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JP7733583B2 - Conductive particles, sockets, conductive materials and connection structures - Google Patents
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JP7733583B2 - Conductive particles, sockets, conductive materials and connection structures - Google Patents

Conductive particles, sockets, conductive materials and connection structures

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JP7733583B2
JP7733583B2 JP2021577501A JP2021577501A JP7733583B2 JP 7733583 B2 JP7733583 B2 JP 7733583B2 JP 2021577501 A JP2021577501 A JP 2021577501A JP 2021577501 A JP2021577501 A JP 2021577501A JP 7733583 B2 JP7733583 B2 JP 7733583B2
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Description

本発明は、基材粒子の表面上に導電部が配置されている導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いたソケット、導電材料及び接続構造体に関する。 The present invention relates to conductive particles in which a conductive portion is disposed on the surface of a base particle. The present invention also relates to sockets, conductive materials, and connection structures using the conductive particles.

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー中に導電性粒子が分散されている。 Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In these anisotropic conductive materials, conductive particles are dispersed in a binder.

上記異方性導電材料は、フレキシブルプリント基板(FPC)、ガラス基板、ガラスエポキシ基板及び半導体チップ等の様々な接続対象部材の電極間を電気的に接続し、接続構造体を得るために用いられている。また、上記導電性粒子として、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子が用いられることがある。The anisotropic conductive material is used to electrically connect electrodes of various connection target components, such as flexible printed circuit boards (FPCs), glass substrates, glass epoxy substrates, and semiconductor chips, to obtain connection structures. Furthermore, the conductive particles may be conductive particles having a base particle and a conductive portion disposed on the surface of the base particle.

近年、IOT、5G通信、VR、AR、人工知能、及び自動運転システム等の市場拡大に伴う情報量の増加や通信速度の高速化により、データサーバー、PC、及び携帯端末等のプロセッサには、情報処理速度の高速化がより一層求められている。In recent years, with the expansion of markets for IoT, 5G communications, VR, AR, artificial intelligence, and autonomous driving systems, the amount of information has increased and communication speeds have increased, placing an even greater demand on processors in data servers, PCs, mobile devices, and other devices to process information faster.

大容量の情報を高速に処理する方法としては、例えば、CPU(中央演算処理装置)の処理能力を向上させる方法等が挙げられる。CPUの処理能力を向上させるために、CPUとマザーボードとを接続するソケット(CPUソケット)の金属端子(金属ピン)の多ピン化及び狭ピッチ化が進行している。 One method for processing large amounts of information at high speed is to improve the processing power of the CPU (Central Processing Unit). To improve CPU processing power, the metal terminals (metal pins) of the socket (CPU socket) that connects the CPU to the motherboard are becoming more and more multi-pin and with narrower pitches.

金属端子(金属ピン)を用いたソケットの一例が下記の特許文献1に開示されている。下記の特許文献1には、半導体素子又は半導体装置等の電子部品と実装基板との間に介在して電子部品を着脱可能に装着するとともに、電子部品と実装基板とを電気的に接続する電子部品用ソケットが開示されている。上記電子部品用ソケットでは、樹脂から構成されたソケット本体の実装面側に、接続端子が設けられている。この接続端子は、ソケット本体と一体にソケット本体から突出して設けられた樹脂バンプの外面に、導体膜が被着して形成されている。上記電子部品用ソケットでは、上記導体膜の内面に基端が接合され、かつ基端側が上記樹脂バンプ及び上記ソケット本体に埋没して封止されて、接続端子が設けられている。この接続端子は、先端側が上記ソケット本体の実装面とは反対面側から屈曲形状に延出して形成されている。An example of a socket using metal terminals (metal pins) is disclosed in Patent Document 1 below. Patent Document 1 below discloses an electronic component socket that is interposed between an electronic component, such as a semiconductor element or semiconductor device, and a mounting board to detachably mount the electronic component and electrically connect the electronic component to the mounting board. In this electronic component socket, a connection terminal is provided on the mounting surface side of a socket body made of resin. This connection terminal is formed by a conductive film coated on the outer surface of a resin bump that is integral with the socket body and protrudes from the socket body. In this electronic component socket, the connection terminal is provided with a base end joined to the inner surface of the conductive film, and the base end side is embedded and sealed in the resin bump and the socket body. The tip side of this connection terminal is formed in a bent shape extending from the side opposite the mounting surface of the socket body.

特開2003-297507号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-297507

特許文献1に記載されているような従来のソケット等では、さらなる多ピン化及び狭ピッチ化に対応するために、微細な金属端子(金属ピン)を加工することが非常に困難である。また、金属端子(金属ピン)を微細化することで、金属端子(金属ピン)の強度が低下し、CPU接続時等に金属端子(金属ピン)が折れたり、曲がったりすることで、接続不良が発生することがある。従来の金属端子(金属ピン)を用いるソケットでは、さらなる多ピン化及び狭ピッチ化に対応することは困難であり、情報処理速度の高速化を実現することが困難である。 With conventional sockets such as those described in Patent Document 1, it is extremely difficult to process fine metal terminals (metal pins) to accommodate increased pin counts and narrower pitches. Furthermore, miniaturizing metal terminals (metal pins) reduces their strength, which can lead to connection failures due to the metal terminals (metal pins) breaking or bending when connecting to a CPU, etc. With sockets that use conventional metal terminals (metal pins), it is difficult to accommodate increased pin counts and narrower pitches, making it difficult to achieve faster information processing speeds.

本発明の目的は、長期間に渡り圧縮されても、高い接続信頼性を維持することができる導電性粒子を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することである。 An object of the present invention is to provide conductive particles that can maintain high connection reliability even when compressed over a long period of time. Another object of the present invention is to provide a conductive material and a connection structure using the conductive particles.

本発明者らは、上記の課題を鋭意検討した結果、金属端子(金属ピン)の代わりに、特定の導電性粒子を用いることで、上記の課題を解決できることを見出した。 After extensive research into the above-mentioned problems, the inventors discovered that the above-mentioned problems can be solved by using specific conductive particles instead of metal terminals (metal pins).

本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える導電性粒子であり、前記導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持した後の圧縮回復率が、85%以上である、導電性粒子が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, there is provided a conductive particle comprising a base particle and a conductive portion disposed on the surface of the base particle, wherein the conductive particle has a compression recovery rate of 85% or more after being held in a 20% compressed state for 168 hours.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部が、第1の導電層を有し、前記第1の導電層の材料が、延展性金属を含み、前記導電性粒子の粒子径の、前記第1の導電層の厚みに対する比が、50以上1000以下である。 In a particular aspect of the conductive particle of the present invention, the conductive portion has a first conductive layer, the material of the first conductive layer includes a ductile metal, and the ratio of the particle diameter of the conductive particle to the thickness of the first conductive layer is 50 or more and 1000 or less.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子を荷重1000mNで圧縮したときの圧縮変形率が、10%以上である。 In a particular aspect of the conductive particles of the present invention, the compressive deformation rate when the conductive particles are compressed under a load of 1000 mN is 10% or more.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子を14.12mN/秒の負荷速度で1961mNまで負荷した後、14.12mN/秒の除荷速度で除荷したときに、負荷時の圧縮荷重が500mNにおける圧縮変位の、除荷時の圧縮荷重が500mNにおける圧縮変位に対する比が、0.7以上であり、負荷時の圧縮荷重が1000mNにおける圧縮変位の、除荷時の圧縮荷重が1000mNにおける圧縮変位に対する比が、0.7以上である。 In a particular aspect of the conductive particles of the present invention, when the base particle is loaded to 1961 mN at a loading rate of 14.12 mN/sec and then unloaded at an unloading rate of 14.12 mN/sec, the ratio of the compressive displacement at a compressive load of 500 mN during loading to the compressive displacement at a compressive load of 500 mN during unloading is 0.7 or more, and the ratio of the compressive displacement at a compressive load of 1000 mN during loading to the compressive displacement at a compressive load of 1000 mN during unloading is 0.7 or more.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子の材料が、ポリエーテル骨格を有する多官能(メタ)アクリレートを含み、前記基材粒子の材料100重量%中、前記ポリエーテル骨格を有する多官能(メタ)アクリレートの含有量が、5重量%以上である。 In a particular aspect of the conductive particles of the present invention, the material of the base particle contains a polyfunctional (meth)acrylate having a polyether skeleton, and the content of the polyfunctional (meth)acrylate having a polyether skeleton in 100% by weight of the material of the base particle is 5% by weight or more.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子の粒子径が、100μm以上1000μm以下である。 In a particular aspect of the conductive particles of the present invention, the particle diameter of the conductive particles is 100 μm or more and 1000 μm or less.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部が、2層以上の積層構造を有し、前記導電部の外表面の材料が、金、銀、銅、錫、亜鉛、ニッケル、ベリリウム、コバルト、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、又はこれらの合金である。 In a particular aspect of the conductive particle of the present invention, the conductive portion has a laminated structure of two or more layers, and the material of the outer surface of the conductive portion is gold, silver, copper, tin, zinc, nickel, beryllium, cobalt, palladium, platinum, rhodium, ruthenium, iridium, or an alloy thereof.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、ソケット又はコネクタを得るために用いられる。 In one particular aspect of the conductive particles of the present invention, the conductive particles are used to obtain a socket or connector.

本発明の広い局面によれば、ソケット本体と、上述した導電性粒子とを備え、前記導電性粒子が、接続端子を構成している、ソケットが提供される。 According to a broad aspect of the present invention, there is provided a socket comprising a socket body and the above-mentioned conductive particles, the conductive particles constituting connection terminals.

本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダーとを含む、導電材料が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, there is provided a conductive material comprising the conductive particles described above and a binder.

本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、絶縁部材及び導電性粒子を有する接続部とを備え、前記導電性粒子が、上述した導電性粒子であり、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, there is provided a connection structure comprising a first connection target member having a first electrode on its surface, a second connection target member having a second electrode on its surface, and a connection portion having an insulating member and conductive particles, wherein the conductive particles are the conductive particles described above, and the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.

本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。本発明に係る導電性粒子では、上記導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持した後の圧縮回復率が、85%以上である。本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、長期間に渡り圧縮されても、高い接続信頼性を維持することができる。 The conductive particles of the present invention comprise a base particle and a conductive portion disposed on the surface of the base particle. The conductive particles of the present invention have a compression recovery rate of 85% or more after being held in a 20% compressed state for 168 hours. Because the conductive particles of the present invention have the above configuration, they can maintain high connection reliability even when compressed for a long period of time.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a first embodiment of the present invention. 図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a second embodiment of the present invention. 図3は、本発明の第3の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a third embodiment of the present invention. 図4は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。FIG. 4 is a front cross-sectional view that schematically shows a connection structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention. 図5は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体の他の例を模式的に示す正面断面図である。FIG. 5 is a front cross-sectional view schematically showing another example of a connection structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention.

以下、本発明の詳細を説明する。 The details of the present invention are described below.

(導電性粒子)
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。本発明に係る導電性粒子では、上記導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持した後の圧縮回復率が、85%以上である。
(Conductive particles)
The conductive particle according to the present invention includes a base particle and a conductive portion disposed on the surface of the base particle, and has a compression recovery rate of 85% or more after being held in a 20% compressed state for 168 hours.

本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、長期間に渡り圧縮されても、高い接続信頼性を維持することができる。 The conductive particles of the present invention have the above-mentioned configuration, so they can maintain high connection reliability even when compressed for a long period of time.

また、金属端子(金属ピン)の代わりに導電性粒子を用いる際も、従来の導電性粒子では、一時的に接続信頼性を高めることしか考慮されておらず、長期間(例えば、一週間程度)に渡り圧縮負荷された後も高い接続信頼性を維持するということは考慮されていない。従来の導電性粒子を金属端子(金属ピン)の代りに用いた場合、長期間(例えば、一週間程度)に渡り圧縮負荷されると、接続信頼性が低下するという課題がある。 Furthermore, when using conductive particles instead of metal terminals (metal pins), conventional conductive particles are only designed to temporarily increase connection reliability, and do not take into consideration maintaining high connection reliability even after being subjected to a compressive load for an extended period of time (e.g., about a week). When conventional conductive particles are used in place of metal terminals (metal pins), there is an issue in that connection reliability decreases when the particles are subjected to a compressive load for an extended period of time (e.g., about a week).

本発明者らは、上記の課題を鋭意検討した結果、従来の導電性粒子が接続構造体に用いられ、接続対象部材等により長期間に渡り圧縮負荷された場合、導電性粒子が破損する可能性や、除荷後も変形したままその形状が十分に回復しない可能性があることを見出した。すなわち、従来の導電性粒子を用いた接続構造体では、長期間の使用(導電性粒子の圧縮)後、次回接続時に導通不良を起こすことがある。 After extensive research into the above-mentioned issues, the inventors discovered that when conventional conductive particles are used in connection structures and subjected to a compressive load over an extended period of time by components to be connected, the conductive particles may be damaged, or may remain deformed and not fully recover their shape even after the load is removed. In other words, connection structures using conventional conductive particles may experience poor conductivity the next time they are connected after extended use (compression of the conductive particles).

一方、本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、長期間に渡り圧縮されても、高い接続信頼性を維持することができる。本発明では、上記のような効果を得るために、特定の導電性粒子を用いることは大きく寄与する。 On the other hand, the conductive particles of the present invention have the above-mentioned configuration, so they can maintain high connection reliability even when compressed for a long period of time. In the present invention, the use of specific conductive particles greatly contributes to achieving the above-mentioned effects.

上記導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持した後の圧縮回復率は、85%以上である。上記導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持した後の圧縮回復率は、好ましくは90%以上、より好ましくは95%以上、さらに好ましくは97%以上、最も好ましくは100%である。上記導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持した後の圧縮回復率が、上記下限以上であると、長期間に渡り導電性粒子が損傷しにくい。結果として、長期間に渡り導電性粒子が圧縮されても、高い接続信頼性をより一層効果的に維持することができる。 The compression recovery rate of the conductive particles after holding them in a 20% compressed state for 168 hours is 85% or more. The compression recovery rate of the conductive particles after holding them in a 20% compressed state for 168 hours is preferably 90% or more, more preferably 95% or more, even more preferably 97% or more, and most preferably 100%. When the compression recovery rate of the conductive particles after holding them in a 20% compressed state for 168 hours is above the lower limit, the conductive particles are less likely to be damaged over long periods of time. As a result, high connection reliability can be maintained even more effectively, even when the conductive particles are compressed for long periods of time.

上記導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持した後の圧縮回復率は、以下の圧縮試験Aにより測定できる。 The compression recovery rate after holding the above conductive particles in a 20% compressed state for 168 hours can be measured using the following compression test A.

