JP7704652B2 - 記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体、記録媒体カートリッジ、及び記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体の製造方法 - Google Patents

Description

本開示の技術は、記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体、記録媒体カートリッジ、及び記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体の製造方法に関する。

特許文献１には、記録媒体カートリッジ用のカートリッジメモリであって、第１のデータトラック数よりも多い第２のデータトラック数で情報を記録可能に構成された第２の情報記録媒体に関する管理情報を格納することが可能なメモリ容量を有するメモリ部と、前記第１のデータトラック数で情報を記録可能に構成された第１の情報記録媒体に関する管理情報を格納することが可能な第１の容量に制限されたデータ格納領域を前記メモリ部に設定することが可能に構成された容量設定部とを具備するカートリッジメモリが記載されている。

特許文献２には、ケース本体１の内部に、テープ３を巻き込んだ１個のリール２が配置され、ケース本体１の内部に設けた装填部１０に非接触型のメモリーカートリッジＭが配置してあるテープカートリッジであって、装填部１０に臨むケース周壁に、ケース外面からメモリーカートリッジＭを装填するための装填スロット２３が開口されており、装填部１０に差し込み装填されたメモリーカートリッジＭを、抜け外れ不能に係合固定する係合構造が、装填部１０とメモリーカートリッジＭとの間に設けられており、メモリーカートリッジＭが、装填部１０に対してケース外面側から後組み可能であることを特徴とする単リール型のテープカートリッジが記載されている。

国際公開ＷＯ２０１９／１９３８２９号 特開２００１－２６６５３４号公報

本開示の技術に係る一つの実施形態は、基板の変形に起因してＩＣチップに生じる応力が緩和される記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体、記録媒体カートリッジ、及び記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体の製造方法を提供する。

本開示の技術に係る第１の態様は、基板と、基板に形成され、かつ外部から与えられた磁界が作用することで電力を誘起するアンテナコイルの一端及び他端と電気的に接続されたＩＣチップと、ＩＣチップと基板との間に設けられた応力緩和部材と、を備える記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第２の態様は、応力緩和部材が、金属により形成されている、第１の態様に係る記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第３の態様は、金属が、アンテナコイルを形成する金属と同じである、第２の態様に係る記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第４の態様は、金属が、銅又は銅合金である、第２の態様又は第３の態様に係る記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第５の態様は、応力緩和部材が、プリントパターンとして形成されている、第２の態様から第４の態様の何れか１つに係る記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第６の態様は、ＩＣチップが、平面視で四角形状であり、応力緩和部材は、ＩＣチップを平面視したときのＩＣチップの四隅に対応する位置に設けられている、第１の態様から第５の態様の何れか１つに係る記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第７の態様は、ＩＣチップが、平面視で四角形状であり、応力緩和部材が、ＩＣチップを平面視したときのＩＣチップの対辺に沿って設けられている、第１の態様から第５の態様の何れか１つに係る記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第８の態様は、応力緩和部材が、ＩＣチップを平面視したときのＩＣチップの全体に対応する位置に設けられている、第１の態様から第５の態様の何れか１つに係る記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第９の態様は、応力緩和部材が、ＩＣチップを平面視したときのＩＣチップの外周部分に対応する位置に設けられている、第１の態様から第５の態様の何れか１つに係る記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第１０の態様は、ＩＣチップが、３２ｋＢ以上の記憶容量を有する、第１の態様から第９の態様の何れか１つに係る記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第１１の態様は、基板の長辺寸法に対するＩＣチップの最大外形寸法の比率が２５％以上である、第１の態様から第１０の態様の何れか１つに係る記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第１２の態様は、基板が、フレキシブルタイプの基板である、第１の態様から第１１の態様の何れか１つに係る記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第１３の態様は、第１の態様から第１２の態様の何れか１つに係る記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体を備える、記録媒体カートリッジである。

本開示の技術に係る第１４の態様は、応力緩和部材を基板上に形成すること、及び、基板に形成され、かつ外部から与えられた磁界が作用することで電力を誘起するアンテナコイルの一端及び他端と電気的に接続可能なＩＣチップを、応力緩和部材を介して基板上に実装すること、を含む記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体の製造方法である。

