JP7725813B2 - 伸縮性多層回路基板 - Google Patents

Description

本発明は、伸縮性多層回路基板、それを用いた伸縮性ディスプレイ、ウェアラブルデバイス、又は生体センサー、表示装置、及び伸縮性多層回路基板の製造方法に関する。

これまで多層回路基板について様々な開発がなされてきた。この種の技術として、例えば、特許文献１に記載の技術が知られている。特許文献１には、金属箔からなる導体パターンが形成された熱可塑性樹脂からなる複数枚の樹脂フィルムが、加熱加圧によって相互に貼り合わせてなる、多層回路基板が記載されている（特許文献１の請求項１、図２（ｂ）等）。

２００８－１９８８５９号公報

しかしながら、本発明者が検討した結果、上記特許文献１に記載の多層回路基板において、伸縮電気特性の点で改善の余地があることが判明した。

本発明者はさらに検討したところ、多層配線構造中、基板、配線、絶縁層等の各構成を、熱硬化性エラストマーを含むように構成することで、伸縮性電気特性を向上させつつも、上部配線と下部配線とが交差する交差構造を配置することで、高集積化が可能な伸縮性多層回路基板を実現できることを見出し、本発明を完成するに至った。

本発明によれば、
基板と、
前記基板の上に設けられた複数の下部配線と、
前記下部配線の上に設けられた下部絶縁層と、
前記下部絶縁層の上に設けられた複数の上部配線と、
前記上部配線の上に設けられた上部絶縁層と、を有する多層配線構造を備える、伸縮性多層回路基板であって、
前記基板、前記下部配線、前記下部絶縁層、前記上部配線、及び前記上部絶縁層が、それぞれ熱硬化性エラストマーを含み、
前記多層配線構造中において、
前記基板の一面に対して垂直方向に見たとき、第一の前記下部配線と第一の前記上部配線とが互いに交差する交差構造と、
第一の前記下部配線と第一の前記上部配線とが互いに電気的に接続可能な接続構造と、
を備える、伸縮性多層回路基板が提供される。

また本発明によれば、
上記の伸縮性多層回路基板を有する、伸縮性ディスプレイ、ウェアラブルデバイス、又は生体センサーが提供される。

また本発明によれば、
表示部、制御部、電源部及び／又は通信部を備える表示装置であって、
前記表示部が、上記の伸縮性ディスプレイを備える、表示装置が提供される。

また本発明によれば、
基板を形成する工程と、
前記基板の上に複数の下部配線を形成する工程と、
前記下部配線の上に下部絶縁層を形成する工程と、
前記下部絶縁層の上に複数の上部配線を形成する工程と、
前記上部配線の上に上部絶縁層を形成する工程と、を含む、多層配線構造を備える伸縮性多層回路基板の製造方法であって、
前記基板、前記下部配線、前記下部絶縁層、前記上部配線、及び前記上部絶縁層を、それぞれ熱硬化性エラストマーを用いて形成するとともに、
前記基板の一面に対して垂直方向に見たとき、少なくとも第一の前記下部配線に対して第一の前記上部配線が交差しつつも、互いに電気的に接続可能となるように、前記下部配線及び前記上部配線を形成する、
伸縮性多層回路基板の製造方法が提供される。

本発明によれば、伸縮電気特性に優れた伸縮性多層回路基板、それを用いた伸縮性ディスプレイ、ウェアラブルデバイス、又は生体センサー、表示装置、及び伸縮性多層回路基板の製造方法が提供される。

（ａ）本実施形態に係る伸縮性多層回路基板の構成を模式的に示す上面図である。（ｂ）図１（ａ）のＡ領域の拡大図である。 （ａ）～（ｃ）は図１（ａ）のＡ領域のａ１～ａ３断面図、（ｄ）は図１（ａ）のＢ領域のｂ１断面図、（ｅ）は図１（ａ）のＣ領域のｃ１断面図である。 本実施形態に係る伸縮性多層回路基板の製造工程の一例を模式的に示す図である。 本実施形態に係る伸縮性ディスプレイを備える表示装置の構成の一例を示す機能ブロック図である。 実施例における伸縮性多層回路基板の構成を模式的に示す上面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。

本実施形態の伸縮性多層回路基板を概説する。

本実施形態の伸縮性多層回路基板は、基板と、基板の上に設けられた複数の下部配線と、下部配線の上に設けられた下部絶縁層と、下部絶縁層の上に設けられた複数の上部配線と、上部配線の上に設けられた上部絶縁層と、を有する多層配線構造を備えており、基板、下部配線、下部絶縁層、上部配線、及び上部絶縁層が、それぞれ熱硬化性エラストマーを含むように構成される、多層柔軟伸縮性基板である。
この伸縮性多層回路基板は、多層配線構造中において、基板の一面に対して垂直方向に見たとき、第一の下部配線と第一の上部配線とが互いに交差する交差構造と、第一の下部配線と第一の上部配線とが互いに電気的に接続可能な接続構造と、を備える。

本発明者の知見によれば、基板、上部配線、下部配線、上部絶縁層、及び下部絶縁層等の多層配線構造における各構成部材を、エラストマーを用いて構成することにより、伸縮性多層回路基板の伸縮性電気特性を向上させることができる。また、少なくとも第一の上部配線と第一の下部配線とが交差する交差構造を配置することにより、伸縮性多層回路基板の高集積化が可能となる。
また、第一の下部配線と第一の上部配線との間等、複数の上部配線と複数の下部配線との間における接続構造のそれぞれにおいて、複数の電子部品を搭載可能であるため、機能集積化が容易となる。

ここで、特許文献１に記載の熱可塑性樹脂は、配線形成時における熱処理によって熱収縮し、多層回路基板における接続信頼性が低下する恐れがある。このような課題は、配線を集積化した構造において、より顕在化する。

これに対して、本実施形態の伸縮性多層回路基板において、エラストマーとして、熱硬化性エラストマー、とくにシリコーンゴムを用いることにより、耐熱性を高め、製造過程に受ける熱履歴によって、基板サイズが熱収縮することを抑制できるため、接続信頼性に優れた多層配線構造を実現できる。また、本実施形態の伸縮性多層回路基板は、基板、回路、絶縁層などの構成部材が弾性体で構成されるため、熱可塑性材料と比較して塑性変形しにくい。

本実施形態によれば、上部配線や下部配線等の配線部材について、印刷方法で形成できるため、配線の設計自由度に優れた伸縮性多層回路基板を提供できる。

本実施形態の伸縮性多層回路基板は、プリント配線基板のように各種の電子部品を搭載可能である。
電子部品としては、例えば、ＬＥＤチップなどの発光素子、脳波・筋電位などの生体電位や血圧・脈拍などの生体活動を検知する生体測定計、圧力・温度・位置・湿度・光・音・加速度などの環境情報を検知する一般的な測定計、コンデンサなどのポータブル電源、音響モジュール、通信モジュール等が挙げられる。

本実施形態によれば、基板の一面側において、２次元（面）センシングが可能な伸縮性多層回路基板を提供できる。

本実施形態によれば、伸縮性多層回路基板を用いて、伸縮性ディスプレイ、ウェアラブルデバイス、又は生体センサー等の各種の電子デバイスを提供できる。電子デバイスの使用時に屈曲や伸縮等の変形が要求される場合でも、伸縮性多層回路基板を用いることで、高い接続信頼性を実現できる。

以下、本実施形態の伸縮性多層回路基板を詳述する。

図１（ａ）は、本実施形態の伸縮性多層回路基板１００の一例を模式的に示す上面図である。
図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ領域の拡大図、図２（ａ）～（ｃ）は、図１（ａ）のＡ領域中の３つの点線箇所ａ１～ａ３における断面図、図２（ｄ）は、図１（ａ）のＢ領域中の点線箇所ｂ１における断面図、図２（ｅ）は、図１（ａ）のＣ領域中の点線箇所ｃ１における断面図である。

本実施形態の伸縮性多層回路基板１００は、伸縮性基板（基板１１０）、複数の伸縮性下部配線（第一の下部配線１２０、第二の下部配線１２６）、伸縮性下部絶縁層（下部絶縁層１３０）、複数の伸縮性上部配線（第一の上部配線１５０、第二の上部配線１５６）、及び伸縮性上部絶縁層（上部絶縁層１６０）を備える。

本明細書中、伸縮性を有するとは、例えば、伸縮性配線の延在方向に伸長したとき、基板１１０、下部配線１２０及び上部配線１５０等の構成部材の伸長率が、それぞれ、未伸長時の長さに対して、例えば、１０％以上、好ましくは２０％以上、より好ましくは５０％以上、さらに好ましくは１００％まで伸長可能であることを意味する。伸縮性多層回路基板１００は、下部配線１２０及び／又は上部配線１５０の延在方向に伸長したとき、上記の伸長率の範囲内において、下部配線１２０又は上部配線１５０が断線しない状態を維持できる。
ここで延在方向とは、下部配線１２０または上部配線１５０の内、面内方向において最長の長さを有する部分の一端から他端に向かう方向と定義できる。

伸縮性多層回路基板１００の積層方向における断面（以下、単に「断面視」と呼称することもある。）の一つにおいて、図２（ｂ）に示すように、多層配線構造２００は、基板１１０と、基板１１０上に設けられた下部配線１２０と、下部配線１２０上に設けられた下部絶縁層１３０と、下部絶縁層１３０上に設けられた上部配線１５０と、上部配線１５０上に設けられた上部絶縁層１６０と、を備える。

伸縮性多層回路基板１００は、図１（ｂ）、図２（ａ）に示すように、多層配線構造２００中において、基板１１０の一面に対して垂直方向に見たとき（以下、単に「上面視」と呼称することもある。）、第一の下部配線１２０と第一の上部配線１５０とが互いに交差する交差構造２１０を備える。

交差とは、積層方向において絶縁層を介して配置される２つの配線間において、下部側の配線の延在方向と、上部側の配線の延在方向とが、同一方向ではなく、互いに異なる配線領域が、上面視において重なる領域がある状態を意味する。
本実施形態の一例では、上面視において、下部配線１２０と上部配線１５０との少なくとも一部の領域が、直交方向、すなわち、交差角度が９０度となるように交差してもよい。

また、伸縮性多層回路基板１００は、基板１１０の一面に対して垂直方向に見たとき（上面視にみたとき）、多層配線構造２００中において、複数の下部配線と複数の上部配線とが互いに交差する、複数の交差構造を備えてもよい。この複数の交差構造は、格子状に配置されてもよい。これにより、機能集積性を一層高めることが可能になる。

このように、伸縮性多層回路基板１００が、複数の交差構造を有する場合、各交差構造の上面視における交差角度は、同一でも異なっていてもよいが、集積性の観点から、すべて同一となるように構成されてもよく、耐久性の観点から、すべて略９０度となるように構成されてもよい。

本明細書中、「略」という用語は、特に明示的な説明の無い限りは、製造上の公差やばらつき等を考慮した範囲を含むことを表す。

また、伸縮性多層回路基板１００は、図２（ａ）に示すように、第一の下部配線１２０と第一の上部配線１５０とが互いに電気的に接続可能な接続構造２２０を備える。

接続構造２２０は、構造や構成部材が特に限定されず、電子部品１７０等を介して、第一の下部配線１２０と第一の上部配線１５０とが電気的に接続可能な構造を有する。

接続構造２２０の一例では、下部配線１２０は、電子部品１７０等の外部と接続する下部接続部１２２を有し、かつ、上部配線１５０は、電子部品１７０等の外部と接続する上部接続部１５２を有する。

下部接続部１２２は、図１（ｂ）に示すように、上面視において、下部配線１２０の線幅よりも幅広に構成されてもよい。この下部接続部１２２は、電極パットとして機能し、電子部品１７０との積層方向における接続安定性を高められる。

下部接続部１２２は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、突出接続部を有してもよい。突出接続部は、多層配線構造２００の積層方向に切断したときの断面視において、基板１１０から下部配線１２０に向かって上向きに、下部配線１２０から突出した構造を有する。すくなくとも、第一の下部配線１２０が、突出接続部で構成された下部接続部１２２を有してもよい。これにより、下部接続部１２２と上部接続部１５２との接続容易性を向上できる。

上部接続部１５２は、上部配線１５０から分岐した分岐接続部で構成されてもよい。分岐接続部は、例えば、図１（ｂ）に示すように、上部配線１５０と同じ層内において、上部配線１５０の側面から突出し、上部配線１５０の延在方向とは異なる方向に延在する配線である。この分岐接続部は、下部接続部１２２の近傍に形成される。これにより、伸縮性多層回路基板１００の集積化を高められる。