<圧縮試験A>
第1のスライドガラスの表面上に導電性粒子を散布し、さらに第2のスライドガラスを積層し、積層体を得る。次いで、マイクロメーターによって積層体を挟み、25℃で、導電性粒子の粒子径が20%圧縮変形するまで負荷を与える。導電性粒子を20%圧縮した状態で、168時間保持した後、導電性粒子を取り出し、導電性粒子を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、導電性粒子の粒子径を測定する。上記導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持した後の圧縮回復率を、下記式から求める。なお、任意の導電性粒子50個にて測定を行い、導電性粒子の粒子径の平均値を算出することが好ましい。圧縮試験A前の導電性粒子の粒子径は、後の圧縮における圧縮方向での圧縮前の導電性粒子の粒子径である。圧縮試験A後の導電性粒子の粒子径は、圧縮方向での圧縮後の導電性粒子の粒子径である。また、圧縮試験A後の導電性粒子の粒子径は、導電性粒子を取り出して30分後に計測された粒子径である。上記マイクロメーターとしては、ミツトヨ社製「MDC-25PXT」等が挙げられる。圧縮試験A前後の導電性粒子の粒子径は、例えば、光学顕微鏡に付随するソフトウェアの直径計測機能等により計測することができる。上記光学顕微鏡としては、キーエンス社製「デジタルマイクロスコープVHXシリーズ」等が挙げられる。
<Compression Test A>
Conductive particles are dispersed on the surface of a first glass slide, and a second glass slide is then laminated thereon to obtain a laminate. The laminate is then clamped using a micrometer, and a load is applied at 25°C until the particle diameter of the conductive particles is compressed by 20%. After holding the conductive particles in a 20% compressed state for 168 hours, the conductive particles are removed and observed using an electron microscope or optical microscope to measure the particle diameter of the conductive particles. The compression recovery rate after holding the conductive particles in a 20% compressed state for 168 hours is calculated using the following formula. It is preferable to measure 50 random conductive particles and calculate the average particle diameter of the conductive particles. The particle diameter of the conductive particles before compression test A is the particle diameter of the conductive particles before compression in the compression direction in the subsequent compression. The particle diameter of the conductive particles after compression test A is the particle diameter of the conductive particles after compression in the compression direction. The particle diameter of the conductive particles after compression test A is the particle diameter measured 30 minutes after removing the conductive particles. An example of the micrometer is the "MDC-25PXT" manufactured by Mitutoyo Corporation. The particle diameters of the conductive particles before and after compression test A can be measured, for example, using a diameter measurement function of software attached to an optical microscope. An example of the optical microscope is the "Digital Microscope VHX Series" manufactured by Keyence Corporation.

圧縮回復率(%)=(H2/H1)×100
H1:圧縮試験A前の導電性粒子の粒子径
H2:圧縮試験A後の導電性粒子の粒子径
Compression recovery rate (%) = (H2/H1) x 100
H1: Particle diameter of conductive particles before compression test A H2: Particle diameter of conductive particles after compression test A

また、初期の接続信頼性を高める観点からは、上記導電性粒子の20%圧縮したときの圧縮回復率(圧縮状態を保持せずに計測した圧縮回復率)は、好ましくは90%以上、より好ましくは95%以上、さらに好ましくは97%以上、最も好ましくは100%である。 In addition, from the viewpoint of improving initial connection reliability, the compression recovery rate of the above-mentioned conductive particles when compressed by 20% (compression recovery rate measured without maintaining the compressed state) is preferably 90% or more, more preferably 95% or more, even more preferably 97% or more, and most preferably 100%.

上記導電性粒子の20%圧縮したときの圧縮回復率(圧縮状態を保持せずに計測した圧縮回復率)は、以下の圧縮試験Bにより測定できる。 The compression recovery rate of the above conductive particles when compressed by 20% (compression recovery rate measured without maintaining the compressed state) can be measured using the following compression test B.

<圧縮試験B>
上述した圧縮試験Aで、導電性粒子を20%圧縮した状態で5分間保持した後、導電性粒子を取り出し、導電性粒子を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、導電性粒子の粒子径を測定する。上記導電性粒子の20%圧縮したときの圧縮回復率(圧縮状態を保持せずに計測した圧縮回復率)を、下記式から求める。なお、任意の導電性粒子50個にて測定を行い、導電性粒子の粒子径の平均値を算出することが好ましい。圧縮試験B前の導電性粒子の粒子径は、後の圧縮における圧縮方向での圧縮前の導電性粒子の粒子径である。圧縮試験B後の導電性粒子の粒子径は、圧縮方向での圧縮後の導電性粒子の粒子径である。また、圧縮試験B後の導電性粒子の粒子径は、導電性粒子を取り出して30分後に計測された粒子径である。
<Compression Test B>
In the above-mentioned compression test A, the conductive particles are held in a 20% compressed state for 5 minutes, and then removed and observed under an electron microscope or optical microscope to measure the particle diameter of the conductive particles. The compression recovery rate of the conductive particles when compressed 20% (compression recovery rate measured without holding the compressed state) is calculated using the following formula. It is preferable to measure 50 random conductive particles and calculate the average particle diameter of the conductive particles. The particle diameter of the conductive particles before compression test B is the particle diameter of the conductive particles before compression in the compression direction in the subsequent compression. The particle diameter of the conductive particles after compression test B is the particle diameter of the conductive particles after compression in the compression direction. The particle diameter of the conductive particles after compression test B is the particle diameter measured 30 minutes after the conductive particles were removed.

圧縮回復率(%)=(J2/J1)×100
J1:圧縮試験B前の導電性粒子の粒子径
J2:圧縮試験B後の導電性粒子の粒子径
Compression recovery rate (%) = (J2/J1) x 100
J1: Particle diameter of conductive particles before compression test B J2: Particle diameter of conductive particles after compression test B

上記導電性粒子を荷重1000mNで圧縮したときの圧縮変形率は、好ましくは10%以上、より好ましくは15%以上、さらに好ましくは20%以上であり、好ましくは50%以下、より好ましくは45%以下、さらに好ましくは40%以下である。上記導電性粒子を荷重1000mNで圧縮したときの圧縮変形率が上記下限以上及び上記上限以下であると、長期間に渡り導電性粒子が損傷しにくい。結果として、長期間に渡り導電性粒子が圧縮されても、高い接続信頼性をより一層効果的に維持することができる。なお、上記圧縮変形率は、上記導電性粒子の圧縮後の圧縮方向の粒子径の、上記導電性粒子の圧縮前の粒子径に対する比(%)を示す。The compressive deformation ratio of the conductive particles when compressed under a load of 1000 mN is preferably 10% or more, more preferably 15% or more, even more preferably 20% or more, and preferably 50% or less, more preferably 45% or less, and even more preferably 40% or less. When the compressive deformation ratio of the conductive particles when compressed under a load of 1000 mN is above the lower limit and below the upper limit, the conductive particles are less likely to be damaged over an extended period of time. As a result, high connection reliability can be more effectively maintained even when the conductive particles are compressed over an extended period of time. The compressive deformation ratio indicates the ratio (%) of the particle diameter of the conductive particles in the compression direction after compression to the particle diameter of the conductive particles before compression.

上記導電性粒子の10%圧縮したときの圧縮弾性率(10%K値)は、好ましくは10N/mm以上、より好ましくは50N/mm以上であり、好ましくは1000N/mm以下、より好ましくは500N/mm以下である。上記10%K値が上記下限以上及び上記上限以下であると、初期の接続信頼性を高めることができる。 The compressive modulus of elasticity when compressed by 10% (10% K value) of the conductive particles is preferably 10 N/ mm2 or more, more preferably 50 N/ mm2 or more, and preferably 1000 N/mm2 or less , more preferably 500 N/ mm2 or less. When the 10% K value is equal to or greater than the above lower limit and equal to or less than the above upper limit, the initial connection reliability can be improved.

上記導電性粒子の20%圧縮したときの圧縮弾性率(20%K値)は、好ましくは10N/mm以上、より好ましくは50N/mm以上であり、好ましくは1000N/mm以下、より好ましくは500N/mm以下である。上記20%K値が上記下限以上及び上記上限以下であると、初期の接続信頼性を高めることができる。 The compressive modulus of elasticity when compressed by 20% (20% K value) of the conductive particles is preferably 10 N/ mm2 or more, more preferably 50 N/ mm2 or more, and preferably 1000 N/mm2 or less , more preferably 500 N/ mm2 or less. When the 20% K value is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the initial connection reliability can be improved.

上記導電性粒子における上記圧縮弾性率(10%K値及び20%K値)は、以下のようにして測定できる。 The above compressive modulus (10% K value and 20% K value) of the above conductive particles can be measured as follows.

微小圧縮試験機を用いて、円柱(直径2mm、ステンレス上にBeCu/Au製)の平滑圧子端面で、25℃、圧縮速度0.3mN/秒、及び最大試験荷重20mNの条件下で1個の導電性粒子を圧縮する。このときの荷重値(N)及び圧縮変位(mm)を測定する。得られた測定値から、上記圧縮弾性率を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、ノードソン社製「4000Plusボンドテスター」等が用いられる。Using a micro-compression testing machine, one conductive particle is compressed with the end face of a cylindrical (2 mm diameter, BeCu/Au on stainless steel) smooth indenter at 25°C, a compression speed of 0.3 mN/sec, and a maximum test load of 20 mN. The load value (N) and compression displacement (mm) at this time are measured. From the obtained measured values, the compressive elastic modulus can be calculated using the following formula. An example of a micro-compression testing machine that can be used is the Nordson 4000Plus Bond Tester.

10%K値又は20%K値(N/mm)=(3/21/2)・F・S-3/2・R-1/2
F:導電性粒子が10%又は20%圧縮変形したときの荷重値(N)
S:導電性粒子が10%又は20%圧縮変形したときの圧縮変位(mm)
R:導電性粒子の半径(mm)
10% K value or 20% K value (N/mm 2 ) = (3/2 1/2 )·F·S -3/ 2·R -1/2
F: Load value (N) when the conductive particles are compressed and deformed by 10% or 20%
S: Compression displacement (mm) when the conductive particles are compressed and deformed by 10% or 20%
R: Radius of conductive particle (mm)

上記圧縮弾性率は、導電性粒子の硬さを普遍的かつ定量的に表す。上記圧縮弾性率の使用により、導電性粒子の硬さを定量的かつ一義的に表すことができる。 The above compressive modulus universally and quantitatively represents the hardness of conductive particles. By using the above compressive modulus, the hardness of conductive particles can be quantitatively and unambiguously represented.

上記導電性粒子を20%圧縮した状態の上記導電性粒子の抵抗値(R1)は、好ましくは0.1mΩ以上、より好ましくは1mΩ以上であり、好ましくは100mΩ以下、より好ましくは50mΩ以下、さらに好ましくは25mΩ以下、特に好ましくは20mΩ以下である。上記抵抗値(R1)が、上記下限以上及び上記上限以下であると、初期の接続信頼性を高めることができる。 The resistance value (R1) of the conductive particles when compressed by 20% is preferably 0.1 mΩ or more, more preferably 1 mΩ or more, and preferably 100 mΩ or less, more preferably 50 mΩ or less, even more preferably 25 mΩ or less, and particularly preferably 20 mΩ or less. When the resistance value (R1) is above the lower limit and below the upper limit, initial connection reliability can be improved.

上記導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持した後の導電性粒子の抵抗値(R2)は、好ましくは0.1mΩ以上、より好ましくは1mΩ以上であり、好ましくは100mΩ以下、より好ましくは50mΩ以下、さらに好ましくは25mΩ以下、特に好ましくは20mΩ以下である。上記抵抗値(R2)が、上記下限以上及び上記上限以下であると、長期間に渡り導電性粒子が圧縮されても、高い接続信頼異性をより一層効果的に維持することができる。 The resistance value (R2) of the conductive particles after holding them in a 20% compressed state for 168 hours is preferably 0.1 mΩ or more, more preferably 1 mΩ or more, and preferably 100 mΩ or less, more preferably 50 mΩ or less, even more preferably 25 mΩ or less, and particularly preferably 20 mΩ or less. When the resistance value (R2) is above the lower limit and below the upper limit, high connection reliability can be more effectively maintained even when the conductive particles are compressed for a long period of time.

上記抵抗値(R1)及び上記抵抗値(R2)は以下のようにして測定できる。 The above resistance value (R1) and the above resistance value (R2) can be measured as follows.

微小圧縮試験機を用いて、円柱(直径2mm、ステンレス上にBeCu/Au製)の平滑圧子端面で、25℃で、導電性粒子の中心方向に導電性粒子が20%圧縮変形するまで負荷を与える。導電性粒子を20%圧縮した状態で導通抵抗を測定し、抵抗値(R1)とする。また、導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持した後の導通抵抗を測定し、抵抗値(R2)とする。上記微小圧縮試験機としては、ノードソン社製「4000Plusボンドテスター」等が用いられる。 Using a micro-compression testing machine, a load is applied at 25°C with the end face of a smooth cylindrical indenter (2 mm diameter, made of BeCu/Au on stainless steel) toward the center of the conductive particle until the conductive particle is compressed by 20%. The electrical resistance is measured when the conductive particle is compressed by 20%, and this is the resistance value (R1). The electrical resistance is also measured after the conductive particle has been held in the 20% compressed state for 168 hours, and this is the resistance value (R2). Examples of the micro-compression testing machine that can be used include the Nordson 4000Plus Bond Tester.

上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは100μm以上、より好ましくは150μm以上、さらに好ましくは300μm以上であり、好ましくは1000μm以下、より好ましくは800μm以下、さらに好ましくは700μm以下である。上記導電性粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。また、導電性粒子をソケット又はコネクタを得るために好適に用いることができる。The particle diameter of the conductive particles is preferably 100 μm or more, more preferably 150 μm or more, even more preferably 300 μm or more, and preferably 1000 μm or less, more preferably 800 μm or less, and even more preferably 700 μm or less. When the particle diameter of the conductive particles is equal to or greater than the above-mentioned lower limit and equal to or less than the above-mentioned upper limit, the effects of the present invention can be more effectively exerted. Furthermore, the conductive particles can be suitably used to obtain sockets or connectors.

上記導電性粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることが好ましい。上記導電性粒子の粒子径は、例えば、任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各導電性粒子の粒子径の平均値を算出することや、粒度分布測定装置を用いて求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、1個当たりの導電性粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の50個の導電性粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、1個当たりの導電性粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記導電性粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。The particle diameter of the conductive particles is preferably an average particle diameter, and more preferably a number-average particle diameter. The particle diameter of the conductive particles can be determined, for example, by observing 50 random conductive particles with an electron microscope or optical microscope and calculating the average particle diameter of each conductive particle, or by using a particle size distribution analyzer. When observed with an electron microscope or optical microscope, the particle diameter of each conductive particle is determined as the particle diameter in equivalent circle diameter. When observed with an electron microscope or optical microscope, the average particle diameter of 50 random conductive particles in equivalent circle diameter is approximately equal to the average particle diameter in equivalent sphere diameter. When observed with a particle size distribution analyzer, the particle diameter of each conductive particle is determined as the particle diameter in equivalent sphere diameter. The average particle diameter of the conductive particles is preferably calculated using a particle size distribution analyzer.

上記導電性粒子の粒子径の変動係数(CV値)は、好ましくは10%以下、より好ましくは5%以下である。上記導電性粒子の粒子径の変動係数が、上記上限以下であると、導電性粒子と電極との接触面積を十分に大きくすることができる。 The coefficient of variation (CV value) of the particle size of the conductive particles is preferably 10% or less, more preferably 5% or less. When the coefficient of variation of the particle size of the conductive particles is below the upper limit, the contact area between the conductive particles and the electrode can be sufficiently large.

上記変動係数(CV値)は、以下のようにして測定できる。 The above coefficient of variation (CV value) can be measured as follows.

CV値(%)=(ρ/Dn)×100
ρ:導電性粒子の粒子径の標準偏差
Dn:導電性粒子の粒子径の平均値
CV value (%) = (ρ/Dn) × 100
ρ: Standard deviation of particle diameter of conductive particles Dn: Average particle diameter of conductive particles

上記導電性粒子の形状は特に限定されない。上記導電性粒子の形状は、球状であってもよく、球状以外の形状であってもよく、四角柱状、円柱状及び扁平状等の形状であってもよい。The shape of the conductive particles is not particularly limited. The conductive particles may be spherical or may have a shape other than spherical, such as a square pillar, a cylindrical shape, or a flat shape.

