JP7723556B2 - 温度調整装置および温度調整方法 - Google Patents

Description

本発明は、温度調整装置および温度調整方法に関する。

例えば、半導体基板（半導体ウェハ）等の基板に熱処理を行うために、熱処理装置が用いられる。熱処理装置では、基板の温度が予め設定された値に調整される。例えば特許文献１に記載された熱処理装置は、基板が載置される熱処理プレートを含む。熱処理プレートは、温度センサおよびヒータを含む。温度センサの検出信号に基づいてヒータが制御されることにより熱処理プレートの温度が設定温度に制御される。特許文献２には、複数の領域に分割された加熱プレートを有する基板熱処理装置が記載されている。この基板熱処理装置では、加熱プレートの領域ごとに個別に温度制御が行われる。

特開２０２０－１８１９４８号公報 特開２０１３－１６２０９７号公報

熱処理プレートの複数の領域の温度を個別に制御する場合には、各領域にヒータおよび温度センサが設けられる。この場合、各領域において温度センサの検出温度に基づいてヒータが制御される。通常、温度センサの検出温度と熱処理プレートの実際の温度との関係は領域ごとに異なる。そこで、熱処理装置の設置時に、別途用意された温度測定用基板を用いて熱処理プレートの上面の各領域の実際の温度が測定され、熱処理プレートの複数の領域の温度が均一になるように、各領域の温度センサの検出温度が補正される。ここで、温度測定用基板とは、複数の温度センサを備える基板である。

しかしながら、各領域の温度センサの経時変化、またはメンテナンス時におけるセンサの配線抵抗の変化等により、一部の領域において温度センサの検出温度と熱処理プレートの温度との間の関係が変化することがある。そのような場合、熱処理プレートの上面全体の温度が均一にならない。そこで、熱処理プレートの温度が均一であるか否かを定期的に確認する必要がある。

通常は、定期的に、温度測定用基板を用いて熱処理プレートの複数の領域の温度が測定される。しかし、温度測定用基板を用いて熱処理プレートの温度が均一であるか否かを定期的に確認する必要がある。

複数の領域に分割されていない熱処理プレートを有する熱処理装置においても、温度センサの経時変化、またはメンテナンス時におけるセンサの配線抵抗の変化等により、温度センサの検出温度と熱処理プレートの温度との間の関係が変化することがある。それにより、温度センサの検出温度と熱処理プレートの実際の温度とが異なることになる。そのため、温度測定用基板を用いて熱処理プレートの実際の温度と温度センサの検出温度との関係を定期的に確認する必要がある。

本発明の目的は、対象物の実際の温度と検出温度値との関係が適正であるか否かを短時間で容易に判定することが可能な温度調整装置および温度調整方法を提供することである。

（１）本発明の一局面に従う温度調整装置は、対象物の温度を調整する温度調整装置であって、対象物の温度を調整するように設けられる熱処理部と、電力操作量に基づいて熱処理部に電力を供給する電力供給回路と、対象物の温度を検出する温度センサと、温度センサの出力値を検出温度値に変換する変換部と、初期設定時に、変換部により得られる検出温度値が適正状態であるとした場合において電力供給回路に与えられるべき電力操作量を適正電力操作量として記憶する記憶部と、温度調整動作時に、温度センサに対応する検出温度値が目標温度値に一致するように電力操作量を制御し、検出温度ずれ判定時に、記憶部に記憶された適正電力操作量を電力供給回路に与える電力制御部と、検出温度ずれ判定時に、変換部により得られる検出温度値が不適正状態にあるか否かを判定する判定部とを備える。

その温度調整装置においては、初期設定時に、温度センサの出力値と検出温度値との関係が予め調整される。また、初期設定時に、適正状態の検出温度値を得るための電力操作量である適正電力操作量が記憶部に記憶される。

温度調整動作時には、検出温度値が目標温度値に一致するように電力操作量が制御される。初期設定後、温度センサの特性または配線抵抗が変化することにより、温度センサの出力値と検出温度値との関係が変化することがある。この場合、対象物の実際の温度と検出温度値との関係にずれが生じる。それにより、検出温度値が不適正状態になる。そこで、検出温度値が不適正状態にあるか否かを判定する必要がある。

上記の構成によれば、検出温度ずれ判定時おいて、初期設定時に記憶部に記憶された適正電力操作量が電力供給回路に与えられる。この場合、適正電力操作量に対応する電力が熱処理部に供給される。それにより、検出温度ずれ判定時の対象物の実際の温度が初期設定時の対象物の実際の温度と等しくなる。したがって、検出温度ずれ判定時の検出温度値が不適正状態にあるか否かを容易に判定することができる。その結果、対象物の実際の温度と検出温度値との関係が適正であるか否かを短時間で容易に判定することが可能になる。

（２）温度調整装置は、対象物としての基板が載置される処理面を有する熱処理プレートをさらに備え、熱処理プレートの処理面は、複数の領域を有し、熱処理部は、処理面の複数の領域にそれぞれ対応して複数設けられ、電力供給回路は、複数の領域に対応する複数の電力操作量に基づいて複数の熱処理部に電力をそれぞれ供給するように構成され、温度センサは、複数の領域にそれぞれ対応して複数設けられ、変換部は、複数の温度センサの出力値を複数の検出温度値にそれぞれ変換するように構成され、記憶部は、初期設定時に、複数の領域にそれぞれ対応する複数の適正電力操作量を記憶するように構成され、電力制御部は、温度調整動作時に、複数の温度センサにそれぞれ対応する複数の検出温度値が目標温度値に一致するように複数の電力操作量をそれぞれ制御し、検出温度ずれ判定時に、記憶部に記憶された複数の適正電力操作量を電力供給回路に与えるように構成され、判定部は、検出温度ずれ判定時に、変換部により得られる複数の検出温度値のうち少なくとも１つが不適正状態にあるか否かを判定するように構成されてもよい。

この場合、熱処理プレートの処理面が複数の領域を有し、複数の領域に対応して複数の熱処理部および複数の温度センサが設けられる。初期設定時に、複数の温度センサの出力値と複数の検出温度値との関係が予め調整される。また、初期設定時に、適正状態の複数の検出温度値を得るための電力操作量である複数の適正電力操作量が記憶部に記憶される。

温度調整動作時には、熱処理プレートの複数の領域にそれぞれ対応する複数の検出温度値が目標温度値に一致するように複数の電力操作量がそれぞれ制御される。検出温度ずれ判定時には、初期設定時に記憶部に記憶された複数の適正電力操作量が電力供給回路に与えられる。この場合、複数の適正電力操作量に対応する電力が熱処理プレートの複数の熱処理部にそれぞれ供給される。それにより、検出温度ずれ判定時の熱処理プレートの複数の領域の実際の温度が初期設定時の熱処理プレートの複数の領域の実際の温度と等しくなる。したがって、少なくとも１つの領域に対応する検出温度値が不適正状態にあるか否かを短時間で容易に判定することができる。

