JP7706530B2 - 発光表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光表示装置に関するものである。

発光表示装置は、高速の応答速度を有し、消費電力が低く、液晶表示装置とは異なり、別途の光源を必要としない自己発光であるため視野角に問題がなく、次世代平板表示装置として注目されている。

発光表示装置は、２つの電極の間に介在した発光層を含む発光素子の発光を通じて映像を表示する。

しかし、発光表示装置は、発光素子層から発光した光の中の一部の光が発光素子層と電極の間の界面及び／又は基板と空気層と界面での全反射等により、外部に放出できないことによって光抽出効率が低下するようになる。これにより、発光表示装置は、低い光抽出効率により輝度が低下し、消費電力が増加するという問題点がある。

本発明は、発光素子で発光した光の光抽出効率を向上させることができる発光表示装置を提供することを技術的課題とする。

また、本発明は、開口率を向上させることができる発光表示装置を提供することを他の技術的課題とする。

また、本発明は、レーザーカッティング工程で発光素子が損傷するのを防止することができる発光表示装置を提供することをまた他の技術的課題とする。

本発明の一実施例に係る発光表示装置は、第１方向に隣接して配置された発光領域と回路領域を含む副画素、副画素の回路領域に設けられ、アクティブ層及びゲート電極を含む駆動トランジスタ、副画素の発光領域に設けられ、アノード電極、発光層及びカソード電極を含む発光素子、副画素の駆動トランジスタに画素電源を供給する画素電源ライン、及び画素電源ラインと副画素の駆動トランジスタとを接続する画素電源接続パターンを含む。画素電源接続パターンは、第１レーザーカッティング領域を含み、駆動トランジスタのアクティブ層と同じ層に同じ物質からなる。

本発明は、発光素子層で発光した光の光抽出効率を向上させることにより、低電力でも高い発光効率を有することができる。したがって、本発明は、消費電力を低減することができる。

また、本発明は、画素電源接続パターン、データ接続パターン、およびリファレンス接続パターンのうちの少なくとも１つを低いレーザーパワーでもカッティングできる物質で形成することにより、レーザーパワーの低減が可能である。

また、本発明は、画素電源接続パターン、データ接続パターン、及びリファレンス接続パターンのうちの少なくとも１つを駆動トランジスタのアクティブ層と同じ層に同じ物質で形成することにより、画素電源接続パターン、データ接続パターン及びリファレンス接続パターンのうちの少なくとも１つと発光素子の間に十分な離隔距離を確保することができる。これにより、本発明は、レーザーパワーによって発光素子が損傷することを防止することができる。

また、本発明は、画素電源接続パターン、データ接続パターン、およびリファレンス接続パターンのうちの少なくとも１つと発光素子の間の水平離隔距離を短くすることができ、これにより回路領域の面積を縮小し、発光領域の面積を増加させることができる。

また、本発明は、駆動コンタクト部とウェルディングコンタクト部を、１つの画素に設けられた副画素が配列された方向と平行な方向に隣接して配置することができる。これにより、本発明は、回路領域の面積を縮小し、結果的に発光領域の面積を増加させることができる。

また、本発明は、駆動コンタクトホールおよびウェルディングコンタクトホールの形成時に、駆動コンタクト部とウェルディングコンタクト部の間に形成される傾斜面が、高い傾斜度を有するように形成することにより、駆動コンタクトホールの傾斜面を形成するためのハーフトーンマスクとウェルディングコンタクトホールの傾斜面を形成するためのハーフトーンマスク間に、最小間隔を確保することができる。これにより、本発明は、駆動コンタクトホールとウェルディングコンタクトホールの間に傾斜面を所望の形態に形成することができ、駆動コンタクトホールとウェルディングコンタクトホールのそれぞれに形成されるアノード電極を安定的に形成することができる。

また、本発明は、駆動コンタクト部およびウェルディングコンタクト部が形成された領域の横の長さを増加させる必要がないので、高解像度の発光表示装置においても、駆動コンタクト部およびウェルディングコンタクト部を横方向に隣接して配置することができる。

また、本発明は、アノード電極がウェルディングコンタクトホールにおいてオーバーコート層の傾斜面を覆うように形成することにより、アノード電極形成時にエッチング液がオーバーコート層の傾斜面とパッシベーション層の間に浸透することを防止することができる。これにより、本発明は、パッシベーション層にシムが存在してもパッシベーション層のシムを介してエッチング液が第１接続電極に浸透しないようにし、結果的に、第１接続電極が損傷することを防止することができる。

上で言及した解決しようとする課題、課題解決手段、効果の内容は、請求の範囲の必須的な特徴を特定するものではないので、請求の範囲の権利範囲は、発明の内容に記載された事項によって制限されない。

本発明の一実施例による発光表示装置を概略的に示す平面図である。 表示領域に設けられた画素を模式的に示す平面図である。 図２の発光領域に示したＩ－Ｉ’の断面図である。 図３に示した光抽出部の一部を示す平面図である。 副画素の一例を示す回路図である。 図２の回路領域に設けられた駆動トランジスタ、画素電源接続パターン、データ接続パターン、リファレンス接続パターン及びコンタクト部を示す平面図である。 図６Ａに示した構成のうちの一部を示す平面図である。 図６Ａに示した構成のうちの一部を示す平面図である。 図６Ａに示した構成のうちの一部を示す平面図である。 図６Ａの駆動トランジスタ及び画素電源接続パターンに示したＩＩ－ＩＩ’の断面図である。 図６Ａの画素電源接続パターンをレーザーでカッティングした一例を示す断面図である。 図６Ａに示した駆動コンタクト部およびウェルディングコンタクト部に設けられたホールの開口領域を説明するための平面図である。 図６Ａの駆動コンタクト部及びウェルディングコンタクト部に示したＩＩＩ－ＩＩＩ’の断面図である。 図６Ａの駆動コンタクト部及びデータ接続パターンに示したＩＶ－ＩＶ’の断面図である。 図６Ａのデータ電源接続パターンをレーザーでカッティングした一例を示す断面図である。 図６Ａのウェルディングコンタクト部及びリファレンス接続パターンに示したＶ－Ｖ’の断面図である。 図６Ａのウェルディングコンタクト部にレーザーを照射した一例を示す断面図である。 図６Ａのリファレンス接続パターンをレーザーでカッティングした一例を示す断面図である。 画素別の光抽出部の回転構造を示す図である。 図１６Ａに示した１行ｊ列の画素に構成された光抽出部を拡大して示す図である。 図１６Ａに示したｉ行ｊ列の画素に構成された光抽出部を拡大して示す図である。

本明細書の利点および特徴、およびそれらを達成する方法は、添付の図と共に詳細に後述される実施例を参照することによって明らかになるであろう。しかしながら、本明細書は、以下に開示される実施例に限定されるものではなく、互いに異なる様々な形態で具現されるものであり、単に本実施例は本明細書の開示が完全になるようにし、本明細書が属する技術分野における通常の知識を有する者に、発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。

本明細書の実施例を説明するための図に開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものであり、本明細書が図に示された事項に限定されるものではない。また、本明細書を説明するにおいて、関連する公知技術に対する具体的な説明が本明細書の要旨を不必要に曖昧にし得ると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本明細書で言及する「含む」、「有する」、「からなる」などが使用される場合、「～のみ」が使用されない限り、他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現した場合に、特に明示的な記載事項がない限り複数を含む場合を含む。

位置関係の説明である場合、例えば、「～上」、「～上部に」、「～下部に」、「～隣に」等で２つの部分の位置関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されていない限り、２つの部分の間に１つ以上の他の部分が位置することもできる。

第１、第２などは、様々な構成要素を説明するために使用されるが、これらの構成要素は、これらの用語によって限定されない。これらの用語は、単に１つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素でもあり得る。

「少なくとも１つ」という用語は、１つ以上の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むものと理解されなければならない。例えば、「第１項目、第２項目、および第３項目の中の少なくとも１つ」の意味は、第１項目、第２項目、または第３項目のそれぞれのみならず、第１項目、第２項目、および第３項目の中の２つ以上から提示することができるすべての項目の組み合わせを意味することができる。

本発明のいくつかの実施例の各々の特徴は、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に様々な連動および駆動が可能であり、各実施例は互いに対して独立して実施することもでき、連関関係で一緒に実施することもできる。以下、添付の図を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明することにする。

図１は、本発明の一実施例による発光表示装置を概略的に示す平面図である。

図１を参照すると、本発明の一実施例による発光表示装置は、第１基板１００、複数の画素（Ｐ）、及び第２基板３００を含む。

第１基板１００は、薄膜トランジスタアレイ基板であり、ガラスまたはプラスチック材質からなることができる。第１基板１００は、表示領域（ＤＡ）および非表示領域（ＮＤＡ）に区分することができる。

表示領域（ＤＡ）は、複数の画素（Ｐ）が設けられて映像を表示する領域であり、第１基板１００の縁領域を除いた残りの領域に該当することができる。

複数の画素（Ｐ）は、表示領域（ＤＡ）に設けられ、実際の光が発光する単位領域として定義することができる。複数の画素（Ｐ）のそれぞれは、複数の副画素（ＳＰ）を含むことができる。一例として、複数の画素（Ｐ）のそれぞれは、赤色光を放出する赤色副画素、緑色光を放出する緑色副画素、及び青色光を放出する青色副画素を含むことができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。他の例として、複数の画素（Ｐ）のそれぞれは、白色光を発する白色副画素を含むこともできる。複数の画素（Ｐ）のそれぞれに含まれる複数の副画素のそれぞれの大きさは、互いに同じでも異なっていてもよい。

非表示領域（ＮＤＡ）は、映像を表示しない領域であり、表示領域（ＤＡ）を除いた領域に該当することができる。非表示領域（ＮＤＡ）は、表示領域（ＤＡ）を囲む第１基板１００の縁領域であり、相対的に狭い幅を有することができ、ベゼル領域（Ｂｅｚｅｌ）と定義することもできる。非表示領域（ＮＤＡ）には、表示領域（ＤＡ）に設けられた複数の画素（Ｐ）を駆動するための配線と回路等を含む周辺回路１２０を設けることができる。

周辺回路１２０は、複数の画素（Ｐ）に接続したゲート駆動回路を含むことができる。ゲート駆動回路は、薄膜トランジスタの製造工程によって第１基板１００の一側の非表示領域（ＮＤＡ）または両側の非表示領域（ＮＤＡ）に集積されて複数の画素（Ｐ）に接続することができる。このようなゲート駆動回路は、ＧＩＰ（ｇａｔｅ ｄｒｉｖｅｒ ｉｎ ｐａｎｅｌ）方式、ＧＩＡ（ｇａｔｅ ｄｒｉｖｅｒ ｉｎ ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）またはＴＡＢ（ｔａｐｅ ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）方式で形成することができる。

第２基板３００は、第１基板１００上に設けられた画素アレイを保護することができる。第２基板３００は、対向基板、封止基板またはカラーフィルタアレイ基板として定義することができ、接着部材（または透明接着剤）を介して第１基板１００と合着することができる。第２基板３００は、透明ガラス材質または透明プラスチック材質で構成することができるが、これに限定されるものではない。第２基板３００は、必要によって省略することもできる。

図２は、表示領域に設けられた画素を模式的に示す平面図であり、図３は、図２の発光領域に示したＩ－Ｉ’の断面図であり、図４は、図３に示した光抽出部の一部を示す平面図である。

図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例による発光表示装置は、表示領域（ＤＡ）に複数の画素（Ｐ）を具備し、複数の画素（Ｐ）の各々は、複数の副画素（ＳＰ）を含むことができる。一実施例において、複数の画素（Ｐ）のそれぞれは、４つの副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）を含むことができる。一例として、複数の画素（Ｐ）のそれぞれは、赤色の第１副画素（ＳＰ１）、緑色の第２副画素（ＳＰ２）、青色の第３副画素（ＳＰ３）、白色の第４副画素（ＳＰ４）を含むことができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。

第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）のそれぞれは、発光領域（ＥＡ）と回路領域（ＣＡ）を含むことができる。発光領域（ＥＡ）は、副画素領域の一側（または上側）に配置され、回路領域（ＣＡ）は、副画素領域の他側（または下側）に配置することができる。例えば、回路領域（ＣＡ）は、第２方向（例えば、Ｙ軸方向）を基準にして、発光領域（ＥＡ）の下側に配置することができる。第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）の各発光領域（ＥＡ）は、互いに同じ大きさを有することができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）の各発光領域（ＥＡ）は、異なる大きさ（または面積）を有することもできる。

回路領域（ＣＡ）は、副画素領域内で発光領域（ＥＡ）と空間的に分離することができるが、これに限定されるものではない。例えば、回路領域（ＣＡ）の少なくとも一部は、副画素領域内の発光領域（ＥＡ）と重畳するか、または発光領域（ＥＡ）の下に配置することができる。発光領域（ＥＡ）は、開口領域、光放出領域、透過領域、または透過部であり得る。回路領域（ＣＡ）は、非発光領域（ＮＥＡ）または非開口領域であり得る。

一実施例による第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）のそれぞれは、発光領域（ＥＡ）および回路領域（ＣＡ）のうちの少なくとも１つの周辺に配置された透明部をさらに含むことができる。この場合、発光表示装置は、透明部の光透過により透明発光表示装置を実現することができる。

第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）のそれぞれは、図３に示すように、発光領域（ＥＡ）に光抽出部１４０および発光素子１５０を設けることができる。

図３を参照すると、画素回路層１１０を具備した第１基板１００上には、オーバーコート層１３０を設けることができる。オーバーコート層１３０は、画素回路層１１０を覆うように第１基板１００上に設けることができる。オーバーコート層１３０は、非表示領域（ＮＤＡ）のうち、パッド領域を除く残りの領域及び表示領域（ＤＡ）全体に形成することができる。例えば、オーバーコート層１３０は、表示領域（ＤＡ）からパッド領域を除く残りの非表示領域の方に延びるまたは拡張された延長部（または拡張部）を含むことができる。したがって、オーバーコート層１３０は、表示領域（ＤＡ）よりも相対的に広い大きさを有することができる。

オーバーコート層１３０は、相対的に厚い厚さを有するように形成され、画素回路層１１０上に平坦面を提供することができる。例えば、オーバーコート層１３０は、有機絶縁層であり、一例としてフォトアクリル、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、およびフッ素樹脂などの有機物質からなることができる。

