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JP7707607B2 - Method for manufacturing a support member and method for manufacturing a semiconductor device - Google Patents
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JP7707607B2 - Method for manufacturing a support member and method for manufacturing a semiconductor device - Google Patents

Method for manufacturing a support member and method for manufacturing a semiconductor device

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JP7707607B2 JP2021056559A JP2021056559A JP7707607B2 JP 7707607 B2 JP7707607 B2 JP 7707607B2 JP 2021056559 A JP2021056559 A JP 2021056559A JP 2021056559 A JP2021056559 A JP 2021056559A JP 7707607 B2 JP7707607 B2 JP 7707607B2
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Description

本開示は、支持部材の製造方法、及び、半導体装置の製造方法に関する。 This disclosure relates to a method for manufacturing a support member and a method for manufacturing a semiconductor device.

半導体装置の一態様として、基板上に配置された半導体チップの上に別の半導体チップを積層させる構造が注目を集めている。例えば、特許文献1は、半導体チップの上にスペーサを介して別の半導体チップを積層させる構成を開示している。また、特許文献2は、コントローラダイと、コントローラダイの上に支持部材によって支持されたメモリダイとを含む半導体ダイアッセンブリを開示している。このような構造は、例えば、ドルメン(Dolmen)構造とも呼ばれている。 As one aspect of semiconductor devices, a structure in which a semiconductor chip is stacked on top of another semiconductor chip arranged on a substrate has attracted attention. For example, Patent Document 1 discloses a configuration in which another semiconductor chip is stacked on top of a semiconductor chip via a spacer. Patent Document 2 discloses a semiconductor die assembly including a controller die and a memory die supported by a support member on top of the controller die. This type of structure is also called, for example, a Dolmen structure.

特開2007-220913号公報JP 2007-220913 A 特表2017-515306号公報Special table 2017-515306 publication

例えば特許文献2に示す半導体装置の構造には、高価なシリコンチップを含む支持部材が用いられている。また、この支持部材を作製するには、ダイシングにより各支持部材に個片化する前にシリコン等を研磨する工程が必要とされる。そこで、シリコンチップを含まない安価な支持部材を樹脂フィルム、例えばDAF(Die attach film)等の接着フィルムから作製することが検討されている。しかしながら、シリコンを含まずに樹脂フィルムから支持部材を作製する場合に樹脂フィルムをダイシングすると、ダイシングによって発生した粘着性のあるバリが個片化された支持部材の間に付着し、支持部材のピックアップを阻害してしまうことがある。 For example, the structure of the semiconductor device shown in Patent Document 2 uses a support member that contains an expensive silicon chip. In addition, to manufacture this support member, a process of polishing silicon or the like is required before dicing into individual support members. Therefore, it has been considered to manufacture inexpensive support members that do not contain silicon chips from a resin film, for example, an adhesive film such as DAF (Die Attach Film). However, when a support member is made from a resin film that does not contain silicon, if the resin film is diced, sticky burrs generated by dicing may adhere between the individual support members and hinder picking up of the support members.

そこで、本開示は、支持部材のピックアップ性を向上することができる支持部材の製造方法、及び、当該製造方法によって製造された支持部材を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 Therefore, the present disclosure provides a method for manufacturing a support member that can improve the pick-up ability of the support member, and a method for manufacturing a semiconductor device using the support member manufactured by this manufacturing method.

本開示は、支持部材の製造方法に関する。この製造方法は、基材フィルムに粘着層を介して接着フィルムが貼り付けられた積層フィルムを準備する工程と、接着フィルムを複数の支持部材に個片化する工程と、複数の支持部材それぞれを基材フィルムからピックアップする工程と、を備える。ピックアップする工程では、基材フィルムを3mm以上9mm以下のエキスパンド量でエキスパンドした状態で、複数の支持部材それぞれをピックアップする。 The present disclosure relates to a method for manufacturing a support member. This manufacturing method includes the steps of preparing a laminated film in which an adhesive film is attached to a base film via an adhesive layer, singulating the adhesive film into a plurality of support members, and picking up each of the plurality of support members from the base film. In the picking up step, each of the plurality of support members is picked up in a state in which the base film is expanded by an expansion amount of 3 mm or more and 9 mm or less.

上記の製造方法では、個片化された支持部材をピックアップする際、基材フィルムを3mm以上9mm以下のエキスパンド量でエキスパンドした状態で各支持部材をピックアップしている。この場合、エキスパンド量を通常よりも大きくしていることから、個片化された各支持部材の側面等へ粘着しているバリをエキスパンドにより引き剥がして、隣接する支持部材同士がバリで粘着されている状態を解消することができる。よって、この製造方法によれば、個片化された各支持部材をピックアップする際、隣接する支持部材同士がバリで繋がれていないため、個片化された支持部材のピックアップ性を向上することができる。なお、ここでいう「エキスパンド量」は、基材フィルムを固定端(例えばリングへの貼付け端)に対して持ち上げて支持部材間の距離を広げた際の基材フィルムの持ち上げ量(距離)である。 In the above manufacturing method, when picking up the individualized support members, the base film is expanded by an expansion amount of 3 mm to 9 mm, and each support member is picked up. In this case, since the expansion amount is larger than usual, the burrs adhering to the sides of each individualized support member can be peeled off by the expansion, and the state in which adjacent support members are stuck to each other by the burrs can be eliminated. Therefore, according to this manufacturing method, when picking up each individualized support member, adjacent support members are not connected to each other by burrs, so that the pick-up ability of the individualized support members can be improved. Note that the "expansion amount" referred to here is the amount (distance) by which the base film is lifted when the base film is lifted relative to the fixed end (e.g., the end attached to the ring) to increase the distance between the support members.

上記の支持部材の製造方法は、接着フィルムが個片化用のリングの内側に配置されるように基材フィルムを粘着層を介してリングに貼り付ける工程を更に備えてもよく、この貼り付ける工程では、積層フィルムの伸び率が100%より大きくなるように積層フィルムに張力を付与しながら積層フィルムをリングに貼り付けてもよい。この場合、ダイシングを行う前に積層フィルムが外側に向けて伸ばされる張力が付与されており、ダイシングで当該張力が解放されることになる。よって、隣接する支持部材同士の間にダイシングでバリが形成されたとしても、この張力の解放による急激な縮みによりバリが支持部材間のダイシング溝等から掻き出されるため、隣接する支持部材同士がバリで繋がれていないことになり、個片化された支持部材のピックアップ性を更に向上することができる。なお、ここでいう「積層フィルムの伸び率」は、リングに貼り付ける前の積層フィルムを基準(100%)として、リングに貼り付けた際の積層フィルムの伸び率を示す値である。 The manufacturing method of the support member may further include a step of attaching the base film to the ring via an adhesive layer so that the adhesive film is placed inside the ring for singulation, and in this attaching step, the laminated film may be attached to the ring while applying tension to the laminated film so that the elongation rate of the laminated film is greater than 100%. In this case, before dicing, tension is applied to the laminated film so that it is stretched outward, and the tension is released by dicing. Therefore, even if burrs are formed between adjacent support members by dicing, the burrs are scraped out from the dicing grooves between the support members due to the sudden shrinkage caused by the release of this tension, so that the adjacent support members are not connected by the burrs, and the pick-up ability of the singulated support members can be further improved. Note that the "elongation rate of the laminated film" referred to here is a value indicating the elongation rate of the laminated film when attached to the ring, with the laminated film before being attached to the ring as the reference (100%).

上記の支持部材の製造方法において、貼り付ける工程では、積層フィルムの伸び率が101%以下となるように積層フィルムに張力を付与しながら積層フィルムをリングに貼り付けてもよい。この場合、積層フィルムに掛かる張力がそれほど高くないことから、積層フィルムを構成する接着フィルムに掛かる伸びの力も低く抑えられ、積層フィルムをリングに貼り付ける際、基材フィルムから接着フィルムが剥離することが低減される。特に基材フィルム(粘着層)と接着フィルムの外周付近では剥離が生じやすいが、上記の製造方法により、基材フィルムから接着フィルムが剥離することが低減される。その結果、基材フィルム及び粘着層からなる積層体と接着フィルムとの間でボイドが生じにくくなる。このようなボイドの低減により、この製造方法によれば、個片化の際のチップ飛び等を抑制し、安価な支持部材を高い歩留まりで製造することが可能となる。 In the above-mentioned method for manufacturing a support member, in the bonding step, the laminate film may be bonded to the ring while applying tension to the laminate film so that the elongation rate of the laminate film is 101% or less. In this case, since the tension applied to the laminate film is not so high, the elongation force applied to the adhesive film constituting the laminate film is also kept low, and when the laminate film is bonded to the ring, peeling of the adhesive film from the base film is reduced. Peeling is particularly likely to occur near the outer periphery of the base film (adhesive layer) and the adhesive film, but the above-mentioned manufacturing method reduces peeling of the adhesive film from the base film. As a result, voids are less likely to occur between the laminate consisting of the base film and the adhesive layer and the adhesive film. By reducing such voids, this manufacturing method makes it possible to suppress chip flying during individualization and to manufacture inexpensive support members with a high yield.

上記の支持部材の製造方法において、ピックアップする工程では、基材フィルムを5mm以上9mm以下のエキスパンド量でエキスパンドした状態で、複数の支持部材それぞれをピックアップしてもよい。この場合、エキスパンド量を通常よりも更に大きい値の範囲としていることから、個片化された各支持部材の側面等へ粘着しているバリを更に強く引き剥がして、隣接する支持部材同士がバリで粘着されている状態を解消することができる。よって、この製造方法によれば、個片化された各支持部材をピックアップする際、個片化された支持部材のピックアップ性を更に向上することができる。 In the above-mentioned method for manufacturing a support member, in the picking up step, each of the multiple support members may be picked up in a state in which the base film is expanded by an expansion amount of 5 mm or more and 9 mm or less. In this case, since the expansion amount is set to a range of values even larger than usual, burrs adhering to the sides, etc. of each individualized support member can be more strongly peeled off, and the state in which adjacent support members are adhered to each other by burrs can be eliminated. Therefore, according to this manufacturing method, when each individualized support member is picked up, the pick-up ability of the individualized support members can be further improved.

上記の支持部材の製造方法において、ピックアップする工程では、エキスパンドする方向と交差する突上げ方向に300μm以上の突上げ量で基材フィルムを突き上げて複数の支持部材それぞれをピックアップしてもよい。この場合、ピックアップする際の基材フィルムからの支持部材の距離をより多く取ることができるため、個片化された支持部材のピックアップ性を更に向上することができる。 In the above-mentioned method for manufacturing a support member, in the picking up step, the base film may be pushed up by a push-up amount of 300 μm or more in a push-up direction intersecting with the expanding direction to pick up each of the multiple support members. In this case, the support members can be spaced farther from the base film when picked up, which further improves the pick-up ability of the individualized support members.

上記の支持部材の製造方法において、接着フィルムの引張弾性率が8.0MPa以上であってもよい。また、接着フィルムは、ポリイミドを含んでもよい。この場合、安価で且つ強度に優れた支持部材を得ることが可能となる。 In the above-mentioned method for manufacturing a support member, the adhesive film may have a tensile modulus of elasticity of 8.0 MPa or more. The adhesive film may also contain polyimide. In this case, it is possible to obtain a support member that is inexpensive and has excellent strength.

上記の支持部材の製造方法において、接着フィルムは、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる一対の表面層と、一対の表面層の間に配置された中間層とを含でもよい。この場合、接着フィルムが多層構造であり、接着フィルムを比較的厚くなるように形成しても、接着フィルムの反りを抑制することができる。反りを抑制することにより、この製造方法によれば、平面方向に広がる接着フィルムの厚さをより均一なものとして、製造される支持部材の厚みをより均一化させることが可能となる。この実施形態において、中間層はポリイミド層又は金属層であってもよい。これにより、強度及び耐熱性に優れた支持部材を得ることができる。なお、中間層の厚みは50μm以下であってもよい。これにより、多層構造であっても支持部材をそれほど厚くせずに薄いものとすることができる。 In the above-mentioned method for producing a support member, the adhesive film may include a pair of surface layers made of a cured product of a thermosetting resin composition and an intermediate layer disposed between the pair of surface layers. In this case, even if the adhesive film has a multilayer structure and is formed to be relatively thick, warping of the adhesive film can be suppressed. By suppressing warping, this production method makes it possible to make the thickness of the adhesive film spreading in the planar direction more uniform, and to make the thickness of the produced support member more uniform. In this embodiment, the intermediate layer may be a polyimide layer or a metal layer. This makes it possible to obtain a support member with excellent strength and heat resistance. The thickness of the intermediate layer may be 50 μm or less. This makes it possible to make the support member thin without making it too thick, even if it has a multilayer structure.

