JP7723508B2

JP7723508B2 - ウエーハの確認方法

Info

Publication number: JP7723508B2
Application number: JP2021103669A
Authority: JP
Inventors: 圓中李
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2021-06-22
Filing date: 2021-06-22
Publication date: 2025-08-14
Anticipated expiration: 2041-06-22
Also published as: JP2023002418A

Description

本発明は、ウエーハの確認方法に関する。

表面にデバイスが形成された半導体ウエーハを分割してチップ化する方法として、ウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射し、ウエーハをアブレーションさせることで分割する方法（特許文献１参照）や、ウエーハの内部に分割起点となる改質層を形成し外力を付与することで分割する方法（特許文献２参照）が提案されている。

特開２００３－３２０４６６号公報特許第３４０８８０５号公報

ところで、例えば前工程において製造されて後工程に流れてきたウエーハが、本来存在しないはずの構造物や膜、ゴミ等が分割予定ライン上に存在する不良ウエーハである可能性がある。この場合、レーザービームの照射によりウエーハを確実に分割することが出来なくなり加工不良を招いてしまう。加工不良が生じた後では、レーザー加工装置を起因とする加工不良なのか、加工工程より前工程を起因とする加工不良なのかの原因を究明するのが困難となり、調査に時間を要するため、生産性が低下するという課題がある。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ウエーハの加工不良がいずれの工程に起因するものかの切り分け作業に要する時間を削減することができるウエーハの確認方法を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの確認方法は、表面に複数の分割予定ラインが設定されたウエーハの確認方法であって、該ウエーハの表面側を露出させた状態でウエーハを保持する保持ステップと、ウエーハの表面に設定された該分割予定ラインに撮像領域を位置付ける位置付けステップと、該撮像領域と該ウエーハとを該分割予定ラインに沿う方向と平行な方向に相対的に移動させながら、該分割予定ラインを含む該撮像領域を撮像する撮像ステップと、該撮像ステップで撮像した画像の該ウエーハにおける位置を記憶する記憶ステップと、を含み、該撮像ステップにおいて撮像された後の該分割予定ライン上かつ撮像領域に対して該撮像ステップの該撮像領域と該ウエーハとの相対的な移動方向と同じ方向の一定距離の位置にある加工点と該ウエーハとを該分割予定ラインに沿う方向と平行な方向に相対的に移動させながら、該加工点を該撮像領域よりも該相対的な移動方向の一定距離後方に位置づけるとともに、該分割予定ラインに沿って該加工点において該ウエーハに加工を施す加工ステップを更に含むことを特徴とする。

また、本発明のウエーハの確認方法において、該加工ステップでは、レーザービームを該分割予定ラインに沿って該加工点に照射することにより、該ウエーハに加工を施してもよい。

また、本発明のウエーハの確認方法において、該加工ステップでは、該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを該分割予定ラインに沿って該加工点に照射することにより、該ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿う改質層を形成してもよい。

本発明は、ウエーハの加工不良がいずれの工程に起因するものかの切り分け作業に要する時間を削減することができる。

図１は、実施形態に係るウエーハの確認方法を実施する加工装置の構成例を示す斜視図である。図２は、実施形態に係るウエーハの確認方法の確認対象のウエーハの一例を示す斜視図である。図３は、実施形態に係るウエーハの確認方法の流れを示すフローチャート図である。図４は、図３に示す位置付けステップで第一の撮像領域に位置付けた状態を示す側面図である。図５は、図４に示す第一の撮像領域において撮像した画像の一例を示す図である。図６は、図３に示す撮像ステップで第二の撮像領域を撮像しかつ加工ステップで第一の撮像領域を加工する状態を示す側面図である。図７は、図６に示す第二の撮像領域において撮像した画像の一例を示す図である。図８は、図３に示す加工ステップで第三の撮像領域を加工する状態を示す側面図である。図９は、図６に示す第三の撮像領域において撮像した画像の一例を示す図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。更に、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

〔実施形態〕
本発明の実施形態に係るウエーハ１０の確認方法を図面に基づいて説明する。まず、実施形態に係るウエーハ１０の確認方法を実施する加工装置１００の構成例、および確認対象のウエーハ１０の一例について説明する。図１は、実施形態に係るウエーハ１０の確認方法を実施する加工装置１００の構成例を示す斜視図である。図２は、実施形態に係るウエーハ１０の確認方法の確認対象のウエーハ１０の一例を示す斜視図である。

