JP7703642B2 - C-ヌクレオシド化合物の合成方法 - Google Patents
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Description
本出願は、医薬品合成の分野に関し、具体的には、レムデシビルのキラル中間体C-ヌクレオシド化合物を合成する方法に関する。
ヌクレオシド類似体はウイルスに対してユニークな効果があり、ファビピラビル、ブリンシドフォビル及びガリデシビルなどの様々な小分子ヌクレオシド類似体は、臨床段階である程度の抗ウイルス活性があることがわかっている。ギリアドは多数のヌクレオシド類似体をスクリーニングし、レムデシビルがエボラウイルス、呼吸器合胞体ウイルス、コロナウイルス、ニパウイルス及びヘンドラウイルスなどに対して優れた阻害活性を示し、また、コロナウイルスSARS-CoV-2に対しても高い抗ウイルス活性を示すことを発見した。現在、SARS-CoV-2ウイルス感染症の治療に関する第III相臨床試験は、中国、ヨーロッパ及び米国で実施されている。レムデシビルの合成に関する既存の報告において、7-ハロゲン化ピロロ[2,1-f][1,2,4]トリアジン-4-アミン(1)及びその類似体及びD-リボノラクトン(2)は出発材料であり、そして、付加反応によりC-ヌクレオシド化合物(3)を得て、次いで、さらなる誘導体化によりレムデシビルを調製する。レムデシビルの合成が難しいため、この薬物のさらなる臨床応用研究は深刻に制限されている。
本出願の目的は、キラルC-ヌクレオシド化合物を効率的に調製する方法を提供することである。本出願の別の目的は、キラルC-ヌクレオシド化合物を調製するための簡単な方法を提供することである。本出願の別の目的は、実施及びスケールアップが容易なキラルC-ヌクレオシド化合物の製造方法を提供することである。また、本出願の別の目的は、大規模生産が可能なキラルC-ヌクレオシド化合物の製造方法を提供することである。
a)式IIで表される化合物を提供すること、
b)溶媒中、式4で表される第二級アミン、金属リチウム試薬及び1,2-ビス(クロロジメチルシリル)エタンの存在下で、式1で表される化合物を式IIで表される化合物と反応させ、式IIIで表されるC-ヌクレオシド化合物を生成させること、
式4で表される第二級アミンにおいて、各Rは、独立して、C1~C6アルキル、C3~C6シクロアルキル又はトリメチルシリルであるか、又は、2つのR及びそれらが結合している窒素原子が一緒になって置換又は非置換ピペリジン又はピロリジン(例えば、2,2,6,6-テトラメチルピペリジン)を形成し、
式II又は式IIIで表される化合物において、Ra、Rb及びRcは、それぞれ独立して、メチル、ベンジル(Bn)、p-メトキシベンジル(PBM)、トリチル(Tr)、tert-ブチル又はアリルであり、
式IIIで表される化合物において、
b1)式1で表される化合物及び1,2-ビス(クロロジメチルシリル)エタンを溶媒に溶解し、式4で表される第二級アミンを加えて混合物を得ること、
b2)b1)で得られた混合物に金属リチウム試薬及び式IIで表される化合物を順次に加え、式1で表される化合物を式IIで表される化合物と反応させて、式IIIで表される化合物を得ることを含む。
式4で表される第二級アミン及び金属リチウム試薬の作用下に、式1で表される化合物の4位アミノ基に、1,2-ビス(クロロジメチルシリル)エタンを使用することにより、ビスシリコン保護を経験させ、式5で表される化合物を生成すること、
式6で表される化合物が式IIで表される化合物との付加反応を経験して、式IIIで表されるC-ヌクレオシド化合物を生成すること、
を含む。
1)溶媒中で、式4で表される第二級アミン及び金属リチウム試薬の作用下に、式1で表される化合物の4位アミノ基に、1,2-ビス(クロロジメチルシリル)エタンを用いてビスシリコン保護を経験させ、中間体式5で表される化合物を生成すること、
3)式6で表される化合物が式IIで表される化合物と付加反応を経験して、式IIIで表されるC-ヌクレオシド化合物を生成すること、
を含み、
ここで、溶媒、X、R、Ra、Rb、Rc、
以下で特に定義しない限り、本明細書で使用されるすべての技術用語及び科学用語は、当業者によって一般的に理解されるものと同じ意味を有することが意図されている。本明細書で使用される技術への言及は、当業者に明らかな同等の技術の変形又は置換を含む、当該技術分野で一般に理解される技術を指すことが意図されている。以下の用語は、当業者によって十分に理解されると考えられるが、以下の定義は、本出願をよりよく説明するために示される。
本出願によって提供されるレムデシビルのキラル中間体C-ヌクレオシド化合物の製造方法は、1つ以上の下記の利点を有する。
1)この方法は反応収率が高く、例えば収率が40%以上、好ましくは45%以上、より好ましくは70%以上である。
2)この方法は操作が簡単である。
3)この方法は単一の金属試薬を使用する。
4)この方法の反応の温度条件は安定しており、操作プロセスは反応系を頻繁に変更する必要がない。
5)この方法はスケールアップ合成に適しており、レムデシビルの大規模製造に適応することができる。
6)この方法は、レムデシビルのキラル中間体C-ヌクレオシド化合物を調製するために使用され、コストが低い。
