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JP7748845B2 - Halftone mask defect repair equipment - Google Patents
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JP7748845B2 - Halftone mask defect repair equipment - Google Patents

Halftone mask defect repair equipment

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JP7748845B2 JP2021173300A JP2021173300A JP7748845B2 JP 7748845 B2 JP7748845 B2 JP 7748845B2 JP 2021173300 A JP2021173300 A JP 2021173300A JP 2021173300 A JP2021173300 A JP 2021173300A JP 7748845 B2 JP7748845 B2 JP 7748845B2
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

本発明は、ハーフトーンマスクの半透過部に生じた欠陥を修正するハーフトーンマスクの欠陥修正装置に関する。 The present invention relates to a half-tone mask defect repair device that repairs defects that occur in the semi-transparent portion of a half-tone mask.

フォトリソグラフィ技術として、ハーフトーンマスクが知られている。ハーフトーンマスクは、透過部の透過率と遮光部の透過率との間の透過率を有する半透過部を備えることにより、透過部による白の階調及び遮光部による黒の階調の2階調と、半透過部による白と黒の中間(グレートーン)の階調とを合わせた多階調(3階調以上)を実現することから、多階調フォトマスクとも称される。ハーフトーンマスクを用いることにより、1回の露光で露光量が異なるパターンをフォトレジストに形成することができる。このため、フォトマスクの使用枚数の削減、製造工程の削減、ひいては製造コストの削減を図ることができる。 Halftone masks are known as a photolithography technique. Halftone masks have semi-transparent sections with a transmittance between that of the transparent and light-shielding sections, allowing for multiple tones (three or more)—two tones of white in the transparent sections and black in the light-shielding sections—and intermediate tones (gray tones) between white and black in the semi-transparent sections. Therefore, they are also called multi-tone photomasks. Using a halftone mask makes it possible to form patterns in the photoresist with different exposure amounts in a single exposure. This reduces the number of photomasks used, reduces the number of manufacturing processes, and ultimately reduces manufacturing costs.

ここで、ハーフトーンマスクにおいては、製造工程上等の問題により、大きく分けて2つの欠陥が生じ得る。1つは、半透過部の一部に欠損が存在しているという欠陥(欠損が存在していると、透過率が上がるので、「白欠陥」と称される。)である。もう1つは、半透過部の一部に余剰や異物が存在しているという欠陥(異物等が存在していると、透過率が下がるので、「黒欠陥」と称される。)である。 In half-tone masks, two main types of defects can occur due to issues in the manufacturing process. One is a defect in which there is a defect in part of the semi-transparent area (the presence of a defect increases transmittance, so this is called a "white defect"). The other is a defect in which there is excess or foreign matter in part of the semi-transparent area (the presence of foreign matter decreases transmittance, so this is called a "black defect").

こうした欠陥が生じたときは、欠陥を修正する必要がある。白欠陥の場合は、欠損部分に修正膜を成膜することにより、白欠陥が修正される。黒欠陥の場合は、異物等又は異物等が存在している半透過部の部分を除去し、必要に応じて新たな修正膜を成膜することにより、黒欠陥が修正される。 When such defects occur, they must be repaired. In the case of white defects, they are repaired by forming a repair film over the defective area. In the case of black defects, they are repaired by removing the foreign matter or the part of the semi-transparent area where the foreign matter is present, and then forming a new repair film as necessary.

欠陥修正装置としては、特許文献1に記載された装置が知られている。この装置は、レーザCVD(Chemical Vapor Deposition)法を用いて修正膜を成膜するものである。すなわち、この装置は、レーザ発振器から出射されたレーザビームを、開口を通過させ、対物レンズで集光し、反応ガス雰囲気中に置かれた欠陥修正対象フォトマスクの表面に照射することにより、CVD膜の修正膜を成膜するものである。 A known defect repair device is the one described in Patent Document 1. This device deposits a repair film using the laser CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Specifically, this device deposits a CVD repair film by passing a laser beam emitted from a laser oscillator through an aperture, focusing it with an objective lens, and irradiating it onto the surface of a photomask to be repaired, which is placed in a reactive gas atmosphere.

特開2017-173670号公報JP 2017-173670 A

特許文献1に記載された欠陥修正装置は、隣同士が重なるピッチで複数の単位修正膜を2次元配列的に形成することにより、欠陥修正領域を埋める大きさの修正膜を形成するものである。しかし、単位修正膜は、レーザビームの強度分布(ガウス分布)の関係で、周辺部の膜厚が薄く、中央部の膜厚が厚い凸形状を有する。このため、修正膜の膜厚が許容範囲を超えて不均一になりやすく、この結果、修正膜の透過率にムラが生じやすくなる。 The defect repair device described in Patent Document 1 forms a repair film large enough to fill the defect repair area by forming multiple unit repair films in a two-dimensional array at a pitch where adjacent films overlap. However, due to the intensity distribution (Gaussian distribution) of the laser beam, the unit repair film has a convex shape with a thin film thickness at the periphery and a thick film thickness in the center. This makes it easy for the film thickness of the repair film to become uneven beyond the allowable range, which in turn makes it easy for the transmittance of the repair film to become uneven.

そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、修正膜の膜厚の均一性を向上することができ、これにより、透過率にムラがない高品質な修正膜を得ることができるハーフトーンマスクの欠陥修正装置を提供することを課題とする。 The present invention was developed in light of these circumstances, and aims to provide a defect repair device for half-tone masks that can improve the uniformity of the repair film's thickness, thereby producing a high-quality repair film with no uneven transmittance.

本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正装置は、
ハーフトーンマスクを載置するステージと、
レーザビーム出射装置と、
レーザビームのビーム径よりも大きい形状を有する光学作用部であって、光学作用部内を透過するレーザビームの中心軸におけるピーク強度を低減する光学作用部を有する光学部材と、
レーザビームのビーム径を拡大するビームエキスパンダと、
ビームエキスパンダ及び光学部材を通過したレーザビームを空間光変調素子を用いて走査することにより、レーザビームをハーフトーンマスクの欠陥修正対象領域に面状に照射するビームスキャンユニットと、
欠陥修正対象領域を修正膜の原料となる原料ガス雰囲気とするガス供給系とを備える
ハーフトーンマスクの欠陥修正装置である。
The apparatus for repairing a defect in a half-tone mask according to the present invention comprises:
a stage on which a half-tone mask is placed;
a laser beam emitting device;
an optical member having an optical action portion having a shape larger than the beam diameter of the laser beam, the optical action portion reducing the peak intensity at the central axis of the laser beam passing through the optical action portion;
a beam expander that expands the beam diameter of the laser beam;
a beam scanning unit that uses a spatial light modulation element to scan the laser beam that has passed through the beam expander and the optical member, thereby irradiating the laser beam onto a defect correction target area of the halftone mask in a planar manner;
The defect repair device for a half-tone mask is provided with a gas supply system that supplies a region to be repaired with a source gas atmosphere that is a raw material for the repair film.

