Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP7734211B2 - 低質量基板支持体 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP7734211B2 - 低質量基板支持体 - Google Patents

低質量基板支持体

Info

Publication number
JP7734211B2
JP7734211B2 JP2023569826A JP2023569826A JP7734211B2 JP 7734211 B2 JP7734211 B2 JP 7734211B2 JP 2023569826 A JP2023569826 A JP 2023569826A JP 2023569826 A JP2023569826 A JP 2023569826A JP 7734211 B2 JP7734211 B2 JP 7734211B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shaped body
substrate support
disk
pocket
center
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2023569826A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2024518965A (ja
Inventor
ショーン ジョセフ ボーナム，
シンニン ルアン，
フイ チェン，
ジェームズ エム． アモス，
ジョン ニューマン，
カーク アレン フィッシャー，
エイミー エス． エアハート，
フィリップ マイケル アモス，
ジーユエン イェー，
シュー－クワン ラウ，
ローリー ディ． ワシントン，
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2024518965A publication Critical patent/JP2024518965A/ja
Priority to JP2025139327A priority Critical patent/JP2025179095A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7734211B2 publication Critical patent/JP7734211B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7624—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45508—Radial flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/4558—Perforated rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0436—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7611—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7612—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by lifting arrangements, e.g. lift pins

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

[0001] 本開示の実施形態は、広くは、基板処理ツールに関し、特に、基板処理ツール用の基板支持体に関する。
[0002] 従来、既存の基板支持体は、プロセスエネルギー及び反応時間を増加させ、プロセス均一性を低下させる可能性がある高熱質量を有する場合がある。
[0003] 必要とされているのは、先行手法の欠陥を克服するためのシステム及び装置である。
[0004] 開示される複数の実施形態は、基板支持体に関し、該基板支持体は、ディスク形状体の外側縁部において厚さｔを有し、ディスク形状体の軸中心線に位置付けられた中心を有するディスク形状体、ディスク形状体に結合され、ディスク形状体を取り囲むリング、及び、ディスク形状体の前面とディスク形状体の前面を越えて延在するリングの第１の径方向内側縁部とによって画定される前側ポケットを含む。該基板支持体は、ディスク形状体の裏面とディスク形状体の裏面を越えて延在するリングの第２の径方向内側縁部とによって画定される裏側ポケット、ディスク形状体を貫通して延在し、ディスク形状体の中心から第１の径方向距離において配置された複数のリフトピン開口部、及び、ディスク形状体の中心から第２の径方向距離において裏面に配置された複数のスロットを更に含み、第２の径方向距離は、第１の径方向距離よりも大きい。
[0005] 基板支持体が開示され、該基板支持体はディスク形状体を含み、該ディスク形状体は、円周に配置された第１の隆起円形リングを有する第１の表面であって、第１の側のポケットを画定し、第１の隆起円形リングは第１の径方向幅を有する、第１の表面、及び、円周に配置された第２の隆起円形リングを有する、ディスク形状体の第１の表面とは反対側の第２の表面であって、第２の側のポケットを画定し、第２の隆起円形リングは第２の径方向幅を有する、第２の表面を含む。該基板支持体は、ディスク形状体を貫通して形成され、ディスク形状体の中心から第１の距離において配置された複数のリフトピン開口部、及び、第２の表面に配置された複数のスロットを更に含み、複数のスロットは、複数のリフトピン開口部と径方向に整列し、ディスク形状体の中心から第２の距離において配置され、第２の距離は、円周の内側であり、第１の距離よりも大きい。
[0006] 処理チャンバが開示され、該処理チャンバは、処理空間を画定する上側ウインドウと下側ウインドウ、及び処理空間内に配置される基板支持体を含む。特定の複数の実施形態によれば、該基板支持体は、ディスク形状体の外側縁部において厚さｔを有し、ディスク形状体の軸中心線に位置付けられた中心を有するディスク形状体、ディスク形状体に結合され、ディスク形状体を取り囲むリング、及び、ディスク形状体の前面とディスク形状体の前面を越えて延在するリングの第１の径方向内側縁部とによって画定される前側ポケットを含む。該基板支持体は、ディスク形状体の裏面とディスク形状体の裏面を越えて延在するリングの第２の径方向内側縁部とによって画定される裏側ポケット、ディスク形状体を貫通して延在し、ディスク形状体の中心から第１の径方向距離において配置された複数のリフトピン開口部、及び、ディスク形状体の中心から第２の径方向距離において裏面に配置された複数のスロットを更に含み、第２の径方向距離は、第１の径方向距離よりも大きい。
[0007] 本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、実施形態を参照することによって行うことができ、その幾つかを添付の図面に示す。しかしながら、添付の図面は例示的な実施形態を示しているに過ぎず、したがって、その範囲を限定するものとみなされるべきではなく、本開示は他の同等に有効な実施形態を許容し得ることに留意されたい。
[0008] 複数の実施形態による、本明細書で処理チャンバとしても開示される堆積チャンバの概略断面図である。 [0009] 特定の複数の実施形態による、基板支持体の裏面（すなわち下面）図である。 [0010] 図３Ａ～図３Ｄは、特定の複数の実施形態による、図２で示されている基板支持体の部分断面図である。 図３Ａ～図３Ｄは、特定の複数の実施形態による、図２で示されている基板支持体の部分断面図である。 図３Ａ～図３Ｄは、特定の複数の実施形態による、図２で示されている基板支持体の部分断面図である。 図３Ａ～図３Ｄは、特定の複数の実施形態による、図２で示されている基板支持体の部分断面図である。 [0011] 特定の複数の実施形態による、基板支持体の裏面図である。 [0012] 図５Ａ～図５Ｄは、特定の複数の実施形態による、図４で示されている基板支持体の部分断面図である。 図５Ａ～図５Ｄは、特定の複数の実施形態による、図４で示されている基板支持体の部分断面図である。 図５Ａ～図５Ｄは、特定の複数の実施形態による、図４で示されている基板支持体の部分断面図である。 図５Ａ～図５Ｄは、特定の複数の実施形態による、図４で示されている基板支持体の部分断面図である。 [0013] 特定の複数の実施形態による、基板支持体の平面図である。
[0014] 理解を容易にするために、可能な場合には、図面に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号が使用された。一実施形態の要素及び特徴は、追加の記述がなくても、他の複数の実施形態に有益に組み込むことができると考えられている。
[0015] 以下において、本開示の複数の実施形態が参照される。しかし、本開示は、特定の説明された複数の実施形態に限定されないことが理解されるべきである。代わりに、異なる複数の実施形態に関連するか否かにかかわらず、以下の特徴及び要素の任意の組み合わせが、本開示の実装及び実施するために考慮される。更に、本開示の複数の実施形態は、他の可能な複数の解決策及び／又は先行技術を超える利点を実現してよく、特定の利点が所与の実施形態によって実現されるか否かは、本開示を限定するものではない。したがって、以下の複数の態様、複数の特徴、複数の実施形態、及び複数の利点は単なる例示であり、添付の特許請求の範囲で明示的に記載されている場合を除き、特許請求の範囲の要素又は限定とはみなされない。同様に、「本開示」への言及は、本明細書で開示された任意の発明の主題の一般化として解釈されるべきものではなく、また、添付の特許請求の範囲内で明示的に記載されている場合を除き、特許請求の範囲の要素又は限定とはみなされないものとする。
[0016] 特定の複数の実施形態による、質量が低減された基板支持体のためのシステム及び装置が開示される。基板の支持用の前側ポケットが設けられ、一方で、基板支持体の質量を低減させる裏側ポケットが設けられる。裏側ポケットを設けることによって、基板支持体全体の質量が低減され、基板支持体用の熱サイクル時間が短縮され、輸送時の基板支持体の重量が軽減される。開示される複数の実施形態によるリフトピンシステムは、リフトピンの挿入と操作とのための支持体を提供するために、裏側ポケットの下部から延在する各リフトピン孔又は開口部からの中空延在部を設けることによって、既存のペデスタルシステムと互換性を有する。
[0017] 図１を参照すると、本開示の複数の実施形態による、本明細書で処理チャンバとしても開示される堆積チャンバ１００の概略断面図が示されている。堆積チャンバ１００は、エピタキシャル堆積チャンバであり、クラスタツール（図示せず）内で使用されてよい。堆積チャンバ１００は、基板１０２などの基板上にエピタキシャル膜を成長させるために利用される。堆積チャンバ１００は、基板１０２の上面１５０にわたる前駆体のクロスフロー（cross-flow）を生成する。
[0018] 堆積チャンバ１００は、上側体１５６、上側体１５６の下方に配置された下側体１４８、及び上側体１５６と下側体１４８との間に配置されたチャンバ本体アセンブリ１０５を含む。上側体１５６、チャンバ本体アセンブリ１０５、及び下側体１４８は、チャンバ１０１を形成する。チャンバ１０１内に、基板支持体１０６、上側ウインドウ１０８、下側ウインドウ１０９、複数の上側ランプ１４１、及び複数の下側ランプ１４３が配置されている。図示されているように、コントローラ１２０が、堆積チャンバ１００と通信し、本明細書で説明されるようなプロセスを制御するために使用される。コントローラ１２０は、中央処理装置（CPU）１５２、メモリデバイス１３５、及びサポート回路１５８を含む。基板支持体１０６は、ディスク形状体であってよく、上側ウインドウ（例えば、ドーム）１０８と下側ウインドウ（例えば、ドーム）１０９との間に配置されている。複数の上側ランプ１４１は、上側ウインドウ１０８とリッド１５４との間に配置されている。リッド１５４は、基板１０２の温度を測定するためのその中に配置された複数のセンサ１５３を含む。複数の下側ランプ１４３（１つだけが符号を付けられている）は、下側ウインドウ１０９とランプハウジング１５１との間に配置されている。複数の下側ランプ１４３は、下側ランプアセンブリ１４５を形成する。
[0019] 処理空間１３６が、上側ウインドウ１０８と下側ウインドウ１０９との間に形成されている。処理空間１３６は、その中に配置された基板支持体１０６を有する。基板支持体１０６は、その上に基板１０２が配置される上面を含む。基板支持体１０６は、シャフト１１４に取り付けられている。シャフト１１４は、運動アセンブリ１２１に接続されている。運動アセンブリ１２１は、処理空間１３６内のシャフト１１４及び／又は基板支持体１０６の動き及び／又は調整を提供する１以上のアクチュエータ及び／又は調整デバイスを含む。運動アセンブリ１２１は、堆積チャンバ１００の長手軸Ａ（例えば、中心垂直軸）の周りでシャフト１１４及び／又は基板支持体１０６を回転させる回転アクチュエータ１２２を含む。運動アセンブリ１２１は、基板支持体１０６をｚ方向において上げ下げするための垂直アクチュエータ１２４を更に含む。運動アセンブリ１２１は、基板支持体１０６の平面配向を調整するために使用される傾斜調整デバイス１２６、及び処理空間１３６内でシャフト１１４と基板支持体１０６との位置を左右に調整するために使用される横方向調整デバイス１２８を含む。
[0020] 基板支持体１０６は、その中に配置されたリフトピン孔１０７を含んでよい。これは、リフトピン開口部とも呼ばれてよい。リフトピン孔１０７は、堆積プロセスが実行される前又は後のいずれにおいても、基板支持体１０６から基板１０２を持ち上げるためのリフトピン１３２を収容するようにサイズ決定されている。リフトピン１３２は、基板支持体１０６が処理位置から移送位置に下げられたときに、リフトピンストップ１３４上に載置されてよい。
[0021] 本明細書で示されているように、チャンバ本体アセンブリ１０５は、セグメント化されたチャンバ本体アセンブリである。チャンバ本体アセンブリ１０５は、ベースプレート及び注入リングを含む。ベースプレートは、ベース本体１１７、基板移送通路１１６、及びそれを貫通して配置された１以上の排気通路１１８を含む。基板移送通路１１６は、基板とロボットアームとを通過させることができるようにサイズ決定されている。幾つかの実施形態では、基板移送通路１１６の幅が、２０６mmよりも大きく、例えば３００mmよりも大きい。１以上の排気通路１１８は、処理空間１３６と排気ポンプ１１９とに流体結合されている。注入リングは、ベースプレートの上に配置され、ベースプレートに結合されている。注入リングは、注入体１１３及び複数のガス注入通路１１１を含む。複数のガス注入通路１１１は、基板移送通路１１６の垂直上方で、１以上の排気通路１１８から向かい側に配置されている。ガス注入通路１１１は、プロセスガス源１１２に流体接続されている。複数のガス注入通路１１１は、ベースプレートの上に配置された注入リングを貫通して形成されているので、１以上の排気通路１１８から垂直方向にオフセットされている。したがって、複数のガス注入通路１１１は、１以上の排気通路１１８の垂直方向で見て上方に配置されている。
[0022] ベースプレートと注入リングとのうちの一方又は両方は、複数のパージガス入口（図示せず）を更に含んでよい。複数のパージガス入口は、複数のガス注入通路１１１の下方に配置されてよい。それによって、複数のパージガス入口は、複数のガス注入通路１１１と基板移送通路１１６との間に配置される。複数のパージガス入口は、代替的に、複数のガス注入通路１１１と垂直方向に位置合わせされてもよい。それによって、複数のパージガス入口もまた、複数のガス注入通路１１１によって表されてよい。ガス注入通路１１１及びパージガス入口は、処理空間１３６内に配置された基板１０２の上面１５０と平行にガスを流すように配置される。
[0023] １以上のライナー１９５、１９７が、チャンバ本体アセンブリ１０５の内面上に配置され、堆積プロセス中にチャンバ本体アセンブリ１０５を反応性ガスから保護する。幾つかの実施形態では、単一のライナーが利用され、１以上のライナー１９５、１９７は、単一のユニットを形成するために組み合わされる。
[0024] 図２を参照すると、特定の複数の実施形態による、基板支持体２０６の裏面２００が示されている基板支持体１０６の代わりに使用されてよい基板支持体２０６の裏面２００は、基板支持体２０６を含むチャンバ１０１の動作中に基板１０２を直接的に支持する前面６００（以下で説明される図６で示されているような）の反対側である。特定の複数の実施形態による基板支持体２０６は、ディスク形状体２０８及びリング２０５を含む。開示される複数の実施形態による基板支持体２０６の裏面２００は、裏側ポケット２２０を有する。裏側ポケット２２０は、基板支持体２０６の熱質量を低減させて、迅速な熱サイクルを可能にし、基板支持体２０６の重量を低減させる。基板支持体２０６の裏面２００のリング２０５は、基板支持体２０６の外側縁部２１０から中心２１５に向けて径方向に延在する。特定の複数の実施形態によれば、リング２０５の外径と内径との間の差である径方向幅２０７は、１mmと１８７mmとの間である。一実施形態では、径方向幅２０７が、約３０mmから４０mmであってよい。裏側ポケット２２０は、中心２１５から半径R1（約１５３mm+／-２mm）まで延在する。
[0025] １以上のリフトピン孔２２５が、径方向において、中心２１５から半径R2（約１１０mmから１２０mm）の位置に配置されてよい。図示されている一実施形態では、３つのリフトピン孔２２５が、等しい角度間隔で示されている。１以上のスロット２４０が、径方向において、中心２１５から半径R3（約１８０mm+／-３．０mm）の位置に配置されてよい。図示されている一実施形態では、３つのスロット２４０が、等しい角度間隔で示されている。リフトピン孔２２５及びスロット２４０については、以下でより詳細に説明される。
[0026] 図３Ａ～図３Ｄを参照すると、特定の複数の実施形態による、基板支持体２０６の断面図が示されている。図３Ａでは、リング２０５が、１以上のスロット２４０を含む。特定の複数の実施形態によれば、１以上のスロット２４０は、リング２０５内の楕円形状凹部であり、基板支持体２０６を支持して位置合わせするために、処理チャンバの１以上の基板支持シャフト（図１では示されていない）と係合する。リング２０５の高さH1は、基板支持体２０６の裏側ポケット２２０の表面から、約１．００mmから約１．８５mm、例えば約１．７８mm+／-０．０２mm延在してよい。図３Ａ～図３Ｃを参照すると、スロット２４０は、チャンバ１００内の基板支持体２０６の位置合わせを容易にするために、フレア状上側部分３０７を有する円筒形状ベース部分３０６を含む。フレア状上側部分３０７は、約０．５mm×０．５mmから約１．１mm×１．１mmのチャンファーを有する。特定の複数の実施形態によるスロット２４０は、約１．００mmから約１．８５mm、例えば約１．７８mm+／-０．０２mmの深さD2、約９mmから１３mmの長さL1、及び約４mmから約７mmの幅W1を有する。
[0027] 図３Ａ～図３Ｄを参照すると、中空延在部３２７が、基板支持体２０６の裏側ポケット２２０から延在し、それぞれのリフトピン孔２２５を取り囲んでいる。特定の複数の実施形態によれば、中空延在部３２７は、基板支持体２０６の裏側ポケット２２０から約１．７８mm+／-０．０２mmの高さH2だけ延在してよい。特定の複数の実施形態によれば、基板支持体２０６の前側ポケット６２０内のリフトピン孔２２５の一部分は、約５mmから約６mmの直径D3を有してよい。裏側ポケット２２０内のリフトピン孔２２５の一部分は、中空延在部３２７によって画定されるように、約３．５mmから約４．０mmの直径D4を有してよい。中空延在部３２７内で、リフトピン孔２２５は、リフトピン孔２２５内にリフトピン１３２の頭部を保持するように構成された移行テーパ３４０（約８９度から約９１度）を有する。
[0028] 図４を参照すると、特定の複数の実施形態による、基板支持体４０６の裏面４００が示されている。基板支持体１０６の代わりに使用されてよい基板支持体４０６の裏面４００は、基板支持体４０６を含むチャンバ１０１の動作中に基板１０２を直接的に支持する前面６００（以下で説明される）の反対側である。特定の複数の実施形態による基板支持体４０６は、ディスク形状体４０８及びリング４０５を含む。開示される複数の実施形態による基板支持体４０６の裏面４００は、裏側ポケット４２０有する。裏側ポケット４２０は、基板支持体４０６の熱質量を低減させて、迅速な熱サイクルを可能にし、基板支持体４０６の重量を低減させる。基板支持体４０６の裏面４００のリング４０５は、基板支持体４０６の外側縁部４１０から中心４１５に向けて径方向に延在する。特定の複数の実施形態によれば、リング４０５の径方向幅４０７は、１mmと１８７mmとの間である。一実施形態では、径方向幅４０７が、約２mmから５mmであってよい。裏側ポケット４２０は、半径R4（約１５３mm+／-２mm）を有する。
[0029] １以上のリフトピン孔４２５が、径方向において、中心４１５から半径R5（約１１０mmから１２０mm）の位置に配置されてよい。図示されている一実施形態では、３つのリフトピン孔４２５が、等しい角度間隔で示されている。１以上のスロット４４０が、径方向において、中心４１５から半径R6（約１８０mm+／-３．０mm）の位置に配置されてよい。図示されている一実施形態では、３つのスロット４４０が、等しい角度間隔で示されている。特定の実施形態によれば、１以上のスロット４４０は、リング４０５に隣接して配置され、間隙４４５によって隔てられている。
[0030] 図５Ａ～図５Ｄを参照すると、特定の複数の実施形態による、基板支持体４０６の断面図が示されている。リング４０５は、１以上のスロット４４０に隣接しており、リング４０５は、間隙４４５によってスロット４４０から隔てられている。特定の複数の実施形態によれば、１以上のスロット４４０は、裏側ポケット４２０内の楕円形状凹部であり、基板支持体を支持して位置合わせするために、処理チャンバの１以上の基板支持シャフト（図１では示されていない）と係合する。リング４０５の高さH3は、基板支持体４０６の裏側ポケット４２０の表面から、約１．００mmから約１．８５mm、例えば約１．７８mm+／-０．０２mm延在してよい。図５Ａ～図５Ｃを参照すると、スロット４４０は、チャンバ１００（図１で示されている）内の基板支持体４０６の位置合わせを容易にするために、フレア状上側部分５０７を有する円筒形状ベース部分５０６を含む。フレア状上側部分５０７は、約０．５mm×０．５mmから約１．１mm×１．１mmのチャンファーを有する。特定の複数の実施形態によるスロット４４０は、約１．００mmから約１．８５mm、例えば約１．７８mm+／-０．０２mmの深さD5、約９mmから１３mmの長さL2、及び約４mmから約７mmの幅W2を有する。
[0031] 図５Ａ～図５Ｄを参照すると、中空延在部５２７が、基板支持体４０６の裏側ポケット４２０から延在し、それぞれのリフトピン孔４２５を取り囲んでいる。特定の複数の実施形態によれば、中空延在部５２７は、基板支持体４０６の裏側ポケット４２０から約１．７８mm+／-０．０２mmの高さH4だけ延在してよい。特定の複数の実施形態によれば、基板支持体４０６の前側ポケット６２０内のリフトピン孔４２５の一部分は、約５mmから約６mmの直径D6を有してよい。裏側ポケット４２０内のリフトピン孔４２５の一部分は、中空延在部５２７によって画定されるように、約３．５mmから約４．０mmの直径D7を有してよい。中空延在部５２７内で、リフトピン孔は、リフトピン孔４２５内にリフトピン１３２の頭部を保持するように構成された移行テーパ５４０（約８９度から約９１度）を有する。
[0032] 図６を参照すると、特定の複数の実施形態による、基板支持体６０６の前面６００が示されている。基板支持体６０６は、図１の基板支持体１０６の代わりに使用されてよい。基板支持体６０６の裏面（図示せず）は、図２の基板支持体２０６の裏面２００であるか、又は図４の基板支持体４０６の裏面４００であってよい。
[0033] 基板支持体６０６の前面６００は、縁部６１０から中心６１５に向けて径方向内側に延在するリング６０５を含む。前面６００の表面６０８とリング６０５の径方向内側縁部６０４とが、前側ポケット６２０を画定する。本明細書で開示される様々な基板支持体は、ディスク形状体、すなわち、前面６００上のリング及び図２の裏面２００上のリング又は図４の裏面４００上のリングを有するものとして説明されたが、概して、これらの構成要素は一体の本体を形成することを理解されたい。別の言い方をすれば、本出願の様々な基板支持体は、代替的に、前面と裏面との各々の上にそれらと一体的に形成されたリングであって、それぞれの前面と裏面とから延在するリングを有する、ディスク形状体として説明されてよい。これらの複数の実施形態では、結果として生じる基板支持体の縁部が、厚さｔ（図３Ａ及び図５Ａで示されているような）を有し、リング６０５とリング２０５又はリング４０５のうちの一方との組み合わせであり、組み合わされた基板支持体の厚さｔは、約３．７mm+／-０．２mmである。
[0034] 前側ポケット６２０は、径方向内側縁部６０４によって画定された約１５３mm+／-２mmの半径R7を有してよい。図３Ａ及び図５Ａで示されているように、前側ポケット６２０の深さD1は、約１．０８mm+／-０．２mmであってよい。特定の複数の実施形態では、前側ポケット６２０の中心６１５の深さが、約１．０８mm+／-０．２mmであってよい。一方で、リング６０５に隣接する前側ポケット６２０の深さは、約０．４８mm+／-０．０２mmであってよく、中心６１５からリング６０５までの傾斜を形成する。一実施例では、形成された基板支持体６０６の中心における厚さが、約０．８３mm+／-０．０２mmであってよい。別の一実施形態では、形成された基板支持体６０６の中心における厚さが、約０．５mmから約１２．６mmであってよい。幾つかの実施形態によれば、通気ラインとして機能する１以上の溝６３５が、リング６０５から中心６１５に向けて放射状に延在してよい。各溝６３５は、前側ポケット６２０の表面６０８の下方に約０．９mm+／-０．５mmの深さを有する。
[0035] 基板支持体６０６のディスク形状体は、その中に形成された１以上のリフトピン孔６２５を含む。リフトピン孔６２５は、中心から半径R8の位置において形成され、裏面２００に関連する図２のリフトピン孔２２５に対応し、裏面４００に関連する図４のリフトピン孔４２５に対応する。
[0036] 開示される複数の実施形態に従って裏側ポケットを設けることによって、開示される基板支持体の質量は、従来手法のものよりも小さくなり、基板支持体（又は基板が前側ポケット内に配置された基板支持体）の移送の容易さのために全体重量を低減させることに加えて、基板支持体を熱サイクルするのに必要な時間を短縮することができる。
[0037] 前述されたことは本開示の複数の実施形態を対象としているが、本開示の他の及び更なる複数の実施形態が、その基本的な範囲から逸脱することなしに考案されてよく、その範囲は以下の特許請求の範囲によって規定される。

Claims (22)

  1. 基板支持体であって、
    ディスク形状体であって、前記ディスク形状体の外側縁部において厚さｔを有し、前記ディスク形状体の軸中心線に位置付けられた中心を有するディスク形状体、
    前記ディスク形状体に結合され、前記ディスク形状体を取り囲むリング、
    前記ディスク形状体の前面と前記ディスク形状体の前記前面を越えて延在する前記リングの第１の径方向内側縁部とによって画定される前側ポケット、
    前記ディスク形状体の裏面と前記ディスク形状体の前記裏面を越えて延在する前記リングの第２の径方向内側縁部とによって画定される裏側ポケット、
    前記ディスク形状体を貫通して延在し、前記ディスク形状体の前記中心から第１の径方向距離において配置された複数のリフトピン開口部、及び
    前記ディスク形状体の前記中心から第２の径方向距離において前記裏面に配置された複数のスロットを含み、
    前記第２の径方向距離は、前記第１の径方向距離よりも大きい、
    基板支持体。
  2. 前記前側ポケットは、約１５１mmから約１５５mmの半径を有し、前記前側ポケットの中心において約０．８８mmから約１．２８mmの深さを有する、請求項１に記載の基板支持体。
  3. 前記前側ポケットは、前記リングに隣接する前記前側ポケットの縁部において約０．４６mmから約０．５０mmの深さを有する、請求項２に記載の基板支持体。
  4. 前記裏側ポケットは、約１mmから約１５３mmの半径を有する、請求項２に記載の基板支持体。
  5. 前記裏側ポケットの深さが、約１．００mmから約１．８５mmである、請求項４に記載の基板支持体。
  6. 前記複数のリフトピン開口部の各々から延在する中空延在部の高さが、約１．７６mmから約１．８０mmである、請求項５に記載の基板支持体。
  7. 前記ディスク形状体の前記中心における前記ディスク形状体の厚さが、約０．５mmから約１２．６mmである、請求項１に記載の基板支持体。
  8. ディスク形状体を備える基板支持体であって、前記ディスク形状体は、
    円周に配置された第１の隆起円形リングを有し、第１の側のポケットを画定する第１の表面であって、前記第１の隆起円形リングは第１の径方向幅を有する、第１の表面、
    前記円周に配置された第２の隆起円形リングを有し、第２の側のポケットを画定する第２の表面であって、前記第２の表面は前記ディスク形状体の前記第１の表面とは反対側であり、前記第２の隆起円形リングは第２の径方向幅を有する、第２の表面、
    前記ディスク形状体を貫通して形成され、前記ディスク形状体の中心から第１の距離において配置された複数のリフトピン開口部、及び
    前記第２の表面に配置された複数のスロットを含み、前記複数のスロットは、前記複数のリフトピン開口部と径方向に整列し、前記ディスク形状体の前記中心から第２の距離において配置され、前記第２の距離は、前記円周の内側であり、前記第１の距離よりも大きい、基板支持体。
  9. 前記第１の側のポケットは、約１５１mmから約１５５mmの半径、及び前記第１の側のポケットの中心において約０．８８mmから約１．２８mmの深さを有する、請求項８に記載の基板支持体。
  10. 前記第１の側のポケットは、前記第１の隆起円形リングに隣接する前記第１の側のポケットの縁部において約０．４６mmから約０．５０mmの深さを有する、請求項９に記載の基板支持体。
  11. 前記第２の側のポケットは、約１mmから約１５３mmの半径を有する、請求項９に記載の基板支持体。
  12. 前記第２の側のポケットの深さが、約１．７６mmから約１．８０mmである、請求項１１に記載の基板支持体。
  13. 前記複数のリフトピン開口部の各々から延在する中空延在部の高さが、約１．７６mmから約１．８０mmである、請求項１２に記載の基板支持体。
  14. 前記ディスク形状体の軸中心線周辺の厚さが、約０．８３mmである、請求項８に記載の基板支持体。
  15. 処理空間を画定する上側ウインドウと下側ウインドウ、及び
    前記処理空間内に配置される基板支持体を備える、処理チャンバであって、前記基板支持体は、
    ディスク形状体であって、前記ディスク形状体の外側縁部において厚さｔを有し、前記ディスク形状体の軸中心線に位置付けられた中心を有するディスク形状体、
    前記ディスク形状体に結合され、前記ディスク形状体を取り囲むリング、
    前記ディスク形状体の前面と前記ディスク形状体の前記前面を越えて延在する前記リングの第１の径方向内側縁部とによって画定される前側ポケット、
    前記ディスク形状体の裏面と前記ディスク形状体の前記裏面を越えて延在する前記リングの第２の径方向内側縁部とによって画定される裏側ポケット、
    前記ディスク形状体を貫通して延在し、前記ディスク形状体の前記中心から第１の径方向距離において配置された複数のリフトピン開口部、及び
    前記ディスク形状体の前記中心から第２の径方向距離において前記裏面に配置された複数のスロットを含み、前記第２の径方向距離は、前記第１の径方向距離よりも大きい、処理チャンバ。
  16. 前記前側ポケットは、約１５１mmから約１５５mmの半径を有し、前記前側ポケットの中心において約０．８８mmから約１．２８mmの深さを有する、請求項１５に記載の処理チャンバ。
  17. 前記基板支持体の前記前側ポケットは、前記リングに隣接する前記前側ポケットの縁部において約０．４６mmから約０．５０mmの深さを有する、請求項１６に記載の処理チャンバ。
  18. 前記基板支持体の前記裏側ポケットは、約１mmから約１５３mmの半径を有する、請求項１６に記載の処理チャンバ。
  19. 前記基板支持体の厚さが、約３．５mmから約３．９mmである、請求項１８に記載の処理チャンバ。
  20. 前記基板支持体の前記複数のリフトピン開口部の各々から延在する中空延在部の高さが、約１．７６mmから約１．８０mmである、請求項１９に記載の処理チャンバ。
  21. 前記前側ポケットの中心の深さは、前記リングに隣接する前記前側ポケットの縁部の深さよりも深い、請求項１に記載の基板支持体。
  22. 前記前側ポケットは、通気ラインとして機能する、１つの溝又は放射状に延在する複数の溝を備える、請求項１に記載の基板支持体。
JP2023569826A 2021-05-12 2022-04-28 低質量基板支持体 Active JP7734211B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2025139327A JP2025179095A (ja) 2021-05-12 2025-08-25 低質量基板支持体

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202163187787P 2021-05-12 2021-05-12
US63/187,787 2021-05-12
PCT/US2022/026794 WO2022240593A1 (en) 2021-05-12 2022-04-28 Low mass substrate support

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2025139327A Division JP2025179095A (ja) 2021-05-12 2025-08-25 低質量基板支持体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2024518965A JP2024518965A (ja) 2024-05-08
JP7734211B2 true JP7734211B2 (ja) 2025-09-04

Family

ID=83998507

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023569826A Active JP7734211B2 (ja) 2021-05-12 2022-04-28 低質量基板支持体
JP2025139327A Pending JP2025179095A (ja) 2021-05-12 2025-08-25 低質量基板支持体

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2025139327A Pending JP2025179095A (ja) 2021-05-12 2025-08-25 低質量基板支持体

Country Status (7)

Country Link
US (1) US12584240B2 (ja)
EP (1) EP4338199A4 (ja)
JP (2) JP7734211B2 (ja)
KR (2) KR102864014B1 (ja)
CN (1) CN117256046A (ja)
TW (1) TW202245125A (ja)
WO (1) WO2022240593A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114411247B (zh) * 2022-01-21 2023-05-16 深圳市纳设智能装备有限公司 一种外延反应设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000026192A (ja) 1998-04-28 2000-01-25 Shin Etsu Handotai Co Ltd 薄膜成長装置
JP2002146540A (ja) 2000-11-14 2002-05-22 Ebara Corp 基板加熱装置
JP2003100855A (ja) 2001-09-27 2003-04-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶ウェーハ処理装置、シリコン単結晶ウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2010034476A (ja) 2008-07-31 2010-02-12 Sumco Corp エピタキシャルウェーハの製造方法及びそれに用いられるウェーハの保持具
JP2015076457A (ja) 2013-10-08 2015-04-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 基板処理装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5044943A (en) * 1990-08-16 1991-09-03 Applied Materials, Inc. Spoked susceptor support for enhanced thermal uniformity of susceptor in semiconductor wafer processing apparatus
DE69404397T2 (de) 1993-07-13 1997-11-13 Applied Materials Inc Verbesserte Suszeptor Ausführung
US6086680A (en) * 1995-08-22 2000-07-11 Asm America, Inc. Low-mass susceptor
JP2001522142A (ja) 1997-11-03 2001-11-13 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 改良された低質量ウェハ支持システム
US6444027B1 (en) * 2000-05-08 2002-09-03 Memc Electronic Materials, Inc. Modified susceptor for use in chemical vapor deposition process
JP3972710B2 (ja) * 2002-03-28 2007-09-05 信越半導体株式会社 サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置および製造方法
WO2005013334A2 (en) * 2003-08-01 2005-02-10 Sgl Carbon Ag Holder for supporting wafers during semiconductor manufacture
US7615116B2 (en) * 2003-10-01 2009-11-10 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for producing silicon epitaxial wafer and silicon epitaxial wafer
JP4300523B2 (ja) * 2004-03-12 2009-07-22 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャル成長装置
JP2009502039A (ja) * 2005-07-21 2009-01-22 エルピーイー ソシエタ ペル アチオニ ウェーハ処理装置の処理室の中でサセプタを支持し回転させるためのシステム
US8042697B2 (en) * 2008-06-30 2011-10-25 Memc Electronic Materials, Inc. Low thermal mass semiconductor wafer support
KR101238841B1 (ko) * 2011-01-04 2013-03-04 주식회사 엘지실트론 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 갖는 화학 기상 증착 장치
KR20130035040A (ko) * 2011-09-29 2013-04-08 주식회사 원익아이피에스 기판 지지대, 및 이를 포함하는 기판 처리장치
KR20140090809A (ko) * 2013-01-10 2014-07-18 주식회사 엘지실트론 서셉터 지지부를 구비하는 웨이퍼 에피택셜 성장 장치
KR20140092704A (ko) * 2013-01-16 2014-07-24 주식회사 엘지실트론 서셉터 및 이를 포함하는 에피텍셜 반응기
JP5386046B1 (ja) * 2013-03-27 2014-01-15 エピクルー株式会社 サセプタ支持部およびこのサセプタ支持部を備えるエピタキシャル成長装置
US10269614B2 (en) 2014-11-12 2019-04-23 Applied Materials, Inc. Susceptor design to reduce edge thermal peak
WO2016154052A1 (en) * 2015-03-25 2016-09-29 Applied Materials, Inc. Chamber components for epitaxial growth apparatus
US10184193B2 (en) * 2015-05-18 2019-01-22 Globalwafers Co., Ltd. Epitaxy reactor and susceptor system for improved epitaxial wafer flatness
US12129572B2 (en) * 2016-06-16 2024-10-29 Sumitomo Chemical Company, Limited Nitride semiconductor template, method for manufacturing nitride semiconductor template, and method for manufacturing nitride semiconductor free-standing substrate
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000026192A (ja) 1998-04-28 2000-01-25 Shin Etsu Handotai Co Ltd 薄膜成長装置
JP2002146540A (ja) 2000-11-14 2002-05-22 Ebara Corp 基板加熱装置
JP2003100855A (ja) 2001-09-27 2003-04-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶ウェーハ処理装置、シリコン単結晶ウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2010034476A (ja) 2008-07-31 2010-02-12 Sumco Corp エピタキシャルウェーハの製造方法及びそれに用いられるウェーハの保持具
JP2015076457A (ja) 2013-10-08 2015-04-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022240593A1 (en) 2022-11-17
US20220364263A1 (en) 2022-11-17
JP2025179095A (ja) 2025-12-09
TW202245125A (zh) 2022-11-16
KR102864014B1 (ko) 2025-09-23
CN117256046A (zh) 2023-12-19
EP4338199A1 (en) 2024-03-20
KR20250140650A (ko) 2025-09-25
JP2024518965A (ja) 2024-05-08
EP4338199A4 (en) 2025-05-07
US12584240B2 (en) 2026-03-24
KR20240012424A (ko) 2024-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1238576C (zh) 通过化学汽相沉积在晶片上生长外延层的无基座式反应器
US6090212A (en) Substrate platform for a semiconductor substrate during rapid high temperature processing and method of supporting a substrate
US6007635A (en) Platform for supporting a semiconductor substrate and method of supporting a substrate during rapid high temperature processing
JP5200171B2 (ja) ウエハキャリア、化学蒸着装置、および、ウエハを処理する方法
TWI703636B (zh) 用於低壓熱處理的光導管結構窗
JP5926730B2 (ja) 改良されたウェハキャリア
KR100889437B1 (ko) 기상 성장 장치용 서셉터
JP2025179095A (ja) 低質量基板支持体
JP2004525056A5 (ja)
US20030168174A1 (en) Gas cushion susceptor system
JP2004533117A (ja) 基板サポートアセンブリと基板処理用装置
JP2018085371A (ja) 基板処理装置
JP2025090564A (ja) エピタキシャル堆積、及び先進的なエピタキシャル膜用途のためのチャンバ構造
JP7604848B2 (ja) 炭化珪素半導体ウェハの製造装置
WO2024091431A1 (en) Cassette structures and related methods for batch processing in epitaxial deposition operations
KR20230138547A (ko) 열 전달이 개선된 편평한 포켓 서셉터 설계
US20220364261A1 (en) Chamber architecture for epitaxial deposition and advanced epitaxial film applications
JP2010278196A (ja) 基板保持治具
KR20250157106A (ko) 리프트 핀과 이를 포함하는 웨이퍼의 가공 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240109

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20241129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20250107

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20250403

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20250624

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20250723

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20250825

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7734211

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150