実施形態に係る磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。 実施形態に係る磁気テープカートリッジの下ケースの内側の右後端部の構造の一例を示す概略斜視図である。 実施形態に係る磁気テープカートリッジの下ケースの内面に設けられた支持部材の一例を示す側面視断面図である。 実施形態に係る磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 実施形態に係る磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。 実施形態に係る磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに対して非接触式読み書き装置から磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。 実施形態に係るカートリッジメモリの裏面構造の一例を示す下面図である。 実施形態に係るカートリッジメモリの表面構造の一例を示す上面図である。 図８に示すカートリッジメモリのＡ－Ａ断面図である。 実施形態に係るカートリッジメモリの製造方法の一例を示す説明図である。 変形例に係るカートリッジメモリの表面構造の一例を示す上面図である。 変形例に係るカートリッジメモリの表面構造の一例を示す上面図である。 図１２に示すカートリッジメモリのＢ－Ｂ断面図である。 変形例に係るカートリッジメモリの表面構造の一例を示す上面図である。

先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。

ＣＰＵとは、“Central Processing Unit”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Random Access Memory”の略称を指す。ＮＶＭとは、“Non-Volatile Memory”の略称を指す。ＲＯＭとは、“Read Only Memory”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Solid State Drive”の略称を指す。ＵＳＢとは、“Universal Serial Bus”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Application Specific Integrated Circuit”の略称を指す。ＰＬＤとは、“Programmable Logic Device”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Field-Programmable Gate Array”の略称を指す。ＳｏＣとは、“System-on-a-Chip”の略称を指す。ＩＣとは、“Integrated Circuit”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“Radio Frequency Identifier”の略称を指す。

以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の磁気テープドライブ３０（図４参照）への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１０の前方向とし、磁気テープカートリッジ１０の前方向の側を磁気テープカートリッジ１０の前側とする。以下の構造上の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１０の前側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１０の右方向の側を磁気テープカートリッジ１０の右側とする。以下の構造上の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１０の右側を指す

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１０の上方向とし、磁気テープカートリッジ１０の上方向の側を磁気テープカートリッジ１０の上側とする。以下の説明において、以下の構造上の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１０の上側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の後方向とし、磁気テープカートリッジ１０の後方向の側を、磁気テープカートリッジ１０の後側とする。以下の構造上の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１０の後側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の下方向とし、磁気テープカートリッジ１０の下方向の側を磁気テープカートリッジ１０の下側とする。以下の構造上の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１０の下側を指す。

一例として図１に示すように、磁気テープカートリッジ１０は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１２を備えている。磁気テープカートリッジ１０は、本開示の技術に係る「記録媒体カートリッジ」の一例である。ケース１２は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１４及び下ケース１６を備えている。上ケース１４及び下ケース１６は、上ケース１４の下周縁面と下ケース１６の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。

ケース１２の内部には、カートリッジリール１８が回転可能に収容されている。カートリッジリール１８は、リールハブ１８Ａ、上フランジ１８Ｂ１、及び下フランジ１８Ｂ２を備えている。リールハブ１８Ａは、円筒状に形成されている。リールハブ１８Ａは、カートリッジリール１８の軸心部であり、軸心方向がケース１２の上下方向に沿っており、ケース１２の中央部に配置されている。上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２の各々は円環状に形成されている。リールハブ１８Ａの上端部には上フランジ１８Ｂ１の平面視中央部が固定されており、リールハブ１８Ａの下端部には下フランジ１８Ｂ２の平面視中央部が固定されている。リールハブ１８Ａの外周面には、磁気テープＭＴが巻き回されており、磁気テープＭＴの幅方向の端部は上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２によって保持されている。なお、リールハブ１８Ａ及び下フランジ１８Ｂ２は一体として成型されていてもよい。

ケース１２の右壁１２Ａの前側には、開口１２Ｂが形成されている。磁気テープＭＴは、開口１２Ｂから引き出される。

一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部には、カートリッジメモリ１９が収容されている。カートリッジメモリ１９は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体」の一例である。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ１９として採用されている。

カートリッジメモリ１９には、管理情報が記憶されている。管理情報は、磁気テープカートリッジ１０を管理する情報である。管理情報としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０を特定可能な識別情報、磁気テープＭＴの記録容量、磁気テープＭＴに記録されている情報（以下、「記録情報」とも称する）の概要、記録情報の項目、及び記録情報の記録形式等を示す情報が挙げられる。

カートリッジメモリ１９は、非接触式で外部装置（図示省略）と通信を行う。外部装置としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０の生産工程で使用される読み書き装置、及び、磁気テープドライブ（例えば、図４に示す磁気テープドライブ３０）内で使用される読み書き装置（例えば、図４～図６に示す非接触式読み書き装置５０）が挙げられる。

