JP7722889B2 - Ｅｕｖ光生成装置、電子デバイス製造方法、及び検査方法 - Google Patents

Description

本開示は、ＥＵＶ光生成装置、電子デバイス製造方法、及び検査方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＬＰＰ）式の装置の開発が進んでいる。

米国特許出願公開第２０１４／０２０３１９４号明細書 米国特許出願公開第２０１８／０３４３７２９号明細書

概要

本開示の１つの観点に係るＥＵＶ光生成装置は、チャンバ内に供給されるターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザと、プリパルスレーザ光が照射されたターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザと、プリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光の光路を結合させるコンバイナと、光路が結合されたプリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光をターゲットに集光する集光ユニットと、集光ユニットの位置を変更するステージと、コンバイナの上流に配置され、光路が結合される前のメインパルスレーザ光の進行方向を変化させる第１のアクチュエータと、メインパルスレーザ光が照射されたターゲットが放射するＥＵＶ光のＥＵＶエネルギを検出するＥＵＶ光センサと、ターゲットに照射される前のメインパルスレーザ光のパルスエネルギを検出するレーザエネルギセンサと、ＥＵＶ光センサによって検出されるＥＵＶエネルギの時間的バラツキが小さくなるようにステージを制御し、レーザエネルギセンサによって検出されるパルスエネルギに対するＥＵＶエネルギの比率が大きくなるように第１のアクチュエータを制御するＥＵＶ光生成制御部と、を備える。

本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、チャンバ内に供給されるターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザと、プリパルスレーザ光が照射されたターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザと、プリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光の光路を結合させるコンバイナと、光路が結合されたプリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光をターゲットに集光する集光ユニットと、集光ユニットの位置を変更するステージと、コンバイナの上流に配置され、光路が結合される前のメインパルスレーザ光の進行方向を変化させる第１のアクチュエータと、メインパルスレーザ光が照射されたターゲットが放射するＥＵＶ光のＥＵＶエネルギを検出するＥＵＶ光センサと、ターゲットに照射される前のメインパルスレーザ光のパルスエネルギを検出するレーザエネルギセンサと、ＥＵＶ光センサによって検出されるＥＵＶエネルギの時間的バラツキが小さくなるようにステージを制御し、レーザエネルギセンサによって検出されるパルスエネルギに対するＥＵＶエネルギの比率が大きくなるように第１のアクチュエータを制御するＥＵＶ光生成制御部と、を備えるＥＵＶ光生成装置において、ターゲットにパルスレーザ光を照射してＥＵＶ光を生成し、ＥＵＶ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上にＥＵＶ光を露光することを含む。

本開示の１つの観点に係る検査方法は、チャンバ内に供給されるターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザと、プリパルスレーザ光が照射されたターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザと、プリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光の光路を結合させるコンバイナと、光路が結合されたプリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光をターゲットに集光する集光ユニットと、集光ユニットの位置を変更するステージと、コンバイナの上流に配置され、光路が結合される前のメインパルスレーザ光の進行方向を変化させる第１のアクチュエータと、メインパルスレーザ光が照射されたターゲットが放射するＥＵＶ光のＥＵＶエネルギを検出するＥＵＶ光センサと、ターゲットに照射される前のメインパルスレーザ光のパルスエネルギを検出するレーザエネルギセンサと、ＥＵＶ光センサによって検出されるＥＵＶエネルギの時間的バラツキが小さくなるようにステージを制御し、レーザエネルギセンサによって検出されるパルスエネルギに対するＥＵＶエネルギの比率が大きくなるように第１のアクチュエータを制御するＥＵＶ光生成制御部と、を備えるＥＵＶ光生成装置において、ターゲットにパルスレーザ光を照射してＥＵＶ光を生成し、ＥＵＶ光を検査用光源として検査装置に出力し、検査装置内で、マスクにＥＵＶ光を露光してマスクを検査することを含む。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図２は、比較例に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図３は、ＥＵＶ光センサの配置を示す図である。 図４は、ＥＵＶエネルギ重心制御を示すブロック図である。 図５は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図６は、メインパルスレーザ光のパルスエネルギの制御を示すブロック図である。 図７は、第１の実施形態に係るレーザ照射位置制御を示すフローチャートである。 図８は、本開示の技術に係る照射位置調整を示すフローチャートである。 図９は、位置探索の詳細を示すフローチャートである。 図１０は、指標の取得例を示す図である。 図１１は、改善方向に微小量移動する一例を示す図である。 図１２は、本開示の技術に係る追加探索による指標取得の一例を示す図である。 図１３は、追加探索位置に移動する一例を示す図である。 図１４は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図１５は、ミストセンサの配置の一例を示す図である。 図１６は、ミストセンサにより撮像された拡散ターゲットの画像の一例を示す図である。 図１７は、第２の実施形態に係るレーザ照射位置制御を示すフローチャートである。 図１８は、本開示の技術に係る照射位置調整を示すフローチャートである。 図１９は、位置探索の詳細を示すフローチャートである。 図２０は、集光ユニットで補償する処理を含む照射位置調整のフローチャートを示す。 図２１は、ＥＵＶ光生成装置に接続された露光装置の構成を概略的に示す。 図２２は、ＥＵＶ光生成装置に接続された検査装置の構成を概略的に示す。

実施形態

＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例に係るＥＵＶ光生成装置
２．１ 構成
２．２ 動作
２．３ 課題
３．第１の実施形態のＥＵＶ光生成装置
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 作用・効果
４．第２の実施形態のＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
４．４ 変形例
５．その他

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
図１に、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられる。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給装置２６を含む。チャンバ２は、密閉可能に構成されている。ターゲット供給装置２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられている。ターゲット供給装置２６から出力されるターゲット２７の材料は、スズを含む。ターゲット２７の材料は、スズと、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、又はキセノンとの組合せを含むこともできる。ターゲット２７は、ドロップレット状である。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられている。ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過する。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されている。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されている。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されている。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられている。貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過する。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含む。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有し、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されている。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と外部装置６の内部とを連通させる接続部２９を含む。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられている。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されている。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含む。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えている。

１．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射される。

ターゲット供給装置２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射される。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、放射光２５１に含まれるＥＵＶ光を、他の波長域の光に比べて高い反射率で反射する。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、外部装置６に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。以下、反射光２５２をＥＵＶ光２５２と称する場合がある。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括する。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理する。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

２．比較例に係るＥＵＶ光生成装置
２．１ 構成

図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置１Ａの構成を示す一部断面図である。図３は、ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅの配置を示す図である。図２及び図３に示すように、ＥＵＶ光の出力方向をＺ方向とする。ターゲット２７の出力方向と反対の方向をＹ方向とする。Ｚ方向とＹ方向との両方に垂直な方向をＸ方向とする。図２はＸ方向に見たＥＵＶ光生成装置１Ａを示す。図３は－Ｚ方向に見たＥＵＶ光生成装置１Ａを示す。

ＥＵＶ光生成装置１Ａは、ＥＵＶ光生成制御部５Ａと、チャンバ２Ａと、ターゲット供給装置２６と、レーザ装置３と、レーザ光進行方向制御部３４Ａと、ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅと、を含む。

チャンバ２Ａの内部には、集光ユニット２２Ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収部２８と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１と、プレート８２及び８３と、ステージ８４が設けられている。チャンバ２Ａには、ターゲット供給装置２６が取り付けられている。ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅは、後述するようにチャンバ２Ａの内部に配置される。

ターゲット供給装置２６は、チャンバ２Ａの壁面に形成された貫通孔を貫通するように配置されている。ターゲット供給装置２６は、溶融されたターゲット２７の材料を、内部に貯蔵する。ターゲット供給装置２６は、チャンバ２Ａの内部に位置する開口部を有している。ターゲット供給装置２６の上記開口部付近に、図示しない加振装置が配置されている。

ターゲット供給装置２６は、図示しないＸＺステージを備えている。ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、ターゲットセンサ４（図１参照）の出力に基づいてＸＺステージを制御する。ＸＺステージの制御により、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５を通るようにターゲット２７の軌道を調整することができる。

