JP7739964B2 - 電子構造体及び電子回路の製造方法 - Google Patents
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Description
また本発明の電子構造体においては、第1の面を有する基板と、電子機能を有する機能素子と該機能素子を保護する保護部材とを有し、第1の面側に第2の面が形成された機能ユニットと、第1の面と接触する位置に設けられ、機能ユニットの第2の面と接触する第3の面を有し、該第3の面の面積が第2の面の面積よりも小さい支持層と、保護部材の一部であり第2の面の一部を形成するベース膜とを有し、機能ユニットの保護部材のうち少なくとも第2の面を形成する部分、及び支持層のうち少なくとも第3の面を形成する部分は、何れか一方が有機材料を主要成分とし、他方が無機材料を主要成分とし、機能素子は、ベース膜における第2の面と反対側の面上に設けられているようにした。
さらに本発明の電子回路の製造方法においては、第1の面を有する基板上に形成された支持層及び機能ユニットを有する電子構造体において、機能ユニットに対し基板から遠ざかる方向へ力を加えて当該機能ユニットを支持層から剥離するステップを有し、機能ユニットは、電子機能を有する機能部と該機能部を保護する保護部材とを有し、第1の面側に第2の面が形成され、支持層は、第1の面と接触する位置に設けられ、機能ユニットの第2の面と接触する第3の面を有し、該第3の面の面積が第2の面の面積よりも小さく、機能ユニットの保護部材のうち少なくとも第2の面を形成する部分、及び支持層のうち少なくとも第3の面を形成する部分は、何れか一方が有機材料を主要成分とし、他方が無機材料を主要成分とするようにした。
[1-1.電子構造体及び複合フィルムの構成]
図1(A)は、第1の実施の形態による電子構造体1及び複合フィルム2の構成を示す模式的な平面図である。図1(B)は、図1(A)のA1-A2断面を示す模式的な断面図である。電子構造体1は、形成基板10上に支持層11が設けられ、その上側に複合フィルム2が貼り付けられた構成となっている。
次に、図2、図3及び図4を参照しながら、電子構造体1の製造並びに複合フィルム2の剥離及び実装について説明する。図2は、電子構造体1の製造並びに複合フィルム2の剥離及び実装に関わる製造剥離実装処理手順を示すフローチャートである。図3及び図4は、電子構造体1及び複合フィルム2の各工程を段階的に示す模式的な断面図である。またここでは、Z方向側を「上」とも表記し、-Z方向側を「下」とも表記する。
以上の構成において、第1の実施の形態による電子構造体1は、下側に積層された形成基板10及び支持層11を無機材料で構成する一方、上側に積層された複合フィルム2のベース膜12及びカバー層17を有機材料で構成した。また電子構造体1は、支持層11の外形をベース膜12の外形よりもひとまわり小さく形成した(図1)。
[2-1.電子構造体及び複合フィルムの構成]
図1(A)と対応する図5(A)は、第2の実施の形態による電子構造体201及び複合フィルム202の構成を示す模式的な平面図である。図1(B)と対応する図5(B)は、図5(A)のB1-B2断面を示す模式的な断面図である。この第2の実施の形態では、第1の実施の形態と同様にX方向、Y方向及びZ方向をそれぞれ定義する。
次に、図2、図3及び図4とそれぞれ対応する図6、図7及び図8を参照しながら、電子構造体201の製造並びに複合フィルム202の剥離及び実装について説明する。図6は、電子構造体201の製造並びに複合フィルム202の剥離及び実装に関わる製造剥離実装処理手順を示すフローチャートである。図7及び図8は、電子構造体201及び複合フィルム202の製造工程を段階的に示す模式的な断面図である。またここでは、第1の実施の形態と同様、Z方向側を「上」とも表記し、-Z方向側を「下」とも表記する。
以上の構成において、第2の実施の形態による電子構造体201は、下側に積層された形成基板210及び支持層211を無機材料で構成する一方、上側に積層された複合フィルム202のカバー層217を有機材料で構成した。また電子構造体1は、支持層211の外形をカバー層217の外形よりもひとまわり小さく形成した(図5)。
図9(A)は、第3の実施の形態による電子構造体301の構成を示す模式的な平面図である。図9(B)は、図9(A)のC1-C2断面を示す模式的な断面図である。電子構造体301は、形成基板310上に複数の支持層311が設けられ、その上側に複数の複合フィルム302がそれぞれ貼り付いた構成となっている。
なお上述した第1の実施の形態においては、形成基板10として、ケイ素(Si)により構成されたシリコン基板、ガラス基板、或いはサファイア基板等を使用する場合について述べた。しかし本発明はこれに限らず、形成基板10として、他の種々の無機材料により構成された基板を使用しても良い。この場合、形成基板10の表面が極めて平滑に形成され、例えばその表面粗さが10[nm]以下であれば良い。第2及び第3の実施の形態についても同様である。
Claims (17)
- 第1の面を有する基板と、
電子機能を有する機能部と該機能部を保護する保護部材とを有し、前記第1の面側に第2の面が形成された機能ユニットと、
前記第1の面と接触する位置に設けられ、前記機能ユニットの前記第2の面と接触する第3の面を有し、該第3の面の面積が前記第2の面の面積よりも小さい支持層と
を有し、
前記機能ユニットの前記保護部材のうち少なくとも前記第2の面を形成する部分は、有機材料を主要成分とし、
前記支持層のうち少なくとも前記第3の面を形成する部分は、無機材料を主要成分とし、
前記基板のうち少なくとも前記第1の面を形成する部分は、無機材料を主要成分とする
ことを特徴とする電子構造体。 - 前記保護部材のうち少なくとも前記第2の面を形成する部分は、樹脂により形成され、
前記支持層のうち少なくとも前記第3の面を形成する部分は、酸化物又は窒化物により形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の電子構造体。 - 前記保護部材のうち少なくとも前記第2の面を形成する部分は、ポリイミドにより形成され、
前記支持層のうち少なくとも前記第3の面を形成する部分は、酸化ケイ素により形成されている
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子構造体。 - 前記機能部は、機能素子及び導電部材を有し、
前記導電部材は、前記第2の面の一部を形成する第4の面を有し、
前記支持層の前記第3の面は、前記第4の面の少なくとも一部と接触する
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載の電子構造体。 - 前記機能素子は、導電性を有する配線部材により前記導電部材と電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項4に記載の電子構造体。 - 前記導電部材は、金属膜である
