JP7732782B2 - イメージャの製造方法 - Google Patents
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Description
-イメージングセンサを第一の基板に取り付ける第一のステップと、
-取り付けられたイメージングセンサの周囲の所定の距離において第一の基板を分割する第二のステップと、
-イメージングセンサを駆動するためのドライバ回路板を、分割された第一の基板の、取り付けられたイメージングセンサの付近に取り付ける第三のステップと、
-イメージングセンサを駆動するためのドライバ回路板を取り付けられたイメージングセンサに接続して、第一のタイルを取得する第四のステップと、
-第一、第二、第三、及び第四のステップを繰り返して、第二のタイルを取得するステップと、
-得られた第一のタイルと第二のタイルを、分割された第一の基板を縁同士が接触するように設置することによって突き合わせ接合する第五のステップと、
-突き合わせ接合されたタイルを主基板に取り付ける第六のステップと、
-突き合わせ接合された第一のタイルと第二のタイルのイメージングセンサのドライバ回路板をイメージャのマザーボードに接続する第七のステップと、
を含むイメージャの製造方法である。
-第一の基板と、
-第一の基板に取り付けられたイメージングセンサであって、第一の基板は結合されたイメージングセンサの周囲の所定の距離において分割されるようなイメージングセンサと、
-第一の基板のイメージングセンサの付近に取り付けられ、イメージングセンサに接続された、イメージングセンサを駆動するための駆動回路板と、
を含み、
第一のタイルと第二のタイルは、第一の基板を縁同士が接触するように設置することによって突き合わせ接合され、
イメージャは、突き合わせ接合されたタイルがそこに取り付けられる主基板と、突き合わせ接合された第一のタイルと第二のタイルのイメージングセンサを駆動するためのドライバ回路板に接続されたマザーボードを含む。
11 イメージングセンサ
12 第一の基板
13 ドライバ回路板
14 距離
20 イメージャ
21 第一のタイル
22 第二のタイル
23 主基板
24 マザーボード
31 イメージング領域
32 駆動及び接続領域
Claims (8)
- イメージャ(10、20)の製造方法であって、
a.イメージングセンサ(11)を第一の基板(12)に取り付ける第一のステップ(100)と、
b.取り付けられた前記イメージングセンサ(11)の周囲の所定の距離において前記第一の基板(12)を分割する第二のステップ(101)と、
c.前記イメージングセンサ(11)を駆動するためのドライバ回路板(13)を、分割された前記第一の基板(12)に、取り付けられた前記イメージングセンサ(11)の駆動及び接続領域(32)と並置するように取り付ける第三のステップ(102)と、
d.前記イメージングセンサ(11)を駆動するための前記ドライバ回路板(13)を、取り付けられた前記イメージングセンサ(11)に接続して、第一のタイル(21)を取得する第四のステップ(103)と、
e.前記第一、第二、第三、及び第四のステップを繰り返して、第二のタイル(22)をその上の第一の基板(12)に得るステップと、
f.得られた前記第一のタイル(21)と第二のタイル(22)を、2つの分割された前記第一の基板(12)を縁同士が接触するように設置することによって突き合わせ接合する第五のステップ(104)と、
g.突き合わせ接合された前記第一のタイル(21)および前記第二のタイル(22)を主基板(23)に取り付ける第六のステップ(105)と、
h.突き合わせ接合された前記第一のタイル(21)と第二のタイル(22)の前記イメージングセンサ(11)の前記ドライバ回路板(13)を前記イメージャ(10、20)のマザーボード(24)に接続する第七のステップ(106)と、
を含むことを特徴とする製造方法。 - 前記イメージングセンサ(11)を駆動するための前記ドライバ回路板(13)を結合された前記イメージングセンサ(11)に接続する前記第四のステップ(103)の後に、前記第一のタイル(21)および前記第二のタイル(22)の適合性を試験するステップ(107)を含む、請求項1に記載のイメージャ(10、20)の製造方法。
- 前記イメージングセンサ(11)を駆動するための前記ドライバ回路板(13)を結合された前記イメージングセンサ(11)に接続する前記第四のステップ(103)の後に、前記第一のタイル(21)および前記第2のタイル(22)を保管するステップ(108)を含む、請求項1又は2に記載のイメージャ(10、20)の製造方法。
- 前記第一の基板(12)を分割する前記第二のステップ(101)は、レーザビームによって、又はベッセルビームによって分割するステップであることを特徴とする、請求項1~3の何れか1項に記載のイメージャ(10、20)の製造方法。
- 前記第一のステップ(100)の後に、前記第一の基板(12)にマーキングするステップ(109)を含む、請求項1~4の何れか1項に記載のイメージャ(10、20)の製造方法。
