JP7742741B2 - Support pins and vacuum drying device - Google Patents
Support pins and vacuum drying deviceInfo
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Description
本発明は、基板の上面に形成された塗膜を減圧によって乾燥させる技術に関する。 The present invention relates to a technology for drying a coating film formed on the upper surface of a substrate by reducing pressure.
例えば、各種の基板に塗布されたフォトレジスト等の塗膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置が知られている。各種の基板には、例えば、各種のデバイスを形成するためのガラス基板、セラミック基板、半導体ウエハ、電子デバイス基板または印刷用の印刷版等の種々の基板が適用される。各種のデバイスには、例えば、半導体装置、表示パネル、太陽電池パネル、磁気ディスク、または光ディスク等が適用される。表示パネルには、例えば、液晶表示パネル、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示パネル、プラズマ表示パネル、または電界放出ディスプレイ等が適用される。 For example, vacuum drying apparatuses are known that vacuum-dry coatings such as photoresists applied to various substrates. The various substrates include glass substrates, ceramic substrates, semiconductor wafers, electronic device substrates, and printing plates for forming various devices. The various devices include semiconductor devices, display panels, solar cell panels, magnetic disks, and optical disks. The display panels include liquid crystal display panels, organic electroluminescence (EL) display panels, plasma display panels, and field emission displays.
減圧乾燥装置を用いて塗膜を乾燥する際には、例えば、チャンバ内において複数のピンが基板を支持している状態で、チャンバの底部の排気口を介して真空ポンプでチャンバ内から排気を行う。そして、例えば、真空度が所定値に到達するとチャンバ内からの排気を停止し、チャンバ内にガスを供給することでチャンバ内を大気圧に戻す。ガスには、例えば、窒素ガス等の不活性ガスまたは空気等が適用される。 When drying a coating using a reduced-pressure drying device, for example, with multiple pins supporting the substrate inside the chamber, a vacuum pump evacuates the chamber through an exhaust port at the bottom of the chamber. Then, for example, when a predetermined degree of vacuum is reached, evacuation from the chamber is stopped and gas is supplied into the chamber to return the chamber to atmospheric pressure. The gas used can be, for example, an inert gas such as nitrogen gas or air.
ところで、減圧乾燥装置では、例えば、基板の上面に形成された塗膜において、場所に応じて乾燥速度が違っていれば、その乾燥速度の違いに応じた乾燥のムラ(乾燥ムラともいう)が生じ得る。乾燥ムラは、例えば、乾燥後の塗膜における厚さのばらつき等を生じさせる。 In a reduced-pressure drying apparatus, for example, if the drying speed of a coating film formed on the upper surface of a substrate varies depending on the location, uneven drying (also known as drying irregularities) may occur due to these differences in drying speed. Uneven drying can result in, for example, variations in the thickness of the coating film after drying.
例えば、基板において、複数のピンの接触により、複数のピンによって支持されている部分とその周辺の部分との間に温度差が生じ得る。これにより、例えば、複数のピンに起因する温度差に応じて、塗膜の乾燥速度に違いが生じ得る。その結果、例えば、塗膜において複数のピンの配置に応じた乾燥ムラが生じ得る。ここでは、例えば、塗膜の減圧乾燥時には、塗膜から溶剤等が気化する際に生じる気化熱によって基板の温度が低下するものの、複数のピンの熱容量が大きい場合にも、複数のピンが熱容量の大きなチャンバ等に連結されている場合にも、複数のピンの温度が変化し難い。このため、例えば、基板において複数のピンの配置に応じた温度差が生じ得る。 For example, contact between multiple pins on a substrate can cause a temperature difference between the portion supported by the multiple pins and the surrounding portion. This can result in differences in the drying speed of a coating film, depending on the temperature difference caused by the multiple pins. As a result, for example, uneven drying of the coating film can occur depending on the arrangement of the multiple pins. Here, for example, when a coating film is dried under reduced pressure, the temperature of the substrate drops due to the heat of vaporization generated when a solvent or the like evaporates from the coating film. However, even if the multiple pins have a large heat capacity or are connected to a chamber or the like with a large heat capacity, the temperature of the multiple pins is unlikely to change. This can result in temperature differences depending on the arrangement of the multiple pins on the substrate, for example.
特許文献1には、基板を支持する複数のピンを、内部空間内の流体が排出されることで冷却される中空ピン、あるいは内部空間内に冷却水等の液体が供給されることで冷却される中空ピンとすることが記載されている。 Patent Document 1 describes using multiple pins that support a substrate as hollow pins that are cooled by discharging fluid from their internal spaces, or hollow pins that are cooled by supplying a liquid such as cooling water into their internal spaces.
しかしながら、特許文献1に係る減圧乾燥装置では、装置構成が複雑になり装置価格が高くなることにつながる。また、例えば、中空ピンに冷却水を供給する構成では、冷却水の漏れによって、チャンバ内の真空状態に悪影響を及ぼす場合も考えられる。 However, the reduced-pressure drying apparatus described in Patent Document 1 has a complex configuration, which leads to higher equipment costs. Furthermore, for example, in a configuration in which cooling water is supplied to hollow pins, leakage of the cooling water may adversely affect the vacuum state inside the chamber.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、簡単な構成によって基板の上面に形成された塗膜をより均一に乾燥させる技術を提供することを目的とする。 The present invention was made in consideration of the above-mentioned problems, and aims to provide a technology that uses a simple configuration to more uniformly dry a coating film formed on the top surface of a substrate.
上記課題を解決するために、第9の態様に係る支持ピンは、基板を下方から支持するための支持ピンであって、第1磁石を有する本体部と、第2磁石を有するとともに前記基板の下面に当接させるための当接部と、を備えている。前記第1磁石と前記第2磁石とは、前記第1磁石から前記第2磁石に向かう第1方向において、離間しているとともに、同一の磁極が対向している状態で位置している。前記本体部は、前記第1磁石と前記第2磁石との間における反発力によって前記第1方向に向かう力が働いている前記当接部を係止するとともに、前記第1方向に垂直な方向における前記当接部の移動を規制する係止部分、を含む。前記当接部は、前記係止部分によって係止される第1部分と、該第1部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記本体部よりも前記第1方向に位置している第1領域を有する第2部分と、を含むとともに、前記第1方向とは逆の第2方向に移動することで前記本体部から離間することが可能な空間を前記本体部との間に介して位置している。前記本体部は、前記第1方向に沿って延びる筒状の筒状部分を含む。前記第1磁石は、前記筒状部分の中空部分および前記筒状部分の前記第2方向の側の部分に沿った部分のうちの少なくとも一方に位置している部分を含む。前記係止部分は、前記筒状部分の前記第1方向の側の部分に沿って位置しているとともに、前記第1方向に貫通している第1貫通孔を有する。前記当接部は、前記中空部分内において、前記筒状部分の内周面から離間している状態で位置している第3部分を含む。前記第3部分は、前記第2磁石を含む。前記第2部分の前記第1領域は、前記第1部分の前記第1方向の側の部分に接続もしくは連結しており、前記第1部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記第1貫通孔から前記第1方向に突出している。
第10の態様に係る支持ピンは、基板を下方から支持するための支持ピンであって、第1磁石を有する本体部と、第2磁石を有するとともに前記基板の下面に当接させるための当接部と、を備えている。前記第1磁石と前記第2磁石とは、前記第1磁石から前記第2磁石に向かう第1方向において、離間しているとともに、同一の磁極が対向している状態で位置している。前記本体部は、前記第1磁石と前記第2磁石との間における反発力によって前記第1方向に向かう力が働いている前記当接部を係止するとともに、前記第1方向に垂直な方向における前記当接部の移動を規制する係止部分、を含む。前記当接部は、前記係止部分によって係止される第1部分と、該第1部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記本体部よりも前記第1方向に位置している第1領域を有する第2部分と、を含むとともに、前記第1方向とは逆の第2方向に移動することで前記本体部から離間することが可能な空間を前記本体部との間に介して位置している。前記本体部は、前記第1方向に沿って延びる棒状部分を含む。前記第1磁石は、前記棒状部分に固定されている。前記係止部分は、前記棒状部分の前記第1方向の側の部分に沿って位置している。前記第1部分は、前記棒状部分が貫通している第2貫通孔を有し且つ前記棒状部分に沿って前記第1方向および前記第2方向に移動可能に位置している環状の部分を含む。
To solve the above problem, a ninth aspect of the present invention provides a support pin for supporting a substrate from below, comprising: a main body having a first magnet; and an abutment portion having a second magnet and adapted to abut against the underside of the substrate. The first magnet and the second magnet are spaced apart in a first direction from the first magnet toward the second magnet, with the same magnetic poles facing each other. The main body includes a locking portion that locks the abutment portion, to which a force acting in the first direction is applied due to a repulsive force between the first magnet and the second magnet, and restricts movement of the abutment portion in a direction perpendicular to the first direction. The abutment portion includes a first portion locked by the locking portion and a second portion having a first region that is located further in the first direction than the main body portion when the first portion is locked by the locking portion, and is positioned with a space between the main body and the abutment portion that allows the abutment portion to move in a second direction opposite to the first direction and separate from the main body portion. The main body includes a cylindrical portion extending along the first direction. The first magnet includes a portion located in at least one of a hollow portion of the cylindrical portion and a portion along a side portion of the cylindrical portion in the second direction. The locking portion is located along the side portion of the cylindrical portion in the first direction and has a first through hole penetrating in the first direction. The abutting portion includes a third portion located within the hollow portion and spaced apart from an inner circumferential surface of the cylindrical portion. The third portion includes the second magnet. The first region of the second portion is connected or coupled to the side portion of the first portion in the first direction and protrudes from the first through hole in the first direction when the first portion is locked by the locking portion.
A tenth aspect of the present invention provides a support pin for supporting a substrate from below, comprising: a main body having a first magnet; and an abutment portion having a second magnet and adapted to abut against the underside of the substrate. The first magnet and the second magnet are spaced apart in a first direction from the first magnet toward the second magnet, with the same magnetic poles facing each other. The main body includes a locking portion that locks the abutment portion, to which a force acting in the first direction is applied due to a repulsive force between the first magnet and the second magnet, and restricts movement of the abutment portion in a direction perpendicular to the first direction. The abutment portion includes a first portion locked by the locking portion and a second portion having a first region that is positioned further in the first direction than the main body portion when the first portion is locked by the locking portion. The abutment portion is positioned between the main body and the abutment portion by a space that allows the abutment portion to move in a second direction opposite to the first direction and separate from the main body. The main body includes a rod-shaped portion extending along the first direction. The first magnet is fixed to the rod-shaped portion, the locking portion is located along a portion of the rod-shaped portion on the first direction side, and the first portion includes an annular portion having a second through-hole through which the rod-shaped portion passes and located movably in the first and second directions along the rod-shaped portion.
第11の態様に係る支持ピンは、第9または第10の態様に係る支持ピンであって、前記当接部は、前記第1磁石と前記第2磁石との間における反発力に抗して前記第2方向に押されることで、前記本体部から離間する。 The support pin of the eleventh aspect is the support pin of the ninth or tenth aspect, wherein the abutment portion is pushed in the second direction against the repulsive force between the first magnet and the second magnet, thereby moving away from the main body portion.
第1の態様に係る減圧乾燥装置は、基板の上面に形成された塗膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、前記基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内において前記基板を下方から支持する支持部と、前記チャンバ内の雰囲気を排出する排気部と、を備えている。前記支持部は、前記基板を下方からそれぞれ支持する第1支持ピンおよび第2支持ピン、を含む。前記第1支持ピンは、前記基板が水平方向にずれないように前記基板を下方から支持する。前記第2支持ピンは、第1磁石を有する本体部と、第2磁石を有するとともに前記基板の下面に当接する当接部と、を有する。前記第1磁石と前記第2磁石とは、前記第1磁石から前記第2磁石に向かう上方向において、離間しているとともに、同一の磁極が対向している状態で位置している。前記本体部は、前記第1磁石と前記第2磁石との間における反発力によって上方向に向かう力が働いている前記当接部を係止するとともに、上方向に垂直な水平方向における前記当接部の移動を規制する係止部分、を含む。前記当接部は、前記係止部分によって係止される第1部分と、該第1部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記本体部よりも上方向に位置する第1領域を有する第2部分と、を含むとともに、下方向に移動することで前記本体部から離間することが可能な空間を前記本体部との間に介して位置している。前記本体部は、上方向に沿って延びる筒状の筒状部分を含む。前記第1磁石は、前記筒状部分の中空部分および前記筒状部分の下部に沿った部分のうちの少なくとも一方に位置している部分を含む。前記係止部分は、前記筒状部分の上部に沿って位置しているとともに、上方向に貫通している第1貫通孔を有する。前記当接部は、前記中空部分内において、前記筒状部分の内周面から離間している状態で位置している第3部分を含む。前記第3部分は、前記第2磁石を含む。前記第2部分の前記第1領域は、前記第1部分の上部に接続もしくは連結しており、前記第1部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記第1貫通孔から上方向に突出している。 A reduced-pressure drying apparatus according to a first aspect dries a coating film formed on the upper surface of a substrate, and includes a chamber for accommodating the substrate, a support portion for supporting the substrate from below within the chamber, and an exhaust portion for exhausting the atmosphere within the chamber. The support portion includes a first support pin and a second support pin, each supporting the substrate from below. The first support pin supports the substrate from below to prevent the substrate from shifting horizontally. The second support pin includes a main body portion having a first magnet and an abutment portion having a second magnet and abutting the lower surface of the substrate. The first magnet and the second magnet are spaced apart in an upward direction from the first magnet to the second magnet, and are positioned with the same magnetic poles facing each other. The main body portion includes a locking portion that locks the abutment portion, to which an upward force is applied due to a repulsive force between the first magnet and the second magnet, and that restricts movement of the abutment portion in a horizontal direction perpendicular to the upward direction. The abutment portion includes a first portion locked by the locking portion and a second portion having a first region located above the main body portion when the first portion is locked by the locking portion, and is positioned between the first portion and the main body portion via a space that allows the second portion to move downward to separate from the main body portion. The main body portion includes a cylindrical portion extending upward. The first magnet includes a portion located in at least one of a hollow portion of the cylindrical portion and a portion along the lower portion of the cylindrical portion. The locking portion is located along the upper portion of the cylindrical portion and has a first through hole that penetrates upward. The abutment portion includes a third portion located within the hollow portion and spaced apart from the inner circumferential surface of the cylindrical portion. The third portion includes the second magnet. The first region of the second portion is connected or coupled to the upper portion of the first portion and protrudes upward from the first through hole when the first portion is locked by the locking portion.
第2の態様に係る減圧乾燥装置は、第1の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記第2部分は、前記第1部分から上方向に向かうにつれて、前記第2部分の水平方向に沿った仮想断面の中心を通る上下方向に沿った第1仮想中心線に近づくように該第1仮想中心線に対して傾斜している第1傾斜外周面を有する。 The reduced pressure drying apparatus of the second aspect is the reduced pressure drying apparatus of the first aspect, wherein the second portion has a first inclined outer surface that is inclined relative to a first imaginary center line that runs along the vertical direction and passes through the center of an imaginary cross section of the second portion that runs along the horizontal direction, as it moves upward from the first portion.
第3の態様に係る減圧乾燥装置は、第2の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記第1貫通孔は、上方向に向かうにつれて該第1貫通孔の上下方向に沿った第2仮想中心線に近づくように狭くなっている内部空間を有する。 The reduced pressure drying apparatus of the third aspect is the reduced pressure drying apparatus of the second aspect, wherein the first through hole has an internal space that narrows as it moves upward so as to approach a second imaginary center line along the vertical direction of the first through hole.
第4の態様に係る減圧乾燥装置は、基板の上面に形成された塗膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、前記基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内において前記基板を下方から支持する支持部と、前記チャンバ内の雰囲気を排出する排気部と、を備えている。前記支持部は、前記基板を下方からそれぞれ支持する第1支持ピンおよび第2支持ピン、を含む。前記第1支持ピンは、前記基板が水平方向にずれないように前記基板を下方から支持する。前記第2支持ピンは、第1磁石を有する本体部と、第2磁石を有するとともに前記基板の下面に当接する当接部と、を有する。前記第1磁石と前記第2磁石とは、前記第1磁石から前記第2磁石に向かう上方向において、離間しているとともに、同一の磁極が対向している状態で位置している。前記本体部は、前記第1磁石と前記第2磁石との間における反発力によって上方向に向かう力が働いている前記当接部を係止するとともに、上方向に垂直な水平方向における前記当接部の移動を規制する係止部分、を含む。前記当接部は、前記係止部分によって係止される第1部分と、該第1部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記本体部よりも上方向に位置する第1領域を有する第2部分と、を含むとともに、下方向に移動することで前記本体部から離間することが可能な空間を前記本体部との間に介して位置している。前記本体部は、上方向に沿って延びる棒状部分を含む。前記第1磁石は、前記棒状部分に固定されている。前記係止部分は、前記棒状部分の上部に沿って位置している。前記第1部分は、前記棒状部分が貫通している第2貫通孔を有し且つ前記棒状部分に沿って上下方向に移動可能に位置している環状の部分を含む。 A reduced-pressure drying apparatus according to a fourth aspect is a reduced-pressure drying apparatus for drying a coating film formed on the upper surface of a substrate, and includes a chamber for accommodating the substrate, a support part for supporting the substrate from below within the chamber, and an exhaust part for discharging the atmosphere within the chamber. The support part includes a first support pin and a second support pin, each supporting the substrate from below. The first support pin supports the substrate from below to prevent the substrate from shifting horizontally. The second support pin includes a main body having a first magnet and an abutment part having a second magnet and abutting the lower surface of the substrate. The first magnet and the second magnet are spaced apart in an upward direction from the first magnet to the second magnet, and are positioned with the same magnetic poles facing each other. The main body includes a locking part that locks the abutment part, to which an upward force is applied due to a repulsive force between the first magnet and the second magnet, and that restricts movement of the abutment part in a horizontal direction perpendicular to the upward direction. The abutment portion includes a first portion that is locked by the locking portion, and a second portion that has a first region that is located above the main body portion when the first portion is locked by the locking portion, and is located between the first portion and the main body portion and has a space that allows the second portion to move downward to separate from the main body portion. The main body portion includes a rod-shaped portion that extends upward. The first magnet is fixed to the rod-shaped portion. The locking portion is located along an upper portion of the rod-shaped portion. The first portion includes an annular portion that has a second through-hole through which the rod-shaped portion passes and is located so as to be movable up and down along the rod-shaped portion.
第5の態様に係る減圧乾燥装置は、第4の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記係止部分は、下方向に向かうにつれて前記棒状部分の上下方向に沿って延びる第3仮想中心線に近づくように該第3仮想中心線に対して傾斜している第2傾斜外周面を有する。 A reduced pressure drying apparatus according to a fifth aspect is the reduced pressure drying apparatus according to the fourth aspect, wherein the engaging portion has a second inclined outer surface that is inclined relative to a third imaginary center line extending along the vertical direction of the rod-shaped portion so as to approach the third imaginary center line as it extends downward.
第6の態様に係る減圧乾燥装置は、基板の上面に形成された塗膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、前記基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内において前記基板を下方から支持する支持部と、前記チャンバ内の雰囲気を排出する排気部と、を備えている。前記支持部は、前記基板を下方からそれぞれ支持する第1支持ピンおよび第2支持ピン、を含む。前記第1支持ピンは、前記基板が水平方向にずれないように前記基板を下方から支持する。前記第2支持ピンは、第1磁石を有する本体部と、第2磁石を有するとともに前記基板の下面に当接する当接部と、を有する。前記第1磁石と前記第2磁石とは、前記第1磁石から前記第2磁石に向かう上方向において、離間しているとともに、同一の磁極が対向している状態で位置している。前記本体部は、前記第1磁石と前記第2磁石との間における反発力によって上方向に向かう力が働いている前記当接部を係止するとともに、上方向に垂直な水平方向における前記当接部の移動を規制する係止部分、を含む。前記当接部は、前記係止部分によって係止される第1部分と、該第1部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記本体部よりも上方向に位置する第1領域を有する第2部分と、を含むとともに、下方向に移動することで前記本体部から離間することが可能な空間を前記本体部との間に介して位置している。前記当接部は、前記支持部が前記基板を下方から支持していない状態において上下方向における第1位置に位置し、前記支持部が前記基板を下方から支持している状態において上下方向における前記第1位置よりも下方の第2位置に位置する。
第7の態様に係る減圧乾燥装置は、第1から第6の何れか1つの態様に係る減圧乾燥装置であって、前記第1支持ピンは、前記基板のうちの前記上面に前記塗膜が形成されていない非塗布領域を下方から支持する。
第8の態様に係る減圧乾燥装置は、第7の態様に係る減圧乾燥装置であって、前記非塗布領域は、前記基板の外周部に沿って位置している。
A reduced-pressure drying apparatus according to a sixth aspect is a reduced-pressure drying apparatus for drying a coating film formed on the upper surface of a substrate, and includes a chamber for accommodating the substrate, a support part for supporting the substrate from below within the chamber, and an exhaust part for discharging the atmosphere within the chamber. The support part includes a first support pin and a second support pin, each supporting the substrate from below. The first support pin supports the substrate from below to prevent the substrate from shifting horizontally. The second support pin includes a main body having a first magnet and an abutment part having a second magnet and abutting the lower surface of the substrate. The first magnet and the second magnet are spaced apart in an upward direction from the first magnet to the second magnet, and are positioned with the same magnetic poles facing each other. The main body includes a locking part that locks the abutment part, to which an upward force is applied due to a repulsive force between the first magnet and the second magnet, and that restricts movement of the abutment part in a horizontal direction perpendicular to the upward direction. The abutment portion includes a first portion that is locked by the locking portion, and a second portion that has a first region that is located above the main body portion when the first portion is locked by the locking portion, and is located between the main body portion and the abutment portion by a space that allows the abutment portion to move downward to separate from the main body portion. The abutment portion is located at a first position in the vertical direction when the support portion is not supporting the substrate from below, and is located at a second position that is lower than the first position in the vertical direction when the support portion is supporting the substrate from below.
The reduced pressure drying apparatus of the seventh aspect is a reduced pressure drying apparatus of any one of the first to sixth aspects, wherein the first support pin supports from below a non-coated area of the substrate where the coating film is not formed on the upper surface.
A reduced-pressure drying apparatus according to an eighth aspect is the reduced-pressure drying apparatus according to the seventh aspect, wherein the non-coated region is located along the outer periphery of the substrate.