ここで、本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正装置の一態様として、
光学作用部は、レーザビームのうち光学作用部の中心部を通る部分の強度の減少率をレーザビームのうち光学作用部の周辺部を通る部分の強度の減少率よりも高くするフィルタ作用、又は、レーザビームを拡散する拡散作用、の少なくとも一方を有するものである
との構成を採用することができる。
また、本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正装置の他態様として、
光学作用部は、透明部材の表面の一部を白濁処理した白濁部である
との構成を採用することができる。
Here, as one aspect of the half-tone mask defect repair device according to the present invention,
The optical action portion may have at least one of a filtering effect that makes the rate of decrease in intensity of the portion of the laser beam that passes through the center of the optical action portion higher than the rate of decrease in intensity of the portion of the laser beam that passes through the periphery of the optical action portion, or a diffusing effect that diffuses the laser beam.
In another aspect of the half-tone mask defect repair device according to the present invention,
The optical action portion is a cloudy portion formed by clouding part of the surface of the transparent member.
The above configuration can be adopted.

また、本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正装置の別の態様として、In addition, as another aspect of the halftone mask defect repair device according to the present invention,
ハーフトーンマスクの欠陥修正対象領域は、20μm以下の欠陥のサイズに対して設定されるThe defect correction target area of the halftone mask is set for defects of 20 μm or less in size.
との構成を採用することができる。The above configuration can be adopted.
また、本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正装置のさらに別の態様として、In still another aspect of the halftone mask defect repair device according to the present invention,
レーザビーム出射装置の筐体の出口開放部を覆うガラス板を備え、a glass plate covering an outlet opening of a housing of the laser beam emitting device;
光学部材は、このガラス板とは別に設けられるガラス板であるThe optical member is a glass plate provided separately from this glass plate.
との構成を採用することができる。The above configuration can be adopted.

また、本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正装置の別の態様として、
レーザビームの光路と直交する直交面において光路の中心に対して位置調整可能に光学部材を支持する光学部材支持装置をさらに備える
との構成を採用することができる。
In addition, as another aspect of the halftone mask defect repair device according to the present invention,
The optical element may further include an optical element support device that supports the optical element so that its position can be adjusted relative to the center of the optical path in a plane perpendicular to the optical path of the laser beam.

本発明によれば、レーザビーム出射装置から出射されるレーザビームは、ビームエキスパンダにより、ビーム径が拡大されるとともに、光学部材の光学作用部により、中心軸におけるピーク強度が低減されることにより、全体的に平滑化された状態で、ハーフトーンマスクの欠陥修正対象領域に面状に照射される。このため、本発明によれば、修正膜の膜厚の均一性を向上することができ、これにより、透過率にムラがない高品質な修正膜を得ることができる。 According to the present invention, the laser beam emitted from the laser beam emitter has its beam diameter expanded by the beam expander, and the peak intensity at the central axis is reduced by the optical action portion of the optical element, resulting in an overall smoothed beam that is irradiated in a planar manner onto the defect repair target area of the halftone mask. Therefore, according to the present invention, the uniformity of the repair film's film thickness can be improved, thereby obtaining a high-quality repair film with consistent transmittance.

図1(a)は、一実施形態に係るハーフトーンマスクの欠陥修正装置の概要図である。図1(b)及び(c)は、欠陥修正装置のスリットの概要図である。1A is a schematic diagram of a defect correction device for a half-tone mask according to an embodiment, and FIGS. 1B and 1C are schematic diagrams of slits in the defect correction device. 図2(a)は、欠陥修正装置のレーザ光学系の概要図である。図2(b)は、レーザ光学系に用いられる光学部材の平面図である。図2(c)は、光学部材の光学特性の1つの例の説明図である。図2(d)は、光学部材の光学特性のもう1つの例の説明図である。Fig. 2(a) is a schematic diagram of a laser optical system of a defect repair device. Fig. 2(b) is a plan view of an optical element used in the laser optical system. Fig. 2(c) is an explanatory diagram of one example of the optical characteristics of the optical element. Fig. 2(d) is an explanatory diagram of another example of the optical characteristics of the optical element. 図3(a)は、光学部材支持装置の平面図である。図3(b)は、光学部材支持装置の側面図である。3A and 3B are a plan view and a side view of the optical element support device, respectively. 図4(a)は、光学部材支持装置の正面図である。図4(b)は、光学部材の支持ベースを取り外した状態の光学部材支持装置の正面図である。4A and 4B are front views of the optical element support device with the support base for the optical element removed. 図5(a)~(d)は、ハーフトーンマスクの欠陥修正方法の説明図である。5A to 5D are explanatory diagrams of a method for repairing a defect in a halftone mask. 図6(a)は、光学部材を用いない場合の成膜イメージの説明図である。図6(b)は、光学部材を用いる場合の成膜イメージの説明図である。Fig. 6(a) is an explanatory diagram of a film formation image when no optical member is used, and Fig. 6(b) is an explanatory diagram of a film formation image when an optical member is used.

以下、一実施形態に係るハーフトーンマスクの欠陥修正装置及びこれを用いるハーフトーンマスクの欠陥修正方法について、図1ないし図6を参酌して説明する。 Below, a half-tone mask defect repair device and a half-tone mask defect repair method using the same according to one embodiment will be described with reference to Figures 1 to 6.

<欠陥修正装置>
まず、欠陥修正装置について説明する。図1(a)に示すように、欠陥修正装置10は、レーザCVD法を用いて修正膜(CVD膜)を成膜する装置である。欠陥修正装置10は、主として、レーザ光学系20と、レーザ光学系30と、光学系40と、ガス供給系50と、位置制御系60とを備える。
<Defect repair device>
First, the defect repair device will be described. As shown in Fig. 1(a), the defect repair device 10 is a device that forms a repair film (CVD film) using a laser CVD method. The defect repair device 10 mainly includes a laser optical system 20, a laser optical system 30, an optical system 40, a gas supply system 50, and a position control system 60.

