JP7703214B2 - Manufacturing method for blue laser mirror - Google Patents
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Description
本発明は、青色レーザーの反射等に利用可能な青色レーザー光用ミラーの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a mirror for blue laser light that can be used to reflect a blue laser, etc.
レーザー溶接の光学系において、特許文献1(特開2015-79132号公報)に記載されるような、レーザーを反射するミラーが用いられる。
このミラーは、石英基板上に全60層の多層膜構造を有しており、波長1030nm(Yb:YAGレーザー)を反射する。そして、[0022]及び図6に記載されているように、このミラーの透過率は、1030nm及びその前後30nmの光に対して、ほぼ0である。
In the optical system of laser welding, a mirror that reflects a laser is used, as described in Patent Document 1 (JP 2015-79132 A).
This mirror has a multilayer structure of 60 layers on a quartz substrate, and reflects light with a wavelength of 1030 nm (Yb:YAG laser). As described in [0022] and Fig. 6, the transmittance of this mirror is almost 0 for light with a wavelength of 1030 nm and light with a wavelength of 30 nm around it.
近時、車載電池等の加工において、銅、アルミニウム(それぞれ合金を含む)等の高品質な溶接が求められている。
銅及びアルミニウムにおける1000nm前後の波長の光の吸収率は10~20%程度と低く、当該波長に係る高品質で高効率なレーザー溶接は困難である。
他方、より波長の短い青色域(例えば400nm以上500nm以下の波長域)の光、即ち青色光における銅及びアルミニウムの吸収率は、20~80%程度とより高い。よって、銅及びアルミニウムは、当該波長に係るレーザー(青色レーザー)により、より高品質で高効率に溶接可能である。
青色レーザーの発振には、レーザーダイオードが用いられ、発振波長の機種差及び個体差が、1000nm前後の波長のレーザーに比べて大きく発現する。従って、青色レーザーの光学系に用いるミラーでは、反射率の高い波長域をより広くとる必要がある。しかし、多層膜構造に係るミラーでは、多層膜構造の設計上、高反射率の波長域を広くするほど反射率を高くすることが難しくなり、反射率が下がる傾向にある(波長域の広さと反射率のトレードオフ)。又、60層程度の多層膜構造では、設計時に想定した反射率が、実際に成膜したミラーでは得られないことがある。よって、青色レーザーの光学系に対応するため高反射率の波長域をより広くしたミラーにおいて、反射率に向上の余地がある。
Recently, in the processing of automotive batteries and the like, there is a demand for high-quality welding of copper, aluminum (including alloys of each), and the like.
The absorptance of light with a wavelength of around 1000 nm in copper and aluminum is low, at around 10 to 20%, making it difficult to achieve high-quality, highly efficient laser welding for this wavelength.
On the other hand, the absorption rate of copper and aluminum in light of a shorter wavelength in the blue range (for example, a wavelength range of 400 nm or more and 500 nm or less), i.e., blue light, is higher at about 20 to 80%. Therefore, copper and aluminum can be welded with higher quality and efficiency by using a laser relating to this wavelength (blue laser).
A laser diode is used to oscillate a blue laser, and the model and individual differences in the oscillation wavelength are more pronounced than those of lasers with wavelengths of around 1000 nm. Therefore, mirrors used in blue laser optical systems need to have a wider wavelength range with high reflectance. However, in mirrors with multilayer film structures, the wider the wavelength range with high reflectance is, the more difficult it becomes to increase the reflectance, and the reflectance tends to decrease (trade-off between the width of the wavelength range and the reflectance). In addition, in a multilayer film structure with about 60 layers, the reflectance assumed at the time of design may not be obtained in the mirror that is actually formed. Therefore, there is room for improvement in the reflectance of mirrors with a wider wavelength range with high reflectance to accommodate blue laser optical systems.
そこで、本発明の主な目的の一つは、青色域に係る高反射率の波長域が広く、その波長域における反射率が高い青色レーザー光用ミラーを製造する方法を提供することである。 Therefore, one of the main objects of the present invention is to provide a method for producing a mirror for blue laser light that has a wide wavelength range in which high reflectance is achieved in the blue region and has high reflectance in that wavelength range.
上記主な目的の一つを達成するため、請求項1に記載の発明は、青色レーザー光用ミラーの製造方法において、2乗平均粗さが1Åを超えて5Å以下である、ガラス製、結晶製、又はセラミックス製の基材の表面に、青色域の波長のレーザー光を反射する、誘電体材料あるいは半導体材料のみを用いた光学多層膜を直接形成し、前記光学多層膜における、400nm以上500nm以下の波長域での反射帯の幅が、70nm以上であり、前記反射帯における反射率は、97.5%以上であることを特徴とするものである。
上記主な目的の一つを達成するため、請求項2に記載の発明は、青色レーザー光用ミラーの製造方法において、粗さ周期250nm以上でフィルタリングした2乗平均粗さが3.5Å以下であり、且つ2乗平均粗さが1Åを超えている、ガラス製、結晶製、又はセラミックス製の基材の表面に、青色域の波長のレーザー光を反射する、誘電体材料あるいは半導体材料のみを用いた光学多層膜を直接形成し、前記光学多層膜における、400nm以上500nm以下の波長域での反射帯の幅が、70nm以上であり、前記反射帯における反射率は、97.5%以上であることを特徴とするものである。
In order to achieve one of the above-mentioned main objects, the invention described in
In order to achieve one of the above-mentioned main objects, the invention described in
本発明の主な効果の一つは、青色域に係る高反射率の波長域が広く、その波長域における反射率が高いミラーが提供されることである。
又、本発明の主な目的の他の一つは、青色域に係る高反射率の波長域が広く、その波長域における反射率が高いミラーを製造する方法が提供されることである。
One of the main effects of the present invention is that a mirror having a wide wavelength range of high reflectance in the blue range and having high reflectance in that wavelength range is provided.