- 前記第一のタイル(21)は前記第二のタイル(22)の寸法とは異なる寸法を有する、請求項1~5の何れか1項に記載のイメージャ(20)の製造方法。
- イメージャ(10、20)であって、
第一のタイル(21)と第二のタイル(22)を含み、前記第一のタイル(21)および前記第二のタイル(22)の各々は、
a.第一の基板(12)と、
b.前記第一の基板(12)に取り付けられたイメージングセンサ(11)であって、前記第一の基板(12)は結合された前記イメージングセンサ(11)の周囲の所定の距離(14)において分割される、イメージングセンサ(11)と、
c.前記イメージングセンサ(11)に接続されるように、前記イメージングセンサ(11)を駆動するための、前記第一の基板(12)に取り付けられたドライバ回路板(13)と、
を含み、
前記第一のタイル(21)と前記第二のタイル(22)は、2つの前記第一の基板(12)を縁同士が接触するように設置することによって突き合わせ接合されることと、
それが、突き合わせ接合された前記第一のタイルおよび前記第二のタイルがそこに取り付けられる主基板(23)と、突き合わせ接合された前記第一のタイル(21)と第二のタイル(22)の前記イメージングセンサ(11)を駆動するための前記ドライバ回路板(13)に接続されたマザーボード(24)と、を含むこと
を特徴とするイメージャ(10、20)。 - 前記第一のタイル(21)は、前記第二のタイル(22)の寸法とは異なる寸法を有する、請求項7に記載のイメージャ(20)。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR2007307A FR3112423A1 (fr) | 2020-07-09 | 2020-07-09 | Procédé de réalisation d’un imageur |
| FR2007307 | 2020-07-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022022998A JP2022022998A (ja) | 2022-02-07 |
| JP7732782B2 true JP7732782B2 (ja) | 2025-09-02 |
Family
ID=73497867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021104616A Active JP7732782B2 (ja) | 2020-07-09 | 2021-06-24 | イメージャの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11489000B2 (ja) |
| EP (1) | EP3937244B1 (ja) |
| JP (1) | JP7732782B2 (ja) |
| KR (1) | KR20220007026A (ja) |
| CN (1) | CN113921551B (ja) |
| FR (1) | FR3112423A1 (ja) |
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- 2021-06-24 JP JP2021104616A patent/JP7732782B2/ja active Active
- 2021-06-29 US US17/362,719 patent/US11489000B2/en active Active
- 2021-07-07 CN CN202110768906.8A patent/CN113921551B/zh active Active
- 2021-07-08 KR KR1020210089993A patent/KR20220007026A/ko active Pending
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| CN113921551A (zh) | 2022-01-11 |
| CN113921551B (zh) | 2025-06-03 |
| US11489000B2 (en) | 2022-11-01 |
| EP3937244B1 (fr) | 2024-02-07 |
| US20220013553A1 (en) | 2022-01-13 |
| KR20220007026A (ko) | 2022-01-18 |
| FR3112423A1 (fr) | 2022-01-14 |
| JP2022022998A (ja) | 2022-02-07 |
| EP3937244A1 (fr) | 2022-01-12 |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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