（３）温度調整装置においては、初期設定時に、熱処理プレートの複数の領域の実際の温度が等しい場合に、複数の領域にそれぞれ対応する複数の検出温度値が同一になるように複数の適正電力操作量が設定され、判定部は、検出温度ずれ判定時に、変換部により得られる最大の検出温度値と最小の検出温度値との差が予め定められた許容温度ずれ量よりも大きいか否かに基づいて、変換部により得られる複数の検出温度値のうち少なくとも１つが不適正状態にあるか否かを判定してもよい。

この場合、各領域の熱処理部に印加される電圧の時間的な変動により初期設定時と検出温度ずれ判定時とで各熱処理部に供給される電力が異なる場合でも、複数の検出温度値のうち少なくとも１つの検出温度値が不適正状態にあるか否かを判定することが可能となる。

（４）記憶部は、初期設定時に、電力供給回路に適正電力操作量が与えられた場合における適正状態の検出温度値を適正検出温度値として記憶し、判定部は、検出温度ずれ判定時には、各領域について、変換部により得られる複数の検出温度値の各々と対応する適正検出温度値とに基づいて、変換部により得られる検出温度値が不適正状態にあるか否かを判定してもよい。

この場合、各熱処理部に印加される電圧の変動がないかまたは小さい場合には、検出温度ずれ判定時には、検出温度ずれ判定時に各領域の熱処理部に供給される電力が初期設定時に各領域の熱処理部に供給される電力と等しい。そのため、検出温度ずれ判定時に得られる各領域の検出温度値を対応する適正検出温度値と比較することにより、各検出温度値が不適正状態にあるか否かを判定することが可能となる。それにより、いずれの領域に対応する検出温度値が不適正状態であるかを特定することが可能となる。

（５）温度調整装置は、電力供給回路により熱処理部に印加される電圧の値を取得する電圧値取得部と、変換部により得られた検出温度値を補正する補正部とをさらに備え、記憶部は、初期設定時に、電圧値取得部により取得された電圧の値を基準電圧値として記憶し、補正部は、熱処理部に印加される電圧の値と変換部により得られる検出温度値との関係に基づいて、検出温度ずれ判定時に変換部により得られた検出温度値を、記憶部に記憶された基準電圧値が熱処理部に印加された場合に得られることになる検出温度値に補正し、判定部は、補正部による補正後の検出温度値と記憶部に記憶された適正検出温度値とに基づいて、検出温度ずれ判定時に変換部により得られた検出温度値が不適正状態にあるか否かを判定してもよい。

この場合、検出温度ずれ判定時に印加される電圧の値が初期設定時に印加された基準電圧値と互いに異なっていても、検出温度ずれ判定時において得られた各領域の検出温度値が、電圧の値と検出温度値との関係に基づいて基準電圧値に対応するように補正される。したがって、検出温度ずれ判定時に各領域の補正された検出温度値を対応する適正検出温度値と比較することにより、各検出温度値が不適正状態にあるか否かを判定することが可能となる。それにより、各領域の熱処理部に印加される電圧が時間的に変動する場合でも、いずれの領域に対応する検出温度値が不適正状態であるかを特定することが可能となる。

（６）温度調整装置は、検出温度ずれ判定時に、判定部により変換部により得られた検出温度値が不適正状態にあると判定された場合、警報を発生する報知部をさらに備えてもよい。

この場合、使用者は、初期設定を再度行う必要性を即座に認識することができる。

（７）温度調整装置を用いて対象物の温度を調整する温度調整方法であって、
温度調整装置は、対象物の温度を調整するように設けられる熱処理部と、電力操作量に基づいて熱処理部に電力を供給する電力供給回路と、対象物の温度を検出する温度センサと、温度センサの出力値を検出温度値に変換する変換部とを備え、
温度調整方法は、初期設定時に、変換部により得られる検出温度値が適正状態であるとした場合において電力供給回路に与えられるべき電力操作量を適正電力操作量として記憶するステップと、温度調整動作時に、温度センサに対応する検出温度値が目標温度値に一致するように電力操作量を制御するステップと、検出温度ずれ判定時に、記憶された適正電力操作量を電力供給回路に与えるステップと、検出温度ずれ判定時に、変換部により得られる検出温度値が不適正状態にあるか否かを判定するステップとを含んでもよい。

その温度調整方法によれば、検出温度ずれ判定時おいて、初期設定時に記憶部に記憶された適正電力操作量が電力供給回路に与えられる。この場合、適正電力操作量に対応する電力が熱処理部に供給される。それにより、検出温度ずれ判定時の対象物の実際の温度が初期設定時の対象物の実際の温度と等しくなる。したがって、検出温度ずれ判定時の検出温度値が不適正状態にあるか否かを容易に判定することができる。その結果、対象物の実際の温度と検出温度値との関係が適正であるか否かを短時間で容易に判定することが可能になる。

本発明によれば、対象物の実際の温度と検出温度値との関係が適正であるか否かを短時間で容易に判定することが可能になる。

一実施の形態に係る熱処理装置の構成を示す模式的側面図である。 図１の熱処理プレートの模式的平面図である。 初期設定時の複数の領域の実温度、検出温度値および電力操作量の関係の一例を示す図である。 検出温度ずれ判定時の複数の領域の実温度、検出温度値および電力操作量の関係の一例を示す図である。 検出温度ずれ判定時の複数の領域の実温度、検出温度値および電力操作量の関係の他の例を示す図である。 各ヒータに印加される電圧の変化による検出温度値の変化の例を示す図である。 各ヒータに印加される電圧の変化による検出温度値の変化の例を示す図である。 各ヒータに印加される電圧の変化による検出温度値の変化の例を示す図である。 各ヒータに印加される電圧の変化による検出温度値の変化の例を示す図である。 各ヒータに印加される電圧の変化による検出温度値の変化の例を示す図である。 各ヒータに印加される電圧の変化による検出温度値の変化の例を示す図である。 各ヒータに印加される電圧の変化による検出温度値の変化の例を示す図である。 １つの領域について検出温度ずれが生じた場合における検出温度ずれ量と複数の領域の検出温度値の変化量との関係を示す図である。 １つの領域について検出温度ずれが生じた場合における検出温度ずれ量と複数の領域の検出温度値の変化量との関係を示す図である。 １つの領域について検出温度ずれが生じた場合における検出温度ずれ量と複数の領域の検出温度値の変化量との関係を示す図である。 各領域における検出温度ずれ量と各領域における検出温度値のばらつきとの関係を示す図である。 図１の制御部の機能的な構成を示すブロック図である。 図１７の制御部の制御動作の一例を示すフローチャートである。 ヒータに印加される電圧の変動による検出温度値の変化の例を示す図である。 図２０は、ヒータに印加される電圧と検出温度値との相関を示す図である。 他の実施の形態に係る熱処理装置の制御部の機能的な構成を示すブロック図である。 さらに他の実施の形態に係る熱処理装置の制御部の機能的な構成を示すブロック図である。

