JP7708256B2 - Wiring Board - Google Patents
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Description
本開示は、配線基板に関する。 This disclosure relates to a wiring board.
電子部品の実装方法としては、配線基板に電子部品を表面実装する方法が主流である(例えば特許文献1参照)。 The mainstream method for mounting electronic components is to surface mount the electronic components on a wiring board (see, for example, Patent Document 1).
近年、電子機器の小型化、高機能化に伴い、電子部品が搭載される配線基板に関しても、多層化、高密度化、高速化の技術開発が進められている。そのため、配線基板においては、接続部間の間隔(ピッチ)を狭くする狭ピッチ化が要求されている。なお、接続部はパッドや端子部とも称される。 In recent years, with the miniaturization and high functionality of electronic devices, technological developments are underway for the wiring boards on which electronic components are mounted, to make them more multi-layered, denser, and faster. This has created a demand for narrower pitches, which reduce the distance (pitch) between connections on wiring boards. Connections are also called pads or terminals.
しかしながら、接続部のピッチが狭いと、隣接する接続部上のはんだが接触する、いわゆるはんだブリッジが発生するという問題がある。 However, if the pitch of the connections is narrow, there is a problem that the solder on adjacent connections comes into contact, which is known as solder bridging.
本開示は、上記問題点に鑑みてなされた発明であり、はんだブリッジの発生を抑制することが可能な配線基板を提供することを主目的とする。 The present disclosure is an invention made in consideration of the above problems, and its main objective is to provide a wiring board that can suppress the occurrence of solder bridges.
上記目的を達成するために、本開示は、第1面および上記第1面に対向する第2面を有する基材と、上記基材の上記第1面側に配置された1層以上の配線および1層以上の絶縁層とを有する配線基板であって、上記1層以上の配線が、上記基材から最も遠くに位置する最外配線を少なくとも有し、上記1層以上の絶縁層が、上記最外配線の上記基材側の面とは反対の面側に配置され、上記最外配線上に位置する開口部を有する最外絶縁層を少なくとも有し、上記配線基板が、上記最外絶縁層の開口部に配置され、上記最外配線に電気的に接続された接続部をさらに有し、上記最外絶縁層が、上記最外配線側の面とは反対の面に、かつ、上記開口部の周縁部に凸部を有し、上記最外絶縁層の上記凸部の上記基材の上記第1面からの高さが、上記接続部の上記基材の上記第1面からの高さよりも高く、上記接続部のピッチが、50μm以下である、配線基板を提供する。 To achieve the above object, the present disclosure provides a wiring board having a substrate having a first surface and a second surface opposed to the first surface, and one or more layers of wiring and one or more insulating layers arranged on the first surface side of the substrate, the one or more layers of wiring having at least an outermost wiring located farthest from the substrate, the one or more insulating layers having at least an outermost insulating layer arranged on the surface side opposite the substrate side of the outermost wiring and having an opening located on the outermost wiring, the wiring board further having a connection portion arranged in the opening of the outermost insulating layer and electrically connected to the outermost wiring, the outermost insulating layer having a convex portion on the surface opposite the surface on the outermost wiring side and on the periphery of the opening, the height of the convex portion of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate is higher than the height of the connection portion from the first surface of the substrate, and the pitch of the connection portion is 50 μm or less.
本開示によれば、最外絶縁層が、最外配線側の面とは反対の面に、かつ、開口部の周縁部に凸部を有しており、最外絶縁層の凸部の基材の第1面からの高さが、接続部の基材の第1面からの高さよりも高いことにより、本開示の配線基板に電子部品を実装する際に、はんだブリッジが発生するのを抑制することが可能である。したがって、狭ピッチであっても、短絡を抑制することができる。 According to the present disclosure, the outermost insulating layer has a convex portion on the surface opposite the surface on the outermost wiring side and on the periphery of the opening, and the height of the convex portion of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate is greater than the height of the connection portion from the first surface of the substrate, making it possible to prevent the occurrence of solder bridges when mounting electronic components on the wiring board of the present disclosure. Therefore, even with a narrow pitch, short circuits can be prevented.
また、本開示は、第1面および上記第1面に対向する第2面を有する基材と、上記基材の上記第1面側に配置された1層以上の配線および1層以上の絶縁層とを有する配線基板であって、上記1層以上の配線が、上記基材から最も遠くに位置する最外配線を少なくとも有し、上記1層以上の絶縁層が、上記最外配線の上記基材側の面とは反対の面側に配置され、上記最外配線上に位置する開口部を有する最外絶縁層を少なくとも有し、上記配線基板が、上記最外絶縁層の開口部に配置され、上記最外配線に電気的に接続された接続部と、上記最外絶縁層および上記接続部側の面に、かつ、上記最外絶縁層の上記開口部の周縁部の全周にわたり位置する凹部とを有し、上記凹部の底部の上記基材の上記第1面からの高さが、上記最外絶縁層の上記開口部の周縁部における上記最外絶縁層の上記基材の上記第1面からの最大高さ、および上記接続部の上記基材の上記第1面からの最大高さよりも低く、上記接続部の上記基材の上記第1面からの最大高さが、上記最外絶縁層の上記開口部の周縁部における上記最外絶縁層の上記基材の上記第1面からの最大高さよりも高く、上記接続部のピッチが、50μm以下である、配線基板を提供する。 The present disclosure also relates to a wiring board having a substrate having a first surface and a second surface opposing the first surface, and one or more layers of wiring and one or more insulating layers arranged on the first surface side of the substrate, wherein the one or more layers of wiring have at least an outermost wiring located farthest from the substrate, the one or more insulating layers are arranged on a surface side opposite the substrate side of the outermost wiring, and have at least an outermost insulating layer having an opening located on the outermost wiring, and the wiring board has a connection portion arranged in the opening of the outermost insulating layer and electrically connected to the outermost wiring, and a connection portion between the outermost insulating layer and the connection portion. and a recess located on the surface of the outermost insulating layer that faces the opening and around the entire periphery of the opening of the outermost insulating layer, the height of the bottom of the recess from the first surface of the substrate is lower than the maximum height of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate at the periphery of the opening of the outermost insulating layer and the maximum height of the connection from the first surface of the substrate, the maximum height of the connection from the first surface of the substrate is higher than the maximum height of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate at the periphery of the opening of the outermost insulating layer, and the pitch of the connection is 50 μm or less.
本開示によれば、配線基板が、最外絶縁層および接続部側の面に、かつ、最外絶縁層の開口部の周縁部の全周にわたり位置する凹部を有しており、凹部の底部の基材の第1面からの高さが、最外絶縁層の開口部の周縁部における最外絶縁層の基材の第1面からの最大高さ、および接続部の基材の第1面からの最大高さよりも低いことにより、本開示の配線基板に電子部品を実装する際に、はんだブリッジが発生するのを抑制することが可能である。したがって、狭ピッチであっても、短絡を抑制することができる。さらに、接続部の基材の第1面からの最大高さが、最外絶縁層の開口部の周縁部における最外絶縁層の基材の第1面からの最大高さよりも高いことにより、接続部と電子部品との電気的接続性を良くすることができる。 According to the present disclosure, the wiring board has a recess located on the surface of the outermost insulating layer and the connection portion side and around the entire periphery of the opening of the outermost insulating layer, and the height of the bottom of the recess from the first surface of the substrate is lower than the maximum height of the connection portion from the first surface of the substrate at the periphery of the opening of the outermost insulating layer and the maximum height of the connection portion from the first surface of the substrate, so that it is possible to suppress the occurrence of solder bridges when mounting electronic components on the wiring board of the present disclosure. Therefore, even with a narrow pitch, short circuits can be suppressed. Furthermore, the maximum height of the connection portion from the first surface of the substrate is higher than the maximum height of the connection portion from the first surface of the substrate of the outermost insulating layer at the periphery of the opening of the outermost insulating layer, so that the electrical connectivity between the connection portion and the electronic component can be improved.
本開示においては、上記最外絶縁層が、感光性樹脂組成物の硬化物を含むことが好ましい。フォトリソグラフィ法により、開口部の周縁部に上記凸部を有する最外絶縁層を、あるいは最外絶縁層の周縁部に上記凹部を容易に形成することができるからである。 In the present disclosure, it is preferable that the outermost insulating layer contains a cured product of a photosensitive resin composition. This is because the outermost insulating layer having the convex portion on the periphery of the opening, or the concave portion on the periphery of the outermost insulating layer can be easily formed by photolithography.
本開示においては、はんだブリッジの発生を抑制することが可能であるという効果を奏する。 This disclosure has the advantage of being able to prevent solder bridges from occurring.
下記に、図面等を参照しながら本開示の実施の形態を説明する。ただし、本開示は多くの異なる態様で実施することが可能であり、下記に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表わされる場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 Below, an embodiment of the present disclosure will be described with reference to the drawings. However, the present disclosure can be implemented in many different forms, and should not be interpreted as being limited to the description of the embodiment exemplified below. In addition, in order to make the explanation clearer, the drawings may show the width, thickness, shape, etc. of each part in a schematic manner compared to the actual form, but these are merely examples and do not limit the interpretation of the present disclosure. In this specification and each figure, elements similar to those described above with respect to the previous figures are given the same reference numerals, and detailed explanations may be omitted as appropriate.
本明細書において、ある部材の上に他の部材を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」、あるいは「下に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある部材に接するように、直上、あるいは直下に他の部材を配置する場合と、ある部材の上方、あるいは下方に、さらに別の部材を介して他の部材を配置する場合との両方を含むものとする。また、本明細書において、ある部材の面に他の部材を配置する態様を表現するにあたり、単に「面側に」または「面に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある部材に接するように、直上、あるいは直下に他の部材を配置する場合と、ある部材の上方、あるいは下方に、さらに別の部材を介して他の部材を配置する場合との両方を含むものとする。 In this specification, when describing a mode in which another component is placed on a certain component, the term "above" or "below" is used, unless otherwise specified, to include both cases in which another component is placed directly above or below a certain component so as to be in contact with the component, and cases in which another component is placed above or below a certain component with another component in between. Also, in this specification, when describing a mode in which another component is placed on the surface of a certain component, the term "on the surface side" or "on the surface" is used, unless otherwise specified, to include both cases in which another component is placed directly above or below a certain component so as to be in contact with the component, and cases in which another component is placed above or below a certain component with another component in between.
以下、本開示の配線基板について詳細に説明する。本開示の配線基板は、2つの実施態様を有する。以下、各実施態様について説明する。 The wiring board of the present disclosure will be described in detail below. The wiring board of the present disclosure has two embodiments. Each embodiment will be described below.