本開示は、半導体装置の製造方法に関する。この製造方法は、上記した何れかの支持部材の製造方法によって製造された支持部材を用いて半導体装置を製造する方法である。この場合、ピックアップ性を向上して安価に製造された支持部材を用いて、半導体装置を安価に形成することが可能となる。 The present disclosure relates to a method for manufacturing a semiconductor device. This manufacturing method is a method for manufacturing a semiconductor device using a support member manufactured by any of the above-mentioned methods for manufacturing a support member. In this case, it is possible to form a semiconductor device at low cost using a support member that has improved pick-up properties and is manufactured at low cost.

本開示によれば、支持部材のピックアップ性を向上することができる支持部材の製造方法、及び、当該製造方法によって製造された支持部材を用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。 The present disclosure provides a method for manufacturing a support member that can improve the pick-up properties of the support member, and a method for manufacturing a semiconductor device using the support member manufactured by the manufacturing method.

図1は、本実施形態に係る製造方法によって製造される支持片を用いた半導体装置の一実施形態を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device using a support piece manufactured by a manufacturing method according to the present embodiment. 図2(a)及び図2(b)は、第1のチップと複数の支持片との位置関係の例を模式的に示す平面図である。2A and 2B are plan views each showing a schematic example of the positional relationship between a first chip and a plurality of support pieces. 図3(a)は、支持片を形成するための積層フィルムの一実施形態を示す平面図であり、図3(b)は、図3(a)のb-b線に沿った積層フィルムの断面図である。FIG. 3(a) is a plan view showing one embodiment of a laminated film for forming a support piece, and FIG. 3(b) is a cross-sectional view of the laminated film taken along line bb in FIG. 3(a). 図4は、基材フィルムを粘着層を介して支持片形成用の接着フィルムに貼り合わせる工程を模式的に示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view that typically illustrates a process of bonding a base film to an adhesive film for forming a support piece via an adhesive layer. 図5(a)~図5(c)は、支持片の作製過程を模式的に示す断面図である。5(a) to 5(c) are cross-sectional views that typically show the process of producing the support piece. 図6は、積層フィルムをダイシングリングに貼り付ける工程を模式的に示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view that typically illustrates a step of attaching the laminated film to a dicing ring. 図7(a)は、ピックアップ時のエキスパンド量が小さい場合に支持片間に付着したままであるバリの状態を模式的に示す断面図であり、図7(b)は、ピックアップ時のエキスパンド量が大きい場合に支持片から引き剥がされたバリの状態を模式的に示す断面図である。Figure 7(a) is a cross-sectional view showing the state of a burr that remains between the support pieces when the amount of expansion at the time of picking up is small, and Figure 7(b) is a cross-sectional view showing the state of a burr that has been peeled off from the support pieces when the amount of expansion at the time of picking up is large. 図8(a)は、ラミネート工程での貼付け張力が弱い場合にダイシング後の支持片間に付着したままであるバリの状態を模式的に示す断面図であり、図8(b)は、図8(a)に続くピックアップ時のバリの状態を模式的に示す断面図である。FIG. 8(a) is a cross-sectional view showing a schematic state of burrs that remain between support pieces after dicing when the bonding tension in the lamination process is weak, and FIG. 8(b) is a cross-sectional view showing a schematic state of burrs at the time of pick-up following FIG. 8(a). 図9(a)は、ラミネート工程での貼付け張力が強い場合に支持片間に付着しているバリがダイシング時の張力解放でダイシング溝から掻き出される状態を模式的に示す断面図であり、図9(b)は、図9(a)に続くピックアップ時のバリの状態を模式的に示す断面図である。FIG. 9(a) is a cross-sectional view showing a state in which burrs adhering between support pieces when the bonding tension in the lamination process is strong are scraped out of the dicing groove when the tension is released during dicing, and FIG. 9(b) is a cross-sectional view showing a state of the burrs at the time of pick-up following FIG. 9(a). 図10は、積層フィルムの変形例を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a modified example of the laminated film. 図11は、図1に示す半導体装置の製造方法の一工程を示す図であって、基板上であって第1のチップの周囲に複数の支持片を配置した状態を示す断面図である。FIG. 11 is a diagram showing a step of the method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1, and is a cross-sectional view showing a state in which a plurality of support pieces are arranged around the first chip on the substrate. 図12は、図1に示す半導体装置の製造方法に用いる接着剤片付きチップの一例を示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing an example of a chip with an adhesive piece used in the method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 図13は、図11に続いて図1に示す半導体装置の製造方法の一工程を示す図であって、基板上に形成されたドルメン構造を模式的に示す断面図である。13 is a diagram showing a step of the method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1 subsequent to FIG. 11, and is a cross-sectional view typically showing a dolmen structure formed on a substrate.

以下、図面を参照しつつ、本開示の実施形態について詳細に説明する。図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。なお、本明細書において、「(メタ)アクリル酸」とは、アクリル酸又はメタクリル酸を意味し、「(メタ)アクリレート」とは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。「A又はB」とは、AとBのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。 Hereinafter, the embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and duplicated explanations will be omitted. Furthermore, unless otherwise specified, the positional relationships such as up, down, left, and right are based on the positional relationships shown in the drawings. Furthermore, the dimensional ratios of the drawings are not limited to the ratios shown. In this specification, "(meth)acrylic acid" means acrylic acid or methacrylic acid, and "(meth)acrylate" means acrylate or the corresponding methacrylate. "A or B" may include either A or B, or may include both.

本明細書において「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。また、本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また、「~」を用いて示された数値範囲は、「~」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。 In this specification, the term "layer" includes structures that are formed over the entire surface when observed in a plan view, as well as structures that are formed on only a portion of the surface. In addition, in this specification, the term "process" includes not only independent processes, but also processes that cannot be clearly distinguished from other processes, as long as the intended effect of the process is achieved. In addition, a numerical range indicated using "~" indicates a range that includes the numerical values before and after "~" as the minimum and maximum values, respectively.

本明細書において組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。また、例示材料は特に断らない限り単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。 In this specification, the content of each component in the composition means the total amount of the multiple substances present in the composition when multiple substances corresponding to each component are present in the composition, unless otherwise specified. Furthermore, unless otherwise specified, the example materials may be used alone or in combination of two or more types. Furthermore, in the numerical ranges described in stages in this specification, the upper or lower limit of a certain numerical range may be replaced by the upper or lower limit of a numerical range of another stage. Furthermore, in the numerical ranges described in this specification, the upper or lower limit of the numerical range may be replaced by the values shown in the examples.

(半導体装置)
図1は、本実施形態に係る製造方法によって製造される支持片を用いた半導体装置の一実施形態を示す断面図である。図1に示すように、半導体装置1は、基板10、半導体チップ20、半導体チップ21、半導体チップ22、半導体チップ23、複数の支持片30(複数の支持部材)、接着剤片40~43、ワイヤ45~48、及び、封止材50を備える。なお、本実施形態に係る製造方法によって製造される支持片は、他の半導体装置の製造に用いてもよい。
(Semiconductor device)
Fig. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of a semiconductor device using a support piece manufactured by the manufacturing method according to this embodiment. As shown in Fig. 1, the semiconductor device 1 includes a substrate 10, a semiconductor chip 20, a semiconductor chip 21, a semiconductor chip 22, a semiconductor chip 23, a plurality of support pieces 30 (a plurality of support members), adhesive pieces 40 to 43, wires 45 to 48, and a sealing material 50. The support piece manufactured by the manufacturing method according to this embodiment may be used in the manufacture of other semiconductor devices.

基板10は、有機基板であってもよく、リードフレーム等の金属基板であってもよい。半導体装置1の反りを抑制する観点から、基板10の厚さは、例えば、90~300μmであり、90~210μmであってもよい。 The substrate 10 may be an organic substrate or a metal substrate such as a lead frame. From the viewpoint of suppressing warping of the semiconductor device 1, the thickness of the substrate 10 is, for example, 90 to 300 μm, and may be 90 to 210 μm.

半導体チップ20は、例えば、コントローラーチップ(以下「CTL」とも記す)であり、基板10の表面上に配置される。半導体チップ20は、接着剤片40によって基板10に接着され且つワイヤ45によって基板10と電気的に接続される。平面視における半導体チップ20の形状は、例えば矩形(正方形又は長方形)である。半導体チップ20の一辺の長さは、例えば、5mm以下であり、2~5mm又は1~5mmであってもよい。半導体チップ20の厚さは、例えば、10~150μmであり、20~100μmであってもよい。 The semiconductor chip 20 is, for example, a controller chip (hereinafter also referred to as "CTL"), and is disposed on the surface of the substrate 10. The semiconductor chip 20 is adhered to the substrate 10 by an adhesive piece 40 and is electrically connected to the substrate 10 by a wire 45. The shape of the semiconductor chip 20 in a plan view is, for example, a rectangle (square or oblong). The length of one side of the semiconductor chip 20 is, for example, 5 mm or less, and may be 2 to 5 mm or 1 to 5 mm. The thickness of the semiconductor chip 20 is, for example, 10 to 150 μm, and may be 20 to 100 μm.

半導体チップ21は、例えば、メモリチップであり、接着剤片41を介して支持片30の上に接着される。これにより、半導体チップ21は、半導体チップ20の上に配置される。また、接着剤片41は、半導体チップ21と複数の支持片30とによって挟まれる。半導体チップ21は、平面視において、半導体チップ20よりも大きいサイズを有する。平面視における半導体チップ21の形状は、例えば矩形(正方形又は長方形)である。半導体チップ21の一辺の長さは、例えば、20mm以下であり、4~20mm又は4~12mmであってもよい。半導体チップ21の厚さは、例えば、10~170μmであり、20~120μmであってもよい。なお、半導体チップ22,23は、半導体チップ21と同様に、例えば、メモリチップであり、接着剤片42及び43を介して半導体チップ21の上に順に接着される。半導体チップ22,23の一辺の長さは半導体チップ21と同様であればよく、半導体チップ22,23の厚さも半導体チップ21と同様であればよい。 The semiconductor chip 21 is, for example, a memory chip, and is adhered to the support piece 30 via the adhesive piece 41. As a result, the semiconductor chip 21 is disposed on the semiconductor chip 20. The adhesive piece 41 is sandwiched between the semiconductor chip 21 and the multiple support pieces 30. The semiconductor chip 21 has a size larger than the semiconductor chip 20 in a planar view. The shape of the semiconductor chip 21 in a planar view is, for example, a rectangle (square or oblong). The length of one side of the semiconductor chip 21 is, for example, 20 mm or less, and may be 4 to 20 mm or 4 to 12 mm. The thickness of the semiconductor chip 21 is, for example, 10 to 170 μm, and may be 20 to 120 μm. The semiconductor chips 22 and 23 are, for example, memory chips, like the semiconductor chip 21, and are adhered to the semiconductor chip 21 in order via the adhesive pieces 42 and 43. The length of one side of the semiconductor chips 22 and 23 may be the same as that of the semiconductor chip 21, and the thickness of the semiconductor chips 22 and 23 may be the same as that of the semiconductor chip 21.

支持片30は、基板10の表面上であって半導体チップ20の周囲に配置され、半導体チップ20の周囲に空間を形成するスペーサの役割を果たす部材である。支持片30は、例えば、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる。なお、図2(a)に示すように、半導体チップ20の両側の離れた位置に、二つの支持片30(形状:長方形)を配置してもよいし、図2(b)に示すように、半導体チップ20の角に対応する位置にそれぞれ一つの支持片30(形状:正方形、計4個)を配置してもよい。平面視における支持片30の一辺の長さは、例えば、20mm以下であり、1~20mm又は1~12mmであってもよい。支持片30の厚さ(高さ)は、例えば、10~180μmであり、20~120μmであってもよい。 The support piece 30 is a member that is arranged around the semiconductor chip 20 on the surface of the substrate 10 and serves as a spacer that forms a space around the semiconductor chip 20. The support piece 30 is made of, for example, a cured product of a thermosetting resin composition. As shown in FIG. 2(a), two support pieces 30 (rectangular shape) may be arranged at positions separated from each other on both sides of the semiconductor chip 20, or as shown in FIG. 2(b), one support piece 30 (square shape, total of four pieces) may be arranged at positions corresponding to the corners of the semiconductor chip 20. The length of one side of the support piece 30 in a plan view is, for example, 20 mm or less, and may be 1 to 20 mm or 1 to 12 mm. The thickness (height) of the support piece 30 is, for example, 10 to 180 μm, and may be 20 to 120 μm.

本実施形態においては、半導体チップ21と、複数の支持片30と、支持片30と半導体チップ21との間に位置する接着剤片41とによって基板10上にドルメン構造が構成される。図1に示す半導体装置1では、半導体チップ20は、接着剤片41と離間している。支持片30の厚さを適宜設定することで、半導体チップ20の上面と基板10とを接続するワイヤ45のためのスペースを確保することができる。なお、半導体チップ20を基板10上の電極にフリップチップ接続する場合には、半導体チップ20の上面に接着剤片41が接する構成であってもよい。 In this embodiment, a dolmen structure is formed on the substrate 10 by the semiconductor chip 21, a number of support pieces 30, and an adhesive piece 41 located between the support pieces 30 and the semiconductor chip 21. In the semiconductor device 1 shown in FIG. 1, the semiconductor chip 20 is spaced apart from the adhesive piece 41. By appropriately setting the thickness of the support piece 30, it is possible to ensure space for the wire 45 that connects the upper surface of the semiconductor chip 20 to the substrate 10. Note that when the semiconductor chip 20 is flip-chip connected to an electrode on the substrate 10, the adhesive piece 41 may be configured to contact the upper surface of the semiconductor chip 20.