Another main object of the present invention is to provide a method for producing a mirror having a wide wavelength range of high reflectance in the blue range and high reflectance in that wavelength range.
以下、本発明に係る実施の形態の例が、適宜図面に基づいて説明される。尚、本発明の形態は、これらの例に限定されない。 Below, examples of embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate. Note that the present invention is not limited to these examples.
図1に示されるように、本発明に係るミラー1は、基材2と、光学多層膜4と、を有している。
基材2は、光学多層膜4が直接成膜された基材表面Qを備えている。ミラー1は、基材表面Q上に積層された光学多層膜4において青色レーザーを反射する。
尚、光学多層膜4は、基材2の表面である基材表面Qに対し、他の膜を介して、即ち間接的に成膜されても良い。又、光学多層膜4の外側(空気側)に、保護膜及び防汚膜の少なくとも一方等の別種の膜が配置されても良い。当該別種の膜は、単層膜であっても良いし、多層膜であっても良い。光学多層膜4の構成に、当該別種の膜の構成が含められても良い。
As shown in FIG. 1, a
The
The
基材2は、透光性を有していても良いし、透光性を有していなくても良い。
基材2の材質は、特に限定されず、例えば非金属の、ガラス、結晶、セラミックス、あるいは樹脂である。
基材2の形状は、特に限定されず、例えば平行平板、あるいはウェッジ付きである。
The
The material of the
The shape of the
光学多層膜4は、青色レーザー(青色光)の反射に寄与するものであって、例えば、誘電体材料あるいは半導体材料を用いた無機多層膜であり、誘電体多層膜あるいは半導体多層膜である。
光学多層膜4は、基材2の少なくとも一面における一部又は全部に形成される。
光学多層膜4は、低屈折率層及び高屈折率層を含む。光学多層膜4において、低屈折率層及び高屈折率層は、好ましくは交互に配置される。又、光学多層膜4は、更に中屈折率層を含み得る。
高屈折率層及び低屈折率層(並びに中屈折率層)の層数及び材質の選択、並びに各層における厚み(層に係る物理膜厚あるいは光学膜厚)の増減といった設計要素の変更により、光学多層膜4の設計が変更される。
例えば、中屈折率層がこれと光学的に等価である高屈折率層と低屈折率層との組合せにより置換される等、光学多層膜4における一部又は全部の構造は、光学的に等価な他の構造に置換されても良い。
The
The
The
The design of the
For example, a part or all of the structure in the
高屈折率層は、例えば、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化チタン(TiO2)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化ハフニウム(HfO2)、酸化ランタン(La2O3)、シリコン(Si)、若しくは酸化プラセオジム(Pr2O3)又はこれらの二種以上の混合物といった高屈折率材料から形成される。
又、低屈折率層は、例えば、酸化ケイ素(SiO2)、酸化アルミニウム(Al2O3)、フッ化カルシウム(CaF2)、フッ化マグネシウム(MgF2)、酸化アルミニウムと酸化プラセオジムとの組合せ(Al2O3-Pr2O3)、酸化アルミニウムと酸化ランタンとの組合せ(Al2O3-La2O3)、若しくは酸化アルミニウムと酸化タンタルとの組合せ(Al2O3-Ta2O5)、又はこれらの二種以上の混合物といった低屈折率材料から形成される。
中屈折率層は、例えばAl2O3、Pr2O3、La2O3、Al2O3-Pr2O3、Al2O3-La2O3、といった中屈折率材料から形成される。
尚、例えば、上述の高屈折率材料から2つの材料を選択して、光学多層膜4が形成されても良い。又、光学多層膜4の外部あるいは内部に、防汚膜等の他の機能を有する膜が組み合わせられても良い。
The high refractive index layer is formed from a high refractive index material such as zirconium oxide ( ZrO2 ), titanium oxide ( TiO2 ), tantalum oxide ( Ta2O5 ), niobium oxide ( Nb2O5 ), hafnium oxide ( HfO2 ), lanthanum oxide ( La2O3 ), silicon (Si), or praseodymium oxide ( Pr2O3 ), or a mixture of two or more of these.
The low refractive index layer is formed from a low refractive index material such as silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), calcium fluoride (CaF 2 ), magnesium fluoride (MgF 2 ), a combination of aluminum oxide and praseodymium oxide (Al 2 O 3 -Pr 2 O 3 ), a combination of aluminum oxide and lanthanum oxide (Al 2 O 3 -La 2 O 3 ), or a combination of aluminum oxide and tantalum oxide (Al 2 O 3 -Ta 2 O 5 ), or a mixture of two or more of these.
The medium refractive index layer is made of a medium refractive index material such as Al 2 O 3 , Pr 2 O 3 , La 2 O 3 , Al 2 O 3 --Pr 2 O 3 , or Al 2 O 3 --La 2 O 3 .