外部装置は、カートリッジメモリ１９に対して、非接触式で各種情報の読み書きを行う。詳しくは後述するが、カートリッジメモリ１９は、外部装置から与えられた磁界に対して電磁的に作用することで電力を生成する。そして、カートリッジメモリ１９は、生成した電力を用いて作動し、磁界を介して外部装置と通信を行うことで外部装置との間で各種情報の授受を行う。

一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部の底板１６Ａの内面には、支持部材２０が設けられている。支持部材２０は、カートリッジメモリ１９を傾斜させた状態で下方から支持する一対の傾斜台である。一対の傾斜台は、第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂである。第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂは、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されており、下ケース１６の後壁１６Ｂの内面及び底板１６Ａの内面にモジュール化されている。第１傾斜台２０Ａは、傾斜面２０Ａ１を有しており、傾斜面２０Ａ１は、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。また、傾斜面２０Ｂ１も、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。

支持部材２０の前方側には、一対の位置規制リブ２２が左右方向に間隔を隔てて配置されている。一対の位置規制リブ２２は、底板１６Ａの内面に立設されており、支持部材２０に配置された状態のカートリッジメモリ１９の下端部の位置を規制する。

一例として図３に示すように、底板１６Ａの外面には基準面１６Ａ１が形成されている。基準面１６Ａ１は、平面である。ここで、平面とは、底板１６Ａを下側にして下ケース１６を水平面に置いた場合において、水平面に対して平行な面を指す。支持部材２０の傾斜角度θ、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び傾斜面２０Ｂ１の傾斜角度は、基準面１６Ａ１に対して４５度である。なお、４５度は、あくまでも一例に過ぎず、“０度＜傾斜角度θ＜４５度”であってもよいし、４５度以上であってもよい。

カートリッジメモリ１９は、基板２６を備えている。基板２６は、本開示の技術に係る「基板」の一例である。基板２６は、フレキシブルタイプの基板である。基板２６は、一例として角部が円弧状に面取りされた、四角形の平板状をしている。基板２６は、厚さ方向に２つの面、すなわち、表面２６Ａと裏面２６Ｂとを有する。基板２６は、基板２６の裏面２６Ｂを下側に向けて支持部材２０上に置かれ、支持部材２０は、基板２６の裏面２６Ｂを下方から支持する。基板２６の裏面２６Ｂの一部は、支持部材２０の傾斜面、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１に接触しており、基板２６の表面２６Ａは、天板１４Ａの内面１４Ａ１側に露出している。

上ケース１４は、複数のリブ２４を備えている。複数のリブ２４は、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されている。複数のリブ２４は、上ケース１４の天板１４Ａの内面１４Ａ１から下側に突設されており、各リブ２４の先端面２４Ａは、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１に対応した傾斜面を有する。すなわち、各リブ２４の先端面２４Ａは、基準面１６Ａ１に対して４５度に傾斜している。

カートリッジメモリ１９が支持部材２０に配置された状態で、上述したように上ケース１４が下ケース１６に接合されると、各リブ２４の先端面２４Ａは、基板２６に対して表面２６Ａ側から接触し、基板２６は、各リブ２４の先端面２４Ａと支持部材２０の傾斜面とで挟み込まれる。これにより、カートリッジメモリ１９の上下方向の位置がリブ２４によって規制される。

一例として図４に示すように、磁気テープドライブ３０は、搬送装置３４、読取ヘッド３６、及び制御装置３８を備えている。磁気テープドライブ３０には、磁気テープカートリッジ１０が装填される。磁気テープドライブ３０は、磁気テープカートリッジ１０から磁気テープＭＴが引き出され、引き出された磁気テープＭＴから読取ヘッド３６を用いて記録情報をリニアサーペンタイン方式で読み取る装置である。なお、本実施形態において、記録情報の読み取りとは、換言すると、記録情報の再生を指す。

制御装置３８は、磁気テープドライブ３０の全体を制御する。本実施形態において、制御装置３８は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置３８は、ＦＰＧＡによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置３８は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＩＳＣ、ＦＰＧＡ、ＰＬＤ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置３８は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。

搬送装置３４は、磁気テープＭＴを順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ４０、巻取リール４２、巻取モータ４４、複数のガイドローラＧＲ、及び制御装置３８を備えている。

送出モータ４０は、制御装置３８の制御下で、磁気テープカートリッジ１０内のカートリッジリール１８を回転駆動させる。制御装置３８は、送出モータ４０を制御することで、カートリッジリール１８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