以下の説明において、Ｘ軸方向は、水平面における一方向である。Ｙ軸方向は、水平面において、Ｘ軸方向に直交する方向である。Ｚ軸方向は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に直交する方向である。実施形態の加工装置１００は、加工送り方向がＸ軸方向であり、割り出し送り方向がＹ軸方向である。

図１に示すように、加工装置１００は、実施形態において、レーザー加工装置である。加工装置１００は、保持テーブル１１０と、レーザービーム照射ユニット１２０と、撮像ユニット１３０と、加工送りユニット１４０と、割り出し送りユニット１５０と、集光点位置調整ユニット１６０と、表示ユニット１７０と、制御ユニット１８０と、を備える。実施形態に係る加工装置１００は、保持テーブル１１０に保持されたウエーハ１０に対して、レーザービーム照射ユニット１２０によってレーザービーム１２１を照射することにより、ウエーハ１０を加工する装置である。加工装置１００によるウエーハ１０の加工は、例えば、ステルスダイシングによってウエーハ１０の内部に改質層１７を形成する改質層形成加工、ウエーハ１０の表面１２に溝を形成する溝加工、または分割予定ライン１３に沿ってウエーハ１０を切断する切断加工等である。

図２に示すウエーハ１０は、実施形態において、シリコン（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、またはリチウムタンタレート（ＬｉＴａ_３）等を基板１１とする円板状の半導体デバイスウエーハ、光デバイスウエーハ等のウエーハである。ウエーハ１０は、基板１１の表面１２に格子状に設定された複数の分割予定ライン１３と、分割予定ライン１３によって区画された領域に形成されたデバイス１４と、を有している。

デバイス１４は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、またはＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、またはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサである。デバイス１４が形成された表面１２と反対側に位置するウエーハ１０の面を裏面１５とする。

ウエーハ１０は、分割予定ライン１３に沿って個々のデバイス１４に分割されて、チップに個片化される。なお、ウエーハ１０は実施形態に限定されず、本発明では円板状でなくともよい。ウエーハ１０は、例えば、環状のフレーム２０が貼着されかつウエーハ１０の外径よりも大径なテープ２１がウエーハ１０の裏面１５に貼着されて、フレーム２０の開口内に支持される。

図１に示す保持テーブル１１０は、ウエーハ１０を保持面１１１で保持する。保持面１１１は、ポーラスセラミック等から形成された円板形状である。保持面１１１は、実施形態において、水平方向と平行な平面である。保持面１１１は、例えば、真空吸引経路を介して真空吸引源と接続している。保持テーブル１１０は、保持面１１１上に載置されたウエーハ１０を吸引保持する。保持テーブル１１０の周囲には、ウエーハ１０を支持するフレーム２０を挟持するクランプ部１１２が複数配置されている。

保持テーブル１１０は、回転ユニット１１３によりＺ軸方向と平行な軸心回りに回転される。回転ユニット１１３は、Ｘ軸方向移動プレート１１４に支持される。回転ユニット１１３および保持テーブル１１０は、Ｘ軸方向移動プレート１１４を介して、加工送りユニット１４０によりＸ軸方向に移動される。回転ユニット１１３および保持テーブル１１０は、Ｘ軸方向移動プレート１１４、加工送りユニット１４０およびＹ軸方向移動プレート１１５を介して、割り出し送りユニット１５０によりＹ軸方向に移動される。

レーザービーム照射ユニット１２０は、保持テーブル１１０に保持されたウエーハ１０に対して、ウエーハ１０を加工するための所定の波長を有するパルス状のレーザービーム１２１を照射するユニットである。レーザービーム照射ユニット１２０は、例えば、レーザービーム１２１を出射するレーザー発振器と、集光器と、レーザー発振器と集光器との間のレーザービーム１２１の光路上に設けられる各種の光学部品と、を含む。集光器は、レーザー発振器から出射され各種の光学部品で伝搬されたレーザービーム１２１を、保持テーブル１１０の保持面１１１に保持されたウエーハ１０に集光して、ウエーハ１０に照射させる。

