含む段差部２０の特に平坦面２１に密着した領域をバイト切削しない。また、シート平坦化ステップ１００３では、バイト切削装置４０の切削水供給ノズルからバイト工具４７の下端に吹き付けられる切削水４８は、図８に示すように、ウェーハ１の段差部２０の側面２２及び平坦面２１に密着したシート２３の外周縁２３１、及びウェーハ１の外周縁１０にも吹き付けられることとなる。 That is, in the sheet flattening step 1003, the cutting tool 40 cuts the inner periphery side of the step 20 of the upper surface 232 of the sheet 23, and flattens it, but does not cut the area of the step 20 including the outer periphery 231 of the sheet 23 that is in contact with the flat surface 21. Also, in the sheet flattening step 1003, the cutting water 48 sprayed from the cutting water supply nozzle of the cutting tool 40 to the lower end of the cutting tool 47 is also sprayed to the side 22 of the step 20 of the wafer 1 and the outer periphery 231 of the sheet 23 that is in contact with the flat surface 21, and the outer periphery 10 of the wafer 1, as shown in FIG. 8.

（保持ステップ）
図９は、図３に示された加工方法の保持ステップを模式的に示す断面図である。保持ステップ１００４は、シート平坦化ステップ１００３を実施した後、シート２３を介してウェーハ１を加工装置５０の保持テーブル５１で保持するステップである。保持ステップ１００４では、加工装置５０が、図９に示すように、開閉弁５３を開いて、吸引源５４から吸引されることにより、保持テーブル５１の保持面５２にウェーハ１の表面５側をシート２３を介して吸引保持する。なお、実施形態１１では、加工装置５０は、ウェーハ１の裏面９を研削する研削装置である。 (holding step)
Fig. 9 is a cross-sectional view showing a typical holding step of the processing method shown in Fig. 3. The holding step 1004 is a step of holding the wafer 1 on the holding table 51 of the processing device 50 via the sheet 23 after the sheet flattening step 1003 is performed. In the holding step 1004, the processing device 50 opens the on-off valve 53 as shown in Fig. 9, and sucks the wafer 1 from the suction source 54, thereby suction-holding the front surface 5 side of the wafer 1 on the holding surface 52 of the holding table 51 via the sheet 23. In the eleventh embodiment, the processing device 50 is a grinding device that grinds the back surface 9 of the wafer 1.

（加工ステップ）
図１０は、図３に示された加工方法の加工ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。加工ステップ１００５は、加工装置５０が、保持テーブル５１で保持されたウェーハ１に加工を施すステップである。実施形態１において、加工ステップ１００５では、加工装置５０が、図１０に示すように、保持テーブル５１を鉛直方向と平行な軸心回りに回転させつつ研削ユニット５５の研削ホイール５６を鉛直方向と平行な軸心回りに回転させて、研削ホイール５６の研削砥石５７をウェーハ１の裏面９を接触させて、裏面９に加工である研削を施す。加工ステップ１００５では、加工装置１００が仕上げ厚みまでウェーハ１を研削して薄化すると、加工方法を終了する。 (Processing step)
10 is a side view showing a schematic partial cross section of the processing step of the processing method shown in FIG. 3. In the processing step 1005, the processing device 50 processes the wafer 1 held by the holding table 51. In the first embodiment, in the processing step 1005, as shown in FIG. 10, the processing device 50 rotates the grinding wheel 56 of the grinding unit 55 around an axis parallel to the vertical direction while rotating the holding table 51 around an axis parallel to the vertical direction, so that the grinding stone 57 of the grinding wheel 56 comes into contact with the back surface 9 of the wafer 1 to perform grinding, which is processing, on the back surface 9. In the processing step 1005, the processing device 100 grinds and thins the wafer 1 to a finishing thickness, and ends the processing method.

なお、実施形態１では、保持ステップ１００４及び加工ステップ１００５を加工装置５０である研削装置が実施して、加工装置５０がウェーハ１に加工である研削を施したが、本発明では、加工装置５０が研削装置に限定されない。本発明では、保持ステップ１００４及び加工ステップ１００５を、ウェーハ１に研磨（加工に相当）を施す研磨装置、裏面９側からウェーハ１に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射するレーザー加工（加工に相当）を施して基板２の内部に改質層を形成するレーザー加工装置、裏面９側からウェーハ１に切削ブレードを切り込ませる切削（加工に相当）を施す切削装置、裏面９側からウェーハ１に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射するレーザー加工（加工に相当）を施して、ウェーハ１をアブレーション加工するレーザー加工装置等の種々の加工装置が実施しても良い。即ち、本発明では、加工装置５０がウェーハ１に加工である研磨、レーザーッ加工、切削等の種々の加工を施しても良い。 In the first embodiment, the holding step 1004 and the processing step 1005 are performed by a grinding device, which is the processing device 50, and the processing device 50 performs grinding, which is processing, on the wafer 1. However, in the present invention, the processing device 50 is not limited to a grinding device. In the present invention, the holding step 1004 and the processing step 1005 may be performed by various processing devices such as a polishing device that performs polishing (corresponding to processing) on the wafer 1, a laser processing device that performs laser processing (corresponding to processing) by irradiating the wafer 1 with a laser beam of a wavelength having transparency from the back surface 9 side to form a modified layer inside the substrate 2, a cutting device that performs cutting (corresponding to processing) by cutting a cutting blade into the wafer 1 from the back surface 9 side, and a laser processing device that performs laser processing (corresponding to processing) by irradiating the wafer 1 with a laser beam of a wavelength having absorption from the back surface 9 side to ablate the wafer 1. That is, in the present invention, the processing device 50 may perform various processing such as polishing, laser processing, and cutting on the wafer 1.

以上説明したように、実施形態１に係る加工方法は、シート平坦化ステップ１００３を実施する前に、ウェーハ１の表面５の外周縁１０に沿ってウェーハ１の一部である面取り部１１を表面５側から環状に除去して外周余剰領域４に段差部２０を形成する。そして、実施形態１に係る加工方法は、シート配設ステップ１００２において、段差部２０とウェーハ１の表面５を覆うシート２３を配設することで、シート２３が、外周縁２３１よりも内周側、即ち、段差部２０の側面２２の外周側よりも段差部２０の側面２２の内周側、即ち、段差部２０よりも内周側が高くなった状態でウェーハ１に貼着される。 As described above, in the processing method according to the first embodiment, before performing the sheet flattening step 1003, the chamfered portion 11, which is part of the wafer 1, is removed from the surface 5 side along the outer peripheral edge 10 of the surface 5 of the wafer 1 in an annular shape to form a step portion 20 in the outer peripheral excess region 4. Then, in the processing method according to the first embodiment, in the sheet disposing step 1002, a sheet 23 is disposed to cover the step portion 20 and the surface 5 of the wafer 1, so that the sheet 23 is attached to the wafer 1 in a state in which the inner side of the outer peripheral edge 231, i.e., the inner side of the side surface 22 of the step portion 20, is higher than the outer side of the side surface 22 of the step portion 20, i.e., the inner side is higher than the step portion 20.