以下、図面を参照しつつ、本発明を具体的に説明する。 The present invention will now be described in detail with reference to the drawings.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 Figure 1 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a first embodiment of the present invention.

図1に示す導電性粒子1は、基材粒子2と、導電部3とを有する。導電部3は、基材粒子2の表面上に配置されている。導電性粒子1では、導電部3は、基材粒子2の表面に接している。導電性粒子1は、基材粒子2の表面が導電部3により被覆された被覆粒子である。 The conductive particle 1 shown in Figure 1 has a base particle 2 and a conductive portion 3. The conductive portion 3 is arranged on the surface of the base particle 2. In the conductive particle 1, the conductive portion 3 is in contact with the surface of the base particle 2. The conductive particle 1 is a coated particle in which the surface of the base particle 2 is coated with the conductive portion 3.

導電性粒子1では、導電部3は、単層の導電層である。上記導電性粒子では、上記導電部が上記基材粒子の表面の全体を覆っていてもよく、上記導電部が上記基材粒子の表面の一部を覆っていてもよい。上記導電性粒子では、上記導電部は、単層の導電層であってもよく、2層以上の層から構成される多層の導電層であってもよい。In the conductive particle 1, the conductive portion 3 is a single-layer conductive layer. In the conductive particle, the conductive portion may cover the entire surface of the base particle, or the conductive portion may cover only a portion of the surface of the base particle. In the conductive particle, the conductive portion may be a single-layer conductive layer, or a multi-layer conductive layer composed of two or more layers.

導電性粒子1は、後述する導電性粒子11とは異なり、芯物質を有さない。導電性粒子1は表面に突起を有さない。導電性粒子1は球状である。導電部3は外表面に突起を有さない。このように、本発明に係る導電性粒子は導電性部分の表面に突起を有していなくてもよく、球状であってもよい。 Conductive particle 1, unlike conductive particle 11 described below, does not have a core substance. Conductive particle 1 does not have protrusions on its surface. Conductive particle 1 is spherical. Conductive portion 3 does not have protrusions on its outer surface. Thus, the conductive particle of the present invention may not have protrusions on the surface of the conductive portion and may be spherical.

図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 Figure 2 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a second embodiment of the present invention.

図2に示す導電性粒子11は、基材粒子2と、導電部12と、複数の芯物質13とを有する。導電部12は、基材粒子2の表面上に基材粒子2に接するように配置されている。 The conductive particle 11 shown in Figure 2 has a base particle 2, a conductive portion 12, and multiple core materials 13. The conductive portion 12 is arranged on the surface of the base particle 2 so as to be in contact with the base particle 2.

導電性粒子11では、導電部12は、単層の導電層である。上記導電性粒子では、上記導電部が上記基材粒子の表面の全体を覆っていてもよく、上記導電部が上記基材粒子の表面の一部を覆っていてもよい。上記導電性粒子では、上記導電部は、単層の導電層であってもよく、2層以上の層から構成される多層の導電層であってもよい。In the conductive particle 11, the conductive portion 12 is a single-layer conductive layer. In the conductive particle, the conductive portion may cover the entire surface of the base particle, or the conductive portion may cover only a portion of the surface of the base particle. In the conductive particle, the conductive portion may be a single-layer conductive layer, or a multi-layer conductive layer composed of two or more layers.

導電性粒子11は導電性部分の表面に、複数の突起11aを有する。導電部12は外表面に、複数の突起12aを有する。複数の芯物質13が、基材粒子2の表面上に配置されている。複数の芯物質13は、導電部12内に埋め込まれている。芯物質13は、突起11a,12aの内側に配置されている。導電部12は、複数の芯物質13を被覆している。複数の芯物質13により導電部12の外表面が隆起されており、突起11a,12aが形成されている。 The conductive particle 11 has multiple protrusions 11a on the surface of the conductive portion. The conductive portion 12 has multiple protrusions 12a on its outer surface. Multiple core materials 13 are arranged on the surface of the base particle 2. The multiple core materials 13 are embedded within the conductive portion 12. The core materials 13 are arranged inside the protrusions 11a, 12a. The conductive portion 12 coats the multiple core materials 13. The outer surface of the conductive portion 12 is raised by the multiple core materials 13, forming the protrusions 11a, 12a.

図3は、本発明の第3の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 Figure 3 is a cross-sectional view showing a conductive particle according to a third embodiment of the present invention.

図3に示す導電性粒子21は、基材粒子2と、導電部23とを有する。導電部23は全体で、基材粒子2側に第1の導電層23Aと、基材粒子2側とは反対側に第2の導電層23Bとを有する。 The conductive particle 21 shown in Figure 3 has a base particle 2 and a conductive portion 23. The conductive portion 23 as a whole has a first conductive layer 23A on the base particle 2 side and a second conductive layer 23B on the opposite side to the base particle 2 side.

導電性粒子1と導電性粒子21とでは、導電部のみが異なっている。すなわち、導電性粒子1では、1層構造の導電部3が形成されているのに対し、導電性粒子21では、2層構造の導電部23(第1の導電層23A及び第2の導電層23B)が形成されている。第1の導電層23Aと第2の導電層23Bとは別の導電部として形成されている。 The only difference between conductive particle 1 and conductive particle 21 is the conductive portion. That is, conductive particle 1 has a single-layer conductive portion 3, while conductive particle 21 has a two-layer conductive portion 23 (first conductive layer 23A and second conductive layer 23B). The first conductive layer 23A and second conductive layer 23B are formed as separate conductive portions.

第1の導電層23Aは、基材粒子2の表面上に配置されている。基材粒子2と第2の導電層23Bとの間に、第1の導電層23Aが配置されている。第1の導電層23Aは、基材粒子2に接している。第2の導電層23Bは、第1の導電層23Aに接している。従って、基材粒子2の表面上に第1の導電層23Aが配置されており、第1の導電層23Aの表面上に第2の導電層23Bが配置されている。 The first conductive layer 23A is disposed on the surface of the base particle 2. The first conductive layer 23A is disposed between the base particle 2 and the second conductive layer 23B. The first conductive layer 23A is in contact with the base particle 2. The second conductive layer 23B is in contact with the first conductive layer 23A. Therefore, the first conductive layer 23A is disposed on the surface of the base particle 2, and the second conductive layer 23B is disposed on the surface of the first conductive layer 23A.

導電性粒子21は、導電性粒子11とは異なり、芯物質を有さない。導電性粒子21は表面に突起を有さない。導電性粒子21は球状である。導電部23は外表面に突起を有さない。 Conductive particle 21, unlike conductive particle 11, does not have a core material. Conductive particle 21 does not have protrusions on its surface. Conductive particle 21 is spherical. Conductive portion 23 does not have protrusions on its outer surface.

以下、導電性粒子の他の詳細について説明する。 Further details of the conductive particles are described below.

(基材粒子)
上記基材粒子の材料は特に限定されない。
(Base material particles)
The material of the base particles is not particularly limited.

上記基材粒子の材料は、有機材料であってもよく、無機材料であってもよい。上記有機材料のみにより形成された基材粒子としては、樹脂粒子等が挙げられる。上記無機材料のみにより形成された基材粒子としては、金属を除く無機粒子等が挙げられる。上記有機材料と上記無機材料との双方により形成された基材粒子としては、有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。基材粒子の柔軟性及び圧縮特性の双方を良好にする観点からは、上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましく、樹脂粒子であることがより好ましい。 The material of the base particles may be either an organic material or an inorganic material. Examples of base particles formed solely from the organic material include resin particles. Examples of base particles formed solely from the inorganic material include inorganic particles excluding metals. Examples of base particles formed from both the organic material and the inorganic material include organic-inorganic hybrid particles. From the perspective of improving both the flexibility and compression characteristics of the base particles, the base particles are preferably resin particles or organic-inorganic hybrid particles, and more preferably resin particles.

上記有機材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂;ポリメチルメタクリレート及びポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂;ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及びジビニルベンゼン重合体等が挙げられる。上記ビニルベンゼン重合体は、ジビニルベンゼン共重合体であってもよい。上記ジビニルベンゼン共重合体としては、ジビニルベンゼン-スチレン共重合体及びジビニルベンゼン-(メタ)アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記基材粒子の圧縮特性を好適な範囲に容易に制御できるので、上記基材粒子の材料は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を1種又は2種以上重合させた重合体であることが好ましい。 The organic materials include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; polycarbonate, polyamide, phenol-formaldehyde resin, melamine-formaldehyde resin, benzoguanamine-formaldehyde resin, urea-formaldehyde resin, phenolic resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polyethylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene oxide, polyacetal, polyimide, polyamide-imide, polyether ether ketone, polyether sulfone, and divinylbenzene polymer. The vinylbenzene polymer may be a divinylbenzene copolymer. Examples of the divinylbenzene copolymer include divinylbenzene-styrene copolymer and divinylbenzene-(meth)acrylic acid ester copolymer. The material of the base particle is preferably a polymer obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group, since the compression characteristics of the base particle can be easily controlled within a suitable range.

上記基材粒子は、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させることによって得ることができる。上記の重合方法としては特に限定されず、ラジカル重合、イオン重合、重縮合(縮合重合、縮重合)、付加縮合、リビング重合、及びリビングラジカル重合等の公知の方法が挙げられる。また、他の重合方法としては、ラジカル重合開始剤の存在下での懸濁重合が挙げられる。The base particles can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer having the ethylenically unsaturated group. The polymerization method is not particularly limited, and examples include known methods such as radical polymerization, ionic polymerization, polycondensation (condensation polymerization, polycondensation), addition condensation, living polymerization, and living radical polymerization. Another polymerization method is suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator.

上記基材粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。 When the above base particles are obtained by polymerizing a polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group, the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group may be a non-crosslinkable monomer or a crosslinkable monomer.

上記非架橋性の単量体としては、ビニル化合物として、スチレン、α-メチルスチレン、クロルスチレン等のスチレン単量体;メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル化合物;酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル化合物;塩化ビニル、フッ化ビニル等のハロゲン含有単量体;(メタ)アクリル化合物として、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート化合物;2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート化合物;(メタ)アクリロニトリル等のニトリル含有単量体;トリフルオロメチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート等のハロゲン含有(メタ)アクリレート;α-オレフィン化合物として、ジイソブチレン、イソブチレン、リニアレン、エチレン、プロピレン等のオレフィン化合物;共役ジエン化合物として、イソプレン、ブタジエン等が挙げられる。 The above-mentioned non-crosslinkable monomers include vinyl compounds such as styrene monomers, α-methylstyrene, and chlorostyrene; vinyl ether compounds such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, and propyl vinyl ether; acid vinyl ester compounds such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate, and vinyl stearate; halogen-containing monomers such as vinyl chloride and vinyl fluoride; (meth)acrylic compounds such as methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, lauryl (meth)acrylate, cetyl (meth)acrylate, stearyl (meth)acrylate, and cyclohexyl (meth)acrylate. Examples of the compound include alkyl (meth)acrylate compounds such as silyl (meth)acrylate and isobornyl (meth)acrylate; oxygen atom-containing (meth)acrylate compounds such as 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, glycerol (meth)acrylate, polyoxyethylene (meth)acrylate and glycidyl (meth)acrylate; nitrile-containing monomers such as (meth)acrylonitrile; halogen-containing (meth)acrylates such as trifluoromethyl (meth)acrylate and pentafluoroethyl (meth)acrylate; α-olefin compounds such as diisobutylene, isobutylene, linearene, ethylene and propylene; and conjugated diene compounds such as isoprene and butadiene.

上記架橋性の単量体としては、ビニル化合物として、ジビニルベンゼン、1,4-ジビニロキシブタン、ジビニルスルホン等のビニル単量体;(メタ)アクリル化合物として、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジアクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4-ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート;アリル化合物として、トリアリル(イソ)シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル;シラン化合物として、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、n-ヘキシルトリメトキシシラン、n-オクチルトリエトキシシラン、n-デシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、γ-(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン等のシランアルコキシド化合物;ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジメトキシメチルビニルシシラン、ジメトキシエチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジエトキシエチルビニルシラン、エチルメチルジビニルシラン、メチルビニルジメトキシシラン、エチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、エチルビニルジエトキシシラン、p-スチリルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等の重合性二重結合含有シランアルコキシド;デカメチルシクロペンタシロキサン等の環状シロキサン;片末端変性シリコーンオイル、両末端シリコーンオイル、側鎖型シリコーンオイル等の変性(反応性)シリコーンオイル;(メタ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体等が挙げられる。 Examples of the crosslinkable monomer include vinyl compounds such as vinyl monomers like divinylbenzene, 1,4-divinyloxybutane, and divinylsulfone; (meth)acrylic compounds such as tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate, polytetramethylene glycol diacrylate, tetramethylolmethane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethane di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, glycerol tri(meth)acrylate, glycerol di(meth)acrylate, polyethylene glycol di(meth)acrylate, and polypropylene. Polyfunctional (meth)acrylates such as pyrene glycol di(meth)acrylate, polytetramethylene glycol di(meth)acrylate, and 1,4-butanediol di(meth)acrylate; allyl compounds such as triallyl (iso)cyanurate, triallyl trimellitate, diallyl phthalate, diallyl acrylamide, and diallyl ether; silane compounds such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, isopropyltrimethoxysilane, isobutyltrimethoxysilane, cyclohexyltrimethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, and n-octyltriethoxysilane. Silane alkoxide compounds such as silane, n-decyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diisopropyldimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, γ-(meth)acryloxypropyltrimethoxysilane, 1,3-divinyltetramethyldisiloxane, methylphenyldimethoxysilane, and diphenyldimethoxysilane; vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, dimethoxymethylvinylsilane, dimethoxyethylvinylsilane, diethoxymethylvinylsilane, diethoxyethylvinylsilane, ethylmethyldivinylsilane, methylvinyldimethoxysilane, and ethylvinyldimethoxysilane; Examples of the silane alkoxides include silane alkoxides containing a polymerizable double bond, such as silane, methylvinyldiethoxysilane, ethylvinyldiethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, and 3-acryloxypropyltrimethoxysilane; cyclic siloxanes such as decamethylcyclopentasiloxane; modified (reactive) silicone oils such as one-end-modified silicone oil, both-ends silicone oil, and side-chain silicone oil; and carboxyl group-containing monomers such as (meth)acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride.

