JP7729294B2 - ネガ型感光性樹脂組成物及びドライフィルムレジスト - Google Patents
ネガ型感光性樹脂組成物及びドライフィルムレジストInfo
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Description
そこで、溶剤現像ではなく、アルカリ溶解性成分を組み込んだアルカリ現像型のネガ型感光性ドライフィルムレジストによる微細パターン描画が検討されている(例えば、特許文献1)。しかしながら、特許文献1のパターン形成では、アルカリ溶解成分として、パラヒドロキシスチレン骨格やカルボキシル基等の官能基を用いているため、アルカリ溶解速度の制御が困難であり、露光部分の現像後残渣や、未露光部の膜減りが発生し、十数μm以下の微細パターンの形成は困難であり、また、耐薬品性が十分ではなかった。
(A)m-クレゾールから誘導される構造単位(a1)、ベンズアルデヒドから誘導される構造単位(a2)、及びサリチルアルデヒドから誘導される構造単位(a3)のモル比[(a1):(a2):(a3)]が、1.0:0.3~0.8:0.3~0.8であるノボラック型フェノール樹脂
(B)ラジカル重合性化合物
(C)光重合開始剤
本発明はさらに、前記レジスト層の硬化物に関する。
なお、本明細書において、「x~y」は「x以上、y以下」の数値範囲を表すものとする。数値範囲に関して記載された上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
また、以下に記載される本発明の個々の形態を2つ以上組み合わせた形態もまた、本発明の形態である。
本発明の一実施形態に係るネガ型感光性樹脂組成物は、下記の成分(A)~(C)を含有する。
(A)m-クレゾールから誘導される構造単位(a1)、ベンズアルデヒドから誘導される構造単位(a2)、及びサリチルアルデヒドから誘導される構造単位(a3)のモル比[(a1):(a2):(a3)]が、1.0:0.3~0.8:0.3~0.8であるノボラック型フェノール樹脂
(B)ラジカル重合性化合物
(C)光重合開始剤
以下、ネガ型感光性樹脂組成物の構成成分について説明する。
成分(A)であるノボラック型フェノール樹脂は、m-クレゾールから誘導される構造単位(a1)、ベンズアルデヒドから誘導される構造単位(a2)、及びサリチルアルデヒドから誘導される構造単位(a3)のモル比[(a1):(a2):(a3)]が、1.0:0.3~0.8:0.3~0.8である。
上記構造単位(a1)、(a2)及び(a3)の含有量の合計は、実質的に100質量%であってもよい。なお、実質的に100質量%とは、上記構造単位(a1)、(a2)及び(a3)以外の構造単位が不可避的に含まれる場合を意味する。
酸触媒の添加量は、特に制限されないが、成分(A)の構成する構造単位を誘導するための原料100質量部に対し、好ましくは5質量部以上、より好ましくは20質量部以上である。また、好ましくは150質量部以下、より好ましくは100質量部以下である。
反応時間は、好ましくは4時間以上、より好ましくは12時間以上である。また、好ましくは32時間以下、より好ましくは24時間以下である。
成分(B)であるラジカル重合性化合物とは、分子中に複数のエチレン性不飽和基を有する化合物をいう。ラジカル重合性化合物を含有させることで、露光部の硬化が促進されて、露光時の感度を向上させることができる。加えて、熱硬化後の架橋密度が向上し、レジストの硬度を向上させることができる。
露光時の感度向上及び硬化膜の硬度向上の観点から、(メタ)アクリル基を分子内に二つ以上有する化合物がより好ましい。
また、一実施形態において、ネガ型感光性樹脂組成物はドライフィルムレジスト用である。
成分(C)である光重合開始剤とは、露光によって結合開裂及び/又は反応してラジカルを発生する化合物をいう。光重合開始剤を含有させることで、ネガ型感光性樹脂組成物の膜の露光部がアルカリ現像液に対して不溶化することで、ネガ型のパターンを形成することができる。また、露光部の硬化が促進されて、感度を向上させることができる。
光重合開始剤の配合量は、良好な感度が得られ、所望のパターンが得られることから、成分(A)100質量部に対して、好ましくは0.1質量部以上であり、より好ましくは5質量部以上ある。また、好ましくは30質量部以下であり、より好ましくは20質量部以下である。
本実施形態では、上述した成分(A)~(C)の他に、溶剤を使用してもよい。