このために、実施形態１に係る加工方法は、シート平坦化ステップ１００３では、シート２３の外周縁２３１を除く領域をバイト工具４７で旋回切削加工する、即ち、シート２３の上面２３２のうちの段差部２０よりも内周側をバイト切削して平坦化するとともに、シート２３の外周縁２３１を含む段差部２０の特に平坦面２１に密着した領域をバイト切削しない。よって、バイト工具４７がシート２３の外周縁２３１に当接して、バイト工具４７がウェーハ１の内周側に移動するとシート２３の剥離が誘発されるが、実施形態１に係る加工方法は、バイト工具４７がシート２３の外周縁２３１に接触することがなく、シート２３の上面２３２をバイト切削でき、シート２３の剥離が誘発されることがない。 For this reason, in the processing method according to the first embodiment, in the sheet flattening step 1003, the area excluding the outer peripheral edge 231 of the sheet 23 is turned and cut with the cutting tool 47, that is, the inner peripheral side of the step portion 20 of the upper surface 232 of the sheet 23 is cut with a cutting tool to flatten it, and the area of the step portion 20 including the outer peripheral edge 231 of the sheet 23, particularly the area closely attached to the flat surface 21, is not cut with a cutting tool. Therefore, when the cutting tool 47 abuts against the outer peripheral edge 231 of the sheet 23 and moves to the inner peripheral side of the wafer 1, peeling of the sheet 23 is induced, but in the processing method according to the first embodiment, the cutting tool 47 does not come into contact with the outer peripheral edge 231 of the sheet 23, and the upper surface 232 of the sheet 23 can be cut with a cutting tool, and peeling of the sheet 23 is not induced.

その結果、実施形態１に係る加工方法は、シート２３の平坦化中においてシート２３がウェーハ１から剥離してしまうおそれを低減することができるという効果を奏する。即ち、実施形態１に係る加工方法は、糊層を備えずにＵＶ硬化型のシートよりも粘着力が低いシート２３であっても、バイト工具４７がシート２３の外周縁２３１に当接しないので、シート２３の平坦化中においてシート２３がウェーハ１から剥離してしまうおそれを低減することができるという効果を奏する。 As a result, the processing method according to the first embodiment has the effect of reducing the risk of the sheet 23 peeling off from the wafer 1 during planarization of the sheet 23. That is, the processing method according to the first embodiment has the effect of reducing the risk of the sheet 23 peeling off from the wafer 1 during planarization of the sheet 23, even if the sheet 23 does not have a glue layer and has a lower adhesive strength than a UV-curable sheet, because the cutting tool 47 does not come into contact with the outer peripheral edge 231 of the sheet 23.

〔変形例１〕
本発明の実施形態１の変形例１に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図１１は、実施形態１の変形例１に係る加工方法の段差部形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。なお、図１１は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Modification 1]
A processing method according to Modification 1 of the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 11 is a cross-sectional view of a main part of a wafer after a step forming step of the processing method according to Modification 1 of the first embodiment. In Fig. 11, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

実施形態１の変形例１に係る加工方法は、段差部形成ステップ１００１が実施形態１と異なる事以外、実施形態１と同じである。変形例１に係る加工方法の段差部形成ステップ１００１では、切削ブレード３６のウェーハ１に切り込ませる切り込み深さを異ならせてエッジトリミングを２回実施して、平坦面２１－１，２１－２と側面２２－１，２２－２とをそれぞれ２つ含む段差部２０－１をウェーハ１の外周余剰領域４の表面５側に形成する。 The processing method according to Modification 1 of Embodiment 1 is the same as that of Embodiment 1, except that step 1001 for forming a stepped portion is different from that of Embodiment 1. In step 1001 of the processing method according to Modification 1, edge trimming is performed twice with different cutting depths for cutting the cutting blade 36 into the wafer 1, and a stepped portion 20-1 including two flat surfaces 21-1, 21-2 and two side surfaces 22-1, 22-2 is formed on the surface 5 side of the peripheral excess region 4 of the wafer 1.

変形例１に係る加工方法の段差部形成ステップ１００１では、ウェーハ１の表面５の外周余剰領域４の外周縁１０を含む位置に切削ブレード３６の切り刃３６１を切り込ませて外周縁１０に連なりかつ表面５に沿う第１平坦面２１－１と第１平坦面２１－１の内縁に連なり表面５側に伸びた第１側面２２－１を形成する。変形例１に係る加工方法の段差部形成ステップ１００１では、ウェーハ１の表面５の外周余剰領域４の第１側面２２－１を含む位置に切削ブレード３６の切り刃３６１を切り込ませて第１側面２２－１に連なった表面５に沿う第２平坦面２１－２と第２平坦面２１－２から表面５に至る第２側面２２－２を形成する。 In the step forming step 1001 of the processing method according to the modified example 1, the cutting edge 361 of the cutting blade 36 is cut into a position including the outer peripheral edge 10 of the outer peripheral excess region 4 of the surface 5 of the wafer 1 to form a first flat surface 21-1 that is connected to the outer peripheral edge 10 and along the surface 5, and a first side surface 22-1 that is connected to the inner edge of the first flat surface 21-1 and extends toward the surface 5. In the step forming step 1001 of the processing method according to the modified example 1, the cutting edge 361 of the cutting blade 36 is cut into a position including the first side surface 22-1 of the outer peripheral excess region 4 of the surface 5 of the wafer 1 to form a second flat surface 21-2 that is connected to the first side surface 22-1 and along the surface 5, and a second side surface 22-2 that extends from the second flat surface 21-2 to the surface 5.

変形例１に係る加工方法の段差部形成ステップ１００１では、第１平坦面２１－１及び第１側面２２－１を形成するときの切削ブレード３６の切り刃３６１の下端の高さより、第２平坦面２１－２及び第２側面２２－２を形成するときの切削ブレード３６の切り刃３６１の下端の高さを高くして、即ち、第１平坦面２１－１及び第１側面２２－１を形成するときの切削ブレード３６の切り込み深さより、第２平坦面２１－２及び第２側面２２－２を形成するときの切削ブレード３６の切り込み深さを浅くする。また、変形例１に係る加工方法の段差部形成ステップ１００１では、第１平坦面２１－１及び第１側面２２－１を形成するときの切削ブレード３６の切り刃３６１の下端よりも、第２平坦面２１－２及び第２側面２２－２を形成するときの切削ブレード３６の切り刃３６１の下端をウェーハ１の内周側に位置付けて、第１平面面２２－１よりも第２平坦面２２－２を、ウェーハ１の表面５寄りでかつウェーハ１の内周側に形成する。 In the step formation step 1001 of the processing method according to variant example 1, the height of the lower end of the cutting blade 361 of the cutting blade 36 when forming the second flat surface 21-2 and the second side surface 22-2 is made higher than the height of the lower end of the cutting blade 361 of the cutting blade 36 when forming the first flat surface 21-1 and the first side surface 22-1; in other words, the cutting depth of the cutting blade 36 when forming the second flat surface 21-2 and the second side surface 22-2 is made shallower than the cutting depth of the cutting blade 36 when forming the first flat surface 21-1 and the first side surface 22-1. In addition, in the step formation step 1001 of the processing method according to the first modification, the lower end of the cutting blade 361 of the cutting blade 36 when forming the second flat surface 21-2 and the second side surface 22-2 is positioned closer to the inner circumference of the wafer 1 than the lower end of the cutting blade 361 of the cutting blade 36 when forming the first flat surface 21-1 and the first side surface 22-1, and the second flat surface 22-2 is formed closer to the front surface 5 of the wafer 1 and closer to the inner circumference of the wafer 1 than the first flat surface 22-1.