接続構造２２０中、下部配線１２０及び下部絶縁層１３０の一部が、下部絶縁層１３０及び上部絶縁層１６０に覆われずに露出した状態で構成されてもよい。

接続構造２２０において、図２（ａ）に示すように、少なくとも下部絶縁層１３０および上部絶縁層１６０を貫通する下部用開口部（開口部１４０）が形成されており、少なくとも上部絶縁層１６０を貫通する上部用開口部（開口部１４２）が形成されてもよい。
この開口部１４０及び開口部１４２は、それぞれ、独立した孔でもよく、２以上の開口空間が互いに連結してなる一つの孔で構成されてもよい。

このような開口部を有する場合、第一の下部配線１２０が、開口部１４０内において露出するように構成された下部接続部１２２を有しており、第一の上部配線１５０が、開口部１４２内において露出するように構成された上部接続部１５２を有してもよい。

電子部品１７０は、各種の接続手段によって、図２（ａ）に示すように、例えば、下部接続部１２２と上部接続部１５２と電気的に接続した状態で、伸縮性多層回路基板１００上に搭載される。

電子部品１７０は、例えば、導電性ペースト及び半田材料の少なくとも一方を用いて、第一の下部配線１２０および第一の上部配線１５０に電気的に接続するように構成されてもよい。導電性ペーストは、配線を形成する材料と同じものを使用してもよい。

多層配線構造２００において、伸縮性多層回路基板１００は、電子部品１７０を封止する封止部（不図示）を備えてもよい。封止部は、電子部品１７０の上面や側面の少なくとも一部を覆うように構成されてもよく、電子部品１７０と各配線との接続部分の少なくとも一部を覆うように構成されてもよい。これにより、電子部品１７０の接続安定性を高めることができる。
封止材料としては、例えば、熱硬化性エラストマーを用いてもよい。

下部配線１２０は、図１（ａ）に示すように、端部に下部接続部１２４を有してもよく、上部配線１５０は、端部に上部接続部１５４を有してもよい。これらの下部接続部１２４及び上部接続部１５４は、外部電源等の外部との接続可能な電極として機能する。

下部配線１２０や上部接続部１５４は、少なくとも一部が、多層配線構造２００を構成する部材、例えば、絶縁層に覆われず、露出した状態となるように構成される。下部配線１２０や上部接続部１５４の一例は、図２（ｄ）、図２（ｅ）に示すように、最外層の上部絶縁層１６０まで突出した突出接続部を構成してもよい。これにより、接続容易な構造を実現できる。

伸縮性多層回路基板１００は、図２（ａ）に示すように、基板１１０が、下部配線１２０および上部配線１５０が設けられた一面とは反対側の他面に、配線を有しないよういに構成されてもよい。すなわち、伸縮性多層回路基板１００は、一面型の回路基板であってもよい。これにより、伸縮性多層回路基板１００の柔軟伸縮性を担保しつ、配線回路の集積度合を高めることができる。

次に、伸縮性多層回路基板１００の変形例について説明する。

複数の伸縮性下部配線は、図１（ａ）に示すように、第一の下部配線１２０、及び第二の下部配線１２６の少なくとも２本以上の配線で構成されていればよく、３本以上、４本以上、８本以上の配線を有してもよい。
複数の伸縮性上部配線は、同様に、図１（ａ）に示すように、第一の上部配線１５０、及び第二の上部配線１５６の少なくとも２本以上の配線で構成されていればよく、３本以上、４本以上、８本以上の配線を有してもよい。
なお、複数の伸縮性下部配線及び複数の伸縮性上部配線の配線数の上限は、必要に応じて設定でき、特に限定されない。

複数の伸縮性下部配線と複数の伸縮性上部配線とは、上面視において、互いに平行な配線部分を有する配線を１又は２本以上有してもよい。

第一の下部配線１２０及び第二の下部配線１２６は、少なくとも一部又は全体が、同じ下部配線層中に配置される。第一の下部配線１２０及び第二の下部配線１２６の少なくとも一部または全体が、基板１１０の一面に接するように形成されてもよい。

また、第一の上部配線１５０及び第二の上部配線１５６は、少なくとも一部又は全体が、同じ上部配線層中に配置される。第一の上部配線１５０及び第二の上部配線１５６の少なくとも一部または全体が、下部配線と上部配線との間に位置する下部絶縁層１３０の一面に接するように形成されてもよい。
このような第一の上部配線１５０及び第二の上部配線１５６は、その一部が、基板１１０の一面に接し、第一の下部配線１２０及び第二の下部配線１２６と同層に形成されていてもよい。

多層配線構造２００は、上部絶縁層１６０上に、さらにその他の配線層を１層又は２層以上有していてもよい。すなわち、多層配線構造２００の配線層数は、図２（ａ）に示す２層に限定されず、必要に応じて、３層以上、４層以上としてもよい。この場合、積層方向における再隣接した配線層の間には、少なくとも１層以上の絶縁層が形成される。

伸縮性多層回路基板１００は、交差構造２１０を少なくとも１以上有していればよく、例えば、上部配線の配線数と下部配線の配線数の積算した値分有していてもよい。複数の交差構造として、例えば、下部配線１２０と上部配線１５０との第一の交差構造２１０、下部配線１２０と上部配線１５６との第二の交差構造２１２等が挙げられる。

上部接続部１５２の接続面の位置は、下部絶縁層１３０、上部配線１５０、上部絶縁層１６０の各層中のいずれかに配置されてもよいが、上部接続部１５２の接続面と略同一面を構成してもよい。

下部配線１２０及び下部接続部１２２が、導電性ペーストを用いた印刷方法で形成されたもの、すなわち、印刷層で構成されてもよい。また、上部配線１５０及び上部接続部１５２も、導電性ペーストを用いた印刷方法で形成されたもの、すなわち、印刷層で構成されてもよい。
これにより、配線と接続部との間がほぼシームレスに形成でき、互いの境界をほぼなくすことが可能になる。

下部絶縁層１３０及び上部絶縁層１６０の少なくとも一方は、同一層において、複数の絶縁層が離間して構成されてもよく、１つの絶縁層で構成されてもよい。

多層配線構造２００は、断面視において、下部絶縁層１３０上に上部絶縁層１６０が存在する領域、下部絶縁層１３０上に上部絶縁層１６０が存在しない領域、及び上部絶縁層１６０の下に下部絶縁層１３０が存在しない領域の少なくとも一つ以上を有してよい。

上記の開口部は、絶縁層を貫通する貫通孔、複数の絶縁層が互いに分離した離間部、及び、上面視において基板１１０を絶縁層が覆わない非被覆部の少なくとも一以上で構成されてもよい。

図２中の開口部１４０及び開口部１４２は、空隙で構成されてもよいが、絶縁層を構成する材料などで充填されていてもよい。空隙構造とすることで、電子部品１７０の接続部分に、伸縮性多層回路基板１００の伸縮時に発生する応力が伝わり難くなり、伸縮時における接続信頼性を高められる。一方、充填構造とすることで、開口部に埃などの異物の混入を抑制でき、接続部分を外部環境に露出することを抑制できるため、長期接続信頼性を高められる。

空隙構造の一例は、電子部品１７０と下部接続部１２２及び上部接続部１５２との接続部分の周囲に、上部絶縁層１６０等の絶縁層と接しないように、かかる絶縁層との間に離間部が存在する構造が挙げられる。

電子部品１７０は、その一部または全部が、開口部１４０及び開口部１４２などの、絶縁層に形成された開口部に埋設されてもよい。これにより、電子部品１７０の接続安定性を高められる。
なお、電子部品１７０の周囲を封止する場合には、電子部品１７０の全体が開口部の外側に設けされていてもよい。

配線の厚み／絶縁層の厚みで表される厚み比は、例えば、０．０５～２０．０、好ましくは０．０８～１５．０、より好ましくは０．１～１０．０である。このような範囲内とすることで、導電性及び絶縁性を向上できる。
絶縁層の厚み／基板の厚みで表される厚み比は、例えば、０．０１～２．０、好ましくは０．０５～１．０、より好ましくは０．０８～０．７である。このような範囲内とすることで、柔軟性及び絶縁性を向上できる。

厚み比は、下部配線１２０及び上部配線１５０の少なくとも一方の配線が満たせばよく、両方の配線が満たすことが好ましく、下部絶縁層１３０及び上部絶縁層１６０の少なくとも一方の絶縁層が満たせばよく、両方の絶縁層が満たすことが好ましい。

基板１１０の厚みの上限は、用途に応じて設定可能であり、例えば、１０ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以下でもよいが、ウェアラブルデバイス用途の観点から、より好ましくは４００μｍ以下である。４００μｍ以下とすることで、薄膜の伸縮性多層回路基板１００を実現できる。
基板１１０の厚みの下限は、機械的強度の観点から、例えば、１０μｍ以上、好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは１００μｍ以上である。

次に、伸縮性多層回路基板１００を構成する材料や特性について説明する。

本実施形態において、基板１１０、下部配線１２０、下部絶縁層１３０、上部配線１５０、及び上部絶縁層１６０が、それぞれ、同一及び／又は異なる熱硬化性エラストマーを含み、好ましくは同一の熱硬化性エラストマーを含むように構成されてもよい。
より具体的には、下部配線１２０、及び上部配線１５０は、それぞれ同一及び／又は異なる導電性エラストマーで構成されてもよく、基板１１０、下部絶縁層１３０、及び上部絶縁層１６０は、それぞれ同一及び／又は異なる絶縁性エラストマーで構成されてもよい。

絶縁性エラストマーは、例えば、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム等の熱硬化性エラストマーを含むことができる。この中でも、絶縁性エラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴムからなる群から選択される一種以上を含んでもよく、好ましくはシリコーンゴムで構成されてもよい。シリコーンゴムは、エラストマーの中でも、化学的に安定であり、また、機械的強度にも優れる。

絶縁性エラストマーは、導電性フィラーを含まず、非導電性フィラー含んでもよい。これにより、導電性エラストマーの機械的特性を高められる。非導電性フィラーとしては、公知の材料が使用できるが、例えば、無機フィラーを用いてもよい。無機フィラーとして、シリカ粒子、シリコーンゴム粒子、タルク等を用いてもよい。

導電性エラストマーは、例えば、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム等の熱硬化性エラストマーと導電性フィラーを含むことができる。この中でも、導電性エラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴムからなる群から選択される一種以上を含んでもよく、好ましくはシリコーンゴム及び導電性フィラーを含むように構成されてもよい。これにより、導電性エラストマーの伸縮性及び電気特性を高められる。

導電性フィラーとしては、例えば、粉末状または繊維状の、金属系フィラー、炭素系フィラー、金属酸化物フィラー、金属メッキフィラー等が挙げられる。この中でも、導電性フィラーとして、金属系フィラー、好ましくは銀粉を用いてもよい。
また、導電性エラストマーは、導電性フィラーとともに非導電性フィラーを含んでもよい。これにより、伸縮耐久性を高められる。

本実施形態の一例として、基板１１０、下部配線１２０、下部絶縁層１３０、上部配線１５０、及び上部絶縁層１６０が、それぞれ、同一の熱硬化性エラストマーを含んでもよい。これにより、互いの密着性を向上できるため、伸縮性多層回路基板１００の伸縮耐久性を高められる。

本明細書中、同一の熱硬化性エラストマーを含む、同一の絶縁性エラストマーを含む、同一の導電性エラストマーを含むとは、それぞれ、上記に例示される熱硬化性エラストマーの種類のうち、少なくとも一つ以上の同じ種類のエラストマーを含むことを意味する。

より具体的には、基板１１０、下部絶縁層１３０、および上部絶縁層１６０が、それぞれ、同一のシリコーンゴムを含むように構成されてもよい。これにより、各層同士の密着性を向上できる。また、上下の配線間に挟まれた絶縁層において、絶縁耐圧を高めることができる。

基板１１０、下部絶縁層１３０、および上部絶縁層１６０が、少なくとも一つが、好ましくは全てが、無機フィラーを含むように構成されてもよい。これにより、これらの機械的物性を適度に高めることが可能になる。

また、下部配線１２０、および上部配線１５０が、それぞれ、同一のシリコーンゴム及び導電性フィラーを含むように構成されてもよい。これにより、伸縮性とともに導電性を高められる。

下部配線１２０、および上部配線１５０の少なくとも一つが、好ましくは、全てが、無機フィラーを含むように構成されてもよい。これにより、導電性とともに機械的物性を向上させることが可能になる。