上記基材粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体は、架橋性の単量体を含むことが好ましく、多官能の架橋性単量体を含むことがより好ましい。上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体は、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレートを含むことがさらに好ましく、下記式(1)で表される単量体を含むことが特に好ましい。本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記基材粒子の材料は、多官能(メタ)アクリレートを含むことが好ましく、ポリエーテル骨格を有する多官能(メタ)アクリレートを含むことがより好ましい。本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記基材粒子の材料は、ポリアルキレングリコール骨格を有する多官能(メタ)アクリレートを含むことがさらに好ましく、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレートを含むことが特に好ましく、下記式(1)で表される単量体(以下、「単量体X」と記載することがある)を含むことが最も好ましい。本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記ポリアルキレングリコール骨格のアルキレン基の炭素数は、好ましくは2以上、好ましくは4以下、より好ましくは3以下である。上記基材粒子の材料が、上記の好ましい単量体Xを含む場合、上記導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持した後の圧縮回復率をより一層効果的に高めることができるので、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。When the base particle is obtained by polymerizing a polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group, the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group preferably includes a crosslinkable monomer, more preferably a polyfunctional crosslinkable monomer. The polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group more preferably includes polypropylene glycol di(meth)acrylate, and particularly preferably includes a monomer represented by the following formula (1). From the perspective of more effectively achieving the effects of the present invention, the material for the base particle preferably includes a polyfunctional (meth)acrylate, more preferably a polyfunctional (meth)acrylate having a polyether skeleton. From the perspective of more effectively achieving the effects of the present invention, the material for the base particle more preferably includes a polyfunctional (meth)acrylate having a polyalkylene glycol skeleton, particularly preferably polypropylene glycol di(meth)acrylate, and most preferably includes a monomer represented by the following formula (1) (hereinafter sometimes referred to as "monomer X"). From the viewpoint of more effectively exerting the effects of the present invention, the number of carbon atoms in the alkylene group of the polyalkylene glycol skeleton is preferably at least 2, preferably at most 4, and more preferably at most 3. When the material of the base particle contains the above-mentioned preferred monomer X, the compression recovery rate after the conductive particle is held in a 20% compressed state for 168 hours can be more effectively increased, and the effects of the present invention can be more effectively exerted.

上記式(1)中、nは5以上20以下の整数を表す。上記式(1)中、nは、好ましくは7以上、より好ましくは10以上であり、好ましくは17以下、より好ましくは15以下である。 In the above formula (1), n represents an integer of 5 or more and 20 or less. In the above formula (1), n is preferably 7 or more, more preferably 10 or more, and preferably 17 or less, more preferably 15 or less.

上記基材粒子の材料100重量%中、上記ポリエーテル骨格を有する多官能(メタ)アクリレートの含有量は、好ましくは5重量%以上、より好ましくは10重量%以上、さらに好ましくは30重量%以上であり、好ましくは100重量%以下、より好ましくは90重量%以下、さらに好ましくは80重量%以下、特に好ましくは60重量%以下である。上記ポリエーテル骨格を有する多官能(メタ)アクリレートの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。上記基材粒子の材料100重量%中、上記ポリエーテル骨格を有する多官能(メタ)アクリレートの含有量は、100重量%(全量)であってもよい。 The content of the polyfunctional (meth)acrylate having a polyether skeleton, based on 100% by weight of the material of the base particle, is preferably 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, even more preferably 30% by weight or more, and preferably 100% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, even more preferably 80% by weight or less, and particularly preferably 60% by weight or less. When the content of the polyfunctional (meth)acrylate having a polyether skeleton is above the above-mentioned lower limit and below the above-mentioned upper limit, the effects of the present invention can be more effectively achieved. Based on 100% by weight of the material of the base particle, the content of the polyfunctional (meth)acrylate having a polyether skeleton may be 100% by weight (total amount).

上記基材粒子の材料100重量%中、上記ポリアルキレングリコール骨格を有する多官能(メタ)アクリレートの含有量は、好ましくは5重量%以上、より好ましくは10重量%以上、さらに好ましくは30重量%以上であり、好ましくは100重量%以下、より好ましくは90重量%以下、さらに好ましくは80重量%以下、特に好ましくは60重量%以下である。上記ポリアルキレングリコール骨格を有する多官能(メタ)アクリレートの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。上記基材粒子の材料100重量%中、上記ポリアルキレングリコール骨格を有する多官能(メタ)アクリレートの含有量は、100重量%(全量)であってもよい。 The content of the polyfunctional (meth)acrylate having a polyalkylene glycol skeleton, based on 100% by weight of the base particle material, is preferably 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, even more preferably 30% by weight or more, and preferably 100% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, even more preferably 80% by weight or less, and particularly preferably 60% by weight or less. When the content of the polyfunctional (meth)acrylate having a polyalkylene glycol skeleton is above the above-mentioned lower limit and below the above-mentioned upper limit, the effects of the present invention can be more effectively achieved. Based on 100% by weight of the base particle material, the content of the polyfunctional (meth)acrylate having a polyalkylene glycol skeleton may be 100% by weight (total amount).

上記基材粒子の材料100重量%中、上記単量体Xの含有量は、好ましくは5重量%以上、より好ましくは10重量%以上、さらに好ましくは30重量%以上であり、好ましくは100重量%以下、より好ましくは90重量%以下、さらに好ましくは80重量%以下、特に好ましくは60重量%以下である。上記単量体Xの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。上記基材粒子の材料100重量%中、上記単量体Xの含有量は、100重量%(全量)であってもよい。 The content of the monomer X in 100% by weight of the material of the base particle is preferably 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, even more preferably 30% by weight or more, and preferably 100% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, even more preferably 80% by weight or less, and particularly preferably 60% by weight or less. When the content of the monomer X is above the above lower limit and below the above upper limit, the effects of the present invention can be more effectively achieved. The content of the monomer X in 100% by weight of the material of the base particle may be 100% by weight (total amount).

上記基材粒子の材料は、上記単量体X以外の単量体を含んでいてもよい。上記単量体X以外の単量体としては、スチレン、ジビニルベンゼン、メチル(メタ)アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、及び1,9-ノナンジオールジ(メタ)アクリレート等が挙げられる。上記単量体X以外の単量体は、ポリテトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート又は1,9-ノナンジオールジ(メタ)アクリレートであることが好ましく、ポリテトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレートであることがより好ましい。上記単量体X以外の単量体が、上記の好ましい単量体であると、上記導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持した後の圧縮回復率をより一層効果的に高め、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。 The material of the base particle may contain a monomer other than the monomer X. Examples of such a monomer other than the monomer X include styrene, divinylbenzene, methyl (meth)acrylate, polytetramethylene glycol di(meth)acrylate, and 1,9-nonanediol di(meth)acrylate. The monomer other than the monomer X is preferably polytetramethylene glycol di(meth)acrylate or 1,9-nonanediol di(meth)acrylate, and more preferably polytetramethylene glycol di(meth)acrylate. When the monomer other than the monomer X is one of the preferred monomers, the compression recovery rate of the conductive particles after holding them in a 20% compressed state for 168 hours is further increased, thereby enabling the effects of the present invention to be more effectively achieved.

上記基材粒子の材料の粘度を低減し、基材粒子の成形性を良好にする観点からは、上記基材粒子の材料100重量%中、上記単量体X以外の単量体の含有量は、好ましくは10重量%以上、より好ましくは20重量%以上、さらに好ましくは40重量%以上であり、好ましくは95重量%以下、より好ましくは90重量%以下、さらに好ましくは70重量%以下である。 From the viewpoint of reducing the viscosity of the base particle material and improving the moldability of the base particle, the content of monomers other than the monomer X in 100% by weight of the base particle material is preferably 10% by weight or more, more preferably 20% by weight or more, even more preferably 40% by weight or more, and preferably 95% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, even more preferably 70% by weight or less.

上記無機材料としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア、カーボンブラック、ケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス、ソーダ石灰ガラス及びアルミナシリケートガラス等が挙げられる。 Examples of the inorganic materials include silica, alumina, barium titanate, zirconia, carbon black, silicate glass, borosilicate glass, lead glass, soda-lime glass, and alumina silicate glass.

上記基材粒子は、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。上記基材粒子は、コアシェル粒子であってもよい。上記基材粒子が有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子の材料である無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された基材粒子としては特に限定されないが、加水分解性のアルコキシシリル基を2つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる基材粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。The base particles may be organic-inorganic hybrid particles. The base particles may be core-shell particles. When the base particles are organic-inorganic hybrid particles, examples of inorganic materials for the base particles include silica, alumina, barium titanate, zirconia, and carbon black. It is preferable that the inorganic material is not a metal. The base particles formed from silica are not particularly limited, but examples include base particles obtained by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups to form crosslinked polymer particles, followed by calcination as necessary. Examples of the organic-inorganic hybrid particles include organic-inorganic hybrid particles formed from a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。 The organic-inorganic hybrid particles are preferably core-shell organic-inorganic hybrid particles having a core and a shell disposed on the surface of the core. The core is preferably an organic core. The shell is preferably an inorganic shell. The base particle is preferably an organic-inorganic hybrid particle having an organic core and an inorganic shell disposed on the surface of the organic core.

上記有機コアの材料としては、上述した有機材料等が挙げられる。 Examples of materials for the organic core include the organic materials mentioned above.

上記無機シェルの材料としては、上述した基材粒子の材料として挙げた無機物が挙げられる。上記無機シェルの材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。 The inorganic shell may be made of any of the inorganic materials listed above as the base particle material. Preferably, the inorganic shell is made of silica. The inorganic shell is preferably formed by forming a shell-like material from a metal alkoxide on the surface of the core using a sol-gel method, and then firing the shell-like material. The metal alkoxide is preferably a silane alkoxide. The inorganic shell is preferably formed from a silane alkoxide.

上記基材粒子では、上記基材粒子を14.12mN/秒の負荷速度で1961mNまで負荷した後、14.12mN/秒の除荷速度で除荷したときに、負荷時の圧縮荷重が500mNにおける圧縮変位(L1)の、除荷時の圧縮荷重が500mNにおける圧縮変位(L2)に対する比(L1/L2)が、以下の範囲を満たすことが好ましい。すなわち、上記比(L1/L2)は、好ましくは0.6以上、より好ましくは0.7以上、さらに好ましくは0.8以上、特に好ましくは0.9以上である。上記比(L1/L2)が上記下限以上であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。上記比(L1/L2)の上限は、特に限定されない。上記比(L1/L2)は、1.0以下であってもよく、1.0未満であってもよい。 When the base particle is loaded to 1961 mN at a loading rate of 14.12 mN/s and then unloaded at a unloading rate of 14.12 mN/s, the ratio (L1/L2) of the compressive displacement (L1) at a compressive load of 500 mN during loading to the compressive displacement (L2) at a compressive load of 500 mN during unloading preferably satisfies the following range: That is, the ratio (L1/L2) is preferably 0.6 or greater, more preferably 0.7 or greater, even more preferably 0.8 or greater, and particularly preferably 0.9 or greater. When the ratio (L1/L2) is equal to or greater than the lower limit, the effects of the present invention can be more effectively achieved. There is no particular upper limit for the ratio (L1/L2). The ratio (L1/L2) may be 1.0 or less, or may be less than 1.0.

また、上記基材粒子では、上記基材粒子を14.12mN/秒の負荷速度で1961mNまで負荷した後、14.12mN/秒の除荷速度で除荷したときに、負荷時の圧縮荷重が1000mNにおける圧縮変位(L3)の、除荷時の圧縮荷重が1000mNにおける圧縮変位(L4)に対する比(L3/L4)が、以下の範囲を満たすことが好ましい。すなわち、上記比(L3/L4)は、好ましくは0.6以上、より好ましくは0.7以上、さらに好ましくは0.8以上、特に好ましくは0.9以上である。上記比(L3/L4)が上記下限以上であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。上記比(L3/L4)の上限は、特に限定されない。上記比(L3/L4)は、1.0以下であってもよく、1.0未満であってもよい。Furthermore, when the base particle is loaded to 1961 mN at a loading rate of 14.12 mN/s and then unloaded at a unloading rate of 14.12 mN/s, the ratio (L3/L4) of the compressive displacement (L3) at a compressive load of 1000 mN during loading to the compressive displacement (L4) at a compressive load of 1000 mN during unloading preferably satisfies the following range: That is, the ratio (L3/L4) is preferably 0.6 or greater, more preferably 0.7 or greater, even more preferably 0.8 or greater, and particularly preferably 0.9 or greater. When the ratio (L3/L4) is equal to or greater than the lower limit, the effects of the present invention can be more effectively achieved. There is no particular upper limit for the ratio (L3/L4). The ratio (L3/L4) may be 1.0 or less, or may be less than 1.0.

本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記基材粒子では、上記比(L1/L2)が0.7以上であり、かつ、上記比(L3/L4)が0.7以上であることが好ましい。本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記基材粒子では、負荷時の圧縮荷重が500mN~1000mNの範囲全体において、負荷時の圧縮変位の、除荷時の圧縮変位に対する比が、0.7以上であることが好ましい。上記基材粒子では、負荷時の圧縮荷重が500mN~1000mNの範囲全体において、負荷時の圧縮変位の、除荷時の圧縮変位に対する比が、1.0以下であってもよく、1.0未満であってもよい。 From the viewpoint of more effectively achieving the effects of the present invention, it is preferable that the ratio (L1/L2) of the base particle is 0.7 or greater and the ratio (L3/L4) of the base particle is 0.7 or greater. From the viewpoint of more effectively achieving the effects of the present invention, it is preferable that the ratio of the compressive displacement under load to the compressive displacement upon unloading is 0.7 or greater over the entire range of compressive loads under load from 500 mN to 1000 mN. From the viewpoint of more effectively achieving the effects of the present invention, it is preferable that the ratio of the compressive displacement under load to the compressive displacement upon unloading is 1.0 or less over the entire range of compressive loads under load from 500 mN to 1000 mN.

上記圧縮変位(L1)、上記圧縮変位(L2)、上記圧縮変位(L3)、及び上記圧縮変位(L4)は、以下の圧縮試験Cにより測定できる。 The above compression displacement (L1), the above compression displacement (L2), the above compression displacement (L3), and the above compression displacement (L4) can be measured using the following compression test C.

<圧縮試験C>
試料台上に基材粒子を散布する。散布された基材粒子1個について、微小圧縮試験機を用いて、基材粒子の中心方向に、14.12mN/秒の負荷速度で1961mN(反転荷重値)まで負荷を与える。その後、14.12mN/秒の除荷速度で原点用荷重値(20.2mN)まで除荷を行う。この間の荷重-圧縮変位を測定し、圧縮変位-圧縮荷重曲線(圧縮変位曲線)を作成する。負荷時の圧縮荷重が500mNにおける圧縮変位(L1)、除荷時の圧縮荷重が500mNにおける圧縮変位(L2)、負荷時の圧縮荷重が1000mNにおける圧縮変位(L3)、及び除荷時の圧縮荷重が1000mNにおける圧縮変位(L4)を求める。上記微小圧縮試験機としては、島津製作所社製「マイクロオートグラフMST-I」等が挙げられる。なお、上記圧縮変位(L1)、上記圧縮変位(L2)、上記圧縮変位(L3)、及び上記圧縮変位(L4)は、いずれも、原点用荷重値(20.2mN)における圧縮変位を基準とする。
<Compression Test C>
Base material particles are scattered on a sample stage. For each scattered base material particle, a load of 1961 mN (reversed load value) is applied in the direction of the center of the base material particle using a micro-compression tester at a loading rate of 14.12 mN/sec. Then, the load is unloaded to the origin load value (20.2 mN) at an unloading rate of 14.12 mN/sec. The load-compression displacement during this period is measured, and a compression displacement-compression load curve (compression displacement curve) is created. The compression displacement (L1) at a compressive load of 500 mN during loading, the compression displacement (L2) at a compressive load of 500 mN during unloading, the compression displacement (L3) at a compressive load of 1000 mN during loading, and the compression displacement (L4) at a compressive load of 1000 mN during unloading are determined. Examples of the micro-compression tester include the "Micro Autograph MST-I" manufactured by Shimadzu Corporation. The above-mentioned compression displacement (L1), compression displacement (L2), compression displacement (L3), and compression displacement (L4) are all based on the compression displacement at the origin load value (20.2 mN).