For example, two materials may be selected from the above-mentioned high refractive index materials to form the
光学多層膜4の低屈折率層及び高屈折率層(並びに中屈折率層)は、例えば物理蒸着により形成され、より詳しくは真空蒸着法あるいはイオンアシスト蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法等により形成される。
光学多層膜4は、基材2における複数の面に形成されても良い。即ち、基材2は、光学多層膜4が成膜される基材表面Qを、複数有していても良い。例えば、光学多層膜4は、平行平板あるいはウェッジ付き、凹面、凸面の基材2の表裏両面に形成されても良い。
The low and high refractive index layers (as well as the medium refractive index layer) of the
The
比較的に域幅の大きい青色レーザー用のミラー1に係る設計の容易性の確保、又設計通りの性能の可及的な確保の観点から、400nm以上500nm以下の波長域における高屈折率材料の屈折率は、2.0以上2.35以下であると好ましい。又、同様の観点から、400nm以上500nm以下の波長域における低屈折率材料の屈折率は、1.45以上1.5以下であると好ましい。
From the viewpoint of ensuring ease of design for the
そして、ミラー1において、光学多層膜4の表面である光学多層膜表面Rの2乗平均粗さ(RMS)は、0.5nm(5Å)以下である。RMSを測る方法は複数存在するところ、各方法において同じ対象を測定しても、分解能の違い等により測定値が互いに異なることがある。ここでは、RMSは、原子間力顕微鏡(AFM)により測定される。AFMのサンプリング間隔は、11.7nmとする。
又、光学多層膜表面Rの、空間周波数250nm以上でフィルタリングしたRMS(ここではfRMSとする)は、0.35nm(3.5Å)以下である。かようなfRMSは、上述のRMSに基づいて算出され、RMSに基づく計算値である。尚、fRMSは、AFMにより直接測定されても良い。
光学多層膜表面Rの粗さは、光学多層膜4が物理蒸着等により基本的に各箇所で同等の膜厚で形成されることから、基材表面Qの粗さに依存する。光学多層膜表面Rの粗さを所定程度以下としたい場合、基材表面Qの粗さが当該所定程度以下であることが好ましい。
かように、ミラー1において光学多層膜表面Rの粗さが所定程度以下であれば、青色レーザーのために高反射率域(反射帯)の幅を例えば70nm以上に広くとったとしても、反射帯全域で反射率の低下が抑制される。反射帯の幅が70nm以上であれば、青色レーザーにおける発振波長の機種差及び個体差に対応可能である。反射帯における反射率の最低値が97.5%以上であれば、青色レーザーの光学系に、出力低下が抑制された状態で導入可能である。
In the
The RMS (herein referred to as fRMS) of the optical multilayer surface R filtered at a spatial frequency of 250 nm or more is 0.35 nm (3.5 Å) or less. Such fRMS is calculated based on the above-mentioned RMS and is a calculated value based on the RMS. Incidentally, fRMS may be measured directly by AFM.
Since the
Thus, if the roughness of the optical multilayer surface R of the
一般に、多層膜が成膜される基材表面は、コストと質のバランスの観点から、一般光学研磨で仕上げられている。今回、その表面粗さの周期Tが測定され、1000nm(1μm)程度と判明した。
そして、X線領域において、下記式(1)に係る表面粗さに伴う散乱理論が知られている。
ここで、Rは正反射率、R0は理想平面での正反射率、λは光の波長、n0は入射媒質の屈折率、σは表面の2乗平均粗さ、θは入射角である。
Generally, the surface of a substrate on which a multilayer film is formed is finished by general optical polishing from the viewpoint of the balance between cost and quality. In this study, the period T of the surface roughness was measured and found to be about 1000 nm (1 μm).
In the X-ray region, a scattering theory associated with surface roughness, which is related to the following formula (1), is known.
Here, R is the regular reflectance, R 0 is the regular reflectance on an ideal flat surface, λ is the wavelength of light, n 0 is the refractive index of the incident medium, σ is the root mean square roughness of the surface, and θ is the angle of incidence.
しかし、かような散乱理論は、対象とする波長λに対して表面粗さの周期Tが十分に長くなっている場合(λ≪T)に成立する。
青色レーザーに関するミラー1では、λ(450nm前後)に対して一般光学研磨におけるT(1μm程度)が近く、λ≪Tとは言えず、上述の散乱理論は成立しない。
よって、反射帯における反射率は、上述の散乱理論からは精密に予測できず、実際に試作したサンプルから傾向を把握する必要がある。
そして、サンプルが多数製作され、主に反射率低下抑制の観点から、上述のRMS及びfRMSの各上限が見出された。
RMSが5Å以下となる基材表面Qの仕上げとして、例えばスーパーポリッシュと呼ばれるRMSが1Å以下となる表面を得る技術が存在する。
However, such a scattering theory is valid only when the period T of the surface roughness is sufficiently long with respect to the wavelength λ of interest (λ<<T).
In the
Therefore, the reflectance in the reflection band cannot be precisely predicted from the above-mentioned scattering theory, and it is necessary to understand the tendency from an actual prototype sample.
A large number of samples were then produced, and the upper limits of the RMS and fRMS were found, mainly from the viewpoint of suppressing a decrease in reflectance.
As a method for finishing the substrate surface Q so that the RMS is 5 Å or less, there is a technique called super polishing, for example, which obtains a surface with an RMS of 1 Å or less.
