JP7712927B2 - 金属錯体 - Google Patents

Description

発明の詳細な説明

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子における、特に発光体として、使用に適したイリジウム錯体に関するものである。

従来技術によると、燐光有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ）に使用される三重項発光体は、特に、芳香族配位子を有する、ビス－およびトリス－オルト－金属化錯体である。そのような錯体の例としては、トリス（フェニルピリジル）イリジウム（ＩＩＩ）、および多数の関連する錯体（例えば、１－または３－フェニルイソキノリン配位子、２－フェニルキノリン配位子、フェニルカルベン配位子とのもの）が挙げられる。この種の錯体は、また、多脚配位子を有するとして知られ、例えばＵＳ７，３３２，２３２およびＷＯ２０１６／１２４３０４に開示される。

本発明の目的は、ＯＬＥＤにおける使用のための発光体として好適であり、良好な寿命および効率を有する、新規で、特に改良された金属錯体を提供することである。

驚くべきことに、この目的は、三脚型四座配位子および１つの二座または２つの単座配位子を含む、以下に示される金属錯体によって解決され、これは、有機エレクトロルミネッセンス素子における使用に非常に適していることがわかってきた。それゆえ、本発明は、これらの金属錯体およびこれらの錯体を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供するものである。

本発明は、式（１）の化合物を提供する。
ここで、使用される記号および添え字は以下のとおりである：
Ｌ^１は、１つの炭素原子および１つの窒素原子を介して、または２つの炭素原子を介して、イリジウムに配位する二座副配位子であり；
Ｌ^２、Ｌ^３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、５～１４の芳香族環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基または５～７の環原子を有するヘテロ脂環式基（これらのそれぞれは炭素原子または窒素原子を介してイリジウムに配位し、これらのそれぞれはアリールもしくはヘテロアリール基またはヘテロ脂環式基の部分であり、かつこれらは１以上のＲラジカルによって置換されていてもよい）から選択され；
Ｌ^４は、二座配位子であるか、または出現毎に同一であるかまたは異なり、単座配位子であり；
ａは、Ｌ^４が二座配位子である場合に１であり、Ｌ^４が単座配位子である場合に２であり；
Ｖは、式（２）または（３）の基であり
ここで、点線の結合は、それぞれ、副配位子Ｌ^１、Ｌ^２およびＬ^３への結合の位置を示し、かつ、さらに：
Ａは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲ_２－ＣＲ_２または以下の式（４）の基であり
ここで、それぞれのケースにおいて点線の結合は、副配位子Ｌ^１、Ｌ^２またはＬ^３への結合の位置を示し、かつ、＊は、式（２）の中央の三価のアリールもしくはヘテロアリール基への、または式（３）の中央のシクロヘキサン基への、式（４）の単位の結合位置を示し；
Ｘ^１は、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり；
Ｘ^２は、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであるか；または、２つの隣接するＸ^２基が共にＮＲ、ＯまたはＳであり、それによって５員環を形成し、かつ残りのＸ^２基が、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであるか；または、環中でＸ^３基のうちの１つがＮである場合に２つの隣接するＸ^２基が共にＣＲまたはＮであり、それによって５員環を形成し、かつ残りのＸ^２基が、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり；ただし、それぞれの環中で２以下の隣接するＸ^２基がＮであり；
Ｘ^３は、同一の環中で出現毎にＣであるか、または１つのＸ^３基がＮであり、かつ同一の環中の他のＸ^３基がＣであり；ただし、環中でＸ^３基のうちの１つがＮである場合２つの隣接するＸ^２基は共にＣＲまたはＮであり；
Ｒは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ^１）_２、ＯＲ^１、ＳＲ^１、ＣＮ、ＮＯ_２、ＣＯＯＨ、Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ^１）_２、Ｓｉ（Ｒ^１）_３、Ｇｅ（Ｒ^１）_３、Ｂ（ＯＲ^１）_２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１）_２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ^１、Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^１、ＯＳＯ_２Ｒ^１、１～２０の炭素原子を有する直鎖のアルキル基または２～２０の炭素原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基または３～２０の炭素原子を有する分岐もしくは環状のアルキル基（ここで、アルキル、アルケニルもしくはアルキニル基は、それぞれのケースにおいて、１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよく、かつ、ここで、１以上の非隣接のＣＨ_２基が、Ｓｉ（Ｒ^１）_２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^１、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^１によって置き換えられていてもよい）、または５～４０の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり；同時に、２つのＲラジカルが共に環系を形成していてもよく；
Ｒ^１は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ^２）_２、ＯＲ^２、ＳＲ^２、ＣＮ、ＮＯ_２、Ｓｉ（Ｒ^２）_３、Ｇｅ（Ｒ^２）_３、Ｂ（ＯＲ^２）_２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^２）_２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ^２、Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^２、ＯＳＯ_２Ｒ^２、１～２０の炭素原子を有する直鎖のアルキル基または２～２０の炭素原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基または３～２０の炭素原子を有する分岐もしくは環状のアルキル基（ここで、アルキル、アルケニルもしくはアルキニル基は、それぞれのケースにおいて、１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよく、かつ、ここで、１以上の非隣接のＣＨ_２基がＳｉ（Ｒ^２）_２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^２によって置き換えられていてもよい）、または５～４０の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて、１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり；同時に、２以上のＲ^１ラジカルが共に環形を形成していてもよく；
Ｒ^２は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆまたは１～２０の炭素原子を有する、脂肪族、芳香族および／またはヘテロ芳香族有機ラジカル、特にヒドロカルビルラジカル（ここで、１以上の水素原子がＦによって置き換えられていてもよい）である。

したがって、錯体は、１つの二座および２つの単座副配位子、および１つの二座または２つの単座配位子を有する三脚型四座配位子を有する。ここで、「二座副配位子」が意味するものは、錯体中の副配位子が２つの配位サイトを介してイリジウムに配位または結合するものであり、「単座副配位子」が意味するものは、副配位子が１つの配位サイトを介してイリジウムに配位または結合するものである。「三脚型」は、配位子が、ブリッジＶ、または式（２）もしくは（３）のブリッジに結合された３つの副配位子を有することを意味する。ブリッジＶを含む配位子は、１つの二座および２つの単座副配位子を有するので、結果的には全体で、四座配位子、すなわち、４つの配位サイトを介してイリジウムに、配位しているか、結合している配位子である。本発明の意味における用語「二座副配位子」または「単座副配位子」は、ブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジが存在しない場合に、Ｌ^１が二座配位子であるか、またはＬ^２およびＬ^３が単座配位子であることを意味する。しかしながら、この二座配位子または単座配位子からの水素原子の形式的な引き抜き反応、およびブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジへの接合の結果として、それは別の配位子ではなく、このように発生して四座配位子の一部であるので、用語「副配位子」がそれに対して使用される。

イリジウムへの配位子または副配位子の結合は、配位結合または共有結合であってよく、つまり結合の共有部分は、副配位子によって異なっていてよい。本願において、配位子または副配位子がイリジウムに配位または結合していると記載されているとき、これは、本発明の意味において、結合の共有部分に関わらず、配位子または副配位子のイリジウムへの任意の種類の結合のことである。

２つのＲまたはＲ^１ラジカルが共に環系を形成している場合、それは、単環状もしくは多環状の、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族であってよい。この場合に、共に環系を形成するこれらのラジカルは隣接していてもよく、これは、これらのラジカルは同一の炭素原子または直接互いに結合されている炭素原子に、結合されていることを意味し、これらはさらに互いからさらに取り除かれていてもよい。好ましくは、同一の炭素原子または互いに直接結合された炭素原子に結合されたラジカルのこの種の環形成である。

本発明の意味において、２以上のラジカルが共に脂環を形成してもよい、という用語は、とりわけ、２つのラジカルが、２つの水素原子の形式的な削除とともに、化学結合によって互いに結合されることを意味するものと解される。これは、以下のスキームによって示される。

縮合された芳香族またはヘテロ芳香族基の形成も可能であり、以下のスキームによって示される。

さらに、上述の用語は、２つのラジカルのうちの１つが水素である場合に、２つめのラジカルがその水素原子が結合された位置で結合し、環を形成することを意味するものとも解される。これは、以下のスキームによって示される。

本発明の意味において、ヘテロ脂環式基は、環の部分として、少なくとも１つのヘテロ原子を有する脂肪族の環状基である。好ましくは、環の部分として、１つまたは２つのヘテロ原子を有し、ここで、ヘテロ原子は好ましくは窒素、酸素および硫黄からなる群から選択される。

本発明の意味でのアリール基は、６～４０の炭素原子を含む。本発明の意味でのヘテロアリール基は、２～４０の炭素原子および少なくとも１つのヘテロ原子を含み、ただし、炭素原子およびヘテロ原子の合計は少なくとも５である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。このケースにおいて、ヘテロアリール基は、好ましくは３以下のヘテロ原子を含む。ここで、アリール基またはヘテロアリール基は、単一の芳香族環（すなわちベンゼン）もしくは単一のヘテロ芳香族環（例えば、ピリジン、ピリミジン、チオフェン等）、または縮合アリールもしくはヘテロアリール基（例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリン等）を意味する。

本発明の意味での芳香族環系は、環系内に６～４０の炭素原子を含む。本発明の意味でのヘテロ芳香族環系は、環系内に１～４０の炭素原子および少なくとも１つのヘテロ原子を含み、ただし、炭素原子とヘテロ原子の合計は少なくとも５である。ヘテロ原子は、好ましくはＮ、Ｏおよび／またはＳから選択される。本発明の意味での芳香族またはヘテロ芳香族環系は、必ずしもアリールまたはヘテロアリール基のみを含む系を意味するものと解されるのではなく、代わりに、さらに複数のアリールまたはヘテロアリール基が、非芳香族単位（好ましくはＨ以外の原子が１０％より少ない）、例えば炭素、窒素もしくは酸素原子、またはカルボニル基、に介在されていてもよい。例えば、９，９’－スピロビフルオレン、９，９’－ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベン等の系は、本発明の意味において、芳香族環系とみなされるのであり、２以上のアリール基が、例えば、直鎖もしくは環状アルキル基、またはシリル基によって介在されている系も、同様である。さらに、２以上のアリールまたはヘテロアリール基が互いに直接結合されている系（例えば、ビフェニル、テルフェニル、クォーターフェニルまたはビピリジン）も、同様に、芳香族またはヘテロ芳香族環系とみなされる。好ましい芳香族またはヘテロ芳香族環系は、単純なアリールまたはヘテロアリール基、および２以上のアリールまたはヘテロアリール基が違いに直接された基（例えば、ビフェニル、またはビピリジン、およびフルオレンまたはスピロビフルオレン）である。

本発明の意味において、用語「アルキル基」は、直鎖または分岐のアルキル基および環状のアルキル基の両方を包括する用語として使用される。同様に、用語「アルケニル基」および「アルキニル基」は、直鎖または環状のアルケニルまたはアルキニル基および環状のアルケニルまたはアルキニル基の両方を包括する用語として使用される。本発明の意味での、環状、アルキル、アルコキシまたはチオアルコキシ基は、単環、二環、または多環基を意味するものと解される。

本発明の意味において、Ｃ_１－～Ｃ_２０－アルキル基（さらに、これらの個々の水素原子またはＣＨ_２基は、上記した基によって置換されていてよい）は、例えば、メチル、エチル、ｎ－プロピル、ｉ－プロピル、シクロプロピル、ｎ－ブチル、ｉ－ブチル、ｓ－ブチル、ｔ－ブチル、シクロブチル、２－メチルブチル、ｎ－ペンチル、ｓ－ペンチル、ｔ－ペンチル、２－ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、ｎ－ヘキシル、ｓ－ヘキシル、ｔ－ヘキシル、２－ヘキシル、３－ヘキシル、ネオヘキシル、シクロヘキシル、１－メチルシクロペンチル、２－メチルペンチル、ｎ－ヘプチル、２－ヘプチル、３－ヘプチル、４－ヘプチル、シクロヘプチル、１－メチルシクロヘキシル、ｎ－オクチル、２－エチルヘキシル、シクロオクチル、１－ビシクロ［２．２．２］オクチル、２－ビシクロ［２．２．２］オクチル、２－（２，６－ジメチル）オクチル、３－（３，７－ジメチル）オクチル、アダマンチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、２，２，２－トリフルオロエチル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘキサ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘプタ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクタ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－デカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ドデカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－テトラデカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘキサデカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクタデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘキサ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘプタ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクタ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－デカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ドデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－テトラデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘキサデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクタデカ－１－イル、１－（ｎ－プロピル）シクロヘキサ－１－イル、１－（ｎ－ブチル）シクロヘキサ－１－イル、１－（ｎ－ヘキシル）シクロヘキサ－１－イル、１－（ｎ－オクチル）シクロヘキサ－１－イル－および１－（ｎ－デシル）シクロヘキサ－１－イルラジカルを意味するものと解される。アルケニル基は、例えば、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニルまたはシクロオクタジエニルを意味するものと解される。アルキニル基は、例えば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、へプチニルまたはオクチニルを意味するものと解される。ＯＲ^１基は、例えば、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ－プロポキシ、ｉ－プロポキシ、ｎ－ブトキシ、ｉ－ブトキシ、ｓ－ブトキシ、ｔ－ブトキシまたは２－メチルブトキシを意味するものと解される。

５～４０の芳香族環原子を有する、芳香族またはヘテロ芳香族環系は、それぞれのケースにおいて、上記のラジカルによって置換されていてもよく、任意の位置で、芳香族またはヘテロ芳香族系に連結していてもよく、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ベンズアントラセン、フェナントレン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオラセン、ベンゾフルオラセン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、ターフェニル、ターフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、シス－またはトランス－インデノフルオレン、シス－またはトランス－モノベンゾインデノフルオレン、シス－またはトランス－ジベンゾインデノフルオレン、トルクセン、イソトルクセン、スピロトルクセン、スピロイソトルクセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、インドロカルバゾール、インデノカルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ－５，６－キノリン、ベンゾ－６，７－キノリン、ベンゾ－７，８－キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリジンイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンズオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２－チアゾール、１，３－チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、１，５－ジアザアントラセン、２，７－ジアザピレン、２，３－ジアザピレン、１，６－ジアザピレン、１，８－ジアザピレン、４，５－ジアザピレン、４，５，９，１０－テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３－オキサゾール、１，２，４－オキサジアゾール、１，２，５－オキサジオゾール、１，３，４－オキサジオゾール、１，２，３－チアジアゾール、１，２，４－チアジアゾール、１，２，５－チアジアゾール、１，３，４－チアジアゾール、１，３，５－トリアジン、１，２，４－トリアジン、１，２，３－トリアジン、テトラゾール、１，２，４，５－テトラジン、１，２，３，４－テトラジン、１，２，３，５－テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアゾールから誘導される基を意味するものと解される。

好ましい形態において、本発明の化合物は電気的に帯電していない。このケースにおいて、イリジウムはＩｒ（ＩＩＩ）である。電荷中性は、副配位子および配位子Ｌ^１～Ｌ^４の電荷と、三価に帯電されたイリジウムの電荷とのバランスによって達成される。ここで、Ｌ^１は、電荷を有さないか、モノアニオン性か、またはジアニオン性であってよい。Ｌ^２およびＬ^３は、それぞれ、電荷を有さないか、モノアニオン性であってよい。副配位子および配位子Ｌ^１～Ｌ^４の好適な組み合わせの例は、以下の表に示される。

本発明の好ましい形態において、Ｌ^１はモノアニオン性であり、それゆえ、表中の最初の６つの項目が好ましい。

橋頭Ｖの好ましい形態、つまり式（２）または（３）の構造を以降に記載する。

本発明の好ましい形態において、式（２）の基の全てのＸ^１基がＣＲであり、式（２）の中央の三価の環がベンゼンであるか、または全てのＸ^１基が窒素原子であり、式（２）の中央の三価の環はトリアジンである。より好ましくは、全てのＸ^１基が同一であるかまたは異なり、ＣＲである。

式（２）の三価の中央のベンゼン環または式（３）の中央のシクロヘキサン環の好ましいＲラジカルに、以下が適用できる：
Ｒは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、ＯＲ^１、１～１０の炭素原子、好ましくは１～４の炭素原子、を有する、直鎖のアルキル基、または２～１０の炭素原子を有するアルケニル基、または３～１０の炭素原子、好ましくは３～６の炭素原子、を有する、分岐もしくは環状のアルキル基（これらのそれぞれは、１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよいが、好ましくは非置換である）、または５～２４の芳香族環原子、好ましくは６～１２の芳香族環原子、を有し、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環原子であり、同時に、ＲラジカルはＸ^２のＲラジカルと共に環系を形成していてもよく；
Ｒ^１は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、ＯＲ^２、１～１０の炭素原子、好ましくは１～４の炭素原子、を有する、直鎖の、アルキル基、または２～１０の炭素原子を有するアルケニル基、または３～１０の炭素原子、好ましくは３～６の炭素原子、を有する、分岐もしくは環状のアルキル基（これらのそれぞれは、１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよいが、好ましくは非置換である）、または５～２４の芳香族環原子、好ましくは６～１２の芳香族環原子、を有し、それぞれのケースにおいて１以上のラジカルＲ^２によって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環原子であり、同時に、２以上の隣接するＲ^１ラジカルが共に環系を形成していてもよく；
Ｒ^２は出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、または１～２０の炭素原子を有する、脂肪族、芳香族および／またはヘテロ芳香族有機ラジカル（これは１以上の水素原子がＦによって置き換えられていてもよい）、好ましくは１～１２の炭素原子を有する脂肪族または芳香族ヒドロカルビルラジカルである。

より好ましくは、式（２）の全てのＸ^１基がＣＨまたはＣＤ、特にＣＨである。さらに好ましくは、式（３）の基中の全てのＲ基はＨまたはＤであり、特にＨであり、式（３）中の中央の環は、非置換のシクロヘキサン基である。

式（２）または（３）の基の好ましい形態は、以下の式（２ａ）および（３ａ）の構造である。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有する。

以降に、好ましい二価のアリーレンまたはヘテロアリーレン単位Ａおよび式（２）および（３）の基に現れる式（４）の基について記載する。

本発明の好ましい形態において、式（４）の基中の記号Ｘ^３はＣであり、よって、式（４）の基は以下の式（４’）で表される。
ここで、記号は上記に記載の意味を有する。

式（４）または（４’）の基は、ヘテロ芳香族５員環またはヘテロ芳香族６員環を示していてよい。本発明の好ましい形態において、式（４）または（４’）の基は、アリールまたはヘテロアリール基において２以下のヘテロ原子、より好ましくは１つのヘテロ原子を含む。これは、この基に結合されたどの置換基もヘテロ原子を含むことができないことを意味するわけではない。さらにこの定義は、置換基による環の形成によって、縮合された、芳香族もしくはヘテロ芳香族構造（例えば、ナフタレン、ベンゾイミダゾール等）を生じさせないことを意味するわけではない。式（４）または（４’）の好適な基の例としては、ベンゼン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、ピロール、フラン、チオフェン、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾールおよびチアゾールから選択される。

式（４’）の基の好ましい形態は、以下の式（４ａ）～（４ｑ）の構造である。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有する。

式（４）中の１つのＸ^３基が炭素原子であり、他のＸ^３基が窒素原子である場合に、式（４）の基の好ましい形態は、以下の式（４ｒ）～（４ｙ）の構造である。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有する。

特に好ましくは、オルト－フェニレン、つまり上記の式（４ａ）の基である。

式（４）の２つまたは３つの基が存在する場合、これらは同一または異なっていてもよい。本発明の好ましい形態において、式（４）の２つまたは３つの基が存在する場合、これらの基は同一であり、同一の置換基を有する。