ワイヤ45~48は、基板10の表面上の電極(不図示)と半導体チップ20~23とをそれぞれ電気的に接続する。封止材50は、半導体チップ20と半導体チップ21との隙間を充填すると共に、半導体チップ21~23及びワイヤ46~48の全体を覆うように基板10上を封止する。封止材50は、例えばエポキシ樹脂である。 The wires 45-48 electrically connect the electrodes (not shown) on the surface of the substrate 10 to the semiconductor chips 20-23, respectively. The sealing material 50 fills the gap between the semiconductor chips 20 and 21, and seals the substrate 10 so as to entirely cover the semiconductor chips 21-23 and the wires 46-48. The sealing material 50 is, for example, an epoxy resin.

(支持片の作製方法)
次に、上述した半導体装置等に用いられる支持片の作製方法の一例について説明する。なお、図1に示す支持片30は、熱硬化性樹組成物が硬化した後のもの(硬化物)である。一方、この製造方法で製造される支持片は、熱硬化性樹組成物が完全に硬化する前の状態のものである。
(Method of manufacturing the support piece)
Next, an example of a method for producing a support piece used in the above-mentioned semiconductor device will be described. The support piece 30 shown in Fig. 1 is a product obtained after the thermosetting resin composition has hardened (cured product). On the other hand, the support piece produced by this production method is a product obtained before the thermosetting resin composition has completely hardened.

まず、図3(a)及び図3(b)に示す支持片形成用の積層フィルム60を準備する。積層フィルム60は、基材フィルム61、粘着層62、及び、支持片形成用の接着フィルム63を備える。基材フィルム61及び粘着層62は、パンチング等によって例えば円形に形成される(図3(a)参照)。接着フィルム63は、支持片30を形成するための材料となるフィルムである。接着フィルム63は、パンチング等によって円形に形成されており、基材フィルム61及び粘着層62よりも小さい直径を有する(図3(a)参照)。 First, prepare a laminated film 60 for forming a support piece as shown in FIG. 3(a) and FIG. 3(b). The laminated film 60 includes a base film 61, an adhesive layer 62, and an adhesive film 63 for forming a support piece. The base film 61 and the adhesive layer 62 are formed, for example, into a circle by punching or the like (see FIG. 3(a)). The adhesive film 63 is a film that is the material for forming the support piece 30. The adhesive film 63 is formed into a circle by punching or the like, and has a smaller diameter than the base film 61 and the adhesive layer 62 (see FIG. 3(a)).

基材フィルム61は、例えば、ポリプロピレンフィルム(PPフィルム)又はポリエチレンフィルム(PEフィルム)である。粘着層62は、例えば、紫外線硬化型の粘着剤からなる。すなわち、粘着層62は紫外線が照射されることによって粘着性が低下する性質を有する。基材フィルム61及び粘着層62は、第1の積層体65(図4を参照)を構成する。第1の積層体65は、例えば、ダイシングテープ(DCT)であり、15MPa以上40MPa以下の引張強さ及び300%以上700%以下の伸び率の少なくとも一方を有している。第1の積層体65は、用途に応じて、伸びやすい基材フィルム又は伸びにくい基材フィルムを用いることができる。伸びやすい基材フィルムを用いた場合、第1の積層体65は、15MPa以上30MPa未満の引張強さと、600%以上700%以下の伸び率を有することができる。伸びにくい基材フィルムを用いた場合、第1の積層体65は、30MPa以上40MPa以下の引張強さと、300%以上600%未満の伸び率を有することができる。 The base film 61 is, for example, a polypropylene film (PP film) or a polyethylene film (PE film). The adhesive layer 62 is, for example, made of an ultraviolet-curing adhesive. That is, the adhesive layer 62 has a property that the adhesiveness decreases when irradiated with ultraviolet light. The base film 61 and the adhesive layer 62 constitute a first laminate 65 (see FIG. 4). The first laminate 65 is, for example, a dicing tape (DCT), and has at least one of a tensile strength of 15 MPa to 40 MPa and an elongation rate of 300% to 700%. The first laminate 65 can use a base film that is easy to stretch or a base film that is difficult to stretch, depending on the application. When a base film that is easy to stretch is used, the first laminate 65 can have a tensile strength of 15 MPa to less than 30 MPa and an elongation rate of 600% to 700%. When a substrate film that is difficult to stretch is used, the first laminate 65 can have a tensile strength of 30 MPa or more and 40 MPa or less, and an elongation percentage of 300% or more and less than 600%.

上述した「引張強さ」及び「伸び率」は以下の方法により算出することができる。まず、試験片のサイズとして、幅が10mmであり且つ長さはチャック間距離が50mmとなるように切断して試験片を準備する。試験装置は、JIS B7721に規定する引張試験機又はこれと同等の引張試験機を用いる。そして、試験片をこの試験装置にセットし、300±30mm/分の速さで引っ張り、試験片が切断するまでの荷重及び伸びを測定する。これらの測定値から、以下の式に基づいて、「引張強さ」及び「伸び率」を算出する。
引張強さ(MPa)=テープ破断時の強度(N)÷テープ断面積(mm
伸び率(%)=(破断時の長さ(mm)-初期長さ(50mm))÷初期長さ(50mm)
The above-mentioned "tensile strength" and "elongation" can be calculated by the following method. First, a test piece is prepared by cutting it so that the test piece size is 10 mm in width and 50 mm in length with a chuck distance. The test equipment used is a tensile tester specified in JIS B7721 or an equivalent tensile tester. The test piece is then set in this test equipment and pulled at a speed of 300±30 mm/min, and the load and elongation until the test piece breaks are measured. From these measured values, the "tensile strength" and "elongation" are calculated based on the following formula.
Tensile strength (MPa) = strength at tape break (N) ÷ tape cross-sectional area (mm 2 )
Elongation (%) = (length at break (mm) - initial length (50 mm)) ÷ initial length (50 mm)

接着フィルム63は、例えば、熱硬化性樹脂組成物からなる。接着フィルム63を構成する熱硬化性樹脂組成物は、半硬化(Bステージ)状態を経て、その後の硬化処理によって完全硬化物(Cステージ)状態となり得るものである。熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エラストマ(例えば、アクリル樹脂)とを含み、必要に応じて、無機フィラー及び硬化促進剤等を更に含む。接着フィルム63を構成する熱硬化性樹脂組成物の詳細については後述する。 The adhesive film 63 is made of, for example, a thermosetting resin composition. The thermosetting resin composition constituting the adhesive film 63 can go through a semi-cured (B stage) state and then become a completely cured (C stage) state by a subsequent curing process. The thermosetting resin composition contains an epoxy resin, a curing agent, and an elastomer (e.g., acrylic resin), and further contains an inorganic filler and a curing accelerator, etc., as necessary. Details of the thermosetting resin composition constituting the adhesive film 63 will be described later.

積層フィルム60は、例えば、基材フィルム61とその表面上に粘着層62とを有する第1の積層体65と、カバーフィルム64とその表面上に接着フィルム63とを有する第2の積層体66とを貼り合わせることによって作製することができる(図4参照)。第1の積層体65は、基材フィルム61の表面上に粘着層62を塗工によって形成する工程と、基材フィルム61及び粘着層62をパンチング等によって所定の形状(例えば、円形)に加工する工程を経て得られる。第2の積層体66は、カバーフィルム64(例えば、PETフィルム又はポリエチレンフィルム)の表面上に接着フィルム63を塗工によって形成する工程と、接着フィルム63をパンチング等によって所定の形状(例えば、円形)に加工する工程を経て得られる。積層フィルム60を使用するに際し、カバーフィルム64は適当なタイミングで剥がされる。 The laminated film 60 can be produced, for example, by bonding a first laminate 65 having a base film 61 and an adhesive layer 62 on its surface, and a second laminate 66 having a cover film 64 and an adhesive film 63 on its surface (see FIG. 4). The first laminate 65 is obtained through a process of forming an adhesive layer 62 on the surface of the base film 61 by coating, and a process of processing the base film 61 and the adhesive layer 62 into a predetermined shape (e.g., circular) by punching or the like. The second laminate 66 is obtained through a process of forming an adhesive film 63 on the surface of a cover film 64 (e.g., a PET film or a polyethylene film) by coating, and a process of processing the adhesive film 63 into a predetermined shape (e.g., circular) by punching or the like. When using the laminated film 60, the cover film 64 is peeled off at an appropriate time.

続いて、図5の(a)に示されたように、上述した積層フィルム60にダイシング用のリングフレーム100(リング)を貼り付ける。すなわち、粘着層62を介して基材フィルム61をリングフレーム100に貼り付け、リングフレーム100の内側に接着フィルム63が配置された状態にする。リングフレーム100は、図6に示すように、例えば、略円環形状のリングであり、基材フィルム61を含む積層体65の外周部が粘着層62を介して、リングフレーム100に貼り付けられる。この貼り付けは、リングフレーム100の一方の端100aから他方の端100bに向けてローラ等の押圧部材によって押しつけられながら行われる。なお、ローラが水平方向に移動しないように固定され(回転移動は可能)、リングフレーム100及び積層フィルム60がローラに対して移動するように構成されていてもよい。 Next, as shown in (a) of FIG. 5, a ring frame 100 (ring) for dicing is attached to the laminated film 60 described above. That is, the base film 61 is attached to the ring frame 100 via the adhesive layer 62, and the adhesive film 63 is arranged inside the ring frame 100. As shown in FIG. 6, the ring frame 100 is, for example, a ring having a substantially circular ring shape, and the outer periphery of the laminated body 65 including the base film 61 is attached to the ring frame 100 via the adhesive layer 62. This attachment is performed while pressing from one end 100a of the ring frame 100 to the other end 100b with a pressing member such as a roller. Note that the roller may be fixed so as not to move horizontally (rotational movement is possible), and the ring frame 100 and the laminated film 60 may be configured to move relative to the roller.

また、この貼り付けの際、基材フィルム61及び粘着層62と接着フィルム63とからなる積層フィルム60は、ある程度の張力がかかるようにリングフレーム100に貼り付けられる。具体的には、積層フィルム60の貼付け時の伸び率が100%より大きくなるように積層フィルム60に張力を付与して、リングフレーム100への貼り付けを行う。好ましくは、積層フィルム60の貼付け時の伸び率が100.40%以上となるように積層フィルム60に張力を付与して、リングフレーム100への貼り付けを行ってもよく、より好ましくは、積層フィルム60の貼付け時の伸び率が101%以上となるように積層フィルム60に張力を付与して、リングフレーム100への貼り付けを行ってもよい。このように積層フィルム60の所定の張力をかけた状態でリングフレーム100への貼り付けを行うことにより、後述するダイシングの際の張力解放により、ダイシングによるバリがダイシング溝から掻き出され(図9(a)を参照)、支持片のピックアップ性を向上することができる(図9(b)を参照)。なお、ここでいう「積層フィルムの伸び率」は、貼付け前の積層フィルムの長さ(径)を100%とした場合において、貼付け後の積層フィルムの長さ(径)の比を示す値である。 In addition, during this attachment, the laminated film 60 consisting of the base film 61, the adhesive layer 62, and the adhesive film 63 is attached to the ring frame 100 so that a certain amount of tension is applied. Specifically, the laminated film 60 is attached to the ring frame 100 by applying tension so that the elongation rate of the laminated film 60 when attached is greater than 100%. Preferably, the laminated film 60 may be attached to the ring frame 100 by applying tension so that the elongation rate of the laminated film 60 when attached is 100.40% or more, and more preferably, the laminated film 60 may be attached to the ring frame 100 by applying tension so that the elongation rate of the laminated film 60 when attached is 101% or more. By attaching the laminated film 60 to the ring frame 100 in this manner while applying a predetermined tension to the laminated film 60, burrs due to dicing are scraped out of the dicing grooves by releasing the tension during dicing, which will be described later (see FIG. 9(a)), and the pick-up property of the support piece can be improved (see FIG. 9(b)). The "elongation rate of the laminated film" referred to here is a value that indicates the ratio of the length (diameter) of the laminated film after application to the length (diameter) of the laminated film before application, which is taken as 100%.