ミラー1は、RMSが5Å以下の基材表面Qに対し、青色光を反射する光学多層膜4を形成して製造され得る(ミラーの第1の製造方法)。
又、ミラー1は、fRMSが3.5Å以下の基材表面Qに対し、青色光を反射する光学多層膜4を形成して製造され得る(ミラーの第2の製造方法)。
The
Alternatively, the
次に、本発明の上記実施形態に準じた実施例が示される。
但し、実施例は、本発明の範囲を限定するものではない。
又、本発明の捉え方により、実施例が、本発明の範囲外となる実質的な比較例となったり、比較例が、本発明の範囲内である実質的な実施例となったりすることがある。
Next, examples according to the above-described embodiment of the present invention will be described.
However, the examples do not limit the scope of the present invention.
Furthermore, depending on how the present invention is understood, an Example may be essentially a Comparative Example outside the scope of the present invention, or a Comparative Example may be essentially an Example within the scope of the present invention.
[実施例1~2,比較例1]
実施例1~2及び比較例1として、3種類の平行平板の基材2(基板)の片面(基材表面Q)に対し、同一の膜構成の光学多層膜4を有している各ミラーが形成された。
各基板は、合成石英製であり、互いに基材表面Qにおける研磨精度のみが相違する。
光学多層膜4は、基板に最も近い層を第1層として奇数層がSiO2(低屈折率材料Lによる低屈折率層)、偶数層がTa2O5(高屈折率材料Hによる高屈折率層)である交互膜であり、各層は次の表1に示すような物理膜厚(nm)を有している。SiO2及びTa2O5の各屈折率分散は、図2に示される通りである。光学多層膜4の全層数は、69である。光学多層膜4は、イオンアシスト蒸着により、実施例1~2及び比較例1について同一のバッチで製造された。
光学多層膜表面RのRMSの差は、基材表面Qの研磨精度の差による。1種類目(実施例1)の光学多層膜表面RにおけるRMSは、3.7Åである。2種類目(実施例2)の光学多層膜表面RにおけるRMSは、4.8Åである。3種類目(比較例1)の光学多層膜表面RにおけるRMSは、5.9Åである。
[Examples 1 to 2, Comparative Example 1]
In Examples 1 and 2 and Comparative Example 1, mirrors having
The substrates are made of synthetic quartz, and differ from each other only in the polishing accuracy of the base material surface Q.
The
The difference in RMS of the optical multilayer film surface R is due to the difference in the polishing accuracy of the substrate surface Q. The RMS of the optical multilayer film surface R of the first type (Example 1) is 3.7 Å. The RMS of the optical multilayer film surface R of the second type (Example 2) is 4.8 Å. The RMS of the optical multilayer film surface R of the third type (Comparative Example 1) is 5.9 Å.
図3は、実施例1における光学多層膜表面RのAFM像である。図4は、実施例2における光学多層膜表面RのAFM像である。図5は、比較例1における光学多層膜表面RのAFM像である。これらのAFM像に係る測定領域は、一辺3μmの正方形である。
これらのAFM像によれば、実施例1、実施例2、比較例1の順で、光学多層膜表面Rが粗くなっていることが分かる。
Fig. 3 is an AFM image of the optical multilayer film surface R in Example 1. Fig. 4 is an AFM image of the optical multilayer film surface R in Example 2. Fig. 5 is an AFM image of the optical multilayer film surface R in Comparative Example 1. The measurement regions for these AFM images are squares with sides of 3 μm.
These AFM images show that the roughness of the optical multilayer film surface R increases in the order of Example 1, Example 2, and Comparative Example 1.
図6は、図3(実施例1)のAFM像について、像内で最も低い地点を基準とした高さに応じて色分けした画像である。この画像から得られる実施例1のRMS粗さは、3.7Åである。
図7は、図3の画像に対し、粗さ周期(空間周波数)250nm以下でのフィルタリングをかけたものについて、像内で最も低い地点を基準とした高さに応じて色分けしたものである。このフィルタリングは、フーリエ変換により粗さ周期250nmを超えるものを除去して行われる。このフィルタリングにより、引っ掻き傷及び一般光学研磨程度の仕上げで見受けられる研磨痕の少なくとも一方等による大局的な光学多層膜表面Rの高さの変化の影響が除去される。一般光学研磨程度の仕上げで見受けられる基材表面Qの研磨痕の粗さ周期は、1μm程度であることが多く、粗さ周期250nm以下でのフィルタリングは、かような研磨痕の影響を十分に除去する。この画像から得られる実施例1の大局的な変化の影響が除去された光学多層膜表面RのRMS粗さは、2.9Åである。
図8は、図3の画像に対し、粗さ周期250nm以上でのフィルタリングをかけたものについて、像内で最も低い地点を基準とした高さに応じて色分けした画像である。このフィルタリングは、フーリエ変換により粗さ周期250nm未満のものを除去して行われる。このフィルタリングにより、大局的な光学多層膜表面Rの高さの変化が把握される。この画像から得られる実施例1の大局的なRMS粗さ(fRMS)は、1.7Åである。
6 is a color-coded image of the AFM image of FIG. 3 (Example 1) according to the height relative to the lowest point in the image. The RMS roughness of Example 1 obtained from this image is 3.7 Å.
FIG. 7 shows the image of FIG. 3 filtered with a roughness period (spatial frequency) of 250 nm or less, and color-coded according to the height based on the lowest point in the image. This filtering is performed by removing roughness periods exceeding 250 nm by Fourier transform. This filtering removes the influence of the global change in height of the optical multilayer film surface R caused by at least one of scratches and polishing marks seen in finishing to the extent of general optical polishing. The roughness period of polishing marks on the substrate surface Q seen in finishing to the extent of general optical polishing is often about 1 μm, and filtering with a roughness period of 250 nm or less sufficiently removes the influence of such polishing marks. The RMS roughness of the optical multilayer film surface R from which the influence of the global change of Example 1 obtained from this image has been removed is 2.9 Å.