レーザ光学系20は、修正膜を形成するためのレーザ光学系である。レーザ光学系20は、レーザ発振器(CVD Laser)21と、シャッタ22と、ビームエキスパンダ23と、アッテネータ24と、ビームスキャンユニット25とを備える。レーザビーム出射装置としてのレーザ発振器21から出射されたレーザビーム(レーザ光)は、ビームエキスパンダ23によりビーム径が拡大され、アッテネータ24により適正な出力に調整された後、ビームスキャンユニット25により走査される。ビームスキャンユニット25は、ガルバノミラー、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、PLZT素子等の反射型又は透過型の空間光変調素子を用いて主走査及び副走査を行う。 The laser optical system 20 is a laser optical system for forming a repair film. It comprises a laser oscillator (CVD laser) 21, a shutter 22, a beam expander 23, an attenuator 24, and a beam scanning unit 25. The laser beam (laser light) emitted from the laser oscillator 21, which serves as a laser beam emitting device, has its beam diameter expanded by the beam expander 23, and is adjusted to an appropriate output by the attenuator 24 before being scanned by the beam scanning unit 25. The beam scanning unit 25 performs main scanning and sub-scanning using a reflective or transmissive spatial light modulation element such as a galvanometer mirror, a digital micromirror device (DMD), or a PLZT element.

レーザ光学系20は、より詳細には、図2(a)に示すとおりである。レーザ光学系20は、ガラス板26と、ミラー27と、光学部材28とをさらに備える。ガラス板26は、レーザ発振器21の筐体の出口開放部を覆い、筐体内に埃、塵等が侵入するのを防止する。また、レーザ発振器21の筐体内の温度が変わると、光軸が変わり、レーザビームの波長変換等に影響が出るが、ガラス板26は、レーザ発振器21の筐体内の温度を一定に保つ役割もある。ミラー27は、シャッタ22とビームエキスパンダ23との間に一対設けられる。一対のミラー27,27により、光路は2箇所で直角に曲げられ、レーザ発振器21から出射されたレーザビームの中心軸と、ビームスキャンユニット25から出射される走査光の中心軸とは、平行かつ互いに逆方向となる。ミラー27は、レーザ光学系20のレイアウトの観点で設けられるものであり、レーザ光学系20のレイアウトによっては、必ずしも必要ではない。 The laser optical system 20 is shown in more detail in FIG. 2(a). The laser optical system 20 further includes a glass plate 26, a mirror 27, and an optical element 28. The glass plate 26 covers the open exit of the housing of the laser oscillator 21 to prevent dust and other particles from entering the housing. Changes in the temperature inside the housing of the laser oscillator 21 can alter the optical axis, affecting the wavelength conversion of the laser beam. The glass plate 26 also serves to maintain a constant temperature inside the housing of the laser oscillator 21. A pair of mirrors 27 is provided between the shutter 22 and the beam expander 23. The pair of mirrors 27 bends the optical path at right angles at two locations, ensuring that the central axis of the laser beam emitted from the laser oscillator 21 and the central axis of the scanning light emitted from the beam scanning unit 25 are parallel and opposite to each other. The mirror 27 is provided based on the layout of the laser optical system 20 and may not be necessary depending on the layout of the laser optical system 20.

光学部材28は、レーザビームの中心軸におけるピーク強度を低減する光学作用部を有し、一対のミラー27,27間の光路上に配置される。より詳しくは、光学部材28は、一対のミラー27,27間において、光学作用部の中心が光路の中心と一致するように、配置される。 The optical element 28 has an optical action portion that reduces the peak intensity at the central axis of the laser beam, and is positioned on the optical path between the pair of mirrors 27, 27. More specifically, the optical element 28 is positioned between the pair of mirrors 27, 27 so that the center of the optical action portion coincides with the center of the optical path.

図2(b)に示すように、光学作用部は、ガラス板28aの表面に形成される白濁部28bである。ガラス板28aは円形である。白濁部28bも円形である。白濁部28bは、レーザビームのビーム径よりも大きいか、又は同じ大きさである。たとえば、レーザビームのビーム径(直径)が1mm~2mmであるのに対し、白濁部28bは、1.5mm~2mmの大きさであり、レーザビームのビーム径の70%以上100%以内の大きさを有する。これにより、レーザビームは、白濁部28b内を透過する。なお、白濁部28bの大きさとは、白濁部28bの幅の平均値をいう。 As shown in Figure 2(b), the optical action portion is a cloudy portion 28b formed on the surface of glass plate 28a. Glass plate 28a is circular. Cloudy portion 28b is also circular. Cloudy portion 28b is larger than or the same size as the beam diameter of the laser beam. For example, while the beam diameter (diameter) of the laser beam is 1 mm to 2 mm, cloudy portion 28b is 1.5 mm to 2 mm, and has a size that is 70% to 100% of the beam diameter of the laser beam. This allows the laser beam to pass through cloudy portion 28b. Note that the size of cloudy portion 28b refers to the average width of cloudy portion 28b.

白濁部28bは、各種の形態で構成される。一例として、白濁部28bは、図2(c)に示すように、ガラス板28aの表面の一部を、周辺部よりも中心部の透過率が低く、中心部よりも周辺部の透過率が高い透過率勾配を有するように、表面加工して形成したものである。これにより、白濁部28bは、レーザビームのうち白濁部28bの中心部を通る部分の強度の減少率をレーザビームのうち白濁部28bの周辺部を通る部分の強度の減少率よりも高くするフィルタ作用を有する。あるいは、別例として、白濁部28bは、図2(d)に示すように、ガラス板28aの表面の一部を、凹凸面やギザギザ面といった粗面となるように、表面加工して形成したものである。これにより、白濁部28bは、レーザビームを拡散する拡散作用を有する。 The opaque portion 28b can be configured in various forms. As one example, as shown in FIG. 2(c), the opaque portion 28b is formed by surface-processing a portion of the surface of the glass plate 28a to have a transmittance gradient in which the transmittance is lower in the center than in the periphery and higher in the periphery than in the center. As a result, the opaque portion 28b has a filtering effect that increases the intensity reduction rate of the portion of the laser beam that passes through the center of the opaque portion 28b compared to the intensity reduction rate of the portion of the laser beam that passes through the periphery of the opaque portion 28b. Alternatively, as another example, as shown in FIG. 2(d), the opaque portion 28b is formed by surface-processing a portion of the surface of the glass plate 28a to create a rough surface, such as an uneven or jagged surface. As a result, the opaque portion 28b has a diffusing effect that diffuses the laser beam.

光学部材28は、図3及び図4に示される光学部材支持装置7に支持される。光学部材支持装置7は、一対のミラー27,27間に配置され、一対のミラー27,27やレーザ発振器21といったレーザ光学系20の構成を直接又は間接的に取り付ける取付ベース11に取り付けられる。 The optical element 28 is supported by the optical element support device 7 shown in Figures 3 and 4. The optical element support device 7 is disposed between a pair of mirrors 27, 27, and is attached to a mounting base 11 that directly or indirectly mounts components of the laser optical system 20, such as the pair of mirrors 27, 27 and the laser oscillator 21.

光学部材支持装置7は、固定ベース70と、第1リニアガイド71と、第1スライドベース72と、第2リニアガイド73と、第2スライドベース74と、支持ベース75とを備える。 The optical element support device 7 comprises a fixed base 70, a first linear guide 71, a first slide base 72, a second linear guide 73, a second slide base 74, and a support base 75.

