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JP7704674B2 - Manufacturing method of the third laminate - Google Patents
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Description

本発明は、第三積層体の製造方法に関する。詳しくは、半導体ウエハ等のワークと、裏面保護膜形成用フィルムと、支持シートとが、この順に積層された第三積層体の製造方法に関する。
本願は、2019年4月26日に、日本に出願された特願2019-086303号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
The present invention relates to a method for producing a third laminate, and more particularly to a method for producing a third laminate in which a workpiece such as a semiconductor wafer, a film for forming a back surface protection film, and a support sheet are laminated in this order.
This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2019-086303, filed on April 26, 2019, the contents of which are incorporated herein by reference.

近年、いわゆるフェースダウン(face down)方式と呼ばれる実装法を適用した半導体装置の製造が行われている。フェースダウン方式においては、回路面上にバンプ等の電極を有する半導体チップが用いられ、前記電極が基板と接合される。このため、半導体チップの回路面とは反対側の裏面は剥き出しとなることがある。In recent years, semiconductor devices have been manufactured using a mounting method known as the face-down method. In the face-down method, a semiconductor chip is used that has electrodes such as bumps on its circuit surface, and these electrodes are bonded to a substrate. For this reason, the back surface of the semiconductor chip, which is opposite the circuit surface, may be exposed.

この剥き出しとなった半導体チップの裏面には、裏面保護膜として、有機材料を含有する樹脂膜が形成され、裏面保護膜付き半導体チップとして半導体装置に取り込まれることがある。裏面保護膜は、ダイシング工程やパッケージングの後に、半導体チップにおいてクラックが発生するのを防止するために利用される(例えば、特許文献1,2)。A resin film containing an organic material is formed on the back surface of the exposed semiconductor chip as a back surface protective film, and the semiconductor chip with the back surface protective film may be incorporated into a semiconductor device. The back surface protective film is used to prevent cracks from occurring in the semiconductor chip after the dicing process and packaging (for example, Patent Documents 1 and 2).

このような裏面保護膜付き半導体チップは、例えば、図9に示される工程を経て製造される。すなわち、回路面を有する半導体ウエハ8の裏面8bに、裏面保護膜形成用フィルム13を積層し(図9(A))、裏面保護膜形成用フィルム13を熱硬化又はエネルギー線硬化させて裏面保護膜13’とし(図9(B))、裏面保護膜13’にレーザーマーキングし(図9(C))、裏面保護膜13’に支持シート10を積層し(図9(D))、半導体ウエハ8及び裏面保護膜13’をダイシングして、裏面保護膜付き半導体チップ7とし(図9(E)及び図9(F))、裏面保護膜付き半導体チップ7を、支持シート10からピックアップする(図9(G))方法が知られている。硬化工程及びレーザーマーキング工程の順番は任意であり、回路面を有する半導体ウエハ8の裏面8bに、裏面保護膜形成用フィルム13を積層し(図9(A))、裏面保護膜形成用フィルム13にレーザーマーキングした後、裏面保護膜形成用フィルム13を熱硬化又はエネルギー線硬化させて裏面保護膜13’とし、その後、図9(D)~図9(G)の工程を経てもよい。図9(A)で、半導体ウエハ8の裏面8bに、裏面保護膜形成用フィルム13を積層する第一の積層工程と、図9(D)で、裏面保護膜13’に支持シート10を積層する第二の積層工程とは、従来、別々の装置で行われている。Such a semiconductor chip with a back surface protective film is manufactured, for example, through the process shown in Figure 9. That is, a method is known in which a film for forming a back surface protective film 13 is laminated on the back surface 8b of a semiconductor wafer 8 having a circuit surface (Figure 9 (A)), the film for forming a back surface protective film 13 is heat-cured or energy-ray-cured to form a back surface protective film 13' (Figure 9 (B)), the back surface protective film 13' is laser-marked (Figure 9 (C)), a support sheet 10 is laminated on the back surface protective film 13' (Figure 9 (D)), the semiconductor wafer 8 and the back surface protective film 13' are diced to form a semiconductor chip 7 with a back surface protective film (Figures 9 (E) and 9 (F)), and the semiconductor chip 7 with a back surface protective film is picked up from the support sheet 10 (Figure 9 (G)). The order of the curing step and the laser marking step is arbitrary, and the film 13 for forming a back surface protective film may be laminated on the back surface 8b of the semiconductor wafer 8 having a circuit surface (FIG. 9(A)), the film 13 for forming a back surface protective film may be laser-marked, and then the film 13 for forming a back surface protective film may be thermally cured or energy ray cured to form a back surface protective film 13', and then the steps of FIG. 9(D) to FIG. 9(G) may be performed. The first lamination step of laminating the film 13 for forming a back surface protective film on the back surface 8b of the semiconductor wafer 8 in FIG. 9(A) and the second lamination step of laminating the support sheet 10 on the back surface protective film 13' in FIG. 9(D) have conventionally been performed by separate devices.

また、裏面保護膜形成用フィルム13及び支持シート10が一体化された、保護膜形成用複合シートが、裏面保護膜付き半導体チップの製造に使用されている(例えば、特許文献2)。In addition, a composite sheet for forming a protective film, in which a film 13 for forming a back surface protective film and a support sheet 10 are integrated, is used in the manufacture of semiconductor chips with a back surface protective film (for example, Patent Document 2).

保護膜形成用複合シートを用いる、裏面保護膜付き半導体チップの製造方法は、例えば、図10に示される工程を経る。すなわち、回路面を有する半導体ウエハ8の裏面8bに、裏面保護膜形成用フィルム13及び支持シート10が積層されてなる保護膜形成用複合シート1の裏面保護膜形成用フィルム13を貼付し(図10(A’))、回路面保護用テープ17を剥離し(図10(B’))、裏面保護膜形成用フィルム13を熱硬化又はエネルギー線硬化させて裏面保護膜13’とし(図10(C’))、支持シート10の側から、裏面保護膜13’にレーザーマーキングし(図10(D’))、半導体ウエハ8及び裏面保護膜13’をダイシングして、裏面保護膜付き半導体チップ7とし(図10(E’)及び図10(F’))、裏面保護膜付き半導体チップ7を、支持シート10からピックアップする(図10(G’))方法が知られている。この場合も、硬化工程及びレーザーマーキング工程の順番は任意である。A method for manufacturing a semiconductor chip with a back surface protective film using a composite sheet for forming a protective film includes, for example, the steps shown in Fig. 10. That is, a method is known in which a film for forming a back surface protective film 13 of a composite sheet for forming a protective film 1, which is a laminate of a film for forming a back surface protective film 13 and a support sheet 10, is attached to the back surface 8b of a semiconductor wafer 8 having a circuit surface (Fig. 10(A')), the circuit surface protective tape 17 is peeled off (Fig. 10(B')), the film for forming a back surface protective film 13 is heat-cured or energy-ray-cured to form a back surface protective film 13' (Fig. 10(C')), the back surface protective film 13' is laser-marked from the side of the support sheet 10 (Fig. 10(D')), the semiconductor wafer 8 and the back surface protective film 13' are diced to form a semiconductor chip 7 with a back surface protective film (Fig. 10(E') and Fig. 10(F')), and the semiconductor chip 7 with a back surface protective film is picked up from the support sheet 10 (Fig. 10(G')). In this case as well, the order of the curing step and the laser marking step is arbitrary.

日本国特許第4271597号公報Japanese Patent No. 4271597 日本国特許第5363662号公報Japanese Patent No. 5363662

上述した通り、図9(A)で、半導体ウエハ8の裏面8bに、裏面保護膜形成用フィルム13を積層する第一の積層工程と、図9(D)で、裏面保護膜13’に支持シート10を積層する第二の積層工程とは、従来、別々の装置で行われている。前記第一の積層工程で得られた積層体は、一のカセットに収容されて、第二の工程を行う装置に人の手によって搬送されており、この人の手による搬送は、裏面保護膜付き半導体チップの生産効率を低下させる。
さらに、前記第一の積層工程で得られた積層体がカセットに収容されて搬送される間に汚染、破損したりする恐れがある。
As described above, the first lamination step of laminating the film 13 for forming a back surface protective film on the back surface 8b of the semiconductor wafer 8 in Fig. 9(A) and the second lamination step of laminating the support sheet 10 on the back surface protective film 13' in Fig. 9(D) have conventionally been performed in separate devices. The laminate obtained in the first lamination step is stored in a cassette and transported manually to an apparatus for performing the second step, and this manual transport reduces the production efficiency of semiconductor chips with a back surface protective film.
Furthermore, there is a risk that the laminate obtained in the first lamination step may be contaminated or damaged while being contained in a cassette and transported.

また、図10に示される従来の保護膜付き半導体チップの製造方法では、裏面保護膜形成用フィルム13及び支持シート10が一体化された、保護膜形成用複合シート1を用いているので、裏面保護膜形成用フィルム13の保護対象となるワーク(すなわち、半導体ウエハ8)に裏面保護膜形成用フィルム13を貼付する工程と、支持シート10を貼付する工程を、一工程にすることができる。しかし、保護膜形成用複合シート1を用いた場合、裏面保護膜形成用フィルム13の特性及び支持シート10の特性を合わせて組み合せなければならず、目的に叶った保護膜付き半導体チップの製造方法のために、多種類の保護膜形成用複合シート1を準備しなければならない。 In addition, in the conventional method for manufacturing semiconductor chips with a protective film shown in Figure 10, a composite sheet for forming a protective film 1 in which a film for forming a back surface protective film 13 and a support sheet 10 are integrated is used, so the process of attaching the film for forming a back surface protective film 13 to the workpiece to be protected by the film for forming a back surface protective film 13 (i.e., semiconductor wafer 8) and the process of attaching the support sheet 10 can be combined into a single process. However, when a composite sheet for forming a protective film 1 is used, the characteristics of the film for forming a back surface protective film 13 and the characteristics of the support sheet 10 must be combined together, and many types of composite sheets for forming a protective film 1 must be prepared in order to manufacture semiconductor chips with a protective film that meets the purpose.

また、通常、保護膜形成用複合シート1は所定の大きさに抜き加工した裏面保護膜形成用フィルム13を支持シート10に積層し、この積層体をダイシング冶具サイズに抜き加工し、不要部分を除去することにより製造することができる。図9の方法のように硬質な半導体ウエハ8上に裏面保護膜形成用フィルム13、支持シート10を順次積層する場合と異なり、上記保護膜形成用複合シート1の製造においては、それぞれ軟質な裏面保護膜形成用フィルム13と支持シート10の貼り合わせであるため、難易度が高く、歩留まりが悪化するため、製造コストが高くなるという問題がある。In addition, the composite sheet 1 for forming a protective film can usually be manufactured by laminating the film 13 for forming a back surface protective film, which has been cut to a predetermined size, onto the support sheet 10, cutting the laminate to the size of a dicing tool, and removing unnecessary parts. Unlike the method of FIG. 9, in which the film 13 for forming a back surface protective film and the support sheet 10 are sequentially laminated onto the hard semiconductor wafer 8, the composite sheet 1 for forming a protective film is manufactured by laminating the film 13 for forming a back surface protective film and the support sheet 10, which are both soft, and thus the manufacturing process is difficult and the yield is poor, resulting in high manufacturing costs.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、半導体ウエハ等のワークと、裏面保護膜形成用フィルムと、支持シートとが、この順に積層された第三積層体を効率よく、かつ低コストで製造可能な第三積層体の製造方法を提供することを課題とする。The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and has an objective of providing a method for manufacturing a third laminate that can efficiently and at low cost produce a third laminate in which a workpiece such as a semiconductor wafer, a film for forming a back surface protective film, and a support sheet are stacked in this order.

本発明は、以下の第三積層体の製造方法を提供する。 The present invention provides a method for manufacturing a third laminate as follows:

[1] ワークと、裏面保護膜形成用フィルムと、支持シートとが、この順に積層された第三積層体の製造方法であって、
前記ワークの、一方の面が回路面であり、他方の面が裏面であり、
前記ワークの前記裏面側に、前記裏面保護膜形成用フィルムを貼付する第一の積層工程と、
前記裏面保護膜形成用フィルムに、前記支持シートを貼付する第二の積層工程とを、この順に含み、
前記第一の積層工程から前記第二の積層工程までの間において、前記ワークに前記裏面保護膜形成用フィルムが積層された第二積層体を一枚ずつ搬送し、
前記第一の積層工程から前記第二の積層工程までの間を、裏面保護膜形成用フィルムを貼付する装置と支持シートを貼付する装置を連結させて行う、又は同一の装置内で行う、第三積層体の製造方法。
[2] ワークと、裏面保護膜形成用フィルムと、支持シートとが、この順に積層された第三積層体の製造方法であって、
前記ワークの、一方の面が回路面であり、他方の面が裏面であり、
前記ワークの前記裏面側に、前記裏面保護膜形成用フィルムを貼付する第一の積層工程と、
前記裏面保護膜形成用フィルムに、前記支持シートを貼付する第二の積層工程とを、この順に含み、
前記第一の積層工程の貼付開始地点から前記第二の積層工程の貼付完了地点までの間の前記ワークの搬送距離が、7000mm以下であり、
前記第一の積層工程から前記第二の積層工程までの間を、裏面保護膜形成用フィルムを貼付する装置と支持シートを貼付する装置を連結させて行う、又は同一の装置内で行う、第三積層体の製造方法。
[3] ワークと、裏面保護膜形成用フィルムと、支持シートとが、この順に積層された第三積層体の製造方法であって、
前記ワークの、一方の面が回路面であり、他方の面が裏面であり、
前記ワークの前記裏面側に、前記裏面保護膜形成用フィルムを貼付する第一の積層工程と、
前記裏面保護膜形成用フィルムに、前記支持シートを貼付する第二の積層工程とを、この順に含み、
前記第一の積層工程の貼付開始時から前記第二の積層工程の貼付完了時までの間の前記ワークの搬送時間が、400s以下であり、
前記第一の積層工程から前記第二の積層工程までの間を、裏面保護膜形成用フィルムを貼付する装置と支持シートを貼付する装置を連結させて行う、又は同一の装置内で行う、第三積層体の製造方法。
[4] 前記第一の積層工程の貼付開始時から前記第二の積層工程の貼付完了時までの間の前記ワークの搬送時間が、150s以下である、[3]に記載の第三積層体の製造方法。
[1] A method for producing a third laminate in which a workpiece, a film for forming a back surface protection film, and a support sheet are laminated in this order,
One surface of the workpiece is a circuit surface, and the other surface is a back surface,
A first lamination step of attaching the film for forming a back surface protection film to the back surface side of the workpiece;
A second lamination step of attaching the support sheet to the film for forming a back surface protection film,
Between the first lamination step and the second lamination step, a second laminate in which the film for forming a back surface protection film is laminated on the work is transported one by one;
A method for producing a third laminate, in which the steps from the first lamination step to the second lamination step are performed by connecting an apparatus for applying a film for forming a back surface protection film and an apparatus for applying a support sheet, or by performing these steps within the same apparatus.
[2] A method for producing a third laminate in which a workpiece, a film for forming a back surface protection film, and a support sheet are laminated in this order,
One surface of the workpiece is a circuit surface, and the other surface is a back surface,
A first lamination step of attaching the film for forming a back surface protection film to the back surface side of the workpiece;
A second lamination step of attaching the support sheet to the film for forming a back surface protection film,
A conveying distance of the work from a bonding start point of the first lamination process to a bonding completion point of the second lamination process is 7000 mm or less;
A method for producing a third laminate, in which the steps from the first lamination step to the second lamination step are performed by connecting an apparatus for applying a film for forming a back surface protection film and an apparatus for applying a support sheet, or by performing these steps within the same apparatus.
[3] A method for producing a third laminate in which a workpiece, a film for forming a back surface protection film, and a support sheet are laminated in this order,
One surface of the workpiece is a circuit surface, and the other surface is a back surface,
A first lamination step of attaching the film for forming a back surface protection film to the back surface side of the workpiece;
A second lamination step of attaching the support sheet to the film for forming a back surface protection film,
The conveying time of the work from the start of attachment in the first lamination process to the completion of attachment in the second lamination process is 400 s or less;
A method for producing a third laminate, in which the steps from the first lamination step to the second lamination step are performed by connecting an apparatus for applying a film for forming a back surface protection film and an apparatus for applying a support sheet, or by performing these steps within the same apparatus.
[4] The method for producing a third laminate described in [3], wherein a transport time of the workpiece from the start of attachment in the first lamination process to the completion of attachment in the second lamination process is 150 seconds or less.

本発明によれば、半導体ウエハ等のワークと、裏面保護膜形成用フィルムと、支持シートとが、この順に積層された第三積層体を効率よく、かつ低コストで製造可能な第三積層体の製造方法が提供される。According to the present invention, a method for manufacturing a third laminate is provided that can efficiently and at low cost produce a third laminate in which a workpiece such as a semiconductor wafer, a film for forming a back surface protective film, and a support sheet are stacked in this order.