第9から第11の何れの態様に係る支持ピンによっても、例えば、第1方向を上方向として支持ピンを減圧乾燥装置に適用し、当接部上に基板を載置することで、当接部が下方向に移動することで本体部から離間し得る。このため、例えば、本体部に対して浮上して離間している当接部によって基板を下方から支持させることができる。この場合には、例えば、当接部の熱容量が小さく、当接部には熱容量が大きな部分が接続も接触もしていない。これにより、例えば、基板において複数の支持ピンの配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、簡単な構成によって基板の上面に形成された塗膜をより均一に乾燥させることができる。 With the support pins according to any of the ninth to eleventh aspects, for example, the support pins can be applied to a reduced-pressure drying apparatus with the first direction being the upward direction, and a substrate can be placed on the abutment portion, which can then move downward and separate from the main body. Therefore, for example, the substrate can be supported from below by the abutment portion that is raised and separated from the main body. In this case, for example, the abutment portion has a small heat capacity, and a portion with a large heat capacity is not connected to or in contact with the abutment portion. This makes it difficult for temperature differences to occur on the substrate depending on the arrangement of multiple support pins. As a result, for example, a coating film formed on the upper surface of the substrate can be dried more uniformly with a simple configuration.
第11の態様に係る支持ピンによれば、例えば、第1方向を上方向として支持ピンを減圧乾燥装置に適用し、当接部上に基板を載置することで、基板の重量によって、第1磁石と第2磁石との間における反発力に抗して当接部を下方に押し下げることができる。これにより、例えば、本体部に対して浮上して離間している当接部によって基板を下方から支持させることができる。これにより、例えば、基板において複数の支持ピンの配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、簡単な構成によって基板の上面に形成された塗膜をより均一に乾燥させることができる。 According to the support pin of the eleventh aspect, for example, by applying the support pin to a reduced-pressure drying apparatus with the first direction facing upward and placing a substrate on the contact portion, the weight of the substrate can press the contact portion downward against the repulsive force between the first magnet and the second magnet. This allows the substrate to be supported from below by the contact portion, which is levitated and spaced apart from the main body. This reduces the likelihood of temperature differences occurring on the substrate due to the arrangement of multiple support pins. As a result, for example, a coating film formed on the upper surface of the substrate can be dried more uniformly with a simple configuration.
第1から第8の何れの態様に係る減圧乾燥装置によっても、例えば、第1支持ピン上および第2支持ピンの当接部上に基板を載置することで、第1支持ピンによって基板が水平方向にずれないように基板を下方から支持させ、第2支持ピンにおいて本体部に対して浮上して離間している当接部によって基板を下方から支持させることができる。この場合には、例えば、当接部の熱容量が小さく、当接部には熱容量が大きな部分が接続も接触もしていない。これにより、例えば、基板において複数の支持ピンの配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、簡単な構成によって基板の上面に形成された塗膜をより均一に乾燥させることができる。 In any of the first to eighth embodiments of the reduced-pressure drying apparatus, for example, a substrate can be placed on the first support pins and the contact portions of the second support pins, so that the first support pins support the substrate from below to prevent it from shifting horizontally, and the second support pins support the substrate from below with their contact portions, which are raised and spaced apart from the main body. In this case, for example, the contact portions have a small heat capacity, and portions with a large heat capacity are not connected to or in contact with the contact portions. This makes it difficult for temperature differences to occur on the substrate depending on the arrangement of the multiple support pins. As a result, for example, a coating film formed on the upper surface of the substrate can be dried more uniformly with a simple configuration.
第7の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、基板のうちの上面に塗膜が形成された塗布領域において、複数の支持ピンの配置に応じた温度差が生じにくい。これにより、例えば、簡単な構成によって基板の上面に形成された塗膜をより均一に乾燥させることができる。 According to the reduced-pressure drying apparatus of the seventh aspect, for example, in a coating region where a coating film is formed on the upper surface of a substrate, a temperature difference caused by the arrangement of the multiple support pins is unlikely to occur, which makes it possible to more uniformly dry the coating film formed on the upper surface of the substrate with a simple configuration.
第8の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、第1支持ピンを容易に配置することができる。 According to the reduced pressure drying apparatus of the eighth aspect, for example, the first support pins can be easily arranged.
第1の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、本体部の係止部分に当接部の第1部分が係止される構成が容易に実現され得る。 According to the reduced pressure drying apparatus of the first aspect, for example, a configuration in which the first portion of the abutting portion is locked to the locking portion of the main body portion can be easily realized.
第2および第3の何れの態様に係る減圧乾燥装置によっても、例えば、当接部の第2部分のうちの第1貫通孔から上方向に突出している第1領域が、水平方向において第1貫通孔の中心に対して容易に位置決めされ得る。 With either the second or third aspect of the reduced pressure drying device, for example, the first region of the second part of the abutment portion that protrudes upward from the first through hole can be easily positioned horizontally relative to the center of the first through hole.
第4の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、本体部の係止部分に当接部の第1部分が係止される構成が容易に実現され得る。 According to the reduced pressure drying apparatus of the fourth aspect, for example, a configuration in which the first portion of the abutting portion is locked to the locking portion of the main body portion can be easily realized.
第5の態様に係る減圧乾燥装置によれば、例えば、第1部分が、水平方向において棒状部分の中心に対して容易に位置決めされ得る。 According to the reduced pressure drying apparatus of the fifth aspect, for example, the first portion can be easily positioned with respect to the center of the rod-shaped portion in the horizontal direction.
以下、本発明の一実施形態および各種変形例について、図面を参照しつつ説明する。図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。また、本明細書において、下方向は、重力方向であり、上方向は、重力方向とは逆の方向である。 One embodiment of the present invention and various modified examples will be described below with reference to the drawings. In the drawings, parts with similar configurations and functions are designated by the same reference numerals, and duplicate explanations will be omitted below. The drawings are schematic, and the size and positional relationships of the various structures in each drawing are not accurately depicted. Furthermore, in this specification, the downward direction is the direction of gravity, and the upward direction is the direction opposite to the direction of gravity.
<1.減圧乾燥装置の構成>
図1は、一実施形態に係る減圧乾燥装置1の縦断面の一例を模式的に示す図である。図2は、一実施形態に係る減圧乾燥装置1の横断面の一例を模式的に示す図である。図3は、一実施形態に係る減圧乾燥装置1の縦断面の一例を模式的に示す図である。図1の縦断面と図3の縦断面とは、約90度異なる方向から見た関係を有する。図3では、図面の煩雑化を避けるために、後述する排気部30、給気部60、圧力計70および制御部80に関する構成が便宜的に省略されている。減圧乾燥装置1は、基板9の上面に形成された塗膜90(図5参照)を乾燥させる装置である。
<1. Configuration of the reduced pressure drying device>
FIG. 1 is a diagram schematically illustrating an example of a vertical cross section of a reduced-pressure drying apparatus 1 according to an embodiment. FIG. 2 is a diagram schematically illustrating an example of a cross section of a reduced-pressure drying apparatus 1 according to an embodiment. FIG. 3 is a diagram schematically illustrating an example of a vertical cross section of a reduced-pressure drying apparatus 1 according to an embodiment. The vertical cross sections of FIG. 1 and FIG. 3 are viewed from directions that differ by approximately 90 degrees. In FIG. 3, components related to an exhaust unit 30, an air supply unit 60, a pressure gauge 70, and a control unit 80, which will be described later, are omitted for convenience in order to avoid cluttering the drawing. The reduced-pressure drying apparatus 1 is an apparatus that dries a coating film 90 (see FIG. 5) formed on the upper surface of a substrate 9.
基板9には、例えば、ガラス基板、半導体ウエハ、またはセラミック基板等が適用される。基板9は、例えば、第1主面としての第1面F1(図4および図5参照)と、この第1面とは逆の第2主面としての第2面F2(図5参照)と、を有する平板状の基板である。例えば、減圧乾燥装置1では、基板9の第1面F1が基板9の上面とされ、基板9の第2面F2が基板9の下面とされる。ここでは、基板9に矩形のガラス基板が適用された具体例を適宜挙げて説明する。基板9の第1面F1には、例えば、予め有機材料および溶剤を含む処理液が塗布されることで、塗膜90が部分的に形成されている。処理液の塗布は、例えば、スリットコータまたはインクジェット装置等で行われる。処理液には、例えば、ポリイミド前駆体と溶媒とを含む液(PI液ともいう)またはレジスト液等の塗布液が適用される。ポリイミド前駆体には、例えば、ポリアミド酸(ポリアミック酸)等が適用される。溶媒には、例えば、NMP(N-メチル-2-ピロリドン:N-Methyl-2-Pyrrolidone)が適用される。また、例えば、減圧乾燥装置1が有機ELディスプレイの製造工程に適用される場合には、塗膜90が、減圧乾燥装置1で乾燥されることによって有機ELディスプレイパネルの正孔注入層、正孔輸送層、または発光層となる態様が採用されてもよい。 The substrate 9 may be, for example, a glass substrate, a semiconductor wafer, or a ceramic substrate. The substrate 9 is, for example, a flat substrate having a first surface F1 (see FIGS. 4 and 5) as a first major surface and a second surface F2 (see FIG. 5) as a second major surface opposite the first surface. For example, in the reduced-pressure drying apparatus 1, the first surface F1 of the substrate 9 is the upper surface of the substrate 9, and the second surface F2 of the substrate 9 is the lower surface of the substrate 9. Here, a specific example in which a rectangular glass substrate is used as the substrate 9 will be described. A coating film 90 is partially formed on the first surface F1 of the substrate 9 by applying a treatment liquid containing, for example, an organic material and a solvent. The treatment liquid is applied using, for example, a slit coater or an inkjet device. The treatment liquid may be, for example, a liquid containing a polyimide precursor and a solvent (also known as a PI liquid) or a coating liquid such as a resist liquid. The polyimide precursor may be, for example, a polyamic acid (polyamic acid). The solvent may be, for example, NMP (N-Methyl-2-Pyrrolidone). Furthermore, when the reduced-pressure drying apparatus 1 is used in the manufacturing process of an organic EL display, the coating film 90 may be dried in the reduced-pressure drying apparatus 1 to become the hole injection layer, hole transport layer, or light-emitting layer of the organic EL display panel.
図4は、基板9の一例を示す斜視図である。図5は、基板9の一部分の縦断面の一例を示す図である。図4で示されるように、基板9は、例えば、上面視において、縦横の長さが異なる長方形状の形態を有する。基板9には、デバイス等が形成される領域(被形成領域とも塗布領域ともいう)A1が、複数配列されている。図4の例では、上面視において、基板9には、4つの矩形状の塗布領域A1が、2行2列のマトリックス状に配列されている。ただし、塗布領域A1の形状、数、配置は、この例に限定されるものではない。塗膜90は、減圧乾燥装置1による減圧乾燥工程よりも前の塗布工程において、スリットコータまたはインクジェット装置等によって、各塗布領域A1の上面に、所望のパターンに従って形成される。所望のパターンには、例えば、回路のパターンが適用される。ここでは、例えば、図5で示されるように、各塗布領域A1の上面としての第1面F1は、塗膜90に覆われた領域(被覆領域ともいう)A3と、塗膜90に覆われていない露出した領域(露出領域ともいう)A4と、を有する。また、基板9のうちの塗布領域A1の周囲および隣り合う塗布領域A1の間の領域は、上面としての第1面F1に塗膜90が形成されていない領域(非塗布領域ともいう)A2となっている。非塗布領域A2は、塗膜90に覆われていない露出した領域(露出領域)A4でもある。 Figure 4 is a perspective view showing an example of a substrate 9. Figure 5 is a diagram showing an example of a longitudinal cross section of a portion of the substrate 9. As shown in Figure 4, the substrate 9 has, for example, a rectangular shape with different vertical and horizontal lengths when viewed from above. The substrate 9 has multiple areas A1 (also referred to as formation areas or coating areas) where devices, etc. are formed. In the example of Figure 4, when viewed from above, the substrate 9 has four rectangular coating areas A1 arranged in a matrix of two rows and two columns. However, the shape, number, and arrangement of the coating areas A1 are not limited to this example. In a coating process prior to the reduced-pressure drying process using the reduced-pressure drying apparatus 1, the coating film 90 is formed on the upper surface of each coating area A1 according to a desired pattern using a slit coater, inkjet device, or the like. The desired pattern may be, for example, a circuit pattern. Here, for example, as shown in FIG. 5, the first surface F1 serving as the upper surface of each coating region A1 has a region A3 covered with the coating film 90 (also referred to as a coated region) and an exposed region A4 not covered with the coating film 90 (also referred to as an exposed region). Furthermore, the regions of the substrate 9 surrounding the coating region A1 and between adjacent coating regions A1 are regions A2 (also referred to as uncoated regions) on the first surface F1 serving as the upper surface where the coating film 90 is not formed. The uncoated regions A2 are also exposed regions A4 not covered with the coating film 90 (exposed regions).
図1および図2で示されるように、減圧乾燥装置1は、例えば、チャンバ10と、支持部20と、排気部30と、を備えている。また、減圧乾燥装置1は、例えば、昇降部100と、給気部60と、制御部80と、底面整流板40と、側面整流板50と、圧力計70と、を備えている。 As shown in Figures 1 and 2, the reduced-pressure drying apparatus 1 includes, for example, a chamber 10, a support unit 20, and an exhaust unit 30. The reduced-pressure drying apparatus 1 also includes, for example, an elevator unit 100, an air supply unit 60, a control unit 80, a bottom rectifying plate 40, a side rectifying plate 50, and a pressure gauge 70.
<<チャンバ10>>
チャンバ10は、基板9を収容するための部分である。チャンバ10には、基板9を収容するための内部空間10sを有する耐圧容器が適用される。チャンバ10は、例えば、図示を省略した装置フレーム上に固定されている。チャンバ10の形状は、例えば、扁平な直方体状である。チャンバ10は、例えば、略正方形状の底板部11と、4つの側壁部12と、略正方形状の天板部13と、を有する。4つの側壁部12は、例えば、底板部11の4つの端辺と、天板部13の4つの端辺とを、上下方向に接続している。例えば、4つの側壁部12のうちの1つの側壁部12には、搬入出口14と、この搬入出口14を開閉するゲート部(ゲートバルブともいう)15と、が設けられている。ゲート部15は、例えば、開閉駆動部16に連結もしくは接続されている。図3では、図面の煩雑化を避けるために、開閉駆動部16が概念的に示されている。開閉駆動部16には、例えば、エアシリンダ等の駆動機構が適用される。ここでは、例えば、開閉駆動部16の動作によって、ゲート部15は、搬入出口14を閉鎖している位置(閉鎖位置ともいう)と、搬入出口14を開放している位置(開放位置ともいう)との間で移動することができる。
<<Chamber 10>>
The chamber 10 is a portion for accommodating the substrate 9. The chamber 10 is a pressure-resistant vessel having an internal space 10s for accommodating the substrate 9. The chamber 10 is fixed, for example, on an apparatus frame (not shown). The chamber 10 is, for example, a flat rectangular parallelepiped shape. The chamber 10 has, for example, a substantially square bottom plate 11, four side wall portions 12, and a substantially square top plate 13. The four side wall portions 12 connect, for example, four edges of the bottom plate 11 to four edges of the top plate 13 in the vertical direction. For example, one of the four side wall portions 12 is provided with a loading/unloading port 14 and a gate portion (also referred to as a gate valve) 15 for opening and closing the loading/unloading port 14. The gate portion 15 is, for example, coupled or connected to an opening/closing drive unit 16. In FIG. 3 , the opening/closing drive unit 16 is conceptually illustrated to avoid complication of the drawing. A driving mechanism such as an air cylinder is applied to the opening/closing drive unit 16. Here, for example, by the operation of the opening/closing drive unit 16, the gate unit 15 can move between a position where the loading/unloading opening 14 is closed (also referred to as a closed position) and a position where the loading/unloading opening 14 is open (also referred to as an open position).
ここで、例えば、ゲート部15が閉鎖位置に配置された状態では、チャンバ10の内部空間10sが密閉される。例えば、ゲート部15が開放位置に配置された状態では、搬入出口14を介して、チャンバ10の内部空間10sへの基板9の搬入およびチャンバ10の内部空間10sからの基板9の搬出を行うことができる。 Here, for example, when the gate section 15 is in the closed position, the internal space 10s of the chamber 10 is sealed. For example, when the gate section 15 is in the open position, the substrate 9 can be loaded into and unloaded from the internal space 10s of the chamber 10 via the loading/unloading port 14.
<<支持部20>>
支持部20は、チャンバ10内において基板9を下方から支持する部分である。例えば、支持部20は、チャンバ10の内部空間10sに位置しており、チャンバ10の内部空間10sに収容された基板9を下方から支持することができる。支持部20は、例えば、複数の支持プレート21と、複数の支持ピン22と、を有する。複数の支持プレート21は、例えば、水平方向に間隔をあけて配列されている。各支持プレート21の上面には、複数の支持ピン22が立設されている。複数の支持プレート21は、支持部20のベースとなる部分である。基板9は、例えば、複数の支持プレート21の上方に配置され、複数の支持ピン22の上端部が基板9の下面としての第2面F2に接触することで、基板9が水平姿勢で支持される。
<<Support part 20>>
The support unit 20 is a portion that supports the substrate 9 from below within the chamber 10. For example, the support unit 20 is located in the internal space 10s of the chamber 10 and can support the substrate 9 accommodated in the internal space 10s of the chamber 10 from below. The support unit 20 includes, for example, a plurality of support plates 21 and a plurality of support pins 22. The plurality of support plates 21 are, for example, arranged at intervals in the horizontal direction. A plurality of support pins 22 are provided upright on the upper surface of each support plate 21. The plurality of support plates 21 form the base of the support unit 20. For example, the substrate 9 is disposed above the plurality of support plates 21, and the upper ends of the plurality of support pins 22 come into contact with a second surface F2, which serves as the lower surface of the substrate 9, thereby supporting the substrate 9 in a horizontal position.
複数の支持ピン22は、例えば、第1支持ピン22aおよび第2支持ピン22bを含む。換言すれば、支持部20は、基板9を下方からそれぞれ支持する第1支持ピン22aおよび第2支持ピン22bを含む。図1および図3の例では、複数の支持ピン22は、例えば、複数の第1支持ピン22aと、複数の第2支持ピン22bと、を含む。換言すれば、支持部20は、複数の第1支持ピン22aと、複数の第2支持ピン22bと、を含む。図6は、第1支持ピン22aの外観の一例を示す正面図である。図7は、第2支持ピン22bの外観の一例を示す正面図である。図8は、第2支持ピン22bの外観の一例を示す平面図である。図7および図8には、隠れている部分が破線で描かれている。図9および図10は、それぞれ第2支持ピン22bの縦断面の一例を示す図である。 The multiple support pins 22 include, for example, first support pins 22a and second support pins 22b. In other words, the support unit 20 includes first support pins 22a and second support pins 22b that respectively support the substrate 9 from below. In the example of FIGS. 1 and 3, the multiple support pins 22 include, for example, multiple first support pins 22a and multiple second support pins 22b. In other words, the support unit 20 includes multiple first support pins 22a and multiple second support pins 22b. FIG. 6 is a front view showing an example of the appearance of the first support pin 22a. FIG. 7 is a front view showing an example of the appearance of the second support pin 22b. FIG. 8 is a plan view showing an example of the appearance of the second support pin 22b. In FIGS. 7 and 8, hidden parts are depicted with dashed lines. FIGS. 9 and 10 are each a diagram showing an example of a longitudinal cross section of the second support pin 22b.
第1支持ピン22aは、基板9が水平方向にずれないように基板9を下方から支持することができる。図6で示されるように、第1支持ピン22aには、例えば、上下方向に沿って延びる長細い部材が適用される。第1支持ピン22aには、例えば、上下方向に沿って延びる棒状の部材が適用されてもよいし、上端部(第1上端部ともいう)1tが尖るような円錐状または角錐状等の錐状の部材が適用されてもよい。第1支持ピン22aの材料には、例えば、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)もしくはポリイミド(PI)等の樹脂材料が適用される。例えば、樹脂材料の摩擦力が適宜調整されることで、第1支持ピン22aは、第1支持ピン22aの第1上端部1tと基板9の下面としての第2面F2との間の摩擦力により、基板9が水平方向にずれないように下方から基板9を支持することができる。 The first support pin 22a can support the substrate 9 from below to prevent it from shifting horizontally. As shown in FIG. 6, the first support pin 22a may be, for example, a long, thin member extending in the vertical direction. The first support pin 22a may be, for example, a rod-shaped member extending in the vertical direction, or a pyramidal member with a pointed upper end (also referred to as the first upper end) 1t. The first support pin 22a may be made of a resin material such as polyether ether ketone (PEEK) or polyimide (PI). For example, by appropriately adjusting the frictional force of the resin material, the first support pin 22a can support the substrate 9 from below to prevent it from shifting horizontally due to the frictional force between the first upper end 1t of the first support pin 22a and the second surface F2, which serves as the lower surface of the substrate 9.
第2支持ピン22bは、本体部2bと、当接部2cと、を有する。本体部2bと、当接部2cとは、互いに接続もしくは連結等されていない別体で構成されている。第2支持ピン22bは、基準となる本体部2bに対して当接部2cを浮上させた状態で、当接部2cの上端部(第2上端部ともいう)2tによって基板9を下方から支持することができる。このため、第2支持ピン22bは、本体部2bから当接部2cが離間しており、当接部2cの熱容量が小さく、当接部2cに熱容量が大きな部分が接続も接触もしていない状態で、基板9を下方から支持することができる。これにより、例えば、基板9において複数の支持ピン22の配置に応じた温度差が生じにくく、基板9の上面としての第1面F1に形成された塗膜90をより均一に乾燥させることができる。 The second support pin 22b has a main body portion 2b and an abutment portion 2c. The main body portion 2b and the abutment portion 2c are separate bodies that are not connected or linked to each other. The second support pin 22b can support the substrate 9 from below using the upper end (also referred to as the second upper end) 2t of the abutment portion 2c, with the abutment portion 2c raised above the main body portion 2b that serves as a reference. Therefore, the second support pin 22b can support the substrate 9 from below with the abutment portion 2c spaced apart from the main body portion 2b, the abutment portion 2c having a small heat capacity, and a portion with a large heat capacity not connected to or in contact with the abutment portion 2c. This reduces temperature differences in the substrate 9 due to the arrangement of multiple support pins 22, for example, and allows the coating film 90 formed on the first surface F1, which serves as the upper surface of the substrate 9, to dry more uniformly.
ここで、第2支持ピン22bについてさらに説明する。 Here, we will explain the second support pin 22b in more detail.
本体部2bは、第2支持ピン22bが設けられた部材に固定されている部分である。換言すれば、本体部2bは、支持部20のベース部に固定されている部分である。図1および図3の例では、本体部2bは、支持部20のベース部である支持プレート21の上面に固定されている。換言すれば、本体部2bは、熱容量が大きな部分に接続もしくは接触している部分である。また、本体部2bは、第1磁石M1を有する。第1磁石M1には、永久磁石が適用され得る。 Main body portion 2b is the portion fixed to the member on which second support pin 22b is provided. In other words, main body portion 2b is the portion fixed to the base portion of support portion 20. In the example of Figures 1 and 3, main body portion 2b is fixed to the upper surface of support plate 21, which is the base portion of support portion 20. In other words, main body portion 2b is the portion connected to or in contact with a portion with a large heat capacity. Main body portion 2b also has a first magnet M1. A permanent magnet can be used as first magnet M1.