8 is an image obtained by filtering the image of FIG. 3 with a roughness period of 250 nm or more, and color-coding the image according to the height based on the lowest point in the image. This filtering is performed by removing roughness periods of less than 250 nm using a Fourier transform. This filtering allows the global change in height of the optical multilayer film surface R to be grasped. The global RMS roughness (fRMS) of Example 1 obtained from this image is 1.7 Å.
図9は、図4(実施例2)のAFM像について、像内で最も低い地点を基準とした高さに応じて色分けした画像である。この画像から得られる実施例2のRMS粗さは、4.8Åである。
図10は、図4の画像に対し、上述同様に粗さ周期250nm以下でのフィルタリングをかけて色分けしたものである。この画像から得られる実施例2の大局的な変化の影響が除去されたRMS粗さは、2.8Åである。
図11は、図4の画像に対し、上述同様に粗さ周期250nm以上でのフィルタリングをかけて色分けしたものである。この画像から得られる実施例2の大局的なRMS粗さ(fRMS)は、3.1Åである。
9 is an image of the AFM image of FIG. 4 (Example 2) color-coded according to height relative to the lowest point in the image. The RMS roughness of Example 2 obtained from this image is 4.8 Å.
Fig. 10 is a color-coded image obtained by filtering the image in Fig. 4 with a roughness period of 250 nm or less in the same manner as described above. The RMS roughness obtained from this image, from which the influence of the global change in Example 2 has been removed, is 2.8 Å.
Fig. 11 is a color-coded image obtained by filtering the image in Fig. 4 with a roughness period of 250 nm or more in the same manner as described above. The global RMS roughness (fRMS) of Example 2 obtained from this image is 3.1 Å.
図12は、図5(比較例1)のAFM像について、像内で最も低い地点を基準とした高さに応じて色分けした画像である。この画像から得られる比較例1のRMS粗さは、5.9Åである。
図13は、図5の画像に対し、上述同様に粗さ周期250nm以下でのフィルタリングをかけて色分けしたものである。この画像から得られる比較例1の大局的な変化の影響が除去されたRMS粗さは、3.2Åである。
図14は、図5の画像に対し、上述同様に粗さ周期250nm以上でのフィルタリングをかけたものである。この画像から得られる比較例1の大局的なRMS粗さ(fRMS)は、4.0Åである。
12 is an image in which the AFM image of FIG. 5 (Comparative Example 1) is color-coded according to height relative to the lowest point in the image. The RMS roughness of Comparative Example 1 obtained from this image is 5.9 Å.
Fig. 13 is a color-coded image obtained by filtering the image in Fig. 5 with a roughness period of 250 nm or less in the same manner as described above. The RMS roughness obtained from this image, from which the influence of the global change in Comparative Example 1 has been removed, is 3.2 Å.
Fig. 14 shows an image obtained by filtering the image of Fig. 5 with a roughness period of 250 nm or more in the same manner as described above. The global RMS roughness (fRMS) of Comparative Example 1 obtained from this image is 4.0 Å.
図15は、実施例1~2,比較例1、並びに光学多層膜4の各膜厚の設計値に対して通常のシミュレーションを適用したもの、及び光学多層膜4の各膜厚の設計値に対して上述の式(1)に係る散乱理論を適用したものにおける、入射角45°のs偏光の光に対する分光反射率のグラフである。
図16は、実施例1~2,比較例1、並びに光学多層膜4の各膜厚の設計値に対して通常のシミュレーションを適用したもの、及び光学多層膜4の各膜厚の設計値に対して上述の式(1)に係る散乱理論を適用したものにおける、入射角45°のp偏光の光に対する分光反射率のグラフである。
図15,図16における波長域は、青色レーザーに適した波長域を含むことに鑑み、370nm以上550nm以下とされている。
図15,図16における散乱理論の適用において、RMSは、5.9Åに設定されている。
FIG. 15 is a graph showing the spectral reflectance for s-polarized light with an incidence angle of 45° for Examples 1 and 2, Comparative Example 1, and for a case in which a normal simulation was applied to the design values of each thickness of the
FIG. 16 is a graph showing the spectral reflectance for p-polarized light with an incidence angle of 45° for Examples 1 and 2, Comparative Example 1, and for a case in which a normal simulation was applied to the design values of each thickness of the
The wavelength range in FIG. 15 and FIG. 16 is set to 370 nm or more and 550 nm or less, taking into consideration that the wavelength range includes a wavelength range suitable for blue lasers.
In applying the scattering theory in Figures 15 and 16, the RMS is set to 5.9 Å.
