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JP7750263B2 - multilayer board - Google Patents
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JP7750263B2 - multilayer board - Google Patents

multilayer board

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JP7750263B2 JP2023069904A JP2023069904A JP7750263B2 JP 7750263 B2 JP7750263 B2 JP 7750263B2 JP 2023069904 A JP2023069904 A JP 2023069904A JP 2023069904 A JP2023069904 A JP 2023069904A JP 7750263 B2 JP7750263 B2 JP 7750263B2
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Description

本発明は、放射導体層を備える多層基板に関する。 The present invention relates to a multilayer substrate having a radiating conductor layer.

従来の多層基板に関する発明としては、特許文献1に記載のアンテナモジュールが知られている。アンテナモジュールは、アンテナパッケージ及び接続部材を備えている。接続部材は、可撓性を有する帯状の基板である。接続部材は、給電線を含んでいる。アンテナパッケージは、接続部材の上に固定されている。アンテナパッケージは、パッチアンテナを含んでいる。パッチアンテナは、給電線と電気的に接続されている。 A known example of a conventional invention related to a multilayer substrate is the antenna module described in Patent Document 1. The antenna module includes an antenna package and a connecting member. The connecting member is a flexible, strip-shaped substrate. The connecting member includes a power feed line. The antenna package is fixed onto the connecting member. The antenna package includes a patch antenna. The patch antenna is electrically connected to the power feed line.

米国特許出願公開第2020/0194893号明細書US Patent Application Publication No. 2020/0194893

ところで、特許文献1に記載のアンテナモジュールにおいて、パッチアンテナと給電線との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生する場合がある。 However, in the antenna module described in Patent Document 1, mismatches in characteristic impedance may occur in the section between the patch antenna and the feeder line.

そこで、本発明の目的は、信号導体層と放射導体層との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる多層基板を提供することである。 The object of the present invention is to provide a multilayer substrate that can prevent mismatches in characteristic impedance in the section between the signal conductor layer and the radiation conductor layer.

本発明の一形態に係る多層基板は、
中間絶縁体層及び負側隣接絶縁体層を含む複数の絶縁体層がZ軸方向に並ぶように積層された構造を有する積層体であって、複数の絶縁体層のそれぞれは、正主面、及び、前記正主面よりZ軸の負側に位置する負主面を有しており、前記負側隣接絶縁体層は、前記中間絶縁体層の前記Z軸の負側に位置し、かつ、前記中間絶縁体層に接触している、積層体と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Z軸の正側に位置している放射導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Z軸の負側に位置する信号導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層の前記負主面に位置し、かつ、第1接続区間、第2接続区間、線路区間、第1中間区間及び第2中間区間を含んでいる接続導体層であって、前記第1中間区間は、前記第1接続区間に隣接しており、前記第2中間区間は、前記第2接続区間に隣接しており、前記線路区間は、前記第1中間区間及び前記第2中間区間に隣接している、接続導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記接続導体層及び前記信号導体層より前記Z軸の負側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記接続導体層の少なくとも一部分及び前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっている第1グランド導体層と、
前記第1接続区間に接触している第1層間接続導体と、
前記第2接続区間に接触している第2層間接続導体と、
を備えており、
前記第1層間接続導体及び前記第2層間接続導体のうちの一方は、前記中間絶縁体層を前記Z軸方向に貫通し、前記放射導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記第1層間接続導体及び前記第2層間接続導体のうちの他方は、前記負側隣接絶縁体層を前記Z軸方向に貫通し、前記信号導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記接続導体層が伸びている方向を延伸方向と定義し、
前記延伸方向及び前記Z軸方向に直交する方向を線幅方向と定義し、
前記第1接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第1端部に位置しており、前記第2接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第2端部に位置しており、前記延伸方向において、前記接続導体層の第2端部は前記接続導体層の第1端部の反対側に位置しており、
前記延伸方向において、前記第1接続区間の両端は、前記Z軸方向に見た前記第1層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記延伸方向において、前記第2接続区間の両端は、前記Z軸方向に見た前記第2層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記第2接続区間の前記線幅方向の最大幅は、前記第1接続区間の前記線幅方向の最大幅より小さく、
前記第1中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第1太線区間を含んでおり、
前記第2中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第2太線区間を含んでおり、
前記第1太線区間及び前記第2太線区間は、前記線路区間に隣接している。
A multilayer substrate according to one embodiment of the present invention comprises:
a laminate having a structure in which a plurality of insulator layers including an intermediate insulator layer and a negative-side adjacent insulator layer are stacked so as to be aligned in the Z-axis direction, each of the plurality of insulator layers having a positive main surface and a negative main surface located on the negative side of the Z-axis from the positive main surface, and the negative-side adjacent insulator layer is located on the negative side of the Z-axis of the intermediate insulator layer and is in contact with the intermediate insulator layer;
a radiation conductor layer provided on the laminate and positioned on the positive side of the Z axis relative to the intermediate insulator layer;
a signal conductor layer provided on the laminate and positioned on the negative side of the Z axis relative to the intermediate insulator layer;
a connecting conductor layer provided in the laminate, located on the negative principal surface of the intermediate insulator layer, and including a first connecting section, a second connecting section, a line section, a first intermediate section, and a second intermediate section, wherein the first intermediate section is adjacent to the first connecting section, the second intermediate section is adjacent to the second connecting section, and the line section is adjacent to the first intermediate section and the second intermediate section;
a first ground conductor layer provided on the laminate, positioned on the negative side of the Z-axis relative to the connection conductor layer and the signal conductor layer, and overlapping at least a portion of the connection conductor layer and at least a portion of the signal conductor layer when viewed in the Z-axis direction;
a first interlayer connection conductor in contact with the first connection section;
a second interlayer connection conductor in contact with the second connection section;
It is equipped with
one of the first interlayer connection conductor and the second interlayer connection conductor penetrates the intermediate insulator layer in the Z-axis direction and electrically connects the radiation conductor layer and the connection conductor layer;
the other of the first interlayer connection conductor and the second interlayer connection conductor penetrates the negative-side adjacent insulator layer in the Z-axis direction and electrically connects the signal conductor layer and the connection conductor layer,
The direction in which the connecting conductor layer extends is defined as an extension direction,
A direction perpendicular to the stretching direction and the Z-axis direction is defined as a line width direction,
the first connection section is located at a first end of the connection conductor layer in the extension direction, the second connection section is located at a second end of the connection conductor layer in the extension direction, and the second end of the connection conductor layer is located on the opposite side of the first end of the connection conductor layer in the extension direction;
In the extension direction, both ends of the first connection section are positioned at equal distances from the center of the first interlayer connection conductor as viewed in the Z-axis direction,
In the extension direction, both ends of the second connection section are positioned at equal distances from the center of the second interlayer connection conductor as viewed in the Z-axis direction,
a maximum width of the second connection section in the line width direction is smaller than a maximum width of the first connection section in the line width direction;
the first intermediate section includes a first thick line section having a width in the line width direction that is larger than a width of the line section in the line width direction,
the second intermediate section includes a second thick line section having a width in the line width direction that is larger than a width of the line section in the line width direction,
The first thick line section and the second thick line section are adjacent to the rail section.

本発明に係る多層基板によれば、信号導体層と放射導体層との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる。 The multilayer board according to the present invention can prevent mismatches in characteristic impedance in the section between the signal conductor layer and the radiation conductor layer.

図1は、多層基板10の分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of a multilayer substrate 10. FIG. 図2は、図1のA-Aにおける多層基板10の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10 taken along line AA in FIG. 図3は、接続導体層24の上面図である。FIG. 3 is a top view of the connecting conductor layer 24. As shown in FIG. 図4は、スミスチャートである。FIG. 4 is a Smith chart. 図5は、接続導体層24aの上面図である。FIG. 5 is a top view of the connecting conductor layer 24a. 図6は、接続導体層24bの上面図である。FIG. 6 is a top view of the connecting conductor layer 24b. 図7は、接続導体層24cの上面図である。FIG. 7 is a top view of the connecting conductor layer 24c. 図8は、スミスチャートである。FIG. 8 is a Smith chart. 図9は、接続導体層24dの上面図である。FIG. 9 is a top view of the connecting conductor layer 24d. 図10は、多層基板10aの断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10a. 図11は、多層基板10bの断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10b. 図12は、多層基板10bに設けられた接続導体層24の上面図である。FIG. 12 is a top view of the connecting conductor layer 24 provided on the multilayer substrate 10b.

(第1実施形態)
[多層基板10の構造]
以下に、本発明の第1実施形態に係る多層基板10の構造について図面を参照しながら説明する。図1は、多層基板10の分解斜視図である。図2は、図1のA-Aにおける多層基板10の断面図である。図3は、接続導体層24の上面図である。
(First embodiment)
[Structure of multilayer substrate 10]
The structure of a multilayer substrate 10 according to a first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Fig. 1 is an exploded perspective view of the multilayer substrate 10. Fig. 2 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10 taken along line A-A in Fig. 1. Fig. 3 is a top view of a connecting conductor layer 24.

以下では、多層基板10の積層体12の積層方向を上下方向と定義する。上下方向は、Z軸方向と一致する。上方向は、Z軸の正方向である。下方向は、Z軸の負方向である。多層基板10を上下方向に見て、多層基板10の辺が延びる2方向のそれぞれを左右方向及び前後方向と定義する。左右方向は、X軸方向と一致する。前後方向は、Y軸方向と一致する。左右方向は、上下方向に直交している。前後方向は、上下方向及び左右方向に直交している。なお、本明細書における方向の定義は、一例である。従って、多層基板10の実使用時における方向と本明細書における方向とが一致している必要はない。また、各図面において上下方向が反転してもよい。同様に、各図面において左右方向が反転してもよい。各図面において前後方向が反転してもよい。 In the following, the stacking direction of the laminate 12 of the multilayer substrate 10 is defined as the up-down direction. The up-down direction coincides with the Z-axis direction. The up direction is the positive direction of the Z-axis. The down direction is the negative direction of the Z-axis. When viewing the multilayer substrate 10 in the up-down direction, the two directions in which the edges of the multilayer substrate 10 extend are defined as the left-right direction and the front-back direction. The left-right direction coincides with the X-axis direction. The front-back direction coincides with the Y-axis direction. The left-right direction is perpendicular to the up-down direction. The front-back direction is perpendicular to both the up-down direction and the left-right direction. Note that the definitions of directions in this specification are merely examples. Therefore, the directions in actual use of the multilayer substrate 10 do not necessarily have to coincide with the directions in this specification. Furthermore, the up-down direction may be reversed in each drawing. Similarly, the left-right direction may be reversed in each drawing. The front-back direction may be reversed in each drawing.