第三積層体の製造方法の実施形態の一例を模式的に示す概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment of a method for producing a third laminate. 裏面保護膜形成用フィルムの一例を示す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of a film for forming a back surface protection film. 第三積層体の製造方法の実施形態の他の一例を模式的に示す概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the method for producing a third laminate. 第四積層体の製造方法の実施形態の一例を模式的に示す概略断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment of a method for producing a fourth laminate. 第四積層体の製造方法の実施形態の他の一例を模式的に示す概略断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the method for producing the fourth laminate. 裏面保護膜付き半導体装置の製造方法の実施形態の一例を模式的に示す概略断面図である。1A to 1C are schematic cross-sectional views showing an example of an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device with a back surface protective film. 裏面保護膜付き半導体装置の製造方法の実施形態の他の一例を模式的に示す概略断面図である。10 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device with a back surface protective film. FIG. 裏面保護膜付き半導体装置の製造方法の実施形態の他の一例を模式的に示す概略断面図である。10 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device with a back surface protective film. FIG. 従来の裏面保護膜付き半導体チップの製造方法の一例を模式的に示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a conventional method for manufacturing a semiconductor chip with a back surface protective film. 従来の裏面保護膜付き半導体チップの製造方法の他の一例を模式的に示す概略断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing another example of a conventional method for manufacturing a semiconductor chip with a back surface protective film. 基材11上に粘着剤層12が設けられた支持シート10の一例を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a support sheet 10 in which a pressure-sensitive adhesive layer 12 is provided on a substrate 11.

以下、本発明を適用した実施形態である第三積層体の製造方法について詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。The manufacturing method of the third laminate, which is an embodiment of the present invention, is described in detail below. Note that the drawings used in the following description may show characteristic parts in an enlarged scale for the sake of convenience in order to make the characteristics easier to understand, and the dimensional ratios of each component may not necessarily be the same as in reality.

<<第三積層体の製造方法>>
図1は、第三積層体の製造方法の実施形態の一例を模式的に示す概略断面図である。本実施形態の第三積層体の製造方法は、ワーク14と、裏面保護膜形成用フィルム13と、支持シート10とが、この順に積層された第三積層体19の製造方法であって、ワーク14の、一方の面が回路面14aであり、他方の面が裏面14bであり(図1(a))、ワーク14の裏面14b側に、裏面保護膜形成用フィルム13を貼付する第一の積層工程(図1(b))と、裏面保護膜形成用フィルム13に、支持シート10を貼付する第二の積層工程(図1(d))とを、この順に含む(図1(a)~図1(e))。
<<Method of manufacturing third laminate>>
1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment of the method for producing a third laminate. The method for producing the third laminate of this embodiment is a method for producing a third laminate 19 in which a work 14, a film 13 for forming a back surface protective film, and a support sheet 10 are laminated in this order, and includes a first lamination step (FIG. 1(b)) of attaching the film 13 for forming a back surface protective film to the back surface 14b side of the work 14, and a second lamination step (FIG. 1(d)) of attaching the support sheet 10 to the film 13 for forming a back surface protective film, in this order (FIGS. 1(a) to 1(e)).

本実施形態においては、前記第一の積層工程から前記第二の積層工程までの間(図1(b)~(d))を、裏面保護膜形成用フィルムを貼付する装置と支持シートを貼付する装置を連結させて行う、又は同一の装置内で行う。
したがって、本実施形態においては、前記第一の積層工程から前記第二の積層工程までの間において、ワーク14に裏面保護膜形成用フィルム13が積層された第二積層体を、カセットに収容することなく、図1(d)に示される第二の積層工程に、一枚ずつ搬送することができる。同一装置内で行うことにより、装置スペースをより低減できる。裏面保護膜形成用フィルムを貼付する装置と支持シートを貼付する装置を連結させて行うことにより、一から設計せずとも従来の装置を改造することで対応ができ、初期費用の低減ができる。そして、第二積層体がカセットに収容されて装置外に搬送されることがないため、生産効率が向上し、かつ第二積層体の汚染、破損を抑制することができる。
裏面保護膜形成用フィルムを貼付する装置と支持シートを貼付する装置を連結させて行うとは、裏面保護膜形成用フィルムを貼付する装置と支持シートを貼付する装置を連結させる工程と、前記第一の積層工程から前記第二の積層工程を行う工程を実施する、又は裏面保護膜形成用フィルムを貼付する装置と支持シートを貼付する装置が連結された装置により前記第一の積層工程から前記第二の積層工程を実施するということを意味する。
In this embodiment, the steps from the first lamination step to the second lamination step (Figures 1(b) to (d)) are performed by connecting an apparatus for attaching a film for forming a back surface protective film and an apparatus for attaching a support sheet, or are performed within the same apparatus.
Therefore, in this embodiment, the second laminate in which the back surface protective film forming film 13 is laminated on the work 14 can be transported one by one to the second lamination step shown in FIG. 1(d) without being stored in a cassette between the first lamination step and the second lamination step. By performing the steps in the same device, the device space can be further reduced. By connecting the device for attaching the back surface protective film forming film and the device for attaching the support sheet, it is possible to respond by modifying the conventional device without having to design it from scratch, and the initial cost can be reduced. And, since the second laminate is not stored in a cassette and transported outside the device, the production efficiency is improved and contamination and damage of the second laminate can be suppressed.
Connecting an apparatus for applying a film for forming a back surface protective film and an apparatus for applying a support sheet means performing a step of connecting an apparatus for applying a film for forming a back surface protective film and an apparatus for applying a support sheet, and a step of performing the first lamination step to the second lamination step, or performing the first lamination step to the second lamination step using an apparatus in which an apparatus for applying a film for forming a back surface protective film and an apparatus for applying a support sheet are connected.

第一の積層工程に用いる裏面保護膜形成用フィルム13は、事前にワークの形状に加工されていてもよいし、第一の積層工程を行う直前に同一装置内で加工されてもよい。使用される製造ラインでワークの大きさが一定である場合には事前に加工できる前者の方が効率的であるし、ワークの大きさが変更される可能性がある場合には、後者であれば裏面保護膜形成用フィルムの無駄が出ず、コストメリットがある。The back surface protective film forming film 13 used in the first lamination step may be processed to the shape of the work in advance, or may be processed in the same device immediately before the first lamination step. If the size of the work is constant on the production line used, the former, which allows processing in advance, is more efficient, while if the size of the work may change, the latter has a cost advantage in that no back surface protective film is wasted.

また、他の実施形態においては、前記第一の積層工程の貼付開始地点から前記第二の積層工程の貼付完了地点までの間のワーク14の搬送距離を、7000mm以下に設計することができ、装置スペースを低減させることができる。前記第一の積層工程の貼付開始地点から前記第二の積層工程の貼付完了地点までの間のワーク14の搬送距離は、6500mm以下にすることもでき、6000mm以下にすることもでき、4500mm以下にすることもでき、3000mm以下にすることもできる。
また、前記第一の積層工程の貼付開始地点から前記第二の積層工程の貼付完了地点までの間のワーク14の搬送距離は、200~7000mm以下にすることもでき、200~6000mmにすることもでき、200~4500mmにすることもでき、200~3000mmにすることもできる。
本明細書において、第一の積層工程の貼付開始地点から第二の積層工程の貼付完了地点までの間のワーク14の搬送距離とは、第一の積層工程の貼付地点から第二の積層工程の貼付完了地点までワーク14が実際に移動した距離を意味する。
In another embodiment, the conveying distance of the work 14 from the start point of the attachment in the first lamination process to the end point of the attachment in the second lamination process can be designed to be 7000 mm or less, thereby reducing the space required for the device. The conveying distance of the work 14 from the start point of the attachment in the first lamination process to the end point of the attachment in the second lamination process can be 6500 mm or less, 6000 mm or less, 4500 mm or less, or 3000 mm or less.
In addition, the transport distance of the workpiece 14 from the start point of the attachment in the first lamination process to the end point of the attachment in the second lamination process can be 200 to 7000 mm or less, or 200 to 6000 mm, or 200 to 4500 mm, or 200 to 3000 mm.
In this specification, the transport distance of the work 14 from the start point of attachment in the first lamination process to the completion point of attachment in the second lamination process means the distance that the work 14 actually moves from the attachment point in the first lamination process to the completion point of attachment in the second lamination process.

また、さらに他の実施形態においては、前記第一の積層工程の貼付開始時から前記第二の積層工程の貼付完了時までの間のワーク14の搬送時間を、400s以下にすることができ、150s以下にすることもでき、工程時間を短縮することができる。前記第一の積層工程の貼付開始時から前記第二の積層工程の貼付完了時までの間のワーク14の搬送時間は、130s以下にすることもでき、110s以下にすることもでき、90s以下にすることもでき、70s以下にすることもできる。
前記第一の積層工程の貼付開始時から前記第二の積層工程の貼付完了時までの間のワーク14の搬送時間は、15~400sにすることもでき、15~150sにすることもでき、15~130sにすることもでき、15~110sにすることもでき、15~90sにすることもでき、15~70sにすることもできる。
In still another embodiment, the transport time of the work 14 from the start of attachment in the first lamination process to the completion of attachment in the second lamination process can be set to 400 seconds or less, or can be set to 150 seconds or less, thereby shortening the process time. The transport time of the work 14 from the start of attachment in the first lamination process to the completion of attachment in the second lamination process can be set to 130 seconds or less, 110 seconds or less, 90 seconds or less, or 70 seconds or less.
The transport time of the workpiece 14 from the start of attachment in the first lamination process to the completion of attachment in the second lamination process can be 15 to 400 s, 15 to 150 s, 15 to 130 s, 15 to 110 s, 15 to 90 s, or 15 to 70 s.

前記第一の積層工程の貼付開始時から前記第二の積層工程の貼付完了時までの間のワーク14の搬送時間は、第一の積層工程にかかる時間、第一の積層工程を行った場所から第二の積層工程を行う場所への搬送時間、第二の積層工程にかかる時間の3つに大分される。The transport time of the workpiece 14 from the start of attachment in the first lamination process to the completion of attachment in the second lamination process can be broadly divided into three parts: the time required for the first lamination process, the transport time from the location where the first lamination process was performed to the location where the second lamination process is performed, and the time required for the second lamination process.

前記第一の積層工程にかかる時間は、40s以下にすることができ、15s以下にすることもでき、工程時間を短縮することができる。前記第一の積層工程にかかる時間は、10s以下にすることもでき、8s以下にすることもできる。
また、前記第一の積層工程にかかる時間は、3~40sにすることもでき、3~15sにすることもでき、3~10sにすることもでき、3~8sにすることもできる。
The time required for the first lamination step can be 40 seconds or less, or 15 seconds or less, thereby shortening the process time. The time required for the first lamination step can be 10 seconds or less, or 8 seconds or less.
The time required for the first lamination step may be set to 3 to 40 seconds, 3 to 15 seconds, 3 to 10 seconds, or 3 to 8 seconds.

前記第一の積層工程を行った場所から第二の積層工程を行う場所への搬送時間は、200s以下にすることができ、75s以下にすることもでき、工程時間を短縮することができる。前記第一の積層工程を行った場所から第二の積層工程を行う場所への搬送時間は、60s以下にすることもでき、37s以下にすることもできる。
また、前記第一の積層工程を行った場所から第二の積層工程を行う場所への搬送時間は、3~200sにすることもでき、3~75sにすることもでき、3~60sにすることもでき、3~37sにすることもできる。
The transport time from the location where the first lamination step is performed to the location where the second lamination step is performed can be 200 seconds or less, or 75 seconds or less, thereby shortening the process time. The transport time from the location where the first lamination step is performed to the location where the second lamination step is performed can be 60 seconds or less, or 37 seconds or less.
In addition, the transport time from the location where the first lamination step is performed to the location where the second lamination step is performed can be 3 to 200 s, 3 to 75 s, 3 to 60 s, or 3 to 37 s.

前記第二の積層工程にかかる時間は、160s以下にすることができ、60s以下にすることもでき、工程時間を短縮することができる。前記第二の積層工程にかかる時間は、40s以下にすることもでき、25s以下にすることもできる。
また、前記第二の積層工程にかかる時間は、3~160sにすることもでき、3~60sにすることもでき、3~40sにすることもでき、3~25sにすることもできる。
The time required for the second lamination step can be 160 seconds or less, or 60 seconds or less, thereby shortening the process time. The time required for the second lamination step can be 40 seconds or less, or 25 seconds or less.
The time required for the second lamination step may be 3 to 160 seconds, 3 to 60 seconds, 3 to 40 seconds, or 3 to 25 seconds.

図1(b)に示される本実施形態の第一の積層工程の貼付開始地点から、図1(d)に示される第二の積層工程の貼付完了地点までの前記ワークの搬送距離は、7000mm以下とすることができ、6500mm以下とすることもでき、6000mm以下とすることもでき、4500mm以下にすることもでき、3000mm以下にすることもできる。図1(b)に示される本実施形態の第一の積層工程の貼付開始時から、図1(d)に示される第二の積層工程の貼付完了時までの前記ワークの搬送時間は、400s以下とすることができ、150s以下とすることもでき、130s以下とすることもでき、110s以下とすることもでき、90s以下にすることもでき、70s以下にすることもできる。The transport distance of the work from the start of attachment of the first lamination process of this embodiment shown in FIG. 1(b) to the end of attachment of the second lamination process shown in FIG. 1(d) can be 7000 mm or less, 6500 mm or less, 6000 mm or less, 4500 mm or less, or 3000 mm or less. The transport time of the work from the start of attachment of the first lamination process of this embodiment shown in FIG. 1(b) to the end of attachment of the second lamination process shown in FIG. 1(d) can be 400 s or less, 150 s or less, 130 s or less, 110 s or less, 90 s or less, or 70 s or less.

本実施形態の第三積層体の製造方法は、裏面保護膜形成用フィルムを貼付する装置と支持シートを貼付する装置を連結させて行う、又は同一の装置内で行うことができる。
同一の装置としては例えば、裏面保護膜形成用フィルム貼付テーブル、支持シート貼付テーブル及び搬送アームを備える装置により実施することができる。
具体的には、上記装置に投入されたワーク14は、搬送アームにより、裏面保護膜形成用フィルム貼付テーブルへ搬送され、裏面14bを上に向けて設置される。裏面保護膜形成用フィルム貼付テーブルにおいて、前記ワーク14の裏面14b側に事前に装置外又は直前に装置内でワーク14に合わせたサイズに加工された裏面保護膜形成用フィルム13が貼付され、第二積層体となる。第二積層体は、搬送アームにより、前記支持シート貼付テーブルへ搬送され、裏面保護膜形成用フィルム側を上に向けて設置される。支持シート貼付テーブルにおいて、前記第二積層体の裏面保護膜形成用フィルム13に支持テープ10が貼付され、第三積層体となる。
The method for producing the third laminate of this embodiment can be carried out by connecting an apparatus for attaching the film for forming a rear surface protection film and an apparatus for attaching the support sheet, or can be carried out in the same apparatus.
The same apparatus may be, for example, an apparatus equipped with a back surface protective film forming film application table, a support sheet application table, and a transport arm.
Specifically, the work 14 put into the above-mentioned device is transported by a transport arm to a back surface protective film forming film attaching table, where the work 14 is placed with the back surface 14b facing up. At the back surface protective film forming film attaching table, a back surface protective film forming film 13 processed to a size matching the work 14 beforehand outside the device or immediately before inside the device is attached to the back surface 14b side of the work 14 to form a second laminate. The second laminate is transported by a transport arm to the support sheet attaching table, where the back surface protective film forming film side is placed with the back surface protective film forming film facing up. At the support sheet attaching table, a support tape 10 is attached to the back surface protective film forming film 13 of the second laminate to form a third laminate.

第一の積層工程においてワーク14の裏側に、保護膜形成フィルム13を貼付する速度、及び第二の積層工程において保護膜形成フィルム13に支持シート10を貼付する速度は、100mm/秒以下とすることもでき、80mm/秒以下とすることもでき、60mm/秒以下とすることもでき、40mm/秒以下とすることもできる。第一の積層工程における前記貼付する速度、及び第二の積層工程における前記貼付する速度が前記上限値以下であることにより、ワーク14と保護膜形成フィルム13との間の密着性、保護膜形成フィルム13と支持シート10との間の密着性を良好なものとすることができる。
第一の積層工程における前記貼付する速度、及び第二の積層工程における前記貼付する速度は、2mm/秒以上とすることもでき、5mm/秒以上とすることもでき、10mm/秒以上とすることもできる。第一の積層工程における前記貼付する速度、及び第二の積層工程における前記貼付する速度が前記下限値以上であることにより、第三積層体19の生産効率を向上させるとともに、第一の積層工程の貼付開始時から第二の積層工程の貼付完了時までの間のワーク14の搬送時間を、400s以下とすることができる。
第一の積層工程における前記貼付する速度、及び第二の積層工程における前記貼付する速度は、2~100mm/秒とすることもでき、2~80mm/秒とすることもでき、5~60mm/秒とすることもでき、10~40mm/秒とすることもできる。
The speed at which the protective film-forming film 13 is attached to the back side of the workpiece 14 in the first lamination step, and the speed at which the support sheet 10 is attached to the protective film-forming film 13 in the second lamination step, can be 100 mm/sec or less, 80 mm/sec or less, 60 mm/sec or less, or 40 mm/sec or less. By setting the attaching speed in the first lamination step and the attaching speed in the second lamination step to be equal to or less than the upper limit, the adhesion between the workpiece 14 and the protective film-forming film 13 and the adhesion between the protective film-forming film 13 and the support sheet 10 can be made good.
The attaching speed in the first lamination step and the attaching speed in the second lamination step can be 2 mm/sec or more, 5 mm/sec or more, or 10 mm/sec or more. By making the attaching speed in the first lamination step and the attaching speed in the second lamination step equal to or more than the lower limit, the production efficiency of the third laminate 19 can be improved, and the transport time of the work 14 from the start of attaching in the first lamination step to the completion of attaching in the second lamination step can be set to 400 s or less.
The laminating speed in the first lamination step and the laminating speed in the second lamination step can be 2 to 100 mm/sec, 2 to 80 mm/sec, 5 to 60 mm/sec, or 10 to 40 mm/sec.