また、積層フィルム60の貼付け時の伸び率が101%以下となるように積層フィルム60に張力を付与して、リングフレーム100への貼り付けを行ってもよい。この場合、積層フィルム60に掛かる張力がそれほど高くないことから、積層フィルム60を構成する接着フィルム63に掛かる伸びの力も低く抑えられ、積層フィルム60をリングフレーム100に貼り付ける際、基材フィルム61から接着フィルム63が剥離することが低減される。特に基材フィルム61(粘着層62)と接着フィルム63の外周付近では剥離が生じやすいが、積層フィルム60の伸び率を上記の範囲に抑えることにより、基材フィルム61から接着フィルム63が剥離することが低減される。よって、積層フィルム60の貼付け時の伸び率が100%より大きく且つ101%以下となるように積層フィルム60に張力を付与してリングフレーム100への貼付けを行うことにより、支持片のピックアップ性の向上と積層フィルム60の剥離低減とを両立することが可能となる。 The laminated film 60 may be applied with tension so that the elongation rate of the laminated film 60 is 101% or less when it is applied to the ring frame 100. In this case, since the tension applied to the laminated film 60 is not so high, the elongation force applied to the adhesive film 63 constituting the laminated film 60 is also kept low, and when the laminated film 60 is applied to the ring frame 100, peeling of the adhesive film 63 from the base film 61 is reduced. Peeling is particularly likely to occur near the outer periphery of the base film 61 (adhesive layer 62) and the adhesive film 63, but by keeping the elongation rate of the laminated film 60 within the above range, peeling of the adhesive film 63 from the base film 61 is reduced. Therefore, by applying tension to the laminated film 60 so that the elongation rate of the laminated film 60 is greater than 100% and less than 101% when it is applied to the ring frame 100, it is possible to achieve both improved pick-up properties of the support piece and reduced peeling of the laminated film 60.

続いて、積層フィルム60のリングフレーム100への貼り付けが終了すると、図5の(b)に示すように、接着フィルム63をダイシングによって個片化する。これにより、接着フィルム63から多数の支持片63aが得られる。その後、粘着層62に対して紫外線を照射することにより、粘着層62と支持片63aとの間の粘着力を低下させる。なお、紫外線の照射が終了した後に、基材フィルム61を水平方向の外側に向けてエキスパンドして、支持片63aを互いに離間させてもよい。 Next, when the lamination film 60 has been attached to the ring frame 100, the adhesive film 63 is diced into individual pieces, as shown in FIG. 5(b). This results in a large number of support pieces 63a being obtained from the adhesive film 63. The adhesive layer 62 is then irradiated with ultraviolet light to reduce the adhesive force between the adhesive layer 62 and the support pieces 63a. After the ultraviolet light irradiation is complete, the base film 61 may be expanded horizontally outward to separate the support pieces 63a from each other.

続いて、図5の(c)に示すように、基材フィルム61をエキスパンドした状態で、突上げ治具111で突き上げることによって粘着層62から各支持片63aを剥離させるとともに、吸引コレット112で吸引して支持片63aをピックアップする。このピックアップ時に行うエキスパンドによる量(エキスパンド量E)は、3mm以上9mm以下である。より好ましくは、エキスパンド量Eは5mm以上9mm以下であってもよく、また、5mm以上7mm以下であってもよい。このような通常よりも大きいエキスパンド量Eでエキスパンドしながら支持片63aをピックアップすることにより、支持片63a間に付着するバリが剥がれ、吸引コレット112によるピックアップを容易且つ確実に行うことができる。なお、ここでいう「エキスパンド量E」は、リングフレーム100に貼り付けられている基材フィルム61の端部に対してエキスパンド治具により基材フィルム61の中央部が持ち上げられている量(距離)を意味する。また、突上げ治具111による突上げ量は、300μm以上であってもよく、より好ましくは、400μm以上であってもよい。また、突上げ治具111による突上げ速度は、0.1mm/s以上であってもよく、1mm/s以上であってもよく、10mm/s以上であってもよい。なお、ダイシング前の接着フィルム63又はピックアップ前の支持片63aを加熱することによって、熱硬化性樹脂の硬化反応を進行させておいてもよい。ピックアップする際に支持片63aが適度に硬化していることで優れたピックアップ性を達成し得る。以上により、支持片63aを取得する。 5(c), the substrate film 61 is pushed up by the push-up jig 111 in the expanded state to peel off each support piece 63a from the adhesive layer 62, and the support piece 63a is picked up by suction with the suction collet 112. The amount of expansion performed at this pick-up (expansion amount E) is 3 mm or more and 9 mm or less. More preferably, the expansion amount E may be 5 mm or more and 9 mm or less, or may be 5 mm or more and 7 mm or less. By picking up the support piece 63a while expanding with such an expansion amount E larger than usual, the burrs adhering between the support pieces 63a are peeled off, and the pickup by the suction collet 112 can be easily and reliably performed. Note that the "expansion amount E" here means the amount (distance) by which the center part of the substrate film 61 is lifted by the expansion jig relative to the end part of the substrate film 61 attached to the ring frame 100. The amount of push-up by the push-up jig 111 may be 300 μm or more, and more preferably 400 μm or more. The speed of push-up by the push-up jig 111 may be 0.1 mm/s or more, 1 mm/s or more, or 10 mm/s or more. The adhesive film 63 before dicing or the support piece 63a before picking up may be heated to allow the curing reaction of the thermosetting resin to proceed. The support piece 63a is appropriately cured when picked up, so that excellent pick-up properties can be achieved. In this manner, the support piece 63a is obtained.

ここで、図7を参照して、上述した支持片30の製造方法において、所定範囲のエキスパンド量Eで基材フィルム61をエキスパンドしながら支持片63aをピックアップすることによる作用効果について説明する。図7(a)は、ピックアップ時のエキスパンド量Eが小さい場合に支持片63a間に付着したままであるバリGの状態を模式的に示す断面図であり、図7(b)は、ピックアップ時のエキスパンド量Eが大きい場合に支持片63aから引き剥がされたバリGの状態を模式的に示す断面図である。 Now, referring to Figure 7, the effect of picking up the support pieces 63a while expanding the base film 61 by a predetermined range of expansion amount E in the above-mentioned manufacturing method of the support pieces 30 will be described. Figure 7(a) is a cross-sectional view that shows a schematic state of the burr G that remains attached between the support pieces 63a when the expansion amount E at the time of picking is small, and Figure 7(b) is a cross-sectional view that shows a schematic state of the burr G that has been peeled off from the support pieces 63a when the expansion amount E at the time of picking is large.

図7(a)に示すように、積層フィルム60の接着フィルム63をダイシングで個片化すると、ダイシング後に個片化された支持片63a間に粘着性のバリGが付着する。バリGは、例えば、ダイシングで削られた接着フィルム63等の一部である。この場合、ピックアップ時のエキスパンド量Eが小さいと、支持片63a間のダイシング溝Hに残された粘着性のバリGは、支持片63aに付着したままであり、各支持片63aのピックアップを阻害することになる。一方、図7(b)に示すように、本実施形態に係る製造方法であれば、ピックアップ時に基材フィルム61をエキスパンドした状態となり、ダイシング溝H内のバリGが支持片63aから剥がれたり又は付着している領域が低減されたりする。よって、支持片63aのピックアップの際に積層フィルム60をエキスパンドしておくことにより、バリGによる支持片63aのピックアップが阻害されることが大幅に低減され、ピックアップ性が向上する。なお、エキスパンド量Eが大き過ぎると(例えばエキスパンド量が9mmより大きい場合)、基材フィルム61等が硬くなり、その結果、支持片63aを突き上げる際の突上げ治具111(ピン)への追従性が低下し、ピックアップ率が低下する。 As shown in FIG. 7(a), when the adhesive film 63 of the laminated film 60 is diced into individual pieces, adhesive burrs G are attached between the support pieces 63a that have been diced. The burrs G are, for example, parts of the adhesive film 63 that have been scraped off by dicing. In this case, if the expansion amount E at the time of picking up is small, the adhesive burrs G left in the dicing grooves H between the support pieces 63a remain attached to the support pieces 63a, and hinder the picking up of each support piece 63a. On the other hand, as shown in FIG. 7(b), in the manufacturing method according to this embodiment, the base film 61 is in an expanded state at the time of picking up, and the area where the burrs G in the dicing grooves H are peeled off from the support pieces 63a or attached is reduced. Therefore, by expanding the laminated film 60 when picking up the support pieces 63a, the burrs G significantly reduce the hindrance of the picking up of the support pieces 63a to the picking up, and the picking up ability is improved. If the expansion amount E is too large (for example, if the expansion amount is greater than 9 mm), the base film 61 etc. will become hard, and as a result, the ability to follow the push-up jig 111 (pin) when pushing up the support piece 63a will decrease, and the pickup rate will decrease.

また、図8及び図9を参照して、上述した支持片30の製造方法において、所定の貼付け張力で積層フィルムをリングフレーム100へ貼り付けることによる作用効果について説明する。図8(a)は、ラミネート工程での貼付け張力が弱い場合にダイシング後の支持片間に付着したままであるバリの状態を模式的に示す断面図であり、図8(b)は、図8(a)に続くピックアップ時のバリの状態を模式的に示す断面図である。図9(a)は、ラミネート工程での貼付け張力が強い場合に支持片間に付着しているバリがダイシング時の張力解放でダイシング溝から掻き出される状態を模式的に示す断面図であり、図9(b)は、図9(a)に続くピックアップ時のバリの状態を模式的に示す断面図である。 Also, referring to Figures 8 and 9, the effect of attaching the laminated film to the ring frame 100 with a predetermined attachment tension in the manufacturing method of the support piece 30 described above will be described. Figure 8(a) is a cross-sectional view that shows the state of the burrs that remain between the support pieces after dicing when the attachment tension in the lamination process is weak, and Figure 8(b) is a cross-sectional view that shows the state of the burrs at the time of picking up following Figure 8(a). Figure 9(a) is a cross-sectional view that shows the state of the burrs that remain between the support pieces when the attachment tension in the lamination process is strong and are scraped out of the dicing groove by releasing the tension at the time of dicing, and Figure 9(b) is a cross-sectional view that shows the state of the burrs at the time of picking up following Figure 9(a).

積層フィルム60の貼付け張力が低い状態で基材フィルム61をリングフレーム100に貼り付けた場合、図8(a)に示すように、接着フィルム63をダイシングすると、粘着性のバリGがダイシング溝にそのまま残存してしまう。この状態で、図8(b)に示すように、支持片63aのピックアップを行うと、バリGによりピックアップが阻害される。一方、積層フィルム60の貼付け張力が高い状態(例えば積層フィルムの伸び率が100%より大きい場合)で基材フィルム61をリングフレーム100に貼り付けた場合、図9(a)に示すように、接着フィルム63をダイシングすると、貼付け時の張力の解放によりバリGがダイシング溝Hから掻き出されることになる。よって、この状態であれば、図9(b)に示すように、支持片63aのピックアップを行っても、バリGによるピックアップが阻害されず、支持片63aのピックアップを問題なく行うことができる。即ち、ピックアップ性を向上させることができる。 When the base film 61 is attached to the ring frame 100 with the lamination tension of the laminated film 60 low, as shown in FIG. 8(a), when the adhesive film 63 is diced, the sticky burr G remains in the dicing groove. In this state, as shown in FIG. 8(b), when the support piece 63a is picked up, the pick-up is hindered by the burr G. On the other hand, when the base film 61 is attached to the ring frame 100 with the lamination tension of the laminated film 60 high (for example, when the elongation rate of the laminated film is greater than 100%), as shown in FIG. 9(a), when the adhesive film 63 is diced, the burr G is scraped out of the dicing groove H due to the release of the tension during attachment. Therefore, in this state, as shown in FIG. 9(b), even if the support piece 63a is picked up, the pick-up is not hindered by the burr G, and the support piece 63a can be picked up without any problems. That is, the pick-up performance can be improved.