以下では、Xは、多層基板10の部品又は部材である。本明細書において、特に断りのない場合には、Xの各部について以下のように定義する。Xの前部とは、Xの前半分を意味する。Xの後部とは、Xの後半分を意味する。Xの左部とは、Xの左半分を意味する。Xの右部とは、Xの右半分を意味する。Xの上部とは、Xの上半分を意味する。Xの下部とは、Xの下半分を意味する。Xの前端とは、Xの前方向の端を意味する。Xの後端とは、Xの後方向の端を意味する。Xの左端とは、Xの左方向の端を意味する。Xの右端とは、Xの右方向の端を意味する。Xの上端とは、Xの上方向の端を意味する。Xの下端とは、Xの下方向の端を意味する。Xの前端部とは、Xの前端及びその近傍を意味する。Xの後端部とは、Xの後端及びその近傍を意味する。Xの左端部とは、Xの左端及びその近傍を意味する。Xの右端部とは、Xの右端及びその近傍を意味する。Xの上端部とは、Xの上端及びその近傍を意味する。Xの下端部とは、Xの下端及びその近傍を意味する。 In the following, X is a component or member of the multilayer substrate 10. In this specification, unless otherwise specified, each part of X is defined as follows: The front part of X means the front half of X. The rear part of X means the rear half of X. The left part of X means the left half of X. The right part of X means the right half of X. The upper part of X means the upper half of X. The lower part of X means the lower half of X. The front end of X means the front end of X. The rear end of X means the rear end of X. The left end of X means the left end of X. The right end of X means the right end of X. The upper end of X means the upper end of X. The lower end of X means the lower end of X. The front end of X means the front end of X and its vicinity. The rear end of X means the rear end of X and its vicinity. The left end of X means the left end of X and its vicinity. The right end of X means the right end of X and its vicinity. The upper end of X means the upper end of X and its vicinity. The lower end of X means the lower end of X and its vicinity.

多層基板10は、例えば、携帯電話等の電子機器に用いられる。多層基板10は、図1に示すように、積層体12、第2グランド導体層18、放射導体層20、接続導体層22a,22b,24、信号導体層26、第1グランド導体層28及び層間接続導体v1~v4を備えている。 The multilayer substrate 10 is used, for example, in electronic devices such as mobile phones. As shown in FIG. 1, the multilayer substrate 10 includes a laminate 12, a second ground conductor layer 18, a radiation conductor layer 20, connection conductor layers 22a, 22b, and 24, a signal conductor layer 26, a first ground conductor layer 28, and interlayer connection conductors v1 to v4.

積層体12は、板形状を有している。積層体12は、絶縁体層14a~14g及び保護層15a~15cがZ軸方向に積層された構造を有している。絶縁体層14a~14d及び保護層15aは、上下方向に見て、長方形状を有している。絶縁体層14e~14g及び保護層15b,15cは、上下方向に見て、左右方向に延びる帯形状を有している。保護層15a、絶縁体層14a~14f及び保護層15bは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層14e,14f及び保護層15bは、上下方向に見て、絶縁体層14a~14dから右方向に延びている。 The laminate 12 has a plate shape. The laminate 12 has a structure in which insulator layers 14a-14g and protective layers 15a-15c are stacked in the Z-axis direction. Insulator layers 14a-14d and protective layer 15a have a rectangular shape when viewed in the vertical direction. Insulator layers 14e-14g and protective layers 15b and 15c have a strip shape extending in the left-right direction when viewed in the vertical direction. Protective layer 15a, insulator layers 14a-14f, and protective layer 15b are arranged in this order from top to bottom. Insulator layers 14e and 14f and protective layer 15b extend to the right from insulator layers 14a-14d when viewed in the vertical direction.

絶縁体層14gは、絶縁体層14eの上に積層されている。絶縁体層14gは、絶縁体層14dの右に位置している。ただし、絶縁体層14gは、絶縁体層14dに接触していない。保護層15cは、絶縁体層14gの上に積層されている。 Insulator layer 14g is layered on insulator layer 14e. Insulator layer 14g is located to the right of insulator layer 14d. However, insulator layer 14g is not in contact with insulator layer 14d. Protective layer 15c is layered on insulator layer 14g.

以上のような絶縁体層14a~14g及び保護層15a~15cのそれぞれは、上主面(正主面)、及び、上主面(正主面)より下(Z軸の負側)に位置する下主面(負主面)を有している。また、絶縁体層14a~14gは、中間絶縁体層である絶縁体層14d及び負側隣接絶縁体層である絶縁体層14eを含んでいる。負側隣接絶縁体層である絶縁体層14eは、中間絶縁体層である絶縁体層14dの下(Z軸の負側)に位置し、かつ、中間絶縁体層である絶縁体層14dに接触している。 Each of the insulator layers 14a-14g and protective layers 15a-15c described above has an upper main surface (positive main surface) and a lower main surface (negative main surface) located below the upper main surface (positive main surface) (on the negative side of the Z axis). Furthermore, the insulator layers 14a-14g include the insulator layer 14d, which is an intermediate insulator layer, and the insulator layer 14e, which is a negative-side adjacent insulator layer. The insulator layer 14e, which is a negative-side adjacent insulator layer, is located below the insulator layer 14d, which is an intermediate insulator layer, (on the negative side of the Z axis) and is in contact with the insulator layer 14d, which is an intermediate insulator layer.

絶縁体層14a~14gの材料は、ポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂である。保護層15a~15cは、絶縁体層の上主面又は下主面に塗布される絶縁膜である。保護層15a~15cのそれぞれは、放射導体層20、第1グランド導体層28及び第2グランド導体層18を保護している。以上のような積層体12は、可撓性を有している。 The insulating layers 14a to 14g are made of a thermoplastic resin such as polyimide or liquid crystal polymer. The protective layers 15a to 15c are insulating films applied to the upper or lower principal surfaces of the insulating layers. Each of the protective layers 15a to 15c protects the radiation conductor layer 20, the first ground conductor layer 28, and the second ground conductor layer 18. The laminate 12 described above is flexible.

ここで、積層体12は、図2に示すように、左右方向(Z軸方向に直交するX軸方向)にこの順に並ぶ第1区間A1、第2区間A2及び第3区間A3を有している。第1区間A1、第2区間A2及び第3区間A3は、左から右へとこの順に並んでいる。第1区間A1の上下方向(Z軸方向)の厚みは、第2区間A2の上下方向(Z軸方向)の厚みより大きい。第3区間A3の上下方向(Z軸方向)の厚みは、第2区間A2の上下方向(Z軸方向)の厚みより大きい。第3区間A3の上下方向(Z軸方向)の厚みは、第1区間A1の上下方向(Z軸方向)の厚みより小さい。 As shown in FIG. 2, the laminate 12 has a first section A1, a second section A2, and a third section A3 arranged in this order in the left-right direction (the X-axis direction perpendicular to the Z-axis direction). The first section A1, the second section A2, and the third section A3 are arranged in this order from left to right. The thickness of the first section A1 in the up-down direction (Z-axis direction) is greater than the thickness of the second section A2 in the up-down direction (Z-axis direction). The thickness of the third section A3 in the up-down direction (Z-axis direction) is greater than the thickness of the second section A2 in the up-down direction (Z-axis direction). The thickness of the third section A3 in the up-down direction (Z-axis direction) is smaller than the thickness of the first section A1 in the up-down direction (Z-axis direction).

また、積層体12は、図2に示すように、第1積層体部12a及び第2積層体部12bを含んでいる。第1積層体部12aは、中間絶縁体層である絶縁体層14dより上(Z軸の正側)に位置する絶縁体層14a~14c、中間絶縁体層である絶縁体層14d、及び、保護層15aを含んでいる。第2積層体部12bは、中間絶縁体層である絶縁体層14dより下(Z軸の負側)に位置する絶縁体層14e,14fを含んでいる。第2積層体部12bは、絶縁体層14g及び保護層15b,15cを更に含んでいる。積層体12は、第1積層体部12aを熱圧着し、第2積層体部12bを熱圧着した後に、第1積層体部12aと第2積層体部12bとを熱圧着することにより、作成される。 As shown in FIG. 2, the laminate 12 includes a first laminate portion 12a and a second laminate portion 12b. The first laminate portion 12a includes insulator layers 14a-14c located above (on the positive side of the Z axis) intermediate insulator layer 14d, intermediate insulator layer 14d, and protective layer 15a. The second laminate portion 12b includes insulator layers 14e and 14f located below (on the negative side of the Z axis) intermediate insulator layer 14d. The second laminate portion 12b further includes insulator layer 14g and protective layers 15b and 15c. The laminate 12 is fabricated by thermocompression bonding the first laminate portion 12a, thermocompression bonding the second laminate portion 12b, and then thermocompression bonding the first laminate portion 12a and the second laminate portion 12b together.

放射導体層20は、パッチアンテナとして機能する。放射導体層20は、高周波信号を放射及び/又は受信する。放射導体層20は、図1に示すように、積層体12に設けられている。放射導体層20は、中間絶縁体層である絶縁体層14dより上(Z軸の正側)に位置している。より詳細には、放射導体層20は、絶縁体層14aの上主面に位置している。放射導体層20は、上下方向に見て、左右方向及び前後方向に延びる対角線を有するひし形状を有している。 The radiating conductor layer 20 functions as a patch antenna. The radiating conductor layer 20 emits and/or receives high-frequency signals. As shown in FIG. 1, the radiating conductor layer 20 is provided on the laminate 12. The radiating conductor layer 20 is located above (on the positive side of the Z axis) the insulator layer 14d, which is an intermediate insulator layer. More specifically, the radiating conductor layer 20 is located on the upper main surface of the insulator layer 14a. When viewed in the vertical direction, the radiating conductor layer 20 has a diamond shape with diagonals extending in the left-right and front-to-back directions.

信号導体層26には、高周波信号が伝送される。信号導体層26は、図1に示すように、積層体12に設けられている。信号導体層26は、中間絶縁体層である絶縁体層14dより下(Z軸の負側)に位置している。より詳細には、信号導体層26は、絶縁体層14eの下主面に位置している。信号導体層26は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。信号導体層26は、図2に示すように、第1区間A1、第2区間A2及び第3区間A3に位置している。 High-frequency signals are transmitted through the signal conductor layer 26. As shown in FIG. 1, the signal conductor layer 26 is provided in the laminate 12. The signal conductor layer 26 is located below (on the negative side of the Z axis) the insulator layer 14d, which is an intermediate insulator layer. More specifically, the signal conductor layer 26 is located on the lower main surface of the insulator layer 14e. When viewed in the vertical direction, the signal conductor layer 26 has a linear shape that extends in the horizontal direction. As shown in FIG. 2, the signal conductor layer 26 is located in the first section A1, second section A2, and third section A3.

接続導体層24には、高周波信号が伝送される。接続導体層24は、積層体12に設けられている。接続導体層24は、中間絶縁体層である絶縁体層14dの下主面(負主面)に位置している。より詳細には、接続導体層24は、絶縁体層14dの下主面に位置している。接続導体層24は、上下方向に見て、左右方向に延びる線形状を有している。接続導体層24の右端部は、上下方向に見て、信号導体層26の左端部と重なっている。接続導体層24は、図2に示すように、第1区間A1に位置している。接続導体層24は、第2区間A2及び第3区間A3に位置していない。 High-frequency signals are transmitted to the connecting conductor layer 24. The connecting conductor layer 24 is provided in the laminate 12. The connecting conductor layer 24 is located on the lower main surface (negative main surface) of the insulator layer 14d, which is an intermediate insulator layer. More specifically, the connecting conductor layer 24 is located on the lower main surface of the insulator layer 14d. When viewed in the vertical direction, the connecting conductor layer 24 has a linear shape extending in the left-right direction. When viewed in the vertical direction, the right end of the connecting conductor layer 24 overlaps with the left end of the signal conductor layer 26. As shown in Figure 2, the connecting conductor layer 24 is located in the first section A1. The connecting conductor layer 24 is not located in the second section A2 or the third section A3.