前記装置は、裏面保護膜形成用フィルム貼付テーブルを1~5個備えることが好ましく、1~3個備えることがより好ましい。装置内の裏面保護膜形成用フィルム貼付テーブルの数が前記範囲の下限値以上であると、生産効率が高まり、上限値以下であると、装置のスペースを低減することができる。The device preferably has 1 to 5 film application tables for forming a back surface protective film, and more preferably has 1 to 3. If the number of film application tables for forming a back surface protective film in the device is equal to or greater than the lower limit of the range, production efficiency is improved, and if it is equal to or less than the upper limit, the space required for the device can be reduced.

前記装置は、支持シート貼付テーブルを1~5個備えることが好ましく、1~3個備えることがより好ましい。装置内の支持シート貼付テーブルの数が前記範囲の下限値以上であると、生産効率が高まり、上限値以下であると、装置のスペースを低減することができる。The device preferably has 1 to 5 support sheet application tables, and more preferably has 1 to 3. If the number of support sheet application tables in the device is equal to or greater than the lower limit of the range, production efficiency will increase, and if it is equal to or less than the upper limit, the space required for the device can be reduced.

前記装置は、搬送アームを各搬送経路に合わせて備えることが好ましい。テーブルの総数に対する搬送アームの数の割合を1以上とすると、生産効率を高めることができる。また、テーブルを2個以上備える場合、テーブルの総数に対する搬送アームの数の割合を0超1未満(例えば、2個のテーブルに対して搬送アームの総数が1)とすると、装置のスペースの低減が可能となる。It is preferable that the device is provided with a transport arm for each transport path. If the ratio of the number of transport arms to the total number of tables is 1 or more, production efficiency can be improved. Furthermore, when two or more tables are provided, if the ratio of the number of transport arms to the total number of tables is greater than 0 and less than 1 (for example, a total of 1 transport arm for two tables), the space required for the device can be reduced.

裏面保護膜形成用フィルムを貼付する装置と支持シートを貼付する装置を連結させて行う具体例としては、裏面保護膜形成用フィルムを貼付する機構を有する装置と、支持シートを貼付する機構を有する装置を連続させ、各機構間において、ワーク14に裏面保護膜形成用フィルム13が貼付された第二積層体を、搬送アームを用いて、一枚ずつ搬送する方法が挙げられる。A specific example of connecting an apparatus for applying a film for forming a back surface protective film and an apparatus for applying a support sheet is to connect an apparatus having a mechanism for applying a film for forming a back surface protective film to an apparatus having a mechanism for applying a support sheet, and transport the second laminate in which the film for forming a back surface protective film 13 is applied to the work 14 one by one using a transport arm between each mechanism.

本実施形態において、図1(a)に示されるワーク14として、半導体ウエハを用いている。半導体ウエハの一方の面は回路面14aであり、バンプが形成されている。また、半導体ウエハの回路面14a及びバンプが、半導体ウエハの裏面研削時に潰れたり、ウエハ裏面におけるディンプルやクラックが発生することを防止するために、半導体ウエハの回路面14a及びバンプは、回路面保護用テープ17によって保護されていてもよい。回路面保護用テープ17は裏面研削用テープであり、ワーク14である半導体ウエハの裏面(すなわち、ワークの裏面14b)は研削された面でもよい。In this embodiment, a semiconductor wafer is used as the workpiece 14 shown in FIG. 1(a). One surface of the semiconductor wafer is the circuit surface 14a, on which bumps are formed. In addition, in order to prevent the circuit surface 14a and bumps of the semiconductor wafer from being crushed during back grinding of the semiconductor wafer, or to prevent dimples or cracks from occurring on the back surface of the wafer, the circuit surface 14a and bumps of the semiconductor wafer may be protected by a circuit surface protection tape 17. The circuit surface protection tape 17 is a back surface grinding tape, and the back surface of the semiconductor wafer that is the workpiece 14 (i.e., the back surface 14b of the workpiece) may be the ground surface.

ワーク14としては、一方に回路面14aを有し、他方の面が裏面と云えるものであれば限定されない。ワーク14として、一方に回路面を有する半導体ウエハや、個片化され個々の電子部品が封止樹脂で封止され、一方に、端子付き半導体装置の端子形成面(換言すると回路面)を有する端子付き半導体装置集合体からなる半導体装置パネル等を例示することができる。The work 14 is not limited as long as it has a circuit surface 14a on one side and the other side can be considered as a back surface. Examples of the work 14 include a semiconductor wafer having a circuit surface on one side, and a semiconductor device panel consisting of an assembly of terminal-equipped semiconductor devices in which individual electronic components are encapsulated with sealing resin and one side has a terminal formation surface (in other words, a circuit surface) of the terminal-equipped semiconductor device.

回路面保護用テープ17としては、例えば、特開2016-192488号公報、特開2009-141265号公報に開示された表面保護用シートを用いることができる。回路面保護用テープ17は、適度な再剥離性を有する粘着剤層を備えている。前記粘着剤層は、ゴム系、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ビニルエーテル樹脂など汎用の弱粘着タイプの粘着剤から形成されてもよい。また、前記粘着剤層は、エネルギー線の照射により硬化して再剥離性となるエネルギー線硬化型粘着剤であってもよい。回路面保護用テープ17が両面テープ形状となっており、回路面保護用テープ17のさらに外側が硬質支持体に固定されていてもよく、硬質の支持体にワーク14が固定されていてもよい。As the circuit surface protection tape 17, for example, the surface protection sheet disclosed in JP 2016-192488 A and JP 2009-141265 A can be used. The circuit surface protection tape 17 has an adhesive layer having moderate removability. The adhesive layer may be formed from a general-purpose weak adhesive such as a rubber-based, acrylic resin, silicone resin, urethane resin, or vinyl ether resin. The adhesive layer may also be an energy ray curable adhesive that is cured by irradiation with energy rays and becomes removably. The circuit surface protection tape 17 is in the form of a double-sided tape, and the outer side of the circuit surface protection tape 17 may be fixed to a hard support, or the work 14 may be fixed to the hard support.

本明細書において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味する。エネルギー線の例としては、紫外線、放射線、電子線等が挙げられる。紫外線は、例えば、紫外線源として高圧水銀ランプ、ヒュージョンランプ、キセノンランプ、ブラックライト又はLEDランプ等を用いることで照射できる。電子線は、電子線加速器等によって発生させたものを照射できる。
また、本明細書において、「エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射することにより硬化する性質を意味し、「非エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射しても硬化しない性質を意味する。
In this specification, the term "energy rays" refers to electromagnetic waves or charged particle beams that have an energy quantum. Examples of energy rays include ultraviolet rays, radiation, and electron beams. Ultraviolet rays can be irradiated by using, for example, a high-pressure mercury lamp, a fusion lamp, a xenon lamp, a black light, or an LED lamp as an ultraviolet ray source. Electron beams can be irradiated by generating them using an electron beam accelerator or the like.
In this specification, the term "energy ray curable" means a property of being cured by irradiation with energy rays, and the term "non-energy ray curable" means a property of not being cured even when irradiated with energy rays.

図1(b)に示される本実施形態の第一の積層工程において、裏面保護膜形成用フィルム13は、図2に示す第一積層体5として用いることができる。図2に示す第一積層体5は、裏面保護膜形成用フィルム13の一方の面上に第1剥離フィルム151を備え、他方の面上に第2剥離フィルム152を備える。第1剥離フィルム151を剥離してから、第一の積層工程において、ワーク14の裏面14bに、裏面保護膜形成用フィルム13の前記剥離フィルムを剥離した露出面13aを向い合せに貼付する(図1(b))。この時の裏面保護膜形成用フィルム13は、事前にワーク14の形状に合わせて加工されているものを用いてもよいし、直前に、装置内で加工して用いてもよい。次に、第2剥離フィルム152を剥離して、第二積層体とする(図1(c))ことが好ましい。In the first lamination step of this embodiment shown in FIG. 1(b), the back surface protective film forming film 13 can be used as the first laminate 5 shown in FIG. 2. The first laminate 5 shown in FIG. 2 has a first release film 151 on one side of the back surface protective film forming film 13, and a second release film 152 on the other side. After peeling off the first release film 151, in the first lamination step, the exposed surface 13a of the back surface protective film forming film 13 from which the release film has been peeled off is attached to the back surface 14b of the workpiece 14 (FIG. 1(b)). The back surface protective film forming film 13 at this time may be one that has been processed in advance to match the shape of the workpiece 14, or may be processed in the device immediately beforehand and used. Next, it is preferable to peel off the second release film 152 to form a second laminate (FIG. 1(c)).

図2に示す裏面保護膜形成用フィルムは、例えば、厚さ10~100μmの第2剥離フィルム152の剥離面上に、溶媒を含有する保護膜形成組成物を、ナイフコーターにて塗布した後、オーブンにて120℃で2分間乾燥させて、裏面保護膜形成用フィルムを形成する。次いで、裏面保護膜形成用フィルムに厚さ10~100μmの第1剥離フィルム151の剥離面を重ねて両者を貼り合わせ、第1剥離フィルム151と、裏面保護膜形成用フィルム(図2における裏面保護膜形成用フィルム13)(厚さ:3~50μm)と、第2剥離フィルム152とからなる第一積層体5を得ることができる。このような第一積層体5は、例えば、ロール状として保管するのに好適である。 The film for forming a back surface protective film shown in FIG. 2 is formed, for example, by applying a protective film forming composition containing a solvent onto the release surface of a second release film 152 having a thickness of 10 to 100 μm using a knife coater, and then drying in an oven at 120° C. for 2 minutes to form a film for forming a back surface protective film. Next, the release surface of a first release film 151 having a thickness of 10 to 100 μm is overlaid on the film for forming a back surface protective film, and the two are bonded together to obtain a first laminate 5 consisting of the first release film 151, the film for forming a back surface protective film (film for forming a back surface protective film 13 in FIG. 2) (thickness: 3 to 50 μm), and the second release film 152. Such a first laminate 5 is suitable for storage, for example, in a roll form.

図1(d)に示される第二の積層工程において、ワーク14の裏面14bに積層された裏面保護膜形成用フィルム13に、支持シート10を積層する。支持シート10は、例えば、厚さ80μm、直径が270mmの円形のポリエチレンテレフタレートフィルムであり、外周部に、治具用接着剤層16を備えていてもよい。本実施形態では、ワーク14は、裏面保護膜形成用フィルム13とともに固定用治具18に固定されていてもよい。そして、裏面保護膜形成用フィルム13に、支持シート10を積層するとともに、治具用接着剤層16を介して、固定用治具18に固定されていてもよい(図1(e))。In the second lamination step shown in FIG. 1(d), a support sheet 10 is laminated on the film 13 for forming a back surface protective film laminated on the back surface 14b of the workpiece 14. The support sheet 10 is, for example, a circular polyethylene terephthalate film having a thickness of 80 μm and a diameter of 270 mm, and may have a jig adhesive layer 16 on the outer periphery. In this embodiment, the workpiece 14 may be fixed to a fixing jig 18 together with the film 13 for forming a back surface protective film. Then, the support sheet 10 may be laminated on the film 13 for forming a back surface protective film, and may be fixed to the fixing jig 18 via the jig adhesive layer 16 (FIG. 1(e)).

(保護膜形成組成物)
裏面保護膜形成用フィルムを形成するための保護膜形成組成物の組成としては、バインダーポリマー成分及び硬化性成分を含有することが好ましい。
(Protective film forming composition)
The protective film-forming composition for forming a back surface protective film-forming film preferably contains a binder polymer component and a curable component.

(バインダーポリマー成分)
裏面保護膜形成用フィルムに十分な接着性及び造膜性(シート形成性)を付与するためにバインダーポリマー成分が用いられる。バインダーポリマー成分としては、従来公知のアクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー等を用いることができる。
(Binder Polymer Component)
A binder polymer component is used to impart sufficient adhesiveness and film-forming properties (sheet-forming properties) to the film for forming a back surface protection film. As the binder polymer component, a conventionally known acrylic resin, polyester resin, urethane resin, acrylic urethane resin, silicone resin, rubber-based polymer, etc. can be used.

バインダーポリマー成分の重量平均分子量(Mw)は、1万~200万であることが好ましく、10万~120万であることがより好ましい。バインダーポリマー成分の重量平均分子量が低過ぎると裏面保護膜形成用フィルムと支持シートとの粘着力が高くなり、裏面保護膜形成用フィルムの転写不良が起こることがあり、高過ぎると裏面保護膜形成用フィルムの接着性が低下し、チップ等に転写できなくなったり、あるいは転写後にチップ等から裏面保護膜が剥離することがある。
すなわち、Mwが前記範囲の下限値以上であると、裏面保護膜形成用フィルムと支持シートとの粘着力が高くなりすぎず、裏面保護膜形成用フィルムの転写不良を抑制することができる。Mwが前記範囲の上限値以下であると、裏面保護膜形成用フィルムの接着性の低下が抑制され、チップ等に転写できなくなったり、あるいは転写後にチップ等から裏面保護膜が剥離するという不具合の発生が抑制される。
なお、本実施形態において、重量平均分子量(Mw)とは、特に断りのない限り、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)法により測定されるポリスチレン換算値である。
The weight average molecular weight (Mw) of the binder polymer component is preferably from 10,000 to 2,000,000, and more preferably from 100,000 to 1,200,000. If the weight average molecular weight of the binder polymer component is too low, the adhesive strength between the film for forming a back surface protective film and the support sheet increases, which may cause transfer failure of the film for forming a back surface protective film, whereas if it is too high, the adhesiveness of the film for forming a back surface protective film decreases, which may make it impossible to transfer to a chip or the like, or the back surface protective film may peel off from the chip or the like after transfer.
That is, when Mw is equal to or greater than the lower limit of the above range, the adhesive strength between the film for forming a back surface protection film and the support sheet does not become too high, and transfer defects of the film for forming a back surface protection film can be suppressed. When Mw is equal to or less than the upper limit of the above range, a decrease in the adhesiveness of the film for forming a back surface protection film is suppressed, and defects such as an inability to transfer to a chip or the like or peeling of the back surface protection film from the chip after transfer are suppressed.
In the present embodiment, the weight average molecular weight (Mw) is a polystyrene-equivalent value measured by gel permeation chromatography (GPC) unless otherwise specified.

バインダーポリマー成分として、アクリル樹脂が好ましく用いられる。アクリル樹脂のガラス転移温度(Tg)は、好ましくは-60~50℃、さらに好ましくは-50~40℃、特に好ましくは-40~30℃の範囲にある。アクリル樹脂のガラス転移温度が低過ぎると裏面保護膜形成用フィルムと支持シートとの剥離力が大きくなって裏面保護膜形成用フィルムの転写不良が起こることがあり、高過ぎると裏面保護膜形成用フィルムの接着性が低下し、チップ等に転写できなくなったり、あるいは転写後にチップ等から裏面保護膜が剥離することがある。
すなわち、Tgが前記範囲の下限値以上であると、裏面保護膜形成用フィルムと支持シートとの剥離力が大きくなりすぎず、裏面保護膜形成用フィルムの転写不良を抑制することができる。Tgが前記範囲の上限値以下であると。裏面保護膜形成用フィルムの接着性の低下が抑制され、チップ等に転写できなくなったり、あるいは転写後にチップ等から裏面保護膜が剥離するという不具合の発生が抑制される。
本明細書において「ガラス転移温度」とは、示差走査熱量計を用いて、試料のDSC曲線を測定し、得られたDSC曲線の変曲点の温度で表される。
As the binder polymer component, an acrylic resin is preferably used. The glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably in the range of −60 to 50° C., more preferably −50 to 40° C., and particularly preferably −40 to 30° C. If the glass transition temperature of the acrylic resin is too low, the peeling force between the film for forming a back surface protection film and the support sheet increases, which may cause transfer failure of the film for forming a back surface protection film, and if the glass transition temperature is too high, the adhesiveness of the film for forming a back surface protection film decreases, making it impossible to transfer to a chip or the like, or the back surface protection film may peel off from the chip or the like after transfer.
That is, when Tg is equal to or greater than the lower limit of the above range, the peeling force between the film for forming a back surface protection film and the support sheet is not too large, and transfer defects of the film for forming a back surface protection film can be suppressed. When Tg is equal to or less than the upper limit of the above range, the decrease in adhesion of the film for forming a back surface protection film is suppressed, and defects such as failure to transfer to a chip or peeling of the back surface protection film from the chip after transfer are suppressed.
In this specification, the term "glass transition temperature" refers to the temperature at the inflection point of a DSC curve obtained by measuring a DSC curve of a sample using a differential scanning calorimeter.