基板１１０、下部配線１２０、下部絶縁層１３０、上部配線１５０、及び上部絶縁層１６０が、それぞれ、同種のシリコーンゴムを含むように構成されてもよい。これにより、各層同士の密着性を高められる。また、伸縮時における耐久性を向上できる。

ここで、シリコーンゴム系硬化性組成物における成分について詳細を説明する。

ここで、同一のシリコーンゴムを含むとは、シリコーンゴム系硬化性組成物が、少なくとも、同種のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサンを含むことを意味し、さらに、同種の架橋剤、同種の非導電性フィラー、同種のシランカップリング剤、及び同種の触媒からなる群から選ばれる一又は二以上を含んでもよい。

絶縁性シリコーンゴムは、ビニル基含有オルガノポリシロキサンを含むシリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成されてもよい。
また導電性シリコーンゴムは、導電性フィラーと、ビニル基含有オルガノポリシロキサンを含むシリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物とで構成されてもよい。

同種のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサンとは、少なくとも官能基が同じビニル基を含み、直鎖状を有していればよく、分子中のビニル基量や分子量分布、あるいはその添加量が異なっていてもよい。

同種の架橋剤とは、少なくとも直鎖構造や分岐構造などの共通の構造を有していればよく、分子中の分子量分布や異なる官能基が含まれていてもよく、その添加量が異なっていてもよい。

同種の非導電性フィラーとは、少なくとも共通の構成材料を有していればよく、粒子径、比表面積、表面処理剤、又はその添加量が異なっていてもよい。

同種のシランカップリング剤とは、少なくとも共通の官能基を有していればよく、分子中の他の官能基や添加量が異なっていてもよい。

同種の触媒とは、少なくとも共通の構成材料を有していればよく、触媒中に異なる組成が含まれていてもよく、その添加量が異なっていてもよい。

同一のシリコーンゴムを構成するシリコーンゴム系硬化性組成物には、さらに、異なる種類の、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン、架橋剤、非導電性フィラー、シランカップリング剤、及び触媒からなる群から選ばれる一又は二以上を含んでもよい。

本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を含むことができる。ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物の主成分となる重合物である。

上記ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、直鎖構造を有するビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を含むことができる。

上記ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）は、直鎖構造を有し、かつ、ビニル基を含有しており、かかるビニル基が硬化時の架橋点となる。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）のビニル基の含有量は、特に限定されないが、例えば、分子内に２個以上のビニル基を有し、かつ１５モル％以下であるのが好ましい。これにより、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）中におけるビニル基の量が最適化され、後述する各成分とのネットワークの形成を確実に行うことができる。

なお、本明細書中において、ビニル基含有量とは、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を構成する全ユニットを１００モル％としたときのビニル基含有シロキサンユニットのモル％である。ただし、ビニル基含有シロキサンユニット１つに対して、ビニル基１つであると考える。

また、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の重合度は、特に限定されないが、例えば、好ましくは１０００～１００００程度、より好ましくは２０００～５０００程度の範囲内である。なお、重合度は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）におけるポリスチレン換算の数平均重合度（又は数平均分子量）等として求めることができる。
本明細書中、「～」は、特に明示しない限り、上限値と下限値を含むことを表す。

さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の比重は、特に限定されないが、０．９～１．１程度の範囲であるのが好ましい。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）として、上記のような範囲内の重合度および比重を有するものを用いることにより、得られるシリコーンゴムの耐熱性、難燃性、化学的安定性等の向上を図ることができる。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）としては、特に、下記式（１）で表される構造を有するものであるが好ましい。

式（１）中、Ｒ^１は炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられ、中でも、ビニル基が好ましい。炭素数１～１０のアリール基としては、例えば、フェニル基等が挙げられる。

また、Ｒ^２は炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基が挙げられる。炭素数１～１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

また、Ｒ^３は炭素数１～８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１～８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

さらに、式（１）中のＲ^１およびＲ^２の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、Ｒ^３の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。

なお、式（１）中、複数のＲ^１は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。さらに、Ｒ^２、およびＲ^３についても同様である。

さらに、ｍ、ｎは、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは０～２０００の整数、ｎは１０００～１００００の整数である。ｍは、好ましくは０～１０００であり、ｎは、好ましくは２０００～５０００である。

また、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の具体的構造としては、例えば下記式（１－１）で表されるものが挙げられる。

式（１－１）中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して、メチル基またはビニル基であり、少なくとも一方がビニル基である。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）は、ビニル基含有量が分子内に２個以上のビニル基を有し、かつ０．４モル％以下である第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）を含んでもよい。第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）のビニル基量は、０．１モル％以下でもよい。

また、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）は、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）とビニル基含有量が０．５～１５モル％である第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）とを含有してもよい。

シリコーンゴムの原料である生ゴムとして、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）と、ビニル基含有量が高い第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）とを組み合わせることで、ビニル基を偏在化させることができ、シリコーンゴムの架橋ネットワーク中に、より効果的に架橋密度の疎密を形成することができる。その結果、より効果的にシリコーンゴムの引裂強度を高めることができる。

具体的には、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）として、例えば、上記式（１－１）において、Ｒ１がビニル基である単位および／またはＲ２がビニル基である単位を、分子内に２個以上有し、かつ０．４モル％以下を含む第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）と、Ｒ１がビニル基である単位および／またはＲ２がビニル基である単位を、０．５～１５モル％含む第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）とを用いるのが好ましい。

また、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）は、ビニル基含有量が０．０１～０．２モル％であるのが好ましい。また、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）は、ビニル基含有量が、０．８～１２モル％であるのが好ましい。

さらに、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）と第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）とを組み合わせて配合する場合、（Ａ１－１）と（Ａ１－２）の比率は特に限定されないが、例えば、重量比で（Ａ１－１）：（Ａ１－２）が５０：５０～９５：５であるのが好ましく、８０：２０～９０：１０であるのがより好ましい。

なお、第１および第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）および（Ａ１－２）は、それぞれ１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、分岐構造を有するビニル基含有分岐状オルガノポリシロキサン（Ａ２）を含んでもよい。

＜＜オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）を含むことができる。
オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）は、直鎖構造を有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐構造を有する分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）とに分類され、これらのうちのいずれか一方または双方を含むことができる。

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、直鎖構造を有し、かつ、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ－Ｈ）を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分が有するビニル基とヒドロシリル化反応し、これらの成分を架橋する重合体である。

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の分子量は特に限定されないが、例えば、重量平均分子量が２００００以下であるのが好ましく、１０００以上、１００００以下であることがより好ましい。

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の重量平均分子量は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）におけるポリスチレン換算により測定することができる。

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。

以上のような直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）としては、例えば、下記式（２）で表される構造を有するものが好ましく用いられる。

式（２）中、Ｒ^４は炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１～１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

また、Ｒ^５は炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１～１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

なお、式（２）中、複数のＲ^４は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。Ｒ^５についても同様である。ただし、複数のＲ^４およびＲ^５のうち、少なくとも２つ以上がヒドリド基である。

また、Ｒ^６は炭素数１～８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１～８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。複数のＲ^６は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。

なお、式（２）中のＲ^４，Ｒ^５，Ｒ^６の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、分子内の架橋反応を防止する観点から、メチル基が好ましい。

さらに、ｍ、ｎは、式（２）で表される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは２～１５０整数、ｎは２～１５０の整数である。好ましくは、ｍは２～１００の整数、ｎは２～１００の整数である。

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、分岐構造を有するため、架橋密度が高い領域を形成し、シリコーンゴムの系中の架橋密度の疎密構造形成に大きく寄与する成分である。また、上記直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）同様、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ－Ｈ）を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分のビニル基とヒドロシリル化反応し、これら成分を架橋する重合体である。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の比重は、０．９～０．９５の範囲である。

さらに、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）としては、下記平均組成式（ｃ）で示されるものが好ましい。

平均組成式（ｃ）
（Ｈ_ａ（Ｒ^７）_３－ａＳｉＯ_１／２）_ｍ（ＳｉＯ_４／２）_ｎ
（式（ｃ）において、Ｒ^７は一価の有機基、ａは１～３の範囲の整数、ｍはＨ_ａ（Ｒ^７）_３－ａＳｉＯ_１／２単位の数、ｎはＳｉＯ_４／２単位の数である）

式（ｃ）において、Ｒ^７は一価の有機基であり、好ましくは、炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

式（ｃ）において、ａは、ヒドリド基（Ｓｉに直接結合する水素原子）の数であり、１～３の範囲の整数、好ましくは１である。

また、式（ｃ）において、ｍはＨ_ａ（Ｒ^７）_３－ａＳｉＯ_１／２単位の数、ｎはＳｉＯ_４／２単位の数である。

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は分岐状構造を有する。直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、その構造が直鎖状か分岐状かという点で異なり、Ｓｉの数を１とした時のＳｉに結合するアルキル基Ｒの数（Ｒ／Ｓｉ）が、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）では１．８～２．１、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）では０．８～１．７の範囲となる。

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、分岐構造を有しているため、例えば、窒素雰囲気下、１０００℃まで昇温速度１０℃／分で加熱した際の残渣量が５％以上となる。これに対して、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、直鎖状であるため、上記条件で加熱した後の残渣量はほぼゼロとなる。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の具体例としては、下記式（３）で表される構造を有するものが挙げられる。

式（３）中、Ｒ^７は炭素数１～８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基、もしくは水素原子である。炭素数１～８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。Ｒ^７の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。

なお、式（３）中、複数のＲ^７は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。

また、式（３）中、「－Ｏ－Ｓｉ≡」は、Ｓｉが三次元に広がる分岐構造を有することを表している。

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）において、Ｓｉに直接結合する水素原子（ヒドリド基）の量は、それぞれ、特に限定されない。ただし、シリコーンゴム系硬化性組成物において、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）中のビニル基１モルに対し、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の合計のヒドリド基量が、０．５～５モルとなる量が好ましく、１～３．５モルとなる量がより好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）および分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）と、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）との間で、架橋ネットワークを確実に形成させることができる。

＜＜シリカ粒子（Ｃ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、必要に応じ、非導電性フィラーとして、シリカ粒子（Ｃ）を含むことができる。

シリカ粒子（Ｃ）としては、特に限定されないが、例えば、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、沈降シリカ等が用いられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

シリカ粒子（Ｃ）は、例えば、ＢＥＴ法による比表面積が例えば５０～４００ｍ^２／ｇであるのが好ましく、１００～４００ｍ^２／ｇであるのがより好ましい。また、シリカ粒子（Ｃ）の平均一次粒径は、例えば１～１００ｎｍであるのが好ましく、５～２０ｎｍ程度であるのがより好ましい。

シリカ粒子（Ｃ）として、かかる比表面積および平均粒径の範囲内であるものを用いることにより、形成されるシリコーンゴムの硬さや機械的強度の向上、特に引張強度の向上をさせることができる。

＜＜シランカップリング剤（Ｄ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、シランカップリング剤（Ｄ）を含むことができる。
シランカップリング剤（Ｄ）は、加水分解性基を有することができる。加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子（Ｃ）表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子（Ｃ）の表面改質を行うことができる。

また、このシランカップリング剤（Ｄ）は、疎水性基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子（Ｃ）の表面にこの疎水性基が付与されるため、シリコーンゴム系硬化性組成物中ひいてはシリコーンゴム中において、シリカ粒子（Ｃ）の凝集力が低下（シラノール基による水素結合による凝集が少なくなる）し、その結果、シリコーンゴム系硬化性組成物中のシリカ粒子の分散性が向上すると推測される。これにより、シリカ粒子とゴムマトリックスとの界面が増加し、シリカ粒子の補強効果が増大する。さらに、ゴムのマトリックス変形の際、マトリックス内でのシリカ粒子の滑り性が向上すると推測される。そして、シリカ粒子（Ｃ）の分散性の向上及び滑り性の向上によって、シリカ粒子（Ｃ）によるシリコーンゴムの機械的強度（例えば、引張強度や引裂強度など）が向上する。

さらに、シランカップリング剤（Ｄ）は、ビニル基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子（Ｃ）の表面にビニル基が導入される。そのため、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化の際、すなわち、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）が有するビニル基と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）が有するヒドリド基とがヒドロシリル化反応して、これらによるネットワーク（架橋構造）が形成される際に、シリカ粒子（Ｃ）が有するビニル基も、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）が有するヒドリド基とのヒドロシリル化反応に関与するため、ネットワーク中にシリカ粒子（Ｃ）も取り込まれるようになる。これにより、形成されるシリコーンゴムの低硬度化および高モジュラス化を図ることができる。