以下、本発明の一実施の形態に係る温度調整装置および温度調整方法について図面を参照しながら詳細に説明する。以下の説明においては、温度調整装置の一例として基板に加熱処理を行う熱処理装置を説明する。この場合、基板が温度調整の対象物である。なお、基板とは、半導体基板（半導体ウェハ）、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。

（１）熱処理装置の構成
図１は、一実施の形態に係る熱処理装置の構成を示す模式的側面図である。図２は、図１の熱処理プレートの模式的平面図である。図１に示すように、熱処理装置１００は、熱処理プレート１０、温度センサ群２０、ヒータ群３０、制御部４０、表示部５０および電源回路ＰＧを備える。本実施の形態では、熱処理装置１００は、加熱装置であり、熱処理プレート１０は加熱プレートである。

熱処理プレート１０は、扁平な円柱形状を有する金属製の伝熱プレートであり、平坦な上面を有する。熱処理プレート１０の上面は、加熱処理の対象となる基板Ｗが載置可能に構成される。熱処理プレート１０の上面には、基板Ｗの下面を支持する複数のプロキシミティボール等が設けられている。本実施の形態では、熱処理プレート１０の上面が処理面である。図１では、熱処理プレート１０上に載置される基板Ｗが一点鎖線で示される。

熱処理プレート１０内には、温度センサ群２０およびヒータ群３０が設けられている。温度センサ群２０は、図２に示される複数の温度センサＳｅを含む。ヒータ群３０は、図２に示される複数のヒータＨｅを含む。ヒータＨｅは、例えばマイカヒータまたはペルチェ素子等で構成される。

制御部４０は、温度センサ群２０により検出された温度に基づいてヒータ群３０を制御する。具体的には、制御部４０は、温度センサ群２０により検出された温度に基づいて電源回路ＰＧから供給される電圧をヒータ群３０に印加する。ここで、制御部４０においては、各領域のヒータＨｅに供給される電力をＰＩＤ（比例－積分－微分）制御するために、後述する検出温度値と予め設定された温度（以下、目標温度値と呼ぶ。）との差に基づいて電力操作量が制御される。本実施の形態では、電力操作量はデューティ比である。

それにより、熱処理プレート１０の処理面の温度が目標温度値で保持される。この状態で、基板Ｗに熱処理が行われる。以下、この動作を温度調整動作と呼ぶ。制御部４０は、例えば、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）および記憶装置等を含む。表示部５０は、例えば、液晶表示装置または有機エレクトロルミネッセンス表示装置を含み、種々の画像等を表示するために用いられる。

図２に示すように、熱処理プレート１０は、平面視において複数の領域Ｚ１～Ｚ６にそれぞれ区分される。領域Ｚ１は熱処理プレート１０の中央部に円形状に配置される。領域Ｚ２は領域Ｚ１を取り囲むように環状に配置される。領域Ｚ３～Ｚ６は、領域Ｚ２を取り囲むようにそれぞれ部分円環状に配置される。

複数の領域Ｚ１～Ｚ６の各々には、複数の温度センサＳｅおよびヒータＨｅがそれぞれ設けられる。複数の領域Ｚ１～Ｚ６に設けられた複数の温度センサＳｅが図１の温度センサ群２０を構成する。また、複数の領域Ｚ１～Ｚ６に設けられた複数のヒータＨｅが図１のヒータ群３０を構成する。本実施の形態では、熱処理プレート１０の処理面の温度が目標温度値に等しくなるように複数のヒータＨｅが制御される。以下、熱処理プレート１０の処理面の実際の温度を実温度と呼ぶ。

複数の領域Ｚ１～Ｚ６の温度センサＳｅの出力値は、それぞれ温度値に変換される。各温度センサＳｅの出力値は、例えば電圧値である。各温度センサＳｅの出力値と温度値との関係は既知である。各温度センサＳｅの出力値は、温度値に比例していてもよく、比例していなくてもよい。後述する温度換算部４２０（図１７参照）により得られた各領域の温度値を検出温度値と呼ぶ。本実施の形態では、領域Ｚ１～Ｚ６の各々における複数の温度センサＳｅの出力値に対応する複数の温度値の平均値が当該領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値として用いられる。本実施の形態では、制御部４０は、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の各々において、検出温度値が目標温度値と等しくなるように、各領域におけるヒータＨｅに供給される電力をデューティ制御する。

熱処理プレート１０の領域Ｚ１～Ｚ６の各々において、熱処理プレート１０の処理面の実温度と、熱処理プレート１０内の温度センサＳｅが配置されている部分の温度とは等しいとは限らない。また、熱処理プレート１０の複数の領域Ｚ１～Ｚ６の処理面の実温度が同一であっても、熱処理プレート１０内で複数の領域Ｚ１～Ｚ６の温度センサＳｅが配置されている部分の温度が同一であるとは限らない。さらに、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の温度センサＳｅの特性が同じであるとは限らない。そのため、熱処理プレート１０の複数の領域Ｚ１～Ｚ６の処理面の実温度が同一であっても、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の温度センサＳｅの出力値はそれぞれ異なる場合がある。換言すれば、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の温度センサＳｅの出力値が同一であっても、熱処理プレート１０の複数の領域Ｚ１～Ｚ６の処理面の実温度が同一であるとは限らない。

そこで、各温度センサＳｅの出力値を検出温度値に変換する際に、各温度センサＳｅの出力値と検出温度値との関係が温度センサＳｅごとに調整される。例えば、温度センサＳｅの出力値が温度値と比例する場合、温度センサＳｅの出力値Ｖｓ［ｍＶ］を検出温度値Ｔｄ［℃］に変換するための変換式をＴｄ＝ｋＶｓ＋ＯＦとする。ｋは変換係数であり、ＯＦはオフセット値である。

上記のように、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の処理面の実温度が同一であるにもかかわらず、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の温度センサＳｅの出力値が異なる場合がある。このような場合、熱処理プレート１０の複数の領域Ｚ１～Ｚ６の処理面の実温度が同一であるときに複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値が同一になるように各温度センサＳｅの出力値を検出温度値に変換するときのオフセット値ＯＦが予めそれぞれ調整される。それにより、熱処理プレート１０の処理面の実温度が均一である場合には、複数の領域Ｚ１～Ｚ６に対応する検出温度値が同一となる。