上記基材粒子の粒子径は、好ましくは30μm以上、より好ましくは100μm以上、さらに好ましくは200μm以上、特に好ましくは300μm以上であり、好ましくは2000μm以下、より好ましくは1000μm以下、さらに好ましくは600μm以下である。上記基材粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、ソケット又はコネクタを得るために、導電性粒子をより一層好適に用いることができる。上記基材粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子と電極との接触面積を十分に大きくすることができ、また、導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成され難くなり、導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。The particle diameter of the base particle is preferably 30 μm or more, more preferably 100 μm or more, even more preferably 200 μm or more, and particularly preferably 300 μm or more, and is preferably 2000 μm or less, more preferably 1000 μm or less, and even more preferably 600 μm or less. When the particle diameter of the base particle is above the above-mentioned lower limit and below the above-mentioned upper limit, the conductive particles can be more suitably used to obtain sockets or connectors. When the particle diameter of the base particle is above the above-mentioned lower limit and below the above-mentioned upper limit, the contact area between the conductive particle and the electrode can be sufficiently increased, and agglomerated conductive particles are less likely to form when forming the conductive portion, making it less likely that the conductive portion will peel off from the surface of the base particle.

上記基材粒子の粒子径は、100μm以上1000μm以下であることが特に好ましい。上記基材粒子の粒子径が、100μm以上1000μm以下の範囲内であると、基材粒子の表面に導電部を形成する際に導電性粒子が凝集し難くなり、凝集した導電性粒子が形成され難くなる。また、上記基材粒子の粒子径が、100μm以上800μm以下の範囲内であると、ソケット又はコネクタを得るために、導電性粒子をより一層好適に用いることができる。It is particularly preferable that the particle diameter of the base particle is 100 μm or more and 1000 μm or less. When the particle diameter of the base particle is within the range of 100 μm or more and 1000 μm or less, the conductive particles are less likely to aggregate when forming a conductive portion on the surface of the base particle, making it difficult for agglomerated conductive particles to form. Furthermore, when the particle diameter of the base particle is within the range of 100 μm or more and 800 μm or less, the conductive particles can be used even more preferably to obtain a socket or connector.

上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、その体積相当の真球と仮定した際の直径を示す。 The particle size of the above-mentioned base particles indicates the diameter if the base particles are spherical, and if the base particles are not spherical, indicates the diameter when assumed to be a perfect sphere of equivalent volume.

上記基材粒子の粒子径は、数平均粒子径を示す。上記基材粒子の粒子径は、任意の基材粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各基材粒子の粒子径の平均値を算出することや、粒度分布測定装置を用いて求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、1個当たりの基材粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の50個の基材粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、1個当たりの基材粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記基材粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。導電性粒子において、上記基材粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。The particle diameter of the base particles refers to the number-average particle diameter. The particle diameter of the base particles can be determined by observing 50 random base particles with an electron microscope or optical microscope and calculating the average particle diameter of each base particle, or by using a particle size distribution analyzer. When observed with an electron microscope or optical microscope, the particle diameter of each base particle is determined as the particle diameter in equivalent circle diameter. When observed with an electron microscope or optical microscope, the average particle diameter in equivalent circle diameter of 50 random base particles is approximately equal to the average particle diameter in equivalent sphere diameter. When observed with a particle size distribution analyzer, the particle diameter of each base particle is determined as the particle diameter in equivalent sphere diameter. The average particle diameter of the base particles is preferably calculated using a particle size distribution analyzer. When measuring the particle diameter of the base particles in conductive particles, it can be measured, for example, as follows.

導電性粒子の含有量が30重量%となるように、Kulzer社製「テクノビット4000」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂体を作製する。上記埋め込み樹脂体中に分散した導電性粒子(好ましくは基材粒子)の中心付近を通るようにイオンミリング装置(日立ハイテクノロジーズ社製「IM4000」)を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡(FE-SEM)を用いて、50個の導電性粒子を無作為に選択し、各導電性粒子の基材粒子を観察する。各導電性粒子における基材粒子の粒子径を計測し、それらを算術平均して基材粒子の粒子径とする。 Conductive particles are added to Kulzer's Technovit 4000 so that the content is 30% by weight, and dispersed to prepare an embedding resin for conductive particle inspection. An ion milling device (Hitachi High-Technologies Corporation's IM4000) is used to cut out a cross section of the conductive particles (preferably base particles) dispersed in the embedding resin, passing through the vicinity of the center of each particle. Then, 50 conductive particles are randomly selected using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM), and the base particle of each conductive particle is observed. The particle diameter of the base particle for each conductive particle is measured, and the arithmetic average of these measurements is used to determine the particle diameter of the base particle.

(導電部)
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。上記導電部は、金属を含むことが好ましい。上記導電部を構成する金属は特に限定されない。
(Conductive part)
The conductive particle according to the present invention includes a base particle and a conductive portion disposed on the surface of the base particle. The conductive portion preferably contains a metal. The metal constituting the conductive portion is not particularly limited.

上記導電部を構成する金属としては、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ベリリウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記導電部を構成する金属としては、錫ドープ酸化インジウム(ITO)及びはんだ等が挙げられる。上記導電部を構成する金属は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of metals constituting the conductive portion include gold, silver, palladium, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, beryllium, rhodium, ruthenium, iridium, bismuth, thallium, germanium, cadmium, silicon, tungsten, molybdenum, and alloys thereof. Examples of metals constituting the conductive portion include tin-doped indium oxide (ITO) and solder. Only one type of metal may be used to constitute the conductive portion, or two or more types may be used in combination.

接続抵抗をより一層効果的に低くし、基材粒子及び導電性粒子の圧縮特性を良好にするの観点からは、上記導電部は、延展性金属を含むことが好ましい。上記延展性金属は、延展性を有する。上記延展性金属としては、銅、亜鉛、錫、アルミニウム、ニッケル、金、銀、鉛、白金、チタン及びこれらの合金等が挙げられる。 From the viewpoint of more effectively reducing the connection resistance and improving the compression characteristics of the base particles and conductive particles, it is preferable that the conductive portion contains a ductile metal. The ductile metal has ductility. Examples of the ductile metal include copper, zinc, tin, aluminum, nickel, gold, silver, lead, platinum, titanium, and alloys thereof.

接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記導電部は、ニッケル、金、パラジウム、ベリリウム、コバルト、錫、銀、又は銅を含むことが好ましく、ニッケル、金又は銅を含むことがより好ましい。 From the viewpoint of more effectively reducing the connection resistance, it is preferable that the conductive portion contains nickel, gold, palladium, beryllium, cobalt, tin, silver, or copper, and it is more preferable that it contains nickel, gold, or copper.

上記導電部は、第1の導電層を有することが好ましい。上記第1の導電層は、上記基材粒子の表面上に配置されていることが好ましい。上記第1の導電層は、上記基材粒子に接していることが好ましい。 The conductive portion preferably has a first conductive layer. The first conductive layer is preferably disposed on the surface of the base particle. The first conductive layer is preferably in contact with the base particle.

上記第1の導電層は、金属を含むことが好ましい。上記第1の導電層の材料としては、上述した金属が挙げられる。接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記第1の導電層の材料は、延展性金属を含むことが好ましく、ニッケル、金又は銅を含むことがより好ましく、銅を含むことがさらに好ましい。導電部の割れの発生を抑制し、接続不良の発生を抑制する観点からは、上記第1の導電層の材料は、銅であることがさらに好ましい。 The first conductive layer preferably contains a metal. Examples of materials for the first conductive layer include the metals described above. From the viewpoint of more effectively reducing connection resistance, the material for the first conductive layer preferably contains a ductile metal, more preferably contains nickel, gold, or copper, and even more preferably contains copper. From the viewpoint of suppressing cracks in the conductive portion and suppressing connection defects, it is even more preferable that the material for the first conductive layer is copper.

上記導電部は、1つの層により形成されていてもよい。上記導電部は、複数の層により形成されていてもよい。上記導電部は、2層の積層構造を有していてもよく、2層以上の積層構造を有していてもよく、3層の積層構造を有していてもよく、3層以上の積層構造を有していてもよい。導電部の割れの発生を抑制し、接続不良の発生を抑制する観点からは、上記導電部は、2層以上の積層構造を有することが好ましい。 The conductive portion may be formed of one layer. The conductive portion may be formed of multiple layers. The conductive portion may have a two-layer laminate structure, a two or more layer laminate structure, a three-layer laminate structure, or a three or more layer laminate structure. From the perspective of suppressing cracks in the conductive portion and suppressing connection failures, it is preferable that the conductive portion have a two or more layer laminate structure.

上記導電部が2層以上の積層構造を有する場合には、上記導電部の外表面の材料は、金、銀、銅、錫、亜鉛、ニッケル、ベリリウム、コバルト、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、又はこれらの合金であることが好ましく、金、銅、又はこれらの合金であることがより好ましい。上記導電部の外表面の材料が、上記の好ましい金属であると、上記第1の導電部の酸化を抑制することができるので、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。 When the conductive portion has a laminated structure of two or more layers, the material of the outer surface of the conductive portion is preferably gold, silver, copper, tin, zinc, nickel, beryllium, cobalt, palladium, platinum, rhodium, ruthenium, iridium, or an alloy thereof, and more preferably gold, copper, or an alloy thereof. When the material of the outer surface of the conductive portion is one of these preferred metals, oxidation of the first conductive portion can be suppressed, thereby making the effects of the present invention even more effective.

上記基材粒子の表面上に導電部を形成する方法は特に限定されない。上記導電部を形成する方法としては、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的な衝突による方法、メカノケミカル反応による方法、物理的蒸着又は物理的吸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。上記導電部を形成する方法は、無電解めっき、電気めっき又は物理的な衝突による方法であることが好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。また、上記物理的な衝突による方法としては、シーターコンポーザ(徳寿工作所社製)等が用いられる。The method for forming the conductive portion on the surface of the base particle is not particularly limited. Examples of methods for forming the conductive portion include electroless plating, electroplating, physical collision, mechanochemical reaction, physical vapor deposition or physical adsorption, and coating the surface of the base particle with a metal powder or a paste containing a metal powder and a binder. The method for forming the conductive portion is preferably electroless plating, electroplating, or physical collision. Examples of physical vapor deposition methods include vacuum deposition, ion plating, and ion sputtering. Examples of physical collision methods include a Sheeter Composer (manufactured by Tokuju Kosakusho Co., Ltd.).

上記導電部の厚みは、好ましくは0.2μm以上、より好ましくは1μm以上であり、好ましくは15μm以下、より好ましくは10μm以下、さらに好ましくは8μm以下、特に好ましくは7μm以下である。上記導電部の厚みは、導電部が2層以上の積層構造を有する場合には導電部全体の厚みを意味する。上記導電部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、導電部の割れの発生を抑制することができ、接続不良の発生を抑制することができる。また、十分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなることを防止することができる。 The thickness of the conductive portion is preferably 0.2 μm or more, more preferably 1 μm or more, and preferably 15 μm or less, more preferably 10 μm or less, even more preferably 8 μm or less, and particularly preferably 7 μm or less. The thickness of the conductive portion refers to the thickness of the entire conductive portion when the conductive portion has a laminated structure of two or more layers. When the thickness of the conductive portion is equal to or greater than the above lower limit and equal to or less than the above upper limit, cracking of the conductive portion can be suppressed, and poor connection can be suppressed. Furthermore, sufficient conductivity can be obtained and the conductive particles can be prevented from hardening.

上記第1の導電層の厚みは、好ましくは0.2μm以上、より好ましくは1μm以上であり、好ましくは15μm以下、より好ましくは10μm以下、さらに好ましくは8μm以下である。上記第1の導電層の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持した後の圧縮回復率をより一層効果的に高めることができるので、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。The thickness of the first conductive layer is preferably 0.2 μm or more, more preferably 1 μm or more, and preferably 15 μm or less, more preferably 10 μm or less, and even more preferably 8 μm or less. When the thickness of the first conductive layer is equal to or greater than the above-mentioned lower limit and equal to or less than the above-mentioned upper limit, the compression recovery rate after the conductive particles are held in a 20% compressed state for 168 hours can be more effectively increased, thereby more effectively achieving the effects of the present invention.

上記導電部が2層以上の積層構造を有する場合には、最外層の導電部の厚みは、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.01μm以上であり、好ましくは10μm以下、より好ましくは7μm以下である。上記最外層の導電部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電部による被覆が均一になり、耐腐食性を効果的に高くすることができる。また、上記最外層を構成する金属が金である場合には、最外層の厚みが薄いほど、コストを低くすることができる。 When the conductive portion has a laminated structure of two or more layers, the thickness of the conductive portion of the outermost layer is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, and preferably 10 μm or less, more preferably 7 μm or less. When the thickness of the conductive portion of the outermost layer is above the above-mentioned lower limit and below the above-mentioned upper limit, the coating by the conductive portion of the outermost layer becomes uniform, and corrosion resistance can be effectively improved. Furthermore, when the metal constituting the outermost layer is gold, the thinner the thickness of the outermost layer, the lower the cost.

上記導電部の厚みは、例えば走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。上記導電部の厚みについては、任意の導電部の厚み5箇所の平均値を1個の導電性粒子の導電部の厚みとして算出することが好ましく、導電部全体の厚みの平均値を1個の導電性粒子の導電部の厚みとして算出することがより好ましい。上記導電部の厚みは、任意の導電性粒子10個について、各導電性粒子の導電部の厚みの平均値を算出することにより求めることが好ましい。The thickness of the conductive portion can be measured by observing the cross section of the conductive particle using, for example, a scanning electron microscope (SEM). It is preferable to calculate the thickness of the conductive portion by averaging the thickness of five arbitrary conductive portions, and it is more preferable to calculate the average thickness of the entire conductive portion as the thickness of the conductive portion of one conductive particle. It is preferable to determine the thickness of the conductive portion by calculating the average thickness of the conductive portion of each of 10 arbitrary conductive particles.

上記導電性粒子の粒子径の、上記第1の導電層の厚みに対する比(導電性粒子の粒子径/第1の導電層の厚み)は、好ましくは40以上、より好ましくは50以上、さらに好ましくは100以上であり、好ましくは1500以下、より好ましくは1000以下、さらに好ましく800以下である。上記比(導電性粒子の粒子径/第1の導電層の厚み)が、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持した後の圧縮回復率をより一層効果的に高めることができるので、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。The ratio of the particle diameter of the conductive particles to the thickness of the first conductive layer (particle diameter of conductive particles/thickness of first conductive layer) is preferably 40 or more, more preferably 50 or more, even more preferably 100 or more, and preferably 1500 or less, more preferably 1000 or less, and even more preferably 800 or less. When the ratio (particle diameter of conductive particles/thickness of first conductive layer) is equal to or greater than the above lower limit and equal to or less than the above upper limit, the compression recovery rate after holding the conductive particles in a 20% compressed state for 168 hours can be more effectively increased, thereby more effectively achieving the effects of the present invention.

上記導電性粒子の粒子径の、上記導電部の厚みに対する比(導電性粒子の粒子径/導電部の厚み)は、好ましくは5以上、より好ましくは10以上、さらに好ましくは20以上であり、好ましくは800以下、より好ましくは650以下、さらに好ましく300以下である。上記比(導電性粒子の粒子径/導電部の厚み)が、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記導電性粒子の圧縮回復率をより一層高めることができるので、本発明の効果をより一層効果的に発揮することができる。 The ratio of the particle diameter of the conductive particles to the thickness of the conductive portion (particle diameter of conductive particles/thickness of conductive portion) is preferably 5 or more, more preferably 10 or more, and even more preferably 20 or more, and is preferably 800 or less, more preferably 650 or less, and even more preferably 300 or less. When the ratio (particle diameter of conductive particles/thickness of conductive portion) is equal to or greater than the above lower limit and equal to or less than the above upper limit, the compression recovery rate of the conductive particles can be further increased, and the effects of the present invention can be more effectively exerted.