撮像ユニット１３０は、保持テーブル１１０に保持されたウエーハ１０を撮像する。撮像ユニット１３０は、保持テーブル１１０に保持されたウエーハ１０を撮像するＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラまたは赤外線カメラを含む。撮像ユニット１３０は、例えば、レーザービーム照射ユニット１２０の集光器から所定距離の位置において、加工送り方向に隣接するように固定されている。撮像ユニット１３０による撮像領域３０（例えば、図４から図９までを参照）は、レーザービーム照射ユニット１２０が照射するレーザービーム１２１による加工点より、加工送り方向の前方に位置する。撮像ユニット１３０は、撮像領域のウエーハ１０を撮像して、得た画像１３１（例えば、図５、図７、および図９参照）を制御ユニット１８０に出力する。

加工送りユニット１４０は、保持テーブル１１０とレーザービーム照射ユニット１２０とを加工送り方向であるＸ軸方向に相対的に移動させるユニットである。加工送りユニット１４０は、実施形態において、保持テーブル１１０をＸ軸方向に移動させる。加工送りユニット１４０は、実施形態において、加工装置１００の装置本体１０１上に設置されている。加工送りユニット１４０は、Ｘ軸方向移動プレート１１４をＸ軸方向に移動自在に支持する。

割り出し送りユニット１５０は、保持テーブル１１０と、レーザービーム照射ユニット１２０とを割り出し送り方向であるＹ軸方向に相対的に移動させるユニットである。割り出し送りユニット１５０は、実施形態において、保持テーブル１１０をＹ軸方向に移動させる。割り出し送りユニット１５０は、実施形態において、加工装置１００の装置本体１０１上に設置されている。割り出し送りユニット１５０は、Ｙ軸方向移動プレート１１５をＹ軸方向に移動自在に支持する。

集光点位置調整ユニット１６０は、レーザービーム照射ユニット１２０の集光器によって集光されたレーザービーム１２１の集光点（加工点）を、保持テーブル１１０の保持面１１１に垂直な光軸方向に移動させ、集光点の高さ位置を調整するユニットである。より詳しくは、集光点位置調整ユニット１６０は、保持テーブル１１０と、レーザービーム照射ユニット１２０とを集光点位置調整方向であるＺ軸方向に相対的に移動させる。集光点位置調整ユニット１６０は、実施形態において、レーザービーム照射ユニット１２０のうち、少なくとも集光器をＺ軸方向に移動させる。集光点位置調整ユニット１６０は、実施形態において、加工装置１００の装置本体１０１から立設した立壁部１０２に設置されている。集光点位置調整ユニット１６０は、レーザービーム照射ユニット１２０のうち、少なくとも集光器をＺ軸方向に移動自在に支持する。

加工送りユニット１４０、割り出し送りユニット１５０、および集光点位置調整ユニット１６０はそれぞれ、例えば、周知のボールねじと、周知のパルスモータと、周知のガイドレールと、を含む。ボールねじは、軸心回りに回転自在に設けられる。パルスモータは、ボールねじを軸心回りに回転させる。加工送りユニット１４０のガイドレールは、Ｘ軸方向移動プレート１１４をＸ軸方向に移動自在に支持する。加工送りユニット１４０のガイドレールは、Ｙ軸方向移動プレート１１５に固定して設けられる。割り出し送りユニット１５０のガイドレールは、Ｙ軸方向移動プレート１１５をＹ軸方向に移動自在に支持する。割り出し送りユニット１５０のガイドレールは、装置本体１０１に固定して設けられる。集光点位置調整ユニット１６０のガイドレールは、レーザービーム照射ユニット１２０のうち少なくとも集光器をＺ軸方向に移動自在に支持する。集光点位置調整ユニット１６０のガイドレールは、立壁部１０２に固定して設けられる。