レーザ装置３は、プリパルスレーザ３Ｐと、メインパルスレーザ３Ｍとを含む。プリパルスレーザ３Ｐは、プリパルスレーザ光３１Ｐを出力するように構成されている。メインパルスレーザ３Ｍは、メインパルスレーザ光３１Ｍを出力するように構成されている。プリパルスレーザ３Ｐは、例えば、ＹＡＧレーザ装置、あるいは、Ｎｄ：ＹＶＯ４を用いたレーザ装置で構成される。メインパルスレーザ３Ｍは、例えば、ＣＯ２レーザ装置で構成される。メインパルスレーザ３Ｍは、ＹＡＧレーザ装置、あるいは、Ｎｄ：ＹＶＯ４を用いたレーザ装置で構成されてもよい。

レーザ光進行方向制御部３４Ａは、高反射ミラー３４１、３４２、３４５、３４６、４０５、及び４０６と、コンバイナ４０９とを含む。高反射ミラー３４１、３４２、３４５、３４６、４０５、及び４０６とコンバイナ４０９とは、それぞれホルダ３４３、３４４、３４７、３４８、４０７、４０８、及び４１０に支持されている。

高反射ミラー３４１及び３４２は、プリパルスレーザ光３１Ｐの光路に配置されている。

高反射ミラー３４５及び３４６は、メインパルスレーザ光３１Ｍの光路に配置されている。

高反射ミラー４０５は、高反射ミラー３４６によって反射されたメインパルスレーザ光３１Ｍの光路に配置されている。

コンバイナ４０９は、高反射ミラー３４２によって反射されたプリパルスレーザ光３１Ｐの光路に位置している。また、コンバイナ４０９は、高反射ミラー４０５によって反射されたメインパルスレーザ光３１Ｍの光路に位置している。コンバイナ４０９は、プリパルスレーザ光３１Ｐを高い反射率で反射し、メインパルスレーザ光３１Ｍを高い透過率で透過させるように構成されている。コンバイナ４０９は、プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍの光路軸をほぼ一致させるように構成されている。

高反射ミラー４０６は、コンバイナ４０９によって反射されたプリパルスレーザ光３１Ｐと、コンバイナ４０９を透過したメインパルスレーザ光３１Ｍと、の光路に配置されている。高反射ミラー４０６は、プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍを、チャンバ２Ａの内部に向けて反射するように構成されている。本開示において、説明の便宜上、高反射ミラー４０６によって反射されたプリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍをまとめてパルスレーザ光３２と称することがある。

プレート８２は、チャンバ２に固定されている。プレート８２には、プレート８３が支持されている。集光ユニット２２Ａは、レーザ光集光ミラー２２１及びレーザ光集光ミラー２２２を含む。

ステージ８４は、プレート８２に対するプレート８３の位置を調整可能である。プレート８３の位置が調整されることにより、レーザ光集光ミラー２２１及びレーザ光集光ミラー２２２の位置が調整される。レーザ光集光ミラー２２１及びレーザ光集光ミラー２２２の位置は、これらのミラーによって反射されたパルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５で集光するように調整される。説明の便宜上、レーザ光集光ミラー２２１及びレーザ光集光ミラー２２２によって反射されたプリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍをまとめてパルスレーザ光３３と称することがある。

ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１を介してプレート８２に固定されている。

ターゲットセンサ４は、ターゲット検出領域Ｒを通過するターゲット２７を検出するセンサである。ターゲット検出領域Ｒは、チャンバ２Ａ内の所定領域であって、ターゲット供給装置２６とプラズマ生成領域２５との間にあるターゲット軌道上の所定位置に位置する領域である。

ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅのそれぞれは、後述するＥＵＶエネルギ重心位置の評価を可能とする位置に配置されている。例えば、図３に示されるように、ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅは、それぞれチャンバ２Ａの壁面に取り付けられている。ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅは、それぞれプラズマ生成領域２５に向けられている。ＥＵＶ光センサ７０ｃ及び７０ｄは、ＸＺ面に平行で、かつプラズマ生成領域２５を通る仮想の平面を挟んで互いに鏡像となる位置に配置されている。ＥＵＶ光センサ７０ｄ及び７０ｅは、ＹＺ面に平行で、かつプラズマ生成領域２５を通る仮想の平面を挟んで互いに鏡像となる位置に配置されている。

ＥＵＶ光２５２のパルスエネルギ重心位置は、ターゲット２７においてパルスレーザ光３３が照射される位置を反映する指標の１つである。ＥＵＶ光２５２のパルスエネルギ重心位置が所定の値に制御されることは、ターゲット２７に対してパルスレーザ光３３が所望の位置に照射されることを意味する。以下、ＥＵＶ光２５２のパルスエネルギをＥＵＶエネルギと称する場合がある。ＥＵＶ光２５２のパルスエネルギ重心位置を単に「ＥＵＶエネルギ重心位置」と称する場合がある。また、ＥＵＶ光２５２の性能を単に「ＥＵＶ性能」と称する場合がある。

２．２ 動作
ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、ターゲット供給装置２６に制御信号を出力する。ターゲット供給装置２６の内部に貯蔵されたターゲット物質は、図示しないヒータによって、当該ターゲット物質の融点以上の温度に維持される。ターゲット供給装置２６の内部のターゲット物質は、ターゲット供給装置２６の内部に供給される不活性ガスによって加圧される。

不活性ガスによって加圧されたターゲット物質は、上述の開口部を介して噴流として出力される。上述の加振装置によってターゲット供給装置２６のうちの少なくとも開口部の周辺の構成要素が振動することにより、ターゲット物質の噴流は複数のドロップレット（ＤＬ）に分離される。それぞれのドロップレットが、ターゲット２７を構成する。ターゲット２７は、ターゲット供給装置２６からプラズマ生成領域２５までの軌道に沿って－Ｙ方向に移動する。ターゲット回収部２８は、プラズマ生成領域２５を通過したターゲット２７を回収する。

チャンバ２Ａ内へ出力されたターゲット２７は、ドロップレットの形態で進行し、ターゲット検出領域Ｒを通過する。ターゲット検出領域Ｒを通過したターゲット２７は、プラズマ生成領域２５に供給される。

ターゲットセンサ４は、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒを通過したタイミングを検出する。ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、ターゲットセンサ４から送信された通過タイミング信号を受信する。ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、通過タイミング信号が所定の閾値より低くなったタイミングを、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒを通過したタイミングと判定する。すなわち、ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、ターゲットセンサ４の検出結果に基づいて、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒを通過したタイミングを特定する。ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、通過タイミング信号が所定の閾値より低くなったタイミングで、ターゲット２７がターゲット検出領域Ｒを通過したことを示すターゲット検出信号を生成する。

ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、ターゲット検出信号を生成したタイミングから所定の遅延時間だけ遅延したタイミングで、プリパルスレーザ光３１Ｐを出力する契機を与える第１のトリガ信号を、プリパルスレーザ３Ｐに出力する。プリパルスレーザ３Ｐは、第１のトリガ信号に従って、プリパルスレーザ光３１Ｐを出力する。ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、第１のトリガ信号を出力した後、第２のトリガ信号を、メインパルスレーザ３Ｍに出力する。メインパルスレーザ３Ｍは、第２のトリガ信号に従って、メインパルスレーザ光３１Ｍを出力する。このようにして、レーザ装置３は、プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍを、この順で出力する。プリパルスレーザ光３１Ｐは、ピコ秒オーダーのパルス時間幅を有することが好ましい。ピコ秒オーダーとは、１ｐｓ以上、１ｎｓ未満を意味する。プリパルスレーザ光３１Ｐは、１ｎｓ以上、１μｓ未満のパルス幅を有するようにしてもよい。

プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍは、レーザ光進行方向制御部３４Ａに入射する。プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍは、レーザ光進行方向制御部３４Ａを経て、パルスレーザ光３２として集光ユニット２２Ａに導かれる。パルスレーザ光３２は、集光ユニット２２Ａに含まれるレーザ光集光ミラー２２１によって反射される。レーザ光集光ミラー２２１によって反射されたパルスレーザ光３２は、レーザ光集光ミラー２２２によって反射され、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に集光される。