また、変形例１に係る加工方法のシート配設ステップ１００２後では、シート２３が、ウェーハ１のデバイス領域３の基板２の表面５及びバンプ８の表面５に隙間なく密着し、ウェーハ１の外周余剰領域４の段差部２０の平坦面２１－１，２１－２及び側面２２－１，２２－２に隙間なく密着している。変形例１に係る加工方法のシート配設ステップ１００２後では、シート２３の外周縁２３１は、段差部２０－１の第２平坦面２１－２の外縁即ちウェーハ１の外周縁１０上に位置する。 Furthermore, after the sheet placement step 1002 of the processing method according to the modified example 1, the sheet 23 is tightly adhered to the surface 5 of the substrate 2 and the surface 5 of the bump 8 in the device region 3 of the wafer 1, and is tightly adhered to the flat surfaces 21-1, 21-2 and side surfaces 22-1, 22-2 of the step portion 20 in the peripheral excess region 4 of the wafer 1. After the sheet placement step 1002 of the processing method according to the modified example 1, the outer peripheral edge 231 of the sheet 23 is located on the outer edge of the second flat surface 21-2 of the step portion 20-1, i.e., on the outer peripheral edge 10 of the wafer 1.

変形例１に係る加工方法は、シート平坦化ステップ１００３を実施する前に、ウェーハ１の表面５の外周縁１０に沿ってウェーハ１の一部である面取り部１１を表面５側から環状に除去して段差部２０－１を形成し、シート配設ステップ１００２において、段差部２０とウェーハ１の表面５を覆うシート２３を配設する。その結果、変形例１に係る加工方法は、シート平坦化ステップ１００３では、バイト工具４７がシート２３の外周縁２３１に接触することがなく、シート２３の剥離が誘発されることがないので、実施形態１と同様に、シート２３の平坦化中においてシート２３がウェーハ１から剥離してしまうおそれを低減することができるという効果を奏する。 In the processing method according to the first modification, before the sheet flattening step 1003 is performed, the chamfered portion 11, which is a part of the wafer 1, is removed from the surface 5 side along the outer periphery 10 of the surface 5 of the wafer 1 in an annular shape to form a step portion 20-1, and in the sheet disposing step 1002, a sheet 23 is disposed to cover the step portion 20 and the surface 5 of the wafer 1. As a result, in the sheet flattening step 1003, the cutting tool 47 does not come into contact with the outer periphery 231 of the sheet 23, and peeling of the sheet 23 is not induced. As a result, in the processing method according to the first modification, the cutting tool 47 does not come into contact with the outer periphery 231 of the sheet 23, and peeling of the sheet 23 is not induced. As a result, similar to the first embodiment, the processing method according to the first modification has the effect of reducing the risk of the sheet 23 peeling off the wafer 1 during flattening of the sheet 23.

〔変形例２〕
本発明の実施形態１の変形例２に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図１２は、実施形態１の変形例２に係る加工方法の段差部形成ステップを模式的に示す断面図である。図１３は、実施形態１の変形例２に係る加工方法の段差部形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。なお、図１２及び図１３は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Modification 2]
A processing method according to Modification 2 of the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 12 is a cross-sectional view that shows a schematic step of forming a stepped portion in the processing method according to Modification 2 of the first embodiment. Fig. 13 is a cross-sectional view of a main part of a wafer after the step of forming a stepped portion in the processing method according to Modification 2 of the first embodiment. In Figs. 12 and 13, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

実施形態１の変形例２に係る加工方法は、段差部形成ステップ１００１が実施形態１と異なる事以外、実施形態１と同じである。変形例２に係る加工方法の段差部形成ステップ１００１では、図１２に示すように、切り刃３７１の厚み方向の中央の外径が厚み方向の端の外径よりも大きく、切り刃３７１の外縁の断面形状が山形に形成された所謂ベベルブレードの切削ブレード３７をウェーハ１の表面５の外周余剰領域４の外周縁１０を含む位置に切り込ませて、ウェーハ１の一部である面取り部１１を表面５側から除去する。 The processing method according to the second modification of the first embodiment is the same as that of the first embodiment, except that the step 1001 is different from that of the first embodiment. In the step 1001 of the processing method according to the second modification, as shown in FIG. 12, the cutting blade 37, which is a so-called bevel blade in which the outer diameter of the cutting blade 371 at the center in the thickness direction is larger than the outer diameter at the end in the thickness direction and the cross-sectional shape of the outer edge of the cutting blade 371 is formed in a mountain shape, is inserted into a position including the outer edge 10 of the outer periphery excess region 4 of the surface 5 of the wafer 1, and the chamfered portion 11, which is part of the wafer 1, is removed from the surface 5 side.

変形例２に係る加工方法の段差部形成ステップ１００１では、切削装置３０が、図１３に示すように、外周余剰領域４にウェーハ１の基板２の表面５から外周縁１０に向かって、表面５とウェーハ１の厚み方向との双方に対して傾斜して外周縁１０に向かってウェーハ１を徐々に薄くする傾斜面２５を含む段差部２０－２をウェーハ１の外周余剰領域４の表面５側に形成する。なお、変形例２に係る加工方法の段差部形成ステップ１００１で形成される段差部２０－２は、平坦面２１と側面２２とを含まない。 In step 1001 of the processing method according to modified example 2, the cutting device 30 forms step 20-2 on the surface 5 side of the peripheral excess region 4 of the wafer 1, including an inclined surface 25 that is inclined from the surface 5 of the substrate 2 of the wafer 1 toward the peripheral edge 10 and that gradually thins the wafer 1 toward the peripheral edge 10, as shown in FIG. 13. Note that the step 20-2 formed in step 1001 of the processing method according to modified example 2 does not include the flat surface 21 or the side surface 22.