表示ユニット１７０は、液晶表示装置等により構成される表示部である。表示ユニット１７０は、例えば、加工条件の設定画面、撮像ユニット１３０が撮像したウエーハ１０の状態、加工動作の状態等を、表示面に表示させる。表示ユニット１７０の表示面がタッチパネルを含む場合、表示ユニット１７０は、入力部を含んでもよい。入力部は、オペレータが加工内容情報を登録する等の各種操作を受付可能である。入力部は、キーボード等の外部入力装置であってもよい。表示ユニット１７０は、表示面に表示される情報や画像が入力部等からの操作により切り換えられる。表示ユニット１７０は、報知装置を含んでもよい。報知装置は、音および光の少なくとも一方を発して加工装置１００のオペレータに予め定められた報知情報を報知する。報知装置は、スピーカーまたは発光装置等の外部報知装置であってもよい。

制御ユニット１８０は、加工装置１００の上述した各構成要素をそれぞれ制御して、ウエーハ１０に対する加工動作を加工装置１００に実行させる。制御ユニット１８０は、レーザービーム照射ユニット１２０、撮像ユニット１３０、加工送りユニット１４０、割り出し送りユニット１５０、集光点位置調整ユニット１６０、および表示ユニット１７０を制御する。

制御ユニット１８０は、演算手段としての演算処理装置と、記憶手段としての記憶装置と、通信手段としての入出力インターフェース装置と、を含むコンピュータである。演算処理装置は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のマイクロプロセッサを含む。記憶装置は、ＲＯＭ（Read Only Memory）またはＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリを有する。演算処理装置は、記憶装置に格納された所定のプログラムに基づいて各種の演算を行う。演算処理装置は、演算結果に従って、入出力インターフェース装置を介して各種制御信号を上述した各構成要素に出力し、加工装置１００の制御を行う。

制御ユニット１８０は、記憶部１８１を含む。記憶部１８１は、撮像ユニット１３０が撮像した画像１３１（例えば、図５の画像１３１－１、図７の画像１３１－２、または図９の画像１３１－３）を記憶する。記憶部１８１は、画像１３１を撮像した撮像領域３０（例えば、図４から図９までを参照）のウエーハ１０における位置を記憶する。ウエーハ１０における位置は、例えば、ウエーハ１０の表面１２に設定されたマーカ等を基準とするＸＹ座標系に基づいて記憶される。

次に、実施形態に係るウエーハ１０の確認方法を説明する。図３は、実施形態に係るウエーハ１０の確認方法の流れを示すフローチャート図である。実施形態のウエーハ１０の確認方法は、保持ステップ１と、位置付けステップ２と、撮像ステップ３と、記憶ステップ４と、加工ステップ５と、を含む。

保持ステップ１は、ウエーハ１０の表面１２側を露出させた状態でウエーハ１０を保持するステップである。実施形態の保持ステップ１では、後述の図４に示すように、加工装置１００の保持テーブル１１０の保持面１１１に、テープ２１を介してウエーハ１０の裏面１５側を吸引保持する。なお、この際、フレーム２０をウエーハ１０の表面１２より下方に押し下げた状態でクランプ部１１２によって固定することによって、ウエーハ１０の表面１２は、保持テーブル１１０の保持面１１１に固定される。

なお、保持ステップ１において保持されるウエーハ１０は、実施形態において、デバイス１４が形成される領域の表面１２が膜１６で覆われている。膜１６の分割予定ライン１３に相当する領域は、保持ステップ１の前、または保持ステップ１の後かつ位置付けステップ２の前に、予め除去されているものとする。

位置付けステップ２は、ウエーハ１０に設定された分割予定ライン１３に撮像領域３０を位置付けるステップである。図４は、図３に示す位置付けステップ２で第一の撮像領域３０－１に位置付けた状態を示す側面図である。第一の撮像領域３０－１は、例えば、ウエーハ１０の分割予定ライン１３のうち、最初にレーザービーム１２１を照射する加工点の位置を含む撮像ユニット１３０のカメラ視野である。

位置付けステップ２では、加工送りユニット１４０および割り出し送りユニット１５０によって、ウエーハ１０を保持する保持テーブル１１０を撮像ユニット１３０の下方に位置する撮像位置まで移動させる。次に、撮像ユニット１３０でウエーハ１０を撮像することによって、分割予定ライン１３を検出する。分割予定ライン１３が検出されたら、ウエーハ１０の分割予定ライン１３のうち、最初にレーザービーム１２１を照射する加工点の位置を含む第一の撮像領域３０－１と撮像ユニット１３０との位置合わせを行うアライメントを遂行する。