ステージ８４は、ＥＵＶ光生成制御部５Ａから出力される制御信号によってプレート８２に対するプレート８３の位置を調整する。プレート８３の位置が調整されることにより、レーザ光集光ミラー２２１及びレーザ光集光ミラー２２２の位置が調整される。プレート８３及びステージ８４は、レーザ光集光ミラー２２１及びレーザ光集光ミラー２２２を移動する移動ステージを構成する。以下の説明において、プレート８３及びステージ８４をまとめて単に移動ステージと称することがある。レーザ光集光ミラー２２１及びレーザ光集光ミラー２２２を移動することにより、パルスレーザ光３３に含まれるプリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍの光路軸が同時に変化される。上述のように、レーザ光集光ミラー２２２の焦点と、パルスレーザ光３３の集光点とがほぼ一致する。このため、ステージ８４によるプレート８３の移動方向及び移動距離と、パルスレーザ光３３の集光点の移動方向及び移動距離とが、それぞれほぼ一致する。

１つのターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達したタイミングで、当該ターゲット２７にプリパルスレーザ光３１Ｐが照射される。プリパルスレーザ光３１Ｐが照射されたターゲット２７はミスト状に拡散する。ターゲット２７が所望の大きさに拡散したタイミングで、ターゲット２７にメインパルスレーザ光３１Ｍが照射される。なお、プリパルスレーザ光３１Ｐが照射されることによりミスト状に拡散したターゲット２７は、拡散ターゲット２７とも称される。

メインパルスレーザ光３１Ｍが照射されたターゲット２７はプラズマ化して、このプラズマから放射光２５１が放射される。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３で選択的に反射され、接続部２９の中間集光点２９２に集光される。中間集光点２９２に集光されたＥＵＶ光２５２は、外部装置６に向かって出力される。

プラズマ生成領域２５に集光されるパルスレーザ光３３の光路軸がドロップレット状のターゲット２７の中心からずれると、ＥＵＶエネルギの低下などの問題が生じる。しかし、パルスレーザ光３３の光路軸とターゲット２７の中心とのずれを直接計測することは困難な場合がある。そこで、ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、以下の原理により、ＥＵＶエネルギ重心位置を指標としてパルスレーザ光３３の光路軸を制御する。

図４は、ＥＵＶエネルギ重心制御を示すブロック図である。図４において、ＰＰＬ－ＤＬは、プリパルスレーザ光３１Ｐが照射されるターゲット２７を意味する。ＭＰＬ－ＤＬは、メインパルスレーザ光３１Ｍが照射されるターゲット２７を意味する。ＰＰＬ－ＤＬのＥＵＶ重心特性は、プラズマ生成領域２５におけるターゲット２７にプリパルスレーザ光３１Ｐが照射される位置の特性を示す。ＭＰＬ－ＤＬのＥＵＶ重心特性は、プラズマ生成領域２５におけるターゲット２７に対するメインパルスレーザ光３１Ｍが照射される位置の特性を示す。ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、演算部５１と、位置調整部５２とを含む。演算部５１は、ＰＩＤ（Ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ－Ｉｎｔｅｇｒａｌ－Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ）演算により調整量を算出する。

ＥＵＶエネルギ重心位置は、ＥＵＶエネルギ分布の重心位置である。ＥＵＶエネルギ重心位置は、ＥＵＶエネルギをＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅで計測して得られた複数の計測値から特定された空間的な位置である。

ＥＵＶエネルギ重心位置は、パルスレーザ光３３の照射条件がＥＵＶ光性能を満たすような条件であるか否かを評価する指標である。従って、ＥＵＶエネルギ重心位置が目標重心位置となるように制御されることは、パルスレーザ光３３がターゲット２７に適切に照射されることを意味する。

ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、下式１により得られる評価値Ｃｘを用いて、ＥＵＶエネルギ重心位置のＸ軸座標成分を評価する。また、ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、下式２により得られる評価値Ｃｙを用いて、ＥＵＶエネルギ重心位置のＹ軸座標成分を評価する。
Ｃｘ［％］＝｛（Ｅ３－Ｅ２）／（Ｅ２＋Ｅ３）｝×１００ ・・・（１）
Ｃｙ［％］＝｛（Ｅ１－Ｅ２）／（Ｅ１＋Ｅ２）｝×１００ ・・・（２）

Ｅ１は、ＥＵＶ光センサ７０ｃによるＥＵＶエネルギの計測値である。Ｅ２は、ＥＵＶ光センサ７０ｄによるＥＵＶエネルギの計測値である。Ｅ３は、ＥＵＶ光センサ７０ｅによるＥＵＶエネルギの計測値である。Ｃｘは、Ｘ軸方向におけるＥＵＶエネルギ分布の偏在性を示す。Ｃｙは、Ｙ軸方向におけるＥＵＶエネルギ分布の偏在性を示す。

ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、ＥＵＶエネルギ重心制御を実行可能に構成される。ＥＵＶエネルギ重心制御とは、ＥＵＶ光２５２の生成中にＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅのそれぞれの計測結果に基づいてＥＵＶエネルギ重心位置が目標重心位置となるように集光ユニット２２Ａをフィードバック方式で制御することを意味する。具体的には、ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、ＥＵＶエネルギ重心制御として、以下の処理を実行する機能を有する。

ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、ターゲット検出信号を生成したタイミングから所定の遅延時間だけ遅延したタイミングで、ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅのそれぞれに第１ゲート信号を送信する。第１ゲート信号は、ＥＵＶエネルギを計測する契機をＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅのそれぞれに与える信号である。ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅは、それぞれ第１ゲート信号を受信すると、それぞれＥＵＶエネルギを計測し、その計測値Ｅ１～Ｅ３をＥＵＶ光生成制御部５Ａに送信する。

ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、上式１及び上式２を用いて、ＥＵＶエネルギ重心位置を評価する。ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、評価値Ｃｘ及びＣｙに基づいて、現在のＥＵＶエネルギ重心位置と目標重心位置との偏差を特定する。ＥＵＶエネルギ重心制御の目標重心位置として、ターゲット２７に対してパルスレーザ光３３の照射位置を最適化した時のＥＵＶ光２５２のパルスエネルギの重心の計測値を用いる。

ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、ＥＵＶエネルギ重心位置の計測値が目標重心位置となるように、ステージ８４を駆動させる。具体的には、演算部５１は、パルスエネルギ重心値の計測値と目標重心位置との差に基づいてＰＩＤ演算を行うことによりステージ８４の調整量を決定して位置調整部５２に送る。位置調整部５２は、決定された調整量に応じてステージ８４を駆動して、パルスレーザ光３３の集光位置を移動させる。

２．３ 課題
上述したように、ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、目標重心位置に基づいて、ＥＵＶエネルギ特性を制御する。位置調整部５２は、演算部５１が算出した調整量に基づいて、ステージ８４を移動させることによって、ＥＵＶエネルギ重心位置の計測値が目標重心位置になるように、コンバイナ４０９を通過したパルスレーザ光３２を制御する。

しかし、レーザ光進行方向制御部３４Ａ及び集光ユニット２２Ａに含まれる光学素子は、パルスレーザ光のエネルギによって加熱されることにより変形し、プリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍのそれぞれの光路が変化する場合がある。このとき、プリパルスレーザ光３１Ｐの照射位置の時間的バラツキとメインパルスレーザ光３１Ｍの照射位置の時間的バラツキとが異なることにより、ＰＰＬ－ＤＬのＥＵＶ重心特性とＭＰＬ－ＤＬのＥＵＶ重心特性とに異なる変化が生じる場合がある。すなわち、プリパルスレーザ光３１Ｐとメインパルスレーザ光３１Ｍとのいずれかの光路が最適光軸から外れることにより、パルスレーザ光３３がターゲット２７に照射される位置にずれが生じ、ＥＵＶエネルギ重心値が変化する。ここで、最適光軸から外れた場合とは、プリパルスレーザ光３１Ｐとメインパルスレーザ光３１Ｍとの同軸関係がずれたことを指す。

ステージ８４は、プリパルスレーザ光３１Ｐとメインパルスレーザ光３１Ｍとを共に集光する集光ユニット２２Ａを保持して位置を変更する移動ステージである。そのため、プリパルスレーザ光３１Ｐとメインパルスレーザ光３１Ｍとの同軸関係がずれた場合に、ステージ８４を移動させても、プリパルスレーザ光３１Ｐとメインパルスレーザ光３１Ｍとの各々が最適に照射されるように各々の位置を補正することはできない。その結果、パルスレーザ光３３がターゲット２７の中心からずれた位置で照射され、ＥＵＶエネルギが不安定になり、不要な飛散物の量も増加する。飛散物は、デブリとも称される。