図15,図16によれば、通常のシミュレーションを適用したもの、及び散乱理論を適用したものの各分光反射率(理論)は、全域で同様であり、390nm以上480nm以下の波長域(青色域)において99.2%以上となっている。
一方、比較例1の分光反射率は、青色域の短波長側半分で97%以上99%以下程度となっており、理論に対して最大2ポイント程度低くなっている。
他方、実施例2の分光反射率は、青色域の短波長側半分で98%以上99.5%以下程度となっており、理論に対して最大1.5ポイント程度の低下に抑えられている。
又、実施例1の分光反射率は、青色域の短波長側半分で98.5%以上99.5%以下程度となっており、理論に対して最大1ポイント程度の低下に抑えられている。
よって、基板のRMSが5Å以下である実施例1,2では、青色レーザーの反射に関する青色域での反射率の理論値からの低下が、比較例1に比べて抑制される。
実施例1,2の反射帯(反射率最小値97.5%以上)は、s偏光、p偏光共に390nm以上500nm以下(幅が70nm以上の110nm)で確保されている。
According to FIGS. 15 and 16 , the spectral reflectances (theoretical) of the cases where a normal simulation was applied and where scattering theory was applied are similar across the entire range, and are 99.2% or more in the wavelength range of 390 nm or more and 480 nm or less (blue range).
On the other hand, the spectral reflectance of Comparative Example 1 is about 97% to 99% in the short wavelength half of the blue range, which is lower than the theoretical value by up to about 2 points.
On the other hand, the spectral reflectance of Example 2 is about 98% to 99.5% in the short wavelength half of the blue region, which is reduced by a maximum of about 1.5 points compared to the theoretical value.
Moreover, the spectral reflectance of Example 1 is about 98.5% to 99.5% in the short wavelength half of the blue region, which is reduced by a maximum of about 1 point compared to the theoretical value.
Therefore, in Examples 1 and 2 in which the RMS of the substrate is 5 Å or less, the decrease in reflectance in the blue region with respect to the reflection of the blue laser from the theoretical value is suppressed compared to Comparative Example 1.
The reflection band (minimum reflectance value of 97.5% or more) in Examples 1 and 2 is ensured to be 390 nm or more and 500 nm or less (width of 70 nm or more and 110 nm or less) for both s-polarized light and p-polarized light.
図17は、実施例1~2,比較例1における、フィルタリング前の各RMS、粗さ周期250nm以上でのフィルタリング後の各RMS、及び粗さ周期250nm以下でのフィルタリング後の各RMSのグラフである。
図17において、粗さ周期250nm以上でのフィルタリング後の各RMSの差は、粗さ周期250nm以下でのフィルタリング後の各RMSの差に比べて、大きい。
よって、粗さ周期250nm以上でのフィルタリング後の各RMSの差(fRMSの差)が、実施例1~2,比較例1の特性の差についてより大きくかかわっている。
従って、光学多層膜表面Rにおける粗さ周期250nm以上でのフィルタリング後のRMS(fRMS)が3.5Å以下である実施例1,2では、青色レーザーの反射に関する青色域での反射率の理論値からの低下が、比較例1に比べて抑制される。
よって、実施例1~2は、青色域に係る高反射率の波長域が広く、その波長域における反射率が高いミラーとなる。従って、実施例1~2では、銅及びアルミニウム等の高精度での加工等に必要な青色レーザーの光学系に用いられた場合に、反射による青色レーザーの強度低下が抑制される。
FIG. 17 is a graph showing the RMS values before filtering, the RMS values after filtering when the roughness period is 250 nm or more, and the RMS values after filtering when the roughness period is 250 nm or less in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1.
In FIG. 17, the difference in each RMS value after filtering when the roughness period is 250 nm or more is larger than the difference in each RMS value after filtering when the roughness period is 250 nm or less.
Therefore, the difference in each RMS after filtering at a roughness period of 250 nm or more (fRMS difference) is more significantly related to the difference in characteristics between Examples 1 and 2 and Comparative Example 1.
Therefore, in Examples 1 and 2, in which the RMS (fRMS) after filtering at a roughness period of 250 nm or more on the optical multilayer film surface R is 3.5 Å or less, the decrease in reflectance in the blue range regarding the reflection of blue laser light from the theoretical value is suppressed compared to Comparative Example 1.
Therefore, in Examples 1 and 2, the wavelength range of high reflectance in the blue range is wide, and the mirror has high reflectance in that wavelength range. Therefore, in Examples 1 and 2, when used in an optical system of a blue laser necessary for high-precision processing of copper, aluminum, etc., a decrease in the intensity of the blue laser due to reflection is suppressed.
[実施例3,比較例2]
実施例3及び比較例2として、基板の成膜に係る光学多層膜4の膜構成及び光学多層膜表面RのRMSが異なることを除き上記実施例1等と同様である各ミラーが形成された。
実施例3及び比較例2の光学多層膜4は、基板に最も近い層を第1層として奇数層がTa2O5(高屈折率材料Hによる高屈折率層)、偶数層がSiO2(低屈折率材料Lによる低屈折率層)である交互膜であり、各層は次の表2に示すような物理膜厚(nm)を有している。SiO2及びTa2O5の各屈折率分散は、図18に示される通りである。光学多層膜4の全層数は、102である。光学多層膜4は、イオンアシスト蒸着により、実施例3及び比較例2について同一のバッチで製造された。
実施例3の光学多層膜表面RにおけるRMSは、4.9Åである。比較例2の光学多層膜表面RにおけるRMSは、8.6Åである。各RMSの測定領域は、上述の通り、一辺3μmの正方形である。光学多層膜表面RのRMSの差は、基材表面Qの仕上げの精度の差による。
[Example 3, Comparative Example 2]
As Example 3 and Comparative Example 2, mirrors were formed that were similar to those of Example 1 and the like, except that the film configuration of the
The
The RMS of the optical multilayer film surface R of Example 3 is 4.9 Å. The RMS of the optical multilayer film surface R of Comparative Example 2 is 8.6 Å. The measurement area for each RMS is a square with one side of 3 μm, as described above. The difference in RMS of the optical multilayer film surface R is due to the difference in the finishing accuracy of the substrate surface Q.