I.第1実施態様
本開示の配線基板の第1実施態様は、第1面および上記第1面に対向する第2面を有する基材と、上記基材の上記第1面側に配置された1層以上の配線および1層以上の絶縁層とを有する配線基板であって、上記1層以上の配線が、上記基材から最も遠くに位置する最外配線を少なくとも有し、上記1層以上の絶縁層が、上記最外配線の上記基材側の面とは反対の面側に配置され、上記最外配線上に位置する開口部を有する最外絶縁層を少なくとも有し、上記配線基板が、上記最外絶縁層の開口部に配置され、上記最外配線に電気的に接続された接続部をさらに有し、上記最外絶縁層が、上記最外配線側の面とは反対の面に、かつ、上記開口部の周縁部に凸部を有し、上記最外絶縁層の上記凸部の上記基材の上記第1面からの高さが、上記接続部の上記基材の上記第1面からの高さよりも高く、上記接続部のピッチが、50μm以下である、配線基板である。
I. First embodiment A first embodiment of the wiring board of the present disclosure is a wiring board having a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and one or more layers of wiring and one or more insulating layers arranged on the first surface side of the substrate, wherein the one or more layers of wiring have at least an outermost wiring located farthest from the substrate, the one or more insulating layers are arranged on the surface side opposite to the substrate side of the outermost wiring, and have at least an outermost insulating layer having an opening located on the outermost wiring, the wiring board further has a connection portion arranged in the opening of the outermost insulating layer and electrically connected to the outermost wiring, the outermost insulating layer has a convex portion on the surface opposite to the surface on the outermost wiring side and on the periphery of the opening, the height of the convex portion of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate is higher than the height of the connection portion from the first surface of the substrate, and the pitch of the connection portion is 50 μm or less.
本実施態様の配線基板について、図を用いて説明する。
図1は、本実施態様の配線基板の一例を示す概略断面図である。図1に示すように、本実施態様の配線基板1は、第1面2aおよび第1面2aに対向する第2面2bを有する基材2と、基材1の第1面2a側に配置された1層以上の配線3a、3bおよび1層以上の絶縁層4a、4bとを有する。1層以上の配線3a、3bは、基材2から最も遠くに位置する最外配線13(3b)を少なくとも有し、1層以上の絶縁層4a、4bは、最外配線13(3b)の基材2側の面とは反対の面側に配置され、最外配線13(3b)上に位置する開口部5bを有する最外絶縁層14(4b)を少なくとも有しており、配線基板1は、最外絶縁層14(4b)の開口部5bに配置され、最外配線13(3b)に電気的に接続された接続部8をさらに有する。最外絶縁層14(4b)は、最外配線13(3b)側の面とは反対の面に、かつ、開口部5bの周縁部に凸部15を有しており、図2に示すように、最外絶縁層14(4b)の凸部15の基材2の第1面2aからの高さH1は、接続部8の基材2の第1面2aからの高さH2よりも高くなっている。また、接続部8のピッチPが、所定の範囲となっている。なお、図2は図1の拡大図である。
The wiring board of this embodiment will be described with reference to the drawings.
1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the wiring board of this embodiment. As shown in FIG. 1, the wiring board 1 of this embodiment has a base material 2 having a first surface 2a and a second surface 2b facing the first surface 2a, and one or more layers of wiring 3a, 3b and one or more insulating layers 4a, 4b arranged on the first surface 2a side of the base material 1. The one or more layers of wiring 3a, 3b have at least an outermost wiring 13 (3b) located farthest from the base material 2, and the one or more insulating layers 4a, 4b have at least an outermost insulating layer 14 (4b) arranged on the surface opposite to the surface of the outermost wiring 13 (3b) on the base material 2 side and having an opening 5b located on the outermost wiring 13 (3b), and the wiring board 1 further has a connection part 8 arranged in the opening 5b of the outermost insulating layer 14 (4b) and electrically connected to the outermost wiring 13 (3b). The outermost insulating layer 14 (4b) has a convex portion 15 on the surface opposite to the surface on the outermost wiring 13 (3b) side and on the periphery of the opening 5b, and as shown in Fig. 2, the height H1 of the convex portion 15 of the outermost insulating layer 14 (4b) from the first surface 2a of the base material 2 is higher than the height H2 of the connection portion 8 from the first surface 2a of the base material 2. Also, the pitch P of the connection portions 8 is within a predetermined range. Note that Fig. 2 is an enlarged view of Fig. 1.
本実施態様の配線基板は、基材の第1面側に配置された1層以上の配線および1層以上の絶縁層を有していればよく、図示しないが、1層の配線および1層の絶縁層を有していてもよく、図1に示すように、2層の配線3a、3bおよび2層の絶縁層4a、4bを有していてもよく、図示しないが、3層以上の配線および3層以上の絶縁層を有していてもよい。 The wiring board of this embodiment may have one or more layers of wiring and one or more insulating layers arranged on the first surface side of the substrate, and may have one layer of wiring and one insulating layer (not shown), or may have two layers of wiring 3a, 3b and two insulating layers 4a, 4b as shown in FIG. 1, or may have three or more layers of wiring and three or more insulating layers (not shown).
絶縁層は、配線または接続部を配置するための開口部を有する。本実施態様の配線基板が2層以上の絶縁層を有する場合、2層以上の絶縁層はそれぞれ開口部を有するが、最外絶縁層が上記凸部を有していればよく、最外絶縁層以外の絶縁層は上記凸部を有していてもよく有さなくてもよい。例えば図1において、2層の絶縁層4a、4bはそれぞれ開口部5a、5bを有するが、最外絶縁層14(4b)は上記凸部15を有するのに対し、最外絶縁層14(4b)以外の絶縁層4aは上記凸部を有していないが、上記凸部を有していてもよい。 The insulating layer has an opening for arranging wiring or a connection part. When the wiring board of this embodiment has two or more insulating layers, each of the two or more insulating layers has an opening, but it is sufficient that the outermost insulating layer has the above-mentioned convex part, and the insulating layers other than the outermost insulating layer may or may not have the above-mentioned convex part. For example, in FIG. 1, the two insulating layers 4a, 4b have openings 5a, 5b, respectively, but the outermost insulating layer 14 (4b) has the above-mentioned convex part 15, while the insulating layers 4a other than the outermost insulating layer 14 (4b) do not have the above-mentioned convex part, but may have the above-mentioned convex part.
本実施態様においては、図1に示すように、接続部8は、最外絶縁層14(4b)の開口部5bに配置された第1接続層6と、第1接続層6上に配置された第2接続層7とを有していてもよい。 In this embodiment, as shown in FIG. 1, the connection portion 8 may have a first connection layer 6 arranged in the opening 5b of the outermost insulating layer 14 (4b) and a second connection layer 7 arranged on the first connection layer 6.
本実施態様によれば、最外絶縁層が、最外配線側の面とは反対の面に、かつ、開口部の周縁部に凸部を有し、最外絶縁層の凸部の基材の第1面からの高さが、接続部の基材の第1面からの高さよりも高いことにより、本実施態様の配線基板に電子部品を実装する際に、最外絶縁層の凸部によってはんだを堰き止めてはんだの広がりを抑えることができ、はんだブリッジが発生するのを抑制することができる。したがって、狭ピッチであっても、短絡を起こすことなく電気的接続を行うことができる。 According to this embodiment, the outermost insulating layer has a convex portion on the surface opposite the surface on the outermost wiring side and on the periphery of the opening, and the height of the convex portion of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate is higher than the height of the connection portion from the first surface of the substrate. Therefore, when mounting electronic components on the wiring board of this embodiment, the convex portion of the outermost insulating layer can block the solder and suppress the solder from spreading, thereby suppressing the occurrence of solder bridges. Therefore, even with a narrow pitch, electrical connection can be made without causing a short circuit.
以下、本実施態様の配線基板について構成ごとに説明する。 Below, the wiring board of this embodiment will be explained in detail for each configuration.
1.絶縁層
本実施態様における絶縁層は、基材の第1面側に配置され、絶縁性を有する部材である。本実施態様の配線基板は、1層以上の絶縁層を有する。
1. Insulating Layer The insulating layer in this embodiment is a member that is disposed on the first surface side of the base material and has insulating properties. The wiring board in this embodiment has one or more insulating layers.
絶縁層は、1層以上であればよく、1層であってもよく、2層以上であってもよい。 The insulating layer may be one or more layers, and may be one layer or two or more layers.
1層以上の絶縁層は、後述する最外配線の基材側の面とは反対の面側に配置され、最外配線上に位置する開口部を有する最外絶縁層を少なくとも有する。 The one or more insulating layers are arranged on the side opposite the substrate side of the outermost wiring described below, and have at least an outermost insulating layer having an opening located above the outermost wiring.
最外絶縁層は、最外配線側の面とは反対の面に、かつ、開口部の周縁部に凸部を有する。 The outermost insulating layer has a convex portion on the surface opposite the outermost wiring side and on the periphery of the opening.
本実施態様の配線基板が2層以上の絶縁層を有する場合、最外絶縁層が上記凸部を有していればよく、最外絶縁層以外の絶縁層は、上記凸部を有していてもよく、有さなくてもよい。 When the wiring board of this embodiment has two or more insulating layers, it is sufficient that the outermost insulating layer has the above-mentioned convex portion, and insulating layers other than the outermost insulating layer may or may not have the above-mentioned convex portion.
最外絶縁層の凸部の基材の第1面からの高さは、接続部の基材の第1面からの高さよりも高い。具体的には、最外絶縁層の凸部の基材の第1面からの高さと、接続部の基材の第1面からの高さとの差は、0.1μm以上であることが好ましく、中でも0.1μm以上0.5μm以下であることが好ましく、特に0.2μm以上0.3μm以下であることが好ましい。上記の高さの差が上記範囲内であることにより、本実施態様の配線基板に電子部品を実装する際に、最外絶縁層の凸部によってはんだの広がりを抑えることができ、はんだブリッジの発生を抑制することができる。 The height of the convex portion of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate is higher than the height of the connection portion from the first surface of the substrate. Specifically, the difference between the height of the convex portion of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate and the height of the connection portion from the first surface of the substrate is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.1 μm or more and 0.5 μm or less, and particularly preferably 0.2 μm or more and 0.3 μm or less. By having the height difference within the above range, when mounting electronic components on the wiring board of this embodiment, the convex portion of the outermost insulating layer can suppress the spread of solder, and the occurrence of solder bridges can be suppressed.
ここで、「最外絶縁層の凸部の基材の第1面からの高さ」とは、基材の第1面から最外絶縁層の凸部の頂部までの高さをいう。例えば図2において、基材2の第1面2aから最外絶縁層14の凸部15の頂部aまでの高さH1をいう。
また、「接続部の基材の第1面からの高さ」とは、基材の第1面から、接続部の最外配線側の面とは反対の面と最外絶縁層の開口部の側面とが接する部分までの高さをいう。例えば図2において、基材2の第1面2aから、接続部8の最外配線13側の面とは反対の面と最外絶縁層14(4b)の開口部5bの側面とが接する部分bまでの高さH2をいう。
Here, the "height of the convex portion of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate" refers to the height from the first surface of the substrate to the top of the convex portion of the outermost insulating layer. For example, in Fig. 2, it refers to the height H1 from the first surface 2a of the substrate 2 to the top a of the convex portion 15 of the outermost insulating layer 14.
In addition, the "height of the connection part from the first surface of the substrate" refers to the height from the first surface of the substrate to the part where the surface of the connection part opposite to the surface on the outermost wiring side meets the side of the opening of the outermost insulating layer. For example, in Fig. 2, it refers to the height H2 from the first surface 2a of the substrate 2 to the part b where the surface of the connection part 8 opposite to the surface on the outermost wiring 13 side meets the side of the opening 5b of the outermost insulating layer 14 (4b).