固定ベース70は、縦板状であり、(下部にて)取付ベース11に取り付けられる。固定ベース70は、(下半分の領域に)光路の中心Cを中心として表裏を貫通する開口70aを有する。第1リニアガイド71は、第1リニアガイド71の長手方向が、光路と直交する直交面における直交2軸のうち、一方の軸方向(たとえば水平方向)に沿うように、固定ベース70(の上半分の領域に)に取り付けられる。第1スライドベース72は、第1リニアガイド71に取り付けられ、一方の軸方向(たとえば水平方向)にスライド可能である。第2リニアガイド73は、第2リニアガイド73の長手方向が、もう一方の軸方向(たとえば垂直方向)に沿うように、第1スライドベース72に取り付けられる。第2スライドベース74は、第2リニアガイド73に取り付けられ、もう一方の軸方向(たとえば垂直方向)にスライド可能である。 The fixed base 70 is in the shape of a vertical plate and is attached (at its lower part) to the mounting base 11. The fixed base 70 has an opening 70a (in its lower half) that penetrates from front to back and is centered on the center C of the optical path. The first linear guide 71 is attached (to the upper half of the fixed base 70) so that the longitudinal direction of the first linear guide 71 is aligned along one axial direction (e.g., the horizontal direction) of two orthogonal axes in a plane perpendicular to the optical path. The first slide base 72 is attached to the first linear guide 71 and is slidable in one axial direction (e.g., the horizontal direction). The second linear guide 73 is attached to the first slide base 72 so that the longitudinal direction of the second linear guide 73 is aligned along the other axial direction (e.g., the vertical direction). The second slide base 74 is attached to the second linear guide 73 and is slidable in the other axial direction (e.g., the vertical direction).

支持ベース75は、縦板状であり、固定ベース70と対向するように、(上半分の領域にて)第2スライドベース74に取り付けられる。支持ベース75は、固定ベース70の開口70aと同軸にして表裏を貫通する開口75aを有する。開口75aは、光学部材28のガラス板28aと同じ大きさの円孔であり、ここに光学部材28を嵌めることにより、支持ベース75は、(下半分の領域にて)光学部材28を支持する。これらの構成により、光学部材28は、光路と直交する直交面において移動可能となる。 The support base 75 is in the form of a vertical plate and is attached to the second slide base 74 (at its upper half) so as to face the fixed base 70. The support base 75 has an opening 75a that penetrates from front to back and is coaxial with the opening 70a of the fixed base 70. The opening 75a is a circular hole the same size as the glass plate 28a of the optical element 28, and by fitting the optical element 28 into this opening, the support base 75 supports the optical element 28 (at its lower half). This configuration allows the optical element 28 to move in a plane perpendicular to the optical path.

光学部材支持装置7は、第1マイクロメータ76を備える。第1マイクロメータ76は、本体部76aが第1取付部材77を介して固定ベース70に取り付けられ、第1スライドベース72のスライド方向に沿うように配置される。第1マイクロメータ76のスピンドル76bの先端部は、第1スライドベース72の一部である係合部72aに回転自在に係合される。これらの構成により、第1マイクロメータ76を回転操作することで、光路と直交する直交面における直交2軸のうち、一方の軸方向(たとえば水平方向)における光学部材28の位置調整を行うことができる。 The optical element support device 7 includes a first micrometer 76. The first micrometer 76 has a main body 76a attached to the fixed base 70 via a first mounting member 77, and is positioned along the sliding direction of the first slide base 72. The tip of the spindle 76b of the first micrometer 76 is rotatably engaged with an engagement portion 72a, which is part of the first slide base 72. With this configuration, by rotating the first micrometer 76, the position of the optical element 28 can be adjusted in one of two orthogonal axial directions (e.g., the horizontal direction) in a plane perpendicular to the optical path.

光学部材支持装置7は、第2マイクロメータ78を備える。第2マイクロメータ78は、本体部78aが第2取付部材79を介して第1スライドベース72に取り付けられ、第2スライドベース74のスライド方向に沿うように配置される。第2マイクロメータ78のスピンドル78bの先端部は、第2スライドベース74の一部である係合部74aに回転自在に係合される。これらの構成により、第2マイクロメータ78を回転操作することで、光路と直交する直交面における直交2軸のうち、もう一方の軸方向(たとえば垂直方向)における光学部材28の位置調整を行うことができる。 The optical element support device 7 is equipped with a second micrometer 78. The second micrometer 78 has a main body 78a attached to the first slide base 72 via a second mounting member 79, and is positioned along the sliding direction of the second slide base 74. The tip of the spindle 78b of the second micrometer 78 is rotatably engaged with an engaging portion 74a, which is part of the second slide base 74. With this configuration, by rotating the second micrometer 78, the position of the optical element 28 can be adjusted in the other axial direction (e.g., the vertical direction) of two orthogonal axes in a plane perpendicular to the optical path.

以上の構成により、光学部材28は、光路と直交する直交面において光路の中心Cに対して位置調整可能となる。そして、これにより、光学部材28の白濁部28bは、白濁部28bの中心が光路の中心Cと一致するように、位置決めされる。 With the above configuration, the position of the optical element 28 can be adjusted relative to the center C of the optical path in a plane perpendicular to the optical path. This allows the opaque portion 28b of the optical element 28 to be positioned so that the center of the opaque portion 28b coincides with the center C of the optical path.

図1(a)に戻り、レーザ光学系30は、半透過部を構成する半透過膜を部分的に除去するためのレーザ光学系である。レーザ光学系30は、レーザ発振器(Zap Laser)31と、シャッタ32と、ビームエキスパンダ33と、アッテネータ34とを備える。レーザ発振器31からパルス状に出射されたレーザビーム(レーザ光)は、ビームエキスパンダ33によりビーム径が拡大され、アッテネータ34により適正な出力に調整される。 Returning to Figure 1(a), the laser optical system 30 is a laser optical system for partially removing the semi-transparent film that makes up the semi-transparent portion. The laser optical system 30 comprises a laser oscillator (Zap Laser) 31, a shutter 32, a beam expander 33, and an attenuator 34. The laser beam (laser light) emitted in pulses from the laser oscillator 31 has its beam diameter expanded by the beam expander 33, and is adjusted to an appropriate output by the attenuator 34.