撮像ステップ３は、ウエーハ１０の表面１２に設定された分割予定ライン１３を含む撮像領域３０を撮像するステップである。図５は、図４に示す第一の撮像領域３０－１において撮像した画像１３１－１の一例を示す図である。撮像ステップ３では、撮像ユニット１３０による撮像領域３０とウエーハ１０とを分割予定ライン１３に沿う方向と平行な方向に相対的に移動させながら、移動に伴って変化する撮像領域３０を周期的に撮像する。なお、分割予定ライン１３に沿う方向とは、実施形態において、加工送り方向であるＸ軸方向である。

記憶ステップ４は、撮像ステップ３で撮像した画像１３１のウエーハ１０における位置を記憶するステップである。より詳しくは、記憶ステップ４では、撮像ステップ３で撮像した画像１３１を記憶するとともに、画像１３１を撮像したウエーハ１０における位置の座標情報を、画像１３１に紐づけて記憶する。

加工ステップ５は、分割予定ライン１３に沿って加工点においてウエーハ１０に加工を施すステップである。図６は、図３に示す撮像ステップ３で第二の撮像領域３０－２を撮像しかつ加工ステップ５で第一の撮像領域３０－１を加工する状態を示す側面図である。実施形態の加工ステップ５では、ウエーハ１０に対して透過性を有する波長のレーザービーム１２１を分割予定ライン１３に沿って加工点に照射することにより、ウエーハ１０の内部に分割予定ライン１３に沿う改質層１７を形成する改質層形成加工を施す。

実施形態の加工ステップ５では、パルス状のレーザービーム１２１の集光点（加工点）をウエーハ１０の内部に位置付けて、ウエーハ１０の表面１２側からレーザービーム１２１を照射する。この際、加工ステップ５では、レーザービーム照射ユニット１２０に対して保持テーブル１１０を相対的に移動させることによって、レーザービーム１２１の加工点とウエーハ１０とを分割予定ライン１３に沿う方向と平行な方向に移動させながら、レーザービーム１２１を照射する。

レーザービーム１２１が照射される加工点は、撮像ステップ３において撮像された後の分割予定ライン１３上に位置する。また、ある時点において、加工点は、撮像ユニット１３０による撮像領域３０に対して一定距離の位置にある。すなわち、図６に示すように、撮像ユニット１３０が、第二の撮像領域３０－２を撮像した際、レーザービーム照射ユニット１２０は、第二の撮像領域３０－２より前に撮像された第一の撮像領域３０－１の分割予定ライン１３に対してレーザービーム１２１を照射している。

撮像された第二領域３０－２の画像１３１－２は、記憶部１８１によってウエーハ１０における位置の情報とともに記憶される。第一の撮像領域３０－１の分割予定ライン１３を加工した後、レーザービーム照射ユニット１２０は、第二の撮像領域３０－２の分割予定ライン１３に加工を施す。この際、撮像ユニット１３０は、第二の撮像領域３０－２より前方の分割予定ライン１３を含む撮像領域３０を撮像する。

このように、撮像ステップ３、記憶ステップ４、および加工ステップ５は、撮像領域３０とウエーハ１０との相対的な移動を開始してから、全ての分割予定ライン１３に沿って改質層１７が形成されて移動が終了するまで、繰り返し実行される。加工ステップ５は、分割予定ライン１３のある地点において、レーザービーム１２１の加工点と撮像領域３０との間の距離の分、撮像ステップ３および記憶ステップ４より遅れて実施される。

図７は、図６に示す第二の撮像領域３０－２において撮像した画像１３１－２の一例を示す図である。図７に示すように、第二の撮像領域３０－２で撮像された分割予定ライン１３には、デバイス１４を覆う膜１６がはみ出した部分１６－１がある。このように膜１６等の異物が分割予定ライン１３上に存在する場合、レーザービーム１２１を照射する際に不具合が起こる可能性がある。

実施形態では、第二の撮像領域３０－２を撮像した画像１３１－２を記憶部１８１が記憶しているため、加工が終了した後、加工直前の分割予定ライン１３を確認することができる。例えば、図７に示す一例の場合、加工直前の分割予定ライン１３に膜１６がはみ出した部分１６－１があることが確認できるため、加工装置１００起因の加工不良ではなく、前工程起因の加工不良であると判断することができる。