また、最外絶縁層において、凸部の基材の第1面からの高さは、凸部以外の部分の基材の第1面からの高さよりも高い。具体的には、最外絶縁層において、凸部の基材の第1面からの高さと、凸部以外の部分の基材の第1面からの高さとの差は、0.2μm以上であることが好ましく、中でも0.3μm以上5.0μm以下であることが好ましく、特に0.5μm以上3.0μm以下であることが好ましい。 In addition, in the outermost insulating layer, the height of the convex portion from the first surface of the substrate is higher than the height of the portion other than the convex portion from the first surface of the substrate. Specifically, in the outermost insulating layer, the difference between the height of the convex portion from the first surface of the substrate and the height of the portion other than the convex portion from the first surface of the substrate is preferably 0.2 μm or more, more preferably 0.3 μm or more and 5.0 μm or less, and particularly preferably 0.5 μm or more and 3.0 μm or less.
ここで、「最外絶縁層の凸部以外の部分の基材の第1面からの高さ」とは、基材の第1面から、最外絶縁層の最外配線側の面とは反対の面における凸部以外の部分までの高さをいう。例えば図2において、基材2の第1面2aから、最外絶縁層14の最外配線13側の面とは反対の面における凸部15以外の部分までの高さH3をいう。 Here, "height from the first surface of the substrate to the portion other than the convex portion of the outermost insulating layer" refers to the height from the first surface of the substrate to the portion other than the convex portion on the surface opposite the outermost wiring side of the outermost insulating layer. For example, in FIG. 2, it refers to the height H3 from the first surface 2a of the substrate 2 to the portion other than the convex portion 15 on the surface opposite the surface of the outermost insulating layer 14 opposite the outermost wiring 13 side.
最外絶縁層の凸部の基材の第1面からの高さ、接続部の基材の第1面からの高さ、および最外絶縁層の凸部以外の部分の基材の第1面からの高さは、例えば、触針式膜厚測定機(KLA-Tencor社製、P-15)を用い、針圧5mg、走査速度50μm/秒の条件で測定することができる。なお、後述する各高さの測定方法についても同様とすることができる。 The height of the convex portion of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate, the height of the connection portion from the first surface of the substrate, and the height of the portion other than the convex portion of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate can be measured, for example, using a stylus film thickness measuring instrument (P-15, manufactured by KLA-Tencor) under conditions of a stylus pressure of 5 mg and a scanning speed of 50 μm/sec. The same method can be used to measure each height, as described below.
上記凸部の断面形状としては、最外絶縁層の凸部の基材の第1面からの高さが、接続部の基材の第1面からの高さよりも高くなるような形状であれば特に限定されない。 The cross-sectional shape of the convex portion is not particularly limited as long as the height of the convex portion of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate is greater than the height of the connection portion from the first surface of the substrate.
また、最外絶縁層は、最外絶縁層の開口部の周縁部に凸部を有していればよいが、中でも、例えば図3に示すように、最外絶縁層14の開口部5の周縁部の全周にわたり凸部15を有することが好ましい。最外絶縁層の開口部の周縁部の全周にわたって凸部が設けられていることにより、本実施態様の配線基板に電子部品を実装する際に、最外絶縁層の凸部によってはんだの広がりを効果的に抑えることができ、はんだブリッジの発生をさらに抑制することができるからである。 The outermost insulating layer may have a convex portion on the periphery of the opening of the outermost insulating layer, but it is preferable that the outermost insulating layer has a convex portion 15 around the entire periphery of the opening 5 of the outermost insulating layer 14, as shown in FIG. 3, for example. By providing a convex portion around the entire periphery of the opening of the outermost insulating layer, the convex portion of the outermost insulating layer can effectively suppress the spread of solder when mounting electronic components on the wiring board of this embodiment, and the occurrence of solder bridges can be further suppressed.
絶縁層の材料としては、絶縁性を有する材料であれば特に限定されず、一般的に配線基板の絶縁層に用いられる絶縁性材料を使用することができ、有機材料および無機材料のいずれも用いることができる。 The material for the insulating layer is not particularly limited as long as it is an insulating material, and insulating materials that are generally used for insulating layers of wiring boards can be used, and both organic and inorganic materials can be used.
また、最外絶縁層の材料は、上記凸部を形成することが可能な絶縁性材料であれば特に限定されない。中でも、最外絶縁層の材料は、感光性樹脂であることが好ましい。すなわち、最外絶縁層は、感光性樹脂組成物の硬化物を含むことが好ましい。フォトリソグラフィ法により、上記凸部を有する最外絶縁層を容易に形成することができるからである。具体的には、最外絶縁層を形成する際、感光性樹脂組成物の塗膜を、最外配線上では、最外配線の厚さによって盛り上がった形状とすることができる。そのため、開口部の周縁部に凸部を有する最外絶縁層を形成することができる。 The material of the outermost insulating layer is not particularly limited as long as it is an insulating material capable of forming the above-mentioned convex portion. In particular, the material of the outermost insulating layer is preferably a photosensitive resin. That is, the outermost insulating layer preferably contains a cured product of a photosensitive resin composition. This is because the outermost insulating layer having the above-mentioned convex portion can be easily formed by photolithography. Specifically, when forming the outermost insulating layer, the coating film of the photosensitive resin composition can be made to have a raised shape on the outermost wiring due to the thickness of the outermost wiring. Therefore, an outermost insulating layer having a convex portion on the periphery of the opening can be formed.
絶縁層の厚さとしては、一般的な配線基板における絶縁層の厚さとすることができる。 The thickness of the insulating layer can be the same as that of an insulating layer in a typical wiring board.
絶縁層の形成方法としては、一般的な絶縁層の形成方法を用いることができ、絶縁層の材料等に応じて適宜選択される。また、絶縁層に開口部を形成する方法としては、一般的な開口部の形成方法を用いることができ、絶縁層の材料等に応じて適宜選択される。開口部の形成方法としては、例えば、レーザ照射、プラズマエッチングやウェットエッチング等のエッチング、またはサンドブラストや超音波ドリル等の機械的な加工法や、フォトリソグラフィ法等が挙げられる。中でも、最外絶縁層の形成方法は、フォトリソグラフィ法であることが好ましい。フォトリソグラフィ法により、上記凸部を有する最外絶縁層を容易に形成することができるからである。 The insulating layer may be formed by a general method for forming an insulating layer, and may be appropriately selected depending on the material of the insulating layer. The opening may be formed by a general method for forming an opening in the insulating layer, and may be appropriately selected depending on the material of the insulating layer. Examples of the opening may include laser irradiation, etching such as plasma etching or wet etching, mechanical processing such as sandblasting or ultrasonic drilling, and photolithography. Among these, the outermost insulating layer is preferably formed by photolithography. This is because the outermost insulating layer having the above-mentioned convex portion can be easily formed by photolithography.
また、最外絶縁層の形成方法がフォトリソグラフィ法である場合であって、ネガ型感光性樹脂組成物を用いる場合、例えば、感光性樹脂組成物を塗布した後、すぐに露光することにより、感光性樹脂組成物の塗膜が有する盛り上がり形状を保ったまま硬化させることができ、開口部の周縁部に凸部を有する最外絶縁層を容易に形成することができる。 In addition, when the method for forming the outermost insulating layer is a photolithography method and a negative photosensitive resin composition is used, for example, the photosensitive resin composition can be applied and then immediately exposed to light, whereby the coating of the photosensitive resin composition can be cured while maintaining the raised shape, and an outermost insulating layer having a convex portion on the periphery of the opening can be easily formed.
また、最外絶縁層の形成方法がフォトリソグラフィ法である場合であって、感光性樹脂組成物を用いる場合、例えば、基材上に感光性樹脂組成物を塗布した後、所定時間内に減圧乾燥を行うことにより、乾燥速度を速くすることで、感光性樹脂組成物の塗膜が、最外配線上で盛り上がった形状となりやすく、開口部の周縁部に凸部を有する最外絶縁層を容易に形成することができる。感光性樹脂組成物の塗布の終了後、減圧乾燥の開始までの時間は、例えば、60秒以内であることが好ましく、50秒以内であることがより好ましく、40秒以内であることがさらに好ましい。 In addition, when the method for forming the outermost insulating layer is a photolithography method and a photosensitive resin composition is used, for example, the photosensitive resin composition is applied to a substrate, and then vacuum drying is performed within a predetermined time, thereby increasing the drying speed, so that the coating film of the photosensitive resin composition tends to have a raised shape on the outermost wiring, and an outermost insulating layer having a convex portion on the periphery of the opening can be easily formed. After the application of the photosensitive resin composition is completed, the time until vacuum drying begins is preferably within 60 seconds, more preferably within 50 seconds, and even more preferably within 40 seconds.
感光性樹脂組成物の乾燥速度を速くするには、例えば、感光性樹脂組成物に含まれる主溶剤の沸点が、170℃以下であることが好ましく、150℃以下であることが好ましい。なお、主溶剤とは、感光性樹脂組成物に含まれる溶剤の全量を100質量部としたとき、含有量が50質量部以上である溶剤をいう。 To increase the drying speed of the photosensitive resin composition, for example, the boiling point of the main solvent contained in the photosensitive resin composition is preferably 170°C or less, and more preferably 150°C or less. Note that the main solvent refers to a solvent whose content is 50 parts by mass or more when the total amount of the solvents contained in the photosensitive resin composition is 100 parts by mass.
2.配線
本実施態様における配線は、基材の第1面側に配置され、導電性を有する部材である。
本実施態様の配線基板は、1層以上の配線を有する。
2. Wiring The wiring in this embodiment is disposed on the first surface side of the base material and is a conductive member.
The wiring board of this embodiment has one or more layers of wiring.
配線は、1層以上であればよく、1層であってもよく、2層以上であってもよい。 The wiring may be one or more layers, and may be one layer or two or more layers.
1層以上の配線は、基材から最も遠くに位置する最外配線を少なくとも有する。 The wiring in one or more layers has at least an outermost wiring located furthest from the substrate.
配線の材料としては、導電性を有する材料であれば特に限定されず、一般的な配線に用いられる導電性材料を使用することができる。導電性材料としては、例えば、銅、モリブデン、チタン、タングステン、タンタル、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム等の金属、これらの金属から選択される少なくとも1つを含む合金、あるいは酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)等の導電性酸化物を用いることができる。導電性が高い銅やアルミニウムを用いることで、抵抗の増大を抑制することができる。また、比較的硬度が低い銅を用いることで、より信頼性が高い電気的接続が構築可能な配線基板を提供することができる。 The material for the wiring is not particularly limited as long as it is a material having electrical conductivity, and conductive materials used for general wiring can be used. Examples of conductive materials that can be used include metals such as copper, molybdenum, titanium, tungsten, tantalum, aluminum, gold, silver, nickel, and palladium, alloys containing at least one selected from these metals, and conductive oxides such as indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO). By using copper or aluminum, which have high electrical conductivity, it is possible to suppress an increase in resistance. In addition, by using copper, which has a relatively low hardness, it is possible to provide a wiring board that can establish electrical connections with higher reliability.
配線は、単層であってもよく、複数の層が積層された多層であってもよい。 The wiring may be single-layered or multi-layered with multiple layers stacked on top of each other.
配線の厚さとしては、一般的な配線基板における配線の厚さとすることができる。配線の厚さは、例えば、0.05μm以上20μm以下とすることができ、0.1μm以上15μm以下であってもよく、0.2μm以上10μm以下であってもよい。これにより、十分な導電性を得ることができる。 The thickness of the wiring can be the same as that of a typical wiring board. The thickness of the wiring can be, for example, 0.05 μm or more and 20 μm or less, or 0.1 μm or more and 15 μm or less, or 0.2 μm or more and 10 μm or less. This allows sufficient conductivity to be obtained.