ことを特徴とする請求項4に記載の電子構造体。 - 前記金属膜は、金、白金、又はこれらの少なくとも一方を含む合金である
ことを特徴とする請求項6に記載の電子構造体。 - 前記保護部材の一部であり前記第2の面の一部を形成するベース膜
をさらに具え、
前記機能部は、機能素子を有し、
前記機能素子は、前記ベース膜における前記第2の面と反対側の面上に設けられている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項7の何れかに記載の電子構造体。 - 前記機能部は、機能素子及び導電部材を有し、
前記導電部材は、前記第2の面の一部を形成し、
前記機能素子は、前記導電部材における前記第2の面と反対側の面上に設けられている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項8の何れかに記載の電子構造体。 - 前記機能ユニットは、前記基板の前記第1の面と対向する位置に複数個が配列され、
前記支持層は、前記基板の前記第1の面における前記機能ユニットそれぞれと対応する位置にそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項9の何れかに記載の電子構造体。 - 第1の面を有する基板と、
電子機能を有する機能素子と該機能素子を保護する保護部材とを有し、前記第1の面側に第2の面が形成された機能ユニットと、
前記第1の面と接触する位置に設けられ、前記機能ユニットの前記第2の面と接触する第3の面を有し、該第3の面の面積が前記第2の面の面積よりも小さい支持層と、
前記保護部材の一部であり前記第2の面の一部を形成するベース膜と
を有し、
前記機能ユニットの前記保護部材のうち少なくとも前記第2の面を形成する部分、及び前記支持層のうち少なくとも前記第3の面を形成する部分は、何れか一方が有機材料を主要成分とし、他方が無機材料を主要成分とし、
前記機能素子は、前記ベース膜における前記第2の面と反対側の面上に設けられている
ことを特徴とする電子構造体。 - 前記機能ユニットは、導電部材を有し、
前記導電部材は、前記第2の面の一部を形成する第4の面を有し、
前記支持層の前記第3の面は、前記第4の面の少なくとも一部と接触する
ことを特徴とする請求項11に記載の電子構造体。 - 前記機能素子は、導電性を有する配線部材により前記導電部材と電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項12に記載の電子構造体。 - 第3の面を有する支持層を、第1の面を有する基板の当該第1の面上に形成する第1のステップと、
電子機能を有する機能部と該機能部を保護する保護部材とを有し、前記第3の面側に第2の面が形成された機能ユニットを、前記支持層上に形成する第2のステップと、
前記支持層の一部を除去し、当該支持層のうち残った部分において前記機能ユニットと接触する前記第3の面の面積を、前記第2の面の面積よりも小さくする第3のステップと、
前記機能ユニットに対し前記基板から遠ざかる方向へ力を加え、当該機能ユニットの前記第2の面を前記支持層の前記第3の面から剥離させる第4のステップと
を有し、
前記機能ユニットの前記保護部材のうち少なくとも前記第2の面を形成する部分、及び前記支持層のうち少なくとも前記第3の面を形成する部分は、何れか一方が有機材料を主要成分とし、他方が無機材料を主要成分とする
ことを特徴とする電子回路の製造方法。 - 前記第4のステップの後に、前記機能ユニットの前記第2の面を、配線基板の配線第1の面に当接させ、当該機能ユニットを当該配線基板に貼り付けさせる第5のステップと
を具えることを特徴とする請求項14に記載の電子回路の製造方法。 - 第1の面を有する基板上に形成された支持層及び当該支持層上に形成された機能ユニットを有する電子構造体において、前記機能ユニットに対し前記基板から遠ざかる方向へ力を加えて当該機能ユニットを前記支持層から剥離するステップ
を有し、
前記機能ユニットは、電子機能を有する機能部と該機能部を保護する保護部材とを有し、前記第1の面側に第2の面が形成され、
前記支持層は、前記第1の面と接触する位置に設けられ、前記機能ユニットの前記第2の面と接触する第3の面を有し、該第3の面の面積が前記第2の面の面積よりも小さく、
前記機能ユニットの前記保護部材のうち少なくとも前記第2の面を形成する部分、及び前記支持層のうち少なくとも前記第3の面を形成する部分は、何れか一方が有機材料を主要成分とし、他方が無機材料を主要成分とする
ことを特徴とする電子回路の製造方法。 - 前記支持層から剥離された前記機能ユニットにおける前記第2の面を配線基板に接合させるステップ
をさらに有することを特徴とする請求項16に記載の電子回路の製造方法。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7794018B2 (ja) * | 2022-02-24 | 2026-01-06 | 沖電気工業株式会社 | 電子構造体、電子構造体の製造方法及び電子回路の製造方法 |
Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19640006A1 (de) | 1996-09-27 | 1998-04-02 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements |
| JP2003289136A (ja) | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス基板及びその製造方法、表示装置 |
| JP2006295114A (ja) | 2005-03-17 | 2006-10-26 | Hitachi Cable Ltd | 電子装置用基板およびその製造方法、ならびに電子装置およびその製造方法 |
| JP2013115254A (ja) | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Oki Data Corp | 半導体発光装置、画像形成装置および画像表示装置 |
| US20130221355A1 (en) | 2010-08-26 | 2013-08-29 | Christopher Bower | Structures and methods for testing printable integrated circuits |
| US20140170792A1 (en) | 2012-12-18 | 2014-06-19 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Forming thin film vertical light emitting diodes |