また、ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅから算出されるＥＵＶエネルギ重心位置の計測に誤差が生じる場合がある。ＥＵＶ光生成制御部５Ａは、プリパルスレーザ光３１Ｐとメインパルスレーザ光３１Ｍとの同軸関係のずれを検知することができないため、誤差を多く含む計測値を使って照射位置制御を行ってしまう。その結果、パルスレーザ光３３がターゲット２７に適切に照射されない状態が続く場合がある。従って、パルスレーザ光３３のターゲット２７に対する照射位置制御において、ＥＵＶエネルギ重心値以外の指標を用いることが必要である。

そこで、本開示は、後述するメインパルスレーザ光のパルスエネルギに対するＥＵＶエネルギの比率であるＣＥ（Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）、及びＥＵＶエネルギの時間的バラツキを表すＥＵＶエネルギ３σを指標としたパルスレーザ光３３のターゲット２７に対する照射位置制御を開示する。さらに、光学素子の熱変形によってパルスレーザ光３３の光路が変化した場合でも、プリパルスレーザ光３１Ｐとメインパルスレーザ光３１Ｍとの同軸関係のずれを抑制すると共に、ＥＵＶエネルギの安定性を改善することを可能とするＥＵＶ光生成装置及び電子デバイス製造方法を開示する。

３．第１の実施形態のＥＵＶ光生成装置
第１の実施形態のＥＵＶ光生成装置及びＥＵＶ光生成方法について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

３．１ 構成
図５は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｂの構成を示す概略的に示す。第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｂは、ＥＵＶ光生成制御部５Ｂと、レーザ光進行方向制御部３４Ｂと、を備える。ＥＵＶ光生成装置１Ｂは、熱の影響等によりプリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍのそれぞれの照射位置にずれが発生したときに、照射位置ずれを補償する機能を有する。

ＥＵＶ光生成制御部５Ｂは、ＥＵＶ光生成装置１Ｂの連続稼働中に、ＥＵＶエネルギが一定になるようにメインパルスレーザ光のパルスエネルギを制御する。以下、メインパルスレーザ光のパルスエネルギを、ＭＰＬエネルギと称する場合がある。

図６は、ＭＰＬエネルギの制御を示すブロック図である。ＥＵＶ光生成制御部５Ｂは、演算部５１Ｂと、ＭＰＬエネルギ制御部５３とを備える。演算部５１Ｂは、ＰＩＤ（Ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ－Ｉｎｔｅｇｒａｌ－Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ）演算により調整量を算出する。

具体的には、演算部５１Ｂは、ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅによるＥＵＶエネルギの計測値の合計又は平均と、ＥＵＶエネルギの目標値との差に基づいてＰＩＤ演算を行う。演算部５１Ｂは、ＰＩＤ演算により、ＥＵＶエネルギを一定にするためのＭＰＬエネルギの調整量を決定してＭＰＬエネルギ制御部５３に送る。ＭＰＬエネルギ制御部５３は、決定された調整量に基づいてメインパルスレーザ３Ｍを駆動することにより、ＭＰＬエネルギを制御する。

従って、ＥＵＶ光生成制御部５Ｂは、ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅによる計測値とＥＵＶエネルギの目標値との差に基づいて、ＭＰＬエネルギを制御することで、ＥＵＶエネルギを一定とする。しかし、ＭＰＬエネルギを制御するだけでは、ＥＵＶエネルギを一定に維持することが困難である。これは、光路における光学素子の熱変形によって、ＥＵＶエネルギの特性が変化するためである。そこで、本開示においては、ＥＵＶ光生成制御部５Ｂは、ＥＵＶエネルギ３σ及びＣＥを指標として、ターゲット２７にパルスレーザ光３３を照射する位置を調整することを含むレーザ照射位置制御Ｂを行う。なお、ＣＥは、ＥＵＶエネルギをＭＰＬエネルギで割った値である。すなわち、ＣＥは、ＭＰＬエネルギのＥＵＶエネルギへの変換効率を表す指標である。

ＥＵＶエネルギの安定性は、ＥＵＶエネルギの時間的バラツキを表すＥＵＶエネルギ３σを指標として用いることで改善することができる。ＥＵＶエネルギ３σは、例えば、下式３により算出される。
ＥＵＶエネルギ３σ［％］＝（３σ／μ）×１００ ・・・（３）

ここで、σは、単位時間に含まれる複数のパルスについてのＥＵＶエネルギの標準偏差である。μは、単位時間に含まれる複数のパルスについてのＥＵＶエネルギの平均値である。ＥＵＶエネルギ３σの算出に用いるＥＵＶエネルギは、例えば、ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅによるＥＵＶエネルギの計測値の合計又は平均である。単位時間は、数秒であり、例えば、１～５秒程度である。ここで、ＥＵＶエネルギの安定性は、ＥＵＶエネルギ３σに代えて、例えばσのｎ倍を指標として用いてもよい。

上述のように、ＣＥは、ＥＵＶ光生成装置の性能を表す１つの指標である。しかし、従来、常に指定されたＥＵＶエネルギを安定的に出力することが求められるＥＵＶ光生成装置においては、ＣＥは、ＥＵＶエネルギの制御の指標として利用されることはなかった。これは、ＣＥを指標とするフィードバック制御を構築した場合には、安定的なＥＵＶエネルギが保証されないからである。つまり、ＥＵＶエネルギが低下した場合に、ＭＰＬエネルギを低下させることによりＣＥを一定に維持する制御が行われ、ＥＵＶエネルギを一定にする制御が行われないことがある。

レーザ光進行方向制御部３４Ｂは、レーザエネルギセンサ４４５と、第１のアクチュエータＭ１と、ビームスプリッタ３４５Ｂと、を備える。

第１のアクチュエータＭ１は、ホルダ３４８に取付けられている。第１のアクチュエータＭ１は、高反射ミラー３４６の姿勢を変更することによって、メインパルスレーザ光３１Ｍの光路軸を制御するように配置されている。本開示の技術に係る第１のアクチュエータＭ１は、上記配置に限定されない。第１のアクチュエータＭ１は、メインパルスレーザ３Ｍからコンバイナ４０９までのメインパルスレーザ光３１Ｍのいずれかの高反射ミラーの角度を制御可能なアクチュエータであってもよい。第１のアクチュエータＭ１は、ＥＵＶ光生成制御部５Ｂに接続されている。

ビームスプリッタ３４５Ｂは、メインパルスレーザ３Ｍから出力されるメインパルスレーザ光３１Ｍの光路に配置されている。ビームスプリッタ３４５Ｂは、ホルダ３４７に支持されている。すなわち、ビームスプリッタ３４５Ｂは、ＥＵＶ光生成装置１Ａにおける高反射ミラー３４５に代えて設けられている。ビームスプリッタ３４５Ｂは、メインパルスレーザ光３１Ｍを高い反射率で反射するように構成されている。さらに、ビームスプリッタ３４５Ｂは、メインパルスレーザ光３１Ｍの一部をレーザエネルギセンサ４４５に向けて透過させるように構成されている。

レーザエネルギセンサ４４５は、本開示の技術に係るレーザエネルギセンサの一例である。レーザエネルギセンサ４４５は、ビームスプリッタ３４５Ｂを透過するメインパルスレーザ光３１Ｍの光路に配置されている。レーザエネルギセンサ４４５は、ビームスプリッタ３４５Ｂを透過したメインパルスレーザ光３１Ｍを検出し、検出結果をＥＵＶ光生成制御部５Ｂに出力する。レーザエネルギセンサ４４５は、上記配置及び構成に限定されない。レーザエネルギセンサ４４５は、メインパルスレーザ３Ｍからコンバイナ４０９までのメインパルスレーザ光３１Ｍの光路のいずれかの高反射ミラーをビームスプリッタに変更し、その透過光を計測するように配置してもよい。

３．２ 動作
次に、第１の実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｂの動作について説明する。具体的には、本実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５Ｂが実行するレーザ照射位置制御Ｂについて説明する。