配線の形成方法としては、一般的な配線の形成方法を用いることができ、例えば、CVD法、スパッタリング法、めっき法等が挙げられる。 The wiring can be formed using any common wiring formation method, such as CVD, sputtering, plating, etc.
3.接続部
本実施態様における接続部は、上記最外絶縁層の開口部に配置され、上記最外配線に電気的に接続される部材である。
3. Connection Portion The connection portion in this embodiment is a member that is disposed in the opening of the outermost insulating layer and is electrically connected to the outermost wiring.
接続部のピッチは、50μm以下であり、例えば10μm以上50μm以下とすることができ、中でも15μm以上45μm以下であることが好ましい。本実施態様においては、接続部のピッチが上記範囲であり、狭ピッチであっても、短絡を起こすことなく電気的接続を行うことができる。 The pitch of the connection parts is 50 μm or less, for example, 10 μm or more and 50 μm or less, and preferably 15 μm or more and 45 μm or less. In this embodiment, the pitch of the connection parts is in the above range, and even with a narrow pitch, electrical connection can be made without causing a short circuit.
ここで、上記ピッチは、例えば、光学顕微鏡による観察、または走査型電子顕微鏡(SEM)による観察等により測定することができる。 Here, the pitch can be measured, for example, by observation using an optical microscope or a scanning electron microscope (SEM).
接続部の材料としては、導電性を有する材料であれば特に限定されず、上記配線の材料と同様とすることができる。 The material of the connection part is not particularly limited as long as it is a conductive material, and can be the same as the material of the wiring described above.
接続部は、単層であってもよく、複数の層が積層された多層であってもよい。 The connection part may be a single layer or a multi-layer structure in which multiple layers are stacked.
接続部の厚さとしては、特に限定されるものではなく、本実施態様の配線基板に実装する電子部品の端子部の形状に応じて適宜設定される。 The thickness of the connection portion is not particularly limited and is set appropriately according to the shape of the terminal portion of the electronic component to be mounted on the wiring board of this embodiment.
接続部8は、例えば図2に示すように、接続部8の基材2の第1面2aからの最大高さH4が、最外絶縁層14の凸部15以外の部分の基材2の第1面2aからの高さH3よりも高くてもよい。これにより、本実施態様の配線基板に実装する電子部品の端子部の大きさを大きくすることが可能となり、電気的接続性を良くすることができるとともに、生産性を上げることができる。 As shown in FIG. 2, the maximum height H4 of the connection portion 8 from the first surface 2a of the substrate 2 may be greater than the height H3 of the portion of the outermost insulating layer 14 other than the protrusion 15 from the first surface 2a of the substrate 2. This makes it possible to increase the size of the terminal portion of the electronic component mounted on the wiring board of this embodiment, improving electrical connectivity and increasing productivity.
上記の場合、接続部8の基材2の第1面2aからの最大高さH4と、最外絶縁層14の凸部15以外の部分の基材2の第1面2aからの高さH3との差H10は、3μm以下であることが好ましい。例えばCVD法、スパッタリング法、めっき法等では、通常、膜成長は等方的になる。そのため、例えば図2において、接続部8の基材2の第1面2aからの最大高さH4と、最外絶縁層14の凸部15以外の部分の基材2の第1面2aからの高さH3との差H10が大きいと、最外絶縁層14の最外配線13側の面とは反対の面において、接続部8および最外絶縁層14が重なる部分も大きくなる。最外絶縁層14の最外配線13側の面とは反対の面における、接続部8および最外絶縁層14が重なる部分が大きくなると、最外絶縁層14の凸部15が接続部8で覆われやすくなり、最外絶縁層の凸部によってはんだブリッジの発生を抑制するのが困難になるおそれがある。したがって、接続部8の基材2の第1面2aからの最大高さH4と、最外絶縁層14の凸部15以外の部分の基材2の第1面2aからの高さH3との差H10は、3μm以下であることが好ましいのである。 In the above case, the difference H10 between the maximum height H4 of the connection portion 8 from the first surface 2a of the substrate 2 and the height H3 of the portion other than the convex portion 15 of the outermost insulating layer 14 from the first surface 2a of the substrate 2 is preferably 3 μm or less. For example, in the CVD method, sputtering method, plating method, etc., film growth is usually isotropic. Therefore, for example, in FIG. 2, if the difference H10 between the maximum height H4 of the connection portion 8 from the first surface 2a of the substrate 2 and the height H3 of the portion other than the convex portion 15 of the outermost insulating layer 14 from the first surface 2a of the substrate 2 is large, the overlapping portion of the connection portion 8 and the outermost insulating layer 14 will also be large on the surface of the outermost insulating layer 14 opposite the surface on the outermost wiring 13 side. If the overlapping portion of the connection portion 8 and the outermost insulating layer 14 becomes large on the surface of the outermost insulating layer 14 opposite the surface on the outermost wiring 13 side, the convex portion 15 of the outermost insulating layer 14 is likely to be covered by the connection portion 8, and it may become difficult to prevent the occurrence of solder bridges by the convex portion of the outermost insulating layer. Therefore, it is preferable that the difference H10 between the maximum height H4 of the connection portion 8 from the first surface 2a of the substrate 2 and the height H3 of the portion other than the convex portion 15 of the outermost insulating layer 14 from the first surface 2a of the substrate 2 is 3 μm or less.
ここで、「接続部の基材の第1面からの最大高さ」とは、基材の第1面から、接続部の最外配線側の面とは反対の面までの高さのうち、最大の高さをいう。例えば図2において、基材2の第1面2aから、接続部8の最外配線13側の面とは反対の面までの高さのうち、最大の高さH4をいう。 Here, "the maximum height of the connection part from the first surface of the substrate" refers to the maximum height from the first surface of the substrate to the surface opposite the surface on the outermost wiring side of the connection part. For example, in FIG. 2, it refers to the maximum height H4 from the first surface 2a of the substrate 2 to the surface opposite the surface on the outermost wiring side of the connection part 8.
接続部の形成方法としては、上記配線の形成方法と同様とすることができる。 The method for forming the connection portion can be the same as the method for forming the wiring described above.
4.基材
本実施態様における基材は、第1面および上記第1面に対向する第2面を有しており、上記の絶縁層、配線および接続部を支持する部材である。
4. Substrate The substrate in this embodiment has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and is a member that supports the insulating layer, wiring, and connection portion.
基材としては、絶縁性を有するものであれば特に限定されず、一般的に配線基板に用いられる絶縁性基材を用いることができる。例えば、ガラス基材、ガラスエポキシ基材、ガラスコンポジット基材、アルミナ基材等のセラミックス基材、フッ素樹脂基材、ポリイミド基材等の樹脂基材、紙フェノール基材等が挙げられる。 The substrate is not particularly limited as long as it has insulating properties, and insulating substrates generally used for wiring boards can be used. Examples include glass substrates, glass epoxy substrates, glass composite substrates, ceramic substrates such as alumina substrates, fluororesin substrates, polyimide substrates, and paper phenol substrates.
後述するように、本実施態様の配線基板が、基材の第1面および第2面を電気的に接続する第2配線を有する場合、基材は、貫通孔を有していてもよく、有していなくてもよい。基材が貫通孔を有する場合には、第2配線が、貫通孔に配置された貫通配線になる。 As described below, when the wiring board of this embodiment has a second wiring that electrically connects the first surface and the second surface of the substrate, the substrate may or may not have a through hole. When the substrate has a through hole, the second wiring becomes a through wiring arranged in the through hole.
貫通孔の径の大きさは、配線基板の用途に応じて適宜選択することができ、特に限定されないが、例えば、10μm以上200μm以下であってもよく、20μm以上100μm以下であってもよい。 The diameter of the through hole can be appropriately selected depending on the application of the wiring board and is not particularly limited, but may be, for example, 10 μm or more and 200 μm or less, or 20 μm or more and 100 μm or less.
貫通孔の形成方法としては、例えば、プラズマエッチングやウェットエッチング等のエッチング、レーザ照射、またはサンドブラストや超音波ドリル等の機械的な加工法が挙げられる。 Methods for forming through holes include, for example, etching such as plasma etching or wet etching, laser irradiation, or mechanical processing such as sandblasting or ultrasonic drilling.
基材の厚さは、上記の絶縁層、配線および接続部を支持することができれば特に限定されず、配線基板の用途に応じて適宜選択することができる。基材の厚さは、例えば、10μm以上800μm以下とすることができ、100μm以上600μm以下であってもよく、300μm以上500μm以下であってもよい。 The thickness of the substrate is not particularly limited as long as it can support the insulating layer, wiring, and connection parts, and can be appropriately selected depending on the application of the wiring board. The thickness of the substrate can be, for example, 10 μm or more and 800 μm or less, or 100 μm or more and 600 μm or less, or 300 μm or more and 500 μm or less.
II.第2実施態様
本開示の配線基板の第2実施態様は、第1面および上記第1面に対向する第2面を有する基材と、上記基材の上記第1面側に配置された1層以上の配線および1層以上の絶縁層とを有する配線基板であって、上記1層以上の配線が、上記基材から最も遠くに位置する最外配線を少なくとも有し、上記1層以上の絶縁層が、上記最外配線の上記基材側の面とは反対の面側に配置され、上記最外配線上に位置する開口部を有する最外絶縁層を少なくとも有し、上記配線基板が、上記最外絶縁層の開口部に配置され、上記最外配線に電気的に接続された接続部と、上記最外絶縁層および上記接続部側の面、かつ、上記最外絶縁層の上記開口部の周縁部の全周にわたり位置する凹部とを有し、上記凹部の底部の上記基材の上記第1面からの高さが、上記最外絶縁層の上記開口部の周縁部における上記最外絶縁層の上記基材の上記第1面からの最大高さ、および上記接続部の上記基材の上記第1面からの最大高さよりも低く、上記接続部の上記基材の上記第1面からの最大高さが、上記最外絶縁層の上記開口部の周縁部における上記最外絶縁層の上記基材の上記第1面からの最大高さよりも高く、上記接続部のピッチが、50μm以下である、配線基板である。
II. Second embodiment A second embodiment of the wiring board of the present disclosure is a wiring board having a base material having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and one or more layers of wiring and one or more insulating layers arranged on the first surface side of the base material, wherein the one or more layers of wiring have at least an outermost wiring located farthest from the base material, the one or more insulating layers are arranged on a surface side opposite to the surface of the outermost wiring on the base material side, and have at least an outermost insulating layer having an opening located on the outermost wiring, and the wiring board has a connection portion arranged in the opening of the outermost insulating layer and electrically connected to the outermost wiring, and a connection portion of the outermost insulating layer and and a recess located on a surface on the connection portion side and around the entire periphery of the opening of the outermost insulating layer, wherein the height of the bottom of the recess from the first surface of the substrate is lower than the maximum height of the connection portion from the first surface of the substrate at the periphery of the opening of the outermost insulating layer and the maximum height of the connection portion from the first surface of the substrate, the maximum height of the connection portion from the first surface of the substrate is higher than the maximum height of the connection portion from the first surface of the substrate at the periphery of the opening of the outermost insulating layer, and the pitch of the connection portions is 50 μm or less.