Ａ基として、好ましくは以下の組み合わせである：
－３つのＡ基全てが式（４）の同一の基、特に式（４ａ）の同一の基である；
－２つのＡ基が式（４）の同一の基、特に式（４ａ）の同一の基であり、かつ３つめのＡ基がＣＲ_２－ＣＲ_２基である；
－１つのＡ基が式（４）の同一の基、特に式（４ａ）の同一の基であり、かつ他の２つのＡ基が同一のＣＲ_２－ＣＲ_２基である；または
－３つのＡ基が同一のＣＲ_２－ＣＲ_２基である。

ここで、「式（４）の同一の基」または「式（４ａ）の同一の基」が意味するのは、これらの基が全て、同一の骨格と同一の置換基を有することである。さらに、「同一のＣＲ_２－ＣＲ_２基」が意味するのは、これらの基が同一の置換基を有することである。

－ＣＲ_２－ＣＲ_２－基の好ましいＲラジカルは、Ｈ、Ｄ、Ｆおよび１～５の炭素原子を有するアルキル基（ここで、水素原子はＤまたはＦによって置き換えられていてもよく、隣接するＲが共に環系を形成していてもよい）からなる群から選択される。これらの基の特に好ましいＲラジカルは、Ｈ、Ｄ、ＣＨ_３およびＣＤ_３から選択されるか、または同一の炭素原子に結合された２つのＲラジカルが、それらが結合された炭素原子と共に、シクロペンタンまたはシクロヘキサン環を形成する。この基の非常に特に好ましいＲラジカルは、ＨおよびＤ、特にＨから選択される。

Ａ基として、特に好ましくは以下の組み合わせである：
－３つのＡ基全てが式（４ａ）のＲ＝Ｈである基；
－２つのＡ基が式（４ａ）のＲ＝Ｈである基であり、かつ３つめのＡ基がＣＨ_２－ＣＨ_２基である；
－１つのＡ基が式（４ａ）のＲ＝Ｈである基であり、かつ他の２つのＡ基がＣＨ_２－ＣＨ_２基である；または
－３つのＡ基がＣＨ_２－ＣＨ_２基である。

より好ましくは、式（２）および（３）の構造は、以下の式（２ａ）～（２ｄ）および（３ａ）～（３ｄ）の構造から選択される。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有する。ここで、式（２ａ）～（２ｄ）の中央のベンゼン環のＲは、好ましくはＨまたはＤ、特にＨである。特に好ましくは、式（２ａ）および（２ｃ）である。

より好ましくは、式（２ａ）～（２ｄ）および（３ａ）～（３ｄ）の置換基Ｒは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄまたは１～４の炭素原子を有するアルキル基である。最も好ましくは、Ｒ＝ＨまたはＤ、特にＨである。それゆえ、式（２ａ）～（２ｄ）および（３ａ）～（３ｄ）の特に好ましい形態は、以下の式（２ａ－１）～（２ｄ－１）および（３ａ－１）～（３ｄ－１）の構造である。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有する。

以降に、二座副配位子Ｌ^１について記載する。上述のように、Ｌ^１は、１つの炭素原子および１つの窒素原子を介して、または２つの炭素原子を介して、イリジウムに配位する。好ましい形態において、副配位子Ｌ^１は、１つの炭素原子および１つの窒素原子を介して、イリジウムに配位する。

さらに好ましくは、イリジウムおよび副配位子Ｌ^１から形成される金属サイクル（ｍｅｔａｌｌａｃｙｃｌｅ）が５員環である場合である。５員環の形成は、以下に概略的に示される。
ここで、Ｎは配位窒素原子であり、Ｃは配位炭素原子であり、示される炭素原子は副配位子Ｌ^１の原子である。

本発明の好ましい形態において、副配位子Ｌ^１が、以下の式（Ｌ^１－１）および（Ｌ^１－２）のうちの１つの構造である。
ここで、点線の結合は、Ｖへの、または式（２）もしくは（３）のブリッジへの、副配位子Ｌ^１の結合を示し、使用される他の記号は以下のとおりである：
ＣｙＣは、出現毎に同一であるかまたは異なり、５～１４の芳香族環原子を有する、置換もしくは非置換の、アリールまたはヘテロアリール基であり、それぞれのケースにおいて、炭素原子を介してイリジウムに配位し、共有結合を介してＣｙＤに結合され；
ＣｙＤは、出現毎に同一であるかまたは異なり、５～１４の芳香族環原子を有する、置換または非置換のヘテロアリール基、または５～７の環原子を有する、置換または非置換のヘテロ脂環式基であり、これらのそれぞれは、窒素原子を介して、またはカルベン炭素原子を介して、イリジウムに配位し、共有結合を介して、ＣｙＣに結合され；
同時に、２つ以上の任意の置換基が共に環系を形成していてもよく、任意のラジカルは好ましくは上述のＲラジカルから選択される。

ＣｙＤは、電荷を有さない、またはアニオン性の窒素原子を介して、またはカルベン炭素原子を介して配位子、好ましくは、電荷を有さない窒素原子を介して、またはカルベン炭素原子を介して、配位する。さらに、ＣｙＣは、アニオン性炭素原子を介して配位する。

２以上の置換基、特に２以上のＲラジカルが共に環系を形成する場合に、環系が、隣接する炭素原子に直接的に結合された置換基から形成されることも可能である。さらに、ＣｙＣおよびＣｙＤの置換基が環を形成し、その結果、ＣｙＣおよびＣｙＤが、二座副配位子として、共に単一縮合のアリールまたはヘテロアリール基を形成していてもよい。

本発明の好ましい形態において、ＣｙＣは、６～１３の芳香族環原子を有する、より好ましくは、６～１０の芳香族環原子を有する、最も好ましくは６の芳香族環原子を有する、アリールもしくはヘテロアリール基であり、炭素原子を介してイリジウム原子に配位し、１以上のＲラジカルによって置換されていてもよく、共有結合を介して、ＣｙＤに結合する。

ＣｙＣ基の好ましい形態は、以下の式（ＣｙＣ－１）～（ＣｙＣ－２０）の構造（ここで、ＣｙＣ基は、それぞれのケースにおいて、♯で印される位置で、ＣｙＤに結合し、かつ＊で印される位置で、イリジウムに、配位する）である。
ここで、Ｒ上記に記載の意味を有し、使用される他の記号は以下のとおりである：
Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり、ただし、環あたり最大２つの記号ＸがＮであり；
Ｗは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＮＲ、ＯまたはＳであり；
ただし、ブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジがＣｙＣに結合される場合に、１つの記号ＸがＣであり、かつ式（２）または（３）のブリッジがこの炭素原子に結合する。ＣｙＣ基がブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジに結合される場合に、結合は、好ましくは上記の式に「ｏ」で印された位置を介しており、「ｏ」で印された記号Ｘは好ましくはＣである。「ｏ」で印される記号Ｘを全く含まない上述の構造は、好ましくは、ブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジに直接的に結合されない。そのようなブリッジへの結合は、立体的な理由で、有利ではないからである。

好ましくはＣｙＣ中の１以下の記号ＸがＮであり、より好ましくは、記号Ｘの全てがＣＲである。ただし、ブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）の基がＣｙＣに結合する場合に、１つの記号ＸはＣであり、ブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジがこの炭素原子に結合される。

特に好ましいＣｙＣ基は、以下の式（ＣｙＣ－１ａ）～（ＣｙＣ－２０ａ）の基である。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有し、ブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジがＣｙＣに結合される場合、１つのＲラジカルが存在せず、かつブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジが対応する炭素原子に結合される。ＣｙＣ基がブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジに結合される場合、結合は、好ましくは上記の式の「ｏ」で印された位置を介し、このケースにおいてＲラジカルは存在しない。「ｏ」で印される炭素原子を全く含まない上記の構造は、好ましくはブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジに直接的に結合しない。好ましくは、３以下の置換基Ｒ、より好ましくは２つの置換基Ｒ、最も好ましくは１以下の置換基Ｒが、ＨまたはＦでなない。

（ＣｙＣ－１）～（ＣｙＣ－２０）基のうちの好ましい基は、（ＣｙＣ－１）、（ＣｙＣ－３）、（ＣｙＣ－８）、（ＣｙＣ－１０）、（ＣｙＣ－１２）、（ＣｙＣ－１３）および（ＣｙＣ－１６）基であり、特に好ましくは、（ＣｙＣ－１ａ）、（ＣｙＣ－３ａ）、（ＣｙＣ－８ａ）、（ＣｙＣ－１０ａ）、（ＣｙＣ－１２ａ）、（ＣｙＣ－１３ａ）および（ＣｙＣ－１６ａ）基である。

本発明のさらに好ましい形態において、ＣｙＤは、５～１３の芳香族環原子を有する、より好ましくは６～１０の芳香族環原子を有するヘテロアリール基、または５もしくは６の環原子、好ましくは５つの環原子を有するヘテロ脂環式基であり、電荷を有さないまたはアニオン性の窒素原子を介して、またはカルベン炭素原子を介して、配位し、１以上のラジカルＲによって置換されていてもよく、共有結合を介して、ＣｙＣに、結合する。

ＣｙＤ基の好ましい形態は、以下の式（ＣｙＤ－１）～（ＣｙＤ－２３）の構造（ここで、ＣｙＤ基は、それぞれのケースにおいて、♯で特定される位置でＣｙＣに、かつ＊で特定される位置で、イリジウムに結合する）である。
ここで、ＸおよびＲは上記に記載の意味を有し、ＷはＣＲ_２、ＮＲ、ＯまたはＳであり、ただし、ブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジがＣｙＤに結合される場合に、１つの記号ＸがＣであり、かつ、ブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジがこの炭素原子に結合するか、またはブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジがＣｙＤに結合される場合に、式（ＣｙＤ－７）および（ＣｙＤ－８）中の１つのＲ基が存在せず、かつブリッジＶがその位置で結合される。ＣｙＤ基がブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジに結合される場合、この結合は好ましくは上述の式に「ｏ」で印された位置を介し、このケースにおいて「ｏ」で示された記号Ｘは好ましくはＣである。「ｏ」で示される記号Ｘを全く含まない上述の構造は、好ましくはブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジに直接結合されない。このようなブリッジとの結合が立体的な理由で有利にならないからである。

このケースにおいて、（ＣｙＤ－１）～（ＣｙＤ－４）および（ＣｙＤ－９）～（ＣｙＤ－２０）基は、電荷を有さない窒素原子を介して、イリジウムに配位し、基（ＣｙＤ－５）～（ＣｙＤ－８）はカルベン炭素原子を介し、（ＣｙＤ－２１）～（ＣｙＤ－２３）基はアニオン性窒素原子を介する。

好ましくは、ＣｙＤ中の１以下記号ＸがＮであり、より好ましくは、全ての記号ＸがＣＲであり、ただし、ブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジがＣｙＤに結合される場合に、１つの記号ＸがＣであり、ブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジがこの炭素原子に結合される。

特に好ましいＣｙＤ基は、以下の式（ＣｙＤ－１ａ）～（ＣｙＤ－２３ａ）の基である。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有し、ブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジがＣｙＤに結合される場合、１つのＲラジカルが存在せず、かつブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジが対応する炭素原子に結合される。ＣｙＤ基がブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジに結合される場合、結合は、好ましくは上記の式の「ｏ」で印された位置を介し、このケースにおいてＲラジカルは存在しない。「ｏ」で印される炭素原子を全く含まない上記の構造は、好ましくはブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジに直接的に結合しない。好ましくは、３以下の置換基Ｒ、より好ましくは２つの置換基Ｒ、最も好ましくは１以下の置換基Ｒが、ＨまたはＦでなない。

（ＣｙＤ－１）～（ＣｙＤ－１２）基のうちの好ましい基は、（ＣｙＤ－１）、（ＣｙＤ－２）、（ＣｙＤ－３）、（ＣｙＤ－４）、（ＣｙＤ－５）および（ＣｙＤ－６）基、特に（ＣｙＤ－１）、（ＣｙＤ－２）および（ＣｙＤ－３）であり、特に好ましくは、（ＣｙＤ－１ａ）、（ＣｙＤ－２ａ）、（ＣｙＤ－３ａ）、（ＣｙＤ－４ａ）、（ＣｙＤ－５ａ）および（ＣｙＤ－６ａ）基、特に（ＣｙＤ－１ａ）、（ＣｙＤ－２ａ）および（ＣｙＤ－３ａ）である。

本発明の好ましい形態において、ＣｙＣは、６～１３の芳香族環原子を有する、アリールまたはヘテロアリール基であり、同時に、ＣｙＤは、５～１３の芳香族環原子を有するヘテロアリール基である。より好ましくは、ＣｙＣは、６～１０の芳香族環原子を有する、アリールまたはヘテロアリール基であり、同時に、ＣｙＤは、５～１０の芳香族環原子を有するヘテロアリール基である。より好ましくは、ＣｙＣは、６の芳香族環原子を有する、アリールまたはヘテロアリール基であり、ＣｙＤは、６～１０の芳香族環原子を有するヘテロアリール基である。同時に、ＣｙＣおよびＣｙＤは、１以上のＲラジカルによって置換されていてもよい。

ＣｙＣまたはＣｙＤ基の少なくとも１つがブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジの適切な結合部位（適切な結合部位が上述の式において「ｏ」によって印されている）を有する場合に、上述の好ましい（ＣｙＣ－１）～（ＣｙＣ－２０）および（ＣｙＤ－１）～（ＣｙＤ－２１）基は、任意に、互いに結び付いていてよい。

ＣｙＣまたはＣｙＤ基の少なくとも１つがブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジの基の適切な結合部位（適切な結合部位が上述の式において「ｏ」によって記されている）を有する場合に、特に好ましいとして特定されたＣｙＣおよびＣｙＤ基（つまり、式（ＣｙＣ－１ａ）～（ＣｙＣ－２０ａ）の基、および式（ＣｙＤ１－ａ）～（ＣｙＤ－２１ａ）の基）が互いに結合されることが特に好ましい。それゆえ、ＣｙＣもＣｙＤもブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジへの適切な結合部位を有さない組み合わせは、好ましくない。

（ＣｙＣ－１）、（ＣｙＣ－３）、（ＣｙＣ－８）、（ＣｙＣ－１０）、（ＣｙＣ－１２）、（ＣｙＣ－１３）および（ＣｙＣ－１６）基、特に（ＣｙＣ－１ａ）、（ＣｙＣ－３ａ）、（ＣｙＣ－８ａ）、（ＣｙＣ－１０ａ）、（ＣｙＣ－１２ａ）、（ＣｙＣ－１３ａ）および（ＣｙＣ－１６ａ）基、のうちの１つが、（ＣｙＤ－１）、（ＣｙＤ－２）および（ＣｙＤ－３）基のうちの１つと、特に基（ＣｙＤ－１ａ）、（ＣｙＤ－２ａ）および（ＣｙＤ－３ａ）の基のうちの１つと、結合されることが特に好ましい。

好ましい副配位子（Ｌ^１－１）は、式（Ｌ^１－１－１）～（Ｌ^１－１－３）の構造であり、好ましい副配位子（Ｌ^１－２）は、式（Ｌ^１－２－１）～（Ｌ^１－２－５）の構造であり、＊で特定された２つの位置を介してイリジウムに配位する。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有し、「ｏ」は、ブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジへの結合の位置を示す。

特に好ましい副配位子（Ｌ^１－１）は、式（Ｌ^１－１－１ａ）～（Ｌ^１－１－３ｂ）の構造であり、特に好ましい副配位子（Ｌ^１－２）は、式（Ｌ^１－２－１ａ）～（Ｌ^１－２－５ａ）の構造であり、＊で特定された２つの位置を介してイリジウムに配位する。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有し、「ｏ」は、ブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジへの結合の位置を示す。好ましくは３以下の置換基Ｒ、より好ましくは２以下の置換基Ｒ、最も好ましくは１以下の置換基が、ＨまたはＤではない。

２つのＲラジカル（そのうち１つがＣｙＣに、もう一方がＣｙＤに結合されている）が、互いに芳香族環系を形成する場合に、ブリッジされた副配位子となってもよく、全体として単一のより大きいヘテロアリール基を占める副配位子を形成していてもよい。ＣｙＣおよびＣｙＤ上の置換基の間の環形成は、好ましくは、以下の式（５）～（１４）のうちの１つによる基によって形成される。
ここで、Ｒ^１は、上記に記載のとおりであり、点線は、ＣｙＣおよびＣｙＤへの結合を意味する。上記で述べられたうちの非対称な基は、２つの方法で、組み入レルことができる。例えば、式（１４）の基において、酸素原子がＣｙＣ基に、かつカルボニル基がＣｙＤ基に結合されるか、または酸素原子がＣｙＤ基に、かつカルボニル基がＣｙＣ基に結合されていてよい。

同時に、式（１１）の基は、特に６員環の環形成となる場合に好ましく、例えば、式（Ｌ^１－２１）および（Ｌ^１－２２）に示される。

ＣｙＣおよびＣｙＤにおける、２つのＲラジカルの間の環形成を通して生じる、好ましい配位子は、以下に示される式（Ｌ^１－３）～（Ｌ^１－３０）の構造である。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有し、「ｏ」は、この配位子がブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）の基に結合される位置を示す。

式（Ｌ^１－３）～（Ｌ^１－３０）の副配位子の好ましい形態において、記号Ｘの全てがＣＲであるか、または１つの記号ＸがＮであり、かつ他の記号ＸがＣＲである。

本発明のさらなる形態において、（ＣｙＣ－１）～（ＣｙＣ－２０）または（ＣｙＤ－１）～（ＣｙＤ－２１）基において、または副配位子（Ｌ^１－３）～（Ｌ^１－３０）において、窒素原子に隣接する置換基として結合されたＲ基が水素または重水素でない場合に、原子Ｘのうちの１つがＮであれば好ましい。このことは、好ましい構造（ＣｙＣ－１ａ）～（ＣｙＣ－２０ａ）または（ＣｙＤ－１ａ）～（ＣｙＤ－１４ｂ）にも同様に適用され、非配位窒素原子に隣接して結合された置換基は、好ましくは水素または重水素ではないＲ基である。このケースにおいて、この置換基Ｒは、好ましくはＣＦ_３、ＯＣＦ_３、１～１０の炭素原子を有するアルキル基、特に３～１０の炭素原子を有する、分岐もしくは環状の、アルキル基、ＯＲ^１（ここで、Ｒ^１は、１～１０の炭素原子を有するアルキル基、特に、３～１０の炭素原子を有する、分岐もしくは環状の、アルキル基）、２～１０の炭素原子を有するジアルキルアミノ基、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、またはアラルキルもしくはヘテロアラルキル基から選択される基である。これらの基は、立体的に嵩高い（ｄｅｍａｎｄｉｎｇ）基である。さらに好ましくは、このＲラジカルは、隣接するＲラジカルと環を形成していてもよい。

さらに好適な二座副配位子Ｌ^１は、以下の式（Ｌ^１－３１）および（Ｌ^１－３２）のうちの１つの構造である。
ここで、Ｒは、上記に記載の意味を有し、＊は、金属への配位位置を示し、「о」はブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジへの副配位子の結合位置を示し、かつ、さらに：
Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり、ただし、環あたり１以下のＸ記号がＮである。

副配位子（Ｌ^１－３１）および（Ｌ^１－３２）において、隣接する炭素原子に結合された２つのＲラジカルが互いに芳香族環を形成する場合に、この環は、２つの隣接する炭素原子と共に、好ましくは式（１５）の構造である。
ここで、点線の結合は、副配位子内のこの基との結合を示し、Ｙは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲ^１またはＮであり、好ましくは記号Ｙの１以下がＮである。

副配位子（Ｌ^１－３１）または（Ｌ^１－３２）の好ましい形態において、１以下の式（１５）の基が存在する。よって、副配位子は、好ましくは、以下の式（Ｌ^１－３３）～（Ｌ^１－３８）の副配位子である：
ここで、Ｘは上記に記載の意味を有するが、ＸがＣＲである場合に、Ｒラジカルは芳香族またはヘテロ芳香族環系を違いに形成せず、かつ、さらなる記号は上記に記載の意味を有する。

本発明の好ましい形態において、式（Ｌ^１－３１）～（Ｌ^１－３８）の副配位子において、合計で０、１または２の記号Ｘおよび存在する場合にＹがＮである。より好ましくは、合計で０または１の記号Ｘおよび存在する場合にＹが、Ｎである。

式（Ｌ^１－３３）～（Ｌ^１－３８）の好ましい形態は、以下の式（Ｌ^１－３３ａ）～（Ｌ^１－３８ｆ）の構造である。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有し、かつ、「ｏ」は、ブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジへの結合の位置を示す。好ましくは３以下の置換基Ｒ、より好ましくは２以下の置換基Ｒ、最も好ましくは１以下の置換基が、ＨまたはＤではない。

本発明の好ましい形態において、オルト位で金属に配位するＸ基はＣＲである。このラジカルにおいて、オルト位で金属に配位のために結合されるＲは、好ましくはＨ、Ｄ、Ｆおよびメチルからなる群から選択される。

本発明のさらなる形態において、原子Ｘ、存在する場合にＹのうちの１つがＮであることが好ましく、このとき、この窒素原子に隣接して結合される置換基が水素または重水素ではないＲ基である。このケースにおいて、この置換基Ｒは、好ましくはＣＦ_３、ＯＣＦ_３、１～１０の炭素原子を有するアルキル基、特に３～１０の炭素原子を有する、分岐もしくは環状の、アルキル基、ＯＲ^１（ここで、Ｒ^１は、１～１０の炭素原子を有するアルキル基、特に、３～１０の炭素原子を有する、分岐もしくは環状の、アルキル基）、２～１０の炭素原子を有するジアルキルアミノ基、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、またはアラルキルもしくはヘテロアラルキル基から選択される基である。これらの基は、立体的に嵩高い基である。さらに好ましくは、このＲラジカルは、隣接するＲラジカルと環を形成していてもよい。

本発明の好ましい形態において、Ｌ^１は、＊で印された２つの位置を介してイリジウムに配位する以下の式（Ｌ^１－３９）および（Ｌ^１－４０）のうちの１つの副配位子である。
ここで、「ｏ」はブリッジＶへの結合位置を示し、さらに：
Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり；
Ｚは、ＣＲ’、ＣＲまたはＮであり、ただし、ちょうど１つのＺがＣＲ’であり、他のＺはＣＲまたはＮであり；
ここで、環あたり合計で１つの記号ＸまたはＺがｎであり；
Ｒ’は、以下の式（１６）または（１７）の基であり：
ここで、点線の結合は、式（Ｌ^１－３９）または（Ｌ^１－４０）の副配位子への基の結合を示し；
Ｒ’’は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、１～１０の炭素原子を有する直鎖のアルキル基（ここで、１以上の水素原子がＤまたはＦによって置き換えられていてもよい）、３～１０の炭素原子を有する分岐もしくは環状のアルキル基（ここで、１以上の水素原子がＤまたはＦによって置き換えられていてもよい）、または２～１０の炭素原子を有するアルケニル基（ここで、１以上の水素原子はＤまたはＦによって置き換えられていてもよい）であり；同時に、２つの隣接するＲ’’ラジカルまたは隣接するフェニル基の２つのＲ’’ラジカルが、共に環系を形成していてもよく；または、隣接するフェニル基の２つのＲ’’が共にＣ（Ｒ^１）_２、ＮＲ^１、ＯまたはＳから選択される基であり、そして２つのフェニル環が架橋基と共に、カルバゾール、フルオレン、ジベンゾフランまたはジベンゾチオフェンであり、かつさらなるＲ’’は上記のとおりであり；
ｎは、０、１、２、３、４または５である。

このケースにおいて、窒素原子上のＲ^１ラジカルは上記に記載のとおりであり、好ましくは、１～１０の炭素原子を有するアルキル基または６～２４の芳香族環原子を有し、１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、より好ましくは、６～１８の芳香族環原子を有し、１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよいが好ましくは非置換の、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系である。

本発明の好ましい形態において、ｎ＝０、１または２、好ましくは０または１であり、最も好ましくは０である。

本発明のさらに好ましい形態において、炭素原子にオルト位で結合された両方の置換基Ｒ’（これによって、式（１６）または（１７）の基が副配位子Ｌ^１に結合される）が、同一であるかまたは異なり、ＨまたはＤである。

本発明の好ましい形態において、Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲである。さらに好ましくは、１つのＺ基がＣＲであり、他のＺ基がＣＲ’である。より好ましくは、式（Ｌ^１－３９）または（Ｌ^１－４０）の副配位子において、Ｘ基は、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲであり、かつ同時に、１つのＺ基がＣＲであり、他のＺ基がＣＲ’である。副配位子Ｌ^１は、好ましくは、以下の式（Ｌ^１－３９ａ）または（Ｌ^１－４０ａ）のうちの１つの構造を有し、ここで、ブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジへの結合は、「ｏ」で印された位置による。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有する。

より好ましくは、式（Ｌ^１－３９）または（Ｌ^１－４０）の副配位子は、以下の式（Ｌ^１－３９ａ’）および（Ｌ^１－４０ａ’）のうちの１つの構造を有する。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有する。

式（Ｌ^１－３９）または（Ｌ^１－４０）の副配位子または好ましい形態のＲラジカルは、好ましくはＨ、Ｄ、ＣＮ、ＯＲ^１、１～６の炭素原子、好ましくは１、２または３の炭素原子を有する直鎖のアルキル基、または３、４、５または６の炭素原子を有する分岐もしくは環状のアルキル基または２～６の炭素原子、好ましくは２、３または４の炭素原子を有するアルケニル基（これらのそれぞれは、１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよい）、または１以上の非芳香族Ｒ１ラジカルによって置換されていてもよいフェニル基からなる群から選択される。２以上のラジカルが共に環系を形成することもできる。

このケースにおいて、オルト位の配位原子に結合された置換基Ｒは、好ましくは、Ｈ、Ｄ、Ｆおよびメチル、より好ましくはＨ、Ｄおよびメチル、特にＨおよびＤからなる群から選択される。

さらに、Ｒ’に対してオルト位である全ての置換基ＲがＨまたはＤであることが好ましい。

式（Ｌ^１－３９）または（Ｌ^１－４０）の副配位子Ｌ^１中のＲラジカルが共に環系を形成する場合、好ましくは、脂肪族、ヘテロ脂肪族またはヘテロ芳香族環系である。さらに、好ましくは、副配位子Ｌ^１の２つの環上の２つのＲラジカルの間の環形成であり、好ましくは、フェナントリジンまたはフェナントリジン（これは、さらに窒素原子を含んでいてもよい）を形成する。Ｒラジカルが共にヘテロ芳香族環系を形成する場合、これは、好ましくは、キノリン、イソキノリン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンおよびカルバゾール（これらのそれぞれは、１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよく、かつ、ここで、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンおよびカルバゾール中のそれぞれの炭素原子は、Ｎによって置き換えられていてもよい）からなる群から選択される構造を形成する。特に好ましくは、キノリン、イソキノリン、ジベンゾフランおよびアザジベンゾフランである。ここで、任意の可能な位置で、縮合構造が結合されることも可能である。縮合ベンゾ基を有する好ましい副配位子Ｌ^１は、以下に示される式（Ｌ^１－３９ｂ）～（Ｌ^１－４０ｅ）の構造であり、ここで、ブリッジＶへの結合は「ｏ」で印された位置を介する。
ここで、副配位子は、それぞれ、１以上のさらなるＲラジカルによって置換されていてもよく、縮合構造は１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよい。好ましくは、さらなるＲまたはＲ^１ラジカルが存在しない。

縮合ベンゾフランまたはアザベンゾフラン基を有する好ましい式（Ｌ^１－３９）または（Ｌ^１－４０）の副配位子Ｌ^１は、以下に示される構造式（Ｌ^１－３９ｆ）～（Ｌ^１－４０ｍ）であり、ここで、ブリッジＶへの結合は「ｏ」で印された位置を介する。
ここで、配位子は、それぞれ、１以上のＲラジカルによって置換されていてもよく、縮合構造は１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよい。好ましくは、さらなるＲまたはＲ^１ラジカルが存在しない。同様に、これらの構造中のＯがＳまたはＮＲ^１によって置き換えられることも可能である。

上記のように、Ｒ’は、式（１６）または（１７）の基である。ここで、２つの基は、単に、式（１６）の基が副配位子Ｌ^１にパラ位で結合され、式（１７）の基にメタ位で結合される点で異なる。

本発明の好ましい形態において、ｎ＝０、１または２であり、好ましくは０または１であり、最も好ましくは０である。

本発明のさらに好ましい形態において、炭素原子（これによって、式（１６）または（１７）の基がフェニルピリジン配位子に結合される）に対してオルト位で結合された両方の置換基Ｒ’’は、同一であるかまたは異なり、ＨまたはＤである。

式（１６）の構造の好ましい形態は、式（１６ａ）～（１６ｈ）の構造であり、式（１７）の構造の好ましい形態は、式（１７ａ）～（１７ｈ）の構造である。
ここで、Ｅは、Ｏ、Ｓ、Ｃ（Ｒ^１）_２またはＮＲ^１であり、使用されるさらなる記号は上記に記載の意味を有する。このケースにおいて、Ｅ＝ＮＲ^１である場合に、Ｒ^１は、好ましくは、６～１８の芳香族環原子を有し、１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよいが、好ましくは非置換である、芳香族またはヘテロ芳香族環系である。さらに、Ｅ＝Ｃ（Ｒ^１）_２である場合に、Ｒ^１は、好ましくは、出現毎に同一であるかまたは異なり、１～６の炭素原子を有するアルキル基、好ましくは１～４の炭素原子、より好ましくはメチルである。

式（１６）または（１７）の基、または好ましい形態の好ましい置換基Ｒ’は、Ｈ、Ｄ、ＣＮ、および１～４の炭素原子を有するアルキル基、より好ましくはＨ、Ｄ、メチル、シクロペンチル、１－メチルシクロペンチル、シクロヘキシルまたは１－メチルシクロヘキシル、特にＨ、Ｄまたはメチル、からなる群から選択される。

以降に、単座副配位子Ｌ^２およびＬ^３について記載する。ここで、Ｌ^２およびＬ^３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、電荷を有さないか、モノアニオン性の副配位子である。

本発明の好ましい形態において、Ｌ^２およびＬ^３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、５～１３の芳香族環原子、より好ましくは６～１３の芳香族環原子、最も好ましくは６～１０の芳香族環原子を有する、アリールまたはヘテロアリール基であり、これは、それぞれアリールまたはヘテロアリール基の部分である、１つの炭素原子または１つの窒素原子を介して、イリジウムに配位し、１以上のＲラジカルによって置換されていてもよい。この基が炭素原子を介してイリジウムに配位する場合、これは、アニオン性または電荷を有さないカルベン炭素原子である。この基が窒素原子を介してイリジウムに配位する場合、これは電荷を有さないか、アニオン性であってよい。

Ｌ^２およびＬ^３の好ましい形態は、出現毎に同一であるかまたは異なり、以下の式（Ｌ^２－１）／（Ｌ^３－１）～（Ｌ^２－５５）／（Ｌ^３－５５）の構造であり、ここで、それぞれのケースにおける基は、＊で印される位置でイリジウムに配位子、「ｏ」で印される位置で、橋頭Ｖまたは式（２）もしくは（３）の基に配位する。
ここで、Ｒは上記に記載の意味を有し、使用される他の記号は以下のとおりである：
Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり、ただし、環あたり最大２つの記号ＸがＮであり；
Ｗは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＮＲ、ＯまたはＳである。

ここで、（Ｌ^２－１）／（Ｌ^３－１）～（Ｌ^２－２２）／（Ｌ^３－２２）基は、アニオン性炭素原子を介して、（Ｌ^２－２３）／（Ｌ^３－２３）～（Ｌ^２－２６）／（Ｌ^３－２６）および（Ｌ^２－３４）／（Ｌ^３－３４）～（Ｌ^２－５０）／（Ｌ^３－５０）基は、電荷を有さない窒素原子を介して、（Ｌ^２－２７）／（Ｌ^３－２７）～（Ｌ^２－３３）／（Ｌ^３－３３）基は、電荷を有さない炭素原子を介して、（Ｌ^２－５１）／（Ｌ^３－５１）～（Ｌ^２－５５）／（Ｌ^３－５５）基は、アニオン性窒素原子を介して、イリジウムに配位する。

好ましくは、１以下の記号ＸがＮであり、最も好ましくは、全ての記号ＸはＣＲである。

特に好ましいＬ^２およびＬ^３基は、以下の式（Ｌ^２－１ａ）／（Ｌ^３－１ａ）～（Ｌ^２－５５ａ）／（Ｌ^３－５５ａ）の基である。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有する。好ましくは、ここで、３以下の置換基Ｒ、より好ましくは、２以下の置換基Ｒが、最も好ましくは１以下の置換基ＲがＨまたはＤではない。

好ましい単座副配位子Ｌ^２およびＬ^３は、構造（Ｌ^２－１）、（Ｌ^３－１）、（Ｌ^２－２３）、（Ｌ^３－２３）、（Ｌ^２－２７）、（Ｌ^３－２７）、（Ｌ^２－２８）、（Ｌ^３－２８）、（Ｌ^２－３２）、（Ｌ^３－３２）、（Ｌ^２－３３）および（Ｌ^３－３３）である。特に好ましい単座副配位子Ｌ^２およびＬ^３は、構造（Ｌ^２－１ａ）、（Ｌ^３－１ａ）、（Ｌ^２－２３ａ）、（Ｌ^３－２３ａ）、（Ｌ^２－２７ａ）、（Ｌ^３－２７ａ）、（Ｌ^２－２８ａ）、（Ｌ^３－２８ａ）、（Ｌ^２－３２ａ）、（Ｌ^３－３２ａ）、（Ｌ^２－３３ａ）、（Ｌ^３－３３ａ）、（Ｌ^２－３３ｂ）および（Ｌ^３－３３ｂ）である。

以降に、好ましい形態の配位子Ｌ^４について記載する。上記で記載のように、Ｌ^４は、単座または二座であってよい。配位子Ｌ^４が単座である場合、電荷を有さないか、モノアニオン性である。配位子Ｌ^４が二座である場合、電荷を有さないか、モノアニオン性か、またはジアニオン性である。配位子Ｌ^４が単座である場合、これらは、好ましくは、同一であるかまたは異なり、炭素、窒素、酸素、硫黄およびリンからなる群から選択される原子を介して配位する。配位子Ｌ^４が二座である場合、これは、好ましくは、同一であるかまたは異なり、炭素、窒素、酸素、硫黄およびリンからなる群から選択される２つの原子を介して配位する。

好適な電荷を有さない配位子Ｌ^４は、出現毎に同一であるかまたは異なり、一酸化炭素（ＣＯ）、一酸化窒素（ＮＯ）、アルキルシアニド、例えばアセトニトリル、アリールシアニド、例えばベンゾニトリル、アルキルイソシアニド、例えばメチルイソニトリル、ｔｅｒｔ－ブチルイソニトリル、アダマンチルイソニトリル、アリールイソシアニド、例えば、フェニルイソニトリル、アミン、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、モルフォリン、ホスフィン、特にハロホスフィン、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィンもしくはアルキルアリールホスフィン、例えばトリフルオロホスフィン、トリメチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ビス（ｔｅｒｔ－ブチル）フェニルホスフィン、ホスファイト、例えばトリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、アルシン、例えばトリフルオロアルシン、トリメチルアルシン、トリシクロヘキシルアルシン、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルアルシン、トリフェニルアルシン、トリス（ペンタフルオロフェニル）アルシン、スチビン、例えばトリフルオロスチビン、トリメチルスチビン、トリシクロヘキシルスチビン、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルスチビン、トリフェニルスチビン、トリス（ペンタフルオロフェニル）スチビン、窒素含有複素環、例えばピリジン、ピリダジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジンおよびカルベン、特にアルジュンゴ（Ａｒｄｕｅｎｇｏ）カルベンからなる群から選択される。好ましい単座の電荷を有さない配位子Ｌ^４は、ＣＯ、ＰＦ_３およびトリアルキルホスフィンからなる群から選択され、ここで、アルキル基は、出現毎に同一であるかまたは異なり、１～１０の炭素原子を有する。

好適なモノアニオン性単座配位子Ｌ^４は、出現毎に同一であるかまたは異なり、水素化物、重水素化物、ハロゲン化物Ｆ^－、Ｃｌ^－、Ｂｒ^－およびＩ^－、アルキルアセチリド、例えばメチル－Ｃ≡Ｃ^－、ｔｅｒｔ－ブチル－Ｃ≡Ｃ^－、アリールアセチリド、例えばフェニル－Ｃ≡Ｃ^－、シアニド、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、脂肪族もしくは芳香族アルコキシド、例えばメトキシド、エトキシド、プロポキシド、イソプロポキシド、ｔｅｒｔ－ブトキシド、フェノキシド、芳香族もしくは芳香族チオアルコキシド、例えば、メタンチオラート、エタンチオラート、プロパンチオラート、イソ－プロパンチオラート、ｔｅｒｔ－チオブトキシド、チオフェノキシド、アミド、例えばジメチルアミド、ジエチルアミド、ジ－イソプロピルアミド、モルホライド、カルボキシラート、例えばアセテート、トリフルオロアセテート、プロピオネート、安息香酸エステル、アリール基、例えばフェニル、ナフチル、およびピロライド、イミダゾライド、ピラゾライドなどのアニオン性窒素含有複素環から選択される。同時に、これらの基のアルキル基は、好ましくはＣ_１～Ｃ_２０アルキル基、より好ましくはＣ_１～Ｃ_１０アルキル基、最も好ましくはＣ_１～Ｃ_４アルキル基である。アリール基は、ヘテロアリール基を意味するものと解される。これらの基は、上述で記載の意味を有する。好ましいモノアニオン性単座配位子Ｌ^４は、ＣＮである。