シランカップリング剤（Ｄ）としては、疎水性基を有するシランカップリング剤およびビニル基を有するシランカップリング剤を併用することができる。

シランカップリング剤（Ｄ）としては、例えば、下記式（４）で表わされるものが挙げられる。

Ｙ_ｎ－Ｓｉ－（Ｘ）_４－ｎ・・・（４）
上記式（４）中、ｎは１～３の整数を表わす。Ｙは、疎水性基、親水性基またはビニル基を有するもののうちのいずれかの官能基を表わし、ｎが１の時は疎水性基であり、ｎが２または３の時はその少なくとも１つが疎水性基である。Ｘは、加水分解性基を表わす。

疎水性基は、炭素数１～６のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基等が挙げられ、中でも、特に、メチル基が好ましい。

また、親水性基は、例えば、水酸基、スルホン酸基、カルボキシル基またはカルボニル基等が挙げられ、中でも、特に、水酸基が好ましい。なお、親水性基は、官能基として含まれていてもよいが、シランカップリング剤（Ｄ）に疎水性を付与するという観点からは含まれていないのが好ましい。

さらに、加水分解性基は、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、クロロ基またはシラザン基等が挙げられ、中でも、シリカ粒子（Ｃ）との反応性が高いことから、シラザン基が好ましい。なお、加水分解性基としてシラザン基を有するものは、その構造上の特性から、上記式（４）中の（Ｙ_ｎ－Ｓｉ－）の構造を２つ有するものとなる。

上記式（４）で表されるシランカップリング剤（Ｄ）の具体例は、例えば、官能基として疎水性基を有するものとして、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｎ－プロピルトリメトキシシラン、ｎ－プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシランのようなアルコキシシラン；メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシランのようなクロロシラン；ヘキサメチルジシラザンが挙げられ、官能基としてビニル基を有するものとして、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシランのようなアルコキシシラン；ビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロロシランのようなクロロシラン；ジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられるが、中でも、上記記載を考慮すると、特に、疎水性基を有するものとしてはヘキサメチルジシラザン、ビニル基を有するものとしてはジビニルテトラメチルジシラザンであるのが好ましい。

本実施形態において、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量の下限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対して、１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましく、５質量％以上であることがさらに好ましい。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量上限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対して、１００質量％以下であることが好ましく、８０質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以下であることがさらに好ましい。
シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴムが基板との適度な密着性を持ち、また、シリカ粒子（Ｃ）を用いる場合においては、シリコーンゴム全体としての機械的強度の向上に資することができる。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、シリコーンゴムが適度な機械特性を持つことができる。

＜＜白金または白金化合物（Ｅ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、白金または白金化合物（Ｅ）を含むことができる。
白金または白金化合物（Ｅ）は、硬化の際の触媒として作用する触媒成分である。白金または白金化合物（Ｅ）の添加量は触媒量である。

白金または白金化合物（Ｅ）としては、公知のものを使用することができ、例えば、白金黒、白金をシリカやカーボンブラック等に担持させたもの、塩化白金酸または塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とオレフィンの錯塩、塩化白金酸とビニルシロキサンとの錯塩等が挙げられる。

なお、白金または白金化合物（Ｅ）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

＜＜水（Ｆ）＞＞
また、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物には、上記成分（Ａ）～（Ｅ）以外に、水（Ｆ）が含まれていてもよい。

水（Ｆ）は、シリコーンゴム系硬化性組成物に含まれる各成分を分散させる分散媒として機能するとともに、シリカ粒子（Ｃ）とシランカップリング剤（Ｄ）との反応に寄与する成分である。そのため、シリコーンゴム中において、シリカ粒子（Ｃ）とシランカップリング剤（Ｄ）とを、より確実に互いに連結したものとすることができ、全体として均一な特性を発揮することができる。

さらに、水（Ｆ）を含有する場合、その含有量は、適宜設定することができるが、具体的には、シランカップリング剤（Ｄ）１００重量部に対して、例えば、１０～１００重量部の範囲であるのが好ましく、３０～７０重量部の範囲であるのがより好ましい。これにより、シランカップリング剤（Ｄ）とシリカ粒子（Ｃ）との反応をより確実に進行させることができる。

（その他の成分）
さらに、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、上記（Ａ）～（Ｆ）成分以外に、他の成分をさらに含むことができる。この他の成分としては、例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等のシリカ粒子（Ｃ）以外の無機充填材、反応阻害剤、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等の添加剤が挙げられる。

なお、シリコーンゴム系硬化性組成物において、各成分の含有割合は特に限定されないが、例えば、以下のように設定される。

本実施形態において、シリカ粒子（Ｃ）の含有量の上限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対し、例えば、６０重量部以下でもよく、好ましくは５０重量部以下でもよく、さらに好ましくは４０重量部以下でもよい。これにより、硬さや引張強等の機械的強度のバランスを図ることができる。また、シリカ粒子（Ｃ）の含有量の下限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対し、特に限定されないが、例えば、１０重量部以上でもよい。

シランカップリング剤（Ｄ）は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）１００重量部に対し、例えば、シランカップリング剤（Ｄ）が５重量部以上１００重量部以下の割合で含有するのが好ましく、５重量部以上４０重量部以下の割合で含有するのがより好ましい。これにより、シリカ粒子（Ｃ）のシリコーンゴム系硬化性組成物中における分散性を確実に向上させることができる。

オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）の含有量は、具体的にビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）及びシリカ粒子（Ｃ）及びシランカップリング剤（Ｄ）の合計量１００重量部に対して、例えば、０．５重量部以上２０重量部以下の割合で含有することが好ましく、０．８重量部以上１５重量部以下の割合で含有するのがより好ましい。（Ｂ）の含有量が前記範囲内であることで、より効果的な硬化反応ができる可能性がある。

白金または白金化合物（Ｅ）の含有量は、触媒量を意味し、適宜設定することができるが、具体的にビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シリカ粒子（Ｃ）、シランカップリング剤（Ｄ）の合計量に対して、本成分中の白金族金属が重量単位で０．０１～１０００ｐｐｍとなる量であり、好ましくは、０．１～５００ｐｐｍとなる量である。白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、得られるシリコーンゴム組成物を十分硬化させることができる。白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、得られるシリコーンゴム組成物の硬化速度を向上させることができる。

さらに、水（Ｆ）を含有する場合、その含有量は、適宜設定することができるが、具体的には、シランカップリング剤（Ｄ）１００重量部に対して、例えば、１０～１００重量部の範囲であるのが好ましく、３０～７０重量部の範囲であるのがより好ましい。これにより、シランカップリング剤（Ｄ）とシリカ粒子（Ｃ）との反応をより確実に進行させることができる。

＜シリコーンゴムの製造方法＞
次に、本実施形態のシリコーンゴムの製造方法について説明する。
本実施形態のシリコーンゴムの製造方法としては、シリコーンゴム系硬化性組成物を調製し、このシリコーンゴム系硬化性組成物を硬化させることによりシリコーンゴムを得ることができる。
以下、詳述する。

まず、シリコーンゴム系硬化性組成物の各成分を、任意の混練装置により、均一に混合してシリコーンゴム系硬化性組成物を調製する。

［１］たとえば、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）と、シリカ粒子（Ｃ）と、シランカップリング剤（Ｄ）とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置により、混練することで、これら各成分（Ａ）、（Ｃ）、（Ｄ）を含有する混練物を得る。

なお、この混練物は、予めビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とシランカップリング剤（Ｄ）とを混練し、その後、シリカ粒子（Ｃ）を混練（混合）して得るのが好ましい。これにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）中におけるシリカ粒子（Ｃ）の分散性がより向上する。

また、この混練物を得る際には、水（Ｆ）を必要に応じて、各成分（Ａ）、（Ｃ）、および（Ｄ）の混練物に添加するようにしてもよい。これにより、シランカップリング剤（Ｄ）とシリカ粒子（Ｃ）との反応をより確実に進行させることができる。

さらに、各成分（Ａ）、（Ｃ）、（Ｄ）の混練は、第１温度で加熱する第１ステップと、第２温度で加熱する第２ステップとを経るようにするのが好ましい。これにより、第１ステップにおいて、シリカ粒子（Ｃ）の表面をカップリング剤（Ｄ）で表面処理することができるとともに、第２ステップにおいて、シリカ粒子（Ｃ）とカップリング剤（Ｄ）との反応で生成した副生成物を混練物中から確実に除去することができる。その後、必要に応じて、得られた混練物に対して、成分（Ａ）を添加し、更に混練してもよい。これにより、混練物の成分のなじみを向上させることができる。

第１温度は、例えば、４０～１２０℃程度であるのが好ましく、例えば、６０～９０℃程度であるのがより好ましい。第２温度は、例えば、１３０～２１０℃程度であるのが好ましく、例えば、１６０～１８０℃程度であるのがより好ましい。

また、第１ステップにおける雰囲気は、窒素雰囲気下のような不活性雰囲気下であるのが好ましく、第２ステップにおける雰囲気は、減圧雰囲気下であるのが好ましい。

さらに、第１ステップの時間は、例えば、０．３～１．５時間程度であるのが好ましく、０．５～１．２時間程度であるのがより好ましい。第２ステップの時間は、例えば、０．７～３．０時間程度であるのが好ましく、１．０～２．０時間程度であるのがより好ましい。

第１ステップおよび第２ステップを、上記のような条件とすることで、前記効果をより顕著に得ることができる。

［２］次に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）と、白金または白金化合物（Ｅ）とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置を用いて、上記工程［１］で調製した混練物に、各成分（Ｂ）、（Ｅ）を混練することで、シリコーンゴム系硬化性組成物を得る。得られたシリコーンゴム系硬化性組成物は溶剤を含むペーストであってもよい。

なお、この各成分（Ｂ）、（Ｅ）の混練の際には、予め上記工程［１］で調製した混練物とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）とを、上記工程［１］で調製した混練物と白金または白金化合物（Ｅ）とを混練し、その後、それぞれの混練物を混練するのが好ましい。これにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）との反応を進行させることなく、各成分（Ａ）～（Ｅ）をシリコーンゴム系硬化性組成物中に確実に分散させることができる。

各成分（Ｂ）、（Ｅ）を混練する際の温度は、ロール設定温度として、例えば、１０～７０℃程度であるのが好ましく、２５～３０℃程度であるのがより好ましい。

さらに、混練する時間は、例えば、５分～１時間程度であるのが好ましく、１０～４０分程度であるのがより好ましい。

上記工程［１］および上記工程［２］において、温度を上記範囲内とすることにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）との反応の進行をより的確に防止または抑制することができる。また、上記工程［１］および上記工程［２］において、混練時間を上記範囲内とすることにより、各成分（Ａ）～（Ｅ）をシリコーンゴム系硬化性組成物中により確実に分散させることができる。

なお、各工程［１］、［２］において使用される混練装置としては、特に限定されないが、例えば、ニーダー、２本ロール、バンバリーミキサー（連続ニーダー）、加圧ニーダー等を用いることができる。

また、本工程［２］において、混練物中に１－エチニルシクロヘキサノールのような反応抑制剤を添加するようにしてもよい。これにより、混練物の温度が比較的高い温度に設定されたとしても、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）との反応の進行をより的確に防止または抑制することができる。

［３］次に、シリコーンゴム系硬化性組成物を硬化させることによりシリコーンゴムを形成する。

本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性樹脂組成物の硬化工程は、例えば、１００～２５０℃で１～３０分間加熱（一次硬化）した後、２００℃で１～４時間ポストベーク（２次硬化）することによって行われる。

以上のような工程を経ることで、シリコーンゴム系硬化性樹脂組成物の硬化物からなるシリコーンゴムが得られる。

なお、［３］次に、工程［２］で得られたシリコーンゴム系硬化性組成物を、溶剤に溶解させることにより、絶縁性ペーストを得ることができる。
また、［３］次に、工程［２］で得られたシリコーンゴム系硬化性組成物を、溶剤に溶解させ、導電性フィラーを加えることで導電性ペーストを得ることができる。

（溶剤）
導電性ペーストや絶縁性ペーストは、溶剤を含む。
溶剤としては、公知の各種溶剤を用いることができるが、例えば、高沸点溶剤を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記高沸点溶剤の沸点の下限値は、例えば、１００℃以上であり、好ましくは１３０℃以上であり、より好ましくは１５０℃以上である。これにより、スクリーン印刷などの印刷安定性を向上させることができる。一方で、上記高沸点溶剤の沸点の上限値は、特に限定されないが、例えば、３００℃以下でもよく、２９０℃以下でもよく、２８０℃以下でもよい。これにより、配線形成時においての過度の熱履歴を抑制できるので、下地へのダメージや、導電性ペーストで形成された配線の形状を良好に維持することができる。