(芯物質)
上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に突起を有していてもよい。上記導電性粒子は、導電性部分の表面に突起を有していてもよい。上記突起は、複数であることが好ましい。導電性粒子と接触する電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。導電部の表面に突起を有する導電性粒子を用いた場合には、導電性粒子と電極とを圧着させることにより、突起により上記酸化被膜を効果的に排除できる。このため、電極と導電部とがより一層確実に接触し、導電性粒子と電極との接触面積を十分に大きくすることができ、接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。さらに、導電性粒子がバインダーに分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間のバインダーをより一層効果的に排除できる。このため、導電性粒子と電極との接触面積を十分に大きくすることができ、接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。
(core substance)
The conductive particles may have protrusions on the outer surface of the conductive portion. The conductive particles may have protrusions on the surface of the conductive portion. Preferably, there are multiple protrusions. An oxide film is often formed on the surface of the electrode that contacts the conductive particles. When conductive particles having protrusions on the surface of the conductive portion are used, the oxide film can be effectively removed by pressing the conductive particles and the electrode together. This ensures more reliable contact between the electrode and the conductive portion, sufficiently increasing the contact area between the conductive particles and the electrode, and more effectively reducing the connection resistance. Furthermore, when the conductive particles are dispersed in a binder and used as a conductive material, the protrusions of the conductive particles can more effectively remove the binder between the conductive particles and the electrode. This allows the contact area between the conductive particles and the electrode to be sufficiently increased, and more effectively reducing the connection resistance.

上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、さらに無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。また、上記突起を形成するために、上記芯物質を用いなくてもよい。 Methods for forming the protrusions include a method in which a core material is attached to the surface of a base particle and then a conductive portion is formed by electroless plating, and a method in which a conductive portion is formed on the surface of a base particle by electroless plating, then a core material is attached, and then a conductive portion is formed by electroless plating. It is also possible to form the protrusions without using the core material.

上記突起を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上に導電部を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。また、突起を形成するために、上記芯物質を用いずに、基材粒子に無電解めっきにより導電部を形成した後、導電部の表面上に突起状にめっきを析出させ、さらに無電解めっきにより導電部を形成する方法等を用いてもよい。Other methods for forming the protrusions include adding a core material during the process of forming conductive portions on the surface of the base particle. Alternatively, to form the protrusions, a method may be used in which, without using the core material, conductive portions are formed on the base particle by electroless plating, and then protrusion-like plating is deposited on the surface of the conductive portions, and then conductive portions are formed by further electroless plating.

基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法としては、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。付着させる芯物質の量を制御する観点からは、基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法は、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法であることが好ましい。 Methods for attaching core substances to the surfaces of base particles include adding the core substance to a dispersion of base particles and allowing the core substance to accumulate and adhere to the surfaces of the base particles through van der Waals forces, and adding the core substance to a container containing base particles and allowing the core substance to adhere to the surfaces of the base particles through mechanical action such as rotating the container. From the perspective of controlling the amount of core substance to be attached, the method for attaching core substances to the surfaces of base particles preferably involves allowing the core substance to accumulate and adhere to the surfaces of the base particles in the dispersion.

上記芯物質を構成する物質としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、酸化チタン及びジルコニア等が挙げられる。酸化被膜をより一層効果的に排除する観点からは、上記芯物質は硬い方が好ましい。電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記芯物質は、金属であることが好ましい。 Materials constituting the core material include conductive and non-conductive materials. Examples of conductive materials include conductive non-metals such as metals, metal oxides, and graphite, as well as conductive polymers. Examples of conductive polymers include polyacetylene. Examples of non-conductive materials include silica, alumina, titanium oxide, and zirconia. From the perspective of more effectively removing the oxide coating, it is preferable that the core material be hard. From the perspective of more effectively reducing the connection resistance between electrodes, it is preferable that the core material be a metal.

上記金属は特に限定されない。上記金属としては、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫-鉛合金、錫-銅合金、錫-銀合金、錫-鉛-銀合金及び炭化タングステン等の2種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記金属は、ニッケル、銅、銀又は金であることが好ましい。上記金属は、上記導電部(導電層)を構成する金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。 The metal is not particularly limited. Examples of the metal include gold, silver, copper, platinum, zinc, iron, lead, tin, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium, and cadmium, as well as alloys composed of two or more metals, such as tin-lead alloys, tin-copper alloys, tin-silver alloys, tin-lead-silver alloys, and tungsten carbide. From the perspective of more effectively reducing the connection resistance between electrodes, the metal is preferably nickel, copper, silver, or gold. The metal may be the same as or different from the metal constituting the conductive portion (conductive layer).

上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。The shape of the core substance is not particularly limited. The core substance is preferably in the form of a mass. Examples of the core substance include particulate masses, aggregates formed by the aggregation of multiple microparticles, and amorphous masses.

上記芯物質の粒子径は、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記芯物質の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。The particle diameter of the core material is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, and preferably 0.9 μm or less, more preferably 0.2 μm or less. When the particle diameter of the core material is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the connection resistance between electrodes can be reduced more effectively.

上記芯物質の粒子径は、芯物質が真球状である場合には、直径を示し、芯物質が真球状ではない場合には、その体積相当の真球と仮定した際の直径を示す。 The particle size of the core material above indicates the diameter if the core material is spherical, and if the core material is not spherical, indicates the diameter when assumed to be a perfect sphere of equivalent volume.

上記芯物質の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることがより好ましい。芯物質の粒子径は、任意の芯物質50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各芯物質の粒子径の平均値を算出することや、粒度分布測定装置を用いて求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、1個当たりの芯物質の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の50個の芯物質の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、1個当たりの芯物質の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記芯物質の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。The particle size of the core substance is preferably the average particle size, and more preferably the number average particle size. The particle size of the core substance can be determined by observing 50 random core substances with an electron microscope or optical microscope and calculating the average particle size of each core substance, or by using a particle size distribution analyzer. When observed with an electron microscope or optical microscope, the particle size of each core substance is determined as the particle size in equivalent circle diameter. When observed with an electron microscope or optical microscope, the average particle size of 50 random core substances in equivalent circle diameter is approximately equal to the average particle size in equivalent sphere diameter. When observed with a particle size distribution analyzer, the particle size of each core substance is determined as the particle size in equivalent sphere diameter. The average particle size of the core substance is preferably calculated using a particle size distribution analyzer.

上記導電性粒子1個当たりの上記突起の数は、好ましくは3個以上、より好ましくは5個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。上記突起の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。上記突起の数が、上記下限以上であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。 The number of protrusions per conductive particle is preferably 3 or more, more preferably 5 or more. There is no particular upper limit to the number of protrusions. The upper limit can be selected appropriately taking into account factors such as the particle diameter of the conductive particles. If the number of protrusions is equal to or greater than the lower limit, the connection resistance between electrodes can be reduced even more effectively.

上記突起の数は、任意の導電性粒子を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察して算出することができる。上記突起の数は、任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各導電性粒子における突起の数の平均値を算出することにより求めることが好ましい。The number of protrusions can be calculated by observing any conductive particle with an electron microscope or optical microscope. Preferably, the number of protrusions is determined by observing 50 conductive particles with an electron microscope or optical microscope and calculating the average number of protrusions on each conductive particle.

上記突起の高さは、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上であり、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記突起の高さが、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。 The height of the protrusions is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, and preferably 0.9 μm or less, more preferably 0.2 μm or less. When the height of the protrusions is equal to or greater than the above-mentioned lower limit and equal to or less than the above-mentioned upper limit, the connection resistance between the electrodes can be reduced even more effectively.

上記突起の高さは、任意の導電性粒子における突起を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察して算出することができる。上記突起の高さは、導電性粒子1個当たりのすべての突起の高さの平均値を1個の導電性粒子の突起の高さとして算出することが好ましい。上記突起の高さは、任意の導電性粒子50個について、各導電性粒子の突起の高さの平均値を算出することにより求めることが好ましい。The height of the protrusions can be calculated by observing the protrusions on any conductive particle using an electron microscope or optical microscope. It is preferable to calculate the height of the protrusions by taking the average of the heights of all the protrusions per conductive particle as the height of the protrusions on one conductive particle. It is preferable to determine the height of the protrusions by calculating the average height of the protrusions on 50 random conductive particles.

上記導電性粒子は、ソケット又はコネクタを得るために好適に用いられる。上記導電性粒子は、金属端子(金属ピン)の代わりに、ソケット又はコネクタを得るために好適に用いられる。上記導電性粒子は、ソケット又はコネクタ用途に用いられることが好ましく、ソケット用途に用いられることが特に好ましい。上記導電性粒子は、金属端子(金属ピン)の代わりに、ソケット又はコネクタ用途に用いられることが好ましい。金属端子(金属ピン)の代わりに上記導電性粒子を用いることで、さらなる狭ピッチ化に対応することができ、CPU接続時等における接続不良の発生を効果的に抑制することができる。上記ソケットとしては、CPUソケット、ICソケット、DIPソケット、PGAソケット、SiPソケット、LGAソケット、CSPソケット、QFN、QFPソケット、SOPソケット、及びBGAソケット等が挙げられる。なお、DIPソケット、PGAソケット、SiPソケット、LGAソケット、CSPソケット、QFN、QFPソケット、SOPソケット、及びBGAソケットはそれぞれ、ICソケットの一部であってもよい。上記コネクタとしては、FPCコネクタ、基板対基板コネクタ、狭ピッチコネクタ、DINコネクタ、コンプレッションコネクタ、ワンピースコネクタ、及びカードエッジコネクタ等が挙げられる。The conductive particles are preferably used to obtain sockets or connectors. The conductive particles are preferably used in place of metal terminals (metal pins) to obtain sockets or connectors. The conductive particles are preferably used in socket or connector applications, and are particularly preferably used in socket applications. The conductive particles are preferably used in place of metal terminals (metal pins) in socket or connector applications. Using the conductive particles in place of metal terminals (metal pins) enables even narrower pitches to be achieved, effectively suppressing connection failures during CPU connection, etc. Examples of such sockets include CPU sockets, IC sockets, DIP sockets, PGA sockets, SiP sockets, LGA sockets, CSP sockets, QFN sockets, QFP sockets, SOP sockets, and BGA sockets. Note that the DIP socket, PGA socket, SiP socket, LGA socket, CSP socket, QFN sockets, QFP sockets, SOP sockets, and BGA sockets may each be part of an IC socket. Examples of the connector include an FPC connector, a board-to-board connector, a narrow pitch connector, a DIN connector, a compression connector, a one-piece connector, and a card edge connector.

(ソケット)
本発明に係るソケットは、ソケット本体と、上記導電性粒子とを備え、上記導電性粒子は接続端子を構成している。言い換えれば、本発明に係るソケットは、ソケット本体と、接続端子とを備え、上記接続端子が、上記導電性粒子により構成されている。本発明に係るソケットでは、上記の構成が備えられているので、導電性粒子が長期間に渡り圧縮されても、高い接続信頼性を維持することができる。上記接続端子は、上記ソケット本体の表面上に配置されていることが好ましい。上記導電性粒子は、上記ソケット本体の表面上に配置されていることが好ましい。
(socket)
The socket according to the present invention comprises a socket body and the conductive particles, the conductive particles constituting connection terminals. In other words, the socket according to the present invention comprises a socket body and connection terminals, the connection terminals being composed of the conductive particles. Because the socket according to the present invention has the above configuration, it can maintain high connection reliability even if the conductive particles are compressed over a long period of time. The connection terminals are preferably disposed on the surface of the socket body. The conductive particles are preferably disposed on the surface of the socket body.

上記ソケットでは、上記導電性粒子は、接続端子であることが好ましい。上記ソケットは、電子部品に好適に用いられる。上記ソケットは、電子部品用ソケットであることが好ましい。 In the above socket, the conductive particles are preferably connection terminals. The above socket is suitable for use with electronic components. The above socket is preferably a socket for electronic components.

(導電材料)
上記導電性粒子は、バインダーに分散されて導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、上記導電性粒子と、バインダーとを含む。上記導電性粒子は、バインダー中に分散されて用いられることが好ましく、バインダー中に分散されて導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、電極間の電気的な接続に用いられることが好ましい。上記導電材料では、上述した導電性粒子が用いられているので、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができ、導電性粒子同士の凝集の発生をより一層効果的に抑制することができる。上記導電材料では、上述した導電性粒子が用いられているので、接続不良の発生をより一層効果的に抑制することができる。
(Conductive materials)
The conductive particles are preferably dispersed in a binder and used as a conductive material. The conductive material includes the conductive particles and a binder. The conductive particles are preferably dispersed in a binder and used as a conductive material, and are preferably dispersed in a binder and used as a conductive material. The conductive material is preferably used for electrical connection between electrodes. Since the conductive material uses the conductive particles described above, the connection resistance between electrodes can be more effectively reduced and the occurrence of aggregation between conductive particles can be more effectively suppressed. Since the conductive material uses the conductive particles described above, the occurrence of connection defects can be more effectively suppressed.

上記バインダーは特に限定されない。上記バインダーとして、公知の絶縁性の樹脂や溶剤を用いることができる。上記バインダーは、熱可塑性成分(熱可塑性化合物)又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。 The binder is not particularly limited. Known insulating resins and solvents can be used as the binder. The binder preferably contains a thermoplastic component (thermoplastic compound) or a curable component, and more preferably contains a curable component. Examples of the curable component include a photocurable component and a thermosetting component. The photocurable component preferably contains a photocurable compound and a photopolymerization initiator. The thermosetting component preferably contains a thermosetting compound and a thermosetting agent.

上記バインダーとしては、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体、エラストマー及び溶剤等が挙げられる。上記バインダーは1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the binder include vinyl resins, thermoplastic resins, curable resins, thermoplastic block copolymers, elastomers, and solvents. Only one type of binder may be used, or two or more types may be used in combination.

上記ビニル樹脂としては、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ポリオレフィン樹脂、エチレン-酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、スチレン-ブタジエン-スチレンブロック共重合体、スチレン-イソプレン-スチレンブロック共重合体、スチレン-ブタジエン-スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン-イソプレン-スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、スチレン-ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル-スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。 Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin, and styrene resin. Examples of the thermoplastic resin include polyolefin resin, ethylene-vinyl acetate copolymer, and polyamide resin. Examples of the curable resin include epoxy resin, urethane resin, polyimide resin, and unsaturated polyester resin. The curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or a moisture curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. Examples of the thermoplastic block copolymer include styrene-butadiene-styrene block copolymer, styrene-isoprene-styrene block copolymer, hydrogenated styrene-butadiene-styrene block copolymer, and hydrogenated styrene-isoprene-styrene block copolymer. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.