好ましい電荷を有さない、またはモノもしくはジアニオン性の、二座配位子Ｌ^４は、ジアミン、例えばエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルプロピレンジアミン、シス－もしくはトランス－ジアミノシクロヘキサン、シス－もしくはトランス－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルジアミノシクロヘキサン、イミン、例えば２－［（１－（フェニルイミノ）エチル］ピリジン、２－［（１－（２－メチルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２－［（１－（２，６－ジ－イソ－プロピルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２－［（１－（メチルイミノ）エチル］ピリジン、２－［（１－（エチルイミノ）エチル］ピリジン、２－［（１－（イソ－プロピルイミノ）エチル］ピリジン、２－［（１－（ｔｅｒｔ－ブチルイミノ）エチル］ピリジン、ジイミン、例えば１，２－ビス（メチルイミノ）エタン、１，２－ビス（エチルイミノ）エタン、１，２－ビス（イソ－プロピルイミノ）エタン、１，２－ビス（ｔｅｒｔ－ブチルイミノ）エタン、２，３－ビス（メチルイミノ）ブタン、２，３－ビス（エチルイミノ）ブタン、２，３－ビス（イソ－プロピルイミノ）ブタン、２，３－ビス（ｔｅｒｔ－ブチルイミノ）ブタン、１，２－ビス（フェニルイミノ）エタン、１，２－ビス（２－メチルフェニルイミノ）エタン、１，２－ビス（２，６－ジ－イソ－プロピルフェニルイミノ）エタン、１，２－ビス（２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルイミノ）エタン、２，３－ビス（フェニルイミノ）ブタン、２，３－ビス（２－メチルフェニルイミノ）ブタン、２，３－ビス（２，６－ジ－イソ－プロピルフェニルイミノ）ブタン、２，３－ビス（２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルイミノ）ブタン、２つの窒素原子を含む複素環、例えば２，２’－ビピリジン、ｏ－フェナントロリン、ジホスフィン、例えばビス（ジフェニホスフィノ）メタン、ビス（ジフェニホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニホスフィノ）プロパン、ビス（ジフェニホスフィノ）ブタン、ビス（ジメチルホスフィノ）メタン、ビス（ジメチルホスフィノ）エタン、ビス（ジメチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジエチルホスフィノ）メタン、ビス（ジエチルホスフィノ）エタン、ビス（ジエチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィノ）メタン、ビス（ジ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィノ）エタン、ビス（ｔｅｒｔ－ブチルホスフィノ）プロパン、１，３－ジケトン由来の１，３－ジケトネート、例えばアセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、１，５－ジフェニルアセチルアセトン、ジベンゾイルメタン、ビス（１，１，１－トリフルオロアセチル）メタン、３－ケトエステル由来の３－ケトネート、例えばエチルアセトアセテート、アミノカルボン酸由来のカルボキシラート、例えばピリジン－２－カルボン酸、キノリン－２－カルボン酸、グリシン、Ｎ，Ｎ－ジメチルグリシン、アラニン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノアラニン、サリチルイミン由来のサリチルイミネート、例えばメチルサリチルイミン、エチルサリチルイミン、フェニルサリチルイミン、ジアルコール由来のジアルコキサイド、例えばエチレングリコール、１，３－プロピレングリコール、およびジチオール由来のジチオレート、例えばエチレン－１，２－ジチオール、プロピレン－１，３－ジチオール、ビス（ピラゾリルボレート）、ビス（イミダゾリル）ボレート、３－（２－ピリジリル）ジアゾール、または３－（２－ピリジリル）トリアゾールから選択される。

さらに好ましくは、イリジウムとともに、少なくとも１つのイリジウム－炭素結合を有するシクロメタル化五員環もしくは六員環、特にシクロメタル化五員環、を有する二座モノアニオン性の、電荷を有さない、またはジアニオン性配位子Ｌ^４、特にモノアニオン性配位子、である。これらは、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子の燐光金属錯体において通常使用される配位子、すなわちフェニルピリジン、ナフチルピリジン、フェニルキノリン、フェニルイソキノリン型等（それぞれは１以上のラジカルＲによって置換されていてもよい）の配位子である。燐光エレクトロルミネッセンス素子分野の当業者に、この種の多くの配位子が知られており、発明的な技術を行使することなく、さらなるこの種の配位子を式（１）の化合物の配位子Ｌ^４として選択することができるであろう。

好適な二座配位子Ｌ^４は、以下の式（Ｌ^４－１）、（Ｌ^４－２）および（Ｌ^４－３）の配位子から選択される。
ここで、使用される記号は以下である：
ＣｙＣは、出現毎に同一であるかまたは異なり、５～１４の芳香族環原子を有する、置換もしくは非置換の、アリールまたはヘテロアリール基であり、それぞれのケースにおいて、炭素原子を介して金属に配位し、共有結合を介してＣｙＤに結合され；
ＣｙＤは、出現毎に同一であるかまたは異なり、５～１４の芳香族環原子を有する、置換または非置換のヘテロアリール基であり、窒素原子を介して、またはカルベン炭素原子を介して、金属に配位し、共有結合を介して、ＣｙＣに結合され；
同時に、２以上の任意の置換基が共に環系を形成していてもよく；任意のラジカルは、好ましくは上記のＲラジカルから選択される。

ここで、ＣｙＤは、電荷を有さないまたはアニオン性窒素原子を介して、またはカルベン炭素原子を介して、配位する。さらに、ＣｙＣは、アニオン性炭素原子を介して、配位する。

２以上の置換基、特に２以上のＲラジカルが、共に環系を形成する場合、環系は、直接隣接する炭素原子に結合された置換基から形成されうる。さらに、ＣｙＣおよびＣｙＤ上の置換基が、共に環を形成することも可能であり、その結果、ＣｙＣおよびＣｙＤが、共に、二座副配位子として、１つの縮合アリールまたはヘテロアリール基を形成していてもよい。

本発明の好ましい形態において、ＣｙＣは、６～１３の芳香族環原子、より好ましくは６～１０の芳香族環原子、最も好ましくは６の芳香族環原子を有する、アリールまたはヘテロアリール基であり、これは、炭素原子を介して金属に配位し、これは、１以上のＲラジカルによって置換されていてもよく、かつ、これは共有結合を介してＣｙＤに結合される。

ＣｙＣの好ましい形態は、以下の式（ＣｙＣ－１）～（ＣｙＣ－２０）の構造であり、ここで、ＣｙＣ基が♯で印された位置でＣｙＤに結合し、＊で印された位置でイリジウムに配位する。
ここで、Ｒは上記に記載の意味を有し、使用される他の記号は以下のとおりである：
Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり、ただし、環あたり最大２つの記号ＸがＮであり；
Ｗは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＮＲ、ＯまたはＳである。

好ましくは、ＣｙＣ中の１以下の記号ＸがＮであり、より好ましくは全ての記号ＸがＣＲである。

特に好ましいＣｙＣ基は、以下の式（ＣｙＣ－１ａ）～（ＣｙＣ－２０ａ）の基である。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有する。好ましくは３以下の置換基Ｒ、より好ましくは２以下の置換基Ｒ、最も好ましくは１以下の置換基が、ＨまたはＤではない。

（ＣｙＣ－１）～（ＣｙＣ－２０）基のうちの好ましい基は、（ＣｙＣ－１）、（ＣｙＣ－３）、（ＣｙＣ－８）、（ＣｙＣ－１０）、（ＣｙＣ－１２）、（ＣｙＣ－１３）および（ＣｙＣ－１６）基であり、特に好ましくは、（ＣｙＣ－１ａ）、（ＣｙＣ－３ａ）、（ＣｙＣ－８ａ）、（ＣｙＣ－１０ａ）、（ＣｙＣ－１２ａ）、（ＣｙＣ－１３ａ）および（ＣｙＣ－１６ａ）基である。

本発明のさらに好ましい形態において、ＣｙＤは、５～１３の芳香族環原子、より好ましくは６～１０の芳香族環原子を有するヘテロアリール基であり、これは、電荷を有さない窒素原子を介して、またはカルベン炭素原子を介して、金属に配位し、かつ、これは、１以上のＲラジカルによって置換されていてもよく、かつ、共有結合を介して、ＣｙＣに結合される。

ＣｙＤ基の好ましい形態は、以下の式（ＣｙＤ－１）～（ＣｙＤ－２１）の構造であり、ここで、ＣｙＤ基は、それぞれのケースにおいて、♯で印された位置でＣｙＣに結合し、＊で印された位置でイリジウムに配位する。
ここで、Ｘ、ＷおよびＲは、上記に記載の意味を有する。

ここで、（ＣｙＤ－１）～（ＣｙＤ－４）および（ＣｙＤ－７）～（ＣｙＤ－１８）基は、電荷を有さない窒素原子を介して（ＣｙＤ－５）～（ＣｙＤ－６）基はカルベン炭素原子を介して、（ＣｙＤ－１９）～（ＣｙＤ－２１）基は、アニオン性窒素原子を介して、金属に配位する。

好ましくは、ＣｙＤ中の１以下の記号ＸがＮであり、より好ましくは全ての記号ＸがＣＲである。

特に好ましいＣｙＤ基は、以下の式（ＣｙＤ－１ａ）～（ＣｙＤ－２１ａ）の基である。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有する。好ましくは３以下の置換基Ｒ、より好ましくは２以下の置換基Ｒ、最も好ましくは１以下の置換基が、ＨまたはＤではない。

（ＣｙＤ－１）～（ＣｙＤ－１２）基のうちの好ましい基は、（ＣｙＤ－１）、（ＣｙＤ－２）、（ＣｙＤ－３）、（ＣｙＤ－４）、（ＣｙＤ－５）および（ＣｙＤ－６）基、特に（ＣｙＤ－１）、（ＣｙＤ－２）および（ＣｙＤ－３）、特に好ましくは、（ＣｙＤ－１ａ）、（ＣｙＤ－２ａ）、（ＣｙＤ－３ａ）、（ＣｙＤ－４ａ）、（ＣｙＤ－５ａ）および（ＣｙＤ－６ａ）基、特に（ＣｙＤ－１ａ）、（ＣｙＤ－２ａ）および（ＣｙＤ－３ａ）である。

本発明の好ましい形態において、ＣｙＣは、６～１３の芳香族環原子を有するアリールまたはヘテロアリール基であり、同時に、ＣｙＤは、５～１３の芳香族環原子を有するヘテロアリール基である。より好ましくは、ＣｙＣは、６～１０の芳香族環原子を有するアリールまたはヘテロアリール基であり、同時に、ＣｙＤは、５～１０の芳香族環原子を有するヘテロアリール基である。最も好ましくは、ＣｙＣは、６の芳香族環原子を有するアリールまたはヘテロアリール基であり、ＣｙＤは、６～１０の芳香族環原子を有するヘテロアリール基である。同時に、ＣｙＣおよびＣｙＤは、１以上のＲラジカルによって置換されていてもよい。

上記の好ましい基（ＣｙＣ－１）～（ＣｙＣ－２０）および（ＣｙＤ－１）～（ＣｙＤ－２３）は、要望に応じて、互いに組み合わせてもよい。上記で特に好ましいと言及されたＣｙＣおよびＣｙＤ基、つまり式（ＣｙＣ－１ａ）～（ＣｙＣ－２０ａ）の基および式（ＣｙＤ１－ａ）～（ＣｙＤ－１４ｂ）の基、が互いに組み合わされることが特に好ましい。非常に特に好ましくは、（ＣｙＣ－１）、（ＣｙＣ－３）、（ＣｙＣ－８）、（ＣｙＣ－１０）、（ＣｙＣ－１２）、（ＣｙＣ－１３）および（ＣｙＣ－１６）基および特に（ＣｙＣ－１ａ）、（ＣｙＣ－３ａ）、（ＣｙＣ－８ａ）、（ＣｙＣ－１０ａ）、（ＣｙＣ－１２ａ）、（ＣｙＣ－１３ａ）および（ＣｙＣ－１６ａ）基の１つが、（ＣｙＤ－１）、（ＣｙＤ－２）および（ＣｙＤ－３）基のうちの１つ、特に（ＣｙＤ－１ａ）、（ＣｙＤ－２ａ）および（ＣｙＤ－３ａ）基のうちの１つと組み合わされる。

好ましい配位子（Ｌ^４－１）は、式（Ｌ^４－１－１）～（Ｌ^４－１－５）の構造である。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有する。

特に好ましい副配位子（Ｌ^４－１）は、式（Ｌ^４－１－１ａ）～（Ｌ^４－１－５ａ）の構造である。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有する。好ましくは３以下の置換基Ｒ、より好ましくは２以下の置換基Ｒ、最も好ましくは１以下の置換基が、ＨまたはＤではない。

２つのＲラジカル（そのうちの１つがＣｙＣに結合され、もう１つがＣｙＤに結合される）が共に芳香族環系を形成する場合、これは、架橋された配位子、および全体として１つのより大きなヘテロアリール基を形成する配位子、となりうる。ＣｙＣおよびＣｙＤ上の置換基の間の環は、好ましくは、式（５）～（１４）のうちの１つの基によって形成され、副配位子Ｌ^１の上記に示される。

異なる環中の２つのＲラジカルの間の環形成に由来する好ましい配位子Ｌ^４は、以下に示される式（Ｌ^４－３）～（Ｌ^４－１６）の構造である。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有する。

式（Ｌ^４－４）～（Ｌ^４－１６）の副配位子の好ましい形態において、合計で１つの記号ＸがＮであり、他の記号ＸがＣＲであるか、または全ての記号ＸがＣＲである。

本発明のさらなる形態において、基（ＣｙＣ－１）～（ＣｙＣ－２０）または（ＣｙＤ－１）～（ＣｙＤ－１４）の基中、または副配位子（Ｌ^４－４）～（Ｌ^４－１６）中で、窒素原子に隣接する置換基として結合されたＲ基が水素または重水素ではない場合に、原子Ｘのうちの１つがＮであることが好ましい。これは、同様に、好ましい構造（ＣｙＣ－１ａ）～（ＣｙＣ－２０ａ）または（ＣｙＤ－１ａ）～（ＣｙＤ－１４ｂ）に適用され、ここで、非配位窒素原子に隣接して結合された置換基が、好ましくは、水素または重水素ではないＲ基である。このケースにおいて、置換基Ｒは、好ましくは、ＣＦ_３、ＯＣＦ_３、１～１０の炭素原子を有するアルキル基、特に３～１０の炭素原子を有する分岐もしくは環状のアルキル基、ＯＲ^１、ここで、Ｒ^１は、１～１０の炭素原子を有するアルキル基、特に３～１０の炭素原子を有する分岐もしくは環状のアルキル基、２～１０の炭素原子を有するジアルキルアミノ基、芳香族またはヘテロ芳香族環系、またはアラルキルもしくはヘテロアラルキル基から選択される基である。これらの基は、立体的に嵩高い基である。さらに好ましくは、Ｒラジカルは、隣接するＲラジカルと共に環を形成していてもよい。

さらに好適な二座配位子Ｌ^４は、以下の式（Ｌ^４－１７）の構造である。
ここで、Ｒは上記に記載の意味を有し、＊はイリジウムへの配位の位置であり、使用されるさらなる記号は以下のとおりである：
Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり、ただし、環あたり１以下のＸがＮである。

配位子（Ｌ^４－１７）の好ましい形態は、出願ＷＯ２０１１／０４４９８８、ＷＯ２０１４／０９４９６２、ＷＯ２０１４／０９４９６１およびＷＯ２０１４／０９４９６０に記載される。

本発明のさらなる形態において、Ｌは、＊で印された２つの位置を介してイリジウムに配位する以下の式（Ｌ^４－１８）の配位子である。
ここで、記号Ｘ、Ｚ、Ｒ’、Ｒ’’およびｎは、副配位子（Ｌ^１－３９）および（Ｌ^１－４０）で上記に記載されたものと同一の意味を有する。

配位子（Ｌ^４－１８）の好ましい形態は、副配位子（Ｌ^１－３９）および（Ｌ^１－４０）で上記に記載されたものと同一の意味を有する。

配位子（Ｌ^４－１８）の好ましい形態は、以下の式（Ｌ^４－１８ａ）の配位子である。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有する。

より好ましくは、式（Ｌ^４－１８）の配位子は、以下の式（Ｌ^４－１８ｂ）のうちの１つの構造を有する。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有する。

式（Ｌ^４－１８）の配位子または好ましい形態の好ましいＲおよびＲ’に関して、副配位子（Ｌ^１－３９）および（Ｌ^１－４０）で上記に記載のことが同様のことが適用される。

縮合ベンゾ基を有する好ましい配位子Ｌ^４は、以下に示される式（Ｌ^４－１８ｃ）～（Ｌ^４－１８ｈ）の構造である。
ここで、配位子は、それぞれ、１以上のさらなるＲラジカルによって置換されていてもよく、縮合構造は１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよい。好ましくは、さらなるＲまたはＲ^１ラジカルが存在しない。

縮合ベンゾフランまたはアザベンゾフラン基を有する式（Ｌ^４－１８）の好ましい配位子Ｌ^４は、以下に示される式（Ｌ^４－１８ｉ）～（Ｌ^４－１８ｙ）の構造である。
ここで、配位子は、それぞれ１以上のさらなるＲラジカルによって置換されていてもよく、縮合構造は１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよい。好ましくは、さらなるＲまたはＲ^１ラジカルが存在しない。同様に、これらの構造中のＯがＳまたはＮＲ^１によって置き換えられることも可能である。

配位子Ｌ^４中の式（１６）または（１７）の置換基Ｒ’の好ましい形態は、（Ｌ^１－３９）および（Ｌ^１－４０）で上記に記載の好ましい形態に対応する。

Ｌ^４のさらなる形態は、二座ジアニオン性配位子（Ｌ^４－１９）および（Ｌ^４－２０）、および二座モノアニオン性配位子（Ｌ^４－２１）～（Ｌ^４－２４）であり、これらのそれぞれは、＊で特定された２つの原子を介してイリジウムに配位する。
ここで、Ｒは上記に記載の意味を有し、Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり、ただし、２以下のＸがＮである。好ましくは１以下のＸがＮであり、より好ましくは、全てのＸが、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲである。

好ましくは、配位子（Ｌ^４－１９ａ）～（Ｌ^４－２４ａ）である。
ここで、Ｒは、上記に記載の意味を有する。好ましくは３以下の置換基Ｒ、より好ましくは２以下の置換基Ｒ、最も好ましくは１以下の置換基が、ＨまたはＤではない。

以降に、上述の副配位子Ｌ^１、Ｌ^２および／またはＬ^３、または上記の配位子Ｌ^４に存在してもよい好ましい置換基について記載する。これらの置換基は、式（４）の構造中の二価のアリーレンまたはヘテロアリーレン基に存在していてもよい。

本発明の好ましい形態において、本発明の金属錯体は、隣接する炭素原子に結合され、以下に示される式の１つによる環を共に形成する、２つのＲ置換基または２つのＲ^１置換基を含む。このケースにおいて、この脂環を形成する２つのＲ置換基は、ブリッジＶまたは式（２）もしくは（３）のブリッジおよび／または１二座副配位子および／または単座配位子に、存在していてもよい。２つのＲ置換基が共に、または２つのＲ^１置換基が共に、環形成することによって形成された脂環は、好ましくは以下の式（１８）～（２４）のうちの１つによって記載される。
ここで、Ｒ^１およびＲ^２は、上記に記載の意味を有し、点線の結合は、配位子における２つの炭素原子の結合を示し、さらに：
Ｇは、１、２または３の炭素原子を有し、１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよい、アルキレン基、－ＣＲ^２＝ＣＲ^２－、または５～１４の芳香族環原子を有し、１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよい、オルト結合された、アリーレンもしくはヘテロアリーレン基であり；
Ｒ^３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｆ、１～１０の炭素原子を有する、直鎖の、アルキルもしくはアルコキシ基、３～１０の炭素原子を有する、分岐もしくは環状の、アルキルもしくはアルコキシ基（ここで、アルキルもしくはアルコキシ基は、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよく、１以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｒ^２Ｃ＝ＣＲ^２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^２）_２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ^２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^２によって置き換えられていてもよい）、または５～２４の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、５～２４の芳香族環原子を有し、１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよい、アリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基であり；同時に、同一の炭素原子に結合された２つのＲ^３ラジカルが共に脂肪族または芳香族環系を形成し、それによりスピロ系を形成していてもよく；さらに、隣接するＲまたはＲ^１ラジカルと共にＲ^３が脂肪族環系を形成していてもよい。

本発明の構造において、隣接するラジカルが脂肪族環系を形成する場合、後者は酸性ベンジルプロトンを全く有さないことが好ましい。ベンジルプロトンは、配位子に直接結合する炭素原子に結合するプロトンを意味するものと解される。これは、アリールまたはヘテロアリール基に直接結合された脂肪族環系の炭素原子が完全に置換され、結合された水素原子を全く含まないことによって、達成されうる。例えば、式（１８）～（２４）において、酸性ベンジルプロトンが存在しないことは、Ｒ^３は、水素ではない場合に達成される。これはさらに、アリールまたはヘテロアリール基に直接結合された脂肪族環系の炭素原子が二環または多環の構造において橋頭であることによっても達成されうる。二環または多環の空間的な構造により、橋頭の炭素原子に結合されたプロトンは、二環または多環構造内で結合されていない炭素原子上のベンジルプロトンよりも、顕著に酸性度が低く、本発明の意味において、非酸性プロトンとみなされる。よって、式（２１）～（２４）において、酸性ベンジルプロトンが存在しないことは、これが二環構造であることにより達成され、二環構造の対応するアニオンがメソメリー的に安定化されていないため、Ｒ^１は、それがＨである場合、ベンジルプロトンよりも酸性が一層弱い結果である。したがって、式（２１）～（２４）のＲ^１がＨである場合であっても、本発明の意味において、非酸性プロトンである。本発明の好ましい形態において、Ｒ^３がＨではない。

式（１８）～（２４）の基の好ましい形態は、出願ＷＯ２０１４／０２３３７７、ＷＯ２０１５／１０４０４５およびＷＯ２０１５／１１７７１８に見られる。

本発明の化合物が上記のＲラジカルに対応しないＲラジカルを有する場合、これらのＲラジカルは、出現毎に同一であるかまたは異なり、好ましくは、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ^１）_２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ^１）_３、Ｂ（ＯＲ^１）_２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１、１～１０の炭素原子を有する直鎖のアルキル基、２～１０の炭素原子を有するアルケニル基、３～１０の炭素原子を有する、分岐もしくは環状のアルキル基（ここで、アルキルまたはアルコキシ基は、それぞれのケースにおいて１以上のラジカルＲ^１によって置換されていてもよい）、または５～３０の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系からなる群から選択され；同時に、２つの隣接するＲラジカルが共に、またはＲラジカルがＲ^１と共に、単環状もしくは多環状、脂肪族または芳香族環系を形成していてもよい。より好ましくは、これらのＲラジカルは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｎ（Ｒ^１）_２、１～６の炭素原子を有する直鎖のアルキル基、３～１０の炭素原子を有する、分岐もしくは環状のアルキル基（ここで、１以上の水素原子がＤまたはＦによって置き換えられていてもよい）、または５～２４の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^１ラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系からなる群から選択され、同時に、２つの隣接するＲラジカルが共に、またはＲラジカルがＲ^１と共に、単環状もしくは多環状、脂肪族または芳香族環系を形成していてもよい。

Ｒに結合された好ましいＲ^１ラジカルは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｎ（Ｒ^２）_２、ＣＮ、１～１０の炭素原子を有する直鎖のアルキル基、２～１０の炭素原子を有するアルケニル基、３～１０の炭素原子を有する、分岐もしくは環状のアルキル基（ここで、アルキル基は、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよい）、または５～２４の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり；同時に、２以上の隣接するＲ^１ラジカルが共に、単環状もしくは多環状の脂肪族環系を形成していてもよい。Ｒに結合された特に好ましいＲ^１ラジカルは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｆ、ＣＮ、１～５の炭素原子を有する直鎖のアルキル基、３～５の炭素原子を有する、分岐もしくは環状のアルキル基（これらのそれぞれは、１以上のＲ^２ラジカルによって置換されていてもよい）、または５～１３の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて１以上のラジカルＲ^２によって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり；同時に、２以上の隣接するＲ^１ラジカルが共に、単環状もしくは多環状の脂肪族環系を形成していてもよい。

好ましいＲ^２ラジカルは、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｆ、または１～５の炭素原子を有する脂肪族ヒドロカルビルラジカル、または６～１２の炭素原子を有する芳香族ヒドロカルビルラジカルであり；同時に、２以上のＲ^２置換基が共に、単環状または多環状の脂肪族環系を形成していてもよい。

上記の好ましい形態は、所望により、互いに組み合わせうる。本発明の特に好ましい形態において、上記の好ましい形態は同時に適用される。

本発明の好適な構造の例は、以下に示される化合物である。

本発明の化合物は、原則として、さまざまなプロセスによって調製できる。一般に、この目的のために、イリジウム化合物は第１ステップで適当な遊離四座配位子と反応する。このように得られる中間体は、次に、単座配位子または二座配位子と反応し、生成物を生じさせる。これは、２つのモノアニオン性配位子Ｌ^４または１つのジアニオン性配位子Ｌ^４と組み合わせた、モノアニオン性副配位子Ｌ^１および２つの電荷を有さない副配位子Ｌ^２およびＬ^３を有する単純な四座配位子の例を用いて以下に示される。

したがって、本発明は、さらに、適当な四座配位子を、式（２５）のイリジウムアルコキシド、式（２６）のイリジウムケトケトナート、式（２７）のハロゲン化イリジウム、式（２８）のイリジウムカルボキシラート、式（２９）のイリジウム－オレフィン－シクロペンタジエニル錯体、または式（３０）のイリジウムカルボキシラートと反応させ、次いで、このように得られる中間体を配位子Ｌ^４と反応させる、本発明の化合物の調製方法を提供する。
ここで、Ｒは上記に記載の意味を有し、Ｈａｌ＝Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩであり、イリジウム反応物質は対応する水和物で存在していてもよい。Ｒは、好ましくは１～４の炭素原子を有するアルキル基である。式（２９）および（３０）のＯｌｅｆｉｎは、ジオレフィン、典型的には１，５－シクロオクタンジエンや、シクロヘキサジエンまたはノルボルナジエンのような他のジオレフィンである。

同様に、アルコキシドおよび／またはハロゲン化物および／またはヒドロキシおよびケトケトネートラジカルを有する、イリジウム化合物、を用いることができる。これらの化合物は、電荷を有していてもよい。反応物質として特に適したイリジウム化合物に相当するものが、ＷＯ２００４／０８５４４９に開示されている。特に適したものは、［ＩｒＣｌ_２（ａｃａｃ）_２］^－、例えばＮａ［ＩｒＣｌ_２（ａｃａｃ）_２］、配位子としてアセチルアセトネート誘導体との金属錯体、例えばＩｒ（ａｃａｃ）_３またはトリス（２，２，６，６－テトラメチルヘプタン－３，５－ジオネート）イリジウム、およびＩｒＣｌ_３・ｘＨ_２Ｏ（式中、ｘは典型的には２～４の数である）である。

錯体の合成は、ＷＯ２００２／０６０９１０およびＷＯ２００４／０８５４４９に開示されているように行われることが好ましい。このケースにおいて、その合成は、例えば、熱的もしくは光化学的方法および／またはマイクロ波放射によって、活性化される。さらに、この合成は、オートクレーブ中に昇厚および／または昇温で行われうる。

反応は、オルト－メタル化される対応する配位子の溶融物中で、溶媒もしくは溶融助剤を加えずに行うことができる。必要に応じて、溶媒もしくは溶融助剤を加えることもできる。好適な溶媒は、脂肪族および／または芳香族アルコール（メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｔ－ブタノール等）、オリゴアルコールおよびポリアルコール（エチレングリコール、１，２－プロパンジオールまたはグリセロール等）、アルコールエーテル（例えば、エトキシエタノール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール等）、エーテル（ジ－およびトリエチレングリコールジメチルエーテル、ジフェニルエーテル等）、芳香族、ヘテロ芳香族および／または脂肪族炭化水素（トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン、ピリジン、ルチジン、キノリン、イソキノリン、トリデカン、ヘキサデカン等）、アミド（ＤＭＦ、ＤＭＡＣ等）、ラクタム（ＮＭＰ）、スルホキシド（ＤＭＳＯ）、またはスルホン（ジメチルスルホン、スルホラン等）のようなプロトン性または非プロトン性溶媒である。適当な溶融助剤は、室温で固体であるが、均質な溶融を形成するために反応混合物が加熱され反応物質を溶解する時に溶融される化合物である。特に適当なものは、ビフェニル、ｍ－ターフェニル、トリフェニレン、Ｒ－もしくはＳ－ビナフトールまたは他の対応するラセミ体、１，２－、１，３－または１，４－ビスフェノキシベンゼン、トリフェニルホスフィンオキシド、１８－クラウン－６、フェノール、１－ナフトール、ヒドロキノン、カテコール、レゾルシノール等である。特に好ましくは、ヒドロキノンの使用である。

さらに、合成は、未だ公開されていない出願ＥＰ１９１８７４６８．４に開示されるように、好ましくは、カルボン酸の存在下で無水物媒体中で行うことができる。ここで、使用されるイリジウム反応物質は、好ましくは、ハロゲン化イリジウム、イリジウムカルボキシラート、ＣＯＤ－イリジウム（Ｉ）化合物、イリジウムケトケトナート、または上記式（２５）～（３０）のうちの１つの化合物である。特に好適なカルボン酸は、酢酸、プロピオン酸、ピバル酸、安息香酸、フェニル酢酸、アジピン酸またはこれらの混合物からなる群から選択される。使用されるイリジウム反応物質が水和物である場合、好ましくは、脱水剤、特にカルボン酸無水物、ハロゲン化カルボニル、オルトカルボン酸トリアルキル、カルボジイミド、五酸化リン、塩化チオニルまたは塩化ホスホリル、を添加する。使用されるイリジウム反応物質がハロゲン化物である場合、好ましくは、脱ハロゲン化剤、特にアルカリ金属、アルカリ土類金属、カルボン酸のアンモニウムまたは亜鉛塩、を添加する。

同一の副配位子Ｌ^２およびＬ^３を有する配位子がオルトメタル化に使用される場合、得られるものは、典型的には、Ｃ_１－対称性錯体、つまりΔおよびΛエナンチオマー、の、ラセミ体混合物である。これらは標準的な方法（キラル材料／カラムのクロマトグラフィーまたは結晶化による光学的分割）によって分離されてもよい。

異なる副配位子Ｌ^２およびＬ^３を有する配位子が錯体化に使用される場合、典型的に得られるのは、標準的な方法（クロマトグラフィー、結晶化等）によって分離することができる錯体のジアステレオマー混合物である。

これらの工程（必要に応じて。続いて例えば再結晶化または昇華などの精製が行われてもよい）によって、式（１）の本発明の化合物が高純度、好ましくは９９％（^１Ｈ ＮＭＲおよび／またはＨＰＬＣによって決定される）より高い純度で、得られることを可能にする。

本発明による化合物は、適切な置換（例えば比較的長いアルキル基（約４～２０の炭素原子）、特に分枝アルキル基、または所望により置換されているアリール基（例えば、キシリル、メシチルまたは分枝テルフェニルもしくはクアテルフェニル基による））によって可溶となっていてもよい。金属錯体の溶解性を顕著に改善するための別の特定の方法は、例えば上記で開示された式（４４）～（５０）に示されるように、縮合脂肪族基の使用である。このような化合物は、標準的な有機溶媒（例えば、トルエンまたはキシレン）に室温で十分な濃度で溶解し、溶液からの錯体の製造を可能にする。これらの溶解性化合物は、特に溶液からの処理（例えば、印刷法）に適している。

本発明のイリジウム錯体の液相からの例えばスピンコートまたは印刷法による製造には、本発明による金属錯体の配合物が必要とされる。これらの配合物は、例えば、溶液、分散液またはエマルジョンであってよい。この目的で、２以上の溶媒の混合物を使用することが好ましい可能性がある。適切かつ好ましい溶媒は、例えば、トルエン、アニソール、ｏ－、ｍ－もしくはｐ－キシレン、安息香酸メチル、メシチレン、テトラリン、ベラトロール、ＴＨＦ、メチル－ＴＨＦ、ＴＨＰ、クロロベンゼン、ジオキサン、フェノキシトルエン、特に３－フェノキシトルエン、（－）－フェンコン、１，２，３，５－テトラメチルベンゼン、１，２，４，５－テトラメチルベンゼン、１－メチルナフタレン、２－メチルベンゾチアゾール、２－フェノキシエタノール、２－ピロリジノン、３－メチルアニソール、４－メチルアニソール、３，４－ジメチルアニソール、３，５－ジメチルアニソール、アセトフェノン、α－テルピネオール、ベンゾチアゾール、安息香酸ブチル、クメン、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、ドデシルベンゼン、安息香酸エチル、インダン、ＮＭＰ、ｐ－シメン、フェネト－ル、１，４－ジイソプロピルベンゼン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、２－イソプロピルナフタレン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、１，１－ビス（３，４－ジメチルフェニル）エタン、ヘキサメチルインダン、２－メチルビフェニル、１－メチルナフタレン、１－エチルナフタレン、オクタン酸エチル、セバシン酸ジエチル、オクタン酸オクチル、ヘプチルベンゼン、イソ吉草酸メチル、ヘキサン酸シクロヘキシル、またはそれらの溶媒の混合物である。

さらに、本発明は、少なくとも１つの本発明の化合物、および少なくとも１つのさらなる化合物を含んでなる配合物に関するものである。さらなる化合物は、溶媒、特に上述の溶媒のうちの一つまたはそれらの溶媒の混合であってよい。さらなる化合物は、電子素子において同様に使用される有機または無機化合物、例えばマトリックス材料、であってもよい。このさらなる化合物は、重合体であってもよい。

上述の本発明の化合物は、電子素子中の活性成分として、好ましくは発光層中の発光体として、もしくは正孔もしくは電子輸送層における正孔もしくは電子輸送材料として、または酸素増感剤として、または光開始剤もしくは光触媒として、使用されていてもよい。よって、本発明は、さらに、本発明による化合物の、電子素子における、または酸素増感剤、または光開始剤もしくは光触媒としての、使用について、提供するものである。エナンチオマー的に純粋な本発明によるイリジウム錯体は、キラル光誘因合成のための光触媒として好適である。

本発明は、さらに、少なくとも１つの本発明の化合物を含んでなる電子素子を提供するものである。

電子素子は、アノード、カソードおよび少なくとも１層（この層は少なくとも１つの有機または有機金属化合物を含んでなる）を具備してなる任意の素子を意味するものと解される。よって、本発明による電子素子は、アノード、カソードおよび少なくとも１つの本発明によるイリジウム錯体を含む少なくとも１つの層を含んでなる。好ましい電子素子は、少なくとも１つの層に少なくとも１つの本発明の化合物を含んでなる、有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ－ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ－ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ－ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ－ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ－ＳＣ）、後者は純粋な有機太陽電池および色素増感太陽電池の両方を意味するものと解される、有機光学検査器、有機光受容器、有機電場消光素子（Ｏ－ＦＱＤ）、発光電子化学電池（ＬＥＣ）、酸素センサーおよび有機レーザーダイオード（Ｏ－ｌａｓｅｒ）からなる群から選択される。赤外において光を放出する化合物は、有機赤外エレクトロルミネッセンス素子および赤外線センサーでの使用に好適である。特に好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子である。活性成分は、通常アノードとカソードの間に導入された有機または無機材料、例えば電荷注入、電荷輸送もしくは電荷ブロッカー材料、特には発光材料およびマトリックス材料、である。本発明の化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子中の発光材料として、特に良好な特性を示す。本発明の好ましい態様は、それゆえ、有機エレクトロルミネッセンス素子である。さらに、本発明の化合物は、一重項酸素の生成のために、または光触媒反応において使われる。

有機エレクトロルミネッセンス素子は、カソード、アノードおよび少なくとも１つの発光層を具備してなる。これらの層とは別に、さらなる層、例えばそれぞれの場合において、１以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電子ブロック層、電荷発生層および／または有機もしくは無機ｐ／ｎ結合、を具備してなっていてもよい。このケースにおいて、１以上の正孔輸送層が、例えばＭｏＯ_３もしくはＷＯ_３のような金属酸化物、または（パー）フルオロ化電子欠損芳香族、または電子欠損シアノ置換ヘテロ芳香族（例えば、ＪＰ４７４７５５８、ＪＰ２００６－１３５１４５、ＵＳ２００６／０２８９８８２、ＷＯ２０１２／０９５１４３による）、またはキノイド系（例えば、ＥＰ１３３６２０８による）、またはルイス酸、またはボラン（例えば、ＵＳ２００３／０００６４１１、ＷＯ２００２／０５１８５０、ＷＯ２０１５／０４９０３０による）、主族金属第ＩＩＩ、ＩＶもしくはＶの元素のカルボン酸塩によって、ｐドープされることも可能であり、および／または、１以上の電子輸送層がｎドープされることも可能である。

同様に、例えば励起子ブロック機能を有する、および／またはエレクトロルミネッセンス素子において電荷バランスを制御する、および／または電荷を発生させる（電荷発生層、例えば２以上の発光層を有する層系、例えば白色発光ＯＬＥＤ部品において）中間層が、２つの発光層の間に導入されていてもよい。しかしながら、これらの層のそれぞれが、必ずしも存在しなければならないわけではないことを留意すべきである。

このケースにおいて、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１つの発光層を含むか、または複数の発光層を含んでいてもよい。複数の発光層が存在する場合、これらは、好ましくは、３８０ｎｍ～７５０ｎｍ全体で複数の発光極大を有し、その結果、全体として白色発光を生じる、すなわち、蛍光または燐光を発することができる様々な発光化合物が、発光層中に用いられる。特に好ましい態様は、３つの層が青色、緑色および橙色または赤色発光を示す３層系（基本構造は、例えば、ＷＯ２００５／０１１０１３参照）、または３つより多い発光層を有する系である。この系は、１以上の層が蛍光を発し、１以上の層が燐光を発するハイブリッドの系であってもよい。好ましい形態は、タンデムＯＬＥＤである。白色発光の有機エレクトロルミネッセンス素子は、照明用途に、またはフルカラーディスプレイのカラーフィルターと共に使用されていてもよい。

本発明の好ましい形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の発光層中の発光化合物として、本発明のイリジウム錯体を含んでなる。

本発明によるイリジウム錯体が発光層における発光化合物として使用される場合、好ましくは１以上のマトリックス材料との組み合わせで使用される。本発明によるイリジウム錯体とマトリックス材料の混合物は、発光体およびマトリックス材料の混合物全体に対し、体積で０．１％～９９％、好ましくは体積で１％～９０％、より好ましくは体積で３％～４０％、特に体積で５％～１５％、の本発明によるイリジウム錯体を含む。それに対応して、混合物は、発光体およびマトリックス材料の混合物全体に対し、体積で９９．９％～１％、好ましくは体積で９９％～１０％、より好ましくは体積で９７％～６０％、特に体積で９５％～８５％のマトリックス材料を含む。

本発明の化合物の好適なマトリックス材料は、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド、およびスルホン（例えば、ＷＯ２００４／０１３０８０、ＷＯ２００４／０９３２０７、ＷＯ２００６／００５６２７またはＷＯ２０１０／００６６８０による）、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体（例えば、ＣＢＰ（Ｎ，Ｎ－ビスカルバゾニルビフェニル）、ｍ－ＣＢＰもしくはＷＯ２００５／０３９２４６、ＵＳ２００５／００６９７２９、ＪＰ２００４／２８８３８１、ＥＰ１２０５５２７、ＷＯ２００８／０８６８５１またはＵＳ２００９／０１３４７８４に開示されるカルバゾ－ル誘導体）、架橋カルバゾール誘導体（例えば、ＵＳ２００９／０１３６７７９、ＷＯ２０１０／０５０７７８、ＷＯ２０１１／０４２１０７またはＷＯ２０１１／０８８８７７による）、ビスカルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体（例えば、ＷＯ２００７／０６３７５４またはＷＯ２００８／０５６７４６による）、インデノカルバゾール誘導体（例えば、ＷＯ２０１０／１３６１０９またはＷＯ２０１１／０００４５５による）、アザカルバゾール（例えば、ＥＰ１６１７７１０、ＥＰ１６１７７１１、ＥＰ１７３１５８４、ＪＰ２００５／３４７１６０による）、バイポーラーマトリックス材料（例えば、ＷＯ２００７／１３７７２５による）、シラン（例えば、ＷＯ２００５／１１１１７２による）、アザボロールもしくはボロン酸エステル（例えば、ＷＯ２００６／１１７０５２による）、ジアザシロール誘導体（例えば、ＷＯ２０１０／０５４７２９による）、ジアザホスホール誘導体（例えば、ＷＯ２０１０／０５４７３０による）、トリアジン誘導体（例えば、ＷＯ２０１０／０１５３０６、またはＷＯ２００７／０６３７５４、またはＷＯ２００８／０５６７４６による）、亜鉛錯体（例えば、ＥＰ６５２２７３もしくはＷＯ２００９／０６２５７８による）、ジベンゾフラン誘導体（例えば、ＷＯ２００９／１４８０１５による）、ジベンゾチオフェン誘導体またはトリフェニレン誘導体である。

混合物として複数の異なったマトリックス材料、特に少なくとも１つの電子伝導マトリックス材料および少なくとも１つの正孔伝導マトリックス材料、を使用することも好ましい。好ましい組み合わせは、本発明による金属錯体の混合マトリックスとして、例えば、芳香族ケトン、トリアジン誘導体またはホスフィンオキシド誘導体を、トリアリールアミン誘導体またはカルバゾール誘導体と共に使用することである。同様に、電荷輸送マトリックス材料および電荷輸送においてたとえあったとしても明らかな関与がない電気的に不活性なマトリックス材料（例えばＷＯ２０１０／１０８５７９に開示される）の混合物の使用も好ましい。

本発明の化合物のためのマトリックス材料として使用することができる好ましいビスカルバゾールは、以下の式（３１）および（３２）の構造である。
ここで、Ａｒ^１は、同一であるかまたは異なり、５～４０の芳香族環原子、好ましくは６～３０の芳香族環原子を有し、それぞれのケースにおいて１以上のＲラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり、Ａ^１は、ＮＲ、ＣＲ_２、ＯまたはＳであり、かつＲは上記に記載の意味を有する。本発明の好ましい形態において、Ａ^１はＣＲ_２である。

式（３１）および（３２）の化合物の好ましい形態は、以下の式（３１ａ）および（３２ａ）の化合物である。
ここで、使用される記号は上記に記載の意味を有する。

式（３１）および（３２）の好適な化合物の例は、以下に記載の化合物である。

好ましいジベンゾフラン誘導体は、以下の式（３３）の化合物である。
ここで、酸素は、硫黄によって置き換えられ、ジベンゾチオフェンを形成していてもよく、Ｌは、単結合または５～３０の芳香族環原子を有し、１以上のＲラジカルによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり、かつＲおよびＡｒ^１は、上記に記載の意味を有する。ここで、同一の窒素原子に結合する２つのＡｒ^１基、または同一の窒素原子に結合する、１つのＡｒ^１基および１つのＬ基が、互いに結合され、例えばカルバゾールを形成することも可能である。

好ましいカルバゾールアミンは、以下の式（３４）、（３５）および（３６）の構造である。
ここで、Ｌは、５～３０の芳香族環原子を有し、１以上のＲラジカルによって置換されていてもよい、芳香族またはヘテロ芳香族環系であり、かつＲおよびＡｒ^１は、上記に記載の意味を有する。

本発明の化合物と共に混合物として使用することができる、好ましいトリアジン、キナゾリン、またはピリミジン誘導体は、以下の式（３７）、（３８）および（３９）の化合物である。
ここで、Ａｒ^１およびＲは、上記に記載の意味を有する。

特に好ましくは、式（３７）のトリアジン誘導体および式（３９）のキナゾリン誘導体、特に式（３７）のトリアジン誘導体である。

本発明の好ましい形態において、式（３７）、（３８）および（３９）中のＡｒ^１は、出現毎に同一であるかまたは異なり、６～３０の芳香族環原子、特に６～２４の芳香族環原子を有し、１以上のＲラジカルによって置換されていてもよい、芳香族またはヘテロ芳香族環系である。ここで、好適な芳香族またはヘテロ芳香族環系Ａｒ^１は、Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^３の形態、特にＡｒ－１～Ａｒ－７６の構造として、上記に規定されたものと同じである。

本発明の化合物と共にマトリックス材料として使用されてもよい好適なトリアジン化合物の例は、以下の表に記載の化合物である。

２以上の三重項発光体、特に２または３の三重項発光体、の混合物を１以上のマトリックス材料と共に使用されることがさらに好ましい。このケースにおいて、より短い発光波長スペクトルを有する三重項発光体が、より長い発光波長スペクトルを有する三重項発光体の共マトリックスとして機能する。例えば、本発明の金属錯体は、共マトリックスとして、より短い波長を放出する金属錯体、例えば、青、緑または黄色発光金属錯体、と組み合わせうる。例えば、本発明の金属錯体を、より長い波長を放出する三重項発光体、例えば赤色発光三重項発光体、のための共マトリックスとして使用することもできる。このケースにおいて、より短い波長およぶより長い波長を放出する金属錯体の両方が、本発明の化合物であることも好ましい。３つの三重項発光体の混合物を使用するケースにおける好ましい形態は、２つが共ホストとして使用され、１つが発光体材料として使用される場合である。これらの三重項発光体は、好ましくは、緑、黄色および赤、または青、緑およびオレンジ色の発光をする。

発光層中の好ましい混合物は、電子輸送ホスト材料、いわゆる「ワイドバンドギャップ」ホスト材料（これは、その電子特性ゆえ、層中の電荷輸送に関与しないか、または顕著な程度に関与しない）、共ドーパント（これは、本発明による化合物よりも短い波長で発光する三重項発光体である）、および本発明の化合物を含んでなる。

発光層中のさらなる好ましい混合物は、電子輸送ホスト材料、いわゆる「ワイドバンドギャップ」ホスト材料（これは、その電子特性ゆえ、層中の電荷輸送に関与しないか、または顕著な程度に関与しない）、正孔輸送ホスト材料、共ドーパント（これは、本発明による化合物よりも短い波長で発光する三重項発光体である）、および本発明の化合物を含んでなる。

本発明の化合物は、電子素子において他の機能で使用されうる。例えば、正孔注入または輸送層における正孔輸送材料として、電荷発生材料として、電子ブロック材料として、正孔ブロック材料として、または電子輸送材料としてであり、例えば電子輸送層において、である。同様に、本発明の化合物を発光層における、他の燐光発光金属錯体のためのマトリックス材料として使用することも可能である。

カソードは、好ましくは、様々な金属、例えばアルカリ土類金属、アルカリ金属、主族の金属もしくはランタノイド（例えばＣａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍ等）を含んでなる、低仕事関数を有する金属、金属合金もしくは多層構造体を含んでなる。さらに、適しているのは、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属および銀を含んでなる合金（例えば、マグネシウムと銀を含んでなる合金）である。多層構造体の場合には、比較的高い仕事関数を有する更なる金属、例えば、Ａｇもまた、前記金属に加えて用いられてもよく、この場合、金属の組合せ、例えば、Ｍｇ／Ａｇ、Ｃａ／ＡｇまたはＢａ／Ａｇが、一般に用いられる。高い誘電率を有する材料からなる薄い中間層を、金属カソードと有機半導体の間に導入することもまた、好ましいことがある。この目的に使用できる材料の例は、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属のフッ化物であるが、対応する酸化物もしくは炭酸塩（例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＦ_２、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ_２ＣＯ_３等）である。同様に、この目的で使用できるのは、有機アルカリ金属錯体、例えばＬｉｑ（キノリン酸リチウム）である。この層の層厚は、好ましくは、０．５～５ｎｍである。

好ましいアノードは、仕事関数の高い材料である。好ましくは、アノードは真空に対し４．５ｅＶよりも大きい仕事関数を有する。まず、高い酸化還元電位を有する金属はこの目的に合う。例えば、Ａｇ、ＰｔまたはＡｕである。次に、金属／金属酸化物電極（例えば、Ａｌ／Ｎｉ／ＮｉＯｘ、Ａｌ／ＰｔＯｘ）もまた好ましい。いくつかの用途において、少なくとも１つの電極は、透明または部分的に透明であるべきである。有機材料（Ｏ－ＳＣ）の放射または発光（ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤ、Ｏ－ｌａｓｅｒ）を可能にするためである。ここで、好ましいアノード材料は、導電性の高い混合金属酸化物である。特に好ましくは、イリジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウムスズ酸化物（ＩＺＯ）である。さらに、好ましいものとして、伝導性のドープされた有機材料、特に導電性ドープされたポリマー、例えばＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩまたはこれらのポリマーの誘導体、が挙げられる。さらに好ましくは、ｐ－ドープされた正孔輸送材料が正孔注入としてアノードに適用されるとき、好適なｐ－ドーパントは、金属酸化物、例えばＭｏＯ_３もしくはＷＯ_３または（過）フッ素化電子－欠損芳香族系である。さらに好適なｐ－ドーパントは、ＨＡＴ－ＣＮ（ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン）またはＮｏｖａｌｅｄ製の化合物ＮＰＤ９である。このような層によって、低ＨＯＭＯ、すなわち大きなＨＯＭＯ値を有する材料における正孔注入が簡単になる。

従来技術で層に使用される任意の材料は、一般に、さらなる層に使用されうる。当業者であれば、発明的工夫なしで、電子素子において、それぞれの材料を本発明による材料と結び付けることができるであろう。

本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入もしくは正孔輸送層、電子ブロック層または電子輸送層で使用されうる、好適な電荷輸送材料は、例えば、Ｙ．Ｓｈｉｒｏｔａ ｅｔ ａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２００７、１０７（４）、９５３－１０１０で開示される化合物、または従来技術のこれらの層に使用される他の材料である。本発明のエレクトロルミネッセンス素子における、正孔輸送、正孔注入または電子輸送層における好ましい正孔輸送材料は、インデノフルオレンアミン誘導体（例えば、ＷＯ０６／１２２６３０またはＷＯ０６／１００８９６）、ＥＰ１６６１８８８に開示されるアミン誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体（例えば、ＷＯ０１／０４９８０６）、縮合芳香族環を含むアミン誘導体（例えば、ＵＳ５，０６１，５６９）、ＷＯ９５／０９１４７に開示されるアミン誘導体、モノベンゾインデノフルオレンアミン（例えば、ＷＯ０８／００６４４９）、ジベンゾインデノフルオレンアミン（例えば、ＷＯ０７／１４０８４７）、スピロビフルオレンアミン（例えば、ＷＯ２０１２／０３４６２７、ＷＯ２０１４／０５６５６５）、フルオレンアミン（例えば、ＥＰ２８７５０９２、ＥＰ２８７５６９９およびＥＰ２８７５００４）、スピロビベンゾピランアミン（例えば、ＥＰ２７８０３２５）およびジヒドロアクリジン誘導体（例えば、ＷＯ２０１２／１５０００１）である。

素子は、相応に、（用途に応じて）構造化され、接続され、最終的に密封される。そのような素子の寿命は、水および／または空気の存在で、劇的に短くなるからである。

さらに好ましくは、１以上の層が昇華法より適用される有機エレクトロルミネッセンス素子である。このケースにおいて、材料は、典型的には１０^－５ｍｂａｒ未満、好ましくは１０^－６ｍｂａｒ未満の初期圧力で、真空昇華系で蒸着により適用される。初期圧力は、より低くても、またより高くてもよく、例えば、１０^－７ｍｂａｒ未満でもよい。

同様に、１つ以上の層がＯＶＰＤ（有機気相堆積）法を用いることによって、またはキャリアガス昇華を利用して塗布されることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子も好ましい。このケースにおいて、材料は、１０^－５ミリバール～１バールの圧力で適用される。この方法の特別な方法は、ＯＶＪＰ（有機蒸気ジェット印刷）法であり、その材料は、ノズルを介して直接適用され、したがって構造化される（例えばＭ．Ｓ．Ａｒｎｏｌｄら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００８、９２、０５３３０１）。

さらに、１つ以上の層が、例えばスピンコーティングによって、または任意の印刷法、例えばスクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷もしくはノズル印刷などによって、特に好ましくはＬＩＴＩ（光誘導熱画像化、熱転写印刷）またはインクジェット印刷によって、溶液から生成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が好ましい。この目的では、可溶性化合物が必要であり、この化合物は、例えば適切な置換を介して得られる。

有機エレクトロルミネッセンス素子を、１つ以上の層を溶液から適用し、蒸着によって１つ以上の他の層を適用することによる、ハイブリッドの系として製造することもできる。例えば、本発明による金属錯体およびマトリックス材料を含んでなる発光層を溶液から適用し、正孔ブロック層および／または電子輸送層を減圧下で蒸着によって適用することができる。

これらの方法は、一般に当業者に知られており、当業者は、困難なく、式（Ｉ）の化合物または上述の好ましい形態を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子に、適用されうる。

本発明の電子素子、特に有機エレクトロルミネッセンス素子は、高い効率、良好な寿命および低作動電圧を有する。さらに、本発明の化合物は、熱的に非常に安定であり、特に、高すぎる分子量ではない化合物、特に分子量約１２００ｇ／ｍｏｌｍは、分解せずに、効率的に昇華することができる。

これらの上述の利点は、他の電気的特性の劣化を伴わないものである。

本発明は、続いて実施例によってより詳細に例示されるが、それによっていかなる限定を意図しない。当業者は、記載される詳細を使用し、発明的工夫をなさずして、さらなる本発明による電子素子を製造し、かつそのことにより請求された範囲の全体にわたり本発明を実施することができるであろう。

図面の説明
図１は、本発明の錯体Ｉｒ６１７のＸ線構造を示し、その合成は以下の実施例に記載される。

実施例：
以下の合成は、特に断らなければ、乾燥溶剤中で、保護ガス雰囲気下に行われる。
金属錯体は、さらに光を排除して、もしくは黄色光の下で取り扱われる。溶剤および試薬は、例えばｓｉｇｍａ－ＡＬＤＲＩＣＨまたはＡＢＣＲから購入できる。角括弧内の各数字または個別化合物に示された数字は、文献から知られる化合物のＣＡＳ番号に関する。複数の互変異性の、異性体の、エナンチオマーの、またはジアステレオマーの型を有しうる化合物のケースにおいて、１つの型は、代表的な方法で示される。

Ａ：シントンＳの合成：
例Ｓ１：
１８．２ｇ（５０ｍｍｏｌ）の２，２’－（５－クロロ－１，３－フェニレン）ビス［４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン［１４１７０３６－４９－７］、２８．３ｇ（１００ｍｍｏｌ）の１－ブロモ－２－ヨードベンゼン、３１．８ｇ（３００ｍｍｏｌ）の炭酸ナトリウム、２００ｍｌのトルエン、１００ｍｌのエタノールおよび２００ｍｌの水の混合物に、よく撹拌しながら、７８８ｇ（３ｍｍｏｌ）のトリフェニルホスフィン、そして２２５ｍｇ（１ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）が加えられ、混合物は還流下で４８時間加熱される。冷却後、有機相は除去され、３００ｍｌの水で１回、３００ｍｌの飽和塩化ナトリウム溶液で１回洗浄され、硫酸マグネシウム上で乾燥される。乾燥剤はろ別され、ろ液は減圧下で完全に濃縮される。残留物は、フラッシュクロマトグラフされる（Ａ．Ｓｅｍｒａｕによるトレント自動カラムシステム）。収量：１６．５ｇ（３９ｍｍｏｌ）、７８％；純度：約９７％ ^１Ｈ ＮＭＲによる。

例Ｓ２：

ステージＳ２ａ：
２３．９ｇ（１００ｍｍｏｌ）の２－クロロ－４－ヨードピリジン［１５３０３４－８６７］、１９．８ｇ（１００ｍｍｏｌ）のジフェニルボロン酸［５１２２－８９４１］、２１．２ｇ（２００ｍｍｏｌ）の炭酸ナトリウム、１．１６ｇ（１ｍｍｏｌ）のテトラキス（トリフェニルホスフィノ）パラジウム（０）、１５０ｍｌのトルエン、５０ｍｌのジオキサンおよび１００ｍｌの水のよく撹拌された混合物が還流下で１６時間加熱される。冷却後、析出固体は吸引ろ過され、それぞれ１００ｍｌの水で３回、５０ｍｌのメタノールで２回洗浄され、減圧下で乾燥される。固体は、１５０ｍｌの熱アセトニトリル中で撹拌しながら抽出され、吸引ろ過され、減圧下で乾燥される。収量：２４．２ｇ（９１ｍｍｏｌ）、９１％；純度：約９７％ ^１Ｈ ＮＭＲによる。

ステージＳ２ｂ：
２６．６ｇ（１００ｍｍｏｌ）のＳ２ａ、１５．６ｇ（１００ｍｍｏｌ）の４－クロロフェニルボロン酸［１６７９－１８－１］、２７．６ｇ（２００ｍｍｏｌ）の炭酸カリウム、７０２ｍｇ（１ｍｍｏｌ）のビス（トリフェニルホスフィノ）塩化パラジウム（ＩＩ）、５０ｇのガラスビーズ（直径３ｍｍｏｌ）、２００ｍｌのアセトニトリルおよび１００ｍｌのメタノールのよく撹拌された混合物が、還流下で１６時間加熱される。冷却後、析出固体は吸引ろ過され、それぞれ１００ｍｌの水で３回、５０ｍｌのメタノールで２回洗浄され、減圧下で乾燥される。固体は、５００ｍｌのジクロロメタン（ＤＣＭ）および１００ｍｌの酢酸エチル（ＥＡ）に溶解され、ＤＣＭスラリーの形態のシリカゲル床を通してろ過される。ろ液は減圧下で濃縮される。残留固体は、１５０ｍｌの熱エタノールを用いて撹拌することにより抽出され、吸引ろ過され、減圧下で乾燥される。収量：２７．３ｇ（８０ｍｍｏｌ）、８０％；純度：約９７％ ^１Ｈ ＮＭＲによる。

ステージＳ２ｃ：
３４．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）のＳ２ｂ、２６．７ｇ（１０５ｍｍｏｌ）のビス（ピナコラト）ジボラン、２９．４ｇ（３００ｍｍｏｌ）の酢酸カリウム（無水）、５０ｇのガラスビーズ（直径３ｍｍ）および５００ｍｌのＴＨＦの混合物に、よく攪拌しながら、８２１ｍｇ（２ｍｍｏｌ）のＳ－Ｐｈｏｓ、そして２２５ｍｇ（１ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）が加えられ、混合物は還流下で１６時間加熱される。混合物がさらに温められている間、塩およびガラスビーズは、ＴＨＦスラリー形態のセライト床を通して吸引ろ過され、これはわずかなＴＨＦを用いて洗浄され、そしてろ液は濃縮乾燥される。残留物は１００ｍｌのＭｅＯＨに採取され、温かい溶媒中で攪拌され、結晶化生成物は吸引ろ過され、それぞれ３０ｍｌのメタノールで２回洗浄され、減圧下で乾燥される。収量：３６．４ｇ（８４ｍｍｏｌ）、８４％；純度：約９５％^１Ｈ－ＮＭＲによる。

ステージＳ２：
２１．３ｇ（１００ｍｍｏｌ）のＳ２ｃ、１３．６ｇ（１００ｍｍｏｌ）の１－ブロモ－２－ヨードベンゼン［５８３－５５－１］、５３．０ｇ（５００ｍｍｏｌ）の炭酸ナトリウム、４００ｍｌのトルエン、２００ｍｌのエタノールおよび４００ｍｌの水のよく撹拌された混合物に、１．５７ｇ（６ｍｍｏｌ）のトリフェニルホスフィン、そして、４４９ｍｇ（２ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）が加えられ、混合物は還流下で１６時間加熱される。冷却後、有機相は除去され、それぞれ２００ｍｌの水で２回、２００ｍｌの飽和塩化ナトリウム溶液で１回洗浄され、硫酸マグネシウム上で乾燥される。ろ液は、トルエンスラリー形態のセライト床を通してろ過され、濃縮乾燥され、残留物は、少量の酢酸エチルの添加によって、約５０ｍｌのメタノールから再結晶化される。収量：３７．４ｇ（８３ｍｍｏｌ）、８３％；純度：約９５％ ^１Ｈ ＮＭＲによる。

以下の化合物は同様に調製されうる。
＊３ステージ以上

例Ｓ２０：

ステージＳ２０ａ：
２７．４ｇ（１００ｍｍｏｌ）の２，５－ジクロロ－４－ヨードピリジン［７９６８５１－０３－１］、１９．８ｇ（１００ｍｍｏｌ）のジフェニルボロン酸［５１２２－９４－１］、２７．６ｇ（２００ｍｍｏｌ）の炭酸カリウム、７０２ｍｇ（１ｍｍｏｌ）のビス（トリフェニルホスフィノ）塩化パラジウム（ＩＩ）、５０ｇのガラスビーズ（直径３ｍｍｏｌ）、１５０ｍｌのアセトニトリルおよび１５０ｍｌのメタノールのよく撹拌された混合物が、還流下で１６時間加熱される。冷却後、反応混合物が１０００ｍｌの水に注がれる。析出固体は吸引ろ過され、それぞれ１００ｍｌの水で３回、５０ｍｌのメタノールで１回洗浄され、減圧下で乾燥される。収量：２９．４ｇ（９８ｍｍｏｌ）、９８％；純度：約９７％ ^１Ｈ ＮＭＲによる。

ステージＳ２０ｂ：
ジフェニルボロン酸［５１２２－９４－１］の代わりに、１２．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）のフェニルボロン酸［９８－８０－６］を用いること以外は、２０ａと同様の手順。粗生成物は、３００ｍｌのＤＣＭおよび１００ｍｌのＥＡに溶解され、シリカゲル床を通してろ過される。ろ液が濃縮された後、固体はアセトニトリルを用いて熱撹拌しながら抽出される。収量：２７．３ｇ（８０ｍｍｏｌ）、８０％；純度：約９７％ ^１Ｈ ＮＭＲによる。

ステージＳ２０：
３４．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）のＳ２０ｂ、１７．２ｇ（１１０ｍｍｏｌ）の２－クロロフェニルボロン酸［３９００－８９－８］、４１．５ｇ（３００ｍｍｏｌ）の炭酸カリウム、６００ｍｌのＴＨＦおよび２００ｍｌの水のよく撹拌された混合物に、１．６４ｇ（４ｍｍｏｌ）のＳ－Ｐｈｏｓおよび４９９ｍｇ（２ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）が加えられ、そして、混合物はゆるやかな還流下で１６時間加熱される。冷却後、有機相は除去され、それぞれ２００ｍｌの飽和塩化ナトリウム溶液で２回洗浄され、濃縮乾燥される。残留物は１００ｍｌのエタノールで４時間煮沸される。冷却後、固体は吸引ろ過され、５０ｍｌのエタノールで洗浄され、乾燥される。さらなる精製は、約２００ｍｌの酢酸エチルから再結晶化により行われる。収量：２５．９ｇ（６２ｍｍｏｌ）、６２％；純度：約９５％ ^１Ｈ ＮＭＲによる。

以下の化合物は同様に調製されうる。
＊３ステージ以上

例Ｓ５０：
２１．１ｇ（５０ｍｍｏｌ）のＳ１、２０．４ｇ（１００ｍｍｏｌ）の４，４，５，５－テトラメチル－２－フェニル－１，３，２－ジオキサボロラン［２４３８８－２３－６］、６３．４ｇ（６００ｍｍｏｌ）の炭酸ナトリウム、４００ｍｌのトルエン、２００ｍｌのエタノールおよび４００ｍｌの水の混合物に、非常によく撹拌しながら、１．５８ｇ（６ｍｍｏｌ）のトリフェニルホスフィン、そして４４９ｍｇ（２ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）が加えられ、混合物は還流下で４８時間加熱される。冷却後、有機相は除去され、３００ｍｌの水で１回、３００ｍｌの飽和塩化ナトリウム溶液で１回洗浄され、硫酸マグネシウム上で乾燥される。乾燥剤はろ別され、ろ液は減圧下で完全に濃縮される。残留物は、フラッシュクロマトグラフされる（Ａ．Ｓｅｍｒａｕによるトレント自動カラムシステム）。収量：１７．１ｇ（４１ｍｍｏｌ）、８２％；純度：約９７％ ^１Ｈ ＮＭＲによる。

以下の化合物は同様に調製されうる。

例Ｓ１００：
３１．４ｇ（２００ｍｍｏｌ）のブロモベンゼン［１０８－８６－１］、１６．１ｇ（１００ｍｍｏｌ）の１－クロロ－３，５－エチニルベンゼン［１３７８４８２－５２－０］、１９４．５ｍｌ（１．５ｍｏｌ）のトリエチルアミン、７００ｍｌのＤＭＦおよび２．３１ｇ（２ｍｍｏｌ）のテトラキス（トリフェニルホスフィノ）パラジウム（０）のよく撹拌された混合物が、７０℃で１６時間撹拌される。形成されたトリエチルアンモニウムヒドロブロミドは、まだ温かいうちに吸引によりろ別され、５０ｍｌのＤＭＦで１回洗浄される。ろ液は濃縮乾燥され、残留物は１０００ｍｌのジクロロメタンに採取される。有機相はそれぞれ３００ｍｌの水で３回、３００ｍｌの飽和塩化ナトリウム溶液で１回洗浄され、硫酸マグネシウム上で乾燥される。有機相は約３００ｍｌに濃縮され、１００ｍｌの酢酸エチルが加えられ、混合物はシリカゲル床を通してろ過され、溶媒は減圧下で除去される。このように得られた固体は、１５０ｍｌのメタノールで撹拌することにより１度抽出され、そして、減圧下で乾燥される。固体は、５００ｍｌのＴＨＦおよび１００ｍｌのＭｅＯＨの混合物中で、１０．７ｇ（２００ｍｍｏｌ）の塩化アンモニウム、５ｇの木炭上のパラジウム（５％）を添加し、４０℃で、２ｂａｒ水素雰囲気で、水素の取り込みが完了するまで（約１２時間）、水素化される。触媒はＴＨＦスラリー形態のセライト床を用いてろ別され、溶媒は減圧下で除去され、残留物は自動化システム（Ａ Ｓｅｍｒａｕによるコンビフラッシュトレント）を用いてフラッシュクロマトグラフされる。収量：２６．３ｇ（８２ｍｍｏｌ）、８２％；純度：約９７％ ^１Ｈ ＮＭＲによる。

以下の化合物は同様に調製されうる。

例Ｓ２００：
４１．７ｇ（１００ｍｍｏｌ）のＳ５０、２６．７ｇ（１０５ｍｍｏｌ）のビス（ピナコラト）ジボラン［７３１８３－３４－３］、２９．４ｇ（３００ｍｍｏｌ）の酢酸カリウム（無水物）、５０ｇのガラスビーズ（直径３ｍｍ）および３００ｍｌのＴＨＦの混合物に、よく撹拌しながら、８２１ｍｇ（２ｍｍｏｌ）のＳ－Ｐｈｏｓ、そして２２５ｍｇ（１ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）が加えられ、混合物は還流下で１６時間加熱される。冷却後、塩およびガラスビーズはＴＨＦスラリー形態のセライト床を通して吸引ろ過によって除去され、これはわずかなＴＨＦを通して洗浄され、ろ液は濃縮乾燥される。残留物は１００ｍｌのＭｅＯＨに採取され、温かい溶媒中で撹拌され、結晶化した生成物は吸引ろ過され、それぞれ３０ｍｌのメタノールで２回洗浄され、減圧下で乾燥される。収量：４５．８ｇ（９０ｍｍｏｌ）、９０％；純度：約９５％ ^１Ｈ ＮＭＲによる。

以下の化合物は同様に調製されうる。

例Ｓ４００：
５０．８ｇ（１００ｍｍｏｌ）のＳ２００、３１．４ｇ（１２０ｍｍｏｌ）のトリイソプロピルシリルエチニルブロミド［１１１４０９－７９－１］、２６．５ｇ（２５０ｍｍｏｌ）の炭酸ナトリウム、２．３１ｇ（２ｍｍｏｌ）のテトラキス（トリフェニルホスフィノ）パラジウム（０）、６００ｍｌのトルエン、３００ｍｌのエタノールおよび１００ｍｌの水のよく攪拌された混合物が、８０℃で２４時間撹拌される。冷却後、有機相は除去され、それぞれ２００ｍｌの飽和塩化ナトリウム溶液で２回洗浄され、硫酸マグネシウム上で乾燥される。乾燥剤はろ別され、ろ液は３０℃で減圧下で濃縮され、残留物は５００ｍｌのジクロロメタンに採取され、１１０ｍｌのＴＢＡＦ（ＴＨＦ中１Ｍ）［１０５４９－７６－５］が添加され、混合物はさらに１時間撹拌され、そして、それぞれ３００ｍｌの水で２回洗浄され、それぞれ２００ｍｌの飽和塩化ナトリウム溶液で２回洗浄され、３０℃で濃縮され、残留物は自動化カラムシステム（Ａ Ｓｅｍｒａｕによるコンビフラッシュトレント）を用いてクロマトグラフされる。冷凍庫での生成物の保管。収量：２９．４ｇ（７２ｍｍｏｌ）、７２％；純度：約９７％ ^１Ｈ ＮＭＲによる。

以下の化合物は同様に調製されうる。

Ｂ：配位子Ｌの合成：
例Ｌ１：
５０．９ｇ（１００ｍｍｏｌ）のＳ２００、３１．０ｇ（１００ｍｍｏｌ）の２－（２’－ブロモ［１，１’－ビフェニル］－４－イル）ピリジン［１３７４２０２－３５３］、６３．７ｇ（３００ｍｍｏｌ）のリン酸三カリウム、４００ｍｌのトルエン、２００ｍｌのジオキサンおよび４００ｍｌの水の混合物に、よく攪拌しながら、１．６４ｇ（４ｍｍｏｌ）のＳ－Ｐｈｏｓ、そして４４９ｍｇ（２ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）が加えられ、混合物は還流下で２４時間加熱される。冷却後、有機相は除去され、それぞれ３００ｍｌの水で２回、３００ｍｌの飽和塩化ナトリウム溶液で１回洗浄され、硫酸マグネシウム上で乾燥される。乾燥剤はろ別され、ろ液は減圧下で濃縮乾燥され、ガラス状粗生成物は、アセトニトリル（～１５０ｍｌ）、そしてアセトニトリル／酢酸エチルから２回、煮沸で再結晶化される。収量：４３．３ｇ（７１ｍｍｏｌ）、７１％；純度：約９５％ ^１Ｈ ＮＭＲによる。

以下の化合物は同様に調製されうる。

例Ｌ２００：
２３．４ｇ（１００ｍｍｏｌ）の２－（４－ブロモフェニル）［６３９９３－３６－１］、４０．７ｇ（１００ｍｍｏｌ）のＳ４００、８１．５ｇ（２５０ｍｍｏｌ）の炭酸セシウム、５０ｇのガラスビーズ（直径３ｍｍ）、７８７ｍｇ（１ｍｍｏｌ）のＸＰｈｏｓ－Ｐｄ－Ｇ２［１３１０５８４－１４－５］、４７７ｍｇ（１ｍｍｏｌ）のＸＰｈｏｓ［５６４４８３－１８－７］および５００ｍｌのアセトニトリルのよく攪拌された混合物が９０℃で１６時間撹拌される。混合物がまだ温かい間に、塩はろ別され、それぞれ２００ｍｌのＤＣＭで２回洗浄される。ろ液は濃縮乾燥される。残留物は１０００ｍｌのジクロロメタンに採取される。有機相は、それぞれ３００ｍｌの水で３回、３００ｍｌの飽和塩化ナトリウム溶液で１回洗浄され、硫酸マグネシウム上で乾燥される。有機相は約５００ｍｌに濃縮され、２００ｍｌの酢酸エチルが加えられ、混合物はシリカゲル床を通してろ過され、溶媒は減圧下で除去される。このように得られた固体は、１５０ｍｌのメタノールを用いて撹拌することにより一回抽出され、そして、減圧下で乾燥される。固体は、５００ｍｌのＴＨＦおよび１００ｍｌのＭｅＯＨの混合物中で、１０．７ｇ（２００ｍｍｏｌ）の塩化アンモニウム、５ｇの木炭上のパラジウム（５％）を添加して、４０℃で、２ｂａｒの水素雰囲気で、水素の取り込みが完了するまで（約１２時間）水素化される。触媒はＴＨＦスラリー形態のセライト床を用いてろ別され、溶媒は減圧下で除去され、残留物は自動化システム（Ａ Ｓｅｍｒａｕによるコンビフラッシュトレント）を用いてフラッシュクロマトグラフされる収量：３５．６ｇ（６３ｍｍｏｌ）、６３％；純度：約９７％ ^１Ｈ ＮＭＲによる。

以下の化合物は同様に調製されうる。

Ｃ：錯体の合成：
Ｃ１：電荷を有さない単座Ｃｏ配位子
例Ｉｒ１００：
６．１２ｇ（１０ｍｍｏｌ）のＬ１、４．１５ｇ（１０ｍｍｏｌ）の［（１，２，５，６－η）－１，５－シクロオクタンジエン］［（１，２，３，３ａ，７ａ－η）－１Ｈ－インデン－１－イル］イリジウム（＝（Ｉｎｄ）Ｉｒ（ＣＯＤ））［１０２５２５－１１－１］、１００ｍｌの氷酢酸および１００ｍｌのジオキサンの混合物が、１００℃で２４時間撹拌される。赤い溶液が濃縮乾燥され、残留物は１０００ｍｌのＤＣＭに採取され、５ｍｌのトリアリールアミンが加えられ、一酸化炭素流がよく攪拌しながら３時間、溶液中を通過する。そして、ＤＣＭが留去され、留去されたＤＣＭはメタノールによって継続的に置換される。最終的に、混合物は、約５０ｍｌの体積に、減圧下で濃縮され、生成物は吸引ろ過され、それぞれ３０ｍｌのメタノールで３回洗浄され減圧下で乾燥される。精製は、ＤＣＭ／ｎ－ヘプタン（２：１、ｖｖ）を用いたシリカゲル上で２つのクロマトグラフィーのランによって行われる。このように得られた生成物は、ＷＯ２０１６／１２４３０４に開示されるように、熱抽出および熱処理または分別昇華によってさらに精製される。収量：４．４２ｇ（６．３ｍｍｏｌ）；理論の６３％；純度：＞９９．５％ ^１Ｈ ＮＭＲによる。

以下の化合物は同様に調製されうる。

Ｃ２：モノアニオン性単座Ｃｏ配位子
例Ｉｒ２００：
６．１４ｇ（１０ｍｍｏｌ）のＬ５および３．５３ｇ（１０ｍｍｏｌ）のＩｒＣｌ_３ｘ３Ｈ_２Ｏ［１３５６９－５７－８］、１５０ｍｌのエトキシエタノールおよび５０ｍｌの水の混合物が、還流下で２４時間加熱される。茶色の懸濁液が濃縮乾燥され、残留物は５０ｍｌのＤＭＳＯに採取され、１．０８ｇ（２２ｍｍｏｌ）のシアン化ナトリウム［１４３－３３－９］が加えられ、混合物は５０℃で８時間撹拌される。溶媒が減圧下で除去された後、残留物は２００ｍｌのＤＣＭに採取され、シリカゲル上でクロマトグラフされる。黄色のコア留分（Ｒｆ～０．８）が選択され、ＥｔＯＨを加えることによって継続的に留去されたＤＣＭの量を置き換えながら、ＤＣＭはロータリーエバポレーターで５０℃の水浴温度で標準圧力で留去される。ＤＣＭの留去の完了後、混合物は減圧下で約１００ｍｌの体積に濃縮され、黄色の固体は両頭フリットによってろ別され、固体はそれぞれ５０ｍｌのエタノールで２回洗浄され、最初アルゴン流中で、次に減圧下で（ｐ～１０^－３ｍｂａｒ、Ｔ～１００℃）乾燥される。このように得られた生成物は、ＷＯ２０１６／１２４３０４に開示されるにように、熱抽出および分別昇華によってさらに精製することができる。収量：４．０６ｇ（４．７ｍｍｏｌ）；理論の４．７％；純度：＞９９．５％ ^１ＨＮＭＲおよびＨＰＬＣによる。

以下の化合物は同様に得られる。

Ｃ３：モノアニオン性および電荷を有さない単座Ｃｏ配位子
例Ｉｒ３００：
Ｃ２と同様の調製。８．２１ｇ（１０ｍｍｏｌ）のＬ１３、４９０ｍｇ（１０ｍｍｏｌ）のＮａＣＮおよび１．０３ｇ（１０ｍｍｏｌ）のフェニルイソニトリル［９３１－５４－４］の使用。収量：２．６５ｇ（２．３ｍｍｏｌ）；理論の２３％、ジアステレオマー混合物；純度：＞９９．０％^１Ｈ ＮＭＲによる。

Ｃ４：電荷を有さない二座Ｃｏ配位子
例Ｉｒ４００：
７．６４ｇ（１０ｍｍｏｌ）のＬ２、４．１５ｇ（１０ｍｍｏｌ）の［（１，２，５，６－η）－１，５－シクロオクタンジエン］［（１，２，３，３ａ，７ａ－η）－１Ｈ－インデン－１－イル］イリジウム（＝（Ｉｎｄ）Ｉｒ（ＣＯＤ））［１０２５２５－１１－１］、１００ｍｌの氷酢酸および１００ｍｌのジオキサンの混合物が、１００℃で２４時間撹拌される。赤い溶液が濃縮乾燥され、残留物は１００ｍｌのＤＣＭに採取され、５ｍｌのトリアリールアミン、そして１．８７ｇ（１２ｍｍｏｌ）の２，２’－ビピリジン［３６６－１８－７］が加えられ、混合物がさらに１２時間撹拌される。その後、ＤＣＭが留去され、留去されたＤＣＭがメタノールによって継続的に置換される。最後に、混合物は減圧下で約５０ｍｌの体積に濃縮され、生成物は吸引ろ過され、それぞれ３０ｍｌのメタノールで３回洗浄され、減圧下で乾燥される。精製は、ＤＣＭ／ＥＡ（２：１、ｖｖ）を用いてシリカゲル上の２つのクロマトグラフィーのランによって行われる。このように得られた生成物は、ＷＯ２０１６／１２４３０４に開示されるように、熱抽出および熱処理もしくは分別昇華によってさらに行われうる。収量：３．６７ｇ（３．３ｍｍｏｌ）；理論の３３％；純度：＞９９．５％ ^１Ｈ ＮＭＲによる。