図19は、実施例3における光学多層膜表面RのAFM像である。図20は、比較例2における光学多層膜表面RのAFM像である。これらのAFM像に係る測定領域は、一辺3μmの正方形である。
これらのAFM像によれば、実施例3、比較例2の順で、基材表面Qが粗くなっていることが分かる。
Fig. 19 is an AFM image of the optical multilayer film surface R in Example 3. Fig. 20 is an AFM image of the optical multilayer film surface R in Comparative Example 2. The measurement regions for these AFM images are squares with sides of 3 µm.
According to these AFM images, it can be seen that the substrate surface Q becomes rougher in the order of Example 3 and Comparative Example 2.
図21は、図19(実施例3)のAFM像について、像内で最も低い地点を基準とした高さに応じて色分けした画像である。この画像から得られる実施例3のRMS粗さは、4.9Åである。
図22は、図19の画像に対し、上述同様に粗さ周期(空間周波数)250nm以下でのフィルタリングをかけて色分けしたものである。この画像から得られる実施例3の大局的な変化の影響が除去されたRMS粗さは、3.6Åである。
図23は、図19の画像に対し、上述同様に粗さ周期250nm以上でのフィルタリングをかけて色分けしたものである。この画像から得られる実施例3の大局的なRMS粗さは、2.3Åである。
21 is an image of the AFM image of FIG. 19 (Example 3) color-coded according to height relative to the lowest point in the image. The RMS roughness of Example 3 obtained from this image is 4.9 Å.
Fig. 22 is a color-coded image obtained by filtering the image of Fig. 19 at a roughness period (spatial frequency) of 250 nm or less in the same manner as described above. The RMS roughness obtained from this image, from which the influence of the global change in Example 3 has been removed, is 3.6 Å.
Fig. 23 is a color-coded image obtained by filtering the image in Fig. 19 for roughness periods of 250 nm or more in the same manner as described above. The global RMS roughness of Example 3 obtained from this image is 2.3 Å.
図24は、図20(比較例2)のAFM像について、像内で最も低い地点を基準とした高さに応じて色分けした画像である。この画像から得られる比較例2のRMS粗さは、8.6Åである。
図25は、図20の画像に対し、上述同様に粗さ周期250nm以下でのフィルタリングをかけて色分けしたものである。この画像から得られる比較例2の大局的な変化の影響が除去されたRMS粗さは、4.3Åである。
図26は、図20の画像に対し、上述同様に粗さ周期250nm以上でのフィルタリングをかけて色分けしたものである。この画像から得られる比較例2の大局的なRMS粗さは、6.1Åである。
24 is an image in which the AFM image of FIG. 20 (Comparative Example 2) is color-coded according to the height relative to the lowest point in the image. The RMS roughness of Comparative Example 2 obtained from this image is 8.6 Å.
Fig. 25 is a color-coded image of Fig. 20, which has been filtered with a roughness period of 250 nm or less in the same manner as described above. The RMS roughness of Comparative Example 2, from which the influence of global changes has been removed, is 4.3 Å.
Fig. 26 is a color-coded image obtained by filtering the image in Fig. 20 for roughness periods of 250 nm or more in the same manner as described above. The global RMS roughness of Comparative Example 2 obtained from this image is 6.1 Å.
図27は、実施例3,比較例2、並びに光学多層膜4の各膜厚の設計値に対して通常のシミュレーションを適用したもの、及び光学多層膜4の各膜厚の設計値に対して上述の式(1)に係る散乱理論を適用したものにおける、入射角5°の光に対する分光反射率分布のグラフである。
図27における波長域は、青色レーザーに適した波長域を含むことに鑑み、370nm以上550nm以下とされている。
図27における散乱理論の適用において、RMSは、8.6Åに設定されている。
FIG. 27 is a graph showing the spectral reflectance distribution for light with an incidence angle of 5° in Example 3, Comparative Example 2, and in a case where a conventional simulation was applied to the design values of each thickness of the
The wavelength range in FIG. 27 is set to 370 nm or more and 550 nm or less, taking into consideration that the wavelength range includes a wavelength range suitable for blue lasers.
In applying the scattering theory in FIG. 27, the RMS is set to 8.6 Å.
図27によれば、通常のシミュレーションを適用したもの、及び散乱理論を適用したものの各分光反射率(理論)は、全域で同様であり、390nm以上470nm以下の波長域(青色域)において98.3%以上となっている。
一方、比較例2の分光反射率は、青色域のうち390nm以上450nm未満の波長域で97%以上98.5%以下程度となっており、理論に対して最大1.5ポイント程度低くなっている。又、比較例2の分光反射率は、450nm以上470nm以下の波長域で95.3%以上99.3%以下程度となっており、理論に対して最大2ポイント程度低くなっている。
他方、実施例3の分光反射率は、青色域のうち390nm以上450nm未満の波長域で理論とほぼ同様となっている。又、実施例3の分光反射率は、450nm以上470nm以下の波長域で97.6%以上99.6%以下程度となっており、理論に対して最大1ポイント程度の低下で抑えられている。
よって、光学多層膜表面RのRMSが5Å以下である実施例3では、青色レーザーの反射に関する青色域での反射率の理論値からの低下が、比較例2に比べて抑制される。
実施例3の反射帯(反射率最小値97.5%以上)は、380nm以上550nm以下(幅が70nm以上の170nm)で確保されている。
According to FIG. 27, the spectral reflectances (theoretical) of the cases where a normal simulation was applied and where scattering theory was applied are similar across the entire range, and are 98.3% or more in the wavelength range of 390 nm or more and 470 nm or less (blue range).