図4は、本実施態様の配線基板の一例を示す概略断面図である。図4に示すように、本実施態様の配線基板1は、第1面2aおよび第1面2aに対向する第2面2bを有する基材2と、基材1の第1面2a側に配置された1層以上の配線3a、3bおよび1層以上の絶縁層4a、4bとを有する。1層以上の配線3a、3bは、基材2から最も遠くに位置する最外配線13(3b)を少なくとも有し、1層以上の絶縁層4a、4bは、最外配線13(3b)の基材2側の面とは反対の面側に配置され、最外配線13(3b)上に位置する開口部5bを有する最外絶縁層14(4b)を少なくとも有しており、配線基板1は、最外絶縁層14(4b)の開口部5bに配置され、最外配線13(3b)に電気的に接続された接続部8をさらに有する。また、図4および図5に示すように、配線基板1は、最外絶縁層14(4b)および接続部8側の面に、かつ、最外絶縁層14(4b)の開口部5bの周縁部の全周にわたり位置する凹部16をさらに有する。例えば図6に示すように、凹部16の底部cの基材2の第1面2aからの高さH11は、最外絶縁層14(4b)の開口部5bの周縁部における最外絶縁層14(4b)の基材2の第1面2aからの最大高さH12、および接続部8の基材2の第1面か2aらの最大高さH13よりも低く、接続部8の基材2の第1面2aからの最大高さH13が、最外絶縁層14(4b)の開口部5bの周縁部における最外絶縁層14(4b)の基材2の第1面2aからの最大高さH12よりも高くなっている。また、接続部8のピッチPが、所定の範囲となっている。なお、図6は図4の拡大図であり、図5は図6の上面図である。 Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing an example of a wiring board of this embodiment. As shown in Figure 4, the wiring board 1 of this embodiment has a substrate 2 having a first surface 2a and a second surface 2b facing the first surface 2a, and one or more layers of wiring 3a, 3b and one or more insulating layers 4a, 4b arranged on the first surface 2a side of the substrate 1. The one or more layers of wiring 3a, 3b have at least an outermost wiring 13 (3b) located farthest from the substrate 2, and the one or more insulating layers 4a, 4b have at least an outermost insulating layer 14 (4b) arranged on the surface opposite to the substrate 2 side of the outermost wiring 13 (3b) and having an opening 5b located on the outermost wiring 13 (3b), and the wiring board 1 further has a connection portion 8 arranged in the opening 5b of the outermost insulating layer 14 (4b) and electrically connected to the outermost wiring 13 (3b). 4 and 5, the wiring board 1 further has a recess 16 located on the surface of the outermost insulating layer 14 (4b) and the connection portion 8 side and around the entire periphery of the opening 5b of the outermost insulating layer 14 (4b). For example, as shown in FIG. 6, the height H11 of the bottom c of the recess 16 from the first surface 2a of the substrate 2 is lower than the maximum height H12 of the outermost insulating layer 14 (4b) from the first surface 2a of the substrate 2 at the periphery of the opening 5b of the outermost insulating layer 14 (4b) and the maximum height H13 of the connection portion 8 from the first surface 2a of the substrate 2, and the maximum height H13 of the connection portion 8 from the first surface 2a of the substrate 2 is higher than the maximum height H12 of the outermost insulating layer 14 (4b) from the first surface 2a of the substrate 2 at the periphery of the opening 5b of the outermost insulating layer 14 (4b). Also, the pitch P of the connection portion 8 is within a predetermined range. Note that Figure 6 is an enlarged view of Figure 4, and Figure 5 is a top view of Figure 6.
本実施態様の配線基板は、基材の第1面側に配置された1層以上の配線および1層以上の絶縁層を有していればよく、図示しないが、1層の配線および1層の絶縁層を有していてもよく、図4に示すように、2層の配線3a、3bおよび2層の絶縁層4a、4bを有していてもよく、図示しないが、3層以上の配線および3層以上の絶縁層を有していてもよい。 The wiring board of this embodiment may have one or more layers of wiring and one or more insulating layers arranged on the first surface side of the substrate, and may have one layer of wiring and one insulating layer (not shown), or may have two layers of wiring 3a, 3b and two insulating layers 4a, 4b as shown in FIG. 4, or may have three or more layers of wiring and three or more insulating layers (not shown).
ここで、一般に、配線基板においては、電気的接続性や電気的接続信頼性等の観点から、接続部は最外絶縁層の開口部を覆うように配置される、すなわち、接続部は、接続部の基材からの高さが最外絶縁層の基材からの高さよりも高くなるように設けられることが好ましい。しかしながら、接続部が最外絶縁層の開口部を覆うように配置され、接続部の基材からの高さが最外絶縁層の基材からの高さよりも高いと、狭ピッチでははんだブリッジが発生しやすくなってしまう。 Generally, in wiring boards, from the viewpoint of electrical connectivity and electrical connection reliability, the connection portion is preferably arranged so as to cover the opening of the outermost insulating layer, that is, the connection portion is preferably arranged so that the height of the connection portion from the substrate is greater than the height of the outermost insulating layer from the substrate. However, if the connection portion is arranged so as to cover the opening of the outermost insulating layer and the height of the connection portion from the substrate is greater than the height of the outermost insulating layer from the substrate, solder bridges are more likely to occur at narrow pitches.
これに対し、本実施態様によれば、配線基板が、最外絶縁層および接続部側の面に、かつ、最外絶縁層の開口部の周縁部の全周にわたり位置する凹部を有し、凹部の底部の基材の第1面からの高さが、最外絶縁層の開口部の周縁部における最外絶縁層の基材の第1面からの最大高さ、および接続部の基材の第1面からの最大高さよりも低いことにより、本実施態様の配線基板に電子部品を実装する際に、凹部にはんだを流れ込みやすくしてはんだの広がりを抑えることができ、はんだブリッジが発生するのを抑制することができる。したがって、狭ピッチであっても、短絡を起こすことなく電気的接続を行うことができる。 In contrast, according to this embodiment, the wiring board has a recess located on the surface of the outermost insulating layer and the connection portion side, and around the entire periphery of the opening of the outermost insulating layer, and the height of the bottom of the recess from the first surface of the substrate is lower than the maximum height of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate at the periphery of the opening of the outermost insulating layer and the maximum height of the connection portion from the first surface of the substrate. This makes it easier for solder to flow into the recess when mounting electronic components on the wiring board of this embodiment, making it possible to suppress the solder from spreading and suppress the occurrence of solder bridges. Therefore, even with a narrow pitch, electrical connection can be made without causing a short circuit.
また、本実施態様によれば、接続部の基材の第1面からの最大高さが、最外絶縁層の開口部の周縁部における最外絶縁層の基材の第1面からの最大高さよりも高いことにより、本実施態様の配線基板に実装する電子部品の端子部の大きさを大きくすることが可能となり、電気的接続性を良くすることができるとともに、生産性を上げることができる。 In addition, according to this embodiment, the maximum height of the connection portion from the first surface of the substrate is greater than the maximum height of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate at the periphery of the opening in the outermost insulating layer, which makes it possible to increase the size of the terminal portion of the electronic component mounted on the wiring board of this embodiment, thereby improving electrical connectivity and increasing productivity.
以下、本実施態様の配線基板について構成ごとに説明する。 Below, the wiring board of this embodiment will be explained in detail for each configuration.
1.絶縁層
本実施態様における絶縁層は、基材の第1面側に配置され、絶縁性を有する部材である。本実施態様の配線基板は、1層以上の絶縁層を有する。
1. Insulating Layer The insulating layer in this embodiment is a member that is disposed on the first surface side of the base material and has insulating properties. The wiring board in this embodiment has one or more insulating layers.
絶縁層は、1層以上であればよく、1層であってもよく、2層以上であってもよい。 The insulating layer may be one or more layers, and may be one layer or two or more layers.
1層以上の絶縁層は、後述する最外配線の基材側の面とは反対の面側に配置され、最外配線上に位置する開口部を有する最外絶縁層を少なくとも有する。 The one or more insulating layers are arranged on the side opposite the substrate side of the outermost wiring described below, and have at least an outermost insulating layer having an opening located above the outermost wiring.
絶縁層の材料としては、絶縁性を有する材料であれば特に限定されず、一般的に配線基板の絶縁層に用いられる絶縁性材料を使用することができ、有機材料および無機材料のいずれも用いることができる。 The material for the insulating layer is not particularly limited as long as it is an insulating material, and insulating materials that are generally used for insulating layers of wiring boards can be used, and both organic and inorganic materials can be used.
また、最外絶縁層の材料は、上記凹部を形成することが可能な絶縁性材料であれば特に限定されない。中でも、最外絶縁層の材料は、感光性樹脂であることが好ましい。すなわち、最外絶縁層は、感光性樹脂組成物の硬化物を含むことが好ましい。フォトリソグラフィ法により、上記凹部を容易に形成することができるからである。 The material of the outermost insulating layer is not particularly limited as long as it is an insulating material capable of forming the recess. In particular, the material of the outermost insulating layer is preferably a photosensitive resin. In other words, the outermost insulating layer preferably contains a cured product of a photosensitive resin composition. This is because the recess can be easily formed by photolithography.
絶縁層の厚さとしては、一般的な配線基板における絶縁層の厚さとすることができる。 The thickness of the insulating layer can be the same as that of an insulating layer in a typical wiring board.
絶縁層の形成方法としては、一般的な絶縁層の形成方法を用いることができ、絶縁層の材料等に応じて適宜選択される。また、絶縁層に開口部を形成する方法としては、一般的な開口部の形成方法を用いることができ、絶縁層の材料等に応じて適宜選択される。開口部の形成方法としては、例えば、レーザ照射、プラズマエッチングやウェットエッチング等のエッチング、またはサンドブラストや超音波ドリル等の機械的な加工法やフォトリソ法が挙げられる。中でも、最外絶縁層の形成方法は、フォトリソグラフィ法であることが好ましい。フォトリソグラフィ法により、上記凹部を容易に形成することができるからである。 As a method for forming the insulating layer, a general method for forming an insulating layer can be used, and is appropriately selected depending on the material of the insulating layer, etc. Also, as a method for forming an opening in the insulating layer, a general method for forming an opening can be used, and is appropriately selected depending on the material of the insulating layer, etc. Examples of methods for forming an opening include laser irradiation, etching such as plasma etching and wet etching, mechanical processing methods such as sandblasting and ultrasonic drilling, and photolithography. Among them, the method for forming the outermost insulating layer is preferably photolithography. This is because the above-mentioned recess can be easily formed by photolithography.
また、最外絶縁層の形成方法がフォトリソグラフィ法である場合であって、感光性樹脂組成物を用いる場合、例えば、感光性樹脂組成物の塗膜を露光する際に、開口部に対応する領域と開口部の周縁部に対応する領域とそれら以外の領域とで露光量が異なるように段階露光を行うことにより、上記凹部を容易に形成することができる。具体的には、ポジ型感光性樹脂組成物を用いる場合、開口部に対応する領域が未露光部となり、開口部の周縁部に対応する領域の露光量が、それ以外の領域の露光量よりも小さくなるように段階露光を行うことにより、上記凹部を容易に形成することができる。 In addition, when the method for forming the outermost insulating layer is a photolithography method and a photosensitive resin composition is used, for example, when exposing a coating of the photosensitive resin composition, the recess can be easily formed by performing stepwise exposure so that the exposure amount differs between the area corresponding to the opening, the area corresponding to the periphery of the opening, and the other areas. Specifically, when a positive photosensitive resin composition is used, the recess can be easily formed by performing stepwise exposure so that the area corresponding to the opening becomes an unexposed area and the exposure amount of the area corresponding to the periphery of the opening is smaller than the exposure amount of the other areas.
2.凹部
本実施態様における凹部は、最外絶縁層および接続部側の面に、かつ、最外絶縁層の開口部の周縁部の全周にわたり位置する部分である。
2. Recess The recess in this embodiment is a portion located on the surface of the outermost insulating layer and the connection portion side, and extending over the entire periphery of the opening in the outermost insulating layer.
凹部の底部の基材の第1面からの高さは、最外絶縁層の開口部の周縁部における最外絶縁層の基材の第1面からの最大高さ、および接続部の基材の第1面からの最大高さよりも低い。 The height of the bottom of the recess from the first surface of the substrate is less than the maximum height of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate at the periphery of the opening in the outermost insulating layer and the maximum height of the connection portion from the first surface of the substrate.
凹部の底部の基材の第1面からの高さと、最外絶縁層の開口部の周縁部における最外絶縁層の基材の第1面からの最大高さとの差は、例えば、0.5μm以上であることが好ましく、中でも0.5μm以上3.0μm以下であることが好ましく、特に0.5μm以上2.5μm以下であることが好ましい。上記の高さの差が上記範囲内であることにより、本実施態様の配線基板に電子部品を実装する際に、凹部によってはんだの広がりを抑えることができ、はんだブリッジの発生を抑制することができる。 The difference between the height of the bottom of the recess from the first surface of the substrate and the maximum height of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate at the periphery of the opening of the outermost insulating layer is, for example, preferably 0.5 μm or more, more preferably 0.5 μm or more and 3.0 μm or less, and particularly preferably 0.5 μm or more and 2.5 μm or less. By having the height difference within the above range, when mounting electronic components on the wiring board of this embodiment, the recess can suppress the spread of solder, and the occurrence of solder bridges can be suppressed.
また、凹部の底部の基材の第1面からの高さと、接続部の基材の第1面からの最大高さとの差は、例えば、0.2μm以上であることが好ましく、中でも0.3μm以上3.0μm以下であることが好ましく、特に0.5μm以上2.5μm以下であることが好ましい。上記の高さの差が上記範囲内であることにより、本実施態様の配線基板に電子部品を実装する際に、凹部によってはんだの広がりを抑えることができ、はんだブリッジの発生を抑制することができる。 The difference between the height of the bottom of the recess from the first surface of the substrate and the maximum height of the connection portion from the first surface of the substrate is preferably, for example, 0.2 μm or more, more preferably 0.3 μm or more and 3.0 μm or less, and particularly preferably 0.5 μm or more and 2.5 μm or less. By having the height difference within the above range, when mounting electronic components on the wiring board of this embodiment, the recess can suppress the spread of solder, thereby suppressing the occurrence of solder bridges.
ここで、「凹部の底部の基材の第1面からの高さ」とは、基材の第1面から凹部の底部までの高さをいう。例えば図6において、基材2の第1面2aから凹部16の底部cまでの高さH11をいう。
また、「最外絶縁層の開口部の周縁部における最外絶縁層の基材の第1面からの最大高さ」とは、基材の第1面から、最外絶縁層の開口部の周縁部における最外絶縁層の最外配線側の面とは反対の面までの高さのうち、最大の高さをいう。例えば図6において、基材2の第1面2aから、最外絶縁層14(4b)の開口部5bの周縁部における最外絶縁層14(4b)の最外配線13(3b)側の面とは反対の面までの高さのうち、最大の高さH12をいう。
また、「接続部の基材の第1面からの最大高さ」とは、基材の第1面から、接続部の最外配線側の面とは反対の面までの高さのうち、最大の高さをいう。例えば図6において、基材2の第1面2aから、接続部8の最外配線13側の面とは反対の面までの高さのうち、最大の高さH13をいう。
Here, the "height of the bottom of the recess from the first surface of the substrate" refers to the height from the first surface of the substrate to the bottom of the recess. For example, in FIG. 6, this refers to the height H11 from the first surface 2a of the substrate 2 to the bottom c of the recess 16.
Furthermore, the "maximum height of the outermost insulating layer from the first surface of the base material at the periphery of the opening of the outermost insulating layer" refers to the maximum height among the heights from the first surface of the base material to the surface of the outermost insulating layer opposite the surface on the outermost wiring side at the periphery of the opening of the outermost insulating layer. For example, in Fig. 6, it refers to the maximum height H12 among the heights from the first surface 2a of the base material 2 to the surface of the outermost insulating layer 14 (4b) opposite the surface on the outermost wiring 13 (3b) side at the periphery of the opening 5b of the outermost insulating layer 14 (4b).
In addition, the "maximum height of the connection portion from the first surface of the substrate" refers to the maximum height from the first surface of the substrate to the surface opposite the surface of the connection portion on the outermost wiring side. For example, in Fig. 6, it refers to the maximum height H13 from the first surface 2a of the substrate 2 to the surface opposite the surface of the connection portion 8 on the outermost wiring side.
上記凹部の断面形状としては、凹部の底部の基材の第1面からの高さが、最外絶縁層の開口部の周縁部における最外絶縁層の基材の第1面からの最大高さ、および接続部の基材の第1面からの最大高さよりも低くなるような形状であれば特に限定されない。 The cross-sectional shape of the recess is not particularly limited as long as the height of the bottom of the recess from the first surface of the substrate is less than the maximum height of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate at the periphery of the opening of the outermost insulating layer and the maximum height of the connection from the first surface of the substrate.
また、凹部は、最外絶縁層および接続部側の面に、かつ、最外絶縁層の開口部の周縁部の全周にわたり位置する。最外絶縁層の開口部の周縁部の全周にわたって凹部が設けられていることにより、本実施態様の配線基板に電子部品を実装する際に、凹部によってはんだの広がりを効果的に抑えることができ、はんだブリッジの発生を抑制することができる。 The recesses are located on the surface of the outermost insulating layer and the connection portion, and all around the periphery of the opening of the outermost insulating layer. By providing a recess all around the periphery of the opening of the outermost insulating layer, the recesses can effectively prevent the solder from spreading when mounting electronic components on the wiring board of this embodiment, and can suppress the occurrence of solder bridges.
3.配線
本実施態様における配線は、基材の第1面側に配置され、導電性を有する部材である。本実施態様の配線基板は、1層以上の配線を有する。
配線については、上記第1実施態様の配線と同様とすることができる。
3. Wiring The wiring in this embodiment is a conductive member that is disposed on the first surface side of the base material. The wiring board in this embodiment has one or more layers of wiring.
The wiring may be the same as that in the first embodiment.
4.接続部
本実施態様における接続部は、上記最外絶縁層の開口部に配置され、上記最外配線に電気的に接続される部材である。
4. Connection Portion The connection portion in this embodiment is a member that is disposed in the opening of the outermost insulating layer and is electrically connected to the outermost wiring.
接続部の基材の第1面からの最大高さは、最外絶縁層の開口部の周縁部における最外絶縁層の基材の第1面からの最大高さよりも高い。接続部の基材の第1面からの最大高さと、最外絶縁層の開口部の周縁部における最外絶縁層の基材の第1面からの最大高さとの差は、例えば、3.0μm以下であることが好ましく、中でも0.1μm以上2.5μm以下であることが好ましく、特に0.1μm以上2.0μm以下であることが好ましい。上記の高さの差が上記範囲内であることにより、接続部と電子部品との電気的接続性を良くすることができる。また、例えばCVD法、スパッタリング法、めっき法等では、通常、膜成長は等方的になる。そのため、例えば図6において、接続部8の基材2の第1面2aからの最大高さH13と、最外絶縁層14(4b)の開口部5bの周縁部における最外絶縁層14(4b)の基材2の第1面2aからの最大高さH12との差H20が大きいと、最外絶縁層14の最外配線13側の面とは反対の面において、接続部8および最外絶縁層14が重なる部分も大きくなる。最外絶縁層14の最外配線13側の面とは反対の面における、接続部8および最外絶縁層14が重なる部分が大きくなると、凹部16が接続部8で覆われやすくなり、凹部によりはんだブリッジの発生を抑制するのが困難になるおそれがある。したがって、接続部8の基材2の第1面2aからの最大高さH13と、最外絶縁層14(4b)の開口部5bの周縁部における最外絶縁層14(4b)の基材2の第1面2aからの最大高さH12との差H20は、3μm以下であることが好ましいのである。 The maximum height of the connection portion from the first surface of the substrate is higher than the maximum height of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate at the periphery of the opening of the outermost insulating layer. The difference between the maximum height of the connection portion from the first surface of the substrate and the maximum height of the outermost insulating layer from the first surface of the substrate at the periphery of the opening of the outermost insulating layer is, for example, preferably 3.0 μm or less, more preferably 0.1 μm or more and 2.5 μm or less, and particularly preferably 0.1 μm or more and 2.0 μm or less. By having the height difference within the above range, the electrical connection between the connection portion and the electronic component can be improved. In addition, for example, in CVD, sputtering, plating, etc., film growth is usually isotropic. 6, for example, if the difference H20 between the maximum height H13 of the connection portion 8 from the first surface 2a of the substrate 2 and the maximum height H12 of the outermost insulating layer 14 (4b) from the first surface 2a of the substrate 2 at the periphery of the opening 5b of the outermost insulating layer 14 (4b) is large, the overlapping portion of the connection portion 8 and the outermost insulating layer 14 will also become large on the surface of the outermost insulating layer 14 opposite the surface on the outermost wiring 13 side. If the overlapping portion of the connection portion 8 and the outermost insulating layer 14 on the surface of the outermost insulating layer 14 opposite the surface on the outermost wiring 13 side becomes large, the recess 16 will be easily covered by the connection portion 8, and it may become difficult to suppress the occurrence of a solder bridge due to the recess. Therefore, it is preferable that the difference H20 between the maximum height H13 of the connection portion 8 from the first surface 2a of the base material 2 and the maximum height H12 of the outermost insulating layer 14 (4b) from the first surface 2a of the base material 2 at the periphery of the opening 5b of the outermost insulating layer 14 (4b) is 3 μm or less.
接続部のピッチ、材料、厚さ、形成方法等については、上記第1実施態様の接続部と同様とすることができる。 The pitch, material, thickness, and forming method of the connection parts can be the same as those of the connection parts in the first embodiment described above.
5.基材
本実施態様における基材は、第1面および上記第1面に対向する第2面を有しており、上記の絶縁層、配線および接続部を支持する部材である。
基材については、上記第1実施態様の基材と同様とすることができる。
5. Substrate The substrate in this embodiment has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and is a member that supports the insulating layer, wiring, and connection portion.
The substrate may be the same as that in the first embodiment.
なお、本開示は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本開示の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本開示の技術的範囲に包含される。 This disclosure is not limited to the above-mentioned embodiments. The above-mentioned embodiments are merely examples, and anything that has substantially the same configuration as the technical ideas described in the claims of this disclosure and provides similar effects is included within the technical scope of this disclosure.
以下に実施例および比較例を示し、本開示をさらに詳細に説明する。
[実施例1]
図1に示すような配線基板を作製した。
The present disclosure will be described in further detail below with reference to examples and comparative examples.
[Example 1]
A wiring board as shown in FIG. 1 was produced.
(配線および絶縁層の形成)
まず、ガラス基板(AGC社製、AN100、300mm×400mm)に紫外線を照射し、洗浄した。その後、ガラス基板にクロムスパッタ処理および銅スパッタ処理を行い、その上に、ドライフィルムレジスト(旭化成エレクトロニスク社製、サンフォート AQ4038)を用いてレジストパターンを形成した。次に、レジストパターンの開口部に、硫酸銅電解めっき(奥野製薬社製、トップルチナSF)を行い、厚さ10μmの配線層(1層目)を形成した。次に、ドライフィルムレジストを50℃の水酸化ナトリウム水溶液にて剥離し、露出したクロム層および銅層を、それぞれ、クロム用エッチング液(佐々木化学薬品工業社製、エスクリーンS-24)および銅用エッチング液(メルテック社製、AD-331)にて除去した。これにより、配線(1層目)を形成した。その後、感光性レジスト(東レ社製、フォトニースPW-1000)を用いて、配線(1層目)を覆うように、厚さ3μm、開口部ピッチ45μmの絶縁層(1層目)を形成した。
(Formation of wiring and insulating layer)
First, a glass substrate (AN100, 300 mm x 400 mm, manufactured by AGC) was irradiated with ultraviolet light and washed. Then, the glass substrate was subjected to chromium sputtering and copper sputtering, and a resist pattern was formed thereon using a dry film resist (Sunfort AQ4038, manufactured by Asahi Kasei Electronics). Next, copper sulfate electrolytic plating (Top Lucina SF, manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) was performed on the openings of the resist pattern to form a wiring layer (first layer) having a thickness of 10 μm. Next, the dry film resist was peeled off with a sodium hydroxide solution at 50° C., and the exposed chromium layer and copper layer were removed with a chromium etching solution (Esclean S-24, manufactured by Sasaki Chemical Industry Co., Ltd.) and a copper etching solution (AD-331, manufactured by Meltec Co., Ltd.), respectively. This formed the wiring (first layer). Thereafter, a photosensitive resist (Photoneece PW-1000, manufactured by Toray Industries, Inc.) was used to form an insulating layer (first layer) having a thickness of 3 μm and an opening pitch of 45 μm so as to cover the wiring (first layer).
次に、上記絶縁層(1層目)にクロムスパッタ処理および銅スパッタ処理を行い、その上に、ドライフィルムレジスト(旭化成エレクトロニスク社製、サンフォート AQ4038)を用いてレジストパターンを形成した。次に、レジストパターンの開口部に、硫酸銅電解めっき(奥野製薬社製、トップルチナSF)を行い、厚さ10μmの配線層(2層目)を形成した。次に、ドライフィルムレジストを50℃の水酸化ナトリウム水溶液にて剥離し、露出したクロム層および銅層を、それぞれ、クロム用エッチング液(佐々木化学薬品工業社製、エスクリーンS-24)および銅用エッチング液(メルテック社製、AD-331)にて除去した。これにより、配線(2層目)を形成した。その後、感光性レジスト(東レ社製、フォトニースPW-1000)を用いて、配線(2層目)を覆うように、厚さ3μm、開口部ピッチ45μmの絶縁層(2層目)を形成した。2層目の絶縁層を形成する際には、感光性レジストの塗布の終了後、減圧乾燥の開始までの時間を40秒とした。絶縁層(2層目)は、開口部の周縁部に凸部を有するものであった。 Next, the insulating layer (first layer) was subjected to chrome sputtering and copper sputtering, and a resist pattern was formed thereon using dry film resist (Sunfort AQ4038, manufactured by Asahi Kasei Electronics). Next, copper sulfate electrolytic plating (Top Lucina SF, manufactured by Okuno Pharmaceuticals) was performed on the openings of the resist pattern to form a wiring layer (second layer) with a thickness of 10 μm. Next, the dry film resist was peeled off with a sodium hydroxide solution at 50°C, and the exposed chrome layer and copper layer were removed with a chrome etching solution (Esclean S-24, manufactured by Sasaki Chemical Industry Co., Ltd.) and a copper etching solution (AD-331, manufactured by Meltec Co., Ltd.), respectively. This formed the wiring (second layer). After that, a photosensitive resist (Photoneece PW-1000, manufactured by Toray Industries, Inc.) was used to form an insulating layer (second layer) with a thickness of 3 μm and an opening pitch of 45 μm to cover the wiring (second layer). When forming the second insulating layer, the time from the end of the application of the photosensitive resist to the start of reduced pressure drying was set to 40 seconds. The insulating layer (second layer) had a convex portion on the periphery of the opening.
(接続部の形成)
次に、絶縁層(2層目)の開口部に、無電解ニッケルめっきを行い、接続部を形成した。まず、絶縁層(2層目)の開口部に露出した配線(2層目)の表面を酸性クリーナー(奥野製薬工業社製、ICPクリーンS-135K)を用いて脱脂した。次に、銅用エッチング液(メルテック社製、AD-331)にてソフトエッチングを行った。次に、活性化剤(奥野製薬工業社製、ICPアクセラ)を用いて、配線(2層目)の表面にPdを付与し、無電解ニッケルめっき(奥野製薬工業社製、ICPニコロンGM-SE)を行い、ニッケルめっき部を形成した。その後、ニッケルめっき部の表面に、無電解金めっき(奥野製薬工業社製、フラッシュゴールドNC)を行い、厚さ0.05μmの保護めっき部を形成した。これにより、接続部を有する配線基板を得た。接続部のピッチは45μmであった。
(Formation of connection part)
Next, electroless nickel plating was performed on the opening of the insulating layer (second layer) to form a connection part. First, the surface of the wiring (second layer) exposed to the opening of the insulating layer (second layer) was degreased using an acid cleaner (ICP Clean S-135K, manufactured by Okuno Chemical Industries Co., Ltd.). Next, soft etching was performed with a copper etching solution (AD-331, manufactured by Meltec Co., Ltd.). Next, Pd was applied to the surface of the wiring (second layer) using an activator (ICP Accela, manufactured by Okuno Chemical Industries Co., Ltd.), and electroless nickel plating (ICP Nicoron GM-SE, manufactured by Okuno Chemical Industries Co., Ltd.) was performed to form a nickel-plated part. Then, electroless gold plating (Flash Gold NC, manufactured by Okuno Chemical Industries Co., Ltd.) was performed on the surface of the nickel-plated part to form a protective plating part with a thickness of 0.05 μm. This resulted in a wiring board having a connection part. The pitch of the connection part was 45 μm.
得られた配線基板において、絶縁層(2層目)の凸部のガラス基板の第1面からの高さH1は、接続部のガラス基板の第1面からの高さH2よりも高かった。また、絶縁層(2層目)の凸部のガラス基板の第1面からの高さH1は、絶縁層(2層目)の凸部以外の部分のガラス基板の第1面からの高さH3よりも高かった。上記高さH1と上記高さH2との差、および上記高さH1と上記高さH3との差を表1に示す。 In the obtained wiring board, the height H1 of the convex portion of the insulating layer (second layer) from the first surface of the glass substrate was higher than the height H2 of the connection portion from the first surface of the glass substrate. In addition, the height H1 of the convex portion of the insulating layer (second layer) from the first surface of the glass substrate was higher than the height H3 of the portion other than the convex portion of the insulating layer (second layer) from the first surface of the glass substrate. The difference between the height H1 and the height H2, and the difference between the height H1 and the height H3 are shown in Table 1.
[実施例2]
図4に示すような配線基板を作製した。
[Example 2]
A wiring board as shown in FIG. 4 was fabricated.
(配線および絶縁層の形成)
まず、ガラス基板(AGC社製、AN100、300mm×400mm)に紫外線を照射し、洗浄した。その後、ガラス基板にクロムスパッタ処理および銅スパッタ処理を行い、その上に、ドライフィルムレジスト(旭化成エレクトロニスク社製、サンフォート AQ4038)を用いてレジストパターンを形成した。次に、レジストパターンの開口部に、硫酸銅電解めっき(奥野製薬社製、トップルチナSF)を行い、厚さ2μmの配線層(1層目)を形成した。次に、ドライフィルムレジストを50℃の水酸化ナトリウム水溶液にて剥離し、露出したクロム層および銅層を、それぞれ、クロム用エッチング液(佐々木化学薬品工業社製、エスクリーンS-24)および銅用エッチング液(メルテック社製、AD-331)にて除去した。これにより、配線(1層目)を形成した。その後、感光性レジスト(東レ社製、フォトニースPW-1000)を用いて、配線(1層目)を覆うように、厚さ3μm、開口部ピッチ45μmの絶縁層(1層目)を形成した。
(Formation of wiring and insulating layer)
First, a glass substrate (AN100, 300 mm x 400 mm, manufactured by AGC) was irradiated with ultraviolet light and washed. Then, the glass substrate was subjected to chromium sputtering and copper sputtering, and a resist pattern was formed thereon using a dry film resist (Sunfort AQ4038, manufactured by Asahi Kasei Electronics). Next, copper sulfate electrolytic plating (Top Lucina SF, manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) was performed on the openings of the resist pattern to form a wiring layer (first layer) having a thickness of 2 μm. Next, the dry film resist was peeled off with a sodium hydroxide solution at 50° C., and the exposed chromium layer and copper layer were removed with a chromium etching solution (Esclean S-24, manufactured by Sasaki Chemical Industry Co., Ltd.) and a copper etching solution (AD-331, manufactured by Meltec Co., Ltd.), respectively. This formed the wiring (first layer). Thereafter, a photosensitive resist (Photoneece PW-1000, manufactured by Toray Industries, Inc.) was used to form an insulating layer (first layer) having a thickness of 3 μm and an opening pitch of 45 μm so as to cover the wiring (first layer).
次に、上記絶縁層(1層目)にクロムスパッタ処理および銅スパッタ処理を行い、その上に、ドライフィルムレジスト(旭化成エレクトロニスク社製、サンフォート AQ4038)を用いてレジストパターンを形成した。次に、レジストパターンの開口部に、硫酸銅電解めっき(奥野製薬社製、トップルチナSF)を行い、厚さ2μmの配線層(2層目)を形成した。次に、ドライフィルムレジストを50℃の水酸化ナトリウム水溶液にて剥離し、露出したクロム層および銅層を、それぞれ、クロム用エッチング液(佐々木化学薬品工業社製、エスクリーンS-24)および銅用エッチング液(メルテック社製、AD-331)にて除去した。これにより、配線(2層目)を形成した。その後、感光性レジスト(東レ社製、フォトニースPW-1000)を用いて、配線(2層目)を覆うように、厚さ3μm、開口部ピッチ45μmの絶縁層(2層目)を形成した。2層目の絶縁層を形成する際には、感光性レジストの露光時に、開口部に対応する領域は未露光部とし、開口部の外周5μmの領域は露光量20mJ/cm2とし、それ以外の領域は露光量60mJ/cm2として、段階露光を行った。 Next, the insulating layer (first layer) was subjected to chromium sputtering and copper sputtering, and a resist pattern was formed thereon using a dry film resist (Sunfort AQ4038, manufactured by Asahi Kasei Electronics Co., Ltd.). Next, copper sulfate electrolytic plating (Top Lucina SF, manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) was performed on the openings of the resist pattern to form a wiring layer (second layer) having a thickness of 2 μm. Next, the dry film resist was peeled off with a sodium hydroxide solution at 50° C., and the exposed chromium layer and copper layer were removed with a chromium etching solution (Esclean S-24, manufactured by Sasaki Chemical Industry Co., Ltd.) and a copper etching solution (AD-331, manufactured by Meltec Co., Ltd.), respectively. This formed the wiring (second layer). Then, a photosensitive resist (Photoneece PW-1000, manufactured by Toray Industries, Inc.) was used to form an insulating layer (second layer) having a thickness of 3 μm and an opening pitch of 45 μm so as to cover the wiring (second layer). When forming the second insulating layer, stepwise exposure was performed during exposure of the photosensitive resist, with the area corresponding to the opening left unexposed, the area 5 μm from the outer periphery of the opening given an exposure dose of 20 mJ/ cm2 , and the other areas given an exposure dose of 60 mJ/ cm2 .