以下、熱処理プレート１０の複数の領域Ｚ１～Ｚ６の処理面の実温度が等しくなるように各領域についての電力操作量を設定するとともに、各領域の処理面の実温度と検出温度値とが等しくなるように各領域についてのオフセット値ＯＦを調整することを初期設定と呼ぶ。本実施の形態において、初期設定は、熱処理装置１００の製造時または据え付け時等に温度測定用基板（以下、温測ウェハと呼ぶ。）を用いて行われる。初期設定直後には、各領域における検出温度値は、熱処理プレート１０の処理面の実温度に相当する。以下、初期設定直後の各領域における検出温度値を適正状態温度値と呼ぶ。

しかしながら、各領域の温度センサＳｅの経時変化、またはメンテナンス時における温度センサＳｅの配線抵抗の変化等により、いずれかの領域の温度センサＳｅの出力値と検出温度値との関係が変化することがある。それにより、当該領域の検出温度値が適正状態温度値からずれることになる。以下、各領域における適正状態温度値からの検出温度値のずれ量（検出温度値と適正状態温度値との差）を検出温度ずれ量と呼ぶ。

検出温度ずれ量が予め定められた温度ずれ許容範囲を超える場合、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値が等しくなるように複数のヒータＨｅが制御されても複数の領域Ｚ１～Ｚ６のうち一部の領域の処理面の実温度が他の領域の処理面の実温度と異なることがある。その場合、熱処理プレート１０の処理面の実温度が不均一となる。本実施の形態では、以下に説明するように、いずれかの領域において検出温度値に許容できないずれが生じているか否かを判定するための検出温度ずれ判定を行うことが可能である。

（２）初期設定および検出温度ずれ判定
ここで、熱処理装置１００の初期設定および検出温度ずれ判定の一例について説明する。図３は、初期設定時の複数の領域の実温度、検出温度値および電力操作量の関係の一例を示す図である。図３の縦軸は、温度および電力操作量を示し、横軸は領域Ｚ１～Ｚ６を示す。

図３に示すように、初期設定時においては、温測ウェハにより検出される領域Ｚ１～Ｚ６の実温度Ｒｔ１～Ｒｔ６が一定の温度値（以下、設定温度値Ｔｔ０と呼ぶ。）に一致するように領域Ｚ１～Ｚ６の電力操作量がそれぞれ設定される。以下、設定された電力操作量を適正電力操作量Ｐ１～Ｐ６と呼ぶ。また、初期設定時においては、領域Ｚ１～Ｚ６における検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６が熱処理プレート１０の処理面の実温度Ｒｔ１～Ｒｔ６に一致するように各領域のオフセット値ＯＦが調整される。図３の検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６は適正状態温度値である。

なお、図２に示すように、熱処理プレート１０内の領域Ｚ３～Ｚ６は、領域Ｚ１および領域Ｚ２を取り囲むように均等に配置される。したがって、領域Ｚ３～Ｚ６の電力操作量は、ほぼ同一または近似している。また、領域Ｚ２においては、領域Ｚ１および領域Ｚ３～Ｚ６に隣接している。この場合、隣接する領域Ｚ１，Ｚ３～Ｚ６の温度の影響により、領域Ｚ２の適正電力操作量Ｐ２は、他の適正電力操作量Ｐ１，Ｐ３～Ｐ６より低い。本例では、領域Ｚ１の適正電力操作量Ｐ１は、他の適正電力操作量Ｐ２～Ｐ６より高い。

上記のように、各領域の温度センサＳｅの経時変化、またはメンテナンス時における温度センサＳｅの配線抵抗の変化等により、いずれかの領域の温度センサＳｅの出力値と検出温度値との関係が変化することがある。この場合、実温度Ｒｔ１～Ｒｔ６と検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６との関係が変化する。本例では、検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６が実温度Ｒｔ１～Ｒｔ６からずれる。そこで、本実施の形態の熱処理装置１００においては、検出温度ずれ判定が行われる。

図４は、検出温度ずれ判定時の複数の領域の実温度、検出温度値および電力操作量の関係の一例を示す図である。図５は、検出温度ずれ判定時の複数の領域の実温度、検出温度値および電力操作量の関係の他の例を示す図である。図４および図５の縦軸は、温度および電力操作量を示し、横軸は、領域Ｚ１～Ｚ６を示す。なお、検出温度ずれ判定時には、温度測定用基板は用いられない。そのため、図４の実温度Ｒｔ１～Ｒｔ６は検出されない。

例えば、半導体工場等で電源回路から供給される電圧は、±１０％程度変動することがある。したがって、検出温度ずれ判定時において、電源回路ＰＧから供給される電圧が変動することがある。この場合、複数の領域Ｚ１～Ｚ６のヒータＨｅに印加される電圧が変動する。それにより、初期設定時に各領域のヒータＨｅに印加される電圧と検出温度ずれ判定時に各領域のヒータＨｅに印加される電圧とが異なることがある。

したがって、図４および図５に示すように、検出温度ずれ判定時において、初期設定時と同じ適正電力操作量Ｐ１～Ｐ６が与えられても、実温度Ｒｔ１～Ｒｔ６が設定温度値Ｔｔ０から温度値Ｔｔ１にずれることがある。それにより、検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６が実温度Ｒｔ１～Ｒｔ６と同様にずれる。図４および図５の例では、設定温度値Ｔｔ０から温度値Ｔｔ１へのずれはΔＤｔである。

図４の例では、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６に僅かなばらつきがある。図４における検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６のばらつきは、温度ずれ許容範囲内にある。一方、図５の例では、領域Ｚ３の検出温度値Ｄｔ３と領域Ｚ４の検出温度値Ｄｔ４との間に大きなばらつきがある。図５における領域Ｚ３の検出温度値Ｄｔ３と領域Ｚ４の検出温度値Ｄｔ４との間のばらつきは許容できない。本例では、検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６のうち最大の検出温度値Ｄｔ３と最小の検出温度値Ｄｔ４との差はΔＲである。本実施の形態において、複数の検出温度値のばらつきとは、最大の検出温度値と最小の検出温度値との差である。

本実施の形態では、初期設定時に、複数の適正電力操作量Ｐ１～Ｐ６が記憶され、検出温度ずれ判定時に、記憶された複数の適正電力操作量Ｐ１～Ｐ６が設定される。この状態で、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６のばらつきが予め定められた許容温度ずれ量よりも大きいか否かが判定される。複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値のばらつきが許容温度ずれ量以下である場合には、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値が適正状態であると判定される。複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値のばらつきが許容温度ずれ量よりも大きい場合には、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値のうち少なくとも１つが不適正状態であると判定される。 ここで、各ヒータＨｅに印加される電圧の変動による検出温度値の変動について説明する。図６～図１２は、各ヒータＨｅに印加される電圧の変化による検出温度値の変化の例を示す図である。図６～図１２の左の縦軸は検出温度値を示し、右の縦軸は電力操作量を示す。図６～図１２の横軸は時間を示す。