変形例２に係る加工方法は、シート平坦化ステップ１００３を実施する前に、ウェーハ１の表面５の外周縁１０に沿ってウェーハ１の一部である面取り部１１を表面５側から環状に除去して段差部２０－２を形成し、シート配設ステップ１００２において、段差部２０－２とウェーハ１の表面５を覆うシート２３を配設する。その結果、変形例２に係る加工方法は、段差部２０－２が傾斜面２５を含んでいるので、シート平坦化ステップ１００３では、バイト工具４７がシート２３の外周縁２３１に接触することがなく、シート２３の剥離が誘発されることがないので、実施形態１と同様に、シート２３の平坦化中においてシート２３がウェーハ１から剥離してしまうおそれを低減することができるという効果を奏する。 In the processing method according to the second modification, before the sheet flattening step 1003 is performed, the chamfered portion 11, which is a part of the wafer 1, is removed from the surface 5 side along the outer periphery 10 of the surface 5 of the wafer 1 in an annular shape to form a step portion 20-2, and in the sheet disposing step 1002, a sheet 23 is disposed to cover the step portion 20-2 and the surface 5 of the wafer 1. As a result, in the processing method according to the second modification, since the step portion 20-2 includes an inclined surface 25, in the sheet flattening step 1003, the cutting tool 47 does not come into contact with the outer periphery 231 of the sheet 23, and peeling of the sheet 23 is not induced. As a result, as in the first embodiment, the risk of the sheet 23 peeling off from the wafer 1 during flattening of the sheet 23 can be reduced.

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図１４は、実施形態２に係る加工方法の流れを示すフローチャートである。図１５は、図１４に示された加工方法の段差部形成ステップを模式的に示す断面図である。図１６は、図１４に示された加工方法の段差部形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。図１７は、図１４に示された加工方法のシート配設ステップ後のウェーハの断面図である。図１８は、図１４に示された加工方法の外周シート除去ステップを模式的に示すウェーハの一部の断面図である。図１９は、図１４に示された加工方法の外周シート除去ステップ後のウェーハの一部の断面図である。図２０は、図１４に示された加工方法のシート平坦化ステップを模式的に示す断面図である。図２１は、図１４に示された加工方法のシート平坦化ステップのバイト工具の下端に吹き付けられる切削水等を模式的に示す断面図である。図２２は、図１４に示された加工方法の加工ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。なお、図１４、図１５、図１６、図１７、図１８、図１９、図２０、図２１、図２２は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 2]
A processing method according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 14 is a flow chart showing the flow of the processing method according to the second embodiment. FIG. 15 is a cross-sectional view showing a step forming step of the processing method shown in FIG. 14. FIG. 16 is a cross-sectional view of a main part of a wafer after the step forming step of the processing method shown in FIG. 14. FIG. 17 is a cross-sectional view of a wafer after a sheet disposing step of the processing method shown in FIG. 14. FIG. 18 is a cross-sectional view of a part of a wafer showing a peripheral sheet removing step of the processing method shown in FIG. 14. FIG. 19 is a cross-sectional view of a part of a wafer after a peripheral sheet removing step of the processing method shown in FIG. 14. FIG. 20 is a cross-sectional view showing a sheet flattening step of the processing method shown in FIG. 14. FIG. 21 is a cross-sectional view showing cutting water and the like sprayed on the lower end of a cutting tool in the sheet flattening step of the processing method shown in FIG. 14. FIG. 22 is a side view showing a processing step of the processing method shown in FIG. 14 in a partial cross section. In addition, in Figures 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, and 22, the same parts as in embodiment 1 are given the same reference numerals and their description will be omitted.

実施形態２に係る加工方法は、１枚のウェーハ１を加工する加工方法であって、図１４に示すように、段差部形成ステップ１００１－２と、シート配設ステップ１００２と、外周シート除去ステップ１０１０と、シート平坦化ステップ１００３と、保持ステップ１００４と、加工ステップ１００５とを備える。 The processing method according to the second embodiment is a processing method for processing one wafer 1, and includes a step forming step 1001-2, a sheet disposing step 1002, a peripheral sheet removing step 1010, a sheet flattening step 1003, a holding step 1004, and a processing step 1005, as shown in FIG. 14.

実施形態２に係る加工方向の段差部形成ステップ１００１－２は、ウェーハ１の表面５の外周である外周縁１０に沿って、ウェーハ１の一部を環状に除去し、ウェーハ１の外周余剰領域４に段差部である環状溝２０－３を形成するステップである。 The step 1001-2 in the processing direction for the second embodiment is a step in which a portion of the wafer 1 is annularly removed along the outer periphery 10, which is the outer periphery of the surface 5 of the wafer 1, to form an annular groove 20-3, which is a step, in the outer periphery excess region 4 of the wafer 1.

段差部形成ステップ１００１－２では、切削装置３０が、実施形態１と同様に、チャックテーブル３１の保持面３２にウェーハ１の裏面９側を吸引保持する。段差部形成ステップ１００１－１では、切削装置３０は、スピンドル３５により軸心回りに切削ブレード３６を回転し、切削ブレード３６の切り刃３６１の下端を、チャックテーブル３１に保持されたウェーハ１の外周余剰領域４の上方でかつ外周縁１０よりも内周寄りに位置付ける。 In step 1001-2, the cutting device 30 suction-holds the back surface 9 of the wafer 1 on the holding surface 32 of the chuck table 31, as in the first embodiment. In step 1001-1, the cutting device 30 rotates the cutting blade 36 around its axis using the spindle 35, and positions the lower end of the cutting edge 361 of the cutting blade 36 above the outer circumferential excess region 4 of the wafer 1 held on the chuck table 31 and closer to the inner periphery than the outer circumferential edge 10.

段差部形成ステップ１００１－１では、切削装置３０が、切削ブレード３６を下降して、切り刃３６１をウェーハ１の外周余剰領域４の外周縁１０寄りも内周寄りの位置に切り込ませ、切り刃３６１の下端がウェーハ１の厚み方向の中央に切り込むと、切削ブレード３６の下降を停止して、ウェーハ１をチャックテーブル３１で軸心回りに回転させる所謂チョッパーカットで、ウェーハ１の基板２の一部である外周余剰領域４を表面５側から環状に除去する。段差部形成ステップ１００１－１では、切削装置３０が、切削ブレード３６の切り刃３６１をウェーハ１の表面５側から外周余剰領域４の外周縁１０寄りも内周寄りの位置に切り込ませて、図１６に示すように、段差部２０として表面５側から所定の深さ２０２の環状溝２０－３を全周に亘って形成する。 In the step forming step 1001-1, the cutting device 30 lowers the cutting blade 36 and cuts the cutting edge 361 into the outer circumferential excess area 4 of the wafer 1 at a position close to the outer circumferential edge 10 as well as close to the inner circumferential edge. When the lower end of the cutting edge 361 cuts into the center of the thickness direction of the wafer 1, the cutting blade 36 stops lowering and the wafer 1 is rotated around its axis on the chuck table 31 in a so-called chopper cut, which removes the outer circumferential excess area 4, which is part of the substrate 2 of the wafer 1, in a ring shape from the front surface 5 side. In the step forming step 1001-1, the cutting device 30 cuts the cutting edge 361 of the cutting blade 36 into the outer circumferential excess area 4 of the wafer 1 at a position close to the outer circumferential edge 10 as well as close to the inner circumferential edge from the front surface 5 side as shown in FIG. 16, forming an annular groove 20-3 of a predetermined depth 202 from the front surface 5 side as the step 20 all around.