また、溶剤としては、シリコーンゴム系硬化性樹脂組成物の溶解性や沸点の観点から適切に選択できるが、例えば、炭素数５以上２０以下の脂肪族炭化水素、好ましくは炭素数８以上１８以下の脂肪族炭化水素、より好ましくは炭素数１０以上１５以下の脂肪族炭化水素を含むことができる。

また、溶剤の一例としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカンなどの脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、メシチレン、トリフルオロメチルベンゼン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル－ｎ－プロピルエーテル、１，４－ジオキサン、１，３－ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類；ジクロロメタン、クロロホルム、１，１－ジクロロエタン、１，２－ジクロロエタン、１，１，１－トリクロロエタン、１，１，２－トリクロロエタンなどのハロアルカン類；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド類；ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類、ジエチルカーボネートなどのエステル類などを例示することができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
ここで用いられる溶媒は、上記の導電性ペースト中の組成成分を均一に溶解ないし分散させることのできる溶媒の中から適宜選択すればよい。

上記溶剤が、ハンセン溶解度パラメータの極性項（δ_ｐ）の上限値が、例えば、１０ＭＰａ^１／２以下であり、好ましくは７ＭＰａ^１／２以下であり、より好ましくは５．５ＭＰａ^１／２以下である第１溶剤を含むことができる。これにより、ペースト中においてシリコーンゴム系硬化性樹脂組成物の分散性や溶解性を良好なものとすることができる。この第１溶剤の上記極性項（δ_ｐ）の下限値は、特に限定されないが、例えば、０Ｐａ^１／２以上でもよい。

上記第１溶剤におけるハンセン溶解度パラメータの水素結合項（δ_ｈ）の上限値が、例えば、２０ＭＰａ^１／２以下であり、好ましくは１０ＭＰａ^１／２以下であり、より好ましくは７ＭＰａ^１／２以下である。これにより、ペースト中において、シリコーンゴム系硬化性樹脂組成物の分散性や溶解性を良好なものとすることができる。この第１溶剤の上記水素結合項（δ_ｈ）の下限値は、特に限定されないが、例えば、０Ｐａ^１／２以上でもよい。

ハンセンの溶解度パラメータ（ＨＳＰ）は、ある物質が他のある物質にどのくらい溶けるのかという溶解性を表す指標である。ＨＳＰは、溶解性を３次元のベクトルで表す。この３次元ベクトルは、代表的には、分散項（δ_ｄ）、極性項（δ_ｐ）、水素結合項（δ_ｈ）で表すことができる。そしてベクトルが似ているもの同士は、溶解性が高いと判断できる。ベクトルの類似度をハンセン溶解度パラメータの距離（ＨＳＰ距離）で判断することが可能である。

本明細書で用いている、ハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ値）は、ＨＳＰｉＰ（Ｈａｎｓｅｎ Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｉｎ Ｐｒａｃｔｉｃｅ）というソフトを用いて算出することができる。ここで、ハンセンとアボットが開発したコンピューターソフトウエアＨＳＰｉＰには、ＨＳＰ距離を計算する機能と様々な樹脂と溶剤もしくは非溶剤のハンセンパラメーターを記載したデータベースが含まれている。
各樹脂の純溶剤および良溶剤と貧溶剤の混合溶剤に対する溶解性を調べ、ＨＳＰｉＰソフトにその結果を入力し、Ｄ：分散項、Ｐ：極性項、Ｈ：水素結合項、Ｒ０：溶解球半径を算出する。

本実施形態の溶剤としては、例えば、エラストマーやエラストマーを構成する構成単位と溶剤との、ＨＳＰ距離、極性項や水素結合項の差分が小さいもの選択することができる。

室温２５℃においてせん断速度２０〔１／ｓ〕で測定した時の導電性ペースト及び／又は絶縁性ペーストの粘度の下限値は、例えば、１Ｐａ・ｓ以上であり、好ましくは５Ｐａ・ｓ以上であり、より好ましくは１０Ｐａ・ｓ以上である。これにより、成膜性を向上させることができる。また、厚膜形成時においても形状保持性を高めることができる。一方で、室温２５℃における導電性ペースト及び／又は絶縁性ペーストの粘度の上限値は、例えば、１００Ｐａ・ｓ以下であり、好ましくは９０Ｐａ・ｓ以下であり、より好ましくは８０Ｐａ・ｓ以下である。これにより、ペーストにおける印刷性を向上させることができる。

室温２５℃において、せん断速度１〔１／ｓ〕で測定した時の粘度をη１とし、せん断速度５〔１／ｓ〕で測定した時の粘度をη５とし、チキソ指数を粘度比（η１／η５）とする。
このとき、導電性ペースト及び／又は絶縁性ペーストのチキソ指数の下限値は、例えば、１．０以上であり、好ましくは１．１以上であり、より好ましくは１．２以上である。これにより、印刷法で得られた配線の形状を安定的に保持することができる。一方で、導電性ペースト及び／又は絶縁性ペーストのチキソ指数の上限値は、例えば、３．０以下であり、好ましくは２．５以下であり、より好ましくは２．０以下である。これにより、ペーストの印刷容易性を向上させることができる。

絶縁性ペースト中におけるシリコーンゴム系硬化性組成物の含有量は、絶縁性ペースト１００質量％中、１０質量％以上であることが好ましく、１５質量％以上であることがより好ましく、２０質量％以上であることがさらに好ましい。また、絶縁性ペースト中におけるシリコーンゴム系硬化性組成物の含有量は、絶縁性ペースト１００質量％中、５０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましく、３５質量％以下であることがさらに好ましい。

（導電性フィラー）
導電性フィラーとしては、公知の導電材料を用いてもよいが、金属粉（Ｇ）を用いてもよい。
金属粉（Ｇ）を構成する金属は特に限定はされないが、例えば、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、或いはこれらを合金化した金属粉のうち少なくとも一種類、あるいは、これらのうちの二種以上を含むことができる。
これらのうち、金属粉（Ｇ）としては、導電性の高さや入手容易性の高さから、銀または銅を含むこと、すなわち、銀粉または銅粉を含むことが好ましい。
なお、これらの金属粉（Ｇ）は他種金属でコートしたものも使用できる。

本実施形態において、金属粉（Ｇ）の形状には制限がないが、樹枝状、球状、リン片状等の従来から用いられているものが使用できる。この中でも、リン片状の金属粉（Ｇ）を用いてもよい。

また、金属粉（Ｇ）の粒径も制限されないが、たとえば平均粒径Ｄ_５０で０．００１μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、さらに好ましくは０．１μｍ以上である。金属粉（Ｇ）の粒径は、たとえば平均粒径Ｄ_５０で１，０００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１００μｍ以下であり、さらに好ましくは２０μｍ以下である。
平均粒径Ｄ_５０をこのような範囲に設定することで、シリコーンゴムとして適度な導電性を発揮することができる。
なお、金属粉（Ｇ）の粒径は、たとえば、導電性ペースト、あるいは導電性ペーストを用いて成形したシリコーンゴムについて透過型電子顕微鏡等で観察の上、画像解析を行い、任意に選んだ金属粉２００個の平均値として定義することができる。

導電性ペースト中における導電性フィラーの含有量は、導電性ペースト１００質量％中、３０質量％以上であることが好ましく、４０質量％以上であることがより好ましく、５０質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中における導電性フィラーの含有量は、導電性ペースト１００質量％中、８５質量％以下であることが好ましく、７５質量％以下であることがより好ましく、６５質量％以下であることがさらに好ましい。
導電性フィラーの含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴムが適度な導電特性を持つことができる。また、導電性フィラーの含有量を上記上限値以下とすることにより、シリコーンゴムが適度な柔軟性を持つことができる

導電性ペースト中におけるシリコーンゴム系硬化性組成物の含有量は、導電性ペースト１００質量％中、１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましく、５質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中におけるシリコーンゴム系硬化性組成物の含有量は、導電性ペースト１００質量％中、２５質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以下であることがさらに好ましい。
シリコーンゴム系硬化性組成物の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴムが適度な柔軟性を持つことができる。また、シリコーンゴム系硬化性組成物の含有量を上記上限値以下とすることにより、シリコーンゴムの機械的強度の向上を図ることができる。

導電性ペースト中におけるシリカ粒子（Ｃ）の含有量の下限値は、シリカ粒子（Ｃ）および導電性フィラーの合計量１００質量％中、例えば、１質量％以上であり、好ましくは３質量％以上であり、より好ましくは５質量％以上とすることができる。これにより、シリコーンゴムの機械的強度を向上させることができる。一方で、上記導電性ペースト中における上記シリカ粒子（Ｃ）の含有量の上限値は、シリカ粒子（Ｃ）および導電性フィラーの合計量１００質量％中、例えば、２０質量％以下であり、好ましくは１５質量％以下であり、より好ましくは１０質量％以下である。これにより、シリコーンゴムにおける伸縮電気特性と機械的強度のバランスを図ることができる。

下部配線や上部配線などの配線を構成する導電性ペーストを硬化させた導電硬化物中における、導電性フィラーの含有量は、導電硬化物１００質量％中、６５質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、７５質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電硬化物における導電性フィラーの含有量は、導電硬化物１００質量％中、９５質量％以下であることが好ましく、９０質量％以下であることがより好ましく、８５質量％以下であることがさらに好ましい。
導電性フィラーの含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴムが適度な導電特性を持つことができる。また、導電性フィラーの含有量を上記上限値以下とすることにより、シリコーンゴムが適度な柔軟性を持つことができる。

次に、本実施形態の伸縮性多層回路基板１００の製造工程について説明する。

本実施形態の伸縮性多層回路基板の製造方法は、多層配線構造を備える柔軟性回路基板の製造方法であって、基板を形成する工程と、基板の上に複数の下部配線を形成する工程と、下部配線の上に下部絶縁層を形成する工程と、下部絶縁層の上に複数の上部配線を形成する工程と、上部配線の上に上部絶縁層を形成する工程と、を含む。
伸縮性多層回路基板の製造方法において、基板、下部配線、下部絶縁層、上部配線、及び上部絶縁層を、それぞれ熱硬化性エラストマーを用いて形成するとともに、基板の一面に対して垂直方向に見たとき、少なくとも第一の下部配線に対して第一の上部配線が交差しつつも、互いに電気的に接続可能となるように、下部配線及び上部配線を形成する。

伸縮性多層回路基板の製造方法において、複数の下部配線及び複数の上部配線は、それぞれ同一または異なる導電性ペーストを塗布、乾燥させることにより形成してもよい。

ここで、伸縮性多層回路基板１００の製造工程の一例について図３を用いて説明する。
図３は、伸縮性多層回路基板１００の製造工程の概略を示す断面図である。

まず、図３（ａ）に示すように、作業台１１上に支持体１２０を設置し、その支持体１２上に絶縁性ペースト１３を塗工する。塗工方法としては、各種の方法を用いることができるが、例えば、スキージ１４を用いたスキージ方法などの印刷法を用いることができる。続いて、塗膜状の絶縁性ペースト１３を乾燥させて、支持体１２上に絶縁層３２（絶縁性エラストマーで構成される基板１１０）を形成することができる。乾燥条件は、絶縁性ペースト１３中の溶剤の種類や量に応じて適宜設定することができるが、例えば、乾燥温度を１５０℃～１８０℃、乾燥時間を１分～３０分等とすることができる。

なお、基板１１０を構成する絶縁層３２は、上記シリコーンゴム系硬化性組成物を用い、カレンダー成形やコンプレッション成形などの成形方法にて形成されてもよい。

続いて、図３（ｂ）に示すように、絶縁層３２上に、所定の開口パターン形状を有するマスク１６を配置する。そして、図３（ｂ）、（ｃ）に示すように、マスク１６を介して、絶縁層３２上に導電性ペースト１５を塗工する。
塗工方法は、絶縁性ペースト１３の塗工方法と同様の手法を用いることができ、例えば、スキージ１４によるスキージ印刷を用いてもよい。
ここで、絶縁性ペースト１３および導電性ペースト１５がそれぞれシリコーンゴム系硬化性組成物を含む場合、乾燥した絶縁層３２上に、所定のパターン形状を有する導電性塗膜（導電層５２）を積層した後、これらを一括して硬化処理してもよい。硬化処理としては、シリコーンゴム系硬化性組成物に応じて適宜設定できるが、例えば、硬化温度を１６０℃～２２０℃、硬化時間を１時間～３時間等とすることができる。硬化処理後または硬化処理前に、図３（ｄ）に示すように、マスク１６を取り外すことができる。これにより、絶縁層３２の硬化物で構成される基板上に、所定のパターン形状を有する、導電層５２の硬化物（導電性エラストマーで構成される下部配線１２０）を形成することができる。