光学系40は、各レーザ光学系20,30から出射されたレーザビームをハーフトーンマスク8の表面に導くためのものである。光学系40は、プリズム41と、プリズム42と、スリット43と、プリズム44と、プリズム45と、対物レンズ46とを備える。プリズム41は、レーザ光学系20から出射されたレーザビームを反射させる。プリズム42は、プリズム41により反射されたレーザビームを透過させるとともに、レーザ光学系30から出射されたレーザビームを反射させる。スリット43は、プリズム42を透過したレーザビーム及びプリズム42により反射されたレーザビームのビーム径を所定の大きさに絞るためのものである。スリット43を通過したレーザビームは、プリズム44,45で反射され、対物レンズ46を通ってステージ61に載置されたハーフトーンマスク8の表面に照射される。 The optical system 40 guides the laser beams emitted from the laser optical systems 20 and 30 onto the surface of the halftone mask 8. The optical system 40 includes a prism 41, a prism 42, a slit 43, a prism 44, a prism 45, and an objective lens 46. The prism 41 reflects the laser beam emitted from the laser optical system 20. The prism 42 transmits the laser beam reflected by the prism 41 and reflects the laser beam emitted from the laser optical system 30. The slit 43 narrows the beam diameter of the laser beam transmitted through and reflected by the prism 42 to a predetermined size. The laser beam passing through the slit 43 is reflected by the prisms 44 and 45, passes through the objective lens 46, and is irradiated onto the surface of the halftone mask 8 placed on the stage 61.

スリット43は、ハーフトーンマスク8の表面において、レーザビーム照射領域を区画する。図1(b)、(c)に示すように、スリット43は、平行かつ間隔を調整自在に可動する第1の1対のフレーム430,430と、同じく平行かつ間隔を調整自在に可動し、第1の1対のフレーム430,430と直交する第2の1対のフレーム431,431とを備える。互いに直交する4つのフレーム430,430,431,431に囲まれた矩形状の開口432(図中のハッチング部分)がレーザビーム照射領域となる。開口432は、一方の1対のフレームの間隔を狭めることにより、スリット状にすることも可能である。 The slit 43 defines a laser beam irradiation area on the surface of the halftone mask 8. As shown in Figures 1(b) and (c), the slit 43 comprises a first pair of frames 430, 430 that are parallel and whose spacing is adjustable, and a second pair of frames 431, 431 that are also parallel and whose spacing is adjustable and that are perpendicular to the first pair of frames 430, 430. The rectangular opening 432 (hatched area in the figure) surrounded by the four mutually perpendicular frames 430, 430, 431, 431 forms the laser beam irradiation area. The opening 432 can also be made slit-shaped by narrowing the spacing between one pair of frames.

ガス供給系50は、修正膜の原料となる原料ガスを供給するためのものである。ガス供給系50は、原料ガス供給管51を備える。原料ガスは、不活性ガスからなるキャリアガスと、加熱によってガス化した原料とを混ぜることにより生成される。原料ガス供給管51から供給された原料ガスは、ハーフトーンマスク8の表面に向かって噴出され、ハーフトーンマスク8の表面の欠陥修正対象領域を原料ガス雰囲気とする。この原料ガス雰囲気の下で、レーザ光学系20からのレーザビームがハーフトーンマスク8の表面に照射されると、照射スポットが形成されるとともに、この照射スポットの寸法及び形状に応じて修正膜が成膜される。原料としては、たとえば、クロムカルボニル、モリブデンカルボニル、タングステンカルボニルといった金属カルボニルが用いられる。 The gas supply system 50 supplies the raw material gas used to form the repair film. The gas supply system 50 includes a raw material gas supply pipe 51. The raw material gas is generated by mixing a carrier gas consisting of an inert gas with raw material gasified by heating. The raw material gas supplied from the raw material gas supply pipe 51 is ejected toward the surface of the half-tone mask 8, creating a raw material gas atmosphere in the defect repair target area on the surface of the half-tone mask 8. When a laser beam from the laser optical system 20 is irradiated onto the surface of the half-tone mask 8 in this raw material gas atmosphere, an irradiation spot is formed, and a repair film is deposited according to the size and shape of the irradiation spot. Examples of raw materials that can be used include metal carbonyls such as chromium carbonyl, molybdenum carbonyl, and tungsten carbonyl.

位置制御系60は、ハーフトーンマスク8のレーザ照射を受けるべき部位をレーザ照射位置(対物レンズ46の中心軸上)に位置決めするためのものである。位置制御系60は、ステージ61と、位置制御部62とを備える。ステージ61は、ハーフトーンマスク8を載置し、水平面において互いに直交するX方向及びY方向に移動可能に構成される。位置制御部62は、ステージ61の移動及び位置を制御する。 The position control system 60 is used to position the portion of the half-tone mask 8 to be irradiated with laser light at the laser irradiation position (on the central axis of the objective lens 46). The position control system 60 includes a stage 61 and a position control unit 62. The half-tone mask 8 is placed on the stage 61, which is movable in the X and Y directions, which are perpendicular to each other, on a horizontal plane. The position control unit 62 controls the movement and position of the stage 61.

なお、レーザ照射位置及びハーフトーンマスク8の相対位置を変更させる機構としては、ステージ61がX方向及びY方向に移動する機構のほか、(i)ステージは固定で、レーザ照射部(対物レンズ)を備えるヘッド部がX方向及びY方向に移動する機構や、(ii)ヘッド部及びステージの一方がX方向に移動するとともに、他方がY方向に移動する機構であってもよい。 Mechanisms for changing the relative position of the laser irradiation position and the halftone mask 8 include a mechanism in which the stage 61 moves in the X and Y directions, as well as (i) a mechanism in which the stage is fixed and a head unit equipped with a laser irradiation unit (objective lens) moves in the X and Y directions, or (ii) a mechanism in which one of the head unit or the stage moves in the X direction and the other moves in the Y direction.

<欠陥修正方法>
次に、欠陥修正方法について説明する。欠陥修正方法は、欠陥のサイズが20μm以下、すなわち、欠陥のサイズが20μm×20μm以下の四角内に収まる大きさである場合に用いられ、概略的には、図5に示すように、(i)ハーフトーンマスク8の半透過部2に生じた欠陥3を包含する欠陥修正対象領域4を設定し、欠陥修正対象領域4内に存在する既存の半透過膜2を除去するトリミング工程(第1工程)と、(ii)欠陥修正対象領域4に、透過率が半透過部2の透過率と等しくなるように、かつ、欠陥修正対象領域4と一致する形状に、修正膜7を成膜する修正膜成膜工程とを備える。また、修正膜成膜工程は、(ii-i)半透過部2の透過率よりも高い透過率を有するベース層5を成膜するベース層成膜工程(第2工程)と、(ii-ii)透過率が半透過部2の透過率と等しくなるように、ベース層5の上に1層又は複数層の透過率調整層6を成膜する透過率調整層成膜工程(第3工程)とを備える。
<Defect repair method>
Next, a defect repair method will be described. The defect repair method is used when the size of the defect is 20 μm or less, that is, when the size of the defect is within a square of 20 μm × 20 μm or less, and generally includes, as shown in Fig. 5 , (i) a trimming step (first step) of setting a defect repair target area 4 that includes a defect 3 generated in a semi-transparent portion 2 of a half-tone mask 8 and removing an existing semi-transparent film 2 that exists within the defect repair target area 4, and (ii) a repair film deposition step of depositing a repair film 7 in the defect repair target area 4 so that the transmittance thereof is equal to that of the semi-transparent portion 2 and so that the repair film 7 has a shape that matches the defect repair target area 4. The correction film deposition process also includes (ii-i) a base layer deposition process (second process) for depositing a base layer 5 having a transmittance higher than that of the semi-transparent portion 2, and (ii-ii) a transmittance adjustment layer deposition process (third process) for depositing one or more transmittance adjustment layers 6 on the base layer 5 so that the transmittance is equal to that of the semi-transparent portion 2.