巻取モータ４４は、制御装置３８の制御下で、巻取リール４２を回転駆動させる。制御装置３８は、巻取モータ４４を制御することで、巻取リール４２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを順方向に走行させるように送出モータ４０及び巻取モータ４４を回転させる。送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

磁気テープＭＴがカートリッジリール１８に巻き戻される場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを逆方向に走行させるように送出モータ４０及び巻取モータ４４を回転させる。送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

このようにして送出モータ４０及び巻取モータ４４の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることで、磁気テープＭＴに既定範囲内の張力が付与される。ここで、既定範囲内とは、例えば、磁気テープＭＴから読取ヘッド３６によってデータが読取可能な張力の範囲として、コンピュータ・シミュレーション及び／又は実機による試験等により得られた張力の範囲を指す。

本実施形態では、送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴの張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴの張力は、ダンサローラを用いて制御されてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。

複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１０と巻取リール４２との間において読取ヘッド３６を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。

読取ヘッド３６は、読取素子４６及びホルダ４８を備えている。読取素子４６は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４８によって保持されており、搬送装置３４によって搬送される磁気テープＭＴから記録情報を読み取る。

磁気テープドライブ３０は、非接触式読み書き装置５０を備えている。非接触式読み書き装置５０は、本開示の技術に係る「外部」の一例である。非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０が装填された状態の磁気テープカートリッジ１０の下側にてカートリッジメモリ１９の裏面２６Ｂに正対するように配置されている。なお、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０が読取ヘッド３６による磁気テープＭＴに対する記録情報の読み取りを開始する位置として事前に定められた位置に到達した状態を指す。

一例として図５に示すように、非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０の下側からカートリッジメモリ１９に向けて磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９を貫通する。なお、磁界ＭＦは、本開示の技術に係る「磁界」の一例である。

一例として図６に示すように、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８に接続されている。制御装置３８は、カートリッジメモリ１９を制御する制御信号を非接触式読み書き装置５０に出力する。非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８から入力された制御信号に従って、磁界ＭＦをカートリッジメモリ１９に向けて放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ｂ側から表面２６Ａ側に貫通する。

非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、コマンド信号をカートリッジメモリ１９に空間伝送する。コマンド信号は、カートリッジメモリ１９に対する指令を示す信号である。コマンド信号が非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に空間伝送される場合、磁界ＭＦには、制御装置３８からの指示に従って非接触式読み書き装置５０によってコマンド信号が含まれる。換言すると、磁界ＭＦには、コマンド信号が重畳される。すなわち、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、磁界ＭＦを介してコマンド信号をカートリッジメモリ１９に送信する。

一例として図７に示すように、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ｂには、コイル６０がループ状に形成されている。ここでは、コイル６０の素材として、銅箔が採用されている。コイル６０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦ（図５及び図６参照）が作用することで誘導電流を誘起する。ここでは、コイル６０がカートリッジメモリ１９の裏面２６Ｂに形成される例を示しているが、あくまでも一例に過ぎず、コイル６０は、カートリッジメモリ１９の基板２６に埋め込まれて形成されてもよい。なお、コイル６０は、本開示の技術に係る「アンテナコイル」の一例である。

カートリッジメモリ１９の裏面２６Ｂには、第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂが設けられている。第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂは、はんだを有しており、表面２６ＡのＩＣチップ５２に対してコイル６０の両端部を電気的に接続している。なお、第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂは、本開示の技術に係る「アンテナコイルの一端及び他端」の一例である。

一例として図８に示すように、カートリッジメモリ１９の表面２６Ａには、ＩＣチップ５２が実装されている。カートリッジメモリ１９の表面２６Ａにおいて、ＩＣチップ５２は、第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂに電気的に接続されている。具体的には、ＩＣチップ５２から突出した一対のリードのうちの一方である第１リード１０２Ａが第１導通部６２Ａにはんだ付けされ、一対のリードのうちの他方である第２リード１０２Ｂが第２導通部６２Ｂにはんだ付けされている。なお、ＩＣチップ５２は、本開示の技術に係る「ＩＣチップ」の一例である。

一例として図８に示すように、ＩＣチップ５２は、応力緩和部材２８を介して基板２６に実装されている。一例として図８に示すように、ＩＣチップ５２は、平面視したときに四角形状を有している。ＩＣチップ５２は、最大外形寸法Ｌ１（すなわち、対角線の長さ）が２．５ｍｍ以上である。また、基板２６の長辺寸法Ｌ２は、１０ｍｍである。従って、基板２６の長辺寸法Ｌ２に対するＩＣチップ５２の最大外形寸法Ｌ１の比率（すなわち、Ｌ１／Ｌ２）は、２５％以上である。