続いて、図３（ｅ）に示すように、絶縁層３２およびパターン状の導電層５２の上に、さらに絶縁性ペースト１７を塗工し、図３（ｆ）に示すように絶縁層７２（絶縁性エラストマーで構成される下部絶縁層１３０）を形成することができる。
その後、図３（ｂ）から図３（ｅ）の工程を適宜、繰り返してもよい。これにより、導電性エラストマーで構成される上部配線１５０及び絶縁性エラストマーで構成される上部絶縁層１６０等を形成し、回路の多層化が可能になる。また、マスクパターンやその配置位置を調整することで、下部配線１２０及び上部配線１５０の交差構造を形成できる。
なお、繰り返し工程は、絶縁層３２から支持体１２０を分離した後に行ってもよい。
以上により、図１（ａ）に示す伸縮性多層回路基板１００を得ることができる。

このように、伸縮性多層回路基板１００中、基板１１０、下部絶縁層１３０、および上部絶縁層１６０の少なくとも一つが、好ましくは、すべてが、絶縁性ペーストを用いて印刷された絶縁性印刷層で構成されてもよい。これにより、配線との密着性を向上させることが可能である。

伸縮性多層回路基板１００中、下部配線１２０、および上部配線１５０が、それぞれ導電性ペーストを用いて印刷された導電性印刷層で構成されてもよい。これにより、導電性印刷層のパターン形状を自在に選択可能になる。

下部配線１２０、および上部配線１５０の少なくとも一方の導電性フィラーの含有量の下限は、配線１００質量％中、例えば、７０質量％以上、好ましくは７５質量％以上、より好ましくは８０質量％以上である。これにより、伸縮性多層回路基板の伸縮電気特性を高められる。一方、下部配線１２０、および上部配線１５０の少なくとも一方の導電性フィラーの含有量の上限は、配線１００質量％中、例えば、９０質量％以下、好ましくは８８質量％以下、より好ましくは８５質量％以下である。これにより、伸縮性多層回路基板の伸縮性などのゴム特性の低下を抑制できる。

以下、伸縮性多層回路基板１００の特性について説明する。

本実施形態において、基板１１０、下部配線１２０、下部絶縁層１３０、上部配線１５０及び上部絶縁層１６０の少なくとも一つ以上が、以下の特性の少なくとも一つを有するエラストマーで構成されてもよい。好ましい態様の一つは、基板１１０が以下の引裂強度、破断伸び、及びデュロメータ硬度Ａの少なくとも一つを有するエラストマーで構成される。

エラストマーの引裂強度の下限は、例えば、２５Ｎ／ｍｍ以上、好ましくは２８Ｎ／ｍｍ以上、より好ましくは３０Ｎ／ｍｍ以上、さらに好ましくは３３Ｎ／ｍｍ以上、一層好ましくは３５Ｎ／ｍｍ以上である。これにより、エラストマーの繰り返し使用時における耐久性を向上できる。また、エラストマーの機械的強度を向上できる。
一方、エラストマーの引裂強度の上限は、特に限定されないが、例えば、８０Ｎ／ｍｍ以下としてもよく、７０Ｎ／ｍｍ以下としてもよい。これにより、エラストマーの諸特性のバランスをとることができる。

エラストマーの引張強度の下限は、例えば、５．０ＭＰａ以上であり、好ましくは１０．０ＭＰａ以上であり、より好ましくは１２．０ＭＰａ以上である。これにより、エラストマーの機械的強度を向上させることができる。また、繰り返しの変形に耐えられる耐久性に優れたエラストマーを実現できる。
一方、エラストマーの引張強度の上限は、特に限定されないが、例えば、２５ＭＰａ以下としてもよく、２０ＭＰａ以下としてもよい。これにより、エラストマーの諸特性のバランスをとることができる。

エラストマーの破断伸びの下限は、例えば、１００％以上であり、好ましくは２００％以上であり、より好ましくは３００％以上であり、さらに好ましくは４００％以上である。これにより、エラストマーの高伸縮性および耐久性を向上させることができる。
一方、エラストマーの破断伸びの上限は、特に限定されないが、例えば、２０００％以下としてもよく、１５００％以下としてもよい。これにより、エラストマーの諸特性のバランスをとることができる。

エラストマーのデュロメータ硬さＡの上限は、特に限定されないが、例えば、９０以下でもよく、好ましくは７５以下でもよく、より好ましくは７０以下でもよい。これにより、シリコーンゴムの硬化物性のバランスを図ることができる。これにより、エラストマーにおいて、屈曲や伸張などの変形が容易となる変形容易性を高められる。
一方、エラストマーのデュロメータ硬さＡの下限は、特に限定されないが、例えば、３０以上、好ましくは３５以上、より好ましくは４０以上である。これにより、エラストマーの機械的強度を高められる。

本実施形態において、伸縮性多層回路基板の各部材の特性や各部材に使用したエラストマーの特性を測定する方法として、例えば、以下の方法を採用できる。各部材の特性の測定には、試験片として、例えば、基板などの各部材をそのまま使用してもよい。

（引裂強度の測定条件）
エラストマーを用いてクレセント形試験片を作製し、得られたクレセント形試験片について、２５℃、ＪＩＳ Ｋ６２５２（２００１）に準拠して、引裂強度を測定する。

（引張強度の測定条件）
エラストマーを用いてダンベル状３号形試験片を作製し、得られたダンベル状３号形試験片について、２５℃、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して、引張強度を測定する。

（破断伸びの測定条件）
エラストマーを用いてダンベル状３号形試験片を作製し、得られたダンベル状３号形試験片について、２５℃、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して、破断伸びを測定する。

（デュロメータ硬さＡの測定手順）
エラストマーを用いて、シート状試験片を作製し、ＪＩＳ Ｋ６２５３（１９９７）に準拠して、２５℃における、得られたシート状試験片のデュロメータ硬さＡを測定する。

２５℃、未伸長時における第一の下部配線１２０及び第一の上部配線１５０の少なくとも一方の体積抵抗率が、例えば、１×１０^－５Ω・ｃｍ以上１×１０^－１Ω・ｃｍ以下、好ましくは５×１０^－５Ω・ｃｍ以上５×１０^－２Ω・ｃｍ以下、より好ましくは１×１０^－４Ω・ｃｍ以上１×１０^－２Ω・ｃｍ以下である。このような範囲内とすることで、未伸長時、さらには伸長時においても、優れた電気特性の伸縮性多層回路基板１００が得られる。

２５℃、未伸長時における第一の下部配線１２０及び第一の上部配線１５０の電気抵抗値の少なくとも一方が、例えば、０．０１Ω／ｃｍ以上１０００Ω／ｃｍ以下、好ましくは０．０５Ω／ｃｍ以上５００Ω／ｃｍ以下、より好ましくは０．１Ω／ｃｍ以上２００Ω／ｃｍ以下である。

２５℃、未伸長時における電気抵抗値が上記範囲内の場合、２５℃、５０％伸長時における第一の下部配線１２０及び第一の上部配線１５０の電気抵抗値の少なくとも一方が、０．１Ω／ｃｍ以上１２００Ω／ｃｍ以下、好ましくは０．２Ω／ｃｍ以上７００Ω／ｃｍ以下、より好ましくは０．３Ω／ｃｍ以上３００Ω／ｃｍ以下である。このような範囲内とすることで、未伸長時、さらには伸長時においても、優れた電気特性の伸縮性多層回路基板１００が得られる。

２５℃、２０％伸長時における配線の電気抵抗値をＸ１、２５℃、５０％伸長時における配線の電気抵抗値をＸ２とする。
２５℃、未伸長時における電気抵抗値が上記範囲内の場合、第一の下部配線１２０及び第一の上部配線１５０の少なくとも一方が、例えば、１．２≦Ｘ２／Ｘ１≦８．０、好ましくは１．３≦Ｘ２／Ｘ１≦７．０、より好ましくは１．４≦Ｘ２／Ｘ１≦６．０を満たすように構成される。このような範囲内とすることで、伸長時においても、優れた電気特性の伸縮性多層回路基板１００が得られる。

２５℃、未伸長時おける配線の電気抵抗値のＺ１とし、２５℃、５０％の伸長操作を、１００回行った後の未伸長状態における配線の電気抵抗値をＺ２とする。
第一の下部配線１２０及び第一の上部配線１５０の少なくとも一方が、例えば、１．１≦Ｚ２／Ｚ１≦３．０、好ましくは１．２≦Ｚ２／Ｚ１≦２．９、より好ましくは１．３≦Ｚ２／Ｚ１≦２．８を満たすように構成される。このような範囲内とすることで、繰り返し伸長時においても、優れた電気特性の伸縮性多層回路基板１００が得られる。

本実施形態の電子デバイスは、上記の伸縮性多層回路基板を備える。
電子デバイスとしては、例えば、伸縮性ディスプレイ、ウェアラブルデバイス、又は生体センサー等が挙げられる。

以下、伸縮性多層回路基板を伸縮性ディスプレイに適用した一例について、図４を用いて説明する。
図４は、伸縮性ディスプレイを備える表示装置の構成の一例を示す機能ブロック図である。

表示装置３００の一例は、表示部３１０、及び制御部３２０を備える。この表示装置３００は、電源部３５０や通信部３４０などの他の機能部を少なくとも一以上さらに備えてもよい。

表示部３１０は、伸縮性ディスプレイ（表示部３１０）を備え、伸縮性ディスプレイにより表示を行う。伸縮性ディスプレイは、表示素子等が搭載された上記の伸縮性多層回路基板で構成される。
このような表示装置３００は、衣服や身体等の各種用途に応じた対象に装着可能である。

制御部３２０は、表示部３１０の表示内容を制御する。表示部３１０は、例えば、入力部３３０から入力された情報に基づいて表示内容を制御できる。

入力部３３０は、表示装置３００に直接設けられてもよいが、スマートフォンなどの外部端末に設けられてもよい。入力部３３０から入力された情報は、表示装置３００が備える通信部３４０を介して制御部３２０に伝達される。入力部３３０は、例えば、ボタンまたはタッチパネルで構成されてもよい。
なお、外部端末にディスプレイが設けられている場合、通信部３４０を介して、表示部３１０の表示内容と同じものを、そのディスプレイに表示されてもよい。
通信部３４０は、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、Ｗｉ－Ｆｉなどの各種通信手段を備える。

表示装置３００が、さらに記憶部３６０を備えてもよい。制御部３２０は、記憶部３６０に記憶された表示内容を表示部３１０に表示させてもよい。また、制御部３２０は、記憶部３６０に記憶された表示内容を構成する情報を生成、変更、削除することができる。

電源部３５０は、モバイルバッテリーで構成されてもよく、外部電源に接続可能な電極を備えてもよい。

表示装置３００中、表示部３１０を構成する伸縮性多層回路基板の基板１１０上には、表示素子が搭載された表示領域の他に、表示領域の周辺にある非表示領域が設けられていてもよい。非表示領域の基板１１０上には、例えば、制御部３２０、電源部３５０、入力部３３０、通信部３４０及び記憶部３６０等の各部の少なくとも一つ又は二つ以上が設けられていてもよい。これにより、表示素子と各部や各部間を、伸縮性配線で接続可能である。