当接部2cは、基板9の下面としての第2面F2に当接する部分である。具体的には、チャンバ10の内部空間10sに基板9が収容されていない場合には、当接部2cは、基板9の下面としての第2面F2に当接させるための部分である。チャンバ10の内部空間10sに基板9が収容されている場合には、当接部2cは、基板9の下面としての第2面F2に当接している状態となる。また、当接部2cは、第2磁石M2を有する。第2磁石M2には、永久磁石が適用され得る。第2磁石M2は、第1磁石M1から第1方向としての上方向に離間している状態で位置している。換言すれば、第1磁石M1と第2磁石M2とは、第1磁石M1から第2磁石M2に向かう上方向において離間している。図9および図10の例では、第1磁石M1は、本体部2bの下部に位置しており、第2磁石M2は、当接部2cの下部に位置している。第1磁石M1と第2磁石M2とは、同一の磁極が対向している状態で位置している。図9および図10の例では、第1磁石M1において、第1磁極を有する部分(第1磁極部ともいう)M11が下部に位置し、第2磁極を有する部分(第2磁極部ともいう)M12が上部に位置している。また、第2磁石M2において、第1磁極を有する部分(第1磁極部)M21が上部に位置し、第2磁極を有する部分(第2磁極部)M22が下部に位置している。第1磁極がN極である場合には、第2磁極はS極である。第1磁極がS極である場合には、第2磁極はN極である。第1磁石M1と第2磁石M2とは、同一の磁極が対向している状態で位置していることで、第1磁石M1と第2磁石M2との間に反発力が生じている状態にある。この反発力によって、本体部2bを基準として、当接部2cには上方向に向かう力が働く。これにより、当接部2cは、本体部2bから浮上している状態で、基板9の下方を支持することが可能となる。 The abutment portion 2c abuts against the second surface F2, which serves as the underside of the substrate 9. Specifically, when the substrate 9 is not housed in the internal space 10s of the chamber 10, the abutment portion 2c abuts against the second surface F2, which serves as the underside of the substrate 9. When the substrate 9 is housed in the internal space 10s of the chamber 10, the abutment portion 2c abuts against the second surface F2, which serves as the underside of the substrate 9. The abutment portion 2c also has a second magnet M2. A permanent magnet may be used as the second magnet M2. The second magnet M2 is positioned in a state where it is spaced apart from the first magnet M1 in the upward direction, which serves as the first direction. In other words, the first magnet M1 and the second magnet M2 are spaced apart in the upward direction from the first magnet M1 toward the second magnet M2. In the example of Figures 9 and 10, the first magnet M1 is positioned at the bottom of the main body portion 2b, and the second magnet M2 is positioned at the bottom of the abutment portion 2c. The first magnet M1 and the second magnet M2 are positioned with their identical magnetic poles facing each other. In the example of FIGS. 9 and 10 , in the first magnet M1, the portion having the first magnetic pole (also referred to as the first magnetic pole portion) M11 is located at the bottom, and the portion having the second magnetic pole (also referred to as the second magnetic pole portion) M12 is located at the top. In the second magnet M2, the portion having the first magnetic pole (the first magnetic pole portion) M21 is located at the top, and the portion having the second magnetic pole (the second magnetic pole portion) M22 is located at the bottom. When the first magnetic pole is a north pole, the second magnetic pole is a south pole. When the first magnetic pole is a south pole, the second magnetic pole is a north pole. Because the first magnet M1 and the second magnet M2 are positioned with their identical magnetic poles facing each other, a repulsive force is generated between the first magnet M1 and the second magnet M2. This repulsive force exerts an upward force on the abutment portion 2c relative to the main body portion 2b. This allows the contact portion 2c to support the substrate 9 from below while floating above the main body portion 2b.
本体部2bは、係止部分Fk1を含む。係止部分Fk1は、第1磁石M1と第2磁石M2との間における反発力によって上方向に向かう力が働いている当接部2cを係止するとともに、上方向に垂直な方向(水平方向ともいう)における当接部2cの移動を規制する部分である。換言すれば、係止部分Fk1は、当接部2cが本体部2bに対して上方向に移動可能な領域を規定するとともに、当接部2cが本体部2bに対して水平方向に移動可能な領域を規定する部分である。別の観点から言えば、係止部分Fk1は、第1磁石M1と第2磁石M2との間における反発力および外力等によって、当接部2cが本体部2bから遠く離れた位置まで移動し過ぎて第2支持ピン22bが分解しないように、本体部2bに対して当接部2cが移動可能な範囲を規制する部分として働く。 Main body 2b includes a locking portion Fk1. Locking portion Fk1 locks contact portion 2c, which is subjected to an upward force due to the repulsive force between first magnet M1 and second magnet M2, and restricts movement of contact portion 2c in a direction perpendicular to the upward direction (also referred to as the horizontal direction). In other words, locking portion Fk1 defines the area within which contact portion 2c can move upward relative to main body 2b, and also defines the area within which contact portion 2c can move horizontally relative to main body 2b. From another perspective, locking portion Fk1 functions as a portion that restricts the range of movement of contact portion 2c relative to main body 2b, so that the repulsive force between first magnet M1 and second magnet M2, external forces, and the like do not cause contact portion 2c to move too far away from main body 2b, thereby causing second support pin 22b to disassemble.
当接部2cは、第1部分P1と第2部分P2とを含む。第1部分P1は、本体部2bの係止部分Fk1によって係止される部分である。第2部分P2は、第1部分P1が係止部分Fk1によって係止されている状態で本体部2bよりも上方向に位置する領域(第1領域ともいう)Ar1を有する。第1領域Ar1は、当接部2cの上端部(第2上端部)2tを含む。図9および図10の例では、第1部分P1上に第2部分P2が接続している。第2部分P2は、例えば、第1部分P1上に連結していてもよい。また、当接部2cは、第2方向としての下方向に移動することで、本体部2bから離間することが可能な空間(移動可能空間ともいう)Sp1を本体部2bとの間に介して位置している。図9および図10の例では、移動可能空間Sp1は、第1磁石M1と第2磁石M2との間に位置している。ここでは、図10で示されるように、当接部2cは、第1磁石M1と第2磁石M2との間における反発力に抗して下方向に押されることで、本体部2bから離間し得る。これにより、当接部2cは、本体部2bから離間しており、本体部2bに対して浮上している状態となる。図10では、当接部2cを下方向に押す力が太い矢印で模式的に描かれている。 The abutment portion 2c includes a first portion P1 and a second portion P2. The first portion P1 is engaged by the locking portion Fk1 of the main body portion 2b. The second portion P2 has a region (also referred to as the first region) Ar1 located above the main body portion 2b when the first portion P1 is engaged by the locking portion Fk1. The first region Ar1 includes the upper end portion (second upper end portion) 2t of the abutment portion 2c. In the example shown in Figures 9 and 10, the second portion P2 is connected to the first portion P1. The second portion P2 may be connected to the first portion P1, for example. Furthermore, the abutment portion 2c is located between the main body portion 2b and a space (also referred to as a movable space) Sp1 that allows the abutment portion 2c to move downward in the second direction and separate from the main body portion 2b. In the example shown in Figures 9 and 10, the movable space Sp1 is located between the first magnet M1 and the second magnet M2. As shown in Figure 10, the contact portion 2c can be pushed downward against the repulsive force between the first magnet M1 and the second magnet M2, thereby separating from the main body portion 2b. As a result, the contact portion 2c is separated from the main body portion 2b and is in a state of floating relative to the main body portion 2b. In Figure 10, the force pushing the contact portion 2c downward is schematically depicted by a thick arrow.
一実施形態では、本体部2bは、上方向に沿って延びる筒状の部分(筒状部分ともいう)Pp1を含む。図7から図10の例では、筒状部分Pp1は、上方向に沿って中空部分Hp1が延びるように位置している円筒状の部分である。筒状部分Pp1は、例えば、上方向に沿って中空部分Hp1が延びるように位置している円筒状もしくは角筒状等の筒状の部分であってもよい。また、第1磁石M1は、筒状部分Pp1の中空部分Hp1に位置している。図7から図10の例では、第1磁石M1は、筒状部分Pp1の中空部分Hp1のうちの下方の開口を塞ぐように位置している。第1磁石M1は、例えば、筒状部分Pp1の下部に沿って位置していてもよい。換言すれば、例えば、第1磁石M1は、筒状部分Pp1の中空部分Hp1および筒状部分Pp1の下部に沿った部分のうちの少なくとも一方に位置している部分を含んでいてもよい。また、係止部分Fk1は、筒状部分Pp1の上部に沿って位置しているとともに、上方向に貫通している貫通孔(第1貫通孔ともいう)Th1を有する。換言すれば、筒状部分Pp1は、第1磁石M1と係止部分Fk1とを連結している部分(連結部分ともいう)としての機能を有する。筒状部分Pp1と係止部分Fk1とは、例えば、一体の部材で構成されていてもよいし、相互に接合もしくは連結等によって固定されていてもよい。第1貫通孔Th1は、筒状部分Pp1の中空部分Hp1と上下方向で接続している。これにより、第1貫通孔Th1と中空部分Hp1とが本体部2bの内部空間を構成している。第1貫通孔Th1の水平方向に沿った断面(水平断面)は、中空部分Hp1の水平方向に沿った断面(水平断面)よりも小さい。図7から図10の例では、本体部2bの係止部分Fk1は、第1貫通孔Th1の最上部を囲む円環状の構成を有する。係止部分Fk1は、例えば、第1貫通孔Th1を囲む他の環状の形態を有する部分であってもよい。第1貫通孔Th1には、例えば、筒状部分Pp1の外周部に開口するスリットもしくは切り欠き等が接続していてもよい。本体部2bのうちの第1磁石M1を除く筒状部分Pp1および係止部分Fk1等の部分の材料には、例えば、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)もしくはポリイミド(PI)等の樹脂材料、セラミックスまたは非磁性の金属等の種々の材料が適用され得る。 In one embodiment, the main body 2b includes a cylindrical portion (also referred to as a tubular portion) Pp1 extending upward. In the examples of Figures 7 to 10, the cylindrical portion Pp1 is a cylindrical portion positioned so that a hollow portion Hp1 extends upward. The cylindrical portion Pp1 may be, for example, a cylindrical or rectangular cylindrical portion positioned so that the hollow portion Hp1 extends upward. Furthermore, the first magnet M1 is positioned in the hollow portion Hp1 of the cylindrical portion Pp1. In the examples of Figures 7 to 10, the first magnet M1 is positioned so as to block the lower opening of the hollow portion Hp1 of the cylindrical portion Pp1. The first magnet M1 may be positioned, for example, along the lower portion of the cylindrical portion Pp1. In other words, the first magnet M1 may include a portion positioned in at least one of the hollow portion Hp1 of the cylindrical portion Pp1 and a portion along the lower portion of the cylindrical portion Pp1. The locking portion Fk1 is located along the top of the cylindrical portion Pp1 and has a through-hole (also referred to as a first through-hole) Th1 penetrating upward. In other words, the cylindrical portion Pp1 functions as a portion (also referred to as a connecting portion) connecting the first magnet M1 and the locking portion Fk1. The cylindrical portion Pp1 and the locking portion Fk1 may be formed as an integral member, or may be fixed to each other by joining or connecting. The first through-hole Th1 is connected to the hollow portion Hp1 of the cylindrical portion Pp1 in the vertical direction. As a result, the first through-hole Th1 and the hollow portion Hp1 form the internal space of the main body 2b. The horizontal cross-section of the first through-hole Th1 is smaller than the horizontal cross-section of the hollow portion Hp1. In the examples shown in Figures 7 to 10, the locking portion Fk1 of the main body 2b has a circular ring-shaped configuration that surrounds the top of the first through hole Th1. The locking portion Fk1 may, for example, be a portion having another ring shape that surrounds the first through hole Th1. The first through hole Th1 may be connected to a slit or notch that opens onto the outer periphery of the cylindrical portion Pp1. The cylindrical portion Pp1 and the locking portion Fk1 of the main body 2b, excluding the first magnet M1, may be made of various materials, such as resin materials such as polyetheretherketone (PEEK) or polyimide (PI), ceramics, or non-magnetic metals.
一実施形態では、当接部2cは、当接部2cのうちの第1部分P1よりも下方に位置している部分が、本体部2bの内部空間を上下に移動することができる。当接部2cは、例えば、中空部分Hp1内において、筒状部分Pp1の内周面(第1内周面ともいう)Iw1から離間している状態で位置している部分(第3部分ともいう)P3を含む。この第3部分P3は、第2磁石M2を含む。当接部2cでは、第2部分P2の第1領域Ar1は、第1部分P1の上部に接続もしくは連結している。そして、第2部分P2の第1領域Ar1は、第1部分P1が本体部2bの係止部分Fk1によって係止されている状態で、第1貫通孔Th1から上方向に突出している状態となる。この場合には、本体部2bの係止部分Fk1に当接部2cの第1部分P1が係止される構成が容易に実現され得る。図9および図10の当接部2cの例では、当接部2cは、基板9の下面としての第2面F2に直接接触するための部分(被接触部ともいう)Cp1と、被接触部Cp1の下面に固定されている第2磁石M2と、を有する。被接触部Cp1は、第1部分P1および第2部分P2を含む。被接触部Cp1の材料には、例えば、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)もしくはポリイミド(PI)等の樹脂材料が適用される。 In one embodiment, the portion of the abutment portion 2c located below the first portion P1 can move up and down within the internal space of the main body portion 2b. The abutment portion 2c includes, for example, a portion (also referred to as the third portion) P3 located within the hollow portion Hp1 and spaced apart from the inner circumferential surface (also referred to as the first inner circumferential surface) Iw1 of the cylindrical portion Pp1. This third portion P3 includes a second magnet M2. In the abutment portion 2c, the first region Ar1 of the second portion P2 is connected or coupled to the upper portion of the first portion P1. Furthermore, the first region Ar1 of the second portion P2 protrudes upward from the first through-hole Th1 when the first portion P1 is engaged by the engaging portion Fk1 of the main body portion 2b. In this case, a configuration in which the first portion P1 of the abutment portion 2c is engaged with the engaging portion Fk1 of the main body portion 2b can be easily realized. In the example of the contact portion 2c in Figures 9 and 10, the contact portion 2c has a portion (also referred to as the contacted portion) Cp1 for directly contacting the second surface F2, which is the underside of the substrate 9, and a second magnet M2 fixed to the underside of the contacted portion Cp1. The contacted portion Cp1 includes a first portion P1 and a second portion P2. The contacted portion Cp1 is made of a resin material such as polyether ether ketone (PEEK) or polyimide (PI).
また、一実施形態では、第2部分P2は、傾斜している外周面(第1傾斜外周面ともいう)Ts1を有する。第1傾斜外周面Ts1は、第1部分P1から上方向に向かうにつれて、第2部分P2の水平方向に沿った仮想的な断面(仮想断面ともいう)の中心(重心)を通る上下方向に沿った仮想線(第1仮想中心線ともいう)Lc1に近づくように、第1仮想中心線Lc1に対して傾斜している。この場合には、例えば、第1磁石M1と第2磁石M2との間の反発力によって、本体部2bに対して当接部2cが上方向に移動する際に、第2部分P2の第1傾斜外周面Ts1が係止部分Fk1に対して摺り動いて、第2部分P2の第1仮想中心線Lc1が、第1貫通孔Th1の上下方向に沿った仮想的な中心線(第2仮想中心線ともいう)Lc2に近接もしくは一致し得る。その結果、例えば、第1部分P1が係止部分Fk1で係止される際に、第2部分P2のうちの第1貫通孔Th1から上方向に突出している第1領域Ar1が、水平方向において第1貫通孔Th1の中心に対して容易に位置決めされ得る。第2仮想中心線Lc2には、例えば、第1貫通孔Th1の水平方向に沿った仮想的な断面における中心(重心)を通る上下方向に沿った仮想線が適用される。図9および図10の例では、第2部分P2は、上方向に凸の円錐状の形状を有しており、被接触部Cp1が上方向に凸状の円錐状の形状を有する。第2部分P2および被接触部Cp1は、例えば、円錐状もしくは角錐状等の上方向に凸の錐状の形状を有していてもよい。例えば、第2部分P2が上方向に凸の錐状の形状を有していれば、被接触部Cp1は全体として錐状の形状を有していなくてもよい。また、例えば、第2部分P2の外周面のうちの第1部分P1から第2上端部2tに向かう一部の区間が、第1傾斜外周面Ts1となっていてもよい。 In one embodiment, the second portion P2 has an inclined outer peripheral surface (also referred to as a first inclined outer peripheral surface) Ts1. The first inclined outer peripheral surface Ts1 is inclined with respect to a first imaginary center line Lc1, which is an imaginary line extending in the vertical direction and passing through the center (center of gravity) of an imaginary cross section (also referred to as an imaginary cross section) of the second portion P2 along the horizontal direction, as it extends upward from the first portion P1. In this case, for example, when the abutting portion 2c moves upward relative to the main body portion 2b due to the repulsive force between the first magnet M1 and the second magnet M2, the first inclined outer peripheral surface Ts1 of the second portion P2 slides against the locking portion Fk1, and the first imaginary center line Lc1 of the second portion P2 approaches or coincides with the imaginary center line (also referred to as a second imaginary center line) Lc2 extending in the vertical direction of the first through hole Th1. As a result, for example, when the first portion P1 is locked by the locking portion Fk1, the first region Ar1 of the second portion P2 protruding upward from the first through hole Th1 can be easily positioned horizontally relative to the center of the first through hole Th1. For example, the second imaginary center line Lc2 is a virtual line extending in the vertical direction and passing through the center (center of gravity) of an imaginary cross section of the first through hole Th1 along the horizontal direction. In the examples of FIGS. 9 and 10 , the second portion P2 has an upwardly convex conical shape, and the contacted portion Cp1 also has an upwardly convex conical shape. The second portion P2 and the contacted portion Cp1 may have, for example, an upwardly convex pyramidal shape, such as a conical or pyramidal shape. For example, as long as the second portion P2 has an upwardly convex pyramidal shape, the contacted portion Cp1 does not need to have a pyramidal shape as a whole. Additionally, for example, a portion of the outer peripheral surface of the second portion P2 extending from the first portion P1 toward the second upper end portion 2t may be the first inclined outer peripheral surface Ts1.
また、一実施形態では、第1貫通孔Th1は、上方向に向かうにつれて第1貫通孔Th1の上下方向に沿った第2仮想中心線Lc2に近づくように狭くなっている内部空間(第1内部空間ともいう)Is1を有する。換言すれば、係止部分Fk1のうちの第1貫通孔Th1の外周を規定する内周面(第2内周面ともいう)Iw2は、上方向に向かうにつれて、第2仮想中心線Lc2に近づくように第2仮想中心線Lc2に対して傾斜している面である。このような構成が採用されれば、例えば、第1磁石M1と第2磁石M2との間の反発力によって、本体部2bに対して当接部2cが上方向に移動する際に、第2部分P2が係止部分Fk1の傾斜している第2内周面Iw2に対して摺り動いて、第2部分P2の第1仮想中心線Lc1が、第1貫通孔Th1の第2仮想中心線Lc2に近接もしくは一致し得る。その結果、例えば、第1部分P1が係止部分Fk1で係止される際に、第2部分P2のうちの第1貫通孔Th1から上方向に突出している第1領域Ar1が、水平方向において第1貫通孔Th1の中心に対して容易に位置決めされ得る。図9および図10の例では、第1貫通孔Th1の第1内部空間Is1は、円錐台状の形状を有する。第1内部空間Is1は、例えば、円錐台状もしくは角錐台状等の上方向に向かうにつれて狭くなっている錐台状の形状を有していてもよい。また、例えば、係止部分Fk1のうちの第1貫通孔Th1の外周を規定する第2内周面Iw2は、第1貫通孔Th1の下端部から上端部に向かう一部の区間において、上方向に向かうにつれて、第2仮想中心線Lc2に近づくように第2仮想中心線Lc2に対して傾斜していてもよい。 In one embodiment, the first through hole Th1 has an internal space (also referred to as the first internal space) Is1 that narrows upward and approaches a second imaginary center line Lc2 that extends along the vertical direction of the first through hole Th1. In other words, the inner peripheral surface (also referred to as the second inner peripheral surface) Iw2 of the locking portion Fk1 that defines the outer periphery of the first through hole Th1 is inclined with respect to the second imaginary center line Lc2 so as to approach the second imaginary center line Lc2 upward. With this configuration, for example, when the abutting portion 2c moves upward relative to the main body portion 2b due to the repulsive force between the first magnet M1 and the second magnet M2, the second portion P2 slides against the inclined second inner peripheral surface Iw2 of the locking portion Fk1, causing the first imaginary center line Lc1 of the second portion P2 to approach or coincide with the second imaginary center line Lc2 of the first through hole Th1. As a result, for example, when the first portion P1 is locked by the locking portion Fk1, the first region Ar1 of the second portion P2 protruding upward from the first through hole Th1 can be easily positioned horizontally relative to the center of the first through hole Th1. In the example shown in FIGS. 9 and 10 , the first internal space Is1 of the first through hole Th1 has a truncated cone shape. The first internal space Is1 may have a truncated cone shape that narrows upward, such as a truncated cone or truncated pyramid shape. Furthermore, for example, the second inner circumferential surface Iw2 defining the outer periphery of the first through hole Th1 of the locking portion Fk1 may be inclined with respect to the second imaginary center line Lc2 in a section extending from the lower end to the upper end of the first through hole Th1 so as to approach the second imaginary center line Lc2 as it extends upward.
ここで、支持部20によって基板9を下方から支持する態様について説明する。図11は、基板9を下方から支持していない状態にある第1支持ピン22aおよび第2支持ピン22bの一例を模式的に示す図である。図12は、基板9を下方から支持している状態にある第1支持ピン22aおよび第2支持ピン22bの一例を模式的に示す図である。図11および図12では、それぞれ、図面の複雑化を防ぐために、2本の第1支持ピン22aおよび1本の第2支持ピン22bが便宜的に描かれている。また、図12では、基板9が当接部2cを下方向に押す力が太い矢印で模式的に描かれている。 Here, we will explain how the substrate 9 is supported from below by the support portion 20. Figure 11 is a diagram schematically showing an example of the first support pins 22a and second support pins 22b when they are not supporting the substrate 9 from below. Figure 12 is a diagram schematically showing an example of the first support pins 22a and second support pins 22b when they are supporting the substrate 9 from below. In Figures 11 and 12, two first support pins 22a and one second support pin 22b are depicted for convenience in order to avoid complicating the drawings. Also, in Figure 12, the force of the substrate 9 pressing downward on the abutment portion 2c is depicted schematically with a thick arrow.