(接続部の形成)
次に、実施例1と同様にして、絶縁層(2層目)の開口部に接続部を形成した。これにより、接続部を有する配線基板を得た。接続部のピッチは45μmであった。
(Formation of connection part)
Next, connection parts were formed in the openings of the insulating layer (second layer) in the same manner as in Example 1. In this way, a wiring board having connection parts was obtained. The pitch of the connection parts was 45 μm.
得られた配線基板は、絶縁層(2層目)および接続部側の面に、絶縁層(2層目)の開口部の周縁部の全周にわたり位置する凹部を有するものであった。
得られた配線基板において、凹部の底部のガラス基板の第1面からの高さH11は、絶縁層(2層目)の開口部の周縁部における絶縁層(2層目)のガラス基板の第1面からの最大高さH12、および、接続部のガラス基板の第1面からの最大高さH13よりも低かった。また、接続部のガラス基板の第1面からの最大高さH13は、絶縁層(2層目)の開口部の周縁部における絶縁層(2層目)のガラス基板の第1面からの最大高さH12よりも高かった。上記高さH11と上記高さH12との差、上記高さH11と上記高さH13との差、および上記高さH12と上記高さH13との差を表1に示す。
The obtained wiring board had a recess located over the entire periphery of the opening of the insulating layer (second layer) on the surface on the connection portion side of the insulating layer (second layer).
In the obtained wiring board, the height H11 of the bottom of the recess from the first surface of the glass substrate was lower than the maximum height H12 of the insulating layer (second layer) from the first surface of the glass substrate at the periphery of the opening of the insulating layer (second layer) and the maximum height H13 of the connection portion from the first surface of the glass substrate. In addition, the maximum height H13 of the connection portion from the first surface of the glass substrate was higher than the maximum height H12 of the insulating layer (second layer) from the first surface of the glass substrate at the periphery of the opening of the insulating layer (second layer). The difference between the height H11 and the height H12, the difference between the height H11 and the height H13, and the difference between the height H12 and the height H13 are shown in Table 1.
[比較例1]
(配線および絶縁層の形成)
まず、ガラス基板(AGC社製、AN100、300mm×400mm)に紫外線を照射し、洗浄した。その後、ガラス基板にクロムスパッタ処理および銅スパッタ処理を行い、その上に、ドライフィルムレジスト(旭化成エレクトロニスク社製、サンフォート AQ4038)を用いてレジストパターンを形成した。次に、レジストパターンの開口部に、硫酸銅電解めっき(奥野製薬社製、トップルチナSF)を行い、厚さ2μmの配線層(1層目)を形成した。次に、ドライフィルムレジストを50℃の水酸化ナトリウム水溶液にて剥離し、露出したクロム層および銅層を、それぞれ、クロム用エッチング液(佐々木化学薬品工業社製、エスクリーンS-24)および銅用エッチング液(メルテック社製、AD-331)にて除去した。これにより、配線(1層目)を形成した。その後、感光性レジスト(東レ社製、フォトニースPW-1000)を用いて、配線(1層目)を覆うように、厚さ3μm、開口部ピッチ45μmの絶縁層(1層目)を形成した。1層目の絶縁層を形成する際には、感光性レジストの塗布の終了後、減圧乾燥の開始までの時間を80秒とした。
[Comparative Example 1]
(Formation of wiring and insulating layer)
First, a glass substrate (AN100, 300 mm x 400 mm, manufactured by AGC) was irradiated with ultraviolet light and washed. Then, the glass substrate was subjected to chromium sputtering and copper sputtering, and a resist pattern was formed thereon using a dry film resist (Sunfort AQ4038, manufactured by Asahi Kasei Electronics). Next, copper sulfate electrolytic plating (Top Lucina SF, manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) was performed on the openings of the resist pattern to form a wiring layer (first layer) having a thickness of 2 μm. Next, the dry film resist was peeled off with a sodium hydroxide solution at 50° C., and the exposed chromium layer and copper layer were removed with a chromium etching solution (Esclean S-24, manufactured by Sasaki Chemical Industry Co., Ltd.) and a copper etching solution (AD-331, manufactured by Meltec Co., Ltd.), respectively. This formed the wiring (first layer). Thereafter, a photosensitive resist (Photoneece PW-1000, manufactured by Toray Industries, Inc.) was used to form an insulating layer (first layer) having a thickness of 3 μm and an opening pitch of 45 μm so as to cover the wiring (first layer). When forming the first insulating layer, the time from the end of application of the photosensitive resist to the start of reduced pressure drying was set to 80 seconds.
次に、上記絶縁層(1層目)にクロムスパッタ処理および銅スパッタ処理を行い、その上に、ドライフィルムレジスト(旭化成エレクトロニスク社製、サンフォート AQ4038)を用いてレジストパターンを形成した。次に、レジストパターンの開口部に、硫酸銅電解めっき(奥野製薬社製、トップルチナSF)を行い、厚さ10μmの配線層(2層目)を形成した。次に、ドライフィルムレジストを50℃の水酸化ナトリウム水溶液にて剥離し、露出したクロム層および銅層を、それぞれ、クロム用エッチング液(佐々木化学薬品工業社製、エスクリーンS-24)および銅用エッチング液(メルテック社製、AD-331)にて除去した。これにより、配線(2層目)を形成した。その後、感光性レジスト(東レ社製、フォトニースPW-1000)を用いて、配線(2層目)を覆うように、厚さ3μm、開口部ピッチ45μmの絶縁層(2層目)を形成した。2層目の絶縁層を形成する際には、感光性レジストの塗布の終了後、減圧乾燥の開始までの時間を80秒とした。 Next, the insulating layer (first layer) was subjected to chrome sputtering and copper sputtering, and a resist pattern was formed thereon using dry film resist (Sunfort AQ4038, manufactured by Asahi Kasei Electronics). Next, copper sulfate electrolytic plating (Top Lucina SF, manufactured by Okuno Pharmaceuticals) was performed on the openings of the resist pattern to form a wiring layer (second layer) with a thickness of 10 μm. Next, the dry film resist was peeled off with a sodium hydroxide solution at 50°C, and the exposed chrome layer and copper layer were removed with a chrome etching solution (Esclean S-24, manufactured by Sasaki Chemical Industry Co., Ltd.) and a copper etching solution (AD-331, manufactured by Meltec Co., Ltd.), respectively. This formed the wiring (second layer). After that, a photosensitive resist (Photoneece PW-1000, manufactured by Toray Industries, Inc.) was used to form an insulating layer (second layer) with a thickness of 3 μm and an opening pitch of 45 μm to cover the wiring (second layer). When forming the second insulating layer, the time from the end of application of the photosensitive resist to the start of reduced pressure drying was set to 80 seconds.
(接続部の形成)
次に、実施例1と同様にして、絶縁層(2層目)の開口部に接続部を形成した。これにより、接続部を有する配線基板を得た。接続部のピッチは45μmであった。
(Formation of connection part)
Next, connection parts were formed in the openings of the insulating layer (second layer) in the same manner as in Example 1. In this way, a wiring board having connection parts was obtained. The pitch of the connection parts was 45 μm.
[評価]
得られた配線基板の接続部にはんだペーストを塗布し、リフロー炉にて150℃で2分間保持した後に、210℃で10秒間保持し、接続部間のはんだブリッジの発生の有無を顕微鏡にて観察した。結果を表1に示す。
[evaluation]
Solder paste was applied to the connections of the obtained wiring board, and the board was held in a reflow furnace at 150° C. for 2 minutes and then at 210° C. for 10 seconds, and the presence or absence of solder bridges between the connections was observed under a microscope. The results are shown in Table 1.
1 … 配線基板
2 … 基材
2a … 基材の第1面
2b … 基材の第2面
3a、3b … 配線
4a、4b … 絶縁層
5a、5b … 開口部
6 … 第1接続層
7 … 第2接続層
8 … 接続部
13 … 最外配線
14 … 最外絶縁層
15 … 凸部
16 … 凹部
P … 接続部のピッチ
REFERENCE SIGNS LIST 1 wiring board 2 substrate 2a first surface of substrate 2b second surface of substrate 3a, 3b wiring 4a, 4b insulating layer 5a, 5b opening 6 first connection layer 7 second connection layer 8 connection portion 13 outermost wiring 14 outermost insulating layer 15 protrusion 16 recess P pitch of connection portion
Claims (2)
前記1層以上の配線が、前記基材から最も遠くに位置する最外配線を少なくとも有し、
前記1層以上の絶縁層が、前記最外配線の前記基材側の面とは反対の面側に配置され、
前記最外配線上に位置する、少なくとも二つの開口部を有する最外絶縁層を少なくとも有し、
前記配線基板が、前記最外絶縁層の少なくとも二つの開口部に配置され、前記最外配線に電気的に接続された少なくとも二つの接続部をさらに有し、
前記最外絶縁層は、隣接する前記接続部間に、前記基材の前記第1面からの高さが、前記接続部の前記基材の前記第1面からの高さよりも、0.1μm以上0.5μm以下の範囲内で高い部位を有し、
いずれかの前記接続部の周囲の前記最外絶縁層は、前記基材の前記第1面からの高さが、前記接続部の前記基材の前記第1面からの高さよりも低い部位を有し、
前記接続部のピッチが、50μm以下である、配線基板。 A wiring board having a base material having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and one or more layers of wiring and one or more insulating layers disposed on the first surface side of the base material,
The one or more layers of wiring have at least an outermost wiring located farthest from the substrate,
the one or more insulating layers are disposed on a surface of the outermost wiring opposite to a surface of the outermost wiring facing the substrate;
an outermost insulating layer having at least two openings located on the outermost wiring;
the wiring board further has at least two connection parts disposed in at least two openings of the outermost insulating layer and electrically connected to the outermost wiring;
the outermost insulating layer has a portion between adjacent connection portions, the portion having a height from the first surface of the base material that is higher than a height of the connection portion from the first surface of the base material by a range of 0.1 μm to 0.5 μm ;
the outermost insulating layer around any one of the connection portions has a portion whose height from the first surface of the base material is lower than the height of the connection portion from the first surface of the base material,
A wiring board, wherein the pitch of the connection portions is 50 μm or less.
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