(接着フィルム63を構成する熱硬化性樹脂組成物)
次に、支持片30を形成するための接着フィルム63を構成する熱硬化性樹脂組成物について詳細に説明する。この熱硬化性樹脂樹脂組成物は、上述のとおり、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エラストマとを含み、必要に応じて、無機フィラー及び硬化促進剤等を更に含む。本発明者らの検討によると、支持片63a及び硬化後の支持片30は以下の特性を有することが好ましい。
・特性1:基板10の所定の位置に支持片30を熱圧着したとき位置ずれが生じにくいこと(120℃における支持片30の溶融粘度が、例えば、4300~50000Pa・s又は5000~40000Pa・sであること)
・特性2:半導体装置1内において支持片30が応力緩和性を発揮すること(熱硬化性樹脂組成物がエラストマ(ゴム成分)を含むこと)
・特性3:接着剤片付きチップの接着剤片41との接着強度が十分に高いこと(接着剤片41に対する支持片30のダイシェア強度が、例えば、2.0~7.0Mpa又は3.0~6.0Mpaであること)
・特性4:硬化に伴う収縮率が十分に小さいこと
・特性5:ピックアップ工程においてカメラによる支持片63aの視認性が良いこと(熱硬化性樹脂組成物が、例えば、着色料を含んでいること)
・特性6:支持片30が十分な機械的強度を有すること
(Thermosetting resin composition constituting the adhesive film 63)
Next, a detailed description will be given of the thermosetting resin composition constituting the adhesive film 63 for forming the support piece 30. As described above, this thermosetting resin composition contains an epoxy resin, a curing agent, and an elastomer, and further contains an inorganic filler and a curing accelerator, etc., as necessary. According to the study by the present inventors, it is preferable that the support piece 63a and the support piece 30 after curing have the following characteristics.
Characteristic 1: When the support piece 30 is thermocompression-bonded to a predetermined position on the substrate 10, it is difficult for misalignment to occur (the melt viscosity of the support piece 30 at 120° C. is, for example, 4300 to 50000 Pa·s or 5000 to 40000 Pa·s).
Characteristic 2: The support piece 30 exhibits stress relaxation properties within the semiconductor device 1 (the thermosetting resin composition contains an elastomer (rubber component)).
Characteristic 3: The adhesive strength of the chip with the adhesive piece to the adhesive piece 41 is sufficiently high (the die shear strength of the support piece 30 to the adhesive piece 41 is, for example, 2.0 to 7.0 MPa or 3.0 to 6.0 MPa).
Characteristic 4: The shrinkage rate associated with curing is sufficiently small. Characteristic 5: The support piece 63a is easily visible by a camera during the pick-up process (the thermosetting resin composition contains, for example, a coloring agent).
Characteristic 6: The support piece 30 has sufficient mechanical strength

[エポキシ樹脂]
エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
[Epoxy resin]
The epoxy resin is not particularly limited as long as it has an adhesive action when cured. Bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol S type epoxy resin, novolac type epoxy resins such as phenol novolac type epoxy resin and cresol novolac type epoxy resin, etc. can be used. In addition, generally known epoxy resins such as multifunctional epoxy resins, glycidylamine type epoxy resins, heterocyclic epoxy resins, and alicyclic epoxy resins can be applied. These may be used alone or in combination of two or more.

[硬化剤]
硬化剤として、例えば、フェノール樹脂、エステル化合物、芳香族アミン、脂肪族アミン及び酸無水物が挙げられる。これらのうち、高いダイシェア強度を達成する観点から、フェノール樹脂が好ましい。フェノール樹脂の市販品として、例えば、DIC(株)製のLF-4871(商品名、BPAノボラック型フェノール樹脂)、エア・ウォーター(株)製のHE-100C-30(商品名、フェニルアラキル型フェノール樹脂)、DIC(株)製のフェノライトKA及びTDシリーズ、三井化学(株)製のミレックスXLC-シリーズとXLシリーズ(例えば、ミレックスXLC-LL)、エア・ウォーター(株)製のHEシリーズ(例えば、HE100C-30)、明和化成(株)製のMEHC-7800シリーズ(例えばMEHC-7800-4S)、JEFケミカル(株)のJDPPシリーズが挙げられる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
[Curing agent]
Examples of the curing agent include phenolic resins, ester compounds, aromatic amines, aliphatic amines, and acid anhydrides. Of these, phenolic resins are preferred from the viewpoint of achieving high die shear strength. Commercially available phenolic resins include, for example, LF-4871 (trade name, BPA novolac type phenolic resin) manufactured by DIC Corporation, HE-100C-30 (trade name, phenylarakyl type phenolic resin) manufactured by Air Water Inc., Phenolite KA and TD series manufactured by DIC Corporation, Milex XLC-series and XL series (e.g., Milex XLC-LL) manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., HE series (e.g., HE100C-30) manufactured by Air Water Inc., MEHC-7800 series (e.g., MEHC-7800-4S) manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., and JDPP series manufactured by JEF Chemical Co., Ltd. These may be used alone or in combination of two or more types.

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合量は、高いダイシェア強度を達成する観点から、それぞれエポキシ当量と水酸基当量の当量比が0.6~1.5であることが好ましく、0.7~1.4であることがより好ましく、0.8~1.3であることが更に好ましい。配合比が上記範囲内であることで、硬化性及び流動性の両方を十分に高水準に達成しやすい。 From the viewpoint of achieving high die shear strength, the blending ratio of the epoxy equivalent to the hydroxyl equivalent of the epoxy resin and the phenolic resin is preferably 0.6 to 1.5, more preferably 0.7 to 1.4, and even more preferably 0.8 to 1.3. By keeping the blending ratio within the above range, it is easy to achieve a sufficiently high level of both curability and fluidity.

[エラストマ]
エラストマとして、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリブタジエン、アクリロニトリル、エポキシ変性ポリブタジエン、無水マレイン酸変性ポリブタジエン、フェノール変性ポリブタジエン及びカルボキシ変性アクリロニトリルが挙げられる。
[Elastomer]
Examples of the elastomer include acrylic resin, polyester resin, polyamide resin, polyimide resin, silicone resin, polybutadiene, acrylonitrile, epoxy-modified polybutadiene, maleic anhydride-modified polybutadiene, phenol-modified polybutadiene, and carboxy-modified acrylonitrile.

高いダイシェア強度を達成する観点から、エラストマとしてアクリル系樹脂が好ましく、更に、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ基又はグリシジル基を架橋性官能基として有する官能性モノマーを重合して得たエポキシ基含有(メタ)アクリル共重合体等のアクリル系樹脂がより好ましい。アクリル系樹脂のなかでもエポキシ基含有(メタ)アクリル酸エステル共重合体及びエポキシ基含有アクリルゴムが好ましく、エポキシ基含有アクリルゴムがより好ましい。エポキシ基含有アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体などからなる、エポキシ基を有するゴムである。なお、アクリル系樹脂は、エポキシ基だけでなく、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシル基等の架橋性官能基を有していてもよい。 From the viewpoint of achieving high die shear strength, acrylic resins are preferred as elastomers, and more preferably, acrylic resins such as epoxy group-containing (meth)acrylic copolymers obtained by polymerizing functional monomers having epoxy groups or glycidyl groups as crosslinkable functional groups, such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate. Among acrylic resins, epoxy group-containing (meth)acrylic acid ester copolymers and epoxy group-containing acrylic rubbers are preferred, and epoxy group-containing acrylic rubbers are more preferred. Epoxy group-containing acrylic rubbers are rubbers having epoxy groups, mainly consisting of acrylic acid esters as the main component, and copolymers of butyl acrylate and acrylonitrile, ethyl acrylate and acrylonitrile, etc. The acrylic resins may have not only epoxy groups, but also crosslinkable functional groups such as alcoholic or phenolic hydroxyl groups and carboxyl groups.

アクリル樹脂の市販品としては、ナガセケムテック(株)製のSG-70L、SG-708-6、WS-023 EK30、SG-280 EK23、SG-P3溶剤変更品(商品名、アクリルゴム、重量平均分子量:80万、Tg:12℃、溶剤はシクロヘキサノン)等が挙げられる。 Commercially available acrylic resins include Nagase Chemtec Corporation's SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-280 EK23, and SG-P3 solvent-modified product (product name: acrylic rubber, weight-average molecular weight: 800,000, Tg: 12°C, solvent: cyclohexanone).

アクリル樹脂のガラス転移温度(Tg)は、高いダイシェア強度を達成する観点から、-50~50℃であることが好ましく、-30~30℃であることがより好ましい。アクリル樹脂の重量平均分子量(Mw)は、高いダイシェア強度を達成する観点から、10万~300万であることが好ましく、50万~200万であることがより好ましい。ここで、Mwは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値を意味する。なお、分子量分布の狭いアクリル樹脂を用いることにより、高弾性の接着剤片を形成できる傾向にある。 The glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably -50 to 50°C, more preferably -30 to 30°C, from the viewpoint of achieving high die shear strength. The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 100,000 to 3,000,000, more preferably 500,000 to 2,000,000, from the viewpoint of achieving high die shear strength. Here, Mw refers to a value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using a calibration curve of standard polystyrene. By using an acrylic resin with a narrow molecular weight distribution, it tends to be possible to form adhesive pieces with high elasticity.

熱硬化性樹脂組成物に含まれるアクリル樹脂の量は、高いダイシェア強度を達成する観点から、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤の合計100質量部に対して10~200質量部であることが好ましく、20~100質量部であることがより好ましい。 The amount of acrylic resin contained in the thermosetting resin composition is preferably 10 to 200 parts by mass, and more preferably 20 to 100 parts by mass, per 100 parts by mass of the epoxy resin and epoxy resin curing agent combined, from the viewpoint of achieving high die shear strength.

[無機フィラー]
無機フィラーとして、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ホウ素及び結晶性シリカ、非晶性シリカが挙げられる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
[Inorganic filler]
Examples of inorganic fillers include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whiskers, boron nitride, crystalline silica, and amorphous silica. These may be used alone or in combination of two or more.

無機フィラーの平均粒径は、高いダイシェア強度を達成する観点から、0.005μm~1.0μmが好ましく、0.05~0.5μmがより好ましい。無機フィラーの表面は、高いダイシェア強度を達成する観点から、化学修飾されていることが好ましい。表面を化学修飾する材料として適したものにシランカップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤の官能基の種類として、例えば、ビニル基、アクリロイル基、エポキシ基、メルカプト基、アミノ基、ジアミノ基、アルコキシ基、エトキシ基が挙げられる。 The average particle size of the inorganic filler is preferably 0.005 μm to 1.0 μm, more preferably 0.05 to 0.5 μm, from the viewpoint of achieving high die shear strength. The surface of the inorganic filler is preferably chemically modified from the viewpoint of achieving high die shear strength. A silane coupling agent is an example of a suitable material for chemically modifying the surface. Examples of the types of functional groups of the silane coupling agent include vinyl groups, acryloyl groups, epoxy groups, mercapto groups, amino groups, diamino groups, alkoxy groups, and ethoxy groups.

高いダイシェア強度を達成する観点から、熱硬化性樹脂組成物の樹脂成分100質量部に対して、無機フィラーの含有量は20~200質量部であることが好ましく、30~100質量部であることがより好ましい。 From the viewpoint of achieving high die shear strength, the content of the inorganic filler is preferably 20 to 200 parts by mass, and more preferably 30 to 100 parts by mass, per 100 parts by mass of the resin component of the thermosetting resin composition.

[硬化促進剤]
硬化促進剤として、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、及び第四級アンモニウム塩が挙げられる。高いダイシェア強度を達成する観点から、イミダゾール系の化合物が好ましい。イミダゾール類としては、2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチルー2-メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
[Curing accelerator]
Examples of the curing accelerator include imidazoles and their derivatives, organic phosphorus compounds, secondary amines, tertiary amines, and quaternary ammonium salts. From the viewpoint of achieving high die shear strength, imidazole compounds are preferred. Examples of imidazoles include 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and 1-cyanoethyl-2-methylimidazole. These may be used alone or in combination of two or more.

熱硬化性樹脂組成物における硬化促進剤の含有量は、高いダイシェア強度を達成する観点から、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤の合計100質量部に対して0.04~3質量部が好ましく、0.04~0.2質量部がより好ましい。 The content of the curing accelerator in the thermosetting resin composition is preferably 0.04 to 3 parts by mass, and more preferably 0.04 to 0.2 parts by mass, per 100 parts by mass of the epoxy resin and the epoxy resin curing agent in total, from the viewpoint of achieving high die shear strength.

また、支持片30となる接着フィルムは、複数層から形成されるものであってもよい。図10は、変形例に係る積層フィルム60Aを示す断面図である。図10に示すように、積層フィルム60Aは、基材フィルム61、粘着層62、及び、接着フィルム63Aを有している。接着フィルム63Aは、上述した何れかの熱硬化性樹脂組成物からなる一対の表面層66a,66bと、一対の表面層66a,66bの間に配置された中間層67とを含んで構成される。表面層66a,66bの厚さは、例えば、5~60μmであり、5~25μm又は5~20μmあってもよい。中間層67の厚さは、例えば、5~75μmであり、10~75μm又は10~50μmであってもよい。中間層67の引張弾性率は、例えば、8.0MPa以上であり、9.0MPa以上又は10.0MPa以上であってもよい。中間層67の引張弾性率が8.0MPa以上であることで、支持片63aをピックアップする工程において(図5(c)を参照)、中間層67がバネ板のような役割を果たし、優れたピックアップ性を達成できる。なお、中間層67の引張弾性率の上限値は材料の入手のしやすさの点から15MPa程度である。中間層67は、例えば、ポリイミド若しくはポリエチレンテレフタレート(PET)等の樹脂層、又は、金属層から構成される。中間層67は引張弾性率が上記範囲となるように硬化処理が施された熱硬化性樹脂組成物又は光硬化性樹脂組成物からなる層であってもよい。 The adhesive film that becomes the support piece 30 may be formed from multiple layers. FIG. 10 is a cross-sectional view showing a laminated film 60A according to a modified example. As shown in FIG. 10, the laminated film 60A has a base film 61, an adhesive layer 62, and an adhesive film 63A. The adhesive film 63A is composed of a pair of surface layers 66a, 66b made of any of the above-mentioned thermosetting resin compositions, and an intermediate layer 67 disposed between the pair of surface layers 66a, 66b. The thickness of the surface layers 66a, 66b is, for example, 5 to 60 μm, and may be 5 to 25 μm or 5 to 20 μm. The thickness of the intermediate layer 67 is, for example, 5 to 75 μm, and may be 10 to 75 μm or 10 to 50 μm. The tensile modulus of the intermediate layer 67 is, for example, 8.0 MPa or more, and may be 9.0 MPa or more, or 10.0 MPa or more. By having the tensile modulus of the intermediate layer 67 be 8.0 MPa or more, the intermediate layer 67 acts like a spring plate in the process of picking up the support piece 63a (see FIG. 5(c)), and excellent pick-up performance can be achieved. The upper limit of the tensile modulus of the intermediate layer 67 is about 15 MPa in terms of the ease of obtaining materials. The intermediate layer 67 is composed of, for example, a resin layer such as polyimide or polyethylene terephthalate (PET), or a metal layer. The intermediate layer 67 may be a layer made of a thermosetting resin composition or a photocurable resin composition that has been cured so that the tensile modulus falls within the above range.