上記アクリル樹脂を構成するモノマーとしては、(メタ)アクリル酸エステルモノマー又はその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が1~18であるアルキル(メタ)アクリレート、具体的にはメチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。また、環状骨格を有する(メタ)アクリレート、具体的にはシクロヘキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル(メタ)アクリレート、イミド(メタ)アクリレートなどが挙げられる。さらに官能基を有するモノマーとして、水酸基を有するヒドロキシメチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレートなどが挙げられ;その他、エポキシ基を有するグリシジル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。アクリル樹脂としては、水酸基を有しているモノマーを含有しているアクリル樹脂が、後述する硬化性成分との相溶性が良いため好ましい。また、上記アクリル樹脂は、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどが共重合されていてもよい。Examples of monomers constituting the acrylic resin include (meth)acrylic acid ester monomers or derivatives thereof. For example, alkyl (meth)acrylates having an alkyl group with 1 to 18 carbon atoms, specifically methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, etc., can be mentioned. In addition, (meth)acrylates having a cyclic skeleton, specifically cyclohexyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth)acrylate, imide (meth)acrylate, etc. can be mentioned. Furthermore, examples of monomers having functional groups include hydroxymethyl (meth)acrylate, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, etc. having a hydroxyl group; and glycidyl (meth)acrylate, etc. having an epoxy group. As the acrylic resin, an acrylic resin containing a monomer having a hydroxyl group is preferable because it has good compatibility with the curable component described later. In addition, the acrylic resin may be copolymerized with acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, etc.

なお、本明細書において、「(メタ)アクリル酸」とは、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」の両方を包含する概念とする。(メタ)アクリル酸と類似の用語についても同様であり、例えば、「(メタ)アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の両方を包含する概念であり、「(メタ)アクリロイル基」とは、「アクリロイル基」及び「メタクリロイル基」の両方を包含する概念である。In this specification, "(meth)acrylic acid" is a concept that includes both "acrylic acid" and "methacrylic acid." The same applies to terms similar to (meth)acrylic acid. For example, "(meth)acrylate" is a concept that includes both "acrylate" and "methacrylate," and "(meth)acryloyl group" is a concept that includes both "acryloyl group" and "methacryloyl group."

さらに、バインダーポリマー成分として、硬化後の保護膜の可とう性を保持するために熱可塑性樹脂を配合してもよい。そのような熱可塑性樹脂としては、重量平均分子量が1000~10万のものが好ましく、3000~8万のものがさらに好ましい。熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは-30~120℃、さらに好ましくは-20~120℃のものが好ましい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリスチレンなどが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、1種単独で、又は2種以上混合して使用することができる。上記の熱可塑性樹脂を含有することにより、裏面保護膜形成用フィルムの転写面に裏面保護膜形成用フィルムが追従しボイドなどの発生を抑えることができる。 Furthermore, a thermoplastic resin may be blended as a binder polymer component to maintain the flexibility of the protective film after curing. Such a thermoplastic resin preferably has a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000, more preferably 3,000 to 80,000. The glass transition temperature of the thermoplastic resin is preferably -30 to 120°C, more preferably -20 to 120°C. Examples of the thermoplastic resin include polyester resin, urethane resin, phenoxy resin, polybutene, polybutadiene, polystyrene, etc. These thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more. By containing the above-mentioned thermoplastic resin, the film for forming a back surface protective film can follow the transfer surface of the film for forming a back surface protective film, thereby suppressing the occurrence of voids, etc.

(硬化性成分)
硬化性成分は、熱硬化性成分及び/又はエネルギー線硬化性成分が用いられる。
(curable component)
The curable component may be a thermosetting component and/or an energy ray curable component.

熱硬化性成分としては、熱硬化樹脂及び熱硬化剤が用いられる。熱硬化樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂が好ましい。 As the thermosetting component, a thermosetting resin and a thermosetting agent are used. As the thermosetting resin, for example, an epoxy resin is preferable.

エポキシ樹脂としては、従来公知のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂としては、具体的には、多官能系エポキシ樹脂や、ビフェニル化合物、ビスフェノールAジグリシジルエーテルやその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂など、分子中に2官能以上有するエポキシ化合物が挙げられる。これらは1種単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。As the epoxy resin, a conventionally known epoxy resin can be used. Specific examples of the epoxy resin include polyfunctional epoxy resins, biphenyl compounds, bisphenol A diglycidyl ether and its hydrogenated products, orthocresol novolac epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, and phenylene skeleton type epoxy resins, and other epoxy compounds having two or more functional groups in the molecule. These can be used alone or in combination of two or more types.

裏面保護膜形成用フィルムには、バインダーポリマー成分100質量部に対して、熱硬化樹脂が、好ましくは1~1000質量部、より好ましくは10~500質量部、特に好ましくは20~200質量部含まれる。熱硬化樹脂の含有量が1質量部未満であると十分な接着性が得られないことがあり、1000質量部を超えると裏面保護膜形成用フィルムと粘着シート又は基材フィルムとの剥離力が高くなり、裏面保護膜形成用フィルムの転写不良が起こることがある。
すなわち、熱硬化樹脂の含有量が前記範囲の下限値以上であると、十分な接着性が得られる。熱硬化樹脂の含有量が前記範囲の上限値以下であると、裏面保護膜形成用フィルムと粘着シート又は基材フィルムとの剥離力が高くなりすぎず、裏面保護膜形成用フィルムの転写不良が抑制される。
The film for forming a back surface protection film contains a thermosetting resin in an amount of preferably 1 to 1000 parts by mass, more preferably 10 to 500 parts by mass, and particularly preferably 20 to 200 parts by mass, per 100 parts by mass of the binder polymer component. If the content of the thermosetting resin is less than 1 part by mass, sufficient adhesion may not be obtained, whereas if it exceeds 1000 parts by mass, the peel strength between the film for forming a back surface protection film and the pressure-sensitive adhesive sheet or base film increases, and transfer failure of the film for forming a back surface protection film may occur.
That is, when the content of the thermosetting resin is equal to or more than the lower limit of the above range, sufficient adhesion is obtained. When the content of the thermosetting resin is equal to or less than the upper limit of the above range, the peel strength between the film for forming a back surface protection film and the pressure-sensitive adhesive sheet or base film is not too high, and transfer defects of the film for forming a back surface protection film are suppressed.

熱硬化剤は、熱硬化樹脂、特にエポキシ樹脂に対する硬化剤として機能する。好ましい熱硬化剤としては、1分子中にエポキシ基と反応しうる官能基を2個以上有する化合物が挙げられる。その官能基としてはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基及び酸無水物などが挙げられる。これらのうち好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基、酸無水物などが挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基が挙げられる。The thermosetting agent functions as a curing agent for thermosetting resins, particularly epoxy resins. Preferred thermosetting agents include compounds having two or more functional groups in one molecule that can react with epoxy groups. Such functional groups include phenolic hydroxyl groups, alcoholic hydroxyl groups, amino groups, carboxyl groups, and acid anhydrides. Of these, phenolic hydroxyl groups, amino groups, and acid anhydrides are preferred, and phenolic hydroxyl groups and amino groups are more preferred.

フェノール系硬化剤の具体的な例としては、多官能系フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、アラルキルフェノール樹脂が挙げられる。アミン系硬化剤の具体的な例としては、DICY(ジシアンジアミド)が挙げられる。これらは、1種単独で、又は2種以上混合して使用することができる。 Specific examples of phenol-based hardeners include polyfunctional phenol resins, biphenols, novolac-type phenol resins, dicyclopentadiene-type phenol resins, xylok-type phenol resins, and aralkyl phenol resins. Specific examples of amine-based hardeners include DICY (dicyandiamide). These can be used alone or in combination of two or more.

熱硬化剤の含有量は、熱硬化樹脂100質量部に対して、0.1~500質量部であることが好ましく、1~200質量部であることがより好ましい。熱硬化剤の含有量が少ないと硬化不足で接着性が得られないことがあり、過剰であると裏面保護膜形成用フィルムの吸湿率が高まり半導体装置の信頼性を低下させることがある。
すなわち、熱硬化剤の含有量が前記範囲の下限値以上であると、硬化不足が起こりづらく、接着性が得られやすい。熱硬化剤の含有量が前記範囲の上限値以下であると、裏面保護膜形成用フィルムの吸湿率が高まらず、半導体装置の信頼性を低下させづらい。
The content of the heat curing agent is preferably 0.1 to 500 parts by mass, and more preferably 1 to 200 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the thermosetting resin. If the content of the heat curing agent is small, the curing may be insufficient and adhesiveness may not be obtained, whereas if the content is excessive, the moisture absorption rate of the film for forming a back surface protection film may increase, thereby reducing the reliability of the semiconductor device.
That is, when the content of the heat curing agent is equal to or more than the lower limit of the above range, insufficient curing is unlikely to occur, and adhesiveness is easily obtained. When the content of the heat curing agent is equal to or less than the upper limit of the above range, the moisture absorption rate of the film for forming a back surface protection film is not increased, and the reliability of the semiconductor device is not likely to decrease.

エネルギー線硬化性成分としては、エネルギー線重合性基を含み、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する低分子化合物(エネルギー線重合性化合物)を用いることができる。このようなエネルギー線硬化性成分として具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは1,4-ブチレングリコールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート及びイタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が挙げられる。このような化合物は、分子内に少なくとも1つの重合性二重結合を有し、通常は、重量平均分子量が100~30000、好ましくは300~10000程度である。エネルギー線重合性化合物の配合量は、バインダーポリマー成分100質量部に対して、好ましくは1~1500質量部、より好ましくは10~500質量部、特に好ましくは20~200質量部である。As the energy ray curable component, a low molecular weight compound (energy ray polymerizable compound) that contains an energy ray polymerizable group and polymerizes and hardens when irradiated with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams can be used. Specific examples of such energy ray curable components include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and acrylate-based compounds such as 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, urethane acrylate-based oligomer, epoxy modified acrylate, polyether acrylate, and itaconic acid oligomer. Such compounds have at least one polymerizable double bond in the molecule and usually have a weight average molecular weight of 100 to 30,000, preferably about 300 to 10,000. The amount of the energy ray polymerizable compound to be blended is preferably 1 to 1,500 parts by mass, more preferably 10 to 500 parts by mass, and particularly preferably 20 to 200 parts by mass, based on 100 parts by mass of the binder polymer component.

また、エネルギー線硬化性成分として、バインダーポリマー成分の主鎖又は側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されたエネルギー線硬化型重合体を用いてもよい。このようなエネルギー線硬化型重合体は、バインダーポリマー成分としての機能と、硬化性成分としての機能を兼ね備える。 In addition, an energy beam curable polymer in which an energy beam polymerizable group is bonded to the main chain or side chain of a binder polymer component may be used as the energy beam curable component. Such an energy beam curable polymer combines the function of a binder polymer component and the function of a curable component.

エネルギー線硬化型重合体の主骨格は特に限定はされず、バインダーポリマー成分として汎用されているアクリル樹脂であってもよく、またポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂等であっても良いが、合成及び物性の制御が容易であることから、アクリル樹脂を主骨格とすることが特に好ましい。The main skeleton of the energy beam-curable polymer is not particularly limited and may be an acrylic resin, which is commonly used as a binder polymer component, or a polyester resin, polyether resin, etc., but it is particularly preferable to use an acrylic resin as the main skeleton because it is easy to synthesize and control the physical properties.

エネルギー線硬化型重合体の主鎖又は側鎖に結合するエネルギー線重合性基は、例えばエネルギー線重合性の炭素-炭素二重結合を含む基であり、具体的には(メタ)アクリロイル基等を例示することができる。エネルギー線重合性基は、アルキレン基、アルキレンオキシ基、ポリアルキレンオキシ基を介してエネルギー線硬化型重合体に結合していてもよい。The energy ray-polymerizable group bonded to the main chain or side chain of the energy ray-curable polymer is, for example, a group containing an energy ray-polymerizable carbon-carbon double bond, and specific examples thereof include a (meth)acryloyl group. The energy ray-polymerizable group may be bonded to the energy ray-curable polymer via an alkylene group, an alkyleneoxy group, or a polyalkyleneoxy group.

エネルギー線重合性基が結合されたエネルギー線硬化型重合体の重量平均分子量(Mw)は、1万~200万であることが好ましく、10万~150万であることがより好ましい。また、エネルギー線硬化型重合体のガラス転移温度(Tg)は、好ましくは-60~50℃、さらに好ましくは-50~40℃、特に好ましくは-40~30℃の範囲にある。The weight average molecular weight (Mw) of the energy ray curable polymer to which the energy ray polymerizable group is bonded is preferably 10,000 to 2,000,000, and more preferably 100,000 to 1,500,000. The glass transition temperature (Tg) of the energy ray curable polymer is preferably in the range of -60 to 50°C, more preferably -50 to 40°C, and particularly preferably -40 to 30°C.

エネルギー線硬化型重合体は、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を含有するアクリル樹脂と、前記官能基と反応する置換基とエネルギー線重合性炭素-炭素二重結合を1分子毎に1~5個を有する重合性基含有化合物とを反応させて得られる。前記官能基と反応する置換基としては、イソシアネート基、グリシジル基、カルボキシル基等が挙げられる。Energy beam curable polymers are obtained by reacting an acrylic resin containing functional groups such as hydroxyl groups, carboxyl groups, amino groups, substituted amino groups, and epoxy groups with a polymerizable group-containing compound having a substituent that reacts with the functional groups and 1 to 5 energy beam polymerizable carbon-carbon double bonds per molecule. Examples of the substituent that reacts with the functional groups include isocyanate groups, glycidyl groups, and carboxyl groups.

重合性基含有化合物としては、(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ-イソプロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネート、(メタ)アクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、グリシジル(メタ)アクリレート;(メタ)アクリル酸等が挙げられる。 Examples of polymerizable group-containing compounds include (meth)acryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate, (meth)acryloyl isocyanate, allyl isocyanate, glycidyl (meth)acrylate; (meth)acrylic acid, etc.

アクリル樹脂は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を有する(メタ)アクリルモノマー又はその誘導体と、これと共重合可能な他の(メタ)アクリル酸エステルモノマー又はその誘導体とからなる共重合体であることが好ましい。The acrylic resin is preferably a copolymer consisting of a (meth)acrylic monomer or its derivative having a functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group, or an epoxy group, and another (meth)acrylic acid ester monomer or its derivative that is copolymerizable therewith.

ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を有する(メタ)アクリルモノマー又はその誘導体としては、例えば、ヒドロキシル基を有する2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート;カルボキシル基を有するアクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸;エポキシ基を有するグリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレートなどが挙げられる。Examples of (meth)acrylic monomers or derivatives thereof having functional groups such as hydroxyl groups, carboxyl groups, amino groups, substituted amino groups, and epoxy groups include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate and 2-hydroxypropyl (meth)acrylate having hydroxyl groups; acrylic acid, methacrylic acid, and itaconic acid having carboxyl groups; and glycidyl methacrylate and glycidyl acrylate having epoxy groups.

上記モノマーと共重合可能な他の(メタ)アクリル酸エステルモノマー又はその誘導体としては、例えば、アルキル基の炭素数が1~18であるアルキル(メタ)アクリレート、具体的にはメチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレートなどが挙げられ;環状骨格を有する(メタ)アクリレート、具体的にはシクロヘキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、イミドアクリレートなどが挙げられる。また、上記アクリル樹脂には、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどが共重合されていてもよい。Other (meth)acrylic acid ester monomers or derivatives thereof that can be copolymerized with the above monomers include, for example, alkyl (meth)acrylates in which the alkyl group has 1 to 18 carbon atoms, specifically methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, etc.; (meth)acrylates having a cyclic skeleton, specifically cyclohexyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, isobornyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, dicyclopentenyloxyethyl acrylate, imide acrylate, etc. In addition, the above acrylic resins may be copolymerized with vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, etc.

エネルギー線硬化型重合体を使用する場合であっても、前記したエネルギー線重合性化合物を併用してもよく、またバインダーポリマー成分を併用してもよい。本発明における裏面保護膜形成用フィルム中のこれら三者の配合量の関係は、エネルギー線硬化型重合体及びバインダーポリマー成分の質量の和100質量部に対して、エネルギー線重合性化合物が好ましくは1~1500質量部、より好ましくは10~500質量部、特に好ましくは20~200質量部含まれる。Even when an energy beam curable polymer is used, the above-mentioned energy beam polymerizable compound may be used in combination, or a binder polymer component may be used in combination. The relationship of the blending amounts of these three components in the film for forming a back surface protective film in the present invention is such that the energy beam polymerizable compound is preferably contained in an amount of 1 to 1500 parts by mass, more preferably 10 to 500 parts by mass, and particularly preferably 20 to 200 parts by mass, per 100 parts by mass of the sum of the masses of the energy beam curable polymer and the binder polymer component.

