JP7734503B2 - Filler for electronic materials, method for producing filler for electronic materials, filler-containing resin composition for electronic materials, and slurry for electronic materials - Google Patents
Filler for electronic materials, method for producing filler for electronic materials, filler-containing resin composition for electronic materials, and slurry for electronic materialsInfo
- Publication number
- JP7734503B2 JP7734503B2 JP2021060004A JP2021060004A JP7734503B2 JP 7734503 B2 JP7734503 B2 JP 7734503B2 JP 2021060004 A JP2021060004 A JP 2021060004A JP 2021060004 A JP2021060004 A JP 2021060004A JP 7734503 B2 JP7734503 B2 JP 7734503B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filler
- electronic materials
- coupling agent
- amount
- surface treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
本発明は電子材料用フィラー、電子材料用フィラーの製造方法、及び電子材料用フィラー含有樹脂組成物、並びに電子材料用スラリーに関する。 The present invention relates to a filler for electronic materials, a method for producing a filler for electronic materials, a filler-containing resin composition for electronic materials, and a slurry for electronic materials.
無線送信に使用される通信端末の送信速度の向上、大容量化の趨勢から高周波の電波帯が使用される。しかしながら、周波数が高くなると、電波(電磁波)の単位長さあたりの電力減衰量、つまり伝送損失が大きくなる。伝送損失は、電磁波が誘電体内を伝わるときに生じる損失である誘電正接(誘電体損失)の影響を大きく受ける。そのため、通信端末、乗用車等の大容量、高速通信用の電子部品、その封止剤等に使用されるフィラー(充填材)には、誘電正接を抑制する性能が求められている。 The trend toward improved transmission speeds and larger capacities in communication terminals used for wireless transmission has led to the use of higher frequency radio wave bands. However, as frequencies increase, the amount of power attenuation per unit length of radio waves (electromagnetic waves), i.e., transmission loss, increases. Transmission loss is significantly affected by the dielectric loss tangent (dielectric loss), which is the loss that occurs when electromagnetic waves propagate through a dielectric. For this reason, fillers used in electronic components for large-capacity, high-speed communication in communication terminals, passenger cars, etc., as well as in their sealants, are required to have the ability to suppress dielectric loss tangent.
一般に小型電子部品またはその封止剤等に添加されるフィラーの場合、誘電率の高い素材が好ましく用いられる。しかしながら、フィラー自体の誘電率の高さにより、誘電正接が上昇してしまう。このように、フィラーとしては誘電率の高さと誘電正接の抑制との相反する性質が求められている。 Generally, when it comes to fillers added to small electronic components or their sealants, materials with high dielectric constants are preferred. However, the high dielectric constant of the filler itself increases the dielectric loss tangent. As such, fillers are required to have the contradictory properties of high dielectric constant and reduced dielectric loss tangent.
また、フィラーは樹脂に添加されるため、フィラーには添加後の樹脂の流動性、密着性等が求められる。電子部品またはその封止剤等に使用される樹脂の誘電率を高めるため、フィラー自体の樹脂への添加量も増加する。そのため、樹脂の粘度上昇に伴う流動性の低下は、作業効率を押し下げることとなり好ましくない。 Furthermore, since fillers are added to resins, they are required to have the fluidity and adhesion of the resin after addition. In order to increase the dielectric constant of resins used in electronic components or their sealants, the amount of filler added to the resin also increases. Therefore, a decrease in fluidity due to an increase in the viscosity of the resin undesirably reduces work efficiency.
加えて、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウムの誘電率は高く、フィラーの用途として有望な化合物である(特許文献1等参照)。しかしながら、これらから溶出する塩基性の成分による樹脂の硬化不良のおそれがある。また、誘電率の高さと誘電正接の抑制を図ることについては現状解決されていない。 In addition, strontium titanate and calcium titanate have high dielectric constants, making them promising compounds for use as fillers (see Patent Document 1, etc.). However, there is a risk that basic components eluted from these compounds may cause poor curing of the resin. Furthermore, the problem of suppressing high dielectric constants and dielectric loss tangents has not yet been resolved.
その後、発明者は鋭意検討を重ねた結果、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウムの良好な誘電率を示す化合物を用いながらも、当該化合物表面を適切加工することによりフィラーの誘電正接を抑制した性質を得るに至った。 Subsequent intensive research led the inventors to find a way to suppress the dielectric dissipation factor of the filler by using compounds such as strontium titanate and calcium titanate, which have good dielectric constants, and by appropriately processing the surface of these compounds.
本発明は前記の点に鑑みなされたものであり、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウムを使用してフィラーとしての誘電率の高さを維持しつつ誘電正接の抑制を図ることのできる電子材料用フィラー、電子材料用フィラーの製造方法、及び電子材料用フィラー含有樹脂組成物、並びに電子材料用スラリーを提供する。 The present invention has been made in consideration of the above points, and provides a filler for electronic materials that uses strontium titanate and calcium titanate and can suppress the dielectric loss tangent while maintaining a high dielectric constant as a filler, a method for producing a filler for electronic materials, a filler-containing resin composition for electronic materials, and a slurry for electronic materials.
すなわち、実施形態の電子材料用フィラーは、チタン酸ストロンチウムまたはチタン酸カルシウムを主成分とする基材部と、基材部の表面に存在するカップリング剤により形成される被覆部と、を備える電子材料用フィラーであって、電子材料用フィラーは、次の化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量測定(I)において、式(i)により示される化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量(C2(%))/洗浄前表面処理剤由来のカーボン量(C1(%))の比(Rw)が0.1~1.0の範囲を満たすことを特徴とする。 That is, the filler for electronic materials of this embodiment is a filler for electronic materials comprising a substrate portion primarily composed of strontium titanate or calcium titanate, and a coating portion formed by a coupling agent present on the surface of the substrate portion, and is characterized in that, in the following measurement of the amount of carbon derived from a chemically bonded surface treatment agent after cleaning (I), the ratio (Rw) of the amount of carbon derived from a chemically bonded surface treatment agent after cleaning (C2 (%)) to the amount of carbon derived from a surface treatment agent before cleaning (C1 (%)), as shown by formula (i), satisfies the range of 0.1 to 1.0.
化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量測定(I)は、電子材料用フィラー5gにメチルエチルケトン35gを添加後、振とうして10分間静置し、遠心分離機を用いて固液分離して沈降物を得るとともに、上澄み液を廃棄し、沈降物5gにメチルエチルケトン35gを添加、振とうして10分間静置し、遠心分離機を用い固液分離して沈降物を得て乾燥する。当該乾燥後の沈降物中の炭素量を化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量として測定する。 To measure the amount of carbon derived from the chemically bonded surface treatment agent after washing (I), 35 g of methyl ethyl ketone is added to 5 g of electronic material filler, the mixture is shaken and left to stand for 10 minutes, and a sediment is obtained by solid-liquid separation using a centrifuge. The supernatant is then discarded, and 35 g of methyl ethyl ketone is added to 5 g of the sediment, the mixture is shaken and left to stand for 10 minutes, and a sediment is obtained by solid-liquid separation using a centrifuge, which is then dried. The amount of carbon in the dried sediment is measured as the amount of carbon derived from the chemically bonded surface treatment agent after washing.
さらに、上記電子材料用フィラーにおいて、基材部の体積平均粒径が0.1~3μmの範囲を満たすこととしてもよい。 Furthermore, in the above-mentioned filler for electronic materials, the volume average particle size of the substrate portion may be in the range of 0.1 to 3 μm.
さらに、上記電子材料用フィラーにおいて、カップリング剤が、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、またはアルミネート系カップリング剤であるとしてもよい。 Furthermore, in the above-mentioned filler for electronic materials, the coupling agent may be a silane-based coupling agent, a titanium-based coupling agent, or an aluminate-based coupling agent.
さらに、電子材料用フィラーは、JIS C 2138(2007)に準拠する1GHzにおける誘電正接が0.04以下であることとしてもよい。 Furthermore, the filler for electronic materials may have a dielectric dissipation factor of 0.04 or less at 1 GHz in accordance with JIS C 2138 (2007).
さらに、電子材料用フィラーのBET法の測定による比表面積(Fs(m
2 ))当たりの化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量より算出される表面処理剤化学結合量(反応量)は、1~9μmol/m
2 の範囲を満たすこととしてもよい。
Furthermore, the chemically bonded amount (reaction amount) of the surface treatment agent calculated from the amount of carbon after cleaning derived from the chemically bonded surface treatment agent per specific surface area (Fs ( m2 )) of the filler for electronic materials measured by the BET method may satisfy the range of 1 to 9 μmol/ m2 .
さらに、電子材料用フィラーは、次の粘度測定(II)において、液状エポキシ樹脂との混練後の粘度が500Pa・s以下であることとしてもよい。 Furthermore, the filler for electronic materials may have a viscosity of 500 Pa·s or less after being kneaded with the liquid epoxy resin in the following viscosity measurement (II).