応力緩和部材２８は、ＩＣチップ５２を平面視したとき、四角形状であるＩＣチップ５２の四隅に対応する位置にそれぞれ設けられている。すなわち、応力緩和部材２８は、４つ設けられ、応力緩和部材２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃ、及び２８Ｄは、それぞれＩＣチップ５２の四隅を支持する。

一例として図８に示すように、応力緩和部材２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃ、及び２８Ｄは、それぞれ四角形状を有している。応力緩和部材２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃ、及び２８Ｄを平面視したときの面積は、特に限定されないが、ＩＣチップ５２の四隅を含む領域を支持しており、かつ基板２６から伝達される応力を緩和できる面積が確保できればよい。

一例として図９に示すように、応力緩和部材２８は、ＩＣチップ５２と基板２６との間に設けられている。応力緩和部材２８は、基板２６からＩＣチップ５２に向かって突出した直方体形状を有している。応力緩和部材２８が基板２６から突出した距離ｈ（すなわち、応力緩和部材２８の厚み）は、３０μｍ程度とされている。ＩＣチップ５２と応力緩和部材２８とは、接着剤（図示省略）を介して互いに接着されている。

応力緩和部材２８は、一例として金属により形成されている。具体的には、応力緩和部材２８は、コイル６０を形成する金属と同じ金属により形成されている。なお、ここでいう同じとは、完全に同じである場合の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差を含めた意味合いでの同じを指す。

一例として応力緩和部材２８は、銅箔により形成されている。なお、銅箔の成分は特に限定されないが、例えば、単体の銅（すなわち、工業用純銅）であってもよいし、銅を主成分とし種々の元素が添加された銅合金であってもよい。

応力緩和部材２８は、更にプリントパターンとして形成されている。すなわち、応力緩和部材２８は、コイル６０が形成される工程でプリントパターンとして併せて形成される。具体的には、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて、応力緩和部材２８が基板２６上にプリントパターンとして形成される。

一例として図９に示すように、基板２６に対して撓みに伴う曲げ応力が生じた場合を考える。この場合、一例として図９に示すように、応力緩和部材２８は、基板２６から伝達された応力を緩和する。具体的には、基板２６から伝達される応力によって応力緩和部材２８が伸縮されることにより、応力を緩和する。この結果、ＩＣチップ５２に対して基板２６の変形に伴う応力の発生が抑制される。

ＩＣチップ５２は、コンピュータ（図示省略）を備えている。コンピュータは、ＣＰＵ、ＮＶＭ、及びＲＡＭ（何れも図示省略）を備えている。ＮＶＭには、磁気テープカートリッジ用プログラムと管理情報とが記憶されている。ＣＰＵは、ＮＶＭからプログラムを読み出し、ＲＡＭ上でプログラムを実行することで、カートリッジメモリ１９の動作を制御する。ここで、ＮＶＭの記憶容量は、３２ｋＢ以上とされている。すなわち、ＩＣチップ５２の記憶容量は、３２ｋＢ以上とされている。

次に、本実施形態による非接触式通信媒体の製造工程について図１０を参照しながら説明する。

一例として図１０に示す非接触式通信媒体の製造工程では、先ず、ステップＳＴ１０１で、コイル６０が基板２６に形成される。この後、製造工程は、ステップＳＴ１０３に移行する。

ステップＳＴ１０３で、ＩＣチップ５２が基板２６上において位置決めされる。この後、製造工程は、ステップＳＴ１０５に移行する。

ステップＳＴ１０５で、ステップＳＴ１０３で位置決めされたＩＣチップ５２の位置に基づいて、基板２６上に応力緩和部材２８が形成される。この後、製造工程は、ステップＳＴ１０７に移行する。

ステップＳＴ１０７で、ステップＳＴ１０５で形成された応力緩和部材２８を介してＩＣチップ５２が基板２６上に実装される。これにより、非接触式通信媒体の製造工程が終了する。

以上説明したように、本実施形態に係るカートリッジメモリ１９では、ＩＣチップ５２と基板２６との間に応力緩和部材２８が設けられている。従って、本構成によれば、ＩＣチップ５２が基板２６上に直接取り付けられる場合と比較して、基板２６の変形に起因してＩＣチップ５２に生じる応力が緩和される。