裏面保護膜形成用フィルムにエネルギー線硬化性を付与することで、裏面保護膜形成用フィルムを簡便かつ短時間で硬化でき、保護膜付チップの生産効率が向上する。従来、チップ用の保護膜は、一般にエポキシ樹脂などの熱硬化樹脂により形成されていたが、熱硬化樹脂の硬化温度は200℃を超え、また硬化時間は2時間程度を要しているため、生産効率向上の障害となっていた。しかし、エネルギー線硬化性の裏面保護膜形成用フィルムは、エネルギー線照射により短時間で硬化するため、簡便に保護膜を形成でき、生産効率の向上に寄与しうる。By imparting energy ray curing properties to the film for forming a back surface protective film, the film for forming a back surface protective film can be cured easily and in a short time, improving the production efficiency of chips with a protective film. Conventionally, protective films for chips have generally been formed from thermosetting resins such as epoxy resins, but the curing temperature of thermosetting resins exceeds 200°C and the curing time requires about two hours, which has been an obstacle to improving production efficiency. However, energy ray curable films for forming a back surface protective film can be cured in a short time by irradiation with energy rays, making it possible to easily form a protective film and contributing to improving production efficiency.

裏面保護膜形成用フィルムは、上記バインダーポリマー成分及び硬化性成分に加えて下記成分を含むことができる。The film for forming a back surface protective film may contain the following components in addition to the above binder polymer component and curable component.

(着色剤)
裏面保護膜形成用フィルムは、着色剤を含有することが好ましい。裏面保護膜形成用フィルムに着色剤を配合することで、半導体装置を機器に組み込んだ際に、周囲の装置から発生する赤外線等を遮蔽し、それらによる半導体装置の誤作動を防止することができる。また裏面保護膜形成用フィルムを硬化して得た保護膜に、製品番号等を印字した際の文字の視認性が向上する。すなわち、保護膜を形成された半導体装置や半導体チップでは、保護膜の表面に品番等が通常レーザーマーキング法(レーザー光により保護膜表面を削り取り印字を行う方法)により印字されるが、保護膜が着色剤を含有することで、保護膜のレーザー光により削り取られた部分とそうでない部分のコントラスト差が充分に得られ、視認性が向上する。着色剤としては、有機又は無機の顔料及び染料が用いられる。これらの中でも電磁波や赤外線遮蔽性の点から黒色顔料が好ましい。黒色顔料としては、カーボンブラック、酸化鉄、二酸化マンガン、アニリンブラック、活性炭等が用いられるが、これらに限定されることはない。半導体装置の信頼性を高める観点からは、カーボンブラックが特に好ましい。着色剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明における裏面保護膜形成用フィルムの高い硬化性は、可視光及び/又は赤外線と紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤を用い、紫外線の透過性が低下した場合に、特に好ましく発揮される。可視光及び/又は赤外線と紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤としては、上記の黒色顔料のほか、可視光及び/又は赤外線と紫外線との両方の波長領域で吸収性又は反射性を有するものであれば特に限定されない。
(Coloring Agent)
The film for forming a back surface protective film preferably contains a colorant. By blending a colorant into the film for forming a back surface protective film, when the semiconductor device is incorporated into an apparatus, infrared rays and the like generated from the surrounding device can be shielded, and malfunction of the semiconductor device due to them can be prevented. In addition, the visibility of characters when a product number or the like is printed on the protective film obtained by curing the film for forming a back surface protective film is improved. That is, in a semiconductor device or semiconductor chip on which a protective film is formed, a product number or the like is usually printed on the surface of the protective film by a laser marking method (a method of scraping off the surface of the protective film with laser light and printing), but by containing a colorant in the protective film, a sufficient contrast difference is obtained between the part of the protective film scraped off by the laser light and the part that is not, and visibility is improved. As the colorant, organic or inorganic pigments and dyes are used. Among these, black pigments are preferred from the viewpoint of electromagnetic wave and infrared ray shielding properties. As the black pigment, carbon black, iron oxide, manganese dioxide, aniline black, activated carbon, etc. are used, but are not limited to these. From the viewpoint of improving the reliability of the semiconductor device, carbon black is particularly preferred. The colorant may be used alone or in combination of two or more. The high curability of the film for forming a back surface protection film in the present invention is particularly preferably exhibited when a colorant that reduces the transmittance of both visible light and/or infrared light and ultraviolet light is used to reduce the transmittance of ultraviolet light. The colorant that reduces the transmittance of both visible light and/or infrared light and ultraviolet light is not particularly limited as long as it has absorptivity or reflectivity in the wavelength range of both visible light and/or infrared light and ultraviolet light, in addition to the above black pigment.

着色剤の配合量は、裏面保護膜形成用フィルムを構成する全固形分100質量部に対して、好ましくは0.1~35質量部、さらに好ましくは0.5~25質量部、特に好ましくは1~15質量部である。The amount of colorant is preferably 0.1 to 35 parts by weight, more preferably 0.5 to 25 parts by weight, and particularly preferably 1 to 15 parts by weight, per 100 parts by weight of the total solids constituting the film for forming a back surface protective film.

(硬化促進剤)
硬化促進剤は、裏面保護膜形成用フィルムの硬化速度を調整するために用いられる。硬化促進剤は、特に、硬化性成分において、エポキシ樹脂と熱硬化剤とを併用する場合に好ましく用いられる。
(Cure Accelerator)
The curing accelerator is used to adjust the curing speed of the film for forming a back surface protection film, and is preferably used particularly when an epoxy resin and a heat curing agent are used in combination in the curable component.

好ましい硬化促進剤としては、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノールなどの3級アミン類;2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール類;トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類;テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。これらは1種単独で、又は2種以上混合して使用することができる。 Preferred curing accelerators include tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, and tris(dimethylaminomethyl)phenol; imidazoles such as 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole; organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine, and triphenylphosphine; and tetraphenylboron salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and triphenylphosphine tetraphenylborate. These can be used alone or in combination of two or more.

硬化促進剤は、硬化性成分100質量部に対して、好ましくは0.01~10質量部、さらに好ましくは0.1~1質量部の量で含まれる。硬化促進剤を上記範囲の量で含有することにより、高温度、高湿度下に曝されても優れた接着特性を有し、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても高い信頼性を達成することができる。硬化促進剤の含有量が少ないと硬化不足で十分な接着特性が得られず、過剰であると高い極性をもつ硬化促進剤は高温度、高湿度下で裏面保護膜形成用フィルム中を接着界面側に移動し、偏析することにより半導体装置の信頼性を低下させる。The curing accelerator is preferably contained in an amount of 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 1 part by mass, per 100 parts by mass of the curable component. By containing the curing accelerator in the above range, the adhesive has excellent adhesive properties even when exposed to high temperatures and high humidity, and high reliability can be achieved even when exposed to severe reflow conditions. If the content of the curing accelerator is low, sufficient adhesive properties cannot be obtained due to insufficient curing, and if it is excessive, the curing accelerator, which has high polarity, migrates to the adhesive interface side in the film for forming a back surface protective film under high temperatures and high humidity, and segregates, thereby reducing the reliability of the semiconductor device.

(カップリング剤)
カップリング剤は、裏面保護膜形成用フィルムのチップに対する接着性、密着性及び/又は保護膜の凝集性を向上させるために用いてもよい。また、カップリング剤を使用することで、裏面保護膜形成用フィルムを硬化して得られる保護膜の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。
(Coupling Agent)
The coupling agent may be used to improve the adhesion and adhesion of the film for forming a back surface protective film to the chip and/or the cohesion of the protective film. In addition, by using the coupling agent, the water resistance of the protective film obtained by curing the film for forming a back surface protective film can be improved without impairing the heat resistance of the protective film.

カップリング剤としては、バインダーポリマー成分、硬化性成分などが有する官能基と反応する基を有する化合物が好ましく使用される。カップリング剤としては、シランカップリング剤が望ましい。このようなカップリング剤としてはγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ-(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-(アミノエチル)-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-(アミノエチル)-γ-アミノプロピルメチルジエトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス(3-トリエトキシシリルプロピル)テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。これらは1種単独で、又は2種以上混合して使用することができる。As a coupling agent, a compound having a group that reacts with a functional group of the binder polymer component, the curable component, etc. is preferably used. As a coupling agent, a silane coupling agent is preferable. Examples of such coupling agents include γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, γ-(methacryloxypropyl)trimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6-(aminoethyl)-γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6-(aminoethyl)-γ-aminopropylmethyldiethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis(3-triethoxysilylpropyl)tetrasulfane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, imidazolesilane, etc. These can be used alone or in combination of two or more.

カップリング剤は、バインダーポリマー成分及び硬化性成分の合計100質量部に対して、通常0.1~20質量部、好ましくは0.2~10質量部、より好ましくは0.3~5質量部の割合で含まれる。カップリング剤の含有量が0.1質量部未満だと上記の効果が得られない可能性があり、20質量部を超えるとアウトガスの原因となる可能性がある。
すなわち、カップリング剤の含有量が上記範囲の下限値以上であると、カップリング剤の効果が得られ、上限値以下であるとアウトガスが抑制される。
The coupling agent is usually contained in an amount of 0.1 to 20 parts by mass, preferably 0.2 to 10 parts by mass, and more preferably 0.3 to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the binder polymer component and the curable component in total. If the content of the coupling agent is less than 0.1 part by mass, the above effect may not be obtained, and if it exceeds 20 parts by mass, it may cause outgassing.
That is, when the content of the coupling agent is equal to or more than the lower limit of the above range, the effect of the coupling agent is obtained, and when it is equal to or less than the upper limit, outgassing is suppressed.

(無機充填材)
無機充填材を裏面保護膜形成用フィルムに配合することにより、硬化後の保護膜における熱膨張係数を調整することが可能となり、半導体チップに対して硬化後の保護膜の熱膨張係数を最適化することで半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、硬化後の保護膜の吸湿率を低減させることも可能となる。
(Inorganic filler)
By incorporating an inorganic filler into the film for forming a back surface protection film, it becomes possible to adjust the thermal expansion coefficient of the cured protection film, and by optimizing the thermal expansion coefficient of the cured protection film relative to the semiconductor chip, it is possible to improve the reliability of the semiconductor device. It is also possible to reduce the moisture absorption rate of the cured protection film.

好ましい無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化鉄、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維及びガラス繊維等が挙げられる。これらのなかでも、シリカフィラー及びアルミナフィラーが好ましい。上記無機充填材は単独で又は2種以上を混合して使用することができる。無機充填材の含有量は、裏面保護膜形成用フィルムを構成する全固形分100質量部に対して、通常1~80質量部の範囲で調整が可能である。 Preferred inorganic fillers include powders of silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium oxide, iron oxide, silicon carbide, boron nitride, etc., beads made by shaping these into spherical form, single crystal fibers, and glass fibers. Among these, silica filler and alumina filler are preferred. The above inorganic fillers can be used alone or in a mixture of two or more. The content of the inorganic filler can usually be adjusted within the range of 1 to 80 parts by mass per 100 parts by mass of the total solid content constituting the film for forming a back surface protective film.

(光重合開始剤)
裏面保護膜形成用フィルムが、前述した硬化性成分としてエネルギー線硬化性成分を含有する場合には、その使用に際して、紫外線等のエネルギー線を照射して、エネルギー線硬化性成分を硬化させる。この際、前記組成物中に光重合開始剤を含有させることで、重合硬化時間並びに光線照射量を少なくすることができる。
(Photopolymerization initiator)
When the film for forming a back surface protection film contains an energy ray curable component as the curable component, the energy ray curable component is cured by irradiating it with energy rays such as ultraviolet rays when it is used. In this case, by including a photopolymerization initiator in the composition, the polymerization curing time and the amount of light irradiation can be reduced.

このような光重合開始剤として具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、2,4-ジエチルチオキサントン、α-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、1,2-ジフェニルメタン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-[4-(1-メチルビニル)フェニル]プロパノン、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド及びβ-クロールアンスラキノンなどが挙げられる。光重合開始剤は1種類単独で、又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。 Specific examples of such photopolymerization initiators include benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin methyl benzoate, benzoin dimethyl ketal, 2,4-diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzyl diphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, benzyl, dibenzyl, diacetyl, 1,2-diphenylmethane, 2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-methylvinyl)phenyl]propanone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, and β-chloroanthraquinone. The photopolymerization initiators can be used alone or in combination of two or more.

光重合開始剤の配合割合は、エネルギー線硬化性成分100質量部に対して0.1~10質量部含まれることが好ましく、1~5質量部含まれることがより好ましい。0.1質量部未満であると光重合の不足で満足な転写性が得られないことがあり、10質量部を超えると光重合に寄与しない残留物が生成し、裏面保護膜形成用フィルムの硬化性が不十分となることがある。
すなわち、光重合開始剤の配合割合が前記範囲の下限値以上であると、光重合が十分進行し、満足な転写性が得られ、上限値以下であると、光重合に寄与しない残留物の生成が抑制され、裏面保護膜形成用フィルムの硬化性が十分となる。
The blending ratio of the photopolymerization initiator is preferably 0.1 to 10 parts by mass, and more preferably 1 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the energy ray-curable component. If the blending ratio is less than 0.1 part by mass, satisfactory transferability may not be obtained due to insufficient photopolymerization, whereas if the blending ratio exceeds 10 parts by mass, residues that do not contribute to photopolymerization may be generated, resulting in insufficient curability of the film for forming a back surface protective film.
In other words, when the blending ratio of the photopolymerization initiator is equal to or higher than the lower limit of the above range, the photopolymerization proceeds sufficiently and satisfactory transferability is obtained, and when the blending ratio is equal to or lower than the upper limit, the generation of residues that do not contribute to photopolymerization is suppressed and the hardening property of the film for forming a back surface protection film is sufficient.

(架橋剤)
裏面保護膜形成用フィルムの初期接着力及び凝集力を調節するために、架橋剤を添加することもできる。架橋剤としては有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物などが挙げられる。
(Crosslinking Agent)
In order to adjust the initial adhesive strength and cohesive strength of the film for forming a back surface protection film, a crosslinking agent may be added, such as an organic polyvalent isocyanate compound or an organic polyvalent imine compound.

上記有機多価イソシアネート化合物としては、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物、脂環族多価イソシアネート化合物及びこれらの有機多価イソシアネート化合物の三量体、並びにこれら有機多価イソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。Examples of the organic polyisocyanate compounds include aromatic polyisocyanate compounds, aliphatic polyisocyanate compounds, alicyclic polyisocyanate compounds, and trimers of these organic polyisocyanate compounds, as well as isocyanate-terminated urethane prepolymers obtained by reacting these organic polyisocyanate compounds with polyol compounds.

有機多価イソシアネート化合物としては、例えば2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、1,3-キシリレンジイソシアネート、1,4-キシリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4,4’-ジイソシアネート、ジフェニルメタン-2,4’-ジイソシアネート、3-メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-4,4’-ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-2,4’-ジイソシアネート、トリメチロールプロパンアダクトトリレンジイソシアネート及びリジンイソシアネートが挙げられる。Examples of organic polyisocyanate compounds include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, diphenylmethane-2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, trimethylolpropane adduct tolylene diisocyanate, and lysine isocyanate.

上記有機多価イミン化合物としては、N,N’-ジフェニルメタン-4,4’-ビス(1-アジリジンカルボキシアミド)、トリメチロールプロパン-トリ-β-アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン-トリ-β-アジリジニルプロピオネート及びN,N’-トルエン-2,4-ビス(1-アジリジンカルボキシアミド)トリエチレンメラミン等を挙げることができる。Examples of the organic polyvalent imine compounds include N,N'-diphenylmethane-4,4'-bis(1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri-β-aziridinyl propionate, tetramethylolmethane-tri-β-aziridinyl propionate, and N,N'-toluene-2,4-bis(1-aziridinecarboxamide)triethylenemelamine.

架橋剤はバインダーポリマー成分及びエネルギー線硬化型重合体の合計量100質量部に対して通常0.01~20質量部、好ましくは0.1~10質量部、より好ましくは0.5~5質量部の比率で用いられる。The crosslinking agent is usually used in a ratio of 0.01 to 20 parts by mass, preferably 0.1 to 10 parts by mass, and more preferably 0.5 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the combined amount of the binder polymer component and the energy beam curable polymer.

(汎用添加剤)
裏面保護膜形成用フィルムには、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、レベリング剤、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、イオン捕捉剤、ゲッタリング剤、連鎖移動剤などが挙げられる。
(General purpose additive)
In addition to the above, the back surface protective film may contain various additives as necessary, such as a leveling agent, a plasticizer, an antistatic agent, an antioxidant, an ion trapping agent, a gettering agent, and a chain transfer agent.