粘度測定(II)は、基材部の主成分がチタン酸ストロンチウムであるときには、電子材料用フィラー32.5gと液状エポキシ樹脂(1900ないし2600mPa・s)17.5gとを混合して混練し、若しくは、基材部の主成分がチタン酸カルシウムであるときには、電子材料用フィラー29.75gと液状エポキシ樹脂(1900ないし2600mPa・s)20.25gとを混合して混練し、それぞれ80℃で1時間エージングして粘度測定用ワニスとして調製し、当該粘度測定用ワニスの25℃の粘度をE型粘度計で測定する。 For viscosity measurement (II), when the main component of the substrate is strontium titanate, 32.5 g of electronic material filler and 17.5 g of liquid epoxy resin (1900 to 2600 mPa·s) are mixed and kneaded, or when the main component of the substrate is calcium titanate, 29.75 g of electronic material filler and 20.25 g of liquid epoxy resin (1900 to 2600 mPa·s) are mixed and kneaded, and each is aged at 80°C for 1 hour to prepare a viscosity measurement varnish, and the viscosity of the viscosity measurement varnish at 25°C is measured using an E-type viscometer.
さらに、電子材料用フィラーの抽出水のpHは5~9.5の範囲であることとしてもよい。 Furthermore, the pH of the water extracted from the filler for electronic materials may be in the range of 5 to 9.5.
さらに、上記電子材料用フィラーにおいて、被覆部にケイ素化合物が含有されることとしてもよい。 Furthermore, the coating portion of the filler for electronic materials may contain a silicon compound.
電子材料用フィラーの製造方法は、チタン酸ストロンチウムまたはチタン酸カルシウムを主成分とする基材部の表面にカップリング剤を接触させる接触工程と、カップリング剤が接触した基材部を加熱する加熱工程と、を備えることを特徴とする。 The method for producing fillers for electronic materials is characterized by comprising a contacting step in which a coupling agent is brought into contact with the surface of a substrate whose main component is strontium titanate or calcium titanate, and a heating step in which the substrate that has come into contact with the coupling agent is heated.
さらに、上記電子材料用フィラーの製造方法において、カップリング剤が、シラン系カップリング剤またはチタン系カップリング剤であることとしてもよい。 Furthermore, in the above-mentioned method for producing a filler for electronic materials, the coupling agent may be a silane-based coupling agent or a titanium-based coupling agent.
さらに、上記電子材料用フィラーの製造方法において、加熱工程は200℃以下の加熱であることとしてもよい。 Furthermore, in the above-mentioned method for manufacturing filler for electronic materials, the heating step may be performed at a temperature of 200°C or less.
さらに、上記電子材料用フィラーの製造方法において、接触工程と加熱工程の間に、ケイ素化合物を添加するケイ素化合物添加工程が含まれることとしてもよい。 Furthermore, the above-mentioned method for producing a filler for electronic materials may include a silicon compound addition step of adding a silicon compound between the contacting step and the heating step.
電子材料用フィラー含有樹脂組成物は、電子材料用フィラーを樹脂に含有してなることを特徴とする。また、電子材料用スラリーは、電子材料用フィラーと、当該電子材料用フィラーを分散し、水分を実質的に含有しない液体状の分散媒とを有することを特徴とする。 The filler-containing resin composition for electronic materials is characterized by containing a filler for electronic materials in a resin. The slurry for electronic materials is characterized by containing a filler for electronic materials and a liquid dispersion medium that disperses the filler for electronic materials and is substantially free of water.
本発明の電子材料用フィラーによると、チタン酸ストロンチウムまたはチタン酸カルシウムを主成分とする基材部と、基材部の表面に存在するカップリング剤により形成される被覆部と、を備える電子材料用フィラーであって、電子材料用フィラーは、化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量(C2(%))/洗浄前表面処理剤由来のカーボン量(C1(%))の比(Rw)が0.1~1.0の範囲を満たすため、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウムを使用してフィラーとしての誘電率の高さを維持しつつ誘電正接の抑制を図ることができる。また、本発明の電子材料用フィラーの製造方法より誘電率の高さを維持しつつ誘電正接の抑制を図るフィラーを製造することができる。さらに、電子材料用フィラー含有樹脂組成物、電子材料用スラリーとすることにより、好適な電子材料用の組成物、スラリーを得ることができる。 The filler for electronic materials of the present invention comprises a substrate primarily composed of strontium titanate or calcium titanate, and a coating formed by a coupling agent present on the surface of the substrate. The filler for electronic materials has a ratio (Rw) of the amount of carbon derived from the chemically bonded surface treatment agent after cleaning (C2 (%)) to the amount of carbon derived from the surface treatment agent before cleaning (C1 (%)) in the range of 0.1 to 1.0. Therefore, the filler can use strontium titanate or calcium titanate to maintain a high dielectric constant as a filler while suppressing the dielectric loss tangent. Furthermore, the manufacturing method for the filler for electronic materials of the present invention can produce a filler that maintains a high dielectric constant while suppressing the dielectric loss tangent. Furthermore, by forming the filler into a filler-containing resin composition for electronic materials or a slurry for electronic materials, a suitable composition or slurry for electronic materials can be obtained.
実施形態の電子材料用フィラーは、主成分としてチタン酸ストロンチウムまたはチタン酸カルシウムの粉末を基材部とし、当該基材部の表面にカップリング剤に存在させて被覆部が形成される。電子材料用フィラーは、主に電子部品の封止材、基板材料、伝熱材料等への添加に用いられる。また、後述する電子材料用の樹脂組成物として好ましく用いられる。基材部はチタン酸ストロンチウムまたはチタン酸カルシウムと主成分とし、基材部の全体において主成分の割合は95質量%以上、好ましくは97質量%以上である。そして、主成分を除く成分は副成分である。副成分としては、SrO、CaO、BaO、Na2O、SiO2、Al3O3、Fe2O3、BaTiO3、TiO2、SrCO3、CaCO3等が挙げられる。 In an embodiment, the filler for electronic materials has a substrate containing strontium titanate or calcium titanate powder as the main component, and a coating is formed on the surface of the substrate by adding a coupling agent. The filler for electronic materials is mainly used as an additive to electronic component encapsulants, substrate materials, heat transfer materials, etc. It is also preferably used as a resin composition for electronic materials, as described below. The substrate contains strontium titanate or calcium titanate as the main component, and the proportion of the main component in the entire substrate is 95% by mass or more, preferably 97% by mass or more. Components other than the main component are minor components. Examples of minor components include SrO, CaO , BaO, Na2O , SiO2 , Al3O3 , Fe2O3 , BaTiO3 , TiO2 , SrCO3 , and CaCO3 .
フィラーを形成するため、基材部は粉末状ないし粒子状である。さらには、板状、鱗片状、ウィスカー状、棒状、フィラメント状等のいずれであってもよい。一般に誘電率の高い化合物として、チタン酸塩が知られ、特にチタン酸バリウムが広く用いられる。しかしながら、チタン酸バリウムの場合、バリウムの原子半径の大きさから誘電率が高くなるとともに、誘電正接も大きくなる。そのため、誘電正接を抑制しようとする発明の趣旨から、チタン酸バリウムは必ずしも好例ではない。そこで、誘電率が多少低下するとしても、誘電正接の制御が容易であることから、チタン酸ストロンチウムまたはチタン酸カルシウムが好例である。 To form the filler, the substrate is in powder or particulate form. It may also be in any shape, such as plate, flake, whisker, rod, or filament. Titanates are generally known as compounds with high dielectric constants, with barium titanate being particularly widely used. However, in the case of barium titanate, the large atomic radius of barium increases both the dielectric constant and the dielectric dissipation factor. Therefore, given the purpose of the invention, which is to suppress the dielectric dissipation factor, barium titanate is not necessarily an ideal example. Therefore, strontium titanate or calcium titanate are preferable, as they allow for easier control of the dielectric dissipation factor, even if they result in a slight decrease in dielectric constant.
基材部の平均体積粒径は0.1~3μmの範囲を満たす。粒径はレーザー回折散乱法、動的散乱法等の公知の粒径測定の方法により測定されるメディアン径(D50)を意味する。基材部の平均体積粒径が0.1μmを下回る場合、後述するように、フィラーとして樹脂に添加して混練する際の粘度が上昇する。このため、塗布等の作業効率の低下となる。基材部の平均体積粒径が3μmを上回る場合、フィラーの粒径自体が大きく、樹脂中でのフィラー沈降による偏析が発生する。そのため、基材部の平均体積粒径は0.1~3μmの範囲、さらには0.2~2.5μmが好ましく、より好適には、0.3~2.0μmの範囲である。 The average volume particle diameter of the substrate satisfies the range of 0.1 to 3 μm. The particle diameter refers to the median diameter (D 50 ) measured by known particle diameter measurement methods such as laser diffraction scattering and dynamic scattering. If the average volume particle diameter of the substrate is below 0.1 μm, as described below, the viscosity increases when the filler is added to a resin and kneaded. This reduces the efficiency of coating and other processes. If the average volume particle diameter of the substrate is above 3 μm, the particle diameter of the filler itself is large, causing segregation due to filler settling in the resin. Therefore, the average volume particle diameter of the substrate is preferably in the range of 0.1 to 3 μm, more preferably 0.2 to 2.5 μm, and even more preferably 0.3 to 2.0 μm.
基材部の表面にはカップリング剤により形成される被覆部が存在する。すなわち、チタン酸ストロンチウムまたはチタン酸カルシウムの粉末の表面にカップリング剤による被覆部が形成される。当該構造によって、基材部の化合物に起因する高い誘電率と、被覆部の化合物に起因して誘電正接の抑制が図られる。 A coating formed by a coupling agent exists on the surface of the substrate. That is, a coating made of a coupling agent is formed on the surface of strontium titanate or calcium titanate powder. This structure achieves a high dielectric constant due to the compound in the substrate and a suppressed dielectric loss tangent due to the compound in the coating.