(半導体装置の製造方法)
ここで、図11~図13を参照して、上述した製造方法によって製造される支持片30を用いて3次元実装構造を有する半導体装置1を製造する方法について説明する。図11は、半導体装置1の製造方法の一工程を示す図であって、基板10上であって半導体チップ20の周囲に複数の支持片30を配置した状態を示す断面図である。図12は、半導体装置1の製造方法に用いる接着剤片付きチップの一例を示す断面図である。図13は、図11に続いて半導体装置1の製造方法の一工程を示す図であって、基板10上に形成されたドルメン構造を模式的に示す断面図である。
(Method of manufacturing a semiconductor device)
Here, a method for manufacturing a semiconductor device 1 having a three-dimensional mounting structure using the support pieces 30 manufactured by the above-mentioned manufacturing method will be described with reference to Figures 11 to 13. Figure 11 is a diagram showing one step of the manufacturing method for the semiconductor device 1, and is a cross-sectional view showing a state in which a plurality of support pieces 30 are arranged around a semiconductor chip 20 on a substrate 10. Figure 12 is a cross-sectional view showing an example of a chip with adhesive pieces used in the manufacturing method for the semiconductor device 1. Figure 13 is a diagram showing one step of the manufacturing method for the semiconductor device 1 following Figure 11, and is a cross-sectional view showing a schematic diagram of a dolmen structure formed on the substrate 10.

本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、以下の(A)~(G)の工程を含む。
(A)複数の支持片30を準備する工程(図5の(a)~(c)を参照)
(B)基板10上に半導体チップ20を配置する工程
(C)基板10上であって半導体チップ20の周囲に複数の支持片30を配置する工程(図11参照)
(D)半導体チップ21と、半導体チップ21の一方の面上に設けられた接着剤片41とを備える接着剤片付きチップ21aを準備する工程(図12を参照)
(E)複数の支持片30の表面上に接着剤片付きチップ21aを配置することによってドルメン構造を構築する工程(図13を参照)
(F)更なる半導体チップ22,23を半導体チップ21の上に積層する工程(図1を参照)
(G)半導体チップ20と半導体チップ21との隙間を埋めると共に、半導体チップ21~23とワイヤ46~48を覆うように、基板10上を封止材50で封止する工程(図1参照)
The method for manufacturing a semiconductor device according to this embodiment includes the following steps (A) to (G).
(A) A step of preparing a plurality of support pieces 30 (see (a) to (c) of FIG. 5)
(B) A step of arranging the semiconductor chip 20 on the substrate 10. (C) A step of arranging a plurality of support pieces 30 around the semiconductor chip 20 on the substrate 10 (see FIG. 11).
(D) A step of preparing an adhesive piece-attached chip 21a including a semiconductor chip 21 and an adhesive piece 41 provided on one surface of the semiconductor chip 21 (see FIG. 12 ).
(E) A step of constructing a dolmen structure by placing adhesive chips 21a on the surfaces of a plurality of support pieces 30 (see FIG. 13).
(F) stacking further semiconductor chips 22, 23 on top of semiconductor chip 21 (see FIG. 1);
(G) A process of sealing the substrate 10 with a sealing material 50 so as to fill the gaps between the semiconductor chips 20 and 21 and to cover the semiconductor chips 21 to 23 and the wires 46 to 48 (see FIG. 1).

(A)~(G)工程は、複数の支持片30を使用してドルメン構造を基板10上に構築していくプロセスである。(A)工程では、図5等に示す製造方法によって製造される支持片30を所定数用意する。(A)工程では、図5等に示す製造方法によって支持片30を製造してもよいし、製造された支持片30を取得してもよい。 Steps (A) to (G) are processes for constructing a dolmen structure on a substrate 10 using multiple support pieces 30. In step (A), a predetermined number of support pieces 30 manufactured by the manufacturing method shown in FIG. 5, etc. are prepared. In step (A), the support pieces 30 may be manufactured by the manufacturing method shown in FIG. 5, etc., or the manufactured support pieces 30 may be obtained.

[(B)工程]
(B)工程は、基板10上に半導体チップ20を配置する工程である。例えば、まず、基板10上の所定の位置に接着剤片40を介して半導体チップ20を実装する。その後、半導体チップ20をワイヤ45で基板10と電気的に接続する。
[(B) Process]
Step (B) is a step of placing the semiconductor chip 20 on the substrate 10. For example, first, the semiconductor chip 20 is mounted at a predetermined position on the substrate 10 via an adhesive piece 40. Then, the semiconductor chip 20 is electrically connected to the substrate 10 by a wire 45.

[(C)工程]
(C)工程は、基板10上であって半導体チップ20の周囲に複数の支持片30を配置する工程である。この工程を経て、図11に示す構造体Tが作製される。構造体Tは、基板10と、その表面上に配置された半導体チップ20と、複数の支持片30とを備える。支持片30の配置は圧着処理によって行ってもよい。圧着処理は、例えば、80~180℃、0.01~0.50MPaの条件で、0.5~3.0秒間にわたって実施することが好ましい。なお、支持片30は(C)工程の時点で完全に硬化した支持片となっていてもよく、この時点では完全硬化していなくてもよい。支持片30は(C)工程の開始前の時点で完全硬化した支持片となっていることが好ましい。
[(C) Process]
Step (C) is a step of arranging a plurality of support pieces 30 around the semiconductor chip 20 on the substrate 10. Through this step, the structure T shown in FIG. 11 is produced. The structure T includes the substrate 10, the semiconductor chip 20 arranged on the surface thereof, and a plurality of support pieces 30. The support pieces 30 may be arranged by a pressure bonding process. The pressure bonding process is preferably carried out for 0.5 to 3.0 seconds under conditions of, for example, 80 to 180° C. and 0.01 to 0.50 MPa. Note that the support pieces 30 may be completely hardened support pieces at the time of step (C), or may not be completely hardened at this time. It is preferable that the support pieces 30 are completely hardened support pieces before the start of step (C).

[(D)工程]
(D)工程は、図12に示す接着剤片付きチップ21aを準備する工程である。接着剤片付きチップ21aは、半導体チップ21と、その一方の表面に設けられた接着剤片41とを備える。接着剤片付きチップ21aは、例えば、半導体ウェハ及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを使用し、ダイシング工程及びピックアップ工程を経て得ることができる。
[(D) Process]
Step (D) is a step of preparing the chip 21a with adhesive pieces shown in Fig. 12. The chip 21a with adhesive pieces includes a semiconductor chip 21 and an adhesive piece 41 provided on one surface of the semiconductor chip 21. The chip 21a with adhesive pieces can be obtained, for example, by using a semiconductor wafer and a dicing/die bonding integrated film, through a dicing step and a pick-up step.

[(E)工程]
(E)工程は、複数の支持片30の上面に接着剤片41が接するように、半導体チップ20の上方に接着剤片付きチップ21aを配置する工程である。具体的には、支持片30の上面に接着剤片41を介して半導体チップ21を圧着する。この圧着処理は、例えば、80~180℃、0.01~0.50MPaの条件で、0.5~3.0秒間にわたって実施することが好ましい。次に、加熱によって接着剤片41を硬化させる。この硬化処理は、例えば、60~175℃、0.01~1.0MPaの条件で、5分間以上にわたって実施することが好ましい。これにより、接着剤片41が硬化する。この工程を経て、基板10上にドルメン構造が構築される(図13参照)。
[(E) Process]
Step (E) is a step of arranging the chip 21a with adhesive pieces above the semiconductor chip 20 so that the adhesive pieces 41 contact the upper surfaces of the multiple support pieces 30. Specifically, the semiconductor chip 21 is pressure-bonded to the upper surfaces of the support pieces 30 via the adhesive pieces 41. This pressure-bonding process is preferably carried out for 0.5 to 3.0 seconds under conditions of, for example, 80 to 180°C and 0.01 to 0.50 MPa. Next, the adhesive pieces 41 are hardened by heating. This hardening process is preferably carried out for 5 minutes or more under conditions of, for example, 60 to 175°C and 0.01 to 1.0 MPa. This hardens the adhesive pieces 41. Through this step, a dolmen structure is constructed on the substrate 10 (see FIG. 13).

[(F)工程]
(F)工程では、半導体チップ21の上に接着剤片42を介して半導体チップ22を配置し、更に、半導体チップ22の上に接着剤片43を介して半導体チップ23を配置する。接着剤片42及び43は上述の接着剤片40及び41と同様の熱硬化性樹脂組成物であればよく、加熱硬化によって接着剤片となる(図1参照)。他方、半導体チップ21,22,23と基板10とをワイヤ46~48で電気的にそれぞれ接続する。なお、半導体チップ20の上方に積層するチップの数は本実施形態の三つに限定されず、適宜設定することができる。
[(F) Process]
In step (F), the semiconductor chip 22 is placed on the semiconductor chip 21 via an adhesive piece 42, and the semiconductor chip 23 is placed on the semiconductor chip 22 via an adhesive piece 43. The adhesive pieces 42 and 43 may be made of a thermosetting resin composition similar to the adhesive pieces 40 and 41 described above, and become adhesive pieces by heat curing (see FIG. 1). Meanwhile, the semiconductor chips 21, 22, and 23 are electrically connected to the substrate 10 by wires 46 to 48, respectively. The number of chips stacked above the semiconductor chip 20 is not limited to three as in this embodiment, and can be set as appropriate.

[(G)工程]
(G)工程では、半導体チップ20と半導体チップ21との隙間を埋めると共に、半導体チップ21~23とワイヤ46~48を覆うように、基板10上を封止材50で封止する(図1参照)。封止材50は、例えばエポキシ樹脂を含む。この工程を経て図1に示す半導体装置1が完成する。
[(G) Process]
In step (G), the substrate 10 is sealed with a sealant 50 (see FIG. 1) so as to fill the gaps between the semiconductor chips 20 and 21 and to cover the semiconductor chips 21 to 23 and the wires 46 to 48. The sealant 50 contains, for example, an epoxy resin. Through this step, the semiconductor device 1 shown in FIG. 1 is completed.

以上、本実施形態に係る支持片の製造方法では、個片化された支持片63aをピックアップする際、基材フィルム61を3mm以上9mm以下のエキスパンド量でエキスパンドした状態で各支持片63aをピックアップしている。この場合、エキスパンド量を通常よりも大きくしていることから、個片化された各支持片63aの側面等へ粘着しているバリGをエキスパンドにより引き剥がして、隣接する支持片63a同士がバリGで粘着されている状態を解消することができる。よって、この製造方法によれば、個片化された各支持片63aをピックアップする際、隣接する支持片63a同士がバリGで繋がれていないため、個片化された支持片63aのピックアップ性を向上することができる。 As described above, in the manufacturing method of the support piece according to the present embodiment, when picking up the singulated support pieces 63a, the base film 61 is expanded by an expansion amount of 3 mm to 9 mm, and each support piece 63a is picked up. In this case, since the expansion amount is larger than usual, the burrs G adhering to the side surfaces of each singulated support piece 63a can be peeled off by the expansion, and the state in which adjacent support pieces 63a are adhered to each other by the burrs G can be eliminated. Therefore, according to this manufacturing method, when picking up each singulated support piece 63a, adjacent support pieces 63a are not connected to each other by the burrs G, and therefore the pick-up ability of the singulated support pieces 63a can be improved.

また、本実施形態に係る支持片の製造方法は、接着フィルム63が個片化用のリングフレーム100の内側に配置されるように基材フィルム61を粘着層62を介してリングフレーム100に貼り付ける工程を更に備えてもよく、この貼り付ける工程では、積層フィルム60の伸び率が100%より大きくなるように積層フィルム60に張力を付与しながら積層フィルム60をリングフレーム100に貼り付けている。この場合、ダイシングを行う前に積層フィルム60が外側に向けて伸ばされる張力が付与されており、ダイシングで当該張力が解放されることになる。よって、隣接する支持片63a同士の間にダイシングでバリGが形成されたとしても、この張力の解放による急激な縮みによりバリGが支持片63a間のダイシング溝H等から掻き出されるため、隣接する支持片63a同士がバリGで繋がれていないことになり、個片化された支持片63aのピックアップ性を更に向上することができる。 The manufacturing method of the support piece according to this embodiment may further include a step of attaching the base film 61 to the ring frame 100 via the adhesive layer 62 so that the adhesive film 63 is positioned inside the ring frame 100 for singulation. In this attaching step, the laminated film 60 is attached to the ring frame 100 while applying tension to the laminated film 60 so that the elongation rate of the laminated film 60 is greater than 100%. In this case, before dicing, tension is applied to the laminated film 60 so that it is stretched outward, and the tension is released by dicing. Therefore, even if a burr G is formed between adjacent support pieces 63a by dicing, the burr G is scraped out from the dicing groove H between the support pieces 63a due to the sudden shrinkage caused by the release of this tension, so that the adjacent support pieces 63a are not connected by the burr G, and the pick-up ability of the singulated support pieces 63a can be further improved.