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することができる。また、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれる。
以下、参考形態の例を付記する。
１． 基板と、
前記基板の上に設けられた複数の下部配線と、
前記下部配線の上に設けられた下部絶縁層と、
前記下部絶縁層の上に設けられた複数の上部配線と、
前記上部配線の上に設けられた上部絶縁層と、を有する多層配線構造を備える、伸縮性多層回路基板であって、
前記基板、前記下部配線、前記下部絶縁層、前記上部配線、及び前記上部絶縁層が、それぞれ熱硬化性エラストマーを含み、
前記多層配線構造中において、
前記基板の一面に対して垂直方向に見たとき、第一の前記下部配線と第一の前記上部配線とが互いに交差する交差構造と、
第一の前記下部配線と第一の前記上部配線とが互いに電気的に接続可能な接続構造と、
を備える、伸縮性多層回路基板。
２． １．に記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記基板、前記下部絶縁層、および前記上部絶縁層が、それぞれシリコーンゴムを含む、伸縮性多層回路基板。
３． １．又は２．に記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記下部配線、および前記上部配線が、それぞれシリコーンゴム及び導電性フィラーを含む、伸縮性多層回路基板。
４． １．～３．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記基板、前記下部配線、前記下部絶縁層、前記上部配線、及び前記上部絶縁層が、同種のシリコーンゴムを含む、伸縮性多層回路基板。
５． ３．に記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記導電性フィラーが、銀粉を含む、伸縮性多層回路基板。
６． １．～５．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記基板、前記下部絶縁層、および前記上部絶縁層の少なくとも一つが、無機フィラーを含む、伸縮性多層回路基板。
７． １．～６．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記下部配線、および前記上部配線の少なくとも一つが、無機フィラーを含む、伸縮性多層回路基板。
８． ６．または７．に記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記無機フィラーが、シリカを含む、伸縮性多層回路基板。
９． １．～８．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記基板、前記下部絶縁層、および前記上部絶縁層の少なくとも一つが、絶縁性ペーストを用いて印刷された絶縁性印刷層で構成される、伸縮性多層回路基板。
１０． １．～９．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記下部配線、および前記上部配線が、それぞれ導電性ペーストを用いて印刷された導電性印刷層で構成される、伸縮性多層回路基板。
１１． １．～１０．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
ＪＩＳ Ｋ６２５２（２００１）に準拠して測定される、２５℃における前記基板の引裂強度が、２５Ｎ／ｍｍ以上である、伸縮性多層回路基板。
１２． １．～１１．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して測定される、２５℃における前記基板の破断伸びが、１００％以上である、伸縮性多層回路基板。
１３． １．～１２．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
ＪＩＳ Ｋ６２５３（１９９７）に準拠して規定される、２５℃における前記基板のデュロメータ硬さＡが、３０以上９０以下である、伸縮性多層回路基板。
１４． １．～１３．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記下部絶縁層の厚み／前記基板の厚みが、０．０１以上２．０以下である、伸縮性多層回路基板。
１５． １．～１４．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記下部配線の厚み／前記下部絶縁層の厚みが、０．０５以上２０．０以下である、伸縮性多層回路基板。
１６． １．～１５．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
２５℃、未伸長時における第一の前記下部配線及び第一の前記上部配線の体積抵抗率が、１×１０ ^－５ Ω・ｃｍ以上１×１０ ^－１ Ω・ｃｍ以下である、伸縮性多層回路基板。
１７． １．～１６．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
２５℃、未伸長時における第一の前記下部配線及び第一の前記上部配線の電気抵抗値が０．０１Ω／ｃｍ以上１０００Ω／ｃｍ以下の範囲内にあるとき、２０％伸長時における第一の前記下部配線及び第一の前記上部配線の電気抵抗値をＸ１、５０％伸長時における第一の前記下部配線及び第一の前記上部配線の電気抵抗値をＸ２としたとき、Ｘ２／Ｘ１が、１．２以上８．０以下である、伸縮性多層回路基板。
１８． １．～１７．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
２５℃、未伸長時における第一の前記下部配線及び第一の前記上部配線の電気抵抗値が０．０１Ω／ｃｍ以上１０００Ω／ｃｍ以下の範囲内にあるとき、５０％伸長時における第一の前記下部配線及び第一の前記上部配線の電気抵抗値が、０．１Ω／ｃｍ以上１２００Ω／ｃｍ以下である、伸縮性多層回路基板。
１９． １．～１８．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
２５℃、未伸長時おける第一の前記下部配線の電気抵抗値のＺ１、５０％の伸長操作を、１００回行った後の未伸長状態の第一の前記下部配線の電気抵抗値をＺ２としたとき、
Ｚ２／Ｚ１が、１．１以上３．０以下である、伸縮性多層回路基板。
２０． １．～１９．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記接続構造において、電子部品を介して、第一の前記下部配線と第一の前記上部配線とが電気的に接続するように構成される、伸縮性多層回路基板。
２１． ２０．に記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記電子部品は、導電性ペースト及び半田材料の少なくとも一方を用いて、第一の前記下部配線および第一の前記上部配線に電気的に接続するように構成される、伸縮性多層回路基板。
２２． ２０．または２１．に記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記多層配線構造中において、前記電子部品を封止する封止部を備える、伸縮性多層回路基板。
２３． １．～２２．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記接続構造中において、少なくとも前記下部絶縁層および前記上部絶縁層を貫通する下部用開口部が形成されており、少なくとも前記上部絶縁層を貫通する上部用開口部が形成されており、
第一の前記下部配線が、前記下部用開口部内において露出するように構成された下部接続部を有しており、
第一の前記上部配線が、前記上部用開口部内において露出するように構成された上部接続部を有する、伸縮性多層回路基板。
２４． １．～２３．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記多層配線構造の積層方向に切断したときの断面視において、前記接続構造中、第一の前記下部配線が、前記基板から前記下部配線に向かって突出した突出接続部を有する、伸縮性多層回路基板。
２５． １．～２４．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記基板は、前記上部配線および前記下部配線が設けられた一面とは反対側の他面に、配線を有しない、伸縮性多層回路基板。
２６． １．～２５．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板であって、
前記基板の一面に対して垂直方向に見たとき、
前記多層配線構造中において、複数の前記下部配線と複数の前記上部配線とが互いに交差する、複数の交差構造を備えており、
前記複数の交差構造が、格子状に配置される、伸縮性多層回路基板。
２７． １．～２６．のいずれか一つに記載の伸縮性多層回路基板を有する、伸縮性ディスプレイ、ウェアラブルデバイス、又は生体センサー。
２８． 表示部、制御部、電源部及び／又は通信部を備える表示装置であって、
前記表示部が、２７．に記載の伸縮性ディスプレイを備える、表示装置。
２９． 基板を形成する工程と、
前記基板の上に複数の下部配線を形成する工程と、
前記下部配線の上に下部絶縁層を形成する工程と、
前記下部絶縁層の上に複数の上部配線を形成する工程と、
前記上部配線の上に上部絶縁層を形成する工程と、を含む、多層配線構造を備える伸縮性多層回路基板の製造方法であって、
前記基板、前記下部配線、前記下部絶縁層、前記上部配線、及び前記上部絶縁層を、それぞれ熱硬化性エラストマーを用いて形成するとともに、
前記基板の一面に対して垂直方向に見たとき、少なくとも第一の前記下部配線に対して第一の前記上部配線が交差しつつも、互いに電気的に接続可能となるように、前記下部配線及び前記上部配線を形成する、
伸縮性多層回路基板の製造方法。
３０． ２９．に記載の伸縮性多層回路基板の製造方法であって、
前記複数の下部配線及び前記複数の上部配線は、それぞれ同一または異なる導電性ペーストを塗布、乾燥させることにより形成する、伸縮性多層回路基板の製造方法。

以下、本発明について実施例を参照して詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。

（ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ））
（Ａ１－１）：第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン：下記の合成スキーム１により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン（上記式（１－１）で表わされる構造）
（Ａ１－２）：第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン：下記の合成スキーム２により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン（上記式（１－１）で表わされる構造でＲ^１およびＲ^２がビニル基である構造）

（オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ））
（Ｂ－１）：オルガノハイドロジェンポリシロキサン：モメンティブ社製、「ＴＣ－２５Ｄ」

（シリカ粒子（Ｃ））
（Ｃ）：シリカ微粒子（粒径７ｎｍ、比表面積３００ｍ^２／ｇ）、日本アエロジル社製、「ＡＥＲＯＳＩＬ３００」

（シランカップリング剤（Ｄ））
（Ｄ－１）：ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＺ）、Ｇｅｌｅｓｔ社製、「ＨＥＸＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＡＺＡＮＥ（ＳＩＨ６１１０．１）」
（Ｄ－２）ジビニルテトラメチルジシラザン、Ｇｅｌｅｓｔ社製、「１，３－ＤＩＶＩＮＹＬＴＥＴＲＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＡＺＡＮＥ（ＳＩＤ４６１２．０）」

（白金または白金化合物（Ｅ））
（Ｅ－１）：白金化合物 （モメンティブ社製、商品名「ＴＣ―２５Ａ」）

（水（Ｆ））
（Ｆ）：純水

（金属粉（Ｇ））
（Ｇ１）：銀粉、徳力化学研究所社製、商品名「ＴＣ－１０１」、メジアン径ｄ_５０：８．０μｍ、アスペクト比１６．４、平均長径４．６μｍ

（ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合成）
［合成スキーム１：第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）の合成］
下記式（５）にしたがって、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）を合成した。
すなわち、Ａｒガス置換した、冷却管および攪拌翼を有する３００ｍＬセパラブルフラスコに、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）、カリウムシリコネート０．１ｇを入れ、昇温し、１２０℃で３０分間攪拌した。なお、この際、粘度の上昇が確認できた。
その後、１５５℃まで昇温し、３時間攪拌を続けた。そして、３時間後、１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン０．１ｇ（０．６ｍｍｏｌ）を添加し、さらに、１５５℃で４時間攪拌した。
さらに、４時間後、トルエン２５０ｍＬで希釈した後、水で３回洗浄した。洗浄後の有機層をメタノール１．５Ｌで数回洗浄することで、再沈精製し、オリゴマーとポリマーを分離した。得られたポリマーを６０℃で一晩減圧乾燥し、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）を得た（Ｍｎ＝２，２×１０^５、Ｍｗ＝４，８×１０^５）。また、Ｈ－ＮＭＲスペクトル測定により算出したビニル基含有量は０．０４モル％であった。

［合成スキーム２：第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）の合成］
上記（Ａ１－１）の合成工程において、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）に加えて２，４，６，８－テトラメチル２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサン０．８６ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、（Ａ１－１）の合成工程と同様にすることで、下記式（６）のように、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）を合成した。また、Ｈ－ＮＭＲスペクトル測定により算出したビニル基含有量は０．９２モル％であった。

（シリコーンゴム系硬化性組成物の調製）
以下の手順に従って、シリコーンゴム系硬化性組成物１～５を調整した。
まず、下記の表１に示す割合で、９０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シランカップリング剤（Ｄ）および水（Ｆ）の混合物を予め混練し、その後、混合物にシリカ粒子（Ｃ）を加えてさらに混練し、混練物（シリコーンゴムコンパウンド）を得た。
ここで、シリカ粒子（Ｃ）添加後の混練は、カップリング反応のために窒素雰囲気下、６０～９０℃の条件下で１時間混練する第１ステップと、副生成物（アンモニア）の除去のために減圧雰囲気下、１６０～１８０℃の条件下で２時間混練する第２ステップとを経ることで行い、その後、冷却し、残り１０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を２回に分けて添加し、２０分間混練した。
続いて、下記の表２に示す割合で、得られた混練物（シリコーンゴムコンパウンド）１００重量部に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）、白金または白金化合物（Ｅ）を加えて、ロールで混練し、シリコーンゴム系硬化性組成物１～５を得た。

（絶縁性ペーストの調製）
得られた３２重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物４を、６８重量部のテトラデカン（溶剤）に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、導電性ペーストを得た。

（導電性ペーストの調製）
得られた１３．７重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物５を、３１．８重量部のテトラデカン（溶剤）に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、５４．５重量部の金属粉（Ｇ１）を加えた後に三本ロールで混練することで、導電性ペーストを得た。

＜実施例１＞
（伸縮性回路基板の作製）
以下の手順に従って、図５に示す伸縮性多層回路基板１００を作製した。
まず、得られたシリコーンゴム系硬化性組成物１を１７０℃、１０ＭＰａで１０分間プレスし、シート状に成形すると共に、一次硬化した。続いて、２００℃、４時間で二次硬化して、縦×横×厚み：１２ｃｍ×１２ｃｍ×表３の基板厚みを有する基板１１０（シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物）を得た。
得られた導電性ペーストを用いて、所定パターンを有するマスクを介して、８本の下部配線パターンを基板１１０上に描き、１４０℃、２０分で乾燥した。Ｎｏ．１～８の下部配線１２０は、それぞれ、表２の長さを有する縦配線及び横配線がこの順で９０度向きを変えて連結した構造を有しており、各配線の幅が１．０ｍｍ、厚みが表３の配線厚みであった。
得られた絶縁性ペーストを用いて、所定パターンを有するマスクを介して、基板１１０上及び下部配線１２０上に、絶縁層を形成し、１４０℃、２０分で乾燥することにより、表３の絶縁層厚みを有する下部絶縁層１３０を形成した。ただし、下部絶縁層１３０には、８本の下部配線１２０における下部接続部１２２及び下部接続部１２４が露出するように開口部を形成した。
得られた導電性ペーストを用いて、所定パターンを有するマスクを介して、上面視において８本の下部配線１２０と９０度で交差する配線を有する、８本の上部配線パターンを下部絶縁層１３０上に描き、１４０℃、２０分で乾燥した。Ｎｏ．９～１６の上部配線１５０は、それぞれ、表２の長さを有する縦配線（長）、横配線、及び縦配線（短）がこの順で９０度向きを変えて連結した構造を有しており、各配線の幅が１．０ｍｍ、厚みが表３の配線厚みであった。
また、８本の上部配線１５０の縦配線（短）のそれぞれには、下部接続部１２２の近傍に、配線の幅が１．０ｍｍ、厚みが表３の配線厚みを有する上部接続部１５２を８本形成した。
得られた絶縁性ペーストを用いて、所定パターンを有するマスクを介して、基板１１０、下部絶縁層１３０上及び上部配線１５０上に、絶縁層を形成し、１４０℃、２０分で乾燥することにより表３の絶縁層厚みを有する上部絶縁層１６０を形成した。ただし、上部絶縁層１６０には、８本の下部配線１２０における下部接続部１２２及び下部接続部１２４が露出するとともに、８本の上部配線１５０における上部接続部１５２及び上部接続部１５４が露出するように開口部を形成した。
以上の基板１１０、下部配線１２０、下部絶縁層１３０、上部配線１５０、及び上部絶縁層１６０を有する多層構造を、１８０℃、２時間で硬化し、図５に示す、実施例１の伸縮性多層回路基板１００を得た。