第1グランド導体層28は、グランド電位に接続される。第1グランド導体層28は、積層体12に設けられている。第1グランド導体層28は、接続導体層24及び信号導体層26より下(Z軸の負側)に位置している。第1グランド導体層28は、絶縁体層14fの下主面に位置している。第1グランド導体層28は、絶縁体層14fの下主面のほぼ全体を覆っている。これにより、第1グランド導体層28は、上下方向(Z軸方向)に見て、接続導体層24の少なくとも一部分及び信号導体層26の少なくとも一部分と重なっている。本実施形態では、第1グランド導体層28は、上下方向に見て、接続導体層24の全体及び信号導体層26の全体と重なっている。また、第1グランド導体層28と接続導体層24との間には、導体が存在しない。第1グランド導体層28と信号導体層26との間には、導体が存在しない。更に、第1グランド導体層28は、上下方向(Z軸方向)に見て、放射導体層20と重なっている。以上のような第1グランド導体層28は、第1区間A1、第2区間A2及び第3区間A3に位置している。 The first ground conductor layer 28 is connected to a ground potential. The first ground conductor layer 28 is provided on the laminate 12. The first ground conductor layer 28 is located below the connection conductor layer 24 and the signal conductor layer 26 (on the negative side of the Z axis). The first ground conductor layer 28 is located on the lower main surface of the insulator layer 14f. The first ground conductor layer 28 covers almost the entire lower main surface of the insulator layer 14f. As a result, the first ground conductor layer 28 overlaps at least a portion of the connection conductor layer 24 and at least a portion of the signal conductor layer 26 when viewed in the vertical direction (Z axis direction). In this embodiment, the first ground conductor layer 28 overlaps the entire connection conductor layer 24 and the entire signal conductor layer 26 when viewed in the vertical direction. Furthermore, there is no conductor between the first ground conductor layer 28 and the connection conductor layer 24. There is no conductor between the first ground conductor layer 28 and the signal conductor layer 26. Furthermore, the first ground conductor layer 28 overlaps the radiation conductor layer 20 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). The first ground conductor layer 28 as described above is located in the first section A1, the second section A2, and the third section A3.

第2グランド導体層18は、グランド電位に接続される。第2グランド導体層18は、積層体12に設けられている。第2グランド導体層18は、信号導体層26より上(Z軸の正側)に位置している。第2グランド導体層18は、絶縁体層14gの上主面に位置している。第2グランド導体層18は、絶縁体層14gの上主面のほぼ全体を覆っている。これにより、第2グランド導体層18は、上下方向(Z軸方向)に見て、信号導体層26の少なくとも一部分と重なっている。本実施形態では、第2グランド導体層18は、上下方向に見て、信号導体層26の全体と重なっている。また、第2グランド導体層18と信号導体層26との間には、層間接続導体v4及び第1グランド導体層28以外の導体が存在しない。以上のような第2グランド導体層18は、第3区間A3に位置している。第2グランド導体層18は、第1区間A1及び第2区間A2に位置していない。 The second ground conductor layer 18 is connected to a ground potential. The second ground conductor layer 18 is provided on the laminate 12. The second ground conductor layer 18 is located above the signal conductor layer 26 (on the positive side of the Z axis). The second ground conductor layer 18 is located on the upper main surface of the insulator layer 14g. The second ground conductor layer 18 covers almost the entire upper main surface of the insulator layer 14g. As a result, the second ground conductor layer 18 overlaps at least a portion of the signal conductor layer 26 when viewed in the vertical direction (Z axis direction). In this embodiment, the second ground conductor layer 18 overlaps the entire signal conductor layer 26 when viewed in the vertical direction. Furthermore, no conductors other than the interlayer connection conductor v4 and the first ground conductor layer 28 exist between the second ground conductor layer 18 and the signal conductor layer 26. The second ground conductor layer 18 as described above is located in the third section A3. The second ground conductor layer 18 is not located in the first section A1 or the second section A2.

以上のように、信号導体層26は、第1区間A1及び第2区間A2において、第1グランド導体層28と共にマイクロストリップライン構造を形成している。信号導体層26は、第3区間A3において、第1グランド導体層28及び第2グランド導体層18と共にストリップライン構造を形成している。これにより、信号導体層26に発生している特性インピーダンスは、所定の特性インピーダンス(50Ω)である。 As described above, the signal conductor layer 26 forms a microstripline structure together with the first ground conductor layer 28 in the first section A1 and the second section A2. The signal conductor layer 26 forms a stripline structure together with the first ground conductor layer 28 and the second ground conductor layer 18 in the third section A3. As a result, the characteristic impedance generated in the signal conductor layer 26 is a predetermined characteristic impedance (50 Ω).

接続導体層22aは、絶縁体層14bの上主面に位置している。接続導体層22aは、左右方向に延びる線形状を有している。接続導体層22aの左端部は、上下方向に見て、放射導体層20と重なっている。 The connecting conductor layer 22a is located on the upper main surface of the insulator layer 14b. The connecting conductor layer 22a has a linear shape extending in the left-right direction. The left end of the connecting conductor layer 22a overlaps with the radiating conductor layer 20 when viewed in the up-down direction.

接続導体層22bは、絶縁体層14cの上主面に位置している。接続導体層22bは、左右方向に延びる線形状を有している。接続導体層22bの左端部は、上下方向に見て、接続導体層24の左端部と重なっている。接続導体層22bの右端部は、上下方向に見て、接続導体層22aの右端部と重なっている。 The connection conductor layer 22b is located on the upper main surface of the insulator layer 14c. The connection conductor layer 22b has a linear shape extending in the left-right direction. When viewed in the up-down direction, the left end of the connection conductor layer 22b overlaps with the left end of the connection conductor layer 24. When viewed in the up-down direction, the right end of the connection conductor layer 22b overlaps with the right end of the connection conductor layer 22a.

層間接続導体v1は、絶縁体層14aを上下方向に貫通している。層間接続導体v1は、放射導体層20及び接続導体層22aの左端部に接触している。これにより、層間接続導体v1は、放射導体層20と接続導体層22aとを電気的に接続している。 The interlayer connection conductor v1 passes through the insulator layer 14a in the vertical direction. The interlayer connection conductor v1 contacts the left end portions of the radiating conductor layer 20 and the connecting conductor layer 22a. As a result, the interlayer connection conductor v1 electrically connects the radiating conductor layer 20 and the connecting conductor layer 22a.

層間接続導体v2は、絶縁体層14bを上下方向に貫通している。層間接続導体v2は、接続導体層22aの右端部及び接続導体層22bの右端部に接触している。これにより、層間接続導体v2は、接続導体層22aと接続導体層22bとを電気的に接続している。 The interlayer connection conductor v2 penetrates the insulator layer 14b in the vertical direction. The interlayer connection conductor v2 contacts the right end of the connection conductor layer 22a and the right end of the connection conductor layer 22b. As a result, the interlayer connection conductor v2 electrically connects the connection conductor layer 22a and the connection conductor layer 22b.

層間接続導体v3は、第2層間接続導体の一例である。層間接続導体v3は、中間絶縁体層である絶縁体層14d及び絶縁体層14cを上下方向(Z軸方向)に貫通している。層間接続導体v3は、接続導体層22bの左端部及び接続導体層24の左端部に接触している。これにより、層間接続導体v3は、接続導体層22bと接続導体層24とを電気的に接続している。このように、層間接続導体v3は、放射導体層20に電気的に接続されている。 The interlayer connection conductor v3 is an example of a second interlayer connection conductor. The interlayer connection conductor v3 penetrates the intermediate insulator layers 14d and 14c in the vertical direction (Z-axis direction). The interlayer connection conductor v3 contacts the left end of the connection conductor layer 22b and the left end of the connection conductor layer 24. As a result, the interlayer connection conductor v3 electrically connects the connection conductor layer 22b and the connection conductor layer 24. In this way, the interlayer connection conductor v3 is electrically connected to the radiating conductor layer 20.

層間接続導体v4は、第1層間接続導体の一例である。層間接続導体v4は、負側隣接絶縁体層である絶縁体層14eを上下方向(Z軸方向)に貫通している。層間接続導体v4は、接続導体層24の右端部及び信号導体層26の左端部に接触している。これにより、層間接続導体v4は、接続導体層24と信号導体層26とを電気的に接続している。従って、層間接続導体v4は、信号導体層26に電気的に接続されている。 The interlayer connection conductor v4 is an example of a first interlayer connection conductor. The interlayer connection conductor v4 penetrates the insulator layer 14e, which is the negative-side adjacent insulator layer, in the vertical direction (Z-axis direction). The interlayer connection conductor v4 contacts the right end of the connection conductor layer 24 and the left end of the signal conductor layer 26. As a result, the interlayer connection conductor v4 electrically connects the connection conductor layer 24 and the signal conductor layer 26. Therefore, the interlayer connection conductor v4 is electrically connected to the signal conductor layer 26.

ここで、層間接続導体v3から放射導体層20までの電流経路の長さは、後述する層間接続導体v4から放射導体層20までの電流経路の長さより短い。層間接続導体v4から信号導体層26までの電流経路の長さは、層間接続導体v3から信号導体層26までの電流経路の長さより短い。 Here, the length of the current path from the interlayer connection conductor v3 to the radiation conductor layer 20 is shorter than the length of the current path from the interlayer connection conductor v4 (described below) to the radiation conductor layer 20. The length of the current path from the interlayer connection conductor v4 to the signal conductor layer 26 is shorter than the length of the current path from the interlayer connection conductor v3 to the signal conductor layer 26.

以上のような第2グランド導体層18、放射導体層20、接続導体層22a,22b,24、信号導体層26及び第1グランド導体層28は、絶縁体層14a~14gの上主面又は下主面に張り付けられた金属箔にパターニングが施されることにより形成される。金属箔は、例えば、銅箔である。また、層間接続導体v1~v3は、例えば、絶縁体層14a~14dを上下方向に貫通する貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストが加熱により固化されることにより形成される。層間接続導体v4は、絶縁体層14eを上下方向に貫通する貫通孔に半田が充填されることにより形成される。このように、第2層間接続導体である層間接続導体v3の材料は、第1層間接続導体である層間接続導体v4の材料と異なる。 The second ground conductor layer 18, radiation conductor layer 20, connection conductor layers 22a, 22b, and 24, signal conductor layer 26, and first ground conductor layer 28 are formed by patterning metal foil attached to the upper or lower principal surfaces of the insulator layers 14a to 14g. The metal foil is, for example, copper foil. The interlayer connection conductors v1 to v3 are formed, for example, by filling through-holes that vertically penetrate the insulator layers 14a to 14d with conductive paste and then heating the conductive paste to solidify it. The interlayer connection conductor v4 is formed by filling through-holes that vertically penetrate the insulator layer 14e with solder. In this way, the material of interlayer connection conductor v3, which is the second interlayer connection conductor, is different from the material of interlayer connection conductor v4, which is the first interlayer connection conductor.

以下に、接続導体層24の構造の詳細について図3を参照しながら説明する。接続導体層24が伸びている方向を延伸方向と定義する。延伸方向は、左右方向である。延伸方向及び上下方向(Z軸方向)に直交する方向を線幅方向と定義する。線幅方向は、前後方向である。 The structure of the connecting conductor layer 24 will be described in detail below with reference to Figure 3. The direction in which the connecting conductor layer 24 extends is defined as the extension direction. The extension direction is the left-right direction. The direction perpendicular to the extension direction and the up-down direction (Z-axis direction) is defined as the line width direction. The line width direction is the front-to-back direction.