また、本実施形態に係る支持片の製造方法において、貼り付ける工程では、積層フィルム60の伸び率が101%以下となるように積層フィルム60に張力を付与しながら積層フィルム60をリングフレーム100に貼り付けてもよい。この場合、積層フィルム60に掛かる張力がそれほど高くないことから、積層フィルム60を構成する接着フィルム63に掛かる伸びの力も低く抑えられ、積層フィルム60をリングフレーム100に貼り付ける際、基材フィルム61から接着フィルム63が剥離することが低減される。特に基材フィルム61(粘着層62)と接着フィルム63の外周付近では剥離が生じやすいが、上記の製造方法により、基材フィルム61から接着フィルム63が剥離することが低減される。その結果、基材フィルム61及び粘着層62からなる積層体と接着フィルム63との間でボイドが生じにくくなる。このようなボイドの低減により、この製造方法によれば、個片化の際のチップ飛び等を抑制し、安価な支持部材を高い歩留まりで製造することが可能となる。 In addition, in the manufacturing method of the support piece according to this embodiment, in the bonding step, the laminated film 60 may be bonded to the ring frame 100 while applying tension to the laminated film 60 so that the elongation rate of the laminated film 60 is 101% or less. In this case, since the tension applied to the laminated film 60 is not so high, the elongation force applied to the adhesive film 63 constituting the laminated film 60 is also kept low, and when the laminated film 60 is bonded to the ring frame 100, peeling of the adhesive film 63 from the base film 61 is reduced. Peeling is particularly likely to occur near the outer periphery of the base film 61 (adhesive layer 62) and the adhesive film 63, but the above manufacturing method reduces peeling of the adhesive film 63 from the base film 61. As a result, voids are less likely to occur between the laminate consisting of the base film 61 and the adhesive layer 62 and the adhesive film 63. By reducing such voids, this manufacturing method makes it possible to suppress chip flying during individualization and to manufacture inexpensive support members with a high yield.

また、本実施形態に係る支持片の製造方法において、ピックアップする工程では、基材フィルム61を5mm以上9mm以下のエキスパンド量でエキスパンドした状態で、複数の支持片63aそれぞれをピックアップしてもよい。この場合、エキスパンド量を通常よりも更に大きい値の範囲としていることから、個片化された各支持片63aの側面等へ粘着しているバリGを更に強く引き剥がして、隣接する支持片63a同士がバリで粘着されている状態を解消することができる。よって、この製造方法によれば、個片化された各支持片63aをピックアップする際、個片化された支持片63aのピックアップ性を更に向上することができる。 In addition, in the manufacturing method of the support piece according to this embodiment, in the picking up step, each of the multiple support pieces 63a may be picked up in a state in which the base film 61 is expanded by an expansion amount of 5 mm or more and 9 mm or less. In this case, since the expansion amount is set to a range of values even larger than usual, the burrs G adhering to the sides, etc. of each individualized support piece 63a can be more strongly peeled off, and the state in which adjacent support pieces 63a are adhered to each other by the burrs can be eliminated. Therefore, according to this manufacturing method, when each individualized support piece 63a is picked up, the pick-up ability of the individualized support pieces 63a can be further improved.

また、本実施形態に係る支持片の製造方法において、ピックアップする工程では、エキスパンドする方向と直交する突上げ方向に300μm以上の突上げ量で基材フィルム61を突き上げて複数の支持片63aそれぞれをピックアップしてもよい。この場合、ピックアップする際の基材フィルム61からの支持片63aの距離をより多く取ることができるため、個片化された支持片のピックアップ性を更に向上することができる。 In addition, in the manufacturing method of the support piece according to this embodiment, in the picking up process, the base film 61 may be pushed up by a push-up amount of 300 μm or more in a push-up direction perpendicular to the expanding direction to pick up each of the multiple support pieces 63a. In this case, the distance of the support pieces 63a from the base film 61 during pick-up can be increased, thereby further improving the pick-up ability of the individualized support pieces.

また、本実施形態に係る支持片の製造方法において、接着フィルム63の引張弾性率が8.0MPa以上であってもよい。また、接着フィルム63は、ポリイミドを含んでもよい。この場合、安価で且つ強度に優れた支持部材を得ることが可能となる。 In addition, in the manufacturing method of the support piece according to this embodiment, the adhesive film 63 may have a tensile modulus of elasticity of 8.0 MPa or more. The adhesive film 63 may also contain polyimide. In this case, it is possible to obtain a support member that is inexpensive and has excellent strength.

また、本実施形態に係る支持片の製造方法において、接着フィルム63は、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる一対の表面層66a,66bと、一対の表面層66a,66bの間に配置された中間層67とを含んでもよい。この場合、接着フィルム63Aが多層構造であり、接着フィルム63Aを比較的厚くなるように形成しても、接着フィルム63Aの反りを抑制することができる。反りを抑制することにより、この製造方法によれば、平面方向に広がる接着フィルム63Aの厚さをより均一なものとして、製造される支持片の厚みをより均一化させることが可能となる。この変形例において、中間層67はポリイミド層又は金属層であってもよい。これにより、強度及び耐熱性に優れた支持片を得ることができる。なお、中間層67の厚みは50μm以下であってもよい。これにより、多層構造であっても支持片をそれほど厚くせずに薄いものとすることができる。 In addition, in the manufacturing method of the support piece according to this embodiment, the adhesive film 63 may include a pair of surface layers 66a, 66b made of a cured product of a thermosetting resin composition, and an intermediate layer 67 arranged between the pair of surface layers 66a, 66b. In this case, even if the adhesive film 63A has a multilayer structure and is formed to be relatively thick, the warping of the adhesive film 63A can be suppressed. By suppressing the warping, this manufacturing method makes it possible to make the thickness of the adhesive film 63A that spreads in the planar direction more uniform, and to make the thickness of the manufactured support piece more uniform. In this modified example, the intermediate layer 67 may be a polyimide layer or a metal layer. This makes it possible to obtain a support piece with excellent strength and heat resistance. The thickness of the intermediate layer 67 may be 50 μm or less. This makes it possible to make the support piece thin without making it too thick, even if it has a multilayer structure.

以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、ドルメン構造の半導体装置に用いる支持片30の製造方法について説明したが、支持片30は、他の半導体装置の部材として用いてもよく、特に限定されない。また、紫外線硬化型の粘着層62を有する積層フィルム60を例示したが、粘着層62は感圧型であってもよい。 Although the embodiments of the present disclosure have been described in detail above, the present invention is not limited to the above embodiments. For example, in the above embodiment, a method for manufacturing the support piece 30 used in a semiconductor device with a dolmen structure was described, but the support piece 30 may be used as a component of other semiconductor devices, and is not particularly limited. In addition, although a laminated film 60 having an ultraviolet-curing adhesive layer 62 was exemplified, the adhesive layer 62 may be a pressure-sensitive type.

以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。 The present invention will be explained in more detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

以下の実施例では、図10に示す構成の積層フィルム60Aを用いて支持片を作製した場合における支持片のピックアップ性を確認した。具体的には、積層フィルム60Aをリングフレーム100に貼り付けると共に、ダイシングにより接着フィルム63Aを個片化し、その後、個片化した支持片をピックアップした。これらに用いた装置は、(株)ディスコ製の12インチデュアルダイサ(DFD-6362)およびファスフォードテクノロジ(株)製のダイボンダ(DB-830P)であった。 In the following examples, the pick-up properties of the support piece were confirmed when the support piece was made using the laminated film 60A with the configuration shown in Figure 10. Specifically, the laminated film 60A was attached to the ring frame 100, and the adhesive film 63A was diced into individual pieces, after which the individual support pieces were picked up. The equipment used for these was a 12-inch dual dicer (DFD-6362) manufactured by Disco Corporation and a die bonder (DB-830P) manufactured by Fasford Technology Co., Ltd.

また、各実施例で使用した化合物は以下の通りである。 The compounds used in each example are as follows:

(積層体)
積層体65として、以下の積層体を準備した。
(Laminate)
As the laminate 65, the following laminate was prepared.

<積層体の作製>
アクリル酸2-エチルヘキシルを78質量部、アクリル酸2-ヒドロキシエチルを20質量部、メタクリル酸を2質量部を原料として、溶媒には酢酸エチルを用いて、溶液ラジカル重合により共重合体を得た。次に、このアクリル共重合体に対し、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを8重量部反応させて、炭素-炭素二重結合を有する放射線反応型アクリル共重合体を合成した。上記の反応にあたっては、重合禁止剤としてヒドロキノン・モノメチルエーテルを0.05部用いた。合成したアクリル共重合体の重量平均分子量をGPCにより測定したところ、80万であった。
<Preparation of Laminate>
A copolymer was obtained by solution radical polymerization using 78 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 20 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, and 2 parts by weight of methacrylic acid as raw materials and ethyl acetate as a solvent. Next, this acrylic copolymer was reacted with 8 parts by weight of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate to synthesize a radiation-reactive acrylic copolymer having a carbon-carbon double bond. In the above reaction, 0.05 parts of hydroquinone monomethyl ether was used as a polymerization inhibitor. The weight average molecular weight of the synthesized acrylic copolymer was measured by GPC and found to be 800,000.

このようにして得られたアクリル共重合体と、硬化剤としてポリイソシアネート化合物(東ソー(株)、商品名:コロネートL)を固形分換算で8.0部と、光重合開始剤として1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン0.5部とを混合し、放射線硬化型粘着剤溶液を調製した。次に、上記のようにして得られた放射線硬化型粘着剤溶液を、ポリエチレンテレフタレート製剥離フィルム(厚み:38μm)上に、乾燥後の厚みが10μmとなるように塗布・乾燥した。その後、粘着剤層に、片面にコロナ放電処理が施されたポリオレフィン製フィルム(厚み:90μm)を貼り合わせた。貼り合せた試料を40℃の恒温槽で72時間エージングを行い、積層体を作製した。なお、積層体の引張強さは、32MPaであり、伸び率は340%であった。 The acrylic copolymer thus obtained was mixed with 8.0 parts (solids equivalent) of a polyisocyanate compound (Tosoh Corporation, product name: Coronate L) as a curing agent, and 0.5 parts of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone as a photopolymerization initiator to prepare a radiation-curable adhesive solution. Next, the radiation-curable adhesive solution thus obtained was applied to a polyethylene terephthalate release film (thickness: 38 μm) and dried so that the thickness after drying would be 10 μm. After that, a polyolefin film (thickness: 90 μm) that had been corona discharge-treated on one side was bonded to the adhesive layer. The bonded sample was aged in a thermostatic chamber at 40°C for 72 hours to produce a laminate. The tensile strength of the laminate was 32 MPa and the elongation was 340%.

(接着フィルム)
接着フィルムは、上述したように、図10に示す三層構成の接着フィルム63Aを用いた。接着フィルム63Aの表面層66a、66bを構成する熱硬化性樹脂組成物は、以下の(a)~(h)を含んでいた。
(Adhesive film)
As described above, the adhesive film used was the three-layer adhesive film 63A shown in Fig. 10. The thermosetting resin composition constituting the surface layers 66a and 66b of the adhesive film 63A contained the following (a) to (h).