＜実施例２，３＞
基板の構成するシリコーンゴム系硬化性組成物１を、表１のシリコーンゴム系硬化性組成物２又は３に変更するとともに、表３の基板厚み、絶縁層厚み、配線厚みを採用した以外は、実施例１と同様にして、実施例２、３の伸縮性多層回路基板１００を作製した。
なお、伸縮性多層回路基板１００の積層方向における断面において、基板厚み、絶縁層厚み、配線厚みについて顕微鏡を用いて測定した。

（電子装置の作製）
得られた図５の伸縮性多層回路基板１００において、Ｎｏ．１～９の下部配線１２０における下部接続部１２２とＮｏ．１０～１６の上部配線１５０における上部接続部１５２とが跨がる６４箇所のそれぞれに、ＬＥＤチップ（電子部品１７０）を載せ、これらを上記導電ペーストにより接着し、１４０℃２０分乾燥、硬化した。その後、ＬＥＤチップを上記絶縁ペーストで封止し、１４０℃２０分乾燥、硬化し、電子装置を得た。

得られた伸縮性多層回路基板、及び電子装置について、以下の項目を評価した。

（硬度）
各実施例１～３のシリコーンゴム系硬化性組成物を１７０℃、１０ＭＰａで１０分間プレスし、シート状に成形すると共に、一次硬化した。続いて、２００℃、４時間で二次硬化して、表３の基板厚みを有するシート状の基板（シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物）を試験片として用いた。
上記試験片を厚さ６ｍｍになるように積層し、ＪＩＳ Ｋ６２５３（１９９７）に準拠して、２５℃における、得られたシート状試験片のデュロメータ硬さＡを測定した。

（引裂強度）
上記試験片を用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５２（２００１）に準拠して、２５℃における引裂強度を測定した。単位はＮ／ｍｍである。

（引張強度）
上記試験片を用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して、２５℃における引張強度を測定した。単位はＭＰａである。

上記試験片を用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して、破断伸びを測定した。破断伸びは、［チャック間移動距離（ｍｍ）］÷［初期チャック間距離（３５ｍｍ）］×１００で計算した。単位は％である。

（接続信頼性）
各実施例１～３のシリコーンゴム系硬化性組成物を用いて得られた上記試験片（シート状の基板）を、さらに、１８０℃、２ｈの加熱処理を施した。この加熱処理前後における試験片の寸法変化は、約０％であった。

（電気特性）
各下部配線１２０及び各上部配線１５０を介して、得られた電子装置に５Ｖの電圧を印可し、６４個のＬＥＤチップが一斉に発光することを確認した。全個数の５％以上の接続不良（非発光）のＬＥＤがある場合を×、５％未満の場合を○と評し、表１に結果を記載した。

上記下部配線１２０及び上部配線１５０に用いた導電性ペーストの硬化物（配線パターン）において、２５℃、未伸長時における体積抵抗値が３．２×１０^－４Ω・ｃｍ、２５℃、未伸長時における電気抵抗値が１．４Ω／ｃｍであった。

（伸縮電気特性）
得られた電子装置中の伸縮性多層回路基板１００について、図５の縦方向に２０％伸縮を１０回繰り返し行った。伸縮操作後の電子装置において、上記電気特性と同様に電圧を印加し、６４個のＬＥＤチップが一斉に発光することを確認した。全個数の５％以上の接続不良（非発光）のＬＥＤがある場合を×、５％未満の場合を○と評し、表１に結果を記載した。

（伸縮耐久性）
伸縮操作後の伸縮性多層回路基板１００において、厚み方向に切断した断面視を観察した結果、基板１１０、下部配線１２０、下部絶縁層１３０、上部配線１５０、及び上部絶縁層１６０のそれぞれの密着界面に剥離が生じないことを確認した。

実施例１～３は、複数の電子部品（ＬＥＤ）を高集積した構造を有しつつも、伸縮電気特性などに優れた伸縮性多層回路基板が得られる結果を示した。

１１ 作業台
１２ 支持体
１３ 絶縁性ペースト
１４ スキージ
１５ 導電性ペースト
１６ マスク
１７ 絶縁性ペースト
３２ 絶縁層
５２ 導電層
７２ 絶縁層
１００ 伸縮性多層回路基板
１１０ 基板
１２０ 下部配線
１２０ 支持体
１２２ 下部接続部
１２４ 下部接続部
１２６ 下部配線
１３０ 下部絶縁層
１４０ 開口部
１４２ 開口部
１５０ 上部配線
１５２ 上部接続部
１５４ 上部接続部
１５６ 上部配線
１６０ 上部絶縁層
１７０ 電子部品
２００ 多層配線構造
２１０ 交差構造
２２０ 接続構造

Claims (22)

1. 基板と、
   前記基板の上に設けられた複数の下部配線と、
   前記下部配線の上に設けられた下部絶縁層と、
   前記下部絶縁層の上に設けられた複数の上部配線と、
   前記上部配線の上に設けられた上部絶縁層と、を有する多層配線構造を備える、伸縮性多層回路基板であって、
   前記基板、前記下部絶縁層、及び前記上部絶縁層が、それぞれ熱硬化性エラストマーを含み、
   前記下部配線および前記上部配線（ただし、前記下部配線および前記上部配線は、前記基板の表面の法線方向における山部と谷部が前記基板の前記表面の面内方向に沿って繰り返し表れる蛇腹形状部を有する態様を除く）が、それぞれ、熱硬化性エラストマーおよび導電性フィラーを含む導電性エラストマーで構成されており、
   前記多層配線構造中において、
   前記基板の一面に対して垂直方向に見たとき、第一の前記下部配線と第一の前記上部配線とが互いに交差する交差構造と、
   第一の前記下部配線と第一の前記上部配線とが互いに電気的に接続可能な接続構造と、
   を備える、伸縮性多層回路基板。
2. 請求項１に記載の伸縮性多層回路基板であって、
   前記基板、前記下部絶縁層、および前記上部絶縁層が、それぞれシリコーンゴムを含む、伸縮性多層回路基板。
3. 請求項１又は２に記載の伸縮性多層回路基板であって、
   前記下部配線、および前記上部配線が、それぞれシリコーンゴムを含む、伸縮性多層回路基板。
4. 請求項１～３のいずれか一項に記載の伸縮性多層回路基板であって、
   前記基板、前記下部配線、前記下部絶縁層、前記上部配線、及び前記上部絶縁層が、同種のシリコーンゴムを含む、伸縮性多層回路基板。
5. 請求項１～４のいずれか一項に記載の伸縮性多層回路基板であって、
   前記導電性フィラーが、銀粉を含む、伸縮性多層回路基板。
6. 請求項１～５のいずれか一項に記載の伸縮性多層回路基板であって、
   前記基板、前記下部絶縁層、および前記上部絶縁層の少なくとも一つが、無機フィラーを含む、伸縮性多層回路基板。
7. 請求項１～６のいずれか一項に記載の伸縮性多層回路基板であって、
   前記下部配線、および前記上部配線の少なくとも一つが、無機フィラーを含む、伸縮性多層回路基板。
8. 請求項６または７に記載の伸縮性多層回路基板であって、
   前記無機フィラーが、シリカを含む、伸縮性多層回路基板。
9. 請求項１～８のいずれか一項に記載の伸縮性多層回路基板であって、
   前記基板、前記下部絶縁層、および前記上部絶縁層の少なくとも一つが、絶縁性ペーストを用いて印刷された絶縁性印刷層で構成される、伸縮性多層回路基板。
10. 請求項１～９のいずれか一項に記載の伸縮性多層回路基板であって、
    前記下部配線、および前記上部配線が、それぞれ導電性ペーストを用いて印刷された導電性印刷層で構成される、伸縮性多層回路基板。
11. 請求項１～１０のいずれか一項に記載の伸縮性多層回路基板であって、
    ＪＩＳ Ｋ６２５２（２００１）に準拠して測定される、２５℃における前記基板の引裂強度が、２５Ｎ／ｍｍ以上である、伸縮性多層回路基板。
12. 請求項１～１１のいずれか一項に記載の伸縮性多層回路基板であって、
    ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して測定される、２５℃における前記基板の破断伸びが、１００％以上である、伸縮性多層回路基板。
13. 請求項１～１２のいずれか一項に記載の伸縮性多層回路基板であって、
    ＪＩＳ Ｋ６２５３（１９９７）に準拠して規定される、２５℃における前記基板のデュロメータ硬さＡが、３０以上９０以下である、伸縮性多層回路基板。
14. 請求項１～１３のいずれか一項に記載の伸縮性多層回路基板であって、
    ２５℃、未伸長時における第一の前記下部配線及び第一の前記上部配線の電気抵抗値が０．０１Ω／ｃｍ以上１０００Ω／ｃｍ以下の範囲内にあるとき、５０％伸長時における第一の前記下部配線及び第一の前記上部配線の電気抵抗値が、０．１Ω／ｃｍ以上１２００Ω／ｃｍ以下である、伸縮性多層回路基板。
15. 請求項１～１４のいずれか一項に記載の伸縮性多層回路基板であって、
    ２５℃、未伸長時おける第一の前記下部配線の電気抵抗値のＺ１、５０％の伸長操作を、１００回行った後の未伸長状態の第一の前記下部配線の電気抵抗値をＺ２としたとき、
    Ｚ２／Ｚ１が、１．１以上３．０以下である、伸縮性多層回路基板。
16. 請求項１～１５のいずれか一項に記載の伸縮性多層回路基板であって、
    前記接続構造において、電子部品を介して、第一の前記下部配線と第一の前記上部配線とが電気的に接続するように構成される、伸縮性多層回路基板。
17. 請求項１６に記載の伸縮性多層回路基板であって、
    前記電子部品は、導電性ペースト及び半田材料の少なくとも一方を用いて、第一の前記下部配線および第一の前記上部配線に電気的に接続するように構成される、伸縮性多層回路基板。
18. 請求項１６または１７に記載の伸縮性多層回路基板であって、
    前記多層配線構造中において、前記電子部品を封止する封止部を備える、伸縮性多層回路基板。
19. 請求項１～１８のいずれか一項に記載の伸縮性多層回路基板であって、
    前記接続構造中において、少なくとも前記下部絶縁層および前記上部絶縁層を貫通する下部用開口部が形成されており、少なくとも前記上部絶縁層を貫通する上部用開口部が形成されており、
    第一の前記下部配線が、前記下部用開口部内において露出するように構成された下部接続部を有しており、
    第一の前記上部配線が、前記上部用開口部内において露出するように構成された上部接続部を有する、伸縮性多層回路基板。
20. 請求項１～１９のいずれか一項に記載の伸縮性多層回路基板であって、
    前記多層配線構造の積層方向に切断したときの断面視において、前記接続構造中、第一の前記下部配線が、前記基板から前記下部配線に向かって突出した突出接続部を有する、伸縮性多層回路基板。
21. 請求項１～２０のいずれか一項に記載の伸縮性多層回路基板であって、
    前記基板は、前記上部配線および前記下部配線が設けられた一面とは反対側の他面に、配線を有しない、伸縮性多層回路基板。
22. 請求項１～２１のいずれか一項に記載の伸縮性多層回路基板であって、
    前記基板の一面に対して垂直方向に見たとき、
    前記多層配線構造中において、複数の前記下部配線と複数の前記上部配線とが互いに交差する、複数の交差構造を備えており、
    前記複数の交差構造が、格子状に配置される、伸縮性多層回路基板。