図７～９は、第１の実施形態におけるレーザ照射位置制御Ｂの処理手順を示すフローチャートである。図７は、第１の実施形態に係るレーザ照射位置制御Ｂを示すフローチャートである。レーザ照射位置制御Ｂは、ループ１において、集光ユニット位置調整ステップＳ１１０と、メインパルスレーザ照射位置調整ステップＳ１２０と、を交互に繰り返し実行させ、所定の終了条件を満たしたときに、ループ１を抜けて終了する。ループ１の所定の終了条件は、例えば外部装置６から入力されるＥＵＶ光出力停止指令の検出等、ＥＵＶ光生成の停止を伴う状態への移行の検知でよい。

集光ユニット位置調整ステップＳ１１０では、ＥＵＶエネルギ３σを指標として、集光ユニット２２Ａを位置調整する。メインパルスレーザ照射位置調整ステップＳ１２０では、ＣＥを指標として、メインパルスレーザ光３１Ｍの照射位置を調整する。集光ユニット２２Ａの位置調整及びメインパルスレーザ光３１Ｍの照射位置調整において、共通のアルゴリズムを使用してもよい。なお、指標、探索幅Δ、及び位置偏差の許容値については異なるパラメータを用いる。

図８は、照射位置調整Ｂの概略を示すフローチャートである。集光ユニット２２Ａの位置調整及びメインパルスレーザ光３１Ｍの照射位置調整における共通のアルゴリズムとして照射位置調整Ｂを使用してもよい。照射位置調整Ｂは、Ｘ軸→Ｙ軸→Ｘ軸の順、又はＹ軸→Ｘ軸→Ｙ軸の順にループ２を実施する（ステップＳ２０１）。ループ２において、パルスレーザ光３３のＸ軸又はＹ軸について、位置偏差が許容値未満になるまで、位置探索の作業を続ける。

例えば、照射位置調整ＢをＸ軸→Ｙ軸→Ｘ軸の順に実施した場合、２回の最適Ｘ位置の位置偏差が許容値以下である場合はループ２を抜ける。一方、２回のＸ軸探索の中で、１回目の最適Ｘ位置に対する２回目の最適Ｘ位置の偏差が許容値を超える場合、さらに位置探索が必要であると判定し、ステップＳ２２０における照射位置探索Ｂを続行する。ここで、許容値は、予め設定された値である。許容値は、これ以上探索しても大きな改善が見込めないとする指標を指す。例えば、１回目の探索後の最適Ｘ位置に対する、２回目の探索後の最適Ｘ位置の偏差が許容値以下である場合、これ以上探索しても大きな改善が見込めないとしてループ２を抜ける。

ステップＳ２２０において、現在位置に対して正方向及び負方向に探索幅Δだけ照射位置を変更して、現在位置を含む３点のデータから性能改善方向を判定する。ここで、本実施形態において、負方向は、現在位置を挟んで正方向とは反対側に配置するが、本開示の技術に係る現在位置を含む３点はこれに限定されない。現在位置を含む３点は、現在位置と、現在位置と異なる第１点と、現在位置及び第１点と異なる第２点と、で構成されるものであればよい。また、３点のデータには、ＥＵＶエネルギ３σとＣＥが含まれる。集光ユニット２２Ａについては、ＥＵＶエネルギ３σが低減する方向に位置探索を行う。メインパルスレーザ光３１Ｍについては、ＣＥが上昇する方向に位置探索を行う。探索幅Δは、レーザスポット位置に対するＣＥの感度によって決定される。本実施形態では、探索幅Δは、０．５～５μｍ程度である。探索幅Δは、Ｘ方向とＹ方向とで異なる値であってもよい。特に、スポット強度分布が楕円の場合には、Ｘ方向とＹ方向とで異なる値とすることが好ましい。

図９は、図８のステップＳ２２０に係る位置探索Ｂの詳細を示すフローチャートである。ＥＵＶ光生成制御部５Ｂは、まず、ステップＳ２２１において、現在の照射位置を読み込み、探索軸を設定する。さらに、所定の閾値、探索幅Δ、微小量ｄΔ、及び追加探索回数Ｎを読み込む。所定の閾値、探索幅Δ、微小量ｄΔ、及び追加探索回数Ｎは、最初は一定の値とされていて、記憶部に記憶されていてもよい。

次に、ループ３における処理を行う。ループ３において、３点の位置における指標を取得し、その勾配の絶対値が閾値以下である場合は位置探索の条件を満たしたとして、ループ３を抜ける。そうでない場合は、ループ３において位置探索の条件を満たすように処理が続けられる。以下、本実施形態において、３点の位置における指標の勾配を単に勾配と称する場合がある。

具体的には、ステップＳ２２３において、現在位置から±Δだけ照射位置を変更して、現在位置を含む３点の位置で指標の値を取得する。図１０は、指標の取得例を示す。例えば、Ｘ軸において位置探索Ｂを実施する場合は、図１０に示すように、現在位置Ｐ１から＋Δだけ照射位置を変更した位置Ｐ３と、現在位置Ｐ１から－Δだけ照射位置を変更した位置Ｐ２において指標を取得する。ここで、指標として、ＥＵＶエネルギ３σ又はＣＥを取得する。原則として、集光ユニット２２Ａを位置探索する場合は、ＥＵＶエネルギ３σを取得し、メインパルスレーザ光３１Ｍを位置探索する場合は、ＣＥを取得する。

ステップＳ２２４において、現在位置を含む上記３点の位置で取得した指標の値に基づいて、当該３点における指標の勾配を算出する。例えば、上記Ｐ１、Ｐ２、及びＰ３において取得した指標の値に基づいて一次近似線を算出し、算出した一次近似線の傾きを勾配とする。

ステップＳ２２５において、ステップＳ２２４で算出された勾配の絶対値と閾値とを比較し、勾配の絶対値が閾値以下である場合は、ループ３の終了条件を満たすものとして、改善方向へ微小量ｄΔ移動させて、ループ３を抜ける。図１１は、改善方向に微小量ｄΔ移動する一例を示す。ステップＳ２２６において、図１１に示すように、改善方向へ微小量ｄΔだけ移動させて、ループ３を抜ける。ここで、ｄΔ＜Δである。また、ステップＳ２２６において、改善方向への移動に代えて、改善位置へ直接移動させてもよい。ここで、改善方向又は改善位置は、集光ユニット２２Ａによる位置探索の場合は、ＥＵＶエネルギ３σが小さくなる方向又は位置を指し、メインパルスレーザ光３１Ｍによる位置探索の場合は、ＣＥが大きくなる方向又は位置を指す。

一方、ステップＳ２２５において、ステップＳ２２４で算出された勾配の絶対値と閾値とを比較し、勾配の絶対値が閾値より大きい場合は、ステップＳ２２５Ａへ進む。

ステップＳ２２５Ａにおいて、ステップＳ２２５における条件が満たされるまで、最大Ｎ回の追加探索を行う。本実施形態において、追加探索は、ステップＳ２２５において判定された改善方向においてのみ探索を行うが、本開示の技術に係る追加探索はこれに限定されるものではなく、改善方向以外の方向に追加探索を行ってもよい。図１２は、追加探索による指標取得の一例を示す。例えば、図１２に示すように、１回の追加探索を行う場合は、当該探索位置は位置Ｐ２から探索幅Δだけ移動した位置Ｐ４が追加探索位置となる。最大Ｎ回の追加探索を行った後、ステップＳ２２６へ進む。

図１３は、追加探索位置への移動の一例を示す。ステップＳ２２６において、図１３に示すように追加探索位置Ｐ４へ探索幅Δだけ移動させた後、ステップＳ２２３へ戻り、再度ループ３の終了条件を満たすように位置探索処理が実施される。

すなわち、ループ３において、勾配の絶対値が閾値以下になるまで位置探索が行われる。そして、最大Ｎ回の追加探索を実施した後に、ループ３の条件を満たして、ループ３を抜けた場合は、ステップＳ２２７へ進む。

ステップＳ２２７において、追加探索によって改善された軸を記録する。記録された軸はＳ２２１で読み込まれる探索軸として上書きされ、次回の位置探索時に最初に探索される。一方、追加探索が発生せずにループ３の条件を満たした位置については、ステップＳ２２７の処理を行わずに、位置探索Ｂを終了する。