On the other hand, the spectral reflectance of Comparative Example 2 is about 97% to 98.5% in the wavelength range of 390 nm to less than 450 nm in the blue range, which is lower than the theoretical value by up to about 1.5 points. Also, the spectral reflectance of Comparative Example 2 is about 95.3% to 99.3% in the wavelength range of 450 nm to 470 nm, which is lower than the theoretical value by up to about 2 points.
On the other hand, the spectral reflectance of Example 3 is almost the same as the theoretical one in the wavelength range of 390 nm or more and less than 450 nm in the blue range. Also, the spectral reflectance of Example 3 is about 97.6% or more and 99.6% or less in the wavelength range of 450 nm or more and 470 nm or less, which is suppressed to a maximum decrease of about 1 point compared to the theoretical one.
Therefore, in Example 3 in which the RMS of the optical multilayer film surface R is 5 Å or less, the decrease in reflectance in the blue range with respect to the reflection of the blue laser from the theoretical value is suppressed compared to Comparative Example 2.
The reflection band (minimum reflectance value of 97.5% or more) in Example 3 is ensured to be 380 nm or more and 550 nm or less (width is 70 nm or more and 170 nm or less).
図28は、実施例3,比較例2における、フィルタリング前の各RMS、粗さ周期250nm以上でのフィルタリング後の各RMS、及び粗さ周期250nm以下でのフィルタリング後の各RMSのグラフである。
図28において、粗さ周期250nm以上でのフィルタリング後の各RMSの差は、粗さ周期250nm以下でのフィルタリング後の各RMSの差に比べて、大きい。
よって、粗さ周期250nm以上でのフィルタリング後の各RMSの差が、実施例3,比較例2の特性の差についてより大きくかかわっている。
従って、基板における粗さ周期250nm以上でのフィルタリング後のRMSが3.5Å以下である実施例3では、青色レーザーの反射に関する青色域での反射率の理論値からの低下が、比較例2に比べて抑制される。
よって、実施例3は、青色域に係る高反射率の波長域が広く、その波長域における反射率が高いミラーとなる。従って、実施例3では、銅及びアルミニウム等の高精度での加工等に必要な青色レーザーの光学系に用いられた場合に、反射による青色レーザーの強度低下が抑制される。
FIG. 28 is a graph of the RMS before filtering, the RMS after filtering when the roughness period is 250 nm or more, and the RMS after filtering when the roughness period is 250 nm or less in Example 3 and Comparative Example 2.
In FIG. 28, the difference in each RMS value after filtering when the roughness period is 250 nm or more is larger than the difference in each RMS value after filtering when the roughness period is 250 nm or less.
Therefore, the difference in each RMS value after filtering at a roughness period of 250 nm or more is more significantly related to the difference in characteristics between Example 3 and Comparative Example 2.
Therefore, in Example 3, in which the RMS after filtering at a roughness period of 250 nm or more on the substrate is 3.5 Å or less, the decrease in reflectance in the blue range regarding reflection of the blue laser from the theoretical value is suppressed compared to Comparative Example 2.
Therefore, in Example 3, the wavelength range of high reflectance in the blue range is wide, and the mirror has high reflectance in that wavelength range. Therefore, in Example 3, when used in an optical system of a blue laser necessary for high-precision processing of copper, aluminum, etc., a decrease in the intensity of the blue laser due to reflection is suppressed.
1・・ミラー、2・・基材、4・・光学多層膜、Q・・基材表面、R・・光学多層膜表面。 1: mirror, 2: substrate, 4: optical multilayer film, Q: substrate surface, R: optical multilayer film surface.
Claims (2)
前記光学多層膜における、400nm以上500nm以下の波長域での反射帯の幅が、70nm以上であり、
前記反射帯における反射率は、97.5%以上である
ことを特徴とする青色レーザー光用ミラーの製造方法。 A method for manufacturing a laser device comprising the steps of: forming an optical multilayer film using only a dielectric material or a semiconductor material that reflects laser light having a wavelength in the blue region directly on a surface of a substrate made of glass, crystal, or ceramics, the surface having a root mean square roughness of more than 1 Å and not more than 5 Å;
The width of the reflection band in the wavelength region of 400 nm or more and 500 nm or less in the optical multilayer film is 70 nm or more;
A method for manufacturing a mirror for blue laser light, wherein the reflectance in the reflection band is 97.5% or more.
前記光学多層膜における、400nm以上500nm以下の波長域での反射帯の幅が、70nm以上であり、
前記反射帯における反射率は、97.5%以上である
ことを特徴とする青色レーザー光用ミラーの製造方法。 A method for manufacturing a laser beam having a wavelength in a blue region, comprising: forming an optical multilayer film using only a dielectric material or a semiconductor material on a surface of a glass, crystal, or ceramic substrate having a root-mean-square roughness of 3.5 Å or less and a root-mean-square roughness of more than 1 Å when filtered with a roughness period of 250 nm or more;
The width of the reflection band in the wavelength region of 400 nm or more and 500 nm or less in the optical multilayer film is 70 nm or more;
A method for manufacturing a mirror for blue laser light, wherein the reflectance in the reflection band is 97.5% or more.
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