図11から図12で示されるように、例えば、第1支持ピン22a上および第2支持ピン22bの当接部2c上に基板9を載置すると、第1支持ピン22aによって基板9が水平方向にずれないように下方から支持されている状態となる。このとき、第2支持ピン22bでは、第1磁石M1と第2磁石M2との間における反発力に抗して基板9の重さによって当接部2cが下方向に押されることで、当接部2cが本体部2bから離間している状態となる。これにより、当接部2cが、本体部2bから離間しており、本体部2bに対して浮上している状態となる。このとき、第1磁石M1と第2磁石M2との距離が短くなることで第1磁石M1と第2磁石M2との間の反発力が高まり、第1磁石M1と第2磁石M2との間の反発力と、当接部2cにかかる重力と基板9が当接部2cを下方向に押す力との合力と、がつり合っている状態となる。この場合には、第2支持ピン22bでは、本体部2bから当接部2cが離間しており、当接部2cの熱容量が小さく、当接部2cには熱容量が大きな部分が接続も接触もしていない。これにより、例えば、基板9において複数の支持ピン22の配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、基板9の上面としての第1面F1に形成された塗膜90をより均一に乾燥させることができる。 As shown in Figures 11 and 12, for example, when a substrate 9 is placed on the first support pin 22a and the contact portion 2c of the second support pin 22b, the first support pin 22a supports the substrate 9 from below to prevent it from shifting horizontally. At this time, the weight of the substrate 9 presses the contact portion 2c of the second support pin 22b downward against the repulsive force between the first magnet M1 and the second magnet M2, causing the contact portion 2c to be separated from the main body portion 2b. As a result, the contact portion 2c is separated from the main body portion 2b and is levitated relative to the main body portion 2b. At this time, the distance between the first magnet M1 and the second magnet M2 is shortened, increasing the repulsive force between the first magnet M1 and the second magnet M2. The repulsive force between the first magnet M1 and the second magnet M2 is balanced with the resultant force of gravity acting on the contact portion 2c and the force of the substrate 9 pressing the contact portion 2c downward. In this case, the contact portion 2c of the second support pin 22b is separated from the main body portion 2b, the contact portion 2c has a small heat capacity, and the contact portion 2c is not connected to or in contact with any portion with a large heat capacity. This makes it less likely that a temperature difference will occur on the substrate 9 due to the arrangement of multiple support pins 22. As a result, for example, the coating film 90 formed on the first surface F1, which serves as the upper surface of the substrate 9, can be dried more uniformly.
ここで、図11で示されるように、支持部20が基板9を下方から支持していない状態においては、当接部2cは、上下方向における第1位置Vp1に位置している。図12で示されるように、支持部20が基板9を下方から支持している状態において、当接部2cは、上下方向における第1位置Vp1よりも下方の第2位置Vp2に位置している。このため、第2支持ピン22bでは、当接部2cは、支持部20が基板9を下方から支持していない状態において上下方向における第1位置Vp1に位置し、支持部20が基板9を下方から支持している状態において上下方向における第1位置Vp1よりも下方の第2位置Vp2に位置する。 Here, as shown in FIG. 11, when the support portion 20 is not supporting the substrate 9 from below, the abutment portion 2c is located at a first position Vp1 in the vertical direction. As shown in FIG. 12, when the support portion 20 is supporting the substrate 9 from below, the abutment portion 2c is located at a second position Vp2 that is lower than the first position Vp1 in the vertical direction. Therefore, on the second support pin 22b, the abutment portion 2c is located at the first position Vp1 in the vertical direction when the support portion 20 is not supporting the substrate 9 from below, and is located at the second position Vp2 that is lower than the first position Vp1 in the vertical direction when the support portion 20 is supporting the substrate 9 from below.
図13は、基板9の塗布領域A1と第1支持ピン22aおよび第2支持ピン22bとの関係の一例を示す図である。図13では、基板9の下面としての第2面F2のうち、第1支持ピン22aによって支持される位置が白丸で示されており、第2支持ピン22bによって支持される位置が黒丸で示されている。また、図13では、基板9のうちの上面としての第1面F1に塗膜90が形成された塗布領域A1の外縁が二点鎖線で描かれている。 Figure 13 is a diagram showing an example of the relationship between the coating area A1 of the substrate 9 and the first support pins 22a and second support pins 22b. In Figure 13, positions on the second surface F2 (the underside of the substrate 9) that are supported by the first support pins 22a are indicated by white circles, and positions that are supported by the second support pins 22b are indicated by black circles. Also in Figure 13, the outer edge of the coating area A1 where the coating film 90 is formed on the first surface F1 (the upper surface of the substrate 9) is depicted by a two-dot chain line.
図13で示されるように、第1支持ピン22aは、基板9のうちの上面としての第1面F1に塗膜90が形成されていない非塗布領域A2を下方から支持するように配置されている。第2支持ピン22bは、基板9のうちの上面としての第1面F1に塗膜90が形成された塗布領域A1を下方から支持するように配置されている。これにより、例えば、基板9のうちの上面としての第1面F1に塗膜90が形成された塗布領域A1において、複数の支持ピン22の配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、簡単な構成によって基板9の上面としての第1面F1に形成された塗膜90をより均一に乾燥させることができる。ここで、複数の第2支持ピン22bのうちの一部の第2支持ピン22bは、例えば、基板9のうちの非塗布領域A2を下方から支持するように配置されてもよい。図13の例では、非塗布領域A2は、基板9の外周部9opに沿って位置している。基板9の外周部9opは、第1面F1が上面とされ、第2面F2が下面とされた状態で、基板9の水平方向の周縁に沿った部分である。また、非塗布領域A2は、基板9のうちの隣り合う塗布領域A1の間にも位置している。この場合に、例えば、基板9の外周部9opに沿った非塗布領域A2を下方から支持するように、複数の第1支持ピン22aを配置する構成が採用されれば、第1支持ピン22aを容易に配置することができる。 As shown in FIG. 13 , the first support pin 22a is positioned to support from below the non-coated region A2, where the coating film 90 is not formed on the first surface F1 (the upper surface) of the substrate 9. The second support pin 22b is positioned to support from below the coated region A1, where the coating film 90 is formed on the first surface F1 (the upper surface) of the substrate 9. This makes it less likely that a temperature difference will occur depending on the arrangement of the multiple support pins 22 in the coated region A1, where the coating film 90 is formed on the first surface F1 (the upper surface) of the substrate 9. As a result, for example, the coating film 90 formed on the first surface F1 (the upper surface) of the substrate 9 can be dried more uniformly with a simple configuration. Here, some of the multiple second support pins 22b may be positioned to support the non-coated region A2 of the substrate 9 from below. In the example of FIG. 13 , the non-coated region A2 is located along the outer periphery 9op of the substrate 9. The outer periphery 9op of the substrate 9 is the portion along the horizontal periphery of the substrate 9, with the first surface F1 being the upper surface and the second surface F2 being the lower surface. The non-coated areas A2 are also located between adjacent coated areas A1 of the substrate 9. In this case, for example, if a configuration is adopted in which multiple first support pins 22a are arranged to support the non-coated areas A2 along the outer periphery 9op of the substrate 9 from below, the first support pins 22a can be easily arranged.
<<排気部30>>
排気部30は、チャンバ10内の雰囲気を排出する部分である。排気部30には、例えば、チャンバ10の内部空間10sから気体を吸引して、チャンバ10内の圧力を低下させる機構が適用される。図1および図2で示されるように、チャンバ10の底板部11には、例えば、4つの排気口16a,16b,16c,16dが設けられている。4つの排気口16a,16b,16c,16dは、例えば、支持部20に支持された基板9の下方に位置するように配置されている。また、4つの排気口16a,16b,16c,16dは、例えば、後述する底面整流板40の下方に位置している。排気部30は、例えば、4つの排気口16a,16b,16c,16dに接続された排気配管31と、4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vdと、主バルブVeと、真空ポンプ32と、を有する。排気配管31は、例えば、4つの個別配管31a,31b,31c,31dと、1つの主配管31eと、を有する。例えば、個別配管31aの一端は、排気口16aに接続しており、個別配管31bの一端は、排気口16bに接続しており、個別配管31cの一端は、排気口16cに接続しており、個別配管31dの一端は、排気口16dに接続している。例えば、4つの個別配管31a,31b,31c,31dのそれぞれの他端は、合流して主配管31eの一端に接続されている。例えば、主配管31eの他端は、真空ポンプ32に接続している。例えば、個別バルブVaは、個別配管31aの経路上に設けられており、個別バルブVbは、個別配管31bの経路上に設けられており、個別バルブVcは、個別配管31cの経路上に設けられており、個別バルブVdは、個別配管31dの経路上に設けられている。例えば、主バルブVeは、主配管31eの経路上に設けられている。
<<Exhaust section 30>>
The exhaust unit 30 is a part that exhausts the atmosphere inside the chamber 10. For example, a mechanism that sucks gas from the internal space 10s of the chamber 10 to reduce the pressure inside the chamber 10 is applied to the exhaust unit 30. As shown in FIGS. 1 and 2 , for example, four exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d are provided on the bottom plate 11 of the chamber 10. The four exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d are arranged so as to be located, for example, below the substrate 9 supported by the support unit 20. The four exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d are also located, for example, below the bottom rectifying plate 40 described below. The exhaust unit 30 includes, for example, an exhaust pipe 31 connected to the four exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d, four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd, a main valve Ve, and a vacuum pump 32. The exhaust pipe 31 includes, for example, four individual pipes 31a, 31b, 31c, and 31d and one main pipe 31e. For example, one end of the individual pipe 31a is connected to the exhaust port 16a, one end of the individual pipe 31b is connected to the exhaust port 16b, one end of the individual pipe 31c is connected to the exhaust port 16c, and one end of the individual pipe 31d is connected to the exhaust port 16d. For example, the other ends of the four individual pipes 31a, 31b, 31c, and 31d are joined together and connected to one end of the main pipe 31e. For example, the other end of the main pipe 31e is connected to the vacuum pump 32. For example, the individual valve Va is provided on the path of the individual pipe 31a, the individual valve Vb is provided on the path of the individual pipe 31b, the individual valve Vc is provided on the path of the individual pipe 31c, and the individual valve Vd is provided on the path of the individual pipe 31d. For example, the main valve Ve is provided on the path of the main pipe 31e.
ここで、例えば、ゲート部15によって搬入出口14を閉鎖した状態で、4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vdの少なくとも一部と、1つの主バルブVeとを開放し、真空ポンプ32を動作させると、チャンバ10内の気体が、排気配管31を介してチャンバ10の外部へ排出される。これにより、例えば、チャンバ10の内部空間10sの圧力を低下させることができる。 Here, for example, with the loading/unloading port 14 closed by the gate unit 15, if at least some of the four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd and one main valve Ve are opened and the vacuum pump 32 is operated, the gas inside the chamber 10 is exhausted to the outside of the chamber 10 via the exhaust pipe 31. This makes it possible to reduce the pressure in the internal space 10s of the chamber 10, for example.
4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vdは、例えば、4つの排気口16a,16b,16c,16dからの排気量を、個別に調節するためのバルブである。4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vdのそれぞれには、例えば、制御部80からの指令に基づいて開状態と閉状態との間で切り替えられる弁(開閉弁ともいう)が適用される。主バルブVeは、例えば、4つの排気口16a,16b,16c,16dからの合計の排気量を調整するためのバルブである。主バルブVeには、例えば、制御部80からの指令に基づいて開度が調節され得る弁(開度制御弁ともいう)が適用される。 The four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd are, for example, valves for individually adjusting the exhaust volume from the four exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d. Each of the four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd is, for example, a valve that can be switched between an open and closed state based on a command from the control unit 80 (also called an on-off valve). The main valve Ve is, for example, a valve for adjusting the total exhaust volume from the four exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d. For example, the main valve Ve is, for example, a valve whose opening can be adjusted based on a command from the control unit 80 (also called an opening control valve).
ここでは、例えば、4つの排気口16a,16b,16c,16dが、支持部20に支持された基板9の下方に位置することで、基板9の上方に排気口がある場合と比べて、基板9の上方における気体の流れの均一化が促進され、基板9の上面に形成された塗膜90における乾燥ムラの発生が低減され得る。 Here, for example, the four exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d are located below the substrate 9 supported by the support portion 20. This promotes uniformity of the gas flow above the substrate 9 compared to when the exhaust ports are located above the substrate 9, and can reduce the occurrence of uneven drying in the coating film 90 formed on the upper surface of the substrate 9.
<<昇降部100>>
昇降部100は、チャンバ10内において支持部20を昇降させる部分である。換言すれば、例えば、昇降部100は、チャンバ10の内部空間10sに位置している支持部20を昇降させることができる機構(昇降機構ともいう)を有する。この昇降部100により、例えば、支持部20に支持されている基板9が昇降され得る。図1では、図面の煩雑化を避けるために、昇降部100が概念的に示されている。図3で示されるように、昇降部100には、例えば、直動型モータまたはエアシリンダ等の駆動装置が適用される。昇降部100は、例えば、本体部100aと、移動部100bと、を有する。本体部100aは、例えば、チャンバ10の外部において、図示を省略した装置フレームに固定されている。移動部100bは、例えば、本体部100aに対して、上下方向に移動することができる。移動部100bには、例えば、棒状の部材等が適用される。移動部100bは、例えば、チャンバ10の底板部11の貫通孔11hに挿通された状態で位置している。そして、例えば、移動部100bの上端部に、支持部20が固定されている。ここでは、例えば、底板部11の下面と移動部100bとの間にベローズ等が設けられれば、底板部11と移動部100bとの隙間が密閉され得る。例えば、支持部20が複数の支持プレート21を有する場合には、移動部100bは、支持プレート21ごとに支持プレート21に固定されており且つ底板部11の貫通孔11hに挿通された棒状の部分(棒状部ともいう)と、複数の棒状部を連結している部分(連結部ともいう)と、連結部に接続されており且つ本体部100aに摺動可能に支持された部分(摺動部ともいう)と、を有する。
<<Lifting unit 100>>
The lifting unit 100 is a part that raises and lowers the support unit 20 within the chamber 10. In other words, for example, the lifting unit 100 has a mechanism (also referred to as a lifting mechanism) that can raise and lower the support unit 20 located in the internal space 10s of the chamber 10. The lifting unit 100 can raise and lower, for example, a substrate 9 supported by the support unit 20. In FIG. 1, the lifting unit 100 is conceptually illustrated to avoid complication of the drawing. As shown in FIG. 3, a driving device such as a linear motor or an air cylinder is applied to the lifting unit 100. The lifting unit 100 includes, for example, a main body 100a and a moving unit 100b. The main body 100a is fixed to an apparatus frame (not shown) outside the chamber 10, for example. The moving unit 100b can move, for example, vertically relative to the main body 100a. For example, a rod-shaped member or the like is applied to the moving unit 100b. The moving part 100b is positioned, for example, in a state where it is inserted into the through-hole 11h of the bottom plate part 11 of the chamber 10. The support part 20 is fixed, for example, to the upper end part of the moving part 100b. Here, for example, if a bellows or the like is provided between the lower surface of the bottom plate part 11 and the moving part 100b, the gap between the bottom plate part 11 and the moving part 100b can be sealed. For example, when the support part 20 has a plurality of support plates 21, the moving part 100b has a rod-shaped part (also referred to as a rod-shaped part) fixed to each support plate 21 and inserted into the through-hole 11h of the bottom plate part 11, a part (also referred to as a connecting part) connecting the plurality of rod-shaped parts, and a part (also referred to as a sliding part) connected to the connecting part and slidably supported by the main body part 100a.
ここで、例えば、昇降部100を動作させると、支持部20は、下降位置H1(図1および図3で一点鎖線で示した位置)と、下降位置H1よりも高い上昇位置H2(図1および図3で二点鎖線で示した位置)との間で、上下方向に昇降する。このとき、例えば、複数の支持プレート21は、一体的に昇降し得る。 Here, for example, when the lifting unit 100 is operated, the support unit 20 moves up and down between a lowered position H1 (the position shown by the dashed line in Figures 1 and 3) and an elevated position H2 (the position shown by the dashed line in Figures 1 and 3) that is higher than the lowered position H1. At this time, for example, the multiple support plates 21 can move up and down as a unit.
<<底面整流板40>>
底面整流板40は、排気部30によるチャンバ10内の減圧時に、内部空間10sにおける気体の流れを規制するためのプレートである。例えば、底面整流板40は、支持部20に支持される基板9と、チャンバ10の底板部11との間に位置するように配置されている。具体的には、例えば、底面整流板40は、下降位置H1に配置されている支持部20から間隔をあけて位置するように支持部20の下側に配置されており、且つ底板部11の上面から間隔をあけて位置するように底板部11の上側に配置されている。また、底面整流板40は、例えば、底板部11の上面に沿って、水平に拡がるように位置している。底面整流板40は、例えば、チャンバ10の底板部11に、図示を省略した複数の支柱を介して固定されている。図2で示されるように、例えば、底面整流板40は、上面視において正方形状の形状を有する。そして、例えば、底面整流板40の上面視における各辺の長さは、長方形状の基板9の長辺および短辺のいずれよりも長い。このため、例えば、支持部20上に配置される基板9の向きに拘わらず、上面視において、底面整流板40は、基板9よりも大きい。また、底面整流板40は、例えば、昇降部100の移動部100bが挿通された状態にある貫通孔40hを有している。貫通孔40hにおいて、底面整流板40と移動部100bとは、ごく小さな間隔をあけて位置している。
<<Bottom rectifier plate 40>>
The bottom rectifying plate 40 is a plate for regulating the flow of gas in the internal space 10s when the pressure in the chamber 10 is reduced by the exhaust unit 30. For example, the bottom rectifying plate 40 is arranged so as to be located between the substrate 9 supported by the support unit 20 and the bottom plate portion 11 of the chamber 10. Specifically, for example, the bottom rectifying plate 40 is arranged below the support unit 20 so as to be spaced apart from the support unit 20 arranged in the lowered position H1, and is arranged above the bottom plate portion 11 so as to be spaced apart from the upper surface of the bottom plate portion 11. Furthermore, the bottom rectifying plate 40 is positioned so as to extend horizontally along the upper surface of the bottom plate portion 11. The bottom rectifying plate 40 is fixed to the bottom plate portion 11 of the chamber 10, for example, via a plurality of support pillars (not shown). As shown in FIG. 2, for example, the bottom rectifying plate 40 has a square shape when viewed from above. For example, the length of each side of the bottom rectifying plate 40 in a top view is longer than both the long and short sides of the rectangular substrate 9. Therefore, for example, regardless of the orientation of the substrate 9 placed on the support part 20, the bottom rectifying plate 40 is larger than the substrate 9 in a top view. Furthermore, the bottom rectifying plate 40 has a through-hole 40h through which the moving part 100b of the lifting part 100 is inserted. In the through-hole 40h, the bottom rectifying plate 40 and the moving part 100b are positioned with a very small gap between them.
<<側面整流板50>>
側面整流板50は、底面整流板40とともに、排気部30によるチャンバ10内の減圧時に、内部空間10sにおける気体の流れを規制するためのプレートである。例えば、側面整流板50は、下降位置H1に配置されている支持部20によって支持される基板9と、チャンバ10の側壁部12との間に位置するように配置されている。具体的には、例えば、側面整流板50は、下降位置H1に配置されている支持部20に支持される基板9の端部から間隔をあけて基板9の外側に配置されており、且つ側壁部12の内面から間隔をあけて位置するように側壁部12の内側に位置している。ここでは、例えば、支持部20に支持される基板9の周囲を囲むように、4つの側面整流板50が配置されている。各側面整流板50は、例えば、側壁部12の内面に沿って拡がるように位置している。このため、例えば、4つの側面整流板50は、全体として、基板9を包囲する四角筒状の整流板を形成している。また、例えば、底面整流板40および4つの側面整流板50は、全体として、有底筒状の箱状の整流板を形成している。
<<Side current plate 50>>
The side surface rectifying plate 50, together with the bottom surface rectifying plate 40, is a plate for regulating the flow of gas in the internal space 10s when the pressure inside the chamber 10 is reduced by the exhaust unit 30. For example, the side surface rectifying plate 50 is arranged so as to be located between the substrate 9 supported by the support unit 20 arranged in the lowered position H1 and the side wall portion 12 of the chamber 10. Specifically, for example, the side surface rectifying plate 50 is arranged outside the substrate 9 at a distance from the edge of the substrate 9 supported by the support unit 20 arranged in the lowered position H1, and is also located inside the side wall portion 12 at a distance from the inner surface of the side wall portion 12. Here, for example, four side surface rectifying plates 50 are arranged so as to surround the periphery of the substrate 9 supported by the support unit 20. Each side surface rectifying plate 50 is positioned so as to extend along the inner surface of the side wall portion 12, for example. Therefore, for example, the four side surface rectifying plates 50 as a whole form a rectangular cylindrical rectifying plate that surrounds the substrate 9. Also, for example, the bottom surface flow straightening plate 40 and the four side surface flow straightening plates 50 as a whole form a cylindrical box-shaped flow straightening plate with a bottom.
ここで、例えば、排気部30によるチャンバ10内の減圧時には、チャンバ10の内部空間10sの気体は、側面整流板50と側壁部12との間の空間、底面整流板40と底板部11との間の空間、および排気口16a,16b,16c,16dをこの記載の順に通って、チャンバ10の外部へ排出される。このように、例えば、気体が基板9から離れた空間を流れることで、基板9の近傍に気流が形成され難くなる。そして、基板9の周縁部において集中的な気流の発生が生じ難くなる。これにより、例えば、基板9の上面に形成された塗膜90の乾燥ムラの発生が低減され得る。 Here, for example, when the pressure inside the chamber 10 is reduced by the exhaust section 30, gas in the internal space 10s of the chamber 10 passes through the space between the side flow plate 50 and the side wall section 12, the space between the bottom flow plate 40 and the bottom plate section 11, and the exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d in this order, before being discharged to the outside of the chamber 10. In this way, for example, by the gas flowing through a space away from the substrate 9, it becomes difficult for an airflow to form near the substrate 9. This also makes it difficult for a concentrated airflow to occur around the periphery of the substrate 9. This can, for example, reduce the occurrence of uneven drying of the coating film 90 formed on the upper surface of the substrate 9.
また、ここで、例えば、図2で示されるように、底面整流板40および4つの側面整流板50によって形成される箱状の整流板は、上面視において正方形状の形状を有する。そして、この箱状の整流板の上面視における各辺の長さは、長方形状の基板9の長辺および短辺のいずれよりも長い。このため、例えば、支持部20上に配置される基板9の向きに拘わらず、排気部30によるチャンバ10内の減圧時において、内部空間10sにおける気体の流れが一様となり、基板9の向きによって内部空間10sにおける気体の流れが異なり難くなる。 Furthermore, as shown in FIG. 2, for example, the box-shaped rectifying plate formed by the bottom rectifying plate 40 and the four side rectifying plates 50 has a square shape when viewed from above. The length of each side of this box-shaped rectifying plate when viewed from above is longer than both the long and short sides of the rectangular substrate 9. Therefore, for example, regardless of the orientation of the substrate 9 placed on the support part 20, when the chamber 10 is depressurized by the exhaust part 30, the flow of gas in the internal space 10s becomes uniform, and the flow of gas in the internal space 10s is less likely to differ depending on the orientation of the substrate 9.
