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JP7703880B2 - Multi-chip module and electronic control device equipped with multi-chip module - Google Patents
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Multi-chip module and electronic control device equipped with multi-chip module Download PDF

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Description

本開示は、マルチチップモジュール、およびマルチチップモジュールを備えた電子制御装置に関する。 This disclosure relates to a multi-chip module and an electronic control device equipped with a multi-chip module.

特許文献1には、マルチチップモジュールの一例が開示されている。マルチチップモジュールは、モジュール基板とモジュール基板に実装された半導体素子を有しており、主基板上に実装されている。半導体素子は、主基板の表層に設けられた表層電源配線を介して電力供給されている。 Patent Document 1 discloses an example of a multi-chip module. The multi-chip module has a module substrate and a semiconductor element mounted on the module substrate, and is mounted on a main substrate. The semiconductor element is supplied with power via surface power wiring provided on the surface of the main substrate.

特許第6468360号公報Patent No. 6468360

ところで、従来技術ではないが、マルチチップモジュールは、モジュール基板の実装面に、通信機能を有した半導体素子と、半導体素子に電力供給を行う電源回路とが実装された構成が考えられる。また、モジュール基板は、配線として、絶縁体を介して積層された導体パターンと、異なる層の導体パターンを接続する層間接続部とを有した構成が考えられる。このマルチチップモジュールは、半導体素子と電源回路とを接続している配線である電源経路と、半導体素子の通信に用いられる配線である通信経路とを備えることになる。 Although not a conventional technique, a multi-chip module may be configured such that a semiconductor element having a communication function and a power supply circuit that supplies power to the semiconductor element are mounted on the mounting surface of a module substrate. The module substrate may also be configured to have, as wiring, conductor patterns stacked with an insulator interposed therebetween and interlayer connectors that connect the conductor patterns of different layers. This multi-chip module will have a power supply path, which is wiring that connects the semiconductor element and the power supply circuit, and a communication path, which is wiring used for communication between the semiconductor elements.

しかしながら、マルチチップモジュールは、電源経路と通信経路において、隣接層での配線間や隣接ビアが並走することがありうる。マルチチップモジュールは、このように並走することで、通信経路にノイズが重畳する可能性がある。 However, in multi-chip modules, the power supply paths and communication paths may run parallel to each other between wiring or adjacent vias on adjacent layers. This parallel running of wiring in multi-chip modules may result in noise being superimposed on the communication paths.

開示される一つの目的は、通信経路へのノイズが低減されたマルチチップモジュールを提供することである。開示される他の一つの目的は、マルチチップモジュールからのノイズの伝搬が抑制できる電子制御装置を提供することである。 One disclosed objective is to provide a multi-chip module that reduces noise on the communication path. Another disclosed objective is to provide an electronic control device that can suppress the propagation of noise from the multi-chip module.

ここに開示されたマルチチップモジュールは、
複数の基板電極(13a~13e,14)と基板電極に接続された複数の配線とを有し、配線として、絶縁体を介して積層された導体パターンと、異なる層の導体パターンを接続する層間接続部とを有したモジュール基板(1)と、
複数の素子端子(21,211~213)を有し、素子端子が基板電極と接続されてモジュール基板に実装された半導体素子(2)と、
複数の回路端子(32a,32b)を有し、回路端子が基板電極と接続されてモジュール基板に実装され、半導体素子に電力を供給する電源回路(3)と、を備えており、
半導体素子は、素子端子として、通信インターフェース機能を有する複数の通信端子(211)と、電源回路との間の経路である一部の配線と一部の基板電極とを含む電源経路に接続される電源端子(212,213)と、を有し、
電源回路は、回路端子が電源経路に接続されており、
モジュール基板は、電源経路とは異なる一部の配線と一部の基板電極を含み通信端子と接続された通信経路半導体素子と電源回路が実装された実装面の反対面に複数の低速チップ端子(16)を有し、
通信経路は、モジュール基板に対する半導体素子の実装方向における電源経路の対向領域外に設けられており、
通信端子は、高速通信に用いられるものであり、
半導体素子は、通信端子に加えて、実装方向における複数の低速チップ端子の対向領域の一部に設けられた、高速通信よりも低速な低速通信に用いられる低速通信端子(26a)を備え、
モジュール基板は、電源経路および通信経路とは異なる一部の配線と一部の基板電極を含み低速通信端子と接続された低速通信経路を有し、
低速通信経路の少なくとも一部は、実装方向における電源経路の対向領域に設けられており、
電源経路は、平面視において、電源回路と半導体素子の間に直線状に配置されている。
The multi-chip module disclosed herein comprises:
A module substrate (1) having a plurality of substrate electrodes (13a to 13e, 14) and a plurality of wirings connected to the substrate electrodes, the wirings including conductor patterns laminated via an insulator and interlayer connection portions connecting the conductor patterns of different layers;
a semiconductor element (2) having a plurality of element terminals (21, 211 to 213), the element terminals being connected to substrate electrodes and mounted on a module substrate;
a power supply circuit (3) having a plurality of circuit terminals (32a, 32b), the circuit terminals being connected to the board electrodes and mounted on the module board, and supplying power to the semiconductor element;
The semiconductor element has, as element terminals, a plurality of communication terminals (211) having a communication interface function, and power supply terminals (212, 213) connected to a power supply path including some wirings and some substrate electrodes that are paths between the semiconductor element and a power supply circuit;
The power supply circuit has a circuit terminal connected to a power supply path,
The module substrate has a communication path that includes some wiring different from the power supply path and some substrate electrodes and is connected to the communication terminal, and a plurality of low-speed chip terminals (16) on a surface opposite to the mounting surface on which the semiconductor element and the power supply circuit are mounted ,
the communication path is provided outside an area facing the power supply path in a mounting direction of the semiconductor element on the module substrate,
The communication terminal is used for high-speed communication,
The semiconductor element includes, in addition to the communication terminal, a low-speed communication terminal (26a) provided in a part of an opposing region of the plurality of low-speed chip terminals in the mounting direction and used for low-speed communication slower than high-speed communication;
the module substrate has a low-speed communication path that includes some wiring and some substrate electrodes different from the power supply path and the communication path and is connected to the low-speed communication terminal;
At least a portion of the low-speed communication path is provided in an area facing the power supply path in the mounting direction ,
The power supply path is arranged linearly between the power supply circuit and the semiconductor element in a plan view .

このように、マルチチップモジュールは、通信経路が電源経路の対向領域外に配置されている。このため、マルチチップモジュールは、通信経路が電源経路の対向領域に配置されている構成よりも、通信経路と電源経路とが並走する領域を減らすことができる。よって、マルチチップモジュールは、電源経路から通信経路にノイズが重畳することを低減できる。 In this way, the multi-chip module has a communication path arranged outside the opposing area of the power path. This allows the multi-chip module to reduce the area in which the communication path and the power path run parallel to each other, compared to a configuration in which the communication path is arranged in the opposing area of the power path. As a result, the multi-chip module can reduce the superposition of noise from the power path onto the communication path.

ここに開示された電子制御装置は、
上記マルチチップモジュールと、
マルチチップモジュールが実装される配線基板(200)と、を備えており、
配線基板は、絶縁基板(201)と、絶縁基板を介して積層された複数の配線層(202)と、絶縁基板を貫通し、各配線層を電気的に接続している複数の貫通ビア(203)とを備えている。
The electronic control device disclosed herein comprises:
The multi-chip module;
A wiring board (200) on which the multi-chip module is mounted,
The wiring board comprises an insulating substrate (201), a plurality of wiring layers (202) stacked via the insulating substrate, and a plurality of through vias (203) that penetrate the insulating substrate and electrically connect each wiring layer.

電子制御装置は、マルチチップモジュールを備えている。このため、電子制御装置は、マルチチップモジュールにおける電源経路から通信経路へのノイズの重畳が低減されている。よって、電子制御装置は、マルチチップモジュールから通信経路を介して多層配線基板へ伝搬されるノイズを抑制できる。また、電子制御装置は、貫通ビアが設けられた配線基板を用いている。このため、電子制御装置は、配線基板としてビルドアップ基板を用いるよりも、ノイズの悪化を抑制しやすい。 The electronic control device includes a multi-chip module. This reduces the superposition of noise from the power supply path to the communication path in the multi-chip module. This allows the electronic control device to suppress noise propagating from the multi-chip module to the multilayer wiring board via the communication path. The electronic control device also uses a wiring board with through vias. This makes it easier to suppress noise deterioration in the electronic control device than when a build-up board is used as the wiring board.

この明細書において開示された複数の態様は、それぞれの目的を達成するために、互いに異なる技術的手段を採用する。請求の範囲およびこの項に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態の部分との対応関係を例示的に示すものであって、技術的範囲を限定することを意図するものではない。この明細書に開示される目的、特徴、および効果は、後続の詳細な説明、および添付の図面を参照することによってより明確になる。 The various aspects disclosed in this specification employ different technical means to achieve their respective objectives. The claims and the reference symbols in parentheses in this section are illustrative of the corresponding relationships with the embodiments described below, and are not intended to limit the technical scope. The objectives, features, and advantages disclosed in this specification will become clearer with reference to the detailed description that follows and the accompanying drawings.

第1実施形態における電子制御装置の概略構成を示す平面図である。1 is a plan view showing a schematic configuration of an electronic control device according to a first embodiment; 図1のII‐II線に沿う断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 第2実施形態における電子制御装置の概略構成を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing a schematic configuration of an electronic control device according to a second embodiment. 図3のIV‐IV線に沿う断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 3 . 第3実施形態における電子制御装置の概略構成を示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing a schematic configuration of an electronic control device according to a third embodiment. 図5のVI‐VI線に沿う断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG. 5 . 第4実施形態における電子制御装置の概略構成を示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an electronic control device according to a fourth embodiment.

以下において、図面を参照しながら、本開示を実施するための複数の形態を説明する。各形態において、先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において、構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を参照し適用することができる。 Below, several embodiments for implementing the present disclosure will be described with reference to the drawings. In each embodiment, parts corresponding to matters described in the preceding embodiment may be given the same reference numerals, and duplicated descriptions may be omitted. In each embodiment, when only a part of the configuration is described, the other parts of the configuration may be applied by referring to the other embodiment described previously.

(第1実施形態)
図1、図2を用いて、マルチチップモジュール100および電子制御装置1000に関して説明する。電子制御装置1000は、例えば、車両に搭載可能に構成されている。つまり、電子制御装置1000は、例えば、車載電子制御装置に採用できる。電子制御装置1000は、マルチチップモジュール100とマザー基板200とを備えている。以下、マルチチップモジュールをMCMと略称でも記載する。
First Embodiment
A multi-chip module 100 and an electronic control device 1000 will be described with reference to Figures 1 and 2. The electronic control device 1000 is configured to be mountable on, for example, a vehicle. That is, the electronic control device 1000 can be used, for example, in an in-vehicle electronic control device. The electronic control device 1000 includes a multi-chip module 100 and a motherboard 200. Hereinafter, the multi-chip module will also be referred to as MCM for short.

<マルチチップモジュール>
MCM100は、モジュール基板1と、半導体素子2と、電源回路3とを備えている。MCM100は、モジュール基板1に半導体素子2と電源回路3などの実装部品が実装されている。また、MCM100は、半導体素子2と電源回路3に加えてメモリ装置などを備えていてもよい。
<Multi-chip module>
The MCM 100 includes a module substrate 1, a semiconductor element 2, and a power supply circuit 3. The MCM 100 includes components such as the semiconductor element 2 and the power supply circuit 3 mounted on the module substrate 1. The MCM 100 may also include a memory device in addition to the semiconductor element 2 and the power supply circuit 3.

モジュール基板1は、絶縁基板10、保護膜11、パターン配線12a、層間接続部12b、複数のパッド13e~13e,14、チップ接続端子15を備えている。絶縁基板10は、樹脂やセラミックスなどの電気絶縁性の部材を主成分として構成されている。絶縁基板10は、絶縁体に相当する。モジュール基板1は、半導体素子2と電源回路3が実装される実装面と、実装面の反対面とを有している。 The module substrate 1 comprises an insulating substrate 10, a protective film 11, pattern wiring 12a, an interlayer connection portion 12b, a plurality of pads 13e-13e, 14, and a chip connection terminal 15. The insulating substrate 10 is composed primarily of an electrically insulating material such as resin or ceramics. The insulating substrate 10 corresponds to an insulator. The module substrate 1 has a mounting surface on which the semiconductor element 2 and the power supply circuit 3 are mounted, and a surface opposite the mounting surface.

保護膜11は、電気絶縁性の部材を主成分として構成されている。保護膜11は、各パッド13e~13e,14の少なくとも一部が露出するように、絶縁基板10の表面および絶縁基板10の表面に設けられたパターン配線12aを覆っている。保護膜11は、必要に応じて各パッド13e~13e,14間における電気絶縁性を確保するために設けられている。また、保護膜11は、絶縁基板10の表面および絶縁基板10の表面に設けられたパターン配線12aを保護するために設けられている。 The protective film 11 is composed mainly of an electrically insulating material. The protective film 11 covers the surface of the insulating substrate 10 and the pattern wiring 12a provided on the surface of the insulating substrate 10 so that at least a portion of each of the pads 13e-13e, 14 is exposed. The protective film 11 is provided to ensure electrical insulation between each of the pads 13e-13e, 14 as necessary. The protective film 11 is also provided to protect the surface of the insulating substrate 10 and the pattern wiring 12a provided on the surface of the insulating substrate 10.

パターン配線12aと層間接続部12bは、配線を構成するものである。パターン配線12aと層間接続部12bは、導電性の部材を主成分とするものである。パターン配線12aは、絶縁基板10を介して積層されている。パターン配線12aは、絶縁基板10の内層および表層に設けられている。層間接続部12bは、異なる層のパターン配線12aを接続している。モジュール基板1は、複数のパターン配線12aと複数の層間接続部12bが設けられている。パターン配線12aは、導体パターンに相当する。 The pattern wiring 12a and the interlayer connection portion 12b constitute the wiring. The pattern wiring 12a and the interlayer connection portion 12b are mainly composed of conductive materials. The pattern wiring 12a is laminated via the insulating substrate 10. The pattern wiring 12a is provided on the inner layer and the surface layer of the insulating substrate 10. The interlayer connection portion 12b connects the pattern wiring 12a of different layers. The module substrate 1 is provided with a plurality of pattern wirings 12a and a plurality of interlayer connection portions 12b. The pattern wiring 12a corresponds to a conductor pattern.

複数のパッド13a~13e,14は、導電性の部材を主成分とするものである。各パッド13a~13e,14は、それぞれパターン配線12aおよび層間接続部12bと接続されている。複数のパッド13a~13eは、モジュール基板1の実装面側に設けられている。裏面パッド14は、モジュール基板1の反対面側に設けられている。各パッド13a~14は、基板電極に相当する。 The multiple pads 13a to 13e, 14 are mainly made of a conductive material. Each of the pads 13a to 13e, 14 is connected to the pattern wiring 12a and the interlayer connection portion 12b. The multiple pads 13a to 13e are provided on the mounting surface side of the module substrate 1. The back surface pad 14 is provided on the opposite surface side of the module substrate 1. Each of the pads 13a to 14 corresponds to a substrate electrode.

モジュール基板1は、一部の配線と一部の基板電極とによって電源経路が構成されている。モジュール基板1は、電源経路として、供給経路と接地経路とを備えている。供給経路は、一部の配線と、第1電源パッド13aと、第2電源パッド13bとを含んでいる。第1電源パッド13aと第2電源パッド13bは、一部の配線を介して電気的に接続されている。接地経路は、供給経路とは異なる一部の配線と、第1接地パッド13cと、第2接地パッド13dとを含んでいる。第1接地パッド13cと第2接地パッド13dは、供給経路とは異なる一部の配線を介して電気的に接続されている。 The module substrate 1 has a power supply path formed by some of the wiring and some of the substrate electrodes. The module substrate 1 has a supply path and a ground path as the power supply path. The supply path includes some of the wiring, a first power supply pad 13a, and a second power supply pad 13b. The first power supply pad 13a and the second power supply pad 13b are electrically connected via some of the wiring. The ground path includes some of the wiring different from the supply path, a first ground pad 13c, and a second ground pad 13d. The first ground pad 13c and the second ground pad 13d are electrically connected via some of the wiring different from the supply path.

また、モジュール基板1は、電源経路とは異なる一部の配線と、電源経路とは異なる一部の基板電極とによって通信経路が構成されている。通信経路は、電源経路とは異なる一部の配線と、通信パッド13eとを含んでいる。さらに、通信経路は、裏面パッド14を含んでいる。通信パッド13eと裏面パッド14は、電源経路とは異なる一部の配線を介して電気的に接続されている。 In addition, in the module substrate 1, a communication path is formed by a portion of wiring different from the power supply path and a portion of substrate electrodes different from the power supply path. The communication path includes a portion of wiring different from the power supply path and a communication pad 13e. Furthermore, the communication path includes a back surface pad 14. The communication pad 13e and the back surface pad 14 are electrically connected via a portion of wiring different from the power supply path.

第1電源パッド13a、第1接地パッド13c、通信パッド13eは、半導体素子2に対向配置されている。第1電源パッド13aは、素子電源端子212と電気的に接続されている。モジュール基板1は、素子電源端子212の数と同数の第1電源パッド13aが設けられている。よって、モジュール基板1は、複数の素子電源端子212が設けられている場合、複数の第1電源パッド13aからなる第1電源パッド群が設けられているといえる。 The first power supply pad 13a, the first ground pad 13c, and the communication pad 13e are arranged facing the semiconductor element 2. The first power supply pad 13a is electrically connected to the element power supply terminal 212. The module substrate 1 is provided with the same number of first power supply pads 13a as the number of element power supply terminals 212. Therefore, when the module substrate 1 is provided with a plurality of element power supply terminals 212, it can be said that the module substrate 1 is provided with a first power supply pad group consisting of a plurality of first power supply pads 13a.

第1接地パッド13cは、素子接地端子213と電気的に接続されている。モジュール基板1は、素子接地端子213の数と同数の第1接地パッド13cが設けられている。よって、モジュール基板1は、複数の素子接地端子213が設けられている場合、複数の第1接地パッド13cからなる第1接地パッド群が設けられているといえる。 The first ground pad 13c is electrically connected to the element ground terminal 213. The module substrate 1 is provided with the same number of first ground pads 13c as the number of element ground terminals 213. Therefore, when the module substrate 1 is provided with a plurality of element ground terminals 213, it can be said that the module substrate 1 is provided with a first ground pad group consisting of a plurality of first ground pads 13c.

通信パッド13eは、通信端子211と電気的に接続されている。モジュール基板1は、通信端子211の数と同数の通信パッド13eが設けられている。よって、モジュール基板1は、複数の通信端子211が設けられている場合、複数の通信パッド13eからなる通信パッド群が設けられているといえる。 The communication pad 13e is electrically connected to the communication terminal 211. The module board 1 is provided with the same number of communication pads 13e as the number of communication terminals 211. Therefore, when the module board 1 is provided with a plurality of communication terminals 211, it can be said that a communication pad group consisting of a plurality of communication pads 13e is provided.

第2電源パッド13b、第2接地パッド13dは、電源回路に対向配置されている。第2電源パッド13bは、回路電源端子32aと電気的に接続されている。モジュール基板1は、回路電源端子32aの数と同数の第2電源パッド13bが設けられている。よって、モジュール基板1は、複数の回路電源端子32aが設けられている場合、複数の第2電源パッド13bからなる第2電源パッド群が設けられているといえる。 The second power supply pad 13b and the second ground pad 13d are arranged facing the power supply circuit. The second power supply pad 13b is electrically connected to the circuit power supply terminal 32a. The module substrate 1 is provided with the same number of second power supply pads 13b as the number of circuit power supply terminals 32a. Therefore, when the module substrate 1 is provided with a plurality of circuit power supply terminals 32a, it can be said that the module substrate 1 is provided with a second power supply pad group consisting of a plurality of second power supply pads 13b.

第2接地パッド13dは、回路接地端子32bと電気的に接続されている。モジュール基板1は、回路接地端子32bの数と同数の第2接地パッド13dが設けられている。よって、モジュール基板1は、複数の回路接地端子32bが設けられている場合、複数の第2接地パッド13dからなる第2接地パッド群が設けられているといえる。 The second ground pad 13d is electrically connected to the circuit ground terminal 32b. The module substrate 1 is provided with the same number of second ground pads 13d as the number of circuit ground terminals 32b. Therefore, when the module substrate 1 is provided with a plurality of circuit ground terminals 32b, it can be said that the module substrate 1 is provided with a second ground pad group consisting of a plurality of second ground pads 13d.

裏面パッド14は、マザー基板200と電気的に接続されている。モジュール基板1は、通信端子211の数と同数の裏面パッド14が設けられている。よって、モジュール基板1は、複数の通信端子211が設けられている場合、複数の裏面パッド14からなる通信パッド群が設けられているといえる。 The back surface pads 14 are electrically connected to the mother board 200. The module board 1 is provided with the same number of back surface pads 14 as the number of communication terminals 211. Therefore, when the module board 1 is provided with a plurality of communication terminals 211, it can be said that a communication pad group consisting of a plurality of back surface pads 14 is provided.

チップ接続端子15は、裏面パッド14と電気的に接続されている。チップ接続端子15は、MCM100におけるマザー基板200と接続するための端子である。チップ接続端子15は、基板端子に相当する。 The chip connection terminals 15 are electrically connected to the back surface pads 14. The chip connection terminals 15 are terminals for connecting to the mother board 200 in the MCM 100. The chip connection terminals 15 correspond to board terminals.

半導体素子2は、素子基板20と、素子端子21とを備えている。半導体素子2は、通信回路が構成されている。言い換えると、半導体素子2は、通信機能を有している。半導体素子2は、素子端子21として、通信端子211、素子電源端子212、素子接地端子213を備えている。素子端子21は、導電性の部材を主成分として構成されている。素子端子21は、素子基板20におけるモジュール基板1と対向する部位(以下、対向部)に設けられている。半導体素子2は、複数の素子端子21が設けられている。半導体素子2は、素子端子21が基板電極と接続されて、モジュール基板1に実装されている。 The semiconductor element 2 includes an element substrate 20 and element terminals 21. The semiconductor element 2 includes a communication circuit. In other words, the semiconductor element 2 has a communication function. The semiconductor element 2 includes element terminals 21, which include a communication terminal 211, an element power supply terminal 212, and an element ground terminal 213. The element terminals 21 are mainly made of a conductive material. The element terminals 21 are provided in a portion of the element substrate 20 that faces the module substrate 1 (hereinafter, the facing portion). The semiconductor element 2 includes a plurality of element terminals 21. The semiconductor element 2 is mounted on the module substrate 1 with the element terminals 21 connected to the substrate electrodes.

通信端子211は、通信インターフェース機能を有している。半導体素子2は、複数の通信端子211を備えている。通信端子211は、通信パッド13eと対向配置されている。通信端子211は、通信パッド13eとはんだなどの導電性接着剤を介して接続されている。以下では、導電性接着剤の一例として、はんだを採用する。 The communication terminals 211 have a communication interface function. The semiconductor element 2 includes a plurality of communication terminals 211. The communication terminals 211 are disposed opposite the communication pads 13e. The communication terminals 211 are connected to the communication pads 13e via a conductive adhesive such as solder. In the following, solder is used as an example of a conductive adhesive.

半導体素子2は、複数の素子電源端子212と複数の素子接地端子213とを備えている。複数の素子電源端子212は、第1電源パッド13aとはんだを介して電気的に接続されている。複数の素子接地端子213は、第1接地パッド13cとはんだを介して電気的に接続されている。素子電源端子212と素子接地端子213は、電源端子に相当する。 The semiconductor element 2 has a plurality of element power supply terminals 212 and a plurality of element ground terminals 213. The plurality of element power supply terminals 212 are electrically connected to the first power supply pad 13a via solder. The plurality of element ground terminals 213 are electrically connected to the first ground pad 13c via solder. The element power supply terminals 212 and the element ground terminals 213 correspond to power supply terminals.

図1に示すように、半導体素子2は、第1端子群21a、第2端子群21b、第3端子群21c、第4端子群21d、電源端子群21eが設けられている。第1端子群21a~第4端子群21dのそれぞれには、複数の通信端子211が含まれている。電源端子群21eには、複数の素子電源端子212と複数の素子接地端子213が含まれている。 As shown in FIG. 1, the semiconductor element 2 is provided with a first terminal group 21a, a second terminal group 21b, a third terminal group 21c, a fourth terminal group 21d, and a power supply terminal group 21e. Each of the first terminal group 21a to the fourth terminal group 21d includes a plurality of communication terminals 211. The power supply terminal group 21e includes a plurality of element power supply terminals 212 and a plurality of element ground terminals 213.

半導体素子2は、対向部における中央に電源端子群21eが配置されている。半導体素子2は、対向部における電源端子群21eの周辺に第1端子群21a~第4端子群21dが配置されている。 The semiconductor element 2 has a power supply terminal group 21e arranged in the center of the opposing portion. The semiconductor element 2 has a first terminal group 21a to a fourth terminal group 21d arranged around the power supply terminal group 21e in the opposing portion.

本実施形態では、一例として、モジュール基板1に一つの半導体素子2が実装された例を採用している。本開示は、複数の半導体素子2がモジュール基板1に実装されていてもよい。 In this embodiment, as an example, an example is used in which one semiconductor element 2 is mounted on the module substrate 1. In the present disclosure, multiple semiconductor elements 2 may be mounted on the module substrate 1.

電源回路3は、回路基板30と、回路電源端子32aと、回路接地端子32bとを備えている。電源回路3は、半導体素子2に電力を供給する回路素子である。つまり、電源回路3は、電源経路を介して、半導体素子2に電力を供給する。 The power supply circuit 3 includes a circuit board 30, a circuit power terminal 32a, and a circuit ground terminal 32b. The power supply circuit 3 is a circuit element that supplies power to the semiconductor element 2. In other words, the power supply circuit 3 supplies power to the semiconductor element 2 via a power supply path.

回路電源端子32aと回路接地端子32bは、回路基板30におけるモジュール基板1と対向する部位に設けられている。電源回路3は、複数の回路電源端子32aと複数の回路接地端子32bが設けられている。電源回路3は、回路電源端子32aと回路接地端子32bが基板電極と接続されて、モジュール基板1に実装されている。 The circuit power supply terminal 32a and the circuit ground terminal 32b are provided at a portion of the circuit board 30 that faces the module board 1. The power supply circuit 3 is provided with a plurality of circuit power supply terminals 32a and a plurality of circuit ground terminals 32b. The power supply circuit 3 is mounted on the module board 1 with the circuit power supply terminals 32a and the circuit ground terminals 32b connected to the board electrodes.

複数の回路電源端子32aは、第2電源パッド13bとはんだを介して電気的に接続されている。複数の回路接地端子32bは、第2接地パッド13dとはんだを介して電気的に接続されている。回路電源端子32aと回路接地端子32bは、回路端子に相当する。 The multiple circuit power terminals 32a are electrically connected to the second power pad 13b via solder. The multiple circuit ground terminals 32b are electrically connected to the second ground pad 13d via solder. The circuit power terminals 32a and the circuit ground terminals 32b correspond to circuit terminals.

図2に示すように、このように構成されたMCM1は、積層方向において、通信経路が電源経路の対向領域外に設けられている。つまり、パターン配線12aと通信パッド13eと裏面パッド14は、積層方向における電源経路の対向領域外に設けられている。通信経路は、積層方向に直交する方向における電源経路の対向領域を含んで設けられている。 As shown in FIG. 2, in the MCM1 configured in this manner, the communication path is provided outside the opposing area of the power path in the stacking direction. In other words, the pattern wiring 12a, the communication pad 13e, and the back surface pad 14 are provided outside the opposing area of the power path in the stacking direction. The communication path is provided including the opposing area of the power path in the direction perpendicular to the stacking direction.

なお、積層方向は、パターン配線12aが積層されている方向である。また、積層方向は、モジュール基板に対する半導体素子の実装方向と一致する。さらに、積層方向は、モジュール基板1の厚み方向とも一致する。 The stacking direction is the direction in which the pattern wiring 12a is stacked. The stacking direction also coincides with the mounting direction of the semiconductor element on the module substrate. Furthermore, the stacking direction also coincides with the thickness direction of the module substrate 1.

<マザー基板>
マザー基板200は、樹脂やセラミックスなどの絶縁基板201に、導電性の部材を主成分とする複数の配線202が設けられた配線基板である。マザー基板200は、複数の配線202が絶縁基板201の内部および表面に設けられている。マザー基板200は、絶縁基板201を介して、複数の配線202が積層されている。配線202は、配線層に相当する。
<Motherboard>
The motherboard 200 is a wiring board in which a plurality of wirings 202 made mainly of a conductive material are provided on an insulating substrate 201 such as resin or ceramics. In the motherboard 200, the plurality of wirings 202 are provided inside and on the surface of the insulating substrate 201. In the motherboard 200, the plurality of wirings 202 are stacked with the insulating substrate 201 interposed therebetween. The wirings 202 correspond to a wiring layer.

マザー基板200は、絶縁基板201を貫通している貫通ビア203が形成された貫通基板である。貫通ビア203は、配線202と電気的に接続されている。貫通ビア203は、異なる層の配線202を電気的に接続している。詳述すると、マザー基板200は、貫通ビア203として、絶縁基板201の一面から一面の反対面にわたって貫通した貫通穴の表面に金属膜が設けられている。言い換えると、マザー基板200は、貫通穴の表面に金属めっきが施された貫通ビア203を備えている。なお、貫通穴の表面とは、絶縁基板における貫通穴を囲う環状壁面の表面である。 The motherboard 200 is a through-hole substrate in which through-hole vias 203 are formed, penetrating the insulating substrate 201. The through-hole vias 203 are electrically connected to the wiring 202. The through-hole vias 203 electrically connect the wiring 202 of different layers. In more detail, the motherboard 200 has a through-hole, which penetrates from one surface of the insulating substrate 201 to the opposite surface, provided with a metal film on the surface. In other words, the motherboard 200 has through-hole vias 203 whose surface is plated with metal. The surface of the through-hole is the surface of the annular wall surrounding the through-hole in the insulating substrate.

マザー基板200は、貫通ビア203の一部が、絶縁基板201の一面および反対面に電極として設けられている。マザー基板200は、電極とチップ接続端子15とがはんだを介して接続されている。マザー基板200は、配線基板に相当する。なお、マザー基板200は、複数か所に配線202と貫通ビア203が設けられている。しかしながら、図2では、図面を簡略化するために、一部のみに、配線202および貫通ビア203を図示している。 In the motherboard 200, some of the through vias 203 are provided as electrodes on one side and the opposite side of the insulating substrate 201. In the motherboard 200, the electrodes and the chip connection terminals 15 are connected via solder. The motherboard 200 corresponds to a wiring board. Note that the motherboard 200 has wiring 202 and through vias 203 provided in multiple locations. However, in FIG. 2, in order to simplify the drawing, only some of the wiring 202 and through vias 203 are shown.

<電子制御装置>
電子制御装置1000は、マザー基板200にMCM100が実装されて構成されている。本実施形態では、一例として、マザー基板200に一つのMCM100が実装された電子制御装置1000を採用している。しかしながら、本開示は、これに限定されない。電子制御装置1000は、複数のMCM100が実装されていてもよい。また、電子制御装置1000は、MCM100とは異なる回路素子やコネクタなどが実装されていてもよい。
<Electronic control device>
The electronic control device 1000 is configured by mounting an MCM 100 on a motherboard 200. In the present embodiment, as an example, an electronic control device 1000 in which one MCM 100 is mounted on the motherboard 200 is employed. However, the present disclosure is not limited to this. The electronic control device 1000 may be mounted with a plurality of MCMs 100. Furthermore, the electronic control device 1000 may be mounted with circuit elements, connectors, etc. different from the MCM 100.

<効果>
上記のように構成されたMCM100は、電源回路3から半導体素子2に電力供給する際に、電源経路に大電流が流れる。そして、MCM100は、図2の一点鎖線で示すように、電源経路を含む部位に電源ループが形成される。また、MCM100は、図2の二点鎖線で示すように、通信経路に電流が流れる。
<Effects>
In the MCM 100 configured as described above, a large current flows through the power supply path when power is supplied from the power supply circuit 3 to the semiconductor element 2. In the MCM 100, a power supply loop is formed in a portion including the power supply path, as shown by the dashed line in Fig. 2. In addition, in the MCM 100, a current flows through the communication path, as shown by the dashed line in Fig. 2.

そこで、MCM100は、通信経路が電源経路の対向領域外に配置されている。このため、MCM100は、通信経路が電源経路の対向領域に配置されている構成よりも、通信経路と電源経路とが並走する領域を減らすことができる。よって、MCM100は、電源経路から通信経路にノイズが重畳(伝搬)することを低減できる。これに伴って、MCM100は、半導体素子2による通信と、半導体素子2への電力供給の成立マージンを向上できる。 Therefore, in the MCM100, the communication path is arranged outside the opposing area of the power path. As a result, the MCM100 can reduce the area in which the communication path and the power path run parallel to each other, compared to a configuration in which the communication path is arranged in the opposing area of the power path. Therefore, the MCM100 can reduce the superposition (propagation) of noise from the power path to the communication path. As a result, the MCM100 can improve the margin for communication by the semiconductor element 2 and the establishment of power supply to the semiconductor element 2.

このように、MCM100は、通信経路に対して、電源経路を流れる電流によって生じるノイズの伝搬が抑制されている。よって、MCM100は、電源経路を流れる電流によって生じるノイズがMCM100内で閉じることになる。このため、MCM100は、MCM100からマザー基板200へのノイズ拡散を抑制できる。 In this way, the MCM 100 suppresses the propagation of noise caused by the current flowing through the power supply path to the communication path. Therefore, the MCM 100 confines the noise caused by the current flowing through the power supply path within the MCM 100. Therefore, the MCM 100 can suppress the diffusion of noise from the MCM 100 to the motherboard 200.

電子制御装置1000は、マザー基板200とMCM100を一枚の基板で構成する場合よりも、マザー基板200にMCM100が実装された構成とすることで、EMC(Electromagnetic Compatibility)の改善効果が高い。さらに、電子制御装置1000は、複数の高速端子群を持つ半導体素子周辺をMCM100としている。このため、電子制御装置1000は、安価で信頼性を高めることができ、かつ、ノイズを抑制できる。また、電子制御装置1000は、マザー基板200とMCM100を一枚の基板で構成する場合よりも、マザー基板200を低層数化できる。このため、電子制御装置1000は、マザー基板200を低コスト化できる。よって、電子制御装置1000は、より一層上記効果を奏しやすい。なお、低層数基板とは、例えば、8層以下、好ましくは6層以下の基板とする。ただし、マザー基板200は、低層数基板に限定されない。 The electronic control device 1000 has a configuration in which the MCM 100 is mounted on the mother board 200, which improves EMC (Electromagnetic Compatibility) more than when the mother board 200 and the MCM 100 are configured on a single board. Furthermore, the electronic control device 1000 uses the MCM 100 around a semiconductor element having a group of multiple high-speed terminals. Therefore, the electronic control device 1000 can be inexpensive, has high reliability, and can suppress noise. Furthermore, the electronic control device 1000 can reduce the number of layers of the mother board 200 compared to when the mother board 200 and the MCM 100 are configured on a single board. Therefore, the electronic control device 1000 can reduce the cost of the mother board 200. Therefore, the electronic control device 1000 is more likely to achieve the above-mentioned effect. Note that a low-layer board is, for example, a board with 8 layers or less, preferably 6 layers or less. However, the mother board 200 is not limited to a low-layer board.

また、電子制御装置1000は、MCM100を備えている。このMCM100は、上記のようにMCM100上で発生するノイズを低減でき、マザー基板200へのノイズの拡散を抑制できる。このため、電子制御装置1000は、ノイズの耐性を向上できる。 The electronic control device 1000 also includes an MCM 100. As described above, this MCM 100 can reduce noise generated on the MCM 100 and can suppress the diffusion of noise to the motherboard 200. This allows the electronic control device 1000 to have improved noise resistance.

以上、本開示の好ましい実施形態について説明した。しかしながら、本開示は、上記実施形態に何ら制限されることはなく、本開示の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。以下に、本開示のその他の形態として、第2~第4実施形態に関して説明する。上記実施形態および第2~第4実施形態は、それぞれ単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。本開示は、実施形態において示された組み合わせに限定されることなく、種々の組み合わせによって実施可能である。 Preferred embodiments of the present disclosure have been described above. However, the present disclosure is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible without departing from the spirit of the present disclosure. Below, the second to fourth embodiments are described as other forms of the present disclosure. The above embodiments and the second to fourth embodiments can each be implemented alone, but can also be implemented in appropriate combinations. The present disclosure is not limited to the combinations shown in the embodiments, and can be implemented in various combinations.

(第2実施形態)
図3、図4を用いて、第2実施形態のMCM100と電子制御装置1000に関して説明する。本実施形態では、主に、モジュール基板1の構成が第1実施形態と異なる。なお、図4では、マザー基板200を簡略化して図示している。マザー基板200は、上記実施形態と同様である。マザー基板200に関しては、他の実施形態でも同様である。
Second Embodiment
The MCM 100 and electronic control device 1000 of the second embodiment will be described with reference to Figures 3 and 4. In this embodiment, the configuration of the module board 1 is mainly different from that of the first embodiment. Note that in Figure 4, the mother board 200 is illustrated in a simplified form. The mother board 200 is the same as in the above embodiment. The mother board 200 is the same in the other embodiments.

図3、図4に示すように、モジュール基板1は、複数のチップ端子群15a~15dを備えている。各チップ端子群15a~15dは、複数のチップ接続端子15を含んでいる。つまり、各チップ端子群15a~15dは、各チップ端子群15a~15dに含まれている複数のチップ接続端子15の集まりを示している。例えば、第1チップ端子群15aは、第1チップ端子群15aに含まれる複数のチップ接続端子15の集まりを示している。各チップ端子群15a~15dは、モジュール基板1における実装面の反対面に設けられている。 As shown in Figures 3 and 4, the module substrate 1 has multiple chip terminal groups 15a to 15d. Each chip terminal group 15a to 15d includes multiple chip connection terminals 15. In other words, each chip terminal group 15a to 15d represents a collection of multiple chip connection terminals 15 included in the respective chip terminal group 15a to 15d. For example, the first chip terminal group 15a represents a collection of multiple chip connection terminals 15 included in the first chip terminal group 15a. Each chip terminal group 15a to 15d is provided on the surface of the module substrate 1 opposite the mounting surface.

図3に示すように、各チップ端子群15a~15dのチップ接続端子15は、各配線12c1~12c4を介して、素子端子21と電気的に接続されている。各配線12c1~12c4は、通信経路に含まれている。また、モジュール基板1は、異なる通信経路に含まれている複数の配線12c1~12c4を備えているといえる。なお、図3では、配線12c1~12c4を簡略化して線で図示している。 As shown in FIG. 3, the chip connection terminals 15 of each chip terminal group 15a-15d are electrically connected to the element terminals 21 via each of the wirings 12c1-12c4. Each of the wirings 12c1-12c4 is included in a communication path. It can also be said that the module substrate 1 includes a plurality of wirings 12c1-12c4 that are included in different communication paths. Note that in FIG. 3, the wirings 12c1-12c4 are simplified and illustrated with lines.

詳述すると、第1チップ端子群15aのチップ接続端子15は、第1配線12c1を介して、第1端子群21aの素子端子21と接続されている。第2チップ端子群15bのチップ接続端子15は、第2配線12c2を介して、第2端子群21bの素子端子21と接続されている。第3チップ端子群15cのチップ接続端子15は、第3配線12c3を介して、第3端子群21cの素子端子21と接続されている。第4チップ端子群15dのチップ接続端子15は、第4配線12c4を介して、第4端子群21dの素子端子21と接続されている。 More specifically, the chip connection terminals 15 of the first chip terminal group 15a are connected to the element terminals 21 of the first terminal group 21a via the first wiring 12c1. The chip connection terminals 15 of the second chip terminal group 15b are connected to the element terminals 21 of the second terminal group 21b via the second wiring 12c2. The chip connection terminals 15 of the third chip terminal group 15c are connected to the element terminals 21 of the third terminal group 21c via the third wiring 12c3. The chip connection terminals 15 of the fourth chip terminal group 15d are connected to the element terminals 21 of the fourth terminal group 21d via the fourth wiring 12c4.

各チップ端子群15a~15dは、モジュール基板1の反対面の辺に沿って配置されている。モジュール基板1は、反対面の変に沿って、複数列に複数のチップ接続端子15が配置されている。モジュール基板1は、矩形枠状に複数のチップ接続端子15が配置されているといえる。各チップ端子群15a~15dは、このように配置された複数のチップ接続端子15の一部を含んでいる。また、各チップ端子群15a~15dは、電源端子群21eの対向領域を避けて配置されている。電子制御装置1000は、このように構成されたMCM100が実装されている。 Each chip terminal group 15a-15d is arranged along the edge of the opposite surface of the module substrate 1. The module substrate 1 has multiple chip connection terminals 15 arranged in multiple rows along the edge of the opposite surface. It can be said that the module substrate 1 has multiple chip connection terminals 15 arranged in a rectangular frame shape. Each chip terminal group 15a-15d includes a portion of the multiple chip connection terminals 15 arranged in this manner. Furthermore, each chip terminal group 15a-15d is arranged to avoid the area facing the power supply terminal group 21e. The electronic control device 1000 is implemented with an MCM 100 configured in this manner.

このため、モジュール基板1は、積層方向において、電源経路の対向領域外に各配線12c1~12c4を設けやすい。つまり、モジュール基板1は、積層方向において、電源経路と各配線12c1~12c4を含む通信経路とが重なることを抑制できる。また、モジュール基板1は、積層方向において、電源経路と各配線12c1~12c4(通信経路)との並走を抑制できるといえる。なお、本実施形態では、一例として、全ての配線12c1~12c4が積層方向における電源経路の対向領域外に配置されたモジュール基板1を採用している。 For this reason, the module substrate 1 is easy to provide each of the wirings 12c1-12c4 outside the opposing area of the power supply path in the stacking direction. In other words, the module substrate 1 can prevent the power supply path and the communication path including each of the wirings 12c1-12c4 from overlapping in the stacking direction. It can also be said that the module substrate 1 can prevent the power supply path and each of the wirings 12c1-12c4 (communication paths) from running parallel to each other in the stacking direction. Note that, as an example, the present embodiment employs a module substrate 1 in which all of the wirings 12c1-12c4 are arranged outside the opposing area of the power supply path in the stacking direction.

また、各チップ端子群15a~15dは、接続先の各配線12c1~12c4の近傍に配置すると好ましい。言い換えると、各チップ端子群15a~15dは、各配線12c1~12c4が交差せずに各配線12c1~12c4を配置できる位置に設けられている。これによって、MCM100は、各配線12c1~12c4を含む各通信経路が交差したり並走したりすることを抑制できる。このため、MCM100は、各通信経路どうしのクロストークによるノイズを抑制できる。 It is also preferable to arrange each of the chip terminal groups 15a-15d in the vicinity of the respective wirings 12c1-12c4 to which they are connected. In other words, each of the chip terminal groups 15a-15d is provided in a position where each of the wirings 12c1-12c4 can be arranged without crossing each other. This allows the MCM 100 to prevent each of the communication paths including each of the wirings 12c1-12c4 from crossing or running parallel to each other. This allows the MCM 100 to suppress noise caused by crosstalk between each of the communication paths.

さらに、MCM100は、反対面側に多くのチップ接続端子15を配置できる。したがって、電子制御装置1000は、マザー基板200の配線密度を向上できる。なお、当然ながら、第2実施形態の電子制御装置1000およびMCM100は、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。 Furthermore, the MCM 100 can arrange many chip connection terminals 15 on the opposite side. Therefore, the electronic control device 1000 can improve the wiring density of the motherboard 200. Naturally, the electronic control device 1000 and MCM 100 of the second embodiment can achieve the same effects as the first embodiment.

(第3実施形態)
図5、図6を用いて、第3実施形態のMCM100と電子制御装置1000に関して説明する。本実施形態では、主に、半導体素子2とモジュール基板1の構成が第1実施形態と異なる。
Third Embodiment
An MCM 100 and an electronic control device 1000 according to the third embodiment will be described with reference to Figures 5 and 6. In this embodiment, the main difference from the first embodiment is the configuration of the semiconductor element 2 and the module substrate 1.

半導体素子2は、高速通信を行うための高速通信回路と、高速通信回路よりも通信速度が遅い低速通信回路が構成されている。つまり、高速通信機能と、高速通信機能よりも通信速度が遅い低速通信機能を備えているといえる。 The semiconductor element 2 is configured with a high-speed communication circuit for performing high-speed communication, and a low-speed communication circuit whose communication speed is slower than that of the high-speed communication circuit. In other words, it can be said to have a high-speed communication function and a low-speed communication function whose communication speed is slower than that of the high-speed communication function.

図5、図6に示すように、半導体素子2は、高速通信用の複数の通信端子211と、低速通信用の複数の低速通信端子26aとを備えている。各端子群21a~21dは、高速端子群といえる。本実施形態の通信端子211は、高速通信に用いられる端子である。各チップ端子群15a~15dおよび各配線12c1~12c4は、高速通信に用いられるものである。よって、配線12c1~12c4を含む通信経路は、高速通信経路といえる。 As shown in Figures 5 and 6, the semiconductor element 2 has multiple communication terminals 211 for high-speed communication and multiple low-speed communication terminals 26a for low-speed communication. Each of the terminal groups 21a to 21d can be considered a high-speed terminal group. In this embodiment, the communication terminal 211 is a terminal used for high-speed communication. Each of the chip terminal groups 15a to 15d and each of the wirings 12c1 to 12c4 are used for high-speed communication. Therefore, the communication path including the wirings 12c1 to 12c4 can be considered a high-speed communication path.

一方、低速端子群26は、複数の低速通信端子26aを含んでいる。低速通信端子26aは、低速通信に用いられる端子である。 On the other hand, the low-speed terminal group 26 includes a number of low-speed communication terminals 26a. The low-speed communication terminals 26a are terminals used for low-speed communication.

モジュール基板1は、モジュール基板1の反対面に複数の低速チップ端子16を備えている。各低速チップ端子16は、各低速通信端子26aと第5配線12c5と電気的に接続されている。複数の低速チップ端子16は、モジュール基板1の反対面における中央に設けられている。低速チップ端子16は、基板端子に相当する。第5配線12c5は、高速通信経路および電源経路とは異なる、一部の配線と一部の基板電極とを含んでいる。半導体素子2は、第5配線12c5を含む低速通信経路を備えている。 The module substrate 1 has a plurality of low-speed chip terminals 16 on the opposite surface of the module substrate 1. Each low-speed chip terminal 16 is electrically connected to each low-speed communication terminal 26a and the fifth wiring 12c5. The plurality of low-speed chip terminals 16 are provided in the center of the opposite surface of the module substrate 1. The low-speed chip terminals 16 correspond to substrate terminals. The fifth wiring 12c5 includes some wiring and some substrate electrodes that are different from the high-speed communication path and the power supply path. The semiconductor element 2 has a low-speed communication path that includes the fifth wiring 12c5.

なお、電源経路のパターン配線12aは、積層方向に直交する方向において、第5配線12c5の周囲に設けられている。電源経路のパターン配線12aは、第5配線12c5と機械的に接続されていない。なお、図6では、電源経路のパターン配線12aの一部のみを図示している。しかしながら、電源経路のパターン配線12aは、図6で示している箇所以外にも設けられている。そして、電源経路のパターン配線12aの全体が積層方向に直交する方向において、第5配線12c5の周囲に設けられている。図6では、図面を見やすくするために、第5配線12c5を白抜きで図示している。 The power supply path pattern wiring 12a is provided around the fifth wiring 12c5 in a direction perpendicular to the stacking direction. The power supply path pattern wiring 12a is not mechanically connected to the fifth wiring 12c5. FIG. 6 illustrates only a portion of the power supply path pattern wiring 12a. However, the power supply path pattern wiring 12a is provided in locations other than those shown in FIG. 6. The entire power supply path pattern wiring 12a is provided around the fifth wiring 12c5 in a direction perpendicular to the stacking direction. In FIG. 6, the fifth wiring 12c5 is illustrated in white to make the drawing easier to see.

図6に示すように、低速通信経路の少なくとも一部は、積層方向における電源経路の対向領域に設けられている。つまり、高速通信経路は、積層方向において、電源経路の対向領域外に配置されている。一方、低速通信経路は、積層方向において、電源経路の対向領域内に配置されている。なお、低速通信経路は、積層方向において、電源経路の対向領域外に配置されていてもよい。電子制御装置1000は、このように構成されたMCM100が実装されている。 As shown in FIG. 6, at least a portion of the low-speed communication path is provided in an area facing the power supply path in the stacking direction. In other words, the high-speed communication path is arranged outside the area facing the power supply path in the stacking direction. On the other hand, the low-speed communication path is arranged within the area facing the power supply path in the stacking direction. Note that the low-speed communication path may be arranged outside the area facing the power supply path in the stacking direction. The electronic control device 1000 is implemented with an MCM 100 configured in this manner.

第3実施形態の電子制御装置1000およびMCM100は、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。また、第3実施形態のMCM100は、低速通信経路が電源経路の対向領域内に配置されている。しかしながら、低速通信経路は、ノイズが伝搬しても通信に悪影響がおよびにくい。このため、第3実施形態のMCM100は、チップ接続端子15や低速チップ端子16などの基板端子と電気的に接続できる配線数を増やすことができる。つまり、第3実施形態のMCM100は、枠状のみにチップ接続端子15が設けられている場合よりも、基板端子と電気的に接続できる配線数を増やすことができる。言い換えると、第3実施形態のMCM100は、モジュール基板1の配線密度を向上できる。 The electronic control device 1000 and MCM 100 of the third embodiment can achieve the same effects as those of the first embodiment. In addition, in the MCM 100 of the third embodiment, the low-speed communication path is arranged in the opposing area of the power supply path. However, the low-speed communication path is less likely to adversely affect communication even if noise propagates. Therefore, the MCM 100 of the third embodiment can increase the number of wirings that can be electrically connected to substrate terminals such as the chip connection terminals 15 and the low-speed chip terminals 16. In other words, the MCM 100 of the third embodiment can increase the number of wirings that can be electrically connected to substrate terminals compared to when the chip connection terminals 15 are provided only in a frame shape. In other words, the MCM 100 of the third embodiment can improve the wiring density of the module substrate 1.

さらに、第3実施形態のMCM100は、モジュール基板1の反対面における中央に、複数の低速チップ端子16が設けられている。このため、第3実施形態の電子制御装置1000は、MCM100やマザー基板200の反りによって生じる応力を各基板端子に分散させることができる。つまり、第3実施形態の電子制御装置1000は、枠状のみにチップ接続端子15が設けられている場合よりも、応力を各基板端子に分散させることができる。よって、第3実施形態の電子制御装置1000は、マザー基板200に対するMCM100の実装信頼性を向上できる。 Furthermore, the MCM 100 of the third embodiment has multiple low-speed chip terminals 16 in the center of the opposite surface of the module substrate 1. Therefore, the electronic control device 1000 of the third embodiment can distribute stress caused by warping of the MCM 100 or the motherboard 200 to each substrate terminal. In other words, the electronic control device 1000 of the third embodiment can distribute stress to each substrate terminal more than when the chip connection terminals 15 are provided only in a frame shape. Therefore, the electronic control device 1000 of the third embodiment can improve the mounting reliability of the MCM 100 to the motherboard 200.

(第4実施形態)
図7を用いて、第4実施形態のMCM100と電子制御装置1000に関して説明する。本実施形態では、主に、MCM100にバイパスコンデンサ4が設けられている点が第1実施形態と異なる。
Fourth Embodiment
An MCM 100 and an electronic control device 1000 according to the fourth embodiment will be described with reference to Fig. 7. This embodiment differs from the first embodiment mainly in that the MCM 100 is provided with a bypass capacitor 4.

半導体素子2は、上記のように、対向部における中央に電源端子群21eが配置されている。つまり、半導体素子2は、対向部における中央に、複数の素子電源端子212と複数の素子接地端子213が設けられている。 As described above, the semiconductor element 2 has the power supply terminal group 21e arranged in the center of the opposing portion. In other words, the semiconductor element 2 has a plurality of element power supply terminals 212 and a plurality of element ground terminals 213 arranged in the center of the opposing portion.

MCM100は、モジュール基板1の反対面にバイパスコンデンサ4が実装されている。バイパスコンデンサ4は、第1電極41と第2電極42とを備えている。バイパスコンデンサ4は、素子電源端子212から素子接地端子213との間に配置されている。第1電極41は、パターン配線12aと層間接続部12bなどを介して、素子電源端子212と接続されている。一方、第2電極42は、パターン配線12aと層間接続部12bなどを介して、素子接地端子213と接続されている。 The MCM 100 has a bypass capacitor 4 mounted on the opposite surface of the module substrate 1. The bypass capacitor 4 has a first electrode 41 and a second electrode 42. The bypass capacitor 4 is disposed between the element power supply terminal 212 and the element ground terminal 213. The first electrode 41 is connected to the element power supply terminal 212 via the pattern wiring 12a, the interlayer connection 12b, etc. On the other hand, the second electrode 42 is connected to the element ground terminal 213 via the pattern wiring 12a, the interlayer connection 12b, etc.

バイパスコンデンサ4は、モジュール基板1の反対面であり、かつ、実装方向における素子電源端子212および素子接地端子213の対向領域に実装されている。つまり、バイパスコンデンサ4は、実装方向における電源端子群21eの対向領域に実装されている。 The bypass capacitor 4 is mounted on the opposite side of the module substrate 1, in an area facing the element power supply terminal 212 and the element ground terminal 213 in the mounting direction. In other words, the bypass capacitor 4 is mounted in an area facing the power supply terminal group 21e in the mounting direction.

好ましくは、モジュール基板1は、実装方向において、実装面に接続された素子電源端子212および素子接地端子213と、反対面に設けられた第1電極41と第2電極42とが最短距離で接続されている。電子制御装置1000は、このように構成されたMCM100が実装されている。 Preferably, in the mounting direction, the module substrate 1 is connected in the shortest distance between the element power supply terminal 212 and the element ground terminal 213 connected to the mounting surface and the first electrode 41 and the second electrode 42 provided on the opposite surface. The electronic control device 1000 is mounted with an MCM 100 configured in this way.

第4実施形態の電子制御装置1000およびMCM100は、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。MCM100は、素子電源端子212からバイパスコンデンサ4を通って素子接地端子213までの経路を最短で接続できる。よって、MCM100は、インピーダンスを最小化することができ、バイパスコンデンサ4による電源ノイズのカット効果を最大限発揮できる。つまり、MCM100は、バイパスコンデンサ4を横置きする場合よりも、低インピーダンスの経路で接続できるため、バイパスコンデンサ4による電源ノイズのカット効果を最大限発揮できる。また、MCM100は、バイパスコンデンサ4の容量の低減や個数の削減も期待できる。 The electronic control device 1000 and MCM 100 of the fourth embodiment can achieve the same effects as those of the first embodiment. The MCM 100 can connect the shortest path from the element power supply terminal 212 through the bypass capacitor 4 to the element ground terminal 213. Therefore, the MCM 100 can minimize impedance and maximize the power supply noise cutting effect of the bypass capacitor 4. In other words, the MCM 100 can be connected via a path with lower impedance than when the bypass capacitor 4 is placed horizontally, so the power supply noise cutting effect of the bypass capacitor 4 can be maximized. In addition, the MCM 100 can be expected to reduce the capacity and number of bypass capacitors 4.

本開示は、実施形態に準拠して記述されたが、本開示は当該実施形態や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態が本開示に示されているが、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範畴や思想範囲に入るものである。 Although the present disclosure has been described with reference to an embodiment, it is understood that the present disclosure is not limited to the embodiment or structure. The present disclosure also encompasses various modifications and modifications within the scope of equivalents. In addition, while various combinations and forms are shown in the present disclosure, other combinations and forms including only one element, more, or less are also within the scope and concept of the present disclosure.

1…モジュール基板、10…絶縁基板、11…保護膜、12a…パターン配線、12b…層間接続部、12c1…第1配線、12c2…第2配線、12c3…第3配線、12c4…第4配線、13a…第1電源パッド、13b…第2電源パッド、13c…第1接地パッド、13d…第2接地パッド、13e…通信パッド、14…裏面パッド、15…チップ接続端子、15a…第1チップ端子群、15b…第2チップ端子群、15c…第3チップ端子群、15d…第4チップ端子群、2…半導体素子、20…素子基板、21…素子端子、211…通信端子、212…素子電源端子、213…素子接地端子、21a…第1端子群、21b…第2端子群、21c…第3端子群、21d…第4端子群、21e…電源端子群、3…電源回路、30…回路基板、32a…回路電源端子、32b…回路接地端子、100…マルチチップモジュール、200…マザー基板、1000…電子制御装置 1...module substrate, 10...insulating substrate, 11...protective film, 12a...pattern wiring, 12b...interlayer connection, 12c1...first wiring, 12c2...second wiring, 12c3...third wiring, 12c4...fourth wiring, 13a...first power supply pad, 13b...second power supply pad, 13c...first ground pad, 13d...second ground pad, 13e...communication pad, 14...back surface pad, 15...chip connection terminal, 15a...first chip terminal group, 15b...second chip terminal group, 15c...third chip chip terminal group, 15d...fourth chip terminal group, 2...semiconductor element, 20...element substrate, 21...element terminal, 211...communication terminal, 212...element power supply terminal, 213...element ground terminal, 21a...first terminal group, 21b...second terminal group, 21c...third terminal group, 21d...fourth terminal group, 21e...power supply terminal group, 3...power supply circuit, 30...circuit substrate, 32a...circuit power supply terminal, 32b...circuit ground terminal, 100...multi-chip module, 200...mother substrate, 1000...electronic control device

Claims (3)

複数の基板電極(13a~13e,14)と前記基板電極に接続された複数の配線とを有し、前記配線として、絶縁体を介して積層された導体パターンと、異なる層の前記導体パターンを接続する層間接続部とを有したモジュール基板(1)と、
複数の素子端子(21,211~213)を有し、前記素子端子が前記基板電極と接続されて前記モジュール基板に実装された半導体素子(2)と、
複数の回路端子(32a,32b)を有し、前記回路端子が前記基板電極と接続されて前記モジュール基板に実装され、前記半導体素子に電力を供給する電源回路(3)と、を備えており、
前記半導体素子は、前記素子端子として、通信インターフェース機能を有する複数の通信端子(211)と、前記電源回路との間の経路である一部の前記配線と一部の前記基板電極とを含む電源経路に接続される電源端子(212,213)と、を有し、
前記電源回路は、前記回路端子が前記電源経路に接続されており、
前記モジュール基板は、前記電源経路とは異なる一部の前記配線と一部の前記基板電極を含み前記通信端子と接続された通信経路前記半導体素子と前記電源回路が実装された実装面の反対面に複数の低速チップ端子(16)を有し、
前記通信経路は、前記モジュール基板に対する前記半導体素子の実装方向における前記電源経路の対向領域外に設けられており、
前記通信端子は、高速通信に用いられるものであり、
前記半導体素子は、前記通信端子に加えて、実装方向における複数の前記低速チップ端子の対向領域の一部に設けられた、前記高速通信よりも低速な低速通信に用いられる低速通信端子(26a)を備え、
前記モジュール基板は、前記電源経路および前記通信経路とは異なる一部の前記配線と一部の前記基板電極を含み前記低速通信端子と接続された低速通信経路を有し、
前記低速通信経路の少なくとも一部は、前記実装方向における前記電源経路の対向領域に設けられており、
前記電源経路は、平面視において、前記電源回路と前記半導体素子の間に直線状に配置されているマルチチップモジュール。
A module substrate (1) having a plurality of substrate electrodes (13a to 13e, 14) and a plurality of wirings connected to the substrate electrodes, the wirings including conductor patterns laminated with an insulator interposed therebetween and interlayer connection portions connecting the conductor patterns of different layers;
a semiconductor element (2) having a plurality of element terminals (21, 211 to 213), the element terminals being connected to the board electrodes and mounted on the module board;
a power supply circuit (3) having a plurality of circuit terminals (32a, 32b), the circuit terminals being connected to the board electrodes and mounted on the module board, and supplying power to the semiconductor element,
The semiconductor element has, as the element terminals, a plurality of communication terminals (211) having a communication interface function, and power supply terminals (212, 213) connected to a power supply path including a part of the wiring and a part of the board electrodes, which is a path between the power supply circuit,
The power supply circuit has a circuit terminal connected to the power supply path,
the module substrate has a communication path that includes a part of the wiring and a part of the substrate electrodes different from the power supply path and is connected to the communication terminal, and a plurality of low-speed chip terminals (16) on a surface opposite to a mounting surface on which the semiconductor element and the power supply circuit are mounted ,
the communication path is provided outside an opposing region of the power supply path in a mounting direction of the semiconductor element on the module substrate,
the communication terminal is used for high-speed communication,
In addition to the communication terminals, the semiconductor element includes low-speed communication terminals (26 a) provided in a portion of an opposing region of the low-speed chip terminals in a mounting direction, the low-speed communication terminals being used for low-speed communication slower than the high-speed communication,
the module substrate has a low-speed communication path that includes a part of the wiring and a part of the substrate electrodes different from the power supply path and the communication path and is connected to the low-speed communication terminal;
At least a portion of the low-speed communication path is provided in an opposing region to the power supply path in the mounting direction ,
The power supply path is disposed linearly between the power supply circuit and the semiconductor element in a plan view of the multi-chip module.
前記モジュール基板は、前記半導体素子および前記電源回路の実装面の反対面に、複数の基板端子(15)を含む複数の端子群(15a~15d)を、さらに備えており、
複数の前記端子群は、前記通信経路と接続されており、前記反対面の辺に沿って配置されている請求項1に記載のマルチチップモジュール。
the module substrate further includes a plurality of terminal groups (15a to 15d) including a plurality of substrate terminals (15) on a surface opposite to the surface on which the semiconductor element and the power supply circuit are mounted;
2. The multi-chip module according to claim 1 , wherein the plurality of terminal groups are connected to the communication paths and are arranged along a side of the opposite surface.
請求項1または2に記載のマルチチップモジュールと、
前記マルチチップモジュールが実装される配線基板(200)と、を備えており、
前記配線基板は、絶縁基板(201)と、前記絶縁基板を介して積層された複数の配線層(202)と、前記絶縁基板を貫通し、各配線層を電気的に接続している複数の貫通ビア(203)とを備えている電子制御装置。
A multi-chip module according to claim 1 or 2 ;
a wiring board (200) on which the multi-chip module is mounted;
The wiring board is an electronic control device comprising an insulating substrate (201), a plurality of wiring layers (202) stacked via the insulating substrate, and a plurality of through vias (203) that penetrate the insulating substrate and electrically connect each wiring layer.
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