第1工程(トリミング工程)では、欠陥修正装置10のスリット43の開口形状が欠陥修正対象領域4に合わせられた状態で、レーザ光学系30を用い、欠陥修正対象領域4内に存在する既存の半透過膜2が除去される。これにより、欠陥3は消滅し、外形線が矩形状に整形された非膜形成部、すなわち、透明基板1が矩形状に露出した透過部が形成される。 In the first step (trimming step), the opening shape of the slit 43 of the defect correction device 10 is aligned with the defect correction target area 4, and the laser optical system 30 is used to remove the existing semi-transparent film 2 that exists within the defect correction target area 4. This eliminates the defect 3 and forms a non-film-formed area with a rectangular outline, i.e., a transparent area where the transparent substrate 1 is exposed in a rectangular shape.

第2工程(修正膜成膜工程のベース層成膜工程)では、欠陥修正装置10のスリット43の開口形状とビームスキャンユニット25の光学中心(ガルバノミラーの場合、ガルバノミラーの中心)とが合わせられ、かつ、スリット43の開口形状が欠陥修正対象領域4に合わせられた状態で、レーザ光学系20を用い、欠陥修正対象領域4内にベース(base)層5が形成される。ベース層5は、レーザビームを連続的に照射しながら、ビームスキャンユニット25によりレーザビームを主走査及び副走査することにより、成膜される。ベース層5は、欠陥修正装置10のスリット43の開口形状に対応して、矩形状に形成される。 In the second process (base layer deposition process of the repair film deposition process), the opening shape of the slit 43 of the defect repair device 10 is aligned with the optical center of the beam scan unit 25 (the center of the galvanometer mirror in the case of a galvanometer mirror), and the opening shape of the slit 43 is aligned with the defect repair target area 4. Then, using the laser optical system 20, a base layer 5 is formed within the defect repair target area 4. The base layer 5 is deposited by continuously irradiating the laser beam while performing main and sub-scanning of the laser beam using the beam scan unit 25. The base layer 5 is formed in a rectangular shape corresponding to the opening shape of the slit 43 of the defect repair device 10.

ベース層5は、上述のとおり、CVD膜である。ベース層5の透過率は、半透過部2の透過率よりも高い透過率を有する。これは、修正膜7の透過率の調整方法として、透過率調整層6を積層して透過率を下げていくという方法が採られるためである。ベース層5の透過率は、半透過部2の透過率+10%以上+20%以下となるように設定するのが好ましい。本実施形態においては、半透過部2の透過率は、30%であるのに対し、ベース層5の透過率は、40%である。 As described above, the base layer 5 is a CVD film. The transmittance of the base layer 5 is higher than that of the semi-transparent portion 2. This is because the transmittance of the correction film 7 is adjusted by laminating a transmittance adjustment layer 6 to reduce the transmittance. The transmittance of the base layer 5 is preferably set to be greater than or equal to +10% and less than or equal to +20% of the transmittance of the semi-transparent portion 2. In this embodiment, the transmittance of the semi-transparent portion 2 is 30%, while the transmittance of the base layer 5 is 40%.

第3工程(修正膜成膜工程の透過率調整層成膜工程)では、欠陥修正装置10のスリット43の開口形状とビームスキャンユニット25の光学中心(ガルバノミラーの場合、ガルバノミラーの中心)とが合わせられ、かつ、スリット43の開口形状が欠陥修正対象領域4に合わせられた状態で、レーザ光学系20を用い、欠陥修正対象領域4内に透過率調整層6が形成される。透過率調整層6は、ベース層5と同様、レーザビームを連続的に照射しながら、ビームスキャンユニット25によりレーザビームを主走査及び副走査することにより、成膜される。透過率調整層6は、欠陥修正装置10のスリット43の開口形状に対応して、矩形状に形成される。 In the third process (transmittance adjustment layer deposition process of the repair film deposition process), the opening shape of the slit 43 of the defect repair device 10 is aligned with the optical center of the beam scan unit 25 (the center of the galvanometer mirror in the case of a galvanometer mirror), and the opening shape of the slit 43 is aligned with the defect repair target area 4. Then, using the laser optical system 20, the transmittance adjustment layer 6 is formed within the defect repair target area 4. As with the base layer 5, the transmittance adjustment layer 6 is deposited by continuously irradiating the laser beam while main-scanning and sub-scanning the laser beam using the beam scan unit 25. The transmittance adjustment layer 6 is formed in a rectangular shape corresponding to the opening shape of the slit 43 of the defect repair device 10.

透過率調整層成膜工程では、透過率調整層6が成膜されるたびに、修正膜7の透過率が測定される。透過率測定方法としては、(たとえば修正膜7の中心部分1箇所に)光を照射して透過光の光量を測定することにより、透過率を直接的に測定する方法のほか、撮像して修正膜7の画像(のたとえば画素値)と半透過部2の画像(のたとえば画素値)とを比較することにより、透過率を間接的に測定する方法等、公知の各種の透過率測定方法を用いることができる。 During the transmittance adjustment layer deposition process, the transmittance of the correction film 7 is measured each time the transmittance adjustment layer 6 is deposited. Various known transmittance measurement methods can be used, including a direct method of measuring transmittance by irradiating light (for example, at one point in the center of the correction film 7) and measuring the amount of transmitted light, as well as an indirect method of measuring transmittance by capturing an image of the correction film 7 (for example, its pixel values) and comparing it with an image of the semi-transparent portion 2 (for example, its pixel values).

測定の結果、修正膜7の透過率が半透過部2の透過率と同じになる、又は、修正膜7の透過率と半透過部2の透過率との差が問題にならない状態になると、透過率調整層成膜工程、ひいては、修正膜成膜工程が完了する。 When the measurement results show that the transmittance of the correction film 7 is the same as that of the semi-transparent section 2, or that the difference between the transmittance of the correction film 7 and that of the semi-transparent section 2 is negligible, the transmittance adjustment layer deposition process, and ultimately the correction film deposition process, is complete.