接続導体層24は、第1接続区間A11、第2接続区間A12、線路区間A31、第1中間区間A21及び第2中間区間A22を含んでいる。第1接続区間A11、第1中間区間A21、線路区間A31、第2中間区間A22及び第2接続区間A12は、右から左へとこの順に並んでいる。従って、第1中間区間A21は、第1接続区間A11に隣接している。第2中間区間A22は、第2接続区間A12に隣接している。線路区間A31は、第1中間区間A21及び第2中間区間A22に隣接している。第1接続区間A11は延伸方向における接続導体層24の右端部(第1端部)に位置している。第2接続区間A12は延伸方向における接続導体層24の左端部(第2端部)に位置している。従って、第1接続区間A11の右端は接続導体層24の右端に一致している。第2接続区間A12の左端は接続導体層24の左端に一致している。 The connecting conductor layer 24 includes a first connecting section A11, a second connecting section A12, a line section A31, a first intermediate section A21, and a second intermediate section A22. The first connecting section A11, the first intermediate section A21, the line section A31, the second intermediate section A22, and the second connecting section A12 are arranged in this order from right to left. Therefore, the first intermediate section A21 is adjacent to the first connecting section A11. The second intermediate section A22 is adjacent to the second connecting section A12. The line section A31 is adjacent to the first intermediate section A21 and the second intermediate section A22. The first connecting section A11 is located at the right end (first end) of the connecting conductor layer 24 in the extension direction. The second connecting section A12 is located at the left end (second end) of the connecting conductor layer 24 in the extension direction. Therefore, the right end of the first connecting section A11 coincides with the right end of the connecting conductor layer 24. The left end of the second connection section A12 coincides with the left end of the connection conductor layer 24.

層間接続導体v4(第1層間接続導体)は、第1接続区間A11に接触している。延伸方向である左右方向において、第1接続区間A11の両端は、上下方向(Z軸方向)に見た層間接続導体v4(第1層間接続導体)の中心から等しい距離に位置している。従って、層間接続導体v4の中心から第1接続区間A11の左端までの距離は、層間接続導体v4の中心から第1接続区間A11の右端までの距離と等しい。 The interlayer connection conductor v4 (first interlayer connection conductor) is in contact with the first connection section A11. In the left-right direction, which is the extension direction, both ends of the first connection section A11 are located at equal distances from the center of the interlayer connection conductor v4 (first interlayer connection conductor) when viewed in the up-down direction (Z-axis direction). Therefore, the distance from the center of the interlayer connection conductor v4 to the left end of the first connection section A11 is equal to the distance from the center of the interlayer connection conductor v4 to the right end of the first connection section A11.

層間接続導体v3(第2層間接続導体)は、第2接続区間A12に接触している。延伸方向である左右方向において、第2接続区間A12の両端は、上下方向(Z軸方向)に見た層間接続導体v3(第2層間接続導体)の中心から等しい距離に位置している。従って、層間接続導体v3の中心から第2接続区間A12の左端までの距離は、層間接続導体v3の中心から第2接続区間A12の右端までの距離と等しい。第2接続区間A12の前後方向(線幅方向)の最大幅は、第1接続区間A11の前後方向(線幅方向)の最大幅より小さい。第1接続区間A11及び第2接続区間A12は、円形状を有している。第2接続区間A12の直径は、第1接続区間A11の直径より小さい。 The interlayer connection conductor v3 (second interlayer connection conductor) is in contact with the second connection section A12. In the left-right direction, which is the extension direction, both ends of the second connection section A12 are located at equal distances from the center of the interlayer connection conductor v3 (second interlayer connection conductor) when viewed in the up-down direction (Z-axis direction). Therefore, the distance from the center of the interlayer connection conductor v3 to the left end of the second connection section A12 is equal to the distance from the center of the interlayer connection conductor v3 to the right end of the second connection section A12. The maximum width in the front-to-back direction (line width direction) of the second connection section A12 is smaller than the maximum width in the front-to-back direction (line width direction) of the first connection section A11. The first connection section A11 and the second connection section A12 have a circular shape. The diameter of the second connection section A12 is smaller than the diameter of the first connection section A11.

第1中間区間A21は、第1細線区間A21a及び第1太線区間A21bを含んでいる。第1細線区間A21aは、第2太線区間A22bの前後方向(線幅方向)の幅より小さな前後方向(線幅方向)の幅を有している。第1太線区間A21bは、線路区間A31に隣接している。第1太線区間A21bは、線路区間A31の前後方向(線幅方向)の幅より大きな前後方向(線幅方向)の幅を有している。 The first intermediate section A21 includes a first thin line section A21a and a first thick line section A21b. The first thin line section A21a has a width in the front-to-back direction (line width direction) that is smaller than the width of the second thick line section A22b in the front-to-back direction (line width direction). The first thick line section A21b is adjacent to the track section A31. The first thick line section A21b has a width in the front-to-back direction (line width direction) that is larger than the width of the track section A31 in the front-to-back direction (line width direction).

第2中間区間A22は、第2細線区間A22a及び第2太線区間A22bを含んでいる。第2細線区間A22aは、第2太線区間A22bの前後方向(線幅方向)の幅より小さな前後方向(線幅方向)の幅を有している。第2太線区間A22bは、線路区間A31に隣接している。第2太線区間A22bは、線路区間A31の前後方向(線幅方向)の幅より小さな前後方向(線幅方向)の幅を有している。 The second intermediate section A22 includes a second thin line section A22a and a second thick line section A22b. The second thin line section A22a has a width in the front-to-back direction (line width direction) that is smaller than the width of the second thick line section A22b in the front-to-back direction (line width direction). The second thick line section A22b is adjacent to the track section A31. The second thick line section A22b has a width in the front-to-back direction (line width direction) that is smaller than the width of the track section A31 in the front-to-back direction (line width direction).

[効果]
多層基板10によれば、信号導体層26と放射導体層20との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる。以下に、図面を参照しながら説明する。図4は、スミスチャートである。Z0は、線路区間A31に発生している特性インピーダンスである。Z0は、50Ωである。Z1は、第1接続区間A11に発生している特性インピーダンスである。Z1は、例えば、20Ωである。
[effect]
The multilayer substrate 10 can prevent mismatching of characteristic impedance in the section between the signal conductor layer 26 and the radiation conductor layer 20. The following description will be made with reference to the drawings. FIG. 4 is a Smith chart. Z0 is the characteristic impedance occurring in the line section A31. Z0 is 50 Ω. Z1 is the characteristic impedance occurring in the first connection section A11. Z1 is, for example, 20 Ω.

より詳細には、多層基板10では、接続導体層24の第1接続区間A11及び第2接続区間A12の線幅方向の幅は、線路区間A31の線幅方向の幅より大きい。また、第1接続区間A11には層間接続導体v4が接触している。第2接続区間A12には層間接続導体v3が接触している。そのため、接続導体層24の第1接続区間A11及び第2接続区間A12に発生する特性インピーダンスは、所望の特定インピーダンス(50Ω)からずれやすい。 More specifically, in the multilayer substrate 10, the width in the line width direction of the first connection section A11 and the second connection section A12 of the connecting conductor layer 24 is greater than the width in the line width direction of the line section A31. Furthermore, the interlayer connection conductor v4 contacts the first connection section A11. The interlayer connection conductor v3 contacts the second connection section A12. Therefore, the characteristic impedance generated in the first connection section A11 and the second connection section A12 of the connecting conductor layer 24 tends to deviate from the desired specific impedance (50 Ω).

そこで、接続導体層24は、第1中間区間A21を含んでいる。第1中間区間A21は、第2太線区間A22bの線幅方向の幅より小さな線幅方向の幅を有する第1細線区間A21aを含んでいる。第1中間区間A21は、第1接続区間A11に隣接している。これにより、第1細線区間A21aは、インダクタンスとして機能する。すなわち、線路区間A31に直列にインダクタが接続されている。これにより、図4のスミスチャートの矢印X1に示すように、第1細線区間A21aは、Z1を起点として時計回りにインピーダンスを回転させる。 The connecting conductor layer 24 therefore includes a first intermediate section A21. The first intermediate section A21 includes a first thin line section A21a having a width in the line width direction smaller than the width in the line width direction of the second thick line section A22b. The first intermediate section A21 is adjacent to the first connecting section A11. As a result, the first thin line section A21a functions as an inductance. In other words, an inductor is connected in series to the line section A31. As a result, as shown by arrow X1 on the Smith chart in Figure 4, the first thin line section A21a rotates the impedance clockwise starting from Z1.

また、第1中間区間A21は、線路区間A31の線幅方向の幅より大きな線幅方向の幅を有する第1太線区間A21bを含んでいる。そして、第1太線区間A21bは、線路区間A31に隣接している。また、第1太線区間A21bは、上下方向に見て、第1グランド導体層28と重なっている。そのため、第1太線区間A21bには、容量が発生している。すなわち、線路区間A31に並列に容量が接続されている。これにより、図4のスミスチャートの矢印X2に示すように、第1太線区間A21bは、矢印X1の先端を起点として時計回りにインピーダンスを回転させる。 The first intermediate section A21 also includes a first thick line section A21b, which has a width in the line width direction greater than the width of the line section A31. The first thick line section A21b is adjacent to the line section A31. The first thick line section A21b also overlaps with the first ground conductor layer 28 when viewed in the top-bottom direction. As a result, capacitance is generated in the first thick line section A21b. In other words, capacitance is connected in parallel to the line section A31. As a result, as shown by arrow X2 on the Smith chart in Figure 4, the first thick line section A21b rotates the impedance clockwise from the tip of arrow X1.

その結果、第1中間区間A21により、線路区間A31に発生している特性インピーダンスと第1接続区間A11に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。なお、説明を省略するが、同じ原理により、第2中間区間A22により、線路区間A31に発生している特性インピーダンスと第2接続区間A12に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。以上より、多層基板10によれば、信号導体層26と放射導体層20との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる。そして、信号導体層26と放射導体層20との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制されることにより、多層基板10の広帯域化が図られている。 As a result, the first intermediate section A21 matches the characteristic impedance occurring in the line section A31 with the characteristic impedance occurring in the first connection section A11. Using the same principle, the second intermediate section A22 matches the characteristic impedance occurring in the line section A31 with the characteristic impedance occurring in the second connection section A12, although this will not be explained further. As a result, the multilayer substrate 10 can prevent mismatches in characteristic impedance from occurring in the section between the signal conductor layer 26 and the radiating conductor layer 20. Furthermore, by preventing mismatches in characteristic impedance from occurring in the section between the signal conductor layer 26 and the radiating conductor layer 20, the bandwidth of the multilayer substrate 10 is broadened.

また、多層基板10によれば、第1接続区間A11と層間接続導体v4とがより確実に接続される。より詳細には、積層体12は、第1積層体部12aを熱圧着し、第2積層体部12bを熱圧着した後に、第1積層体部12aと第2積層体部12bとを熱圧着することにより、作成される。第1積層体部12aと第2積層体部12bとの熱圧着の際に、第1接続区間A11と層間接続導体v4とが接続される。そこで、第1接続区間A11の線幅方向の最大幅は、第2接続区間A12の線幅方向の最大幅より大きい。これにより、第1接続区間A11と層間接続導体v4とがより確実に接続される。 Furthermore, the multilayer substrate 10 more reliably connects the first connection section A11 and the interlayer connection conductor v4. More specifically, the laminate 12 is created by thermocompression bonding the first laminate portion 12a, thermocompression bonding the second laminate portion 12b, and then thermocompression bonding the first laminate portion 12a and the second laminate portion 12b together. The first connection section A11 and the interlayer connection conductor v4 are connected during the thermocompression bonding of the first laminate portion 12a and the second laminate portion 12b. Therefore, the maximum width in the line width direction of the first connection section A11 is greater than the maximum width in the line width direction of the second connection section A12. This more reliably connects the first connection section A11 and the interlayer connection conductor v4.

(第1変形例)
以下に、第1変形例に係る接続導体層24aについて図面を参照しながら説明する。図5は、接続導体層24aの上面図である。
(First Modification)
The connecting conductor layer 24a according to the first modification will be described below with reference to the drawings. Fig. 5 is a top view of the connecting conductor layer 24a.

接続導体層24aは、以下の点において接続導体層24と相違する。
・第1太線区間A21bの線幅方向の幅w1は、第2太線区間A22bの線幅方向の幅w2より大きい。
・第1細線区間A21aの線幅方向の幅w11及び第2細線区間A22a線幅方向の幅w12は、線路区間A31の線幅方向の幅w3より小さい。
The connecting conductor layer 24a differs from the connecting conductor layer 24 in the following points.
The width w1 of the first thick line section A21b in the line width direction is larger than the width w2 of the second thick line section A22b in the line width direction.
The width w11 in the line width direction of the first thin line section A21a and the width w12 in the line width direction of the second thin line section A22a are smaller than the width w3 in the line width direction of the line section A31.

接続導体層24aのその他の構造は、接続導体層24の構造と同じであるので説明を省略する。接続導体層24aを備える多層基板10は、接続導体層24を備える多層基板10と同じ作用効果を奏することができる。 The rest of the structure of the connecting conductor layer 24a is the same as that of the connecting conductor layer 24, so a description thereof will be omitted. A multilayer substrate 10 including the connecting conductor layer 24a can achieve the same effects as a multilayer substrate 10 including the connecting conductor layer 24.

また、接続導体層24aを備える多層基板10によれば、第1中間区間A21により、線路区間A31に発生している特性インピーダンスと第1接続区間A11に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。第1接続区間A11の線幅方向の最大幅は、第2接続区間A12の線幅方向の最大幅より大きい。そのため、第1接続区間A11に発生する特性インピーダンスは、第2接続区間A12に発生する特性インピーダンスより小さい。すなわち、所定の特性インピーダンス(50Ω)と第1接続区間A11に発生する特性インピーダンスとの差が大きくなる。そこで、第1太線区間A21bの線幅方向の幅w1は、第2太線区間A22bの線幅方向の幅w2より大きい。これにより、第1太線区間A21bに発生する容量値が大きくなる。第1細線区間A21aの線幅方向の幅w11及び第2細線区間A22aの線幅方向の幅w12は、線路区間A31の線幅方向の幅w3より小さい。これにより、第1細線区間A21aに発生するインダクタンス値が大きくなる。その結果、第1中間区間A21により、線路区間A31に発生している特性インピーダンスと第1接続区間A11に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。 Furthermore, with a multilayer substrate 10 including the connecting conductor layer 24a, the first intermediate section A21 matches the characteristic impedance occurring in the line section A31 with the characteristic impedance occurring in the first connection section A11. The maximum width in the line width direction of the first connection section A11 is larger than the maximum width in the line width direction of the second connection section A12. Therefore, the characteristic impedance occurring in the first connection section A11 is smaller than the characteristic impedance occurring in the second connection section A12. In other words, the difference between the specified characteristic impedance (50 Ω) and the characteristic impedance occurring in the first connection section A11 becomes larger. Therefore, the width w1 in the line width direction of the first thick line section A21b is larger than the width w2 in the line width direction of the second thick line section A22b. This increases the capacitance value occurring in the first thick line section A21b. The width w11 of the first thin line section A21a in the line width direction and the width w12 of the second thin line section A22a in the line width direction are smaller than the width w3 of the line section A31 in the line width direction. This increases the inductance value generated in the first thin line section A21a. As a result, the first intermediate section A21 matches the characteristic impedance generated in the line section A31 with the characteristic impedance generated in the first connection section A11.

(第2変形例)
以下に、第2変形例に係る接続導体層24bについて図面を参照しながら説明する。図6は、接続導体層24bの上面図である。
(Second Modification)
The connecting conductor layer 24b according to the second modification will be described below with reference to the drawings. Fig. 6 is a top view of the connecting conductor layer 24b.

接続導体層24bは、第1太線区間A21b及び第2太線区間A22bの形状において、接続導体層24aと相違する。第1太線区間A21b及び第2太線区間A22bは、テーパ形状を有している。第1太線区間A21b及び第2太線区間A22bは、線路区間A31に近づくに従って線幅方向の幅が小さくなっている。これにより、第1太線区間A21b及び第2太線区間A22bに発生する特性インピーダンスの急激な変化が抑制されている。接続導体層24bのその他の構造は、接続導体層24aと同じである。接続導体層24bを備える多層基板10は、接続導体層24aを備える多層基板10と同じ作用効果を奏することができる。 The connecting conductor layer 24b differs from the connecting conductor layer 24a in the shape of the first thick line section A21b and the second thick line section A22b. The first thick line section A21b and the second thick line section A22b have a tapered shape. The width of the first thick line section A21b and the second thick line section A22b decreases as they approach the line section A31. This suppresses sudden changes in the characteristic impedance that occur in the first thick line section A21b and the second thick line section A22b. The rest of the structure of the connecting conductor layer 24b is the same as that of the connecting conductor layer 24a. A multilayer substrate 10 including the connecting conductor layer 24b can achieve the same effects as a multilayer substrate 10 including the connecting conductor layer 24a.

(第3変形例)
以下に、第3変形例に係る接続導体層24cについて図面を参照しながら説明する。図7は、接続導体層24cの上面図である。
(Third Modification)
The connecting conductor layer 24c according to the third modification will be described below with reference to the drawings. Fig. 7 is a top view of the connecting conductor layer 24c.

接続導体層24cは、第1細線区間A21a及び第2細線区間A22aが存在しない点において接続導体層24と相違する。第1太線区間A21bは、第1接続区間A11に隣接している。第2太線区間A22bは、第2接続区間A12に隣接している。接続導体層24cのその他の構造は、接続導体層24と同じであるので説明を省略する。 The connecting conductor layer 24c differs from the connecting conductor layer 24 in that it does not have the first thin line section A21a or the second thin line section A22a. The first thick line section A21b is adjacent to the first connecting section A11. The second thick line section A22b is adjacent to the second connecting section A12. The rest of the structure of the connecting conductor layer 24c is the same as that of the connecting conductor layer 24, so a description will be omitted.

接続導体層24cを備える多層基板10によれば、信号導体層26と放射導体層20との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる。以下に、図面を参照しながら説明する。図8は、スミスチャートである。Z0は、線路区間A31に発生している特性インピーダンスである。Z0は、50Ωである。Z1は、第1接続区間A11に発生している特性インピーダンスである。Z1は、例えば、20Ωである。 A multilayer substrate 10 including the connection conductor layer 24c can prevent mismatches in characteristic impedance in the section between the signal conductor layer 26 and the radiation conductor layer 20. The following explanation will be given with reference to the drawings. Figure 8 is a Smith chart. Z0 is the characteristic impedance occurring in the line section A31. Z0 is 50 Ω. Z1 is the characteristic impedance occurring in the first connection section A11. Z1 is, for example, 20 Ω.

より詳細には、多層基板10では、接続導体層24cの第1接続区間A11及び第2接続区間A12の線幅方向の幅は、線路区間A31の線幅方向の幅より大きい。また、第1接続区間A11には層間接続導体v4が接触している。第2接続区間A12には層間接続導体v3が接触している。そのため、接続導体層24cの第1接続区間A11及び第2接続区間A12に発生する特性インピーダンスは、所望の特定インピーダンス(50Ω)からずれやすい。 More specifically, in the multilayer substrate 10, the width in the line width direction of the first connection section A11 and the second connection section A12 of the connection conductor layer 24c is greater than the width in the line width direction of the line section A31. Furthermore, the interlayer connection conductor v4 contacts the first connection section A11. The interlayer connection conductor v3 contacts the second connection section A12. Therefore, the characteristic impedance generated in the first connection section A11 and the second connection section A12 of the connection conductor layer 24c tends to deviate from the desired specific impedance (50 Ω).

そこで、接続導体層24cは、第1中間区間A21を含んでいる。第1太線区間A21bは、上下方向に見て、第1グランド導体層28と重なっている。これにより、第1太線区間A21bは、伝送線路として機能する。第1中間区間A21は、線路区間A31の線幅方向の幅より大きな線幅方向の幅を有する第1太線区間A21bを含んでいる。そのため、第1太線区間A21bに発生する特性インピーダンスZ2は、所定の特性インピーダンス(50Ω)より小さい。これにより、インピーダンスは、第1太線区間A21bに発生する特性インピーダンスZ2を中心とし、かつ、Z0を通過する円に沿うように移動する。そこで、第1太線区間A21bに発生する特性インピーダンスZ2が適切な値に設定され、かつ、第1太線区間A21bの長さが適切な長さに設定される。これにより、第1中間区間A21により、線路区間A31に発生している特性インピーダンスと第1接続区間A11に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。なお、説明を省略するが、同じ原理により、第2中間区間A22により、線路区間A31に発生している特性インピーダンスと第2接続区間A12に発生している特性インピーダンスとの整合が図られる。以上より、接続導体層24cを備える多層基板10によれば、信号導体層26と放射導体層20との間の区間において特性インピーダンスの不整合が発生することを抑制できる。 The connecting conductor layer 24c includes the first intermediate section A21. The first thick line section A21b overlaps the first ground conductor layer 28 when viewed in the vertical direction. This allows the first thick line section A21b to function as a transmission line. The first intermediate section A21 includes the first thick line section A21b, which has a width in the line width direction greater than the width of the line section A31. Therefore, the characteristic impedance Z2 generated in the first thick line section A21b is smaller than the predetermined characteristic impedance (50 Ω). As a result, the impedance moves along a circle centered on the characteristic impedance Z2 generated in the first thick line section A21b and passing through Z0. Therefore, the characteristic impedance Z2 generated in the first thick line section A21b is set to an appropriate value, and the length of the first thick line section A21b is set to an appropriate length. As a result, the first intermediate section A21 matches the characteristic impedance occurring in the line section A31 with the characteristic impedance occurring in the first connection section A11. Using the same principle, the second intermediate section A22 matches the characteristic impedance occurring in the line section A31 with the characteristic impedance occurring in the second connection section A12, although this will not be explained further. As a result, the multilayer substrate 10 including the connection conductor layer 24c can prevent mismatches in characteristic impedance from occurring in the section between the signal conductor layer 26 and the radiating conductor layer 20.

(第4変形例)
以下に、第4変形例に係る接続導体層24dについて図面を参照しながら説明する。図9は、接続導体層24dの上面図である。
(Fourth Modification)
The connecting conductor layer 24d according to the fourth modification will be described below with reference to the drawings. Fig. 9 is a top view of the connecting conductor layer 24d.

接続導体層24dは、線路区間A31が、上下方向に見て、屈曲している点において、接続導体層24と相違する。このように、線路区間A31は、直線形状を有していなくてもよい。接続導体層24dのその他の構造は、接続導体層24と同じであるので説明を省略する。接続導体層24dを備える多層基板10は、接続導体層24を備える多層基板10と同じ作用効果を奏することができる。 Connecting conductor layer 24d differs from connecting conductor layer 24 in that line section A31 is bent when viewed in the vertical direction. In this way, line section A31 does not have to have a straight shape. The rest of the structure of connecting conductor layer 24d is the same as that of connecting conductor layer 24, so a description thereof will be omitted. A multilayer substrate 10 including connecting conductor layer 24d can achieve the same effects as a multilayer substrate 10 including connecting conductor layer 24.

(第2実施形態)
以下に、第2実施形態に係る多層基板10aについて図面を参照しながら説明する。図10は、多層基板10aの断面図である。
Second Embodiment
A multilayer substrate 10a according to a second embodiment will be described below with reference to the drawings. Fig. 10 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10a.

多層基板10aは、第2積層体部12bの主たる絶縁材料が第1積層体部12aの主たる絶縁材料と異なる点において、多層基板10と相違する。第2積層体部12bの主たる絶縁材料のヤング率は、第1積層体部12aの主たる絶縁材料のヤング率より高い。第1積層体部12aの材料は、テフロン(登録商標)やFR-4である。第2積層体部12bの材料は、例えば、ポリイミドや液晶ポリマーである。多層基板10aのその他の構造は、多層基板10と同じであるので説明を省略する。多層基板10aは、多層基板10と同じ作用効果を奏することができる。 Multilayer substrate 10a differs from multilayer substrate 10 in that the primary insulating material of second laminate portion 12b is different from the primary insulating material of first laminate portion 12a. The Young's modulus of the primary insulating material of second laminate portion 12b is higher than the Young's modulus of the primary insulating material of first laminate portion 12a. The material of first laminate portion 12a is Teflon (registered trademark) or FR-4. The material of second laminate portion 12b is, for example, polyimide or liquid crystal polymer. The rest of the structure of multilayer substrate 10a is the same as that of multilayer substrate 10, so a description will be omitted. Multilayer substrate 10a can achieve the same effects as multilayer substrate 10.

多層基板10aでは、第2積層体部12bの主たる絶縁材料のヤング率は、第1積層体部12aの主たる絶縁材料のヤング率より高い。これにより、第2積層体部12bを任意の形状に容易に加工することが可能である。 In the multilayer substrate 10a, the Young's modulus of the primary insulating material of the second laminate portion 12b is higher than the Young's modulus of the primary insulating material of the first laminate portion 12a. This makes it possible to easily process the second laminate portion 12b into any desired shape.

(第3実施形態)
以下に、第3実施形態に係る多層基板10bについて図面を参照しながら説明する。図11は、多層基板10bの断面図である。図12は、多層基板10bに設けられた接続導体層24の上面図である。
(Third embodiment)
A multilayer substrate 10b according to a third embodiment will be described below with reference to the drawings. Fig. 11 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10b. Fig. 12 is a top view of a connecting conductor layer 24 provided on the multilayer substrate 10b.

多層基板10bは、主に、層間接続導体v3が信号導体層26側に位置し、層間接続導体v4が放射導体層20側に位置する点において、多層基板10と相違する。 The multilayer substrate 10b differs from the multilayer substrate 10 mainly in that the interlayer connection conductor v3 is located on the signal conductor layer 26 side, and the interlayer connection conductor v4 is located on the radiation conductor layer 20 side.

第3実施形態では、絶縁体層14e,14fだけでなく、絶縁体層14dも、絶縁体層14a~14cから右方向に延びている。絶縁体層14gは、絶縁体層14dの上に積層されている。第3実施形態では、絶縁体層14cが中間絶縁体層に相当し、絶縁体層14dが負側隣接絶縁体層に相当する。 In the third embodiment, not only insulator layers 14e and 14f but also insulator layer 14d extend rightward from insulator layers 14a to 14c. Insulator layer 14g is stacked on insulator layer 14d. In the third embodiment, insulator layer 14c corresponds to the intermediate insulator layer, and insulator layer 14d corresponds to the negative-side adjacent insulator layer.

第1積層体部12aは絶縁体層14a~14c及び保護層15aを含んでいる。第2積層体部12bは絶縁体層14d~14g及び保護層15b,15cを含んでいる。積層体12は、第1積層体部12aを熱圧着し、第2積層体部12bを熱圧着した後に、第1積層体部12aと第2積層体部12bとを熱圧着することにより、作成される。 The first laminate portion 12a includes insulator layers 14a-14c and protective layer 15a. The second laminate portion 12b includes insulator layers 14d-14g and protective layers 15b and 15c. The laminate 12 is created by thermocompression bonding the first laminate portion 12a, thermocompression bonding the second laminate portion 12b, and then thermocompression bonding the first laminate portion 12a and the second laminate portion 12b together.

接続導体層24は、絶縁体層14dの上主面に位置している。図12に示すように、接続導体層24は、第1接続区間A11から第2接続区間A12に向かう方向が右方向に一致するように設けられている。第3実施形態では、接続導体層24の左端部が接続導体層24の第1端部に相当し、接続導体層24の右端部が接続導体層24の第2端部に相当する。 The connecting conductor layer 24 is located on the upper main surface of the insulator layer 14d. As shown in FIG. 12, the connecting conductor layer 24 is arranged so that the direction from the first connecting section A11 to the second connecting section A12 coincides with the rightward direction. In the third embodiment, the left end of the connecting conductor layer 24 corresponds to the first end of the connecting conductor layer 24, and the right end of the connecting conductor layer 24 corresponds to the second end of the connecting conductor layer 24.

層間接続導体v3は、絶縁体層14d,14eを上下方向に貫通している。層間接続導体v3は、接続導体層24の右端部、即ち接続導体層24の第2接続区間A12、及び信号導体層26の左端部に接触している。これにより、層間接続導体v3は、接続導体層24と信号導体層26とを電気的に接続している。従って、層間接続導体v3は、信号導体層26に電気的に接続されている。 The interlayer connection conductor v3 passes through the insulator layers 14d and 14e in the vertical direction. The interlayer connection conductor v3 contacts the right end of the connection conductor layer 24, i.e., the second connection section A12 of the connection conductor layer 24, and the left end of the signal conductor layer 26. As a result, the interlayer connection conductor v3 electrically connects the connection conductor layer 24 and the signal conductor layer 26. Therefore, the interlayer connection conductor v3 is electrically connected to the signal conductor layer 26.

層間接続導体v4は、絶縁体層14cを上下方向に貫通している。層間接続導体v4は、接続導体層22bの左端部、及び接続導体層24の左端部、即ち接続導体層24の第1接続区間A11に接触している。これにより、層間接続導体v4は、接続導体層22bと接続導体層24とを電気的に接続している。従って、層間接続導体v4は、放射導体層20に電気的に接続されている。 The interlayer connection conductor v4 passes through the insulator layer 14c in the vertical direction. The interlayer connection conductor v4 contacts the left end of the connection conductor layer 22b and the left end of the connection conductor layer 24, i.e., the first connection section A11 of the connection conductor layer 24. As a result, the interlayer connection conductor v4 electrically connects the connection conductor layer 22b and the connection conductor layer 24. Therefore, the interlayer connection conductor v4 is electrically connected to the radiation conductor layer 20.

ここで、層間接続導体v4から放射導体層20までの電流経路の長さは、層間接続導体v3から放射導体層20までの電流経路の長さより短い。層間接続導体v3から信号導体層26までの電流経路の長さは、層間接続導体v4から信号導体層26までの電流経路の長さより短い。 Here, the length of the current path from the interlayer connection conductor v4 to the radiation conductor layer 20 is shorter than the length of the current path from the interlayer connection conductor v3 to the radiation conductor layer 20. The length of the current path from the interlayer connection conductor v3 to the signal conductor layer 26 is shorter than the length of the current path from the interlayer connection conductor v4 to the signal conductor layer 26.

多層基板10bのその他の構造は、多層基板10と同じであるので説明を省略する。多層基板10bは、多層基板10と同じ作用効果を奏することができる。 The rest of the structure of multilayer substrate 10b is the same as that of multilayer substrate 10, so a detailed description will be omitted. Multilayer substrate 10b can achieve the same effects as multilayer substrate 10.

(その他の実施形態)
本発明に係る多層基板は、多層基板10,10a,10bに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、多層基板10,10a,10bの構造を任意に組み合わせてもよい。また、接続導体層24,24a~24dの構造を任意に組み合わせてもよい。
(Other embodiments)
The multilayer substrate according to the present invention is not limited to the multilayer substrates 10, 10a, and 10b, and can be modified within the scope of the invention. Furthermore, the structures of the multilayer substrates 10, 10a, and 10b may be arbitrarily combined. Furthermore, the structures of the connecting conductor layers 24, 24a to 24d may be arbitrarily combined.

なお、第1太線区間A21bの線幅方向の幅は、第2太線区間A22bの線幅方向の幅以下であってもよい。 The width of the first thick line section A21b in the line width direction may be less than or equal to the width of the second thick line section A22b in the line width direction.

なお、第1細線区間A21aの線幅方向の幅及び第2細線区間A22aの線幅方向の幅は、線路区間A31の線幅方向の幅以上であってもよい。 The width in the line width direction of the first thin line section A21a and the width in the line width direction of the second thin line section A22a may be equal to or greater than the width in the line width direction of the line section A31.

なお、多層基板10,10a,10bは、信号導体層26より上に位置し、かつ、上下方向に見て、信号導体層26と重なるグランド導体を更に備えていてもよい。 The multilayer substrates 10, 10a, and 10b may further include a ground conductor located above the signal conductor layer 26 and overlapping the signal conductor layer 26 when viewed in the vertical direction.

なお、積層体12は、可撓性を有していなくてもよい。 Note that the laminate 12 does not have to be flexible.

なお、絶縁体層14a~14gの材料は、熱可塑性樹脂以外の材料であってもよい。 The material of the insulator layers 14a-14g may be a material other than thermoplastic resin.

なお、第2層間接続導体である層間接続導体v3の材料は、第1層間接続導体である層間接続導体v4の材料と同じでもよい。 The material of the second interlayer connection conductor, interlayer connection conductor v3, may be the same as the material of the first interlayer connection conductor, interlayer connection conductor v4.