本出願の技術的態様は、以下でさらに詳細に説明されるが、本出願の保護範囲は、以下の記載に限定されない。
実施例1に記載の方法に従って、化合物1aを10グラムのスケールで反応させ、他の反応条件は変更せず、反応溶液中の化合物1aの濃度及び式2で表されるリボノラクトンの当量数のみを変更した。式3で表されるキラルC-ヌクレオシド化合物の合成収率の得られたデータを下記の表に示した。
実施例1に記載の方法に従い、化合物1a及び化合物1bをそれぞれ基質とし、その他の反応条件は変更せず、1当量の化合物1を、2.5当量の式2で表されるリボノラクトンと付加反応させ、反応は、様々なアミン又は塩基の存在下で行われた。様々なアミン又は塩基の条件下で得られた式3で表されるキラルC-ヌクレオシド化合物の合成収率データを以下の表に示した。
本発明は、下記の形態を含む:
〈態様1〉
式IIIで表されるC-ヌクレオシド化合物又はその塩の製造方法であって、
該方法が、
a)式IIで表される化合物を提供すること、
b)溶媒中、式4で表される第二級アミン、金属リチウム試薬及び1,2-ビス(クロロジメチルシリル)エタンの存在下に、式1で表される化合物を式IIで表される化合物と反応させ、式IIIで表されるC-ヌクレオシド化合物を生成すること、
式1で表される化合物において、Xはハロゲンであり、
式4で表される第二級アミンにおいて、各Rは、独立して、C 1 ~C 6 アルキル、C 3 ~C 6 シクロアルキル又はトリメチルシリルであるか、又は、2つのR及びそれらが結合している窒素原子が一緒になって置換又は非置換ピペリジン又はピロリジン(例えば、2,2,6,6-テトラメチルピペリジン)を形成し、
式II又は式IIIで表される化合物において、R a 、R b 及びR c は、それぞれ独立して、メチル、ベンジル(Bn)、p-メトキシベンジル(PBM)、トリチル(Tr)、tert-ブチル又はアリルであり、
式IIIで表される化合物において、
方法。
〈態様2〉
Xが、臭素原子又はヨウ素原子であり、好ましくは臭素原子である、態様1記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
〈態様3〉
各Rが、独立して、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル又はトリメチルシリルであるか、又は、2つのR及びそれらが結合している窒素原子が一緒になってピペリジン、ピロリジン又は2,2,6,6-テトラメチルピペリジンを形成し、
好ましくは、式4で表される第二級アミンは、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジシクロプロピルアミン、2,2,6,6-テトラメチルピペリジン又はヘキサメチルジシラザンであり、
好ましくは、式4で表される第二級アミンは、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、2,2,6,6-テトラメチルピペリジン又はヘキサメチルジシラザンであり、
好ましくは、式4で表される第二級アミンは、ジイソプロピルアミン、ジイソブチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、2,2,6,6-テトラメチルピペリジン又はヘキサメチルジシラザンであり、
好ましくは、式4で表される第二級アミンは、ジエチルアミン、ジプロピルアミン又はジブチルアミンである、
態様1又は2記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
〈態様4〉
R a 、R b 及びR c が、それぞれ独立してベンジル基(Bn)である、態様1~3のいずれか1項に記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
〈態様5〉
前記溶媒が、有機溶媒、例えばテトラヒドロフランである、態様1~4のいずれか1項に記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
〈態様6〉
前記金属リチウム試薬が、メチルリチウム、n-ブチルリチウム、tert-ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムビス(トリメチルシリル)アミド、リチウムビス(トリフルオロメタンスルホンイミド)、リチウムトリエチルボロヒドリド、 リチウムボロヒドリド、リチウムアミド又はリチウムヒドリドであり、好ましくはn-ブチルリチウムである、態様1~5のいずれか1項に記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
〈態様7〉
工程b)が、
b1) 式1で表される化合物及び1,2-ビス(クロロジメチルシリル)エタンを溶媒に溶解し、式4で表される第二級アミンを加えて混合物を得ること、
b2) b1)で得られた混合物に金属リチウム試薬及び式IIで表される化合物を順次に加え、式1で表される化合物を式IIで表される化合物と反応させて、式IIIで表される化合物を得ること
を含む、態様1~6のいずれか1項に記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
〈態様8〉