上述したように、ＥＵＶ光生成制御部５Ｂは、３点における指標の勾配に基づいて、ステージ８４及び第１のアクチュエータＭ１を制御することによって、位置探索Ｂを実施する。

第１の実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｂの他の動作については、比較例のＥＵＶ光生成装置１Ａと同様であってもよい。

３．３ 作用・効果
以上説明したように、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｂは、チャンバ２内に供給されるターゲット２７に照射されるプリパルスレーザ光３１Ｐを出力するプリパルスレーザ３Ｐと、プリパルスレーザ光３１Ｐが照射されたターゲット２７に照射されるメインパルスレーザ光３１Ｍを出力するメインパルスレーザ３Ｍと、プリパルスレーザ光３１Ｐとメインパルスレーザ光３１Ｍの光路を結合させるコンバイナ４０９と、光路が結合されたプリパルスレーザ光３１Ｐとメインパルスレーザ光３１Ｍをターゲット２７に集光する集光ユニット２２Ａと、集光ユニット２２Ａの位置を変更するステージ８４と、コンバイナ４０９の上流に配置され、光路が結合される前のメインパルスレーザ光３１Ｍの進行方向を変化させる第１のアクチュエータＭ１と、メインパルスレーザ光３１Ｍが照射されたターゲット２７が放射するＥＵＶエネルギを検出するＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅと、ターゲット２７に照射される前のメインパルスレーザ光３１Ｍのパルスエネルギを検出するレーザエネルギセンサ４４５と、ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅによって検出されるＥＵＶエネルギの時間的バラツキを表すＥＵＶエネルギ３σが小さくなるようにステージ８４を制御し、レーザエネルギセンサ４４５によって検出されるパルスエネルギに対するＥＵＶエネルギの比率としてのＣＥが大きくなるように第１のアクチュエータＭ１を制御するＥＵＶ光生成制御部５Ｂと、を備える。

ＥＵＶ光生成制御部５Ｂは、従来利用されることがなかったＣＥを指標として、メインパルスレーザ光３１Ｍの照射位置を制御する。また、ＥＵＶ光生成制御部５Ｂは、ＥＵＶエネルギ３σを指標として、集光ユニット２２Ａの位置を調整することで、パルスレーザ光３３の照射位置を制御する。この結果、光学素子の熱変形に起因するプリパルスレーザ光３１Ｐとメインパルスレーザ光３１Ｍとの同軸関係のずれを抑制することができる。

また、ターゲット２７に対するプリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍの照射位置が常に最適な状態に維持されるため、ＥＵＶエネルギの安定性の改善が実現される。さらに、ＣＥが高くなる条件によって運転することでデブリの発生が低減し、ＥＵＶ集光ミラー２３の寿命が向上する。

４．第２の実施形態のＥＵＶ光生成装置
次に、第２の実施形態のＥＵＶ光生成装置及びＥＵＶ光生成方法について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

４．１ 構成
図１４は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｃの構成を概略的に示す。図１４に示すように、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｃは、ミストセンサ４３と、第２のアクチュエータＭ２と、をさらに備える。ＥＵＶ光生成装置１Ｃのその他の構成については、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｂと同様である。

プラズマ生成領域２５に集光されたプリパルスレーザ光３１Ｐは、プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７を第１照射タイミングで照射する。ターゲット２７は、プリパルスレーザ光３１Ｐが照射されると、破壊され、マイクロドロップレット及びクラスタ等の微粒子がミスト状に拡散したミスト状のターゲット２７に変容する。

ミストセンサ４３は、プラズマ生成領域２５と対向するようにチャンバ２Ａの壁に設けられている。ミストセンサ４３は、拡散ターゲット２７を撮像することにより画像を取得してＥＵＶ光生成制御部５Ｃに送信する。ミストセンサ４３の動作は、ＥＵＶ光生成制御部５Ｃによって制御される。

ミストセンサ４３は、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ－Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサで構成されており、図示しない照明器具によって照明されたターゲット２７もしくはターゲット２７のシャドウグラフを撮像する。なお、ミストセンサ４３は、複数設けられていてもよい。図１５は、ミストセンサ４３の配置の一例を示す。例えば、図１５に示すように、２つのミストセンサ４３が、それぞれの観測軸が互いに９０度の角度をなすように配置されていてもよい。

図１６は、ミストセンサ４３により撮像された拡散ターゲット２７の画像の一例を示す。ＥＵＶ光生成制御部５Ｃは、プリパルスレーザ光３１Ｐを出力後のタイミングでミストセンサ４３を制御して撮像することによって、一例として図１６に示される画像を取得する。

ＥＵＶ光生成制御部５Ｃは、ミストセンサ４３により撮像された画像に基づいて、拡散ターゲット２７の特性値を得る。特性値は、ターゲット２７へのプリパルスレーザ光３１Ｐの照射位置と、ターゲット２７の重心位置との差異に関連する値である。特性値には、拡散ターゲット２７の傾き、サイズ、及び位置のうち少なくとも１つが含まれる。プリパルスレーザ光３１Ｐの照射位置がターゲット２７の重心位置からずれるほど、拡散ターゲット２７の傾きが大きくなる。また、プリパルスレーザ光３１Ｐの照射位置がターゲット２７の重心位置からずれるほど、拡散量が減少するので、拡散ターゲット２７のサイズが小さくなる。さらに、プリパルスレーザ光３１Ｐの照射位置がターゲット２７の重心位置からずれるほど、拡散ターゲット２７の位置の変化量が小さくなる。

例えば、図１６に示すように、拡散ターゲット２７の形状が楕円形である場合には、拡散ターゲット２７の傾きは、楕円形の短径を含む軸と、プリパルスレーザ光３１Ｐの照射軸とがなす角度θにより求められる。拡散ターゲット２７のサイズは、楕円形の長径と短径とに基づいて求められる。拡散ターゲット２７の位置は、楕円形の重心座標から求められる。

第２のアクチュエータＭ２は、ホルダ３４４に取付けられている。第２のアクチュエータＭ２は、高反射ミラー３４２の姿勢を変更することによって、プリパルスレーザ光３１Ｐの光路軸を制御するように配置されている。第２のアクチュエータＭ２は、上記配置に限定されない。第２のアクチュエータＭ２は、プリパルスレーザ３Ｐからコンバイナ４０９までのプリパルスレーザ光３１Ｐのいずれかの高反射ミラーの角度を制御可能なアクチュエータであってもよい。第２のアクチュエータＭ２は、ＥＵＶ光生成制御部５Ｃに接続される。

ＥＵＶ光生成制御部５Ｃは、得られた拡散ターゲット２７の傾き、サイズ、及び位置などの特性値に基づいて、第２のアクチュエータＭ２を制御する。ＥＵＶ光生成制御部５Ｃが第２のアクチュエータＭ２を制御することにより、プリパルスレーザ光３１Ｐの位置及び方向が変更される。

４．２ 動作
次に、第２の実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｃの動作について説明する。具体的には、本実施形態に係るＥＵＶ光生成制御部５Ｃが実行するレーザ照射位置制御Ｃについて説明する。

図１７～１９は、第２の実施形態における光路軸調整の処理手順を示すフローチャートである。図１７は、第２の実施形態に係るレーザ照射位置制御Ｃを示すフローチャートである。

第２の実施形態のレーザ照射位置制御Ｃは、第１の実施形態のレーザ照射位置制御Ｂと比較して、ＥＵＶ性能を診断するステップＳ１４０と、プリパルスレーザ照射位置を調整するステップＳ１４１と、をさらに備える。すなわち、レーザ照射位置制御Ｃにおいて、ステップＳ１１０と、ステップＳ１２０と、ステップＳ１４０と、ステップＳ１４１と、を交互に繰り返し実行させ、所定の終了条件を満たしたとき、ループ１Ｃを抜けて終了する。ループ１の所定の終了条件は、例えば外部装置６から入力されるＥＵＶ光出力停止指令の検出等、ＥＵＶ光生成の停止を伴う状態への移行の検知でよい。