本発明は、以下の構造を備える。 The present invention has the following structure:

(1)
中間絶縁体層及び負側隣接絶縁体層を含む複数の絶縁体層がZ軸方向に並ぶように積層された構造を有する積層体であって、複数の絶縁体層のそれぞれは、正主面、及び、前記正主面よりZ軸の負側に位置する負主面を有しており、前記負側隣接絶縁体層は、前記中間絶縁体層の前記Z軸の負側に位置し、かつ、前記中間絶縁体層に接触している、積層体と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Z軸の正側に位置している放射導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Z軸の負側に位置する信号導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層の前記負主面に位置し、かつ、第1接続区間、第2接続区間、線路区間、第1中間区間及び第2中間区間を含んでいる接続導体層であって、前記第1中間区間は、前記第1接続区間に隣接しており、前記第2中間区間は、前記第2接続区間に隣接しており、前記線路区間は、前記第1中間区間及び前記第2中間区間に隣接している、接続導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記接続導体層及び前記信号導体層より前記Z軸の負側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記接続導体層の少なくとも一部分及び前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっている第1グランド導体層と、
前記第1接続区間に接触している第1層間接続導体と、
前記第2接続区間に接触している第2層間接続導体と、
を備えており、
前記第1層間接続導体及び前記第2層間接続導体のうちの一方は、前記中間絶縁体層を前記Z軸方向に貫通し、前記放射導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記第1層間接続導体及び前記第2層間接続導体のうちの他方は、前記負側隣接絶縁体層を前記Z軸方向に貫通し、前記信号導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記接続導体層が伸びている方向を延伸方向と定義し、
前記延伸方向及び前記Z軸方向に直交する方向を線幅方向と定義し、
前記第1接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第1端部に位置しており、前記第2接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第2端部に位置しており、前記延伸方向において、前記接続導体層の第2端部は前記接続導体層の第1端部の反対側に位置しており、
前記延伸方向において、前記第1接続区間の両端は、前記Z軸方向に見た前記第1層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記延伸方向において、前記第2接続区間の両端は、前記Z軸方向に見た前記第2層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記第2接続区間の前記線幅方向の最大幅は、前記第1接続区間の前記線幅方向の最大幅より小さく、
前記第1中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第1太線区間を含んでおり、
前記第2中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第2太線区間を含んでおり、
前記第1太線区間及び前記第2太線区間は、前記線路区間に隣接している、
多層基板。
(1)
a laminate having a structure in which a plurality of insulator layers including an intermediate insulator layer and a negative-side adjacent insulator layer are stacked so as to be aligned in the Z-axis direction, each of the plurality of insulator layers having a positive main surface and a negative main surface located on the negative side of the Z-axis from the positive main surface, and the negative-side adjacent insulator layer is located on the negative side of the Z-axis of the intermediate insulator layer and is in contact with the intermediate insulator layer;
a radiation conductor layer provided on the laminate and positioned on the positive side of the Z axis relative to the intermediate insulator layer;
a signal conductor layer provided on the laminate and positioned on the negative side of the Z axis relative to the intermediate insulator layer;
a connecting conductor layer provided in the laminate, located on the negative principal surface of the intermediate insulator layer, and including a first connecting section, a second connecting section, a line section, a first intermediate section, and a second intermediate section, wherein the first intermediate section is adjacent to the first connecting section, the second intermediate section is adjacent to the second connecting section, and the line section is adjacent to the first intermediate section and the second intermediate section;
a first ground conductor layer provided on the laminate, positioned on the negative side of the Z-axis relative to the connection conductor layer and the signal conductor layer, and overlapping at least a portion of the connection conductor layer and at least a portion of the signal conductor layer when viewed in the Z-axis direction;
a first interlayer connection conductor in contact with the first connection section;
a second interlayer connection conductor in contact with the second connection section;
It is equipped with
one of the first interlayer connection conductor and the second interlayer connection conductor penetrates the intermediate insulator layer in the Z-axis direction and electrically connects the radiation conductor layer and the connection conductor layer;
the other of the first interlayer connection conductor and the second interlayer connection conductor penetrates the negative-side adjacent insulator layer in the Z-axis direction and electrically connects the signal conductor layer and the connection conductor layer,
The direction in which the connecting conductor layer extends is defined as an extension direction,
A direction perpendicular to the stretching direction and the Z-axis direction is defined as a line width direction,
the first connection section is located at a first end of the connection conductor layer in the extension direction, the second connection section is located at a second end of the connection conductor layer in the extension direction, and the second end of the connection conductor layer is located on the opposite side of the first end of the connection conductor layer in the extension direction;
In the extension direction, both ends of the first connection section are positioned at equal distances from the center of the first interlayer connection conductor as viewed in the Z-axis direction,
In the extension direction, both ends of the second connection section are positioned at equal distances from the center of the second interlayer connection conductor as viewed in the Z-axis direction,
a maximum width of the second connection section in the line width direction is smaller than a maximum width of the first connection section in the line width direction;
the first intermediate section includes a first thick line section having a width in the line width direction that is larger than a width of the line section in the line width direction,
the second intermediate section includes a second thick line section having a width in the line width direction that is larger than a width of the line section in the line width direction,
The first thick line section and the second thick line section are adjacent to the rail section.
Multilayer board.

(2)
前記第1太線区間の前記線幅方向の幅は、前記第2太線区間の前記線幅方向の幅より大きい、
(1)に記載の多層基板。
(2)
The width of the first thick line section in the line width direction is larger than the width of the second thick line section in the line width direction.
The multilayer substrate according to (1).

(3)
前記第1中間区間は、前記第1太線区間の前記線幅方向の幅より小さな前記線幅方向の幅を有する第1細線区間を含んでおり、
前記第2中間区間は、前記第2太線区間の前記線幅方向の幅より小さな前記線幅方向の幅を有する第2細線区間を含んでおり、
前記第1細線区間は、前記第1接続区間に隣接しており、
前記第2細線区間は、前記第2接続区間に隣接している、
(1)又は(2)のいずれかに記載の多層基板。
(3)
the first intermediate section includes a first thin line section having a width in the line width direction smaller than a width in the line width direction of the first thick line section,
the second intermediate section includes a second thin line section having a width in the line width direction smaller than a width in the line width direction of the second thick line section,
the first thin line section is adjacent to the first connection section,
the second thin line section is adjacent to the second connection section;
A multilayer substrate according to either (1) or (2).

(4)
前記第1細線区間の前記線幅方向の幅及び前記第2細線区間の前記線幅方向の幅は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より小さい、
(3)に記載の多層基板。
(4)
a width of the first thin line section in the line width direction and a width of the second thin line section in the line width direction are smaller than a width of the line section in the line width direction;
(3) The multilayer substrate according to (3).

(5)
前記第1グランド導体層は、前記Z軸方向に見て、前記放射導体層と重なっている、
(1)ないし(4)のいずれかに記載の多層基板。
(5)
the first ground conductor layer overlaps the radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction;
A multilayer substrate according to any one of (1) to (4).

(6)
前記積層体は、前記Z軸方向に直交するX軸方向に並ぶ第1区間及び第2区間を有しており、
前記第1区間の前記Z軸方向の厚みは、前記第2区間の前記Z軸方向の厚みより大きく、
前記接続導体層は、前記第1区間に位置しており、
前記信号導体層は、前記第1区間及び前記第2区間に位置している、
(1)ないし(5)のいずれかに記載の多層基板。
(6)
the laminate has a first section and a second section aligned in an X-axis direction perpendicular to the Z-axis direction,
The thickness of the first section in the Z-axis direction is greater than the thickness of the second section in the Z-axis direction,
the connecting conductor layer is located in the first section,
the signal conductor layer is located in the first section and the second section;
A multilayer substrate according to any one of (1) to (5).

(7)
前記積層体は、前記Z軸方向に直交するX軸方向にこの順に並ぶ第1区間、第2区間及び第3区間を有しており、
前記第1区間の前記Z軸方向の厚みは、前記第2区間の前記Z軸方向の厚みより大きく、
前記第3区間の前記Z軸方向の厚みは、前記第2区間の前記Z軸方向の厚みより大きく、
前記多層基板は、
前記第3区間に位置し、かつ、前記第1区間及び前記第2区間に位置しない第2グランド導体層を、
更に備えており、
前記第1グランド導体層は、前記第1区間、前記第2区間及び前記第3区間に位置しており、
前記第2グランド導体層は、前記信号導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっており、
前記信号導体層は、前記第1区間及び前記第2区間において、前記第1グランド導体層と共にマイクロストリップライン構造を形成しており、
前記信号導体層は、前記第3区間において、前記第1グランド導体層及び前記第2グランド導体層と共にストリップライン構造を形成している、
(1)ないし(6)のいずれかに記載の多層基板。
(7)
the laminate has a first section, a second section, and a third section arranged in this order in an X-axis direction perpendicular to the Z-axis direction,
The thickness of the first section in the Z-axis direction is greater than the thickness of the second section in the Z-axis direction,
The thickness of the third section in the Z-axis direction is greater than the thickness of the second section in the Z-axis direction,
The multilayer substrate comprises:
a second ground conductor layer located in the third section and not located in the first section or the second section;
It also has
the first ground conductor layer is located in the first section, the second section, and the third section;
the second ground conductor layer is located on the positive side of the Z-axis relative to the signal conductor layer and overlaps at least a portion of the signal conductor layer when viewed in the Z-axis direction;
the signal conductor layer forms a microstrip line structure together with the first ground conductor layer in the first section and the second section,
the signal conductor layer forms a stripline structure together with the first ground conductor layer and the second ground conductor layer in the third section;
A multilayer substrate according to any one of (1) to (6).

(8)
前記積層体は、第1積層体部及び第2積層体部を含んでおり、
前記第1積層体部は、前記中間絶縁体層より前記Z軸の正側に位置する1以上の前記絶縁体層及び前記中間絶縁体層を含んでおり、
前記第2積層体部は、前記中間絶縁体層より前記Z軸の負側に位置する1以上の前記絶縁体層を含んでおり、
前記第2積層体部の主たる絶縁材料は、前記第1積層体部の主たる絶縁材料と異なる、
(1)ないし(7)のいずれかに記載の多層基板。
(8)
the laminate includes a first laminate portion and a second laminate portion,
the first stacked body portion includes one or more of the insulator layers and the intermediate insulator layer located on the positive side of the Z axis relative to the intermediate insulator layer,
the second stacked body portion includes one or more of the insulator layers located on the negative side of the Z axis relative to the intermediate insulator layer,
a main insulating material of the second laminate portion is different from a main insulating material of the first laminate portion;
A multilayer substrate according to any one of (1) to (7).

(9)
前記第2積層体部の主たる絶縁材料のヤング率は、前記第1積層体部の主たる絶縁材料のヤング率より高い、
(8)に記載の多層基板。
(9)
The Young's modulus of the main insulating material of the second laminate section is higher than the Young's modulus of the main insulating material of the first laminate section.
(8) The multilayer substrate according to (8).

(10)
前記第2層間接続導体の材料は、前記第1層間接続導体の材料と異なる、
(8)又は(9)のいずれかに記載の多層基板。
(10)
the material of the second interlayer connection conductor is different from the material of the first interlayer connection conductor;
A multilayer substrate according to either (8) or (9).

(11)
前記積層体は、可撓性を有している、
(1)ないし(10)のいずれかに記載の多層基板。
(11)
The laminate has flexibility.
A multilayer substrate according to any one of (1) to (10).

(12)
前記複数の絶縁体層の材料は、熱可塑性樹脂である、
(1)ないし(11)のいずれかに記載の多層基板。
(12)
the material of the plurality of insulating layers is a thermoplastic resin;
A multilayer substrate according to any one of (1) to (11).

10,10a,10b:多層基板
12:積層体
12a:第1積層体部
12b:第2積層体部
14a~14g:絶縁体層
15a~15c:保護層
18:第2グランド導体層
20:放射導体層
22a,22b,24,24a~24d:接続導体層
26:信号導体層
28:第1グランド導体層
A1:第1区間
A11:第1接続区間
A12:第2接続区間
A2:第2区間
A21:第1中間区間
A21b:第1太線区間
A21a:第1細線区間
A22:第2中間区間
A22b:第2太線区間
A22a:第2細線区間
A3:第3区間
A31:線路区間
v1~v4:層間接続導体
10, 10a, 10b: Multilayer substrate 12: Laminate 12a: First laminate section 12b: Second laminate section 14a to 14g: Insulator layers 15a to 15c: Protective layer 18: Second ground conductor layer 20: Radiation conductor layers 22a, 22b, 24, 24a to 24d: Connection conductor layer 26: Signal conductor layer 28: First ground conductor layer A1: First section A11: First connection section A12: Second connection section A2: Second section A21: First intermediate section A21b: First thick line section A21a: First thin line section A22: Second intermediate section A22b: Second thick line section A22a: Second thin line section A3: Third section A31: Line sections v1 to v4: Interlayer connection conductors

Claims (12)

中間絶縁体層及び負側隣接絶縁体層を含む複数の絶縁体層がZ軸方向に並ぶように積層された構造を有する積層体であって、複数の絶縁体層のそれぞれは、正主面、及び、前記正主面よりZ軸の負側に位置する負主面を有しており、前記負側隣接絶縁体層は、前記中間絶縁体層の前記Z軸の負側に位置し、かつ、前記中間絶縁体層に接触している、積層体と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Z軸の正側に位置している放射導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層より前記Z軸の負側に位置する信号導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記中間絶縁体層の前記負主面に位置し、かつ、第1接続区間、第2接続区間、線路区間、第1中間区間及び第2中間区間を含んでいる接続導体層であって、前記第1中間区間は、前記第1接続区間に隣接しており、前記第2中間区間は、前記第2接続区間に隣接しており、前記線路区間は、前記第1中間区間及び前記第2中間区間に隣接している、接続導体層と、
前記積層体に設けられ、かつ、前記接続導体層及び前記信号導体層より前記Z軸の負側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記接続導体層の少なくとも一部分及び前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっている第1グランド導体層と、
前記第1接続区間に接触している第1層間接続導体と、
前記第2接続区間に接触している第2層間接続導体と、
を備えており、
前記第1層間接続導体及び前記第2層間接続導体のうちの一方は、前記中間絶縁体層を前記Z軸方向に貫通し、前記放射導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記第1層間接続導体及び前記第2層間接続導体のうちの他方は、前記負側隣接絶縁体層を前記Z軸方向に貫通し、前記信号導体層と前記接続導体層とを電気的に接続しており、
前記接続導体層が伸びている方向を延伸方向と定義し、
前記延伸方向及び前記Z軸方向に直交する方向を線幅方向と定義し、
前記第1接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第1端部に位置しており、前記第2接続区間は前記延伸方向における前記接続導体層の第2端部に位置しており、前記延伸方向において、前記接続導体層の第2端部は前記接続導体層の第1端部の反対側に位置しており、
前記延伸方向において、前記第1接続区間の両端は、前記Z軸方向に見た前記第1層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記延伸方向において、前記第2接続区間の両端は、前記Z軸方向に見た前記第2層間接続導体の中心から等しい距離に位置しており、
前記第2接続区間の前記線幅方向の最大幅は、前記第1接続区間の前記線幅方向の最大幅より小さく、
前記第1中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第1太線区間を含んでおり、
前記第2中間区間は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より大きな前記線幅方向の幅を有する第2太線区間を含んでおり、
前記第1太線区間及び前記第2太線区間は、前記線路区間に隣接している、
多層基板。
a laminate having a structure in which a plurality of insulator layers including an intermediate insulator layer and a negative-side adjacent insulator layer are stacked so as to be aligned in the Z-axis direction, each of the plurality of insulator layers having a positive main surface and a negative main surface located on the negative side of the Z-axis from the positive main surface, and the negative-side adjacent insulator layer is located on the negative side of the Z-axis of the intermediate insulator layer and is in contact with the intermediate insulator layer;
a radiation conductor layer provided on the laminate and positioned on the positive side of the Z axis relative to the intermediate insulator layer;
a signal conductor layer provided on the laminate and positioned on the negative side of the Z axis relative to the intermediate insulator layer;
a connecting conductor layer provided in the laminate, located on the negative principal surface of the intermediate insulator layer, and including a first connecting section, a second connecting section, a line section, a first intermediate section, and a second intermediate section, wherein the first intermediate section is adjacent to the first connecting section, the second intermediate section is adjacent to the second connecting section, and the line section is adjacent to the first intermediate section and the second intermediate section;
a first ground conductor layer provided on the laminate, positioned on the negative side of the Z-axis relative to the connection conductor layer and the signal conductor layer, and overlapping at least a portion of the connection conductor layer and at least a portion of the signal conductor layer when viewed in the Z-axis direction;
a first interlayer connection conductor in contact with the first connection section;
a second interlayer connection conductor in contact with the second connection section;
It is equipped with
one of the first interlayer connection conductor and the second interlayer connection conductor penetrates the intermediate insulator layer in the Z-axis direction and electrically connects the radiation conductor layer and the connection conductor layer;
the other of the first interlayer connection conductor and the second interlayer connection conductor penetrates the negative-side adjacent insulator layer in the Z-axis direction and electrically connects the signal conductor layer and the connection conductor layer,
The direction in which the connecting conductor layer extends is defined as an extension direction,
A direction perpendicular to the stretching direction and the Z-axis direction is defined as a line width direction,
the first connection section is located at a first end of the connection conductor layer in the extension direction, the second connection section is located at a second end of the connection conductor layer in the extension direction, and the second end of the connection conductor layer is located on the opposite side of the first end of the connection conductor layer in the extension direction;
In the extension direction, both ends of the first connection section are positioned at equal distances from the center of the first interlayer connection conductor as viewed in the Z-axis direction,
In the extension direction, both ends of the second connection section are positioned at equal distances from the center of the second interlayer connection conductor as viewed in the Z-axis direction,
a maximum width of the second connection section in the line width direction is smaller than a maximum width of the first connection section in the line width direction;
the first intermediate section includes a first thick line section having a width in the line width direction that is larger than a width of the line section in the line width direction,
the second intermediate section includes a second thick line section having a width in the line width direction that is larger than a width of the line section in the line width direction,
The first thick line section and the second thick line section are adjacent to the rail section.
Multilayer board.
前記第1太線区間の前記線幅方向の幅は、前記第2太線区間の前記線幅方向の幅より大きい、
請求項1に記載の多層基板。
The width of the first thick line section in the line width direction is larger than the width of the second thick line section in the line width direction.
The multilayer substrate according to claim 1 .
前記第1中間区間は、前記第1太線区間の前記線幅方向の幅より小さな前記線幅方向の幅を有する第1細線区間を含んでおり、
前記第2中間区間は、前記第2太線区間の前記線幅方向の幅より小さな前記線幅方向の幅を有する第2細線区間を含んでおり、
前記第1細線区間は、前記第1接続区間に隣接しており、
前記第2細線区間は、前記第2接続区間に隣接している、
請求項1又は請求項2のいずれかに記載の多層基板。
the first intermediate section includes a first thin line section having a width in the line width direction smaller than a width in the line width direction of the first thick line section,
the second intermediate section includes a second thin line section having a width in the line width direction smaller than a width in the line width direction of the second thick line section,
the first thin line section is adjacent to the first connection section,
the second thin line section is adjacent to the second connection section;
The multilayer substrate according to claim 1 or 2.
前記第1細線区間の前記線幅方向の幅及び前記第2細線区間の前記線幅方向の幅は、前記線路区間の前記線幅方向の幅より小さい、
請求項3に記載の多層基板。
a width of the first thin line section in the line width direction and a width of the second thin line section in the line width direction are smaller than a width of the line section in the line width direction;
The multilayer substrate according to claim 3 .
前記第1グランド導体層は、前記Z軸方向に見て、前記放射導体層と重なっている、
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。
the first ground conductor layer overlaps the radiation conductor layer when viewed in the Z-axis direction;
The multilayer substrate according to claim 1 or 2.
前記積層体は、前記Z軸方向に直交するX軸方向に並ぶ第1区間及び第2区間を有しており、
前記第1区間の前記Z軸方向の厚みは、前記第2区間の前記Z軸方向の厚みより大きく、
前記接続導体層は、前記第1区間に位置しており、
前記信号導体層は、前記第1区間及び前記第2区間に位置している、
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。
the laminate has a first section and a second section aligned in an X-axis direction perpendicular to the Z-axis direction,
The thickness of the first section in the Z-axis direction is greater than the thickness of the second section in the Z-axis direction,
the connecting conductor layer is located in the first section,
the signal conductor layer is located in the first section and the second section;
The multilayer substrate according to claim 1 or 2.
前記積層体は、前記Z軸方向に直交するX軸方向にこの順に並ぶ第1区間、第2区間及び第3区間を有しており、
前記第1区間の前記Z軸方向の厚みは、前記第2区間の前記Z軸方向の厚みより大きく、
前記第3区間の前記Z軸方向の厚みは、前記第2区間の前記Z軸方向の厚みより大きく、
前記多層基板は、
前記第3区間に位置し、かつ、前記第1区間及び前記第2区間に位置しない第2グランド導体層を、
更に備えており、
前記第1グランド導体層は、前記第1区間、前記第2区間及び前記第3区間に位置しており、
前記第2グランド導体層は、前記信号導体層より前記Z軸の正側に位置しており、かつ、前記Z軸方向に見て、前記信号導体層の少なくとも一部分と重なっており、
前記信号導体層は、前記第1区間及び前記第2区間において、前記第1グランド導体層と共にマイクロストリップライン構造を形成しており、
前記信号導体層は、前記第3区間において、前記第1グランド導体層及び前記第2グランド導体層と共にストリップライン構造を形成している、
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。
the laminate has a first section, a second section, and a third section arranged in this order in an X-axis direction perpendicular to the Z-axis direction,
The thickness of the first section in the Z-axis direction is greater than the thickness of the second section in the Z-axis direction,
The thickness of the third section in the Z-axis direction is greater than the thickness of the second section in the Z-axis direction,
The multilayer substrate comprises:
a second ground conductor layer located in the third section and not located in the first section or the second section;
It also has
the first ground conductor layer is located in the first section, the second section, and the third section;
the second ground conductor layer is located on the positive side of the Z-axis relative to the signal conductor layer and overlaps at least a portion of the signal conductor layer when viewed in the Z-axis direction;
the signal conductor layer forms a microstrip line structure together with the first ground conductor layer in the first section and the second section,
the signal conductor layer forms a stripline structure together with the first ground conductor layer and the second ground conductor layer in the third section;
The multilayer substrate according to claim 1 or 2.
前記積層体は、第1積層体部及び第2積層体部を含んでおり、
前記第1積層体部は、前記中間絶縁体層より前記Z軸の正側に位置する1以上の前記絶縁体層及び前記中間絶縁体層を含んでおり、
前記第2積層体部は、前記中間絶縁体層より前記Z軸の負側に位置する1以上の前記絶縁体層を含んでおり、
前記第2積層体部の主たる絶縁材料は、前記第1積層体部の主たる絶縁材料と異なる、
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。
the laminate includes a first laminate portion and a second laminate portion,
the first stacked body portion includes one or more of the insulator layers and the intermediate insulator layer located on the positive side of the Z axis relative to the intermediate insulator layer,
the second stacked body portion includes one or more of the insulator layers located on the negative side of the Z axis relative to the intermediate insulator layer,
a main insulating material of the second laminate portion is different from a main insulating material of the first laminate portion;
The multilayer substrate according to claim 1 or 2.
前記第2積層体部の主たる絶縁材料のヤング率は、前記第1積層体部の主たる絶縁材料のヤング率より高い、
請求項8に記載の多層基板。
The Young's modulus of the main insulating material of the second laminate section is higher than the Young's modulus of the main insulating material of the first laminate section.
The multilayer substrate according to claim 8 .
前記第2層間接続導体の材料は、前記第1層間接続導体の材料と異なる、
請求項8に記載の多層基板。
the material of the second interlayer connection conductor is different from the material of the first interlayer connection conductor;
The multilayer substrate according to claim 8 .
前記積層体は、可撓性を有している、
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。
The laminate has flexibility.
The multilayer substrate according to claim 1 or 2.
前記複数の絶縁体層の材料は、熱可塑性樹脂である、
請求項1又は請求項2に記載の多層基板。
the material of the plurality of insulating layers is a thermoplastic resin;
The multilayer substrate according to claim 1 or 2.
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