溶剤としては、N-メチル-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の極性の非プロトン性溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸プロピル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート等のエステル類、乳酸エチル、乳酸メチル、ジアセトンアルコール、3-メチル-3-メトキシブタノール等のアルコール類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類等が挙げられる。これらの溶剤は1種単独で用いてもよく、また、2種以上を併用してもよい。
一実施形態において、ネガ型感光性樹脂組成物には、上述した成分(A)~(C)及び溶剤の他、本発明の効果を阻害しない範囲で各種添加剤を配合してもよい。添加剤としては、充填材、顔料、レベリング剤等の界面活性剤、密着性向上剤、溶解促進剤等が挙げられる。
該組成物に充填材、顔料等の固形のものを配合する際には、ディゾルバー、ホモジナイザー、3本ロールミル等の分散装置を用いて分散、混合させることが好ましい。また、粗粒や不純物を除去するため、メッシュフィルター、メンブレンフィルター等を用いて該組成物をろ過することもできる。
本実施形態のネガ型感光性樹脂組成物は、ドライフィルムレジスト用途に好適に使用できる。
本発明の一実施形態に係るドライフィルムレジストは、基材フィルムと、本発明のネガ型感光性樹脂組成物を含むレジスト層(以下、レジスト層又はレジスト膜ということがある。)と、を有する。
保護フィルムとしては、レジスト層の形態を損なうことなく剥離できるものであれば特に限定されない。具体的には、ナイロンフィルム、ポリエチレン(PE)フィルム、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリフェニレンサルファイド(PPS)フィルム、ポリプロピレン(PP)フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリメチルペンテン(TPX)フィルム、ポリカーボネートフィルム、フッ素含有フィルム、特殊ポリビニルアルコール(PVA)フィルム、離型処理を施したポリエステルフィルム等のプラスチックフィルムが挙げられる。
半導体基板、半導体パッケージ等は、段差構造を有していても、また、有さなくてもよい。段差の高さに応じて、レジスト層の厚みを適切に調整することにより、段差内にレジスト層を埋め込むことが可能となる。本実施形態のドライフィルムレジストは、段差を有する半導体基板、半導体パッケージ等に対し、好適に用いることができる。
転写後、必要に応じて加熱処理する。加熱処理は、例えばホットプレート上又はオーブン中で60~150℃、1~30分間、好ましくは80~130℃、1~10分間とすることができる。
本実施形態では、露光前のレジスト層が高いアルカリ溶解性を有するため、露光部とのアルカリ溶解性の差が大きいことから、高解像度でパターニングが可能となる。
アルカリ現像液には、必要に応じてアルコール、界面活性剤等を適宜添加して用いることもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常2~5質量%の範囲が好ましく、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液が一般的には好ましく用いられる。
本実施形態のドライフィルムレジストを使用して形成したレジスト硬化物は、耐薬品性に優れる。
[GPCの測定条件]
測定装置:東ソー株式会社製「HLC-8220 GPC」
カラム:昭和電工株式会社製「Shodex KF802」:8.0mmФ×300mm
+昭和電工株式会社製「Shodex KF802」:8.0mmФ×300mm
+昭和電工株式会社製「Shodex KF803」:8.0mmФ×300mm
+昭和電工株式会社製「Shodex KF804」:8.0mmФ×300mm
カラム温度:40℃
検出器:RI(示差屈折計)
データ処理:東ソー株式会社製「GPC-8020モデルIIバージョン4.30」
展開溶媒:テトラヒドロフラン
流速:1.0mL/分
試料:樹脂固形分換算で0.5質量%のテトラヒドロフラン溶液をマイクロフィルターでろ過したもの
注入量:0.1mL
標準試料:下記単分散ポリスチレン
(標準試料:単分散ポリスチレン)
東ソー株式会社製「A-500」
東ソー株式会社製「A-2500」
東ソー株式会社製「A-5000」
東ソー株式会社製「F-1」