ステップＳ１４０において、ＥＵＶ性能としてＥＵＶエネルギ３σ及びＣＥを診断する。そして、ＥＵＶ性能が所定範囲内にある場合は、ループ１Ｃを繰り返す。一方、ＥＵＶ性能が所定範囲外にある場合は、ステップＳ１４１に進む。

ステップＳ１４１において、ＥＵＶ光生成制御部５Ｃは、拡散ターゲット２７の特性値を指標として、第２のアクチュエータＭ２を制御する。ＥＵＶ光生成制御部５Ｃは、第２のアクチュエータＭ２を制御することにより、プリパルスレーザ光３１Ｐの位置及び方向を変更する。これによって、ターゲット２７に対するプリパルスレーザ光３１Ｐの照射位置を常に最適な状態に維持することができる。

図１８は、本開示の技術に係る照射位置調整Ｃを示すフローチャートである。第２の実施形態に係る照射位置調整Ｃは、ループ２Ｃにおいて、第１の実施形態の位置探索ステップＳ２２０に代えて位置探索ステップＳ２２０Ｃを実行すること以外は、第１の実施形態と同様である。

図１９は、位置探索Ｃの詳細を示すフローチャートである。位置探索Ｃは、第１の実施形態に係る位置探索Ｂと比較して、ループ３Ｃにおいて、第１の実施形態のステップＳ２２３に代えてステップＳ２２３Ｃを実行すること以外は、第１の実施形態と同様である。

ステップＳ２２３Ｃにおいて、指標として、拡散ターゲット２７の特性値を取得すること以外は、ステップＳ２２３の処理と同様である。すなわち、位置調整Ｃにおいて、ＥＵＶ光生成制御部５Ｃは、取得した拡散ターゲット２７の特性値に基づいて、第２のアクチュエータＭ２を制御することによって、プリパルスレーザ光３１Ｐの照射位置を探索する。

４．３ 作用・効果
以上説明したように、本実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ｃは、チャンバ２内に供給されるターゲット２７に照射されるプリパルスレーザ光３１Ｐを出力するプリパルスレーザ３Ｐと、プリパルスレーザ光３１Ｐが照射されたターゲット２７に照射されるメインパルスレーザ光３１Ｍを出力するメインパルスレーザ３Ｍと、プリパルスレーザ光３１Ｐとメインパルスレーザ光３１Ｍの光路を結合させるコンバイナ４０９と、光路が結合されたプリパルスレーザ光３１Ｐとメインパルスレーザ光３１Ｍをターゲット２７に集光する集光ユニット２２Ａと、集光ユニット２２Ａの位置を移動するステージ８４と、コンバイナ４０９の上流に配置され、光路が結合される前のメインパルスレーザ光３１Ｍの進行方向を変化させる第１のアクチュエータＭ１と、プリパルスレーザ光３１Ｐの照射位置を調整する第２のアクチュエータＭ２と、メインパルスレーザ光３１Ｍが照射されたターゲット２７が放射するＥＵＶエネルギを検出するＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅと、ターゲット２７に照射される前のメインパルスレーザ光３１Ｍのパルスエネルギを検出するレーザエネルギセンサ４４５と、拡散ターゲット２７の特性値を取得するためのミストセンサ４３と、ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅによって検出されるＥＵＶエネルギの時間的バラツキを示すＥＵＶエネルギ３σが小さくなるようにステージ８４を制御し、レーザエネルギセンサ４４５によって検出されるパルスエネルギに対するＥＵＶエネルギの比率としてのＣＥが大きくなるように第１のアクチュエータＭ１を制御し、拡散ターゲット２７の特性値に基づいてターゲット２７に対するプリパルスレーザ光３１Ｐの照射位置を最適な状態に維持するように第２のアクチュエータＭ２を制御するＥＵＶ光生成制御部５Ｃと、を備える。

第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｃは、上記第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置１Ｂの作用・効果に加え、さらに、ターゲット２７に対するプリパルスレーザ光３１Ｐの照射位置を常に最適な状態に維持することができる。この結果、光学素子の熱変形によってプリパルスレーザ光３１Ｐとメインパルスレーザ光３１Ｍとの同軸関係が変化した場合でも、プリパルスレーザ光３１Ｐの照射位置とメインパルスレーザ光３１Ｍの照射位置とを最適な状態に維持することができる。

４．４ 変形例
第２の実施形態において、ＥＵＶ光生成装置は種々の変形が可能である。例えば、上記レーザ照射位置制御Ｃにおいて、高反射ミラー３４６と高反射ミラー３４２とが共通のオフセットを有する場合は、集光ユニット２２Ａで補償することが可能である。

図２０は、集光ユニット２２Ａで補償する処理を含む照射位置調整Ｄのフローチャートを示す。照射位置調整Ｄにおいて、ステップＳ２４０を含むこと以外は、照射位置調整Ｃと同様である。

ステップＳ２４０において、高反射ミラー３４６と高反射ミラー３４２との共通のオフセットに対応する集光ユニット２２Ａの調整を行う。オフセットによる調整量は、集光ユニット２２Ａの場合は、エンコーダ値によって算出する。メインパルスレーザ光３１Ｍ及びプリパルスレーザ光３１Ｐの場合は、ポインティングセンサの制御ターゲット又はアクチュエータＭ１、およびＭ２のエンコーダ値によって算出する。ポインティングセンサの制御ターゲットは、不図示のポインティングセンサによって検出されるプリパルスレーザ光３１Ｐ及びメインパルスレーザ光３１Ｍ各々の光路軸の角度変位量に係るパラメータであってもよい。

例えば、プリパルスレーザ光３１Ｐの照射位置調整量がＸ方向に＋１５μｍ、メインパルスレーザ光３１Ｍの照射位置調整量がＸ方向に＋２０μｍとなった場合、集光ユニット２２ＡをＸ方向に＋１５μｍ移動させる。このとき、集光ユニット２２Ａの動作に同期してメインパルスレーザ光３１Ｍ及びプリパルスレーザ光３１Ｐの照射位置をＸ方向に－１５μｍオフセットする。

集光ユニット２２Ａへのメインパルスレーザ光３１Ｍ及びプリパルスレーザ光３１Ｐの入射位置によって、レーザスポット強度分布が変化することが知られている。このため、オフセット補償によって、集光ユニット２２Ａへのメインパルスレーザ光３１Ｍ及びプリパルスレーザ光３１Ｐの入射位置変化を最小限に抑えることができる。これにより、レーザスポット強度分布の変化を抑制することができるため、ＥＵＶエネルギ３σを低くし、かつＣＥを高く維持することに寄与する。また、プリパルスレーザ光３１Ｐの照射位置調整量とメインパルスレーザ光３１Ｍの照射位置調整量の制御範囲を確保することができる。

５．その他
図２１は、ＥＵＶ光生成装置１Ｂに接続された露光装置６Ａの構成を概略的に示す。図２１において、外部装置６としての露光装置６Ａは、マスク照射部６８とワークピース照射部６９とを含む。マスク照射部６８は、ＥＵＶ光生成装置１Ｂから入射したＥＵＶ光によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部６９は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置６Ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスを製造できる。

図２２は、ＥＵＶ光生成装置１Ｂに接続された検査装置６Ｂの構成を概略的に示す。図２２において、外部装置６としての検査装置６Ｂは、照明光学系６３と検出光学系６６とを含む。ＥＵＶ光生成装置１ＢはＥＵＶ光を検査用光源として検査装置６Ｂに出力する。照明光学系６３は、ＥＵＶ光生成装置１Ｂから入射したＥＵＶ光を反射して、マスクステージ６４に配置されたマスク６５を照射する。ここでいうマスク６５はパターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系６６は、照明されたマスク６５からのＥＵＶ光を反射して検出器６７の受光面に結像させる。ＥＵＶ光を受光した検出器６７はマスク６５の画像を取得する。検出器６７は例えばＴＤＩ（ｔｉｍｅ ｄｅｌａｙ ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク６５の画像により、マスク６５の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置６Ａを用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造できる。

なお、検査装置６Ｂにおいて、上述のＥＵＶ集光ミラー２３は、斜入射型であってもよい。また、図２１及び図２２において、ＥＵＶ光生成装置１Ｂの代わりに、ＥＵＶ光生成装置１Ｃが用いられてもよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の各実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきであり、さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (13)

1. チャンバ内に供給されるターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザと、
   前記プリパルスレーザ光が照射された前記ターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザと、
   前記プリパルスレーザ光と前記メインパルスレーザ光の光路を結合させるコンバイナと、
   光路が結合された前記プリパルスレーザ光と前記メインパルスレーザ光を前記ターゲットに集光する集光ユニットと、
   前記集光ユニットの位置を変更するステージと、
   前記コンバイナの上流に配置され、光路が結合される前の前記メインパルスレーザ光の進行方向を変化させる第１のアクチュエータと、
   前記メインパルスレーザ光が照射された前記ターゲットが放射するＥＵＶ光のＥＵＶエネルギを検出するＥＵＶ光センサと、
   前記ターゲットに照射される前の前記メインパルスレーザ光のパルスエネルギを検出するレーザエネルギセンサと、
   前記プリパルスレーザ光が照射されたターゲットである拡散ターゲットの特性値を取得するためのミストセンサと、
   前記プリパルスレーザ光の照射位置を調整する第２のアクチュエータと、
   前記ＥＵＶ光センサによって検出されるＥＵＶエネルギの時間的バラツキが小さくなるように前記ステージを制御し、
   前記レーザエネルギセンサによって検出される前記パルスエネルギに対する前記ＥＵＶエネルギの比率が大きくなるように前記第１のアクチュエータを制御し、
   前記第１のアクチュエータを制御した後、ＥＵＶエネルギに関する性能を診断し、前記ＥＵＶエネルギに関する性能が所定範囲外にある場合、前記特性値に基づいて前記第２のアクチュエータを制御するＥＵＶ光生成制御部と、
   を備えるＥＵＶ光生成装置。
2. 請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
   前記ＥＵＶエネルギに関する性能は、前記ＥＵＶエネルギの時間的バラツキ及び前記パルスエネルギに対する前記ＥＵＶエネルギの比率である。
3. 請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
   前記ＥＵＶ光生成制御部は、前記ステージと前記第１のアクチュエータとを交互に制御する、ＥＵＶ光生成装置。
4. 請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
   前記ＥＵＶ光生成制御部は、
   現在位置と、前記現在位置と異なる第１点と、前記現在位置及び前記第１点と異なる第２点と、に照射位置を変更して、前記現在位置、前記第１点、前記第２点を含む３点の各位置で前記ＥＵＶエネルギの時間的バラツキ及び前記比率を指標として取得し、
   前記ＥＵＶ光生成制御部は、前記３点の位置における前記指標の勾配を算出し、
   前記勾配に基づいて前記ステージ及び前記第１のアクチュエータを制御する、ＥＵＶ光生成装置。
5. 請求項４に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
   前記第２点は、前記現在位置を挟んで前記第１点とは反対側に位置する、ＥＵＶ光生成装置。
6. 請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
   前記ＥＵＶ光生成制御部は、前記ＥＵＶエネルギが一定になるように前記メインパルスレーザ光のパルスエネルギを制御する、ＥＵＶ光生成装置。
7. 請求項６に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
   前記ＥＵＶ光センサは複数のＥＵＶ光センサを含み、
   前記ＥＵＶ光生成制御部は、前記複数のＥＵＶ光センサによるＥＵＶエネルギの計測値の合計又は平均と、ＥＵＶエネルギの目標値との差に基づいたＰＩＤ演算により前記メインパルスレーザ光のエネルギの調整量を決定する、ＥＵＶ光生成装置。
8. 請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
   前記特性値には、前記拡散ターゲットの傾き、サイズ、及び位置のうち少なくとも１つが含まれる、ＥＵＶ光生成装置。
9. 請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
   前記第１のアクチュエータによる前記メインパルスレーザ光の位置調整と前記第２のアクチュエータによる前記プリパルスレーザ光の照射位置調整とが共通のオフセットを有する場合において、
   前記ＥＵＶ光生成制御部は、前記オフセットに対応して前記集光ユニットの位置を変更する、ＥＵＶ光生成装置。
10. 請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
    前記ＥＵＶエネルギの時間的バラツキは、単位時間あたりの複数のパルスについてのＥＵＶエネルギの標準偏差の整数倍である、ＥＵＶ光生成装置。
11. 請求項１０に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
    前記ＥＵＶエネルギの時間的バラツキは、ＥＵＶエネルギの標準偏差の３倍であり、
    前記単位時間は、１秒以上５秒以下である、ＥＵＶ光生成装置。
12. 電子デバイスの製造方法であって、
    チャンバ内に供給されるターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザと、
    前記プリパルスレーザ光が照射されたターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザと、
    前記プリパルスレーザ光と前記メインパルスレーザ光の光路を結合させるコンバイナと、
    前記光路が結合された前記プリパルスレーザ光と前記メインパルスレーザ光を前記ターゲットに集光する集光ユニットと、
    前記集光ユニットの位置を変更するステージと、
    前記コンバイナの上流に配置され、前記光路が結合される前の前記メインパルスレーザ光の進行方向を変化させる第１のアクチュエータと、
    前記メインパルスレーザ光が照射されたターゲットが放射するＥＵＶ光のＥＵＶエネルギを検出するＥＵＶ光センサと、
    前記ターゲットに照射される前の前記メインパルスレーザ光のパルスエネルギを検出するレーザエネルギセンサと、
    前記プリパルスレーザ光が照射されたターゲットである拡散ターゲットの特性値を取得するためのミストセンサと、
    前記プリパルスレーザ光の照射位置を調整する第２のアクチュエータと、
    前記ＥＵＶ光センサによって検出される前記ＥＵＶエネルギの時間的バラツキが小さくなるように前記ステージを制御し、前記レーザエネルギセンサによって検出される前記パルスエネルギに対する前記ＥＵＶエネルギの比率が大きくなるように前記第１のアクチュエータを制御し、前記第１のアクチュエータを制御した後、ＥＵＶエネルギに関する性能を診断し、前記ＥＵＶエネルギに関する性能が所定範囲外にある場合、前記特性値に基づいて前記第２のアクチュエータを制御するＥＵＶ光生成制御部と、
    を備えるＥＵＶ光生成装置において、
    前記ターゲットにパルスレーザ光を照射してＥＵＶ光を生成し、
    前記ＥＵＶ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記ＥＵＶ光を露光することを含む電子デバイスの製造方法。
13. 検査方法であって、
    チャンバ内に供給されるターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザと、
    前記プリパルスレーザ光が照射されたターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザと、
    前記プリパルスレーザ光と前記メインパルスレーザ光の光路を結合させるコンバイナと、
    前記光路が結合された前記プリパルスレーザ光と前記メインパルスレーザ光を前記ターゲットに集光する集光ユニットと、
    前記集光ユニットの位置を変更するステージと、
    前記コンバイナの上流に配置され、前記光路が結合される前の前記メインパルスレーザ光の進行方向を変化させる第１のアクチュエータと、
    前記メインパルスレーザ光が照射されたターゲットが放射するＥＵＶ光のＥＵＶエネルギを検出するＥＵＶ光センサと、
    前記ターゲットに照射される前の前記メインパルスレーザ光のパルスエネルギを検出するレーザエネルギセンサと、
    前記プリパルスレーザ光が照射されたターゲットである拡散ターゲットの特性値を取得するためのミストセンサと、
    前記プリパルスレーザ光の照射位置を調整する第２のアクチュエータと、
    前記ＥＵＶ光センサによって検出される前記ＥＵＶエネルギの時間的バラツキが小さくなるように前記ステージを制御し、前記レーザエネルギセンサによって検出される前記パルスエネルギに対する前記ＥＵＶエネルギの比率が大きくなるように前記第１のアクチュエータを制御し、前記第１のアクチュエータを制御した後、ＥＵＶエネルギに関する性能を診断し、前記ＥＵＶエネルギに関する性能が所定範囲外にある場合、前記特性値に基づいて前記第２のアクチュエータを制御するＥＵＶ光生成制御部と、
    を備えるＥＵＶ光生成装置において、
    前記ターゲットにパルスレーザ光を照射してＥＵＶ光を生成し、
    前記ＥＵＶ光を検査用光源として検査装置に出力し、前記検査装置内で、マスクに前記ＥＵＶ光を露光して前記マスクを検査することを含む検査方法。