図６～図１２の例において、複数の領域Ｚ１～Ｚ６には、それぞれ一定の適正電力操作量Ｐ１～Ｐ６が設定されている。この状態で、電源回路ＰＧから各ヒータＨｅに印加される電圧が変動すると、各ヒータＨｅに供給される電力が変動する。それにより、適正電力操作量Ｐ１～Ｐ６がそれぞれ変化しなくても、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６は変動する。

図６には、全ての領域Ｚ１～Ｚ６に検出温度ずれが生じていない場合の複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６の時間的変化が示される。図６の例では、検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６がほぼ同一の形態で変化している。

図７および図８には、領域Ｚ１についてそれぞれ＋０．５［ｄｅｇ］および－０．５［ｄｅｇ］の検出温度ずれが生じた場合における複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６の時間的変化が示される。図７および図８の検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６は、領域Ｚ１に設定されたオフセット値ＯＦを意図的にそれぞれ＋０．５［ｄｅｇ］および－０．５［ｄｅｇ］変更することにより得られる。

図７の例では、領域Ｚ１の検出温度値Ｄｔ１は、他の領域Ｚ２～Ｚ６の検出温度値Ｄｔ２～Ｄｔ６よりも０．５［ｄｅｇ］高い状態を保ちつつ変化する。図８の例では、領域Ｚ１の検出温度値Ｄｔ１は、他の領域Ｚ２～Ｚ６の検出温度値Ｄｔ２～Ｄｔ６よりも０．５［ｄｅｇ］低い状態を保ちつつ変化する。

図９および図１０には、領域Ｚ２についてそれぞれ＋０．５［ｄｅｇ］および－０．５［ｄｅｇ］の検出温度ずれが生じた場合における複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６の時間的変化が示される。図１１および図１２には、領域Ｚ３についてそれぞれ＋０．５［ｄｅｇ］および－０．５［ｄｅｇ］の検出温度ずれが生じた場合における複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６の時間的変化が示される。

このように、検出温度ずれが生じている領域における検出温度値は、検出温度ずれが生じていない領域における検出温度値から乖離している。したがって、各領域の温度センサＳｅに印加される電圧が変動する場合でも、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６のばらつきに基づいて複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値Ｄｔ１～Ｄｔ６のうち少なくとも１つが不適正状態であるか否かを判定することができる。

図１３～図１５は、１つの領域について検出温度ずれが生じた場合における検出温度ずれ量と複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値の変化量との関係を示す図である。図１３～図１５において、縦軸は複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値の変化量を示し、横軸は１つの領域の検出温度ずれ量を示す。

図１３には、領域Ｚ１について検出温度ずれが生じた場合が示される。図１４には、領域Ｚ２について検出温度ずれが生じた場合が示される。図１５には、領域Ｚ３について検出温度ずれが生じた場合が示される。図１３～図１５の関係は、領域Ｚ１～Ｚ３に設定されたオフセット値ＯＦを－０．５［ｄｅｇ］から＋０．５［ｄｅｇ］まで変化させることにより得られる。

本実施の形態では、検出温度ずれ判定時に、複数の領域Ｚ１～Ｚ６に初期設定時と同じ適正電力操作量Ｐ１～Ｐ６が設定される。それにより、熱処理プレート１０の複数の領域Ｚ１～Ｚ６の処理面の実温度は均一になる。そのため、各領域の処理面の実温度が他の領域の処理面の実温度からの影響を受けない。したがって、一部の領域について検出温度ずれが生じた場合でも、全ての領域Ｚ１～Ｚ６の実温度が等しくなる。仮に、一部の領域の実温度が他の領域の実温度と異なると、一部の領域の実温度が他の領域の実温度に影響を与える。それにより、各領域の検出温度値が他の領域の実温度の影響により変化することになる。これに対して、本実施の形態では、検出温度ずれ判定時に、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の実温度が等しい状態で複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値が得られる。

図１３の例では、実線で示すように、領域Ｚ１について検出温度ずれが生じた場合でも、他の領域Ｚ２～Ｚ６の検出温度値は変化しない。同様に、図１４の例では、破線で示すように、領域Ｚ２について検出温度ずれが生じた場合でも、他の領域Ｚ１，Ｚ３～Ｚ６の検出温度値は変化しない。また、図１５の例では、太い破線で示すように、領域Ｚ３について検出温度ずれが生じた場合でも、他の領域Ｚ１，Ｚ２，Ｚ４～Ｚ６の検出温度値は変化しない。

図１６は、各領域における検出温度ずれ量と各領域における検出温度値のばらつきとの関係を示す図である。図１６の縦軸は検出温度値のばらつきを示し、横軸は各領域における検出温度ずれ量を示す。検出温度値のばらつきは、各領域についての検出温度ずれ量の絶対値にほぼ比例している。したがって、検出温度値のばらつきにしきい値として許容温度ずれ量を設定することにより、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値のいずれかが不適正状態であるか否かを判定することが可能である。以下、この動作を検出温度ずれ判定動作と呼ぶ。

（３）制御部４０の機能的な構成
図１７は、図１の制御部４０の機能的な構成を示すブロック図である。図１７に示すように、制御部４０は、ヒータ制御部４１０、温度換算部４２０、検出温度値取得部４３０、記憶部４４０、検出温度ずれ量算出部４５０、判定部４６０、表示制御部４７０および動作開始指示部４８０を含む。ヒータ制御部４１０は、電力制御部４１１および電力供給回路４１２を含む。

本実施の形態では、制御部４０に含まれるＲＯＭまたは記憶装置に制御プログラムが記憶される。制御プログラムは、初期設定時の動作を制御するための初期設定プログラム、温度調整動作を制御するための温度制御プログラム、および検出温度ずれ判定動作を制御するための検出温度ずれ判定プログラム等を含む。制御部４０の電力供給回路４１２を除く各構成要素（４１１，４２０～４８０）は、ＲＯＭまたは記憶装置に記憶される制御プログラム等のコンピュータプログラムをＲＡＭ上で実行することにより実現される。制御部４０の構成要素（４１１，４２０～４８０）の一部または全てが電子回路等のハードウェアにより構成されてもよい。

電力制御部４１１は、電力供給回路４１２に各領域の電力操作量を与える。本実施の形態において、電力供給回路４１２は、電源回路ＰＧから供給される電圧を各領域のヒータＨｅに印加する。電力供給回路４１２は、電力制御部４１１から与えられる電力操作量に基づいてヒータＨｅに供給する電力をデューティ制御する。それにより、各領域のヒータＨｅに供給される電力が制御される。温度調整動作時には、電力制御部４１１は、後述する検出温度値取得部４３０により取得された各領域の検出温度値が目標温度値と等しくなるように、ＰＩＤ制御における電力操作量を調整する。