また、ここで、例えば、図2で示されるように、上面視において、4つの排気口16a,16b,16c,16dが、いずれも正方形状の底面整流板40の対角線41上に位置している構成が採用される。この場合には、例えば、各排気口16a,16b,16c,16dによって、底面整流板40の中央(2本の対角線41の交点)に対して対称な気流が形成され得る。これにより、例えば、チャンバ10の内部空間10sにおいて、より均一な気流が形成され得る。 Furthermore, as shown in FIG. 2, a configuration is adopted in which, in a top view, the four exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d are all located on the diagonal lines 41 of the square-shaped bottom surface air flow plate 40. In this case, for example, each exhaust port 16a, 16b, 16c, and 16d can form an airflow that is symmetrical with respect to the center of the bottom surface air flow plate 40 (the intersection of the two diagonal lines 41). This can result in, for example, a more uniform airflow being formed in the internal space 10s of the chamber 10.
また、ここで、例えば、4つの側面整流板50のうちの3つの側面整流板50は、チャンバ10の側壁部12に固定されている。ただし、4つの側面整流板50のうちの残りの1つの側面整流板50は、例えば、チャンバ10と外部との間における基板9の搬入および搬出の経路を確保するために、側壁部12および底面整流板40に対して移動可能となっていてもよい。この場合には、この1つの側面整流板50は、例えば、ゲート部15とともに移動するように構成されてもよい。これにより、例えば、ゲート部15が閉鎖位置から開放位置へ移動すると、この1つの側面整流板50も移動し、チャンバ10と外部との間における基板9の搬入および搬出の経路が確保され得る。ここでは、例えば、移動可能な側面整流板50が、正規の位置(上述した箱状の整流板を構成する位置)に配置される際に、他の側面整流板50および底面整流板40とは非接触であれば、移動可能な側面整流板50と、他の側面整流板50および底面整流板40とが摺接しない。これにより、例えば、部材の摺接による粉塵の発生が生じ難い。一方で、例えば、移動可能な側面整流板50と、他の側面整流板50および底面整流板40とを互いに接触させた状態で箱状の整流板が構成されれば、箱状の整流板に隙間が生じ難い。この場合には、例えば、排気部30によるチャンバ10内の減圧時に、内部空間10sにおける気体の流れがより規制され得る。 Furthermore, here, for example, three of the four side surface rectifying plates 50 are fixed to the side wall portion 12 of the chamber 10. However, the remaining one of the four side surface rectifying plates 50 may be movable relative to the side wall portion 12 and the bottom surface rectifying plate 40, for example, to ensure a path for loading and unloading the substrate 9 between the chamber 10 and the outside. In this case, this one side surface rectifying plate 50 may be configured to move, for example, together with the gate portion 15. As a result, for example, when the gate portion 15 moves from the closed position to the open position, this one side surface rectifying plate 50 also moves, thereby ensuring a path for loading and unloading the substrate 9 between the chamber 10 and the outside. Here, for example, when the movable side rectifying plate 50 is positioned in the correct position (the position that constitutes the box-shaped rectifying plate described above), if it is not in contact with the other side rectifying plates 50 and the bottom rectifying plate 40, the movable side rectifying plate 50 will not slide against the other side rectifying plates 50 and the bottom rectifying plate 40. This, for example, reduces the generation of dust due to sliding contact between components. On the other hand, for example, if a box-shaped rectifying plate is formed with the movable side rectifying plate 50 in contact with the other side rectifying plates 50 and the bottom rectifying plate 40, gaps are less likely to form in the box-shaped rectifying plate. In this case, for example, when the pressure inside the chamber 10 is reduced by the exhaust unit 30, the flow of gas in the internal space 10s can be more regulated.
<<給気部60>>
給気部60は、チャンバ10内に気体を供給する動作(給気ともいう)を行う部分である。給気部60には、例えば、排気部30による排気によって圧力が低下したチャンバ10の内部空間10sに気体を供給して、チャンバ10内の圧力を大気圧に戻すための機構が適用される。図1で示されるように、チャンバ10の底板部11には、例えば、給気口16fが設けられている。給気口16fは、例えば、底面整流板40の下方に位置している。給気部60は、給気口16fに接続された給気配管61と、給気バルブVfと、給気源62と、を有する。例えば、給気配管61の一端は、給気口16fに接続している。例えば、給気配管61の他端は、給気源62に接続している。例えば、給気バルブVfは、給気配管61の経路上に設けられている。
<<Air supply section 60>>
The gas supply unit 60 is a part that supplies gas (also referred to as gas supply) into the chamber 10. The gas supply unit 60 includes a mechanism for supplying gas to the internal space 10s of the chamber 10, the pressure of which has been reduced by exhausting the gas from the exhaust unit 30, thereby returning the pressure in the chamber 10 to atmospheric pressure. As shown in FIG. 1 , the bottom plate 11 of the chamber 10 is provided with, for example, a gas supply port 16f. The gas supply port 16f is located, for example, below the bottom rectifying plate 40. The gas supply unit 60 includes a gas supply pipe 61 connected to the gas supply port 16f, a gas supply valve Vf, and a gas supply source 62. For example, one end of the gas supply pipe 61 is connected to the gas supply port 16f. For example, the other end of the gas supply pipe 61 is connected to the gas supply source 62. For example, the gas supply valve Vf is provided on the path of the gas supply pipe 61.
ここで、例えば、給気バルブVfを開放すると、給気源62から給気配管61および給気口16fを介して、チャンバ10の内部空間10sに気体が供給される。これにより、チャンバ10内の気圧を上昇させることができる。給気源62から供給される気体は、例えば、窒素ガス等の不活性ガスであってもよいし、クリーンドライエアであってもよい。クリーンドライエアは、例えば、一般的な環境における空気に対してパーティクルおよび水分を除去する清浄化を施すことで準備され得る。 Here, for example, when the air intake valve Vf is opened, gas is supplied from the air intake source 62 to the internal space 10s of the chamber 10 via the air intake pipe 61 and the air intake port 16f. This increases the air pressure inside the chamber 10. The gas supplied from the air intake source 62 may be, for example, an inert gas such as nitrogen gas, or clean dry air. Clean dry air can be prepared, for example, by purifying air in a general environment to remove particles and moisture.
<<圧力計70>>
圧力計70は、チャンバ10の内部空間10sの気圧を計測するセンサである。図1で示されるように、例えば、圧力計70は、チャンバ10の一部分に取り付けられている。圧力計70は、例えば、チャンバ10の内部空間10sの気圧を計測し、その計測結果を、制御部80へ出力することができる。
<<Pressure gauge 70>>
The pressure gauge 70 is a sensor that measures the air pressure in the internal space 10s of the chamber 10. As shown in Fig. 1 , for example, the pressure gauge 70 is attached to a part of the chamber 10. The pressure gauge 70 can measure, for example, the air pressure in the internal space 10s of the chamber 10 and output the measurement result to the control unit 80.
<<制御部80>>
制御部80は、減圧乾燥装置1の各部の動作を制御するためのユニットである。例えば、制御部80は、排気部30、給気部60および昇降部100等を制御することができる。制御部80は、例えば、CPU(Central Processing Unit)等のプロセッサ801、RAM(Random Access Memory)等のメモリ802、およびハードディスクドライブ等の記憶部803を有するコンピュータによって構成されている。記憶部803には、例えば、減圧乾燥装置1において基板9上の塗膜90を減圧によって乾燥させる処理(減圧乾燥処理ともいう)を実行させるためのコンピュータプログラム(プログラムともいう)803pおよび各種のデータが記憶されている。記憶部803は、例えば、プログラム803pを記憶し、コンピュータで読み取り可能な非一時的な記憶媒体としての役割を有する。制御部80は、例えば、記憶部803からメモリ802にプログラム803pおよびデータを読み出して、プロセッサ801においてプログラム803pおよびデータに従った演算処理を行うことで、減圧乾燥装置1の各部の動作を制御する。このため、例えば、プログラム803pは、減圧乾燥装置1において制御部80に含まれるプロセッサ801によって実行されることで、減圧乾燥処理を実行させることができる。
<<Control Unit 80>>
The control unit 80 is a unit for controlling the operation of each component of the reduced-pressure drying apparatus 1. For example, the control unit 80 can control the exhaust unit 30, the air supply unit 60, the lifting unit 100, and the like. The control unit 80 is configured, for example, by a computer having a processor 801 such as a central processing unit (CPU), a memory 802 such as a random access memory (RAM), and a storage unit 803 such as a hard disk drive. The storage unit 803 stores, for example, a computer program (also referred to as a program) 803p and various data for executing a process (also referred to as a reduced-pressure drying process) of drying the coating film 90 on the substrate 9 by reducing pressure in the reduced-pressure drying apparatus 1. The storage unit 803 stores, for example, the program 803p and serves as a non-transitory storage medium readable by a computer. The control unit 80 controls the operation of each component of the reduced-pressure drying apparatus 1 by, for example, reading the program 803p and data from the storage unit 803 to the memory 802 and performing arithmetic processing in accordance with the program 803p and data in the processor 801. Therefore, for example, the program 803p can be executed by the processor 801 included in the control unit 80 in the reduced pressure drying apparatus 1 to perform the reduced pressure drying process.
また、制御部80には、例えば、入力部804、出力部805、通信部806およびドライブ807が接続されていてもよい。入力部804は、例えば、ユーザの動作等に応答して各種の信号を制御部80に入力する部分である。入力部804には、例えば、ユーザの操作に応じた信号を入力する操作部、ユーザの音声に応じた信号を入力するマイク、およびユーザの動きに応じた信号を入力する各種センサ等が含まれ得る。出力部805は、例えば、各種の情報をユーザが認識可能な態様で出力する部分である。出力部805には、例えば、表示部、プロジェクタ、およびスピーカ等が含まれ得る。表示部は、入力部804と一体化されたタッチパネルであってもよい。通信部806は、例えば、有線もしくは無線の通信手段等によってサーバ等の外部の装置との間で各種の情報の送受信を行う部分である。例えば、通信部806によって外部の装置から受信したプログラム803pが記憶部803に記憶されてもよい。ドライブ807は、例えば、磁気ディスクまたは光ディスク等の可搬性の記憶媒体807mの着脱が可能な部分である。このドライブ807は、例えば、記憶媒体807mが装着されている状態で、この記憶媒体807mと制御部80との間におけるデータの授受を行う。例えば、プログラム803pが記憶された記憶媒体807mがドライブ807に装着されることで、記憶媒体807mから記憶部803内にプログラム803pが読み込まれて記憶されてもよい。ここでは、記憶媒体807mは、例えば、プログラム803pを記憶し、コンピュータで読み取り可能な非一時的な記憶媒体としての役割を有する。 The control unit 80 may also be connected to, for example, an input unit 804, an output unit 805, a communication unit 806, and a drive 807. The input unit 804 is a unit that inputs various signals to the control unit 80 in response to, for example, user actions, etc. The input unit 804 may include, for example, an operation unit that inputs signals in response to user actions, a microphone that inputs signals in response to the user's voice, and various sensors that input signals in response to the user's movements. The output unit 805 is a unit that outputs various information in a manner that can be recognized by the user. The output unit 805 may include, for example, a display unit, a projector, and a speaker. The display unit may be a touch panel integrated with the input unit 804. The communication unit 806 is a unit that transmits and receives various information to and from an external device such as a server via, for example, wired or wireless communication means. For example, a program 803p received from an external device by the communication unit 806 may be stored in the memory unit 803. The drive 807 is a part to which a portable storage medium 807m, such as a magnetic disk or optical disk, can be attached or detached. When the storage medium 807m is attached, the drive 807 exchanges data between the storage medium 807m and the control unit 80. For example, when the storage medium 807m storing the program 803p is attached to the drive 807, the program 803p may be read from the storage medium 807m and stored in the storage unit 803. Here, the storage medium 807m serves as a non-transitory storage medium that stores the program 803p and is readable by a computer.
図14は、制御部80において実現される機能を概念的に示したブロック図である。図14で示されるように、制御部80は、例えば、開閉駆動部16、昇降部100、4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vd、主バルブVe、真空ポンプ32、給気バルブVf、および圧力計70と、それぞれ電気的に接続されている。制御部80は、例えば、圧力計70から出力される計測値を参照しつつ、上記各部の動作を制御することができる。 Figure 14 is a block diagram conceptually illustrating the functions realized by the control unit 80. As shown in Figure 14, the control unit 80 is electrically connected to, for example, the opening/closing drive unit 16, the lifting unit 100, the four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd, the main valve Ve, the vacuum pump 32, the air supply valve Vf, and the pressure gauge 70. The control unit 80 can control the operation of each of the above units, for example, by referring to the measurement values output from the pressure gauge 70.
図14で概念的に示したように、制御部80は、実現される機能的な構成として、例えば、開閉制御部81、昇降制御部82、切替制御部83、排気制御部84、ポンプ制御部85、および給気制御部86を有する。例えば、開閉制御部81は、開閉駆動部16の動作を制御する。例えば、昇降制御部82は、昇降部100の動作を制御する。例えば、切替制御部83は、4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vdの開閉状態を個別に制御する。例えば、排気制御部84は、主バルブVeの開閉状態および開度を制御する。例えば、ポンプ制御部85は、真空ポンプ32の動作を制御する。例えば、給気制御部86は、給気バルブVfの開閉状態を制御する。制御部80における各部の機能は、例えば、上述したプログラム803p等に従った演算処理をプロセッサ801が行うことで実現される。 As conceptually shown in FIG. 14 , the control unit 80 has, as its realized functional configuration, for example, an opening/closing control unit 81, a lifting/lowering control unit 82, a switching control unit 83, an exhaust control unit 84, a pump control unit 85, and an air supply control unit 86. For example, the opening/closing control unit 81 controls the operation of the opening/closing drive unit 16. For example, the lifting/lowering control unit 82 controls the operation of the lifting unit 100. For example, the switching control unit 83 individually controls the open/closed states of the four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd. For example, the exhaust control unit 84 controls the open/closed state and opening degree of the main valve Ve. For example, the pump control unit 85 controls the operation of the vacuum pump 32. For example, the air supply control unit 86 controls the open/closed state of the air supply valve Vf. The functions of each unit in the control unit 80 are realized, for example, by the processor 801 performing arithmetic processing in accordance with the above-mentioned program 803p, etc.
<2.減圧乾燥処理>
次に、減圧乾燥装置1を用いた基板9の減圧乾燥処理について説明する。図15は、一実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示す流れ図である。この減圧乾燥処理のフローは、例えば、制御部80に含まれるプロセッサ801においてプログラム803pが実行されることで実現される。ここでは、例えば、図15のステップS1からステップS4の処理がこの記載の順に行われる。
<2. Reduced-pressure drying treatment>
Next, a description will be given of a reduced-pressure drying process for a substrate 9 using the reduced-pressure drying apparatus 1. Fig. 15 is a flow chart showing an example of the flow of the reduced-pressure drying process according to one embodiment. This flow of the reduced-pressure drying process is realized, for example, by executing a program 803p in a processor 801 included in the control unit 80. Here, for example, the processes of steps S1 to S4 in Fig. 15 are performed in the order shown.
減圧乾燥装置1を用いて減圧乾燥処理を行う際には、例えば、まず、基板9をチャンバ10内に搬入する(ステップS1)。このとき、基板9の上面には、未乾燥の塗膜90が形成されている状態にある。ステップS1では、例えば、まず、開閉制御部81が、開閉駆動部16を動作させて、ゲート部15を閉鎖位置から開放位置へ移動させることで、搬入出口14を開放する。そして、例えば、図示を省略した搬送ロボットが、フォーク状のハンドに基板9を載置しつつ、チャンバ10の搬入出口14を介して、チャンバ10の内部空間10sへ基板9を搬入する。この時点では、支持部20は、例えば、下降位置H1に配置されている。搬送ロボットは、例えば、支持部20の複数の支持プレート21の間へフォーク状のハンドを挿入しつつ、支持部20上に基板9を載置する。換言すれば、ステップS1では、チャンバ10内に配置された複数の支持ピン22に基板9を載置する工程(載置工程ともいう)が行われる。このとき、複数の支持ピン22のうちの複数の第1支持ピン22aによって基板9が水平方向にずれないように基板9を下方から支持し、複数の支持ピン22のうちの複数の第2支持ピン22bのそれぞれにおける本体部2bから浮上して離間している当接部2cによって基板9を下方から支持している状態となる。支持部20上に基板9が載置されると、搬送ロボットは、チャンバ10の外部へ退避する。そして、例えば、開閉制御部81が、再び開閉駆動部16を動作させて、ゲート部15を開放位置から閉鎖位置へ移動させることで、搬入出口14を閉鎖する。これにより、チャンバ10の内部空間10sに基板9が収容される。 When performing a vacuum drying process using the vacuum drying apparatus 1, for example, the substrate 9 is first loaded into the chamber 10 (step S1). At this time, an undried coating film 90 is formed on the upper surface of the substrate 9. In step S1, for example, the opening/closing control unit 81 first operates the opening/closing drive unit 16 to move the gate unit 15 from the closed position to the open position, thereby opening the loading/unloading port 14. Then, for example, a transfer robot (not shown) places the substrate 9 on its fork-shaped hand and loads the substrate 9 into the internal space 10s of the chamber 10 through the loading/unloading port 14. At this point, the support unit 20 is located, for example, in the lowered position H1. The transfer robot places the substrate 9 on the support unit 20 by inserting the fork-shaped hand between the multiple support plates 21 of the support unit 20. In other words, in step S1, a process (also referred to as a loading process) of loading the substrate 9 onto the multiple support pins 22 arranged in the chamber 10 is performed. At this time, the substrate 9 is supported from below by the first support pins 22a of the support pins 22 to prevent the substrate 9 from shifting horizontally, and the abutment portions 2c of the second support pins 22b of the support pins 22, which are raised and separated from the main body portion 2b, support the substrate 9 from below. Once the substrate 9 is placed on the support portions 20, the transfer robot retreats to the outside of the chamber 10. Then, for example, the opening/closing control unit 81 again operates the opening/closing drive unit 16 to move the gate unit 15 from the open position to the closed position, thereby closing the loading/unloading port 14. This places the substrate 9 in the internal space 10s of the chamber 10.
次に、例えば、減圧乾燥装置1は、チャンバ10内の雰囲気を排出する排気を行う(ステップS2)。ここでは、例えば、複数の第1支持ピン22aによって基板9が水平方向にずれないように基板9を下方から支持し、複数の第2支持ピン22bのそれぞれにおける本体部2bから浮上して離間している当接部2cによって基板9を下方から支持している状態で、制御部80が、排気部30によってチャンバ10内の雰囲気を排出することでチャンバ10内を減圧する工程(排気工程ともいう)を実行させる。これにより、例えば、複数の支持ピン22によって基板9を下方から支持する際に、複数の支持ピン22のうちの第2支持ピン22bの当接部2cは、熱容量が小さく、熱容量が大きな部分に接続も接触もしていない。これにより、例えば、基板9において複数の支持ピン22の配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、簡単な構成によって基板9の上面に形成された塗膜をより均一に乾燥させることができる。 Next, for example, the reduced-pressure drying apparatus 1 performs evacuation to exhaust the atmosphere within the chamber 10 (step S2). Here, for example, the substrate 9 is supported from below by the multiple first support pins 22a to prevent horizontal displacement, and the substrate 9 is supported from below by the contact portions 2c of the multiple second support pins 22b, which are raised and spaced apart from the main body portion 2b. Then, the control unit 80 executes a process (also referred to as an evacuation process) to depressurize the chamber 10 by evacuating the atmosphere within the chamber 10 using the exhaust unit 30. As a result, for example, when the multiple support pins 22 support the substrate 9 from below, the contact portion 2c of the second support pin 22b has a small heat capacity and is not connected to or in contact with a portion with a large heat capacity. This, for example, makes it less likely that a temperature difference will occur on the substrate 9 depending on the arrangement of the multiple support pins 22. As a result, for example, a coating film formed on the upper surface of the substrate 9 can be dried more uniformly with a simple configuration.
ステップS2では、例えば、制御部80が、支持部20を適宜昇降させてもよいし、複数の個別バルブVa,Vb,Vc,Vdのそれぞれの開閉状態を個別に適宜制御してもよいし、主バルブVeの開度を適宜制御してもよい。ここで、ステップS2における減圧乾燥装置1の動作の一具体例を挙げて説明する。ここでは、例えば、下記の[1]から[7]の処理が順に行われる。 In step S2, for example, the control unit 80 may raise and lower the support unit 20 as needed, or may individually and appropriately control the open/closed states of the multiple individual valves Va, Vb, Vc, and Vd, or may appropriately control the opening degree of the main valve Ve. Here, a specific example of the operation of the reduced pressure drying apparatus 1 in step S2 will be described. Here, for example, the following processes [1] to [7] are performed in order.
[1]減圧乾燥装置1が、支持部20を上昇させる。具体的には、昇降制御部82が、昇降部100を動作させることで、支持部20を下降位置H1から上昇位置H2へ移動させる。このとき、側面整流板50の上端部は、上昇位置H2の支持部20に支持される基板9の高さよりも低い。このため、支持部20に支持された基板9は、側面整流板50の上端部よりも上方の位置まで上昇する。これにより、基板9の上面は、チャンバ10の天板部13と、僅かな隙間を介して対向する。 [1] The reduced pressure drying apparatus 1 raises the support part 20. Specifically, the lifting control part 82 operates the lifting part 100 to move the support part 20 from the lowered position H1 to the raised position H2. At this time, the upper end of the side flow rectifying plate 50 is lower than the height of the substrate 9 supported by the support part 20 at the raised position H2. Therefore, the substrate 9 supported by the support part 20 rises to a position higher than the upper end of the side flow rectifying plate 50. As a result, the upper surface of the substrate 9 faces the top plate part 13 of the chamber 10 with a small gap between them.