こうして、実施形態２に係る加工方法の段差部形成ステップ１００１－１で形成される段差部２０は、ウェーハ１の表面５の外周余剰領域４に形成された環状の環状溝２０－３である。なお、実施形態２では、環状溝２０－３の内面２６及び底面２７は、ウェーハ１と同軸となる位置に形成され、底面２７は、ウェーハ１の表面５に沿っている（実施形態１では、表面５と平行である）。 Thus, the step 20 formed in the step forming step 1001-1 of the processing method according to the second embodiment is an annular groove 20-3 formed in the peripheral excess region 4 of the surface 5 of the wafer 1. In the second embodiment, the inner surface 26 and bottom surface 27 of the annular groove 20-3 are formed in a position coaxial with the wafer 1, and the bottom surface 27 is aligned along the surface 5 of the wafer 1 (in the first embodiment, it is parallel to the surface 5).

実施形態２において、シート配設ステップ１００２では、実施形態１と同様に、シート２３をウェーハ１の表面５に重ね、ウェーハ１及びシート２３を加熱しながらウェーハ１とシート２３との間を減圧し、シート２３をウェーハ１の表面５に向かって加圧する。実施形態２において、シート配設ステップ１００２では、シート２３は、図１７に示すようにウェーハ１のデバイス領域３の表面５及びバンプ８の表面に隙間なく密着するとともに、外周余剰領域４の段差部２０である環状溝２０－３の内面２６及び底面２７に隙間なく密着し、面取り部１１の表面５側に隙間なく密着する。 In the second embodiment, in the sheet placement step 1002, similar to the first embodiment, the sheet 23 is placed on the surface 5 of the wafer 1, and while the wafer 1 and the sheet 23 are heated, the pressure between the wafer 1 and the sheet 23 is reduced, and the sheet 23 is pressed toward the surface 5 of the wafer 1. In the second embodiment, in the sheet placement step 1002, the sheet 23 adheres closely to the surface 5 of the device region 3 of the wafer 1 and the surfaces of the bumps 8 without any gaps, as shown in FIG. 17, and also adheres closely to the inner surface 26 and bottom surface 27 of the annular groove 20-3, which is the step portion 20 of the outer peripheral excess region 4, and adheres closely to the surface 5 side of the chamfered portion 11 without any gaps.

実施形態２に係る加工方法の外周シート除去ステップ１０１０は、シート配設ステップ１００２を実施した後、シート平坦化ステップ１００３を実施する前に、少なくとも環状溝２０－３よりも外周側のシート２３を取り除くステップである。実施形態２に係る加工方法の外周シート除去ステップ１０１０では、切削装置３０が、チャックテーブル３１の保持面３２にウェーハ１の裏面９側を吸引保持し、スピンドル３５により軸心回りに切り刃３８１が切り刃３６１及び環状溝２０－３の幅よりも薄い切削ブレード３８を回転し、切削ブレード３８の切り刃３８１の下端を、チャックテーブル３１に保持されたウェーハ１の環状溝２０－３の底面２７の上方に位置付ける。 The outer peripheral sheet removing step 1010 of the processing method according to the second embodiment is a step of removing at least the sheet 23 on the outer peripheral side of the annular groove 20-3 after the sheet disposing step 1002 and before the sheet flattening step 1003. In the outer peripheral sheet removing step 1010 of the processing method according to the second embodiment, the cutting device 30 suction-holds the back surface 9 side of the wafer 1 on the holding surface 32 of the chuck table 31, and the cutting blade 38, whose cutting blade 381 is thinner than the width of the cutting blade 361 and the annular groove 20-3, is rotated around the axis by the spindle 35, and the lower end of the cutting blade 381 of the cutting blade 38 is positioned above the bottom surface 27 of the annular groove 20-3 of the wafer 1 held on the chuck table 31.

外周シート除去ステップ１０１０では、切削装置３０が、切削ブレード３８を下降して、図１８に示すように、切り刃３８１を底面２７に密着したシート２３の環状溝２０－３の幅方向の中央に切り込ませ、切り刃３８１の下端がシート２３の下面に切り込むと、切削ブレード３８の下降を停止して、ウェーハ１をチャックテーブル３１で軸心回りに回転させる所謂チョッパーカットで、環状溝２０－３の底面２７に密着したシート２３を全周に亘って切削して、シート２３に分割溝２３３を形成する。外周シート除去ステップ１０１０では、切削装置３０が、切削ブレード３８で環状溝２０－３の底面２７に密着したシート２３を全周に亘って切削すると、切削ブレード３６をウェーハ１から退避させ、図１９に示すように、シート２３の分割溝２３３よりも外周側を除去する。こうして、実施形態２において、外周シート除去ステップ１０１０では、少なくとも環状溝２０－３の底面２７の幅方向の中央よりも外周側のシート２３を取り除く。 In the outer peripheral sheet removal step 1010, the cutting device 30 lowers the cutting blade 38, and as shown in FIG. 18, the cutting blade 381 is cut into the center of the width direction of the annular groove 20-3 of the sheet 23 in contact with the bottom surface 27, and when the lower end of the cutting blade 381 cuts into the lower surface of the sheet 23, the lowering of the cutting blade 38 is stopped, and the wafer 1 is rotated around its axis on the chuck table 31 in a so-called chopper cut, cutting the sheet 23 in contact with the bottom surface 27 of the annular groove 20-3 all around, forming a dividing groove 233 in the sheet 23. In the outer peripheral sheet removal step 1010, when the cutting device 30 cuts the sheet 23 in contact with the bottom surface 27 of the annular groove 20-3 all around with the cutting blade 38, the cutting blade 36 is withdrawn from the wafer 1, and the outer peripheral side of the dividing groove 233 of the sheet 23 is removed as shown in FIG. Thus, in embodiment 2, in the outer peripheral sheet removal step 1010, at least the sheet 23 on the outer peripheral side of the center in the width direction of the bottom surface 27 of the annular groove 20-3 is removed.