図８は、図３に示す加工ステップ５で第三の撮像領域３０－３を加工する状態を示す側面図である。図９は、図６に示す第三の撮像領域３０－３において撮像した画像の一例を示す図である。図９に示すように、第三の撮像領域３０－３で撮像された分割予定ライン１３には、ゴミ１３－１が付着している。このようにゴミ１３－１等の異物が分割予定ライン１３上に存在する場合、レーザービーム１２１を照射する際に不具合が起こる可能性がある。

実施形態では、第三の撮像領域３０－３を撮像した画像１３１－３を記憶部１８１が記憶しているため、加工が終了した後、加工直前の分割予定ライン１３を確認することができる。例えば、図９に示す一例の場合、加工直前の分割予定ライン１３にゴミ１３－１が付着していることが確認できるため、加工装置１００起因の加工不良ではなく、前工程起因の加工不良であると判断することができる。

以上説明したように、実施形態に係るウエーハ１０の確認方法は、加工される前の分割予定ライン１３を撮像し、撮像された直後の分割予定ライン１３を加工する。具体的には、加工点の位置は、分割予定ライン１３を撮像する撮像領域３０に対して加工送り方向に所定距離で一定に維持される。撮像された画像１３１は、撮像したウエーハ１０における位置の情報とともに記憶される。

これにより、ウエーハ１０に加工不良が生じた際に、不良が生じた箇所の加工前の分割予定ライン１３の様子を確認することが可能となるため、不良となる原因の切り分けに要する時間を削減できるという効果を奏する。例えば、制御ユニット１８０は、不良が生じた箇所の座標位置やライン数等を加工装置１００の入力部に入力すると、対応する画像１３１を記憶部１８１から呼び出して表示ユニット１７０の表示部に表示させる機能を有していてもよい。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、実施形態では、加工ステップ５において、ステルスダイシングによる改質層形成加工を行ったが、本発明では、アブレーションによる溝形成加工等を行ってもよい。また、加工装置１００は、実施形態のレーザー加工装置に限定されず、本発明では、例えば、切削装置であってもよい。

また、撮像ステップ３において撮像される撮像領域３０は、ウエーハ１０の分割予定ライン１３を全て含み一ライン分が繋がるように撮像されなくてもよく、所定間隔で間引いて撮像されてもよい。

１０ウエーハ
１２表面
１３分割予定ライン
１７改質層
３０、３０－１、３０－２、３０－３撮像領域
１２１レーザービーム
１３１、１３１－１、１３１－２、１３１－３画像

Claims

表面に複数の分割予定ラインが設定されたウエーハの確認方法であって、
該ウエーハの表面側を露出させた状態でウエーハを保持する保持ステップと、
ウエーハの表面に設定された該分割予定ラインに撮像領域を位置付ける位置付けステップと、
該撮像領域と該ウエーハとを該分割予定ラインに沿う方向と平行な方向に相対的に移動させながら、該分割予定ラインを含む該撮像領域を撮像する撮像ステップと、
該撮像ステップで撮像した画像の該ウエーハにおける位置を記憶する記憶ステップと、
を含み、
該撮像ステップにおいて撮像された後の該分割予定ライン上かつ撮像領域に対して該撮像ステップの該撮像領域と該ウエーハとの相対的な移動方向と同じ方向の一定距離の位置にある加工点と該ウエーハとを該分割予定ラインに沿う方向と平行な方向に相対的に移動させながら、該加工点を該撮像領域よりも該相対的な移動方向の一定距離後方に位置づけるとともに、該分割予定ラインに沿って該加工点において該ウエーハに加工を施す加工ステップを更に含むことを特徴とする、
ウエーハの確認方法。
該加工ステップでは、レーザービームを該分割予定ラインに沿って該加工点に照射することにより、該ウエーハに加工を施すことを特徴とする、
請求項１に記載のウエーハの確認方法。
該加工ステップでは、該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを該分割予定ラインに沿って該加工点に照射することにより、該ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿う改質層を形成することを特徴とする、
請求項２に記載のウエーハの確認方法。