以上の工程を経て、欠陥修正対象領域4の全面において透過率が均一で、かつ、欠陥修正対象領域4の周辺の正常な半透過膜で構成される半透過部2の透過率と等しくなる修正膜7が得られる。なお、より高品質な修正膜7が得られるよう、必要であれば、特許第6741893号公報に記載されている、修正膜7の成膜によっても欠陥修正対象領域4に残る高透過部に、透過率が半透過部2の透過率と等しくなるように、補填膜を成膜する補填膜成膜工程が実施されるようにしてもよい。 Through the above steps, a repair film 7 is obtained that has a uniform transmittance across the entire surface of the defect repair target area 4 and that is equal to the transmittance of the semi-transparent portion 2, which is made up of normal semi-transparent film around the defect repair target area 4. Furthermore, to obtain a repair film 7 of higher quality, if necessary, a compensation film deposition process may be carried out, as described in Japanese Patent No. 6741893, in which a compensation film is deposited on the high-transmittance portion that remains in the defect repair target area 4 even after the repair film 7 is deposited, so that the transmittance is equal to that of the semi-transparent portion 2.

なお、欠陥が半透過部と透過部との境界近傍における半透過部に生じている場合、スリット43を透過部と繋がったコの字形となるように合わせた状態で、あるいは、スリット43を所定角度回転されて略三角形となるように合わせた状態で、トリミングを行うという方法を用いることがある。そして、後者の場合、スリット43の回転角を合わせた状態で、修正膜7を成膜するとともに、半透過部のエッジラインからはみ出た修正膜7をレーザ光学系30を用いて除去するという方法を用いることがある。 If the defect occurs in the semi-transparent portion near the boundary between the semi-transparent and transparent portions, trimming may be performed by aligning the slit 43 so that it forms a U-shape connected to the transparent portion, or by rotating the slit 43 by a predetermined angle so that it forms a roughly triangular shape. In the latter case, trimming may be performed by depositing the repair film 7 with the rotation angle of the slit 43 adjusted, and then removing any repair film 7 that extends beyond the edge line of the semi-transparent portion using the laser optical system 30.

<本実施形態による効果>
上述のとおり、光学部材28の白濁部28bは、レーザビームのうち白濁部28bの中心部を通る部分の強度の減少率をレーザビームのうち白濁部28bの周辺部を通る部分の強度の減少率よりも高くするフィルタ作用、又は、レーザビームを拡散する拡散作用を有する。これにより、図6(b)に示すように、ビームスキャンユニット25による主走査及び副走査により面状に照射されるレーザビームは、全体的に平滑化される。このため、修正膜7の膜厚の均一性を向上することができ、これにより、透過率にムラがない高品質な修正膜7を得ることができる。
<Effects of this embodiment>
As described above, the opaque portion 28b of the optical member 28 has a filtering effect, which makes the intensity reduction rate of the laser beam passing through the center of the opaque portion 28b higher than the intensity reduction rate of the laser beam passing through the peripheral portion of the opaque portion 28b, or a diffusing effect, which diffuses the laser beam. As a result, as shown in Figure 6(b), the laser beam irradiated on a surface by the main scanning and sub-scanning of the beam scanning unit 25 is smoothed overall. This improves the uniformity of the film thickness of the correction film 7, thereby enabling the production of a high-quality correction film 7 with uniform transmittance.

また、光学部材28は、光路と直交する直交面における直交2軸で移動可能な光学部材支持装置7の支持ベース75に支持され、光路と直交する直交面において移動可能となる。これにより、光路と直交する直交面において光路の中心Cに対して光学部材28を位置調整することができる。 The optical element 28 is supported by the support base 75 of the optical element support device 7, which is movable on two orthogonal axes in a plane perpendicular to the optical path, and is movable in the plane perpendicular to the optical path. This allows the position of the optical element 28 to be adjusted relative to the center C of the optical path in the plane perpendicular to the optical path.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications are possible without departing from the spirit of the present invention.

上記実施形態においては、光学部材28は、レーザ光学系20において一対のミラー27,27間に配置される。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。光学部材は、レーザ発振器(あるいはシャッタ)からビームエキスパンダまでのいずれかの光路上に配置することができる。あるいは、光学部材は、レーザ発振器の筐体の出口開放部を覆うガラス板を兼ねるようにしてもよい。 In the above embodiment, the optical element 28 is disposed between the pair of mirrors 27, 27 in the laser optical system 20. However, the present invention is not limited to this. The optical element can be disposed anywhere on the optical path from the laser oscillator (or shutter) to the beam expander. Alternatively, the optical element may also serve as a glass plate covering the outlet opening of the laser oscillator housing.

また、上記実施形態においては、光学作用部(白濁部28b)は、光学部材28のガラス板28aの表面の一部に設けられる。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。光学作用部(白濁部)は、ガラス板の表面全面に設けられるようにしてもよい。また、上記実施形態においては、光学部材は、ガラス板を用いて構成される。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。光学部材は、透明樹脂板等、他の形態の透明部材であってもよい。 Furthermore, in the above embodiment, the optical action portion (opaque portion 28b) is provided on a portion of the surface of the glass plate 28a of the optical member 28. However, the present invention is not limited to this. The optical action portion (opaque portion) may be provided on the entire surface of the glass plate. Further, in the above embodiment, the optical member is constructed using a glass plate. However, the present invention is not limited to this. The optical member may be another form of transparent member, such as a transparent resin plate.

また、上記実施形態においては、白欠陥の欠陥修正について説明している。しかし、欠陥修正対象は、黒欠陥であってもよい。 Furthermore, the above embodiment describes the defect repair of a white defect. However, the defect to be repaired may also be a black defect.

また、上記実施形態においては、欠陥修正装置10のスリット43の構造の関係上、欠陥修正対象領域4及びトリミング領域は、矩形状である。しかし、適宜のマスク形状を採用することにより、欠陥修正対象領域及びトリミング領域の形状として、適宜の形状を設定することができる。あるいは、適切にレーザビームを制御することにより、スリットを用いないで修正膜を成膜することも可能である。 In addition, in the above embodiment, the defect repair target area 4 and the trimming area are rectangular due to the structure of the slit 43 of the defect repair device 10. However, by using an appropriate mask shape, the defect repair target area and the trimming area can be set to any appropriate shape. Alternatively, by appropriately controlling the laser beam, it is possible to form a repair film without using a slit.

また、上記実施形態においては、トリミング工程が実施される。しかし、欠陥の形状によっては、欠陥そのままを欠陥修正対象領域に設定することができる場合がある。この場合は、トリミング工程は不要である。 In addition, in the above embodiment, a trimming process is performed. However, depending on the shape of the defect, it may be possible to set the defect itself as the defect correction target area. In this case, the trimming process is not necessary.