実施形態２に係る加工方法のシート平坦化ステップ１００３では、図２０に示すように、実施形態１と同様に、バイト工具４７をシート２３の上面に切り込ませて、バイト切削装置４０がシート２３の上面２３２のうちの段差部２０である環状溝２０－３よりも内周側をバイト切削して平坦化するとともに、シート２３の環状溝２０－３の特に底面２７に密着した領域をバイト切削しない。また、シート平坦化ステップ１００３では、バイト切削装置４０の切削水供給ノズルからバイト工具４７の下端に吹き付けられる切削水４８は、図２１に示すように、ウェーハ１の段差部２０の側面２２に吹き付けられるが、底面２７に密着したシート２３の外周縁２３１には吹き付けられない。 In the sheet flattening step 1003 of the processing method according to the second embodiment, as shown in FIG. 20, the cutting tool 47 is cut into the upper surface of the sheet 23 in the same manner as in the first embodiment, and the cutting tool 40 cuts the inner periphery side of the annular groove 20-3, which is the step portion 20, of the upper surface 232 of the sheet 23 to flatten it, and does not cut the area of the annular groove 20-3 of the sheet 23 that is in close contact with the bottom surface 27 in particular. Also, in the sheet flattening step 1003, the cutting water 48 sprayed from the cutting water supply nozzle of the cutting tool 47 to the lower end is sprayed onto the side 22 of the step portion 20 of the wafer 1 as shown in FIG. 21, but is not sprayed onto the outer periphery 231 of the sheet 23 that is in close contact with the bottom surface 27.

実施形態２に係る加工方法のシート平坦化ステップ１００３では、実施形態１と同様に、加工装置５０が、保持テーブル５１の保持面５２にウェーハ１の表面５側をシート２３を介して吸引保持する。 In the sheet flattening step 1003 of the processing method according to the second embodiment, the processing device 50 suction-holds the front surface 5 side of the wafer 1 on the holding surface 52 of the holding table 51 via the sheet 23, as in the first embodiment.

実施形態２に係る加工方法の加工ステップ１００５では、実施形態１と同様に、加工装置５０が、図２２に示すように、ウェーハ１の裏面９に加工である研削を施す。 In processing step 1005 of the processing method according to the second embodiment, similar to the first embodiment, the processing device 50 performs a grinding process on the back surface 9 of the wafer 1 as shown in FIG. 22.

実施形態２に係る加工方法は、シート平坦化ステップ１００３を実施する前に、ウェーハ１の表面５の外周縁１０に沿ってウェーハ１の外周余剰領域４に表面５側から段差部である環状溝２０－３を形成し、シート配設ステップ１００２において、環状溝２０－３とウェーハ１の表面５を覆うシート２３を配設する。また、実施形態２に係る加工方法は、外周シート除去ステップ１０１０において、環状溝２０－３の底面２７の幅方向の中央よりも外周側のシート２３を取り除く。 In the processing method according to the second embodiment, before performing the sheet flattening step 1003, an annular groove 20-3, which is a step portion, is formed in the peripheral excess region 4 of the wafer 1 from the surface 5 side along the outer periphery 10 of the surface 5 of the wafer 1, and in the sheet disposing step 1002, a sheet 23 is disposed to cover the annular groove 20-3 and the surface 5 of the wafer 1. In addition, in the processing method according to the second embodiment, in the outer periphery sheet removing step 1010, the sheet 23 is removed from the outer periphery side of the center in the width direction of the bottom surface 27 of the annular groove 20-3.

その結果、実施形態２に係る加工方法は、環状溝２０－３の底面２７にシート２３の外周縁２３１が貼着しているので、シート平坦化ステップ１００３では、バイト工具４７がシート２３の外周縁２３１に接触することがなく、シート２３の剥離が誘発されることがないので、実施形態１と同様に、シート２３の平坦化中においてシート２３がウェーハ１から剥離してしまうおそれを低減することができるという効果を奏する。 As a result, in the processing method according to the second embodiment, since the outer peripheral edge 231 of the sheet 23 is adhered to the bottom surface 27 of the annular groove 20-3, in the sheet flattening step 1003, the cutting tool 47 does not come into contact with the outer peripheral edge 231 of the sheet 23, and peeling of the sheet 23 is not induced. As a result, similar to the first embodiment, the effect of reducing the risk of the sheet 23 peeling off from the wafer 1 during flattening of the sheet 23 is achieved.

また、実施形態２に係る加工方法は、シート平坦化ステップ１００３において切削水４８が底面２７に密着したシート２３の外周縁２３１には吹き付けられないので、シート２３の剥離が誘発されることがない。 In addition, in the processing method according to embodiment 2, the cutting water 48 is not sprayed onto the outer peripheral edge 231 of the sheet 23 that is in close contact with the bottom surface 27 in the sheet flattening step 1003, so peeling of the sheet 23 is not induced.

〔変形例〕
本発明の実施形態１及び実施形態２の変形例に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図２３は、実施形態１及び実施形態２の変形例に係る加工方法のシート平坦化ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。図２４は、実施形態１及び実施形態２に係る加工方法のシートの変形例の一部の断面図である。なお、図２３及び図２４は、実施形態１等と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Modifications]
The processing method according to the modified embodiment of the first and second embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 23 is a side view showing a schematic partial cross section of the sheet flattening step of the processing method according to the modified embodiment of the first and second embodiments. Fig. 24 is a partial cross section of the modified sheet of the processing method according to the first and second embodiments. In Figs. 23 and 24, the same parts as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

変形例に係る加工方法のシート平坦化ステップ１００３では、保持ステップ１００４と同様に、加工装置５０が、保持テーブル５１の保持面５２にウェーハ１の裏面９側を吸引保持する。変形例に係る加工方法のシート平坦化ステップ１００３では、加工ステップ１００５と同様に、加工装置５０が、図２３に示すように、保持テーブル５１を軸心回りに回転させつつ研削ユニット５５の研削ホイール５６を軸心回りに回転させて、研削ホイール５６の研削砥石５７をシート２３の上面２３２に接触させて、シート２３の上面２３２を研削して、シート２３の上面２３２を平坦化する。 In the sheet flattening step 1003 of the processing method according to the modified example, similar to the holding step 1004, the processing device 50 suction-holds the back surface 9 side of the wafer 1 on the holding surface 52 of the holding table 51. In the sheet flattening step 1003 of the processing method according to the modified example, similar to the processing step 1005, the processing device 50 rotates the holding table 51 around its axis while rotating the grinding wheel 56 of the grinding unit 55 around its axis, as shown in FIG. 23, to bring the grinding stone 57 of the grinding wheel 56 into contact with the upper surface 232 of the sheet 23, thereby grinding the upper surface 232 of the sheet 23 and flattening the upper surface 232 of the sheet 23.

図２３に示された変形例に係る加工方法は、シート平坦化ステップ１００３を実施する前に、ウェーハ１の表面５の外周縁１０に沿って段差部２０を形成し、シート配設ステップ１００２において、段差部２０とウェーハ１の表面５を覆うシート２３を配設する。その結果、変形例に係る加工方法は、シート平坦化ステップ１００３では、バイト工具４７がシート２３の外周縁２３１に接触することがなく、シート２３の剥離が誘発されることがないので、実施形態１等と同様に、シート２３の平坦化中においてシート２３がウェーハ１から剥離してしまうおそれを低減することができるという効果を奏する。 In the processing method according to the modified example shown in FIG. 23, before performing the sheet flattening step 1003, a step portion 20 is formed along the outer peripheral edge 10 of the surface 5 of the wafer 1, and in the sheet disposing step 1002, a sheet 23 is disposed to cover the step portion 20 and the surface 5 of the wafer 1. As a result, in the sheet flattening step 1003, the cutting tool 47 does not come into contact with the outer peripheral edge 231 of the sheet 23, and peeling of the sheet 23 is not induced. As a result, the processing method according to the modified example has the effect of reducing the risk of the sheet 23 peeling off the wafer 1 during flattening of the sheet 23, as in the first embodiment, etc.