光抽出部１４０は、副画素（ＳＰ）の発光領域（ＥＡ）と重畳するようにオーバーコート層１３０の上面に形成することができる。光抽出部１４０は、屈曲（または凹凸）形状を有するようにオーバーコート層１３０に形成することにより、発光素子１５０から発光する光の進行経路を変更して、光抽出効率を向上させることができる。例えば、光抽出部１４０は、非平坦部、凹凸パターン部、マイクロレンズ部、または光散乱パターン部であり得る。

光抽出部１４０は、複数の凹部１４１、および複数の凹部１４１のそれぞれの周辺に配置された凸部１４３を含むことができる。複数の凹部１４１は、平面上にハニカム（ｈｏｎｅｙｃｏｍｂ）パターンを形成することができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。複数の凹部１４１は、オーバーコート層１３０の上面から凹状に形成または構成することができる。凸部１４３は、複数の凹部１４１の間に配置することができる。凸部１４３は、複数の凹部１４１のそれぞれを囲むように形成することができる。

凸部１４３の上部は、光抽出効率を向上させるために先のとがった先端構造を含むことができるが、これに限定されるものではない。例えば、凸部１４３の上部は、凸な曲面形態を有することができる。例えば、凸部１４３の上部は、凸な断面形状のドーム（ｄｏｍｅ）またはベル（ｂｅｌｌ）構造を含むことができるが、これに限定されるものではない。

凸部１４３は、底部と上部（または頂部）の間の曲面形状を有する傾斜部を含むことができる。凸部１４３の傾斜部は、凹部１４１を形成または構成することができる。例えば、凸部１４３の傾斜部は、傾斜面または曲面部であり得る。一実施例による凸部１４３の傾斜部は、ガウス曲線の断面構造を有することができる。この場合、凸部１４３の傾斜部は、底部から上部に向かって徐々に増加した後、徐々に減少する接線の傾きを有することができる。

図４を参照すると、本発明の実施例による複数の凹部１４１のそれぞれは、第１方向（例、Ｘ軸方向）に沿って一定の間隔を有するように平行に配置し、第２方向（例、Ｙ軸方向）に沿って互いに行き違いに配置することができる。これにより、光抽出部１４０は、単位面積当たり、より多くの数の凹部１４１を含むことができ、これにより、発光素子１５０から発光した光の外部抽出効率を向上させることができる。

一実施例によれば、第１方向（例、Ｘ軸方向）に沿って配置された複数の凹部１４１のそれぞれの中心部（Ｃ）は、第１方向（例、Ｘ軸方向）と平行な第１直線ライン（ＳＬ１）に配置または整列することができる。そして、第２方向（例、Ｙ軸方向）に沿って配置された複数の凹部１４１のそれぞれの中心部（Ｃ）は、第２方向（例、Ｙ軸方向）と平行な第２直線ライン（ＳＬ２）に、位置または整列することができる。

他の実施例によれば、複数の凹部１４１は、格子形態に配置することができる。第１方向（例、Ｘ軸方向）と平行な偶数番目の水平ラインに配置された複数の凹部１４１の各々は、第２方向（例、Ｙ軸方向）に沿って隣接する奇数番目の水平ラインに配置された複数の凹部１４１の間に配置することができる。これにより、複数の凹部１４１を、第１方向（例、Ｘ軸方向）に沿ってジグザグ形状を有するジグザグ線（ＺＬ）に位置または整列することができる。

一実施例によれば、隣接する３つの凹部１４１のそれぞれの中心部（Ｃ）は、三角形態（ＴＳ）を成すことができる。また、１つの凹部１４１の周辺に配置、または１つの凹部１４１を囲む６つの凹部１４１のそれぞれの中心部（Ｃ）は、平面的に六角形態（ＨＳ）を成すことができる。例えば、複数の凹部１４１のそれぞれは、ハチの巣構造、ハニカム構造、またはサークル構造に配置または配列することができる。

本発明の一実施例によれば、複数の凹部１４１がハチの巣構造に配置されたとき、第１方向（例、Ｘ軸方向）と第２方向（例、Ｙ軸方向）の間の対角線方向（ＤＤ１、ＤＤ２）に沿って配置された凹部１４１の中心部（Ｃ）を通る対角線中心ライン（ＤＣＬ１、ＤＣＬ２）は、第１直線ライン（ＳＬ１）及び第２直線ライン（ＳＬ２）のそれぞれから傾くことができる。例えば、対角線中心ライン（ＤＣＬ１、ＤＣＬ２）と第１直線ライン（ＳＬ１）の間の第１角度（Φ１）は３０度であり、対角線中心ライン（ＤＣＬ１、ＤＣＬ２）と第２直線ライン（ＳＬ２）の間の第２角度（Φ２）は６０度であり得る。

本発明の一実施例によれば、１つの画素（Ｐ）を構成する複数の副画素（ＳＰ）のそれぞれに配置された凹部１４１間のピッチ（又は間隔）（Ｌ１）は、互いに同じかまたは異なり得る。凹部１４１間のピッチ（Ｌ１）は、隣接する２つの凹部１４１のそれぞれの中心部（Ｃ）間の距離（または間隔）であり得る。

一実施例において、赤色副画素、緑色副画素、青色副画素、および白色副画素のそれぞれに配置された凹部１４１間のピッチ（Ｌ１）は、互いに同じかまたは異なり得る。例えば、緑色の副画素に配置された凹部１４１間のピッチ（Ｌ１）は、青色の副画素に配置された凹部１４１間のピッチと異なり得る。

他の実施例において、赤色副画素、緑色副画素、青色副画素、および白色副画素のそれぞれに配置された凹部１４１の個数および／または密度は、互いに同じかまたは異なり得る。例えば、白色副画素および緑色副画素のそれぞれに配置された凹部１４１の個数および／または密度は、赤色副画素および青色副画素に配置された凹部１４１の個数および／または密度とは異なり得る。

凸部１４３は、複数の凹部１４１のそれぞれを個別に囲むように構成することができる。これにより、光抽出部１４０は、凸部１４３によって囲まれた複数の凹部１４１を含むことができる。１つの凹部１４１を囲む凸部１４３は、平面的に六角形態（またはハチの巣形態）を有することができるが、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。

再び図３を参照すると、発光素子１５０は、発光領域（ＥＡ）と重畳する光抽出部１４０上に配置することができる。発光素子１５０は、下部発光方式に従って第１基板１００の方に光を放出するように構成することができるが、本発明の実施例はこれに限定されるものではない。一実施例による発光素子１５０は、アノード電極（ＡＥ）、発光層（ＥＬ）、及びカソード電極（ＣＥ）を含むことができる。

アノード電極（ＡＥ）は、オーバーコート層１３０上に形成され、駆動薄膜トランジスタのソース電極（またはドレイン電極）と電気的に接続することができる。アノード電極（ＡＥ）は、発光領域（ＥＡ）から回路領域（ＣＡ）に延長することができる。アノード電極（ＡＥ）の一端は、回路領域（ＣＡ）で駆動コンタクトホールを介して駆動薄膜トランジスタのソース電極（またはドレイン電極）と電気的に接続することができる。

アノード電極（ＡＥ）は、光抽出部１４０と直接に接触するため、光抽出部１４０の形状に沿う形状を有することができる。アノード電極（ＡＥ）は、相対的に薄い厚さを有するようにオーバーコート層１３０上に形成（または蒸着）されるので、凸部１４３と複数の凹部１４１を含む光抽出部１４０の表面形状（Ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）をそのまま従う表面形状を有することができる。例えば、アノード電極（ＡＥ）は、透明導電物質の蒸着工程により光抽出部１４０の表面形状（又はモホロジー）にそのまま従う等角（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）形態に形成することにより、光抽出部１４０と同じ形態の断面構造を有することができる。

発光層（ＥＬ）は、アノード電極（ＡＥ）上に形成され、アノード電極（ＡＥ）と直接に接触することができる。発光層（ＥＬ）は、アノード電極（ＡＥ）に対して相対的に厚い厚さを有するようにアノード電極（ＡＥ）上に形成（または蒸着）されることにより、複数の凹部１４１と凸部１４３のそれぞれの表面形状または第１電極（Ｅ１）の表面形状とは異なる表面形状を有することができる。例えば、発光層（ＥＬ）は、蒸着工程によりアノード電極（ＡＥ）の表面形状（またはモホロジー）にそのまま従わない非等角（ｎｏｎ－ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）形態で形成することにより、アノード電極（ＡＥ）とは異なる断面構造を有することができる。

一実施例による発光層（ＥＬ）は、凸部１４３または凹部１４１の底面に行くほど段々に厚い厚さを有することができる。例えば、発光層（ＥＬ）は、凸部１４３の頂部上に第１厚さに形成することができ、凹部１４１の底面上に第１厚さより厚い第２厚さを形成することができ、凸部１４３の傾斜面（または曲面部）上に第１厚さよりも薄い第３厚さを有するように形成することができる。ここで、第１～第３厚さのそれぞれは、アノード電極（ＡＥ）とカソード電極（ＣＥ）の間の最短距離に対応することができる。

一実施例による発光層（ＥＬ）は、白色光を放出するための２つ以上の有機発光層を含むことができる。一例として、発光層（ＥＬ）は、第１光と第２光との混合によって白色光を放出するための第１有機発光層と第２有機発光層を含むことができる。例えば、第１発光層は、第１光を放出するために、青色有機発光層、緑色有機発光層、赤色有機発光層、黄色有機発光層、および黄緑色有機発光層のうちのいずれか１つを含むことができる。例えば、第２有機発光層は、青色有機発光層、緑色有機発光層、赤色有機発光層、黄色有機発光層、及び黄緑色有機発光層のうち、第１光との混合により白色光を実現するための第２光を放出する有機発光層を含むことができる。他の実施例による発光層（ＥＬ）は、青色有機発光層、緑色有機発光層、および赤色有機発光層のうちのいずれか１つを含むことができる。さらに、発光層（ＥＬ）は、第１有機発光層と第２有機発光層の間に介在する電荷生成層を含むことができる。

カソード電極（ＣＥ）は、発光層（ＥＬ）上に形成され、発光層（ＥＬ）と直接に接触することができる。カソード電極（ＣＥ）は、発光層（ＥＬ）と比較して相対的に薄い厚さを有するように発光層（ＥＬ）上に形成（または蒸着）することができる。カソード電極（ＣＥ）は、相対的に薄い厚さを有するように、発光層（ＥＬ）上に形成（または蒸着）することによって、発光層（ＥＬ）の表面形状にそのまま従う表面形状を有することができる。例えば、カソード電極（ＣＥ）は、蒸着工程により発光層（ＥＬ）の表面形状（またはモホロジー）にそのまま従う等角形態に形成することにより、発光層（ＥＬ）と同じ断面構造を有することができ、光抽出部１４０と異なる断面構造を有することができる。

一実施例によるカソード電極（ＣＥ）は、発光層（ＥＬ）から放出されて入射した光を第１基板１００の方に反射させるために、反射率の高い金属物質を含むことができる。例えば、カソード電極（ＣＥ）は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、またはバリウム（Ｂａ）から選択されるいずれか１つの物質または２つ以上の合金物質からなる単一層構造または多層構造を含むことができる。カソード電極（ＣＥ）は、反射性の高い不透明導電物質を含むことができる。

このような発光素子１５０は、画素回路によって供給される電流によって発光して光を放出することができる。光抽出部１４０の凹部１４１または凸部１４３は、発光層（ＥＬ）で発光した光の経路を光出射面（または光抽出面）に変更することにより、発光層（ＥＬ）で発光した光の外部抽出効率を高める。例えば、凸部１４３は、発光素子１５０から発光した光が光出射面に進行できずに、発光素子１５０のアノード電極（ＡＥ）とカソード電極（ＣＥ）の間で全反射を繰り返し、発光素子１５０内に閉じ込められる光による光抽出効率の低下を防止または最小化することができる。これにより、本発明の一実施例に係る発光表示装置は、発光素子１５０で発光した光の光抽出効率を向上させることができる。

本発明の一実施例による発光表示装置は、バンク１７０をさらに含むことができる。バンク１７０は、オーバーコート層１３０上に設けることができる。バンク１７０は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系樹脂、アクリル系樹脂、またはポリイミド樹脂などの有機物で形成することができる。

バンク１７０は、オーバーコート層１３０上で回路領域（ＣＡ）上に延びたアノード電極（ＡＥ）の縁を覆うように設けることができる。バンク１７０によって定義される発光領域（ＥＡ）は、平面的に光抽出部１４０の領域より狭い大きさを有することができる。

発光素子１５０の発光層（ＥＬ）は、アノード電極（ＡＥ）、バンク１７０、及びアノード電極（ＡＥ）とバンク１７０の間の段差部の上に形成することができる。この場合、発光層（ＥＬ）が、アノード電極（ＡＥ）とバンク１７０の間の段差部に相対的に薄い厚さで形成される場合、カソード電極（ＣＥ）がアノード電極（ＡＥ）と電気的接触（またはショート）し得る。このような問題を回避するために、発光領域（ＥＡ）に隣接するバンク１７０の端（または最外側のバンクライン）は、光抽出部１４０の縁部分を覆うことができるように配置することができる。したがって、アノード電極（ＡＥ）とバンク１７０の間の段差部に配置されたバンク１７０の端によって、アノード電極（ＡＥ）とカソード電極（ＣＥ）の間の電気的接触（またはショート）を防止することができる。

本発明の一実施例による発光表示装置は、カラーフィルタ１８０をさらに含むことができる。

カラーフィルタ１８０は、少なくとも１つの発光領域（ＥＡ）と重畳するように第１基板１００とオーバーコート層１３０の間に配置することができる。一実施例によるカラーフィルタ１８０は、発光領域（ＥＡ）と重畳するようにオーバーコート層１３０の下に配置することができる。

カラーフィルタ１８０は、発光領域（ＥＡ）よりも広い大きさを有することができる。例えば、カラーフィルタ１８０は、発光領域（ＥＡ）より大きく、光抽出部１４０より小さい大きさを有することができるが、これに限定されるものではない。カラーフィルタ１８０は、光抽出部１４０よりも大きい大きさを有することができる。例えば、カラーフィルタ１８０が光抽出部１４０よりも広い大きさを有する場合、内部光が隣接する副画素（ＳＰ）の方に進行する光漏れを低減または最小化することができる。