また、上記実施形態においては、修正膜成膜工程は、ベース層成膜工程と、透過率調整層成膜工程とを備える。しかし、ベース層だけで所期の修正膜が得られる場合は、透過率調整層成膜工程は不要である。 In addition, in the above embodiment, the repair film deposition process includes a base layer deposition process and a transmittance adjustment layer deposition process. However, if the desired repair film can be obtained using only the base layer, the transmittance adjustment layer deposition process is not necessary.

1…透明基板(ガラス基板)、2…半透過膜(半透過部)、3…欠陥(白欠陥)、4…トリミング領域(欠陥修正対象領域)、5…ベース層、6…透過率調整層、7…修正膜、8…ハーフトーンマスク、10…欠陥修正装置、11…取付ベース、20…レーザ光学系、21…レーザ発振器、22…シャッタ、23…ビームエキスパンダ、24…アッテネータ、25…ビームスキャンユニット、26…ガラス板、27…ミラー、28…光学部材、28a…ガラス板、28b…白濁部、30…レーザ光学系、31…レーザ発振器、32…シャッタ、33…ビームエキスパンダ、34…アッテネータ、40…光学系、41…プリズム、42…プリズム、43…スリット、430…フレーム、431…フレーム、432…開口、44…プリズム、45…プリズム、46…対物レンズ、50…ガス供給系、51…原料ガス供給管、60…位置制御系、61…ステージ、62…位置制御部、7…光学部材支持装置、70…固定ベース、70a…開口、71…第1リニアガイド、72…第1スライドベース、72a…係合部、73…第2リニアガイド、74…第2スライドベース、74a…係合部、75…支持ベース、75a…開口、76…第1マイクロメータ、76a…本体部、76b…スピンドル、77…第1取付部材、78…第2マイクロメータ、78a…本体部、78b…スピンドル、79…第2取付部材、S…欠陥のサイズ、C…光路の中心 1...Transparent substrate (glass substrate), 2...Semi-transparent film (semi-transparent portion), 3...Defect (white defect), 4...Trimming area (area to be repaired defect), 5...Base layer, 6...Transmittance adjustment layer, 7...Repair film, 8...Half-tone mask, 10...Defect repair device, 11...Mounting base, 20...Laser optical system, 21...Laser oscillator, 22...Shutter, 23...Beam expander, 24...Attenuator, 25...Beam scan unit, 26...Glass plate, 27...Mirror, 28...Optical member, 28a...Glass plate, 28b...Optical portion, 30...Laser optical system, 31...Laser oscillator, 32...Shutter, 33...Beam expander, 34...Attenuator, 40...Optical system, 41...Prism, 42...Prism, 43...Slit, 430 ...frame, 431...frame, 432...aperture, 44...prism, 45...prism, 46...objective lens, 50...gas supply system, 51...source gas supply pipe, 60...position control system, 61...stage, 62...position control unit, 7...optical element support device, 70...fixed base, 70a...aperture, 71...first linear guide, 72...first slide base, 72a...engagement portion, 73...second linear guide, 74...second slide base, 74a...engagement portion, 75...support base, 75a...aperture, 76...first micrometer, 76a...main body, 76b...spindle, 77...first mounting member, 78...second micrometer, 78a...main body, 78b...spindle, 79...second mounting member, S...defect size, C...center of optical path

Claims (6)

ハーフトーンマスクを載置するステージと、
レーザビーム出射装置と、
レーザビームのビーム径よりも大きい形状を有する光学作用部であって、光学作用部内を透過するレーザビームの中心軸におけるピーク強度を低減する光学作用部を有する光学部材と、
レーザビームのビーム径を拡大するビームエキスパンダと、
ビームエキスパンダ及び光学部材を通過したレーザビームを空間光変調素子を用いて走査することにより、レーザビームをハーフトーンマスクの欠陥修正対象領域に面状に照射するビームスキャンユニットと、
欠陥修正対象領域を修正膜の原料となる原料ガス雰囲気とするガス供給系とを備える
ハーフトーンマスクの欠陥修正装置。
a stage on which a half-tone mask is placed;
a laser beam emitting device;
an optical member having an optical action portion having a shape larger than the beam diameter of the laser beam, the optical action portion reducing the peak intensity at the central axis of the laser beam passing through the optical action portion;
a beam expander that expands the beam diameter of the laser beam;
a beam scanning unit that uses a spatial light modulation element to scan the laser beam that has passed through the beam expander and the optical member, thereby irradiating the laser beam onto a defect correction target area of the halftone mask in a planar manner;
A half-tone mask defect repair device comprising: a gas supply system for supplying a region to be repaired with a source gas atmosphere that is a raw material for a repair film.
光学作用部は、レーザビームのうち光学作用部の中心部を通る部分の強度の減少率をレーザビームのうち光学作用部の周辺部を通る部分の強度の減少率よりも高くするフィルタ作用、又は、レーザビームを拡散する拡散作用、の少なくとも一方を有するものである
請求項1に記載のハーフトーンマスクの欠陥修正装置。
2. The halftone mask defect repair device according to claim 1, wherein the optical action portion has at least one of a filtering effect that makes the rate of decrease in intensity of the portion of the laser beam that passes through the center of the optical action portion higher than the rate of decrease in intensity of the portion of the laser beam that passes through the periphery of the optical action portion, or a diffusing effect that diffuses the laser beam.
光学作用部は、透明部材の表面の一部を白濁処理した白濁部である
請求項1又は請求項2に記載のハーフトーンマスクの欠陥修正装置。
3. The half-tone mask defect repair device according to claim 1, wherein the optical action portion is a cloudy portion obtained by clouding a part of the surface of a transparent member.
ハーフトーンマスクの欠陥修正対象領域は、20μm以下の欠陥のサイズに対して設定されるThe defect correction target area of the halftone mask is set for defects of 20 μm or less in size.
請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のハーフトーンマスクの欠陥修正装置。4. The apparatus for repairing a defect in a half-tone mask according to claim 1.
レーザビーム出射装置の筐体の出口開放部を覆うガラス板を備え、a glass plate covering an outlet opening of a housing of the laser beam emitting device;
光学部材は、このガラス板とは別に設けられるガラス板であるThe optical member is a glass plate provided separately from this glass plate.
請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のハーフトーンマスクの欠陥修正装置。5. The apparatus for repairing a defect in a half-tone mask according to claim 1.
レーザビームの光路と直交する直交面において光路の中心に対して位置調整可能に光学部材を支持する光学部材支持装置をさらに備える
請求項1ないし請求項のいずれか1項に記載のハーフトーンマスクの欠陥修正装置。
6. The half-tone mask defect repair device according to claim 1 , further comprising an optical member supporting device that supports the optical member so that its position can be adjusted relative to the center of the optical path in a plane perpendicular to the optical path of the laser beam.
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