なお、図２３は、ウェーハ１に段差部２０を形成した例を示しているが、本発明では、ウェーハ１に段差部２０－１，２０－２又は環状溝２０－３を形成しても良い。 Note that while FIG. 23 shows an example in which a step portion 20 is formed on the wafer 1, in the present invention, step portions 20-1, 20-2 or annular groove 20-3 may also be formed on the wafer 1.

また、本発明の加工方法は、シート２３－１が、図２４に示すように、基材２４と、基材２４に積層され粘着力を有する糊層２８とを備え、糊層２８が、紫外線が照射されると硬化するＵＶ硬化型の糊層の粘着力よりも低い、所謂非ＵＶ型の糊層であるものでも良い。このように、本発明の加工方法で用いられるシート２３，２３－１は、紫外線が照射されると硬化するＵＶ硬化型のシートの糊層よりも粘着力が低いものであるのが望ましい。 In addition, in the processing method of the present invention, as shown in FIG. 24, the sheet 23-1 may comprise a base material 24 and an adhesive layer 28 laminated on the base material 24 and having adhesive strength, and the adhesive layer 28 may be a so-called non-UV type adhesive layer having a lower adhesive strength than a UV-curable adhesive layer that hardens when irradiated with ultraviolet light. In this way, it is desirable that the sheets 23, 23-1 used in the processing method of the present invention have a lower adhesive strength than the adhesive layer of a UV-curable sheet that hardens when irradiated with ultraviolet light.

次に、本発明の発明者らは、本発明の効果を確認した。結果を以下の表１に示す。なお、図２５は、比較例１のシートが貼着されたウェーハの一部を示す断面図である。図２６は、比較例２のシートが貼着されたウェーハの一部を示す断面図である。図２７は、比較例３のシートが貼着されたウェーハの一部を示す断面図である。 Next, the inventors of the present invention confirmed the effects of the present invention. The results are shown in Table 1 below. Note that FIG. 25 is a cross-sectional view showing a portion of a wafer to which the sheet of Comparative Example 1 is attached. FIG. 26 is a cross-sectional view showing a portion of a wafer to which the sheet of Comparative Example 2 is attached. FIG. 27 is a cross-sectional view showing a portion of a wafer to which the sheet of Comparative Example 3 is attached.

表１は、比較例１、比較例２、比較例３、本発明品１、本発明品２、本発明品３及び本発明品４それぞれのシート２３の上面２３２をバイト工具４７でバイト切削した時のシート２３のウェーハ１からの剥離の有無を確認でした結果である。また、表１は、比較例１、比較例２、比較例３、本発明品１、本発明品２、本発明品３及び本発明品４それぞれにおいて、バイト工具４７のシート２３の上面２３２への切り込み深さを、順に１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ。４０μｍ、５０μｍにした時のシート２３のウェーハ１からの剥離の有無を確認でした結果でもある。表１は、剥離があったものをバツで示し、剥離しなかったものを丸で示している。 Table 1 shows the results of checking whether or not the sheet 23 peels off from the wafer 1 when the upper surface 232 of the sheet 23 is cut with the cutting tool 47 for each of Comparative Example 1, Comparative Example 2, Comparative Example 3, Inventive Product 1, Inventive Product 2, Inventive Product 3, and Inventive Product 4. Table 1 also shows the results of checking whether or not the sheet 23 peels off from the wafer 1 when the cutting depth of the cutting tool 47 into the upper surface 232 of the sheet 23 is set to 10 μm, 20 μm, 30 μm, 40 μm, and 50 μm, respectively, for each of Comparative Example 1, Comparative Example 2, Comparative Example 3, Inventive Product 1, Inventive Product 2, Inventive Product 3, and Inventive Product 4. In Table 1, items that peeled off are indicated by a cross, and items that did not peel off are indicated by a circle.

表１の比較例１は、図２５に示すように、段差部２０，２０－１，２０－２又は環状溝２０－３を形成することなく、シート配設ステップ１００２と同様の方法で、ウェーハ１の平坦な表面５の全体にシート２３を密着させた。表１の比較例２は、図２６に示すように、段差部２０，２０－１，２０－２又は環状溝２０－３を形成することなく、シート配設ステップ１００２と同様の方法で、ウェーハ１の平坦な表面５の全体と面取り部１１の全体とにシート２３を貼着した。表１の比較例３は、図２７に示すように、環状溝２０－３を形成し、シート配設ステップ１００２と同様の方法で、ウェーハ１の平坦な表面５全体、環状溝２０－３の内面２６及び底面２７にシート２３を貼着した。 In Comparative Example 1 of Table 1, as shown in FIG. 25, the sheet 23 was adhered to the entire flat surface 5 of the wafer 1 in the same manner as in the sheet disposing step 1002, without forming the step portions 20, 20-1, 20-2, or the annular groove 20-3. In Comparative Example 2 of Table 1, as shown in FIG. 26, the sheet 23 was adhered to the entire flat surface 5 of the wafer 1 and the entire chamfered portion 11 in the same manner as in the sheet disposing step 1002, without forming the step portions 20, 20-1, 20-2, or the annular groove 20-3. In Comparative Example 3 of Table 1, as shown in FIG. 27, the annular groove 20-3 was formed, and the sheet 23 was adhered to the entire flat surface 5 of the wafer 1, the inner surface 26 of the annular groove 20-3, and the bottom surface 27 in the same manner as in the sheet disposing step 1002.

表１の本発明品１は、実施形態２に係る加工方法の段差部形成ステップ１００１－２、シート配設ステップ１００２、外周シート除去ステップ１０１０を順に実施した。 Product 1 of the present invention in Table 1 was produced by carrying out step 1001-2 of the processing method according to embodiment 2, step 1002 of sheet placement, and step 1010 of removing the outer peripheral sheet, in that order.

表１の本発明品２は、実施形態１に係る加工方法の段差部形成ステップ１００１、シート配設ステップ１００２を順に実施し、平坦面２１の幅２０１（図５に示す）が３．０ｍｍで、かつ側面２２の深さ２０２（図５に示す）が０．２ｍｍの段差部２０を形成した。 Product 2 of the present invention in Table 1 was fabricated by sequentially carrying out step 1001 of forming a stepped portion and step 1002 of the processing method according to embodiment 1, forming a stepped portion 20 with a flat surface 21 having a width 201 (shown in FIG. 5) of 3.0 mm and a side surface 22 having a depth 202 (shown in FIG. 5) of 0.2 mm.