カップリング剤は、主にシラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、またはアルミネート系カップリング剤から選択される。これらのカップリング剤は単独もしくは複数組み合わせて使用してもよい。シラン系カップリング剤は、ケイ素原子と炭化水素基、が結合した化合物である。後記の実施例は、メトキシシラン系のシラン系カップリング剤を用いている。チタン系カップリング剤はチタン原子の周囲に炭化水素基等が結合した化合物である。アルミネート系カップリング剤はアルミニウム原子の周囲に炭化水素基等が結合した化合物である。 The coupling agent is mainly selected from silane-based coupling agents, titanium-based coupling agents, or aluminate-based coupling agents. These coupling agents may be used alone or in combination. Silane-based coupling agents are compounds in which a silicon atom is bonded to a hydrocarbon group. The examples below use a methoxysilane-based silane-based coupling agent. Titanium-based coupling agents are compounds in which a hydrocarbon group or the like is bonded around a titanium atom. Aluminate-based coupling agents are compounds in which a hydrocarbon group or the like is bonded around an aluminum atom.
カップリング剤は、基材部のチタン酸ストロンチウムまたはチタン酸カルシウムが露出することを防ぐ。カップリング剤の被覆により基材部の表面が保護される。そこで、基材部の化合物が周囲と反応して分解、変化することが抑制される。また、カップリング剤の炭化水基等の影響から、樹脂等への添加、混練時に分散されやすくなる。 The coupling agent prevents the strontium titanate or calcium titanate in the base material from being exposed. The surface of the base material is protected by the coating of the coupling agent. This prevents the compounds in the base material from reacting with their surroundings and decomposing or changing. In addition, due to the influence of the hydrocarbon groups of the coupling agent, it is easier to disperse when added to resins, etc. and when kneaded.
さらに、カップリング剤とともにケイ素化合物が添加される。ケイ素化合物としては、例えば、酸化ケイ素、その他ケイ素に炭化水素基、フェニル基、ビニル基、エポキシ基、メタクリル基、アミノ基、アミノフェニル基、ウレイド基、メルカプト基、イソシアネート基、アクリル基等が結合した化合物が用いられる。カップリング剤とともにケイ素化合物が配合されることにより、被覆部のカップリング剤相互の結合が強固となり、後述する実施例における物性向上に有利に作用する。さらに、ケイ素に結合する3個以上の炭化水素基の先には前出の官能基を有する化合物が含められる。ケイ素に結合する炭化水素基の先に官能基を有するケイ素化合物による表面処理は、疎水化度を高め、水分の吸着をより抑えることができ、誘電正接の低減効果がより大きくなる。 In addition, a silicon compound is added along with the coupling agent. Examples of silicon compounds that can be used include silicon oxide and other compounds in which silicon is bonded to a hydrocarbon group, phenyl group, vinyl group, epoxy group, methacryl group, amino group, aminophenyl group, ureido group, mercapto group, isocyanate group, or acrylic group. The addition of a silicon compound along with a coupling agent strengthens the bonds between the coupling agents in the coating, which is advantageous for improving the physical properties in the examples described below. Furthermore, the ends of the three or more hydrocarbon groups bonded to the silicon may contain compounds having the aforementioned functional groups. Surface treatment with a silicon compound having a functional group at the end of the hydrocarbon group bonded to the silicon increases hydrophobicity, further suppresses moisture adsorption, and further reduces the dielectric tangent.
基材部とその表面を被覆する被覆部により形成される電子材料用フィラーは、JIS C 2138(2007)に準拠する1GHzにおける誘電正接が0.04以下である特性を有する。チタン酸ストロンチウムまたはチタン酸カルシウムの基材部と、シラン系カップリング剤またはチタン系カップリング剤の被覆部とから形成される材料において、具体的な誘電正接の規定は、従前において報告がない新規の要件である。 Fillers for electronic materials, formed from a substrate and a coating covering its surface, have a dielectric dissipation factor of 0.04 or less at 1 GHz in accordance with JIS C 2138 (2007). For materials formed from a substrate of strontium titanate or calcium titanate and a coating of a silane-based coupling agent or titanium-based coupling agent, the specific dielectric dissipation factor is a new requirement that has not been reported previously.
電子材料用フィラーの誘電正接の好ましい範囲は、0.04以下であり、さらに好ましい範囲は0.02以下である。誘電正接が減少することにより、電磁波が誘電体内を伝わるときに生じる損失も減少し、エネルギーの損失が回避される。そのため、可能な限り誘電正接は小さい値であることが望ましい。ただし、基材部の誘電体の誘電率の影響から値は「0」となることはあり得ず、また、誘電正接のみ小さくすると基材部の誘電体の良好な誘電率を減殺することとなり好ましくない。そこで、誘電正接は0.04以下として規定される。 The preferred range for the dielectric dissipation factor of fillers for electronic materials is 0.04 or less, and even more preferably 0.02 or less. By reducing the dielectric dissipation factor, the loss that occurs when electromagnetic waves propagate through a dielectric is also reduced, avoiding energy loss. For this reason, it is desirable for the dielectric dissipation factor to be as small as possible. However, due to the influence of the dielectric constant of the dielectric of the base material, the value cannot be "0," and reducing the dielectric dissipation factor alone is undesirable as it will diminish the favorable dielectric constant of the dielectric of the base material. Therefore, the dielectric dissipation factor is specified as 0.04 or less.
実施形態の電子材料用フィラーは、その基材部の表面にカップリング剤が被覆して被覆部を形成している。つまり、カップリング剤相互の架橋及びカップリング剤と基材部の化合物の結合が良好である必要がある。カップリング剤から形成される被覆部が強固に基材部に固着して誘電正接を減少させるとともに、基材部を保護する観点からも重視される。 In the filler for electronic materials of this embodiment, the surface of the substrate is coated with a coupling agent to form a coating. In other words, good cross-linking between the coupling agents and bonding between the coupling agent and the compound in the substrate are required. The coating formed from the coupling agent firmly adheres to the substrate, reducing the dielectric tangent and also protecting the substrate, which is important.
基材部と被覆部の固着の程度を評価する手法として、一旦完成した電子材料用フィラーを有機溶媒により洗浄し、洗浄の後、残留した成分中の炭素量が化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量として測定される。そこで、電子材料用フィラーの表面処理剤由来の洗浄前カーボン量(炭素量)と、化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量(炭素量)の比較から、電子材料用フィラーに残存しているカップリング剤の量の多少が判明する。前述のとおり、カップリング剤は炭化水素基(メトキシ基)等を有し、有機溶媒への溶解性は高い。しかしながら、基材部のチタン酸塩は親水的であり有機溶媒へは溶解しない。そのため、未反応のカップリング剤のみの溶解分離は容易である。化学結合表面処理剤とは、主に被覆部を形成するカップリング剤である。 To evaluate the degree of adhesion between the substrate and coating, the completed electronic material filler is washed with an organic solvent. After washing, the amount of carbon in the remaining components is measured as the post-wash carbon amount derived from the chemically bonded surface treatment agent. Therefore, by comparing the pre-wash carbon amount (carbon amount) derived from the surface treatment agent of the electronic material filler with the post-wash carbon amount (carbon amount) derived from the chemically bonded surface treatment agent, the amount of coupling agent remaining in the electronic material filler can be determined. As mentioned above, coupling agents contain hydrocarbon groups (methoxy groups) and are highly soluble in organic solvents. However, the titanate in the substrate is hydrophilic and does not dissolve in organic solvents. Therefore, it is easy to dissolve and separate the unreacted coupling agent alone. The chemically bonded surface treatment agent is primarily the coupling agent that forms the coating.
具体的には、洗浄前表面処理剤由来のカーボン量C1(%)と化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量C2(%)が計測され、前出の式(i)のとおり、C2/C1の比(Rw)が求められる。比(Rw)は0.1~1.0の範囲であることが好ましい。さらには、比(Rw)は0.2~1.0の範囲、より好ましくは0.4~1.0の範囲であることが好ましい。比(Rw)が高まると、カップリング剤は強固に基材部のチタン酸塩に固着していることがわかる。C2/C1の比(Rw)が0.1を下回る場合、90%のカップリング剤は流出したことを意味し、被覆部形成に役立たない。C2/C1の比(Rw)が1の場合、カップリング剤の流出は無いことを意味する。 Specifically, the carbon content C1 (%) derived from the surface treatment agent before cleaning and the carbon content C2 (%) derived from the chemically bonded surface treatment agent after cleaning are measured, and the C2/C1 ratio (Rw) is calculated using the formula (i) above. The ratio (Rw) is preferably in the range of 0.1 to 1.0. Furthermore, the ratio (Rw) is preferably in the range of 0.2 to 1.0, and more preferably in the range of 0.4 to 1.0. A higher ratio (Rw) indicates that the coupling agent is firmly bonded to the titanate in the substrate. If the C2/C1 ratio (Rw) is below 0.1, this means that 90% of the coupling agent has leaked out and is not useful in forming the coating. If the C2/C1 ratio (Rw) is 1, this means that no coupling agent has leaked out.