(ワニスAの調製)
以下の材料を使用して支持片形成用フィルムのためのワニスAを調製した。
(a)エポキシ樹脂:YDCN-700-10:(商品名、新日鉄住金化学(株)製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、25℃において固体)13.2質量部
(b)フェノール樹脂(硬化剤):HE-100C-30:(商品名、エア・ウォーター(株)製、フェニルアラキル型フェノール樹脂)11.0質量部
(c)無機フィラー:アエロジルR972:(商品名、日本アエロジル(株)製、シリカ、平均粒径0.016μm)7.8質量部
(d)エラストマ:SG-P3溶剤変更品(商品名、ナガセケムテックス(株)製、アクリルゴム、重量平均分子量:80万、Tg:12℃、溶剤はシクロヘキサノン)66.4質量部
(e)カップリング剤1:A-189:(商品名、GE東芝(株)製、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン)0.4質量部
(f)カップリング剤2:A-1160:(商品名、GE東芝(株)製、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン)1.15質量部
(g)硬化促進剤:キュアゾール2PZ-CN:(商品名、四国化成工業(株)製、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール)0.03質量部
(h)溶媒:シクロヘキサン
(Preparation of Varnish A)
Varnish A for the film for forming the support strip was prepared using the following materials.
(a) Epoxy resin: YDCN-700-10: (trade name, manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., cresol novolac type epoxy resin, solid at 25°C) 13.2 parts by mass (b) Phenol resin (curing agent): HE-100C-30: (trade name, manufactured by Air Water Inc., phenylarakyl type phenol resin) 11.0 parts by mass (c) Inorganic filler: Aerosil R972: (trade name, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., silica, average particle size 0.016 μm) 7.8 parts by mass (d) Elastomer: SG-P3 solvent-change product (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, acrylic (e) Coupling agent 1: A-189: (trade name, manufactured by GE Toshiba Corporation, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane) 0.4 parts by mass (f) Coupling agent 2: A-1160: (trade name, manufactured by GE Toshiba Corporation, γ-ureidopropyltriethoxysilane) 1.15 parts by mass (g) Curing accelerator: Curesol 2PZ-CN: (trade name, manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd., 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole) 0.03 parts by mass (h) Solvent: Cyclohexane

上記のとおり、溶媒としてシクロヘキサノンを使用し、ワニスAの固形分割合が16質量%となるように調整した。100メッシュのフィルターでワニスAをろ過するとともに真空脱泡した。ワニスAを塗布するフィルムとして、離型処理が施されたポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(厚さ38μm)を準備した。真空脱泡後のワニスAを、PETフィルムの離型処理が施された面上に塗布した。塗布したワニスAを、90℃で5分間、続いて140℃で5分間の二段階で加熱乾燥した。こうして、Bステージ状態(半硬化状態)の熱硬化性樹脂層AをPETフィルムの表面上に作製した。 As described above, cyclohexanone was used as the solvent, and the solid content of varnish A was adjusted to 16% by mass. Varnish A was filtered through a 100-mesh filter and vacuum degassed. A polyethylene terephthalate (PET) film (thickness 38 μm) that had been subjected to a release treatment was prepared as the film to which varnish A was applied. The varnish A after vacuum degassing was applied onto the release-treated surface of the PET film. The applied varnish A was heated and dried in two stages, at 90°C for 5 minutes and then at 140°C for 5 minutes. In this way, a thermosetting resin layer A in a B-stage state (semi-cured state) was produced on the surface of the PET film.

また、接着フィルム63Aの中間層67は、ポリイミド(宇部興産(株)製、商品名:ユーピレックス 50SGA、厚み50μm)から構成されていた。 The intermediate layer 67 of the adhesive film 63A was made of polyimide (manufactured by Ube Industries, Ltd., product name: Upilex 50SGA, thickness 50 μm).

次に熱硬化性樹脂層66a、66bを準備し、70℃のホットプレート上において中間層67の両面にゴムロールで貼り合わせ接着フィルム63Aとし、積層体65に室温でゴムロールで貼り合わせ、積層フィルム60Aを得た。 Next, thermosetting resin layers 66a and 66b were prepared and laminated to both sides of intermediate layer 67 with a rubber roll on a hot plate at 70°C to form adhesive film 63A, which was then laminated to laminate 65 with a rubber roll at room temperature to obtain laminate film 60A.

続いて、この得られた積層フィルム60Aを所定の貼付け張力でリングフレーム100に貼り付け(図5(a)を参照)、その後、ダイシング装置によるダイシングで接着フィルム63Aを個片化した(図5(b)を参照)。そして、所定のエキスパンド量で基材フィルム61をエキスパンドしながら各支持片を突上げ治具111で突き上げ、吸引コレット112による吸引でピックアップした。各試験におけるピックアップ数はそれぞれ20個とした。 Then, the obtained laminated film 60A was attached to the ring frame 100 with a predetermined attachment tension (see FIG. 5(a)), and then the adhesive film 63A was divided into individual pieces by dicing with a dicing device (see FIG. 5(b)). Then, while expanding the base film 61 by a predetermined expansion amount, each support piece was pushed up by the push-up jig 111 and picked up by suction with the suction collet 112. The number of pieces picked up in each test was 20.

以下の表1~表3に、エキスパンド量、貼付け張力、突上げ量、及び突上げ速度をそれぞれ変更した評価結果(実施例1~16)を示す。表1では、貼付け張力が100.19%であり、ダイシング時のカーフ幅は24μmであった。表2では、貼付け張力が100.47%であり、ダイシング時のカーフ幅は31μmであった。表3では、貼付け張力が101.00%であり、ダイシング時のカーフ幅は33μmであった。


The following Tables 1 to 3 show the evaluation results (Examples 1 to 16) in which the expansion amount, application tension, push-up amount, and push-up speed were changed. In Table 1, the application tension was 100.19%, and the kerf width at the time of dicing was 24 μm. In Table 2, the application tension was 100.47%, and the kerf width at the time of dicing was 31 μm. In Table 3, the application tension was 101.00%, and the kerf width at the time of dicing was 33 μm.


以上の実施例1~16に示すように、ピックアップ時のエキスパンド量を3mm~9mmの範囲とすることで、支持片のピックアップ率がほぼ100%であり、ピックアップ性が向上していることが確認できた。なお、実施例1及び実施例2に示すように、ピックアップ時のエキスパンド量が3mmの場合、突上げ量が275mm及び300mmであると、ピックアップ率が下がる傾向があるが、例えば実施例2の突上げ量を325μmに上げることで、ピックアップ率は20/20とすることができた。 As shown in Examples 1 to 16 above, by setting the expansion amount at the time of pickup in the range of 3 mm to 9 mm, the pickup rate of the support piece was nearly 100%, and it was confirmed that the pickup performance was improved. Note that, as shown in Examples 1 and 2, when the expansion amount at the time of pickup is 3 mm, the pickup rate tends to decrease when the push-up amount is 275 mm and 300 mm, but for example, by increasing the push-up amount in Example 2 to 325 μm, the pickup rate could be made 20/20.

また、以下の表4に、エキスパンド量を7mmとして、積層体65Aのリングフレーム100への貼付け張力を変更した実施例17~19を示す。
Table 4 below shows Examples 17 to 19 in which the expansion amount was set to 7 mm and the attachment tension of the laminate 65A to the ring frame 100 was changed.

以上の実施例17~19に示すように、積層体65Aのリングフレーム100への貼付け張力を100%よりも高くするにつれて、ピックアップ数を向上させることが出来ることが確認できた。なお、実施例17~19での突上げ量は、貼付け張力の変化による傾向を確認するため、低めに設定しており、実施例18及び19に対応する試験において突上げ量を225μmに上げることで(他の条件はそのまま)、ピックアップ率は20/20とすることができた。 As shown in Examples 17 to 19 above, it was confirmed that the number of pick-ups can be improved by increasing the attachment tension of the laminate 65A to the ring frame 100 above 100%. Note that the push-up amount in Examples 17 to 19 was set low in order to confirm the tendency due to changes in attachment tension, and by increasing the push-up amount to 225 μm in the tests corresponding to Examples 18 and 19 (while keeping other conditions unchanged), the pick-up rate was able to be 20/20.

以上の試験結果から明らかなように、基材フィルムを3mm以上9mm以下のエキスパンド量(より好ましくは、5mm以上9mm以下のエキスパンド量)でエキスパンドした状態で各支持片をピックアップすることにより、ピックアップ率を高くできることが確認できた。また、積層体のリングフレームへの貼付け張力を高くすることにより、ピックアップ性を向上できることが確認された。 As is clear from the above test results, it was confirmed that the pick-up rate can be increased by picking up each support piece in a state where the base film is expanded by an amount of expansion of 3 mm to 9 mm (more preferably, an amount of expansion of 5 mm to 9 mm). It was also confirmed that the pick-up property can be improved by increasing the attachment tension of the laminate to the ring frame.

1…半導体装置、10…基板、20…半導体チップ、21…半導体チップ、30…支持片(支持部材)、60,60A…積層フィルム、61…基材フィルム、62…粘着層、63…接着フィルム、63a…支持片、65…積層体、66a,66b…表面層、67…中間層、100…リングフレーム(リング)、111…突上げ治具、112…吸引コレット、E…エキスパンド量、G…バリ、H…ダイシング溝。
1...semiconductor device, 10...substrate, 20...semiconductor chip, 21...semiconductor chip, 30...support piece (support member), 60, 60A...laminated film, 61...base material film, 62...adhesive layer, 63...adhesive film, 63a...support piece, 65...laminated body, 66a, 66b...surface layer, 67...intermediate layer, 100...ring frame (ring), 111...push-up jig, 112...suction collet, E...expansion amount, G...burr, H...dicing groove.

Claims (10)

基材フィルムに粘着層を介して接着フィルムが貼り付けられた積層フィルムを準備する工程と、
前記接着フィルムが個片化用のリングの内側に配置されるように前記基材フィルムを前記粘着層を介して前記リングに貼り付ける工程と、
前記接着フィルムを複数の支持部材に個片化する工程と、
前記複数の支持部材それぞれを前記基材フィルムからピックアップする工程と、を備え、
前記貼り付ける工程では、前記積層フィルムの伸び率が100%より大きくなるように前記積層フィルムに張力を付与しながら前記積層フィルムを前記リングに貼り付け、
前記ピックアップする工程では、前記基材フィルムを3mm以上9mm以下のエキスパンド量でエキスパンドした状態で、前記複数の支持部材それぞれをピックアップする、
支持部材の製造方法。
A step of preparing a laminated film in which an adhesive film is attached to a base film via an adhesive layer;
attaching the base film to a ring via the adhesive layer so that the adhesive film is disposed inside the ring;
singulating the adhesive film into a plurality of support members;
picking up each of the plurality of support members from the base film;
In the attaching step, the laminated film is attached to the ring while applying tension to the laminated film so that the elongation of the laminated film is greater than 100%;
In the picking up step, the base film is expanded by an expansion amount of 3 mm or more and 9 mm or less, and each of the plurality of support members is picked up in that state.
A method for manufacturing a support member.
前記貼り付ける工程では、前記積層フィルムの伸び率が101%以下となるように前記積層フィルムに張力を付与しながら前記積層フィルムを前記リングに貼り付ける、
請求項に記載の支持部材の製造方法。
In the attaching step, the laminated film is attached to the ring while applying tension to the laminated film so that the elongation of the laminated film is 101% or less.
A method for manufacturing the support member according to claim 1 .
前記貼り付ける工程では、前記積層フィルムの伸び率が101%以上となるように前記積層フィルムに張力を付与しながら前記積層フィルムを前記リングに貼り付ける、In the attaching step, the laminated film is attached to the ring while applying tension to the laminated film so that the elongation of the laminated film is 101% or more.
請求項1に記載の支持部材の製造方法。A method for manufacturing the support member according to claim 1 .
前記ピックアップする工程では、前記基材フィルムを5mm以上9mm以下のエキスパンド量でエキスパンドした状態で、前記複数の支持部材それぞれをピックアップする、
請求項1~3の何れか一項に記載の支持部材の製造方法。
In the picking up step, the base film is expanded by an expansion amount of 5 mm or more and 9 mm or less, and each of the plurality of support members is picked up in that state.
A method for manufacturing a support member according to any one of claims 1 to 3.
前記ピックアップする工程では、前記エキスパンドする方向と交差する突上げ方向に300μm以上の突上げ量で前記基材フィルムを突き上げて前記複数の支持部材それぞれをピックアップする、
請求項1~4の何れか一項に記載の支持部材の製造方法。
In the picking up step, the base film is pushed up by a push-up amount of 300 μm or more in a push-up direction intersecting with the expanding direction to pick up each of the plurality of support members.
A method for manufacturing a support member according to any one of claims 1 to 4.
前記接着フィルムの引張弾性率が8.0MPa以上である、
請求項1~5の何れか一項に記載の支持部材の製造方法。
The adhesive film has a tensile modulus of 8.0 MPa or more.
A method for manufacturing a support member according to any one of claims 1 to 5.
前記接着フィルムは、ポリイミドを含む、
請求項1~6の何れか一項に記載の支持部材の製造方法。
The adhesive film comprises polyimide.
A method for manufacturing a support member according to any one of claims 1 to 6.
前記接着フィルムは、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる一対の表面層と、前記一対の表面層の間に配置された中間層とを含む、
請求項1~7の何れか一項に記載の支持部材の製造方法。
The adhesive film includes a pair of surface layers made of a cured product of a thermosetting resin composition, and an intermediate layer disposed between the pair of surface layers.
A method for manufacturing a support member according to any one of claims 1 to 7.
前記中間層がポリイミド層又は金属層である、
請求項8に記載の支持部材の製造方法。
The intermediate layer is a polyimide layer or a metal layer.
A method for manufacturing a support member according to claim 8.
請求項1~9の何れか一項に記載の支持部材の製造方法によって製造された支持部材を用いて半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: manufacturing a semiconductor device using a support member manufactured by the method for manufacturing a support member according to any one of claims 1 to 9.
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