また、カートリッジメモリ１９では、応力緩和部材２８は金属により形成されている。従って、本構成によれば、応力緩和のため金属の延性を利用するので、応力緩和部材２８が金属以外で形成される場合と比較して、基板２６の変形に起因してＩＣチップ５２に生じる応力が緩和される。

また、カートリッジメモリ１９では、応力緩和部材２８を形成している金属は、コイル６０を形成する金属と同じである。従って、本構成によれば、応力緩和部材２８としてコイル６０と異なる金属を利用する場合と比較して、応力緩和部材２８の形成が容易になる。この結果、カートリッジメモリ１９の生産性の向上が期待できる。

また、カートリッジメモリ１９では、応力緩和部材２８を形成している金属は、銅又は銅合金である。従って、本構成によれば、応力緩和部材２８として銅以外の金属を主成分とする場合と比較して、応力緩和部材２８の形成が容易になる。この結果、カートリッジメモリ１９の生産性の向上が期待できる。

また、カートリッジメモリ１９では、応力緩和部材２８は、プリントパターンとして形成されている。従って、本構成によれば、応力緩和部材２８を別部品として取り付ける場合と比較して、応力緩和部材２８の形成が容易になる。この結果、カートリッジメモリ１９の生産性の向上が期待できる。

また、カートリッジメモリ１９では、ＩＣチップ５２は、平面視で四角形状であり、応力緩和部材２８は、ＩＣチップ５２を平面視したときのＩＣチップ５２の四隅に対応する位置に設けられている。従って、本構成によれば、応力緩和部材２８がＩＣチップ５２の中央部分に設けられている場合と比較して、基板２６の変形に起因する応力が逃げ易くなり、ＩＣチップ５２に生じる応力が緩和される。

また、カートリッジメモリ１９では、ＩＣチップ５２は、３２ｋＢ以上の記憶容量を有する。従って、本構成によれば、ＩＣチップ５２の記憶容量が３２ｋＢ未満である場合と比較して、ＩＣチップ５２の記憶容量を３２ｋＢ以上とすることでＩＣチップ５２が大型化しても、基板２６の変形に起因してＩＣチップ５２に生じる応力が緩和される。

また、カートリッジメモリ１９では、基板２６の長辺寸法Ｌ２に対するＩＣチップ５２の最大外形寸法Ｌ１の比率が２５％以上である。従って、本構成によれば、基板２６の長辺寸法Ｌ２に対するＩＣチップ５２の最大外形寸法Ｌ１の比率が２５％未満である場合と比較して、ＩＣチップ５２が大型化しても、基板２６の変形に起因してＩＣチップ５２に生じる応力が緩和される。

また、カートリッジメモリ１９では、基板２６は、フレキシブルタイプの基板である。従って、本構成によれば、基板２６がリジッド基板である場合と比較して、基板２６の変形に起因してＩＣチップに生じる応力が緩和される。

[第１変形例]
なお、上記実施形態では、応力緩和部材２８が、ＩＣチップ５２の四隅に対応する位置に設けられる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。本第１変形例では、一例として図１１に示すように、応力緩和部材２８が、ＩＣチップ５２を平面視したときのＩＣチップ５２の対辺に沿って設けられている。

図１１に示す例では、応力緩和部材２８Ｅ及び２８Ｆが、ＩＣチップ５２の一対の長辺に沿って形成されている。応力緩和部材２８Ｅ及び２８Ｆは、ＩＣチップ５２の長辺に沿って長辺を有する直方体形状を有している。応力緩和部材２８Ｅ及び２８Ｆの長さは、ＩＣチップ５２の長辺の長さよりも長く設定されている。また、応力緩和部材２８Ｅ及び２８Ｆの幅は、ＩＣチップ５２の長辺を含む範囲となるように設定されている。すなわち、応力緩和部材２８Ｅ及び２８Ｆは、ＩＣチップ５２の一対の長辺を支持している。

以上説明したように、本第１変形例に係るカートリッジメモリ１９では、ＩＣチップ５２は、平面視で四角形状であり、応力緩和部材２８は、ＩＣチップ５２を平面視したときのＩＣチップ５２の対辺に沿って設けられている。従って、本構成によれば、応力緩和部材２８がＩＣチップ５２の対辺の一部にのみに設けられている場合と比較して、基板２６の変形に起因する応力が逃げ易くなり、ＩＣチップ５２に生じる応力が緩和される。