カーボン量の測定機器は限定されない。後述の実施例は、炭素/硫黄同時分析計を用いる。当該分析計は、炭素と硫黄分を加熱燃焼させ赤外線により定量分析する装置である。有機溶剤による洗浄に際し、電子材料用フィラー5gにメチルエチルケトン35gが添加され、振とうして10分間静置される。遠心分離機を用いて固液分離され沈降物が分取され上澄み液は廃棄される。沈降物5gにメチルエチルケトン35gが添加され、振とうして10分間静置される。遠心分離機を用い固液分離して沈降物が分取され、沈降物は乾燥される。そして、当該乾燥後の沈降物中の炭素量が炭素/硫黄同時分析計等により測定される。 There are no limitations on the equipment used to measure the carbon content. In the examples described below, a simultaneous carbon/sulfur analyzer is used. This analyzer is a device that heats and burns carbon and sulfur components and quantitatively analyzes them using infrared light. When cleaning with an organic solvent, 35 g of methyl ethyl ketone is added to 5 g of electronic material filler, the mixture is shaken, and left to stand for 10 minutes. A centrifuge is used for solid-liquid separation, and the sediment is collected and the supernatant is discarded. 35 g of methyl ethyl ketone is added to 5 g of the sediment, the mixture is shaken, and left to stand for 10 minutes. A centrifuge is used for solid-liquid separation, and the sediment is collected and dried. The carbon content of the dried sediment is then measured using a simultaneous carbon/sulfur analyzer or the like.
さらに、洗浄の前後によるカップリング剤の残留の相対比に加えて具体的なカップリング剤の残留量の規定を加えることが可能である。すなわち、電子材料用フィラーのBET法の測定による比表面積Fs(m
2 )当たりの化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量より算出される表面処理剤化学結合量(反応量)が規定される。比表面積当たりの洗浄後炭素量としては、1~9μmol/m
2 の範囲であることが好ましい。洗浄後炭素量は実際に基材部に固着しているカップリング剤の量である。
Furthermore, in addition to the relative ratio of the residual coupling agent before and after cleaning, it is possible to specify a specific residual amount of coupling agent. That is, the chemically bonded amount (reaction amount) of the surface treatment agent is specified, calculated from the amount of carbon derived from the chemically bonded surface treatment agent after cleaning per specific surface area Fs ( m2 ) of the filler for electronic materials measured by the BET method. The amount of carbon after cleaning per specific surface area is preferably in the range of 1 to 9 μmol/ m2 . The amount of carbon after cleaning is the amount of coupling agent actually fixed to the substrate.
ここで、比表面積当たりの化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量より算出される表面処理剤化学結合量(反応量)が1μmol/m
2 を下回る場合、残留しているカップリング剤自体の量が少なく、被覆部に求められる性能が十分に発揮されない。比表面積当たりの化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量より算出される表面処理剤化学結合量(反応量)が9μmol/m
2 を上回る場合、カップリング剤自体の量が多く、被覆部が抵抗となり、電子材料用フィラーとしての誘電率が押し下げられて好ましくない。
Here, when the chemically bonded amount (reaction amount) of the surface treatment agent calculated from the amount of carbon after cleaning derived from the chemically bonded surface treatment agent per specific surface area is less than 1 μmol / m2 , the amount of remaining coupling agent itself is small, and the performance required of the coated portion is not fully exhibited.When the chemically bonded amount (reaction amount) of the surface treatment agent calculated from the amount of carbon after cleaning derived from the chemically bonded surface treatment agent per specific surface area is more than 9 μmol/ m2 , the amount of coupling agent itself is large, and the coated portion becomes resistive, undesirably lowering the dielectric constant as a filler for electronic materials.
実施形態の電子材料用フィラーは、主に電子部品の封止材、基板材料、伝熱材料等へ添加される。そのため、添加相手の樹脂等との混練時に粘度を上昇させると混練が円滑に進まない。また、ペースト状の混練物を吐出する際の負荷が大きく、塗工作業に支障が生じる。そのため、混練後の樹脂の粘度を上昇させすぎなくする必要がある。 The electronic material filler of this embodiment is primarily added to sealing materials for electronic components, substrate materials, heat transfer materials, etc. Therefore, if the viscosity is increased when kneading with the resin to which it is added, kneading will not proceed smoothly. Furthermore, the load placed on the kneaded paste when it is dispensed is large, which can interfere with the coating process. Therefore, it is necessary to avoid excessively increasing the viscosity of the resin after kneading.
そこで、電子材料用フィラーは、液状エポキシ樹脂との混練後の粘度が500Pa・s以下である。混練後の粘度が500Pa・sを上回る場合、粘度上昇に起因して対象物への塗工性が好ましくない。下限については、特段規定されないものの、粘度が100Pa・sを下回る場合、逆に流動性過剰となり、液垂れ等の原因となるためである。 Therefore, the viscosity of the filler for electronic materials after mixing with the liquid epoxy resin is 500 Pa·s or less. If the viscosity after mixing exceeds 500 Pa·s, the increased viscosity results in poor application to the target object. While there is no specific lower limit, if the viscosity is below 100 Pa·s, the liquid will become excessively fluid, which can lead to dripping and other problems.
具体的には、基材部がチタン酸ストロンチウムであるとき、当該電子材料用フィラー32.5gと液状エポキシ樹脂(1.9ないし2.6Pa・s)17.5gとは混合して混練される。若しくは、基材部がチタン酸カルシウムであるとき、当該電子材料用フィラー29.75gと液状エポキシ樹脂(1.9ないし2.6Pa・s)20.25gとは混合して混練される。そして、それぞれ80℃で1時間エージングして粘度測定用ワニスとして調製され、当該粘度測定用ワニスの25℃の粘度がE型粘度計により測定される。 Specifically, when the substrate is strontium titanate, 32.5 g of the electronic material filler is mixed and kneaded with 17.5 g of liquid epoxy resin (1.9 to 2.6 Pa·s). Alternatively, when the substrate is calcium titanate, 29.75 g of the electronic material filler is mixed and kneaded with 20.25 g of liquid epoxy resin (1.9 to 2.6 Pa·s). Each mixture is then aged at 80°C for one hour to prepare a viscosity measurement varnish, and the viscosity of the viscosity measurement varnish at 25°C is measured using an E-type viscometer.
実施形態の電子材料用フィラーについて、基材部を形成するチタン酸ストロンチウム及びチタン酸カルシウムは、酸の影響を受けてストロンチウム、カルシウムが遊離しやすい。そこで、基材部の表面に被覆部が形成されて内部が保護されるとともに、被覆部が塩基性に調製される。そうすると、電子材料用フィラーの保存時、または使用時に他の酸の影響から基材部は保護されやすくなる。 In the filler for electronic materials according to the embodiment, the strontium titanate and calcium titanate that form the substrate are susceptible to the effects of acid, resulting in the liberation of strontium and calcium. Therefore, a coating is formed on the surface of the substrate to protect the interior, and the coating is made basic. This makes it easier to protect the substrate from the effects of other acids during storage or use of the filler for electronic materials.
そこで、電子材料用フィラーの抽出水のpHは5~9.5の範囲、さらに好ましくは7~9.5の範囲であることが好ましい。弱酸性からアルカリ性である。抽出水のpH測定に際し、電子材料用フィラー3.5gに脱イオン水70mLが添加され、30分間振とうされる。遠心分離機により固液分離され、上澄み水がpH測定に供される。 Therefore, the pH of the water extracted from the filler for electronic materials is preferably in the range of 5 to 9.5, and more preferably in the range of 7 to 9.5. It ranges from weakly acidic to alkaline. To measure the pH of the extracted water, 70 mL of deionized water is added to 3.5 g of the filler for electronic materials and shaken for 30 minutes. Solid and liquid are separated using a centrifuge, and the supernatant water is used for pH measurement.
これまで説明してきた実施形態の電子材料用フィラーは、樹脂に添加されることによって電子材料用フィラー含有樹脂組成物に調製される。添加対象の樹脂は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレン、その他のオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂、フッ素樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂等、ポリフェニレンエーテル、ビスマレイミド等の熱硬化性樹脂が挙げられる。さらには、スチレンブタジエンゴム、イソプレンゴム等の弾性樹脂、シリコーン樹脂等への添加も可能である。例えば、電子部品のパッケージ用基板、層間絶縁フィルム等の樹脂基板を製造する場合には、樹脂としてエポキシ樹脂が用いられる。 The fillers for electronic materials in the embodiments described so far are added to resins to prepare filler-containing resin compositions for electronic materials. Examples of resins to which the fillers can be added include thermoplastic resins such as polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, polystyrene, other olefin resins, polyimide resins, and liquid crystal polymers, as well as thermosetting resins such as fluororesins, urea resins, and phenolic resins, polyphenylene ethers, and bismaleimides. The fillers can also be added to elastic resins such as styrene-butadiene rubber and isoprene rubber, and silicone resins. For example, epoxy resins are used as the resin when manufacturing resin substrates such as electronic component packaging substrates and interlayer insulating films.
樹脂組成物に用いるエポキシ樹脂として、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂等が挙げられる。樹脂組成物に配合される電子材料用フィラーの重量は、耐熱性、熱膨張率の観点から、多いことが好ましい。樹脂組成物の全体質量に対して、電子材料用フィラーは80質量%以上添加されることが望ましい。 Examples of epoxy resins used in the resin composition include bisphenol A epoxy resins, bisphenol F epoxy resins, biphenyl epoxy resins, phenol novolac epoxy resins, naphthalene epoxy resins, and phenoxy epoxy resins. From the standpoints of heat resistance and thermal expansion coefficient, it is preferable that the weight of the electronic material filler blended into the resin composition be large. It is desirable that the electronic material filler be added in an amount of 80% by mass or more of the total mass of the resin composition.