一実施例に係るカラーフィルタ１８０は、発光素子１５０から第１基板１００の方に放出（又は抽出）される光のうち、副画素（ＳＰ）に設定された色相の波長のみを透過させるカラーフィルタを含むことができる。例えば、カラーフィルタ１８０は、赤色、緑色、または青色の波長を透過することができる。１つの画素（Ｐ）が隣接する第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）で構成される場合、第１副画素に設けられたカラーフィルタ層は赤色カラーフィルタ、第２副画素に設けられたカラーフィルタ層は緑色カラーフィルタ、及び第３副画素に設けられたカラーフィルタ層は青色カラーフィルタをそれぞれ含むことができる。第４副画素は、カラーフィルタ層を含まないか、または段差補償のための透明物質を含むことができ、それによって白色光を放出することができる。

本発明の一実施例による発光表示装置は、封止層２００をさらに含むことができる。

封止層２００は、発光素子１５０を覆うように第１基板１００上に設けることができる。封止層２００は、カソード電極（ＣＥ）を覆うように第１基板１００上に設けることができる。封止層２００は、外部の衝撃から薄膜トランジスタや発光層（ＥＬ）などを保護し、酸素または／および水分さらには異物（ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）がカソード電極（ＣＥ）および発光層（ＥＬ）に浸透するのを防止する役割をすることができる。

一実施例による封止層２００は、少なくとも１つの無機封止層と少なくとも１つの有機封止層とを含むことができる。有機封止層は、異物カバー層として表現することができる。

他の実施例による封止層２００は、表示領域を全体的に囲む充填材に変更することができ、この場合、第２基板３００は、充填材を介して第１基板１００と合着することができる。充填材は、酸素または／および水分などを吸収するゲッター物質を含むことができる。

第２基板３００は、封止層２００に結合することができる。第２基板３００は、プラスチック材質、ガラス材質、または金属材質からなることができる。例えば、封止層２００が複数の無機封止層を含む場合、第２基板３００を省略することができる。

選択的に、封止層２００を充填材に変更する場合、第２基板３００は充填材と結合することができ、この場合、第２基板３００はプラスチック材質、ガラス材質、または金属材質からなることができる。

再び図２を参照すると、第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）は、第１方向（例、Ｘ軸方向）に沿って互いに隣接するように配置することができる。そして、第１副画素（ＳＰ１）と第２副画素（ＳＰ２）の間、及び第３副画素（ＳＰ３）と第４副画素（ＳＰ４）の間のそれぞれには、第２方向（例、Ｙ軸方向）に沿って延びる２つのデータライン（ＤＬ）を互いに平行に配置することができる。第１副画素（ＳＰ１）または第４副画素（ＳＰ４）の一側には、第２方向（例、Ｙ軸方向）に沿って延びる画素電源ライン（ＶＤＤＬ）を配置することができる。第２副画素（ＳＰ２）と第３副画素（ＳＰ３）の間には、第２方向（例、Ｙ軸方向）に沿って延びるリファレンスライン（ＲＬ）を配置することができる。リファレンスライン（ＲＬ）は、画素（Ｐ）のセンシング駆動モード時、回路領域（ＣＡ）に配置される駆動薄膜トランジスタの特性変化及び／又は発光素子の特性変化を外部からセンシングするためのセンシングラインとして用いることもできる。第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）の各回路領域（ＣＡ）の下には、第１方向（Ｘ）に沿って延びるゲートライン（ＧＬ）を配置することができる。

第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）のそれぞれは、回路領域（ＣＡ）に画素回路を含むことができる。画素回路は、ゲートライン（ＧＬ）、データライン（ＤＬ）、リファレンスライン（ＲＬ）、及び画素電源ライン（ＶＤＤＬ）に接続することができる。このような画素回路は、画素電源ライン（ＶＤＤＬ）から供給される画素電源に基づいて、ゲートライン（ＧＬ）からのスキャンパルスに応答して、データライン（ＤＬ）からのデータ信号によって発光素子１５０に流れる電流を制御することができる。画素回路は、少なくとも１つ以上のトランジスタとキャパシタを含むことができる。以下では、図５を参照して副画素の画素回路について具体的に説明することにする。

図５は、副画素の一例を示す回路図である。

図５を参照すると、第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）のそれぞれは、第１スイッチングトランジスタ（ＴＲ１）、第２スイッチングトランジスタ（ＴＲ２）、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）、キャパシタ（Ｃｓｔ）を含む画素回路、及び発光素子（ＯＬＥＤ）を設けることができる。

第１スイッチングトランジスタ（ＴＲ１）は、データライン（ＤＬ）から供給されるデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を駆動トランジスタ（ＤＴＲ）に供給する役割をする。具体的には、第１スイッチングトランジスタ（ＴＲ１）は、データライン（ＤＬ）から供給されるデータ電圧（Ｖｄａｔａ）をキャパシタ（Ｃｓｔ）に充電することができる。このために、第１スイッチングトランジスタ（ＴＲ１）は、ゲートライン（ＧＬ）にゲート電極が接続し、データライン（ＤＬ）に第１電極が接続することができる。また、第１スイッチングトランジスタ（ＴＲ１）は、キャパシタ（Ｃｓｔ）の一端、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のゲート電極に第２電極を接続することができる。

第１スイッチングトランジスタ（ＴＲ１）は、ゲートライン（ＧＬ）を介して印加されるスキャン信号（Ｓｃａｎ）に対応してターンオンすることができる。第１スイッチングトランジスタ（ＴＲ１）がターンオンすると、データライン（ＤＬ）を介して印加されたデータ電圧（Ｖｄａｔａ）をキャパシタ（Ｃｓｔ）の一端に伝達することができる。

第２スイッチングトランジスタ（ＴＲ２）は、リファレンスライン（ＲＬ）から供給される基準電圧（Ｖｒｅｆ）を駆動トランジスタ（ＤＴＲ）に供給する役割をする。具体的には、第２スイッチングトランジスタ（ＴＲ２）はゲートライン（ＧＬ）にゲート電極が接続し、リファレンスライン（ＲＬ）に第１電極が接続することができる。また、第２スイッチングトランジスタ（ＴＲ２）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のソース電極、キャパシタ（Ｃｓｔ）の他端に第２電極が接続することができる。

第１スイッチングトランジスタ（ＴＲ２）は、ゲートライン（ＧＬ）を介して印加されるスキャン信号（Ｓｃａｎ）に対応して、ターンオンすることができる。第２スイッチングトランジスタ（ＴＲ２）がターンオンすると、リファレンスライン（ＲＬ）を介して印加された基準電圧（Ｖｒｅｆ）が、キャパシタ（Ｃｓｔ）の他端に伝達され得る。また、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のソース電極にも、基準電圧（Ｖｒｅｆ）を印加することができる。

キャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）に供給されるデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を１フレームの間、維持する役割をする。具体的には、キャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のゲート電極に第１電極が接続し、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のソース電極に第２電極が接続することができる。キャパシタ（Ｃｓｔ）は、第１スイッチングトランジスタ（ＴＲ１）を介して伝達されたデータ電圧（Ｖｄａｔａ）に対応する電圧を貯蔵し、貯蔵した電圧で駆動トランジスタ（ＤＴＲ）をターンオンさせることができる。

駆動トランジスタ（ＤＴＲ）は、画素電源ライン（ＶＤＤＬ）から供給される第１電源（ＥＶＤＤ）からデータ電流を生成し、副画素（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のアノード電極に供給する役割をする。具体的には、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）は、キャパシタ（Ｃｓｔ）の一端にゲート電極が接続し、画素電源ライン（ＶＤＤＬ）にドレイン電極が接続することができる。また、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）は、発光素子（ＯＬＥＤ）のアノード電極にソース電極を接続することができる。

駆動トランジスタ（ＤＴＲ）は、キャパシタ（Ｃｓｔ）に充電されたデータ電圧によって、ターンオンすることができる。駆動トランジスタ（ＤＴＲ）がターンオンすると、画素電源ライン（ＶＤＤＬ）を介して印加された第１電源（ＥＶＤＤ）を発光素子（ＯＬＥＤ）のアノード電極に伝達することができる。

発光素子（ＯＬＥＤ）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のソース電極にアノード電極が接続し、共通電源（ＥＶＳＳ）にカソード電極が接続することができる。発光素子（ＯＬＥＤ）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）によって生成された駆動電流に対応して光を発光することができる。

本発明の一実施例に係る発光表示装置は、回路素子の中の一部に不良が発生すると、レーザーを照射して画素電源ライン（ＶＤＤＬ）、データライン（ＤＬ）及びリファレンスライン（ＲＬ）のうちの少なくとも一部と駆動トランジスタ（ＤＴＲ）の間の接続をカッティングする複数のレーザーカッティング領域を含むことができる。

具体的には、画素回路は、画素電源ライン（ＶＤＤＬ）及び駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のドレイン電極に接続した画素電源接続パターンに第１レーザーカッティング領域（ＬＣＡ１）を設けることができる。回路素子の中の一部に不良が発生すると、第１レーザーカッティング領域（ＬＣＡ１）に配置された画素電源接続パターンをレーザーでカッティングすることにより、画素電源ライン（ＶＤＤＬ）と不良が発生した回路素子を電気的に分離させることができる。

画素回路は、データライン（ＤＬ）及び第１スイッチングトランジスタ（ＴＲ１）の第１電極と接続したデータ接続パターンに、第２レーザーカッティング領域（ＬＣＡ２）を設けることができる。回路素子の一部に不良が発生すると、第２レーザーカッティング領域（ＬＣＡ２）に配置されたデータ接続パターンをレーザーでカッティングすることにより、データライン（ＤＬ）と不良が発生した回路素子とを電気的に分離させることができる。

画素回路は、リファレンスライン（ＲＬ）と第２スイッチングトランジスタ（ＴＲ２）の第１電極と接続したリファレンス接続パターンに、第３レーザーカッティング領域（ＬＣＡ３）を設けることができる。回路素子の中の一部に不良が発生すると、第３レーザーカッティング領域（ＬＣＡ３）に配置されたリファレンス接続パターンをレーザーでカッティングすることにより、リファレンスライン（ＲＬ）と不良が発生した回路素子とを電気的に分離させることができる。

本発明の一実施例に係る発光表示装置は、第１レーザーカッティング領域（ＬＣＡ１）が設けられた画素電源接続パターン、第２レーザーカッティング領域（ＬＣＡ２）が設けられたデータ接続パターン及び第３レーザーカッティング領域（ＬＣＡ３）が設けられたリファレンス接続パターンを、レーザーパワーが低くてもカッティング可能な物質で形成することができる。一例では、画素電源接続パターン、データ接続パターン、およびリファレンス接続パターンのうちの少なくとも１つは、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のアクティブ層と同じ層に同じ物質からなることができる。

また、本発明の一実施例による発光表示装置は、回路領域（ＣＡ）に少なくとも１つ以上のトランジスタとキャパシタ以外に、発光素子１５０と駆動トランジスタを電気的に接続するためのコンタクト部をさらに配置することができる。発光表示装置は、駆動トランジスタとコンタクト部の位置によって、回路領域（ＣＡ）の面積が大きくなり得、これにより発光領域（ＥＡ）の面積を減少させ得る。本発明の一実施例による発光表示装置は、回路領域（ＣＡ）の面積を最小限に抑えるようにコンタクト部を配置することができる。

以下では、図６～図１５を参照して、回路領域（ＣＡ）に設けられた駆動トランジスタ、画素電源接続パターン、データ接続パターン、リファレンス接続パターンおよび複数のコンタクト部について具体的に説明することにする。

図６Ａは、図２の回路領域に設けられた駆動トランジスタ、画素電源接続パターン、データ接続パターン、リファレンス接続パターン及びコンタクト部を示す平面図であり、図６Ｂ～図６Ｄは、図６Ａに示した構成の中の一部を示す平面図である。図７は、図６Ａの駆動トランジスタおよび画素電源接続パターンに示したＩＩ－ＩＩ’の断面図であり、図８は、図６Ａの画素電源接続パターンをレーザーでカッティングした一例を示す断面図である。図９は、図６Ａに示した駆動コンタクト部およびウェルディングコンタクト部に具備したホールの開口領域を説明するための平面図であり、図１０は、図６Ａの駆動コンタクト部およびウェルディングコンタクト部に示したＩＩＩ－ＩＩＩ’の断面図である。図１１は、図６Ａの駆動コンタクト部およびデータ接続パターンに示したＩＶ－ＩＶ’の断面図であり、図１２は、図６Ａのデータ電源接続パターンをレーザーでカッティングした一例を示す断面図である。図１３は、図６Ａのウェルディングコンタクト部及びリファレンス接続パターンに示したＶ－Ｖ’の断面図であり、図１４は、図６Ａのウェルディングコンタクト部にレーザーを照射した一例を示す断面図であり、図１５は、図６Ａのリファレンス接続パターンをレーザーでカッティングした一例を示す断面図である。

図７、図８、図１０～図１５には、説明の便宜上、第１基板１００、画素回路層１１０、オーバーコート層１３０及びアノード電極（ＡＥ１、ＡＥ２）のみを示しているが、これに限定されるものではなく、回路領域（ＣＡ）に発光層（ＥＬ）、カソード電極（ＣＥ）、封止層２００及び第２基板３００のうちの少なくとも１つが積層されることを排除しない。

図６Ａ及び図７を参照すると、第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）のそれぞれは、回路領域（ＣＡ）に配置された駆動トランジスタ（ＤＴＲ）及び発光領域（ＥＡ）及び駆動トランジスタ（ＤＴＲ）の間に配置された画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ）を含むことができる。駆動トランジスタ（ＤＴＲ）は、画素回路層１１０に設けられ、アクティブ層（ＡＣＴ）及びゲート電極（ＧＥ）を含むことができる。

第１基板１００上には、遮光層（ＬＳ）を設けることができる。遮光層（ＬＳ）は、外部光による駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のしきい値電圧変化を最小化ないしは防止することができる。遮光層（ＬＳ）は、導電性を有する物質からなることができ、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）の中のいずれか１つまたはそれらの合金からなる単一層または多重層で形成することができる。このような場合、遮光層（ＬＳ）とアクティブ層（ＡＣＴ）の間にバッファ層１１２を設けることができる。バッファ層１１２は、無機絶縁層であり、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはそれらの多重膜で形成することができる。