東ソー株式会社製「F-2」
東ソー株式会社製「F-4」
東ソー株式会社製「F-10」
東ソー株式会社製「F-20」
冷却管を設置した容量が2000mLの4口フラスコに、m-クレゾール164g(1.52mol)、ベンズアルデヒド103g(0.97mol)、サリチルアルデヒド74g(0.61mol)、パラトルエンスルホン酸8gを仕込み、反応溶媒としてエタノール300gに溶解させた。その後、マントルヒーターで80℃に加熱し、還流下で16時間撹拌し反応させた。反応後、酢酸エチルと水を添加して5回分液洗浄した。残った樹脂溶液から溶媒を減圧留去した後、真空乾燥して、淡赤色粉末のノボラック型フェノール樹脂(A1)の粉末281gを得た。
ノボラック型フェノール樹脂(A-1)のMwは3,100であった。ノボラック型フェノール樹脂(A-1)のGPCチャートを図1に示す。
出発原料の仕込み量を、m-クレゾール164g(1.52mol)、ベンズアルデヒド80g(0.75mol)、及びサリチルアルデヒド92g(0.75mol)とした以外は、合成例1と同様にしてノボラック型フェノール樹脂(A-2)の粉末280gを得た。ノボラック型フェノール樹脂(A-2)のMwは2,370であった。
ノボラック型フェノール樹脂(A-2)のGPCチャートを図2に示す。
出発原料の仕込み量を、m-クレゾール164g(1.52mol)、ベンズアルデヒド117g(1.10mol)、及びサリチルアルデヒド58g(0.47mol)とした以外は、合成例1と同様にしてノボラック型フェノール樹脂(A-3)の粉末279gを得た。ノボラック型フェノール樹脂(A-3)のMwは2,700であった。
ノボラック型フェノール樹脂(A-3)のGPCチャートを図3に示す。
出発原料の仕込み量を、m-クレゾール164g(1.52mol)、ベンズアルデヒド67g(0.63mol)、及びサリチルアルデヒド115g(0.94mol)とした以外は、合成例1と同様にしてノボラック型フェノール樹脂(A-4)の粉末282gを得た。ノボラック型フェノール樹脂(A-4)のMwは2,900であった。
ノボラック型フェノール樹脂(A-4)のGPCチャートを図4に示す。
反応溶媒をエタノール250g、1-プロパノール30g及び2-プロパノール15gとした以外は、合成例1と同様にしてノボラック型フェノール樹脂(A-5)の粉末282gを得た。ノボラック型フェノール樹脂(A-5)のMwは3,200であった。
ノボラック型フェノール樹脂(A-5)のGPCチャートを図5に示す。
乾燥窒素気流下、冷却管を設置した2000mLの3口フラスコにm-クレゾール140g(1.30mol)、p-クレゾール76g(0.7モル)、37重量%ホルムアルデヒド水溶液151g(ホルムアルデヒド1.86モル)、シュウ酸二水和物1g(0.01モル)を仕込み、メチルイソブチルケトン(MIBK)528gに溶解させた後、マントルヒーターで、反応液を還流させながら4時間攪拌反応させた。反応後、水を添加し、5回分液洗浄を行った。エバポレーターでメチルイソブチルケトンを60℃で減圧留去させた後、真空乾燥を行い、淡赤色粉末のフェノールノボラック樹脂(A-6)212gを得た。フェノールノボラック樹脂(A-6)のGPCは、重量平均分子量(Mw)=3,500であった。
実施例1
合成例1で得たフェノールノボラック樹脂(A-1)粉末10.0g、ラジカル重合性化合物(B)(日本化薬株式会社製;ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート)を6.0g、光重合開始剤(C)粉末(シグマアルドリッチ株式会社製:Irgacure369)を1.2g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート25.8gに溶解させてネガ型感光性樹脂組成物(E-1)を得た。
実施例2~5及び比較例1においては、成分(A)として表1に示すフェノールノボラック樹脂(A-2)~(A-6)粉末を用いた以外は、実施例1と同様にしてネガ型感光性樹脂組成物(E-2)~(E-6)を得た。
成分(A)として、フェノールノボラック樹脂の代わりに下記式で表される樹脂(A-7)を用いた以外は、実施例1と同様にしてネガ型感光性樹脂組成物(E-7)を得た。アルカリ可溶性樹脂の構造構造を示す下記式において、括弧の右下の数値は、樹脂における括弧内の単位の含有量(質量%)である。
成分(A)を使用しなかった他は、実施例1と同様にしてネガ型感光性樹脂組成物(E-8)を得た。
実施例及び比較例で調製したネガ型感光性樹脂組成物を用いてドライフィルムレジストを作製し、基材フィルム上での製膜性、露光前のレジスト膜のアルカリ溶解性及び密着性、、露光後のレジスト硬化膜の耐薬品性を評価した。
(1)製膜性
ネガ型感光性樹脂組成物を、バーコーター(第一理化株式会社製:no.02)を用いて、PETフィルム上に約5μmの厚さになるように塗布した後、塗布膜を100℃で60秒間乾燥し、感光性膜を形成したPETフィルムを得た。光学顕微鏡を用いてPETフィルム表面に形成した感光性膜を観察し、製膜時のはじき及びムラを評価した。
はじき及びムラのないものを製膜性良好(〇)とし、はじき及びムラの発生したものを製膜性不十分(×)とした。評価結果を表1に示す。
ネガ型感光性樹脂組成物を、バーコーター(第一理化株式会社製:no.02)を用いて、PETフィルム上に約5μmの厚さになるように塗布した後、塗布膜を100℃で60秒間乾燥し、感光性膜を形成したPETフィルムを得た。得られたPETフィルムを、現像液(2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)250mLを注いだバットに10秒間、浸漬し、その後、取り出したPETフィルムを純水で10秒間リンス処理し、PETフィルム上の残渣を評価した。
残渣のないものを良好(〇)とし、残渣のあるものを不十分(×)とした。評価結果を表1に示す。
ネガ型感光性樹脂組成物を、バーコーター(第一理化株式会社製:no.02)を用いて、銅板(株式会社スタンダードテストピース社製:C1020)上に約5μmの厚さになるように塗布した後、塗布膜を100℃で60秒間乾燥し、感光性膜を形成した銅板を得た。得られた感光性膜をカッターナイフで2mm間隔の25マスの格子パターンに分割した。セロハンテープを感光性膜の格子パターン部にしっかりと貼り、5分以内に1秒以内でセロハンテープを剥がし、格子パターン部の剥離を観察した(JIS5400碁盤目試験準拠)。
感光性膜の剥離がないものを良好(〇)とし、剥離が発生したものを不十分(×)とした。評価結果を表1に示す。
ネガ型感光性樹脂組成物を、バーコーター(第一理化株式会社製:no.02)を用いて直径5インチのシリコンウェハー上に約5μmの厚さになるように塗布後、100℃で60秒間乾燥した。その後、UV照射装置(株式会社三永電機社製:UVE-1001SD)を用いて200mJ/cm2の光を照射した後、130℃で180秒間ベークし、硬化膜を形成したウェハーを得た。
得られたウェハーの膜厚を測定した後、2つに分割した。分割した一方を50重量%硫酸水(メッキ液を想定)に、他方を2.38重量%TMAH水の溶液に、それぞれ15分浸漬した。溶液から取り出したウェハーを純水で洗浄した後、再度膜厚を測定した。
溶剤への浸漬前後の膜厚変化率にて、耐薬品性を評価した。変化率が2%未満であるものを良好(〇)、2%以上のものを不十分(×)とした。評価結果を表1に示す。
Claims (5)
- 下記の成分(A)~(C)を含有する、ネガ型感光性樹脂組成物。
(A)m-クレゾールから誘導される構造単位(a1)、ベンズアルデヒドから誘導される構造単位(a2)、及びサリチルアルデヒドから誘導される構造単位(a3)のモル比[(a1):(a2):(a3)]が、1.0:0.5~0.7:0.3~0.5であるノボラック型フェノール樹脂
(B)ラジカル重合性化合物
(C)光重合開始剤 - 前記成分(A)における、m-クレゾールから誘導される構造単位(a1)、ベンズアルデヒドから誘導される構造単位(a2)、及びサリチルアルデヒドから誘導される構造単位(a3)の含有量の合計が30質量%以上である、請求項1に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
- さらに溶剤を含有する、請求項1又は2に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
- 基材フィルムと、請求項1又は2に記載のネガ型感光性樹脂組成物を含むレジスト層と、を含む、ドライフィルムレジスト。
- 請求項4に記載のレジスト層の硬化物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022144622A JP7729294B2 (ja) | 2022-09-12 | 2022-09-12 | ネガ型感光性樹脂組成物及びドライフィルムレジスト |
| KR1020230106736A KR20240036456A (ko) | 2022-09-12 | 2023-08-16 | 네거티브형 감광성 수지 조성물 및 드라이 필름 레지스트 |