さらに、実施形態の電子材料用フィラーについては、当該電子材料用フィラーを分散し、水分を実質的に含有しない液体状の分散媒を有する電子材料用スラリーとして調製することができる。この分散媒としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、トルエン、N-メチルピロリドン、γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の溶媒が用いられる。分散媒についても、単体もしくは複数混合して使用することができる。また、適宜の分散剤を使用することも可能である。 Furthermore, the filler for electronic materials according to the embodiment can be dispersed in a liquid dispersion medium that is substantially free of water to prepare a slurry for electronic materials. Examples of the dispersion medium include methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate, ethyl acetate, toluene, N-methylpyrrolidone, γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether, and propylene glycol monomethyl ether acetate. The dispersion medium can be used alone or in combination. It is also possible to use an appropriate dispersant.
続いて、実施形態の電子材料用フィラーの製造方法を説明する。始めにチタン酸ストロンチウムまたはチタン酸カルシウムの粒状物が用意され、所定量秤量される。ここに、前述のシラン系カップリング剤またはチタン系カップリング剤が所定量秤量されて添加される。そこで、双方は十分に混和されて、チタン酸ストロンチウムまたはチタン酸カルシウムの粒状物からなる基材部の表面にカップリング剤が接触させられる(「接触工程」)。基材部に対するカップリング剤の割合は、重量換算で約0.03~3%の範囲である。 Next, a method for producing a filler for electronic materials according to an embodiment will be described. First, strontium titanate or calcium titanate granules are prepared and weighed out in a predetermined amount. A predetermined amount of the aforementioned silane-based coupling agent or titanium-based coupling agent is then weighed out and added. The two are then thoroughly mixed, and the coupling agent is brought into contact with the surface of the substrate made of strontium titanate or calcium titanate granules (the "contacting step"). The ratio of the coupling agent to the substrate is approximately 0.03 to 3% by weight.
基材部の表面にカップリング剤が接触することにより、カップリング剤自体相互の架橋、または基材部とカップリング剤との結合等の反応は常温下においても促進する。そこで、カップリング剤に由来する被覆部が基材部の表面に形成される。これに加えて、カップリング剤が接触した基材部が加熱される(「加熱工程」)。加熱工程が加えられることにより、カップリング剤の架橋、結合等の反応が促進する。ここで、加熱工程における加熱温度は200℃以下、好ましくは180℃以下である。200℃以上の加熱とすると、カップリング剤が熱分解するおそれがあるためである。さらに、接触工程と加熱工程の間に、酸化ケイ素等の前出のケイ素化合物が添加される(「ケイ素化合物添加工程」)。カップリング剤とともにケイ素化合物により被覆部が形成されることにより、被覆部の安定性が増す。 When the coupling agent comes into contact with the surface of the substrate, reactions such as crosslinking between the coupling agents themselves or bonding between the substrate and the coupling agent are promoted even at room temperature. A coating derived from the coupling agent is then formed on the surface of the substrate. In addition, the substrate that has come into contact with the coupling agent is heated (the "heating step"). The heating step promotes reactions such as crosslinking and bonding of the coupling agent. The heating temperature in the heating step is 200°C or less, preferably 180°C or less. Heating above 200°C may cause thermal decomposition of the coupling agent. Furthermore, between the contacting step and the heating step, the aforementioned silicon compound, such as silicon oxide, is added (the "silicon compound addition step"). The formation of a coating by the silicon compound along with the coupling agent increases the stability of the coating.
電子材料用フィラーについて試作例1ないし53として作製するとともに、各試作例の物性を評価した。以降、使用原料、作製方法、測定及び評価方法の順に説明する。 Fillers for electronic materials were produced as prototypes 1 to 53, and the physical properties of each prototype were evaluated. Below, we will explain the raw materials used, production methods, and measurement and evaluation methods in that order.
[使用原材料]
基材部として、チタン酸ストロンチウム(富士チタン工業株式会社製、体積平均粒径:1.5μm)、チタン酸ストロンチウム(堺化学工業株式会社製、体積平均粒径:0.3μm)、チタン酸カルシウム(富士チタン工業株式会社製、体積平均粒径:1.5μm)、チタン酸カルシウム(堺化学工業株式会社製、体積平均粒径:0.3μm)を使用した。また、酸化ケイ素(株式会社アドマテックス製、酸化けい素:平均粒径:10nm)を使用した。
[Raw materials used]
The substrates used were strontium titanate (manufactured by Fuji Titanium Industry Co., Ltd., volume average particle size: 1.5 μm), strontium titanate (manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., volume average particle size: 0.3 μm), calcium titanate (manufactured by Fuji Titanium Industry Co., Ltd., volume average particle size: 1.5 μm), and calcium titanate (manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., volume average particle size: 0.3 μm). Also, silicon oxide (manufactured by Admatechs Co., Ltd., silicon oxide: average particle size: 10 nm) was used.
カップリング剤のうち、シラン系カップリング剤として、信越化学工業株式会社製:KBM-573(N-フェニル-3-アミノプロピルメトキシシラン)(後出の表中、「カップリング剤A」とする。)、信越化学工業株式会社製:KBM-1003(ビニルトリメトキシシラン)(後出の表中、「カップリング剤B」とする。)、信越化学工業株式会社製:KBM-1083(オクテニルトリメトキシシラン)(後出の表中、「カップリング剤C」とする。)、信越化学工業株式会社製:KBM-3063(ヘキシルトリメトキシシラン)(後出の表中、「カップリング剤D」とする。)を使用した。
チタン系カップリング剤として、味の素ファインテクノ株式会社製:KR-TTS(後出の表中、「カップリング剤E」とする。)を使用した。
アルミネート系カップリング剤として、味の素ファインテクノ株式会社製:AL-M(後出の表中、「カップリング剤F」とする。)を使用した。
Of the coupling agents, the following silane coupling agents were used: KBM-573 (N-phenyl-3-aminopropylmethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (referred to as "coupling agent A" in the tables below); KBM-1003 (vinyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (referred to as "coupling agent B" in the tables below); KBM-1083 (octenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (referred to as "coupling agent C" in the tables below); and KBM-3063 (hexyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (referred to as "coupling agent D" in the tables below).
As the titanium-based coupling agent, KR-TTS manufactured by Ajinomoto Fine-Techno Co., Ltd. (referred to as "coupling agent E" in the table below) was used.
As the aluminate-based coupling agent, AL-M manufactured by Ajinomoto Fine-Techno Co., Ltd. (referred to as "coupling agent F" in the table below) was used.
試作例中のキャッピング処理には、信越化学工業株式会社製:SZ-31(ヘキサメチルジシラザン)を使用した。
粘度測定に供した液状エポキシ樹脂として、東都化成株式会社製:ZX-1059を使用した。
For the capping treatment in the prototype, SZ-31 (hexamethyldisilazane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. was used.
The liquid epoxy resin used in the viscosity measurement was ZX-1059 manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.
[電子材料用フィラーの作製]
・試作例1
試作例1は、チタン酸ストロンチウム(体積平均粒径:1.5μm)の基材部のみとした。
[Preparation of filler for electronic materials]
・Prototype example 1
Prototype 1 consisted only of a substrate made of strontium titanate (volume average particle size: 1.5 μm).
・試作例2ないし11
チタン酸ストロンチウム(体積平均粒径:1.5μm)を基材部とし、当該基材部の重量に対して後出の表中のカップリング剤Aの重量を変化させながら添加し混合した。
・Prototype examples 2 to 11
Strontium titanate (volume average particle size: 1.5 μm) was used as the base material, and coupling agent A in the table below was added and mixed while varying the weight relative to the weight of the base material.
・試作例12
試作例9と同様の配合とし、180℃、2時間の加熱を加えた。
・Prototype example 12
The same composition as in Prototype Example 9 was used, and the mixture was heated at 180°C for 2 hours.
・試作例13,14
試作例13は、チタン酸ストロンチウム(体積平均粒径:1.5μm)を基材部とし、当該基材部の重量に対して後出の表中のカップリング剤Bを添加し混合した。
試作例14は、試作例13を調製後、ヘキサメチルジシラザンを添加した。
・Prototype examples 13 and 14
In prototype 13, strontium titanate (volume average particle size: 1.5 μm) was used as the base material, and coupling agent B in the table below was added and mixed based on the weight of the base material.
For Sample 14, Sample 13 was prepared, and then hexamethyldisilazane was added.
・試作例15ないし19
チタン酸ストロンチウム(体積平均粒径:1.5μm)を基材部とし、当該基材部の重量に対して後出の表中のカップリング剤Cの重量を変化させながら添加し混合した。
・Prototype examples 15 to 19
Strontium titanate (volume average particle size: 1.5 μm) was used as the base material, and coupling agent C in the table below was added and mixed while varying the weight relative to the weight of the base material.
・試作例20ないし25
チタン酸ストロンチウム(体積平均粒径:1.5μm)を基材部とし、当該基材部の重量に対して後出の表中のカップリング剤Cの重量を変化させながら添加し混合した。添加後、180℃、2時間の加熱を加えた。
・Prototype examples 20 to 25
Strontium titanate (volume average particle size: 1.5 μm) was used as the base material, and coupling agent C in the table below was added and mixed while changing the weight relative to the weight of the base material. After addition, the mixture was heated at 180° C. for 2 hours.