(溶媒)
保護膜形成組成物は、さらに溶媒を含有することが好ましい。溶媒を含有する保護膜形成組成物は、取り扱い性が良好となる。
前記溶媒は特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素;メタノール、エタノール、2-プロパノール、イソブチルアルコール(2-メチルプロパン-1-オール)、1-ブタノール等のアルコール;酢酸エチル等のエステル;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン;テトラヒドロフラン等のエーテル;ジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドン等のアミド(アミド結合を有する化合物)等が挙げられる。
保護膜形成組成物が含有する溶媒は、1種のみでもよいし、2種以上でもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
(solvent)
The protective film-forming composition preferably further contains a solvent. A protective film-forming composition containing a solvent has good handleability.
The solvent is not particularly limited, but preferred examples thereof include hydrocarbons such as toluene and xylene; alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, isobutyl alcohol (2-methylpropan-1-ol), and 1-butanol; esters such as ethyl acetate; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; ethers such as tetrahydrofuran; and amides (compounds having an amide bond) such as dimethylformamide and N-methylpyrrolidone.
The protective film-forming composition may contain only one type of solvent, or two or more types. When two or more types are contained, the combination and ratio of the solvents can be selected arbitrarily.

保護膜形成組成物が含有する溶媒は、保護膜形成組成物中の含有成分をより均一に混合できる点から、メチルエチルケトン等であることが好ましい。It is preferable that the solvent contained in the protective film-forming composition is methyl ethyl ketone or the like, since this allows the components contained in the protective film-forming composition to be mixed more uniformly.

上記のような各成分からなる保護膜形成組成物を、塗布し、乾燥させて得られる裏面保護膜形成用フィルムは、接着性と硬化性とを有し、未硬化状態ではワーク(半導体ウエハやチップ等)に押圧することで容易に接着する。押圧する際に、裏面保護膜形成用フィルムを加熱してもよい。そして硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い保護膜を与えることができ、接着強度にも優れ、厳しい高温度、高湿度条件下においても十分な保護機能を保持し得る。なお、裏面保護膜形成用フィルムは単層構造であってもよく、また上記成分を含む層を1層以上含む限りにおいて多層構造であってもよい。
裏面保護膜形成用フィルムの、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、保護膜形成組成物中の前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。なお、本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、15~25℃の温度が挙げられる。
The film for forming a back surface protective film obtained by applying and drying the protective film-forming composition composed of each of the above-mentioned components has adhesiveness and curability, and in an uncured state, it is easily adhered to a workpiece (such as a semiconductor wafer or chip) by pressing it. When pressing, the film for forming a back surface protective film may be heated. After curing, it can finally provide a protective film with high impact resistance, excellent adhesive strength, and can maintain sufficient protective function even under severe high temperature and high humidity conditions. The film for forming a back surface protective film may have a single layer structure, or may have a multilayer structure as long as it contains one or more layers containing the above-mentioned components.
The ratio of the contents of the components that do not vaporize at room temperature in the film for forming a back surface protective film is the same as the ratio of the contents of the components in the protective film-forming composition. In this specification, "room temperature" means a temperature that is not particularly cooled or heated, that is, an ordinary temperature, and examples of the temperature include a temperature of 15 to 25°C.

保護膜形成組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。The protective film-forming composition may be applied by known methods, such as methods using various coaters such as an air knife coater, blade coater, bar coater, gravure coater, roll coater, roll knife coater, curtain coater, die coater, knife coater, screen coater, Mayer bar coater, and kiss coater.

保護膜形成組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、保護膜形成組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましい。溶媒を含有する保護膜形成組成物は、例えば、70~130℃で10秒間~5分間の条件で乾燥させることが好ましい。The drying conditions for the protective film-forming composition are not particularly limited, but if the protective film-forming composition contains a solvent as described below, it is preferable to heat-dry it. The protective film-forming composition containing a solvent is preferably dried, for example, at 70 to 130°C for 10 seconds to 5 minutes.

裏面保護膜形成用フィルムの厚さは特に限定されないが、好ましくは3~300μm、さらに好ましくは5~250μm、特に好ましくは7~200μmである。
本明細書において、「厚さ」とは、対象物の厚さ方向に無作為に切断した切断面において、無作為に選択した5か所の厚さを接触式厚み計で測定し、その平均で表される値である。
The thickness of the film for forming a back surface protection film is not particularly limited, but is preferably 3 to 300 μm, more preferably 5 to 250 μm, and particularly preferably 7 to 200 μm.
In this specification, "thickness" refers to a value expressed as the average of thicknesses measured with a contact thickness meter at five randomly selected points on a cross section of an object cut randomly in the thickness direction.

<支持シート>
本発明の一態様で用いる支持シート10としては、基材11のみから構成されたシートや、基材11上に粘着剤層12を有する粘着シートが挙げられる。
本発明の一態様の第三積層体が有する支持シートは、裏面保護膜形成用フィルムの表面にホコリ等の付着を防止する剥離シート、若しくは、ダイシング工程等で裏面保護膜形成用フィルムの面を保護するためのダイシングシート等の役割を果たす。
<Support sheet>
Examples of the support sheet 10 used in one embodiment of the present invention include a sheet constituted only of a substrate 11 and an adhesive sheet having an adhesive layer 12 on a substrate 11 .
The support sheet of the third laminate of one embodiment of the present invention serves as a release sheet for preventing the adhesion of dust and the like to the surface of the film for forming a back surface protective film, or a dicing sheet for protecting the surface of the film for forming a back surface protective film during a dicing process, etc.

支持シートの厚さとしては、用途に応じて適宜選択されるが、十分な可とう性を付与し、シリコンウエハに対する貼付性を良好とする観点から、好ましくは10~500μm、より好ましくは20~350μm、更に好ましくは30~200μmである。
なお、上記の支持シートの厚さには、支持シートを構成する基材の厚さだけでなく、粘着剤層を有する場合には、それらの層や膜の厚さも含む。
The thickness of the support sheet is appropriately selected depending on the application, but from the viewpoint of providing sufficient flexibility and good adhesion to the silicon wafer, it is preferably 10 to 500 μm, more preferably 20 to 350 μm, and even more preferably 30 to 200 μm.
The thickness of the support sheet mentioned above includes not only the thickness of the base material constituting the support sheet, but also the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer, if any, of the layer or film.

(基材)
支持シート10を構成する基材11としては、樹脂フィルムが好ましい。
前記樹脂フィルムとしては、例えば、低密度ポリエチレン(LDPE)フィルムや直鎖低密度ポリエチレン(LLDPE)フィルム等のポリエチレンフィルム、エチレン・プロピレン共重合体フィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム等が挙げられる。
本発明の一態様で用いる基材は、1種類の樹脂フィルムからなる単層フィルムであってもよく、2種類以上の樹脂フィルムを積層した積層フィルムであってもよい。
また、本発明の一態様においては、上述の樹脂フィルム等の基材の表面に、表面処理を施したシートを支持シートとして用いてもよい。
(Base material)
The substrate 11 constituting the support sheet 10 is preferably a resin film.
Examples of the resin film include polyethylene films such as low-density polyethylene (LDPE) films and linear low-density polyethylene (LLDPE) films, ethylene-propylene copolymer films, polypropylene films, polybutene films, polybutadiene films, polymethylpentene films, polyvinyl chloride films, vinyl chloride copolymer films, polyethylene terephthalate films, polyethylene naphthalate films, polybutylene terephthalate films, polyurethane films, ethylene-vinyl acetate copolymer films, ionomer resin films, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer films, ethylene-(meth)acrylic acid ester copolymer films, polystyrene films, polycarbonate films, polyimide films, and fluororesin films.
The substrate used in one embodiment of the present invention may be a single layer film made of one type of resin film, or a laminate film made of two or more types of resin films laminated together.
In one embodiment of the present invention, a sheet in which the surface of a substrate such as the above-mentioned resin film has been subjected to a surface treatment may be used as the support sheet.

これらの樹脂フィルムは、架橋フィルムであってもよい。
また、これらの樹脂フィルムを着色したもの、又は印刷を施したもの等も使用できる。
さらに、樹脂フィルムは、熱可塑性樹脂を押出形成によりシート化したものであってもよく、延伸されたものであってもよく、硬化性樹脂を所定手段により薄膜化及び硬化してシート化したものが使われてもよい。
These resin films may be crosslinked films.
Furthermore, these resin films may be colored or printed.
Furthermore, the resin film may be a sheet made by extrusion molding of a thermoplastic resin, or may be a stretched film, or may be a sheet made by thinning and curing a curable resin by a specified means.

これらの樹脂フィルムの中でも、耐熱性に優れ、且つ、適度な柔軟性を有するためにエキスパンド適性を有し、ピックアップ適性も維持されやすいとの観点から、ポリプロピレンフィルムを含む基材が好ましい。
なお、ポリプロピレンフィルムを含む基材の構成としては、ポリプロピレンフィルムのみからなる単層構造であってもよく、ポリプロピレンフィルムと他の樹脂フィルムとからなる複層構造であってもよい。
裏面保護膜形成用フィルムが熱硬化性である場合、基材を構成する樹脂フィルムが耐熱性を有することで、基材の熱によるダメージを抑制し、半導体装置の製造プロセスにおける不具合の発生を抑制できる。
Among these resin films, a substrate containing a polypropylene film is preferred from the viewpoints that it has excellent heat resistance and appropriate flexibility, and therefore has expandability, and also easily maintains pick-up suitability.
The base material containing a polypropylene film may have a single-layer structure made of only a polypropylene film, or a multi-layer structure made of a polypropylene film and another resin film.
When the film for forming a back surface protection film is thermosetting, the resin film constituting the base material has heat resistance, so that damage to the base material due to heat can be suppressed and the occurrence of defects in the manufacturing process of the semiconductor device can be suppressed.

支持シートとして、基材のみから構成されたシートを用いる場合、前記基材の裏面保護膜形成用フィルムの表面と接する面の表面張力としては、剥離力を一定の範囲に調節する観点から、好ましくは20~50mN/m、より好ましくは23~45mN/m、更に好ましくは25~40mN/mである。When a sheet consisting of only a substrate is used as the support sheet, the surface tension of the substrate's surface that comes into contact with the surface of the film for forming a back surface protective film is preferably 20 to 50 mN/m, more preferably 23 to 45 mN/m, and even more preferably 25 to 40 mN/m, from the viewpoint of adjusting the peel force within a certain range.

支持シートを構成する基材の厚さとしては、好ましくは10~500μm、より好ましくは15~300μm、更に好ましくは20~200μmである。The thickness of the substrate constituting the support sheet is preferably 10 to 500 μm, more preferably 15 to 300 μm, and even more preferably 20 to 200 μm.

(粘着シート)
本発明の一態様で支持シート10として用いる粘着シートとしては、上述の樹脂フィルム等の基材11上に、粘着剤から形成した粘着剤層12を有するものが挙げられる。
図11は、基材11上に粘着剤層12が設けられた支持シート10の一例を示す概略断面図である。
支持シート10が粘着剤層12を備えるときは、第二の積層工程において、裏面保護膜形成用フィルム13に、支持シート10の粘着剤層12を積層する。
(Adhesive sheet)
An example of the pressure-sensitive adhesive sheet used as the support sheet 10 in one embodiment of the present invention is one having a pressure-sensitive adhesive layer 12 formed from a pressure-sensitive adhesive on a substrate 11 such as the above-mentioned resin film.
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing an example of a support sheet 10 in which a pressure-sensitive adhesive layer 12 is provided on a substrate 11.
When the support sheet 10 includes the pressure-sensitive adhesive layer 12, the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the support sheet 10 is laminated onto the film 13 for forming a back surface protection film in the second lamination step.

粘着剤層の形成材料である粘着剤としては、粘着性樹脂を含む粘着剤組成物が挙げられ、前記粘着剤組成物は、さらに上述の架橋剤や粘着付与剤等の汎用添加剤を含有してもよい。
前記粘着性樹脂としては、その樹脂の構造に着目した場合、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ビニルエーテル樹脂等が挙げられ、アクリル樹脂が好ましい。また、その樹脂の機能に着目した場合、例えば、エネルギー線硬化型粘着剤や、加熱発泡型粘着剤、エネルギー線発泡型粘着剤等が挙げられる。
本発明の一態様において、剥離力を一定の範囲に調整する観点、並びに、ピックアップ性を良好とする観点から、エネルギー線硬化型樹脂を含む粘着剤組成物から形成されたエネルギー線硬化性の粘着剤層を有する粘着シート又は、微粘着性の粘着剤層を有する粘着シートが好ましい。
エネルギー線硬化型樹脂としては、(メタ)アクリロイル基、ビニル基等の重合性基を有する樹脂であればよいが、重合性基を有する粘着性樹脂であることが好ましい。
The adhesive that is the material for forming the adhesive layer can be an adhesive composition containing an adhesive resin, and the adhesive composition may further contain general-purpose additives such as the above-mentioned crosslinking agent and tackifier.
In terms of the structure of the adhesive resin, examples thereof include acrylic resin, urethane resin, phenoxy resin, silicone resin, saturated polyester resin, vinyl ether resin, etc., and acrylic resin is preferred. In terms of the function of the resin, examples thereof include energy ray curable adhesives, heat foaming adhesives, energy ray foaming adhesives, etc.
In one aspect of the present invention, from the viewpoint of adjusting the peel force within a certain range and from the viewpoint of achieving good pick-up properties, a pressure-sensitive adhesive sheet having an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer formed from a pressure-sensitive adhesive composition containing an energy ray-curable resin, or a pressure-sensitive adhesive sheet having a slightly adhesive layer is preferred.
The energy ray curable resin may be any resin having a polymerizable group such as a (meth)acryloyl group or a vinyl group, but is preferably an adhesive resin having a polymerizable group.

第一の積層工程において、半導体ウエハ等のワークに対して裏面保護膜形成用フィルムが全面に貼れていない、裏面保護膜形成用フィルムの浮きが発生する、裏面保護膜形成用フィルムのシワが発生するなどの裏面保護膜形成用フィルムの貼付不良が起こった場合に、支持シートは、裏面保護膜形成用フィルムの剥がし用シートも兼ねることができる。第一の積層工程において、裏面保護膜形成用フィルムの貼付不良が起こった場合であっても、そのまま、第二の積層工程を経て、第三積層体を製造する。その後、半導体ウエハ等のワークから、裏面保護膜形成用フィルムを支持シートと共に、脱離させることで、半導体ウエハ等のワークをリワークすることができる。このとき、生産タクトを考慮すると、固定用治具(すなわち、リングフレーム)から速やかに支持シートを剥がす必要があり、治具用接着剤層は、エネルギー線硬化性であることが好ましい。また、基材上に、エネルギー線硬化性の粘着剤層が設けられた支持シートを用いることで、治具用接着剤層を介さずに、リングフレームなどの固定用治具に、直接、支持シートを固定することができ、且つ、紫外線などのエネルギー線を照射することで、リワーク性に優れるものとすることができる。In the first lamination step, when the film for forming a back surface protective film is not attached to the entire surface of the workpiece such as a semiconductor wafer, the film for forming a back surface protective film floats, or the film for forming a back surface protective film wrinkles, the support sheet can also serve as a sheet for removing the film for forming a back surface protective film. Even if the film for forming a back surface protective film is not attached to the entire surface of the workpiece such as a semiconductor wafer, the support sheet can also serve as a sheet for removing the film for forming a back surface protective film. Even if the film for forming a back surface protective film is not attached to the entire surface of the workpiece such as a semiconductor wafer, the support sheet can be used to remove the film for forming a back surface protective film from the workpiece such as a semiconductor wafer, and the support sheet can be used to remove the film for forming a back surface protective film. In this case, when considering the production takt time, it is necessary to quickly remove the support sheet from the fixing jig (i.e., the ring frame), and it is preferable that the adhesive layer for the jig is energy ray curable. Furthermore, by using a support sheet having an energy ray-curable adhesive layer provided on a substrate, the support sheet can be fixed directly to a fixing jig such as a ring frame without using a jig adhesive layer, and by irradiating the support sheet with energy rays such as ultraviolet rays, the support sheet can be made to have excellent reworkability.

また、剥離力を一定の範囲に調整する観点から、アクリル樹脂を含む粘着剤が好ましい。
前記アクリル樹脂としては、アルキル(メタ)アクリレートに由来する構成単位(x1)を有するアクリル系重合体が好ましく、構成単位(x1)と、官能基含有モノマーに由来する構成単位(x2)とを有するアクリル系共重合体がより好ましい。
From the viewpoint of adjusting the peel strength within a certain range, a pressure-sensitive adhesive containing an acrylic resin is preferred.
As the acrylic resin, an acrylic polymer having a structural unit (x1) derived from an alkyl (meth)acrylate is preferable, and an acrylic copolymer having the structural unit (x1) and a structural unit (x2) derived from a functional group-containing monomer is more preferable.