[2]チャンバ10内の減圧を開始する。ここでは、ポンプ制御部85が、真空ポンプ32の動作を開始する。また、切替制御部83が、個別バルブVa,Vb,Vc,Vdの一部を開放し、排気制御部84が、主バルブVeを開放する。これにより、チャンバ10内から排気配管31への気体の排出を開始する。減圧乾燥装置1は、まず、チャンバ10の内部空間10sを緩やかに減圧する、第1処理を行う。この第1処理では、排気制御部84が、主バルブVeの開度を、後述する第2処理から第4処理よりも小さい開度に調整する。これにより、チャンバ10内の気圧が、大気圧から緩やかに低下する。ここでは、上述の通り、支持部20が上昇位置H2に配置されている。このため、チャンバ10内の気体は、基板9の下方の空間から、側面整流板50と側壁部12との間の空間、底面整流板40と底板部11との間の空間、および排気口16a,16b,16c,16dを通って、排気配管31へ流れる。これにより、チャンバ10内に形成される気流は、基板9の上面に影響を及ぼしにくい。ただし、ここでも、基板9の上面と天板部13との間の空間において、僅かな気流が生じる。また、減圧により、塗膜90からの溶剤の気化が始まっている。そこで、切替制御部83は、基板9の上面と天板部13との間の気流により、塗膜90の乾燥ムラが生じることを抑制するために、4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vdの開閉状態を、順次に切り替える。例えば、切替制御部83は、4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vdのうちの1つの個別バルブを閉鎖するとともに、他の個別バルブを開放する。そして、切替制御部83は、閉鎖する1つの個別バルブを順次に変更する。具体的には、1つの個別バルブVaを閉鎖して他の3つの個別バルブVb,Vc,Vdを開放する第1状態と、1つの個別バルブVbを閉鎖して他の3つの個別バルブVa,Vc,Vdを開放する第2状態と、1つの個別バルブVcを閉鎖して他の3つの個別バルブVa,Vb,Vdを開放する第3状態と、1つの個別バルブVdを閉鎖して他の3つの個別バルブVa,Vb,Vcを開放する第4状態と、を順次に切り替える。このようにすれば、第1処理の間に、基板9の上面と天板部13との間の空間に形成される気流の向きが、個別バルブVa,Vb,Vc,Vdの切り替えに応じて変化する。よって、基板9の上面の塗膜90を、より均一に乾燥させることができる。 [2] The pressure in the chamber 10 begins to be reduced. Here, the pump control unit 85 starts operating the vacuum pump 32. The switching control unit 83 also opens some of the individual valves Va, Vb, Vc, and Vd, and the exhaust control unit 84 opens the main valve Ve. This starts the exhaust of gas from the chamber 10 to the exhaust piping 31. The reduced-pressure drying apparatus 1 first performs a first process, which gently reduces the pressure in the internal space 10s of the chamber 10. In this first process, the exhaust control unit 84 adjusts the opening of the main valve Ve to a smaller opening than in the second to fourth processes described below. This causes the air pressure in the chamber 10 to gradually decrease from atmospheric pressure. Here, as described above, the support unit 20 is positioned at the raised position H2. Therefore, gas in the chamber 10 flows from the space below the substrate 9 through the space between the side rectifying plate 50 and the sidewall 12, the space between the bottom rectifying plate 40 and the bottom plate 11, and the exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d to the exhaust pipe 31. As a result, the airflow formed in the chamber 10 is unlikely to affect the upper surface of the substrate 9. However, even here, a slight airflow is generated in the space between the upper surface of the substrate 9 and the top plate 13. Furthermore, due to the reduced pressure, the solvent from the coating film 90 begins to evaporate. Therefore, the switching control unit 83 sequentially switches the open/closed states of the four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd to prevent uneven drying of the coating film 90 due to the airflow between the upper surface of the substrate 9 and the top plate 13. For example, the switching control unit 83 closes one of the four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd and opens the other individual valves. The switching control unit 83 then sequentially switches the individual valves to be closed one by one. Specifically, the switching control unit 83 sequentially switches between a first state in which one individual valve Va is closed and the other three individual valves Vb, Vc, and Vd are open; a second state in which one individual valve Vb is closed and the other three individual valves Va, Vc, and Vd are open; a third state in which one individual valve Vc is closed and the other three individual valves Va, Vb, and Vd are open; and a fourth state in which one individual valve Vd is closed and the other three individual valves Va, Vb, and Vc are open. In this way, the direction of the airflow formed in the space between the upper surface of the substrate 9 and the top plate 13 during the first process changes depending on the switching of the individual valves Va, Vb, Vc, and Vd. This allows the coating film 90 on the upper surface of the substrate 9 to dry more uniformly.
[3]減圧乾燥装置1は、支持部20を下降させる。具体的には、昇降制御部82が、昇降部100を動作させることにより、支持部20を、上昇位置H2から下降位置H1へ移動させる。このとき、側面整流板50の上端部は、下降位置H1の支持部20に支持される基板9の高さよりも高い。このため、支持部20に支持された基板9は、側面整流板50の上端部よりも下方の位置まで下降する。 [3] The reduced pressure drying apparatus 1 lowers the support part 20. Specifically, the lifting control part 82 operates the lifting part 100 to move the support part 20 from the raised position H2 to the lowered position H1. At this time, the upper end of the side rectifying plate 50 is higher than the height of the substrate 9 supported by the support part 20 at the lowered position H1. Therefore, the substrate 9 supported by the support part 20 lowers to a position lower than the upper end of the side rectifying plate 50.
[4]減圧乾燥装置1は、チャンバ10の内部空間10sを急速に減圧する、第2処理を行う。この第2処理では、排気制御部84が、主バルブVeの開度を、第1処理よりも大きい開度に変更する。これにより、チャンバ10内の気圧が、急速に低下する。第2処理では、上述の通り、支持部20が下降位置H1に配置されている。このため、基板9の上面側の空間に存在する気体は、側面整流板50と側壁部12との間の空間、底面整流板40と底板部11との間の空間、および排気口16a,16b,16c,16dを通って、排気配管31へ流れる。これにより、基板9の近傍に強い気流が発生することを抑制できる。特に、基板9の周縁部において気流が集中しにくくなる。よって、気流による塗膜90の乾燥ムラが生じにくくなる。この第2処理では、塗膜90から溶剤が活発に気化する。そこで、切替制御部83は、塗膜90の乾燥ムラを生じにくくするために、上述した第1処理と同様に、4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vdの開閉状態を、順次に切り替える。例えば、切替制御部83は、4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vdのうちの1つの個別バルブを閉鎖するとともに、他の個別バルブを開放する。そして、切替制御部83は、閉鎖する1つの個別バルブを順次に変更する。これにより、第2処理の間に、基板9の上面に沿って形成される気流の向きが、個別バルブVa,Vb,Vc,Vdの切り替えに応じて変化する。よって、基板9の上面の塗膜90が、より均一に乾燥し得る。 [4] The reduced-pressure drying apparatus 1 performs a second process, rapidly reducing the pressure in the internal space 10s of the chamber 10. In this second process, the exhaust control unit 84 changes the opening of the main valve Ve to a larger opening than in the first process. This rapidly reduces the air pressure inside the chamber 10. In the second process, as described above, the support unit 20 is positioned in the lowered position H1. Therefore, gas present in the space above the substrate 9 flows through the space between the side airflow plate 50 and the sidewall portion 12, the space between the bottom airflow plate 40 and the bottom plate portion 11, and the exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d to the exhaust piping 31. This prevents strong airflow from occurring near the substrate 9. In particular, airflow is less likely to concentrate around the periphery of the substrate 9. This reduces the likelihood of uneven drying of the coating film 90 due to airflow. In this second process, the solvent actively evaporates from the coating film 90. Therefore, to prevent uneven drying of the coating film 90, the switching control unit 83 sequentially switches the open/closed states of the four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd, as in the first process described above. For example, the switching control unit 83 closes one of the four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd and opens the other individual valves. The switching control unit 83 then sequentially switches the individual valve to be closed. As a result, during the second process, the direction of the airflow formed along the upper surface of the substrate 9 changes in accordance with the switching of the individual valves Va, Vb, Vc, and Vd. This allows the coating film 90 on the upper surface of the substrate 9 to dry more uniformly.
[5]チャンバ10の内部空間10sの気圧が、所定の圧力まで低下すると、塗膜90が沸騰する。そして、塗膜90の沸騰が始まると、チャンバ10内の気圧が、ほぼ一定となる。このように、減圧乾燥装置1は、塗膜90を沸騰させつつ、チャンバ10内からの排気を継続する、第3処理を行う。この第3処理では、塗膜90からの溶剤の気化が、第2処理よりもさらに活発となる。そこで、切替制御部83は、塗膜90において乾燥ムラが生じにくくなるように、上述した第1処理および第2処理と同様に、4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vdの開閉状態を、順次に切り替える。例えば、切替制御部83は、4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vdのうちの1つの個別バルブを閉鎖するとともに、他の個別バルブを開放する。そして、切替制御部83は、閉鎖する1つの個別バルブを順次に変更する。このようにすれば、第3処理の間に、基板9の上面に沿って形成される気流の向きが、個別バルブVa,Vb,Vc,Vdの切り替えに応じて変化する。よって、基板9の上面の塗膜90が、より均一に乾燥し得る。 [5] When the air pressure in the internal space 10s of the chamber 10 drops to a predetermined pressure, the coating film 90 boils. Once the coating film 90 begins to boil, the air pressure within the chamber 10 becomes approximately constant. In this way, the reduced-pressure drying apparatus 1 performs a third process, which continues evacuating the chamber 10 while boiling the coating film 90. In this third process, the evaporation of the solvent from the coating film 90 is more active than in the second process. Therefore, the switching control unit 83 sequentially switches the open/closed states of the four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd, similar to the first and second processes described above, to reduce the likelihood of uneven drying in the coating film 90. For example, the switching control unit 83 closes one of the four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd while opening the other individual valves. The switching control unit 83 then sequentially switches which individual valves are closed. In this way, the direction of the airflow formed along the upper surface of the substrate 9 during the third process changes depending on the switching of the individual valves Va, Vb, Vc, and Vd. This allows the coating film 90 on the upper surface of the substrate 9 to dry more uniformly.
[6]塗膜90の溶媒成分が十分に気化すると、塗膜90の沸騰が終了する。これにより、チャンバ10内の気圧が、再び急速に低下する。このように、減圧乾燥装置1は、塗膜90の沸騰後に、チャンバ10の内部空間10sをさらに減圧する、第4処理を行う。この第4処理では、塗膜90に残存する僅かな溶媒成分が気化するものの、上述した第1処理から第3処理と比べると、溶媒成分の気化は活発ではない。このため、切替制御部83は、4つの個別バルブVa,Vb,Vc,Vdを全て開放する。これにより、チャンバ10からの排気を促進して、チャンバ10の内部空間10sを目標圧力まで急速に減圧する。 [6] When the solvent components of the coating film 90 have sufficiently evaporated, the boiling of the coating film 90 ceases. This causes the air pressure inside the chamber 10 to rapidly decrease again. In this way, the reduced-pressure drying apparatus 1 performs a fourth process to further reduce the pressure in the internal space 10s of the chamber 10 after the coating film 90 has boiled. In this fourth process, the small amount of solvent components remaining in the coating film 90 evaporates, but the evaporation of the solvent components is less vigorous than in the first to third processes described above. For this reason, the switching control unit 83 opens all four individual valves Va, Vb, Vc, and Vd. This promotes exhaust from the chamber 10 and rapidly reduces the pressure in the internal space 10s of the chamber 10 to the target pressure.
[7]チャンバ10内の気圧が目標圧力に到達すると、排気制御部84は、主バルブVeを閉鎖する。これにより、チャンバ10内からの気体の吸引が終了し、塗膜90の乾燥が完了する。 [7] When the air pressure inside the chamber 10 reaches the target pressure, the exhaust control unit 84 closes the main valve Ve. This ends the suction of gas from inside the chamber 10, and the drying of the coating film 90 is completed.
その後、給気制御部86が、給気バルブVfを開放する。これにより、給気源62から給気配管61および給気口16fを通ってチャンバ10の内部空間10sへ気体が供給される(ステップS3)。これにより、チャンバ10内の気圧が、再び大気圧まで上昇する。このとき、チャンバ10の内部空間10sには、比較的強い気流が発生するが、塗膜90は十分に乾燥済みであれば、気流による乾燥ムラが生じにくい。また、給気口16fから供給される気体は、底面整流板40と底板部11との間、および、側面整流板50と側壁部12との間を通って、チャンバ10の内側へ流れる。これにより、基板9の近傍に強い気流が発生しにくい。チャンバ10内の気圧が大気圧に到達すると、給気制御部86は、給気バルブVfを閉鎖する。 Then, the air supply control unit 86 opens the air supply valve Vf. This supplies gas from the air supply source 62 through the air supply pipe 61 and the air supply port 16f to the internal space 10s of the chamber 10 (step S3). This causes the air pressure inside the chamber 10 to rise again to atmospheric pressure. At this time, a relatively strong airflow is generated in the internal space 10s of the chamber 10, but if the coating film 90 has already dried sufficiently, this airflow is unlikely to cause uneven drying. Furthermore, the gas supplied from the air supply port 16f flows into the chamber 10 between the bottom surface rectifying plate 40 and the bottom plate portion 11, and between the side surface rectifying plate 50 and the side wall portion 12. This prevents strong airflow from being generated near the substrate 9. When the air pressure inside the chamber 10 reaches atmospheric pressure, the air supply control unit 86 closes the air supply valve Vf.
そして、例えば、最後に、基板9をチャンバ10内から搬出する(ステップS4)。ステップS4では、例えば、まず、開閉制御部81が、開閉駆動部16を動作させて、ゲート部15を閉鎖位置から開放位置へ移動させることで、搬入出口14を開放する。そして、例えば、図示を省略した搬送ロボットが、支持部20に載置された乾燥済みの基板9を、チャンバ10の搬入出口14を介して、チャンバ10の外部へ搬出する。これにより、1枚の基板9に対する減圧乾燥処理が終了し得る。 Finally, for example, the substrate 9 is unloaded from the chamber 10 (step S4). In step S4, for example, the opening/closing control unit 81 first operates the opening/closing drive unit 16 to move the gate unit 15 from the closed position to the open position, thereby opening the loading/unloading port 14. Then, for example, a transport robot (not shown) unloads the dried substrate 9 placed on the support unit 20 to the outside of the chamber 10 via the loading/unloading port 14 of the chamber 10. This completes the reduced-pressure drying process for one substrate 9.
このように、減圧乾燥装置1を用いて基板9の上面としての第1面F1に形成された塗膜90を乾燥させる方法(減圧乾燥方法ともいう)は、例えば、載置工程と、排気工程と、を有する。 In this way, the method of drying the coating film 90 formed on the first surface F1 (the upper surface of the substrate 9) using the reduced-pressure drying apparatus 1 (also referred to as the reduced-pressure drying method) includes, for example, a placement process and an evacuation process.
以上のように、一実施形態に係る減圧乾燥装置1では、例えば、第1支持ピン22a上および第2支持ピン22bの当接部2c上に基板9を載置することで、第1支持ピン22aによって基板9が水平方向にずれないように基板9を下方から支持させ、第2支持ピン22bにおいて本体部2bに対して浮上して離間している当接部2cによって基板9を下方から支持させることができる。この場合には、例えば、当接部2cの熱容量が小さく、当接部2cには熱容量が大きな部分が接続も接触もしていない。これにより、例えば、基板9において複数の支持ピン22の配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、簡単な構成によって基板9の上面としての第1面F1に形成された塗膜90をより均一に乾燥させることができる。 As described above, in one embodiment of the reduced-pressure drying apparatus 1, for example, by placing the substrate 9 on the first support pins 22a and the contact portions 2c of the second support pins 22b, the substrate 9 is supported from below by the first support pins 22a to prevent horizontal displacement, and the contact portions 2c of the second support pins 22b, which are raised and separated from the main body portion 2b, support the substrate 9 from below. In this case, for example, the heat capacity of the contact portions 2c is small, and portions with large heat capacity are not connected to or in contact with the contact portions 2c. This makes it less likely that temperature differences will occur on the substrate 9 due to the arrangement of the multiple support pins 22. As a result, for example, the coating film 90 formed on the first surface F1, which serves as the upper surface of the substrate 9, can be dried more uniformly with a simple configuration.
<3.変形例>
本発明は、上述の一実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更および改良等が可能である。
3. Modified Examples
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications and improvements can be made without departing from the spirit and scope of the present invention.
上記一実施形態では、例えば、第2支持ピン22bは、基準となる本体部2bに対して当接部2cを浮上させた状態で、当接部2cの第2上端部2tによって基板9を下方から支持することができる構成であれば、種々の構成を有していてもよい。例えば、第2支持ピン22bにおいて、別体で構成されている、第1磁石M1を有する本体部2bと、第2磁石M2を有する当接部2cとが、種々の形態を有していてもよい。ここで、具体例として、第1変形例に係る第2支持ピン22bおよび第2変形例に係る第2支持ピン22bについて説明する。 In the above embodiment, for example, the second support pin 22b may have various configurations as long as it is configured to support the substrate 9 from below with the second upper end 2t of the abutment portion 2c in a state in which the abutment portion 2c is raised relative to the base body portion 2b. For example, in the second support pin 22b, the body portion 2b having the first magnet M1 and the abutment portion 2c having the second magnet M2, which are configured separately, may have various shapes. Here, as specific examples, the second support pin 22b according to the first modified example and the second support pin 22b according to the second modified example will be described.
<<第1変形例に係る第2支持ピン>>
例えば、第1貫通孔Th1の第1内部空間Is1は、該第1内部空間Is1の水平方向に沿った仮想的な断面(仮想水平断面ともいう)が上下方向の位置に拘わらず略一定の大きさである形状を有していてもよい。図16は、第1変形例に係る第2支持ピン22bの縦断面の一例を示す図である。図16の例では、係止部分Fk1のうちの第1貫通孔Th1の外周を規定する第2内周面Iw2は、上下方向に沿って延びる面である。ここでは、第1貫通孔Th1の第1内部空間Is1は、例えば、円柱状もしくは角柱状等の上下方向に沿って延びる柱状の形状を有していてもよい。また、筒状部分Pp1の中空部分Hp1は、例えば、円柱状もしくは角柱状等の上下方向に沿って延びる柱状の形状を有していてもよい。
<<Second Support Pin According to First Modification>>
For example, the first internal space Is1 of the first through hole Th1 may have a shape in which a virtual cross section (also referred to as a virtual horizontal cross section) of the first internal space Is1 along the horizontal direction has a substantially constant size regardless of the vertical position. FIG. 16 is a diagram showing an example of a vertical cross section of the second support pin 22b according to the first modified example. In the example of FIG. 16, the second inner circumferential surface Iw2 of the locking portion Fk1 that defines the outer periphery of the first through hole Th1 is a surface extending along the vertical direction. Here, the first internal space Is1 of the first through hole Th1 may have a columnar shape extending along the vertical direction, such as a cylindrical or prismatic shape. Furthermore, the hollow portion Hp1 of the tubular portion Pp1 may have a columnar shape extending along the vertical direction, such as a cylindrical or prismatic shape.
<<第2変形例に係る第2支持ピン>>
上記一実施形態では、第2支持ピン22bは、当接部2cの上部を除いた部分を本体部2bが囲むように構成されていたが、これに限られない。例えば、当接部2cの一部が、本体部2bの周囲に位置している構成が採用されてもよい。図17は、第2変形例に係る第2支持ピン22bの外観の一例を示す正面図である。図18は、第2変形例に係る第2支持ピン22bの外観の一例を示す平面図である。図17および図18には、隠れている部分が破線で描かれている。図19および図20は、それぞれ第2変形例に係る第2支持ピン22bの縦断面の一例を示す図である。
<<Second Support Pin According to Second Modification>>
In the above embodiment, the second support pin 22b is configured such that the main body 2b surrounds the contact portion 2c except for the upper portion thereof. However, this is not limited to this. For example, a configuration in which a portion of the contact portion 2c is located around the main body 2b may be adopted. FIG. 17 is a front view showing an example of the appearance of the second support pin 22b according to the second modified example. FIG. 18 is a plan view showing an example of the appearance of the second support pin 22b according to the second modified example. In FIGS. 17 and 18, hidden portions are depicted with dashed lines. FIGS. 19 and 20 are each a view showing an example of a longitudinal cross section of the second support pin 22b according to the second modified example.
第2変形例に係る第2支持ピン22bでは、本体部2bは、上方向に沿って延びる棒状の部分(棒状部分ともいう)Rp1を含む。棒状部分Rp1には、例えば、上方向に沿って延びるように位置している円柱状もしくは角柱状等の柱状の部分が適用され得る。また、第1磁石M1は、棒状部分Rp1に固定されている。第1磁石M1は、例えば、棒状部分Rp1の外周部もしくは下部に沿った部分に位置している。換言すれば、例えば、第1磁石M1は、棒状部分Rp1の外周部および下部のうちの少なくとも一方に沿って位置している部分を含んでいてもよい。また、係止部分Fk1は、例えば、棒状部分Rp1の上部に沿って位置している。換言すれば、棒状部分Rp1は、第1磁石M1と係止部分Fk1とを連結している部分(連結部分)としての機能を有する。棒状部分Rp1と係止部分Fk1とは、例えば、一体の部材で構成されていてもよいし、相互に接合もしくは連結等によって固定されていてもよい。係止部分Fk1の水平方向に沿った仮想的な断面(仮想水平断面)は、棒状部分Rp1の水平方向に沿った仮想的な断面(仮想水平断面)よりも大きい。例えば、本体部2bの係止部分Fk1は、棒状部分Rp1上において水平方向に突出している。本体部2bの係止部分Fk1は、例えば、棒状部分Rp1上において水平方向に突出している円環状等の各種の環状の構成を有していてもよいし、棒状部分Rp1上において水平方向に放射状に突出している構成を有していてもよい。本体部2bのうちの第1磁石M1を除く棒状部分Rp1および係止部分Fk1等の部分の材料には、例えば、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)もしくはポリイミド(PI)等の樹脂材料、セラミックスまたは非磁性の金属等の種々の材料が適用され得る。 In the second support pin 22b according to the second modified example, the main body 2b includes a rod-shaped portion (also referred to as the rod portion) Rp1 extending upward. The rod portion Rp1 may be, for example, a cylindrical or rectangular column-shaped portion extending upward. The first magnet M1 is fixed to the rod portion Rp1. The first magnet M1 is located, for example, along the outer periphery or bottom of the rod portion Rp1. In other words, the first magnet M1 may include a portion located along at least one of the outer periphery and bottom of the rod portion Rp1. The locking portion Fk1 is located, for example, along the top of the rod portion Rp1. In other words, the rod portion Rp1 functions as a portion (connecting portion) connecting the first magnet M1 and the locking portion Fk1. The rod-shaped portion Rp1 and the locking portion Fk1 may be formed as a single member, or may be fixed to each other by joining or coupling. The horizontal cross section (virtual horizontal cross section) of the locking portion Fk1 is larger than the horizontal cross section (virtual horizontal cross section) of the rod-shaped portion Rp1. For example, the locking portion Fk1 of the main body 2b protrudes horizontally from the rod-shaped portion Rp1. The locking portion Fk1 of the main body 2b may have various ring-shaped configurations, such as a circular ring-shaped configuration protruding horizontally from the rod-shaped portion Rp1, or may have a configuration protruding radially horizontally from the rod-shaped portion Rp1. The rod-shaped portion Rp1, the locking portion Fk1, and other portions of the main body 2b, excluding the first magnet M1, may be made of various materials, such as resin materials such as polyetheretherketone (PEEK) or polyimide (PI), ceramics, or non-magnetic metals.