・試作例26
試作例26は、チタン酸ストロンチウム(体積平均粒径:0.3μm)の基材部のみとした。
・Prototype example 26
Prototype 26 consisted of only a substrate portion made of strontium titanate (volume average particle size: 0.3 μm).
・試作例27ないし29
チタン酸ストロンチウム(体積平均粒径:0.3μm)を基材部とし、当該基材部の重量に対して後出の表中のカップリング剤Aの重量を変化させながら添加し混合した。
・Prototype examples 27 to 29
Strontium titanate (volume average particle size: 0.3 μm) was used as the base material, and coupling agent A in the table below was added and mixed while varying the weight relative to the weight of the base material.
・試作例30
試作例30は、チタン酸カルシウム(体積平均粒径:1.5μm)の基材部のみとした。
・Prototype example 30
Prototype 30 had only a substrate portion made of calcium titanate (volume average particle size: 1.5 μm).
・試作例31ないし36
チタン酸カルシウム(体積平均粒径:1.5μm)を基材部とし、当該基材部の重量に対して後出の表中のカップリング剤Cの重量を変化させながら添加し混合した。添加後、180℃、2時間の加熱を加えた。
・Prototype examples 31 to 36
Calcium titanate (volume average particle size: 1.5 μm) was used as the base material, and coupling agent C in the table below was added and mixed while changing the weight relative to the weight of the base material. After addition, the mixture was heated at 180° C. for 2 hours.
・試作例37ないし41
チタン酸ストロンチウム(体積平均粒径:1.5μm)を基材部とし、当該基材部の重量に対して後出の表中のカップリング剤Aとともに酸化ケイ素も重量を変化させながら添加し混合した。
・Prototype examples 37 to 41
Strontium titanate (volume average particle size: 1.5 μm) was used as the base material, and silicon oxide was added and mixed together with coupling agent A in the table below while varying the weight relative to the weight of the base material.
・試作例42ないし46
チタン酸ストロンチウム(体積平均粒径:1.5μm)を基材部とし、当該基材部の重量に対して後出の表中のカップリング剤Bとともに酸化ケイ素も重量を変化させながら添加し混合した。
・Prototype examples 42 to 46
Strontium titanate (volume average particle size: 1.5 μm) was used as the base material, and silicon oxide was added and mixed together with coupling agent B in the table below while varying the weight relative to the weight of the base material.
・試作例47ないし50
チタン酸ストロンチウム(体積平均粒径:1.5μm)を基材部とし、当該基材部の重量に対して後出の表中のカップリング剤Bとともに酸化ケイ素の重量を変化させながら添加し混合した。添加後、180℃、2時間の加熱を加えた。
・Prototype examples 47 to 50
Strontium titanate (volume average particle size: 1.5 μm) was used as the base material, and silicon oxide was added to the base material along with coupling agent B in the table below while varying the weight of the silicon oxide. After addition, the mixture was heated at 180° C. for 2 hours.
・試作例51ないし53
チタン酸ストロンチウム(体積平均粒径:1.5μm)を基材部とし、当該基材部の重量に対して後出の表中のカップリング剤C(試作例51)、カップリング剤D(試作例52)、カップリング剤F(試作例53)を添加し混合した。添加後、180℃、2時間の加熱を加えた。
・Prototype examples 51 to 53
Strontium titanate (volume average particle size: 1.5 μm) was used as the base material, and coupling agent C (Prototype Example 51), coupling agent D (Prototype Example 52), and coupling agent F (Prototype Example 53) shown in the table below were added to the base material by weight and mixed. After addition, the mixture was heated at 180° C. for 2 hours.
[測定及び評価方法]
・誘電正接
各試作例の誘電正接の測定はJIS C 2138(2007)に準拠した。具体的には、キーサイト社製:ネットワークアナライザー(製品名「E5071C」)と空洞共振器摂動法を用い、1GHzにおける比誘電率、誘電正接を測定した。この測定はASTM D2520(JIS C 2565(1992))に準拠して行った。
[Measurement and evaluation methods]
The dielectric loss tangent of each prototype was measured in accordance with JIS C 2138 (2007). Specifically, the relative permittivity and dielectric loss tangent at 1 GHz were measured using a Keysight Network Analyzer (product name "E5071C") and a cavity resonator perturbation method. This measurement was performed in accordance with ASTM D2520 (JIS C 2565 (1992)).
・化学結合表面処理剤由来のカーボン量(炭素量)測定
各試作例を5g秤量し、メチルエチルケトン35gを混合後、振とう機を用いて振とうし、10分処静した。遠心分離機を用いて固液分離後、上澄み液を廃棄した。沈降物5gにメチルエチルケトン35gを混合後、振とう機を用いて振とうし、10分処静した。遠心分離機を用いて固液分離後、上澄み液を廃棄して沈降物を得た。沈降物を乾燥し、炭素量測定用サンプルを得た。当該サンプルが洗浄後となる。洗浄前はメチルエチルケトンの添加を行わず、そのまま測定に供した。
Measurement of carbon amount (carbon content) derived from chemically bonded surface treatment agent 5 g of each prototype was weighed out and mixed with 35 g of methyl ethyl ketone, then shaken using a shaker and allowed to settle for 10 minutes. After solid-liquid separation using a centrifuge, the supernatant was discarded. 5 g of the sediment was mixed with 35 g of methyl ethyl ketone, then shaken using a shaker and allowed to settle for 10 minutes. After solid-liquid separation using a centrifuge, the supernatant was discarded to obtain a sediment. The sediment was dried to obtain a sample for carbon content measurement. This sample was used as the washed sample. Before washing, no methyl ethyl ketone was added and the sample was used for measurement as is.
測定に際し、LECO社:炭素/硫黄同時分析計(製品名「CS-444LS型」)、炭素標準試料にJSS061-8を用い、炭素量を測定した。洗浄前及び洗浄後の炭素量から、比Rwを算出した。 The carbon content was measured using a LECO carbon/sulfur simultaneous analyzer (product name "CS-444LS Model") and a carbon standard sample of JSS061-8. The ratio Rw was calculated from the carbon content before and after cleaning.
・BET比表面積測定
各試作例を1.0g秤量し、測定用のセルに投入、前処理後、BET比表面積値を測定した。測定機は「Macsorb HMmodel-1208」(MACSORB社製)を使用した。前処理は次の条件とした。
脱気温度 :200℃
脱気時間 :30分
冷却時間 :4分
Measurement of BET specific surface area: 1.0 g of each prototype was weighed out and placed in a measurement cell. After pretreatment, the BET specific surface area was measured. The measuring machine used was "Macsorb HMmodel-1208" (manufactured by MACSORB). The pretreatment was carried out under the following conditions:
Degassing temperature: 200°C
Degassing time: 30 minutes Cooling time: 4 minutes
・粘度測定
試作例の基材部がチタン酸ストロンチウムであるときには、試作例32.5gと液状エポキシ樹脂(1900ないし2600mPa・s)17.5gとを混合して混練した。試作例の基材部がチタン酸カルシウムであるときには、試作例29.75gと前出の液状エポキシ樹脂20.25gとを混合して混練した。
Viscosity Measurement When the base material of the prototype was strontium titanate, 32.5 g of the prototype was mixed with 17.5 g of liquid epoxy resin (1900 to 2600 mPa s) and kneaded. When the base material of the prototype was calcium titanate, 29.75 g of the prototype was mixed with 20.25 g of the liquid epoxy resin.
混練後の混合物をそれぞれ80℃で1時間エージングして粘度測定用ワニスとして調製し、当該粘度測定用ワニスの25℃の粘度をE型粘度計により測定した。 After mixing, each mixture was aged at 80°C for 1 hour to prepare a varnish for viscosity measurement, and the viscosity of this varnish for viscosity measurement at 25°C was measured using an E-type viscometer.
・pH測定
各試作例3.5gを秤量しプラスチック製容器に入れ、70mlの脱イオン水を注入し、振とう機により30分間振とうした。遠心分離機により固液分離して上澄みの水を分取してpHを測定した。
pH Measurement: 3.5 g of each sample was weighed and placed in a plastic container, 70 ml of deionized water was poured into it, and the container was shaken for 30 minutes using a shaker. After solid-liquid separation using a centrifuge, the supernatant water was collected and the pH was measured.
・総合評価
試作例についての総合評価は、各測定項目の測定結果に基づいて、最良の「A」から順に、「B」、「C」、及び「D」の4段階とした。
評価「A」:誘電正接は0.02以下である。比Rwは0.4~1.0である。比表面積当たりの化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量より算出される表面処理剤化学結合量(反応量)は2.0μmol/m
2 以上である。粘度は500Pa・s以下である。抽出水のpHは9.5以下である。
評価「B」:誘電正接は0.04以下である。比Rwは0.2~1.0である。比表面積当たりの化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量より算出される表面処理剤化学結合量(反応量)は2.0μmol/m
2 以上である。粘度は500Pa・s以下である。抽出水のpHは9.5以下である。
評価「C」:誘電正接は0.02以下である。比Rwは0.1~1.0である。比表面積当たりの化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量より算出される表面処理剤化学結合量(反応量)は2.0μmol/m
2 以上である。粘度は500Pa・s以下である。抽出水のpHは9.5以下である。
評価「D」:評価A、B、及びCに該当しない試作例とする。
Overall Evaluation The overall evaluation of the prototypes was based on the measurement results of each measurement item and was rated on a four-level scale, from the best "A" to "B,""C," and "D."