式1で表される化合物と式IIで表される化合物とを反応させる際に、式1で表される化合物の初期濃度が、0.06~0.3モル/L、例えば、0.08モル/L、0.1モル/L、0.15モル/L、0.18モル/L、0.2モル/L、0.25モル/Lである、態様1~7のいずれか1項記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
〈態様9〉
式1で表される化合物と式IIで表される化合物とを、0℃~-80℃(例えば、0℃~-78℃)の温度で反応させる、態様1~8のいずれか1項記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
〈態様10〉
式1で表される化合物と式IIで表される化合物との供給モル比が、1:1.5~3であり、
好ましくは、式1で表される化合物とリチウム金属試薬との供給モル比は1:3.5~4.5であり、
好ましくは、式1で表される化合物と1,2-ビス(クロロジメチルシリル)エタンとの供給モル比は1:1~1.5であり、
好ましくは、式1で表される化合物と式4で表される第二級アミンとの供給モル比は、1:1~1.5である、
態様1~9のいずれか1項記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
〈態様11〉
工程b)が、無水及び無酸素の条件下で実施され、
好ましくは、前記金属リチウム試薬及び式IIで表される化合物を、b1)で得られた混合物に、0℃~-80℃(例えば、0℃~-78℃)の温度で順次に加える、
態様1~10のいずれか1項記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
〈態様12〉
式1で表される化合物と式IIで表される化合物との反応が、
式4で表される第二級アミン及び金属リチウム試薬の作用下に、式1で表される化合物の4位アミノ基に、1,2-ビス(クロロジメチルシリル)エタンを使用することにより、ビスシリコン保護を経験させ、中間体式5で表される化合物を生成すること、
式6で表される化合物が式IIで表される化合物との付加反応を経験して、式IIIで表されるC-ヌクレオシド化合物を生成すること、
を含む、
態様1~11のいずれか1項記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
〈態様13〉
C-ヌクレオシド化合物の製造方法であって、
1)溶媒中、式4で表される第二級アミン及び金属リチウム試薬の作用下に、式1で表される化合物の4位アミノ基に1,2-ビス(クロロジメチルシリル)エタンを用いてビスシリコン保護を経験させ、中間体式5で表される化合物を生成すること、
3)式6で表される化合物が式IIで表される化合物との付加反応を経験して、式IIIで表されるC-ヌクレオシド化合物を生成すること、
を含み、
ここで、前記溶媒、X、R、R a 、R b 、R c 、
方法。
Claims (20)
- 式IIIで表されるC-ヌクレオシド化合物又はその塩の製造方法であって、
該方法が、
a)式IIで表される化合物を提供すること、
b)溶媒中、式4で表される第二級アミン、金属リチウム試薬及び1,2-ビス(クロロジメチルシリル)エタンの存在下に、式1で表される化合物を式IIで表される化合物と反応させ、式IIIで表されるC-ヌクレオシド化合物を生成すること、
を含み、
式1で表される化合物において、Xはハロゲンであり、
式4で表される第二級アミンにおいて、各Rは、独立して、C1~C6アルキル、C3~C6シクロアルキル又はトリメチルシリルであるか、又は、2つのR及びそれらが結合している窒素原子が一緒になって置換又は非置換ピペリジン又はピロリジンを形成し、
式II又は式IIIで表される化合物において、Ra、Rb及びRcは、それぞれ独立して、メチル、ベンジル、p-メトキシベンジル、トリチル、tert-ブチル又はアリルであり、
式IIIで表される化合物において、
は、構造式が化合物のα立体配置もしくはβ立体配置、又は、α立体配置とβ立体配置の任意の比率の混合物を表すことができることを示す、
方法。 - Xが、臭素原子又はヨウ素原子である、請求項1記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
- Xが、臭素原子である、請求項2記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
- 各Rが、独立して、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル又はトリメチルシリルであるか、又は、2つのR及びそれらが結合している窒素原子が一緒になってピペリジン、ピロリジン又は2,2,6,6-テトラメチルピペリジンを形成する、
請求項1記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。 - 式4で表される前記第二級アミンが、ジイソプロピルアミン、ジイソブチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、2,2,6,6-テトラメチルピペリジン又はヘキサメチルジシラザンである、請求項4に記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