バッファ層１１２上には、アクティブ層（ＡＣＴ）を設けることができる。アクティブ層（ＡＣＴ）は、第１アクティブ層（ＡＣＴ１）および第２アクティブ層（ＡＣＴ２）を含むことができる。第１アクティブ層（ＡＣＴ１）は半導体層であり、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、酸化物、および有機物の中のいずれか１つをベースとする半導体物質で構成することができる。一例として、第１アクティブ層（ＡＣＴ１）は、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｏ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＧＺＯ）で構成することができる。

第２アクティブ層（ＡＣＴ２）は、第１アクティブ層（ＡＣＴ１）上に設けることができる。第２アクティブ層（ＡＣＴ２）は導電層であり、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）などの金属、またはそれらの合金の中のいずれか１つであり得る。一例として、第２アクティブ層（ＡＣＴ２）は、モリブデンチタン（ＭｏＴｉ）から構成することができる。

第２アクティブ層（ＡＣＴ２）は、第１アクティブ層（ＡＣＴ１）上に駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のチャネル領域（ＣＨ）を除く領域に設けることができる。すなわち、アクティブ層（ＡＣＴ）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のチャネル領域（ＣＨ）に第１アクティブ層（ＡＣＴ１）のみを設けることができる。一方、アクティブ層（ＡＣＴ）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のソース領域（Ｓ）及びドレイン領域（Ｄ）に第１アクティブ層（ＡＣＴ１）及び第２アクティブ層（ＡＣＴ２）が積層された構造で設けることができる。ここで、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のソース領域（Ｓ）に設けられた第２アクティブ層（ＡＣＴ２）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のソース電極に対応し、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のドレイン領域（Ｄ）に設けられた第２アクティブ層（ＡＣＴ２）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のドレイン電極に対応することができる。

ゲート絶縁層１１４は、アクティブ層（ＡＣＴ）上に設けることができる。ゲート絶縁層１１４は、アクティブ層（ＡＣＴ）上にのみパターン形成するか、またはアクティブ層（ＡＣＴ）を含む第１基板１００またはバッファ層１１２の前面全体に形成することもできる。ゲート絶縁層１１４は、無機絶縁層であり、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはそれらの多重膜で形成することができる。

ゲート電極（ＧＥ）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のチャネル領域（ＣＨ）と重畳するようにゲート絶縁層１１４上に設けることができる。ゲート電極（ＧＥ）は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）の中のいずれか１つ又はこれらの合金からなる単一層または多重層で形成することができる。

パッシベーション層１１８は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）を含む画素回路を覆うように設けることができる。パッシベーション層１１８は、無機絶縁層であり、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはそれらの多重膜からなることができる。

オーバーコート層１３０は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）が形成された画素回路層１１０上に設けられ、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）による段差を平坦化することができる。

一方、画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ）は、発光領域（ＥＡ）と回路領域（ＣＡ）に配置された駆動トランジスタ（ＤＴＲ）の間に設けることができる。画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ）は、画素電源ライン（ＶＤＤＬ）と電気的に接続し、画素電源ライン（ＶＤＤＬ）から供給される画素電源を駆動トランジスタ（ＤＴＲ）に伝達することができる。このような画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ）は、第１画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ１）と第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）を含むことができる。

第１画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ１）は、第２方向（例ば、Ｙ軸方向）に沿って延びる画素電源ライン（ＶＤＤＬ）と電気的に接続し、発光領域（ＥＡ）と駆動トランジスタ（ＤＴＲ）間で第１方向（例、Ｘ軸方向）に延びることができる。

一実施例において、第１画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ１）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のゲート電極（ＧＥ）と同じ層に同じ物質からなることができる。この場合、第１画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ１）は、遮光層（ＬＳ）と同じ層に形成された画素電源ライン（ＶＤＤＬ）とバッファ層１１２を貫通するコンタクトホール（未図示）を介して電気的に接続することができる。

第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）は、第１画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ１）と駆動トランジスタ（ＤＴＲ）の間に配置され、第１画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ１）と駆動トランジスタ（ＤＴＲ）を電気的に接続することができる。

本発明の一実施例による第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のアクティブ層（ＡＣＴ）と同じ層に同じ物質で形成されることを特徴とする。具体的には、第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）は、第１層（ＶＤＤＣＰ２－１）と第２層（ＶＤＤＣＰ２－２）を含む二重層構造を有することができる。第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）の第１層（ＶＤＤＣＰ２－１）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）の第１アクティブ層（ＡＣＴ１）と同じ層に同じ物質で形成することができる。第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）の第１層（ＶＤＤＣＰ２－１）は、半導体物質、例えば、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｏ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＧＺＯ）で構成することができる。また、第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）の第２層（ＶＤＤＣＰ２－２）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）の第２アクティブ層（ＡＣＴ２）と同じ層に同じ物質で形成することができる。第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）の第２層（ＶＤＤＣＰ２－２）は、導電物質、例えばモリブデンチタン（ＭｏＴｉ）で構成することができる。

一実施例において、第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）は、図７に示すように、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）の第１アクティブ層（ＡＣＴ１）及び第２アクティブ層（ＡＣＴ２）から第２方向（例、Ｙ軸方向）に延びることができる。そして、第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）は、一端でゲート絶縁層１１４を貫通する第３コンタクトホール（ＣＨ３）を介して第１画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ１）と電気的に接続することができる。

このような画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ）は、第１レーザーカッティング領域（ＬＣＡ１）を含むことができる。具体的には、第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）は、第１画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ１１）と駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のドレイン領域（Ｄ）に配置されたアクティブ層（ＡＣＴ）との間に配置された第１レーザーカッティング領域（ＬＣＡ１）を含むことができる。本発明の一実施例による発光表示装置は、回路素子の中の一部に不良が発生した場合、第１レーザーカッティング領域（ＬＣＡ１）の第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）を図８に示したようにレーザーでカッティングすることにより、不良が発生した回路素子と発光素子（ＯＬＥＤ）を電気的に分離させることができる。第１レーザーカッティング領域（ＬＣＡ１）に設けられた第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）がレーザーでカッティングされると、図８に示すように駆動トランジスタ（ＤＴＲ）は、画素電源ライン（ＶＤＤＬ）と電気的に分離することができる。これにより、画素電源ライン（ＶＤＤＬ）から印加される第１電源（ＥＶＤＤ）が駆動トランジスタ（ＤＴＲ）に伝達されないことがあり得る。

一方、第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）のそれぞれは、回路領域（ＣＡ）に発光素子１５０と駆動トランジスタ（ＤＴＲ）を電気的に接続するための２つのコンタクト部、データ接続パターン（ＤＣＰ）およびリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）をさらに配置することができる。コンタクト部は、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）を含むことができる。

駆動コンタクト部（ＤＣＴ）は、特定副画素の発光領域（ＥＡ）に配置された発光素子１５０と特定副画素の回路領域（ＣＡ）に配置された駆動トランジスタ（ＤＴＲ）とを電気的に接続するためのコンタクト部に該当する。

具体的には、複数の画素（Ｐ）は、互いに隣接して配置された第１画素（Ｐ１）と第２画素（Ｐ２）を含むことができる。第２画素（Ｐ２）は、第１画素（Ｐ１）と第２方向（例、Ｙ軸方向）に隣接して配置することができる。第１画素（Ｐ１）及び第２画素（Ｐ２）のそれぞれには、複数の副画素、例えば、第１方向（例、Ｘ軸方向）に配列された第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）を含むことができる。第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）のそれぞれは、発光領域（ＥＡ）および回路領域（ＣＡ）を含むことができる。

駆動コンタクト部（ＤＣＴ）は、第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）の発光領域（ＥＡ）に配置された発光素子１５０と、第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）の回路領域（ＣＡ）に配置された駆動トランジスタ（ＤＴＲ）を電気的に接続することができる。ここで、第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）は、第１画素（Ｐ１）に設けられた第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）のうちの１つであり得る。

駆動コンタクト部（ＤＣＴ）は、第１接続電極（ＣＰ１）及び駆動コンタクトホールを含む少なくとも１つの絶縁層を含むことができる。

第１接続電極（ＣＰ１）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）と電気的に接続することができる。第１接続電極（ＣＰ１）は、第１電極パターン（ＣＰ１－１）及び第２電極パターン（ＣＰ１－２）を含むことができる。

一実施例において、第１接続電極（ＣＰ１）の第１電極パターン（ＣＰ１－１）及び第２電極パターン（ＣＰ１－２）は、１つの層で設けることができ、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のゲート電極（ＧＥ）と同じ層に設けることができる。第１接続電極（ＣＰ１）の下には、第１接続電極（ＣＰ１）に入射する外部光を遮断するための遮光層（ＬＳ）を設けることができる。

第１接続電極（ＣＰ１）の第１電極パターン（ＣＰ１－１）は、駆動コンタクトホールと重畳するように設けることができる。第１接続電極（ＣＰ１）の第１電極パターン（ＣＰ１－１）は、駆動コンタクトホールと重畳する領域で露出することができ、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）を介して第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）の発光素子１５０、特に第１アノード電極（ＡＥ１）と電気的に接続することができる。

図９、図１０及び図１１を参照すると、第１接続電極（ＣＰ１）の第１電極パターン（ＣＰ１－１）上には、駆動コンタクトホールを含む少なくとも１つの絶縁層を設けることができる。少なくとも１つの絶縁層は、有機絶縁層および無機絶縁層のうちの少なくとも１つを含むことができる。一例では、有機絶縁層はオーバーコート層１３０であり得、無機絶縁層はパッシベーション層１１８であり得る。

オーバーコート層１３０は、第１接続電極（ＣＰ１）上に設けられ、第１接続電極（ＣＰ１）、特に第１電極パターン（ＣＰ１－１）の少なくとも一部と重畳する第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）を含むことができる。オーバーコート層１３０の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）は、オーバーコート層１３０を貫通する第１開口領域（ＯＡ１）、オーバーコート層１３０に第１傾斜面（Ｓ１）を形成する第１傾斜領域（ＳＡ１）及びオーバーコート層１３０に第２傾斜面（Ｓ２）を形成する第２傾斜領域（ＳＡ２）を含むことができる。オーバーコート層１３０の第１開口領域（ＯＡ１）は、フルトーン（ｆｕｌｌ－ｔｏｎｅ）フォトマスクを用いたフォト工程により形成され、オーバーコート層１３０の第１傾斜領域（ＳＡ１）及び第２傾斜領域（ＳＡ２）は、ハーフトーンフォトマスクを用いたフォト工程によって形成することができる。

オーバーコート層１３０の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）は、ウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）を眺める第１側および前記第１側と対向する第２側に第１傾斜面（Ｓ１）が設けられ、第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）の発光領域（ＥＡ）を眺める第３側および前記第３側と対向する第４側に第２傾斜面（Ｓ２）を設けることができる。本発明の一実施例によるオーバーコート層１３０は、第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）に形成された第１傾斜面（Ｓ１）と第２傾斜面（Ｓ２）が互いに異なる傾斜度を有することができる。

一実施例において、第１傾斜面（Ｓ１）の第１傾斜度（θ１）は、第２傾斜面（Ｓ２）の第２傾斜度（θ２）よりも大きく形成することもできる。第１傾斜面（Ｓ１）および第２傾斜面（Ｓ２）は、ハーフトーンフォトマスクの幅によって傾斜度を決定することができる。第１傾斜面（Ｓ１）は、図９に示すように、第３幅（Ｗ３）を有するハーフトーンフォトマスクを用いて形成され、第２傾斜面（Ｓ２）は、第３幅（Ｗ３）よりも大きい第４幅（Ｗ４）をハーフトーンマスクを用いて形成することができる。第１傾斜面（Ｓ１）は、幅が狭いハーフトーンフォトマスクを用いることで、急な傾斜度を有するように形成することができる。一方、第２傾斜面（Ｓ２）は、幅が広いハーフトーンフォトマスクを用いることにより、緩やかな傾斜度を有するように形成することができる。

パッシベーション層１１８は、オーバーコート層１３０と第１接続電極（ＣＰ１）の間に設けられ、オーバーコート層１３０の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）と重畳する第２駆動コンタクトホール（ＤＨ２）を含むことができる。例えば、第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）は、第２駆動コンタクトホール（ＤＨ２）よりも大きくてもよく、第１及び第２駆動コンタクトホール（ＤＨ１、ＤＨ２）は、互いに重畳することができる。パッシベーション層１１８の第２駆動コンタクトホール（ＤＨ２）は、パッシベーション層１１８を貫通して第１接続電極（ＣＰ１）の第１電極パターン（ＣＰ１－１）を露出させる第３開口領域（ＯＡ３）を含むことができる。パッシベーション層１１８の第３開口領域（ＯＡ３）は、湿式エッチング工程を通じて形成することができる。

パッシベーション層１１８の第３開口領域（ＯＡ３）は、オーバーコート層１３０の第１開口領域（ＯＡ１）内に配置され、第１開口領域（ＯＡ１）より小さい面積を有することができる。一例として、オーバーコート層１３０の第１開口領域（ＯＡ１）は、図９に示すように、第１幅（Ｗ１）を有する四角形状を有することができ、パッシベーション層１１８の第３開口領域（ＯＡ３）は、第１幅（Ｗ１）よりも小さい第２幅（Ｗ２）を有する四角形状を有することができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。オーバーコート層１３０の第１開口領域（ＯＡ１）およびパッシベーション層１１８の第３開口領域（ＯＡ３）は、円形、楕円形、多角形など様々な形状のうちの１つで形成することができる。一方、オーバーコート層１３０の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）は、パッシベーション層１１８の第２駆動コンタクトホール（ＤＨ２）及びパッシベーション層１１８の上面の一部を露出させることができる。

第１接続電極（ＣＰ１）の第１電極パターン（ＣＰ１－１）は、オーバーコート層１３０の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）及びパッシベーション層１１８の第２駆動コンタクトホール（ＤＨ２）からなる駆動コンタクト部（ＤＣＴ）を介して、第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）の第１アノード電極（ＡＥ１）と電気的に接続することができる。

第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）は、第１アノード電極（ＡＥ１）を含む発光素子１５０を含むことができる。第１アノード電極（ＡＥ１）は、第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）の発光領域（ＥＡ）に配置された第１発光部（ＡＥ１－１）及び第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）の回路領域（ＣＡ）に配置された第１接続部（ＡＥ１－２）を含むことができる。