表１の本発明品３は、実施形態１に係る加工方法の段差部形成ステップ１００１、シート配設ステップ１００２を順に実施し、平坦面２１の幅２０１が０．６ｍｍで、かつ側面２２の深さ２０２が０．２ｍｍの段差部２０を形成した。 Product 3 of the present invention in Table 1 was fabricated by sequentially carrying out the step forming step 1001 and the sheet placement step 1002 of the processing method according to embodiment 1, forming a step 20 with a width 201 of the flat surface 21 of 0.6 mm and a depth 202 of the side surface 22 of 0.2 mm.

表１の本発明品４は、実施形態１の変形例１に係る加工方法の段差部形成ステップ１００１、シート配設ステップ１００２を順に実施し、第１平坦面２１－１と第２平坦面２１－２とを合わせた幅２０１－１（図１１に示す）が０．６ｍｍで、かつ第１側面２２－１と第２側面２２－２とを合わせた深さ２０２－１（図１１に示す）が０．４ｍｍの段差部２０－１を形成した。 Product 4 of the present invention in Table 1 was fabricated by sequentially carrying out step 1001 for forming a stepped portion and step 1002 for arranging a sheet in the processing method according to modified example 1 of embodiment 1, to form a stepped portion 20-1 having a combined width 201-1 (shown in FIG. 11) of 0.6 mm between the first flat surface 21-1 and the second flat surface 21-2, and a combined depth 202-1 (shown in FIG. 11) of 0.4 mm between the first side surface 22-1 and the second side surface 22-2.

表１によれば、比較例１は、切り込み深さが１０μｍの時にシート２３が剥離し、比較例２は、切り込み深さが２０μｍの時にシート２３が剥離し、比較例３は、切り込み深さが３０μｍの時にシート２３が剥離した。 According to Table 1, in Comparative Example 1, sheet 23 peeled off when the cut depth was 10 μm, in Comparative Example 2, sheet 23 peeled off when the cut depth was 20 μm, and in Comparative Example 3, sheet 23 peeled off when the cut depth was 30 μm.

このような比較例１、比較例２及び比較例３に対して、本発明品１、本発明品２、本発明品３及び本発明品４は、切り込み深さが１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ。４０μｍ、５０μｍの時それぞれにおいてシート２３の剥離を抑制できた。よって、表１によれば、段差部形成ステップ１００１において、段差部２０，２０－１を形成して、シート配設ステップ１００２を実施することによりシート平坦化ステップ１００３即ちシート２３の平坦化中においてシート２３の剥離を抑制できることが明らかとなったとともに、段差部形成ステップ１００１－２において、環状溝２０－３を形成して、シート配設ステップ１００２と外周シート除去ステップ１０１０を順に実施することによりシート平坦化ステップ１００３即ちシート２３の平坦化中においてシート２３の剥離を抑制できることが明らかとなった。 Compared to Comparative Example 1, Comparative Example 2, and Comparative Example 3, in the present invention products 1, 2, 3, and 4, the peeling of the sheet 23 was suppressed when the cutting depth was 10 μm, 20 μm, 30 μm, 40 μm, and 50 μm, respectively. Therefore, according to Table 1, it is clear that peeling of the sheet 23 can be suppressed during the sheet flattening step 1003, i.e., flattening of the sheet 23, by forming the step 20, 20-1 in the step forming step 1001 and performing the sheet disposing step 1002, and it is clear that peeling of the sheet 23 can be suppressed during the sheet flattening step 1003, i.e., flattening of the sheet 23, by forming the annular groove 20-3 in the step forming step 1001-2 and performing the sheet disposing step 1002 and the outer peripheral sheet removing step 1010 in sequence.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。前述した実施形態等では、保持ステップ１００４及び加工ステップ１００５を実施したが、本発明の加工方法は、保持ステップ１００４及び加工ステップ１００５を実施しなくても良い。 The present invention is not limited to the above embodiment. In other words, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. In the above-described embodiment, holding step 1004 and processing step 1005 are performed, but the processing method of the present invention does not need to perform holding step 1004 and processing step 1005.

１ウェーハ
５表面
１０外周縁（外周）
２０，２０－１，２０－２段差部
２０－３環状溝（段差部）
２１平坦面
２１－１第１平坦面（平坦面）
２１－２第２平坦面（平坦面）
２２側面
２２－１第１側面（側面）
２２－２第２側面（側面）
２３，２３－１シート
２５傾斜面
２３１外周縁
２３２上面
１００１，１００１－２段差部形成ステップ
１００２シート配設ステップ
１００３シート平坦化ステップ
１００４保持ステップ
１００５加工ステップ
１０１０外周シート除去ステップ 1 Wafer 5 Surface 10 Outer periphery (periphery)
20, 20-1, 20-2 Step portion 20-3 Annular groove (step portion)
21 Flat surface 21-1 First flat surface (flat surface)
21-2 Second flat surface (flat surface)
22 Side 22-1 First side (side)
22-2 Second side (side)
23, 23-1 sheet 25 inclined surface 231 outer periphery 232 upper surface 1001, 1001-2 step forming step 1002 sheet disposing step 1003 sheet flattening step 1004 holding step 1005 processing step 1010 outer periphery sheet removing step

Claims

A processing method comprising the steps of:
a step forming step of removing a portion of the wafer in an annular shape along the outer periphery of the front surface of the wafer to form a step on the outer periphery of the wafer;
a sheet disposing step of disposing a sheet on the surface of the wafer to cover the step and the surface of the wafer after the step forming step is performed, so that an inner side of the sheet is higher than an outer periphery of the sheet;
a sheet flattening step of flattening the upper surface of the sheet except for the outer peripheral edge of the sheet by grinding or cutting with a cutting tool after the sheet disposing step is performed;
Equipped with
In the step forming step, a part of the wafer is removed in an annular shape from the surface to a predetermined depth exceeding the thickness of the sheet.
A processing method characterized by the above .

After the sheet flattening step is performed,
a holding step of holding the wafer on a holding table via the sheet;
2. The processing method according to claim 1, further comprising a processing step of processing the wafer held by the holding table.

The processing method according to claim 1 or 2, wherein the step portion includes a flat surface along the surface and a side surface extending from the flat surface to the surface.

The processing method according to claim 1 or 2, wherein the step portion includes an inclined surface that slopes from the surface of the wafer toward the outer periphery.

the step portion comprises an annular groove formed on the outer periphery of the surface of the wafer;
In the sheet disposing step, the sheet is brought into close contact with an inner surface and a bottom surface of the annular groove, which is the step portion,
The processing method described in claim 1 or claim 2, further comprising an outer sheet removal step in which, after performing the sheet placement step and before performing the sheet flattening step, at least the sheet on the outer peripheral side of the widthwise center of the bottom surface of the annular groove is removed, and the outer peripheral edge of the sheet remains adhered to the bottom surface of the annular groove even after the outer peripheral side is removed.