- Ra、Rb及びRcが、それぞれ独立してベンジル基である、請求項1記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
- 前記溶媒が、有機溶媒である、請求項1記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
- 前記溶媒が、テトラヒドロフランである、請求項7記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
- 前記金属リチウム試薬が、メチルリチウム、n-ブチルリチウム、tert-ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムビス(トリメチルシリル)アミド、リチウムビス(トリフルオロメタンスルホンイミド)、リチウムトリエチルボロヒドリド、 リチウムボロヒドリド、リチウムアミド又はリチウムヒドリドである、請求項1記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
- 前記金属リチウム試薬が、n-ブチルリチウムである、請求項9に記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
- 工程b)が、
b1) 式1で表される化合物及び1,2-ビス(クロロジメチルシリル)エタンを溶媒に溶解し、式4で表される第二級アミンを加えて混合物を得ること、
b2) b1)で得られた混合物に金属リチウム試薬及び式IIで表される化合物を順次に加え、式1で表される化合物を式IIで表される化合物と反応させて、式IIIで表される化合物を得ること
を含む、請求項1記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。 - 式1で表される化合物と式IIで表される化合物とを反応させる際に、式1で表される化合物の初期濃度が、0.06~0.3モル/Lである、請求項1~11のいずれか1項記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
- 式1で表される化合物と式IIで表される化合物とを、0℃~-80℃の温度で反応させる、請求項1~7のいずれか1項記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
- 式1で表される化合物と式IIで表される化合物との供給モル比が、1:1.5~3である、
請求項1~11のいずれか1項記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。 - 式1で表される前記化合物と前記金属リチウム試薬との供給モル比が、1:3.5~4.5である、請求項1~11のいずれか1項記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
- 式1で表される前記化合物と1,2-ビス(クロロジメチルシリル)エタンとの供給モル比が、1:1~1.5である、請求項1~11のいずれか1項記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
- 式1で表される前記化合物と式4で表される前記第二級アミンとの供給モル比が、1:1~1.5である、請求項1~11のいずれか1項記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。
- 工程b)が、無水及び無酸素の条件下で実施される、
請求項1~11のいずれか1項記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。 - 式1で表される化合物と式IIで表される化合物との反応が、
式4で表される第二級アミン及び金属リチウム試薬の作用下に、式1で表される化合物の4位アミノ基に、1,2-ビス(クロロジメチルシリル)エタンを使用することにより、ビスシリコン保護を経験させ、中間体式5で表される化合物を生成すること、
式4で表される第二級アミン及び金属リチウム試薬の作用下で、式5で表される化合物がリチウム-ハロゲン交換を経験して、中間体式6(ここで、MはLiである)で表される化合物を生成すること、
式6で表される化合物が式IIで表される化合物との付加反応を経験して、式IIIで表されるC-ヌクレオシド化合物を生成すること、
を含む、
請求項1~11のいずれか1項記載のC-ヌクレオシド化合物の製造方法。 - C-ヌクレオシド化合物の製造方法であって、
1)溶媒中、式4で表される第二級アミン及び金属リチウム試薬の作用下に、式1で表される化合物の4位アミノ基に1,2-ビス(クロロジメチルシリル)エタンを用いてビスシリコン保護を経験させ、中間体式5で表される化合物を生成すること、
2)式4で表される第二級アミン及び金属リチウム試薬の作用下で、式5で表される化合物がリチウム-ハロゲン交換を経験して、中間体式6(MはLiである)で表される化合物を生成すること、
3)式6で表される化合物が式IIで表される化合物との付加反応を経験して、式IIIで表されるC-ヌクレオシド化合物を生成すること、
を含み、
ここで、前記溶媒、X、R、Ra、Rb、Rc、
の定義は、請求項1~11のいずれか1項記載のとおりである、
方法。
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