第１接続部（ＡＥ１－２）は、第１発光部（ＡＥ１－１）から突出して回路領域（ＣＡ）方向に延び、一端が駆動コンタクトホールと重畳するように設けることができる。具体的には、第１接続部（ＡＥ１－２）は、オーバーコート層１３０の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）及びパッシベーション層１１８の第２駆動コンタクトホール（ＤＨ２）からなる駆動コンタクトホールに設けられ、駆動コンタクトホールにおいて、第１接続電極（ＣＰ１）の第１電極パターン（ＣＰ１－１）と接することができる。これにより、第１アノード電極（ＡＥ１）は、第１接続電極（ＣＰ１）と電気的に接続することができる。

一方、第１接続電極（ＣＰ１）の第２電極パターン（ＣＰ１－２）は、図６Ａに示すように第１電極パターン（ＣＰ１－１）から突出して駆動トランジスタ（ＤＴＲ）と重畳する領域まで延長することができる。第１接続電極（ＣＰ１）の第２電極パターン（ＣＰ１－２）は、ウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）と第１画素（Ｐ１）の副画素（ＳＰ１－１）に設けられた発光領域（ＥＡ）の間に設けることができる。すなわち、第１接続電極（ＣＰ１）の第２電極パターン（ＣＰ１－２）は、ウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）と第１画素（Ｐ１）の副画素（ＳＰ１－１）に設けられた第１アノード電極（ＡＥ１）の第１発光部（ＡＥ１－１）の間に設けることができる。

第１接続電極（ＣＰ１）の第２電極パターン（ＣＰ１－２）は、図７に示すように、ゲート絶縁層１１４を貫通する第１コンタクトホール（ＣＨ１）を介して、ソース領域（Ｓ）またはドレイン領域（Ｄ）に配置された第２アクティブ層（ＡＣＴ２）と電気的に接続することができる。結果的に、第１アノード電極（ＡＥ１）は、第１接続電極（ＣＰ１）を介して駆動トランジスタ（ＤＴＲ）と電気的に接続することができる。これにより、第１アノード電極（ＡＥ１）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）から画素電源の供給を受けることができる。

再び図６Ａを参照すると、ウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）は、特定副画素に隣接して配置された隣接する副画素の発光領域（ＥＡ）に配置された発光素子１５０と、特定副画素の回路領域（ＣＡ）に配置された駆動トランジスタ（ＤＴＲ）を電気的に接続するためのコンタクト部に該当する。

具体的には、ウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）は、第２画素（Ｐ２）に設けられた隣接副画素（ＳＰ１－２）の発光領域（ＥＡ）に配置された発光素子１５０と、第１画素（Ｐ１）を具備した副画素（ＳＰ１－１）の回路領域（ＣＡ）に配置された駆動トランジスタ（ＤＴＲ）を電気的に接続するためのものであり得る。ここで、第２画素（Ｐ２）に設けられた隣接副画素（ＳＰ１－２）は、第２画素（Ｐ２）に設けられた第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）のうちの１つであり得、第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）と同じ色相の光を放出することができる。

本発明の一実施例に係る発光表示装置は、第２画素（Ｐ２）に設けられた隣接副画素（ＳＰ１－２）の駆動トランジスタに不良が発生した場合、第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）の駆動トランジスタ（ＤＴＲ）と隣接副画素（ＳＰ１－２）の発光素子１５０とを、ウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）を介して電気的に接続することができる。これにより、本発明の一実施例による発光表示装置は、隣接副画素（ＳＰ１－２）の発光素子１５０が駆動トランジスタの不良にもかかわらず正常に動作することができようにすることができる。

ウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）は、第２画素（Ｐ２）に設けられた隣接副画素（ＳＰ１－２）の駆動トランジスタが正常であれば、隣接副画素（ＳＰ１－２）の発光素子１５０と、第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）の駆動トランジスタ（ＤＴＲ）を電気的に分離することができる。一方、ウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）は、第２画素（Ｐ２）に設けられた隣接副画素（ＳＰ１－２）の駆動トランジスタに不良が発生すると、レーザー照射を介して隣接副画素（ＳＰ１－２）の発光素子１５０と第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）の駆動トランジスタ（ＤＴＲ）とを電気的に接続することができる。

ウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）は、第２接続電極（ＣＰ２）およびウェルディングコンタクトホールを含む少なくとも１つの絶縁層を含むことができる。

図９、図１０及び図１３を参照すると、第２接続電極（ＣＰ２）は、第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）の駆動トランジスタ（ＤＴＲ）と電気的に接続することができる。第２接続電極（ＣＰ２）は、第１接続電極（ＣＰ１）とは異なる層に設けることができる。一実施例において、第２接続電極（ＣＰ２）は、遮光層（ＬＳ）と同じ層に設けることができる。第２接続電極（ＣＰ２）は、遮光層（ＬＳ）から延びて１つの層に形成することもできるが、必ずしもこれに限定されるものではない。第２接続電極（ＣＰ２）は、遮光層（ＬＳ）と離隔した１つのパターンで形成することができる。

第２接続電極（ＣＰ２）は、ウェルディングコンタクトホールと重畳するように設けることができる。第２接続電極（ＣＰ２）は、ウェルディングコンタクトホールと重畳する領域において絶縁層、例えばバッファ層１１２を間に挟んで第２画素（Ｐ２）に設けられた隣接副画素（ＳＰ１－２）の発光素子１５０、特に第２アノード電極（ＡＥ２）と離隔することができる。第２接続電極（ＣＰ２）は、隣接副画素（ＳＰ１－２）の第２アノード電極（ＡＥ２）と電気的に分離することができる。

第２接続電極（ＣＰ２）上には、ウェルディングコンタクトホールを含む少なくとも１つの絶縁層を設けることができる。少なくとも１つの絶縁層は、有機絶縁層および無機絶縁層のうちの少なくとも１つを含むことができる。一例では、有機絶縁層はオーバーコート層１３０であり得、無機絶縁層はパッシベーション層１１８であり得る。

オーバーコート層１３０は、第２接続電極（ＣＰ２）上に設けられ、第２接続電極（ＣＰ２）の少なくとも一部と重畳する第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）を含むことができる。オーバーコート層１３０の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）は、オーバーコート層１３０を貫通する第２開口領域（ＯＡ２）、オーバーコート層１３０に第３傾斜面（Ｓ３）を形成する第３傾斜領域（ＳＡ３）及びオーバーコート層１３０に第４傾斜面（Ｓ４）を形成する第４傾斜領域（ＳＡ４）を含むことができる。オーバーコート層１３０の第２開口領域（ＯＡ２）は、フルトーンフォトマスクを用いたフォト工程によって形成され、オーバーコート層１３０の第３傾斜領域（ＳＡ３）及び第４傾斜領域（ＳＡ４）は、ハーフトーンフォトマスクを用いたフォト工程によって形成することができる。

オーバーコート層１３０の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）は、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）を眺める第１側及び前記第１側と対向する第２側に第３傾斜面（Ｓ３）を具備し、第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）の発光領域（ＥＡ）を眺める第３側、および前記第３側と対向する第４側に第４傾斜面（Ｓ４）を設けることができる。本発明の一実施例によるオーバーコート層１３０は、第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）に形成された第３傾斜面（Ｓ３）と第４傾斜面（Ｓ４）が互いに異なる傾斜度を有することができる。

一実施例において、第３傾斜面（Ｓ３）の第３傾斜度（θ３）は、第４傾斜面（Ｓ４）の第４傾斜度（θ４）よりも大きく形成することができる。第３傾斜面（Ｓ３）および第４傾斜面（Ｓ４）は、ハーフトーンフォトマスクの幅によって傾斜度を決定することができる。第３傾斜面（Ｓ３）は、図９に示すように、第３幅（Ｗ３）を有するハーフトーンフォトマスクを用いて形成され、第４傾斜面（Ｓ４）は、第３幅（Ｗ３）よりも広い第４幅（Ｗ４）をハーフトーンマスクを用いて形成することができる。第３傾斜面（Ｓ３）は、狭い幅のハーフトーンフォトマスクを用いることで、急な傾斜度を有するように形成することができる。一方、第４傾斜面（Ｓ４）は、広い幅のハーフトーンフォトマスクを用いることにより、緩やかな傾斜度を有するように形成することができる。

パッシベーション層１１８は、オーバーコート層１３０と第２接続電極（ＣＰ２）の間に設けられ、オーバーコート層１３０の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）と重畳する第２ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ２）を含むことができる。パッシベーション層１１８の第２ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ２）は、パッシベーション層１１８を貫通する第４開口領域（ＯＡ４）を含むことができる。パッシベーション層１１８の第４開口領域（ＯＡ４）は、湿式エッチング工程を通じて形成することができる。また、第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）は、第２ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ２）よりも大きくてもよく、第２ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ２）上に位置することができる。

パッシベーション層１１８の第４開口領域（ＯＡ４）は、オーバーコート層１３０の第２開口領域（ＯＡ２）内に配置され、第２開口領域（ＯＡ２）より小さい面積を有することができる。一例として、オーバーコート層１３０の第２開口領域（ＯＡ２）は、図９に示すように、第１幅（Ｗ１）を有する四角形状を有することができ、パッシベーション層１１８の第４開口領域（ＯＡ４）は、第１幅（Ｗ１）よりも狭い第２幅（Ｗ２）を有する四角形状を有することができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。オーバーコート層１３０の第２開口領域（ＯＡ２）及びパッシベーション層１１８の第４開口領域（ＯＡ４）は、円形、楕円形、多角形状など様々な形状のうちの１つで形成することができる。一方、オーバーコート層１３０の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）は、パッシベーション層１１８の第２ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ２）及びパッシベーション層１１８の上面の一部を露出させることができる。

オーバーコート層１３０の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）及びパッシベーション層１１８の第２ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ２）からなるウェルディングコンタクトホールは、第２画素（Ｐ２）に設けられた隣接副画素（ＳＰ１－２）の駆動トランジスタに不良が発生すると、隣接副画素（ＳＰ１－２）の第２アノード電極（ＡＥ２）と第２接続電極（ＣＰ２）を電気的に接続するためにレーザーを照射するウェルディングポイントと対応することができる。

第２画素（Ｐ２）に設けられた隣接副画素（ＳＰ１－２）の駆動トランジスタが正常であれば、第２接続電極（ＣＰ２）は、図１０及び図１３に示すようにオーバーコート層１３０の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）およびパッシベーション層１１８の第２ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ２）とからなるウェルディングコンタクトホールにおいて、バッファ層１１２を挟んで隣接副画素（ＳＰ１－２）の第２アノード電極（ＡＥ２）と電気的に分離することができる。

一方、第２画素（Ｐ２）に設けられた隣接副画素（ＳＰ１－２）の駆動トランジスタに不良が発生すると、第２接続電極（ＣＰ２）は図１４に示すようにウェルディングコンタクトホールにレーザーを照射することにより、電気的に分離されていた隣接副画素（ＳＰ１－２）の第２アノード電極（ＡＥ２）と電気的に接続することができる。

具体的には、第２画素（Ｐ２）に設けられた副画素（ＳＰ１－２）は、第２アノード電極（ＡＥ２）を含む発光素子１５０を含むことができる。第２アノード電極（ＡＥ２）は、第２画素（Ｐ２）に設けられた副画素（ＳＰ１－２）の発光領域（ＥＡ）に配置された第２発光部（ＡＥ２－１）及び第１画素（Ｐ１）にされた副画素（ＳＰ１－１）の回路領域（ＣＡ）に配置された第２接続部（ＡＥ２－２）を含むことができる。

第２接続部（ＡＥ２－２）は、第２発光部（ＡＥ２－１）から突出して第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）の回路領域（ＣＡ）方向に延長することができる。第２接続部（ＡＥ２－２）は、一端がウェルディングコンタクトホールと重畳するように設けることができる。第２アノード電極（ＡＥ２）の第２接続部（ＡＥ２－２）は、オーバーコート層１３０の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）とパッシベーション層１１８の第２ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ２）とからなるウェルディングコンタクトホールに設けられ、ウェルディングコンタクトホールにおいてバッファ層１１２を挟んで第２接続電極（ＣＰ２）と電気的に分離することができる。

ウェルディングコンタクトホール、特にパッシベーション層１１８の第２ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ２）に対応するウェルディング地点にレーザーを照射すると、第２アノード電極（ＡＥ２）の第２接続部（ＡＥ２－２）は、図１４に示すように、ウェルディングコンタクトホールにおいて第２接続電極（ＣＰ２）と接することができる。これにより、第２アノード電極（ＡＥ２）は、第２接続電極（ＣＰ２）と電気的に接続することができる。

一方、第２接続電極（ＣＰ２）は、第１接続電極（ＣＰ１）を介して駆動トランジスタ（ＤＴＲ）に電気的に接続することができる。一実施例において、第１接続電極（ＣＰ１）は、第３電極パターン（ＣＰ１－３）をさらに含むことができる。第１接続電極（ＣＰ１）の第１電極パターン（ＣＰ１－１）、第２電極パターン（ＣＰ１－２）及び第３電極パターン（ＣＰ１－３）は、１つの層に設けることができる。

第１接続電極（ＣＰ１）の第３電極パターン（ＣＰ１－３）は、図６Ａに示すように第１電極パターン（ＣＰ１－１）から突出して、ウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の下領域まで延長することができる。第１接続電極（ＣＰ１）の第３電極パターン（ＣＰ１－３）は、ウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）と第２画素（Ｐ２）の隣接副画素（ＳＰ１－２）に設けられた発光領域（ＥＡ）との間に設けることができる。すなわち、第１接続電極（ＣＰ１）の第３電極パターン（ＣＰ１－３）は、ウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）と第２画素（Ｐ２）の隣接副画素（ＳＰ１－２）に設けられた第２アノード電極（ＡＥ２）の第２発光部（ＡＥ２－１）の間に設けることができる。

第１接続電極（ＣＰ１）の第３電極パターン（ＣＰ１－３）は、図１０に示すようにバッファ層１１２を貫通する第２コンタクトホール（ＣＨ２）を介して、第２接続電極（ＣＰ２）と電気的に接続することができる。一方、第１接続電極（ＣＰ１）の第２電極パターン（ＣＰ１－２）は、図８に示すようにゲート絶縁層１１４を貫通する第１コンタクトホール（ＣＨ１）を介して、ソース領域（Ｓ）または、ドレイン領域（Ｄ）に配置された第２アクティブ層（ＡＣＴ２）と電気的に接続することができる。結果的に、第２アノード電極（ＡＥ２）は、第１接続電極（ＣＰ１）および第２接続電極（ＣＰ２）を介して、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）と電気的に接続することができる。これにより、第２アノード電極（ＡＥ２）は、第１画素（Ｐ１）の副画素（ＳＰ１－１）に設けられた駆動トランジスタ（ＤＴＲ）から画素電源の供給を受けることができる。

一方、データ接続パターン（ＤＣＰ）は、データライン（ＤＬ）と電気的に接続し、データライン（ＤＬ）から供給されるデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を駆動トランジスタ（ＤＴＲ）に伝達することができる。このようなデータ接続パターン（ＤＣＰ）は、図１２に示すように、一端で第４コンタクトホール（ＣＨ４）を介して駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のゲート電極（ＧＥ）と電気的に接続し、他端で第５コンタクトホール（ＣＨ５）を介してデータライン（ＤＬ）と電気的に接続することができる。一実施例において、データ接続パターン（ＤＣＰ）は、第５コンタクトホール（ＣＨ５）に設けられた別途の接続パターン（ＣＰ）を用いてデータライン（ＤＬ）と電気的に接続することができる。ここで、接続パターン（ＣＰ）はデータ接続パターン（ＤＣＰ）上に配置し、一例として、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のゲート電極（ＧＥ）と同じ層に形成することができる。

本発明の一実施例によるデータ接続パターン（ＤＣＰ）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のアクティブ層（ＡＣＴ）と同じ層に同じ物質で形成されることを特徴とする。具体的には、データ接続パターン（ＤＣＰ）は、第１層（ＤＣＰ１）および第２層（ＤＣＰ２）を含む二重層構造を有することができる。データ接続パターン（ＤＣＰ）の第１層（ＤＣＰ１）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）の第１アクティブ層（ＡＣＴ１）と同じ層に同じ物質で形成することができる。データ接続パターン（ＤＣＰ）の第１層（ＤＣＰ１）は、半導体物質、例えばインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｏ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＧＺＯ）で構成することができる。また、データ接続パターン（ＤＣＰ）の第２層（ＤＣＰ２）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）の第２アクティブ層（ＡＣＴ２）と同じ層に同じ物質で形成することができる。データ接続パターン（ＤＣＰ）の第２層（ＤＣＰ２）は、導電物質、例えばモリブデンチタン（ＭｏＴｉ）で構成することができる。

データ接続パターン（ＤＣＰ）は、少なくとも一部がゲートライン（ＧＬ）と重畳することができる。データ接続パターン（ＤＣＰ）は、ゲートライン（ＧＬ）と重畳する領域にゲートライン（ＧＬ）と共に第１スイッチングトランジスタ（ＴＲ１）を形成することができる。具体的には、第１スイッチングトランジスタ（ＴＲ１）は、ゲート電極およびアクティブ層を含むことができる。第１スイッチングトランジスタ（ＴＲ１）のゲート電極は、ゲートライン（ＧＬ）の一部として形成され、第１スイッチングトランジスタ（ＴＲ１）のアクティブ層は、ゲートライン（ＧＬ）と重畳する領域に設けられたデータ接続パターン（ＤＣＰ）の一部として形成することができる。データ接続パターン（ＤＣＰ）は、ゲートライン（ＧＬ）と重畳する領域に第１層（ＤＣＰ１）のみを具備してチャネル領域を形成することができる。一方、データ接続パターン（ＤＣＰ）のチャネル領域の両側には、第１層（ＤＣＰ１）及び第２層（ＤＣＰ２）が設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。

第１スイッチングトランジスタ（ＴＲ１）は、ゲートライン（ＧＬ）を介して印加されたスキャン信号に対応してターンオンすると、データライン（ＤＬ）から供給されるデータ電圧（Ｖｄａｔａ）をデータ接続パターン（ＤＣＰ）を介して駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のゲート電極（ＧＥ）に伝達することができる。

データ接続パターン（ＤＣＰ）は、第２レーザーカッティング領域（ＬＣＡ２）を含むことができる。具体的には、データ接続パターン（ＤＣＰ）は、第１スイッチングトランジスタ（ＴＲ１）とデータライン（ＤＬ）の間に配置された第２レーザーカッティング領域（ＬＣＡ２）を含むことができる。本発明の一実施例に係る発光表示装置は、回路素子の一部に不良が発生した場合、第２レーザーカッティング領域（ＬＣＡ２）のデータ接続パターン（ＤＣＰ）を図１５に示したようにレーザーでカッティングすることにより、不良が発生した回路素子と発光素子（ＯＬＥＤ）を電気的に分離させることができる。第２レーザーカッティング領域（ＬＣＡ２）に設けられたデータ接続パターン（ＤＣＰ）をレーザーでカッティングすると、図１５に示したように駆動トランジスタ（ＤＴＲ）をデータライン（ＤＬ）と電気的に分離することができる。これにより、データライン（ＤＬ）から供給されるデータ電圧（Ｖｄａｔａ）が駆動トランジスタ（ＤＴＲ）に伝達されないことがあり得る。

リファレンス接続パターン（ＲＣＰ）は、リファレンスライン（ＲＬ）と電気的に接続し、リファレンスライン（ＲＬ）から供給される基準電圧（Ｖｒｅｆ）を駆動トランジスタ（ＤＴＲ）に伝達することができる。このリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）は、図１３に示したように、一端で第２コンタクトホール（ＣＨ２）を介して第１接続電極（ＣＰ１）の第３電極パターン（ＣＰ１－３）と電気的に接続することができる。リファレンス接続パターン（ＲＣＰ）は、一端が第２コンタクトホール（ＣＨ２）で露出することができ、第１接続電極（ＣＰ１）の第３電極パターン（ＣＰ１－３）が、第２コンタクトホール（ＣＨ２）を覆いながら露出したリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）の一端と接することができる。これにより、リファレンス接続パターン（ＲＣＰ）は、第１接続電極（ＣＰ１）の第３電極パターン（ＣＰ１－３）と電気的に接続することができる。一方、第１接続電極（ＣＰ１）の第２電極パターン（ＣＰ１－２）は、図７に示したようにゲート絶縁層１１４を貫通する第１コンタクトホール（ＣＨ１）を介して、ソース領域（Ｓ）に配置された第２アクティブ層（ＡＣＴ２）と電気的に接続することができる。結果的に、リファレンス接続パターン（ＲＣＰ）は、第１接続電極（ＣＰ１）を介して駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のソース領域（Ｓ）に配置されたアクティブ層（ＡＣＴ）と電気的に接続することができる。

本発明の一実施例によるリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のアクティブ層（ＡＣＴ）と同じ層に同じ物質で形成されることを特徴とする。具体的には、リファレンス接続パターン（ＲＣＰ）は、第１層（ＲＣＰ１）と第２層（ＲＣＰ２）を含む二重層構造を有することができる。リファレンス接続パターン（ＲＣＰ）の第１層（ＲＣＰ１）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）の第１アクティブ層（ＡＣＴ１）と同じ層に同じ物質で形成することができる。リファレンス接続パターン（ＲＣＰ）の第１層（ＲＣＰ１）は、半導体物質、例えばインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｏ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＧＺＯ）で構成することができる。また、リファレンス接続パターン（ＲＣＰ）の第２層（ＲＣＰ２）は、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）の第２アクティブ層（ＡＣＴ２）と同じ層に同じ物質で形成することができる。リファレンス接続パターン（ＲＣＰ）の第２層（ＲＣＰ２）は、導電物質、例えばモリブデンチタン（ＭｏＴｉ）で構成することができる。

リファレンス接続パターン（ＲＣＰ）は、少なくとも一部がゲートライン（ＧＬ）と重畳することができる。リファレンス接続パターン（ＲＣＰ）は、ゲートライン（ＧＬ）と重畳する領域にゲートライン（ＧＬ）と共に第２スイッチングトランジスタ（ＴＲ２）を形成することができる。具体的には、第２スイッチングトランジスタ（ＴＲ２）は、ゲート電極とアクティブ層を含むことができる。第２スイッチングトランジスタ（ＴＲ２）のゲート電極は、ゲートライン（ＧＬ）の一部として形成し、第２スイッチングトランジスタ（ＴＲ２）のアクティブ層は、ゲートライン（ＧＬ）と重畳する領域に設けられたリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）の一部として形成することができる。リファレンス接続パターン（ＲＣＰ）は、ゲートライン（ＧＬ）と重畳する領域に第１層（ＲＣＰ１）のみを具備してチャネル領域を形成することができる。一方、リファレンス接続パターン（ＲＣＰ）のチャネル領域の両側には、第１層（ＲＣＰ１）及び第２層（ＲＣＰ２）が設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。

第２スイッチングトランジスタ（ＴＲ２）は、ゲートライン（ＧＬ）を介して印加されるスキャン信号に対応してターンオンすると、リファレンスライン（ＲＬ）から供給される基準電圧（Ｖｒｅｆ）をリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）を通じて駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のソース領域（Ｓ）に配置されたアクティブ層（ＡＣＴ）に伝達することができる。

このリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）は、第３レーザーカッティング領域（ＬＣＡ３）を含むことができる。具体的には、リファレンス接続パターン（ＲＣＰ）は、第２スイッチングトランジスタ（ＴＲ２）とリファレンスライン（ＲＬ）の間に配置された第３レーザーカッティング領域（ＬＣＡ３）を含むことができる。本発明の一実施例に係る発光表示装置は、回路素子の一部に不良が発生した場合、第３レーザーカッティング領域（ＬＣＡ３）のリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）を図１５に示したようにレーザーでカッティングすることにより、不良が発生した回路素子と発光素子（ＯＬＥＤ）を電気的に分離させることができる。第３レーザーカッティング領域（ＬＣＡ３）に設けられたリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）をレーザーでカッティングすると、図１５に示したように、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）をリファレンスライン（ＲＬ）と電気的に分離することができる。これにより、リファレンスライン（ＲＬ）から供給される基準電圧（Ｖｒｅｆ）が駆動トランジスタ（ＤＴＲ）に伝達されないことがあり得る。

本発明の一実施例に係る発光表示装置は、第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）、データ接続パターン（ＤＣＰ）及びリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）のうちの少なくとも１つを、低いレーザーパワーでもカットできる物質で形成することができる。一実施例では、第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）、データ接続パターン（ＤＣＰ）、およびリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）のうちの少なくとも１つは、モリブデンチタン（ＭｏＴｉ）を含むことができる。これにより、本発明の一実施例による発光表示装置は、低レーザーパワーでも、第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）、データ接続パターン（ＤＣＰ）、およびリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）のうちの少なくとも１つをカッティングすることができる。本発明の一実施例に係る発光表示装置は、レーザーパワーの低減が可能である。

また、本発明の一実施例に係る発光表示装置は、第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）、データ接続パターン（ＤＣＰ）、及びリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）のうちの少なくとも１つをカッティングするためのレーザーパワーが低いため、上部に形成された発光素子１５０がレーザーパワーによって損傷するのを防止することができる。

また、本発明の一実施例に係る発光表示装置は、第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）、データ接続パターン（ＤＣＰ）及びリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）のうちの少なくとも１つを、駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のアクティブ層（ＡＣＴ）と同じ層に同じ物質で形成することができる。本発明の一実施例に係る発光表示装置は、第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）、データ接続パターン（ＤＣＰ）及びリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）のうちの少なくとも１つと発光素子１５０の間の垂直離隔距離が相対的に大きいので、レーザーパワーが発光素子１５０に影響を及ぼさないことがあり得る。

また、本発明の一実施例に係る発光表示装置は、第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）、データ接続パターン（ＤＣＰ）及びリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）のうちの少なくとも１つと発光素子１５０が十分な距離で離隔しているので、レーザーパワーが発光素子１５０に到達しないように、接続パターンと発光素子１５０の間にカラーフィルタなどの層を別途設ける必要がない。

また、本発明の一実施例に係る発光表示装置は、第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）、データ接続パターン（ＤＣＰ）及びリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）のうちの少なくとも１つと発光素子１５０の間に垂直な離隔距離が十分であるため、水平離隔距離を減少させることができる。これにより、本発明の一実施例による発光表示装置は、回路領域（ＣＡ）の面積を減少させ、発光領域（ＥＡ）の面積を増加させることができる。

また、本発明の一実施例に係る発光表示装置は、第２画素電源接続パターン（ＶＤＤＣＰ２）、データ接続パターン（ＤＣＰ）及びリファレンス接続パターン（ＲＣＰ）のうちの少なくとも１つを駆動トランジスタ（ＤＴＲ）のアクティブ層（ＡＣＴ）と同じ層に形成することにより、他の配線の設計自由度を確保することができる。

本発明の一実施例による発光表示装置は、光抽出部１４０を設けることで、発光素子層で発光した光の光抽出効率を向上させることができる。これにより、本発明の一実施例による発光表示装置は、低電力でも高い発光効率を有することができ、消費電力を低減することができる。

一方、本発明の一実施例による発光表示装置は、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）を第１方向（例、Ｘ軸方向）に隣接するように配置することができる。具体的には、本発明の一実施例による発光表示装置は、１つの副画素領域に設けられた回路領域（ＣＡ）内で、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）が第１方向（例、Ｘ軸方向）と平行な第１ライン上に隣接するように配置することができる。駆動コンタクト部（ＤＣＴ）およびウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）のそれぞれは、少なくとも一部が第１ラインに重畳することができる。ここで、第１ラインは、１つの画素（Ｐ）に設けられた第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）が配置された第２ラインと平行なラインであり得る。すなわち、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）とは、１つの画素（Ｐ）に設けられた第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）が配置された方向と同じ方向に配置することができる。

本発明の一実施例に係る発光表示装置は、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）を第１方向（例、Ｘ軸方向）に隣接するように配置することにより、回路領域（ＣＡ）の面積を減らすことができる。回路領域（ＣＡ）の第１方向（例、Ｘ軸方向）の長さは、発光領域（ＥＡ）の第１方向（例、Ｘ軸方向）の長さによって決定されるので、任意に短くすることはできない。また、回路領域（ＣＡ）の第１方向（例、Ｘ軸方向）の長さを短くすると、発光領域（ＥＡ）の第１方向（例、Ｘ軸方向）の長さも短くなり、発光領域（ＥＡ）の面積が減少し得る。そのため、回路領域（ＣＡ）の第１方向（例、Ｘ軸方向）の長さを短くすることにより、回路領域（ＣＡ）の面積を減少させることは好ましくない。

一方、回路領域（ＣＡ）の第２方向（例、Ｙ軸方向）の長さは、発光領域（ＥＡ）の第２方向（例、Ｙ軸方向）の長さと逆関係を有することができる。回路領域（ＣＡ）の第２方向（例、Ｙ軸方向）の長さを短くすると、発光領域（ＥＡ）の第２方向（例、Ｙ軸方向）の長さが長くなり得る。本発明の一実施例による発光表示装置は、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）を第１方向（例、Ｘ軸方向）に隣接して配置することにより、回路領域（ＣＡ）の第２方向（例、Ｙ軸方向）の長さを短くすることができる。これにより、本発明の一実施例に係る発光表示装置は、発光領域（ＥＡ）の第２方向（例、Ｙ軸方向）の長さを長くし、結果的に発光領域（ＥＡ）の面積を増加させることができる。

一方、本発明の一実施例に係る発光表示装置は、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）のそれぞれに形成された傾斜面は、互いに異なる傾斜度を有することができる。

具体的には、オーバーコート層１３０を貫通する駆動コンタクト部（ＤＣＴ）の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）は、ウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）を眺める第１側及び前記第１側と対向する第２側に第１傾斜面（Ｓ１）を具備し、第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）の発光領域（ＥＡ）を眺める第３側及び前記第３側と対向する第４側に、第２傾斜面（Ｓ２）を設けることができる。本発明の一実施例に係る発光表示装置は、第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）に形成された第１傾斜面（Ｓ１）の第１傾斜度（θ１）を、第２傾斜面（Ｓ２）の第２傾斜度（θ２）よりも大きく形成することができる。

また、オーバーコート層１３０を貫通するウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）は、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）を眺める第１側及び前記第１側と対向する第２側に第３傾斜面（Ｓ３）を具備し、第１画素（Ｐ１）に設けられた副画素（ＳＰ１－１）の発光領域（ＥＡ）を眺める第３側、および前記第３側と対向する第４側に第４傾斜面（Ｓ４）を設けることができる。本発明の一実施例に係る発光表示装置は、第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）に形成された第３傾斜面（Ｓ３）の第３傾斜度（θ３）を、第４傾斜面（Ｓ４）の第４傾斜度（θ４）よりも大きく形成することができる。

すなわち、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）は、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）間に形成された傾斜面が、高い傾斜度を有するように形成することができる。これにより、本発明の一実施例に係る発光表示装置は、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）を第１方向（例、Ｘ軸方向）に配置しながら駆動コンタクト部（ＤＣＴ）の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）の大きさを増加させることができる。

オーバーコート層１３０に形成された駆動コンタクト部（ＤＣＴ）の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）は、製造工程上の必要によって大きさを増加させることができる。特に、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）の第１開口領域（ＯＡ１）及びウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）の第２開口領域（ＯＡ２）のそれぞれの大きさを、増加させることができる。駆動コンタクト部（ＤＣＴ）の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）の第１開口領域（ＯＡ１）及びウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）の第２開口領域（ＯＡ２）のそれぞれの大きさが増加すると、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）の間の距離が短くなり得る。ここで、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）の傾斜面を形成するためのハーフトーンマスクとウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）の傾斜面を形成するためのハーフトーンマスク間に最小間隔が確保されないと、第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）と第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）の間に、傾斜面が所望の形状に形成されないことがあり得、これにより第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）と第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）のそれぞれに形成されるアノード電極が安定的に形成され難い。

アノード電極を安定的に形成するために駆動コンタクト部（ＤＣＴ）の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）の傾斜面を形成するためのハーフトーンマスクとウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）の傾斜面を形成するためのハーフトーンマスク間に最小間隔を確保するようになると、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）及びウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）が形成される領域の第１方向（例、Ｘ軸方向）の長さが増加し得る。発光表示装置は、高解像度であるほど、発光領域（ＥＡ）及び回路領域（ＣＡ）の第１方向（例、Ｘ軸方向）の長さが短くなるため、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）及びウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）を第１方向（例、Ｘ軸方向）に一列に配置することができず、第２方向（例、Ｙ軸方向）に一列に配置することになり得る。このような場合、回路領域（ＣＡ）の面積の増加により発光領域（ＥＡ）の面積を減少させることがあり得る。

本発明の一実施例に係る発光表示装置は、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）及びウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）の形成時、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の間の傾斜面が高い傾斜度を有するように形成することにより、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）の第１傾斜面（Ｓ１）を形成するためのハーフトーンマスクとウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）の第３傾斜面（Ｓ３）を形成するためのハーフトーンマスクとの間に、最小間隔が確保できるようにする。これにより、第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）と第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）の間に傾斜面を所望の形状に形成することができ、これにより、第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）と第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）のそれぞれに形成されるアノード電極を安定的に形成することができる。さらに、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）及びウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）が形成される領域の第１方向（例、Ｘ軸方向）の長さを増加する必要がないため、高解像度の発光表示装置においても駆動コンタクト部（ＤＣＴ）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）を第１方向（例、Ｘ軸方向）に隣接するように配置することができる。

一方、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）は、光抽出部１４０が設けられた発光領域（ＥＡ）との間に形成された傾斜面が、低い傾斜度を有するように形成することができる。これにより、本発明の一実施例による発光表示装置は、回路領域（ＣＡ）に隣接するように配置された光抽出部１４０を安定的に形成することができる。すなわち、本発明の一実施例に係る発光表示装置は、回路領域（ＣＡ）に隣接するように配置される光抽出部１４０の形状が変形して光抽出効率が低下することを防止することができる。

本発明の一実施例による発光表示装置は、第２アノード電極（ＡＥ２）がウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）において、第３傾斜面（Ｓ３）を覆うように形成することができる。これにより、本発明の一実施例による発光表示装置は、第２アノード電極（ＡＥ２）の形成時に、エッチング液がオーバーコート層１３０の第３傾斜面（Ｓ３）とパッシベーション層１１８の間に浸透することを防止することができる。

駆動コンタクト部（ＤＣＴ）の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）との間に形成されたオーバーコート層１３０は、図１０に示したように、下に第１接続電極（ＣＰ１）の縁領域を設けることができる。第２アノード電極（ＡＥ２）がウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）で第３傾斜面（Ｓ３）を覆わない場合、第２アノード電極（ＡＥ２）の形成時に、エッチング液がパッシベーション層１１８に浸透しやすい。ここで、パッシベーション層１１８にシムが存在すると、パッシベーション層１１８のシムを介してエッチング液が第１接続電極（ＣＰ１）に浸透し、第１接続電極（ＣＰ１）が損傷し得る。

本発明の一実施例に係る発光表示装置は、ウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）において、オーバーコート層１３０の第３傾斜面（Ｓ３）が高い傾斜度を有し、第２アノード電極（ＡＥ２）がオーバーコート層１３０の第３傾斜面（Ｓ３）を覆うように形成することにより、エッチング液がオーバーコート層１３０の第３傾斜面（Ｓ３）とパッシベーション層１１８の間に浸透することを効果的に防止することができる。さらに、本発明の一実施例による発光表示装置は、パッシベーション層１１８にシムが存在しても、パッシベーション層１１８のシムを介してエッチング液が第１接続電極（ＣＰ１）に浸透しないようにし、結果的に第１接続電極（ＣＰ１）が損傷するのを防止することができる。

また、本発明の一実施例による発光表示装置は、第１接続電極（ＣＰ１）がオーバーコート層１３０の第３傾斜面（Ｓ３）と重畳しないように形成することができる。これにより、本発明の一実施例による発光表示装置は、パッシベーション層１１８にシムが発生するのを最小限に抑えることができる。

駆動コンタクト部（ＤＣＴ）の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）の間に形成されたオーバーコート層１３０の下に設けられた第１接続電極（ＣＰ１）の面積を減少させることにより、オーバーコート層１３０の第３傾斜面（Ｓ３）とパッシベーション層１１８の境界領域におけるパッシベーション層１１８の段差を減少させることができる。これにより、パッシベーション層１１８は、オーバーコート層１３０の第３傾斜面（Ｓ３）との境界領域でシムが発生する可能性を低くすることができる。パッシベーション層１１８にシムが発生しても、第１接続電極（ＣＰ１）は、パッシベーション層１１８のシムとの距離が遠く、エッチング液の浸透が容易ではない。

また、本発明の一実施例による発光表示装置は、第１接続電極（ＣＰ１）がオーバーコート層１３０の第３傾斜面（Ｓ３）と十分な距離を有しているので、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）の第１駆動コンタクトホール（ＤＨ１）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）の第１ウェルディングコンタクトホール（ＷＨ１）の形成時に誤差が発生しても、オーバーコート層１３０の第３傾斜面（Ｓ３）とパッシベーション層１１８の境界領域と適正な離隔距離を確保することができる。これにより、本発明の一実施例による発光表示装置は、エッチング液による第１接続電極（ＣＰ１）の損傷を最小限に抑えることができる。

また、本発明の一実施例による発光表示装置は、ウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）を挟んで第２接続電極（ＣＰ２）と第１接続電極（ＣＰ１）を電気的に接続する第２コンタクトホール（ＣＨ２）および第１接続電極（ＣＰ１）と駆動トランジスタ（ＤＴＲ）を電気的に接続する第１コンタクトホール（ＣＨ１）を配置することができる。これにより、本発明の一実施例に係る発光表示装置は、駆動コンタクト部（ＤＣＴ）とウェルディングコンタクト部（ＷＣＴ）を第１方向（例、Ｘ軸方向）に配置した構造において回路領域（ＣＡ）の面積を最小化し、発光領域（ＥＡ）の面積を大幅に増加させることができる。

一方、本発明の一実施例による発光表示装置は、外部光が光抽出部１４０に反射するときに現れる虹パターン（またはレインボームラパターン）と放出形態の円形リングパターンを最小限に抑えることができる光抽出構造を有することができる。以下では、図１６Ａ～図１６Ｃを参照して虹パターンを最小化する光抽出構造について説明することにする。

図１６Ａは、画素別光抽出部の回転構造を示す図であり、図１６Ｂは、図１６Ａに示した１行ｊ列の画素に構成された光抽出部を拡大して示す図であり、図１６Ｃは、図１６Ａに示したｉ行ｊ列の画素に構成された光抽出部を拡大して示す図である。

発光表示装置は、非駆動またはオフ状態で外部光が光抽出部１４０に入射すると、光抽出部１４０の凸部１４３によって反射光が発生し、これは薄膜の複屈折性効果によって、光出射面を介して外部に出光することができる。このような反射光は、発光素子１５０の材質特性と層別屈折率差による波長別屈折角度の差による光の分散特性により、虹色相を有しつつ放射形態に広がる虹パターン（またはレインボームラパターン）と、放射形態の円形リングパターンを発生させ得る。例えば、反射光は、光の相殺干渉および／または補強干渉によって、放射形態の虹パターンおよび放射形態の円形リングパターンを発生させ、ブラック視感特性を低下させ得る。

本発明の一実施例に係る発光表示装置において、光抽出部１４０は、複数の画素（Ｐ）のそれぞれにおける反射光の相殺干渉及び／又は補強干渉により、放射形態の虹パターン及び放射形態の円形リングパターンの発生を低減または最小化するために、任意の基準点を中心に所定の角度で回転（または水平回転）するように構成することができる。例えば、複数の画素（Ｐ）のうちの１つ以上の画素（Ｐ）に配置された光抽出部１４０は、１つの画素（Ｐ）単位で該当する画素領域内で、任意の基準点を中心に０度より大きく６０度より小さい回転角度（Φ３）で回転して構成することができる。ここで、回転角度（Φ３）は、凹部１４１の第１チルトライン（ＴＬ１）と第１直線ライン（ＳＬ１）の間の角度、または凹部１４１の第２チルトライン（ＴＬ２）と第２直線ライン（ＳＬ２）の間の角度であり得る。例えば、複数の画素（Ｐ）のそれぞれに配置された光抽出部１４０の回転角度は、０度より大きく６０度より小さい回転角度（Φ３）の範囲内で第１方向（例、Ｘ軸方向）、第２方向（例、Ｙ軸方向）および対角線方向のうちの１つ以上の方向に沿って、非規則的またはランダムに設定することができる。例えば、任意の基準点は、画素（Ｐ）の第１～第４副画素（ＳＰ１～ＳＰ４）のそれぞれの発光領域（ＥＡ）内で、任意の位置または複数の凹部１４１のうちのいずれか１つの中心部（Ｃ）であり得る。

図１６Ａを参照すると、本発明の一実施例による発光表示装置は、複数の画素ブロック（ＰＢ）を含むことができる。表示領域（ＤＡ）は、複数の画素ブロック（ＰＢ）に分割またはブロック化することができる。複数の画素ブロック（ＰＢ）のそれぞれは、複数の画素グループ（ＰＧ［１，１］～ＰＧ［ｉ，ｊ］）を含むことができる。例えば、複数の画素ブロック（ＰＢ）のそれぞれは、ｉ×ｊ個（またはｉ個の行とｊ個の列）の画素グループ（ＰＧ［１，１］～ＰＧ［ｉ，ｊ］）を含むことができる。

表示領域（ＤＡ）に配置された複数の画素（Ｐ）は、複数の画素グループ（ＰＧ［１，１］～ＰＧ［ｉ，ｊ］）にグループ化することができる。例えば、複数の画素グループ（ＰＧ［１，１］～ＰＧ［ｉ，ｊ］）のそれぞれは、１つの画素（Ｐ）で構成することができる。

本発明の一実施例によれば、複数の画素グループ（ＰＧ［１，１］～ＰＧ［ｉ，ｊ］）の各画素（Ｐ）に配置された光抽出部１４０のうちの１つ以上は、該当する画素（Ｐ）内の任意の基準点を中心に予め設定された角度で回転して構成することができる。例えば、複数の画素グループ（ＰＧ［１，１］～ＰＧ［ｉ，ｊ］）のそれぞれにおいて、画素（Ｐ）に含まれる複数の副画素（ＳＰ）のそれぞれに配置された光抽出部１４０は、対応する副画素内のいずれかの凹部１４１の中心部を中心に予め設定された角度で回転して構成することができる。

複数の画素グループ（ＰＧ［１，１］～ＰＧ［ｉ，ｊ］）の各画素（Ｐ）に含まれる複数の副画素（ＳＰ）のそれぞれに配置された光抽出部１４０の回転角度は、同じであり得る。例えば、１つの画素（Ｐ）を構成する複数の副画素（ＳＰ）のそれぞれに配置された光抽出部１４０の回転角度は、同じであり得る。１つの画素（Ｐ）を構成する複数の副画素（ＳＰ）のそれぞれに配置された光抽出部１４０の回転角度は、画素別の回転角度であり得る。例えば、光抽出部１４０の画素別の回転角度は、１つの画素（Ｐ）を構成する複数の副画素（ＳＰ）のそれぞれに等しく設定された光抽出部１４０の回転角度を意味することができる。

例えば、画素グループ（ＰＧ［１，１］～ＰＧ［ｉ，ｊ］）のうち、隣接する画素グループに配置された光抽出部１４０の画素別の回転角度は、互いに異なり得る。例えば、画素グループ（ＰＧ［１，１］～ＰＧ［ｉ，ｊ］）のそれぞれに配置された光抽出部１４０の画素別の回転角度は、互いに１度又は３度以上の差を有することができる。例えば、画素グループ（ＰＧ［１，１］～ＰＧ［ｉ，ｊ］）のうち、互いに隣接していない１つ以上の画素グループに配置された光抽出部１４０の画素別の回転角度は、０度又は同じであり得る。残りの画素に配置された光抽出部１４０の画素別の回転角度は、０度より大きく６０より小さい範囲内で非規則的またはランダムに設定することができる。例えば、隣接する光抽出部１４０間の画素別の回転角度が３度以上の差を有する場合には、放射形態の虹パターンと共に発生する放射形態の円形リングパターンの発生を効果的に抑制または最小化することができる。

本発明の一実施例によれば、複数の画素ブロック（ＰＢ）のそれぞれにおいて、ｉ×ｊ個の画素グループ（ＰＧ［１，１］～ＰＧ［ｉ，ｊ］）のそれぞれに配置された光抽出部１４０の画素ブロック別の回転角度は、画素ブロック単位で異なるか、ランダムに設定することができる。例えば、複数の画素ブロック（ＰＢ）のうち、第１方向、第２方向、及び対角線方向のいずれかに沿って直接に隣接する画素ブロックに配置された光抽出部１４０の画素ブロック別の回転角度は、非対称性、非規則性、またはランダム性を有することができる。例えば、複数の画素ブロック（ＰＢ）のうち、第１方向、第２方向、及び対角線方向のいずれかに沿って直接に隣接する画素ブロックに配置された光抽出部１４０の画素ブロック別の回転角度は、全体的に互いに異なり得る。例えば、複数の画素ブロック（ＰＢ）のうち、第１方向、第２方向、及び対角線方向のいずれか一方向に沿って直接に隣接していない画素ブロックに配置された光抽出部１４０の画素ブロック別の回転角度のうちの一部は、０度または同じであり得る。

例えて説明すると、図１６Ｂ及び図１６Ｃに示すように、１×ｊ（又は１行ｊ列）の画素グループ（ＰＧ［１，ｊ］）に配置された光抽出部１４０の回転角度（θ３）は、２×ｊ（または２行ｊ列）の画素グループ（ＰＧ［２，ｊ］）に配置された光抽出部１４０の回転角度（θ３）と異なり得る。例えば、１×ｊ（又は１行ｊ列）の画素グループ（ＰＧ［１，ｊ］）に配置された光抽出部１４０の回転角度（θ３）は、２×ｊ（又は２行ｊ列）の画素グループ（ＰＧ［２，ｊ］）に配置された光抽出部１４０の回転角度（θ３）と１度又は３度以上の差を有することができる。例えば、図１６Ｂに示す１×ｊ（または１行ｊ列）の画素グループ（ＰＧ［１，ｊ］）に配置された光抽出部１４０の回転角度（θ３）は５度であり得る。図１６Ｃに示す２×ｊ（または２行ｊ列）の画素グループ（ＰＧ［２，ｊ］）に配置された光抽出部１４０の回転角度（θ３）は、１５度であり得る。

したがって、本発明の一実施例による発光表示装置は、複数の画素ブロック（ＰＢ）のそれぞれに配置された光抽出部１４０の画素ブロック別の回転角度が異なるように設定またはランダムに設定することができる。また、本発明の一実施例による発光表示装置は、複数の画素ブロック（ＰＢ）のそれぞれに含まれる複数の画素グループ（ＰＧ［１，１］～ＰＧ［ｉ，ｊ］）のそれぞれに配置された光抽出部１４０の画素別の回転角度を相違するように、またはランダムに設定することができる。さらに、本発明の一実施例による発光表示装置は、複数の画素グループ（ＰＧ［１，１］～ＰＧ［ｉ，ｊ］）のそれぞれに含まれる複数の副画素のそれぞれに配置された光抽出部１４０の副画素別の回転角度を相違するように、またはランダムに設定することができる。

これにより、本発明の一実施例に係る発光表示装置は、複数の画素（Ｐ）のそれぞれに配置された光抽出部１４０での反射によって発生する反射光の回折模様が画素（Ｐ）単位で変更され、これにより、複数の画素（Ｐ）のそれぞれの光抽出部１４０で発生する反射光の回折パターンが相殺または最小化されたり、反射光の回折パターンの非規則性またはランダム性によって、反射光の放射形態の虹パターンと放射形態の円形リングパターンの発生を抑制または最小化することができる。本発明の一実施例に係る発光表示装置は、非駆動又はオフ状態で外部光の反射により発生するブラック視感特性の低下を低減してリアルブラックを実現することができる。

本発明による発光表示装置は、全ての電子機器に適用することができる。例えば、本明細書による発光表示装置は、モバイルデバイス、ビデオ電話機、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、ウォッチフォン（ｗａｔｃｈ ｐｈｏｎｅ）、ウェアラブル機器（ｗｅａｒａｂｌｅ ｄｅｖｉｃｅ）、フォルダブル機器（ｆｏｌｄａｂｌｅ ｄｅｖｉｃｅ）、ローラブル機器（ｒｏｌｌａｂｌｅ ｄｅｖｉｃｅ）、ベンダブル機器（ｂｅｎｄａｂｌｅ ｄｅｖｉｃｅ）、フレキシブル機器（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｄｅｖｉｃｅ）、カーブド機器（ｃｕｒｖｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）、電子手帳、電子書籍、ＰＭＰ（ｐｏｒｔａｂｌｅ ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ ｐｌａｙｅｒ）、ＰＤＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ＭＰ３プレーヤー、モバイル医療機器、デスクトップＰＣ（ｄｅｓｋｔｏｐ ＰＣ）、ラップトップＰＣ（ｌａｐｔｏｐ ＰＣ）、ネットブックコンピュータ（ｎｅｔｂｏｏｋ ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、ワークステーション（ｗｏｒｋｓｔａｔｉｏｎ）、ナビゲーション、車両用ナビゲーション、車両用表示装置、テレビ、ウオールペーパー（ｗａｌｌ ｐａｐｅｒ）表示装置、サイネージ機器、ゲーム機器、ノートパソコン、モニター、カメラ、ビデオカメラ、および家電機器などに適用することができる。

以上、添付の図を参照して本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想から逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。したがって、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するものではなく説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。したがって、上記で説明した実施例はすべての点で例示的なものであり、限定的なものではないと理解されなければならない。本発明の保護範囲は、請求の範囲によって解釈されなければならず、それと同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。

１００：第１基板
１１０：画素回路層
ＬＳ：遮光層
１１２：バッファ層
１１８：パッシベーション層
１３０：オーバーコート層
１４０：光抽出部
１５０：発光素子
１８０：カラーフィルタ
２００：封止層
ＤＴＲ：駆動トランジスタ
ＤＣＴ：駆動コンタクト部
ＷＣＴ：ウェルディングコンタクト部
ＣＰ１：第１接続電極
ＣＰ２：第２接続電極
ＶＤＤＣＰ：画素電源接続パターン
ＤＣＰ：データ接続パターン
ＲＣＰ：リファレンス接続パターン
３００：第２基板

Claims (20)

1. 第１方向に隣接するように配置された発光領域と回路領域を含む副画素と、
   前記副画素の前記回路領域に設けられ、アクティブ層およびゲート電極を含む駆動トランジスタと、
   前記副画素の前記発光領域に設けられ、アノード電極、発光層及びカソード電極を含む発光素子と、
   前記副画素の前記駆動トランジスタに画素電源を供給する画素電源ラインと、
   前記画素電源ラインおよび前記副画素の前記駆動トランジスタを接続する画素電源接続パターンと、
   前記回路領域に設けられ、前記発光素子のアノード電極と前記駆動トランジスタを電気的に接続するための駆動コンタクト部と、
   前記回路領域に設けられ、前記副画素に隣接するように配置された隣接副画素に設けられた発光素子のアノード電極と前記駆動トランジスタをレーザーを照射して電気的に接続するためのウェルディングコンタクト部とを含み、
   前記画素電源接続パターンが、第１レーザーカッティング領域を含み、前記駆動トランジスタの前記アクティブ層と同じ層に同じ物質からなり、
   前記駆動トランジスタが、前記第１レーザーカッティング領域と、前記駆動コンタクト部及び前記ウェルディングコンタクト部のうちの少なくとも１つとの間に設けられ、
   前記駆動コンタクト部及び前記ウェルディングコンタクト部が、前記第１方向と交差する第２方向に隣接するように配置された、発光表示装置。
2. 前記画素電源接続パターンが、
   前記画素電源ラインと電気的に接続し、前記発光領域および前記駆動トランジスタの間で前記第２方向に延在する第１画素電源接続パターンと、
   前記第１画素電源接続パターンおよび前記駆動トランジスタを接続する第２画素電源接続パターンとを含む、請求項１に記載の発光表示装置。
3. 前記第２画素電源接続パターンが、前記第１レーザーカッティング領域を含み、前記駆動トランジスタの前記アクティブ層と同じ層に同じ物質からなる、請求項２に記載の発光表示装置。
4. 前記第２画素電源接続パターンが、前記駆動トランジスタの前記アクティブ層から延び、第１コンタクトホールを介して前記第１画素電源接続パターンと電気的に接続する、請求項２に記載の発光表示装置。
5. 前記第２画素電源接続パターンが、前記発光素子のアノード電極と重畳しない、請求項２に記載の発光表示装置。
6. 前記第１画素電源接続パターンが、前記駆動トランジスタのゲート電極と同じ層に同じ物質からなる、請求項２に記載の発光表示装置。
7. 前記アクティブ層が、半導体物質からなる第１アクティブ層、および前記第１アクティブ層上に設けられ、導電物質からなる第２アクティブ層を含む、請求項１に記載の発光表示装置。
8. 前記第１アクティブ層が、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＧＺＯ）からなり、前記第２アクティブ層は、モリブデンチタン（ＭｏＴｉ）からなる、請求項７に記載の発光表示装置。
9. 基準電圧が印加されるリファレンスラインと、
   前記リファレンスラインに接続し、前記副画素の前記駆動トランジスタに前記基準電圧を伝達するリファレンス接続パターンとをさらに含み、
   前記リファレンス接続パターンが、第２レーザーカッティング領域を含み、前記駆動トランジスタの前記アクティブ層と同じ層に同じ物質からなる、請求項１に記載の発光表示装置。
10. 前記駆動コンタクト部及び前記ウェルディングコンタクト部のうちの少なくとも１つが、前記第２レーザーカッティング領域と前記駆動トランジスタの間に配置される、請求項９に記載の発光表示装置。
11. 前記駆動コンタクト部が、前記駆動トランジスタと電気的に接続した第１接続電極を含み、
    前記ウェルディングコンタクト部は、前記第１接続電極とは異なる層に設けられ、前記駆動トランジスタと電気的に接続した第２接続電極を含み、
    前記リファレンス接続パターンは、前記第１接続電極および前記第２接続電極のうちの少なくとも１つを介して前記駆動トランジスタの前記アクティブ層と電気的に接続する、請求項９に記載の発光表示装置。
12. データ電圧が印加されるデータラインと、
    前記データラインに接続し、前記副画素の前記駆動トランジスタに前記データ電圧を伝達するデータ接続パターンとをさらに含み、
    前記データ接続パターンが、第３レーザーカッティング領域を含み、前記駆動トランジスタの前記アクティブ層と同じ層に同じ物質からなる、請求項１に記載の発光表示装置。
13. 前記駆動コンタクト部及び前記ウェルディングコンタクト部のうちの少なくとも１つが、前記第３レーザーカッティング領域と前記駆動トランジスタの間に配置される、請求項１２に記載の発光表示装置。
14. 前記データ接続パターンが、一端で第２コンタクトホールを介して前記駆動トランジスタのゲート電極と電気的に接続し、他端で第３コンタクトホールを介して前記データラインと電気的に接続する、請求項１２に記載の発光表示装置。
15. 前記第１接続電極の下に設けられた遮光層を含み、前記第２接続電極は前記遮光層と同じ層上に設けられる、請求項１１に記載の発光表示装置。
16. 前記第２接続電極は前記遮光層から延びて１つの層として形成される、請求項１５に記載の発光表示装置。
17. 前記第２接続電極は前記遮光層と離隔した１つのパターンとして形成される、請求項１５に記載の発光表示装置。
18. 前記ウェルディングコンタクト部はパッシベーション層を貫通するウェルディングコンタクトホールを含み、前記第２接続電極は前記ウェルディングコンタクトホールと重畳するように設けられる、請求項１１に記載の発光表示装置。
19. 前記副画素は前記発光領域と重畳された光抽出部をさらに含み、前記光抽出部は屈曲形状または凹凸形状を有する、請求項１に記載の発光表示装置。
20. 前記光抽出部は複数の凹部、および前記複数の凹部のそれぞれの周辺に配置された凸部を含む、請求項１９に記載の発光表示装置。