なお、本第１変形例では、応力緩和部材２８が、ＩＣチップ５２の一対の長辺に沿って形成されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。例えば、応力緩和部材２８が、ＩＣチップ５２の一対の短辺に沿って設けられていてもよい。

[第２変形例]
また、上記実施形態では、応力緩和部材２８が、ＩＣチップ５２に対して部分的に設けられている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。本第２変形例では、一例として図１２に示すように、応力緩和部材２８が、ＩＣチップ５２を平面視したときのＩＣチップ５２の全体に対応する位置に設けられている。

一例として図１２に示すように、応力緩和部材２８Ｇは、平板状に形成されている。応力緩和部材２８Ｇは、ＩＣチップ５２を平面視したとき、ＩＣチップ５２よりも大きい面積を有している。すなわち、応力緩和部材２８Ｇは、ＩＣチップ５２の基板２６側の全面を支持している。

一例として図１３に示すように、基板２６に対して撓みに伴う曲げ応力が生じた場合を考える。この場合、一例として図１３に示すように、応力緩和部材２８は、基板２６から伝達された応力を緩和する。具体的には、基板２６に設けられた応力緩和部材２８によって剛性が高くなることにより、応力を緩和する。例えば、応力緩和部材２８は、IＣチップ５２と同程度又はＩＣチップ５２以上の剛性を有する。更に、応力緩和部材２８は、例えば、基板２６以上の剛性を有する。すなわち、基板２６のうちの応力緩和部材２８が設けられた領域において、基板２６自体の変形が抑制される。この結果、ＩＣチップ５２に対して基板２６の変形に伴う応力の発生が抑制される。

以上説明したように、本第２変形例に係るカートリッジメモリ１９では、応力緩和部材２８は、ＩＣチップ５２を平面視したときのＩＣチップ５２の全体に対応する位置に設けられている。従って、本構成によれば、応力緩和部材２８がＩＣチップ５２の一部分に対応する位置に設けられる場合と比較して、基板２６の変形自体が抑制されることにより、基板２６の変形に起因してＩＣチップ５２に生じる応力が緩和される。

[第３変形例]
また、上記実施形態では、応力緩和部材２８が、ＩＣチップ５２を平面視したときのＩＣチップ５２の全体に対応する位置に設けられる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、応力緩和部材２８は、一例として図１４に示すように、ＩＣチップ５２の外周部分に対応する位置に設けられていてもよい。

一例として図１４に示すように、応力緩和部材２８Ｈは、四角枠状に形成されている。応力緩和部材２８Ｈは、ＩＣチップ５２を平面視したとき、ＩＣチップ５２の外周部分に沿って形成されている。すなわち、応力緩和部材２８は、ＩＣチップ５２の外周部分を支持している。応力緩和部材２８Ｈの幅は、特に限定されないが、ＩＣチップ５２の外周部分を含んだ領域を支持可能な幅があればよい。

応力緩和部材２８は、基板２６から伝達された応力を緩和する。具体的には、基板２６に設けられた応力緩和部材２８によって剛性が高くなることにより、応力を緩和する。例えば、応力緩和部材２８は、IＣチップ５２と同程度又はＩＣチップ５２以上の剛性を有する。更に、応力緩和部材２８は、例えば、基板２６以上の剛性を有する。すなわち、基板２６のうちの応力緩和部材２８が設けられた領域において、基板２６自体の変形が抑制される。この結果、ＩＣチップ５２に対して基板２６の変形に伴う応力の発生が抑制される。また、応力緩和部材２８は、四角枠状であるので、換言すれば、四角枠の内側部分には、応力緩和部材２８が形成されていない。従って、基板２６の変形が、過度に抑制されない。

以上説明したように、本第３変形例に係るカートリッジメモリ１９では、応力緩和部材２８Ｈは、ＩＣチップ５２を平面視したときのＩＣチップ５２の外周部分に対応する位置に設けられている。従って、本構成によれば、応力緩和部材２８ＨがＩＣチップ５２の外周部分の一部分に対応する位置に設けられる場合と比較して、基板２６の変形自体が抑制されることにより、基板２６の変形に起因してＩＣチップ５２に生じる応力が緩和される。

なお、本第３変形例では、応力緩和部材２８Ｈが、連続した四角枠状に形成されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。例えば、応力緩和部材２８Ｈは、断続的な四角枠状であってもよい。

なお、上記実施形態では、応力緩和部材２８が四角形状を有している形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。例えば、応力緩和部材２８は、角部分が面取りされた四角形状であってもよいし、平面視で四角形以外の多角形状、円形状又は円環状を有していてもよい。