Ｃ５：モノアニオン性二座Ｃｏ配位子
例Ｉｒ５００：
８．２１ｇ（１０ｍｍｏｌ）のＬ１３および３．５３ｇ（１０ｍｍｏｌ）のＩｒＣｌ_３ｘ３Ｈ_２Ｏ［１３５６９－５７－８］、１５０ｍｌのエトキシエタノールおよび５０ｍｌの水の混合物が、還流下で２４時間加熱される。茶色の懸濁液が濃縮乾燥され、残留物は、１００ｍｌの２－エトキシエタノールに採取され、７．７６ｇ（５０ｍｍｏｌ）の２－フェニルピリジン［１００８－８９－５］および７．７１ｇ（３０ｍｍｏｌ）のトリフルオロメタンスルホン酸銀［２９２３－２８－６］が加えられ、混合物が１３０℃で１６時間撹拌される。溶媒が減圧下で除去され、残留物が３００ｍｌのＤＣＭに採取され、ＤＣＭスラリー形態のセライト床を通してろ過され、ＤＣＭが留去され、メタノールで継続的に置換される。最終的に、混合物は約１００ｍｌに濃縮され、析出した生成物は吸引ろ過され、それぞれ３０ｍｌのメタノールで３回洗浄され、減圧下で乾燥される。精製は、トルエン／ＤＣＭ（９：１、ｖｖ）を用いてシリカゲル上で２つのクロマトグラフィーのランによって行われる。このように得られた生成物は、ＷＯ２０１６／１２４３０４に開示されるように、熱抽出および熱処理または分別昇華によって精製される。収量：Ｉｒ５００ａ、ジアステレオマー１：２．５０ｇ（２．１ｍｍｏｌ）；Ｉｒ５００ｂ、ジアステレオマー２：２．２４ｇ（１．９ｍｍｏｌ）；純度：＞９９．５％ ^１Ｈ ＮＭＲによる。

Ｃ６：ジアニオン性二座Ｃｏ配位子
例Ｉｒ６００：
６．１４ｇ（１０ｍｍｏｌ）の配位子Ｌ５、３．５３ｇ（１０ｍｍｏｌ）のＩｒＣｌ_３ｘ３Ｈ_２Ｏ［１３５６９－５７－８］、２９．４５ｇ（３００ｍｍｏｌ）の酢酸カリウム（無水物）［１２７－０８－２］、２４４ｇ（２ｍｏｌ）の安息香酸［６５－８５－０］および９．４７ｍｌ（１００ｍｍｏｌ）の無水酢酸［１０８－２４－７］が、アルゴン雰囲気下で、マグネチックスターラーバー、還流冷却器およびアルゴンブランケットを有する水分離器、内部体温計（Ｐｔ－１００サーモカップル）および滴下漏斗を備える１０００ｍｌの３つ口フラスコに投入される。反応混合物が２５０℃に急速に加熱され、その温度で３時間撹拌される。留去された酢酸は水分離器を介して廃棄される。３時間後、反応混合物は１３０℃に冷却され、５００ｍｌのメタノールが徐々に加えられる（中位：遅延煮沸が起こりうる！）。析出された生成物は沈殿物となり、上澄みは取り除かれ、メタノールを用いて両頭フリットに移され、生成物は吸引ろ過され、５０ｍｌの熱メタノールで３回洗浄され、減圧下で乾燥される。固体は３００ｍｌの温かいＤＣＭ中で１時間懸濁され、ＤＣＭを用いて、３００ｇのシリカゲル６０（Ｍｅｒｃｋ）上で、クロマトグラフされる。黄－オレンジコア留分（Ｒｆ～０．９）が選択され、ＤＣＭが、ＥｔＯＨの添加によって留去されたＤＣＭの量を継続的に置換しながら、標準圧力下で、５０℃の水浴温度で、ロータリーエバポレーター上で留去される。ＤＣＭの留去完了後、混合物は減圧下で、約１００ｍｌの体積に濃縮され、黄色の固体が両頭フリットによってろ別され、固体がそれぞれ５０ｍｌのエタノールで２回洗浄され、初めはアルゴン流中で、次に減圧下（ｐ～１０^－３ｍｂａｒ、Ｔ～１００℃）で乾燥される。このように得られた生成物は、ＷＯ２０１６／１２４３０４に開示されるように、熱抽出および分別昇華によって精製されうる。収量：８．５ｇ（９．００ｍｍｏｌ）；理論の９０％；純度：＞９９．５％ ^１ＨＮＭＲおよびＨＰＬＣによる。

以下の化合物は同様に調製されうる。

例：ＯＬＥＤの製造
１）真空処理された素子：
本発明によるＯＬＥＤおよび従来技術によるＯＬＥＤを、ここに記載する状況（層厚範囲、使用材料）に適応する、ＷＯ２００４／０５８９１１に記載の一般的方法によって製造する。

以下の例では、種々のＯＬＥＤについての結果を示す。５０ｎｍ厚の構造化ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）で被覆された洗浄されたガラス板（Ｍｉｅｌｅ ｌａｂｏｒａｔｏｒｙのガラス洗浄機での洗浄、ＭｅｒｃｋのＥｘｔｒａｎ洗剤）が、２５分間のＵＶオゾンで前処理され（ＵＶＰ製のＰＲ－１００ＵＶオゾン発生機）、３０分以内に、プロセスの改善のために、２０ｎｍのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）、これはＨｅｒａｅｕｓ Ｐｒｅｃｉｏｕｓ Ｍｅｔａｌｓ ＧｍｂＨ（ドイツ）からＣＬＥＶＩＯＳ（商標名）Ｐ ＶＰ ＡＩ ４０８３として購入され、水溶液からスピンコートされる）で被覆され、そして１８０℃で１０分間ベークされる。これらの被覆されたガラス板はＯＬＥＤが適用される基板を形成する。
ＯＬＥＤは、基本的に以下の層構造を有する：基板／５％ＮＤＰ－９（Ｎｏｖａｌｅｄ社から市販されている）でドープされたＨＴＭ１からなる正孔注入層１（ＨＩＬ１）、２０ｎｍ／ＨＴＭ１からなる正孔輸送層１（ＨＴＬ１）、青色素子では１５０ｎｍ、緑／黄色素子では２１５ｎｍ、赤色素子では１１０ｎｍ／正孔輸送層２（ＨＴＬ２）／発光層（ＥＭＬ）／正孔ブロック層（ＨＢＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／および最後にカソード。カソードは、１００ｎｍの厚さのアルミニウム層によって形成される。

最初に、真空処理されたＯＬＥＤについて記載する。この目的では、すべての材料は、真空チャンバにおける熱蒸着によって適用される。ここで、発光層は、常に、少なくとも１つのマトリックス材料（ホスト材料）と、共蒸着によって特定の体積比でマトリックス材料に混合される発光ドーパント（発光体）とからなる。ここで、Ｍ１：Ｍ２：Ｉｒ（Ｌ１）（５５％：３５％：１０％）のような形で示される詳細は、材料Ｍ３が５５％の体積比でその層に存在し、Ｍ２が３５％の体積比でその層に存在し、Ｉｒ（Ｌ１）_３が１０％の割合でその層に存在することを意味する。同様に、電子輸送層も２つの材料の混合物からなっていてもよい。ＯＬＥＤの正確な構造は表１に示される。ＯＬＥＤの製造に使用される材料は表４に示される。

ＯＬＥＤは、標準的な方法によって特徴づけられる。この目的で、エレクトロルミネッセンススペクトル、電流効率（ｃｄ／Ａで測定）、電源効率（ｌｍ／Ｗで測定）および光束密度の関数としての外部量子効率（ＥＱＥ、パーセントで測定）は、電流／電圧／電流密度特性線（ＩＵＬ特性線）からランベルト発光特徴を想定して、計算され、寿命が決定される。エレクトロルミネッセンススペクトルは、光束密度１０００ｃｄ／ｍ^２で決定され、ＣＩＥ １９３１ｘおよびｙカラーコーディネートはこれから計算される。
ＯＬＥＤは、最初は、異なる初期輝度で作動させることもできる。寿命の値は、当業者に知られる変換式を利用して他の初期輝度の数値に変換することができる。

燐光ＯＬＥＤにおける発光材料としての本発明の化合物の使用
本発明の化合物の１つの使用は、ＯＬＥＤ中の発光層における燐光発光材料としてである。ＯＬＥＤの結果を表２にまとめる。

溶液処理された素子：
Ａ：低分子量の可溶性の機能性材料から
本発明のイリジウム錯体は溶液から処理することもでき、この場合、良好な特性を有しながら、真空処理したＯＬＥＤと比較して処理技術の点で非常に単純なＯＬＥＤをもたらす。このような成分の製造は、既に文献（例えばＷＯ２００４／０３７８８７）に幾度も記載されているポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）の製造に基づくものである。その構造は、基板／ＩＴＯ／正孔注入層（６０ｎｍ）／中間層（２０ｎｍ）／発光層（６０ｎｍ）／正孔ブロック層（１０ｎｍ）／電子輸送層（４０ｎｍ）／カソードで構成される。この目的のために、Ｔｅｃｈｎｏｐｒｉｎｔ社製の基板（ソーダ石灰ガラス）を使用し、それにはＩＴＯ構造（酸化インジウムスズ、透明導電性アノード）が適用される。基板は、クリーンルーム内でＤＩ水と洗剤（デコネックス１５ＰＦ）を用いて洗浄され、次いでＵＶ／オゾンプラズマ処理により活性化させる。その後、同じくクリーンルーム内で、２０ｎｍの正孔注入層（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ Ｃｌｅｖｉｏｓ（商標名））を、スピンコートにより適用する。必要なスピン速度は、希釈度と特定のスピンコーターの形状に依存する。層から残留水を除去するために、基板をホットプレート上で２００℃で３０分間焼成する。使用される中間層は、正孔輸送のために機能する。この場合、ＭｅｒｃｋのＨＬ－Ｘが使用される。中間層は、引き続いての、溶液からのＥＭＬ堆積の処理工程によって再び脱離しないという条件を満たすだけでよい、１つ以上の層で置き替えることができる。発光層の製造のため、本発明の三重項発光体をマトリックス材料とともにトルエンまたはクロロベンゼンに溶解させる。ここで、素子に対する典型的層厚である６０ｎｍがスピンコーティングによって達成される場合、その溶液の典型的な固体含有量は１６～２５ｇ／ｌである。溶液処理された素子は、Ｍ５：Ｍ６：ＩｒＬ（２０％：５５％：２５％）で構成される発光層を含む。つまり、それらは２つの異なるＩｒ錯体を含む。溶液から処理された材料のケースにおけるパーセントの数値は重量％を意味する。発光層は、不活性ガス雰囲気中、本発明の場合にはアルゴン中で、スピンコートによって適用され、１６０℃で１０分間加熱される。後者の上に正孔ブロック層（１０ｎｍＥＴＭ１）および電子輸送層（４０ｎｍＥＴＭ１（５０％）／ＥＴＭ２（５０％））が蒸着される（Ｌｅｓｋｅｒ製の蒸着装置等、典型的な蒸着圧力は５×１０^－６ｍｂａｒ）。最後に、アルミニウム（１００ｎｍ）のカソードが蒸着によって適用される（高純度金属はＡｌｄｒｉｃｈ製）。空気および大気の湿気から素子を保護するために、素子を最後に被包し、次にその特徴を決定する。ＯＬＥＤの例はまだ最適化されていない。表３に得られた結果をまとめる。

図１は、本発明の錯体Ｉｒ６１７のＸ線構造を示す。

Claims (9)

1. 式（１）の化合物。
   （ここで、使用される記号および添え字は以下のとおりである：
   Ｌ^１は、１つの炭素原子および１つの窒素原子を介して、または２つの炭素原子を介して、イリジウムに配位する二座副配位子であり；
   Ｌ^２、Ｌ^３は、出現毎に同一であるかまたは異なり、５～１４の芳香族環原子を有すアリールもしくはヘテロアリール基または５～７の環原子を有するヘテロ脂環式基（これらのそれぞれは炭素原子または窒素原子を介してイリジウムに配位し、これらのそれぞれはアリールもしくはヘテロアリール基またはヘテロ脂環式基の部分であり、かつこれらは１以上のＲラジカルによって置換されていてもよい）から選択され；
   Ｌ^４は、二座配位子であるか、または出現毎に同一であるかまたは異なり、単座配位子であり；
   ａは、Ｌ^４が二座配位子である場合に１であり、Ｌ^４が単座配位子である場合に２であり；
   Ｖは、式（２）の基であり
   ここで、点線の結合は、それぞれ、副配位子Ｌ^１、Ｌ^２およびＬ^３への結合の位置を示し、かつ、さらに：
   Ａは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲ_２－ＣＲ_２または以下の式（４）の基であり
   ここで、それぞれのケースにおいて点線の結合は、副配位子Ｌ^１、Ｌ^２またはＬ^３への結合の位置を示し、かつ、^＊は、式（２）の中央の三価のアリールへの、式（４）の単位の結合位置を示し；
   Ｘ^１は、ＣＲであり；
   Ｘ^２は、ＣＲであり；
   Ｘ^３は、Ｃであり；
   Ｒは、Ｈであり；
   Ｌ^１が^＊で印された２つの位置を介してイリジウムに配位する、式（Ｌ^１－１－１）～（Ｌ^１－１－３）および（Ｌ^１－２－１）～（Ｌ^１－２－５）の構造から選択されること、
   （ここで、Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり、「ｏ」はブリッジＶへの結合の位置を示す）
   または、Ｌ^１が^＊によって印された２つの位置によってイリジウムに配位する式（Ｌ^１－３９）または（Ｌ^１－４０）の構造から選択され
   （ここで、「ｏ」はブリッジＶへの結合の位置を示し、そして、さらに：
   Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり；
   Ｚは、ＣＲ’、ＣＲまたはＮであり、ただし、ちょうど１つのＺがＣＲ’であり、かつ他のＺはＣＲまたはＮであり；
   ここで、環あたり合計で最大１つの記号ＸまたはＺがＮであり；
   Ｒ’は、以下の式（１６）または（１７）の基であり：
   ここで、点線の結合は、式（Ｌ^１－３９）または（Ｌ^１－４０）の副配位子へのこの基の結合を示し；
   Ｒ’’は、出現毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、１～１０の炭素原子を有する直鎖のアルキル基（ここで、１以上の水素原子がＤまたはＦによって置き換えられていてもよい）、３～１０の炭素原子を有する分岐もしくは環状のアルキル基（ここで、１以上の水素原子がＤまたはＦによって置き換えられていてもよい）、または２～１０の炭素原子を有するアルケニル基（ここで、１以上の水素原子はＤまたはＦによって置き換えられていてもよい）であり；同時に、２つの隣接するＲ’’ラジカルまたは隣接するフェニル基の２つのＲ’’ラジカルが、共に環系を形成していてもよく；または、隣接するフェニル基の２つのＲ’’が共にＣ（Ｒ^１）_２、ＮＲ^１、ＯまたはＳから選択される基であり、そして２つのフェニル環が架橋基と共に、カルバゾール、フルオレン、ジベンゾフランまたはジベンゾチオフェンであり、かつさらなるＲ’’は上記のとおりであり；
   ｎは、０、１、２、３、４または５である）、
   Ｌ^２およびＬ^３が、出現毎に同一であるかまたは異なり、式（Ｌ^２－１）／（Ｌ^３－１）～（Ｌ^２－５５）／（Ｌ^３－５５）の構造から選択され（ここで、この基はそれ
   ぞれ^＊で印された位置でイリジウムに、「ｏ」で印された位置で橋頭Ｖに、配位する）、
   （ここで、Ｒは上記の意味を有し、他の記号は以下のとおりである：
   Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり、ただし、環あたり最大２つの記号ＸがＮであり；
   Ｗは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＮＲ、ＯまたはＳである）を特徴とする、化合物。
2. 式（２）の基が式（２ａ）で表されることを特徴とする、請求項１に記載の化合物。
   （ここで、記号は請求項１に記載の意味を有する）
3. 式（４）の基が式（４’）によって表されることを特徴とする、請求項１または２に記載の化合物。
   （ここで、記号は請求項１に記載の意味を有し、Ｘ^２は、同一であり、ＣＲである）
4. 式（２）の基が式（２ａ－１）～（２ｄ－１）の基から選択されることを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載の化合物。
   （ここで、記号は請求項１に記載の意味を有する）
5. 単座配位子Ｌ^４が、出現毎に同一であるかまたは異なり、一酸化炭素、一酸化窒素、シアン化アルキル、シアン化アリール、アルキルイソシアニド、アリールイソシアニド、アミン、ホスフィン、ホスファイト、アルシン、スチビン、窒素含有複素環、カルベン、水素化物、重水素化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、アルキルアセチリデン、アリールアセチリデン、シアン化物、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、脂肪族もしくは芳香族アルコキシド、脂肪族もしくは芳香族チオアルコキシド、アミド、カルボキシレートまたはアリール基からなる群から選択されること、および二座配位子Ｌ４が、ジアミン、イミン、ジイミン、２つの窒素原子を含む複素環、ジホスフィン、１，３－ジケトン由来の１，３－ジケトネート、３－ケトエステル由来の３－ケトネート、アミノカルボン酸由来のカルボキシレート、サリチルイミン由来のサリチルイミネート、ジアルコール由来のジアルコキシド、ジチオール由来のジチオレート、ビス（ピラゾリルボレート）、ビス（イミダゾリル）ボレート、３－（２－ピリジル）ジア
   ゾール、または３－（２－ピリジル）トリアゾールからなる群から選択されること；
   または、Ｌ^４が、式（Ｌ^４－１）、（Ｌ^４－２）および（Ｌ^４－３）のうちの１つの配位子であること
   （ここで、使用される記号は以下のとおりである：
   ＣｙＣは、出現毎に同一であるかまたは異なり、５～１４の芳香族環原子を有する、置換もしくは非置換の、アリールまたはヘテロアリール基であり、それぞれのケースにおいて、炭素原子を介して金属に配位し、共有結合を介してＣｙＤに結合され；
   ＣｙＤは、出現毎に同一であるかまたは異なり、５～１４の芳香族環原子を有する、置換または非置換のヘテロアリール基であり、窒素原子を介して、またはカルベン炭素原子を介して、金属に配位し、共有結合を介して、ＣｙＣに結合され；
   同時に、２以上の任意の置換基が共に環系を形成していてもよい）；
   または、Ｌ^４が、式（Ｌ^４－１９）～（Ｌ^４－２４）のうちの１つの配位子であること（ここで、これらの配位子はそれぞれ^＊で印された２つの原子を介してイリジウムに配位する）：
   （ここで、Ｒは請求項１に記載の意味を有し、Ｘは、出現毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲまたはＮであり、ただし、２以下のＸがＮである）を特徴とする、請求項１～４のいずれか一項に記載の化合物。
6. 請求項１～５のいずれか一項に記載の少なくとも１つの化合物、および少なくとも１つのさらなる化合物および／または溶媒を含んでなる配合物。
7. 請求項１～５のいずれか一項に記載の化合物の、電子素子における、または酸素増感剤として、または光開始剤として、または光触媒としての、使用。
8. 請求項１～５のいずれか一項に記載の少なくとも１つの化合物を含んでなる電子素子。
9. 請求項１～５のいずれか一項に記載の化合物が、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド、スルホン、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、ビスカルバゾール、架橋カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、インデノカルバゾール誘導体、アザカルバゾール、双極性マトリックス材料、アザボロール、ボロン酸エステル、ジアザシロール誘導体、ジアザホスホール誘導体、トリアジン誘導体、亜鉛錯体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体またはトリフェニレン誘導体からなる群から選択される１以上のマトリックス材料と組み合わせて、発光層中に発光体として使用されることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子である、請求項８に記載の電子素子。