上記溶剤としては、水及び有機溶剤等が挙げられる。容易に除去できることから、有機溶剤が好ましい。上記有機溶剤としては、エタノール等のアルコール化合物、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン化合物、トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素化合物、セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル化合物、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン等のエステル化合物、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素化合物、並びに石油エーテル、ナフサ等の石油系溶剤等が挙げられる。Examples of the solvent include water and organic solvents. Organic solvents are preferred because they are easily removable. Examples of the organic solvent include alcohol compounds such as ethanol; ketone compounds such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone; aromatic hydrocarbon compounds such as toluene, xylene, and tetramethylbenzene; glycol ether compounds such as cellosolve, methyl cellosolve, butyl cellosolve, carbitol, methyl carbitol, butyl carbitol, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, and tripropylene glycol monomethyl ether; ester compounds such as ethyl acetate, butyl acetate, butyl lactate, cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, carbitol acetate, butyl carbitol acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, and propylene carbonate; aliphatic hydrocarbon compounds such as octane and decane; and petroleum-based solvents such as petroleum ether and naphtha.

上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダーの他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。 In addition to the conductive particles and binder, the conductive material may contain various additives such as fillers, extenders, softeners, plasticizers, polymerization catalysts, curing catalysts, colorants, antioxidants, heat stabilizers, light stabilizers, UV absorbers, lubricants, antistatic agents, and flame retardants.

上記バインダー中に上記導電性粒子を分散させる方法は、従来公知の分散方法を用いることができ、特に限定されない。上記バインダー中に上記導電性粒子を分散させる方法としては、以下の方法等が挙げられる。上記バインダー中に上記導電性粒子を添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。上記導電性粒子を水又は有機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、上記バインダー中に添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。上記バインダーを水又は有機溶剤等で希釈した後、上記導電性粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。The method for dispersing the conductive particles in the binder can be any conventionally known dispersion method and is not particularly limited. Examples of methods for dispersing the conductive particles in the binder include the following: A method in which the conductive particles are added to the binder and then kneaded and dispersed using a planetary mixer or the like; A method in which the conductive particles are uniformly dispersed in water or an organic solvent using a homogenizer or the like, then added to the binder and then kneaded and dispersed using a planetary mixer or the like; A method in which the binder is diluted with water or an organic solvent or the like, then the conductive particles are added, and then kneaded and dispersed using a planetary mixer or the like.

上記導電材料の25℃での粘度(η25)は、好ましくは30Pa・s以上、より好ましくは50Pa・s以上であり、好ましくは400Pa・s以下、より好ましくは300Pa・s以下である。上記導電材料の25℃での粘度が、上記下限以上及び上記上限以下であると、接続対象部材上に導電材料をより一層均一に塗布することができ、接続不良の発生をより一層効果的に抑制することができる。上記粘度(η25)は、配合成分の種類及び配合量により適宜調整することができる。 The viscosity (η25) of the conductive material at 25°C is preferably 30 Pa·s or more, more preferably 50 Pa·s or more, and preferably 400 Pa·s or less, more preferably 300 Pa·s or less. When the viscosity of the conductive material at 25°C is above the above lower limit and below the above upper limit, the conductive material can be applied more uniformly to the connection target components, and the occurrence of connection failures can be more effectively suppressed. The viscosity (η25) can be adjusted as appropriate by changing the types and amounts of the blended components.

上記粘度(η25)は、例えば、E型粘度計(東機産業社製「TVE22L」)等を用いて、25℃及び5rpmの条件で測定することができる。 The above viscosity (η25) can be measured, for example, using an E-type viscometer ("TVE22L" manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) at 25°C and 5 rpm.

上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。上記導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。 The conductive material can be used as a conductive paste, a conductive film, etc. When the conductive material is a conductive film, a film that does not contain conductive particles may be laminated on a conductive film that contains conductive particles. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film.

上記導電材料100重量%中、上記バインダーの含有量は、好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、さらに好ましくは50重量%以上、特に好ましくは70重量%以上であり、好ましくは99.99重量%以下、より好ましくは99.9重量%以下である。上記バインダーの含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、接続対象部材上に導電性粒子が効率的に配置され、接続不良の発生をより一層効果的に抑制することができる。 The content of the binder in 100% by weight of the conductive material is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, even more preferably 50% by weight or more, and particularly preferably 70% by weight or more, and is preferably 99.99% by weight or less, more preferably 99.9% by weight or less. When the content of the binder is equal to or greater than the above-mentioned lower limit and equal to or less than the above-mentioned upper limit, the conductive particles are efficiently arranged on the connection target components, and the occurrence of connection defects can be more effectively suppressed.

上記導電材料100重量%中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上であり、好ましくは80重量%以下、より好ましくは60重量%以下、さらに好ましくは40重量%以下、特に好ましくは20重量%以下、最も好ましくは10重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、接続対象部材上に導電性粒子が効率的に配置され、接続不良の発生を抑制することができる。 The content of the conductive particles in 100% by weight of the conductive material is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, and preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight or less, even more preferably 40% by weight or less, particularly preferably 20% by weight or less, and most preferably 10% by weight or less. When the content of the conductive particles is above the above lower limit and below the above upper limit, the conductive particles are efficiently arranged on the connection target components, preventing the occurrence of connection failures.

(接続構造体)
本発明に係る接続構造体は、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、絶縁部材及び導電性粒子を有する接続部とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記導電性粒子が、上述した導電性粒子である。本発明に係る接続構造体では、上記第1の電極と上記第2の電極とが上記導電性粒子により電気的に接続されている。
(Connection structure)
A connection structure according to the present invention includes a first connection-target member having a first electrode on its surface, a second connection-target member having a second electrode on its surface, and a connection portion having an insulating member and conductive particles. In the connection structure according to the present invention, the conductive particles are the conductive particles described above. In the connection structure according to the present invention, the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.

上記接続部は、ソケットにより形成されたソケット部、又は、コネクタにより形成されたコネクタ部であることが好ましい。 It is preferable that the above-mentioned connection portion is a socket portion formed by a socket or a connector portion formed by a connector.

図4は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体の一例を模式的に示す正面断面図である。 Figure 4 is a front cross-sectional view schematically showing an example of a connection structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention.

図4に示す接続構造体51は、第1の接続対象部材52と第2の接続対象部材53と、接続部54とを備える。第1の接続対象部材52は、表面(上面)に、複数の第1の電極52aを有する。第2の接続対象部材53は、表面(下面)に、複数の第2の電極53aを有する。接続部54は、導電性粒子1と、絶縁部材31と、はんだペースト部32と、電極33と、はんだボール34とを有する。接続部54は、ソケット部である。絶縁部材31は、上面と下面とを貫通するスルーホール31aを有する。 The connection structure 51 shown in Figure 4 comprises a first connection target member 52, a second connection target member 53, and a connection portion 54. The first connection target member 52 has a plurality of first electrodes 52a on its surface (upper surface). The second connection target member 53 has a plurality of second electrodes 53a on its surface (lower surface). The connection portion 54 has conductive particles 1, an insulating member 31, a solder paste portion 32, an electrode 33, and a solder ball 34. The connection portion 54 is a socket portion. The insulating member 31 has a through-hole 31a that penetrates from the upper surface to the lower surface.

第1の電極52a上に、はんだボール34が配置されている。はんだボール34上に、絶縁部材31が配置されている。絶縁部材31上に、電極33が配置されている。電極33上に、はんだペースト部32が配置されている。はんだペースト部32上に、導電性粒子1が配置されている。導電性粒子1上に、第2の電極53aが配置されている。スルーホール31aの内部には、ビアフィル用導電ペーストが配置されている。 A solder ball 34 is disposed on the first electrode 52a. An insulating member 31 is disposed on the solder ball 34. An electrode 33 is disposed on the insulating member 31. A solder paste portion 32 is disposed on the electrode 33. Conductive particles 1 are disposed on the solder paste portion 32. A second electrode 53a is disposed on the conductive particles 1. A conductive via-fill paste is disposed inside the through-hole 31a.

1個の第1の電極52aに対して、1個のはんだボール34と、1個の電極33と、1個のはんだペースト部32と、1個の導電性粒子1と、1個の第2の電極53aとが、電気的に接続されている。したがって、接続構造体51では、第1の電極52aと第2の電極53aとが導電性粒子1により電気的に接続されている。 Each first electrode 52a is electrically connected to one solder ball 34, one electrode 33, one solder paste portion 32, one conductive particle 1, and one second electrode 53a. Therefore, in the connection structure 51, the first electrode 52a and the second electrode 53a are electrically connected by the conductive particle 1.

なお、図4では、導電性粒子1は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子1に代えて、導電性粒子11,21等の他の導電性粒子を用いてもよい。 In Figure 4, conductive particle 1 is shown schematically for convenience of illustration. Other conductive particles such as conductive particles 11 and 21 may be used instead of conductive particle 1.

上記接続構造体では、上述した導電性粒子が用いられているので、長期間に渡り導電性粒子が圧縮されても、高い接続信頼性を維持することができる。このため、金属端子(金属ピン)の代わりに用いることができ、さらなる狭ピッチ化に対応することができる。また、CPU接続時等における接続不良の発生を効果的に抑制することができる。 The connection structure uses the conductive particles described above, so it can maintain high connection reliability even if the conductive particles are compressed over a long period of time. This allows it to be used in place of metal terminals (metal pins), enabling even narrower pitches to be accommodated. It can also effectively prevent connection failures when connecting a CPU, etc.

上記絶縁部材の材料としては、セラミック及び樹脂等が挙げられる。上記樹脂としては、フッ素樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。また、上記絶縁部材が設けられた基板としては、FR-1、FR-2、FR-3、FR-4、FR-5、XPC、CEM-1、CEM-3、ガラスポリイミド基板、ガラスPPO基板、及びBT基板等が挙げられる。 Examples of materials for the insulating member include ceramic and resin. Examples of resins include fluororesin, phenolic resin, epoxy resin, and polyimide resin. Examples of substrates on which the insulating member is provided include FR-1, FR-2, FR-3, FR-4, FR-5, XPC, CEM-1, CEM-3, glass polyimide substrates, glass PPO substrates, and BT substrates.

図5は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体の他の例を模式的に示す正面断面図である。 Figure 5 is a front cross-sectional view schematically showing another example of a connection structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention.

図5に示す接続構造体81は、第1の接続対象部材82と、第2の接続対象部材83と、第1の接続対象部材82及び第2の接続対象部材83を接続している接続部84とを備える。接続部84は、導電性粒子1を含む導電材料により形成されている。 The connection structure 81 shown in Figure 5 comprises a first connection target member 82, a second connection target member 83, and a connection portion 84 connecting the first connection target member 82 and the second connection target member 83. The connection portion 84 is formed from a conductive material containing conductive particles 1.

第1の接続対象部材82は表面(上面)に、複数の第1の電極82aを有する。第2の接続対象部材83は表面(下面)に、複数の第2の電極83aを有する。第1の電極82aと第2の電極83aとが、1つ又は複数の導電性粒子1により電気的に接続されている。 The first connection target member 82 has a plurality of first electrodes 82a on its surface (upper surface). The second connection target member 83 has a plurality of second electrodes 83a on its surface (lower surface). The first electrodes 82a and second electrodes 83a are electrically connected by one or more conductive particles 1.

なお、図5では、導電性粒子1は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子1に代えて、導電性粒子11,21等の他の導電性粒子を用いてもよい。 In Figure 5, conductive particle 1 is shown schematically for convenience of illustration. Other conductive particles such as conductive particles 11 and 21 may be used instead of conductive particle 1.

上記第1の接続対象部材及び第2の接続対象部材は、特に限定されない。上記第1の接続対象部材としては、マザーボード等が挙げられる。上記第2の接続対象部材としては、半導体チップ、ICパッケージ、CPU等が挙げられる。 The first and second connection target members are not particularly limited. Examples of the first connection target member include a motherboard. Examples of the second connection target member include a semiconductor chip, an IC package, a CPU, etc.

上記第1,第2の接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極、SUS電極、及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。 Examples of the electrodes provided on the first and second connection target components include metal electrodes such as gold electrodes, nickel electrodes, tin electrodes, aluminum electrodes, copper electrodes, molybdenum electrodes, silver electrodes, SUS electrodes, and tungsten electrodes. When the electrodes are aluminum electrodes, they may be formed solely from aluminum, or may be electrodes in which an aluminum layer is laminated on the surface of a metal oxide layer. Examples of materials for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。 The present invention will be specifically explained below with reference to examples and comparative examples. The present invention is not limited to the following examples.

基材粒子の材料として、以下を用意した。 The following materials were prepared for the base particles.

(単量体X)
ポリプロピレングリコール#700ジアクリレート(新中村化学工業社製「APG-700」、n=12)
ポリプロピレングリコール#400ジアクリレート(新中村化学工業社製「APG-400」、n=7)
(Monomer X)
Polypropylene glycol #700 diacrylate ("APG-700" manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., n=12)
Polypropylene glycol #400 diacrylate ("APG-400" manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., n=7)

(単量体X以外の単量体)
単量体A:ポリテトラメチレングリコールジアクリレート(共栄社化学社製「ライトアクリレートPTMGA-250」)
単量体B:スチレン(NSスチレンモノマー社製「St」)
単量体C:ジビニルベンゼン(DVB)
(Monomers other than monomer X)
Monomer A: Polytetramethylene glycol diacrylate ("Light Acrylate PTMGA-250" manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)
Monomer B: Styrene ("St" manufactured by NS Styrene Monomer Co., Ltd.)
Monomer C: Divinylbenzene (DVB)

(実施例1)
導電性粒子の作製:
ポリプロピレングリコール#700ジアクリレート(単量体X)と、ポリテトラメチレングリコールジアクリレート(単量体A)との共重合樹脂により形成された基材粒子(粒子径500μm)を用意した。上記基材粒子を電解銅めっきし、基材粒子の表面上に平均厚み5.0μmの銅めっき層(第1の導電層)を形成した。次に、銅めっき層の外表面に電解金めっきし、平均厚み0.5μmの金めっき層(第2の導電層)を形成した。このようにして、導電部として、銅めっき層及び金めっき層の2層の積層構造を有する導電性粒子を得た。
Example 1
Preparation of conductive particles:
Base particles (particle diameter 500 μm) formed from a copolymer resin of polypropylene glycol #700 diacrylate (monomer X) and polytetramethylene glycol diacrylate (monomer A) were prepared. The base particles were electrolytically copper plated to form a copper plating layer (first conductive layer) with an average thickness of 5.0 μm on the surface of the base particles. Next, electrolytic gold plating was performed on the outer surface of the copper plating layer to form a gold plating layer (second conductive layer) with an average thickness of 0.5 μm. In this way, conductive particles having a two-layer laminate structure of a copper plating layer and a gold plating layer were obtained as the conductive portion.

(実施例2~13及び比較例1~3)
基材粒子の材料の種類、含有量及び粒子径と、導電部の材料及び厚みとを、以下の表1~4のように設定して、導電性粒子を得た。実施例12では、第1の導電層、第2の導電層及び第3の導電層をこの順で形成した。
(Examples 2 to 13 and Comparative Examples 1 to 3)
Conductive particles were obtained by setting the type, content, and particle diameter of the material of the base particle, and the material and thickness of the conductive portion as shown in the following Tables 1 to 4. In Example 12, a first conductive layer, a second conductive layer, and a third conductive layer were formed in this order.

(評価)
(1)導電性粒子の導電部の厚み
得られた導電性粒子を含有量が30重量%となるように、Kulzer社製「テクノビット4000」に添加し、分散させて、検査用埋め込み樹脂体を作製した。上記埋め込み樹脂体中に分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置(日立ハイテクノロジーズ社製「IM4000」)を用いて、導電性粒子の断面を切り出した。
(evaluation)
(1) Thickness of the conductive part of the conductive particles The obtained conductive particles were added to "Technovit 4000" manufactured by Kulzer so as to have a content of 30 wt % and dispersed to prepare an embedding resin for testing. A cross section of the conductive particles was cut out using an ion milling machine ("IM4000" manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass through the vicinity of the center of the conductive particles dispersed in the embedding resin.

そして、電界放出型走査型電子顕微鏡(FE-SEM)(日立ハイテクノロジーズ社製「S-4800」)を用いて、画像倍率15000倍に設定し、10個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の導電部を観察した。各導電性粒子における導電部の厚み及び各導電層の厚みを計測し、それを算術平均して導電部の厚み及び各導電層の厚みとした。 Using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM) (Hitachi High-Technologies Corporation, model S-4800), the image magnification was set to 15,000x, and 10 conductive particles were randomly selected to observe the conductive portion of each conductive particle. The thickness of the conductive portion and the thickness of each conductive layer in each conductive particle were measured, and the arithmetic mean was calculated to determine the thickness of the conductive portion and the thickness of each conductive layer.

(2)導電性粒子の粒子径
得られた導電性粒子の粒子径を、粒度分布測定装置(ベックマンコールター社製「Multisizer4」)を用いて算出した。具体的には、約100000個の導電性粒子の粒子径を測定し、平均値を算出することにより求めた。また、得られた結果から、導電性粒子の粒子径の、第1の導電層の厚みに対する比(導電性粒子の粒子径/第1の導電層の厚み)を算出した。
(2) Particle diameter of conductive particles The particle diameter of the obtained conductive particles was calculated using a particle size distribution analyzer (Beckman Coulter's "Multisizer 4"). Specifically, the particle diameter of approximately 100,000 conductive particles was measured and the average value was calculated. Furthermore, from the obtained results, the ratio of the particle diameter of the conductive particles to the thickness of the first conductive layer (particle diameter of conductive particles/thickness of the first conductive layer) was calculated.

(3)導電性粒子の圧縮回復率(圧縮試験A及び圧縮試験B)
得られた導電性粒子について、上述した圧縮試験A及び圧縮試験Bを行い、導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持した後の圧縮回復率、及び、導電性粒子の20%圧縮したときの圧縮回復率(圧縮状態を保持せずに計測した圧縮回復率)を測定した。
(3) Compression recovery rate of conductive particles (Compression test A and Compression test B)
The obtained conductive particles were subjected to the above-mentioned compression test A and compression test B, and the compression recovery rate after the conductive particles were held in a 20% compressed state for 168 hours, and the compression recovery rate when the conductive particles were compressed by 20% (the compression recovery rate measured without holding the compressed state) were measured.

(4)基材粒子の圧縮試験(圧縮試験C)
得られた基材粒子について、上述した圧縮試験Cを行い、負荷時の圧縮荷重が500mNにおける圧縮変位(L1)、除荷時の圧縮荷重が500mNにおける圧縮変位(L2)、負荷時の圧縮荷重が1000mNにおける圧縮変位(L3)、及び除荷時の圧縮荷重が1000mNにおける圧縮変位(L4)を求めた。また、比(L1/L2)及び比(L3/L4)を算出した。
(4) Compression test of base particles (compression test C)
The obtained base particle was subjected to the above-mentioned compression test C, and the compression displacement (L1) at a compressive load of 500 mN when loaded, the compression displacement (L2) at a compressive load of 500 mN when unloaded, the compression displacement (L3) at a compressive load of 1000 mN when loaded, and the compression displacement (L4) at a compressive load of 1000 mN when unloaded were determined. In addition, the ratios (L1/L2) and (L3/L4) were calculated.

(5)初期の接続信頼性及び長期の接続信頼性
得られた導電性粒子について、上述した方法により、導電性粒子を20%圧縮した状態の導電性粒子の抵抗値(R1)と、導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持した後の導電性粒子の抵抗値(R2)とを測定した。
(5) Initial connection reliability and long-term connection reliability For the obtained conductive particles, the resistance value (R1) of the conductive particles when compressed by 20% and the resistance value (R2) of the conductive particles after being held in a 20% compressed state for 168 hours were measured using the method described above.

初期の接続信頼性及び長期の接続信頼性を、以下の基準で判定した。 Initial connection reliability and long-term connection reliability were judged using the following criteria.

[初期の接続信頼性の判定基準]
〇〇:抵抗値(R1)が0mΩ以上20mΩ未満
○:抵抗値(R1)が20mΩ以上50mΩ未満
×:抵抗値(R1)が50mΩ以上
[Initial connection reliability criteria]
○ ○: Resistance value (R1) is 0 mΩ or more and less than 20 mΩ ○: Resistance value (R1) is 20 mΩ or more and less than 50 mΩ ×: Resistance value (R1) is 50 mΩ or more

[長期の接続信頼性の判定基準]
〇〇:抵抗値(R2)が0mΩ以上20mΩ未満
○:抵抗値(R2)が20mΩ以上50mΩ未満
×:抵抗値(R2)が50mΩ以上
[Criteria for determining long-term connection reliability]
○ ○: Resistance value (R2) is 0 mΩ or more and less than 20 mΩ ○: Resistance value (R2) is 20 mΩ or more and less than 50 mΩ ×: Resistance value (R2) is 50 mΩ or more

(6)接続構造体中の導電性粒子の状態
得られた導電性粒子を用いて、以下のようにして接続構造体(図4に示す構造を有する接続構造体)を作製した。
(6) State of Conductive Particles in Connection Structure Using the obtained conductive particles, a connection structure (a connection structure having the structure shown in FIG. 4) was produced as follows.

はんだボールと金属パッド(以下、LAND)とがスルーホールを介して電気的に接続されたBGA基板を用意した。このBGA基板において、スルーホール内部には、ビアフィル用導電ペーストが配置されている。 A BGA substrate was prepared in which solder balls and metal pads (hereinafter referred to as LANS) were electrically connected via through-holes. Conductive via-fill paste was placed inside the through-holes of this BGA substrate.

BGA基板を、ICパッケージを固定するためのパッケージ固定ユニットを備えるパッケージ受入ユニットに組み込んだ。次いで、BGA基板の上面のLAND上にディスペンサーを用いてはんだペーストを塗布した。塗布されたはんだペースト上にボールマウンターを用いて得られた導電性粒子を配置した。次いで、リフロー炉で、280℃で3分間、窒素雰囲気下で加熱した。このようにして、LANDと導電性粒子とがはんだを介して接合されており、かつパッケージ受入ユニットに組み込まれたBGA基板の下部と電気回路基板(マザーボード)とがはんだを介して接合されたICソケットを得た。The BGA substrate was installed in a package receiving unit equipped with a package fixing unit for fixing the IC package. Next, solder paste was applied to the LAND on the top surface of the BGA substrate using a dispenser. The obtained conductive particles were placed on the applied solder paste using a ball mounter. Next, it was heated in a reflow oven at 280°C for 3 minutes in a nitrogen atmosphere. In this way, an IC socket was obtained in which the LAND and conductive particles were bonded via solder, and the bottom of the BGA substrate installed in the package receiving unit was bonded via solder to an electric circuit board (motherboard).

得られたICソケットにICパッケージ(CPU)を装着するために、パッケージ固定ユニットに備えられたレバーを引き起こして加圧カバーを開け、ICパッケージ下部のLAND部とBGA基板上に配置した導電性粒子とが接するようにICソケットをパッケージ受入ユニットにセットした。加圧カバーを降ろした状態でレバーを押し倒すことで加圧カバーが上方からICパッケージを押し下げ、ICパッケージにコンタクトに向かう垂直荷重を与え、接続構造体を得た。 To mount an IC package (CPU) on the resulting IC socket, the lever on the package fixing unit was raised to open the pressure cover, and the IC socket was set in the package receiving unit so that the LAND portion at the bottom of the IC package came into contact with the conductive particles arranged on the BGA substrate. With the pressure cover lowered, the lever was pushed down, causing the pressure cover to press down on the IC package from above, applying a vertical load to the IC package toward the contacts, resulting in a connection structure.

得られた接続構造体を168時間連続稼働させた後に除荷した。光学顕微鏡(キーエンス社製「デジタルマイクロスコープVHXシリーズ」)を用いて、画像倍率200倍に設定し、50個の導電性粒子を無作為に選択し、破損している導電性粒子及び形状が変形したまま回復していない導電性粒子の個数の合計を計測した。接続構造体中の導電性粒子の状態を以下の基準で判定した。The resulting connection structure was operated continuously for 168 hours and then unloaded. Using an optical microscope (Keyence Corporation's "Digital Microscope VHX Series") set to an image magnification of 200x, 50 conductive particles were randomly selected and the total number of damaged conductive particles and conductive particles whose shape had not recovered was counted. The condition of the conductive particles in the connection structure was evaluated according to the following criteria.

[接続構造体中の導電性粒子の状態の判定基準]
〇〇:破損又は変形している導電性粒子の数が3個未満
○:破損又は変形している導電性粒子の数が3個以上6個未満
×:破損又は変形している導電性粒子の数が6個以上
[Criteria for determining the state of conductive particles in a connection structure]
〇〇: The number of damaged or deformed conductive particles is less than 3. ○: The number of damaged or deformed conductive particles is 3 or more but less than 6. ×: The number of damaged or deformed conductive particles is 6 or more.

結果を以下の表1~4に示す。 The results are shown in Tables 1 to 4 below.

1…導電性粒子
2…基材粒子
3…導電部
11…導電性粒子
11a…突起
12…導電部
12a…突起
13…芯物質
21…導電性粒子
23…導電部
23A…第1の導電層
23B…第2の導電層
31…絶縁部材
31a…スルーホール
32…はんだペースト部
33…電極
34…はんだボール
51,81…接続構造体
52,82…第1の接続対象部材
52a,82a…第1の電極
53,83…第2の接続対象部材
53a,83a…第2の電極
54,84…接続部
REFERENCE SIGNS LIST 1...Conductive particle 2...Base particle 3...Conductive portion 11...Conductive particle 11a...Protrusion 12...Conductive portion 12a...Protrusion 13...Core substance 21...Conductive particle 23...Conductive portion 23A...First conductive layer 23B...Second conductive layer 31...Insulating member 31a...Through hole 32...Solder paste portion 33...Electrode 34...Solder ball 51, 81...Connection structure 52, 82...First connection target member 52a, 82a...First electrode 53, 83...Second connection target member 53a, 83a...Second electrode 54, 84...Connection portion

Claims (11)

基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える導電性粒子であり、
前記導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持する圧縮試験Aでの、前記導電性粒子を20%圧縮した状態で168時間保持した後の下記圧縮回復率が、85%以上である、導電性粒子。
圧縮回復率(%)=(H2/H1)×100
H1:圧縮試験A前の導電性粒子の粒子径
H2:圧縮試験A後の導電性粒子の粒子径
A conductive particle comprising a base particle and a conductive portion disposed on a surface of the base particle,
Conductive particles, wherein in compression test A, in which the conductive particles are held in a 20% compressed state for 168 hours, the following compression recovery rate after the conductive particles are held in a 20% compressed state for 168 hours is 85% or more.
Compression recovery rate (%) = (H2/H1) x 100
H1: Particle diameter of conductive particles before compression test A
H2: Particle diameter of conductive particles after compression test A
前記導電部が、第1の導電層を有し、
前記第1の導電層の材料が、延展性金属を含み、
前記導電性粒子の粒子径の、前記第1の導電層の厚みに対する比が、50以上1000以下である、請求項1に記載の導電性粒子。
the conductive portion has a first conductive layer,
the material of the first conductive layer comprises a ductile metal;
The conductive particles according to claim 1 , wherein a ratio of a particle diameter of the conductive particles to a thickness of the first conductive layer is 50 or more and 1000 or less.
前記導電性粒子を荷重1000mNで圧縮したときの圧縮変形率が、10%以上である、請求項1又は2に記載の導電性粒子。 The conductive particles according to claim 1 or 2, wherein the compressive deformation rate when compressed under a load of 1000 mN is 10% or more. 前記基材粒子を14.12mN/秒の負荷速度で1961mNまで負荷した後、14.12mN/秒の除荷速度で除荷したときに、
負荷時の圧縮荷重が500mNにおける圧縮変位の、除荷時の圧縮荷重が500mNにおける圧縮変位に対する比が、0.7以上であり、
負荷時の圧縮荷重が1000mNにおける圧縮変位の、除荷時の圧縮荷重が1000mNにおける圧縮変位に対する比が、0.7以上である、請求項1~3のいずれか1項に記載の導電性粒子。
When the base particle was loaded to 1961 mN at a loading rate of 14.12 mN/s and then unloaded at an unloading rate of 14.12 mN/s,
The ratio of the compressive displacement when a compressive load of 500 mN is applied to the compressive displacement when a compressive load of 500 mN is applied and released is 0.7 or more;
4. The conductive particles according to claim 1, wherein the ratio of the compressive displacement when a compressive load of 1000 mN is applied to the compressive displacement when a compressive load of 1000 mN is applied and released is 0.7 or more.
前記基材粒子の材料が、ポリエーテル骨格を有する多官能(メタ)アクリレートを含み、
前記基材粒子の材料100重量%中、前記ポリエーテル骨格を有する多官能(メタ)アクリレートの含有量が、5重量%以上である、請求項1~4のいずれか1項に記載の導電性粒子。
the material of the base particle contains a polyfunctional (meth)acrylate having a polyether skeleton,
The conductive particle according to any one of claims 1 to 4, wherein the content of the polyfunctional (meth)acrylate having a polyether skeleton is 5% by weight or more in 100% by weight of the material of the base particle.
前記導電性粒子の粒子径が、100μm以上1000μm以下である、請求項1~5のいずれか1項に記載の導電性粒子。 The conductive particles according to any one of claims 1 to 5, wherein the particle diameter of the conductive particles is 100 μm or more and 1000 μm or less. 前記導電部が、2層以上の積層構造を有し、
前記導電部の外表面の材料が、金、銀、銅、錫、亜鉛、ニッケル、ベリリウム、コバルト、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、又はこれらの合金である、請求項1~6のいずれか1項に記載の導電性粒子。
the conductive portion has a laminated structure of two or more layers,
The conductive particle according to any one of claims 1 to 6, wherein the material of the outer surface of the conductive portion is gold, silver, copper, tin, zinc, nickel, beryllium, cobalt, palladium, platinum, rhodium, ruthenium, iridium, or an alloy thereof.
ソケット又はコネクタを得るために用いられる、請求項1~7のいずれか1項に記載の導電性粒子。 The conductive particles according to any one of claims 1 to 7 are used to obtain a socket or connector. ソケット本体と、請求項1~8のいずれか1項に記載の導電性粒子とを備え、
前記導電性粒子が、接続端子を構成している、ソケット。
A socket body and the conductive particles according to any one of claims 1 to 8,
The socket, wherein the conductive particles form connection terminals.
請求項1~8のいずれか1項に記載の導電性粒子と、バインダーとを含む、導電材料。 A conductive material comprising the conductive particles according to any one of claims 1 to 8 and a binder. 第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、
第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
絶縁部材及び導電性粒子を有する接続部とを備え、
前記導電性粒子が、請求項1~8のいずれか1項に記載の導電性粒子であり、
前記第1の電極と前記第2の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。
a first connection target member having a first electrode on a surface thereof;
a second connection target member having a second electrode on its surface;
a connecting portion having an insulating member and conductive particles;
The conductive particles are the conductive particles according to any one of claims 1 to 8,
A connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by the conductive particles.
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