| WO2014188493A1 (ja) | 2013-05-20 | 2014-11-27 | 株式会社メイコー | 部品内蔵基板及びその製造方法 |
| JP2015043403A (ja) | 2013-07-26 | 2015-03-05 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージ、それを備えた発光装置、およびその発光装置を備えた発光表示装置 |
| JP2015050342A (ja) | 2013-09-02 | 2015-03-16 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 |
| JP2016127030A (ja) | 2015-01-08 | 2016-07-11 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 光学レンズ、発光モジュールおよびこれを具備したライトユニット |
| US20170025563A1 (en) | 2015-05-15 | 2017-01-26 | X-Celeprint Limited | Printable inorganic semiconductor method |
| US20170256521A1 (en) | 2016-03-03 | 2017-09-07 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer printable electronic component |
| US20190385886A1 (en) | 2016-11-15 | 2019-12-19 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods |
| US20200144092A1 (en) | 2018-10-17 | 2020-05-07 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer printing with selective component removal |
| JP2020532762A (ja) | 2017-09-04 | 2020-11-12 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッドSeoul Semiconductor Co., Ltd. | 表示装置及びその製造方法 |
| US20200395510A1 (en) | 2019-06-14 | 2020-12-17 | X-Celeprint Limited | Pixel modules with controllers and light emitters |
| US20200403114A1 (en) | 2019-06-24 | 2020-12-24 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Transferable light emitting device array and production method thereof |
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Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102000302B1 (ko) | 2011-05-27 | 2019-07-15 | 엠씨10, 인크 | 전자, 광학, 및/또는 기계 장치 및 시스템, 그리고 이를 제조하기 위한 방법 |
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| US11488943B2 (en) * | 2019-06-14 | 2022-11-01 | X Display Company Technology Limited | Modules with integrated circuits and devices |
| US11387178B2 (en) * | 2020-03-06 | 2022-07-12 | X-Celeprint Limited | Printable 3D electronic components and structures |
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Patent Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19640006A1 (de) | 1996-09-27 | 1998-04-02 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements |
| JP2003289136A (ja) | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス基板及びその製造方法、表示装置 |
| JP2006295114A (ja) | 2005-03-17 | 2006-10-26 | Hitachi Cable Ltd | 電子装置用基板およびその製造方法、ならびに電子装置およびその製造方法 |
| US20130221355A1 (en) | 2010-08-26 | 2013-08-29 | Christopher Bower | Structures and methods for testing printable integrated circuits |
| JP2013115254A (ja) | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Oki Data Corp | 半導体発光装置、画像形成装置および画像表示装置 |
| US20140170792A1 (en) | 2012-12-18 | 2014-06-19 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Forming thin film vertical light emitting diodes |
| WO2014188493A1 (ja) | 2013-05-20 | 2014-11-27 | 株式会社メイコー | 部品内蔵基板及びその製造方法 |
| JP2015043403A (ja) | 2013-07-26 | 2015-03-05 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージ、それを備えた発光装置、およびその発光装置を備えた発光表示装置 |
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