また、当接部2cの第1部分P1は、棒状部分Rp1が貫通している貫通孔(第2貫通孔ともいう)Th2を有しているとともに、棒状部分Rp1に沿って上下方向に移動可能に位置している環状の部分(環状部分ともいう)Rp2を含む。この場合には、本体部2bの係止部分Fk1に当接部2cの第1部分P1が係止される構成が容易に実現され得る。環状部分Rp2は、例えば、全部が第2磁石M2によって構成されていてもよいし、一部が第2磁石M2によって構成されていてもよい。第2貫通孔Th2の内部空間は、円柱状もしくは角柱状等の柱状の形状を有する。第2貫通孔Th2の水平方向に沿った仮想的な断面(水平仮想断面)は、例えば、棒状部分Rp1の水平方向に沿った仮想的な断面(水平仮想断面)よりも大きく、係止部分Fk1の水平方向に沿った仮想的な断面(水平仮想断面)よりも小さい。第2貫通孔Th2には、例えば、環状部分Rp2の外周部に開口するようなスリットもしくは切り欠き等が接続していてもよい。 Furthermore, the first portion P1 of the abutment portion 2c has a through hole (also referred to as a second through hole) Th2 through which the rod-shaped portion Rp1 passes, and also includes an annular portion (also referred to as annular portion) Rp2 that is vertically movable along the rod-shaped portion Rp1. In this case, a configuration in which the first portion P1 of the abutment portion 2c is engaged with the locking portion Fk1 of the main body portion 2b can be easily achieved. The annular portion Rp2 may be formed entirely or partially by the second magnet M2, for example. The internal space of the second through hole Th2 has a columnar shape, such as a cylindrical or rectangular columnar shape. For example, the imaginary cross section (horizontal imaginary cross section) of the second through hole Th2 along the horizontal direction is larger than the imaginary cross section (horizontal imaginary cross section) of the rod-shaped portion Rp1 along the horizontal direction, but smaller than the imaginary cross section (horizontal imaginary cross section) of the locking portion Fk1 along the horizontal direction. The second through hole Th2 may be connected to, for example, a slit or notch that opens onto the outer periphery of the annular portion Rp2.
また、当接部2cでは、例えば、第1部分P1上に第2部分P2が連結もしくは接続している。図17から図20の当接部2cの例では、当接部2cは、基板9の下面としての第2面F2に直接接触するための被接触部Cp1と、被接触部Cp1の下面に固定されている第2磁石M2と、を有する。被接触部Cp1は、第2部分P2を含む。第2磁石M2は、第1部分P1を含む。被接触部Cp1は、例えば、下方向に開口している内部空間(第2内部空間ともいう)Is2を有する、上方向に凸の円錐状もしくは角錐状等の上方向に凸の錐状の形状を有する。被接触部Cp1の材料には、例えば、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)もしくはポリイミド(PI)等の樹脂材料が適用される。被接触部Cp1の第2内部空間Is2には、本体部2bの係止部分Fk1が位置している。 Furthermore, in the contact portion 2c, for example, the second portion P2 is coupled or connected onto the first portion P1. In the example of the contact portion 2c in Figures 17 to 20, the contact portion 2c has a contacted portion Cp1 that directly contacts the second face F2, which is the underside of the substrate 9, and a second magnet M2 fixed to the underside of the contacted portion Cp1. The contacted portion Cp1 includes the second portion P2. The second magnet M2 includes the first portion P1. The contacted portion Cp1 has, for example, an upwardly convex cone-like or pyramidal shape with an internal space (also referred to as the second internal space) Is2 that opens downward. The contacted portion Cp1 is made of a resin material such as polyether ether ketone (PEEK) or polyimide (PI). The locking portion Fk1 of the main body portion 2b is located in the second internal space Is2 of the contacted portion Cp1.
また、第1磁石M1と第2磁石M2との間に、当接部2cが下方向に移動することで本体部2bから離間することが可能な移動可能空間Sp1が位置している。ここでは、図20で示されるように、当接部2cは、第1磁石M1と第2磁石M2との間における反発力に抗して下方向に押されることで、本体部2bから離間し得る。これにより、当接部2cは、本体部2bから離間しており、本体部2bに対して浮上している状態となる。図20では、当接部2cを下方向に押す力が太い矢印で模式的に描かれている。 Furthermore, between the first magnet M1 and the second magnet M2, there is a movable space Sp1 where the abutting portion 2c can move downward to separate from the main body portion 2b. Here, as shown in Figure 20, the abutting portion 2c can be separated from the main body portion 2b by being pushed downward against the repulsive force between the first magnet M1 and the second magnet M2. As a result, the abutting portion 2c is separated from the main body portion 2b and is in a state of floating relative to the main body portion 2b. In Figure 20, the force pushing the abutting portion 2c downward is schematically depicted by a thick arrow.
また、第2変形例に係る第2支持ピン22bでは、例えば、係止部分Fk1は、傾斜している外周面(第2傾斜外周面ともいう)Ts2を有する。第2傾斜外周面Ts2は、下方向に向かうにつれて、棒状部分Rp1の上下方向に沿って延びる仮想的な中心線(第3仮想中心線ともいう)Lc3に近づくように第3仮想中心線Lc3に対して傾斜している。第3仮想中心線Lc3には、例えば、棒状部分Rp1の水平方向に沿った仮想的な断面の中心(重心)を通る、上下方向に沿った仮想線が適用される。この場合には、例えば、第1磁石M1と第2磁石M2との間の反発力によって、本体部2bに対して当接部2cが上方向に移動する際に、第1部分P1が、係止部分Fk1の第2傾斜外周面Ts2に対して摺り動いて、第2貫通孔Th2の上下方向に沿った仮想的な中心線(第4仮想中心線ともいう)Lc4が、棒状部分Rp1の第3仮想中心線Lc3に近接もしくは一致し得る。その結果、例えば、第1部分P1が係止部分Fk1で係止される際に、当接部2cの第1部分P1が、水平方向において棒状部分Rp1の中心に対して容易に位置決めされ得る。第2傾斜外周面Ts2は、例えば、係止部分Fk1のうちの棒状部分Rp1と接続している部分の外周面に適用される。第2傾斜外周面Ts2は、例えば、円錐台の側面(円錐台面)に沿った形状を有する。第2傾斜外周面Ts2は、例えば、円錐台もしくは角錐台等の錐台の側面(錐台面)に沿った形状を有していてもよい。第4仮想中心線Lc4には、例えば、第2貫通孔Th2の水平方向に沿った仮想的な断面の中心(重心)を通る、上下方向に沿った仮想線が適用される。 Furthermore, in the second support pin 22b according to the second modified example, for example, the locking portion Fk1 has an inclined outer peripheral surface (also referred to as the second inclined outer peripheral surface) Ts2. The second inclined outer peripheral surface Ts2 is inclined relative to a third imaginary center line (also referred to as the third imaginary center line) Lc3 extending in the vertical direction of the rod-shaped portion Rp1 so as to approach the third imaginary center line Lc3 as it extends downward. The third imaginary center line Lc3 is, for example, a virtual line extending in the vertical direction that passes through the center (center of gravity) of an imaginary cross section of the rod-shaped portion Rp1 along the horizontal direction. In this case, for example, when the abutting portion 2c moves upward relative to the main body 2b due to the repulsive force between the first magnet M1 and the second magnet M2, the first portion P1 slides against the second inclined outer surface Ts2 of the locking portion Fk1, and the imaginary center line Lc4 (also referred to as the fourth imaginary center line) along the vertical direction of the second through hole Th2 approaches or coincides with the third imaginary center line Lc3 of the rod-shaped portion Rp1. As a result, for example, when the first portion P1 is locked by the locking portion Fk1, the first portion P1 of the abutting portion 2c can be easily positioned horizontally relative to the center of the rod-shaped portion Rp1. The second inclined outer surface Ts2 is applied, for example, to the outer surface of the portion of the locking portion Fk1 that connects to the rod-shaped portion Rp1. The second inclined outer surface Ts2 has a shape that follows the side surface of a truncated cone (frustum surface). The second inclined outer peripheral surface Ts2 may have a shape that follows the side surface (frustum surface) of a truncated cone or pyramid, for example. The fourth imaginary center line Lc4 is, for example, a virtual line that runs in the vertical direction and passes through the center (center of gravity) of an imaginary cross section of the second through hole Th2 that runs in the horizontal direction.
ここで、支持部20によって基板9を下方から支持する態様について説明する。図21は、基板9を下方から支持していない状態にある第1支持ピン22aおよび第2支持ピン22bの一例を模式的に示す図である。図22は、基板9を下方から支持している状態にある第1支持ピン22aおよび第2支持ピン22bの一例を模式的に示す図である。図21および図22では、図面の複雑化を防ぐために、2本の第1支持ピン22aおよび1本の第2支持ピン22bが便宜的に描かれている。また、図22では、基板9が当接部2cを下方向に押す力が太い矢印で模式的に描かれている。 Here, we will explain how the substrate 9 is supported from below by the support portion 20. Figure 21 is a diagram schematically showing an example of the first support pins 22a and second support pins 22b when they are not supporting the substrate 9 from below. Figure 22 is a diagram schematically showing an example of the first support pins 22a and second support pins 22b when they are supporting the substrate 9 from below. In Figures 21 and 22, two first support pins 22a and one second support pin 22b are depicted for convenience in order to avoid complicating the drawings. Also, in Figure 22, the force of the substrate 9 pressing downward on the abutment portion 2c is depicted schematically with a thick arrow.
図21および図22に示すように、例えば、第1支持ピン22a上および第2支持ピン22bの当接部2c上に基板9を載置すると、第1支持ピン22aによって基板9が水平方向にずれないように下方から支持されている状態となる。このとき、第2支持ピン22bでは、第1磁石M1と第2磁石M2との間における反発力に抗して基板9の重さによって当接部2cが下方向に押されることで、当接部2cが本体部2bから離間している状態となる。これにより、当接部2cが、本体部2bから離間しており、本体部2bに対して浮上している状態となる。このとき、第1磁石M1と第2磁石M2との距離が短くなることで第1磁石M1と第2磁石M2との間の反発力が高まり、第1磁石M1と第2磁石M2との間の反発力と、当接部2cにかかる重力と基板9が当接部2cを下方向に押す力との合力と、がつり合っている状態となる。この場合には、第2支持ピン22bでは、本体部2bから当接部2cが離間しており、当接部2cの熱容量が小さく、当接部2cには熱容量が大きな部分が接続も接触もしていない。これにより、例えば、基板9において複数の支持ピン22の配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、基板9の上面としての第1面F1に形成された塗膜90をより均一に乾燥させることができる。 As shown in Figures 21 and 22, for example, when a substrate 9 is placed on the contact portions 2c of the first support pins 22a and the second support pins 22b, the first support pins 22a support the substrate 9 from below to prevent it from shifting horizontally. At this time, the weight of the substrate 9 presses the contact portions 2c downward on the second support pins 22b against the repulsive force between the first magnet M1 and the second magnet M2, causing the contact portions 2c to be separated from the main body 2b. As a result, the contact portions 2c are separated from the main body 2b and levitate relative to the main body 2b. At this time, the distance between the first magnet M1 and the second magnet M2 is shortened, increasing the repulsive force between the first magnet M1 and the second magnet M2. The repulsive force between the first magnet M1 and the second magnet M2 is balanced with the resultant force of gravity acting on the contact portions 2c and the force of the substrate 9 pressing the contact portions 2c downward. In this case, the contact portion 2c of the second support pin 22b is separated from the main body portion 2b, the contact portion 2c has a small heat capacity, and the contact portion 2c is not connected to or in contact with any portion with a large heat capacity. This makes it less likely that a temperature difference will occur on the substrate 9 due to the arrangement of multiple support pins 22. As a result, for example, the coating film 90 formed on the first surface F1, which serves as the upper surface of the substrate 9, can be dried more uniformly.
ここでは、図21で示されるように、支持部20が基板9を下方から支持していない状態においては、当接部2cは、上下方向における第1位置Vp1に位置している。図22で示されるように、支持部20が基板9を下方から支持している状態において、当接部2cは、上下方向における第1位置Vp1よりも下方の第2位置Vp2に位置している。このため、第2支持ピン22bでは、当接部2cは、支持部20が基板9を下方から支持していない状態において上下方向における第1位置Vp1に位置し、支持部20が基板9を下方から支持している状態において上下方向における第1位置Vp1よりも下方の第2位置Vp2に位置する。 Here, as shown in FIG. 21, when the support portion 20 is not supporting the substrate 9 from below, the abutment portion 2c is located at a first position Vp1 in the vertical direction. As shown in FIG. 22, when the support portion 20 is supporting the substrate 9 from below, the abutment portion 2c is located at a second position Vp2 that is lower than the first position Vp1 in the vertical direction. Therefore, on the second support pin 22b, the abutment portion 2c is located at the first position Vp1 in the vertical direction when the support portion 20 is not supporting the substrate 9 from below, and is located at the second position Vp2 that is lower than the first position Vp1 in the vertical direction when the support portion 20 is supporting the substrate 9 from below.
上記一実施形態では、例えば、複数の第1支持ピン22aは、基板9の外周部9opに沿って位置している非塗布領域A2のみを下方から支持するように配置されていてもよい。図23は、基板9の塗布領域A1と第1支持ピン22aおよび第2支持ピン22bとの関係の一例を示す図である。図23では、図13と同様に、基板9の下面としての第2面F2のうち、第1支持ピン22aによって支持される位置が白丸で示されており、第2支持ピン22bによって支持される位置が黒丸で示されている。また、図23では、図13と同様に、基板9のうちの上面としての第1面F1に塗膜90が形成された塗布領域A1の外縁が二点鎖線で描かれている。図23の例では、基板9のうちの外周部9opに沿った領域を除く全域が塗布領域A1となっている。換言すれば、非塗布領域A2は、基板9の外周部9opに沿って位置している領域である。 In the above embodiment, for example, the multiple first support pins 22a may be arranged to support only the non-coated region A2 located along the outer periphery 9op of the substrate 9 from below. Figure 23 is a diagram showing an example of the relationship between the coated region A1 of the substrate 9 and the first support pins 22a and second support pins 22b. In Figure 23, similar to Figure 13, positions on the second surface F2 (the underside of the substrate 9) supported by the first support pins 22a are indicated by white circles, and positions supported by the second support pins 22b are indicated by black circles. Also, similar to Figure 13, in Figure 23, the outer edge of the coated region A1 where the coating film 90 is formed on the first surface F1 (the upper surface of the substrate 9) is depicted by a two-dot chain line. In the example of Figure 23, the entire area of the substrate 9 except for the area along the outer periphery 9op is the coated region A1. In other words, the non-coated region A2 is the area located along the outer periphery 9op of the substrate 9.
上記一実施形態では、例えば、第2支持ピン22bは、基板9を支持するための支持ピン22として減圧乾燥装置1に適用されるための部品として市場において流通し得る。この場合には、例えば、第2支持ピン22bが置かれている姿勢に応じて、第1方向は、上方向以外の任意の方向となり得る。同様に、第2方向は、下方向以外の任意の方向となり得る。ここでは、部品としての第2支持ピン22bは、上述したように、本体部2bと、当接部2cと、を備えている。本体部2bは、第1磁石M1を有する。当接部2cは、第2磁石M2を有するとともに、基板9の下面に当接させるための部分である。第1磁石M1と第2磁石M2とは、第1磁石M1から第2磁石M2に向かう第1方向において、離間しているとともに、同一の磁極が対向している状態で位置している。本体部2bは、係止部分Fk1を含む。係止部分Fk1は、第1磁石M1と第2磁石M2との間における反発力によって第1方向に向かう力が働いている当接部2cを係止するとともに、第1方向に垂直な方向における当接部2cの移動を規制する部分である。当接部2cは、第1部分P1と、第2部分P2と、を含む。第1部分P1は、係止部分Fk1によって係止される部分である。第2部分P2は、第1部分P1が係止部分Fk1によって係止されている状態で本体部2bよりも第1方向に位置している第1領域Ar1を有する。また、当接部2cは、第1方向とは逆の第2方向に移動することで本体部2bから離間することが可能な空間(移動可能空間)Sp1を本体部2bとの間に介して位置している。減圧乾燥装置1においては、第1方向は上方向となり、第2方向は第1方向とは逆の下方向となる。 In the above embodiment, for example, the second support pin 22b may be distributed on the market as a component to be applied to the vacuum drying apparatus 1 as the support pin 22 for supporting the substrate 9. In this case, for example, depending on the orientation of the second support pin 22b, the first direction may be any direction other than the upward direction. Similarly, the second direction may be any direction other than the downward direction. Here, the second support pin 22b as a component comprises, as described above, a main body portion 2b and a contact portion 2c. The main body portion 2b has a first magnet M1. The contact portion 2c has a second magnet M2 and is a portion for contacting the underside of the substrate 9. The first magnet M1 and the second magnet M2 are spaced apart in the first direction from the first magnet M1 to the second magnet M2, and are positioned with the same magnetic poles facing each other. The main body portion 2b includes a locking portion Fk1. The locking portion Fk1 locks the contact portion 2c, which is subjected to a force acting in a first direction due to the repulsive force between the first magnet M1 and the second magnet M2, and restricts movement of the contact portion 2c in a direction perpendicular to the first direction. The contact portion 2c includes a first portion P1 and a second portion P2. The first portion P1 is locked by the locking portion Fk1. The second portion P2 has a first region Ar1 that is located further in the first direction than the main body portion 2b when the first portion P1 is locked by the locking portion Fk1. Furthermore, the contact portion 2c is located between the main body portion 2b and a space (movable space) Sp1 that allows the contact portion 2c to move away from the main body portion 2b by moving in a second direction opposite the first direction. In the reduced-pressure drying apparatus 1, the first direction is the upward direction, and the second direction is the downward direction opposite the first direction.
ここで、例えば、第1方向が上方向となるように第2支持ピン22bを減圧乾燥装置1に適用すると、当接部2c上に基板9を載置することで、当接部2cが下方向に移動して本体部2bから離間し得る。このため、例えば、本体部2bに対して浮上して離間している当接部2cによって基板9を下方から支持させることができる。この場合には、例えば、当接部2cは、熱容量が小さく、熱容量が大きな部分が接続も接触もしていない。これにより、減圧乾燥装置1では、基板9において複数の支持ピン22の配置に応じた温度差が生じにくい。その結果、例えば、簡単な構成によって基板9の上面に形成された塗膜90をより均一に乾燥させることができる。 Here, for example, if the second support pin 22b is applied to the reduced-pressure drying apparatus 1 so that the first direction is upward, placing the substrate 9 on the abutting portion 2c can cause the abutting portion 2c to move downward and separate from the main body portion 2b. Therefore, for example, the substrate 9 can be supported from below by the abutting portion 2c, which is raised and separated from the main body portion 2b. In this case, for example, the abutting portion 2c has a small heat capacity, and the portion with a large heat capacity is not connected or in contact. As a result, in the reduced-pressure drying apparatus 1, temperature differences in the substrate 9 due to the arrangement of the multiple support pins 22 are less likely to occur. As a result, for example, the coating film 90 formed on the upper surface of the substrate 9 can be dried more uniformly with a simple configuration.
また、部品としての第2支持ピン22bにおいては、当接部2cは、第1磁石M1と第2磁石M2との間における反発力に抗して第2方向に押されることで、本体部2bから離間し得る。このため、例えば、第1方向が上方向となるように第2支持ピン22bを減圧乾燥装置1に適用すると、当接部2c上に基板9を載置することで、基板9の重量によって、第1磁石M1と第2磁石M2との間における反発力に抗して当接部2cを下方に押し下げることができる。これにより、例えば、本体部2bに対して浮上して離間している当接部2cによって基板9を下方から支持させることができる。その結果、例えば、簡単な構成によって基板9の上面に形成された塗膜90をより均一に乾燥させることができる。 Furthermore, in the second support pin 22b as a component, the abutment portion 2c can be pushed in the second direction against the repulsive force between the first magnet M1 and the second magnet M2, thereby separating from the main body portion 2b. Therefore, for example, if the second support pin 22b is applied to the reduced-pressure drying device 1 so that the first direction is upward, placing a substrate 9 on the abutment portion 2c allows the weight of the substrate 9 to press the abutment portion 2c downward against the repulsive force between the first magnet M1 and the second magnet M2. This allows the substrate 9 to be supported from below by the abutment portion 2c, which is levitated and separated from the main body portion 2b. As a result, for example, the coating film 90 formed on the upper surface of the substrate 9 can be dried more uniformly with a simple configuration.
上記一実施形態では、第1磁石M1には、例えば、永久磁石および電磁石の何れが適用されてもよい。 In the above embodiment, the first magnet M1 may be, for example, either a permanent magnet or an electromagnet.
上記一実施形態では、第1磁石M1は、例えば、本体部2bの外面に露出していてもよいし、本体部2bの内部に埋め込まれて外面に露出していなくてもよい。第2磁石M2は、例えば、当接部2cの外面に露出していてもよいし、当接部2cの内部に埋め込まれて外面に露出していなくてもよい。 In the above embodiment, the first magnet M1 may be exposed on the outer surface of the main body portion 2b, or may be embedded inside the main body portion 2b and not exposed on the outer surface. The second magnet M2 may be exposed on the outer surface of the abutment portion 2c, or may be embedded inside the abutment portion 2c and not exposed on the outer surface.
上記一実施形態では、複数の支持ピン22は、例えば、1つ以上の第1支持ピン22aと、2つ以上の第2支持ピン22bと、を有していてもよいし、2つ以上の第1支持ピン22aと、1つ以上の第2支持ピン22bと、を有していてもよい。また、例えば、複数の支持ピン22は、1つ以上の第1支持ピン22aを有していてもよいし、1つ以上の第2支持ピン22bを有していてもよい。このため、上述した排気工程においては、例えば、1つ以上の第1支持ピン22aによって基板9が水平方向にずれないように基板9を下方から支持し、1つ以上の第2支持ピン22bにおける本体部2bから浮上して離間している当接部2cによって基板9を下方から支持している状態で、排気部30によってチャンバ10内の雰囲気を排出することでチャンバ10内を減圧してもよい。 In the above embodiment, the multiple support pins 22 may include, for example, one or more first support pins 22a and two or more second support pins 22b, or two or more first support pins 22a and one or more second support pins 22b. Furthermore, for example, the multiple support pins 22 may include one or more first support pins 22a, or one or more second support pins 22b. Therefore, in the above-described exhaust process, for example, the substrate 9 may be supported from below by one or more first support pins 22a to prevent the substrate 9 from shifting horizontally, and the substrate 9 may be supported from below by the abutment portions 2c of one or more second support pins 22b that are spaced apart from the main body portion 2b. The atmosphere inside the chamber 10 may be exhausted by the exhaust unit 30, thereby reducing the pressure inside the chamber 10.
上記一実施形態では、支持部20を昇降させる昇降部100が存在していなくてもよい。この場合には、複数の支持ピン22は、底面整流板40の上面等のチャンバ10内の部分あるいは底板部11の上面等のチャンバ10に対して固定されていてもよい。 In the above embodiment, the lifting unit 100 for raising and lowering the support unit 20 may not be present. In this case, the multiple support pins 22 may be fixed to a portion of the chamber 10, such as the upper surface of the bottom flow plate 40, or to the chamber 10, such as the upper surface of the bottom plate unit 11.