温度換算部４２０は、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の温度センサＳｅの出力値と検出温度値との関係をテーブルの形式でまたは関数として保持している。温度換算部４２０は、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の温度センサＳｅの出力値と検出温度値との関係に基づいて、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の温度センサＳｅの出力値をそれぞれ検出温度値に変換する。

検出温度値取得部４３０は、温度換算部４２０により得られた複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値を取得する。電力制御部４１１は、温度調整動作時に、検出温度値取得部４３０により取得された複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値が目標温度値と等しくなるように、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の電力操作量をそれぞれ制御する。電力制御部４１１は、検出温度ずれ判定動作時に、後述する初期設定時に記憶された複数の領域Ｚ１～Ｚ６の適正電力操作量を電力供給回路４１２に与える。

記憶部４４０は、初期設定時に得られた適正電力操作量を記憶するとともに、初期設定時に検出温度値取得部４３０により取得された検出温度値を適正状態温度値として記憶する。なお、本実施の形態では、記憶部４４０が初期設定時に取得された適正状態温度値を記憶しないでもよい。検出温度ずれ量算出部４５０は、検出温度ずれ判定時に、検出温度値取得部４３０により取得された領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値のばらつきを算出する。

判定部４６０は、領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値のばらつきが予め定められた許容温度ずれ量よりも大きいか否かを判定する。表示制御部４７０は、判定部４６０により領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値のばらつきが予め定められた許容温度ずれ量よりも大きいと判定された場合、表示部５０に警告を表示させる。動作開始指示部４８０は、初期設定時の動作、温度調整動作および検出温度ずれ判定動作の開始を電力制御部４１１に指示する。

（４）検出温度ずれ判定動作
以下、制御部４０の制御動作の一例を説明する。図１８は、図１７の制御部４０の制御動作の一例を示すフローチャートである。まず、動作開始指示部４８０は、作業者の操作または外部からの指令信号に基づいて、電力制御部４１１に初期設定動作の開始を指示する。それにより、電力制御部４１１は、初期設定動作を開始する（ステップＳ１）。初期設定により複数の領域Ｚ１～Ｚ６の適正電力操作量が設定される。また、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の適正状態温度値が得られる。記憶部４４０は、初期設定時に設定された適正電力操作量および初期設定時に検出温度値取得部４３０により取得された検出温度値を記憶する（ステップＳ２）。

初期設定後、動作開始指示部４８０は、使用者の操作または外部からの指令信号に基づいて、電力制御部４１１に温度調整動作の開始を指示する。それにより、電力制御部４１１は、温度調整動作を行う（ステップＳ３）。

その後、動作開始指示部４８０は、使用者の操作または外部からの指令信号に基づいて、検出温度ずれ判定動作の開始が指示されたか否かを判定する（ステップＳ４）。温度ずれ判定動作の開始が指示されていない場合、使用者の操作または外部からの指令信号に基づいて、ステップＳ３の温度調整動作が行われる。

ステップＳ４で検出温度ずれ判定動作の開始が指示された場合、電力制御部４１１は、記憶部４４０に記憶された初期設定時の領域Ｚ１～Ｚ６の適正電力操作量をそれぞれ取得する（ステップＳ５）。電力制御部４１１は、取得した領域Ｚ１～Ｚ６の適正電力操作量を電力供給回路４１２に与える（ステップＳ６）。それにより、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の適正電力操作量に基づく電力が電力供給回路４１２によりそれぞれ複数の領域Ｚ１～Ｚ６のヒータＨｅに供給される。このとき、温度換算部４２０は、領域Ｚ１～Ｚ６の温度センサＳｅの出力値を検出温度値に変換する。検出温度値取得部４３０は、温度換算部４２０により得られた複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値を取得する（ステップＳ７）。

検出温度ずれ量算出部４５０は、検出温度値取得部４３０により取得された領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値から検出温度値のばらつきを算出する（ステップＳ８）。本実施の形態では、最大の検出温度値と最小の検出温度値との差が複数の検出温度値のばらつきとして算出される。

判定部４６０は、検出温度ずれ量算出部４５０により算出された検出温度値のばらつきが予め定められた許容温度ずれ量よりも大きいか否かを判定する（ステップＳ９）。検出温度値のばらつきが許容温度ずれ量以下である場合、判定部４６０は、ステップＳ３に戻る。検出温度値のばらつきが許容温度ずれ量よりも大きい場合、表示制御部４７０は、警告を表示部５０に表示させる（ステップＳ１０）。この場合、使用者は、温測ウェハを用いて初期設定を行う。

（５）実施の形態の効果
本実施の形態に係る熱処理装置１００において、検出温度ずれ判定時には、初期設定時に記憶部４４０に記憶された複数の適正電力操作量が電力供給回路４１２に与えられる。この場合、複数の適正電力操作量に対応する電力が熱処理プレートの複数のヒータＨｅにそれぞれ供給される。それにより、検出温度ずれ判定時の熱処理プレート１０の領域Ｚ１～Ｚ６の実温度が初期設定時の熱処理プレート１０の領域Ｚ１～Ｚ６の実温度と等しくなる。したがって、領域Ｚ１～Ｚ６のうち、少なくとも１つの領域に対応する検出温度値が不適正状態にあるか否かを短時間で容易に判定することができる。

本実施の形態における検出温度ずれ判定動作によれば、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値が適正状態にある場合には、温測ウェハを用いたオフセット値の再調整は不要である。使用者は、少なくとも１つの領域に対応する検出温度値が不適正状態にある場合にのみ、温測ウェハを用いたオフセット値の再調整を行う。したがって、使用者は、温測ウェハを用いたオフセット値の調整を定期的に行う必要がなくなる。

また、判定部４６０は、検出温度ずれ判定時に、温度換算部４２０により得られる最大の検出温度値と最小の検出温度値との差が予め定められた許容温度ずれ量よりも大きいか否かに基づいて少なくとも１つの領域に対応する検出温度値が不適正状態にあるか否かを判定する。それにより、各領域のヒータＨｅに印加される電圧の時間的な変動により初期設定時と検出温度ずれ判定時とで領域Ｚ１～Ｚ６の各ヒータＨｅに供給される電力が異なる場合でも、複数の検出温度値のうち少なくとも１つの検出温度値が不適正状態にあるか否かを判定することが可能となる。

さらに、検出温度値のばらつきが許容温度ずれ量よりも大きい場合、警告が表示部５０に表示される。したがって、使用者は、初期設定を再度行う必要性を即座に認識することができる。