上記アルキル(メタ)アクリレートが有するアルキル基の炭素数としては、好ましくは1~18、より好ましくは1~12、更に好ましくは1~8である。
前記アルキル(メタ)アクリレートとしては、上述のバインダーポリマー成分の部分で説明したアルキル(メタ)アクリレートと同じものが挙げられる。
なお、アルキル(メタ)アクリレートは、単独で又は2種以上を併用してもよい。
構成単位(x1)の含有量は、アクリル系重合体の全構成単位(100質量%)に対して、通常50~100質量%、好ましくは50~99.9質量%、より好ましくは60~99質量%、更に好ましくは70~95質量%である。
The alkyl group of the alkyl (meth)acrylate preferably has 1 to 18 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, and even more preferably 1 to 8 carbon atoms.
Examples of the alkyl (meth)acrylate include the same alkyl (meth)acrylates as those described in the binder polymer component section above.
The alkyl (meth)acrylates may be used alone or in combination of two or more kinds.
The content of the structural unit (x1) is usually 50 to 100 mass%, preferably 50 to 99.9 mass%, more preferably 60 to 99 mass%, and even more preferably 70 to 95 mass%, based on all structural units (100 mass%) of the acrylic polymer.

上記官能基含有モノマーとしては、例えば、ヒドロキシ基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられ、それぞれのモノマーの具体例は、バインダーポリマー成分の部分で例示したものと同じものがあげられる。
なお、これらは、単独で又は2種以上を併用してもよい。
構成単位(x2)の含有量は、アクリル系重合体の全構成単位(100質量%)に対して、通常0~40質量%、好ましくは0.1~40質量%、より好ましくは1~30質量%、更に好ましくは5~20質量%である。
Examples of the functional group-containing monomer include a hydroxy group-containing monomer, a carboxy group-containing monomer, and an epoxy group-containing monomer. Specific examples of each monomer include the same monomers as those exemplified in the binder polymer component.
These may be used alone or in combination of two or more kinds.
The content of the structural unit (x2) is usually 0 to 40 mass%, preferably 0.1 to 40 mass%, more preferably 1 to 30 mass%, and even more preferably 5 to 20 mass%, based on all structural units (100 mass%) of the acrylic polymer.

また、本発明の一態様で用いるアクリル樹脂としては、上記構成単位(x1)及び(x2)を有するアクリル系共重合体に対して、さらにエネルギー線重合性基を有する化合物と反応して得られる、エネルギー線硬化型アクリル樹脂であってもよい。
エネルギー線重合性基を有する化合物としては、(メタ)アクリロイル基、ビニル基等の重合性基を有する化合物であればよい。
The acrylic resin used in one embodiment of the present invention may be an energy ray-curable acrylic resin obtained by reacting an acrylic copolymer having the above structural units (x1) and (x2) with a compound having an energy ray-polymerizable group.
The compound having an energy ray-polymerizable group may be a compound having a polymerizable group such as a (meth)acryloyl group or a vinyl group.

アクリル樹脂を含む粘着剤を用いる場合、剥離力を一定の範囲に調整する観点から、アクリル樹脂と共に、架橋剤を含有することが好ましい。
前記架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤、イミン系架橋剤、エポキシ系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤等が挙げられるが、剥離力を一定の範囲に調整する観点から、イソシアネート系架橋剤が好ましい。
架橋剤の含有量は、上記粘着剤中に含まれるアクリル樹脂の全質量(100質量部)に対して、好ましくは0.01~20質量部、より好ましくは0.1~15質量部、更に好ましくは0.5~10質量部、より更に好ましくは1~8質量部である。
When a pressure-sensitive adhesive containing an acrylic resin is used, it is preferable to contain a crosslinking agent together with the acrylic resin, from the viewpoint of adjusting the peel strength within a certain range.
Examples of the crosslinking agent include isocyanate-based crosslinking agents, imine-based crosslinking agents, epoxy-based crosslinking agents, oxazoline-based crosslinking agents, and carbodiimide-based crosslinking agents. From the viewpoint of adjusting the peel strength within a certain range, isocyanate-based crosslinking agents are preferred.
The content of the crosslinking agent is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 0.1 to 15 parts by mass, even more preferably 0.5 to 10 parts by mass, and still more preferably 1 to 8 parts by mass, relative to the total mass (100 parts by mass) of the acrylic resin contained in the pressure-sensitive adhesive.

支持シート10は、1層(単層)からなるものであってもよいし、2層以上の複数層からなるものであってもよい。支持シートが複数層からなる場合、これら複数層の構成材料及び厚さは、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。The support sheet 10 may be made of one layer (single layer) or may be made of two or more layers. When the support sheet is made of multiple layers, the constituent materials and thicknesses of these multiple layers may be the same or different, and the combination of these multiple layers is not particularly limited as long as it does not impair the effects of the present invention.

なお、本明細書においては、支持シートの場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。In this specification, not only in the case of a support sheet, "multiple layers may be the same or different" means "all layers may be the same, all layers may be different, or only some layers may be the same," and further, "multiple layers are different" means "at least one of the constituent materials and thicknesses of each layer is different from each other."

支持シートは、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよい。
例えば、裏面保護膜形成用フィルムがエネルギー線硬化性を有する場合には、支持シートはエネルギー線を透過させるものが好ましい。
例えば、裏面保護膜形成用フィルムを、支持シートを介して光学的に検査するためには、支持シートは透明であることが好ましい。
The support sheet may be transparent or opaque, and may be colored depending on the purpose.
For example, when the film for forming the back surface protection film has energy ray curing properties, the support sheet is preferably one that transmits energy rays.
For example, in order to optically inspect the film for forming a back surface protection film through the support sheet, it is preferable that the support sheet is transparent.

本実施形態において、ワーク14の回路面14aは、回路面保護用テープ17に保護されており、前記第二の積層工程の後に、ワーク14の回路面14aから、回路面保護用テープ17を剥離する剥離工程を含むことができる。本実施形態において、回路面保護用テープ17は、回路面14aに貼着されている側に、エネルギー線の照射により硬化して再剥離性となるエネルギー線硬化性の粘着剤層を有する。前記剥離工程においては、回路面保護用テープ17の粘着剤層にエネルギー線を照射して、粘着剤層を硬化して再剥離性にさせることで、ワーク14の回路面14aから、回路面保護用テープ17を容易に剥離させることができる。In this embodiment, the circuit surface 14a of the workpiece 14 is protected by the circuit surface protection tape 17, and after the second lamination step, a peeling step can be included in which the circuit surface protection tape 17 is peeled off from the circuit surface 14a of the workpiece 14. In this embodiment, the circuit surface protection tape 17 has an energy ray curable adhesive layer on the side attached to the circuit surface 14a, which is cured by irradiation with energy rays and becomes removable. In the peeling step, the adhesive layer of the circuit surface protection tape 17 is irradiated with energy rays to harden the adhesive layer and make it removable, thereby making it easy to peel off the circuit surface protection tape 17 from the circuit surface 14a of the workpiece 14.

本実施形態の第三積層体の製造方法は、裏面保護膜形成用フィルム13に、支持シート10の側からレーザーを照射してレーザーマーキングする工程を含むものであってもよい。本実施形態の第三積層体の製造方法は、裏面保護膜形成用フィルム13に、支持シート10を積層するので、支持シート10の側から支持シート越しにレーザーを照射すると、裏面保護膜形成用フィルム13の支持シート10と接している面にレーザーマーキングすることができる。The manufacturing method of the third laminate of this embodiment may include a step of laser marking the film 13 for forming a back surface protective film by irradiating the film 13 for forming a back surface protective film with a laser from the side of the support sheet 10. In the manufacturing method of the third laminate of this embodiment, the support sheet 10 is laminated on the film 13 for forming a back surface protective film, so that when a laser is irradiated from the side of the support sheet 10 through the support sheet, laser marking can be performed on the surface of the film 13 for forming a back surface protective film that is in contact with the support sheet 10.

図3は、第三積層体の製造方法の実施形態の他の一例を模式的に示す概略断面図である。なお、図3以降の図において、既に説明済みの図に示すものと同じ構成要素には、その説明済みの図の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。 Figure 3 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the method for manufacturing a third laminate. In the figures following Figure 3, the same components as those shown in the figures already described are given the same reference numerals as in the figures already described, and detailed descriptions thereof are omitted.

本実施形態において、ワーク14は、少なくとも一個の電子部品62が封止樹脂層64で封止された半導体装置が、平面的に並んで配置された集合体からなる半導体装置パネルである。本実施形態の第三積層体の製造方法は、ワーク14である半導体装置パネルと、裏面保護膜形成用フィルム13と、支持シート10とが、この順に積層された第三積層体19の製造方法であって、ワーク14の、一方の面が回路面14aであり、他方の面が裏面14bであり(図3(a’))、ワーク14の裏面14b側に、裏面保護膜形成用フィルム13を貼付する第一の積層工程(図3(b’))と、裏面保護膜形成用フィルム13に、支持シート10を貼付する第二の積層工程(図3(c’))とを、この順に含む(図3(a’)(d’))。
本実施形態においては、前記第一の積層工程から前記第二の積層工程までの間(図3(a’)~(d’))を、裏面保護膜形成用フィルムを貼付する装置と支持シートを貼付する装置を連結させて行う、又は同一の装置内で行う。
したがって、本実施形態においては、前記第一の積層工程から前記第二の積層工程までの間において、ワーク14に裏面保護膜形成用フィルム13が積層された第二積層体をカセットに収容することなく、図3(d’)に示される第二の積層工程に、一枚ずつ搬送することができる。同一装置内で行うことにより、装置スペースをより低減できる。裏面保護膜形成用フィルムを貼付する装置と支持シートを貼付する装置を連結させて行うことにより、一から設計せずとも従来の装置を改造することで対応ができ、初期費用の低減ができる。そして、第二積層体が、カセットに収容されて装置外に搬送されることがないため、生産効率が向上し、かつ第二積層体の汚染、破損を抑制することができる。
In this embodiment, the work 14 is a semiconductor device panel consisting of an assembly of semiconductor devices in which at least one electronic component 62 is sealed with a sealing resin layer 64, arranged side by side in a plane. The manufacturing method of the third laminate of this embodiment is a manufacturing method of a third laminate 19 in which the semiconductor device panel as the work 14, the film 13 for forming a back surface protective film, and the support sheet 10 are laminated in this order, and one surface of the work 14 is the circuit surface 14a, and the other surface is the back surface 14b (FIG. 3(a')), and includes a first lamination step (FIG. 3(b')) of attaching the film 13 for forming a back surface protective film to the back surface 14b side of the work 14, and a second lamination step (FIG. 3(c')) of attaching the support sheet 10 to the film 13 for forming a back surface protective film, in this order (FIGS. 3(a')(d')).
In this embodiment, the steps from the first lamination step to the second lamination step (Figures 3(a') to (d')) are performed by connecting an apparatus for attaching a film for forming a back surface protection film and an apparatus for attaching a support sheet, or are performed within the same apparatus.
Therefore, in this embodiment, the second laminate in which the back surface protective film forming film 13 is laminated on the work 14 can be transported one by one to the second lamination step shown in FIG. 3(d') without being stored in a cassette between the first lamination step and the second lamination step. By performing the steps in the same device, the device space can be further reduced. By connecting the device for attaching the back surface protective film forming film and the device for attaching the support sheet, it is possible to respond by modifying the conventional device without having to design it from scratch, and the initial cost can be reduced. And, since the second laminate is not stored in a cassette and transported outside the device, the production efficiency is improved and contamination and damage of the second laminate can be suppressed.

第一の積層工程に用いる裏面保護膜形成用フィルム13は、事前にワークの形状に加工されていてもよいし、第一の積層工程を行う直前に同一装置内で加工されてもよい。使用される製造ラインでワークの大きさが一定である場合には事前に加工できる前者の方が効率的であるし、ワークの大きさが変更される可能性がある場合には、後者であれば裏面保護膜形成用フィルムの無駄が出ず、コストメリットがある。The back surface protective film forming film 13 used in the first lamination step may be processed to the shape of the work in advance, or may be processed in the same device immediately before the first lamination step. If the size of the work is constant on the production line used, the former, which allows processing in advance, is more efficient, while if the size of the work may change, the latter has a cost advantage in that no back surface protective film is wasted.

また、他の実施形態においては、前記第一の積層工程の貼付開始地点から前記第二の積層工程の貼付完了地点までの間のワーク14の搬送距離を、7000mm以下に設計することができ、装置スペースを低減させることができる。前記第一の積層工程の貼付開始地点から前記第二の積層工程の貼付完了地点までの間のワーク14の搬送距離は、6500mm以下にすることもでき、6000mm以下にすることもでき、4500mm以下にすることもでき、3000mm以下にすることもできる。In another embodiment, the transport distance of the work 14 from the start point of attachment in the first lamination process to the end point of attachment in the second lamination process can be designed to be 7000 mm or less, thereby reducing the equipment space. The transport distance of the work 14 from the start point of attachment in the first lamination process to the end point of attachment in the second lamination process can be 6500 mm or less, 6000 mm or less, 4500 mm or less, or 3000 mm or less.

また、さらに他の実施形態においては、前記第一の積層工程の貼付開始時から前記第二の積層工程の貼付完了時までの間のワーク14の搬送時間を、400s以下にすることができ、150s以下にすることもでき、工程時間を短縮することができる。前記第一の積層工程の貼付開始時から前記第二の積層工程の貼付完了時までの間のワーク14の搬送時間は、130s以下にすることもでき、110s以下にすることもでき、90s以下にすることもでき、70s以下にすることもできる。In yet another embodiment, the transport time of the work 14 from the start of attachment in the first lamination process to the completion of attachment in the second lamination process can be set to 400 seconds or less, or can be set to 150 seconds or less, thereby shortening the process time. The transport time of the work 14 from the start of attachment in the first lamination process to the completion of attachment in the second lamination process can be set to 130 seconds or less, 110 seconds or less, 90 seconds or less, or 70 seconds or less.

前記第一の積層工程の貼付開始時から前記第二の積層工程の貼付完了時までの間のワーク14の搬送時間を、第一の積層工程にかかる時間、第一の積層工程を行った場所から第二の積層工程を行う場所への搬送時間、第二の積層工程にかかる時間の3つに大分した場合のそれぞれの時間の好ましい範囲は図1の製造方法で説明したものと同様である。When the transport time of the workpiece 14 from the start of attachment in the first lamination process to the completion of attachment in the second lamination process is broadly divided into three parts: the time required for the first lamination process, the transport time from the location where the first lamination process was performed to the location where the second lamination process is performed, and the time required for the second lamination process, the preferred ranges for each of these times are the same as those described in the manufacturing method of Figure 1.

本実施形態の第三積層体の製造方法は、裏面保護膜形成用フィルムを貼付する装置と支持シートを貼付する装置を連結させて行う、又は同一の装置内で行うことができる。
同一装置としては、図1の製造方法で説明した装置を使用することが好ましい。
The method for producing the third laminate of this embodiment can be carried out by connecting an apparatus for attaching the film for forming a rear surface protection film and an apparatus for attaching the support sheet, or can be carried out in the same apparatus.
As the same apparatus, it is preferable to use the apparatus explained in the manufacturing method of FIG.

本実施形態において、半導体装置パネルは、個々の半導体装置が略円形の領域内に平面的に並んで形成されたものであってもよく、個々の半導体装置が略矩形の領域内に平面的に並んで形成されたものであってもよい。In this embodiment, the semiconductor device panel may be formed with individual semiconductor devices arranged in a planar manner within a substantially circular area, or may be formed with individual semiconductor devices arranged in a planar manner within a substantially rectangular area.

図3に示される本実施形態においても、図1に示される実施形態と同様、裏面保護膜形成用フィルム13に、支持シート10を積層するので、支持シート10の側から支持シート越しにレーザーを照射すると、裏面保護膜形成用フィルム13の支持シート10と接している面にレーザーマーキングすることができる。In the present embodiment shown in Figure 3, as in the embodiment shown in Figure 1, a support sheet 10 is laminated on a film 13 for forming a back surface protective film, so that when a laser is irradiated from the side of the support sheet 10 through the support sheet, laser marking can be performed on the surface of the film 13 for forming a back surface protective film that is in contact with the support sheet 10.

<<第四積層体の製造方法>>
本実施形態の第四積層体の製造方法は、前記第三積層体の製造方法で製造された第三積層体19の、裏面保護膜形成用フィルム13を硬化させて裏面保護膜13’とする硬化工程を含む、ワーク14と、裏面保護膜13’と、支持シート10とが、この順に積層された第四積層体19’の製造方法である。
<<Method for producing fourth laminate>>
The manufacturing method of the fourth laminate in this embodiment is a manufacturing method of a fourth laminate 19' in which a work 14, a back surface protective film 13', and a support sheet 10 are laminated in this order, and includes a curing step of curing the film 13 for forming a back surface protective film of the third laminate 19 manufactured by the manufacturing method of the third laminate to form a back surface protective film 13'.