Evaluation "A": The dielectric loss tangent is 0.02 or less. The ratio Rw is 0.4 to 1.0. The chemically bonded amount (reaction amount) of the surface treatment agent calculated from the amount of carbon derived from the chemically bonded surface treatment agent per specific surface area after cleaning is 2.0 μmol/ m2 or more . The viscosity is 500 Pa s or less. The pH of the extracted water is 9.5 or less.
Rating "B": The dielectric loss tangent is 0.04 or less. The ratio Rw is 0.2 to 1.0. The chemically bonded amount (reaction amount) of the surface treatment agent calculated from the amount of carbon derived from the chemically bonded surface treatment agent per specific surface area after cleaning is 2.0 μmol/ m2 or more . The viscosity is 500 Pa·s or less. The pH of the extracted water is 9.5 or less.
Rating "C": The dielectric loss tangent is 0.02 or less. The ratio Rw is 0.1 to 1.0. The chemically bonded amount (reaction amount) of the surface treatment agent calculated from the amount of carbon derived from the chemically bonded surface treatment agent per specific surface area after cleaning is 2.0 μmol/ m2 or more . The viscosity is 500 Pa·s or less. The pH of the extracted water is 9.5 or less.
Evaluation "D": A prototype that does not fall under evaluations A, B, or C.
評価「A」の試作例は最良の結果を示し、電子材料用フィラーとして最も好ましい。
評価「B」の試作例は良好な結果を示し、評価「A」に次いで電子材料用フィラーとして好ましい。
評価「C」の試作例は電子材料用フィラーとして使用可能な例である。
評価「D」の試作例は電子材料用フィラーとして好ましくない。
The prototypes rated "A" showed the best results and are most preferable as fillers for electronic materials.
The prototypes rated "B" showed good results and were next to those rated "A" as fillers for electronic materials.
The prototypes rated "C" are examples that can be used as fillers for electronic materials.
Samples rated "D" are not suitable as fillers for electronic materials.
[結果]
試作例1ないし53について、表1ないし5のとおり、個々の原料、配合とともに測定結果、総合評価を示す。併せて、電子顕微鏡(SEM)による観察写真を提示する。図1は試作例6の20000倍拡大の写真である。図2は試作例1の20000倍拡大の写真である。
[result]
For Prototype Examples 1 to 53, the individual raw materials and compositions are shown along with the measurement results and overall evaluation as shown in Tables 1 to 5. Also shown are photographs taken with an electron microscope (SEM). Figure 1 is a 20,000x magnified photograph of Prototype Example 6. Figure 2 is a 20,000x magnified photograph of Prototype Example 1.
[考察]
図1と図2の写真同士の比較から、カップリング剤による被覆部形成を確認することができた。
[Consideration]
By comparing the photographs of FIG. 1 and FIG. 2, it was possible to confirm the formation of a coating portion by the coupling agent.
試作例1、26、30はカップリング剤を有さない例である。粘度上昇、pHの物性が悪化して好ましくない。そこで、カップリング剤は必須であると言える。加熱については任意ではあるものの、試作例12、20ないし25、31ないし36のとおり、基材部の表面の反応が進むと考えられるため、加熱を加えることが好ましい。被覆部へのケイ素化合物の配合については任意ではあるものの、試作例37ないし50のとおり、被覆部の保護作用が高まるため、ケイ素化合物を配合することが好ましい。 Prototypes 1, 26, and 30 are examples that do not contain a coupling agent. This is undesirable as it increases viscosity and worsens pH properties. Therefore, it can be said that a coupling agent is essential. While heating is optional, it is preferable to apply heat, as shown in prototypes 12, 20 to 25, and 31 to 36, as it is believed that this promotes reaction on the surface of the base material. While incorporating a silicon compound into the coating is optional, it is preferable to incorporate a silicon compound, as shown in prototypes 37 to 50, as this enhances the protective effect of the coating.
試作例2ないし12はカップリング剤の量を変化させた例である。カップリング剤が少量側の試作例2,3,4では粘度が高まる。また、カップリング剤が多量側の8ないし11では誘電正接が悪化する。試作例9と12の比較から、加熱処理による改善が認められる。試作例13と14の比較から、キャッピング処理により誘電正接の低下が確認できた。 Prototypes 2 to 12 are examples in which the amount of coupling agent was varied. Prototypes 2, 3, and 4, which contain small amounts of coupling agent, show increased viscosity. Furthermore, samples 8 to 11, which contain large amounts of coupling agent, show a deterioration in dielectric tangent. A comparison of prototypes 9 and 12 shows improvement due to heat treatment. A comparison of prototypes 13 and 14 confirms that capping treatment reduces the dielectric tangent.
試作例15ないし25はカップリング剤の種類を変更した例であり、添加量の関係は試作例2ないし12と同様の傾向にある。また、加熱処理による洗浄前及び洗浄後の化学結合表面処理剤由来のカーボン量(炭素量)の比においても改善が確認できた。 Prototypes 15 to 25 are examples in which the type of coupling agent was changed, and the relationship between the amount added shows similar trends to those of prototypes 2 to 12. Furthermore, an improvement was also confirmed in the ratio of the amount of carbon (carbon content) derived from the chemically bonded surface treatment agent before and after cleaning by heat treatment.
試作例27ないし29は基材部の粒径を小さく変更した例である。当該粒径においても良好な結果を得ることができた。 Prototypes 27 to 29 are examples in which the particle size of the substrate was reduced. Even with these particle sizes, good results were obtained.
試作例31ないし36は基材部をチタン酸カルシウムに変更した例であり、添加量の関係は試作例2ないし12と同様の傾向にある。また、加熱処理による洗浄前及び洗浄後の化学結合表面処理剤由来のカーボン量(炭素量)の比においても改善が確認できた。 In prototypes 31 to 36, the base material was changed to calcium titanate, and the relationship between the additive amounts showed similar trends to prototypes 2 to 12. Furthermore, an improvement was also confirmed in the ratio of the amount of carbon derived from the chemically bonded surface treatment agent before and after cleaning by heat treatment.
試作例37ないし50は、被覆部にケイ素化合物として酸化ケイ素を含有する例である。洗浄前及び洗浄後の化学結合表面処理剤由来のカーボン量(炭素量)の比、誘電正接、粘度において良好な性質が確認できた。 Prototypes 37 to 50 are examples in which the coating contains silicon oxide as a silicon compound. Good properties were confirmed in the ratio of carbon content (carbon amount) derived from the chemically bonded surface treatment agent, dielectric tangent, and viscosity before and after cleaning.
試作例51ないし53は、カップリング剤の種類を変更した例である。当該試作例のとおり、長鎖のシラン系カップリング剤及びアルミネート系カップリング剤を使用しても洗浄前及び洗浄後の化学結合表面処理剤由来のカーボン量(炭素量)の比、誘電正接において良好な性質が確認できた。 Prototypes 51 to 53 are examples in which the type of coupling agent was changed. As shown in these prototypes, even when a long-chain silane-based coupling agent and an aluminate-based coupling agent were used, favorable properties were confirmed in the ratio of carbon content (carbon amount) derived from the chemically bonded surface treatment agent before and after cleaning, as well as the dielectric tangent.
Claims (10)
前記基材部の表面に存在する、シラン系カップリング剤、またはアルミネート系カップリング剤であるカップリング剤により形成される被覆部と、を備える電子材料用フィラーであって、
前記電子材料用フィラーは、次の化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量測定(I)において、式(i)により示される化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量(C2(%))/洗浄前表面処理剤由来のカーボン量(C1(%))の比(Rw)が0.2~1.0の範囲を満たし、
前記電子材料用フィラーは、JIS C 2138(2007)に準拠する1GHzにおける誘電正接が0.02以下であり、
前記電子材料用フィラーのBET法の測定による比表面積(Fs(m 2 ))当たりの前記化学結合表面処理剤由来の洗浄後カーボン量より算出される表面処理剤化学結合量(反応量)は、1~9μmol/m 2 の範囲を満たし、
前記電子材料用フィラーの抽出水のpHは5~9.5の範囲である
ことを特徴とする電子材料用フィラー。
前記電子材料用フィラーの抽出水のpHは、前記電子材料用フィラー3.5gに脱イオン水70mLを添加して30分間振とうし、遠心分離機により固液分離した上澄み水のpHである。 a substrate portion containing strontium titanate or calcium titanate as a main component;
a coating portion formed on a surface of the base material by a coupling agent that is a silane-based coupling agent or an aluminate-based coupling agent ,
In the filler for electronic materials, in the following measurement (I) of the amount of carbon derived from a chemically bonded surface treatment agent after cleaning, the ratio (Rw) of the amount of carbon derived from a chemically bonded surface treatment agent after cleaning (C2(%))/the amount of carbon derived from a surface treatment agent before cleaning (C1(%)) represented by formula (i) satisfies the range of 0.2 to 1.0,
the filler for electronic materials has a dielectric loss tangent at 1 GHz in accordance with JIS C 2138 (2007) of 0.02 or less;
the chemically bonded amount (reaction amount) of the surface treatment agent calculated from the amount of carbon after cleaning derived from the chemically bonded surface treatment agent per specific surface area (Fs (m 2 )) of the filler for electronic materials measured by the BET method satisfies the range of 1 to 9 μmol/m 2 ;
The pH of the water extracted with the filler for electronic materials is in the range of 5 to 9.5.