（６）他の実施の形態
（６－ａ）上記実施の形態の検出温度ずれ判定動作においては、領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値のばらつきに基づいていずれかの検出温度値が不適正状態であるか否かが判定されるが、本発明はこれに限定されない。

図１９は、ヒータＨｅに印加される電圧の変動による検出温度値の変化の例を示す図である。図２０は、ヒータＨｅに印加される電圧と検出温度値との相関を示す図である。図１９の左の縦軸は検出温度値を示し、右の縦軸は電圧を示し、横軸は時間を示す。ヒータＨｅに印加される電圧が変動すると、熱処理プレート１０の実温度が変動する。そのため、図１９に示すように、ヒータＨｅに印加される電圧の変動に基づいて検出温度値が変動する。

図２０の縦軸は検出温度値であり、横軸はヒータＨｅに印加される電圧の二乗の値である。例えば初期設定時において、変動する電圧および検出温度値が取得され、図２０に示すように、各電圧の二乗と検出温度値とで定まる複数の点ＶＤＰがそれぞれプロットされる。図２０の例では、プロットされた点ＶＤＰにより決定計数（Ｒ²）が算出され、算出された決定計数（Ｒ²）を用いて回帰直線ＲＬが算出される。以下、回帰直線ＲＬにより表される関数をデータベース関数と呼ぶ。

ここで、ヒータＨｅに印加される電圧が変動する場合、初期設定時にヒータＨｅに印加される電圧の値（以下、基準電圧値と呼ぶ。）と検出温度ずれ判定時にヒータＨｅに印加される電圧の値とが互いに異なることがある。そのため、検出温度ずれが生じていなくても、初期設定時の検出温度値（適正状態温度値）と検出温度ずれ判定時の検出温度値とが異なる。上記の実施の形態では、検出温度ずれ判定時に得られる複数の検出温度値のばらつきに基づいて少なくとも１つの検出温度値が不適正状態にあるか否かが判定される。しかしながら、領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度ずれ判定時の検出温度値のうち不適正状態にある検出温度値を特定することが困難となる。

そこで、他の実施の形態では、上記のデータベース関数が予め算出され、検出温度ずれ判定時に各領域のヒータＨｅに印加される電圧の値とデータベース関数とに基づいて、検出温度ずれ判定時の各領域の検出温度値が基準電圧値の印加時に得られることになる検出温度値に補正される。それにより、各領域について、適正状態温度値と補正された検出温度値とに基づいて、検出温度ずれ判定の検出温度値が不適正状態であるか否かを判定することが可能となる。この場合、各領域について適正状態温度値と補正された検出温度値との差の絶対値が予め定められた許容値以下である場合には、当該領域の検出温度値が適正状態であると判定される。また、各領域について適正状態温度値と補正された検出温度値との差の絶対値が予め定められた許容値より大きい場合には、当該領域の検出温度値が不適正状態であると判定される。

図２１は、他の実施の形態に係る熱処理装置１００の制御部４０の機能的な構成を示すブロック図である。図２１の制御部４０の構成が図１７の制御部４０の構成と異なるのは以下の点である。図２１の制御部４０は、検出温度値補正部４９０をさらに含む。図２１の制御部４０のヒータ制御部４１０は、電圧値取得部４１３をさらに含む。電圧値取得部４１３は、初期設定時および検出温度ずれ判定時に、電力供給回路４１２により各ヒータＨｅに印加される電圧の値を取得する。

記憶部４４０は、初期設定時に電圧値取得部４１３により取得された電圧の値を基準電圧値として記憶するとともに、初期設定時に得られた複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値を適正状態温度値として記憶する。

検出温度値補正部４９０は、記憶部４４０に記憶された基準電圧値および適正状態温度値に基づいてデータベース関数を算出する。また、検出温度値補正部４９０は、検出温度ずれ判定時に、電圧値取得部４１３により取得された電圧およびデータベース関数に基づいて、領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値を基準電圧値の印加時に得られることになる検出温度値にそれぞれ補正する。

判定部４６０は、各領域について適正状態温度値と補正された検出温度値との差の絶対値が予め定められた許容値より大きいか否かを判定する。少なくとも１つの領域についての適正状態温度値と補正された検出温度値との差の絶対値が許容値より大きい場合、判定部４６０は、当該領域の検出温度値が不適正状態であると判定する。この場合、表示制御部４７０は、少なくとも１つの検出温度値が不適正状態であることを示す警告を表示部５０に表示させる。また、表示制御部４７０は、不適正状態である検出温度値および領域を特定する情報を表示部５０に表示させる。

このように、検出温度ずれ判定時に印加される電圧の値が初期設定時に印加された基準電圧値と異なっていても、検出温度ずれ判定時において得られた領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値が、電圧の値と検出温度値との関係（データベース関数）に基づいて基準電圧値に対応するように補正される。したがって、検出温度ずれ判定時に領域Ｚ１～Ｚ６の補正された検出温度値を対応する適正検出温度値と比較することにより、各検出温度値が不適正状態にあるか否かを判定することが可能となる。それにより、領域Ｚ１～Ｚ６のヒータＨｅに印加される電圧が時間的に変動する場合でも、いずれの領域に対応する検出温度値が不適正状態であるかを特定することが可能となる。

（６－ｂ）図２２は、さらに他の実施の形態に係る熱処理装置１００の制御部４０の機能的な構成を示すブロック図である。図２２の制御部４０では、電源回路ＰＧから供給される電圧を一定電圧として出力する定電圧回路ＬＶが設けられる。この場合、電源回路ＰＧから供給される電圧が変動する場合でも、定電圧回路ＬＶにより電力供給回路４１２に一定の電圧が供給されるので、複数のヒータＨｅに一定の電圧が印加される。そのため、検出温度ずれ判定時に得られる領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値を対応する適正検出温度値と比較することにより、各検出温度値が不適正状態にあるか否かを判定することが可能となる。それにより、いずれの領域に対応する検出温度値が不適正状態であるかを特定することが可能となる。

（６－ｃ）上記実施の形態において、熱処理プレート１０が平面視において複数の領域Ｚ１～Ｚ６にそれぞれ区分され、領域Ｚ１～Ｚ６の各々には、複数の温度センサＳｅおよびヒータＨｅがそれぞれ設けられるが、本発明は、これに限定されない。熱処理プレート１０に単一の領域が設けられてもよく、単一の領域に温度センサＳｅおよびヒータＨｅが設けられてもよい。この場合、例えば、初期設定時の適正状態にある検出温度値と検出温度ずれ判定時の検出温度値とに基づいて単一の領域の検出温度値が不適正状態であるか否かが判定されてもよい。