図4は、第四積層体の製造方法の実施形態の一例を模式的に示す概略断面図である。本実施形態の第四積層体の製造方法は、前記第二の積層工程の後に、ワーク14の回路面14aから、回路面保護用テープ17を剥離する剥離工程(図4(e))と、裏面保護膜形成用フィルム13に、支持シート10の側からレーザーを照射してレーザーマーキングする工程(図4(f))と、裏面保護膜形成用フィルム13を硬化させて裏面保護膜13’とする硬化工程(図4(g))と、を含む。本実施形態では熱硬化性の裏面保護膜形成用フィルムを用いており、本実施形態の硬化工程では、130℃、2hの条件で熱硬化させている。 Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment of the manufacturing method of the fourth laminate. The manufacturing method of the fourth laminate of this embodiment includes a peeling step (Figure 4(e)) of peeling the circuit surface protection tape 17 from the circuit surface 14a of the workpiece 14 after the second lamination step, a step (Figure 4(f)) of irradiating the back surface protection film forming film 13 with a laser from the support sheet 10 side to perform laser marking, and a curing step (Figure 4(g)) of curing the back surface protection film forming film 13 to form the back surface protection film 13'. In this embodiment, a thermosetting back surface protection film forming film is used, and in the curing step of this embodiment, the film is thermally cured under conditions of 130 ° C. and 2 h.

熱硬化性の裏面保護膜形成用フィルムを熱処理して熱硬化させて、裏面保護膜を形成するときの硬化条件は、裏面保護膜が十分にその機能を発揮する程度の硬化度となる限り、特に限定されず、熱硬化性の裏面保護膜形成用フィルムの種類に応じて、適宜選択すればよい。The curing conditions when a thermosetting film for forming a back surface protective film is heat-treated to heat-cure it to form a back surface protective film are not particularly limited as long as the degree of curing is such that the back surface protective film can fully perform its function, and may be selected appropriately depending on the type of thermosetting film for forming a back surface protective film.

例えば、熱硬化時の加熱温度は、100~200℃であることが好ましく、110~180℃であることがより好ましく、120~170℃であることが特に好ましい。そして、前記熱硬化時の加熱時間は、0.5~5時間であることが好ましく、0.5~3時間であることがより好ましく、1~2時間であることが特に好ましい。硬化工程において、熱硬化させる場合、前記剥離工程の順番は、回路面保護用テープ17の耐熱性を考慮して、硬化工程よりも前であることが好ましい。For example, the heating temperature during thermal curing is preferably 100 to 200°C, more preferably 110 to 180°C, and particularly preferably 120 to 170°C. The heating time during thermal curing is preferably 0.5 to 5 hours, more preferably 0.5 to 3 hours, and particularly preferably 1 to 2 hours. When thermal curing is performed in the curing process, it is preferable that the peeling process be performed before the curing process, taking into account the heat resistance of the circuit surface protection tape 17.

図5は、第四積層体の製造方法の実施形態の他の一例を模式的に示す概略断面図である。本実施形態の第四積層体の製造方法は、前記第二の積層工程の後に、ワーク14の回路面14aから、回路面保護用テープ17を剥離する剥離工程(図5(e))と、裏面保護膜形成用フィルム13を硬化させて裏面保護膜13’とする硬化工程(図5(f’))と、裏面保護膜13’に、支持シート10の側からレーザーを照射してレーザーマーキングする工程(図5(g’))と、を含む。5 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the method for producing the fourth laminate. The method for producing the fourth laminate of this embodiment includes, after the second lamination step, a peeling step (FIG. 5(e)) of peeling the circuit surface protection tape 17 from the circuit surface 14a of the workpiece 14, a curing step (FIG. 5(f')) of curing the back surface protection film forming film 13 to form the back surface protection film 13', and a step (FIG. 5(g')) of irradiating the back surface protection film 13' with a laser from the support sheet 10 side to perform laser marking.

<<裏面保護膜付き半導体装置の製造方法>>
図6は、裏面保護膜付き半導体装置の製造方法の実施形態の一例を模式的に示す概略断面図である。本実施形態の裏面保護膜付き半導体装置の製造方法は、前記第四積層体の製造方法で製造された第四積層体19’の、ワーク14及び裏面保護膜13’をダイシングして、裏面保護膜付き半導体装置21とする工程(図6(h)及び図6(i))と、裏面保護膜付き半導体装置21を、支持シート10からピックアップする工程(図6(j))とを含む。
<<Method of Manufacturing a Semiconductor Device with a Backside Protective Film>>
6 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device with a back surface protective film. The method for manufacturing a semiconductor device with a back surface protective film of this embodiment includes a step of dicing a work 14 and a back surface protective film 13' of a fourth stack 19' manufactured by the manufacturing method for the fourth stack to obtain a semiconductor device with a back surface protective film 21 (FIGS. 6(h) and 6(i)), and a step of picking up the semiconductor device with a back surface protective film 21 from a support sheet 10 (FIG. 6(j)).

図7は、裏面保護膜付き半導体装置の製造方法の実施形態の他の一例を模式的に示す概略断面図である。本実施形態の裏面保護膜付き半導体装置の製造方法は、前記第三積層体の製造方法で製造された第三積層体19の、裏面保護膜形成用フィルム13及びワーク14をダイシングして、裏面保護膜形成用フィルム付き半導体装置21’とする工程(図7(h’)及び図7(i’))と、裏面保護膜形成用フィルム付き半導体装置21’を、支持シート10からピックアップする工程(図7(j’))と、裏面保護膜形成用フィルム13を硬化させて裏面保護膜13’とする硬化工程(図7(k’))と、を含む。7 is a schematic cross-sectional view showing another example of an embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device with a back surface protective film. The method for manufacturing a semiconductor device with a back surface protective film of this embodiment includes a step of dicing the film for forming a back surface protective film 13 and the work 14 of the third laminate 19 manufactured by the manufacturing method of the third laminate to obtain a semiconductor device with a film for forming a back surface protective film 21' (FIGS. 7(h') and 7(i')), a step of picking up the semiconductor device with the film for forming a back surface protective film 21' from the support sheet 10 (FIG. 7(j')), and a curing step of curing the film for forming a back surface protective film 13 to obtain a back surface protective film 13' (FIG. 7(k')).

図8は、裏面保護膜付き半導体装置の製造方法の実施形態の他の一例を模式的に示す概略断面図である。本実施形態の裏面保護膜付き半導体装置の製造方法は、前記第三積層体の製造方法で製造された第三積層体19の、裏面保護膜形成用フィルム13及びワーク14をダイシングして、裏面保護膜形成用フィルム付き半導体装置21’とする工程(図8(h)及び図8(i))と、裏面保護膜形成用フィルム13を硬化させて裏面保護膜13’とする硬化工程(図8(j’))と、裏面保護膜付き半導体装置21を、支持シート10からピックアップする工程とを含む。8 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device with a back surface protective film. The method for manufacturing a semiconductor device with a back surface protective film of this embodiment includes a step of dicing the film for forming a back surface protective film 13 and the workpiece 14 of the third laminate 19 manufactured by the manufacturing method for the third laminate to obtain a semiconductor device with a film for forming a back surface protective film 21' (FIGS. 8(h) and 8(i)), a hardening step of hardening the film for forming a back surface protective film 13 to obtain a back surface protective film 13' (FIG. 8(j')), and a step of picking up the semiconductor device with a back surface protective film 21 from the support sheet 10.

本実施形態の裏面保護膜付き半導体装置の製造方法は、裏面保護膜形成用フィルム13が熱硬化性であり、本実施形態の裏面保護膜とする工程では、例えば、裏面保護膜形成用フィルム13を、130℃、2hの条件で熱硬化させている。In the manufacturing method of the semiconductor device with a back surface protective film of this embodiment, the film 13 for forming the back surface protective film is thermosetting, and in the process of forming the back surface protective film of this embodiment, for example, the film 13 for forming the back surface protective film is thermally cured under conditions of 130°C and 2 hours.

熱硬化性の裏面保護膜形成用フィルムを熱硬化させて、裏面保護膜を形成するときの硬化条件は、上述の通り、裏面保護膜が十分にその機能を発揮する程度の硬化度となる限り、特に限定されず、熱硬化性の裏面保護膜形成用フィルムの種類に応じて、適宜選択すればよい。The curing conditions when the thermosetting film for forming a back surface protective film is thermally cured to form the back surface protective film are not particularly limited as long as the degree of curing is such that the back surface protective film can fully perform its function, as described above, and may be appropriately selected depending on the type of thermosetting film for forming a back surface protective film.

本実施形態の裏面保護膜付き半導体装置の製造方法は、裏面保護膜形成用フィルム13がエネルギー線硬化性であり、前記裏面保護膜とする工程が、裏面保護膜形成用フィルム13にエネルギー線を照射してエネルギー線硬化させる工程であってもよい。In the manufacturing method of a semiconductor device with a back surface protective film of this embodiment, the film 13 for forming the back surface protective film may be energy ray curable, and the process of forming the back surface protective film may be a process of irradiating the film 13 for forming the back surface protective film with energy rays to cause it to be energy ray cured.

エネルギー線硬化性の裏面保護膜形成用フィルムをエネルギー線硬化させて、保護膜を形成するときの硬化条件は、保護膜が十分にその機能を発揮する程度の硬化度となる限り特に限定されず、エネルギー線硬化性裏面保護膜形成用フィルムの種類に応じて、適宜選択すればよい。
例えば、エネルギー線硬化性裏面保護膜形成用フィルムのエネルギー線硬化時における、エネルギー線の照度は、4~280mW/cmであることが好ましい。そして、前記硬化時における、エネルギー線の光量は、3~1000mJ/cmであることが好ましい。
The curing conditions when the energy ray-curable film for forming a back surface protective film is cured with energy rays to form a protective film are not particularly limited as long as the protective film has a degree of curing that allows it to fully exert its function, and may be appropriately selected depending on the type of energy ray-curable film for forming a back surface protective film.
For example, the illuminance of the energy rays during energy ray curing of the energy ray-curable film for forming a back surface protection film is preferably 4 to 280 mW/cm 2. The amount of energy rays during the curing is preferably 3 to 1000 mJ/cm 2 .

エネルギー線硬化性の裏面保護膜形成用フィルムとしては、例えば、国際公開第2017/188200号、国際公開第2017/188218号に開示されたものを用いることもできる。As energy ray curable films for forming rear surface protective films, for example, those disclosed in International Publication No. 2017/188200 and International Publication No. 2017/188218 can be used.

本発明の第三積層体の製造方法は、裏面保護膜付き半導体装置の製造に用いることができる。 The manufacturing method of the third laminate of the present invention can be used to manufacture a semiconductor device with a back surface protective film.

1・・・保護膜形成用複合シート、5・・・第一積層体、6・・・第二積層体、7・・・裏面保護膜付き半導体チップ、8・・・半導体ウエハ、8b・・・半導体ウエハの裏面、9・・・半導体チップ、10・・・支持シート、11・・・基材、12・・・粘着剤層、13・・・裏面保護膜形成用フィルム、13’・・・裏面保護膜、13a・・・裏面保護膜形成用フィルムの剥離フィルム151を剥離した露出面、13b・・・裏面保護膜形成用フィルムの剥離フィルム152を剥離した露出面、14・・・ワーク、14a・・・ワークの回路面、14b・・・ワークの裏面、151・・・第1剥離フィルム、152・・・第2剥離フィルム、16・・・治具用接着剤層、17・・・回路面保護用テープ、18・・・固定用治具、19・・・第三積層体、19’・・・第四積層体、20・・・半導体装置、21・・・裏面保護膜付き半導体装置、21’・・・裏面保護膜形成用フィルム付き半導体装置、62・・・電子部品、63・・・回路基板、63a・・・端子形成面、64・・・封止樹脂層1: Composite sheet for forming protective film, 5: First laminate, 6: Second laminate, 7: Semiconductor chip with back surface protective film, 8: Semiconductor wafer, 8b: Back surface of semiconductor wafer, 9: Semiconductor chip, 10: Support sheet, 11: Substrate, 12: Adhesive layer, 13: Film for forming back surface protective film, 13': Back surface protective film, 13a: Exposed surface after peeling off release film 151 of film for forming back surface protective film, 13b: Exposed surface after peeling off release film 152 of film for forming back surface protective film, Reference Signs List 14: Work, 14a: Circuit surface of work, 14b: Back surface of work, 151: First release film, 152: Second release film, 16: Adhesive layer for jig, 17: Tape for protecting circuit surface, 18: Fixing jig, 19: Third laminate, 19': Fourth laminate, 20: Semiconductor device, 21: Semiconductor device with back surface protective film, 21': Semiconductor device with film for forming back surface protective film, 62: Electronic component, 63: Circuit board, 63a: Terminal forming surface, 64: Sealing resin layer

Claims (4)

ワークと、裏面保護膜形成用フィルムと、支持シートとが、この順に積層された第三積層体の製造方法であって、
前記ワークの、一方の面が回路面であり、他方の面が裏面であり、
前記ワークの前記裏面側に、前記ワークの形状に加工された前記裏面保護膜形成用フィルムを貼付する第一の積層工程と、
前記裏面保護膜形成用フィルムに、前記支持シートを貼付する第二の積層工程とを、この順に含み、
前記第一の積層工程から前記第二の積層工程までの間において、前記ワークに前記裏面保護膜形成用フィルムが積層された第二積層体を一枚ずつ搬送し、
前記第一の積層工程から前記第二の積層工程までの間を、裏面保護膜形成用フィルムを貼付する装置と支持シートを貼付する装置を連結させて行う、又は同一の装置内で行う、第三積層体の製造方法。
A method for producing a third laminate in which a workpiece, a film for forming a back surface protection film, and a support sheet are laminated in this order, comprising:
One surface of the workpiece is a circuit surface, and the other surface is a back surface,
A first lamination step of attaching the film for forming a back surface protection film processed into the shape of the work to the back surface side of the work;
A second lamination step of attaching the support sheet to the film for forming a back surface protection film,
Between the first lamination step and the second lamination step, a second laminate in which the film for forming a back surface protection film is laminated on the work is transported one by one;
A method for producing a third laminate, in which the steps from the first lamination step to the second lamination step are performed by connecting an apparatus for applying a film for forming a back surface protection film and an apparatus for applying a support sheet, or by performing these steps within the same apparatus.
ワークと、裏面保護膜形成用フィルムと、支持シートとが、この順に積層された第三積層体の製造方法であって、
前記ワークの、一方の面が回路面であり、他方の面が裏面であり、
前記ワークの前記裏面側に、前記ワークの形状に加工された前記裏面保護膜形成用フィルムを貼付する第一の積層工程と、
前記裏面保護膜形成用フィルムに、前記支持シートを貼付する第二の積層工程とを、この順に含み、
前記第一の積層工程の貼付開始地点から前記第二の積層工程の貼付完了地点までの間の前記ワークの搬送距離が、7000mm以下であり、
前記第一の積層工程から前記第二の積層工程までの間を、裏面保護膜形成用フィルムを貼付する装置と支持シートを貼付する装置を連結させて行う、又は同一の装置内で行う、第三積層体の製造方法。
A method for producing a third laminate in which a workpiece, a film for forming a back surface protection film, and a support sheet are laminated in this order, comprising:
One surface of the workpiece is a circuit surface, and the other surface is a back surface,
A first lamination step of attaching the film for forming a back surface protection film processed into the shape of the work to the back surface side of the work;
A second lamination step of attaching the support sheet to the film for forming a back surface protection film,
A conveying distance of the work from a bonding start point of the first lamination process to a bonding completion point of the second lamination process is 7000 mm or less;
A method for producing a third laminate, in which the steps from the first lamination step to the second lamination step are performed by connecting an apparatus for applying a film for forming a back surface protection film and an apparatus for applying a support sheet, or by performing these steps within the same apparatus.
ワークと、裏面保護膜形成用フィルムと、支持シートとが、この順に積層された第三積層体の製造方法であって、
前記ワークの、一方の面が回路面であり、他方の面が裏面であり、
前記ワークの前記裏面側に、前記ワークの形状に加工された前記裏面保護膜形成用フィルムを貼付する第一の積層工程と、
前記裏面保護膜形成用フィルムに、前記支持シートを貼付する第二の積層工程とを、この順に含み、
前記第一の積層工程の貼付開始時から前記第二の積層工程の貼付完了時までの間の前記ワークの搬送時間が、400s以下であり、
前記第一の積層工程から前記第二の積層工程までの間を、裏面保護膜形成用フィルムを貼付する装置と支持シートを貼付する装置を連結させて行う、又は同一の装置内で行う、第三積層体の製造方法。
A method for producing a third laminate in which a workpiece, a film for forming a back surface protection film, and a support sheet are laminated in this order, comprising:
One surface of the workpiece is a circuit surface, and the other surface is a back surface,
A first lamination step of attaching the film for forming a back surface protection film processed into the shape of the work to the back surface side of the work;
A second lamination step of attaching the support sheet to the film for forming a back surface protection film,
The conveying time of the work from the start of attachment in the first lamination process to the completion of attachment in the second lamination process is 400 s or less;
A method for producing a third laminate, in which the steps from the first lamination step to the second lamination step are performed by connecting an apparatus for applying a film for forming a back surface protection film and an apparatus for applying a support sheet, or by performing these steps within the same apparatus.
前記第一の積層工程の貼付開始時から前記第二の積層工程の貼付完了時までの間の前記ワークの搬送時間が、150s以下である、請求項3に記載の第三積層体の製造方法。 The method for manufacturing the third laminate described in claim 3, wherein the transport time of the workpiece from the start of attachment in the first lamination process to the completion of attachment in the second lamination process is 150 seconds or less.
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