また、上記実施形態では、コイル６０として銅箔が採用される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、コイル６０としてアルミニウム箔等の他種類の導電性素材であってもよい。この場合、応力緩和部材２８としてコイル６０を形成するアルミニウム箔等の他種類の導電性素材が採用される。

以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。

本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。

本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

１０ 磁気テープカートリッジ
１２ ケース
１２Ａ 右壁
１２Ｂ 開口
１４ 上ケース
１４Ａ 天板
１４Ａ１ 内面
１６ 下ケース
１６Ａ 底板
１６Ａ１ 基準面
１６Ｂ 後壁
１８ カートリッジリール
１８Ａ リールハブ
１８Ｂ１ 上フランジ
１８Ｂ２ 下フランジ
１９ カートリッジメモリ
２０ 支持部材
２０Ａ 第１傾斜台
２０Ａ１，２０Ｂ１ 傾斜面
２０Ｂ 第２傾斜台
２２ 位置規制リブ
２３ 装填スロット
２４ リブ
２４Ａ 先端面
２６ 基板
２６Ａ 表面
２６Ｂ 裏面
２８、２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃ、２８Ｄ、２８Ｅ、２８Ｆ、２８Ｇ、２８Ｈ 応力緩和部材
３０ 磁気テープドライブ
３４ 搬送装置
３６ 読取ヘッド
３８ 制御装置
４０ 送出モータ
４２ 巻取リール
４４ 巻取モータ
４６ 読取素子
４８ ホルダ
５０ 非接触式読み書き装置
５２ ＩＣチップ
６０ コイル
６２Ａ 第１導通部
６２Ｂ 第２導通部
１０２Ａ 第１リード
１０２Ｂ 第２リード
Ａ，Ｂ，Ｃ 矢印
ＧＲ ガイドローラ
ＭＦ 磁界
ＭＴ 磁気テープ
θ１ 傾斜角度

Claims (14)

1. 基板と、
   前記基板に形成され、かつ外部から与えられた磁界が作用することで電力を誘起するアンテナコイルの一端及び他端と電気的に接続されたＩＣチップと、
   前記ＩＣチップと前記基板との間に設けられた応力緩和部材と、
   を備える記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体。
2. 前記応力緩和部材は、金属により形成されている
   請求項１に記載の記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体。
3. 前記金属は、前記アンテナコイルを形成する金属と同じである
   請求項２に記載の記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体。
4. 前記金属は、銅又は銅合金である
   請求項２又は３に記載の記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体。
5. 前記応力緩和部材は、プリントパターンとして形成されている
   請求項２から請求項４の何れか一項に記載の記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体。
6. 前記ＩＣチップは、平面視で四角形状であり、
   前記応力緩和部材は、前記ＩＣチップを平面視したときの前記ＩＣチップの四隅に対応する位置に設けられている
   請求項１から請求項５の何れか一項に記載の記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体。
7. 前記ＩＣチップは、平面視で四角形状であり、
   前記応力緩和部材は、前記ＩＣチップを平面視したときのＩＣチップの対辺に沿って設けられている
   請求項１から請求項５の何れか一項に記載の記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体。
8. 前記応力緩和部材は、前記ＩＣチップを平面視したときのＩＣチップの全体に対応する位置に設けられている
   請求項１から請求項５の何れか一項に記載の記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体。
9. 前記応力緩和部材は、前記ＩＣチップを平面視したときのＩＣチップの外周部分に対応する位置に設けられている
   請求項１から請求項５の何れか一項に記載の記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体。
10. 前記ＩＣチップは、３２ｋＢ以上の記憶容量を有する
    請求項１から請求項９の何れか一項に記載の記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体。
11. 前記基板の長辺寸法に対する前記ＩＣチップの最大外形寸法の比率が２５％以上である
    請求項１から請求項１０の何れか一項に記載の記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体。
12. 前記基板は、フレキシブルタイプの基板である
    請求項１から請求項１１の何れか一項に記載の記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体。
13. 請求項１から請求項１２の何れか一項に記載の記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体を備える、記録媒体カートリッジ。
14. 応力緩和部材を基板上に形成すること、及び、
    前記基板に形成され、かつ外部から与えられた磁界が作用することで電力を誘起するアンテナコイルの一端及び他端と電気的に接続可能なＩＣチップを、前記応力緩和部材を介して前記基板上に実装すること
    を含む記録媒体カートリッジ用非接触式通信媒体の製造方法。