（６－ｄ）上記実施の形態において、表示制御部４７０は、判定部４６０の判定結果に基づいて領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値のいずれかが不適正状態であることを示す警告を表示部５０に表示させるが、本発明はこれに限定されない。いずれかの検出温度値が不適正状態であることを示す警告は、ランプ等の点灯により使用者に報知されてもよく、または警告が音声により使用者に報知されてもよい。

（６－ｅ）上記実施の形態の検出温度ずれ判定動作においては、領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値のばらつきが予め定められた許容温度ずれ量よりも大きいか否かを判定することにより、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値のいずれかが不適正状態であるか否かが判定されるが、本発明はこれに限定されない。各ヒータＨｅに印加される電圧の変動が小さいかまたは電圧が変動しない場合には、領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値と領域Ｚ１～Ｚ６の適正検出温度値とに基づいて複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値のいずれかが不適正状態であるか否かが判定されてもよい。例えば、領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値と領域Ｚ１～Ｚ６の適正検出温度値とのそれぞれの差が予め定められた許容値より大きいか否かにより、複数の領域Ｚ１～Ｚ６の検出温度値のいずれかが不適正状態であるか否かが判定されてもよい。

（６－ｆ）上記実施の形態において、温度調整装置の一例として基板に加熱処理を行う熱処理装置が説明されるが、本発明はこれに限定されない。温度調整装置は、基板に冷却処理を行う熱処理装置（クーリングプレート）、温調水循環ユニットまたは空調ユニット等の温度制御を行う装置であってもよい。

（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明する。上記実施の形態では、熱処理装置１００が温度調整装置の例であり、ヒータＨｅが熱処理部の例であり、温度換算部４２０が変換部の例であり、検出温度値補正部４９０が補正部の例であり、表示部５０が報知部の例である。

１０…熱処理プレート，２０…温度センサ群，３０…ヒータ群，４０…制御部，５０…表示部，１００…熱処理装置，４１０…ヒータ制御部，４１１…電力制御部，４１２…電力供給回路，４１３…電圧値取得部，４２０…温度換算部，４３０…検出温度値取得部，４４０…記憶部，４５０…検出温度ずれ量算出部，４６０…判定部，４７０…表示制御部，４８０…動作開始指示部，４９０…検出温度値補正部，Ｄｔ１～Ｄｔ６…検出温度値，Ｈｅ…ヒータ，ＬＶ…定電圧回路，ＯＦ…オフセット値，Ｐ１～Ｐ６…適正電力操作量，ＰＧ…電源回路，ＲＬ…回帰直線，Ｒｔ１～Ｒｔ６…実温度，Ｓｅ…温度センサ，Ｔｄ…検出温度値，Ｔｔ０…設定温度値，Ｔｔ１…温度値，Ｗ…基板，Ｚ１～Ｚ６…領域，

Claims (3)

1. 対象物の温度を調整する温度調整装置であって、
   前記対象物としての基板が載置される処理面を有する熱処理プレートと、
   前記熱処理プレートの前記処理面は、複数の領域を有し、
   前記対象物の温度を調整するように前記処理面の前記複数の領域にそれぞれ対応して設けられる複数の熱処理部と、
   前記複数の領域にそれぞれ対応する複数の電力操作量に基づいて前記複数の熱処理部に電力をそれぞれ供給する電力供給回路と、
   前記対象物の温度を検出するように前記複数の領域にそれぞれ対応して設けられる複数の温度センサと、
   前記複数の温度センサの出力値を複数の検出温度値にそれぞれ変換する変換部と、
   初期設定時に、前記変換部により得られる複数の検出温度値が適正状態であるとした場合において前記電力供給回路に与えられるべき前記複数の領域にそれぞれ対応する複数の電力操作量を複数の適正電力操作量として記憶する記憶部と、
   温度調整動作時に、前記複数の温度センサにそれぞれ対応する複数の検出温度値が目標温度値に一致するように前記複数の電力操作量をそれぞれ制御し、検出温度ずれ判定時に、前記記憶部に記憶された前記複数の適正電力操作量を前記電力供給回路に与える電力制御部と、
   前記検出温度ずれ判定時に、前記変換部により得られる最大の検出温度値と最小の検出温度値との差が予め定められた許容温度ずれ量よりも大きいか否かに基づいて、前記変換部により得られる前記複数の検出温度値のうち少なくとも１つが不適正状態にあるか否かを判定する判定部とを備え、
   前記初期設定時に、前記熱処理プレートの前記複数の領域の実際の温度が等しい場合に、前記複数の領域にそれぞれ対応する複数の検出温度値が同一になるように前記複数の適正電力操作量が設定される、温度調整装置。
2. 前記検出温度ずれ判定時に、前記判定部により前記変換部により得られた前記複数の検出温度値の少なくとも１つが前記不適正状態にあると判定された場合、警報を発生する報知部をさらに備える、請求項１に記載の温度調整装置。
3. 温度調整装置を用いて対象物の温度を調整する温度調整方法であって、
   前記温度調整装置は、
   前記対象物としての基板が載置される処理面を有する熱処理プレートと、
   前記熱処理プレートの前記処理面は、複数の領域を有し、
   前記対象物の温度を調整するように前記処理面の前記複数の領域にそれぞれ対応して設けられる複数の熱処理部と、
   前記複数の領域にそれぞれ対応する複数の電力操作量に基づいて前記複数の熱処理部に電力をそれぞれ供給する電力供給回路と、
   前記対象物の温度を検出するように前記複数の領域にそれぞれ対応して設けられる複数の温度センサと、
   前記複数の温度センサの出力値を複数の検出温度値にそれぞれ変換する変換部とを備え、
   前記温度調整方法は、
   初期設定時に、前記変換部により得られる複数の検出温度値が適正状態であるとした場合において前記電力供給回路に与えられるべき前記複数の領域にそれぞれ対応する複数の電力操作量を複数の適正電力操作量として記憶するステップと、
   温度調整動作時に、前記複数の温度センサにそれぞれ対応する複数の検出温度値が目標温度値に一致するように前記複数の電力操作量をそれぞれ制御するステップと、
   検出温度ずれ判定時に、記憶された前記複数の適正電力操作量を前記電力供給回路に与えるステップと、
   前記検出温度ずれ判定時に、前記変換部により得られる最大の検出温度値と最小の検出温度値との差が予め定められた許容温度ずれ量よりも大きいか否かに基づいて、前記変換部により得られる前記複数の検出温度値のうち少なくとも１つが不適正状態にあるか否かを判定するステップとを含み、
   前記記憶するステップは、前記初期設定時に、前記熱処理プレートの前記複数の領域の実際の温度が等しい場合に、前記複数の領域にそれぞれ対応する複数の検出温度値が同一になるように前記複数の適正電力操作量を設定することを含む、温度調整方法。