上記一実施形態では、例えば、チャンバ10が、4つの排気口16a,16b,16c,16dを有していたが、これに限られない。例えば、チャンバ10が有する排気口の数は、1つから3つおよび5つ以上の何れであってもよい。また、例えば、個別バルブVa,Vb,Vc,Vdは、なくてもよい。 In the above embodiment, for example, the chamber 10 has four exhaust ports 16a, 16b, 16c, and 16d, but this is not limited to this. For example, the number of exhaust ports provided by the chamber 10 may be one to three, or five or more. Also, for example, the individual valves Va, Vb, Vc, and Vd may not be required.
上記一実施形態では、減圧乾燥装置1は、基板9上の塗膜90を、減圧によって乾燥させるものであったが、これに限られない。例えば、減圧乾燥装置1は、減圧および加熱によって、基板9上の塗膜90を乾燥させるものであってもよい。 In the above embodiment, the reduced-pressure drying apparatus 1 dries the coating film 90 on the substrate 9 by reducing the pressure, but this is not limited to this. For example, the reduced-pressure drying apparatus 1 may also dry the coating film 90 on the substrate 9 by reducing the pressure and applying heat.
上記一実施形態では、チャンバ10の側壁部12に、基板9の搬入出口14が設けられていたが、これに限られない。例えば、チャンバ10の4つの側壁部12および天板部13が一体の蓋部を構成しており、この蓋部が底板部11から分離して上方へ退避することができる構造が採用されてもよい。この場合には、例えば、蓋部が開閉駆動部16等によって上下に移動されてもよい。そして、チャンバ10は、蓋部がOリング等のシール材を介して底板部11に接触して内部空間10sを密閉している状態(密閉状態)と、蓋部が底板部11から上方へ分離して内部空間10sを開放している状態(開放状態)と、に選択的に設定され得る。ここで、チャンバ10が開放状態にあれば、チャンバ10の内部空間10sへの基板9の搬入およびチャンバ10の内部空間10sからの基板9の搬出を行うことができる。チャンバ10が閉鎖状態にあれば、内部空間10sからの排気および内部空間10sへの給気によって、基板9上の塗膜90を減圧によって乾燥させることができる。 In the above embodiment, the sidewall 12 of the chamber 10 is provided with the substrate 9 loading/unloading opening 14, but this is not limited thereto. For example, the four sidewalls 12 and the top plate 13 of the chamber 10 may form a single lid, which can be separated from the bottom plate 11 and retracted upward. In this case, the lid may be moved up and down by an opening/closing drive unit 16, for example. The chamber 10 may be selectively set to either a sealed state in which the lid contacts the bottom plate 11 via a sealing material such as an O-ring to seal the internal space 10s, or an open state in which the lid separates upward from the bottom plate 11 to open the internal space 10s. When the chamber 10 is in the open state, the substrate 9 can be loaded into and unloaded from the internal space 10s of the chamber 10. When the chamber 10 is closed, the coating film 90 on the substrate 9 can be dried by reducing pressure by exhausting air from the internal space 10s and supplying air to the internal space 10s.
上記一実施形態では、例えば、支持部20は種々の形態を有していてもよい。例えば、複数の支持プレート21は、一体的な1つの支持プレート21であってもよい。 In the above embodiment, for example, the support portion 20 may have various forms. For example, the multiple support plates 21 may be integrated into a single support plate 21.
上記一実施形態では、例えば、底面整流板40がなくてもよいし、側面整流板50がなくてもよい。 In the above embodiment, for example, the bottom rectifying plate 40 and the side rectifying plate 50 may be omitted.
上記一実施形態では、例えば、減圧乾燥装置1における各種の動作は、例えば、入力部804に対するユーザの動作もしくは通信部806に対して外部の装置から入力された信号等に応答して、開始あるいは終了されてもよい。 In the above embodiment, for example, various operations in the reduced pressure drying apparatus 1 may be started or ended in response to, for example, a user's action on the input unit 804 or a signal input from an external device to the communication unit 806.
上記一実施形態では、例えば、制御部80において、実現される機能的な構成の少なくとも一部が、専用の電子回路等のハードウェアで構成されていてもよい。 In the above embodiment, for example, at least a portion of the functional configuration realized by the control unit 80 may be configured using hardware such as dedicated electronic circuits.
なお、上記一実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。 It goes without saying that all or part of the components of the above embodiment and various modified examples can be combined as appropriate and consistent.
1 減圧乾燥装置
10 チャンバ
20 支持部
22 支持ピン
22a 第1支持ピン
22b 第2支持ピン
2b 本体部
2c 当接部
30 排気部
9 基板
90 塗膜
9op 外周部
A1 塗布領域
A2 非塗布領域
Ar1 第1領域
Cp1 被接触部
F1 第1面(上面)
F2 第2面(下面)
Fk1 係止部分
Hp1 中空部分
Is1 第1内部空間
Is2 第2内部空間
Iw1 第1内周面
Iw2 第2内周面
Lc1 第1仮想中心線
Lc2 第2仮想中心線
Lc3 第3仮想中心線
Lc4 第4仮想中心線
M1 第1磁石
M2 第2磁石
P1 第1部分
P2 第2部分
P3 第3部分
Pp1 筒状部分
Rp1 棒状部分
Rp2 環状部分
Sp1 移動可能空間
Th1 第1貫通孔
Th2 第2貫通孔
Ts1 第1傾斜外周面
Ts2 第2傾斜外周面
Vp1 第1位置
Vp2 第2位置
REFERENCE SIGNS LIST 1 reduced pressure drying device 10 chamber 20 support portion 22 support pin 22a first support pin 22b second support pin 2b main body portion 2c contact portion 30 exhaust portion 9 substrate 90 coating film 9op outer periphery A1 coated area A2 non-coated area Ar1 first area Cp1 contacted portion F1 first surface (upper surface)
F2 2nd side (bottom side)
Fk1 Locking portion Hp1 Hollow portion Is1 First internal space Is2 Second internal space Iw1 First inner peripheral surface Iw2 Second inner peripheral surface Lc1 First imaginary center line Lc2 Second imaginary center line Lc3 Third imaginary center line Lc4 Fourth imaginary center line M1 First magnet M2 Second magnet P1 First portion P2 Second portion P3 Third portion Pp1 Cylindrical portion Rp1 Rod-shaped portion Rp2 Annular portion Sp1 Movable space Th1 First through-hole Th2 Second through-hole Ts1 First inclined outer peripheral surface Ts2 Second inclined outer peripheral surface Vp1 First position Vp2 Second position
Claims (11)
前記基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内において前記基板を下方から支持する支持部と、
前記チャンバ内の雰囲気を排出する排気部と、を備え、
前記支持部は、前記基板を下方からそれぞれ支持する第1支持ピンおよび第2支持ピン、を含み、
前記第1支持ピンは、前記基板が水平方向にずれないように前記基板を下方から支持し、
前記第2支持ピンは、第1磁石を有する本体部と、第2磁石を有するとともに前記基板の下面に当接する当接部と、を有し、
前記第1磁石と前記第2磁石とは、前記第1磁石から前記第2磁石に向かう上方向において、離間しているとともに、同一の磁極が対向している状態で位置し、
前記本体部は、前記第1磁石と前記第2磁石との間における反発力によって上方向に向かう力が働いている前記当接部を係止するとともに、上方向に垂直な水平方向における前記当接部の移動を規制する係止部分、を含み、
前記当接部は、前記係止部分によって係止される第1部分と、該第1部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記本体部よりも上方向に位置する第1領域を有する第2部分と、を含むとともに、下方向に移動することで前記本体部から離間することが可能な空間を前記本体部との間に介して位置しており、
前記本体部は、上方向に沿って延びる筒状の筒状部分を含み、
前記第1磁石は、前記筒状部分の中空部分および前記筒状部分の下部に沿った部分のうちの少なくとも一方に位置している部分を含み、
前記係止部分は、前記筒状部分の上部に沿って位置しているとともに、上方向に貫通している第1貫通孔を有し、
前記当接部は、前記中空部分内において、前記筒状部分の内周面から離間している状態で位置している第3部分を含み、
前記第3部分は、前記第2磁石を含み、
前記第2部分の前記第1領域は、前記第1部分の上部に接続もしくは連結しており、前記第1部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記第1貫通孔から上方向に突出している、減圧乾燥装置。 A reduced pressure drying apparatus for drying a coating film formed on an upper surface of a substrate,
a chamber containing the substrate;
a support portion that supports the substrate from below in the chamber;
an exhaust unit that exhausts the atmosphere inside the chamber,
the support portion includes a first support pin and a second support pin that respectively support the substrate from below,
the first support pin supports the substrate from below to prevent the substrate from shifting in a horizontal direction;
the second support pin has a main body portion having a first magnet and a contact portion having a second magnet and contacting the lower surface of the substrate,
the first magnet and the second magnet are spaced apart in an upward direction from the first magnet toward the second magnet, and are positioned with the same magnetic poles facing each other;
the main body includes a locking portion that locks the abutment portion to which an upward force is acting due to a repulsive force between the first magnet and the second magnet, and that restricts movement of the abutment portion in a horizontal direction perpendicular to the upward direction,
the abutment portion includes a first portion that is locked by the locking portion, and a second portion that has a first region that is located above the main body portion when the first portion is locked by the locking portion, and is located between the abutment portion and the main body portion by a space that can be separated from the main body portion by moving downward,
The main body includes a cylindrical portion extending upward,
the first magnet includes a portion located in at least one of a hollow portion of the cylindrical portion and a portion along a lower portion of the cylindrical portion;
the locking portion is located along an upper portion of the cylindrical portion and has a first through-hole penetrating upward,
the abutment portion includes a third portion located within the hollow portion and spaced apart from an inner circumferential surface of the cylindrical portion,
the third portion includes the second magnet;
A reduced pressure drying apparatus, wherein the first region of the second part is connected or coupled to the upper part of the first part, and protrudes upward from the first through hole while the first part is engaged by the engaging part .
前記第2部分は、前記第1部分から上方向に向かうにつれて、前記第2部分の水平方向に沿った仮想断面の中心を通る上下方向に沿った第1仮想中心線に近づくように該第1仮想中心線に対して傾斜している第1傾斜外周面を有する、減圧乾燥装置。 The reduced pressure drying apparatus according to claim 1 ,
a first inclined outer peripheral surface that is inclined relative to a first imaginary center line extending in an up-down direction and passing through the center of an imaginary cross section of the second portion along a horizontal direction as the second portion extends upward from the first portion, so as to approach the first imaginary center line.
前記第1貫通孔は、上方向に向かうにつれて該第1貫通孔の上下方向に沿った第2仮想中心線に近づくように狭くなっている内部空間を有する、減圧乾燥装置。 The reduced pressure drying apparatus according to claim 2 ,
The first through hole has an internal space that narrows toward a second imaginary center line along the vertical direction of the first through hole as it extends upward.
前記基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内において前記基板を下方から支持する支持部と、
前記チャンバ内の雰囲気を排出する排気部と、を備え、
前記支持部は、前記基板を下方からそれぞれ支持する第1支持ピンおよび第2支持ピン、を含み、
前記第1支持ピンは、前記基板が水平方向にずれないように前記基板を下方から支持し、
前記第2支持ピンは、第1磁石を有する本体部と、第2磁石を有するとともに前記基板の下面に当接する当接部と、を有し、
前記第1磁石と前記第2磁石とは、前記第1磁石から前記第2磁石に向かう上方向において、離間しているとともに、同一の磁極が対向している状態で位置し、
前記本体部は、前記第1磁石と前記第2磁石との間における反発力によって上方向に向かう力が働いている前記当接部を係止するとともに、上方向に垂直な水平方向における前記当接部の移動を規制する係止部分、を含み、
前記当接部は、前記係止部分によって係止される第1部分と、該第1部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記本体部よりも上方向に位置する第1領域を有する第2部分と、を含むとともに、下方向に移動することで前記本体部から離間することが可能な空間を前記本体部との間に介して位置しており、
前記本体部は、上方向に沿って延びる棒状部分を含み、
前記第1磁石は、前記棒状部分に固定されており、
前記係止部分は、前記棒状部分の上部に沿って位置し、
前記第1部分は、前記棒状部分が貫通している第2貫通孔を有し且つ前記棒状部分に沿って上下方向に移動可能に位置している環状の部分を含む、減圧乾燥装置。 A reduced pressure drying apparatus for drying a coating film formed on an upper surface of a substrate,
a chamber containing the substrate;
a support portion that supports the substrate from below in the chamber;
an exhaust unit that exhausts the atmosphere inside the chamber,
the support portion includes a first support pin and a second support pin that respectively support the substrate from below,
the first support pin supports the substrate from below to prevent the substrate from shifting in a horizontal direction;
the second support pin has a main body portion having a first magnet and a contact portion having a second magnet and contacting the lower surface of the substrate,
the first magnet and the second magnet are spaced apart in an upward direction from the first magnet toward the second magnet, and are positioned with the same magnetic poles facing each other;
the main body includes a locking portion that locks the abutment portion to which an upward force is acting due to a repulsive force between the first magnet and the second magnet, and that restricts movement of the abutment portion in a horizontal direction perpendicular to the upward direction,
the abutment portion includes a first portion that is locked by the locking portion, and a second portion that has a first region that is located above the main body portion when the first portion is locked by the locking portion, and is located between the abutment portion and the main body portion by a space that can be separated from the main body portion by moving downward,
The main body portion includes a rod-shaped portion extending in an upward direction,
the first magnet is fixed to the rod-shaped portion,
the locking portion is located along an upper portion of the rod-shaped portion;
The first portion includes an annular portion having a second through hole through which the rod-shaped portion passes and positioned so as to be movable up and down along the rod-shaped portion .
前記係止部分は、下方向に向かうにつれて前記棒状部分の上下方向に沿って延びる第3仮想中心線に近づくように該第3仮想中心線に対して傾斜している第2傾斜外周面を有する、減圧乾燥装置。 The reduced pressure drying apparatus according to claim 4 ,
A reduced pressure drying apparatus, wherein the engaging portion has a second inclined outer peripheral surface that is inclined relative to a third imaginary center line extending along the vertical direction of the rod-shaped portion so as to approach the third imaginary center line as it extends downward.
前記基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内において前記基板を下方から支持する支持部と、
前記チャンバ内の雰囲気を排出する排気部と、を備え、
前記支持部は、前記基板を下方からそれぞれ支持する第1支持ピンおよび第2支持ピン、を含み、
前記第1支持ピンは、前記基板が水平方向にずれないように前記基板を下方から支持し、
前記第2支持ピンは、第1磁石を有する本体部と、第2磁石を有するとともに前記基板の下面に当接する当接部と、を有し、
前記第1磁石と前記第2磁石とは、前記第1磁石から前記第2磁石に向かう上方向において、離間しているとともに、同一の磁極が対向している状態で位置し、
前記本体部は、前記第1磁石と前記第2磁石との間における反発力によって上方向に向かう力が働いている前記当接部を係止するとともに、上方向に垂直な水平方向における前記当接部の移動を規制する係止部分、を含み、
前記当接部は、前記係止部分によって係止される第1部分と、該第1部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記本体部よりも上方向に位置する第1領域を有する第2部分と、を含むとともに、下方向に移動することで前記本体部から離間することが可能な空間を前記本体部との間に介して位置しており、
前記当接部は、前記支持部が前記基板を下方から支持していない状態において上下方向における第1位置に位置し、前記支持部が前記基板を下方から支持している状態において上下方向における前記第1位置よりも下方の第2位置に位置する、減圧乾燥装置。 A reduced pressure drying apparatus for drying a coating film formed on an upper surface of a substrate,
a chamber containing the substrate;
a support portion that supports the substrate from below in the chamber;
an exhaust unit that exhausts the atmosphere inside the chamber,
the support portion includes a first support pin and a second support pin that respectively support the substrate from below,
the first support pin supports the substrate from below to prevent the substrate from shifting in a horizontal direction;
the second support pin has a main body portion having a first magnet and a contact portion having a second magnet and contacting the lower surface of the substrate,
the first magnet and the second magnet are spaced apart in an upward direction from the first magnet toward the second magnet, and are positioned with the same magnetic poles facing each other;
the main body includes a locking portion that locks the abutment portion to which an upward force is acting due to a repulsive force between the first magnet and the second magnet, and that restricts movement of the abutment portion in a horizontal direction perpendicular to the upward direction,
the abutment portion includes a first portion that is locked by the locking portion, and a second portion that has a first region that is located above the main body portion when the first portion is locked by the locking portion, and is located between the abutment portion and the main body portion by a space that can be separated from the main body portion by moving downward,
a first position in the vertical direction when the support portion is not supporting the substrate from below, and a second position lower than the first position in the vertical direction when the support portion is supporting the substrate from below .
前記第1支持ピンは、前記基板のうちの前記上面に前記塗膜が形成されていない非塗布領域を下方から支持する、減圧乾燥装置。 The reduced pressure drying apparatus according to any one of claims 1 to 6 ,
The first support pin supports, from below, a non-coated region of the substrate where the coating film is not formed on the upper surface.
前記非塗布領域は、前記基板の外周部に沿って位置している、減圧乾燥装置。 The reduced pressure drying apparatus according to claim 7 ,
A reduced pressure drying apparatus, wherein the non-coated area is located along the outer periphery of the substrate.
第1磁石を有する本体部と、
第2磁石を有するとともに前記基板の下面に当接させるための当接部と、を備え、
前記第1磁石と前記第2磁石とは、前記第1磁石から前記第2磁石に向かう第1方向において、離間しているとともに、同一の磁極が対向している状態で位置し、
前記本体部は、前記第1磁石と前記第2磁石との間における反発力によって前記第1方向に向かう力が働いている前記当接部を係止するとともに、前記第1方向に垂直な方向における前記当接部の移動を規制する係止部分、を含み、
前記当接部は、前記係止部分によって係止される第1部分と、該第1部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記本体部よりも前記第1方向に位置している第1領域を有する第2部分と、を含むとともに、前記第1方向とは逆の第2方向に移動することで前記本体部から離間することが可能な空間を前記本体部との間に介して位置しており、
前記本体部は、前記第1方向に沿って延びる筒状の筒状部分を含み、
前記第1磁石は、前記筒状部分の中空部分および前記筒状部分の前記第2方向の側の部分に沿った部分のうちの少なくとも一方に位置している部分を含み、
前記係止部分は、前記筒状部分の前記第1方向の側の部分に沿って位置しているとともに、前記第1方向に貫通している第1貫通孔を有し、
前記当接部は、前記中空部分内において、前記筒状部分の内周面から離間している状態で位置している第3部分を含み、
前記第3部分は、前記第2磁石を含み、
前記第2部分の前記第1領域は、前記第1部分の前記第1方向の側の部分に接続もしくは連結しており、前記第1部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記第1貫通孔から前記第1方向に突出している、支持ピン。 A support pin for supporting a substrate from below,
a main body having a first magnet;
a contact portion having a second magnet and adapted to contact the lower surface of the substrate;
the first magnet and the second magnet are spaced apart in a first direction from the first magnet toward the second magnet, and are positioned with the same magnetic poles facing each other;
the main body includes a locking portion that locks the abutment portion to which a force in the first direction is acting due to a repulsive force between the first magnet and the second magnet, and that restricts movement of the abutment portion in a direction perpendicular to the first direction,
the abutment portion includes a first portion that is locked by the locking portion, and a second portion that has a first region that is located further in the first direction than the main body portion when the first portion is locked by the locking portion, and is located between the abutment portion and the main body portion via a space that can be separated from the main body portion by moving in a second direction opposite to the first direction,
the main body portion includes a cylindrical portion extending along the first direction,
the first magnet includes a portion located in at least one of a hollow portion of the cylindrical portion and a portion along a side portion of the cylindrical portion in the second direction,
the locking portion is located along a portion of the cylindrical portion on the first direction side, and has a first through-hole penetrating in the first direction;
the abutment portion includes a third portion located within the hollow portion and spaced apart from an inner circumferential surface of the cylindrical portion,
the third portion includes the second magnet;
A support pin in which the first region of the second part is connected or connected to a part of the first part on the first direction side, and the first part protrudes in the first direction from the first through hole when the first part is engaged by the engaging part .
第1磁石を有する本体部と、
第2磁石を有するとともに前記基板の下面に当接させるための当接部と、を備え、
前記第1磁石と前記第2磁石とは、前記第1磁石から前記第2磁石に向かう第1方向において、離間しているとともに、同一の磁極が対向している状態で位置し、
前記本体部は、前記第1磁石と前記第2磁石との間における反発力によって前記第1方向に向かう力が働いている前記当接部を係止するとともに、前記第1方向に垂直な方向における前記当接部の移動を規制する係止部分、を含み、
前記当接部は、前記係止部分によって係止される第1部分と、該第1部分が前記係止部分によって係止されている状態で前記本体部よりも前記第1方向に位置している第1領域を有する第2部分と、を含むとともに、前記第1方向とは逆の第2方向に移動することで前記本体部から離間することが可能な空間を前記本体部との間に介して位置しており、
前記本体部は、前記第1方向に沿って延びる棒状部分を含み、
前記第1磁石は、前記棒状部分に固定されており、
前記係止部分は、前記棒状部分の前記第1方向の側の部分に沿って位置し、
前記第1部分は、前記棒状部分が貫通している第2貫通孔を有し且つ前記棒状部分に沿って前記第1方向および前記第2方向に移動可能に位置している環状の部分を含む、支持ピン。 A support pin for supporting a substrate from below,
a main body having a first magnet;
a contact portion having a second magnet and adapted to contact the lower surface of the substrate;
the first magnet and the second magnet are spaced apart in a first direction from the first magnet toward the second magnet, and are positioned with the same magnetic poles facing each other;
the main body includes a locking portion that locks the contact portion to which a force in the first direction is acting due to a repulsive force between the first magnet and the second magnet, and restricts movement of the contact portion in a direction perpendicular to the first direction,
the abutment portion includes a first portion that is locked by the locking portion, and a second portion that has a first region that is located further in the first direction than the main body portion when the first portion is locked by the locking portion, and is located between the abutment portion and the main body portion via a space that can be separated from the main body portion by moving in a second direction opposite to the first direction,
the main body portion includes a rod-shaped portion extending along the first direction,
the first magnet is fixed to the rod-shaped portion,
the locking portion is located along a side portion of the rod-shaped portion in the first direction,
The first portion includes an annular portion having a second through hole through which the rod-shaped portion passes and positioned movably in the first direction and the second direction along the rod-shaped portion .
前記当接部は、前記第1磁石と前記第2磁石との間における反発力に抗して前記第2方向に押されることで、前記本体部から離間する、支持ピン。 The support pin according to claim 9 or 10 ,
The support pin, wherein the abutment portion is pushed in the second direction against a repulsive force between the first magnet and the second magnet, thereby moving away from the main body portion.
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