A filler for electronic materials characterized by:
The pH of the water extracted with the filler for electronic materials is the pH of the supernatant water obtained by adding 70 mL of deionized water to 3.5 g of the filler for electronic materials, shaking the mixture for 30 minutes, and separating the solid and liquid using a centrifuge.
粘度測定(II):前記基材部の主成分がチタン酸ストロンチウムであるときには、前記電子材料用フィラー32.5gと液状エポキシ樹脂(1900ないし2600mPa・s)17.5gとを混合して混練し、若しくは、前記基材部の主成分がチタン酸カルシウムであるときには、前記電子材料用フィラー29.75gと液状エポキシ樹脂(1900ないし2600mPa・s)20.25gとを混合して混練し、それぞれ80℃で1時間エージングして粘度測定用ワニスとして調製し、当該粘度測定用ワニスの25℃の粘度をE型粘度計で測定する。 3. The filler for electronic materials according to claim 1 , wherein the filler for electronic materials has a viscosity of 500 Pa·s or less after being kneaded with a liquid epoxy resin in the following viscosity measurement (II).
Viscosity measurement (II): When the main component of the substrate is strontium titanate, 32.5 g of the filler for electronic materials is mixed and kneaded with 17.5 g of a liquid epoxy resin (1900 to 2600 mPa s), or when the main component of the substrate is calcium titanate, 29.75 g of the filler for electronic materials is mixed and kneaded with 20.25 g of a liquid epoxy resin (1900 to 2600 mPa s), and each is aged at 80°C for 1 hour to prepare a varnish for viscosity measurement, and the viscosity of the varnish for viscosity measurement at 25°C is measured using an E-type viscometer.
チタン酸ストロンチウムまたはチタン酸カルシウムを主成分とする前記基材部の表面にカップリング剤を接触させる接触工程と、
カップリング剤が接触した前記基材部を加熱する加熱工程と、を備える
ことを特徴とする電子材料用フィラーの製造方法。 A method for producing the filler for electronic materials according to any one of claims 1 to 4 , comprising:
a contacting step of contacting a coupling agent with the surface of the substrate mainly composed of strontium titanate or calcium titanate;
a heating step of heating the substrate portion in contact with the coupling agent.
前記シラン系カップリング剤と異なるケイ素化合物としての酸化ケイ素を添加するケイ素化合物添加工程が含まれる請求項5ないし7のいずれか1項に記載の電子材料用フィラーの製造方法。 Between the contacting step and the heating step,
The method for producing a filler for electronic materials according to claim 5 , further comprising a silicon compound adding step of adding silicon oxide as a silicon compound different from the silane coupling agent .
前記電子材料用フィラーを分散し、水分を実質的に含有しない液体状の分散媒と、
を有することを特徴とする電子材料用スラリー。 The filler for electronic materials according to any one of claims 1 to 4 ,
a liquid dispersion medium in which the filler for electronic materials is dispersed and which does not substantially contain water;
A slurry for electronic materials, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021060004A JP7734503B2 (en) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | Filler for electronic materials, method for producing filler for electronic materials, filler-containing resin composition for electronic materials, and slurry for electronic materials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021060004A JP7734503B2 (en) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | Filler for electronic materials, method for producing filler for electronic materials, filler-containing resin composition for electronic materials, and slurry for electronic materials |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022156362A JP2022156362A (en) | 2022-10-14 |
| JP7734503B2 true JP7734503B2 (en) | 2025-09-05 |
Family
ID=83558484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021060004A Active JP7734503B2 (en) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | Filler for electronic materials, method for producing filler for electronic materials, filler-containing resin composition for electronic materials, and slurry for electronic materials |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7734503B2 (en) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008019382A (en) | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Omron Corp | Resin composition for electronic parts and electronic parts |
| JP2008201853A (en) | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Hoya Corp | Method for producing titanium oxide particle-containing nonaqueous dispersion |
| JP2008291214A (en) | 2007-04-25 | 2008-12-04 | Hitachi Chem Co Ltd | Method for producing resin varnish containing thermosetting resin of semi-ipn-type compound material, resin varnish for printed wiring board, prepreg, and metal-clad laminated board |
| JP2008291227A (en) | 2007-04-26 | 2008-12-04 | Hitachi Chem Co Ltd | Method for producing resin varnish containing semi-ipn composite thermosetting resin, as well as resin varnish for printed wiring board, prepreg, and metal-clad laminate using the same |
| JP2011074164A (en) | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Nippon Zeon Co Ltd | Polymerizable composition, resin molding, and laminate |
| JP2011236316A (en) | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Thermosetting resin composition for printed wiring board and varnish using the same, prepreg using the varnish, and metal-clad laminate using the prepreg |
| WO2019123916A1 (en) | 2017-12-20 | 2019-06-27 | 日本化学工業株式会社 | Modified perovskite complex oxide, method for producing same and composite dielectric material |
| JP2021016006A (en) | 2020-11-18 | 2021-02-12 | 味の素株式会社 | Circuit board and method for manufacturing the same |
-
2021
- 2021-03-31 JP JP2021060004A patent/JP7734503B2/en active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008019382A (en) | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Omron Corp | Resin composition for electronic parts and electronic parts |
| JP2008201853A (en) | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Hoya Corp | Method for producing titanium oxide particle-containing nonaqueous dispersion |
| JP2008291214A (en) | 2007-04-25 | 2008-12-04 | Hitachi Chem Co Ltd | Method for producing resin varnish containing thermosetting resin of semi-ipn-type compound material, resin varnish for printed wiring board, prepreg, and metal-clad laminated board |
| JP2008291227A (en) | 2007-04-26 | 2008-12-04 | Hitachi Chem Co Ltd | Method for producing resin varnish containing semi-ipn composite thermosetting resin, as well as resin varnish for printed wiring board, prepreg, and metal-clad laminate using the same |
| JP2011074164A (en) | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Nippon Zeon Co Ltd | Polymerizable composition, resin molding, and laminate |
| JP2011236316A (en) | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Thermosetting resin composition for printed wiring board and varnish using the same, prepreg using the varnish, and metal-clad laminate using the prepreg |
| WO2019123916A1 (en) | 2017-12-20 | 2019-06-27 | 日本化学工業株式会社 | Modified perovskite complex oxide, method for producing same and composite dielectric material |
| JP2021016006A (en) | 2020-11-18 | 2021-02-12 | 味の素株式会社 | Circuit board and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2022156362A (en) | 2022-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11401423B2 (en) | Surface treated-metal oxide particle material, method for producing same, resin composition for electronic material, and filler for silicone resin material | |
| CN109906672B (en) | High dielectric loss composite materials for electromagnetic interference (EMI) applications | |
| CN110573562B (en) | Filler for resin composition, filler-containing slurry composition, filler-containing resin composition, and method for producing filler for resin composition | |
| JP6066865B2 (en) | High dielectric constant epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JP6441525B2 (en) | Filler for resin composition, slurry composition containing filler, and resin composition containing filler | |
| EP3308614B1 (en) | High frequency electromagnetic interference (emi) composites | |
| JP7171829B2 (en) | Aluminum nitride filler | |
| JP7481214B2 (en) | Magnesium oxide powder, filler composition, resin composition, and heat dissipation part | |
| CN1217972C (en) | Epoxy resin composition for semi-conductor packaging and semi-conductor device using the composition | |
| JP2022546342A (en) | Thermally conductive filler and its preparation method | |
| JP7123525B2 (en) | Heat-dissipating filler, heat-dissipating resin composition containing the same, and method for producing heat-dissipating filler | |
| JP7734503B2 (en) | Filler for electronic materials, method for producing filler for electronic materials, filler-containing resin composition for electronic materials, and slurry for electronic materials | |
| CN118638461B (en) | Epoxy resin composite material and preparation method and composition thereof | |
| CN115989283A (en) | Amorphous silica powder and resin composition containing same | |
| KR20250099683A (en) | Alkali-resistant spherical silicon dioxide slurry for package substrate and its manufacturing method | |
| TWI803025B (en) | Resin material and metal substrate | |
| JP6557443B1 (en) | Filler for resin composition, slurry composition containing filler, filler-containing resin composition, and method for producing filler for resin composition | |
| JP7751684B2 (en) | Metal oxide-coated hexagonal boron nitride particles, powder containing the particles, resin composition containing the particles, resin sheet, metal wiring substrate, and method for producing the particles | |
| JP7854113B2 (en) | Surface-treated aluminum nitride powder | |
| WO2026074919A1 (en) | Surface-treated silica powder, package, and storage method | |
| CN116515242A (en) | A kind of high dielectric constant powdery epoxy molding compound and preparation method thereof | |
| JP2026064519A (en) | Surface-treated silica powder, method for producing surface-treated silica powder | |
| WO2026079285A1 (en) | Insulating composition | |
| JPH0366744A (en) | Epoxy resin composition | |
| JP2015193492A (en) | High density alumina and manufacturing method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231227 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20241002 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20241105 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20241224 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20250401 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20250529 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20250729 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20250826 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7734503 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |