JP7730985B2 - 塗布処理方法、記憶媒体、及び塗布処理装置 - Google Patents

Description

本開示は、塗布処理方法、記憶媒体、及び塗布処理装置に関する。

特許文献１では、処理液を基板に塗布する際の塗布条件を自動調節することが示されている。具体的には、特許文献１では、塗布条件として、処理液の塗布速度及び供給期間が調節され得ることが示されている。

特開２０２１－４４５００号公報

本開示は、基板表面に適切な被膜を形成可能な処理液の吐出量を決定することが可能な技術を提供する。

本開示の一態様による塗布処理方法は、互いに異なる吐出量の処理液を供給することによって形成された互いに異なる被膜をその表面にそれぞれ有する、複数の基板について、その表面画像を個別に取得することと、前記複数の基板の表面画像をそれぞれ極座標変換することで、複数の極座標変換画像を得ることと、前記複数の極座標変換画像に含まれる１以上の極座標変換画像を、当該画像を撮像した基板への前記処理液の吐出量を特定する情報に対応付けた状態で画面に表示することと、前記画面の表示内容に対するユーザの指示に基づいて、前記処理液の被膜を形成する際の、前記基板への前記処理液の吐出量を決定することと、を含む。

本開示によれば、基板表面に適切な被膜を形成可能な処理液の吐出量を決定することが可能な技術が提供される。

図１は、一つの例示的実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 図２は、塗布ユニットの概略構成を例示する模式図である。 図３は、制御部の機能的構成を例示するブロック図である。 図４は、制御部のハードウェア構成を例示するブロック図である。 図５は、条件決定用サンプルの作成及び撮像の手順を例示するシーケンス図である。 図６は、画像に基づく吐出量決定の手順を例示するシーケンス図である。 図７は、表示部における表示内容を例示する図である。 図８は、表示部における表示内容を例示する図である。 図９は、確認用サンプルの作成及び撮像の手順を例示するシーケンス図である。 図１０は、画像に基づく吐出量確認の手順を例示するシーケンス図である。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

一つの例示的実施形態において、塗布処理方法が提供される。塗布処理方法は、互いに異なる吐出量の処理液を供給することによって形成された互いに異なる被膜をその表面にそれぞれ有する、複数の基板について、その表面画像を個別に取得することと、前記複数の基板の表面画像をそれぞれ極座標変換することで、複数の極座標変換画像を得ることと、前記複数の極座標変換画像に含まれる１以上の極座標変換画像を、当該画像を撮像した基板への前記処理液の吐出量を特定する情報に対応付けた状態で画面に表示することと、前記画面の表示内容に対するユーザの指示に基づいて、前記処理液の被膜を形成する際の、前記基板への前記処理液の吐出量を決定することと、を含む。

上記の液塗布処理方法によれば、互いに異なる吐出量の処理液によって被膜が形成された複数の基板の表面画像から極座標変換画像が作成され、１以上の極座標変換画像が画面に表示される。したがって、ユーザは画面に表示された極座標変換画像を参照しながら、基板への処理液の吐出量を決定することができる。このように、上記の液塗布処理方法によれば、ユーザは吐出量の違いに由来する被膜の変化を極座標変換画像を見て把握した上で、処理液の吐出量を決定することができる。

前記表示することにおいて、前記極座標変換画像と共に、極座標変換前の基板の表面画像を併せて表示する態様としてもよい。

上記のように、極座標変換前の基板の表面画像を極座標変換画像と併せて表示することで、ユーザは、極座標変換画像に加えて、基板表面の実際の状態を確認しながら、基板への処理液の吐出量を決定することができる。

前記表示することにおいて、前記画面に表示した画像のコントラストを調整可能である態様としてもよい。

上記のように、画面に表示した画像のコントラストを調整可能とすることで、ユーザは、画像からより多くの情報を得ることができるため、ユーザがより適切に吐出量を決定することが可能となる。

前記表示することにおいて、前記極座標変換画像に対して、前記基板の周縁または中心からの距離を示す補助線を追加して表示する態様としてもよい。

上記のように、基板の周縁または中心からの距離を示す補助線を極座標変換画像に追加して表示する構成とすることで、基板の周縁からの距離がどの程度の位置にどのような変化が起きているかをユーザが把握しやすくなる。

前記表示することにおいて、前記１以上の極座標変換画像に対応付けて、当該画像を撮像した基板を特定する情報を表示する態様としてもよい。

上記のように、極座標変換画像に対応付けて、画像を撮像した基板を特定する情報を表示することで、ユーザがどの基板の画像かを直感的に把握しやすくなる。

前記表示することにおいて、前記複数の極座標変換画像に含まれる２以上の極座標変換画像を、当該画像を撮像した基板への前記処理液の吐出量を特定する情報に対応付けた状態で、且つ、前記処理液の吐出量の順に配置した状態で、画面に表示する態様としてもよい。

上記のように、複数の極座標変換画像に含まれる２以上の極座標変換画像を処理液の吐出量の順に配置した状態で画面に表示する場合、ユーザは、処理液の吐出量の変化による基板の表面状態の変化を把握しやすくなる。

前記表示することにおいて、前記ユーザの指示に基づいて、前記画像の特定の領域を拡大表示可能である態様としてもよい。

上記のように、画像の特定の領域を拡大可能な構成とすることで、例えばユーザが気になる部分を詳細に確認することができるため、画像情報からユーザがより適切に吐出量を決定することが可能となる。

前記吐出量を決定することにおいて決定された吐出量の前記処理液を複数の基板のそれぞれに対して供給することによって、被膜がその表面に形成された複数の基板の表面画像を個別に取得し、複数の確認用画像を得ることと、前記複数の確認用画像を画面に表示することと、前記画面の表示内容に対するユーザの指示に基づいて、基板処理条件における前記処理液の吐出量を確定することと、をさらに含む態様としてもよい。

上記の構成では、決定された吐出量の処理液を複数の基板に供給して被膜を形成し、被膜が形成された基板の表面画像が撮像される。また、表面画像を参照したユーザの指示に基づいて基板処理条件における処理液の吐出量を確定する。このような構成とすることで、例えば、吐出量を決定する際の画像を取得する際の基板表面の状態が、偶発的なものか定常的なものかを確認することができる。したがって、確定することにおいて確定された基板処理条件は、多数の基板を処理する際に適したものとなる。

一つの例示的実施形態において、記憶媒体が提供される。記憶媒体は、上記の塗布処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。このような場合、上記の塗布処理方法と同様の効果が奏される。

一つの例示的実施形態において、塗布処理装置が提供される。塗布処理装置は、互いに異なる吐出量の処理液を供給することによって形成された互いに異なる被膜をその表面にそれぞれ有する、複数の基板について、その表面画像を個別に取得する画像取得部と、前記画像取得部において取得された前記複数の基板の表面画像をそれぞれ極座標変換することで、複数の極座標変換画像を得る画像変換部と、前記複数の極座標変換画像に含まれる１以上の極座標変換画像を、当該画像を撮像した基板への前記処理液の吐出量を特定する情報に対応付けた状態で画面に表示する表示部と、前記画面の表示内容に対するユーザの指示に基づいて、前記処理液の被膜を形成する際の、前記基板への前記処理液の吐出量を決定する吐出量決定部と、を含む。

上記の液塗布処理装置によれば、互いに異なる吐出量の処理液によって被膜が形成された複数の基板の表面画像から極座標変換画像が作成され、１以上の極座標変換画像が画面に表示される。したがって、ユーザは画面に表示された極座標変換画像を参照しながら、基板への処理液の吐出量を決定することができる。このように、上記の液塗布処理方法によれば、ユーザは吐出量の違いに由来する被膜の変化を極座標変換画像を見て把握した上で、処理液の吐出量を決定することができる。

［例示的実施形態］
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

［基板処理システム］
図１に示すように、基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。

処理対象のワークＷ（基板）は、例えば半導体用の基板である。基板としては、一例として、シリコンウェハである。ワークＷは円形に形成されてもよい。また、処理対象のワークＷは、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよい。ワークＷは、一部が切り欠かれた切欠部を有していてもよい。切欠部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。また、感光性被膜は、例えばレジスト膜である。

基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ワークＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ワークＷの表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。

［液処理装置］
以下、液処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御部１００とを備える。また、制御部１００には、表示部２１０及び入力部２２０が接続されている。

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのワークＷの導入及び塗布・現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。

処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。処理モジュール１１，１２，１３は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。

処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１１の塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の成膜液をワークＷ上に塗布する。処理モジュール１１の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の成膜液（以下、「レジスト液」という。）を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１２は、基板冷却部９１と、表面検査部９２とを更に有してもよい。基板冷却部９１は、塗布ユニットＵ１がワークＷにレジスト液を塗布する前に、当該ワークＷを冷却する。表面検査部９２は、ワークＷの表面Ｗａに形成されたレジスト膜の状態を画像として取得する。表面検査部９２は、ワークＷの表面Ｗａの撮像画像における画素値を取得する。画素値とは、画像を構成する画素それぞれの状態を示す数値である。例えば画素値は、画素の色彩の濃淡レベル（例えば白黒画像におけるグレイレベル）を示す数値である。なお、表面Ｗａの撮像画像において、画素値は、画素に対応する撮像対象部分の高さに相関する。すなわち、画素値は、当該撮像対象部分におけるレジスト膜の厚さにも相関する。

処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の成膜液をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３と、熱処理ユニットＵ４と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。現像ユニットＵ３は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ４は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡し、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

制御部１００は、塗布・現像装置２の各部や露光装置３の各部を動作させるためのプログラムを記憶し、これらの動作を制御する機能を有する。制御部１００に接続される表示部２１０は、例えば、例えばモニタである。モニタは、画面上に情報の表示が可能なものであればいかなるものであってもよく、その具体例としては液晶パネル等が挙げられる。表示部２１０は、制御部１００による制御内容を表示する機能を有していてもよい。さらに、表示部２１０は、制御部１００を利用して、ワークＷを処理する際の条件を設定する際に、ユーザ（装置を使用する作業者等）が参照すべき情報等を表示する。この点については後述する。

また、種々の条件をユーザが入力可能な入力部２２０を有してもよい。この場合、制御部１００は、入力部２２０を通じて制御部１００に入力された条件に従って、塗布・現像装置２の各部や露光装置３の各部を動作させてもよい。入力部２２０としては、例えば、マウス、タッチパネル、ペンタブレット、キーボードを挙げることができる。

上記の制御部１００、表示部２１０及び入力部２２０は、塗布・現像装置２のうち制御部１００以外の実際にワークＷに対する処理を行う部分（基板処理部）が設置されている場所の近傍に設けられていてもよい。また、これらの機能部は、基板処理部から離間した位置に設けられていてもよい。特に、実際にユーザが操作する表示部２１０及び入力部２２０は、塗布・現像装置２の本体部とは離間した位置に設けられていてもよい。その場合、表示部２１０及び入力部２２０と制御部１００とは、有線または無線によって接続されていてもよい。

制御部１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御部１００は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。そして、制御部１００は、このワークＷの表面上に下層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このワークＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。なお、制御部１００は、塗布ユニットＵ１におけるワークＷの処理の前に、ワークＷを基板冷却部９１で冷却するように搬送アームＡ３を制御してもよい。さらに、制御部１００は、塗布ユニットＵ１におけるワークＷに対する処理（レジスト液の塗布）の後に、ワークＷの表面Ｗａの画像を表面検査部９２において取得するように、搬送アームＡ３を制御してもよい。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを露光装置に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後制御部１００は、露光処理が施されたワークＷを露光装置から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように受け渡しアームＡ８を制御する。

次に制御部１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このワークＷのレジスト膜に現像処理を施すように現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４を制御する。その後制御部１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このワークＷをキャリアＣ内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。

なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、塗布ユニットＵ１と、表面検査部９２と、これらを制御可能な制御部１００とを備えていればどのようなものであってもよい。

［塗布ユニット］
続いて、処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１の構成を具体的に説明する。図２に示すように、塗布ユニットＵ１は、回転保持部２０と、液供給部３０と、ノズル搬送部５０と、カップ７０とを有する。

回転保持部２０は、ワークＷを裏面Ｗｂ側から保持して回転させる。例えば回転保持部２０は、保持部２１と回転駆動部２２とを有する。保持部２１は、表面Ｗａを上にして水平に配置されたワークＷの中心部（中心を含む部分）を裏面Ｗｂ側から支持し、当該ワークＷを例えば真空吸着等により保持する。回転駆動部２２は、例えば電動モータ等を動力源として、ワークＷの中心を通る鉛直な軸線まわりに保持部２１を回転させる。これによりワークＷも回転する。

液供給部３０は、回転保持部２０に保持されたワークＷの表面Ｗａの中心にレジスト液を供給する。例えば液供給部３０は、ノズル３１と、液源３２と、バルブ３３とを含む。

ノズル３１は、下方にレジスト液を吐出する。液源３２（成膜液の供給源）は、ノズル３１にレジスト液を供給する。例えば液源３２は、レジスト液を貯留するタンク及びレジスト液を圧送するポンプ等を含む。液源３２は、ポンプ等によって、レジスト液の送液圧力を調節し得るように構成されていてもよい。バルブ３３は、液源３２からノズル３１へのレジスト液の流路を開閉する。

ノズル搬送部５０は、液供給部３０のノズル３１を搬送する。例えばノズル搬送部５０は、水平搬送部５１と、昇降部５２とを有する。水平搬送部５１は、例えば電動モータ等を動力源としてノズル３１を水平な搬送ラインに沿って搬送する。昇降部５２は、例えば電動モータ等を動力源としてノズル３１を昇降させる。

カップ７０は、ワークＷを保持部２１と共に収容し、ワークＷから振り切られた各種処理液（例えばレジスト液）を回収する。カップ７０は、傘部７２と、排液部７３と、排気部７４とを有する。傘部７２は、保持部２１の下に設けられており、ワークＷから振り切られた各種処理液をカップ７０内の外周側の排液領域７０ａまで導く。排液部７３は、傘部７２より下方（すなわちワークＷの裏面Ｗｂより下方）にてカップ７０内（ワークＷの収容空間）に開口した排液口７３ａを有し、排液口７３ａからカップ７０外に処理液を排出する。例えば排液口７３ａは、排液領域７０ａにおいて傘部７２よりも下方に設けられている。このため、傘部７２により排液領域７０ａに導かれた処理液が排液口７３ａからカップ７０外に排出される。

排気部７４は、保持部２１より下方（すなわちワークＷの裏面Ｗｂより下方）にてカップ７０内に開口した排気口７４ａを有し、カップ７０内のガス（ワークＷの収容空間の気体）を排気口７４ａからカップ７０外に排出する。例えば排気口７４ａは、排液領域７０ａよりも内側の排気領域７０ｂにおいて傘部７２よりも下方に設けられている。このため、排液領域７０ａから排気領域７０ｂに流入したガスが排気口７４ａからカップ７０外に排出される。

このように構成された塗布ユニットＵ１は、制御部１００により制御される。制御部１００は、液供給部３０によりワークＷの表面Ｗａの中心にレジスト液を供給させながら所定の回転速度にて回転保持部２０によりワークＷを回転させる。また、制御部１００は、表面Ｗａに供給されたレジスト液がワークＷの外周Ｗｃに到達する前に、液供給部３０によりレジスト液の供給を停止させる。また、液供給部３０によるレジスト液の供給が停止した後も所定の回転速度にて回転保持部２０によりワークＷの回転を継続させる場合もある。制御部１００はこれらの塗布制御を実行するように構成されている。

［制御部］
制御部１００は、塗布・現像装置２を用いてワークＷに対してレジスト膜を形成する際の処理条件として、吐出量を決定するための機能部である。ワークＷに対してレジスト膜を形成する際には、レジスト液の種類に応じてワークＷに対して供給すべきレジスト液の量が変化し得る。例えば、レジスト液は一般的に高価であるため、ワークＷに対して供給するレジスト液の量はできるだけ少ないことが重要である。一方で、レジスト液の供給量が少なすぎると、ワークＷの表面Ｗａに均一に塗布することができない。より少ないレジスト液の吐出量（供給量）でレジスト膜が適切に形成できる条件を見極めるためには、吐出量を異ならせた状態でレジスト膜を形成した複数のワークＷを準備し、その表面の状態をユーザが確認するという手順が必要である。そこで、制御部１００では、ユーザの指示に基づいて、レジスト液の吐出量を互いに異ならせた条件で処理を行ったワークＷを準備する。さらに、制御部１００では、処理後のワークＷの状態を確認しやすいように、異なる条件でレジスト膜を形成した複数のワークＷの表面Ｗａの画像をユーザに提示する。さらに、制御部１００では、ユーザが選択した条件（吐出量）を用いて、実生産用のワークＷに対する処理を行ってよいか、ユーザが確認するための制御も実行する。以下、上記の動作を行うための制御部１００の各部について説明する。 図３に例示するように、制御部１００は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、画面出力部１０１、ユーザ指示取得部１０２、画像変換部１０３、条件決定用サンプル作成条件設定部１０４、確認用サンプル作成条件設定部１０５、処理後画像取得部１０６、基板処理条件更新部１０７、基板処理制御部１０８、サンプル作成条件保持部１２１、基板画像保持部１２２、及び、基板処理条件保持部１２３を含む。このうち、画面出力部１０１、ユーザ指示取得部１０２、及び画像変換部１０３は、表示部２１０として機能するモニタに対して種々の情報をユーザに対して提示すると共に、表示部２１０を参照したユーザが入力部２２０等を利用して指示する情報等を取得するためのユーザインタフェース１１０として機能する。

画面出力部１０１は、ユーザの指示等に基づいて表示部２１０において種々の情報を表示するように、表示部２１０を制御する機能を有する。

ユーザ指示取得部１０２は、入力部２２０等を用いて行われるユーザからの指示を取得する機能を有する。ユーザ指示取得部１０２が取得するユーザからの指示に基づいて、制御部１００による種々の制御が行われる。

画像変換部１０３は、表示部２１０において、処理後のワークＷの表面を撮像した画像を表示する際に、画像を加工する処理を行う機能を有する。画像を加工する処理としては、例えば、極座標変換、コントラスト変換（強調）等が挙げられる。ただし、これらとは異なる画像加工処理を行ってもよい。

条件決定用サンプル作成条件設定部１０４は、レジスト膜の形成時の条件を決定するためのサンプルを作成する機能を有する。すなわち、レジスト液の吐出量が互いに異なる条件でレジスト膜が形成された複数種類のワークＷを準備するための条件を設定する。条件の詳細については、ユーザから指示される。したがって、条件決定用サンプル作成条件設定部１０４では、ユーザの指示と、後述のサンプル作成条件保持部１２１に保持される、条件決定用サンプルを作成する際に使用する基板処理条件に基づいて、条件決定用サンプルを作成する際の条件を決定する。

確認用サンプル作成条件設定部１０５は、ユーザが一度吐出量を決定した後に、当該条件を実生産に使用してよいか確認するためのサンプルを作成する機能を有する。この段階では、ユーザが設定したレジスト液の吐出量で、複数のワークＷについて処理を行う。条件の詳細については、ユーザから指示される。したがって、確認用サンプル作成条件設定部１０５では、ユーザの指示と、後述のサンプル作成条件保持部１２１に保持される、確認用サンプルを作成する際に使用する基板処理条件に基づいて、確認用サンプルを作成する際の条件を決定する。

処理後画像取得部１０６は、条件決定用サンプルまたは確認用サンプルとして作成されたレジスト膜を形成した後のワークＷを撮像した画像を取得する機能を有する。具体的には、処理後画像取得部１０６は、表面検査部９２において処理後のワークＷの表面Ｗａを撮像するように各部を制御し、その結果得られた画像を取得する。撮像された画像は、当該ワークＷに対してレジスト膜を形成した際の条件を特定する情報と対応付けて、基板画像保持部１２２に保持される。

基板処理条件更新部１０７は、ユーザの指示に基づいて、実生産時のワークＷに対するレジスト液の吐出量に係る条件を更新する機能を有する。レジスト液の吐出量に係る条件は、後述の基板処理条件保持部１２３において保持される。

基板処理制御部１０８は、条件決定用サンプル作成条件設定部１０４及び確認用サンプル作成条件設定部１０５によって設定された条件に基づいてワークＷへレジスト膜を形成するように、塗布・現像装置２の各部を制御する機能を有する。さらに、基板処理制御部１０８は、基板処理条件更新部１０７によって更新され、基板処理条件保持部１２３に保持される基板処理条件に基づいて、実生産時にワークＷに対してレジスト膜を形成するように塗布・現像装置２の各部を制御する機能を有する。

サンプル作成条件保持部１２１は、条件決定用サンプルを作成する際の塗布・現像装置２の各部の動作条件、及び、確認用サンプルを作成する際の塗布・現像装置２の各部の動作条件を保持する機能を有する。サンプル作成条件保持部１２１では、塗布・現像装置２の各部の動作条件のうち、ユーザの指示に基づいて設定されるレジスト液の吐出量に関する条件以外の動作条件についての情報を保持する。

なお、レジスト液の吐出量を決定する場合、レジスト液の吐出量に関する条件以外の動作条件（例えば、ワークＷの回転数等）は、予め決められているものとする。すなわち、１枚のワークＷに対してレジスト膜を形成する処理において、レジスト液の吐出量以外の条件は既に決まっているものとする。サンプル作成条件保持部１２１では、１枚のワークＷに対してレジスト膜を形成する際の各部の動作の条件のうち、レジスト液の吐出量以外の条件を保持している。

基板画像保持部１２２は、処理後画像取得部１０６の指示に基づいて表面検査部９２において撮像された、処理後のワークＷの表面Ｗａの画像を保持する機能を有する。このとき、基板画像保持部１２２では、撮像した画像のそれぞれに対応付けて、ワークＷの処理条件として、各ワークＷへのレジスト液の吐出量を特定する情報が保持される。ワークＷへのレジスト液の吐出量を特定する情報としては、吐出量を特定する数値であってもよい。また、レジスト液の吐出量を含む各ワークＷの動作条件に係る情報が例えば識別情報（ＩＤ等）によって特定されている場合には、当該識別情報を撮像した画像のそれぞれに対応付ける構成としてもよい。表示部２１０においてワークＷの表面Ｗａの画像を表示する際に、そのワークＷに対して吐出したレジスト液の量をユーザに対して提示することが可能な構成であれば、その構成は特に限定されない。

基板処理条件保持部１２３は、実生産時の塗布・現像装置２の各部の動作条件を保持する機能を有する。実生産時には、ユーザによって指定されたレジスト液の吐出量に基づいてレジスト膜の形成に係る動作が行われる。基板処理条件保持部１２３に保持される情報には、ユーザによって指定されたレジスト液の吐出量に係る情報も保持される。なお、ユーザによって指定するレジスト液の吐出量が変更される場合には、基板処理条件更新部１０７によって、基板処理条件保持部１２３に保持される情報が更新され得る。

制御部１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば、制御部１００は、図４に示される回路１３０を有する。回路１３０は、一つ又は複数のプロセッサ１３１と、メモリ１３２と、ストレージ１３３と、入出力ポート１３４と、タイマ１３５と、を備える。

ストレージ１３３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の基板処理手順を塗布・現像装置２に実行させるためのプログラムを記録している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスクおよび光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１３２は、ストレージ１３３の記憶媒体からロードしたプログラムおよびプロセッサ１３１による演算結果を一時的に記録する。プロセッサ１３１は、メモリ１３２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１３４は、液供給部３０の各部との間で電気信号の入出力を行う。

なお、制御部１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御部１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。

［液処理方法］
上記の液処理装置による液処理方法について、図５～図１０を参照しながら説明する。なお、液処理方法についての説明には、表示部２１０における表示方法の一例に係る説明も含まれ得る。

（条件決定用サンプルの作成及び撮像）
図５は、条件決定用サンプルの作成及び撮像の手順の一例を示す図である。まず、ユーザは、入力部２２０を操作して、サンプル作成開始の画面を起動させる（ステップＳ０１）。制御部１００では、ユーザ指示取得部１０２がユーザからの指示を取得すると、画面出力部１０１の制御によって条件設定用の画面を表示部２１０に表示させる（ステップＳ０２）。これに対して、ユーザは、条件設定用の画面を参照しながら、サンプル作成条件の設定を行う（ステップＳ０３）。具体的には、ワークＷの搬送条件の指定（ワークＷを搬送するユニットを特定する等）、吐出量の初期値（条件決定用サンプルの作成時のワークＷへのレジスト吐出量の最小値）、吐出量の刻み値（初期値から、どの程度吐出量を増加させながら、複数のサンプルを作成するか）等が挙げられる。さらに、吐出量の上限値等を設定してもよい。ユーザが入力部２２０を操作してこれらの情報を入力すると、制御部１００では、ユーザ指示取得部１０２がユーザからの指示を取得する。条件決定用サンプル作成条件設定部１０４では、ユーザから取得された情報と、サンプル作成条件保持部１２１で保持する情報とに基づいて、条件決定用サンプル作成のためのワークＷの処理条件を決定する。準備ができると、制御部１００の基板処理制御部１０８は、基板処理部として機能する塗布・現像装置２の各部に対してサンプル作成条件に基づいたサンプル作成指示を行う（Ｓ０４）。基板処理部（塗布・現像装置２の各部）は、サンプル作成の条件に基づいて、基板処理を行い、レジスト膜が形成されたサンプルを作成する（Ｓ０５）。さらに、レジスト膜形成後のワークＷは表面検査部９２に搬送され、処理後画像の撮像が行われる（Ｓ０６）。表面検査部９２で撮像された画像は、制御部１００へ送られ、処理後画像取得部１０６において取得される（Ｓ０７）。また、画像は、レジスト液の吐出量に係る情報に対応付けた状態で、基板画像保持部１２２において保持される（Ｓ０８）。

（画像に基づく吐出量決定）
図６は、図５に示す手順で取得された処理後の画像に基づいて、ユーザが、レジスト液の吐出量を決定する手順の一例を示す図である。この段階では、ユーザは、互いに異なる吐出量のレジスト液を供給して作成された、複数のワークＷの表面のレジスト膜の形成状態を画像で確認する。ユーザは、これらの画像を見ながら、レジスト膜が均一に形成されている（ＯＫ）か、レジスト膜が均一には形成されていない（ＮＧ）か、をワークＷごとに判定する。この結果、レジスト膜が均一に形成されているワークＷのうち、最もレジスト液の吐出量が少ない条件を、実生産時に使用するレジスト液の吐出量として特定する。

まず、ユーザは、入力部２２０を操作して、吐出量を決定するための画面（判定画面）を起動させる（ステップＳ１１）。このとき、ユーザは、ロット番号等を指定することによって、判定の対象となる、すなわち、レジスト液の吐出量を決定する対象となるデータを指定する。

制御部１００では、ユーザ指示取得部１０２がユーザからの指示を取得すると、画面出力部１０１の制御によって判定用の画面を表示部２１０に表示させる（ステップＳ１２）。判定用の画面には、判定の対象となるレジスト液の条件に対応したワークＷの処理後の画像が表示される。

図７は、処理後のワークＷの画像の表示例である。図７に示すように、表示部２１０での表示画面Ｄ１では、複数のワークＷに係る処理後画像が表示されてもよい。図７に示す例では、互いに異なる条件（条件１～条件４）で処理された４枚のワークＷに係る画像が表示されている。また、条件１～条件４それぞれについて、対応するレジスト液の吐出量Ｄ２が表示されていてもよい。なお、複数の処理後画像を並べる場合、例えば、条件１～条件４は、吐出量の順に並んでいてもよい。吐出量の順に画像を並べる場合、吐出量の変化と画像の変化との関係をユーザが把握しやすくなる。

表示画面Ｄ１では、ワークＷの表面Ｗａを撮像した画像Ｐ１の内側に番号が示されている。これは、ワークＷを特定する情報である。このように、処理の条件に加えて、ワークＷを特定する情報が表示されていてもよい。なお、ワークＷを特定する情報として、ワークＷが保持されているスロットを特定する情報を用いてもよい。

４枚のワークＷについては、それぞれ、ワークＷの表面Ｗａを撮像した画像Ｐ１のほか、極座標変換された画像Ｐ２が表示されていてもよい。極座標変換された画像とは、画像中の各位置の直交座標を極座標に変換し、極座標を用いて各画素を表現したものである。極座標画像の作成は、画像変換部１０３によって行われる。極座標への変換手法としては公知のものを用いることができる。図７に示す極座標変換画像Ｐ２は、ワークＷの中心を基準（原点）として、原点からの距離が横軸となり、角度を縦軸となるように示している。したがって、画像Ｐ２では、左端がワークＷの中心であり、右端が周縁となる。条件４の画像Ｐ２_４では、周縁を示す画像右側に輝線のようなものが確認される。この輝線は、ワークＷ表面へのレジスト液が少ない等の理由によって未塗布領域が発生したことに由来する（ドライパッチ）。実生産のワークＷにおいてこのような未塗布領域が形成されると、不良品等の発生に繋がる可能性がある。ユーザは、この表示画面Ｄ１において、各条件で撮像されたワークＷのうち、不良品の発生に繋がる可能性のある事象が発生していないかを目視で確認しながら、実生産で使用可能な条件を選択する。

表示画面Ｄ１では、ワークＷに係る画像Ｐ１，Ｐ２を表示することに加えて、ユーザの指示等に基づいて種々の画像処理を加えた状態の画像を表示してもよい。

例えば、極座標変換画像Ｐ２については、ワークＷのからの距離（またはワークＷの中心からの距離）が簡単に分かるように、補助線Ｌを併せて表示することとしてもよい。補助線Ｌは、図７に示す例のように所定間隔（例えば、１ｍｍ～数ｍｍ間隔）で複数設ける構成としてもよいし、例えば、周縁部付近では間隔を小さくし、内側では間隔を大きくしてもよい。また、補助線Ｌは１本であってもよい。

また、ユーザが所定の領域Ａを選択した場合に当該領域の拡大画像Ｐ３を表示する構成としてもよい。拡大画像Ｐ３を表示可能な構成とした場合、ユーザは各条件でのワークＷの表面Ｗａの状態をより細かく確認することができる。

また、画像Ｐ１～Ｐ３におけるワークＷの表面Ｗａの色の変化等を詳細に把握できるように、ユーザがコントラストを指定可能とされていてもよい。図７に示す例では、ユーザの指定したコントラストＤ３が５倍となっている。コントラストを調整することで、表面Ｗａの色の変化が強調された状態を形成することができる。

このように、ユーザは、画面Ｄ１を見ながら、レジスト膜が均一に形成されているワークＷのうち、最もレジスト液の吐出量が少ない条件を選択し、これを実生産時の吐出量として設定する。

図８は、処理後のワークＷの画像の表示の別の例である。図８に示す例では、複数（ここでは６枚）のワークＷの表面Ｗａの画像のみを並べた状態の表示画面Ｄ４を示している。表示画面Ｄ４では、図７に示す表示画面Ｄ１と比べて、表示可能なワークＷの枚数を増やすことが可能となる。また、コントラストを調整することで、各ワークＷの全体的な色ムラを比較しやすくなる。図８に示す例では、条件３～６のワークＷは中心と周縁との間での色ムラが明確に分かる状態となっているため、ユーザが、レジスト膜が均一に形成されていない（ＦＡＩＬＥＤ）と判定した状態を示している。

このように、表示部２１０における表示画面は適宜変更することができる。図８に示すように、ユーザの指示に基づいて、極座標変換画像Ｐ２を示さない表示画面Ｄ４が表示可能であってもよい。また、図では示してしないが、極座標変換画像Ｐ２のみを複数並べた表示画面を設定可能であってもよい。

図６に戻り、ユーザは、図７、図８等に示すような判定用の画面表示を参照しながら、吐出量条件の選択を行う（ステップＳ１３）。一例として、図８に示すように、ユーザが各ワークＷの画像を見ながら、「ＰＡＳＳ（レジスト膜が均一に形成されている；ＯＫ）」、「ＦＡＩＬＥＤ（レジスト膜が均一に形成されていない；ＮＧ）」を判定していく。この結果、レジスト膜が均一に形成されているワークＷのうち、最もレジスト液の吐出量が少ない条件が確定する。この条件が、実生産時のレジスト液の吐出量として設定される。ユーザが判定動作を行うと、その結果がユーザ指示取得部１０２によって取得される。これらの動作によって最もレジスト液の吐出量が少ない条件が確定すると、その情報に基づいて、制御部１００の基板処理条件更新部１０７において、基板処理条件が更新される（ステップＳ１４）。これによって、実生産時のレジスト液の吐出量の条件が、ユーザの判定結果に基づいたものに更新される。

（条件確認用サンプルの作成及び撮像）
次に、これまでの手順で設定したレジスト液吐出量が実生産に適した条件であるかを確認する目的として、同一の条件で複数のワークＷを処理し、その結果を確認する。

図９は、確認用サンプルの作成及び撮像の手順の一例を示す図である。まず、ユーザは、入力部２２０を操作して、条件確認用の処理を開始するように指示する（ステップＳ２１）。このとき、ユーザは、同一条件で処理を行うワークＷの枚数を指示してもよい。また、ワークＷの搬送条件の指定（ワークＷを搬送するユニットを特定する等）を行ってもよい。制御部１００では、ユーザ指示取得部１０２がユーザからの指示を取得すると、基板処理制御部１０８は、基板処理部として機能する塗布・現像装置２の各部に対して確認用のサンプル作成条件に基づいたサンプル作成指示を行う（Ｓ２２）。基板処理部（塗布・現像装置２の各部）は、サンプル作成の条件に基づいて、基板処理を行い、レジスト膜が形成されたサンプルを作成する（Ｓ２３）。さらに、レジスト膜形成後のワークＷは表面検査部９２に搬送され、処理後画像の撮像が行われる（Ｓ２４）。表面検査部９２で撮像された画像は、制御部１００へ送られ、処理後画像取得部１０６において取得される（Ｓ２５）。また、画像は、レジスト液の吐出量に係る情報に対応付けた状態で、基板画像保持部１２２において保持される（Ｓ２６）。

（画像に基づく吐出量の確認）
図１０は、図９に示す手順で取得された処理後の画像に基づいて、ユーザが、レジスト液の吐出量を決定する手順の一例を示す図である。この段階では、ユーザは、同一条件の吐出量のレジスト液を供給して作成された、複数のワークＷの表面のレジスト膜の形成状態を画像で確認する。ユーザは、これらの画像を見ながら、レジスト膜が均一に形成されている（ＯＫ）か、レジスト膜が均一には形成されていない（ＮＧ）かを確認する。この段階では、実生産時に確認用サンプルの作成条件が使用できるかの判定を行うため、ワークＷ単位というよりは、複数のワークＷのそれぞれにおいてレジスト膜が適切に形成されているかを判定することになる。

まず、ユーザは、入力部２２０を操作して、条件確認結果を表示するめの画面（条件確認結果画面）を起動させる（ステップＳ３１）。このとき、ユーザは、ロット番号等を指定することによって、確認の対象となるデータを指定する。

制御部１００では、ユーザ指示取得部１０２がユーザからの指示を取得すると、画面出力部１０１の制御によって結果を確認するための判定用の画面を表示部２１０に表示させる（ステップＳ３２）。判定用の画面には、判定の対象となるレジスト液の条件に対応したワークＷの処理後の画像が表示される。この段階で表示する画面は、図７及び図８に示す表示画面Ｄ１，Ｄ４と同様とすることができる。複数のワークＷに係る処理後画像及び極座標変換画像を表示する構成としてもよい。このような構成とすることで、条件を確認する段階においても、ワークＷの周縁部の塗り残し（ドライパッチ）の有無が確認しやすくなる。また、コントラストを調整可能とした場合、レジスト膜の形成ムラ等がよりわかりやすくなる。

ユーザは、表示部２１０に表示された画像を参照しながら、確認用サンプルの作成に使用した吐出量条件が適切であるかの判定（ＯＫ／ＮＧ判定）を行う（ステップＳ３３）。判定結果は、ユーザ指示取得部１０２によって取得される。ここで、ユーザの判定がＮＧの場合には、基板処理条件更新部１０７は、基板処理条件におけるレジスト液の吐出量の条件を更新する（ステップＳ３４）。一例として、ユーザによる判定がＮＧである場合はレジスト液の吐出量が不足しているとして、基板処理条件更新部１０７は、実生産時の基板処理条件においてレジスト液の吐出量を所定量大きくすることとしてもよい。また、レジスト液の吐出量を大きくする場合には、その増加量をユーザが指定する構成としてもよい。さらに、ユーザの指示に基づいて、図９及び図１０に示す手順を繰り返して、レジスト液の吐出量を増加した条件での確認用サンプルを再度作成し評価することによって、吐出量を確定することとしてもよい。ユーザによる判定がＯＫである場合は、基板処理条件更新部１０７は、基板処理条件におけるレジスト液の吐出量は変更しない構成としてもよい。

上記の一例の手順を経て、実生産時の基板処理条件が確定する（ステップＳ３５）。確定した基板処理条件は、基板処理条件保持部１２３に保持され、実生産時に使用され得る。

［作用］
上記の液塗布処理方法及び液塗布処理装置によれば、互いに異なる吐出量の処理液（例えばレジスト液）によって被膜が形成された複数の基板（ワークＷ）の表面画像から極座標変換画像が作成され、１以上の極座標変換画像Ｐ２が表示部２１０の画面に表示される。したがって、ユーザは、画面に表示された極座標変換画像Ｐ２を参照しながら、基板への処理液の吐出量を決定することができる。このように、上記の液塗布処理方法及び液塗布処理装置によれば、ユーザは吐出量の違いに由来する被膜の変化を極座標変換画像を見て把握した上で、処理液の吐出量を決定することができる。

また、例えば図７に示すように、極座標変換前の基板の表面画像Ｐ１を極座標変換画像Ｐ２と併せて表示することで、ユーザは、極座標変換画像Ｐ２に加えて、基板表面の実際の状態を確認しながら、基板への処理液の吐出量を決定することができる。基板表面の画像Ｐ１は基板全体を撮像したものであるため、ユーザはこの画像を見ることで基板全体の状況を俯瞰して把握することができる。

また、図７及び図８に示すように、画面に表示した画像のコントラストを調整可能としてもよい。このような構成とすることで、ユーザは、例えばコントラストを強調することによって基板表面の微妙な変化を確認することができる。このように、ユーザは画像からより多くの情報を得ることができるため、ユーザがより適切に吐出量を決定することが可能となる。

また、図６の極座標変換画像Ｐ２に示すように、基板の周縁または中心からの距離を示す補助線Ｌを極座標変換画像に追加して表示する構成としてもよい。この場合、基板の周縁からの距離Ｌ２がどの程度の位置にどのような変化が起きているかをユーザが把握しやすくなる。

また、極座標変換画像Ｐ２に対応付けて、画像を撮像した基板を特定する情報を表示することで、ユーザがどの基板の画像かを直感的に把握しやすくなる。

また、複数の極座標変換画像に含まれる２以上の極座標変換画像を処理液の吐出量の順に配置した状態で画面に表示してもよい。この場合、ユーザは、処理液の吐出量の変化による基板の表面状態の変化を把握しやすくなる。

また、図７に示すように、ユーザの指示に基づいて画像の特定の領域を拡大可能な構成としてもよい。この場合、ユーザが気になった部分（例えば、ムラが生じている部分、塗り残しがある部分）を詳細に確認することができるため、画像情報からユーザがより適切に吐出量を決定することが可能となる。

また、図９で示した手順のように、決定された吐出量の処理液を複数の基板のそれぞれに対して供給することによって、被膜がその表面に形成された複数の基板の表面画像を個別に取得することで、複数の確認用画像を取得してもよい。また、図１０に示すように、得られた確認用画像を画面に表示して、基板処理条件における処理液の吐出量を確定してもよい。このような構成とすることで、例えば、吐出量を決定する際の画像を取得する際の基板表面の状態が、偶発的なものか定常的なものかを確認することができる。したがって、確定することにおいて確定された基板処理条件は、多数の基板を処理する際に適したものとなる。

［その他］
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

例えば、図７及び図８で示した画面表示例は一例であり、その配置・デザイン等は適宜変更され得る。また、ユーザが入力する情報等についても適宜変更することができる。画面表示を変更する例として、図７に示した極座標変換画像Ｐ２を通常座標に基づく画像に戻した状態で表示してもよい。また、その他の変更例として、ワークＷ周縁部の被覆状態（色ムラ）に着目した変更が挙げられる。例えば、ワークＷの周縁部まで処理液（例えば、レジスト液）で被覆されている場合に、被覆状態が均一でないと不良品の発生につながる。そこで、図８の示したワークＷの周縁部における処理液の被覆状態（色ムラ）を数値またはグラフによって表してもよい。さらに別の変更例として、例えば、図７または図８の画面において指定した部分（例えばワークＷの周縁エリア）におけるＲＧＢ値またはグレイ値をグラフ化して表示してもよい。

また、図５～図１０で示した手順は一例であり、各ステップでの処理の内容やその順序は変更してもよい。

また、上記手順では、処理液がレジスト液である場合について説明したが、処理液の種類はレジスト液に限定されない。

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

［付記］
ここで、本開示に含まれる種々の例示的実施形態を、以下のとおり記載する。

［１］
互いに異なる吐出量の処理液を供給することによって形成された互いに異なる被膜をその表面にそれぞれ有する、複数の基板について、その表面画像を個別に取得することと、
前記複数の基板の表面画像をそれぞれ極座標変換することで、複数の極座標変換画像を得ることと、
前記複数の極座標変換画像に含まれる１以上の極座標変換画像を、当該画像を撮像した基板への前記処理液の吐出量を特定する情報に対応付けた状態で画面に表示することと、
前記画面の表示内容に対するユーザの指示に基づいて、前記処理液の被膜を形成する際の、前記基板への前記処理液の吐出量を決定することと、
を含む、塗布処理方法。

［２］
前記表示することにおいて、前記極座標変換画像と共に、極座標変換前の基板の表面画像を併せて表示する、［１］に記載の塗布処理方法。

［３］
前記表示することにおいて、前記画面に表示した画像のコントラストを調整可能である、［１］または［２］に記載の塗布処理方法。

［４］
前記表示することにおいて、前記極座標変換画像に対して、前記基板の周縁または中心からの距離を示す補助線を追加して表示する、［１］～［３］のいずれか一項に記載の塗布処理方法。

［５］
前記表示することにおいて、前記１以上の極座標変換画像に対応付けて、当該画像を撮像した基板を特定する情報を表示する、［１］～［４］のいずれか一項に記載の塗布処理方法。

［６］
前記表示することにおいて、前記複数の極座標変換画像に含まれる２以上の極座標変換画像を、当該画像を撮像した基板への前記処理液の吐出量を特定する情報に対応付けた状態で、且つ、前記処理液の吐出量の順に配置した状態で、画面に表示する、［１］～［５］のいずれか一項に記載の塗布処理方法。

［７］
前記表示することにおいて、前記ユーザの指示に基づいて、前記画像の特定の領域を拡大表示可能である、［１］～［６］のいずれか一項に記載の塗布処理方法。

［８］
前記吐出量を決定することにおいて決定された吐出量の前記処理液を複数の基板のそれぞれに対して供給することによって、被膜がその表面に形成された複数の基板の表面画像を個別に取得し、複数の確認用画像を得ることと、
前記複数の確認用画像を画面に表示することと、
前記画面の表示内容に対するユーザの指示に基づいて、基板処理条件における前記処理液の吐出量を確定することと、
をさらに含む、［１］～［７］のいずれか一項に記載の塗布処理方法。

［９］
［１］～［８］のいずれか一項に記載の塗布処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

［１０］
互いに異なる吐出量の処理液を供給することによって形成された互いに異なる被膜をその表面にそれぞれ有する、複数の基板について、その表面画像を個別に取得する画像取得部と、
前記画像取得部において取得された前記複数の基板の表面画像をそれぞれ極座標変換することで、複数の極座標変換画像を得る画像変換部と、
前記複数の極座標変換画像に含まれる１以上の極座標変換画像を、当該画像を撮像した基板への前記処理液の吐出量を特定する情報に対応付けた状態で画面に表示する表示部と、
前記画面の表示内容に対するユーザの指示に基づいて、前記処理液の被膜を形成する際の、前記基板への前記処理液の吐出量を決定する吐出量決定部と、
を含む、塗布処理装置。

１…基板処理システム、２…塗布・現像装置、９２…表面検査部、１００…制御部、１０１…画面出力部、１０２…ユーザ指示取得部、１０３…画像変換部、１０４…条件決定用サンプル作成条件設定部、１０５…確認用サンプル作成条件設定部、１０６…処理後画像取得部、１０７…基板処理条件更新部、１０８…基板処理制御部、１１０…ユーザインタフェース、１２１…サンプル作成条件保持部、１２２…基板画像保持部、１２３…基板処理条件保持部。

Claims (10)

1. 互いに異なる吐出量の処理液を供給することによって形成された互いに異なる被膜をその表面にそれぞれ有する、複数の基板について、その表面画像を個別に取得することと、
   前記複数の基板の表面画像をそれぞれ極座標変換することで、複数の極座標変換画像を得ることと、
   前記複数の極座標変換画像に含まれる１以上の極座標変換画像を、当該画像を撮像した基板への前記処理液の吐出量を特定する情報に対応付けた状態で画面に表示することと、
   前記画面の表示内容に対するユーザの指示に基づいて、実生産用の基板に前記処理液の被膜を形成する際の、前記処理液の吐出量を決定することと、
   を含む、塗布処理方法。
2. 前記表示することにおいて、前記１以上の極座標変換画像と共に、当該画像を撮像した基板の極座標変換前の表面画像を併せて表示する、請求項１に記載の塗布処理方法。
3. 前記表示することにおいて、前記画面に表示した画像のコントラストを調整可能である、請求項１または２に記載の塗布処理方法。
4. 前記表示することにおいて、前記１以上の極座標変換画像に対して、当該画像を撮像した基板の周縁または中心からの距離を示す補助線を追加して表示する、請求項１または２に記載の塗布処理方法。
5. 前記表示することにおいて、前記１以上の極座標変換画像に対応付けて、当該画像を撮像した基板を特定する情報を表示する、請求項１または２に記載の塗布処理方法。
6. 前記表示することにおいて、前記複数の極座標変換画像に含まれる２以上の極座標変換画像を、当該画像を撮像した基板への前記処理液の吐出量を特定する情報に対応付けた状態で、且つ、前記処理液の吐出量の順に配置した状態で、画面に表示する、請求項１または２に記載の塗布処理方法。
7. 前記表示することにおいて、前記ユーザの指示に基づいて、前記画像の特定の領域を拡大表示可能である、請求項１または２に記載の塗布処理方法。
8. 前記吐出量を決定することにおいて決定された吐出量の前記処理液を複数の基板のそれぞれに対して供給することによって、被膜がその表面に形成された複数の基板の表面画像を個別に取得し、複数の確認用画像を得ることと、
   前記複数の確認用画像を画面に表示することと、
   前記画面の表示内容に対するユーザの指示に基づいて、基板処理条件における前記処理液の吐出量を確定することと、
   をさらに含む、請求項１または２に記載の塗布処理方法。
9. 請求項１または２に記載の塗布処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
10. 互いに異なる吐出量の処理液を供給することによって形成された互いに異なる被膜をその表面にそれぞれ有する、複数の基板について、その表面画像を個別に取得する画像取得部と、
    前記画像取得部において取得された前記複数の基板の表面画像をそれぞれ極座標変換することで、複数の極座標変換画像を得る画像変換部と、
    前記複数の極座標変換画像に含まれる１以上の極座標変換画像を、当該画像を撮像した基板への前記処理液の吐出量を特定する情報に対応付けた状態で画面に表示する表示部と、
    前記画面の表示内容に対するユーザの指示に基づいて、実生産用の基板に前記処理液の被膜を形成する際の、前記処理液の吐出量を決定する吐出量決定部と、
    を含む、塗布処理装置。