| TW112134462A TW202419496A (zh) | 2022-09-12 | 2023-09-11 | 負型感光性樹脂組成物及乾膜光阻 |
| CN202311167780.4A CN117687269A (zh) | 2022-09-12 | 2023-09-12 | 负型感光性树脂组合物和干膜抗蚀剂 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022144622A JP7729294B2 (ja) | 2022-09-12 | 2022-09-12 | ネガ型感光性樹脂組成物及びドライフィルムレジスト |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024039899A JP2024039899A (ja) | 2024-03-25 |
| JP2024039899A5 JP2024039899A5 (ja) | 2024-04-03 |
| JP7729294B2 true JP7729294B2 (ja) | 2025-08-26 |
Family
ID=90132718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022144622A Active JP7729294B2 (ja) | 2022-09-12 | 2022-09-12 | ネガ型感光性樹脂組成物及びドライフィルムレジスト |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7729294B2 (ja) |
| KR (1) | KR20240036456A (ja) |
| CN (1) | CN117687269A (ja) |
| TW (1) | TW202419496A (ja) |
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2022
- 2022-09-12 JP JP2022144622A patent/JP7729294B2/ja active Active
-
2023
- 2023-08-16 KR KR1020230106736A patent/KR20240036456A/ko active Pending
- 2023-09-11 TW TW112134462A patent/TW202419496A/zh unknown
- 2023-09-12 CN CN202311167780.4A patent/CN117687269A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000281762A (ja) | 1999-03-12 | 2000-10-10 | Shipley Co Llc | 新規フェノール樹脂および当該樹脂を含むフォトレジスト組成物 |
| JP2008138128A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Ube Ind Ltd | フォトレジスト用ノボラック型フェノール樹脂およびその製造方法 |
| JP2014227464A (ja) | 2013-05-22 | 2014-12-08 | Dic株式会社 | ノボラック型フェノール樹脂の製造方法及びフォトレジスト組成物。 |
| WO2021085321A1 (ja) | 2019-10-29 | 2021-05-06 | 東レ株式会社 | 樹脂組成物、樹脂シート、硬化膜、硬化膜の製造方法、半導体装置、有機el表示装置および表示装置 |
| WO2022070946A1 (ja) | 2020-09-29 | 2022-04-07 | 東レ株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化物、及び表示装置、並びに、硬化物の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117687269A (zh) | 2024-03-12 |
| JP2024039899A (ja) | 2024-03-25 |
| KR20240036456A (ko) | 2024-03-20 |
| TW202419496A (zh) | 2024-05-16 |
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